WO2014119092A1 - 複合センサ - Google Patents

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前田 大輔
一朗 大坂
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    • G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type

Definitions

  • the present invention relates to a composite sensor that detects a plurality of physical quantities, and more particularly, to a composite sensor that has a failure detection of a detection element of each physical quantity and a function that does not propagate the influence of the failure to other detection units.
  • Patent Document 1 is a background art in this technical field.
  • This patent document 1 describes a technique having overlapping angular velocity sensors. More specifically, in paragraph 0011 of Patent Document 1, a plurality of angular velocity sensors having a failure diagnosis circuit that outputs a failure signal at the time of failure, and a determination unit that determines whether or not the angular velocity sensor has failed and which angular velocity sensor has failed. And a step voltage output means for changing the failure signal stepwise based on the output signal from the determination means, and transmitting an output signal of an angular velocity sensor other than the failed angular velocity sensor to an external computer is described. Yes.
  • Patent Document 2 Patent Document 3
  • These Patent Documents 2 and 3 describe techniques for sharing a detection circuit among a plurality of axes. More specifically, the following contents are described.
  • the diagnostic voltage control unit 167 forcibly moves the vibrator 128 in the X-axis direction in order to diagnose whether or not the acceleration sensor is operating normally. It is described that a voltage is applied to electrodes 131 and 133 by displacing 129 in the Y-axis direction.
  • FIG. 11 of Patent Document 3 describes that the carrier wave application circuit 18 applies a carrier wave to the variable capacitance capacitors 21a, 21b, 22a, and 22b having orthogonal sensitivity (detection axes).
  • Sensor devices using semiconductor technology for detecting inertia a type called MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) have been developed, and are particularly being applied to the automotive field. Further, in recent years, “composite” in which a plurality of physical quantities are realized by one sensor module or one detection element chip has progressed, and the movement to realize cost reduction of sensors has been accelerated.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • FIG. 11 is a diagram showing an example of the entire configuration of the composite sensor studied as a premise of the present invention.
  • FIG. 11 is a configuration example of a composite acceleration sensor having two detection elements, that is, two-axis acceleration, that is, a first acceleration detection element and a second acceleration detection element.
  • the acceleration detection element chip 311 has a first acceleration detection element and a second acceleration detection element, and the first and second movable parts 312a and 312b that are displaced by acceleration, A capacitor is formed by a fixed portion that is not displaced with respect to the respective movable portions 312a and 312b, and first and second detection electrodes 313a and 313b that detect acceleration are provided. Further, each of the first acceleration detection element and the second acceleration detection element is formed with a capacitor by the respective movable portions 312a and 312b and a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portions 312a and 312b. First and second diagnostic electrodes 314a and 314b that are forcibly displaced are provided.
  • first and second carrier voltage application units 315a and 315b for applying carrier voltages to the respective detection electrodes 313a and 313b are provided.
  • first and second support beams 317a and 317b that support the movable portions 312a and 312b, and a dummy pattern portion 316 that is an area other than the movable portion and the fixed portion are provided.
  • the signal detection LSI 320 includes first and second C / V (Capacitance to Voltage) conversion circuits 321a and 321b, first and second amplifier circuits 322a and 322b, and first and second ADCs (Analogue toto).
  • Digital Convertor) 323a and 323b are provided for each detection element.
  • the above-described first acceleration detection element and its detection circuit (the first C / V conversion circuit 321a, the first amplifier circuit 322a, and the first ADC 323a) constitute a first detection unit.
  • the second acceleration detection element and its detection circuit (second C / V conversion circuit 321b, second amplifier circuit 322b, and second ADC 323b) constitute a second detection unit.
  • the signal detection LSI 320 includes a reference voltage generation circuit 324, an oscillator and clock generation circuit 325, an EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), a memory 326 such as a register, Diagnostic voltage output DAC (Digital-to-Analogue-Convertor) 327, carrier signal generation DAC 328, substrate voltage generation DAC 329, DSP (Digital-Signal-Processor) circuit unit 330, power supply voltage input unit 331, GND voltage input unit 332 are the number of detection elements. There are fewer, i.e. generally only one set. The reason for this will be described later.
  • acceleration detection element chip 311 and the signal detection LSI 320 are electrically connected by a bonding wire 341.
  • the composite acceleration sensor configured as described above will be described.
  • an external power supply voltage is received by the power supply voltage input unit 331 and the GND voltage input unit 332. Then, the received power supply voltage is converted into the first C / V conversion circuit 321a, the first amplifier circuit 322a, the first ADC 323a, the second C / V conversion circuit 321b, which are circuit elements in FIG. Second amplifier circuit 322b, second ADC 323b, diagnostic voltage output DAC 327, carrier signal generation DAC 328, substrate voltage generation DAC 329, reference voltage generation circuit 324, oscillator and clock generation circuit 325, memory 326, and DSP circuit unit 330, respectively To supply.
  • the reference voltage generation circuit 324 has a function of generating a predetermined constant voltage level that suppresses fluctuations depending on the power supply voltage and temperature. Such a reference voltage serves as a reference voltage for the ADC or DAC to determine the sensitivity of the sensor.
  • the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 324 is supplied to the first ADC 323a, the second ADC 323b, the diagnostic voltage output DAC 327, the carrier signal generation DAC 328, and the substrate voltage generation DAC 329. Even if the reference voltage generation circuit 324 is a composite acceleration sensor, since it is shared by the detection units as described above, it can be configured to include only one composite sensor. With such a configuration, the signal detection LSI 320 can be miniaturized and the manufacturing cost can be reduced.
  • the carrier signal generation DAC 328 receives a trigger of the clock from the oscillator and clock generation circuit 325, and applies a carrier signal in which the reference voltage is adjusted to a predetermined voltage by voltage division or the like to the carrier voltage application units 315a and 315b. At this time, the carrier signal generation DAC 328 and the oscillator and clock generation circuit 325 are shared by a plurality of detection units for the same reason as the reference voltage generation circuit 324.
  • the movable portion when acceleration is applied, the movable portion is displaced to change the relative distance from the fixed portion, that is, the capacitance of the detection electrodes 313a and 313b is changed.
  • the capacitance change amounts of the detection electrodes 313a and 313b to which the carrier signal is applied are input to the C / V conversion circuits 321a and 321b in the form of current and are converted into voltage signals.
  • the acceleration converted into the voltage signal is subjected to waveform shaping in the DSP circuit unit 330 through the amplifier circuits 322a and 322b, ADCs 323a and 323b, for example, noise removal by a low-pass filter (LPF: Low Pass Filter), zero point and gain Through trimming (TRIM.) Adjustment and the like, acceleration is output to a host system via communication means (Comm.) Such as SPI (Serial Peripheral Interface) communication.
  • Comm. Such as SPI (Serial Peripheral Interface) communication.
  • the DSP circuit unit 330 and the memory 326 are also used by each detection unit for the same reason as the reference voltage generation circuit 324.
  • the C / V conversion circuits 321a and 321b, the amplifier circuits 322a and 322b, and the ADCs 323a and 323b are circuits that process voltage signals for a continuous time, it is generally difficult to serve as other detection units. It is necessary to provide as many as Further, the diagnostic voltage output DAC 327 is also used in each detection unit.
  • an electrostatic force is generated by applying a voltage to the diagnostic electrodes 314a and 314b of each detection element, and a failure such as sticking is detected by confirming the occurrence of displacement by the DSP circuit unit 330. Is.
  • the substrate voltage generation DAC 329 is also used in each detection unit.
  • the substrate voltage is a voltage of the dummy pattern unit 316.
  • the dummy pattern portion 316 that is a conductor that is originally not directly required for detecting the acceleration and does not constitute an electrode for realizing the function as a sensor has a function of fixing the voltage to a constant value without setting the voltage in a floating state. It is desirable to have. However, it is sufficient to apply the same voltage to all the detection elements as described above, that is, the voltage of the dummy pattern portion, that is, the substrate voltage, and each detection portion can also serve as the substrate voltage generation DAC 329.
  • the dummy pattern portion 316 of the acceleration detection element chip 311 is a common conductor for all the detection elements and is not configured to be divided into voltages, it is obvious. It is necessary and sufficient to have one substrate voltage generation DAC 329 on the signal detection LSI 320 side. With the configuration as described above, an acceleration sensor having a plurality of detection elements can be used as much as possible on the signal detection LSI side, so that a composite sensor with a reduced manufacturing cost can be realized. Therefore, in general, the configuration as described above is often used.
  • the former is a so-called solid state, it has no mechanical moving parts and is excellent in impact resistance.
  • the latter has a fine mechanical structure, and has a configuration in which it is always displaced by acceleration or electrostatic force. That is, in general, the failure occurrence rate of the signal detection LSI is very low compared to the acceleration detection element chip. Further, even when compared to contact failure or short circuit of the bonding wires connecting the two, the failure occurrence rate of the signal detection LSI alone is generally extremely low.
  • Patent Document 1 described above describes a configuration in which a plurality of angular velocity sensors are provided in the overlap sensor, and one circuit is provided in the overlap sensor having means for detecting failures and selecting an output. . That is, it can be said that the premise of the composite sensor and the duplicate sensor is that even if the acceleration sensor unit having a mechanical structure fails, the circuit unit hardly fails. In other words, the probability that a plurality of circuit portions of the same sensor simultaneously fail and the probability that one failure occurs in a sensor circuit portion having a plurality of detection elements are compared with those of the mechanical structure portion and the bonding wire portion, There is a perception that they can be considered almost the same.
  • Patent Document 2 and Patent Document 3 described above also describe a technique for sharing a detection circuit among a plurality of axes in consideration of the cost advantage of the duplicate sensor.
  • a diagnostic voltage control unit is shared
  • Patent Document 3 a carrier wave application circuit is shared so that a cost advantage can be obtained.
  • the acceleration detection element chip 311 shown in FIG. 11 described above has a fine mechanical structure in which a material such as silicon is produced by an etching processing technique such as DRIE (Deep Reactive Ion Etching).
  • a material such as silicon
  • DRIE Deep Reactive Ion Etching
  • the mass of the movable part is about several micrograms to several hundred micrograms, so that an electric electrostatic force may be dominant with respect to the displacement.
  • the movable portion is fixed to the fixed portion of the electrode or the dummy pattern portion by the floating charge.
  • the failure mode may occur.
  • conductive particles are generated for some reason or mixed from the time of manufacture, when they are attached between conductors at different voltages, they are electrically short-circuited.
  • all the conductors of the acceleration detection element chip 311 are not floated and are given some voltage, and therefore if there is a difference between them, a current flows.
  • a failure mode such as a bonding wire dropout or a short circuit due to mutual contact may occur in the sensor structure. Also in this case, a current different from the amount of current intended at the time of design is generated due to the voltage difference.
  • the acceleration detection element part and the bonding wire part on the load side as seen from the signal detection LSI are in a low impedance state, which is different from the assumption at the time of original circuit design.
  • the first and second C / V conversion circuits 321a and 321b, the first and second amplifier circuits 322a and 322b, and the first and second ADCs 323a and 323b a voltage that is not input in a normal operating range.
  • a failure mode in which current is input occurs.
  • a failure occurs in which an excessive current flows from the power source or the current amount allowable by the reference voltage generation circuit 324 is exceeded.
  • FIG. 12 shows an example of a C / V conversion circuit that detects acceleration by a change in the capacitance Cs.
  • 2001 is a switch
  • 2002 is an output terminal
  • 2003 is a carrier signal generator having a voltage amplitude (carrier voltage) Vc
  • 2004 is a bias voltage
  • 2005 is an operational amplifier.
  • the carrier voltage is created by dividing the reference voltage in order to obtain accuracy, the change in the reference voltage changes the carrier voltage Vc.
  • the higher-order system detects the change in the capacitance Cs even though the capacitance Cs for detecting acceleration does not change, and the output of the sensor is detected by the change in the carrier voltage Vc. A failure mode occurs that fluctuates.
  • the network voltage becomes different from the voltage intended at the time of design due to the occurrence of a short circuit or the above-mentioned overcurrent, so the interaction due to parasitic capacitance or parasitic resistance in the circuit is also different from the design time. become.
  • the parasitic capacitance that was not visible because the voltage was the same between the conventional conductors becomes parasitic capacitance because one of the conductors has fallen to the ground level.
  • a voltage may be applied to the power conductor, and the ground level of the entire circuit may fluctuate.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and a typical object thereof is to occur in a certain detection element in a composite sensor having a plurality of detection elements or overlapping detection elements. It is an object of the present invention to provide a technique for suppressing the failure that has occurred from affecting the detection unit in which no other failure has occurred.
  • a typical composite sensor is a composite sensor having a plurality of detection elements that detect a plurality of physical quantities.
  • the composite sensor includes a plurality of detection units each including a signal detection circuit included in each of the plurality of detection elements, a power source shared between the plurality of detection units, and each of the plurality of detection units. And a plurality of failure detection circuits that detect a failure of each detection element and stop power supply to the detection unit where the failure has occurred.
  • the typical effect is that in a composite sensor having a plurality of detection elements or overlapping detection elements, a failure occurring in one detection element is prevented from affecting a detection unit in which no other failure has occurred. Can do.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a configuration of an overcurrent switch circuit that realizes overcurrent detection and power supply stop in the composite sensor illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a configuration of another overcurrent switch circuit that realizes overcurrent detection and power supply stop in the composite sensor illustrated in FIG. 1.
  • (A) (b) is a figure which shows an example of a structure of the overcurrent switch circuit which implement
  • FIG. 1 is a figure which shows an example of the sensor output change at the time of failure occurrence on a time axis.
  • (A) is a figure which shows an example of the sensor output format at the time of normality and a failure occurrence in the composite sensor shown in FIG.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating an example of a signal detection LSI mounting method in the composite sensor illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating an example of another mounting method of the signal detection LSI in the composite sensor illustrated in FIG. 1. It is a figure which shows an example of the whole structure of the composite sensor in Embodiment 2 of this invention.
  • (A) and (b) are figures which show an example of the sensor output format at the time of normality and a failure occurrence in the composite sensor shown in FIG. It is a figure which shows an example of the whole structure of the composite sensor examined as a premise of this invention. In description of the subject which this invention tends to solve, it is a figure which shows an example of a structure of the C / V conversion circuit which detects an acceleration by the change of an electrostatic capacitance.
  • the constituent elements are not necessarily indispensable unless otherwise specified and apparently essential in principle. Needless to say.
  • the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc. when referring to the shapes, positional relationships, etc. of the components, etc., the shapes are substantially the same unless otherwise specified, or otherwise apparent in principle. And the like are included. The same applies to the above numerical values and ranges.
  • a typical composite sensor includes a plurality of detection elements that detect a plurality of physical quantities (Embodiment 1: first and second acceleration detection elements 311a and 311b, Embodiment 2: first and second).
  • the acceleration sensor elements 311a and 311b and the first angular velocity sensor element 1013a) are combined sensors.
  • the composite sensor includes signal detection circuits (C / V conversion circuits 321a, 321b, 1001, 1004, amplifier circuits 322a, 322b, 1002, 1005, ADCs 323a, 323b, 1003, 1006, etc.) provided for each of the plurality of detection elements.
  • a plurality of detection units each including a diagnostic voltage output DAC 327a, 327b, a carrier signal generation DAC 328a, 328b, 1008, a substrate voltage generation DAC 329a, 329b, 1009, and a drive voltage generation DAC 1007), and each of the plurality of detection units Power supply (power supply voltage input unit 331 and GND voltage input unit 332) and each of the plurality of detection units, detecting a failure of each detection element, and supplying power to the detection unit in which the failure has occurred
  • Multiple fault detection circuits overcurrent switch A latch circuit 101a, 101b, 104) and, the.
  • the composite sensor includes a reference voltage generation circuit (reference voltage generation circuit 324) and a clock generation circuit (oscillator and clock generation circuit 325) shared among the plurality of detection units.
  • each of the plurality of failure detection circuits includes a buffer circuit (an operational amplifier 701). At least one of the voltage signal of the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit and the voltage signal of the clock generated by the clock generation circuit is given to each detection unit via each of the plurality of buffer circuits. It has been.
  • a composite sensor that realizes biaxial acceleration detection (Embodiment 1)
  • a composite sensor that realizes biaxial acceleration detection and uniaxial angular velocity detection (Embodiment 2).
  • the technology shown in this specification is not necessarily limited to the above-described configuration, and can be widely applied to all composite sensors having a multi-axis detection axis or a configuration for detecting a physical quantity other than acceleration and angular velocity. It can be done.
  • the detection of the failure of the detection element of each physical quantity and the function of not propagating the influence of the failure to other detection units the so-called functional safety applied composite sensor Concerning configuration.
  • a composite sensor having a plurality of detection elements or overlapping detection elements shares part of the function of the signal detection LSI. Therefore, it is possible to realize a sensor to which a so-called functional safety is applied, which solves the problem of being able to affect a detection unit in which no failure has occurred.
  • FIG. 1 is a diagram showing an example of the overall configuration of this composite sensor.
  • a configuration example of a composite sensor having two acceleration detection elements of two-axis acceleration, that is, a first acceleration detection element and a second acceleration detection element is used.
  • 1 includes an acceleration detection element chip 311 and a signal detection LSI 320.
  • the acceleration detection element chip 311 has a first acceleration detection element 311a and a second acceleration detection element 311b.
  • the first and second acceleration detection elements 311a and 311b are provided with capacitors by first and second movable parts 312a and 312b that are displaced by acceleration, and fixed parts that are not displaced with respect to the respective movable parts 312a and 312b.
  • First and second detection electrodes 313a and 313b that are formed and detect acceleration are provided.
  • a capacitor is formed by the movable portions 312a and 312b and a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portions 312a and 311b, and a voltage is applied to the movable portions 312a and 312b.
  • first and second diagnostic electrodes 314a and 314b that realize a function of forcibly displacing the electrode by electrostatic force.
  • the first and second acceleration detection elements 311a and 311b include first and second carrier voltage application units 315a and 315b that apply carrier voltages to the respective detection electrodes 313a and 313b.
  • first and second acceleration detecting elements 311a and 311b include first and second support beams 317a and 317b that support the movable portions 312a and 312b, and a first region that is an area other than the movable portion and the fixed portion. And second dummy pattern portions 316a and 316b.
  • the signal detection LSI 320 includes first and second C / V conversion circuits 321a and 321b, first and second amplifier circuits 322a and 322b, first and second ADCs 323a and 323b, and first and second diagnostic voltages.
  • Output DACs 327a and 327b, first and second carrier signal generation DACs 328a and 328b, and first and second substrate voltage generation DACs 329a and 329b are provided for each detection element.
  • the first acceleration detecting element 311a and its detection circuit (first C / V conversion circuit 321a, first amplifier circuit 322a, first ADC 323a, first diagnostic voltage output DAC 327a, first carrier)
  • the signal generation DAC 328a and the first substrate voltage generation DAC 329a) constitute a first acceleration detection unit
  • the second acceleration detection element 311b and its detection circuit (second C / V conversion circuit 321b,
  • the second amplifier circuit 322b, the second ADC 323b, the second diagnostic voltage output DAC 327b, the second carrier signal generation DAC 328b, and the second substrate voltage generation DAC 329b) constitute a second acceleration detection unit.
  • the signal detection LSI 320 includes a reference voltage generation circuit 324, an oscillator and clock generation circuit 325, a memory 326 such as an EPROM, ROM, RAM, and register, a DSP circuit unit 330, a power supply voltage input unit 331, and a GND voltage input unit 332.
  • the number of detection elements is smaller than the number of detection elements, that is, generally only one set is provided. The reason for this is as described above.
  • acceleration detection element chip 311 and the signal detection LSI 320 are electrically connected by a bonding wire 341.
  • the power supply voltage from the outside is received by the power supply voltage input unit 331 and the GND voltage input unit 332. Then, the received power supply voltage passes through the first and second overcurrent switch circuits 101a and 101b provided for each detection unit, and the first and second C, which are each circuit element in FIG.
  • the carrier signal generation DACs 328a and 328b are supplied to the first and second substrate voltage generation DACs 329a and 329b, respectively.
  • the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, and the DSP circuit unit 330 are directly supplied with the power supply voltage received from the outside.
  • the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 324 is supplied to the first and second ADCs 323a, 323b, first, via the first and second overcurrent switch circuits 102a, 102b provided for each detection unit. And second diagnostic voltage output DACs 327a and 327b, first and second carrier signal generation DACs 328a and 328b, and first and second substrate voltage generation DACs 329a and 329b, respectively.
  • This reference voltage generation circuit 324 is also shared by the detection units in this embodiment. With such a configuration, the signal detection LSI 320 can be miniaturized and the manufacturing cost can be reduced.
  • the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, the DSP circuit unit 330, the power supply voltage input unit 331, and the GND voltage input unit 332 are shared by all the detection units. In the form, only one set is provided.
  • the oscillator and clock generation circuit 325 generates carrier signals to the first and second carrier signal generation DACs 328a and 328b via the first and second overcurrent switch circuits 103a and 103b provided for each detection unit, respectively. Enter the trigger that gives the timing.
  • the first carrier signal generation DAC 328a and the second carrier signal generation DAC 328b that have received the reference voltage receive a clock trigger from the common oscillator and clock generation circuit 325, and receive the carrier signal from the first carrier voltage application unit 315a, respectively.
  • the voltage is applied to the second carrier voltage application unit 315b.
  • the oscillator and clock generation circuit 325 is also used as the first and second acceleration detection elements 311a and 311b.
  • different carrier signal generation DACs 328a and 328b are used for the first acceleration detection element 311a and the second acceleration detection element 311b.
  • the carrier signals of the acceleration detection elements 311a and 311b are independent from each other, the frequency, amplitude, and phase of the carrier signals do not necessarily have to be the same, and different carrier signal generation DACs are used. However, the same frequency, amplitude, and phase may be used.
  • the movable portion when an acceleration is applied, the movable portion is displaced to change the relative distance from the fixed portion.
  • the capacitance of the first detection electrode 313a changes.
  • the amount of change in capacitance of the first detection electrode 313a to which the carrier signal is applied is input to the first C / V conversion circuit 321a in the form of current and converted into a voltage signal.
  • the acceleration applied in the sensitivity direction of the first acceleration detection element 311a converted into the voltage signal is subjected to waveform shaping in the DSP circuit unit 330 via the first amplifier circuit 322a and the first ADC 323a, that is, noise removal by LPF.
  • the applied acceleration is output to the host system via communication means such as SPI communication.
  • the DSP circuit unit 330 and the memory 326 are also used by the acceleration detection elements 311a and 311b for the same reason as the reference voltage generation circuit 324. Since the function of the second acceleration detection element 311b is the same as that of the first acceleration detection element 311a, the description thereof is omitted.
  • FIGS. 2 and 3 are diagrams showing examples of the configuration of an overcurrent switch circuit that realizes overcurrent detection and power supply stop, respectively.
  • FIGS. 4A and 4B are diagrams illustrating an example of the configuration of an overcurrent switch circuit that realizes separation of influence of overcurrent and power supply stop with respect to the reference voltage.
  • the overcurrent switch circuit shown in FIG. 2 can be applied to both the power supply voltage input from the outside of the signal detection LSI 320 and the reference voltage generation circuit 324. That is, the present invention can be applied to the first and second overcurrent switch circuits 101a and 101b and the first and second overcurrent switch circuits 102a and 102b.
  • the function will be described by taking the overcurrent switch circuits 101a and 101b for detecting the overcurrent of the power supply voltage as an example, but when applied to the overcurrent switch circuits 102a and 102b, “ “Power supply voltage” can be directly replaced with “reference voltage”. Needless to say, the same applies to the overcurrent switch circuits 103a and 103b of the oscillator and clock generation circuit 325.
  • the overcurrent switch circuits 101a and 101b shown in FIG. 2 include a voltage input unit 501, a switch 502 formed of a MOS transistor, a current detection circuit unit 503 formed of a resistor and an operational amplifier, a comparator 505 serving as a determination threshold 504, an LPF 506, and an inverter. It comprises a failure determination output unit 507 and the like.
  • the power supply voltage applied to the overcurrent switch circuits 101a and 101b is input to the current detection circuit unit 503 via the voltage input unit 501 and further via the switch 502, and the output is output as the power supply voltage to be supplied to the detection unit. .
  • the output of the current detection circuit unit 503 is compared with the determination threshold value 504 by the comparator 505, and passes through the LPF 506 that removes the clock noise caused by the digital circuit and the current component generated at a high frequency, and then from the failure determination output unit 507. It is sent to the external DSP circuit unit 330.
  • the comparator 505 may be configured not only to detect that it is greater than a certain value but also to detect that it is less than a certain value or to compare that it is within a certain range.
  • the LPF 506 may be mounted in the DSP circuit unit 330. This is because a failure due to a short circuit may fall into a failure mode where the voltage disappears where the voltage should originally be. Further, the DSP circuit unit 330 disables an enable signal for the detection circuit of the detection element that has been notified that the failure determination is true so that the switch 502 is turned off, that is, the energization state is set to the insulation state. Switch to Disable) signal.
  • this function combining an analog circuit and a digital circuit (DSP circuit part) causes the failure of a short circuit, and the power supply voltage of the detection element through which a current of a magnitude different from normal flows flows from other detection parts. Insulated. Therefore, the power supply voltage common to each detection unit, the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, and the DSP circuit unit 330 are propagated with a failure caused by a current abnormality due to a short circuit of the detection element in which the failure has occurred. do not do. This defect is a decrease in power supply voltage as described above. Since the failure of the detection element in which the failure has occurred is not propagated to the other detection unit having no failure, the output of the detection unit that has not failed can be continued even after the occurrence of the failure.
  • the outputs of the switch 502 and the comparator 505 may be connected without passing through the DSP circuit unit 330.
  • the occurrence of a malfunction is stored by a fuse or the like based on the output of the comparator 505, and the output is given to the switch 502.
  • the input to the switch 502 may be input to the DSP circuit unit 330 in parallel, and a failure notification may be input to the output frame of the sensor, or the failure notification may be output to an external output terminal (not shown) as it is. It is good also as a structure which provides a port.
  • the overcurrent switch circuit may have a configuration as shown in FIG.
  • the overcurrent switch circuits 101a and 101b shown in FIG. 3 include a voltage input unit 601, a switch 602 including two MOS transistors, a current detection circuit unit 603 including a resistor, a comparator 605 serving as a determination threshold 604, and a failure determination including an inverter.
  • An output unit 606, a driver circuit 607, and the like are included.
  • the power supply voltage applied to the overcurrent switch circuits 101a and 101b is input to the current detection circuit unit 603 via the voltage input unit 601 and further via the switch 602, and the output is output as the power supply voltage to be supplied to the detection unit.
  • the switch 602 is a transistor constituting a shunt MOS, and has a configuration in which the amount of current flowing on the power supply side is supplied to the current detection circuit unit 603 in a ratio of the MOS size or the parallel number.
  • the amount of current converted into a voltage by the current detection circuit unit 603 is compared with the determination threshold value 604 by the comparator 605 and sent from the failure determination output unit 606 to the external DSP circuit unit 330.
  • the DSP circuit unit 330 switches the enable signal to the disable signal for turning off the switch 502 for the detection unit that has been notified that the failure determination is true.
  • the disable signal turns off the switch 602 through the driver circuit 607.
  • the two overcurrent switch circuits shown as the above configuration examples were applicable to both the power supply voltage and the reference voltage.
  • the overcurrent switch circuit may be configured by using a buffer circuit as shown in FIGS. 4A and 4B below.
  • the buffer circuit can be realized by configuring a voltage follower using an operational amplifier or a source follower circuit using a transistor, lowering the output impedance, realizing a better characteristic as a reference voltage, impedance conversion effect Therefore, even when a large current is generated due to a short circuit or the like in the detection element, there is an effect of making it difficult for the reference voltage to fluctuate.
  • the overcurrent switch circuits 102a and 102b shown in FIG. 4A include an operational amplifier 701 composed of eight MOS transistors and a current source, a comparator 703 serving as a determination threshold 702, a failure determination output unit 704 including an inverter, and a resistor R Etc.
  • a voltage follower is configured by connecting the Vn input and output terminal of an operational amplifier 701 composed of MOS transistors, a reference voltage is applied to the Vp input, and the same voltage as the input reference voltage is obtained at the output terminal.
  • a resistor R is inserted in the output stage of the operational amplifier 701. This brings about an effect of generating a voltage drop at the resistor R when a short circuit occurs in the network connected to the reference voltage output unit.
  • this configuration constitutes a circuit that serves as an insulation switch of the corresponding detection unit associated with overcurrent detection.
  • the host system supplies the disable signal not only to a switch (not shown) that turns off the power supply voltage of the buffer circuit but also to a switch (not shown) that turns off the power supply voltage of all the circuits of the corresponding detection unit.
  • the overcurrent switch circuit shown in FIG. 4B is composed of a transistor, a resistor R, and a low current circuit of a current I sink, and outputs Vin to Vout with a low impedance by a source follower circuit.
  • the drain-source voltage Vds of the transistor decreases due to a voltage drop at the resistor R, and the drain current cannot flow.
  • the voltage is output from the reference voltage output unit.
  • the amount of current to be limited is limited by the resistance R.
  • this configuration constitutes a circuit that serves as an insulation switch of the corresponding detection unit associated with overcurrent detection.
  • the circuit for performing overcurrent detection and accompanying insulation for the corresponding detection unit is provided. Can be realized.
  • the overcurrent switch circuit may be configured by supplying a disable signal output from the DSP circuit unit to a power supply circuit of the buffer circuit or a switch provided in the output circuit of the buffer circuit.
  • the buffer circuit is used for the power supply voltage, it is difficult to make the output voltage of the buffer circuit to the same level as the power supply voltage (take a swing), or the drivability of the buffer circuit is greatly increased. Because there is a problem that it is necessary, it may not always be a useful configuration. However, since it is not impossible to realize a so-called Rail-to-Rail operational amplifier, the power supply voltage may be configured using a buffer circuit.
  • the configuration that indirectly detects the overcurrent from the change in the difference between the power supply voltage and the reference voltage It may be.
  • the effect of the present embodiment is not the detection of overcurrent but the insulation of the power supply circuit after receiving the detection of the failure. Therefore, the detection of the failure is a method of directly measuring the overcurrent, such as measuring the voltage as described above. It does not have to be.
  • a switch may be further provided at an arbitrary position for the purpose of insulation, and the transistor may be a mounting method other than the MOS-FET transistor.
  • FIGS. 2, 3, and 4 are the minimum circuits necessary for explaining the functions of the present invention, and are only abstract circuit diagrams for explaining the functions. Yes. Since the present invention relates to the configuration of the sensor, the circuit configurations of FIGS. 2, 3 and 4 are only examples for mounting in practical use of the present invention. The circuit mounting method is not a concept that expands the configuration of the sensor disclosed in this embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating an example of sensor output change when a failure occurs on the time axis.
  • the sensor output change at the time of the failure is related to the relationship between the response of the overcurrent switch circuit and the LPF output of the sensor.
  • FIG. 5 is a time-series graph in which the acceleration output of the first acceleration detection element 311a is Y_G, the acceleration output of the second acceleration detection element 311b is X_G, and the current consumption of the first acceleration detection element 311a is I_Y. .
  • a short circuit occurs in the first acceleration detection element 311a at the time of the occurrence of the failure, and the acceleration output Y_G of the first acceleration detection element 311a and the second acceleration detection element are caused by a voltage drop in the reference voltage generation circuit 324.
  • An offset is generated in the acceleration output X_G of 311b.
  • the overcurrent switch circuit determines a failure from the increase in the current consumption I_Y of the first acceleration detection element 311a, and stops the power supply to the first acceleration detection element 311a.
  • the acceleration output X_G of the second acceleration detection element 311b returns to a normal value, but the acceleration output X_G of the second acceleration detection element 311b without any failure also includes the failure of the first acceleration detection element 311a.
  • the fluctuation of the output appears in the time until the return is completed.
  • the senor has an LPF (built in the DSP circuit unit 330 in the present embodiment) at the final stage, and is configured to drop a noise component outside a desired band.
  • the delay time T_d from the occurrence of the overcurrent to the detection by the overcurrent switch circuit until the faulty detection unit is insulated and returned is determined by the delay time T_LPF determined by the band of the final stage LPF of the sensor. If it is shorter, the influence can be kept to a negligible level after passing through the final-stage LPF, as shown by the dotted line in the acceleration output X_G of the second acceleration detecting element 311b in FIG. That is, by configuring the overcurrent switch circuit so as to satisfy the relationship of T_d ⁇ T_LPF, the independence of each detection element can be ensured by design within a sufficient range for practical use.
  • T_d it is clearly desirable to make T_d shorter. Therefore, in order to suppress a drop in the reference voltage or power supply voltage when an overcurrent occurs due to a short circuit, if a charging capacitor is provided in each output unit, the time until the voltage drop occurs even if an overcurrent occurs, The effect of shortening the substantial delay time T_d will be obtained.
  • each of the detection elements of the diagnostic voltage output DACs 327a and 327b has this.
  • the first acceleration detection element 311a has a first diagnostic voltage output DAC 327a
  • the second acceleration detection element 311b has a second diagnostic voltage output DAC 327b. This is for separate diagnostic voltage output so that even if the diagnostic electrode is short-circuited, the acceleration detection element that is not short-circuited can perform diagnostic diagnosis by applying diagnostic voltage and detecting displacement.
  • DACs 327a and 327b are provided.
  • the first acceleration detection element and the second acceleration detection element are also used as the fault diagnosis output DAC as in the prior art, for example, a fault due to a short circuit occurs in the diagnosis electrode of the first acceleration detection element.
  • the voltage output value of the fault diagnosis output DAC does not become the designed voltage although it depends on the impedance relationship of each electrode in which a short circuit has occurred. Therefore, in order to reliably suppress a failure occurring in one acceleration detection element from propagating to an acceleration detection unit in which no other failure has occurred, even if it is redundant in terms of circuit, In addition, it is necessary to provide a configuration in which an independent diagnostic voltage output DAC is provided for each detection element by a circuit that performs overcurrent detection and insulation of the corresponding detection unit.
  • the substrate voltage generation DACs 329a and 329b are also provided with independent circuits for the first acceleration detection element 311a and the second acceleration detection element 311b by a circuit that performs overcurrent detection and insulation of the corresponding detection unit.
  • the substrate voltage generation DAC 329a is provided so that the substrate voltage can be applied to the acceleration detection element that is not short-circuited.
  • the substrate voltage refers to the voltage of the dummy pattern portions 316a and 316b, as described in the section of the prior art, and generally has a function of fixing the voltage to a constant value without being in a floating state. .
  • the carrier signal generation DACs 328a and 328b are also provided with independent circuits for the first acceleration detection element 311a and the second acceleration detection element 311b by a circuit that detects overcurrent and insulates the corresponding detection unit. With such a configuration, even when a short circuit occurs in the circuit related to the carrier signal generation DAC, the carrier signal generation DAC 328a can be applied to the acceleration detection element that is not short-circuited so that the carrier voltage can be applied. , 328b.
  • the first acceleration detection element 311a and the second acceleration detection element 311b are manufactured on the same chip as the acceleration detection element chip 311 as shown in FIG. 1, but are manufactured on different chips. It may be. In the case where they are manufactured on different chips, the substrate voltage can be set independently. Therefore, even if a short-circuit failure relating to the substrate voltage occurs, this failure does not propagate to other acceleration detection units.
  • the substrate voltages be made independent as in the case of producing the acceleration detection elements on separate chips (FIG. 1). For example, by forming a deep groove in a silicon substrate by etching by DRIE and forming an oxide film in the deep groove, each conductor portion separated by the deep groove is insulated by the oxide film, and voltage separation on the same silicon substrate is possible become.
  • a difference is intentionally provided for the voltages of the detection electrodes 313a and 313b, the diagnostic electrodes 314a and 314b, the movable portions 312a and 312b, and the DC voltage of the substrate voltage of the dummy pattern portions 316a and 316b.
  • a configuration is also conceivable. This is because current does not flow even when conductors having the same voltage are in contact with each other, so that even if the contact is in the failure mode, failure detection by current cannot be performed. Therefore, it can be considered that the voltage is applied so that the voltage difference at the DC level between all the conductors including the substrate voltage is different.
  • the voltage difference is large at this time, the influence of the parasitic component and the electrostatic force becomes large as described above, and therefore it is desirable that the DC voltage difference between the electrodes and the conductor is small.
  • the voltage difference may not be a direct current component or an alternating current component. If the frequency is sufficiently higher than the response frequency of the movable part of the acceleration detection elements 311a and 311b, the electrostatic force generated between the conductors by the voltage is movable. There will be no displacement of the part.
  • current detection can be performed with high SNR by performing synchronous detection at the same frequency as the AC component of the voltage difference.
  • FIG. 6A and 6B are diagrams showing an example of a sensor output format, where FIG. 6A shows a normal time, and FIG.
  • the composite sensor according to the present embodiment notifies the detected acceleration to the host system by communication means such as SPI communication built in the DSP circuit unit 330, as shown in FIG.
  • communication means such as SPI communication built in the DSP circuit unit 330, as shown in FIG.
  • a diagnostic flag indicating the operating state of the overcurrent switch circuit is also output.
  • the acceleration detection element in which the failure has occurred can be recognized in the host system, it is possible to determine continuation of the system function using the acceleration detection element in which no failure has occurred.
  • a flag indicating that the failure response has been completed, indicating that the current consumption at the relevant location has been removed from the overcurrent due to the power supply stoppage after the occurrence of the failure, and that the failure location has been properly insulated. May be output.
  • the output value of (acceleration output) may be a value in a range that is not normally output. In the case of 16-bit output, +32767 and ⁇ 32768 correspond to it.
  • the diagnosis flag (DIAG) is changed from “0x0000” in the normal state to “0x0202”, and a failure has occurred in the first acceleration detection element 311a due to “2” in the first digit. It can be seen that the first acceleration detecting element 311a can be reliably insulated by “2” in the third digit. Further, the acceleration output (YG) of the first acceleration detecting element 311a is changed from “0xFE00” at normal time to “0x8000”, and it can be seen that a failure has occurred due to a value outside the normal range. Note that the acceleration output (XG) of the second acceleration detecting element 311b remains “0x0200”, which is the same as that in the normal state, so that it can be seen that no failure has occurred.
  • the host system can obtain the merit that the number of communications can be reduced as compared with the case of using a plurality of individual sensors. Furthermore, when connected to a network to which many nodes such as CAN (ControllerCAArea Network) are connected, communication congestion can be suppressed.
  • CAN ControllerCAArea Network
  • FIGS. 7 and 8 are diagrams showing an example of a method for mounting a signal detection LSI, respectively.
  • This signal detection LSI corresponds to the signal detection LSI 320 shown in FIG.
  • the size of each part is greatly different from the actual one for the purpose of functional explanation.
  • the upper diagram is a plan view
  • the lower diagram is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the upper plan view.
  • a first signal processing circuit unit 204 of the first acceleration detection element 311a and a second signal processing circuit unit 205 of the second acceleration detection element 311b are formed.
  • a guard ring 206 is formed on the signal detection LSI 201 so as to surround the first signal processing circuit unit 204 and the second signal processing circuit unit 205.
  • Each of these pads 202, the circuit mounting unit 203, the signal processing circuit units 204 and 205, and the guard ring 206 are formed on the substrate unit 207.
  • a plurality of MOS transistors 212 are formed in the first and second signal processing circuit units 204 and 205.
  • the guard ring 206 is a diffusion layer having the same conductivity type as that of the substrate portion 207, and has a higher conductivity type than that of the substrate portion 207.
  • the guard ring is n + .
  • the guard ring 206 causes the voltage of the substrate unit 207 on the second signal processing circuit unit 205 side to fluctuate when a short circuit occurs between the circuit unit and the substrate unit 207. Is to prevent. Specifically, when the substrate unit 207 is at the ground level, the guard ring 206 is also set to the ground level, so that a short circuit occurs between the first signal processing circuit unit 204 and the substrate unit 207, and the substrate (n ⁇ ) Even if the voltage level of the substrate unit 207 is fluctuated due to the impedance component, there is a low impedance (n + ) voltage level around the first signal processing circuit unit 204, so that the current flows through the first signal processing circuit unit 204.
  • the second signal processing circuit unit 205 is less susceptible to a short circuit that occurs in the first signal processing circuit unit 204 and the substrate unit 207.
  • This effect is not limited to the short circuit failure on the signal processing circuit unit side, but can also be applied to the substrate voltage fluctuation of the signal processing circuit unit due to a short circuit at the detection element on the load side. Adopting such a mounting method further enhances the effect of the present invention.
  • two examples of the detection elements are shown. However, when the detection elements are further included, the detection elements are electrically separated.
  • the detection element may be one that detects different physical quantities, such as acceleration and angular velocity.
  • the size of each part is greatly different from the actual one for function explanation.
  • the upper diagram is a plan view
  • the lower diagram is a cross-sectional view taken along the line A-A 'of the upper plan view.
  • FIG. 8 shows another example of mounting the signal detection LSI on an SOI (Silicon On On Insulator) substrate 210.
  • This SOI substrate 210 has a structure in which an insulating layer 208 is sandwiched between a substrate portion 207 and a substrate portion 209. Insulating layers 211 are formed in the depth direction of the SOI substrate 210 so as to surround the signal processing circuit portions 204 and 205. Since the substrate portion 207 is electrically separated between the first signal processing circuit portion 204 and the second signal processing circuit portion 205 by the insulating layer 208 of the SOI substrate 210 and the manufactured insulating layer 211, as described above.
  • the detection element may be one that detects different physical quantities, such as acceleration and angular velocity.
  • the overcurrent switch circuit 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b is provided in each detection unit, and when an electrical failure such as a short circuit occurs, the power supply to the detection unit in which the failure has occurred is stopped.
  • Providing the circuit that performs the detection of the overcurrent and the corresponding detection unit can prevent the propagation of the failure to other detection units caused by the mechanical failure.
  • the failure occurrence rate of the solid-state signal detection LSI 320 is sufficiently lower than the failure occurrence rate of the acceleration detection element chip 311 having the mechanical structure, the simultaneous failure probability of the detection unit of the composite sensor can be reduced. .
  • the present invention is not limited to overcurrent, and a configuration in which an abnormality of the detection unit is electrically detected and power supply to the corresponding detection unit is stopped is also within the scope of the present invention.
  • the failure of the detector is specifically a failure that the circuit is open, and the change in the amount of charge generated between the electrodes caused by the open failure of the circuit is detected in the form of current via the C / V conversion circuit. This is possible.
  • a fault that has occurred in a certain detection element by having overcurrent switch circuits 101a and 101b that are fault detection circuits that detect a fault in each detection element and stop power supply to the detection unit in which the fault has occurred Suppresses the influence on the detection unit where no other failure has occurred. Door can be. Therefore, it is possible to configure a composite sensor that is robust against a failure in which a failure of a certain detection element does not propagate to other detection
  • the overcurrent switch circuits 101a and 101b detect an overcurrent when the current is not at a predetermined value or an overcurrent when the current is greater than a threshold value, and the corresponding detection unit associated therewith. A circuit that performs insulation can be realized.
  • Biaxial acceleration detection can be realized by including the first and second acceleration detection elements 311a and 311b as a plurality of detection elements.
  • a reference voltage generation circuit 324 and an oscillator and clock generation circuit 325 that are shared among the plurality of detection units are further included, and overcurrent switch circuits 102a, 102b, 103a, and 103b have buffer circuits.
  • at least one of the voltage signal of the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 324 and the voltage signal of the clock generated by the oscillator and clock generation circuit 325 is supplied to each detection unit via each of the buffer circuits. be able to.
  • Each overcurrent switch circuit 102a, 102b, 103a, 103b monitors the change in the consumption current of the buffer circuit, determines that the detection element is faulty when it is not at a predetermined current value, and moves to the detection unit where the fault has occurred. The power supply can be stopped.
  • the DSP circuit unit 330 has an LPF, detects a failure of each detection element in each overcurrent switch circuit 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b, and supplies power to the detection unit where the failure has occurred
  • T_d response time
  • T_LPF time constant
  • each overcurrent switch circuit 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b has stopped supplying power to the detecting unit in which the failure has occurred. Can be notified to the host system in the output communication frame. Further, the output communication frame can be notified including the content for notifying that the power supply of the detecting unit where the failure has occurred is stopped and the output values of the plurality of detecting elements.
  • each detection element having the movable portions 312a and 312b, the detection electrodes 313a and 313b, the diagnostic electrodes 314a and 314b, the dummy pattern portions 316a and 316b, the voltages of the dummy pattern portions 316a and 316b are By setting the voltage different from any one of the movable parts 312a and 312b, the detection electrodes 313a and 313b, and the diagnostic electrodes 314a and 314b, a failure can be detected in a failure mode due to contact.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating an example of the overall configuration of the composite sensor.
  • a configuration including a biaxial acceleration detection element and a uniaxial angular velocity detection element is employed. That is, this is a configuration example in which a uniaxial angular velocity detection element is added to the first embodiment described above.
  • the acceleration / angular velocity detection element chip 1013 includes a first acceleration detection element 311a, a second acceleration detection element 311b, and a first angular velocity detection element 1013a.
  • the first and second acceleration detection elements 311a and 311b of the acceleration / angular velocity detection element chip 1013 have first and second movable parts 312a and 312b displaced by acceleration, and the movable parts 312a and 312b, respectively.
  • a capacitor is formed with a fixed portion that is not displaced, and includes first and second detection electrodes 313a and 313b that detect acceleration.
  • a capacitor is formed by the movable portions 312a and 312b and a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portions 312a and 311b, and a voltage is applied to the movable portions 312a and 312b.
  • first and second diagnostic electrodes 314a and 314b that realize a function of forcibly displacing the electrode by electrostatic force.
  • the first and second acceleration detection elements 311a and 311b include first and second carrier voltage application units 315a and 315b that apply carrier voltages to the respective detection electrodes 313a and 313b.
  • the first and second acceleration detecting elements 311a and 311b include first and second support beams 317a and 317b that support the movable portions 312a and 312b, and a first region that is an area other than the movable portion and the fixed portion. And second dummy pattern portions 316a and 316b.
  • the first angular velocity detection element 1013a of the acceleration / angular velocity detection element chip 1013 is formed with a capacitor with a movable portion 1014 that is displaced by the angular velocity and the driving electrostatic force, and a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portion 1014.
  • a drive electrode 1010 is provided that generates an electrostatic force that vibrates the movable portion 1014 with a constant amplitude and frequency.
  • the first angular velocity detection element 1013a includes a monitor electrode 1011 that forms a capacitor with a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portion 1014 and detects the displacement of the movable portion 1014.
  • the first angular velocity detection element 1013a a capacitor is formed with a fixed portion that is not displaced with respect to the movable portion 1014, and the angular velocity is applied to the movable portion 1014 that is vibrated.
  • a detection electrode 1012 that detects the displacement of the movable portion 1014 that receives the Coriolis force in the orthogonal direction is provided.
  • the first angular velocity detection element 1013a includes a carrier voltage application unit 1016 that applies a carrier voltage to the monitor electrode 1011 and the detection electrode 1012.
  • the first angular velocity detection element 1013a includes a support beam 1015 that supports the movable portion 1014, and a dummy pattern portion 1017 that is an area other than the movable portion and the fixed portion.
  • the signal detection LSI 320 includes first and second C / V conversion circuits 321a and 321b, first and second amplifier circuits 322a and 322b, first and second ADCs 323a and 323b, and first and second diagnostic voltages.
  • Output DACs 327a and 327b, first and second carrier signal generation DACs 328a and 328b, and first and second substrate voltage generation DACs 329a and 329b are provided for each detection element.
  • the first acceleration detecting element 311a and its detection circuit (first C / V conversion circuit 321a, first amplifier circuit 322a, first ADC 323a, first diagnostic voltage output DAC 327a, first carrier)
  • the signal generation DAC 328a and the first substrate voltage generation DAC 329a) constitute a first acceleration detection unit
  • the second acceleration detection element 311b and its detection circuit (second C / V conversion circuit 321b,
  • the second amplifier circuit 322b, the second ADC 323b, the second diagnostic voltage output DAC 327b, the second carrier signal generation DAC 328b, and the second substrate voltage generation DAC 329b) constitute a second acceleration detection unit.
  • the signal detection LSI 320 includes a third C / V conversion circuit 1001, a third amplifier circuit 1002, a third ADC 1003, a fourth C / V conversion circuit 1004, a fourth amplifier circuit 1005, and a fourth ADC 1006. , A first drive voltage generation DAC 1007, a third carrier signal generation DAC 1008, and a third substrate voltage generation DAC 1009.
  • the first angular velocity detecting element 1013a described above and its detection circuit (third C / V conversion circuit 1001, third amplifier circuit 1002, third ADC 1003, fourth C / V conversion circuit 1004, fourth The amplifier circuit 1005, the fourth ADC 1006, the first drive voltage generation DAC 1007, the third carrier signal generation DAC 1008, and the third substrate voltage generation DAC 1009) constitute a first angular velocity detection unit.
  • the signal detection LSI 320 includes a reference voltage generation circuit 324, an oscillator and clock generation circuit 325, a memory 326 such as an EPROM, ROM, RAM, and register, a DSP circuit unit 330, a power supply voltage input unit 331, and a GND voltage input unit 332. Only provided.
  • the acceleration / angular velocity detection element chip 1013 of the first and second acceleration detection elements 311a, 311b and the first angular velocity detection element 1013a and the signal detection LSI 320 are electrically connected by a bonding wire 341.
  • the power supply voltage from the outside is received by the power supply voltage input unit 331 and the GND voltage input unit 332. Then, the received power supply voltage is passed through overcurrent switch circuits 101a, 101b, and 104 provided for each detection unit, and the first to fourth C / V conversion circuits, which are circuit elements in FIG.
  • the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, and the DSP circuit unit 330 are directly supplied with the power supply voltage received from the outside.
  • the reference voltage generated by the reference voltage generation circuit 324 passes through the overcurrent switch circuits 102a, 102b, 105 provided for each detection unit, and the first to fourth ADCs 323a, 323b, 1003, 1006, first And second diagnostic voltage output DACs 327a, 327b, first to third carrier signal generation DACs 328a, 328b, 1008, first to third substrate voltage generation DACs 329a, 329b, 1009, and drive voltage generation DAC 1007, respectively. . Since the reference voltage generation circuit 324 is shared by the detection units as described above even in the composite sensor of the present embodiment, the composite sensor includes only one. With such a configuration, the signal detection LSI 320 can be miniaturized and the manufacturing cost can be reduced.
  • the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, the DSP circuit unit 330, the power supply voltage input unit 331, and the GND voltage input unit 332 are shared by all the detection units. In the form, only one set is provided.
  • the oscillator and clock generation circuit 325 gives carrier generation timing to the first to third carrier signal generation DACs 328a, 328b, and 1008 via the overcurrent switch circuits 103a, 103b, and 107 provided for each detection unit. Enter the trigger.
  • the first carrier signal generation DAC 328a, the second carrier signal generation DAC 328b, and the third carrier signal generation DAC 1008 that have received the reference voltage receive the trigger of the clock from the common oscillator and the clock generation circuit 325, and receive the carrier signal respectively.
  • the first carrier voltage application unit 315 a, the second carrier voltage application unit 315 b, and the third carrier voltage application unit 1016 are applied.
  • the oscillator and clock generation circuit 325 is also used as a plurality of detection units.
  • the first to third carrier signal generation DACs 328a, 328b, and 1008 are different from each other.
  • the frequency, amplitude, and phase of the carriers do not necessarily have to be the same, and even though different carrier signal generation DACs are used, they are exactly the same. Frequency, amplitude, and phase.
  • first and second acceleration detecting elements 311a and 311b detect and output the acceleration, the process is the same as in the first embodiment, and the description thereof is omitted.
  • the drive voltage generation DAC 1007 applies a voltage to the drive electrode 1010 to vibrate the movable part 1014 supported by the support beam 1015. Let The displacement caused by the vibration produces a capacitance change of the monitor electrode 1011. For this reason, the carrier signal generated by the third carrier signal generation DAC 1008 is applied to the monitor electrode 1011 through the carrier voltage application unit 1016 in response to the trigger of the clock similarly provided from the oscillator and clock generation circuit 325, and the monitor electrode 1011. Is input to the third C / V conversion circuit 1001 in the form of current.
  • the displacement amount of the monitor electrode 1011 is converted into a voltage, and then input to the DSP circuit unit 330 through the third amplifier circuit 1002 and the third ADC 1003.
  • the DSP circuit unit 330 performs synchronous detection of the input displacement amount of the monitor electrode 1011 at the same frequency as the drive voltage output from the drive voltage generation DAC 1007 to obtain phase information and amplitude information of the displacement of the monitor electrode 1011.
  • the DSP circuit unit 330 controls the oscillation frequency of the oscillator and the clock generation circuit 325 so that the vibration of the movable unit 1014 becomes the resonance frequency of the vibration system composed of the movable unit 1014 and the support beam 1015. .
  • the DSP circuit unit 330 controls the output voltage of the drive voltage generation DAC 1007 so that the vibration amplitude becomes constant.
  • This frequency control has the effect of obtaining the maximum amplitude with a low driving voltage
  • the amplitude control has the effect of constantly keeping the Coriolis force generated in the movable portion 1014 constant by the angular velocity applied to the sensor. It is assumed that the angular velocity is detected in a state where the resonance frequency control and amplitude control are performed.
  • the movable portion 1014 When an angular velocity is applied to the composite sensor, a Coriolis force is generated in the movable portion 1014, and the movable portion 1014 is displaced in an axial direction orthogonal to the axis being vibrated.
  • the carrier signal generated by the third carrier signal generation DAC 1008 in response to the trigger of the clock given from the oscillator and the clock generation circuit 325 is detected by the detection electrode 1012 through the carrier voltage application unit 1016.
  • the capacitance change of the detection electrode 1012 is input to the fourth C / V conversion circuit 1004 in the form of current. Thereafter, the displacement amount is converted into a voltage, and then input to the DSP circuit unit 330 through the fourth amplifier circuit 1005 and the fourth ADC 1006.
  • the DSP circuit unit 330 performs synchronous detection of the input displacement amount of the detection electrode 1012 at the same frequency as the drive voltage output by the drive voltage generation DAC 1007 to obtain amplitude information of the displacement of the detection electrode 1012. In response to this, the DSP circuit unit 330 performs waveform shaping on the amplitude information, that is, noise removal by LPF, trimming of the zero point and gain, and the like, and is applied to the upper system via communication means such as SPI communication. Angular velocity is output.
  • the overcurrent switch circuits 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b, and 104 to 107 mounted on the signal detection LSI have the same configuration as in the first embodiment. That is, a short circuit that occurs in the acceleration detection element and the angular velocity detection element generates a current amount different from that in the normal state, so that the detection unit power supply voltage of the corresponding element is insulated from the other detection units.
  • the power supply voltage common to the acceleration / angular velocity detection units, the reference voltage generation circuit 324, the oscillator and clock generation circuit 325, the memory 326, and the DSP circuit unit 330 are caused by a current abnormality due to a short circuit, a decrease in the reference voltage, etc. Does not propagate. Accordingly, it is possible to continue the output of the non-failed detection element as a composite sensor without causing the failure of the failed detection element to propagate to another non-failing detection unit.
  • the relationship between the responsiveness of the overcurrent switch circuits 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b, and 104 to 107 and the output LPF of the sensor is the same as that in the first embodiment, and the description thereof is omitted.
  • the substrate voltage generation DACs 329a, 329b, and 1009 are detected by an acceleration detection element 311a that is a first detection element and a second detection element by a circuit that performs overcurrent detection and insulation of the corresponding detection unit.
  • An independent circuit is provided for each acceleration detection element 311b and angular velocity detection element 1013a, which is a third detection element.
  • the substrate voltage refers to the voltages of the dummy pattern portions 316a, 316b, and 1017, as described in the section of the prior art, and generally has a function of fixing the voltage to a constant value without being in a floating state. Is desirable.
  • the carrier signal generation DACs 328a, 328b, and 1008 are also provided with independent circuits for the acceleration detection element 311a, the acceleration detection element 311b, and the angular velocity detection element 1013a by a circuit that performs overcurrent detection and insulation of the corresponding detection unit.
  • a circuit that performs overcurrent detection and insulation of the corresponding detection unit By adopting such a configuration, even when a short circuit occurs in the circuits related to the carrier signal generation DACs 328a, 328b, and 1008, a separate substrate voltage is generated so that a carrier voltage can be applied to a detection element that is not short-circuited.
  • a DAC is provided.
  • the first acceleration detection element 311a, the second acceleration detection element 311b, and the first angular velocity detection element 1013a may be formed on the same chip as shown in FIG. It may be produced. In the case where they are manufactured on different chips, the substrate voltage can be set independently. Therefore, even if a short-circuit failure related to the substrate voltage occurs, this failure does not propagate to other detection units.
  • the substrate voltages be made independent as in the case where the detection elements are formed on separate chips (FIG. 9). For example, there is the substrate voltage electrical isolation method described in the first embodiment.
  • a difference is provided for the DC voltage of the substrate voltage. This is because current does not flow even when conductors having the same voltage are in contact with each other, so that even if the contact is in the failure mode, failure detection by current cannot be performed. Therefore, it can be considered that the voltage is applied so that the voltage difference at the DC level between all the conductors including the substrate voltage is different.
  • the voltage difference is large at this time, the influence of the parasitic component and the electrostatic force becomes large as described above, and therefore it is desirable that the DC voltage difference between the electrodes and the conductor is small.
  • the voltage difference may not be a direct current component but an alternating current component. If the frequency is sufficiently higher than the response frequency of the movable portions of the acceleration detection elements 311a and 311b and the angular velocity detection element 1013a, the electrostatic force due to the voltage is movable. This will not cause any displacement.
  • current detection can be performed with high SNR by performing synchronous detection at the same frequency as the AC component of the voltage difference.
  • FIG. 10A and 10B are diagrams showing an example of a sensor output format.
  • FIG. 10A shows a normal time
  • FIG. 10B shows a normal time
  • the composite sensor according to the present embodiment notifies the detected acceleration and angular velocity to the host system by communication means such as SPI communication built in the DSP circuit unit 330, as shown in FIG.
  • communication means such as SPI communication built in the DSP circuit unit 330, as shown in FIG.
  • the host system can recognize the detection element in which the failure has occurred, and can therefore determine whether or not to continue the system function using the detection element in which no failure has occurred.
  • a flag indicating that the failure response indicating that the failure location is properly insulated has been completed is output. May be.
  • the output value of (output) may be a value in a range not normally output. In the case of 16-bit output, +32767 and ⁇ 32768 correspond to it.
  • the diagnosis flag (DIAG) is changed from “0x0000” in the normal state to “0x0404”, and it is understood that a failure has occurred in the angular velocity detection element 1013a by “4” in the first digit.
  • the angular velocity detection element 1013a can be reliably insulated by “4” in the third digit.
  • the angular velocity output (YAW) of the angular velocity detecting element 1013a is changed from “0x0120” at normal time to “0x8000”, and it can be seen that a failure has occurred due to a value outside the normal range.
  • the acceleration output (YG) of the first acceleration detection element 311a remains “0xFE00”, which is normal, and the acceleration output (XG) of the second acceleration detection element 311b is the same as normal. Since “0x0200” remains, it can be seen that no failure has occurred.
  • the host system can obtain the merit that the number of communication can be reduced. Furthermore, when connected to a network to which many nodes such as CAN are connected, communication congestion can be suppressed.
  • the mounting method of the signal detection LSI is the same as that of the first embodiment, and the description thereof is omitted.
  • the overcurrent switch circuits 101a, 101b, 102a, 102b, 103a, 103b, and 104 to 107 are provided in the respective detection units, and an electrical failure such as a short circuit occurs.
  • an electrical failure such as a short circuit occurs.
  • a fault it has a circuit that isolates the detection unit and overcurrent detection that stops the power supply to the detection unit where the failure has occurred. Failure propagation can be prevented.
  • the failure occurrence rate of the solid state signal detection LSI 320 is sufficiently lower than the failure occurrence rate of the acceleration / angular velocity detection element chip 1013 of the mechanical structure, the simultaneous failure probability of the detection unit of the composite sensor is reduced. Can do.
  • the same effect as in the first embodiment can be obtained.
  • a configuration example in which a uniaxial angular velocity detection element 1013a is added is provided. Therefore, in the configuration including the angular velocity detection element 1013a and each component of the signal detection circuit, the embodiment is provided. It is possible to obtain each effect ((1) to (7)).
  • the present invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment.
  • the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
  • the above-described embodiment has been described in detail for easy understanding of the present invention, and is not necessarily limited to one having all the configurations described.
  • a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. .

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Abstract

 複合センサにおいて、ある検出エレメントに発生した故障が、他の故障が発生していない検出部に影響を与えることを抑える技術を提供する。複合センサにおいて、複数の検出エレメントのそれぞれ毎に有する信号検出回路である、C/V変換回路321a,321b、アンプ回路322a,322b、ADC323a,323b、診断電圧出力用DAC327a,327b、キャリア信号生成DAC328a,328b、および、基板電圧発生DAC329a,329bからなる複数の検出部と、複数の検出部のそれぞれの間で共有する電源電圧入力部331およびGND電圧入力部332と、複数の検出部のそれぞれ毎に有し、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する故障検出回路である過電流スイッチ回路101a,101bと、を有する。

Description

複合センサ
 本発明は、複数の物理量を検出する複合センサに関し、特に、各物理量の検出エレメントの故障発生検知と、その故障の影響を他の検出部に伝搬させない機能とを有する複合センサに関する。
 本技術分野の背景技術として、例えば特許文献1がある。この特許文献1には、重複した角速度センサを有する技術が記載されている。より詳細には、特許文献1の段落0011に、故障時に故障信号を出力する故障診断回路を有する複数の角速度センサと、前記角速度センサの故障の有無および故障している角速度センサを判断する判別手段と、この判別手段からの出力信号を基に故障信号を段階的に変化されるステップ電圧出力手段とを設け、故障した角速度センサ以外の角速度センサの出力信号を外部コンピュータに伝えることが記載されている。
 また、本技術分野の背景技術として、特許文献2や特許文献3等もある。これらの特許文献2,3には、複数軸間で検出回路を共有化する技術が記載されている。より詳細には、以下の内容が記載されている。特許文献2の図1を説明する段落0025に、診断電圧制御部167は、加速度センサが正常に稼動しているか否かを診断するため、強制的に振動子128をX軸方向に、振動子129をY軸方向に変位させ、電極131および133に電圧を印加することが記載されている。また、特許文献3の図11に、搬送波印加回路18が直交する感度(検出軸)を持つ容量可変コンデンサ21a,21b,22a,22bに搬送波を印加することが記載されている。
特許第4793012号公報 特開2012-93301号公報 特開2009-145321号公報
 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)と呼ばれる種類の、慣性量を検知する半導体技術を活用したセンサデバイスが開発され、特に自動車分野への適用が進んでいる。また近年、複数の物理量を1つのセンサモジュールないしは1つの検出エレメントチップで実現する「複合化」が進み、センサの低コスト化を実現する動きが加速している。
 例えば、このような複合センサは、図11に示すような構成を有している。図11は、本発明の前提として検討した複合センサの全体の構成の一例を示す図である。図11は、2軸の加速度、すなわち第1の加速度検出エレメントと第2の加速度検出エレメントとの2つの検出エレメントを有する複合加速度センサの構成例である。
 この複合加速度センサでは、加速度検出エレメントチップ311に、第1の加速度検出エレメントと、第2の加速度検出エレメントとがあり、それぞれ、加速度によって変位する第1および第2の可動部312a,312bと、それぞれの可動部312a,312bに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、加速度を検知する第1および第2の検出電極313a,313bとを備える。さらに、第1の加速度検出エレメントおよび第2の加速度検出エレメントには、それぞれの可動部312a,312bと、それに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、静電力によって可動部312a,312bを強制的に変位させる第1および第2の診断電極314a,314bを備える。さらに、それぞれの検出電極313a,313bにキャリア電圧を与える第1および第2のキャリア電圧印加部315a,315bを備える。さらに、可動部312a,312bを支持する第1および第2の支持梁317a,317b、そして可動部と固定部以外の領域であるダミーパターン部316を備える。
 また、信号検出LSI320には、第1および第2のC/V(Capacitance to Voltage)変換回路321a,321b、第1および第2のアンプ回路322a,322b、第1および第2のADC(Analogue to Digital Convertor)323a,323bをそれぞれ検出エレメント毎に備える。前述した第1の加速度検出エレメントと、その検出回路(第1のC/V変換回路321a、第1のアンプ回路322a、第1のADC323a)とから第1の検出部を構成し、前述した第2の加速度検出エレメントと、その検出回路(第2のC/V変換回路321b、第2のアンプ回路322b、第2のADC323b)とから第2の検出部を構成する。さらに、信号検出LSI320には、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)やROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)やレジスター等のメモリ326、診断電圧出力用DAC(Digital to Analogue Convertor)327、キャリア信号生成DAC328、基板電圧発生DAC329、DSP(Digital Signal Processor)回路部330、電源電圧入力部331、GND電圧入力部332は、検出エレメントの数よりも少ない数を、すなわち一般には一式のみを設けている。この理由は後述する。
 また、加速度検出エレメントチップ311と信号検出LSI320とは、ボンディングワイヤ341によって電気的に接続される。
 以上のように構成された複合加速度センサについて、その動作を説明する。複合加速度センサの信号検出LSI320では、外部からの電源電圧を電源電圧入力部331とGND電圧入力部332とで受ける。そして、受けた電源電圧を、図11中の各回路要素である、第1のC/V変換回路321a、第1のアンプ回路322a、第1のADC323a、第2のC/V変換回路321b、第2のアンプ回路322b、第2のADC323b、診断電圧出力用DAC327、キャリア信号生成DAC328、基板電圧発生DAC329、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330のそれぞれに供給する。
 また、基準電圧生成回路324では、電源電圧や温度に依存した変動を抑えた、所定の一定電圧レベルを生成する機能を持つ。このような基準電圧は、ADCやDACの基準電圧として、センサの感度を決定する役割を持つ。基準電圧生成回路324によって生成される基準電圧は、第1のADC323a、第2のADC323b、診断電圧出力用DAC327、キャリア信号生成DAC328、基板電圧発生DAC329に与えられる。基準電圧生成回路324は、複合加速度センサであっても、前述の通り各検出部で共用するので、複合センサで一つだけを備える構成とすることができる。このような構成とすることは、信号検出LSI320の小型化を実現し、作製コストを低減できる。
 キャリア信号生成DAC328は、オシレータおよびクロック生成回路325からクロックのトリガーを受け、基準電圧を分圧などによって所定の電圧に調整したキャリア信号をキャリア電圧印加部315a,315bに印加する。このとき、キャリア信号生成DAC328と、オシレータおよびクロック生成回路325は、基準電圧生成回路324と同じ理由で、複数の検出部で兼用としている。
 加速度検出エレメントチップ311では、加速度が印加されると、可動部が変位することで固定部との相対距離が変化し、すなわち検出電極313a,313bの静電容量が変化する。キャリア信号が印加された検出電極313a,313bの静電容量変化量は、電流の形でC/V変換回路321a,321bに入力され、電圧信号に変換される。電圧信号に変換された加速度は、アンプ回路322a,322b、ADC323a,323bを経てDSP回路部330での波形整形、例えば低域通過フィルタ(LPF:Low Pass Filter)によるノイズ除去、ゼロ点やゲインのトリミング(TRIM.)調整等を経て、SPI(Serial Peripheral Interface)通信等の通信手段(Comm.)を介して上位のシステムに加速度が出力される。
 このとき、DSP回路部330や、メモリ326も、基準電圧生成回路324と同じ理由から、各検出部で兼用する。しかし、C/V変換回路321a,321b、アンプ回路322a,322b、ADC323a,323bは連続時間の電圧信号を処理する回路のため、一般に、他の検出部と兼ねることが困難であるので、検出エレメントの数だけ設けておく必要がある。また、診断電圧出力用DAC327も各検出部で兼用となっている。診断電圧出力用DAC327では、各検出エレメントの診断電極314a,314bに電圧を印加することで静電力を発生し、変位の発生をDSP回路部330で確認することで、固着などの故障を検知するものである。
 さらに、基板電圧発生DAC329も、各検出部で兼ねる構成となっている。基板電圧とは、ダミーパターン部316の電圧である。特に、基板電圧を可動部312a,312bの電圧と等しく設定することで、可動部312a,312bとダミーパターン部316の間に生じる不要な静電力の発生を抑制したり、寄生容量の影響を抑制したりすることができる。したがって、本来、加速度の検出に直接必要でなく、センサとしての機能を実現するための電極を構成しない、導体であるダミーパターン部316についても、電圧をフローティング状態にせず一定値に固定する機能を有していることが望ましい。しかし、これらダミーパターン部の電圧、すなわち基板電圧は、前述のように全ての検出エレメントについて同じ電圧を与えることで十分であり、各検出部で基板電圧発生DAC329を兼ねることが可能である。
 また、図11に示すように、加速度検出エレメントチップ311のチップのダミーパターン部316が全ての検出エレメントについて共通の導体であり、電圧の分割がなされるように構成されていない場合は、明らかに信号検出LSI320側には1つの基板電圧発生DAC329を有していれば必要十分である。以上のような構成により、複数の検出エレメントを有する加速度センサで、信号検出LSI側で兼ねることができる部分を可能な限り兼用とすることにより、作製コストの削減を図った複合センサを実現できる。したがって、一般には前述のような構成とすることが多い。
 また、耐故障性を高めるという観点からは、図11内に示した可動部312a,312bを同一の物理量、同一の検出軸で複数設けるという構成も考えられる(図示せず)。すなわち、全く同じ検出エレメントを多数持つことで、一つの検出エレメントが故障しても、残りの故障していない検出エレメントについては、所望のセンサ機能を維持できる、重複センサという概念である。このような概念を用いた技術には、例えば前述した特許文献1がある。
 図11に示すような信号検出LSI320と加速度検出エレメントチップ311の故障の発生確率を考えると、前者はいわゆるソリッド・ステートであるために機械的な可動部がなく、耐衝撃性にも優れている一方、後者は微細な機械的構造を有し、これが常に加速度や静電力で変位するような構成を有している。すなわち、一般には、信号検出LSIの故障発生率は、加速度検出エレメントチップと比較すると、非常に低い。また、両者を接続するボンディングワイヤの接触不良や短絡に比較しても、信号検出LSI単体の故障発生率は一般には極めて低い。このため、耐故障性の向上を目的として重複センサの構成をとる場合においても、前述の2軸の加速度を検出する加速度センサのように、信号検出LSIについては、各検出部で兼用できる回路要素は兼用する構成とすることが一般的である。そうでなければ、同一のセンサを同じ検出軸で複数実装することと何ら変わりがなく、コスト上のメリットを得られない。
 例えば、前述した特許文献1でも、重複センサ内に複数の角速度センサを設けた上、それらの故障を検知し出力を選択する手段を有する回路を重複センサ内に1つ有する構成が記載されている。すなわち、機械構造を有する加速度センサ部は故障しても、回路部についてはほとんど故障しないことが、複合センサや重複センサの前提にあると言える。言い換えれば、複数個の同一センサの回路部が同時に故障する確率と、複数の検出エレメントを有するセンサ回路部に1つの故障が発生する確率は、機械構造部やボンディングワイヤ部のそれに比較すれば、ほとんど同程度にみなせるという認識がある。
 また、前述した特許文献2や特許文献3等にも、重複センサのコスト上のメリットを考慮して、複数軸間で検出回路を共有化する技術が記載されている。例えば、特許文献2では診断電圧制御部を共有化し、また特許文献3では搬送波印加回路を共有化して、コスト上のメリットが得られる構成となっている。
 ところで、前述した特許文献1~3等を含む従来技術に関して、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。すなわち、従来技術の構成では、1つの検出エレメントの故障、特に検出エレメント部の機械的な故障の、他の検出部への伝搬を避けることができないという問題を有している。以下に、この問題を説明する。
 前述した図11に示す加速度検出エレメントチップ311は、シリコンなどの材料をDRIE(Deep Reactive Ion Etching)等のエッチング加工技術によって作製する、微細な機械構造を有する。一般に、このような微細加工による機械構造では、可動部の質量が数マイクログラムから数100マイクログラム程度であるため、電気的な静電力がその変位に対し支配的になることがある。
 例えば、外部からの極端に大きな加速度印加(例えば、落下して地面に衝突するような状況)によって大きな変位が発生した場合に、浮遊電荷によって可動部が電極の固定部やダミーパターン部に固着するという故障モードが発生することがある。また、導電性のパーティクルが何らかの理由で生じたり、製造時から混入していたりすると、これが異なる電圧にある導体間に付着した場合、電気的には短絡状態となる。前述のように、一般には加速度検出エレメントチップ311の全ての導体はフローティングではなく何らかの電圧を与えられているので、それらに差があれば、電流が流れる。
 また、ボンディングワイヤの脱落や相互接触による短絡という故障モードも、センサの構造上は発生しうる。この場合も、電圧差によって設計時に意図していた電流量とは異なる電流が生じる。
 これらの短絡によって、信号検出LSIから見た負荷側である、加速度検出エレメント部やボンディングワイヤ部が低インピーダンスの状態になり、本来の回路設計時の想定とは異なる状況になる。このとき、第1および第2のC/V変換回路321a,321b、第1および第2のアンプ回路322a,322bや第1および第2のADC323a,323bで、通常の動作範囲では入力されない電圧ないし電流が入力される故障モードが発生する。これにより、電源から過大な電流が流れたり、基準電圧生成回路324で許容できる電流量を超過したりするという故障が生じる。
 これらの過電流が発生すると、例えば、電源回路や基準電圧生成回路324の出力抵抗による電圧降下が発生し、基準電圧生成回路の出力電圧が、本来の設計電圧値とは異なる値に変化してしまう。特に基準電圧は、前述のように検出回路各要素の基準電圧であるから、ある検出エレメントの短絡による基準電圧の変化は、他の故障が発生していない検出部のオフセットドリフトや感度変化といった不具合モードを顕著に発生させる。
 ここで、静電容量Csの変化で加速度を検知するC/V変換回路の例を図12に示す。図12において、2001はスイッチ、2002は出力端子、2003は電圧振幅(キャリア電圧)Vcを持つキャリア信号生成器、2004はバイアス電圧、2005はオペアンプである。このC/V変換回路では、出力端子2002に現れる加速度出力Voutは帰還容量Cfを用いて、Vout=Cs/Cf×Vcの関係になる。また、一般にキャリア電圧は、精度を得るために基準電圧を分圧して作成するので、基準電圧の変化がキャリア電圧Vcを変化させる。したがって、基準電圧が変化すると、加速度を検知する静電容量Csが変化していないにも関わらず、上位のシステムには静電容量Csの変化として検知され、キャリア電圧Vcの変化によってセンサの出力を変動させるという故障モードが生じる。
 つまり、ある検出エレメントの故障は他の故障のない検出部にまで伝搬しうる危険性を有しているのである。また、短絡や前述の過電流の発生によって、回路網の電圧が設計時に意図していた電圧とは異なる状態になるので、回路内の寄生容量や寄生抵抗による相互作用も設計時とは異なる状態になる。例えば、従来導体間で同電圧であったため見えていなかった寄生容量が片方の導体がグラウンドレベルに落ちたために寄生容量になり、これによってキャリア信号の立ち上がりになまりが生じたり、本来グラウンドレベルであるべき導体に電圧が印加され、回路全体のグラウンドレベルが変動したりといった事象が発生する可能性がある。これらの事象も、センサ出力のオフセットドリフトや感度変化といった不具合モードを、故障の発生していない検出部に伝搬させる危険性を有している。
 そこで、本発明は、前記のような問題点を解決するためになされたものであり、その代表的な目的は、複数の検出エレメントや重複した検出エレメントを有する複合センサにおいて、ある検出エレメントに発生した故障が、他の故障が発生していない検出部に影響を与えることを抑える技術を提供することである。
 本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
 本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
 すなわち、代表的な複合センサは、複数の物理量を検出する複数の検出エレメントを有する複合センサである。前記複合センサは、前記複数の検出エレメントのそれぞれ毎に有する信号検出回路からなる複数の検出部と、前記複数の検出部のそれぞれの間で共有する電源と、前記複数の検出部のそれぞれ毎に有し、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する複数の故障検出回路と、を有する。
 本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
 すなわち、代表的な効果は、複数の検出エレメントや重複した検出エレメントを有する複合センサにおいて、ある検出エレメントに発生した故障が、他の故障が発生していない検出部に影響を与えることを抑えることができる。
本発明の実施の形態1における複合センサの全体の構成の一例を示す図である。 図1に示す複合センサにおいて、過電流検出と電源の停止を実現する過電流スイッチ回路の構成の一例を示す図である。 図1に示す複合センサにおいて、過電流検出と電源の停止を実現する別の過電流スイッチ回路の構成の一例を示す図である。 (a)(b)は図1に示す複合センサにおいて、基準電圧について、過電流の影響分離と電源の停止を実現する過電流スイッチ回路の構成の一例を示す図である。 図1に示す複合センサにおいて、時間軸で故障発生時のセンサ出力変化の一例を示す図である。 (a)(b)は図1に示す複合センサにおいて、正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマットの一例を示す図である。 図1に示す複合センサにおいて、信号検出LSIの実装方法の一例を示す図である。 図1に示す複合センサにおいて、信号検出LSIの別の実装方法の一例を示す図である。 本発明の実施の形態2における複合センサの全体の構成の一例を示す図である。 (a)(b)は図9に示す複合センサにおいて、正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマットの一例を示す図である。 本発明の前提として検討した複合センサの全体の構成の一例を示す図である。 本発明が解決しようとする課題の説明において、静電容量の変化で加速度を検知するC/V変換回路の構成の一例を示す図である。
 以下の実施の形態においては、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらは互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
 さらに、以下の実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
 [実施の形態の概要]
 まず、実施の形態の概要について説明する。本実施の形態の概要では、一例として、括弧内に各実施の形態の対応する構成要素および符号を付して説明する。
 実施の形態の代表的な複合センサは、複数の物理量を検出する複数の検出エレメント(実施の形態1:第1および第2の加速度検出エレメント311a,311b、実施の形態2:第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bと第1の角速度検出エレメント1013a)を有する複合センサである。前記複合センサは、前記複数の検出エレメントのそれぞれ毎に有する信号検出回路(C/V変換回路321a,321b,1001,1004、アンプ回路322a,322b,1002,1005、ADC323a,323b,1003,1006、診断電圧出力用DAC327a,327b、キャリア信号生成DAC328a,328b,1008、基板電圧発生DAC329a,329b,1009、および、駆動電圧発生DAC1007)からなる複数の検出部と、前記複数の検出部のそれぞれの間で共有する電源(電源電圧入力部331およびGND電圧入力部332)と、前記複数の検出部のそれぞれ毎に有し、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する複数の故障検出回路(過電流スイッチ回路101a,101b,104)と、を有する。
 さらに好ましくは、前記複合センサは、前記複数の検出部のそれぞれの間で共有する基準電圧生成回路(基準電圧生成回路324)およびクロック生成回路(オシレータおよびクロック生成回路325)を有する。さらに、前記複数の故障検出回路(過電流スイッチ回路102a,102b,103a,103b,105~107)は、それぞれ、バッファ回路(オペアンプ701)を有する。そして、前記基準電圧生成回路により生成された基準電圧の電圧信号、および前記クロック生成回路により生成されたクロックの電圧信号の少なくとも一方は、前記複数のバッファ回路のそれぞれを介して各検出部に与えられている。
 以下、上述した実施の形態の概要に基づいた各実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、前述した本発明の前提として検討した図11と同一の部材にも同一の符号を付しているので、同様に繰り返しの説明は省略する。
 本実施の形態においては、一例として、2軸の加速度検出を実現する複合センサ(実施の形態1)、2軸の加速度検出および1軸の角速度検出を実現する複合センサ(実施の形態2)を例に挙げて説明する。本明細書にて示す技術は、必ずしも前記の構成に限るものではなく、さらに多軸の検出軸を有したり、加速度、角速度以外の物理量を検出する構成を有する複合センサ全般に広く適用したりできるものである。
 また、本実施の形態においては、各物理量の検出エレメントの故障発生検知と、その故障の影響を他の検出部に伝搬させない機能を有することを特徴とする、いわゆる機能安全を適用した複合センサの構成に関するものである。すなわち、複数の検出エレメントや重複した検出エレメントを有する複合センサにおいて、信号検出LSIの機能を一部共用しているもので、ある検出エレメントに発生した故障、特に短絡による大電流の発生が、他の故障が発生していない検出部に影響を与え得るという問題点を解決する、いわゆる機能安全を適用したセンサを実現するものである。
 [実施の形態1]
 本実施の形態1における複合センサについて、図1~図8を用いて説明する。
 <複合センサの構成および動作>
 まず、図1を用いて、本実施の形態における複合センサの構成について説明する。図1は、この複合センサの全体の構成の一例を示す図である。本実施の形態では、一例として、2軸の加速度、すなわち第1の加速度検出エレメントと第2の加速度検出エレメントとの2つの加速度検出エレメントを有する複合センサの構成例としている。
 図1の複合センサは、加速度検出エレメントチップ311と、信号検出LSI320とを有して構成される。
 加速度検出エレメントチップ311は、第1の加速度検出エレメント311aと、第2の加速度検出エレメント311bとを有する。第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、加速度によって変位する第1および第2の可動部312a,312bと、それぞれの可動部312a,312bに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、加速度を検知する第1および第2の検出電極313a,313bとを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、それぞれの可動部312a,312bと、それに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、電圧を印加し、可動部312a,312bを静電力によって強制的に変位させる機能を実現する第1および第2の診断電極314a,314bを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、それぞれの検出電極313a,313bにキャリア電圧を与える第1および第2のキャリア電圧印加部315a,315bを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、可動部312a,312bを支持する第1および第2の支持梁317a,317b、そして可動部と固定部以外の領域である第1および第2のダミーパターン部316a,316bを備える。
 信号検出LSI320は、第1および第2のC/V変換回路321a,321b、第1および第2のアンプ回路322a,322b、第1および第2のADC323a,323b、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1および第2のキャリア信号生成DAC328a,328b、第1および第2の基板電圧発生DAC329a,329bをそれぞれ検出エレメント毎に備える。前述した第1の加速度検出エレメント311aと、その検出回路(第1のC/V変換回路321a、第1のアンプ回路322a、第1のADC323a、第1の診断電圧出力用DAC327a、第1のキャリア信号生成DAC328a、第1の基板電圧発生DAC329a)とから第1の加速度検出部を構成し、前述した第2の加速度検出エレメント311bと、その検出回路(第2のC/V変換回路321b、第2のアンプ回路322b、第2のADC323b、第2の診断電圧出力用DAC327b、第2のキャリア信号生成DAC328b、第2の基板電圧発生DAC329b)とから第2の加速度検出部を構成する。さらに、信号検出LSI320には、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、EPROMやROMやRAMやレジスター等のメモリ326、DSP回路部330、電源電圧入力部331、GND電圧入力部332を、検出エレメントの数よりも少ない数を、すなわち一般には一式のみを設けている。この理由は前述の通りである。
 また、加速度検出エレメントチップ311と信号検出LSI320とは、ボンディングワイヤ341によって電気的に接続される。
 以上のように構成された複合センサについて、その動作を説明する。複合センサの信号検出LSI320では、外部からの電源電圧を電源電圧入力部331とGND電圧入力部332とで受ける。そして、受けた電源電圧を、検出部毎に設けられた第1および第2の過電流スイッチ回路101a,101bを経由して、図1中の各回路要素である、第1および第2のC/V変換回路321a,321b、第1および第2のアンプ回路322a,322b、第1および第2のADC323a,323b、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1および第2のキャリア信号生成DAC328a,328b、第1および第2の基板電圧発生DAC329a,329bにそれぞれ供給する。基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330には、外部から受けた電源電圧が直接供給される。
 基準電圧生成回路324によって生成される基準電圧は、検出部毎に設けられた第1および第2の過電流スイッチ回路102a,102bを経由して、第1および第2のADC323a,323b、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1および第2のキャリア信号生成DAC328a,328b、第1および第2の基板電圧発生DAC329a,329bにそれぞれ与えられる。この基準電圧生成回路324は、本実施の形態でも各検出部で共用する。このような構成とすることは、信号検出LSI320の小型化を実現し、作製コストを低減できる。
 また、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330、電源電圧入力部331、GND電圧入力部332は、全ての検出部で兼用するものであり、本実施の形態では一式のみを設けている。オシレータおよびクロック生成回路325は、検出部毎に設けられた第1および第2の過電流スイッチ回路103a,103bを経由して、第1および第2のキャリア信号生成DAC328a,328bにそれぞれキャリア発生のタイミングを与えるトリガーを入力する。
 基準電圧を受けた第1のキャリア信号生成DAC328aと第2のキャリア信号生成DAC328bは、共通のオシレータおよびクロック生成回路325からクロックのトリガーを受け、キャリア信号をそれぞれ第1のキャリア電圧印加部315aと第2のキャリア電圧印加部315bに印加する。このとき、オシレータおよびクロック生成回路325は、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bに兼用としている。ただし、キャリア信号生成DAC328a,328bは、第1の加速度検出エレメント311aと第2の加速度検出エレメント311bとで異なるものを利用している。
 なお、ここで、各加速度検出エレメント311a,311bのキャリア信号は互いに独立であるので、キャリア信号の周波数や振幅、位相は必ずしも同一のものでなくてもよく、また、異なるキャリア信号生成DACを利用していながらも、全く同一の周波数・振幅・位相であってもよい。
 第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bでは、加速度が印加されると、可動部が変位することで固定部との相対距離が変化する。例えば、第1の加速度検出エレメント311aの感度方向に加速度が印加された場合、第1の検出電極313aの静電容量が変化する。キャリア信号が印加された第1の検出電極313aの静電容量変化量は、電流の形で第1のC/V変換回路321aに入力され、電圧信号に変換される。電圧信号に変換された第1の加速度検出エレメント311aの感度方向に印加された加速度は、第1のアンプ回路322a、第1のADC323aを経てDSP回路部330での波形整形、すなわちLPFによるノイズ除去、ゼロ点やゲインのトリミング調整等を経て、SPI通信等の通信手段を介して上位のシステムに前記印加された加速度が出力される。このとき、DSP回路部330や、メモリ326も、基準電圧生成回路324と同じ理由から、各加速度検出エレメント311a,311bで兼用する。第2の加速度検出エレメント311bの機能については、第1の加速度検出エレメント311aと同じであるので、説明は省略する。
 <過電流スイッチ回路の機能>
 図2~図4を用いて、前述した第1および第2の過電流スイッチ回路(101a,101b、102a,102b、103a,103b)の機能について説明する。図2および図3は、それぞれ、過電流検出と電源の停止を実現する過電流スイッチ回路の構成の一例を示す図である。図4(a)(b)は、基準電圧について、過電流の影響分離と電源の停止を実現する過電流スイッチ回路の構成の一例を示す図である。
 図2に示す過電流スイッチ回路は、信号検出LSI320の外から入力された電源電圧と、基準電圧生成回路324の両方について適用できるものである。すなわち、第1および第2の過電流スイッチ回路101a,101bと、第1および第2の過電流スイッチ回路102a,102bとに適用できる。以下、過電流スイッチ回路の説明においては、電源電圧の過電流を検出する過電流スイッチ回路101a,101bを例にその機能を説明するが、過電流スイッチ回路102a,102bに適用する場合には「電源電圧」はそのまま「基準電圧」と置き換え可能である。なお、オシレータおよびクロック生成回路325の過電流スイッチ回路103a,103bにも、同様に適用できることは言うまでもない。
 図2に示す過電流スイッチ回路101a,101bは、電圧入力部501、MOSトランジスタからなるスイッチ502、抵抗とオペアンプからなる電流検出回路部503、判定閾値504とする比較器505、LPF506、インバータからなる故障判定出力部507等から構成される。
 過電流スイッチ回路101a,101bに印加された電源電圧は、電圧入力部501を経て、さらにスイッチ502を介して電流検出回路部503に入力され、その出力が検出部に与える電源電圧として出力される。このとき、電流検出回路部503の出力は、判定閾値504と比較器505で比較され、デジタル回路起因のクロックノイズ等や高周波で発生する電流成分を除去するLPF506を経て、故障判定出力部507から外部のDSP回路部330に送られる。ただし、比較器505は一定の値より大きいことを検出する構成だけでなく、一定の値より小さいことを検出したり、一定の範囲内にあることを比較したりする構成でもよい。また、LPF506はDSP回路部330内で実装してもよい。これは、短絡による故障では、本来電圧があるべきところ、電圧がなくなるという故障モードに陥る可能性もあるためである。また、DSP回路部330では、故障判定が真であるという通知のあった検出エレメントの検出回路について、スイッチ502をOFF、すなわち通電状態を絶縁状態にすべく、イネーブル(Enable)信号をディセーブル(Disable)信号へ切り替える。
 このように、アナログ回路とデジタル回路(DSP回路部)を組み合わせたこの機能によって、短絡という故障がもたらした、通常とは異なる大きさの電流が流れる検出エレメントの電源電圧は、他の検出部から絶縁される。よって、各検出部に共通の電源電圧や、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330に、故障の発生した検出エレメントの短絡による電流異常がもたらす不具合が伝搬しない。この不具合とは、前述の通り電源電圧の低下などである。故障のない他の検出部には故障の発生した検出エレメントの不具合が伝搬しないので、故障していない検出部の出力は故障の発生後も継続できる。
 なお、この過電流スイッチ回路101a,101bでは、スイッチ502と比較器505の出力がDSP回路部330を介さずに接続されていてもよい。例えば、比較器505の出力により、ヒューズなどによって不具合の発生を記憶し、スイッチ502へとその出力を与える。なお、スイッチ502への入力をDSP回路部330へも並行して入力し、センサの出力フレームに故障通知を入れてもよいし、そのまま外部出力端子(図示せず)へと出力し、故障通知ポートを設ける構成としてもよい。
 また、別の構成例として、過電流スイッチ回路は図3のような構成であってもよい。図3に示す過電流スイッチ回路101a,101bは、電圧入力部601、2つのMOSトランジスタからなるスイッチ602、抵抗からなる電流検出回路部603、判定閾値604とする比較器605、インバータからなる故障判定出力部606、ドライバ回路607等から構成される。
 過電流スイッチ回路101a,101bに印加された電源電圧は、電圧入力部601を経て、さらにスイッチ602を介して電流検出回路部603に入力され、その出力が検出部に与える電源電圧として出力される。ここで、スイッチ602はシャントMOSを構成するトランジスタであり、電源側に流れる電流量を、MOSサイズないしは並列数の比で電流検出回路部603へ流す構成となっている。シャントMOSを用いることで、電源電圧出力の電圧を消費電流量によらない一定値に保つ効果や、電流検出回路部603の消費電流等の影響を電源電圧出力側に与えにくくする効果が得られる。電流検出回路部603で電圧に変換された電流量は、判定閾値604と比較器605で比較され、故障判定出力部606から外部のDSP回路部330に送られる。DSP回路部330では、故障判定が真であるという通知のあった検出部について、スイッチ502をOFFにすべく、イネーブル(Enable)信号をディセーブル(Disable)信号へ切り替える。ディセーブル信号はドライバ回路607を通じてスイッチ602をOFFにする。比較器の構成、アナログ・デジタルの差、LPFの挿入箇所等の回路の詳細な構成については、図2で示した過電流スイッチ回路と同様に様々なバリエーションがあることは言うまでもない。
 前記の構成例として示した2つの過電流スイッチ回路は、電源電圧、基準電圧のいずれにも適用可能であったが、一般には電源電圧よりも電圧が低く設定される基準電圧に限っては、以下の図4(a)(b)のようなバッファ回路を用いた構成によって、過電流スイッチ回路を構成してもよい。例えば、バッファ回路はオペアンプを用いたボルテージフォロアを構成したり、トランジスタを用いたソースフォロア回路を構成することで実現でき、出力インピーダンスを下げ、基準電圧としてより良い特性を実現する他、インピーダンス変換効果を持っているため、検出エレメントでの短絡等による大電流発生時にも基準電圧の変動を起こしにくくする効果がある。
 図4(a)に示す過電流スイッチ回路102a,102bは、8個のMOSトランジスタと電流源で構成したオペアンプ701、判定閾値702とする比較器703、インバータからなる故障判定出力部704、抵抗R等から構成される。図4では、MOSトランジスタで構成したオペアンプ701のVn入力と出力端子を接続してボルテージフォロアを構成し、Vp入力に基準電圧を与え、入力した基準電圧と同じ電圧を出力端子で得る回路構成を示している。なお、ここで、オペアンプ701の出力段では、抵抗Rを挿入している。これは、基準電圧出力部に接続される回路網で短絡が発生した際に、この抵抗Rで電圧降下を発生させる効果をもたらす。電圧降下によって、トランジスタTrOのドレイン・ソース間電圧Vdsが小さくなり、ドレイン電流が流せなくなるので、結果的に基準電圧出力部から出力される電流量は、抵抗Rによって制限されることになる。いわば、この構成が過電流検出に伴う該当検出部の絶縁スイッチを担う回路を構成している。
 ただし、短絡によって、過大な電流が発生すれば、センサ全体での消費電流量が増加するという問題が生じる。消費電流量の増加は、電源瞬断に対応するためのバックアップキャパシタの容量が不足したり、発熱の問題が発生したりと、センサの出力に異常が直ちに表れてこなくても、システムとしての不具合を発生する。また、バッファ回路で流せる電流量を超えた場合は、バッファ回路から電流が過大に流れ、ひいては基準電圧生成回路324等の出力電圧降下等の問題が同様に生じる。従って、バッファ回路を利用する構成であっても、過電流を検出し、該当する検出部の電源電圧やバッファ回路への電源供給を停止し、検出部を絶縁する機能を有している方が望ましい。これを実現するため、抵抗Rの両端の電圧を判定閾値702と比較器703で比較し、その結果を故障判定出力部704から外部のDSP回路部330に送ることで、上位のシステムへの故障通知を行う。上位のシステムは、ディセーブル信号をバッファ回路の電源電圧をOFFするスイッチ(図示せず)だけでなく、該当する検出部の回路全ての電源電圧をOFFするスイッチ(図示せず)に与える。
 また、図4(b)に示す過電流スイッチ回路は、トランジスタと、抵抗Rと、電流Isinkの低電流回路からなり、ソースフォロア回路によってVinをVoutに低インピーダンスで出力する。一方、Voutから過大な電流が流れる場合には、抵抗Rでの電圧降下により、トランジスタのドレイン・ソース間電圧Vdsが小さくなり、ドレイン電流が流せなくなるので、結果的に基準電圧出力部から出力される電流量は、抵抗Rによって制限されることになる。いわば、この構成が過電流検出に伴う該当検出部の絶縁スイッチを担う回路を構成している。
 以上の図4(a)(b)に示したような構成によって、図2および図3に示したような過電流スイッチ回路と同様に、過電流検出とそれに伴う該当検出部の絶縁を行う回路を実現できる。
 また、抵抗Rをなくし、バッファ回路の出力電流やバッファ回路の電源電圧に流れる電流を検知することで、過電流を検出する構成も当然に考えられる。その際は、バッファ回路の出力電流やバッファ回路の電源電圧に流れる電流を図2に示したような電流検出回路、すなわち、電流検出回路部、判定閾値、比較器、故障判定出力部を通じてDSP回路部に過電流検知を通知する。そして、DSP回路部から出力するディセーブル信号を、バッファ回路の電源回路や、バッファ回路の出力回路に設けたスイッチに与えることで過電流スイッチ回路を構成してもよい。
 なお、電源電圧にバッファ回路を用いた構成とすると、バッファ回路の出力電圧を電源電圧と同じレベルまで取る(スイングを取る)構成とすることが困難であったり、バッファ回路のドライバビリティを大きく取る必要があったりという課題があるので、必ずしも有益な構成とはならないことがある。しかし、いわゆるRail-to-Railのオペアンプであれば実現不可能な構成ではないので、電源電圧についてもバッファ回路を用いた構成としてもよい。
 基準電圧の変動を検出するための回路については、基準電圧が電源電圧よりも低い電圧に設定される場合は、電源電圧と基準電圧の差の変化から、過電流の検出を間接的に行う構成であってもよい。本実施の形態の効果は、過電流の検出ではなく、故障の検出を受けての電源回路の絶縁であるから、故障の検知は前記のように電圧を測るなど、過電流を直接測る方法でなくてもよい。
 以上、ここまでに示した過電流スイッチ回路では、絶縁を目的に任意の個所にさらにスイッチを設けてもよく、またトランジスタはMOS-FETトランジスタ以外の実装方法であってもよい。
 また、図2、図3、図4に示した回路は本発明の機能を説明するにあたって必要となる最低限の回路であり、またあくまで、機能を説明するための抽象的な回路図となっている。本発明はセンサの構成に関するものであるから、本発明を実際に利用する上では、図2、図3、図4の回路構成は実装上のごく一例に過ぎない。回路の実装方法は本実施の形態で開示するセンサの構成を拡張するような概念ではない。
 <故障発生時のセンサ出力変化>
 図5を用いて、故障発生時のセンサ出力変化について説明する。図5は、時間軸で故障発生時のセンサ出力変化の一例を示す図である。この故障発生時のセンサ出力変化は、過電流スイッチ回路の応答性と、センサのLPF出力との関係に関する。
 図5は、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力をY_G、第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力をX_G、第1の加速度検出エレメント311aの消費電流をI_Yとした時系列のグラフである。故障発生の時点を境に、第1の加速度検出エレメント311aに短絡が発生し、基準電圧生成回路324の電圧降下により、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力Y_Gと、第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力X_Gにオフセットが発生している。ここで、第1の加速度検出エレメント311aの消費電流I_Yの増加から、過電流スイッチ回路が故障判定を行い、第1の加速度検出エレメント311aへの電源供給を停止する。その結果、第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力X_Gは正常値に戻るが、故障のない第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力X_Gにも、第1の加速度検出エレメント311aの故障発生から、その復帰が完了までの時間に出力の変動が表れている。これは、第1の加速度検出エレメント311aで短絡が発生してから、これを検出し、電源供給を停止するまでの遅延時間T_dを完全になくすことはできないという原理上の問題である。言い換えると、故障発生からT_dの間は故障のない第2の加速度検出エレメント311bの出力に故障が伝搬してしまうことは、原理的に避けることができない。
 しかし、一般に、センサには最終段にLPF(本実施の形態ではDSP回路部330に内蔵)があり、所望の帯域外のノイズ成分を落とす構成となっている。このため、過電流の発生から、過電流スイッチ回路でこれを検出し、故障のある検出部を絶縁して復帰するまでの遅延時間T_dが、センサの最終段LPFの帯域で決まる遅延時間T_LPFよりも短ければ、図5の第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力X_Gのうち点線で示したもののように、最終段のLPFを経た後にその影響をごく軽微なものに留めることができる。すなわち、T_d<T_LPFの関係となるよう、過電流スイッチ回路を構成することで、実使用上十分な範囲で各検出エレメントの独立を設計的に保障することができる。
 また、可能であれば、T_dをより短くすることが明らかに望ましい。そこで、短絡による過電流発生時の基準電圧ないし電源電圧の降下を抑制するため、それぞれの出力部に充電用キャパシタを設ければ、過電流が生じても電圧降下発生までの時間が延びるので、実質的な遅延時間T_dを短くするといった効果が得られるであろう。
 なお、本実施の形態の構成例では、診断電圧出力用DAC327a,327bは、検出エレメントそれぞれがこれを有している。第1の加速度検出エレメント311aは、第1の診断電圧出力用DAC327aを有し、第2の加速度検出エレメント311bは、第2の診断電圧出力用DAC327bを有している。これは、診断用の電極が短絡した場合にも、短絡が生じていない方の加速度検出エレメントで、診断電圧の印加と、変位の検出による故障診断が実施できるように、別々の診断電圧出力用DAC327a,327bを設けているものである。
 例えば、従来技術のように、第1の加速度検出エレメントと第2の加速度検出エレメントで故障診断出力用DACを兼用としている場合は、例えば第1の加速度検出エレメントの診断電極に短絡による故障が発生した場合、短絡が生じている各電極のインピーダンスの関係にもよるが、故障診断出力用DACの電圧出力値は設計した電圧にならない。従って、ある加速度検出エレメントに生じた故障が他の故障が生じていない加速度検出部に伝搬するのを確実に抑制するためには、回路的には冗長であっても、本実施の形態のように、過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路によって、検出エレメント毎に独立した診断電圧出力用DACを設ける構成とすることが必要である。
 基板電圧発生DAC329a,329bも、過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路によって、第1の加速度検出エレメント311aと第2の加速度検出エレメント311bとで独立した回路を設ける。このような構成とすることで、基板電圧発生DACにかかる回路の短絡発生時も、短絡が生じていない方の加速度検出エレメントでは、基板電圧の印加が実施できるように、別々の基板電圧発生DAC329a,329bを設けているものである。基板電圧とは、従来技術の項目で述べたように、ダミーパターン部316a,316bの電圧を指しており、一般には電圧をフローティング状態にせず一定値に固定する機能を有していることが望ましい。
 キャリア信号生成DAC328a,328bも、過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路によって、第1の加速度検出エレメント311aと第2の加速度検出エレメント311bとで独立した回路を設ける。このような構成とすることで、キャリア信号生成DACにかかる回路の短絡発生時も、短絡が生じていない方の加速度検出エレメントでは、キャリア電圧の印加が実施できるように、別々のキャリア信号生成DAC328a,328bを設けているものである。
 また、第1の加速度検出エレメント311aと、第2の加速度検出エレメント311bとは、図1のように加速度検出エレメントチップ311として同一のチップ上に作製されていても、別のチップ上に作製されていてもよい。別のチップ上にそれぞれ作製されている場合は、基板電圧を独立に設定できるため、基板電圧に関わる短絡故障が発生しても、この故障は他の加速度検出部に伝搬しない。同一のチップ上に複数の加速度検出エレメントを作製する場合は、別々のチップ上に加速度検出エレメントを作製するときと同様に、基板電圧を独立できるように構成することが望ましい(図1)。例えば、DRIEによるエッチングでシリコン基板に深溝を形成し、その深溝に酸化膜を形成することで、深溝によって分離された各導体部は酸化膜で絶縁され、同一シリコン基板上での電圧分離が可能になる。
 また、本実施の形態において、検出電極313a,313b、診断電極314a,314b、可動部312a,312bの電圧や、ダミーパターン部316a,316bの基板電圧の直流の電圧にはあえて差を設けておく構成とすることも考えられる。なぜならば、同じ電圧を持つ導体が接触しても電流が流れないので、接触が故障モードであったとしても、電流による故障検知ができない。よって、基板電圧を含む、全ての導体間の直流レベルでの電圧差が異なるように電圧を与えるという構成にすることも考えられる。なお、このとき電圧差が大きいと、前述の通り寄生成分や静電力の影響が大きくなるので、電極や導体間の直流電圧差はわずかなものであることが望ましい。電圧差は直流成分でなくても、交流成分であってもよく、その周波数が加速度検出エレメント311a,311bの可動部の応答周波数よりも十分高ければ、電圧によって導体間に発生する静電力が可動部の変位をもたらすこともない。過電流スイッチ回路側では、電圧差の交流成分と同じ周波数で同期検波を行うことで、高いSNRで電流検知を行うことが可能になる。
 <正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマット>
 図6を用いて、正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマットについて説明する。図6は、センサ出力フォーマットの一例を示す図であり、(a)は正常時、(b)は故障発生時をそれぞれ示す。
 本実施の形態の複合センサは、DSP回路部330に内蔵のSPI通信等の通信手段によって、検出した加速度を上位のシステムに通知する場合は、図6(a)に示すように、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力(YG)と第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力(XG)と共に、過電流スイッチ回路の作動状態を示す診断フラグ(DIAG)を併せて出力する。これにより、上位システムでは故障の発生した加速度検出エレメントを認識できるので、故障の発生していない加速度検出エレメントを利用してのシステム機能継続を判断することができる。また、故障発生後の電源供給停止により、当該個所の消費電流が過電流から脱したことをさらに検出し、故障個所の絶縁が正常にできていることを示す故障対応が完了したことを示すフラグを出力してもよい。
 故障の発生時は、図6(b)のように診断フラグを立てるだけでなく、故障の発生した加速度検出エレメント(図6(b)では“YG”の記述がある第1の加速度検出エレメントの加速度出力)の出力値を、通常では出力されない範囲の値としてもよい。16bit出力であれば、+32767や-32768がそれにあたる。
 図6(b)の例では、診断フラグ(DIAG)は、正常時の“0x0000”から“0x0202”となり、1桁目の“2”により第1の加速度検出エレメント311aに故障が発生していることが判り、かつ、3桁目の“2”により第1の加速度検出エレメント311aが確実に絶縁できていることが判る。また、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力(YG)は、正常時の“0xFE00”から“0x8000”となり、通常での範囲外の値により故障が発生していることが判る。なお、第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力(XG)は、正常時と同じ“0x0200”のままであるので、故障が発生していないことが判る。
 このような機能を設けることで、故障発生時の加速度ないし角速度出力を、誤って上位システムで使用してしまう可能性を下げることができる。
 以上示したように、本実施の形態で示したような複合センサで、一連の通信フレーム内に複合センサで検出する全検出エレメントの出力と、過電流検出の有無やその対応結果を示す診断フラグをまとめることで、上位システムは、個別の複数のセンサを用いる場合に比べて通信回数を減らせるというメリットを得られる。さらに、CAN(Controller Area Network)のような多数のノードが接続されるネットワークに接続されている場合は、通信の輻輳を抑えることができる。
 <信号検出LSIの実装方法>
 図7および図8を用いて、信号検出LSIの実装方法について説明する。図7および図8は、それぞれ、信号検出LSIの実装方法の一例を示す図である。この信号検出LSIは、図1に示した信号検出LSI320に対応する。
 図7に示す信号検出LSIの実装方法では、機能説明のため、各部位の大きさは実際のものとは大きく異なったものとなっている。また、図7において、上部の図は平面図であり、下部の図は上部の平面図のA-A’切断線による断面図を示している。
 図7に示す信号検出LSIの実装方法においては、信号検出LSI201上に、外部との電気的コンタクトをとる複数のパッド202、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bに共通な回路実装部203、第1の加速度検出エレメント311aの第1の信号処理回路部204、第2の加速度検出エレメント311bの第2の信号処理回路部205が形成されている。さらに、信号検出LSI201上には、第1の信号処理回路部204と第2の信号処理回路部205とをそれぞれ囲う形で形成されるガードリング206が形成されている。これらの各パッド202や回路実装部203や信号処理回路部204,205やガードリング206は、基板部207上に形成されている。第1および第2の信号処理回路部204,205には、複数のMOSトランジスタ212が形成されている。
 ここで、ガードリング206は、基板部207と同じ導電型の拡散層であり、かつ基板部207よりも高濃度の導電型である。例えば、基板部がn-型の基板であれば、ガードリングはn+となる。
 このガードリング206は、例えば、第1の信号処理回路部204において、基板部207と回路要素の短絡が起きた際に、第2の信号処理回路部205側の基板部207の電圧が揺れることを防ぐものである。具体的には、基板部207がグラウンドレベルのとき、ガードリング206もグラウンドレベルとしておくことで、第1の信号処理回路部204と基板部207に短絡が発生し、基板(n-)内のインピーダンス成分によって、基板部207の電圧レベルが変動しても、第1の信号処理回路部204の周囲に低インピーダンス(n+)の電圧レベルがあるので、電流が第1の信号処理回路部204のガードリングに流れるという効果をもたらす。このため、第2の信号処理回路部205は、第1の信号処理回路部204と基板部207に生じた短絡の影響を受けにくくなるという効果が得られる。この効果は、信号処理回路部側の短絡不良に限らず、負荷側である検出エレメントでの短絡等による、信号処理回路部の基板電圧揺れにおいても同じことが言えるので、本発明の実施時にこのような実装方法を採用することは、本発明の効果をさらに高めることになる。ここでは、検出エレメントが2つの例を示したが、検出エレメントをさらに有する場合は、検出エレメント毎に電気的分離を行う構成とする。また、検出エレメントは異なる物理量、例えば加速度と角速度を検知するようなものであってもよい。
 図8に示す信号検出LSIの別の実装方法でも、機能説明のため、各部位の大きさは実際のものとは大きく異なったものとなっている。また、図8において、上部の図は平面図であり、下部の図は上部の平面図のA-A’切断線による断面図を示している。
 図8に示す信号検出LSIの別の実装方法においては、SOI(Silicon On Insulator)基板210上に作製した例を示している。このSOI基板210は、基板部207と基板部209とで絶縁層208を挟んだ構造からなる。SOI基板210の深さ方向に、絶縁層211が、各信号処理回路部204,205を囲むように作製されている。SOI基板210の絶縁層208および作製した絶縁層211によって基板部207が第1の信号処理回路部204と第2の信号処理回路部205の間で電気的に分離されるので、前述のように短絡などの故障が発生した検出エレメント側の基板部207の電圧変動が、故障の発生していない検出エレメントの基板部207に伝搬するのを抑制することができる。ここでは、検出エレメントが2つの例を示したが、検出エレメントをさらに有する場合は、検出エレメント毎に電気的分離を行う構成とする。また、検出エレメントは異なる物理量、例えば加速度と角速度を検知するようなものであってもよい。
 これらの信号検出LSIの実装方法は、本発明で開示する過電流検出と該当検出エレメントの絶縁を行う回路の補助的な役割であり、それ単体では本願が取り組む課題を解決するものではない。しかし、本発明で開示する過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路と、前記信号検出LSIの実装方法とを組み合わせることで、検出部毎の電気的な絶縁をより確実に実現できる。したがって、本発明を実施する上では、前記信号検出LSIの実装方法によって、信号検出LSIを実装することが望ましい。
 <実施の形態1の効果>
 以上説明した本実施の形態によれば、2軸の加速度検出を実現する複合センサにおいて、以下のような効果を得ることができる。すなわち、過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103bを各検出部に設け、短絡等の電気的故障が発生した際に、故障の発生した検出部への電源供給を止める構成を有する過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路を持つことで、機械的故障がもたらす、他の検出部への故障の伝搬を防ぐことができる。また、ソリッド・ステートな信号検出LSI320の故障発生率が機械構造の加速度検出エレメントチップ311の故障発生率に比較して十分低いという観点から、複合センサの検出部の同時故障確率を減らすことができる。
 また、過電流に限らず、検出部の異常を電気的に検出し、該当する検出部への電源供給を止めるという構成も、本発明の範疇である。検出部の故障とは、具体的には回路がオープンになる故障があり、回路のオープン故障がもたらす、電極間に発生する電荷量変化を、電流の形で、C/V変換回路を経て検出することで実現可能である。
 より詳細には、以下のような効果を得ることができる。
 (1)複数の検出エレメントのそれぞれ毎に有する信号検出回路である、C/V変換回路321a,321b、アンプ回路322a,322b、ADC323a,323b、診断電圧出力用DAC327a,327b、キャリア信号生成DAC328a,328b、および、基板電圧発生DAC329a,329bからなる複数の検出部と、複数の検出部のそれぞれの間で共有する電源電圧入力部331およびGND電圧入力部332と、複数の検出部のそれぞれ毎に有し、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する故障検出回路である過電流スイッチ回路101a,101bとを有することで、ある検出エレメントに発生した故障が、他の故障が発生していない検出部に影響を与えることを抑えることができる。よって、ある検出エレメントの故障が他の検出部に伝搬しない、故障に対してロバストな複合センサを構成することができる。
 (2)過電流スイッチ回路101a,101bは、電流が所定の値にないとき、または、電流が閾値より大きいときの過電流時に故障と検知することで、過電流検出とそれに伴う該当検出部の絶縁を行う回路を実現することができる。
 (3)複数の検出エレメントとして、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bを含むことで、2軸の加速度検出を実現することができる。
 (4)複数の検出部のそれぞれの間で共有する基準電圧生成回路324とオシレータおよびクロック生成回路325とをさらに有し、また、過電流スイッチ回路102a,102b,103a,103bにバッファ回路を有することで、基準電圧生成回路324により生成された基準電圧の電圧信号とオシレータおよびクロック生成回路325により生成されたクロックの電圧信号との少なくとも一方は、バッファ回路のそれぞれを介して各検出部に与えることができる。そして、各過電流スイッチ回路102a,102b,103a,103bは、バッファ回路の消費電流の変化を監視し、所定の電流値にないときに検出エレメントの故障と判定し、故障の発生した検出部への電源供給を停止することができる。
 (5)DSP回路部330にLPFを有し、各過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103bにおける、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止するまでの応答時間(T_d)は、LPFの時定数(T_LPF)よりも短くすることで、実使用上十分な範囲で各検出エレメントの独立を設計的に保障することができる。
 (6)DSP回路部330にSPI通信等の通信回路を有することで、各過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103bが故障の発生した検出部への電源供給を停止したことを出力通信フレームにて、上位システムへ通知することができる。さらに、出力通信フレームには、故障の発生した検出部の電源供給を停止したことを通知する内容と、複数の検出エレメントの出力値とを含めて通知することができる。
 (7)可動部312a,312b、検出電極313a,313b、診断電極314a,314b、および、ダミーパターン部316a,316b等を有する各検出エレメントにおいて、ダミーパターン部316a,316bの電圧は、他の、可動部312a,312b、検出電極313a,313b、診断電極314a,314bのいずれか1つと異なる電圧にあえて設定することで、接触による故障モードであった場合等に故障を検知することができる。
 [実施の形態2]
 本実施の形態2における複合センサについて、図9、図10を用いて説明する。本実施の形態2においては、前述した実施の形態1と同一の部分については説明を省略し、主に異なる部分を説明する。
 <複合センサの構成および動作>
 図9を用いて、本実施の形態における複合センサの構成について説明する。図9は、この複合センサの全体の構成の一例を示す図である。本実施の形態では、一例として、2軸の加速度検出エレメントと、1軸の角速度検出エレメントとを有する構成としている。すなわち、前述した実施の形態1に対して、1軸の角速度検出エレメントを追加した構成例である。
 図9の複合センサは、加速度・角速度検出エレメントチップ1013と、信号検出LSI320とを有して構成される。加速度・角速度検出エレメントチップ1013は、第1の加速度検出エレメント311aと、第2の加速度検出エレメント311bと、第1の角速度検出エレメント1013aとを有する。
 加速度・角速度検出エレメントチップ1013の第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、加速度によって変位する第1および第2の可動部312a,312bと、それぞれの可動部312a,312bに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、加速度を検知する第1および第2の検出電極313a,313bとを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、それぞれの可動部312a,312bと、それに対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、電圧を印加し、可動部312a,312bを静電力によって強制的に変位させる機能を実現する第1および第2の診断電極314a,314bを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、それぞれの検出電極313a,313bにキャリア電圧を与える第1および第2のキャリア電圧印加部315a,315bを備える。さらに、第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bには、可動部312a,312bを支持する第1および第2の支持梁317a,317b、そして可動部と固定部以外の領域である第1および第2のダミーパターン部316a,316bを備える。
 また、加速度・角速度検出エレメントチップ1013の第1の角速度検出エレメント1013aには、角速度および駆動静電力によって変位する可動部1014と、可動部1014に対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、可動部1014を一定の振幅および周波数で加振する静電力を発生する駆動電極1010を備える。さらに、第1の角速度検出エレメント1013aには、可動部1014に対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、可動部1014の変位を検知するモニタ電極1011を備える。さらに、第1の角速度検出エレメント1013aには、可動部1014に対して変位しない固定部とでコンデンサを形成し、加振されている可動部1014に角速度が印加された結果生じる、加振方向に対し直交方向へのコリオリの力を受けた、可動部1014の変位を検出する検出電極1012を備える。さらに、第1の角速度検出エレメント1013aには、モニタ電極1011、検出電極1012にキャリア電圧を与えるキャリア電圧印加部1016を備える。さらに、第1の角速度検出エレメント1013aには、可動部1014を支持する支持梁1015、そして可動部と固定部以外の領域であるダミーパターン部1017を備える。
 信号検出LSI320は、第1および第2のC/V変換回路321a,321b、第1および第2のアンプ回路322a,322b、第1および第2のADC323a,323b、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1および第2のキャリア信号生成DAC328a,328b、第1および第2の基板電圧発生DAC329a,329bをそれぞれ検出エレメント毎に備える。前述した第1の加速度検出エレメント311aと、その検出回路(第1のC/V変換回路321a、第1のアンプ回路322a、第1のADC323a、第1の診断電圧出力用DAC327a、第1のキャリア信号生成DAC328a、第1の基板電圧発生DAC329a)とから第1の加速度検出部を構成し、前述した第2の加速度検出エレメント311bと、その検出回路(第2のC/V変換回路321b、第2のアンプ回路322b、第2のADC323b、第2の診断電圧出力用DAC327b、第2のキャリア信号生成DAC328b、第2の基板電圧発生DAC329b)とから第2の加速度検出部を構成する。また、信号検出LSI320は、第3のC/V変換回路1001、第3のアンプ回路1002、第3のADC1003、第4のC/V変換回路1004、第4のアンプ回路1005、第4のADC1006、第1の駆動電圧発生DAC1007、第3のキャリア信号生成DAC1008、第3の基板電圧発生DAC1009を備える。前述した第1の角速度検出エレメント1013aと、その検出回路(第3のC/V変換回路1001、第3のアンプ回路1002、第3のADC1003、第4のC/V変換回路1004、第4のアンプ回路1005、第4のADC1006、第1の駆動電圧発生DAC1007、第3のキャリア信号生成DAC1008、第3の基板電圧発生DAC1009)とから第1の角速度検出部を構成する。さらに、信号検出LSI320は、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、EPROMやROMやRAMやレジスター等のメモリ326、DSP回路部330、電源電圧入力部331、GND電圧入力部332を一式のみを設けている。
 第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bおよび第1の角速度検出エレメント1013aの加速度・角速度検出エレメントチップ1013と、信号検出LSI320はボンディングワイヤ341によって電気的に接続される。
 以上のように構成された加速度・角速度の複合センサについて、その動作を説明する。複合センサの信号検出LSI320では、外部からの電源電圧を電源電圧入力部331とGND電圧入力部332とで受ける。そして、受けた電源電圧を、検出部毎に設けられた過電流スイッチ回路101a,101b,104を経由して、図9中の各回路要素である、第1~第4のC/V変換回路321a,321b,1001,1004、第1~第4のアンプ回路322a,322b,1002,1005、第1~第4のADC323a,323b,1003,1006、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1~第3のキャリア信号生成DAC328a,328b,1008、第1~第3の基板電圧発生DAC329a,329b,1009、駆動電圧発生DAC1007にそれぞれ供給する。基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330には、外部から受けた電源電圧が直接供給される。
 基準電圧生成回路324によって生成される基準電圧は、検出部毎に設けられた過電流スイッチ回路102a,102b,105を経由して、第1~第4のADC323a,323b,1003,1006、第1および第2の診断電圧出力用DAC327a,327b、第1~第3のキャリア信号生成DAC328a,328b,1008、第1~第3の基板電圧発生DAC329a,329b,1009、駆動電圧発生DAC1007にそれぞれ与えられる。この基準電圧生成回路324は、本実施の形態の複合センサであっても、前述の通り各検出部で共用するので、複合センサで一つだけを備える構成としている。このような構成とすることは、信号検出LSI320の小型化を実現し、作製コストを低減できる。
 また、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330、電源電圧入力部331、GND電圧入力部332は、全ての検出部で兼用するものであり、本実施の形態では一式のみを設けている。オシレータおよびクロック生成回路325は、検出部毎に設けられた過電流スイッチ回路103a,103b,107を経由して、第1~第3のキャリア信号生成DAC328a,328b,1008にキャリア発生のタイミングを与えるトリガーを入力する。
 基準電圧を受けた第1のキャリア信号生成DAC328aと第2のキャリア信号生成DAC328bと第3のキャリア信号生成DAC1008は、共通のオシレータおよびクロック生成回路325からクロックのトリガーを受け、キャリア信号をそれぞれ第1のキャリア電圧印加部315aと第2のキャリア電圧印加部315bと、第3のキャリア電圧印加部1016に印加する。このとき、オシレータおよびクロック生成回路325は、複数の検出部に兼用としている。ただし、第1~第3のキャリア信号生成DAC328a,328b,1008はそれぞれ異なるものを利用している。
 なお、ここで各検出エレメントのキャリアは互いに独立であるので、キャリアの周波数や振幅、位相は必ずしも同一のものでなくてもよく、また、異なるキャリア信号生成DACを利用していながらも、全く同一の周波数・振幅・位相であってもよい。
 第1および第2の加速度検出エレメント311a,311bが加速度を検出し、出力する過程は実施の形態1と同じであるので説明は省略する。
 第1の角速度検出エレメント1013aでは、オシレータおよびクロック生成回路325から与えられたクロックのトリガーを受け、駆動電圧発生DAC1007が駆動電極1010に電圧を与え、支持梁1015で支持される可動部1014を振動させる。振動によって生じる変位はモニタ電極1011の容量変化を生み出す。このため、同じくオシレータおよびクロック生成回路325から与えられたクロックのトリガーを受け、第3のキャリア信号生成DAC1008で生成されたキャリア信号がキャリア電圧印加部1016を通じてモニタ電極1011に印加され、モニタ電極1011の容量変化を電流の形で第3のC/V変換回路1001へ入力する。その後、モニタ電極1011の変位量は電圧に変換された後、第3のアンプ回路1002、第3のADC1003を経てDSP回路部330に入力される。DSP回路部330では、入力されたモニタ電極1011の変位量を、駆動電圧発生DAC1007が出力している駆動電圧と同じ周波数で同期検波を行い、モニタ電極1011の変位の位相情報と振幅情報を得る。これを受け、DSP回路部330では、可動部1014の振動が、可動部1014と、支持梁1015で構成される振動系の共振周波数になるよう、オシレータおよびクロック生成回路325の発振周波数を制御する。また、DSP回路部330では、振動の振幅が一定になるよう、駆動電圧発生DAC1007の出力電圧を制御する。この周波数制御は、低い駆動電圧で最大の振幅を得るという効果を得、また振幅制御はセンサに印加される角速度によって可動部1014に発生するコリオリ力を常に一定に保つ効果を得る。角速度の検出は、前記共振周波数制御および振幅制御が行われている状態で行われているものとする。
 複合センサに角速度が印加されると、可動部1014にコリオリ力が発生し、加振されている軸に対し直交する軸方向に可動部1014が変位する。ここで、モニタ電極1011と同様に、オシレータおよびクロック生成回路325から与えられたクロックのトリガーを受け、第3のキャリア信号生成DAC1008で生成されたキャリア信号が、キャリア電圧印加部1016を通じて検出電極1012に印加され、検出電極1012の容量変化を電流の形で第4のC/V変換回路1004へ入力する。その後、変位量は電圧に変換された後、第4のアンプ回路1005、第4のADC1006を経てDSP回路部330に入力される。DSP回路部330では、入力された検出電極1012の変位量を、駆動電圧発生DAC1007が出力している駆動電圧と同じ周波数で同期検波を行い、検出電極1012の変位の振幅情報を得る。これを受け、DSP回路部330では、振幅情報に波形整形、すなわちLPFによるノイズ除去、ゼロ点やゲインのトリミング調整等を施し、SPI通信等の通信手段を介して上位のシステムに前記印加された角速度が出力される。
 ここで、信号検出LSIに搭載される過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103b,104~107は、実施の形態1と同じ構成を有している。すなわち、加速度の検出エレメントや角速度の検出エレメントに発生する短絡は、通常状態とは異なる電流量を発生するので、該当するエレメントの検出部電源電圧は、他の検出部から絶縁される。
 よって、加速度・角速度の各検出部に共通の電源電圧や、基準電圧生成回路324、オシレータおよびクロック生成回路325、メモリ326、DSP回路部330に、短絡による電流異常がもたらす、基準電圧の低下等の不具合が伝搬しない。従って、故障のない他の検出部に故障のあった検出エレメントの不具合が伝搬することなく、故障していない検出エレメントの出力を複合センサとして継続することができる。
 また、過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103b,104~107の応答性と、センサの出力LPFの関係については、実施の形態1と同様であるので説明は省略する。
 なお、本実施の形態では、基板電圧発生DAC329a,329b,1009について、過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路によって、第1の検出エレメントである加速度検出エレメント311a、第2の検出エレメントである加速度検出エレメント311b、第3の検出エレメントである角速度検出エレメント1013aでそれぞれ独立した回路を設ける。このような構成とすることで、基板電圧発生DAC329a,329b,1009にかかる回路の短絡発生時も、短絡が生じていない検出エレメントでは、基板電圧の印加が実施できるように、別々の基板電圧発生DACを設けているものである。基板電圧とは、従来技術の項目で述べたように、ダミーパターン部316a,316b,1017の電圧を指しており、一般には電圧をフローティング状態にせず一定値に固定する機能を有していることが望ましい。
 キャリア信号生成DAC328a,328b,1008も、過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路によって、加速度検出エレメント311aと加速度検出エレメント311bと角速度検出エレメント1013aとで独立した回路を設ける。このような構成とすることで、キャリア信号生成DAC328a,328b,1008にかかる回路の短絡発生時も、短絡が生じていない検出エレメントでは、キャリア電圧の印加が実施できるように、別々の基板電圧発生DACを設けているものである。
 また、第1の加速度検出エレメント311aと、第2の加速度検出エレメント311bと、第1の角速度検出エレメント1013aは、図9のように同一のチップ上に作製されていても、別のチップ上に作製されていてもよい。別のチップ上にそれぞれ作製されている場合は、基板電圧を独立に設定できるため、基板電圧に関わる短絡故障が発生しても、この故障は他の検出部に伝搬しない。同一のチップ上に複数の検出エレメントを作成する場合は、別々のチップ上に検出エレメントを作成するときと同様に、基板電圧を独立できるように構成することが望ましい(図9)。例えば、実施の形態1に示した基板電圧の電気的分離方法がある。
 また、本実施の形態において、検出電極313a,313b,1012、診断電極314a,314b、駆動電極1010、モニタ電極1011、可動部312a,312b,1014の電圧や、ダミーパターン部316a,316b,1017の基板電圧の直流の電圧にはあえて差を設けておく構成とすることも考えられる。なぜならば、同じ電圧を持つ導体が接触しても電流が流れないので、接触が故障モードであったとしても、電流による故障検知ができない。よって、基板電圧を含む、全ての導体間の直流レベルでの電圧差が異なるように電圧を与えるという構成にすることも考えられる。なお、このとき電圧差が大きいと、前述の通り寄生成分や静電力の影響が大きくなるので、電極や導体間の直流電圧差はわずかなものであることが望ましい。電圧差は直流成分でなくとも、交流成分であってもよく、その周波数が加速度検出エレメント311a,311bおよび角速度検出エレメント1013aの可動部の応答周波数よりも十分高ければ、電圧による静電力が可動部の変位をもたらすこともない。過電流スイッチ回路側では、電圧差の交流成分と同じ周波数で同期検波を行うことで、高いSNRで電流検知を行うことが可能になる。
 <正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマット>
 図10を用いて、正常時と故障発生時のセンサ出力フォーマットについて説明する。図10は、センサ出力フォーマットの一例を示す図であり、(a)は正常時、(b)は故障発生時をそれぞれ示す。
 本実施の形態の複合センサは、DSP回路部330に内蔵のSPI通信等の通信手段によって、検出した加速度および角速度を上位のシステムに通知する場合は、図10(a)に示すように、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力(YG)と第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力(XG)と第1の角速度検出エレメント1013aの角速度出力(YAW)と共に、過電流スイッチ回路の作動状態を示す診断フラグ(DIAG)も出力する。これにより、上位システムでは故障の発生した検出エレメントを認識できるので、故障の発生していない検出エレメントを利用してのシステム機能継続を判断することができる。また、故障発生後の電源供給停止により、当該個所の消費電流が過電流でないことをさらに検出し、故障個所の絶縁が正常にできていることを示す故障対応が完了したことを示すフラグを出力してもよい。
 故障の発生時は、図10(b)のように診断フラグを立てるだけでなく、故障の発生した検出エレメント(図10(b)では“YAW”の記述がある第1の角速度検出エレメントの角速度出力)の出力値を、通常では出力されない範囲の値としてもよい。16bit出力であれば、+32767や-32768がそれにあたる。
 図10(b)の例では、診断フラグ(DIAG)は、正常時の“0x0000”から“0x0404”となり、1桁目の“4”により角速度検出エレメント1013aに故障が発生していることが判り、かつ、3桁目の“4”により角速度検出エレメント1013aが確実に絶縁できていることが判る。また、角速度検出エレメント1013aの角速度出力(YAW)は、正常時の“0x0120”から“0x8000”となり、通常での範囲外の値により故障が発生していることが判る。なお、第1の加速度検出エレメント311aの加速度出力(YG)は、正常時と同じ“0xFE00”のままであり、また、第2の加速度検出エレメント311bの加速度出力(XG)は、正常時と同じ“0x0200”のままであるので、どちらも故障が発生していないことが判る。
 このような機能を設けることで、故障発生時の加速度出力を誤って上位システムで使用してしまう可能性下げることができる。
 以上示したように、本実施の形態で示したような加速度および角速度を検出する複合センサでありながら、一連の通信フレーム内に複合センサで検出する全検出エレメントの出力と、過電流検出の有無やその対応結果を示す診断フラグをまとめることで、上位システムは通信回数を減らすことができるというメリットを得られる。さらに、CANのような多数のノードが接続されるネットワークに接続されている場合は、通信の輻輳を抑えることができる。
 なお、信号検出LSIの実装方法については、実施の形態1と同じであるので説明は省略する。
 <実施の形態2の効果>
 以上説明した本実施の形態によれば、2軸の加速度検出および1軸の角速度検出を実現する複合センサにおいて、以下のような効果を得ることができる。すなわち、本実施の形態においても、前記実施の形態1と同様に、過電流スイッチ回路101a,101b,102a,102b,103a,103b,104~107を各検出部に設け、短絡等の電気的故障が発生した際に、故障の発生した検出部への電源供給を止める構成を有する過電流検出と該当検出部の絶縁を行う回路を持つことで、機械的故障がもたらす、他の検出部への故障の伝搬を防ぐことができる。また、ソリッド・ステートな信号検出LSI320の故障発生率が機械構造の加速度・角速度検出エレメントチップ1013の故障発生率に比較して十分低いという観点から、複合センサの検出部の同時故障確率を減らすことができる。
 より詳細には、前記実施の形態1と同様の効果を得ることができる。ただし、本実施の形態においては、1軸の角速度検出エレメント1013aを追加した構成例となっているので、この角速度検出エレメント1013aおよびこの信号検出回路の各構成要素も含めた構成において、実施の形態1の各効果((1)~(7))を得ることが可能となる。
 以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した実施の形態は、本発明を分かり易く説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
101a,101b,102a,102b,103a,103b,104~107 過電流スイッチ回路
201 信号検出LSI
202 パッド
203 回路実装部
204 信号処理回路部
205 信号処理回路部
206 ガードリング
207 基板部
208 絶縁層
209 基板部
210 SOI基板
211 絶縁層
212 MOSトランジスタ
311 加速度検出エレメントチップ
311a,311b 加速度検出エレメント
312a,312b 可動部
313a,313b 検出電極
314a,314b 診断電極
315a,315b キャリア電圧印加部
316,316a,316b ダミーパターン部
317a,317b 支持梁
320 信号検出LSI
321a,321b C/V変換回路
322a,322b アンプ回路
323a,323b ADC
324 基準電圧生成回路
325 オシレータおよびクロック生成回路
326 メモリ
327a,327b 診断電圧出力用DAC
328a,328b キャリア信号生成DAC
329a,329b 基板電圧発生DAC
330 DSP回路部
331 電源電圧入力部
332 GND電圧入力部
341 ボンディングワイヤ
501 電圧入力部
502 スイッチ
503 電流検出回路部
504 判定閾値
505 比較器
506 LPF
507 故障判定出力部
601 電圧入力部
602 スイッチ
603 電流検出回路部
604 判定閾値
605 比較器
606 故障判定出力部
607 ドライバ回路
701 オペアンプ
702 判定閾値
703 比較器
704 故障判定出力部
1001 C/V変換回路
1002 アンプ回路
1003 ADC
1004 C/V変換回路
1005 アンプ回路
1006 ADC
1007 駆動電圧発生DAC
1008 キャリア信号生成DAC
1009 基板電圧発生DAC
1010 駆動電極
1011 モニタ電極
1012 検出電極
1013 加速度・角速度検出エレメントチップ
1013a 角速度検出エレメント
1014 可動部
1015 支持梁
1016 キャリア電圧印加部
1017 ダミーパターン部
2001 スイッチ
2002 出力端子
2003 キャリア信号生成器
2004 バイアス電圧
2005 オペアンプ
 
 

Claims (9)

  1.  複数の物理量を検出する複数の検出エレメントを有する複合センサであって、
     前記複数の検出エレメントのそれぞれ毎に有する信号検出回路からなる複数の検出部と、
     前記複数の検出部のそれぞれの間で共有する電源と、
     前記複数の検出部のそれぞれ毎に有し、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する複数の故障検出回路と、
     を有する、複合センサ。
  2.  請求項1記載の複合センサにおいて、
     前記複数の故障検出回路は、それぞれ、電流が所定の値にないとき、または、電流が閾値より大きいときに故障と検知する、複合センサ。
  3.  請求項2記載の複合センサにおいて、
     前記複数の検出エレメントは、2軸の加速度を検出する第1および第2の加速度検出エレメントを含む、複合センサ。
  4.  請求項1記載の複合センサにおいて、
     前記複合センサは、さらに、前記複数の検出部のそれぞれの間で共有する基準電圧生成回路およびクロック生成回路を有し、
     前記複数の故障検出回路は、それぞれ、バッファ回路を有し、
     前記基準電圧生成回路により生成された基準電圧の電圧信号、および前記クロック生成回路により生成されたクロックの電圧信号の少なくとも一方は、前記複数のバッファ回路のそれぞれを介して各検出部に与えられている、複合センサ。
  5.  請求項4記載の複合センサにおいて、
     前記複数の故障検出回路は、それぞれ、前記バッファ回路の消費電流の変化を監視し、所定の電流値にないときに検出エレメントの故障と判定し、故障の発生した検出部への電源供給を停止する、複合センサ。
  6.  請求項1記載の複合センサにおいて、
     前記複合センサは、さらに、出力段にLPFを有し、
     前記複数の故障検出回路のそれぞれにおける、各検出エレメントの故障を検知し、故障の発生した検出部への電源供給を停止するまでの応答時間は、前記LPFの時定数よりも短い、複合センサ。
  7.  請求項1記載の複合センサにおいて、
     前記複合センサは、さらに、前記複数の故障検出回路のそれぞれが故障の発生した検出部への電源供給を停止したことを出力通信フレームにて通知する通信回路を有する、複合センサ。
  8.  請求項7記載の複合センサにおいて、
     前記出力通信フレームには、故障の発生した検出部への電源供給を停止したことを通知する内容と、前記複数の検出エレメントのそれぞれの出力値とが含まれている、複合センサ。
  9.  請求項2記載の複合センサにおいて、
     前記複数の検出エレメントは、それぞれ、可動部、電極、およびダミーパターン部を有し、
     前記ダミーパターン部の電圧は、前記可動部および前記電極のいずれか1つと異なる、複合センサ。
     
     
     
PCT/JP2013/081204 2013-02-01 2013-11-19 複合センサ Ceased WO2014119092A1 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170167877A1 (en) * 2014-07-07 2017-06-15 Northrop Grumman Litef Gmbh Controller and method for minimizing scale factor errors of a rotation rate sensor

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10648618B2 (en) * 2014-05-07 2020-05-12 Nissan Motor Co., Ltd. Fuel gas filling system and fuel gas filling method
DE102015212934A1 (de) * 2015-07-10 2017-01-12 Festo Ag & Co. Kg Signalwandlerschaltung und Verfahren zur Bewertung eines Sensorsignals einer sicherheitsgerichteten Einrichtung
US10564179B2 (en) * 2015-12-10 2020-02-18 Panasonic Corporation Residual voltage self test
US10877063B2 (en) * 2015-12-10 2020-12-29 Invensense, Inc. MEMS sensor with compensation of residual voltage
US10379137B2 (en) * 2015-12-15 2019-08-13 Panasonic Corporation Accelerometer sense path self-test
MY204310A (en) 2016-09-08 2024-08-22 Emergo Therapeutics Inc Mast cell stabilizers for treatment of hypercytokinemia and viral infection
JP6571064B2 (ja) * 2016-11-21 2019-09-04 株式会社東芝 検出装置およびセンサ装置
CN107901791B (zh) * 2017-11-21 2021-03-26 中车株洲电力机车有限公司 一种多电源供电回路检测方法、系统及装置
DE102019202326B3 (de) * 2019-02-21 2020-07-16 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Betreiben eines kapazitiven MEMS-Sensors sowie kapazitiver MEMS-Sensor
DE102019215889A1 (de) * 2019-10-16 2021-04-22 Robert Bosch Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Betreiben eines Inertialsensors
US11953533B2 (en) * 2021-06-15 2024-04-09 Capital One Services, Llc Detecting capacitive faults and sensitivity faults in capacitive sensors
JP7855898B2 (ja) * 2022-03-30 2026-05-11 セイコーエプソン株式会社 慣性センサー
JP7899601B2 (ja) * 2022-06-27 2026-08-04 セイコーエプソン株式会社 慣性センサーモジュール及び慣性計測システム
WO2025115346A1 (ja) * 2023-11-29 2025-06-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 センサシステム

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08216900A (ja) * 1995-02-16 1996-08-27 Koyo Seiko Co Ltd 電動パワーステアリング装置
JP2001124648A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Mitsubishi Electric Corp 圧力測定装置
JP2011095104A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Hitachi Automotive Systems Ltd 静電容量式センサ
JP2012093301A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Hitachi Automotive Systems Ltd 物理量検出装置、ネットワークシステム
JP2012168097A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Hitachi Automotive Systems Ltd 複合センサ

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4723706B2 (ja) * 1999-09-02 2011-07-13 トヨタ自動車株式会社 車両用電気制御システム
JP4793012B2 (ja) 2006-02-14 2011-10-12 パナソニック株式会社 重複角速度センサ
JP2009145321A (ja) 2007-11-19 2009-07-02 Hitachi Ltd 慣性センサ
EP2060871A3 (en) 2007-11-19 2012-12-26 Hitachi Ltd. Inertial sensor
JP5065955B2 (ja) * 2008-03-24 2012-11-07 日立オートモティブシステムズ株式会社 ブレーキ制御システム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08216900A (ja) * 1995-02-16 1996-08-27 Koyo Seiko Co Ltd 電動パワーステアリング装置
JP2001124648A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Mitsubishi Electric Corp 圧力測定装置
JP2011095104A (ja) * 2009-10-29 2011-05-12 Hitachi Automotive Systems Ltd 静電容量式センサ
JP2012093301A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Hitachi Automotive Systems Ltd 物理量検出装置、ネットワークシステム
JP2012168097A (ja) * 2011-02-16 2012-09-06 Hitachi Automotive Systems Ltd 複合センサ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170167877A1 (en) * 2014-07-07 2017-06-15 Northrop Grumman Litef Gmbh Controller and method for minimizing scale factor errors of a rotation rate sensor
US9874445B2 (en) * 2014-07-07 2018-01-23 Northrop Grumman Litef Gmbh Controller and method for minimizing scale factor errors of a rotation rate sensor

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Publication number Publication date
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