WO2014097827A1 - 不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法 - Google Patents
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- G01N2021/9513—Liquid crystal panels
Definitions
- the present invention is particularly suitable when used for estimating and specifying a defect generation process leading to a defective panel in a manufacturing process of a flat panel display such as an organic EL (Electroluminescence) display panel or a liquid crystal display panel.
- the present invention relates to a defect occurrence process analysis apparatus and a defect occurrence process analysis method.
- Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2009-264865
- This flat panel display defect generation process analyzer is the final defect coordinates (defect occurrence position) of the defective pixel detected in the lighting inspection that is the final inspection, and the thin film transistor (TFT) substrate manufacturing process and color filter substrate manufacturing process
- TFT thin film transistor
- the intermediate defect coordinates detected in each intermediate inspection are stored on the database for each defect factor and defect type.
- the final defect coordinates (defect occurrence position) detected in the lighting inspection and the intermediate defect coordinates detected in each intermediate inspection are associated with each other in a one-to-one correspondence while sequentially searching.
- the defect generation process is specified.
- the present inventor is not a conventional technique, but the generation tendency (in-plane distribution) of final defect coordinates (final defect detection position) of a defective panel in a final inspection within a certain period and each We compared the tendency (in-plane distribution) of intermediate defect coordinates (intermediate defect detection position) for each manufacturing process, and tried to estimate the defect generation process by matching the tendency.
- an object of the present invention is to provide a defect occurrence process analysis apparatus and a defect occurrence process analysis method capable of quickly and accurately estimating and specifying a defect occurrence process.
- the defect occurrence process analyzer of the present invention is A mapping unit that maps the final defect information obtained in the final inspection process of the member on the coordinates set on the member for each defect type; A string that links the intermediate defect information obtained in the intermediate inspection process after processing the member to the correction result information obtained after performing the correction process on the defect detected in the intermediate inspection process Attached part, Based on the linking result by the linking unit, the classification unit that classifies the intermediate defect information in the intermediate inspection process with the correction result information; Based on the result of classification of the intermediate defect information by the classification unit, a classification mapping unit that maps the intermediate defect information on the coordinates set on the member according to the correction result information; And a map display unit for displaying each map generated by the mapping unit and the classification mapping unit for each process.
- One embodiment is: A database for storing the intermediate defect information, the correction result information, and the final defect information, and storing the positional information regarding each of the intermediate defect information, the correction result information, and the final defect information,
- the linking unit obtains the intermediate defect information and its position information, the correction result information and its position information from the database, and performs linking.
- the member is a glass substrate
- the processing is a processing for manufacturing a thin film transistor substrate by performing film formation, photolithography, etching, alignment film formation on the glass substrate
- the intermediate inspection is an inspection for the thin film transistor substrate
- the final inspection is a lighting inspection for a liquid crystal display panel manufactured using the thin film transistor substrate.
- the analysis method of the defect occurrence process of the present invention is: In the manufacturing process in which the intermediate inspection is performed after processing the member, the correction process for the defect detected in the intermediate inspection is performed, and then the final inspection is performed.
- the mapping unit, the linking unit, the classification unit, the classification mapping unit, and the map display unit The defect occurrence process is specified by comparing the map of final defect information obtained by the mapping unit and the classification map of intermediate defect information by correction result information obtained by the classification mapping unit. .
- the manufacturing process of a liquid crystal display panel as an example of a flat panel display includes a TFT (thin film transistor) process 1, an LCD (liquid crystal display) process 2, a panel assembly process 3, and a lighting inspection as a final inspection process.
- Step 4 is included.
- the TFT process 1 includes a TFT manufacturing process 11 (an example of processing) for manufacturing a TFT substrate by forming a film on a glass substrate which is a mother substrate as an example of a member, photolithography, etching, alignment film formation, and the like.
- the LCD (liquid crystal display) process includes a CF (color filter) substrate manufacturing process 21 that is a processing process, a CF inspection process 22 that inspects a CF substrate as an example of an intermediate inspection process, and an example of a correction process.
- the panel assembly process 3 includes a backlight manufacturing process 31, a module assembly process 32, and an assembly inspection process 33. Since each of these steps is well known in Patent Document 1 and the like, detailed description thereof is omitted.
- the defect occurrence process analyzing apparatus 50 includes a database 51 and a computer 52 for inspection / correction information management.
- the database 51 stores intermediate defect information and its position information obtained in the TFT inspection step 12, CF inspection step 23, and assembly inspection step 33 as intermediate inspection steps.
- This position information is represented by coordinates of the X axis (horizontal axis) and Y (vertical axis) from the origin of a TFT substrate or CF substrate (not shown) (see Patent Document 1).
- the database 51 stores the correction result information obtained in the TFT correction process 13 and the CF correction process 23 and the position information thereof, and the final defect information obtained in the lighting inspection process 4 as the final inspection process.
- the position information represented by the coordinates is stored (see Patent Document 1).
- the computer 52 includes a mapping unit 521, a linking unit 522, a classification unit 523, a classification mapping unit 524, and a map display unit 525. These mapping unit 521, linking unit 522, classification unit 523, and classification mapping unit 524 are configured by software.
- the mapping unit 521 maps the final defect information obtained in the lighting inspection process 4 as the final inspection process onto the coordinates set on the TFT substrate for each defect type.
- the associating unit 522 includes intermediate defect information and position information obtained in the TFT inspection process 12 and the CF inspection process 22 as intermediate inspection processes, and correction result information obtained in the TFT correction process 13 and the CF correction process 23. And the position information is acquired from the database 51, and association is performed.
- the classification unit 523 classifies the intermediate defect information obtained in the TFT inspection process 12 and the CF inspection process 22 based on the result of the association by the association unit 522 using the correction result information.
- the classification mapping unit 524 maps the intermediate defect information on the coordinates set on the substrate for each correction result information based on the result of the classification of the intermediate defect information by the classification unit 523.
- the map display unit 525 displays each map generated by the mapping unit 521 and the classification mapping unit 524 for each process.
- the inspection result of each inspection apparatus as intermediate defect information in the TFT inspection step 12 is stored in the inspection / correction information management database 51.
- Specific intermediate defect information to be stored includes detected defect type, detected defect coordinates, detected defect intensity, inspection conditions, and the like.
- the correction result in TFT correction process 13 (correction success, correction unnecessary, correction impossible, defect position unknown: false detection), inspection result as final defect information in lighting inspection process 4, defect type / defect detection coordinates are also inspected. Save in the correction information management database 51.
- the mapping unit 521 reads the final defect information from the database 51 and maps the defect coordinates detected in the lighting inspection process 4 by superimposing them on the same substrate coordinate system for each defect type.
- the associating unit 522 associates the intermediate defect information obtained in the TFT inspection process 12 and its position information (coordinates) with the correction result information obtained in the TFT correcting process 13 and its position information (coordinates).
- the classifying unit 523 associates each inspection result in the TFT inspection process 12, that is, intermediate defect information and position information, with each correction result information in the TFT correction process 13, and classifies the correction results by type (see FIG. (See 2 (Q)).
- the classification mapping unit 524 maps and superimposes the intermediate defect information on the same substrate coordinate system for each type of correction result based on the classification result of the intermediate defect information by the classification unit 523 (FIG. 2). (See (R), (S), (T)).
- the map display unit 525 displays each map generated by the mapping unit 521 and the classification mapping unit 524 for each process.
- FIG. 2 is a diagram in which the intermediate defect information found in the TFT inspection process 12 is represented by dots on the screen according to the coordinates
- (Q) in FIG. 2 is a TFT inspection. It is a figure showing the state which linked
- FIG. 2 (Q) A represents intermediate defect information belonging to the corrected intermediate defect Gr (group)
- B represents intermediate defect information belonging to the correction unnecessary defect Gr (excluding erroneous detection / defect position unknown)
- C represents intermediate defect information belonging to the non-correctable defect Gr.
- (R), (S), and (T) in FIG. 2 are for each type of correction result, that is, “A: corrected”, “B: no correction required (except for false detection)”, “C: no correction possible” Is a figure displayed on the screen separately.
- the lighting inspection defect tendency in-plane distribution
- ⁇ process corrected defect of a certain process
- the map display unit 525 displays “lighting inspection defect mapping” and “TFT process detection defect mapping for each type of correction result” for comparative evaluation. Thus, it is possible to quickly and accurately visually determine the process causing the final defect detected in the lighting inspection process 4.
- a map of final defect information obtained in the lighting inspection process 4 that is, a lighting inspection detection defect map (in-plane distribution tendency), and intermediate defect information for each process / correction determination in the TFT manufacturing process 11 Since the map (in-plane distribution trend) is displayed in parallel on the screen, that is, the failure panel occurrence tendency (defect type) and defect occurrence tendency (by process / defect type / correction judgment) are displayed in the parallel map display format. Thus, it is possible to quickly and accurately visually judge the match of the trend (identification of the defect generation process).
- the TFT manufacturing process 11 has been described, but the CF substrate manufacturing process 21 of the LCD process 2 is exactly the same, and the panel assembly and assembling process 3 is also the same.
- correction determination correction successful, correction unnecessary, correction impossible, defect position unknown: false detection
- the intermediate defect information in each inspection process is classified for each correction determination based on the correction process result information, so that the influence of false detection by the inspection apparatus can be eliminated, and defect information The accuracy of the map can be improved.
- the failure occurrence process analysis apparatus of the first embodiment includes the database 51, the database may be provided in the server without providing the database in the failure occurrence process analysis apparatus.
- the inspection result in each inspection step 12 of the TFT substrate is combined with the correction result in each correction step, and classified and mapped for each type of correction result.
- Classification may be performed by using the modified revised specification classification (separately created and stored in the database).
- the present invention is not limited to a liquid crystal display panel, but of course a flat panel display such as an organic EL display panel.
- the present invention can be applied to any member manufacturing process that performs processing. More specifically, the present invention is a manufacturing process of a member that performs an intermediate inspection after performing processing on the member, corrects a defect detected by the intermediate inspection, and then performs a final inspection thereafter.
- the defect occurrence process analysis apparatus can be applied.
- the member is not limited to a substrate such as a glass substrate, but may be a block-like object or a rod-like object.
- the defect occurrence process analyzer of the present invention is A mapping unit 521 for mapping the final defect information obtained in the final inspection step 4 of the member on the coordinates set on the member for each defect type; Obtained after performing the intermediate defect information obtained in the intermediate inspection steps 12 and 22 after processing the member and the correction steps 13 and 23 for the defects detected in the intermediate inspection steps 12 and 22.
- a classification unit 523 that classifies the intermediate defect information in the intermediate inspection steps 12 and 22 with correction result information based on the result of the association by the association unit 522;
- a classification mapping unit 524 that maps the intermediate defect information on the coordinates set on the member according to the correction result information;
- a map display unit 525 for displaying each map generated by the mapping unit 521 and the classification mapping unit 524 for each process.
- One embodiment is: A database 51 for storing the intermediate defect information, the correction result information, and the final defect information, and storing the positional information regarding each of the intermediate defect information, the correction result information, and the final defect information;
- the linking unit 522 acquires the intermediate defect information and the position information thereof, the correction result information and the position information from the database 51, and performs linking.
- the member is a glass substrate
- the processing is a processing for manufacturing a TFT substrate (thin film transistor substrate) by performing film formation, photolithography, etching, alignment film formation on the glass substrate
- the intermediate inspection is an inspection for the thin film transistor substrate
- the final inspection is a lighting inspection for a liquid crystal display panel manufactured using the thin film transistor substrate.
- the analysis method of the defect occurrence process of the present invention is: In the manufacturing process in which the intermediate inspection is performed after processing the member, the correction process for the defect detected in the intermediate inspection is performed, and then the final inspection is performed.
- the mapping unit 521, the linking unit 522, the classification unit 523, the classification mapping unit 524, and the map display unit 525 A defect occurrence process is specified by comparing the map of final defect information obtained by the mapping unit 521 and the classification map of intermediate defect information for each correction result information obtained by the classification mapping unit 524. It is said.
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Abstract
本発明の不良発生工程分析装置は、最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部（５２１）と、中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部（５２２）と、分類部（５２３）による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、中間欠陥情報を修正結果情報別に、上記部材上に設定された座標上にマッピングする分類マッピング部（５２４）と、上記マッピング部（５２１）及び上記分類マッピング部（５２４）により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部（５２５）と、を備える。本発明は、例えば、有機ＥＬ表示パネルや液晶表示パネルの製造工程に適用できる。
Description
本発明は、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence：エレクトロルミネッセンス）表示パネルや液晶表示パネル等のフラットパネルディスプレイの製造工程において、不良パネルに繋がる不良発生工程を推測および特定するため等に用いれば特に好適な不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法に関する。
従来、フラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置としては、特開２００９－２６４８６５号公報（特許文献１）に記載のものがある。このフラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置は、最終検査である点灯検査において検出した不良存在絵素の最終欠陥座標（不良発生位置）と、薄膜トランジスタ（TFT）基板製造工程およびカラーフィルタ基板製造工程中の各中間検査で検出した中間欠陥座標とを、不良要因および欠陥種別ごとにデータベース上に格納する。そして、欠陥原因究明の際には、点灯検査で検出した最終欠陥座標（不良発生位置）と、各中間検査で検出した中間欠陥座標とを、順次検索しながら1対1対応で付き合わせることにより欠陥発生工程の特定を行っている。
しかしながら、上記従来のフラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置では、大型のマザー基板上に多数の小型パネルをレイアウトして生産する場合、あるいは、発生率数%程度の不良に繋がる欠陥発生工程を推定、特定する場合には、上述のような1対1突合せによる方法では大量の不良パネル評価数が必要であり、かつ全データの突合せに膨大な時間がかかるため、非常に効率が悪いという問題がある。
この問題を解決する方法として、本発明者は、従来技術ではないが、ある一定期間内の最終検査での不良パネルの最終欠陥座標（最終欠陥検出位置）の発生傾向（面内分布）と各製造工程ごとの中間欠陥座標（中間欠陥検出位置）の傾向（面内分布）とを比較し、傾向の合致を以って、欠陥発生工程を推定する方法を試みた。
しかしながら、この方法のように、各製造工程ごとの中間検査情報だけを用いて中間欠陥座標（欠陥検出位置）の傾向（面内分布）を作成した場合、“誤検出欠陥”や“真欠陥ではあるが修正不要な欠陥”等の不良パネル発生には繋がらない可能性が高い欠陥の情報も含まれているため、得られた検査情報傾向（面内分布）がノイズに埋もれてしまい本来の分布を示さず、欠陥発生工程の推定および特定に時間がかかる、あるいはできないという危険性があることが分かった。
そこで、本発明の課題は、迅速かつ正確に欠陥発生工程の推定および特定ができる不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明の不良発生工程分析装置は、
部材の最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部と、
上記紐付け部による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部と、
上記分類部による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部と、
上記マッピング部および上記分類マッピング部により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部と
を備えることを特徴としている。
部材の最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部と、
上記紐付け部による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部と、
上記分類部による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部と、
上記マッピング部および上記分類マッピング部により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部と
を備えることを特徴としている。
１実施形態は、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベースを備え、
上記紐付け部は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベースから取得して、紐付けをする。
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベースを備え、
上記紐付け部は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベースから取得して、紐付けをする。
１実施形態では、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行って薄膜トランジスタ基板を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行って薄膜トランジスタ基板を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
本発明の不良発生工程の分析方法は、
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部と紐付け部と分類部と分類マッピング部とマップ表示部とを用い、
上記マッピング部により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部と紐付け部と分類部と分類マッピング部とマップ表示部とを用い、
上記マッピング部により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
この発明によれば、迅速かつ正確に欠陥発生工程の推定および特定ができる。
以下、この発明を図示の実施形態により詳細に説明する。
（第１実施形態）
図１に示すように、フラットパネルディスプレイの一例としての液晶表示パネルの製造工程は、TFT（薄膜トランジスタ）工程１、LCD（液晶表示装置）工程２、パネル組み立て工程３および最終検査工程としての点灯検査工程４とを有する。上記TFT工程１は、部材の一例としてのマザー基板であるガラス基板への成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成等をしてTFT基板を製造するTFT製造工程１１（加工処理の一例）と、中間検査工程の一例としてのTFT基板に対する検査をするTFT検査工程１２と、修正工程の一例としてのTFT基板に対する修正を行うTFT修正工程１３とを含む。また、上記LCD（液晶表示装置）工程は、加工処理であるCF（カラーフィルタ）基板製造工程２１と、中間検査工程の一例としてのCF基板に対する検査を行うCF検査工程２２と、修正工程の一例としてのCF基板に対する修正を行うCF修正工程２３と、TFT基板とCF基板とを貼合せて分断する貼合せ・分断工程２４と、液晶注入・封止工程２５とを含む。また、上記パネル組立工程３は、バックライト製造工程３１とモジュール組立工程３２と組立検査工程３３とを含む。これらの各工程は、特許文献１等で周知なので、詳しい説明は省略する。
図１に示すように、フラットパネルディスプレイの一例としての液晶表示パネルの製造工程は、TFT（薄膜トランジスタ）工程１、LCD（液晶表示装置）工程２、パネル組み立て工程３および最終検査工程としての点灯検査工程４とを有する。上記TFT工程１は、部材の一例としてのマザー基板であるガラス基板への成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成等をしてTFT基板を製造するTFT製造工程１１（加工処理の一例）と、中間検査工程の一例としてのTFT基板に対する検査をするTFT検査工程１２と、修正工程の一例としてのTFT基板に対する修正を行うTFT修正工程１３とを含む。また、上記LCD（液晶表示装置）工程は、加工処理であるCF（カラーフィルタ）基板製造工程２１と、中間検査工程の一例としてのCF基板に対する検査を行うCF検査工程２２と、修正工程の一例としてのCF基板に対する修正を行うCF修正工程２３と、TFT基板とCF基板とを貼合せて分断する貼合せ・分断工程２４と、液晶注入・封止工程２５とを含む。また、上記パネル組立工程３は、バックライト製造工程３１とモジュール組立工程３２と組立検査工程３３とを含む。これらの各工程は、特許文献１等で周知なので、詳しい説明は省略する。
この不良発生工程分析装置５０は、検査・修正情報管理用のデータベース５１とコンピュータ５２とを備える。
このデータベース５１には、中間検査工程としてのTFT検査工程１２、CF検査工程２３および組立検査工程３３で得られた中間欠陥情報およびその位置情報を格納する。この位置情報は、図示しないTFT基板またはCF基板の原点からのX軸（横軸）およびY（縦軸）の座標で表される（特許文献１参照）。また、データベース５１には、TFT修正工程１３およびCF修正工程２３で得られた修正結果情報およびその位置情報が格納され、さらに、最終検査工程としての点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報およびその座標で表された位置情報が格納される（特許文献１参照）。
上記コンピュータ５２は、マッピング部５２１と紐付け部５２２と分類部５２３と分類マッピング部５２４とマップ表示部５２５とを有する。これらのマッピング部５２１、紐付け部５２２、分類部５２３および分類マッピング部５２４は、ソフトウェアによって構成される。
上記マッピング部５２１は、最終検査工程としての点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとにTFT基板上に設定された座標上にマッピングする。上記紐付け部５２２は、中間検査工程としてのTFT検査工程１２およびCF検査工程２２で得られた中間欠陥情報およびその位置情報と、TFT修正工程１３およびCF修正工程２３で得られた修正結果情報およびその位置情報とをデータベース５１から取得して、紐付けを行う。上記分類部５２３は、紐付け部５２２による紐付け結果に基づいて、TFT検査工程１２およびCF検査工程２２で得られた中間欠陥情報を修正結果情報で分類する。上記分類マッピング部５２４は、分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、中間欠陥情報を修正結果情報別に、基板上に設定された座標上にマッピングする。上記マップ表示部５２５は、マッピング部５２１および分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示する。
上記構成の不良発生工程分析装置のTFT工程１における検査結果・修正結果を用いた不良工程分析の例について説明する。
まず、TFT検査工程１２における中間欠陥情報としての各検査装置の検査結果を検査・修正情報管理用のデータベース５１に保存する。保存する具体的な中間欠陥情報としては、検出欠陥種、検出欠陥座標、検出欠陥強度、検査条件等である。同様に、TFT修正工程１３における修正結果（修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）、点灯検査工程４における最終欠陥情報としての検査結果、欠陥種・欠陥検出座標も、検査・修正情報管理用のデータベース５１に保存する。
マッピング部５２１は、データベース５１から最終欠陥情報を読み出して、点灯検査工程４において検出された欠陥座標を欠陥種別ごとに同一基板座標系上に重ね合わせてマッピングする。
次に、紐付け部５２２は、TFT検査工程１２で得られた中間欠陥情報およびその位置情報（座標）と、TFT修正工程１３で得られた修正結果情報およびその位置情報（座標）との紐付けを行う（関係づける）。
次に、分類部５２３は、TFT検査工程１２における各検査結果つまり中間欠陥情報および位置情報をTFT修正工程１３での各修正結果情報とつき合わせして、修正結果の種別ごとに分類する（図２の（Ｑ）を参照）。
次に、分類マッピング部５２４は、分類部５２３による中間欠陥情報の分類結果に基づいて、修正結果の種別ごとに、中間欠陥情報を、同一基板座標系上に重ね合わせてマッピングする（図２の（Ｒ）、（Ｓ）、（Ｔ）を参照）。
次に、マップ表示部５２５は、マッピング部５２１および分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示する。
具体的には、図２の（Ｐ）は、TFT検査工程１２で見出した中間欠陥情報をその座標に合わせて画面上のドットで表した図であり、図２の（Ｑ）は、TFT検査工程１２で見出した中間欠陥情報をTFT修正工程１３の修正結果で紐付けた状態を表す図である。図２の（Ｑ）において、Aは修正済み中間欠陥Gｒ（グループ）に属する中間欠陥情報を表し、Ｂは修正不要欠陥Gr（誤検出/欠陥位置不明は除く）に属する中間欠陥情報を表し、Ｃは修正不可欠陥Grに属する中間欠陥情報を表す。図２の（Ｒ）、（Ｓ）、（Ｔ）は、修正結果の種別ごとに、つまり、「Ａ：修正済み」、「Ｂ：修正不要（誤検出を除く）」、「Ｃ：修正不可」に分けて画面上に
表示した図である。
表示した図である。
点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報を表示した画面、つまり、「点灯検査不良マッピング」（図２の（Ｐ）に類似する図）と、「修正結果の種別ごとのTFT各工程検出欠陥マッピング」を比較した結果、点灯検査不良傾向（面内分布）が、ある工程（以下、α工程と言う。）の「A：修正済み欠陥」と類似していた場合、その不良はα工程の修正工程起因（修正不良）と考えることができる。また、「B：修正不要欠陥Gr（誤検出/欠陥位置不明は除く）」と類似していた場合は、α工程の修正工程起因（修正判断の誤り）と考えることができ、また、「C：修正不可欠陥Gr」と類似していた場合は、α工程のプロセス起因（加工工程起因）と考えることができる。
以上のように、第１実施形態によれば、マップ表示部５２５に、「点灯検査不良マッピング」と「修正結果の種別ごとのTFT各工程検出欠陥マッピング」とを表示して、比較評価することにより、点灯検査工程４で検出された最終欠陥の発生原因工程を迅速かつ正確に視覚的に判断することができる。
より詳しく言うと、点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報のマップつまり点灯検査検出欠陥マップ（面内分布傾向）と、TFT製造工程１１中の各工程/各修正判定ごとの中間欠陥情報のマップ（面内分布傾向）とを画面上に並列表示し、つまり、不良パネル発生傾向（不良種別）と欠陥発生傾向（工程別/欠陥種別/修正判定別）を並列マップ表示形式で表示させるので、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に視覚的に判断することが可能となる。
ここで、TFT製造工程１１について述べたが、LCD工程２のCF基板製造工程２１についても、全く同様であり、パネル組立組立工程３についても同様である。
また、TFT製造工程１１、CF基板製造工程２１およびパネル組立組立工程３中の各工程における欠陥位置傾向（面内分布傾向）マップを作成する際、各工程の中間欠陥情報を各検査工程後の修正工程の結果情報（修正判定：修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）に基づき分類し、各修正判定ごとに欠陥位置傾向（面内分布傾向）のマップを作成する。そして、不良パネル発生に繋がる可能性が高い中間欠陥情報と、誤検出欠陥や真欠陥ではあるが修正不要な欠陥等の不良パネル発生には繋がる可能性の低い中間欠陥情報を分離してマッピングすることで、欠陥発生傾向（面内分布傾向）がより正確な情報となり、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に行うことが可能となる。
また、TFT製造工程１１やCF基板製造工程２１中の各検査工程後の修正工程の結果情報（修正判定：修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）を検査・修正情報用のデータベース５１に保存し、各検査工程における中間欠陥情報を修正工程の結果情報に基づいて、修正判定ごとに分類することにより、検査装置による誤検出等の影響を排除することができ、欠陥情報マップの精度を向上することができる。
第１実施形態の不良発生工程分析装置は、データベース５１を備えていたが、不良発生工程分析装置にデータベースを設けないで、データベースをサーバに設けるようにしてもよい。
（第２実施形態）
第１実施形態では、TFT基板の各検査工程１２における検査結果を各修正工程での修正結果とつき合わせ、修正結果の種別ごとに分類してマッピングしているが、修正結果ではなく修正基準を変更した修正仕様分類（別途作成しデータベースに保存）を用いて分類してもよい。
第１実施形態では、TFT基板の各検査工程１２における検査結果を各修正工程での修正結果とつき合わせ、修正結果の種別ごとに分類してマッピングしているが、修正結果ではなく修正基準を変更した修正仕様分類（別途作成しデータベースに保存）を用いて分類してもよい。
こうすることにより、修正基準変更による歩留り改善効果を予測することが可能となり、修正基準変更の指針とすることができる。
（第３実施形態）
第１実施形態では、本発明を液晶表示パネルの製造工程に適用した場合について説明しているが、本発明は、液晶表示パネルに限らず、有機ＥＬ表示パネル等のフラットパネルディスプレイは勿論のこと、加工処理を行うどのような部材の製造工程にも適用できる。より詳しくは、部材に対して加工処理を行った後に、中間検査を行い、中間検査で検出された欠陥に対して修正を行い、その後に最終検査を行う部材の製造工程であれば、本発明の不良発生工程分析装置を適用することができる。
第１実施形態では、本発明を液晶表示パネルの製造工程に適用した場合について説明しているが、本発明は、液晶表示パネルに限らず、有機ＥＬ表示パネル等のフラットパネルディスプレイは勿論のこと、加工処理を行うどのような部材の製造工程にも適用できる。より詳しくは、部材に対して加工処理を行った後に、中間検査を行い、中間検査で検出された欠陥に対して修正を行い、その後に最終検査を行う部材の製造工程であれば、本発明の不良発生工程分析装置を適用することができる。
部材は、ガラス基板等の基板に限らず、ブロック状の物体、棒状の物体であってもよいことは勿論である。
本発明および実施形態を纏めると、次のようになる。
本発明の不良発生工程分析装置は、
部材の最終検査工程４で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部５２１と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程１２，２２で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程１２，２２で検出された欠陥に対する修正工程１３，２３を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部５２２と、
上記紐付け部５２２による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程１２，２２における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部５２３と、
上記分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部５２４と、
上記マッピング部５２１および上記分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部５２５と
を備えることを特徴としている。
部材の最終検査工程４で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部５２１と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程１２，２２で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程１２，２２で検出された欠陥に対する修正工程１３，２３を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部５２２と、
上記紐付け部５２２による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程１２，２２における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部５２３と、
上記分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部５２４と、
上記マッピング部５２１および上記分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部５２５と
を備えることを特徴としている。
本発明によれば、最終検査工程４で得られた最終欠陥情報を、マッピング部５２１によって、不良種別ごとに部材上に設定された座標上にマッピングして得られた最終欠陥情報のマップ（面内分布傾向）と、分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、分類マッピング部５２４によって、中間欠陥情報を修正結果情報別に、上記部材上に設定された座標上にマッピングして得られたマップ（面内分布傾向）とを、マップ表示部５２５の画面上に並列表示できるので、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に視覚的に判断することが可能となる。
１実施形態は、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベース５１を備え、
上記紐付け部５２２は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベース５１から取得して、紐付けをする。
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベース５１を備え、
上記紐付け部５２２は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベース５１から取得して、紐付けをする。
１実施形態では、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行ってTFT基板（薄膜トランジスタ基板）を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行ってTFT基板（薄膜トランジスタ基板）を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
本発明の不良発生工程の分析方法は、
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部５２１と紐付け部５２２と分類部５２３と分類マッピング部５２４とマップ表示部５２５とを用い、
上記マッピング部５２１により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部５２４により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部５２１と紐付け部５２２と分類部５２３と分類マッピング部５２４とマップ表示部５２５とを用い、
上記マッピング部５２１により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部５２４により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
５１ データベース
５２ コンピュータ
５２１ マッピング部
５２２ 紐付け部
５２３ 分類部
５２４ 分類マッピング部
５２５ マップ表示部
５２ コンピュータ
５２１ マッピング部
５２２ 紐付け部
５２３ 分類部
５２４ 分類マッピング部
５２５ マップ表示部
Claims (4)
- 部材の最終検査工程（４）で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部（５２１）と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程（１２，２２）で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程（１２，２２）で検出された欠陥に対する修正工程（１３，２３）を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部（５２２）と、
上記紐付け部（５２２）による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程（１２，２２）における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部（５２３）と、
上記分類部（５２３）による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部（５２４）と、
上記マッピング部（５２１）および上記分類マッピング部（５２４）により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部（５２５）と
を備えることを特徴とする不良発生工程分析装置。 - 請求項１に記載の不良発生工程分析装置において、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベース（５１）を備え、
上記紐付け部（５２２）は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベース（５１）から取得して、紐付けをすることを特徴とする不良発生工程分析装置。 - 請求項１または２に記載の不良発生工程分析装置において、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対する成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行って薄膜トランジスタ基板を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査であることを特徴とする不良発生工程分析装置。 - 部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
請求項１から３のいずれか１つに記載のマッピング部（５２１）と紐付け部（５２２）と分類部（５２３）と分類マッピング部（５２４）とマップ表示部（５２５）とを用い、
上記マッピング部（５２１）により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部（５２４）により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴とする不良発生工程の分析方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-276775 | 2012-12-19 | ||
| JP2012276775A JP2014119423A (ja) | 2012-12-19 | 2012-12-19 | 不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2014097827A1 true WO2014097827A1 (ja) | 2014-06-26 |
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ID=50978168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/081641 Ceased WO2014097827A1 (ja) | 2012-12-19 | 2013-11-25 | 不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014119423A (ja) |
| WO (1) | WO2014097827A1 (ja) |
Cited By (4)
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|---|---|---|---|---|
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-
2012
- 2012-12-19 JP JP2012276775A patent/JP2014119423A/ja active Pending
-
2013
- 2013-11-25 WO PCT/JP2013/081641 patent/WO2014097827A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (2)
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| CN117055249B (zh) * | 2023-08-30 | 2024-02-13 | 安徽创显电子科技有限公司 | 一种液晶显示屏组装加工线抽样质检分析系统 |
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