WO2014073892A1 - 실리콘-함유 박막의 제조 방법 - Google Patents

실리콘-함유 박막의 제조 방법 Download PDF

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silicon
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less
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한원석
고원용
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Definitions

  • the present application relates to a method for preparing a silicon-containing thin film using a chlorosilane compound represented by Si n Cl 2n + 2 , wherein n is an integer of about 3 or more to about 10 or less.
  • Silicon nitride thin films have been used for various purposes when manufacturing semiconductor devices. As the semiconductor devices continue to be miniaturized, silicon nitride thin films of 30 nm or less and even 10 nm or less have recently been required.
  • a dielectric material such as silicon nitride is preferable as the liner material of the isolation trench, and the thickness is 20 kPa to 100 kPa, that is, 2 It is disclosed to form to a thickness of nm to 10 nm.
  • 2012/0085733 discloses that silicon nitride can be used as the material of the spacer layer when the surface with the uneven surface is covered with a constant thickness spacer layer to increase the pattern density after the lithography process.
  • silicon nitride spacer about 15 nm thick on the uneven surface [Chen Y, Xu P, Miao L, et al. ; "Self-aligned triple patterning for continuous is scaling to half-pitch 15 nm" SPIE Advanced Lithography. 0001; 79731P-8. doi: 10.1117 / 12.881645].
  • a silicon oxide spacer is formed over a gate stack of a transistor, and then a silicon nitride spacer is formed on the silicon oxide spacer at a thickness of 20 s to 200 s, i.e. 2 nm to 20 nm.
  • a method of forming is disclosed.
  • the atomic layer deposition method of alternately contacting the gaseous raw materials forming the film with the substrate surface has a particular advantage in forming a film of constant thickness on a narrow, high aspect ratio grooved surface. Spacers formed on the gate stack structure need to precisely control the thickness.
  • silicon nitride thin films having excellent physical properties at temperatures of 560 ° C., 520 ° C., 500 ° C. or less, or 450 ° C. or less have a narrow, high aspect ratio grooved surface by atomic layer deposition (ALD). It is not known how to form a constant thickness at.
  • the present invention is to provide a method for forming a silicon-containing thin film of uniform thickness on the surface of the substrate having irregularities such as grooves.
  • the present application is to provide a method for forming a silicon oxide thin film, silicon nitride thin film, or silicon carbonitride thin film of uniform thickness of about 100 nm or less on the surface of the uneven substrate.
  • the present application is to provide a method for forming a silicon oxide thin film, silicon nitride thin film, or silicon carbonitride thin film of a constant thickness on the surface of the uneven substrate at a temperature of about 800 °C or less.
  • the present application is to provide a silicon oxide thin film, silicon nitride thin film, or silicon carbonitride thin film of a constant thickness on the surface of the uneven substrate to a lower than about 560 °C, about 520 °C or less, about 500 °C or less, or about 450 °C or less It is intended to provide a method of forming at temperature.
  • One aspect of the present application is a chemical formula of Si n Cl 2n + 2 (where n is an integer of about 3 or more to about 10 or less) in a substrate including at least one groove having an aspect ratio of about 1 or more and a width of about 1 ⁇ m or less.
  • various silicon-containing thin films having a uniform thickness may be formed on a surface of a substrate having irregularities such as grooves.
  • a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film having a uniform thickness of about 100 nm or less may be formed on the surface of the uneven substrate.
  • various silicon-containing thin films such as a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film, may be formed at a temperature of about 800 ° C. or less on the surface of the uneven substrate.
  • various silicon-containing thin films such as a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film, have a thickness of about 560 ° C. or less, about 520 ° C. or less, or about 500 ° C. on the surface of the uneven substrate. It is intended to provide a method of forming at a lower temperature of about 450 ° C. or less.
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • Various silicon-containing thin films can be produced with uniform thickness.
  • various silicon-containing thin films such as a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film having a thickness of about 100 nm or less may be manufactured by an atomic layer deposition method.
  • the various silicon-containing thin films according to the present application thus formed may be used as gate spacers, liners of isolation trenches, spacers for increasing pattern density after lithography processes, and the like.
  • FIG. 1A and 1B illustrate the film growth of the atomic layer deposition method of maintaining a silicon substrate at 520 ° C. and varying the octachlorotrisilane (OCT) gas exposure and the ammonia gas exposure in one atomic layer deposition cycle, respectively.
  • OCT octachlorotrisilane
  • FIG. 2 is a graph showing the film growth of silicon nitride thin films formed at different substrate temperatures using various chlorosilane gases according to Examples 1, 2 and Comparative Example 1 herein.
  • 3A and 3B are graphs showing the thicknesses and refractive indices of silicon nitride films formed at different substrate temperatures in Example 1 of the present application immediately after film formation, after 1 day, after 3 days, and after 6 days, respectively.
  • the term "combination (s) thereof" included in the representation of a makushi form refers to one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the representation of makushi form, It means to include one or more selected from the group consisting of the above components.
  • silicon-containing thin film refers to a thin film formed by containing at least one element selected from the group consisting of oxygen, nitrogen and carbon together with a silicon element, and is generally used in the semiconductor field as needed in addition to the silicon. It may contain additional metal elements which form a composite thin film of silicon and other metal elements.
  • the silicon-containing thin film may include a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film, but may not be limited thereto.
  • reaction gas means a reaction gas used in addition to the chlorosilane compound-containing reaction gas, for example, nitrogen element, oxygen element, carbon It may be a gas including an element selected from the group consisting of elements and combinations thereof, but may not be limited thereto.
  • a first aspect of the present disclosure provides a chemical formula of Si n Cl 2n + 2 , wherein n is an integer from about 3 to about 10 or less, in a substrate comprising at least one groove having an aspect ratio of about 1 or more and a width of about 1 ⁇ m or less.
  • the aspect ratio may be, for example, about 1 or more, about 5 or more, about 10 or more, about 15 or more, or about 20 or more, and the width may be, for example, about 1 ⁇ m or less, about 0.5 ⁇ m or less, or It may be about 0.1 ⁇ m or less, but may not be limited thereto.
  • the thin film may be formed by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD), but may not be limited thereto.
  • CVD chemical vapor deposition
  • ALD atomic layer deposition
  • the thickness of the silicon-containing thin film may be about 100 nm or less, but may not be limited thereto.
  • the thickness of the silicon-containing thin film may be about 30 nm or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at room temperature to about 800 °C or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at room temperature to about 560 °C or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at room temperature to about 520 °C or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at about 190 ° C. or more to about 560 ° C. or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at about 280 ° C. or more and about 520 ° C. or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate may be maintained at about 300 ° C. or more to about 450 ° C. or less, but may not be limited thereto.
  • a reaction gas including an element selected from the group consisting of the nitrogen element, oxygen element, carbon element and combinations thereof may not be particularly limited as long as it can react with the chlorosilane compound.
  • the reaction gas containing the nitrogen element may include, but is not limited to, an ammonia (NH 3 ) -containing gas, or an alkylamine-containing gas.
  • the alkylamine-containing gas the alkyl amine comprises an amine comprising an alkyl group of about 1 to about 10 carbon atoms, an amine comprising an alkyl group of about 1 to about 8 carbon atoms, and an alkyl group of about 1 to about 6 carbon atoms.
  • the alkyl amine may include a gas selected from the group consisting of methylamine, ethylamine, isopropylamine, t-butylamine, and isomers thereof, but may not be limited thereto.
  • the reactive gas containing an oxygen element is selected from the group consisting of oxygen (O 2 ) -containing gas, ozone (O 3 ) -containing gas, water vapor (H 2 O) -containing gas, and combinations thereof. It may include one selected, but may not be limited thereto.
  • the reaction gas containing the carbon element may include, but is not limited to, an alkylamine-containing gas.
  • the alkyl amine comprises an amine comprising an alkyl group of about 1 to about 10 carbon atoms, an amine comprising an alkyl group of about 1 to about 8 carbon atoms, and an alkyl group of about 1 to about 6 carbon atoms. It may include an amine, or an alkyl group having about 1 to about 4 carbon atoms, which may be linear or branched, but may not be limited thereto.
  • the alkyl amine may include a gas selected from the group consisting of methylamine, ethylamine, isopropylamine, t-butylamine, and isomers thereof, but may not be limited thereto.
  • the method for preparing the silicon-containing thin film may include a gas containing the chlorosilane compound and an element selected from the group consisting of nitrogen, oxygen, carbon and combinations thereof. It may include but is not limited to contacting the reaction gas to the substrate to alternately.
  • the chlorosilane compound may include one selected from the group consisting of Si 3 Cl 8 , Si 4 Cl 10 , and Si 5 Cl 12 , but may not be limited thereto.
  • the silicon-containing thin film may include a silicon oxide thin film, a silicon nitride thin film, or a silicon carbonitride thin film, but may not be limited thereto.
  • the reaction gas may include ammonia, but may not be limited thereto.
  • a silicon nitride thin film can be formed.
  • a silicon carbonitride thin film can be formed.
  • the chlorosilane compound represented by the formula of Si n Cl 2n + 2 may include linear or branched isomers thereof. However, this may not be limited.
  • Various silicon-containing thin films such as a silicon nitride thin film or a silicon carbonitride thin film, may be formed to have a uniform thickness, but may not be limited thereto.
  • the silicon-containing thin film has a thickness of about 100 nm or less, about 80 nm or less, about 50 nm or less, about 30 nm or less, about 10 nm or less, about 5 nm or less, or about 1 nm. It may be, but may not be limited to.
  • the silicon nitride thin film has a thickness of about 100 nm or less, about 80 nm or less, about 50 nm or less, about 30 nm or less, about 10 nm or less, about 5 nm or less, or about 1 nm or less It may be, but may not be limited thereto.
  • a gas containing a chlorosilane compound represented by the formula of Si n Cl 2n + 2 , wherein n is an integer of about 3 or more and about 10 or less, and a gas containing ammonia are described.
  • a method of forming a silicon nitride thin film comprising contacting with a.
  • a chemical vapor deposition method in which the gas containing the chlorosilane compound and the gas containing the ammonia are brought into contact with the substrate at the same time, or an atomic layer in which the gas containing the chlorosilane compound and the gas containing the ammonia are alternately brought into contact with the substrate.
  • the silicon nitride thin film may be formed using a deposition method, but may not be limited thereto.
  • the chlorosilane compound may include one selected from the group consisting of Si 3 Cl 8 , Si 4 Cl 10 , and Si 5 Cl 12 , but may not be limited thereto.
  • a gas containing chlorosilane compound represented by the formula of the Si n Cl 2n + 2 (where n is an integer of about 3 or more to about 10 or less) and a gas containing oxygen are described.
  • a method of forming a silicon oxide thin film comprising contacting with a.
  • the silicon oxide thin film may be formed, but may not be limited thereto.
  • the chlorosilane compound may include one selected from the group consisting of Si 3 Cl 8 , Si 4 Cl 10 , and Si 5 Cl 12 , but may not be limited thereto.
  • a gas containing the said nitrogen element and the said carbon element the gas containing the said alkylamine can be used.
  • the silicon carbonitride thin film may be performed using chemical vapor deposition or atomic layer deposition, but may not be limited thereto.
  • the chlorosilane compound may include one selected from the group consisting of Si 3 Cl 8 , Si 4 Cl 10 , and Si 5 Cl 12 , but may not be limited thereto.
  • the atomic layer deposition method is more preferable when it is necessary to form a film of uniform thickness on the surface of the base material having irregularities, particularly a groove having a narrow width and a large aspect ratio.
  • the normal time division atomic layer vapor deposition apparatus which supplies each raw material gas sequentially can be used.
  • a space-divided atomic layer deposition apparatus may be used in which the substrate is sequentially entered and exited from the first space filled with the chlorosilane compound-containing gas and the second space filled with the additional reaction gas.
  • a gas containing ammonia which is a nitrogen source
  • NH 3 ammonia
  • Nitrogen gas (N 2 ) is not suitable for use in semiconductor processes because it is too low to use and hydrazine (N 2 H 4 ) is explosive.
  • ammonia gas is highly reactive at high temperatures, but becomes less reactive at temperatures of about 550 ° C. or lower, it is difficult to form a silicon nitride thin film having excellent physical properties at temperatures of about 550 ° C. or lower using ammonia gas as a nitrogen source.
  • a nitrogen source such as hydrazine, which is more reactive than ammonia gas, cannot be used in semiconductor manufacturing for reasons of explosion risk, a new method for forming a silicon nitride thin film having excellent physical properties even with ammonia is needed. If the reactivity of ammonia is low at a low temperature of about 550 ° C. or lower, a silicon nitride thin film having excellent physical properties may be formed using a silicon material having a higher reactivity at this temperature.
  • SiCl 2 and SiCl 3 gases at low temperatures by the computational chemical method to predict the formation of Si 3 Cl 8 gases at low temperatures where SiCl 4 gas does not pyrolyze. have. Since silicon atoms are most stable when forming four bonds, SiCl 3 is more reactive than SiCl 4 , SiCl 2 is more than SiCl 3 , SiCl is more than SiCl 2 , and Si is more reactive than SiCl.
  • the temperature of the substrate may be maintained at room temperature to about 800 °C or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate May not be particularly limited.
  • the chlorosilane compound represented by the formula of Si n Cl 2n + 2 having n of about 3 or about 3 or more to about 10 or less uses about 560 ° C. or less, about 520 ° C. or less, about 450 ° C. or less or about 450
  • the temperature of the substrate is from room temperature to about 560 ° C., or from room temperature to about 520 ° C. or less, or from about 190 ° C. to about 560 ° C., or from about 280 ° C. to about 520 ° C., Or it may be maintained at about 300 °C or more to about 450 °C or less, but may not be limited thereto.
  • the temperature of the substrate is from room temperature to about 560 °C, or room temperature to about 520 °C or less, or about 190 °C or more to about 560 °C or less, or about 450 °C or less, or about 300 At least about 450 ° C. or less, for example about 150 ° C. to about 520 ° C., about 280 ° C. to about 520 ° C., about 300 ° C. to about 520 ° C., about 320 ° C. to about 520 ° C., about 350 ° C.
  • the chlorosilane compound may be selected from the group consisting of Si 3 Cl 8 , Si 4 Cl 10 , and Si 5 Cl 12 , but may not be limited thereto.
  • the chlorosilane compound with too high molecular weight is low in vapor pressure and difficult to be applied to chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Therefore, the chlorosilane compound according to the present application may include an integer of n or less in the chlorosilane compound in which n is about 3 or more in the formula of Si n Cl 2n + 2 .
  • the chlorosilane compound may be a chlorosilane compound in which n is an integer of about 3 to about 5, but may not be limited thereto.
  • Example 1 Formation of silicon nitride thin film by atomic layer deposition using OCT (Si 3 Cl 8 ) gas and ammonia gas
  • Octachlorotrisilane OCT, Si 3 Cl 8
  • OCT Octachlorotrisilane
  • Si 3 Cl 8 a vessel heated to 65 ° C. where the vaporizing OCT gas and ammonia gas were alternately contacted with a silicon substrate placed in an atomic layer deposition chamber.
  • the chamber internal pressure was 0.5 Torr
  • the chamber internal pressure was 9.5 Torr when only ammonia gas was flowed.
  • the temperature of the silicon base material was kept constant in the range of 150 to 600 degreeC.
  • carrier gas is used in the atomic layer deposition cycle
  • a mixed gas of OCT gas and carrier gas may be used instead of OCT gas.
  • a mixture of OCT gas and inert gas may be used.
  • ammonia gas a mixture of ammonia gas and inert gas may be used.
  • the 6 ⁇ 10 7 L OCT dosage unit indicates that the substrate was exposed for 120 seconds at 0.5 Torr pressure of OCT gas.
  • Ammonia exposure 2 ⁇ 10 8 L indicates that the substrate was exposed for 22 seconds at 9.5 Torr pressure of ammonia gas.
  • FIG. 2 is a graph showing film growth of a silicon nitride thin film formed at different substrate temperatures according to this embodiment.
  • the substrate temperature 282 ° C to 520 ° C
  • a film having a constant thickness per atomic layer deposition cycle was obtained regardless of the exposure amount of the OCT gas and the ammonia gas.
  • TEM transmission electron microscope
  • the thickness and refractive index of the silicon nitride thin film formed at different substrate temperatures using OCT and ammonia gas were measured immediately after film formation, after 1 day, after 3 days, and after 6 days, respectively, and are shown in FIGS. 3A and 3B.
  • 3A and 3B are graphs showing the thicknesses and refractive indices of silicon nitride films formed at different substrate temperatures according to the present embodiment, measured immediately after film formation, one day after, three days after, and six days after, respectively.
  • the thickness of the silicon nitride thin film formed at 282 ° C. or less increased with time, but the thickness of the silicon nitride thin film formed at 372 ° C. or more remained almost unchanged over time.
  • the refractive index of the silicon nitride thin film formed at the high substrate temperature was closer to the refractive index 2.0 of silicon nitride.
  • the refractive index of the silicon nitride thin film formed below 282 ° C decreased with time.
  • the silicon nitride thin film formed below 282 ° C. is not a stable composition close to Si 3 N 4 , so that the refractive index is changed to silicon oxynitride by reacting with moisture or oxygen (O 2 ) gas in the air. It can be interpreted that the refractive index of the oxide (SiO 2 ) changes close to 1.45.
  • the substrate temperature of 300 ° C. to 520 ° C. is preferable for forming a silicon nitride thin film having a stable composition using OCT as a silicon raw material.
  • Dodecachlorotetrasilane (DCT, Si 4 Cl 10 ) was placed in a vessel heated to 80 ° C. where the vaporizing DCT gas and ammonia gas were alternately contacted with a silicon substrate placed in an atomic layer deposition chamber.
  • DCT Dodecachlorotetrasilane
  • the temperature of the silicon substrate was kept constant in the range of 190 to 560 ° C.
  • a mixed gas of DCT gas and carrier gas may be used instead of DCT gas.
  • a mixed gas of DCT gas and inert gas may be used.
  • ammonia gas a mixture of ammonia gas and inert gas may be used.
  • FIG. 2 shows the film growth of a silicon nitride thin film at different substrate temperatures according to this embodiment. In the temperature range of 190 ° C to 560 ° C, a film having a constant thickness per atomic layer deposition cycle was obtained regardless of the exposure amount of the DCT gas and the ammonia gas.
  • a silicon nitride thin film was formed under the same conditions as in Example 1 except that HCD or DCS was used instead of OCT.
  • Atomic layer deposition experiments were performed at different substrate temperatures and film growth with substrate temperature is shown in FIG. 2.
  • HCD or DCS was used to obtain a constant thickness film per atomic layer deposition cycle. There was no possible temperature range.
  • Chloro for the purpose of forming a silicon nitride thin film at a constant thickness on substrates having irregularities, particularly those having narrow width and aspect ratio, at a temperature of 560 ° C. or less from Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 It can be seen that atomic layer deposition using silane compound gas and ammonia gas is much more preferred than atomic layer deposition using HCD or DCS gas and ammonia gas.
  • a silicon nitride thin film having a thickness of about 8 nm at room temperature to about 560 ° C. or at about 300 ° C. to about 560 ° C. may be formed by atomic layer deposition.
  • a silicon nitride thin film having a thickness of 100 nm or less, 30 nm or less or even 10 nm or less can be formed in a uniform thickness even on an uneven substrate having at least one groove having an aspect ratio of 1 or more and 1 m or less in width.
  • Si 4 Cl 10 was stored in the vessel.
  • the vessel was heated at 90 ° C. and N 2 was used as the carrier gas under a flow rate of 50 sccm.
  • the pressure of the vessel was controlled at 50 Torr.
  • O 3 was used as the oxygen source.
  • the silicone substrate was heated at 350 ° C.
  • Si 4 Cl 10 was introduced to the reaction chamber for 2 seconds.
  • 5 seconds of N 2 purge was performed as the second step.
  • O 3 purging was introduced into the reaction chamber for 2 seconds as a third step, and then N 2 purging was performed as the fourth step for 2 seconds.
  • the SiO 2 thin film was obtained by atomic layer deposition which repeats these four steps 100 times.
  • Si 4 Cl 10 was stored in the vessel.
  • the vessel was heated at 90 ° C. and N 2 was used as the carrier gas under a flow rate of 50 sccm.
  • the pressure of the vessel was controlled at 50 Torr.
  • Si 4 Cl 10 was mixed with an O 2 / N 2 gas mixture in the reaction chamber.
  • the silicone substrate was heated at 500 ° C.
  • the pressure in the reaction chamber was set to 100 Torr. By this process, a SiO 2 thin film was obtained.

Abstract

본원은 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)로서 표시되는 클로로실란 화합물을 사용하여 실리콘-함유 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 약 560℃ 이하의 낮은 온도에서 암모니아 기체를 사용한 원자층 증착법에 의하여 종횡비가 큰 요철이 있는 표면에 균일한 두께로 품질이 우수한 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 있다.

Description

실리콘-함유 박막의 제조 방법
본원은 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)로서 표시되는 클로로실란 화합물을 사용하여 실리콘-함유 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
실리콘 질화물 박막은 반도체 소자를 제조할 때 여러 목적으로 사용되어 왔다. 반도체 소자의 미세화가 계속되면서 최근 30 nm 이하, 심지어 10 nm 이하의 실리콘 질화물 박막이 필요하게 되었다. 예를 들어, 한국공개특허 제10-2011-0102686호 (국제공개특허 제2010/025024호)에서 격리 트렌치의 라이너 물질로 실리콘 질화물 같은 유전 물질이 바람직하고, 두께는 20 Å 내지 100 Å, 즉 2 nm 내지 10 nm의 두께로 형성한다고 개시하였다. 또한, 미국공개특허 제2012/0085733호에서 리소그라피 공정 후에 패턴 밀도를 높이기 위해 요철이 있는 표면을 일정한 두께 스페이서 층으로 덮을 때, 스페이서 층의 물질로 실리콘 질화물을 사용할 수 있다고 개시하였다. 반-피치 (half-pitch)가 15 nm인 반도체 소자 제조용 패턴을 형성하려면 요철이 있는 표면에 질화물 스페이서를 약 15 nm 두께로 형성할 필요가 있다 [Chen Y, Xu P, Miao L, et al.; "Self-aligned triple patterning for continuous is scaling to half-pitch 15 nm" SPIE Advanced Lithography. 0001; 79731P-8. doi: 10.1117/12.881645].
미국특허 제8,143,131호에서, 트랜지스터의 게이트 적층 구조 (gate stack) 위에 실리콘 산화물 스페이서 (spacer)를 형성한 다음 그 실리콘 산화물 스페이서 위에 실리콘 질화물 스페이서를 20 Å 내지 200 Å, 즉 2 nm 내지 20 nm 두께로 형성하는 방법을 개시하였다. 막을 형성하는 기체 원료들을 기질 표면에 교대로 접촉시키는 원자층 증착 방법은 폭이 좁고 종횡비가 큰 홈이 있는 표면에 일정한 두께의 막을 형성하는 데에 특별한 장점이 있다. 게이트 적층 구조 위에 형성되는 스페이서는 두께를 정밀하게 제어할 필요가 있다. 기존의 저압 화학 증착법 대신 낮은 온도에서 실리콘 질화물 박막을 형성하는 원자층 증착법이 활발히 연구되고 있다 [Raaijmakers I; "Current and Future Applications of ALD in Micro-electronics" ECS Transactions, Volume 41, Issue 2, pp 3-17 (2011). doi: 10.1149/1.3633649].
그러나 이러한 필요에도 불구하고 560℃ 이하, 520℃ 이하, 500℃ 이하, 또는 450℃ 이하의 온도에서 물성이 우수한 실리콘 질화물 박막을 원자층 증착법 (ALD)에 의하여 폭이 좁고 종횡비가 큰 홈이 있는 표면에 일정한 두께로서 형성하는 방법은 알려져 있지 않다.
본원은 미세한 홈 등 요철을 가지는 기재의 표면에 균일한 두께의 실리콘-함유 박막을 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본원은 요철이 있는 기재의 표면에 약 100 nm 이하의 균일한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본원은 요철이 있는 기재의 표면에 일정한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 약 800℃ 이하의 온도에서 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본원은 요철이 있는 기재의 표면에 일정한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 약 560℃ 이하, 약 520℃ 이하, 약 500℃ 이하, 또는 약 450℃ 이하의 낮은 온도에서 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
그러나, 본원이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본원의 일 측면은, 종횡비가 약 1 이상이고 폭이 약 1 ㎛ 이하인 홈을 하나 이상 포함하는 기재에 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체; 및 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 함유하는 반응 기체를 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘-함유 박막의 제조 방법을 제공한다.
본원에 의하여 미세한 홈 등 요철을 가지는 기재의 표면에 균일한 두께의 다양한 실리콘-함유 박막을 형성할 수 있다.
본원의 일 구현예에 의하여 요철이 있는 기재의 표면에 약 100 nm 이하의 균일한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 형성할 수 있다.
본원의 일 구현예에 의하여 요철이 있는 기재의 표면에 일정한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막 등 다양한 실리콘-함유 박막을 약 800℃ 이하의 온도에서 형성할 수 있다.
본원의 일 구현예에 의하여 요철이 있는 기재의 표면에 일정한 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막 등 다양한 실리콘-함유 박막을 약 560℃ 이하, 약 520℃ 이하, 약 500℃ 이하, 또는 약 450℃ 이하의 낮은 온도에서 형성하는 방법을 제공하고자 한다.
본원의 일 구현예에 의하여, 화학 기상 증착법 (chemical vapor deposition; CVD) 또는 원자층 증착법 (atomic layer deposition; ALD)에 의하여 약 100 nm 이하 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막 또는 실리콘 탄질화물 박막 등 다양한 실리콘-함유 박막을 균일한 두께로 제조할 수 있다.
본원의 일 구현예에 의하여, 원자층 증착법에 의하여 약 100 nm 이하 두께의 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막 또는 실리콘 탄질화물 박막 등 다양한 실리콘-함유 박막을 균일한 두께로 제조할 수 있다.
이렇게 형성된 본원에 따른 상기 다양한 실리콘-함유 박막은 게이트 스페이서, 격리 트렌치의 라이너, 리소그라피 공정 후에 패턴 밀도를 증가시키는 스페이서 등으로서 사용될 수 있다.
도 1a 및 도 1b는, 실리콘 기재를 520℃로 유지하고 하나의 원자층 증착 주기 안에서 옥타클로로트리실란(octachlorotrisilane, OCT) 기체 노출량과 암모니아 기체 노출량을 각각 변화시키는 것에 따른 원자층 증착법의 막 성장을 나타낸 그래프이다.
도 2는, 본원의 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1에 따라 다양한 클로로실란 기체를 사용하여 상이한 기재 온도에서 형성된 실리콘 질화물 박막의 막 성장을 나타낸 그래프이다.
도 3a 및 도 3b는, 본원의 실시예 1에서 상이한 기재 온도에서 형성된 실리콘 질화물 막의 두께 및 굴절률을 막 형성 직후, 1 일 후, 3 일 후, 및 6 일 후에 각각 측정하여 나타낸 그래프이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합(들)"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "A 및/또는 B"의 기재는, "A 또는 B, 또는 A 및 B"를 의미한다.
본원 명세서 전체에서 용어 "실리콘-함유 박막"은 실리콘 원소와 함께 산소, 질소 및 탄소로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 원소를 함유하여 형성된 박막을 나타내며, 상기 실리콘 외에 필요에 따라 반도체 분야에서 통상 사용되는 실리콘과 다른 금속 원소의 복합 박막을 형성하는 추가 금속 원소를 함유할 수 있다. 예를 들어, 상기 실리콘-함유 박막은 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원 명세서 전체에서 용어 "반응 기체", "추가 반응 기체" 또는 "제 2 반응 기체"는 클로로실란 화합물-함유 반응 기체 외에 사용되는 반응 기체를 의미하며, 예를 들어, 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 기체일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
이하, 본원의 실리콘-함유 박막을 형성하는 방법에 대하여 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 제 1 측면은, 종횡비가 약 1 이상이고 폭이 약 1 ㎛ 이하인 홈을 하나 이상 포함하는 기재에 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체; 및 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 반응 기체를 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘-함유 박막의 제조 방법을 제공한다.
상기 종횡비는, 예를 들어, 약 1 이상, 약 5 이상, 약 10 이상, 약 15 이상, 또는 약 20 이상일 수 있으며, 상기 폭은, 예를 들어, 약 1 ㎛ 이하, 약 0.5 ㎛ 이하, 또는 약 0.1 ㎛ 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 박막은 화학 기상 증착법 (chemical vapor deposition; CVD) 또는 원자층 증착법 (atomic layer deposition; ALD)에 의하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘-함유 박막의 두께가 약 100 nm 이하인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘-함유 박막의 두께가 약 30 nm 이하인 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 800℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 560℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 520℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 약 190℃ 이상 내지 약 560℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 약 280℃ 이상 내지 약 520℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 약 300℃ 이상 내지 약 450℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 반응 기체는 상기 클로로실란 화합물과 반응할 수 있는 것이면 특별히 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 질소 원소를 함유한 반응 기체는 암모니아 (NH3)-함유 기체, 또는 알킬아민-함유 기체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 알킬아민-함유 기체에 있어서, 상기 알킬 아민은 탄소수 약 1 내지 약 10의 알킬기를 포함하는 아민, 탄소수 약 1 내지 약 8의 알킬기를 포함하는 아민, 탄소수 약 1 내지 약 6의 알킬기를 포함하는 아민, 또는 탄소수 약 1 내지 약 4의 알킬기를 포함할 수 있으며, 상기 알킬기는 선형 또는 분지형일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 알킬 아민은 메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, t-부틸아민 및 이들의 이성질체들로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
예를 들어, 상기 산소 원소를 함유한 반응 기체는, 산소 (O2)-함유 기체, 오존 (O3)-함유 기체, 수증기 (H2O)-함유 기체 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
예를 들어, 상기 탄소 원소를 함유한 반응 기체는, 알킬아민-함유 기체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 알킬아민-함유 기체에 있어서, 상기 알킬 아민은 탄소수 약 1 내지 약 10의 알킬기를 포함하는 아민, 탄소수 약 1 내지 약 8의 알킬기를 포함하는 아민, 탄소수 약 1 내지 약 6의 알킬기를 포함하는 아민, 또는 탄소수 약 1 내지 약 4의 알킬기를 포함할 수 있으며, 상기 알킬기는 선형 또는 분지형일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 알킬 아민은 메틸아민, 에틸아민, 이소프로필아민, t-부틸아민 및 이들의 이성질체들로 이루어진 군에서 선택되는 기체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘-함유 박막의 제조 방법은, 상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및, 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 포함하는 반응 기체를 교대로 기재에 접촉시키는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 클로로실란 화합물이 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 실리콘-함유 박막은 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 반응 기체가 암모니아를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 암모니아를 함유하는 기체가 반응기체로서 사용되는 경우, 실리콘 질화물 박막이 형성될 수 있다. 상기 알킬아민을 함유하는 기체가 반응기체로서 사용되는 경우, 실리콘 탄질화물 박막이 형성될 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물은 그의 선형 또는 분지형 이성질체를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 상기 클로로실란 화합물을 전구체로서 이용하여 CVD 또는 ALD 방법에 의하여 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막 등 다양한 실리콘-함유 박막을 균일한 두께로 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 실리콘-함유 박막의 두께가 약 100 nm 이하, 약 80 nm 이하, 약 50 nm 이하, 약 30 nm 이하, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 또는 약 1 nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 본원의 일 구현예에 있어서, 실리콘 질화물 박막의 경우 두께가 약 100 nm 이하, 약 80 nm 이하, 약 50 nm 이하, 약 30 nm 이하, 약 10 nm 이하, 약 5 nm 이하, 또는 약 1 nm 이하일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 암모니아를 함유한 기체를 기재와 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘 질화물 박막 형성 방법을 제공한다. 상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 상기 암모니아를 함유한 기체를 동시에 기재에 접촉시키는 화학 기상 증착법 또는, 상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 상기 암모니아를 함유한 기체를 교대로 기재에 접촉시키는 원자층 증착법을 이용하여 상기 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 클로로실란 화합물은 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 산소를 함유한 기체를 기재와 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘 산화물 박막 형성 방법을 제공한다. 상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 상기 산소를 함유한 기체를 동시에 기재에 접촉시키는 화학 기상 증착법 또는, 상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체 및 상기 반응 교대로 기재에 접촉시키는 원자층 증착법을 이용하여 상기 실리콘 산화물 박막을 형성할 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 클로로실란 화합물은 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체를 기재와 상기 질소 원소 및 상기 탄소 원소를 함유한 기체와 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘 탄질화물 박막 형성 방법을 제공한다. 상기 질소 원소 및 상기 탄소 원소를 함유한 기체로는 상기 알킬아민을 함유하는 기체를 사용할 수 있다. 상기 실리콘 탄질화물 박막은 화학 기상 증착법 또는 원자층 증착법을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 클로로실란 화합물은 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
요철이 있는, 특히 폭이 좁고 종횡비가 큰 홈이 있는 기재 표면에 균일한 두께의 막을 형성할 필요가 있는 경우 원자층 증착법이 더 바람직하다. 원자층 증착법을 사용하는 경우, 각 원료 기체를 순차적으로 공급하는 통상의 시분할 원자층 증착 장치를 사용할 수 있다. 또한, 상기 클로로실란 화합물 함유 기체가 채워진 제 1 공간과 추가 반응 기체가 채워진 제 2 공간을 기재가 순차적으로 들어갔다가 나오는 것을 반복하는 공간 분할 원자층 증착 장치를 사용할 수도 있다.
반도체 소자 제조에 있어서, 예를 들어, 실리콘 질화물 박막 형성 시 상기 추가 반응 기체로서 질소 소스인 암모니아 (NH3)를 함유한 기체를 주로 사용할 수 있다. 질소 기체 (N2)는 반응성이 너무 낮아서 사용할 수 없고, 히드라진 (N2H4)은 폭발 위험성이 있기 때문에 반도체 공정에서 사용하기에 부적합하다. 암모니아 기체는 고온에서는 반응성이 높지만, 약 550℃ 이하의 온도에서는 반응성이 낮아지기 때문에, 암모니아 기체를 질소 소스로서 이용하여 약 550℃ 이하의 온도에서 물성이 우수한 실리콘 질화물 박막을 형성하는 것은 어렵다. 암모니아 기체보다 반응성이 더 큰 히드라진 등과 같은 질소 소스를 폭발 위험성 등의 이유 때문에 반도체 제조에 사용할 수 없다면, 암모니아를 사용하고도 물성이 우수한 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 있는 새로운 방법이 필요하다. 약 550℃ 이하의 낮은 온도에서 암모니아의 반응성이 낮다면, 이 온도에서 반응성이 더 큰 실리콘 원료를 사용하여 물성이 우수한 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 있다.
상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물이 열분해하면 반응성이 큰 SiCl2, SiCl 기체가 형성될 수 있다. Si3Cl8 기체를 원료로서 사용함으로써 SiCl4 기체를 사용한 경우보다 훨씬 낮은 온도에서 SiC를 형성할 수 있는 가능성이 이론적으로 제시된바 있다 [V. G. Sevast'yanov, Yu. S. Ezhov, R. G. Pavelko, and N. T. Kuznetsov, "Perchlorosilanes and Perchlorocarbosilanes as Precursors for SiC Synthesis", Inorganic Materials, 2007, Vol. 43, No. 4, pp. 369-372]. 상기 논문에서는 계산화학적 방법으로 SiCl4 기체가 열분해하지 않는 낮은 온도에서 Si3Cl8 기체가 열분해하여 SiCl2 및 SiCl3 기체가 형성될 것을 예측하고 이 때문에 낮은 온도에서도 SiC를 형성할 가능성을 제시한바 있다. 실리콘 원자는 4 개의 결합을 이룰 때 가장 안정하므로 SiCl4보다는 SiCl3가, SiCl3보다는 SiCl2가, SiCl2보다는 SiCl이, SiCl보다는 Si가 더 반응성이 크다. 고온에서 기재의 표면이나, 기체 상태에서 Si-Si 결합이 끊어지는 것을 예상하면 SinCl2n+2로서 표시되는 클로로실란 화합물에서 n이 약 3 이상, 약 4 이상, 또는 약 5 이상일 때, 반응성이 큰 SiCl2, SiCl, Si가 형성될 것을 하기 스킴 (scheme)과 같이 예상할 수 있다:
[스킴]
Cl3Si-SiCl3 → 2SiCl3;
Cl3Si-SiCl2-SiCl3 → 2SiCl3 + SiCl2;
Cl3Si-SiCl2-SiCl2-SiCl3 → 2SiCl3 + 2SiCl2;
Cl3Si-SiCl(SiCl3)-SiCl3 → 3SiCl3 + SiCl;
Cl3Si-SiCl2-SiCl2-SiCl2-SiCl3 → 2SiCl3 + 3SiCl2;
Cl3Si-SiCl(SiCl3)-SiCl2-SiCl3 → 3SiCl3 + SiCl2 + SiCl;
Cl3Si-Si(SiCl3)2-SiCl3 → 4SiCl3 + Si.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 800℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 예를 들어, 상기 SinCl2n+2 (이때, n은 약 3, 또는 약 3 이상 내지 약 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체를 사용하는 경우 상기 기재의 온도는 특별히 제한되지 않을 수 있다.
본원에 따르면 상기 n이 약 3 또는 약 3 이상 내지 약 10 이하인 SinCl2n+2의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 사용하여 약 560℃ 이하, 약 520℃ 이하, 약 450℃ 이하 또는 약 450℃ 미만의 온도와 같은 낮은 온도에서 양질의 실리콘-함유 박막을 형성할 수 있다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 560℃ 이하, 또는 상온 내지 약 520℃ 이하, 또는 약 190℃ 이상 내지 약 560℃ 이하, 또는 약 280℃ 이상 내지 약 520℃ 이하, 또는 약 300℃ 이상 내지 약 450℃ 이하로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 기재의 온도가 상온 내지 약 560℃ 이하, 또는 상온 내지 약 520℃ 이하, 또는 약 190℃ 이상 내지 약 560℃ 이하, 또는 약 450℃ 이하 또는 미만, 또는 약 300℃ 이상 내지 약 450℃ 이하 또는 미만, 예를 들어, 약 150℃ 내지 약 520℃, 약 280℃ 내지 약 520℃, 약 300℃ 내지 약 520℃, 약 320℃ 내지 약 520℃, 약 350℃ 내지 약 520℃, 약 370℃ 내지 약 520℃, 약 400℃ 내지 약 520℃, 약 420℃ 내지 약 520℃, 약 150℃ 내지 약 450℃, 약 170℃ 내지 약 450℃, 약 200℃ 내지 약 450℃, 약 220℃ 내지 약 450℃, 약 250℃ 내지 약 450℃, 약 270℃ 내지 약 450℃, 약 300℃ 내지 약 450℃, 약 320℃ 내지 약 450℃, 약 350℃ 내지 약 450℃, 약 370℃ 내지 약 450℃, 약 400℃ 내지 약 450℃, 약 150℃ 내지 약 440℃, 약 170℃ 내지 약 440℃, 약 200℃ 내지 약 440℃, 약 220℃ 내지 약 440℃, 약 250℃ 내지 약 440℃, 약 270℃ 내지 약 440℃, 약 300℃ 내지 약 440℃, 약 320℃ 내지 약 440℃, 약 350℃ 내지 약 440℃, 약 370℃ 내지 약 440℃, 또는 약 400℃ 내지 약 440℃로 유지되는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
본원의 일 구현예에 있어서, 상기 클로로실란 화합물이 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다. 상기 분자량이 너무 큰 클로로실란 화합물은 증기압이 낮아 화학 기상 증착법이나 원자층 증착법에 적용하기 곤란하다. 따라서, 본원에 따른 상기 클로로실란 화합물은 SinCl2n+2의 화학식에서 n이 약 3 이상인 클로로실란 화합물 중 n이 약 10 이하의 정수를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 클로로실란 화합물은 상기 n이 약 3 내지 약 5의 정수인 클로로실란 화합물일 수 있으나, 이에 제한되지 않을 수 있다.
이하, 실시예를 이용하여 본원에 대해 구체적으로 설명한다. 그러나, 본원이 이에 제한되지 않을 수 있다.
[실시예]
<실시예 1> OCT (Si3Cl8) 기체와 암모니아 기체를 사용하여 원자층 증착법에 의한 실리콘 질화물 박막의 형성
옥타클로로트리실란 (OCT, Si3Cl8)을 65℃로 가열한 용기에 담고 여기서 기화하는 OCT 기체와 암모니아 기체를 교대로 원자층 증착 챔버 안에 놓인 실리콘 기재에 접촉시켰다. 별도의 운반기체 없이 65℃로 가열한 OCT 기체를 공급할 때 챔버 내부 압력은 0.5 Torr, 암모니아 기체만을 흘렸을 때 챔버 내부 압력은 9.5 Torr를 유지하였다. 실리콘 기재의 온도는 150℃ 내지 600℃의 범위에서 일정하게 유지하였다. OCT 기체 공급 -> 진공배기 -> Ar 기체 공급 40 초 -> 진공배기 -> 암모니아 기체 공급 -> 진공배기 -> Ar 기체 공급 40 초 -> 진공배기의 원자층 증착 주기를 40 회 반복한 후에 형성된 실리콘 질화물 박막의 두께와 특성을 분석하였다. 원자층 증착 주기에서 운반 기체를 사용하는 경우, OCT 기체 대신 OCT 기체와 운반 기체의 혼합 기체가 사용될 수 있다. 다른 이유로 OCT 기체와 불활성 기체의 혼합 기체를 사용할 수 있다. 암모니아 기체 대신 암모니아 기체 및 불활성 기체의 혼합 기체를 사용할 수도 있다.
도 1a 및 도 1b는, 본 실시예에 따라 실리콘 기재를 520℃로 유지하고, 하나의 원자층 증착 주기 안에서 OCT 기체 노출량과 암모니아 기체 노출량을 각각 변화시키는 것에 따른 원자층 증착법의 막 성장을 나타낸 것이다. 여기서 노출량 단위 L은 1 랭뮤어 (1 langmuir = 1 × 10-6 Torr × 1 초)이다. 따라서, OCT 노출량 단위 6 × 107 L 은 기재를 OCT 기체 0.5 Torr 압력에서 120 초 동안 노출시킨 것을 나타낸다. 암모니아 노출량 2 × 108 L은 기재를 암모니아 기체 9.5 Torr 압력에서 22 초 동안 노출시킨 것을 나타낸다. 기재 온도 520℃에서 OCT 노출량을 6 × 107 L 이상으로 증가시키거나, 암모니아 노출량을 2 × 108 L 이상으로 증가시켜도 막 성장이 증가하지 않으므로 520℃에서 원자층 증착이 가능하다는 것을 알 수 있다.
OCT 기체 공급 시간을 120 초, 암모니아 기체 공급 시간을 110 초로 유지하며, 사용하여 상이한 기재 온도에서 원자층 증착 실험을 수행하고 기재 온도에 따른 막 성장을 도 2에 나타내었다. 도 2는 본 실시예에 따라 상이한 기재 온도에서 형성된 실리콘 질화물 박막의 막 성장을 나타낸 그래프이다. 기재 온도 282℃ 내지 520℃ 구간에서는 OCT 기체와 암모니아 기체의 노출량에 무관하게 원자층 증착 주기당 일정한 두께의 막을 얻을 수 있었다.
폭이 40 nm, 깊이가 2 ㎛인 종횡비 50:1의 홈이 있는 실리콘 웨이퍼 표면에 위의 조건으로 OCT 및 암모니아 기체를 사용하여 520℃에서 20 회 원자층 증착 주기를 반복하여 실리콘 질화물 박막을 형성하고 이것을 투과전자현미경 (TEM)으로 관찰하였다. 실리콘 질화물 박막의 두께는 홈의 입구에서 4.62 nm, 홈의 바닥에서 4.36 nm로 측정되어 단차피복성이 94% (= 4.36/4.62)로 이상적인 100%에 매우 가까운 값을 보임을 확인할 수 있었다.
OCT와 암모니아 기체를 사용하여 상이한 기재 온도에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 두께와 굴절률을, 막 형성 직후, 1 일 후, 3 일 후, 및 6 일 후에 각각 측정하여 도 3a 및 도 3b에 나타내었다. 도 3a 및 도 3b는, 본 실시예에 따라 상이한 기재 온도에서 형성된 실리콘 질화물 막의 두께 및 굴절률을 막 형성 직후, 1 일 후, 3 일 후, 및 6 일 후에 각각 측정하여 나타낸 그래프이다. 282℃ 이하에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 두께는 시간 경과에 따라 증가했지만, 372℃ 이상에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 두께는 시간이 지나도 거의 변하지 않았다. 높은 기재 온도에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 굴절률이 질화 실리콘의 굴절률 2.0에 더 가깝게 나타났다. 282℃ 이하에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 굴절률은 시간 경과에 따라 감소하였다. 282℃ 이하에서 형성한 실리콘 질화물 박막의 조성은 안정한 Si3N4에 가까운 조성이 아니어서 공기 중의 수분이나 산소 (O2) 기체와 반응하여 실리콘 산질화물 (silicon oxynitride)로 전환되기 때문에 굴절률이 실리콘 산화물 (SiO2)의 굴절률 1.45에 가깝게 변한다고 해석할 수 있다.
이 결과로부터 OCT를 실리콘 원료로서 사용하여 조성이 안정한 실리콘 질화물 박막을 형성하는 데에는 기재 온도 300℃ 내지 520℃ 구간이 바람직하다는 것을 알 수 있다.
<실시예 2> DCT (Si4Cl10) 기체와 암모니아 기체를 사용하여 원자층 증착법에 의한 실리콘 질화물 박막의 형성
도데카클로로테트라실란 (DCT, Si4Cl10)을 80℃로 가열한 용기에 담고 여기서 기화하는 DCT 기체와 암모니아 기체를 교대로 원자층 증착 챔버 안에 놓인 실리콘 기재에 접촉시켰다. 별도의 운반기체 없이 80℃로 가열한 DCT 기체를 공급할 때 챔버 내부 압력은 0.1 Torr, 암모니아 기체만을 흘렸을 때 챔버 내부 압력은 9.5 Torr를 유지하였다. 실리콘 기재의 온도는 190℃ 내지 560℃의 범위에서 일정하게 유지하였다. DCT 기체 공급 100 초 -> 진공배기 -> Ar 기체 공급 40 초 -> 진공배기 -> 암모니아 기체 공급 110 초 -> 진공배기 -> Ar 기체 공급 40 초 -> 진공배기의 원자층 증착 주기를 40 회 반복한 후에 형성된 실리콘 질화물 막의 두께를 분석하였다. 원자층 증착 주기에서 운반 기체를 사용하는 경우, DCT 기체 대신 DCT 기체와 운반 기체의 혼합 기체가 사용될 수 있다. 다른 이유로 DCT 기체와 불활성 기체의 혼합 기체를 사용할 수 있다. 암모니아 기체 대신 암모니아 기체 및 불활성 기체의 혼합 기체를 사용할 수도 있다.
DCT와 암모니아 기체를 사용하여 다른 기재 온도에서 원자층 증착 실험을 수행하고 기재 온도에 따른 막 성장을 도 2에 나타내었다. 도 2는 본 실시예에 따라 상이한 기재 온도에서 실리콘 질화물 박막의 막 성장을 나타낸 것이다. 기재 온도 190℃ 내지 560℃ 구간에서는 DCT 기체와 암모니아 기체의 노출량에 무관하게 원자층 증착 주기 당 일정한 두께의 막을 얻을 수 있었다.
<비교예 1> 헥사클로로디실란 (hexachlorodisilane; HCD, Si2Cl6) 또는 다이클로로실란 (dichlorosilane; DCS, SiH2Cl2) 기체와 암모니아 기체를 사용하여 원자층 증착법에 의한 실리콘 질화물 박막의 형성
OCT 대신 HCD 또는 DCS를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 조건에서 실리콘 질화물 박막을 형성하였다. 다른 기재 온도에서 원자층 증착 실험을 수행하고 기재 온도에 따른 막 성장을 도 2에 나타내었다. OCT, DCT 기체와 암모니아 기체의 노출량에 무관하게 원자층 증착 주기 당 일정한 두께의 막을 얻을 수 있었던 실시예 1 및 실시예 2와 달리, HCD 또는 DCS를 사용해서는 원자층 증착 주기당 일정한 두께의 막을 얻을 수 있는 온도 구간이 존재하지 않았다. 이는 HCD 또는 DCS와 암모니아 기체를 사용하여 ALD 공정을 수행할 수 없음을 나타내고, ALD 공정이 불가능하다면 특히 폭이 좁고 종횡비가 큰 홈이 있는 기재 표면에 종횡비가 매우 큰 패턴에 일정한 두께의 실리콘 질화물 박막을 형성할 수 없다.
실시예 1 및 실시예 2와 비교예 1로부터 560℃ 이하의 온도에서 요철이 있는 기재, 특히 폭이 좁고 종횡비가 큰 홈이 있는 기재에 실리콘 질화물 박막을 일정한 두께로 형성하는 목적에는 본원에 따른 클로로실란 화합물 기체 및 암모니아 기체를 사용한 원자층 증착법이, HCD 또는 DCS 기체 및 암모니아 기체를 사용한 원자층 증착법보다 훨씬 더 바람직하다는 것을 알 수 있다.
상온 내지 약 560℃ 온도에서, 또는 약 300℃ 내지 약 560℃ 온도에서 약 8 nm 두께의 실리콘 질화물 박막을 원자층 증착법에 의하여 형성할 수 있다. 따라서 종횡비가 1 이상이고 폭이 1 ㎛ 이하인 홈을 하나 이상 구비한, 요철이 있는 기재에도 100 nm 이하, 30 nm 이하, 심지어 10 nm 이하 두께의 실리콘 질화물 박막을 균일한 두께로 형성할 수 있다.
<실시예 3> Si4Cl10 기체를 사용하여 원자층 증착법에 의한 실리콘 산화물 박막의 형성
Si4Cl10 를 용기에 저장하였다. 상기 용기를 90℃에서 가열하였고, N2를 유속 50 sccm 하에 캐리어 기체로 사용하였다. 상기 용기의 압력은 50 Torr에서 제어되었다. O3를 산소 공급원으로서 사용하였다. 실리콘 기재를 350℃에서 가열하였다. 제 1 단계 동안, Si4Cl10 를 2 초 동안 반응 챔버에 도입하였다. 그 후, 5 초의 N2 퍼징을 제 2 단계로서 수행하였다. 그 후, 제 3 단계로서 O3 퍼징을 2 초 동안 반응 챔버에 도입한 다음, 2 초 동안 N2 퍼징을 제 4 단계로서 수행하였다. 이러한 4 개의 단계를 100 회 반복하는 원자층 증착법에 의하여 SiO2 박막을 수득하였다.
<실시예 4> Si4Cl10 기체를 사용하여 화학 기상 증착법에 의한 실리콘 산화물 박막의 형성
Si4Cl10 를 용기에 저장하였다. 상기 용기를 90℃에서 가열하였고, N2를 유속 50 sccm 하에 캐리어 기체로 사용하였다. 상기 용기의 압력은 50 Torr에서 제어되었다. Si4Cl10를 반응 챔버 내에서 O2/N2 기체 혼합물과 혼합하였다. 실리콘 기재를 500℃에서 가열하였다. 반응 챔버 내의 압력은 100 Torr로 설정되었다. 이러한 공정에 의하여 SiO2 박막을 수득하였다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위, 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 종횡비가 1 이상이고 폭이 1 ㎛ 이하인 홈을 하나 이상 포함하는 기재에 SinCl2n+2 (이때, n은 3 이상 내지 10 이하의 정수)의 화학식으로서 표시되는 클로로실란 화합물을 함유한 기체, 및 질소 원소, 산소 원소, 탄소 원소 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 원소를 함유하는 반응 기체를 접촉시키는 것을 포함하는, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘-함유 박막의 두께가 100 nm 이하인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘-함유 박막의 두께가 30 nm 이하인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 온도가 상온 내지 800℃ 이하로 유지되는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 온도가 상온 내지 560℃ 이하로 유지되는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 온도가 280℃ 이상 내지 520℃ 이하로 유지되는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재의 온도가 300℃ 이상 내지 450℃ 이하로 유지되는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반응 기체는, 암모니아 (NH3)-함유 기체, 알킬아민-함유 기체, 산소 (O2)-함유 기체, 오존 (O3)-함유 기체, 수증기 (H2O)-함유 기체 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로로실란 화합물을 함유한 기체, 및 상기 반응 기체를 교대로 기재에 접촉시키는 것을 포함하는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 실리콘-함유 박막은 실리콘 산화물 박막, 실리콘 질화물 박막, 또는 실리콘 탄질화물 박막을 포함하는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 클로로실란 화합물이 Si3Cl8, Si4Cl10, 및 Si5Cl12로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 반응 기체가 암모니아를 포함하는 것이고, 실리콘-함유 박막이 실리콘 질화물 박막을 포함하는 것인, 실리콘-함유 박막의 제조 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
TWI678735B (zh) * 2016-07-13 2019-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 矽氮化膜之成膜方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367990A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
KR20050028321A (ko) * 2003-09-17 2005-03-22 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 성막 방법 및 열처리 장치
KR20090063170A (ko) * 2007-12-13 2009-06-17 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 질화 규소막 증착 방법
KR20090116433A (ko) * 2008-05-07 2009-11-11 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
KR100944842B1 (ko) * 2005-03-28 2010-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화막의 형성 방법 및 장치와, 프로그램이 기록된 기록 매체

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002367990A (ja) * 2001-06-04 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
KR20050028321A (ko) * 2003-09-17 2005-03-22 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 성막 방법 및 열처리 장치
KR100944842B1 (ko) * 2005-03-28 2010-03-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 원자층 증착법을 이용한 실리콘 질화막의 형성 방법 및 장치와, 프로그램이 기록된 기록 매체
KR20090063170A (ko) * 2007-12-13 2009-06-17 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 질화 규소막 증착 방법
KR20090116433A (ko) * 2008-05-07 2009-11-11 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9875888B2 (en) 2014-10-03 2018-01-23 Applied Materials, Inc. High temperature silicon oxide atomic layer deposition technology
TWI678735B (zh) * 2016-07-13 2019-12-01 日商東京威力科創股份有限公司 矽氮化膜之成膜方法

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