WO2014072203A1 - Fotoempfänger mit einer vielzahl von fotozellen und durchkontaktierungen sowie verfahren zu dessen herstellung - Google Patents

Fotoempfänger mit einer vielzahl von fotozellen und durchkontaktierungen sowie verfahren zu dessen herstellung Download PDF

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WO2014072203A1
WO2014072203A1 PCT/EP2013/072553 EP2013072553W WO2014072203A1 WO 2014072203 A1 WO2014072203 A1 WO 2014072203A1 EP 2013072553 W EP2013072553 W EP 2013072553W WO 2014072203 A1 WO2014072203 A1 WO 2014072203A1
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holes
photocells
contacting side
contacting
produced
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PCT/EP2013/072553
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Harry Hedler
Karl Weidner
Jörg ZAPF
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Siemens Aktiengesellschaft
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    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Definitions

  • Photoreceptor with a plurality of photocells and vias and method for its production
  • the invention relates to a photoreceiver which has a carrier chip with a detector side and a contacting side. On the detector side, a plurality of photocells is provided. On the Needlesssensseite contacts for these photocells are provided. In the carrier chip, a plurality of plated-through holes is provided, via which the photocells on the detector side are electrically connected to the contacts on the contacting side. Furthermore, the invention relates to a method for producing a photoreceiver, in which a carrier chip is provided with a detector side and a contacting side. A plurality of vias are made in the carrier chip. These may, for example, consist of Thru-Silicon-VIAs (TSV). This is
  • Vias especially in silicon (VIA stands for Vertical Interconnect Access).
  • VAA Vertical Interconnect Access
  • On the detector side a large number of photocells is produced. These can be z. B. generated in layer technology on the detector side. Contacts are made for the photocells on the contacting side. The electrical connection between the photocells and the contacts is ensured by the vias.
  • Photocells and their production are known for example from EP 1 473 553 AI.
  • substrates may be used, the front side of which have the photocells. About the vias, these can be connected, for example, withmaschinebumps on the back. These contact bumps then allow the substrate carrying the photocells to be mounted by surface mounting on another substrate, such as a printed circuit board.
  • the aforementioned photoreceivers can be used, for example, as so-called photomultipliers based on silicon. Above a breakdown voltage, avalanche-like charge carrier amplifications are used in such a photoreceiver to convert the smallest photon currents on the detector side into measurable electrical signals.
  • the individual photocells are arranged in the form of an array and connected in parallel to obtain a measuring signal.
  • the carrier chip is operated in operation with a blocking voltage above the breakdown voltage. If a photon falls on one of the
  • Photocells this breaks through and generates a charge amount, which by the capacity of the photocell and the
  • Breakdown voltage is given. Such a mode of operation is also referred to as a Geiger mode.
  • Parallel connection of the photocells results in a comparatively high capacitance at the terminals of the photoreceiver and the signals of the individual photocells are strongly attenuated.
  • the vias are each electrically connected to a plurality of photocells forming a cluster, wherein each of the vias addresses another cluster.
  • the plated-through holes are formed in through-holes which have a cross-section which tapers from the contacting side to the detector side.
  • the through holes on the contacting side (where the cross section is largest) have a cross section whose projection on the detector side is located completely in the area claimed by the cluster.
  • the cross section of the through hole is on the contacting side less than or equal to the area of the cluster in question, so that the projection of its cross section completely "fits" into the cluster surface, it has been found that the vias in the contacting side tapered through holes through the oblique walls of the through hole advantageously simple, for example
  • the design rule must be taken into account that the cross section of the
  • through holes can not be larger than the projection of the largest cross section on the detector side. This is the only way to ensure that the clusters of photocells can each adjoin one another directly, so that an array of photocells consisting of several clusters can be provided on the detector side, in which a coherent sensor surface is realized.
  • a minimum distance between the individual through holes can be provided or the through holes abut each other directly with their respective largest cross sections.
  • the cluster-wise control of the photocells has the advantage that on the one hand the Kunststoffssenwand is limited, on the other hand, however, ensures that the associated with the contacting of a plurality of photocells increase in attenuation due to the high capacity at the terminals can be kept within limits.
  • the photosensor according to the invention can advantageously be manufactured economically with a satisfactory sensitivity.
  • the through holes may have the shape of a truncated pyramid, wherein the hole walls are formed by the side surfaces of the truncated pyramid.
  • the bottom surface of the truncated pyramid gives the large through hole on the contacting side, the small surface on the side of the missing tip of the pyramid gives a smaller passage opening to the detector side. In the area of this smaller opening no photocell can be provided.
  • the through holes in the form of a truncated pyramid can advantageously be generated in silicon by anisotropic etching.
  • the object mentioned at the outset with the method specified at the outset is achieved in that the through-contacts are produced as through-holes with a cross section tapering from the contacting side to the detector side.
  • the plated-through contacts are each contacted with a plurality of photocells forming a cluster.
  • the photocells are combined into clusters in such a way that the through holes on the contacting side have a cross section whose projection on the detector side lies completely in the area claimed by the cluster.
  • electrically insulating layers are provided in the through-holes, the thickness of which decreases from the contacting side to the detector side.
  • the electrically insulating layer in the through-holes can be advantageously produced by laminating an elastic film to the contacting side and pulling or pushing it into the through-holes. This pulling in or pushing in can be achieved by creating a pressure difference within the passage hole (negative pressure) and outside the through hole (overpressure).
  • the film Since the film is elastic, it will deform and lay on the walls of the through-hole. Since the middle part of the film must deform the most, deforms the Film in this area to the effect that the wall thickness decreases.
  • the decreasing thickness has the advantage that the film for the production of the through-hole on the detector side can then be easily opened, since for this purpose only a small amount of material has to be removed. This removal of the material can advantageously be achieved with an energy beam.
  • energy beams for example, an electron beam or preferably also a laser beam are used.
  • the plated-through holes are designed as electrically conductive layers on the electrically insulating layers. It is not necessary to fill in the complete through hole. It is therefore advantageous for the production of plated-through holes only a small amount of material needed. Also, an electrically conductive layer can easily be produced in the through hole by conventional methods. For example, this can be produced by sputtering of copper or aluminum or galvanically by deposition of copper. A production by metal spraying (cold gas spraying or plasma spray) is conceivable.
  • metal spraying cold gas spraying or plasma spray
  • Uncoated parts of the walls of the through-hole can be covered with suitable masks, provided that the deposition process is not selective.
  • the plated-through hole can be produced with an advantageously minimal material outlay on electrically conductive material, the conductor cross-section produced being dependent only on the required resistance of the plated-through hole.
  • Another embodiment of the photoreceptor according to the invention provides that the electrically conductive layers are guided out of the through holes on the contacting side and are provided there with Maisbumps.
  • the Ver- The advantage of using contact bumps is that the photoreceiver can easily be mounted in SMT technology, for example on a printed circuit board.
  • the contact bumps are preferably made of a solder material, so that a soldering of the photoreceptor, for example by reflow soldering, is possible. In this case, the contact bumps of solder material are melted and establish an electrical connection between the photoreceptor and the carrier component (printed circuit board).
  • the electrically conductive layers are provided with contact bumps, which in each case protrude from the through holes at least with a part in the direction of the contacting side.
  • the conductive layers are not led out of the through-holes, so that the contact bumps make electrical contact with the electrically conductive layers on the wall of the through-holes.
  • the contact bumps still have to protrude from the through holes, so that a contact with a support member is possible.
  • contact bumps must be selected with a diameter that takes into account the geometry of the tapered through holes. This means that the mounted contact bumps so far into the
  • the contact bumps are applied to fillings which at least partially fill the through-holes.
  • These fillings may be made of plastic, for example.
  • the electrically conductive layer it may be necessary for the electrically conductive layer to be extended to the surface of the filling, so that an electrical contacting of the contact bumps can take place at this point.
  • These are mounted on the resulting surface of the fillings, this being a larger geometric Creates room for the selection of contact bumps. It should only be considered that the distance between the surface of the filling and the contacting side is such that the diameter of the contact bumps is greater than this distance. This ensures that the contact bumps protrude from the through holes.
  • the through-holes are preferably produced by anisotropic etching.
  • the carrier chip which is monocrystalline, covered by a mask, wherein only in the region of the passage openings, the silicon is freely accessible.
  • the walls of the through-holes, which correspond to the sidewalls of the resulting truncated pyramid, are formed by the orientation of the silicon crystal, because the etching speed is greatly different depending on the etching direction. The result is the V-shaped profile of the through hole with an angle of the walls of the through hole to the contact side of 54.7 °.
  • FIG 1 shows an embodiment of the invention
  • Photoreceptor partially cut open in three-dimensional view
  • FIG. 3 shows selected steps of an exemplary embodiment of the method according to the invention for producing an exemplary embodiment of the photoreceptor according to the invention
  • FIGS. 8 and 9 show alternative embodiments of the manufacturing step according to FIG. 7 for applying a contact bump
  • FIG. 10 shows the dependence of the number of photocells n in the clusters on the thickness d of the carrier chip for two cell sizes (edge length s).
  • FIG. 1 shows a photoreceiver which is constructed on a carrier chip 11.
  • In order to produce an electrical connection between the contact bumps 16a in each case with all photocells 14 of a cluster 13, through holes 17 are provided in the carrier chip 11, which connect the detector side 12 to the contacting side 15.
  • Through-holes 18 (cf., FIG. 6) can be produced in these through-holes 17, which ensure the electrical connection of said units.
  • the plated-through holes 18 measure the entire thickness d of the carrier chip 11 for this purpose.
  • FIG. 2 shows a section (detail II) of the carrier chip 11 according to FIG.
  • Exactly half a cluster 13 can be recognized, in which the enlarged cells show the photo-cells 14 of the cluster 13.
  • the cluster 13 is formed by a field of 9 x 9 photocells, the field in the center of the cluster 13 is not occupied by a photocell, but for the through hole 17 in the
  • the clusters can also have more photocells, for example n> 100. This advantageously results in a more favorable ratio between contacting effort and capacity of the cluster.
  • the arrangement of the invention is advantageous.
  • n ⁇ 50 the above advantages also apply, but with some limitations.
  • the passage opening 17 according to Figure 2 has the shape of a Pyramidenstum fes. Since this passage opening is shown in section, the truncated pyramid lying in front of the cutting plane is indicated by dotted lines. The hidden edges of the truncated pyramid were indicated by dashed lines.
  • the surface of the truncated pyramid resulting from the missing tip forms on the detector side the through-opening 19d, which has the same area as a photocell 14 with the edge length s, the photocells being square.
  • the passage opening 19k is formed by the base surface of the pyramid stump.
  • the side surfaces of the truncated pyramid provide the walls of the passage opening 17.
  • Further dash-dotted lines is a projection surface 20, which corresponds exactly to the contour of the cluster 13. It becomes clear that the projection surface 20 is slightly larger than the through-opening 19k of the through-hole 17.
  • the passage openings 19k may not become larger if the adjacent clusters 13 of photocells 14 are to adjoin one another without a gap, as shown in FIG.
  • FIGS. 3 to 7 show different stages of an embodiment of the production method according to the invention. represented.
  • FIG. 3 shows how the carrier chip is provided with the through holes 17.
  • the carrier chip 11 is a silicon substrate which has a cover layer 21 made of silicon oxide or silicon nitrite.
  • the cover layer 21 is not attacked by the etching medium, which is why the passage opening 17 initially remains closed on the detector side.
  • the detector side is attacked in this way by the etching in no case.
  • a mask 22 is applied, which protects the silicon at the points where the webs 21 (see FIG. In FIG.
  • a film 24 is laminated on the contacting side 15, which rests on the webs 21 on the contacting side.
  • This film may be formed from a polymer and have a thickness between 5 and 100 ⁇ .
  • the carrier chip is heated to 120 °, for example, and a pressure is applied to the film from the outside, so that it is pressed into the through hole 17 in the direction of the arrow 25. It lies against the walls of the through-hole 17, as can be seen in FIG. In this case, the thickness of the film decreases due to the deformation of the same into the through-hole, since the walls of the through-hole 17 to be coated have a larger area than the through-opening 19k.
  • the film 24 is here at the passage opening 19d at least one reduction in thickness to 2/3 the original thickness and forms an electrically insulating layer. The thinnest is this insulating
  • the through-contacting 18 is produced as an electrically conductive layer 35 on the film 24. This is only necessary in a partial region of the walls of the passage opening 17, the width of the plated through hole being determined for a given thickness of the through-connection through the width of the electrically conductive layer 35 forming the plated-through hole. Those areas of the through-hole that are not to be provided with the plated-through hole 18 are covered by a mask 27. After coating, this mask 27 is removed again. During coating, the coating material also penetrates into the through-opening 19d, whereby an electrically conductive connection to the conductor track 23 is created. Thus, the electrically conductive through-connection is closed by the detector side 12 to the contacting side 15.
  • FIG. 7 shows a variant of how the contacting side 15 can be completed.
  • the passage holes are filled with a filling 28 and the plated-through hole 18 is continued on one of the webs 21 so that the webs 21 can serve to receive the contact bump 16a.
  • the contact bump consists of a solder material, which is melted to produce the electrical connection.
  • FIG. 8 shows an alternative embodiment for the production of the contacting side 15.
  • the filling 28 fills the passage opening 17 in this variant only partially.
  • the plated-through hole 18 is supplemented by a contact pad 29 which forms a complementary coating.
  • On this contact pad sits a Maisbump 16b. which has a larger diameter than the contact bump 16a. Therefore, the contact bump 16b protrudes beyond the plane of the contacting side 15 out of the through-hole 17, which enables contacting with a substrate component.
  • FIGS. 7 and 8 show a variant in which no filling 28 (compare FIGS. 7 and 8) is used.
  • a contact bump 16 c is instead formed teardrop-shaped, wherein the tip of the Mixbumps 16 c dips into the through hole and is directly in contact with the through hole 18.
  • the round part of the teardrop-shaped Kunststoffbumps 16c protrudes from the through hole and allows in this way in the manner already described, the contacting with a substrate component, not shown.
  • FIG. 10 shows a relationship according to which, for etched through openings corresponding to FIG. 3, depending on the thickness d of the carrier chip, the minimum number n of photocells emerges, which each have to be connected to form a cluster.
  • This minimal number of photocells ensures that the area occupied by the cluster of photocells is larger than the cross section of the through-hole 19k (see FIG. This means that with an arrangement of fewer photocells, the area occupied by the cluster is less than the largest cross section of the through opening, which would cause the passage openings on the contacting side of the carrier chip to overlap.

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Abstract

Die Erfindung betrifft einen Fotoempfänger mit einem Trägerchip (11) bzw. ein Verfahren zu dessen Herstellung. Auf der Detektorseite (12) dieses Trägerchips sind Fotozellen angeordnet, die über Durchkontaktierungen (17) mit Kontakten (16a) auf einer Kontaktierungsseite (15) des Trägerchips verbunden sind. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Fotozellen jeweils zu mehreren Clustern (13) zusammengefasst sind, wobei alle Fotozellen jedes Clusters (13) über eine der Durchkontaktierungen (17) mit der Kontaktierungsseite (15) verbunden sind. Die Durchgangslöcher sind erfindungsgemäß mit sich verjüngendem Querschnitt insbesondere in Form von Pyramidenstümpfen ausgebildet. Dies vereinfacht vorteilhaft die Fertigung der Durchgangslöcher, die beispielsweise durch anisotropes Ätzen in Silizium hergestellt werden können. Auch die Herstellung der Leitpfade, die die Durchkontaktierungen bilden, sind durch die leichte Zugänglichkeit der Lochwände einfach herstellbar. Die Ansteuerung von mehreren Clustern (13) hat vorteilhaft zur Folge, dass die jeweiligen Gruppen von Fotozellen eine begrenzte Kapazität aufweisen, wodurch aufgrund geringer parasitärer Kapazitäten vorteilhaft eine gute Zeitauflösung des Fotoempfängers erreicht werden kann.

Description

Beschreibung
Fotoempfänger mit einer Vielzahl von Fotozellen und Durchkontaktierungen sowie Verfahren zu dessen Herstellung
Die Erfindung betrifft einen Fotoempfänger, der einen Trägerchip mit einer Detektorseite und einer Kontaktierungsseite aufweist. Auf der Detektorseite ist eine Vielzahl von Fotozellen vorgesehen. Auf der Kontaktierungsseite sind Kontakte für diese Fotozellen vorgesehen. In dem Trägerchip ist eine Vielzahl von Durchkontaktierungen vorgesehen, über die die Fotozellen auf der Detektorseite mit den Kontakten auf der Kontaktierungsseite elektrisch verbunden sind. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Erzeugen eines Fotoempfängers, bei dem ein Trägerchip mit einer Detektorseite und einer Kontaktierungsseite zur Verfügung gestellt wird. In dem Trägerchip wird eine Vielzahl von Durchkontaktierungen hergestellt. Diese können beispielweise aus Thru- Silicon-VIAs (TSV) bestehen. Hierbei handelt es sich um
Durchkontaktierungen, insbesondere in Silizium (VIA steht für Vertical Interconnect Access) . Auf der Detektorseite wird eine Vielzahl von Fotozellen hergestellt. Diese können z. B. in Schichttechnologie auf der Detektorseite erzeugt werden. Auf der Kontaktierungsseite werden Kontakte für die Fotozellen hergestellt. Die elektrische Verbindung zwischen den Fotozellen und den Kontakten wird durch die Durchkontaktierungen gewährleistet . Fotozellen sowie deren Herstellung sind beispielsweise aus der EP 1 473 553 AI bekannt. Hierbei können Substrate zur Anwendung kommen, deren Vorderseite die Fotozellen aufweisen. Über die Durchkontaktierungen können diese beispielsweise mit Kontaktbumps auf der Rückseite verbunden werden. Diese Kon- taktbumps ermöglichen anschließend eine Montage des die Fotozellen tragenden Substrates mittels Oberflächenmontage auf einem anderen Substrat wie beispielsweise einer Leiterplatte. Die genannten Fotoempfänger können beispielsweise als sogenannte Fotomultiplier auf Siliziumbasis verwendet werden. Oberhalb einer Durchbruchspannung werden in einem solchen Fotoempfänger lawinenartige Ladungsträgerverviel fachungen aus- genutzt, um kleinste Photonenströme auf der Detektorseite in messbare elektrische Signale umzusetzen. Hierzu werden die einzelnen Fotozellen in Form eines Arrays angeordnet und zur Gewinnung eines Messsignals parallel geschaltet. Der Trägerchip wird im Betrieb mit einer Sperrspannung oberhalb der Durchbruchspannung betrieben. Fällt ein Photon auf eine der
Fotozellen, so bricht diese durch und generiert eine Ladungsmenge, welche durch die Kapazität der Fotozelle und die
Durchbruchspannung vorgegeben ist. Eine solche Betriebsart wird auch als Geiger-Modus bezeichnet. Durch Parallelschal- tung der Fotozellen entsteht eine vergleichsweise hohe Kapazität an den Anschlüssen des Fotoempfängers und die Signale der einzelnen Fotozellen werden stark gedämpft.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Fotoempfänger der eingangs angegebenen Art sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung anzugeben, welcher/welches einerseits die Erreichung einer möglichst großen Sensorempfindlichkeit und andererseits geringe Herstellungskosten für den Fotoempfänger gewährleisten .
Diese Aufgabe wird mit dem eingangs angegebenen Fotoempfänger erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Durchkontaktierungen jeweils mit mehreren, ein Cluster bildenden Fotozellen elektrisch verbunden sind, wobei jede der Durchkontaktierungen ein anderes Cluster adressiert. Außerdem sind erfindungsgemäß die Durchkontaktierungen in Durchgangslöchern ausgebildet, die einen sich von der Kontaktierungsseite zur Detektorseite verjüngenden Querschnitt aufweisen. Dabei weisen die Durchgangslöcher auf der Kontaktierungsseite (wo der Querschnitt am größten ist) einen Querschnitt auf, dessen Projektion auf die Detektorseite vollständig in der durch das Cluster beanspruchten Fläche liegt. Mit anderen Worten ist der Querschnitt der Durchgangsöffnung auf der Kontaktierungsseite kleiner oder gleich der Fläche des betreffenden Clusters, damit die Projektion von deren Querschnitt vollständig in die Clusterfläche „hineinpasst" . Es hat sich nämlich gezeigt, dass die Durchkontaktierungen in sich von der Kontaktierungsseite aus verjüngenden Durchgangslöchern durch die schrägen Wände des Durchgangsloches vorteilhaft einfach, beispielsweise durch Beschichten erzeugen lassen. Allerdings ist hierbei erfindungsgemäß die Ausle- gungsregel zu berücksichtigen, dass der Querschnitt der
Durchgangslöcher insgesamt nicht größer werden darf, als die Projektion des größten Querschnitts auf die Detektorseite. Nur so ist gewährleistet, dass die Cluster von Fotozellen jeweils direkt aneinander angrenzen können, so dass auf der De- tektorseite ein Array von Fotozellen aus mehreren Clustern zur Verfügung gestellt werden kann, bei dem eine zusammenhängende Sensorfläche realisiert ist. Auf der Kontaktierungsseite des Trägerchips kann hierbei ein Mindestabstand zwischen den einzelnen Durchgangslöchern vorgesehen werden oder die Durchgangslöcher stoßen mit ihren jeweils größten Querschnitten direkt aneinander.
Die clusterweise Ansteuerung der Fotozellen hat den Vorteil, dass sich einerseits der Kontaktierungsaufwand in Grenzen hält, andererseits allerdings gewährleistet ist, dass die mit der Kontaktierung einer Vielzahl von Fotozellen verbundene Erhöhung der Dämpfung aufgrund der hohen Kapazität an den Anschlüssen in Grenzen gehalten werden kann. Dadurch kann der erfindungsgemäße Fotosensor vorteilhaft wirtschaftlich mit einer befriedigenden Empfindlichkeit hergestellt werden.
Vorteilhaft ist es, wenn der Trägerchip aus Silizium gefertigt ist. In diesem Fall können die Durchgangslöcher die Form eines Pyramidenstumpfes aufweisen, wobei die Lochwände durch die Seitenflächen des Pyramidenstumpfes gebildet sind. Die Grundfläche des Pyramidenstumpfes ergibt die große Durchgangsöffnung auf der Kontaktierungsseite, die kleine Fläche auf der Seite der fehlenden Spitze der Pyramide ergibt eine kleinere Durchgangsöffnung zur Detektorseite hin. Im Bereich dieser kleineren Öffnung kann keine Fotozelle vorgesehen werden. Die Durchgangslöcher in Form eines Pyramidenstum fes können vorteilhaft in Silizium durch anisotropes Ätzen er- zeugt werden.
Alternativ wird die eingangs genannte Aufgabe mit dem eingangs angegebenen Verfahren dadurch gelöst, dass die Durch- kontaktierungen als Durchgangslöcher mit einem sich von der Kontaktierungsseite zur Detektorseite verjüngenden Querschnitt hergestellt werden. Hierbei werden die Durchkontak- tierungen jeweils mit mehreren, ein Cluster bildenden Fotozellen kontaktiert. Die Fotozellen werden erfindungsgemäß derart zu den Clustern zusammengefasst , dass die Durchgangs- löcher auf der Kontaktierungsseite einen Querschnitt aufweisen, dessen Projektion auf die Detektorseite vollständig in der durch das Cluster beanspruchten Fläche liegt. Die Vorteile des Herstellungsverfahrens in Verbindung mit den Vorteilen des hergestellten Fotoempfängers sind bereits im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Fotoempfänger erläutert worden.
Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung des Fotoempfängers ist vorgesehen, dass in den Durchgangslöchern elektrisch isolierende Schichten vorgesehen sind, deren Dicke sich von der Kontaktierungsseite zur Detektorseite hin verringert. Die
Vorteile einer solchen Verteilung lässt sich am besten anhand des Herstellungsverfahrens für eine solche elektrisch isolierende Schicht erläutern. Vorteilhaft kann die elektrisch isolierende Schicht in den Durchgangslöchern nämlich dadurch hergestellt werden, dass auf die Kontaktierungsseite eine elastische Folie laminiert wird und diese in die Durchgangslöcher hineingezogen oder hineingedrückt wird. Dieses Hineinziehen oder Hineindrücken kann durch Erzeugen eines Druckunterschiedes innerhalb des Duchgangsloches (Unterdruck) und außerhalb des Durchgangsloches (Überdruck) erreicht werden.
Da die Folie elastisch ist, wird sich diese verformen und auf die Wände des Durchgangsloches legen. Da sich der mittlere Teil der Folie am meisten verformen muss, verformt sich die Folie in diesem Bereich dahingehend, dass sich die Wandstärke verringert. Die sich verringernde Dicke hat den Vorteil, dass die Folie zur Herstellung der durchgehenden Durchgangsöffnung auf der Detektorseite anschließend leicht geöffnet werden kann, da zu diesem Zweck nur wenig Material entfernt werden muss . Diese Entfernung des Materials kann vorteilhaft mit einem Energiestrahl erreicht werden. Als Energiestrahlen kommen beispielsweise ein Elektronenstrahl oder bevorzugt auch ein Laserstrahl zum Einsatz .
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Fotoempfängers ist vorgesehen, dass die Durchkontaktierungen als elektrisch leitende Schichten auf den elektrisch isolierenden Schichten ausgeführt sind. Hierbei muss nicht das vollständige Durchgangsloch ausgefüllt werden. Vorteilhaft ist daher für die Herstellung der Durchkontaktierungen nur ein geringer Materialaufwand von Nöten. Auch lässt sich eine elektrisch leitende Schicht nach gängigen Verfahren einfach in dem Durchgangsloch herstellen. Beispielsweise kann diese durch Sputtern von Kupfer oder Aluminium oder galvanisch durch Abscheiden von Kupfer erzeugt werden. Auch eine Herstellung durch Metallsprühverfahren (Kaltgasspritzen oder Plasmaspray) ist denkbar. Hierbei ist es von großem Vorteil, dass die Durchgangslöcher pyramidenförmig ausgebildet sind, weil dadurch die Zugänglichkeit der Lochwände von der Kontaktierungsseite aus vereinfacht wird. Nicht zu beschichtende Teile der Wände des Durchgangsloches können mit geeigneten Masken abgedeckt werden, sofern das Abscheideverfahren nicht selektiv ist. Dabei kann die Durchkontaktierung mit einem vorteilhaft minimalen Materialaufwand an elektrisch leitfähigem Material hergestellt werden, wobei der hergestellte Leiterquerschnitt lediglich von dem geforderten Widerstand der Durchkontaktierung abhängig ist. Eine andere Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Fotoempfängers sieht vor, dass die elektrisch leitenden Schichten aus den Durchgangslöchern heraus auf die Kontaktierungsseite geführt sind und dort mit Kontaktbumps versehen sind. Die Ver- wendung von Kontaktbumps hat den Vorteil, dass der Fotoempfänger einfach in SMT-Technologie , beispielsweise auf einer Leiterplatte, montiert werden kann. Die Kontaktbumps sind vorzugsweise aus einem Lotmaterial, so dass ein Verlöten des Fotoempfängers, beispielsweise durch Reflow-Löten, möglich ist. Dabei werden die Kontaktbumps aus Lotmaterial aufgeschmolzen und stellen eine elektrische Verbindung zwischen dem Fotoempfänger und dem Trägerbauteil (Leiterplatte) her.
Alternativ kann erfindungsgemäß auch vorgesehen werden, dass die elektrisch leitenden Schichten mit Kontaktbumps versehen sind, die jeweils zumindest mit einem Teil in Richtung der Kontaktierungsseite aus den Durchgangslöchern herausragen. Bei dieser Variante sind die leitenden Schichten jedoch nicht aus den Durchgangslöchern herausgeführt, so dass die Kontaktbumps einen elektrischen Kontakt zu den elektrisch leitenden Schichten an der Wand der Durchgangslöcher herstellen. Allerdings müssen die Kontaktbumps dennoch aus den Durchgangslöchern herausragen, damit eine Kontaktierung mit einem Trägerbauteil möglich ist. Zu diesem Zweck müssen Kontaktbumps mit einem Durchmesser ausgewählt werden, der die Geometrie der sich verjüngenden Durchgangslöcher berücksichtigt. Dies bedeutet, dass die montierten Kontaktbumps so weit in das
Durchgangsloch hineinragen können, dass dort ein Kontakt zu der elektrisch leitenden Schicht hergestellt werden kann und nach der Positionierung noch ein genügend großer Teil des Kontaktbumps für eine elektrische Kontaktierung zum Trägerbauteil aus dem Durchgangsloch herausragt. Zusätzlich kann vorgesehen werden, dass die Kontaktbumps auf Füllungen aufgebracht sind, die die Durchgangslöcher zumindest teilweise ausfüllen. Diese Füllungen können beispielsweise aus Kunststoff gefertigt sein. Hierbei kann es erforderlich sein, dass die elektrisch leitende Schicht auf die Oberfläche der Füllung verlängert wird, damit an dieser Stelle eine elektrische Kontaktierung der Kontaktbumps erfolgen kann. Diese werden auf der entstehenden Oberfläche der Füllungen montiert, wobei dies einen größeren geometrischen Spielraum bei der Auswahl der Kontaktbumps schafft. Hierbei ist lediglich zu berücksichtigen, dass der Abstand der Oberfläche der Füllung zur Kontaktierungsseite so ausfällt, dass der Durchmesser der Kontaktbumps größer als dieser Abstand ist. Hierdurch wird gewährleistet, dass die Kontaktbumps aus den Durchgangslöcher herausragen.
Ist der Trägerchip aus Silizium gefertigt, werden die Durchgangslöcher bevorzugt durch anisotropes Ätzen hergestellt. Hierzu wird der Trägerchip, der einkristallin ist, durch eine Maske abgedeckt, wobei lediglich im Bereich der Durchgangsöffnungen das Silizium frei zugänglich ist. Die Wände der Durchgangslöcher, die den Seitenwänden des entstehenden Pyramidenstumpfes entsprechen, entstehen durch die Ausrichtung des Siliziumkristalls, weil die Ätzgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der Ätzrichtung stark unterschiedlich ist. So entsteht das V-förmige Profil des Durchgangsloches mit einem Winkel der Wände des Durchgangsloches zur Kontaktierungsseite von 54,7°.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung beschrieben. Gleiche oder sich entsprechende Zeichnungselement sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden nur insoweit mehrfach erläutert, wie sich Unterschiede zwischen den einzelnen Figuren ergeben. Es zeigen :
Figur 1 ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Fotoempfängers in dreidimensionaler Ansicht teilweise aufgeschnitten,
Figur 2 den Teilausschnitt II aus Figur 1
Figur 3 7 ausgewählte Schritte eines Ausführungsbei- spiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung eines Ausführungsbeispiels des er findungsgemäßen Fotoempfängers, Figur 8 und 9 alternative Ausgestaltungen des Fertigungsschrittes gemäß Figur 7 zur Aufbringung eines Kontaktbumps und Figur 10 die Abhängigkeit der Anzahl von Fotozellen n in den Clustern von der Dicke d des Trägerchips für zwei Zellgrößen (Kantenlänge s) .
In Figur 1 ist ein Fotoempfänger dargestellt, der auf einem Trägerchip 11 aufgebaut ist. In Figur 1 ist die Detektorseite 12 zu erkennen, auf der 4 x 4 = 16 Cluster 13 von Fotozellen 14 (vgl. Figur 2) angeordnet sind. Eine der Detektorseite gegenüberliegende Kontaktierungsseite 15 ist in Figur 1 aufgrund des Blickwinkels nicht genauer zu erkennen, dient jedoch zur Kontaktierung des Trägerchips 11 auf einen nicht näher dargestellten Substrat mittels Kontaktbumps 16a. Um eine elektrische Verbindung zwischen den Kontaktbumps 16a jeweils mit allen Fotozellen 14 eines Clusters 13 herzustellen, sind in dem Trägerchip 11 Durchgangslöcher 17 vorgesehen, die die Detektorseite 12 mit der Kontaktierungsseite 15 verbinden. In diesen Durchgangslöchern 17 können Durchkontaktierungen 18 (vgl. Figur 6) hergestellt werden, die die elektrische Verbindung der genannten Baueinheiten gewährleisten. Die Durchkontaktierungen 18 durchmessen zu diesem Zweck die gesamte Dicke d des Trägerchips 11.
In Figur 2 ist ein Ausschnitt (Detail II) des Trägerchips 11 gemäß Figur 1 dargestellt. Zu erkennen ist genau ein halbes Cluster 13, bei dem durch die vergrößerte Darstellung die Fo- tozellen 14 des Clusters 13 zu erkennen sind. Das Cluster 13 wird durch ein Feld von 9 x 9 Fotozellen gebildet, wobei das Feld in der Mitte des Clusters 13 nicht durch eine Fotozelle belegt ist, sondern für die Durchgangsöffnung 17 in den
Cluster 13 reserviert ist. Damit ergibt sich eine Clustergrö- ße von n = 9 x 9 - l = 80. Vorteilhaft können die Cluster auch mehr Fotozellen, beispielsweise n > 100 aufweisen. Hierbei entsteht vorteilhaft ein günstigeres Verhältnis zwischen Kontaktierungsaufwand und Kapazität des Clusters. Auch für kleinere Cluster ist die erfindungsgemäße Anordnung vorteilhaft. Für n < 50 gelten die oben genannten Vorteile ebenfalls, allerdings mit gewissen Einschränkungen. Die Durchgangsöffnung 17 gemäß Figur 2 hat die Form eines Pyramidenstum fes . Da diese Durchgangsöffnung im Schnitt dargestellt ist, wurde der vor der Schnittebene liegende Pyramidenstumpf durch strichpunktierte Linien angedeutet. Die verdeckten Kanten des Pyramidenstumpfes wurden durch gestrichel- te Linien angedeutet. Die durch die fehlende Spitze entstehende Fläche des Pyramidenstumpfes bildet auf der Detektorseite die Durchgangsöffnung 19d, die dieselbe Fläche aufweist, wie eine Fotozelle 14 mit der Kantenlänge s, wobei die Fotozellen quadratisch sind. Auf der gegenüberliegenden Sei- te, also der Kontaktierungsseite 15 wird die Durchgangsöffnung 19k durch die Grundfläche des Pyramiedenstumpfes gebildet. Die Seitenflächen des Pyramidenstumpfes ergeben die Wände der Durchgangsöffnung 17. Weiterhin strichpunktiert eingezeichnet ist eine Projektionsfläche 20, welche genau der Umrisslinie des Clusters 13 entspricht. Es wird deutlich, dass die Projektionsfläche 20 geringfügig größer ist als die Durchgangsöffnung 19k des Durchgangsloches 17. Hierdurch entstehen auf der Kontaktierungs- seite 15 zwischen den benachbarten Durchgangsöffnungen 19k Stege 21, die beispielsweise dazu verwendet werden können, die Kontaktbumps 16a aufzunehmen (vgl. Figur 1) . Denkbar ist es natürlich auch, dass die Durchgangsöffnungen 19k genauso groß sind, wie die Projektionsflächen 20, wobei die Stegbrei- te in diesem Falle 0 wäre. Hierbei entsteht lediglich ein
Grat zwischen den benachbarten Durchgangsöffnungen 19k (nicht dargestellt) . Größer dürfen die Durchgangsöffnungen 19k jedoch nicht werden, wenn die benachbarten Cluster 13 von Fotozellen 14 ohne Zwischenraum aneinandergrenzen sollen, wie diese in Figur 1 dargestellt ist.
In den Figuren 3 bis 7 sind verschiedene Stadien eines Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Herstellungsverfah- rens dargestellt. In Figur 3 ist zu erkennen, wie der Trägerchip mit den Durchgangslöchern 17 versehen wird. Bei den Trägerchip 11 handelt es sich um ein Siliziumsubstrat, welches eine Decklage 21 aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrit auf- weist. Das Durchgangsloch 17 wird mittels anisotropen Ätzens hergestellt, wobei sich automatisch ein Winkel = 54,7° zur Kontaktierungsseite 15 ergibt. Die Decklage 21 wird durch das Ätzmedium nicht angegriffen, weswegen die Durchgangsöffnung 17 auf der Detektorseite zunächst verschlossen bleibt. Die Detektorseite wird auf diese Weise durch das Ätzen auch auf keinen Fall angegriffen. Auf der Kontaktierungsseite wird eine Maske 22 aufgebracht, welche das Silizium an den Stellen schützt, wo die Stege 21 (vgl. Figur 2) entstehen sollen. In Figur 4 ist zu erkennen, dass die Maske 22 nach erfolgter Ätzbehandlung wieder entfernt wird. Auf die Decklage wird eine Leiterbahn 23 aufgebracht, die später zur Herstellung der Durchkontaktierung dient (hierzu im Folgenden noch mehr) . Weitere Strukturen auf der Detektorseite 12 sind in Figur 4 nicht näher dargestellt. Diese werden in an sich bekannter
Weise erzeugt, um die Fotozellen auf der Detektorseite 12 zu bilden .
Nach Entfernung der Maske 22 wird auf die Kontaktierungsseite 15 eine Folie 24 auflaminiert , die auf den Stegen 21 auf der Kontaktierungsseite anliegt. Diese Folie kann aus einem Polymer gebildet sein und eine Dicke zwischen 5 und 100 μπι aufweisen. Nach dem Auflaminieren der Folie 24 wird der Trägerchip auf beispielsweise 120° erwärmt und von außen ein Druck an die Folie angelegt, so dass diese in Richtung des Pfeiles 25 in das Durchgangsloch 17 hineingedrückt wird. Sie legt sich dabei an die Wände des Durchgangsloches 17 an, wie sich Figur 5 entnehmen lässt. Hierbei verringert sich die Dicke der Folie aufgrund der Verformung derselben in das Durch- gangsloch hinein, da die zu beschichtenden Wände des Durchgangsloches 17 eine größere Fläche aufweisen, als die Durchgangsöffnung 19k. Die Folie 24 wird hierbei an der Durchgangsöffnung 19d mindestens eine Dickenverringerung auf 2/3 der ursprünglichen Dicke erfahren und bildet eine elektrisch isolierende Schicht. Am dünnsten ist diese isolierende
Schicht vorteilhaft im Bereich dieser Durchgangsöffnung 19d (vgl. Figur 6) . Dies hat den Vorteil, dass in diesem Bereich die Erzeugung der Durchgangsöffnung 19d beispielsweise mittels eines Laserstrahls 26 mit vergleichsweise geringem Fertigungsaufwand möglich ist. Die geringe Dicke der isolierenden Schicht im Bereich der Durchgangsöffnung 19d hat auch zur Folge, dass der durch den in der Regel hohen Ausdehnungskoef- fizienten des Polymers erzeugte Stress in der nachfolgenden elektrisch leitfähigen Schicht 35 gering gehalten werden kann .
Nach Herstellung der Durchgangsöffnung 19d wird gemäß Figur 6 weiter verfahren. Durch Aufdampfen oder Sputtern, sowie nachfolgende semiadditive galvanische Verstärkung wird die Durch- kontaktierung 18 als elektrisch leitfähige Schicht 35 auf der Folie 24 hergestellt. Dies ist nur in einem Teilbereich der Wände der Durchgangsöffnung 17 erforderlich, wobei die Breite der Durchkontaktierung bei gegebener Dicke der Durchkontak- tierung durch die Breite der die Durchkontaktierung bildenden, elektrisch leitfähigen Schicht 35 bestimmt wird. Diejenigen Bereiche des Durchgangsloches, die nicht mit der Durchkontaktierung 18 versehen werden sollen, werden durch eine Maske 27 abgedeckt. Nach erfolgter Beschichtung wird diese Maske 27 wieder entfernt. Das Beschichtungsmaterial dringt beim Beschichten auch in die Durchgangsöffnung 19d ein, wobei hierdurch eine elektrisch leitende Verbindung zur Leiterbahn 23 entsteht. Damit wird die elektrisch leitende Durchkontak- tierung von der Detektorseite 12 zur Kontaktierungsseite 15 geschlossen .
Der Figur 7 lässt sich eine Variante entnehmen, wie die Kontaktierungsseite 15 fertig gestellt werden kann. Die Durch- gangslöcher werden mit einer Füllung 28 ausgefüllt und die Durchkontaktierung 18 wird auf einen der Stege 21 weitergeführt, so dass die Stege 21 zur Aufnahme des Kontaktbumps 16a dienen können. Mit dem Kontaktbump 16a kann eine nicht näher dargestellte Kontaktierung zu einem Substratbauteil wie beispielsweise einer Leiterplatte erfolgen. Der Kontaktbump besteht aus einem Lotmaterial, was zur Herstellung der elektrischen Verbindung aufgeschmolzen wird.
Der Figur 8 lässt sich eine alternative Ausgestaltung für die Herstellung der Kontaktierungsseite 15 entnehmen. Die Füllung 28 füllt die Durchgangsöffnung 17 in dieser Variante nur zum Teil aus. Die Durchkontaktierung 18 wird durch ein eine er- gänzende Beschichtung gebildetes Kontaktpad 29 ergänzt. Auf diesem Kontaktpad sitzt ein Kontaktbump 16b. der einen größeren Durchmesser aufweist, als der Kontaktbump 16a. Daher ragt der Kontaktbump 16b über die Ebene der Kontaktierungsseite 15 aus der Durchgangsöffnung 17 heraus, was eine Kontaktierung mit einem Substratbauteil ermöglicht.
In Figur 9 ist eine Variante dargestellt, in der keine Füllung 28 (vgl. Figuren 7 und 8) zum Einsatz kommt. Ein Kontaktbump 16c ist stattdessen tropfenförmig ausgebildet, wobei die Spitze des Kontaktbumps 16c in die Durchgangsöffnung eintaucht und direkt mit der Durchkontaktierung 18 im Kontakt steht. Der runde Teil des tropfenförmigen Kontaktbumps 16c ragt aus der Durchgangsöffnung heraus und ermöglicht auf diesem Weg in der schon beschriebenen Weise die Kontaktierung mit einem nicht dargestellten Substratbauteil.
Der Figur 10 lässt sich ein Zusammenhang entnehmen, demgemäß bei geätzten Durchgangsöffnungen entsprechend Figur 3 abhängig von der Dicke d des Trägerchips die Mindestanzahl n an Fotozellen hervorgeht, welche jeweils zu einem Cluster verbunden müssen. Diese minimale Anzahl von Fotozellen gewährleistet, dass die von dem Cluster an Fotozellen eingenommene Fläche größer ist, als der Querschnitt der Durchgangsöffnung 19k (vgl. Figur 2) . Dies bedeutet, dass bei einer Anordnung von weniger Fotozellen die vom Cluster eingenommene Fläche geringer als der größte Querschnitt der Durchgangsöffnung ist, weswegen sich die Durchgangsöffnungen auf der Kontaktierungsseite des Trägerchips überschneiden würden. Zu beachten ist bei der Auslegung, dass diese Mindestzahl an zu einem Cluster zu verbindenden Fotozellen nicht unterschritten wird Sinnvoll ist vorzugsweise eine Anordnung der Fotozellen in einem quadratischen Raster, so dass die erforderliche Min- destanzahl an Fotozellen immer auf eine sinnvolle quadratische Anordnung „aufgerundet" werden soll. Zielstellung ist dabei, dass die Detektorseite möglichst lückenlos mit Fotozellen bedeckt sein soll. Unter Berücksichtigung der Tatsache, dass eine Fotozelle in der Mitte durch die Durchgangs- Öffnung 19d (vgl. Figur 2) ersetzt wird, ergibt sich die Anzahl z der Reihen bzw. Spalten von Fotozellen in dem Cluster somit aus
Figure imgf000015_0001
wobei z auf die nächst höhere ganze Zahl aufgerundet wird.

Claims

Patentansprüche
1. Fotoempfänger, aufweisend einen Trägerchip (11) mit einer Detektorseite (12) und einer Kontaktierungsseite (15), wobei - auf der Detektorseite (12) eine Vielzahl von Fotozellen
(14) vorgesehen ist,
- auf der Kontaktierungsseite (15) Kontakte (16a, 16b, 16c) für die Fotozellen (14) vorgesehen sind und
- in dem Trägerchip eine Vielzahl von Durchkontaktierungen (18) vorgesehen ist, die die Fotozellen (14) mit den
Kontakten (16a, 16b, 16c) verbinden,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Durchkontaktierungen (18)
- jeweils mit mehreren, ein Cluster (13) bildenden Foto- zellen elektrisch verbunden sind und
- in Durchgangslöchern (17) ausgebildet sind, die einen sich von der Kontaktierungsseite (15) zur Detektorseite (12) verjüngenden Querschnitt aufweisen,
wobei die Durchgangslöcher (17) auf der Kontaktierungsseite (15) einen Querschnitt aufweisen, dessen Projektion auf die Detektorseite (12) vollständig in der durch das Cluster (13) beanspruchten Fläche liegt.
2. Fotoempfänger nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass in den Durchganglöchern (17) elektrisch isolierende Schichten (24) vorgesehen sind, deren Dicke sich von der Kontaktierungsseite (15) zur Detektorseite (12) verringern.
3. Fotoempfänger nach Anspruch 2,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die elektrisch isolierende Schichten (24) aus einer laminierten Kunststofffolie besteht.
4. Fotoempfänger nach Anspruch 2 oder 3,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, dass die Durchkontaktierungen (18) als elektrisch leitende Schichten (35) auf den elektrisch isolierenden Schichten (24) ausgeführt sind.
5. Fotoempfänger nach Anspruch 4,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die elektrisch leitenden Schichten +20 aus den Durchgangslöchern (17) heraus auf die Kontaktierungsseite (15) geführt sind und dort mit Kontaktbumps (16a) versehen sind.
6. Fotoempfänger nach Anspruch 4,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die elektrisch leitenden Schichten (35) mit Kontaktbumps (16b, 16c) versehen sind, die jeweils zumindest mit einem Teil in Richtung der Kontaktierungsseite (15) aus den Durchgangslöchern (17) herausragen.
7. Fotoempfänger nach Anspruch 6,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Kontaktbumps (16b) auf Füllungen (28) aufgebracht sind, die die Durchgangslöcher (17) zumindest teilweise ausfüllen .
8. Fotoempfänger nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Durchgangslöcher (17) die Form eines Pyramidenstumpfes aufweisen, wobei die Lochwände durch die Seitenflächen des Pyramidenstumpfes gebildet sind.
9. Verfahren zum Erzeugen eines Fotoempfängers,
bei dem ein Trägerchip (11) mit einer Detektorseite (12) und einer Kontaktierungsseite (15) zur Verfügung gestellt wird, wobei
- in dem Trägerchip eine Vielzahl von Durchkontaktierungen (18) hergestellt wird,
- auf der Detektorseite (12) eine Vielzahl von Fotozellen (14) hergestellt wird und diese mit den Durchkontaktierungen (18) kontaktiert werden und - auf der Kontaktierungsseite (15) Kontakte (16a, 16b, 16c) für die Fotozellen (14) hergestellt werden und diese mit den Durchkontaktierungen (18) kontaktiert werden, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Durchkontaktierungen (18)
- als Durchgangslöcher (17) mit einem sich von der Kontaktierungsseite (15) zur Detektorseite (12) verjüngenden Querschnitt hergestellt werden und
- jeweils mit mehreren, ein Cluster (13) bildenden Foto- zellen kontaktiert werden,
wobei die Fotozellen (14) derart zu den Clustern (13) zusam- mengefasst werden, dass die Durchgangslöcher (17) auf der Kontaktierungsseite (15) einen Querschnitt aufweisen, dessen Projektion auf die Detektorseite (12) vollständig in der durch das Cluster (13) beanspruchten Fläche liegt.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Durchganglöcher (17) im Trägerchip (11) durch ani- sotropes Ätzen hergestellt werden.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass in den Durchganglöchern (17) elektrisch isolierende Schichten (24) hergestellt werden, indem auf die Kontaktierungsseite (15) eine elastische Folie laminiert wird und diese in die Durchgangslöcher (17) hineingezogen oder hineingedrückt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t,
dass die Durchgangslöcher (17) in der Folie auf der Detektorseite (12) durch einen Energiestrahl hergestellt werden.
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