WO2014069457A1 - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物 Download PDF

Info

Publication number
WO2014069457A1
WO2014069457A1 PCT/JP2013/079267 JP2013079267W WO2014069457A1 WO 2014069457 A1 WO2014069457 A1 WO 2014069457A1 JP 2013079267 W JP2013079267 W JP 2013079267W WO 2014069457 A1 WO2014069457 A1 WO 2014069457A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
acid
polishing composition
composition
indole
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/079267
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正悟 大西
康登 石田
平野　達彦
Original Assignee
株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社フジミインコーポレーテッド filed Critical 株式会社フジミインコーポレーテッド
Priority to SG11201502768UA priority Critical patent/SG11201502768UA/en
Priority to DE112013005264.4T priority patent/DE112013005264T5/de
Priority to CN201380057157.1A priority patent/CN104755580A/zh
Priority to JP2014544520A priority patent/JPWO2014069457A1/ja
Priority to US14/440,208 priority patent/US9486892B2/en
Publication of WO2014069457A1 publication Critical patent/WO2014069457A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C09K3/1445—Composite particles, e.g. coated particles the coating consisting exclusively of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition.
  • the present invention also relates to a polishing method and a substrate manufacturing method using the polishing composition.
  • the present invention relates to a polishing composition for a surface of an object to be polished containing metal, for example, in a semiconductor integrated circuit (hereinafter referred to as “LSI”).
  • LSI semiconductor integrated circuit
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • contact plugs In the formation of contact plugs, tungsten is used as the embedding material and its interdiffusion barrier material. In forming the contact plug, a manufacturing method is used in which an extra portion other than the contact plug is removed by CMP. Also, in the formation of embedded wiring, recently, in order to improve the performance of LSIs, attempts have been made to use copper or copper alloys as metal wiring as a wiring material. Since copper or copper alloy is difficult to be finely processed by the dry etching method frequently used in the formation of conventional aluminum alloy wiring, a thin film of copper or copper alloy is formed on an insulating film in which grooves have been formed in advance.
  • a so-called damascene method is mainly employed in which the thin film other than the groove is deposited and buried, and the buried wiring is formed by removing the thin film by CMP.
  • the polishing composition for metals used in CMP it generally contains a polishing accelerator such as an acid and an oxidizing agent, and further contains abrasive grains as necessary. It has also been proposed to use a polishing composition further added with a metal anticorrosive to improve the flatness of the polished object after polishing.
  • Patent Document 2 discloses the use of a polishing composition containing aminoacetic acid and / or amidosulfuric acid, an oxidizing agent, benzotriazole, and water.
  • Patent Document 3 discloses a polishing composition containing abrasive grains, a specific additive, and water and having a surface tension regulated to a certain value or less.
  • the present invention provides a means capable of reducing step defects such as dishing while maintaining a high polishing rate in a polishing composition used for polishing a polishing object having a metal wiring layer. With the goal.
  • the polishing composition contains a metal anticorrosive agent, a complexing agent, a surfactant, and water, and after polishing the polishing object with the polishing composition, the solid surface of the surface of the polishing object
  • the polishing composition contains a metal anticorrosive agent, a complexing agent, a surfactant, and water, and after polishing the polishing object with the polishing composition, the solid surface of the surface of the polishing object
  • the above problem can be solved by setting the energy to 30 mN / m or less, and have completed the present invention.
  • the hydrophobic action acting between the polishing composition and the polishing object is provided.
  • the present invention has been completed based on the new knowledge that the above-mentioned problems can be solved by using it.
  • one embodiment of the present invention is a polishing composition used for polishing a polishing object having a metal wiring layer.
  • the polishing composition includes a metal anticorrosive, a complexing agent, a surfactant, and water, and the polishing target surface after the polishing target is polished with the polishing composition is solid. It is characterized in that the surface energy is 30 mN / m or less.
  • the present invention is a polishing composition for use in polishing an object to be polished having a metal wiring layer, comprising a metal anticorrosive, a complexing agent, a surfactant, and water,
  • This is a polishing composition having a solid surface energy of 30 mN / m or less after polishing the polishing object with the composition for polishing.
  • the polishing composition of the present invention is used, the detailed reason why the step defects can be reduced while maintaining the high polishing rate of the polishing object having the metal wiring layer is unknown, but the object to be polished after polishing is unknown.
  • the object to be polished after polishing is unknown.
  • the aqueous polishing composition is less likely to come into contact with the surface of the polishing object during polishing (reducing the affinity).
  • chemical etching and polishing of the polishing object are performed. It becomes easy to control the mechanical action by the grains.
  • the affinity between the polishing composition and the object to be polished is increased as in the prior art, a level difference occurs due to excessive chemical etching or mechanical action due to abrasive grains. It is considered that the mechanical action by chemical etching and abrasive grains can be reduced by reducing the affinity between the polishing object and the polishing object, and as a result, step defects such as dishing can be reduced while maintaining a high polishing rate.
  • the said mechanism is based on estimation and this invention is not limited to the said mechanism at all.
  • the semiconductor wiring process usually includes the following steps, but the present invention is not limited to the use of the following steps.
  • a barrier layer 13 and a metal wiring layer 14 are sequentially formed on an insulator layer 12 having a trench 11 provided on a base (not shown).
  • the barrier layer 13 Prior to the formation of the metal wiring layer 14, the barrier layer 13 is formed on the insulator layer 12 so as to cover the surface of the insulator layer 12. The thickness of the barrier layer 13 is thinner than the depth and width of the trench 11.
  • the metal wiring layer 14 is formed on the barrier layer 13 so that at least the trench 11 is filled.
  • the metal wiring layer 14 located outside the trench 11 and a portion of the barrier layer 13 located outside the trench 11 (outside portion of the barrier layer 13) are obtained by CMP. Remove.
  • CMP. Remove As a result, as shown in FIG. 1D, at least a part of the portion of the barrier layer 13 located in the trench 11 (inner portion of the barrier layer 13) and the metal wiring layer 14 located in the trench 11. At least a part of the portion (the inner portion of the metal wiring layer 14) remains on the insulator layer 12. That is, a part of the barrier layer 13 and a part of the metal wiring layer 14 remain inside the trench 11.
  • the portion of the metal wiring layer 14 remaining inside the trench 11 functions as a wiring.
  • the polishing composition of the present invention is used for polishing a polishing object having a metal wiring layer, and preferably for polishing a polishing object having a metal wiring layer and a barrier layer as described above.
  • the metal contained in the metal wiring layer is not particularly limited, and examples thereof include copper, aluminum, hafnium, cobalt, nickel, titanium, and tungsten. These metals may be contained in the metal wiring layer in the form of an alloy or a metal compound. Copper or copper alloy is preferable. These metals may be used alone or in combination of two or more.
  • the metal contained in the barrier layer is not particularly limited, and examples thereof include titanium, tantalum metal and noble metals such as ruthenium, silver, gold, palladium, platinum, rhodium, iridium and osmium. These metals and noble metals may be contained in the barrier layer in the form of an alloy or a metal compound, and may be used alone or in combination of two or more.
  • Metal anticorrosive By adding a metal anticorrosive to the polishing composition, it is possible to further suppress the formation of a dent on the side of the wiring in the polishing using the polishing composition. In addition, it is possible to further suppress the occurrence of step defects such as dishing on the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • the metal anticorrosive that can be used is not particularly limited, but is preferably a heterocyclic compound or a surfactant.
  • the number of heterocyclic rings in the heterocyclic compound is not particularly limited.
  • the heterocyclic compound may be a monocyclic compound or a polycyclic compound having a condensed ring.
  • These metal anticorrosives may be used alone or in combination of two or more.
  • a commercially available product or a synthetic product may be used as the metal anticorrosive.
  • isoindole compound indazole compound, purine compound, quinolidine compound, quinoline compound, isoquinoline compound, naphthyridine compound, phthalazine compound, quinoxaline compound, quinazoline compound, cinnoline compound, buteridine compound, thiazole compound, isothiazole compound, oxazole compound, iso Examples thereof include nitrogen-containing heterocyclic compounds such as oxazole compounds and furazane compounds.
  • More specific examples include pyrazole compounds such as 1H-pyrazole, 4-nitro-3-pyrazolecarboxylic acid, 3,5-pyrazolecarboxylic acid, 3-amino-5-phenylpyrazole, 5 -Amino-3-phenylpyrazole, 3,4,5-tribromopyrazole, 3-aminopyrazole, 3,5-dimethylpyrazole, 3,5-dimethyl-1-hydroxymethylpyrazole, 3-methylpyrazole, 1-methyl Pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 4-amino-pyrazolo [3,4-d] pyrimidine, allopurinol, 4-chloro-1H-pyrazolo [3,4-D] pyrimidine, 3,4-dihydroxy-6 -Methylpyrazolo (3,4-B) -pyridine, 6-methyl-1H-pyrazolo [3,4-b] pyridine 3-amine, and the like.
  • pyrazole compounds such as 1H-pyrazole, 4-
  • imidazole compounds include imidazole, 1-methylimidazole, 2-methylimidazole, 4-methylimidazole, 1,2-dimethylpyrazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-isopropylimidazole, benzimidazole, 5,6-dimethylbenzimidazole, 2-aminobenzimidazole, 2-chlorobenzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 2- (1-hydroxyethyl) benzimidazole, 2-hydroxybenzimidazole, 2-phenylbenzimidazole, 2 , 5-dimethylbenzimidazole, 5-methylbenzimidazole, 5-nitrobenzimidazole, 1H-purine and the like.
  • triazole compounds include, for example, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 1-methyl-1,2,4-triazole, methyl-1H-1,2,4-triazole-3 -Carboxylate, 1,2,4-triazole-3-carboxylic acid, methyl 1,2,4-triazole-3-carboxylate, 1H-1,2,4-triazole-3-thiol, 3,5-diamino -1H-1,2,4-triazole, 3-amino-1,2,4-triazole-5-thiol, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, 3-amino-5-benzyl-4H -1,2,4-triazole, 3-amino-5-methyl-4H-1,2,4-triazole, 3-nitro-1,2,4-triazole, 3-bromo-5-nitro-1,2 , 4-to Azole, 4- (1,2,4-triazol-1-yl) phenol, 4-amino-1,2,4-triazole,
  • tetrazole compounds include 1H-tetrazole, 5-methyltetrazole, 5-aminotetrazole, 5-phenyltetrazole, and the like.
  • indazole compounds include, for example, 1H-indazole, 5-amino-1H-indazole, 5-nitro-1H-indazole, 5-hydroxy-1H-indazole, 6-amino-1H-indazole, 6-nitro-1H -Indazole, 6-hydroxy-1H-indazole, 3-carboxy-5-methyl-1H-indazole and the like.
  • indole compounds include, for example, 1H-indole, 1-methyl-1H-indole, 2-methyl-1H-indole, 3-methyl-1H-indole, 4-methyl-1H-indole, 5-methyl-1H- Indole, 6-methyl-1H-indole, 7-methyl-1H-indole, 4-amino-1H-indole, 5-amino-1H-indole, 6-amino-1H-indole, 7-amino-1H-indole, 4-hydroxy-1H-indole, 5-hydroxy-1H-indole, 6-hydroxy-1H-indole, 7-hydroxy-1H-indole, 4-methoxy-1H-indole, 5-methoxy-1H-indole, 6- Methoxy-1H-indole, 7-methoxy-1H-indole, 4-chloro-1H Indole, 5-chloro-1H-indole, 6-chloro-1H Indo
  • heterocyclic compounds are triazole compounds, and in particular, 1H-benzotriazole, 5-methyl-1H-benzotriazole, 5,6-dimethyl-1H-benzotriazole, 1- [N, N-bis (hydroxy Ethyl) aminomethyl] -5-methylbenzotriazole, 1- [N, N-bis (hydroxyethyl) aminomethyl] -4-methylbenzotriazole, 1,2,3-triazole, and 1,2,4-triazole Is preferred. Since these heterocyclic compounds have high chemical or physical adsorptive power to the surface of the object to be polished, the affinity with the surface of the object to be polished can be further reduced and a strong protective film can be formed. This is advantageous in improving the flatness of the surface of the object to be polished after polishing using the polishing composition of the present invention.
  • the lower limit of the content of the metal anticorrosive in the polishing composition is preferably 0.001% by mass or more and more preferably 0.003% by mass or more with respect to 100% by mass of the total amount of the composition. Preferably, it is 0.005 mass% or more.
  • the upper limit of the content of the metal anticorrosive in the polishing composition is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and 0.1% by mass or less. More preferably it is. If it is such a range, the level
  • complexing agents examples include inorganic acids, organic acids, amino acids, nitrile compounds, and chelating agents.
  • the inorganic acid include sulfuric acid, nitric acid, boric acid, carbonic acid and the like.
  • organic acids include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4-methylpentanoic acid, n- Heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, malein Examples include acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid,
  • Organic sulfuric acids such as methanesulfonic acid, ethanesulfonic acid and isethionic acid can also be used.
  • a salt such as an alkali metal salt of an inorganic acid or an organic acid may be used instead of the inorganic acid or the organic acid or in combination with the inorganic acid or the organic acid.
  • amino acids include glycine, ⁇ -alanine, ⁇ -alanine, N-methylglycine, N, N-dimethylglycine, 2-aminobutyric acid, norvaline, valine, leucine, norleucine, isoleucine, phenylalanine, proline, sarcosine, Ornithine, lysine, taurine, serine, threonine, homoserine, tyrosine, bicine, tricine, 3,5-diiodo-tyrosine, ⁇ - (3,4-dihydroxyphenyl) -alanine, thyroxine, 4-hydroxy-proline, cysteine, methionine Ethionine, lanthionine, cystathionine, cystine, cysteic acid, aspartic acid, glutamic acid, S- (carboxymethyl) -cysteine, 4-aminobutyric acid, asparagine, glutamine, aza
  • nitrile compounds include acetonitrile, aminoacetonitrile, propionitrile, butyronitrile, isobutyronitrile, benzonitrile, glutaronitrile, methoxyacetonitrile, and the like.
  • chelating agents include nitrilotriacetic acid, diethylenetriaminepentaacetic acid, ethylenediaminetetraacetic acid, N, N, N-trimethylenephosphonic acid, ethylenediamine-N, N, N ′, N′-tetramethylenesulfonic acid, transcyclohexane Diamine tetraacetic acid, 1,2-diaminopropanetetraacetic acid, glycol ether diamine tetraacetic acid, ethylenediamine orthohydroxyphenylacetic acid, ethylenediamine disuccinic acid (SS form), N- (2-carboxylateethyl) -L-aspartic acid, ⁇ -Alanine diacetate, 2-phosphonobutane-1,2,4-tricarboxylic acid, 1-hydroxyethylidene-1,1-diphosphonic acid, N, N'-bis (2-hydroxybenzyl) ethylenediamine-N, N'-diace
  • the lower limit of the content of the complexing agent in the polishing composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more with respect to 100% by mass of the total amount of the composition.
  • the upper limit of the content of the complexing agent in the polishing composition from the viewpoint of reducing the possibility that the polishing object is easily excessively etched by adding the complexing agent (preventing excessive etching). Is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, and particularly preferably 1% by mass or less with respect to 100% by mass of the total amount of the composition.
  • the surfactant used may be any of an anionic surfactant, a cationic surfactant, an amphoteric surfactant and a nonionic surfactant, and among them, an anionic surfactant and Nonionic surfactants are preferred.
  • a plurality of types of surfactants may be used in combination, and it is particularly preferable to use a combination of an anionic surfactant and a nonionic surfactant.
  • the anionic surfactant preferably has a monooxyethylene group or a polyoxyethylene group.
  • anionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ether phosphoric acid, polyoxyethylene alkyl ether acetic acid, and polyoxyethylene alkyl ether sulfuric acid. That is, an anionic surfactant further having a phosphoric acid group, a carboxy group or a sulfo group can be used, and more specifically, polyoxyethylene alkyl ether acetic acid, polyoxyethylene alkyl ether sulfuric acid, alkyl ether sulfuric acid.
  • the anionic surfactant contained in the polishing composition has an alkyl group from the viewpoint of improving the water repellency of the polishing object and reducing the affinity between the polishing composition and the polishing object. More specifically, the carbon number of the alkyl group is more preferably 8 or more, and specifically, octyl sulfate, decyl sulfate, lauryl sulfate, octadecyl sulfate, octyl sulfonate.
  • Decyl sulfonate, lauryl sulfonate, octadecyl sulfonate, octyl acetate, decyl acetate, lauryl acetate, octadecyl acetate, octyl nitrate, decyl nitrate, lauryl nitrate, and octadecyl nitrate are more preferred.
  • these sulfates, sulfonates, acetates, or nitrates include lithium salts, sodium salts, potassium salts, magnesium salts, and calcium salts.
  • the number of carbon atoms of the alkyl group is not particularly limited, but is 4 to 30, for example, preferably 6 to 26. More preferably, it is 8-22, and more preferably 10-18. Since these preferable anionic surfactants have high chemical or physical adsorptive power to the surface of the object to be polished, the water repellency of the object to be polished is further increased and a stronger protective film is formed on the surface of the object to be polished. To form. This is advantageous in improving the flatness of the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • cationic surfactant examples include alkyl trimethyl ammonium salt, alkyl dimethyl ammonium salt, alkyl benzyl dimethyl ammonium salt, and alkyl amine salt.
  • amphoteric surfactants include alkyl betaines and alkyl amine oxides.
  • nonionic surfactants include, for example, polyoxyalkylene alkyl ethers such as polyoxyethylene alkyl ether, sorbitan fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene alkyl amines, and alkyl alkanols. Amides are mentioned. Of these, polyoxyalkylene alkyl ether is preferred. Since polyoxyalkylene alkyl ether has high chemical or physical adsorption force to the surface of the polishing object, it forms a stronger protective film on the surface of the polishing object. This is advantageous in improving the flatness of the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition.
  • polyoxyalkylene alkyl ethers such as polyoxyethylene alkyl ether, sorbitan fatty acid esters, glycerin fatty acid esters, polyoxyethylene fatty acid esters, polyoxyethylene alkyl amines, and alkyl alkanols. Amides are mentioned
  • the content of the surfactant in the polishing composition is preferably 0.001% by mass or more, more preferably 0.005% by mass or more, and still more preferably based on 100% by mass of the total amount of the composition. It is 0.01 mass% or more. As the content of the surfactant increases, there is an advantage that the flatness of the surface of the object to be polished after polishing with the polishing composition is improved.
  • the content of the surfactant in the polishing composition is also preferably 5.0% by mass or less, more preferably 2.5% by mass or less, and further preferably 1.0% by mass or less. As the surfactant content decreases, there is an advantage that the polishing rate of the polishing composition is improved.
  • the content of the anionic surfactant is preferably 0.001 to 5.0% by mass with respect to 100% by mass of the total amount of the composition. More preferably, the content is 0.005 to 2.5% by mass, and still more preferably 0.01 to 1.0% by mass.
  • the solid surface energy of the polishing object surface after polishing the polishing object with the polishing composition according to the present invention is 30 mN / m or less.
  • the solid surface energy is one of the indexes for evaluating the surface state of the solid, and the liquid dripped onto the solid surface wets the solid surface without becoming a droplet (the contact angle with the solid surface is 0 °).
  • the surface tension of the liquid becomes the solid surface energy of the solid. Specifically, a liquid having a known surface tension is dropped onto the solid surface, and the contact angle ( ⁇ ; theta) with the solid surface immediately after dropping is measured.
  • the solid surface energy of the polishing object surface after polishing the polishing object with the polishing composition according to the present invention is preferably 30 mN / m or less, and more preferably 28 mN / m or less. As the solid surface energy decreases, the affinity between the polishing composition and the polishing object decreases, and as a result, the flatness of the surface of the polishing object after polishing with the polishing composition is improved. is there.
  • the lower limit of the solid surface energy on the surface of the polishing object after polishing the object to be polished with the polishing composition according to the present invention is not particularly limited, but is preferably 2 mN / m or more, and preferably 10 mN / m or more. It is more preferable. As the solid surface energy increases, there is an advantage that the polishing rate by the polishing composition is improved.
  • the measurement of the solid surface energy on the surface of the polished object after polishing according to the present invention can be performed, for example, by the following procedure.
  • the contact angle of the droplet is measured using a commercially available contact angle meter.
  • An example of a commercially available contact angle meter for measuring the contact angle of a droplet is a contact angle meter “CA-DT” manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.
  • the adjustment of the solid surface energy of the polishing object surface after polishing according to the present invention can be adjusted by, for example, the type and content of the above-described metal anticorrosive and surfactant, and for example, the number of carbon atoms is 8
  • An anionic surfactant having at least one alkyl group can be used.
  • the pH of the polishing composition is not particularly limited. However, if the pH is 10.0 or less, more specifically 8.0 or less, the polishing composition can be easily handled. Moreover, if it is 4.0 or more, and if it says 6.0 or more, when the polishing composition contains an abrasive grain, the dispersibility of the said abrasive grain will improve.
  • a pH adjuster may be used to adjust the pH of the polishing composition to a desired value.
  • the pH adjuster to be used may be either acid or alkali, and may be any of inorganic and organic compounds.
  • an inorganic acid is used as the pH adjuster, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid and the like are particularly preferable from the viewpoint of improving the polishing rate.
  • an organic acid is used as the pH adjuster, glycolic acid, succinic acid, maleic acid, citric acid Tartaric acid, malic acid, gluconic acid and itaconic acid are preferred.
  • Bases that can be used as pH adjusters include amines such as aliphatic amines and aromatic amines, organic bases such as quaternary ammonium hydroxide, alkali metal hydroxides such as potassium hydroxide, and hydroxides of alkaline earth metals. Products, tetramethylammonium hydroxide, and ammonia. These pH regulators can be used alone or in combination of two or more.
  • the polishing composition of the present invention contains water as a dispersion medium or solvent for dispersing or dissolving each component. From the viewpoint of suppressing the inhibition of the action of other components, water containing as little impurities as possible is preferable. Specifically, after removing impurity ions with an ion exchange resin, pure water from which foreign matters are removed through a filter is used. Water, ultrapure water, or distilled water is preferred.
  • the polishing composition of the present invention may contain other grains such as abrasive grains, preservatives, fungicides, oxidizing agents, reducing agents, water-soluble polymers, organic solvents for dissolving poorly soluble organic substances, as necessary. Ingredients may further be included.
  • abrasive grains and the oxidizing agent which are other preferable components, will be described.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition have an action of mechanically polishing the object to be polished, and improve the polishing rate of the object to be polished by the polishing composition.
  • the abrasive used may be any of inorganic particles, organic particles, and organic-inorganic composite particles.
  • the inorganic particles include particles made of metal oxides such as silica, alumina, ceria, titania, silicon nitride particles, silicon carbide particles, and boron nitride particles.
  • Specific examples of the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • silica is preferable, and colloidal silica is particularly preferable.
  • Abrasive grains may be surface-modified. Since ordinary colloidal silica has a zeta potential value close to zero under acidic conditions, silica particles are not electrically repelled with each other under acidic conditions and are likely to agglomerate. On the other hand, abrasive grains whose surfaces are modified so that the zeta potential has a relatively large negative value even under acidic conditions are strongly repelled from each other and dispersed well even under acidic conditions, resulting in storage of the polishing composition. Stability will be improved. Such surface-modified abrasive grains can be obtained, for example, by mixing a metal such as aluminum, titanium or zirconium or an oxide thereof with the abrasive grains and doping the surface of the abrasive grains.
  • a metal such as aluminum, titanium or zirconium or an oxide thereof
  • colloidal silica having an organic acid immobilized thereon is particularly preferred.
  • the organic acid is immobilized on the surface of the colloidal silica contained in the polishing composition, for example, by chemically bonding a functional group of the organic acid to the surface of the colloidal silica. If the colloidal silica and the organic acid are simply allowed to coexist, the organic acid is not fixed to the colloidal silica.
  • sulfonic acid which is a kind of organic acid
  • colloidal silica see, for example, “Sulphonic acid-functionalized silica through quantative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003).
  • a silane coupling agent having a thiol group such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is coupled to colloidal silica and then oxidized with hydrogen peroxide to fix the sulfonic acid on the surface.
  • the colloidal silica thus obtained can be obtained.
  • carboxylic acid is immobilized on colloidal silica, for example, “Novel Silane Coupling Agents, Containing, Photo 28, 2-Nitrobenzyl Esther for Induction of the Carbonology 229 (2000).
  • colloidal silica having a carboxylic acid immobilized on the surface can be obtained by irradiating light after coupling a silane coupling agent containing a photoreactive 2-nitrobenzyl ester to colloidal silica. .
  • the lower limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, and further preferably 10 nm or more.
  • the upper limit of the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 500 nm or less, more preferably 100 nm or less, and further preferably 70 nm or less. Within such a range, the polishing rate of the polishing object with the polishing composition is improved, and step defects such as dishing occur on the surface of the polishing object after polishing with the polishing composition. Can be further suppressed.
  • the average primary particle diameter of an abrasive grain is calculated based on the specific surface area of the abrasive grain measured by BET method, for example.
  • the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 270 nm or less, and further preferably 250 nm or less. As the average secondary particle diameter of the abrasive grains decreases, it becomes easier to obtain a polished surface with less scratches by polishing the object to be polished using the polishing composition.
  • the value of the average secondary particle diameter of the abrasive grains can be measured by, for example, a laser light scattering method.
  • the average degree of association of the abrasive grains obtained by dividing the value of the average secondary particle diameter of the abrasive grains by the value of the average primary particle diameter is preferably 1.1 or more, more preferably 1.3 or more. .
  • the abrasive grains having a high average degree of association have a bowl shape or other irregular shape. As the average degree of association of the abrasive grains increases, the polishing rate of the object to be polished increases.
  • the average degree of association of the abrasive grains is also preferably 5 or less, more preferably 4.5 or less, and still more preferably 4 or less. As the average degree of association of the abrasive grains decreases, it becomes easier to obtain a polished surface with less scratches by polishing the object to be polished using the polishing composition.
  • the lower limit of the content of the abrasive grains in the polishing composition is preferably 0.005% by mass or more, more preferably 0.01% by mass or more, and 0.05% by mass or more. More preferably, it is most preferably 0.1% by mass or more.
  • the upper limit of the content of the abrasive grains in the polishing composition is preferably 50% by mass or less, more preferably 30% by mass, and further preferably 15% by mass or less. Within such a range, the polishing rate of the polishing object can be improved, and the cost of the polishing composition can be reduced, and dishing is performed on the surface of the polishing object after polishing using the polishing composition. It is possible to further suppress the occurrence of step defects such as.
  • the polishing composition according to this embodiment may contain an oxidizing agent as an optional component.
  • an oxidizing agent means a compound that can function as an oxidizing agent for a metal contained in an object to be polished. Therefore, the oxidizing agent can be selected according to the criterion of whether or not it has a redox potential sufficient to exhibit such a function.
  • the extension of the non-metallic oxidizer is not necessarily unambiguously defined, but as an example, for example, hydrogen peroxide, nitric acid, chlorous acid, hypochlorous acid, periodic acid, persulfate, Hydrogen oxide and its adducts such as urea hydrogen peroxide, peroxycarbonate, peroxydicarbonate, organic peroxides, benzoyl peroxide, peracetic acid, di-t-butyl peroxide, peroxomonosulfuric acid (H 2 SO 5 ), Peroxodisulfuric acid (H 2 S 2 O 8 ), sodium peroxide.
  • hydrogen peroxide hydrogen peroxide
  • nitric acid chlorous acid
  • hypochlorous acid periodic acid
  • persulfate Hydrogen oxide and its adducts
  • Hydrogen oxide and its adducts such as urea hydrogen peroxide, peroxycarbonate, peroxydicarbonate, organic peroxides, benzoyl peroxide, per
  • oxidizing agent examples include periodic acid, iodic acid, hypoiodic acid, iodic acid, perbromic acid, bromic acid, hypobromic acid, bromic acid, perchloric acid, chloric acid, perchloric acid.
  • examples include acids, perboric acid, and salts thereof.
  • the lower limit of the content of the oxidizing agent in the polishing composition is 0.1% by mass or more with respect to 100% by mass of the total amount of the composition. It is preferable that the content is 0.3% by mass or more. As the content of the oxidizing agent increases, the polishing rate for the object to be polished by the polishing composition tends to improve.
  • the upper limit of the content of the oxidizing agent in the polishing composition is 10% by mass or less with respect to 100% by mass of the total amount of the composition. It is preferably 5% by mass or less.
  • the material cost of the polishing composition can be suppressed, and the load of the treatment of the polishing composition after use for polishing, that is, the waste liquid treatment can be reduced. Moreover, the advantageous effect that excessive oxidation of the object to be polished by the oxidizing agent can be prevented is also obtained.
  • the method for producing the polishing composition of the present invention is not particularly limited, and can be obtained, for example, by stirring and mixing a metal anticorrosive agent, a complexing agent, a surfactant, and if necessary, other components in water. it can.
  • the temperature at the time of mixing each component is not particularly limited, but is preferably 10 to 40 ° C., and may be heated to increase the dissolution rate. Further, the mixing time is not particularly limited.
  • the polishing composition of the present invention is suitably used for polishing a polishing object having a metal wiring layer. Therefore, this invention provides the grinding
  • a polishing apparatus As a polishing apparatus, a general holder having a polishing surface plate on which a holder for holding a substrate having a polishing object and a motor capable of changing the number of rotations are attached and a polishing pad (polishing cloth) can be attached.
  • a polishing apparatus can be used.
  • polishing pad a general nonwoven fabric, polyurethane, porous fluororesin, or the like can be used without particular limitation. It is preferable that the polishing pad is grooved so that the polishing liquid accumulates.
  • the polishing conditions are not particularly limited.
  • the rotation speed of the polishing platen is preferably 10 to 500 rpm, and the pressure applied to the substrate having the object to be polished (polishing pressure) is preferably 0.5 to 10 psi.
  • the method for supplying the polishing composition to the polishing pad is not particularly limited, and, for example, a method of continuously supplying with a pump or the like (using pouring) is employed. Although the supply amount is not limited, it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing composition of the present invention.
  • the substrate manufactured according to the present invention is not particularly limited as long as it is a substrate used for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and is, for example, a metal substrate or a silicon substrate.
  • Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 and 2 As shown in Table 2, anionic surfactants (compounds for adjusting the solid surface energy of the surface of the polished object after polishing, “Compound” column in the table), complexing agents, oxidizing agents, metals The anti-corrosion agent, the nonionic surfactant, and the abrasive grains were stirred and mixed in water (mixing temperature: about 25 ° C., mixing time: about 10 minutes), and the polishing compositions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 and 2 were used. A product was prepared.
  • colloidal silica having an average secondary particle diameter of about 70 nm (average primary particle diameter 35 nm, association degree 2) (content with respect to 100% by mass of the total composition: 0.1% by mass) is used. It was.
  • 1H-benzotriazole content with respect to the total amount of the composition of 100% by mass: 0.03% by mass
  • nonionic surfactant polyoxyethylene alkyl ether (content with respect to 100% by mass of the total composition: 0.06% by mass) was used.
  • oxidizing agent hydrogen peroxide (content: 1% by mass with respect to 100% by mass of the total composition) was used.
  • complexing agent glycine (content: 1% by mass with respect to 100% by mass of the total composition) was used.
  • the pH of the composition was adjusted by adding potassium hydroxide (KOH) and confirmed with a pH meter.
  • the polishing rate when the surface of the copper blanket wafer was polished for 60 seconds under the polishing conditions shown in Table 1 below was measured using the polishing composition obtained.
  • the polishing rate was determined by dividing the difference in thickness of the copper blanket wafer before and after polishing measured by using a sheet resistance measuring instrument based on the DC 4 probe method by the polishing time.
  • the measurement of the solid surface energy on the surface of the polished object after polishing was performed according to the following procedure.
  • a liquid having a known surface tension at 25 ° C. is dropped on the surface of the polished object after polishing in an environment at a temperature of 25 ° C., and the contact angle of the formed droplet is measured using a commercially available contact angle meter (Kyowa Measurement was performed using a contact angle meter “CA-DT” manufactured by Interface Science Co., Ltd.
  • the surface of a copper pattern wafer (copper film thickness 700 nm before polishing, trench depth 300 nm) using the obtained polishing composition was subjected to the first polishing described in Table 1 below. Polishing was performed until the copper remaining film reached 250 nm under the conditions. Thereafter, the polished copper pattern wafer surface was polished using the same polishing composition until the barrier layer was exposed under the second polishing conditions described in Table 1 below. The first region in which the 9 ⁇ m-wide wiring and the 1 ⁇ m-wide insulating film are alternately arranged on the copper pattern wafer after the two-step polishing is performed, and the 0.25 ⁇ m-wide wiring and the 0.25 ⁇ m-wide insulating film are formed.
  • the dishing amount (dishing depth) was measured using an atomic force microscope. If the measured dishing amount is 70 nm or less in the case of the first region and 10 nm or less in the case of the second region, it is a practical level.
  • Table 2 below shows the measurement results of polishing speed, solid surface energy after polishing, and dishing.
  • the “contact angle” column indicates the contact angle of the upper row; water, middle row; glycerin, lower row; hexadecane.
  • the column “cos ⁇ ” indicates the value obtained by converting the contact angle of the upper stage; water, middle stage; glycerin, lower stage; hexadecane into cos ⁇ .
  • the “approximate expression” column shows a linear relational graph obtained by plotting the contact angle on the horizontal axis (x axis) and cos ⁇ on the vertical axis (y axis) (Zisman Plot).

Abstract

金属配線層（１４）を有する研磨対象物の研磨に適しており、高い研磨速度を維持したまま段差欠陥を低減できる研磨用組成物を提供する。金属配線層（１４）を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物であって、金属防食剤と、錯化剤と、界面活性剤と、水とを含み、前記研磨用組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下となる研磨用組成物。前記界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤であることが好ましい。

Description

研磨用組成物
　本発明は、研磨用組成物に関する。また、本発明は、当該研磨用組成物を用いた研磨方法および基板の製造方法に関する。
　本発明は、例えば、半導体集積回路（以下「ＬＳＩ」という。）における、金属を含む研磨対象物表面の研磨用組成物に関する。
　ＬＳＩの高集積化・高速化に伴って、新たな微細加工技術が開発されている。化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下「ＣＭＰ」という。）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に、多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、コンタクトプラグの形成、埋め込み配線の形成に適用されている。この技術は、例えば、特許文献１に開示されている。
　コンタクトプラグの形成においては、埋め込み材料およびその相互拡散バリアの材料等としてタングステンが用いられている。前記コンタクトプラグの形成においては、コンタクトプラグ以外の余分な部分をＣＭＰにより除去する製造方法が用いられている。また、埋め込み配線の形成においては、最近はＬＳＩを高性能化するために、配線材料となる金属配線として、銅または銅合金の利用が試みられている。銅または銅合金は、従来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困難である為、予め溝を形成してある絶縁膜上に、銅または銅合金の薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の前記薄膜を、ＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン法が主に採用されている。ＣＭＰに用いられる金属用の研磨用組成物では、酸などの研磨促進剤および酸化剤を含有し、さらに必要に応じて砥粒を含有することが一般的である。また、研磨後の研磨対象物の平坦性を改善するべく、金属防食剤をさらに添加した研磨用組成物を使用することも提案されている。例えば、特許文献２には、アミノ酢酸および／またはアミド硫酸、酸化剤、ベンゾトリアゾールおよび水を含有した研磨用組成物を使用することの開示がある。しかし、特許文献１や特許文献２に記載の組成物を用いてＣＭＰ法を実施した場合、高い研磨速度を達成する一方で、ディッシング（金属配線層が過剰に研磨される現象をいう。）等の段差が悪化するという点については、改良の余地がある。さらには、これらを解決するために、特許文献３には、砥粒と特定の添加剤と水とを含有し、表面張力を一定値以下に規定した研磨用組成物が開示されている。
特開昭６２－１０２５４３号公報 特開平８－８３７８０号公報 特開２０１１－１７１４４６号公報
　しかしながら、特許文献３に記載の研磨用組成物では、研磨用組成物自体の表面張力を低下させることで、研磨用組成物の研磨対象物に対する濡れ性（親和性）または均一性を向上させることで解決を見出していると思われるが、ディッシング等の段差という課題についてさらに改良の余地があることが判明した。
　そこで本発明は、金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物において、高い研磨速度を維持したままディッシング等の段差欠陥の低減を実現しうる手段を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を積み重ねた。その結果、研磨用組成物に金属防食剤と、錯化剤と、界面活性剤と、水とを含み、当該研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーを３０ｍＮ／ｍ以下にすることで上記課題が解決されうることを見出し、本発明を完成させるに至った。特に、特許文献３に開示のある、従来技術のような研磨用組成物の研磨対象物に対する親和性を向上させる技術とは異なり、研磨用組成物と研磨対象物との間に働く疎水作用を用いることで上記課題を解決できるという新たな知見に基づいて、本発明を完成するに至った。
　すなわち、本発明の一形態は、金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物である。そして、当該研磨用組成物は、金属防食剤と、錯化剤と、界面活性剤と、水とを含み、当該研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーを３０ｍＮ／ｍ以下にする点に特徴を有する。
本発明に係る研磨対象物の一例を示す断面概略図であり、１１はトレンチ、１２は絶縁体層、１３はバリア層、１４は金属配線層である。
　本発明は、金属配線層を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、金属防食剤と、錯化剤と、界面活性剤と、水とを含み、当該研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーを３０ｍＮ／ｍ以下となる、研磨用組成物である。このような構成とすることにより、高い研磨速度を維持したまま段差欠陥の低減が可能となる。
　本発明の研磨用組成物を用いることにより金属配線層を有する研磨対象物の高い研磨速度を維持したまま、段差欠陥の低減が可能となる詳細な理由は不明であるが、研磨後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーを一定の値以下に維持することにより、研磨中の研磨対象物表面の撥水性を維持できることになる。これは、研磨中に水性の研磨用組成物が研磨対象物表面に対して接液し難くなる（親和性を下げる）ことを意味しており、その結果として、研磨対象物に対するケミカルエッチングや砥粒によるメカニカル作用を制御し易くなる。
　例えば、従来技術のように研磨用組成物と研磨対象物間の親和性を上げた場合は、過剰なケミカルエッチングや砥粒によるメカニカル作用により段差が発生するが、本発明に基づき研磨用組成物と研磨対象物間の親和性を下げることで、ケミカルエッチングや砥粒によるメカニカル作用を低減でき、その結果、高い研磨速度を維持しつつディッシング等の段差欠陥を低減できると考えられる。なお、上記メカニズムは推測によるものであり、本発明は上記メカニズムに何ら限定されるものではない。
　［研磨対象物］
　まず、本発明に係る研磨対象物および半導体配線プロセスの一例を、図１に従って説明する。半導体配線プロセスは、通常、以下の工程を含むが、本発明は以下の工程の使用に限定されるものではない。
　図１（ａ）に示すように、基体（図示せず）上に設けられるトレンチ１１を有する絶縁体層１２の上に、バリア層１３および金属配線層１４を順次に形成する。バリア層１３は、金属配線層１４の形成に先立って、絶縁体層１２の表面を覆うように絶縁体層１２の上に形成される。バリア層１３の厚さはトレンチ１１の深さおよび幅よりも薄い。金属配線層１４は、バリア層１３の形成に引き続いて、少なくともトレンチ１１が埋まるようにバリア層１３の上に形成される。
　ＣＭＰにより、少なくとも金属配線層１４の外側部分およびバリア層１３の外側部分を除去する場合、まず、図１（ｂ）に示すように、金属配線層１４の外側部分の大半が除去される。次に、図１（ｃ）に示すように、バリア層１３の外側部分の上面を露出させるべく、金属配線層１４の外側部分の残部が除去される。
　その後、ＣＭＰにより、少なくともトレンチ１１の外に位置する金属配線層１４の部分（金属配線層１４の外側部分）およびトレンチ１１の外に位置するバリア層１３の部分（バリア層１３の外側部分）を除去する。その結果、図１（ｄ）に示すように、トレンチ１１の中に位置するバリア層１３の部分（バリア層１３の内側部分）の少なくとも一部およびトレンチ１１の中に位置する金属配線層１４の部分（金属配線層１４の内側部分）の少なくとも一部が絶縁体層１２の上に残る。すなわち、トレンチ１１の内側にバリア層１３の一部および金属配線層１４の一部が残る。こうして、トレンチ１１の内側に残った金属配線層１４の部分が、配線として機能することになる。
　本発明の研磨用組成物は、金属配線層を有する研磨対象物の研磨に、好ましくは、上記のような金属配線層およびバリア層を有する研磨対象物の研磨に使用されるものである。
　金属配線層に含まれる金属は特に制限されず、例えば、銅、アルミニウム、ハフニウム、コバルト、ニッケル、チタン、タングステン等が挙げられる。これらの金属は、合金または金属化合物の形態で金属配線層に含まれていてもよい。好ましくは銅、または銅合金である。これら金属は、単独でもまたは２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、バリア層に含まれる金属としても特に制限されず、例えば、チタン、タンタルの金属およびルテニウム、銀、金、パラジウム、白金、ロジウム、イリジウムおよびオスミウム等の貴金属が挙げられる。これら金属および貴金属は、合金または金属化合物の形態でバリア層に含まれていてもよく、単独でもまたは２種以上組み合わせて用いてもよい。
　次に、本発明の研磨用組成物の構成について、詳細に説明する。
　［金属防食剤］
　研磨用組成物中に金属防食剤を加えることにより、研磨用組成物を用いた研磨で配線の脇に凹みが生じるのをより抑えることができる。また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシング等の段差欠陥が生じるのをより抑えることができる。
　使用可能な金属防食剤は、特に制限されないが、好ましくは複素環式化合物または界面活性剤である。複素環式化合物中の複素環の員数は特に限定されない。また、複素環式化合物は、単環化合物であってもよいし、縮合環を有する多環化合物であってもよい。該金属防食剤は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、該金属防食剤は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　金属防食剤として使用可能な複素環化合物の具体例としては、例えば、ピロール化合物、ピラゾール化合物、イミダゾール化合物、トリアゾール化合物、テトラゾール化合物、ピリジン化合物、ピラジン化合物、ピリダジン化合物、ピリンジン化合物、インドリジン化合物、インドール化合物、イソインドール化合物、インダゾール化合物、プリン化合物、キノリジン化合物、キノリン化合物、イソキノリン化合物、ナフチリジン化合物、フタラジン化合物、キノキサリン化合物、キナゾリン化合物、シンノリン化合物、ブテリジン化合物、チアゾール化合物、イソチアゾール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、フラザン化合物等の含窒素複素環化合物が挙げられる。
　さらに具体的な例を挙げると、ピラゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ－ピラゾール、４－ニトロ－３－ピラゾールカルボン酸、３，５－ピラゾールカルボン酸、３－アミノ－５－フェニルピラゾール、５－アミノ－３－フェニルピラゾール、３，４，５－トリブロモピラゾール、３－アミノピラゾール、３，５－ジメチルピラゾール、３，５－ジメチル－１－ヒドロキシメチルピラゾール、３－メチルピラゾール、１－メチルピラゾール、３－アミノ－５－メチルピラゾール、４－アミノ－ピラゾロ［３，４－ｄ］ピリミジン、アロプリノール、４－クロロ－１Ｈ－ピラゾロ［３，４－Ｄ］ピリミジン、３，４－ジヒドロキシ－６－メチルピラゾロ（３，４－Ｂ）－ピリジン、６－メチル－１Ｈ－ピラゾロ［３，４－ｂ］ピリジン－３－アミン等が挙げられる。
　イミダゾール化合物の例としては、例えば、イミダゾール、１－メチルイミダゾール、２－メチルイミダゾール、４－メチルイミダゾール、１，２－ジメチルピラゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、２－イソプロピルイミダゾール、ベンゾイミダゾール、５，６－ジメチルベンゾイミダゾール、２－アミノベンゾイミダゾール、２－クロロベンゾイミダゾール、２－メチルベンゾイミダゾール、２－（１－ヒドロキシエチル）ベンズイミダゾール、２－ヒドロキシベンズイミダゾール、２－フェニルベンズイミダゾール、２，５－ジメチルベンズイミダゾール、５－メチルベンゾイミダゾール、５－ニトロベンズイミダゾール、１Ｈ－プリン等が挙げられる。
　トリアゾール化合物の例としては、例えば、１，２，３－トリアゾール、１，２，４－トリアゾール、１－メチル－１，２，４－トリアゾール、メチル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－カルボキシレート、１，２，４－トリアゾール－３－カルボン酸、１，２，４－トリアゾール－３－カルボン酸メチル、１Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－チオール、３，５－ジアミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール－５－チオール、３－アミノ－１Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－ベンジル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－アミノ－５－メチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、３－ニトロ－１，２，４－トリアゾール、３－ブロモ－５－ニトロ－１，２，４－トリアゾール、４－（１，２，４－トリアゾール－１－イル）フェノール、４－アミノ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジプロピル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジメチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、４－アミノ－３，５－ジペプチル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール、５－メチル－１，２，４－トリアゾール－３，４－ジアミン、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－ヒドロキシベンゾトリアゾール、１－アミノベンゾトリアゾール、１－カルボキシベンゾトリアゾール、５－クロロ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－ニトロ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－カルボキシ－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５，６－ジメチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－（１'，２'－ジカルボキシエチル）ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－５－メチルベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－４－メチルベンゾトリアゾール等が挙げられる。
　テトラゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ－テトラゾール、５－メチルテトラゾール、５－アミノテトラゾール、および５－フェニルテトラゾール等が挙げられる。
　インダゾール化合物の例としては、例えば、１Ｈ－インダゾール、５－アミノ－１Ｈ－インダゾール、５－ニトロ－１Ｈ－インダゾール、５－ヒドロキシ－１Ｈ－インダゾール、６－アミノ－１Ｈ－インダゾール、６－ニトロ－１Ｈ－インダゾール、６－ヒドロキシ－１Ｈ－インダゾール、３－カルボキシ－５－メチル－１Ｈ－インダゾール等が挙げられる。
　インドール化合物の例としては、例えば１Ｈ－インドール、１－メチル－１Ｈ－インドール、２－メチル－１Ｈ－インドール、３－メチル－１Ｈ－インドール、４－メチル－１Ｈ－インドール、５－メチル－１Ｈ－インドール、６－メチル－１Ｈ－インドール、７－メチル－１Ｈ－インドール、４－アミノ－１Ｈ－インドール、５－アミノ－１Ｈ－インドール、６－アミノ－１Ｈ－インドール、７－アミノ－１Ｈ－インドール、４－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、５－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、６－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、７－ヒドロキシ－１Ｈ－インドール、４－メトキシ－１Ｈ－インドール、５－メトキシ－１Ｈ－インドール、６－メトキシ－１Ｈ－インドール、７－メトキシ－１Ｈ－インドール、４－クロロ－１Ｈ－インドール、５－クロロ－１Ｈ－インドール、６－クロロ－１Ｈ－インドール、７－クロロ－１Ｈ－インドール、４－カルボキシ－１Ｈ－インドール、５－カルボキシ－１Ｈ－インドール、６－カルボキシ－１Ｈ－インドール、７－カルボキシ－１Ｈ－インドール、４－ニトロ－１Ｈ－インドール、５－ニトロ－１Ｈ－インドール、６－ニトロ－１Ｈ－インドール、７－ニトロ－１Ｈ－インドール、４－ニトリル－１Ｈ－インドール、５－ニトリル－１Ｈ－インドール、６－ニトリル－１Ｈ－インドール、７－ニトリル－１Ｈ－インドール、２，５－ジメチル－１Ｈ－インドール、１，２－ジメチル－１Ｈ－インドール、１，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、２，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、５－アミノ－２，３－ジメチル－１Ｈ－インドール、７－エチル－１Ｈ－インドール、５－（アミノメチル）インドール、２－メチル－５－アミノ－１Ｈ－インドール、３－ヒドロキシメチル－１Ｈ－インドール、６－イソプロピル－１Ｈ－インドール、５－クロロ－２－メチル－１Ｈ－インドール等が挙げられる。
　これらの中でも好ましい複素環化合物はトリアゾール化合物であり、特に、１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５－メチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、５，６－ジメチル－１Ｈ－ベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－５－メチルベンゾトリアゾール、１－［Ｎ，Ｎ－ビス（ヒドロキシエチル）アミノメチル］－４－メチルベンゾトリアゾール、１，２，３－トリアゾール、および１，２，４－トリアゾールが好ましい。これらの複素環化合物は、研磨対象物表面への化学的または物理的吸着力が高いため、研磨対象物表面との親和性をより低くし、且つ強固な保護膜を形成することができる。このことは、本発明の研磨用組成物を用いて研磨した後の、研磨対象物の表面の平坦性を向上させる上で有利である。
　研磨用組成物中の金属防食剤の含有量の下限は、組成物の全量１００質量％に対して、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．００３質量％以上であることがより好ましく、０．００５質量％以上であることがさらに好ましい。また、研磨用組成物中の金属防食剤の含有量の上限は、１．０質量％以下であることが好ましく、０．５質量％以下であることがより好ましく、０．１質量％以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の段差が低減し、また、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。
　［錯化剤］
　研磨用組成物中に錯化剤を加えることにより、錯化剤が有するエッチング作用により、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上するという有利な効果がある。
　錯化剤としては、例えば、無機酸、有機酸、アミノ酸、ニトリル化合物およびキレート剤などが用いられうる。無機酸の具体例としては、硫酸、硝酸、ホウ酸、炭酸などが挙げられる。有機酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２－メチル酪酸、ｎ－ヘキサン酸、３，３－ジメチル酪酸、２－エチル酪酸、４－メチルペンタン酸、ｎ－ヘプタン酸、２－メチルヘキサン酸、ｎ－オクタン酸、２－エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコール酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、乳酸などが挙げられる。メタンスルホン酸、エタンスルホン酸およびイセチオン酸などの有機硫酸も使用可能である。無機酸または有機酸の代わりにあるいは無機酸または有機酸と組み合わせて、無機酸または有機酸のアルカリ金属塩などの塩を用いてもよい。　　　
　　アミノ酸の具体例としては、グリシン、α－アラニン、β－アラニン、Ｎ－メチルグリシン、Ｎ，Ｎ－ジメチルグリシン、２－アミノ酪酸、ノルバリン、バリン、ロイシン、ノルロイシン、イソロイシン、フェニルアラニン、プロリン、サルコシン、オルニチン、リシン、タウリン、セリン、トレオニン、ホモセリン、チロシン、ビシン、トリシン、３，５－ジヨード－チロシン、β－（３，４－ジヒドロキシフェニル）－アラニン、チロキシン、４－ヒドロキシ－プロリン、システイン、メチオニン、エチオニン、ランチオニン、シスタチオニン、シスチン、システイン酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、Ｓ－（カルボキシメチル）－システイン、４－アミノ酪酸、アスパラギン、グルタミン、アザセリン、アルギニン、カナバニン、シトルリン、δ－ヒドロキシ－リシン、クレアチン、ヒスチジン、１－メチル－ヒスチジン、３－メチル－ヒスチジン、トリプトファンなどが挙げられる。中でもグリシン、アラニン、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、イセチオン酸またはそれらの塩が好ましい。
　ニトリル化合物の具体例としては、例えば、アセトニトリル、アミノアセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル、グルタロジニトリル、メトキシアセトニトリル等が挙げられる。
　キレート剤の具体例としては、ニトリロ三酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、エチレンジアミン四酢酸、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチレンホスホン酸、エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチレンスルホン酸、トランスシクロヘキサンジアミン四酢酸、１，２－ジアミノプロパン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、エチレンジアミンジ琥珀酸（ＳＳ体）、Ｎ－（２－カルボキシラートエチル）－Ｌ－アスパラギン酸、β－アラニンジ酢酸、２－ホスホノブタン－１，２，４－トリカルボン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、Ｎ，Ｎ’－ビス（２－ヒドロキシベンジル）エチレンジアミン－Ｎ，Ｎ’－ジ酢酸、１，２－ジヒドロキシベンゼン－４，６－ジスルホン酸等が挙げられる。
　研磨用組成物の錯化剤の含有量の下限は、組成物の全量１００質量％に対して、０．０１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上である。錯化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度が向上する。一方、錯化剤の添加によって研磨対象物が容易に過剰なエッチングを受けるという虞を低減させる（過剰なエッチングを防ぐ）という観点から、当該研磨用組成物における当該錯化剤の含有量の上限は、組成物の全量１００質量％に対して、１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは５質量％以下、特に好ましくは１質量％以下である。
　［界面活性剤］
　研磨用組成物中に界面活性剤を加えることにより、研磨用組成物を用いた研磨により形成される配線の脇に凹みがより生じにくくなるのに加え、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシングがより低減される利点がある。
　使用される界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤および非イオン性界面活性剤のいずれであってもよいが、中でも陰イオン性界面活性剤および非イオン性界面活性剤が好ましい。複数種類の界面活性剤を組み合わせて使用してもよく、特に陰イオン性界面活性剤と非イオン性界面活性剤を組み合わせて使用することが好ましい。
　陰イオン性界面活性剤の具体例としては、モノオキシエチレン基あるいはポリオキシエチレン基を有していることが好ましい。そのような陰イオン性界面活性剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸が挙げられる。すなわち、リン酸基、カルボキシ基又はスルホ基をさらに有する陰イオン性界面活性剤を使用することができ、より具体的には、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、アルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、アルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルリン酸エステル、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、およびそれらの塩が挙げられる。中でもポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、アルキルエーテル硫酸塩およびアルキルベンゼンスルホン酸塩が好ましい。さらには、研磨対象物の撥水性を向上させ、研磨用組成物と研磨対象物間の親和性を下げるという観点から、研磨用組成物中に含まれる陰イオン性界面活性剤はアルキル基を有することが好ましく、より具体的にはアルキル基の炭素数は８個以上であることがより好ましく、具体的には、オクチル硫酸塩、デシル硫酸塩、ラウリル硫酸塩、オクタデシル硫酸塩、オクチルスルホン酸塩、デシルスルホン酸塩、ラウリルスルホン酸塩、オクタデシルスルホン酸塩、オクチル酢酸塩、デシル酢酸塩、ラウリル酢酸塩、オクタデシル酢酸塩、オクチル硝酸塩、デシル硝酸塩、ラウリル硝酸塩、オクタデシル硝酸塩がより好ましい。これらの硫酸塩、スルホン酸塩、酢酸塩、または硝酸塩としては、例えばリチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、マグネシウム塩、カルシウム塩が例示できる。研磨用組成物中に含まれる前記陰イオン性界面活性剤がアルキル基を有する場合、アルキル基の炭素数は特に制限されるものではないが、例えば４～３０個であり、好ましくは６～２６個であり、より好ましくは８～２２個であり、さらに好ましくは１０～１８個である。これらの好ましい陰イオン性界面活性剤は、研磨対象物表面への化学的または物理的吸着力が高いために、研磨対象物の撥水性をより高め、且つより強固な保護膜を研磨対象物表面に形成する。このことは、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性を向上させるうえで有利である。
　陽イオン性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、およびアルキルアミン塩が挙げられる。
　両性界面活性剤の具体例としては、例えば、アルキルベタインおよびアルキルアミンオキシドが挙げられる。
　非イオン性界面活性剤の具体例としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、およびアルキルアルカノールアミドが挙げられる。中でもポリオキシアルキレンアルキルエーテルが好ましい。ポリオキシアルキレンアルキルエーテルは、研磨対象物表面への化学的または物理的吸着力が高いために、より強固な保護膜を研磨対象物表面に形成する。このことは、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性を向上させるうえで有利である。
　研磨用組成物中の界面活性剤の含有量は、組成物の全量１００質量％に対して、０．００１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上、さらに好ましくは０．０１質量％以上である。界面活性剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性が向上する利点がある。研磨用組成物中の界面活性剤の含有量はまた、５．０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは２．５質量％以下、さらに好ましくは１．０質量％以下である。界面活性剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物による研磨速度が向上する利点がある。
　界面活性剤として陰イオン性界面活性剤を用いる場合、陰イオン性界面活性剤の含有量は、組成物の全量１００質量％に対して、０．００１～５．０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．００５～２．５質量％、さらに好ましくは０．０１～１．０質量％である。
　［固体表面エネルギー］
　本発明に係る研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーは３０ｍＮ／ｍ以下となる。ここで、固体表面エネルギーとは、固体の表面状態を評価する指標の１つで、固体表面に滴下した液体が液滴にならずに固体表面を濡らす状態（固体表面との接触角が０°）になる液体の表面張力をその固体の固体表面エネルギーという。具体的には、表面張力が既知の液体を固体表面に滴下し、滴下直後の固体表面との接触角（θ；シータ）を測定する。次に、各種液体の表面張力を横軸（ｘ軸）、ｃｏｓθを縦軸（ｙ軸）にプロット（Ｚｉｓｍａｎ’ｓ　Ｐｌｏｔ）を行うと、直線関係のグラフが得られ、グラフよりθを０（ゼロ）に外挿したときの表面張力を求める。この外挿により求められる接触角（θ）が０（ゼロ）になるときの表面張力の値を当該固体の固体表面エネルギーという。
　本発明に係る研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーは３０ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、２８ｍＮ／ｍ以下であることがより好ましい。固体表面エネルギーが小さくなるにつれて、研磨用組成物と研磨対象物間の親和性が下がり、その結果、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面の平坦性が向上する利点がある。本発明に係る研磨用組成物で研磨対象物を研磨した後の当該研磨対象物表面の固体表面エネルギーの下限は特に限定されないが、２ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、１０ｍＮ／ｍ以上であることがより好ましい。固体表面エネルギーが大きくなるにつれて、研磨用組成物による研磨速度が向上する利点がある。
　本発明に係る研磨した後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーの測定は、例えば、以下の手順で行うことができる。先ず、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する。次に、研磨した後０．５時間以内に、温度２５℃の環境下で、上述のように研磨した研磨対象物表面上に、２５℃における表面張力が既知の液体を滴下し、形成された液滴の接触角を市販の接触角計を用いて測定する。具体的には、純水（２５℃における表面張力；７２．７５ｍＮ／ｍ）、グリセリン（同；６３．７ｍＮ／ｍ）、ヘキサデカン（同；２７．５ｍＮ／ｍ）等の液滴をそれぞれ５μＬ研磨対象物表面上に着滴させ、着滴から５秒後にその接触角を測定する。この様にして得た測定値をプロット（Ｚｉｓｍａｎ's　Ｐｌｏｔ）してグラフを作成し、グラフより接触角を０（ゼロ）に外挿して固体表面エネルギーを算出する。なお、液滴の接触角を測定する市販の接触角計としては、たとえば、協和界面科学（株）製の接触角計「ＣＡ－ＤＴ」等がある。なお、本発明に係る研磨後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーの調整は、例えば、前述の金属防食剤や界面活性剤の種類や含有量によって調整することが出来、例えば、炭素数が８個以上のアルキル基を有する陰イオン性界面活性剤を用いることができる。
　［研磨用組成物のｐＨ］
　研磨用組成物のｐＨは特に限定されない。ただし、１０．０以下、さらに言えば８．０以下のｐＨであれば、研磨用組成物の取り扱いは容易になる。また、４．０以上、さらに言えば６．０以上であれば、研磨用組成物が砥粒を含む場合に当該砥粒の分散性が向上する。
　研磨用組成物のｐＨを所望の値に調整するのにｐＨ調整剤を使用してもよい。使用するｐＨ調整剤は酸およびアルカリのいずれであってもよく、また無機および有機の化合物のいずれであってもよい。ｐＨ調整剤として無機酸を使用した場合、硫酸、硝酸、リン酸などが研磨速度向上の観点から特に好ましく、ｐＨ調整剤として有機酸を使用した場合、グリコール酸、コハク酸、マレイン酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルコン酸、およびイタコン酸などが好ましい。ｐＨ調整剤として使用できる塩基としては、脂肪族アミン、芳香族アミン等のアミン、水酸化第四アンモニウムなどの有機塩基、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物、アルカリ土類金属の水酸化物、水酸化テトラメチルアンモニウム、およびアンモニア等が挙げられる。これらｐＨ調節剤は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。
　［水］
　本発明の研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するための分散媒または溶媒として水を含む。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
　［他の成分］
　本発明の研磨用組成物は、必要に応じて、砥粒、防腐剤、防カビ剤、酸化剤、還元剤、水溶性高分子、難溶性の有機物を溶解するための有機溶媒等の他の成分をさらに含んでもよい。以下、好ましい他の成分である、砥粒および酸化剤について説明する。
　［砥粒］
　研磨用組成物中に含まれる砥粒は、研磨対象物を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度を向上させる。
　使用される砥粒は、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、例えば、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア等の金属酸化物からなる粒子、窒化ケイ素粒子、炭化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。該砥粒は、単独でもまたは２種以上混合して用いてもよい。また、該砥粒は、市販品を用いてもよいし合成品を用いてもよい。
　これら砥粒の中でも、シリカが好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。
　砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタンまたはジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
　なかでも、特に好ましいのは、有機酸を固定化したコロイダルシリカである。研磨用組成物中に含まれるコロイダルシリカの表面への有機酸の固定化は、例えばコロイダルシリカの表面に有機酸の官能基が化学的に結合することにより行われている。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Ｓｕｌｆｏｎｉｃ　ａｃｉｄ－ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌｉｚｅｄ　ｓｉｌｉｃａ　ｔｈｒｏｕｇｈ　ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ　ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｉｏｌ　ｇｒｏｕｐｓ",　Ｃｈｅｍ．　Ｃｏｍｍｕｎ．　２４６－２４７　（２００３）に記載の方法で行うことができる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、”Ｎｏｖｅｌ　Ｓｉｌａｎｅ　Ｃｏｕｐｌｉｎｇ　Ａｇｅｎｔｓ　Ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ　ａ　Ｐｈｏｔｏｌａｂｉｌｅ　２－Ｎｉｔｒｏｂｅｎｚｙｌ　Ｅｓｔｅｒ　ｆｏｒ　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ａ　Ｃａｒｂｏｘｙ　Ｇｒｏｕｐ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｓｕｒｆａｃｅ　ｏｆ　Ｓｉｌｉｃａ　Ｇｅｌ"，　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，　３，　２２８－２２９　（２０００）に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
　砥粒の平均一次粒子径の下限は、５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、砥粒の平均一次粒子径の上限は、５００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、７０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨用組成物による研磨対象物の研磨速度は向上し、また、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシング等の段差欠陥が生じるのをより抑えることができる。なお、砥粒の平均一次粒子径は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて算出される。
　また、砥粒の平均二次粒子径は３００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２７０ｎｍ以下、さらに好ましくは２５０ｎｍ以下である。砥粒の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。
　砥粒の平均二次粒子径の値を平均一次粒子径の値で除することにより得られる砥粒の平均会合度は１．１以上であることが好ましく、より好ましくは１．３以上である。平均会合度が高い砥粒は、繭形又はその他の異形の形状を有している。砥粒の平均会合度が高くなるにつれて、研磨対象物の研磨速度が向上する。砥粒の平均会合度はまた、５以下であることが好ましく、より好ましくは４．５以下、さらに好ましくは４以下である。砥粒の平均会合度が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量の下限は、０．００５質量％以上であることが好ましく、０．０１質量％以上であることがより好ましく、０．０５質量％以上であることがさらに好ましく、０．１質量％以上であることが最も好ましい。また、研磨用組成物中の砥粒の含有量の上限は、５０質量％以下であることが好ましく、３０質量％であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。このような範囲であれば、研磨対象物の研磨速度が向上し、また、研磨用組成物のコストを抑えることができ、研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物の表面にディッシング等の段差欠陥が生じるのをより抑えることができる。
　［酸化剤］
　本形態に係る研磨用組成物は、任意の成分として、酸化剤を含んでもよい。本明細書において酸化剤とは、研磨対象物に含まれる金属に対して酸化剤として機能することができる化合物を意味する。したがって、酸化剤は、かような機能を発揮するのに十分な酸化還元電位を有するものであるか否かという基準に従って選定されうる。このため、非金属酸化剤の外延は必ずしも一義的に明確に定まるものではないが、一例として、例えば、過酸化水素、硝酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、過ヨウ素酸、過硫酸塩、酸化水素及びその付加物、例えば尿素過酸化水素、パーオキシカーボネート、パーオキシジカーボネート、有機過酸化物、ベンゾイルパーオキサイド、過酢酸、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ペルオキソ一硫酸（Ｈ2ＳＯ5）、ペルオキソ二硫酸（Ｈ2Ｓ2Ｏ8）、過酸化ナトリウムが挙げられる。また、酸化剤の他の例としては、過ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、次ヨウ素酸、ヨウ素酸、過臭素酸、亜臭素酸、次臭素酸、臭素酸、過塩素酸、塩素酸、過塩素酸、過ホウ酸、及びそれぞれの塩などが挙げられる。
　本形態に係る研磨用組成物が酸化剤を含む場合、当該研磨用組成物における当該酸化剤の含有量の下限は、組成物の全量１００質量％に対して、０．１質量％以上であることが好ましく、より好ましくは０．３質量％以上である。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物による研磨対象物に対する研磨速度が向上する傾向にある。一方、本形態に係る研磨用組成物が酸化剤を含む場合、当該研磨用組成物における当該酸化剤の含有量の上限は、組成物の全量１００質量％に対して、１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは５質量％以下である。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。また、酸化剤による研磨対象物の過剰な酸化を防ぐことができるという有利な効果も得られる。
　［研磨用組成物の製造方法］
　本発明の研磨用組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、金属防食剤、錯化剤、界面活性剤、必要に応じて他の成分を、水中で攪拌混合することにより得ることができる。
　各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０～４０℃が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
　［研磨方法および基板の製造方法］
　上述のように、本発明の研磨用組成物は、金属配線層を有する研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、金属配線層を有する研磨対象物を本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法を提供する。また、本発明は、金属配線層を有する研磨対象物を前記研磨方法で研磨する工程を含む基板の製造方法を提供する。
　研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
　前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
　研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、０．５～１０ｐｓｉが好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法（掛け流し使用）が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
　研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、金属配線層およびバリア層を有する基板が得られる。本発明により製造される基板としては、半導体集積回路の製造に用いられる基板であれば特に制限されず、例えば、金属基板やシリコン基板である。
　本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。
　（実施例１～３、比較例１及び２）
　表２に示すような、陰イオン性界面活性剤（研磨後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーを調整するための化合物、表中の「化合物」の欄）、錯化剤、酸化剤、金属防食剤、非イオン性界面活性剤、および砥粒を水中で攪拌混合し（混合温度：約２５℃、混合時間：約１０分）、実施例１～３、比較例１及び２の研磨用組成物を調製した。この際、砥粒としては、約７０ｎｍの平均二次粒子径（平均一次粒子径３５ｎｍ、会合度２）のコロイダルシリカ（組成物の全量１００質量％に対する含有量：０．１質量％）を用いた。金属防食剤としては、１Ｈ－ベンゾトリアゾール（組成物の全量１００質量％に対する含有量：０．０３質量％）を用いた。非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル（組成物の全量１００質量％に対する含有量：０．０６質量％）を用いた。酸化剤としては、過酸化水素（組成物の全量１００質量％に対する含有量：１質量％）を用いた。また、錯化剤としては、グリシン（組成物の全量１００質量％に対する含有量：１質量％）を用いた。組成物のｐＨは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を加え調整し、ｐＨメータにより確認した。
　なお、表２に示す「化合物」欄において、「―」は当該化合物を含まないことを示す。表２の各「化合物」は、組成物の全量１００質量％に対して、それぞれ表中に示す含有量とした。
　研磨速度については、得られた研磨用組成物を用い、銅ブランケットウェハの表面を下記表１に示す研磨条件で６０秒間研磨した際の研磨速度を測定した。研磨速度は、直流４探針法を原理とするシート抵抗測定器を用いて測定される研磨前後の銅ブランケットウェハの厚みの差を、研磨時間で除することにより求めた。
　また、研磨後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーの測定は、以下の手順で行った。先ず、得られた研磨用組成物を用い、銅ブランケットウェハの表面を下記表１に示す研磨条件で６０秒間研磨した。次に、温度２５℃の環境下で、研磨後の研磨対象物表面上に、２５℃における表面張力が既知の液体を滴下し、形成された液滴の接触角を市販の接触角計（協和界面科学（株）製の接触角計「ＣＡ－ＤＴ」）を用いて測定した。なお、既知の液体としては、純水（２５℃における表面張力；７２．７５ｍＮ／ｍ）、グリセリン（同；６３．７ｍＮ／ｍ）、ヘキサデカン（同；２７．５ｍＮ／ｍ）を用い、液滴をそれぞれ５μＬ研磨対象物表面上に着滴させ、着滴から５秒後にその接触角を市販の接触角計を用いて測定した。得られた測定値をプロット（Ｚｉｓｍａｎ　Ｐｌｏｔ）してグラフを作成し、グラフより接触角を０（ゼロ）に外挿して固体表面エネルギーを算出した。
　また、段差欠陥としてのディッシングについては、得られた研磨用組成物を用いて銅パターンウェーハ（研磨前の銅膜厚７００ｎｍ、トレンチ深さ３００ｎｍ）の表面を、下記表１記載の第１の研磨条件で銅残膜が２５０ｎｍになるまで研磨した。その後、研磨後の銅パターンウェーハ表面を、同じ研磨用組成物を用いて、下記表１記載の第２の研磨条件でバリア層が露出するまで研磨した。こうして２段階の研磨が行われた後の銅パターンウェーハの９μｍ幅の配線と１μｍ幅の絶縁膜が交互に並んだ第１の領域および０．２５μｍ幅の配線と０．２５μｍ幅の絶縁膜が交互に並んだ第２の領域において、原子間力顕微鏡を用いてディッシング量（ディッシング深さ）を測定した。測定されるディッシング量の値が第１の領域の場合で７０ｎｍ以下、且つ、第２の領域の場合で１０ｎｍ以下であれば実用的なレベルである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　研磨速度、研磨後の固体表面エネルギーおよびディッシングの測定結果を下記表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表中「接触角」欄は、上段；水、中段；グリセリン、下段；ヘキサデカンの接触角を示す。表中「ｃｏｓθ」欄は、上段；水、中段；グリセリン、下段；ヘキサデカンの接触角をｃｏｓθに変換した値を示す。表中「近似式」欄は、接触角を横軸（ｘ軸）、ｃｏｓθを縦軸（ｙ軸）にプロット（Ｚｉｓｍａｎ　Ｐｌｏｔ）して得られた直線関係のグラフの式を示す。表中「固体表面エネルギー」欄は、θを０（ゼロ）に外挿したとき、つまりｃｏｓθ＝１となるときの値を、固体表面エネルギーとして示す。
　表２に示すように、実施例１～３の研磨用組成物を用いた場合には、本発明の条件を満たさない比較例１及び２の研磨用組成物に比べて、ディッシングおよび研磨速度において顕著に優れた効果を奏することが認められた。
　なお、本出願は、２０１２年１１月２日に出願された日本特許出願第２０１２－２４３１２６号に基づいており、その開示内容は、参照により全体として本開示に引用される。

Claims (6)

  1. 　金属配線層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物であって、
    　金属防食剤と、
    　錯化剤と、
    　界面活性剤と、
    　水と、
    を含み、前記研磨用組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後の研磨対象物表面の固体表面エネルギーが３０ｍＮ／ｍ以下となる、研磨用組成物。
  2. 　前記界面活性剤が陰イオン性界面活性剤である、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記陰イオン性界面活性剤が炭素数８個以上のアルキル基をもつ、請求項２に記載の研磨用組成物。
  4. 　さらに砥粒を含有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
  5. 　金属配線層を有する研磨対象物を請求項１～４のいずれか一項に記載の研磨用組成物で研磨する、研磨方法。
  6. 　金属配線層を有する研磨対象物を請求項５に記載の研磨方法で研磨する工程を含む、基板の製造方法。
PCT/JP2013/079267 2012-11-02 2013-10-29 研磨用組成物 WO2014069457A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SG11201502768UA SG11201502768UA (en) 2012-11-02 2013-10-29 Polishing composition
DE112013005264.4T DE112013005264T5 (de) 2012-11-02 2013-10-29 Polierzusammensetzung
CN201380057157.1A CN104755580A (zh) 2012-11-02 2013-10-29 研磨用组合物
JP2014544520A JPWO2014069457A1 (ja) 2012-11-02 2013-10-29 研磨用組成物
US14/440,208 US9486892B2 (en) 2012-11-02 2013-10-29 Polishing composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-243126 2012-11-02
JP2012243126 2012-11-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014069457A1 true WO2014069457A1 (ja) 2014-05-08

Family

ID=50627360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/079267 WO2014069457A1 (ja) 2012-11-02 2013-10-29 研磨用組成物

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9486892B2 (ja)
JP (1) JPWO2014069457A1 (ja)
KR (1) KR20150083085A (ja)
CN (1) CN104755580A (ja)
DE (1) DE112013005264T5 (ja)
SG (1) SG11201502768UA (ja)
TW (1) TW201422798A (ja)
WO (1) WO2014069457A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017022266A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
WO2018159530A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 研磨液、研磨液の製造方法、研磨液原液、研磨液原液収容体、化学的機械的研磨方法
CN109153886A (zh) * 2016-04-27 2019-01-04 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途
JP6780800B1 (ja) * 2020-04-09 2020-11-04 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP2020534680A (ja) * 2017-09-15 2020-11-26 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション ＴｉＮ−ＳｉＮ ＣＭＰ用途の高選択性のための窒化物抑制剤
US20210102093A1 (en) * 2015-08-12 2021-04-08 Basf Se Use of a chemical mechanical polishing (cmp) composition for polishing of cobalt comprising substrates

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012146970A (ja) * 2010-12-24 2012-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法
SG11201509209VA (en) * 2013-05-15 2015-12-30 Basf Se Chemical-mechanical polishing compositions comprising polyethylene imine
KR102456079B1 (ko) * 2014-12-24 2022-11-21 삼성디스플레이 주식회사 산화물 제거용 세정 조성물 및 이를 이용한 세정 방법
WO2017169808A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN106010297B (zh) * 2016-06-20 2018-07-31 上海新安纳电子科技有限公司 一种氧化铝抛光液的制备方法
JP6901297B2 (ja) * 2017-03-22 2021-07-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR102571098B1 (ko) * 2017-08-09 2023-08-24 가부시끼가이샤 레조낙 연마액 및 연마 방법
US10600655B2 (en) * 2017-08-10 2020-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for tungsten
KR102634300B1 (ko) * 2017-11-30 2024-02-07 솔브레인 주식회사 연마용 슬러리 조성물 및 고단차 반도체 박막의 연마 방법
US10763119B2 (en) 2018-12-19 2020-09-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
US10759970B2 (en) 2018-12-19 2020-09-01 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
CN110791254B (zh) * 2019-11-06 2022-02-11 浙江博莱特制冷设备有限公司 一种用于制冷压缩机的阀板研磨液
WO2022026355A1 (en) * 2020-07-28 2022-02-03 Cmc Materials, Inc. Cmp composition including anionic and cationic inhibitors
US11680186B2 (en) 2020-11-06 2023-06-20 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Polishing compositions and methods of using same
US20240101865A1 (en) * 2022-09-22 2024-03-28 Cmc Materials Llc Tungsten cmp composition including a sulfur containing anionic surfactant

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049709A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Toshiba Corp Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP2008041782A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4944836A (en) 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
JP3397501B2 (ja) 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
US6821309B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-23 University Of Florida Chemical-mechanical polishing slurry for polishing of copper or silver films
US20040077295A1 (en) * 2002-08-05 2004-04-22 Hellring Stuart D. Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
SG139699A1 (en) 2006-08-02 2008-02-29 Fujimi Inc Polishing composition and polishing process
JP5178121B2 (ja) * 2007-09-28 2013-04-10 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP5314329B2 (ja) * 2008-06-12 2013-10-16 富士フイルム株式会社 研磨液
JP2011171446A (ja) 2010-02-17 2011-09-01 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及びこれを用いた研磨方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006049709A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Toshiba Corp Ｃｍｐ用スラリー、研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP2008041782A (ja) * 2006-08-02 2008-02-21 Fujimi Inc 研磨用組成物及び研磨方法
WO2010098278A1 (ja) * 2009-02-24 2010-09-02 ニッタ・ハース株式会社 金属膜研磨用組成物

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017022266A (ja) * 2015-07-10 2017-01-26 日立化成株式会社 Ｃｍｐ用研磨液及び研磨方法
US20210102093A1 (en) * 2015-08-12 2021-04-08 Basf Se Use of a chemical mechanical polishing (cmp) composition for polishing of cobalt comprising substrates
CN109153886A (zh) * 2016-04-27 2019-01-04 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途
JP2019520697A (ja) * 2016-04-27 2019-07-18 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ コバルト及び／又はコバルト合金を含む基板の研磨のための化学機械研磨（ｃｍｐ）組成物の使用方法
CN109153886B (zh) * 2016-04-27 2021-12-21 巴斯夫欧洲公司 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途
US11264250B2 (en) 2016-04-27 2022-03-01 Basf Se Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition for polishing of cobalt and / or cobalt alloy comprising substrates
WO2018159530A1 (ja) * 2017-02-28 2018-09-07 富士フイルム株式会社 研磨液、研磨液の製造方法、研磨液原液、研磨液原液収容体、化学的機械的研磨方法
JPWO2018159530A1 (ja) * 2017-02-28 2020-01-16 富士フイルム株式会社 研磨液、研磨液の製造方法、研磨液原液、研磨液原液収容体、化学的機械的研磨方法
JP2020534680A (ja) * 2017-09-15 2020-11-26 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション ＴｉＮ−ＳｉＮ ＣＭＰ用途の高選択性のための窒化物抑制剤
JP7334148B2 (ja) 2017-09-15 2023-08-28 シーエムシー マテリアルズ リミティド ライアビリティ カンパニー ＴｉＮ－ＳｉＮ ＣＭＰ用途の高選択性のための窒化物抑制剤
JP6780800B1 (ja) * 2020-04-09 2020-11-04 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及び研磨装置
JP2021168324A (ja) * 2020-04-09 2021-10-21 信越半導体株式会社 ウェーハの研磨方法及び研磨装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150344738A1 (en) 2015-12-03
TW201422798A (zh) 2014-06-16
DE112013005264T5 (de) 2015-09-24
JPWO2014069457A1 (ja) 2016-09-08
US9486892B2 (en) 2016-11-08
CN104755580A (zh) 2015-07-01
KR20150083085A (ko) 2015-07-16
SG11201502768UA (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2014069457A1 (ja) 研磨用組成物
JP6113741B2 (ja) 研磨用組成物
TWI656203B (zh) Grinding composition
TWI609948B (zh) 硏磨用組成物
JP6029916B2 (ja) 研磨用組成物
US20180215952A1 (en) Polishing composition
JP2016056292A (ja) 研磨用組成物及びその製造方法、研磨方法、並びに基板及びその製造方法
JP2016069522A (ja) 組成物
JP6198740B2 (ja) 研磨用組成物
JP2014044982A (ja) 研磨用組成物
TWI729095B (zh) 用於具有包含金屬之層的研磨對象物之研磨的研磨用組成物
JP2014072336A (ja) 研磨用組成物
JP6243671B2 (ja) 研磨用組成物
JP6806765B2 (ja) 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨用組成物
JP2014060250A (ja) 研磨用組成物
WO2017169743A1 (ja) 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物
JP2015189965A (ja) 研磨用組成物
TW202138504A (zh) 研磨用組合物
JP2015018996A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13851735

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014544520

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157010713

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14440208

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112013005264

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120130052644

Country of ref document: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13851735

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1