TWI656203B - Grinding composition - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種研磨用組成物，其係於研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物之用途使用之研磨用組成物，其包含鈷溶解抑制劑、pH調整劑，且pH為不小於4且不大於12，前述鈷溶解抑制劑係由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基並且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種。依據本發明，提供在研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物時，可抑制含鈷元素之層溶解之研磨用組成物。

Description

研磨用組成物
本發明係關於研磨用組成物，尤其是關於含鈷元素之層之溶解抑制效果高之研磨用組成物。
近年來，隨著LSI(大型積體(Large Scale Integration))之高積體化、高性能化，已開發新的微細加工技術。化學機械研磨(Chemical Mechanical Polishing：以下簡寫成CMP)法亦為其一種，且為LSI製造步驟，尤其是多層配線形成步驟中之層間絕緣膜之平坦化、金屬栓柱之形成、埋入配線(鑲嵌配線)形成中頻繁被利用之技術。鑲嵌配線技術可簡化配線步驟，或提高良率及信賴性，認為爾後會擴大其應用。
CMP之一般方法係將研磨墊貼附於圓形之研磨壓盤(platen)上，以研磨劑浸漬研磨墊表面，且壓抵向基板之形成金屬膜之面，於自其背面施加特定壓力(以下亦簡稱為研磨壓力)之狀態下旋轉研磨壓盤，藉由研磨劑與金屬膜之凸部之機械摩擦，而去除凸部之金屬膜者。
不過，目前，作為鑲嵌配線基於低電阻故主要使用銅 作為配線金屬，認為銅亦會擴大使用於爾後以DRAM(動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory))為代表之記憶體用途。而且，於形成鑲嵌配線之導電性物質(銅或銅合金等)之下層上形成障壁層以防止導電性物質擴散於層間絕緣膜中。作為構成該障蔽層之材料，以往係使用鉭、鉭合金、或鉭化合物等(例如，日本特開2001-85372號公報及日本特開2001-139937號公報)。
近年來，隨著配線微細化之傾向，而引起難以以良好狀態進行銅之電鍍，且發生孔洞(局部中亦不存在任何物質之現象)之現象。
因此，為解決上述缺點，近年來已檢討藉由在障壁層與銅之間使用容易與銅融合之含鈷元素或鈷化合物之層而補足密著性。
鑲嵌配線技術一般係於設置溝槽之絕緣體層上形成障壁層、金屬配線層後，進行以CMP去除配線部分以外之多餘部分之配線材(金屬配線層)及障壁層之操作。
然而，近年來，如上述，已檢討使用含鈷原物之層之鑲嵌配線技術，藉由CMP研磨含鈷元素之層時，會發生容易使鈷溶解之問題。更詳言之，鑲嵌配線技術中，進行CMP以去除多餘部分之金屬配線層及障壁層時，會有含鈷元素之層溶解，而於表面產生坑洞或腐蝕之問題。據此，在進行CMP時若在含鈷元素之層上產生坑洞或腐 蝕，則有損及含鈷元素之層之功能之虞。
因此，研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物時，要求可抑制含鈷元素之層溶解之研磨用組成物。
因此，本發明之目的亦提供一種在研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物時，可抑制含鈷元素之層溶解之研磨用組成物。
欲解決上述課題，本發明者重複積極研究。結果，發現藉由使用包含選自特定有機化合物群之鈷溶解抑制劑、pH調整劑，且pH為不小於4且不大於12之研磨用組成物可解決上述課題。更詳言之，基於發現鈷溶解抑制劑使用由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基並且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種，可有效抑制鈷溶解之見解，因而完成本發明。
亦即，本發明係一種研磨用組成物，其係於研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物之用途中使用之研磨用組成物，其含有鈷溶解抑制劑、與pH調整劑，且pH為不小於4且不大於12，前述鈷溶解抑制劑係由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種。
本發明係一種研磨用組成物，其係於研磨具有含鈷元 素之層的研磨對象物之用途使用之研磨用組成物，其含有鈷溶解抑制劑、與pH調整劑，且pH為不小於4且不大於12，前述鈷溶解抑制劑係由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種之研磨用組成物。藉由成為該構成，可有效抑制含鈷元素之層的溶解。
構成障壁層之鈷由於一般在障壁層(及金屬配線層)之研磨條件下會溶解，故本發明者檢討各種化合物作為鈷溶解抑制劑。結果，驚人地發現於研磨用組成物中添加具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種時，可獲得優異之鈷的溶解抑制效果。其機制如以下之說明，但以下之機制為推測者，本發明並不受下述機制之任何限制。
構成障壁層之鈷一般在鈷層(及金屬配線層)之研磨條件之弱酸性~鹼性(大約pH為不小於4且不大於12之區域)時，研磨時容易因使用之水等而被氧化。結果，可思及表面經氧化之鈷在進行CMP時，變成容易溶解。
推測此時，層中所含之鈷最表面為以羥基(-OH)、氧原子(O)、或氧離子(O2-)等被覆之狀態。另一方面，本發明中使用之鈷溶解抑制劑由於具有醚鍵、羥基、及羧基之至少一種，故該等構造(官能基)對於位於鈷最表面之羥基、氧原子或氧離子等，因氫鍵而容易牢固地化學吸附。 因此，藉由使具有上述特定構造(官能基)之有機化合物對經氧化之鈷之最表面進行化學吸附，使該有機化合物扮演被覆層表面之被覆層(不動態膜)之角色。其結果，思及可有效抑制層之溶解、研磨。
然而，本發明者發現即使是具有羧基之有機化合物，仍無法使用作為鈷溶解抑制劑，而進行進一步檢討。其結果，得知判斷具有羧基之有機化合物中，若為分子量為不小於130者，則可有效地發揮作為鈷溶解抑制劑之功能。針對該點推測如下。
具有羧基等酸性基之有機化合物中，分子量小者一般有酸性度較高(pKa較小)之傾向。由於酸性度高的有機化合物在CMP中會使鈷溶解，故並無作為鈷溶解抑制劑之功能。因此，使用具有羧基之有機化合物作為鈷溶解抑制劑時，必須使用酸性度較低之化合物。此處，具有羧基等酸性基之有機化合物一般有隨著分子量變大其酸性度變低(pKa較大)之傾向。因此，藉由將具有羧基之有機化合物之分子量設為不小於130，而一面吸附於經氧化之鈷表面，一面因本身之酸性度而不使鈷溶解，故可獲得抑制鈷溶解之效果。
因此，由以上，依據本發明，提供一種研磨用組成物，其在研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物時，可抑制含鈷元素層之溶解。
針對本發明之研磨用組成物、使用其之研磨方法及基板之製造方法詳細說明於下。
[研磨對象物]
首先，說明本發明之研磨對象物及半導體配線製程之一例。半導體配線製程通常包含以下步驟。
首先，於基板上形成具有溝槽之絕緣體層。接著，依序於該絕緣體層上形成障壁層、含鈷元素之層、金屬配線層。又，本說明書中，所謂「含鈷元素」為表示層中含鈷元素之樣態者，層中之鈷可為單質體，亦可以鈷氧化物、鈷化合物、鈷合金之形態存在。
障壁層及含鈷元素之層係在形成金屬配線層之前，以被覆絕緣體層表面之方式形成於絕緣體層上。該等層之形成方法並無特別限制，可藉例如濺鍍法、鍍敷法等習知之方法形成。障壁層及含鈷元素之層之厚度小於溝槽深度及寬度。金屬配線層係接續形成障壁層及含鈷元素之層之後，以至少埋填溝槽方式形成於障壁層上。金屬配線層之形成方法並無特別限制，可藉例如濺鍍法、鍍敷法等習知方法形成。
接著，以CMP去除配線部分以外之多餘部分之金屬配線層、含鈷元素之層及障壁層。其結果，使位在溝槽中之障壁層之部分(障壁層之內側部分)之至少一部分、位在溝槽中之含鈷元素之層之部分(含鈷元素之層之內側部分)之至少一部分及位在溝槽中之金屬配線層之部分(金屬配線層之內側部分)之至少一部分殘留在絕緣體層上。亦即，於溝槽之內側殘留障壁層之一部分、含鈷元素之層之 一部分及金屬配線層之一部分。因此，殘留在溝槽內側之金屬配線層之部分發揮作為配線之功能。又，該等金屬配線層、含鈷元素之層、障壁層之藉由CMP之研磨方法之細節敘述於後。
障壁層亦可含其他金屬。該其他金屬之例列舉為例如鉭、鈦、鎢；金、銀、鉑、鈀、銠、釕、銥、鋨等貴金屬等。該等其他金屬可單獨使用亦可組合2種或以上使用。
金屬配線層中所含金屬並無特別限制，列舉為例如銅、鋁、鉿、鈷、鎳、鈦、鎢等。該等金屬亦可以合金或金屬化合物之形態含於金屬配線層中。較佳為銅或銅合金。該等金屬可單獨使用亦可組合2種或以上使用。
接著，針對本發明之研磨用組成物之構成加以詳述說明。
[鈷溶解抑制劑]
本發明之研磨用組成物含有鈷溶解抑制劑。鈷溶解抑制劑係如上述，目的係在進行CMP時，抑制鈷溶解而添加。本發明中，鈷溶解抑制劑係由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少1種。
又，本說明書中，所謂「有機化合物」係含有碳原子及氫原子之化合物之總稱，並無特別限制，可例示為例如脂肪族化合物及芳香族化合物。且，本說明書中所謂 「鹽」意指以使陽離子與陰離子進行電荷中和之形態生成之化合物。本發明中，鹽在研磨用組成物中可以一部分或全部解離之狀態存在，包含如此該鹽以解離之狀態存在時表述為「含有鹽」。此外，作為鈷溶解抑制劑之有機化合物亦可為具有由醚鍵、羥基、羧基選出之兩個或以上構造(官能基)者。惟，具有一個或以上之羧基之有機化合物即使包含醚鍵、羥基，仍歸類為具有羧基之化合物者。因此，例如為具有羥基及羧基兩者之化合物時，歸類為具有羧基之有機化合物。
鈷溶解抑制劑若為具有上述特定構造之(官能基)者，則可為低分子化合物，亦可為高分子化合物。又，本說明書中，所謂「低分子化合物」係指其分子量未達400之化合物。低分子化合物之分子量可基於化學式算出。又，所謂「高分子化合物」係指其分子量為不小於400者。高分子化合物之分子量之測定一般係藉凝膠滲透層析(GPC)法或光散射法測定，但本說明書中，分子量(重量平均分子量)係表示使用聚苯乙烯作為標準物質，使用四氫呋喃(THF)作為移動相，以GPC法測定之值。
本發明中之鈷溶解抑制劑係具有親水性基的醚鍵、羥基或羧基或該等之鹽，與具有含碳-碳鍵之有機骨架之疏水性基之有機化合物。據此，認為具有親水性基及疏水性基之有機化合物吸附於含鈷之層時，因疏水性相互作用，使親水性基配向於基板(含鈷之層)側、疏水性基如排列地配向於研磨液中，而形成分子膜。因此，如此疏水性基朝 向研磨液側之分子膜容易緊密排列，疏水性基愈大，則形成更密之分子膜，故推測在CMP所使用之研磨液中有作為牢固抗蝕膜之功能之傾向。因此，作為鈷溶解抑制劑之有機化合物之分子量雖無特別限制，但有愈大愈可發揮高的鈷溶解抑制效果之傾向。
具有醚鍵或羥基之有機化合物若為不含酸性基者，則不會使鈷溶解，或者即使使鈷溶解，亦為不特別成為問題之程度。分子量係影響有機化合物酸性度之要素之一，但上述具有醚鍵或羥基之有機化合物之分子量並無特別限制。使用不含酸性基，具有醚鍵或羥基之有機化合物作為鈷溶解抑制劑時，該有機化合物之分子量之下限雖無特別限制，但基於以疏水性基形成緊密分子膜之觀點，較佳不小於50，更佳不小於60，又更佳不小於100。且，如上述，分子量愈大愈佳，故其上限無特別限制，但實質上為不大於1000000。
此外，具有醚鍵或羥基之有機化合物，且含酸性基(惟，羧基除外)者由於有時會使鈷溶解，故基於降低酸性度，並抑制鈷之溶解之目的，其分子量較大者較佳。具體而言，雖與化合物中所含酸性基之種類有關，但該有機化合物之分子量之下限較佳不小於100，更佳不小於130，又更佳不小於150。且，其上限無特別限制，但實質上為不大於1000000。
又，本說明書中，只要無特別指明，則所謂「酸性基」係具有解離性質子之取代基，pKa不大於11。列舉為 例如，氧膦基(phosphinyl)、磷醯基(phosphoryl)、磺基、硼酸基等顯示酸性之基的酸基。
使用具有羧基之有機化合物作為鈷溶解抑制劑時，如上述，其分子量下限為不小於130。基於利用疏水性基形成密度高之分子膜之觀點，其分子量愈大愈佳，分子量下限較佳不小於140，更佳不小於150，又更佳不小於180，最佳不小於200。另一方面，分子量上限無特別限制，但實質上為不大於1000000。
又，上述分子量在有機化合物為鹽之形態時，係指上述特定構造(官能基)形成鹽前之有機化合物之分子量。
本發明之研磨用組成物中，作為鈷溶解抑制劑而較佳使用之有機化合物之具體例說明於下。
具有醚鍵之有機化合物並無特別限制，但列舉為例如二乙基醚、二丙基醚、第三丁基甲基醚、第三戊基乙基醚、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、呋喃、四氫呋喃、四氫甲基呋喃、二噁烷等脂肪族醚；甲氧基苯、乙氧基苯等芳香族醚；γ-丁內酯、γ-戊內酯、γ-己內酯、γ-庚內酯、γ-辛內酯、γ-壬內酯、δ-己內酯、δ-辛內酯、δ-壬內酯等內酯類；纖維素、普魯藍多糖(pullulan)、葡糖甘露聚糖、瓊脂糖、明膠、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐三硬脂酸酯等高分子化合物。其中，上述具有醚鍵之有機化合物較佳具有聚氧伸乙 基構造及/或聚氧伸丙基構造。具有該構造之有機化合物容易因氧原子及伸乙基鏈或伸丙基鏈而形成緊密的分子膜，抑制鈷溶解之效果高故較佳。因此，上述有機化合物中以聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單月桂酸酯等較佳。此外，基於水溶性高、研磨時容易操作之觀點，以呋喃、四氫呋喃、γ-壬內酯、普魯藍多糖等較佳。
此外，具有羥基之有機化合物以含羥基並且進而含醚鍵之構造較佳。亦即，前述鈷溶解抑制劑較佳為具有醚鍵同時具有羥基之有機化合物。具有醚鍵及羥基之構造之有機化合物由於可形成緊密之分子膜，故抑制鈷溶解之效果較高。該有機化合物列舉為纖維素、普魯藍多糖、葡糖甘露聚糖、瓊脂糖、明膠、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐三硬脂酸酯等。
具有羥基之有機化合物無特別限制，但列舉為例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、正戊醇、正己醇、正己醇、正辛醇、正壬醇、正十二醇、正十八醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、丁氧基乙醇、(2-乙氧基)-乙氧基乙醇等脂肪族醇；酚、α-萘酚、β-萘酚等芳香族醇；聚乙烯醇等醇系聚合物。其中，前述具有羥基之有機化合物以具有醇骨架或酚骨架較佳。具有該構造之化合 物由於抑制鈷溶解之效果高故較佳。因此，上述有機化合物中以正丙醇、異丙醇、正丁醇、酚、聚乙烯醇等較佳。該等有機化合物基於水溶性高、研磨時處理容易之觀點而言亦較佳。
具有羧基且分子量不小於130之有機化合物列舉為如辛酸、癸酸、月桂酸、肉荳蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、山萮酸、油酸、反式油酸(elaidic acid)、亞油酸、亞麻油酸、硬脂炔酸(stearolic acid)、松脂酸(樅酸(abietic acid)、長葉松酸(palustric acid)、異松脂酸等)飽和或不飽和脂肪酸(R1COOH；R1為碳原子數7~20之烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基或環炔基)；乙酸苯酯、桂皮酸、甲基桂皮酸、環烷酸等碳原子數7~20之芳香族羧酸；己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸等二元之飽和或不飽和脂肪酸(HOOC-R2-COOH；R2為碳原子數7~20之伸烷基、伸烯基、伸炔基、伸環烷基、伸環烯基或伸環炔基)；鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸等碳原子數8~21之二元芳香族羧酸等。其中，基於水溶性高、研磨時容易操作之觀點，以月桂酸、油酸、松脂酸(尤其是樅酸)較佳。
本發明之研磨用組成物中，可使用作為鈷溶解抑制劑之鹽係使有機化合物中所含之上述特定構造(官能基)，亦即，醚鍵、羥基、羧基成為鹽之化合物。亦即，列舉為源自具有上述特定構造(官能基)之化合物之陰離子，及與該陰離子成對之陽離子(抗衡離子)之組合。因此，作為該鹽可例示較佳者為例如鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽等一價金屬鹽；銨 鹽；醇銨鹽、烷基胺鹽等胺鹽。該等鹽中，更佳為月桂酸鉀鹽、月桂酸銨鹽、月桂酸三乙醇胺鹽。
上述有機化合物或其鹽可單獨使用或混合2種或以上使用。
由上述，本發明之研磨用組成物中作為鈷溶解抑制劑使用之化合物較佳為由呋喃、四氫呋喃、γ-壬內酯、普魯藍多糖、正丙醇、異丙醇、正丁醇、酚、聚乙烯醇、月桂酸、油酸、樅酸、月桂酸鉀、月桂酸銨、月桂酸三乙醇胺鹽及聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯所組成之群選出之至少1種。該等中，鈷溶解抑制劑較佳為由月桂酸、油酸、月桂酸鉀及月桂酸銨所組成之群選出之至少1種。
又，上述具體例中，雖已記載與列舉作為以下詳述之其他成分之化合物群重複者，但該化合物含於研磨用組成物中時，該化合物成為作為鈷溶解抑制劑而含有者。
上述化合物中，鈷溶解抑制劑基於對經氧化之鈷表面具有更容易吸附之傾向之理由，以具有羧基且分子量不小於130之有機化合物或其鹽較佳。
另外，分子構造上，基於使疏水性基在研磨溶液中配向而易於形成分子膜(藉由自我排列，而容易形成堅固的分子膜)之觀點，具有羧基且分子量不小於130之有機化合物係如上述，以具有羧基作為親水性基，同時具有成為疏水性基之有機骨架之構造較佳。另外，羧基與醚鍵之氧原子或羥基相較，對鈷表面特別容易吸附，故具有羧基之有機化合物可形成更堅固之分子膜。此時，利用羧基而吸 附於鈷表面之有機化合物由於形成如羧酸鈷(例如，月桂酸鈷)之不溶性鹽，故於鈷表面形成良好的不動態膜，可有效地防止鈷的溶解(腐蝕)。
本發明之研磨用組成物中之鈷溶解抑制劑之含量(濃度)只要為可充分被覆層中之經氧化之鈷表面之量即可，並無特別限制，即使極少量仍可發揮效果。鈷溶解抑制劑為低分子化合物(具體為分子量未達400)時，鈷溶解抑制劑之含量(濃度)之下限較佳不小於0.0001g/L，更佳不小於0.0005g/L，又更佳不小於0.001g/L。藉由設為不小於0.0001g/L，使鈷溶解抑制劑充分被覆層表面，而可充分發揮鈷溶解之抑制效果。且，本發明之研磨組成物中之鈷溶解抑制劑其量愈多則抑制鈷溶解之效果愈高，其含量(濃度)之上限並無特別限制。然而，抑制鈷溶解之效果高者，與其同時會有鈷之研磨速度降低之傾向。因此，基於經濟上之觀點、或不使鈷之研磨速度下降至必要以上之觀點，鈷溶解抑制劑之含量上限較佳不大於10g/L，更佳不大於5g/L，又更佳不大於0.5g/L。若為該範圍，則可更有效地獲得本發明之效果。又，使用兩種或以上之鈷溶解抑制劑時，較佳使該等鈷溶解抑制劑之總量落在上述範圍。
又，鈷溶解抑制劑為高分子化合物(具體為分子量不小於400)時，鈷溶解抑制劑含量(濃度)之下限亦無特別限制，即使極少量仍可發揮其效果，但較佳不小於0.001g/L，更佳不小於0.005g/L，又更佳不小於0.01g/L。藉由設為不小於0.001g/L，使鈷溶解抑制劑充分被覆層表 面，而可充分發揮鈷溶解之抑制效果。又，本發明之研磨用組成物中之鈷溶解抑制劑愈多則抑制鈷溶解之效果愈高，其含量(濃度)上限並無特別限制。然而，與上述同樣，基於經濟上之觀點、或不使鈷之研磨速度下降至必要以上之觀點，鈷溶解抑制劑為高分子化合物時，較佳不大於10g/L，更佳不大於5g/L，又更佳不大於0.5g/L。若為該範圍，則可更有效地獲得本發明之效果。又，使用兩種或以上之鈷溶解抑制劑時，該等鈷溶解抑制劑之總量較佳落在上述範圍。
再者，併用低分子化合物與高分子化合物作為鈷溶解抑制劑時，鈷溶解抑制劑之含量(濃度)較佳為使用上述高分子化合物時之較佳含量(濃度)。
本發明之研磨用組成物所含之鈷溶解抑制劑較佳具有下述特性。具體而言，以針對鈷溶解抑制劑評價腐蝕量時之電量未達35mC/cm2/min之化合物較佳。該電量係與鈷之溶解量成比例者，其值小則意指抑制了鈷之溶解。
因此，藉上述測定獲得之電量其值愈小則愈可抑制鈷之溶解之點而言係較佳，其上限較佳為不大於30mC/cm2/min，更佳不大於25mC/cm2/min，最佳不大於15mC/cm2/min。另一方面，該電量愈小，則顯示鈷之溶解受抑制，另一方面含鈷之層之研磨速度則降低。因此，上述電量較佳不小於0.01mC/cm2/min。藉由落在上述範圍，可抑制鈷之溶解，同時可獲得充分之鈷的研磨速度。又，上述電量之值係指以實施例中記載之方法測定之值。
[pH調整劑]
本發明之研磨用組成物之pH較佳不小於4且不大於12。pH未達4時，會有無法抑制鈷溶解之缺點。另一方面，若pH超過12，則有添加作為研磨劑之研磨粒溶解之缺點。又，本說明書中之「pH」係指在液溫(25℃)下使用堀場製作所製造之型號F-72之pH計測定之值。
為了更容易獲得前述鈷溶解抑制劑之效果，該pH之下限較佳不小於4.0，更佳不小於4.5，又更佳不小於5.0。且，為了充分發揮鈷溶解抑制劑之效果，該pH之上限較佳不大於12.0，更佳不大於11.0，又更佳不大於10.5。
前述pH可藉由適量添加pH調節劑加以調整。藉由添加pH調整劑，而調整研磨用組成物之pH，藉此可控制研磨對象物之研磨速度或研磨粒分散性等。該pH調整劑可單獨使用或混合2種或以上使用。另外，pH調整劑可為酸及鹼之任一種，且亦可為無機化合物及有機化合物之任一種。
酸之具體例列舉為例如硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次亞磷酸、亞磷酸及磷酸等無機酸；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正苯甲酸、乙醇酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸及乳酸等之羧酸(惟，係分子量未達130者)，以及甲烷磺酸、乙烷磺酸及羥乙磺酸等有機硫酸 等之有機酸等。
鹼之具體例列舉為氨、乙二胺及哌啶等之胺，以及四甲基銨及四乙基銨等之4級銨鹽、氫氧化鉀等鹼金屬之氫氧化物、鹼土類金屬之氫氧化物。該等pH調整劑可單獨使用或亦可混合2種或以上使用。
該等中，基於取得容易性等之觀點，pH調整劑較佳為由乙酸、硫酸、硝酸、四甲基銨、氫氧化鉀所組成之群選出之至少1種。
又，上述具體例中，雖記載與以下詳述之作為其他成分列舉之化合物群重複者，但研磨用組成物中含該化合物時，該化合物係作為pH調整劑含有者。
pH調整劑之含量並無特別限制，只要使用可實現期望之pH的量即可。又，本發明之鈷溶解抑制劑即使少量仍可充分發揮其效果，故即使使用通常會促進鈷溶解之有機酸(乙酸等)作為pH調整劑時，仍可充分發揮抑制鈷溶解之效果。
[其他成分]
本發明之研磨用組成物亦可視需要進一步含有水、研磨粒、防腐劑、防黴劑、氧化劑、還原劑、研磨促進劑、金屬防腐蝕劑、水溶性高分子、界面活性劑、用於使難溶性有機物溶解之有機溶劑等其他成分。以下，針對較佳之其他成分的水、研磨粒、氧化劑、研磨促進劑及金屬防腐蝕劑加以說明。
[水]
本發明之研磨用組成物較佳含有水作為用以使上述各成分分散或溶解之分散介質或溶劑。就抑制阻礙其他成分之作用之觀點而言，較佳為儘可能不含雜質之水，具體而言較佳為以離子交換樹脂去除雜質離子後，通過過濾器去除異物之純水或超純水、或蒸餾水。
[研磨粒]
本發明之研磨用組成物可含有研磨粒。研磨用組成物中所含之研磨粒具有對研磨對象物進行機械研磨之作用，且提高研磨用組成物對研磨對象物的研磨速率。
使用之研磨粒可為無機粒子、有機粒子及有機無機複合粒子之任一種。無機粒子之具體例列舉為例如由二氧化矽、氧化鋁、氧化鈰、氧化鈦等金屬氧化物所成之粒子，氮化矽粒子、碳化矽粒子、氮化硼粒子。有機粒子之具體例列舉為例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)粒子。該研磨粒可單獨使用或亦可混合2種或以上使用。且，該研磨粒可使用市售品亦可使用合成品。
該等研磨粒中以二氧化矽粒子較佳，最佳為膠體二氧化矽。
研磨粒亦可經表面修飾。通常之膠體二氧化矽由於在酸性條件下之Zeta電位值接近於零，故在酸性條件下二氧化矽粒子彼此間不會電排斥而容易引起凝聚。相對於 此，即使在酸性條件下具有Zeta電位較大之負值之經表面修飾之研磨粒，在酸性條件下相互間亦強烈排斥而良好分散之結果，提高了研磨用組成物之保存安定性。如此之表面修飾研磨粒可藉由例如使鋁、鈦或鋯等金屬或該等之氧化物與研磨粒混合而摻雜於研磨粒之表面而獲得。
其中，最佳為固定化有有機酸之膠體二氧化矽。有機酸對研磨用組成物中所含之膠體二氧化矽表面之固定化係藉由例如使有機酸之官能基化學鍵結於膠體二氧化矽表面而進行。僅單使膠體二氧化矽與有機酸共存，無法發揮有機酸對膠體二氧化矽之固定化。若使有機酸之一種的磺酸固定化於膠體二氧化矽上，則可藉例如”Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups",Chem.Commun.246-247(2003)中所記載之方法進行。具體而言，使3-巰丙基三甲氧基矽烷等之具有硫醇基之矽烷偶合劑偶合於膠體二氧化矽上後，以過氧化氫使硫醇基氧化，藉此可獲得磺酸固定化於表面之膠體二氧化矽。或者，若使羧酸固定化於膠體二氧化矽上，則可藉例如”Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”,Chemistry Letters,3,228-229(2000)中所記載之方法進行。具體而言，在將含有光反應性2-硝基苄酯之矽烷偶合劑偶合於膠體二氧化矽後，藉由光照射，可獲得使羧酸固定化於表面之膠體二氧化矽。另亦可如日本特開平4-214022號公報所揭示，使用添加鹼 性鋁鹽或鹼性鋯鹽而製造之陽離子性二氧化矽作為研磨粒。
研磨粒之平均一次粒徑之下限較佳不小於5nm，更佳不小於7nm，又更佳不小於10nm。且，研磨粒之平均一次粒徑之上限較佳不大於500nm，更佳不大於300nm，又更佳不大於150nm。若為該範圍，則研磨用組成物對研磨對象物之研磨速率獲得提高，且，可進一步抑制使用研磨用組成物研磨後之研磨對象物表面產生研磨傷痕(刮痕)。又，研磨粒之平均一次粒徑係採用基於以BET法測定之研磨粒之比表面積算出。
研磨用組成物中之研磨粒之含量下限相對於組成物之總量，較佳不小於0.001g/L，更佳不小於0.01g/L，又更佳不小於0.05g/L，最佳不小於0.1g/L。且，研磨用組成物中之研磨粒之含量上限較佳為不大於500g/L，更佳不大於300g/L，又更佳不大於100g/L。若在該範圍，則可提高研磨對象物之研磨速度，且抑制研磨用組成物之成本，可進一步抑制使用研磨用組成物研磨後之研磨對象物表面產生凹陷。
[氧化劑]
本發明之研磨用組成物可含有氧化劑。氧化劑具有使研磨對象物之表面氧化之作用，於將氧化劑添加於研磨用組成物時，具有提高研磨用組成物之研磨速度之優點。
可使用之氧化劑列舉為例如過氧化物。過氧化物之具 體例列舉為例如過氧化氫、過乙酸、過碳酸鹽、過氧化脲、過氯酸鹽、氯酸鹽、亞氯酸鹽、次氯酸鹽等鹵元素之含氧酸鹽、以及過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等過硫酸鹽。其中就研磨速度之觀點而言以過硫酸鹽及過氧化氫較佳，基於在水溶液中之安定性及對環境負荷之觀點而言最佳為過氧化氫。
研磨用組成物中之氧化劑含量較佳不小於0.1g/L，更佳不小於1g/L，又更佳不小於3g/L。隨著氧化劑之含量增多，有進一步提高研磨用組成物之研磨速度之優點。
研磨用組成物中之氧化劑含量較佳不大於200g/L，更佳不大於100g/L，又更佳不大於40g/L。隨著氧化劑之含量減少，除了可抑制研磨用組成物之材料成本以外，亦具有減輕研磨使用後之研磨用組成物之處理，亦即廢液處理之負荷之優點。另外，亦具有不易引起因氧化劑造成之研磨對象物表面過度氧化之優點。
[研磨促進劑]
本發明之研磨用組成物可含有研磨促進劑。研磨促進劑係於金屬基板表面錯合形成而鍵結，於金屬基板之表面形成不溶性之脆性膜，藉此發揮提高研磨用組成物對金屬基板之研磨速度之作用。此外，利用研磨促進劑具有之蝕刻作用，而有提高研磨組成物對金屬基板之研磨速度之有利效果。該研磨促進劑主要係為了研磨含鈷之研磨對象物而添加。
可使用之研磨促進劑之例列舉為例如無機酸或其鹽、有機酸或其鹽、腈化合物、胺基酸、氨、胺系化合物或其鹽及螯合劑等。該等研磨促進劑可單獨使用或亦可混合2種或以上使用。且，該研磨促進劑可使用市售品或亦可使用合成品。
無機酸之具體例列舉為例如鹽酸、硫酸、硝酸、碳酸、硼酸、四氟硼酸、次磷酸、亞磷酸、磷酸、焦磷酸等。
有機酸之具體例列舉為例如正庚酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、水楊酸等一元羧酸；戊二酸、葡糖酸、己二酸、庚二酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸等多元羧酸等之羧酸。此外，亦可使用甲烷磺酸、乙烷磺酸及羥乙基磺酸等磺酸。
又，上述例示之有機酸中之一元或多元羧酸由於分子量不小於130，故可兼作鈷溶解抑制劑與研磨促進劑之劑類使用。
研磨促進劑亦可使用前述無機酸或前述有機酸之鹽。尤其，使用弱酸與強鹼之鹽、強酸與弱鹼之鹽、或弱酸與弱鹼之鹽時，可期待pH之緩衝作用。該鹽之例列舉為例如氯化鉀、硫酸鈉、硝酸鉀、碳酸鉀、四氟硼酸鉀、焦磷酸鉀、草酸鉀、檸檬酸三鈉、(+)-酒石酸鉀、六氟磷酸鉀等。
腈化合物之具體例列舉為例如乙腈、胺基乙腈、丙腈、丁腈、異丁腈、苄腈、戊二腈、甲氧基乙腈等。
胺基酸之具體例列舉為白胺酸、正白胺酸、異白胺酸、苯基丙胺酸、鳥胺酸、離胺酸、牛磺酸(taurine)、絲胺酸、蘇胺酸(threonine)、酪胺酸、雙羥乙基甘胺酸(bicine)、三羥甲基甘胺酸(tricine)、3,5-二碘-酪胺酸、β-(3,4-二羥基苯基)-丙胺酸、甲狀腺素(thyroxin)、4-羥基-脯胺酸、甲硫胺酸、乙硫胺酸、羊毛硫胺酸(lanthionine)、胱胺硫醚(cystathionine)、胱胺酸(cystine)、磺基丙胺酸(cysteic acid)、天門冬胺酸、麩胺酸、S-(羧基甲基)-半胱胺酸、天冬醯胺(asparagine)、葡糖胺、偶氮絲胺酸(azaserine)、精胺酸、刀豆胺酸(canavanine)、瓜胺酸(citrulline)、δ-羥基-離胺酸、肌酸、組胺酸(histidine)、1-甲基-組胺酸、3-甲基-組胺酸及色胺酸(tryptophan)。
胺系化合物之具體例列舉為氫氧化銨、碳酸銨、碳酸氫銨、甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、乙二胺、六亞甲基二胺、哌啶‧六水合物、無水哌啶、1-(2-胺基乙基)哌啶、N-甲基哌啶、二伸乙基三胺、及氫氧化四甲基銨。
螯合劑之具體例列舉為硝基三乙酸、二伸乙基三胺五乙酸、乙二胺四乙酸、N,N,N-三亞甲基膦酸、乙二胺-N,N,N’,N’-四亞甲基磺酸、反式環己烷二胺四乙酸、1,2-二胺基丙烷四乙酸、乙醇醚二胺四乙酸、乙二胺鄰羥基苯基乙酸、乙二胺琥珀酸(SS體)、N-(2-羧酸乙酯)-L-天門冬胺酸、β-丙胺酸二乙酸、2-膦基丁烷-1,2,4-三羧酸、1-羥 基亞乙基-1,1-二膦酸、N,N’-雙(2-羥基苄基)乙二胺-N,N’-二乙酸、1,2-二羥基苯-4,6-二磺酸等。
該等中，基於提高研磨速度之觀點，較佳為選自由無機酸或其鹽、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、胺基酸或其鹽、氨或其鹽、胺系化合物或其鹽、及腈系化合物所組成之群之至少一種。
研磨用組成物中之研磨促進劑由於少量仍可發揮效果，故其含量下限並無特別限制，較佳不小於0.001g/L，更佳不小於0.01g/L，又更佳不小於1g/L。隨著研磨促進劑之含量增多，藉研磨用組成物對金屬基板之研磨速度提高。另一方面，本發明之研磨用組成物中之研磨促進劑之含量(濃度)上限較佳不大於100g/L，更佳不大於50g/L，又更佳不大於30g/L。若為該範圍，則可更有效獲得本發明之效果。
又，只要為不妨礙本發明效果之量，則亦可添加含羧基，且其分子量未達130之有機化合物作為研磨促進劑。該研磨促進劑列舉為例如甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、乳酸、乙醇酸、甘油酸、苯甲酸等一元羧酸；草酸、丙二酸、琥珀酸、馬來酸、富馬酸等多元羧酸；甘胺酸、α-丙胺酸、β-丙胺酸、N-甲基甘胺酸、N,N-二甲基甘胺酸、2-胺基丁酸、正纈胺酸、纈胺酸、脯胺酸、肌胺酸、高絲胺酸、半胱胺酸、4-胺基丁酸等胺基酸。
使用含羧基且其分子量未達130之有機化合物作為研磨促進劑時，其含量太多時，有使鈷溶解之虞。然而，本發明之鈷溶解抑制劑即使少量仍可充分發揮其效果，故即使使用該有機化合物作為研磨促進劑時，研磨促進劑含量之上限仍無特別限制。因此，使用該化合物作為研磨促進劑時，其含量上限無特別限制，但較佳不大於100g/L。另一方面，為了充分獲得研磨促進效果，其含量下限較佳不小於0.01g/L。
[金屬防腐蝕劑]
本發明之研磨用組成物可含有金屬防腐蝕劑。藉由於研磨用組成物中添加金屬防腐蝕劑，可進一步抑制因使用研磨用組成物研磨而在配線之側邊產生凹陷。且，可進一步抑制使用研磨用組成物研磨後在研磨對象物之表面產生凹陷。
可使用之金屬防腐蝕劑並無特別限制，但較佳為雜環式化合物或界面活性劑。雜環式化合物中之雜環之員數並無特別限制。且，雜環式化合物可為單環化合物，亦可為具有縮合環之多環化合物。該金屬防腐蝕劑可單獨使用或混合2種或以上使用。另外，該金屬防腐蝕劑可使用市售品，亦可使用合成品。
可作為金屬防腐蝕劑使用之雜環化合物之具體例列舉為例如吡咯化合物、吡唑化合物、咪唑化合物、三唑化合物、四唑化合物、吡啶化合物、哌啶化合物、嘧啶化合 物、吡嗪化合物、吲哚嗪(indolizine)化合物、吲哚化合物、異吲哚化合物、吲唑化合物、嘌呤化合物、喹嗪(quinolizine)化合物、喹啉化合物、異喹啉化合物、萘啶化合物、酞嗪化合物、喹喔啉化合物、喹唑啉化合物、噌啉化合物、喋啶化合物、噻唑化合物、異噻唑化合物、噁唑化合物、異噁唑化合物、呋咱化合物等含氮雜環化合物。
若進一步列舉具體例，則吡唑化合物之例列舉為例如1H-吡唑、4-硝基-3-吡唑羧酸、3,5-吡唑羧酸、3-胺基-5-苯基吡唑、5-胺基-3-苯基吡唑、3,4,5-三溴吡唑、3-胺基吡唑、3,5-二甲基吡唑、3,5-二甲基-1-羥基甲基吡唑、3-甲基吡唑、1-甲基吡唑、3-胺基-5-甲基吡唑、4-胺基-吡唑并[3,4-d]嘧啶、1,2-二甲基吡唑、4-氯-1H-吡唑并[3,4-D]嘧啶、3,4-二羥基-6-甲基吡唑并(3,4-B)吡啶、6-甲基-1H-吡唑并[3,4-b]吡啶-3-胺等。
咪唑化合物之例列舉為例如咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-異丙基咪唑、苯并咪唑、5,6-二甲基苯并咪唑、2-胺基苯并咪唑、2-氯苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-(1-羥基乙基)苯并咪唑、2-羥基苯并咪唑、2-苯基苯并咪唑、2,5-二甲基苯并咪唑、5-甲基苯并咪唑、5-硝基苯并咪唑等。
三唑化合物之例列舉為例如1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、1-甲基-1,2,4-三唑、甲基-1H-1,2,4-三唑-3-羧酸酯、1,2,4-三唑-3-羧酸、1,2,4-三唑-3-羧酸甲酯、1H-1,2,4-三 唑-3-硫醇、3,5-二胺基-1H-1,2,4-三唑、3-胺基-1,2,4-三唑-5-硫醇、3-胺基-1H-1,2,4-三唑、3-胺基-5-苄基-4H-1,2,4-三唑、3-胺基-5-甲基-4H-1,2,4-三唑、3-硝基-1,2,4-三唑、3-溴-5-硝基-1,2,4-三唑、4-(1,2,4-三唑-1-基)苯酚、4-胺基-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二丙基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二甲基-4H-1,2,4-三唑、4-胺基-3,5-二庚基-4H-1,2,4-三唑、5-甲基-1,2,4-三唑-3,4-二胺、1H-苯并三唑、1-羥基苯并三唑、1-胺基苯并三唑、1-羧基苯并三唑、5-氯-1H-苯并三唑、5-硝基-1H-苯并三唑、5-羧基-1H-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5,6-二甲基-1H-苯并三唑、1-(1’,2’-二羧基乙基)苯并三唑、1-[N,N-雙(羥基乙基)胺基甲基]苯并三唑、1-[N,N-雙(羥基乙基)胺基甲基]-5-甲基苯并三唑、1-[N,N-雙(羥基乙基)胺基甲基]-4-甲基苯并三唑等。
四唑化合物之例列舉為例如1H-四唑、5-甲基四唑、5-胺基四唑、及5-苯基四唑等。
吲唑化合物之例列舉為例如1H-吲唑、5-胺基-1H-吲唑、5-硝基-1H-吲唑、5-羥基-1H-吲唑、6-胺基-1H-吲唑、6-硝基-1H-吲唑、6-羥基-1H-吲唑、3-羧基-5-甲基-1H-吲唑等。
吲哚化合物之例列舉為1H-吲哚、1-甲基-1H-吲哚、2-甲基-1H-吲哚、3-甲基-1H-吲哚、4-甲基-1H-吲哚、5-甲基-1H-吲哚、6-甲基-1H-吲哚、7-甲基-1H-吲哚、4-胺基-1H-吲哚、5-胺基-1H-吲哚、6-胺基-1H-吲哚、7-胺基- 1H-吲哚、4-羥基-1H-吲哚、5-羥基-1H-吲哚、6-羥基-1H-吲哚、7-羥基-1H-吲哚、4-甲氧基-1H-吲哚、5-甲氧基-1H-吲哚、6-甲氧基-1H-吲哚、7-甲氧基-1H-吲哚、4-氯-1H-吲哚、5-氯-1H-吲哚、6-氯-1H-吲哚、7-氯-1H-吲哚、4-羧基-1H-吲哚、5-羧基-1H-吲哚、6-羧基-1H-吲哚、7-羧基-1H-吲哚、4-硝基-1H-吲哚、5-硝基-1H-吲哚、6-硝基-1H-吲哚、7-硝基-1H-吲哚、4-腈基-1H-吲哚、5-腈基-1H-吲哚、6-腈基-1H-吲哚、7-腈基-1H-吲哚、2,5-二甲基-1H-吲哚、1,2-二甲基-1H-吲哚、1,3-二甲基-1H-吲哚、2,3-二甲基-1H-吲哚、5-胺基-2,3-二甲基-1H-吲哚、7-乙基-1H-吲哚、5-(胺基甲基)吲哚、2-甲基-5-胺基-1H-吲哚、3-羥基甲基-1H-吲哚、6-異丙基-1H-吲哚、5-氯-2-甲基-1H-吲哚等。
該等中較佳之雜環化合物為三唑化合物，最佳為1H-苯并三唑、5-甲基-1H-苯并三唑、5,6-二甲基-1H-苯并三唑、1-[N,N-雙(羥基乙基)胺基甲基]-5-甲基苯并三唑、1-[N,N-雙(羥基乙基)胺基甲基]-4-甲基苯并三唑、1,2,3-三唑、及1,2,4-三唑。該等雜環化合物由於對研磨對象物表面之化學或物理之吸附力高，故可在研磨對象物之表面形成更堅固之保護膜。此在使用本發明之研磨用組成物研磨後對於提高研磨對象物之表面平坦性有利。
且，使用作為金屬防腐蝕劑之界面活性劑列舉為陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性界面活性劑及非離子性界面活性劑之任一種。
陰離子性界面活性劑之例列舉為聚氧伸乙基烷基醚乙酸、聚氧伸乙基烷基硫酸酯、烷基硫酸酯、聚氧伸乙基烷基醚硫酸、烷基醚硫酸、烷基苯磺酸、烷基磷酸酯、聚氧伸乙基烷基磷酸酯、聚氧伸乙基磺基琥珀酸、烷基磺基琥珀酸、烷基萘磺酸、烷基二苯基醚二磺酸、及該等之鹽等。
陽離子性界面活性劑之例列舉為例如烷基三甲基銨鹽、烷基二甲基銨鹽、烷基苄基二甲基銨鹽、及烷基胺鹽等。
兩性界面活性劑之例列舉為例如烷基甜菜鹼及烷基氧化胺等。
非離子性界面活性劑之例列舉為例如聚氧伸乙基烷基醚、聚氧伸烷基烷基醚、山梨糖醇酐脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚氧伸乙基脂肪酸酯、聚氧伸乙基烷基胺、及烷基烷醇醯胺等。
該等中較佳之界面活性劑為聚氧伸乙基烷基醚乙酸鹽、聚氧伸乙基烷基醚硫酸鹽、烷基醚硫酸鹽、及烷基苯磺酸鹽、及聚氧伸乙基烷基醚。該等界面活性劑由於對於研磨對象物表面之化學或物理性吸附力高，故可在研磨對性物表面形成更堅固之保護膜。此對於提高使用本發明之研磨用組成物研磨後之研磨對象物之表面之平坦性有利。
研磨用組成物中之金屬防腐蝕劑含量之下限較佳不小於0.001g/L，更佳不小於0.005g/L，又更佳不小於0.01g/L。此外，研磨用組成物中之金屬防腐蝕劑含量之上限 較佳不大於10g/L，更佳不大於5g/L，又更佳不大於3g/L。若為該範圍，則提高使用研磨用組成物研磨後之研磨對象物之表面平坦性，且提高利用研磨用組成物對研磨對象物之研磨速度。
[研磨用組成物之製造方法]
本發明之研磨用組成物之製造方法並無特別限制，例如可藉由在水中攪拌混合作為鈷溶解抑制劑之化合物、pH調整劑、及視需要之其他成分而獲得。
混合各成分時之溫度並無特別限制，較佳為10~40℃，亦可加熱以提高溶解速度。且，混合時間亦無特別限制。
[研磨方法及基板之製造方法]
如上述，本發明之研磨用組成物可一面抑制含鈷元素之層之溶解，一面研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物。因此，本發明之研磨用組成物適用於具有含鈷元素之層之研磨對象物之研磨。
因此，本發明提供一種研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物之方法，其係以本發明之研磨用組成物研磨含鈷元素之層之研磨方法。此外，本發明提供包含以本發明之研磨方法研磨具有含鈷元素之層之研磨對象物之步驟的基板之製造方法。
研磨裝置可使用安裝有保持具有研磨對象物之基板等 之載具與可改變轉數之馬達等，且具有可貼附研磨墊(研磨布)之研磨壓盤之一般研磨裝置。
前述研磨墊可無特別限制的使用一般之不織布、聚胺基甲酸酯及多孔質氟樹脂等。研磨墊較佳施以可使研磨液積存之溝槽加工。
研磨條件亦無特別限制，例如研磨壓盤之轉數較佳為10~500rpm，對具有研磨對象物之基板施加之壓力(研磨壓力)較佳為0.1~10psi。將研磨用組成物供給於研磨墊之方法亦無特別限制，例如可採用泵等連續供給之方法。其供給量並無限制，但較佳隨時以本發明之研磨用組成物覆蓋研磨墊表面。
研磨結束後，在水流中洗淨基板，以旋轉乾燥機等甩掉附著於基板上之水滴予以乾燥，而獲得具有含鈷之層之基板。
[實施例]
使用以下實施例及比較例更詳細說明本發明。但，本發明之技術範圍並非僅限制於以下實施例。
(實施例1~15、比較例1~10：研磨用組成物之調製)
使作為研磨粒之膠體二氧化矽(約65nm之平均二次粒徑(平均一次粒徑30nm，會合度2)5g/L、作為氧化劑之過氧化氫22g/L、作為研磨促進劑之羥乙基磺酸20g/L、及下述表1-1~1-2所示之鈷溶解抑制劑以成為各表1-1~1-2 中所記載之濃度之方式，在水中攪拌混合(混合溫度：約25℃，混合時間：約10分鐘)，且使用乙酸與氫氧化鉀作為pH調整劑，將pH調整成7.5獲得研磨用組成物。所得研磨用組成物之pH係以pH計在25℃確認。又，針對鈷溶解抑制劑之分子量，分子量未達400之低分子化合物係基於化學式算出，分子量不小於400之高分子化合物之分子量(重量平均分子量)係以聚苯乙烯作為標準物質利用GPC(凝膠滲透層析)測定。
(評價) 1. 電量之測定
使用Solarton公司製之恆電位器(potentiostat)(型號1280Z)，以下述條件針對電量進行評價。此時，作用極係使用以PVD成膜之Co覆膜晶圓，且對極係使用Pt板，參考電極係使用Ag/AgCl電極。測定腐蝕電位時之電解條件係藉由在浸漬電位±1.0V之範圍內，以5mV/sec之掃描速度操作電壓獲得之Terfel曲線求出腐蝕電位。且，表示腐蝕量之電量測定中，將參考電極之電位為基準，測定對作用極施加成為+1.12-0.059×pH之電壓時之電流時間曲線，由其曲線之積分值求出電量。
又，電量評價時係與上述之研磨用組成物不同，使用添加羥基乙烷磺酸20g/L及10mM之下述表1-1~1-2所示之鈷溶解抑制劑作為研磨促進劑，使用乙酸與氫氧化鉀作為pH調整劑，將pH調整成7.5之組成物。
2. 鈷之溶解性評價(藉由目視及光學顯微鏡之表面觀察)
首先，藉由PVD法對Si晶圓成膜鈷膜，準備覆膜Si晶圓。此時，膜厚為200nm。將該覆膜Si晶圓在室溫(25℃)下浸漬於評價溶液(上述實施例或比較例所得之研磨用組成物)中5分鐘，且以目視及光學顯微鏡對該晶圓進行表面觀察而評價。又，藉由光學顯微鏡進行之觀察，係將光學顯微鏡之倍率設為5倍，觀察晶圓表面。
藉由以下基準進行腐蝕速率之評價，其結果記載於表1-1~表1-2。
‧以目視評價之評價
×：以目視觀察到因Co溶解造成Co膜消失或凹坑或因化學品造成之燒蝕為代表之腐蝕；○：以目視未觀察到Co之凹坑或因化學品造成之燒蝕為代表之腐蝕。
‧以光學顯微鏡之評價
等級1：光學顯微鏡像之不小於75%之面積溶解或腐蝕；等級2：光學顯微鏡像之不小於10%且未達75%之面積溶解或腐蝕；等級3：光學顯微鏡像之不小於1%且未達10%之面積溶解或腐蝕； 等級4：光學顯微鏡像之不小於0.05%且未達1%之面積溶解或腐蝕；等級5：在光學顯微鏡像觀察中未確認有腐蝕。
又，上述評價中，等級4以上時，可謂為實用範圍。
3. 研磨速度之測定
以下述條件進行研磨，評價研磨速度。
‧研磨條件
研磨機：200mm用單面CMP研磨機
研磨墊：聚胺基甲酸酯製研磨墊(Shore A61)
壓力：2.0psi(13.8kPa)
壓盤轉數：127rpm
載盤轉數：122rpm
研磨用組成物之流量：200ml/min
研磨時間：1分鐘
研磨速度係藉以下之式計算；
研磨速度[nm/min]=1分鐘研磨時之膜厚變化量
膜厚測定器：以直流4探針法為原理之薄片電阻測定器
結果示於表1-1~1-2。
如上述1-1~表1-2所示，本發明之研磨用組成物(實施例1~15)相較於比較例之研磨用組成物，藉電化學測定獲得之電量較小，故表示抑制了含鈷之層(障壁層)之溶解。且，由使用實施例及比較例之研磨用組成物進行研磨之研磨對象物藉光學顯微鏡觀察獲得之腐蝕評價結果，上述電量較小(上述電量未達35mC/cm2/min)者顯示鈷之溶解受抑制，且抑制凹坑或腐蝕之發生。進而，亦顯示含鈷之層之溶解於使用含羧基之有機化合物及其鹽作為鈷溶解抑制劑時特別受到抑制。
此外，本申請案係基於2014年2月26日申請之日本專利申請號2014-035798號，其揭示內容全文併入供參考。

Claims (10)

  1. 一種研磨用組成物，其係於研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物之用途使用之研磨用組成物，其含有鈷溶解抑制劑、與pH調整劑，且pH為不小於4且不大於12，前述鈷溶解抑制劑係由具有醚鍵之有機化合物、具有羥基之有機化合物、具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物、及該等之鹽所組成之群選出之至少一種，前述具有醚鍵之有機化合物係由二乙基醚、二丙基醚、第三丁基甲基醚、第三戊基乙基醚、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、呋喃、四氫呋喃、四氫甲基呋喃、二噁烷、甲氧基苯、乙氧基苯、內酯類、普魯藍多糖(pullulan)、葡糖甘露聚糖、瓊脂糖、明膠、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單月桂酸酯、及聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐三硬脂酸酯所組成之群選出之至少一種，前述具有羥基之有機化合物係由甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、正戊醇、正己醇、正辛醇、正壬醇、正十二醇、正十八醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、丁氧基乙醇、(2-乙氧基)-乙氧基乙醇、及芳香族醇所組成之群選出之至少一種，前述具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物係 由R1COOH(R1為碳原子數7~20之烷基、烯基、炔基、環烷基、環烯基或環炔基)所表示之化合物、乙酸苯酯、桂皮酸、甲基桂皮酸、及環烷酸所組成之群選出之至少一種。
  2. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述具有醚鍵之有機化合物具有聚氧伸乙基構造。
  3. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述具有羥基之有機化合物係具有醇骨架或酚骨架。
  4. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述鈷溶解抑制劑係具有醚鍵且具有羥基之有機化合物。
  5. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述具有醚鍵之有機化合物係由二乙基醚、二丙基醚、第三丁基甲基醚、第三戊基乙基醚、二甲氧基乙烷、二乙氧基乙烷、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、呋喃、四氫呋喃、四氫甲基呋喃、二噁烷、甲氧基苯、乙氧基苯、γ-丁內酯、γ-戊內酯、γ-己內酯、γ-庚內酯、γ-辛內酯、γ-壬內酯、δ-己內酯、δ-辛內酯、δ-壬內酯、普魯藍多糖(pullulan)、葡糖甘露聚糖、瓊脂糖、明膠、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單油酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單硬脂酸酯、聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐單月桂酸酯、及聚氧伸乙基(20)山梨糖醇酐三硬脂酸酯所組成之群選出之至少一種。
  6. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述具有羥基之有機化合物係由甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、正丁醇、第三丁醇、正戊醇、正己醇、正辛醇、正壬醇、正十 二醇、正十八醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、丁氧基乙醇、(2-乙氧基)-乙氧基乙醇、酚、α-萘酚、及β-萘酚所組成之群選出之至少一種。
  7. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述具有羧基且分子量為不小於130之有機化合物係由辛酸、癸酸、月桂酸、肉荳蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、山萮酸、油酸、反式油酸(elaidic acid)、亞油酸、亞麻油酸、硬脂炔酸(stearolic acid)、松脂酸、乙酸苯酯、桂皮酸、甲基桂皮酸、及環烷酸所組成之群選出之至少一種。
  8. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述鈷溶解抑制劑係由呋喃、四氫呋喃、γ-壬內酯、普魯藍多糖、正丙醇、異丙醇、正丁醇、酚、月桂酸、油酸、樅酸、月桂酸鉀、月桂酸銨、及月桂酸三乙醇胺鹽所組成之群選出之至少一種。
  9. 一種研磨方法，其係研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物之方法，其係以如請求項1~8中任一項之研磨用組成物研磨前述含鈷元素之層。
  10. 一種基板之製造方法，其包含以如請求項9之研磨方法研磨具有含鈷元素之層的研磨對象物之步驟。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6379764B2 (ja) * 2014-07-10 2018-08-29 日立化成株式会社 研磨液及び研磨方法
KR102477843B1 (ko) * 2014-10-21 2022-12-16 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 부식 억제제 및 관련 조성물 및 방법
KR101731523B1 (ko) * 2015-04-22 2017-04-28 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 처리 조성물, 화학 기계 연마 방법 및 세정 방법
US9528030B1 (en) * 2015-10-21 2016-12-27 Cabot Microelectronics Corporation Cobalt inhibitor combination for improved dishing
JP6620597B2 (ja) * 2016-02-29 2019-12-18 日立化成株式会社 Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
US10570315B2 (en) * 2016-11-08 2020-02-25 Fujimi Incorporated Buffered slurry formulation for cobalt CMP
JP2018093183A (ja) * 2016-12-02 2018-06-14 Jsr株式会社 化学機械研磨方法および化学機械研磨用組成物
KR102405560B1 (ko) * 2017-02-28 2022-06-07 후지필름 가부시키가이샤 연마액, 연마액의 제조 방법, 연마액 원액, 연마액 원액 수용체, 화학적 기계적 연마 방법
EP3631045A4 (en) * 2017-05-25 2021-01-27 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. MECHANICAL-CHEMICAL POLISHING CONCENTRATE SUSPENSION FOR COBALT APPLICATIONS
KR102422952B1 (ko) * 2017-06-12 2022-07-19 삼성전자주식회사 금속막 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용하는 반도체 장치의 제조 방법
US10377921B2 (en) * 2017-09-21 2019-08-13 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for cobalt
US10170335B1 (en) 2017-09-21 2019-01-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method for cobalt
WO2019101555A1 (en) * 2017-11-22 2019-05-31 Basf Se Chemical mechanical polishing composition
WO2019190730A2 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Fujifilm Electronic Materials U.S.A., Inc. Barrier ruthenium chemical mechanical polishing slurry
WO2019239555A1 (ja) * 2018-06-14 2019-12-19 日立化成株式会社 研磨液及び研磨方法
MX2021000441A (es) 2018-07-12 2021-06-15 Championx Usa Inc Hidroxiamidas derivadas de alquil lactona e hidroxiésteres derivados de alquil lactona para el control de hidratos de gas natural.
MX2021000442A (es) 2018-07-12 2021-07-16 Championx Usa Inc Inhibidores de corrosión derivados de alquillactona.
US10727076B2 (en) * 2018-10-25 2020-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Slurry and manufacturing semiconductor using the slurry
US20200172759A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for cobalt cmp
US10947413B2 (en) * 2019-03-29 2021-03-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Chemical mechanical polishing method for cobalt with high cobalt removal rates and reduced cobalt corrosion
US11001733B2 (en) 2019-03-29 2021-05-11 Fujimi Incorporated Compositions for polishing cobalt and low-K material surfaces
WO2020255602A1 (ja) * 2019-06-20 2020-12-24 富士フイルム株式会社 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
JP7331103B2 (ja) * 2019-06-20 2023-08-22 富士フイルム株式会社 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
JP7333396B2 (ja) * 2019-06-20 2023-08-24 富士フイルム株式会社 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
TWI755060B (zh) * 2019-11-15 2022-02-11 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
TWI743989B (zh) * 2019-11-15 2021-10-21 日商Ｊｓｒ股份有限公司 化學機械研磨用組成物以及化學機械研磨方法
CN110846665B (zh) * 2019-12-20 2021-11-12 新华手术器械有限公司 一种不锈钢抛光剂及其制备方法、应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003665A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法
JP2012182158A (ja) * 2011-02-08 2012-09-20 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液、及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3780767B2 (ja) 1999-09-09 2006-05-31 日立化成工業株式会社 金属用研磨液及び基板の研磨方法
JP2001139937A (ja) 1999-11-11 2001-05-22 Hitachi Chem Co Ltd 金属用研磨液及び研磨方法
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
EP1478708A1 (en) * 2002-02-26 2004-11-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
WO2006086265A2 (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US8162723B2 (en) 2006-03-09 2012-04-24 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a tungsten carbide surface
JP2008277723A (ja) * 2007-03-30 2008-11-13 Fujifilm Corp 金属用研磨液及び研磨方法
US8741008B2 (en) 2008-02-18 2014-06-03 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
JP5455452B2 (ja) * 2009-06-05 2014-03-26 Ｊｓｒ株式会社 表面処理用組成物、表面処理方法および半導体装置の製造方法
US9799532B2 (en) 2010-02-15 2017-10-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. CMP polishing solution and polishing method
JP5141792B2 (ja) * 2010-06-29 2013-02-13 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
JP2012015353A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ用研磨液及びこの研磨液を用いた研磨方法
CN102304327A (zh) 2011-07-05 2012-01-04 复旦大学 一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液
US20130186850A1 (en) * 2012-01-24 2013-07-25 Applied Materials, Inc. Slurry for cobalt applications
US20140011362A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a non-ionic surfactant and an aromatic compound comprising at least one acid group
JP6156630B2 (ja) * 2013-05-24 2017-07-05 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011003665A (ja) * 2009-06-17 2011-01-06 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法
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