WO2014058061A1 - 光分解性材料、基板及びそのパターニング方法 - Google Patents

光分解性材料、基板及びそのパターニング方法 Download PDF

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高広 岸岡
木村　茂雄
佳臣 広井
友輝 臼井
博巳 北野
正 中路
誠 源明
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日産化学工業株式会社
国立大学法人富山大学
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Definitions

  • the present invention relates to a photodegradable material capable of controlling adsorption / adhesion of proteins, cells, viruses, and the like by photopatterning, a substrate patterned with the material, and a method for producing the same.
  • Patent Document 1 proposes a material in which a photodegradable group and a cell adhesion-inhibiting group are sequentially covalently bonded as a cell adhesion / culture substrate that can add cell adhesion by light irradiation.
  • Patent Document 2 the production of new cell adhesion patterning and cell size immobilization in cell culture, including the removal of photodegradable protecting groups from functional groups by light irradiation Method (Patent Document 2), cell culture patterning substrate for the purpose of adhering cells in a high-definition pattern and manufacturing method thereof (Patent Document 3), and cell array control tool manufacturing method (Patent Document 4) ) has been proposed.
  • the exposure source of light irradiation is a high-pressure mercury lamp or i-line (wavelength 365 nm)
  • the material to which adhesion control is applied there is also a limitation on the target of adhesion control (cells and the like).
  • the pattern size to be formed is limited to the micrometer order (10 ⁇ 6 m).
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, can form a finer pattern, and is not limited to a light source, but can control various cell types, as well as adsorption / adhesion control of proteins, viruses, and the like.
  • the purpose is to provide a new material that can be applied.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate patterned using the material and a method for producing the same.
  • the zwitterionic polymer having a betaine structure is an ArF (argon fluoride) (wavelength 193 nm) that is also used for ultrafine processing of semiconductor manufacturing. It was found that the adsorption / adhesion properties of not only cells but also proteins and viruses etc. were changed by irradiation, and the present invention was completed.
  • ArF argon fluoride
  • the present invention provides, as a first aspect, formula (1): (R 1 O) 3 —Si—Y— (1)
  • R 1 represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Y represents a sulfur atom, a dithiocarbonate bond group (—S—C ( ⁇ S) —), a trithiocarbonate bond group (—S—C ( ⁇ S) —S—), an alkylene having 1 to 10 carbon atoms.
  • a starting portion that has a structure represented by the following formula and can be bonded to the substrate surface via a siloxane bond The present invention relates to a photodegradable material including a connecting part that includes a structural unit represented by the following formula (2-a) or / and formula (2-b), which is connected to the starting part.
  • R 2 to R 4 each independently represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • X represents a hydrogen atom or a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Z is carbanion represents - - (group -SO 3), (-COO group) or a sulfo anion
  • Q represents an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —), a phosphoric acid diester bond group (—O—P ( ⁇ O) (— O ⁇ ) —O—).
  • a photopolymerizable material comprising a polymer containing a structural unit represented by: (Where R 2 to R 4 each independently represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, X represents a hydrogen atom or a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, Z is carbanion represents - - (group -SO 3), (-COO group) or a sulfo anion Q represents an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —), a phosphoric acid diester bond group (—O—P ( ⁇ O) (— O ⁇ ) —O—).
  • An amide bond group (—NH—CO— or —CO—NH—), an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or an optionally substituted phenylene group, or a combination of these divalent groups, m 1 represents an integer of 1 to 200, n represents an integer of 1 to 10. )
  • R 5 represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • X represents a hydrogen atom or a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Q represents an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —), a phosphoric acid diester bond group (—O—P ( ⁇ O) (— O ⁇ ) —O—).
  • m 2 represents an integer of 1 to 200.
  • the present invention relates to the photodegradable material according to the third aspect, in which photolithography is performed using an ArF excimer laser.
  • the photodegradable material according to any one of the third to fifth aspects which is a material for forming on the substrate surface a pattern in which proteins, cells or viruses are specifically adsorbed.
  • the present invention relates to a pattern-formable substrate formed by bonding the photodegradable material according to any one of the first to sixth aspects to the surface of the substrate through a siloxane bond.
  • An eighth aspect relates to the substrate according to the seventh aspect, wherein the photodegradable material bonded to the surface of the substrate is subjected to pattern exposure by a photolithography method.
  • the present invention relates to the substrate according to the eighth aspect, wherein the exposure is performed using an ArF excimer laser.
  • the substrate is a glass substrate, a metal substrate, a metal oxide substrate, a metal nitride substrate, a metal carbide substrate, a metal oxynitride substrate, a ceramic substrate, a silicon substrate, a silicon oxide substrate, or a silicon nitride substrate.
  • the present invention relates to a cell culture substrate using the substrate according to any one of claims 7 to 10.
  • the present invention relates to a microchannel using the substrate according to any one of the seventh aspect to the tenth aspect.
  • a method for producing a patterned substrate on which proteins, cells or viruses are specifically adsorbed A step of producing a surface-modified substrate by immobilizing the photodegradable material according to any one of the first aspect to the sixth aspect on a substrate surface via a siloxane bond; Pattern-exposing the surface of the substrate by pattern-exposing the surface-modified substrate, and adsorbing / adhering proteins, cells, or viruses to the pattern-exposed portion; To a method of manufacturing a patterned substrate.
  • the present invention relates to the manufacturing method according to the thirteenth aspect, in which the pattern exposure is performed using an ArF excimer laser.
  • the present invention relates to the manufacturing method according to the thirteenth aspect or the fourteenth aspect, in which the patterned substrate is a cell culture substrate.
  • the present invention relates to the manufacturing method according to the thirteenth aspect or the fourteenth aspect, in which the patterned substrate is a microchannel forming substrate.
  • the photodegradable material of the present invention can be obtained by the structure of a zwitterionic polymer chain being changed to a cationic polymer chain by cleaving the anion portion of the zwitterion by light irradiation, particularly ArF irradiation, or in the material.
  • a phenyl group or the like is included, the group or the like is decomposed and the zwitterionic polymer chain is lost, so that adsorption / adhesion of protein, cell, virus, or the like can be performed on the decomposed portion.
  • the material whose adhesion can be controlled.
  • the substrate of the present invention is formed by firmly bonding the photodegradable material to the surface via a siloxane bond.
  • the present invention can provide a substrate that can adsorb / adhere proteins or the like only on an ultrafine pattern by irradiating light through a mask having a desired shape. This is particularly useful for pattern formation in which proteins or viruses having a size on the order of nanometers are specifically adsorbed.
  • the present invention provides a new means that is useful in basic research on cell biology, tissue engineering, cell substrate sensors, and the like.
  • FIG. 1 is a schematic view of a surface-modified substrate manufactured in Comparative Example 1.
  • FIG. 2 is a schematic view of a surface-modified substrate manufactured in Comparative Example 2.
  • FIG. 3 is an observation photograph showing the results of the protein patterning test, showing (a) an observation photograph and (b) a schematic diagram.
  • the photodegradable material of the present invention comprises a starting portion represented by the formula (1) that can be bonded to a substrate described later via a siloxane bond, and a formula (2-a) or / and a formula (2-b) connected thereto. It is a material comprised from the connection part containing the structural unit represented by this.
  • the photodegradable material of the present invention comprises a structural unit represented by the following formula (2-a) or / and formula (2-b) and a side chain that can be bonded to the substrate surface via a siloxane bond. It may be a material containing a polymer containing a structural unit represented by the following formula (3).
  • R 1 represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Y represents a sulfur atom, a dithiocarbonate bond group (—S—C ( ⁇ S) —), a trithiocarbonate bond group (—S—C ( ⁇ S) —S—), an alkylene having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 2 to R 4 each independently represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • X represents a hydrogen atom or a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Z is carbanion represents - - (group -SO 3), (-COO group) or a sulfo anion
  • Q is an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —), a phosphoric acid diester bond group (—O—P ( ⁇ O) (— O —) — O—).
  • An amide bond group (—NH—CO— or —CO—NH—), an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or an optionally substituted phenylene group, or a combination of these divalent groups, m 1 represents an integer of 1 to 200, n represents an integer of 1 to 10. )
  • R 5 represents a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • X represents a hydrogen atom or a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms
  • Q represents an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —), a phosphoric acid diester bond group (—O—P ( ⁇ O) (— O ⁇ ) —O—).
  • An amide bond group (—NH—CO— or —CO—NH—), an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or an optionally substituted phenylene group, or a combination of these divalent groups, m 2 represents an integer of 1 to 200.
  • alkylene group having 1 to 10 carbon atoms in Y and Q examples include methylene group, ethylene group, n-propylene group, isopropylene group, cyclopropylene group, n-butylene group, isobutylene group, sec-butylene group, tert -Butylene group, cyclobutylene group, 1-methyl-cyclopropylene group, 2-methyl-cyclopropylene group, n-pentylene group, 1-methyl-n-butylene group, 2-methyl-n-butylene group, 3-methyl -N-butylene group, 1,1-dimethyl-n-propylene group, 1,2-dimethyl-n-propylene group, 2,2-dimethyl-n-propylene, 1-ethyl-n-propylene group, cyclopentylene Group, 1-methyl-cyclobutylene group, 2-methyl-cyclobutylene group, 3-methyl-cyclobutylene group, 1,2-dimethyl- Chloropropylene
  • Y and Q are phenylene groups
  • “optionly substituted” means that the phenylene group is a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms as the hydrogen atom.
  • a halogen atom a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom
  • a hydroxy group a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom
  • Y is fixed on a substrate to be described later and then exposed to light to form a pattern, so that the photodegradable material can be decomposed (pattern can be formed) even with a lower exposure amount, that is, high sensitivity. Therefore, it is preferable that a phenylene group is included.
  • the hydrogen atom of the phenylene group may be substituted with a saturated linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom) or a hydroxy group.
  • Z is a carbanion is preferably - - (group -SO 3) (-COO group) or a sulfo anion.
  • Q is an ester bond group (—C ( ⁇ O) —O— or —O—C ( ⁇ O) —) and a carbon atom.
  • the structural unit (2-a) is preferably derived from a monomer represented by the following formula (2-a-1), for example.
  • R 2 , R 3 , X and n are as defined in the above formula (2-a).
  • Specific examples of the monomer represented by the formula (2-a-1) include, for example, N- (meth) acryloyloxymethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine, N- (meta ) Acrylyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine, N- (meth) acryloyloxypropyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine, N- (meth) acryloyl Oxymethyl-N, N-diethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine, N- (meth) acryloyloxyethyl-N, N-diethyl
  • N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine is particularly preferably used.
  • a compound in which the carbanion (—COO ⁇ group) moiety of the above formula (2-a-1) is substituted with a sulfoanion (—SO 3 — group) is also preferably used, for example, N- (3-sulfopropyl).
  • N-N- (meth) acryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium betaine is particularly preferably used.
  • Examples of the structural unit represented by the formula (2-b) include 2-((meth) acryloyloxy) ethyl-2 ′-(trimethylammonio) ethyl phosphate, 3-((meth) acryloyloxy) Propyl-2 ′-(trimethylammonio) ethyl phosphate, 4-((meth) acryloyloxy) butyl-2 ′-(trimethylammonio) ethyl phosphate, 5-((meth) acryloyloxy) pentyl-2 ′ -(Trimethylammonio) ethyl phosphate, 6-((meth) acryloyloxy) hexyl-2 '-(trimethylammonio) ethyl phosphate, 2-((meth) acryloyloxy) propyl-2'-(trimethylammoni E) Ethyl phosphate, 2-((meth) acryloyloxy) butyl-2 '-
  • the structural unit (3) is preferably derived from a monomer represented by the following formula (3-1), for example.
  • R 5 and X are as defined in the above formula (3).
  • Specific examples of the monomer represented by the formula (3-1) include, for example, ⁇ - (meth) acryloyloxypropyltrimethoxysilane, ⁇ - (meth) acryloyloxypropyltriethoxysilane, and ⁇ - (meth) acryloyl. And oxypropyltriisopropoxysilane.
  • the structural unit (3) may be a monomer containing a phenylene group such as styryltrimethoxylane or a monomer such as 3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane.
  • the photodegradable material of the present invention is suitable as a pattern forming material by photolithography, and particularly suitable as a pattern forming material by photolithography using an ArF excimer laser for exposure light.
  • the photodegradable material of the present invention expresses the adsorptivity / adhesiveness to proteins, cells or viruses when exposed to light, so that a pattern in which proteins, cells or viruses are specifically adsorbed is formed on the substrate surface. It is suitable as a material.
  • the present invention provides a pattern-formable substrate in which the photodegradable material is bonded to the surface of the substrate through a siloxane bond, and a pattern is formed by pattern exposure of the photodegradable material bonded to the surface of the substrate. And a method for producing a patterned substrate on which proteins, cells or viruses are specifically adsorbed.
  • the patterned substrate can be manufactured through the following steps (a) to (c).
  • the step (a) is a step of fixing the photodegradable material of the present invention on the substrate surface, that is, a step of forming a film of the photodegradable material on the substrate surface.
  • the substrate used here preferably has a hydroxyl group on the surface thereof so that the photodegradable material can be bonded to the substrate via a siloxane bond.
  • a glass substrate, a metal, a metal oxide substrate, a metal nitride, a metal carbide, a metal oxynitride, a ceramic substrate, a silicon substrate, a silicon oxide, a silicon nitride, a silicon carbide, or a silicon oxynitride is suitable.
  • Examples of the method for immobilizing the photodegradable material of the present invention on the substrate surface include, for example, spin coating, flow coating, spray coating, dipping, brush coating, Although a roll coat method, a vapor deposition method, etc. are mentioned, this invention is not limited only to this illustration. Moreover, the atmosphere of this process should just be normally in air
  • the substrate after the photodegradable material is immobilized on the substrate surface (after the coating film is formed on the surface of the substrate), it is preferable to heat the substrate from the viewpoint of increasing production efficiency.
  • the heating temperature for heating the substrate varies depending on the heat-resistant temperature of the substrate and cannot be determined unconditionally. However, a temperature suitable for the substrate is usually selected within the range of 30 to 150 ° C. Is preferred.
  • the step of immobilizing the photodegradable material of the present invention on the substrate surface may be performed by first bonding the starting end having the structure represented by the formula (1) to the substrate surface, and then starting from the starting end. It is also possible to polymerize a monomer derived from the structural unit represented by (2-a) or / and formula (2-b) to form a photodegradable material on the substrate surface. In this case, first, a starting portion having a structure represented by the formula (1) is bonded to the substrate, and then a group that easily causes a chain transfer reaction is introduced therein.
  • the photodegradable material of the present invention can be obtained by bonding a polymer having a structural unit represented by the formula (2-a) or / and the formula (2-b) to the part.
  • This method is referred to as the “Grafting from” method (surface initiated graft polymerization). Compared with the coating method, this method allows a functional material to be present on the substrate surface at a high density in a relatively thin film state, thereby improving a desired function.
  • the contrast of the pattern can be increased by improving the adhesion of proteins, cells or viruses to the exposed site. What was produced in this way is generally called "polymer brush". Further, a “Grafting to” method based on a reaction between a ready-made polymer compound and a functional group on the substrate surface may be used.
  • polymerization initiator used in the above reaction examples include azobisisobutyronitrile, azoisobutyronitrile, methyl azoisobutyrate, azobisdimethylvaleronitrile, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) 2
  • examples include hydrochloride, benzoyl peroxide, potassium persulfate, ammonium persulfate, benzophenone derivatives, phosphine oxide derivatives, benzoketone derivatives, phenylthioether derivatives, azide derivatives, diazo derivatives, disulfide derivatives, etc. It is not limited.
  • These polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the polymerization initiator is not particularly limited, but usually it is preferably about 0.01 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the monomer component.
  • the chain transfer agent used in the above reaction can be used by mixing with a monomer component, for example, a mercaptan group-containing compound such as lauryl mercaptan, dodecyl mercaptan, thioglycerol, inorganic such as sodium hypophosphite, sodium bisulfite, etc. Although salt etc. are mentioned, this invention is not limited only to this illustration. These chain transfer agents may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the chain transfer agent is not particularly limited, but is usually about 0.01 to 10 parts by mass per 100 parts by mass of the monomer component.
  • Examples of the method for polymerizing the monomer component include a solution polymerization method, but the present invention is not limited to such examples.
  • Examples of the solvent used in the solution polymerization method include alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, propylene glycol, and trifluoroethanol, ketones such as acetone and methyl ethyl ketone, ethers such as diethyl ether and tetrahydrofuran, benzene, toluene, An aromatic hydrocarbon compound such as xylene, an aliphatic hydrocarbon compound such as n-hexane, an alicyclic hydrocarbon compound such as cyclohexane, an acetate ester such as methyl acetate and ethyl acetate, and the like.
  • solvents may be used alone or in combination of two or more.
  • the amount of the solvent is usually preferably adjusted so that the concentration of the monomer component in the solution obtained by dissolving the monomer component in the solvent is about 1 to 80% by mass.
  • the polymerization conditions such as the polymerization temperature and polymerization time for polymerizing the monomer component are preferably adjusted as appropriate according to the composition of the monomer component, the type and amount of the polymerization initiator, and the like.
  • the atmosphere at the time of polymerizing a monomer component is an inert gas.
  • the inert gas include nitrogen gas and argon gas, but the present invention is not limited to such examples.
  • step (b) is a step of forming a pattern by pattern exposure by photolithography of the substrate manufactured in step (a) and having the photodegradable material of the present invention bonded to the substrate surface.
  • This step is preferably performed using an ArF excimer laser (wavelength: 193 nm) as exposure light through a pattern mask.
  • an ArF stepper for ultrafine exposure for manufacturing semiconductors can be used as the exposure apparatus.
  • the exposure amount can be appropriately selected from 10 mJ to about 3000 mJ, and more preferably 250 mJ or more.
  • the substrate thus obtained has a structure in which the zwitterionic polymer chain of the photodegradable material in the exposed portion is changed to a cationic polymer chain, or the zwitterion is lost due to the decomposition or the zwitterion lost portion ( That is, it is possible to adsorb / adhere proteins, cells, viruses or the like to the exposed portion).
  • a protein, cell, or virus is adsorbed on the pattern-exposed portion described above to obtain a patterned substrate on which the protein, cell, or virus is specifically adsorbed.
  • the incubation method etc. are mentioned.
  • the pattern formation substrate of the present invention can be suitably applied as a cell culture substrate or a microchannel formation substrate.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polymer shown in the following production examples of the present specification is a measurement result by a GPC (Gel Permeation Chromatography) method.
  • the measurement conditions in the measurement using the GPC measurement device are as follows.
  • Example 1 Production of silicon wafer (B-PCMB modified substrate) surface-modified with zwitterionic polymer chain]
  • Production Example 1 Synthesis of SDTB (dithiobenzoate sodium salt) Sodium methoxide (1.08 g, 0.020 mol) was dissolved in 3.6 mL of degassed methanol, and simple sulfur (650 mg, 0.020 mol) was added thereto, The mixture was stirred while performing N 2 bubbling (nitrogen substitution). Benzyl chloride (1.14 mL, 0.010 mol) was added dropwise thereto over 30 minutes and reacted at 65 ° C. for 10 hours (Scheme 1).
  • the reaction system was immersed in ice water, the deposited salt was removed by suction filtration, and the solvent was removed by concentration under reduced pressure. 10 mL of water was added thereto, and suction filtration was performed again. Then, 4 mL of diethyl ether was added to the filtrate, and a liquid separation operation was performed. Similarly, liquid separation operation was further performed twice, and 4 mL of diethyl ether and 5 mL of 1M HCl were added to the recovered aqueous layer to perform liquid separation operation. To the collected ether layer, 6 mL of water and 6 mL of 1M NaOH were added, and a liquid separation operation was performed.
  • Production Example 4 Surface Modification of Silicon Wafer with Zwitterionic Polymer Chain (Polymer Brush Type) After 20 mg of SDTB obtained in Production Example 1 was dissolved in 10 mL of tetrahydrofuran (THF), the silicon wafer surface-modified with CMPS obtained in Production Example 3 was immersed in this solution, and the reaction was performed at room temperature for 1 hour ( (See Scheme 3: middle panel). Thereafter, THF, was washed with methanol and dried silicon wafer by N 2 flow.
  • THF tetrahydrofuran
  • a silicon wafer surface-modified with dithiobenzoate as described above is placed in a sample bottle, and ethanol (10.00 mL), N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine (CMB, 2. 33 g, 10 mmol) was added, and N 2 bubbling was performed for 30 minutes or more.
  • CMB N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxybetaine
  • Example 2 Production of silicon wafer (BTPT-g-PCMB modified substrate) surface-modified with zwitterionic polymer chain]
  • Production Example 5 Substrate modification with BTPT (S-benzyl-S′-trimethoxysilylpropyltrithiocarbonate) Reversible addition-fragmentation chain transfer (RAFT) S-benzyl-S ′, a silane coupling agent with a RAFT agent capable of polymerization -2.8 g of trimethoxysilylpropyl trithiocarbonate (BTPT) solution was dissolved in 200 mL of toluene.
  • BTPT trimethoxysilylpropyl trithiocarbonate
  • Production Example 6 Surface modification of silicon wafer with zwitterionic polymer chain (polymer brush type)
  • ethanol (10.00 mL)
  • CMB N- (meth) acryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methyl
  • Carboxybetaine (2.33 g, 10 mmol) was added and N 2 bubbling was performed for 30 minutes or more.
  • BSTMPA (B) (50.4 mg, 0.20 mmol) synthesized in Production Example 2 and a water-soluble azo polymerization initiator V-501 (2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) Hydrochloride, Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 11.2 mg, 0.040 mmol) was added, N 2 bubbling was performed for 3 minutes, and the sample bottle was sealed.
  • the reaction vessel was placed in an oil bath at 70 ° C., polymerization was started, and polymerization was carried out for 24 hours (see Scheme 4: lower part).
  • BTPT-g-PCMB obtained in the lower stage is one of the estimated structures of BTPT-g-PCMB obtained in Production Example 6.
  • Azobisisobutyronitrile (AIBN, 0.107 g, 0.65 mmol) was added, and polymerization was started at 70 ° C. After 4 hours, AIBN (0.0214 g, 0.13 mmol) was further added, followed by reaction for 4 hours to obtain a polymer having two structural units represented by the following formula (4). The weight average molecular weight of the obtained polymer was 105,000.
  • Production Example 8 Production of Modified Substrate Using SPB-KBM-1403 Copolymer Trifluoroethanol (TFE) (137.8 mL) and Production Example in an 8-inch silicon wafer immersion stainless steel reactor connected with a cooling tube for solvent circulation
  • TFE Trifluoroethanol
  • the SPB-KBM-1403 copolymer synthesized in 7 was added, and an ozone cleaning treated 8-inch silicon wafer was immersed therein at room temperature for 24 hours. Thereafter, the wafer was washed with water and methanol, and further immersed in water for 1 hour to obtain a silicon wafer (substrate) modified with SPB-KBM-1403 copolymer.
  • Example 4 Production of Silicon Wafer Surface Modified with Zwitterionic Polymer Chain (CMB-KBM-1403 Copolymer Modified Substrate) Production Example 9 Synthesis of CMB-KBM-1403 Copolymer KBM-1403 (p-styryltrimethoxysilane, 0.175 g, 0.78 mmol) and CMB (N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -) N-methylcarboxybetaine (1.96 g, 9.1 mmol) was added to the ethanol bubbled with nitrogen. AIBN (0.0905 g, 0.55 mmol) was added and polymerization was initiated at 70 ° C. After 4 hours, AIBN (0.0181 g, 0.11 mmol) was further added, followed by reaction for 4 hours to obtain a polymer having two structural units represented by the following formula (5). The weight average molecular weight of the obtained polymer was 122,000.
  • Production Example 10 Production of Modified Substrate Using CMB-KBM-1403 Copolymer Ethanol (226.0 mL) and Synthesis in Production Example 9 were synthesized in a stainless steel reaction vessel for immersion of 8-inch silicon wafers connected to a solvent circulation condenser. The CMB-KBM-1403 copolymer was added, and an ozone cleaning treated 8-inch silicon wafer was immersed therein at room temperature for 24 hours. Thereafter, it was washed with water and methanol, and further immersed in water for 1 hour to obtain a CMB-KBM-1403 copolymer-modified silicon wafer (substrate).
  • Example 5 Production of silicon wafer (CMB-MPTMS copolymer modified substrate) surface-modified with zwitterionic polymer chains]
  • Production Example 11 Synthesis of CMB-MPTMS Copolymer The same procedure as in Production Example 9 was carried out except that KBM-1403 was changed to MPTMS (3-methacryloyloxypropyltrimethoxysilane, 0.29 g, 1.0 mmol). A polymer having two structural units shown in (6) was obtained. The weight average molecular weight of the obtained polymer was 10,000.
  • Production Example 12 Production of Modified Substrate Using CMB-MPTMS Copolymer Production Example 10 except that the CMB-MPTMS copolymer synthesized in Production Example 11 was used in place of CMB-KBM-1403 copolymer in Production Example 10. The same operation as in No. 10 was performed to obtain a CMB-MPTMS copolymer-modified silicon wafer (substrate).
  • Example 1 Production of Silicon Wafer (B-PMA Modified Substrate) Surface-Modified with Polymer Chain Without Zwitterion
  • MA methacrylic acid
  • Example 2 Production of Silicon Wafer (B-PDMAEMA Modified Substrate) Surface-Modified with Polymer Chain Without Zwitterion
  • DMAEMA dimethylaminoethyl methacrylate
  • Example 6 Production of silicon oxynitride wafer (B-PCMB modified substrate) surface-modified with zwitterionic polymer chain]
  • Production Example 13 Surface Modification of Silicon Oxynitride Wafer An 8-inch silicon oxynitride wafer was washed with water, methanol, and acetone in this order, and further UV / ozone washed.
  • a solution of CMPS (4- (chloromethyl) phenyltrimethoxysilane) 8 mL (2 v / v%) in toluene 392 mL was placed, and the above-mentioned solution was added under a nitrogen atmosphere.
  • the cleaned silicon oxynitride wafer was immersed.
  • the reaction vessel was kept in a water bath at 80 ° C. for 15 hours to react the hydroxy group on the surface of the silicon oxynitride wafer with the alkoxysilyl group of 4- (chloromethyl) phenyltrimethoxysilane. Thereafter, the taken out silicon oxynitride wafer was washed four times with toluene. After washing, the wafer was dried by N 2 flow to obtain a silicon oxynitride wafer surface-modified with CMPS (see the above-mentioned scheme 3: upper stage).
  • Production Example 14 Surface Modification of Silicon Oxynitride Wafer with Zwitterionic Polymer Chain (Polymer Brush Type) After preparing 200 mL of 20 mg / mL SDTB solution using SDTB and tetrahydrofuran (THF) obtained in Production Example 1, a silicon wafer surface-modified with CMPS was immersed in this solution and reacted at room temperature for 1 hour. (Refer to the above-mentioned scheme 3: middle stage). Thereafter, washing with THF and methanol was performed, and the silicon oxynitride wafer was dried by N 2 flow.
  • THF tetrahydrofuran
  • the silicon oxynitride wafer surface-modified with dithiobenzoate as described above is placed in a reaction vessel containing an 8-inch silicon wafer, ethanol (600 mL), N-methacryloyloxyethyl-N, N-dimethylammonium- ⁇ -N-methylcarboxyl. Betaine (CMB, 27.96 g, 120 mmol) was added. Subsequently, BSTMPA (B) obtained in Production Example 2 (140.3 mg, 0.60 mmol) and a water-soluble azo polymerization initiator V-501 (2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) were added to the reaction solution.
  • the film thickness was measured using an ellipso (polarization analysis) film thickness measuring apparatus Lambda Ace RE-3100 (manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd.). For each of the silicon wafers (substrates) manufactured in Example 1 to Example 5 and Comparative Example 1 to Comparative Example 2, the unexposed portion (exposure amount: 0 mJ) and the exposed portion (exposure amount: 250 to 3000 mJ) were performed. Table 1 shows the measurement results of the film thickness (nm).
  • the contact angle of the water droplet was measured by a droplet method using a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., product number: CA-D). In the droplet method, 3 to 4 ⁇ L of water was brought into contact with a sample (silicon wafer) at room temperature (relative humidity: about 50%), and the angle after 27 seconds and the angle after 33 seconds were summed up. Evaluation was performed using the total value of angles, and each wafer was evaluated for 6 points, and the average value was adopted as the measurement value.
  • Table 3 shows the pattern size (vertical and horizontal width) of the observed lattice pattern. As shown in Table 3, formation of a lattice pattern was confirmed on the surface of the silicon wafer or silicon oxynitride wafer surface-modified with the polymer chain produced in Example 1 to Example 6.
  • Example 1 to Example 6 Example 1 to Example 6 and silicon wafers (substrates) or silicon oxynitride wafers produced in Comparative Examples 1 and 2 unexposed portions (exposure amount: 0 mJ), exposed portions (exposure amounts: 250 to 3000 mJ)
  • BSA Bovine Serum Albumin
  • each wafer is washed with phosphate buffered saline (PBS), and a frame (inner diameter: 20 mm ⁇ 20 mm, outer diameter: 25 mm ⁇ 25 mm) prepared using a silicon sheet on the washed wafer.
  • PBS phosphate buffered saline
  • a frame inner diameter: 20 mm ⁇ 20 mm, outer diameter: 25 mm ⁇ 25 mm
  • 500 ⁇ L of BSA solution (2 wt% in PBS, manufactured by Sigma-Aldrich) was placed in the frame of the silicon sheet and incubated at room temperature for 2 hours.
  • Example 4 As shown in Table 4, in each of the substrates manufactured in Examples 1 to 6, an increase in the BSA adsorption amount was observed with an increase in the exposure amount. On the other hand, in each substrate manufactured in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, no change in the BSA adsorption amount accompanying an increase in the exposure amount was observed. Further, comparing the results of Example 1 and Example 2, the BSA adsorption amount is clearly larger in Example 1 having a phenyl group in the polymer brush than in Example 2 having no phenyl group. became. For Example 4 and Example 5, the BSA adsorption amount increase ratio (the larger the number, the larger the increase ratio) was calculated using the formula ⁇ BSA adsorption amount increase ratio> shown below.
  • Example 4 having a phenyl group, the increase rate was larger than that in Example 5 having no phenyl group. From the above results, it was confirmed that the sensitivity was increased by introducing an absorption site (phenyl group or the like) for exposure light into the polymer brush or polymer chain.
  • ⁇ BSA adsorption amount increase ratio> ((Protein adsorption amount at high exposure (3000 mJ))-(Protein adsorption amount in unexposed (0 mJ))) / (Protein adsorption amount in unexposed (0 mJ))
  • Example 4 (1838.4-153.7) /153.7 ⁇ 11.0
  • Example 5 (2245.0-220.3) /220.3 ⁇ 9.2
  • FIG. 3B is a schematic diagram
  • FIG. 3B is a schematic diagram
  • Exposure was performed at an amount of 1000 mJ.
  • specific adsorption of fluorescent substance-bound immunoglobulin G (Molecular Probes (registered trademark) Alexa Fluor (registered trademark) 488-IgG (trade name), manufactured by Life Technologies Japan Co., Ltd.) on the silicon wafer is fluorescent.
  • Observation was performed with a microscope (IX71 (trade name), manufactured by Olympus Corporation). An observation photograph is shown in FIG. As shown in Fig.
  • FIG. 3 (a) (observation photograph), Alexa Fluor (registered trademark) 488-IgG in a grid pattern corresponding to the white portion (exposed portion) in Fig. 3 (b) (schematic diagram) (product) Specific adsorption was observed. Note that random bright spots in FIG. 3A are defective portions due to poor cleaning. Similarly, when exposure is performed at an exposure amount of 3000 mJ through a mask having a pattern with a vertical and horizontal width of 1.0 ⁇ m, Alexa Fluor (registered trademark) 488-IgG (trade name) is formed in the same 1.0 ⁇ m lattice pattern. Specific adsorption was observed.
  • NIH-3T3 cells mouse epidermis-derived fibroblasts
  • Exposure amount: 0 mJ unexposed portion
  • exposure amount: 250 to 3000 mJ exposed portion
  • B-PCMB modified substrate produced in Example 1 DS Pharma Medical Co., Ltd.
  • Cellstein registered trademark
  • Hoechst 33342 (trade name) (2 ⁇ g / mL, Dojin Chemical Research Co., Ltd.) that can stain cell nuclei of cells that have been cultured for 24 hours at 37 ° C. in a 5% CO 2 atmosphere.
  • a culture solution containing Cellstein® Calcein-AM solution (trade name) (2 ⁇ g / mL, manufactured by Dojindo Laboratories) for 30 minutes. After washing with an acid buffer, it was observed with a fluorescence microscope. Cells attached to the substrate were measured by counting stained nuclei.
  • the average cell spreading rate (%) per cell was calculated by measuring the area of the cells stained with the Calcein-AM solution and calculating with the following formula.
  • the B-PMA-modified substrate manufactured in Comparative Example 1 and the B-PDMAEMA-modified substrate manufactured in Comparative Example 2 were also unexposed (exposure amount: 0 mJ) and exposed portion (exposure amount: 250 to 3000 mJ). Then, cell adhesion was carried out in the same manner, and the number of cell adhesion and the average cell spreading rate (%) per cell were calculated.
  • Average extension rate per cell (%) [(total area of all stained cells) / (number of cells / number of cell nuclei)] / [cross-sectional area of non-adherent cells (397.4 ⁇ m 2 )] ⁇ 100 The obtained results are shown in Table 5 (cell adhesion number) and Table 6 (average cell spreading rate (%)).
  • the substrate manufactured in Example 1 obtained a result that the number of cell adhesions increased as the exposure amount increased.
  • the average extension rate per cell showed the same tendency.
  • the substrate produced in Comparative Example 1 and Comparative Example 2 did not show the exposure dose dependency of the number of cell adhesion and the average extension rate per cell.

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Abstract

【課題】より微細なパターンを形成でき、且つ、光源に限定されることなく様々な細胞種、タンパク質、ウイルス等の吸着／接着制御に対しても適用可能である、新たな材料を提供すること。 【解決手段】シロキサン結合にて基板表面に結合できる部分と、下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位を含む、光分解性材料。（式中、Ｒ2乃至Ｒ4は飽和直鎖アルキル基を表し、Ｘは水素原子又はアルキル基を表し、Ｚは、カルボアニオン又はスルホアニオンを表し、Ｑはエステル結合基、リン酸ジエステル結合基、アミド結合基、アルキレン基又はフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、ｍ1は１乃至２００の整数を表し、ｎは１乃至１０の整数を表す。）

Description

光分解性材料、基板及びそのパターニング方法
　本発明は光パターニングによりタンパク質、細胞又はウイルス等の吸着／接着制御が可能となる光分解性材料、当該材料を用いてパターン形成された基板、並びにその製造方法に関する。
　近年、細胞に対して接着性と非接着性の二種類の化学種をパターン化した培養基材（又は基板）を用いて、細胞の接着領域と非接着領域を規定する技術（細胞パターニング）の研究が、細胞生物学的な基礎研究から、組織工学から細胞基板センサー等の応用研究といった多岐に亘る分野において進められている。
　中でも、特に注目を集めている外部刺激に応じて細胞接着性を変換（スイッチング）する技術分野においては、熱（温度）や電気、光等の外部刺激に応じて相転移、酸化・還元、化学反応などで表面化学種が変換することにより、培養基板上の特定領域の細胞接着性を制御できる機能性材料が、種々検討されている。
　例えば特許文献１には、光照射によって細胞付着性を付加可能にする細胞付着・培養基材として、光分解性基及び細胞付着抑制基が順に共有結合で結合した材料が提案されている。その他にも、光照射により官能基から光分解性保護基を脱離させることを含む、細胞培養下において新たな細胞接着パターニングの形成及びサイズ変更の実現を図った細胞を固定化した基板の作製方法（特許文献２）、細胞を高精細なパターン状に接着させることを目的とする細胞培養用パターニング基板およびその製造方法（特許文献３）、並びに、細胞の配列制御用具の製法（特許文献４）が提案されている。
特開２００９－６５９４５号公報 特開２００６－６２１４号公報 国際公開第２００５／１０３２２７号パンフレット 特開平３－７５７６号公報
　上述の文献等に示すように、これまで提案された光照射による細胞付着性制御を図った機能性材料においては、光照射の露光源が高圧水銀灯やｉ線（波長３６５ｎｍ）であることから、接着制御の適用材料に制限があり、ひいては接着制御の対象（細胞等）にも限定があった。また、従来使用される光源では、形成されるパターンサイズがマイクロメートルオーダー（１０-6ｍ）にとどまっていた。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より微細なパターンを形成でき、且つ、光源に限定されることなく様々な細胞種、さらにはタンパク質、ウイルス等の吸着／接着制御に対しても適用可能である、新たな材料の提供を目的とする。また、本発明は、該材料を用いてパターン形成された基板、並びにその製造方法の提供を目的とする。
　本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねたところ、ベタイン構造を有する双性イオンポリマーが、半導体製造の超微細加工にも用いられるＡｒＦ（フッ化アルゴン）（波長１９３ｎｍ）の照射により、細胞だけでなくタンパク質さらにはウイルス等の吸着性／接着性が変化するものであることを見出し、本発明を完成させた。
　すなわち、本発明は、第１観点として、式（１）：
（Ｒ1Ｏ）3－Ｓｉ－Ｙ－　　　（１）
（式中、Ｒ1は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｙは、硫黄原子、ジチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－）、トリチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｓ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表す。）
で表される構造を有し、シロキサン結合を介して基板表面に結合することができる起端部と、
該起端部に連なる、下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位を含む連結部を含む、光分解性材料に関する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 （式中、
Ｒ2乃至Ｒ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｚは、カルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）を表し、
Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
ｍ1は、１乃至２００の整数を表し、
ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
　第２観点として、下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位と、シロキサン結合を介して基板表面に結合することができる側鎖を有する下記式（３）で表される構造単位とを含むポリマーを含む、光分解性材料に関する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 （式中、
Ｒ2乃至Ｒ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｚは、カルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）を表し、
Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
ｍ1は、１乃至２００の整数を表し、
ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 （式中、
Ｒ5は、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
ｍ2は、１乃至２００の整数を表す。）
　第３観点として、フォトリソグラフィによるパターン形成用材料である、第１観点又は第２観点に記載の光分解性材料に関する。
　第４観点として、フォトリソグラフィがＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、第３観点に記載の光分解性材料に関する。
　第５観点として、上記Ｙ又はＱのいずれか一方又は双方が、置換されていてもよいフェニレン基を含む、第４観点に記載の光分解性材料に関する。
　第６観点として、タンパク質、細胞又はウイルスを特異的に吸着させたパターンを基板表面に形成するための材料である、第３観点乃至第５観点のうち何れか一項に記載の光分解性材料に関する。
　第７観点として、第１観点乃至第６観点のうち何れか一項に記載の光分解性材料がシロキサン結合を介して基板の表面に結合してなるパターン形成可能な基板に関する。
　第８観点として、第７観点に記載の基板であって、その表面に結合する光分解性材料がフォトリソグラフィ法によりパターン露光されてなる、パターン形成された基板に関する。
　第９観点として、前記露光がＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、第８観点に記載の基板に関する。
　第１０観点として、前記基板が、ガラス基板、金属基板、金属酸化物基板、金属窒化物基板、金属炭化物基板、金属酸窒化物基板、セラミックス基板、シリコン基板、シリコン酸化物基板、シリコン窒化物基板、シリコン炭化物基板、シリコン酸窒化物基板又はシリコン基板である、第７観点乃至第１０観点のうち何れか一項に記載の基板に関する。
　第１１観点として、請求項７乃至第１０観点のうち何れか一項に記載の基板を用いた細胞培養用基板に関する。
　第１２観点として、第７観点乃至第１０観点のうち何れか一項に記載の基板を用いたマイクロ流路に関する。
　第１３観点として、タンパク質、細胞又はウイルスが特異的に吸着されたパターン形成された基板の製造方法であって、
基板表面に第１観点乃至第６観点のうち何れか一項に記載の光分解性材料をシロキサン結合を介して固定化することにより表面修飾された基板を製造する工程、
該表面修飾された基板をパターン露光することにより基板表面をパターン形成する工程、及び
パターン露光された部分にタンパク質、細胞又はウイルスを吸着／接着させる工程、
を含む、パターン形成された基板の製造方法に関する。
　第１４観点として、前記パターン露光がＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、第１３観点に記載の製造方法に関する。
　第１５観点として、前記パターン形成された基板が、細胞培養用基板である第１３観点又は第１４観点に記載の製造方法に関する。
　第１６観点として、前記パターン形成された基板が、マイクロ流路形成用基板である第１３観点又は第１４観点に記載の製造方法に関する。
　本発明の光分解性材料は、光照射、特にＡｒＦ照射によって、双性イオンのアニオン部分が切断され、双性イオンポリマー鎖がカチオン性ポリマー鎖に構造変化することによるか、又は該材料中にフェニル基等を含む場合は該基等が分解して双性イオンポリマー鎖が喪失することにより、該分解部分にタンパク質、細胞又はウイルス等の吸着／接着が可能となるため、タンパク質等の吸着性／接着性の制御が可能な材料である。
　また本発明の基板は、上記光分解性材料がシロキサン結合を介して表面に強固に結合してなる。そして、マスク等を介して基板を露光することにより、光照射された部分の光分解性材料のみを分解させ、光照射部分にのみタンパク質等に対する吸着性／接着性を容易に付与できる。また、該光分解性材料はＡｒＦ露光することによってナノメートルオーダー（１０-9ｍ）の超微細なパターンを形成可能である。このため、本発明は所望の形状のマスクを通して光照射することにより、超微細なパターン上にのみタンパク質等の吸着／接着を可能とした基板を提供できる。これは特にナノメートルオーダーの大きさを有するタンパク質又はウイルスを特異的に吸着させたパターン形成に有用である。
　さらに本発明のパターン形成された基板の製造方法によれば、タンパク質等が所望のパターン形状に吸着／接着した基板を容易に製造できる。
　このように、本発明は、細胞生物学的な基礎研究或いは組織工学や細胞基板センサー等において有用となる新たな手段を提供するものである。
図１は、比較例１にて製造した表面修飾された基板の模式図である。 図２は、比較例２にて製造した表面修飾された基板の模式図である。 図３は、タンパク質パターニング試験結果を示す観察写真であり、（ａ）観察写真及び（ｂ）模式図を示す図である。
［光分解性材料］
　本発明の光分解性材料は、後述する基板に、シロキサン結合を介して結合できる式（１）で表される起端部と、それに連なる式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位を含む連結部とから構成される材料である。
　また本発明の光分解性材料は、下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位と、シロキサン結合を介して基板表面に結合することができる側鎖を有する下記式（３）で表される構造単位とを含むポリマーを含む材料であってもよい。
（Ｒ1Ｏ）3－Ｓｉ－Ｙ－　　　（１）
（式中、Ｒ1は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｙは、硫黄原子、ジチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－）、トリチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｓ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
 （式中、
Ｒ2乃至Ｒ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｚは、カルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）を表し、
Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ－）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
ｍ1は、１乃至２００の整数を表し、
ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 （式中、
Ｒ5は、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
ｍ2は、１乃至２００の整数を表す。）
　上記式（１）、式（２－ａ）、式（２－ｂ）又は式（３）において、Ｒ1乃至Ｒ5並びにＸにおける炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基とは、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｉ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｉ－ブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、１－メチル－ｎ－ブチル基、２－メチル－ｎ－ブチル基、３－メチル－ｎ－ブチル基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピル基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピル基、１－エチル－ｎ－プロピル基又はｎ－ペンチル基等が挙げられるが、好ましくはメチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基又はｎ－ペンチル基である。
　またＹ及びＱにおける炭素原子数１乃至１０のアルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、イソプロピレン基、シクロプロピレン基、ｎ－ブチレン基、イソブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基、シクロブチレン基、１－メチル－シクロプロピレン基、２－メチル－シクロプロピレン基、ｎ－ペンチレン基、１－メチル－ｎ－ブチレン基、２－メチル－ｎ－ブチレン基、３－メチル－ｎ－ブチレン基、１，１－ジメチル－ｎ－プロピレン基、１，２－ジメチル－ｎ－プロピレン基、２，２－ジメチル－ｎ－プロピレン、１－エチル－ｎ－プロピレン基、シクロペンチレン基、１－メチル－シクロブチレン基、２－メチル－シクロブチレン基、３－メチル－シクロブチレン基、１，２－ジメチル－シクロプロピレン基、２，３－ジメチル－シクロプロピレン基、１－エチル－シクロプロピレン基、２－エチル－シクロプロピレン基、ｎ－ヘキシレン基、１－メチル－ｎ－ペンチレン基、２－メチル－ｎ－ペンチレン基、３－メチル－ｎ－ペンチレン基、４－メチル－ｎ－ペンチレン基、１，１－ジメチル－ｎ－ブチレン基、１，２－ジメチル－ｎ－ブチレン基、１，３－ジメチル－ｎ－ブチレン基、２，２－ジメチル－ｎ－ブチレン基、２，３－ジメチル－ｎ－ブチレン基、３，３－ジメチル－ｎ－ブチレン基、１－エチル－ｎ－ブチレン基、２－エチル－ｎ－ブチレン基、１，１，２－トリメチル－ｎ－プロピレン基、１，２，２－トリメチル－ｎ－プロピレン基、１－エチル－１－メチル－ｎ－プロピレン基、１－エチル－２－メチル－ｎ－プロピレン基、シクロヘキシレン基、１－メチル－シクロペンチレン基、２－メチル－シクロペンチレン基、３－メチル－シクロペンチレン基、１－エチル－シクロブチレン基、２－エチル－シクロブチレン基、３－エチル－シクロブチレン基、１，２－ジメチル－シクロブチレン基、１，３－ジメチル－シクロブチレン基、２，２－ジメチル－シクロブチレン基、２，３－ジメチル－シクロブチレン基、２，４－ジメチル－シクロブチレン基、３，３－ジメチル－シクロブチレン基、１－ｎ－プロピル－シクロプロピレン基、２－ｎ－プロピル－シクロプロピレン基、１－イソプロピル－シクロプロピレン基、２－イソプロピル－シクロプロピレン基、１，２，２－トリメチル－シクロプロピレン基、１，２，３－トリメチル－シクロプロピレン基、２，２，３－トリメチル－シクロプロピレン基、１－エチル－２－メチル－シクロプロピレン基、２－エチル－１－メチル－シクロプロピレン基、２－エチル－２－メチル－シクロプロピレン基又は２－エチル－３－メチル－シクロプロピレン基等が挙げられるが、好ましくはメチレン基、エチレン基、ｎ－プロピレン基、ｉ－プロピレン基、ｎ－ブチレン基、ｉ－ブチレン基、ｓｅｃ－ブチレン基、ｔｅｒｔ－ブチレン基である。
　また、Ｙ又はＱのいずれか一方又は双方がフェニレン基の場合、「置換されていてもよい」とは、当該フェニレン基はその水素原子が、上記炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）又はヒドロキシ基で置換されていてもよい、という意味である。
　上記式（１）においてＹは、後述する基板に固定化した後、露光することによりパターン形成する際、より低い露光量でも光分解性材料が分解可能（パターン形成可能）、すなわち高感度とすべく、フェニレン基を含むことが好ましい。上記フェニレン基の水素原子は、上記炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
　また式（２－ａ）において、Ｚはカルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）であることが好ましい。
　さらに式（２－ａ）、式（２－ｂ）又は式（３）において、Ｑはエステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）と炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の組み合わせ、又はリン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）と炭素原子数１乃至１０のアルキレン基の組み合わせであることが好ましい。
　上記構造単位（２－ａ）は、例えば下記式（２－ａ－１）で表されるモノマーに由来するものであることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
 　上記式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｘ及びｎは上記式（２－ａ）における定義のとおりである。
　上記式（２－ａ－１）で表されるモノマーの具体例としては、例えば、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシメチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシプロピル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシメチル－Ｎ，Ｎ－ジエチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジエチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシプロピル－Ｎ，Ｎ－ジエチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタインなどが挙げられ、これらの１種または２種以上を用いることができる。これらのうち、特にＮ－メタクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタインが好ましく用いられる。
　又、上記式（２－ａ－１）のカルボアニオン（－ＣＯＯ-基）部分がスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）に置換している化合物も好ましく用いられ、例えばＮ－（３－スルホプロピル）－Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムベタイン等を挙げることができる。
　式（２－ｂ）で表される構造単位の例としては、２－（（メタ）クリロイルオキシ）エチル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、３－（（メタ）クリロイルオキシ）プロピル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、４－（（メタ）クリロイルオキシ）ブチル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、５－（（メタ）クリロイルオキシ）ペンチル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、６－（（メタ）クリロイルオキシ）ヘキシル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、２－（（メタ）クリロイルオキシ）プロピル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、２－（（メタ）クリロイルオキシ）ブチル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、２－（（メタ）クリロイルオキシ）ペンチル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、２－（（メタ）クリロイルオキシ）ヘキシル－２’－（トリメチルアンモニオ）エチルホスフェート、２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ＭＰＣ）等のモノマー由来の構造単位が挙げられ、それらの中でも２－メタクリロイルオキシエチルホスホリルコリン（ＭＰＣ）由来の構造単位が特に好ましい。
　また上記構造単位（３）は、例えば下記式（３－１）で表されるモノマーに由来するものであることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 　上記式中、Ｒ5及びＸは上記式（３）における定義のとおりである。
　上記式（３－１）で表されるモノマーの具体例としては、例えば、γ－（メタ）アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ－（メタ）アクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、γ－（メタ）アクリロイルオキシプロピルトリイソプロポキシシラン等が挙げられる。
　また上記構造単位（３）は、スチリルトリメトキシラン等のフェニレン基を含むモノマーや３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等のモノマーであってもよい。
　本発明の光分解性材料は、フォトリソグラフィによるパターン形成用材料として好適であり、特に露光光にＡｒＦエキシマレーザーを用いたフォトリソグラフィによるパターン形成用材料として好適である。
　そして本発明の光分解性材料は、露光することによってタンパク質、細胞又はウイルスに対する吸着性／接着性を発現するため、タンパク質、細胞又はウイルスを特異的に吸着させたパターンを基板表面に形成するための材料として好適である。
［基板及びパターン形成基板の製造方法］
　本発明は、上記光分解性材料がシロキサン結合を介して基板の表面に結合してなるパターン形成可能な基板、前記基板の表面上に結合する光分解性材料がパターン露光されてなるパターン形成された基板、そしてタンパク質、細胞又はウイルスが特異的に吸着したパターン形成された基板の製造方法にも関する。
　上記パターン形成された基板は、以下の（ａ）～（ｃ）工程を経て製造可能である。
（ａ）基板表面に前記光分解性材料をシロキサン結合を介して固定化することにより表面修飾された基板を製造する工程、
（ｂ）該表面修飾された基板をパターン露光することによりパターン形成する工程、及び
（ｃ）パターン露光された部分にタンパク質、細胞又はウイルスを吸着させる工程。
　上記（ａ）工程は、前述の本発明の光分解性材料を基板表面に固定化する工程、すなわち光分解性材料の被膜を基板表面に形成する工程である。
　ここで使用する基板としては、光分解性材料がシロキサン結合を介して基板と結合することができるよう、その表面上にヒドロキシ基が存在していることが好ましい。例えば、ガラス基板、金属、金属酸化物基板、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物、セラミックス基板、シリコン基板、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン炭化物又はシリコン酸窒化物等を好適な基板として挙げることができる。なお、基板表面上にヒドロキシ基が存在していない基板を使用する場合には、その表面を親水化させておくことが好ましい。
　本発明の光分解性材料を基板表面に固定化する（被膜を基板の表面上に形成させる）方法としては、例えば、スピンコート法、フローコート法、スプレーコート法、浸漬法、刷毛塗法、ロールコート法、蒸着法などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。
　また、本工程の雰囲気は、通常、大気中であればよく、また塗布する際の温度は、通常、常温であってもよく、加温であってもよい。基板表面に固定化させる光分解性材料の量は、基板の用途などによって適宜調整することが好ましい。
　また前記光分解性材料を基板表面に固定化した後（被膜を基板の表面上に形成させた後）は、生産効率を高める観点から、基板を加熱することが好ましい。基板を加熱する際の加熱温度は、その基板の耐熱温度などによって異なるので一概には決定することができないが、通常、３０～１５０℃の範囲内で、その基板に適した温度を選択することが好ましい。
　或いは、本発明の光分解性材料を基板表面に固定化する工程は、前記式（１）で表される構造を有する起端部をまず基板表面に結合させた後、該起端部から式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位の由来となるモノマーを重合させ、光分解性材料を基板表面上に形成させることによっても可能である。
　この場合、まず基板に式（１）で表される構造を有する起端部を結合させた後、ここに連鎖移動反応を起こしやすい基を導入する。そして、式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位の由来となるモノマーと、重合開始剤、連鎖移動剤等を投入して反応させることで、前記起端部に式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位を有するポリマーが結合した本発明の光分解性材料とすることができる。本法は「Ｇｒａｆｔｉｎｇ　ｆｒｏｍ」法（表面開始グラフト重合）と呼ばれる。
　本方法は、塗布方法に比べて、機能性材料を比較的薄膜の状態で基板表面に高密度に存在させ、所望の機能を向上させることが出来る。例えば本願においては、露光部位に対するタンパク質、細胞又はウイルスの接着性が向上することで、パターンのコントラストを高めることが出来る。このようにして作製されたものは一般に「ポリマーブラシ」とも呼ばれる。又、既成の高分子化合物と基板表面の官能基との反応による「Ｇｒａｆｔｉｎｇ　ｔｏ」法を用いてもよい。
　上記反応に使用する重合開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル、アゾイソブチロニトリル、アゾイソ酪酸メチル、アゾビスジメチルバレロニトリル、２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩、過酸化ベンゾイル、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウム、ベンゾフェノン誘導体、ホスフィンオキサイド誘導体、ベンゾケトン誘導体、フェニルチオエーテル誘導体、アジド誘導体、ジアゾ誘導体、ジスルフィド誘導体などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらの重合開始剤は、それぞれ単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　重合開始剤の量は、特に限定されないが、通常、モノマー成分１００質量部あたり０．０１～１０質量部程度であることが好ましい。
　上記反応に使用する連鎖移動剤は、モノマー成分と混合することによって用いることができ、例えばラウリルメルカプタン、ドデシルメルカプタン、チオグリセロールなどのメルカプタン基含有化合物、次亜リン酸ナトリウム、亜硫酸水素ナトリウムなどの無機塩などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらの連鎖移動剤は、それぞれ単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　連鎖移動剤の量は、特に限定されないが、通常、モノマー成分１００質量部あたり０．０１～１０質量部程度であればよい。
　モノマー成分を重合させる方法としては、例えば、溶液重合法などが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。
　溶液重合法に使用する溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリフルオロエタノールなどのアルコール、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素化合物、ｎ－ヘキサンなどの脂肪族炭化水素化合物、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素化合物、酢酸メチル、酢酸エチルなどの酢酸エステルなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。これらの溶媒は、それぞれ単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
　溶媒の量は、通常、モノマー成分を溶媒に溶解させることによって得られる溶液におけるモノマー成分の濃度が１～８０質量％程度となるように調整することが好ましい。
　モノマー成分を重合させる際の重合温度、重合時間などの重合条件は、そのモノマー成分の組成、重合開始剤の種類およびその量などに応じて適宜調整することが好ましい。
　またモノマー成分を重合させるときの雰囲気は、不活性ガスであることが好ましい。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス、アルゴンガスなどが挙げられるが、本発明は、かかる例示のみに限定されるものではない。
　続いて、（ｂ）工程は、（ａ）工程で製造した、本発明の光分解性材料が基板表面に結合した基板をフォトリソグラフィによりパターン露光することによりパターン形成する工程である。
　本工程は、パターンマスクを介して、露光光としてＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ）を用いて行うことが好ましい。露光装置としては、半導体製造用超微細露光用ＡｒＦステッパー等を用いることが出来る。
　露光量は、１０ｍＪからおよそ３０００ｍＪで適宜選択され得、２５０ｍＪ以上の露光量であることがより好ましい。
　こうして得られた基板は、露光部の光分解性材料の双性イオンポリマー鎖がカチオン性ポリマー鎖に構造変化、又は分解による双性イオンの喪失により、該カチオン性部分又は双性イオン喪失部分（すなわち露光部）にタンパク質、細胞又はウイルス等の吸着／接着が可能となる。
　最後に（ｃ）工程として、前述のパターン露光された部分にタンパク質、細胞又はウイルスを吸着させ、タンパク質、細胞又はウイルスを特異的に吸着させたパターン形成された基板を得る。例えば、インキュベーション法等が挙げられる。
　本発明の上記パターン形成基板は、細胞培養用基板或いはマイクロ流路形成用基板として好適に適用可能である。
　以下、実施例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
　本明細書の下記製造例に示すポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（Ｇｅｌ　Ｐｅｒｍｅａｔｉｏｎ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ、ゲル浸透クロマトグラフィー）法による測定結果である。ＧＰＣ測定装置を用いた測定における測定条件は下記のとおりである。
　ＧＰＣカラム：ＷＢ－Ｇ－５０（和光純薬工業株式会社）
　カラム温度：２５℃
　溶媒：０．１Ｍ　ＮａＢｒ水溶液
　流量：０．２ｍＬ／分
　標準試料：プルラン(昭和電工株式会社)
［実施例１：双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（Ｂ－ＰＣＭＢ修飾基板）の製造］
製造例１　ＳＤＴＢ（ジチオベンゾエートナトリウム塩）の合成
　ナトリウムメトキシド（１．０８ｇ、０．０２０ｍｏｌ）を脱気したメタノール３．６ｍＬに溶解し、ここに単体硫黄（６５０ｍｇ、０．０２０ｍｏｌ）を加え、Ｎ2バブリング（窒素置換）を行いながら撹拌した。ここにベンジルクロリド（１．１４ｍＬ、０．０１０ｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、６５℃で１０時間反応させた（スキーム１）。
　反応終了後、反応系を氷水に浸し、析出した塩を吸引ろ過により除去し、溶媒を減圧濃縮により除去した。ここに水１０ｍＬを加え、再度吸引ろ過を行った後、ろ液に４ｍＬのジエチルエーテルを加え、分液操作を行った。同様にさらに２回分液操作を行い、回収した水層にジエチルエーテル４ｍＬ、１Ｍ　ＨＣｌ　５ｍＬを加え、分液操作を行った。回収したエーテル層に、水６ｍＬ及び１Ｍ　ＮａＯＨ　６ｍＬを加え、分液操作を行った。上記分液操作後、回収した水層にジエチルエーテルと１Ｍ　ＨＣｌを加える分液操作と、回収したエーテル層に水と１Ｍ　ＮａＯＨを加える分液操作を上記と同様の操作にてさらに２回行った。
　回収した水層を減圧濃縮し、アセトン中に滴下した。析出した塩を吸引ろ過により除去した後、ろ液を減圧乾燥し、褐色粉末の生成物ＳＤＴＢ（Ａ）（ジチオベンゾエートナトリウム塩）を得た（収量：５４２ｍｇ）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
製造例２　ＢＳＴＭＰＡ（２－（ｎ－ブチルチオ（チオカルボニル）チオ）－２－メチル－プロピオン酸）の合成
　リン酸カリウム（４．２５ｇ、２０ｍｍｏｌ）をアセトン３２ｍＬに溶解し、３０分間撹拌後、１－ブタンチオール２．１４ｍＬ、次に二流化硫黄３．０ｍＬ、そして２－メチル－２－ブロモプロピオン酸３．３４ｇを、１０分間隔で順に加えた後、１８時間反応を行った（スキーム２）。
　シリカゲルカラムによる精製を行った後、減圧濃縮により溶媒を除去し、ヘキサンに溶解させ、その後冷却して固体を回収した。得られた固体をデシケータで乾燥し、黄色粉末のＢＳＴＭＰＡ（Ｂ）を得た（収量：８４０ｍｇ）。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
製造例３　シリコンウェハの表面修飾
　８インチシリコンウェハを水、メタノール、アセトンの順で洗浄し、さらにＵＶ／オゾン洗浄を行った。
　８インチシリコンウェハが入る反応容器中に、ＣＭＰＳ（４－（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン）１８５μＬ（２ｖ／ｖ％）をトルエン９ｍＬに溶解した溶液を入れ、窒素雰囲気下で、上述の洗浄後のシリコンウェハを浸漬させた。その反応容器を８０℃のオイルバス中に１５時間保持し、シリコンウェハ表面のヒドロキシ基と４－（クロロメチル）フェニルトリメトキシシランのアルコキシシリル基とを反応させた。その後、取り出したシリコンウェハをトルエンで２回洗浄し、次に３０秒間超音波洗浄を行い、さらに２回トルエンで洗浄した。洗浄後、Ｎ2フローにより乾燥し、ＣＭＰＳで表面修飾されたシリコンウェハを得た（スキーム３：上段参照）。
製造例４　双性イオンポリマー鎖によるシリコンウェハの表面修飾（ポリマーブラシタイプ）
　製造例１で得たＳＤＴＢ２０ｍｇをテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１０ｍＬに溶解した後、この溶液に、製造例３で得たＣＭＰＳにて表面修飾されたシリコンウェハを浸漬し、室温で１時間反応を行った（スキーム３：中段参照）。
　その後、ＴＨＦ、メタノールで洗浄を行い、Ｎ2フローによりシリコンウェハを乾燥させた。
　前述の如くジチオベンゾエートにて表面修飾したシリコンウェハをサンプル瓶に入れ、エタノール（１０．００ｍＬ）、Ｎ－メタクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン（ＣＭＢ、２．３３ｇ、１０ｍｍｏｌ）を加え、３０分間以上Ｎ2バブリングを行った。続いて、反応溶液に、製造例２で得たＢＳＴＭＰＡ（Ｂ）（５０．４ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）及び水溶性アゾ重合開始剤Ｖ－５０１（２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩、和光純薬工業（株）、１１．２ｍｇ、０．０４０ｍｍｏｌ）を加え、３分間のＮ2バブリングを行い、サンプル瓶を密栓した。これを７０℃のオイルバス中に入れ、２４時間重合反応を行った（スキーム３：下段参照）。
　重合反応終了後、シリコンウェハをメタノールで２回、水で１回、さらにメタノールで１回洗浄し、Ｎ2フローにより乾燥させ、双性イオンポリマー鎖であるＣＭＢポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハを得た。
　スキーム３：下段に記載のＣＭＢポリマー鎖の構造式は、本製造例４で得られるＣＭＢポリマー鎖の推定構造の１つである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
［実施例２：双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（ＢＴＰＴ－ｇ－ＰＣＭＢ修飾基板）の製造］
製造例５　ＢＴＰＴ（Ｓ－ベンジル－Ｓ’－トリメトキシシリルプロピルトリチオカーボネート）による基板修飾
　可逆的付加開裂連鎖移動（ＲＡＦＴ）重合可能なＲＡＦＴ剤付きシランカップリング剤であるＳ－ベンジル－Ｓ’－トリメトキシシリルプロピルトリチオカーボネート（ＢＴＰＴ）溶液２．８ｇをトルエン２００ｍＬに溶解した。上述製造例３と同様の手順にて洗浄した８インチシリコンウェハを溶液中に浸漬し、２４時間室温で保持し、シリコンウェハ表面のヒドロキシ基とＢＴＰＴのトリメトキシシリル基とを反応させた。その後、取り出したシリコンウェハをトルエンで洗浄し、Ｎ2フローにより乾燥させ、ＢＴＰＴにて修飾されたシリコンウェハを得た（スキーム４：上段参照）。
製造例６　双性イオンポリマー鎖によるシリコンウェハの表面修飾（ポリマーブラシタイプ）
　製造例５でＢＴＰＴを修飾したシリコンウェハ（基板）を入れたサンプル瓶に、エタノール（１０．００ｍＬ）、ＣＭＢ（Ｎ－（メタ）アクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、２．３３ｇ、１０ｍｍｏｌ）を加え３０分以上Ｎ2バブリングを行った。続いて、反応溶液に製造例２で合成したＢＳＴＭＰＡ（Ｂ）（５０．４ｍｇ、０．２０ｍｍｏｌ）及び水溶性アゾ重合開始剤Ｖ－５０１（２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩、和光純薬工業（株）、１１．２ｍｇ、０．０４０ｍｍｏｌ）を加え、３分間のＮ2バブリングを行い、サンプル瓶を密栓した。７０℃のオイルバス中に反応容器を入れ、重合を開始し、２４時間重合を行った（スキーム４：下段参照）。
　重合反応終了後、シリコンウェハをメタノールで２回、水で１回、さらにメタノールで１回洗浄し、Ｎ2フローにより乾燥させ、ＢＴＰＴ－ｇ－ＰＣＭＢ修飾済みシリコンウェハを得た。
　スキーム４：下段で得られるＢＴＰＴ－ｇ－ＰＣＭＢは、本製造例６で得られるＢＴＰＴ－ｇ－ＰＣＭＢの推定構造の１つである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
［実施例３　双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（ＳＰＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体修飾基板）の製造］
製造例７　ＳＰＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体の合成
　ＫＢＭ－１４０３（ｐ－スチリルトリメトキシシラン、信越化学株式会社製）（０．１７５ｇ、０．７８ｍｍｏｌ）とＳＰＢ（Ｎ－（３－スルホプロピル）－Ｎ－メタクロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウムベタイン、１．９６ｇ、０．７０ｍｍｏｌ）を窒素バブリングしたＴＨＦ（１３．７５ｍｌ）に加えた。アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ、０．１０７ｇ、０．６５ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で重合を開始した。４時間後さらにＡＩＢＮ（０．０２１４ｇ、０．１３ｍｍｏｌ）を加え、その後４時間反応させることにより、下記式（４）に示す２つの構造単位を有するポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量は１０５，０００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
製造例８　ＳＰＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体による修飾基板の製造
　溶媒循環用冷却管が接続された８インチシリコンウェハ浸漬用ステンレス製反応容器にトリフルオロエタノール（ＴＦＥ）（１３７．８ｍＬ）と製造例７で合成したＳＰＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体を加え、ここにオゾン洗浄処理した８インチシリコンウェハを室温にて２４時間浸漬した。その後、水とメタノールで洗浄し、さらに１時間水に浸漬し、ＳＰＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体修飾済みシリコンウェハ（基板）を得た。
［実施例４　双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（ＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体修飾基板）の製造］
製造例９　ＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体の合成
　ＫＢＭ－１４０３（ｐ－スチリルトリメトキシシラン、０．１７５ｇ、０．７８ｍｍｏｌ）とＣＭＢ（Ｎ－メタクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン、１．９６ｇ、９．１ｍｍｏｌ）を窒素バブリングしたエタノールに加えた。ＡＩＢＮ（０．０９０５ｇ、０．５５ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で重合を開始した。４時間後さらにＡＩＢＮ（０．０１８１ｇ、０．１１ｍｍｏｌ）を加え、その後４時間反応させることにより、下記式（５）に示す２つの構造単位を有するポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量は１２２，０００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
製造例１０　ＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体による修飾基板の製造
　溶媒循環用冷却管が接続された８インチシリコンウェハ浸漬用ステンレス製専用の反応容器にエタノール（２２６．０ｍＬ）と製造例９で合成したＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体を加え、ここにオゾン洗浄処理した８インチシリコンウェハを室温にて２４時間浸した。その後、水とメタノールで洗浄し、さらに１時間水に浸漬し、ＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体修飾済みシリコンウェハ（基板）を得た。
［実施例５　双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（ＣＭＢ－ＭＰＴＭＳ共重合体修飾基板）の製造］
製造例１１　ＣＭＢ－ＭＰＴＭＳ共重合体の合成
　ＫＢＭ－１４０３をＭＰＴＭＳ（３－メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、０．２９ｇ、１．０ｍｍｏｌ）とした以外は製造例９と同様の操作を行い、下記式（６）に示す２つの構造単位を有するポリマーを得た。得られたポリマーの重量平均分子量は１０，０００であった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
製造例１２　ＣＭＢ－ＭＰＴＭＳ共重合体による修飾基板の製造
　製造例１０においてＣＭＢ－ＫＢＭ－１４０３共重合体の代わりに、製造例１１で合成したＣＭＢ－ＭＰＴＭＳ共重合体を使用した以外は、製造例１０と同様の操作を行い、ＣＭＢ－ＭＰＴＭＳ共重合体修飾済みシリコンウェハ（基板）を得た。
［比較例１　双性イオンを持たないポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（Ｂ－ＰＭＡ修飾基板）の製造］
　実施例１において、ＣＭＢの代わりにＭＡ（メタクリル酸）を使用した以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｂ－ＰＭＡ修飾済み基板を得た（図１の模式図参照）。
［比較例２　双性イオンを持たないポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハ（Ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ修飾基板）の製造］
　実施例１において、ＣＭＢの代わりにＤＭＡＥＭＡ（ジメチルアミノエチルメタクリレート）を使用した以外は、実施例１と同様の操作を行い、Ｂ－ＰＤＭＡＥＭＡ修飾済みシリコンウェハ（基板）を得た（図２の模式図参照）。
［実施例６：双性イオンポリマー鎖で表面修飾されたシリコン酸窒化ウェハ（Ｂ－ＰＣＭＢ修飾基板）の製造］
製造例１３　シリコン酸窒化ウェハの表面修飾
　８インチシリコン酸窒化ウェハを水、メタノール、アセトンの順で洗浄し、さらにＵＶ／オゾン洗浄を行った。
　８インチシリコン酸窒化ウェハが入る反応容器中に、ＣＭＰＳ（４－（クロロメチル）フェニルトリメトキシシラン）８ｍＬ（２ｖ／ｖ％）をトルエン３９２ｍＬに溶解した溶液を入れ、窒素雰囲気下で、上述の洗浄後のシリコン酸窒化ウェハを浸漬させた。その反応容器を８０℃のウォーターバス中に１５時間保持し、シリコン酸窒化ウェハ表面のヒドロキシ基と４－（クロロメチル）フェニルトリメトキシシランのアルコキシシリル基とを反応させた。その後、取り出したシリコン酸窒化ウェハを４回トルエンで洗浄した。洗浄後、Ｎ2フローにより乾燥し、ＣＭＰＳで表面修飾されたシリコン酸窒化ウェハを得た（前述のスキーム３：上段参照）。
製造例１４　双性イオンポリマー鎖によるシリコン酸窒化ウェハの表面修飾（ポリマーブラシタイプ）
　製造例１で得たＳＤＴＢとテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いて、２０ｍｇ／ｍＬＳＤＴＢ溶液２００ｍＬを調製後、この溶液に、ＣＭＰＳにて表面修飾されたシリコンウェハを浸漬し、室温で１時間反応を行った（前述のスキーム３：中段参照）。
　その後、ＴＨＦ、メタノールで洗浄を行い、Ｎ2フローによりシリコン酸窒化ウェハを乾燥させた。
　前述の如くジチオベンゾエートにより表面修飾したシリコン酸窒化ウェハを８インチシリコンウェハが入る反応容器中に入れ、エタノール（６００ｍＬ）、Ｎ－メタクリロイルオキシエチル－Ｎ，Ｎ－ジメチルアンモニウム－α－Ｎ－メチルカルボキシベタイン（ＣＭＢ、２７．９６ｇ、１２０ｍｍｏｌ）を加えた。続いて、反応溶液に、製造例２で得たＢＳＴＭＰＡ（Ｂ）（１４０．３ｍｇ、０．６０ｍｍｏｌ）及び水溶性アゾ重合開始剤Ｖ－５０１（２，２’－アゾビス（２－メチルプロピオンアミジン）二塩酸塩、和光純薬工業（株）、３３．７ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）を加え、３０分間以上Ｎ2バブリングを行い、反応容器を密栓した。これを７０℃のウォーターバス中に入れ、２４時間重合反応を行った（前述のスキーム３：下段参照）。
　重合反応終了後、シリコン酸窒化ウェハをメタノールで２回、水で１回、さらにメタノールで１回洗浄し、Ｎ2フローにより乾燥させ、双性イオンポリマー鎖であるＣＭＢポリマー鎖で表面修飾されたシリコン酸窒化ウェハを得た。
［露光方法］
　上記実施例及び比較例で製造した表面修飾されたシリコンウェハを、露光量２５０ｍＪ、５００ｍＪ、１０００ｍＪ及び３０００ｍＪで露光を行い、その後、蒸留水を用いてシリコンウェハの洗浄処理を行った。そして以下の膜厚測定、接触角の測定、タンパク質吸着測定、パターニング試験（ＡＦＭ測定）及びタンパク質パターニング試験（蛍光顕微鏡測定）に用いた。
　なお、露光には（株）ニコン製ＮＳＲ－Ｓ３０７Ｅレンズキャニング方式ステッパー（ＡｒＦエキシマレーザー（波長：１９３ｎｍ））を用いた。
　また、パターニング試験では、現像後にパターンの縦横幅がそれぞれ０．２５～５．０μｍになるように設定されたマスクを通して露光を行った。
［膜厚測定］
　膜厚の測定は、エリプソ（偏光解析）式膜厚測定装置　Ｌａｍｂｄａ　Ａｃｅ　ＲＥ－３１００（大日本スクリーン製造（株）製）を用いて行った。
　実施例１及至実施例５、並びに比較例１及至比較例２で製造した各シリコンウェハ（基板）の未露光部（露光量：０ｍＪ）、露光部（露光量：２５０～３０００ｍＪ）のそれぞれについて行った膜厚（ｎｍ）の測定結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
　表１に示すように、実施例１及至実施例５、並びに比較例１及び比較例２で製造した各基板において、露光量の増大に伴い、膜厚の減少が見られた。
［接触角の測定］
　水液滴の接触角の測定は、接触角計（協和界面科学（株）製、品番：ＣＡ－Ｄ）を用いて、液滴法によって求めた。
　なお液滴法は、室温下（相対湿度：約５０％）で、３～４μＬの水を試料（シリコンウェハ）に接触させ、接触後２７秒後の角度と３３秒後の角度とを合計した角度の合計値で評価し、各ウェハ６点ずつ評価を行い、その平均値を測定値として採用した。
　実施例１及至実施例５、並びに比較例１及び比較例２で製造した各シリコンウェハ（基板）の未露光部（露光量：０ｍＪ）、露光部（露光量：２５０～３０００ｍＪ）のそれぞれについて行った水液滴の接触角（度）の測定結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
　表２に示すように、実施例１及至実施例５で製造した各基板においては、露光量の増大に伴い、接触角の増加が見られた。一方、比較例１及び比較例２で製造した各基板においては、露光量が増加しても接触角の増加は観測されなかった。
［パターニング試験（ＡＦＭ測定）］
　前述の実施例１及至実施例６で製造したポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハまたはシリコン酸窒化ウェハに対して、現像後にパターンの縦横幅がそれぞれ０．２５～５．０μｍになるように設定されたマスクを通して、露光量３０００ｍＪで上述の露光方法にて露光を行った。露光後、該ウェハのパターンの形成を原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ　Ｆｏｒｃｅ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ；ＡＦＭ）により観察した。本観察では高性能大型試料用走査型プローブ顕微鏡（Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ ＩＣＯＮ：Ｂｒｕｋｅｒ　ＡＸＳ製）を用い、プローブとして単結晶Ｓｉ（Ｂｒｕｋｅｒ　ＡＸＳ）を使用した。また、バネ定数：約３Ｎ／ｍ、共振周波数：７０ｋＨｚ、走査速度：０．５Ｈｚにより測定を行った。観察された格子状パターンのパターンサイズ（縦横幅）を表３に示す。
　表３に示すように、実施例１及至実施例６で製造したポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハまたはシリコン酸窒化ウェハの表面に格子状のパターンの形成が確認された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
［ビシンコニン酸（ＢＣＡ：Ｂｉｃｉｎｃｈｏｎｉａｎａｔｅ）法によるタンパク質吸着測定試験］
　実施例１及至実施例６、並びに比較例１及び比較例２で製造したシリコンウェハ（基板）又はシリコン酸窒化ウェハの未露光部（露光量：０ｍＪ）、露光部（露光量：２５０～３０００ｍＪ）のそれぞれについて、ウシ血清アルブミン（ＢＳＡ：Ｂｏｖｉｎｅ　Ｓｅｒｕｍ　Ａｌｂｕｍｉｎ）の吸着試験を、吸光マイクロプレートリーダーを用いてＢＣＡ法により評価した。
　まずリン酸緩衝生理食塩水（ＰＢＳ：Ｐｈｏｓｐｈａｔｅ　Ｂｕｆｆｅｒｅｄ　Ｓａｌｉｎｅ）で各ウェハを洗浄し、洗浄後のウェハ上にシリコンシートを用いて作製した枠（内径：２０ｍｍ×２０ｍｍ、外径：２５ｍｍ×２５ｍｍ）を載せた。シリコンシートの枠内に、５００μＬのＢＳＡ溶液（２ｗｔ％　ｉｎ　ＰＢＳ、シグマ－アルドリッチ社製）を入れ、室温下で２時間インキュベートした。ＢＳＡ溶液を除去後、ＰＢＳで枠内を濯いだ後、６００μＬの「Ｍｉｃｒｏ　ＢＣＡ　Ｐｒｏｔｅｉｎ　Ａｓｓａｙ　Ｋｉｔ」（商品名）（サーモフィッシャーサイエンティフィック株式会社製）／ＰＢＳ等量混合溶液を加え、３７℃で２時間インキュベートした。インキュベート後のＢＣＡ溶液の波長５７０ｎｍにおける吸光度を測定し、ＢＳＡの吸着量（ｎｇ／ｃｍ2）を求めた。
　得られた結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
　表４に示すように、実施例１及至実施例６で製造した各基板においては露光量の増大に伴いＢＳＡ吸着量の増加が見られた。一方、比較例１及び比較例２で製造した各基板においては、露光量の増大に伴うＢＳＡ吸着量の変化は観測されなかった。
　さらに実施例１と実施例２の結果を比較すると、ＢＳＡ吸着量は、ポリマーブラシ中にフェニル基を有する実施例１の方が、フェニル基を有していない実施例２より明らかに大きい結果となった。
　また、実施例４と実施例５について、以下に示す＜ＢＳＡ吸着量増加比率＞の式を用いてＢＳＡ吸着量の増加比率（数字が大きいほど増加比率が大きい）を算出したところ、ポリマー鎖中にフェニル基を有する実施例４の方が、フェニル基を有していない実施例５より大きい増加比率の値を示した。
　以上の結果より、ポリマーブラシまたはポリマー鎖中に露光光に対する吸収部位（フェニル基等）を導入することによって感度が増大することが確認された。
＜ＢＳＡ吸着量増加比率＞
（（高露光量（３０００ｍＪ）でのタンパク吸着量）―（未露光（０ｍＪ）でのタンパク吸着量））／（未露光（０ｍＪ）でのタンパク吸着量）
実施例４；（１８３８．４－１５３．７）／１５３．７≒１１．０
実施例５；（２２４５．０－２２０．３）／２２０．３≒９．２
［タンパク質パターニング試験］
　前述したように、実施例１で製造したＣＭＢポリマー鎖で表面修飾されたシリコンウェハに対して、縦横幅がそれぞれ５．０μｍのパターンを有するマスク（図３（ｂ）模式図参照）を通して、露光量１０００ｍＪで露光を行った。露光後、該シリコンウェハへの蛍光物質結合免疫グロブリンＧ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｐｒｏｂｅｓ（登録商標）Ａｌｅｘａ　Ｆｌｕｏｒ（登録商標）４８８－ＩｇＧ（商品名）、ライフテクノロジーズジャパン株式会社製）の特異的な吸着を、蛍光顕微鏡（ＩＸ７１（商品名）、オリンパス株式会社製）により観察した。観察写真を図３に示す。
　図３（ａ）（観察写真）に示すように、図３（ｂ）（模式図）の白色部分（露光部分）に対応するように、格子状にＡｌｅｘａ　Ｆｌｕｏｒ（登録商標）４８８－ＩｇＧ（商品名）の特異的な吸着が観察された。なお図３（ａ）中のランダムな輝点は洗浄不良による欠陥部である。
　又同様に、縦横幅がそれぞれ１．０μｍのパターンを有するマスクを通して、露光量３０００ｍＪで露光を行うと、同様の１．０μｍの格子状にＡｌｅｘａ　Ｆｌｕｏｒ（登録商標）４８８－ＩｇＧ（商品名）の特異的な吸着が観察された。
［細胞接着性の評価］
　実施例１にて製造したＢ－ＰＣＭＢ修飾基板の未露光部（露光量：０ｍＪ）、露光部（露光量：２５０～３０００ｍＪ）のそれぞれについて、ＮＩＨ－３Ｔ３細胞（マウス表皮由来繊維芽細胞）（ＤＳファーマメディカル株式会社製）を５×１０4ｃｅｌｌ／ｃｍ2となるように播種し、５％ＣＯ2雰囲気下、３７℃にて１２時間培養した後、３７℃に加温したリン酸緩衝液にて洗浄、培地交換を行った。さらに５％ＣＯ2雰囲気下、３７℃にて２４時間培養した後、基板上へ接着した細胞について、細胞核を染色できるＣｅｌｌｓｔａｉｎ（登録商標）Ｈｏｅｃｈｓｔ３３３４２（商品名）（２μｇ／ｍＬ、株式会社同仁化学研究所製）及び生細胞の細胞質を染色できるＣｅｌｌｓｔａｉｎ（登録商標）Ｃａｌｃｅｉｎ－ＡＭ溶液（商品名）（２μｇ／ｍＬ、株式会社同仁化学研究所製）を含む培養液に３０分間暴露させた後に、リン酸緩衝液で洗浄後、蛍光顕微鏡により観察した。基板に接着した細胞を、染色された核を計数することにより測定した。１細胞当たりの平均細胞伸展率（％）を、Ｃａｌｃｅｉｎ－ＡＭ溶液によって染色された細胞の面積を測定し、以下の計算式で算出した。
　また、比較例１で製造したＢ－ＰＭＡ修飾基板並びに比較例２で製造したＢ－ＰＤＭＡＥＭＡ修飾基板の未露光部（露光量：０ｍＪ）、露光部（露光量：２５０～３０００ｍＪ）のそれぞれについても、同様の操作にて細胞接着を実施し、細胞接着数の測定と１細胞当たりの平均細胞伸展率（％）を算出した。
＜１細胞当たりの平均伸展率（％）＞
１細胞当たりの平均伸展率（％）＝[（染色された全細胞の総面積）／（細胞数・細胞核の数）] ／ [非接着細胞の断面積（３９７．４μｍ2）]  ×　１００
　得られた結果を表５（細胞接着数）及び表６（平均細胞伸展率（％））に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
　表５及び表６に示すように、実施例１で製造した基板は露光量が増大するにつれて、細胞接着数が増加するという結果を得た。１細胞当たりの平均伸展率も同様の傾向を示した。
　一方、比較例１と比較例２で製造した基板は細胞接着数と１細胞当たりの平均伸展率の露光量依存性は見られなかった。

Claims (16)

  1. 　式（１）：
    　　（Ｒ1Ｏ）3－Ｓｉ－Ｙ－　　　（１）
    （式中、Ｒ1は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｙは、硫黄原子、ジチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－）、トリチオ炭酸エステル結合基（－Ｓ－Ｃ（＝Ｓ）－Ｓ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表す。）
    で表される構造を有し、シロキサン結合を介して基板表面に結合することができる起端部と、
    該起端部に連なる、下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位を含む連結部を含む、光分解性材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、
    Ｒ2乃至Ｒ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｚは、カルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）を表し、
    Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
    ｍ1は、１乃至２００の整数を表し、
    ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
  2. 　下記式（２－ａ）又は／及び式（２－ｂ）で表される構造単位と、シロキサン結合を介して基板表面に結合することができる側鎖を有する下記式（３）で表される構造単位とを含むポリマーを含む、光分解性材料。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、
    Ｒ2乃至Ｒ4は、それぞれ独立して、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｚは、カルボアニオン（－ＣＯＯ-基）又はスルホアニオン（－ＳＯ3 -基）を表し、
    Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
    ｍ1は、１乃至２００の整数を表し、
    ｎは、１乃至１０の整数を表す。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
     （式中、
    Ｒ5は、炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｘは、水素原子又は炭素原子数１乃至５の飽和直鎖アルキル基を表し、
    Ｑは、エステル結合基（－Ｃ（＝Ｏ）－Ｏ－又は－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－）、リン酸ジエステル結合基（－Ｏ－Ｐ（＝Ｏ）（－Ｏ-）－Ｏ－）、アミド結合基（－ＮＨ－ＣＯ－又は－ＣＯ－ＮＨ－）、炭素原子数１乃至１０のアルキレン基又は置換されていてもよいフェニレン基、或いはこれら二価の基の組み合わせを表し、
    ｍ2は、１乃至２００の整数を表す。）
  3. 　フォトリソグラフィによるパターン形成用材料である、請求項１又は請求項２に記載の光分解性材料。
  4. 　フォトリソグラフィがＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、請求項３に記載の光分解性材料。
  5. 　上記Ｙ又はＱのいずれか一方又は双方が、置換されていてもよいフェニレン基を含む、請求項４に記載の光分解性材料。
  6. 　タンパク質、細胞又はウイルスを特異的に吸着させたパターンを形成するための材料である、請求項３乃至請求項５のうち何れか一項に記載の光分解性材料。
  7. 　請求項１乃至請求項６のうち何れか一項に記載の光分解性材料がシロキサン結合を介して基板の表面に結合してなるパターン形成可能な基板。
  8. 　請求項７に記載の基板であって、その表面に結合する光分解性材料がフォトリソグラフィ法によりパターン露光されてなる、パターン形成された基板。
  9. 　前記露光がＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、請求項８に記載の基板。
  10. 　前記基板が、ガラス基板、金属基板、金属酸化物基板、金属窒化物基板、金属炭化物基板、金属酸窒化物基板、セラミックス基板、シリコン酸化物基板、シリコン窒化物基板、シリコン炭化物基板、シリコン酸窒化物基板又はシリコン基板である、請求項７乃至請求項９のうち何れか一項に記載の基板。
  11. 　請求項７乃至請求項１０のうち何れか一項に記載の基板を用いた細胞培養用基板。
  12. 　請求項７乃至請求項１０のうち何れか一項に記載の基板を用いたマイクロ流路。
  13. 　タンパク質、細胞又はウイルスが特異的に吸着されたパターン形成された基板の製造方法であって、
    基板表面に請求項１乃至請求項６のうち何れか一項に記載の光分解性材料をシロキサン結合を介して固定化することにより表面修飾された基板を製造する工程、
    該表面修飾された基板をパターン露光することにより基板表面をパターン形成する工程、及び
    基板表面のパターン露光された部分にタンパク質、細胞又はウイルスを吸着／接着させる工程、
    を含む、パターン形成された基板の製造方法。
  14. 前記パターン露光がＡｒＦエキシマレーザーを用いて為される、請求項１３に記載の製造方法。
  15. 前記パターン形成された基板が、細胞培養用基板である請求項１３又は請求項１４に記載の製造方法。
  16. 前記パターン形成された基板が、マイクロ流路形成用基板である請求項１３又は請求項１４に記載の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017042094A (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 学校法人神奈川大学 シャーレ型細胞培養容器
WO2018088458A1 (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 国立大学法人富山大学 細胞パターニング用材料
WO2018168309A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン膜およびその製造方法、パターン基板、細胞培養器具、マイクロ流路デバイス、ならびに細胞塊の製造方法
WO2019013148A1 (ja) * 2017-07-11 2019-01-17 国立大学法人富山大学 細胞の選択的分離用又は細胞培養用ポリマーにより被覆された基体
JP2021519225A (ja) * 2018-03-20 2021-08-10 アルヴェオル タンパク質プリント用の基材

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6495230B2 (ja) * 2016-12-22 2019-04-03 花王株式会社 シリコンウェーハ用リンス剤組成物
JPWO2019198700A1 (ja) * 2018-04-13 2021-04-30 日産化学株式会社 半導体基板用プライマーおよびパターン形成方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007039391A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Kao Corp 整髪用被膜形成樹脂
JP2008268488A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Seed Co Ltd 含水性眼用レンズ
JP2012034747A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Osaka Organic Chem Ind Ltd 生体適合性材料

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0751061B2 (ja) 1989-06-03 1995-06-05 鐘淵化学工業株式会社 細胞の配列制御用具の製法
DE69212102T2 (de) * 1991-10-14 1996-11-21 Nof Corp Behandlungslotion für Kontaktlinsen
US20070218554A1 (en) 2004-04-26 2007-09-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Cell Culture Patterning Substrate And Method For Manufacturing The Same
JP4761731B2 (ja) 2004-06-25 2011-08-31 独立行政法人理化学研究所 細胞を固定化した基板の作製方法および基板
KR101423057B1 (ko) * 2006-08-28 2014-07-25 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 액상첨가제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물
JP2008213177A (ja) * 2007-02-28 2008-09-18 Fujifilm Corp 平版印刷版原版
JP5167738B2 (ja) 2007-09-15 2013-03-21 独立行政法人物質・材料研究機構 光照射によって細胞付着性を付与可能にする細胞付着・培養用基材
JP2012148436A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Osaka Organic Chem Ind Ltd 低反射性材料

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007039391A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Kao Corp 整髪用被膜形成樹脂
JP2008268488A (ja) * 2007-04-19 2008-11-06 Seed Co Ltd 含水性眼用レンズ
JP2012034747A (ja) * 2010-08-04 2012-02-23 Osaka Organic Chem Ind Ltd 生体適合性材料

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JUN NAKANISHI, ET AL.: "Spatiotemporal Control of Migration of Single Cells on a Photoactivatable Cell Microarray", J. AM. CHEM. SOC., vol. 129, no. 21, 2007, pages 6694 - 6695 *

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017042094A (ja) * 2015-08-26 2017-03-02 学校法人神奈川大学 シャーレ型細胞培養容器
WO2018088458A1 (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 国立大学法人富山大学 細胞パターニング用材料
US11608447B2 (en) 2016-11-10 2023-03-21 The University Of Toyama Material for cell patterning use
WO2018168309A1 (ja) * 2017-03-15 2018-09-20 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン膜およびその製造方法、パターン基板、細胞培養器具、マイクロ流路デバイス、ならびに細胞塊の製造方法
JPWO2018168309A1 (ja) * 2017-03-15 2020-01-16 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン膜およびその製造方法、パターン基板、細胞培養器具、マイクロ流路デバイス、ならびに細胞塊の製造方法
JP7070543B2 (ja) 2017-03-15 2022-05-18 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物、パターン膜およびその製造方法、パターン基板、細胞培養器具、マイクロ流路デバイス、ならびに細胞塊の製造方法
WO2019013148A1 (ja) * 2017-07-11 2019-01-17 国立大学法人富山大学 細胞の選択的分離用又は細胞培養用ポリマーにより被覆された基体
JPWO2019013148A1 (ja) * 2017-07-11 2020-05-07 国立大学法人富山大学 細胞の選択的分離用又は細胞培養用ポリマーにより被覆された基体
JP7272590B2 (ja) 2017-07-11 2023-05-12 国立大学法人富山大学 細胞の選択的分離用又は細胞培養用ポリマーにより被覆された基体
US11655273B2 (en) 2017-07-11 2023-05-23 National University Corporation University Of Toyama Substrates coated with selective cell separation or cell culture polymers
JP2021519225A (ja) * 2018-03-20 2021-08-10 アルヴェオル タンパク質プリント用の基材
JP7321181B2 (ja) 2018-03-20 2023-08-04 アルヴェオル タンパク質プリント用の基材

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