WO2014048971A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelementes Download PDF

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Simon SCHICKTANZ
Philipp SCHWAMB
Evelyn TRUMMER-SAILER
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • organic light-emitting diodes organic light emitting diode - OLED
  • organic solar cell find increasingly widespread application.
  • An OLED can, for example, two electrodes, for example, two contact metallization set up as an anode and a cathode, with an organic functional
  • functional layer system can be one or more
  • Emitter layer (s) in which electromagnetic radiation is generated for example, one or more charge carrier pair generation layer structure each of two or more carrier pair generation layers
  • Electron block layers also referred to as
  • Hole transport layer and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.
  • s electron transport layer
  • Layer system may comprise organic substances and / or organic mixtures.
  • Organic substances and / or organic mixtures may comprise organic substances and / or organic mixtures.
  • organic mixtures may be susceptible to harmful environmental influences.
  • a harmful Environmental influences can be understood as all influences which can potentially lead to degradation or aging, for example cross-linking or crystallization, of organic substances and / or organic mixtures and thus, for example, limit the operating time of the OLED.
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or water.
  • an OLED is usually encapsulated.
  • the organic functional layer structure and the electrodes are surrounded by an encapsulation layer which is impermeable to harmful environmental influences, for example a thin film which is impermeable to water and water
  • the encapsulation layer for thin-film encapsulated organic light-emitting diodes should be absolutely defect-free. However, during encapsulation, it can not be completely ruled out that there are still defects in the encapsulation layer.
  • Encapsulation layer a glass cover by means of a
  • Layer structure diffuse, so for example a Defect in the encapsulation layer of an OLED only slows down causing a visible defect.
  • Cavity glass are glued to the OLED, the
  • Adhesive bonding takes place in the geometric edge of the OLED and in the cavity a water-absorbing material
  • Glass cover for example by means of a frit (glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding) applied by means of a conventional glass solder in the geometric edge regions on the encapsulation layer.
  • frit glass frit bonding / glass soldering / seal glass bonding
  • an organic substance regardless of the respective state of matter, in chemically uniform form, by
  • an inorganic substance may be one in a chemically uniform form, regardless of the particular state of matter
  • an organic-inorganic substance can be a irrespective of the particular state of aggregation, in chemically uniform form, characterized by characteristic physical and chemical properties, of compounds containing carbon and free of carbon.
  • the term "substance” encompasses all of the abovementioned substances, for example an organic substance, an inorganic substance, and / or a hybrid substance
  • a mixture of substances can be understood to mean components of two or more different substances whose
  • components are very finely divided.
  • a class of substance is a substance or mixture of one or more organic substance (s), one or more inorganic substance (s) or one or more hybrid
  • a first substance or a first substance mixture may be equal to a second substance or a second substance mixture, if the chemical and
  • a first substance or a first substance mixture may be similar to a second substance or a second substance mixture if the first substance or the first substance mixture and the second substance or the second substance mixture
  • composition approximately the same chemical properties and / or approximately the same physical properties
  • Composition crystalline S1O2 (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • refractive index (quartz) is considered to be equal to amorphous S1O2 (silica glass) and similar to SiO x .
  • crystalline S1O2 may be different from SiO x or amorphous SiO 2.
  • additives for example in the form of dopants, for example, amorphous SiO 2 may have the same or a similar refractive index as
  • the reference quantity in which a first substance resembles a second substance can be explicitly stated or can be derived from the
  • a dimensionally stable substance can be added by adding
  • Plasticizers for example, solvents, or increasing the temperature become plastically moldable, i. be liquefied.
  • a plastically malleable substance can by means of a
  • Changing the viscosity for example, increasing the viscosity from a first viscosity value to a second viscosity value.
  • the second viscosity value may be many times greater than the first viscosity value, for example in a range of about 10 to
  • the fabric may be formable at the first viscosity and dimensionally stable at the second viscosity.
  • the solidification of a substance or mixture of substances ie the transition of a substance from malleable to dimensionally stable, can comprise a process or a process in which
  • low molecular weight constituents are removed from the substance or mixture of substances, for example solvent molecules or low molecular weight, uncrosslinked constituents of the substance or of the substance mixture, for example a drying or
  • the substance or the mixture of substances may, for example, in the moldable state have a higher concentration of low molecular weight substances in the entire substance or substance mixture than in
  • a body of a dimensionally stable substance or mixture of substances may be malleable, for example when the body is arranged as a film, for example one
  • Plastic film a glass foil or a metal foil.
  • Such a body may, for example, be termed mechanically flexible, since changes in the geometric shape of the body, for example, bending of a film,
  • a mechanically flexible body for example a film
  • a mechanically flexible body can also be plastically moldable, for example by the mechanically flexible body being solidified after deformation, for example a
  • connection of a first body to a second body may be positive, non-positive and / or cohesive.
  • the compounds may be detachable, ie reversible.
  • a reversible, interlocking connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook-and-loop fastener, a clamping / use of staples.
  • the connections can not be made detachable, ie irreversible.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means become.
  • a reversible, interlocking connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook-and-loop fastener, a clamping / use of staples.
  • the connections can not be made detachable, ie irreversible.
  • a non-detachable connection can be separated only by destroying the connecting means become.
  • a reversible, interlocking connection can be realized, for example, as a screw connection, a hook
  • first body perpendicular, i. normal, moving in the direction of the restricting surface of the second body.
  • a pin (first body) in a blind hole (second body) may be restricted in motion in five of the six spatial directions.
  • Connection can be realized, for example, as a screw connection, a Velcro fastener, a clamp / a use of brackets.
  • non-positive connection for example, a
  • Bottle cork in a bottleneck or a dowel with an oversize fit in a corresponding dowel hole Furthermore, the non-positive connection by means of a
  • a diameter of the retaining pin can be chosen so that it is just under deformation of the retaining pin and / or the corresponding
  • Retaining recess can be inserted into the holding recess, but only with increased effort is removable from this again.
  • the first body can be connected to the second body by means of atomic and / or molecular forces.
  • Cohesive compounds can often be non-releasable compounds.
  • Embodiments may be a cohesive connection
  • a solder joint such as a glass solder, or a Metalotes, a welded joint be realized.
  • an electronic component can be understood as a component which controls, controls or amplifies an electrical component
  • An electronic component can have a component from the group of components:
  • a diode for example, a diode, a transistor, a
  • Thermogenerator an integrated circuit, a thyristor.
  • a thyristor In the context of this description can be an electric
  • electronic component to be understood as an embodiment of an electrical component.
  • an electronic component can be understood, wherein the optoelectronic component has an optically active region.
  • an optically active region of an optoelectronic component can be understood as the region of an optoelectronic component which can absorb electromagnetic radiation and form a photocurrent therefrom or by means of an applied voltage to the optically active region
  • emitting electromagnetic radiation can emit
  • absorbing electromagnetic radiation may include absorbing
  • An optoelectronic component which has two flat, optically active sides, for example
  • a component emitting electromagnetic radiation may, for example, be a semiconductor component emitting electromagnetic radiation and / or an electromagnetic component
  • electromagnetic radiation emitting diode as an electromagnetic radiation emitting transistor or as an organic electromagnetic radiation
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • the radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light.
  • light emitting diode light emitting diode
  • organic light emitting diode organic light emitting diode
  • Component may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided,
  • an organic light emitting diode organic light emitting diode - OLED
  • organic light emitting diode - OLED organic light emitting diode
  • Photovoltaic system for example an organic compound
  • Solar cell in the organic functional layer system comprise or be formed from an organic substance or an organic substance mixture which, for example, for providing an electromagnetic radiation from a supplied electric current or to
  • a harmful environmental influence can be, for example, a substance harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example oxygen and / or, for example, a solvent, for example water.
  • a harmful environmental influence can be, for example, an environment which is harmful to organic substances or organic substance mixtures, for example a change above or below a critical value, for example the temperature and / or a change in the ambient pressure.
  • a hermetically sealed with respect to water and / or oxygen layer as a in
  • Substantially hermetically sealed layer can be understood, wherein the layer may have diffusion channels.
  • the layer may have diffusion channels.
  • This description may be understood to mean a diffusion channel in a layer as a cavity in the layer having at least two openings, for example a hole, a pore, a connection or the like.
  • Diffusion channel may migrate a substance or mixture of substances from an opening of the diffusion channel to the at least one second opening of the diffusion channel or diffuse, for example by means of an osmotic pressure or
  • a diffusion channel may for example be formed in the layer such that different sides of the layer are interconnected by the diffusion channel (interconnect).
  • a diffusion channel may have a diameter in a range of about the diameter of a water molecule to
  • a diffusion channel in a layer may be, for example, voids, grain boundaries or the like in the layer or formed thereby.
  • a hermetically sealed layer may be for example a
  • a hermetically sealed cover and / or a hermetically sealed support may, for example, have a diffusion rate with respect to
  • optoelectronic component comprising: a carrier; a flat, electrically active area on or above the
  • Carrier an adhesive layer on or over the electrically active region, the adhesive layer at least partially surrounding the electrically active region; a cover on or over the adhesive layer, with a portion of the adhesive layer exposed; and an encapsulation on or over the exposed one
  • Adhesive layer Adhesive layer.
  • an at least partial surrounding may, for example, be formed as at least partially surrounded from below, at least partially enclosed at the side and / or surrounded at least partially from above, for example a complete surrounding.
  • a barrier thin layer may be formed between the adhesion layer and the electrically active region,
  • the barrier thin layer is formed on or above the electrically active region
  • the encapsulation can be lateral
  • the encapsulation may have a lower permeability in terms of at least water and / or oxygen than the lateral permeability of the adhesion layer.
  • the encapsulation may at least partially surround the exposed adhesive layer in the sense of a geometrically annular encircling of the adhesive layer and / or in the sense of: at least a portion of the adhesive layer being laterally surrounded by the encapsulation, i.
  • another part of the adhesive layer may surround the encapsulation.
  • Optoelectronic component for example, a further adhesive layer surrounding the encapsulation, wherein the encapsulation surrounds the barrier thin film of the adhesive layer at least partially, geometrically annular.
  • the barrier thin layer may have or be formed from one of the following substances: a metal
  • Metal oxide a ceramic.
  • the barrier thin film may have a layer thickness in a range from approximately 0.1 nm (one atomic layer) to approximately 1000 nm, for example in a range from approximately 10 nm to approximately 100 nm, for example in a range approximately 40 nm ,
  • the barrier thin film can have several partial layers
  • the individual partial layers of the barrier thin layer may have different layer thicknesses.
  • at least one of the sublayers may be another
  • the barrier thin layer or the individual partial layers of the barrier thin layer may be formed as a translucent and / or transparent layer.
  • the barrier thin film or the individual partial layers of the barrier thin layer may be formed as a translucent and / or transparent layer.
  • Partial layers of the barrier thin film can be made of a translucent and / or transparent material (or a
  • Mixture that is translucent and / or transparent may be formed.
  • the barrier thin layer or (in the case of a Layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the barrier thin layer have or consist of one of the following substances: aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier film have one or more high-index materials, different
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • the adhesive layer can be translucent and / or transparent
  • the adhesive layer may have a layer thickness of greater than 1 ⁇ m, for example a layer thickness of several ⁇ m.
  • the adhesive layer may comprise or be a lamination adhesive.
  • the adhesive layer may have light-scattering particles which improve the color angle distortion and the
  • Binding of water for example a zeolite or
  • the optoelectronic component can be used as light-scattering particles, for example
  • metal oxides such as silicon oxide (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20 x )
  • the adhesive layer may be configured such that the
  • Adhesive layer itself has a refractive index which is smaller than the refractive index of the cover.
  • Adhesive layer for example, a low-refractive
  • An adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive layer may, for example, have a high-index adhesive, for example high-index,
  • Refractive index of the electrically active region corresponds, for example, in a range of about 1.7 to about 2.0, or greater. Furthermore, a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • the adhesion layer may have a refractive index that is greater than the refractive index of the cover and smaller is the refractive index of the electrically active region and / or the barrier thin film.
  • the cover and / or the adhesive layer may have a refractive index (for example at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • the cover can be configured as a glass cover, metal cover or plastic cover.
  • the cover may be formed hermetically sealed, for example as a barrier film.
  • a barrier film may be used, for example, as a plastic film with a
  • the exposed adhesive layer can surround the electrically active region at least partially laterally.
  • the encapsulation may be formed laterally on or above the adhesion layer or on or above the adhesion layer and the cover such that the encapsulation at least partially laterally surrounds the electrically active region.
  • the cover, the carrier and the encapsulation may be formed such that the electrically active region
  • the encapsulation can be a cohesive connection with the Cover and / or the carrier, for example, with a hermetically sealed cover and / or a hermetically sealed carrier.
  • the encapsulation may comprise or be formed from a hermetically sealed substance.
  • the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: a metal, a metal oxide, a ceramic or the like, for example a glass.
  • the encapsulation may comprise or be formed from an inorganic substance.
  • the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: a glass, quartz glass, sapphire, silicon carbide, graphene, diamond or the like.
  • the encapsulation or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: iron, steel , Aluminum, copper, silver, gold, palladium, magnesium, titanium, platinum, nickel, tin, zinc, aluminum oxide, zinc oxide, zirconium oxide,
  • the encapsulation may comprise or be formed from an organic substance. In one embodiment of the optoelectronic component, the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: polyolefins (for example
  • PE Polyethylene with high or low density
  • Polypropylene (PP)), polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyethersulfone (PES), polyethylene naphthalate (PEN),
  • the encapsulation may have a layer thickness in a range from approximately 0.1 nm (one atomic layer) to approximately 1 mm, for example a layer thickness in a range from .mu.m
  • the encapsulation may have a plurality of partial layers, wherein all partial layers may have the same layer thickness.
  • the individual partial layers of the encapsulation In one embodiment of the optoelectronic component, the individual partial layers of the encapsulation
  • At least one of the sublayers can be another
  • the encapsulation or the individual sublayers of the encapsulation may / may be translucent and / or transparent
  • Partial layers of the encapsulation can / can be made from one
  • Mixture that is translucent and / or transparent may be formed.
  • the encapsulation or (in the case of a layer stack having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the encapsulation may comprise one or more high refractive indexes, in other words one or more substances with a high refractive index, for example with a refractive index of at least 2.
  • the surface of the encapsulation may be structured, for example have a nanorughness and / or micro-roughness, for example, to form a lotus effect.
  • the encapsulation may be similar or equal to the
  • the encapsulation may be similar or equal to one of the embodiments of the barrier thin film
  • the substance or the substance mixture of the encapsulation can be similar or identical to the substance or mixture of substances
  • the adhesion layer can be designed to seal the barrier thin layer with respect to at least water and / or oxygen, for example with respect to diffusion channels in the barrier thin layer.
  • the adhesive layer seals the Barrier thin film in the sense that the diffusion rate of water and / or oxygen is reduced to the barrier layer, for example, in the case without
  • Adhesive layer i. with a barrier thin layer in air.
  • the adhesive layer seals the
  • Adhesive layer is arranged with respect to at least water and / or oxygen, for example with respect to diffusion channels in the adhesive layer.
  • the encapsulation may be designed such that the
  • Permeability of the encapsulation is less than the lateral permeability of the adhesive layer with respect to the diffusion of water and / or oxygen.
  • the diffusion rate of the encapsulation with respect to at least water may be smaller than the lateral diffusion rate of the encapsulation
  • Adhesive layer with respect to at least water.
  • the diffusion rate of the encapsulation with respect to at least water may be at least a factor of approximately 10 smaller than the lateral diffusion rate of the adhesion layer relative to at least water.
  • the diffusion rate through the encapsulation can be smaller
  • the encapsulation can completely laterally surround the exposed adhesion layer.
  • the encapsulation may have a coherent shape.
  • the contiguous shape may have a geometric shape similar to or equal to a geometric ring
  • a geometric shape of an ellipse For example, a geometric shape of an ellipse, a circle, triangle, quadrangle or polygon.
  • the adhesive layer may comprise at least one electrical feedthrough for electrically contacting the electrically active component
  • the carrier may have at least one electrical feedthrough for electrically contacting the electrically active region.
  • the barrier thin layer can cohesively with the
  • the electrically active region may comprise at least one organic functional layer system, a first electrode and at least one second electrode, wherein the
  • the cover can be designed such that the
  • Cover surrounding the electrically active region and the carrier, for example by the cover is arranged for example by means of the adhesive layer on or above the electrically active region and the cover is at least partially folded around the carrier and, for example on the
  • Rear side of the optoelectronic component is connected by means of the adhesive layer to the carrier, for example, conclusive.
  • the exposed adhesive layer may be attached to at least one
  • Optoelectronic component can be in different
  • Embodiments are also referred to as the back of the carrier, wherein on the front side of the carrier, the electrically active region is formed.
  • Adhesive layer and at least partially on or above the
  • Cover be formed, for example, the connection of the exposed adhesive layer and cover hermetically seal with respect to at least water and / or oxygen,
  • the cover can be structured on the back side of the carrier. In one embodiment of the optoelectronic component, the cover on the back of the carrier itself
  • the overlapping regions of the cover can be structured in such a way that they form-fit and / or
  • interlock for example, complementary
  • the optoelectronic component may further comprise a between the electrically active region and the adhesive layer
  • the scratch-resistant layer may have an average refractive index which is greater than the average refractive index of the adhesive layer.
  • the scratch-resistant layer can be used as a matrix and therein
  • the scratch-resistant layer can be used as an optical filter
  • the scratch-resistant layer can be used as an optical lens
  • the scratch protection layer may have a getter.
  • the cover can be structured such that at least an electrical feedthrough for electrically contacting the electrically active region by or beside the
  • Feedthroughs hermetically sealed by the cover with an electrically conductive material are provided.
  • the optoelectronic component can be set up as an organic, optoelectronic component,
  • an organic solar cell for example, an organic solar cell, an organic sensor or an organic light emitting diode.
  • a method for producing an optoelectronic component for example, an organic solar cell, an organic sensor or an organic light emitting diode.
  • the method comprising: providing a planar, electrically active area on or above the carrier; Forming an adhesive layer on or above the
  • electrically active area at least partially surrounds
  • Adhesive layer Adhesive layer.
  • the method may further comprise forming a barrier thin film on or above the electrically active region, for example before forming the adhesion layer on or over the electrically active region, for example by forming the barrier thin film on or above the electrically active region, for example, has a physical contact with the electrically active region, for example, the electrically active region hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • the electrically active region hermetically sealed with respect to water and / or oxygen.
  • Barrier thin film have one of the following materials or be formed from it: a metal, a metal oxide, a ceramic.
  • Barrier thin film having a film thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm are formed, for example, in a range of about 10 nm to about 100 nm, for example in a range of about 40 nm.
  • Barrier thin layer may be formed from a plurality of sub-layers, wherein all sub-layers may have the same layer thickness.
  • the individual partial layers of the barrier thin layer may be different
  • At least one of the partial layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.
  • Barrier thin film can be formed as a translucent and / or transparent layer.
  • Barrier thin film or the individual sublayers of the barrier film may be formed of a translucent and / or transparent substance (or a mixture of substances that is translucent and / or transparent).
  • Barrier thin film or (in the case of a stack of layers having a plurality of sublayers) one or more of the sublayers of the barrier film one of
  • Alumina has or consist of the following substances: Alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the adhesive layer can be made translucent and / or transparent.
  • the adhesive layer may comprise or be a lamination adhesive.
  • the adhesion layer can be formed with light-scattering particles, wherein the particles can lead to an improvement of the color angle distortion and the coupling-out efficiency or a getter,
  • getter particles that are designed to bind water and / or oxygen
  • zeolite For example, have a zeolite or calcium oxide.
  • light-scattering particles for example dielectric
  • Be provided scattering particles such as metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconia (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 O x ) alumina, or titanium oxide.
  • metal oxides such as silica (S1O2), zinc oxide (ZnO), zirconia (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 O x alumina, or titanium oxide.
  • Other particles may be suitable, provided that they have a
  • refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the adhesive layer, for example, air bubbles, acrylate, or glass bubbles.
  • metallic nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like as
  • Be provided light scattering particles.
  • the adhesive layer may be formed such that the adhesive layer itself has a refractive index which is smaller than that
  • Such an adhesive layer may be, for example, a low-refractive adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3.
  • the adhesive layer can be formed, for example, from a high-index adhesive, which has, for example, high-refractive, non-scattering particles and a mean refractive index
  • Cover and / or the adhesive layer has a refractive index
  • the cover may be configured as a glass cover, metal cover or plastic cover.
  • the cover may be formed hermetically sealed, for example as a barrier film.
  • a barrier film may be used, for example, as a plastic film with a
  • Barrier layer be formed on or above the plastic film.
  • the cover can be formed after the formation of the encapsulation. In one embodiment of the method, the encapsulation may be formed after the formation of the adhesion layer.
  • the cover, the carrier and the encapsulation may be configured or formed such that the electrically active region is hermetically sealed with respect to at least water and / or oxygen.
  • the encapsulation can be formed laterally on or above the adhesion layer or on or above the adhesion layer and the cover such that the support, the
  • the encapsulation surrounds the electrically active area.
  • the encapsulation can be cohesive with the cover and / or the carrier
  • Adhesive layer can be applied. After application, the Encapsulation be solidified. After solidification, the encapsulation may have a dimensionally stable state.
  • the temperature during the first step is the same as the temperature during the second step.
  • Forming the encapsulation be less than about 150 ° C, for example less than about 120 ° C, for example in a temperature range of about 90 ° C to about
  • the encapsulation may be formed wet-chemically, for example from a paste, a gel, a solution, a suspension or a dispersion.
  • the encapsulation may be configured and / or applied similarly or identically to an adhesive.
  • the encapsulation may comprise or be formed from a hermetically sealed substance.
  • the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: a metal, a metal oxide, a ceramic or
  • the encapsulation may comprise or be formed from an inorganic substance.
  • the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: a glass, quartz glass, sapphire, silicon carbide, graphene, diamond or the like.
  • Encapsulation comprise or consist of one of the following substances: iron, steel, aluminum, copper, silver, gold,
  • Indium zinc oxide aluminum doped zinc oxide or the like.
  • the encapsulation may comprise or be formed from an organic substance.
  • the encapsulation may comprise or be formed from one of the following substances: polyolefins (for example high-density or low-density polyethylene (PE) or polypropylene (PP)),
  • PE high-density or low-density polyethylene
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • polystyrene PS
  • polyester PVC
  • PC Polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • PES Polyethersulfone
  • PEN polyethylene naphthalate
  • the encapsulation may be formed with a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1 mm, for example, a layer thickness in a range of
  • the encapsulation may be formed from a plurality of partial layers, wherein all partial layers may have the same layer thickness.
  • the individual sub-layers of the encapsulation with different Layer thicknesses are formed.
  • At least one of the partial layers can be another
  • Encapsulation can be formed as a translucent and / or transparent layer.
  • Partial layers of the encapsulation can / can be made from one
  • the surface of the encapsulation can be structured, for example a
  • Nanorauheit and / or micro-roughness are formed, for example, to form a lotus effect.
  • the encapsulation may be electrically non-conductive or have electrically non-conductive surfaces. As a result, there can be no electrical short circuit by means of the encapsulation.
  • the encapsulation may be formed to be similar or equal to the barrier thin film.
  • the substance or the substance mixture of the encapsulation may be similar or identical to the substance or substance mixture of the barrier thin layer.
  • the adhesive layer may be formed such that the barrier thin layer is sealed with respect to at least water and / or oxygen, in particular with respect to diffusion channels in the
  • the adhesive layer seals the
  • Adhesive layer i. with a barrier thin layer in air.
  • the adhesive layer seals the
  • the encapsulation may be formed such that the adhesive layer is sealed with respect to at least water and / or oxygen, in particular with respect to diffusion channels in the adhesive layer.
  • the encapsulation may be formed such that the permeability with respect to the diffusion of water and / or oxygen of the encapsulation is less than the lateral permeability of the adhesion layer.
  • the encapsulation may be formed such that the diffusion rate of the
  • Encapsulation with respect to at least water is less than the lateral diffusion rate of the adhesive layer with respect to at least water.
  • the diffusion rate of the encapsulation with respect to at least water may be at least a factor of about 10 smaller than the lateral one
  • the encapsulation may be formed such that the encapsulation the
  • Adhesive layer completely surrounds laterally.
  • the encapsulation may be formed in a coherent shape. In one embodiment of the method, the
  • contiguous shape have a geometric shape similar to or equal to a geometric ring, for example, a geometric shape of an ellipse, a circle,
  • Triangle, quadrangle or polygon refers to a closed geometric shape in a cross-sectional view.
  • the method may further comprise forming at least one electrical
  • electrical implementation is set up for electrically contacting the electrically active region.
  • forming the electrical feedthrough in the encapsulation may include exposing a contact pad under the encapsulant. In one embodiment of the method, the method may further comprise forming at least one electrical
  • electrical implementation is set up for electrically contacting the electrically active region.
  • the method may further comprise forming at least one electrical
  • the encapsulation on several electronic components simultaneously
  • Encapsulation can be prevented on or over the cover, for example, if the encapsulation is not translucent and / or transparent, but the adhesive layer and encapsulation should be made translucent and / or transparent. In one embodiment of the method, the
  • the electrically active region can be at least one organic functional
  • the cover may be formed such that the cover surrounds the electrically active region and the support, for example by the cover being arranged on or above the electrically active region, for example by means of the adhesive layer, and at least partially folding the cover around the support is and is connected, for example, on the back of the optoelectronic device by means of the adhesive layer to the carrier conclusive.
  • the encapsulation may be formed on or over the exposed adhesive layer and at least partially on or over the cover, for example hermetically sealing the bond between the exposed adhesive layer and the cover with respect to at least water and / or oxygen, for example by applying
  • Encapsulation at least partially surrounds the cover.
  • the regions of the cover can be structured on the back of the carrier. In one embodiment of the method, the cover can be arranged on the back of the carrier at least partially overlapping.
  • overlapping areas of the cover are structured such that they are positively and / or non-positively connected to each other, for example, each other
  • Scratch protective layer between the electrically active region and the adhesive layer are formed.
  • Scratch protective layer can be formed such that the
  • Scratch protective layer has a mean refractive index, which is greater than the average refractive index of
  • Adhesive layer Adhesive layer.
  • Scratch protective layer can be formed as a matrix and distributed scattering centers.
  • Scratch protective layer can be formed as an optical filter.
  • Scratch protective layer can be formed as an optical lens.
  • the method the
  • Scratch protective layer have a getter.
  • the cover can be structured such that at least one electrical feedthrough for electrically contacting the electrically active region is formed by or next to the cover.
  • an organic solar cell for example, an organic solar cell, an organic sensor or an organic light emitting diode.
  • Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
  • Figure 1 is a schematisehe cross-sectional view of a optoelektronisi Serviceem component, according to various embodiments
  • FIGS. 2a, b are schematic cross-sectional views of an optoelectronic component, according to various embodiments
  • FIG. 3 shows a diagram of a method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments
  • FIGS. 4a, b show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments
  • FIGS. 5a-c show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • Figures 7a, b are schematic cross-sectional views
  • Fig.l shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various
  • the optoelectronic component 100 for example, an electronic component 100 providing electromagnetic radiation, for example a light-emitting
  • Component 100 may have a carrier 102.
  • the carrier 102 may serve as a support for electronic elements or layers, such as light-emitting elements.
  • the carrier 102 may include or be formed from glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material.
  • the carrier 102 may comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films.
  • the plastic may include or be formed from one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene or PE) or polypropylene (PP).
  • PE polyolefins
  • PP polypropylene
  • Polyvinyl chloride PVC
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • PET polyethylene terephthalate
  • the carrier 102 may comprise one or more of the above-mentioned substances.
  • the carrier 102 may include or be formed from a metal or metal compound, such as copper, silver, gold, platinum, or the like.
  • a carrier 102 comprising a metal or a
  • Metal compound may also be formed as a metal foil or a metal-coated foil.
  • the carrier 102 may be translucent or even transparent.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of visible light for example at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein part of the light can be scattered here.
  • the term "transparent” or “transparent layer” can be understood to mean that a layer is permeable to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • Light emitting diode 100 (or the light-emitting devices according to the above or later described
  • Embodiments may be configured as a so-called top and bottom emitter.
  • a top and / or bottom emitter can also be used as an optically transparent component,
  • a transparent organic light emitting diode For example, a transparent organic light emitting diode, be designated.
  • the carrier 102 On or above the carrier 102 may be in different
  • Embodiments optionally be arranged a barrier layer 104.
  • the barrier layer 104 may include or consist of one or more of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania,
  • Indium zinc oxide aluminum-doped zinc oxide, as well
  • the barrier layer 104 in various embodiments have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 5000 nm, for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 200 nm, for example, a layer thickness of about 40 nm.
  • an electrically active region 106 of the light-emitting component 100 may be arranged on or above the barrier layer 104.
  • the electrically active region 106 may be understood as the region of the light emitting device 100 in which an electric current is used to operate the
  • the electrically active region 106 may have a first electrode 110, a second electrode 114 and an organic functional layer structure 112, as will be explained in more detail below.
  • the first electrode 110 (eg, in the form of a first
  • Electrode layer 110 may be applied.
  • the first electrode 110 (hereinafter also referred to as lower electrode 110) may be formed of or be made of an electrically conductive substance, such as a metal or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers thereof Metal or different metals and / or the same TCO or different TCOs.
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive substances, for example
  • Metal oxides such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s or
  • TCOs do not necessarily correspond to one
  • stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 110 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm or Li, as well as compounds, combinations or alloys of these substances.
  • Electrode 110 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode 110 one or more of the following substances
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • the first electrode 110 may comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • Electrode 110 and the carrier 102 may be translucent or transparent.
  • the first electrode 110 comprises or is formed from a metal
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm, for example one
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness of greater than or equal to approximately 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to approximately 15 nm
  • the first electrode 110 a the first electrode 110 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 110 may have, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • a network of carbon nanotubes combined with conductive polymers may be combined can be formed, or from graphene layers and composites, the first electrode 110, for example one
  • Layer thickness in a range of about 1 nm to about 500 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 400 nm,
  • the first electrode 110 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • Cathode that is as an electron-injecting electrode.
  • the first electrode 110 may be a first electrical
  • the first electrical potential may be applied to the carrier 102 and then indirectly applied to the first electrode 110.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the organic functional layer structure 112 may comprise one or more emitter layers 118, for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 116 (also referred to as hole transport layer (s) 120).
  • emitter layers 118 for example with fluorescent and / or phosphorescent emitters
  • hole line layers 116 also referred to as hole transport layer (s) 120.
  • Various embodiments may alternatively or additionally include one or more electron conductive layers 116 (also referred to as electron transport layer (s) 116) may be provided.
  • electron conductive layers 116 also referred to as electron transport layer (s) 116
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (for example 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by means of a wet chemical process, such as a spin-on process (also referred to as spin coating), are deposited.
  • a wet chemical process such as a spin-on process (also referred to as spin coating)
  • spin coating also referred to as spin coating
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material.
  • Emitter materials are also provided in other embodiments.
  • Light-emitting device 100 may, for example so be selected such that the light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 118 may include a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 118 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 118 or blue
  • phosphorescent emitter layer 118 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission produced by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic functional layer structure 112 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent layers may generally include one or more electroluminescent
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules") or a combination of these materials.
  • the organic functional layer structure 112 may be one or more
  • Hole transport layer 120 is or are, so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • the organic functional layer structure 112 may include one or more functional layers, which may be referred to as a
  • Electron transport layer 116 is executed or are, so that, for example, in an OLED, effective electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • As a substance for the hole transport layer 120 can be
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 120 may be deposited on or over the first electrode 110, for example, deposited, and the emitter layer 118 may be on or above the
  • Hole transport layer 120 may be applied, for example, be deposited.
  • electron transport layer 116 may be deposited on or over the emitter layer 118, for example, deposited.
  • the organic functional layer structure 112 (that is, for example, the sum of the thicknesses of hole transport layer (s) 120 and
  • Emitter layer (s) 118 and electron transport layer (s) 116) have a maximum thickness of approximately 1.5 ⁇ m, for example a maximum thickness of approximately 1.2 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 1 ⁇ m, for example a maximum layer thickness of approximately 800 ⁇ m nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of at most approximately 400 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 300 nm.
  • the organic functional layer structure 112 may include a
  • each OLED may have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of maximum about 1.2 ⁇ m, for example a layer thickness of at most about 1 ⁇ m, for example a layer thickness of at most about 800 nm, for example a layer thickness of at most about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • each OLED may have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example, a layer thickness of maximum about 1.2 ⁇ m, for example a layer thickness of at most about 1 ⁇ m, for example a layer thickness of at most about 800 nm, for example a layer thickness of at most about 500 nm, for example a layer thickness of at most about 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm
  • organic functional layer structure 112 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • Electron transport layer (s) 116 which serve to further improve the functionality and thus the efficiency of the light-emitting device 100.
  • organic functional layer structure 112 On or above the organic functional layer structure 112 or optionally on or above the one or more further organic functional layers
  • Layer structures may be the second electrode 114
  • a second electrode layer 112 (for example in the form of a second electrode layer 114) may be applied.
  • Electrode 114 have the same substances or be formed from it as the first electrode 110, wherein in
  • Electrode 114 (for example, in the case of a metallic second electrode 114), for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to approximately 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 25 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 114 may generally be formed similarly to, or different from, the first electrode 110.
  • the second electrode 114 may be made of one or more embodiments in various embodiments
  • the first electrode 110 and the second electrode 114 are both formed translucent or transparent. Thus, the shown in Fig.l
  • light emitting device 100 may be formed as a top and bottom emitter (in other words, as a transparent light emitting device 100).
  • the second electrode 114 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the second electrode 114 may have a second electrical connection to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may, for example, have a value such that the
  • Difference to the first electrical potential has a value in a range of about 1.5 V to about 20 V, For example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V.
  • an encapsulation 108 for example in the form of a
  • Barrier thin film / thin film encapsulation 108 are formed or be.
  • a “barrier thin film” 108 or a “barrier thin film” 108 can be understood to mean, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture). and oxygen, to form.
  • the barrier film 108 is formed to be resistant to OLED damaging materials such as
  • Water, oxygen or solvents can not or at most be penetrated to very small proportions.
  • the barrier thin-film layer 108 may be formed as a single layer (in other words, as
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • the barrier thin-film layer 108 may comprise a plurality of sub-layers formed on one another.
  • Barrier thin film 108 as a stack of layers (stack)
  • the barrier film 108 or one or more sublayers of the barrier film 108 may be formed by, for example, a suitable deposition process, e.g. by means of a
  • Atomic Layer Deposition e.g. plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) or plasmaless
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • Barrier thin film 108 having multiple sub-layers, all sub-layers are formed by an atomic layer deposition process.
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • Barrier thin film 108 having a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier thin film 108 by a deposition method other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film 108 may, in one embodiment, have a film thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a film thickness of about 10 nm to about 100 nm according to a
  • Embodiment for example, about 40 nm according to an embodiment.
  • the barrier thin film in which the barrier thin film
  • Barrier thin layer 108 have different layer thicknesses. In other words, at least one of
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin-film layer 108 or the individual partial layers of the barrier thin-film layer 108 may, according to one embodiment, be formed as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film 108 (or the individual sub-layers of the barrier film 108) may be made of a translucent or transparent substance (or mixture that is translucent or transparent).
  • the barrier thin-film layer 108 or (in the case of a layer stack having a plurality of partial layers) one or more of the partial layers of the
  • Barrier thin layer 108 include or may be formed from any of the following: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • Layer stack with a plurality of sub-layers one or more of the sub-layers of the barrier layer 108 have one or more high-index materials, in other words, one or more high-level materials
  • Refractive index for example with a refractive index of at least 2.
  • the cover 126 for example made of glass, for example by means of a frit bonding (glass bonding / glass soldering / seal glass bonding) by means of a conventional glass solder in the geometric Edge regions of the organic optoelectronic component 100 with the barrier thin layer 108 are applied.
  • Protective varnish 124 may be provided, by means of which, for example, a cover 126 (for example, a glass cover 126, a metal foil cover 126, a sealed
  • Plastic film cover 126) is attached to the barrier thin film 108, for example glued.
  • translucent layer of adhesive and / or protective varnish 124 have a layer thickness of greater than 1 ym
  • a layer thickness of several ym for example, a layer thickness of several ym.
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable provided they have a refractive index that is different from the effective refractive index of the translucent matrix
  • Layer structure is different, for example, air bubbles, acrylate, or glass bubbles. Furthermore, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like can be provided as light-scattering particles.
  • an electrically insulating layer between the second electrode 114 and the layer of adhesive and / or protective lacquer 124, an electrically insulating layer
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ym, for example, with a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ym to protect electrically unstable materials, for example during a
  • the adhesive may be configured such that it itself has a refractive index that is less than the refractive index of the refractive index
  • Such an adhesive may be, for example, a low-refractive adhesive such as a
  • an adhesive may be a high refractive index adhesive
  • a plurality of different adhesives may be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Embodiments can be completely dispensed with an adhesive 124, for example in embodiments in which the cover 126, for example made of glass, are applied to the barrier thin layer 108 by means of, for example, plasma spraying.
  • the / may
  • Cover 126 and / or the adhesive 124 have a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55. Furthermore, in various embodiments
  • Barrier thin film 108, the adhesive layer 124 and / or the cover 126 may be referred to as a planar encapsulation structure 128.
  • FIGS. 2a, b show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component, according to various
  • a first electrode 110 which is formed on or above a carrier 102.
  • an organic functional On or above the first electrode 110 is an organic functional
  • Layer structure 112 is formed. About or on the
  • a second electrode 114 is formed.
  • the second electrode 114 is electrically insulated from the first electrode 110 by means of electrical insulation 204.
  • the second electrode 114 may be physically and electrically connected to an electrical connection layer 202. The electric
  • Connecting layer 202 may be formed in the geometric edge region of carrier 102 on or above carrier 102, for example laterally next to first electrode 110. Electrical connection layer 202 is electrically insulated from the first one by means of a further electrical insulation 204
  • Electrode 110 isolated. On or above the second electrode 114, a barrier thin film 108 is disposed such that the second electrode 114, the electrical insulations 204, and the organic functional layer structure 112 are surrounded by the barrier thin film 108, that is, in FIG.
  • barrier thin layer 108 Connection of barrier thin layer 108 with the carrier 102 are included.
  • the barrier film 108 can hermetically seal the trapped layers from harmful environmental influences. On or above the
  • Barrier thin film 108 is an adhesive layer 124 arranged such that the adhesive layer 124 the
  • a cover 126 is disposed on or above the adhesive layer 124.
  • the cover may be adhered to the barrier film 108 with an adhesive 124, for example
  • the region of the optoelectronic component 100 with an organic functional layer structure 112 on or above the carrier 102 can be used as the optically active region
  • An optoelectronic component 100 which is transparent, for example a transparent one
  • Carrier 102 transparent electrodes 110, 114 and a
  • transparent barrier thin film 108 may
  • optically active region with two optically active regions
  • device 100 may also have only one optically active side and one optically inactive side,
  • an optoelectronic component 100 which is set up as a top emitter or bottom emitter, for example by the second electrode 100 or the
  • Barrier thin layer 108 is formed reflective of provided electromagnetic radiation.
  • the carrier 102, the first electrode 110, the organic functional layer structure 112, the second electrode 114, the barrier thin-film layer 108, the adhesive layer 124, and the cover 126 may be, for example, according to any one of
  • the electrical insulation 204 may be configured such that a current flow between two electrically
  • the substance or the substance mixture of the electrical insulation can be, for example, a coating or a coating agent, for example a polymer and / or a lacquer.
  • the lacquer may, for example, have a coating substance which can be applied in liquid or in powder form,
  • the electrical insulation 204 may be applied or formed, for example, by means of a printing process, for example, structured.
  • the printing method may include, for example, inkjet printing (inkjet printing), screen printing and / or pad printing.
  • the electrical connection layer 202 can be a substance or mixture of substances, a substance or a substance mixture similar to the electrodes 110, 114 according to one of the embodiments of
  • Device 200 may be formed such that contact pads 206, 208 for electrically contacting the optoelectronic Component 200 are formed, for example by electrically conductive layers, such as electrical connection layers 202, electrodes 110, 114 or the like in the contact pads at least partially exposed (not shown).
  • electrically conductive layers such as electrical connection layers 202, electrodes 110, 114 or the like in the contact pads at least partially exposed (not shown).
  • Fig.2b In the schematic cross-sectional view in Fig.2b is another embodiment of an optoelectronic
  • the adhesive layer 124 may have a larger or smaller lateral dimension than, for example, the cover 126.
  • the different width or depth may be up to about 2 mm, for example, about in the range of about 100 ym to about 500 ym.
  • the planar encapsulation structure 128 can be made
  • FIG. 3 shows a diagram of a method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • Component for example, an optoelectronic
  • an electrically active region 106 on or above a carrier 102 may be provided for the process.
  • the method may include forming 302 a
  • planar encapsulation structure 128 on or above the
  • electrically active region 106 have.
  • the formation 302 of the planar encapsulation structure 128 may include, for example
  • first encapsulation layer 108 for example a barrier thin layer 108
  • first encapsulation layer 108 for example a barrier thin layer 108
  • adhesion layer 124 for example an adhesive layer 124
  • adhesion layer 124 for example, further encapsulation layers can be formed
  • the adhesive layer 124 that is the
  • Adhesive layer 124, the cover 126 may be materially bonded to the barrier film 108.
  • the adhesive layer 124 may, for example, as a
  • the method may include forming 304 a
  • Adhesive layer 128 have.
  • the encapsulation may be formed such that the planar encapsulation structure 128 is at least partially surrounded laterally by the encapsulation.
  • the encapsulation may form an additional barrier effect with respect to the planar encapsulation structure 128 and, for example, the diffusion rate laterally into the
  • the moisture permeability of metal may be lower than adhesives, thereby reducing the diffusion of water laterally into the adhesive layer 124.
  • the encapsulation may also comprise or be formed from another substance or another mixture of substances which increases the diffusion rate laterally into the planar one
  • Encapsulation reduces, for example, a ceramic or metal oxide or the like.
  • the encapsulation may be in the diffusion path in the
  • Adhesive layer 124 or the barrier thin layer 108 a diffusion barrier or migration barrier for water, for example, water vapor, moisture,
  • Encapsulation structure 128 should be done at low temperatures. This can ensure that the
  • Layer structure 112 when forming the encapsulation is locally low and no harmful environmental impact.
  • a low temperature may have a temperature value less than that Softening temperature of plastic substrates, for example less than about 150 ° C,
  • Automotive range for example less than about 120 ° C, for example in a temperature range of about 90 ° C to about 100 ° C.
  • a powder coating or powder coating low temperature powder coating
  • a complex plasma or a dusty plasma plasma dust
  • an aerosol jet printing an anhydrous wet chemical process, for example an electrolysis or electroplating in an anhydrous solution
  • a cohesive connection for example an adhesive compound, for example with a silver conductive paste, or the like, have.
  • the encapsulation may be, for example, a ceramic
  • Metal oxide a sealed plastic, for example by means of a fluorine derivative, a metal or the like, for example, as a metal: copper, silver and / or their derivatives and mixtures.
  • the method may include exposing 306 of
  • Component can be set up, for example with an electrode of the electrically active region 106th
  • FIGS. 4 a, b show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments. Shown is an embodiment of a
  • Optoelectronic component 200 according to one of
  • FIG. 4a schematically shows an embodiment for forming 304 an encapsulation 404 by means of a
  • focused matter beam 402 shown, for example, according to the description of Figure 3.
  • the width of the matter beam 402 may have a width in a range of about 1 mm to about 2 mm, i. for example, be much wider than the thickness of the planar encapsulation structure 128 and the
  • the width can be reduced to an amount in a range of about 50 ym to about 200 ym, for example about 100 ym.
  • FIG. 4b schematically shows the optoelectronic component 400 of FIG. 4a after the formation 404 of FIG
  • Encapsulation Shown is an encapsulation on or over a side surface of the planar encapsulation structure 128.
  • FIGS. 5a-c show schematic cross-sectional views of an optoelectronic component in the method for producing an optoelectronic component, according to various embodiments.
  • FIGS. 5a and 5b show an optoelectronic component in method 300 for producing an optoelectronic component, according to one of the embodiments of the description of FIGS. 4a, b. However, one is shown
  • Sectional plane of the optoelectronic component according to various embodiments with contact pads 202 for
  • the contact pad For electrically contacting a contact pad 202, the contact pad should be exposed during the formation 304 of the encapsulation 404-shown in FIG. 5c as region 502 in FIG
  • the exposure 306 is realized by not having any on or over the contact pad 202
  • Encapsulation 404 is formed.
  • the encapsulant 404 is removed (306) on or above the contact pad 202 after the formation 304 of the encapsulation 404, for example the
  • the exposure 306 of the contact pad 202 under the encapsulation 404 can be done, for example, mechanically or ballistically.
  • a ballistic exposure of the areas to be exposed can be achieved, for example, by bombardment of the area to be exposed with particles, molecules, atoms, ions, electrons and / or photons.
  • a bombardment with photons can, for example, as
  • Laser ablation with a wavelength in a range of about 200 nm to about 1700 nm be formed, for example, focused, for example, with a
  • Focus diameter in a range of about 10 ym to about 2000 ym for example, pulsed, for example, with a pulse duration in a range of about 100 fs to about 0.5 ms, for example with a power of about 50 mW to about 1000 mW, for example with a
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component, according to various aspects
  • FIG. 6 is a schematic cross section of a
  • the cover 126 may be applied to or over the adhesive layer 124 after the formation of an encapsulant 304.
  • Fig.7a, b shows schematic cross-sectional views
  • the cover 126 may be arranged to surround the electrically active region 106 and the carrier 102 in the region of the top surface 700c, the at least one side surface 700b and in the region of the bottom surface 700a, and at least on the bottom surface 700a is connected by means of the adhesive layer 124 with the carrier 102, for example cohesively.
  • the cover 126 may be folded and / or formed around the carrier 102 and the electrically active region 106 such that the carrier 102 and the electrically active region 106, apart from optionally one or more a plurality of electrical feedthroughs (not shown) and a small part of the lower surface 102a of the carrier 102, are completely surrounded by the cover 126.
  • the cover 126 may be integrally formed, for example, as one
  • hermetically sealed barrier film 126 is hermetically sealed.
  • the adhesive layer 124 may include an adhesive, such as a
  • physically curing adhesive for example, a UV-curing or heating-curing adhesive, a chemically curing adhesive or a
  • Pressure-sensitive adhesive also pressure-sensitive adhesive; "pressure sensitive adhesive” PSA.
  • the cover 126 may be in the form of a barrier film by means of a pressure-sensitive adhesive layer 124 having at least the lower one
  • Side surfaces 700b of the carrier 102 and / or the upper surface 700c of the carrier 102 and / or the electrically active region 106 may be materially connected.
  • Using a pressure-sensitive adhesive to apply a cover is well suited for forming, as the
  • the adhesion layer 124 may be configured to have other functions in addition to connecting the cover 126 to the carrier 102 or the cover 126 to the carrier 102 and the electrically active region 106, such as absorbing or
  • the adhesion layer 124 may have a water vapor transmission rate (water vapor
  • the encapsulant 404 may be on or over the exposed adhesive layer 124
  • the additional encapsulant 404 may be formed on or over the exposed adhesive layer 124 and the adjacent cover 126 - shown in FIG. 7a.
  • the cover 126 on the back 700a of the carrier 106 may be at least partially complementary structured - shown in Figure 7b, which engage in the folded state.
  • the cover 126 may be formed such that, after folding, the complementarily structured regions of the cover 126 come to rest on one another in such a way that, despite an overlap, the cover 126 is, for example, planar.
  • the application of the cover 126 may result in mechanical damage to sensitive layers of the electrically active region 106, such as pressure
  • cover 126 with a pressure-sensitive adhesive particles into the electrically active region 106.
  • sensitive layers may previously be provided with a scratch-proofing layer 702. This can be applied mechanically gently, for example by means of doctor blades or stencil printing.
  • Scratch protective layer 702 have a paint or an adhesive.
  • Scratch protection layer 702 translucent or transparent
  • Scratch protective layer 702 particles or have a layer which is designed so that it increases the proportion of scattered light.
  • Scratch protective layer 702 be designed so that it as a filter for one or more wavelengths or
  • Wavelength ranges serve, for example for wavelengths in the UV spectral range, for example, between 100 nm and 380 nm, or in the range of visible light.
  • Scratch-resistant layer 702 Getterp have, which are suitable, for example, to receive water or oxygen seepage.
  • the cover 126, the adhesion layer 124, the carrier 102, the electrically active region 106 and the encapsulation 404 may, according to one of the embodiments of the description of FIGS. 1 to 6. be educated.
  • an organic optoelectronic component for example an OLED component.
  • Moisture barrier can be realized and thus a prolonged storage time of the component can be achieved. Due to the small height of the additional moisture barrier, it can be applied to existing component geometries without changing them.

Landscapes

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement (400, 500, 600) aufweisend: einen Träger (102); einen flächigen, elektrisch aktiven Bereich (106) auf oder über dem Träger (102); eine Haftschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich (106), wobei die Haftschicht den elektrisch aktiven Bereich (106) wenigstens teilweise umgibt; eine Abdeckung auf oder über der Haftschicht, wobei ein Teil der Haftschicht frei liegt; und eine Verkapselung auf oder über der freiliegenden Haftschicht.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt .
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
beispielsweise eine organische Leuchtdioden (organic light emitting diode - OLED) oder eine organische Solarzelle, finden zunehmend verbreitete Anwendung.
Eine OLED kann beispielsweise zwei Elektroden, beispielsweise zwei Kontaktmetallisierung eingerichtet als eine Anode und eine Kathode, mit einem organischen funktionellen
Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische
funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere
Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung beispielsweise erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten
(„Charge generating layer", CGL) zur
Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere
Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als
Lochtransportschicht (en) („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Wenigstens ein Teil des organischen funktionellen
Schichtensystems kann organische Stoffe und/oder organische Stoffgemische aufweisen. Organische Stoffe und/oder
organische Stoffgemische können jedoch anfällig sein für schädliche Umwelteinflüsse. Unter einem schädlichen Umwelteinfluss können alle Einflüsse verstanden werden, die potenziell zu einem Degradieren bzw. Altern, beispielsweise einem Vernetzten oder Kristallisieren, organischer Stoffe und/oder organischer Stoffgemische führen können und damit beispielsweise die Betriebsdauer der OLED begrenzen können. Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder Wasser. Zum Schutz vor schädlichen Umwelteinflüssen wird eine OLED üblicherweise verkapselt. Beim Verkapseln einer OLED werden beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur und die Elektroden mit einer für schädliche Umwelteinflüsse undurchlässigen Verkapselungsschicht umgeben, beispielsweise einem dünnen Film, der undurchlässig für Wasser und
Sauerstoff ist.
Die Verkapselungsschicht für dünnfilmverkapselte organische Leuchtdioden sollte absolut defektfrei sein. Beim Verkapseln kann jedoch nicht vollständig ausgeschlossen werden, dass sich in der Verkapselungsschicht noch Defekte befinden.
Bereits ein mikroskopischer Defekt oder ein Diffusionskanal entlang einer Korngrenze in dieser Verkapselungsschicht kann zu einem Defekt der gesamten OLED führen. Dadurch können sich im Sichtfeld der OLED mittels Feuchtigkeitseinwirkung nicht leuchtende, kreisförmige Punkte bilden („schwarze Punkte", engl, „black spot") , die im Laufe der Zeit wachsen können.
Um die potentielle Schädigung für eine OLED klein zu halten, wird in einem herkömmlichen Verfahren auf die
Verkapselungsschicht eine Glasabdeckung mittels eines
Laminierklebstoffes auflaminiert . Mittels der Glasabdeckung kann jedoch lediglich die Geschwindigkeit reduziert werden, in der beispielsweise Wasser in die OLED eindiffundiert.
Wasser kann beispielsweise immer noch durch den
Laminierklebstoff in die organische funktionelle
Schichtenstruktur diffundieren, sodass beispielsweise ein Defekt in der Verkapselungsschicht einer OLED nur verlangsamt zu einem sichtbaren Defekt führt.
In einem anderen herkömmlichen Verfahren kann ein
Kavitätsglas auf die OLED aufgeklebt werden, wobei die
KlebstoffVerbindung im geometrischen Rand der OLED erfolgt und in der Kavität ein wasserabsorbierendes Material
eingerichtet ist. In einem anderen herkömmlichen Verfahren kann eine
Glasabdeckung, beispielsweise mittels einer Fritten- Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen auf die Verkapselungsschicht aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist, die Eindiffusion von Feuchtigkeit in ein optoelektronisches Bauelement, beispielsweise in ein OLED-Bauteil , zu verringern und somit beispielsweise die Lagerzeit der OLED zu erhöhen. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch
charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem anorganischen Stoff eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form
vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne
Kohlenstoff oder einfacher KohlenstoffVerbindung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes , in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung umfasst der Begriff „Stoff" alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. Weiterhin kann im Rahmen dieser Beschreibung unter einem Stoffgemisch etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren
Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Als eine Stoffklasse ist ein Stoff oder ein Stoffgemisch aus einem oder mehreren organischen Stoff (en) , einem oder mehreren anorganischen Stoff (en) oder einem oder mehreren hybrid
Stoff (en) zu verstehen. Der Begriff „Material" kann synonym zum Begriff „Stoff" verwendet werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch gleich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn die chemischen und
physikalischen Eigenschaften des ersten Stoffs bzw. ersten Stoffgemisches identisch mit den chemischen und
physikalischen Eigenschaften des zweiten Stoffs bzw. des zweiten Stoffgemischs sind.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein erster Stoff bzw. ein erstes Stoffgemisch ähnlich einem zweiten Stoff bzw. einem zweiten Stoffgemisch sein, wenn der erste Stoff bzw. das erste Stoffgemisch und der zweite Stoff bzw. das zweite
Stoffgemisch eine ungefähr gleiche stöchiometrische
Zusammensetzung, ungefähr gleiche chemische Eigenschaften und/oder ungefähr gleiche physikalische Eigenschaften
aufweist bezüglich wenigstens einer Größe, beispielsweise der Dichte, dem Brechungsindex, der chemischen Beständigkeit oder ähnliches . So kann beispielsweise bezüglich der stöchiometrischen
Zusammensetzung kristallines S1O2 (Quarz) als gleich zu amorphen S1O2 (Kieselglas) und als ähnlich zu SiOx betrachtet werden. Jedoch kann bezüglich des Brechungsindexes
kristallines S1O2 unterschiedlich sein zu SiOx oder amorphem Si02- Mittels Zugabe von Zusätzen, beispielsweise in Form von Dotierungen, kann beispielsweise amorphes S1O2 den gleichen oder einen ähnlichen Brechungsindex aufweisen wie
kristallines S1O2 jedoch dann bezüglich der chemischen
Zusammensetzung und/oder der chemischen Beständigkeit
unterschiedlich zu kristallinem S1O2 sein.
Die Bezugsgröße, in der ein erster Stoff einem zweiten Stoff ähnelt, kann explizit angegeben sein oder sich aus dem
Kontext ergeben, beispielsweise aus den gemeinsamen
Eigenschaften einer Gruppe von Stoffen oder Stoffgemischen .
Ein formstabiler Stoff kann mittels Zugebens von
Weichmachern, beispielsweise Lösungsmittel, oder Erhöhen der Temperatur plastisch formbar werden, d.h. verflüssigt werden.
Ein plastisch formbarer Stoff kann mittels einer
Vernetzungsreaktion, einem Entzug von Weichmachern und/oder Wärme formstabil werden, d.h. verfestigt werden.
Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der
Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein
Ändern der Viskosität aufweisen, beispielweise ein Erhöhen der Viskosität von einem ersten Viskositätswert auf einen zweiten Viskositätswert. Der zweite Viskositätswert kann um ein Vielfaches größer sein als der erste Viskositätswert sein, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 bis
6
ungefähr 10 . Der Stoff kann bei der ersten Viskosität formbar sein und bei der zweiten Viskosität formstabil sein. Das Verfestigen eines Stoffs oder Stoffgemisches , d.h. der Übergang eines Stoffes von formbar zu formstabil, kann ein Verfahren oder einen Prozess aufweisen, bei dem
niedermolekulare Bestandteile aus dem Stoff oder Stoffgemisch entfernt werden, beispielsweise Lösemittelmoleküle oder niedermolekulare, unvernetzte Bestandteile des Stoffs oder des Stoffgemischs , beispielsweise ein Trocknen oder
chemisches Vernetzen des Stoffs oder des Stoffgemischs . Der Stoff oder das Stoffgemisch kann beispielweise im formbaren Zustand eine höhere Konzentration niedermolekularer Stoffe am gesamten Stoff oder Stoffgemisch aufweisen als im
formstabilen Zustand.
Ein Körper aus einem formstabilen Stoff oder Stoffgemisch kann jedoch formbar sein, beispielsweise wenn der Körper als eine Folie eingerichtet ist, beispielsweise eine
Kunststofffolie, eine Glasfolie oder eine Metallfolie. Solch ein Körper kann beispielsweise als mechanisch flexibel bezeichnet werden, da Veränderungen der geometrischen Form des Körpers, beispielsweise ein Biegen einer Folie,
reversibel sein können. Ein mechanisch flexibler Körper, beispielsweise eine Folie, kann jedoch auch plastisch formbar sein, beispielsweise indem der mechanisch flexible Körper nach dem Verformen verfestigt wird, beispielsweise ein
Tiefziehen einer Kunststofffolie .
Die Verbindung eines ersten Körpers mit einem zweiten Körper kann formschlüssig, kraftschlüssig und/oder stoffschlüssig sein. Die Verbindungen können lösbar ausgebildet sein, d.h. reversibel. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine reversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein. Die Verbindungen können jedoch auch nicht lösbar ausgebildet sein, d.h. irreversibel. Eine nicht lösbare Verbindung kann dabei nur mittels Zerstörens der Verbindungsmittel getrennt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine
irreversible, schlüssige Verbindung beispielsweise als eine Nietverbindung, eine Klebeverbindung oder eine Lötverbindung realisiert sein.
Bei einer formschlüssigen Verbindung kann die Bewegung des ersten Körpers von einer Fläche des zweiten Körpers
beschränkt werden, wobei sich der erste Körper senkrecht, d.h. normal, in Richtung der beschränkenden Fläche des zweiten Körpers bewegt. Ein Stift (erster Körper) in einem Sackloch (zweiter Körper) kann beispielsweise in fünf der sechs Raumrichtungen in der Bewegung beschränkt sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine formschlüssige
Verbindung beispielsweise als eine Schraubverbindung, ein Klettverschluss , eine Klemmung / eine Nutzung von Klammern realisiert sein.
Bei einer kraftschlüssigen Verbindung kann aufgrund eines körperlichen Kontakts der beiden Körper unter Druck, eine Haftreibung eine Bewegung des ersten Körpers parallel zu dem zweiten Körper beschränken. Ein Beispiel für eine
kraftschlüssige Verbindung kann beispielsweise ein
Flaschenkorken in einem Flaschenhals oder ein Dübel mit einer Übermaßpassung in einem entsprechenden Dübelloch sein. Ferner kann die kraftschlüssige Verbindung mittels einer
Presspassung zwischen einem ersten Körper und einem zweiten Körper ausgebildet sein. Beispielsweise kann ein Durchmesser des Haltestifts so gewählt werden, dass er gerade noch unter Verformung des Haltestifts und/oder der entsprechenden
Halteausnehmung in die Halteausnehmung einführbar ist, jedoch nur noch unter erhöhtem Kraftaufwand wieder aus dieser entfernbar ist.
Bei einer stoffschlüssigen Verbindung kann der erste Körper mit dem zweiten Körper mittels atomarer und/oder molekularer Kräfte verbunden werden. Stoffschlüssige Verbindungen können häufig nicht lösbare Verbindungen sein. In verschiedenen Ausgestaltungen kann eine Stoffschlüssige Verbindung
beispielsweise als eine Klebeverbindung, eine Lotverbindung, beispielsweise eines Glaslotes, oder eines Metalotes, eine Schweißverbindung realisiert sein.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem elektronischen Bauelement ein Bauelement verstanden werden, welches die Steuerung, Regelung oder Verstärkung eines elektrischen
Stromes betrifft, beispielsweise mittels Verwendens von
Halbleiterbauelementen. Ein elektronisches Bauelement kann ein Bauelement aus der Gruppe der Bauelemente aufweisen:
beispielsweise eine Diode, ein Transistor, ein
Thermogenerator, eine integrierte Schaltungen, ein Thyristor. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein elektrisch
kontaktiertes , elektronisches Bauelement als eine Ausführung eines elektrischen Bauelementes verstanden werden.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem
optoelektronischen Bauelement eine Ausführung eines
elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist . Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes der Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden kann oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich
elektromagnetische Strahlung emittieren kann.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Bereitstellen von elektromagnetischer Strahlung ein Emittieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Im Rahmen dieser Beschreibung kann unter einem Aufnehmen von elektromagnetischer Strahlung ein Absorbieren von
elektromagnetischer Strahlung verstanden werden. Ein optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise
transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine
transparente organische Leuchtdiode. Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktiven Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter- Bauelement sein und/oder als eine elektromagnetische
Strahlung emittierende Diode, als eine organische
elektromagnetische Strahlung emittierende Diode, als ein elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung
emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement
beispielsweise als Licht emittierende Diode (light emitting diode, LED) als organische Licht emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) , als Licht emittierender
Transistor oder als organischer Licht emittierender
Transistor ausgebildet sein. Das Licht emittierende
Bauelement kann in verschiedenen Ausgestaltungen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Licht emittierenden Bauelementen vorgesehen sein,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein organisches
optoelektronisches Bauelement in verschiedenen
Ausgestaltungen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode - OLED) , eine organische
Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische
Solarzelle; im organischen funktionellen Schichtensystem einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zum Bereitstellen einer elektromagnetischer Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom oder zum
Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer
bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist . Im Rahmen dieser Beschreibung können unter einem schädlichen Umwelteinfluss alle Einflüsse verstanden werden, die
beispielsweise potentiell zu einem Degradieren, Vernetzten, und/oder Kristallisieren des organischen Stoffs oder des organischen Stoffgemisches führen können und damit
beispielsweise die Betriebsdauer organischer Bauelemente begrenzen können.
Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise ein für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädlicher Stoff sein, beispielsweise Sauerstoff und/oder beispielsweise einem Lösungsmittel, beispielsweise Wasser.
Ein schädlicher Umwelteinfluss kann beispielsweise eine für organische Stoffe oder organische Stoffgemische schädliche Umgebung sein, beispielsweise eine Änderung über oder unter einen kritischen Wert, beispielsweise der Temperatur und/oder eine Änderung des Umgebungsdruckes.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine hermetisch bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff dichte Schicht als eine im
Wesentlichen hermetisch dichte Schicht verstanden werden, wobei die Schicht Diffusionskanäle aufweisen kann. Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein Diffusionskanal in einer Schicht als ein Hohlraum in der Schicht mit wenigstens zwei Öffnungen verstanden werden, beispielsweise ein Loch, eine Pore, ein Verbindung (interconnect) oder ähnliches. Durch den
Diffusionskanal kann einen Stoff oder Stoffgemisch von einer Öffnung des Diffusionskanals zu der wenigstens einen zweiten Öffnung des Diffusionskanals migrieren bzw. diffundieren, beispielsweise mittels eines osmotischen Druckes oder
elektrophoretisch . Ein Diffusionskanal kann beispielsweise derart in der Schicht ausgebildet sein, dass unterschiedliche Seiten der Schicht durch den Diffusionskanal miteinander verbunden werden (interconnect) . Ein Diffusionskanal kann beispielsweise einen Durchmesser aufweisen in einem Bereich von ungefähr dem Durchmesser eines Wassermoleküls bis
ungefähr einige nm. Ein Diffusionskanal in einer Schicht können beispielsweise Fehlstellen, Korngrenzen oder ähnliches in der Schicht sein oder dadurch gebildet werden. Eine hermetisch dichte Schicht kann beispielsweise eine
Diffusionsrate bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff von
-1 2
kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, eine hermetisch dichte Abdeckung und/oder ein hermetisch dichter Träger kann/können beispielsweise eine Diffusionsrate bezüglich
-4 2
Wasser und/oder Sauerstoff von kleiner ungefähr 10 g/ (m d) aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
-4 2 -10 2
10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) , beispielsweise in
-4 2
einem Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr
10~6 g/ (m2d) .
In verschiedenen Ausführungsformen wird ein
optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das
optoelektronische Bauelement aufweisend: einen Träger; einen flächigen, elektrisch aktiven Bereich auf oder über dem
Träger; eine Haftschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich, wobei die Haftschicht den elektrisch aktiven Bereich wenigstens teilweise umgibt; eine Abdeckung auf oder über der Haftschicht, wobei ein Teil der Haftschicht frei liegt; und eine Verkapselung auf oder über der freiliegenden
Haftschicht .
Im Rahmen dieser Beschreibung kann ein wenigstens teilweises Umgeben beispielsweise als wenigstens teilweise von unten Umgeben, wenigstens teilweise seitliches Umgeben und/oder wenigstens teilweise von oben Umgeben ausgebildet sein, beispielsweise ein vollständiges Umgeben. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann zwischen der Haftschicht und dem elektrisch aktiven Bereich eine Barrieredünnschicht ausgebildet sein,
beispielsweise indem die Barrieredünnschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich ausgebildet sein,
beispielsweise einen körperlichen Kontakt mit dem elektrisch aktiven Bereich aufweisen, beispielsweise den elektrisch aktiven Bereich hermetisch abdichten bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff. Mit anderen Worten: Die Verkapselung kann im lateralen
Diffusionspfad der Haftschicht angeordnet sein,
beispielsweise im freiliegenden Teil der Haftschicht ohne Kontakt zur Abdeckung und dem elektrisch aktiven Bereich/der Barrierendünnschicht . Weiterhin kann die Verkapselung eine geringere Permeabilität hinsichtlich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff aufweisen als die laterale Permeabilität der Haftschicht. Die Verkapselung kann die freiliegende Haftschicht wenigstens teilweise umgeben im Sinne eines geometrisch ringförmigen Umgebens bzw. Umschließens der Haftschicht und/oder im Sinne von: wenigstens ein Teil der Haftschicht wird von der Verkapselung lateral umgeben, d.h. beispielswiese ein anderer Teil der Haftschicht kann die Verkapselung umgeben. In einer Ausgestaltung des
optoelektronischen Bauelementes kann beispielsweise eine weitere Haftschicht die Verkapselung umgeben, wobei die Verkapselung die Barrierendünnschicht der Haftschicht wenigstens teilweise, geometrisch ringförmig umgibt. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall, ein
Metalloxid, eine Keramik.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich ungefähr 40 nm.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht mehrere Teilschichten
aufweisen, wobei alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen können.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten mindestens eine der Teilschichten kann eine andere
Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann/können die Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht als transluzente und/oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die Barrierendünnschicht oder die einzelnen
Teilschichten der Barrierendünnschicht kann/können aus einem transluzenten und/oder transparenten Stoff (oder einem
Stoffgemisch, das transluzent und/oder transparent ist) gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid, Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders
ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht transluzent und/oder transparent
ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht lichtstreuende Partikel aufweisen, die zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können oder einen Getter, zum
Binden von Wasser, beispielweise ein Zeolith oder
Kalziumoxid. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können als lichtstreuende Partikel beispielsweise
dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie
beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftschicht verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht derart eingerichtet sein, dass die
Haftschicht selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung. Eine solche
Haftschicht kann beispielsweise ein niedrigbrechender
Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht beispielsweise einen hochbrechenden Klebstoff aufweisen der beispielsweise hochbrechende,
nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren
Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren
Brechungsindex des elektrisch aktiven Bereiches entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0, oder größer. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht einen Brechungsindex aufweisen, der größer ist als der Brechungsindex der Abdeckung und kleiner ist als der Brechungsindex des elektrisch aktiven Bereiches und/oder der Barrierendünnschicht .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können/kann die Abdeckung und/oder die Haftschicht einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung als eine Glasabdeckung, Metallabdeckung oder Kunststoffabdeckung eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung hermetisch dicht ausgebildet sein, beispielsweise als eine Barrierefolie. Eine Barrierefolie kann beispielsweise als eine Kunststofffolie mit einer
Barriereschicht auf oder über der Kunststofffolie ausgebildet sein . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die freiliegende Haftschicht den elektrisch aktiven Bereich wenigstens teilweise lateral umgeben.
Mit anderen Worten: die Verkapselung kann lateral auf oder über der Haftschicht oder auf oder über der Haftschicht und der Abdeckung ausgebildet sein derart, dass die Verkapselung den elektrisch aktiven Bereich wenigstens teilweise lateral umgibt . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die Abdeckung, der Träger und die Verkapselung derart ausgebildet sein, dass der elektrisch aktive Bereich
hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung eine Stoffschlüssige Verbindung mit der Abdeckung und/oder dem Träger aufweisen, beispielsweise mit einer hermetisch dichten Abdeckung und/oder einem hermetisch dichten Träger. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen hermetisch dichten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Metall, ein Metalloxid, eine Keramik oder ähnliches, beispielswiese ein Glas.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Glas, Quarzglas, Saphir, Siliziumkarbid, Graphen, Diamant oder ähnliches.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Verkapselung einen Stoff, eine Legierung oder ein Metalloxid aus einem der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Eisen, Stahl, Aluminium, Kupfer, Silber, Gold, Palladium, Magnesium, Titan, Platin, Nickel, Zinn, Zink, Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid,
Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid,
Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid oder ähnliches. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen organischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Polyolefine (beispielsweise
Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) , Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester, Polycarbonat (PC) , Polyethylenterephthalat (PET) , Polyethersulfon (PES) , Polyethylennaphthalat (PEN),
Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI), Polyetherketone (PEEK) , Polyimid (PI), ein Fluor-Derivat oder ähnliches. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1 mm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 1 ym bis ungefähr 100 ym, beispielsweise ungefähr 50 ym.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung mehrere Teilschichten aufweisen, wobei alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen können.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die einzelnen Teilschichten der Verkapselung
unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten: mindestens eine der Teilschichten kann eine andere
Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der
Teilschichten .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann/können die Verkapselung oder die einzelnen Teilschichten der Verkapselung als transluzente und/oder transparente
Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten: die Verkapselung oder die einzelnen
Teilschichten der Verkapselung kann/können aus einem
transluzenten und/oder transparenten Stoff (oder einem
Stoffgemisch, das transluzent und/oder transparent ist) gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Verkapselung ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Oberfläche der Verkapselung strukturiert sein, beispielsweise eine Nanorauheit und/oder Mikrorauheit aufweisen, beispielsweise um einen Lotus-Effekt auszubilden. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung ähnlich oder gleich der
Barrierendünnschicht eingerichtet sein.
Mit anderen Worten: die Verkapselung kann ähnlich oder gleich einer der Ausgestaltungen der Barrierendünnschicht
eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Verkapselung ähnlich oder gleich zu dem Stoff oder Stoffgemisch der
Barrierendünnschicht ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht zum Abdichten der Barrierendünnschicht bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff eingerichtet sein, beispielsweise bezüglich Diffusionskanälen in der Barrierendünnschicht. Die Haftschicht dichtet die Barrieredünnschicht in dem Sinne ab, dass die Diffusionsrate von Wasser und/oder Sauerstoff zu der Barrieredünnschicht hin reduziert wird, beispielsweise bezüglich des Falls ohne
Haftschicht, d.h. mit einer Barrieredünnschicht an Luft. Mit anderen Worten: die Haftschicht dichtet die
Barrierendünnschicht in dem Sinne ab, dass der Zeitraum bis Wasser und/oder Sauerstoff die Barrierendünnschicht
erreichen, erhöht wird. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung zum Abdichten der freiliegenden
Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff eingerichtet ist, beispielsweise bezüglich Diffusionskanälen in der Haftschicht.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung derart ausgebildet sein, dass die
Permeabilität der Verkapselung geringer ist als die laterale Permeabilität der Haftschicht bezüglich der Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Diffusionsrate der Verkapselung bezüglich wenigstens Wasser kleiner sein als die laterale Diffusionsrate der
Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Diffusionsrate der Verkapselung bezüglich wenigstens Wasser wenigstens um einen Faktor ungefähr 10 kleiner sein als die laterale Diffusionsrate der Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Diffusionsrate durch die Verkapselung kleiner
-1 2
ungefähr 10 g/ (m d) sein, beispielsweise kleiner ungefähr -2 , 2
10 g/ (m d) , beispielsweise kleiner ungefähr -3 2
10 g/ (m d) , beispielsweise in einem Bereich von ungefähr
-6 , 2 -10 , 2
10 g/ (m d) bis ungefähr 10 g/ (m d) .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung die freiliegende Haftschicht lateral vollständig umgeben.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung eine zusammenhängende Form aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die zusammenhängende Form eine geometrische Form ähnlich oder gleich einem geometrischen Ring aufweisen,
beispielsweise eine geometrische Form einer Ellipse, eines Kreises, Dreieckes, Viereckes oder Vieleckes. Die
zusammenhängende Form bezieht sich dabei auf eine
geschlossene geometrische Form in einer Querschnittsansicht.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Haftschicht wenigstens eine elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven
Bereiches aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der Träger wenigstens eine elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches aufweisen .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Barrierendünnschicht Stoffschlüssig mit dem
elektrisch aktiven Bereich verbunden sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann der elektrisch aktive Bereich wenigstens ein organisches funktionelles Schichtensystem, eine erste Elektrode und wenigstens eine zweite Elektrode aufweisen, wobei das
organische funktionelle Schichtensystem zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist, und wobei die Elektroden zum elektrischen Kontaktieren des organischen funktionellen Schichtensystems eingerichtet sind. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung derart ausgebildet sein, dass die
Abdeckung den elektrisch aktiven Bereich und den Träger umgibt, beispielsweise indem die Abdeckung beispielsweise mittels der Haftschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich angeordnet ist und die Abdeckung wenigstens teilweise um den Träger gefaltet ist und beispielsweise auf der
Rückseite des optoelektronischen Bauelementes mittels der Haftschicht mit dem Träger beispielsweise schlüssig verbunden ist. Mit anderen Worten: In verschiedenen Ausgestaltungen kann die freiliegende Haftschicht an wenigstens einer
Seitenflächen und /oder der Rückseite des optoelektronischen Bauelementes angeordnet sein. Die Rückseite des
optoelektronischen Bauelementes kann in verschiedenen
Ausgestaltungen auch als Rückseite des Trägers bezeichnet werden, wobei auf der Vorderseite des Trägers der elektrisch aktive Bereich ausgebildet ist.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung auf oder über der freiliegenden
Haftschicht und wenigstens teilweise auf oder über der
Abdeckung ausgebildet sein, beispielsweise die Verbindung von freiliegender Haftschicht und Abdeckung hermetisch abdichten bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff,
beispielsweise indem die Verkapselung die Abdeckung
wenigstens teilweise umgibt.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung auf der Rückseite des Trägers strukturiert sein . In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung auf der Rückseite des Trägers sich
wenigstens teilweise überlappen. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes können die überlappenden Bereiche der Abdeckung derart strukturiert sein, dass sie formschlüssig und/oder
kraftschlüssig miteinander verbunden sind, beispielsweise ineinander greifen, beispielsweise komplementär.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement ferner eine zwischen dem elektrisch aktiven Bereich und der Haftschicht
angeordnete Kratzschutzschicht aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Kratzschutzschicht einen mittleren Brechungsindex aufweisen, der größer ist als der mittlere Brechungsindex der Haftschicht .
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Kratzschutzschicht als eine Matrix und darin
verteilten Streuzentren ausgebildet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Kratzschutzschicht als ein optischer Filter
ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Kratzschutzschicht als eine optische Linse
ausgebildet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Kratzschutzschicht einen Getter aufweisen.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung strukturiert sein derart, dass wenigstens eine elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches durch oder neben der
Abdeckung ausgebildet ist. In noch einer Ausgestaltung kann die elektrische
Durchführungen durch die Abdeckung mit einem elektrisch leitfähigen Material hermetisch abgedichtet sein.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann das optoelektronische Bauelement als ein organisches, optoelektronisches Bauelement eingerichtet sein,
beispielsweise eine organische Solarzelle, ein organischer Sensor oder eine organische Leuchtdiode. In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bereitstellen eines flächigen, elektrisch aktiven Bereiches auf oder über dem Träger; Ausbilden einer Haftschicht auf oder über dem
elektrisch aktiven Bereich, wobei die Haftschicht den
elektrisch aktiven Bereich wenigstens teilweise umgibt;
Ausbilden einer Abdeckung auf oder über der Haftschicht, wobei ein Teil der Haftschicht frei liegt; und Ausbilden einer Verkapselung auf oder über der freiliegenden
Haftschicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden einer Barrierendünnschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich aufweisen, beispielsweise vor dem Ausbilden der Haftschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich, beispielsweise indem die Barrieredünnschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich ausgebildet wird, beispielsweise einen körperlichen Kontakt mit dem elektrisch aktiven Bereich aufweist, beispielsweise den elektrisch aktiven Bereich hermetisch abdichtet bezüglich Wasser und/oder Sauerstoff. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrierendünnschicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall, ein Metalloxid, eine Keramik .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrierendünnschicht mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm ausgebildet werden, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich ungefähr 40 nm.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrierendünnschicht aus mehreren Teilschichten gebildet werden, wobei alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen können.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht unterschiedliche
Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten: mindestens eine der Teilschichten kann eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann/können die
Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht als transluzente und/oder transparente Schicht ausgebildet werden. Mit anderen Worten: die
Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht kann/können aus einem transluzenten und/oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, das transluzent und/oder transparent ist) gebildet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht einen der
nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht transluzent und/oder transparent ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht mit einer Schichtdicke von größer als ungefähr 1 ym
ausgebildet werden, beispielsweise mit einer Schichtdicke von mehreren ym.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht mit lichtstreuenden Partikeln ausgebildet werden, wobei die Partikel zu einer Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können oder eine Getter,
beispielswiese Getter-Partikel aufweisen, die zu einem Binden von Wasser und/oder Sauerstoff eingerichtet sind,
beispielweise ein Zeolith oder Kalziumoxid aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können als
lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische
Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (S1O2), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20x) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen
Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der Haftschicht verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel , oder dergleichen als
lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht derart ausgebildet werden, dass die Haftschicht selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der
Brechungsindex der Abdeckung. Eine solche Haftschicht kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht beispielsweise aus einem hochbrechenden Klebstoff ausgebildet werden, der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex
aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex des elektrisch aktiven Bereiches entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0, oder größer. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe
vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können/kann die
Abdeckung und/oder die Haftschicht einen Brechungsindex
(beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Abdeckung als eine Glasabdeckung, Metallabdeckung oder Kunststoffabdeckung eingerichtet sein. In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Abdeckung hermetisch dicht ausgebildet sein, beispielsweise als eine Barrierefolie. Eine Barrierefolie kann beispielsweise als eine Kunststofffolie mit einer
Barriereschicht auf oder über der Kunststofffolie ausgebildet sein .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung nach dem Ausbilden der Abdeckung auf oder über der
freiliegenden Haftschicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Abdeckung nach dem Ausbilden der Verkapselung ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung nach dem Ausbilden der Haftschicht ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Abdeckung, der Träger und die Verkapselung derart eingerichtet sein oder ausgebildet werden, dass der elektrisch aktive Bereich hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff.
Mit anderen Worten: die Verkapselung kann lateral auf oder über der Haftschicht oder auf oder über der Haftschicht und der Abdeckung ausgebildet werden, dass der Träger, die
Abdeckung und die Verkapselung den elektrisch aktiven Bereich umgibt . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung Stoffschlüssige mit der Abdeckung und/oder dem Träger
verbunden werden, beispielsweise mit einer hermetisch dichten Abdeckung und/oder einem hermetisch dichten Träger. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung in einem formbaren Zustand auf die Seitenflächen der
Haftschicht aufgebracht werden. Nach dem Aufbringen kann die Verkapselung verfestigt werden. Nach dem Verfestigen kann die Verkapselung einen formstabilen Zustand aufweisen.
In einer Ausgestaltung kann die Temperatur während des
Ausbildens der Verkapselung kleiner ungefähr 150 °C sein, beispielsweise kleiner ungefähr 120 °C, beispielsweise in einem Temperaturbereich von ungefähr 90 °C bis ungefähr
100 °C. In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung nasschemisch ausgebildet werden, beispielsweise aus einer Paste, einem Gel, einer Lösung, einer Suspension oder einer Dispersion.
In einer Ausgestaltung kann die Verkapselung ähnlich oder gleich einen Klebstoff eingerichtet sein und/oder aufgebracht werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung einen hermetisch dichten Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Metall, ein Metalloxid, eine Keramik oder
ähnliches, beispielswiese ein Glas.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung einen anorganischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: ein Glas, Quarzglas, Saphir, Siliziumkarbid, Graphen, Diamant oder ähnliches.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Verkapselung einen Stoff, eine Legierung oder ein Metalloxid aus einem der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: Eisen, Stahl, Aluminium, Kupfer, Silber, Gold,
Palladium, Magnesium, Titan, Platin, Nickel, Zinn, Zink, Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid oder ähnliches.
In einer Ausgestaltung des optoelektronischen Bauelementes kann die Verkapselung einen organischen Stoff aufweisen oder daraus gebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) ,
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester,
Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET),
Polyethersulfon (PES) , Polyethylennaphthalat (PEN),
Polymethylmethacrylat (PMMA) , Polyimid (PI), Polyetherketone (PEEK) , ein Polyimid (PI), ein Fluor-Derivat oder ähnliches. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1 mm ausgebildet werden, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 10 ym bis ungefähr 100 ym, beispielsweise in einem Bereich ungefähr 50 ym.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung aus mehreren Teilschichten ausgebildet werden, wobei alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen können.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die einzelnen Teilschichten der Verkapselung mit unterschiedlichen Schichtdicken ausgebildet werden. Mit anderen Worten:
mindestens eine der Teilschichten kann eine andere
Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der
Teilschichten .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann/können die
Verkapselung oder die einzelnen Teilschichten der
Verkapselung als transluzente und/oder transparente Schicht ausgebildet werden.
Mit anderen Worten: die Verkapselung oder die einzelnen
Teilschichten der Verkapselung kann/können aus einem
transluzenten und/oder transparenten Stoff (oder einem
Stoffgemisch, das transluzent und/oder transparent ist) gebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Verkapselung ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Oberfläche der Verkapselung strukturiert werden, beispielsweise eine
Nanorauheit und/oder Mikrorauheit ausgebildet werden, beispielsweise um einen Lotus-Effekt auszubilden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung elektrisch nicht leitend sein bzw. elektrisch nichtleitende Oberflächen aufweisen. Dadurch kann es zu keinem elektrischen Kurzschluss mittels der Verkapselung kommen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung ähnlich oder gleich der Barrierendünnschicht ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der Stoff oder das Stoffgemisch der Verkapselung ähnlich oder gleich zu dem Stoff oder Stoffgemisch der Barrierendünnschicht eingerichtet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Haftschicht derart ausgebildet werden, dass die Barrierendünnschicht bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff abgedichtet wird, insbesondere bezüglich Diffusionskanälen in der
Barrierendünnschicht. Die Haftschicht dichtet die
Barrieredünnschicht in dem Sinne ab, dass die Diffusionsrate von Wasser und/oder Sauerstoff der Schicht, die einen
körperlichen Kontakt mit der Barrierendünnschicht aufweist, reduziert wird, beispielsweise bezüglich des Falls ohne
Haftschicht, d.h. mit einer Barrieredünnschicht an Luft. Mit anderen Worten: die Haftschicht dichtet die
Barrierendünnschicht in dem Sinne ab, dass der Zeitraum bis Wasser und/oder Sauerstoff die Barrierendünnschicht
erreichen, erhöht wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung derart ausgebildet werden, dass die Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff abgedichtet wird, insbesondere bezüglich Diffusionskanälen in der Haftschicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung derart ausgebildet werden, dass die Permeabilität bezüglich der Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff der Verkapselung geringer ist als die laterale Permeabilität der Haftschicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung derart ausgebildet wird, dass die Diffusionsrate der
Verkapselung bezüglich wenigstens Wasser kleiner ist als die laterale Diffusionsrate der Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Diffusionsrate der Verkapselung bezüglich wenigstens Wasser wenigstens um einen Faktor ungefähr 10 kleiner sein als die laterale
Diffusionsrate der Haftschicht bezüglich wenigstens Wasser.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Diffusionsrate
-1 2
durch die Verkapselung kleiner ungefähr 10 g/ (m d) sein,
-2 , 2
beispielsweise kleiner ungefähr 10 g/ (m d) , beispielsweise
-3 , 2
kleiner ungefähr 10 g/ (m d) , beispielsweise m einem
-6 , 2
Bereich von ungefähr 10 g/ (m d) bis ungefähr
-10 , 2
10 g/ (m d) .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung derart ausgebildet werden, dass die Verkapselung die
Haftschicht lateral vollständig umgibt.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung in einer zusammenhängenden Form ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
zusammenhängende Form eine geometrische Form ähnlich oder gleich einem geometrischen Ring aufweisen, beispielsweise eine geometrische Form einer Ellipse, eines Kreises,
Dreieckes, Viereckes oder Vieleckes. Die zusammenhängende Form bezieht sich dabei auf eine geschlossene geometrische Form in einer Querschnittsansicht.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens einer elektrischen
Durchführung in der Verkapselung aufweisen, wobei die
elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches eingerichtet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Ausbilden der elektrischen Durchführung in der Verkapselung ein Freilegen eines Kontaktpads unter der Verkapselung aufweisen. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens einer elektrischen
Durchführung in der Haftschicht aufweisen, wobei die
elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches eingerichtet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das Verfahren ferner ein Ausbilden wenigstens einer elektrischen
Durchführung in dem Träger aufweisen, wobei die elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches eingerichtet wird.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung auf mehreren elektronischen Bauelementen gleichzeitig
ausgebildet werden, beispielsweise indem die mehreren
elektronischen Bauelemente flächig, übereinander gestapelt werden. Dadurch kann gleichzeitig die flächige Oberfläche der elektronischen Bauelemente vor einem Ausbilden der
Verkapselung auf oder über der Abdeckung verhindert werden, beispielsweise wenn die Verkapselung nicht transluzent und/oder transparent ist, die Haftschicht und Verkapselung jedoch transluzent und/oder transparent ausgebildet werden soll/en . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Barrieredünnschicht stoffschlüssig mit dem elektrisch aktiven Bereich verbunden werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann der elektrisch aktive Bereich wenigstens ein organisches funktionelles
Schichtensystem, wenigstens eine erste Elektrode und
wenigstens eine zweite Elektrode aufweist, wobei das
organische funktionelle Schichtensystem zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode ausgebildet ist, und wobei die Elektroden zum elektrischen Kontaktieren des organischen funktionellen Schichtensystems eingerichtet sind. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Abdeckung derart ausgebildet werden, dass die Abdeckung den elektrisch aktiven Bereich und den Träger umgibt, beispielsweise indem die Abdeckung beispielsweise mittels der Haftschicht auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich angeordnet wird und die Abdeckung wenigstens teilweise um den Träger gefaltet wird und beispielsweise auf der Rückseite des optoelektronischen Bauelementes mittels der Haftschicht mit dem Träger schlüssig verbunden wird. Mit anderen Worten: In verschiedenen
Ausgestaltungen kann die freiliegende Haftschicht an
wenigstens einer Seitenflächen und /oder der Rückseite des optoelektronischen Bauelementes angeordnet sein.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Verkapselung auf oder über der freiliegenden Haftschicht und wenigstens teilweise auf oder über der Abdeckung ausgebildet werden, beispielsweise die Verbindung von freiliegender Haftschicht und Abdeckung hermetisch abdichten bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff, beispielsweise indem die
Verkapselung die Abdeckung wenigstens teilweise umgibt.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Bereiche der Abdeckung auf der Rückseite des Trägers strukturiert werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Abdeckung auf der Rückseite des Trägers wenigstens teilweise überlappend angeordnet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die
überlappenden Bereiche der Abdeckung derart strukturiert werden, dass sie formschlüssig und/oder kraftschlüssig miteinander verbunden sind, beispielsweise ineinander
greifen, beispielsweise komplementär. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann ferner eine
Kratzschutzschicht zwischen dem elektrisch aktiven Bereich und der Haftschicht ausgebildet werden. In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kratzschutzschicht derart ausgebildet werden, dass die
Kratzschutzschicht einen mittleren Brechungsindex aufweist, der größer ist als der mittlere Brechungsindex der
Haftschicht .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kratzschutzschicht als eine Matrix und darin verteilten Streuzentren ausgebildet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kratzschutzschicht als ein optischer Filter ausgebildet werden .
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kratzschutzschicht als eine optische Linse ausgebildet werden . In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die
Kratzschutzschicht einen Getter aufweisen.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Abdeckung strukturiert werden derart, dass wenigstens eine elektrische Durchführung zum elektrischen Kontaktieren des elektrisch aktiven Bereiches durch oder neben der Abdeckung ausgebildet wird .
In noch einer Ausgestaltung kann die elektrische
Durchführungen durch die Abdeckung mit einem elektrisch leitfähigen Material hermetisch abgedichtet werden.
In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das
optoelektronische Bauelement als ein organisches,
optoelektronisches Bauelement ausgebildet werden,
beispielsweise eine organische Solarzelle, ein organischer Sensor oder eine organische Leuchtdiode. Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen
Figur 1 eine schematisehe Querschnittsansicht eines optoelektronisehen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figuren 2a, b schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen;
Figur 3 ein Diagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen;
Figuren 4a, b schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen;
Figuren 5a-c schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen;
Figur 6 eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen; und
Figuren 7a, b schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der
Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Fig.l zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen. Das optoelektronische Bauelement 100, beispielsweise ein elektromagnetische Strahlung bereitstellendes elektronisches Bauelement 100, beispielsweise ein lichtemittierendes
Bauelement 100, beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode 100 kann ein Träger 102 aufweisen. Der Träger 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann der Träger 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderen geeigneten Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 102 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Kunststoff
Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET),
Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Stoffe aufweisen.
Der Träger 102 kann ein Metall oder eine Metallverbindung aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin oder ähnliches.
Ein Träger 102 aufweisend ein Metall oder eine
Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine Metallbeschichtete Folie ausgebildet sein.
Der Träger 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein.
Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als ein Spezialfall von „transluzent" anzusehen.
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische
Leuchtdiode 100 (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen
Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom- Emitter eingerichtet sein. Ein Top- und/oder Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement,
beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. Auf oder über dem Träger 102 kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht 104 angeordnet sein. Die Barriereschicht 104 kann eines oder mehrere der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid,
Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid,
Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid,
Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie
Mischungen und Legierungen derselben. Ferner kann die
Barriereschicht 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 5000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm.
Auf oder über der Barriereschicht 104 kann ein elektrisch aktiver Bereich 106 des lichtemittierenden Bauelements 100 angeordnet sein. Der elektrisch aktive Bereich 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des
lichtemittierenden Bauelements 100 fließt. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich 106 eine erste Elektrode 110, eine zweite Elektrode 114 und eine organische funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, wie sie im Folgenden noch näher erläutert werden.
So kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen auf oder über der Barriereschicht 104 (oder, wenn die Barriereschicht 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger 102) die erste Elektrode 110 (beispielsweise in Form einer ersten
Elektrodenschicht 110) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Stoff gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Stoffe, beispielsweise
Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden.
Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer
stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Stoffe.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 110 eines oder mehrere der folgenden Stoffe
alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Stoffen aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff- Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner kann die erste Elektrode 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste
Elektrode 110 und der Träger 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In dem Fall, dass die erste Elektrode 110 ein Metall aufweist oder daraus gebildet ist, kann die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 110 beispielsweise Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 110 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 ein leitfähiges transparentes Oxid (TCO) aufweist oder daraus gebildet ist, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff- Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder aus Graphen-Schichten und Kompositen gebildet werden, die erste Elektrode 110 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Die erste Elektrode 110 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode.
Die erste Elektrode 110 kann einen ersten elektrischen
Kontaktpad aufweisen, an den ein erstes elektrisches
Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) , beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an den Träger 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar an die erste Elektrode 110 angelegt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein.
Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich 106 des
lichtemittierenden Bauelements 100 eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht ist oder
ausgebildet wird. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann eine oder mehrere Emitterschichten 118 aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Lochtransportschicht (en) 120). In
verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten 116 (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht (en) 116) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 118
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating) , abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.
Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete
Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 118 des
lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 118 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 118 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 118 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 118, einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 118 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 118. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Stoffe aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere
elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als
Lochtransportschicht 120 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht 116 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Stoff für die Lochtransportschicht 120 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes
Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 120 auf oder über der ersten Elektrode 110 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 118 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 120 aufgebracht sein, beispielsweise abgeschieden sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann dir Elektronentransportschicht 116 auf oder über der Emitterschicht 118 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 (also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht (en) 120 und
Emitterschicht (en) 118 und Elektronentransportschicht (en) 116) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 beispielsweise einen
Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten
organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 112
beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier direkt übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise organische funktionelle Schichtenstruktur 112 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.
Das lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 118 oder auf oder über der oder den
Elektronentransportschicht (en) 116 aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern.
Auf oder über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen funktionellen
Schichtenstrukturen kann die zweite Elektrode 114
(beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 114) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 die gleichen Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 110, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode 114) beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm.
Die zweite Elektrode 114 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 110, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder
mehreren der Stoffe und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 110 beschrieben. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode 110 und die zweite Elektrode 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. Somit kann das in Fig.l dargestellte
lichtemittierende Bauelement 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement 100) ausgebildet sein.
Die zweite Elektrode 114 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. Die zweite Elektrode 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der
Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die
Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 kann optional noch eine Verkapselung 108, beispielsweise in Form einer
Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung 108 gebildet werden oder sein.
Unter einer „Barrierendünnschicht" 108 bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als
Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die
Barrierendünnschicht 108 als Schichtstapel (Stack)
ausgebildet sein. Die Barrierendünnschicht 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines
Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines plasmalosen
Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen
Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht 108, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens .
Die Barrierendünnschicht 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer
Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung . Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht
108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht 108) aus einem transluzenten oder transparenten Stoff (oder einem Stoffgemisch, die transluzent oder transparent ist) bestehen.
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht 108 einen der nachfolgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht 108 oder (im Falle eines
Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht 108 ein oder mehrere hochbrechende Stoffe aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Stoffe mit einem hohen
Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2.
In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engl, glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes 100 mit der Barrieredünnschicht 108 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht 108 ein Klebstoff und/oder ein
Schutzlack 124 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung 126 (beispielsweise eine Glasabdeckung 126, eine Metallfolienabdeckung 126, eine abgedichtete
Kunststofffolien-Abdeckung 126) auf der Barrierendünnschicht 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch
transluzente Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen,
beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein.
In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten
Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel , Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 114 und der Schicht aus Klebstoff und/oder Schutzlack 124 noch eine elektrisch isolierende Schicht
(nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Stoffe zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der
Abdeckung 126. Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein
Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise
hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Kleber vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden.
Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen
Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff 124 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung 126, beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht 108 aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die
Abdeckung 126 und/oder der Klebstoff 124 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen . Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen
zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten
(beispielsweise kombiniert mit der Verkapselung 108,
beispielsweise der Barrierendünnschicht 108) in dem
lichtemittierenden Bauelement 100 vorgesehen sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Barrierendünnschicht 108, die KlebstoffSchicht 124 und/oder die Abdeckung 126 als flächige Verkapselungsstruktur 128 bezeichnet werden.
Fig.2a, b zeigt schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen.
In der schematischen Querschnittsansicht in Fig.2a ist ein
Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l dargestellt - gekennzeichnet als Ausschnitt 100.
Dargestellt sind: Eine erste Elektrode 110, die auf oder über einem Träger 102 ausgebildet ist. Auf oder über der ersten Elektrode 110 ist eine organische funktionelle
Schichtenstruktur 112 ausgebildet. Über oder auf der
organischen funktionellen Schichtenstruktur 112 ist eine zweite Elektrode 114 ausgebildet. Die zweite Elektrode 114 ist mittels einer elektrischen Isolierung 204 von der ersten Elektrode 110 elektrisch isoliert. Die zweite Elektrode 114 kann mit einer elektrischen Verbindungsschicht 202 körperlich und elektrisch verbunden sein. Die elektrische
Verbindungsschicht 202 kann im geometrischen Randbereich des Trägers 102 auf oder über dem Träger 102 ausgebildet sein, beispielsweise seitlich neben der ersten Elektrode 110. Die elektrische Verbindungsschicht 202 ist mittels einer weiteren elektrischen Isolierung 204 elektrisch von der ersten
Elektrode 110 isoliert. Auf oder über der zweiten Elektrode 114 ist eine Barrierendünnschicht 108 angeordnet derart, dass die zweite Elektrode 114, die elektrischen Isolierungen 204 und die organische funktionelle Schichtenstruktur 112 von der Barrierendünnschicht 108 umgeben sind, das heißt in
Verbindung von Barrierendünnschicht 108 mit dem Träger 102 eingeschlossen sind. Die Barrierendünnschicht 108 kann die eingeschlossenen Schichten hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichten. Auf oder über der
Barrierendünnschicht 108 ist eine KlebstoffSchicht 124 angeordnet derart, dass die KlebstoffSchicht 124 die
Barrierendünnschicht 108 flächig und hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet. Auf oder über der KlebstoffSchicht 124 ist eine Abdeckung 126 angeordnet. Die Abdeckung beispielsweise auf die Barrierendünnschicht 108 mit einem Klebstoff 124 aufgeklebt sein, beispielsweise
auflaminiert sein.
Ungefähr der Bereich des optoelektronischen Bauelementes 100 mit organischer funktioneller Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Träger 102 kann als optisch aktiver Bereich
bezeichnet werden. Ungefähr der Bereich des
optoelektronischen Bauelementes 100 ohne organische
funktionelle Schichtenstruktur 112 auf oder über dem Träger 102 kann als optisch inaktiver Bereich bezeichnet werden.
Ein optoelektronisches Bauelement 100, welches transparent ausgebildet ist, beispielsweise einen transparenten
Träger 102, transparente Elektroden 110, 114 und eine
transparente Barrierendünnschicht 108 aufweist, kann
beispielsweise einen optisch aktiven Bereich mit zwei
flächigen, optisch aktiven Seiten aufweisen - in der
schematischen Querschnittsansicht die Oberseite und die
Unterseite des optoelektronischen Bauelementes 100. Der optisch aktive Bereich eines optoelektronischen
Bauelementes 100 kann jedoch auch nur eine optisch aktive Seite und eine optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise bei einem optoelektronischen Bauelement 100, das als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist, beispielsweise indem die zweite Elektrode 100 oder die
Barrierendünnschicht 108 reflektierend für bereitgestellte elektromagnetische Strahlung ausgebildet wird.
Der Träger 102, die erste Elektrode 110, die organische funktionelle Schichtenstruktur 112, die zweite Elektrode 114, die Barrierendünnschicht 108, die KlebstoffSchicht 124 und die Abdeckung 126 können beispielsweise gemäß einer der
Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l eingerichtet sein.
Die elektrische Isolierungen 204 sind derart eingerichtet sein, dass ein Stromfluss zwischen zwei elektrisch
leitfähigen Bereichen, beispielsweise zwischen der ersten
Elektrode 110 und der zweiten Elektrode 114 verhindert wird. Der Stoff oder das Stoffgemisch der elektrischen Isolierung kann beispielsweise ein Überzug oder ein Beschichtungsmittel, beispielsweise ein Polymer und/oder ein Lack sein. Der Lack kann beispielsweise einen in flüssiger oder in pulverförmiger Form aufbringbaren Beschichtungsstoff aufweisen,
beispielsweise ein Polyimid aufweisen oder daraus gebildet sein. Die elektrischen Isolierungen 204 können beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht oder ausgebildet werden, beispielsweise strukturiert. Das Druckverfahren kann beispielsweise einen Tintenstrahl-Druck ( Inkj et-Printing) , einen Siebdruck und/oder ein Tampondruck ( Pad-Printing) aufweisen . Die elektrische Verbindungsschicht 202 kann als Stoff oder Stoffgemisch einen Stoff oder ein Stoffgemisch ähnlich der Elektroden 110, 114 gemäß einer der Ausgestaltungen der
Beschreibungen der Fig.l aufweisen oder daraus gebildet sein. Im geometrischen Randbereich kann das optoelektronische
Bauelement 200 derart ausgebildet sein, dass Kontaktpads 206, 208 zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen Bauelementes 200 ausgebildet sind, beispielsweise indem elektrisch leitfähige Schichten, beispielsweise elektrische Verbindungsschichten 202, Elektroden 110, 114 oder ähnliches im Bereich der Kontaktpads wenigstens teilweise freiliegen (nicht dargestellt) .
In der schematischen Querschnittsansicht in Fig.2b ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l dargestellt- gekennzeichnet als Ausschnitt 100.
In der Querschnittsansicht dargestellt ist ein Bereich eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise ähnlich einer Ausgestaltung der Beschreibung der Fig.2a, ohne Kontaktpads 202, d.h. es ist eine andere Schnittebene
dargestellt .
Weiterhin kann die Haftschicht 124 eine größere oder kleinere (dargestellt) laterale Abmessung aufweisen als beispielswiese die Abdeckung 126. Die unterschiedliche Breite oder Tiefe kann beispielswiese einen Betrag bis ungefähr 2 mm aufweisen, beispielsweise ungefähr in einem Bereich von ungefähr 100 ym bis ungefähr 500 ym. Lateral kann die flächige Verkapselungsstruktur 128 aus
Barrierendünnschicht 108, KlebstoffSchicht 124 und Abdeckung 126 Diffusionskanäle beispielsweise für Wasser aufweisen - angedeutet mittels der Pfeile 216. Dadurch kann Wasser in den elektrisch aktiven Bereich 106 eindiffundieren.
Fig.3 zeigt ein Diagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen . Das Verfahren zum Herstellen eines elektronischen
Bauelementes, beispielsweise eines optoelektronischen
Bauelementes gemäß einer der Ausgestaltung der Beschreibungen der Fig.l oder Fig. 2, kann ein Ausbilden eines elektrisch aktiven Bereiches 106 auf oder über einem Träger 102
aufweisen. Mit anderen Worten: ein elektrisch aktiver Bereich 106 auf oder über einem Träger 102 kann für das Verfahren bereitgestellt werden.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 302 einer
flächigen Verkapselungsstruktur 128 auf oder über dem
elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen.
In einem Ausführungsbeispielen kann das Ausbilden 302 der flächigen Verkapselungsstruktur 128 beispielsweise ein
Ausbilden einer flächigen, ersten Verkapselungsschicht 108, beispielsweise einer Barrierendünnschicht 108, auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich 106 aufweisen. Auf oder über die erste Verkapselungsschicht 108 kann beispielsweise eine flächige, Haftschicht 124 ausgebildet werden, beispielsweise eine KlebstoffSchicht 124. Auf oder über die Haftschicht 124 können beispielsweise weitere Verkapselungsschichten
ausgebildet oder angeordnet werden, beispielsweise eine weitere Barrieredünnschicht auf oder über der Abdeckung 126 (nicht dargestellt) . Die Haftschicht 124, das heißt die
KlebstoffSchicht 124, kann die Abdeckung 126 Stoffschlüssig mit der Barrierendünnschicht 108 verbinden.
Die Haftschicht 124 kann beispielswiese als eine
Diffusionsbarriere wirken und die Diffusionsrate in die
Barrierendünnschicht 108 reduzieren.
Weiterhin kann das Verfahren ein Ausbilden 304 einer
Verkapselung lateral auf oder über der freiliegenden
Haftschicht 128 aufweisen. Die Verkapselung kann derart ausgebildet werden, dass die flächige Verkapselungsstruktur 128 lateral von der Verkapselung wenigstens teilweise umgeben wird .
Die Verkapselung kann eine zusätzliche Barrierewirkung bezüglich der flächigen Verkapselungsstruktur 128 ausbilden und beispielsweise die Diffusionsrate lateral in die
Haftschicht 124 reduzieren.
In einem Ausführungsbeispiel kann die zusätzliche
Barrierewirkung mittels eines Aufbringens einer dünnen
Metallschicht auf den Seitenflächen des optoelektronischen Bauelementes, beispielsweise der OLED, beispielsweise im geometrischen Randbereich des optoelektronischen
Bauelementes, realisiert werden.
Die Feuchte-Permeabilität von Metall kann niedriger sein von Klebstoffen, wodurch die Eindiffusion von Wasser lateral in die KlebstoffSchicht 124 reduziert wird.
Die Verkapselung kann jedoch auch einen anderen Stoff oder einen anderes Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der die Diffusionsrate lateral in die flächige
Verkapselungsstruktur reduziert, beispielsweise eine Keramik oder Metalloxid oder ähnliches.
Die Verkapselung kann im Diffusionspfad in die
KlebstoffSchicht 124 oder die Barrierendünnschicht 108 eine Diffusionsbarriere oder Migrationsbarriere für Wasser darstellen, beispielsweise Wasserdampf, Feuchte,
Feuchtigkeit .
Das Ausbilden 304 der Verkapselung auf oder über wenigstens einer lateralen Oberfläche der flächigen
Verkapselungsstruktur 128 sollte bei niedrigen Temperaturen erfolgen. Dadurch kann sichergestellt werden, dass der
Temperatureintrag in den elektrisch aktiven Bereich 106, beispielsweise in die organische funktionelle
Schichtenstruktur 112, beim Ausbilden der Verkapselung lokal gering ist und keinen schädlichen Umwelteinfluss darstellt.
Im Rahmen dieser Beschreibung kann eine niedrige Temperatur beispielsweise einen Temperaturwert kleiner als die Erweichungstemperatur von KunststoffSubstraten, beispielsweise kleiner ungefähr 150 °C aufweisen,
beispielsweise kleiner der zulässigen Temperatur im
Automotive Bereich, beispielsweise kleiner ungefähr 120 °C, beispielsweise in einem Temperaturbereich von ungefähr 90 °C bis ungefähr 100 °C.
Verfahren zum Ausbilden der Verkapselung können
beispielsweise ein Pulverbeschichten bzw. Pulverlackieren (low temperature powder coating) ; ein komplexes Plasmas bzw. ein staubiges Plasma (plasma dust) , ein Aerosol-Strahldrucken (aerosol jet printing) , einen wasserfreien nasschemischen Prozess, beispielsweise eine Elektrolyse oder Galvanik in einer wasserfreien Lösung; eine Stoffschlüssige Verbindung, beispielsweise eine KlebstoffVerbindung, beispielweise mit einer Silberleitpaste, oder ähnliches, aufweisen.
Die Verkapselung kann beispielsweise eine Keramik, ein
Metalloxid, einen abgedichteten Kunststoff, beispielsweise mittels eines Fluor-Derivates, ein Metall oder ähnliches aufweisen, beispielsweise als Metall: Kupfer, Silber und/oder deren Derivate und Stoffgemische .
Weiterhin kann das Verfahren ein Freilegen 306 von
Kontaktpads 202 aufweisen, wobei die freigelegten Kontaktpads zum elektrischen Kontaktieren des optoelektronischen
Bauelementes eingerichtet sein können, beispielsweise mit einer Elektrode des elektrisch aktiven Bereiches 106
elektrisch verbunden sein und/oder als Elektrode des
optoelektronischen Bauelementes eingerichtet sein.
Fig .4a, b zeigen schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. Dargestellt ist ein Ausführungsbeispiel eines
optoelektronischen Bauelementes 200 gemäß einer der
Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l und Fig.2b
gekennzeichnet als Ausschnitt 100.
In Fig.4a schematisch ist ein Ausführungsbeispiel für ein Ausbilden 304 einer Verkapselung 404 mittels eines
gerichteten, beispielsweise fokussierten Materiestrahls 402 dargestellt, beispielsweise gemäß der Beschreibung der Fig.3.
Die Breite des Materiestrahls 402 kann beispielsweise eine Breite in einem Bereich von ungefähr 1 mm bis ungefähr 2 mm aufweisen, d.h. beispielsweise sehr viel breiter sein als Dicke der flächigen Verkapselungsstruktur 128 und der
elektrisch aktive Bereich 106. Dadurch kann ein Ausbilden 304 der Verkapselung beispielsweise mittels eines einzigen
Beschichtungsvorganges realisiert werden.
Mittels einer Maske, beispielsweise einer Blende (nicht dargestellt) kann die Breite des Materiestrahls 402
beispielsweise reduziert werden oder der Materiestrahls 402 beispielsweise fokussiert werden. Mittels einer Maske kann die Breite auf einen Betrag in einem Bereich von ungefähr 50 ym bis ungefähr 200 ym reduziert werden, beispielsweise ungefähr 100 ym.
In Fig.4b schematisch dargestellt ist das optoelektronische Bauelement 400 der Fig.4a nach dem Ausbilden 404 der
Verkapselung. Dargestellt ist eine Verkapselung auf oder über einer Seitenfläche der flächigen Verkapselungsstruktur 128.
Fig.5a-c zeigen schematische Querschnittsansichten eines optoelektronischen Bauelementes im Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen Ausgestaltungen. In Fig.5a und Fig.5b ist ein optoelektronisches Bauelemente in Verfahren 300 zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes dargestellt, gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.4a, b. Dargestellt ist jedoch eine
Schnittebene des optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausgestaltungen mit Kontaktpads 202 zum
elektrischen Kontaktieren.
Zum elektrischen Kontaktieren eines Kontaktpads 202 sollte das Kontaktpad beim Ausbilden 304 der Verkapselung 404 frei liegen - dargestellt in Fig.5c als Bereich 502 im
optoelektronischen Bauelement 500.
In einem Ausführungsbeispiel wird das Freilegen 306 dadurch realisiert, dass auf oder über dem Kontaktpad 202 keine
Verkapselung 404 ausgebildet wird.
In einem anderen Ausführungsbeispiel wird die Verkapselung 404 auf oder über dem Kontaktpad 202 nach dem Ausbilden 304 der Verkapselung 404 entfernt (306), beispielsweise das
Kontaktpad 202 freigelegt.
Das Freilegen 306 des Kontaktpads 202 unter der Verkapselung 404 kann beispielsweise mechanisch oder ballistisch erfolgen.
Ein ballistisches Freilegen der freizulegenden Bereiche kann beispielsweise mittels Beschuss des freizulegenden Bereiches mit Partikeln, Molekülen, Atomen, Ionen, Elektronen und/oder Photonen realisiert werden.
Ein Beschuss mit Photonen kann beispielsweise als
Laserablation mit einer Wellenlänge in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1700 nm ausgebildet sein, beispielsweise fokussiert, beispielsweise mit einem
Fokusdurchmesser in einem Bereich von ungefähr 10 ym bis ungefähr 2000 ym, beispielsweise gepulst, beispielsweise mit einer Pulsdauer in einem Bereich von ungefähr 100 fs bis ungefähr 0,5 ms, beispielsweise mit einer Leistung von ungefähr 50 mW bis ungefähr 1000 mW, beispielsweise mit einer
2
Leistungsdichte von ungefähr 100 kW/cm bis ungefähr
2
10 GW/cm und beispielsweise mit einer Repititionsrate in einem Bereich von ungefähr 100 Hz bis ungefähr 1000 Hz ausgebildet werden.
Fig.6 zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen.
In Fig.6 ist ein schematischer Querschnitt eines
Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelementes 600 gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l dargestellt - gekennzeichnet als Ausschnitt 100, bei dem das Ausbilden 304 der Verkapselung vor dem Aufbringen einer Abdeckung 126 auf oder über eine KlebstoffSchicht 124 ausgebildet ist. Mit anderen Worten: die Abdeckung 126 kann nach dem Ausbilden 304 einer Verkapselung auf oder über die KlebstoffSchicht 124 aufgebracht werden.
Fig.7a, b zeigt schematische Querschnittsansichten
optoelektronischer Bauelemente, gemäß verschiedenen
Ausgestaltungen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung 126, so angeordnet sein, dass sie den elektrisch aktiven Bereich 106 und den Träger 102 im Bereich der oberen Fläche 700c, der mindestens einen Seitenfläche 700b und im Bereich der unteren Fläche 700a umgibt und mindestens an der unteren Fläche 700a mittels der Haftschicht 124 mit dem Träger 102 verbunden ist, beispielsweise Stoffschlüssig .
Mit anderen Worten: die Abdeckung 126 kann so um den Träger 102 und den elektrisch aktiven Bereich 106 herum gefaltet und/oder geformt sein, dass der Träger 102 und der elektrisch aktive Bereich 106, abgesehen von gegebenenfalls einem oder mehreren elektrischen Durchführungen (nicht dargestellt) und eines kleinen Teils der unteren Fläche 102a des Trägers 102, vollständig von der Abdeckung 126 umgeben sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung 126 einstückig ausgebildet sein, beispielsweise als eine
hermetisch dichte Barrierefolie 126.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Haftschicht 124 einen Klebstoff aufweisen, beispielsweise einen
physikalisch aushärtenden Klebstoff, beispielsweise einen durch UV-Bestrahlung oder Erwärmen aushärtenden Klebstoff, einen chemisch aushärtenden Klebstoff oder einen
Haftklebstoff (auch Druck-empfindlichen Klebstoff; „pressure sensitive adhesive" PSA) .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung 126 in Form einer Barrierefolie mittels einer Haftklebstoff- aufweisenden Haftschicht 124 mit mindestens der unteren
Fläche 700a des Trägers 102, alternativ zusätzlich mit den
Seitenflächen 700b des Trägers 102 und/oder der oberen Fläche 700c des Trägers 102 und/oder dem elektrisch aktiven Bereich 106 stoffschlüssig verbunden sein. Das Verwenden eines Haftklebstoffes zum Aufbringen einer Abdeckung eignet sich für eine Umformung gut, da die
Abdeckung ohne einen Aushärteschritt, beispielsweise einem UV-Aushärten oder thermischen Verfestigen, direkt haftet. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Haftschicht 124 so ausgeführt sein, dass sie neben dem Verbinden der Abdeckung 126 mit dem Träger 102 oder der Abdeckung 126 mit dem Träger 102 und dem elektrisch aktiven Bereich 106 weitere Funktionen aufweist, beispielsweise das Absorbieren bzw.
Aufnehmen bzw. Abfangen eingedrungenen Wassers oder
Sauerstoffs durch das Bereitstellen von Getterpartikeln in der Haftschicht 124, Schutz vor UV-Strahlung oder
Wärmeleitung .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Haftschicht 124 eine Durchlassrate für Wasserdampf (water vapor
0 -2 -1
transmission rate) von WVTR < 10 g m d aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen ergeben sich wegen der bis in den Bereich der unteren Fläche 700a verlegten
Abdeckung 126 eine freiliegende Haftschicht 124 auf der
Rückseite des optisch aktiven Bereiches 106, auf oder über der die Verkapselung 404 ausgebildet werden kann.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Verkapselung 404 auf oder über der freiliegenden Haftschicht 124
beispielsweise mittels Metallpasten, Silberleitkleber, im Falle einer geeigneten unteren Flächen 700a des Trägers 102, beispielsweise einer Cu-Folienrückseite, auch per Löten, elektrochemischen Abscheidens, oder durch eine nachträglichen rückseitigen Dünnfilmverkapselung, beispielsweise mittels chemischen oder physikalischen Gasphasenabscheidens
ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zusätzliche Verkapselung 404 auf oder über der freiliegenden Haftschicht 124 und der angrenzenden Abdeckung 126 ausgebildet - dargestellt in Fig.7a.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Abdeckung 126 auf der Rückseite 700a des Trägers 106 wenigstens teilweise komplementär strukturiert sein - dargestellt in Fig.7b, die im gefalteten Zustand ineinander greifen.
Anders ausgedrückt kann die Abdeckung 126 so ausgebildet sein, dass nach dem Falten die komplementär strukturierten Bereiche der Abdeckung 126 so übereinander zu liegen kommen, dass trotz einer Überlappung die Abdeckung 126 beispielsweise planar ausgebildet ist. Das Aufbringen der Abdeckung 126 kann zu einem mechanischen Beschädigen empfindlicher Schichten des elektrisch aktiven Bereiches 106 führen, beispielsweise kann Druck bei
Aufbringen der Abdeckung 126 mit einem Druck-empfindlichen Klebstoff Partikel in den elektrisch aktiven Bereich 106 eindrücken. Um dies zu vermeiden oder zu minimieren, können empfindliche Schichten zuvor mit einer Kratzschutzschicht 702 versehen werden. Diese kann beispielsweise mittels Rakeln oder Schablonendruck mechanisch sanft aufgebracht werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 einen Lack oder einen Klebstoff aufweisen .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 transluzent oder transparent
ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 darüber hinaus weiter funktional oder funktionalisiert sein, beispielsweise optisch oder chemisch.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 Partikel oder eine Schicht aufweisen, die so gestaltet ist, dass sie den Anteil des gestreuten Lichts erhöht.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 Linsen aufweisen, welche
beispielsweise mittels eines sogenannten Imprint-Verfahrens ausgebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 so ausgestaltet sein, dass sie als Filter für eine oder mehrere Wellenlängen oder
Wellenlängenbereiche dient, beispielsweise für Wellenlängen im UV-Spektralbereich beispielsweise zwischen 100 nm und 380 nm, oder im Bereich des sichtbaren Lichts.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Kratzschutzschicht 702 Getterpartikel aufweisen, welche geeignet sind, beispielsweise eingedrungenes Wasser oder Sauerstoff aufzunehmen.
Die Abdeckung 126, die Haftschicht 124, der Träger 102, der elektrisch aktive Bereich 106 und die Verkapselung 404 können gemäß einer der Ausgestaltungen der Beschreibung der Fig.l bis Fig6. ausgebildet sein.
In verschiedenen Ausführungsformen werden ein
optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum
Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
bereitgestellt, mit denen es möglich ist die Eindiffusion von Feuchtigkeit in ein optoelektronisches Bauelement,
beispielsweise ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise ein OLED-Bauteil . Mittels der zusätzlich, lateral aufgebrachten Abdichtung auf das optoelektronische Bauelement kann eine zusätzlich, hochwirksame
Feuchtigkeitsbarriere realisiert werden und somit eine verlängerte Lagerzeit des Bauteils erreicht werden. Auf Grund der geringen Höhe der zusätzlichen Feuchtigkeitsbarriere kann es auf vorhandene Bauteil-Geometrien angewendet werden, ohne diese zu verändern.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600),
aufweisend :
• einen Träger (102);
• einen flächigen, elektrisch aktiven Bereich (106) auf oder über dem Träger (102);
• eine Haftschicht (124) auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich (106), wobei die Haftschicht (124) den elektrisch aktiven Bereich (106) wenigstens teilweise umgibt;
• eine Abdeckung (126) auf oder über der Haftschicht (124), wobei ein Teil der Haftschicht (124) frei liegt; und
• eine Verkapselung (404) auf oder über der
freiliegenden Haftschicht;
• wobei die Verkapselung (404) aus einem anorganischen Stoff oder Stoffgemisch gebildet ist.
2. Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß
Anspruch 1,
wobei zwischen der Haftschicht und dem elektrisch aktiven Bereich (106) eine Barrieredünnschicht (108) ausgebildet ist.
3. Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß
einem der Ansprüche 1 oder 2,
wobei die Haftschicht (124) einen Klebstoff aufweist oder daraus gebildet ist.
4. Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß der Ansprüche 1 bis 3,
wobei die freiliegende Haftschicht den elektrisch aktiven Bereich wenigstens teilweise lateral umgibt.
5. Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß
einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Abdeckung (126), der Träger (102) und die Verkapselung (404) derart ausgebildet sind, dass der elektrisch aktive Bereich (106) hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff.
Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß Anspruch 5,
wobei die Verkapselung (404) ähnlich oder gleich der Barrierendünnschicht (108) eingerichtet ist.
Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die Verkapselung derart ausgebildet ist, dass die Permeabilität der Verkapselung (404) geringer ist als die laterale Permeabilität der Haftschicht (128) bezüglich der Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff.
Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7,
wobei der elektrisch aktive Bereich (106) wenigstens ein organisches funktionelles Schichtensystem (112), eine erste Elektrode (110) und wenigstens eine zweite
Elektrode (114) aufweist, wobei das organische
funktionelle Schichtensystem (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114)
ausgebildet ist, und wobei die Elektroden (110, 114) zum elektrischen Kontaktieren des organischen funktionellen Schichtensystems (112) eingerichtet sind.
Optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8,
wobei das optoelektronische Bauelement (400, 500, 600) als ein organisches, optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) eingerichtet ist, insbesondere eine organische Solarzelle ( 400, 500, 600) oder eine organische
Leuchtdiode (400, 500, 600) . Verfahren (300) zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes (400, 500, 600), das Verfahren (300) aufweisend :
• Bereitstellen eines flächigen, elektrisch aktiven Bereiches (106) auf oder über dem Träger (102);
• Ausbilden einer Haftschicht auf oder über dem
elektrisch aktiven Bereich (106), wobei die
Haftschicht den elektrisch aktiven Bereich (106) wenigstens teilweise umgibt;
• Ausbilden einer Abdeckung auf oder über der
Haftschicht, wobei ein Teil der Haftschicht frei liegt; und
• Ausbilden einer Verkapselung auf oder über der
freiliegenden Haftschicht, wobei die Verkapselung (404) aus einem anorganischen Stoff oder
Stoffgemisch gebildet wird.
Verfahren (300) gemäß Anspruch 10,
ferner aufweisend:
Ausbilden einer Barrierendünnschicht (108) auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich (106) .
Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 oder 11, wobei die Haftschicht (124) einen Klebstoff aufweist oder daraus gebildet wird.
Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 12, wobei die Abdeckung (126), der Träger (102) und die Verkapselung (404) derart eingerichtet sind oder
ausgebildet werden, dass der elektrisch aktive Bereich (106) lateral hermetisch abgedichtet ist bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff.
Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 13, wobei die Haftschicht (124) derart ausgebildet wird, dass die Barrierendünnschicht (108) bezüglich wenigstens Wasser und/oder Sauerstoff abgedichtet wird, insbesondere bezüglich Diffusionskanälen in der
Barrierendünnschicht (108).
15. Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 14, wobei der elektrisch aktive Bereich (106) wenigstens ein organisches funktionelles Schichtensystem (112),
wenigstens eine erste Elektrode (110) und wenigstens eine zweite Elektrode (114) aufweist, wobei das
organische funktionelle Schichtensystem (112) zwischen der ersten Elektrode (110) und der zweiten Elektrode (114) ausgebildet ist, und wobei die Elektroden (110, 114) zum elektrischen Kontaktieren des organischen funktionellen Schichtensystems (112) eingerichtet sind.
16. Verfahren (300) gemäß einem der Ansprüche 10 bis 15, wobei das optoelektronische Bauelement (400, 500, 600) als ein organisches, optoelektronisches Bauelement (400, 500, 600) ausgebildet wird, insbesondere eine organische Solarzelle oder eine organische Leuchtdiode.
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