WO2014017000A1

WO2014017000A1 - 密閉型圧縮機及び冷凍サイクル装置

Info

Publication number: WO2014017000A1
Application number: PCT/JP2013/002467
Authority: WO
Inventors: 健富永; 明森嶋; 哲永渡辺; 大志長畑
Original assignee: 東芝キヤリア株式会社
Priority date: 2012-07-26
Filing date: 2013-04-11
Publication date: 2014-01-30
Also published as: JP2014025397A; CN104487709A; CN104487709B

Abstract

　一つの実施形態に係る密閉型圧縮機は、ベーンの摺動方向の先端面が前記ローラの外周面に当接する。前記ベーンの一対の側面が前記シリンダと摺接する。前記ベーンの他の一対の側面が前記閉止部材と摺接する。このような構成により前記シリンダ室内が、吸込室と圧縮室とに仕切られる。前記ベーンの前記先端面に膜厚Ｔａ、ビッカース硬さＨＶａの第１のアモルファス炭素層が形成される。前記ベーンの前記一対の側面に膜厚Ｔｂ、ビッカース硬さＨＶｂの第２のアモルファス炭素層が形成される。前記ベーンの前記他の一対の側面に膜厚Ｔｃ、ビッカース硬さＨＶｃの第３のアモルファス炭素層が形成される。前記第１乃至第３のアモルファス炭素層の前記膜厚及び前記ビッカース硬さが、次の複数の式の関係を有する。　Ｔａ＞Ｔｃ、Ｔｂ＞Ｔｃ、ＨＶａ＞ＨＶｃ、ＨＶｂ＞ＨＶｃ

Description

密閉型圧縮機及び冷凍サイクル装置

関連出願の引用

　本出願は、２０１２年７月２６日に出願した日本国特許出願第２０１２－１６５８１８号による優先権の利益に基礎をおき、かつ、その利益を求めており、その内容全体が引用によりここに包含される。

　ここで説明する実施形態は、全般的に、密閉型圧縮機及びこの密閉型圧縮機を備えた冷凍サイクル装置に関する。

　冷凍サイクル装置はガス冷媒を圧縮する圧縮機を備えている。この圧縮機は、シリンダ、閉止部材、ローラ、及びベーンを備えた圧縮機構部を有している。前記閉止部材は、前記シリンダの両端を閉止することにより前記シリンダ内に前記シリンダ室を形成する軸受や仕切板等により構成される。前記ローラは、前記シリンダ室内に偏心回転可能に収容される。前記ベーンは、前記シリンダに形成されたベーン溝に摺動可能に設けられる。前記ベーンは、その先端面を前記ローラの外周面に当接させるとともにその側面を前記シリンダや前記閉止部材に当接させた状態で摺動する。前記ベーンは、前記シリンダ室内を、ガス冷媒を吸込む吸込室と、吸込んだガス冷媒を圧縮する圧縮室とに仕切っている。

　特開２００９－２３５９６９号公報には、圧縮機のベーンの表面の一部に硬質のアモルファス炭素層を形成し、ベーンの摩耗を防止することが記載されている。このベーンにおいて前記アモルファス炭素層が形成されている部分は、摺動する前記ベーンが周囲に位置する部材に当接した場合に大きな負荷が作用する。具体的には、この部分は、ローラに当接する前記ベーンの先端面と、前記ベーンの側面のうち圧力の高い圧縮室からの圧力により付勢されて圧力の低い吸込室側のシリンダのベーン溝に当接する側面部分である。

特開２００９－２３５９６９号公報

　上記公報に記載されたベーンにおいて、摺動する前記ベーンが周囲に位置する前記部材に当接した場合に作用する負荷が小さい部分には、アモルファス炭素層は形成されておらず、軟質なベーンの母材が露出している。具体的には、この部分は、前記ベーンの側面のうち圧力の高い圧縮室側のシリンダのベーン溝に当接する側面と、軸受や仕切板等を構成する閉止部材に当接する側面である。前記ベーンの摺動時には、露出した前記母材を前記シリンダや前記閉止部材に当接させた状態で摺動するため、前記ベーンにおける前記アモルファス炭素層が形成されていない面では、「かじり」が発生しやすい。

　一方、ベーンの表面の全体に同じような膜厚及び硬度でアモルファス炭素層を形成した場合、軸受や仕切板等を構成する閉止部材に当接するアモルファス炭素層の部分の膜厚偏差が生じる。この膜厚偏差により、複数の密閉型圧縮機を製造した場合には、各圧縮機毎のベーンと閉止部材との間のクリアランス偏差が大きくなる。このクリアランス偏差が大きくなることにより、圧縮室から吸込室へのガス冷媒の漏れ偏差が大きくなり、この漏れ偏差が大きくなることが原因となって各圧縮機毎の効率のバラツキが大きくなっている。

　本発明は、摺動時におけるベーンの「かじり」の発生を防止し、ベーンと閉止部材との間のクリアランス偏差を小さくすることが可能な密閉型圧縮機及びこの密閉型圧縮機を備えた冷凍サイクル装置を提供する。

　実施形態の密閉型圧縮機は、電動機部とこの電動機部により駆動されて作動流体を圧縮する圧縮機構部とが収容される密閉ケースを有する。前記圧縮機構部は、シリンダ、閉止部材、ローラ及びベーンを有する。前記シリンダには、ベーン溝が形成される。前記閉止部材は、前記シリンダの両端を閉止して内部にシリンダ室を形成する。前記ローラは、前記電動機部に連結され、前記シリンダ室内に偏心回転可能に収容される。前記ベーンは、前記ベーン溝に摺動可能に収容される。前記ベーンの摺動方向の先端面が前記ローラの外周面に当接する。前記ベーンの一対の側面が前記シリンダと摺接する。前記ベーンの他の一対の側面が前記閉止部材と摺接する。このような構成により前記シリンダ室内が吸込室と圧縮室とに仕切られる。前記ベーンの前記先端面に膜厚Ｔａ、ビッカース硬さＨＶａの第１のアモルファス炭素層が形成され、前記ベーンの前記一対の側面に膜厚Ｔｂ、ビッカース硬さＨＶｂの第２のアモルファス炭素層が形成され、前記ベーンの前記他の一対の側面に膜厚Ｔｃ、ビッカース硬さＨＶｃの第３のアモルファス炭素層が形成される。前記第１乃至第３のアモルファス炭素層の前記膜厚及び前記ビッカース硬さが、次の複数の式の関係を有する。　
Ｔａ＞Ｔｃ、Ｔｂ＞Ｔｃ、ＨＶａ＞ＨＶｃ、ＨＶｂ＞ＨＶｃ

実施形態による密閉型圧縮機を含む冷凍サイクル装置を、一部断面で示す構成図である。前記圧縮機の圧縮機構部の水平面に沿った拡大断面図である。前記圧縮機のベーンの先端側の部分の構造を示す、水平面に沿った拡大断面図である。前記ベーンの前記先端側の部分の構造を示す縦断面図である。前記ベーンの各面におけるアモルファス炭素層の膜厚の一例を示す説明図である。前記ベーンの各面に作用する負荷比（Ｐ値）を示す説明図である。前記ベーンの各面における負荷比（Ｐ値）と摺動速度（Ｖ値）との積（ＰＶ値）を示す説明図である。

実施形態

　以下、一実施形態を図１乃至図６に基づいて説明する。図１に示す冷凍サイクル装置１は、密閉型圧縮機４、凝縮器５、膨張装置６、および蒸発器７を有している。圧縮機４は、圧縮機本体２とアキュムレータ３とを有する。凝縮器５は、圧縮機本体２の吐出側に接続されて圧縮された作動流体である高圧のガス冷媒を凝縮して液冷媒にする。膨張装置６は、凝縮器５に接続されて液冷媒を減圧する。蒸発器７は、膨張装置６とアキュムレータ３との間に接続されて液冷媒を蒸発させる。アキュムレータ３は、圧縮機本体２に接続されている。アキュムレータ３では液冷媒が分離され、ガス冷媒のみが圧縮機本体２に供給される。

　圧縮機本体２は、円筒状に形成された密閉ケース８を有する。この密閉ケース８内には、電動機部９と、この電動機部９により駆動されてガス冷媒を圧縮する圧縮機構部１０とが収容されている。電動機部９が上方に配置されて圧縮機構部１０が下方に配置されている。電動機部９と圧縮機構部１０とは、上下方向に延びてその軸心回りに回転する回転軸１１を介して連結されている。密閉ケース８内の底部には潤滑油１２が貯留されている。

　電動機部９は、回転軸１１と固定子１４を有している。回転子１３は、回転軸１１に固定されている。固定子１４は、密閉ケース８に固定されて回転子１３を囲む位置に配置されている。回転子１３には永久磁石（図示せず）が設けられ、固定子１４にはコイル（図示せず）が巻かれている。

　圧縮機構部１０は、図１及び図２に示すように、シリンダ１５、主軸受１６、および副軸受１７を有する。シリンダ１５の上下方向の両端は、開口される。主軸受１６は、シリンダ１５の上端側を閉止する閉止部材である。副軸受１７は、シリンダ１５の下端側を閉止する閉止部材である。シリンダ１５の両端が主軸受１６と副軸受１７とで閉止されることにより、シリンダ１５内にシリンダ室１８が形成されている。このシリンダ室１８には回転軸１１が挿通されている。回転軸１１は、主軸受１６と副軸受１７とにより、前記軸心回りに回転可能に軸支されている。回転軸１１におけるシリンダ室１８内に位置する部分に偏心部１９が形成されている。この偏心部１９にローラ２０が嵌合されている。ローラ２０は、回転軸１１の回転に伴って偏心回転可能となるようにシリンダ室１８内に収容されている。

　さらに、圧縮機構部１０のシリンダ１５にはベーン溝２１が形成され、このベーン溝２１には板形状に形成されたベーン２２がベーン溝２１に沿って摺動可能に収容されている。ベーン溝２１の奥部にはスプリング２３が収容され、このスプリング２３により、ベーン２２の後端側がローラ２０側に付勢されるようになっている。スプリング２３の付勢力及びベーン２２後端側の密閉ケース８内の圧力と、ベーン２２先端側のシリンダ室１８内の圧力との圧力差によって、ベーン２２の先端面は、ローラ２０の外周面に押圧され当接している。さらに、このベーン２２における回転軸１１とは垂直な方向に沿う一対の側面がシリンダ１５と摺接する。ベーン２２における回転軸１１の軸方向に沿う他の一対の側面が主軸受１６の端面と副軸受１７の端面と摺接する。図２に示すように、シリンダ室１８内はベーン２２により二つの部屋に仕切られる。これらの二つの部屋の一方は、低圧のガス冷媒を吸込む吸込室２４とされ、他方の部屋は吸込んだガス冷媒を圧縮する圧縮室２５とされている。シリンダ１５には、吸込室２４に吸込まれるガス冷媒が流れる吸込通路２６が形成されている。この吸込通路２６は、アキュムレータ３に接続されている。

　図１に戻って、主軸受１６には、圧縮室２５で圧縮されたガス冷媒が吐出される吐出孔２７が形成され、さらに主軸受１６には、この吐出孔２７を覆う吐出マフラ２８が取付けられている。吐出マフラ２８には、吐出マフラ２８内と密閉ケース８内とを連通する連通孔２９が形成されている。

　図３Ａは、ベーン２２の前記先端側の部分の構造を示す水平面に沿った拡大断面図である。図３Ｂは、ベーン２２の前記先端側の部分の構造を示す拡大縦断面図である。ベーン２２は、硬度ＨＲＣ６３に調質された高速度工具鋼であるＨＳ６－５－２（ＩＳＯ規格）を母材３０としており、この母材３０の上に下地層３１と下地層３２とアモルファス炭素層３３―３５とが積層して形成されている。下地層３１は、母材３０の表面に形成されたクロム（Ｃｒ）からなる単一金属層である。下地層３２は下地層３１の上に形成されたクロムとタングステンカーバイト（ＷＣ）とからなる合金層である。

　アモルファス炭素層３３は、ベーン２２の母材３０より硬質な層であり、ベーン２２の摺動時にローラ２０に当接するベーン２２の先端面Ａに形成される。アモルファス炭素層３４は、ベーン２２の摺動時にシリンダ１５と摺接するベーンの一対の側面Ｂに形成される。アモルファス炭素層３５は、ベーン２２の摺動時に主軸受１６の端面と副軸受１７の端面と摺接し、ベーン２２の他の一対の側面Ｃに形成される。アモルファス炭素層３３、３４とは、タングステン（Ｗ）を含有するアモルファス炭素層“Ｘ”と、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層“Ｙ”との２層を積層して形成されている。一方、アモルファス炭素層３５は、タングステンを含有するアモルファス炭素層“Ｘ”のみから形成されている。タングステン（Ｗ）を含有する前記アモルファス炭素層“Ｘ”と、金属を含有せず炭素と水素とを含む前記アモルファス炭素層“Ｙ”との硬さを比較すると、金属を含有せず炭素と水素とを含む前記アモルファス炭素層“Ｙ”が、タングステン（Ｗ）を含有する前記アモルファス炭素層“Ｘ”より硬い。

　アモルファス炭素層３３―３５の膜厚については、アモルファス炭素層３３の膜厚がＴａに形成され、アモルファス炭素層３４の膜厚がＴｂに形成され、アモルファス炭素層３５の膜厚がＴｃに形成されている。これらのアモルファス炭素層３３―３５の前記膜厚は、Ｔａ＞Ｔｃ、かつ、Ｔｂ＞Ｔｃの関係を有している。

　さらに、アモルファス炭素層３３の前記膜厚Ｔａとアモルファス炭素層３４の前記膜厚Ｔｂとが、２μｍ≦Ｔｂ＜Ｔａに形成され、アモルファス炭素層３５の前記膜厚Ｔｃが、０＜Ｔｃ≦１μｍに形成されている。

　図４は、ベーン２２の面Ａ、面Ｂ及び面Ｃに形成されたアモルファス炭素層３３―３５の膜厚の一例を示したものである。アモルファス炭素層３３が２．５μｍの膜厚に形成され、アモルファス炭素層３４が２．０μｍの膜厚に形成され、アモルファス炭素層３５が０．５μｍの膜厚に形成されている。

　アモルファス炭素層３３―３５のビッカース硬度については、アモルファス炭素層３３のビッカース硬さがＨＶａに形成され、アモルファス炭素層３４のビッカース硬さがＨＶｂに形成され、アモルファス炭素層３５のビッカース硬さがＨＶｃに形成されている。上述したように、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層“Ｙ”は、タングステン（Ｗ）を含有するアモルファス炭素層“Ｘ”より硬いため、アモルファス炭素層３３―３５のビッカース硬さは、ＨＶａ＞ＨＶｃ、かつ、ＨＶｂ＞ＨＶｃの関係を有している。

　図５は、ベーン２２の摺動時にベーン２２の面Ａ、面Ｂ、面Ｃにそれぞれ作用する負荷の比率である負荷比（Ｐ値）を示している。ベーン２２の摺動時において面Ａと面Ｂとに作用する負荷は略同じであり、この面Ａと面ＢのＰ値をそれぞれ１００とした場合、面Ｃに作用する負荷のＰ値は１―１０となる。

　図６は、ベーン２２の面Ａ、面Ｂ、面Ｃにおける、図５に示した複数のＰ値と、ベーン２２とベーン２２が当接、摺接する複数の部材であるローラ２０、シリンダ１５、主軸受１６及び副軸受１７との相対的な摺動速度（Ｖ値）との積（ＰＶ値）を示している。ベーン２２の先端面である面Ａが当接するローラ２０は、回転軸１１の偏心部１９に対して自転運動するため、ベーン２２の面Ａとローラ２０との相対的な摺動速度は、ベーン２２の面Ｂとシリンダ１５との摺動速度と比較すると、著しく大きい。従って、面ＡのＰＶ値は、面ＢのＰＶ値に対して３倍以上大きくなっている。面ＡのＰＶ値は、ローラ２０の自転率によって異なる。

　このような構成により、図１に示した圧縮機４においては、電動機部９に通電されることにより回転軸１１が回転駆動される。この回転軸１１の回転に伴ってシリンダ室１８内でローラ２０が偏心回転し、圧縮機構部１０が駆動される。

　圧縮機構部１０が駆動されることにより、低圧のガス冷媒が図２の吸込通路２６から吸込室２４内に吸込まれ、吸込まれたガス冷媒は圧縮室２５内で圧縮されて高圧になる。圧縮室２５内で圧縮されて高圧となったガス冷媒は、図１の主軸受１６に形成された吐出孔２７から吐出マフラ２８内に吐出される。さらに、吐出マフラ２８内に吐出されたガス冷媒は、連通孔２９を通って密閉ケース８内に流入する。密閉ケース８内に流入した高圧のガス冷媒は、凝縮器５、膨張装置６、蒸発器７の順に流れる。このガス冷媒は、蒸発器７で蒸発して低圧となった後に、アキュムレータ３を経由して圧縮機構部１０の図２に示した吸込室２４内に再び吸込まれる。

　圧縮機構部１０においては、ローラ２０が偏心回転することにより先端面Ａをローラ２０の外周面に当接させたベーン２２が摺動する。このベーン２２は、摺動時に先端面Ａがローラ２０の外周面に当接するとともに、一対の側面Ｂがシリンダ１５と摺接し、さらに、他の一対の側面Ｃが主軸受１６の端面と副軸受１７の端面と摺接する。このような構成により、シリンダ室１８内を、吸込室２４と圧縮室２５とに仕切っている。

　ベーン２２の周囲に位置する前記複数の部材であるローラ２０、シリンダ１５、主軸受１６及び副軸受１７に当接するベーン２２の面Ａ、面Ｂ及び面Ｃには、ベーン２２の母材３０より硬質なアモルファス炭素層３３―３５が形成されている。従って、ベーン２２の摺動時にベーン２２が周囲に位置するローラ２０、シリンダ１５、主軸受１６及び副軸受１７に当接しても、ベーン２２に前記複数の部材との間で「かじり」が発生することを抑制することができる。

　ベーン２２が摺動する時には、ベーン２２の面Ａ、面Ｂ及び面Ｃに負荷が作用する。それぞれの面についての負荷比（Ｐ値）は図５に示すように、面Ａ、Ｂに比べて面Ｃは大幅に小さくなっている。したがって、ベーン２２の摺動時においては、Ｐ値が大きい面Ａ及び面Ｂは、それらの面の一部が油膜を介さずにローラ２０やシリンダ１５と直接接触する混合潤滑状態となり易い。一方、この時、面Ｃは、主軸受１６の端面や副軸受１７の端面との間に油膜が形成される流体潤滑状態となる。

　ベーン２２の摺動時において、面Ｃは、面Ａ及び面Ｂに比べてＰ値が小さくなるとともに、流体潤滑状態が得られることにより摩耗しにくくなる。面Ｃに形成されるアモルファス炭素層３５の膜厚を、面Ａ、Ｂに形成されるアモルファス炭素層３３、３４より薄く形成しても、面Ｃに形成されるアモルファス炭素層３５の摩耗による密閉型圧縮機４の信頼性の低下を防止することができる。

　さらに、面Ａのアモルファス炭素層３３と面Ｂのアモルファス炭素層３４とが、タングステン（Ｗ）を含有するアモルファス炭素層“Ｘ”と、このアモルファス炭素層“Ｘ”より硬く、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層“Ｙ”とを積層して形成されているのに対し、面Ｃのアモルファス炭素層３４は、タングステンを含有するアモルファス炭素層“Ｘ”のみから形成され、面Ｃは面Ａ、面Ｂに比べて軟らかである。しかし、面Ｃは、面Ａ、Ｂに比べて摩耗しにくいため、面Ｃが面Ａ、Ｂに比べて軟らかであっても、面Ｃのアモルファス炭素層３５が摩耗することによる圧縮機４の信頼性の低下を防止することができる。

　一方、面Ｃのアモルファス炭素層３５の膜厚が面Ａ、Ｂのアモルファス炭素層３３、３４の膜厚より薄く形成されていることにより、面Ｃに形成するアモルファス炭素層３５の膜厚偏差を小さくすることができる。面Ｃのアモルファス炭素層３５の膜厚偏差が小さくなることにより、面Ｃと主軸受１６の端面との間のクリアランス偏差、及び、面Ｃと副軸受１７の端面との間のクリアランス偏差を小さくすることができる。このクリアランス偏差が小さくなることにより、圧縮室２５から吸込室２４へのガス冷媒の漏れ偏差が小さくなる。その結果、複数の密閉型圧縮機を製造した場合、各圧縮機ごとの効率のバラツキを小さくすることができ、各圧縮機の性能を向上させることができる。

　しかも、面Ｃのアモルファス炭素層３５は、面Ａ、Ｂのアモルファス炭素層３３、３４に比べて軟らかであるため、面Ｃのアモルファス炭素層３５の表面粗さを初期なじみにより摩耗させることが容易である。面Ｃのアモルファス炭素層３５の膜厚を、初期なじみによる摩耗を考慮した膜厚に形成することにより、初期なじみ後におけるアモルファス炭素層３５と、主軸受１６の端面及び副軸受１７の端面との間のクリアランを適正な値に調整することができる。その結果、圧縮室２５から吸込室２４へのガス冷媒の漏れを抑制することができ、圧縮機４の性能をより一層向上させることができる。

　面Ａのアモルファス炭素層３３の膜厚Ｔａと、面Ｂのアモルファス炭素層３３の膜厚Ｔｂとは、２（μｍ）≦Ｔｂ＜Ｔａに形成されている。このようにアモルファス炭素層３３、３４の膜厚Ｔａ、Ｔｂが２μｍ以上であるため、これらのアモルファス炭素層３３、３４は十分な耐摩耗性を得ることができる。同じ理由により、これらのアモルファス炭素層３３、３４を、タングステン（Ｗ）を含有するアモルファス炭素層“Ｘ”と、金属を含有せず炭素と水素とを含むアモルファス炭素層“Ｙ”とを積層して２層構造に形成することが可能となる。

　面Ａのアモルファス炭素層３３の膜厚Ｔａと面Ｂのアモルファス炭素層３４の膜厚Ｔｂとは、アモルファス炭素層３３の膜厚のほうが厚く、Ｔｂ＜Ｔａになるように形成されている。図６に示すように、面ＡのＰＶ値は、面ＢのＰＶ値より大きいため、より摩耗しやすいが、面Ａのアモルファス炭素層３３の膜厚Ｔａを面Ｂのアモルファス炭素層３４の膜厚Ｔｂより厚く形成することにより、圧縮機４の耐用年数内において面Ａが先に摩耗限度に達するということを防止できる。

　面Ｃのアモルファス炭素層３５の膜厚Ｔｃは、０＜Ｔｃ≦１（μｍ）に形成されている。したがって、面Ｃのアモルファス炭素層３５を形成した場合の膜厚偏差を十分に小さな範囲に抑えることができる。さらに、面Ｃのアモルファス炭素層３５は、タングステン（Ｗ）を含有するアモルファス炭素層“Ｘ”のみからなる単層構造であるため、この厚さの範囲内においてアモルファス炭素層３５を容易に形成することができる。

　本実施形態では、１つのシリンダ１５とその内部に形成された１つのシリンダ室１８とを有する単シリンダタイプの密閉型圧縮機４を例に挙げて説明した。本発明が適用できる密閉型圧縮機としては、これに限らず、回転軸１１の軸方向に沿って２つ以上のシリンダを有する多シリンダタイプの密閉型圧縮機であってもよい。

　以上説明した実施形態によれば、ベーン２２の摺動方向の先端面がローラ２０の外周面に当接し、ベーン２２の一対の側面がシリンダ１５と摺接し、さらに、ベーン２２の他の一対の側面が主軸受１６の端面及び副軸受１７の端面と摺接してシリンダ室１８内を吸込室２４と圧縮室２５とに仕切る。ベーン２２の前記先端面にアモルファス炭素層３３が形成され、ベーン２２の前記一対の側面にそれぞれアモルファス炭素層３４が形成され、ベーン２２の前記他の一対の側面にそれぞれアモルファス炭素層３５が形成されている。アモルファス炭素層３３の膜厚がＴａ、アモルファス炭素層３４の膜厚がＴｂ、アモルファス炭素層３５の膜厚がＴｃとなるように形成される。これらの膜厚は、Ｔａ＞Ｔｃ、かつ、Ｔｂ＞Ｔｃの関係を有している。さらに、アモルファス炭素層３３のビッカース硬さがＨＶａ、アモルファス炭素層３４のビッカース硬さがＨＶｂ、アモルファス炭素層３５のビッカース硬さがＨＶｃになるように形成される。これらのビッカース硬さは、ＨＶａ＞ＨＶｃ、かつ、ＨＶｂ＞ＨＶｃの関係を有している。その結果、ベーン２２の耐摩耗性を向上させて「かじり」の発生を防止することができる。さらに、ベーン２２と、主軸受１６及び副軸受１７との間のクリアランスを適正な値に調整してそのクリアランス偏差を小さくすることができる。従って、密閉型圧縮機の効率偏差を小さくして、その密閉型圧縮機の性能の向上を図ることができる。

　以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるととともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

　１…冷凍サイクル装置、４…密閉型圧縮機、５…凝縮器、６…膨張装置、７…蒸発器、８…密閉ケース、９…電動機部、１０…圧縮機構部、１５…シリンダ、１６…主軸受（閉止部材）、１７…副軸受（閉止部材）、１８…シリンダ室、２１…ベーン溝、２２…ベーン、２４…吸込室、２５…圧縮室、３３…アモルファス炭素層、３４…アモルファス炭素層、３５…アモルファス炭素層

Claims

　電動機部、及びこの電動機部により駆動されて作動流体を圧縮する圧縮機構部とが収容される密閉ケースを有する密閉型の圧縮機であって、
　前記圧縮機構部は、
　ベーン溝が形成されたシリンダ、
　このシリンダの両端を閉止して内部にシリンダ室を形成する閉止部材、
　前記電動機部に連結され、前記シリンダ室内に偏心回転可能に収容されたローラ、及び
　前記ベーン溝に摺動可能に収容されたベーンであって、前記ベーンの摺動方向の先端面が前記ローラの外周面に当接し、前記ベーンの一対の側面が前記シリンダと摺接し、前記ベーンの他の一対の側面が前記閉止部材と摺接することにより前記シリンダ室内を吸込室と圧縮室とに仕切るベーンとを有し、
　前記ベーンの前記先端面に膜厚Ｔａ、ビッカース硬さＨＶａの第１のアモルファス炭素層が形成され、前記ベーンの前記一対の側面に膜厚Ｔｂ、ビッカース硬さＨＶｂの第２のアモルファス炭素層が形成され、前記ベーンの前記他の一対の側面に膜厚Ｔｃ、ビッカース硬さＨＶｃの第３のアモルファス炭素層が形成され、前記第１乃至第３のアモルファス炭素層の前記膜厚及び前記ビッカース硬さが、次の複数の式の関係を有する。　
Ｔａ＞Ｔｃ、Ｔｂ＞Ｔｃ、ＨＶａ＞ＨＶｃ、ＨＶｂ＞ＨＶｃ
　請求項１に記載の圧縮機であって、前記第１のアモルファス炭素層の前記膜厚Ｔａと前記第２のアモルファス炭素層の前記膜厚Ｔｂが、２μｍ≦Ｔｂ＜Ｔａを満たすように形成され、前記第３のアモルファス炭素層の膜厚Ｔｃが、０＜Ｔｃ≦１μｍを満たすように形成される。
　請求項１に記載の圧縮機であって、前記ローラは前記電動機部から延びる回転軸の偏心部に嵌合される。
　請求項３に記載の圧縮機であって、前記閉止部材は、軸受けである。
　請求項１に記載の圧縮機であって、前記ベーンの後端部はスプリングにより付勢される。
　請求項５に記載の圧縮機であって、前記シリンダ室内が前記ベーンにより圧縮室と吸込み室に仕切られる。
　請求項３に記載の圧縮機であって、前記ベーンの後端部はスプリングにより付勢される。
　請求項７に記載の圧縮機であって、前記シリンダ室内が前記ベーンにより圧縮室と吸込み室に仕切られる。
　冷凍サイクル装置であって、
　請求項１に記載の密閉型の圧縮機、
　前記圧縮機に接続された凝縮器、
　前記凝縮器に接続された膨張装置、及び
　前記膨張装置と前記圧縮機との間に接続された蒸発器を備える。
　冷凍サイクル装置であって、
　請求項２に記載の密閉型圧縮機、
　前記圧縮機に接続された凝縮器、
　前記凝縮器に接続された膨張装置、及び
　前記膨張装置と前記圧縮機との間に接続された蒸発器を備える。