WO2013183950A1 - 발광 소자 패키지 - Google Patents

발광 소자 패키지 Download PDF

Info

Publication number
WO2013183950A1
WO2013183950A1 PCT/KR2013/005005 KR2013005005W WO2013183950A1 WO 2013183950 A1 WO2013183950 A1 WO 2013183950A1 KR 2013005005 W KR2013005005 W KR 2013005005W WO 2013183950 A1 WO2013183950 A1 WO 2013183950A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
lead frame
light
emitting chip
surface portion
Prior art date
Application number
PCT/KR2013/005005
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
오남석
조영준
최광규
문영민
문선미
Original Assignee
엘지이노텍주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍주식회사 filed Critical 엘지이노텍주식회사
Priority to US14/406,159 priority Critical patent/US9391117B2/en
Priority to JP2015515951A priority patent/JP6230600B2/ja
Priority to EP13800772.9A priority patent/EP2860775B1/en
Priority to CN201380030136.0A priority patent/CN104396034B/zh
Publication of WO2013183950A1 publication Critical patent/WO2013183950A1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Definitions

  • Embodiments relate to a light emitting device package that generates light, a light source module, and a light emitting lamp.
  • a lamp is a device that supplies or regulates light for a specific purpose.
  • a light source of a lamp an incandescent bulb, a fluorescent lamp, a neon lamp, or the like may be used. Recently, a light emitting diode (LED) has been used.
  • LED light emitting diode
  • LED is a device that changes the electric signal to infrared or light by using the compound semiconductor characteristics, unlike fluorescent lamps do not use harmful substances such as mercury, so there is little cause of environmental pollution.
  • life of the LED is longer than that of incandescent bulbs, fluorescent lights and neon lights.
  • LEDs compared to incandescent bulbs, fluorescent lights, neon lights, LEDs have the advantage of low power consumption, high visibility due to the high color temperature and less glare.
  • Lamps in which LEDs are used may be used for backlights, display devices, lamps, vehicle indicators, or head lamps, depending on their purpose.
  • the lamp may comprise an LED package mounted on a substrate.
  • the LED package may include a package body and a light emitting chip disposed thereon.
  • the temperature of the light emitting chip increases. Since the characteristics of the light emitting chip (for example, brightness and wavelength change) may change with increasing temperature, a heat dissipation countermeasure for suppressing the temperature increase of the light emitting chip is necessary.
  • the embodiment provides a light emitting device package capable of implementing two or more light emitting colors.
  • the light emitting device package includes a package body having a cavity, first to fourth lead frames disposed in the package body, a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer, and light having different wavelengths.
  • the first light emitting chip is disposed on an upper surface portion of the first lead frame
  • the second light emitting chip is disposed on an upper surface portion of the third lead frame.
  • the first lead frame may be located between the second lead frame and the fourth lead frame, and the third lead frame may be located between the first lead frame and the fourth lead frame.
  • the first light emitting chip may generate red light having a wavelength range of 600 nm to 690 nm, and the second light emitting chip may generate amber light having a wavelength range of 550 nm to 600 nm.
  • At least one of the first to fourth lead frames may have a through hole at a boundary portion between the upper surface portion and the side surface portion.
  • a portion of the package body may be located between the first lead frame and the second lead frame, between the first lead frame and the third lead frame, and between the third lead frame and the fourth lead frame.
  • An upper surface portion of the first lead frame and an upper surface portion of the third lead frame may be connected to each other.
  • the side part of the first lead frame and the side part of the third lead frame may be connected to each other.
  • An upper surface portion of the second lead frame surrounds two neighboring side surfaces of the upper surface portion of the first lead frame, and an upper surface portion of the fourth lead frame surrounds two adjacent sides of the upper surface portion of the second lead frame. You can wrap it.
  • each of the first lead frame and the third lead frame may include an upper end and a lower end, and the lower end may protrude laterally from the upper end.
  • the light emitting device package may include a first wire electrically connecting the upper surface of the first light emitting chip and the second lead frame, and a second wire electrically connecting the upper surface of the second light emitting chip and the fourth lead frame. It may further include.
  • the light emitting device package may include a first zener diode disposed on an upper surface portion of the second lead frame; A second zener diode disposed on an upper surface portion of the fourth lead frame; A third wire electrically connecting the first zener diode and an upper surface portion of the first lead frame; And a fourth wire electrically connecting the second zener diode and an upper surface portion of the third lead frame.
  • Each of the first light emitting chip and the second light emitting chip may include a first electrode layer disposed on the first semiconductor layer; A reflective layer disposed under the second semiconductor layer; And a second electrode layer disposed below the reflective layer.
  • the first semiconductor layer and the second semiconductor layer may include any one of AlGaInP, AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, and AlInP, wherein the Al content of the second light emitting chip is Al of the first light emitting chip. It may be larger than the content.
  • the Al content of the first light emitting chip may be 0.65 to 0.75, and the Al content of the second light emitting chip may be 0.85 to 0.95.
  • the embodiment can implement two or more light emitting colors, can reduce the number of light emitting chips to be mounted, and can also reduce the area occupied.
  • FIG. 1 illustrates a light emitting lamp according to an embodiment.
  • FIG. 2 to 20 illustrate first to nineteenth embodiments of the light source module illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 21 illustrates an embodiment of the reflective pattern illustrated in FIG. 4.
  • FIG. 22 shows a twentieth embodiment of the light source module shown in FIG.
  • FIG. 23 is a plan view illustrating a twenty-first embodiment of the light source module illustrated in FIG. 1.
  • FIG. 24 is a sectional view taken along the AA ′ direction of the light source module shown in FIG. 23.
  • FIG. 25 is a sectional view taken along the BB ′ direction of the light source module shown in FIG. 23.
  • FIG. 26 is a cross-sectional view taken along the direction CC ′ of the light source module illustrated in FIG. 23.
  • FIG. 27 shows a head lamp for a vehicle according to the embodiment.
  • FIG. 28 is a perspective view of a light emitting device package according to the embodiment.
  • 29 is a top view of a light emitting device package according to an embodiment.
  • FIG. 30 is a front view of a light emitting device package according to the embodiment.
  • 31 is a side view of a light emitting device package according to an embodiment.
  • FIG. 32 is a perspective view of the first lead frame and the second lead frame shown in FIG. 28.
  • FIG. 33 is a view for explaining the dimensions of each part of the first lead frame and the second lead frame shown in FIG. 32.
  • FIG. 34 shows an enlarged view of the connecting parts shown in FIG. 33.
  • 35 to 40 illustrate a first lead frame and a second lead frame according to other embodiments.
  • 41 is a perspective view of a light emitting device package according to another embodiment.
  • FIG. 42 illustrates a top view of the light emitting device package illustrated in FIG. 41.
  • FIG. 43 is a front view of the light emitting device package illustrated in FIG. 41.
  • FIG. 44 is a cross-sectional view of the cd direction of the light emitting device package illustrated in FIG. 41.
  • FIG. 45 illustrates a first lead frame and a second lead frame shown in FIG. 41.
  • 46 is a view illustrating a measurement temperature of a light emitting device package according to an embodiment.
  • FIG. 47 illustrates an embodiment of the light emitting chip illustrated in FIG. 28.
  • FIG. 48 is a view illustrating a light emitting lamp according to another embodiment.
  • Fig. 49 shows a general vehicle head lamp which is a point light source.
  • 50 shows a tail light for a vehicle according to an embodiment.
  • Fig. 51 shows a general vehicle tail light.
  • 52A and 52B illustrate intervals of a light emitting device package of a light source module used in a tail light for a vehicle according to an embodiment.
  • FIG. 53 is a perspective view of a light emitting device package according to still another embodiment.
  • FIG. 54 is a top view of the light emitting device package shown in FIG. 53.
  • FIG. 55 is a front view of the light emitting device package shown in FIG. 53.
  • FIG. 56 is a sectional perspective view in the II direction of the light emitting device package illustrated in FIG. 53.
  • FIG. 57 is a sectional perspective view in the III-IV direction of the light emitting device package shown in FIG. 53.
  • FIG. 58 is a perspective view of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 53.
  • FIG. 59 is an enlarged view for describing dimensions of respective portions of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • 60 to 63 illustrate modified embodiments of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • FIG. 64 illustrates a modified embodiment of the light emitting device package illustrated in FIG. 53.
  • FIG. 65 illustrates a rear light of a vehicle including a light source module including the light emitting device package illustrated in FIG. 53 or 64.
  • FIG. 65 illustrates a light source module included in FIG. 65.
  • FIG. 67 is a view illustrating light emission of the light emitting device package mounted on the vehicle taillight shown in FIG. 65 during the operation of the first light emitting chip;
  • FIG. 68 is a view illustrating a light emission form of a second light emitting chip operation of a light emitting device package mounted on a vehicle tail light illustrated in FIG. 65;
  • each layer (region), region, pattern, or structure is “on” or “under” the substrate, each layer (film), region, pad, or pattern.
  • “up” and “under” include both “directly” or “indirectly” formed through another layer. do.
  • the criteria for up / down or down / down each layer will be described with reference to the drawings.
  • FIG. 1 shows a light emitting lamp 1 according to an embodiment.
  • the light emitting lamp 1 includes a light source module 100, which is a surface light source, and a housing 150 accommodating the light source module 100.
  • the light source module 100 includes at least one light emitting device 20 for generating light, and may implement a surface light source by diffusing and dispersing light generated from the light emitting device 20 as a point light source, and having flexibility. Can bend.
  • the housing 150 may protect the light source module 100 from impact and may be made of a material (eg, acrylic) through which light emitted from the light source module 100 may be transmitted.
  • the housing 150 may include a curved portion in terms of design, and since the light source module 100 is flexible, it may be easily accommodated in the curved housing 150.
  • FIG. 2 shows a first embodiment 100-1 of the light source module shown in FIG. 1.
  • the light source module 100-1 includes a flexible printed circuit board 10, a light emitting device 20, and a light guide layer 40.
  • the flexible substrate 10 may be a printed circuit board using a flexible insulating substrate.
  • the flexible substrate 10 may include a base member (eg, 5) and a circuit pattern (eg, 6, 7) disposed on at least one surface of the base member (eg, 5), and the base member (eg, 5).
  • a film having flexibility and insulation such as polyimide or epoxy (eg FR-4).
  • the flexible substrate 10 includes an insulating film 5 (eg, polyimide or FR-4), a first copper foil pattern 6, a second copper foil pattern 7, and a via contact 8. can do.
  • the first copper foil pattern 6 is formed on one surface (eg, the upper surface) of the insulating film 5, and the second copper foil pattern 7 is formed on the other surface (eg, the lower surface) of the insulating film 5, and vias
  • the first copper foil pattern 6 and the second copper foil pattern 7 may be connected to each other by penetrating the insulating film 5 of the contact 8.
  • the light emitting device 20 is disposed on the flexible substrate 10 in one or more numbers, and emits light.
  • the light emitting device 20 may be a side view type light emitting device package disposed so that the emitted light travels in the direction 3 toward the side of the light guide layer 40.
  • the light emitting chip mounted on the light emitting device package may be a vertical light emitting chip, for example, a red light emitting chip illustrated in FIG. 47, but embodiments are not limited thereto.
  • the light guide layer 40 is disposed on the flexible substrate 10 and the light emitting device 20 so as to fill the light emitting device 20, and is emitted from the light emitting device 20 in the lateral direction 3 of the light guide layer 40.
  • the light may be diffused and induced in a direction toward one surface (eg, the upper surface) of the light guide layer 40.
  • the light guide layer 40 may be formed of a resin that can diffuse light.
  • the light guide layer 40 may be made of a high heat resistant ultraviolet curable resin including an oligomer. At this time, the content of the oligomer may be made of 40 to 50 parts by weight.
  • urethane acrylate Urethane Acrylate
  • epoxy acrylate Polyyester Acrylate
  • polyester acrylate Polyyester Acrylate
  • polyether acrylate Polyether Acrylate
  • At least one material of polybutadiene acrylate (Polybutadiene Acrylate) and silicon acrylate (Silicon Acrylate) may be used.
  • the physical properties of the urethane acrylate (Urethane Acrylate) (is yellowing, weather resistance, chemical resistance, etc.) is determined by the isocyanate.
  • Urethane Acrylate one type of urethane acrylate (Urethane Acrylate) is implemented as Urethane Acrylate type-Isocyanate, but the NCO% of PDI (isophorone diisocyanate) or IPDI (isophorone diisocyanate) is implemented to be 37% (hereinafter referred to as 'first oligomer' Implement another type of urethane acrylate (Urethane Acrylate) as Urethane Acrylate type-Isocyanate, with 30% to 50% or 25% to 35% NCO% of isophorone diisocyanate (PDI) or isophorone diisocyanate (IPDI).
  • PDI isophorone diisocyanate
  • IPDI isophorone diisocyanate
  • the first oligomer and the second oligomer having different physical properties can be obtained according to NCO% control, and the oligomer constituting the light guide layer 40 can be obtained by mixing them.
  • the weight ratio of the first oligomer in the oligomer is 15 to 20, the weight ratio of the second oligomer may be implemented in the range of 25 to 35.
  • the light guide layer 40 may further include at least one of a monomer and a photo initiator.
  • the content of the monomer may be 65 to 90 parts by weight, more specifically, 35 to 45 parts by weight of IBOA (isobornyl acrylate), 10 to 15 parts by weight of 2-HEMA (2-Hydroxyethyl Methacrylate), and 2-HBA (2-Hydroxybutyl).
  • Acrylate may be made of a mixture containing 15 to 20 parts by weight.
  • Diphenyl Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide, etc.
  • a photoinitiator eg, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone, Diphenyl
  • a photoinitiator eg, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone, Diphenyl
  • Diphenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide, etc. may be composed of 0.5 to 1 parts by weight.
  • the light guide layer 40 may be formed of a thermosetting resin having high heat resistance.
  • the light guide layer 40 may be made of a thermosetting resin including at least one of a polyester polyol resin, an acrylic polyol resin, a hydrocarbon-based and / or ester-based solvent.
  • the thermosetting resin may further include a thermosetting agent to improve the coating film strength.
  • the content of the polyester polyol resin may be 9 to 30% of the total weight of the thermosetting resin.
  • the content of the acrylic polyol may be made 20 to 40% of the total weight of the thermosetting resin.
  • the content of hydrocarbon-based and / or ester-based solvents may be 30 to 70% of the total weight of the thermosetting resin.
  • the content of the thermosetting resin may be 1 to 10% of the total weight.
  • the light guide layer 40 is formed of the material as described above, even when used in a light emitting lamp that emits heat at a high temperature due to enhanced heat resistance, it is possible to minimize a decrease in luminance due to heat, thereby providing a reliable light emitting lamp. have.
  • the embodiment can innovatively reduce the thickness of the light guide layer 40 by using the material as described above to implement the surface light source, it is possible to implement a thinning of the entire product.
  • the embodiment has a flexible material can be easily applied to the curved surface to improve the degree of freedom of design, it may be applicable to other flexible displays and applications.
  • the light guide layer 40 may include a diffusion material 41 having hollows (or voids) formed therein, and the diffusion material 41 may be mixed or diffused with a resin forming the light guide layer 40. It may serve to improve the reflection and diffusion characteristics of light.
  • the light emitted from the light emitting element 20 to the light guide layer 40 is reflected and transmitted by the hollow of the diffusing material 41 so that light is diffused and collected in the light guide layer 40, and the light is diffused and collected.
  • the light may be emitted to one surface (eg, the upper surface) of the light guide layer 40.
  • the reflectance and the diffusion rate of the light are increased by the diffusion material 41 to improve the light quantity and uniformity of the emitted light supplied to the upper surface of the light guide layer 40, and as a result, to improve the brightness of the light source module 100-1. Can be.
  • the content of the diffusing material 41 may be appropriately adjusted to obtain the desired light diffusing effect.
  • the weight of the light guide layer 40 may be adjusted in a range of 0.01 to 0.3%, but is not limited thereto.
  • the diffusion material 41 may be formed of any one selected from silicon, silica, glass bubble, PMMA, urethane, Zn, Zr, Al 2 O 3, and acrylic.
  • the particle diameter of the diffusion material 41 may be 1 ⁇ m to 20 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the flexibility of the flexible substrate 10 and the light guide layer 40 enables thinning of the light source module, and the light source module can be easily mounted on a curved housing, thereby improving the degree of freedom in product design. .
  • FIG. 3 shows a second embodiment 100-2 of the light source module shown in FIG. 1.
  • the same reference numerals as in FIG. 2 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the second embodiment may further include a heat radiation member 110 in the first embodiment 100-1.
  • the heat dissipation member 110 is disposed on the lower surface of the flexible substrate 10 and serves to discharge heat generated from the light emitting device 20 to the outside. That is, the heat dissipation member 110 may improve the efficiency of dissipating heat generated from the light emitting device 20 as a heat source to the outside.
  • the heat dissipation member 110 may be disposed on a portion of the bottom surface of the flexible substrate 10.
  • the heat dissipation member 110 may include a plurality of spaced apart heat dissipation layers (eg, 110-1 and 110-2).
  • the heat dissipation layers 110-1 and 110-2 may overlap at least a portion of the heat dissipation layers 110-1 and 110-2 with the light emitting element 20 in a vertical direction.
  • the vertical direction may be a direction from the flexible substrate 10 to the light guide layer 40.
  • the heat dissipation member 110 may be a material having high thermal conductivity, for example, aluminum, an aluminum alloy, copper, or a copper alloy. Alternatively, the heat dissipation member 110 may be a metal core printed circuit board (MCPCB). The heat dissipation member 110 may be attached to the bottom surface of the flexible substrate 10 by an acrylic adhesive (not shown).
  • MCPCB metal core printed circuit board
  • the luminous intensity of the light emitting device may decrease, and a wavelength shift of the generated light may occur.
  • the degree of wavelength shift and intensity decrease is severe.
  • the light source module 100-2 has a heat dissipation member 110 on the bottom surface of the flexible substrate 10 to efficiently discharge heat generated from the light emitting device 20 to the outside, thereby suppressing a temperature increase of the light emitting device. As a result, the luminous intensity of the light source module 100-2 or the wavelength shift of the light source module 100-2 can be suppressed.
  • FIG. 4 shows a third embodiment 100-3 of the light source module shown in FIG.
  • the same reference numerals as in FIG. 3 denote the same components, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the light source module 100-3 may have a structure in which the reflective sheet 30, the reflective pattern 31, and the first optical sheet 52 are added to the second embodiment.
  • the reflective sheet 30 may be disposed between the flexible substrate 10 and the light guide layer 40 and may have a structure in which the light emitting device 20 penetrates.
  • the reflective sheet 30 may be located on a region other than one region of the flexible substrate 10 where the light emitting device 20 is located.
  • the reflective sheet 30 may be made of a material having high reflection efficiency.
  • the reflective sheet 30 reflects the light emitted from the light emitting device 20 to one surface (for example, the upper surface) of the light guide layer 40, and does not leak light to the other surface (for example, the lower surface) of the light guide layer 40. Light loss can be reduced.
  • the reflective sheet 30 may be formed in the form of a film, and may be formed by including a synthetic resin dispersion-containing a white pigment in order to implement a property of promoting reflection and dispersion of light.
  • titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, lead carbonate, barium sulfate, calcium carbonate and the like may be used as the white pigment
  • polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, acrylic resin, polycarbonate, polystyrene, polyolefin may be used as the synthetic resin.
  • Cellulose acetate, weather resistant vinyl chloride, etc. may be used, but is not limited thereto.
  • the reflective pattern 31 is disposed on the surface of the reflective sheet 30 and may serve to scatter and scatter incident light.
  • the reflective pattern 31 may be formed by printing a reflective ink including any one of TiO 2, CaCO 3, BaSO 4, Al 2 O 3, Silicon, and polystyrene (PS) on the surface of the reflective sheet 30, but is not limited thereto.
  • the structure of the reflective pattern 31 may be a plurality of protruding patterns, and may be regular or irregular.
  • the reflection pattern 31 may be formed in a prism shape, a lenticular shape, a lens shape, or a combination thereof in order to increase the light scattering effect, but is not limited thereto.
  • the cross-sectional shape of the reflective pattern 31 may have a structure having various shapes such as a triangle, a quadrangle polygon, a semicircle, a sinusoidal wave, and the like (eg, Hexagonal), circular, oval, semicircular, or the like.
  • FIG. 21 illustrates an embodiment of the reflective pattern illustrated in FIG. 4.
  • the reflective patterns 31 may have different diameters depending on a distance from the light emitting device 20.
  • the reflective pattern 31 may have a larger diameter as it is closer to the light emitting device 20.
  • the diameter of the first reflective pattern 71, the second reflective pattern 72, the third reflective pattern 73, and the fourth reflective pattern 74 may be increased in order.
  • the embodiment is not limited thereto.
  • the first optical sheet 52 is disposed on the light guide layer 40 and transmits light emitted from one surface (eg, an upper surface) of the light guide layer 40.
  • the first optical sheet 52 may be formed using a material having excellent light transmittance. For example, polyethylene telephthalate (PET) may be used.
  • FIG. 5 shows a fourth embodiment 100-4 of the light source module shown in FIG.
  • the light source module 100-4 may include the second optical sheet 52, the adhesive member 56, the light shielding pattern 60, and the second optical sheet in the third embodiment 100-3. 54 may be added structure.
  • the second optical sheet 54 is disposed on the first optical sheet 52.
  • the second optical sheet 54 may be formed using a material having excellent light transmittance, and PET may be used as an example.
  • the adhesive member 56 is disposed between the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 to adhere the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54.
  • the optical pattern 60 may be disposed on at least one of an upper surface of the first optical sheet 52 or a lower surface of the second optical sheet 54.
  • the optical pattern 60 may be attached to at least one of the upper surface of the first optical sheet 52 or the lower surface of the second optical sheet 54 by the adhesive member 56.
  • Another embodiment may further include one or more optical sheets (not shown) on the second optical sheet 56.
  • the structure including the first optical sheet 52, the second optical sheet 54, the adhesive member 56, and the optical pattern 60 may be defined as the optical pattern layer 50-1.
  • the optical pattern 60 may be a light shielding pattern for preventing concentration of light emitted from the light emitting device 20.
  • the optical pattern 60 may be aligned with the light emitting device 20, and may be attached to the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 by the adhesive member 56.
  • the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 may be formed using a material having excellent light transmittance, and PET may be used as an example.
  • the optical pattern 60 basically functions to prevent the light emitted from the light emitting device 20 from being concentrated. That is, in addition to the reflective pattern 31 described above, the optical pattern 60 may implement uniform surface emission.
  • the optical pattern 60 may be a blocking pattern for shielding a part of the light emitted from the light emitting device 20, and the light may be excessively strong to prevent a phenomenon in which optical characteristics deteriorate or yellowish light is emitted.
  • the optical pattern 60 may serve to prevent light from being concentrated in a region adjacent to the light emitting device 20 and to disperse the light.
  • the optical pattern 60 may be formed by performing a printing process on the upper surface of the first optical sheet 52 or the lower surface of the second optical sheet 54 using light blocking ink.
  • the optical pattern 60 may not control the light blocking or diffusing degree of light by adjusting the density and / or the size of the optical pattern so as to perform a function of partially blocking and diffusing the light.
  • the optical pattern 60 may be adjusted to decrease the density of the optical pattern as it moves away from the light emitting device 20, but is not limited thereto.
  • the optical pattern 60 may be implemented as a superimposed printing structure of a complex pattern.
  • the superimposition printing structure refers to a structure that forms one pattern and prints another pattern shape thereon.
  • the optical pattern 60 may include a diffusion pattern and a light shielding pattern, and may have a structure in which the diffusion pattern and the light shielding pattern overlap.
  • a diffusion pattern may be formed on the bottom surface of the polymer film (eg, the second optical sheet 54) in the light emitting direction by using a light blocking ink including one or more materials selected from TiO 2, CaCO 3, BaSO 4, Al 2 O 3, and Silicon. Can be.
  • a light shielding pattern may be formed on the surface of the polymer film by using a light shielding ink including Al or a mixed material of Al and TiO 2.
  • a light shielding pattern may be formed thereon, or a double structure may be formed in the reverse order.
  • the patterned design of the pattern may be variously modified in consideration of light efficiency, intensity, and light blocking rate.
  • the optical pattern 60 may have a triple structure including a first diffusion pattern, a second diffusion pattern, and a light shielding pattern disposed therebetween.
  • the first diffusion pattern may include TiO 2 having excellent refractive index
  • the second diffusion pattern may include CaCO 3 and TiO 2 having excellent light stability and color
  • the light shielding pattern may include Al having excellent hiding. can do.
  • the embodiment can secure the efficiency and uniformity of light.
  • CaCO 3 has the function of subtracting the exposure of yellow light to finally realize the white light to realize more stable light
  • BaSO 4 Al 2 Inorganic materials having a large particle size and similar structures, such as O 3 and Silicon, may be utilized.
  • the adhesive member 56 may surround the periphery of the optical pattern 60 and fix the optical pattern 60 to the first optical sheet 52 or / and the second optical sheet 54.
  • the adhesive member 56 may use a thermosetting PSA, a thermosetting adhesive, or a UV curing PSA type material, but is not limited thereto.
  • the diffusion plate 70 is disposed on the light guide layer 40.
  • the diffusion plate 70 may be disposed on the optical pattern layer 50-1, and uniformly diffuses the light emitted through the light guide layer 40 over the entire surface.
  • the diffusion plate 70 may be generally formed of an acrylic resin, but is not limited thereto.
  • polystyrene (PS), polymethyl methacrylate (PMMA), cyclic olefin copolymer (COC), and polyethylene terephthalate (PET) may be used. It may be made of a material capable of performing a light diffusing function such as a high permeability plastic such as resin.
  • a first air gap 80 may exist between the diffusion plate 70 and the light guide layer 40. Due to the presence of the first air gap 80, the uniformity of light supplied to the diffuser plate 70 may be increased, and as a result, the uniformity of light diffused and emitted through the diffuser plate 70 may be improved. have. In this case, in order to minimize the deviation of the light transmitted through the light guide layer 40, the thickness of the first air gap 80 may be in a range of more than 0 and less than 20 mm, but is not limited thereto and may be changed in design as necessary.
  • another embodiment may further include one or more optical sheets disposed on the optical pattern layer 50-1.
  • FIG. 6 shows a fifth embodiment 100-5 of the light source module shown in FIG.
  • the light source module 100-5 may have a structure in which a second air gap 81 is added to the fourth embodiment 100-4. That is, the fifth embodiment 100-5 may include a second air gap 81 between the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54.
  • the second air gap 81 may be formed in the adhesive member 56.
  • the adhesive member 56 forms a space (second air gap 81) spaced around the optical pattern 60, and the first optical sheet 52 and the second optical sheet are coated with an adhesive material on the other portions. It can be implemented as a structure for adhering the 54 to each other.
  • the adhesive member 56 may have a structure in which the second air gap 81 is positioned at the periphery of the optical pattern 60.
  • the adhesive member 56 may have a structure surrounding the peripheral portion of the optical pattern 60, and the second air gap 81 is positioned at a portion other than the peripheral portion.
  • the adhesive structure of the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 may be implemented together with the function of fixing the printed optical pattern 60.
  • the structure including the first optical sheet 52, the second optical sheet 54, the second air gap 81, the adhesive member 56, and the optical pattern 60 is referred to as the optical pattern layer 50-2. Can be defined
  • the second air gap 81 and the adhesive member 56 have different refractive indices, the second air layer 81 diffuses light traveling from the first optical sheet 52 toward the second optical sheet 56. And dispersion can be improved. And because of this, the embodiment can implement a uniform surface light source.
  • FIG. 7 shows a sixth embodiment 100-6 of the light source module shown in FIG. 1.
  • the light source module 100-6 may have a structure in which a light reflection member 160 is added to the fifth embodiment 100-5.
  • the light reflecting member 160 may be disposed on part or all of the side surfaces 40-1 of the light guide layer 40, and the light emitted from the light emitting element 20 may be disposed on the side surfaces 40-1 of the light guide layer 40. ) Serves as a guide to prevent it from being released to the outside.
  • the light reflecting member 160 may be made of a material having a high light reflectance, for example, a white resist, and may be made of a synthetic resin containing dispersion of white pigment or a synthetic resin in which metal particles having excellent light reflection properties are dispersed. Can be. At this time, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, lead carbonate, barium sulfate, calcium carbonate and the like may be used.
  • the light reflecting member 160 may include Ag powder having excellent reflectance when the metal powder is included.
  • the light reflection member 160 may further include a separate optical brightener.
  • the light reflection member 160 may be directly molded and coupled to the side surface of the light guide layer 40, or may be attached through a separate adhesive material (or adhesive tape).
  • light leakage to the side surface 40-1 of the light guide layer 40 can be prevented, thereby reducing light loss and increasing light efficiency, and reducing the luminance of the light source module 100-5 with the same power. Can improve the roughness.
  • another embodiment has a structure in which the light reflection member 160 is added to the side surface 40 of the light guide layer 40 of any of the first to fourth embodiments 100-1 to 100-4. Can be.
  • FIG. 8 shows a seventh embodiment 100-7 of the light source module shown in FIG. 1.
  • the light source module 100-6 may have a structure in which via holes 212 and 214 are provided in the flexible substrate 10 to improve heat dissipation.
  • the via holes 212 and 214 may penetrate the flexible substrate 110 and expose a portion of the light emitting device 20 or a portion of the light guide layer 40.
  • the via holes 212 and 214 may include a first via hole 212 exposing a portion of the light emitting device 20 and a second via hole 214 exposing a portion of the bottom surface of the light guide layer 40.
  • Heat generated from the light emitting device 20, which is a heat source, may be directly emitted to the outside through the first via hole 212, and heat transferred from the light emitting device 20 to the light guide layer 40 may be transferred to the second via hole ( 214 may be emitted directly to the outside.
  • heat generated from the light emitting device 20 since heat generated from the light emitting device 20 is discharged to the outside through the via holes 212 and 214, heat dissipation efficiency may be improved.
  • the shape of the first via hole 212 and the second via hole 214 may be various shapes such as polygonal, circular, and elliptical.
  • the light source module 100-8 may have a structure in which the reflective sheet 30, the reflective pattern 31, and the first optical sheet 52 are added to the seventh embodiment.
  • heat dissipation efficiency may be improved by the first and second via holes 212 and 214.
  • the added configurations 30, 31, and 52 may be the same as described with reference to FIG. 4.
  • FIG. 10 shows a ninth embodiment 100-9 of the light source module shown in FIG. 1.
  • the light source module 100-9 may include a second optical sheet 52, an adhesive member 56, a light shielding pattern 60, and a second optical sheet 54 in an eighth embodiment. It may have a structure. Additional configurations 52, 54, 56, and 60 may be the same as described in FIG. 5.
  • FIG. 11 illustrates a tenth embodiment (100-10) of the light source module shown in FIG.
  • the light source module 100-10 includes the second optical sheet 52, the adhesive member 56, the light shielding pattern 60, the second optical sheet 54, and the second optical sheet.
  • the air gap 81 may have an added structure.
  • a second air gap 81 may exist between the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 of the tenth embodiment 100-10, and the second air gap 81 may be formed in FIG. 6. It may be the same as described.
  • the light source module 100-11 may have a structure in which a light reflection member 160 is added to the tenth embodiment 100-10.
  • the light reflection member 160 may be disposed on some or all of the side surfaces 40-1 of the light guide layer 40.
  • another embodiment may have a structure in which the light reflection member 160 is added to the side surface of the light guide layer 40 of one of the seventh to ninth embodiments 100-7 to 100-7. .
  • FIG. 13 shows a twelfth embodiment (100-12) of the light source module shown in FIG.
  • the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same components, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the heat dissipation member 310 of the light source module 100-12 is lower heat dissipation disposed on the bottom surface of the flexible substrate 10.
  • a portion of the layer 310-1 and the lower heat dissipation layer 310-1 may have a penetrating portion 310-1 penetrating the flexible substrate 10 and contacting the light emitting device 20.
  • the through part 310-1 may contact the first side part 714 of the first lead frames 620 and 620 ′ of the light emitting device packages 200-1 and 200-2, which will be described later.
  • the heat generated from the light emitting device 20 is directly transmitted to the heat dissipation member 310 by the penetrating portion 310-1, the heat dissipation efficiency can be improved.
  • FIG. 14 shows a thirteenth embodiment (100-13) of the light source module shown in FIG.
  • the light source modules 100-13 may have a structure in which the reflective sheet 30, the reflective pattern 31, and the first optical sheet 52 are added to the twelfth embodiment.
  • the fields 30, 31, and 52 may be the same as described with reference to FIG. 4.
  • FIG. 15 shows a fourteenth embodiment (100-14) of the light source module shown in FIG.
  • the light source module 100-14 includes a second optical sheet 52, an adhesive member 56, a light shielding pattern 60, and a second optical sheet in a thirteenth embodiment 100-12. 54 may be added structure. Additional configurations 52, 54, 56, and 60 may be the same as described in FIG. 5.
  • FIG. 16 illustrates a fifteenth embodiment (100-15) of the light source module shown in FIG.
  • the light source module 100-15 may have a structure in which a second air gap 81 is added to the fourteenth embodiment 100-14. That is, a second air gap 81 may exist between the first optical sheet 52 and the second optical sheet 54 of the fifteenth embodiment 100-15, and the second air gap 81 is illustrated in FIG. 6. It may be the same as described above.
  • the light source module 100-16 may have a structure in which a light reflection member 160 is added to the fifteenth embodiment 100-15.
  • the light reflection member 160 may be disposed on some or all of the side surfaces 40-1 of the light guide layer 40.
  • another embodiment may have a structure in which the light reflection member 160 is added to the side of the light guide layer 40 of one of the twelfth to fourteenth embodiments (100-12 to 100-14). .
  • FIG. 18 shows a seventeenth embodiment of the light source module shown in FIG. 1
  • FIG. 19 shows an eighteen embodiment of the light source module shown in FIG. 1
  • FIG. 20 shows a nineteenth embodiment of the light source module shown in FIG. 1. Indicates.
  • the reflective sheet 30-1, the second optical sheet 54-1, and the diffuser plate 70-1 shown in FIGS. 18 to 20 are formed by the reflective sheet shown in FIGS. 6, 11, and 16. 30), the second optical sheet 54, and the diffusion plate 70 may be modified.
  • Unevenness R1, R2, and R3 may be formed on one or both surfaces of at least one of the reflective sheet 30-1, the second optical sheet 54-1, and the diffusion plate 70-1.
  • the unevenness R1, R2, and R3 serve to reflect and diffuse incident light so that light emitted to the outside forms a geometric pattern.
  • a first unevenness R1 may be formed on one surface (eg, an upper surface) of the reflective sheet 30-1, and a second unevenness R2 may be formed on one surface (eg, an upper surface of the second optical sheet 54-1). ) May be formed, and a third unevenness R3 may be formed on one surface (eg, a bottom surface) of the diffusion plate 70-1.
  • the unevenness R1, R2, and R3 may be a plurality of regular or irregular patterns. It may be made of a structure having a, in order to increase the reflection and diffusion effect of light may be formed of a prism shape, lenticular shape, concave lens shape, convex lens shape or a combination thereof, but is not limited thereto.
  • the cross-sectional shape of the uneven may be made of a structure having a variety of shapes, such as triangular, square, semicircular, sinusoidal.
  • the size or density of each pattern may be changed according to the distance from the light emitting device 20.
  • the unevenness R1, R2, and R3 may be formed by directly processing the reflective sheet 54-1, the second optical sheet 54-1, and the diffusion plate 70-1, but the present invention is not limited thereto.
  • Such a method of attaching the formed film is currently developed and commercialized or can be formed in any way that can be implemented according to future technology development.
  • the geometric light pattern may be easily implemented through the combination of the patterns of the first to third unevennesses R1, R2, and R3.
  • irregularities may be formed on one or both surfaces of the second optical sheet 52.
  • the embodiment in which the unevenness R1, R2, or R3 is formed is not limited to FIGS. 18 to 20, and the reflective sheet 54, the first optical sheet 52, and the second optical included in other embodiments. At least one or both surfaces of the sheet 54 and the diffusion plate 70 may be formed with irregularities for increasing the reflection and diffusion effects of light.
  • FIG. 22 is a view illustrating a twentieth embodiment of the light source module illustrated in FIG. 1.
  • the light source module 100-20 includes a surface light emitting unit 1000 and an indirect light emitting unit 1001.
  • the surface light emitting unit 1000 is a part which is converted into a surface light source and emitted to the outside.
  • the indirect light emitter 1001 is a part that implements a light leakage effect (or flare effect) by reflecting light emitted from the surface light emitter 1000 to generate reflected light.
  • the indirect light emitting unit 1001 is illustrated as being formed on all sides of the surface light emitting unit 1000, but this is only one example and may be formed on at least some side surfaces of the surface light emitting unit 1000.
  • the surface light emitting unit 1000 may be any one of the above-described embodiments 100-1 to 100-5, 100-7 to 100-10, 100-12 to 100-15, and 100-17 to 100-19.
  • the indirect light emitter 1001 may include a reflective member 1100 disposed on the side surface of the surface light emitter 1000.
  • the reflective member 1100 may be disposed spaced apart from the light guide layer 40 of the surface light emitting part 1000, for example, the surface light emitting part 1000 by a predetermined distance (M).
  • the third air gap 83 may exist between the space between the surface light emitting unit 1000 and the reflective member 1100.
  • the reflective member 1100 reflects light emitted from the side surface of the light guide layer 40 of the surface light emitting unit 1000 to form reflected light (or indirect light). Accordingly, the light lost through the side of the light guide layer 40 is reflected back by the reflecting member 1100, causing a flare phenomenon in which the light is softly spread, which can be applied to interior and exterior interior and vehicle lighting using the light. Various lighting effects can be realized.
  • a third air gap 83 may be formed between the reflective member 1100 and the surface light emitting unit 1000. Accordingly, light emitted to the light guide layer 40 side is scattered in the indirect light emitting air gap 83, and the scattered light is reflected back by the reflective member 1100 to maximize the flare phenomenon.
  • the material of the reflective member 1100 may be the same as the reflective member 160 described with reference to FIG. 7.
  • the height of the reflective member 1100 may be the same as the height of any one of the light guide layer 40, the first optical sheet 52, the second optical sheet 54, and the diffusion plate 70, but is not limited thereto. It doesn't happen.
  • the reflective member 1100 is shown to be perpendicular to the horizontal plane of the surface light emitting part 1000, for example, the upper surface of the light guide layer 40. However, this is only one example. It is also possible to implement in an inclined form to form a certain angle with.
  • the embodiment shown in FIG. 22 may further include a support member 1200 surrounding the outer surface of the reflective member 1100 and the lower portion of the surface light emitting part 1000.
  • the support member 1200 may improve durability and reliability by supporting and protecting the surface light emitting unit 1000 and the reflective member 1200.
  • the support member 1200 is not limited in material.
  • the support member 1200 may be made of a metal material, or may be made of a plastic material.
  • the support member 1200 may be formed of a material having a certain flexibility.
  • FIG. 23 is a plan view illustrating a twenty-first embodiment 100-21 of the light source module illustrated in FIG. 1, and FIG. 24 is a cross-sectional view taken along the AA ′ direction of the light source module 100-21 illustrated in FIG. 23.
  • 25 is a sectional view in the BB 'direction of the light source modules 100-21 shown in FIG. 23, and
  • FIG. 26 is a sectional view in the CC' direction of the light source modules 100-21 shown in FIG.
  • the light source modules 100-21 include a plurality of sub-light source modules 101-1 to 101-n, and a natural number of n> 1.
  • the sub light source modules 101-1 to 101-n may be separated from or combined with each other.
  • the plurality of sub light source modules 101-1 to 101-n may be electrically connected to each other.
  • Each of the sub light source modules 101-1 to 101-n includes at least one connector (eg, 510, 520, 530) that may be connected to the outside.
  • the first sub light source module 101-1 may include a first connector 510 including at least one terminal (eg, S1 and S2).
  • Each of the second sub light source modules 101-2 includes a first connector 520 and a second connector 530 to be connected to the outside, and the first connector 520 includes at least one terminal (eg, P1, P2), and the second connector 530 may include at least one terminal (eg, Q1 and Q2).
  • the first terminals S1, P1, and Q1 may be positive terminals
  • the second terminals S2, P2 and Q2 may be negative terminals.
  • each connector eg, 510, 520, 530
  • each connector includes two terminals, but the number of terminals is not limited thereto.
  • 24 to 26 illustrate a structure in which a connector 510, 520, or 530 is added to the fifth embodiment 100-5, but is not limited thereto.
  • the sub light source modules 101-1 to 101- n) each of the connectors (eg, 510, 520, or 530) and connection fixing parts (eg, 410-1, 420-1) to the light source modules 100-1 to 100-20 according to any one of the above-described embodiments. , 410-2) may be added.
  • each of the sub light source modules 101-1 to 101-n may include a flexible substrate 10, a light emitting device 20, a reflective sheet 30, a reflective pattern 31, and a light guide layer. 40, first optical sheet 52, second optical sheet 54, adhesive member 56, optical pattern 60, diffuser plate 70, heat dissipation member 110, at least one connector , 510, 520, or 530, and at least one connection fixing portion 410, and 420.
  • the same reference numerals as in FIG. 1 denote the same components, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • each of the sub light source modules 101-1 to 101-n of the twenty-first embodiment may have a difference in size or the number of light emitting devices, except for a connector and a connection fixing part. This may be the same.
  • the first sub light source module 101-1 may be electrically connected to the light emitting device 20, and may include a first connector 510 provided on the flexible substrate 10 to be electrically connected to the outside.
  • the first connector 510 may be implemented in a patterned form on the flexible substrate 10.
  • the second sub light source module 101-2 may include a first connector 520 and a second connector 530 electrically connected to the light emitting device 20.
  • the first connector 520 is provided on one side of the flexible board 10 to electrically connect with the outside (eg, the first connector 510 of the first sub light source module 101-1), and the second connector The 530 may be provided on the other side of the flexible substrate 10 to electrically connect with another external device (eg, a connector (not shown) of the third sub light source module 101-3).
  • connection fixing part (eg, 410-1, 420-1, and 410-2) is coupled to other external sub light source modules and serves to fix the combined two sub light source modules with each other.
  • the connection fixing parts (eg, 410-1, 420-1, and 410-2) are protrusions in which a part of the side surface of the light guide layer 40 protrudes, or a groove in which a part of the side surface of the light guide layer 40 is recessed. It may be wealth.
  • the first sub light source module 101-1 may include a first connection fixing part 410-1 having a structure in which a part of the side surface of the light guide layer 40 protrudes.
  • the second sub light source module 101-2 has a structure in which a part of a side surface of the light guide layer 40 is recessed and a first connection fixing part 420-1 and another portion of the side surface of the light guide layer 40 protrude. It may include a second connection fixing portion (410-2).
  • the first connection fixing part 410-1 of the first sub light source module 101-1 and the first connection fixing part 420-1 of the second sub light source module 101-2 are fixed to each other by male and female coupling. Can be.
  • connection fixing parts eg, 410-1, 420-1, and 410-2
  • connection fixing part may be modified in another form in which it can be connected.
  • the shape of the sub light source modules 101-1 to 101-n, and a natural number of n> 1 may be a shape in which a predetermined portion protrudes, but is not limited thereto and may be implemented in various forms.
  • the shapes of the sub light source modules 101-1 to 101-n, natural numbers of n> 1, as viewed from above, may be circular, elliptical, or polygonal, and some may protrude laterally.
  • one end of the first sub light source module 101-1 may include a protrusion 540 in the center, and the first connector 510 may be provided on the flexible substrate 10 corresponding to the protrusion 540.
  • the first connection fixing part 410-1 may be provided in the light guide layer 40 of the remaining portion of the first sub light source module 101-1 other than 540.
  • one end of the second sub light source module 101-2 may have a groove portion 545 in the center thereof, and a first connector 520 may be provided on the flexible substrate 10 corresponding to the groove portion 545.
  • the first connection fixing part 420-1 may be provided in the light guide layer 40 of the other end of the second sub light source module 101-2 except for the second light source module 101-2.
  • the other end of the second sub light source module 101-2 may include a protrusion 560 at the center thereof, and a second connector 530 may be provided on the flexible substrate 10 corresponding to the protrusion 560, and the protrusion (
  • the second connection fixing part 410-2 may be provided in the light guide layer 40 of the remaining portion of one end of the second sub light source module 101-2 other than 560.
  • Each of the sub light source modules 101-1 to 101-n may be an independent light source by itself, may be variously modified in shape, and two or more sub light source modules may be assembled to each other independently by a connection fixing part.
  • the embodiment can improve the degree of freedom of product design because it can be used as a phosphorescent light source.
  • the embodiment may replace only the broken sub light source module.
  • the light source module described above may be used in display devices, indicator devices, and lighting systems that require a surface light source.
  • the light source module according to the embodiment may be easily mounted even in a place where the lighting is not easily installed (for example, a ceiling or a floor having a bend) because the portion to which the light is to be mounted has a bend.
  • the lighting system may include a lamp or a street lamp, and the lamp may be a head lamp for a vehicle, but is not limited thereto.
  • FIG. 27 illustrates a vehicle head lamp 900-1 according to an embodiment
  • FIG. 49 illustrates a general vehicle head lamp that is a point light source.
  • the vehicle head lamp 900-1 includes a light source module 910 and a light housing 920.
  • the light source module 910 may be the embodiments 100-1 to 100-21 described above.
  • the light housing 920 accommodates the light source module 910 and may be made of a light transmissive material.
  • the vehicle light housing 920 may include a curvature depending on the vehicle portion and the design of the vehicle. Since the light source module 910 uses the flexible substrate 10 and the light guide layer 40, since the light source module 910 has flexibility, the light source module 910 may be easily mounted to the vehicle housing 920 having the bend.
  • the vehicle head lamp 900-1 since the light source modules 100-1 to 100-21 have a structure that improves heat dissipation efficiency, the vehicle head lamp 900-1 according to the embodiment can prevent the wavelength shift and the brightness decrease.
  • the vehicle head lamp illustrated in FIG. 49 is a point light source, a partial spot 930 may appear on the light emitting surface when light is emitted, but the vehicle head lamp 900-1 according to the embodiment is a surface light source. Uniform luminance and illuminance can be realized in the entire light emitting surface.
  • FIG. 28 is a perspective view of the light emitting device package 200-1 according to the first embodiment
  • FIG. 29 is a top view of the light emitting device package 200-1 according to the first embodiment
  • FIG. 30 is a first view of the light emitting device package 200-1.
  • the front view of the light emitting device package 200-1 according to the embodiment is shown
  • FIG. 31 shows the side view of the light emitting device package 200-1 according to the first embodiment.
  • the light emitting device package 200-1 illustrated in FIG. 28 may be a light emitting device package included in the light source modules 100-1 to 100-21 according to the above embodiments, but is not limited thereto.
  • the light emitting device package 200-1 may include a package body 610, a first lead frame 620, a second lead frame 630, a light emitting chip 640, and a zener diode 645. ), And the wire 650-1.
  • the package body 610 may be formed of a substrate having good insulation or thermal conductivity, such as a silicon-based wafer level package, a silicon substrate, silicon carbide (SiC), aluminum nitride (AlN), or the like. It may have a structure in which a plurality of substrates are stacked. However, the embodiment is not limited to the material, structure, and shape of the body described above.
  • the length X1 of the first direction (eg, X-axis direction) of the package body 610 is 5.95 mm to 6.05 mm
  • the length Y1 of the second direction (eg, Y-axis direction) is 1.35 mm to It can be 1.45mm
  • the length Y2 of the third body (eg, Z-axis direction) of the package body 610 may be 1.6 mm to 1.7 mm.
  • the first direction may be a direction parallel to the long side of the package body 610.
  • the package body 610 may have a cavity 601 having an open top and consisting of a sidewall 602 and a bottom 603.
  • the cavity 601 may be formed in a cup shape, a concave container shape, or the like, and the sidewalls 602 of the cavity 601 may be perpendicular to or inclined with respect to the bottom 603.
  • the shape of the cavity 601 as viewed from above may be circular, elliptical, or polygonal (eg, rectangular).
  • the corner portion of the cavity 601 that is polygonal may be curved.
  • the length X3 of the first direction (eg, X-axis direction) of the cavity 601 is 4.15 mm to 4.25 mm
  • the length X4 of the second direction (eg, Y-axis direction) is 0.64 mm to 0.9. mm
  • the depth of the cavity 601 may be 0.33 mm to 0.53 mm.
  • the first lead frame 620 and the second lead frame 630 may be disposed on the surface of the package body 610 to be electrically separated from each other in consideration of heat dissipation or mounting of the light emitting chip 640.
  • the light emitting chip 640 is electrically connected to the first lead frame 620 and the second lead frame 630.
  • the number of light emitting chips 640 may be one or more.
  • a reflection member (not shown) may be provided on the sidewall of the cavity of the package body 610 to reflect the light emitted from the light emitting chip 640 in a predetermined direction.
  • the first lead frame 620 and the second lead frame 630 may be spaced apart from each other in the upper surface of the package body 610.
  • a portion of the package body 610 eg, the bottom 603 of the cavity 601 may be disposed between the first lead frame 620 and the second lead frame 630 to electrically isolate the two.
  • the first lead frame 620 may include one end (eg, 712) exposed to the cavity 601 and the other end (eg, 714) exposed through one surface of the package body 610 through the package body 610. have.
  • the second lead frame 630 has one end (eg, 744-1) exposed to one side of one surface of the package body 610 and the other end (eg, 744-′) exposed to the other side of one surface of the package body 610. 2) and an intermediate portion (eg, 742-2) exposed to the cavity 601.
  • the separation distance X2 between the first lead frame 620 and the second lead frame 630 may be 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the top surface of the first lead frame 620 and the top surface of the second lead frame 630 may be coplanar with the bottom 603 of the cavity 601.
  • FIG. 32 illustrates a perspective view of the first lead frame 620 and the second lead frame 630 illustrated in FIG. 28, and FIG. 33 illustrates angles of the first lead frame 620 and the second lead frame illustrated in FIG. 32.
  • 34 is a view for explaining the dimensions of the portion, and FIG. 34 is a connection of the first lead frame 620 adjacent to the boundary portion 801 of the first upper surface portion 712 and the first side portion 714 shown in FIG. 33.
  • An enlarged view of portions 732, 734, and 736 is shown.
  • the first lead frame 620 includes a first upper surface portion 712 and a first side portion 714 bent from a first side portion of the first upper surface portion 712.
  • the first upper surface part 712 is positioned on the same plane as the bottom of the cavity 601, is exposed by the cavity 601, and the light emitting chips 642 and 644 may be disposed.
  • both ends of the first upper surface portion 712 may have a portion S3 protruding in a first direction (x-axis direction) with respect to the first side surface portion 714.
  • the protruding portion S3 of the first upper surface portion 712 may be a portion supporting the first lead frame in the lead frame array.
  • the length of the protruding portion S3 of the first upper surface portion 712 in the first direction may be 0.4 mm to 0.5 mm.
  • the length K of the first upper surface portion 712 in the first direction may be 3.45 mm to 3.55 mm, and the length J1 of the second direction may be 0.6 mm to 0.7 mm.
  • the first direction may be the x-axis direction in the xyz coordinate system, and the second direction may be the y-axis direction.
  • the second side portion of the first upper surface portion 712 may have at least one groove portion 701.
  • the second side portion of the first upper surface portion 712 may face the first side portion of the first upper surface portion 712.
  • the second side portion of the first upper surface portion 712 may have one groove portion 701 in the middle, but is not limited thereto.
  • the number of the groove portions formed on the second side portion may be two or more.
  • the groove 701 may have a shape corresponding to the protrusion 702 provided in the second lead frame 630 to be described later.
  • the length S2 of the groove 701 in the first direction may be 1.15 mm to 1.25 mm
  • the length S1 of the groove 701 in the second direction may be 0.4 mm to 0.5 mm.
  • the angle ⁇ 1 formed between the bottom 701-1 and the side surface 701-2 of the groove 701 may be greater than or equal to 90 ° and smaller than 180 °.
  • the light emitting chips 642 and 644 may be disposed on the first upper surface 712 on both sides of the groove 701.
  • the first side portion 714 may be bent at a predetermined angle downward from the first side portion of the first upper surface portion 712, and the first side portion 714 may be exposed from one side surface of the package body 610.
  • an angle formed by the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714 may be greater than or equal to 90 ° and smaller than 180 °.
  • the first lead frame 620 may have one or more through holes 720 in at least one of the first upper surface portion 712 and the first side portion 714.
  • the first lead frame 620 may have one or more through holes 720 adjacent to a boundary portion between the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714.
  • two through holes 722 and 724 are spaced apart from each other adjacent to a boundary portion between the first upper surface portion 712 and the first side portion 714, but embodiments are not limited thereto.
  • One or more through holes 720 may be formed in one region of each of the first upper surface part 712 and the first side surface part 714 adjacent to the boundary between the first upper surface part 712 and the first side surface part 714. have.
  • the through holes (eg, 722-1) formed in one region of the first upper surface portion 712 and the through holes (eg, 722-2) formed in one region of the first side surface portion 714 may be connected to each other. .
  • a portion of the package body 610 may be filled in the through hole 720 to serve to improve coupling between the first lead frame 620 and the package body.
  • the through hole 720 serves to easily form a bend between the first upper surface portion 712 and the first side portion 714.
  • the size of the through hole 720 is too large or the number of the through holes 720 is too large, the first upper surface portion 712 and the first side portion 714 may be broken when the first lead frame 620 is bent. Since the size and number of the through-holes 720 must be properly adjusted.
  • the size of the through hole 720 is related to the size of the connection parts 732, 734, and 736 to be described later, it is also related to the heat dissipation of the light emitting device package.
  • Embodiments according to the sizes of each of the first lead frame 620 and the second lead frame 630 having the through holes to be described below may achieve an optimum heat dissipation efficiency in consideration of coupling and ease of bending.
  • the first through hole 722 and the second through hole 724 are improved in order to improve engagement with the package body 610 and to facilitate bending of the first lead frame 620 and to prevent damage during bending.
  • the length D11 of the first direction of the first through hole 722 and the length D12 of the first direction of the second through hole 724 may be 0.58 mm to 0.68 mm,
  • the length D2 in the second direction may be 0.19 mm to 0.29 mm.
  • the area of the first through hole 722 may be the same as the area of the second through hole 724, but is not limited thereto.
  • the first lead frame 620 is positioned adjacent to the boundary portion 801 of the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714, and spaced apart from each other by the through hole 720.
  • the first upper surface portion 712 and the first side portion 714 may have connecting portions 732, 734, and 736.
  • the connecting portions 732, 734, 736 of the first portion 732-1, 734-1, or 736-1 and the first side portion 714 each correspond to a portion of the first top surface 712.
  • the second portion 732-2, 734-2, or 736-2 may correspond to a portion thereof.
  • the through hole 720 may be positioned between the connection portions 732, 734, and 736.
  • the first lead frame 620 may have at least one connection portion corresponding to or aligned with the light emitting chip 642 or 644.
  • the first lead frame 620 may include first to third connection portions 732, 734, and 736.
  • the first connection portion 732 may be positioned to correspond to or aligned with the first light emitting chip 642
  • the second connection portion 734 may be positioned to correspond to or aligned with the second light emitting chip 644.
  • the third connection portion 736 may be a portion that is positioned between the first connection portion 732 and the second connection portion 734 and is misaligned with the first light emitting chip 642 or the second light emitting chip 644. have.
  • the third connection portion 736 may be positioned corresponding to or aligned with the groove portion 701 of the first lead frame 620, but is not limited thereto.
  • the length C11 in the first direction of the first connecting portion 732 and the length C2 in the first direction of the second connecting portion 734 are the length E of the first direction of the third connecting portion 736.
  • the length C11 of the first direction of the first connection portion 732 and the length C2 of the first direction of the second connection portion 734 may be 0.45 mm to 0.55 mm
  • the third connection portion ( The length E of the first direction 736 may be 0.3 mm to 0.4 mm.
  • the reason for placing the third connecting portion 736 between the first through hole 722 and the second through hole 724 is to prevent breakage between the first upper surface portion 712 and the first side portion 714 during bending. For sake.
  • the ratio of the length E in the first direction of the third connection part 736 and the length C11 in the first direction of the first connection part 732 may be 1: 1.2 to 1.8.
  • the ratio of the length D11 or D12 in the first direction of the through hole 722 to the length B1 in the first direction of the upper end portion 714-1 of the first side portion 714 may be 1: 3.8 to 6.3. have.
  • the heat generated from the first light emitting chip 642 The heat may be mainly emitted to the outside through the first connection portion 732, and the heat generated from the second light emitting chip 644 may be discharged to the outside through the second connection portion 734.
  • the embodiment since the lengths C11 and C2 of the first connecting portion 732 and the second connecting portion 734 in the first direction are larger than the length E of the first connecting portion 732 and the first connecting portion 736 in the first direction.
  • the area of the first connecting portion 732 and the second connecting portion 734 is larger than that of the third connecting portion 736. Therefore, by increasing the area of the connection portions 732 and 734 disposed adjacent to the light emitting device 20, the embodiment emits heat generated from the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644 to the outside. Can improve.
  • the first side portion 714 may be divided into an upper end portion 714-1 connected to the first upper surface portion 712 and a lower end portion 714-2 connected to the upper end portion 714-1. That is, the upper portion 714-1 may include some of the first to third connection portions 732, 734, and 736, and the lower portion 714-2 may be positioned below the upper portion 714-1.
  • the length F1 in the third direction of the upper end 714-1 may be 0.6 mm to 0.7 mm, and the length F2 in the third direction of the lower end 714-2 may be 0.4 mm to 0.5 mm.
  • the third direction may be a z-axis direction in the xyz coordinate system.
  • Side surfaces of the upper and lower portions 714-1 and 714-2 may have a step in order to improve the coupling between the package body 620 and the airtightness to prevent moisture penetration.
  • both side ends of the lower end 714-2 may protrude laterally based on the side surface of the upper end 714-1.
  • the length B1 in the first direction of the upper end 714-1 may be 2.56 mm to 2.66 mm, and the length B2 in the first direction of the lower end 714-2 may be 2.7 mm to 3.7 mm.
  • the thickness t1 of the first lead frame 620 may be 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the second lead frame 630 may be disposed to wrap around at least one side of the first lead frame 620.
  • the second lead frame 630 may be disposed around the other side portions except for the first side portion 714 of the first lead frame 630.
  • the second lead frame 630 may include a second upper surface portion 742 and a second side portion 744.
  • the second upper surface portion 742 may be disposed to surround the other side portions except for the first side portion of the first upper surface portion 712. As illustrated in FIGS. 28 and 32, the second upper surface portion 742 may be coplanar with the bottom of the cavity 601 and the first upper surface portion 712, and may be exposed by the cavity 601.
  • the thickness t2 of the second lead frame 630 may be 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the second upper surface portion 742 includes the first portion 742-1, the second portion 742-2, and the third portion 742-3, depending on the position surrounding the first upper surface portion 712. It can be divided into.
  • the second portion 742-2 of the second upper surface portion 742 may be a portion corresponding to or facing the second side portion of the first upper surface portion 712.
  • the first portion 742-1 of the second upper surface portion 742 is connected to one end of the second portion 742-2, and corresponds to or faces one of the remaining sides of the first upper surface portion 712. Can be.
  • the third portion 742-3 of the second upper surface portion 742 is connected to the other end of the second portion 742-2 and corresponds to or faces another one of the remaining sides of the first upper surface portion 712. can see.
  • the length H1 in the second direction of the first portion 742-1 and the third portion 742-3 may be 0.65 mm to 0.75 mm, and the length H2 in the first direction may be 0.78 mm to 0.88 mm. Can be.
  • the length I of the second portion 742-2 in the first direction may be about 4.8 mm to about 4.9 mm.
  • the second portion 742-2 of the second upper surface portion 742 may have a protrusion 702 corresponding to the groove portion 701 of the first upper surface portion 712.
  • the shape of the protrusion 702 may match the shape of the groove 701, and the protrusion 702 may be positioned to align with the groove 701.
  • the protrusion 702 may be located in the groove 701.
  • the number of protrusions 702 may be equal to the number of grooves 701.
  • the protrusion 702 and the groove 701 may be spaced apart from each other, and a portion of the package body 610 may be located therebetween.
  • the protrusion 702 is an area for wire bonding between the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644.
  • the protrusion 702 is aligned between the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644. Wire bonding can be facilitated.
  • the length S5 of the protrusion 702 in the first direction may be 0.85 mm to 0.95 mm
  • the length S4 in the second direction may be 0.3 mm to 0.4 mm
  • the protrusion 702 may include the second portion ( An angle ⁇ 2 with 742-2 may be greater than or equal to 90 ° and smaller than 180 °.
  • the second side portion 744 may be bent from at least one side of the second upper surface portion 742.
  • the second side portion 744 may be bent at a predetermined angle (eg, 90 °) downward from the second upper surface portion 742.
  • the second side portion 744 may be bent at one side of the first portion 742-1 of the second upper surface portion 742 and the third portion of the second upper surface portion 742.
  • the second portion 744-2 may be bent at one side of the portion 742-3.
  • the first portion 744-1 and the second portion 744-2 of the second side portion 744 may be bent to be positioned at the same side of the second lead frame 630.
  • the first portion 744-1 of the second side portion 744 may be spaced apart from the first side portion 714 and positioned on one side (eg, the left side) of the first side portion 714.
  • the second portion 744-2 of the second side portion 744 may be spaced apart from the first side portion 714 and positioned on the other side (eg, the right side) of the first side portion 714.
  • the first side portion 714 and the second side portion 744 may be located on the same plane. As a result, as shown in FIG.
  • first side portion 714 and the second side portion 744 may be exposed to the same side of the package body 610.
  • the length A in the first direction of the second side portion 744 may be 0.4 mm to 0.5 mm, and the length G in the third direction may be 1.05 mm to 1.15 mm.
  • the bent step g1 is a portion where one side of the first portion 742-1 of the second upper surface portion 742 and one side of the first portion 744-1 of the second side portion 744 meet. It can be located adjacent to. Since the areas of the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714 that are correspondingly positioned by the curved step g1 can be designed to be wider, the embodiment can increase the heat generation area to improve the heat generation efficiency. . This is because the area of the first lead frame 620 is related to the heat dissipation of the light emitting chips 642 and 644.
  • the other side surfaces of the first portion 742-1 and the third portion 742-3 of the second upper surface portion 742 may have a bent step g2.
  • the reason for forming the bent step g2 is to make it possible to easily observe the bonding material (eg, solder) when the light emitting device package 200-1 is bonded to the flexible substrate 10.
  • the first side surface portion 714 of the first lead frame 620 and the second side surface portion 744 of the second lead frame 630 may be formed of flexible substrates of the light source modules 100-1 to 100-21 according to the embodiment. 10), the light emitting chip 640 may emit light in a direction 3 toward the side surface of the light guide layer 40. That is, the light emitting device package 200-1 may have a side view type structure.
  • the zener diode 645 may be disposed on the second lead frame 630 to improve the breakdown voltage of the light emitting device package 200-1.
  • the zener diode 645 may be disposed on the second upper surface 742 of the second lead frame 630.
  • the first light emitting chip 642 may be electrically connected to the second lead frame 630 by the first wire 652, and the second light emitting chip 644 may be the second lead following the second wire 654.
  • the zener diode 645 may be electrically connected to the frame 630, and the zener diode 645 may be electrically connected to the first lead frame 620 by a third wire 656.
  • first wire 652 may be connected to the first light emitting chip 642, and the other end may be connected to the protrusion 702.
  • second wire 654 may be connected to the second light emitting chip 644, and the other end thereof may be connected to the protrusion 702.
  • the light emitting device package 200-1 may further include a resin layer (not shown) filled in the cavity 601 to surround the light emitting chip.
  • the resin layer may be made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicone.
  • the light emitting device package 200-1 may implement red light using only a red light emitting chip without using a phosphor, but embodiments are not limited thereto.
  • the resin layer may include a phosphor to change the wavelength of light emitted from the light emitting chip 640. For example, even if a light emitting chip of a color other than red is used, the light emitting device package may emit light of a desired color by changing the wavelength of light using a phosphor.
  • FIG. 35 is a view illustrating a first lead frame 620-1 and a second lead frame 630 according to another embodiment.
  • the same reference numerals as in FIG. 32 denote the same configuration, and a description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first lead frame 620-1 has a structure in which the third connector 736 is removed from the first lead frame 620 shown in FIG. 32. That is, the first lead frame 620-1 may have one through hole 720-1 adjacent to a boundary portion between the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714 ′.
  • the first connection part 732 may be located at one side of the through hole 720-1, and the second connection part 734 may be located at the other side of the through hole 720-1.
  • FIG. 36 is a view illustrating a first lead frame 620-2 and a second lead frame 630-1 according to another embodiment.
  • the same reference numerals as in FIG. 32 denote the same configuration, and a description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first upper surface portion 712 ′ of the first lead frame 620-2 may have a groove portion 701 in the first upper surface portion 712 of the first lead frame 620 illustrated in FIG. 32. May be an omitted structure.
  • the second portion 742-2 ′ of the second upper surface portion 742 ′ of the second lead frame 630-1 is the second upper surface portion 742 of the second lead frame 630 illustrated in FIG. 32.
  • the protrusion 702 may be omitted from the second portion 742-2 of FIG.
  • Other components may be the same as described with reference to FIG. 32.
  • FIG. 37 illustrates the first lead frame 620-3 and the second lead frame 630 according to another embodiment.
  • the same reference numerals as in FIG. 32 denote the same configuration, and a description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first lead frame 620-3 passes through the first lead frame 620 in at least one of the connection portions 732, 734, and 736 of the first lead frame 620 shown in FIG. 32.
  • the through holes h1, h2 and h3 may be formed.
  • connection parts 732-1, 734-1, and 736-1 of the first lead frame 620-3 may be formed at a boundary between the first upper surface part 712 and the first side surface part 714. h1, h2, h3).
  • the diameters of the fine through holes h1, h2 and h3 may be smaller than the lengths D11 and D12 in the first direction or the lengths D2 in the second direction of the through holes 722 and 724.
  • the number of minute through holes h1 and h2 formed in the first connection part 732-1 and the second connection part 734-1 is equal to the number of fine through holes formed in the third connection part 736-1. It may be larger than the number of h3), but is not limited thereto.
  • the shape of the fine through holes h1, h2, h3 may be circular, elliptical, or polygonal.
  • the fine through holes h1, h2, and h3 may not only bend the first lead frame 620-3 but also improve the coupling force between the first lead frame 620-3 and the package body 610.
  • FIG. 38 illustrates a first lead frame 620-4 and a second lead frame 630 according to another embodiment.
  • the same reference numerals as in FIG. 32 denote the same configuration, and a description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first lead frame 620-4 includes a first upper surface portion 712 ′′ and a first side portion 714 ′′.
  • the first upper surface portion 712 ′′ and the first side surface portion 714 ′′ are modified examples of the first upper surface portion 712 and the first side surface portion 714 illustrated in FIG. 32. That is, in the first lead frame 620-4, through holes 722 and 724 are omitted from the first upper surface part 712 and the first side surface part 714 of the first lead frame 620 shown in FIG.
  • a plurality of fine through holes h4 spaced apart from each other are provided in one region Q2 of the boundary portion Q of the first upper surface portion 712 ′′ and the first side surface portion 714 ′′, from which the 722 and 724 are omitted. to be.
  • the boundary portion Q of the first upper surface portion 712 ′′ and the first side portion 714 ′′ may be divided into a first boundary region Q1, a second boundary region Q2, and a third boundary region Q3.
  • the first boundary area Q1 may be an area corresponding to or aligned with the first light emitting chip 642
  • the second boundary area Q2 may be an area corresponding to or aligned with the first light emitting chip 642.
  • the third boundary area Q3 may be an area between the first boundary area Q1 and the second boundary area Q2.
  • the first boundary region Q1 may be an area corresponding to the first connecting portion 732 shown in FIG. 32
  • the second boundary region Q2 is the second connecting portion 734 shown in FIG. 32. It may be an area corresponding to.
  • the first boundary area Q1 and the second boundary area Q2 serve as a path for transferring heat generated from the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644 and include a plurality of fine through holes h4.
  • the diameters of the plurality of fine through holes h4 are the same and the separation distances are the same, but the embodiment is not limited thereto. In another embodiment, at least one of the plurality of fine through holes h4 has a different diameter. Or the separation distance may be different.
  • FIG. 39 illustrates a first lead frame 620 and a second lead frame 630-2 according to another embodiment.
  • the second lead frame 630-2 of FIG. 39 may be a modified example of the second lead frame 630 of FIG. 30.
  • the same reference numerals as in FIG. 32 denote the same configuration, and a description overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the second portion 742-of the second upper surface portion 742 ′′ shown in FIG. 39. 2 has a broken structure and does not connect the first portion 742-1 and the third portion 742-3.
  • the second upper surface portion 742 ′′ of the second lead frame 630-2 may include a first portion 742-1, a second portion 742-2 ′′, and a third portion 742-3. Can be. Each of the first to third portions 742-1, 742-2 ′′, 742-3 may be positioned around a corresponding one of the sides of the first top portion 712 of the first lead frame 620. Can be.
  • the second portion 742-2 ′′ of the second upper surface portion 742 ′′ is connected to the first region 704 and the third portion 742-3 connected to the first portion 742-1.
  • the second region 705 may be spaced apart from the first region 704. Since the package body 610 is filled in the space 706 spaced between the first region 704 and the second region 705, the coupling force between the package body 610 and the second lead frame 630-2 is increased. Can be improved.
  • the second lead frame 630-2 illustrated in FIG. 38 may be divided into first subframes 744-1, 742-1, and 704, and second subframes 744-2, 742-3, and 705. The two may be electrically separated from each other.
  • FIG. 40 illustrates a first lead frame 810 and a second lead frame 820 according to another embodiment.
  • the first lead frame 810 may include a first side portion 814 and a second side portion 816 that are bent from a first side portion 812 and a first side portion of the first top portion 812. It may include. Light emitting chips 642 and 644 may be disposed on the first upper surface portion 812.
  • the second side of the first upper surface portion 812 may have one or more first grooves 803 and 804 and the first protrusion 805.
  • the second side portion of the first upper surface portion 812 may be an opposite side portion of the first side portion of the first upper surface portion 812.
  • the second side portion of the first upper surface portion 812 may have two first grooves 803 and 804 and one first protrusion 805 positioned between the first grooves 803 and 804, but is not limited thereto. It doesn't happen.
  • the first grooves 803 and 804 have a shape corresponding to the second protrusions 813 and 814 provided in the second lead frame 820, which will be described later, and the first protrusion 805 is provided in the second lead frame 820.
  • the first grooves 803 and 804 and the first protrusion 805 illustrated in FIG. 38 may have a rectangular shape, but are not limited thereto.
  • the first grooves 803 and 804 and the first protrusion 805 may be implemented in various shapes such as a circle, a polygon, and an oval.
  • the light emitting chips 642 and 644 may be disposed on the first upper surface 812 on both sides of the first grooves 803 and 804.
  • the first side portion 814 is connected to one region of the first side of the first upper surface portion 712
  • the second side portion 816 is connected to another region of the first side of the first upper surface portion 712
  • the first side portion 814 and the second side portion 816 may be spaced apart from each other.
  • the first side portion 814 and the second side portion 816 may be exposed from the same one side of the package body 610.
  • the first lead frame 610 may have one or more through holes 820 in at least one of the first upper surface portion 812 and the first side surface portion 814.
  • the first lead frame 810 may have one or more through holes 840 adjacent to a boundary portion between the first upper surface portion 812 and the first side surface portion 814.
  • the through hole 820 may have the same structure as described with reference to FIGS. 32 and 34, and may have the same function.
  • the first lead frame 810 is positioned adjacent to the boundary portion 801 of the first upper surface portion 812 and the first side surface portion 814, spaced apart from each other by the through hole 720, and the first upper surface portion 712. ) And the first side portion 714 may have connecting portions 852, 854, and 856.
  • the structure and function of the connecting portions 852, 854, 856 may be the same as described with reference to FIGS. 32 and 34.
  • the first lead frame 810 may have at least one connection portion corresponding to or adjacent to the light emitting chip 642 or 644.
  • the length of the first direction of the connection portion (eg, 852, 854) corresponding to or adjacent to the light emitting chips 642 and 644 is the first length of the connection portion (eg, 856) that does not correspond to or is adjacent to the light emitting chip 642, 644. It may be greater than the length of the direction.
  • the lower side portion of the side surface of the second side surface portion 814 may be protruded in a lateral direction in order to improve the coupling with the package body 620 and the airtightness to prevent moisture penetration.
  • the second lead frame 820 may be disposed around at least one side of the first lead frame 810.
  • the second lead frame 820 may include a second upper surface portion 822 and a third side portion 824.
  • the second upper surface portion 822 may be divided into a first portion 832 and a second portion 834 according to a position disposed around the first upper surface portion 812.
  • the second portion 834 of the second top surface 822 may be a portion corresponding to or facing the second side of the first top surface 812.
  • the first portion 832 of the second upper surface portion 822 is connected to one end of the second portion 834 and may correspond to or face the third side portion of the first upper surface portion 712.
  • the third side may be a side perpendicular to the first side or the second side.
  • the second portion 834 of the second upper surface portion 822 may have second protrusions 813 and 814 corresponding to the first groove portions 803 and 804 of the first upper surface portion 812.
  • the second protrusions 813 and 814 are areas for wire bonding between the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644, and are disposed between the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644. Positioning can facilitate wire bonding.
  • the third side portion 824 may be bent at a predetermined angle (eg, 90 °) downward from the second upper surface portion 822.
  • the third side portion 824 may be bent at one side of the first portion 832 of the second upper surface portion 822.
  • the second side part 816 and the third side part 824 may have a symmetrical shape with respect to the first side part 814.
  • the lower side portion of the side surface of the third side portion 824 may be protruded in a lateral direction in order to improve the coupling with the package body 620 and the airtightness to prevent moisture infiltration.
  • the first side portion 814, the second side portion 816 and the third side portion 824 may be exposed to the same side of the package body 610.
  • FIG. 41 is a perspective view of a light emitting device package 200-2 according to another embodiment
  • FIG. 42 is a top view of the light emitting device package 200-2 shown in FIG. 41
  • FIG. 43 is shown in FIG. 41.
  • the front view of the light emitting device package 200-2 is shown
  • FIG. 44 is a sectional view in the cd direction of the light emitting device package 200-2 shown in FIG. 41
  • FIG. 45 is the first lead frame shown in FIG. 41. 620 'and the second lead frame 630'.
  • the same reference numerals as in FIGS. 28 to 32 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first lead frame 620 ′ of the light emitting device package 200-2 may include a first upper surface portion 932 and a first side portion 934. Unlike the first upper surface portion 712 illustrated in FIG. 32, the first upper surface portion 932 illustrated in FIG. 45 does not have a groove portion.
  • the second upper surface portion 942 of the second lead frame 630 ′ may be similar to a structure in which the second portion 742-2 of the second upper surface portion 742 of FIG. 32 is omitted.
  • the first side portion 934 may have the same structure as the first side portion 714 illustrated in FIG. 32.
  • the length P1 of the first upper surface portion 932 in the first direction may be smaller than the length of the first upper surface portion 712 shown in FIG. 32, and the length of the first upper surface portion 932 in the second direction ( J2 may be greater than the length J1 of the first upper surface portion 712 in the second direction.
  • the length P1 of the first upper surface portion 932 in the first direction may be 4.8 mm to 4.9 mm
  • the length J2 of the second direction may be 0.67 mm to 0.77 mm. Therefore, since the area of the first upper surface portion 932 shown in FIG. 41 is larger than that of the first upper surface portion 712 shown in FIG. 32, the embodiment of FIG. 41 may mount a larger sized light emitting chip. have.
  • the size of the first side portion 944, the through holes 722 and 724, and the connection portions may be the same as described with reference to FIG. 33.
  • the second lead frame 630 ′ may include a second upper surface portion 942 and a second side portion 944.
  • the second upper surface portion 942 may include a first portion 942-1 disposed around the third side portion of the first upper surface portion 932 and a second portion 942-2 disposed around the fourth side portion.
  • the third side portion of the first upper surface portion 932 is a side portion perpendicular to the first side portion of the first upper surface portion 932, and the fourth side portion of the first upper surface portion 932 is formed of the first upper surface portion 932. It may be a side facing the three sides.
  • the first portion 942-1 and the second portion 942-2 of the second upper surface portion 942 may be spaced apart from each other and electrically separated from each other.
  • the second side portion 944 has a first portion 944-1 connected to the first portion 942-1 of the second upper surface portion 942 and a second portion 942-2 of the second upper surface portion 942. ) May include a second portion 944-2.
  • the length P2 of the first portion 942-1 and the second portion 942-2 in the first direction of the second upper surface portion 942 is formed by the second upper surface portion 742 of FIG. 32.
  • the first portion 742-1 and the third portion 742-3 may be larger than the length H2 in the first direction.
  • the length P2 in the first direction 942-1 and the second portion 942-2 of the second upper surface part 942 in the first direction is 1.04 mm to 1.14 mm
  • the length in the second direction ( P3) may be 0.45 mm to 0.55 mm.
  • the length of the first direction of the protruding portion S22 of the first upper surface portion 932 protruding to support the first lead frame 620 ′ in the lead frame array may be 0.14 mm to 0.24 mm.
  • the first light emitting chip 642 may be electrically connected to the first portion 942-1 of the second upper surface portion 942 by the first wire 653, and the second light emitting chip 644 may be the second wire. 655 may be electrically connected to the first portion 942-2 of the second upper surface portion 942.
  • the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644 may both emit light of the same wavelength.
  • the first light emitting chip 642 and the second light emitting chip 644 may be red light emitting chips that generate red light.
  • the first light emitting chip 642 may generate light having different wavelengths.
  • the first light emitting chip 642 may be a red light emitting chip
  • the second light emitting chip 644 may be a yellow light emitting chip
  • the first light emitting chip may be mounted on the light emitting device package 200-2 according to the second embodiment.
  • the 642 and the second light emitting chip 644 may operate separately.
  • First power (eg, negative power) may be supplied to the first lead frame 620 ′
  • second power (eg, positive power) may be supplied to the second lead frame 630 ′.
  • the first lead frame 620' is common.
  • the light source modules 100-1 to 100-21 have various colors.
  • Can generate a light source For example, the embodiment may generate a red surface light source when only the first light emitting chip 642 is operated, and the embodiment may generate a yellow surface light source when the second light emitting chip 644 is operated.
  • the measurement temperature shown in FIG. 46 represents the temperature of the light emitting chip when the light emitting device package emits light.
  • Case 1 represents the measurement temperature of the light emitting chip when the length of the first part of the side part of the first lead frame and the second part in the first direction is the same as the length of the third part.
  • Case 3 represents a measurement temperature of the light emitting chip shown in FIG. 39.
  • the measurement temperature t1 of case 1 is 44.54 ° C
  • the measurement temperature t2 of case 2 is 43.66 ° C
  • the measurement temperature t3 of case 3 represents 43.58 ° C.
  • the embodiment can improve the heat dissipation effect, so that the light emitting device packages 200-1, 200 during light emission are provided. Since the temperature rise of the light emitting chip 640 mounted at -2) can be alleviated, it is possible to prevent the decrease of the brightness and the generation of the wavelength shift.
  • FIG. 47 illustrates an embodiment of the light emitting chip 640 illustrated in FIG. 28.
  • the light emitting chip 640 illustrated in FIG. 47 may be, for example, a vertical chip emitting red light having a wavelength range of 600 nm to 690 nm.
  • the light emitting chip 640 includes a second electrode layer 1801, a reflective layer 1825, a light emitting structure 1840, a passivation layer 1850, and a first electrode layer 1860.
  • the second electrode layer 1801 supplies power to the light emitting structure 1840 together with the first electrode layer 1860.
  • the second electrode layer 1801 may include an electrode material layer 1810 for current injection, a support layer 1815 located on the electrode material layer 1810, and a bonding layer 1820 located on the support layer 1815. have.
  • the second electrode layer 1801 may be bonded to the first lead frame 620 of the light emitting device package 200-1, for example, the first upper surface part 712.
  • the electrode material layer 1810 may be Ti / Au, and the support layer 1815 may be a metal or semiconductor material.
  • the support layer 1815 may be a material having high electrical conductivity and thermal conductivity.
  • the support layer 1815 may include at least one of copper (Cu), copper alloy (Cu alloy), gold (Au), nickel (Ni), molybdenum (Mo), and copper-tungsten (Cu-W). It may be a material or a semiconductor including at least one of Si, Ge, GaAs, ZnO, and SiC.
  • the bonding layer 1820 is disposed between the support layer 1815 and the reflective layer 1825, and the bonding layer 1820 serves to bond the support layer 1815 to the reflective layer 1825.
  • the bonding layer 1820 may include at least one of a bonding metal material, for example, In, Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, and Cu. Since the bonding layer 1820 is formed to bond the support layer 815 in a bonding manner, the bonding layer 1820 may be omitted when the support layer 1815 is formed by a plating or deposition method.
  • the reflective layer 1825 is disposed on the bonding layer 820.
  • the reflective layer 1825 may reflect light incident from the light emitting structure 1840 to improve light extraction efficiency.
  • the reflective layer 825 may be formed of a metal or an alloy including at least one of a reflective metal material, for example, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf.
  • the reflective layer 1825 may include a conductive oxide layer, such as indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin oxide (IGTO).
  • a conductive oxide layer such as indium zinc oxide (IZO), indium zinc tin oxide (IZTO), indium aluminum zinc oxide (IAZO), indium gallium zinc oxide (IGZO), and indium gallium tin oxide (IGTO).
  • AZO aluminum zinc oxide
  • ATO antimony tin oxide
  • the reflective layer 825 may be formed by multilayering a metal and a conductive oxide such as IZO / Ni, AZO / Ag, IZO / Ag / Ni, AZO / Ag / Ni, and the like.
  • An ohmic region 1830 may be located between the reflective layer 1825 and the light emitting structure 1840.
  • the ohmic region 1830 is an area in ohmic contact with the light emitting structure 1840 and serves to smoothly supply power to the light emitting structure 1840.
  • a material including ohmic contact with the light emitting structure 1840 for example, at least one of Be, Au, Ag, Ni, Cr, Ti, Pd, Ir, Sn, Ru, Pt, and Hf, may be formed of the light emitting structure 1840.
  • the ohmic region 1830 may be formed by ohmic contact with the ohmic region.
  • the material forming the ohmic region 1830 may include AuBe and may have a dot shape.
  • the light emitting structure 1840 may include a window layer 1842, a second semiconductor layer 1844, an active layer 1846, and a first semiconductor layer 1848.
  • the window layer 1842 is a semiconductor layer disposed on the reflective layer 1825, and its composition may be GaP. In other embodiments, the window layer 1882 may be omitted.
  • the second semiconductor layer 1844 is disposed on the window layer 1842.
  • the second semiconductor layer 1844 may be implemented with compound semiconductors such as Groups III-5, II-6, and the like, and may be doped with the second conductivity type dopant.
  • the first semiconductor layer 1844 may include any one of AlGaInP, GaInP, AlInP, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and p-type dopant ( For example, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba) may be doped.
  • the composition of the first semiconductor layer 1844 may be AlGaInP doped with a p-type dopant.
  • the active layer 1846 is disposed between the second semiconductor layer 1844 and the first semiconductor layer 848, and has electrons and holes provided from the second semiconductor layer 1844 and the first semiconductor layer 1848. Light may be generated by energy generated during the recombination of holes.
  • the active layer 1846 may be a compound semiconductor of Groups 3-5 and 2-6, and may include a single well structure, a multi well structure, a quantum-wire structure, a quantum dot structure, or the like. Can be formed.
  • the active layer 1846 may have a single or multiple quantum well structure having a well layer and a barrier layer.
  • the well layer may be a material having a band gap lower than the energy band gap of the barrier layer.
  • the active layer 1846 may be AlGaInP or GaInP.
  • the first semiconductor layer 1848 may be formed of a semiconductor compound.
  • the first semiconductor layer 1848 may be implemented with compound semiconductors such as Groups 3-5 and 2-6, and may be doped with the first conductivity type dopant.
  • the first semiconductor layer 1848 may include any one of AlGaInP, GaInP, AlInP, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, and n-type dopant ( (Eg, Si, Ge, Sn, etc.) may be doped.
  • the light emitting structure 1840 may generate red light having a wavelength range of 600 nm to 690 nm, and the first semiconductor layer 1848, the active layer 1846, and the second semiconductor layer 1844 may have a composition capable of generating red light. have.
  • a roughness 1870 may be formed on the top surface of the first semiconductor layer 848.
  • the passivation layer 1850 is disposed on the side of the light emitting structure 1840.
  • the passivation layer 1850 serves to electrically protect the light emitting structure 1840.
  • Passivation layer 1850 is an insulating material, such as SiO 2 , SiO x , SiO x N y , Si 3 N 4 , Or Al 2 O 3 To be formed into Can be.
  • the passivation layer 1850 may be disposed on at least a portion of the upper surface of the first semiconductor layer 1848.
  • the first electrode layer 1860 may be disposed on the first semiconductor layer 1848 and may have a predetermined pattern.
  • the first electrode layer 1860 may be a single or a plurality of layers.
  • the first electrode layer 1860 may include a first layer 1862, a second layer 1864, and a third layer 1866 that are sequentially stacked.
  • the first layer 1862 is in ohmic contact with the first semiconductor layer 1848 and may be formed of GaAs.
  • the second layer 1864 may be formed of AuGe / Ni / Au alloy.
  • the third layer 1866 may be formed of a Ti / Au alloy.
  • the first electrode layer 860 may be electrically bonded to the second lead frame 630, or 630 ′ by wires 652, 654, 653, or 655.
  • the red light emitting chip that generates red light has a degree of wavelength shift and the brightness decrease with increasing temperature, compared to the blue light emitting chip (Blue LED) generating blue light and the light emitting chip (Amber LED) generating yellow light. Is worse. Therefore, in the light emitting device package and the light source module using the red light emitting chip, a heat dissipation measure for suppressing the temperature increase of the light emitting chip is very important.
  • the light source modules 100-1 to 100-21 and the light emitting device packages 200-1 to 200-2 included in the light emitting lamp 1 according to the embodiment may improve heat dissipation efficiency as described above. Therefore, even when the red light emitting chip is used, the temperature increase of the light emitting chip can be suppressed to suppress the wavelength shift and the brightness decrease.
  • the light emitting lamp 2 includes a housing 1310, a light source module 1320, a diffusion plate 1330, and a micro lens array 1340.
  • the housing 1310 accommodates the light source module 1320, the diffusion plate 1330, and the micro lens array 1340, and may be made of a light-transmissive material.
  • the light source module 1320 may be any one of the above-described embodiments 100-1 to 100-21. Alternatively, the light source module 1320 does not include the diffusion plate 70 among the above-described embodiments (100-1 to 100-3, 100-7 to 100-8, 100-12 to 100-13, 100-). 20). Alternatively, the light source module 1320 may have a structure in which the diffusion plate 70 is omitted among the embodiments 100-4 to 100-6, 100-9 to 100-11, and 100-14 to 100-21.
  • the diffusion plate 1330 may serve to uniformly diffuse the light emitted through the light source module 1320 over the entire surface.
  • the diffusion plate 1330 may be made of the same material as the diffusion plate 70, but is not limited thereto. In other embodiments, the diffusion plate 1330 may be omitted.
  • the micro lens array 1340 may have a structure in which a plurality of micro lenses 1344 are disposed on the base film 1342. Each micro lens 1344 may be spaced apart from each other by a predetermined interval. Between each micro lens 1344 may be planar, and each micro lens 1344 may be spaced apart from each other with a pitch of 50-500 micrometers.
  • the diffusion plate 1330 and the micro lens array 1340 are formed as separate components, but in another embodiment, the diffusion plate 1330 and the micro lens array 1340 may be integrally formed.
  • FIG. 50 illustrates a tail light 900-2 for a vehicle according to an embodiment, and FIG. 51 illustrates a tail light for a general vehicle.
  • the vehicle taillight 900-2 may include a first light source module 952, a second light source module 954, a third light source module 956, and a housing 970.
  • the first light source module 952 may be a light source for the role of a turn signal
  • the second light source module 954 may be a light source for the role of a traffic light
  • the third light source module 956 may be used for a stop light.
  • the light source may be, but is not limited thereto, and the roles may be interchanged.
  • the housing 970 accommodates the first to third light source modules 952, 954 and 956, and may be made of a light transmitting material.
  • the housing 970 can have a bend depending on the design of the vehicle body.
  • At least one of the first to third light source modules 952, 954 and 956 may be implemented as one of the above-described embodiments 100-1 to 100-21.
  • the light intensity at the time of stopping should be 110 candela (cd) or more, so that visual recognition is possible from a long distance and usually requires 30% or more light intensity.
  • the number of light emitting device packages applied to the light source module eg, 952,954 or 956) should be increased by 25% to 35% or more, or the output of the individual light emitting device packages should be increased by 25% to 35%. .
  • the desired light intensity may be small (eg, 110 candela or more).
  • a value obtained by multiplying the output (W) of the light emitting device package by the number (N) becomes the total output of the light source module. Therefore, in order to obtain a desired light intensity, an appropriate output and number of light emitting device packages can be determined according to the area of the light source module. have.
  • light intensity of about 100 candelas may be generated by arranging 37 to 42 in a predetermined area.
  • light emitting device package having a power consumption of 0.5 watts and a luminous flux of 30 lumens (lm) light of similar intensity can be obtained by arranging only 13 to 15 in the same area.
  • the number of light emitting device packages to be disposed in a light source module having a predetermined area in order to obtain a constant output may be determined according to the pitch, the content of the light diffusion material in the light guide layer, and the pattern shape of the reflective layer.
  • the interval may be a distance from one intermediate point of two neighboring light emitting device packages to the other intermediate point.
  • the light emitting device package When the light emitting device package is disposed in the light source module, the light emitting device package is disposed at regular intervals. In the case of a high output light emitting device package, the number of arrangements can be relatively reduced, and the light emitting device package can be disposed at a wide interval so that space can be efficiently used. In addition, when the high power light emitting device packages are arranged at narrow intervals, the light intensity may be higher than that at high intervals.
  • FIG. 52A and 52B illustrate intervals of a light emitting device package of a light source module used in a tail light for a vehicle according to an embodiment.
  • FIG. 52A may be the first light source module 952 shown in FIG. 50
  • FIG. 52B may be the second light source module 954 shown in FIG. 50.
  • the light emitting device packages 99-1 to 99-n, or 98-1 to 98-m may be spaced apart from the substrate 10-1 or 10-2. have. It may be a natural number of n> 1, it may be a natural number of m> 1.
  • the distance between two adjacent light emitting device packages may be different from each other, but the interval is appropriately in the range of 8 to 30 mm.
  • the arrangement interval (for example, ph1, ph2, ph3 or pc1, pc2, pc3) This is because the light of neighboring light emitting device packages (for example, 99-3 to 99-4) may interfere with each other to generate a noticeable light in the case of 8 mm or less.
  • the arrangement interval for example, ph1, ph2, ph3 or pc1, pc2, pc3 is 30mm or more, it is possible to generate a dark part due to the area where the light does not reach.
  • the light source modules 100-1 to 100-21 have flexibility in themselves, the light source modules 100-1 to 100-21 can be easily mounted on the curved housing 970. Freedom can be improved.
  • the tail light 900-2 for a vehicle can prevent the wavelength shift and the brightness decrease.
  • the vehicle tail light 900-2 since the general vehicle tail light illustrated in FIG. 51 is a point light source, partial spots 962 and 964 may appear on the light emitting surface during light emission. However, the vehicle tail light 900-2 according to the embodiment emits light because it is a surface light source. Uniform luminance and illuminance can be achieved throughout.
  • FIG. 53 is a perspective view of a light emitting device package 300 according to another embodiment
  • FIG. 54 is a top view of the light emitting device package 300 shown in FIG. 53
  • FIG. 55 is a light emitting device shown in FIG. 53.
  • the front view of the package 300 is shown
  • FIG. 56 is a sectional perspective view in the I-II direction of the light emitting device package 300 shown in FIG. 53
  • FIG. 57 is the III of the light emitting device package 300 shown in FIG. 53.
  • a cross-sectional perspective view in the -IV direction is shown.
  • the light emitting device package 300 may include a package body 1610, a first lead frame 1622, a second lead frame 1624, a third lead frame 1626, and a fourth lead frame. 1628, a first light emitting chip 1632, a second light emitting chip 1634, and wires 1644, 1644.
  • the package body 1610 may be the same material or shape as described with reference to FIG. 28, but is not limited thereto.
  • the length X11 of the first direction (eg, X-axis direction) of the package body 1610 is 5.95 mm to 6.05 mm
  • the length Y11 of the second direction (eg, Y-axis direction) is 1.01 mm to It may be 1.11 mm
  • the length Y22 of the package body 1610 in the third direction (eg, Z-axis direction) may be 1.6 mm to 1.7 mm.
  • the first direction may be a direction parallel to the long side of the package body 1610.
  • the package body 1610 may have a cavity 1601 having an open top and having a sidewall 1602 and a bottom 1603.
  • the shape of the cavity may be the same as described with reference to FIG. 28, but is not limited thereto.
  • the length X13 of the first direction (eg, X-axis direction) of the cavity 1601 is 4.95 mm to 5.05 mm
  • the length X4 of the second direction (eg, Y-axis direction) is 0.64 mm to 0.74 mm
  • the depth of the cavity 1601 eg, the length in the Z-axis direction, Y3) may be 0.33 mm to 0.53 mm.
  • the first to fourth lead frames 1622, 1624, 1626, 1628 hereinafter referred to as “1622 to 1628” may be disposed in the package body to expose a portion thereof and may be spaced apart from each other to be electrically separated from each other.
  • first lead frame 1622 is positioned between the second lead frame 1624 and the fourth lead frame 1628
  • third lead frame 1626 is the first lead frame 1622 and the fourth lead frame ( 1628).
  • first lead frame 1622 and the second lead frame 1624 Between the first lead frame 1622 and the second lead frame 1624, between the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626, and the third lead frame 1626 and the fourth lead frame 1628.
  • a portion of the package body 1610 may be located between the first and fourth lead frames 1622 to 1628, which may be electrically separated from each other.
  • the first separation distance X21 between the first lead frame 1622 and the second lead frame 1624 and the second separation distance X22 between the third lead frame 1626 and the fourth lead frame 1628 are May be identical to each other.
  • the first separation distance X21 and the second separation distance X22 may be 0.15 mm to 0.2 mm.
  • the lower limit of the first separation distance X1 and the second separation distance X22 may be a minimum distance that the resin can be injected to form the package body.
  • the third separation distance X23 between the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626 may be greater than the first separation distance X21 and the second separation distance X22.
  • the third separation distance X23 may be 0.3 mm to 0.4 mm.
  • Top surfaces of each of the first to fourth lead frames 1622 to 1628 may be coplanar with the bottom 1603 of the cavity 1601.
  • FIG. 58 is a perspective view of the first to fourth lead frames 1622 to 1628 shown in FIG. 53
  • FIG. 59 is a view of each portion of the first to fourth lead frames 1622 to 1628 shown in FIG. 58. It is an enlarged drawing for demonstrating a dimension.
  • each of the first to fourth lead frames 1622 to 1628 includes upper surfaces 1622-1 to 1628-1 and upper portions 1622-1 to 1628-1. Side portions 1622-2 and 1628-2 that are bent from one side.
  • Upper surfaces 1622-1 and 1628-1 may be coplanar with the bottom 1603 of the cavity 1601 and may be exposed by the cavity 1601.
  • the side portions 1622-2 and 1628-2 may be bent at a predetermined angle downward from one side of the upper surface portion, and may be exposed from one side of the package body 1610.
  • an angle formed between the upper surface portions 1622-1 and 1628-1 and the side portions 1622-2 and 1628-2 may be greater than or equal to 90 ° and smaller than 180 °.
  • the first lead frame 1622 may include a first upper surface portion 1622-1 and a first side surface portion 1622-2 bent from one side of the first upper surface portion 1622-1.
  • the second lead frame 1624 may include a second upper surface portion 1624-1 and a second side surface portion 1624-2 bent from one side of the second upper surface portion 1624-1.
  • the third lead frame 1626 may include a third upper surface portion 1626-1 and a third side surface portion 1626-2 that is bent from one side of the third upper surface portion 1626-1.
  • the fourth lead frame 1628 may include a fourth upper surface 1628-1 and a fourth side portion 1628-2 bent from one side of the fourth upper surface 1628-1.
  • the first to fourth upper surface portions 1622-1 to 1628-1 may be coplanar with the bottom 1603 of the cavity 1601, and may be exposed by the cavity 1601.
  • the first light emitting chip 1632 may be disposed on the first upper surface 1622-1 of the first lead frame 1622, and the first light emitting chip 1632 may be disposed on the third upper surface 1626-1 of the third lead frame 1626. 2 light emitting chip 1634 may be disposed.
  • the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626 may be symmetrical with respect to the cutting line III-IV, and the second lead frame 1624 and the fourth lead frame 1628 are symmetric to each other. It may be a phosphorus shape. Because of this, since the lead frames 1622 and 1626, 1624 and 1628 are symmetrically arranged, the formation of the package body 1610 by resin injection can be made uniformly and satisfactorily, and the lead frames 1622 and 1626 The light emitting chips 1632 and 1634 can be mounted so as not to shift.
  • the length I1 of the first direction (X-axis direction) of each of the first upper surface part 1622-1 and the third upper surface part 1626-1 is 1.37 mm to 1.47 mm, and the second direction (Y axis direction)
  • the length I2 may be 0.6 mm to 0.7 mm.
  • the first side surface 1622-2 may include a first upper end 1712 connected to the first upper surface 1622-1, and a first lower end 1714 connected to and positioned below the first upper end 1712. It may include.
  • the third side portion 1626-2 may include a second upper end 1722 connected to the third upper surface 1626-1, and a second lower end 1724 connected to and located below the second upper end 1722. It may include.
  • the length L3 in the third direction (Z-axis direction) of each of the first upper end 1712 and the second upper end 1722 is 0.6 mm to 0.7 mm, and each of the first lower end 1714 and the second lower end 1724 is respectively.
  • the length L4 of the third direction may be 0.4 mm to 0.5 mm.
  • a step may exist between the side of the first upper end 1712 and the side of the first lower part 1714, and there may be a step between the side of the second upper part 1722 and the side of the second lower part 1724. This step is to improve the tightness for preventing the infiltration and moisture infiltration with the package body 1610.
  • one side end (eg, left end) of the first lower end 1714 may have a structure protruding in a lateral direction with respect to a side surface (eg, left side) of the first upper end 1712.
  • one side end (eg, right end) of the second lower end 1724 may have a structure protruding laterally based on the side (eg, right side) of the second upper end 1722.
  • the length L1 of each of the first upper end 1712 and the second upper end 1722 in the first direction is 1.08 mm to 1.18 mm, and the first lower end 1714 and the second lower end 1724 of the first direction respectively.
  • the length L2 may be 1.38 mm to 1.48 mm. That is, the thickness t11 of each of the first to fourth lead frames may be 0.1 mm to 0.2 mm.
  • the third upper surface portion 1624-1 of the second lead frame 1624 is positioned on one side (eg, the left side) of the first upper surface portion 1622-1, and the fourth upper surface portion of the fourth lead frame 1628 ( 1628-1 may be located at one side (eg, right side) of the third upper surface portion 1626-1.
  • the length H21 of the first direction (X-axis direction) of each of the second upper surface portion 1624-1 and the fourth upper surface portion 1628-1 is 0.7 mm to 0.8 mm, and the second direction (Y-axis direction).
  • the length H11 may be 0.65 mm to 0.75 mm.
  • the length A1 in the first direction of each of the second side portion 1624-2 and the fourth side portion 1628-2 may be 0.4 mm to 0.5 mm, and the length G1 in the third direction is 1.05 mm to 1.15. may be mm.
  • each of the first to fourth upper surface portions 1622-1 to 1628-1 is at least partially exposed from the cavity 1601, and the first to fourth side portions 1622-2 to 1628. -2) each can be at least partially exposed from the same side (eg, bottom) of the package body 1610.
  • the lengths of the neighboring side surfaces 1401 and 1402 of the first upper surface portion 1622-1 and the second upper surface portion 1624-1 may be equal to each other.
  • the lengths of the neighboring and facing sides 1403 and 1404 of the third upper surface portion 1626-1 and the fourth upper surface portion 1628-1 may be the same.
  • Side surfaces 1401 and 1404 facing each other of the first upper surface 1622-1 and the second upper surface 1624-1 may have bent steps g11 and g22.
  • the side surfaces 1403 and 1404 of the third upper surface 1626-1 and the fourth upper surface 1628-1 that face each other may have bent steps g21 and g22.
  • the angles of the steps g11, g12, g21, g22 may be vertical.
  • bent steps g11, g12, g21, and g22 may be located adjacent to a portion where the upper surface portions 1622-1628-1 and the side portions 1622-2-1628-2 meet.
  • the areas of the first side portion 1622-2 and the third side portion 1626-2 are divided into the second side portions 1624-2 and the fourth side portions 1628-2 by the bent steps g11, g12, g21, and g22. ), It can be designed relatively broadly. Therefore, the embodiment may increase the area of the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626 on which the light emitting chips 1632 and 1634 are mounted, thereby improving heat generation efficiency. This is because the areas of the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626 are related to the heat dissipation of the light emitting chips 1632 and 1634.
  • One side surfaces 1405 and 1406 of the second upper surface 1624-1 and the fourth upper surface 1628-1 may have bent steps g13 and g23.
  • the bent steps g13 and g23 are located on side surfaces 1405 and 1406 facing the side surfaces 1401 of the second top surface 1624-1 and the side surfaces 1404 of the fourth top surface 1628-1, respectively. can do.
  • the bent steps g13 and g23 include a portion where the second upper surface portion 1624-1 and the second side surface portion 1624-2 meet, and the fourth upper surface portion 1628-1 and the fourth side surface portion 1628-2. It may be located adjacent to the part where is met.
  • bent steps g13 and g23 are formed is to make it possible to easily observe the bonding material (eg, solder) when the light emitting device package 300-1 is bonded to the flexible substrate 10. to be.
  • bonding material eg, solder
  • each of the second upper surface 1624-1 and the fourth upper surface 1628-1 may have bent steps g31 and g32.
  • the step g31 may be present at the side surface 1407 facing the side where the second top surface 1624-1 and the second side surface part 1624-2 meet
  • the step g32 is the fourth top surface 1628.
  • the fourth side portion 1628-2 may be present at the side 1408 opposite to the side where the side meets.
  • the first to fourth side parts 1622-2 to 1628-2 may be mounted to contact the flexible substrate 10 of the light source modules 100-1 to 100-21 according to the embodiment, thereby emitting light.
  • the chips 1632 and 1634 may radiate light in a direction 3 toward the side surface of the light guide layer 40. That is, the light emitting device package 300 may have a side view type structure.
  • the first light emitting chip 1632 is mounted on the first top surface 1622-1 of the first lead frame 1622, and the second top surface of the second lead frame 1624 is formed by the first wire 1641. And may be electrically connected to 1624-1.
  • the second light emitting chip 1634 is mounted on the third upper surface portion 1626-1 of the third lead frame 1626, and the fourth upper surface portion of the fourth lead frame 1628 is formed by the second wire 1644. And may be electrically connected to 1628-1.
  • the light emitting device package 300 may further include a resin layer (not shown) filled in the cavity 1601 to surround the light emitting chips 1632 and 1634.
  • the resin layer may be made of a colorless transparent polymer resin material such as epoxy or silicone.
  • the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may generate light having different wavelengths.
  • the first light emitting chip 1632 may be a vertical chip emitting red light having a wavelength range of 600 nm to 690 nm.
  • the emission wavelength of the first light emitting chip 1632 may be 615 nm to 630 nm.
  • the first light emitting chip 1632 may have a vertical light emitting chip structure described with reference to FIG. 47.
  • the size of each of the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be 355 um ⁇ 355 um.
  • the second light emitting chip 1634 may be a vertical chip that emits amber light having a wavelength range of 550 nm to 600 nm.
  • the emission wavelength of the second light emitting chip 1634 may be 589 nm.
  • the second light emitting chip 1634 may have a structure of a vertical light emitting chip illustrated in FIG. 47.
  • compositions of the semiconductor layers constituting the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be different from each other.
  • the driving current, the brightness, and the like of the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be different from each other.
  • the first semiconductor layer 1848 and the second semiconductor layer 1844 of each of the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be any one of AlGaInP, AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, and AlInP. It may include one.
  • the Al content of each of the first semiconductor layer 1848 and the second semiconductor layer 1844 of the first light emitting chip 1632 is 0.65 to 0.75, and the first semiconductor layer 1848 and the first of the second light emitting chip 1634 are formed.
  • the Al content of each of the two semiconductor layers 1844 may be 0.85 to 0.95.
  • the Al content of the first semiconductor layer 1848 and the second semiconductor layer 1844 of the second light emitting chip 1634 is the first semiconductor layer 1848 and the second semiconductor layer 1844 of the first light emitting chip 1632.
  • the etching rate may be greater because the Al content is larger than the Al content.
  • the luminous intensity of the first light emitting chip 1632 may be higher than that of the second light emitting chip 1634, and the initial threshold voltage may be higher than that of the second light emitting chip 1634. Can be lower.
  • the driving current for driving the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be different from each other.
  • the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be driven separately. For example, a first power is supplied to the first side surface 1622-2 of the first lead frame 1622, a second power is supplied to the second side surface 1624-2 of the second lead frame 1624, Third power may be supplied to the third side surface portion 1626-2 of the third lead frame 1626, and fourth power may be supplied to the fourth side surface portion 1628-2 of the fourth lead frame 1628.
  • At least one of the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be operated by controlling the first to fourth power sources. For example, when the first power supply and the second power supply are supplied, and the supply of the third power supply and the fourth power supply is interrupted, the first light emitting chip 1632 may emit light. In addition, when the first power supply and the second power supply are cut off, and the third power supply and the fourth power supply are supplied, the second light emitting chip 1634 may emit light. In another embodiment, the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may operate simultaneously.
  • the driving current for driving the first light emitting chip 1632 by the first power supply and the second power supply may be 70 mA at maximum, and the luminous intensity may be 500 mcd. Where mcd is milli cantella.
  • the driving current for driving the second light emitting chip 1634 by the third power source and the fourth power source may be 70 mA at maximum, and the luminous intensity may be 450 mcd.
  • the light emitting device package 300 may implement two or more light emitting colors.
  • FIG. 60 illustrates a modified embodiment of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • at least one of the first to fourth lead frames 1622 to 1628 includes a boundary portion 802 of the upper surface portions 1622-1 to 1628-1 and the side portions 1622-2 to 1628-2. ) May have at least one through hole h11 to h14.
  • the shape of the through holes h11 and h12 may be circular, elliptical, polygonal or the like.
  • the through holes h11 and h12 facilitate the bending of the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626, as well as between the first lead frame 162 and the package body 1610, and the third lead. Cohesion between the frame 1626 and the package body 1610 may be improved.
  • FIG. 61 illustrates another modified embodiment of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • the same reference numerals as in FIG. 58 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • an area of the first upper surface portion 1622-1 ′ and the third upper surface portion 1626-1 ′ is defined by the first upper surface portion 1622-1 and the third surface portion shown in FIG. 58. It is smaller than the area of the upper surface portion 1626-1.
  • the second top surface 1624 shown in FIG. 58 is positioned to face only one side 1402 of the first top surface 1622, while the second top surface 1624-1 'is positioned on the first top surface. It can be positioned to wrap around two neighboring sides of 1622-1 '.
  • the second top surface 1624-1 ′ may include a first portion 1812 having a side 1401 facing one side 1402 of the first top surface 1622-1 ′, and a first top surface portion. And a second portion 1814 having a side 1501 facing the other side 1503 of 1622-1 '.
  • the second portion 1814 may extend from one side 1401 of the first portion 1812, and the second side portion 1624-2 may be connected with the first portion 1812.
  • the fourth top surface 1628-1 ′ may be positioned to wrap around two neighboring side surfaces of the third top surface 1626-1 ′.
  • the fourth upper surface 1628-1 ′ may include a third portion 1822 having a side 1404 facing one side 1403 of the third upper surface 1626-1 ′, and a third upper surface portion. And a fourth portion 1824 having a side 1502 facing the other side 1504 of 1626-1 ′.
  • the fourth portion 1824 may extend from one side 1404 of the third portion 1822, and the fourth side portion 1628-2 may be connected to the third portion 1822.
  • FIG. 62 illustrates another modified embodiment of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • the same reference numerals as in FIG. 58 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the first top surface 1622-1 of the first lead frame 1622 illustrated in FIG. 58 and the third top surface 1626-1 of the third lead frame 1626 are connected to each other.
  • the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 may be mounted to be spaced apart from each other on the common upper surface 1732 of the first common lead frame 1730.
  • FIG. 63 illustrates another modified embodiment of the first to fourth lead frames illustrated in FIG. 58.
  • the same reference numerals as in FIG. 58 denote the same configuration, and the descriptions overlapping with the above description will be omitted or briefly described.
  • the embodiment illustrated in FIG. 63 has a first side portion 1622-2 of the first lead frame 1622 illustrated in FIG. 58 and a third side portion 1626-2 of the third lead frame 1626 connected thereto. Constitute a common side portion 1742. That is, the first lead frame 1622 and the third lead frame 1626 may be connected to each other by the common side part 1742 to form the second common lead frame 1740.
  • the light emitting device package including the second common lead frame 1740 illustrated in FIG. 63 may be the first common illustrated in FIG. 62.
  • the heat dissipation efficiency may be higher than that of the light emitting device package including the lead frame 1730.
  • the first common upper surface 1732 of the first common lead frame 1730 shares the heat generated by the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634, the second common lead frame ( This is because the upper surfaces 1622-1 and 1626-1 of 1740 have a structure in which the heat source is separated.
  • first common lead frame 1740 has side portions 1622-2 and 1626-2 separated from each other, but the second common lead frame 1740 has an integrated common side portion 1742. Therefore, the second common lead frame 1740 may have a higher heat dissipation efficiency since the heat generating area is larger than that of the first common lead frame 1730.
  • FIG. 64 illustrates a modified embodiment of the light emitting device package illustrated in FIG. 53.
  • the embodiment shown in FIG. 64 further includes a first zener diode 1636 and a second zener diode 1638 in the light emitting device package 300 shown in FIG. 53.
  • the first zener diode 1636 may be disposed on the second upper surface 1624-1 of the second lead frame 1624 to improve the breakdown voltage of the light emitting device package 300.
  • the second zener diode 1638 may be disposed on the fourth upper surface 1628-1 of the fourth lead frame 1628.
  • the first zener diode 1636 may be electrically connected to the first upper surface 1622-1 of the first lead frame 1622 by a wire 1646.
  • the second zener diode 1638 may be electrically connected to the third upper surface portion 1626-1 of the third lead frame 1626 by a wire 1648.
  • FIG. 65 illustrates a rear light 900-3 for a vehicle including a light source module 1520 having the light emitting device package illustrated in FIG. 53 or 64, and FIG. 66 illustrates a light source module 1520 included in FIG. 65. .
  • the vehicle taillight 900-3 may include a housing 1510 and a light source module 1520.
  • the housing 1510 accommodates the light source module 1520 and may be made of a light transmissive material.
  • the housing 1510 may have a curvature depending on the design of the vehicle body.
  • the light source module 1520 may include a light source 1910, a support 1920, and a controller 1930.
  • the light source unit 1910 may have the same structure as any one of the above-described embodiments 100-1 to 100-21, and the light emitting device package 20 may include the light emitting device package illustrated in FIG. 53 or 64. 300, 300-1) or a light emitting device package including any one of the lead frame structures illustrated in FIGS. 58 to 63.
  • the support unit 1920 may support the light source unit 1910 and the control unit 1930, and emit heat generated from the light source unit 1910.
  • the support 1920 may include a first support 1922 and a second support 1924 bent from the first support 1922.
  • the light source 1910 may be fixed to an upper surface of the first support 1922, and the controller 1930 may be fixed to a rear surface of the second support 1924.
  • the controller 1930 may be electrically connected to the light source unit 1910 and may control light emission of the first light emitting chip 1632 and the second light emitting chip 1634 of the light emitting device packages 300 and 300-1.
  • the controller 1930 may generate control signals and supply the generated control signals to the light emitting device packages (eg, 300 and 300-1). For example, the controller 1930 may generate four control signals, and the first to fourth lead frames 1622 of the light emitting device package (eg, 300 and 300-1) may be generated from one of the four generated signals. To 1628).
  • the controller 1930 may generate four control signals, and the first to fourth lead frames 1622 of the light emitting device package (eg, 300 and 300-1) may be generated from one of the four generated signals. To 1628).
  • only the first light emitting chip 1632 may be turned on, or only the second light emitting chip 1634 may be turned on. It can be turned on and off to have a constant light emission period.
  • the controller 1930 may be provided outside the light source module 1520, and may include a first light emitting chip 1632 of a light emitting device package (eg, 300 and 300-1) mounted on the light source module 1520.
  • the second light emitting chip 1634 may be controlled to emit light by control signals provided from the outside.
  • the light source module 1520 including the light emitting device packages (eg, 300 and 300-1) illustrated in FIG. 53 or 64 may serve as both a turn signal and a stop light of the vehicle.
  • FIG. 67 is a view illustrating a light emission form when the first light emitting chip 1632 of the light emitting device package (eg, 300, 300-1) mounted on the vehicle tail light 900-3 shown in FIG. 65 is operated.
  • the light emission pattern during the operation of the second light emitting chip 1634 of the light emitting device package (eg, 300 and 300-1) mounted on the vehicle tail light 900-3 illustrated in FIG. 65 is shown.
  • the vehicle tail light 900-3 may be used.
  • the blinking Flashing amber surface light source.
  • the vehicle taillight 900-2 shown in FIG. 50 implements a stop light and a turn signal using two separate light source modules 952 and 956, whereas the vehicle taillight 900-3 shown in FIG. 65 has one light source.
  • the module 1520 may be used to implement the stop light and the turn signal of the surface light source. Accordingly, the embodiment 900-3 can reduce the number of light emitting chips relatively to implement a stop light and a turn signal of a surface light source, thereby improving economic efficiency, and the area of the vehicle tail light occupies a car body. Can also be reduced.
  • the light emitting device package according to the embodiment may be used in a lighting device and a vehicle lamp.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

실시 예는 캐비티를 갖는 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체 내에 배치되는 제1 내지 제4 리드 프레임들, 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하고, 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 리드 프레임들 각각은 상기 캐비티에 노출되는 상면부, 및 상기 상면부의 일 측부로부터 절곡되고, 상기 패키지 몸체의 일면으로 노출되는 측면부를 포함하며, 상기 제1 발광 칩은 상기 제1 리드 프레임의 상면부 상에 배치되고, 상기 제2 발광 칩은 상기 제3 리드 프레임의 상면부 상에 배치된다.

Description

발광 소자 패키지
실시 예는 빛을 발생하는 발광 소자 패키지, 광원 모듈, 및 발광 램프에 관한 것이다.
램프는 특정한 목적을 위하여 빛을 공급하거나 조절하는 장치를 말한다. 램프의 광원으로는 백열 전구, 형광등, 네온등과 같이 것이 사용될 수 있으며, 최근에는 LED(Light Emitting Diode)가 사용되고 있다.
LED는 화합물 반도체 특성을 이용하여 전기 신호를 적외선 또는 빛으로 변화시키는 소자로서, 형광등과 달리 수은 등의 유해 물질을 사용하지 않아 환경 오염 유발 원인이 적다. 또한 LED의 수명은 백열 전구, 형광등, 네온등의 수명보다 길다. 또한 백열 전구, 형광등, 네온등과 비교할 때, LED는 전력 소비가 적고, 높은 색온도로 인하여 시인성이 우수하고 눈부심이 적은 장점이 있다.
LED가 사용되는 램프는 그 용도에 따라 백라이트(backlight), 표시 장치, 조명등, 차량용 표시등, 또는 해드 램프(head lamp) 등에 사용될 수 있다.
램프는 기판 상에 실장되는 LED 패키지를 포함할 수 있다. LED 패키지는 패키지 몸체 및 이에 배치되는 발광 칩을 포함할 수 있다. 램프 발광 시에 발광 칩의 온도가 증가하게 되는데, 온도 증가에 따라 발광 칩의 특성(예컨대, 광도 및 파장 변화)이 변할 수 있기 때문에 발광 칩의 온도 증가를 억제하기 위한 방열 대책이 필요하다.
실시 예는 2개 이상의 발광 색을 구현할 수 있는 발광 소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 캐비티를 갖는 패키지 몸체, 상기 패키지 몸체 내에 배치되는 제1 내지 제4 리드 프레임들, 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하고, 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 포함하며, 상기 제1 내지 제4 리드 프레임들 각각은 상기 캐비티에 노출되는 상면부, 및 상기 상면부의 일 측부로부터 절곡되고, 상기 패키지 몸체의 일면으로 노출되는 측면부를 포함하며, 상기 제1 발광 칩은 상기 제1 리드 프레임의 상면부 상에 배치되고, 상기 제2 발광 칩은 상기 제3 리드 프레임의 상면부 상에 배치된다.
상기 제1 리드 프레임은 상기 제2 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에 위치하고, 상기 제3 리드 프레임은 상기 제1 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에 위치할 수 있다.
상기 제1 발광 칩은 600nm ~ 690nm의 파장 범위를 갖는 적색광을 발생하고, 상기 제2 발광 칩은 550nm ~ 600nm의 파장 범위를 갖는 호박색광을 발생할 수 있다.
상기 제1 내지 제4 리드 프레임들 중 적어도 하나는 상기 상면부와 상기 측면부의 경계 부분에 관통 홀을 가질 수 있다.
상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 사이, 및 상기 제3 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에는 상기 패키지 몸체의 일부가 위치할 수 있다.
상기 제1 리드 프레임의 상면부와 상기 제3 리드 프레임의 상면부는 서로 연결될 수 있다. 상기 제1 리드 프레임의 측면부와 상기 제3 리드 프레임의 측면부는 서로 연결될 수 있다.
상기 제2 리드 프레임의 상면부는 상기 제1 리드 프레임의 상면부의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감싸고, 상기 제4 리드 프레임의 상면부는 상기 제2 리드 프레임의 상면부의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감쌀 수 있다.
상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 각각의 측면부는 상단부 및 하단부를 포함하고, 상기 하단부는 상기 상단부로부터 측방향으로 돌출될 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제1 발광 칩과 상기 제2 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제1 와이어, 및 상기 제2 발광 칩과 상기 제4 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어를 더 포함할 수 있다.
상기 발광 소자 패키지는 상기 제2 리드 프레임의 상면부 상에 배치되는 제1 제너 다이오드; 상기 제4 리드 프레임의 상면부 상에 배치되는 제2 제너 다이오드; 상기 제1 제너 다이오드와 상기 제1 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제3 와이어; 및 상기 제2 제너 다이오드와 상기 제3 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 발광 칩 및 상기 제2 발광 칩 각각은 상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 전극층; 상기 제2 반도체층 아래에 배치되는 반사층; 및 상기 반사층 아래에 배치되는 제2 전극층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 AlGaInP, AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, AlInP 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 상기 제2 발광 칩의 Al 함유량은 상기 제1 발광 칩의 Al 함유량보다 클 수 있다. 상기 제1 발광 칩의 Al 함유량은 0.65 ~ 0.75일 수 있고, 상기 제2 발광 칩의 Al 함유량은 0.85 ~ 0.95일 수 있다.
실시 예는 2개 이상의 발광 색을 구현할 수 있고, 실장되는 발광 칩의 수를 감소시킬 수 있고, 차지하는 면적도 줄일 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 램프를 나타낸다.
도 2 내지 도 20은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제1 내지 제19 실시 예를 나타낸다.
도 21은 도 4에 도시된 반사 패턴의 일 실시 예를 나타낸다.
도 22는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제20 실시 예를 나타낸다
도 23은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제21 실시 예의 평면도를 나타낸다.
도 24는 도 23에 도시된 광원 모듈의 AA' 방향의 단면도를 나타낸다.
도 25는 도 23에 도시된 광원 모듈의 BB' 방향의 단면도를 나타낸다.
도 26는 도 23에 도시된 광원 모듈의 CC'방향의 단면도를 나타낸다.
도 27은 실시 예에 따른 차량용 해드 램프를 나타낸다.
도 28은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 29는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 30은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 정면도를 나타낸다.
도 31은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측면도를 나타낸다.
도 32는 도 28에 도시된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임의 사시도를 나타낸다.
도 33은 도 32에 도시된 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임의 각 부분의 치수를 설명하기 위한 도면이다.
도 34는 도 33에 도시된 연결 부분들의 확대도를 나타낸다.
도 35 내지 도 40은 다른 실시 예들에 따른 제1 리드 프레임 및 제2 리드 프레임을 나타낸다.
도 41은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 42는 도 41에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 43은 도 41에 도시된 발광 소자 패키지의 정면도를 나타낸다.
도 44는 도 41에 도시된 발광 소자 패키지의 cd 방향의 단면도를 나타낸다.
도 45는 도 41에 도시된 제1 리드 프레임과 제2 리드 프레임을 나타낸다.
도 46은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 측정 온도를 나타낸다.
도 47은 도 28에 도시된 발광 칩의 일 실시 예를 나타낸다.
도 48은 다른 실시 예에 따른 발광 램프를 나타낸다.
도 49는 점광원인 일반적인 차량용 해드 램프를 나타낸다.
도 50은 실시 예에 따른 차량용 후미등을 나타낸다.
도 51은 일반적인 차량용 후미등을 나타낸다.
도 52a 및 52b는 실시 예에 따른 차량용 후미등에 사용되는 광원 모듈의 발광 소자 패키지의 간격을 나타낸다.
도 53은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지의 사시도를 나타낸다.
도 54는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 상면도를 나타낸다.
도 55는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 정면도를 나타낸다.
도 56은 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 단면 사시도를 나타낸다.
도 57은 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 Ⅲ-Ⅳ 방향의 단면 사시도를 나타낸다.
도 58은 도 53에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 사시도를 나타낸다.
도 59는 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들 각 부분의 치수를 설명하기 위한 확대 도면이다.
도 60 내지 도 63은 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 변형 실시 예들을 나타낸다.
도 64는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 변형 실시 예를 나타낸다.
도 65는 도 53 또는 도 64에 도시된 발광 소자 패키지를 구비하는 광원 모듈을 포함하는 차량용 후미등을 나타낸다.
도 66은 도 65에 포함되는 광원 모듈을 나타낸다.
도 67은 도 65에 도시된 차량용 후미등에 실장되는 발광 소자 패키지의 제1 발광 칩 동작 시의 발광 형태를 나타낸다.
도 68은 도 65에 도시된 차량용 후미등에 실장되는 발광 소자 패키지의 제2 발광 칩 동작 시의 발광 형태를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 램프 및 발광 소자 패키지를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 램프(1)를 나타낸다.
도 1을 참조하면, 발광 램프(1)는 면광원인 광원 모듈(100), 및 광원 모듈(100)을 수납하는 하우징(150)을 포함한다.
광원 모듈(100)은 빛을 발생하는 적어도 하나의 발광 소자(20)를 포함하며, 점광원인 발광 소자(20)로부터 발생하는 빛을 확산 및 분산하여 면광원을 구현할 수 있고, 유연성을 가지고 있어 휘어질 수 있다.
하우징(150)은 광원 모듈(100)을 충격으로부터 보호하며, 광원 모듈(100)로부터 조사되는 광이 투과될 수 있는 재질(예컨대, 아크릴)로 이루어질 수 있다. 또한 하우징(150)은 디자인 측면에서 굴곡된 부분을 포함할 수 있으며, 광원 모듈(100)은 유연성을 가지기 때문에, 굴곡진 하우징(150)에 용이하게 수납될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제1 실시 예(100-1)를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 AB 방향의 단면도를 나타낸다. 도 2를 참조하면, 광원 모듈(100-1)는 연성 기판(Flexible Printed Circuit Board, 10), 발광 소자(20), 및 도광층(Light Guide Layer, 40)을 포함한다.
연성 기판(10)은 유연성이 있는 절연 기판을 사용한 인쇄회로기판일 수 있다. 예컨대, 연성 기판(10)은 베이스 부재(예컨대, 5)와 베이스 부재(예컨대, 5)의 적어도 일면에 배치되는 회로 패턴(예컨대, 6, 7)을 포함할 수 있으며, 베이스 부재(예컨대, 5)의 재질은 유연성과 절연성을 갖는 필름, 예컨대, 폴리이미드(polyimide) 또는 에폭시(예컨대, FR-4)일 수 있다.
연성 기판(10)은 절연성을 갖는 필름(5, 예컨대, 폴리이미드 또는 FR-4), 제1 동박 패턴(6), 제2 동박 패턴(7), 및 비아 콘택(via contact, 8)을 포함할 수 있다. 제1 동박 패턴(6)은 절연성 필름(5)의 일면(예컨대, 상면)에 형성되고, 제2 동박 패턴(7)은 절연성 필름(5)의 다른 일면(예컨대, 하면)에 형성되며, 비아 콘택(8) 절연성 필름(5)을 관통하여 제1 동박 패턴(6)과 제2 동박 패턴(7)을 연결할 수 있다.
발광 소자(20)는 연성 기판(10) 상에 하나 이상의 개수로 배치되어, 광을 출사한다. 예컨대, 발광 소자(20)는 출사되는 광이 도광층(40)의 측면을 향하는 방향(3)으로 진행하도록 배치되는 측면형(side view type)의 발광 소자 패키지일 수 있다. 이때 발광 소자 패키지에 장착되는 발광 칩은 수직형 발광 칩, 예컨대, 도 47에 도시된 적색 발광 칩일 수 있으나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
도광층(40)은 발광 소자(20)를 매립하도록 연성 기판(10) 및 발광 소자(20)의 상부에 배치되고, 발광 소자(20)로부터 도광층(40)의 측면 방향(3)으로 출사되는 광을 도광층(40)의 일면(예컨대, 상면)을 향하는 방향으로 확산 및 유도할 수 있다.
도광층(40)은 광을 확산할 수 있는 재질의 수지(resin)로 이루어질 수 있다. 예컨대, 도광층(40)은 올리고머(oligomer)를 포함하는 고내열성 자외선 경화 수지로 이루어질 수 있다. 이때 올리고머의 함량은 40 내지 50 중량부로 이루어질 수 있다. 또한 자외선 경화 수지는 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 에폭시 아크릴레이트(Epoxy Acrylate), 폴리에스테르 아크릴레이트(Polyester Acrylate), 폴리에테르 아크릴레이트(Polyether Acrylate), 폴리부타디엔 아크릴레이트(Polybutadiene Acrylate), 실리콘 아크릴레이트(Silicon Acrylate) 중 적어도 하나의 물질이 이용될 수 있다.
특히 올리고머로서 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)를 사용하는 경우, 두가지 타입의 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)를 혼합하여 사용함으로써 각기 다른 물성을 동시에 구현할 수 있다.
예컨대, 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)를 합성하는 과정에서 이소시아네이트(Isocyanate)가 사용되는데, 이소시아네이트(Isocyanate)에 의해 우레탄 아크릴레이트(UrethaneAcrylate)의 물성(황변성, 내후성, 내화학성 등)이 결정된다. 이때 어느 한 종류의 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)를 Urethane Acrylate type-Isocyanate로 구현하되, PDI(isophorone diisocyanate) 또는 IPDI (isophorone diisocyanate)의 NCO%가 37%가 되도록 구현하고(이하 '제1 올리고머'), 다른 한 종류의 우레탄 아크릴레이트(Urethane Acrylate)를 Urethane Acrylate type-Isocyanate로 구현하되, PDI(isophorone diisocyanate) 또는 IPDI (isophorone diisocyanate)의 NCO%가 30~50% 또는 25~35%가 되도록 구현하여(이하 '제2 올리고머') 실시 예에 따른 올리고머를 형성할 수 있다. 이에 따르면 NCO% 조절에 따라 각기 다른 물성을 갖는 제1 올리고머 및 제2 올리고머를 얻을 수 있게 되며, 이를 혼합하여 도광층(40)를 이루는 올리고머를 구현할 수 있다. 이때 올리고머 내의 제1 올리고머 중량비는 15 내지 20, 제2 올리고머의 중량비는 25 내지 35의 범위에서 구현될 수 있다.
한편, 도광층(40)은 추가적으로 모노머(monomer) 및 광개시제(photo initiator) 중 적어도 하나를 더 포함하여 이루어질 수도 있다. 이때 모노머의 함량은 65 내지 90 중량부로 이루어질 수 있으며, 보다 구체적으로 IBOA(isobornyl Acrylate) 35~45 중량부, 2-HEMA(2-Hydroxyethyl Methacrylate) 10~15 중량부, 2-HBA(2-Hydroxybutyl Acrylate) 15~20 중량부를 포함하는 혼합물로 이루어질 수 있다. 아울러, 광개시제(이를 테면, 1-hydroxycyclohexyl phenyl-ketone,Diphenyl), Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl phosphine oxide 등)의 경우 0.5 내지 1 중량부로 구성될 수 있다.
또한 도광층(40)은 고내열성을 갖는 열경화 수지로 이루어질 수 있다. 구체적으로 도광층(40)은 폴리에스테르 폴리올(Polyester Polyol) 수지, 아크릴 폴리올(Acryl Polyol) 수지, 탄화수소계 또는/및 에스테르계의 용제 중 적어도 하나를 포함하는 열경화 수지로 이루어질 수 있다. 이러한 열경화 수지에는 도막강도 향상을 위해 열경화제가 더 포함될 수 있다.
폴리에스테르 폴리올(Polyester Polyol) 수지의 경우에는, 폴리에스테르 폴리올 수지의 함량이 열경화 수지 전체 중량대비 9~30%로 이루어질 수 있다. 또한 아크릴 폴리올(Acryl Polyol) 수지의 경우에는, 아크릴 폴리올의 함량이 열경화 수지 전체 중량대비 20~40%로 이루어질 수 있다.
탄화수소계 또는/및 에스테르계 용제의 경우에는 탄화수소계 또는/및 에스테르계 용제의 함량이 열경화 수지 전체 중량 대비 30~70%로 이루어질 수 있다. 열경화제의 경우, 열경화 수지의 함량은 전체 중량대비 1~10%로 이루어질 수 있다.
상술한 바와 같은 물질로 도광층(40)을 형성하는 경우, 내열성이 강화되어 고온의 열이 방출되는 발광 램프에 사용되더라도 열로 인한 휘도 저하를 최소화할 수 있게 되어, 신뢰도 높은 발광 램프를 제공할 수 있다.
또한, 실시 예는 면광원 구현을 위하여 상술한 바와 같은 물질을 사용함에 따라 도광층(40)의 두께를 혁신적으로 감소시킬 수 있게 되어, 전체 제품의 박형화를 구현할 수 있다. 또한 실시 예는 연성의 재질을 가지게 되는바 굴곡면에도 용이하게 적용할 수 있어 디자인의 자유도를 향상시킬 수 있고, 기타 플렉서블 디스플레이에도 응용 및 적용이 가능할 수 있다.
도광층(40)은 내부에 중공(또는 공극)이 형성된 확산 물질(41)를 포함할 수 있으며, 확산 물질(41)는 도광층(40)을 이루는 수지와 혼합 또는 확산된 형태일 수 있으며, 광의 반사 및 확산 특성을 향상시키는 역할을 할 수 있다.
예컨대, 발광 소자(20)로부터 도광층(40)으로 내부로 출사된 광은 확산 물질(41)의 중공에 의해 반사 및 투과됨으로써 도광층(40) 내에서 광이 확산 및 집광되고, 확산 및 집광된 광은 도광층(40)의 일면(예컨대, 상부면)으로 출사될 수 있다. 이때, 확산 물질(41)에 의해 광의 반사율 및 확산율이 증가하게 되어 도광층(40)의 상면으로 공급되는 출사광의 광량 및 균일도가 향상되고, 결과적으로 광원 모듈(100-1)의 휘도를 향상시킬 수 있다.
확산 물질(41)의 함량은 원하는 광 확산 효과를 얻기 위하여 적절히 조절될 수 있다. 구체적으로는 전체 도광층(40) 중량 대비 0.01~0.3% 범위에서 조절될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 확산 물질(41)는 실리콘(sillicon), 실리카(silica), 글라스버블(glass bubble), PMMA, 우레탄(urethane), Zn, Zr, Al2O3, 아크릴(acryl) 중 선택되는 어느 하나로 구성될 수 있으며, 확산 물질(41)의 입경은 1㎛ ~ 20㎛일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 실시 예는 연성 기판(10) 및 도광층(40)의 유연성 때문에 광원 모듈의 박형화가 가능하고, 굴곡진 하우징 등에도 용이하게 광원 모듈을 장착할 수 있어 제품 디자인의 자유도를 향상시킬 수 있다.
도 3은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제2 실시 예(100-2)를 나타낸다. 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 3을 참조하면, 방열 효율을 향상시키기 위하여 제2 실시 예는 제1 실시 예(100-1)에 방열 부재(110)를 더 포함한 구조일 수 있다.
방열 부재(110)는 연성 기판(10) 하면에 배치되며, 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 외부로 방출하는 역할을 한다. 즉 방열 부재(110)는 열원인 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 외부로 방출하는 효율을 향상시킬 수 있다.
예컨대, 방열 부재(110)는 연성 기판(10) 하면의 일부분 상에 배치될 수 있다. 방열 부재(110)는 이격하는 복수의 방열층들(예컨대, 110-1, 110-2)을 포함할 수 있다. 방열층들(110-1,110-2)은 방열 효과를 향상시키기 위하여 적어도 일부가 수직 방향으로 발광 소자(20)와 오버랩될 수 있다. 여기서 수직 방향은 연성 기판(10)으로부터 도광층(40)으로 향하는 방향일 수 있다.
방열 부재(110)는 열전도율이 높은 물질, 예컨대, 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 또는 구리 합금일 수 있다. 또는 방열 부재(110)는 MCPCB(Metal Core Printed Circuit Board)일 수 있다. 방열 부재(110)는 아크릴계의 접착제(미도시)에 의해 연성 기판(10)의 하면에 부착될 수 있다.
일반적으로 발광 소자로부터 발생하는 열에 의하여 발광 소자의 온도가 상승할 경우 발광 소자의 광도가 감소하고, 발생하는 광의 파장 쉬프트(shift)가 발생할 수 있다. 특히 발광 소자가 적색 발광 다이오드일 경우 파장 쉬프트 및 광도 감소의 정도가 심하다.
그러나 광원 모듈(100-2)은 연성 기판(10) 하면에 방열 부재(110)를 구비하여 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 외부로 효율적으로 방출시킴으로써 발광 소자의 온도 상승을 억제할 수 있고, 이로 인하여 광원 모듈(100-2)의 광도가 감소하거나, 광원 모듈(100-2)의 파장 쉬프트가 발생하는 것을 억제할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제3 실시 예(100-3)를 나타낸다. 도 3과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 4를 참조하면, 광원 모듈(100-3)은 제2 실시 예에 반사 시트(30), 반사 패턴(31), 및 제1 광학 시트(52)가 추가된 구조일 수 있다.
반사 시트(30)는 연성 기판(10)과 도광층(40) 사이에 배치되며, 발광 소자(20)가 관통되는 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 반사 시트(30)는 발광 소자(20)가 위치하는 연성 기판(10)의 일 영역을 제외한 나머지 영역 상에 위치할 수 있다.
반사 시트(30)는 반사 효율의 높은 재질로 이루어질 수 있다. 반사 시트(30)는 발광 소자(20)에서 조사되는 광을 도광층(40)의 일면(예컨대, 상면)으로 반사시키고, 도광층(40)의 다른 일면(예컨대, 하면)으로 광이 누출되지 않도록 하여 광 손실을 줄일 수 있다. 이러한 반사 시트(30)는 필름 형태로 이루어질 수 있으며, 빛의 반사 및 분산을 촉진하는 특성을 구현하여 위하여 백색 안료를 분산 함유하는 합성 수지를 포함하여 형성될 수 있다.
예컨대 백색 안료로서는 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 탄산연, 황산바륨, 탄산칼슘 등이 이용될 수 있으며, 합성 수지로서는 폴리에틸엔 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 아크릴수지, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리올레핀, 셀룰로오스 아세테이트, 내후성 염화비닐 등이 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
반사 패턴(31)은 반사 시트(30)의 표면에 배치되며, 입사되는 광을 산란 및 분산시키는 역할을 할 수 있다. TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon, PS(Polystyrene) 중 어느 하나를 포함하는 반사 잉크를 반사 시트(30) 표면에 인쇄함으로써 반사 패턴(31)을 형성할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한 반사 패턴(31)의 구조는 복수의 돌출된 패턴일 수 있으며, 규칙적 또는 불규칙적일 수 있다. 반사 패턴(31)은 빛의 산란 효과를 증대시키기 위하여 프리즘 형상, 렌티큘러(lenticular) 형상, 렌즈 형상 또는 이들의 조합 형상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 도 4에서 반사 패턴(31)의 단면 형상은 삼각형, 사각형 등의 다각형, 반원형, 사인파형 등 다양한 형상을 갖는 구조로 이루어질 수 있으며, 반사 패턴(31)을 위에서 바라본 형상의 다각형(예컨대, 육각형), 원형, 타원형, 또는 반원형 등일 수 있다.
도 21은 도 4에 도시된 반사 패턴의 일 실시 예를 나타낸다. 도 21을 참조하면, 반사 패턴(31)은 발광 소자(20)와의 이격 거리에 따라 그 직경이 서로 다를 수 있다.
예를 들면, 반사 패턴(31)은 발광 소자(20)에 더 인접할수록 직경이 더 클 수 있다. 구체적으로 제1 반사 패턴(71), 제2 반사 패턴(72), 제3 반사 패턴(73), 및 제4 반사 패턴(74) 순으로 직경이 클 수 있다. 그러나 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 광학 시트(52)는 도광층(40) 상에 배치되며, 도광층(40)의 일면(예컨대, 상면)으로부터 출사되는 광을 투광시킨다. 제1 광학 시트(52)는 광투과율이 우수한 재질을 이용하여 형성할 수 있으며, 일례로 PET(Polyethylene Telephthalate)를 이용할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제4 실시 예(100-4)를 나타낸다.
도 5를 참조하면, 광원 모듈(100-4)은 제3 실시 예(100-3)에 제2 광학 시트(52), 접착 부재(56), 차광 패턴(60), 및 제2 광학 시트(54)가 추가된 구조일 수 있다.
제2 광학 시트(54)는 제1 광학 시트(52) 상에 배치된다. 제2 광학 시트(54)는 광투과율이 우수한 재질을 이용하여 형성할 수 있으며, 일례로 PET를 이용할 수 있다.
그리고 접착 부재(56)는 제1 광학 시트(52)와 제2 광학 시트(54) 사이에 배치되어 제1 광학 시트(52)와 제2 광학 시트(54)를 부착시킨다.
광학 패턴(60)은 제1 광학 시트(52)의 상면 또는 제2 광학 시트(54)의 하면 중 적어도 하나에 배치될 수 있다. 광학 패턴(60)은 접착 부재(56)에 의하여 제1 광학 시트(52)의 상면 또는 제2 광학 시트(54)의 하면 중 적어도 하나에 부착될 수 있다. 다른 실시 예는 제2 광학시트(56) 상에 추가적으로 하나 이상의 광학 시트(미도시)를 더 포함할 수 있다. 이때 제1 광학 시트(52), 제2 광학 시트(54), 접착 부재(56) 및 광학 패턴(60)을 포함하는 구조는 광학패턴층(50-1)으로 정의할 수 있다.
광학 패턴(60)은 발광 소자(20)에서 출사하는 광의 집중을 막기 위한 차광 패턴일 수 있다. 광학 패턴(60)은 발광 소자(20)에 정렬(align)되며, 접착 부재(56)에 의하여 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54)에 접착할 수 있다.
제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54)는 광투과율이 우수한 재질을 이용하여 형성할 수 있으며, 일례로 PET를 이용할 수 있다.
광학 패턴(60)은 기본적으로 발광 소자(20)에서 출사되는 광이 집중되지 않도록 하는 기능을 한다. 즉 상술한 반사 패턴(31)과 더불어 광학 패턴(60)은 균일한 면발광을 구현할 수 있다.
광학 패턴(60)은 발광 소자(20)에서 출사되는 광의 일부를 차광하는 차단 패턴일 수 있으며, 빛이 강도가 과하게 강하여 광학 특성이 나빠지거나 황색광이 도출(yellowish)되는 현상을 방지할 수 있다. 예컨대, 광학 패턴(60)은 발광 소자(20)에 인접하는 영역에 광이 집중되는 것을 방지하고, 광을 분산시키는 역할을 할 수 있다.
광학 패턴(60)은 차광 잉크를 이용하여 제1 광학 시트(52) 상면 또는 제2 광학 시트(54) 하면에 인쇄 공정을 수행함으로써 형성될 수 있다. 광학 패턴(60)은 광을 완전차단하는 기능이 아니라, 광의 일부 차광 및 확산의 기능을 수행할 수 있도록 광학 패턴의 밀도, 및/또는 크기를 조절하여 광의 차광도나 확산도를 조절할 수 있다. 일례로 광효율을 향상시키기 위하여 광학 패턴(60)은 발광 소자(20)에서 멀어질수록 광학 패턴의 밀도가 낮아지도록 조절될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로 광학 패턴(60)은 복합적인 패턴의 중첩인쇄구조로 구현할 수 있다. 중첩인쇄의 구조란 하나의 패턴을 형성하고, 그 상부에 또 하나의 패턴 형상을 인쇄하여 구현하는 구조를 말한다.
일례로는 광학 패턴(60)은 확산 패턴과 차광 패턴을 포함하고, 확산 패턴과 차광 패턴이 중첩되는 구조일 수 있다. 예컨대, TiO2, CaCO3, BaSO4, Al2O3, Silicon 중 선택되는 어느 하나 이상의 물질을 포함하는 차광 잉크를 이용하여 광의 출사 방향으로 고분자필름(예컨대 제2 광학 시트(54))의 하면에 확산 패턴이 형성될 수 있다. 그리고 Al 또는 Al과 TiO2의 혼합 물질을 포함하는 차광 잉크를 이용하여 고분자필름 표면에 차광 패턴이 형성될 수 있다.
즉 고분자필름의 표면에 확산 패턴을 화이트 인쇄하여 형성한 후, 그 위에 차광 패턴를 형성하거나, 이와 반대의 순서로 2중 구조로 형성하는 것도 가능하다. 물론 이러한 패턴의 형성 디자인은 광의 효율과 강도, 차광율을 고려하여 다양하게 변형할 수 있음은 자명하다 할 것이다.
또는, 다른 실시 예에서는 광학 패턴(60)은 제1 확산 패턴, 제2 확산 패턴, 및 그 사이에 배치되는 차광 패턴을 포함하는 3중 구조일 수 있다. 이러한 3중 구조에서는 상술한 물질을 선택하여 구현하는 것이 가능하다. 일례로서는 제1 확산 패턴은 굴절율이 뛰어난 TiO2를 포함할 수 있고, 제2 확산 패턴은 광안정성과 색감이 뛰어난 CaCO3 및 TiO2를 함께 포함할 수 있으며, 차광 패턴은 은폐가 뛰어난 Al을 포함할 수 있다. 이러한 3중 구조의 광학 패턴을 통하여 실시 예는 빛의 효율성과 균일성을 확보할 수 있다. 특히 CaCO3는 황색광의 노출을 차감하는 기능을 통해 최종적으로 백색광을 구현하도록 하는 기능을 하여 더욱 안정적인 효율의 광을 구현할 수 있으며, CaCO3이외에도 확산 패턴에 사용되는 확산 물질로는 BaSO4, Al2O3, Silicon 등과 같이 입자 사이즈가 크고, 유사한 구조를 가진 무기 재료들이 활용될 수 있다.
접착 부재(56)는 광학 패턴(60)의 주변부를 포위하고, 광학 패턴(60)을 제1 광학 시트(52) 또는/및 제2 광학 시트(54)에 고정할 수 있다. 이때 접착 부재(56)는 열경화 PSA, 열경화접착제, 또는 UV 경화 PSA 타입의 물질을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
확산판(70)은 도광층(40) 상에 배치된다. 확산판(70)은 광학 패턴층(50-1) 상에 배치될 수 있으며, 도광층(40)을 통과하여 출사되는 광을 전면에 걸쳐 균일하게 확산시키는 역할을 한다. 확산판(70)은 일반적으로 아크릴 수지로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 이외에도 폴리스티렌(PS), 폴리메틸 메타크릴레이트(PMMA), 환상 올레핀 코폴리머(COC), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 레진(resin)과 같은 고투과성 플라스틱 등 광 확산 기능을 수행할 수 있는 재질로 이루어질 수 있다.
확산판(70)과 도광층(40) 사이에는 제1 에어갭(air gap, 80)이 존재할 수 있다. 제1 에어갭(80)의 존재로 인하여 확산판(70)에 공급되는 광의 균일도를 증가시킬 수 있으며, 결과적으로 확산판(70)을 통과하여 확산 및 출사되는 광의 균일도(uniformity)를 향상시킬 수 있다. 이때, 도광층(40)을 투과한 광의 편차를 최소화하기 위해, 제1 에어갭(80)의 두께는 0 초과 20mm 이내의 범위일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며 필요에 따라 설계 변경 가능하다. 도면에는 미도시하였으나, 다른 실시 예는 광학 패턴층(50-1) 상에 배치되는 하나 이상의 광학 시트를 더 포함할 수 있다.
도 6은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제5 실시 예(100-5)를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 광원 모듈(100-5)은 제4 실시 예(100-4)에 제2 에어 갭(81)이 추가된 구조일 수 있다. 즉 제5 실시 예(100-5)는 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54) 사이에는 제2 에어 갭(81)을 포함할 수 있다.
예컨대, 접착 부재(56)에는 제2 에어 갭(81)이 형성될 수 있다. 접착 부재(56)는 광학 패턴(60) 주위에 이격된 공간(제2 에어 갭(81))을 형성하고, 그 외 부분에는 접착 물질을 도포하여 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54)를 상호 접착시키는 구조로 구현될 수 있다.
접착 부재(56)는 광학 패턴(60)의 주변부에 제2 에어갭(81)이 위치하는 구조일 수 있다. 또는 접착 부재(56)는 광학 패턴(60)의 주변부를 포위하고, 주변부 이외 부분에 제2 에어 갭(81)이 위치하는 구조일 수 있다. 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54)의 접착 구조는 인쇄된 광학 패턴(60)을 고정하는 기능을 아울러 구현할 수 있다. 제1 광학 시트(52), 제2 광학 시트(54), 제2 에어갭(81), 접착 부재(56), 및 광학 패턴(60)을 포함하는 구조는 광학패턴층(50-2)으로 정의할 수 있다.
제2 에어갭(81)과 접착 부재(56)는 서로 다른 굴절률을 갖기 때문에, 제2 에어층(81)은 제1 광학 시트(52)로부터 제2 광학 시트(56) 방향으로 진행하는 광의 확산 및 분산을 향상시킬 수 있다. 그리고 이로 인하여 실시 예는 균일한 면광원을 구현할 수 있다.
도 7은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제6 실시 예(100-6)를 나타낸다.
도 7을 참조하면, 광원 모듈(100-6)은 제5 실시 예(100-5)에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다. 광 반사 부재(160)는 도광층(40)의 측면(40-1)의 일부 또는 전부에는 배치될 수 있으며, 발광 소자(20)에서 출사되는 광이 도광층(40)의 측면(40-1)을 통해 외부로 방출되는 것을 방지하는 가이드 역할을 한다.
광 반사 부재(160)는 광 반사율이 높은 물질, 예컨대 백색 레지스트(white resist)로 이루어질 수 있으며, 추가적으로 백색 안료를 분산 함유하는 합성 수지나 광 반사 특성이 우수한 금속 입자가 분산되어 있는 합성 수지로 이루어질 수 있다. 이때 백색 안료로서는 산화티탄, 산화알루미늄, 산화아연, 탄산연, 황산바륨, 탄산칼슘 등이 이용될 수 있다. 광 반사 부재(160)는 금속 분말을 포함하는 경우 반사율이 우수한 Ag분말을 포함할 수 있다. 또한 광 반사 부재(160)는 추가적으로 별도의 형광증백제가 더 포함할 수 있다.
광 반사 부재(160)는 도광층(40)의 측면에 직접 몰딩되어 결합될 수 있고, 별도의 접착 물질(또는 접착테이프)를 매개로 부착될 수도 있다.
제6 실시 예는 도광층(40) 측면(40-1)으로의 누광을 방지할 수 있어 광 손실을 감소시키고 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 동일전력대비 광원 모듈(100-5)의 휘도와 조도를 향상시킬 수 있다. 도시하지 않았지만 다른 실시 예는 제1 실시 예 내지 제4 실시 예(100-1 내지 100-4) 중 어느 하나의 도광층(40)의 측면(40)에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다.
도 8은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제7 실시 예(100-7)를 나타낸다. 도 7을 참조하면, 광원 모듈(100-6)은 제1 실시 예의 연성 기판(10)에 방열을 향상시키기 위한 비아 홀(212,214)이 마련된 구조를 가질 수 있다.
비아 홀(212,214)은 연성 기판(110)을 관통하고, 발광 소자(20)의 일부 또는 도광층(40) 일부를 노출시킬 수 있다. 예컨대, 비아 홀(212,214)은 발광 소자(20)의 일부를 노출하는 제1 비아 홀(212) 및 도광층(40) 하면의 일부를 노출하는 제2 비아 홀(214)을 포함할 수 있다.
열원인 발광 소자(20)로부터 발생하는 열은 제1 비아 홀(212)을 통하여 외부로 직접 방출될 수 있고, 발광 소자(20)로부터 도광층(40)으로 전도된 열은 제2 비아 홀(214)을 통하여 외부로 직접 방출될 수 있다. 제6 실시 예는 비아 홀(212,214)을 통하여 발광 소자(20)로부터 발생하는 열을 외부로 방출하기 때문에 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 제1 비아 홀(212) 및 제2 비아 홀(214)의 형상은 다각형, 원형, 타원형 등 다양한 형태일 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제8 실시 예(100-8)를 나타낸다. 도 9를 참조하면, 광원 모듈(100-8)은 제7 실시 예에 반사 시트(30), 반사 패턴(31), 및 제1 광학 시트(52)가 추가된 구조일 수 있다. 제8 실시 예(100-8)는 제1 및 제2 비아 홀(212,214)에 의하여 방열 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고 추가된 구성들(30,31,52)은 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 10은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제9 실시 예(100-9)를 나타낸다. 도 10을 참조하면, 광원 모듈(100-9)은 제8 실시 예에 제2 광학 시트(52), 접착 부재(56), 차광 패턴(60), 및 제2 광학 시트(54)가 추가된 구조를 가질 수 있다. 추가된 구성들(52,54, 56,60)은 도 5에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 11은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제10 실시 예(100-10)를 나타낸다. 도 11을 참조하면, 광원 모듈(100-10)은 제8 실시 예에 제2 광학 시트(52), 접착 부재(56), 차광 패턴(60), 제2 광학 시트(54), 및 제2 에어 갭(81)이 추가된 구조를 가질 수 있다. 제10 실시 예(100-10)의 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54) 사이에는 제2 에어 갭(81)이 존재할 수 있으며, 제2 에어 갭(81)은 도 6에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 12는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제11 실시 예(100-11)를 나타낸다. 도 12를 참조하면, 광원 모듈(100-11)은 제10 실시 예(100-10)에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다. 광 반사 부재(160)는 도광층(40)의 측면(40-1)의 일부 또는 전부에는 배치될 수 있다. 도시하지 않았지만 다른 실시 예는 제7 실시 예 내지 제9 실시 예(100-7 내지 100-7) 중 어느 하나의 도광층(40)의 측면에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다.
도 13은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제12 실시 예(100-12)를 나타낸다. 도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 13을 참조하면, 제1 실시 예(100-1)의 방열 부재(110)와 달리, 광원 모듈(100-12)의 방열 부재(310)는 연성 기판(10)의 하면에 배치되는 하부 방열층(310-1), 및 하부 방열층(310-1)의 일부가 연성 기판(10)을 관통하여 발광 소자(20)와 접촉하는 관통부(310-1)를 가질 수 있다.
예컨대, 관통부(310-1)는 후술하는 발광 소자 패키지(200-1, 200-2)의 제1 리드 프레임(620,620')의 제1 측면부(714)에 접촉할 수 있다.
제12 실시 예는 관통부(310-1)에 의하여 발광 소자(20)로부터 발생하는 열이 방열 부재(310)에 직접 전달되어 외부로 방출되기 때문에 방열 효율을 향상시킬 수 있다.
도 14는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제13 실시 예(100-13)를 나타낸다. 도 14를 참조하면, 광원 모듈(100-13)은 제12 실시 예에 반사 시트(30), 반사 패턴(31), 및 제1 광학 시트(52)가 추가된 구조일 수 있으며, 추가된 구성들(30,31,52)은 도 4에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 15는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제14 실시 예(100-14)를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 광원 모듈(100-14)은 제13 실시 예(100-12)에 제2 광학 시트(52), 접착 부재(56), 차광 패턴(60), 및 제2 광학 시트(54)가 추가된 구조일 수 있다. 추가된 구성들(52,54, 56,60)은 도 5에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 16은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제15 실시 예(100-15)를 나타낸다. 도 15를 참조하면, 광원 모듈(100-15)은 제14 실시 예(100-14)에 제2 에어 갭(81)이 추가된 구조일 수 있다. 즉 제15 실시 예(100-15)의 제1 광학 시트(52) 및 제2 광학 시트(54) 사이에는 제2 에어 갭(81)이 존재할 수 있으며, 제2 에어 갭(81)은 도 6에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 17은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제16 실시 예(100-16)를 나타낸다. 도 17를 참조하면, 광원 모듈(100-16)은 제15 실시 예(100-15)에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다. 광 반사 부재(160)는 도광층(40)의 측면(40-1)의 일부 또는 전부에는 배치될 수 있다. 도시하지 않았지만 다른 실시 예는 제12 실시 예 내지 제14 실시 예(100-12 내지 100-14) 중 어느 하나의 도광층(40)의 측면에 광 반사 부재(160)가 추가된 구조일 수 있다.
도 18은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제17 실시 예를 나타내고, 도 19는 도 1에 도시된 광원 모듈의 18 실시 예를 나타내고, 도 20은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제19 실시 예를 나타낸다.
도 18 내지 도 20에 도시된 반사 시트(30-1), 제2 광학 시트(54-1), 및 확산판(70-1)은 도 6, 도 11, 및 도 16에 도시된 반사 시트(30), 제2 광학 시트(54), 및 확산판(70)의 변형 예일 수 있다.
반사 시트(30-1), 제2 광학 시트(54-1), 및 확산판(70-1) 중 적어도 하나의 일면 또는 양면에는 요철(R1, R2, R3)이 형성될 수 있다. 요철(R1,R2,R3)은 입사되는 광을 반사 및 확산시킴으로써 외부로 방출되는 광이 기하학적인 패턴을 이루도록 하는 역할을 한다.
예컨대, 반사 시트(30-1)의 일면(예컨대, 상면)에는 제1 요철(R1)이 형성될 수 있고, 제2 광학 시트(54-1)의 일면(예컨대, 상면에는 제2 요철(R2)이 형성될 수 있고, 확산판(70-1)의 일면(예컨대, 하면)에는 제3 요철(R3)이 형성될 수 있다. 이러한 요철(R1, R2, R3)은 규칙 또는 불규칙한 복수의 패턴을 구비하는 구조로 이루어질 수 있으며, 광의 반사 및 확산 효과를 증대시키기 위하여 프리즘 형상, 렌티큘러 형상, 오목렌즈형상, 볼록렌즈형상 또는 이들의 조합 형상으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 요철(R1, R2, R3)의 단면 형상은 삼각형, 사각형, 반원형, 사인파형 등 다양한 형상을 갖는 구조로 이루어질 수 있다. 그리고 발광 소자(20)와의 거리에 따라 각 패턴의 크기 또는 밀집도를 변화할 수 있다.
요철(R1,R2,R3)은 반사 시트(54-1), 제2 광학 시트(54-1), 및 확산판(70-1)을 직접 가공하여 형성할 수 있으나, 그 제한은 없으며 일정 패턴이 형성된 필름을 부착하는 방식 등 현재 개발되어 상용화되었거나 향후 기술발전에 따라 구현 가능한 모든 방식으로 형성 가능하다.
실시 예는 제1 내지 제3 요철(R1, R2,R3)의 패턴의 조합을 통하여 기하학적인 광 패턴을 용이하게 구현할 수 있다. 다른 실시 예에서는 제2 광학 시트(52)의 일면 또는 양면에 요철이 형성될 수 있다.
그러나 요철(R1, R2, 또는 R3)이 형성되는 실시 예는 도 18 내지 도 20에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예들에 포함되는 반사 시트(54), 제1 광학 시트(52), 제2 광학 시트(54), 및 확산판(70) 중 적어도 하나의 일면 또는 양면에는 광의 반사 및 확산 효과를 증대시키기 위한 요철이 형성될 수 있다.
도 22는 도 1에 도시된 광원 모듈의 제20 실시 예를 나타낸다. 도 22를 참조하면, 광원 모듈(100-20)은 면발광부(1000) 및 간접발광부(1001)를 포함한다.
면발광부(1000)는 면광원으로 변환하여 외부로 방출하는 부분이다. 또한, 간접발광부(1001)는 면발광부(1000)에서 조사되는 광을 반사하여 반사광을 발생함으로써 빛샘효과(또는 플레어효과)를 구현하는 부분이다. 도 22에는 간접발광부(1001)가 면발광부(1000)의 모든 측면에 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이는 하나의 예시일 뿐이며, 면발광부(1000)의 적어도 일부 측면에 형성될 수 있다.
면발광부(1000)는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-5, 100-7 내지 100-10, 100-12 내지 100-15, 100-17 내지 100-19) 중 어느 하나일 수 있다.
간접 발광부(1001)는 면발광부(1000)의 측면에 배치되는 반사 부재(1100)를 포함할 수 있다. 반사 부재(1100)는 면발광부(1000), 예컨대, 면발광부(1000)의 도광층(40)으로부터 일정 거리(M) 이격하여 배치될 수 있다.
면발광부(1000)와 반사 부재(1100) 사이의 공간 사이에는 제3 에어갭(83)이 존재할 수 있다. 반사 부재(1100)는 면발광부(1000)의 도광층(40)의 측면으로부터 출사되는 광을 반사하여 반사광(또는 간접광)을 형성한다. 이에 따라 도광층(40)의 측면을 통하여 손실되는 광이 반사 부재(1100)에 의해 재반사되어 광이 은은하게 번지는 플레어(flare) 현상이 발생하며, 이를 이용하여 실내외 인테리어 및 차량 조명에 적용 가능한 다양한 조명 효과를 구현할 수 있다.
한편, 상술한 플레어 현상을 극대화하기 위하여 반사 부재(1100)와 면발광부(1000) 사이에는 제3 에어갭(83)이 형성될 수 있다. 이에 따라 도광층(40) 측면으로 방출되는 광이 간접발광 에어갭(83)에서 산란되고, 산란된 광이 반사 부재(1100)에 의해 재반사되어 플레어 현상을 극대화할 수 있다. 반사 부재(1100)의 재질은 도 7에서 설명한 반사 부재(160)와 동일할 수 있다.
한편, 반사 부재(1100)의 높이는 도광층(40), 제1 광학 시트(52), 제2 광학 시트(54), 및 확산판(70) 중 어느 하나의 높이와 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 22에는 반사 부재(1100)가 면발광부(1000)의 수평면, 예컨대, 도광층(40)의 상면과 수직을 이루는 것으로 도시되어 있으나, 이 역시 하나의 예시일 뿐이며, 필요에 따라 면발광부의 수평면과 일정 각도를 이루도록 기울어진 형태로 구현하는 것도 가능하다.
도 22에 도시된 실시 예는 반사 부재(1100)의 외측면 및 면발광부(1000)의 하부를 감싸는 지지 부재(1200)를 더 포함할 수 있다.
지지 부재(1200)는 면발광부(1000) 및 반사 부재(1200)를 지지하고 보호함으로써 내구성 및 신뢰도를 향상시킬 수 있다. 지지 부재(1200)는 재질에 제한이 없다. 예컨대, 지지 부재(1200)는 금속 재질로 이루어지는 것도 가능하며, 플라스틱 재질로 이루어지는 것도 가능하다. 또한, 지지 부재(1200)는 일정 유연성을 갖는 재질로 형성되는 것도 가능하다고 할 것이다.
도 23은 도 1에 도시된 광원 모듈의 제21 실시 예(100-21)의 평면도를 나타내고, 도 24는 도 23에 도시된 광원 모듈(100-21)의 AA' 방향의 단면도를 나타내고, 도 25는 도 23에 도시된 광원 모듈(100-21)의 BB' 방향의 단면도를 나타내고, 도 26는 도 23에 도시된 광원 모듈(100-21)의 CC'방향의 단면도를 나타낸다.
도 23 내지 도 26을 참조하면, 광원 모듈(100-21)은 복수의 서브 광원 모듈들(sub-light source modules, 101-1 내지 101-n, n>1인 자연수)을 포함하며, 복수의 서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n)은 서로 분리, 또는 결합 가능하다. 또한 결합된 복수의 서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n)은 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n) 각각은 외부와 연결될 수 있는 적어도 하나의 커넥터(예컨대, 510, 520, 530)를 포함한다. 예컨대, 제1 서브 광원 모듈(101-1)은 적어도 하나의 단자(예컨대, S1,S2)를 포함하는 제1 커넥터(510)를 포함할 수 있다. 제2 서브 광원 모듈(101-2)은 각각 외부와 연결되기 위한 제1 커넥터(520) 및 제2 커넥터(530)를 포함하며, 제1 커넥터(520)는 적어도 하나의 단자(예컨대, P1,P2)를 포함하고, 제2 커넥터(530)는 적어도 하나의 단자(예컨대, Q1, Q2)를 포함할 수 있다. 이때 제1 단자(S1, P1, Q1)는 양(+) 단자이고, 제2 단자(S2,P2,Q2)는 음(-)의 단자일 수 있다. 도 21에서는 각 커넥터(예컨대, 510,520, 530)가 2개의 단자들을 포함하는 것을 예시하였으나, 단자의 수는 이에 한정되지 않는다.
도 24 내지 도 26에서는 제5 실시 예(100-5)에 커넥터(510, 520, 또는 530)가 추가된 구조를 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n) 각각은 상술한 실시 예들 중 어느 하나에 따른 광원 모듈(100-1 내지 100-20)에 커넥터(예컨대, 510, 520, 또는 530) 및 연결 고정부(예컨대, 410-1, 420-1, 410-2)가 추가된 구조일 수 있다.
도 24 및 도 25을 참조하면, 서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n) 각각은 연성 기판(10), 발광 소자(20), 반사 시트(30), 반사 패턴(31), 도광층(40), 제1 광학 시트(52), 제2 광학 시트(54), 접착 부재(56), 광학 패턴(60), 확산판(70), 방열 부재(110), 적어도 하나의 커넥터(connector, 510, 520, 또는 530), 및 적어도 하나의 연결 고정부(410, 및 420)를 포함한다. 도 1과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다. 다른 실시 예들과 비교할 때, 제21 실시 예의 서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n) 각각은 크기 또는 발광 소자의 개수에 차이가 있을 수 있으나, 커넥터 및 연결 고정부를 제외하고는 그 구성이 동일할 수 있다.
제1 서브 광원 모듈(101-1)은 발광 소자(20)와 전기적으로 연결되고, 외부와 전기적 연결을 위하여 연성 기판(10)에 마련되는 제1 커텍터(510)를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 커넥터(510)는 연성 기판(10)에 패턴화된 형태로 구현될 수 있다.
또한 예컨대, 제2 서브 광원 모듈(101-2)은 발광 소자(20)와 전기적으로 연결되는 제1 커넥터(520) 및 제2 커넥터(530)를 포함할 수 있다. 제1 커넥터(520)는 외부(예컨대, 제1 서브 광원 모듈(101-1)의 제1 커넥터(510))와 전기적으로 연결하기 위하여 연성 기판(10)의 일 측에 마련되며, 제2 커넥터(530)는 다른 외부(예컨대, 제3 서브 광원 모듈(101-3)의 커넥터(미도시))와 전기적으로 연결하기 위하여 연성 기판(10)의 타 측에 마련될 수 있다.
연결 고정부(예컨대, 410-1, 420-1, 410-2)는 외부의 다른 서브 광원 모듈과 결합하고, 결합된 2개의 서브 광원 모듈들을 서로 고정하는 역할을 한다. 연결 고정부(예컨대, 410-1, 420-1, 410-2)는 도광층(40)의 측면의 일부가 돌출된 형태의 돌출부이거나, 도광층(40) 측면의 일부가 함몰된 형태의 홈부일 수 있다.
도 26을 참조하면, 제1 서브 광원 모듈(101-1)은 도광층(40) 측면의 일부가 돌출된 구조의 제1 연결 고정부(410-1)를 포함할 수 있다. 또한 제2 서브 광원 모듈(101-2)은 도광층(40) 측면의 일부가 함몰된 구조의 제1 연결 고정부(420-1) 및 도광층(40) 측면의 다른 일부가 돌출된 구조의 제2 연결 고정부(410-2)를 포함할 수 있다.
제1 서브 광원 모듈(101-1)의 제1 연결 고정부(410-1)와 제2 서브 광원 모듈(101-2)의 제1 연결 고정부(420-1)는 서로 암수 결합하여 고정될 수 있다.
실시 예는 연결 고정부(예컨대, 410-1, 420-1, 410-2)가 도광층(40)의 일부로 구현되는 것을 도시하였지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 별도의 연결 고정부를 마련할 수 있으며, 연결 고정부는 연결 가능한 다른 형태로 변형 가능하다.
서브 광원 모듈(101-1 내지 101-n, n>1인 자연수)의 형상은 일정 부분이 돌출된 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 다양한 형태로 구현될 수 있다. 예컨대, 위에서 바라본 서브 광원 모듈(101-1 내지 101-n, n>1인 자연수)의 형상은 원형, 타원형, 다각형일 수 있으며, 일부가 측 방향으로 돌출된 형태일 수 있다.
예컨대, 제1 서브 광원 모듈(101-1) 일단은 중앙에 돌출부(540)를 포함하고, 돌출부(540)에 해당하는 연성 기판(10)에 제1 커넥터(510)가 마련될 수 있으며, 돌출부(540) 이외의 제1 서브 광원 모듈(101-1) 일단의 나머지 부분의 도광층(40)에 제1 연결 고정부(410-1)가 마련될 수 있다.
또한 제2 서브 광원 모듈(101-2) 일단은 중앙에 홈부(545)를 가지며, 홈부(545)에 해당하는 연성 기판(10)에 제1 커넥터(520)가 마련될 수 있으며, 홈부(545) 이외의 제2 서브 광원 모듈(101-2) 일단의 나머지 부분의 도광층(40)에 제1 연결 고정부(420-1)가 마련될 수 있다. 그리고 제2 서브 광원 모듈(101-2) 타단은 중앙에 돌출부(560)를 포함하고, 돌출부(560)에 해당하는 연성 기판(10)에 제2 커넥터(530)가 마련될 수 있으며, 돌출부(560) 이외의 제2 서브 광원 모듈(101-2) 일단의 나머지 부분의 도광층(40)에 제2 연결 고정부(410-2)가 마련될 수 있다.
서브 광원 모듈들(101-1 내지 101-n) 각각은 그 자체로 독립적인 광원이 될 수 있으며, 형상을 다양하게 변형할 수 있고, 연결 고정부에 의하여 2 이상의 서브 광원 모듈들이 서로 조립되어 독립적인 광원으로 사용될 수 있기 때문에 실시 예는 제품 디자인의 자유도를 향상시킬 수 있다. 또한 실시 예는 조립된 서브 광원 모듈들 중 일부가 손상되거나 파손이 발생할 경우, 파손된 서브 광원 모듈만을 교체하여 사용할 수 있다.
상술한 광원 모듈은 면광원이 요구되는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템에 사용될 수 있다. 특히 조명이 필요하나, 조명을 장착할 부분이 굴곡을 갖기 때문에 조명의 설치가 용이하지 않는 장소(예컨대, 굴곡을 갖는 천장이나 바닥 등)이라도 실시 예에 따른 광원 모듈은 그 장착이 용이할 수 있는 이점이 있다. 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 또는 가로등을 포함할 수 있으며, 램프는 차량용 해드 램프일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 27은 실시 예에 따른 차량용 해드 램프(900-1)를 나타내며, 도 49는 점광원인 일반적인 차량용 해드 램프를 나타낸다. 도 27을 참조하면, 차량용 해드 램프(900-1)는 광원 모듈(910) 및 라이트 하우징(light housing, 920)을 포함한다.
광원 모듈(910)은 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-21)일 수 있다. 라이트 하우징(920)은 광원 모듈(910)을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 차량용 라이트 하우징(920)은 장착되는 차량 부위 및 디자인에 따라 굴곡을 포함할 수 있다. 광원 모듈(910)은 연성 기판(10) 및 도광층(40)을 사용하기 때문에 그 자체가 유연성을 가지기 때문에 굴곡을 갖는 차량용 하우징(920)에도 용이하게 장착 가능할 수 있다. 또한 광원 모듈(100-1 내지 100-21)은 열 방출 효율을 향상시킨 구조를 갖기 때문에, 실시 예에 따른 차량용 해드 램프(900-1)는 파장 쉬프트 발생 및 광도 감소를 방지할 수 있다.
도 49에 도시된 일반적인 차량용 해드 램프는 점광원이기 때문에, 발광 시 발광면에 부분적인 스팟(spot, 930)이 나타날 수 있으나, 실시 예에 따른 차량용 해드 램프(900-1)는 면광원이기 때문에 발광면 전체에서 균일한 휘도 및 조도를 구현할 수 있다.
도 28은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-1)의 사시도를 나타내고, 도 29는 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-1)의 상면도를 나타내고, 도 30은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-1)의 정면도를 나타내고, 도 31은 제1 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-1)의 측면도를 나타낸다.
도 28에 도시된 발광 소자 패키지(200-1)는 상술한 실시 예들에 따른 광원 모듈(100-1 내지 100-21)에 포함되는 발광 소자 패키지일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 28 내지 도 31을 참조하면, 발광 소자 패키지(200-1)는 패키지 몸체(610), 제1 리드 프레임(620), 제2 리드 프레임(630), 발광 칩(640), 제너 다이오드(645), 및 와이어(650-1)를 포함한다.
패키지 몸체(610)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 그러나 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되는 것은 아니다.
예컨대, 패키지 몸체(610)의 제1 방향(예컨대, X축 방향)의 길이(X1)는 5.95mm ~ 6.05mm이고, 제2 방향(예컨대, Y축 방향)의 길이(Y1)는 1.35mm ~ 1.45mm일 수 있다. 패키지 몸체(610)의 제3 방향(예컨대, Z축 방향)의 길이(Y2)는 1.6mm ~ 1.7mm일 수 있다. 예컨대, 상기 제1 방향은 패키지 몸체(610)의 장측과 평행한 방향일 수 있다.
패키지 몸체(610)는 상부가 개방되고, 측벽(602) 및 바닥(603)으로 이루어지는 캐비티(cavity, 601)를 가질 수 있다. 캐비티(601)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 캐비티(601)의 측벽(602)은 바닥(603)에 대해 수직하거나 경사질 수 있다. 캐비티(601)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 다각형인 캐비티(601)의 모서리 부분은 곡선일 수도 있다. 예컨대, 캐비티(601)의 제1 방향(예컨대, X축 방향)의 길이(X3)는 4.15mm ~ 4.25mm이고, 제2 방향(예컨대, Y축 방향)의 길이(X4)는 0.64mm ~ 0.9mm이고, 캐비티(601)의 깊이(예컨대, Z축 방향의 길이, Y3)는 0.33mm ~ 0.53mm일 수 있다.
제1 리드 프레임(620) 및 제2 리드 프레임(630)은 열 배출이나 발광 칩(640)의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(610)의 표면에 배치될 수 있다. 발광 칩(640)은 제1 리드 프레임(620) 및 제2 리드 프레임(630)과 전기적으로 연결된다. 발광 칩(640)의 개수는 1개 이상일 수 있다.
패키지 몸체(610)의 캐비티 측벽에는 발광 칩(640)으로부터 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 반사시키는 반사 부재(미도시)가 마련될 수 있다.
제1 리드 프레임(620)과 제2 리드 프레임(630)은 패키지 몸체(610)의 상면 내에 서로 이격하여 배치될 수 있다. 제1 리드 프레임(620)과 제2 리드 프레임(630)) 사이에는 패키지 몸체(610)의 일부(예컨대, 캐비티(601)의 바닥(603))가 위치하여 양자를 전기적으로 분리할 수 있다.
제1 리드 프레임(620)은 캐비티(601)에 노출되는 일단(예컨대, 712) 및 패키지 몸체(610)를 관통하여 패키지 몸체(610)의 일면으로 노출되는 타단(예컨대, 714)을 포함할 수 있다. 또한 제2 리드 프레임(630)은 패키지 몸체(610)의 일면의 일측에 노출되는 일단(예컨대, 744-1)과, 패키지 몸체(610)의 일면의 다른 일측에 노출되는 타단(예컨대, 744-2)과, 및 캐비티(601)에 노출되는 중간부(예컨대, 742-2)를 포함할 수 있다.
제1 리드 프레임(620)과 제2 리드 프레임(630) 사이의 이격 거리(X2)는 0.1mm ~ 0.2mm일 수 있다. 제1 리드 프레임(620)의 상면과 제2 리드 프레임(630)의 상면은 캐비티(601) 바닥(603)과 동일 평면에 위치할 수 있다.
도 32는 도 28에 도시된 제1 리드 프레임(620)과 제2 리드 프레임(630)의 사시도를 나타내며, 도 33은 도 32에 도시된 제1 리드 프레임(620) 및 제2 리드 프레임의 각 부분의 치수를 설명하기 위한 도면이고, 도 34는 도 33에 도시된 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분(801)에 인접하는 제1 리드 프레임(620)의 연결 부분들(732,734,736)의 확대도를 나타낸다.
도 32 내지 도 34를 참조하면, 제1 리드 프레임(620)은 제1 상면부(712), 및 제1 상면부(712)의 제1 측부로부터 절곡되는 제1 측면부(714)를 포함한다.
제1 상면부(712)는 캐비티(601)의 바닥과 동일 평면에 위치하고, 캐비티(601)에 의하여 노출되며, 발광 칩(642,644)이 배치될 수 있다.
도 33에 도시된 바와 같이, 제1 상면부(712)의 양 끝단은 제1 측면부(714)를 기준으로 제1 방향(x축 방향)으로 돌출되는 부분(S3)을 가질 수 있다. 이러한 제1 상면부(712)의 돌출되는 부분(S3)은 리드 프레임 어레이(array)에서 제1 리드 프레임을 지지하는 부분일 수 있다. 제1 상면부(712)의 돌출되는 부분(S3)의 제1 방향의 길이는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있다. 제1 상면부(712)의 제1 방향의 길이(K)는 3.45mm ~ 3.55 mm이고, 제2 방향의 길이(J1)는 0.6mm ~ 0.7mm일 수 있다. 제1 방향은 xyz 좌표계에서 x축 방향이고, 제2 방향은 y축 방향일 수 있다.
제1 상면부(712)의 제2 측부는 적어도 하나의 홈부(701)를 가질 수 있다. 이때 제1 상면부(712)의 제2 측부는 제1 상면부(712)의 제1 측부와 서로 마주볼 수 있다. 예컨대, 제1 상면부(712)의 제2 측부는 가운데에 하나의 홈부(701)를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 측부에 형성되는 홈부의 개수는 2개 이상일 수 있다. 홈부(701)는 후술하는 제2 리드 프레임(630)에 마련되는 돌출부(702)와 상응하는 형상일 수 있다.
도 33에 도시된 홈부(701)는 사다리꼴 형상이나, 이에 한정되는 것은 아니며, 원형, 다각형, 타원형 등 다양한 형태로 구현될 수 있다. 홈부(701)의 제1 방향의 길이(S2)는 1.15mm ~ 1.25mm이고, 홈부(701)의 제2 방향의 길이(S1)는 0.4mm ~ 0.5 mm일 수 있다.
또한 홈부(701)의 바닥(701-1)과 측면(701-2)이 이루는 각도(θ1)는 90°보다 크거나 같고 180°보다 작을 수 있다. 발광 칩(642,644)은 홈부(701) 양측의 제1 상면부(712) 상에 배치될 수 있다.
제1 측면부(714)는 제1 상면부(712)의 제1 측부로부터 아래 방향으로 일정한 각도로 절곡될 수 있으며, 제1 측면부(714)는 패키지 몸체(610)의 일 측면으로부터 노출될 수 있다. 예를 들면, 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)가 이루는 각도는 90°보다 크거나 같고, 180°보다 작을 수 있다.
제1 리드 프레임(620)은 제1 상면부(712) 및 제1 측면부(714) 중 적어도 하나에 하나 이상의 관통 홀(720)을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(620)은 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분에 인접하여 하나 이상의 관통 홀(720)을 가질 수 있다. 도 30에서는 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분에 인접하여 서로 이격하는 2개의 관통 홀들(722,724)을 도시하나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니다.
하나 이상의 관통 홀(720)은 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분에 인접하는 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714) 각각의 일 영역에 형성될 수 있다. 이때 제1 상면부(712)의 일 영역에 형성되는 관통 홀(예컨대, 722-1)과 제1 측면부(714)의 일 영역에 형성되는 관통 홀(예컨대, 722-2)은 서로 연결될 수 있다.
관통 홀(720) 내에는 패키지 몸체(610)의 일부가 채워짐으로써 제1 리드 프레임(620)과 패키지 몸체의 결합도를 향상시키는 역할을 할 수 있다. 또한 관통 홀(720)은 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714) 사이에 절곡을 용이하게 형성하도록 하는 역할을 한다. 그러나 관통 홀(720)의 크기가 너무 크게 되거나 관통 홀(720)의 개수가 너무 많으면, 제1 리드 프레임(620) 절곡시 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)가 끊어질 수 있기 때문에 관통 홀(720)의 크기 및 개수를 적절히 조절해야 한다. 또한 관통 홀(720)의 크기는 추후 설명하는 연결 부분들(732,734,736)의 크기와도 관련이 있기 때문에, 발광 소자 패키지의 방열과도 관련이 있다.
이하 설명하는 관통 홀을 갖는 제1 리드 프레임(620) 및 제2 리드 프레임(630) 각각의 크기에 따른 실시 예는 결합도, 및 절곡의 용이성을 고려한 최적의 방열 효율을 낼 수 있다.
패키지 몸체(610)와의 결합도를 향상시키고, 제1 리드 프레임(620)의 절곡을 용이하게 함과 동시에 절곡시 손상 방지를 위하여 실시 예는 제1 관통 홀(722) 및 제2 관통 홀(724)을 구비할 수 있으며, 제1 관통 홀(722)의 제1 방향의 길이(D11) 및 제2 관통 홀(724)의 제1 방향의 길이(D12)는 0.58mm ~ 0.68mm일 수 있고, 제2 방향의 길이(D2)는 0.19mm ~ 0.29mm일 수 있다. 제1 관통 홀(722)의 면적은 제2 관통 홀(724)의 면적과 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 양자가 서로 다를 수 있다.
도 34를 참조하면, 제1 리드 프레임(620)은 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분(801)에 인접하여 위치하고, 관통 홀(720)에 의하여 서로 이격되고, 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)를 서로 연결하는 연결 부분들(732, 734,736)을 가질 수 있다. 예컨대, 연결 부분들(732, 734,736)은 각각은 제1 상면부(712)의 일부에 해당하는 제1 부분(732-1, 734-1, 또는 736-1) 및 제1 측면부(714)의 일부에 해당하는 제2 부분(732-2, 734-2, 또는 736-2)으로 이루어질 수 있다. 각 연결 부분들(732,734,736) 사이에는 관통 홀(720)이 위치할 수 있다.
제1 리드 프레임(620)은 발광 칩(642, 또는 644)과 대응하는 또는 정렬되어 위치하는 적어도 하나의 연결 부분을 가질 수 있다.
구체적으로 제1 리드 프레임(620)은 제1 내지 제3 연결 부분들(732,734,736)을 포함할 수 있다. 제1 연결 부분(732)은 제1 발광 칩(642)에 대응하여 또는 정렬되어 위치하고, 제2 연결 부분(734)은 제2 발광 칩(644)에 대응하여 또는 정렬되어 위치할 수 있다. 그리고 제3 연결 부분(736)은 제1 연결 부분(732)과 제2 연결 부분(734) 사이에 위치하고, 제1 발광 칩(642) 또는 제2 발광 칩(644)에 비정렬되는 부분일 수 있다. 예컨대, 제3 연결 부분(736)은 제1 리드 프레임(620)의 홈부(701)에 대응하여 또는 정렬되어 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 연결 부분(732)의 제1 방향의 길이(C11) 및 제2 연결 부분(734)의 제1 방향의 길이(C2)는 제3 연결 부분(736)의 제1 방향의 길이(E)보다 클 수 있다. 예컨대, 제1 연결 부분(732)의 제1 방향의 길이(C11) 및 제2 연결 부분(734)의 제1 방향의 길이(C2)는 0.45mm ~ 0.55mm일 수 있고, 제3 연결 부분(736)의 제1 방향의 길이(E)는 0.3mm ~ 0.4mm일 수 있다. 제1 관통 홀(722)과 제2 관통 홀(724) 사이에 제3 연결 부분(736)을 위치시키는 이유는 절곡시 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714) 간의 끊어짐을 방지하기 위함이다.
제3 연결 부분(736)의 제1 방향의 길이(E)와 제1 연결 부분(732)의 제1 방향의 길이(C11)의 비는 1: 1.2 ~ 1.8일 수 있다. 관통 홀(722)의 제1 방향의 길이(D11, 또는 D12)와 제1 측면부(714)의 상단부(714-1)의 제1 방향의 길이(B1)의 비는 1: 3.8 ~ 6.3일 수 있다.
제1 연결 부분(732)은 제1 발광 칩(642)에 정렬되고, 제2 연결 부분(734)은 제2 발광 칩(644)에 정렬되기 때문에 제1 발광 칩(642)으로부터 발생하는 열은 주로 제1 연결 부분(732)을 통하여 외부로 방출되고, 제2 발광 칩(644)으로부터 발생하는 열을 주로 제2 연결 부분(734)을 통하여 외부로 방출될 수 있다.
실시 예는 제1 연결 부분(732) 및 제2 연결 부분(734) 각각의 제1 방향의 길이(C11, C2)가 제3 연결 부분(736)의 제1 방향의 길이(E)보다 크기 때문에, 제1 연결 부분(732) 및 제2 연결 부분(734)의 면적이 제3 연결 부분(736)의 면적보다 크다. 따라서 발광 소자(20)에 인접하여 배치되는 연결 부분(732,734)의 면적을 더 넓게 함으로써 실시 예는 제1 발광 칩(642)과 제2 발광 칩(644)으로부터 발생하는 열을 외부로 방출하는 효율을 향상시킬 수 있다.
제1 측면부(714)는 제1 상면부(712)와 연결되는 상단부(714-1) 및 상단부(714-1)와 연결되는 하단부(714-2)로 구분될 수 있다. 즉 상단부(714-1)는 제1 내지 제3 연결 부분들(732,734,736)의 일부를 포함하며, 하단부(714-2)는 상단부(714-1)의 아래에 위치할 수 있다.
상단부(714-1)의 제3 방향의 길이(F1)는 0.6mm ~ 0.7mm이고, 하단부(714-2)의 제3 방향의 길이(F2)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있다. 제3 방향은 xyz 좌표계에서 z축 방향일 수 있다.
패키지 몸체(620)와의 결합도 및 수분 침투 방지를 위한 기밀성 향상을 위하여 상단부(714-1)의 측면과 하단부(714-2)의 측면은 단차를 가질 수 있다. 예컨대, 하단부(714-2)의 양 측단은 상단부(714-1)의 측면을 기준으로 측 방향으로 돌출된 형태일 수 있다. 상단부(714-1)의 제1 방향의 길이(B1)는 2.56mm ~ 2.66mm이고, 하단부(714-2)의 제1 방향의 길이(B2)는 2.7mm ~ 3.7mm일 수 있다. 제1 리드 프레임(620)의 두께(t1)는 0.1mm ~ 0.2mm일 수 있다.
제2 리드 프레임(630)은 제1 리드 프레임(620)의 적어도 어느 하나의 측부 주위를 감싸도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제2 리드 프레임(630)은 제1 리드 프레임(630)의 제1 측면부(714)를 제외한 나머지 측부들의 주위에 배치될 수 있다.
제2 리드 프레임(630)은 제2 상면부(742) 및 제2 측면부(744)를 포함할 수 있다. 제2 상면부(742)는 제1 상면부(712)의 제1 측부를 제외한 나머지 측부들의 주위를 감싸도록 배치될 수 있다. 도 28 및 도 32에 도시된 바와 같이, 제2 상면부(742)는 캐비티(601)의 바닥 및 제1 상면부(712)와 동일 평면에 위치하고, 캐비티(601)에 의하여 노출될 수 있다. 제2 리드 프레임(630)의 두께(t2)는 0.1mm ~ 0.2mm일 수 있다.
제2 상면부(742)는 제1 상면부(712)의 주위를 둘러싸는 위치에 따라 제1 부분(742-1), 제2 부분(742-2), 및 제3 부분(742-3)으로 구분될 수 있다. 제2 상면부(742)의 제2 부분(742-2)은 제1 상면부(712)의 제2 측부에 대응하는 또는 마주보는 부분일 수 있다. 제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1)은 제2 부분(742-2)의 일단과 연결되고, 제1 상면부(712)의 나머지 측부들 중 어느 하나와 대응하거나 마주볼 수 있다. 제2 상면부(742)의 제3 부분(742-3)은 제2 부분(742-2)의 타단과 연결되고, 제1 상면부(712)의 나머지 측부들 중 다른 어느 하나와 대응하거나 마주볼 수 있다.
제1 부분(742-1) 및 제3 부분(742-3)의 제2 방향의 길이(H1)는 0.65mm ~ 0.75mm일 수 있고, 제1 방향의 길이(H2)는 0.78mm ~ 0.88mm일 수 있다. 제2 부분(742-2)의 제1 방향의 길이(I)는 4.8mm ~ 4.9mm일 수 있다.
제2 상면부(742)의 제2 부분(742-2)은 제1 상면부(712)의 홈부(701)에 대응하는 돌출부(702)를 가질 수 있다. 예컨대, 돌출부(702)의 형상은 홈부(701)의 형상과 부합할 수 있으며, 돌출부(702)는 홈부(701)에 정렬되도록 위치할 수 있다. 돌출부(702)는 홈부(701) 내에 위치할 수 있다. 돌출부(702)의 수는 홈부(701) 수와 동일할 수 있다. 돌출부(702)와 홈부(701)는 서로 이격하며, 그 사이에는 패키지 몸체(610)의 일부가 위치할 수 있다. 돌출부(702)는 제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)과의 와이어 본딩을 위한 영역으로, 제1 발광 칩(642)과 제2 발광 칩(644) 사이에 정렬되어 위치함으로써 와이어 본딩을 용이하게 할 수 있다.
돌출부(702)의 제1 방향의 길이(S5)는 0.85mm ~ 0.95mm일 수 있고, 제2 방향의 길이(S4)는 0.3mm ~ 0.4mm일 수 있고, 돌출부(702)가 제2 부분(742-2)과 이루는 각도(θ2)는 90°보다 크거나 같고, 180°보다 작을 수 있다.
제2 측면부(744)는 제2 상면부(742)의 적어도 일 측부로부터 절곡될 수 있다. 제2 측면부(744)는 제2 상면부(742)으로부터 아래 방향으로 일정한 각도(예컨대, 90°)로 절곡될 수 있다.
예컨대, 제2 측면부(744)는 제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1)의 일측부에서 절곡되는 제1 부분(744-1) 및 제2 상면부(742)의 제3 부분(742-3)의 일측부에서 절곡되는 제2 부분(744-2)을 포함할 수 있다.
제2 측면부(744)의 제1 부분(744-1)과 제2 부분(744-2)는 제2 리드 프레임(630)에서 동일한 측면에 위치하도록 절곡될 수 있다. 제2 측면부(744)의 제1 부분(744-1)은 제1 측면부(714)와 이격하고, 제1 측면부(714)의 일 측(예컨대, 좌측)에 위치할 수 있다. 제2 측면부(744)의 제2 부분(744-2)은 제1 측면부(714)와 이격하고, 제1 측면부(714)의 타 측(예컨대, 우측)에 위치할 수 있다. 제1 측면부(714)와 제2 측면부(744)는 동일 평면 상에 위치할 수 있다. 결국 도 28에 도시된 바와 같이, 제1 측면부(714)와 제2 측면부(744)는 패키지 몸체(610)의 동일한 측면으로 노출될 수 있다. 제2 측면부(744)의 제1 방향의 길이(A)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있고, 제3 방향의 길이(G)는 1.05mm ~ 1.15mm일 수 있다.
제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1) 및 제3 부분(742-3)의 일 측면은 절곡된 단차(g1)를 가질 수 있다. 예컨대, 절곡된 단차(g1)는 제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1)의 일 측면과 제2 측면부(744)의 제1 부분(744-1)의 일 측면이 만나는 부분과 인접하여 위치할 수 있다. 절곡된 단차(g1)만큼 이와 상응하여 위치하는 제1 상면부(712) 및 제1 측면부(714)의 면적을 넓게 디자인할 수 있기 때문에 실시 예는 발열 면적이 증가하여 발열 효율을 향상시킬 수 있다. 이는 제1 리드 프레임(620)의 면적이 발광 칩(642,644)의 열 방출과 관련되기 때문이다.
제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1) 및 제3 부분(742-3)의 타 측면은 절곡된 단차(g2)를 가질 수 있다. 절곡된 단차(g2)를 형성하는 이유는 발광 소자 패키지(200-1)를 연성 기판(10)에 본딩할 때, 본딩 물질(예컨대, solder)을 육안으로 용이하게 관찰할 수 있도록 하기 위함이다.
제1 리드 프레임(620)의 제1 측면부(714) 및 제2 리드 프레임(630)의 제2 측면부(744)는 실시 예에 따른 광원 모듈들(100-1 내지 100-21)의 연성 기판(10)과 접촉하도록 실장될 수 있으며, 이로 인하여 발광 칩(640)은 도광층(40)의 측면을 향하는 방향(3)으로 빛을 조사할 수 있다. 즉 발광 소자 패키지(200-1)는 측면형(side view type)의 구조를 가질 수 있다.
제너 다이오드(645)는 발광 소자 패키지(200-1)의 내전압 향상을 위하여 제2 리드 프레임(630) 상에 배치될 수 있다. 예컨대, 제너 다이오드(645)는 제2 리드 프레임(630)의 제2 상면부(742) 상에 배치될 수 있다.
제1 발광 칩(642)은 제1 와이어(652)에 의하여 제2 리드 프레임(630)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 발광 칩(644)은 제2 와이어(654)에 이하여 제2 리드 프레임(630)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제너 다이오드(645)는 제3 와이어(656)에 의하여 제1 리드 프레임(620)과 전기적으로 연결될 수 있다.
예컨대, 제1 와이어(652)의 일단은 제1 발광 칩(642)과 연결되고, 다른 일단은 돌출부(702)와 연결될 수 있다. 또한 제2 와이어(654)의 일단은 제2 발광 칩(644)과 연결되고, 다른 일단은 돌출부(702)와 연결될 수 있다.
발광 소자 패키지(200-1)는 발광 칩을 포위하도록 캐비티(601) 내에 충진되는 수지층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 수지층은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다.
발광 소자 패키지(200-1)는 형광체를 사용하지 않고, 단지 적색 발광 칩만을 사용하여 적색광을 구현할 수 있으나, 실시 예는 이에 한정되는 것은 아니다. 수지층은 발광 칩(640)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체가 포함될 수 있다. 예컨대, 적색이 아닌 다른 색의 발광 칩을 사용하더라도 형광체를 사용하여 광의 파장을 변화시켜 원하는 색의 광을 출사하는 발광 소자 패키지를 구현할 수 있다.
도 35는 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(620-1) 및 제2 리드 프레임(630)을 나타낸다. 도 32와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 35를 참조하면, 제1 리드 프레임(620-1)은 도 32에 도시된 제1 리드 프레임(620)에서 제3 연결부(736)가 제거된 구조이다. 즉 제1 리드 프레임(620-1)은 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714')의 경계 부분에 인접하여 하나의 관통 홀(720-1)을 가질 수 있다. 그리고 관통 홀(720-1)의 일측에 제1 연결부(732)가 위치하고, 관통 홀(720-1)의 타측에 제2 연결부(734)가 위치할 수 있다.
도 36은 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(620-2) 및 제2 리드 프레임(630-1)을 나타낸다. 도 32와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 36을 참조하면, 제1 리드 프레임(620-2)의 제1 상면부(712')는 도 32에 도시된 제1 리드 프레임(620)의 제1 상면부(712)에서 홈부(701)가 생략된 구조일 수 있다. 그리고 제2 리드 프레임(630-1)의 제2 상면부(742')의 제2 부분(742-2')은 도 32에 도시된 제2 리드 프레임(630)의 제2 상면부(742)의 제2 부분(742-2)에서 돌출부(702)가 생략된 구조일 수 있다. 그 이외 나머지 구성 요소는 도 32에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
도 37은 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(620-3) 및 제2 리드 프레임(630)을 나타낸다. 도 32와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 37을 참조하면, 제1 리드 프레임(620-3)은 도 32에 도시된 제1 리드 프레임(620)의 연결 부분들(732,734,736) 중 적어도 하나에는 제1 리드 프레임(620)을 관통하는 미세 관통 홀(h1, h2, h3)이 형성된 구조일 수 있다.
제1 리드 프레임(620-3)의 연결 부분들(732-1,734-1,736-1) 중 적어도 하나는 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 경계 부분에 형성되는 미세 관통 홀(h1, h2, h3)을 가질 수 있다. 이때 미세 관통 홀(h1, h2, h3)의 직경은 관통 홀(722,724)의 제1 방향의 길이(D11, D12) 또는 제2 방향의 길이(D2)보다 작을 수 있다. 또한 제1 연결 부분(732-1) 및 제2 연결 부분(734-1)에 형성되는 미세 관통 홀(h1,h2)의 수는 제3 연결 부분(736-1)에 형성되는 미세 관통 홀(h3)의 수보다 많을 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 미세 관통 홀(h1, h2, h3)의 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형 등일 수 있다. 미세 관통 홀(h1, h2, h3)은 제1 리드 프레임(620-3)의 절곡을 용이할 뿐만 아니라 제1 리드 프레임(620-3)과 패키지 몸체(610)와의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 38은 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(620-4) 및 제2 리드 프레임(630)을 나타낸다. 도 32와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 38을 참조하면, 제1 리드 프레임(620-4)은 제1 상면부(712") 및 제1 측면부(714")를 포함한다. 제1 상면부(712") 및 제1 측면부(714")는 도 32에 도시된 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)의 변형 예이다. 즉 제1 리드 프레임(620-4)은 도 30에 도시된 제1 리드 프레임(620)의 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)에서 관통 홀(722,724)이 생략되고, 관통 홀(722,724)이 생략된 제1 상면부(712")와 제1 측면부(714")의 경계 부분(Q)의 일 영역(Q2)에 서로 이격하는 복수의 미세 관통 홀들(h4)이 마련되는 구조이다.
제1 상면부(712")와 제1 측면부(714")의 경계 부분(Q)은 제1 경계 영역(Q1), 제2 경계 영역(Q2), 및 제3 경계 영역(Q3)으로 구분될 수 있다. 제1 경계 영역(Q1)은 제1 발광 칩(642)에 대응하는 또는 정렬되는 영역일 수 있고, 제2 경계 영역(Q2)은 제1 발광 칩(642)에 대응하는 또는 정렬되는 영역일 수 있고, 제3 경계 영역(Q3)은 제1 경계 영역(Q1)과 제2 경계 영역(Q2) 사이의 영역일 수 있다. 예컨대, 제1 경계 영역(Q1)은 도 32에 도시된 제1 연결 부분(732)에 대응하는 영역일 수 있고, 제2 경계 영역(Q2)은 도 32에 도시된 제2 연결 부분(734)에 대응하는 영역일 수 있다.
제1 경계 영역(Q1) 및 제2 경계 영역(Q2)은 제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)으로부터 발생하는 열을 전달하는 통로 역할을 하며, 복수의 미세 관통 홀들(h4)은 제1 상면부(712")와 제1 측면부(714") 사이의 절곡을 용이하게 하는 역할을 할 수 있다. 도 36에는 복수의 미세 관통 홀들(h4)의 직경이 동일하고, 이격 거리가 동일하나, 실시 예가 이에 한정되는 것은 아니며, 다른 실시 예에서는 복수의 미세 관통 홀들(h4) 중 적어도 하나는 직경이 다를 수 있고, 또는 이격 거리가 서로 다를 수 있다.
도 39는 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(620) 및 제2 리드 프레임(630-2)을 나타낸다. 도 39의 제2 리드 프레임(630-2)은 도 30에 도시된 제2 리드 프레임(630)의 변형 예일 수 있다. 도 32와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 39를 참조하면, 도 32에 도시된 제2 상면부(742)의 제2 부분(742-2)과 달리, 도 39에 도시된 제2 상면부(742")의 제2 부분(742-2")은 끊어진 구조를 가지며, 제1 부분(742-1)과 제3 부분(742-3)을 연결하지 않는다.
제2 리드 프레임(630-2)의 제2 상면부(742")는 제1 부분(742-1), 제2 부분(742-2"), 및 제3 부분(742-3)을 포함할 수 있다. 제1 부분 내지 제3 부분들(742-1,742-2", 742-3) 각각은 제1 리드 프레임(620)의 제1 상면부(712)의 측부들 중 대응하는 어느 하나의 주위에 위치할 수 있다.
제2 상면부(742")의 제2 부분(742-2")은 제1 부분(742-1)과 연결되는 제1 영역(704), 및 제3 부분(742-3)과 연결되고 제1 영역(704)과 이격하는 제2 영역(705)으로 이루어질 수 있다. 제1 영역(704)과 제2 영역(705) 사이의 이격된 공간(706)에는 패키지 몸체(610)가 채워지기 때문에 패키지 몸체(610)와 제2 리드 프레임(630-2) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 도 38에 도시된 제2 리드 프레임(630-2)은 제1 서브 프레임(744-1, 742-1, 704), 및 제2 서브 프레임(744-2, 742-3, 705)으로 구분될 수 있으며, 양자는 전기적으로 서로 분리될 수 있다.
도 40은 다른 실시 예에 따른 제1 리드 프레임(810) 및 제2 리드 프레임(820)을 나타낸다.
도 40을 참조하면, 제1 리드 프레임(810)은 제1 상면부(812) 및 제1 상면부(812)의 제1 측부로부터 절곡되는 제1 측면부(814) 및 제2 측면부(816)를 포함할 수 있다. 제1 상면부(812)에는 발광 칩(642,644)이 배치될 수 있다.
제1 상면부(812)의 제2 측부는 1 이상의 제1 홈부(803, 804) 및 제1 돌출부(805)를 가질 수 있다. 이때 제1 상면부(812)의 제2 측부는 제1 상면부(812)의 제1 측부의 마주보는 측부일 수 있다. 예컨대, 제1 상면부(812)의 제2 측부는 2개의 제1 홈부들(803,804) 및 제1 홈부들(803,804) 사이에 위치하는 하나의 제1 돌출부(805)를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 홈부(803, 804)는 후술하는 제2 리드 프레임(820)에 마련되는 제2 돌출부(813,814)와 상응하는 형상이고, 제1 돌출부(805)는 제2 리드 프레임(820)에 마련되는 제2 홈부(815)와 상응하는 형상일 수 있다. 도 38에 도시된 제1 홈부(803,804) 및 제1 돌출부(805)는 사각형 형상이나, 이에 한정되는 것은 아니며, 원형, 다각형, 타원형 등 다양한 형태로 구현될 수 있다. 발광 칩(642,644)은 제1 홈부(803, 804) 양측의 제1 상면부(812) 상에 배치될 수 있다.
제1 측면부(814)는 제1 상면부(712)의 제1 측부의 일 영역과 연결되고, 제2 측면부(816)는 제1 상면부(712)의 제1 측부의 다른 영역과 연결되며, 제1 측면부(814)와 제2 측면부(816)는 서로 이격할 수 있다. 제1 측면부(814) 및 제2 측면부(816)는 패키지 몸체(610)의 동일한 어느 하나의 측면으로부터 노출될 수 있다.
제1 리드 프레임(610)은 제1 상면부(812) 및 제1 측면부(814) 중 적어도 하나에 하나 이상의 관통 홀(820)을 가질 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(810)은 제1 상면부(812)와 제1 측면부(814)의 경계 부분에 인접하여 하나 이상의 관통 홀(840)을 가질 수 있다. 관통 홀(820)은 도 32 및 도 34에서 설명한 바와 동일한 구조일 수 있으며, 그 기능도 동일할 수 있다.
제1 리드 프레임(810)은 제1 상면부(812)와 제1 측면부(814)의 경계 부분(801)에 인접하여 위치하고, 관통 홀(720)에 의하여 서로 이격되고, 제1 상면부(712)와 제1 측면부(714)를 서로 연결하는 연결 부분들(852, 854, 856)을 가질 수 있다. 연결 부분들(852, 854, 856)의 구조 및 기능은 도 32 및 도 34에서 설명한 바와 동일할 수 있다. 제1 리드 프레임(810)은 발광 칩(642, 또는 644)과 대응하는 또는 인접하여 위치하는 적어도 하나의 연결 부분을 가질 수 있다.
발광 칩(642,644)에 대응하거나 인접하여 위치하는 연결 부분(예컨대, 852, 854)의 제1 방향의 길이는 발광 칩(642,644)에 대응하지 않거나 인접하지 않는 연결 부분(예컨대, 856)의 제1 방향의 길이보다 클 수 있다.
패키지 몸체(620)와의 결합도 및 수분 침투 방지를 위한 기밀성 향상을 위하여 제2 측면부(814)의 측면 하단 부분이 측 방향으로 돌출된 구조일 수 있다.
제2 리드 프레임(820)은 제1 리드 프레임(810)의 적어도 어느 하나의 측부 주위에 배치될 수 있다. 제2 리드 프레임(820)은 제2 상면부(822) 및 제3 측면부(824)를 포함할 수 있다. 제2 상면부(822)는 제1 상면부(812)의 주위에 배치되는 위치에 따라 제1 부분(832), 및 제2 부분(834)으로 구분될 수 있다.
제2 상면부(822)의 제2 부분(834)은 제1 상면부(812)의 제2 측부에 대응하는 또는 마주보는 부분일 수 있다. 제2 상면부(822)의 제1 부분(832)은 제2 부분(834)의 일단과 연결되고, 제1 상면부(712)의 제3 측부와 대응하거나 마주볼 수 있다. 제3 측부는 제1 측부 또는 제2 측부와 수직인 측부일 수 있다.
제2 상면부(822)의 제2 부분(834)은 제1 상면부(812)의 제1 홈부(803,804)에 대응하는 제2 돌출부(813,814)를 가질 수 있다. 제2 돌출부(813, 814)는 제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)과의 와이어 본딩을 위한 영역으로, 제1 발광 칩(642)과 제2 발광 칩(644) 사이에 위치함으로써 와이어 본딩을 용이하게 할 수 있다.
제3 측면부(824)는 제2 상면부(822)으로부터 아래 방향으로 일정한 각도(예컨대, 90°)로 절곡될 수 있다. 예컨대, 제3 측면부(824)는 제2 상면부(822)의 제1 부분(832)의 일측부에서 절곡될 수 있다. 제1 측면부(814)를 기준으로 제2 측면부(816)와 제3 측면부(824)는 좌우 대칭적인 형상일 수 있다. 패키지 몸체(620)와의 결합도 및 수분 침투 방지를 위한 기밀성 향상을 위하여 제3 측면부(824)의 측면 하단 부분이 측 방향으로 돌출된 구조일 수 있다. 제1 측면부(814, 제2 측면부(816) 및 제3 측면부(824)는 패키지 몸체(610)의 동일한 측면으로 노출될 수 있다.
도 41은 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-2)의 사시도를 나타내고, 도 42는 도 41에 도시된 발광 소자 패키지(200-2)의 상면도를 나타내고, 도 43은 도 41에 도시된 발광 소자 패키지(200-2)의 정면도를 나타내고, 도 44는 도 41에 도시된 발광 소자 패키지(200-2)의 cd 방향의 단면도를 나타내고, 도 45는 도 41에 도시된 제1 리드 프레임(620')과 제2 리드 프레임(630')을 나타낸다. 도 28 내지 도 32과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 41 내지 도 45를 참조하면, 발광 소자 패키지(200-2)의 제1 리드 프레임(620')은 제1 상면부(932) 및 제1 측면부(934)를 포함할 수 있다. 도 32에 도시된 제1 상면부(712)와 달리, 도 45에 도시된 제1 상면부(932)는 홈부가 형성되지 않는다. 또한 제2 리드 프레임(630')의 제2 상면부(942)는 도 32에 도시된 제2 상면부(742)의 제2 부분(742-2)이 생략된 구조와 유사할 수 있다.
제1 측면부(934)는 도 32에 도시된 제1 측면부(714)와 그 구조가 동일할 수 있다. 제1 상면부(932)의 제1 방향의 길이(P1)는 도 32에 도시된 제1 상면부(712)의 길이보다 작을 수 있고, 제1 상면부(932)의 제2 방향의 길이(J2)는 제1 상면부(712)의 제2 방향의 길이(J1)보다 클 수 있다. 예컨대, 제1 상면부(932)의 제1 방향의 길이(P1)는 4.8mm ~ 4.9mm이고, 제2 방향의 길이(J2)는 0.67mm ~ 0.77mm일 수 있다. 따라서 도 41에 도시된 제1 상면부(932)의 면적이 도 32에 도시된 제1 상면부(712)의 면적보다 크기 때문에, 도 41의 실시 예는 더 큰 사이즈의 발광 칩을 실장할 수 있다. 제1 측면부(944), 관통 홀(722,724), 연결 부분들의 크기는 도 33에서 설명한 바와 동일할 수 있다.
제2 리드 프레임(630')은 제2 상면부(942) 및 제2 측면부(944)를 포함할 수 있다. 제2 상면부(942)는 제1 상면부(932)의 제3 측부 주위에 배치되는 제1 부분(942-1)과 제4 측부 주위에 배치되는 제2 부분(942-2)을 포함할 수 있다. 제1 상면부(932)의 제3 측부는 제1 상면부(932)의 제1 측부와 수직인 측부이고, 제1 상면부(932)의 제4 측부는 제1 상면부(932)의 제3 측부와 마주보는 측부일 수 있다.
제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1)과 제2 부분(942-2)은 서로 이격하여 위치하고, 서로 전기적으로 분리될 수 있다.
제2 측면부(944)는 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1)과 연결되는 제1 부분(944-1)과 제2 상면부(942)의 제2 부분(942-2)과 연결되는 제2 부분(944-2)을 포함할 수 있다. 다만 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1) 및 제2 부분(942-2)의 제1 방향의 길이(P2)는 도 32에 도시된 제2 상면부(742)의 제1 부분(742-1) 및 제3 부분(742-3)의 제1 방향의 길이(H2)보다 클 수 있다.
예컨대, 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1) 및 제2 부분(942-2)의 제1 방향의 길이(P2)는 1.04mm ~ 1.14mm이고, 제2 방향의 길이(P3)는 0.45mm ~ 0.55mm일 수 있다.
리드 프레임 어레이(array)에서 제1 리드 프레임(620')을 지지하기 위하여 돌출되는 제1 상면부(932)의 돌출 부분(S22)의 제1 방향의 길이는 0.14mm ~ 0.24mm일 수 있다.
제1 발광 칩(642)은 제1 와이어(653)에 의하여 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1)과 전기적으로 연결될 수 있고, 제2 발광 칩(644)은 제2 와이어(655)에 의하여 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)은 모두 동일한 파장의 빛을 발생할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)은 적색광을 발생하는 적색 발광 칩일 수 있다.
또한 제1 발광 칩(642)은 서로 다른 파장의 빛을 발생할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 칩(642)은 적색 발광 칩이고, 제2 발광 칩(644)은 황색 발광 칩일 수 있으며, 제2 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-2)에 실장되는 제1 발광 칩(642) 및 제2 발광 칩(644)은 개별적으로 동작할 수 있다.
제1 리드 프레임(620')에는 제1 전원(예컨대, 음(-)의 전원)이 공급되고, 제2 리드 프레임(630')에는 제2 전원(예컨대, 양(+) 전원) 공급될 수 있다. 제2 리드 프레임(630')은 전기적으로 분리되는 2개의 부분들(942-1과 944-1, 및 942-2와 944-2)로 구분되기 때문에, 제1 리드 프레임(620')은 공통 전극으로 사용하고 제2 리드 프레임(630')의 제2 상면부(942)의 제1 부분(942-1)과 제2 부분(942-2)에 개별적으로 제2 전원을 공급함으로써, 제1 발광 칩(642)과 제2 발광 칩(644)을 개별적으로 동작시킬 수 있다.
따라서 도 41에 도시된 발광 소자 패키지(200-2)를 실시 예에 따른 광원 모듈들(100-1 내지 100-21)에 실장할 경우, 광원 모듈(100-1 내지 100-21)은 다양한 색상의 면 광원을 발생할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 칩(642)만을 동작시킬 경우에 실시 예는 적색 면광원을 발생하고, 제2 발광 칩(644)을 동작시킬 경우에 실시 예는 황색 면광원을 발생할 수 있다.
도 46은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(200-1,200-2)의 측정 온도를 나타낸다. 도 46에 도시된 측정 온도는 발광 소자 패키지의 발광시 발광 칩의 온도를 나타낸다.
케이스 1(case 1)은 제1 리드 프레임의 측면부의 제1 부분 및 제2 부분의 제1 방향의 길이가 제3 부분의 길이와 동일할 경우의 발광 칩의 측정 온도를 나타내고, 케이스 2(case2)는 도 26에 도시된 발광 칩의 측정 온도를 나타내고, 케이스 3(case 3)은 도 39에 도시된 발광 칩의 측정 온도를 나타낸다.
도 46을 참조하면, 케이스 1의 측정 온도(t1)는 44.54℃이고, 케이스 2의 측정 온도(t2)는 43.66℃이고, 케이스 3의 측정 온도(t3)는 43.58℃를 나타낸다.
따라서 제1 리드 프레임(620)의 제1 측면부(714)의 연결 부분들(732,734,736)의 디자인을 변경함으로써, 실시 예는 방열 효과를 향상시킬 수 있어, 발광시 발광 소자 패키지(200-1, 200-2)에 실장된 발광 칩(640)의 온도 상승을 완화할 수 있기 때문에 광도 감소 및 파장 쉬프트의 발생을 방지할 수 있다.
도 47은 도 28에 도시된 발광 칩(640)의 일 실시 예를 나타낸다. 도 47에 도시된 발광 칩(640)은 예컨대, 600nm ~ 690nm의 파장 범위를 갖는 적색광을 발광하는 수직형 칩일 수 있다.
도 47을 참조하면, 발광 칩(640)은 제2 전극층(1801), 반사층(1825), 발광 구조물(1840), 패시베이션층(1850), 및 제1 전극층(1860)을 포함한다.
제2 전극층(1801)은 제1 전극층(1860)과 함께 발광 구조물(1840)에 전원을 제공한다. 제2 전극층(1801)은 전류 주입을 위한 전극 물질층(1810), 전극 물질층(1810) 상에 위치하는 지지층(1815), 지지층(1815) 상에 위치하는 본딩층(1820)을 포함할 수 있다. 제2 전극층(1801)은 도 32에 도시된 발광 소자 패키지(200-1)의 제1 리드 프레임(620), 예컨대, 제1 상면부(712)에 본딩될 수 있다.
전극 물질층(1810)은 Ti/Au일 수 있으며, 지지층(1815)은 금속 또는 반도체 물질일 수 있다. 또한 지지층(1815)은 전기 전도성과 열 전도성이 높은 물질일 수 있다. 예컨대, 지지층(1815)는 구리(Cu), 구리 합금(Cu alloy), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 및 구리-텅스텐(Cu-W) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 물질이거나, 또는 Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 중 적어도 하나를 포함하는 반도체일 수 있다.
본딩층(1820)은 지지층(1815)과 반사층(1825) 사이에 배치되며, 본딩층(1820)은 지지층(1815)을 반사층(1825)에 접합시키는 역할을 한다. 본딩층(1820)은 접합 금속 물질, 예를 들어, In,Sn, Ag, Nb, Pd, Ni, Au, Cu 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본딩층(1820)은 지지층(815)을 본딩 방식으로 접합하기 위해 형성하는 것이므로 지지층(1815)을 도금이나 증착 방법으로 형성하는 경우에는 본딩층(1820)은 생략될 수 있다.
반사층(1825)은 본딩층(820) 상에 배치된다. 반사층(1825)은 발광 구조물(1840)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 향상할 수 있다. 반사층(825)은 반사 금속 물질, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다.
또한 반사층(1825)은 전도성 산화물층, 예컨대, IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide) 등을 이용하여 단층 또는 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(825)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등과 같이 금속과 전도성 산화물을 다층으로 하여 형성할 수 있다.
반사층(1825)과 발광 구조물(1840) 사이에는 오믹 영역(ohmic region, 1830)이 위치할 수 있다. 오믹 영역(1830)은 발광 구조물(1840)과 오믹 접촉하는 영역으로 발광 구조물(1840)에 전원이 원활히 공급되도록 하는 역할을 한다.
발광 구조물(1840)과 오믹 접촉하는 물질, 예컨대, Be, Au, Ag, Ni,Cr,Ti,Pd,Ir, Sn, Ru, Pt, Hf 중 적어도 어느 하나를 포함하는 물질을 발광 구조물(1840)과 오믹 접촉시킴으로써 오믹 영역(1830)을 형성할 수 있다. 예컨대, 오믹 영역(1830)을 이루는 물질은 AuBe를 포함할 수 있으며, 도트(dot) 형태일 수 있다.
발광 구조물(1840)은 윈도우층(window layer, 1842), 제2 반도체층(1844), 활성층(1846), 및 제1 반도체층(1848)을 포함할 수 있다. 윈도우층(1842)은 반사층(1825) 상에 배치되는 반도체층으로, 그 조성은 GaP일 수 있다. 다른 실시 예에서는 윈도우층(1842)이 생략될 수 있다.
제2 반도체층(1844)은 윈도우층(1842) 상에 배치된다. 제2 반도체층(1844)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(1844)은 AlGaInP, GaInP, AlInP, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, p형 도펀트(예컨대, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba)가 도핑될 수 있다. 구체적으로 제1 반도체층(1844)의 조성은 p형 도펀트가 도핑된 AlGaInP일 수 있다.
활성층(1846)은 제2 반도체층(1844)과 제1 반도체층(848) 사이에 배치되며, 제2 반도체층(1844) 및 제1 반도체층(1848)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(1846)은 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
예컨대, 활성층(1846)은 우물층과 장벽층을 갖는 단일 또는 다중양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 낮은 밴드 갭을 갖는 물질일 수 있다. 예컨대, 활성층(1846)은 AlGaInP 또는 GaInP일 수 있다.
제1 반도체층(1848)은 반도체 화합물로 형성될 수 있다. 제1 반도체층(1848)은 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체로 구현될 수 있으며, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다. 예컨대, 제1 반도체층(1848)은 AlGaInP, GaInP, AlInP, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Sn 등)가 도핑될 수 있다.
발광 구조물(1840)은 600nm ~ 690nm의 파장 범위를 갖는 적색광을 발생할 수 있으며, 제1 반도체층(1848), 활성층(1846), 및 제2 반도체층(1844)은 적색광을 발생할 수 있는 조성을 가질 수 있다. 광 추출 효율을 증가시키기 위해 제1 반도체층(848)의 상면은 거칠기(roughness, 1870)가 형성될 수 있다.
패시베이션층(1850)은 발광 구조물(1840)의 측면 상에 배치된다. 패시베이션층(1850)은 발광 구조물(1840)을 전기적으로 보호하는 역할을 한다. 패시베이션층(1850)은 절연 물질, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, 또는 Al2O3 로 형성될 수 있다. 패시베이션층(1850)은 제1 반도체층(1848) 상면의 적어도 일부 상에 배치될 수도 있다.
제1 전극층(1860)은 제1 반도체층(1848) 상에 배치될 수 있으며, 소정의 패턴을 가질 수 있다. 제1 전극층(1860)은 단일 또는 복수의 층일 수 있다. 예컨대, 제1 전극층(1860)은 순차로 적층되는 제1층(1862), 제2층(1864), 및 제3층(1866)을 포함할 수 있다. 제1층(1862)은 제1 반도체층(1848)과 오믹 접촉하며, GaAs로 형성될 수 있다. 제2층(1864)은 AuGe/Ni/Au 합금으로 형성될 수 있다. 제3층(1866)은 Ti/Au 합금으로 형성될 수 있다.
도 28 및 도 41에 도시된 바와 같이, 제1 전극층(860)은 와이어(652,654, 653, 또는 655)에 의하여 제2 리드 프레임(630, 또는 630')에 전기적으로 본딩될 수 있다.
일반적으로 발광 칩은 온도가 증가하면, 파장 쉬프트가 발생하고, 광도가 감소한다. 그런데, 청색광을 발생하는 청색 발광 칩(Blue LED) 및 황색광을 발생하는 발광 칩(Amber LED)에 비하여 적색광을 발생하는 적색 발광 칩(Red LED)은 온도 증가에 따른 파장 쉬프트 및 광도 감소의 정도가 더 심하다. 따라서 적색 발광 칩을 사용하는 발광 소자 패키지 및 광원 모듈은 발광 칩의 온도 증가를 억제하기 위한 방열 대책이 매우 중요하다.
그런데, 실시 예에 따른 발광 램프(1)에 포함되는 광원 모듈들(100-1 내지 100-21) 및 발광 소자 패키지(200-1 내지 200-2)는 상술한 바와 같이 방열 효율을 향상시킬 수 있기 때문에, 적색 발광 칩을 사용하더라도 발광 칩의 온도 증가를 억제하여 파장 쉬프트 및 광도 감소를 억제할 수 있다.
도 48은 다른 실시 예에 따른 발광 램프(2)를 나타낸다. 도 48을 참조하면, 발광 램프(2)는 하우징(1310), 광원 모듈(1320), 확산판(1330), 및 마이크로 렌즈 어레이(1340)를 포함한다.
하우징(1310)은 광원 모듈(1320), 확산판(1330), 및 마이크로 렌즈 어레이(1340)를 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다.
광원 모듈(1320)은 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-21) 중 어느 하나일 수 있다. 또는 광원 모듈(1320)은 상술한 실시 예들 중 확산판(70)을 포함하지 않는 실시 예들(100-1 내지 100-3, 100-7 내지 100-8, 100-12 내지 100-13, 100-20) 중 어느 하나일 수 있다. 또는 광원 모듈(1320)은 실시 예들(100-4 내지 100-6, 100-9 내지 100-11, 100-14 내지 100-21) 중 확산판(70)이 생략된 구조일 수 있다.
확산판(1330)은 광원 모듈(1320)을 통과하여 출사되는 광을 전면에 걸쳐 균일하게 확산시키는 역할을 할 수 있다. 확산판(1330)은 상술한 확산판(70)과 동일한 재질로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시 예에서는 확산판(1330)이 생략될 수 있다.
마이크로 렌즈 어레이(1340)는 베이스 필름(1342) 상에 복수 개의 마이크로 렌즈(1344)가 배치되는 구조일 수 있다. 각각의 마이크로 렌즈(1344)는 기설정된 간격만큼 서로 이격될 수 있다. 각각의 마이크로 렌즈(1344) 사이는 평면일 수 있고, 각각의 마이크로 렌즈(1344)는 50~500 마이크로 미터의 피치를 가지고 서로 이격될 수 있다.
도 48에서는 확산판(1330)과 마이크로 렌즈 어레이(1340)가 별개의 구성 요소로 이루어졌지만, 다른 실시 예에서는 확산판(1330)과 마이크로 렌즈 어레이(1340)가 일체형으로 이루어질 수 있다.
도 50은 실시 예에 따른 차량용 후미등(tail light, 900-2)을 나타내고, 도 51은 일반적인 차량용 후미등을 나타낸다.
도 50을 참조하면, 차량용 후미등(900-2)은 제1 광원 모듈(952), 제2 광원 모듈(954), 제3 광원 모듈(956), 및 하우징(970)을 포함할 수 있다.
제1 광원 모듈(952)은 방향 지시등 역할을 위한 광원일 수 있고, 제2 광원 모듈(954)은 차폭등의 역할을 위한 광원일 수 있고, 제3 광원 모듈(956)은 정지등 역할을 위한 광원일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 역할이 서로 바뀔 수 있다.
하우징(970)은 제1 내지 제3 광원 모듈들(952,954,956)을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 하우징(970)은 차량 몸체의 디자인에 따라 굴곡을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 광원 모듈들(952,954,956) 중 적어도 하나는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-21) 중 어느 하나로 구현될 수 있다.
후미등의 경우 정차 시 광의 세기가 110 칸델라(cd) 이상이어야 원거리에서 시인이 가능하며 통상 이보다 30% 이상 수준의 광 세기를 필요로 한다. 그리고 30% 이상의 광 출력을 위해서는 광원 모듈(예컨대, 952,954 또는 956)에 적용하는 발광 소자 패키지의 개수를 25%~ 35% 이상 증가시키거나, 개별 발광 소자 패키지의 출력을 25%~ 35% 높여야 한다.
발광 소자 패키지의 개수를 증가시킬 경우에는 배치 공간의 한계로 제작의 어려움이 있을 수 있기 때문에, 광원 모듈에 장착되는 개별 발광 소자 패키지의 출력을 높임으로써 적은 수로도 원하는 광 세기(예컨대, 110 칸델라 이상)를 얻을 수 있다. 통상 발광 소자 패키지의 출력(W)과 그 개수(N)를 곱한 값이 광원 모듈의 전체 출력이 되기 때문에 원하는 광 세기를 얻기 위하여 광원 모듈의 면적에 따른 발광 소자 패키지의 적절한 출력과 개수를 정할 수 있다.
일 예로 소모 전력이 0.2 와트이고, 출력이 13루멘(lm)인 발광 소자 패키지의 경우에는 일정한 면적에 37~ 42개를 배치함으로써 100 칸델라 정도의 광 세기를 낼 수 있다. 그러나 소모 전력이 0.5 와트이고, 광속이 30루멘(lm)인 발광 소자 패키지의 경우에는 동일 면적에 13~ 15개만을 배치해도 유사한 세기의 광을 얻을 수 있다. 일정한 출력을 얻기 위하여 일정한 면적을 갖는 광원 모듈에 배치해야 하는 발광 소자 패키지의 개수는 배치 간격(pitch), 도광층 내의 광확산 물질의 함량, 반사층의 패턴 형상에 따라 결정될 수 있다. 여기서 간격은 이웃하는 2개의 발광 소자 패키지들의 어느 하나의 중간 지점에서 나머지 다른 하나의 중간 지점까지의 거리일 수 있다.
발광 소자 패키지를 광원 모듈 내에 배치할 때는 일정한 간격을 두어 배치하는데, 고출력의 발광 소자 패키지의 경우에는 상대적으로 배치 개수를 줄일 수 있고, 넓은 간격으로 배치할 수 있어 공간을 효율적으로 사용할 수 있다. 또한 고출력의 발광 소자 패키지를 좁은 간격으로 배치할 경우에는 넓은 간격으로 배치한 경우보다 높은 광의 세기를 만들어 낼 수도 있다.
도 52a 및 52b는 실시 예에 따른 차량용 후미등에 사용되는 광원 모듈의 발광 소자 패키지의 간격을 나타낸다. 예컨대, 도 52a는 도 50에 도시된 제1 광원 모듈(952)일 수 있고, 도 52b는 도 50에 도시된 제2 광원 모듈(954)일 수 있다.
도 52a 및 도 52b를 참조하면, 발광 소자 패키지들(99-1 내지 99-n, 또는 98-1 내지 98-m)은 기판(10-1, 또는 10-2) 상에 이격하여 배치될 수 있다. n>1인 자연수이고, m>1인 자연수일 수 있다.
이웃하는 2개의 발광 소자 패키지들 사이의 간격(예컨대, ph1, ph2, ph3 또는 pc1,pc2,pc3)은 서로 다를 수 있으나, 그 간격의 범위는 8~ 30mm가 적절하다.
왜냐하면 발광 소자 패키지(99-1 내지 99-n, 또는 98-1 내지 98-m)의 소모 전력에 따라 변화가 있을 수 있지만, 배치 간격(예컨대, ph1, ph2, ph3 또는 pc1,pc2,pc3)이 8mm이하인 경우에는 이웃하는 발광 소자 패키지들(예컨대, 99-3 내지 99-4)의 광이 서로 간섭하여 인지 가능한 명부를 발생시킬 수 있기 때문이다. 또한 배치 간격(예컨대, ph1, ph2, ph3 또는 pc1,pc2,pc3)이 30mm 이상인 경우에는 빛이 도달하지 않는 영역으로 인해 암부를 발생시킬 수 있기 때문이다.
상술한 바와 같이 광원 모듈(100-1 내지 100-21)은 그 자체가 유연성을 가지기 때문에 굴곡을 갖는 하우징(970)에도 용이하게 장착 가능하므로 실시 예에 따른 차량용 후미등(900-2)은 디지인의 자유도를 향상시킬 수 있다.
또한 광원 모듈(100-1 내지 100-21)은 열 방출 효율을 향상시킨 구조를 갖기 때문에, 실시 예에 따른 차량용 후미등(900-2)은 파장 쉬프트 발생 및 광도 감소를 방지할 수 있다.
도 51에 도시된 일반적인 차량용 후미등은 점광원이기 때문에, 발광 시 발광면에 부분적인 스팟(962, 964)이 나타날 수 있으나, 실시 예에 따른 차량용 후미등(900-2)는 면광원이기 때문에 발광면 전체에서 균일한 휘도 및 조도를 구현할 수 있다.
도 53은 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)의 사시도를 나타내고, 도 54는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지(300)의 상면도를 나타내고, 도 55는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지(300)의 정면도를 나타내고, 도 56은 도 53에 도시된 발광 소자 패키지(300)의 Ⅰ-Ⅱ 방향의 단면 사시도를 나타내고, 도 57은 도 53에 도시된 발광 소자 패키지(300)의 Ⅲ-Ⅳ 방향의 단면 사시도를 나타낸다.
도 53 내지 도 57을 참조하면, 발광 소자 패키지(300)는 패키지 몸체(1610), 제1 리드 프레임(1622), 제2 리드 프레임(1624), 제3 리드 프레임(1626), 제4 리드 프레임(1628), 제1 발광 칩(1632), 제2 발광 칩(1634), 및 와이어들(1642, 1644)을 포함한다.
패키지 몸체(1610)는 도 28에서 설명한 바와 동일한 재질 또는 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 패키지 몸체(1610)의 제1 방향(예컨대, X축 방향)의 길이(X11)는 5.95mm ~ 6.05mm이고, 제2 방향(예컨대, Y축 방향)의 길이(Y11)는 1.01mm ~ 1.11mm일 수 있다. 패키지 몸체(1610)의 제3 방향(예컨대, Z축 방향)의 길이(Y22)는 1.6mm ~ 1.7mm일 수 있다. 예컨대, 상기 제1 방향은 패키지 몸체(1610)의 장측과 평행한 방향일 수 있다.
패키지 몸체(1610)는 상부가 개방되고, 측벽(1602) 및 바닥(1603)으로 이루어지는 캐비티(1601)를 가질 수 있다. 캐비티의 형상은 도 28에서 설명한 바와 동일할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 캐비티(1601)의 제1 방향(예컨대, X축 방향)의 길이(X13)는 4.95mm ~ 5.05mm이고, 제2 방향(예컨대, Y축 방향)의 길이(X4)는 0.64mm ~ 0.74mm이고, 캐비티(1601)의 깊이(예컨대, Z축 방향의 길이, Y3)는 0.33mm ~ 0.53mm일 수 있다.
제1 내지 제4 리드 프레임들(1622,1624,1626,1628, 이하 "1622 내지 1628"이라 함)은 일부가 노출되도록 패키지 몸체 내에 배치될 수 있고, 전기적으로 분리되도록 서로 이격될 수 있다.
예컨대, 제1 리드 프레임(1622)은 제2 리드 프레임(1624)과 제4 리드 프레임(1628) 사이에 위치하고, 제3 리드 프레임(1626)은 제1 리드 프레임(1622)과 제4 리드 프레임(1628) 사이에 위치할 수 있다.
제1 리드 프레임(1622)과 제2 리드 프레임(1624) 사이, 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626) 사이, 및 제3 리드 프레임(1626)과 제4 리드 프레임(1628) 사이에는 패키지 몸체(1610)의 일부가 위치할 수 있으며, 이로 인하여 제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628)은 전기적으로 서로 분리될 수 있다.
제1 리드 프레임(1622)과 제2 리드 프레임(1624) 사이의 제1 이격 거리(X21) 및 제3 리드 프레임(1626)과 제4 리드 프레임(1628) 사이의 제2 이격 거리(X22)는 서로 동일할 수 있다. 예컨대, 제1 이격 거리(X21) 및 제2 이격 거리(X22)는 0.15mm ~ 0.2mm일 수 있다. 이때 제1 이격 거리(X1) 및 제2 이격 거리(X22)의 하한치는 패키지 몸체 형성을 위하여 수지가 주입될 수 있는 최소 거리를 일 수 있다.
그리고 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626) 사이의 제3 이격 거리(X23)는 제1 이격 거리(X21)와 제2 이격 거리(X22)보다 클 수 있다. 예컨대, 제3 이격 거리(X23)는 0.3mm ~ 0.4mm일 수 있다.
제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628) 각각의 상면부는 캐비티(1601) 바닥(1603)과 동일 평면에 위치할 수 있다.
도 58은 도 53에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628)의 사시도를 나타내고, 도 59는 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628) 각 부분의 치수를 설명하기 위한 확대 도면이다.
도 58 및 도 59를 참조하면, 제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628) 각각은 상면부(1622-1, 내지 1628-1) 및 상면부(1622-1, 내지 1628-1)의 일 측부로부터 절곡되는 측면부(1622-2, 내지 1628-2)를 포함한다.
상면부(1622-1, 내지 1628-1)는 캐비티(1601)의 바닥(1603)과 동일 평면에 위치하고, 캐비티(1601)에 의하여 노출될 수 있다. 측면부(1622-2, 내지 1628-2)는 상면부의 일 측부로부터 아래 방향으로 일정한 각도로 절곡될 수 있으며, 패키지 몸체(1610)의 일 측면으로부터 노출될 수 있다. 예를 들면, 상면부(1622-1, 내지 1628-1)와 측면부(1622-2, 내지 1628-2)가 이루는 각도는 90°보다 크거나 같고, 180°보다 작을 수 있다.
제1 리드 프레임(1622)은 제1 상면부(1622-1), 및 제1 상면부(1622-1)의 일 측부로부터 절곡되는 제1 측면부(1622-2)를 포함할 수 있다. 또한 제2 리드 프레임(1624)은 제2 상면부(1624-1), 및 제2 상면부(1624-1)의 일 측부로부터 절곡되는 제2 측면부(1624-2)를 포함할 수 있다. 또한 제3 리드 프레임(1626)은 제3 상면부(1626-1), 및 제3 상면부(1626-1)의 일 측부로부터 절곡되는 제3 측면부(1626-2)를 포함할 수 있다. 또한 제4 리드 프레임(1628)은 제4 상면부(1628-1), 및 제4 상면부(1628-1)의 일 측부로부터 절곡되는 제4 측면부(1628-2)를 포함할 수 있다.
제1 내지 제4 상면부들(1622-1 내지 1628-1)은 캐비티(1601)의 바닥(1603)과 동일 평면에 위치하고, 캐비티(1601)에 의하여 노출될 수 있다. 제1 리드 프레임(1622)의 제1 상면부(1622-1) 상에는 제1 발광 칩(1632)이 배치될 수 있고, 제3 리드 프레임(1626)의 제3 상면부(1626-1) 상에는 제2 발광 칩(1634)이 배치될 수 있다.
절단선 Ⅲ-Ⅳ을 기준으로 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626)은 서로 대칭인 형상일 수 있으며, 제2 리드 프레임(1624)과 제4 리드 프레임(1628)은 서로 대칭인 형상일 수 있다. 이로 인하여 리드 프레임들(1622과 1626, 1624와 1628)이 서로 대칭적으로 배치되기 때문에, 수지 주입에 의한 패키지 몸체(1610) 형성이 균일하고 양호하게 이루어질 수 있고, 리드 프레임(1622, 1626)에 발광 칩(1632, 1634)을 어긋나지 않도록 실장할 수 있다.
제1 상면부(1622-1)와 제3 상면부(1626-1) 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(I1)는 1.37mm ~ 1.47mm이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(I2)는 0.6mm ~ 0.7mm일 수 있다.
제1 측면부(1622-2)는 제1 상면부(1622-1)와 연결되는 제1 상단부(1712), 및 제1 상단부(1712)와 연결되고 그 아래에 위치하는 제1 하단부(1714)를 포함할 수 있다. 제3 측면부(1626-2)는 제3 상면부(1626-1)와 연결되는 제2 상단부(1722), 및 제2 상단부(1722)와 연결되고 그 아래에 위치하는 제2 하단부(1724)를 포함할 수 있다.
제1 상단부(1712) 및 제2 상단부(1722) 각각의 제3 방향(Z축 방향)의 길이(L3)는 0.6mm ~ 0.7mm이고, 제1 하단부(1714) 및 제2 하단부(1724) 각각의 제3 방향의 길이(L4)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있다.
제1 상단부(1712)의 측면과 제1 하단부(1714)의 측면 사이에는 단차가 존재할 수 있으며, 제2 상단부(1722)의 측면과 제2 하단부(1724)의 측면 사이에는 단차가 존재할 수 있다. 이러한 단차는 패키지 몸체(1610)와의 결합도 및 수분 침투 방지를 위한 기밀성 향상을 위함이다.
예컨대, 제1 하단부(1714)의 일 측단(예컨대, 좌측단)은 제1 상단부(1712)의 측면(예컨대, 좌측면)을 기준으로 측 방향(lateral direction)으로 돌출된 구조일 수 있다. 또한 제2 하단부(1724)의 일 측단(예컨대, 우측단)은 제2 상단부(1722)의 측면(예컨대, 우측면)을 기준으로 측 방향으로 돌출된 구조일 수 있다.
제1 상단부(1712) 및 제2 상단부(1722) 각각의 제1 방향의 길이(L1)는 1.08mm ~ 1.18mm이고, 제1 하단부(1714) 및 제2 하단부(1724) 각각의 제1 방향의 길이(L2)는 1.38mm ~ 1.48mm일 수 있다. 즉 제1 내지 제4 리드 프레임들 각각의 두께(t11)는 0.1mm ~ 0.2mm일 수 있다.
제2 리드 프레임(1624)의 제3 상면부(1624-1)는 제1 상면부(1622-1)의 일측(예컨대, 좌측)에 위치하고, 제4 리드 프레임(1628)의 제4 상면부(1628-1)는 제3 상면부(1626-1)의 일측(예컨대, 우측)에 위치할 수 있다.
제2 상면부(1624-1)와 제4 상면부(1628-1) 각각의 제1 방향(X축 방향)의 길이(H21)는 0.7mm ~ 0.8mm이고, 제2 방향(Y축 방향)의 길이(H11)는 0.65mm ~ 0.75mm일 수 있다.
제2 측면부(1624-2) 및 제4 측면부(1628-2) 각각의 제1 방향의 길이(A1)는 0.4mm ~ 0.5mm일 수 있고, 제3 방향의 길이(G1)는 1.05mm ~ 1.15mm일 수 있다.
도 53에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4 상면부들(1622-1 내지 1628-1) 각각은 적어도 일부가 캐비티(1601)로부터 노출되고, 제1 내지 제4 측면부들(1622-2 내지 1628-2) 각각은 적어도 일부가 패키지 몸체(1610)의 동일한 일면(예컨대, 하면)으로부터 노출될 수 있다.
제1 상면부(1622-1)와 제2 상면부(1624-1)의 서로 이웃하고 마주보는 측면(1401, 1402)의 길이는 서로 동일할 수 있다. 또한 제3 상면부(1626-1)와 제4 상면부(1628-1)의 서로 이웃하고 마주보는 측면(1403,1404)의 길이는 서로 동일할 수 있다.
제1 상면부(1622-1)와 제2 상면부(1624-1)의 서로 마주보는 측면들(1401,1404)은 절곡된 단차(g11, g22)를 가질 수 있다. 또한 제3 상면부(1626-1)와 제4 상면부(1628-1)의 서로 마주보는 측면들(1403,1404)은 절곡된 단차(g21, g22)를 가질 수 있다. 예컨대, 단차(g11,g12, g21, g22)의 각도는 수직일 수 있다.
예컨대, 절곡된 단차(g11, g12, g21,g22)는 상면부(1622-1 내지 1628-1)와 측면부(1622-2 내지 1628-2)가 만나는 부분과 인접하여 위치할 수 있다.
절곡된 단차(g11,g12, g21,g22)에 의하여 제1 측면부(1622-2)와 제3 측면부(1626-2)의 면적을 제2 측면부(1624-2)와 제4 측면부(1628-2)와 비교하여 상대적으로 넓게 디자인할 수 있다. 따라서 실시 예는 발광 칩(1632,1634)이 실장되는 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626)의 면적을 증가시켜 발열 효율을 향상시킬 수 있다. 이는 제1 리드 프레임(1622) 및 제3 리드 프레임(1626)의 면적이 발광 칩(1632,1634)의 열 방출과 관련되기 때문이다.
제2 상면부(1624-1) 및 제4 상면부(1628-1)의 일 측면(1405, 1406)은 절곡된 단차(g13, g23)를 가질 수 있다. 절곡된 단차(g13, g23)는 제2 상면부(1624-1)의 측면(1401) 및 제4 상면부(1628-1)의 측면(1404) 각각과 마주보는 측면(1405, 1406)에 위치할 수 있다. 또한 절곡된 단차(g13, g23)는 제2 상면부(1624-1)와 제2 측면부(1624-2)가 만나는 부분 및 제4 상면부(1628-1)와 제4 측면부(1628-2)가 만나는 부분과 인접하여 위치할 수 있다.
절곡된 단차(g13,g23)가 형성되는 이유는 발광 소자 패키지(300-1)를 연성 기판(10)에 본딩할 때, 본딩 물질(예컨대, solder)을 육안으로 용이하게 관찰할 수 있도록 하기 위함이다.
제2 상면부(1624-1) 및 제4 상면부(1628-1) 각각의 다른 일 측면(1407, 1408)은 절곡된 단차(g31,g32)를 가질 수 있다. 이때 단차(g31)는 제2 상면부(1624-1)와 제2 측면부(1624-2)가 만나는 측면과 마주보는 측면(1407)에 존재할 수 있고, 단차(g32)는 제4 상면부(1628-1)와 제4 측면부(1628-2)가 만나는 측면과 마주보는 측면(1408)에 존재할 수 있다.
제1 내지 제4 측면부들(1622-2 내지 1628-2)은 실시 예에 따른 광원 모듈들(100-1 내지 100-21)의 연성 기판(10)과 접촉하도록 실장될 수 있으며, 이로 인하여 발광 칩(1632, 1634)은 도광층(40)의 측면을 향하는 방향(3)으로 빛을 조사할 수 있다. 즉 발광 소자 패키지(300)는 측면형(side view type)의 구조를 가질 수 있다.
제1 발광 칩(1632)은 제1 리드 프레임(1622)의 제1 상면부(1622-1) 상에 실장되고, 제1 와이어(1642)에 의하여 제2 리드 프레임(1624)의 제2 상면부(1624-1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 발광 칩(1634)은 제3 리드 프레임(1626)의 제3 상면부(1626-1) 상에 실장되고, 제2 와이어(1644)에 의하여 제4 리드 프레임(1628)의 제4 상면부(1628-1)와 전기적으로 연결될 수 있다.
발광 소자 패키지(300)는 발광 칩(1632,1634)을 포위하도록 캐비티(1601) 내에 충진되는 수지층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 수지층은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다.
제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)은 서로 다른 파장의 빛을 발생할 수 있다. 예컨대, 제1 발광 칩(1632)은 600nm ~ 690nm의 파장 범위를 갖는 적색광을 발광하는 수직형 칩일 수 있다. 바람직하게 제1 발광 칩(1632)의 발광 파장은 615nm ~ 630nm일 수 있다.
예컨대, 제1 발광 칩(1632)은 도 47에서 설명한 수직형 발광 칩 구조일 수 있다. 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634) 각각의 크기는 355um × 355um일 수 있다.
제2 발광 칩(1634)은 550nm ~ 600nm의 파장 범위를 갖는 호박색(amber)광을 발광하는 수직형 칩일 수 있다. 바람직하게 제2 발광 칩(1634)의 발광 파장은 589nm일 수 있다. 제2 발광 칩(1634)은 도 47에 도시된 수직형 발광 칩의 구조를 가질 수 있다. 다만 서로 다른 파장을 갖는 빛을 발생하기 위하여 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)을 구성하는 반도체층의 조성은 서로 다를 수 있다. 또한 제1 발광 칩(1632) 및 제2 발광 칩(1634)의 구동 전류, 광도 등이 서로 다를 수 있다.
예컨대, 제1 발광 칩(1632) 및 제2 발광 칩(1634) 각각의 제1 반도체층(1848) 및 제2 반도체층(1844)은 AlGaInP, AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, AlInP 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 제1 발광 칩(1632)의 제1 반도체층(1848) 및 제2 반도체층(1844) 각각의 Al 함유량은 0.65 ~ 0.75이고, 제2 발광 칩(1634)의 제1 반도체층(1848) 및 제2 반도체층(1844) 각각의 Al 함유량은 0.85 ~ 0.95일 수 있다.
제2 발광 칩(1634)의 제1 반도체층(1848) 및 제2 반도체층(1844)의 Al 함유량은 제1 발광 칩(1632)의 제1 반도체층(1848) 및 제2 반도체층(1844)의 Al 함유량보다 크기 때문에 식각률이 더 클 수 있다.
또한 동일 구동 전류 인가시 제1 발광 칩(1632)의 광도가 제2 발광 칩(1634)의 광도보다 높을 수 있으며, 초기 문턱 전압은 제1 발광 칩(1632)이 제2 발광 칩(1634)보다 더 낮을 수 있다. 또한 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)을 구동하기 위한 구동 전류는 양자가 서로 다를 수 있다.
제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)은 개별적으로 구동될 수 있다. 예컨대, 제1 리드 프레임(1622)의 제1 측면부(1622-2)에는 제1 전원이 공급되고, 제2 리드 프레임(1624)의 제2 측면부(1624-2)에는 제2 전원이 공급되고, 제3 리드 프레임(1626)의 제3 측면부(1626-2)에는 제3 전원이 공급되고, 제4 리드 프레임(1628)의 제4 측면부(1628-2)에는 제4 전원이 공급될 수 있다.
그리고 제1 내지 제4 전원들을 제어함으로써, 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634) 중 적어도 하나를 동작시킬 수 있다. 예컨대, 제1 전원과 제2 전원을 공급하고, 제3 전원과 제4 전원의 공급을 차단하면, 제1 발광 칩(1632)이 발광할 수 있다. 또한 제1 전원과 제2 전원의 공급을 차단하고, 제3 전원과 제4 전원을 공급하면, 제2 발광 칩(1634)이 발광할 수 있다. 다른 실시 예에서는 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)이 동시에 동작할 수 있다.
*제1 전원 및 제2 전원에 의하여 제1 발광 칩(1632)을 구동하기 위한 구동 전류는 최대 70mA일 수 있고, 광도(Luminous Intensity)는 500mcd일 수 있다. 여기서 mcd는 밀리 칸텔라이다.
제3 전원 및 제4 전원에 의하여 제2 발광 칩(1634)을 구동하기 위한 구동 전류는 최대 70mA일 수 있고, 광도(Luminous Intensity)는 450mcd일 수 있다.
또한 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)의 구동 전류의 세기를 달리하여 서로 다른 광량의 빛을 구현할 수 있다. 상술한 바와 같이, 실시 예에 따른 발광 소자 패키지(300)는 2개 이상의 발광 색을 구현할 수 있다.
도 60은 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 변형 실시 예를 나타낸다. 도 60을 참조하면, 제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628) 중 적어도 하나는 상면부(1622-1 내지 1628-1)와 측면부(1622-2 내지 1628-2)의 경계 부분(802)에 적어도 하나의 관통 홀(h11 내지 h14)을 가질 수 있다.
관통 홀(h11, h12)의 형상은 원형, 타원형, 또는 다각형 등일 수 있다. 관통 홀(h11, h12)은 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626)의 절곡을 용이할 뿐만 아니라, 제1 리드 프레임(162)과 패키지 몸체(1610) 사이, 및 제3 리드 프레임(1626)과 패키지 몸체(1610) 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다.
도 61은 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 또 다른 변형 실시 예를 나타낸다. 도 58과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 58 및 도 61을 참조하면, 제1 상면부(1622-1')와 제3 상면부(1626-1')의 면적은 도 58에 도시된 제1 상면부(1622-1)와 제3 상면부(1626-1)의 면적보다 작다.
도 58에 도시된 제2 상면부(1624)는 제1 상면부(1622)의 일 측면(1402)하고만 마주보도록 위치하는 반면에, 제2 상면부(1624-1')는 제1 상면부(1622-1')의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감싸도록 위치할 수 있다.
예컨대, 제2 상면부(1624-1')는 제1 상면부(1622-1')의 일 측면(1402)과 마주보는 측면(1401)을 갖는 제1 부분(1812), 및 제1 상면부(1622-1')의 다른 일 측면(1503)과 마주보는 측면(1501)을 갖는 제2 부분(1814)을 포함할 수 있다. 제2 부분(1814)은 제1 부분(1812)의 일 측면(1401)으로부터 확장되고, 제2 측면부(1624-2)는 제1 부분(1812)과 연결될 수 있다.
제4 상면부(1628-1')는 제3 상면부(1626-1')의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감싸도록 위치할 수 있다.
예컨대, 제4 상면부(1628-1')는 제3 상면부(1626-1')의 일 측면(1403)과 마주보는 측면(1404)을 갖는 제3 부분(1822), 및 제3 상면부(1626-1')의 다른 일 측면(1504)과 마주보는 측면(1502)을 갖는 제4 부분(1824)을 포함할 수 있다. 제4 부분(1824)은 제3 부분(1822)의 일 측면(1404)으로부터 확장되고, 제4 측면부(1628-2)는 제3 부분(1822)과 연결될 수 있다.
도 62는 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 또 다른 변형 실시 예를 나타낸다. 도 58과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 62에 도시된 실시 예는 도 58에 도시된 제1 리드 프레임(1622)의 제1 상면부(1622-1)와 제3 리드 프레임(1626)의 제3 상면부(1626-1)가 연결되어 하나의 공통 상면부(1732)를 구성한다. 즉 공통 상면부(1732)에 의하여 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626)이 서로 연결되어 제1 공통 리드 프레임(1730)을 구성할 수 있다. 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)은 제1 공통 리드 프레임(1730)의 공통 상면부(1732) 상에 서로 이격하여 실장될 수 있다.
도 63은 도 58에 도시된 제1 내지 제4 리드 프레임들의 또 다른 변형 실시 예를 나타낸다. 도 58과 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 63에 도시된 실시 예는 도 58에 도시된 제1 리드 프레임(1622)의 제1 측면부(1622-2)와 제3 리드 프레임(1626)의 제3 측면부(1626-2)가 연결되어 하나의 공통 측면부(1742)를 구성한다. 즉 공통 측면부(1742)에 의하여 제1 리드 프레임(1622)과 제3 리드 프레임(1626)이 서로 연결되어 제2 공통 리드 프레임(1740)을 구성할 수 있다.
제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)이 개별적으로 동작할 경우, 도 63에 도시된 제2 공통 리드 프레임(1740)을 포함하는 발광 소자 패키지는 도 62에 도시된 제1 공통 리드 프레임(1730)을 포함하는 발광 소자 패키지에 비하여 열 방출 효율이 높을 수 있다.
제1 공통 리드 프레임(1730)의 제1 공통 상면부(1732)는 제1 발광 칩(1632) 및 제2 발광 칩(1634)에서 발생하는 열을 모두 공유하는 구조이지만, 제2 공통 리드 프레임(1740)의 상면부(1622-1,1626-1)는 열원이 분리된 구조를 갖기 때문이다.
또한 제1 공통 리드 프레임(1740)은 서로 분리된 측면부(1622-2, 1626-2)를 갖지만, 제2 공통 리드 프레임(1740)은 일체화된 공통 측면부(1742)를 갖는다. 따라서 제2 공통 리드 프레임(1740)은 제1 공통 리드 프레임(1730)에 비하여 발열 면적이 크기 때문에 열 방출 효율이 더 높을 수 있다.
도 64는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지의 변형 실시 예를 나타낸다.
도 64에 도시된 실시 예는 도 53에 도시된 발광 소자 패키지(300)에 제1 제너 다이오드(1636) 및 제2 제너 다이오드(1638)를 더 포함한다.
제1 제너 다이오드(1636)는 발광 소자 패키지(300)의 내전압 향상을 위하여 제2 리드 프레임(1624)의 제2 상면부(1624-1) 상에 배치될 수 있다. 또한 제2 제너 다이오드(1638)는 제4 리드 프레임(1628)의 제4 상면부(1628-1) 상에 배치될 수 있다. 제1 제너 다이오드(1636)는 와이어(1646)에 의하여 제1 리드 프레임(1622)의 제1 상면부(1622-1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고 제2 제너 다이오드(1638)는 와이어(1648)에 의하여 제3 리드 프레임(1626)의 제3 상면부(1626-1)와 전기적으로 연결될 수 있다.
도 65는 도 53 또는 도 64에 도시된 발광 소자 패키지를 구비하는 광원 모듈(1520)을 포함하는 차량용 후미등(900-3)을 나타내고, 도 66은 도 65에 포함되는 광원 모듈(1520)을 나타낸다.
도 65 및 도 66를 참조하면, 차량용 후미등(900-3)은 하우징(1510) 및 광원 모듈(1520)을 포함할 수 있다. 하우징(1510)은 광원 모듈(1520)을 수납하며, 투광성 재질로 이루어질 수 있다. 하우징(1510)은 차량 몸체의 디자인에 따라 굴곡을 가질 수 있다.
광원 모듈(1520)은 광원부(1910), 지지부(1920), 및 제어부(1930)를 포함할 수 있다. 광원부(1910)는 상술한 실시 예들(100-1 내지 100-21) 중 어느 하나와 동일한 구조일 수 있으며, 이때 발광 소자 패키지(20)는 도 53 또는 도 64에 도시된 발광 소자 패키지(예컨대, 300,300-1) 또는 도 58 내지 도 63에 도시된 리드 프레임 구조들 중 어느 하나를 포함하는 발광 소자 패키지일 수 있다.
지지부(1920)는 광원부(1910) 및 제어부(1930)를 지지하고, 광원부(1910)로부터 발생되는 열을 방출할 수 있다. 예컨대, 지지부(1920)는 제1 지지부(1922) 및 제1 지지부(1922)로부터 절곡되는 제2 지지부(1924)를 포함할 수 있다.
광원부(1910)는 제1 지지부(1922) 상면에 고정될 수 있고, 제어부(1930)는 제2 지지부(1924)의 후면에 고정될 수 있다.
제어부(1930)는 광원부(1910)와 전기적으로 연결되고, 발광 소자 패키지(300, 300-1)의 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)의 발광을 제어할 수 있다.
제어부(1930)는 제어 신호들을 발생하고, 발생된 제어 신호들을 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)에 공급할 수 있다. 예컨대, 제어부(1930)는 4개의 제어 신호들을 생성할 수 있고, 생성된 4개의 신호들 중 어느 하나를 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제1 내지 제4 리드 프레임들 (1622 내지 1628) 중 대응하는 어느 하나에 공급할 수 있다.
제1 내지 제4 리드 프레임들(1622 내지 1628)에 공급되는 제어 신호들에 기초하여, 제1 발광 칩(1632)만이 턴 온(turn on)될 수 있고, 또는 제2 발광 칩(1634)만이 일정한 발광 주기를 갖도록 턴 온-오프(turn on-off)될 수 있다.
다른 실시 예에서는 제어부(1930)는 광원 모듈(1520) 외부에 마련될 수 있으며, 광원 모듈(1520)에 실장되는 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제1 발광 칩(1632)과 제2 발광 칩(1634)은 외부로부터 제공되는 제어 신호들에 의하여 발광이 제어될 수 있다.
도 53 또는 도 64에 도시된 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)를 포함하는 광원 모듈(1520)은 자동차의 방향 지시등과 정지등 역할을 모두 할 수 있다.
도 67은 도 65에 도시된 차량용 후미등(900-3)에 실장되는 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제1 발광 칩(1632) 동작 시의 발광 형태를 나타내고, 도 68은 도 65에 도시된 차량용 후미등(900-3)에 실장되는 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제2 발광 칩(1634) 동작 시의 발광 형태를 나타낸다.
도 67을 참조하면, 제어부(1930)에 의하여 생성되는 제어 신호들에 의하여 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제1 발광 칩(1632)만을 발광시키면, 차량용 후미등(900-3)은 적색 면광원의 정지등을 구현할 수 있다.
도 68을 참조하면, 제어부(1930)에 의하여 생성되는 제어 신호들에 의하여 발광 소자 패키지(예컨대, 300, 300-1)의 제2 발광 칩(1634)만을 일정한 주기로 온-오프시키면, 깜빡이는(점멸하는) 호박색 면광원의 방향 지시등을 구현할 수 있다.
도 50에 도시된 차량용 후미등(900-2)은 두 개의 별개의 광원 모듈(952,956)들을 이용하여 정지등 및 방향 지시등을 구현하지만, 도 65에 도시된 차량용 후미등(900-3)은 하나의 광원 모듈(1520)을 이용하여 면광원의 정지등 및 방향 지시등을 함께 구현할 수 있다. 따라서 실시 예(900-3)는 면광원의 정지등 및 방향 지시등을 구현하기 위하여 상대적으로 발광 칩의 수를 감소시킬 수 있어 경제성을 향상시킬 수 있으며, 차량용 후미등이 차체(car body)에서 차지하는 면적도 줄일 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 조명 장치, 및 차량용 램프에 사용될 수 있다.

Claims (14)

  1. 캐비티를 갖는 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 내에 배치되는 제1 내지 제4 리드 프레임들;
    제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층을 포함하고, 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 제1 발광 칩과 제2 발광 칩을 포함하며,
    상기 제1 내지 제4 리드 프레임들 각각은,
    상기 캐비티에 노출되는 상면부; 및
    상기 상면부의 일 측부로부터 절곡되고, 상기 패키지 몸체의 일면으로 노출되는 측면부를 포함하며,
    상기 제1 발광 칩은 상기 제1 리드 프레임의 상면부 상에 배치되고, 상기 제2 발광 칩은 상기 제3 리드 프레임의 상면부 상에 배치되는 발광 소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임은 상기 제2 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에 위치하고, 상기 제3 리드 프레임은 상기 제1 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에 위치하는 발광 소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 칩은 600nm ~ 690nm의 파장 범위를 갖는 적색광을 발생하고, 상기 제2 발광 칩은 550nm ~ 600nm의 파장 범위를 갖는 호박색광을 발생하는 발광 소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 리드 프레임들 중 적어도 하나는 상기 상면부와 상기 측면부의 경계 부분에 관통 홀을 갖는 발광 소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임과 상기 제2 리드 프레임 사이, 상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 사이, 및 상기 제3 리드 프레임과 상기 제4 리드 프레임 사이에는 상기 패키지 몸체의 일부가 위치하는 발광 소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임의 상면부와 상기 제3 리드 프레임의 상면부는 서로 연결되는 발광 소자 패키지.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임의 측면부와 상기 제3 리드 프레임의 측면부는 서로 연결되는 발광 소자 패키지.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제2 리드 프레임의 상면부는 상기 제1 리드 프레임의 상면부의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감싸고, 상기 제4 리드 프레임의 상면부는 상기 제2 리드 프레임의 상면부의 이웃하는 2개의 측면들 주위를 감싸는 발광 소자 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드 프레임과 상기 제3 리드 프레임 각각의 측면부는,
    상단부 및 하단부를 포함하고, 상기 하단부는 상기 상단부로부터 측방향으로 돌출되는 발광 소자 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광 칩과 상기 제2 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제1 와이어; 및
    상기 제2 발광 칩과 상기 제4 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제2 와이어를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제2 리드 프레임의 상면부 상에 배치되는 제1 제너 다이오드;
    상기 제4 리드 프레임의 상면부 상에 배치되는 제2 제너 다이오드;
    상기 제1 제너 다이오드와 상기 제1 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제3 와이어; 및
    상기 제2 제너 다이오드와 상기 제3 리드 프레임의 상면부를 전기적으로 연결하는 제4 와이어를 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 발광 칩 및 상기 제2 발광 칩 각각은,
    상기 제1 반도체층 상에 배치되는 제1 전극층;
    상기 제2 반도체층 아래에 배치되는 반사층; 및
    상기 반사층 아래에 배치되는 제2 전극층을 더 포함하는 발광 소자 패키지.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 반도체층과 상기 제2 반도체층은 AlGaInP, AlN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, AlInP 중 어느 하나를 포함하며,
    상기 제2 발광 칩의 Al 함유량은 상기 제1 발광 칩의 Al 함유량보다 큰 발광 소자 패키지.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 발광 칩의 Al 함유량은 0.65 ~ 0.75이고, 상기 제2 발광 칩의 Al 함유량은 0.85 ~ 0.95인 발광 소자 패키지.
PCT/KR2013/005005 2012-06-08 2013-06-07 발광 소자 패키지 WO2013183950A1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/406,159 US9391117B2 (en) 2012-06-08 2013-06-07 Light emitting diode package
JP2015515951A JP6230600B2 (ja) 2012-06-08 2013-06-07 発光素子パッケージ
EP13800772.9A EP2860775B1 (en) 2012-06-08 2013-06-07 Light emitting diode package
CN201380030136.0A CN104396034B (zh) 2012-06-08 2013-06-07 发光二极管封装

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2012-0061289 2012-06-08
KR1020120061289A KR101944409B1 (ko) 2012-06-08 2012-06-08 발광 소자 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013183950A1 true WO2013183950A1 (ko) 2013-12-12

Family

ID=49712284

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2013/005005 WO2013183950A1 (ko) 2012-06-08 2013-06-07 발광 소자 패키지

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9391117B2 (ko)
EP (1) EP2860775B1 (ko)
JP (1) JP6230600B2 (ko)
KR (1) KR101944409B1 (ko)
CN (1) CN104396034B (ko)
WO (1) WO2013183950A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101871374B1 (ko) * 2012-04-09 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 램프
JP6275399B2 (ja) 2012-06-18 2018-02-07 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR102285432B1 (ko) * 2014-11-18 2021-08-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
US10461233B2 (en) * 2015-11-27 2019-10-29 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and lighting device
CN113251331B (zh) 2016-05-04 2023-05-30 Lg伊诺特有限公司 照明模块
JP6717079B2 (ja) * 2016-06-29 2020-07-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法、並びにパッケージの製造方法
WO2018131097A1 (ja) * 2017-01-11 2018-07-19 オリンパス株式会社 照明装置及び照明装置を含む内視鏡システム
JP6971052B2 (ja) * 2017-04-20 2021-11-24 京セラ株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
KR102179692B1 (ko) * 2020-08-03 2020-11-17 장희관 리드갭을 구비한 전장용 사이드뷰 led 패키지
KR20220114910A (ko) * 2021-02-09 2022-08-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006093435A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ装置
JP2007036294A (ja) * 1997-07-29 2007-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh 表面実装可能な光電素子
JP2009152268A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Sony Corp 発光ダイオード、表示装置及び電子機器
JP2010034221A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sony Corp 端面発光型半導体レーザおよびその製造方法
KR100993903B1 (ko) * 2008-07-31 2010-11-11 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지
JP2011166007A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Pearl Lighting Co Ltd 反射型ｌｅｄ照明装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4912532A (en) * 1988-08-26 1990-03-27 Hewlett-Packard Company Electro-optical device with inverted transparent substrate and method for making same
JP2002314100A (ja) * 2001-04-19 2002-10-25 Yazaki Corp 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2006024794A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sanyo Electric Co Ltd フルカラー発光ダイオード装置
JP5119621B2 (ja) * 2006-04-21 2013-01-16 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4922663B2 (ja) * 2006-05-18 2012-04-25 スタンレー電気株式会社 半導体光学装置
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
JP5426091B2 (ja) * 2007-12-27 2014-02-26 豊田合成株式会社 発光装置
US8507929B2 (en) * 2008-06-16 2013-08-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor light emitting device including graded region
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
JP5507330B2 (ja) * 2010-04-27 2014-05-28 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR20120019750A (ko) * 2010-08-26 2012-03-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9240395B2 (en) * 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
KR101871374B1 (ko) * 2012-04-09 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 램프

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036294A (ja) * 1997-07-29 2007-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh 表面実装可能な光電素子
JP2006093435A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄ装置
JP2009152268A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Sony Corp 発光ダイオード、表示装置及び電子機器
JP2010034221A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sony Corp 端面発光型半導体レーザおよびその製造方法
KR100993903B1 (ko) * 2008-07-31 2010-11-11 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지
JP2011166007A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Pearl Lighting Co Ltd 反射型ｌｅｄ照明装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2860775A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN104396034A (zh) 2015-03-04
US9391117B2 (en) 2016-07-12
EP2860775A1 (en) 2015-04-15
EP2860775B1 (en) 2020-04-29
KR101944409B1 (ko) 2019-04-17
US20150155330A1 (en) 2015-06-04
JP2015520518A (ja) 2015-07-16
JP6230600B2 (ja) 2017-11-15
EP2860775A4 (en) 2016-01-20
KR20130137772A (ko) 2013-12-18
CN104396034B (zh) 2018-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013183950A1 (ko) 발광 소자 패키지
WO2017191954A1 (ko) 조명모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2017078402A1 (ko) 광학 플레이트, 조명 소자 및 광원 모듈
WO2019117656A1 (en) Light emitting stacked structure and display device having the same
WO2017191923A1 (ko) 발광 다이오드
WO2017142349A1 (ko) 광학 렌즈, 및 이를 구비한 라이트 유닛 및 조명 장치
WO2016129873A2 (ko) 발광소자 및 발광 다이오드
WO2017135801A1 (ko) 광원 유닛 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2015163556A1 (ko) 조명 장치
WO2011025173A2 (en) Backlight unit and display device
WO2017188670A1 (ko) 조명 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2019045167A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 구비한 광원 장치
WO2016013831A1 (ko) 광원 모듈과 이를 구비한 표시 모듈, 장신구 및 미러
WO2019004518A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2016190651A1 (ko) 광학 렌즈, 조명 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
WO2018106030A1 (ko) 발광소자
WO2019074149A1 (ko) 발광소자 패키지 및 광원 장치
WO2019045166A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2016126066A1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2019066491A1 (ko) 발광 소자 및 그것을 갖는 표시 장치
WO2016144103A1 (ko) 발광 모듈 및 이를 구비한 조명 장치
WO2019059703A2 (ko) 발광소자 패키지 및 조명 모듈
WO2019045513A1 (ko) 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치
WO2019054548A1 (ko) 발광소자 패키지
WO2019216596A1 (ko) 표면발광레이저 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13800772

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14406159

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015515951

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013800772

Country of ref document: EP