WO2013175853A1 - 砥粒、スラリー、研磨液及びこれらの製造方法 - Google Patents

砥粒、スラリー、研磨液及びこれらの製造方法 Download PDF

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slurry
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友洋 岩野
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    • C01P2006/22Rheological behaviour as dispersion, e.g. viscosity, sedimentation stability

Definitions

  • the present invention relates to abrasive grains, slurry, polishing liquid and methods for producing them.
  • the present invention relates to abrasive grains, slurry and polishing liquid used in the manufacturing process of semiconductor elements, and methods for manufacturing these.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • STI shallow trench isolation
  • an insulating material such as silicon oxide formed by a method such as a CVD (chemical vapor deposition) method or a spin coating method is planarized by CMP.
  • a silica-based polishing liquid containing silica particles such as colloidal silica and fumed silica is used as abrasive grains.
  • the silica-based polishing liquid is produced by growing abrasive grains by a method such as thermal decomposition of silicon tetrachloride and adjusting pH.
  • a silica-based polishing liquid has a technical problem that the polishing rate is low.
  • STI is used for element isolation in the integrated circuit.
  • CMP is used to remove excess portions of insulating material deposited on the substrate.
  • a stopper (polishing stop layer) having a low polishing rate is formed under the insulating material.
  • the stopper material (constituting material) is made of silicon nitride, polysilicon, or the like, and has a high polishing selectivity ratio of the insulating material to the stopper material (polishing speed ratio: polishing speed of the insulating material / polishing speed of the stopper material). desirable.
  • Conventional silica-based polishing liquids have a polishing selectivity ratio of an insulating material to a stopper material as small as about 3 and tend not to have practical characteristics for STI.
  • polishing liquids using tetravalent metal element hydroxide particles have been studied (for example, see Patent Document 2 below).
  • a method for producing hydroxide particles of a tetravalent metal element has also been studied (for example, see Patent Document 3 below).
  • JP-A-10-106994 International Publication No. 02/067309 JP 2006-249129 A JP 2002-241739 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-022970
  • the polishing speed may decrease in exchange for the effect of adding the additive, and both the polishing speed and other polishing characteristics are compatible. There is a problem that is difficult.
  • the storage stability of conventional polishing liquids may be low.
  • the polishing characteristics change with time and are greatly reduced (the stability of the polishing characteristics is low).
  • a typical polishing characteristic is a polishing rate, and there is a problem that the polishing rate decreases with time (the stability of the polishing rate is low).
  • abrasive grains may aggregate or precipitate during storage, which may adversely affect polishing characteristics (low dispersion stability).
  • the present invention is intended to solve the above-mentioned problems, and it is possible to polish the material to be polished at an excellent polishing rate while maintaining the additive effect of the additive, and to improve the storage stability. It is an object of the present invention to provide an abrasive that provides a possible polishing liquid and a method for producing the same.
  • the present invention is capable of polishing a material to be polished at an excellent polishing rate while maintaining the effect of adding an additive, and provides a slurry that provides a polishing liquid capable of improving storage stability, and It aims at providing the manufacturing method.
  • the present invention is a polishing liquid capable of polishing a material to be polished at an excellent polishing rate while maintaining the additive effect of an additive, and capable of improving storage stability, and a method for producing the same
  • the purpose is to provide.
  • the inventor mixed a metal salt solution containing a salt of a tetravalent metal element and an alkali solution to obtain a tetravalent metal element.
  • a metal salt solution containing a salt of a tetravalent metal element and an alkali solution to obtain a tetravalent metal element.
  • particles containing a hydroxide of a tetravalent metal element by heating the particles after obtaining particles containing the hydroxide of the above, and abrasive grains containing a hydroxide of the tetravalent metal element It has been found that the stability of the slurry and the polishing liquid containing the drastically improved.
  • the material to be polished is polished at an excellent polishing rate while maintaining the additive effect.
  • storage stability can be improved.
  • the storage stability in particular, the dispersion stability and the stability of the polishing rate can be improved.
  • the material to be polished when a slurry containing abrasive grains obtained by the production method is used for polishing, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate and stored. Stability can also be improved.
  • the storage stability in particular, the dispersion stability and the stability of the polishing rate can be improved.
  • the abrasive grains obtained by the production method contain a hydroxide of a tetravalent metal element, thereby suppressing the occurrence of polishing flaws on the surface to be polished. it can.
  • abrasive grains In the method for producing abrasive grains according to the present invention, it is preferable to heat particles containing a tetravalent metal element hydroxide at 100 ° C. or lower. In this case, the stability of the abrasive grains can be further improved.
  • the inventor can easily obtain abrasive grains capable of polishing a material to be polished at an excellent polishing rate by mixing a metal salt solution and an alkaline solution under the condition that the following parameters are not less than a specific value. I found. That is, in the method for producing abrasive grains according to the present invention, it is preferable to mix the metal salt solution and the alkali solution under the condition that the parameter Z represented by the following formula (1) is 5.00 or more.
  • the ⁇ pH is preferably 1.000 or less. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the circulation number N may be represented by the following formula (2).
  • N (u ⁇ S) / Q (2)
  • u represents the linear velocity (m / min) of the stirring blade for stirring the mixed solution
  • S represents the area (m 2 ) of the stirring blade
  • Q represents the amount of the mixed solution. (M 3 ) is shown. ]
  • the linear velocity u is preferably 5.00 m / min or more in the following formula (3). In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • u 2 ⁇ ⁇ R ⁇ r (3)
  • R represents the rotational speed (min ⁇ 1 ) of the stirring blade
  • r represents the rotational radius (m) of the stirring blade.
  • the rotation speed R is preferably 30 min ⁇ 1 or more. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the circulation number N is preferably 1.00 min ⁇ 1 or more. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the substitution number M may be represented by the following formula (4).
  • M v / Q (4)
  • v denotes the mixing rate of the metal salt solution and alkali solution (m 3 / min)
  • Q represents the amount of liquid mixture (m 3).
  • the mixing speed v is preferably 5.00 ⁇ 10 ⁇ 3 m 3 / min or less. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the substitution number M is preferably 1.0 min ⁇ 1 or less. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the concentration of the tetravalent metal element salt in the metal salt solution is preferably 0.010 mol / L or more (L represents “liter”; the same applies hereinafter). In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the alkali concentration in the alkali solution is preferably 15.0 mol / L or less. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the pH of the mixed solution of the metal salt solution and the alkali solution is preferably 1.5 to 7.0. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the tetravalent metal element is preferably tetravalent cerium. In this case, it is possible to obtain abrasive grains capable of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate.
  • the method for producing a slurry according to the present invention includes a step of obtaining a slurry by mixing the abrasive obtained by the method for producing an abrasive and water.
  • the slurry production method of the present invention when a polishing liquid obtained by adding an additive to the slurry obtained by the production method is used, the slurry can be coated at an excellent polishing rate while maintaining the additive addition effect.
  • the polishing material can be polished and storage stability can be improved.
  • the slurry production method of the present invention when the slurry obtained by the production method is used for polishing, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate and the storage stability is improved. You can also.
  • the method for producing a polishing liquid according to the present invention may comprise a step of obtaining a polishing liquid by mixing the slurry obtained by the method for producing a slurry and an additive, and the method for producing the abrasive grain.
  • the aspect provided with the process of mixing the abrasive grain obtained by above, an additive, and water and obtaining polishing liquid may be sufficient.
  • the manufacturing method of the polishing liquid according to the present invention when the polishing liquid obtained by the manufacturing method is used, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate while maintaining the additive effect. At the same time, storage stability can be improved.
  • the abrasive according to the present invention is obtained by the method for manufacturing an abrasive.
  • the slurry according to the present invention is obtained by the slurry production method.
  • the polishing liquid according to the present invention is obtained by the manufacturing method of the polishing liquid.
  • the material to be polished when a polishing liquid containing the abrasive grains is used, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate while maintaining the additive effect. At the same time, storage stability can be improved. Moreover, according to the abrasive grain and the method for producing the same according to the present invention, when a polishing liquid obtained by adding an additive to the slurry containing the abrasive grain is used, the additive is excellent while maintaining the additive effect. The material to be polished can be polished at the polishing rate, and storage stability can be improved.
  • the abrasive grain and the method for producing the same according to the present invention when the slurry containing the abrasive grain is used for polishing, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate and the storage stability can be improved. You can also. Furthermore, according to the abrasive grain and the method for producing the same according to the present invention, the abrasive grain contains a hydroxide of a tetravalent metal element, whereby the generation of polishing scratches on the surface to be polished can be suppressed.
  • a material to be polished when a polishing liquid obtained by adding an additive to the slurry is used, a material to be polished can be obtained at an excellent polishing rate while maintaining the additive addition effect. While being able to grind
  • the polishing liquid and the method for producing the same when the polishing liquid is used for polishing, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate and the storage stability can be improved.
  • the polishing rate is determined based on the polishing rate before storage.
  • the rate of change can be reduced (for example, kept within 5.0%).
  • abrasive grains, slurry, and polishing liquid to a planarization process of a substrate surface in a semiconductor element manufacturing process.
  • application of the abrasive grains, slurry, and polishing liquid to a planarization process of a shallow trench isolation insulating material, a premetal insulating material, an interlayer insulating material, and the like is provided.
  • slurry and “polishing liquid” are compositions that come into contact with a material to be polished during polishing, and contain at least water and abrasive grains.
  • aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to a predetermined amount means a liquid containing a predetermined amount of abrasive grains and water.
  • the abrasive according to this embodiment contains a hydroxide of a tetravalent metal element.
  • a manufacturing method for obtaining such abrasive grains includes a metal salt solution containing a salt of a tetravalent metal element (first solution, for example, a metal salt aqueous solution) and an alkali solution containing a alkali source (base) (second solution).
  • first solution for example, a metal salt aqueous solution
  • base alkali solution containing a alkali source
  • Liquid for example, a solution containing tetravalent metal element hydroxide by reacting a salt of the tetravalent metal element with an alkali source by mixing with an aqueous alkali solution (hereinafter referred to as “hydroxide of tetravalent metal element”).
  • means for stirring the mixed solution obtained by mixing the metal salt solution and the alkali solution is not limited, and a bar-like, plate-like or propeller-like stirrer that rotates around the rotation axis or A method of stirring the mixture using a stirring blade; A method of stirring the mixture using a magnetic stirrer that transmits power from the outside of the container with a rotating magnetic field; A pump installed outside the tank The method of stirring a liquid mixture; The method etc. which stir a liquid mixture by pressurizing external air and blowing in a tank vigorously are mentioned.
  • a method of heating the hydroxide particles of the tetravalent metal element in the heating step a method of directly heating the mixed solution obtained by mixing the metal salt solution and the alkali solution using a heat source such as a heater; The method of heating a liquid mixture with the vibration emitted from an ultrasonic transmitter is mentioned.
  • the present inventor has found that by using abrasive grains obtained through the heating step, the polishing rate can be improved and the storage stability can be improved. Although this reason is not necessarily clear, this inventor thinks as follows.
  • the tetravalent metal (M 4+ ), 1 to 3 hydroxide ions (OH ⁇ ), and 1 to 3 anions (X c- ) containing M (OH) a X b (wherein a + b ⁇ c 4) is considered to be produced as part of the abrasive grains.
  • the electron-withdrawing anion (X c ⁇ ) acts to improve the reactivity of hydroxide ions, and the amount of M (OH) a X b increases. It is considered that the polishing rate is improved along with this.
  • abrasive grains containing a tetravalent metal element hydroxide may contain not only M (OH) a Xb but also M (OH) 4 , MO 2 and the like.
  • examples of the anion (X c ⁇ ) include NO 3 ⁇ , SO 4 2 ⁇ and the like.
  • the abrasive grains contain M (OH) a Xb after the abrasive grains are thoroughly washed with pure water and then the FT-IR ATR method (Fourier transform Infrared Spectrometer Attenuated Total Reflection method, Fourier transform infrared spectrophotometer This can be confirmed by a method of detecting a peak corresponding to an anion (X c ⁇ ) by a total reflection measurement method. The presence of anions (X c ⁇ ) can also be confirmed by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy).
  • the hydroxide particles of the tetravalent metal element are granulated and then heated, the anions (X c ⁇ ) that can be desorbed from the particles are desorbed from the particles in advance. It is considered that the storage stability can be improved while maintaining the polishing rate.
  • the heating temperature in the heating step is preferably 30 ° C. or higher, more preferably 35 ° C. or higher, and more preferably 38 ° C. from the viewpoint of further improving the storage stability while maintaining an excellent polishing rate by making it easier to obtain a heating effect.
  • the above is more preferable, 40 ° C. or higher is particularly preferable, and 50 ° C. or higher is extremely preferable.
  • the heating temperature is preferably 100 ° C. or lower, more preferably 90 ° C. or lower, and still more preferably 85 ° C. or lower, from the viewpoint of suppressing boiling of water or the like as a solvent and from the viewpoint of suppressing oxidation and aggregation of particles. 80 ° C. or less is particularly preferable.
  • the heating time in the heating step is preferably 3 hours or more, more preferably 6 hours or more, still more preferably 9 hours or more, particularly preferably 18 hours or more, and particularly preferably 24 hours or more, from the viewpoint that a sufficient stabilizing effect is easily obtained. Is very preferred.
  • the heating time is preferably 720 hours or less, more preferably 480 hours or less, and even more preferably 240 hours or less, from the viewpoints of productivity and suppression of particle aggregation.
  • salts of a tetravalent metal element when the metal is represented as M, M (NO 3 ) 4 , M (SO 4 ) 2 , M (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , M (NH 4 ) 4 (SO 4 ) 4 etc. are mentioned. These salts can be used alone or in combination of two or more.
  • the lower limit of concentration (the metal salt concentration) C a salt of tetravalent metal element in the metal salt solution from the viewpoint of moderating the increase of pH, 0.010 mol / L or more is preferable, based on the total of the metal salt solution, 0.020 mol / L or more is more preferable, and 0.030 mol / L or more is still more preferable.
  • the alkali source of the alkali solution is not particularly limited, and examples thereof include organic bases and inorganic bases.
  • Organic bases include nitrogen-containing organic bases such as guanidine, triethylamine and chitosan; nitrogen-containing heterocyclic organic bases such as pyridine, piperidine, pyrrolidine and imidazole; ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide And ammonium salts such as tetramethylammonium chloride and tetraethylammonium chloride.
  • inorganic bases include inorganic salts of alkali metals such as ammonia, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, and potassium hydrogen carbonate.
  • alkali metals such as ammonia, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, and potassium hydrogen carbonate.
  • An alkali source can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
  • the alkali source preferably exhibits weak basicity from the viewpoint of easily suppressing a rapid reaction.
  • nitrogen-containing heterocyclic organic bases are preferable, and pyridine, piperidine, pyrrolidine and imidazole are more preferable, pyridine and imidazole are further preferable, and imidazole is particularly preferable.
  • the alkali concentration in the alkali solution limit of C b is preferably not more than 15.0 mol / L, 12. 0 mol / L or less is more preferable, 10.0 mol / L or less is more preferable, and 5.0 mol / L or less is particularly preferable.
  • alkali concentration C lower limit of b is particularly from the viewpoint of productivity, based on the total of the alkali solution, or 0.001 mol / L is preferred.
  • the alkali concentration in the alkali solution is preferably adjusted as appropriate depending on the alkali source selected.
  • the upper limit of the alkali concentration is preferably 0.10 mol / L or less on the basis of the entire alkali solution from the viewpoint of gradual increase in pH.
  • 0.05 mol / L or less is more preferable, and 0.01 mol / L or less is more preferable.
  • the minimum of alkali concentration is not specifically limited, From a viewpoint of productivity, 0.001 mol / L or more is preferable on the basis of the whole alkali liquid.
  • the upper limit of the alkali concentration is preferably 1.0 mol / L or less on the basis of the whole alkali solution from the viewpoint of gradual increase in pH. 0.50 mol / L or less is more preferable, and 0.10 mol / L or less is still more preferable.
  • the minimum of an alkali concentration is not specifically limited, 0.01 mol / L or more is preferable on the basis of the whole alkaline liquid from a viewpoint of productivity.
  • the upper limit of the alkali concentration is preferably 15.0 mol / L or less on the basis of the entire alkali solution, from the viewpoint of gradual increase in pH. 0.0 mol / L or less is more preferable, and 5.0 mol / L or less is still more preferable.
  • the minimum of alkali concentration is not specifically limited, From a viewpoint of productivity, 0.1 mol / L or more is preferable on the basis of the whole alkali liquid.
  • alkali source examples include 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene (pKa: 25) and the like as the alkali source in which the pKa of the conjugate acid of the alkali source is 20 or more.
  • Examples of the alkali source in which the pKa of the conjugate acid of the alkali source is 12 or more and less than 20 include potassium hydroxide (pKa: 16), sodium hydroxide (pKa: 13) and the like.
  • Examples of the alkali source in which the pKa of the conjugate acid of the alkali source is less than 12 include ammonia (pKa: 9) and imidazole (pKa: 7).
  • the pKa value of the conjugate acid of the alkali source used is not particularly limited as long as the alkali concentration is appropriately adjusted, but the pKa of the conjugate acid of the alkali source is preferably less than 20, preferably less than 12. Is more preferably less than 10, and particularly preferably less than 8.
  • the pH of the liquid mixture obtained by mixing the metal salt solution and the alkali liquid is preferably 1.5 or more from the viewpoint of the stability of the liquid mixture in the stable state after mixing the metal salt solution and the alkali liquid. .8 or more is more preferable, and 2.0 or more is more preferable. From the viewpoint of the stability of the mixed solution, the pH of the mixed solution is preferably 7.0 or less, more preferably 6.0 or less, and even more preferably 5.5 or less.
  • the pH of the mixed solution can be measured with a pH meter (for example, model number PH81 manufactured by Yokogawa Electric Corporation).
  • a pH meter for example, model number PH81 manufactured by Yokogawa Electric Corporation.
  • two-point calibration was performed using a standard buffer solution (phthalate pH buffer solution: pH 4.01 (25 ° C.), neutral phosphate pH buffer solution: pH 6.86 (25 ° C.)). Thereafter, an electrode is put into the liquid to be measured, and a value after 2 minutes or more has passed and stabilized is adopted.
  • the tetravalent metal element hydroxide particles are prepared by mixing a metal salt solution and an alkali solution under the condition that the parameter Z represented by the following formula (1) is 5.00 or more. It is preferably obtained by reacting with a source.
  • Z [1 / ( ⁇ pH ⁇ k)] ⁇ (N / M) / 1000 (1)
  • ⁇ pH represents the amount of pH change per minute of the mixed solution
  • k represents the reaction temperature coefficient
  • N represents the circulation number (min ⁇ 1 )
  • M represents the number of substitutions. (Min ⁇ 1 ) is indicated. ]
  • Abrasive grains obtained by a production method that satisfies the condition of parameter Z are likely to satisfy the following condition (a) and at least one of condition (b) and condition (c).
  • the present inventor has found that when the abrasive grains obtained through the heating step satisfy the condition (a), it becomes easy to polish the material to be polished at an excellent polishing rate and to improve the storage stability. It was. Further, when the abrasive grains further satisfy at least one of the condition (b) and the condition (c), the material to be polished can be easily polished at a further excellent polishing rate, and the storage stability can be easily improved. I found it. Further, the present inventor has found that the polishing liquid and the slurry containing the abrasive grains satisfying the above conditions are slightly yellowish visually, and that the polishing speed is improved as the yellowness of the polishing liquid and the slurry becomes darker.
  • Element A is set mainly as an index related to reactivity in this synthesis.
  • the pH change amount ⁇ pH per unit time (1 minute) of the mixed solution is preferably small, and it is assumed that the reaction proceeds more gently as the ⁇ pH is smaller. From the above, ⁇ pH was set as the denominator in equation (1).
  • the reaction temperature coefficient k is expressed by, for example, the following formula (5).
  • the inventor tends to increase the stability of the particles by increasing the temperature T of the mixed solution, but the reaction proceeds vigorously when the reaction temperature coefficient k is high, so that the polishing rate and storage stability are reduced. I found out that there is a tendency to become incompatible.
  • the reaction temperature coefficient k is preferably small, and the reaction proceeds more gently as the reaction temperature coefficient k is smaller (that is, the temperature T is lower). I guess that. From the above, k is set as the denominator in equation (1).
  • k 2 [(T-20) / 10] (5)
  • T shows the temperature (degreeC) of a liquid mixture. ]
  • element B was set mainly as an index relating to the reactivity in the synthesis and the diffusibility of the solution.
  • the circulation number N is an index indicating the degree of diffusion speed when two or more kinds of substances are mixed. As a result of the examination, it is preferable that the circulation number N is large. The larger the circulation number N is, the more uniformly the metal salt solution and the alkali solution are mixed. From the above, the circulation number N was set to numerator in the formula (1).
  • the calculation number of the circulation number N is well known to those skilled in the art, although the calculation formula varies depending on the stirring means used. For example, it is described in detail in “Chemical Engineering Handbook (5th edition)” edited by Maruzen Co., Ltd., Chemical Engineering Association, or “Chemical Engineering Explanation and Exercise” edited by Sakai Shoten Chemical Engineering Association. Taking the case where the reaction is performed using a stirring blade as an example, the circulation number N is expressed by, for example, the following formula (2), and the linear velocity u of the stirring blade in the formula (2) and the mixed liquid are stirred. It depends on the area S of the stirring blade and the liquid volume Q of the mixed liquid.
  • the linear velocity u is expressed by the following formula (3), for example, and depends on the rotation speed R and the rotation radius r of the stirring blade.
  • N (u ⁇ S) / Q (2)
  • u represents the linear velocity (m / min) of the stirring blade for stirring the mixed solution
  • S represents the area (m 2 ) of the stirring blade
  • Q represents the mixing solution.
  • the amount of liquid (m 3 ) is shown.
  • represents the angular velocity (rad / min) of the stirring blade
  • R represents the rotational speed (min ⁇ 1 ) of the stirring blade
  • r represents the rotational radius (m) of the stirring blade. Show. ]
  • N F / Q (2 ') Can be obtained as
  • the number M of substitutions is an index representing the rate at which the substance A is replaced by the substance B when another substance B is mixed with the certain substance A. As a result of the examination, it is preferable that the substitution number M is small, and it is assumed that the smaller the substitution number M, the more slowly the reaction proceeds. From the above, the substitution number M was set as the denominator in the equation (1).
  • the number of substitutions M is represented by the following formula (4), for example, and depends on the mixing speed v and the liquid volume Q of the liquid mixture.
  • M v / Q (4) Wherein (4), v denotes the mixing rate of the metal salt solution and alkali solution (m 3 / min), Q represents the liquid amount of the mixed solution (m 3).
  • the lower limit of the parameter Z is preferably 7.50 or more, more preferably 10.00 or more, from the viewpoint of easily obtaining tetravalent metal element hydroxide particles capable of polishing the material to be polished at an excellent polishing rate. 12.50 or more is particularly preferable.
  • the upper limit of the parameter Z is preferably 5000.00 or less from the viewpoint of easily obtaining tetravalent metal element hydroxide particles capable of polishing the material to be polished at an excellent polishing rate and excellent productivity.
  • the parameter Z can be adjusted to a predetermined value by controlling each parameter of the formula (1).
  • each parameter used when adjusting the parameter Z will be described in more detail.
  • the amount of change in pH ⁇ pH is the amount of change in pH per unit time (1 minute) from the start of mixing of the metal salt solution and the alkali solution until the pH of the mixture reaches a constant pH and stabilizes. Average value.
  • the value of parameter Z can be increased by controlling ⁇ pH. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by keeping ⁇ pH low. Specific means for achieving this include increasing the metal salt concentration in the metal salt solution, decreasing the alkali concentration in the alkali solution, or using a weakly basic alkali source as the alkali source in the alkali solution. And so on.
  • the upper limit of ⁇ pH is preferably 1.000 or less, more preferably 0.500 or less, from the viewpoint of further suppressing rapid reaction.
  • the lower limit of ⁇ pH is not particularly limited, but is preferably 0.0001 or more per unit time from the viewpoint of productivity.
  • reaction temperature T The parameter Z can be increased by controlling the temperature T of the mixed solution in the reaction step (hereinafter, sometimes referred to as “reaction temperature T”). Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by decreasing the reaction temperature T, that is, by decreasing the reaction temperature coefficient k.
  • the reaction temperature T is, for example, the temperature of the mixed solution that can be read by installing a thermometer in the mixed solution, and is preferably 0 to 100 ° C.
  • the reaction temperature T is preferably 100 ° C. or less, more preferably 60 ° C. or less, still more preferably 50 ° C. or less, particularly preferably 40 ° C. or less, particularly preferably 30 ° C. or less, in view of further suppressing rapid reaction. C. or less is very preferable.
  • the reaction temperature T is preferably 0 ° C. or higher, more preferably 5 ° C. or higher, still more preferably 10 ° C. or higher, particularly preferably 15 ° C. or higher, and extremely preferably 20 ° C. or higher from the viewpoint of allowing the reaction to proceed easily.
  • reaction temperature T for example, a temperature range of reaction temperature T ⁇ 3 ° C.
  • the method for adjusting the reaction temperature is not particularly limited.
  • a container containing one of a metal salt solution or an alkali solution is placed in a water tank filled with water, and the water temperature of the water tank is adjusted to an external circulation device COOLNICS circulator ( There is a method of mixing a metal salt solution and an alkali solution while adjusting with a product manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd. (EYELA), product name cooling thermopump (CTP101).
  • the lower limit of the circulation number N from the further suppression of the deviation of the response in the local, preferably 1.00 min -1 or more, more preferably 10.00Min -1 or more, more preferably 15.00Min -1 or higher, 20. 00 min ⁇ 1 or more is particularly preferable.
  • the upper limit of the circulation number N is not particularly limited, from the viewpoint of suppressing the splashing during manufacture, preferably 200.00Min -1 or less, 150.00Min -1 or less is more preferable.
  • the linear velocity indicates the flow rate of the fluid per unit time (1 minute) and unit area (m 2 ), and is an index indicating the degree of material diffusion.
  • the linear velocity u means the linear velocity of the stirring blade when mixing the metal salt solution and the alkali solution.
  • the parameter Z can be increased by controlling the linear velocity u. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by increasing the linear velocity u.
  • the lower limit of the linear velocity u represented by the formula (3) is preferably 5.00 m / min or more from the viewpoint of further suppressing the reaction from becoming non-uniform because the substance does not diffuse well and is localized, 10.00 m / min or more is more preferable, 20.00 m / min or more is further more preferable, 50.00 m / min or more is especially preferable, and 70.00 m / min or more is very preferable.
  • the upper limit of the linear velocity u is not particularly limited, but is preferably 200.00 m / min or less from the viewpoint of suppressing liquid splash during production.
  • the area S of the stirring blade for stirring the mixed liquid means the surface area of one surface of the stirring blade, and when there are a plurality of stirring blades, it means the total area of the stirring blades.
  • the parameter Z can be increased by controlling the area S. Specifically, when the area S is increased, the value of the parameter Z tends to increase.
  • the area S is adjusted according to the size of the liquid amount Q of the mixed liquid. For example, when the liquid amount Q of the mixed liquid is 0.0010 to 0.0050 m 3 , the area S is preferably 0.0005 to 0.0100 m 2 .
  • the liquid volume Q of the mixed liquid is a total liquid volume of the metal salt solution and the alkaline liquid (Q b ).
  • the amount of the mixed solution is not particularly limited, but is, for example, 0.0010 to 10.00 m 3 .
  • the parameter Z can be increased by controlling the rotational speed R. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by increasing the rotation speed R.
  • the lower limit of the rotational speed R from the viewpoint of the mixing efficiency, preferably 30min -1 or more, more preferably 100 min -1 or more, 300 min -1 or more is more preferable.
  • the upper limit of the rotation speed R is not particularly limited and needs to be adjusted as appropriate depending on the size and shape of the stirring blade, but is preferably 1000 min ⁇ 1 or less from the viewpoint of suppressing liquid splashing.
  • the parameter Z can be increased by controlling the turning radius r. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by increasing the rotation radius r.
  • the lower limit of the rotation radius r is preferably 0.001 m or more and more preferably 0.01 m or more from the viewpoint of stirring efficiency.
  • the upper limit of the turning radius r is not particularly limited, but is preferably 10 m or less from the viewpoint of ease of handling.
  • the average value of the rotation radius is within the above range.
  • the parameter Z By controlling the number of substitutions M, the parameter Z can be increased. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by decreasing the number of substitutions M.
  • the upper limit of the substitution number M is further from the viewpoint of suppressing the reaction would proceed rapidly, preferably 1.0 min -1 or less, more preferably 0.1 min -1 or less, still is 0.02Min -1 or less Preferably, 0.01 min ⁇ 1 or less is particularly preferable.
  • the lower limit of the substitution number M is not particularly limited, but is preferably 1.0 ⁇ 10 ⁇ 5 min ⁇ 1 or more from the viewpoint of productivity.
  • the mixing speed v means the supply speed of the liquid A when supplying one liquid A of the metal salt solution or the alkali liquid to the other liquid B.
  • the parameter Z can be increased by controlling the mixing speed v. Specifically, the value of the parameter Z tends to increase by decreasing the mixing speed v.
  • the upper limit of the mixing speed v is 5.00 ⁇ 10 ⁇ 3 m 3 / min (5 L / min) or less from the viewpoint of further suppressing rapid progress of the reaction and further suppressing local reaction bias.
  • 1.00 ⁇ 10 ⁇ 3 m 3 / min (1 L / min) or less is more preferable
  • 5.00 ⁇ 10 ⁇ 4 m 3 / min (500 mL / min) or less is more preferable
  • 1.00 ⁇ 10 ⁇ 4 m 3 / min (100 mL / min) or less is particularly preferable.
  • the lower limit of the mixing speed v is not particularly limited, but is preferably 1.00 ⁇ 10 ⁇ 7 m 3 / min (0.1 mL / min) or more from the viewpoint of productivity.
  • the tetravalent metal element hydroxide particles produced as described above may contain impurities, the impurities may be removed.
  • the method for removing impurities is not particularly limited, and examples thereof include methods such as centrifugation, filter press, and ultrafiltration. This makes it possible to adjust the absorbance with respect to light having a wavelength of 450 to 600 nm, which will be described later.
  • a mixed liquid obtained by mixing a metal salt solution and an alkali liquid contains hydroxide particles of a tetravalent metal element, and the material to be polished may be polished using the mixed liquid.
  • the slurry manufacturing method is obtained by mixing the abrasive grain manufacturing process for obtaining abrasive grains by the abrasive grain manufacturing method, the abrasive grains obtained in the abrasive grain manufacturing process, and water.
  • the abrasive grains are dispersed in water.
  • the method for dispersing the abrasive grains in water is not particularly limited, and examples thereof include a dispersion method by stirring; a dispersion method using a homogenizer, an ultrasonic disperser, a wet ball mill, or the like.
  • the method for producing a polishing liquid may include a slurry production step for obtaining a slurry by the slurry production method and a polishing liquid preparation step for obtaining a polishing liquid by mixing the slurry and an additive.
  • a slurry production step for obtaining a slurry by the slurry production method
  • a polishing liquid preparation step for obtaining a polishing liquid by mixing the slurry and an additive.
  • the method for producing a polishing liquid comprises the above-mentioned abrasive grain production step, a polishing liquid preparation step for obtaining a polishing liquid by mixing abrasive grains obtained in the abrasive grain production step, an additive, and water.
  • the aspect provided may be sufficient. In this case, you may mix the abrasive grain obtained in the abrasive grain manufacturing process, another kind of abrasive grain, and water.
  • the polishing liquid according to this embodiment contains at least abrasive grains, additives, and water.
  • abrasive grains for abrasive sands.
  • additives for abrasive sands.
  • water for sands.
  • the abrasive grains are characterized by containing a hydroxide of a tetravalent metal element.
  • the “tetravalent metal element hydroxide” is a compound containing a tetravalent metal (M 4+ ) and at least one hydroxide ion (OH ⁇ ).
  • the hydroxide of the tetravalent metal element may contain an anion other than the hydroxide ion (for example, nitrate ion NO 3 ⁇ , sulfate ion SO 4 2 ⁇ ).
  • a hydroxide of a tetravalent metal element may contain an anion (for example, nitrate ion NO 3 ⁇ , sulfate ion SO 4 2 ⁇ ) bonded to the tetravalent metal element.
  • an anion for example, nitrate ion NO 3 ⁇ , sulfate ion SO 4 2 ⁇
  • the tetravalent metal element is preferably at least one selected from the group consisting of rare earth elements and zirconium.
  • the tetravalent metal element is preferably a rare earth element from the viewpoint of further improving the polishing rate.
  • the rare earth element capable of taking tetravalence include lanthanoids such as cerium, praseodymium, and terbium. Among them, cerium (tetravalent cerium) is preferable from the viewpoint of easy availability and excellent polishing rate.
  • a rare earth element hydroxide and a zirconium hydroxide may be used in combination, or two or more kinds of rare earth element hydroxides may be selected and used.
  • abrasive grains can be used in combination as long as the characteristics of the abrasive grains containing a tetravalent metal element hydroxide are not impaired.
  • abrasive grains such as silica, alumina, and zirconia can be used.
  • the content of the tetravalent metal element hydroxide in the abrasive grains is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, still more preferably 70% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more based on the total mass of the abrasive grains. Is particularly preferable, 90% by mass or more is very preferable, 95% by mass or more is very preferable, 98% by mass or more is more preferable, and 99% by mass or more is still more preferable. It is particularly preferable that the abrasive grains are substantially composed of a hydroxide of a tetravalent metal element (substantially 100% by mass of the abrasive grains are hydroxide particles of a tetravalent metal element).
  • the content of tetravalent cerium hydroxide in the abrasive grains is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more, still more preferably 70% by mass or more, and more preferably 80% by mass or more based on the total mass of the abrasive grains. Particularly preferable is 90% by mass or more, extremely preferable is 95% by mass or more, still more preferable is 98% by mass or more, and further more preferable is 99% by mass or more.
  • the abrasive grains are substantially composed of tetravalent cerium hydroxide in that the chemical activity is high and the polishing rate is further improved (substantially 100% by mass of the abrasive grains are tetravalent cerium hydroxide particles). It is particularly preferred.
  • the hydroxide of the tetravalent metal element has a great influence on the polishing characteristics. Therefore, by adjusting the content of the hydroxide of the tetravalent metal element, the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished can be improved, and the polishing rate can be further improved. That is, the content of the hydroxide of the tetravalent metal element is preferably 0.01% by mass or more based on the total mass of the polishing liquid in that the function of the hydroxide of the tetravalent metal element can be sufficiently expressed. 0.03 mass% or more is more preferable, and 0.05 mass% or more is still more preferable.
  • the content of the hydroxide of the tetravalent metal element makes it easy to avoid agglomeration of the abrasive grains, improves the chemical interaction with the surface to be polished, and makes effective use of the characteristics of the abrasive grains. Is preferably 8% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, still more preferably 3% by mass or less, particularly preferably 1% by mass or less, and most preferably 0.5% by mass or less. .3% by mass or less is very preferable.
  • the lower limit of the content of the abrasive grains is not particularly limited, but is preferably 0.01% by mass or more based on the total mass of the polishing liquid in that a desired polishing rate is easily obtained. 0.03 mass% or more is more preferable, and 0.05 mass% or more is still more preferable.
  • the upper limit of the content of the abrasive grains is not particularly limited, but it becomes easy to avoid agglomeration of the abrasive grains, and the abrasive grains can effectively act on the surface to be polished so that polishing can proceed smoothly.
  • the total amount of the polishing liquid it is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, further preferably 3% by mass or less, particularly preferably 1% by mass or less, and extremely preferably 0.5% by mass or less, A content of 0.3% by mass or less is very preferable.
  • the polishing rate can be further improved by increasing the specific surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished.
  • the mechanical action is suppressed and polishing scratches can be further reduced.
  • the upper limit of the average particle diameter is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, still more preferably 100 nm or less, particularly preferably 80 nm or less, in that a further excellent polishing rate can be obtained and polishing scratches can be further reduced. 60 nm or less is very preferable, and 40 nm or less is very preferable.
  • the lower limit of the average particle diameter is preferably 1 nm or more, more preferably 2 nm or more, and still more preferably 3 nm or more in that a further excellent polishing rate can be obtained and polishing scratches can be further reduced.
  • the average particle diameter of the abrasive grains can be measured by a photon correlation method, and specifically, for example, it can be measured by Malvern apparatus name: Zetasizer 3000HS, Beckman Coulter apparatus name: N5, or the like.
  • the measurement method using N5 is, for example, preparing an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 0.2% by mass, putting about 4 mL of this aqueous dispersion in a 1 cm square cell, A cell is installed inside.
  • a value obtained by adjusting the refractive index of the dispersion medium to 1.33 and the viscosity to 0.887 mPa ⁇ s and performing the measurement at 25 ° C. can be adopted as the average particle diameter of the abrasive grains.
  • the particles containing M (OH) a X b produced according to the production conditions of a hydroxide of a tetravalent metal element absorb light with a wavelength of 400 nm, the abundance of M (OH) a X b It is considered that the polishing rate improves as the absorbance increases with respect to light having a wavelength of 400 nm.
  • the absorption peak at a wavelength of 400 nm of M (OH) a X b (for example, M (OH) 3 X) is much smaller than the absorption peak at a wavelength of 290 nm described later.
  • the present inventor examined the magnitude of the absorbance using an aqueous dispersion having an abrasive content of 1.0% by mass, which has a relatively large abrasive content and is easily detected with a large absorbance. It has been found that when an abrasive that gives an absorbance of 1.00 or more with respect to light having a wavelength of 400 nm is used in an aqueous dispersion, there is a tendency to improve the polishing rate and to provide excellent storage stability.
  • the light absorbency with respect to the light of wavelength 400nm originates in an abrasive grain as above-mentioned, it replaces with the abrasive grain which gives the light absorbency 1.00 or more with respect to the light of wavelength 400nm, and with respect to the light of wavelength 400nm.
  • a polishing liquid containing a substance giving an absorbance of 1.00 or higher for example, a yellow pigment component
  • the absorbance with respect to light having a wavelength of 400 nm is preferably 1.50 or more from the viewpoint of easy polishing of the material to be polished at an excellent polishing rate.
  • the present inventor has found that the abundance of M (OH) a X b is adjusted using the absorbance with respect to light having a wavelength of 400 nm as an index to achieve both the polishing rate and the storage stability. And this inventor uses the abrasive grain which gives the light absorbency 1.00 or more and less than 1.50 with respect to the light of wavelength 400nm in the aqueous dispersion which adjusted content of the abrasive grain to 1.0 mass%, It has been found that excellent storage stability (for example, stability of polishing rate when stored at 60 ° C.
  • the absorbance with respect to light having a wavelength of 400 nm is preferably 1.05 or more, more preferably 1.10 or more, further preferably 1.15 or more, particularly preferably 1.20 or more, and 1.25 or more. Highly preferred.
  • the inventor of the present invention has an absorbance of 1.000 with respect to light with a wavelength of 290 nm in an aqueous dispersion in which an abrasive that gives an absorbance of 1.00 or more with respect to light with a wavelength of 400 nm is adjusted to 0.0065 mass%. It has been found that when the above is given, the material to be polished can be polished at a further excellent polishing rate.
  • polishing rate improvement effect can be obtained by using abrasive grains that give an absorbance of 1.000 or more with respect to light having a wavelength of 290 nm in an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 0.0065 mass% is not always clear.
  • the present inventor thinks as follows. That is, a particle containing M (OH) a X b (for example, M (OH) 3 X) generated according to the production conditions of a tetravalent metal element hydroxide has an absorption peak near the wavelength of 290 nm. For example, particles made of Ce 4+ (OH ⁇ ) 3 NO 3 ⁇ have an absorption peak at a wavelength of 290 nm. Therefore, it is considered that the polishing rate is improved as the abundance of M (OH) a Xb increases and the absorbance to light having a wavelength of 290 nm increases.
  • the absorbance with respect to light having a wavelength near 290 nm tends to be detected as it exceeds the measurement limit.
  • the present inventors examined the magnitude of absorbance using an aqueous dispersion having an abrasive content of 0.0065% by mass with a relatively small abrasive content and a low absorbance that is easily detected. It has been found that when an abrasive that gives an absorbance of 1.000 or more with respect to light having a wavelength of 290 nm is used in the aqueous dispersion, the effect of improving the polishing rate is excellent.
  • the present inventor has found that the higher the absorbance of abrasive grains with respect to light near a wavelength of 290 nm, the higher the absorbance of the abrasive grains is, apart from light near a wavelength of 400 nm, where the light-absorbing material tends to exhibit a yellow color. It has been found that the yellowness of the polishing liquid and the slurry using the abrasive grains is increased, and the polishing rate is improved as the yellowness of the polishing liquid and the slurry is increased.
  • the lower limit of the absorbance with respect to light having a wavelength of 290 nm is preferably 1.000 or more, more preferably 1.050 or more, still more preferably 1.100 or more, from the viewpoint of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate. 130 or more is particularly preferable.
  • the upper limit of absorbance for light having a wavelength of 290 nm is not particularly limited, but is preferably 10.000 or less, more preferably 5.000 or less, and still more preferably 3.000 or less.
  • Tetravalent metal element hydroxides (for example, M (OH) a X b ) tend not to absorb light with a wavelength of 450 nm or more, particularly 450 to 600 nm. Therefore, from the viewpoint of polishing the material to be polished at a further excellent polishing rate by suppressing the adverse effect on polishing due to the inclusion of impurities, the abrasive grains have a content of 0.0065% by mass.
  • the aqueous dispersion adjusted to (65 ppm) preferably gives an absorbance of 0.010 or less for light having a wavelength of 450 to 600 nm.
  • the absorbance with respect to all light in the wavelength range of 450 to 600 nm does not exceed 0.010 in the aqueous dispersion in which the content of the abrasive grains is adjusted to 0.0065% by mass.
  • the upper limit of the absorbance with respect to light having a wavelength of 450 to 600 nm is more preferably 0.005 or less, and further preferably 0.001 or less.
  • the lower limit of the absorbance with respect to light having a wavelength of 450 to 600 nm is preferably 0.
  • the absorbance in the aqueous dispersion can be measured using, for example, a spectrophotometer (device name: U3310) manufactured by Hitachi, Ltd. Specifically, for example, an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0 mass% or 0.0065 mass% is prepared as a measurement sample. About 4 mL of this measurement sample is put into a 1 cm square cell, and the cell is set in the apparatus. Next, the absorbance is measured in the wavelength range of 200 to 600 nm, and the absorbance is judged from the obtained chart.
  • a spectrophotometer device name: U3310
  • the absorbance is 1.00 or more when the absorbance for light with a wavelength of 400 nm is measured after being diluted excessively so that the content of the abrasive is less than 1.0% by mass, the content of the abrasive is The absorbance may be screened on the assumption that the absorbance is 1.00 or more even when the content is 1.0 mass%. If the absorbance is 1.000 or more when the absorbance for light having a wavelength of 290 nm is measured after being diluted excessively so that the content of the abrasive is less than 0.0065% by mass, the content of the abrasive is Even when the amount is 0.0065% by mass, the absorbance may be screened on the assumption that the absorbance is 1.000 or more.
  • the absorbance is 0.010 or less when the absorbance with respect to light having a wavelength of 450 to 600 nm is measured by diluting so that the abrasive content is more than 0.0065% by mass, Even when the amount is 0.0065% by mass, the absorbance may be screened on the assumption that the absorbance is 0.010 or less.
  • the polishing liquid according to this embodiment preferably has high transparency to visible light (transparent or nearly transparent by visual observation).
  • the abrasive contained in the polishing liquid according to the present embodiment has a light transmittance of 50% with respect to light having a wavelength of 500 nm in an aqueous dispersion in which the content of the abrasive is adjusted to 1.0 mass%. / Cm or more is preferable.
  • the lower limit of the light transmittance is more preferably 60% / cm or more, further preferably 70% / cm or more, particularly preferably 80% / cm or more, extremely preferably 90% / cm or more, 95% / Cm or more is very preferable, 98% / cm or more is even more preferable, and 99% / cm or more is still more preferable.
  • the upper limit of the light transmittance is 100% / cm.
  • the abrasive grains present in the aqueous dispersion are particles having a large particle diameter (hereinafter referred to as “coarse particles”). It is thought that there are relatively many.
  • an additive for example, polyvinyl alcohol (PVA)
  • PVA polyvinyl alcohol
  • the number of abrasive grains acting on the surface to be polished per unit area (the number of effective abrasive grains) is reduced, and the specific surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished is reduced. Conceivable.
  • the abrasive grains present in the aqueous dispersion are considered to be in a state where there are few “coarse particles”. It is done.
  • an additive for example, polyvinyl alcohol
  • the number of abrasive grains (number of effective abrasive grains) acting on the surface to be polished per unit area is maintained, and the specific surface area of the abrasive grains in contact with the surface to be polished is maintained. It is considered to be.
  • the light transmittance is a transmittance for light having a wavelength of 500 nm.
  • the light transmittance is measured with a spectrophotometer. Specifically, for example, it is measured with a spectrophotometer U3310 (device name) manufactured by Hitachi, Ltd.
  • an aqueous dispersion in which the content of abrasive grains is adjusted to 1.0% by mass is prepared as a measurement sample. About 4 mL of this measurement sample is put into a 1 cm square cell, and the cell is set in the apparatus to perform measurement.
  • the content of the abrasive grains is 50% / cm or more in an aqueous dispersion having a content of greater than 1.0% by mass
  • the light transmittance is also obtained when this is diluted to 1.0% by mass. Is apparently 50% / cm or more. Therefore, the light transmittance can be screened by a simple method by using an aqueous dispersion having an abrasive content greater than 1.0% by mass.
  • the absorbance and light transmittance that the abrasive grains give in the aqueous dispersion are preferably excellent in stability.
  • the absorbance with respect to light with a wavelength of 400 nm is preferably 1.00 or more, and the absorbance with respect to light with a wavelength of 290 nm is 1.000 or more.
  • the absorbance with respect to light with a wavelength of 450 to 600 nm is preferably 0.010 or less, and the light transmittance with respect to light with a wavelength of 500 nm is preferably 50% / cm or more. Further preferred ranges of these absorbance and light transmittance are the same as those described above for the abrasive grains.
  • the absorbance and light transmittance that the abrasive grains contained in the polishing liquid give in the aqueous dispersion are obtained by removing the solid components other than the abrasive grains and the liquid components other than water, and then the aqueous dispersion having a predetermined abrasive grain content. It can be prepared and measured using the aqueous dispersion.
  • the solid component or the liquid component may be removed by centrifugation using a centrifugal machine that can apply a gravitational acceleration of several thousand G or less, Centrifugal methods such as ultracentrifugation using a centrifuge; chromatography methods such as distribution chromatography, adsorption chromatography, gel permeation chromatography, ion exchange chromatography; natural filtration, vacuum filtration, pressure filtration, ultrafiltration Filtration methods such as distillation; distillation methods such as vacuum distillation and atmospheric distillation can be used, and these may be combined as appropriate.
  • Centrifugal methods such as ultracentrifugation using a centrifuge
  • chromatography methods such as distribution chromatography, adsorption chromatography, gel permeation chromatography, ion exchange chromatography
  • natural filtration, vacuum filtration, pressure filtration, ultrafiltration Filtration methods such as distillation
  • distillation methods such as vacuum distillation and atmospheric distillation can be used, and these may be combined as appropriate.
  • a chromatography method, a filtration method and the like can be mentioned, and among them, gel permeation chromatography and ultrafiltration are preferable.
  • the abrasive grains contained in the polishing liquid can pass through the filter by setting appropriate conditions.
  • examples thereof include a chromatography method, a filtration method, and a distillation method, and gel permeation chromatography, ultrafiltration, and vacuum distillation are preferable.
  • abrasive grains When other types of abrasive grains are included, examples thereof include filtration methods and centrifugal separation methods. In the case of filtration, in the filtrate, in the liquid phase in the case of centrifugation, abrasive grains containing a hydroxide of a tetravalent metal element. Is included more.
  • the abrasive grain components can be fractionated and / or other components can be fractionated under the following conditions.
  • Sample solution 100 ⁇ L of polishing liquid Detector: UV-VIS detector manufactured by Hitachi, Ltd., trade name “L-4200”, wavelength: 400 nm Integrator: Hitachi, Ltd. GPC integrator, product name “D-2500” Pump: Hitachi, Ltd., trade name “L-7100” Column: Hitachi Chemical Co., Ltd. water-based HPLC packed column, trade name “GL-W550S” Eluent: Deionized water Measurement temperature: 23 ° C Flow rate: 1 mL / min (pressure is about 40-50 kg / cm 2 ) Measurement time: 60 minutes
  • a deaeration device it is preferable to deaerate the eluent using a deaeration device before performing chromatography.
  • the deaerator cannot be used, it is preferable to deaerate the eluent in advance with ultrasonic waves or the like.
  • the abrasive components contained in the polishing liquid it may not be possible to separate the abrasive components even under the above conditions.In that case, by optimizing the sample solution amount, column type, eluent type, measurement temperature, flow rate, etc. Can be separated. Further, by adjusting the pH of the polishing liquid, there is a possibility that the distillation time of the components contained in the polishing liquid can be adjusted and separated from the abrasive grains. When there are insoluble components in the polishing liquid, it is preferable to remove the insoluble components by filtration, centrifugation, or the like, if necessary.
  • the polishing liquid according to this embodiment can obtain a particularly excellent polishing rate with respect to an insulating material (for example, silicon oxide), and thus is particularly suitable for use in polishing a substrate having an insulating material.
  • an insulating material for example, silicon oxide
  • the polishing rate and the polishing characteristics other than the polishing rate can be made highly compatible by appropriately selecting the additive.
  • the additive examples include a dispersant that increases the dispersibility of abrasive grains, a polishing rate improver that improves the polishing rate, a flattening agent (a flattening agent that reduces irregularities on the polished surface after polishing, and a substrate after polishing.
  • a dispersant that increases the dispersibility of abrasive grains
  • a polishing rate improver that improves the polishing rate
  • a flattening agent a flattening agent that reduces irregularities on the polished surface after polishing
  • Known additives such as a global planarizing agent for improving global planarity) and a selective ratio improver for improving the polishing selectivity of an insulating material with respect to a stopper material such as silicon nitride or polysilicon can be used without particular limitation. .
  • Examples of the dispersant include vinyl alcohol polymer and derivatives thereof, betaine, lauryl betaine, lauryl dimethylamine oxide and the like.
  • Examples of the polishing rate improver include ⁇ -alanine betaine and stearyl betaine.
  • Examples of the flattening agent that reduces the unevenness of the surface to be polished include ammonium lauryl sulfate, polyoxyethylene alkyl ether sulfate triethanolamine, and the like.
  • Examples of the global flattening agent include polyvinyl pyrrolidone and polyacrolein.
  • Examples of the selectivity improver include polyethyleneimine, polyallylamine, and chitosan. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the polishing liquid according to this embodiment preferably contains at least one selected from the group consisting of vinyl alcohol polymers and derivatives thereof as an additive.
  • the additive coats the surface of the abrasive grains, the adhesion of the abrasive grains to the surface to be polished is suppressed, so that the dispersibility of the abrasive grains is improved and the stability of the abrasive grains is further improved. be able to.
  • the cleanability of the surface to be polished can be improved.
  • vinyl alcohol which is a monomer of polyvinyl alcohol, tends not to exist as a stable compound by itself.
  • polyvinyl alcohol is generally obtained by polymerizing a vinyl carboxylate monomer such as a vinyl acetate monomer to obtain vinyl polycarboxylate and then saponifying (hydrolyzing) it. Therefore, for example, a vinyl alcohol polymer obtained using a vinyl acetate monomer as a raw material has —OCOCH 3 and hydrolyzed —OH as functional groups in the molecule, and becomes —OH. Ratio is defined as the degree of saponification. That is, a vinyl alcohol polymer whose saponification degree is not 100% has a structure substantially like a copolymer of vinyl acetate and vinyl alcohol.
  • the vinyl alcohol polymer is a portion derived from a vinyl carboxylate monomer by copolymerizing a vinyl carboxylate monomer such as vinyl acetate monomer and other vinyl group-containing monomers (for example, ethylene, propylene, styrene, vinyl chloride). All or a part of the saponified product may be saponified.
  • a vinyl carboxylate monomer such as vinyl acetate monomer and other vinyl group-containing monomers (for example, ethylene, propylene, styrene, vinyl chloride). All or a part of the saponified product may be saponified.
  • these are generically defined as “vinyl alcohol polymer”, and “vinyl alcohol polymer” is ideally a polymer having the following structural formula. (Where n represents a positive integer)
  • “Derivatives” of vinyl alcohol polymers include derivatives of vinyl alcohol homopolymers (ie, polymers having a saponification degree of 100%), and vinyl alcohol monomers and other vinyl group-containing monomers (eg, ethylene, propylene, styrene, Vinyl chloride) as a copolymer derivative.
  • Examples of the vinyl alcohol polymer derivatives include those obtained by substituting some of the hydroxyl groups of the polymer with amino groups, carboxyl groups, ester groups, and the like, and those obtained by modifying some of the hydroxyl groups of the polymer.
  • Examples of such derivatives include reactive polyvinyl alcohol (for example, GOHSEIMER (registered trademark) Z manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.), and cationized polyvinyl alcohol (for example, GOHSEIMER manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.).
  • the vinyl alcohol polymer and its derivative function as an abrasive dispersing agent, and have the effect of further improving the stability of the polishing liquid.
  • the hydroxyl group of the vinyl alcohol polymer and its derivatives interacts with abrasive grains containing tetravalent metal element hydroxides, thereby suppressing the aggregation of abrasive grains and suppressing changes in the grain size of the abrasive grains in the polishing liquid.
  • the stability can be further improved.
  • Vinyl alcohol polymer and its derivatives are used in combination with abrasive grains containing tetravalent metal element hydroxide, and polishing selection of insulating material (eg silicon oxide) against stopper material (eg silicon nitride, polysilicon)
  • insulating material eg silicon oxide
  • stopper material eg silicon nitride, polysilicon
  • the ratio polishing rate of insulating material / polishing rate of stopper material
  • the vinyl alcohol polymer and derivatives thereof can improve the flatness of the polished surface after polishing, and can also prevent adhesion of abrasive grains to the polished surface (improvement of cleaning properties).
  • the saponification degree of the vinyl alcohol polymer and its derivatives is preferably 95 mol% or less in that the polishing selectivity of the insulating material to the stopper material can be further increased.
  • the upper limit of the degree of saponification is more preferably 90 mol% or less, still more preferably 88 mol% or less, particularly preferably 85 mol% or less, extremely preferably 83 mol% or less, and very preferably 80 mol% or less.
  • the lower limit of the saponification degree is not particularly limited, but is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more, and still more preferably 70 mol% or more from the viewpoint of excellent solubility in water.
  • the saponification degree of a vinyl alcohol polymer and its derivative can be measured based on JIS K 6726 (polyvinyl alcohol test method).
  • the upper limit of the average degree of polymerization (weight average molecular weight) of the vinyl alcohol polymer and derivatives thereof is not particularly limited, but is preferably 3000 or less, more preferably 2000 or less, from the viewpoint of further suppressing a decrease in the polishing rate of the material to be polished. 1000 or less is more preferable.
  • the lower limit of the average polymerization degree is preferably 50 or more, more preferably 100 or more, and further preferably 150 or more.
  • the average degree of polymerization of the vinyl alcohol polymer and its derivatives can be measured according to JIS K 6726 (polyvinyl alcohol test method).
  • the vinyl alcohol polymer and its derivatives for the purpose of adjusting the polishing selectivity of the insulating material relative to the stopper material and the flatness of the substrate after polishing, a plurality of polymers having different saponification degrees or average polymerization degrees are used. You may use it in combination.
  • the saponification degree of at least one vinyl alcohol polymer and its derivative is preferably 95 mol% or less, and from the viewpoint of further improving the polishing selectivity, the average calculated from the respective saponification degree and blending ratio More preferably, the saponification degree is 95 mol% or less.
  • the preferable range of the degree of saponification is the same as that described above.
  • the content of the additive is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, more preferably 0.08% by mass based on the total mass of the polishing liquid from the viewpoint of more effectively obtaining the effect of the additive. % Or more is more preferable, and 0.1% by mass or more is particularly preferable.
  • the content of the additive is preferably 10% by mass or less, more preferably 5.0% by mass or less, and more preferably 3.0% by mass based on the total mass of the polishing liquid from the viewpoint of further suppressing the decrease in the polishing rate of the material to be polished. The following is more preferable, and 1.0% by mass or less is particularly preferable.
  • water Although there is no restriction
  • the water content is not particularly limited, and may be the remainder of the polishing liquid excluding the content of other components.
  • the method for dispersing the abrasive grains in water is not particularly limited, and specific examples include a dispersion method by stirring; a dispersion method by a homogenizer, an ultrasonic disperser, a wet ball mill, or the like.
  • the pH of the polishing liquid (25 ° C.) is preferably 2.0 to 9.0 from the viewpoint that a further excellent polishing rate can be obtained. This is presumably because the surface potential of the abrasive grains becomes good with respect to the surface potential of the surface to be polished, and the abrasive grains easily act on the surface to be polished.
  • the lower limit of the pH is preferably 2.0 or more, more preferably 3.0 or more, and even more preferably 4.0 or more, in that the pH of the polishing liquid is stabilized and problems such as aggregation of abrasive grains are less likely to occur. .
  • the upper limit of the pH is preferably 9.0 or less, more preferably 8.0 or less, and even more preferably 7.5 or less in that the dispersibility of the abrasive grains is excellent and a further excellent polishing rate is obtained.
  • the pH of the polishing liquid can be measured by the same method as the pH of the mixed liquid.
  • a conventionally known pH adjusting agent can be used without particular limitation.
  • the pH adjuster include inorganic acids such as phosphoric acid, sulfuric acid, and nitric acid; formic acid, acetic acid, propionic acid, maleic acid, phthalic acid, citric acid, succinic acid, malonic acid, glutaric acid, and adipic acid.
  • Organic acids such as carboxylic acids such as fumaric acid, lactic acid and benzoic acid; amines such as ethylenediamine, toluidine, piperazine, histidine, aniline, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, picolinic acid, morpholine, piperidine and hydroxylamine
  • nitrogen-containing heterocyclic compounds such as pyridine, imidazole, triazole, pyrazole, benzimidazole, and benzotriazole.
  • the pH adjuster may be contained in a slurry (including a slurry precursor, a slurry storage solution, and the like), an additive solution, and the like described later.
  • the pH stabilizer refers to an additive for adjusting to a predetermined pH, and a buffer component is preferable.
  • the buffer component is preferably a compound having a pKa within ⁇ 1.5 with respect to a predetermined pH, and more preferably a compound having a pKa within ⁇ 1.0.
  • Examples of such compounds include amino acids such as glycine, arginine, lysine, asparagine, aspartic acid, and glutamic acid; a mixture of the carboxylic acid and the base; a salt of the carboxylic acid, and the like.
  • the slurry according to this embodiment may be used as it is for polishing, or may be used as a slurry in a so-called two-component type polishing liquid in which the constituents of the polishing liquid are divided into a slurry and an additive liquid.
  • the polishing liquid and the slurry differ in the presence or absence of an additive, and the polishing liquid can be obtained by adding the additive to the slurry.
  • the slurry according to this embodiment contains at least abrasive grains similar to the polishing liquid according to this embodiment, and water.
  • the abrasive grains are characterized by containing a hydroxide of a tetravalent metal element, and the preferred range and measuring method of the average secondary particle diameter of the abrasive grains are used in the polishing liquid according to this embodiment. It is the same as the abrasive grain to be used.
  • the hydroxide of the tetravalent metal element has a great influence on the polishing characteristics. Therefore, by adjusting the content of the hydroxide of the tetravalent metal element, the chemical interaction between the abrasive grains and the surface to be polished can be improved, and the polishing rate can be further improved. That is, the content of the hydroxide of the tetravalent metal element is preferably 0.01% by mass or more based on the total mass of the slurry in that the function of the hydroxide of the tetravalent metal element can be sufficiently expressed. 0.03 mass% or more is more preferable, and 0.05 mass% or more is still more preferable.
  • the content of the tetravalent metal element hydroxide makes it easy to avoid agglomeration of the abrasive grains, improves the chemical interaction with the surface to be polished, and improves the characteristics of the abrasive grains (for example, improving the polishing rate). 8 mass% or less, more preferably 5 mass% or less, still more preferably 3 mass% or less, particularly preferably 1 mass% or less, and 0.7 mass% based on the total mass of the slurry. % Or less is very preferable, and 0.5% by mass or less is very preferable.
  • the lower limit of the content of abrasive grains is preferably 0.01% by mass or more, and 0.03% by mass or more based on the total mass of the slurry, in that a desired polishing rate is easily obtained. More preferably, 0.05 mass% or more is still more preferable.
  • the upper limit of the content of the abrasive grains is not particularly limited, but is preferably 10% by mass or less, more preferably 5% by mass or less, based on the total mass of the slurry, in that it is easy to avoid agglomeration of the abrasive grains. Less than 1% by mass is more preferable, 1% by mass or less is particularly preferable, 0.7% by mass or less is very preferable, and 0.5% by mass or less is very preferable.
  • the pH (25 ° C.) of the slurry according to the present embodiment is such that the surface potential of the abrasive grains with respect to the surface potential of the surface to be polished becomes good, and the abrasive grains easily act on the surface to be polished.
  • the lower limit of the pH is preferably 2.0 or more, more preferably 2.2 or more, and even more preferably 2.5 or more, in that the pH of the slurry is stabilized and problems such as agglomeration of abrasive grains are less likely to occur.
  • the upper limit of the pH is preferably 9.0 or less, more preferably 8.0 or less, still more preferably 7.0 or less, and 6.5 in that the abrasive dispersibility is excellent and a further excellent polishing rate is obtained.
  • the following is particularly preferable, and 6.0 or less is very preferable.
  • the pH of the slurry can be measured by the same method as the pH of the mixed solution.
  • the constituents of the polishing liquid are the slurry and the additive liquid so that the slurry (first liquid) and the additive liquid (second liquid) are mixed to become the polishing liquid. It is stored separately.
  • the slurry the slurry according to this embodiment can be used.
  • the additive solution a solution in which the additive is dissolved in water (a solution containing the additive and water) can be used.
  • the polishing liquid set is used as a polishing liquid by mixing the slurry and the additive liquid during polishing.
  • the constituents of the polishing liquid in at least two liquids, problems such as agglomeration of abrasive grains and changes in polishing characteristics, which are a concern when stored for a long time after mixing the additives, Can be avoided, and the polishing liquid can be further improved in storage stability.
  • the constituent components may be divided into three or more liquids.
  • the same additive as described in the polishing solution can be used.
  • the content of the additive in the additive liquid is 0.01 mass on the basis of the total mass of the additive liquid from the viewpoint of suppressing an excessive decrease in the polishing rate when the additive liquid and the slurry are mixed to prepare a polishing liquid. % Or more is preferable, and 0.02 mass% or more is more preferable.
  • the content of the additive in the additive solution is 20% by mass or less based on the total mass of the additive solution from the viewpoint of suppressing an excessive decrease in the polishing rate when the additive solution and the slurry are mixed to prepare a polishing solution. Is preferred.
  • the water in the additive solution is not particularly limited, but deionized water, ultrapure water or the like is preferable.
  • the water content is not particularly limited, and may be the remainder excluding the content of other components.
  • the substrate polishing method using the polishing liquid, slurry or polishing liquid set, and the substrate obtained thereby will be described.
  • the polishing method according to this embodiment is a polishing method using a one-liquid type polishing liquid when the polishing liquid or slurry is used, and a two-liquid type polishing liquid or three liquids or more when using the polishing liquid set. This is a polishing method using this type of polishing liquid. According to these polishing methods, the material to be polished can be polished at an excellent polishing rate. Further, according to these polishing methods, it is possible to suppress the generation of polishing flaws and to obtain a substrate having excellent flatness.
  • the substrate according to the present embodiment is polished by the polishing method.
  • a substrate having a material to be polished on its surface is polished.
  • the material to be polished may be polished using a stopper formed under the material to be polished.
  • the substrate polishing method according to the present embodiment includes, for example, at least a preparation process, a substrate arrangement process, and a polishing process.
  • a substrate having a material to be polished on the surface is prepared.
  • the substrate placement step the substrate is placed so that the material to be polished is placed facing the polishing pad.
  • the polishing step at least a part of the material to be polished is removed using a polishing liquid, a slurry, or a polishing liquid set.
  • the shape of the material to be polished which is an object to be polished, is not particularly limited, but is, for example, a film shape (film to be polished).
  • Examples of materials to be polished include inorganic insulating materials such as silicon oxide; organic insulating materials such as organosilicate glass and wholly aromatic ring-based low-k materials; and stopper materials such as silicon nitride and polysilicon. Materials and organic insulating materials are preferable, and inorganic insulating materials are more preferable.
  • the silicon oxide film can be obtained by a low pressure CVD method, a plasma CVD method, or the like.
  • the silicon oxide film may be doped with an element such as phosphorus or boron. It is preferable that the surface of the material to be polished (surface to be polished) has irregularities. In the substrate polishing method according to this embodiment, the uneven surface of the material to be polished is preferentially polished, and a substrate with a flattened surface can be obtained.
  • the polishing step at least a part of the material to be polished is polished by supplying the polishing liquid or slurry between the material to be polished on the substrate and the polishing pad on the polishing surface plate.
  • a polishing liquid or slurry is supplied between the polishing pad and the material to be polished, and the base and the polishing surface plate are moved relatively to each other. A part is polished.
  • the polishing liquid and the slurry may be directly supplied onto the polishing pad as a composition having a desired water content.
  • the polishing liquid and slurry according to the present embodiment are used by diluting the liquid component by, for example, twice or more (mass basis) with a liquid medium such as water from the viewpoint of suppressing costs related to storage, transportation, storage, and the like. It can be stored as a stock solution for polishing liquid or a stock solution for slurry.
  • a liquid medium such as water from the viewpoint of suppressing costs related to storage, transportation, storage, and the like. It can be stored as a stock solution for polishing liquid or a stock solution for slurry.
  • Each of the storage liquids may be diluted with a liquid medium immediately before polishing, or may be diluted on the polishing pad by supplying the storage liquid and the liquid medium onto the polishing pad.
  • the lower limit of the dilution ratio (mass basis) of the stock solution is preferably 2 times or more, more preferably 3 times or more, and more preferably 5 times or more because the higher the magnification, the higher the cost-saving effect on storage, transportation, storage, etc. Further preferred is 10 times or more.
  • the upper limit of the dilution rate is not particularly limited, but the higher the magnification, the greater the amount of components contained in the stock solution (the higher the concentration), and the lower the stability during storage. Preferably, 200 times or less is more preferable, 100 times or less is more preferable, and 50 times or less is particularly preferable. The same applies to the polishing liquid in which the constituent components are divided into three or more liquids.
  • the content of abrasive grains is not particularly limited, but is preferably 20% by mass or less, and preferably 15% by mass or less, based on the total mass of the storage liquid, in that it is easy to avoid agglomeration of abrasive grains. More preferably, 10% by mass or less is further preferable, and 5% by mass or less is particularly preferable.
  • the content of the abrasive grains is preferably 0.02% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, based on the total mass of the storage liquid, from the viewpoint of suppressing costs related to storage, transportation, storage, and the like. More preferably, it is more preferably at least 1% by mass.
  • the substrate polishing method according to the present embodiment may have a polishing liquid preparation step of obtaining a polishing liquid by mixing the slurry and the additive liquid before the polishing step.
  • the material to be polished is polished using the polishing liquid obtained in the polishing liquid preparation process.
  • the slurry and the additive liquid may be fed through separate pipes, and these pipes may be joined just before the supply pipe outlet to obtain a polishing liquid.
  • the polishing liquid may be directly supplied onto the polishing pad as a polishing liquid having a desired water content, or may be diluted on the polishing pad after being supplied onto the polishing pad as a storage liquid having a low water content.
  • the slurry and the additive liquid are supplied between the polishing pad and the material to be polished, respectively, and the slurry and the additive liquid are mixed, and the slurry is added by the polishing liquid obtained. At least a part of the polishing material may be polished.
  • the slurry and the additive liquid can be supplied onto the polishing pad by separate liquid feeding systems.
  • the slurry and / or additive liquid may be directly supplied onto the polishing pad as a liquid having a desired water content, or may be diluted on the polishing pad after being supplied onto the polishing pad as a storage liquid having a low water content. .
  • a polishing apparatus used in the polishing method according to the present embodiment for example, a holder for holding a substrate having a material to be polished, a motor whose rotation speed can be changed, and the like can be attached and a polishing pad can be attached.
  • polishing pad For example, a general nonwoven fabric, a polyurethane foam, and a porous fluororesin can be used. It is preferable that the polishing pad is grooved so as to collect a polishing liquid or the like.
  • the polishing conditions are not particularly limited, but from the viewpoint of suppressing the substrate from popping out, the rotation speed of the polishing platen is preferably a low rotation of 200 min ⁇ 1 (rpm) or less.
  • the pressure (working load) applied to the substrate is preferably 100 kPa or less from the viewpoint of further suppressing the occurrence of polishing scratches.
  • the substrate after polishing is preferably washed thoroughly under running water, and then water droplets adhering to the substrate are removed by a spin dryer or the like and then dried.
  • a [L] water was put in a container, and an aqueous solution of cerium ammonium nitrate having a concentration of 50% by mass (general formula Ce (NH 4 ) 2 (NO 3 ) 6 , formula weight 548.2 g / mol, manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd., Product name 50% CAN solution) was added and mixed with B [L]. Thereafter, the liquid temperature was adjusted to C [° C.] to obtain an aqueous metal salt solution.
  • the metal salt concentration of the metal salt aqueous solution is as shown in Table 1.
  • the container containing the metal salt aqueous solution was placed in a water tank filled with water.
  • the water temperature of the water tank was adjusted to a temperature C [° C.] with an external circulation device COOLNICS circulator (manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd. (EYELA), product name cooling thermopump CTP101).
  • COOLNICS circulator manufactured by Tokyo Rika Kikai Co., Ltd. (EYELA), product name cooling thermopump CTP101.
  • the pH of the slurry precursor 1 is as shown in Table 1 as “end pH”, and the pH change ⁇ pH per unit time is as shown in Table 1.
  • ⁇ pH the average value of the amount of change in pH per minute from the start of mixing the aqueous metal salt solution to the alkaline solution until the pH of the mixed solution reaches the “end pH” was adopted.
  • the parameter Z is also as shown in Table 1.
  • the slurry precursor 1 was centrifuged at 3000 G, and solid-liquid separation was performed by decantation to remove the liquid. An appropriate amount of water was added to the obtained filtrate and the mixture was stirred well, and then solid-liquid separation was further performed three times by centrifugation and decantation.
  • the abrasive grains contained in the slurry precursor 2 contain at least a part of particles having nitrate ions bonded to the cerium element.
  • the abrasive grains contained cerium hydroxide since at least a part of the particles having hydroxide ions bonded to the cerium element was contained, it was confirmed that the abrasive grains contained cerium hydroxide. From these results, it was confirmed that the hydroxide of cerium contains hydroxide ions bonded to the cerium element.
  • a measurement sample (aqueous dispersion).
  • About 4 mL of the measurement sample was placed in a 1 cm square cell, and the cell was placed in a spectrophotometer (device name: U3310) manufactured by Hitachi, Ltd.
  • Absorbance was measured in the wavelength range of 200 to 600 nm, and the absorbance with respect to light with a wavelength of 400 nm and the light transmittance with respect to light with a wavelength of 500 nm were measured. The results are shown in Table 2.
  • the measurement sample similar to the measurement sample used for the measurement of absorbance and light transmittance in Examples 1 to 5 was held at 60 ° C. for 72 hours, and then the absorbance and light transmittance were measured in the same manner.
  • Absorbance for light with a wavelength of 400 nm is 1.00 or more and less than 1.50
  • absorbance for light with a wavelength of 290 nm is 1.000 or more
  • absorbance for light with a wavelength of 450 to 600 nm is 0.010 or less
  • the light transmittance for the light was 50% / cm or more.
  • An additive liquid 1 containing 5% by mass of polyvinyl alcohol and X% by mass of imidazole was prepared as an additive.
  • 150 g of water was added to 100 g of additive liquid 1 to obtain additive liquid 2.
  • Slurry 1 abrasive grain content: 0.2 mass%, polyvinyl alcohol content: 1.0 mass% was obtained by mixing Slurry 1 and additive liquid 2 at 1: 1 (mass ratio).
  • the X mass% was determined so that the pH of the polishing liquid was 6.0.
  • the saponification degree of polyvinyl alcohol in the polyvinyl alcohol aqueous solution was 80 mol%, and the average polymerization degree was 300.
  • the slurry 2 (slurry obtained from the slurry storage solution stored at 60 ° C./72 hours) and the additive solution 2 were mixed to obtain a polishing solution 2.
  • the change in film thickness before and after polishing was measured using an optical interference type film thickness measuring device to determine the polishing rate. Further, the ratio of the difference between the polishing rate of the polishing solution 1 and the polishing rate of the polishing solution 2 with respect to the polishing rate of the polishing solution 1 (difference in polishing rate / polishing rate of the polishing solution 1 ⁇ 100) was calculated as the rate of change in polishing rate. .
  • the results are shown in Table 3.
  • the polishing liquids of the examples are transparent in appearance even after storage at 60 ° C./72 hours, and the rate of change in the polishing rate is small.

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Abstract

 4価金属元素の塩を含む金属塩溶液と、アルカリ液とを混合して、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を得る工程と、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を加熱する工程と、を備える、砥粒の製造方法。

Description

砥粒、スラリー、研磨液及びこれらの製造方法
 本発明は、砥粒、スラリー、研磨液及びこれらの製造方法に関する。特に、本発明は、半導体素子の製造工程に用いられる砥粒、スラリー及び研磨液、並びにこれらの製造方法に関する。
 近年の半導体素子の製造工程では、高密度化及び微細化のための加工技術の重要性が更に増している。その加工技術の一つであるCMP(ケミカル・メカニカル・ポリッシング:化学機械研磨)技術は、半導体素子の製造工程において、シャロートレンチ分離(Shallow Trench Isolation。以下、場合により「STI」という)の形成、プリメタル絶縁材料又は層間絶縁材料の平坦化、プラグ又は埋め込み金属配線の形成に必須の技術となっている。
 従来、半導体素子の製造工程において、CVD(ケミカル・ベーパー・デポジション:化学気相成長)法又は回転塗布法等の方法で形成される酸化ケイ素等の絶縁材料をCMPによって平坦化する。このCMPでは、一般的に、砥粒としてコロイダルシリカ、フュームドシリカ等のシリカ粒子を含むシリカ系研磨液が用いられている。シリカ系研磨液は、四塩化ケイ素を熱分解する等の方法で砥粒を粒成長させ、pH調整を行って製造される。しかしながら、このようなシリカ系研磨液は、研磨速度が低いという技術課題がある。
 ところで、デザインルール0.25μm以降の世代では、集積回路内の素子分離にSTIが用いられている。STI形成では、基体上に堆積した絶縁材料の余分な部分を除くためにCMPが使用される。そして、CMPにおいて研磨を停止させるために、研磨速度の遅いストッパ(研磨停止層)が絶縁材料の下に形成される。ストッパ材料(ストッパの構成材料)には窒化ケイ素、ポリシリコン等が使用され、ストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比(研磨速度比:絶縁材料の研磨速度/ストッパ材料の研磨速度)が大きいことが望ましい。従来のシリカ系研磨液は、ストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比が3程度と小さく、STI用としては実用に耐える特性を有していない傾向がある。
 また、近年、酸化セリウム系研磨液として、高純度の酸化セリウム粒子を用いた半導体用研磨液が使用されている(例えば、下記特許文献1参照)。
 ところで、近年、半導体素子の製造工程では更なる配線の微細化を達成することが求められており、研磨時に発生する研磨傷が問題となっている。すなわち、従来の酸化セリウム系研磨液を用いて研磨を行った際に、微小な研磨傷が発生しても、この研磨傷の大きさが従来の配線幅より小さいものであれば問題にならなかったが、更なる配線の微細化を達成しようとする場合には問題となってしまう。
 この問題に対し、前記のような酸化セリウム系研磨液においては、酸化セリウム粒子の平均粒子径を小さくする試みがなされている。しかしながら、平均粒子径を小さくすると、機械的作用が低下するため研磨速度が低下してしまう問題がある。このように酸化セリウム粒子の平均粒子径を制御することで研磨速度及び研磨傷の両立を図ろうとしても、研磨速度を維持しつつ、研磨傷に対する近年の厳しい要求を達成するのは困難極まりない。
 これに対し、4価金属元素の水酸化物の粒子を用いた研磨液が検討されている(例えば、下記特許文献2参照)。さらに、4価金属元素の水酸化物の粒子の製造方法についても検討されている(例えば、下記特許文献3参照)。これらの技術は、4価金属元素の水酸化物の粒子が有する化学的作用を活かしつつ機械的作用を極力小さくすることによって、粒子による研磨傷を低減しようとするものである。
 また、研磨傷を低減すること以外にも、凹凸を有する基体を平坦に研磨することが求められている。前記STIを例に取ると、ストッパ材料(例えば窒化ケイ素、ポリシリコン)の研磨速度に対して、被研磨材料である絶縁材料(例えば酸化ケイ素)の研磨選択比を向上させることが要求されている。これらを解決するために、様々な添加剤を研磨液に添加することが検討されてきている。例えば、研磨液に添加剤を添加することによって、配線密度の異なる配線を同一面内に有する基体における研磨選択比を向上させる技術が知られている(例えば、下記特許文献4参照)。また、研磨速度を制御し、グローバルな平坦性を向上させるために、酸化セリウム系研磨液に添加剤を加えることが知られている(例えば、下記特許文献5参照)。
特開平10-106994号公報 国際公開第02/067309号 特開2006-249129号公報 特開2002-241739号公報 特開平08-022970号公報
 しかしながら、特許文献2及び3に記載の技術では、研磨傷が低減する一方で、研磨速度が充分高いとはいえなかった。研磨速度は製造プロセスの効率に影響するため、より高い研磨速度を有する研磨液が求められている。
 また、従来の研磨液では、研磨液が添加剤を含有すると、添加剤の添加効果が得られるのと引き換えに研磨速度が低下してしまうことがあり、研磨速度と他の研磨特性との両立が難しいという課題がある。
 さらに、従来の研磨液では、保管安定性が低い場合がある。例えば、研磨特性が経時的に変化して大幅に低下する(研磨特性の安定性が低い)という課題がある。前記研磨特性のうち代表的なものとして研磨速度があり、経時的に研磨速度が低下する(研磨速度の安定性が低い)という課題がある。また、保管中に砥粒が凝集したり沈殿したりして、研磨特性に悪影響を与える(分散安定性が低い)場合もある。
 本発明は、前記課題を解決しようとするものであり、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することが可能であると共に、保管安定性を向上させることが可能な研磨液を与える砥粒、及びその製造方法を提供することを目的とする。
 また、本発明は、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することが可能であると共に、保管安定性を向上させることが可能な研磨液を与えるスラリー、及びその製造方法を提供することを目的とする。
 さらに、本発明は、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することが可能であると共に、保管安定性を向上させることが可能な研磨液、及びその製造方法を提供することを目的とする。
 本発明者は、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒の製造方法について鋭意検討した結果、4価金属元素の塩を含む金属塩溶液とアルカリ液とを混合して、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を得た後に該粒子を加熱することにより、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒の安定性、並びに、当該4価金属元素の水酸化物を含む砥粒を含むスラリー及び研磨液の安定性が飛躍的に向上することを見出した。
 すなわち、本発明に係る砥粒の製造方法は、4価金属元素の塩を含む金属塩溶液と、アルカリ液とを混合して、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を得る工程と、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を加熱する工程と、を備える。
 本発明に係る砥粒の製造方法によれば、該製造方法により得られる砥粒を含む研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。保管安定性として、特に、分散安定性、及び、研磨速度の安定性を向上させることができる。また、本発明に係る砥粒の製造方法によれば、該製造方法により得られる砥粒を含むスラリーを研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に保管安定性を向上させることもできる。保管安定性として、特に、分散安定性、及び、研磨速度の安定性を向上させることができる。さらに、本発明に係る砥粒の製造方法によれば、該製造方法により得られる砥粒が4価金属元素の水酸化物を含むことにより、被研磨面における研磨傷の発生を抑制することもできる。
 本発明に係る砥粒の製造方法においては、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を30℃以上で加熱することが好ましく、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を40℃以上で加熱することがより好ましい。これらの場合、優れた研磨速度を維持しつつ保管安定性を更に高めやすくなる。
 本発明に係る砥粒の製造方法においては、4価金属元素の水酸化物を含む粒子を100℃以下で加熱することが好ましい。この場合、砥粒の安定性を更に高めることができる。
 また、本発明者は、下記パラメータが特定値以上である条件で金属塩溶液とアルカリ液とを混合することにより、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒が得られやすくなることを見出した。すなわち、本発明に係る砥粒の製造方法においては、下記式(1)で示されるパラメータZが5.00以上である条件で金属塩溶液とアルカリ液とを混合することが好ましい。
  Z=[1/(ΔpH×k)]×(N/M)/1000  ・・・(1)
[式(1)中、ΔpHは、金属塩溶液及びアルカリ液の混合液の1分間当たりのpH変化量を示し、kは、反応温度係数を示し、Nは、循環数(min-1)を示し、Mは、置換数(min-1)を示す。]
 前記ΔpHは、1.000以下であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 前記循環数Nは、下記式(2)で示されるものであってもよい。
  N=(u×S)/Q  ・・・(2)
[式(2)中、uは、混合液を撹拌する撹拌羽根の線速度(m/min)を示し、Sは、撹拌羽根の面積(m)を示し、Qは、混合液の液量(m)を示す。]
 前記線速度uは、下記式(3)において5.00m/min以上であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
  u=2π×R×r  ・・・(3)
[式(3)中、Rは、撹拌羽根の回転数(min-1)を示し、rは、撹拌羽根の回転半径(m)を示す。]
 前記回転数Rは、30min-1以上であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 前記循環数Nは、1.00min-1以上であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 前記置換数Mは、下記式(4)で示されるものであってもよい。
  M=v/Q  ・・・(4)
[式(4)中、vは、金属塩溶液及びアルカリ液の混合速度(m/min)を示し、Qは、混合液の液量(m)を示す。]
 前記混合速度vは、5.00×10-3/min以下であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 前記置換数Mは、1.0min-1以下であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 金属塩溶液における4価金属元素の塩の濃度は、0.010mol/L以上であることが好ましい(なお、Lは「リットル」を示す。以下同じ)。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 アルカリ液におけるアルカリ濃度は、15.0mol/L以下であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 金属塩溶液及びアルカリ液の混合液のpHは、1.5~7.0であることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 4価金属元素は、4価セリウムであることが好ましい。この場合、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能な砥粒を得ることができる。
 本発明に係るスラリーの製造方法は、前記砥粒の製造方法により得られた砥粒と、水とを混合してスラリーを得る工程を備える。本発明に係るスラリーの製造方法によれば、該製造方法により得られるスラリーに添加剤を加えて得られる研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。また、本発明に係るスラリーの製造方法によれば、該製造方法により得られるスラリーを研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に保管安定性を向上させることもできる。
 本発明に係る研磨液の製造方法は、前記スラリーの製造方法により得られたスラリーと、添加剤とを混合して研磨液を得る工程を備える態様であってもよく、前記砥粒の製造方法により得られた砥粒と、添加剤と、水とを混合して研磨液を得る工程を備える態様であってもよい。本発明に係る研磨液の製造方法によれば、該製造方法により得られる研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。
 本発明に係る砥粒は、前記砥粒の製造方法により得られたものである。本発明に係るスラリーは、前記スラリーの製造方法により得られたものである。本発明に係る研磨液は、前記研磨液の製造方法により得られたものである。
 本発明に係る砥粒及びその製造方法によれば、該砥粒を含む研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。また、本発明に係る砥粒及びその製造方法によれば、該砥粒を含むスラリーに添加剤を添加して得られる研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。本発明に係る砥粒及びその製造方法によれば、該砥粒を含むスラリーを研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に保管安定性を向上させることもできる。さらに、本発明に係る砥粒及びその製造方法によれば、該砥粒が4価金属元素の水酸化物を含むことにより、被研磨面における研磨傷の発生を抑制することもできる。
 本発明に係るスラリー及びその製造方法によれば、該スラリーに添加剤を添加して得られる研磨液を用いた場合に、添加剤の添加効果を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に、保管安定性を向上させることができる。本発明に係るスラリー及びその製造方法によれば、該スラリーを研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に保管安定性を向上させることができる。
 本発明に係る研磨液及びその製造方法によれば、該研磨液を研磨に用いた場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができると共に保管安定性を向上させることができる。
 なお、前記保管安定性に関して、本発明によれば、例えば60℃で3日間(72時間)保管した砥粒を用いて研磨した場合であっても、保管前の研磨速度を基準として研磨速度の変化率を小さくする(例えば5.0%以内に留める)ことができる。
 また、本発明によれば、半導体素子の製造工程における基体表面の平坦化工程への前記砥粒、スラリー及び研磨液の応用が提供される。特に、本発明によれば、シャロートレンチ分離絶縁材料、プリメタル絶縁材料、層間絶縁材料等の平坦化工程への前記砥粒、スラリー及び研磨液の応用が提供される。
添加剤を添加した際に砥粒が凝集する様子を示す模式図である。 添加剤を添加した際に砥粒が凝集する様子を示す模式図である。
 以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。本明細書において、「スラリー」及び「研磨液」とは、研磨時に被研磨材料に触れる組成物であり、水及び砥粒を少なくとも含んでいる。また、砥粒の含有量を所定量に調整した「水分散液」とは、所定量の砥粒と水とを含む液を意味する。
<砥粒の造粒>
 本実施形態に係る砥粒は、4価金属元素の水酸化物を含む。このような砥粒を得るための製造方法は、4価金属元素の塩を含む金属塩溶液(第一の液。例えば金属塩水溶液)と、アルカリ源(塩基)を含むアルカリ液(第二の液。例えばアルカリ水溶液)とを混合して4価金属元素の塩とアルカリ源とを反応させることにより、4価金属元素の水酸化物を含む粒子(以下、「4価金属元素の水酸化物粒子」という)を得る反応工程と、反応工程において得られた4価金属元素の水酸化物粒子を加熱して、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒を得る加熱工程と、を備える。当該製造方法により、粒子径が極めて細かい粒子を得ることができ、研磨傷の低減効果に優れた砥粒を得ることができる。
 なお、反応工程において、金属塩溶液とアルカリ液とを混合して得られる混合液を撹拌する手段は限定されるものではなく、回転軸回りに回転する棒状、板状又はプロペラ状の撹拌子又は撹拌羽根を用いて混合液を撹拌する方法;回転する磁界で容器の外部から動力を伝達するマグネチックスターラーを用いて撹拌子を回転させて混合液を撹拌する方法;槽外に設置したポンプで混合液を撹拌する方法;外気を加圧して槽内に勢いよく吹き込むことで混合液を撹拌する方法等が挙げられる。また、加熱工程において4価金属元素の水酸化物粒子を加熱する方法としては、金属塩溶液とアルカリ液とを混合して得られた混合液をヒーター等の熱源を用いて直接加熱する方法;超音波発信機から発せられる振動により混合液を加熱する方法などが挙げられる。
 本発明者は、前記加熱工程を経て得られる砥粒を用いることにより、研磨速度を向上させることができると共に、保管安定性を向上させることができることを見出した。この理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。
 すなわち、4価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて、4価の金属(M4+)、1~3個の水酸化物イオン(OH)及び1~3個の陰イオン(Xc-)からなるM(OH)(式中、a+b×c=4である)を含む粒子が砥粒の一部として生成するものと考えられる(なお、このような粒子も「4価金属元素の水酸化物を含む砥粒」である)。M(OH)では、電子吸引性の陰イオン(Xc-)が作用して水酸化物イオンの反応性が向上しており、M(OH)の存在量が増加するに伴い研磨速度が向上するものと考えられる。
 4価金属元素の水酸化物を含む砥粒は、M(OH)だけでなく、M(OH)、MO等も含み得ると考えられる。陰イオン(Xc-)としては、NO 、SO 2-等が挙げられる。
 なお、砥粒がM(OH)を含むことは、砥粒を純水でよく洗浄した後にFT-IR ATR法(Fourier transform Infra Red Spectrometer Attenuated Total Reflection法、フーリエ変換赤外分光光度計全反射測定法)で陰イオン(Xc-)に該当するピークを検出する方法により確認できる。XPS法(X-ray Photoelectron Spectroscopy、X線光電子分光法)により、陰イオン(Xc-)の存在を確認することもできる。
 一方で、M(OH)(例えばM(OH)X)を含む粒子等の4価金属元素の水酸化物粒子の構造安定性を計算すると、陰イオン(Xc-)の存在量が増加するに伴い粒子の構造安定性が低下する結果が得られている。陰イオン(Xc-)を含む4価金属元素の水酸化物粒子では、時間の経過に伴い陰イオン(Xc-)の一部が粒子から脱離することにより保管安定性が低下する場合があると考えられる。これに対し、4価金属元素の水酸化物粒子を造粒した後に当該粒子を加熱することにより、粒子から脱離し得る陰イオン(Xc-)が予め粒子から脱離することとなり、優れた研磨速度を維持しつつ保管安定性を高めることができると考えられる。
 加熱工程における加熱温度は、加熱効果が得られやすくなることにより優れた研磨速度を維持しつつ保管安定性を更に高めやすくなる観点から、30℃以上が好ましく、35℃以上がより好ましく、38℃以上が更に好ましく、40℃以上が特に好ましく、50℃以上が極めて好ましい。加熱温度は、溶媒である水等が沸騰することを抑制する観点、並びに、粒子の酸化及び凝集を抑制する観点から、100℃以下が好ましく、90℃以下がより好ましく、85℃以下が更に好ましく、80℃以下が特に好ましい。
 加熱工程における加熱時間は、充分な安定化効果が得られやすくなる観点から、3時間以上が好ましく、6時間以上がより好ましく、9時間以上が更に好ましく、18時間以上が特に好ましく、24時間以上が極めて好ましい。加熱時間は、生産性の観点、及び、粒子の凝集を抑制する観点から、720時間以下が好ましく、480時間以下がより好ましく、240時間以下が更に好ましい。
 4価金属元素の塩としては、金属をMとして示すと、M(NO、M(SO、M(NH(NO、M(NH(SO等が挙げられる。これらの塩は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
 金属塩溶液における4価金属元素の塩の濃度(金属塩濃度)Cの下限は、pHの上昇を緩やかにする観点から、金属塩溶液の全体を基準として0.010mol/L以上が好ましく、0.020mol/L以上がより好ましく、0.030mol/L以上が更に好ましい。金属塩濃度Cの上限は特に限定されないが、取り扱いの容易性の観点から、金属塩溶液の全体を基準として1.000mol/L以下が好ましく、0.800mol/L以下がより好ましく、0.500mol/L以下が更に好ましく、0.300mol/L以下が特に好ましい。
 アルカリ液のアルカリ源としては、特に制限はないが、有機塩基、無機塩基等が挙げられる。有機塩基としては、グアニジン、トリエチルアミン、キトサン等の含窒素有機塩基;ピリジン、ピペリジン、ピロリジン、イミダゾール等の含窒素複素環有機塩基;炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、塩化テトラエチルアンモニウム等のアンモニウム塩などが挙げられる。無機塩基としては、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属の無機塩などが挙げられる。アルカリ源は、一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
 アルカリ源は、急激な反応を抑制しやすくなる観点から、弱い塩基性を示すことが好ましい。アルカリ源の中でも、含窒素複素環有機塩基が好ましく、中でも、ピリジン、ピペリジン、ピロリジン及びイミダゾールがより好ましく、ピリジン及びイミダゾールが更に好ましく、イミダゾールが特に好ましい。
 アルカリ液におけるアルカリ濃度(塩基の濃度、アルカリ源の濃度)Cの上限は、pHの上昇を緩やかにする観点から、アルカリ液の全体を基準として、15.0mol/L以下が好ましく、12.0mol/L以下がより好ましく、10.0mol/L以下が更に好ましく、5.0mol/L以下が特に好ましい。アルカリ濃度Cの下限は特に限定されないが、生産性の観点から、アルカリ液の全体を基準として、0.001mol/L以上が好ましい。
 アルカリ液におけるアルカリ濃度は、選択されるアルカリ源により適宜調整されることが好ましい。例えば、アルカリ源の共役酸のpKaが20以上であるアルカリ源の場合、アルカリ濃度の上限は、pHの上昇を緩やかにする観点から、アルカリ液の全体を基準として0.10mol/L以下が好ましく、0.05mol/L以下がより好ましく、0.01mol/L以下が更に好ましい。アルカリ濃度の下限は特に限定されないが、生産性の観点から、アルカリ液の全体を基準として、0.001mol/L以上が好ましい。
 アルカリ源の共役酸のpKaが12以上20未満であるアルカリ源の場合、アルカリ濃度の上限は、pHの上昇を緩やかにする観点から、アルカリ液の全体を基準として1.0mol/L以下が好ましく、0.50mol/L以下がより好ましく、0.10mol/L以下が更に好ましい。アルカリ濃度の下限は特に限定されないが、生産性の観点から、アルカリ液の全体を基準として、0.01mol/L以上が好ましい。
 アルカリ源の共役酸のpKaが12未満であるアルカリ源の場合、アルカリ濃度の上限は、pHの上昇を緩やかにする観点から、アルカリ液の全体を基準として15.0mol/L以下が好ましく、10.0mol/L以下がより好ましく、5.0mol/L以下が更に好ましい。アルカリ濃度の下限は特に限定されないが、生産性の観点から、アルカリ液の全体を基準として、0.1mol/L以上が好ましい。
 具体的なアルカリ源について、アルカリ源の共役酸のpKaが20以上であるアルカリ源としては、1,8-ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ-7-エン(pKa:25)等が挙げられる。アルカリ源の共役酸のpKaが12以上20未満であるアルカリ源としては、水酸化カリウム(pKa:16)、水酸化ナトリウム(pKa:13)等が挙げられる。アルカリ源の共役酸のpKaが12未満であるアルカリ源としては、アンモニア(pKa:9)、イミダゾール(pKa:7)等が挙げられる。使用するアルカリ源の共役酸のpKa値は、アルカリ濃度が適切に調整される限り、特に限定されるものではないが、アルカリ源の共役酸のpKaは、20未満であることが好ましく、12未満であることがより好ましく、10未満であることが更に好ましく、8未満であることが特に好ましい。
 金属塩溶液とアルカリ液とを混合して得られる混合液のpHは、金属塩溶液及びアルカリ液の混合後の安定状態において、混合液の安定性の観点から、1.5以上が好ましく、1.8以上がより好ましく、2.0以上が更に好ましい。混合液のpHは、混合液の安定性の観点から、7.0以下が好ましく、6.0以下がより好ましく、5.5以下が更に好ましい。
 混合液のpHは、pHメータ(例えば、横河電機株式会社製の型番PH81)で測定することができる。pHとしては、例えば、標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液:pH4.01(25℃)、中性リン酸塩pH緩衝液:pH6.86(25℃))を用いて、2点校正した後、測定対象の液体に電極を入れて、2分以上経過して安定した後の値を採用する。
 4価金属元素の水酸化物粒子は、下記式(1)で示されるパラメータZが5.00以上である条件で金属塩溶液とアルカリ液とを混合して、4価金属元素の塩とアルカリ源とを反応させることにより得ることが好ましい。
  Z=[1/(ΔpH×k)]×(N/M)/1000  ・・・(1)
[式(1)中、ΔpHは、混合液の1分間当たりのpH変化量を示し、kは、反応温度係数を示し、Nは、循環数(min-1)を示し、Mは、置換数(min-1)を示す。]
 パラメータZの条件を満たす製造方法により得られる砥粒は、下記条件(a)を満たしやすいと共に、条件(b)及び条件(c)の少なくとも一方を満たしやすい。
 条件(a):砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対して吸光度1.00以上を与える。
 条件(b):砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50%/cm以上を与える。
 条件(c):砥粒の含有量を0.0065質量%(65ppm)に調整した水分散液において波長290nmの光に対して吸光度1.000以上を与える。なお、「ppm」は、質量ppm、すなわち「parts per million mass」を意味するものとする。
 本発明者は、前記加熱工程を経て得られる砥粒が条件(a)を満たす場合に、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨しやすくなると共に、保管安定性を向上させやすくなることを見出した。また、前記砥粒が条件(b)及び条件(c)の少なくとも一方を更に満たす場合に、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨しやすくなると共に、保管安定性を向上させやすくなることを見出した。また、本発明者は、前記条件を満たす砥粒を含む研磨液及びスラリーが目視で若干黄色味を帯びており、研磨液及びスラリーの黄色味が濃くなるほど研磨速度が向上することを見出した。
(パラメータZ)
 本発明者は、検討の結果、4価金属元素の水酸化物粒子の製造に際して、4価金属元素の塩とアルカリ源との反応を穏やかに且つ均一に進行させることで、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能であり且つ保管安定性が高い4価金属元素の水酸化物粒子が得られやすくなることを見出した。このような知見に基づき、本発明者は、式(1)のパラメータZを制御することにより、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨可能であり且つ保管安定性が高い4価金属元素の水酸化物粒子を製造しやすくなることを見出した。具体的には、式(1)の各パラメータをパラメータZが大きくなるように調整することで前記4価金属元素の水酸化物粒子を製造しやすくなる。
 本発明者は前記知見に基づき、式(1)のパラメータZを設定した。式(1)について説明するために、式(1)を以下の2つの要素に分解して考える。
 要素A:[1/(ΔpH×k)]
 要素B:(N/M)
 要素Aは、主に本合成での反応性に関する指標として設定される。検討の結果、混合液の単位時間(1分間)当たりのpH変化量ΔpHは小さいことが好ましく、ΔpHが小さいほど反応が穏やかに進行すると推察される。以上から、式(1)においてΔpHを分母に設定した。
 反応温度係数kは、例えば下記式(5)で示されるものである。本発明者は、混合液の温度Tを高くすることにより粒子の安定性が高まる傾向にある一方で、反応温度係数kが高い場合には反応が激しく進行するために研磨速度及び保管安定性を両立し難くなる傾向があることを見出した。そして、検討の結果、研磨速度及び保管安定性を両立しやすくなる観点では、反応温度係数kは小さいことが好ましく、反応温度係数kが小さいほど(すなわち温度Tが低いほど)反応が穏やかに進行すると推察される。以上から、式(1)においてkを分母に設定した。
  k=2[(T-20)/10]  ・・・(5)
[式(5)中、Tは、混合液の温度(℃)を示す。]
 一方、要素Bは、主に本合成での反応性及び溶液の拡散性に関する指標として設定した。循環数Nは、2種類以上の物質を混合するときの拡散の速さの度合いを示す指標である。検討の結果、循環数Nは大きいことが好ましく、循環数Nが大きいほど、金属塩溶液とアルカリ液とが均一に混合されるため、反応が均一に進行すると推察される。以上から、式(1)において循環数Nを分子に設定した。
 前記循環数Nは、用いる撹拌手段によって計算式が異なるものの、その求め方自体は当業者に公知である。例えば、丸善株式会社 化学工学協会編、「化学工学便覧(第五版)」、又は、槇書店 化学工学協会編「化学工学 解説と演習」に詳しく記載されている。攪拌羽根を用いて反応を行う場合を例に取ると、循環数Nは、例えば下記式(2)で示されるものであり、式(2)における撹拌羽根の線速度u、混合液を撹拌する撹拌羽根の面積S、及び、混合液の液量Qに依存する。線速度uは、例えば下記式(3)で示されるものであり、撹拌羽根の回転数R及び回転半径rに依存する。
  N=(u×S)/Q  ・・・(2)
[式(2)中、uは、前記混合液を撹拌する撹拌羽根の線速度(m/min)を示し、Sは、撹拌羽根の面積(m)を示し、Qは、前記混合液の液量(m)を示す。]
  u=ω×r=2π×R×r  ・・・(3)
[式(3)中、ωは、撹拌羽根の角速度(rad/min)を示し、Rは、撹拌羽根の回転数(min-1)を示し、rは、撹拌羽根の回転半径(m)を示す。]
 また、攪拌羽根以外の攪拌手段(例えば、ポンプの循環、ガス吹き込み攪拌)を用いた場合では、前記u×Sを循環流量F(m/min)に置換えることでNを算出することが可能である。すなわち、
  N=F/Q ・・・(2′)
として求めることができる。
 置換数Mは、ある物質Aに別の物質Bを混合するときに、物質Aが物質Bに置き換わる速度を表す指標である。検討の結果、置換数Mは小さいことが好ましく、置換数Mが小さいほど反応が穏やかに進行すると推察される。以上から、式(1)において置換数Mを分母に設定した。置換数Mは、例えば下記式(4)で示されるものであり、混合速度v及び混合液の液量Qに依存する。
  M=v/Q  ・・・(4)
[式(4)中、vは、金属塩溶液及びアルカリ液の混合速度(m/min)を示し、Qは、前記混合液の液量(m)を示す。
 そして、これら要素A、要素Bで設定したパラメータは、4価金属元素の水酸化物粒子の生成反応における反応性及び反応物質の拡散性に対して、それぞれ単独に寄与するのではなく、互いに連動して寄与すると考えられる。そのため、単なる相加ではなく相乗で効くと考えられることから、式(1)において要素A及び要素Bの積を設定した。最後に、要素A及び要素Bの積を便宜上1000で割ったものをパラメータZとして式(1)を見出すに至った。
 パラメータZの下限は、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨できる4価金属元素の水酸化物粒子が得られやすくなる観点から、7.50以上がより好ましく、10.00以上が更に好ましく、12.50以上が特に好ましい。パラメータZの上限は、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨できる4価金属元素の水酸化物粒子が得られやすくなる観点、及び、生産性に優れる観点から、5000.00以下が好ましい。
 前記式(1)の各パラメータを制御することでパラメータZが所定の値となるように調整することができる。以下、パラメータZを調整する際に用いる各パラメータについて更に詳細に説明する。
(pH変化量:ΔpH)
 pH変化量ΔpHとは、金属塩溶液とアルカリ液との混合開始時から、混合液のpHが一定のpHに達して安定するまでの間における単位時間(1分間)当たりのpHの変化量の平均値である。ΔpHを制御することにより、パラメータZの値を高めることができる。具体的には、ΔpHを低く抑えることにより、パラメータZの値は高くなる傾向がある。これを達成するための具体的手段としては、金属塩溶液における金属塩濃度を高くすること、アルカリ液におけるアルカリ濃度を低くすること、又は、アルカリ液におけるアルカリ源として弱塩基性のアルカリ源を使用すること等が挙げられる。
 ΔpHの上限は、急激な反応を更に抑制する観点から、単位時間当たり1.000以下が好ましく、0.500以下がより好ましい。ΔpHの下限は、特に制限されないが、生産性の観点から、単位時間当たり0.0001以上が好ましい。
(反応温度:T)
 反応工程における混合液の温度T(以下、場合により「反応温度T」という。)を制御することにより、パラメータZを高めることができる。具体的には、反応温度Tを低くする、すなわち反応温度係数kを低くすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 反応温度Tは、例えば、混合液中に温度計を設置して読み取れる混合液の温度であり、0~100℃が好ましい。反応温度Tは、急激な反応を更に抑制する点で、100℃以下が好ましく、60℃以下がより好ましく、50℃以下が更に好ましく、40℃以下が特に好ましく、30℃以下が極めて好ましく、25℃以下が非常に好ましい。反応温度Tは、反応を容易に進行させる観点で、0℃以上が好ましく、5℃以上がより好ましく、10℃以上が更に好ましく、15℃以上が特に好ましく、20℃以上が極めて好ましい。
 金属塩溶液の4価金属元素の塩と、アルカリ液のアルカリ源とは、一定の反応温度T(例えば、反応温度T±3℃の温度範囲)において反応させることが好ましい。なお、反応温度の調整方法は、特に限定されないが、例えば、水を張った水槽に金属塩溶液又はアルカリ液の一方の液の入った容器を入れ、水槽の水温を外部循環装置クールニクスサーキュレータ(東京理化器械株式会社(EYELA)製、製品名クーリングサーモポンプ CTP101)で調整しながら、金属塩溶液とアルカリ液とを混合する方法がある。
(循環数:N)
 循環数Nの下限は、局所における反応の偏りを更に抑制する観点から、1.00min-1以上が好ましく、10.00min-1以上がより好ましく、15.00min-1以上が更に好ましく、20.00min-1以上が特に好ましい。循環数Nの上限は、特に制限されないが、製造中の液はねを抑制する観点から、200.00min-1以下が好ましく、150.00min-1以下がより好ましい。
(線速度:u)
 線速度とは、単位時間(1分間)及び単位面積(m)当たりの流体の流量を示すものであり、物質の拡散度合いを示す指標である。本実施形態において線速度uは、金属塩溶液及びアルカリ液の混合時における撹拌羽根の線速度を意味する。線速度uを制御することによりパラメータZを高めることができる。具体的には、線速度uを高めることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 式(3)に示される線速度uの下限は、物質がうまく拡散せず局在化してしまい反応が不均一になってしまうことを更に抑制する観点から、5.00m/min以上が好ましく、10.00m/min以上がより好ましく、20.00m/min以上が更に好ましく、50.00m/min以上が特に好ましく、70.00m/min以上が極めて好ましい。線速度uの上限は、特に制限されないが、製造時の液はねを抑制する観点から、200.00m/min以下が好ましい。
(撹拌羽根の面積:S)
 混合液を撹拌する撹拌羽根の面積Sとは、撹拌羽根の一方面の表面積を意味しており、撹拌羽根が複数存在する場合には、各撹拌羽根の面積の合計を意味する。面積Sを制御することによりパラメータZを高めることができる。具体的には、面積Sを大きくすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 面積Sは、混合液の液量Qの大きさに応じて調整される。例えば、混合液の液量Qが0.0010~0.0050mである場合には、面積Sは、0.0005~0.0100mであることが好ましい。
(混合液の液量:Q)
 混合液の液量Qは、金属塩溶液の液量及びアルカリ液の液量(Q)の総液量である。例えば、原料として50質量%の金属塩溶液を用いる場合は、50質量%の金属塩溶液の液量(Q)と、それを希釈する水の液量(Q)と、アルカリ液の液量(Q)との総液量となる。混合液の液量は、特に制限されないが、例えば0.0010~10.00mである。式(2)において循環数Nに含まれる液量Qと、式(4)において置換数Mに含まれる液量Qとは互いに相殺されることとなり、パラメータZは、液量Qの値に大きく依存しない傾向がある。
(撹拌羽根の回転数:R)
 回転数Rを制御することによりパラメータZを高めることができる。具体的には、回転数Rを大きくすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 回転数Rの下限は、混合効率の観点から、30min-1以上が好ましく、100min-1以上がより好ましく、300min-1以上が更に好ましい。回転数Rの上限は、特に制限されず、また、撹拌羽根の大きさ、形状により適宜調整を要するが、液はねを抑制する観点から、1000min-1以下が好ましい。
(撹拌羽根の回転半径:r)
 回転半径rを制御することによりパラメータZを高めることができる。具体的には、回転半径rを大きくすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 回転半径rの下限は、撹拌効率の観点から、0.001m以上が好ましく、0.01m以上がより好ましい。回転半径rの上限は、特に制限されないが、取扱いの容易さの観点から、10m以下が好ましい。なお、撹拌羽根が複数存在する場合には、回転半径の平均値が前記範囲であることが好ましい。
(置換数:M)
 置換数Mを制御することにより、パラメータZを高めることができる。具体的には、置換数Mを小さくすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 置換数Mの上限は、反応が急激に進行してしまうことを更に抑制する観点から、1.0min-1以下が好ましく、0.1min-1以下がより好ましく、0.02min-1以下が更に好ましく、0.01min-1以下が特に好ましい。置換数Mの下限は、特に制限されないが、生産性の観点から、1.0×10-5min-1以上が好ましい。
(混合速度:v)
 混合速度vとは、金属塩溶液又はアルカリ液の一方の液Aを他方の液Bに供給する際における液Aの供給速度を意味する。混合速度vを制御することにより、パラメータZを高めることができる。具体的には、混合速度vを遅くすることにより、パラメータZの値が高くなる傾向がある。
 混合速度vの上限は、急激に反応が進行することを更に抑制すると共に、局所における反応の偏りを更に抑制する観点から、5.00×10-3/min(5L/min)以下が好ましく、1.00×10-3/min(1L/min)以下がより好ましく、5.00×10-4/min(500mL/min)以下が更に好ましく、1.00×10-4/min(100mL/min)以下が特に好ましい。混合速度vの下限は、特に制限されないが、生産性の観点から、1.00×10-7/min(0.1mL/min)以上が好ましい。
 前記により作製された4価金属元素の水酸化物粒子は、不純物を含むことがあるが、当該不純物を除去してもよい。不純物を除去する方法は、特に限定されないが、例えば、遠心分離、フィルタープレス、限外ろ過等の方法が挙げられる。これにより、後述する波長450~600nmの光に対する吸光度を調整することができる。なお、金属塩溶液とアルカリ液とを混合して得られる混合液は、4価金属元素の水酸化物粒子を含んでおり、当該混合液を用いて被研磨材料を研磨してもよい。
<スラリーの製造>
 本実施形態に係るスラリーの製造方法は、前記砥粒の製造方法により砥粒を得る砥粒製造工程と、当該砥粒製造工程において得られた砥粒と、水とを混合してスラリーを得るスラリー製造工程と、を備える。スラリー製造工程では、前記砥粒を水に分散させる。前記砥粒を水に分散させる方法としては、特に制限はないが、撹拌による分散方法;ホモジナイザー、超音波分散機又は湿式ボールミル等による分散方法などが挙げられる。なお、砥粒製造工程において得られた砥粒と、他の種類の砥粒と、水とを混合してスラリーを得てもよい。
<研磨液の製造>
 研磨液の製造方法は、前記スラリーの製造方法によりスラリーを得るスラリー製造工程と、当該スラリーと添加剤とを混合して研磨液を得る研磨液調製工程と、を備える態様であってもよい。この場合、砥粒を含むスラリーと、添加剤を含む添加液とに分けた、いわゆる二液タイプの研磨液として各液を準備し、スラリーと添加液とを混合して研磨液を得てもよい。また、研磨液の製造方法は、前記砥粒製造工程と、当該砥粒製造工程において得られた砥粒と、添加剤と、水とを混合して研磨液を得る研磨液調製工程と、を備える態様であってもよい。この場合、砥粒製造工程において得られた砥粒と、他の種類の砥粒と、水とを混合してもよい。
<研磨液>
 本実施形態に係る研磨液は、砥粒と添加剤と水とを少なくとも含有する。以下、各構成成分について説明する。
(砥粒)
 砥粒は、4価金属元素の水酸化物を含むことを特徴とする。「4価金属元素の水酸化物」は、4価の金属(M4+)と、少なくとも一つの水酸化物イオン(OH)とを含む化合物である。4価金属元素の水酸化物は、水酸化物イオン以外の陰イオン(例えば硝酸イオンNO 、硫酸イオンSO 2-)を含んでいてもよい。例えば、4価金属元素の水酸化物は、4価金属元素に結合した陰イオン(例えば硝酸イオンNO 、硫酸イオンSO 2-)を含んでいてもよい。
 4価金属元素は、希土類元素及びジルコニウムからなる群より選択される少なくとも一種が好ましい。4価金属元素としては、研磨速度を更に向上させる観点から、希土類元素が好ましい。4価を取りうる希土類元素としては、セリウム、プラセオジム、テルビウム等のランタノイドなどが挙げられ、中でも、入手が容易であり且つ研磨速度に更に優れる観点から、セリウム(4価セリウム)が好ましい。希土類元素の水酸化物とジルコニウムの水酸化物とを併用してもよく、希土類元素の水酸化物から二種以上を選択して使用することもできる。
 本実施形態に係る研磨液は、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒の特性を損なわない範囲で他の種類の砥粒を併用することができる。具体的には、シリカ、アルミナ、ジルコニア等の砥粒を使用することができる。
 砥粒中における4価金属元素の水酸化物の含有量は、砥粒全質量基準で50質量%以上が好ましく、60質量%以上がより好ましく、70質量%以上が更に好ましく、80質量%以上が特に好ましく、90質量%以上が極めて好ましく、95質量%以上が非常に好ましく、98質量%以上がより一層好ましく、99質量%以上が更に好ましい。砥粒は、実質的に4価金属元素の水酸化物からなる(砥粒の実質的に100質量%が4価金属元素の水酸化物の粒子である)ことが特に好ましい。
 砥粒中における4価セリウムの水酸化物の含有量は、砥粒全質量基準で50質量%以上が好ましく、60質量%以上がより好ましく、70質量%以上が更に好ましく、80質量%以上が特に好ましく、90質量%以上が極めて好ましく、95質量%以上が非常に好ましく、98質量%以上がより一層好ましく、99質量%以上が更に好ましい。砥粒は、化学的活性が高く研磨速度に更に優れる点で、実質的に4価セリウムの水酸化物からなる(砥粒の実質的に100質量%が4価セリウムの水酸化物の粒子である)ことが特に好ましい。
 本実施形態に係る研磨液の構成成分中において、4価金属元素の水酸化物は研磨特性に与える影響が大きいものと考えられる。そのため、4価金属元素の水酸化物の含有量を調整することにより、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が向上し、研磨速度を更に向上させることができる。すなわち、4価金属元素の水酸化物の含有量は、4価金属元素の水酸化物の機能を充分に発現しやすくなる点で、研磨液全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.03質量%以上がより好ましく、0.05質量%以上が更に好ましい。4価金属元素の水酸化物の含有量は、砥粒の凝集を避けることが容易になると共に、被研磨面との化学的な相互作用が良好となり、砥粒の特性を有効に活用できる点で、研磨液全質量基準で8質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましく、1質量%以下が特に好ましく、0.5質量%以下が極めて好ましく、0.3質量%以下が非常に好ましい。
 本実施形態に係る研磨液において、砥粒の含有量の下限は、特に制限はないが、所望の研磨速度が得られやすくなる点で、研磨液全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.03質量%以上がより好ましく、0.05質量%以上が更に好ましい。砥粒の含有量の上限は、特に制限はないが、砥粒の凝集を避けることが容易になると共に、砥粒が効果的に被研磨面に作用して研磨をスムーズに進行させることができる点で、研磨液全質量基準で10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましく、1質量%以下が特に好ましく、0.5質量%以下が極めて好ましく、0.3質量%以下が非常に好ましい。
 砥粒の平均二次粒子径(以下、特に断らない限り「平均粒子径」という)がある程度小さい場合、被研磨面に接する砥粒の比表面積が増大することにより研磨速度を更に向上させることができると共に、機械的作用が抑えられて研磨傷を更に低減できる。そのため、平均粒子径の上限は、更に優れた研磨速度が得られると共に研磨傷を更に低減できる点で、200nm以下が好ましく、150nm以下がより好ましく、100nm以下が更に好ましく、80nm以下が特に好ましく、60nm以下が極めて好ましく、40nm以下が非常に好ましい。平均粒子径の下限は、更に優れた研磨速度が得られると共に研磨傷を更に低減できる点で、1nm以上が好ましく、2nm以上がより好ましく、3nm以上が更に好ましい。
 砥粒の平均粒子径は、光子相関法で測定でき、具体的には例えば、マルバーン社製の装置名:ゼータサイザー3000HS、ベックマンコールター社製の装置名:N5等で測定できる。N5を用いた測定方法は、具体的には例えば、砥粒の含有量を0.2質量%に調整した水分散液を調製し、この水分散液を1cm角のセルに約4mL入れ、装置内にセルを設置する。分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPa・sに調整し、25℃において測定を行うことで得られる値を砥粒の平均粒子径として採用することができる。
[吸光度]
 前記加熱工程を経て得られる砥粒が、該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対する吸光度1.00以上を与える場合に、研磨速度を向上させやすくなると共に、保管安定性を向上させやすくなる。この理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、4価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて生成するM(OH)を含む粒子は、波長400nmの光を吸光するため、M(OH)の存在量が増加して波長400nmの光に対する吸光度が高くなるに伴い、研磨速度が向上するものと考えられる。
 ここで、M(OH)(例えばM(OH)X)の波長400nmの吸収ピークは、後述する波長290nmの吸収ピークよりもはるかに小さいことが確認されている。これに対し、本発明者は、砥粒含有量が比較的多く、吸光度が大きく検出されやすい砥粒含有量1.0質量%の水分散液を用いて吸光度の大きさを検討した結果、当該水分散液において波長400nmの光に対する吸光度1.00以上を与える砥粒を用いる場合に、研磨速度の向上効果と保管安定性に優れる傾向があることを見出した。なお、前記の通り波長400nmの光に対する吸光度は砥粒に由来するものと考えられるため、波長400nmの光に対して吸光度1.00以上を与える砥粒に代えて、波長400nmの光に対して1.00以上の吸光度を与える物質(例えば黄色を呈する色素成分)を含む研磨液では、保管安定性を維持しつつ優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができないことはいうまでもない。
 波長400nmの光に対する吸光度は、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨しやすくなる観点では、1.50以上が好ましい。
 一方で、前記のとおりXの存在量が増加するに伴い4価金属元素の水酸化物粒子の構造安定性が低下する結果が得られている。これに対し、本発明者は、波長400nmの光に対する吸光度を指標としてM(OH)の存在量を調整して、研磨速度と保管安定性とを両立することを見出した。そして、本発明者は、砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長400nmの光に対して吸光度1.00以上1.50未満を与える砥粒を用いることにより、優れた研磨速度を維持しつつ、優れた保管安定性(例えば、60℃で72時間保管した際の研磨速度の安定性)が得られやすくなることを見出した。このような観点から、波長400nmの光に対する吸光度は、1.05以上が好ましく、1.10以上がより好ましく、1.15以上が更に好ましく、1.20以上が特に好ましく、1.25以上が極めて好ましい。
 本発明者は、波長400nmの光に対する吸光度1.00以上を与える砥粒が該砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長290nmの光に対して吸光度1.000以上を与える場合に、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができることを見出した。
 砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長290nmの光に対する吸光度1.000以上を与える砥粒を用いることにより、研磨速度の向上効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、本発明者は次のように考えている。すなわち、4価金属元素の水酸化物の製造条件等に応じて生成するM(OH)(例えばM(OH)X)を含む粒子は、計算上、波長290nm付近に吸収のピークを有し、例えばCe4+(OHNO からなる粒子は波長290nmに吸収のピークを有する。そのため、M(OH)の存在量が増加して波長290nmの光に対する吸光度が高くなるに伴い、研磨速度が向上するものと考えられる。
 ここで、波長290nm付近の光に対する吸光度は、測定限界を超えるほど大きく検出される傾向がある。これに対し、本発明者は、砥粒の含有量が比較的少なく、吸光度が小さく検出されやすい砥粒含有量0.0065質量%の水分散液を用いて吸光度の大きさを検討した結果、当該水分散液において波長290nmの光に対する吸光度1.000以上を与える砥粒を用いる場合に、研磨速度の向上効果に優れることを見出した。また、本発明者は、吸光物質に吸収されると当該吸光物質が黄色を呈する傾向のある波長400nm付近の光とは別に、波長290nm付近の光に対する砥粒の吸光度が高いほど、このような砥粒を用いた研磨液及びスラリーの黄色味が濃くなることを見出し、研磨液及びスラリーの黄色味が濃くなるほど研磨速度が向上することを見出した。そして、本発明者は、砥粒含有量0.0065質量%の水分散液における波長290nmの光に対する吸光度と、砥粒含有量1.0質量%の水分散液における波長400nmの光に対する吸光度とが相関することを見出した。
 波長290nmの光に対する吸光度の下限は、更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨する観点で、1.000以上が好ましく、1.050以上がより好ましく、1.100以上が更に好ましく、1.130以上が特に好ましい。波長290nmの光に対する吸光度の上限は、特に制限はないが、10.000以下が好ましく、5.000以下がより好ましく、3.000以下が更に好ましい。
 4価金属元素の水酸化物(例えばM(OH))は、波長450nm以上、特に波長450~600nmの光に対して吸光を有していない傾向がある。従って、不純物を含むことにより研磨に対して悪影響が生じることを抑制して更に優れた研磨速度で被研磨材料を研磨する観点で、砥粒は、該砥粒の含有量を0.0065質量%(65ppm)に調整した水分散液において波長450~600nmの光に対して吸光度0.010以下を与えるものであることが好ましい。すなわち、砥粒の含有量を0.0065質量%に調整した水分散液において波長450~600nmの範囲における全ての光に対する吸光度が0.010を超えないことが好ましい。波長450~600nmの光に対する吸光度の上限は、0.005以下がより好ましく、0.001以下が更に好ましい。波長450~600nmの光に対する吸光度の下限は、0が好ましい。
 水分散液における吸光度は、例えば、株式会社日立製作所製の分光光度計(装置名:U3310)を用いて測定できる。具体的には例えば、砥粒の含有量を1.0質量%又は0.0065質量%に調整した水分散液を測定サンプルとして調製する。この測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、装置内にセルを設置する。次に、波長200~600nmの範囲で吸光度測定を行い、得られたチャートから吸光度を判断する。
 砥粒の含有量が1.0質量%より少なくなるよう過度に希釈して波長400nmの光に対する吸光度を測定した場合に、吸光度が1.00以上を示すようであれば、砥粒の含有量を1.0質量%とした場合にも吸光度が1.00以上であるとして吸光度をスクリーニングしてもよい。砥粒の含有量が0.0065質量%より少なくなるよう過度に希釈して波長290nmの光に対する吸光度を測定した場合に、吸光度が1.000以上を示すようであれば、砥粒の含有量を0.0065質量%とした場合にも吸光度が1.000以上であるとして吸光度をスクリーニングしてもよい。砥粒の含有量が0.0065質量%より多くなるように希釈して波長450~600nmの光に対する吸光度を測定した場合に、吸光度が0.010以下を示すようであれば、砥粒の含有量を0.0065質量%とした場合にも吸光度が0.010以下であるとして吸光度をスクリーニングしてもよい。
[光透過率]
 本実施形態に係る研磨液は、可視光に対する透明度が高い(目視で透明又は透明に近い)ことが好ましい。具体的には、本実施形態に係る研磨液に含まれる砥粒は、該砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において波長500nmの光に対して光透過率50%/cm以上を与えるものであることが好ましい。これにより、添加剤の添加に起因する研磨速度の低下を更に抑制することができるため、研磨速度を維持しつつ他の特性を得ることが容易になる。この観点で、前記光透過率の下限は、60%/cm以上がより好ましく、70%/cm以上が更に好ましく、80%/cm以上が特に好ましく、90%/cm以上が極めて好ましく、95%/cm以上が非常に好ましく、98%/cm以上がより一層好ましく、99%/cm以上が更に好ましい。光透過率の上限は100%/cmである。
 このように砥粒の光透過率を調整することで研磨速度の低下を抑制することが可能な理由は詳しくは分かっていないが、本発明者は以下のように考えている。4価金属元素(セリウム等)の水酸化物を含む砥粒がもつ砥粒としての作用は、機械的作用よりも化学的作用の方が支配的になると考えられる。そのため、砥粒の大きさよりも砥粒の数の方が、より研磨速度に寄与すると考えられる。
 砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において光透過率が低い場合、その水分散液に存在する砥粒は、粒子径の大きい粒子(以下「粗大粒子」という。)が相対的に多く存在すると考えられる。このような砥粒を含む研磨液に添加剤(例えばポリビニルアルコール(PVA))を添加すると、図1に示すように、粗大粒子を核として他の粒子が凝集する。その結果として、単位面積当たりの被研磨面に作用する砥粒数(有効砥粒数)が減少し、被研磨面に接する砥粒の比表面積が減少するため、研磨速度の低下が引き起こされると考えられる。
 一方、砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液において光透過率が高い場合、その水分散液に存在する砥粒は、前記「粗大粒子」が少ない状態であると考えられる。このように粗大粒子の存在量が少ない場合は、図2に示すように、研磨液に添加剤(例えばポリビニルアルコール)を添加しても、凝集の核になるような粗大粒子が少ないため、砥粒同士の凝集が抑えられるか、又は、凝集粒子の大きさが図1に示す凝集粒子と比べて小さくなる。その結果として、単位面積当たりの被研磨面に作用する砥粒数(有効砥粒数)が維持され、被研磨面に接する砥粒の比表面積が維持されるため、研磨速度の低下が生じ難くなると考えられる。
 本発明者の検討では、一般的な粒径測定装置において測定される粒子径が同じ研磨液であっても、目視で透明である(光透過率の高い)もの、及び、目視で濁っている(光透過率の低い)ものがありえることがわかった。このことから、前記のような作用を起こしうる粗大粒子は、一般的な粒径測定装置で検知できないほどのごくわずかの量でも、研磨速度の低下に寄与すると考えられる。
 また、粗大粒子を減らすためにろ過を複数回繰り返しても、添加剤により研磨速度が低下する現象はさほど改善せず、前記吸光度に起因する研磨速度の向上効果が充分に発揮されない場合があることがわかった。そこで、本発明者は、砥粒の製造方法を工夫する等して、水分散液において光透過率の高い砥粒を使用することによって前記問題を解決できることを見出した。
 前記光透過率は、波長500nmの光に対する透過率である。前記光透過率は、分光光度計で測定されるものであり、具体的には例えば、株式会社日立製作所製の分光光度計U3310(装置名)で測定される。
 より具体的な測定方法としては、砥粒の含有量を1.0質量%に調整した水分散液を測定サンプルとして調製する。この測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、装置内にセルをセットし測定を行う。なお、砥粒の含有量が1.0質量%より大きい水分散液において50%/cm以上の光透過率を有する場合は、これを希釈して1.0質量%とした場合も光透過率は50%/cm以上となることが明らかである。そのため、砥粒の含有量が1.0質量%より大きい水分散液を用いることにより、簡便な方法で光透過率をスクリーニングすることができる。
 砥粒が水分散液において与える前記吸光度及び光透過率は、安定性に優れることが好ましい。例えば、水分散液を60℃で3日間(72時間)保持した後において、波長400nmの光に対する吸光度は1.00以上であることが好ましく、波長290nmの光に対する吸光度は1.000以上であることが好ましく、波長450~600nmの光に対する吸光度は0.010以下であることが好ましく、波長500nmの光に対する光透過率は50%/cm以上であることが好ましい。これらの吸光度及び光透過率の更なる好ましい範囲は、砥粒について上述した範囲と同様である。
 研磨液に含まれる砥粒が水分散液において与える吸光度及び光透過率は、砥粒以外の固体成分、及び、水以外の液体成分を除去した後、所定の砥粒含有量の水分散液を調製し、当該水分散液を用いて測定することができる。固体成分又は液体成分の除去には、研磨液に含まれる成分によっても異なるが、数千G以下の重力加速度をかけられる遠心機を用いた遠心分離、数万G以上の重力加速度をかけられる超遠心機を用いた超遠心分離等の遠心分離法;分配クロマトグラフィー、吸着クロマトグラフィー、ゲル浸透クロマトグラフィー、イオン交換クロマトグラフィー等のクロマトグラフィー法;自然ろ過、減圧ろ過、加圧ろ過、限外ろ過等のろ過法;減圧蒸留、常圧蒸留等の蒸留法などを用いることができ、これらを適宜組み合わせてもよい。
 例えば、重量平均分子量が数万以上(例えば5万以上)の化合物を含む場合は、クロマトグラフィー法、ろ過法等が挙げられ、中でも、ゲル浸透クロマトグラフィー及び限外ろ過が好ましい。ろ過法を用いる場合、研磨液に含まれる砥粒は、適切な条件の設定により、フィルタを通過させることができる。重量平均分子量が数万以下(例えば5万未満)の化合物を含む場合は、クロマトグラフィー法、ろ過法、蒸留法等が挙げられ、ゲル浸透クロマトグラフィー、限外ろ過及び減圧蒸留が好ましい。他の種類の砥粒が含まれる場合、ろ過法、遠心分離法等が挙げられ、ろ過の場合はろ液に、遠心分離の場合は液相に、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒がより多く含まれる。
 クロマトグラフィー法で砥粒を分離する方法としては、例えば、下記条件によって、砥粒成分を分取する、及び/又は、他成分を分取することができる。
 試料溶液:研磨液100μL
 検出器:株式会社日立製作所製UV-VISディテクター、商品名「L-4200」、波長:400nm
 インテグレータ:株式会社日立製作所製GPCインテグレータ、商品名「D-2500」
 ポンプ:株式会社日立製作所製、商品名「L-7100」
 カラム:日立化成株式会社製水系HPLC用充填カラム、商品名「GL-W550S」
 溶離液:脱イオン水
 測定温度:23℃
 流速:1mL/分(圧力は40~50kg/cm程度)
 測定時間:60分
 なお、クロマトグラフィーを行う前に、脱気装置を用いて溶離液の脱気処理を行うことが好ましい。脱気装置を使用できない場合は、溶離液を事前に超音波等で脱気処理することが好ましい。
 研磨液に含まれる成分によっては、上記条件でも砥粒成分を分取できない可能性があるが、その場合、試料溶液量、カラム種類、溶離液種類、測定温度、流速等を最適化することで分離することができる。また、研磨液のpHを調整することで、研磨液に含まれる成分の留出時間を調整し、砥粒と分離できる可能性がある。研磨液に不溶成分がある場合、必要に応じ、ろ過、遠心分離等で不溶成分を除去することが好ましい。
(添加剤)
 本実施形態に係る研磨液は、絶縁材料(例えば酸化ケイ素)に対して特に優れた研磨速度を得ることができるため、絶縁材料を有する基体を研磨する用途に特に適している。本実施形態に係る研磨液によれば、添加剤を適宜選択することにより、研磨速度と、研磨速度以外の研磨特性とを高度に両立させることができる。
 添加剤としては、例えば、砥粒の分散性を高める分散剤、研磨速度を向上させる研磨速度向上剤、平坦化剤(研磨後の被研磨面の凹凸を減らす平坦化剤、研磨後の基体のグローバル平坦性を向上させるグローバル平坦化剤)、窒化ケイ素又はポリシリコン等のストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比を向上させる選択比向上剤などの公知の添加剤を特に制限なく使用することができる。
 分散剤としては、ビニルアルコール重合体及びその誘導体、ベタイン、ラウリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド等が挙げられる。研磨速度向上剤としては、β―アラニンベタイン、ステアリルベタイン等が挙げられる。被研磨面の凹凸を減らす平坦化剤としては、ラウリル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸トリエタノールアミン等が挙げられる。グローバル平坦化剤としては、ポリビニルピロリドン、ポリアクロレイン等が挙げられる。選択比向上剤としては、ポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、キトサン等が挙げられる。これらは一種類を単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
 本実施形態に係る研磨液は、添加剤として、ビニルアルコール重合体及びその誘導体からなる群より選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。この場合、添加剤が砥粒表面を被覆することで、被研磨面に砥粒が付着することが抑制されることから、砥粒の分散性が向上し、砥粒の安定性を更に向上させることができる。また、被研磨面の洗浄性を向上させることもできる。しかしながら、一般に、ポリビニルアルコールのモノマーであるビニルアルコールは単体では安定な化合物として存在しない傾向がある。そのため、ポリビニルアルコールは、一般的に、酢酸ビニルモノマー等のカルボン酸ビニルモノマーを重合してポリカルボン酸ビニルを得た後、これをケン化(加水分解)して得られている。従って、例えば、原料として酢酸ビニルモノマーを使用して得られたビニルアルコール重合体は、-OCOCHと、加水分解された-OHとを分子中に官能基として有しており、-OHとなっている割合がケン化度として定義される。つまり、ケン化度が100%ではないビニルアルコール重合体は、実質的に酢酸ビニルとビニルアルコールとの共重合体のような構造を有している。また、ビニルアルコール重合体は、酢酸ビニルモノマー等のカルボン酸ビニルモノマーと、その他のビニル基含有モノマー(例えばエチレン、プロピレン、スチレン、塩化ビニル)とを共重合させ、カルボン酸ビニルモノマーに由来する部分の全部又は一部をケン化したものであってもよい。本明細書では、これらを総称して「ビニルアルコール重合体」と定義するが、「ビニルアルコール重合体」とは、理想的には下記構造式を有する重合体である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
(式中、nは正の整数を表す)
 ビニルアルコール重合体の「誘導体」は、ビニルアルコールの単独重合体(すなわちケン化度100%の重合体)の誘導体、及び、ビニルアルコールモノマーと他のビニル基含有モノマー(例えばエチレン、プロピレン、スチレン、塩化ビニル)との共重合体の誘導体を含むものとして定義される。
 ビニルアルコール重合体の誘導体としては、重合体の一部の水酸基をアミノ基、カルボキシル基、エステル基等で置換したもの、重合体の一部の水酸基を変性したもの等が挙げられる。このような誘導体としては、反応型ポリビニルアルコール(例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセファイマー(登録商標)Z)、カチオン化ポリビニルアルコール(例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセファイマー(登録商標)K)、アニオン化ポリビニルアルコール(例えば、日本合成化学工業株式会社製、ゴーセラン(登録商標)L、ゴーセナール(登録商標)T)、親水基変性ポリビニルアルコール(例えば、日本合成化学工業株式会社製、エコマティ)等が挙げられる。
 ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、前記のとおり、砥粒の分散剤として機能し、研磨液の安定性を更に向上させる効果がある。ビニルアルコール重合体及びその誘導体の水酸基が、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒と相互作用することにより、砥粒の凝集を抑制し、研磨液における砥粒の粒径変化を抑制して安定性を更に向上できるものと考えられる。
 ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、4価金属元素の水酸化物を含む砥粒と組み合わせて使用することで、ストッパ材料(例えば窒化ケイ素、ポリシリコン)に対する絶縁材料(例えば酸化ケイ素)の研磨選択比(絶縁材料の研磨速度/ストッパ材料の研磨速度)を高くすることもできる。さらに、ビニルアルコール重合体及びその誘導体は、研磨後の被研磨面の平坦性を向上させることができると共に、被研磨面への砥粒の付着を防止(洗浄性の向上)することもできる。
 ビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度は、ストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比が更に高められる点で、95mol%以下が好ましい。同様の観点から、ケン化度の上限は、90mol%以下がより好ましく、88mol%以下が更に好ましく、85mol%以下が特に好ましく、83mol%以下が極めて好ましく、80mol%以下が非常に好ましい。
 ケン化度の下限に特に制限はないが、水への溶解性に優れる観点から、50mol%以上が好ましく、60mol%以上がより好ましく、70mol%以上が更に好ましい。なお、ビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度は、JIS K 6726(ポリビニルアルコール試験方法)に準拠して測定することができる。
 ビニルアルコール重合体及びその誘導体の平均重合度(重量平均分子量)の上限は、特に制限はないが、被研磨材料の研磨速度の低下を更に抑制する観点から、3000以下が好ましく、2000以下がより好ましく、1000以下が更に好ましい。
 ストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比が更に高められる観点から、平均重合度の下限は、50以上が好ましく、100以上がより好ましく、150以上が更に好ましい。なお、ビニルアルコール重合体及びその誘導体の平均重合度は、JIS K 6726(ポリビニルアルコール試験方法)に準拠して測定することができる。
 ビニルアルコール重合体及びその誘導体としては、ストッパ材料に対する絶縁材料の研磨選択比、及び、研磨後の基体の平坦性を調整する目的で、ケン化度又は平均重合度等が異なる複数の重合体を組み合わせて用いてもよい。この場合、少なくとも1種のビニルアルコール重合体及びその誘導体のケン化度が95mol%以下であることが好ましく、研磨選択比を更に向上させる観点から、それぞれのケン化度及び配合比から算出した平均のケン化度が95mol%以下であることがより好ましい。これらのケン化度の好ましい範囲については、前記した範囲と同様である。
 添加剤の含有量は、添加剤の効果がより効果的に得られる観点から、研磨液全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.05質量%以上がより好ましく、0.08質量%以上が更に好ましく、0.1質量%以上が特に好ましい。添加剤の含有量は、被研磨材料の研磨速度の低下を更に抑制する観点から、研磨液全質量基準で10質量%以下が好ましく、5.0質量%以下がより好ましく、3.0質量%以下が更に好ましく、1.0質量%以下が特に好ましい。
(水)
 本実施形態に係る研磨液における水は、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等が好ましい。水の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた研磨液の残部でよく、特に限定されない。
 砥粒を水に分散させる方法としては、特に制限はないが、具体的には例えば、撹拌による分散方法;ホモジナイザー、超音波分散機又は湿式ボールミル等による分散方法が挙げられる。
[研磨液の特性]
 研磨液のpH(25℃)は、更に優れた研磨速度が得られる点で、2.0~9.0が好ましい。これは、被研磨面の表面電位に対する砥粒の表面電位が良好となり、砥粒が被研磨面に対して作用しやすくなるためと考えられる。研磨液のpHが安定して、砥粒の凝集等の問題が生じにくくなる点で、pHの下限は、2.0以上が好ましく、3.0以上がより好ましく、4.0以上が更に好ましい。砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる点で、pHの上限は、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.5以下が更に好ましい。研磨液のpHは、前記混合液のpHと同様の方法で測定することができる。
 研磨液のpHの調整には、従来公知のpH調整剤を特に制限なく使用することができる。pH調整剤としては、具体的には例えば、リン酸、硫酸、硝酸等の無機酸;ギ酸、酢酸、プロピオン酸、マレイン酸、フタル酸、クエン酸、コハク酸、マロン酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、乳酸、安息香酸等のカルボン酸などの有機酸;エチレンジアミン、トルイジン、ピペラジン、ヒスチジン、アニリン、2-アミノピリジン、3-アミノピリジン、ピコリン酸、モルホリン、ピペリジン、ヒドロキシルアミン等のアミン類;ピリジン、イミダゾール、トリアゾール、ピラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾトリアゾール等の含窒素複素環化合物が挙げられる。なお、pH調整剤は、後述するスラリー(スラリー前駆体、スラリー用貯蔵液等を含む)、添加液などに含まれていてもよい。
 pH安定化剤とは、所定のpHに調整するための添加剤を指し、緩衝成分が好ましい。緩衝成分は、所定のpHに対してpKaが±1.5以内である化合物が好ましく、pKaが±1.0以内である化合物がより好ましい。このような化合物としては、グリシン、アルギニン、リシン、アスパラギン、アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノ酸;前記カルボン酸と塩基との混合物;前記カルボン酸の塩などが挙げられる。
<スラリー>
 本実施形態に係るスラリーは、該スラリーをそのまま研磨に用いてもよく、研磨液の構成成分をスラリーと添加液とに分けた、いわゆる二液タイプの研磨液におけるスラリーとして用いてもよい。本実施形態において、研磨液とスラリーとは添加剤の有無の点で異なり、スラリーに添加剤を添加することで研磨液が得られる。
 本実施形態に係るスラリーは、本実施形態に係る研磨液と同様の砥粒、及び水を少なくとも含有する。例えば、砥粒は、4価金属元素の水酸化物を含むことを特徴とするものであり、砥粒の平均二次粒子径の好ましい範囲及び測定方法は、本実施形態に係る研磨液において用いられる砥粒と同様である。
 本実施形態に係るスラリーの構成成分中において、4価金属元素の水酸化物は研磨特性に与える影響が大きいものと考えられる。そのため、4価金属元素の水酸化物の含有量を調整することにより、砥粒と被研磨面との化学的な相互作用が向上し、研磨速度を更に向上させることができる。すなわち、4価金属元素の水酸化物の含有量は、4価金属元素の水酸化物の機能を充分に発現しやすくなる点で、スラリー全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.03質量%以上がより好ましく、0.05質量%以上が更に好ましい。4価金属元素の水酸化物の含有量は、砥粒の凝集を避けることが容易になると共に、被研磨面との化学的な相互作用が良好となり、砥粒の特性(例えば研磨速度の向上作用)を有効に活用できる点で、スラリー全質量基準で8質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましく、1質量%以下が特に好ましく、0.7質量%以下が極めて好ましく、0.5質量%以下が非常に好ましい。
 本実施形態に係るスラリーにおいて、砥粒の含有量の下限は、所望の研磨速度が得られやすくなる点で、スラリー全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.03質量%以上がより好ましく、0.05質量%以上が更に好ましい。砥粒の含有量の上限は、特に制限はないが、砥粒の凝集を避けることが容易になる点で、スラリー全質量基準で10質量%以下が好ましく、5質量%以下がより好ましく、3質量%以下が更に好ましく、1質量%以下が特に好ましく、0.7質量%以下が極めて好ましく、0.5質量%以下が非常に好ましい。
 本実施形態に係るスラリーのpH(25℃)は、被研磨面の表面電位に対する砥粒の表面電位が良好となり、砥粒が被研磨面に対して作用しやすくなるため、更に優れた研磨速度が得られる点で、2.0~9.0が好ましい。スラリーのpHが安定して、砥粒の凝集等の問題が生じにくくなる点で、pHの下限は、2.0以上が好ましく、2.2以上がより好ましく、2.5以上が更に好ましい。砥粒の分散性に優れ、更に優れた研磨速度が得られる点で、pHの上限は、9.0以下が好ましく、8.0以下がより好ましく、7.0以下が更に好ましく、6.5以下が特に好ましく、6.0以下が極めて好ましい。スラリーのpHは、前記混合液のpHと同様の方法で測定することができる。
<研磨液セット>
 本実施形態に係る研磨液セットでは、スラリー(第一の液)と添加液(第二の液)とを混合して研磨液となるように、該研磨液の構成成分がスラリーと添加液とに分けて保存される。スラリーとしては、本実施形態に係るスラリーを用いることができる。添加液としては、添加剤を水に溶解させた液(添加剤と水とを含む液)を用いることができる。研磨液セットは、研磨時にスラリーと添加液とを混合することにより研磨液として使用される。このように、研磨液の構成成分を少なくとも二つの液に分けて保存することで、添加剤を混合した後に長時間保存される場合に懸念される砥粒の凝集、研磨特性の変化等の問題を回避することが可能であり、保存安定性に更に優れる研磨液とすることができる。なお、本実施形態に係る研磨液セットでは、三液以上に構成成分を分けてもよい。
 添加液に含まれる添加剤としては、前記研磨液において説明したものと同様の添加剤を用いることができる。添加液における添加剤の含有量は、添加液とスラリーとを混合して研磨液を調製したときに研磨速度が過度に低下することを抑制する観点から、添加液全質量基準で0.01質量%以上が好ましく、0.02質量%以上がより好ましい。添加液における添加剤の含有量は、添加液とスラリーとを混合して研磨液を調製したときに研磨速度が過度に低下することを抑制する観点から、添加液全質量基準で20質量%以下が好ましい。
 添加液における水としては、特に制限はないが、脱イオン水、超純水等が好ましい。水の含有量は、他の構成成分の含有量を除いた残部でよく、特に限定されない。
<基体の研磨方法及び基体>
 前記研磨液、スラリー又は研磨液セットを用いた基体の研磨方法、及び、これにより得られる基体について説明する。本実施形態に係る研磨方法は、前記研磨液又はスラリーを用いる場合、一液タイプの研磨液を用いた研磨方法であり、前記研磨液セットを用いる場合、二液タイプの研磨液又は三液以上のタイプの研磨液を用いた研磨方法である。これらの研磨方法によれば、優れた研磨速度で被研磨材料を研磨することができる。また、これらの研磨方法によれば、研磨傷の発生を抑制することができると共に、平坦性に優れた基体を得ることもできる。本実施形態に係る基体は、前記研磨方法により研磨されたものである。
 本実施形態に係る基体の研磨方法では、表面に被研磨材料を有する基体(例えば半導体基板等の基板)を研磨する。本実施形態に係る基体の研磨方法では、被研磨材料の下に形成されたストッパを用いて被研磨材料を研磨してもよい。本実施形態に係る基体の研磨方法は、例えば、準備工程と基体配置工程と研磨工程とを少なくとも有している。準備工程では、表面に被研磨材料を有する基体を用意する。基体配置工程では、被研磨材料が研磨パッドに対向して配置されるように基体を配置する。研磨工程では、研磨液、スラリー又は研磨液セットを用いて、被研磨材料の少なくとも一部を除去する。研磨対象である被研磨材料の形状は特に限定されないが、例えば膜状(被研磨材料膜)である。
 被研磨材料としては、酸化ケイ素等の無機絶縁材料;オルガノシリケートグラス、全芳香環系Low-k材料等の有機絶縁材料;窒化ケイ素、ポリシリコン等のストッパ材料などが挙げられ、中でも、無機絶縁材料及び有機絶縁材料が好ましく、無機絶縁材料がより好ましい。酸化ケイ素の膜は、低圧CVD法、プラズマCVD法等により得ることができる。酸化ケイ素の膜には、リン、ホウ素等の元素がドープされていてもよい。被研磨材料の表面(被研磨面)は凹凸が形成されていることが好ましい。本実施形態に係る基体の研磨方法では、被研磨材料の凹凸の凸部が優先的に研磨されて、表面が平坦化された基体を得ることができる。
 一液タイプの研磨液又はスラリーを用いる場合、研磨工程では、基体の被研磨材料と研磨定盤の研磨パッドとの間に研磨液又はスラリーを供給して、被研磨材料の少なくとも一部を研磨する。例えば、被研磨材料を研磨パッドに押圧した状態で、研磨パッドと被研磨材料との間に研磨液又はスラリーを供給して、基体と研磨定盤とを相対的に動かして被研磨材料の少なくとも一部を研磨する。このとき、研磨液及びスラリーは、所望の水分量の組成物としてそのまま研磨パッド上に供給されてもよい。
 本実施形態に係る研磨液及びスラリーは、貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制する観点で、水等の液状媒体で液体成分を例えば2倍以上(質量基準)に希釈して使用される研磨液用貯蔵液又はスラリー用貯蔵液として保管することができる。前記各貯蔵液は、研磨の直前に液状媒体で希釈されてもよく、研磨パッド上に貯蔵液と液状媒体とを供給して研磨パッド上で希釈されてもよい。
 貯蔵液の希釈倍率(質量基準)の下限は、倍率が高いほど貯蔵、運搬、保管等に係るコストの抑制効果が高いため、2倍以上が好ましく、3倍以上がより好ましく、5倍以上が更に好ましく、10倍以上が特に好ましい。希釈倍率の上限としては特に制限はないが、倍率が高いほど貯蔵液に含まれる成分の量が多く(濃度が高く)なり、保管中の安定性が低下する傾向があるため、500倍以下が好ましく、200倍以下がより好ましく、100倍以下が更に好ましく、50倍以下が特に好ましい。なお、三液以上に構成成分を分けた研磨液についても同様である。
 前記貯蔵液において、砥粒の含有量は、特に制限はないが、砥粒の凝集を避けることが容易になる点で、貯蔵液全質量基準で20質量%以下が好ましく、15質量%以下がより好ましく、10質量%以下が更に好ましく、5質量%以下が特に好ましい。砥粒の含有量は、貯蔵、運搬、保管等に係るコストを抑制する観点で、貯蔵液全質量基準で0.02質量%以上が好ましく、0.1質量%以上がより好ましく、0.5質量%以上が更に好ましく、1質量%以上が特に好ましい。
 二液タイプの研磨液を用いる場合、本実施形態に係る基体の研磨方法は、研磨工程の前にスラリーと添加液とを混合して研磨液を得る研磨液調製工程を有していてもよい。この場合、研磨工程では、研磨液調製工程において得られた研磨液を用いて被研磨材料を研磨する。このような研磨方法では、研磨液調製工程において、スラリーと添加液とを別々の配管で送液し、これらの配管を供給配管出口の直前で合流させて研磨液を得てもよい。研磨液は、所望の水分量の研磨液としてそのまま研磨パッド上に供給されてもよく、水分量の少ない貯蔵液として研磨パッド上に供給された後に研磨パッド上で希釈されてもよい。なお、三液以上に構成成分を分けた研磨液についても同様である。
 二液タイプの研磨液を用いる場合、研磨工程において、スラリーと添加液とをそれぞれ研磨パッドと被研磨材料との間に供給して、スラリーと添加液とが混合されて得られる研磨液により被研磨材料の少なくとも一部を研磨してもよい。このような研磨方法では、スラリーと添加液とを別々の送液システムで研磨パッド上へ供給することができる。スラリー及び/又は添加液は、所望の水分量の液としてそのまま研磨パッド上に供給されてもよく、水分量の少ない貯蔵液として研磨パッド上に供給された後に研磨パッド上で希釈されてもよい。なお、三液以上に構成成分を分けた研磨液についても同様である。
 本実施形態に係る研磨方法において使用する研磨装置としては、例えば、被研磨材料を有する基体を保持するためのホルダーと、回転数が変更可能なモータ等が取り付けてあり且つ研磨パッドを貼り付け可能である研磨定盤とを有する、一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、例えば、株式会社荏原製作所製の研磨装置(型番:EPO-111)、Applied Materials社製の研磨装置(商品名:Mirra3400、Reflexion研磨機)が挙げられる。
 研磨パッドとしては、特に制限はなく、例えば、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂を使用することができる。研磨パッドには、研磨液等が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
 研磨条件としては、特に制限はないが、基体が飛び出すことを抑制する見地から、研磨定盤の回転速度は200min-1(rpm)以下の低回転が好ましい。基体にかける圧力(加工荷重)は、研磨傷が発生することを更に抑制する見地から、100kPa以下が好ましい。研磨している間、研磨パッドの表面には、研磨液又はスラリー等をポンプ等で連続的に供給することが好ましい。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液又はスラリー等で覆われていることが好ましい。研磨終了後の基体は、流水中でよく洗浄後、基体に付着した水滴をスピンドライヤ等によって払い落としてから乾燥させることが好ましい。
 以下、本発明に関して実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
<実施例1~5、比較例1~4>
(4価金属元素の水酸化物粒子を含む砥粒の作製)
 下記の手順に従って、4価金属元素の水酸化物粒子を含む砥粒を作製した。なお、下記説明中の符号A~Jで示される値は、表1にそれぞれ示される値である。
 A[L]の水を容器に入れ、濃度50質量%の硝酸セリウムアンモニウム水溶液(一般式Ce(NH(NO、式量548.2g/mol、日本化学産業株式会社製、製品名50%CAN液)をB[L]加えて混合した。その後、液温をC[℃]に調整して金属塩水溶液を得た。金属塩水溶液の金属塩濃度は表1に示すとおりである。
 次に、表1に示されるアルカリ種を水に溶解させて濃度D[mol/L]の水溶液をE[L]用意した後に、液温を温度C[℃]に調整してアルカリ液を得た。
 前記金属塩水溶液の入った容器を、水を張った水槽に入れた。水槽の水温を外部循環装置クールニクスサーキュレータ(東京理化器械株式会社(EYELA)製、製品名クーリングサーモポンプ CTP101)で温度C[℃]に調整した。金属塩水溶液の温度をC[℃]に保持すると共に回転数F[min-1]で金属塩水溶液を撹拌羽根により撹拌しながら、前記アルカリ液を混合速度G[m/min]で容器内に加え、線速度H[m/min]、循環数I[min-1]及び置換数J[min-1]の条件で混合した。その後、金属塩水溶液とアルカリ液との混合液に対して、表1に示す加熱温度[℃]及び加熱時間[hr]で加熱処理を施すことにより、4価セリウムの水酸化物粒子を含む砥粒を含有するスラリー前駆体1を得た。なお、撹拌羽根の面積、撹拌羽根の回転半径、及び、撹拌羽根の回転数等は表1に示すとおりである。スラリー前駆体1のpHは、表1に「終了pH」として示すとおりであり、単位時間当たりのpH変化量ΔpHは、表1に示すとおりである。なお、ΔpHは、金属塩水溶液とアルカリ液との混合開始時から、混合液のpHが「終了pH」に達するまでの間における1分間当たりのpHの変化量の平均値を採用した。また、パラメータZについても表1に示すとおりである。
 スラリー前駆体1を3000Gで遠心分離し、デカンテーションにより固液分離を施して液体を除去した。得られた濾物に適量の水を加えてよく撹拌した後に遠心分離及びデカンテーションにより固液分離を施す作業を更に3回行った。
 得られた濾物に新たに水を加えて液量を1.0Lに調整した後、超音波分散処理を180分間行ってスラリー前駆体2を得た。得られたスラリー前駆体2を適量とり、乾燥前後の質量を量ることにより、スラリー前駆体2の不揮発分含量(4価セリウムの水酸化物を含む砥粒の含量)を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
(砥粒の構造分析)
 スラリー前駆体2を適量採取し、真空乾燥して砥粒を単離した。純水で充分に洗浄して得られた試料について、FT-IR ATR法による測定を行ったところ、水酸化物イオンに基づくピークの他に、硝酸イオン(NO )に基づくピークが観測された。また、同試料について、窒素に対するXPS(N-XPS)測定を行ったところ、NH に基づくピークは観測されず、硝酸イオンに基づくピークが観測された。これらの結果より、スラリー前駆体2に含まれる砥粒は、セリウム元素に結合した硝酸イオンを有する粒子を少なくとも一部含有することが確認された。また、セリウム元素に結合した水酸化物イオンを有する粒子を少なくとも一部含有することから、砥粒がセリウムの水酸化物を含有することが確認された。これらの結果より、セリウムの水酸化物が、セリウム元素に結合した水酸化物イオンを含むことが確認された。
(吸光度及び光透過率の測定)
 スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒含有量が0.0065質量%(65ppm)となるように水で希釈して測定サンプル(水分散液)を得た。測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、株式会社日立製作所製の分光光度計(装置名:U3310)内にセルを設置した。波長200~600nmの範囲で吸光度測定を行い、波長290nmの光に対する吸光度と、波長450~600nmの光に対する吸光度とを測定した。結果を表2に示す。
 スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒含有量が1.0質量%となるように水で希釈して測定サンプル(水分散液)を得た。測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、株式会社日立製作所製の分光光度計(装置名:U3310)内にセルを設置した。波長200~600nmの範囲で吸光度測定を行い、波長400nmの光に対する吸光度と、波長500nmの光に対する光透過率とを測定した。結果を表2に示す。
(平均二次粒子径の測定)
 スラリー前駆体2を適量採取し、砥粒含有量が0.2質量%となるように水で希釈して測定サンプル(水分散液)を得た。測定サンプルを1cm角のセルに約4mL入れ、ベックマンコールター社製の装置名:N5内にセルを設置した。分散媒の屈折率を1.33、粘度を0.887mPa・sに調整して、25℃において測定を行い、表示された平均粒子径値を平均二次粒子径とした。結果を表2に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 実施例1~5における吸光度及び光透過率の測定に用いた測定サンプルと同様の測定サンプルを60℃/72時間保持した後に、同様に吸光度及び光透過率を測定した。波長400nmの光に対する吸光度は1.00以上1.50未満であり、波長290nmの光に対する吸光度は1.000以上であり、波長450~600nmの光に対する吸光度は0.010以下であり、波長500nmの光に対する光透過率は50%/cm以上であった。
(スラリー用貯蔵液の外観評価)
 スラリー前駆体2に水を加え、砥粒含有量を1.0質量%に調整してスラリー用貯蔵液1を得た。また、スラリー用貯蔵液1とは別に、スラリー用貯蔵液1を60℃/72時間保管してスラリー用貯蔵液2を作製した。スラリー用貯蔵液1、2の外観の観察結果を表3に示す。
(スラリー用貯蔵液のpH測定)
 スラリー用貯蔵液1及びスラリー用貯蔵液2のpH(25℃)を横河電機株式会社製の型番PH81を用いて測定した。結果を表3に示す。
(スラリーの作製)
 スラリー用貯蔵液1及び2各100gに純水を150g添加して、砥粒含有量0.4質量%のスラリー1及び2を得た。
(研磨液の作製)
 添加剤として5質量%のポリビニルアルコールと、X質量%のイミダゾールとを含む添加液1を準備した。100gの添加液1に水を150g加えて添加液2を得た。スラリー1と添加液2とを1:1(質量比)で混合することにより研磨液1(砥粒含有量:0.2質量%、ポリビニルアルコール含有量:1.0質量%)を得た。ここで、前記X質量%は、研磨液のpHが6.0となるように決定した。なお、ポリビニルアルコール水溶液中のポリビニルアルコールのケン化度は80mol%であり、平均重合度は300であった。
 同様にして、スラリー2(60℃/72時間保管したスラリー用貯蔵液から得られるスラリー)と添加液2とを混合して研磨液2を得た。
(絶縁膜の研磨)
 研磨装置における基体取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに、絶縁膜として酸化ケイ素膜が形成されたφ200mmシリコンウエハをセットした。多孔質ウレタン樹脂製パッドを貼り付けた定盤上に、絶縁膜がパッドに対向するようにホルダーを載せた。前記で得られた研磨液を、供給量200mL/minでパッド上に供給しながら、研磨荷重20kPaで基体をパッドに押し当てた。このとき定盤を78min-1、ホルダーを98min-1で1分間回転させ研磨を行った。研磨後のウエハを純水でよく洗浄し乾燥させた。研磨液1、2のそれぞれについて、光干渉式膜厚測定装置を用いて研磨前後の膜厚変化を測定して研磨速度を求めた。また、研磨液1の研磨速度に対する研磨液1の研磨速度と研磨液2の研磨速度との差の割合(研磨速度の差/研磨液1の研磨速度×100)を研磨速度変化率として算出した。結果を表3に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 表3から明らかなように、実施例の研磨液は、60℃/72時間保管後でも外観が透明であり、研磨速度の変化率も小さい。
 

Claims (23)

  1.  4価金属元素の塩を含む金属塩溶液と、アルカリ液とを混合して、前記4価金属元素の水酸化物を含む粒子を得る工程と、
     前記4価金属元素の水酸化物を含む粒子を加熱する工程と、を備える、砥粒の製造方法。
  2.  前記4価金属元素の水酸化物を含む粒子を30℃以上で加熱する、請求項1に記載の砥粒の製造方法。
  3.  前記4価金属元素の水酸化物を含む粒子を40℃以上で加熱する、請求項1又は2に記載の砥粒の製造方法。
  4.  前記4価金属元素の水酸化物を含む粒子を100℃以下で加熱する、請求項1~3のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  5.  下記式(1)で示されるパラメータZが5.00以上である条件で前記金属塩溶液と前記アルカリ液とを混合する、請求項1~4のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
      Z=[1/(ΔpH×k)]×(N/M)/1000  ・・・(1)
    [式(1)中、ΔpHは、前記金属塩溶液及び前記アルカリ液の混合液の1分間当たりのpH変化量を示し、kは、反応温度係数を示し、Nは、循環数(min-1)を示し、Mは、置換数(min-1)を示す。]
  6.  前記ΔpHが1.000以下である、請求項5に記載の砥粒の製造方法。
  7.  前記循環数Nが、下記式(2)で示されるものである、請求項5又は6に記載の砥粒の製造方法。
      N=(u×S)/Q  ・・・(2)
    [式(2)中、uは、前記混合液を撹拌する撹拌羽根の線速度(m/min)を示し、Sは、前記撹拌羽根の面積(m)を示し、Qは、前記混合液の液量(m)を示す。]
  8.  前記線速度uが下記式(3)において5.00m/min以上である、請求項7に記載の砥粒の製造方法。
      u=2π×R×r  ・・・(3)
    [式(3)中、Rは、前記撹拌羽根の回転数(min-1)を示し、rは、前記撹拌羽根の回転半径(m)を示す。]
  9.  前記回転数Rが30min-1以上である、請求項8に記載の砥粒の製造方法。
  10.  前記循環数Nが1.00min-1以上である、請求項5~9のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  11.  前記置換数Mが、下記式(4)で示されるものである、請求項5~10のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
      M=v/Q  ・・・(4)
    [式(4)中、vは、前記金属塩溶液及び前記アルカリ液の混合速度(m/min)を示し、Qは、前記混合液の液量(m)を示す。]
  12.  前記混合速度vが5.00×10-3/min以下である、請求項11に記載の砥粒の製造方法。
  13.  前記置換数Mが1.0min-1以下である、請求項5~12のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  14.  前記金属塩溶液における前記4価金属元素の塩の濃度が0.010mol/L以上である、請求項1~13のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  15.  前記アルカリ液におけるアルカリ濃度が15.0mol/L以下である、請求項1~14のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  16.  前記金属塩溶液及び前記アルカリ液の混合液のpHが1.5~7.0である、請求項1~15のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  17.  前記4価金属元素が4価セリウムである、請求項1~16のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法。
  18.  請求項1~17のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法により得られた砥粒と、水とを混合してスラリーを得る工程を備える、スラリーの製造方法。
  19.  請求項18に記載のスラリーの製造方法により得られたスラリーと、添加剤とを混合して研磨液を得る工程を備える、研磨液の製造方法。
  20.  請求項1~17のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法により得られた砥粒と、添加剤と、水とを混合して研磨液を得る工程を備える、研磨液の製造方法。
  21.  請求項1~17のいずれか一項に記載の砥粒の製造方法により得られた、砥粒。
  22.  請求項18に記載のスラリーの製造方法により得られた、スラリー。
  23.  請求項19又は20に記載の研磨液の製造方法により得られた、研磨液。
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