WO2013136393A1 - 偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法 - Google Patents

偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法 Download PDF

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Abstract

 本発明は、良好な偏光合成分離特性を有する偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法を提供する。偏光合成分離器(100)では、偏光合成分離膜(1)が基板(101)上に配置され、TE光(11)を透過させ、TM光(12)を分岐する。光導波路(WG1)は、基板(101)上に形成され、偏光合成分離膜(1)の第1の面に対して端面が対向し、導波方向がTE光(11)の伝搬方向である。光導波路(WG2)は、基板(101)上に形成され、偏光合成分離膜(1)の第2の面に対して端面が対向し、導波方向がTM光(12)の伝搬方向である。

Description

偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法
 本発明は偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、偏光合成分離器の製造方法に関し、例えば光通信システムに適用される偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法に関する。
 光通信システムの伝送レートの上昇に伴い、より効率的に大容量・高速の通信が可能な通信システムの検討が精力的に行われている。その中でも、DP-QPSK(Dual-polarization Quadra phase shift keying)は、100GE(100 Gigabit Ethernet(Ethernet:登録商標))伝送装置において、採用が本命視されている。
 100GEでは、DP-QPSK信号を受信器によって受信し、受信したDP-QPSK信号に含まれる光信号を偏光分離及び位相分離する。そして、偏光分離及び位相分離された光信号のそれぞれを光電変換する。さらに、光電変換により生成された電気信号をAD変換してデジタル信号を得ることができる。このようなDP-QPSK信号を受信する受信器が、既に提案されている(特許文献1)。
 上述の受信器による偏光分離では、DP-QPSK信号光をTE信号とTM信号とに偏光分離する。そのため、偏光分離を行うための装置や素子が必要である。偏光分離を行う素子として、例えば、導波路型光デバイスに入射する光を、複屈折現象を利用して偏光分離する素子が提案されている(特許文献2)。
 現在、100GE方式では、各種のMSA(Multi-Source Agreement)の議論が進められている。例えば、受信モジュールのMSA化については、偏光分離素子、90°ハイブリッド干渉計、PD(Photo Diode)及びTIA(Trans Impedance Amplifier)を、75mm×35mmの筐体中に導入することが検討されている。
 偏光分離のための偏光分離素子の導入は、幾つかの方式が提案されている。光回路基板に偏光分離素子を集積する方式、モジュール内にマイクロオプティックスの技術を用いて偏光分離素子を導入する方式、偏光分離素子をモジュール外に配置する方式等である。
 また、光導波路に偏光分離膜を挿入する方式が提案されている(非特許文献1)。図7は、光導波路に偏光分離膜を挿入して偏光分離を行う場合の光導波路及び偏光分離膜の配置を示す構成図である。光導波路701は、偏光分離膜702が挿入される位置において、途中で切断されている。光導波路701が切断された箇所には、偏光分離膜702が挿入される。
 偏光分離膜702は、入射光704の偏光状態の相違により、反射特性及び透過特性が異なる。具体的には、偏光分離膜702は、入射光704のTE成分706を透過し、TM成分705を反射する。その結果、入射光704のTE成分706は、そのまま光導波路701を伝搬する。一方、入射光704のTM成分705は反射され、光導波路703を伝搬する。これにより、光導波路701は、TE成分706とTM成分705とに偏光分離される。
特開平5-158096号公報 特開平9-96731号公報
N. Keil, et al., "Polymer PLC as an Optical Integration Bench" Technical Digest of OFC 2011, OWM1
 ところが、発明者は、図7に示す偏光分離方式には問題点があることを見出した。この方式では、偏光分離膜702を、容易に光導波路に挿入できる利点が存在する。しかし、偏光分離膜702が挿入された箇所で光導波路が切断されてしまう。その結果、光導波路の切断箇所において回折が生じるため、回折損失が発生する。また、回折により偏光分離膜702への入射角度成分が広くなるため、偏光分離特性低下や、偏光消光比の低下が発生してしまう。
 本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、損失が小さく、且つ良好な偏光合成分離特性を有する偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、及び偏光合成分離器の製造方法を提供することにある。
 本発明の一態様である偏光合成分離器は、基板と、第1の偏光信号を透過させ、前記第1の偏光信号と偏光面が異なる第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された偏光合成分離膜と、前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である、第1の光導波路と、前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である第2の光導波路と、を備えるものである。
 本発明の一態様である光ミキサは、集光された偏光多重信号光が入射し、前記偏光多重信号光を、互いに偏光面が異なる第1の偏光信号と第2の偏光信号とに偏光分離する第1の偏光合成分離器と、前記第1の偏光信号及び前記第2の偏光信号を位相分離する光干渉器と、を備え、前記偏光合成分離器は、基板と、前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された第1の偏光合成分離膜と、前記基板上に形成され、前記第1の偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第1の光導波路と、前記基板上に形成され、前記第1の偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第2の光導波路と、を備えるものである。
 本発明の一態様である光変調器モジュールは、互いに偏光面が異なる第1の偏光信号と第2の偏光信号とを変調して出力する光変調部と、前記第1の偏光信号と前記第2の偏光信号とを合成する偏光合成分離器と、を備え、前記偏光合成分離器は、基板と、前記光変調部から出力される前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された偏光合成分離膜と、前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である、前記光変調部と接続される第1の光導波路と、前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である、前記光変調部と接続される第2の光導波路と、を備え、前記1及び第2の光導波路は、前記偏光合成分離膜を透過した前記第1の偏光信号の光軸と、前記偏光合成分離膜で反射された前記第2の偏光信号の光軸と、が一致するように配置されるものである。
 本発明の一態様である偏光合成分離器の製造方法は、第1の偏光信号を透過させ、前記第1の偏光信号と偏光面が異なる第2の偏光信号を分岐する偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である第1の光導波路を、前記偏光合成分離膜の配置に先立って基板上に形成し、前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である第2の光導波路を、前記偏光合成分離膜の配置に先立って前記基板上に形成し、前記基板上に、前記偏光合成分離膜を配置するものである。
 本発明によれば、良好な偏光合成分離特性を有する偏光合成分離器、偏光合成分離構造、光ミキサ、光変調器モジュール、偏光合成分離器の製造方法を提供することができる。
実施の形態1にかかる偏光合成分離器100の平面構成を模式的に示す構成図である。 実施の形態1にかかる偏光合成分離器100の構成を模式的に示す斜視図である。 実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200の平面構成を模式的に示す構成図である。 実施の形態3にかかる光ミキサ300の平面構成を模式的に示す構成図である。 実施の形態4にかかる光ミキサ400の平面構成を模式的に示す構成図である。 実施の形態5にかかる光変調器モジュール500の平面構成を模式的に示す構成図である。 光導波路に偏光分離膜を挿入して偏光分離を行う場合の光導波路及び偏光分離膜の配置を示す構成図である。
 以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。
 実施の形態1
 まず、本発明の実施の形態1にかかる偏光合成分離器100について説明する。図1は、実施の形態1にかかる偏光合成分離器100の平面構成を模式的に示す構成図である。偏光合成分離器100は、偏光合成分離膜1、光導波路WG1及びWG2を有する。
 以下、偏光合成分離器100が偏光分離器として用いられる場合を例として説明する。光導波路WG1の端面は、偏光合成分離膜1と接合され、又は偏光合成分離膜1に近接して配置される。同様に、光導波路WG2の端面は、偏光合成分離膜1と接合され、又は偏光合成分離膜1に近接して配置される。なお、後述するように、光導波路WG1及びWG2は、基板101上に形成される。
 偏光合成分離膜1には、例えばレンズなどの集光手段により集光された光10が、入射端面105を介して入射する。このとき、光10は、光導波路WG1の端面及び光導波路WG2の端面から所定の距離内で集光される。そして、光10は、偏光合成分離膜1により、TE光11とTM光12とに分離される。
 TE光11は、偏光合成分離膜1を透過して、光導波路WG1に入射する。このとき、光10の焦点fが光導波路WG1の端面に対して所定の距離内にあることにより、TE光11は集光ビームのまま光導波路WG1に入射する。これにより、TE光11は、低損失で光導波路WG1と光結合することができる。
 TM光12は、偏光合成分離膜1で反射され、光導波路WG2に入射する。このとき、光10の焦点fが光導波路WG2の端面に対して所定の距離内にあることにより、TM光12は集光ビームのまま光導波路WG2に入射する。所定の距離内とは、集光ビームの集光面積が光導波路WG1の端面内に収まる距離である。これにより、TM光12は、低損失で光導波路WG2と光結合することができる。
 続いて、偏光合成分離器100の立体構成について説明する。図2は、実施の形態1にかかる偏光合成分離器100の構成を模式的に示す斜視図である。図2は、図1の方向IIから俯瞰した場合の偏光合成分離器100の斜視図である。光導波路WG1及びWG2は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)などにより、基板101上に形成される。基板101は、例えばシリコン基板が用いられる。光導波路WG1及びWG2は、例えばSiOなどにより構成される。
 光導波路WG1及びWG2及び基板101の上には、クラッド層102が形成されている。図2では、図面を見やすくするため、クラッド層102を破線にて表示している。光導波路WG1及びWG2のコア層は、例えばクラッド層102よりも1.5%程度高い屈折率を有し、これにより二次元方向で光が閉じ込められる。
 クラッド層102には、偏光合成分離膜1を配置する位置に、溝103が形成されている。溝103は、偏光合成分離膜1を内包できるように、偏光合成分離膜1よりも大きな寸法で形成される。溝103は、例えばボッシュプロセスなどのエッチングにより形成される。また、溝103は、例えばクラッド層102の上面から基板101に達する深さを有する。溝103の深さは、例えば150μmである。
 偏光合成分離膜1は、溝103の内部にはめ込まれる。偏光合成分離膜1と溝103の側面との間の間隙104は、例えば光導波路WG1及びWG2の実効屈折率と屈折率整合した接着剤が充填される。これにより、偏光合成分離膜1が固定される。この状態で、入射端面105から、光10が入射する。
 つまり、偏光合成分離器100では、光10は、光導波路WG1及びWG2の端面の近傍で光10が焦点を結ぶため、光10の回折を抑制することができる。よって、回折による損失を低減できる。加えて、光10を、コリメート光に近い状態で偏光合成分離膜1に入射させることができるので、偏光分離特性を更に向上させることができる。
 さらに、偏光合成分離器100では、光10の入射位置を光軸調整により最適化することにより、偏光分離後のTE光の光強度とTM光の光強度とを、均一化することが可能である。これは、偏光分離膜を導波路中に挿入する方式では実現できない、偏光合成分離器100によりはじめて実現される効果である。
 ここでは、TE光11を透過、TM光12を反射させる偏光分離膜1について記載したが、TE光11を反射、TM光12を透過させる偏光分離膜1においても同様の偏光分離動作を実現できる。
 実施の形態2
 次に、本発明の実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200について説明する。図3は、実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200の平面構成を模式的に示す構成図である。偏光合成分離構造200は、実施の形態1にかかる偏光合成分離器100に、集光手段であるレンズ21を追加した構成を有する。
 レンズ21は、図3に示すように、外部からの光10を集光する。これにより、実施の形態1で説明したように、偏光合成分離膜1に集光された光10が入射することができる。
 なお、図3では、レンズ21を両凸レンズとして描いているが、両凸レンズ以外の他のレンズを用いることができることは言うまでもない。また、光10を集光できるならば、レンズに限らず、凹面鏡などの他の光学部品を集光手段として用いることも可能である。
 実施の形態3
 次に、本発明の実施の形態3にかかる光ミキサ300について説明する。図4は、実施の形態3にかかる光ミキサ300の平面構成を模式的に示す構成図である。光ミキサ300は、DP-QPSK信号の偏波分離及び位相分離を行う。以下では、光10をDP-QPSK信号とする。光ミキサ300は、偏光合成分離構造201、レンズ32、干渉部33、光導波路WG3、WG31及びWG32を有する。なお、図4では、光導波路WG3、WG31及びWG32を模式的に線で表示している。
 干渉部33は、光カプラOC11~OC14及びOC21~OC24、光導波路WG10~WG18及びWG21~WG28を有する。なお、図4では、光導波路WG10~WG18及びWG21~WG28を模式的に線で表示している。
 光カプラOC11~OC14は、いわゆる方向性結合器やY分岐導波路等であり、光を2つに分岐し、2つの出力ポートのそれぞれから分岐した光を同位相で出力する。光カプラOC21~OC24は、いわゆる光方向性結合器であり、2本の光を逆相で合波した光を、2つの出力ポートのそれぞれから出力する。
 光カプラOC11の出力ポートの一方は、光導波路WG11を介して、光カプラOC21の入力ポートの一方と接続される。また、光カプラOC11の出力ポートの他方は、光導波路WG12を介して、光カプラOC22の入力ポートの一方と接続される。光カプラOC12の出力ポートの一方は、光導波路WG13を介して、光カプラOC21の入力ポートの他方と接続される。また、光カプラOC12の出力ポートの他方は、光導波路WG14を介して、光カプラOC22の入力ポートの他方と接続される。
 光カプラOC13の出力ポートの一方は、光導波路WG15を介して、光カプラOC23の入力ポートの一方と接続される。また、光カプラOC13の出力ポートの他方は、光導波路WG16を介して、光カプラOC24の入力ポートの一方と接続される。光カプラOC14の出力ポートの一方は、光導波路WG17を介して、光カプラOC23の入力ポートの他方と接続される。また、光カプラOC14の出力ポートの他方は、光導波路WG18を介して、光カプラOC24の入力ポートの他方と接続される。
 なお、光導波路WG14及びWG18は、光の位相をπ/2だけ遅らせる位相遅延手段34を有する。光の位相をπ/2だけ遅らせるには、例えば、光導波路の光路長を光の波長の4分の1だけ長くすればよい。
 光カプラOC21の2つの出力ポートは、それぞれ光導波路WG21及びWG22と接続される。光カプラOC22の2つの出力ポートは、それぞれ光導波路WG23及びWG24と接続される。光カプラOC23の2つの出力ポートは、それぞれ光導波路WG25及びWG26と接続される。光カプラOC24の2つの出力ポートは、それぞれ光導波路WG27及びWG28と接続される。
 偏光合成分離構造201は、実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200に、半波長板(λ/2板)22を追加した構成を有する。光導波路WG1は、光カプラOC12の入力ポートと接続される。光導波路WG2は、光カプラOC13の入力ポートと接続される。半波長板22は、偏光合成分離膜1と光カプラOC13の入力との間の光導波路WG2に挿入される。図4では、光導波路WG1及びWG2を模式的に線で表示している。
 偏光合成分離構造201は、光10を、TE光11とTM光12とに偏光分離する。TE光11は、光カプラOC12に入力される。TM光12は、半波長板22によりTE光13に変換される。TE光13は、光カプラOC13に入力される。
 光導波路WG3には、レンズ32を介して、外部から局発光31が入射する。局発光31は、例えば外部のLD(Laser Diode)から出力された光のTE成分が用いられる。光導波路WG3は、光導波路WG31及びWG32に分岐する。光導波路WG31は、光カプラOC11の入力ポートと接続される。光導波路WG31は、光カプラOC14の入力ポートと接続される。つまり、TE光である局発光31は、光カプラOC11及び14に入力される。
 これにより、干渉部33では、光10のTE成分に含まれるQPSK信号の同相(In-phase:I)成分であるTE_I(0°)が、光導波路WG21又はWG22から出力される。光10のTE成分に含まれるQPSK信号の直交位相(Quadrature-phase:Q)成分であるTE_Q(90°)が、光導波路WG23又はWG24から出力される。また、光10のTM成分に含まれるQPSK信号のI成分TM_I(0°)が、光導波路WG25又はWG26から出力される。光10のTM成分に含まれるQPSK信号のQ成分TM_Q(90°)が、光導波路WG27又はWG28から出力される。
 以上、本構成によれば、良好な偏光分離が低損失にてなされるため、低損失かつ偏波消光比の高い高効率な光ミキサを実現することが可能である。また、偏光分離構造と干渉計を基板上に一括形成することが可能なため、小サイズ化が可能である。
 実施の形態4
 次に、本発明の実施の形態4にかかる光ミキサ400について説明する。図5は、実施の形態4にかかる光ミキサ400の平面構成を模式的に示す構成図である。光ミキサ400は、DP-QPSK信号の偏波分離及び位相分離を行う。以下では、光10をDP-QPSK信号とする。光ミキサ400は、偏光合成分離構造202及び203、干渉部33を有する。
 干渉部33は、実施の形態3と同様であるので、説明を省略する。
 偏光合成分離構造202及び203は、実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200と同様の構成を有する。
 偏光合成分離構造202は、偏光合成分離膜41及び光導波路WG41及びWG42を有する。偏光合成分離膜41は、偏光合成分離構造200の偏光合成分離膜1に対応する。光導波路WG41及びWG42は、それぞれ偏光合成分離構造200の光導波路WG1及びWG2に対応する。光導波路WG41は、光カプラOC12の入力ポートと接続される。光導波路WG42は、光カプラOC13の入力ポートと接続される。図5では、光導波路WG41及びWG42を模式的に線で表示している。
 偏光合成分離構造202は、光10を、TE光11とTM光12とに偏光分離する。TE光11は、光カプラOC12に入力される。TM光12は、光カプラOC13に入力される。
 偏光合成分離構造203は、偏光合成分離膜43及び光導波路WG43及びWG44を有する。偏光合成分離膜43は、偏光合成分離構造200の偏光合成分離膜1に対応する。光導波路WG43及びWG44は、それぞれ偏光合成分離構造200の光導波路WG1及びWG2に対応する。光導波路WG43は、光カプラOC11の入力ポートと接続される。光導波路WG44は、光カプラOC14の入力ポートと接続される。図5では、光導波路WG43及びWG44を模式的に線で表示している。
 偏光合成分離構造203は、局発光31を、局発TE光と局発TM光とに偏光分離する。局発TE光は、光カプラOC11に入力される。局発TM光は、光カプラOC14に入力される。
 これにより、干渉部33では、実施の形態3と同様に、光10のTE成分に含まれるQPSK信号のI成分TE_I(0°)が、光導波路WG21又はWG22から出力される。光10のTE成分に含まれるQPSK信号のQ成分(90°)TE_Qが、光導波路WG23又はWG24から出力される。また、光10のTM成分に含まれるQPSK信号のI成分TM_I(0°)が、光導波路WG25又はWG26から出力される。光10のTM成分に含まれるQPSK信号のQ成分(90°)TM_Qが、光導波路WG27又はWG28から出力される。
 以上、本構成によれば、実施の形態3と同様に、低損失かつ偏波消光比の高い高効率な光ミキサを、小サイズにて実現することが可能である。
 実施の形態5
 次に、本発明の実施の形態5にかかる光変調器モジュール500について説明する。図6は、実施の形態5にかかる光変調器モジュール500の平面構成を模式的に示す構成図である。光変調器モジュール500は、DP-QPSK信号を生成する。光変調器モジュール500は、偏光合成分離構造204、光変調部50を有する。光変調部50は、光カプラOC51~OC55、光導波路WG5、WG5a、WG5b、WG51~WG54、MZ光変調器51~54を有する。図6では、光導波路WG5、WG5a、WG5b及びWG51~WG56を模式的に線で表示している。
 光カプラOC51~OC55は、いわゆるY分岐である。光カプラOC51は、入力ポートに光導波路WG5を介して入力する入射光501を2分岐する。入射光501は、TEモードの光が用いられる。分岐された入射光501の一方は、光導波路WG5aを介して、光カプラOC52の入力ポートに入力される。分岐された入射光501の他方は、光導波路WG5bを介して、光カプラOC53の入力ポートに入力される。
 光カプラOC52の出力ポートの一方は、光導波路WG51上に挿入されたMZ光変調器51の入力ポートと接続される。光カプラOC52の出力ポートの他方は、光導波路WG52上に挿入されたMZ光変調器52の入力ポートと接続される。光カプラOC53の出力ポートの一方は、光導波路WG53上に挿入されたMZ光変調器53の入力ポートと接続される。光カプラOC53の出力ポートの他方は、光導波路WG54上に挿入されたMZ光変調器54の入力ポートと接続される。
 MZ光変調器51及び52の出力ポートは、それぞれ光カプラOC54の入力ポートと接続される。MZ光変調器53及び54の出力ポートは、それぞれ光カプラOC55の入力ポートと接続される。
 偏光合成分離構造204は、実施の形態2にかかる偏光合成分離構造200と同様の構成を有する。偏光合成分離構造204は、偏光合成分離膜5及び光導波路WG55及びWG56を有する。偏光合成分離膜5は、偏光合成分離構造200の偏光合成分離膜1に対応する。光導波路WG55及びWG56は、それぞれ偏光合成分離構造200の光導波路WG1及びWG2に対応する。光導波路WG55は、光カプラOC54の出力ポートと接続される。光導波路WG56は、光カプラOC55の出力ポートと接続される。なお、光導波路WG56には、半波長板55が挿入されている。
 続いて、光変調器モジュール500の変調動作について説明する。MZ光変調器51は、変調した光信号を、偏光合成分離膜5に出力する。MZ光変調器52は、変調した光信号を、偏光合成分離膜5に出力する。なお、MZ光変調器52により変調された光は、MZ光変調器51により変調された光に対して、位相が90°異なる。つまり、MZ光変調器51により変調された光は、DP-QPSK信号のTE光のI成分TE_I(0°)、MZ光変調器52により変調された光は、QPSK信号のTE光のQ成分TE_Q(90°)である。
 MZ光変調器53は、変調した光信号を、偏光合成分離膜5に出力する。MZ光変調器54は、変調した光信号を、偏光合成分離膜5に出力する。なお、MZ光変調器54により変調された光は、MZ光変調器53により変調された光に対して、位相が90°異なる。つまり、MZ光変調器53により変調された後に半波長板55を通過した光は、DP-QPSK信号のTM光のI成分TM_I(0°)である。MZ光変調器52により変調された後に半波長板55を通過した光は、DP-QPSK信号のTM光のQ成分TM_Q(90°)である。
 偏光合成分離膜5は、MZ光変調器51及び52からの光(TE_I及びTE_Q)を透過させ、MZ光変調器53及び54からの光(TM_I及びTM_Q)を反射する。これにより、MZ光変調器51及び52からの光(TE_I及びTE_Q)とMZ光変調器53及び54からの光(TM_I及びTM_Q)とが、レンズ56に入射する。これにより、レンズ56からは、光変調器モジュール500により生成された、DP-QPSK信号502が出力される。
 以上より、偏光合成分離膜5を用いることにより、具体的に、複数の偏光を合成した光信号を生成することが可能である。
 なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態3~5では、DP-QPSK信号を用いる場合について説明したが、光信号の多重方式はこれに限られない。偏波多重されている限りにおいて、QPSK以外の多重方式を適宜用いることができる。
 実施の形態3~5では、偏光合成分離構造を用いる場合について説明したが、偏光合成分離構造は、適宜、実施の形態1にかかる偏光合成分離器に置換することが可能である。
 以上、実施の形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記によって限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
 この出願は、2012年3月16日に出願された日本出願特願2012-060509を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
1、5、43、44 偏光合成分離膜
10 光
11、13 TE光
12 TM光
21、32、56 レンズ
22、55 半波長板
31 局発光
33 干渉部
34 位相遅延手段
200~204 偏光合成分離構造
50 光変調部
51~54 MZ光変調器
100 偏光合成分離器
101 基板
102 クラッド層
103 溝
104 間隙
105 入射端面
300、400 光ミキサ
500 光変調器モジュール
501 入射光
502 DP-QPSK信号
701、703 光導波路
702 偏光分離膜
704 入射光
705 TM成分
706 TE成分
OC11~OC14、OC21~OC24、OC51~OC55 光カプラ
WG1~3、WG5、WG5a、WG5bWG10~WG18、WG21~WG28、WG31、WG32、WG41~WG44、WG5、WG51~WG56 光導波路

Claims (18)

  1.  基板と、
     第1の偏光信号を透過させ、前記第1の偏光信号と偏光面が異なる第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された偏光合成分離膜と、
     前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である第1の光導波路と、
     前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である第2の光導波路と、を備える、
     偏光合成分離器。
  2.  前記偏光合成分離膜は、集光された偏光多重信号光が入射し、前記偏光多重信号光に含まれる前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐することにより、前記偏光多重信号光を偏光分離し、
     前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、集光された前記偏光多重信号光の焦点に対して、前記偏光多重信号光の集光面が前記第1の光導波路の前記端面内及び前記第2の光導波路の前記端面内に収まる距離よりも近くに配置される、
     請求項1に記載の偏光合成分離器。
  3.  請求項2に記載の前記偏光合成分離器と、
     前記偏光多重信号光を集光し、前記偏光多重信号光の前記集光面が前記第1の光導波路の前記端面内及び前記第2の光導波路の前記端面内に収まる距離に焦点を結ばせる集光手段と、を備える、
     偏光合成分離構造。
  4.  集光された偏光多重信号光が入射し、前記偏光多重信号光を、互いに偏光面が異なる第1の偏光信号と第2の偏光信号とに偏光分離する第1の偏光合成分離器と、
     前記第1の偏光信号及び前記第2の偏光信号を位相分離する光干渉器と、を備え、
     前記第1の偏光合成分離器は、
     基板と、
     前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された第1の偏光合成分離膜と、
     前記基板上に形成され、前記第1の偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第1の光導波路と、
     前記基板上に形成され、前記第1の偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第2の光導波路と、を備える、
     光ミキサ。
  5.  前記第1の偏光合成分離膜は、前記偏光多重信号光に含まれる前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐することにより、前記偏光多重信号光を偏光分離し、
     前記第1の光導波路及び前記第2の光導波路は、集光された前記偏光多重信号光の焦点に対して、前記偏光多重信号光の集光面が前記第1の光導波路の前記端面内及び前記第2の光導波路の前記端面内に収まる距離よりも近くに配置される、
     請求項4に記載の光ミキサ。
  6.  前記光干渉器は、前記第1の偏光合成分離膜で偏光分離された前記第1及び第2の偏光信号のそれぞれを局発光と干渉させ、前記第1及び第2の偏光信号のそれぞれから、位相がπ/2相違する2つの信号光を出力する、
     請求項5に記載の光ミキサ。
  7.  前記局発光は、第1の局発光と第2の局発光とに分離され、
     前記光干渉器は、前記第1の偏光信号を前記第1の局発光と干渉させ、前記第2の偏光信号を前記第2の局発光と干渉させる、
     請求項6に記載の光ミキサ。
  8.  前記第1の局発光は、前記第1の偏光信号と同じ偏光面を有し、
     前記第2の局発光は、前記第2の偏光信号と同じ偏光面を有する、
     請求項7に記載の光ミキサ。
  9.  前記偏光多重信号光を集光し、前記偏光多重信号光の前記集光面が前記第1の光導波路の前記端面内及び前記第2の光導波路の前記端面内に収まる距離に焦点を結ばせる第1の集光手段を更に備える、
     請求項5乃至8のいずれか一項に記載の光ミキサ。
  10.  前記第2の光導波路に挿入され、前記第2の偏光信号の偏光面を回転して、前記第1の局発光の偏光面に一致させる偏光面回転手段を更に備える、
     請求項8に記載の光ミキサ。
  11.  前記第1の偏光信号は、TE光であり、
     前記第2の偏光信号は、TM光であり、
     前記第1の局発光及び前記第2の局発光は、TE光であり、
     前記偏光面回転手段は、半波長板である、
     請求項10に記載の光ミキサ。
  12.  前記偏光多重信号光を集光し、前記第1の光導波路の前記端面及び前記第2の光導波路の前記端面から、集光された前記偏光多重信号光をコリメート光とみなせる距離よりも近くで焦点を結ばせる第1の集光手段を更に備え、
     前記第1の偏光合成分離器、前記第1の集光手段及び前記半波長板が第1の偏光合成分離構造を構成する、
     請求項11に記載の光ミキサ。
  13.  前記局発光は、前記第1の偏光信号と同じ偏光面を有する第1の局発光と、前記第2の偏光信号と同じ偏光面を有する第2の局発光と、に偏光分離される、
     請求項8に記載の光ミキサ。
  14.  前記局発光を、前記第1の局発光と前記第2の局発光とに偏光分離する第2の偏光合成分離器を更に備え、
     前記第2の偏光合成分離器は、
     前記第1の局発光を透過させ、前記第2の局発光を分岐する、前記基板上に配置された第2の偏光合成分離膜と、
     前記基板上に形成され、前記第2の偏光合成分離膜の第3の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の局発光の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第3の光導波路と、
     前記基板上に形成され、前記第2の偏光合成分離膜の前記第3の面と反対側の第4の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の局発光の伝搬方向である、前記光干渉器と接続される第4の光導波路と、を備える、
     請求項13に記載の光ミキサ。
  15.  前記第3の光導波路及び前記第4の光導波路は、集光された前記局発光の焦点に対して、前記局発光の集光面が前記第3の光導波路の前記端面内及び前記第4の光導波路の前記端面内に収まる距離よりも近くに配置される、
     請求項14に記載の光ミキサ。
  16.  前記局発光を集光し、前記局発光の前記集光面が前記第3の光導波路の前記端面内及び前記第4の光導波路の前記端面内に収まる距離に焦点を結ばせる第2の集光手段を更に備え、
     前記第2の偏光合成分離器、前記第2の集光手段が第2の偏光合成分離構造を構成する、
     請求項15に記載の光ミキサ。
  17.  互いに偏光面が異なる第1の偏光信号と第2の偏光信号とを変調して出力する光変調部と、
     前記第1の偏光信号と前記第2の偏光信号とを合成する偏光合成分離器と、を備え、
     前記偏光合成分離器は、
     基板と、
     前記光変調部から出力される前記第1の偏光信号を透過させ、前記第2の偏光信号を分岐する、前記基板上に配置された偏光合成分離膜と、
     前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である、前記光変調部と接続される第1の光導波路と、
     前記基板上に形成され、前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である、前記光変調部と接続される第2の光導波路と、を備え、
     前記1及び第2の光導波路は、前記偏光合成分離膜を透過した前記第1の偏光信号の光軸と、前記偏光合成分離膜で反射された前記第2の偏光信号の光軸と、が一致するように配置される、
     光変調器モジュール。
  18.  第1の偏光信号を透過させ、前記第1の偏光信号と偏光面が異なる第2の偏光信号を分岐する偏光合成分離膜の第1の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第1の偏光信号の伝搬方向である第1の光導波路を、前記偏光合成分離膜の配置に先立って基板上に形成し、
     前記偏光合成分離膜の前記第1の面と反対側の第2の面に対して端面が対向し、導波方向が前記第2の偏光信号の伝搬方向である第2の光導波路を、前記偏光合成分離膜の配置に先立って前記基板上に形成し、
     前記基板上に、前記偏光合成分離膜を配置する、
     偏光合成分離器の製造方法。
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