WO2013129071A1 - 発光装置 - Google Patents

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政人 横林
山本　修
光男 北林
加藤　達也
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device equipped with a plurality of LED (Light Emitting Diode) chips.
  • LED Light Emitting Diode
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2006-303140 (Patent Document 1), as shown in FIG. 22, the light emission characteristics of the LED chip 6 are measured in a state where the LED chip 6 is directly mounted on the light emitting device body 8 of the light emitting device 5. And rank.
  • the wavelength converter 7 is designed and manufactured for each rank in advance corresponding to the rank of the LED chip 6. And it is proposed to select and combine an appropriate wavelength converter 7 for the LED chip 6 according to the rank, and to make the light emission color of a light emitting device unit using a plurality of such light emitting devices 5 constant. Yes.
  • an object of the present invention is to provide a light emitting device capable of correctly obtaining a target light emission color from a plurality of LED chips exhibiting different light emission colors.
  • a light-emitting device of the present invention includes Two or more LED chips exhibiting two or more different emission colors; A wavelength conversion unit having different wavelength conversion characteristics for sealing each of the LED chips exhibiting different emission colors, and The wavelength conversion unit includes a plurality of phosphors that absorb light of different wavelength components from light emitted from the sealed LED chip and convert the light into light of other wavelength components. It is a feature.
  • each of the two or more LED chips exhibiting two or more different emission colors absorbs light of different wavelength components from the light emitted from the LED chip, and emits light of other wavelength components. It is sealed by a wavelength conversion unit having a plurality of phosphors that convert to a wavelength conversion characteristic different from each other. Therefore, if the wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion unit is set so that the color of light emitted through the wavelength conversion unit becomes a target color by changing the ratio of the plurality of phosphors. Thus, a target emission color can be obtained correctly from a plurality of LED chips exhibiting different emission colors.
  • the wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion unit can be set according to the LED chip to be used, it is possible to prevent the generation of an unusable LED chip. Therefore, it is not necessary to replace the LED chip by discarding or reworking.
  • the LED chip that exhibits at least one of the two or more different emission colors is composed of two or more LED chips, Of the two or more LED chips exhibiting one emission color, adjacent LED chips are continuously sealed by the wavelength conversion unit having the same wavelength conversion characteristics.
  • LED chips adjacent to each other that exhibit one emission color are continuously sealed by the wavelength conversion unit having the same wavelength conversion characteristics. Therefore, compared with the case where the LED chips adjacent to each other are individually sealed by the wavelength conversion unit having the same wavelength conversion characteristic, the number of man-hours can be reduced and the cost can be reduced.
  • the LED chip different from the LED chip continuously sealed by the wavelength conversion unit having the same wavelength conversion characteristic is the same wavelength conversion. It is sealed with a wavelength conversion section having the same wavelength conversion characteristics as the wavelength conversion section having characteristics.
  • the target light emission is more correctly achieved by sealing with the wavelength conversion unit having the same wavelength conversion characteristics. Color can be obtained.
  • the wavelength conversion parts having different wavelength conversion characteristics are continuously formed.
  • the man-hours can be further reduced as compared with the case where they are individually formed, and the cost can be reduced. Can be achieved.
  • the colors of light emitted from the LED chips via the wavelength converter are all the same color.
  • the colors of light emitted from the LED chips via the wavelength converter are all the same color, they can be used as a backlight module of a liquid crystal panel.
  • the wavelength conversion characteristic is set by setting the ratio of the plurality of phosphors included in the wavelength conversion unit to a ratio corresponding to the emission color of the LED chip being sealed.
  • the wavelength conversion characteristics in each wavelength conversion unit are set. Has been. Therefore, when the LED chip is sealed with the wavelength conversion unit, for example, by changing the ratio of the supply amount of the wavelength conversion material including the first phosphor and the wavelength conversion material including the second phosphor.
  • the wavelength conversion characteristic of the wavelength converter can be set to a characteristic corresponding to the emission color of the LED chip.
  • the wavelength conversion unit sets the ratio of the plurality of phosphors included to a ratio corresponding to the emission color of the LED chip being sealed, and the thickness for sealing the LED chip is the LED
  • the wavelength conversion characteristic is set by setting the thickness according to the emission color of the chip.
  • the ratio of the plurality of phosphors included in the wavelength conversion unit is set to a ratio corresponding to the emission color of the LED chip, and the thickness of the wavelength conversion unit is set to the emission color of the LED chip.
  • the wavelength conversion characteristic in each wavelength conversion unit is set. Therefore, when sealing the LED chip with the wavelength conversion unit, for example, by changing the ratio of the supply amount of the wavelength conversion material containing the first phosphor and the wavelength conversion material containing the second phosphor, The wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion part is roughly set to a characteristic corresponding to the emission color of the LED chip, and the thickness of the wavelength conversion part on the LED chip is adjusted according to the emission color of the LED chip.
  • the wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion unit can be more accurately set to the characteristic corresponding to the emission color of the LED chip.
  • the light emitting device of the present invention absorbs two or more LED chips exhibiting two or more different emission colors, and absorbs light of different wavelength components from the light emitted from the LED chip. It is sealed by a wavelength conversion unit having a plurality of phosphors having different wavelength conversion characteristics. Therefore, the wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion unit is set so that the specific color of the light emitted through the wavelength conversion unit becomes the target color by changing the ratio of the plurality of phosphors. Therefore, the target emission color can be obtained correctly from a plurality of LED chips that exhibit different emission colors.
  • the wavelength conversion characteristic of the wavelength conversion unit can be set according to the LED chip to be used, it is possible to prevent the generation of an unusable LED chip. Therefore, it is not necessary to replace the LED chip by discarding or reworking.
  • FIG. 1st Embodiment of this invention It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 1st Embodiment of this invention. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 2A. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 2B. It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 2nd Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 4A. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 4B. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 4C.
  • FIG. 9A It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 3rd Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 6A. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 6B. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 6C. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 7D. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 7E. It is a longitudinal cross-sectional view in the modification of 3rd Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 9A.
  • FIG. 9B It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 9B. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 9C. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 9D. It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 4th Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 11A. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 11B. It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 5th Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 13A.
  • FIG. 13B It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 13C.
  • FIG. 13C It is a longitudinal cross-sectional view in the light-emitting device of 6th Embodiment. It is a figure which shows the manufacturing method of the said light-emitting device shown in FIG. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 15A. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 15B. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 15C. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 16D. It is a figure which shows the manufacturing method following FIG. 16E. It is a longitudinal cross-sectional view in the modification of 6th Embodiment.
  • FIG. 16 is a view showing a modification of the manufacturing method shown in FIGS. 15A to 15C and FIGS. 16D to 16F. It is a figure which shows the modification of the manufacturing method following FIG. 20A. It is a figure which shows the conventional backlight module. It is a figure which shows the light-emitting device unit disclosed by patent document 1.
  • FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in the present embodiment) LED chips 13a to 13c are mounted on a substrate 12, and each of the LED chips 13a to 13c is mounted. 13c exhibits different emission colors.
  • Each of the LED chips 13a to 13c is covered with wavelength conversion units 14a to 14c having different conversion wavelengths, and emits light of a target emission color.
  • the wavelength conversion unit 14a contains a phosphor that absorbs light of a specific wavelength component emitted from the LED chip 13a and generates light of different wavelengths.
  • the other wavelength converters 14b and 14c contain phosphors that absorb light of specific wavelength components emitted from the LED chips 13b and 13c and generate light of different wavelengths, and as a result, each wavelength.
  • the light of the same target emission color is emitted from the conversion units 14a to 14c.
  • FIG. 2A to 2C show a method for manufacturing the light emitting device 11 shown in FIG.
  • the method for manufacturing the light emitting device 11 first, as shown in FIG. 2A, LED chips 13a to 13c having known light emission characteristics are mounted on a substrate 12 by, for example, a flip chip mounting method. Next, as shown in FIG. 2B, wavelength conversion materials 15a and 15b having different wavelength conversion characteristics are supplied to the respective LED chips 13a to 13c.
  • the light emission color of the LED chip 13b has a strong A color
  • the light emission color of the LED chip 13c has almost half the intensity of the A color and the B color.
  • the light emission color of the chip 13a is slightly stronger in the A color than in the B color.
  • the LED chip 13b includes a phosphor that absorbs the A wavelength component and converts the wavelength component into a C wavelength component that is a complementary color of A (or a different color). Only the wavelength conversion material 15a contained is supplied from the nozzle 16b.
  • the B color is an intermediate color between the A color and the C color.
  • the LED chip 13c is supplied with the wavelength converting material 15a from the nozzle 16c, while absorbing the C wavelength component and converting the wavelength component into an A wavelength component which is a complementary color of C (or a different color).
  • the wavelength conversion material 15b containing the phosphor to be supplied is supplied from the nozzle 16c ′ by the same amount as the wavelength conversion material 15a. Further, the wavelength conversion material 15a is supplied to the LED chip 13a from the nozzle 16a, while the wavelength conversion material 15b is supplied from the nozzle 16a ′ in a smaller amount than the wavelength conversion material 15a.
  • the supply amount is expressed by the size of the wavelength conversion materials 15a and 15b drawn at the tips of the nozzles 16a, 16a ', 16b, 16c and 16c'. The same applies to FIGS. 4B to 4C, 11B, and 13B.
  • the wavelength conversion material 15a supplied to LED chip 13b becomes the wavelength conversion part 14b.
  • the wavelength conversion material 15a and the wavelength conversion material 15b supplied to the LED chip 13c in substantially the same amount become the wavelength conversion unit 14c.
  • the wavelength conversion material 15a supplied to the LED chip 13a and the wavelength conversion material 15b in an amount smaller than the wavelength conversion material 15a become the wavelength conversion unit 14a.
  • each of the LED chip 13a and the LED chip 13c contains a phosphor that absorbs the A wavelength component and converts the wavelength component into a C wavelength component that is a complementary color (or a different color) of the A color.
  • the conversion material 15a and the wavelength conversion material 15b containing a phosphor that absorbs the C wavelength component and converts the wavelength of the C color component to the A color wavelength component, which is a complementary color of C (or a different color) are supplied from different nozzles. I am trying to supply. Therefore, the amount of the wavelength conversion material 15a and the wavelength conversion material 15b to be supplied depends on the difference in the intensity balance between the A color and the B color in the LED chip 13a and the LED chip 13c.
  • the color of the light emitted from each of the wavelength converters 14a to 14c can be aligned with the target emission color. Further, it is possible to reduce defects in the light emitting device 11 due to the emission colors of the LED chips 13a to 13c.
  • the wavelength conversion characteristics of the wavelength converters 14a to 14c are determined according to the emission color of the LED chip that is sealed, with the ratio of the phosphors having a plurality of wavelength conversion characteristics included. It is set by making the ratio.
  • the present embodiment there is no occurrence of unusable LED chips as in the case of the method using only the LED device of the target color or the method of using only the LED chip of a predetermined color. . Furthermore, when the LED device or the LED chip is mounted and the emission color becomes different from the target, it is not necessary to discard the obtained light emitting device or replace the LED device or the LED chip by rework. Further, as in the case of the light emitting device unit disclosed in Patent Document 1, since there is no wavelength conversion unit that can be combined in the wavelength conversion unit prepared in advance, it is not necessary to discard or rework.
  • FIG. 3 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in the present embodiment) LED chips 23a to 23c are mounted on a substrate 22.
  • two or more (two in the present embodiment) LED chips 23a and 23b adjacent to each other among the three LED chips 23a to 23c have the same emission color.
  • the other one or more (one in the present embodiment) LED chip 23c exhibits different emission colors.
  • the two LED chips 23a and 23b adjacent to each other are covered with a wavelength conversion unit 24a having the same conversion wavelength, and emit light of a target emission color. Further, the remaining one LED chip 23c is covered with a wavelength conversion unit 24b having a conversion wavelength different from that of the wavelength conversion unit 24a, and emits light of the target emission color.
  • the wavelength conversion unit 24a contains a phosphor that absorbs light of a specific wavelength component emitted from the LED chips 23a and 23b and generates light of different wavelengths.
  • the other wavelength converter 24b contains a phosphor that absorbs light of a specific wavelength component emitted from the LED chip 23c and generates light of a different wavelength. As a result, light of the same target emission color is emitted from the wavelength conversion units 24a and 24b.
  • FIG. 4A to 4D show a method for manufacturing the light emitting device 21 shown in FIG.
  • LED chips 23a to 23c having known light emission characteristics are mounted on a substrate 22 by, for example, a flip chip mounting method.
  • wavelength conversion materials 25a and 25b having different wavelength conversion characteristics are supplied to the LED chip 23a and the LED chip 23c.
  • the emission color of the LED chip 23c is approximately half the intensity of the A color and the B color, and the emission color of the LED chips 23a and 23b is the A color. Is slightly stronger than the B color.
  • the LED chip 23c is provided with a phosphor that absorbs the A wavelength component and converts the wavelength component into a C wavelength component that is a complementary color of A (or a different color).
  • the wavelength conversion material 25a is supplied from the nozzle 26b while containing the wavelength conversion material 25a, and the wavelength conversion material contains a phosphor that absorbs the C wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component, which is a complementary color of C (or a different color).
  • the material 25b is supplied from the nozzle 26b ′ by substantially the same amount as the wavelength conversion material 25a.
  • the wavelength conversion material 25a is supplied to the LED chip 23a from the nozzle 26a, while the wavelength conversion material 25b is supplied from the nozzle 26a ′ in a smaller amount than the wavelength conversion material 25a.
  • the supply of the wavelength conversion material 25a from the nozzle 26b to the LED chip 23c and the supply of the wavelength conversion material 25b from the nozzle 26b ′ are terminated.
  • the wavelength conversion material 25a and the wavelength conversion material 25b supplied in the same amount to the LED chip 23c become the wavelength conversion unit 24b.
  • the nozzle 26a supplying the wavelength conversion material 25a and the nozzle 26a ′ supplying the wavelength conversion material 25b are moved to the LED chip 23b side adjacent to the LED chip 23a.
  • the wavelength conversion material 25a is supplied from the nozzle 26a to the LED chip 23b, while the wavelength conversion material 25b is supplied from the nozzle 26a ′ in a smaller amount than the wavelength conversion material 25a.
  • the wavelength conversion material 25a and the wavelength conversion material 25b supplied to the LED chip 23a become the wavelength conversion unit 24a.
  • the supply of the wavelength conversion material 25a from the nozzle 26a to the LED chip 23b and the supply of the wavelength conversion material 25b from the nozzle 26a ′ are terminated.
  • the supplied wavelength conversion material 25a and the wavelength conversion material 25b become the wavelength conversion unit 24a.
  • the LED chip 23a and the LED chip 23b that are adjacent to each other and emit the same emission color are covered with the wavelength conversion unit 24a having the same wavelength conversion characteristics.
  • each of the LED chips 23a to 23c includes a wavelength conversion material 25a containing a phosphor that absorbs the A wavelength component and converts the wavelength component into a C wavelength component that is a complementary color of A (or a different color).
  • the color of the light emitted from each of the wavelength converters 24a to 24c can be matched to the target emission color. Further, it is possible to reduce defects in the light emitting device 21 due to the emission colors of the LED chips 23a to 23c.
  • the LED chip 23a and the LED chip 23b that are adjacent to each other and radiate the same emission color are connected to each other from the nozzle 26a and the nozzle 26a ′ that move in synchronization with each other from the wavelength conversion material 25a and the wavelength conversion material 25b. It is continuously supplied and sealed. Accordingly, the number of man-hours can be reduced as compared with the case where the LED chip 23a and the LED chip 23b are separately supplied and sealed.
  • the LED chips that emit the same emission color are described as two LED chips 23a and 23b adjacent to each other.
  • the light-emitting device to which this embodiment can be applied is not limited to this.
  • LED chips may be sealed by continuously supplying the same wavelength conversion material by moving nozzles, and the separated m LED chips may be individually sealed by supplying the same wavelength conversion material.
  • n ′ of the n LED chips adjacent to each other may be sealed by supplying the same wavelength converting material separately from (n ⁇ n ′).
  • FIG. 5 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in the present embodiment) LED chips 33a to 33c are mounted on a substrate 32, and each LED chip 33a to 33c is mounted. 33c exhibits different emission colors.
  • the LED chips 33a to 33c are continuously covered with wavelength conversion units 34a to 34c having different conversion wavelengths to emit light of a target emission color.
  • the wavelength converter 34a contains a phosphor that absorbs light of a specific wavelength component emitted from the LED chip 33a and generates light of different wavelengths.
  • the other wavelength converters 34b and 34c contain phosphors that absorb light of specific wavelength components emitted from the LED chips 33b and 33c and generate light of different wavelengths, and as a result, each wavelength.
  • the light of the same target emission color is emitted from the conversion units 34a to 34c.
  • FIGS. 6A to 6C and FIGS. 7D to 7F show a method for manufacturing the light emitting device 31 shown in FIG.
  • LED chips 33a to 33c having known light emission characteristics are mounted on a substrate 32 by, for example, a flip chip mounting method.
  • the light emission color of the LED chip 33b has a strong A color
  • the light emission color of the LED chip 33a is slightly stronger in the A color than in the B color. It is assumed that the light emission color of the A color is slightly weaker than the B color.
  • the LED chip 33b includes only a wavelength conversion material 35a containing a phosphor that absorbs the wavelength component of A and converts it into a wavelength component of C color that is a complementary color of A (or a different color). Supply.
  • the LED chip 33a contains a phosphor that supplies the wavelength conversion material 35a and converts the wavelength component of the C color into the wavelength component of the A color that is a complementary color (or a different color) of the C color.
  • the wavelength conversion material 35b to be supplied is supplied in a smaller amount than the wavelength conversion material 35a. Further, the wavelength conversion material 35a may be supplied to the LED chip 33c while the wavelength conversion material 35b may be supplied in a larger amount than the wavelength conversion material 35a.
  • the same wavelength conversion material 35a and wavelength conversion material 35b may be supplied to any of the LED chips 33a to 33c by simply changing the amounts. Therefore, in the present embodiment, supply is performed while continuously moving the nozzle 36a for supplying the wavelength conversion material 35a and the nozzle 36b for supplying the wavelength conversion material 35b to all the LED chips 33a to 33c.
  • the wavelength converters 34a to 34c are continuously formed by changing the amount.
  • the supply amount is expressed by the size of the arrow drawn accompanying the nozzles 36a and 36b.
  • the nozzle 36a for supplying the wavelength conversion material 35a and the nozzle 36b for supplying the wavelength conversion material 35b are moved from the LED chip 33a side to the LED chip 33b side, as shown in FIG. 6C.
  • the wavelength conversion material 35b is supplied from the nozzle 36b in a smaller amount than the wavelength conversion material 35a.
  • the wavelength conversion unit 34a is formed on the LED chip 33a.
  • the nozzle 36a and the nozzle 36b reach an intermediate position between the LED chip 33a and the LED chip 33b, the supply of the wavelength conversion material 35b from the nozzle 36b is stopped, and as shown in FIG. Only the wavelength conversion material 35a is supplied from the nozzle 36a to 33b. In this way, the wavelength conversion part 34b is formed on the LED chip 33b.
  • the supply of the wavelength conversion material 35b from the nozzle 36b is started, and as shown in FIG.
  • the wavelength conversion material 35a is supplied to the nozzle 33c from the nozzle 36a, while the wavelength conversion material 35b is supplied from the nozzle 36b in a larger amount than the wavelength conversion material 35a. In this way, the wavelength converter 34c is formed on the LED chip 33c.
  • the LED chips 33a to 33c are continuously covered with the wavelength conversion units 34a to 34c having different wavelength conversion characteristics.
  • the LED chips 33a to 33c include a wavelength conversion material 35a containing a phosphor that absorbs the A wavelength component and converts the wavelength component into a C wavelength component that is a complementary color of A (or a different color). And a wavelength conversion material 35b containing a phosphor that absorbs the C wavelength component and converts the wavelength of the C color component to the A wavelength component which is a complementary color (or a different color) of the C color, from different nozzles 36a and 36b. I am trying to supply. Accordingly, the balance of the amounts of the wavelength conversion material 35a and the wavelength conversion material 35b supplied is changed according to the difference in the intensity balance between the A color and the B color in the LED chips 33a to 33c.
  • the color of the light emitted from each of the wavelength converters 34a to 34c can be matched with the target emission color. Furthermore, it is possible to reduce defects in the light emitting device 2 due to the emission colors of the LED chips 33a to 33c.
  • the wavelength conversion material 35a and the wavelength conversion material 35b are continuously supplied to all the LED chips 33a to 33c in different amounts from the nozzle 36a and the nozzle 36b that move in synchronization with each other. It is trying to seal. Therefore, the man-hour can be further reduced.
  • the LED chips 43a and 43b adjacent to each other among the LED chips 43a to 43c mounted on the substrate 42 have the same emission color.
  • the nozzle 46a for supplying the wavelength conversion material 45a and the nozzle 46b for supplying the wavelength conversion material 45b are moved from the LED chip 43a side to the LED chip 43b side.
  • the wavelength conversion material 45a is supplied from the nozzle 46a to the LED chip 43a and the LED chip 43b, while the wavelength conversion material 45b is supplied from the nozzle 46b to the wavelength conversion material 45a. Also supply in small quantities. In this way, the wavelength conversion part 44a is formed on the LED chip 43a and the LED chip 43b.
  • the wavelength conversion material 45a is supplied from the nozzle 46a to the LED chip 43c.
  • the wavelength conversion material 45b is supplied from the nozzle 46b in a larger amount than the wavelength conversion material 45a.
  • the wavelength conversion unit 44b is formed on the LED chip 43c.
  • the LED chips 43a to 43c are continuously covered with the wavelength converters 44a and 44b having different characteristics by the nozzle 46a and the nozzle 46b that move in synchronization with each other. Can do.
  • the emission color of the light emitted from the combination of each LED chip and each wavelength conversion unit may be different depending on the purpose, or averaged over a fixed range to be the same emission color. You may design.
  • FIG. 10 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in this embodiment) LED chips 53a to 53c are mounted on a substrate 52, and each LED chip 53a to 53c is mounted. 53c exhibits different emission colors.
  • the LED chips 53a to 53c are individually covered with wavelength conversion units 54a to 54c having the same conversion wavelength, and emit light of a target emission color.
  • the wavelength converters 54a to 54c contain phosphors that absorb light of specific wavelength components emitted from the LED chips 53a to 53c and generate light of different wavelengths. As a result, light of the same target emission color is emitted from each of the wavelength converters 54a to 54c.
  • 11A to 11C show a method for manufacturing the light emitting device 51 shown in FIG.
  • the method of manufacturing the light emitting device 51 first, as shown in FIG. 11A, LED chips 53a to 53c having known light emission characteristics are mounted on a substrate 52 by, for example, a flip chip mounting method. Next, as shown in FIG. 11B, the wavelength conversion material 55 having the same conversion wavelength is supplied to each of the LED chips 53a to 53c.
  • the emission color of the LED chip 53b is A
  • the emission color of the LED chip 53c is B
  • the emission color of the LED chip 53a is an intermediate color between A and B.
  • the LED chip 53a contains a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component into the A wavelength component that is the complementary color (or different color) of B color.
  • a predetermined amount of the wavelength converting material 55 to be supplied is supplied from the nozzle 56a. Further, the wavelength conversion material 55 is supplied to the LED chip 53b from the nozzle 56b in a smaller amount than in the case of the LED chip 53a. Further, the wavelength conversion material 55 is supplied to the LED chip 53c from the nozzle 56c in a larger amount than in the case of the LED chip 53a.
  • the wavelength conversion material 55 supplied to the LED chip 53a becomes a wavelength conversion unit 54a that covers the LED chip 53a with a predetermined thickness.
  • the wavelength conversion material 55 supplied to the LED chip 53b becomes a wavelength conversion unit 54b that covers the LED chip 53b thinner than the predetermined thickness.
  • the wavelength conversion material 55 supplied to the LED chip 53c becomes a wavelength conversion unit 54c that covers the LED chip 53c thicker than the predetermined thickness.
  • the wavelength conversion characteristic is set by changing the amount of absorption of the light of the specific wavelength component by changing the thickness of the wavelength converters 54a to 54c having the same conversion wavelength.
  • the wavelength conversion characteristics of the wavelength converters 54a to 54c are such that the ratio of the phosphors contained is constant, and the thickness for sealing the LED chips 53a to 53c is set according to the emission color of the LED chips 53a to 53c. It is set by doing.
  • the LED chips 53a to 53c include a wavelength conversion material 55 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is the complementary color (or different color) of the B color.
  • a wavelength conversion material 55 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is the complementary color (or different color) of the B color.
  • the color can be aligned with the target emission color. Further, it is possible to reduce defects in the light emitting device 51 due to the light emission colors of the LED chips 53a to 53c.
  • a wavelength conversion material 55 having the same conversion wavelength is supplied to the LED chips 53a to 53c. Therefore, as in the first embodiment, the number of man-hours can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case where wavelength conversion materials having different conversion wavelengths are supplied.
  • FIG. 12 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in this embodiment) LED chips 63a to 63c are mounted on a substrate 62.
  • two or more (two in the present embodiment) LED chips 63a and 63b adjacent to each other among the three LED chips 63a to 63c have the same emission color.
  • One or more (one in the present embodiment) LED chips 63c exhibit different emission colors.
  • the two LED chips 63a and 63b adjacent to each other are covered with a predetermined thickness by the wavelength conversion unit 64a having the same conversion wavelength, and emit light of a target emission color. Further, the remaining one LED chip 63c is covered with a wavelength conversion unit 64b having the same conversion wavelength as that of the wavelength conversion unit 64a to be thinner than the predetermined thickness, and emits light of the target emission color. ing.
  • the wavelength converter 64a contains a phosphor that absorbs light of a specific wavelength component emitted from the LED chips 63a and 63b and generates light of different wavelengths.
  • the other wavelength converter 64b contains a phosphor that absorbs the light of the specific wavelength component emitted from the LED chip 63c and generates the light of the different wavelength. As a result, the light of the same target emission color is emitted from the wavelength converters 64a and 64b.
  • FIG. 13A to 13D show a method for manufacturing the light emitting device 61 shown in FIG.
  • LED chips 63a to 63c whose emission characteristics are known are mounted on a substrate 62 by, for example, a flip chip mounting method.
  • FIG. 13B a wavelength conversion material 65 having the same conversion wavelength is supplied to the LED chip 63a and the LED chip 63c.
  • the light emission color of the LED chip 63c is A
  • the light emission color of the LED chips 63a and 63b is an intermediate color between the A color and the B color.
  • the LED chip 63a includes a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component that is the complementary color (or different color) of B color.
  • the contained wavelength conversion material 65 is supplied from the nozzle 66a so as to cover the LED chip 63a with a predetermined thickness. Further, the wavelength converting material 65 is supplied to the LED chip 63c so as to cover the LED chip 63c thinner than the LED chip 63a from the nozzle 66b.
  • the supply of the wavelength conversion material 65 from the nozzle 66b to the LED chip 63c is terminated.
  • the wavelength conversion material 65 supplied to the LED chip 63c becomes the wavelength conversion unit 64b that covers the LED chip 63c thinner than the predetermined thickness.
  • the nozzle 66a supplying the wavelength converting material 65 is moved to the LED chip 63b side adjacent to the LED chip 63a as it is.
  • the wavelength conversion material 65 is supplied from the nozzle 66a so as to cover the LED chip 63b with the predetermined thickness.
  • the wavelength conversion material 65 supplied to the LED chip 63a becomes the wavelength conversion unit 64a that covers the LED chip 63c with the predetermined thickness.
  • the supply of the wavelength conversion material 65 from the nozzle 66a to the LED chip 63b is terminated.
  • the supplied wavelength converting material 65 becomes the wavelength converting portion 64a that covers the LED chip 63b with the predetermined thickness.
  • the LED chip 63a and the LED chip 63b that are adjacent to each other and emit the same emission color are continuously covered with the wavelength conversion unit 64a having the same conversion wavelength.
  • different wavelength conversion characteristics are set by changing the light absorption amount of the specific wavelength component by changing the thicknesses of the wavelength conversion units 64a and 64b having the same conversion wavelength.
  • the LED chips 63a to 63c include a wavelength conversion material 65 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is the complementary color (or different color) of the B color.
  • a wavelength conversion material 65 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is the complementary color (or different color) of the B color.
  • the wavelength conversion units 64a and 64b can be changed.
  • the color of the emitted light can be matched to the target emission color. Furthermore, it is possible to reduce defects in the light emitting device 61 due to the emission colors of the LED chips 63a to 63c.
  • the LED chip 63a and the LED chip 63b that are adjacent to each other and emit the same emission color are continuously supplied with the wavelength conversion material 65 from the moving nozzle 66a and sealed. Therefore, compared with the case where the LED chip 63a and the LED chip 63b are separately supplied and sealed, the number of man-hours can be reduced.
  • a wavelength conversion material 65 having the same conversion wavelength is supplied to the LED chips 63a to 63c. Therefore, as in the second embodiment, the number of man-hours can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case where wavelength conversion materials having different conversion wavelengths are supplied.
  • the LED chips that emit the same emission color are described as two LED chips 63a and 63b adjacent to each other.
  • the light-emitting device to which this embodiment can be applied is not limited to this.
  • LED chips may be sealed by continuously supplying the same wavelength conversion material by moving nozzles, and the separated m LED chips may be individually sealed by supplying the same wavelength conversion material.
  • n ′ of the n LED chips adjacent to each other may be sealed by supplying the same wavelength converting material separately from (n ⁇ n ′).
  • FIG. 14 is a longitudinal sectional view of a light emitting device according to the present embodiment.
  • two or more (three in the present embodiment) LED chips 73a to 73c are mounted on a substrate 72, and each LED chip 73a to 73c is mounted.
  • 73c exhibits different emission colors.
  • Each of the LED chips 73a to 73c is continuously covered by the wavelength conversion units 74a to 74c having the same conversion wavelength with different thicknesses, and emits light of a target emission color.
  • the wavelength converters 74a to 74c contain phosphors that absorb light of a specific wavelength component emitted from the LED chips 73a to 73c and generate light of different wavelengths.
  • FIGS. 16D to 16F show a method for manufacturing the light emitting device 71 shown in FIG.
  • LED chips 73a to 73c having known light emission characteristics are mounted on a substrate 72 by, for example, a flip chip mounting method.
  • the emission color of the LED chip 73b is A
  • the emission color of the LED chip 73c is B
  • the emission color of the LED chip 73a is an intermediate color between A and B.
  • the wavelength conversion material 75 containing a phosphor that absorbs the wavelength component of B color and converts the wavelength component of the B color into the wavelength component of A color which is complementary color (or different color) of the B color is formed from the nozzle 76 with a predetermined thickness. It supplies so that 73a may be covered.
  • the wavelength conversion unit 74a that covers the LED chip 73a with the predetermined thickness is formed.
  • the nozzle 76 reaches an intermediate position between the LED chip 73a and the LED chip 73b, the supply amount of the wavelength conversion material 75 from the nozzle 76 is reduced, and as shown in FIG. On the other hand, the wavelength conversion material 75 is supplied so as to cover the LED chip 73b thinner than the predetermined thickness. Thus, the wavelength conversion unit 74b that covers the LED chip 73b with a thickness smaller than the predetermined thickness is formed.
  • the nozzle 76 reaches an intermediate position between the LED chip 73b and the LED chip 73c, the supply amount of the wavelength converting material 75 from the nozzle 76 is increased, and as shown in FIG. On the other hand, the wavelength conversion material 75 is supplied so as to cover the LED chip 73c thicker than the predetermined thickness. Thus, the wavelength conversion unit 74c that covers the LED chip 73c with a thickness thicker than the predetermined thickness is formed.
  • each of the LED chips 73a to 73c is continuously covered with the wavelength converters 74a to 74c having the same conversion wavelength and different thicknesses.
  • different wavelength conversion characteristics are set by changing the light absorption amount of the specific wavelength component by changing the thickness of the wavelength conversion units 74a to 74c having the same conversion wavelength.
  • the LED chips 73a to 73c include a wavelength conversion material 75 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is a complementary color (or a different color) of B color.
  • the LED chips 73a to 73c include a wavelength conversion material 75 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is a complementary color (or a different color) of B color.
  • the LED chips 73a to 73c include a wavelength conversion material 75 containing a phosphor that absorbs the B wavelength component and converts the wavelength component to the A wavelength component which is a complementary color (or a different color) of B color.
  • the LED chips 73a to 73c include a wavelength conversion material 75 containing a
  • the wavelength conversion material 75 is continuously supplied from the nozzle 76 to the LED chips 73a to 73c in various amounts, and sealed. Therefore, the number of man-hours can be reduced.
  • the wavelength conversion material 75 having the same conversion wavelength is supplied to the LED chips 73a to 73c. Therefore, as in the third embodiment, the man-hours can be reduced and the cost can be reduced as compared with the case where wavelength conversion materials having different conversion wavelengths are supplied.
  • the LED chips 83a and 83b adjacent to each other among the LED chips 83a to 83c mounted on the substrate 82 have the same emission color.
  • the nozzle 86 that supplies the wavelength conversion material 85 is moved from the LED chip 83a side to the LED chip 83b side, as shown in FIGS. 18C and 19D.
  • the wavelength conversion material 85 is supplied from the nozzle 86 so as to cover the LED chip 83a and the LED chip 83b with a predetermined thickness.
  • the wavelength conversion unit 84a that covers the LED chip 83a and the LED chip 83b with the predetermined thickness is formed.
  • the nozzle 86 when the nozzle 86 reaches an intermediate position between the LED chip 83b and the LED chip 83c, the supply amount of the wavelength converting material 85 from the nozzle 86 is decreased with respect to the LED chip 83c as shown in FIG. 19E. Supply.
  • the wavelength conversion unit 84b that covers the LED chip 83c thinner than the predetermined thickness is formed.
  • each of the LED chips 83a to 83c can be continuously covered by the moving nozzle 86 with the wavelength conversion portions 84a and 84b having the same conversion wavelength and different thicknesses. .
  • the emission color of the light emitted from the combination of each LED chip and each wavelength conversion unit may be different depending on the purpose, or averaged over a fixed range to be the same emission color. You may design.
  • the wavelength conversion material 75 is supplied by changing the supply amount. In that case, when the viscosity of the wavelength conversion material 75 is low, the wavelength conversion material 75 flows from a location where the wavelength conversion material 75 is supplied to a thin location to a location where the wavelength conversion material 75 is supplied thinly, and the LED chips 73a to 73c have a desired thickness. The problem that it cannot be covered occurs.
  • a shallow concave portion 77 is formed around the place where the LED chips 73a to 73c are mounted on the surface of the substrate 72. Then, the width of the concave portion 77 is narrowed between the LED chip 73a and the LED chip 73b and between the LED chip 73b and the LED chip 73c to form narrowed portions 78a and 78b, and around the LED chips 73a to 73c, A circular recess 77 corresponding to the supply amount of the wavelength conversion material 75 is provided.
  • the wavelength conversion material 75 supplied to the LED chip 73a may not flow into the LED chip 73b. In that case, as shown in FIG. 20B, each of the LED chips 73a to 73c can be covered with a desired thickness by the wavelength converters 74a to 74c.
  • the first embodiment shown in FIG. 1 and the fourth embodiment shown in FIG. 10 may be used in combination. That is, for example, even if the wavelength conversion material 15a and the wavelength conversion material 15b are supplied to the LED chip 13a and the LED chip 13c from different nozzles as in the first embodiment, the wavelength conversion units 14a to 14c are provided. When the color of the light emitted from each of the wavelength conversion units cannot be matched with the target emission color, the thicknesses of the wavelength conversion units 14a to 14c are changed as in the fourth embodiment to change the wavelength conversion units. The color of the light emitted from each of 14a to 14c is correctly aligned with the target emission color.
  • the target luminescent color can be accurately obtained in any case. At the same time, it is possible to reduce defects in the light emitting device due to the emission color of the LED chip.
  • each wavelength conversion part is comprised, but, Three or more types are comprised.
  • a phosphor may be included.
  • two or more kinds of phosphors may be included.
  • the phosphor there is CaAlSiN 3 : Eu when the conversion destination color is red, and there is a YAG phosphor when the color is green or yellow.
  • the present invention can be applied to backlight modules and lighting devices including liquid crystal panels, and electronic components, electrical components and electronic devices on which they are mounted.
  • wavelength conversion material 16a, 16a ', 16b, 16c, 16c', 26a, 26a ', 26b, 26b', 36a, 36b, 46a, 46b, 56a, 56b, 56c, 66a, 66b, 76, 86 ... nozzles, 77 ... recess, 78a, 78b ... Stenosis.

Landscapes

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Abstract

　ＬＥＤチップ(１３b)の発光色はＡ色の色味が強く、ＬＥＤチップ(１３c)の発光色はＡ色の色味とＢ色の色味との強さが略半々であり、ＬＥＤチップ(１３a)の発光色はＡ色の色味の方がＢ色の色味よりもやや強い場合に、ＬＥＤチップ(１３a,１３c)に、Ａ色の波長を吸収して補色(または異なる色)であるＣ色に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材(１５a)と、Ｃ色の波長を吸収して上記Ａ色に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材(１５b)とを、夫々異なるノズルから供給する。したがって、ＬＥＤチップ(１３a,１３c)におけるＡ色の色味とＢ色の色味との強さのバランスの違いに応じて、供給される波長変換材(１５a,１５b)の量のバランスを変更することにより、各波長変換部(１４a～１４c)の夫々から出射される光の色を目標とする発光色に揃えることができる。

Description

発光装置
　この発明は、複数のＬＥＤ(Light Emitting Diode：発光ダイオード)チップを搭載した発光装置に関する。
　近年、ＬＥＤを搭載した発光装置が、省電力の点から液晶パネルのバックライトモジュールとして広く利用されている。
　上記バックライトモジュール等においては、一定の発光色である必要があるために、搭載するＬＥＤデバイスを特定の色のＬＥＤデバイスのみにする方法や、図２１に示すように、いくつかの決まった色のＬＥＤチップ１,２を組み合わせて搭載することによって発光装置からの平均的な発光色を一定にする方法が採用される。
　また、特開２００６‐３０３１４０号公報(特許文献１)では、図２２に示すように、発光装置５の発光装置本体８に直接ＬＥＤチップ６を搭載した状態で、ＬＥＤチップ６の発光特性を計測してランク分けする。一方、波長変換部７は、予めＬＥＤチップ６のランクに対応させて各ランク毎に設計製作しておく。そして、ＬＥＤチップ６に対して上記ランクに応じて適切な波長変換部７を選択して組合せ、このような発光装置５を複数用いた発光装置ユニットの発光色を一定にすることが提案されている。
　しかしながら、上記従来の搭載するＬＥＤデバイスを特定の色のＬＥＤデバイスのみにする方法や、決まった色のＬＥＤチップ１,２のみを組み合わせる方法の場合には、発光装置に使用できるＬＥＤデバイスやＬＥＤチップの種類が限定されてしまい、使用できないＬＥＤデバイスやＬＥＤチップが発生するという問題がある。
　また、上記特許文献１に開示された発光装置ユニットにおいては、ＬＥＤチップ６を搭載した後の計測結果によって、組合せ得る波長変換部７が無いと判定された場合には、ＬＥＤチップ６を搭載した状態で不良となり、破棄あるいはリワークによってＬＥＤチップ６を交換する必要があるという問題がある。
特開２００６‐３０３１４０号公報
　そこで、この発明の課題は、異なる発光色を呈する複数のＬＥＤチップから正しく目的とする発光色を得ることができる発光装置を提供することにある。
　上記課題を解決するため、この発明の発光装置は、
　２以上の異なる発光色を呈する２個以上のＬＥＤチップと、
　上記異なる発光色を呈するＬＥＤチップの夫々を封止する互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部と
を備え、
　上記波長変換部は、封止している上記ＬＥＤチップから放射される光のうち互いに異なる波長成分の光を吸収して他の波長成分の光に変換する複数の蛍光体を含んでいる
ことを特徴としている。
　上記構成によれば、２以上の異なる発光色を呈する２個以上のＬＥＤチップの夫々を、上記ＬＥＤチップから放射される光のうち互いに異なる波長成分の光を吸収して他の波長成分の光に変換する複数の蛍光体を含む互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部によって封止している。したがって、上記波長変換部の波長変換特性を、上記複数の蛍光体の割合を変更することによって、上記波長変換部を介して放射される光の色が目的とする色になるように設定すれば、異なる発光色を呈する複数のＬＥＤチップから正しく目的とする発光色を得ることができる。
　すなわち、この発明によれば、使用する上記ＬＥＤチップに応じて上記波長変換部の波長変換特性を設定することができるので、使用できないＬＥＤチップが発生するのを防止できる。したがって、破棄あるいはリワークによってＬＥＤチップを交換する必要も生じない。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記２以上の異なる発光色のうちの少なくとも１つの発光色を呈するＬＥＤチップは、２個以上のＬＥＤチップで成り、
　上記１つの発光色を呈する２個以上のＬＥＤチップのうちの互いに隣接するＬＥＤチップは、同一の波長変換特性を有する上記波長変換部によって連続して封止されている。
　この実施の形態によれば、１つの発光色を呈する互いに隣接するＬＥＤチップを、同一の波長変換特性を有する上記波長変換部によって連続して封止している。したがって、上記互いに隣接するＬＥＤチップを、同一の波長変換特性を有する上記波長変換部によって個別に封止する場合に比して、工数の低減を図ることができ、コストダウンを図ることができる。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記１つの発光色を呈する２個以上のＬＥＤチップのうちの上記同一の波長変換特性を有する波長変換部によって連続して封止されているＬＥＤチップとは異なるＬＥＤチップは、上記同一の波長変換特性を有する波長変換部と同一の波長変換特性を有する波長変換部で封止されている。
　この実施の形態によれば、上記１つの発光色を呈する互いに隣接するＬＥＤチップ以外のＬＥＤチップに関しても、同一の波長変換特性を有する波長変換部で封止することによって、より正しく目的とする発光色を得ることができる。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部は互いに連続して形成されている。
　この実施の形態によれば、互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部をも互いに連続して形成するので、個別に形成する場合に比して工数の更なる低減を図ることができ、コストダウンを図ることができる。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記各ＬＥＤチップから上記波長変換部を介して放射される光の色は、総て同じ色である。
　この実施の形態によれば、上記各ＬＥＤチップから上記波長変換部を介して放射される光の色は、総て同じ色であるので、液晶パネルのバックライトモジュールとして使用可能となる。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記波長変換部は、含まれている上記複数の蛍光体の割合を、封止している上記ＬＥＤチップの発光色に応じた割合にすることにより、上記波長変換特性が設定されている。
　この実施の形態によれば、上記波長変換部に含まれる上記複数の蛍光体の割合を上記ＬＥＤチップの発光色に応じた割合にすることによって、上記各波長変換部における上記波長変換特性が設定されている。したがって、上記ＬＥＤチップを上記波長変換部で封止する際に、例えば第１の蛍光体を含む波長変換材と第２の蛍光体を含む波長変換材との供給量の割合を変更することによって、当該波長変換部の波長変換特性を当該ＬＥＤチップの発光色に応じた特性に設定することができる。
　その結果、使用する上記ＬＥＤチップに応じて上記波長変換部の波長変換特性を設定することが容易に可能になり、異なる発光色を呈する複数のＬＥＤチップから正しく目的とする発光色を得ることができる。
　また、１実施の形態の発光装置では、
　上記波長変換部は、含まれている上記複数の蛍光体の割合を、封止している上記ＬＥＤチップの発光色に応じた割合にすると共に、当該ＬＥＤチップを封止する厚みを、当該ＬＥＤチップの発光色に応じた厚みにすることによって、上記波長変換特性が設定されている。
　この実施の形態によれば、上記波長変換部に含まれる上記複数の蛍光体の割合を上記ＬＥＤチップの発光色に応じた割合にすると共に、当該波長変換部の厚みを当該ＬＥＤチップの発光色に応じた厚みにすることによって、上記各波長変換部における上記波長変換特性が設定されている。したがって、上記ＬＥＤチップを上記波長変換部で封止するに際して、例えば第１の蛍光体を含む波長変換材と第２の蛍光体を含む波長変換材との供給量の割合を変更することによって、当該波長変換部の波長変換特性を当該ＬＥＤチップの発光色に応じた特性に大まかに設定すると共に、当該ＬＥＤチップ上における当該波長変換部の厚みを当該ＬＥＤチップの発光色に応じて調整することによって、当該波長変換部の波長変換特性を、当該ＬＥＤチップの発光色に応じた特性に、より正確に設定することができる。
　以上より明らかなように、この発明の発光装置は、２以上の異なる発光色を呈する２個以上のＬＥＤチップの夫々を、上記ＬＥＤチップから放射される光のうち互いに異なる波長成分の光を吸収する複数の蛍光体を含む、互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部によって封止している。したがって、上記波長変換部の波長変換特性を、上記複数の蛍光体の割合を変更することによって、上記波長変換部を介して放射される光の特定色が目的とする色になるように設定することができ、異なる発光色を呈する複数のＬＥＤチップから正しく目的とする発光色を得ることができる。
　すなわち、この発明によれば、使用する上記ＬＥＤチップに応じて上記波長変換部の波長変換特性を設定することができるので、使用できないＬＥＤチップが発生するのを防止できる。したがって、破棄あるいはリワークによってＬＥＤチップを交換する必要も生じない。
この発明の第１実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図１に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図２Ａに続く製造方法を示す図である。 図２Ｂに続く製造方法を示す図である。 第２実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図３に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図４Ａに続く製造方法を示す図である。 図４Ｂに続く製造方法を示す図である。 図４Ｃに続く製造方法を示す図である。 第３実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図５に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図６Ａに続く製造方法を示す図である。 図６Ｂに続く製造方法を示す図である。 図６Ｃに続く製造方法を示す図である。 図７Ｄに続く製造方法を示す図である。 図７Ｅに続く製造方法を示す図である。 第３実施の形態の変形例における縦断面図である。 図８に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図９Ａに続く製造方法を示す図である。 図９Ｂに続く製造方法を示す図である。 図９Ｃに続く製造方法を示す図である。 図９Ｄに続く製造方法を示す図である。 第４実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図１０に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図１１Ａに続く製造方法を示す図である。 図１１Ｂに続く製造方法を示す図である。 第５実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図１２に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図１３Ａに続く製造方法を示す図である。 図１３Ｂに続く製造方法を示す図である。 図１３Ｃに続く製造方法を示す図である。 第６実施の形態の発光装置における縦断面図である。 図１４に示す上記発光装置の製造方法を示す図である。 図１５Ａに続く製造方法を示す図である。 図１５Ｂに続く製造方法を示す図である。 図１５Ｃに続く製造方法を示す図である。 図１６Ｄに続く製造方法を示す図である。 図１６Ｅに続く製造方法を示す図である。 第６実施の形態の変形例における縦断面図である。 図１７に示す発光装置の製造方法を示す図である。 図１８Ａに続く製造方法を示す図である。 図１８Ｂに続く製造方法を示す図である。 図１８Ｃに続く製造方法を示す図である。 図１９Ｄに続く製造方法を示す図である。 図１９Ｅに続く製造方法を示す図である。 図１５Ａ～図１５Ｃおよび図１６Ｄ～図１６Ｆに示す製造方法の変形例を示す図である。 図２０Ａに続く製造方法の変形例を示す図である。 従来のバックライトモジュールを示す図である。 特許文献１に開示された発光装置ユニットを示す図である。
　以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
　・第１実施の形態
　図１は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置１１は、図１に示すように、基板１２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ１３a～１３cが搭載されており、各ＬＥＤチップ１３a～１３cは、夫々異なる発光色を呈している。そして、各ＬＥＤチップ１３a～１３cは、夫々変換波長が異なる波長変換部１４a～１４cで覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。ここで、上記波長変換部１４aは、ＬＥＤチップ１３aから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。他の波長変換部１４b,１４cも同様に、ＬＥＤチップ１３b,１３cから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有しており、その結果、各波長変換部１４a～１４cからは同じ上記目標とする発光色の光が出射されるのである。
　図２Ａ～図２Ｃは、図１に示す発光装置１１の製造方法を示す。発光装置１１の製造方法においては、先ず、図２Ａに示すように、基板１２上に、発光特性が既知であるＬＥＤチップ１３a～１３cを、例えばフリップチップ実装法等によって実装する。次に、図２Ｂに示すように、夫々のＬＥＤチップ１３a～１３cに対して、互いに異なる波長変換特性を有する波長変換材１５a,１５bを供給する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ１３bの発光色はＡ色の色味が強く、ＬＥＤチップ１３cの発光色はＡ色の色味とＢ色の色味との強さが略半々であり、ＬＥＤチップ１３aの発光色はＡ色の色味の方がＢ色の色味よりもやや強いとする。その場合には、図２Ｂに示すように、ＬＥＤチップ１３bには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(あるいは異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材１５aのみを、ノズル１６bから供給する。尚、上記Ｂ色は、上記Ａ色と上記Ｃ色との中間色である。
　また、上記ＬＥＤチップ１３cには、上記波長変換材１５aをノズル１６cから供給する一方、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材１５bをノズル１６c'から波長変換材１５aと略同量だけ供給する。また、ＬＥＤチップ１３aには、波長変換材１５aをノズル１６aから供給する一方、波長変換材１５bをノズル１６a'から波長変換材１５aよりも少ない量で供給する。
　ここで、上記ノズル１６a,１６a',１６b,１６c,１６c'の先端に描かれている波長変換材１５a,１５bの大きさで、供給量を表現している。以下、図４Ｂ～図４Ｃ,図１１Ｂ,図１３Ｂにおいても同様である。
　そして、図２Ｃに示すように、ＬＥＤチップ１３bに供給された波長変換材１５aは、波長変換部１４bとなる。また、ＬＥＤチップ１３cに略同量供給された波長変換材１５aと波長変換材１５bとは、波長変換部１４cとなる。また、ＬＥＤチップ１３aに供給された波長変換材１５aと波長変換材１５aよりも少ない量の波長変換材１５bとは、波長変換部１４aとなる。
　その場合、上記ＬＥＤチップ１３aとＬＥＤチップ１３cとには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(あるいは異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材１５aと、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材１５bとを、夫々異なるノズルから供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ１３aとＬＥＤチップ１３cとにおけるＡ色の色味とＢ色の色味との強さのバランスの違いに応じて、供給される波長変換材１５aと波長変換材１５bとの量のバランスを変更することによって、各波長変換部１４a～１４cの夫々から出射される光の色を目標とする発光色に揃えることができるのである。さらに、ＬＥＤチップ１３a～１３cの発光色に起因する発光装置１１の不良を低減することができる。
　すなわち、本実施の形態においては、上記波長変換部１４a～１４cの波長変換特性は、含まれている複数の波長変換特性の蛍光体の割合を、封止しているＬＥＤチップの発光色に応じた割合にすることによって設定されるのである。
　その結果、本実施の形態によれば、目標とする色のＬＥＤデバイスのみを用いる方法や決まった色のＬＥＤチップのみを組み合わせて用いる方法の場合のごとく、使用できないＬＥＤチップが発生することはない。さらに、上記ＬＥＤデバイスや上記ＬＥＤチップを実装した後に目標とは異なる発光色となった場合に、得られた発光装置を破棄したりリワークによって上記ＬＥＤデバイスや上記ＬＥＤチップを交換する必要もない。また、上記特許文献１に開示された発光装置ユニットの場合のごとく、事前に準備した波長変換部の中に組合せ得る波長変換部が無いため破棄あるいはリワークする必要もなくなる。
　・第２実施の形態
　図３は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置２１は、図３に示すように、基板２２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ２３a～２３cが搭載されている。但し、本実施の形態においては、上記３個のＬＥＤチップ２３a～２３cのうちの互いに隣接する２個以上(本実施の形態では２個)のＬＥＤチップ２３a,２３bが同等の発光色であり、他の１個以上(本実施の形態では１個)のＬＥＤチップ２３cは異なる発光色を呈している。
　そして、上記互いに隣接する２個のＬＥＤチップ２３a,２３bは変換波長が同じ波長変換部２４aで覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。また、残りの１個のＬＥＤチップ２３cは、波長変換部２４aとは変換波長が異なる波長変換部２４bで覆われて、上記目標とする発光色の光を放射するようになっている。
　ここで、上記波長変換部２４aは、ＬＥＤチップ２３a,２３bから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。また、他の波長変換部２４bも同様に、ＬＥＤチップ２３cから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。その結果、各波長変換部２４a,２４bからは同じ上記目標とする発光色の光が出射されるのである。
　図４Ａ～図４Ｄは、図３に示す発光装置２１の製造方法を示す。先ず、図４Ａに示すように、基板２２上に、発光特性が既知であるＬＥＤチップ２３a～２３cを、例えばフリップチップ実装法等によって実装する。次に、図４Ｂに示すように、ＬＥＤチップ２３aとＬＥＤチップ２３cとに対して、互いに異なる波長変換特性を有する波長変換材２５a,２５bを供給する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ２３cの発光色はＡ色の色味とＢ色の色味との強さが略半々であり、ＬＥＤチップ２３a,２３bの発光色はＡ色の色味の方がＢ色の色味よりもやや強いとする。その場合には、図４Ｂに示すように、ＬＥＤチップ２３cには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(または異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材２５aをノズル２６bから供給する一方、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材２５bをノズル２６b'から波長変換材２５aと略同量だけ供給する。また、ＬＥＤチップ２３aには、波長変換材２５aをノズル２６aから供給する一方、波長変換材２５bをノズル２６a'から波長変換材２５aよりも少ない量で供給する。
　次に、図４Ｃに示すように、上記ＬＥＤチップ２３cに対するノズル２６bからの波長変換材２５aの供給とノズル２６b'からの波長変換材２５bの供給とを終了する。そして、ＬＥＤチップ２３cに同量供給された波長変換材２５aと波長変換材２５bとは、波長変換部２４bとなる。これに対して、波長変換材２５aを供給しているノズル２６aと波長変換材２５bを供給しているノズル２６a'とは、ＬＥＤチップ２３aに隣接するＬＥＤチップ２３b側に移動される。そして、ＬＥＤチップ２３bに、波長変換材２５aをノズル２６aから供給する一方、波長変換材２５bをノズル２６a'から波長変換材２５aよりも少ない量で供給する。その間、ＬＥＤチップ２３aに供給された波長変換材２５aと波長変換材２５bとは、波長変換部２４aとなる。
　次に、図４Ｄに示すように、上記ＬＥＤチップ２３bに対するノズル２６aからの波長変換材２５aの供給と、ノズル２６a'からの波長変換材２５bの供給とを終了する。こうして、供給された波長変換材２５aと波長変換材２５bとは、波長変換部２４aとなる。その結果、互いに隣接すると共に同等の発光色を放射するＬＥＤチップ２３aとＬＥＤチップ２３bとは、同じ波長変換特性の波長変換部２４aで覆われることになる。
　その場合、上記ＬＥＤチップ２３a～２３cには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(あるいは異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材２５aと、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材２５bとを、夫々異なるノズルから供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ２３a,２３bとＬＥＤチップ２３cとにおけるＡ色の色味とＢ色の色味との強さのバランスの違いに応じて、供給する波長変換材２５aと波長変換材２５bとの量のバランスを変更することにより、各波長変換部２４a～２４cの夫々から出射される光の色を上記目標とする発光色に揃えることができるのである。さらに、ＬＥＤチップ２３a～２３cの発光色に起因する発光装置２１の不良を低減することができる。
　さらに、互いに隣接すると共に、同等の発光色を放射するＬＥＤチップ２３aとＬＥＤチップ２３bとは、互いに同期して移動するノズル２６aとノズル２６a'とから、波長変換材２５aと波長変換材２５bとを連続して供給して封止するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ２３aとＬＥＤチップ２３bとに個別に供給して封止する場合に比して、工数の低減を図ることが可能になる。
　尚、本実施の形態においては、同等の発光色を放射するＬＥＤチップは互いに隣接する２個のＬＥＤチップ２３a,２３bであるとして説明しているが。本実施の形態が適用できる発光装置は、これに限定されるものではない。例えば、同等の発光色を放射するＬＥＤチップとして、互いに隣接するｎ(ｎ≧２)個のＬＥＤチップとこれらとは分離したｍ個のＬＥＤチップとが在る場合に、上記互いに隣接するｎ個のＬＥＤチップは移動するノズルによって同一の波長変換材を連続して供給して封止し、分離したｍ個のＬＥＤチップは個々に上記同一の波長変換材を供給して封止してもよい。その場合、上記互いに隣接するｎ個のＬＥＤチップのうちのｎ'個は、(ｎ－ｎ')個とは別に上記同一の波長変換材を供給して封止してもよい。
　・第３実施の形態
　図５は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置３１は、図５に示すように、基板３２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ３３a～３３cが搭載されており、各ＬＥＤチップ３３a～３３cは、夫々異なる発光色を呈している。そして、各ＬＥＤチップ３３a～３３cは、夫々変換波長が異なる波長変換部３４a～３４cで連続して覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。ここで、波長変換部３４aは、ＬＥＤチップ３３aから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。他の波長変換部３４b,３４cも同様に、ＬＥＤチップ３３b,３３cから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有しており、その結果、各波長変換部３４a～３４cからは同じ上記目標とする発光色の光が出射されるのである。
　図６Ａ～図６Ｃおよび図７Ｄ～図７Ｆは、図５に示す発光装置３１の製造方法を示す。先ず、図６Ａに示すように、基板３２上に、発光特性が既知であるＬＥＤチップ３３a～３３cを、例えばフリップチップ実装法等によって実装する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ３３bの発光色はＡ色の色味が強く、ＬＥＤチップ３３aの発光色はＡ色の色味の方がＢ色の色味よりもやや強く、ＬＥＤチップ３３cの発光色はＡ色の色味の方がＢ色の色味よりもやや弱いとする。その場合には、ＬＥＤチップ３３bには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(または異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材３５aのみを供給する。また、ＬＥＤチップ３３aには、波長変換材３５aを供給する一方、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材３５bを波長変換材３５aよりも少ない量で供給する。また、ＬＥＤチップ３３cには、波長変換材３５aを供給する一方、波長変換材３５bを波長変換材３５aよりも多い量で供給すればよい。
　つまり、上記ＬＥＤチップ３３a～３３cの何れにも、同じ波長変換材３５aと波長変換材３５bとを単に量を換えて供給すればよい。そこで、本実施の形態においては、総てのＬＥＤチップ３３a～３３cに対して、波長変換材３５aを供給するノズル３６aと波長変換材３５bを供給するノズル３６bとを連続して移動させながら、供給量を変化させて、波長変換部３４a～３４cを連続して形成するのである。
　ここで、上記ノズル３６a,３６bに付随して描かれた矢印の大きさで、供給量を表現している。以下、図９Ｂ～図９Ｄ,図１５Ｂ～図２５Ｃ,図１６Ｄ～図１６Ｅ,図１８Ｂ～図１８Ｃ,図１９Ｄ～図１９Ｅにおいても同様である。
　先ず、図６Ｂに示すように、上記波長変換材３５aを供給するノズル３６aと波長変換材３５bを供給するノズル３６bとを、ＬＥＤチップ３３a側からＬＥＤチップ３３b側に移動させながら、図６Ｃに示すように、ＬＥＤチップ３３aに対し、波長変換材３５aをノズル３６aから供給する一方、波長変換材３５bをノズル３６bから波長変換材３５aよりも少ない量で供給する。こうして、ＬＥＤチップ３３a上に波長変換部３４aが形成される。
　次に、上記ノズル３６aとノズル３６bとが、ＬＥＤチップ３３aとＬＥＤチップ３３bとの中間位置に至ると、ノズル３６bからの波長変換材３５bの供給を停止し、図７Ｄに示すように、ＬＥＤチップ３３bに対して、波長変換材３５aのみをノズル３６aから供給する。こうして、ＬＥＤチップ３３b上に波長変換部３４bが形成される。
　次に、上記ノズル３６aとノズル３６bとが、ＬＥＤチップ３３bとＬＥＤチップ３３cとの中間位置に至ると、ノズル３６bからの波長変換材３５bの供給を開始し、図７Ｅに示すように、ＬＥＤチップ３３cに対して、波長変換材３５aをノズル３６aから供給する一方、波長変換材３５bをノズル３６bから波長変換材３５aより多い量で供給する。こうして、ＬＥＤチップ３３c上に波長変換部３４cが形成される。
　こうして、図７Ｆに示すように、ＬＥＤチップ３３a～３３cは、夫々異なる波長変換特性の波長変換部３４a～３４cで連続して覆われる。
　その場合、上記ＬＥＤチップ３３a～３３cには、Ａ色の波長成分を吸収してＡ色の補色(あるいは異なる色)であるＣ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材３５aと、Ｃ色の波長成分を吸収してＣ色の補色(あるいは異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材３５bとを、夫々異なるノズル３６a,３６bから供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ３３a～３３cにおけるＡ色の色味とＢ色の色味との強さのバランスの違いに応じて、供給される波長変換材３５aと波長変換材３５bとの量のバランスを変更することによって、各波長変換部３４a～３４cの夫々から出射される光の色を上記目標とする発光色に揃えることができる。さらには、ＬＥＤチップ３３a～３３cの発光色に起因する発光装置２の不良を低減することができるのである。
　さらに、上記総てのＬＥＤチップ３３a～３３cに対して、互いに同期して移動するノズル３６aとノズル３６bとから、波長変換材３５aと波長変換材３５bとを量を変えて連続して供給して封止するようにしている。したがって、工数のさらなる低減を図ることが可能になる。
　本実施の形態における変形例として、図８に示す発光装置４１のように、基板４２上に実装されたＬＥＤチップ４３a～４３cのうちの互いに隣接するＬＥＤチップ４３a,４３bが同等の発光色であり、他のＬＥＤチップ４３cは異なる発光色を呈している場合には、波長変換材４５aを供給するノズル４６aと波長変換材４５bを供給するノズル４６bとを、ＬＥＤチップ４３a側からＬＥＤチップ４３b側に移動させながら、図９Ｂ,図９Ｃに示すように、ＬＥＤチップ４３aおよびＬＥＤチップ４３bに対して、波長変換材４５aをノズル４６aから供給する一方、波長変換材４５bをノズル４６bから波長変換材４５aよりも少ない量で供給する。こうして、ＬＥＤチップ４３aおよびＬＥＤチップ４３b上に波長変換部４４aが形成される。
　さらに、上記ノズル４６aとノズル４６bとが、ＬＥＤチップ４３bとＬＥＤチップ４３cとの中間位置に至ると、図９Ｄに示すように、ＬＥＤチップ４３cに対して、波長変換材４５aをノズル４６aから供給する一方、波長変換材４５bをノズル４６bから波長変換材４５aより多い量で供給する。こうして、ＬＥＤチップ４３c上に波長変換部４４bが形成される。
　以上のようにして、図９Ｅに示すように、ＬＥＤチップ４３a～４３cは、互いに同期して移動するノズル４６aとノズル４６bとによって、夫々異なる特性の波長変換部４４a,４４bで連続して覆うことができる。
　上記第１実施の形態～第３実施の形態においては、総てのＬＥＤチップから放出された光は、対応する波長変換部を通して、同じ目標とする発光色の光を出射させる場合を例に説明しているが、この発明はこれに限定されるものではない。
　例えば、各ＬＥＤチップと各波長変換部との組合せから出射される光の発光色は、目的に応じて夫々異なっていてもよいし、決まった範囲で平均化されて同じ発光色となるように設計してもよい。
　・第４実施の形態
　図１０は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置５１は、図１０に示すように、基板５２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ５３a～５３cが搭載されており、各ＬＥＤチップ５３a～５３cは、夫々異なる発光色を呈している。そして、上記各ＬＥＤチップ５３a～５３cは、夫々変換波長が同一の波長変換部５４a～５４cで個別に覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。ここで、波長変換部５４a～５４cは、ＬＥＤチップ５３a～５３cから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。その結果、夫々の波長変換部５４a～５４cからは同じ目標とする発光色の光が出射されるのである。
　図１１Ａ～図１１Ｃは、図１０に示す発光装置５１の製造方法を示す。発光装置５１の製造方法においては、先ず、図１１Ａに示すように、基板５２上に、発光特性が既知であるＬＥＤチップ５３a～５３cを、例えばフリップチップ実装法等により実装する。次に、図１１Ｂに示すように、夫々のＬＥＤチップ５３a～５３cに対して、変換波長が同じ波長変換材５５を供給する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ５３bの発光色はＡ色であり、ＬＥＤチップ５３cの発光色はＢ色であり、ＬＥＤチップ５３aの発光色はＡ色とＢ色の中間色であるとする。その場合は、図１１Ｂに示すように、ＬＥＤチップ５３aには、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材５５を、ノズル５６aから所定量だけ供給する。また、ＬＥＤチップ５３bには、波長変換材５５をノズル５６bからＬＥＤチップ５３aの場合よりも少ない量で供給する。また、ＬＥＤチップ５３cには、波長変換材５５をノズル５６cからＬＥＤチップ５３aの場合よりも多い量で供給する。
　そして、図１１Ｃに示すように、上記ＬＥＤチップ５３aに供給された波長変換材５５は、ＬＥＤチップ５３aを所定の厚みで覆う波長変換部５４aとなる。また、ＬＥＤチップ５３bに供給された波長変換材５５は、ＬＥＤチップ５３bを上記所定の厚みよりも薄く覆う波長変換部５４bとなる。また、ＬＥＤチップ５３cに供給された波長変換材５５は、ＬＥＤチップ５３cを上記所定の厚みよりも厚く覆う波長変換部５４cとなる。こうして、ＬＥＤチップ５３a～５３cからの発光色におけるＢ色の色味の強さに応じて、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材５５の量を変えることによって、夫々の波長変換部５４a～５４cからは同じ上記目標とする発光色の光が出射されるようにできるのである。
　すなわち、本実施の形態においては、変換波長が同一の波長変換部５４a～５４cの厚みを変えることによって上記特定波長成分の光の吸収量を変えて、波長変換特性を設定するのである。つまり、波長変換部５４a～５４c波長変換特性は、含まれている蛍光体の割合を一定割合とし、ＬＥＤチップ５３a～５３cを封止する厚みをＬＥＤチップ５３a～５３cの発光色に応じた厚みにすることによって設定されるのである。
　その場合、上記ＬＥＤチップ５３a～５３cには、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材５５を、夫々異なるノズル５６a～５６cから供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ５３a～５３cにおけるＢ色の色味の強さに応じて、供給される波長変換材５５の量を変更することによって、各波長変換部５４a～５４cの夫々から出射される光の色を上記目標とする発光色に揃えることができるのである。さらに、ＬＥＤチップ５３a～５３cの発光色に起因する発光装置５１の不良を低減することができるのである。
　さらに、上記ＬＥＤチップ５３a～５３cには、変換波長が同じ波長変換材５５を供給するようにしている。したがって、上記第１実施の形態のごとく、夫々変換波長が異なる波長変換材を供給する場合に比べて、工数の低減を図り、コストダウンを図ることができるのである。
　・第５実施の形態
　図１２は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置６１は、図１２に示すように、基板６２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ６３a～６３cが搭載されている。但し、本実施の形態では、上記３個のＬＥＤチップ６３a～６３cのうちの互いに隣接する２個以上(本実施の形態では２個)のＬＥＤチップ６３a,６３bが同等の発光色であり、他の１個以上(本実施の形態では１個)のＬＥＤチップ６３cは異なる発光色を呈している。
　そして、上記互いに隣接する２個のＬＥＤチップ６３a,６３bは変換波長が同じ波長変換部６４aによって所定の厚みで覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。また、残りの１個のＬＥＤチップ６３cは、波長変換部６４aと変換波長が同じ波長変換部６４bによって上記所定の厚みより薄く覆われて、上記目標とする発光色の光を放射するようになっている。
　ここで、上記波長変換部６４aは、ＬＥＤチップ６３a,６３bから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。また、他の波長変換部６４bも同様に、ＬＥＤチップ６３cから放射される上記特定波長成分の光を吸収して上記異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。その結果、波長変換部６４a,６４bからは同じ上記目標とする発光色の光が出射されるのである。
　図１３Ａ～図１３Ｄは、図１２に示す発光装置６１の製造方法を示す。先ず、図１３Ａに示すように、基板６２上に、発光特性が既知であるＬＥＤチップ６３a～６３cを、例えばフリップチップ実装法等によって実装する。次に、図１３Ｂに示すように、ＬＥＤチップ６３aとＬＥＤチップ６３cとに対して、変換波長が同一の波長変換材６５を供給する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ６３cの発光色はＡ色であり、ＬＥＤチップ６３a,６３bの発光色はＡ色とＢ色との中間色であるとする。その場合には、図１３Ｂに示すように、ＬＥＤチップ６３aには、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材６５を、ノズル６６aから所定の厚みでＬＥＤチップ６３aを覆うように供給する。また、ＬＥＤチップ６３cには、波長変換材６５を、ノズル６６bからＬＥＤチップ６３aの場合よりも薄くＬＥＤチップ６３cを覆うように供給する。
　次に、図１３Ｃに示すように、上記ＬＥＤチップ６３cに対するノズル６６bからの波長変換材６５の供給を終了する。そして、ＬＥＤチップ６３cに供給された波長変換材６５は、ＬＥＤチップ６３cを上記所定の厚みよりも薄く覆う波長変換部６４bとなる。これに対し、波長変換材６５を供給しているノズル６６aは、そのままＬＥＤチップ６３aに隣接するＬＥＤチップ６３b側に移動される。そして、ＬＥＤチップ６３bに対して、波長変換材６５をノズル６６aから上記所定の厚みで覆うように供給する。その間、ＬＥＤチップ６３aに供給された波長変換材６５は、ＬＥＤチップ６３cを上記所定の厚みで覆う波長変換部６４aとなる。
　次に、図１３Ｄに示すように、上記ＬＥＤチップ６３bに対するノズル６６aからの波長変換材６５の供給を終了する。こうして、供給された波長変換材６５は、ＬＥＤチップ６３bを上記所定の厚みで覆う波長変換部６４aとなる。その結果、互いに隣接すると共に同等の発光色を放射するＬＥＤチップ６３aとＬＥＤチップ６３bとは、変換波長が同じ波長変換部６４aで連続して覆われることになる。
　すなわち、本実施の形態においては、変換波長が同一の波長変換部６４a,６４bの厚みを変えることによって上記特定波長成分の光の吸収量を変えて、異なる波長変換特性を設定するのである。
　その場合、上記ＬＥＤチップ６３a～６３cには、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材６５を、夫々異なるノズル６６a,６６bから供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ６３a,６３bとＬＥＤチップ６３cとにおけるＢ色の色味の強さに応じて、供給される波長変換材６５の量を変更することにより、各波長変換部６４a,６４bの夫々から出射される光の色を上記目標とする発光色に揃えることができるのである。さらに、ＬＥＤチップ６３a～６３cの発光色に起因する発光装置６１の不良を低減することができる。
　さらに、互いに隣接すると共に、同等の発光色を放射するＬＥＤチップ６３aとＬＥＤチップ６３bとには、移動するノズル６６aから、波長変換材６５を連続して供給して封止するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ６３aとＬＥＤチップ６３bとに個別に供給して封止する場合に比して、工数の低減を図ることが可能になる。
　さらに、上記ＬＥＤチップ６３a～６３cには、変換波長が同じ波長変換材６５を供給するようにしている。したがって、上記第２実施の形態のごとく、夫々変換波長が異なる波長変換材を供給する場合に比べて、工数の低減を図り、コストダウンを図ることができるのである。
　尚、本実施の形態においては、同等の発光色を放射するＬＥＤチップは互いに隣接する２個のＬＥＤチップ６３a,６３bであるとして説明しているが。本実施の形態が適用できる発光装置は、これに限定されるものではない。例えば、同等の発光色を放射するＬＥＤチップとして、互いに隣接するｎ(ｎ≧２)個のＬＥＤチップとこれらとは分離したｍ個のＬＥＤチップとが在る場合に、上記互いに隣接するｎ個のＬＥＤチップは移動するノズルによって同一の波長変換材を連続して供給して封止し、分離したｍ個のＬＥＤチップは個々に上記同一の波長変換材を供給して封止してもよい。その場合、上記互いに隣接するｎ個のＬＥＤチップのうちのｎ'個は、(ｎ－ｎ')個とは別に上記同一の波長変換材を供給して封止してもよい。
　・第６実施の形態
　図１４は、本実施の形態の発光装置における縦断面図である。本実施の形態における発光装置７１は、図１４に示すように、基板７２上に２個以上(本実施の形態では３個)のＬＥＤチップ７３a～７３cが搭載されており、各ＬＥＤチップ７３a～７３cは、夫々異なる発光色を呈している。そして、各ＬＥＤチップ７３a～７３cは、夫々変換波長が同じ波長変換部７４a～７４cで連続して且つ異なる厚みで覆われて、目標とする発光色の光を放射するようになっている。ここで、波長変換部７４a～７４cは、ＬＥＤチップ７３a～７３cから放射される特定波長成分の光を吸収して異なる波長の光を発生する蛍光体を含有している。
　図１５Ａ～図１５Ｃおよび図１６Ｄ～図１６Ｆは、図１４に示す上記発光装置７１の製造方法を示す。先ず、図１５Ａに示すように、基板７２上に、発光特性が既知のＬＥＤチップ７３a～７３cを、例えばフリップチップ実装法等によって実装する。
　ここで、例えば、上記ＬＥＤチップ７３bの発光色はＡ色であり、ＬＥＤチップ７３cの発光色はＢ色であり、ＬＥＤチップ７３aの発光色はＡ色とＢ色の中間色であるとする。その場合には、図１５Ｂに示すように、波長変換材７５を供給するノズル７６を、ＬＥＤチップ７３a側からＬＥＤチップ７３b側に移動させながら、図１５Ｃに示すように、ＬＥＤチップ７３aに対して、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材７５を、ノズル７６から所定の厚みでＬＥＤチップ７３aを覆うように供給する。こうして、ＬＥＤチップ７３a上を上記所定の厚みで覆う波長変換部７４aが形成される。
　次に、上記ノズル７６が、ＬＥＤチップ７３aとＬＥＤチップ７３bとの中間位置に至ると、ノズル７６からの波長変換材７５の供給量を減少させて、図１６Ｄに示すように、ＬＥＤチップ７３bに対して、波長変換材７５を上記所定の厚みよりも薄くＬＥＤチップ７３bを覆うように供給する。こうして、ＬＥＤチップ７３b上を上記所定の厚みよりも薄い厚みで覆う波長変換部７４bが形成される。
　次に、上記ノズル７６が、ＬＥＤチップ７３bとＬＥＤチップ７３cとの中間位置に至ると、ノズル７６からの波長変換材７５の供給量を増大させて、図１６Ｅに示すように、ＬＥＤチップ７３cに対して、波長変換材７５を上記所定の厚みよりも厚くＬＥＤチップ７３cを覆うように供給する。こうして、ＬＥＤチップ７３c上を上記所定の厚みよりも厚い厚みで覆う波長変換部７４cが形成される。
　こうして、図１６Ｆに示すように、ＬＥＤチップ７３a～７３cの夫々は、変換波長が同一であって厚みが異なる波長変換部７４a～７４cで連続して覆われる。
　すなわち、本実施の形態においては、変換波長が同一の波長変換部７４a～７４cの厚みを変えることによって上記特定波長成分の光の吸収量を変えて、異なる波長変換特性を設定するのである。
　その場合、上記ＬＥＤチップ７３a～７３cには、Ｂ色の波長成分を吸収してＢ色の補色(または異なる色)であるＡ色の波長成分に波長変換する蛍光体を含有する波長変換材７５を、同一のノズル７６から供給量を変えて供給するようにしている。したがって、ＬＥＤチップ７３a～７３cの発光色におけるＢ色の色味の強さに応じて、供給される波長変換材７５の量を変化させることによって、各波長変換部７４a～７４cの夫々から出射される光の色を上記目標とする発光色に揃えることができるのである。さらには、ＬＥＤチップ７３a～７３cの発光色に起因する発光装置７１の不良を低減することができる。
　さらに、上記総てのＬＥＤチップ７３a～７３cに対して、ノズル７６から、波長変換材７５を量を変えて連続して供給して封止するようにしている。したがって、工数の低減を図ることが可能になる。
　さらに、上記ＬＥＤチップ７３a～７３cには、変換波長が同じ波長変換材７５を供給するようにしている。したがって、上記第３実施の形態のごとく、夫々変換波長が異なる波長変換材を供給する場合に比べて、工数の低減を図り、コストダウンを図ることができるのである。
　本実施の形態における変形例として、図１７に示す発光装置８１のように、基板８２上に実装されたＬＥＤチップ８３a～８３cのうち互いに隣接するＬＥＤチップ８３a,８３bが同等の発光色であり、他のＬＥＤチップ８３cは異なる発光色を呈している場合には、波長変換材８５を供給するノズル８６を、ＬＥＤチップ８３a側からＬＥＤチップ８３b側に移動させながら、図１８Ｃ,図１９Ｄに示すように、ＬＥＤチップ８３aおよびＬＥＤチップ８３bに対して、波長変換材８５をノズル８６から所定の厚みで覆うように供給する。こうして、ＬＥＤチップ８３aおよびＬＥＤチップ８３b上を上記所定の厚みで覆う波長変換部８４aが形成される。
　さらに、上記ノズル８６が、ＬＥＤチップ８３bとＬＥＤチップ８３cとの中間位置に至ると、図１９Ｅに示すように、ＬＥＤチップ８３cに対して、波長変換材８５をノズル８６から供給量を減少させて供給する。こうして、ＬＥＤチップ８３c上を上記所定の厚みよりも薄く覆う波長変換部８４bが形成される。
　以上のようにして、図１９Ｅに示すように、ＬＥＤチップ８３a～８３cの夫々は、移動するノズル８６によって、変換波長が同一で厚みが異なる波長変換部８４a,８４bで連続して覆うことができる。
　上記第４実施の形態～第６実施の形態においては、総てのＬＥＤチップから放出された光は、対応する波長変換部を通して、同じ目標とする発光色の光を出射させる場合を例に説明しているが、これに限定されるものではない。
　例えば、各ＬＥＤチップと各波長変換部との組合せから出射される光の発光色は、目的に応じて夫々異なっていてもよいし、決まった範囲で平均化されて同じ発光色となるように設計してもよい。
　尚、図１５Ａ～図１５Ｃおよび図１６Ｄ～図１６Ｆに示す発光装置７１の製造方法においては、上記移動するノズル７６から、ＬＥＤチップ７３a～７３cの発光色におけるＢ色の色味の強さに応じて、供給量を変えて波長変換材７５を供給するようにしている。その場合、波長変換材７５の粘性が低い場合には、波長変換材７５が厚く供給された箇所から薄く供給された箇所に波長変換材７５が流れて、目的とする厚みでＬＥＤチップ７３a～７３cを覆うことができないという問題が発生する。
　そこで、図２０Ａに示すように、基板７２の表面におけるＬＥＤチップ７３a～７３cの搭載箇所の周囲に浅い凹部７７を形成する。そして、ＬＥＤチップ７３aとＬＥＤチップ７３bとの間およびＬＥＤチップ７３bとＬＥＤチップ７３cとの間において凹部７７の幅を狭めて狭窄部７８a,７８bを形成し、各ＬＥＤチップ７３a～７３cの周囲に、波長変換材７５の供給量に応じた円形の凹部７７を設ける。そして、例えばＬＥＤチップ７３aに供給された波長変換材７５がＬＥＤチップ７３bの箇所に流れ込まないようにしてもよい。その場合には、図２０Ｂに示すように、各ＬＥＤチップ７３a～７３cを波長変換部７４a～７４cによって所望の厚みで覆うことが可能になる。
　さらに、他の実施の形態として、図１に示す上記第１実施の形態と図１０に示す上記第４実施の形態とを併用してもよい。すなわち、例えば、上記第１実施の形態のように、ＬＥＤチップ１３aとＬＥＤチップ１３cとに波長変換材１５aと波長変換材１５bとを夫々異なるノズルから供給しても、各波長変換部１４a～１４cの夫々から出射される光の色を目標とする発光色に揃えることができない場合には、上記第４実施の形態のように波長変換部１４a～１４cの厚みを変化させて、各波長変換部１４a～１４cの夫々から出射される光の色を目標とする発光色に正しく揃えるのである。
　また、図３に示す上記第２実施の形態と図１２に示す第５実施の形態とを併用しても、または、図５に示す上記第３実施の形態と図１４に示す第６実施の形態とを併用しても、または、図８に示す上記第３実施の形態の変形例と図１７に示す第６実施の形態の変形例とを併用しても、上記第１実施の形態と上記第４実施の形態との併用の場合と同様のことが可能になる。
　その場合に、何れの併用の場合においても、正確に狙いの発光色を得ることが可能である。それと共に、ＬＥＤチップの発光色に起因する発光装置の不良を低減させることができるのである。
　尚、上記第１実施の形態から上記第３実施の形態においては、異なる色の波長成分を吸収する２種の蛍光体を含有させて各波長変換部を構成しているが、３種以上の蛍光体を含有させても構わない。同様に、上記第４実施の形態から上記第６実施の形態においては、２種以上の蛍光体を含有させても構わない。
　また、上記蛍光体の一例としては、変換先の色が赤色の場合にはＣaＡlＳiＮ3:Ｅu等があり、緑色や黄色の場合にはＹＡＧ蛍光体がある。
　本発明は、液晶パネルを始めとするバックライトモジュールや照明機器、および、それらを搭載する電子部品,電気部品および電子機器に適用することができる。
１１,２１,３１,４１,５１,６１,７１,８１…発光装置、
１２,２２,３２,４２,５２,６２,７２,８２…基板、
１３a～１３c,２３a～２３c,３３a～３３c,４３a～４３c,５３a～５３c,６３a～６３c,７３a～７３c,８３a～８３c…ＬＥＤチップ、
１４a～１４c,２４a,２４b,３４a～３４c,４４a,４４b,５４a～５４c,６４a,６４b,７４a～７４c,８４a,８４b…波長変換部、
１５a,１５b,２５a,２５b,３５a,３５b,４５a,４５b,５５,６５,７５,８５…波長変換材、
１６a,１６a',１６b,１６c,１６c',２６a,２６a',２６b,２６b',３６a,３６b,４６a,４６b,５６a,５６b,５６c,６６a,６６b,７６,８６…ノズル、
７７…凹部、
７８a,７８b…狭窄部。

Claims (7)

  1. 　２以上の異なる発光色を呈する２個以上の発光ダイオードチップ(１３a～１３c,２３a～２３c,３３a～３３c,４３a～４３c,５３a～５３c,６３a～６３c,７３a～７３c,８３a～８３c)と、
    　上記異なる発光色を呈する発光ダイオードチップ(１３a～１３c,２３a～２３c,３３a～３３c,４３a～４３c,５３a～５３c,６３a～６３c,７３a～７３c,８３a～８３c)の夫々を封止する互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部(１４a～１４c,２４a,２４b,３４a～３４c,４４a,４４b,５４a～５４c,６４a,６４b,７４a～７４c,８４a,８４b)と
    を備え、
    　上記波長変換部(１４a～１４c,２４a,２４b,３４a～３４c,４４a,４４b,５４a～５４c,６４a,６４b,７４a～７４c,８４a,８４b)は、封止している上記発光ダイオードチップ(１３a～１３c,２３a～２３c,３３a～３３c,４３a～４３c,５３a～５３c,６３a～６３c,７３a～７３c,８３a～８３c)から放射される光のうち互いに異なる波長成分の光を吸収して他の波長成分の光に変換する複数の蛍光体を含んでいる
    ことを特徴とする発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　上記２以上の異なる発光色のうちの少なくとも１つの発光色を呈する発光ダイオードチップ(２３a,２３b,４３a,４３b,６３a,６３b,８３a,８３b)は、２個以上の発光ダイオードチップで成り、
    　上記１つの発光色を呈する２個以上の発光ダイオードチップ(２３a,２３b,４３a,４３b,６３a,６３b,８３a,８３b)のうちの互いに隣接する発光ダイオードチップ(２３a,２３b,４３a,４３b,６３a,６３b,８３a,８３b)は、同一の波長変換特性を有する上記波長変換部(２４a,４４a,６４a,８４a)によって連続して封止されている
    ことを特徴とする発光装置。
  3. 　請求項２に記載の発光装置において、
    　上記１つの発光色を呈する２個以上の発光ダイオードチップ(２３a,２３b,４３a,４３b,６３a,６３b,８３a,８３b)のうちの上記同一の波長変換特性を有する波長変換部(２４a,４４a,６４a,８４a)によって連続して封止されている発光ダイオードチップ(２３a,２３b,４３a,４３b,６３a,６３b,８３a,８３b)とは異なる発光ダイオードチップは、上記同一の波長変換特性を有する波長変換部(２４a,４４a,６４a,８４a)と同一の波長変換特性を有する波長変換部で封止されている
    ことを特徴とする発光装置。
  4. 　請求項１から請求項３までの何れか一つに記載の発光装置において、
    　上記互いに異なる波長変換特性を有する波長変換部(３４a～３４c,４４a,４４b)は、互いに連続して形成されている
    ことを特徴とする発光装置。
  5. 　請求項１から請求項４までの何れか一つに記載の発光装置において、
    　上記各発光ダイオードチップ(１３a～１３c,２３a～２３c,３３a～３３c,４３a～４３c,５３a～５３c,６３a～６３c,７３a～７３c,８３a～８３c)から上記波長変換部(１４a～１４c,２４a,２４b,３４a～３４c,４４a,４４b,５４a～５４c,６４a,６４b,７４a～７４c,８４a,８４b)を介して放射される光の色は、総て同じ色である
    ことを特徴とする発光装置。
  6. 　請求項１から請求項５までの何れか一つに記載の発光装置において、
    　上記波長変換部(１４a～１４c)は、含まれている上記複数の蛍光体の割合を、封止している上記発光ダイオードチップ(１３a～１３c)の発光色に応じた割合にすることによって、上記波長変換特性が設定されている
    ことを特徴とする発光装置。
  7. 　請求項１から請求項５までの何れか一つに記載の発光装置において、
    　上記波長変換部は、含まれている上記複数の蛍光体の割合を、封止している上記発光ダイオードチップの発光色に応じた割合にすると共に、当該発光ダイオードチップを封止する厚みを、当該発光ダイオードチップの発光色に応じた厚みにすることによって、上記波長変換特性が設定されている
    ことを特徴とする発光装置。
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