WO2013118332A1 - 蛍光体及び発光装置 - Google Patents

蛍光体及び発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013118332A1
WO2013118332A1 PCT/JP2012/070394 JP2012070394W WO2013118332A1 WO 2013118332 A1 WO2013118332 A1 WO 2013118332A1 JP 2012070394 W JP2012070394 W JP 2012070394W WO 2013118332 A1 WO2013118332 A1 WO 2013118332A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
phosphor
mass
light emitting
peak wavelength
oxynitride
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/070394
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
慶太 小林
史博 中原
市川 恒希
水谷 晋
康人 伏井
Original Assignee
電気化学工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 電気化学工業株式会社 filed Critical 電気化学工業株式会社
Publication of WO2013118332A1 publication Critical patent/WO2013118332A1/ja

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • C09K11/646Silicates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Definitions

  • the present invention relates to a phosphor used in an LED (Light Emitting Diode) and a light emitting device using the LED.
  • LED Light Emitting Diode
  • a phosphor used in a white light emitting device there is a combination of ⁇ -type sialon and a red light emitting phosphor (see Patent Document 1), and a phosphor in which a red light emitting phosphor having a specific color coordinate and a green light emitting phosphor are combined. Yes (see Patent Document 2).
  • An object of the present invention is to provide a phosphor having both high luminance and high reliability by adding an oxynitride phosphor to a specific nitride phosphor, and further using this phosphor. It is to provide a white light emitting device.
  • the present invention includes an oxynitride phosphor (A) having a peak wavelength of 540 nm to 545 nm, a fluorescence intensity of 260% to 280%, and a nitride phosphor (B) having a peak wavelength of 625 nm to 635 nm, and an acid. It is a phosphor in which the blending ratio of the nitride phosphor (A) is 74 mass% or more and 89 mass% or less, and the blending ratio of the nitride phosphor (B) is 11 mass% or more and 19 mass% or less.
  • the mixing ratio of the oxynitride phosphor (A) and the nitride phosphor (B) is a and b, a + b ⁇ 88 mass% and 4.0 ⁇ a / b ⁇ 8.0. It is preferable.
  • the oxynitride phosphor (A) is preferably ⁇ -type sialon, and the nitride phosphor (B) is preferably SCASN.
  • the invention from another aspect of the present application is a light emitting device including the above-described phosphor and an LED having the phosphor mounted on a light emitting surface.
  • a phosphor having high brightness, high temperature characteristics and long-term reliability, and a white light emitting device using the phosphor can be provided.
  • the present invention is a phosphor having an oxynitride phosphor (A) having a peak wavelength of 540 nm to 545 nm, a fluorescence intensity of 260% to 280%, and a nitride phosphor (B) having a peak wavelength of 625 nm to 635 nm. .
  • the blending ratio of the oxynitride phosphor (A) is 74% by mass or more and 89% by mass or less, and the blending ratio of the nitride phosphor (B) is 11% by mass or more and 19% by mass or less. If the blending ratio of the oxynitride phosphor (A) is too small, the luminance tends to be low, and if it is too large, it tends to be difficult to obtain high color rendering properties. Therefore, such a range is preferable, and the nitride phosphor (B If the blending ratio is too small, high color rendering properties are not exhibited. If the blending ratio is excessive, white light itself cannot be obtained. If it is too large, the luminance is lowered and white light may not be obtained.
  • the fluorescence intensity of the phosphor is expressed as a relative value in% with the peak height of the standard sample (YAG, specifically, P46Y3 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as 100%.
  • the fluorescence intensity was measured using the F-7000 type spectrophotometer manufactured by Hitachi High-Tech Co., Ltd. according to the following method.
  • the oxynitride phosphor (A) in the present invention is a green light emitting oxynitride phosphor having a peak wavelength of 540 nm to 545 nm and a fluorescence intensity of 260% to 280%. Specifically, there is ⁇ -sialon, and more specifically, GR-MW540H of Aron Bright (registered trademark) of Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.
  • the oxynitride phosphor (A) has an electrical chemical industry GR-220 (peak wavelength 541 nm, fluorescence intensity 220%), Intematix Y3957 (peak wavelength 547 nm), EG2762 (peak wavelength 525 nm). Also, Merck SGA530 (peak wavelength 530 nm) may be mixed.
  • the nitride phosphor (B) in the present invention is a nitride phosphor having a peak wavelength of 625 nm or more and 635 nm or less. Specifically, it is a red phosphor that is abbreviated as SCASN and called “escape”, and more specifically, there are BR-102C and BR-102F (peak wavelength 630 nm) of Mitsubishi Chemical Corporation. Within the range not exceeding the amount of the red phosphor added, Mitsubishi Chemical Corporation BR-102D (peak wavelength 620 nm), Intematix R 6535 (peak wavelength 640 nm) and Mitsubishi Chemical Corporation BR-101A (peak) are used for peak wavelength adjustment. Wavelength 650 nm) may be mixed.
  • the amount of the oxynitride phosphor (A) and the nitride phosphor (B) is large, and when the respective blending ratios are a and b, a + b It is preferable to satisfy the relationship of ⁇ 88% by mass.
  • the nitride phosphor (B) has a lower visibility than the oxynitride phosphor (A) and is inferior in brightness. Therefore, the blending ratio is preferably low, but if it is too low, the color rendering property is also lowered. However, since the LED does not show white light in a severe case, the range of 4.0 ⁇ a / b ⁇ 8.0 is preferable.
  • the mixing means of the oxynitride phosphor (A) and the nitride phosphor (B), and other phosphors can be appropriately selected as long as it can be uniformly mixed or mixed to a desired mixing degree.
  • this mixing means it is premised that impurities are not mixed and the shape and particle size of the phosphor are not clearly changed.
  • the invention from another viewpoint of the present application is a light emitting device having a mixed phosphor and an LED having the phosphor mounted on a light emitting surface as described above.
  • the phosphor when mounted on the light emitting surface of the LED is sealed by a sealing member.
  • the sealing member includes a resin and glass, and the resin includes a silicone resin.
  • the LED it is preferable to appropriately select a red light emitting LED, a blue light emitting LED, or an LED emitting another color in accordance with the color finally emitted.
  • the LED is formed of a gallium nitride semiconductor.
  • the peak wavelength is preferably from 440 nm to 460 nm, and more preferably from 445 nm to 455 nm.
  • the LED light emitting part preferably has a size of 0.5 mm square or more.
  • the size of the LED chip can be appropriately selected as long as it has the area of the light emitting portion, and is preferably 1.0 mm ⁇ 0.5 mm, more preferably 1.2 mm ⁇ 0.6 mm.
  • the phosphors shown in Table 1 are the oxynitride phosphors (A) and nitride phosphors (B) used in the examples and comparative examples of the present invention.
  • the oxynitride phosphors (A) in Table 1 only P1 is a phosphor that satisfies the conditions of the peak wavelength of 540 nm to 545 nm and the fluorescence intensity of 260% to 280% within the range of claim 1.
  • P7 is a phosphor that satisfies the conditions of the peak wavelength of 625 nm or more and 635 nm or less within the range of claim 1.
  • the phosphor of Example 1 is 74% by mass of the phosphor of P1 in Table 1 as the oxynitride phosphor (A), and 13% by mass of the phosphor of P7 in Table 1 as the nitride phosphor (B). In addition, 13 mass% of the phosphor of P4 in Table 1 which is a comparative example of the oxynitride phosphor (A) is blended as the other phosphor. The values of P1 to P9 in the phosphor structure in Table 2 are mass%. In mixing phosphors, a total of 2.5 g is weighed and mixed in a plastic bag, and then mixed with 47.5 g of a silicone resin (Toray Dow Corning Co., Ltd.
  • the mounting on the LED was performed by placing the LED on the bottom of the concave package body, wire bonding with the electrode on the substrate, and injecting the mixed phosphor from the microsyringe. After mounting, it was cured at 120 ° C., and then post-cured at 110 ° C. for 10 hours and sealed.
  • the LED used had an emission peak wavelength of 448 nm and a chip size of 1.0 mm ⁇ 0.5 mm.
  • the evaluation shown in Table 2 will be described. As an initial evaluation in Table 2, the evaluation of color rendering was adopted. For the evaluation of color rendering, a color reproduction range was adopted, and the area was expressed as an area (%) of the NTSC standard ratio in color coordinates. The larger the number, the higher the color rendering.
  • the pass condition for evaluation is 72% or more, which is a condition adopted for general LED-TV.
  • the luminance in Table 2 was evaluated by the luminous flux (lm) at 25 ° C. The measured value after applying a current of 60 mA for 10 minutes was taken. The pass condition of evaluation is 26.3 lm or more. Since this value varies depending on the measuring machine and conditions, it is a value set as (lower limit value of the example) ⁇ 90% for relative comparison with the example.
  • the high temperature characteristics shown in Table 2 were evaluated based on attenuation with respect to 25 ° C. light flux. It is a value when the light flux at 50 ° C., 100 ° C., and 150 ° C. is measured and 25 ° C. is taken as 100%.
  • the pass conditions for evaluation are 97% or more at 50 ° C, 95% or more at 100 ° C, and 90% or more at 150 ° C. This value is not a standard value common to the world, but is currently considered as a guideline for highly reliable light-emitting elements.
  • the long-term reliability shown in Table 2 shows that the light flux when left at 500 ° C. and 85% RH for 500 hours (hrs) and 2,000 hours, and then taken out and dried at room temperature is 100%. This is the attenuation value of the luminous flux.
  • the pass conditions for the evaluation are 96% or more at 500 hrs and 93% or more at 2,000 hrs. This is a value that cannot be achieved without a highly reliable phosphor.
  • the examples of the present invention show relatively good color reproducibility (color rendering) and luminous flux value (luminance luminous flux), and attenuation of luminous flux when stored for a long time at high temperature and high temperature and high humidity.
  • luminous flux value luminance luminous flux
  • P2, P3, and P5 are silicate phosphors that do not satisfy the conditions of a peak wavelength of 540 nm or more and 545 nm or less.
  • Comparative Examples 1, 2, 4 and 6 when these were used did not satisfy the high temperature characteristics and long-term reliability.
  • the phosphor of the present invention is used for a white light emitting device.
  • the white light emitting device of the present invention is used for a backlight of a liquid crystal panel, an illumination device, a signal device, and an image display device.

Abstract

 ピーク波長540nm以上545nm以下、蛍光強度260%以上280%以下の酸窒化物蛍光体(A)と、ピーク波長625nm以上635nm以下の窒化物蛍光体(B)を有し、高輝度で高温特性と長期信頼性を有する蛍光体と、この蛍光体を用いたい白色発光装置である。酸窒化物蛍光体(A)の配合割合が74質量%以上89質量%以下であり、窒化物蛍光体(B)の配合割合が11質量%以上19質量%以下である。

Description

蛍光体及び発光装置
 本発明は、LED(Light Emitting Diode)に用いられる蛍光体及びLEDを用いた発光装置に関する。
 白色発光装置に用いられる蛍光体として、β型サイアロンと赤色発光蛍光体の組み合わせがあり(特許文献1参照)、特定の色座標を有する赤色発光蛍光体と緑色発光蛍光体を組み合わせた蛍光体がある(特許文献2参照)。
特開2007-180483号公報 特開2008-166825号公報
 本発明の目的は、従来からある特定の窒化物蛍光体に酸窒化物蛍光体を加えて高輝度と高信頼性を両立させた蛍光体を提供することにあり、さらに、この蛍光体を用いた白色発光装置を提供することにある。
 本発明は、ピーク波長540nm以上545nm以下、蛍光強度260%以上280%以下の酸窒化物蛍光体(A)と、ピーク波長625nm以上635nm以下の窒化物蛍光体(B)とを有し、酸窒化物蛍光体(A)の配合割合が74質量%以上89質量%以下であり、窒化物蛍光体(B)の配合割合が11質量%以上19質量%以下である蛍光体である。
 酸窒化物蛍光体(A)及び窒化物蛍光体(B)の配合割合をa及びbとしたときに、a+b≧88質量%、且つ4.0≦a/b≦8.0の関係を有することが好ましい。
 酸窒化物蛍光体(A)がβ型サイアロン、窒化物蛍光体(B)がSCASNであるのが好ましい。
 本願の他の観点からの発明は、前述の蛍光体と、当該蛍光体を発光面に搭載したLEDとを有する発光装置である。
 本発明によれば、高輝度で高温特性と長期信頼性を有する蛍光体及びこの蛍光体を用いた白色発光装置を提供することができる。
 本発明は、ピーク波長540nm以上545nm以下、蛍光強度260%以上280%以下の酸窒化物蛍光体(A)と、ピーク波長625nm以上635nm以下の窒化物蛍光体(B)を有する蛍光体である。
 この2種の蛍光体を混在させることにより、高輝度で高温特性と長期信頼性を有する蛍光体を得ることができた。
 酸窒化物蛍光体(A)の配合割合は74質量%以上89質量%以下であり、窒化物蛍光体(B)の配合割合は11質量%以上19質量%以下である。酸窒化物蛍光体(A)の配合割合は、あまりに少ないと輝度が低くなる傾向にあり、あまりに多いと高い演色性を得難くなる傾向にあるため、かかる範囲が好ましく、窒化物蛍光体(B)の配合割合も、あまりに少ないと高い演色性を示さず、甚だしい場合には白色光そのものが得られなくなり、あまりに多いと輝度が低下し、更には白色光が得られなくなる場合がある。
 蛍光体の蛍光強度は、標準試料(YAG、具体的には三菱化学株式会社製P46Y3)のピーク高さを100%とした相対値を%表示したものである。蛍光強度の測定は、株式会社日立ハイテック製F-7000形分光光度計を用い、以下の方法で行った。
<測定法>
 1)試料セット:石英製セルに測定試料又は標準試料を充填し、測定機に交互にセットして測定した。充填は、相対充填密度35%程度になるようにしてセル高さの3/4程度まで充填した。
 2)測定:455nmの光で励起し、500~600nmの最大ピークの高さを読み取った。測定を5回行ない、最大値、最小値を除いて残りの3点の平均値とした。
 本発明における酸窒化物蛍光体(A)は、ピーク波長540nm以上545nm以下、蛍光強度260%以上280%以下の緑色発光酸窒化物蛍光体である。具体的には、β型サイアロンがあり、より具体的には、電気化学工業株式会社アロンブライト(登録商標)のGR-MW540Hがある。酸窒化物蛍光体(A)にはピーク波長の調整用として電気化学工業株式会社GR-220(ピーク波長541nm、蛍光強度220%)、Intematix社Y3957(ピーク波長547nm)、EG2762(ピーク波長525nm)及びMerck社SGA530(ピーク波長530nm)を混在させても良い。
 本発明における窒化物蛍光体(B)は、ピーク波長625nm以上635nm以下の窒化物蛍光体である。具体的には、SCASNと略されてエスカズンとよばれる赤色蛍光体であり、より具体的には、三菱化学株式会社BR-102CやBR-102F(ピーク波長630nm)がある。この赤色蛍光体の添加量を超えない範囲で、ピーク波長の調整用として三菱化学株式会社BR-102D(ピーク波長620nm)、Intematix社R6535(ピーク波長640nm)及び三菱化学株式会社BR-101A(ピーク波長650nm)を混在させても良い。
 高輝度かつ高信頼性を維持するために、酸窒化物蛍光体(A)及び窒化物蛍光体(B)の配合量は多い方がよく、それぞれの配合割合をa、bとしたとき、a+b≧88質量%の関係を満たすことが好ましい。
 窒化物蛍光体(B)は酸窒化物蛍光体(A)に比べて視感度が低く、明るさに劣るため、その配合割合は、低い方が好ましいが、あまりに低いと演色性までもが低下し、甚だしい場合にはLEDが白色光を示さなくなるため、4.0≦a/b≦8.0の範囲が好ましい。
 酸窒化物蛍光体(A)と窒化物蛍光体(B)、更には他の蛍光体との混合手段は、均一に混合又は希望する混合度合いに混合できれば、適宜選択できるものである。この混合手段にあっては、不純物が混入したり、蛍光体の形状や粒度が明らかに変わったりしないことが前提である。
 本願の他の観点からの発明は、上述のように、混合した蛍光体と、当該蛍光体を発光面に搭載したLEDとを有する発光装置である。LEDの発光面に搭載される際の蛍光体は、封止部材によって封止されたものである。封止部材としては、樹脂とガラスがあり、樹脂としてはシリコーン樹脂がある。LEDとしては、最終的に発光される色に合わせて赤色発光LED、青色発光LED、他の色を発光するLEDを適宜選択することが好ましく、青色発光LEDの場合、窒化ガリウム系半導体で形成され、ピーク波長は440nm以上460nm以下にあるものが好ましく、さらに好ましくは、ピーク波長は、445nm以上455nm以下である。LEDの発光部の大きさは0.5mm角以上のものが好ましい。LEDチップの大きさは、かかる発光部の面積を有するものであれば適宜選択でき、好ましくは、1.0mm×0.5mm、更に好ましくは1.2mm×0.6mmである。
 本発明に係る実施例を、表及び比較例を用いて詳細に説明する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1に示した蛍光体は、本発明の実施例及び比較例で用いた酸窒化物蛍光体(A)及び窒化物蛍光体(B)である。表1の酸窒化物蛍光体(A)のうち、P1だけが請求項1記載の範囲内の540nm以上545nm以下のピーク波長、260%以上280%以下の蛍光強度の条件を満たす蛍光体である。表1の窒化物蛍光体(B)のうち、P7のみが請求項1記載の範囲内のピーク波長625nm以上635nm以下の条件を満たす蛍光体である。
 これら蛍光体を表2の割合で混合して、実施例、比較例に係る蛍光体を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 実施例1の蛍光体は、酸窒化物蛍光体(A)としての表1のP1の蛍光体を74質量%、窒化物蛍光体(B)としての表1のP7の蛍光体を13質量%及びそれ以外の蛍光体として酸窒化物蛍光体(A)の比較例である表1のP4の蛍光体を13質量%配合したものである。表2での蛍光体の構成におけるP1乃至P9の値は質量%である。蛍光体同士の混合にあっては、合計2.5gを計量してビニール袋内で混合した上で、シリコーン樹脂(東レダウコーニング株式会社OE6656)47.5gと一緒に自転公転式の混合機(株式会社シンキー製「あわとり練太郎」ARE-310(登録商標))で混合した。表2のa+b及びa/bは、酸窒化物蛍光体(A)の実施例であるP1の配合割合をa、窒化物蛍光体(B)の実施例であるP7の配合割合をbとしたときの値である。比較例8は、窒化物蛍光体(B)のP7を配合していないので、a/bの対象となっていない。
 LEDへの搭載は、凹型のパッケージ本体の底部にLEDを置いて、基板上の電極とワイヤボンディングした後、混合した蛍光体をマイクロシリンジから注入して行なった。搭載後、120℃で硬化させた後、110℃×10時間のポストキュアを施して封止した。LEDは、発光ピーク波長448nmで、チップ1.0mm×0.5mmの大きさのものを用いた。
 表2で示した評価について説明する。
 表2の初期評価として、演色性の評価を採用した。演色性の評価には色再現範囲を採用し、色座標におけるNTSC規格比の面積(%)で表した。数字が大きいほど演色性が高い。評価の合格条件は72%以上であり、一般的なLED-TV向けに採用されている条件である。
 表2の輝度は25℃での光束(lm)で評価した。電流60mAを10分間印加した後の測定値を取った。評価の合格条件は、26.3lm以上である。この値は測定機や条件によって変わるため、実施例との相対的な比較するために、(実施例の下限値)×90%として設定した値である。
 表2の高温特性は、25℃の光束に対する減衰性で評価した。50℃、100℃、150℃での光束を測定して、25℃を100%とした時の値である。評価の合格条件は、50℃で97%以上、100℃で95%以上、150℃で90%以上である。この値は、世界共通の規格値ではないが、現状、高信頼性の発光素子の目安と考えられている。
 表2の長期信頼性は、85℃、85%RHにおいて、それぞれ500時間(hrs)及び2,000時間放置した後、取り出して室温で乾燥した際の光束を測定し、初期値を100%としたときの光束の減衰値である。
 評価の合格条件は、500hrsで96%以上、2,000hrsで93%以上である。これは高信頼性の蛍光体でなくては達成できない値である。
 表2に示すように、本発明の実施例は、比較的良好な色再現性(演色性)、光束値(輝度光束)を示し、高温や高温高湿下で長期保存した際の光束の減衰も比較的小さいものであった。
 表1の酸窒化物蛍光体(A)のうちのP2、P3及びP5は、シリケート蛍光体であってピーク波長540nm以上545nm以下の条件を満たさないものである。これらを用いたときの比較例1、2、4及び6は、表2に示すように、高温特性、長期信頼性を満足できないものであった。
 本発明の蛍光体は、白色発光装置に用いられる。本発明の白色発光装置としては、液晶パネルのバックライト、照明装置、信号装置、画像表示装置に用いられる。

Claims (4)

  1. ピーク波長540nm以上545nm以下、蛍光強度260%以上280%以下の酸窒化物蛍光体(A)と、ピーク波長625nm以上635nm以下の窒化物蛍光体(B)とを有し、酸窒化物蛍光体(A)の配合割合が74質量%以上89質量%以下であり、窒化物蛍光体(B)の配合割合が11質量%以上19質量%以下である蛍光体。
  2. 請求項1記載の酸窒化物蛍光体(A)及び窒化物蛍光体(B)の配合割合をa及びbとしたときに、a+b≧88質量%、4.0≦a/b≦8.0の関係を有する蛍光体。
  3. 酸窒化物蛍光体(A)がβ型サイアロン、窒化物蛍光体(B)がSCASNである請求項1乃至2のいずれか一項に記載の蛍光体。
  4. 請求項1乃至3のいずれか一項に記載の蛍光体と、当該蛍光体を発光面に搭載したLEDとを有する発光装置。
PCT/JP2012/070394 2012-02-09 2012-08-09 蛍光体及び発光装置 WO2013118332A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012026600A JP2015083618A (ja) 2012-02-09 2012-02-09 蛍光体及び発光装置
JP2012-026600 2012-02-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013118332A1 true WO2013118332A1 (ja) 2013-08-15

Family

ID=48922715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/070394 WO2013118332A1 (ja) 2012-02-09 2012-08-09 蛍光体及び発光装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2015083618A (ja)
CN (1) CN103242832B (ja)
TW (1) TWI472066B (ja)
WO (1) WO2013118332A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112969647A (zh) * 2018-11-12 2021-06-15 电化株式会社 收容荧光体的包装袋和包装箱

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005255895A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法
JP2006089547A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2007291353A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2008263209A (ja) * 2004-08-11 2008-10-30 National Institute For Materials Science 蛍光体を用いた発光器具
JP2011037913A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP2011155297A (ja) * 2004-04-27 2011-08-11 Panasonic Corp 発光装置
WO2011132526A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 シャープ株式会社 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10147040A1 (de) * 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP2008120938A (ja) * 2006-11-14 2008-05-29 Sharp Corp 蛍光体およびその製造方法、ならびに半導体発光装置および画像表示装置
JP2009019163A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sharp Corp 発光装置用蛍光体粒子集合体、発光装置、および液晶表示用バックライト装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005255895A (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法
JP2011155297A (ja) * 2004-04-27 2011-08-11 Panasonic Corp 発光装置
JP2008263209A (ja) * 2004-08-11 2008-10-30 National Institute For Materials Science 蛍光体を用いた発光器具
JP2006089547A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 National Institute For Materials Science 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2007291353A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2007291352A (ja) * 2006-03-27 2007-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 蛍光体及びそれを使用した発光装置
JP2011037913A (ja) * 2009-08-06 2011-02-24 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
WO2011132526A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 シャープ株式会社 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015083618A (ja) 2015-04-30
CN103242832B (zh) 2016-01-27
TW201334228A (zh) 2013-08-16
TWI472066B (zh) 2015-02-01
CN103242832A (zh) 2013-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2013118333A1 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5697765B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916409B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
WO2013118332A1 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5697766B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916412B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916408B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916413B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5886069B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5919014B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
WO2013118331A1 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5919015B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5901985B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5901986B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5886070B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163723A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5901987B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163722A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916411B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP5916410B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163732A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163736A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163734A (ja) 蛍光体及び発光装置
JP2013163725A (ja) 蛍光体及び発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12867885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12867885

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP