TWI472066B - 螢光體及發光裝置 - Google Patents
螢光體及發光裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI472066B TWI472066B TW101132438A TW101132438A TWI472066B TW I472066 B TWI472066 B TW I472066B TW 101132438 A TW101132438 A TW 101132438A TW 101132438 A TW101132438 A TW 101132438A TW I472066 B TWI472066 B TW I472066B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- phosphor
- less
- peak wavelength
- mass
- light
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 71
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 21
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 18
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002675 Polyoxyl Polymers 0.000 description 1
- SBFDPWWVJYLRGG-UHFFFAOYSA-N [N]=O.[P] Chemical compound [N]=O.[P] SBFDPWWVJYLRGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/64—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
- C09K11/646—Silicates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
本發明係有關一種使用於LED(Light Emitting Diode)的螢光體及使用LED的發光裝置。
關於使用於白色發光裝置的螢光體,有β型SiAlON和紅色發光螢光體之組合(參照專利文獻1),及組合具有特定的色座標之紅色發光螢光體和綠色發光螢光體而成的螢光體(參照專利文獻2)。
[專利文獻1]特開2007-180483號公報
[專利文獻2]特開2008-166825號公報
本發明之目的在於,提供一種於以往就有的特定的氮化物螢光體添加氮氧化物螢光體而成的可兼顧高亮度和高可靠性之螢光體,更提供一種使用此螢光體的白色發光裝置。
本發明係一種螢光體,具有:峰值波長540nm以上545nm以下,螢光強度260%以上280%以下的氮氧化物螢光體(A);及峰值波長625nm以上635nm以下的氮化物螢光體(B),氮氧化物螢光體(A)的摻合比例為74質量%以上89質量%以下,氮化物螢光體(B)的摻合比例為11質量%
以上19質量%以下。
在氮氧化物螢光體(A)及氮化物螢光體(B)的摻合比例設為a及b時,具有a+b≧88質量%且4.0≦a/b≦8.0的關係者較佳。
較佳為,氮氧化物螢光體(A)為β型SiAlON,氮化物螢光體(B)為SCASN。
本案中源自其他觀點的發明為,具有前述螢光體和將該螢光體搭載於發光面而成的LED之發光裝置。
依據本發明,可提供高亮度且具高溫特性和長期可靠性的螢光體及使用此螢光體的白色發光裝置。
本發明係一種螢光體,具有:峰值波長540nm以上545nm以下,螢光強度260%以上280%以下的氮氧化物螢光體(A);及峰值波長625nm以上635nm以下的氮化物螢光體(B)。
透過使該2種螢光體混合存在,可獲得高亮度且具有高溫特性和長期可靠性的螢光體。
氮氧化物螢光體(A)的摻合比例為74質量%以上89質量%以下,氮化物螢光體(B)的摻合比例為11質量%以上19質量%以下。氮氧化物螢光體(A)的摻合比例,由於過少則有亮度變低的傾向,過多則有難獲得高的現色性之傾向,只要具有這樣範圍較佳,氮化物螢光體(B)的摻合比例亦有:過少則無法呈現高的現色性,嚴重的情況無
法獲得白色光,過多則亮度降低,更無法獲得白色光的情況。
螢光體的螢光強度,係對標準試料(YAG,具體言之,乃三菱化學股份有限公司製P46Y3)的峰值高度設為100%之基準時的相對值以%表示者。螢光強度的測定是使用Hitachi Hitec股份有限公司製F-7000型分光光度計並利用以下的方法進行。
1)試料調整:於石英製元件充填測定試料或標準試料,再於測定機交互地調整並測定。而充填係以相對充填密度可成為35%左右地充填至元件高度的3/4左右。
2)測定:以455nm的光激發,讀取500~600nm之最大峰值的高度。進行5次測定,扣除最大值、最小值後取剩餘3點的平均值。
本發明中的氮氧化物螢光體(A),係峰值波長540nm以上545nm以下,且螢光強度260%以上280%以下的綠色發光氮氧化物螢光體。具體來說,有β型SiAlON,更具體言之,有電氣化學工業股份有限公司的ALON BRIGHT(註冊商標)的GR-MW540H。於氮氧化物螢光體(A)亦可混合存在有作為峰值波長調整用之電氣化學工業股份有限公司的GR-220(峰值波長541nm,螢光強度220%)、Intematix公司的Y3957(峰值波長547nm)、EG2762(峰值波長525nm)及Merck公司的SGA530(峰值波長530nm)。
本發明中的氮化物螢光體(B),係峰值波長625nm以上635nm以下的氮化物螢光體。具體來說,乃簡稱為
SCASN的紅色螢光體,更具體言之,有三菱化學股份有限公司的BR-102C或BR-102F(峰值波長630nm)。在不超過該紅色螢光體的添加量之範圍下,亦可混合存在有作為峰值波長調整用之三菱化學股份有限公司的BR-102D(峰值波長620nm)、Intematix公司的R6535(峰值波長640nm)及三菱化學股份有限公司的BR-101A(峰值波長650nm)。
為維持高亮度且高可靠性,氮氧化物螢光體(A)及氮化物螢光體(B)的摻合量多者較好,在各自的摻合比例設為a、b時,以滿足a+b≧88質量%的關係較佳。
氮化物螢光體(B)與氮氧化物螢光體(A)相較下,係視感度低、明亮度不佳,因而其摻合比例低者較佳,但太低則連現色性都會降低,嚴重的情況LED無法呈現白色光,故以4.0≦a/b≦8.0的範圍較佳。
氮氧化物螢光體(A)和氮化物螢光體(B)、乃至和其他螢光體的混合手段,只要能均一地混合或混合到所期望的混合程度即可,能適宜地選擇。關於該混合手段方面,係以不混入不純物,螢光體的形狀或粒度不明顯改變為前提。
本案中源自其他觀點的發明為,如上述,係為具有混合的螢光體和將該螢光體搭載於發光面而成的LED之發光裝置。要搭載於LED的發光面時之螢光體,係已藉由密封構件密封者。有關密封構件方面,有樹脂和玻璃,樹脂方面有聚矽氧樹脂。關於LED方面,以配合最終的發光色而適宜選擇紅色發光LED、藍色發光LED、及發其
他色的光之LED者較佳,在藍色發光LED的情況,以由氮化鎵系半導體所形成且峰值波長為440nm以上460nm以下者較佳,更佳為,峰值波長是445nm以上455nm以下。LED之發光部的大小以0.5mm四方形以上者較佳。LED晶片只要具有這樣的發光部之面積大小者即可,能適宜地選擇,較佳為,1.0mm×0.5mm,更佳為1.2mm×0.6mm。
就本發明所涉及的實施例,使用表及比較例作詳細說明。
表1所示的螢光體,係在本發明的實施例及比較例使用的氮氧化物螢光體(A)及氮化物螢光體(B)。表1的氮氧化物螢光體(A)當中,只有P1是滿足如申請專利範圍第1項範圍內之540nm以上545nm以下的峰值波長,且260%以上280%以下的螢光強度之條件的螢光體。表1的氮化物螢光體(B)當中,只有P7是滿足如申請專利範圍第1項範圍內的峰值波長625nm以上635nm以下的條件之螢光體。
將此等螢光體以表2的比例混合而獲得實施例、比較例所涉及的螢光體。
實施例1的螢光體為,作為氮氧化物螢光體(A)之表1的P1的螢光體摻合74質量%、作為氮化物螢光體(B)之表1的P7的螢光體摻合13質量%及作為除了該等以外的螢光體之氮氧化物螢光體(A)的比較例之表1的P4的螢光體摻合13質量%者。在表2的螢光體之構成中的P1至P9之值為質量%。關於螢光體彼此的混合方面,係計量合計2.5g並於塑膠袋內混合後,與聚矽氧樹脂(DOW CORNING
TORAY股份有限公司的OE6656)47.5g一起利用自轉公轉型的混合機(Thinky股份有限公司製「脫泡練太郎」ARE-310(註冊商標))混合。表2的a+b及a/b,係在氮氧化物螢光體(A)的實施例即P1的摻合比例設為a,氮化物螢光體(B)的實施例即P7的摻合比例設為b時的值。比較例8由於沒摻合氮化物螢光體(B)的P7,故未成為a/b的對象。
朝LED進行螢光體之搭載為,於凹型的封裝本體底部放置LED,在和基板上的電極打線接合後,將混合後的螢光體從微量注射器進行注入。在螢光體搭載後且於120℃使之硬化後,施作110℃×10小時的後固化並密封。LED是採用發光峰值波長448nm且晶片大小為1.0mm×0.5mm者。
茲就表2所示的評價作說明。
關於表2的初期評價是採用現色性的評價。現色性的評價採用色再現範圍,以色座標中之NTSC規格比的面積(%)表示。數字越大現色性越高。評價的合格條件為72%以上,且為針對一般的LED-TV所採用的條件。
表2的亮度是在25℃下的光束(lm)作評價。取經過施加10分鐘的電流60mA後的測定值。評價的合格條件為26.3lm以上。由於該值依測定機、條件而變,為和實施例進行相對比較,以(實施例的下限值)×90%所設定的值。
表2的高溫特性是針對25℃的光束之衰減性作評價。在設25℃為100%之基準時,測定在50℃、100℃、150℃下的光束之值。評價的合格條件為,在50℃是97%以上
,100℃是95%以上,150℃是90%以上。該值雖非世界共通的規格值,但現階段被認為是高可靠性發光元件的基準。
表2的長期可靠性為,在85℃、85%RH下分別放置500小時(hrs)及2,000小時後,取出並測定在室溫下乾燥之際的光束,在初期值設為100%時之光束的衰減值。
評價的合格條件為,在500hrs是96%以上,2,000hrs是93%以上。此乃非高可靠性的螢光體所無法達成的值。
如表2所示,本發明的實施例係呈現較良好的色再現性(現色性)、光束值(亮度光束),且在高溫或高溫高濕下長期保存時之光束的衰減亦較小者。
表1的氮氧化物螢光體(A)當中的P2,P3及P5,係矽酸鹽螢光體而不滿足峰值波長540nm以上545nm以下的條件者。如表2所示,使用了該等的比較例1,2,4及6係無法滿足高溫特性、長期可靠性者。
本發明的螢光體是用在白色發光裝置。關於本發明的白色發光裝置,是用在液晶面板的背光、照明裝置、信號裝置、圖像顯示裝置。
Claims (3)
- 一種螢光體,具有:峰值波長540nm以上545nm以下,螢光強度260%以上280%以下的β型SiAlON;及峰值波長625nm以上635nm以下的SCASN,該β型SiAlON的摻合比例為74質量%以上89質量%以下,該SCASN的摻合比例為11質量%以上19質量%以下。
- 如申請專利範圍第1項之螢光體,在該β型SiAlON及該SCASN的摻合比例分別設為a及b時,具有a+b≧88質量%、4.0≦a/b≦8.0的關係。
- 一種發光裝置,具有如申請專利範圍第1或2項之螢光體、及將該螢光體搭載於發光面而成的LED。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012026600A JP2015083618A (ja) | 2012-02-09 | 2012-02-09 | 蛍光体及び発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201334228A TW201334228A (zh) | 2013-08-16 |
TWI472066B true TWI472066B (zh) | 2015-02-01 |
Family
ID=48922715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101132438A TWI472066B (zh) | 2012-02-09 | 2012-09-06 | 螢光體及發光裝置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015083618A (zh) |
CN (1) | CN103242832B (zh) |
TW (1) | TWI472066B (zh) |
WO (1) | WO2013118332A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112969647A (zh) * | 2018-11-12 | 2021-06-15 | 电化株式会社 | 收容荧光体的包装袋和包装箱 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070108896A1 (en) * | 2004-03-12 | 2007-05-17 | National Institute For Material Science | Fluorescent substance, method for manufacturing the same, illuminator and image display device |
EP1806390A1 (en) * | 2004-09-22 | 2007-07-11 | National Institute for Materials Science | Phosphor and method for production thereof, and luminous utensil |
JP2007291352A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
US20090014741A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Group of phosphor particles for light-emitting device, light-emitting device and backlight for liquid crystal display |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10147040A1 (de) * | 2001-09-25 | 2003-04-24 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle |
JP4128564B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2008-07-30 | 松下電器産業株式会社 | 発光装置 |
KR101168173B1 (ko) * | 2004-08-11 | 2012-07-24 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체와 그 제조방법 |
JP5239182B2 (ja) * | 2006-03-27 | 2013-07-17 | 三菱化学株式会社 | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
JP2008120938A (ja) * | 2006-11-14 | 2008-05-29 | Sharp Corp | 蛍光体およびその製造方法、ならびに半導体発光装置および画像表示装置 |
JP5517037B2 (ja) * | 2009-08-06 | 2014-06-11 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
JP2011225696A (ja) * | 2010-04-19 | 2011-11-10 | Sharp Corp | 赤色系発光蛍光体、その製造方法および赤色系発光蛍光体を用いた発光装置 |
-
2012
- 2012-02-09 JP JP2012026600A patent/JP2015083618A/ja active Pending
- 2012-08-09 WO PCT/JP2012/070394 patent/WO2013118332A1/ja active Application Filing
- 2012-09-06 TW TW101132438A patent/TWI472066B/zh active
- 2012-11-26 CN CN201210487685.8A patent/CN103242832B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070108896A1 (en) * | 2004-03-12 | 2007-05-17 | National Institute For Material Science | Fluorescent substance, method for manufacturing the same, illuminator and image display device |
EP1806390A1 (en) * | 2004-09-22 | 2007-07-11 | National Institute for Materials Science | Phosphor and method for production thereof, and luminous utensil |
JP2007291352A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-11-08 | Mitsubishi Chemicals Corp | 蛍光体及びそれを使用した発光装置 |
US20090014741A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Group of phosphor particles for light-emitting device, light-emitting device and backlight for liquid crystal display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201334228A (zh) | 2013-08-16 |
JP2015083618A (ja) | 2015-04-30 |
CN103242832B (zh) | 2016-01-27 |
WO2013118332A1 (ja) | 2013-08-15 |
CN103242832A (zh) | 2013-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI505510B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
TWI572065B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
TWI472066B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
TWI453269B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
TWI454555B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
JP5916409B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP5937837B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
TWI454554B (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
JP5916412B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
TW201333163A (zh) | 螢光體及發光裝置 | |
JP5919015B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP5916411B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP5916408B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP5901987B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP5919014B2 (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163723A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163722A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163734A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163736A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163738A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163727A (ja) | 蛍光体及び発光装置 | |
JP2013163726A (ja) | 蛍光体及び発光装置 |