WO2013071815A1 - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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左雄灿
林准焕
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    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133302—Rigid substrates, e.g. inorganic substrates

Definitions

  • Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
  • Embodiments of the present invention relate to a liquid crystal display device and a method of fabricating the same. Background technique
  • a color filter (CF) substrate and a color filter (CF) substrate are usually supported by a spacer (Ball Spacer, BS or Photo Spacer, PS).
  • the array substrate forms a gap for accommodating the liquid crystal between the color filter substrate and the array substrate.
  • FIG. 1 it is a schematic structural view of a liquid crystal display device of the prior art, which comprises a color filter substrate and an array substrate of a pair of boxes.
  • the color filter substrate includes a transparent substrate 1, a black matrix (BM) 2 and a color filter 3 formed on the transparent substrate 1, a common electrode 4 formed on the black matrix 2 and the color filter 3, and a common electrode 4
  • the alignment film 5 is formed.
  • the array substrate includes a transparent substrate ⁇ , a gate formed on the transparent substrate 17 17 , a gate insulating layer formed on the gate 17 , and an active layer formed on the gate insulating layer 11 .
  • a spacer 14 is disposed between the alignment film 5 of the color filter substrate and the alignment film 5' of the array substrate to maintain a cell thickness, and a gap for accommodating the liquid crystal 12 is formed between the color filter substrate and the array substrate.
  • a dilute magnetic semiconductor formed by injecting a small amount of Co into the wide band gap semiconductor Ti0 2 has room temperature ferromagnetism, since Ti0 2 itself has good physicochemical properties such as high refractive index, visible light and infrared. Excellent light transmission in the range, so Co x Ti 1 ⁇ i 0 2 is also called a transparent ferromagnet.
  • the Japanese Institute of Materials Research (NIMS) has also developed a novel film-like transparent magnetic semiconductor by adding Co and Fe magnetic elements to ⁇ ⁇ 0 2 (ie, film-like photocatalyst material Ti0 2 ).
  • the resulting Ti a8 Co a2 0 2 and Ti a6 Fe a4 0 2 have a thickness of about 1 nm, which is the thinnest transparent magnetic material among the materials developed to date.
  • the prior art has been using a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), was successfully prepared with ⁇ ⁇ ⁇ room temperature ferromagnetism) ⁇ ⁇ dilute magnetic semiconductor films at low temperatures, and study the structure of the thin film system, the surface shape appearance, Optical and magnetic properties. Summary of the invention
  • An embodiment of the present invention provides a liquid crystal display device, including: a color filter substrate including a first transparent substrate; and an array substrate including a second transparent substrate, wherein the first transparent substrate is formed with a first A transparent magnetic thin film layer is formed on the second transparent substrate, and the first transparent magnetic thin film layer and the second transparent magnetic thin film layer have the same magnetic properties.
  • Another embodiment of the present invention provides a method of fabricating a liquid crystal display device, including: forming a color filter substrate, the color filter substrate including a first transparent substrate, and the first transparent substrate is formed with a first transparent magnetic Forming an array substrate, the array substrate includes a second transparent substrate, the second transparent substrate is formed with a second transparent magnetic film layer, the second transparent magnetic film layer and the first transparent magnetic film layer Having the same magnetic properties; and forming a gap between the color filter substrate and the array substrate to form a gap between the color filter substrate and the array substrate, and injecting liquid crystal into the gap.
  • FIG. 1 is a schematic structural view of a liquid crystal display device of the prior art
  • FIG. 2 is a schematic structural view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. detailed description
  • Embodiments of the present invention provide a liquid crystal display device which is also provided without a spacer A certain thickness of the cell can be maintained, and a gap for accommodating the liquid crystal is formed between the color filter substrate and the array substrate. Embodiments of the present invention also provide a method of manufacturing the above liquid crystal display device.
  • the liquid crystal display device of the embodiment of the present invention may include a color filter substrate and an array substrate of a pair of cases.
  • the color filter substrate may include a transparent substrate 1 (for example, a glass substrate), a black matrix 2 and a color filter 3 formed on the transparent substrate 1, a common electrode 4 formed on the black matrix 2 and the color filter 3, and a common electrode 4
  • the transparent magnetic thin film layer 16 formed thereon and the alignment film 5 (which is the outermost layer of the color filter substrate) formed on the transparent magnetic thin film layer 16 are formed.
  • the transparent magnetic thin film layer 16 may be formed on the common electrode 4, and may be formed between the transparent substrate 1 and the black matrix 2, between the black matrix 2 and the color filter 3, Or between the color filter 3 and the common electrode 4.
  • the array substrate may include a transparent substrate ⁇ , a gate electrode 17 formed on the transparent substrate ⁇ , a gate insulating layer 11 formed on the gate electrode 17, an active layer 9 formed on the gate insulating layer 11, and a source/drain layer 8 And the pixel electrode layer 10, the insulating layer 7 formed on the source/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10, the transparent magnetic thin film layer 16 formed on the insulating layer 7, and the transparent magnetic thin film layer 16, and the alignment film 5 formed thereon (It is the outermost layer of the array substrate).
  • the transparent magnetic thin film layer 16 may be formed between the transparent substrate ⁇ and the gate 17 and between the gate electrode 17 and the gate insulating layer 11 in addition to being formed on the insulating layer 7. Between the gate insulating layer 11 and the active layer 9, between the source/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10, or between the source/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10 and the insulating layer 7.
  • the transparent magnetic film layer 16 on the color filter substrate and the transparent magnetic film layer 16 on the array substrate have the same magnetic properties, so a gap is formed between the color filter substrate and the array substrate through a uniform weak magnetic field repelled by the same polarity, and is used to maintain the box. Thick and accommodating the liquid crystal 12.
  • the transparent magnetic thin film layer 16 is described as being formed on the common electrode 4, and the transparent magnetic thin film layer 16 is formed on the insulating layer 7, for example, but the transparent magnetic thin film layer 16 and The position of 16' is not limited to this.
  • the transparent magnetic thin film layer in this embodiment is a dilute magnetic semiconductor thin film which is formed by chemical reaction deposition of a dopant and a dopant.
  • the dopant is one or more of an acetylacetonate containing a magnetic transition group metal element including one or more of Fe, Co, Ni, and Mn, and the dopant is included
  • An example of an acetylacetonate is acetylacetonate (C 1C )H 14 0 4 Zn ) or manganese acetylacetonate (C 15 H 21 0 6 Mn ).
  • the magnitude of the magnetic field between the transparent magnetic thin film layers 16 and 16 can be changed, thereby realizing different cell thicknesses ( Cell Gap).
  • the manufacturing method of the liquid crystal display device of the embodiment of the present invention includes the following steps, for example:
  • Step S1 forming a color filter substrate, the color film substrate comprises a first transparent magnetic film layer; in an embodiment of the invention, a black matrix 2 and a color filter 3 are formed on the transparent substrate 1 (for example, a glass substrate), The common electrode 4 is formed on the black matrix 2 and the color filter 3, the transparent magnetic thin film layer 16 is formed on the common electrode 4, and the alignment film 5 is formed on the transparent magnetic thin film layer 16. Thereby, a color filter substrate is formed.
  • the transparent magnetic film layer 16 is formed on the common electrode 4 in this embodiment, in other embodiments of the present invention, the transparent magnetic film layer 16 may be formed between the transparent substrate 1 and the black matrix 2, and the black matrix 2 and Between the color filters 3, or between the color filter 3 and the common electrode 4.
  • Step S2 forming an array substrate, the array substrate comprising a second transparent magnetic film layer having the same magnetic property as the first transparent magnetic film layer;
  • a gate electrode 17 is formed on a transparent substrate ⁇ (for example, a glass substrate), a gate insulating layer 11 is formed on the gate electrode 17, and an active layer 9 and a source are formed on the gate insulating layer 11.
  • the electrode/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10 are formed with an insulating layer 7 on the source/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10, and a transparent magnetic film layer having the same magnetic properties as the transparent magnetic film 16 is formed on the insulating layer 7. 16.
  • An alignment film 5 is formed on the transparent magnetic film layer 16. Thereby, an array substrate is formed.
  • the transparent magnetic film layer 16 is formed on the insulating layer 7 in this embodiment, in other embodiments of the present invention, the transparent magnetic film layer 16 may be formed between the transparent substrate ⁇ and the gate 17, and the gate. 17 and the gate insulating layer 11, between the gate insulating layer 11 and the active layer 9, between the pixel electrode layer 10 and the source/drain layer 8, or between the source/drain layer 8 and the pixel electrode layer 10 Between the insulating layers 7.
  • Step S3 performing alignment processing on the alignment film
  • the alignment films 5 and 5' on the outermost layer of the color filter substrate and the outermost layer of the array substrate are subjected to alignment treatment, for example, rubbing treatment or photoalignment treatment.
  • Step S4 injecting liquid crystal into a gap between the array substrate and the color filter substrate;
  • the transparent magnetic film layers 16, 16 have the same magnetic properties and are repelled by the same polarity, there is a certain gap between the array substrate and the color filter substrate, and the liquid crystal is injected into the array substrate and the color. In the gap between the film substrates.
  • Step S5 packaging the color film substrate and the array substrate
  • the color filter substrate and the array substrate are packaged into a liquid crystal display device by the photosensitive paste 6.
  • the transparent magnetic thin film layers 16, 16 of the embodiment of the present invention are formed, for example, by a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) process.
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the method for forming the transparent magnetic film layers 16, 16 of the embodiment of the present invention includes the following steps, for example:
  • Step S11 preparing an evaporation target
  • a dopant comprising a magnetic transition metal element and a dopant comprising a non-magnetic transition metal element are arranged at a certain atomic ratio to obtain a mixed raw material; the mixed raw material is ground to make The mixture is uniformly mixed; then the milled mixed raw material is pressed into a certain diameter evaporation target under a specific high pressure.
  • the dopant is one or more of acetylacetonate containing a magnetic transition metal element
  • the dopant is one of acetylacetonate containing a non-magnetic transition metal element Or more, wherein the magnetic transition group metal element comprises one or more of Fe, Co, Ni, and Mn; and the non-magnetic transition group metal element includes one or more of Zn, Zr, Ti, and Ga.
  • a dopant including a magnetic transition metal element Co and a dopant including a non-magnetic transition metal element Ti are configured as a mixed raw material, and a magnetic transition metal
  • the atomic percentage of the element Co is 6%, and the atomic percentage of the non-magnetic transition metal element Ti is 94%.
  • the thus prepared transparent magnetic thin film layer has the following advantages, for example, better polycrystalline characteristics and no generation of an impurity phase; It has good room temperature ferromagnetism; colorless, and has good light transmittance in the visible light range.
  • Step S12 placing the evaporation target in the deposition chamber
  • the evaporation target is placed in a cleaning vessel, such as a quartz vessel, and then the quartz vessel containing the evaporation target is placed in a PECVD deposition chamber and the PE pump is performed using a molecular pump and a mechanical pump.
  • the deposition chamber is evacuated. Step S13, after placing the color filter substrate and the array substrate in the PECVD deposition chamber, generating a plasma in the PECVD deposition chamber;
  • the color filter substrate and the array substrate are fed into the PECVD deposition chamber by a robot, and the insulating layer and the common electrode are used as a substrate, and the insulating layer and the common electrode are directly opposite to the evaporation target, and then the deposition chamber into a certain flow rate of reaction gas 02; molecular pump by controlling the deposition chamber gate valve operating pressure modulation, and tuning capacitor matching, a reaction gas such that the deposition chamber 02 under the effect of a certain power from a radio frequency After the priming, the deposition chamber is filled with a large amount of plasma, including zero plasma and high-speed moving electrons.
  • Step S14 after heating the evaporation target, performing deposition
  • the heater is used to heat the quartz vessel containing the evaporation target by running the heating source.
  • the mixed material in the evaporation target is sequentially taken from the target under the thermal radiation.
  • the surface escapes, at which time the 0 2 molecules are decomposed under the continuous bombardment of the plasma by the high-speed moving electrons; the transparent film, the insulating layer and the surface of the common electrode are deposited on the surface of the insulating layer and the common electrode by chemical reaction.
  • the atomic ratio of the top mixed material will be close to the atomic ratio in the evaporation target.
  • Step S15 taking out the substrate after cooling
  • the heating is stopped to naturally cool the substrate; during the cooling process, other work is performed.
  • the parameters are always constant, and after the temperature has dropped to a certain temperature, the substrate on which the transparent film is deposited is taken out by a robot.
  • Step S16 performing magnetization treatment on the transparent film
  • the transparent film on the surface of the substrate is magnetized by placing the substrate in a chamber to which an applied magnetic field is applied.
  • the transparent film has a weak ferromagnetism which is uniform at room temperature, thereby forming a transparent magnetic film layer.
  • the type and ratio of the mixed raw materials involved in the steps S11 to S16 of the present embodiment, the diameter of the evaporation target, the working pressure, the radio frequency power, the heating time and temperature, the deposition time and temperature, the reaction rate, the cooling time and the temperature Process conditions, etc., are all determined by the magnetic properties required for the prepared transparent magnetic film layer.
  • the magnetic properties of the transparent magnetic film layers are determined jointly by the above process conditions.
  • the method of magnetic thin film, and the PECVD method is also a very mature method in the art, and will not be described in detail herein.
  • a PECVD process is taken as an example to describe a method of forming a transparent magnetic film layer, but in other embodiments of the present invention, other processes may be used to form a transparent magnetic film layer.
  • the embodiment of the present invention is configured by disposing a dopant containing a magnetic transition metal element and a dopant containing a non-magnetic transition metal element in a certain atomic ratio as a mixed raw material. Forming a transparent magnetic film layer on the film substrate and the array substrate, so that the color film substrate and the array substrate have a certain gap through the repulsive force of the transparent magnetic film layer, thereby maintaining a uniform cell thickness of the liquid crystal display device without separately Make a spacer.

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Abstract

一种液晶显示装置及其制造方法，该液晶显示装置包括：彩膜基板，包括第一透明基板（1）；以及阵列基板，包括第二透明基板（1'），其中，所述第一透明基板（1）上形成有第一透明磁性薄膜层（16），所述第二透明基板（1'）上形成有第二透明磁性薄膜层（16'），所述第一透明磁性薄膜层（16）与所述第二透明磁性薄膜层（16'）具有相同的磁性。

Description

液晶显示装置及其制造方法 技术领域
本发明的实施例涉及一种液晶显示装置及其制造方法。 背景技术
现有的薄膜晶体管液晶显示装置 （Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD ) 中， 通常通过隔垫物 （ Ball Spacer, BS或 Photo Spacer, PS )来支撑彩膜（Color Filter, CF )基板和阵列基板， 在彩膜基板和阵列基 板之间形成用于容置液晶的间隙。 如图 1所示， 为现有技术的液晶显示装置 的结构示意图， 其包括对盒的彩膜基板和阵列基板。 彩膜基板包括透明基板 1、 透明基板 1上形成的黑矩阵（ Black Matrix, BM ) 2和彩色滤光片 3、 黑 矩阵 2和彩色滤光片 3上形成的公共电极 4以及公共电极 4上形成的配向膜 5。 阵列基板包括透明基板 Γ、 透明基板 Γ上形成的栅极（Gate ) 17、 栅极 17上形成的栅极绝缘层 ( Gate Insulator ) 11、 栅极绝缘层 11上形成的有源 ( Active )层 9、 源极 /漏极（ Source/Drain, S/D )层 8和像素电极层 10、 源 极 /漏极层 8和像素电极层 10上形成的绝缘层 ( PVX层） 7以及绝缘层 7上 形成的配向膜 5'。 彩膜基板的配向膜 5和阵列基板的配向膜 5'之间具有隔垫 物 14, 用以维持盒厚， 在彩膜基板和阵列基板之间形成用于容置液晶 12的 间隙。
2001年 Y. Matsumoto 等人报道， 将少量 Co注入宽禁带半导体 Ti02而 形成的稀磁半导体具有室温铁磁性， 由于 Ti02本身有很好的物化特性，如高 折射率、 在可见光和红外范围内极好的透光性， 因此 CoxTi1→i02又被称为透 明铁磁体。 日本物质材料研究机构 （NIMS )也已开发出一种新型薄膜状透 明磁性半导体，该半导体是通过在 Τίμδ02(即制成薄膜状的光触媒材料 Ti02 ) 中添加 Co和 Fe磁性元素而制成的 Tia8Coa202和 Tia6Fea402, 其厚度能达到 约 lnm, 为迄今开发的材料中最薄的透明磁性材料。 现有技术已经利用等离 子体增强化学气相沉积法（PECVD ) , 成功地在低温下制备出具有室温铁磁 性的 ΖημχΟ)χΟ稀磁半导体薄膜， 并系统地研究了薄膜的结构、 表面形貌、 光学性质和磁学性质。 发明内容
本发明的一个实施例提供了一种液晶显示装置， 其包括： 彩膜基板， 包 括第一透明基板； 以及阵列基板， 包括第二透明基板， 其中， 所述第一透明 基板上形成有第一透明磁性薄膜层， 所述第二透明基板上形成有第二透明磁 性薄膜层， 所述第一透明磁性薄膜层与所述第二透明磁性薄膜层具有相同的 磁性。
本发明的另一个实施例提供了一种液晶显示装置的制造方法， 其包括： 形成彩膜基板， 所述彩膜基板包括第一透明基板， 所述第一透明基板上形成 有第一透明磁性薄膜层； 形成阵列基板， 所述阵列基板包括第二透明基板， 所述第二透明基板上形成有第二透明磁性薄膜层， 所述第二透明磁性薄膜层 与所述第一透明磁性薄膜层具有相同的磁性； 以及将所述彩膜基板和所述阵 列基板对盒以在所述彩膜基板与所述阵列基板之间形成间隙， 在所述间隙中 注入液晶。 附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例， 而非对本发明的限制。
图 1是现有技术的液晶显示装置的结构示意图； 以及
图 2是本发明实施例的液晶显示装置的结构示意图。 具体实施方式
为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描 述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
本发明的实施例提供了一种液晶显示装置， 其在没有隔垫物的情况下也 能够维持一定的盒厚，在彩膜基板与阵列基板之间形成用于容置液晶的间隙。 本发明的实施例还提供了上述液晶显示装置的制造方法。
下面参照图 2详细说明本发明实施例的液晶显示装置。
图 2是本发明实施例的液晶显示装置的结构示意图。 如图 2所示， 本发 明实施例的液晶显示装置可以包括对盒的彩膜基板和阵列基板。
彩膜基板可以包括透明基板 1 (例如， 玻璃基板） 、 透明基板 1上形成 的黑矩阵 2和彩色滤光片 3、 黑矩阵 2和彩色滤光片 3上形成的公共电极 4、 公共电极 4上形成的透明磁性薄膜层 16以及在透明磁性薄膜层 16上形成的 配向膜 5 (其为彩膜基板的最外层） 。 在本发明的实施例中， 透明磁性薄膜 层 16除了可以形成在公共电极 4上之外，还可以形成在透明基板 1与黑矩阵 2之间、 黑矩阵 2与彩色滤光片 3之间、 或彩色滤光片 3与公共电极 4之间。
阵列基板可以包括透明基板 Γ、 透明基板 Γ上形成的栅极 17、 栅极 17 上形成的栅极绝缘层 11、 栅极绝缘层 11上形成的有源层 9、 源极 /漏极层 8 和像素电极层 10、 源极 /漏极层 8和像素电极层 10上形成的绝缘层 7、 绝缘 层 7上形成的透明磁性薄膜层 16，以及透明磁性薄膜层 16，上形成的配向膜 5 (其为阵列基板的最外层） 。 在本发明的实施例中， 透明磁性薄膜层 16，除 了可以形成在绝缘层 7上之外， 还可以形成在透明基板 Γ与栅极 17之间、 栅极 17与栅极绝缘层 11之间、 栅极绝缘层 11与有源层 9、 源极 /漏极层 8 和像素电极层 10之间、 或源极 /漏极层 8和像素电极层 10与绝缘层 7之间。
彩膜基板上的透明磁性薄膜层 16和阵列基板上的透明磁性薄膜层 16，磁 性相同， 因此通过同极相斥的均匀弱磁场在彩膜基板和阵列基板之间形成间 隙， 用于维持盒厚以及容置液晶 12。 本实施例中， 透明磁性薄膜层 16以形 成于公共电极 4上为例进行说明， 透明磁性薄膜层 16，以形成于绝缘层 7上 为例进行说明， 但是如上所述透明磁性薄膜层 16和 16'的位置不限于此。
本实施例中的透明磁性薄膜层是一种稀磁半导体薄膜， 该稀磁半导体薄 膜是由掺杂物和被掺杂物经过化学反应沉积形成。 掺杂物为包含磁性过渡族 金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种 ,该磁性过渡族金属元素包括 Fe、 Co、 Ni和 Mn中的一种或多种， 被掺杂物为包含非磁性过渡族金属元素的乙酰丙 酮盐中的一种或多种， 该非磁性过渡族金属元素包括 Zn、 Zr、 Ti及 Ga中的 一种或多种。 乙酰丙酮盐的分子式可以表示为： （CxHyOz)X, 其中 X=Fe、 Co、 Ni、 Mn、 Zn、 Zr、 Ti或 Ga。乙酰丙酮盐的示例为乙酰丙酮辞（ C1C)H1404Zn ) 或乙酰丙酮锰（C15H2106Mn ) 。
通过改变透明磁性薄膜层的厚度以及其中所包含的磁性过渡族金属元素 的种类、配比及浓度，能够改变透明磁性薄膜层 16和 16，之间的磁场的大小， 从而能够实现不同盒厚 ( Cell Gap ) 。
下面详细说明本发明实施例的液晶显示装置的制造方法。 本发明实施例 的液晶显示装置的制造方法例如包括以下步骤：
步骤 Sl、 形成彩膜基板， 该彩膜基板包括第一透明磁性薄膜层； 在本发明的实施例中， 在透明基板 1 (例如， 玻璃基板）上形成黑矩阵 2 和彩色滤光片 3 ,在黑矩阵 2和彩色滤光片 3上形成公共电极 4,在公共电极 4上形成透明磁性薄膜层 16, 在透明磁性薄膜层 16上形成配向膜 5。 由此， 形成彩膜基板。
虽然在本实施例中透明磁性薄膜层 16形成在公共电极 4上，但是在本发 明的其它实施例中透明磁性薄膜层 16还可以形成在透明基板 1与黑矩阵 2 之间、 黑矩阵 2与彩色滤光片 3之间、 或彩色滤光片 3与公共电极 4之间。
步骤 S2、 形成阵列基板， 该阵列基板包括与第一透明磁性薄膜层具有相 同磁性的第二透明磁性薄膜层；
在本发明的实施例中，在透明基板 Γ (例如，玻璃基板）上形成栅极 17 , 在栅极 17上形成栅极绝缘层 11 , 在栅极绝缘层 11上形成有源层 9、 源极 / 漏极层 8和像素电极层 10, 在源极 /漏极层 8和像素电极层 10上形成绝缘层 7 ,在绝缘层 7上形成与透明磁性薄膜 16具有相同磁性的透明磁性薄膜层 16，， 在透明磁性薄膜层 16，上形成配向膜 5，。 由此， 形成阵列基板。
虽然在本实施例中透明磁性薄膜层 16，形成在绝缘层 7上， 但是在本发 明的其它实施例中透明磁性薄膜层 16，还可以形成在透明基板 Γ与栅极 17之 间、 栅极 17与栅极绝缘层 11之间、 栅极绝缘层 11与有源层 9、 像素电极层 10和源极 /漏极层 8之间、或源极 /漏极层 8和像素电极层 10与绝缘层 7之间。
步骤 S3、 对配向膜进行配向处理；
在本发明的实施例中， 对彩膜基板的最外层上和阵列基板的最外层上的 配向膜 5和 5'进行配向处理， 例如， 摩擦（Rubbing )处理或者光配向处理。
步骤 S4、 将液晶注入到阵列基板与彩膜基板之间的间隙中； 在本发明的实施例中， 由于透明磁性薄膜层 16、 16，具有相同的磁性， 同极相斥， 因此在阵列基板与彩膜基板之间存在一定的间隙， 将液晶注入到 阵列基板与彩膜基板之间的间隙中。
步骤 S5、 封装彩膜基板和阵列基板；
在本发明的实施例中， 利用感光胶 6将彩膜基板和阵列基板封装成液晶 显示装置。
通过上述工艺， 即制造出了一种不需要隔垫物的液晶显示装置。
下面， 详细说明本发明实施例的透明磁性薄膜层 16、 16，的形成方法。 在本发明的实施例中， 例如， 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD )工 艺形成透明磁性薄膜层 16、 16，。 本发明实施例的透明磁性薄膜层 16、 16，的 形成方法例如包括以下步骤：
步骤 Sll、 制备蒸发靶；
在本发明的实施例中， 将包含磁性过渡族金属元素的掺杂物和包含非磁 性过渡族金属元素的被掺杂物按一定的原子比例配置以得到混合原料； 对混 合原料进行研磨以使其混合均匀； 然后将研磨后的混合原料在特定的高压下 压制成一定直径的蒸发靶。
在本发明的实施例中， 掺杂物为包含磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐 中的一种或多种， 被掺杂物为包含非磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的 一种或多种， 其中磁性过渡族金属元素包括 Fe、 Co、 Ni和 Mn中的一种或 多种； 非磁性过渡族金属元素包括 Zn、 Zr、 Ti和 Ga中的一种或多种。
在本发明的实施例中， 举例而言， 若将包含磁性过渡族金属元素 Co的 掺杂物和包含非磁性过渡族金属元素 Ti的被掺杂物配置成混合原料，并使得 磁性过渡族金属元素 Co的原子百分比为 6%, 非磁性过渡族金属元素 Ti的 原子百分比为 94%, 这样制备出的透明磁性薄膜层具有以下优点， 例如， 较 好的多晶特性并且没有杂质相的生成； 具有较好的室温铁磁性； 无色， 在可 见光范围内具有较好的透光性。
步骤 S12、 将蒸发靶置于沉积室中；
在本发明的实施例中， 将蒸发靶置于清洁容器中， 比如石英器皿中， 然 后将装有蒸发靶的石英器皿置于 PECVD沉积室（Chamber )中， 并利用分子 泵和机械泵对 PECVD沉积室抽真空。 步骤 S13、 在将彩膜基板和阵列基板置于 PECVD 沉积室中之后， 在 PECVD沉积室中产生等离子体；
在本发明的实施例中， 将彩膜基板和阵列基板由机械手送入 PECVD沉 积室中， 将绝缘层和公共电极作为衬底， 使绝缘层和公共电极正对蒸发靶的 正上方， 然后往沉积室中通入一定流量的反应气体 02; 通过控制分子泵的闸 板阀调制沉积室内的工作气压， 并调谐电容匹配器， 使得沉积室内的反应气 体 02在一定功率的射频作用下起辉；起辉后，沉积室中充满大量的等离子体， 包括 0等离子体和高速运动的电子。
步骤 S14、 在加热蒸发靶之后， 进行沉积；
在本发明的实施例中， 通过运行加热源使得加热器对装有蒸发靶的石英 器皿进行加热， 当蒸发靶受热到一定程度时， 蒸发靶中的混合原料就会在热 辐射下先后从靶表面逸出，此时 02分子在等离子体受到高速运动电子的持续 轰击下而分解； 经过化学反应而在绝缘层和公共电极的表面上沉积混合原料 的透明薄膜， 绝缘层和公共电极的表面上混合原料的原子比例将接近于蒸发 靶中的原子比例。
步骤 S15、 冷却后取出衬底；
在本发明的实施例中，待沉积在衬底表面的透明薄膜中混合原料的配比、 厚度、 均匀性等达到要求后， 停止加热， 使衬底自然降温； 在冷却的过程中， 其它工作参数始终不变， 待温度降至一定温度后， 利用机械手取出沉积有透 明薄膜的衬底。
步骤 S16、 对透明薄膜进行磁化处理；
在本发明的实施例中， 通过将衬底放置在施加有外加磁场的腔室中， 对 衬底表面的透明薄膜进行磁化处理。 通过本步骤的磁化处理使透明薄膜具有 室温均匀的弱铁磁性， 从而形成透明磁性薄膜层。
本实施例的步骤 S11-步骤 S16中涉及到的混合原料的种类和配比、 蒸发 靶的直径大小、 工作气压、 射频功率、 加热时间和温度、 沉积时间和温度、 反应速率、 冷却时间和温度等等工艺条件， 均由制备出的透明磁性薄膜层所 需要的磁性大小来综合决定。 为了制造具有不同盒厚的液晶显示装置， 需要 形成不同磁性大小的透明磁性薄膜层， 而透明磁性薄膜层的磁性大小是通过 上述工艺条件来共同决定。 现有技术中已经有了关于制造不同磁性大小的透 明磁性薄膜的方法， 并且 PECVD方法也是本领域非常成熟的方法， 在此就 不再进行详细 述。
本实施例以 PECVD工艺为例来说明透明磁性薄膜层的形成方法， 但是 在本发明的其它实施例中还可以釆用其它工艺来形成透明磁性薄膜层。
由以上实施例可以看出， 本发明的实施例通过将包含磁性过渡族金属元 素的掺杂物和包含非磁性过渡族金属元素的被掺杂物按一定的原子比例配置 成混合原料而在彩膜基板和阵列基板上形成透明磁性薄膜层， 使得彩膜基板 和阵列基板之间通过透明磁性薄膜层的相斥力而具有一定的间隙， 从而能够 维持液晶显示装置的均匀盒厚， 而不需要单独制造隔垫物。
最后应说明的是： 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其 限制； 尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通技术 人员应当理解： 其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或 者对其中部分技术特征进行等同替换； 而这些修改或者替换， 并不使相应技 术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

权利要求书
1、 一种液晶显示装置， 包括：
彩膜基板， 包括第一透明基板； 以及
阵列基板， 包括第二透明基板，
其中， 所述第一透明基板上形成有第一透明磁性薄膜层， 所述第二透明 基板上形成有第二透明磁性薄膜层， 所述第一透明磁性薄膜层与所述第二透 明磁性薄膜层具有相同的磁性。
2、如权利要求 1所述的液晶显示装置， 其中， 所述第一透明磁性薄膜层 和所述第二透明磁性薄膜层均包括掺杂物和被掺杂物， 所述掺杂物为包含磁 性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种， 所述被掺杂物为包含非磁 性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种。
3、如权利要求 2所述的液晶显示装置， 其中， 所述磁性过渡族金属元素 包括 Fe、 Co、 Ni和 Mn中的一种或多种， 所述非磁性过渡族金属元素包括 Zn、 Zr、 Ti及 Ga中的一种或多种。
4、 如权利要求 1所述的液晶显示装置， 其中， 所述彩膜基板还包括： 黑矩阵和彩色滤光片， 形成在所述第一透明基板上； 以及
公共电极， 形成在所述黑矩阵和所述彩色滤光片上。
5、如权利要求 4所述的液晶显示装置， 其中， 所述第一透明磁性薄膜层 形成在所述第一透明基板与所述黑矩阵之间、 所述黑矩阵与所述彩色滤光片 之间、 所述彩色滤光片与所述公共电极之间、 或所述公共电极上。
6、如权利要求 5所述的液晶显示装置， 其中， 所述彩膜基板还包括在其 最外层形成的配向膜。
7、 如权利要求 1所述的液晶显示装置， 其中， 所述阵列基板还包括： 栅极， 形成在所述第二透明基板上；
栅极绝缘层， 形成在所述栅极上；
有源层、 源极 /漏极层和像素电极层， 形成在所述栅极绝缘层上； 以及 绝缘层， 形成在所述源极 /漏极层和所述像素电极层上。
8、如权利要求 7所述的液晶显示装置， 其中， 所述第二透明磁性薄膜层 形成在所述第二透明基板与所述栅极之间、所述栅极与所述栅极绝缘层之间、 所述栅极绝缘层与所述有源层、 所述源极 /漏极层和所述像素电极层之间、 所 述源极 /漏极层和所述像素电极层与所述绝缘层之间、 或所述绝缘层上。
9、如权利要求 8所述的液晶显示装置， 其中， 所述阵列基板还包括在其 最外层形成的配向膜。
10、 一种液晶显示装置的制造方法， 包括：
形成彩膜基板， 所述彩膜基板包括第一透明基板， 所述第一透明基板上 形成有第一透明磁性薄膜层；
形成阵列基板， 所述阵列基板包括第二透明基板， 所述第二透明基板上 形成有第二透明磁性薄膜层， 所述第二透明磁性薄膜层与所述第一透明磁性 薄膜层具有相同的磁性； 以及
将所述彩膜基板和所述阵列基板对盒以在所述彩膜基板与所述阵列基板 之间形成间隙， 在所述间隙中注入液晶。
11、如权利要求 10所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成彩膜基 板包括：
在所述第一透明基板上形成黑矩阵和彩色滤光片； 以及
在所述黑矩阵和所述彩色滤光片上形成公共电极。
12、如权利要求 11所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成彩膜基 板还包括： 在所述第一透明基板与所述黑矩阵之间、 所述黑矩阵与所述彩色 滤光片之间、 所述彩色滤光片与所述公共电极之间、 或所述公共电极上形成 所述第一透明磁性薄膜层。
13、如权利要求 10所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成阵列基 板包括：
在第二透明基板上形成栅极；
在所述栅极上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成有源层、 源极 /漏极层和像素电极层； 以及 在所述源极 /漏极层和所述像素电极层上形成绝缘层。
14、如权利要求 13所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成阵列基 板还包括： 在所述第二透明基板与所述栅极之间、 所述栅极与所述栅极绝缘 层之间、 所述栅极绝缘层与所述有源层、 所述源极 /漏极层和所述像素电极层 之间、 所述源极 /漏极层和所述像素电极层与所述绝缘层之间、 或所述绝缘层 上形成所述第二透明磁性薄膜层。
15、如权利要求 10所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成所述第 一透明磁性薄膜层或所述第二透明磁性薄膜层包括：
将包含磁性过渡族金属元素的掺杂物和包含非磁性过渡族金属元素的被 掺杂物配置成混合原料， 将所述混合原料压制成蒸发靶；
将所述蒸发靶置于容器中并将所述容器置于等离子体增强化学气相沉积 工艺的沉积室中， 对所述沉积室抽真空；
将所述彩膜基板和所述阵列基板送入所述沉积室， 使所述绝缘层和所述 公共电极正对所述蒸发靶的正上方，向所述沉积室中通入反应气体 02并使其 起辉；
对所述容器进行加热， 使所述蒸发靶中的所述混合原料从表面逸出， 02 分子分解， 从而经过化学反应沉积后， 在所述绝缘层和所述公共电极的表面 上沉积所述混合原料的透明薄膜；
停止加热， 使所述绝缘层和所述公共电极的表面上的所述透明薄膜自然 降温后， 将所述彩膜基板和所述阵列基板从所述沉积室取出； 以及
将所述彩膜基板和所述阵列基板放置在施加有外加磁场的腔室中， 对所 述透明薄膜进行磁化处理， 使其成为透明磁性薄膜层。
16、如权利要求 15所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 所述掺杂物 为包含磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种， 所述被掺杂物为 包含非磁性过渡族金属元素的乙酰丙酮盐中的一种或多种。
17、如权利要求 16所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 所述磁性过 渡族金属元素包括 Fe、 Co、 Ni和 Mn中的一种或多种， 所述非磁性过渡族 金属元素包括 Zn、 Zr、 Ti及 Ga中的一种或多种。
18、如权利要求 17所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 所述磁性过 渡族金属元素为 Co, 所述混合原料中 Co的原子比例为 6%, 所述非磁性过 渡族金属元素为 Ti, 所述混合原料中 Ti的原子比例为 94%。
19、如权利要求 10所述的液晶显示装置的制造方法， 其中， 形成彩膜基 板包括： 在所述彩膜基板的最外层形成第一配向膜， 并对所述第一配向膜进 行配向处理； 以及形成所述阵列基板包括： 在所述阵列基板的最外层形成第 二配向膜， 并对所述第二配向膜进行配向处理。
20、 如权利要求 10所述的液晶显示装置的制造方法， 在注入液晶之后, 还包括： 通过釆用感光胶将所述彩膜基板和所述阵列基板封装。
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