WO2013054539A1 - 電子線照射による不活化方法および処理装置 - Google Patents

電子線照射による不活化方法および処理装置 Download PDF

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WO2013054539A1
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gas
electron beam
processed
excited
processing chamber
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PCT/JP2012/006561
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French (fr)
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哲也 笠原
和義 猪井
博一 寺田
裕明 羽田
木下 忍
裕之 松本
潔 吉野
紗代 星野
崇 井出
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岩崎電気株式会社
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    • B65B55/04Sterilising wrappers or receptacles prior to, or during, packaging
    • B65B55/08Sterilising wrappers or receptacles prior to, or during, packaging by irradiation

Definitions

  • the present invention relates to an inactivation method by electron beam irradiation and a processing apparatus. More specifically, the present invention relates to a predetermined surface of an object to be processed (for example, an inner wall, an outer wall, a certain member (cap, plate, etc.) ) And the like, and an inactivation method and a processing apparatus by electron beam irradiation.
  • a predetermined surface of an object to be processed for example, an inner wall, an outer wall, a certain member (cap, plate, etc.)
  • an inactivation method and a processing apparatus by electron beam irradiation for example, an inner wall, an outer wall, a certain member (cap, plate, etc.
  • Known surface sterilization methods include a high pressure steam sterilization method (autoclave), an ethylene oxide gas (EOG) sterilization method, a hydrogen peroxide sterilization method, and a gamma ray sterilization method.
  • autoclave high pressure steam sterilization method
  • EOG ethylene oxide gas
  • Patent Documents 1 and 2 As a technique for solving such a problem, a method for sterilizing by irradiating a hollow container with an electron beam has been proposed in recent years (Patent Documents 1 and 2).
  • FIG. 1 is a schematic view of a conventional apparatus for sterilizing an object to be processed by irradiating an electron beam according to Patent Document 3.
  • the electron beam generator 12 includes a vacuum chamber 12a, a nozzle 12b for emitting an electron beam 13, and an electron beam generation source 12c provided in the vacuum chamber 12a.
  • the nozzle 12b is inserted into the hollow portion of the bottle 11, and the electron beam 13 is generated from the electron beam generation source 12c.
  • the electron beam 13 is irradiated to the inside of the bottle 11 from the nozzle 12b, and the inner wall of the bottle 11 is sterilized by the electron beam 13.
  • FIG. 2 is a schematic view of a conventional apparatus for sterilizing an object to be processed by irradiating an electron beam according to Patent Document 4.
  • the resin container 21 when the resin container 21 is sterilized, the resin container 21 is passed through the front surface side of the irradiation window 22a of the electron beam irradiation device 22, so that the resin container 21 is irradiated with electrons emitted from the irradiation window 22a. It is sterilized by receiving the line 23.
  • a ground electrode 24 as a member for attracting electrons into the hollow portion of the resin container 21, charging inside the resin container 21 due to electrons entering the resin container 21 is prevented. ing.
  • the ground electrode 24 to be inserted for prevention of charging is hollow, and by supplying sterile gas into the resin container 21 from the outlet 24a provided at the tip of the ground electrode 24 through the hollow, Ozone generated by the irradiation of the radiation is pushed out and removed from the mouth portion 21a of the resin container 21, and at the same time, dust and dust are removed in the same manner.
  • the part which becomes the said shadow in the to-be-processed surface of a to-be-processed object arises also by the positional relationship of the holding position of a to-be-processed object, and the electron beam irradiated.
  • An electron beam does not enter the shadowed portion, or the incident amount is reduced more than the others.
  • the electron beam is excessively irradiated to cause electrical and physical damage to the object to be processed.
  • the nozzle 12b In addition to these, in the technique disclosed in Patent Document 3, the nozzle 12b must be inserted into the bottle 11 during sterilization, and the nozzle 12b needs to be taken in and out for each bottle. Accordingly, since the nozzle 12b is inserted into each bottle and it takes time to be extracted after the sterilization is completed, the sterilization operation is delayed.
  • the drive mechanism of the nozzle 12b and the ground electrode 24 so as to compensate for the time for the nozzle 12 and the ground electrode 24 to be taken in and out.
  • Patent Document 4 since the technique disclosed in Patent Document 4 also sterilizes by directly irradiating the resin container 21 that is an object to be processed with the electron beam 23, There is concern about physical damage. In particular, the stronger the sterilization, the more damage to the resin container 21 caused by the electron beam 23 occurs, causing the problem of material deterioration.
  • Patent Document 4 since the electron beam irradiation device 22 is arranged on one side of the resin container 21 and the ground electrode 24 is inserted inside the resin container 21, the electron beam of the ground electrode 24 is The portion of the resin container 21 on the side opposite to the irradiation device 22 is a shadow of the ground electrode 24. Therefore, it becomes difficult to irradiate the shadowed portion with the electron beam 23. Therefore, in Patent Document 4, in order to uniformly sterilize the resin container 21, it is necessary to rotate the resin container 21 by 180 ° so that the shadowed portion faces the irradiation window 22a. is there. As described above, since a mechanism for rotating the resin container 21 is required, the apparatus is complicated and the cost is increased, and further, the processing time is delayed by the time required for the rotation.
  • the present invention has been made in view of such problems, and the object of the present invention is to uniformly eliminate microorganisms with a simple configuration regardless of the shape of the object to be treated and / or the form of holding the object to be treated. It is an object of the present invention to provide an inactivation method and a processing apparatus by electron beam irradiation that can perform activation treatment and can reduce damage caused by the electron beam to the object to be processed despite using the electron beam.
  • one embodiment of the present invention is an inactivation method using electron beam irradiation, the step of disposing an object to be processed in a processing chamber configured to be irradiated with an electron beam, And a step of supplying a predetermined gas excited by an electron beam irradiated into the processing chamber to the disposed object to be processed.
  • the second aspect of the present invention is a processing apparatus for inactivating microorganisms attached to an object to be processed, a processing chamber, an electron beam irradiation apparatus that irradiates an electron beam into the processing chamber, A holding unit provided in the processing chamber for holding the object to be processed, and a predetermined gas excited by the electron beam is supplied to the object to be processed held in the holding part. And a gas supply means configured.
  • the present invention it is possible to uniformly inactivate microorganisms with a simple configuration regardless of the shape of the object to be processed and / or the form of holding the object to be processed. Furthermore, although the electron beam is used, damage caused by the electron beam to the object to be processed can be reduced.
  • FIG. 5 is a sectional view taken along line A-A ′ of FIG. 4. It is a schematic diagram of the processing apparatus which inactivates microorganisms based on one Embodiment of this invention.
  • the present invention when inactivating microorganisms such as fungi, fungi, and viruses, by providing a simple mechanism of supplying a gas excited by an electron beam to an object to be processed, an electron beam alone treatment (that is, In addition, new knowledge has been obtained that the inactivation effect can be improved significantly (preferably at the sterilization level) more than the treatment by only direct irradiation of the object to be processed with an electron beam.
  • the portion where the electron beam cannot directly reach the surface of the object to be processed (for example, the shape of the object to be processed or the object to be processed) It has been found that it is possible to inactivate a shadow portion caused by an object arrangement method or the like, or a surface opposite to the surface irradiated with an electron beam.
  • the electron beam is generated by a high acceleration voltage to increase the dose rate of the electron beam 23 and transmit the resin container 21.
  • the present invention does not directly irradiate an object to be processed with an electron beam for inactivation as in the prior art, but performs an inactivation treatment with a gas excited by an electron beam. Can solve the big problem of occurrence of damage due to the electron beam on the object to be processed, thereby improving the processing yield.
  • the shape of the object to be processed and the method for holding the object to be processed are described with respect to the object to which the microorganisms such as fungi, fungi, and viruses may adhere to the surface.
  • the above microorganisms are inactivated (the number of microorganisms is reduced to a predetermined ratio (preferably, reduced to a sterilization level), and damage due to the electron beam to the object to be treated is prevented or reduced. is there.
  • the material of the processed material is not essential.
  • objects to be processed include resin (plastic) molded products, metal molded products, ceramic molded products, and the like.
  • the shape (form) thereof is not particularly limited such as a flat plate shape, a rod shape, a cylindrical shape, and a hollow shape. That is, any of hollow bodies, caps, flat plates, and the like can be used as long as they are targets for inactivation treatment.
  • the number of microorganisms can be reduced more than the number of microorganisms present before inactivating the microorganisms and performing the inactivation treatment. That is, in this embodiment, the initial number of microorganisms can be reduced to a predetermined ratio or less. At this time, in one embodiment of the present invention, the degree of inactivation can be set to a sterilization level. In the present specification, the act of reducing the initial bacterial count of a specific microorganism to 1/1000000 (parts per million) or less is defined as “sterilization”.
  • a processing apparatus 100 that inactivates microorganisms includes an electron beam irradiation apparatus 101 and a processing chamber 102.
  • the electron beam irradiation apparatus 101 includes an electron beam generator 103 that generates an electron beam, an accelerator 104 that accelerates the electron beam generated by the electron beam generator 103, and an electron beam accelerated by the accelerator 104 to the outside. And an irradiation unit 105 that emits the electron beam 113.
  • the electron beam generator 103 has a terminal 103a located at the center of the electron beam irradiation apparatus 101 and a filament 103b that emits thermoelectrons.
  • the irradiation unit 105 is provided with an opening 105a for allowing the electron beam generated by the electron beam generation unit 103 to pass through and emitting the electron beam to the outside of the electron beam irradiation apparatus 101.
  • the inside of the beam irradiation apparatus 101 (vacuum atmosphere) and the inside of the processing chamber 102 (atmosphere atmosphere) are partitioned, but has a partition portion 105b configured to pass an electron beam.
  • a partition portion 105b configured to pass an electron beam.
  • any material can be used as long as it can maintain a vacuum atmosphere in the electron beam irradiation apparatus 101 and transmit at least part of the incident electron beam, such as titanium foil. good.
  • the processing chamber 102 is provided separately from the electron beam irradiation apparatus 101 for generating an electron beam, and is irradiated with an electron beam 113 emitted from the electron beam irradiation apparatus 101 provided separately. It is the structure which inactivates the microorganisms adhering to the to-be-processed object 107 using the gas excited by.
  • An opening 112 is provided in a wall where the processing chamber 102 is located.
  • a holding unit 106 for holding the workpiece 107, and a mask jig 108 provided so as to block the workpiece 107 held by the holding unit 106 from the electron beam 113.
  • a gas supply source 109 and a gas nozzle 110 connected to the gas supply source 109 and discharging the gas supplied from the gas supply source 109 are provided.
  • reference numeral 111 denotes an emission spectroscopic analysis apparatus (OES apparatus) for performing optical emission spectroscopy (OES).
  • a light receiving optical fiber head 111 a of the OES apparatus 111 is placed inside the processing chamber 102. Is provided.
  • the workpiece 107 is a hollow body container.
  • the gas supplied from the gas supply source 109 and discharged from the gas nozzle 110 will be referred to as “supply gas”.
  • the mask jig 108 is a cylindrical metal, and is provided so as to cover the workpiece 107 held by the holding unit 106. That is, the workpiece 107 held by the holding unit 106 is positioned in the hollow portion of the cylinder. Thus, since the mask jig 108 covers most of the workpiece 107, the incidence of the electron beam 113 on the workpiece 107 can be reduced.
  • the metal used for the mask jig 108 lead, stainless steel, aluminum, titanium, or the like can be used. By setting the thickness according to the processing conditions (acceleration voltage), transmission of the electron beam, to the object to be processed Can be prevented or reduced.
  • the shape of the metal mask jig is not limited to the above cylindrical shape, and any shape can be used as long as the incidence of the electron beam 113 irradiated from the electron beam irradiation apparatus 101 on the workpiece 107 can be blocked or reduced.
  • the shape may also be
  • a flat metal plate may be disposed between the electron beam 113 and the workpiece 107 as the mask jig 108 to shield the entire workpiece 107 from the electron beam 113, or the mask jig 108. May be cylindrical or semicircular so that only a part of the electron beam 113 is shielded while measuring the absorbed dose of the electron beam 113 at the object 107 to be processed. be able to.
  • the holding unit 106 holds the workpiece 107 so that the longitudinal direction of the workpiece 107 that is a hollow body container matches the longitudinal direction of the mask jig 108, and the mask jig 108 Is provided. Therefore, the opening surface of the mask jig 108 and the opening surface of the object 107 to be processed coincide with each other, and the opening of the object 107 to be processed is not covered by the mask jig 108. Accordingly, the excited predetermined gas described later enters the hollow portion of the mask jig 108 only from the opening of the mask jig 108.
  • the excited predetermined gas can be efficiently supplied to the hollow portion of the workpiece 107. That is, the supply gas excited from the opening of the object to be processed 107 toward the inner part of the object to be processed 107 is supplied.
  • the gas supply source 109 and the gas nozzle 110 are provided at positions facing the opening of the object to be processed 107 held by the holding unit 106 and the opening of the mask jig 108.
  • the gas nozzle 110 is positioned so that the electron beam 113 is incident on the flow (airflow) of the supply gas discharged from the gas nozzle 110. That is, the holding is performed so that the irradiation region of the electron beam 113 is positioned between the holding unit 106 and the gas nozzle 110 and the workpiece 107 held by the holding unit 106 is not positioned in the irradiation region of the electron beam 113.
  • a portion 106 and a gas nozzle 110 are provided.
  • the supply gas that is discharged from the gas nozzle 110 along the arrow direction P and is excited by the electron beam 113 is supplied to the object 107 to be processed.
  • the gas is blown from the gas nozzle 110 to the region irradiated with the electron beam 113. Therefore, the supply gas excited by the electron beam 113 is sprayed on the object 107 to be processed.
  • the inside of the processing chamber 102 is an air atmosphere or an atmosphere of a certain gas
  • the gas existing as the air atmosphere or an atmosphere of a certain gas may be excited by the electron beam 113.
  • the atmosphere gas excited in the above process is also treated together with the excited supply gas.
  • the thing 107 is sprayed. Therefore, a predetermined gas excited by the electron beam 113 is supplied to the object 107 to be processed.
  • excited predetermined gas refers to a gas excited by an electron beam regardless of the type of gas. Therefore, in this embodiment, since the supply gas is excited by the electron beam 113 as described above, the excited supply gas is included in the excited predetermined gas.
  • the atmospheric gas may be excited by the electron beam 113 as described above. Also in this case, the excited atmospheric gas is included in the excited predetermined gas.
  • the excited predetermined gas does not indicate only one excited gas but also indicates two or more excited mixed gases. That is, the excited predetermined gas includes at least one kind of gas excited by an electron beam.
  • the mask jig 108 since the mask jig 108 is provided, even if the workpiece 107 is provided in the irradiation region of the electron beam 113, irradiation of the workpiece 107 with the electron beam 113 can be reduced. it can. Therefore, the mask jig 108 and the workpiece 107 may be provided in the irradiation region of the electron beam 113.
  • the gas supply source 109 and the gas nozzle 110 as gas supply means for supplying gas to the object 107 can be attached to an existing electron beam irradiation apparatus, and the processing apparatus 100 can be economically and inexpensively attached.
  • the gas nozzle 110 a commercially available gas ejection nozzle can be used.
  • a gas nozzle can be used.
  • these gas nozzles are arranged in the processing chamber 102, it is preferable to use a metal nozzle in order to avoid aging deterioration due to electron beam irradiation or generated excitation gas. For example, in a place where the electron beam is not directly irradiated. You may take the method of arrange
  • nitrogen, oxygen, carbon dioxide gas, hydrogen peroxide gas, argon gas, water vapor alone, or a mixed gas containing at least two of these is suitably used as the supply gas ejected from the gas nozzle 110.
  • the reason why these gas types are selected is that the running cost is low.
  • the inside of the processing chamber 102 in which the inactivation processing of the present embodiment is performed is normally maintained in an atmospheric pressure or a slightly reduced pressure atmosphere in order to exhaust a by-product such as an atmospheric pressure atmosphere or ozone to the outside of the processing chamber 102. In order to realize the inactivation processing, the inside of the processing chamber 102 does not need to be completely replaced with these gas species.
  • At least a part of the processing chamber 102 may be replaced with the above gas species.
  • at least a region in the vicinity of the object 107 disposed in the processing chamber 102 when performing the inactivation process is replaced with the above gas species. It ’s fine.
  • the pressure in the processing chamber 102 may be a pressure near atmospheric pressure. For example, even if it is a slight positive pressure, the effect of the present invention is not significantly impaired.
  • an emission spectroscopic analysis (OES) method can be used as a method for monitoring the amount of action of excited species or the like on the object 107 to be processed.
  • OES emission spectroscopic analysis
  • the type and energy level of the gas species excited by the electron beam can be identified.
  • the emission excitation species that are suitably used (monitored) in the emission spectroscopic analysis of the present embodiment include a band spectrum in the wavelength range of 281.4 to 497.6 nm that belongs to the second positive band system (second positive band system).
  • N 2 * the band spectrum of 329.2 to 586.4 nm (N 2 + ) belonging to the first negative band system, and the atomic oxygen in the excited state (atomic oxygen: O * )
  • a line spectrum (777.4 nm) and the like can be mentioned, but are not limited thereto, and can be appropriately selected depending on the selected gas type, gas supply amount, electron beam irradiation conditions (acceleration voltage, etc.).
  • a commercially available spectroscope (measurement wavelength range of about 200 to 1100 nm) that can be obtained at low cost can be suitably used.
  • the electron beam irradiation apparatus 101 generates thermoelectrons by flowing current through the filament 103b of the terminal 103a located at the center of the electron beam generator 103, and the generated thermoelectrons are accelerated by the accelerator 104, and are accelerated.
  • the transmitted electron beam is transmitted through a partition 105b serving as a window foil that partitions the electron beam generator 103 (vacuum atmosphere) and the processing chamber 102 (atmosphere). Thereby, an electron beam 113 is emitted into the processing chamber 102.
  • the electron beam generator 103 is evacuated and held in a vacuum of 10 ⁇ 4 to 10 ⁇ 5 Pa by a pump or the like not shown here.
  • the inside of the processing chamber 102 is maintained at a low pressure by atmospheric pressure or an exhaust draft (not shown).
  • the atmosphere of the processing chamber 102 may be air (air) or may be replaced with an atmosphere of a supply gas such as nitrogen, and the effect of the present invention is not significantly impaired by the ambient atmosphere.
  • the electron beam 113 emitted into the processing chamber 102 is scattered by gas molecules such as air in the processing chamber 102 and heads downward in the drawing of FIG. 3 while losing its energy.
  • a part of the energy is absorbed by the supply gas ejected from the gas nozzle 110, and at least a part of the supply gas is excited and ionized to generate active species. That is, in the present embodiment, the supply gas is supplied so as to cross the irradiation region of the electron beam 113, and the workpiece 107 and the gas nozzle 110 are positioned so that the workpiece 107 is positioned at the tip of the flow of the supply gas that has crossed. Is positioned.
  • the supply gas itself ejected from the gas nozzle 110 is excited and blown (supplied) to the workpiece 107 as an excited supply gas.
  • the gas supplied from the gas nozzle 110 as the raw material of the excitation gas is not continuously ejected but is ejected in pulses (intermittently) at regular intervals in consideration of economy (running cost). You may do it.
  • the microorganisms attached to the object to be processed 107 can be inactivated.
  • the object to be processed 107 is a hollow body container (for example, a beverage bottle or a chemical container)
  • the gas nozzle 110 toward the opening of the object to be processed 107 (the mouth of the hollow body).
  • the excited supply gas is supplied to the inside of the object to be processed 107, and the inner surface (inner wall) of the object to be processed 107 is inactivated (eg, sterilized) without any spots. It is possible.
  • the excited supply gas can also be applied to the outer surface (outer wall) of the object to be processed 107, and the inactivation treatment on the outer surface can also be performed.
  • the supply gas or atmosphere gas
  • these active species are effective for inactivating microorganisms. It is done.
  • the excited state gas examples include nitrogen excited species (N 2 * ) and nitrogen ions (N 2 + ), and active species include oxygen radical (O.), hydroxide radical (OH.), And nitric oxide radical.
  • active species include oxygen radical (O.), hydroxide radical (OH.), And nitric oxide radical.
  • O. oxygen radical
  • OH. hydroxide radical
  • O 3 ozone
  • nitrogen as by-products by reaction of these excited species, active species with gas atoms and molecules. Production of oxide (NOx), carbon monoxide (CO), etc. has been confirmed.
  • the supply gas by generating an electron beam with an acceleration voltage in the range of 50 kV to 500 kV.
  • the acceleration voltage is less than 50 kV, the electron beam cannot pass through the partition portion 105b made of a metal foil such as titanium, which partitions the electron beam generating portion 103 (vacuum atmosphere) and the processing chamber 102 (air atmosphere).
  • the gas sprayed on the workpiece 107 cannot be sufficiently excited.
  • the acceleration voltage exceeds 500 kV, the high-voltage transformer power source, the insulating member and the like for generating the voltage become large, and the initial cost of the apparatus increases.
  • excitation energy differs depending on the gas type used as the supply gas, but the configuration and conditions may be such that the electron beam 113 having an energy of approximately 5 eV or more collides with gas molecules ejected from the gas nozzle 110. For this reason, by generating an electron beam with an acceleration voltage in the above range, the purpose can inevitably be achieved, and excited species, ionic species, and active species are generated and act on the object 107 to be processed. Is possible.
  • excited gas for example, an excited predetermined gas, an excited supply gas, an excited atmospheric gas, etc.
  • the excited species, the ionic species, and the activated species Including at least one of the following.
  • the atmosphere in the processing chamber 102 may be appropriately selected according to the application, whether it is the atmosphere (air) or a state where the atmosphere is replaced with a specific gas atmosphere (for example, supply gas). Can do.
  • a specific gas atmosphere for example, supply gas.
  • the former atmosphere (air) atmosphere not only the ejection gas but also air is excited, and is entrained in the ejection gas and blown to the object 107 to be processed, so that the surface of the object 107 is inactivated (for example, sterilization). Is possible.
  • the atmosphere is appropriately controlled according to a desired inactivation process (for example, sterilization process), for example, an atmosphere replacement gas and a supply gas (
  • the excitation gas of pure supply gas can be made to act on the object 107 to be processed.
  • a desired inactivation process for example, sterilization process
  • the excitation gas of pure supply gas can be made to act on the object 107 to be processed.
  • different types such as nitrogen for the atmosphere replacement gas and oxygen for the supply gas, scattering and energy loss in the space of the electron beam 113 are suppressed, and the supply gas is efficiently excited. And the inactivation effect can be improved.
  • the object to be processed is directly irradiated with an electron beam, and the inactivation is not performed by the action of the electron beam directly applied to the object to be processed.
  • Inactivation is performed by supplying a predetermined gas. Therefore, even if there is a region that is shaded with respect to the flow direction of the supply gas (arrow direction P in FIG. 3), the excited predetermined gas can enter the region and enter. Therefore, the predetermined surface of the workpiece 107 can be inactivated without exposing the shadowed region to the airflow along the arrow direction P by rotating the workpiece 107 or the like. Therefore, microorganisms can be inactivated uniformly with respect to the object to be processed 107 regardless of the shape of the object to be processed 107 and the holding method.
  • the electrical and physical damage to the to-be-processed object 107 is carried out. Can be reduced.
  • the electron beam 113 is not directly used to inactivate the object to be processed 107 as in the prior art, and is only used to excite the supply gas (or atmosphere gas). Used. Therefore, in the present embodiment, there is no concept of increasing the dose rate of the electron beam for stronger sterilization and sterilization and / or for allowing the electron beam to pass through the wall surface of the workpiece 107, There is no need to increase the acceleration voltage. That is, even if the acceleration voltage is low, a good inactivation process can be performed on the workpiece 107. Therefore, the enlargement of the electron beam irradiation apparatus 101 can be avoided.
  • a certain excited gas that contributes to inactivation is generated by irradiating some kind of gas with an electron beam. Accordingly, as long as a gas exists and an electron beam is incident on it, a gas that contributes to inactivation, that is, an excited predetermined gas can be generated. Since the supply gas released into the processing chamber 102 is a gas, it diffuses in the processing chamber 102. Therefore, it is not necessary to provide a physical member (for example, an electrode or the like) for defining an excitation space for generating what contributes to inactivation, and the excitation space can be widened. That is, any region can be used as the excitation space as long as the gas in the processing chamber 102 exists.
  • the radical density can be increased. That is, since the gas is excited by the electron beam 113, the excitation energy can be set to 150 eV, for example. In this way, by setting the electron energy to the energy of the excitation and ionization cross sections, the density of factors (excitation species, ion species, active species, etc.) that contribute to the inactivation of the excited gas is increased. Can do a lot. Thus, the level of inactivation can be increased to the sterilization level.
  • the mask jig 108 since the mask jig 108 is provided, the incidence of the electron beam 113 on the workpiece 107 can be prevented or reduced. Therefore, for example, even when the object to be processed 107 is a resin molded product whose structure is collapsed by an electron beam, the inactivation treatment can be performed while suppressing the collapse, deformation, etc. of the object to be processed 107. it can.
  • the workpiece 107 is not exposed to the electron beam 113, but it is essential that the workpiece 107 is exposed to the gas excited by the electron beam 113.
  • the acceleration voltage with respect to an electron beam may be made low and the dose rate of the electron beam 113 is made low, inactivation of a sterilization level can fully be performed. Therefore, if the electron beam has such a low dose rate, damage caused by the electron beam can be reduced even if the electron beam is incident on the workpiece 107. Therefore, for example, when the dose rate of the electron beam 113 is low, the arrangement of the workpiece 107 in the processing chamber 102 may be such that the electron beam 113 is incident on the workpiece 107. Needless to say.
  • the holding unit 106 is fixed.
  • the holding unit 106 may be configured to be movable toward the gas nozzle 110 by providing a drive mechanism or the like.
  • the mask jig 108 may be configured to be movable toward the gas nozzle 110 in synchronization with the holding unit 106 by providing a drive mechanism or the like.
  • a supply gas is blown to the region irradiated with the electron beam, and the supply gas is excited before being supplied to the object to be processed.
  • the atmospheric gas originally present in the region irradiated with the electron beam is excited by the electron beam, and the excited atmospheric gas is supplied to the object to be processed by the supply gas.
  • the supply gas functions as a carrier in a sense for supplying the excited atmospheric gas to the object to be processed.
  • the supply gas for example, the above-described nitrogen excited species (N 2 * ), nitrogen ions (N 2 + ), as the active species, oxygen radical (O.), hydroxide radical (OH.), Monoxide
  • O. oxygen radical
  • OH. hydroxide radical
  • Monoxide A gas that does not generate oxidizing active species such as nitrogen radicals (NO.) May be used.
  • a chemically inert argon gas or the like is used as the carrier gas, and an ambient atmosphere (a gas excited by an electron beam). It is also possible to adopt a configuration in which the is supplied to the object to be processed.
  • reference numeral 201 denotes a gas supply unit, and gas ejection holes are formed at three locations as gas supply ports 202 in a metal pipe.
  • the gas supply unit 201 is connected to a gas supply source 109 and discharges a supply gas from a gas supply port 202.
  • Reference numeral 204 denotes a holding unit for holding the workpiece 107, and holds the workpiece 107 so that the opening of the workpiece 107 is positioned on the upper side of the sheet of FIG.
  • the gas supply unit 201 and the holding unit 204 are integrated, and the holding unit 204 is connected to a drive mechanism (not shown).
  • the drive mechanism is driven by a drive command from a control device (not shown)
  • the holding unit 204 and the gas supply unit 201 formed integrally with the holding unit 204 are appropriately moved along the arrow direction Q. That is, in the present embodiment, the control device causes the holding unit 204 and the gas supply unit 201 to eject the supply gas 203 from the gas supply port 202 after the atmospheric gas in the processing chamber 102 is excited by the electron beam 113.
  • the drive mechanism is controlled so as to move it into the excitation space 205.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.
  • the discharge supply gas 203 is released from the gas supply port 202 toward the opening of the workpiece 107 (illustrated by an arrow in the figure). Therefore, the supply gas 203 discharged from the gas supply port 202 proceeds from the opening of the object to be processed 107 into the hollow portion of the object to be processed 107.
  • the air flow of the supply gas 203 entrains an excited atmospheric gas described later and supplies the excited atmospheric gas to the workpiece 107.
  • the electron beam 113 irradiated from the electron beam irradiation apparatus 101 excites the atmospheric gas existing in the irradiation region of the electron beam 113 to form an excitation space 205 containing the excited atmospheric gas.
  • the electron beam irradiation apparatus 101 irradiates the processing chamber 102 with the electron beam 113 to form the excitation space 205 in the processing chamber 102.
  • the holding unit 204 moves along the arrow direction Q. At this time, the supply gas 203 is released from the gas supply port 202. Accordingly, the holding unit 204 moves while discharging the supply gas 203 from the gas supply port 202.
  • the predetermined gas excited by the supply gas 203 flowing from the gas supply port 202 toward the opening of the object to be processed 107 is supplied to the object 107 to be processed.
  • the inactivation treatment of the workpiece 107 is performed by the excited atmospheric gas supplied in this way.
  • a mask jig may be disposed so as to cover the opening of the object to be processed 107.
  • the mask jig may be configured so that the mask jig moves in synchronization with the holding unit 204 by, for example, forming the mask jig integrally with the holding unit 204.
  • the supply of a predetermined gas excited by an electron beam to the object to be processed is a temperature gradient between the atmosphere gas irradiated with the electron beam and the object to be processed, or an atmosphere irradiated with the electron beam. This is performed using a concentration gradient of a predetermined gas excited by an electron beam in the vicinity of the gas and the object to be processed (in the case where the object to be processed is a hollow container, the atmosphere in the cavity of the hollow object to be processed).
  • FIG. 8 is a schematic diagram of a processing apparatus for inactivating microorganisms using a temperature gradient according to the present embodiment.
  • a metal piece 301 that generates heat when irradiated with an electron beam is disposed in an excitation space 205 that is a space irradiated with an electron beam 113.
  • the metal piece 301 is preferably provided immediately below the partition portion 105b as an electron beam irradiation window. In such a configuration, when the metal piece 301 is irradiated with the electron beam 113, the metal piece 301 generates heat.
  • the metal piece 301 is heated to a temperature higher than that of the workpiece 107 due to the heat generation, so that the temperature decreases from the atmospheric gas irradiated in the electron beam 113 to the workpiece 107 in the excitation space 205.
  • a temperature gradient is formed. Therefore, the predetermined gas excited by the electron beam existing in the excitation space 205 having a temperature higher than that of the workpiece 107 due to the temperature gradient is automatically supplied to the workpiece 107.
  • the workpiece 107 it is preferable to place the workpiece 107 in the vicinity of the excitation space 205 during the inactivation process.
  • the predetermined gas is excited in the region irradiated with the electron beam 113, and the electron beam 113 is excited.
  • a predetermined gas excited by is generated.
  • “near the region irradiated with the electron beam 113 (near the excitation space 205)” means that the predetermined gas excited by the electron beam 113 remains in the excited state while being excited from the excitation space 205. The distance that can reach the processed object 107 is indicated.
  • the object to be processed 107 may be positioned in the excitation space 205 during the inactivation process.
  • damage to the workpiece 107 by the electron beam 113 can be reduced by setting the dose rate of the electron beam 113 low.
  • the object to be processed 107 in the excitation space 205 for example, if the object to be processed 107 is moved into the excitation space 205 by moving the holding unit 106 to the excitation space 205 side, Good.
  • the metal piece 301 that generates heat when irradiated with the electron beam 113 is provided in the region irradiated with the electron beam 113, the generation of the excitation gas used for the inactivation processing is provided. Therefore, a temperature gradient for supplying a predetermined gas excited by the electron beam 113 can be formed by using the electron beam 113 for the purpose. In other words, the generation of a predetermined gas excited by the electron beam 113 and the formation of a temperature gradient for supplying the excited gas to the object 107 can be realized simultaneously by the electron beam 113.
  • a heater may be provided on the side of the excitation space 205 opposite to the object 107 to be processed.
  • a heater is provided at a location that is outside the region irradiated with the electron beam 113 and that is opposite to the workpiece 107 in the excitation space 205.
  • the predetermined gas excited by the electron beam 113 in the excitation space 205 is heated by the heater and becomes higher in temperature than the workpiece 107. Thereby, the temperature gradient is formed.
  • a cooling device for cooling the workpiece 107 may be provided in the processing chamber 102.
  • the object to be processed 107 is held in advance in the excitation space 205 at a temperature lower than the predetermined gas excited by the electron beam 113, preferably 10 ° C. or more, lower by the cooling device.
  • the temperature gradient in which the object 107 is lower in temperature than the atmospheric gas irradiated with the electron beam 113 is formed.
  • the processing chamber 102 is first filled with an atmospheric gas in advance.
  • the electron beam 113 is irradiated to generate a high-concentration predetermined gas excited by the electron beam 113.
  • a hollow object 107 is carried into the processing chamber 102.
  • the high-concentration predetermined gas that has been preliminarily present in the processing chamber 102 and excited by the electron beam 113 is in a higher energy state than the atmosphere of the hollow portion (cavity) of the workpiece 107.
  • a concentration gradient of the gas excited by the electron beam 113 having a higher concentration in the excitation space 205 than in the hollow portion of the workpiece 107 is formed. Therefore, due to the concentration gradient, the predetermined gas excited by the electron beam 113 diffuses to the low energy side (inside the hollow portion of the workpiece 107). Thereby, the predetermined gas excited by the electron beam 113 is supplied to the workpiece 107.
  • the object to be processed 107 in the vicinity of the excitation space 205 or the object to be processed 107 in the excitation space 205 in the inactivation process.
  • the method of temperature gradient and concentration gradient according to this embodiment is used in combination with the structure in which gas is blown toward the object to be processed described in the first and second embodiments, thereby further improving the inactivation effect. be able to.
  • Example Sterilization evaluation was performed according to the configuration of the second embodiment.
  • a high voltage power source (not shown) is connected between the filament 103b and the grid formed on the terminal 103a, and between the grit and the partition 105b as a window foil, and is 50 kV to 500 kV.
  • the acceleration voltage is applied in the range up to and the electron beam is accelerated. By setting it as such an acceleration voltage range, the atmospheric gas which exists in the irradiation area
  • an electron beam processing apparatus manufactured by Iwasaki Electric Co., Ltd., model EC300 / 30/30 mA was used as the electron beam irradiation apparatus 101, and a hollow body container (preform) made of polyethylene terephthalate was prepared as the object 107 to be processed. . Then, 10 6 black mold (Aspergillus niger) spores were spray-applied and dried on the entire inner surface of the object 107 as a biological indicator for sterilization evaluation.
  • the hollow body container as the object to be processed 107 was placed side by side on the holding unit 204 with the opening portion facing upward. Then, an electron beam 113 having an acceleration voltage of 150 kV and a beam current of 25.4 mA is generated while nitrogen gas or air is ejected from a gas supply unit 201 integrated with the holding unit 204 as a supply gas 203 at a flow rate of 25 liters / minute. An excitation space 205 was formed.
  • the entire holding unit 204 is moved in the arrow direction Q at a speed of 10 m / min to cause the workpiece 107 to enter the excitation space 205, After the entry, the holder 204 was moved back and forth in the direction opposite to the arrow direction Q. Note that the inside of the processing chamber 102 was an air atmosphere.
  • the black mold spores adhering to the inner surface of the workpiece 107 are scraped off with a sterilized cotton swab, and the swab is collected in a sterile water-filled test tube to which a surfactant is added for the purpose of preventing spore aggregation.
  • the black mold spores eluted were used as a suspension.
  • the suspension was serially diluted as necessary, and the number of viable bacteria was determined by an agar plate pour method to determine whether or not sterilization was possible.
  • PDA potato dextrose agar medium
  • the culture was performed in a constant temperature bath at 25 ° C. for 3 days.
  • the supply gas 203 is not supplied, only the electron beam 113 having an acceleration voltage of 150 kV and a beam current of 25.4 mA is generated, and the excitation space 205 is formed by the electron beam 113, thereby generating black mold spores.
  • the number of bacteria was evaluated.
  • kill rate represents the logarithmic decrease rate of the number of microorganisms
  • kill rate Log 10 (number of initial bacteria ⁇ number of viable bacteria after decrease) Indicates the number of digits of the percentage of the number of bacteria. Therefore, for example, when the kill rate is “6”, it indicates that the viable cell count has decreased to 1/10 6 .
  • the kill rate is 6.0 or more when either nitrogen or air is used as the supply gas. , i.e., the number of digits of the black initial mold spores number 106 has been reduced more than six orders of magnitude, it has been found that can achieve sterilization.
  • the supply gas of the first comparative example was irradiated, a decrease in the number of bacteria was not recognized as compared with the number of initial bacteria. From this result, it was proved that mold spores were not separated or scattered only by gas blowing.
  • only the electron beam irradiation of the second comparative example showed a sterilization effect with a kill rate of 1.8 and a slight sterilization effect, but a sterilization treatment with a kill rate of 6 or more was impossible.
  • the excited state (presence or absence of emission excited species) of the gas (excited predetermined gas) blown into the hollow body container as the object 107 to be processed 107 during generation of the electron beam 113 is commercially available.
  • the emission spectroscopic analyzer (Maya 2000 Pro manufactured by Ocean Photonics) was used as the OES apparatus 111 for monitoring.
  • these excited species are known to be deactivated (transition to the lower level) within a few microseconds, and reach the deepest part (bottom part) of the object to be processed 107 along the gas flow. Although it is speculated that the energy is converted to another gas atom / molecule, non-luminescent excited species and active species are generated, acting on the black mold spores and inactivated (sterilized) It is thought that there is.
  • the to-be-processed object 107 and the electron beam generation conditions are the same as in the first embodiment.
  • the holding posture of the object to be processed 107 is arranged sideways so that the opening of the object to be processed 107 is in the right direction in FIG. 3, and the surface other than the opening of the object to be processed 107 is made of a stainless steel metal plate.
  • the supply gas ejected from the gas nozzle 110 was nitrogen and air, and the supply flow rate was 25 liters / minute.
  • the treatment method and apparatus configuration as in the present invention continuous sterilization treatment of the surface of the object to be processed can be ensured simply by blowing an inexpensive gas.
  • the method of the present invention can reduce damage to the surface of the object to be processed due to direct electron beam irradiation, so that the process yield can be improved, which is economically advantageous.

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Abstract

 本発明は、被処理物の形状および/または被処理物の保持形態によらず、簡便な構成で均一に微生物の不活化処理を行うことができ、電子線を用いているにも関わらず被処理物への電子線に起因したダメージを低減可能な電子線照射による不活化方法および処理装置を提供する。本発明の一実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置は、処理室と、処理室内に電子線を照射する電子線照射装置と、処理室内に設けられ、被処理物を保持するための保持部と、保持部に保持された被処理物に対して、電子線によって励起された所定のガスを供給するように構成されたガスノズルとを備える。

Description

電子線照射による不活化方法および処理装置
 本発明は、電子線照射による不活化方法および処理装置に関し、より詳細には、被処理物の所定の面(例えば、中空体容器の内側の壁、外側の壁、ある部材(キャップ、板など)の表面など)の微生物を減少させる、電子線照射による不活化方法および処理装置に関するものである。
 近年、医薬品、医療器具、食品の梱包に使用される包装材、梱包のための成形品表面に存在する微生物(菌、真菌類、ウイルス等)による感染症等の防止に関する消費者ニーズが高まっており、これら成形品表面の確実な滅菌処理による安全性の確保が必要となっている。
 公知の表面滅菌方法としては、高圧蒸気滅菌法(オートクレーブ)、エチレンオキサイドガス(EOG)滅菌法、過酸化水素滅菌法、ガンマ線滅菌法などが知られている。
 しかしながら、オートクレーブ滅菌では熱に弱い樹脂製成形品を処理した場合、熱による変形などの問題が生じ、EOG滅菌ではガス除害処理に長時間を有し、また両者は何れも連続的なインラインの滅菌処理は困難である。ガンマ線滅菌は装置が非常に大型で高コストであり、滅菌処理を実現するための吸収線量を得るために、半日以上というオーダーの処理時間が必要といった課題を抱えている。
 このような課題を解決する技術として、近年、電子線を中空体の容器へ照射して殺菌処理を実現する方法が提案されている(特許文献1、特許文献2)。
 図1は、従来の、特許文献3に係る、電子線を被処理物に照射して殺菌する装置の概略図である。
 図1において、電子線発生器12は、真空チャンバ12aと、電子線13を放出するためのノズル12bと、真空チャンバ12a内に設けられた電子線発生源12cとを備える。特許文献3では、中空のボトル11の内部を殺菌する際に、ノズル12bをボトル11の中空部に挿入し、電子線発生源12cから電子線13を発生させる。これにより、電子線13がノズル12bからボトル11の内部に照射され、該電子線13によりボトル11の内側の壁の殺菌が行われる。
 図2は、従来の、特許文献4に係る、電子線を被処理物に照射して殺菌する装置の概略図である。
 図2において、樹脂製容器21を殺菌する際、該樹脂製容器21を電子線照射装置22の照射窓22aの前面側を通過させることによって、樹脂製容器21は照射窓22aから照射された電子線23を受けて殺菌される。このとき、樹脂製容器21の中空部に、電子を引き付ける部材としてのアース電極24を挿入することにより、樹脂製容器21の内部に入り込んだ電子による該樹脂製容器21の内部の帯電を防止している。また、帯電防止のために挿入するアース電極24は中空であり、該中空を介しアース電極24の先端に設けられた吹き出し口24aから樹脂製容器21の内部に無菌気体を供給することにより、電子線照射により発生するオゾンを樹脂製容器21の口部21aから押し出して除去し、これと同時に粉塵やチリも同様に除去している。
特開2011-93567号公報 特開2010-105702号公報 米国特許第7,759,661号明細書 特開2011-26000号公報
 しかしながら、特許文献1~4に係る、電子線を被処理物に直接照射することにより、殺菌といった微生物の不活化を行う処理方法では、被処理物への電子線の吸収線量が、被処理物の形状、電子線照射時の被処理物の保持方法(位置関係)、搬送速度(処理時間)によって大きく左右されてしまう。例えば、被処理物の形状によっては、該被処理物の被処理面において、殺菌のために飛来してくる電子線に対して影となってしまう部分が生じてしまう。また、被処理物の保持位置と照射される電子線との位置関係によっても、被処理物の被処理面において上記影となってしまう部分が生じる。このような影となる部分には、電子線が入射しない、ないしは入射量が他よりも低減されてしまう。これにより、被処理物内においても処理にばらつきが生じ、さらに過剰に電子線が照射されて被処理物に電気的、物性的なダメージを与えるといったケースが頻繁にあった。
 これらに加えて特許文献3に開示された技術では、殺菌処理の際に、ノズル12bをボトル11の内部に挿入しなければならず、ボトル毎にノズル12bの出し入れを行う必要がある。従って、ノズル12bを各ボトル内に挿入し、殺菌の終了後に抜き出す分だけ時間がかかってしまうので、殺菌動作が遅くなってしまう。同様のことが特許文献4に開示された技術についても言える。すなわち、殺菌処理の際にアース電極24を樹脂製容器21の内部に対して出し入れする必要がある。このように、被処理物(ボトルや樹脂製容器)を高速搬送させながら殺菌を行うには、上記ノズル12やアース電極24の出し入れの時間を補償するようにノズル12bやアース電極24の駆動機構を高速駆動するように構成する必要があり、装置の複雑化、コスト増を招いてしまう。
 また、特許文献3では、電子線13を放出するノズル12bをボトル11の内部に位置させているので、電子線13が作用するのはボトル11の内側の壁に限られるため、ボトル11の外側の壁を電子線13により殺菌するためには、十分な電子線の線量率が必要となる。該十分な線量率を得るためには高加速電圧が必要であり、電子線発生源12cの大型化を招いてしまう。さらに、電子線13の線量率が大きくなると、ボトル11に対して電気的、物理的ダメージを与えることがある。従って、ボトル11の内側であっても、殺菌のレベルを上げる場合(微生物の数をより減少させる場合)には線量率を上げる必要があるが、該線量率を上げるとボトル11の内側の壁などへの電子線によるダメージの発生に繋がってしまう。
 一方、特許文献4に開示された技術では、樹脂製容器21の外側から電子線23を照射し、該樹脂製容器21を透過させて内側の壁に作用させる必要があるので、電子線23の線量率を十分な値にする必要がある。従って、樹脂製容器21の外側のみならず内側に対しても電子線23にて殺菌を行うためには、十分な線量率を得るために高加速電圧が必要であり、電子線照射装置22が大型化してしまう。
 また、特許文献4に開示された技術も、電子線23を被処理物である樹脂製容器21に直接照射して殺菌を行っているので、電子線23による樹脂製容器21への電気的、物理的ダメージが懸念される。特に、より強い殺菌を行おうとするほど電子線23による樹脂製容器21へのダメージ発生が起こってしまい、材質劣化の問題が起こってしまう。
 さらに、特許文献4では、樹脂製容器21の一側面側に電子線照射装置22を配置し、樹脂製容器21の内部にはアース電極24を挿入しているので、アース電極24の、電子線照射装置22と反対側の樹脂製容器21の部分は、アース電極24の影となる。従って、この影となる部分には電子線23が照射されにくい状態となる。よって、特許文献4では、樹脂製容器21に対して一様に殺菌するために、樹脂製容器21を180°回転させて、上記影となる部分が照射窓22aと対向するようにする必要がある。このように、樹脂製容器21を回転させるための機構が必要になるので、装置の複雑化、コスト増に繋がり、さらには、回転させるための時間だけ処理時間も遅くなってしまう。
 本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、被処理物の形状および/または被処理物の保持形態によらず、簡便な構成で均一に微生物の不活化処理を行うことができ、電子線を用いているにも関わらず被処理物への電子線に起因したダメージを低減可能な電子線照射による不活化方法および処理装置を提供することにある。
 このような目的を達成するために、本発明の一態様は、電子線照射による不活化方法であって、電子線が照射されるように構成された処理室内に被処理物を配置する工程と、前記配置された被処理物に対して、前記処理室内に照射された電子線によって励起された所定のガスを供給する工程とを有することを特徴とする。
 また、本発明の第2の態様は、被処理物に付着した微生物の不活化を行うための処理装置であって、処理室と、前記処理室内に電子線を照射する電子線照射装置と、前記処理室内に設けられ、前記被処理物を保持するための保持部と、前記保持部に保持された前記被処理物に対して、前記電子線によって励起された所定のガスを供給するように構成されたガス供給手段とを備えることを特徴とする。
 本発明によれば、被処理物の形状および/または被処理物の保持形態によらず、簡便な構成で均一に微生物の不活化処理を行うことができる。さらには、電子線を用いているにも関わらず被処理物への電子線に起因したダメージを低減可能である。
従来の、電子線照射を被処理物に照射して殺菌する装置の概略図である。 従来の、電子線照射を被処理物に照射して殺菌する装置の概略図である。 本発明の一実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置の模式図である。 本発明の一実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置の模式図である。 図4のA-A’線断面図である。 本発明の一実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置の模式図である。 本発明の一実施形態に係る、電子線によって励起された所定のガスを発光分光分析により計測した結果を示す図である。 本発明の一実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置の模式図である。
 以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
 本発明では、菌類、真菌類、ウイルスといった微生物の不活化を行う際に、電子線によって励起させたガスを被処理物に供給するという単純な機構を設けることで、電子線単独の処理(すなわち、電子線の被処理物への直接照射のみによる処理)よりも大幅に(好ましくは、滅菌レベルで)不活化の効果を向上できるという、従来にない新たな知見を得ている。
 また、上記の方法を実施することで、電子線を直接照射して不活化を行う従来の方法においては電子線が被処理物表面に直接到達できない部分(例えば、被処理物の形状や被処理物の配置方法等に因り生じる影の部分や、被処理物の電子線が照射される側の面と反対側の面など)の不活化処理が可能であるという知見を得ている。
 例えば、特許文献3、4に記載されているような従来の方法(図1、2参照)では、電子線が照射される面と反対側の面を殺菌する場合には、電子線の線量率を大きくしなければならず、その分電子線による被処理物へのダメージが生じてしまう。特許文献4に係る図2を用いてより詳細に説明すると、被処理物である樹脂製容器21の外側から電子線23を照射して殺菌を行うので、樹脂製容器21の内側の壁面については電子線23が直接照射されるわけではない。従って、電子線23を樹脂製容器21の内側の壁に作用させて殺菌するためには、高加速電圧により電子線を発生させて電子線23の線量率を大きくし樹脂製容器21を透過させる必要がある。しかしながら、電子線23の線量率を大きくすると該電子線23により樹脂製容器21にダメージを与えてしまうことがある。これに対して本発明は従来のように不活化のために電子線を被処理物に直接照射するものではなく、電子線によって励起されたガスにより不活化処理を行うものであるので、従来技術が抱える被処理物への電子線に起因したダメージ発生という大きな課題を解決することができ、処理の歩留まりを向上することができる。
 このように本発明の一実施形態は、菌類、真菌類、ウイルスといった微生物が表面に付着する可能性がある被処理物に対して、その被処理物の形状および該被処理物の保持方法によらず、上記微生物を不活化させ(微生物の数を所定の割合まで減少させ(好ましくは、滅菌レベルまで減少させ))、かつ被処理物への電子線起因のダメージを防止ないしは低減させるものである。
 なお、本発明においては、所定の面に付着したり存在している微生物を不活化させることが重要であり、上記所定の面の形状、所定の面を有する被処理物の形状、および該被処理物の材質は本質ではない。このような被処理物としては、例として、樹脂(プラスチック)成形品、金属成形品、セラミクス成形品などが挙げられる。また、その形状(形態)は、平板状、棒状、円筒状、中空状など特に制約があるわけではない。すなわち、中空体容器、キャップ、平板など、不活化処理の対象となるものであればいずれであっても良い。
 さて、上述のように、本発明では、微生物を不活化して、不活化処理をする前に存在する微生物の数よりも該微生物の数を減少させることができる。すなわち、本実施形態では、微生物の初発菌数を、所定の割合以下に減少させることができる。このとき、本発明の一実施形態では、上記不活化の程度を、滅菌レベルにすることができる。本明細書において、ある特定の微生物の初発菌数を1/1000000(百万分の一)以下に減少させる行為を「滅菌」として定義する。
 (第1の実施形態)
 本実施形態に係る、微生物を不活化させる処理装置の模式図である。 
 図3において、微生物を不活化させる処理装置100は、電子線照射装置101と、処理室102とを備える。
 電子線照射装置101は、電子線を発生する電子線発生部103と、該電子線発生部103で発生した電子線を加速する加速器104と、該加速器104にて加速された電子線を外部に電子線113として出射する照射部105とを有する。上記電子線発生部103は、電子線照射装置101の中央部に位置するターミナル103aと、熱電子を放出するフィラメント103bとを有する。また、照射部105は、電子線発生部103にて発生された電子線を通過させて電子線照射装置101の外部に放出するための開口部105aと、該開口部105a内に設けられ、電子線照射装置101の内部(真空雰囲気)と処理室102の内部(大気雰囲気)とを仕切るが、電子線を通過させるように構成された仕切り部105bを有する。該仕切り部105bの構成材料としては、例えばチタン箔など、電子線照射装置101内の真空雰囲気を維持でき、かつ入射した電子線の少なくとも一部を透過させるものであれば、いずれを用いても良い。
 処理室102は、電子線を発生させるための電子線照射装置101とは別個に設けられ、該別個に設けられた電子線照射装置101から放出された電子線113が照射され、該電子線113によって励起されたガスを用いて被処理物107に付着した微生物の不活化処理を行う構成である。該処理室102のある壁には開口部112が設けられている。上記照射部105が開口部112に嵌合されることにより、電子線照射装置101と処理室102とが連結され、電子線発生部103から発生した電子線113が仕切り部105bを介して処理室102内に照射される。
 処理室102の内部には、被処理物107を保持するための保持部106と、保持部106にて保持された被処理物107を電子線113から遮断するように設けられたマスク治具108と、ガス供給源109と、該ガス供給源109に接続され、該ガス供給源109から供給されたガスを放出するガスノズル110とが設けられている。図3において、符号111は、発光分光分析(Optical Emission Spectroscoy:OES)を行うための発光分光分析装置(OES装置)であり、該OES装置111の光受光ファイバーヘッド111aは処理室102の内部に設けられている。
 なお、本実施形態では、被処理物107は、中空体容器である。
 また、ガス供給源109から供給されガスノズル110から放出されるガスを、「供給ガス」と呼ぶことにする。
 マスク治具108は、円筒状の金属であり、保持部106にて保持された被処理物107を覆うように設けられている。すなわち、円筒の中空部に保持部106にて保持された被処理物107が位置することになる。このように、マスク治具108が被処理物107の大部分を覆っているので、電子線113の被処理物107への入射を低減することができる。
 マスク治具108に用いる金属としては、鉛、ステンレス、アルミニウム、チタンなどを用いることができ、処理条件(加速電圧)に応じてその厚さを設定することで電子線の透過、被処理物への照射を阻止ないしは低減することができる。金属製マスク治具の形状としては、上記円筒状に限定されるものではなく、電子線照射装置101から照射される電子線113の被処理物107への入射を遮断ないしは該入射を低減できればいずれの形状であっても良い。例えば、平板状の金属板をマスク治具108として電子線113と被処理物107との間に配置して、被処理物107全体を電子線113から遮蔽してもよいし、マスク治具108を円筒状、半円状として、被処理物107での電子線113の吸収線量を測定しながら電子線113の一部のみを遮蔽する構造としてもよく、目的とする処理に応じて適宜選択することができる。
 本実施形態では、中空体容器である被処理物107の長手方向とマスク治具108の長手方向とが一致するように、保持部106が被処理物107を保持し、かつマスク治具108が設けられている。従って、マスク治具108の開口面と被処理物107の開口面とが一致しており、被処理物107の開口部がマスク治具108によって覆われていない。従って、後述する励起された所定のガスは、マスク治具108の開口部のみから該マスク治具108の中空部に進入する。このとき、被処理物107の開口面とマスク治具108の開口面とが一致しているので、励起された所定のガスを被処理物107の中空部に効率良く供給することができる。すなわち、被処理物107の開口部から該被処理物107内奥部に向かって励起された供給ガスが供給される。
 図3において、ガス供給源109およびガスノズル110は、保持部106に保持された被処理物107の開口部およびマスク治具108の開口部と対向する位置に設けられており、矢印方向Pに沿って流れている、ガスノズル110から放出された供給ガスの流れ(気流)に電子線113が入射するように、ガスノズル110は位置決めされている。すなわち、保持部106とガスノズル110との間に電子線113の照射領域が位置し、かつ保持部106に保持された被処理物107が上記電子線113の照射領域中に位置しないように、保持部106およびガスノズル110が設けられている。従って、被処理物107には、ガスノズル110から矢印方向Pに沿って放出された供給ガスであって、電子線113により励起された供給ガスが供給される。なお、本実施形態では、上述のように、電子線113が照射された領域にガスノズル110からガスを吹き付けている。従って、被処理物107には、電子線113によって励起された供給ガスが吹き付けられることになる。また、本実施形態では、処理室102内が大気雰囲気やあるガスの雰囲気である場合は、電子線113により大気雰囲気やあるガスの雰囲気として存在していたガスも励起されても良い。その場合には、ガスノズル110から矢印方向Pに沿って供給ガスが吹き出していることによりガスの流れが形成されているので、上記の過程で励起された雰囲気ガスも励起された供給ガスと共に被処理物107に吹き付けられる。従って、被処理物107には、電子線113によって励起された所定のガスが供給されることになる。
 本明細書において、「励起された所定のガス」とは、ガスの種類を問わずに、電子線によって励起されたガスを指す。従って、本実施形態では、上述のように供給ガスは電子線113によって励起されるので、該励起された供給ガスは励起された所定のガスに含まれる。また、上述のように雰囲気ガスも電子線113によって励起されても良い。この場合も、励起された雰囲気ガスは励起された所定のガスに含まれる。また、励起された所定のガスは、励起された1種類のガスのみを指すものではなく、励起された2種類以上の混合ガスをも指す。すなわち、励起された所定のガスとは、電子線によって励起された少なくとも1種類以上のガスを含むものである。
 なお、本実施形態では、マスク治具108を設けているので、被処理物107を電子線113の照射領域内に設けても、電子線113の被処理物107への照射を低減することができる。従って、マスク治具108および被処理物107を電子線113の照射領域内に設けても良い。
 本実施形態では、被処理物107へのガスを供給するガス供給手段としての、ガス供給源109およびガスノズル110を既存の電子線照射装置に取り付けることができ、経済的に安価に処理装置100を構成することができる。ガスノズル110としては、市販のガス噴出ノズルを用いることができ、被処理物107の形態(物理的形状)に応じて、たとえば、直線上にガスが噴出されるガスノズル、拡散状にガス噴出されるガスノズルを用いることができる。これらガスノズルは上記処理室102内に配置されるため、電子線照射や生成する励起ガスによる経年劣化を避けるため、金属製のものを用いることが好ましいが、例えば、電子線が直接照射されない箇所にガスノズルを配置する方法をとってもよい。
 また、本実施形態では、ガスノズル110から噴出される供給ガスとして、窒素、酸素、炭酸ガス、過酸化水素ガス、アルゴンガス、水蒸気単体、またはこれらの少なくとも2つ以上を含む混合ガスが好適に用いられるが、これらのガス種が選択される理由としては、ランニングコストが安価ということが挙げられる。本実施形態の不活化処理が行われる処理室102内は通常、大気圧雰囲気若しくはオゾン等の副生成物を処理室102外へ排気するために、大気圧もしくは弱減圧雰囲気に保持されているが、不活化処理を実現するために、処理室102内がこれらのガス種で完全に置換されている必要はない。すなわち、処理室102内の少なくとも一部を上記ガス種で置換すれば良い。例えば、少なくとも、不活化処理を行う際に処理室102内に配置された被処理物107近傍の領域(不活化処理時に被処理物107が配置される位置の近傍)を上記ガス種で置換すれば良い。
 さらに、処理室102の圧力が大気圧近傍の圧力であっても良く、例えば若干の陽圧であっても本発明の効果が著しく損なわれるものではない。
 さらに本実施形態では、被処理物107への励起種等の作用量をモニタリングする方法として、発光分光分析(OES)法を用いることができる。発光分光分析法では、電子線によって励起されたガス種の種類、エネルギー準位を同定することができる。本実施形態の発光分光分析で好適に利用(モニター)される発光励起種としては、窒素第二正帯(second positive band system)に帰属する波長281.4~497.6nmの範囲のバンドスペクトル(N )、第一負帯(first negative band system)に帰属する329.2~586.4nmのバンドスペクトル(N )、励起状態の原子状酸素(atomic oxygen:O)に帰属するラインスペクトル(777.4nm)などが挙げられるが、この限りではなく、選択されるガス種、ガス供給量、電子線照射条件(加速電圧等)によって、適宜、選択することができる。
 なお、本実施形態におけるOES装置111としては、安価に入手が可能な市販の分光器(測定波長範囲200~1100nm程度)が好適に利用可能である。
 次に、本実施形態における不活化処理の動作について説明する。
 電子線照射装置101は、電子線発生部103の中央部に位置するターミナル103aのフィラメント103bに電流を流すことにより熱電子を発生させ、該発生した熱電子を加速器104で加速させ、該加速された電子線を電子線発生部103(真空雰囲気)と処理室102(大気雰囲気)とを仕切る窓箔としての仕切り部105bを透過させる。これにより、処理室102内に電子線113が出射される。なお、電子線発生部103はここでは図示しないポンプ等により10-4~10-5Paの真空に排気・保持されている。一方、処理室102内は大気圧もしくは図示しない排気ドラフトによって弱減圧に保持されている。上述の通り、この処理室102の雰囲気は大気(空気)でも、窒素等の供給ガスの雰囲気に置換された状態でもよく、周囲雰囲気によって本発明の効果が著しく損なわれるものではない。
 処理室102内に出射した電子線113は、処理室102内の空気などガス分子によって散乱され、そのエネルギーを失いながら図3の紙面下方に向かうが、その途中、処理室102内に設けられたガスノズル110から噴出する供給ガスにそのエネルギーの一部が吸収され、供給ガスの少なくとも一部が励起、イオン化され、さらに活性種が生成される。すなわち、本実施形態では、電子線113の照射領域を横切るように供給ガスが供給され、かつ該横切った供給ガスの流れの先に被処理物107が位置するように、保持部106およびガスノズル110が位置決めされている。従って、ガスノズル110から噴出された供給ガス自体が励起され、励起された供給ガスとなって被処理物107に吹き付けられる(供給される)。
 なお、この場合、励起ガスの原料としてガスノズル110から供給されるガスは、経済性(ランニングコスト)を考慮して、連続的に噴出せずに一定期間毎のパルス状(断続的)に噴出させるようにしてもよい。
 上述のようにして生成された励起された供給ガスが被処理物107に供給されることにより、該被処理物107に付着した微生物の不活化処理を行うことができる。本実施形態では、被処理物107が、中空体容器(例えば、飲料用ボトルや薬品の容器等)であるので、ガスノズル110から被処理物107の開口部(中空体の口部)に向かって供給ガスを噴出することで、励起された供給ガスが被処理物107の内部に供給され、該被処理物107の内表面(内側の壁)を斑なく不活化処理(例えば、滅菌処理)することが可能である。また、被処理物107の開口部側から励起された供給ガスが吹き付けられているが、これらはガスであるので被処理物107の外側にも漂うことになる。従って、被処理物107の外表面(外側の壁)についても励起された供給ガスを作用させることができ、外表面における不活化処理をも行うことができる。
 さて、上記不活化処理が実現できる理由としては、供給ガス(あるいは雰囲気ガス)が電子線によって励起状態となり、様々な活性種を生成、これら活性種が微生物の不活化に有効であることが挙げられる。
 励起状態のガスとしては、例えば、窒素励起種(N )、窒素イオン(N )が、活性種としては酸素ラジカル(O・)、水酸化ラジカル(OH・)、一酸化窒素ラジカル(NO・)といった酸化性活性種の生成が発光分光分析法によって確認されており、さらにこれら励起種、活性種と気体原子、分子との反応によって、副生成物としてオゾン(O)、窒素酸化物(NOx)、一酸化炭素(CO)などの生成が確認されている。
 上記のような生成物の存在を考慮すると、酸素分子への電子付着によってスーパーオキシドアニオン(O )、電子衝突励起によって励起一重項酸素分子()といった高酸化性ガスが生成されていることが予想され、また、生成した励起種がさらに周囲のガス原子、分子にエネルギーを付与し、新たな活性種を生成するといった気相化学反応が進行しているものと推察される。
 これら励起種、イオン化されたガス体、活性種が各々単体ではなく、複合してシナジー的に作用することで、微生物が不活化に至ると考えられる。
 これらのガス体を生成するにあたっては、電子線を50kVから500kVまでの範囲内の加速電圧で発生させて、供給ガスに照射することが好ましい。加速電圧が50kV未満であると、電子線発生部103(真空雰囲気)と処理室102(大気雰囲気)とを仕切る、チタンなどの金属箔である仕切り部105bを電子線が透過することができずに、被処理物107に吹き付けられるガスを十分に励起することができなくなる恐れがある。一方、加速電圧が500kVを超えるとその電圧を発生させるための高圧トランス電源、絶縁部材等が大型となってしまい、装置のイニシャルコストが上がってしまう。
 なお、供給ガスとして使用するガス種によってその励起エネルギーはそれぞれ異なるが、概ね5eV以上のエネルギーを有する電子線113がガスノズル110から噴出されるガス分子に衝突するような構成、条件とすればよい。このため、上記範囲の加速電圧で電子線を発生させることで、必然的にその目的を達成することができ、励起種、イオン種、活性種を生成して、被処理物107に作用することが可能となる。
 ここで、本明細書において、「励起されたガス(例えば、励起された所定のガス、励起された供給ガス、励起された雰囲気ガスなど)」とは、上記励起種、イオン種、および活性種の少なくとも1つを含むものを指す。
 本実施形態においては、上述のように処理室102内の雰囲気は大気(空気)または特定のガス雰囲気(例えば、供給ガス)に置換した状態の何れでも、用途に応じて適宜、選択実施することができる。前者大気(空気)雰囲気の場合、噴出ガスのみならず、空気も励起されて、噴出ガスに巻き込まれて被処理物107に吹き付けられ、被処理物107表面の不活化処理(例えば、滅菌処理)が可能である。また、後者の特定のガス雰囲気(例えば、供給ガス雰囲気)の場合、所望の不活化処理(例えば、滅菌処理)に応じて、適宜、雰囲気を制御して、例えば、雰囲気置換ガスと供給ガス(励起ガス)とを同一とすることで、純粋な供給ガスの励起ガスを被処理物107に作用させることができる。一方、雰囲気置換ガスには窒素、供給ガスには酸素といったように、異なる種類を選択することで、電子線113の空間中での散乱、エネルギーロスを抑え、供給ガスの励起を効率的に行うことができ、不活化の効果を向上させることができる。
 このように、本実施形態では、被処理物に電子線を直接照射し、該被処理物に直接照射された電子線の作用によって不活化を行っているわけではなく、電子線113により励起された所定のガスを供給することにより不活化を行っている。従って、供給ガスの気流方向(図3の矢印方向P)に対して影となる領域があったとしても、励起された所定のガスはその領域に回りこんで入射することができる。従って、被処理物107を回転させるなどして上記影となる領域を矢印方向Pに沿った気流に晒さなくても、被処理物107の所定の面について不活化を行うことができる。従って、被処理物107の形状や保持方法によらず、被処理物107に対して均一に微生物を不活化することができる。
 また、本実施形態では、微生物の不活化のために被処理物107に入射するのは電子線ではなく、励起された所定のガスであるので、被処理物107への電気的、物理的ダメージを軽減することができる。
 また、本実施形態では、電子線113を、従来のように直接被処理物107に入射して不活化を行うために用いておらず、あくまで供給ガス(あるいは、雰囲気ガス)を励起するために用いている。従って、本実施形態では、より強い殺菌、滅菌のため、および/または、電子線を被処理物107の壁面を透過させるために電子線の線量率を大きくするという概念は存在しておらず、加速電圧を大きくする必要は無い。すなわち、低加速電圧であっても、被処理物107に対して良好な不活化処理を施すことができる。よって、電子線照射装置101の大型化を回避することができる。また、電子線113の線量率を小さくしても、十分に高品位な不活化処理を行うことができ、その程度も滅菌レベルまで向上させることができる。従って、電子線113の線量率を小さくすれば、仮に電子線113が被処理物107に入射しても、従来で問題になるほどのダメージを与えることも無い。
 また、本実施形態では、何かしらのガスに電子線を照射して、不活化に寄与する励起された所定のガスを生成している。従って、ガスが存在しそこに電子線が入射しさえすれば、不活化に寄与するもの、すなわち励起された所定のガスを生成することができる。処理室102内に放出された供給ガスは、気体であるので、処理室102内で拡散する。従って、不活性化に寄与するものを生成するための励起空間を規定するための物理的な部材(例えば、電極等)を設ける必要がなく、上記励起空間を広く取ることができる。すなわち、処理室102内のガスが存在する領域であればいずれの領域を励起空間とすることができる。
 また、本実施形態では、電子線113によって励起された所定のガスを生成しているので、ラジカル密度を大きくすることができる。すなわち、電子線113によりガスを励起しているので、励起エネルギーを例えば150eVとすることもできる。このように電子エネルギーをガスの励起、イオン化断面積のエネルギー程度に設定することにより、励起された所定のガスの不活化に寄与する因子(励起種、イオン種、活性種など))の密度を多くすることができる。よって、不活化のレベルを滅菌レベルまで高めることができる。
 さらに、本実施形態では、マスク治具108を設けているので、電子線113の被処理物107への入射を防止ないしは低減することができる。従って、例えば、被処理物107が電子線によって構造が崩壊するような樹脂成形品等である場合であっても、被処理物107の崩壊、変形等を抑制して不活化処理を行うことができる。
 なお、本発明は、被処理物107を電子線113に晒さないことを本質とするものではなく、被処理物107を電子線113によって励起されたガスに晒すことが本質である。そして、上述のように、本実施形態では、電子線に対する加速電圧を低くしても良く、電子線113の線量率を低くしても、十分に滅菌レベルの不活化を行うことができる。従って、このような線量率が低い電子線であれば、仮に被処理物107に入射しても該電子線に起因するダメージを小さくすることができる。よって、例えば、電子線113の線量率が低い場合であれば、処理室102内における被処理物107の配置が被処理物107に電子線113が入射するような形態であっても良いことは言うまでも無い。
 また、本実施形態では、保持部106を固定しているが、保持部106を、駆動機構を設ける等してガスノズル110の方に向かって移動可能に構成しても良い。また、マスク治具108についても、駆動機構を設ける等して、保持部106と同期してガスノズル110の方に向かって移動可能に構成しても良い。
 さらに本実施形態によれば、被処理物107を電子線113の直接作用しない領域に搬送しながら、電子線113で励起されたガスのみを吹付けて処理を行う構成を採用することもできる。この場合、被処理物107に電子線113が作用せず、劣化の懸念はないため、そもそもマスク治具108は不要となる。
 (第2の実施形態)
 第1の実施形態では、電子線が照射された領域に供給ガスを吹き付け、該供給ガスを励起してから被処理物に供給している。本実施形態では、電子線が照射される領域にもともと存在する雰囲気ガスを該電子線によって励起し、該励起された雰囲気ガスを供給ガスによって被処理物へと供給する。すなわち、本実施形態では、供給ガスは、励起された雰囲気ガスを被処理物へと供給するための、ある意味キャリアとして機能する。
 このため、供給ガスとしては、上記の例えば、窒素励起種(N )、窒素イオン(N )、活性種としては酸素ラジカル(O・)、水酸化ラジカル(OH・)、一酸化窒素ラジカル(NO・)といった酸化性活性種を生成しないガスでもよく、例えば、化学的には不活性なアルゴンガスなどを上記キャリアガスとして使用して、周囲雰囲気(電子線で励起されたガス)を被処理物へ供給する構成とすることも可能である。
 図4において、符号201は、ガス供給部であり、金属製のパイプにガス噴出孔がガス供給口202として3箇所に形成されている。該ガス供給部201はガス供給源109に接続されており、ガス供給口202から供給ガスを放出する。また、符号204は、被処理物107を保持するための保持部であり、被処理物107の開口部が図4の紙面上側に位置するように被処理部107を保持する。
 本実施形態では、ガス供給部201および保持部204は一体となっており、保持部204は、不図示の駆動機構に接続されている。不図示の制御装置からの駆動コマンドにより上記駆動機構が駆動することにより、保持部204および該保持部204に一体に形成されたガス供給部201は、矢印方向Qに沿って適宜移動する。すなわち、本実施形態では、上記制御装置は、処理室102内の雰囲気ガスが電子線113により励起された後に、ガス供給口202から供給ガス203を噴出させながら、保持部204およびガス供給部201を励起空間205内に移動させるように、上記駆動機構を制御する。
 図5は、図4のA-A’線断面図である。
 図5に示されるように、ガス供給口202から被処理物107の開口部に向かって放出供給ガス203が放出される(図中、矢印で図示)。よって、ガス供給口202から放出された供給ガス203は被処理物107の開口部から被処理物107の中空部内へと進む。本実施形態では、供給ガス203の気流が、後述する励起された雰囲気ガスを巻き込んで被処理物107へと該励起された雰囲気ガスを供給する。
 次に、本実施形態における不活化処理の動作について説明する。
 本実施形態では、処理室102内には所定の雰囲気ガスが存在している。従って、図4に示すように、電子線照射装置101から照射された電子線113は、電子線113の照射領域に存在する雰囲気ガスを励起し、励起された雰囲気ガスを含む励起空間205を形成する。すなわち、電子線照射装置101は、処理室102内に電子線113を照射して、該処理室102内に励起空間205を形成する。
 次いで、上記駆動機構が駆動することにより、保持部204は矢印方向Qに沿って移動する。このとき、ガス供給口202から供給ガス203が放出される。従って、供給ガス203をガス供給口202から放出しながら、保持部204は移動する。
 上記保持部204に保持された被処理物107が励起空間205内に進入すると、ガス供給口202から被処理物107の開口部に向かって流れている供給ガス203により、励起された所定のガスとしての励起された雰囲気ガスが被処理物107に供給される。このようにして供給された励起された雰囲気ガスにより、被処理物107の不活化処理が行われる。
 本実施形態では、電子線113の線量率を低く設定しているので、保持部204が励起空間205に進入し、電子線113が被処理物107に入射しても、被処理物107へのダメージを低減することができる。また、被処理物107の開口部を覆うようにマスク治具を配置しても良い。この場合は、マスク治具を保持部204と一体に形成するなどして、マスク治具が保持部204と同期して移動するように該マスク治具を構成すれば良い。
 (第3の実施形態)
 本実施形態では、電子線によって励起された所定のガスの被処理物への供給を、電子線が照射されている雰囲気ガスと被処理物との温度勾配、または電子線が照射されている雰囲気ガスと被処理物近傍(被処理物が中空体容器である場合は、中空状の被処理物の空洞内の雰囲気)の電子線によって励起された所定のガスの濃度勾配を用いて行う。
 図8は、本実施形態に係る、温度勾配を用いて微生物を不活化させる処理装置の模式図である。
 図8において、電子線113が照射される空間である励起空間205内に、電子線が照射されると発熱する金属片301が配置されている。該金属片301は、電子線照射窓としての仕切り部105bの直下に設けられることが好ましい。このような構成において、電子線113が金属片301に照射されると、該金属片301は発熱する。該発熱により金属片301が被処理物107よりも高温になることで、励起空間205に存在する、電子線113が照射されている雰囲気ガスから被処理物107に向かって温度が低くなるような温度勾配が形成される。よって、該温度勾配により、被処理物107よりも高温である励起空間205に存在する電子線により励起された所定のガスは、自動的に被処理物107に供給される。
 本実施形態では、不活化処理時に、被処理物107を、励起空間205の近傍に位置させることが好ましい。本発明では、電子線によって励起された所定のガスを被処理物に作用させることが重要であり、本実施形態では、電子線113が照射される領域において所定のガスが励起され、電子線113により励起された所定のガスが生成される。本実施形態における、“電子線113が照射される領域の近傍(励起空間205の近傍)”とは、電子線113によって励起された所定のガスが励起状態を保ったまま、励起空間205から被処理物107に到達できる距離を指す。
 また、本実施形態では、不活化処理時に、被処理物107を励起空間205内に位置させても良い。励起空間205内に被処理物107を位置させる場合は、電子線113の線量率を低く設定することにより、電子線113による被処理物107へのダメージを低減することができる。また、励起空間205内に被処理物107を位置させる形態としては、例えば、保持部106を励起空間205側へと移動させることにより、被処理物107を、励起空間205中に移動させればよい。
 このように、本実施形態によれば、電子線113が照射されると発熱する金属片301を電子線113が照射される領域内に設けているので、不活化処理に用いる励起ガスの生成のための電子線113を流用して、電子線113によって励起された所定のガスの供給を行わせるための温度勾配を形成することができる。すなわち、電子線113により、電子線113によって励起された所定のガスの生成と、該励起ガスの被処理物107への供給のための温度勾配の形成とを同時に実現することができる。
 また、上記温度勾配形成のための他の例としては、励起空間205の、被処理物107と反対側にヒータを設ける形態であっても良い。この形態の場合は、電子線113が照射される領域から外れた場所であって、励起空間205の、被処理物107と対向する場所にヒータが設けられる。該ヒータにより、励起空間205内の、電子線113によって励起された所定のガスが熱せられて、被処理物107よりも高温になる。これにより、上記温度勾配が形成されることになる。
 さらに、上記温度勾配形成のための更なる他の例としては、被処理物107を冷却するための冷却装置を処理室102内に設けても良い。この場合は、該冷却装置により予め被処理物107を、励起空間205内に存在する、電子線113によって励起された所定のガスよりも低温、好ましくは10℃以上低い温度に保持しておく。これにより、被処理物107が電子線113の照射されている雰囲気ガスよりも温度が低い上記温度勾配が形成される。
 また、上述の電子線によって励起された所定のガスの濃度勾配を用いた方法の一例としては、まずは処理室102内に予め雰囲気ガスを充満させておく。次いで、電子線113を照射して、電子線113によって励起された高濃度の所定のガスを生成する。この状態で、処理室102内に、中空状の被処理物107を搬入する。このとき、予め処理室102に存在していた、高濃度の、電子線113によって励起された所定のガスの方が、被処理物107の中空部(空洞)の雰囲気よりも高エネルギー状態であるので、励起空間205の方が被処理物107の中空部よりも濃度が高い、電子線113によって励起されたガスの濃度勾配が形成される。よって、該濃度勾配により、電子線113によって励起された所定のガスは、低エネルギー側(被処理物107の中空部内)へ拡散することになる。これにより、上記電子線113によって励起された所定のガスは、被処理物107へと供給される。
 濃度勾配を用いる形態においても、不活化処理の際には、被処理物107を励起空間205近傍、または被処理物107を励起空間205内に位置させることが好ましい。
 本実施形態に係る温度勾配や濃度勾配の方法を、第1および第2の実施形態にて説明した被処理物に向かってガスを吹き付ける構成と併用することにより、不活化の効果をさらに向上させることができる。
 (実施例)
 第2の実施形態の構成により、滅菌評価を行った。
 電子線照射装置101では、フィラメント103bとターミナル103aに形成されたグリッドとの間、および該グリットと窓箔としての仕切り部105bとの間にそれぞれ図示しない高圧電源が接続されており、50kVから500kVまでの範囲で加速電圧が印加されて、電子線が加速される。このような加速電圧範囲とすることで、電子線113の照射領域に存在する雰囲気ガスを十分励起でき、確実な滅菌処理が実現できる。
 本実施例の試験では、電子線照射装置101として岩崎電気製の電子線処理装置、型式EC300/30/30mAを用い、被処理物107としてポリエチレンテレフタレート製の中空体容器(プリフォーム)を準備した。そして、被処理物107の内表面全域に滅菌評価のための生物インジケータ(biological indicator)として、黒カビ(Aspergillus niger)胞子を10個スプレー塗布、乾燥させた。
 (第1の実施例)
 第1の実施例の処理方法としては、図4の概略図に示すように被処理物107である中空体容器を開口部が上方にくるように縦置きで保持部204に並べて設置した。そして、保持部204と一体型のガス供給部201から窒素ガスもしくは空気を供給ガス203として流量25リットル/分で噴出させながら、加速電圧150kV、ビーム電流25.4mAの電子線113を発生させて励起空間205を形成した。この状態で、供給ガス203を被処理物107の内表面に吹き付けながら、保持部204全体を10m/分の速度で矢印方向Qに移動して被処理物107を励起空間205内に進入させ、該進入後に矢印方向Qと反対側に移動させて、保持部204を一往復させた。なお、処理室102内は大気雰囲気であった。
 処理後、被処理物107内表面に付着した黒カビ胞子を滅菌綿棒で擦り取り、胞子の凝集を防ぐ目的で界面活性剤を加えた滅菌水中入り試験管に綿棒を回収し、振動ミキサーでよく攪拌して黒カビ胞子を溶出させたものを縣濁液とした。その縣濁液を必要に応じ段階希釈し、寒天平板混釈法にて生菌数を判定して滅菌可否の判定を行った。培地にはPDA(ポテトデキストロース寒天培地)を用い、培養は25℃の恒温槽で3日間培養した。
 ガス噴出のみで黒カビ胞子が被処理物107である容器内表面から剥離、飛散しているかどうかを調べる目的で、第1の比較例として、電子線113を発生させずに、供給ガス203のみを噴出し、被処理物107の内部へ吹き付けて、処理を行い、上記手順で黒カビ胞子を培養、生菌数を評価した。
 第2の比較例として、供給ガス203の供給を行わず、加速電圧150kV、ビーム電流25.4mAの電子線113のみを発生させ、電子線113にて励起空間205を形成し、黒カビ胞子の生菌数を評価した。
 表1に第1の実施例、第1の比較例、および第2の比較例のキルレート結果をまとめた。なお、本明細書において、「キルレート」とは、微生物の数の対数減少率を表し、キルレート=Log10(初発菌数÷減少後の生菌数)であって、初発菌数に対する減少後の菌数の割合の桁数を示す。従って、例えば、キルレートが「6」である場合は、生菌数が1/10に減少したことを示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表1から分かるように、第1の実施例である電子線113および供給ガス203を用いて処理を行った場合、供給ガスとして窒素、空気何れを用いた場合においても、キルレートが6.0以上、すなわち、初発の黒カビ胞子数10の桁数が6桁以上減少しており、滅菌処理を実現できていることが判明した。一方、第1の比較例の供給ガスのみを照射した場合においては、初発菌数と比較して菌数の減少は認められなかった。この結果より、ガス吹きつけのみではカビ胞子の剥離、飛散はないことが実証された。また、第2の比較例の電子線照射のみでは、キルレートが1.8と若干の殺菌効果は認められたものの、キルレートが6以上となる滅菌処理は不可であった。
 以上の結果を考察するために、電子線113発生中の被処理物107としての中空体容器内部へ吹き付けられるガス(励起された所定のガス)の励起状態(発光励起種の有無)を、市販の発光分光分析器(オーシャンフォトニクス製Maya2000Pro)をOES装置111として用いてモニタリングした。
 計測結果を図7に示す。
 図7の計測結果より、窒素第二正帯(second positive band system)に帰属する波長281.4~497.6nmの範囲のバンドスペクトル(図中、N と表示)、第一負帯(first negative band system)に帰属する波長391.4nmのスペクトル(図中、N と表示)、原子状酸素(777.4nm)のピークが確認でき、励起、イオン化された窒素分子や原子状酸素が、被処理物107近傍で生成されていることが確認できた。また、これらの励起種は数マイクロ秒以内に失活(下準位に遷移)することが知られており、ガスの流れにのって被処理物107の最深部(底部)までは到達していないことが推測されるが、別のガス原子・分子にエネルギーを転化して、非発光の励起種、活性種が生成されて、黒かび胞子表面に作用し、不活化(滅菌)されているものと考えられる。
 この根拠として、被処理物107の容器底部から生成ガスを北川式検知管でサンプリングした結果、オゾン(O)が約80ppm、一酸化窒素(NO)が約300ppm生成していることが判明しており、原子状酸素(O)や励起一重項酸素(O )など多様な活性種が生成、滅菌効果に寄与していることが示唆された。
 (第2の実施例)
 第2の実施例の処理方法としては、図3に示したような構成を用いた。被処理物107および電子線発生条件等は第1の実施例と同様である。しかしながら、被処理物107の保持姿勢を該被処理物107の開口部が図3の紙面右方向となるよう横向きに配置し、さらに被処理物107の開口部以外の面をステンレス製の金属板マスク治具108で覆って電子線113の直接照射を遮蔽してガスノズル110の方向へ搬送し処理を行った。ガスノズル110から噴出される供給ガスは窒素、空気を用い、各々供給流量25リットル/分とした。
 第3の比較例として、電子線113を発生させずに、ガスノズル110から供給ガスのみを噴出し、被処理物107の内部へ吹き付けた。
 本実施例、および第3の比較例のキルレート結果を表2にまとめた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表2から分かるように、供給ガスとして何れのガス種においても、キルレートが6.0以上と滅菌処理が行われていることが判明した。
 以上の結果より、本発明のような処理方法、装置構成においては、安価なガスを吹き付けるだけで被処理物表面の連続的な滅菌処理を確実とすることができるため、従来の滅菌処理法と比較して工業的に大きな優位性がある。さらに本発明の方法によって、直接的な電子線照射による被処理物表面のダメージを低減することができるため、処理の歩留まりを向上させることができ、経済的にも有利である。
 この出願は2011年10月13日に出願された日本国特許出願第2011-225537号からの優先権を主張するものであり、その内容を引用してこの出願の一部とするものである。
 

 

Claims (23)

  1.  電子線が照射されるように構成された処理室内に被処理物を配置する工程と、
     前記配置された被処理物に対して、前記処理室内に照射された電子線によって励起された所定のガスを供給する工程と
     を有することを特徴とする電子線照射による不活化方法。
  2.  前記供給する工程は、
     前記処理室内に電子線を照射する工程と、
     ガス供給手段から前記配置された被処理物に向かってガスを吹き付ける工程であって、前記電子線が照射されている領域を通過するように前記ガスを吹き付ける工程とを有し、
     前記励起された所定のガスは、前記電子線が照射されている領域を通過することにより該電子線によって励起された前記吹き付けられたガスを含むことを特徴とする請求項1に記載の電子線照射による不活化方法。
  3.  前記処理室内には所定の雰囲気ガスが存在しており、
     前記供給する工程は、
     前記処理室内に電子線を照射して、該電子線が照射される領域の前記雰囲気ガスを励起する工程と、
     前記配置された被処理物に対してガス供給手段によりガスを吹き付けながら、該被処理物を前記励起された雰囲気ガス中に移動させる工程と
     を有することを特徴とする請求項1に記載の電子線照射による不活化方法。
  4.  前記ガスは、窒素、酸素、炭酸ガス、過酸化水素ガス、アルゴンガス、水蒸気単体、またはこれらの少なくとも2つ以上を含む混合ガスであることを特徴とする請求項2に記載の電子線照射による不活化方法。
  5.  前記ガスは、窒素、酸素、炭酸ガス、過酸化水素ガス、アルゴンガス、水蒸気単体、またはこれらの少なくとも2つ以上を含む混合ガスであることを特徴とする請求項3に記載の電子線照射による不活化方法。
  6.  少なくとも、前記処理室内の前記配置された被処理物近傍を、前記電子線の照射の前に予め、前記ガスで置換しておくことを特徴とする請求項2に記載の電子線照射による不活化方法。
  7.  少なくとも、前記処理室内の前記配置された被処理物近傍を、前記電子線の照射の前に予め、前記ガスで置換しておくことを特徴とする請求項3に記載の電子線照射による不活化方法。
  8.  前記被処理物は、中空状の容器であり、
     前記ガスの吹き付けは、前記中空状の容器である被処理物の開口部から該被処理物内奥部に向かって行われることを特徴とする請求項2に記載の電子線照射による不活化方法。
  9.  前記被処理物は、中空状の容器であり、
     前記ガスの吹き付けは、前記中空状の容器である被処理物の開口部から該被処理物内奥部に向かって行われることを特徴とする請求項3に記載の電子線照射による不活化方法。
  10.  前記処理室内には所定の雰囲気ガスが存在しており、
     前記供給する工程は、
     前記処理室内に電子線を照射して、該電子線が照射される領域の前記雰囲気ガスを励起する工程と、
     前記電子線が照射されている雰囲気ガスと前記配置された被処理物との温度勾配、または前記電子線が照射されている雰囲気ガスと前記配置された被処理物近傍の、前記電子線によって励起された所定のガスの濃度勾配を形成する工程とを有し、
     前記温度勾配、または前記濃度勾配により、前記電子線によって励起された所定のガスを前記配置された被処理物に供給することを特徴とする請求項1に記載の不活化方法。
  11.  前記供給する工程は、前記被処理物を前記励起された雰囲気ガス中に移動させながら、前記温度勾配、または前記濃度勾配により、前記電子線によって励起された所定のガスを前記配置された被処理物に供給することを特徴とする請求項10に記載の不活化方法。
  12.  前記電子線を50kVから500kVまでの範囲内の加速電圧で発生させることを特徴とする請求項1に記載の電子線照射による不活化方法。
  13.  前記処理室内が大気圧近傍圧力であることを特徴とする請求項1に記載の電子線照射による不活化方法。
  14.  前記電子線が前記被処理物に直接照射されないように、該被処理物の少なくとも一部を金属製遮蔽体で包囲することを特徴とする請求項1に記載の電子線照射による不活化方法。
  15.  被処理物に付着した微生物の不活化を行うための処理装置であって、
     処理室と、
     前記処理室内に電子線を照射する電子線照射装置と、
     前記処理室内に設けられ、前記被処理物を保持するための保持部と、
     前記保持部に保持された前記被処理物に対して、前記電子線によって励起された所定のガスを供給するように構成されたガス供給手段と
     を備えることを特徴とする処理装置。
  16.  前記ガス供給手段は、前記保持部に保持された前記被処理物にガスを吹き付けるように設けられたガス供給部を有し、
     前記保持部と前記ガス供給部との間に、前記電子線が照射されることを特徴とする請求項15に記載の処理装置。
  17.  前記保持部は、移動可能に構成されており、
     前記ガス供給手段は、前記保持部と同じように移動するように構成され、前記保持部に保持された被処理物に向かってガスを吹き付けるように設けられたガス供給部を有し、
     前記処理装置は、前記処理室内において、前記電子線により該処理室内の雰囲気ガスが励起された後に、前記ガス供給部から前記ガスの吹き付けを行いながら前記保持部および前記ガス供給部を前記励起された雰囲気ガス中へと移動させるように構成されていることを特徴とする請求項15に記載の処理装置。
  18.  前記ガスは、窒素、酸素、炭酸ガス、過酸化水素ガス、アルゴンガス、水蒸気単体、またはこれらの少なくとも2つ以上を含む混合ガスであることを特徴とする請求項16に記載の処理装置。
  19.  前記ガスは、窒素、酸素、炭酸ガス、過酸化水素ガス、アルゴンガス、水蒸気単体、またはこれらの少なくとも2つ以上を含む混合ガスであることを特徴とする請求項17に記載の処理装置。
  20.  前記被処理物は、中空状の容器であり、
     前記保持部は、前記中空状の容器である被処理物の開口部から該被処理物内奥部に向かって前記ガスが吹き付けられるように前記被処理物を保持するように構成されていることを特徴とする請求項16に記載の処理装置。
  21.  前記被処理物は、中空状の容器であり、
     前記保持部は、前記中空状の容器である被処理物の開口部から該被処理物内奥部に向かって前記ガスが吹き付けられるように前記被処理物を保持するように構成されていることを特徴とする請求項17に記載の処理装置。
  22.  前記電子線照射装置は、前記電子線を50kVから500kVまでの範囲内の加速電圧で発生させることを特徴とする請求項15に記載の処理装置。
  23.  前記電子線が前記被処理物に直接照射されないように、該被処理物の少なくとも一部を包囲した金属製遮蔽体をさらに備えることを特徴とする請求項15に記載の処理装置。

     
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