WO2013038971A1

WO2013038971A1 - 発光デバイス、表示装置、及び照明装置

Info

Publication number: WO2013038971A1
Application number: PCT/JP2012/072615
Authority: WO
Inventors: 充浩向殿; 悦昌藤田; 別所　久徳; 礼隆遠藤
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2011-09-12
Filing date: 2012-09-05
Publication date: 2013-03-21
Also published as: TW201318240A

Abstract

　発光デバイスは、光透過性の基板と、前記基板の一面に順に積層された第一電極および第二電極と、前記第一電極および第二電極の間に形成された有機発光層と、少なくとも前記第一電極を所定の領域に区画する第一バンクを備え、前記第一バンクは光反射性を有する材料を含む。

Description

発光デバイス、表示装置、及び照明装置

　本発明は、有機発光層に電圧を印加して発光させる発光デバイス、およびこれを備えた表示装置、照明装置に関する。
　本願は、２０１１年９月１２日に、日本に出願された特願２０１１－１９８５００号、２０１１年１１月２５日に、日本に出願された特願２０１１－２５７９６１号、及び２０１２年２月２１日に、日本に出願された特願２０１２－３５４７０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

　近年、社会の高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイのニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイとしては、例えば、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（以下、「有機ＥＬ」または「有機ＬＥＤ」とも言う）ディスプレイ等が挙げられる。

　これらフラットパネルディスプレイの中でも、特に有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）ディスプレイなど、有機発光層を用いた発光素子は、薄型・広視野角などの特長から次世代ディスプレイの主流になりうる候補技術として注目されている。

　また、近年、低消費電力化、環境適応性などの観点から、従来の白熱電球や蛍光灯に代わり、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、有機エレクトロルミネセンス（以下、「有機ＥＬ」または「有機ＬＥＤ」とも言う）などの新たな照明技術が注目されている。

　このような発光素子において、発光色を所望の色に制御することが重要であり、そのための手段として、発光素子の発光色を制御するだけでなく、カラーフィルタや蛍光体などの波長変換層を組み合わせることにより、発光色の制御を行うことも有効な手段である。

　例えば、フルカラーディスプレイ応用の場合、一般的にはＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各色が必要である。これらＲＧＢ各色の画素を基板上に作り分ける方法、白色発光の素子にＲＧＢのカラーフィルタを組み合わせる方法、青色発光の素子に蛍光体を組み合わせる方法などが知られている。それぞれにおいて、カラーフィルタや蛍光体などの波長変換層を組み合わせて発光色の制御が可能である。なお、カラーフィルタや蛍光体はいずれもこれらに入射する光の波長スペクトルを変換する機能を有するので、以下、波長変換層と称する。

　例えば、ＲＧＢ各色の画素を基板上に作り分ける方法では、ＲＧＢ各色の発光部分にカラーフィルタを組み合わせることにより、色純度の向上、外光反射の抑制などの効果が得られる。白色発光の素子にＲＧＢのカラーフィルタを組み合わせる方法、青色発光の素子に蛍光体を組み合わせる方法においては、画素ごとにＲＧＢを塗り分ける必要がなく、生産性良くフルカラーディスプレイを作れる利点がある。

　また、照明応用の場合には、一般的には白色が求められるが、照明対象に応じて波長スペクトルや色味を所望のものにするために、カラーフィルタや蛍光体などの波長変換層を組み合わせるのは有効な手段といえる。特に、演色性の向上、植物工場などでの特定発光スペクトルの実現などのためには、カラーフィルタや蛍光体などの波長変換層を組み合わせるのは有効な手段といえる。

　有機ＥＬには、発光効率が低い、消費電力が大きい、寿命が短い、信頼性が低いなどの課題が残っている。発光効率は、一般的にηφ（ext）（Ｅｘｔｅｒｎａｌ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）＝ηext×ηφ＝ηext×γ×ηｒ×φｆで表される。ここで、ηφ（ext）は外部量子効率、ηextは外部光取出し効率、ηφは内部量子効率、γはキャリアバランス、ηｒは励起子生成確率、φｆは蛍光量子収率である。

　近年、材料の進歩に伴い、内部量子効率は着実に向上しており、特に、三重項状態を利用するりん光材料の進展に伴い大幅に改善されてきている。しかし一方、光取出し効率は大きな課題として残っている。有機ＥＬ素子においては、用いられる有機発光層、透明電極層、ガラス基板などの屈折率が空気より大きいため、スネルの法則に基づく全反射条件から光を効率よく取り出せない。取り出せる光の量は通常、１５～３０％程度であり、大半の光が外部に出射されることなく失われていることになる。

　また、有機ＥＬ発光部分にカラーフィルタや蛍光体などの波長変換層を組み合わせた場合、カラーフィルタや蛍光体などの波長変換層からの光を効率良く取り出すことが課題となる。

　こうした課題に対して、例えば、特許文献１においては、透明導電層の発光層と反対の面に屈折率１．０１～１．３の範囲となる低屈折率層を設けた発明が開示されている。
　また、特許文献２においては、透明電極層と光透過性の基板との間に、低屈折率材料からなるマトリクス樹脂中に光を散乱させる粒子を拡散させた浸み出し光拡散層を設けた発明が開示されている。
　また、特許文献３においては、光を取り出す側の基板面に、多数の微小粒子からなる光取出し層を設けた発明が開示されている。
　更に、特許文献４には、画素を凹状構造にすることによって光取出し効率を向上させた発明が開示されている。
　特許文献５には、画素の側面に反射層を設けることにより光取出し効率を向上させた発明が開示されている。
　特許文献６には、蛍光体層を有機ＥＬ発光部と組み合わせた有機ＥＬ素子において、蛍光体層の側面に反射膜を設けることが開示されている。

特開２００２－２７８４７７号公報特開２００４－２９６４３７号公報特開２０１１－１０８３９５号公報特開２０１１－００９０１７号公報特開２０１０－００９７９３号公報特開平１１－３２９７２６号公報

　上述した特許文献１～４に開示された発明では、光取出し効率を向上させることができるとされているものの、光取出し効率の向上効果が限定的である。即ち、有機発光層や電極を介して面方向に沿って光が伝播し、外部へ出射される光が減少することへの対策が全くなされていなかった。

　例えば、有機発光層の典型的な屈折率が１．８程度、絶縁層（バンク）の典型的な屈折率が１．５～１．８程度、透明電極層であるＩＴＯの典型的な屈折率が２．１～２．２程度であるため、低屈折率層（屈折率１．０～１．３程度）との屈折率差のために、低屈折率層との界面で全反射されてしまう成分が多い。この全反射された成分は、有機発光層、絶縁層、透明電極層などを介して面方向に沿って伝播し、外部に出射されることなく損失する。

　透明電極層を有機発光層の画素領域ごとに区画する絶縁層（バンク）は、従来、ポリメチルメタクリレート、ポリイミドなどの高分子材料やＳｉＯ_２等の無機材料から構成されており、色調は透明か黒色であった。このため、面方向に沿って広がった光は、絶縁層（バンク）が黒色の場合は、この絶縁層に吸収されて損失する。また、絶縁層（バンク）が透明（光透過性）の場合は、この絶縁層を介して隣接する有機発光層や透明電極層に向けて光が伝播して損失する。

　また、特許文献５及び６には、発光部分の側面に反射膜を形成することにより光取出し効率を向上させる技術が開示されており、さらに、特許文献６には反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなることが開示されているが、構造上、プロセス上の課題があった。

　特許文献５の技術においては、側面の反射膜が導電性であるため、反射膜状にさらに絶縁層を設ける必要があり、プロセスが複雑になる。しかも、反射膜が形成されている部分が、基板に対して斜めになっている隔壁側面であるため、生産時のプロセス制御性が困難であるばかりでなく、パターン形成のための露光位置合わせマージンなどを考えると、画素開口部が小さくなるという課題があった。画素開口部が小さくなると、ディスプレイとしての所望の輝度を得るために、画素開口部での発光輝度を上げる必要があった。

　特許文献６の技術においては、蛍光体層の側面に反射膜を形成する技術、反射膜として金属粉、金属粒子もしくは白色顔料を含む樹脂からなる技術が開示されているが、この技術を有機ＥＬ発光部分に適用することについてはなんら開示も示唆もされていない。また、この技術を有機ＥＬ発光部に適用し、有機発光部の側面に反射膜を形成しようとすると構造上、プロセス上の課題が生じる。
　まず、有機ＥＬの発光部分に用いられる有機材料は水分、酸素、溶剤などに対して極めて弱く、この有機ＥＬ発光部分の側面に反射膜を形成することはプロセス上極めて困難である。また、この技術は有機ＥＬの各画素ごとに発光層が分離形成されている場合はともかく、発光層が画素ごとに分離させず全面形成された構造には適用できないという課題もある。さらに、有機ＥＬ発光部からの光導波による光損失を考えるときには、電極など発光部分以外からの導波も考えなければならないが、特許文献６には、それらについてはなんら開示も示唆もされていない。

　本発明の態様は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、有機発光層から発した光を外部に向けて効率よく出射させ、高輝度に発光可能な発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することを目的とする。

　本発明のいくつかの態様は次のような発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供する。
　本発明の一態様における発光デバイスは、光透過性の基板と、前記基板の一面に順に積層された第一電極および第二電極と、前記第一電極および前記第二電極の間に形成された有機発光層と、少なくとも前記第一電極を所定の領域に区画するバンクを備え、前記第一バンクが、光反射性を有する材料を含む。

　前記第二電極は、遮光性を有する材料を含んでいてもよい。
　また、前記第一電極は、光透過性を有する材料を含んでいてもよい。

　前記第一バンクは、白色材料を含んでいてもよい。
　また、前記第一バンクに含まれる前記材料は、更に光拡散性を有する材料であってもよい。

　前記第一バンクは、樹脂と、前記樹脂中に分散された微細な光反射性粒子を含んでいてもよい。
　また、前記光反射性粒子は、粒径が２００ｎｍ～５μｍであってもよい。

　前記第一バンクは、第二バンク、第三バンク、および光反射膜を含み、前記第二バンクは、前記基板上に形成され、前記光反射膜は、前記第二バンクを覆い、前記第三バンクは、前記光反射膜を覆い、前記第三バンクは、光透過性を有する材料を含んでいてもよい。

　前記第二バンクは、黒色であってもよい。

　前記第三バンクに含まれる前記材料は、さらに光散乱性を有してもよい。

　本発明の一態様における発光デバイスは、さらに、前記基板と前記第一電極との間に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を含んでもよい。

　　本発明の一態様における発光デバイスは、さらに、前記基板と前記第一電極との間に配置された波長変換層を有していてもよい。

また、本発明の一態様における発光デバイスは、前記波長変換層の側面に第二バンクを備え、前記第二バンクが、光反射性を有する材料を含んでいてもよい。

　本発明の一態様における発光デバイスは、前記基板と前記波長変換層の間、前記基板と第一電極との間の、いずれか一方または双方に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を更に含んでいてもよい。

　本発明の他の態様における表示装置は、前記各項記載の発光デバイスと、前記発光デバイスに対して、前記発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置する。

　本発明のさらに他の態様における照明装置は、前記各項記載の発光デバイスと、前記発光デバイスに対して、前記発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置する。

　本発明の態様によれば、高発光効率（高輝度）の発光デバイス、表示装置、及び照明装置を提供することができる。

本発明の第一実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第二実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第三実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第四実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第五実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第六実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第七実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第八実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第九実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第十実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第十一実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本発明の第十二実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本発明の第十三実施形態に係る発光デバイスであり、第一実施形態の変形例を示した断面図である。本発明の第十三実施形態に係る発光デバイスであり、第三実施形態の変形例を示した断面図である。本発明の第十三実施形態に係る発光デバイスであり、第四実施形態の変形例を示した断面図である。本発明の第十三実施形態に係る発光デバイスであり、第七実施形態の変形例を示した断面図である。本発明の第十五実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本発明の第十六実施形態に係る表示装置を示す断面図である。バンクの形状例を示した断面図である。バンクの形状例を示した断面図である。バンクの形状例を示した断面図である。バンクの形状例を示した断面図である。バンクの形状例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。バンクの構成例を示した断面図である。本発明の第十七実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本発明の第十八実施形態に係る表示装置を示す断面図である。本発明の第十九実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。本発明の第十九実施形態に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例を示す断面図である。第十九実施形態の変形例を示す断面図である。本発明の発光デバイスの一適用例である表示装置を示す外観図である。本発明の発光デバイスの一適用例である表示装置を示す外観図である。本発明の発光デバイスの一適用例である照明装置を示す外観図である。本発明の発光デバイスの一適用例である照明装置を示す外観図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。第十九実施形態の変形例に係る発光デバイスを示す断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。バンクの形状バリエーションを示した断面図である。本発明の第十四実施形態に係る表示装置を示す断面図である。

　以下、図面を参照して、本発明の態様に係る発光デバイス、表示装置、及び電子機器の一実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明の態様を限定するものではない。また、以下の説明で用いる図面は、本発明の態様における特徴をわかりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。

（発光デバイス：第一実施形態）
　図１は第一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス１０は、光透過性の基板１１と、第一電極（下部電極）１２と、第二電極（上部電極）１３と、有機発光層１４と、を有する。第一電極（下部電極）１２、第二電極（上部電極）１３は、基板１１の一面１１ａに順に積層される。有機発光層１４は、第一電極１２および第二電極１３の間に形成される。

　また、基板１１の一面１１ａには、第一電極１２を所定の領域毎に複数に区画するバンク（絶縁層）１５が形成されている。このようなバンク１５は、例えば有機発光層１４の１画素に相当する領域に対応して、第一電極１２を複数に区画して、区画された第一電極１２どうしを互いに電気的に絶縁する。

　作製プロセスとしては、例えば、基板１１上に第一電極（下部電極）１２を形成し、その後バンク１５を形成し、さらに有機発光層１４、第二電極（上部電極）１３を形成するプロセスなどを用いることができる。有機ＥＬに用いられる材料は水分、酸素などに極めて弱いため、有機発光層１４の形成前、すなわち、第一電極（下部電極）１２及びバンク１５を形成した後に、十分な脱水工程（ベーク工程、真空乾燥工程など）を行うことが好ましい。

　基板１１は、光透過性の材料、例えば、ガラス、透明樹脂などから構成される。具体例として、液晶ディスプレイなどで頻繁に使われている０．７ｍｍ厚のガラス基板を用いることができる。

　第一電極（下部電極）１２は、透明電極であればよく、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ－ｔｉｎ－ｏｘｉｄｅ）や、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）などが用いられる。第一電極１２の厚さは例えば、１００ｎｍ程度である。なお、第一電極１２は、通常はアノードであるが、カソードとすることも可能であり、その場合には低仕事関数の材料を用いる。また、配線抵抗を下げる目的等で補助配線を併設してもいい。補助配線は、例えばＡｌ，Ａｇ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｉなどの金属材料で形成することができる。

　第一電極（下部電極）１２は、バンク（絶縁層）１５によって、所定の領域毎に複数に区画されている。本実施形態の発光デバイスを表示装置（有機ＥＬディスプレイ）として用いる場合には、第一電極（下部電極）１２は、１画素に相当する領域毎に区画されていればよい。

　第二電極（上部電極）１３は、遮光性である場合と光透過性である場合とがある。第二電極（上部電極）１３が遮光性や反射性など光不透過性である場合は、いわゆるボトムエミッション型の発光デバイスとなる。また、第二電極（上部電極）１３が光透過性である場合は、両面発光型の発光デバイスとなる。第二電極１３は、通常はカソードを成し、光不透過性の場合は、ＬｉＦ／Ａｌ，ＭｇＡｇ／Ａｌ，Ｂａ／Ａｌ，Ｃａ／Ａｇなどを用いることが出来る。また、光透過性の場合には、ＬｉＦ／ＩＴＯ，ＭｇＡｇ／ＩＺＯなどを用いることができる。なお、第二電極（上部電極）１３をアノードとすることも可能であり、その場合には、仕事関数の高い材料、例えば、ＩＴＯなどが好ましく用いられる。

　これら以外にも、第一電極１２及び第二電極１３を形成する電極材料として、各種の公知の電極材料を用いることができる。アノードである場合には、有機発光層１４への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上の金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属、及び、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）からなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）からなる酸化物（ＩＺＯ）等が透明電極材料として挙げられる。

　また、カソードを形成する電極材料としては、有機発光層１４への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下のリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属、又は、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

　第一電極１２及び第二電極１３は上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、レーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。

　有機発光層（有機ＥＬ発光体）１４は、第一電極１２と第二電極１３との間に印加された電圧によって、所定の波長帯の光を発する。有機発光層（有機ＥＬ発光体）１４は、単層でもよいが、通常は複数層からなり、例えば、α－ＮＰＤとＡｌｑ３の積層膜などを用いることができる。また、アノードである第一電極（下部電極）１２と、カソードである第二電極（上部電極）１３との間に、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などからなる複層の有機発光層を形成することも行われている。

　これらの層以外に、ＭｏＯ_３層、Ｃ_６０層、フラーレン含有層、量子ドット含有層などさまざまな層を併用することも盛んに検討されており、いずれも本実施形態を適用できることは言うまでもない。量子ドット含有層を用いた発光素子は、ＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ－ｄｏｔ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）と呼ばれている。また、発光領域を積層するいわゆるタンデム構造を用いることもできる。第一電極１２と第二電極１３との間に配置される層の膜厚は、通常、各層が数１０ｎｍ程度である。もちろん、本実施形態の技術は、本実施形態の構成をとるものであれば、現在まだ発明されていない発光素子、一般に認知されていない発光素子などにも適用可能であることはいうまでもない。

　有機発光層１４の層構造としての具体的として、下記の構成が挙げられるが、本実施形態はこれらにより限定されるものではない。
（１）有機発光層
（２）正孔輸送層／有機発光層
（３）有機発光層／電子輸送層
（４）正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（５）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
（６）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
（７）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層
（８）正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
（９）正孔注入層／正孔輸送層／電子防止層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
　ここで、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層及び電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。

　有機発光層１４は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

　有機発光材料としては、有機発光層用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いる事が好ましい。
　ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　発光層に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機発光層用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、紫外発光材料としては、ｐ－クォーターフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチルセクシフェニル、３，５，３,５テトラ-ｔ-ブチル-ｐ－クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が挙げられる。青色発光材料として、スチリル誘導体等の蛍光発光材料、ビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２‘］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’,６‘－ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１－ピラゾイル）ボレート　イリジウム（III）（ＦＩｒ_６）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

　また、ドーパントを用いる時のホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、４，４‘－ビス（カルバゾール）ビフェニル、９，９－ジ（４－ジカルバゾール－ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６－ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、（ＰＣＦ）等のカルバゾール誘導体、４－（ジフェニルフォスフォイル）－Ｎ，Ｎ-ジフェニルアニリン（ＨＭ－Ａ１）等のアニリン誘導体、１，３－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４－ビス（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）等のフルオレン誘導体等が挙げられる。

　電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）に分類され、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。

　電荷注入輸送材料としては、有機発光層用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料及び電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　正孔注入正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン－樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ－ＣＳＡ）、３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ－ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。

　また、アノードからの正孔の注入および輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が、高い材料を用いることが好ましい。

　また、より正孔の注入および輸送性を向上させるため、前記正孔注入輸送材料にアクセプターをドープする事が好ましい。アクセプターとしては、有機発光層用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ，Ｉｒ、ＰＯＣｌ₃ 、ＡｓＦ₆ 、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_３）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ₄ （テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）、ＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）、ＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、フルオラニル、クロラニル、ブロマニル等の有機材料が挙げられる。
　この内、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ₄ 、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、ＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

　電子注入電子輸送材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、ベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ－ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

　電子のカソードからの注入および輸送をより効率よく行う点で、電子注入層として用いる材料としては、電子輸送層に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層として用いる材料としては、電子注入層に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

　また、より電子の注入および輸送性を向上させるため、前記電子注入輸送材料にドナーをドープする事が好ましい。ドナーとしては、有機発光層用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。

　ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｉｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン等）、トリフェニルアミン類（トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン等）、トリフェニルジアミン類（Ｎ，Ｎ’－ジ－（４－メチル－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン）等の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等の有機材料がある。この内特に、芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、アルカリ金属がよりキャリア濃度を効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

　発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層等の有機発光層は、上記の材料を溶剤に溶解、分散させた有機発光層形成用の塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機発光層を形成する場合には、有機発光層形成用の塗液は、レベリング剤、粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。

　上記の有機発光層１４を構成する各層の膜厚は、通常１ｎｍ～１０００ｎｍ程度であるが、１０ｎｍ～２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）が得なれない。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が２００ｎｍを超えると有機発光層の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる懸念がある。

　第一電極（下部電極）１２を所定の領域（例えば画素）毎に複数に区画するバンク（絶縁層）１５は、少なくとも光反射性を有する材料から構成される。光反射性を有する材料としては、色調が白色の材料を用いることが好ましい。更に、光反射性に加えて光拡散性を有する材料を用いることも好ましい。照明デバイスなどの場合、こうした領域は１つでもよいが、複数の領域を形成しても良い。

　単に光反射性のみの場合には、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状によって、取り出される光のプロファイルが大きく変わるため、所望の光プロファイルを得るためには、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状を適切なものに制御する必要も出てくる。これに対し、バンクが光反射性に加えて、白色性、光散乱性を有していると、バンクで反射する光の方向が広がるため、取り出される光のプロファイルは、バンク側面の基板に対する角度やバンクの形状にそれほど依存せず、自然な発光プロファイルが得られやすい。

　一例として、バンク（絶縁層）１５を、例えば、特開２００７－３２２５４６号公報，特開２００８－２１１０３６号公報，特開２０１１－６６２６７号公報など開示されている高反射率の白色ソルダーレジストを利用して形成することができる。あるいは、ポリイミド系やアクリル系などの感光性樹脂にＴｉＯ_２などの粒子を分散させて、光反射性、光散乱性、白色性などの機能を付与することも有効な手法である。また、バンク１５は、銀（Ａｇ）等の反射性を有する金属を含む樹脂を用いて形成してもよい。

　バンク（絶縁層）１５は、光透過性の基板１１の一面１１ａ上に、所定のパターンで形成される。バンク１５を所定の形状にパターン化するためには、光感光性樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものをフォトリソグラフィーを用いてパターン化する方法、樹脂に酸化チタン粒子などを添加したものを全面形成し、その上にフォトレジストをパターン形成して、酸化チタン粒子を添加した樹脂層を所定のパターンにエッチングする方法など、半導体製造工程や液晶パネル製造工程などで用いられる公知の製造工程を適用することができる。

　バンク１５の膜厚は、例えば１μｍ～５μｍが概ね適切な範囲ではあるが、目的に合わせて適宜膜厚を選定してもよい。例えば、１００ｎｍ～数１０μｍの高さのバンクも使用可能であり、いずれの場合であっても本実施形態の効果を得ることができる。

　バンク１５によって有機発光層１４から発した光を反射する前に、全反射を繰り返してそのたびごとに光がロスするのは好ましくないので、互いに隣接するバンク１５どうしの間隔（開口径）はあまり大きくないほうがよい。隣接するバンク１５どうしの間隔は、５０ｍｍ，２０ｍｍ，１０ｍｍ，５ｍｍ，１ｍｍ，５００μｍ，１００μｍ，５０μｍ，２０μｍなどである。

　バンク１５に光散乱性を持たせる場合には、バンク１５を構成する樹脂中に微細な光反射性粒子を分散させることが好ましい。光反射性粒子は、粒径が２００ｎｍ～５μｍであることが好ましい。これによって、バンク１５は光反射性を持つとともに、光の反射方向をランダムにする光散乱性も持つことができる。

　バンク１５は、また、第一電極（下部電極）１２のエッジ部分でのリークを防ぐ役割も果たす。即ち、第一電極１２に有機発光層１４を形成した場合、第一電極１２の端面で有機発光層１４の膜厚が薄くなる。このため第一電極１２と第二電極１３との間でショートが起こりやすくなる。バンク１５をこうした領域に配置することによって、ショートを防止することができる。この場合、バンク１５は、一般的にエッジカバー、ないし絶縁層などと称される構成物となる。

　バンク１５は、また、インクジェットなどウェットプロセスによって有機発光層１４を形成する場合に、基板１１のある画素領域に塗布された液体が、隣接する画素領域に流れることを防止する。こうした機能をより高めるために、バンク１５に更に撥液性を付与する処理を施すことも好ましい。

　以上のような構成の発光デバイスの作用について説明する。
　図１に示すように、発光デバイス１０の第一電極（下部電極）１２と第二電極（上部電極）１３との間に、所定の電圧値の電圧が印加されると、有機発光層１４中に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子（エキシトン）によって、有機発光層１４が発光する。

　有機発光層１４で発光した光（励起光）のうち、透明な第一電極（下部電極）１２に向かう方向に出射された光Ｆ１は、第一電極１２および透明な基板１１を透過して外部に出射される。
　また、有機発光層１４で発光した光（励起光）のうち、光不透過性の第二電極（上部電極）１３に向かう方向に出射された光Ｆ２は、第二電極１３の表面で反射され、再び有機発光層１４を透過し、第一電極１２および透明な基板１１を透過して外部に出射される。

　一方、有機発光層１４で発光した光（励起光）のうち、面広がり方向（積層方向に直角な方向）に向けて出射された光Ｆ３は、バンク１５に入射する。バンク１５に入射した光は、バンク１５が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク１５で反射された光Ｆ３も、第一電極１２および基板１１を透過して外部に出射される。

　このように、本実施形態の発光デバイス１０によれば、バンク１５に光反射性があるため、バンク１５に向かって出射された光Ｆ３が、バンク１５で吸収されてしまったり、バンク１５内を導波して損失することがない。そして、バンク１５に向かって出射された光Ｆ３をバンク１５で反射させて基板１１から外部に出射させることによって、光取出し効率を格段に向上させることが可能になる。

　即ち、従来の発光デバイスは、有機発光層の屈折率や散乱性、あるいは形状の制御によって光取出し効率を上げるという発想に対して、本実施形態においては、有機発光層において発光した光を、バンク１５で囲われた領域内に閉じ込め、バンク１５の方向に伝播させないことにある。こうした構成によって、光の出射を光を取り出したい方向にだけ限定でき、光をロスすることなく効率よく取り出せる。これによって、従来知られている発光デバイスと比較して、光取出し効率を格段に向上させることができる。

　なお、バンク１５は、光反射性は必須であるが、更に加えて正反射ではなく、乱反射性、散乱性を有する材料から構成することがより好ましい。正反射よりも、乱反射、散乱の方が、バンク１５に入射した光がランダムな方向に反射されるため、光の取り出し効率をより一層高められる。

　また、バンク１５を配置する位置は、理想的には、所定の形状にパターン化された第一電極（下部電極）１２の周辺すべてをバンク１５で覆うことが好ましい。しかし、その一部のみをバンク１５覆っても、光取出し効率の向上効果は得られる。ただし、第一電極（下部電極）１２の周辺長さに対して、例えば、１％の長さに対してのみ光反射性のバンクを配置しただけでは、残り９９％の長さの部分からは光が面広がり方向に導波して損失することになり、光取出し効率の向上効果は限定的である。

　有機発光層１４で発光した光が面広がり方向に導波して逃げてゆくか、あるいは光反射性のバンク１５によって反射されて、基板１１側から取り出されるかは、第一電極１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合が相関している。例えば、光反射性のバンクを用いない場合の光取出し効率が２５％と仮定すると、損失分は７５％となる。第一電極１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合が１０％であれば、概算で約７．５％の光が取り出される可能性があり、トータルの光取出し効率は３２．５％となり、光反射性のバンク１５を形成しない場合の取り出し効率２５％に対して、約３０％の効率向上となる。

　しかし、第一電極１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合が１％であれば、最大でも０．７５％しか光取出しは向上せず、トータルの光取出し効率は２５．７５％にしかならない。これは、光反射性のバンク１５を設けない場合の光取出し効率２５％に対して、僅か３％の改善でしかなく、得られる効果はあまりに小さい。

　この様な観点から、第一電極（下部電極）１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合は、理想的には１００％であるが、概ね５％以上あれば、相応の光取り出し効率の向上効果は得られることになる。

　第一電極１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合が５％の場合、光反射性のバンク１５によって取り出される光は最大３．７５％（７５％×５％）であり、トータル２７．７５％となる。これは光反射性のバンク１５を設けない場合の光取出し効率２５％に対して、１５％の向上であり、意味のある改善といえる。
　ただし、実質的には、他の構成部での光損失や、基板１１内での導波によるロスなどがあるため、好ましくは、第一電極１２の周辺長さに対して、光反射性のバンク１５が配置されている長さの割合が５０％以上が好ましく、特に１００％にすることが好ましい。

　第一電極１２の周辺長さに対して、バンク１５が配置されている長さの割合をどれくらいにするかは、例えば、バンク１５をパターン化する際の形状で決めることができる。
　一般的なケースで考えれば、第一電極１２の周辺をすべてバンク１５で覆うことはなんら困難ではなく、第二電極１３と第一電極１２との間のリークの抑制、およびウェットプロセスで形成する場合の隣接画素への流れ込み防止という観点も考えると、第一電極（下部電極）１２の周辺をすべて光反射性バンク１５で覆うことが好ましい。

　また、発光デバイス１０は、信頼性確保のため、適切な方法で周囲を封止するのが好ましい。封止の方法は、公知の方法などを用いることができる。例えば、缶封止と乾燥剤を用いる方法、キャップガラスと乾燥剤を用いる方法、ガラスフリット封止、透湿性を抑えた膜とガラスとで張り合わせる方法などが挙げられる。

（発光デバイス：第二実施形態）
　図２は第二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス２０は、光透過性の基板２１と、第一電極（下部電極）２２と、第二電極（上部電極）２３と、有機発光層２４と、を有する。第一電極（下部電極）２２、第二電極（上部電極）２３は、基板２１の一面２１ａに順に積層される。有機発光層２４は、第一電極２２および第二電極２３の間に形成される。また、基板２１の一面２１ａには、第一電極２２を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）２５が形成されている。
　本実施形態は、有機発光層２４の構成が第一実施形態の有機発光層１４と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　そして、この実施形態においては、有機発光層２４を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第一実施形態においては、有機発光層１４はバンク１５を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図１参照）、第二実施形態においては、有機発光層２４はバンク２５の上部（第二電極側）で区切られて複数に分割されている。これによって、有機発光層２４を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。

（発光デバイス：第三実施形態）
　図３は第三実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス３０は、光透過性の基板３１と、第一電極（下部電極）３２と、第二電極（上部電極）３３と、有機発光層３４と、を有する。第一電極（下部電極）３２、第二電極（上部電極）３３は、基板３１の一面３１ａに順に積層される。有機発光層３４は、この第一電極３２および第二電極３３の間に形成される。また、基板３１の一面３１ａには、第一電極３２、および有機発光層３４とを所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）３５が形成されている。
　本実施形態は、有機発光層３４の構成が第一実施形態の有機発光層１４と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　この実施形態においては、有機発光層３４はバンク３５によって、例えば画素毎に区画されている。即ち、第一実施形態においては、有機発光層１４はバンク１５を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図１参照）、第三実施形態においては、有機発光層２４はバンク３５で複数に区画されている。これによって、有機発光層２４を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、かつ、有機発光層２４の側断面（厚み方向の断面）から出射された光も光反射性のバンク３５によって反射させることができ、光取出し効率を更に一層向上させることができる。

　なお、これら第二実施形態や第三実施形態において、有機発光層２４，３４の形成領域を所定の範囲内に限定して形成する方法としては、例えば、マスク蒸着法、インクジェット法、印刷などによるウェット法を用いた塗わけ、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｍａｇｉｎｇ）、ＬＩＰＳ（ｌａｓｅｒ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｐａｔｔｅｒｎ　ｗｉｓｅ　Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）などのレーザーを用いる手法、フォトブリーチ法などの方法を適宜用いればよい。

（発光デバイス：第四実施形態）
　図４は第四実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス４０は、光透過性の基板４１と、低屈折率層４６と、第一電極（下部電極）４２と、第二電極（上部電極）４３と、有機発光層４４と、を有する。低屈折率層４６、第一電極（下部電極）４２、第二電極（上部電極）４３は、基板４１の一面４１ａに順に積層される。有機発光層４４は、第一電極４２および第二電極４３の間に形成される。また、低屈折率層４６の一面には、第一電極４２を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）４５が形成されている。
　本実施形態の発光デバイス４０は、低屈折率層４６を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　この実施形態においては、基板４１と第一電極（下部電極）４２との間に、基板４１よりも屈折率の低い低屈折率層４６を形成している。低屈折率層の屈折率は基板の屈折率より低いことが好ましく、理想的には空気の屈折率と同じ１．０がもっとも好ましい。

　このような低屈折率層４６を形成することによって、光取出し効率を更に向上させることができる。即ち、空気（外気）の屈折率を１．０、基板４１の屈折率を１．５と仮定した時に、低屈折率層４６を設けない場合は、有機発光層から出た光は基板から空気（外気）界面までは直進するが、基板と空気（外気）との界面における屈折率差のため、法線からの角度が４２°より大きな光は全反射してしまう。

　これに対して、図４のように、例えば屈折率が１．２の低屈折率層４６を設けた場合、基板４１と空気（外気）との界面においては、法線からの角度５３°より大きな光は全反射してしまうが、反射された光は光反射性のバンク４５などで反射されて外部に取り出される可能性が高まる。図４に示す実施形態においても、基板４１と空気（外気）との界面においては、法線からの角度が４２°～５３°の光は全反射取り出せないが、有機発光層４４から出る光の角度で言えば、４２°～５３°の光だけが取り出せないだけであり、低屈折率層４６を形成したことによる光取り出し効率の向上効果は大きい。

　なお、図４に示した構成における厚みは、有機発光層４４から第一電極４２と低屈折率層４６との界面までの距離は、概略１００ｎｍ～数１０μｍ程度、第一電極４２と低屈折率層４６との界面から基板４１と空気（外気）との界面までの距離は０．５ｍｍ～０．７ｍｍである。

　なお、光反射性のバンクを設けずに、低屈折率層４６を形成しただけでは、第一電極４２と低屈折率層４６との界面で跳ね返った光が正反射を繰り返して面広がり方向に逃げてゆくことになり、光取出し効率はそれほど向上しない。ゆえに、光反射性のバンク４５と低屈折率層４６を組み合わせて用いることによって、光取出し効率の大幅な向上効果を得ることができる。

（発光デバイス：第五実施形態）
　図５は第五実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス５０は、光透過性の基板５１と、低屈折率層５６と、第一電極（下部電極）５２と、第二電極（上部電極）５３と、有機発光層５４と、を有する。低屈折率層５６、第一電極（下部電極）５２、第二電極（上部電極）５３は、基板５１の一面５１ａに順に積層される。有機発光層５４は、この第一電極５２および第二電極５３の間に形成される。また、低屈折率層５６の一面には、第一電極５２、および有機発光層５４を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）５５が形成されている。
　本実施形態の発光デバイス５０は、有機発光層５４の構成と、低屈折率層５６を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。なお、低屈折率層５６の構成については、第四実施形態と同様である。

　この実施形態においては、有機発光層５４はバンク５５によって、例えば画素毎に区画されている。即ち、第四実施形態においては、有機発光層４４はバンク４５を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図４参照）、第五実施形態においては、有機発光層５４はバンク５５で複数に区画されている。これによって、有機発光層５４を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、かつ、有機発光層５４の側断面（厚み方向の断面）から出射された光も光反射性のバンク５５によって反射させることができ、低屈折率層５６の形成ととともに、光取出し効率を更に一層向上させることができる。

（発光デバイス：第六実施形態）
　図６は第一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス３１０は、光透過性の基板３１１と、波長変換層３１５と、光透過性の第一電極（下部電極）３１２と、有機発光層３１４と、第二電極（上部電極）３１３と、バンク３１７を備える。波長変換層３１５と、光透過性の第一電極（下部電極）３１２と、有機発光層３１４と、第二電極（上部電極）３１３は、基板３１１の一面３１１ａに順に積層される。バンク３１７は、少なくとも、積層方向に沿って広がる有機発光層３１４の側面に接して配置される。前記バンク３１７は光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３１０は、波長変換層３１５を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　バンク３１７は、例えば有機発光層３１４の１画素に相当する領域を区画するように形成されている。照明デバイスなどの場合、こうした領域は１つでもよいが、複数の領域を形成しても良い。
　作製プロセスとしては、例えば、基板３１１上に波長変換層３１５を形成し、次に、第一電極（下部電極）１２を形成し、その後バンク３１７を形成し、さらに有機発光層３１４、第二電極（上部電極）３１３を形成するプロセスなどを用いることができる。有機ＥＬに用いられる材料は水分、酸素などに極めて弱いため、有機発光層３１４の形成前、すなわち、第一電極（下部電極）３１２及びバンク３１７を形成した後に、十分な脱水工程（ベーク工程、真空乾燥工程など）を行うことが好ましい。
　また、波長変換層３１５と第一電極（下部電極）３１２との間に、層間膜、平坦化膜、第二の基板などのいずれか、あるいは全てを挿入することも好ましい。　

　波長変換層３１５は、カラーフィルタ、蛍光体などで形成することができる。
　波長変換層３１５をカラーフィルタで構成する場合、カラーフィルタは液晶ディスプレイなどで一般に用いられているカラーフィルタ材料を用いて作製することができる。また、カラーフィルタに散乱性粒子などを添加し、カラーフィルタに散乱性を付与することも、カラーフィルタを通った後の光プロファイルが等方的になるため好ましい。

　波長変換層３１５を蛍光体層として構成する場合、蛍光体と高分子樹脂との混合体などにより形成することができる。蛍光体としては、無機蛍光体、有機蛍光体、有機/無機ハイブリッド蛍光体、量子ドット蛍光体などを用いることができる。また、蛍光体として、ホスト－ゲストタイプなど、複数の材料で構成することも可能である。

　また、波長変換層３１５として、蛍光体層とカラーフィルタ層とを重ねて積層することも好ましい。通常は、発光した光をまず蛍光体層に入射させ、蛍光体層で発光した光がカラーフィルタを通して外部に出てゆくようにする。この場合、カラーフィルタ層は、波長スペクトルを適切なものに整える作用と、外光反射を抑制する作用とを併せ持つ。

　さらに、蛍光体層とカラーフィルタ層のいずれかにブラックマトリクス層を重ねて積層することも好ましい。また、蛍光体層とカラーフィルタ層との積層膜にブラックマトリクス層を重ねて積層することも好ましい。これらの場合、ブラックマトリクス層は外光反射を抑制する効果を持ち、明室環境下でのコントラスト向上に寄与する。

　以上のような構成の発光デバイス３１０の作用について説明する。
　図６に示すように、発光デバイス３１０の第一電極（下部電極）３１２と第二電極（上部電極）３１３との間に、所定の電圧値の電圧が印加されると、有機発光層３１４中に注入された電子と正孔との再結合によって生じた励起子（エキシトン）によって、有機発光層３１４が発光する。

　有機発光層３１４で発光した光（励起光）のうち、透明な第一電極（下部電極）３１２に向かう方向に出射された光は、第一電極３１２を透過して波長変換層３１５に入射する。
　また、有機発光層３１４で発光した光（励起光）のうち、光不透過性の第二電極（上部電極）３１３に向かう方向に出射された光は、第二電極３１３の表面で反射され、再び有機発光層３１４を透過し、第一電極３１２を透過して波長変換層３１５に入射する。

　一方、有機発光層３１４で発光した光（励起光）のうち、面広がり方向（積層方向に直角な方向）に向けて出射された光は、バンク３１７に入射する。バンク３１７に入射した光は、バンク３１７が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク３１７で反射された光も、第一電極３１２を透過して波長変換層３１５に入射する。

　次に、波長変換層３１５に光が入射した後のことを述べる。
　波長変換層３１５が、特段の光散乱性機能がないカラーフィルタの場合、波長変換層３１５に入射した光は、波長スペクトルが変化し、進行方向については基本的には屈折率差に基づく進行方向変化が生じるのみであり、光は基板３１１を通して外部に出射される。

　一方、波長変換層３１５が蛍光体または、光散乱機能を有するカラーフィルタの場合、波長変換層３１５からの光はさまざまな方向に進む。このうち、基板３１１側に進む光は、基板３１１を介して外部に出射される。
　基板３１１と反対方向に進む光は、光不透過性の第二電極（上部電極）３１３の表面で反射され、再び波長変換層３１５、および基板３１１を透過して外部に出射される。また、面広がり方向（積層方向に直角な方向）に向けて出射された光の一部はバンク３１７に入射する。バンク３１７に入射した光は、バンク３１７が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク３１７で反射された光も、波長変換層３１５、および基板３１１を透過して外部に出射される。

（発光デバイス：第七実施形態）
　図７は第二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス３２０は、光透過性の基板３２１と、波長変換層３２５と、光透過性の第一電極（下部電極）３２２と、第二電極（上部電極）３２３と、有機発光層３２４と、バンク３２７とを備える。波長変換層３２５と、光透過性の第一電極（下部電極）３２２と、第二電極（上部電極）３２３は、この基板３２１の一面３２１ａに順に積層される。有機発光層３２４は、第一電極３２２および第二電極３２３の間に形成される。バンク３２７は、少なくとも、有機発光層３２４の側面に配置される。前記バンク３２７は光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３２０は、波長変換層３２５を有する点と、有機発光層３２４の構成が第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　そして、この実施形態においては、有機発光層３２４を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第六実施形態においては、有機発光層３１４はバンク３１７を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図６参照）、第七実施形態においては、有機発光層３２４はバンク３２７の上部（第二電極側）で区切られて複数に分割されている。これによって、有機発光層３２４を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。

（発光デバイス：第八実施形態）
　図８は第三実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス３３０は、光透過性の基板（第一の基板）３３１と、波長変換層３３５と、層間膜３３８と、光透過性の第二の基板３３９と、第一電極（下部電極）３３２と、有機発光層３３４と、第二電極（上部電極）３３３と、バンク３３７を備える。波長変換層３３５と、層間膜３３８と、光透過性の第二の基板３３９と、第一電極（下部電極）３３２と、有機発光層３３４と、第二電極（上部電極）３３３は、この基板３３１の一面３３１ａに順に積層される。バンク３３７は、少なくとも、波長変換層３３５及び有機発光層３３４の双方の側面に配置される。前記バンク３３７は光反射性を有する材料から構成されている。
　　本実施形態の発光デバイス３３０は、波長変換層３２５と、層間膜３３８と、光透過性の第二の基板３３９を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　この第八実施形態では、層間膜３３８、光透過性の第二の基板３３９を用いているが、これら層間膜３３８、第二の基板３３９のいずれかあるいは両方を省略することもできる。
　また、この第八実施形態では、有機発光層３３４がバンク３３７を乗り越えて一連の層として形成されているが、有機発光層３３４を、画素毎に区切って形成してもよい。
　第八実施形態においては、有機発光層３３４と波長変換層３３５の双方の側面に光反射性のバンク３３７を配置しているため、光取出し効率の観点からは第六実施形態、第七実施形態より好ましい。

　第八実施形態の作製プロセスとしては、例えば、基板３３１上に順次、膜や構造物を積み上げていっても良いが、基板３３１上にバンク３３７と波長変換層３３５とを形成し、一方、第二の基板３３９上に、第一電極（下部電極）３３２、有機発光層３３４、第二電極（上部電極）３３３を形成し、基板（第一の基板）３３１と第二の基板３３９とを貼り合せる方法で作製することもできる。

（発光デバイス：第九実施形態）
　図９は第九実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　第九実施形態における発光デバイス３４０は、光透過性の基板（第一の基板）３４１と、波長変換層３４５、層間膜３４８、光透過性の第二の基板３４９、第一電極（下部電極）３４２、有機発光層３４４、第二電極（上部電極）３４３と、バンク３４７を備える。波長変換層３４５と、層間膜３４８と、光透過性の第二の基板３４９と、第一電極（下部電極）３４２と、有機発光層３４４と、第二電極（上部電極）３４３は、基板３４１の一面３４１ａに順に積層される。バンク３４７は、少なくとも、波長変換層３４５及び有機発光層３４４の双方の側面に配置される。前記バンク３４７は光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３４０は、波長変換層３１５と、層間膜３４８と、光透過性の第二の基板３４９を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　第九実施形態においては、波長変換層３４５を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第八実施形態においては、波長変換層３３５はバンク３３７を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図８参照）、第九実施形態においては、波長変換層３４５はバンク３４７の上部（第二電極側）で区切られて複数に分割されている。これによって、波長変換層３４５を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。

　第九実施形態では、層間膜３４８、光透過性の第二の基板３４９を用いる形態で説明しているが、これら層間膜３４８、光透過性の第二の基板３４９いずれかあるいは両方を省略することもできる。
　また、第九実施形態では、有機発光層３４４がバンク３４７を乗り越えて一連の層として形成されているが、有機発光層３４４を、区画毎に区切って形成してもよい。
　第九実施形態においては、有機発光層３４４と波長変換層３４５の双方の側面に光反射性のバンク３４７を配置しているため、光取出し効率の観点からは第六実施形態、第七実施形態より好ましい。

　また、第九実施形態の作製プロセスであるが、基板３４１上に順次、膜や構造物を積み上げていっても良いが、基板３４１上にバンク３４７と波長変換層３４５とを形成し、一方、第二の基板３４９上に、第一電極（下部電極）３４２、有機発光層３４４、第二電極（上部電極）３４３を形成し、これら基板（第一の基板）３４１と第二の基板３４９とを貼り合せる方法で作製することもできる。

　なお、上述した第八実施形態や第九実施形態において、有機発光層３３４，３４４、波長変換層３３５，３４５の形成領域を所定の範囲内に限定して形成する方法としては、例えば、マスク蒸着法、インクジェット法、印刷などによるウェット法を用いた塗り分け、ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ｉｍａｇｉｎｇ）、ＬＩＰＳ（ｌａｓｅｒ　Ｉｎｄｕｃｅｄ　Ｐａｔｔｅｒｎ　ｗｉｓｅ　Ｓｕｂｌｉｍａｔｉｏｎ）などのレーザーを用いる手法、フォトブリーチ法などの方法を適宜用いればよい。

　バンク３３７，３４７は、また、インクジェットなどウェットプロセスによって有機発光層３３４，３４４を形成する場合に、基板３３１，３４１のある画素領域に塗布された液体が、隣接する画素領域に流れることを防止する。こうした機能をより高めるために、バンク３３７，３４７に更に撥液性を付与する処理を施すことも好ましい。

（発光デバイス：第十実施形態）
　図１０は、第五実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　第五実施形態に係る発光デバイス３５０は、光透過性の基板３５１と、波長変換層３５５と、第一電極（下部電極）３５２と、有機発光層３５４と、第二電極（上部電極）３５３と、バンク３５７を備える。波長変換層３５５と、第一電極（下部電極）３５２と、有機発光層３５４と、第二電極（上部電極）３５３は、基板３５１の一面３５１ａに順に積層される。バンク３５７は、少なくとも、波長変換層３５５及び有機発光層３５４の双方の側面に配置される。前記バンク３５７は、光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３１０は、波長変換層３１５を有する点で第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　この第十実施形態では、波長変換層３５５、第一電極３５２、有機発光層３５４がバンク３５７を乗り越えて一連の層として形成された構成となっている。
　なお、第十実施形態では、更に層間膜を波長変換層３５５と第一電極３５２の間に挿入しても良い。

（発光デバイス：第十一実施形態）
　図１１は第十一実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　第十一実施形態に係る発光デバイス３６０は、光透過性の基板３６１と、波長変換層３６５と、第一電極（下部電極）３６２と、有機発光層３６４と、第二電極（上部電極）３６３と、バンク３６７を備える。波長変換層３６５と、第一電極（下部電極）３６２と、有機発光層３６４と、第二電極（上部電極）３６３は、この基板３６１の一面３６１ａに順に積層される。バンク３６７は、少なくとも、波長変換層３６５及び有機発光層３６５の双方の側面に配置される。前記バンク３６７は光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３６０は、波長変換層３６５を有する点と、有機発光層３６４の構成が第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　このような第十一実施形態では、更に層間膜を波長変換層３６５と第一電極３６２との間に挿入しても良い。
　第十一実施形態においては、波長変換層３６５、第一電極３６２、および有機発光層３６４を、例えば画素毎に区切って形成している。即ち、第十実施形態においては、波長変換層３５５、第一電極３５２、有機発光層３５４は、バンク３５７を乗り越えて一連の層として形成されていたが（図１０参照）、第十一実施形態においては、波長変換層３６５、第一電極３６２、および有機発光層３６４はバンク３６７の上部（第二電極側）で区切られて複数に分割されている。これによって、波長変換層３６５、第一電極３６２、および有機発光層３６４を伝播して面広がり方向に伝播していく光を遮断し、光取出し効率を更に向上させることができる。

　また、第十一実施形態では、波長変換層３６５、第一電極３６２、および有機発光層３６４がバンク３６７によって区切られているが、この三者のうち、二者あるいは一者だけをバンク３６７を乗り越えて一連の層として形成することも可能である。

（発光デバイス：第十二実施形態）
　図１２は第十二実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　第十二実施形態に係る発光デバイス３７０は、光透過性の基板３７１と、波長変換層３７５、第一電極（下部電極）３７２、有機発光層３７４、第二電極（上部電極）３７３と、バンク３７７とを備える。波長変換層３７５と、第一電極（下部電極）３７２と、有機発光層３７４と、第二電極（上部電極）３７３は、基板３７１の一面３７１ａに順に積層される。バンク３７７は、少なくとも、波長変換層３７５及び有機発光層３７４の双方の側面に配置される。前記バンク３７７は光反射性を有する材料から構成されている。
　本実施形態の発光デバイス３７０は、波長変換層３７５を有する点と、有機発光層３７４の構成が第一実施形態と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　第十二実施形態では、更に層間膜を波長変換層３７５と第一電極３７２との間に挿入しても良い。
　第十二実施形態においては、波長変換層３７５、第一電極（下部電極）３７２、有機発光層３７４、第二電極３７３は全面に渡って形成するが、バンク３７７によって各区域あるいは各画素ごとに区切られる方式である。これを実現するための手法はいろいろあるが、現実的な方法としては、光反射性のバンク３７７を図１２に示すように逆テーパー形状に形成する方法である。バンク３７７を逆テーパー形状に形成することにより、波長変換層３７５、第一電極（下部電極）３７２、有機発光層３７４、および第二電極３７３は自然に段切れが生じ、波長変換層３７５、有機発光層３７４から出た光は基板３７１側に向かうことになり、光取出し効率の点で好ましい。

（発光デバイス：第十三実施形態）
　図１３Ａ～図１３Ｄは第八実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　この実施形態の発光デバイス３８０ａ～３８０ｄは、波長変換層３８５、第一電極（下部電極）３８２、有機発光層３８４、第二電極（上部電極）３８３、および有機発光層３８４の側面に配置される３バンク８７とを備える。前記バンク３８７は光反射性を有する材料から構成されている。そして、基板３８１と波長変換層３８５あるいは、基板３８１と第一電極（下部電極）３８２との間に、基板３８１よりも屈折率の低い低屈折率層３８６を形成している。この低屈折率層３８６の屈折率は基板３８１の屈折率より低いことが好ましく、理想的には、屈折率１．０がもっとも好ましい。

　以下、低屈折率層の形成例を図１３Ａ～図１３Ｄに示すが、本実施形態はこれに限られるものではない。
　図１３Ａは、図６に示した発光デバイスに対して、更に基板３８１と波長変換層３８５との間に、基板３８１よりも屈折率の低い低屈折率層３８６を形成した発光デバイス３８０ａを示している。
　図１３Ｂは、図８に示した発光デバイスに対して、更に基板３８１と波長変換層３８５との間に、基板３８１よりも屈折率の低い低屈折率層３８６を形成した発光デバイス３８０ｂを示している。
　図１３Ｃは、図９に示した発光デバイスに対して、更に基板（第一の基板）３８１と波長変換層３８５との間、及び第二の基板３８９と第一電極３８２の間に、基板３８１や第二の基板３８９よりも屈折率の低い低屈折率層３８６をそれぞれ形成した発光デバイス３８０ｃを示している。
　図１３Ｄは、図１２に示した発光デバイスに対して、更に基板３８１と波長変換層３８５との間に、基板３８１よりも屈折率の低い低屈折率層３８６を形成した発光デバイス３８０ｄを示している。

　なお、これら図１３Ａ～図１３Ｄにそれぞれ示す発光デバイス３８０ａ～３８０ｄにおいても、光反射性のバンク３８７を設けずに、低屈折率層３８６を形成しただけでは、波長変換層３８５と低屈折率層３８６との界面、あるいは第一電極３８２と低屈折率層３８６との界面で跳ね返った光が正反射を繰り返して面広がり方向に逃げてゆくことになり、光取出し効率はそれほど向上しない。ゆえに、光反射性のバンク３８７と低屈折率層３８６とを組み合わせて用いることにより、光取出し効率の大幅な向上効果を得ることができる。

（発光デバイス：第十四実施形態）
　図３２は第十四実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。
　発光デバイス４１０は、光透過性の基板４１１と、第一電極（下部電極）４２２と、第二電極（上部電極）４２３と、有機発光層４２４と、を有する。第一電極（下部電極）４２２、第二電極（上部電極）２２３は、基板２１の一面２１ａに順に積層される。有機発光層４２４は、第一電極４２２および第二電極４２３の間に形成される。また、基板４２１上には、第一電極４２２を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）４２５が形成されている。第一電極４２２と基板４１１の間には、補助電極４０９が形成されている。
　本実施形態は、バンク４２５の構成が第一実施形態のバンク１５と異なる。その他の構成については、第一実施形態と同様であるため、説明を省略する。

　本実施形態においては、バンク４２５が、バンク４２５ａと、バンク４２５ｂと、光反射膜４２５ｃを含む。光反射膜４２５ｃは、バンク４２５ａを覆うように形成されている。バンク４２５ｂは、光反射膜４２５ｃを覆うように形成されている。

　バンク４２５ａは、透明、白色、黒色のいずれでもよい。バンク４２５ａが黒色の場合、バンク４２５ａは、外光反射防止の機能も備えることができる。

　光反射膜４２５ｃは、例えば銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）を含むように形成されていてもよい。光反射膜４２５ｃは、補助電極４０９と同じ材料で形成されていてもよい。なお、本実施形態においては、補助電極４０９が形成されていなくてもよい。従って、補助電極４０９が形成されない場合は、補助電極４０９に用いられる材料で光反射膜４２５ｃのみ形成してもよい。

　バンク４２５ｂは、光透過性、光反射性、および又は光散乱性を有する。有機発光層４２２から射出され、横方向に伝播する光は、光反射膜４２５ｃで反射することができる。光の進行方向を変えて光の取り出し効率を上げるためには、バンク４２５ｂが光散乱性を有することが好ましい。また、バンク４２５ｂは、第一電極（下部電極）４２２のエッジを覆うと、第一電極（下部電極）４２２と第二電極（上部電極）４２３のショートを防ぐことができ、歩留まりの向上の点で好ましい。

（バンクの形状例）
　バンクの形状はさまざまな形状にすることができる。図１６Ａ～図１６Ｅは、バンクの形状例を示した断面図である。
　図１６Ａでは、基板１０１に形成された第一電極（下部電極）１０２を区画するバンク１０３は、上部が狭まった台形となるように形成されている。つまり、バンク１０３は、基板１０１から上部に向かって幅が狭まった断面台形となるように形成されている。
　図１６Ｂでは、基板１０１に形成された第一電極（下部電極）１０２を区画するバンク１０４は、上部が広がった台形となるように形成されている。つまり、バンク１０４は、基板１０１から上部に向かって幅が広がった断面台形となるように形成されている。
　図１６Ｃでは、基板１０１に形成された第一電極（下部電極）１０２を区画するバンク１０５は、上部が半円形ないし半楕円形となるように形成されている。つまり、バンク１０５は、断面が半円形ないし半楕円形となるように形成されている。
　図１６Ｄでは、基板１０１に形成された第一電極（下部電極）１０２を区画するバンク１０６は、上部が半円形で、かつ頂部が平坦面となるように形成されている。つまり、バンク１０６は、断面が半円形で、かつ頂部が平坦面となるように形成されている。
　図１６Ｅでは、基板１０１に形成された第一電極（下部電極）１０２を区画するバンク１０７は、上部が三角形となるように形成されている。つまり、バンク１０７は、基板９０から上部に向かって角を形成する断面三角形となるように形成されている。

　これらバンクの形状のうち、図１６Ａ、図１６Ｃ、図１６Ｄ、図１６Ｅのように、光の出射側、即ち基板１０１寄りが広がっている形状が、光がより出射されやすいという効果がある。こうした効果は、発光プロファイルにも影響を与えるので、表示装置に適用した場合の広視野角化に寄与する。この広視野角という視点では、図１６Ｅに示すバンク１０７の形状がもっとも好ましいが、一方、バンクに重ねて成膜する層がエッジ部分で切れてしまうことを抑制するためには、図１６Ｃ、図１６Ｄのようにバンク１０５，１０６が丸みを帯びた形状が好ましい。

　一方、パッシブ駆動有機ＥＬ表示装置でよく用いられる手法であるが、図１６Ｂのような逆テーパー形状のバンク１０４を形成し、これによって、第二電極（上部電極）を全面形成したときに、バンク１０４のエッジ部分で段切れを生じさせ、第二電極（上部電極）をストライプ状に形成することも可能である。更に、図１６Ｂのバンク１０４の構造は、プライベート使用を主たる目的とした有機ＥＬ表示装置において、視野角を狭くしてプライバシーフィルタの役割を果たすことにも有効である。

（バンクの構造例）
　上述した各実施形態では、バンク自体を白色樹脂など光反射性の樹脂で形成した例を示したが、バンクの構造はこれに限定されない。
　図１７Ａ～図１７Ｆは、バンクに光反射性を付与するための構造例を示す断面図である。
　図１７Ａでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１３は、樹脂層１１３ａと、光反射性の金属層１１３ｂとから構成される。
　樹脂層１１３ａは透明、光反射性、光散乱性、白色または着色である。樹脂層１１３ａは、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合には絶縁性であることが必要である。これは例えば、ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などである。

　一方、均一に光らせればよい通常の照明用途などの場合のように、すべての第一電極に同じ電圧を印加すれば良い場合には、樹脂層１１３ａが絶縁性である必要はない。樹脂層１１３ａが着色しており、特に黒色の場合には、外光反射の低下という効果を併せ持つことになり、特にディスプレイ用途などにおいては効果がある。樹脂層１１３ａが赤、緑、青などに着色している場合には、外部から見てこの色が見えることになる。これは照明用途などの場合、デザイン性の観点から好ましい。また、樹脂層１１３ａが光反射性、光散乱性、白色などの場合には、基板１１１や有機層などを伝播して横方向に逃げてゆく光が、樹脂層１１３ａに当たって方向を変え、基板１１１の外に取り出される確率を高める効果がある。

　図１７Ｂでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１４は反射性金属または樹脂層から構成されている。そして、このバンク１１４は、第一電極（下部電極）１１２どうしの間に、第一電極１１２とは離間して配置されている。ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などのように、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合においても、バンク１１４が反射性金属であってもこの構造であれば、絶縁性が確保される。バンク１１４が樹脂層である場合、樹脂層は光反射性、光散乱性または白色である。樹脂層は、他の実施形態で説明したように、横方向に伝播する光を反射して正面方向に取り出す確率を高める作用をする。

　図１７Ｃでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１５は反射性金属体１１５ａと、これを覆う樹脂層１１５ｂとから構成されている。
　樹脂層１１５ｂは透明、光反射性、光散乱性、または白色である。樹脂層１１５ｂが透明である場合、デバイス内を横方向に伝播する光は、反射性金属体１１５ａによって反射されて光の進行方向が変わるため、光取り出し効率が向上する。また、樹脂層１１５ｂが光反射性、光散乱性、または白色である場合、樹脂層１１５ｂによってデバイス内を横方向に伝播する光が反射または散乱するとともに、樹脂層１１５ｂで反射または散乱されない光も反射性金属体１１５ａで反射されるため、光取出し効率が向上する。

　この形態では、反射性金属体１１５ａの上部も樹脂層１１５ｂで覆われてもかまわないが、この領域から光が伝播する可能性を考慮すると、樹脂層１１５ｂの上部の厚さを薄くなるように形成することが好ましい。更にはこの部分には樹脂を形成しない形状も好ましい。樹脂層１１５ｂは、ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などのように、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合においては絶縁性であることが必要である。一方、均一に光らせればよい通常の照明用途などの場合のように、すべての第一電極に同じ電圧を印加すれば良い場合には、樹脂層１１５ｂが絶縁性である必要はない。

　図１７Ｄでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１６は反射性金属体１１６ａと、これを覆う樹脂層１１６ｂと、更に上部反射層１１６ｃとから構成されている。樹脂層１１６ｂは透明、光反射性、光散乱性、または白色である。樹脂層１１６ｂが透明である場合、デバイス内を横方向に伝播する光は、反射性金属体１１６ａ、上部反射層１１６ｃによって反射されて光の進行方向が変わるため、光取り出し効率が向上する。また、樹脂層１１６ｂが光反射性、光散乱性、または白色である場合、樹脂層１１６ｂによってデバイス内を横方向に伝播する光が反射または散乱するとともに、樹脂層１１６ｂで反射または散乱されない光も反射性金属体１１６ａ、上部反射層１１６ｃで反射されるため、光取出し効率が向上する。

　樹脂層１１６ｂは、ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などのように、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合においては絶縁性であることが必要である。一方、均一に光らせればよい通常の照明用途などの場合のように、すべての第一電極に同じ電圧を印加すれば良い場合には、樹脂層１１６ｂが絶縁性である必要はない。

　図１７Ｅでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１７は、第一電極（下部電極）１１２の少なくとも側面を覆う反射性金属層からまたは樹脂層から構成されている。そして、このバンク１１７は、第一電極（下部電極）のエッジを覆うように配置され、異なる第一電極１１２を覆うバンク１１７同士は接触していない。ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などのように、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合においても、バンク１１７が反射性金属であってもこの構造であれば、絶縁性が確保される。バンク１１７が樹脂層である場合、樹脂層は光反射性、光散乱性または白色である。樹脂層は、他の実施形態で説明したように、横方向に全般する光を反射して正面方向に取り出す確率を高める作用をする。

　図１７Ｆでは、基板１１１に形成された第一電極（下部電極）１１２を区画するバンク１１８は、樹脂体１１８ａと、この樹脂体１１８ａを覆う反射性金属層１１８ｂとから構成される。

　そして、反射性金属層１１８ｂは、その下端が第一電極（下部電極）１１２に接しないように形成することによって、互いに隣接する第一電極（下部電極）１１２どうしの絶縁性を確保している。

　樹脂層１１８ａは透明、光反射性、光散乱性、または白色である。樹脂層１１８ａが透明である場合、デバイス内を横方向に伝播する光は、反射性金属体１１８ｂによって反射されて光の進行方向が変わるため、光取り出し効率が向上する。樹脂層１１８ａが光反射性、光散乱性、または白色である場合、樹脂層１１８ａによってデバイス内を横方向に伝播する光が反射または散乱するとともに、樹脂層１１８ａで反射または散乱されない光も反射性金属体１１８ｂで反射されるため、光取出し効率が向上する。

　樹脂層１１８ａは、ディスプレイ用途において、第一電極が各画素ごとに形成されている場合や、照明用途において、第一電極毎に異なる発光色の有機層を配置して、調光作用をもたせる場合などのように、第一電極ごとに異なる電圧を印加する場合においては絶縁性であることが必要である。一方、均一に光らせればよい通常の照明用途などの場合のように、すべての第一電極に同じ電圧を印加すれば良い場合には、樹脂層１１８ａが絶縁性である必要はない。

　なお、これら図１７Ａ～図１７Ｆに示したバンクの各構造例では、第一電極（下部電極）１１２は基板１１１に直接接するように形成しているが、第一電極１１２と基板１１１との間に、上述した実施形態四、五で示した低屈折率層を更に形成することも好ましい。

（表示装置：第十五実施形態）
　図１４は第十五実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。
　この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させた有機ＥＬ表示装置を示す。有機ＥＬ表示装置（表示装置）６０は、光透過性の基板６１と、第一電極（下部電極）６２と、第二電極（上部電極）６３と、有機発光層６４と、光反射性のバンク（絶縁層）６５とからなる発光デバイス６７を備えている。有機発光層６４は、第一電極６２および第二電極６３の間に形成される。光反射性のバンク（絶縁層）６５は、第一電極６２を所定の領域毎に複数に区画する。

　また、基板６１と第一電極（下部電極）６２との間には、駆動部の一例であるアクティブマトリックス駆動素子（駆動部）７０が形成される。基板６１上に、ゲート電極７０ａ、ゲート酸化膜６８が形成される。ゲート酸化膜６８上には、活性層７０ｄ、ソース電極７０ｂ、ドレイン電極７０ｃが形成され、さらに、層間絶縁膜６９が形成される。層関絶縁膜６９にはコンタクトホールが設けられており、ドレイン電極７０ｃと第一電極６２が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子７０は、ゲート電極７０ａ、ゲート酸化膜６８、ソース電極７０ｂ、ドレイン電極７０ｃおよび活性層７０ｄなどからなる。

　発光デバイス６７の発光を制御する駆動部の一例であるアクティブマトリックス駆動素子（駆動部）７０は、スイッチング用及び駆動用として機能する。こうしたアクティブマトリックス駆動素子７０は公知の材料、構造及び形成方法を用いて形成することができる。
　活性層７０ｄの材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。

　活性層７０ｄの形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ_４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法又はＳｉＨ_４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法又はＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ^＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。

　ゲート絶縁膜６８は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ_２又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、ＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極及び第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。

　層間絶縁膜６９は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、又は、Ｓｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、又は、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

　なお、アクティブマトリックス駆動素子７０を基板６１上に形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって発光デバイス６７における、例えば、画素電極の欠損、有機ＥＬ層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等発生するおそれがある。これらの現象を防止するために、層間絶縁膜６９上に更に平坦化膜を設けてもよい。

　こうした平坦化膜は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本実施形態はこれらの材料及び形成方法に限定されるものではない。また、平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。

　また、上述した有機ＥＬ表示装置（表示装置）６０に、更にカラーフィルタ、色変換膜などを組み合わせても良い。カラーフィルタと組み合わせる場合には、通常、発光色を白色とする。また、色変換膜と組み合わせる場合には、通常、発光色を青色とする。

（表示装置：第十六実施形態）
　図１５は第十六実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。
　有機ＥＬ表示装置（表示装置）８０は、光透過性の基板８１、低屈折率層８６、第一電極（下部電極）８２、第二電極（上部電極）８３と、この第一電極８２および第二電極８３の間に形成された有機発光層８４と、第一電極８２を所定の領域毎に複数に区画する光反射性のバンク（絶縁層）８５とからなる発光デバイス８７を備えている。

　また、基板８１と第一電極（下部電極）８２との間には、駆動部の一例であるアクティブマトリックス駆動素子（駆動部）９０が形成される。基板８１上に、ゲート電極９０ａ、ゲート酸化膜８８が形成される。ゲート酸化膜８８上には、活性層９０ｄ、ソース電極９０ｂ、ドレイン電極９０ｃが形成され、さらに、層間絶縁膜８９が形成される。層関絶縁膜８９にはコンタクトホールが設けられており、ドレイン電極９０ｃと第一電極８２が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子９０は、ゲート電極９０ａ、ゲート酸化膜８８、ソース電極９０ｂ、ドレイン電極９０ｃおよび活性層９０ｄなどからなる。

　この実施形態においては、基板８１と第一電極（下部電極）８２との間に、基板８１よりも屈折率の低い低屈折率層８６を形成している。低屈折率層８６は、例えば、有機発光層８４から低屈折率材層８６に向けて入射する入射光の臨界角が、基板８１から外部に出射する出射光の臨界角よりも小さくなるような屈折率を持つことが好ましい。
　このような低屈折率層８６を形成することによって、光取出し効率を更に向上させることができる。

（表示装置：第十七実施形態）
　図１８は、本実施形態に係る表示装置の第一実施形態を示す概略断面図である。
　この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させた有機ＥＬ表示装置を示す。有機ＥＬ表示装置（表示装置）３１００は、発光デバイスを構成する各層、即ち光透過性の基板３１０１、低屈折率層３１０６、波長変換層３１０５、第一電極（下部電極）３１０２、有機発光層３１０４、第二電極（上部電極）３１０３、および、少なくとも波長変換層３１０５と有機発光層３１０４の双方の側面に配置されるバンク３１０７を備える。前記バンク３１０７は、光反射性を有する材料から構成されている。なお、低屈折率層３１０６は、必要に応じて省略されても良い。

　また、基板３１０１と第一電極（下部電極）３１０２との間には、アクティブマトリックス駆動素子３１１０が形成される。基板３１０１上には、アクティブマトリックス駆動素子３１１０を構成するゲート電極３１１１ａ、ゲート酸化膜３１１２が形成される。ゲート酸化膜３１１２上には、活性層３１１１ｄ、ソース電極３１１１ｂ、ドレイン電極３１１１ｃが形成され、さらに、層間絶縁膜３１１３が形成される。層関絶縁膜３１１３にはコンタクトホール３１１４が設けられており、ドレイン電極３１１１ｃと第一電極３１０２とが電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子３１１０は、これらゲート電極３１１１ａ、ゲート酸化膜３１１２、ソース電極３１１１ｂ、ドレイン電極３１１１ｃおよび活性層３１１１ｄなどから構成されている。　

（表示装置：第十八実施形態）
　図１９は第十八実施形態に係る表示装置を示す概略断面図である。
　この実施形態では、発光デバイスをアクティブマトリクス駆動させた有機ＥＬ表示装置を示す。有機ＥＬ表示装置（表示装置）３１２０は、光透過性の基板３１２１、低屈折率層３１２６、波長変換層３１２５、第一電極（下部電極）３１２２、有機発光層３１２４、第二電極（上部電極）３１２３と、少なくとも、波長変換層３１２５及び有機発光層３１２４の双方の側面に配置されるバンク３１２７を備える。前記バンク３１２７は、光反射性を有する材料から構成されている。なお、低屈折率層３１２６は、必要に応じて省いても良い。

　　また、基板３１２１と第一電極（下部電極）３１２２との間には、アクティブマトリックス駆動素子３１３０が形成される。基板３１２１上に、ゲート電極３１３１ａ、ゲート酸化膜３１３２が形成される。ゲート酸化膜３１３２上には、活性層３１３１ｄ、ソース電極３１３１ｂ、ドレイン電極３１３１ｃが形成され、さらに、層間絶縁膜３１３３が形成される。層関絶縁膜３１３３にはコンタクトホール３１３４が設けられており、ドレイン電極３１３１ｃと第一電極３１２２が電気的に接合される。アクティブマトリックス駆動素子３１３０は、ゲート電極３１３１ａ、ゲート酸化膜３１３２、ソース電極３１３１ｂ、ドレイン電極３１３１ｃおよび活性層３１３１ｄなどからなる。

（発光デバイス：第十九実施形態）
　第一電極（下部電極）の導電性を高めるために、更に補助電極を備えた発光デバイスに、光反射性のバンクを形成することも好ましい。
　図２０Ａおよび図２０Ｂは、第八実施形態に係る発光デバイスを示す概略断面図である。なお、図２０Ａは発光デバイスを上から見たときの平面図である。図２０Ｂは、図２０ＡのＡ－Ａ線における断面図である。

　この実施形態の発光デバイス２００は、ガラスなどの光透過性の基板２０１に補助配線２０９が形成されている。補助配線２０９は１本または複数本配置すればよい。補助配線２０９は、通常はＡｌ，Ａｇなど、電気抵抗値の低い金属材料を用いる。複数本の補助配線２０９を配置する場合には、例えば、ストライプ状、あるいは格子状に配置することができる。

　補助配線２０９は第一電極（下部電極）２０２に覆われる。第一電極（下部電極）２０２は、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明電極材料を用い、膜厚は、例えば１００ｎｍ～３００ｎｍ程度である。第一電極２０２を所定の形状に形成するためには、フォトリソグラフィーなどを用いてパターンニングする方法、あるいは、マスク蒸着などを用いることができる。

　隣接する第一電極（下部電極）２０２どうしの間には、光反射性のバンク２０５が形成されている。バンク２０５は、第一電極（下部電極）２０２の周囲の一部のみカバーしても、光取出し効率向上の効果は得られるが、周囲全部を囲う方がもっとも光取出し効率向上に対して効果が高く、好ましい。なお、図２０Ａにおいては、光反射性のバンク２０５の開口エリアは正方形の形状で描いているが、長方形、円形、その他の形状が可能である。バンク２０５の開口サイズであるが、開口径０．５ｍｍ，１ｍｍ，５ｍｍ，１０ｍｍ，５０ｍｍ，１００ｍｍなど、さまざまなサイズを選択することができ限定されるものではない。

　第一電極（下部電極）２０２の上には有機発光層２０４が形成されている。有機発光層２０４は、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の積層膜などを用いることができる。有機発光層２０４の上には第二電極（上部電極）２０３が形成される。第二電極（上部電極）２０３はカソードとして、例えば、ＬｉＦ／Ａｌを用いればよい。

　更に、図２０Ｂには図示されていないが、発光デバイス２００を大気中の水分や酸素による腐食、変質から保護するために、対向基板などを用いて封止することが好ましい。
　なお、バンク２０５の形状が逆テーパー形状となっているなどの理由で、第二電極（上部電極）２０３の段切れなどが懸念される場合には、図２１Ａ，図２１Ｂに示すように、バンク２０５に段差のない部分を形成することが好ましい。

　以下、図２０Ａおよび図２０Ｂに示した第八実施形態の変形例を図１４Ａ～図２０Ｂに示す。なお、これら実施形態は、図２０Ａおよび図２０Ｂと同一の部材は同一の番号を付し、その詳細な説明は省略する。また、図２４Ａ～図２０Ｂにおいて、図２４Ａ，図２５Ａ，図２６Ａ，図２７Ａ，図２８Ａ，図２９Ａ，図３０Ａは発光デバイスを上から見たときの平面図である。図２４Ｂ，図２５Ｂ，図２６Ｂ，図２７Ｂ，図２８Ｂ，図２９Ｂ，図３０Ｂは、それぞれ図２４Ａ，図２５Ａ，図２６Ａ，図２７Ａ，図２８Ａ，図２９Ａ，図３０ＡのＡ－Ａ‘線における断面図である。

　補助配線２０９を配置する位置は、図２０Ａおよび図２０Ｂに示すように発光エリア内に配置しても良いが、不透明電極によって補助配線を作る場合などには、補助配線が、発光した光をさえぎることになり必ずしも好ましくない。一方、図２４Ａおよび図２４Ｂに示すように、発光エリア外に補助配線配置すると、発光した光がよりスムーズに取り出され好ましい。図２０Ａおよび図２０Ｂに示す実施形態では、有機発光層２０４はバンク２０５内に形成しているが、図２４Ａおよび図２４Ｂに示す実施形態の発光デバイス２１０のように、バンク２０５を乗り越える形で有機発光層２０４を形成してもよい。生産性の面からは、基板面全面に形成するこの形態が効率的である。

　図２４Ａおよび図２４Ｂにおいて、有機発光層２０４で発光した光（励起光）のうち、透明な第一電極（下部電極）２０２に向かう方向に出射された光は、第一電極２０２を透過して基板２０１に入射する。
　また、有機発光層２０４で発光した光（励起光）のうち、光不透過性の第二電極（上部電極）２０３に向かう方向に出射された光は、第二電極２０３の表面で反射され、再び有機発光層２０４を透過し、第一電極２０２を透過して基板２０１に入射する。

　一方、有機発光層２０４で発光した光（励起光）のうち、面広がり方向（積層方向に直角な方向）に向けて出射された光は、バンク２０５に入射する。バンク２０５に入射した光は、バンク２０５が光反射性を有する材料から構成されているため、入射した光を反射、および好ましくは拡散させる。そして、バンク２０５で反射された光も、第一電極２０２を透過して基板２０１に入射する。

　　基板２０１に入射した光は、基板２０１と空気の界面に向かう。ここで、基板２０１と空気との屈折率差があるため、一部は外部に出射するが、基板２０１と空気との屈折率差によって規定される一定角度よりも浅い角度の光は、基板２０１と空気の界面で反射される。この反射された光のうち、一部はバンク２０５に当たった光は、反射、好ましくは散乱され、再び基板２０１と空気の界面に向かう。この際、バンク２０５での反射、好ましくは散乱によって角度が変わっているため、基板２０１と空気の界面で反射されない角度の光は外部に取り出される。このようなプロセスが繰り返されることにより、最終的には、多くの光が外部に取り出され、光取出し効率が上がることになる。

　　以上のように、光反射性このましくは光散乱性のバンク２０５があることによって光取出し効率が向上する。バンク２０５がなければ、面広がり方向（積層方向に直角な方向）に向けて出射された光は外部に取り出されることがないし、また、基板２０１と空気の界面で反射された光も素子内を面広がり方向（積層方向に直角な方向）に伝播してゆくだけであり、外部に取り出さない。

　図２４Ａおよび図２４Ｂに示した実施形態では、補助配線２０９が第一電極（下部電極）２０２に覆われているが、それ以外にも、例えば、図２５Ａおよび図２５Ｂに示す実施形態の発光デバイス２２０のように、バンク２０５に一部が接触するように補助配線２０９を形成してもよい。

　図２０Ａおよび図２０Ｂに示した実施形態では、補助配線２０９が第一電極（下部電極）２０２に覆われているが、図２６Ａに示す実施形態の発光デバイス２３０のように、第一電極（下部電極）２０２の上に補助配線２０９を形成しても良い。

　これら図２０Ａおよび図２０Ｂ、図２４Ａおよび図２４Ｂ、図２５Ａおよび図２５Ｂに示した実施形態の場合、製造工程としては、通常、（１）補助電極膜の成膜、（２）補助電極膜のパターンニング、（３）下部電極膜の成膜、（４）下部電極膜のパターンニングという４工程を取ることになる。それに対して、図２６Ａおよび図２６Ｂに示した実施形態においては、（１）下部電極膜と補助電極膜とを連続成膜、その後、（２）補助電極膜のパターンニング、（３）下部電極膜のパターンニングを行うことによって３工程で製造でき、製造プロセス的にメリットがある。

　図２０Ａおよび図２０Ｂに示した実施形態では、第一電極（下部電極）２０２がパターン化されており、その周囲を覆う形でバンク２０５が形成されているが、図２７Ａおよび図２７Ｂに示す実施形態の発光デバイス２４０のように、第一電極（下部電極）２０２がパターン化されていなくても良い。また、この図２７Ａおよび図２７Ｂに示す発光デバイス２４０では、各領域ごとに補助配線２０９が形成されるように描かれているが、補助配線２０９を適宜、間引いて形成しても良い。

　　図２７Ａおよび図２７Ｂに示す実施形態では、補助配線２０９が第一電極（下部電極）２０２に覆われているが、図２８Ａおよび図２８Ｂに示す実施形態の発光デバイス２５０のように、第一電極（下部電極）２０２の上に補助配線２０９を形成しても良い。この図２８Ａおよび図２８Ｂに示す実施形態では、各領域ごとに補助配線２０９が形成されているが、補助配線２０９を、適宜、間引いて形成しても良い。

　　図２０Ａおよび図２０Ｂ、図２４Ａおよび図２４Ｂ、図２５Ａおよび図２４Ｂに示した実施形態の場合、製造工程としては、（１）補助電極膜の成膜、（２）補助電極膜のパターンニング、（３）下部電極膜の成膜、（４）下部電極膜のパターンニングという４工程を取ることになる。それに対して、図２８Ａおよび図２８Ｂに示す実施形態の発光デバイス２５０の製造工程としては、（１）下部電極膜と補助電極膜とを連続成膜、その後、（２）補助電極膜パターンニング、（３）下部電極膜パターンニングを行うことによって３工程で製造でき、製造プロセス的にメリットがある。

　　なお、バンク２０５の形状が逆テーパー形状となっているなどの理由で、第二電極（上部電極）２０３の段切れなどが懸念される場合において、図２１Ａ，図２１Ｂの変形例として、図２９Ａおよび図２９Ｂに示すように、バンク２０５に段差のない部分を形成するとともに、第一電極（下部電極）２０２がパターン化されていない形態の発光デバイス２６０であってもよい。

　　図２１Ａおよび図２１Ｂ、図２９Ａおよび図２９Ｂに示した実施形態では、バンク２０５が形成されていない部分が一直線上になるように描かれているが、この位置が別の位置にあってもかまわない。一直線上にある場合は、この方向に進む光はバンクに当たることがなく、そのために取り出されなくなる光が生じる懸念がある。それに対して、例えば、図３０Ａおよび図３０Ｂに示した実施形態の発光デバイス２７０のように、バンク２０５が形成されていない部分が一直線にならないように形成するのも好ましい形態である。このようにすると、バンク２０５にあたることなくロスする光をなくすことができ、かつ、第二電極（上部電極）２０３の段切れ防止にも寄与する。

　図２０Ａおよび図２０Ｂ、図２１Ａおよび図２１Ｂ、図２４Ａ～図３０Ｂにそれぞれ示した実施形態においては、補助配線２０９はストライプ状に配置されているが、照明用途などのように全面発光させればよい場合には、例えば格子状に形成しても良い。また、図２４Ａ～図３０Ｂにそれぞれ示した実施形態においては、補助配線２０９は各領域の片側にストライプ状に配置されているが、各領域の両側に配置しても良い。
　上述した図２０Ａおよび図２０Ｂ、図２１Ａおよび図２１Ｂ、図２４Ａ～図３０Ｂにそれぞれ示した実施形態の発光デバイスは、図２３Ａおよび図２３Ｂに示すような照明用途に適用する場合などに特に好適である。

　これら実施形態に示したバンクの形成パターンは、さまざまな形態をとりうることが可能である。図３１Ａ～図３１Ｉに、バンクの形成パターンの代表例を列記するが、バンクの形状はこれらの実施形態に限定されるものではない。

　図３１Ａは、各領域を四角形に形成したものである。
　図３１Ｂは、各領域を円形に形成したものである。各領域を円形にすると、バンクで反射される光のプロファイルが各方向で等しくなるというメリットがある。また、有機層を塗布法で形成する場合などにおいては、四角形のように角部があると。その部分だけ液が濡れ広がりにくいといった課題が生じる場合があるが、円形の場合には角部がないため、液を均一に広げることができる。なお、この図３１Ｂでは各領域を円形で描いているが、楕円や、四角形の角部に丸みを帯びさせた形状などに形成してもよい。

　図３１Ｃは、各領域の配置をヘキサゴナル配置にしたものである。ヘキサゴナル配置にすることによって、図２１Ｃの実施形態と比較して、発光エリアの比率を高めることができる。
　図３１Ｄは、六角形の領域をヘキサゴナル配置したものである。
　図３１Ｅは、各領域の一部にバンクを形成しない領域を配したものである。こうすることによって、第二電極がバンクを乗り越えるときに段切れすることを防止し、歩留まり、および信頼性を向上させることができる。
　図３１Ｆは、各領域の一部にバンクを形成しない領域の位置を、一直線にさせないようにした例である。

　図３１Ｅに示した実施形態の場合、バンクを形成していない領域において、横方向に導波する光がデバイスの端まで反射散乱されることがなく、損失となる。これに対して、図３１Ｆでは、バンクを形成していない領域において、横方向に導波してある領域から次の領域に進んで光が、次の領域ではバンクにあたる構造となっており、光の損失を抑制できる。図３１Ｇ、図３１Ｈ、図３１Ｉは、図３１Ｄ、図３１Ｂ、図３１Ｃの構成において、それぞれ各領域の一部にバンクを形成しない領域を配したものである。

（発光デバイスの適用例）
　発光デバイスの適用例として、図２２Ａに示す携帯電話機、図２２Ｂに示す有機ＥＬテレビなどが挙げられる。
　図２２Ａに示す携帯電話機１０００は、本体１００１、表示部１００２、音声入力部１００３、音声出力部１００４、アンテナ１００５、操作スイッチ１００６等を備えており、表示部１００２に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。

　図２２Ｂに示すテレビ受信装置１１００は、本体キャビネット１１０１、表示部１１０２、スピーカー１１０３、スタンド１１０４等を備えており、表示部１１０２に前記各実施形態の発光デバイスが用いられている。
　これら携帯電話機や有機ＥＬテレビにおいては、前記各実施形態の発光デバイスが用いられているため、輝度が高く表示品位に優れている。

　また、発光デバイスの適用例として、例えば、図２３Ａに示すシーリングライト（照明装置）に適用できる。図２３Ａに示すシーリングライト１４００は、照明部１４０１、吊具１４０２、及び電源コード１４０３等を備えている。そして、照明部１４０１として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスを、シーリングライト１４００の照明部１４０１に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。

　また、発光デバイスの適用例として、例えば、図２３Ｂに示す照明スタンドに適用できる。図２３Ｂに示す照明スタンド１５００は、照明部１５０１、スタンド１５０２、電源スイッチ１５０３、及び電源コード１５０４等を備えている。そして、照明部１５０１として前記各実施形態の発光デバイスが好適に適用できる。本発明の一実施形態に係る発光デバイスを、照明スタンド１５００の照明部１５０１に適用することによって、少ない消費電力で明るく、かつ自在な色調の照明光を得ることができ、光演出性の高い照明器具を実現することができる。また、均一な照度で色純度の高い面発光が可能な照明器具を実現することができる。

　本発明の態様は、発光素子に利用でき、より具体的には、表示装置、表示システム、照明装置、照明システムなどに利用できる。

　１０…発光デバイス、１１…基板、１２…第一電極（下部電極）、１３…第二電極（上部電極）、１４…有機発光層、１５…バンク。

Claims

　光透過性の基板と、
　前記基板の一面に順に積層された第一電極および第二電極と、
　前記第一電極および前記第二電極の間に形成された有機発光層と、
　少なくとも前記第一電極を所定の領域に区画する第一バンクを備え、
　前記第一バンクは光反射性を有する材料を含む発光デバイス。
　前記第二電極は、遮光性を含む請求項１記載の発光デバイス。
　前記第一電極は、光透過性を有する材料を含む請求項１または２に記載の発光デバイス。
　前記第一バンクは、白色材料を含む請求項１ないし３いずれか１項に記載の発光デバイス。
　前記第一バンクに含まれる前記材料は、更に光拡散性を有する材料である請求項１ないし４いずれか１項に記載の発光デバイス。
　前記第一バンクは、樹脂と、前記樹脂中に分散された微細な光反射性粒子を含む請求項１ないし５いずれか１項に記載の発光デバイス。
　前記光反射性粒子は、粒径が２００ｎｍ～５μｍである請求項６記載の発光デバイス。
　前記第一バンクは、第二バンク、第三バンク、および光反射膜を含み、
　前記第二バンクは、前記基板上に形成され、
　前記光反射膜は、前記第二バンクを覆い、
　前記第三バンクは、前記光反射膜を覆い、
　前記第三バンクは、光透過性を有する材料を含む請求項１ないし７いずれか１項に記載の発光デバイス。
　前記第二バンクは、黒色である請求項８に項記載の発光デバイス。
　前記第三バンクに含まれる前記材料は、さらに光散乱性を有する請求項８または９に項記載の発光デバイス。
　さらに、前記基板と前記第一電極との間に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を含む請求項１ないし１０いずれか１項に記載の発光デバイス。
　さらに、前記基板と前記第一電極との間に配置された波長変換層有する請求項１ないし１１いずれか１項に記載の発光デバイス。
　さらに、前記波長変換層の側面に第二バンクを備え、
　前記第二バンクは、光反射性を有する材料を含む請求項１２に記載の発光デバイス。
　前記基板と前記波長変換層の間、前記基板と第一電極との間の、いずれか一方または双方に、前記基板よりも屈折率の低い低屈折率層を更に含む請求項１２または１３に記載の発光デバイス。
　請求項１ないし１４いずれか１項に記載の発光デバイスと、前記発光デバイスに対して、前記発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置した表示装置。
　請求項１ないし１４いずれか１項に記載の発光デバイスに対して、前記発光デバイスの発光を制御する駆動部を配置した照明装置。