WO2013031763A1

WO2013031763A1 - 負荷回路の制御装置

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Publication number: WO2013031763A1
Application number: PCT/JP2012/071687
Authority: WO
Inventors: 晃則丸山; 圭祐上田; 中村　吉秀; 宜範生田
Original assignee: 矢崎総業株式会社
Priority date: 2011-09-01
Filing date: 2012-08-28
Publication date: 2013-03-07
Also published as: EP2752952A4; EP2752952A1; EP2752952B1; CN103782517A; US9130569B2; JP2013055721A; US20140247085A1; JP5830308B2

Abstract

　電源と負荷とを接続する負荷回路に、２個の半導体スイッチ（Ｑ１，Ｑ２）を並列に配置する。そして、各半導体スイッチ（Ｑ１，Ｑ２）が交互にオンとオフとになるように制御する。その結果、各半導体スイッチ（Ｑ１，Ｑ２）のいずれか一方にのみ電流が流れることになるので、電流センサ（１２，２２）で検出されるオフセット誤差は、いずれか一方のオフセット誤差のみとなり、高精度な電流検出が可能となる。従って、負荷に流れる電流が過電流となった際に回路を遮断する制御を行う際に、高精度な遮断制御が可能となる。

Description

負荷回路の制御装置

　本発明は、複数の半導体スイッチを用いて、負荷回路のオンとオフとを制御する制御装置に関する。

　車両に搭載されるモータやランプ等の負荷は、例えば、バッテリとの間にＦＥＴ等の半導体スイッチを設け、半導体スイッチのオンとオフとを切り替えることにより、負荷の駆動と停止とを制御する。負荷回路に大電流が流れる場合には、複数の半導体スイッチを並列に接続し、各半導体スイッチを同一の制御信号で制御することにより、負荷回路に流れる電流を分散させて１つの半導体スイッチに流れる電流を低減させ、ひいては発熱を抑制する方式が提案されている（特許文献１参照）。

JP 2001-310720 A

　しかしながら、上述した特許文献１に開示された従来例では、半導体スイッチを構成する各素子のばらつきにより、各半導体スイッチに流れる電流に偏りが発生し、特定の半導体スイッチの発熱量が大きくなる可能性があるという問題が発生する。

　本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、並列に接続した半導体スイッチの発熱を均一化することが可能な負荷回路の制御装置を提供することにある。

　上記目的を達成するため、本発明の第１の技術的側面は、電源と負荷とを接続する負荷回路に複数の半導体スイッチを並列に配置し、各半導体スイッチのオンとオフを切り替えることにより、負荷の駆動と停止を制御する負荷回路の制御装置であって、各半導体スイッチにそれぞれ設けられ、各半導体スイッチに流れる電流を検出する電流センサと、駆動指令信号が入力された際に、各半導体スイッチ毎にそれぞれ異なるオン時間帯及びオフ時間帯となるように各半導体スイッチに制御信号を出力する制御を行い、且つ、電流センサにより検出される電流に基づいて各半導体スイッチを遮断する制御を行う制御部とを備える。

　負荷回路に複数の半導体スイッチの並列接続を配置し、各半導体のオン時間帯、及びオフ時間帯をそれぞれ設定するので、電流センサに存在するオフセット誤差による影響を軽減することができ、高精度な電流検出が可能となる。その結果、負荷回路に過電流が流れた場合には即時にこれを検出して負荷回路を遮断することが可能となる。

　電流センサは、オペアンプを用いて半導体スイッチに流れる電流に比例した参照電流を発生させ、発生させた参照電流に基づいて半導体スイッチに流れる電流を検出してもよい。

　電流センサがオペアンプを備えており、オペアンプを用いて半導体スイッチに流れる電流に比例した参照電流を発生させ、発生させた参照電流に基づいて半導体スイッチに流れる電流を検出するので、電流検出の精度を向上させることができる。

　制御部は、各半導体スイッチのうちのいずれか一つがオンとなるように、各半導体スイッチのオン時間帯及びオフ時間帯を設定するようにしてもよい。

　複数の半導体スイッチのうちいずれか一つがオンとなるように制御されるので、電流センサに存在するオフセット誤差による影響を低減でき、電流検出を高精度に行うことが可能となる。

　制御部は、各半導体スイッチに対して順次オン時間帯を設定すると共に、今回オンとする半導体スイッチのオン時間帯と、次回オンとする半導体スイッチのオン時間帯が若干重複するように、各半導体スイッチのオン時間帯及びオフ時間帯を設定するようにしてもよい。

　今回オンとなる半導体スイッチがオフとなる前に、次回オンとなる半導体スイッチがオンとなるので、オンとする半導体スイッチが切り替わる際に、若干の重複時間が存在し、ノイズの発生を低減することが可能となる。

図１は、実施形態に係る制御装置が設けられた負荷回路を示す説明図である。図２は、本実施形態に係る負荷回路の制御装置の各配線に存在する抵抗を等価的示した説明図であり、第１半導体スイッチ（Ｑ１）と第２半導体スイッチ（Ｑ２）が共にオフの状態を示す。図３は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各配線に存在する抵抗を等価的示した説明図であり、第１半導体スイッチ（Ｑ１）と第２半導体スイッチ（Ｑ２）が共にオンの状態を示す。図４は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各配線に存在する抵抗を等価的示した説明図であり、第１半導体スイッチ（Ｑ１）がオフ、第２半導体スイッチ（Ｑ２）がオンの状態を示す。図５は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各配線に存在する抵抗を等価的示した説明図であり、第１半導体スイッチ（Ｑ１）がオン、第２半導体スイッチ（Ｑ２）がオフの状態を示す。図６は、実施形態に係る負荷回路の制御装置に設けられる電流センサの構成を示す回路図である。図７は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各半導体スイッチのオン時間帯とオフ時間帯を示すタイミングチャート図である。図８は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各半導体スイッチの温度上昇を示す特性図である。図９は、実施形態に係る負荷回路の制御装置の各半導体スイッチのオン時間とオフ時間とを適切に設定した場合のオン時間帯、オフ時間帯、及び各半導体スイッチの温度変化を示すタイミングチャートである。図１０は、実施形態の変形例に係る負荷回路の制御装置の各半導体スイッチのオン時間帯とオフ時間帯を示すタイミングチャートである。

　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

　図１に示すように、実施形態に係る制御装置１００は、バッテリＶＢと負荷ＲＬとの間に設置され、負荷ＲＬのオンとオフを制御するものであり、互いに並列に接続された第１半導体スイッチ回路１１と第１半導体スイッチ回路２１と、制御部３１と、加算回路３２とを備える。

　第１半導体スイッチ回路１１は、一つの半導体チップで構成されており、ＭＯＳＦＥＴからなる第１半導体スイッチＱ１と、第１半導体スイッチＱ１に流れる電流を検出する第１電流センサ１２とを備える。第１半導体スイッチＱ１のドレインは、端子ＴＢ１１を介してバッテリＶＢに接続される。第１半導体スイッチＱ１のソースは、端子ＴＢ１２を介してモータやランプ等の負荷ＲＬに接続される。第１半導体スイッチＱ１のゲートは、端子ＴＢ１３を介して制御部３１に接続される（図ではＴＢ１３～Ｑ１間の接続線を省略）。第１電流センサ１２は、端子ＴＢ１４を介して加算回路３２に接続される。

　半導体スイッチ回路２１は、一つの半導体チップで構成されており、ＭＯＳＦＥＴからなる第２半導体スイッチＱ２と、第２半導体スイッチＱ２に流れる電流を検出する第２電流センサ２２とを備える。第２半導体スイッチＱ２のドレインは、端子ＴＢ２１を介してバッテリＶＢに接続される。第２半導体スイッチＱ２のソースは、端子Ｔ２２を介して負荷ＲＬに接続される。第２半導体スイッチＱ２のゲートは、端子ＴＢ２３を介して制御部３１に接続される（図ではＴＢ２３～Ｑ２間の接続線を省略）。第２電流センサ２２は、端子ＴＢ１４を介して加算回路３２に接続される。加算回路３２の出力端子は、制御部３１に接続される。

　図２に示すように、バッテリＶＢと第１半導体スイッチ回路１１とを接続する配線（図１のＶＢ～ＴＢ１１間の配線）には抵抗Ｒａ１が存在し、第１半導体スイッチ回路１１と負荷ＲＬとの間（図１のＴＢ１２～ＲＬ間の配線）には抵抗Ｒａ２が存在し、第１半導体スイッチＱ１にはオン抵抗Ｒａfetが存在する。同様に、バッテリＶＢと第２半導体スイッチ回路２１とを接続する配線（図１のＶＢ～ＴＢ２１間の配線）には抵抗Ｒｂ１が存在し、第２半導体スイッチ回路２１と負荷ＲＬとの間（図１のＴＢ２２～ＲＬ間の配線）には抵抗Ｒｂ２が存在し、第２半導体スイッチＱ２にはオン抵抗Ｒｂfetが存在する。

　次に、第１電流センサ１２、第２電流センサ２２、加算回路３２の詳細な構成について、図６に示す回路図を参照して説明する。図６に示すように、第１半導体スイッチＱ１は、第１メインＦＥＴ（Ｑ１ａ）と第１サブＦＥＴ（Ｑ１ｂ）から成るマルチソースＦＥＴを構成している。第１メインＦＥＴ（Ｑ１ａ）のソースは、２系統に分岐される。一つ目の分岐線は、図１に示した端子ＴＢ１２を介して負荷ＲＬに接続される。二つ目の分岐線は、第１アンプＡＭＰ１１の一方の入力端子に接続されている。また、第１サブＦＥＴ（Ｑ１ｂ）のソースは２系統に分岐される。一つ目の分岐線は、Ｐ型のＭＯＳＦＥＴからなる第３半導体スイッチＱ１１のソースに接続される。二つ目の分岐線は、第１アンプＡＭＰ１１の他方の入力端子に接続されている。

　第１アンプＡＭＰ１１の出力端子は、第３半導体スイッチＱ１１のゲートに接続される。第３半導体スイッチＱ１１のドレインはセンス抵抗Ｒｓを介してグランドに接地される。

　第１アンプＡＭＰ１１は、第１メインＦＥＴ（Ｑ１ａ）のソース電圧と第１サブＦＥＴ（Ｑ１ｂ）のソース電圧が等しくなるように第３半導体スイッチＱ１１のゲートに制御信号を出力する。このため、第３半導体スイッチＱ１１には、第１半導体スイッチＱ１に流れる電流に比例した大きさの電流が流れることになる。

　第２半導体スイッチＱ２は、第２メインＦＥＴ（Ｑ２ａ）と第２サブＦＥＴ（Ｑ２ｂ）から成るマルチソースＦＥＴを構成している。第２メインＦＥＴ（Ｑ２ａ）のソースは、第２アンプＡＭＰ２１の一方の入力端子に接続される。第２サブＦＥＴ（Ｑ２ｂ）のソースは、第２アンプＡＭＰ２１の他方の入力端子に接続される。

　第２アンプＡＭＰ２１の出力端子は、Ｐ型のＭＯＳＦＥＴからなる第４半導体スイッチＱ２１のゲートに接続される。第４半導体スイッチＱ２１のソースは、第２サブＦＥＴ（Ｑ２ｂ）に接続される。第４半導体スイッチＱ２１のドレインは、センス抵抗Ｒｓを介してグランドに接地される。

　第２アンプＡＭＰ２１は、第２メインＦＥＴ（Ｑ２ａ）のソース電圧と第２サブＦＥＴ（Ｑ２ｂ）のソース電圧が等しくなるように、第４半導体スイッチＱ２１のゲートに制御信号を出力する。このため、第４半導体スイッチＱ２１には、第２半導体スイッチＱ２に流れる電流に比例した大きさの電流が流れることになる。

　また、第３半導体スイッチＱ１１と第４半導体スイッチＱ２１に流れる電流（参照電流）を加算した電流がセンス抵抗Ｒｓに流れる。このため、センス抵抗Ｒｓの両端電圧を測定することにより、負荷ＲＬに流れる電流を測定することができる。即ち、第１電流センサ１２と第２電流センサ２２は、オペアンプを用いて第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とに流れる電流に比例した参照電流を発生させ、発生させた参照電流に基づいて第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２に流れる電流を検出する。センス抵抗Ｒｓが、図１に示した加算回路３２に相当する。

　図１に示した制御部３１は、第１半導体スイッチＱ１に流れる電流Ｉａと第２半導体スイッチＱ２に流れる電流Ｉｂとを加算した電流Ｉｃに基づき、電流Ｉｃが予め設定した閾値を上回った場合には、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とをオフとして負荷回路を遮断し、回路全体を保護する制御を行う。或いは、電流Ｉｃに基づいて負荷回路の電線温度を推定し、推定温度が閾値を上回った場合には負荷回路を遮断して、回路全体を過熱から保護する制御を行う。

　実施形態では、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２のオンとオフを交互に切り替えることにより、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２のうちの一方をオン、他方をオフとして、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２に流れる電流の偏りを抑制する。以下、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を同時にオンとして負荷ＲＬを駆動する場合（従来の方式）と、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とを交互に切り替えて負荷ＲＬを駆動する場合（実施形態の方式）の双方における、電流の偏りについて説明する。

　［第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を同時にオンとする場合］
　初めに、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を共にオンすることにより、負荷ＲＬに流れる電流を第１半導体スイッチ回路１１と第２半導体スイッチ回路２１に分散する場合の動作について説明する。図２に示した等価回路によると、第１半導体スイッチ回路１１を経由する回路の抵抗（これをＲａとする）は、次の（１）式で示すことができる。
　　　Ｒａ＝Ｒａ１＋Ｒａfet＋Ｒａ２　　…（１）

　同様に、第２半導体スイッチ回路２１を経由する回路の抵抗（これをＲｂとする）は、次の（２）式で示すことができる。
　　　Ｒｂ＝Ｒｂ１＋Ｒｂfet＋Ｒｂ２　　…（２）

　従って、図３に示すように、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を共にオンとした場合には、第１半導体スイッチ回路１１に電流Ｉａが流れ、第２半導体スイッチ回路２１に電流Ｉｂが流れることになる。電流Ｉａと電流Ｉｂの比率「Ｉａ／Ｉｂ」は、抵抗の逆比に等しいので「Ｉａ／Ｉｂ＝Ｒｂ／Ｒａ」となる。

　この際、図６に示した第１電流センサ１２と第２電流センサ２２では、仮に第１アンプＡＭＰ１１と第２アンプＡＭＰ２１にオフセット誤差が存在しなければ、第１半導体スイッチＱ１の両端電圧Ｖａfetを、「Ｖａfet＝Ｒａfet×Ｉａ」として検出し、第２半導体スイッチＱ２の両端電圧Ｖｂfetを、「Ｖｂfet＝Ｒｂfet×Ｉｂ」として検出することになる。しかし、実際には第１アンプＡＭＰ１１と第２アンプＡＭＰ２１にはオフセット誤差Ｖａoffset，Ｖｂoffsetが存在するので、各電圧Ｖａfet，Ｖｂfetを以下に示す（３）式、（４）式のように検出してしまう。
　　　Ｖａfet＝Ｒａfet×Ｉａ＋Ｖａoffset　　…（３）
　　　Ｖｂfet＝Ｒｂfet×Ｉｂ＋Ｖｂoffset　　…（４）

　従って、電流Ｉａ，Ｉｂの測定値Ｉａsens，Ｉｂsensは、次の（５）式、（６）式として検出されることになる。
　　　Ｉａsens＝（Ｖａfet／Ｒａfet）＝Ｉａ＋Ｖａoffset／Ｒａfet　　…（５）
　　　Ｉｂsens＝（Ｖｂfet／Ｒｂfet）＝Ｉｂ＋Ｖｂoffset／Ｒｂfet　　…（６）

　負荷ＲＬに流れる電流をＩｃとすると、その測定値Ｉｃsensは（５）式と（６）式を加算するので、下記の（７）式として検出される。
　　　Ｉｃsens＝Ｉｃ＋Ｖａoffset／Ｒａfet＋Ｖｂoffset／Ｒｂfet　　…（７）

　（７）式から理解されるように、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を共にオンとして負荷ＲＬに電流を流すと、本来測定しようとする電流Ｉｃに対して第１電流センサ１２と第２電流センサ２２のオフセット誤差の成分が加算されてしまう。更に（７）式より、抵抗Ｒａfet、Ｒｂfetが小さい程、その影響（Ｉｃに対する割合）が大きくなるので、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２の発熱、即ち、ジュール熱「Ｒａfet×Ｉａ²＋Ｒｂfet×Ｉｂ²」を抑えるために抵抗Ｒａfet、Ｒｂfetを小さくすると、より誤差の影響を助長することになる。

　［第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とを交互にオンとする場合］
　次に、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２を交互にオンとして負荷ＲＬに電流を供給する場合の動作について説明する。この場合には、図７に示すように、第１半導体スイッチＱ１がオン時間帯のときに第２半導体スイッチＱ２をオフ時間帯とし、第１半導体スイッチＱ１がオフ時間帯のときに第２半導体スイッチＱ２をオン時間帯とするように、第１半導体スイッチＱ１と第１半導体スイッチＱ２を制御する。

　そして、負荷ＲＬに流れる電流Ｉｃの測定値Ｉｃsensは、第１半導体スイッチＱ１がオンのとき（図５参照）には下記の（８）式で示され、第２半導体スイッチＱ２がオンのとき（図４参照）には下記の（９）式で示されることになる。
　　　Ｉｃsens＝Ｉｃ＋Ｖａoffset／Ｒａfet　　…（８）
　　　Ｉｃsens＝Ｉｃ＋Ｖｂoffset／Ｒｂfet　　…（９）

　（８），（９）式より、第１半導体スイッチＱ１と第１半導体スイッチＱ２を交互に動作させる場合には、一方の電流センサの誤差のみが発生することとなる。

　このように、いずれか一方の半導体スイッチのみをオンとすることにより、アンプが有するオフセット誤差の影響を低減することができることが理解される。

　また、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２は、オン抵抗が同一であるとは限らないので、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２のオン時間帯、及びオフ時間帯を均一に設定すると、各半導体スイッチの発熱量に偏りが発生する場合があり、一方の半導体スイッチの温度上昇が大きくなるという問題が生じる。

　実施形態では、各半導体スイッチの温度の上昇し易さに応じて、オン時間帯とオフ時間帯を調整し、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２の温度が均一となるようにする。具体的には、温度が上昇し易い半導体スイッチについてはオン時間帯を短く設定し、反対に、温度が上昇し難い半導体スイッチについてはオン時間帯を長く設定する。

　温度が上昇し易いか否かの判断は、半導体スイッチの電気抵抗、熱抵抗の理論値を用いる方法、基板設計後にサンプルの実測値を取得し、この実測値に基づいて判断する方法、出荷前の検査時に各製品毎に温度上昇の度合いを測定する方法等を用いることができる。

　例えば、図８に示すように、一定時間の通電により第１半導体スイッチＱ１の温度がＴ１となり、第２半導体スイッチＱ２の温度がＴ１よりも高いＴ２となる場合には、図９（ａ），９（ｂ）に示すように、第１半導体スイッチＱ１のオン時間をｔ１とし、第２半導体スイッチＱ２のオン時間をｔ２（ｔ２＜ｔ１）とすることにより、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２の温度を均一化させる。具体的には、図９（ｃ）に示すように、第１半導体スイッチＱ１の温度は曲線ｐ１に示すように上昇と下降を繰り返して変化し、第２半導体スイッチＱ２の温度は曲線ｐ２に示すように上昇と下降を繰り返して変化する。その結果、温度Ｔ１とＴ２の平均値に収束することになり、第１半導体スイッチＱ１と第１半導体スイッチＱ２の温度を均一化することができる。

　このように、実施形態に係る負荷回路の制御装置１００では、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とを並列に配置し、いずれか一方の半導体スイッチをオンとするように制御する。ので、第１電流センサ１２の第１アンプＡＭＰ１１と第２電流センサ２２の第２アンプＡＭＰ２１にオフセット誤差が存在する場合であっても、オフセット誤差の影響を低減することができる。このため、高精度な電流検出が可能となる。従って、検出した電流値に基づいて第１半導体スイッチ回路１１と第２半導体スイッチ回路２１を遮断する制御を実行する場合には、高精度な遮断制御が可能となる。

　また、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２のオン抵抗にばらつきが存在する場合であっても、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２のオン時間帯、及びオフ時間帯を適宜設定することにより、全体の温度を均一化することが可能となる。

　［変形例の説明］
　次に、上述した実施形態の変形例について説明する。上述した実施形態では、図７に示したように、一方の半導体スイッチがオンの時には他方の半導体スイッチがオフとなるように制御した。変形例では、図１０（ａ），１０（ｂ）に示すように、第２半導体スイッチＱ２がオンからオフに切り替わるタイミングよりも、第１半導体スイッチＱ１がオフからオンに切り替わるタイミングの方が若干時間Δｔだけ早くなるように制御する。即ち、双方の半導体スイッチのオン時間帯に若干の重複時間を設けている。

　このような構成によれば、各半導体スイッチのオンとオフの切替時におけるノイズを低減することができる。

　以上、本発明の負荷回路の制御装置を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置き換えることができる。

　例えば、上述した実施形態では、第１半導体スイッチ回路１１と第２半導体スイッチ回路２１を並列に接続し、第１半導体スイッチＱ１と第２半導体スイッチＱ２とを交互にオンとするように制御する例について説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、３個以上の半導体スイッチ回路を設け、各半導体スイッチ回路の半導体スイッチを順繰りにオンとすることで、上述と同様の効果を達成することが可能となる。

　本発明は、複数の半導体スイッチを用いて負荷を駆動する際の、電流の偏りを防止することに利用できる。

Claims

　電源と負荷とを接続する負荷回路に複数の半導体スイッチを並列に配置し、各半導体スイッチのオンとオフを切り替えることにより、前記負荷の駆動と停止を制御する負荷回路の制御装置であって、
　前記各半導体スイッチにそれぞれ設けられ、各半導体スイッチに流れる電流を検出する電流センサと、
　駆動指令信号が入力された際に、前記各半導体スイッチ毎にそれぞれ異なるオン時間帯及びオフ時間帯となるように各半導体スイッチに制御信号を出力する制御を行い、且つ、前記電流センサにより検出される電流に基づいて前記各半導体スイッチを遮断する制御を行う制御部と、
を備えることを特徴とする制御装置。
　請求項１に記載の制御装置であって、
　前記電流センサは、オペアンプを用いて前記半導体スイッチに流れる電流に比例した参照電流を発生させ、発生させた参照電流に基づいて前記半導体スイッチに流れる電流を検出する
ことを特徴とする制御装置。
　請求項１に記載の制御装置であって、
　前記制御部は、前記各半導体スイッチのうちのいずれか一つがオンとなるように、各半導体スイッチのオン時間帯及びオフ時間帯を設定する
ことを特徴とする制御装置。
　請求項１に記載の制御装置であって、
　前記制御部は、前記各半導体スイッチに対して順次オン時間帯を設定すると共に、今回オンとする半導体スイッチのオン時間帯と、次回オンとする半導体スイッチのオン時間帯が若干重複するように、各半導体スイッチのオン時間帯及びオフ時間帯を設定する
ことを特徴とする制御装置。