WO2012144036A1

WO2012144036A1 - デュープレクサ

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Publication number: WO2012144036A1
Application number: PCT/JP2011/059745
Authority: WO
Inventors: 小野悟
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 2011-04-20
Filing date: 2011-04-20
Publication date: 2012-10-26
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Abstract

受信端子Ｆｒｘとアンテナ端子Ｆａｎｔとの間に接続された受信フィルタと、送信端子Ｆｔｘと前記アンテナ端子との間に接続された送信フィルタと、前記受信端子、前記送信端子および前記アンテナ端子が下面に形成され、前記受信端子と電気的に接続する受信電極Ｐｒｘと、前記送信端子と電気的に接続する送信電極Ｐｔｘと、前記アンテナ端子と電気的に接続するアンテナ電極Ｐａｎｔと、前記受信電極、前記送信電極および前記アンテナ電極を囲みグランドに電気的に接続された環状金属層１４とが上面に形成され、前記受信フィルタと前記送信フィルタとを前記上面に搭載する配線基板１０とを具備し、前記受信端子および前記送信端子に最も近い前記環状金属層の辺と前記受信電極との最短距離ｄ１が、前記環状金属層の前記辺の幅Ｗ１より大きいことを特徴とするデュープレクサ。

Description

デュープレクサ

　本発明はデュープレクサに関し、一つの基板上に受信フィルタおよび送信フィルタが搭載されたデュープレクサに関する。

　デュープレクサ（デュプレクサ、アンテナ共用器、または分波器とも称される）は、主に携帯電話等の無線通信に用いられている。近年、携帯電話等の高機能化のため、小型でかつ高い信頼性を有する部品が要求されている。このような要求を実現するため、配線基板の上面に弾性波フィルタ等のチップ部品をフリップチップ法により搭載し、半田材により封止する技術が知られている（例えば特許文献１）。特許文献１においては、封止用半田を配線基板上に固着させるために、配線基板の上面に環状に金属層が配設されている。特許文献１の構造においては、半田封止部と弾性波フィルタとが接触することにより、弾性波フィルタから漏れ電界が発生する。この漏れ電界を抑制するため、弾性波フィルタよりも低い誘電率を有する絶縁層をチップ部品と半田封止部の間に挟むことが知られている（例えば特許文献２）。特許文献２に開示される技術を用い、弾性波フィルタを含むデュープレクサを形成することにより、送信－受信間アイソレーション特性の低下を抑制することが知られている。

特開２００６－２０３１４９号公報特開２０１０－７４４１８号公報

　しかしながら、特許文献１並びに特許文献２に開示される技術を用いたデュープレクサにおいて、さらなる小型化を行なうと、配線基板の上面に形成された環状金属層を介し、送信側から受信側に不要な信号が漏れてしまい、送信－受信間アイソレーション特性を低下させてしまう。

　本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、送信－受信間アイソレーション特性の低下を防止・抑制することを目的とする。

　本発明は、受信端子とアンテナ端子との間に接続された受信フィルタと、送信端子と前記アンテナ端子との間に接続された送信フィルタと、前記受信端子、前記送信端子および前記アンテナ端子が下面に形成され、前記受信端子と電気的に接続する受信電極と、前記送信端子と電気的に接続する送信電極と、前記アンテナ端子と電気的に接続するアンテナ電極と、前記受信電極、前記送信電極および前記アンテナ電極を囲みグランドに電気的に接続された環状金属層とが上面に形成され、前記受信フィルタと前記送信フィルタとを前記上面に搭載する配線基板とを具備し、前記受信端子および前記送信端子に最も近い前記環状金属層の辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層の前記辺の幅より大きいことを特徴とするデュープレクサである。本発明によれば、送信－受信間アイソレーション特性の低下を防止・抑制することができる。

　上記構成において、前記環状金属層に接触し、前記受信フィルタおよび前記送信フィルタを封止する金属封止部を具備する構成とすることができる。

　上記構成において、前記環状金属層の前記辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層の前記辺と前記送信電極との最短距離より大きい構成とすることができる。

　上記構成において、前記環状金属層の前記辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層と前記アンテナ電極との最短距離より大きい構成とすることができる。

　上記構成において、前記配線基板は四角形状を有し、前記受信端子と前記送信端子は、前記環状金属層の前記辺の両端に形成され、前記アンテナ端子は、前記環状金属層の前記辺に対向する辺の中央部に形成されている構成とすることができる。

　上記構成において、前記配線基板は平板状である構成とすることができる。

　上記構成において、前記受信フィルタおよび前記送信フィルタは、前記配線基板にフリップチップ実装されている構成とすることができる。

　本発明によれば、送信－受信間アイソレーション特性の低下を防止・抑制することができる。

図１は、デュープレクサの構成を示す機能ブロック図である。図２は、本発明の実施例１に係るデュープレクサの構成を示す断面図である図３（ａ）は、前記実施例１における配線基板の構成を示す上面図、図３（ｂ）は、配線基板の下面を上方から透視した図である。図４は、比較例における配線基板の構成を示す上面図である。図５は、前記実施例１および比較例に係るデュープレクサのアイソレーション特性を示す図である。図６は、本発明の実施例２における配線基板の構成を示す上面図である。図７は、本発明の実施例３における配線基板の構成を示す上面図である。図８は、本発明の実施例４における配線基板の構成を示す上面図である。

　本発明の実施例について、図面を用いて説明する。

　まず、デュープレクサについて説明する。図１は、デュープレクサの構成を示す機能ブロック図である。

　当該デュープレクサにあっては、受信端子Ｔｒｘとアンテナ端子Ｔａｎｔとの間に受信フィルタ５０が接続されている。送信端子Ｔｔｘとアンテナ端子Ｔａｎｔとの間に送信フィルタ５２が接続されている。そして、アンテナ端子Ｔａｎｔと受信フィルタ５０および送信フィルタ５２の少なくとも一方との間に整合回路５４が配設されている。

　かかる構成に於いて、受信フィルタ５０はアンテナ端子Ｔａｎｔに入力された受信信号をフィルタリングして受信端子Ｔｒｘに出力する。一方、当該受信フィルタ５０は、送信信号を抑圧することにより、送信信号が受信端子Ｔｒｘに出力されることを抑制する。

　一方、送信フィルタ５２は送信端子Ｔｔｘに入力された送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子Ｔａｎｔに出力する。当該送信フィルタ５２は、受信信号を抑圧することにより、受信信号が送信端子Ｔｔｘに出力されることを抑制する。

　受信信号と送信信号は異なる周波数帯域であり、受信フィルタ５０と送信フィルタ５２とは異なる通過帯域を有する。

　整合回路５４は、アンテナ端子Ｔａｎｔと受信フィルタ５０および送信フィルタ５２との間のインピーダンスを整合させる。送信－受信間アイソレーション特性は、送信端子Ｔｔｘから受信端子Ｔｒｘへの信号の漏れの程度を示す。送信－受信間アイソレーション特性が劣化すると、送信信号が送信端子Ｔｔｘから受信端子Ｔｒｘに漏れやすくなる。

　本発明の実施例１に係るデュープレクサの断面構造を、図２に示す。当該断面は、後述する図３（ａ）に於けるＸ－Ｘ断面に相当する。

　図２に示されるように、実施例１に係るデュープレクサ１００は、配線基板１０、受信フィルタチップ２０、送信フィルタチップ２２および金属封止部２６を具備している。

　配線基板１０は、２層の酸化アルミニウムを主体とするセラミック材或いは樹脂材からなり、その上面、層間ならびに下面には、金属層が選択的に配設されている。

　即ち、上層の絶縁層１０ｂの上面には、フィルタチップの電極が接続される電極端子１２と、当該電極端子１２から離間し、且つ絶縁層１０ｂの上面周縁部近傍に於いて当該電極端子１２を囲繞して配設された環状金属層１４を具備している。

　また、絶縁層１０ｂと下層の絶縁層１０ａとの間、即ち層間には、配線金属層１６が選択的に配設され、更に下層の絶縁層１０ａの表面（下面）には、外部接続用電極端子（フットパッド）１８が選択的に配設されている。

　そして、前記電極端子１２、環状金属層１４、配線金属層１６ならびに外部接続用電極端子１８との間は、絶縁層１０ａ、１０ｂ中に選択的に配設された層間接続用導体（図示せず）により接続されている。環状金属層１４は、接地電位とされる外部接続用電極端子１８に接続されている。

　かかる電極端子１２、環状金属層１４ならびに配線金属層１６は、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）或いは金（Ａｕ）などにより形成される。

　そして、当該配線基板１０の上面には、受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２が銅からなるバンプ２４を介してフリップチップ実装されている。即ち、当該フィルタチップの活性領域（フィルタ形成面）は、配線基板１０の上面に対向して配置されている。

　受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２は、その周囲を金属封止部２６により囲まれている。かかる金属封止部２６は、錫（Ｓｎ）－銀（Ａｇ）－銅（Ｃｕ）半田からなり、その内側面はフィルタチップの側面に接し、且つその下面は前記環状金属層１４に接している。

　そして、受信フィルタチップ２０、送信フィルタチップ２２および金属封止部２６上には、コバールからなるキャップ板２８が配設されている。

　即ち、受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２は、キャップ板２８および金属封止部２６をもって形成されるキャビティ２９内に受容され、配線基板１０をもって封止されている。

　更に、金属封止部２６およびキャップ板２８は、ニッケル（Ｎｉ）からなる保護膜３０により被覆されており、当該保護膜３０も前記環状金属層１４に接している。

　かかる構成によれば、金属封止部２６、キャップ板２８ならびに保護膜３０を用いて受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２を封止することにより、樹脂封止に比べ気密性の高い封止が可能であり、また高いシールド効果を具備している。

　また、キャップ板２８および保護膜３０を用いることにより、当該デュープレクサ１００を電子機器内搭載用基板などに実装する際に、加えられる熱に起因して金属封止部２６が変形することを、防止・抑制することもできる。

　尚、バンプ２４を構成する材料としては、銅以外に、金または半田を用いることができる。また、金属封止部２６としては、前述の錫－銀－銅以外の半田または金属を用いることができる。

　更に、キャップ板２８および保護膜３０は、前述の如き金属の他、絶縁体を用いることもできる。但し、キャップ板２８および保護膜３０の融点は金属封止部２６の融点より高いことが好ましい。加えて、配線基板１０は、必要に応じて単層または３層以上の構成が選択される。

　実施例１に係るデュープレクサ１００における、配線基板１０の上面を図３（ａ）に示し、当該配線基板１０の下面を上方から透視した状態を図３（ｂ）に示す。

　図３（ａ）においては、搭載される受信フィルタチップ２０、送信フィルタチップ２２の外形を、太い破線で描く矩形をもって示している。

　そして、当該受信フィルタチップ２０、送信フィルタチップ２２それぞれの直下に位置する配線基板１０の上面には、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘ、送信電極Ｐｔｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄが、それぞれ電極端子１２をもって形成されている。

　受信フィルタチップ２０におけるアンテナ電極、受信電極ならびにグランド電極は、バンプ２４（図２参照）を介して、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄに接続されている。一方、送信フィルタチップ２２におけるアンテナ電極、送信電極ならびにグランド電極は、バンプ２４を介して、アンテナ電極Ｐａｎｔ、送信電極Ｐｔｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄに接続されている。

　即ち、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘ、送信電極Ｐｔｘならびにグランド電極Ｐｇｎｄは、信号等を伝搬する信号線路として機能すると共に、受信フィルタチップ２０ならびに送信フィルタチップ２２をフリップチップする際の搭載・固定用パッドとして機能する。

　そして、配線基板１０の上面においては、その周縁部に沿って環状金属層１４が所定の幅をもって配設され、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘ、送信電極Ｐｔｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄなど、複数の電極端子１２を囲繞している。
尚、図３（ａ）にあっては、配線基板１０の下面に配置された電極端子１８を細い破線をもって示している。

　一方、配線基板１０の下面には、図３（ｂ）に示される様に、送信端子Ｔｔｘとして機能する送信フットパッドＦｔｘ、受信端子Ｔｒｘとして機能する受信フットパッドＦｒｘ、アンテナ端子Ｆａｎｔとして機能するアンテナフットパッドＦａｎｔおよびグランド端子として機能するグランドフットパッドＦｇｎｄが、それぞれ電極端子１８をもって形成されている。

　送信フットパッドＦｔｘ、受信フットパッドＦｒｘ、アンテナフットパッドＦａｎｔおよびグランドフットパッドＦｇｎｄは、配線基板１０の配線金属層１６および層間接続用導体（ビア）１５を介して、対応する送信電極Ｐｔｘ、受信電極Ｐｒｘ、アンテナ電極Ｐａｎｔ或いはグランド電極Ｐｇｎｄと電気的に接続される。実施例１においては、受信電極Ｐｒｘは１つであり、受信信号は、不平衡信号である。

　また、前記環状金属層１４は、層間接続用導体１５を介して、グランドフットパッドＦｇｎｄに電気的に接続される。

　ここで、受信フットパッドＦｒｘならびに送信フットパッドＦｔｘに最も近い環状金属層１４の辺を第１の辺４０、当該第１の辺４０に対向する辺を第２の辺４２とする。

　そして第１の辺４０の幅を幅Ｗ１、第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの最短距離を距離ｄ１、第２の辺４２とアンテナ電極Ｐａｎｔとの最短距離を距離ｄ２とする。

　実施例１のデュープレクサとして、受信フィルタ５０を、圧電薄膜共振器を用いたラダー型フィルタをもって構成し、送信フィルタ５２を、弾性表面波共振器を用いたラダー型フィルタをもって構成した。

　かかる受信フィルタチップ２０のチップサイズＬｒ１×Ｌｒ２を１．０ｍｍ×０．７９ｍｍ、送信フィルタチップ２２のチップサイズＬｔ１×Ｌｔ２を１．０ｍｍ×０．７９ｍｍとした。

　また、配線基板１０の外形寸法Ｌ１×Ｌ２を２．０ｍｍ×２．５ｍｍとした。更に、第１の絶縁層１０ａおよび第２の絶縁層１０ｂの膜厚を、それぞれ０．０８９ｍｍとした。

　そして、前記環状金属層１４の幅Ｗ１を０．１５ｍｍとし、距離ｄ１および距離ｄ２を、それぞれ０．４０ｍｍおよび０．３０ｍｍとした。

　一方、比較例に係るデュープレクサ１１０における配線基板１０Ｓの上面の形態を、図４に示す。

　図４に示されるように、比較例に係るデュープレクサ１１０においては、環状金属層１４の幅Ｗ１を０．４７ｍｍ、距離ｄ１および距離ｄ２をそれぞれ０．０８ｍｍおよび０．１５ｍｍとした。

　受信フィルタチップ２０のチップサイズＬｒ１×Ｌｒ２、送信フィルタチップ２２のチップサイズＬｔ１×Ｌｔ２、配線基板１０のサイズＬ１×Ｌ２、および絶縁層１０ａおよび１０ｂの膜厚は実施例１と同一とした。その他の構成も実施例１と同じであり、説明を省略する。

　実施例１および比較例に係るデュープレクサについて、送信－受信アイソレーション特性を測定した。送信帯域は１８５０ＭＨｚ～１９１０ＭＨｚ、受信帯域は１９３０ＭＨｚ～１９９０ＭＨｚを選択した。

　実施例１におけるデュープレクサならびに比較例におけるデュープレクサのアイソレーション特性を、図５に示す。図示されるように、本発明の実施例１におけるデュープレクサは、比較例に比べ、送信帯域における減衰量が増加しており、送信－受信アイソレーション特性が明らかに向上している。

　この様な送信－受信アイソレーション特性からして、送信－受信アイソレーション特性の劣化の要因として、送信フットパッドＦｔｘと環状金属層１４とが電磁結合し、また環状金属層１４と受信電極Ｐｒｘとが電磁結合することにより、信号が送信フットパッドＦｔｘから受信電極Ｐｒｘに漏れることが考えられる。

　環状金属層１４の幅Ｗ１が広い場合、送信フットパッドＦｔｘと環状金属層１４との電磁結合が生じ易く、また、環状金属層１４と受信電極Ｐｒｘとが電磁結合し易い。

　一方、環状金属層１４と受信電極Ｐｒｘとの距離が近いと、環状金属層１４と受信電極Ｐｒｘとは電磁結合し易い。

　よって、環状金属層１４の第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの最短距離ｄ１が幅Ｗ１より大きいことが好ましい。さらに、距離ｄ１が幅Ｗ１の１．５倍以上であることがより好ましく、距離ｄ１が幅Ｗ１の２倍以上であることがさらに好ましい。

　受信フィルタチップ２０においては、受信パッドとアンテナパッドは、両パッドとの間の干渉を抑制するために、離れて設けられる。このため、受信パッドとアンテナパッドとは、受信フィルタチップ２０の対角線上に設けられる。

　従って、かかる受信フィルタチップ２０を、環状金属層１４内に配置する場合、受信電極Ｐｒｘと環状金属層１４との距離を離すようにすると、アンテナ電極Ｐａｎｔと環状金属層１４との距離は近づいてしまう。

　この様な場合、環状金属層１４の第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの間の最短距離ｄ１が、環状金属層１４の第２の辺４２とアンテナ電極Ｐａｎｔとの間の最短距離ｄ２よりも大きいことが好ましい。さらに、距離ｄ１が距離ｄ２の１．５倍以上であることがより好ましく、距離ｄ１が距離ｄ２の２倍以上であることがより好ましい。

　実施例１のように、金属封止部２６が環状金属層１４に接触し、受信フィルタおよび送信フィルタを封止する場合、環状の金属の体積が大きくなるため、環状金属層１４および金属封止部２６を介した送信信号の漏れが大きくなる。

　よって、金属封止部２６を有する場合に、実施例１のような配置を行なうことが好ましい。

　実施例１においては、配線基板１０はその平面形状が四角形（矩形）である。この様な場合、受信フットパッドＦｒｘ、送信フットパッドＦｔｘおよびアンテナフットパッドＦａｎｔのそれぞれの間の間隔を大きくするためには、受信フットパッドＦｒｘと送信フットパッドＦｔｘを、環状金属層１４の第１の辺４０の両端近傍に配置し、一方、アンテナフットパッドＦａｎｔを、前記第１の辺４０に対向する第２の辺４２の、中央部に配置することが好ましい。

　配線基板１０は平板状である場合、環状金属層１４と受信電極Ｐｒｘとの結合が大きくなる。よって、実施例１の配置を行なうことが好ましい。

　受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２は、配線基板１０にフェースアップ実装されていてもよい。しかしながら、デュープレクサの小型化のためには、受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２は、配線基板１０にフリップチップ実装されていることが好ましい。

　送信フィルタ５２および受信フィルタ５０として、弾性表面波共振器または圧電薄膜共振器を用いたフィルタを用いることができる。また、受信フィルタ５０および送信フィルタ５２として、ラダー型フィルタまたは多重モードフィルタを用いることができる。

　また、環状金属層１４は、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘ、送信電極Ｐｔｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄの少なくとも一部を囲っていればよい。しかしながら、金属封止部２６を用い、受信フィルタチップ２０および送信フィルタチップ２２を気密封止するためには、環状金属層１４は、アンテナ電極Ｐａｎｔ、受信電極Ｐｒｘ、送信電極Ｐｔｘおよびグランド電極Ｐｇｎｄを完全に囲んでいることが好ましい。そして、当該環状金属層１４は、少なくとも１つの層間接続用導体１５を介してグランドフットパッドＦｇｎｄに電気的に接続される。

　本発明の実施例２における配線基板１０の上面図を、図６に示す。かかる実施例２にあっては、図３（ａ）に示した実施例１と比較して、送信フィルタチップ２２のチップサイズが大きい。この場合、距離ｄ２は、第１の辺４０と送信電極Ｐｔｘとの最短距離ｄ３より大きい。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。

　送信フットパッドＦｔｘには大電力が入力されるため、環状金属層１４に漏れる送信信号は、送信電極Ｐｔｘと環状金属層１４の第１の辺４０との最短距離ｄ３に大きくは依存しない。一方、環状金属層１４に漏れる送信信号の電力は小さいため、環状金属層１４を介して受信電極Ｐｒｘに漏れる信号は距離ｄ１に依存する。

　よって、環状金属層１４の第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの最短距離ｄ１が、第１の辺４０と送信電極Ｐｔｘとの最短距離ｄ３より大きいことが好ましい。
さらに、距離ｄ１がｄ３の１．５倍以上であることがより好ましく、距離ｄ１が距離ｄ３の２倍以上であることがより好ましい。

　例えば、送信フィルタ５２として耐電力性の高いラダー型フィルタを用い、受信フィルタ５０として多重モードフィルタを用いた場合、受信フィルタチップ２０は送信フィルタチップ２２よりサイズが小さくなる。この場合、距離ｄ１を距離ｄ３より大きくすることができる。

　本発明の実施例３における配線基板１０の上面図を、図７に示す。かかる実施例３にあっては、前記実施例１と異なり、受信電極Ｐｒｘが２つ設けられている。２つの受信電極Ｐｒｘには平衡信号が伝搬される。幅Ｗ１は、第１の辺４０の幅、距離ｄ１は、第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの最短距離、距離ｄ２は、第２の辺４２とアンテナ電極Ｐａｎｔとの最短距離であり、実施例１と同様である。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

　実施例３においては、送信－受信アイソレーション特性を向上できるため、バランス特性も向上できる。また、実施例１のように受信信号は不平衡信号でもよい。送信信号も平衡信号および不平衡信号のいずれでもよい。

　本発明の実施例４における配線基板１０の上面図を、図８に示す。かかる実施例４にあっては、前記実施例１と異なり、受信フィルタと送信フィルタが１つのフィルタチップ２３に形成されている。幅Ｗ１は、第１の辺４０の幅、距離ｄ１は、第１の辺４０と受信電極Ｐｒｘとの最短距離、距離ｄ２は、第２の辺４２とアンテナ電極Ｐａｎｔとの最短距離であり、実施例１と同様である。その他の構成は、実施例１と同じであり説明を省略する。

　実施例３のように、受信フィルタ５０と送信フィルタ５２とは１つのフィルタチップ２３に形成されていてもよい。

　また、図１の整合回路５４を構成するインダクタまたは／およびキャパシタ等の要素は、受動素子チップに形成され、配線基板１０に搭載されていてもよい。また、これらの要素は、配線基板１０内に形成されていてもよい。

　以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

　　１０　　　　　配線基板
　　１２　　　　　電極端子
　　１４　　　　　環状金属層
　　１５　　　　　層間接続用導体（ビア）
　　１６　　　　　配線金属層
　　１８　　　　　外部接続用電極端子
　　２０　　　　　受信フィルタチップ
　　２２　　　　　送信フィルタチップ
　　２４　　　　　バンプ
　　２６　　　　　金属封止部
　　２８　　　　　キャップ板
　　３０　　　　　保護膜
　　４０　　　　　第１の辺
　　４２　　　　　第２の辺

Claims

　受信端子とアンテナ端子との間に接続された受信フィルタと、
　送信端子と前記アンテナ端子との間に接続された送信フィルタと、
　前記受信端子、前記送信端子および前記アンテナ端子が下面に形成され、前記受信端子と電気的に接続する受信電極と、前記送信端子と電気的に接続する送信電極と、前記アンテナ端子と電気的に接続するアンテナ電極と、前記受信電極、前記送信電極および前記アンテナ電極を囲みグランドに電気的に接続された環状金属層とが上面に形成され、前記受信フィルタと前記送信フィルタとを前記上面に搭載する配線基板とを具備し、
　前記受信端子および前記送信端子に最も近い前記環状金属層の辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層の前記辺の幅より大きいことを特徴とするデュープレクサ。
　前記環状金属層に接触し、前記受信フィルタおよび前記送信フィルタを封止する金属封止部を具備することを特徴とする請求項１記載のデュープレクサ。
　前記環状金属層の前記辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層の前記辺と前記送信電極との最短距離より大きいことを特徴とする請求項１または２記載のデュープレクサ。
　前記環状金属層の前記辺と前記受信電極との最短距離が、前記環状金属層と前記アンテナ電極との最短距離より大きいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のデュープレクサ。
　前記配線基板は四角形状を有し、
　前記受信端子と前記送信端子は、前記環状金属層の前記辺の両端に形成され、
　前記アンテナ端子は、前記環状金属層の前記辺に対向する辺の中央部に形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のデュープレクサ。
　前記配線基板は平板状であることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のデュープレクサ。
　前記受信フィルタおよび前記送信フィルタは、前記配線基板にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のデュープレクサ。