JP2002100956A - 弾性表面波フィルタ - Google Patents
弾性表面波フィルタInfo
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 携帯電話用のマルチバンドＲＦフィルタを小
型化する手段を得る。 【解決手段】 複数の底板からなるパッケージの上から
一層目に複数のバンプ用電極と、該電極の周囲を間隙を
おいて囲むグランド電極とを設け、二層目以降に前記バ
ンプ用電極とビアを介して接続する複数のリード電極を
設けて、該リード電極と前記複数の底板の最下部底面に
設けた端子電極とを気密的に接続した構造であるパッケ
ージに、弾性表面波フィルタ複数個を実装してマルチバ
ンドＲＦフィルタを構成する。
型化する手段を得る。 【解決手段】 複数の底板からなるパッケージの上から
一層目に複数のバンプ用電極と、該電極の周囲を間隙を
おいて囲むグランド電極とを設け、二層目以降に前記バ
ンプ用電極とビアを介して接続する複数のリード電極を
設けて、該リード電極と前記複数の底板の最下部底面に
設けた端子電極とを気密的に接続した構造であるパッケ
ージに、弾性表面波フィルタ複数個を実装してマルチバ
ンドＲＦフィルタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波フィルタ
に関し、特に小型化したフリップチップ型実装の弾性表
面波フィルタに関する。
に関し、特に小型化したフリップチップ型実装の弾性表
面波フィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡ
Ｗフィルタと称す）は通信分野で広く利用され、高性
能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に
携帯電話機等に多く用いられている。従来はシングルバ
ンドで十分に回線を確保することが可能であったが、最
近、携帯電話システムへの加入者が急増したことによ
り、割り当て周波数が追加され、送受信波をマルチバン
ドシステムに変更せざるを得ないように変わってきてい
る。例えば、北米では900MHz／1.9GHz帯、欧州では800M
Hz／1.8GHz帯のデュアル方式が実用に供されている。一
方、日本のセルラー電話方式（ＰＤＣ）では、端末機の
受信周波数帯に８１０〜８４３ＭＨｚ（ＲＡ帯）、８７
０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ帯（ＲＢ帯）及び１４７７ＭＨ
ｚ〜１５０１ＭＨｚ帯（ＲＣ帯）が割り当てられてお
り、端末機の送信周波数帯には８９３ＭＨｚ〜８９８Ｍ
Ｈｚ（ＴＡ帯）、９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ（ＴＢ
帯）及び１４２９ＭＨｚ〜１４５３ＭＨｚ（ＴＣ帯）が
割り当てられている。特に端末機においては小型化が求
められているため、３つの帯域、即ちＲＡ帯、ＲＢ帯及
びＲＣ帯のそれぞれのＲＦフィルタを１つのパッケー
ジ、例えばサイズ3.0mm×3.0mmに収容した、所謂マルチ
バンドＲＦフィルタが要求されている。
Ｗフィルタと称す）は通信分野で広く利用され、高性
能、小型、量産性等の優れた特徴を有することから特に
携帯電話機等に多く用いられている。従来はシングルバ
ンドで十分に回線を確保することが可能であったが、最
近、携帯電話システムへの加入者が急増したことによ
り、割り当て周波数が追加され、送受信波をマルチバン
ドシステムに変更せざるを得ないように変わってきてい
る。例えば、北米では900MHz／1.9GHz帯、欧州では800M
Hz／1.8GHz帯のデュアル方式が実用に供されている。一
方、日本のセルラー電話方式（ＰＤＣ）では、端末機の
受信周波数帯に８１０〜８４３ＭＨｚ（ＲＡ帯）、８７
０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ帯（ＲＢ帯）及び１４７７ＭＨ
ｚ〜１５０１ＭＨｚ帯（ＲＣ帯）が割り当てられてお
り、端末機の送信周波数帯には８９３ＭＨｚ〜８９８Ｍ
Ｈｚ（ＴＡ帯）、９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ（ＴＢ
帯）及び１４２９ＭＨｚ〜１４５３ＭＨｚ（ＴＣ帯）が
割り当てられている。特に端末機においては小型化が求
められているため、３つの帯域、即ちＲＡ帯、ＲＢ帯及
びＲＣ帯のそれぞれのＲＦフィルタを１つのパッケー
ジ、例えばサイズ3.0mm×3.0mmに収容した、所謂マルチ
バンドＲＦフィルタが要求されている。
【０００３】図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はマルチバン
ドＲＦフィルタの構成を示す一例であって、同図（ａ）
はフィルタ素子を搭載する前のパッケージを開口側から
見た平面図、（ｂ）はフィルタ素子をパッケージ内底面
に搭載した状態を示す平面図、（ｃ）はＱ−Ｑにおける
断面図である。パッケージ２１は図２（ａ）、（ｃ）に
示すように、一枚のセラミック基板からなる底板部２２
と、該底板２２の周縁にセラミックにて形成した外壁部
２３と、密封用の金属蓋（リッド）２４から構成されて
いる。そして、底板部２２の上面にはバンプ用電極パッ
ド２５、２５、・・と該電極パッド２５から延在するリ
ード電極２７、２７、・・が形成されている。このリー
ド電極２７、２７、・・は底板部２２と外壁部２３との
間を気密貫通し、底板２２の外部壁面を経て底板部２２
の下面端に形成した端子電極２６に接続されている。さ
らに、これらバンプ用電極パッド２５及びリード電極２
７と間隙をあけて底板２２の上面全体にグランド電極２
８を形成する。該グランド電極２８は外部の端子電極と
気密に接続している。また、外壁部２３の上面周縁には
抵抗溶接用のメタライズ２９が施されている。
ドＲＦフィルタの構成を示す一例であって、同図（ａ）
はフィルタ素子を搭載する前のパッケージを開口側から
見た平面図、（ｂ）はフィルタ素子をパッケージ内底面
に搭載した状態を示す平面図、（ｃ）はＱ−Ｑにおける
断面図である。パッケージ２１は図２（ａ）、（ｃ）に
示すように、一枚のセラミック基板からなる底板部２２
と、該底板２２の周縁にセラミックにて形成した外壁部
２３と、密封用の金属蓋（リッド）２４から構成されて
いる。そして、底板部２２の上面にはバンプ用電極パッ
ド２５、２５、・・と該電極パッド２５から延在するリ
ード電極２７、２７、・・が形成されている。このリー
ド電極２７、２７、・・は底板部２２と外壁部２３との
間を気密貫通し、底板２２の外部壁面を経て底板部２２
の下面端に形成した端子電極２６に接続されている。さ
らに、これらバンプ用電極パッド２５及びリード電極２
７と間隙をあけて底板２２の上面全体にグランド電極２
８を形成する。該グランド電極２８は外部の端子電極と
気密に接続している。また、外壁部２３の上面周縁には
抵抗溶接用のメタライズ２９が施されている。
【０００４】一方、圧電基板３１ａ、３１ｂの主面上に
はＩＤＴ電極及びグレーティング反射器等からなる弾性
表面波素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃを形成する。これら
弾性表面波フィルタ素子は図中円形の破線で示すパッド
電極３３、３３、・・を備えており、パッド電極３３に
は入出力用のパッド電極と接地用のパッド電極がある。
弾性表面波フィルタ素子３２を形成した面を裏返しにし
てパッケージ２１内に収容し、圧電基板上のパッド電極
３３を金バンプ３４を介して、底板上の所定位置に導通
固定することにより、フリップチップ型の弾性表面波フ
ィルタを構成する。
はＩＤＴ電極及びグレーティング反射器等からなる弾性
表面波素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃを形成する。これら
弾性表面波フィルタ素子は図中円形の破線で示すパッド
電極３３、３３、・・を備えており、パッド電極３３に
は入出力用のパッド電極と接地用のパッド電極がある。
弾性表面波フィルタ素子３２を形成した面を裏返しにし
てパッケージ２１内に収容し、圧電基板上のパッド電極
３３を金バンプ３４を介して、底板上の所定位置に導通
固定することにより、フリップチップ型の弾性表面波フ
ィルタを構成する。
【０００５】図２（ｂ）において例えば弾性表面波フィ
ルタ素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃをそれぞれ、８１０〜
８４３ＭＨｚ（ＲＡ帯）、８７０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ
帯（ＲＢ帯）及び１４７７ＭＨｚ〜１５０１ＭＨｚ帯
（ＲＣ帯）用のＲＦフィルタとすると携帯電話用のマル
チバンドＲＦフィルタとして機能することになる。この
例では、ＲＦフィルタ３２ａ（ＲＡ帯用）を圧電基板３
１ａ上に形成し、ＲＦフィルタ３２ｂ（ＲＢ帯用）と３
２ｃ（ＲＣ帯用）とを同一基板３１ｂ上に形成してい
る。この理由は、ＲＦフィルタ３２ａ（ＲＡ帯用）が低
い周波数帯にて広い通過帯域を必要とするのに対して、
ＲＦフィルタ３２ｂ（ＲＢ帯用）は低い周波数帯にて狭
い通過帯域を必要とするものであるため、高い周波数帯
にて動作する３２ｃ（ＲＣ帯用）とほぼ等しい電極膜厚
になることに着目し、ＲＦフィルタ３２ｂと３２ｃを同
一基板上で同一プロセスにて形成したものであって、製
造工数の低減と小型化を図ることができる。
ルタ素子３２ａ、３２ｂ、３２ｃをそれぞれ、８１０〜
８４３ＭＨｚ（ＲＡ帯）、８７０ＭＨｚ〜８８５ＭＨｚ
帯（ＲＢ帯）及び１４７７ＭＨｚ〜１５０１ＭＨｚ帯
（ＲＣ帯）用のＲＦフィルタとすると携帯電話用のマル
チバンドＲＦフィルタとして機能することになる。この
例では、ＲＦフィルタ３２ａ（ＲＡ帯用）を圧電基板３
１ａ上に形成し、ＲＦフィルタ３２ｂ（ＲＢ帯用）と３
２ｃ（ＲＣ帯用）とを同一基板３１ｂ上に形成してい
る。この理由は、ＲＦフィルタ３２ａ（ＲＡ帯用）が低
い周波数帯にて広い通過帯域を必要とするのに対して、
ＲＦフィルタ３２ｂ（ＲＢ帯用）は低い周波数帯にて狭
い通過帯域を必要とするものであるため、高い周波数帯
にて動作する３２ｃ（ＲＣ帯用）とほぼ等しい電極膜厚
になることに着目し、ＲＦフィルタ３２ｂと３２ｃを同
一基板上で同一プロセスにて形成したものであって、製
造工数の低減と小型化を図ることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにパッケージの底板上にバンプ用電極パッド２５と
リード電極２７とを形成したパッケージ２１を用いたマ
ルチバンドＲＦフィルタにおいては、リード電極２７を
引き回すに際して、底板２２上のバンプ用電極パッド２
５及び圧電基板上に形成したパッド電極３３を避けるよ
うに配置しなければならない。そのため圧電基板上に形
成する電極同士を離して形成すること、圧電基板同士を
離して実装することが必要となり、結果としてパッケー
ジがおおきくなり、マルチバンドＲＦフィルタの小型化
が実現できないという問題があった。本発明は上記問題
を解決するためになされたものであって、小型なマルチ
バンドＲＦフィルタを提供することを目的とする。
ようにパッケージの底板上にバンプ用電極パッド２５と
リード電極２７とを形成したパッケージ２１を用いたマ
ルチバンドＲＦフィルタにおいては、リード電極２７を
引き回すに際して、底板２２上のバンプ用電極パッド２
５及び圧電基板上に形成したパッド電極３３を避けるよ
うに配置しなければならない。そのため圧電基板上に形
成する電極同士を離して形成すること、圧電基板同士を
離して実装することが必要となり、結果としてパッケー
ジがおおきくなり、マルチバンドＲＦフィルタの小型化
が実現できないという問題があった。本発明は上記問題
を解決するためになされたものであって、小型なマルチ
バンドＲＦフィルタを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る弾性表面波フィルタの請求項１記載の発
明は、底板部とその周囲に形成した外壁部とを備えたパ
ッケージに、弾性表面波フィルタ素子をその表面に形成
した圧電基板を収容し、前記パッケージ開口部を蓋部材
にて封止した構造の弾性表面波フィルタにおいて、前記
底板部は絶縁体による多層構造を有し、その第１層の上
面には複数のバンプ用電極パッドと該バンプ用電極パッ
ドの周囲を所定の間隔をおいて囲むグランド電極とが配
置され、第１層にはこれを貫通し前記バンプ用電極パッ
ド及びグランド電極とそれぞれ導通するビアが備えられ
ており、第２層以降には前記ビアとそれぞれ導通するリ
ード電極が設けられており、前記バンプ用電極パッド及
びグランド電極を該リード電極により底板部の外面に設
けた端子電極と気密に接続したものであって、前記弾性
表面波フィルタ素子の電極パッドを前記バンプ用電極パ
ッドあるいはグランド電極にバンプを介してそれぞれ接
続したことを特徴とする弾性表面波フィルタである。請
求項２記載の発明は、前記圧電基板として第１及び第２
の圧電基板を収容したものであって、第１の圧電基板に
は低周波且つ広帯域の弾性表面波フィルタ素子を、第２
の圧電基板には低周波且つ狭帯域の弾性表面波フィルタ
素子と高周波且つ中帯域の弾性表面波フィルタ素子とを
形成したことを特徴とする請求項１に記載のマルチバン
ド用弾性表面波フィルタである。
に本発明に係る弾性表面波フィルタの請求項１記載の発
明は、底板部とその周囲に形成した外壁部とを備えたパ
ッケージに、弾性表面波フィルタ素子をその表面に形成
した圧電基板を収容し、前記パッケージ開口部を蓋部材
にて封止した構造の弾性表面波フィルタにおいて、前記
底板部は絶縁体による多層構造を有し、その第１層の上
面には複数のバンプ用電極パッドと該バンプ用電極パッ
ドの周囲を所定の間隔をおいて囲むグランド電極とが配
置され、第１層にはこれを貫通し前記バンプ用電極パッ
ド及びグランド電極とそれぞれ導通するビアが備えられ
ており、第２層以降には前記ビアとそれぞれ導通するリ
ード電極が設けられており、前記バンプ用電極パッド及
びグランド電極を該リード電極により底板部の外面に設
けた端子電極と気密に接続したものであって、前記弾性
表面波フィルタ素子の電極パッドを前記バンプ用電極パ
ッドあるいはグランド電極にバンプを介してそれぞれ接
続したことを特徴とする弾性表面波フィルタである。請
求項２記載の発明は、前記圧電基板として第１及び第２
の圧電基板を収容したものであって、第１の圧電基板に
は低周波且つ広帯域の弾性表面波フィルタ素子を、第２
の圧電基板には低周波且つ狭帯域の弾性表面波フィルタ
素子と高周波且つ中帯域の弾性表面波フィルタ素子とを
形成したことを特徴とする請求項１に記載のマルチバン
ド用弾性表面波フィルタである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明を図面に示した実施の
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は本発明に係る弾性表面波フィルタとパッケージ
の構成を示す図であって、同図（ａ）はパッケージの平
面図、（ｂ）は該パッケージに弾性表面波フィルタ素子
を実装したマルチバンドＲＦフィルタの平面図、（ｃ）
は同図（ｂ）のＱ−Ｑにおける断面図である。本発明に
係るパッケージ１の構造は図１（ａ）、（ｃ）に示すよ
うに、二層構造の底板部２と、該底板部２の周縁に形成
した外壁部３と、密封用の金属蓋（リッド）４から構成
されている。そして、底板部２の一層目の上面にはバン
プ用電極５、５、・・と、該電極５を除いて、該バンプ
用電極と間隙をあけて上面全体にグランド用電極６が形
成されている。
形態に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）、（ｂ）、
（ｃ）は本発明に係る弾性表面波フィルタとパッケージ
の構成を示す図であって、同図（ａ）はパッケージの平
面図、（ｂ）は該パッケージに弾性表面波フィルタ素子
を実装したマルチバンドＲＦフィルタの平面図、（ｃ）
は同図（ｂ）のＱ−Ｑにおける断面図である。本発明に
係るパッケージ１の構造は図１（ａ）、（ｃ）に示すよ
うに、二層構造の底板部２と、該底板部２の周縁に形成
した外壁部３と、密封用の金属蓋（リッド）４から構成
されている。そして、底板部２の一層目の上面にはバン
プ用電極５、５、・・と、該電極５を除いて、該バンプ
用電極と間隙をあけて上面全体にグランド用電極６が形
成されている。
【０００９】さらに、底板部２の一層目に設けたバンプ
用電極５と、二層目の上面に形成したリード電極７、
７、・・とを電気的に接続するためビア８、８、・・を
設けている。そして、二層目上に形成したリード電極７
は底板２の下面端に形成した端子電極９に気密的に接続
されている。また、外壁部３の上面周縁には抵抗溶接用
のメタライズ１０が施されている。
用電極５と、二層目の上面に形成したリード電極７、
７、・・とを電気的に接続するためビア８、８、・・を
設けている。そして、二層目上に形成したリード電極７
は底板２の下面端に形成した端子電極９に気密的に接続
されている。また、外壁部３の上面周縁には抵抗溶接用
のメタライズ１０が施されている。
【００１０】一方、圧電基板１１ａ、１１ｂの主面上に
表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極及びグレーティン
グ反射器等の矩形の破線で示す電極１２ａ、１２ｂ、１
２ｃを形成すると共に、該電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
からリード電極を延在し、圧電基板１１ａ、１１ｂ上に
設けた円形の破線で示すパッド電極１３、１３、・・に
接続する。ここで、パッド電極１３には入出力用のパッ
ド電極と接地用のパッド電極がある。電極１２ａ、１２
ｂ、１２ｃを形成した面を裏返しにしてパッケージ１１
に収容し、所定の位置に載置する。この際、バンプ用電
極５と圧電基板上のパッド電極１３の間に金バンプ１４
を挟み、接合して導通を図り、フリップチップ型の弾性
表面波フィルタを構成する。
表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極及びグレーティン
グ反射器等の矩形の破線で示す電極１２ａ、１２ｂ、１
２ｃを形成すると共に、該電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ
からリード電極を延在し、圧電基板１１ａ、１１ｂ上に
設けた円形の破線で示すパッド電極１３、１３、・・に
接続する。ここで、パッド電極１３には入出力用のパッ
ド電極と接地用のパッド電極がある。電極１２ａ、１２
ｂ、１２ｃを形成した面を裏返しにしてパッケージ１１
に収容し、所定の位置に載置する。この際、バンプ用電
極５と圧電基板上のパッド電極１３の間に金バンプ１４
を挟み、接合して導通を図り、フリップチップ型の弾性
表面波フィルタを構成する。
【００１１】本発明の特徴はパッケージの底板２を二層
とし、一層目上面にバンプ用電極を形成し、二層目上面
にバンプ用電極とパッケージの底板下面の端に設けた端
子電極とを電気的に接続するリード電極を設けることに
より、バンプ用電極とリード電極とを自由に引き回すこ
とができるようになり、パッケージの小型化が図られる
ようになった。さらに、圧電基板上に形成したパッド電
極とリード電極の接触のおそれが無くなり、パッド電極
を近接して構成することが可能となり、小型化に適した
構造となったことである。さらに、一層目にバンプ用電
極を除いて全面にグランド電極をもけることにより、減
衰量の改善がはかられたことである。
とし、一層目上面にバンプ用電極を形成し、二層目上面
にバンプ用電極とパッケージの底板下面の端に設けた端
子電極とを電気的に接続するリード電極を設けることに
より、バンプ用電極とリード電極とを自由に引き回すこ
とができるようになり、パッケージの小型化が図られる
ようになった。さらに、圧電基板上に形成したパッド電
極とリード電極の接触のおそれが無くなり、パッド電極
を近接して構成することが可能となり、小型化に適した
構造となったことである。さらに、一層目にバンプ用電
極を除いて全面にグランド電極をもけることにより、減
衰量の改善がはかられたことである。
【００１２】以上では１つのパッケージに３個のＲＦフ
ィルタを実装した例について説明したが、２個あるいは
４個のＲＦフィルタを実装したマルチバンドＲＦフィル
タに適用できることは言うまでもない。
ィルタを実装した例について説明したが、２個あるいは
４個のＲＦフィルタを実装したマルチバンドＲＦフィル
タに適用できることは言うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成した
ので、請求項１記載の発明は小型のマルチバンドＲＦフ
ィルタ用のパッケージを構成できるという優れた効果を
奏す。また、請求項２記載の発明はＰＤＣ等の携帯電話
システムに適用できるマルチバンドＲＦフィルタを小型
に構成できるという優れた効果を奏す。
ので、請求項１記載の発明は小型のマルチバンドＲＦフ
ィルタ用のパッケージを構成できるという優れた効果を
奏す。また、請求項２記載の発明はＰＤＣ等の携帯電話
システムに適用できるマルチバンドＲＦフィルタを小型
に構成できるという優れた効果を奏す。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明に係るパッケージの構造を示す
平面図、（ｂ）は弾性表面波素子を実装したマルチバン
ドＲＦの構成を示す平面図、（ｃ）は断面図である。
平面図、（ｂ）は弾性表面波素子を実装したマルチバン
ドＲＦの構成を示す平面図、（ｃ）は断面図である。
【図２】（ａ）は従来のマルチバンドＲＦ用パッケージ
の構造を示す平面図、（ｂ）は弾性表面波素子を実装し
たマルチバンドＲＦの構成を示す平面図、（ｃ）は断面
図である。
の構造を示す平面図、（ｂ）は弾性表面波素子を実装し
たマルチバンドＲＦの構成を示す平面図、（ｃ）は断面
図である。
１・・パッケージ ２・・二層の底板部 ３・・外壁部 ４・・金属蓋 ５・・バンプ用電極パッド ６・・グランド電極 ７・・リード電極 ８・・ビア ９・・端子電極 １０・・メタライズ １１ａ、１１ｂ・・圧電基板 １２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・電極 １３・・パッド電極 １４・・金バンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 底板部とその周囲に形成した外壁部とを
備えたパッケージに、弾性表面波フィルタ素子をその表
面に形成した圧電基板を収容し、前記パッケージ開口部
を蓋部材にて封止した構造の弾性表面波フィルタにおい
て、 前記底板部は絶縁体による多層構造を有し、その第１層
の上面には複数のバンプ用電極パッドと該バンプ用電極
パッドの周囲を所定の間隔をおいて囲むグランド電極と
が配置され、第１層にはこれを貫通し前記バンプ用電極
パッド及びグランド電極とそれぞれ導通するビアが備え
られており、第２層以降には前記ビアとそれぞれ導通す
るリード電極が設けられており、前記バンプ用電極パッ
ド及びグランド電極を該リード電極により底板部の外面
に設けた端子電極と気密に接続したものであって、 前記弾性表面波フィルタ素子の電極パッドを前記バンプ
用電極パッドあるいはグランド電極にバンプを介してそ
れぞれ接続したことを特徴とする弾性表面波フィルタ。 - 【請求項２】 前記圧電基板として第１及び第２の圧電
基板を収容したものであって、第１の圧電基板には低周
波且つ広帯域の弾性表面波フィルタ素子を、第２の圧電
基板には低周波且つ狭帯域の弾性表面波フィルタ素子と
高周波且つ中帯域の弾性表面波フィルタ素子とを形成し
たことを特徴とする請求項１に記載のマルチバンド用弾
性表面波フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290955A JP2002100956A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 弾性表面波フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000290955A JP2002100956A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 弾性表面波フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100956A true JP2002100956A (ja) | 2002-04-05 |
Family
ID=18774109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000290955A Pending JP2002100956A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | 弾性表面波フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002100956A (ja) |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000290955A patent/JP2002100956A/ja active Pending
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