WO2012136459A1 - Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und derart hergestelltes bauelement - Google Patents

Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und derart hergestelltes bauelement Download PDF

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particles
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matrix material
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Markus Maute
Jürgen Moosburger
Simon Jerebic
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an optoelectronic component, which comprises a semiconductor chip and a dispersed material, and such
  • the dispersed materials include, for example, a matrix material and embedded therein reflective particles. Care must be taken when applying to the semiconductor chip that the reflective particles are not on the
  • volume of the dispersed material is controlled in such a way that the surfaces not to be coated remain clean, so that no dispersed material deposits thereon.
  • the disadvantage here is that the volume of the dispersed material is limited in such a method, but disadvantageous as well as the
  • the production method according to the application is distinguished by increased process reliability and reduced process costs. It is a further object of the present application to specify a component produced in this way in which the coupling-out efficiency is increased and, at the same time, a lateral radiation emission is suppressed in an improved manner.
  • a method for producing an optoelectronic component with the following
  • Radiation generation has suitable active layer and is arranged on a carrier
  • Chip edge separates. Preferably done by the
  • the separation preferably takes place in such a way that regions of the dispersed material comprise only the matrix material and no particles, while other regions comprise the
  • Material preferably areas are formed, which consist only of the matrix material.
  • the dispersed material comprising the different regions is formed in one piece and thus becomes in one process step
  • the particles of the dispersed material are, for example, reflective particles.
  • the dispersed material comprising the particles is preferably not deposited on the chip surface, but only laterally or laterally to the semiconductor chip.
  • the reflective particles serve as a reflector of the semiconductor chip
  • Radiation emission from the device can be suppressed, so that the component radiation preferably in
  • chip edge preferably refers to an edge of a radiation exit surface of the semiconductor chip.
  • chip edge may refer to an outer boundary line, viewed in plan view of the radiation exit surface.
  • the modification may be limited to a region of the semiconductor chip that extends from the chip edge toward an inner region of the semiconductor chip, seen in plan view. Side surfaces of the semiconductor chip, in particular outside the chip edges and / or from the chip edges
  • Radiation exit surface can be free of modification.
  • the semiconductor chip is preferably an optoelectronic semiconductor chip, which allows the conversion of electronically generated data or energy in light emission or
  • the semiconductor chip is an LED, especially
  • a thin-film LED As a thin-film LED, an LED is considered within the scope of the application, during its production the growth substrate on which the semiconductor body
  • a separating edge between the dispersed material and the matrix material is formed by the modification on the chip edge.
  • the particles are retained at the separating edge.
  • the separating edge thus separates the dispersed material such that on one side of the separating edge there is only the matrix material and on the other side of the separating edge the matrix material with particles embedded therein.
  • the matrix material without particles is preferably on the chip surface
  • the dispersed material with matrix material and embedded particles and on the chip only the
  • a filter function of the particles is formed by the modification on the chip edge.
  • the chip edge therefore has a filter function for the solid constituents of the dispersion.
  • the particles are retained behind the chip edge. So is the
  • the particles are deposited on the chip edge as a result of the modification. At the chip edge so the particles are retained, causing the particles accumulate at this point. As a result, the particles deposit on the chip edge in a higher concentration, which
  • the Chip surface has little or no particles. Embedded particles are present in the remaining areas of the dispersed material, with most of the embedded particles present at the chip edge.
  • a chip surface facing away from the carrier is modified in addition to the chip edge.
  • the chip edge is selectively changed, but also the chip surface, so that the chip surface is additionally designed so that no particles adhere to it. So can be further achieved that on the
  • Chip surface for example, no reflective particles are deposited, so that not adversely reduces the radiation efficiency or changed.
  • the matrix material contains silicone and the particles T1O2.
  • the particles are accordingly
  • the carrier is part of a housing which has a cavity into which the semiconductor chip
  • the dispersed material is applied in the chip housing, wherein the material is deposited only at certain locations in the housing.
  • further semiconductor chips are formed on the carrier before the dispersed material is applied applied, which are at least partially coated with a protective layer for modification.
  • the carrier and the semiconductor chips form, for example, a semiconductor wafer, which continues in subsequent process steps
  • the protective layer is on the
  • the carrier is preferably flat
  • the protective layer is so
  • dispersions applied laterally to the wafer can not crawl onto the surfaces of the semiconductor chips and deposit there, so that no reflective particles are deposited on these surfaces.
  • a training contains the protective layer
  • Teflon Polytetrafluoroethylene, also referred to as Teflon.
  • the protective layer covers the
  • the protective layer covers this surface only partially and is applied only along the chip edge.
  • the protective layer is preferably permeable to the semiconductor chip generated during operation
  • the protective layer has a thickness of at most 100 nm or at most 50 nm or at most 25 nm.
  • the Thickness of the protective layer should be at least 1 nm or at least 5 nm or at least 10 nm.
  • the modification of the chip edge is by structuring the side facing away from the carrier
  • the structuring can be a
  • the structuring extends over the entire upper side or that the structuring extends only along the chip edge on the upper side and / or on the side surfaces.
  • the structuring is by
  • Elevations formed at the top are in particular pyramidal or truncated pyramidal.
  • the bumps are generated by etching.
  • a mean height of the elevations is preferably at least 0.5 ⁇ and / or at most 1.5 ⁇ .
  • a mean flank angle of the elevations is for example between 45 ° and 70 ° inclusive.
  • the dispersed material has an average diameter which is at least half or at least as large as the average height of the elevations. Alternatively or additionally, the average diameter is at most twice the mean height of the elevations.
  • Particles have reached the top.
  • the matrix material can reach the surface further than the particles.
  • the optoelectronic device in one embodiment, the optoelectronic
  • Component to a semiconductor chip which has a for
  • Radiation generation comprises suitable active layer and is arranged on a support. At least partially on the semiconductor chip and / or the carrier, a dispersed material is arranged.
  • the dispersed material comprises a matrix material and particles embedded therein and is integrally formed.
  • the particles of the dispersed material are reflective particles.
  • the dispersed material is divided so that matrix material is on the chip surface of the semiconductor chip while the particles are deposited on the chip edge, whereby the
  • Radiation characteristic of the device is not detrimental being affected.
  • the matrix material is applied in a common process step.
  • matrix material and material dispersed on a carrier surface are arranged on a chip surface facing away from the carrier.
  • the matrix material of the dispersed material on the support surface is integrally formed with the matrix material on the
  • the particles of the dispersed material are deposited on the chip edge.
  • the particles are not only deposited on the chip edge, but also in the dispersed material next to the semiconductor chip. However, the largest part of the particles is at this chip edge
  • Radiation emission from the device can be further suppressed.
  • Figure 1 is a schematic plan view of a
  • Figure 2A is a recording on the top of the device
  • FIG. 2B shows a diagram comprising the surface modification of the component according to the exemplary embodiment of FIG. 2A
  • FIG. 3 shows a schematic cross section of a component
  • FIG. 4 shows a flow diagram relating to an inventive device
  • Components such as layers, structures, components and areas for better representability and / or for better understanding to be shown exaggerated thick or large dimensions.
  • FIG. 1 shows a plan view of a component 10 which has a support 1 and a support 1 arranged thereon
  • Semiconductor chip 2 has.
  • the semiconductor chip 2 is for example an LED, preferably a thin-film LED.
  • the semiconductor chip 2 has a semiconductor body
  • the semiconductor material is
  • III / V semiconductor material for example, a III / V semiconductor material.
  • Semiconductor chip has a provided for generating radiation and suitable active layer.
  • the semiconductor chip 2 comprises epitaxially deposited layers which form the chip, the active layer in these layers
  • the semiconductor chip 2 has a radiation exit side, from which the largest part of the active layer
  • the radiation exit side in the present case forms a
  • the carrier 1 is for example flat,
  • the carrier 1 may be part of a housing.
  • the housing has a cavity, in which the semiconductor chip 2 is arranged.
  • the carrier 1 is part of such a housing 110th
  • Material has a matrix material 31 and therein
  • the embedded particles are, for example, reflective particles which are suitable for scattering the radiation emitted by the active layer.
  • the matrix material is, for example, silicon, the particles are, for example, Ti02 _ particles.
  • Chip edge 22 the matrix material 31 and the particles 32 on. On the chip surface 21 is only matrix material
  • Carrier surface 11 dispersed material 3 is arranged, which comprises the matrix material 31 and the particles 32.
  • the dispersed material 3 thus has two regions 3a, 3b, the first region 3a being arranged above the semiconductor chip 2 and the second region 3b being arranged next to the semiconductor chip 2.
  • the first region 3a has only matrix material without embedded particles.
  • the second region 3b has a dispensing of embedded particles in matrix material.
  • the matrix material 31 are above the semiconductor chip 2 and the matrix material 31 next to the semiconductor chip 2
  • the chip edge 22 forms a filter function for the particles
  • Semiconductor chip 2 also particles are embedded.
  • Matrix material 31 and particle 32 is due to a modification of the chip edge and the chip surface of the
  • Chip surface and chip edge can be achieved that the dispersed material separates at the edge of the chip and so a filter function for the solid component of the dispersion, so the particles formed. The particles are retained behind the chip edge and thus accumulated at this chip edge.
  • Dispersion is coated.
  • the particles of the dispersion at the chip edge in higher
  • the particles serve in the dispersed
  • Figure 2A is a section of a recording on a
  • Chip surface in the area 3a are no Ti02 _ particles arranged.
  • the chip edge 22 thus serves as a filter function for the particles 32.
  • a second region 3b forms, in which the dispersed material comprising the matrix material and the particles are arranged.
  • the matrix material over the semiconductor chip and the matrix material next to the semiconductor chip are integrally formed, so that total reflections can be avoided.
  • the semiconductor chip has a roughening which further increases the coupling-out efficiency by reducing total reflections at the interface between semiconductor chip and matrix material.
  • FIG. 2A is identical to the embodiment of FIG.
  • FIG. 2B shows a diagram in which the
  • the dashed line 22 shows the chip edge which separates the dispersed material into the first region 3a and the second region.
  • the dispersed material comprising the matrix material and the particles 32 is arranged on the left of the chip edge.
  • the matrix material is shown without particles.
  • the particles 32 are deposited to the left of the chip edge, which is based on the high deflection of the value of the
  • Modification of the chip edge and / or the chip surface can be formed so that on the modified surface or edge adhere no particles, so in this
  • FIG. 2B is in particular one
  • FIG. 3 Surface measurement of the device of Figure 2A along the lateral extent.
  • a cross section of a device 10 is shown.
  • the cross section shown in Figure 3 is for example a cross section through the device according to the embodiment of Figure 1.
  • a semiconductor chip 2 is arranged, which has a chip surface 21, which is arranged facing away from the housing ,
  • the cavity is filled with a dispersed material 3, the dispersed material due to the
  • Chip surface modification and chip edge modification has three areas.
  • the first region 3a extends over the chip surface. In this area, the dispersed material has only matrix material 31. Particles are not embedded in the matrix material in this area.
  • Ranges 3b the dispersed material with matrix material and embedded therein reflective particles, such as Ti02 _ particles on.
  • a filter function for the particles 32 of the dispersed material 3 is formed, so that the
  • Particles 32 are proportionately deposited on the chip edge 22. Due to the modification of the chip surface and the
  • Chip edge can be prevented in the manufacturing process that the particles on the chip surface come to rest and adhere.
  • the chip surface can thus be generated free of particles.
  • the device 10 emits radiation preferably in
  • This forward direction is achieved in particular by targeted reflection of the laterally emitted radiation on the particles 32.
  • FIG. 3 is substantially identical to the embodiment of FIG.
  • the semiconductor chip may not be arranged in a housing but on a planar carrier.
  • a plurality of semiconductor chips may be arranged on this planar carrier.
  • this carrier and the semiconductor chips form a wafer. The semiconductor chips can therefore be produced together on the carrier,
  • a protective layer may be applied to the semiconductor chips in such a wafer to modify the surfaces of the semiconductor chips.
  • the protective layer is designed such that it changes the surface energy of the semiconductor chips, so that the later applied dispersed material does not on the surface of the
  • the protective layer contains, for example, Teflon.
  • FIG. 4 shows a flowchart for producing a
  • a semiconductor chip which has a
  • Radiation generation has suitable active layer and is arranged on a support.
  • a plurality of semiconductor chips may be provided in the wafer composite.
  • step V 2 at least the
  • Matrix material is applied and no particles adhere, while on the unmodified surface, the dispersed material is provided with particles.
  • Chip surface retained, so that the particles do not deposit at these points. In contrast, before the modified edge or chip surface, the particles deposit frequently.
  • the dispersion of T1O2 particles and silicone separates into their constituents upon contact with the modified chip edge or chip surface.
  • the clear silicone may be on the chip surface
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these, but includes each new feature as well as each combination of features, in particular any combination of features in the

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Abstract

Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.

Description

Beschreibung
Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und derart hergestelltes Bauelement
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, das ein Halbleiterchip und ein dispergiertes Material umfasst, und ein derart
hergestelltes Bauelement.
Es ist herkömmlicherweise bekannt, dispergierte Materialien auf einen Halbleiterchip aufzubringen. Die dispergierten Materialien umfassen dabei beispielsweise ein Matrixmaterial und darin eingebettete reflektierende Partikel. Dabei ist beim Aufbringen auf den Halbleiterchip darauf zu achten, dass sich die reflektierenden Partikel nicht auf der
Chipoberfläche ablagern, um die Auskoppeleffizienz des
Halbleiterchips nicht negativ zu beeinflussen. Eine Trennung zwischen zu beschichtenden und nicht zu beschichtenden
Oberflächen werden herkömmlicherweise durch die räumlich gezielte Applikation des dispergierten Materials erreicht. Dabei wird das Volumen des dispergierten Materials derart kontrolliert, dass die nicht zu beschichtenden Oberflächen sauber bleiben, sich darauf also kein dispergiertes Material ablagert. Nachteilig hierbei ist jedoch, dass das Volumen des dispergierten Materials bei einem derartigen Verfahren begrenzt ist, womit jedoch nachteilig ebenso die
Reflektivität an den reflektierenden Partikeln des
dispergierten Materials begrenzt ist. Gleichzeitig ist die Prozesssicherheit hierbei niedrig und erfordert eine erhöhte Prozesskontrolle . Es ist Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein
Herstellungsverfahren eines optoelektronischen Bauelements anzugeben, das die oben genannten Nachteile vermeidet.
Insbesondere zeichnet sich das Herstellungsverfahren gemäß der Anmeldung durch eine erhöhte Prozesssicherheit und reduzierte Prozesskosten aus. Weiter ist es Aufgabe der vorliegenden Anmeldung, ein derart hergestelltes Bauelement anzugeben, bei dem die Auskoppeleffizienz erhöht ist und gleichzeitig eine seitliche Strahlungsemission verbessert unterdrückt wird.
Diese Aufgaben werden unter anderem durch ein
Herstellungsverfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des Herstellungsverfahrens und des Bauelements sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
In einer Aus führungs form wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit folgenden
Verfahrensschritten angegeben:
- Bereitstellen eines Halbleiterchips, der eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und au einem Träger angeordnet ist,
- Aufbringen eines dispergierten Materials zumindest
bereichsweise auf den Halbleiterchip und/oder den Träger, da ein Matrixmaterial und darin eingebettete Partikel umfasst, wobei
- vor Aufbringen des dispergierten Materials zumindest eine vom Träger abgewandte Chipkante des Halbleiterchips derart modifiziert wird, dass sich das dispergierte Material beim Aufbringen an der Chipkante zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Durch eine gezielte Veränderung der Chipkante kann erzielt werden, dass die Dispersion sich beim Kontakt mit der
Chipkante auftrennt. Vorzugsweise erfolgt durch die
Modifizierung an der Chipkante eine Trennung des
dispergierten Materials in das Matrixmaterial und die
Partikel. Damit besteht die Möglichkeit, bestimmte Flächen vom dispergierten Feststoff freizuhalten, während andere Flächen gleichzeitig mit der vollständigen Dispersion
überzogen werden.
Die Trennung erfolgt demnach bevorzugt derart, dass Bereiche des dispergierten Materials lediglich das Matrixmaterial und keine Partikel umfassen, während andere Bereiche das
dispergierte Material mit Matrixmaterial und darin
eingebettete Partikel aufweisen. In dem dispergierten
Material werden bevorzugt Bereiche ausgebildet, die lediglich aus dem Matrixmaterial bestehen. Das dispergierte Material umfassend die unterschiedlichen Bereiche ist dabei einstückig ausgebildet und wird also in einem Verfahrensschritt
gemeinsam aufgebracht.
Die Partikel des dispergierten Materials sind beispielsweise reflektierende Partikel. Das dispergierte Material umfassend die Partikel wird bevorzugt nicht an der Chipoberfläche angelagert, sondern lediglich seitlich beziehungsweise lateral zu dem Halbleiterchip. Die reflektierenden Partikel dienen dabei als Reflektor der von dem Halbleiterchip
emittierten Strahlung, wodurch sich vorteilhafterweise die Auskoppeleffizienz eines derartigen Bauelements im Betrieb erhöht. Zudem kann mit einem derart aufgebrachten
dispergierten Material die unerwünschte seitliche
Strahlungsemission aus dem Bauelement unterdrückt werden, sodass das Bauelement Strahlung vorzugsweise in
Vorwärtsrichtung emittiert.
Der Begriff Chipkante bezieht sich bevorzugt auf eine Kante einer Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips. Ebenso kann der Begriff Chipkante eine äußere Begrenzungslinie, in Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsfläche gesehen, bezeichnen. Die Modifizierung kann auf einen Bereich des Halbleiterchips beschränkt sein, der von der Chipkante hin zu einem Innenbereich des Halbleiterchips reicht, in Draufsicht gesehen. Seitenflächen des Halbleiterchips, insbesondere außerhalb der Chipkanten und/oder von den Chipkanten
ausgehend in eine Richtung weg von der
Strahlungsaustrittsfläche, können frei von der Modifizierung sein.
Der Halbleiterchip ist vorzugsweise ein optoelektronischer Halbleiterchip, der die Umwandlung von elektronisch erzeugten Daten oder Energien in Lichtemission ermöglicht oder
umgekehrt. Beispielsweise ist der optoelektronische
Halbleiterchip ein strahlungsemittierender Halbleiterchip. Bevorzugt ist der Halbleiterchip eine LED, besonders
bevorzugt eine Dünnfilm-LED. Als Dünnfilm-LED wird im Rahmen der Anmeldung eine LED angesehen, während deren Herstellung das Aufwachssubstrat, auf dem der Halbleiterkörper
epitaktisch aufgewachsen wurde, vorzugsweise vollständig abgelöst ist.
Die Abstrahlcharakteristik des Bauelements beschreibt die Winkelabhängigkeit der Lichtintensität bezogen auf die
Intensität in einer Hauptabstrahlrichtung. Die
Hauptabstrahlrichtung ist dabei die vertikale Richtung bezogen auf die laterale Ausdehnung der aktiven Schicht beziehungsweise des Halbleiterchips.
In einer Weiterbildung wird durch die Modifizierung an der Chipkante eine Trennkante zwischen dem dispergierten Material und dem Matrixmaterial ausgebildet. An der Trennkante werden insbesondere die Partikel zurückgehalten. Die Trennkante trennt das dispergierte Material demnach so auf, dass auf einer Seite der Trennkante lediglich das Matrixmaterial und auf der anderen Seite der Trennkante das Matrixmaterial mit darin eingebetteten Partikeln vorliegt. Das Matrixmaterial ohne Partikel ist vorzugsweise auf der Chipoberfläche
angeordnet. Beispielsweise ist neben dem Chip und neben der Chipkante das dispergierte Material mit Matrixmaterial und eingebetteten Partikeln und auf dem Chip lediglich das
Matrixmaterial ausgebildet.
In einer Weiterbildung wird durch die Modifizierung an der Chipkante eine Filterfunktion der Partikel ausgebildet. Die Chipkante weist demnach eine Filterfunktion für die festen Bestandteile der Dispersion auf. Dabei werden die Partikel hinter der Chipkante zurückgehalten. So besteht die
Möglichkeit, die Chipoberfläche vom dispergierten Feststoff freizuhalten, während neben dem Halbleiterchip der Träger mit der vollständigen Dispersion überzogen wird.
In einer Weiterbildung werden durch die Modifizierung die Partikel an der Chipkante abgelagert. An der Chipkante werden also die Partikel zurückgehalten, wodurch sich die Partikel an dieser Stelle anhäufen. Dadurch lagern sich die Partikel an der Chipkante in höherer Konzentration ab, was
vorteilhafterweise dazu führt, dass unerwünschte seitliche Strahlungsemission verbessert unterdrückt wird. Die Chipoberfläche weist dabei kaum oder keine Partikel auf. In den restlichen Bereichen des dispergierten Materials sind eingebettete Partikel vorhanden, wobei der größte Anteil der eingebetteten Partikel an der Chipkante vorliegt.
In einer Weiterbildung wird zusätzlich zur Chipkante eine vom Träger abgewandte Chipoberfläche modifiziert. In diesem Fall ist nicht nur die Chipkante gezielt verändert, sondern ebenfalls die Chipoberfläche, sodass die Chipoberfläche zusätzlich so ausgebildet ist, dass darauf keine Partikel anhaften. So kann weiter erzielt werden, dass auf der
Chipoberfläche keine beispielsweise reflektierenden Partikel angelagert werden, sodass sich dadurch nicht nachteilig die Strahlungseffizienz verringert beziehungsweise verändert.
In einer Weiterbildung enthalten das Matrixmaterial Silikon und die Partikel T1O2 · Die Partikel sind demnach
reflektierende Partikel, die dazu geeignet sind, die aus dem Halbleiterchip emittierte Strahlung zu streuen. Diese TiC>2_ Partikel werden dabei vorteilhafterweise nicht auf der
Chipoberfläche angelagert, sondern neben dem Halbleiterchip, wo sie vorteilhafterweise als Reflektor dienen, sodass sich die Auskoppeleffizienz erhöht und seitlich aus dem Bauelement emittierte Strahlung unterdrückt wird.
In einer Weiterbildung ist der Träger Teil eines Gehäuses, das eine Kavität aufweist, in die der Halbleiterchip
angeordnet wird. Das dispergierte Material wird dabei in dem Chipgehäuse appliziert, wobei das Material nur an bestimmten Stellen im Gehäuse angelagert wird.
In einer Weiterbildung werden auf dem Träger vor Aufbringen des dispergierten Materials weitere Halbleiterchips aufgebracht, die zur Modifizierung zumindest stellenweise mit einer Schutzschicht beschichtet werden. Der Träger und die Halbleiterchips bilden beispielsweise einen Halbleiterwafer aus, der in anschließenden Verfahrensschritten weiter
prozessiert wird. Dabei wird die Schutzschicht auf die
Halbleiterchips beispielsweise in einem gemeinsamen Verfahren aufgebracht. Der Träger ist dabei vorzugsweise eben
ausgebildet, also nicht Teil eines Gehäuses. In einer Weiterbildung wird die Schutzschicht derart
ausgebildet, dass sie die Oberflächenenergie der
Halbleiterchips derart verändert, dass das dispergierte
Material nicht auf der Oberfläche der Halbleiterchips
anhaftet. Seitlich auf den Wafer aufgebrachte Dispersionen können dabei vorteilhafterweise nicht auf die Oberflächen der Halbleiterchips kriechen und sich dort ablagern, sodass auf diesen Oberflächen keine reflektierenden Partikel abgelagert werden . In einer Weiterbildung enthält die Schutzschicht
Polytetrafluorethylen, auch als Teflon bezeichnet.
In einer Weiterbildung bedeckt die Schutzschicht die
Oberfläche des Halbleiterchips, die dem Träger abgewandt ist, vollständig. Ebenso ist es möglich, dass die Schutzschicht diese Oberfläche nur zum Teil bedeckt und nur entlang der Chipkante aufgebracht ist. Die Schutzschicht ist bevorzugt durchlässig für vom Halbleiterchip im Betrieb erzeugte
Strahlung .
In einer Aus führungs form weist die Schutzschicht eine Dicke von höchstens 100 nm oder von höchstens 50 nm oder von höchstens 25 nm auf. Alternativ oder zusätzlich kann die Dicke der Schutzschicht mindestens 1 nm oder mindestens 5 nm oder mindestens 10 nm betragen.
In einer Aus führungs form ist die Modifizierung der Chipkante durch eine Strukturierung der dem Träger abgewandten
Oberseite des Halbleiterchips und/oder von Seitenflächen des Halbleiterchips, die quer zu der Oberseite orientiert sind, realisiert. Bei der Strukturierung kann es sich um eine
Aufrauung der Oberseite und/oder der Seitenflächen handeln. Es ist möglich, dass die Strukturierung sich über die gesamte Oberseite hinweg erstreckt oder dass die Strukturierung sich nur entlang der Chipkante an der Oberseite und/oder an den Seitenflächen erstreckt.
In einer Aus führungs form ist die Strukturierung durch
Erhebungen an der Oberseite gebildet. Die Erhebungen sind insbesondere pyramidenförmig oder pyramidenstumpfförmig . Zum Beispiel sind die Erhebungen mittels Ätzen erzeugt. Eine mittlere Höhe der Erhebungen beträgt bevorzugt mindestens 0,5 μπι und/oder höchstens 1,5 μπι. Ein mittlerer Flankenwinkel der Erhebungen liegt beispielsweise zwischen einschließlich 45° und 70° .
In einer Aus führungs form weisen die Partikel des
dispergierten Materials einen mittleren Durchmesser auf, der mindestens halb so groß oder mindestens so groß ist wie die mittlere Höhe der Erhebungen. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Durchmesser bei höchstens dem Doppelten der mittleren Höhe der Erhebungen. Durch solche Erhebungen, im Zusammenspiel mit solchen Partikeln, ist eine Art Kamm oder Filter realisierbar, in dem die Partikel, insbesondere nur die Partikel, hängen bleiben. In einer Aus führungs form gelangen die Partikel, in Draufsicht gesehen von der Chipkante aus und hin zu einer Mitte der Oberseite des Halbleiterchips, höchstens bis zu 50 μπι oder höchstens bis zu 20 μπι oder höchstens bis zu 10 μπι auf die Oberseite. Dies schließt nicht aus, dass ein
vernachlässigbarer Anteil der Partikel, beispielsweise höchstens 1 %, auch weiter auf die Oberseite gelangt. Ebenso kann die Oberseite, in Draufsicht gesehen, frei von den
Partikeln sein, sodass keine oder im Wesentlichen keine
Partikel auf die Oberseite gelangt sind. Das Matrixmaterial kann weiter auf die Oberfläche gelangen als die Partikel.
In einer Aus führungs form weist das optoelektronische
Bauelement einen Halbleiterchip auf, der eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht umfasst und auf einem Träger angeordnet ist. Zumindest bereichsweise auf dem Halbleiterchip und/oder dem Träger ist ein dispergiertes Material angeordnet. Das dispergierte Material umfasst ein Matrixmaterial und darin eingebettete Partikel und ist einstückig ausgebildet. An einer Chipkante des
Halbleiterchips ist eine Trennkante zwischen dem
dispergierten Material und dem Matrixmaterial ausgebildet.
Die in Verbindung mit dem Herstellungsverfahren genannten Merkmale und Vorteile gelten auch für das Bauelement und umgekehrt .
Die Partikel des dispergierten Materials sind reflektierende Partikel. An der Trennkante wird das dispergierte Material so aufgeteilt, dass sich Matrixmaterial auf der Chipoberfläche des Halbleiterchips befindet, während die Partikel an der Chipkante abgelagert werden, wodurch die
Abstrahlcharakteristik des Bauelements nicht nachteilig beeinflusst wird. Zudem wird vorteilhafterweise durch die zum Chip lateral angeordneten Partikel eine seitliche
Auskoppelstrahlung unterdrückt. In einer Weiterbildung ist das Matrixmaterial über die
Trennkante hinweg einstückig ausgebildet. Beispielsweise wird das Matrixmaterial in einem gemeinsamen Verfahrensschritt aufgebracht . In einer Weiterbildung ist auf einer vom Träger abgewandten Chipoberfläche Matrixmaterial und auf einer Trägeroberfläche dispergiertes Material angeordnet. Das Matrixmaterial des dispergierten Materials auf der Trägeroberfläche ist dabei einstückig ausgebildet mit dem Matrixmaterial auf der
Chipoberfläche, sodass keine nachteiligen
Totalreflexionseffekte zwischen Matrixmaterial der
Chipoberfläche und dispergiertes Material der
Trägeroberfläche auftreten. Dadurch wird vorteilhafterweise eine Rückreflexion der Strahlung in den Halbleiterchip vermindert, wodurch sich weiter vorteilhafterweise die
Auskoppeleffizienz erhöht.
In einer Weiterbildung sind an der Chipkante die Partikel des dispergierten Materials abgelagert. Dabei sind die Partikel nicht nur an der Chipkante abgelagert, sondern auch im dispergierten Material neben dem Halbleiterchip. Der größte Anteil der Partikel jedoch wird an dieser Chipkante
abgelagert, wodurch vorteilhafterweise die seitliche
Strahlungsemission aus dem Bauelement weiter unterdrückt werden kann.
Weitere Vorteile und vorteilhafte Weiterbildungen der
Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 4 beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen :
Figur 1 eine schematische Aufsicht auf ein
Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen
Bauelements ,
Figur 2A eine Aufnahme auf die Aufsicht des Bauelements
gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1,
Figur 2B ein Diagramm umfassend die Oberflächenmodifikation des Bauelements gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 2A, Figur 3 einen schematischen Querschnitt eines
Ausführungsbeispiels eines erfindungsgemäßen
Bauelements, und
Figur 4 ein Flussdiagramm betreffend ein erfindungsgemäßes
Herstellungsverfahren eines Bauelements.
In den Figuren können gleiche oder gleich wirkende
Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Bestandteile und deren
Größenverhältnisse untereinander sind nicht als
maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können einzelne
Bestandteile, wie beispielsweise Schichten, Strukturen, Komponenten und Bereiche zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.
In Figur 1 ist eine Aufsicht auf ein Bauelement 10 gezeigt, das einen Träger 1 und einen darauf angeordneten Halbleiterchip 2 aufweist. Der Halbleiterchip 2 ist beispielsweise eine LED, vorzugsweise eine Dünnfilm-LED .
Der Halbleiterchip 2 weist einen Halbleiterkörper aus
Halbleitermaterial auf. Das Halbleitermaterial ist
beispielsweise ein III/V-Halbleitermaterial . Der
Halbleiterchip weist eine zur Strahlungserzeugung vorgesehene und geeignete aktive Schicht auf. Der Halbleiterchip 2 umfasst epitaktisch abgeschiedene Schichten, die den Chip bilden, wobei die aktive Schicht in diesen Schichten
integriert ist.
Der Halbleiterchip 2 weist eine Strahlungsaustrittsseite auf, aus die der größte Teil der in der aktiven Schicht
emittierten Strahlung aus dem Chip ausgekoppelt wird. Die Strahlungsaustrittsseite bildet vorliegend eine
Chipoberfläche 21, die in dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 in Aufsicht dargestellt ist. Der Träger 1 ist beispielsweise eben ausgebildet,
vorzugsweise eine Trägerplatte. Alternativ kann der Träger 1 Teil eines Gehäuses sein. In diesem Fall weist das Gehäuse eine Kavität auf, in die der Halbleiterchip 2 angeordnet ist. Im Ausführungsbeispiel der Figur 1 ist der Träger 1 Teil eines derartigen Gehäuses 110.
In der Kavität des Gehäuses ist dispergiertes Material eingebracht, das die Kavität auffüllt. Das dispergierte
Material weist dabei ein Matrixmaterial 31 und darin
eingebettete Partikel 32 auf. Die eingebetteten Partikel sind beispielsweise reflektierende Partikel, die geeignet sind, die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung zu streuen. Das Matrixmaterial ist beispielsweise Silikon, die Partikel sind beispielsweise Ti02_Partikel .
An einer Chipkante 22 des Halbleiterchips 2 ist eine
Trennkante zwischen dem dispergierten Material 3 und dem Matrixmaterial 31 ausgebildet. Insbesondere trennt die
Chipkante 22 das Matrixmaterial 31 und die Partikel 32 auf. Auf der Chipoberfläche 21 ist dabei lediglich Matrixmaterial
31 angeordnet, während neben dem Chip 2 auf einer
Trägeroberfläche 11 dispergiertes Material 3 angeordnet ist, das das Matrixmaterial 31 und die Partikel 32 umfasst. Das dispergierte Material 3 weist somit zwei Bereiche 3a, 3b auf, wobei der erste Bereich 3a oberhalb des Halbleiterchips 2 und der zweite Bereich 3b neben dem Halbleiterchip 2 angeordnet ist. Der erste Bereich 3a weist lediglich Matrixmaterial ohne eingebettete Partikel auf. Der zweite Bereich 3b weist eine Dispension von eingebetteten Partikeln in Matrixmaterial auf. Dabei sind das Matrixmaterial 31 über dem Halbleiterchip 2 und das Matrixmaterial 31 neben dem Halbleiterchip 2
einstückig ausgebildet.
Die Chipkante 22 bildet eine Filterfunktion für die Partikel
32 aus. Dabei lagern sich eine Vielzahl von Partikeln 32 direkt an der Chipkante 22 ab, wobei im restlichen
Matrixmaterial des dispergierten Materials neben dem
Halbleiterchip 2 ebenfalls Partikel eingebettet sind.
Die Auftrennung des dispergierten Materials 3 in
Matrixmaterial 31 und Partikel 32 erfolgt aufgrund einer Modifizierung der Chipkante und der Chipoberfläche des
Halbleiterchips. Durch eine gezielte Veränderung der
Chipoberfläche und Chipkante kann erzielt werden, dass das dispergierte Material sich an der Chipkante auftrennt und so eine Filterfunktion für den festen Bestandteil der Dispersion, also der Partikel, ausbildet. Dabei werden die Partikel hinter der Chipkante zurückgehalten und damit an dieser Chipkante angehäuft.
Ein Vorteil der Anwendung besteht in der Möglichkeit, die Chipoberfläche von Partikeln freizuhalten, während die
Trägeroberfläche gleichzeitig mit der vollständigen
Dispersion überzogen ist. Zudem besteht die Möglichkeit, die Partikel der Dispersion an der Chipkante in höherer
Konzentration anzulagern. Dadurch kann erzielt werden, dass die Partikel nur an den Stellen des Bauelements angelagert werden, an denen eine derartige Anlagerung erwünscht ist. Dadurch kann beispielsweise eine Reflexion der von der aktiven Schicht emittierten Strahlung an den Partikeln über der Chipoberfläche verhindert werden, wodurch sich
vorteilhafterweise die Auskoppeleffizienz erhöht.
Gleichzeitig dienen die Partikel in dem dispergierten
Material neben dem Halbleiterchip als Reflektor, wodurch die von der aktiven Schicht emittierte Strahlung an den Partikeln in Richtung Strahlungsauskoppelseite reflektiert werden kann. Zudem wird vorteilhafterweise durch eine derartige Anordnung der Partikel die seitliche Emission von Strahlung aus dem Bauelement unterdrückt. Diese Unterdrückung wird durch die höhere Konzentration der Partikel an der Chipkante weiter verbessert .
In Figur 2A ist ein Ausschnitt einer Aufnahme auf ein
Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1
dargestellt. Hierbei bildet sich an der Chipkante 22 eine erhöhte Konzentration der Ti02_Partikel 32 aus. Auf der
Chipoberfläche im Bereich 3a sind dabei keine Ti02_Partikel angeordnet. Die Chipkante 22 dient demnach als Filterfunktion für die Partikel 32. Neben dem Halbleiterchip bildet sich ein zweiter Bereich 3b aus, in dem das dispergierte Material umfassend das Matrixmaterial und die Partikel angeordnet sind. Das Matrixmaterial über dem Halbleiterchip und das Matrixmaterial neben dem Halbleiterchip sind dabei einstückig ausgebildet, sodass Totalreflexionen vermieden werden können.
Der Halbleiterchip weist in dem Ausführungsbeispiel der Figur 2A eine Aufrauung auf, die die Auskoppeleffizienz weiter erhöht, indem Totalreflexionen an der Grenzfläche zwischen Halbleiterchip und Matrixmaterial reduziert werden.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 2A mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein.
In Figur 2B ist ein Diagramm gezeigt, in dem die
Oberflächenstrukturierung dargestellt ist. Mittels der gestrichelten Linie 22 ist die Chipkante gezeigt, die das dispergierte Material in den ersten Bereich 3a und den zweiten Bereich trennt. Links von der Chipkante ist das dispergierte Material umfassend das Matrixmaterial und die Partikel 32 angeordnet. Rechts von der Chipkante ist das Matrixmaterial ohne Partikel gezeigt. Wie dem Diagramm zu entnehmen ist, sind links neben der Chipkante die Partikel 32 angelagert, was anhand des hohen Ausschlags des Wertes der
Oberfläche gezeigt ist. Rechts von der Chipkante dagegen sind keine Ti02_Partikel angelagert. Die Ausschläge auf dieser Seite basieren auf der Oberflächenrauigkeit 23 der
Chipoberfläche. Diese Aufraustrukturen 23 weisen jedoch eine weitaus geringere Höhe auf als die Ti02_Partikel . Dieses Diagramm zeigt demnach, dass das Matrixmaterial durch
Modifizierung der Chipkante und/oder der Chipoberfläche so ausgebildet werden kann, dass an der modifizierten Oberfläche oder Kante keine Partikel anhaften, sodass in diesen
Bereichen das Bauelement frei von reflektierenden Partikeln ist. Die restlichen Bereiche dagegen weisen die
reflektierenden Partikel eingebettet im Matrixmaterial auf.
Das Diagramm der Figur 2B ist insbesondere eine
Oberflächenmessung des Bauelements der Figur 2A entlang der lateralen Ausdehnung. In dem Ausführungsbeispiel der Figur 3 ist ein Querschnitt eines Bauelements 10 gezeigt. Der in Figur 3 dargestellte Querschnitt ist beispielsweise ein Querschnitt durch das Bauelement gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figur 1. In einem Gehäuse, insbesondere in einer Kavität des Gehäuses, ist ein Halbleiterchip 2 angeordnet, der eine Chipoberfläche 21 aufweist, die von dem Gehäuse abgewandt angeordnet ist. Die Kavität ist mit einem dispergierten Material 3 gefüllt, wobei das dispergierte Material aufgrund der
Chipoberflächenmodifizierung und Chipkantenmodifizierung drei Bereiche aufweist. Der erste Bereich 3a erstreckt sich über die Chipoberfläche. In diesem Bereich weist das dispergierte Material lediglich Matrixmaterial 31 auf. Partikel sind in dem Matrixmaterial in diesem Bereich nicht eingebettet.
Lateral neben dem Halbleiterchip 2 weisen die weiteren
Bereiche 3b das dispergierte Material mit Matrixmaterial und darin eingebetteten reflektierenden Partikeln, beispielsweise Ti02_Partikel , auf. An der Chipkante 22 beziehungsweise an den Chipkanten 22 ist eine Filterfunktion für die Partikel 32 des dispergierten Materials 3 ausgebildet, sodass die
Partikel 32 anteilig an der Chipkante 22 abgelagert werden. Aufgrund der Modifizierung der Chipoberfläche und der
Chipkante kann im Herstellungsprozess verhindert werden, dass die Partikel auf der Chipoberfläche zum Liegen kommen und anhaften. Die Chipoberfläche kann somit frei von Partikeln erzeugt werden. Das Bauelement 10 emittiert Strahlung vorzugsweise in
Vorwärtsrichtung, wie in Figur 3 mittels eines Pfeils
dargestellt. Diese Vorwärtsrichtung kommt insbesondere durch gezielte Reflexion der seitlich emittierten Strahlung an den Partikeln 32 zustande.
Im Übrigen stimmt das Ausführungsbeispiel der Figur 3 im Wesentlichen mit dem Ausführungsbeispiel der Figur 1 überein.
Alternativ zu den Ausführungsbeispielen der Figuren 1 bis 3 kann der Halbleiterchip nicht in einem Gehäuse, sondern auf einem ebenen Träger angeordnet sein. Zudem ist es möglich, dass eine Mehrzahl von Halbleiterchips auf diesen ebenen Träger angeordnet sind. Beispielsweise bilden dieser Träger und die Halbleiterchips einen Wafer. Die Halbleiterchips können demnach gemeinsam auf dem Träger hergestellt,
insbesondere abgeschieden worden sein. Um bei einem
derartigen Wafer die Oberflächen der Halbleiterchips zu modifizieren, kann beispielsweise eine Schutzschicht auf die Halbleiterchips aufgebracht werden. Die Schutzschicht ist dabei derart ausgebildet, dass sie die Oberflächenenergie der Halbleiterchips verändert, sodass das später aufzubringende dispergierte Material nicht auf der Oberfläche der
Halbleiterchips anhaftet, sodass in diesen Bereichen keine reflektierenden Partikel angeordnet werden. Die Schutzschicht enthält beispielsweise Teflon.
In Figur 4 ist ein Flussdiagramm zum Herstellen eines
beispielsweise wie in den Figuren 1 bis 3 gezeigten Bauelements dargestellt. Im Verfahrensschritt Vi wird ein Halbleiterchip bereitgestellt, der eine zur
Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger angeordnet ist. Alternativ können eine Mehrzahl von Halbleiterchips im Waferverbund bereitgestellt werden.
Im Verfahrensschritt V2 wird anschließend zumindest die
Chipkante oder zusätzlich auch die Chipoberfläche des
Halbleiterchips oder der Halbleiterchips derart modifiziert, dass sich ein nachfolgend aufzubringendes dispergiertes
Material an dieser modifizierten Kante oder Oberfläche in seine Bestandteile auftrennt. Dabei erfolgt die Trennung so, dass auf der modifizierten Oberfläche lediglich
Matrixmaterial aufgebracht wird und keine Partikel Anhaftung finden, während auf der nichtmodifizierten Oberfläche das dispergierte Material mit Partikeln bereitgestellt wird.
Anschließend im Verfahrensschritt V3 wird das dispergierte Material auf dem Halbleiterchip und/oder dem Träger
aufgebracht. Dabei werden die Partikel des dispergierten Materials hinter der modifizierten Chipkante oder
Chipoberfläche zurückgehalten, womit sich die Partikel an diesen Stellen nicht ablagern. Vor der modifizierten Kante oder Chipoberfläche dagegen lagern sich die Partikel gehäuft ab. Beispielsweise trennt sich die Dispersion aus T1O2- Partikeln und Silikon beim Kontakt mit der modifizierten Chipkante oder Chipoberfläche in ihre Bestandteile auf. Dabei kann sich das klare Silikon auf der Chipoberfläche
ausbreiten, während sich die Ti02_Partikel an der Chipkante ablagern.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den
Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Merkmale oder diese Kombinationen selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben sind.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2011 016 567.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) mit folgenden Verfahrensschritten ( Vi , V2, V3) :
- Bereitstellen eines Halbleiterchips (2), der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist,
- Aufbringen eines dispergierten Materials (3) zumindest bereichsweise auf den Halbleiterchip (2) und/oder den
Träger (1), das ein Matrixmaterial (31) und darin
eingebettete Partikel (32) umfasst, wobei
vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) zumindest eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des
Halbleiterchips (2) derart modifiziert wird, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt .
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei
sich durch die Modifizierung an der Chipkante (22) das dispergierte Material (3) in das Matrixmaterial (31) und die Partikel (32) auftrennt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei
durch die Modifizierung an der Chipkante (22) eine
Trennkante zwischen dem dispergierten Material (3) und Matrixmaterial (31) ausgebildet wird.
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
durch die Modifizierung an der Chipkante (22) eine
Filterfunktion der Partikel (32) ausgebildet wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
durch die Modifizierung die Partikel (32) an der
Chipkante (22) abgelagert werden.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
zusätzlich eine vom Träger (1) abgewandte Chipoberfläche (21) modifiziert wird.
7. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
das Matrixmaterial (31) Silikon und die Partikel (32) Ti02 enthalten.
8. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
der Träger (1) Teil eines Gehäuses ist, das eine Kavität aufweist, in die der Halbleiterchip (2) angeordnet wird.
9. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei
auf dem Träger (1) vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) weitere Halbleiterchips (2) aufgebracht werden, die zur Modifizierung zumindest stellenweise mit einer Schutzschicht beschichtet werden.
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei
die Schutzschicht derart ausgebildet wird, dass sie die
Oberflächenenergie der Halbleiterchips (2) verändert, sodass das dispergierte Material (3) nicht auf der
Chipoberfläche (21) anhaftet.
11. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, wobei
die Schutzschicht Polytetrafluorethylen enthält oder hieraus besteht.
12. Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem
Halbleiterchips (2), der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist, wobei
- zumindest bereichsweise auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) ein dispergiertes Material (3) angeordnet ist, das ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32) umfasst und einstückig
ausgebildet ist, und
- an einer Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) eine Trennkante zwischen dem dispergierten Material (3) und Matrixmaterial (31) ausbildet ist.
13. Bauelement nach Anspruch 12, wobei
das Matrixmaterial (31) über die Trennkante hinweg einstückig ausgebildet ist.
14. Bauelement nach Anspruch 12 oder 13, wobei
auf einer vom Träger (1) abgewandten Chipoberfläche (21) Matrixmaterial (31) und auf einer Trägeroberfläche (11) dispergiertes Material (3) angeordnet ist.
15. Bauelement nach einem der vorherigen Ansprüche 12 bis 14, wobei
an der Chipkante (22) die Partikel (32) des dispergierten Materials (3) abgelagert sind.
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