WO2012115203A1 - アーク式蒸発源 - Google Patents

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magnet
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信一 谷藤
山本 兼司
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Definitions

  • the present invention relates to an arc evaporation source of a film forming apparatus for forming a thin film such as a ceramic film such as a nitride and an oxide or an amorphous carbon film, which is used for improving wear resistance of a machine part or the like. .
  • a physical vapor deposition method in which a thin film is coated on the surface of the parts and tool base materials has been widely used. ing.
  • an arc ion plating method and a sputtering method are widely known.
  • the arc ion plating method is a technique using a cathode discharge type arc evaporation source.
  • a cathode discharge arc evaporation source (hereinafter referred to as an arc evaporation source) generates an arc discharge on the surface of a target that is a cathode, and instantaneously dissolves and evaporates a substance constituting the target to ionize it.
  • the arc evaporation source draws the substance ionized by the arc discharge to the substrate side that is the object to be processed, and forms a thin film on the substrate surface.
  • the evaporation rate of the target is high and the ionization rate of the evaporated substance is high, so that a dense film can be formed by applying a bias to the substrate during film formation.
  • arc evaporation sources are used industrially for the purpose of forming a wear-resistant film on the surface of a cutting tool or the like.
  • the atoms constituting the target evaporated by arc discharge are highly ionized and ionized in the arc plasma.
  • the transport of ions from the target toward the substrate is affected by the magnetic field between the target and the substrate, and the trajectory is along the magnetic field lines from the target toward the substrate.
  • the arc discharge generated between the cathode (target) and the anode when the target evaporates around the electron emission point (arc spot) on the cathode side, the melted target (macroparticle) before evaporation It may be emitted from the vicinity of the spot.
  • the adhesion of the macro particles to the object to be processed causes a reduction in the surface roughness of the thin film.
  • Patent Document 1 discloses a vacuum arc evaporation source that applies a magnetic field perpendicular to the surface of a target by providing a ring-shaped magnetic field generation source around the target. Patent Document 1 describes that, according to this vacuum arc evaporation source, the movement of the arc spot becomes high speed and the generation of molten particles can be suppressed.
  • Patent Document 2 discloses an arc evaporation source in which a magnet is disposed on the back surface of a cathode.
  • Patent Document 3 discloses an outer peripheral magnet that surrounds the outer periphery of the target and whose magnetization direction is perpendicular to the surface of the target, and a direction in which the polarity is the same as that of the outer peripheral magnet and the magnetization direction is orthogonal to the surface of the target. And an arc evaporation source with a back magnet along the line. Patent Document 3 describes that, according to this arc evaporation source, the straightness of magnetic lines of force can be improved.
  • Patent Document 4 discloses an arc evaporation apparatus that forms a magnetic field parallel to the surface of a target by a ring-shaped magnet arranged around the target and a back electromagnetic coil. Patent Document 4 describes that according to this arc evaporation apparatus, induction of an arc according to any track from the center of the target to the outer edge thereof is achieved.
  • the vacuum arc evaporation source disclosed in Patent Document 1 applies a magnetic field to the target surface only from the periphery of the target, the magnetic field becomes weak near the center of the target surface. When discharging near the center where the magnetic field is weakened in this way, a large amount of macro particles are emitted. Such a technique in which the magnetic field becomes weak near the center is difficult to apply to an evaporation source using a large target. Further, since the magnetic lines of force from the surface of the target do not extend toward the substrate, it is not possible to efficiently guide the evaporated and ionized target substance toward the substrate. In order to avoid this problem, it is conceivable to increase the current value added to the ring-shaped magnetic field generation source.
  • a strong magnetic field can be applied to the surface of the cathode by the magnet on the back surface of the cathode, but the lines of magnetic force go from the center of the surface of the cathode to the outer periphery (outside). Stretching in the direction (diverging).
  • the arc spot tends to move in the direction in which the magnetic lines of force fall. Therefore, the arc spot moves to the outer peripheral portion during discharge and the discharge becomes unstable, and local discharge occurs only in the outer peripheral portion.
  • the magnetic lines of force from the target do not extend toward the base material, the ionized target material cannot be efficiently guided to the base material.
  • the arc evaporation source disclosed in Patent Document 3 generates magnetic lines of force in the direction from the surface of the target toward the base material by two disc magnets arranged at intervals on the back surface of the target. These two disc magnets can generate magnetic lines of high linearity at the center. However, the lines of magnetic force emitted from the outer peripheral side of the center part diverge outward with respect to the axis of the disc magnet. Since this is an unavoidable phenomenon as a general magnet characteristic, there is room for further improvement in order to efficiently guide the ionized target material toward the substrate.
  • an object of the present invention is to make the gradient of the magnetic lines of force on the surface of the target vertical, or to make the gradient of the magnetic lines of force on the surface of the target in a direction from the outer periphery of the cathode surface toward the center (inner side).
  • an arc type evaporation source capable of controlling the magnetic field lines.
  • an arc evaporation source comprises: At least one of a ring-shaped outer peripheral magnet arranged on the outer peripheral side of the target and a rear magnet installed on the rear side of the target, By installing one of the outer peripheral magnet and the back magnet so as to have a polarity that is a magnetization direction parallel to the front surface of the target, the direction of the lines of magnetic force passing through the evaporation surface of the target is the evaporation surface. It is characterized by being substantially perpendicular to.
  • the arc evaporation source is: A ring-shaped outer peripheral magnet; A ring-shaped magnetic field generating mechanism, The magnetization direction of the outer peripheral magnet is along the radial direction, The outer peripheral magnet is disposed so as to surround the outer periphery of the target so that the magnetization direction of the outer peripheral magnet is along a direction parallel to the front surface of the target, The magnetic field generation mechanism is disposed in front of the target so that an axis of the magnetic field generation mechanism is along a direction substantially perpendicular to the front surface of the target, and generates a magnetic field that is substantially perpendicular to the front surface of the target. It is characterized by that.
  • the arc evaporation source is A ring-shaped outer peripheral magnet; A ring-shaped magnetic field generating mechanism, The magnetization direction of the outer peripheral magnet is along the radial direction, The outer periphery magnet is installed so that the front end of the outer periphery magnet is located behind the rear surface of the target so that the magnetization direction of the outer periphery magnet is parallel to the front surface of the target.
  • the magnetic field generation mechanism is disposed in front of the target so that an axis of the magnetic field generation mechanism is along a direction substantially perpendicular to the front surface of the target, and generates a magnetic field that is substantially perpendicular to the front surface of the target. It is characterized by that.
  • the arc evaporation source is A ring-shaped outer peripheral magnet; A back magnet, and
  • the outer peripheral magnet is arranged so as to surround the outer periphery of the target so that the magnetization direction of the outer peripheral magnet is along a direction parallel to the front surface of the target,
  • the back magnet is arranged on the back side of the target so that the magnetization direction of the back magnet is along a direction orthogonal to the front surface of the target,
  • the magnetic pole on the radially inner side of the outer peripheral magnet and the magnetic pole on the target side of the back magnet have the same polarity.
  • the arc evaporation source is A ring-shaped outer peripheral magnet; A back magnet, A ring-shaped magnetic field generating mechanism,
  • the outer peripheral magnet is arranged behind the rear surface of the target so that the magnetization direction of the outer peripheral magnet is along a direction parallel to the front surface of the target,
  • the back magnet is arranged so that the magnetization direction of the back magnet is along a direction perpendicular to the front surface of the target,
  • the magnetic pole on the radially inner side of the outer peripheral magnet and the magnetic pole on the target side of the back magnet have the same polarity
  • the magnetic field generation mechanism is disposed in front of the target so as to generate a magnetic field in the same direction as the back magnet and pass magnetic lines passing through the front surface of the target inward in the radial direction of the magnetic field generation mechanism. It is characterized by that.
  • the arc evaporation source is A ring-shaped outer peripheral magnet; A ring-shaped back magnet, and
  • the outer peripheral magnet is disposed so as to surround the outer peripheral side of the target, has a polarity that is along the direction orthogonal to the front surface of the target and has a magnetization direction facing front or rear
  • the back magnet is disposed on the back side of the target, has an inner diameter greater than or equal to the size of the target, and has a polarity that is a magnetization direction parallel to the front surface of the target,
  • the magnetization direction of the outer peripheral magnet faces forward, the magnetization direction of the rear magnet faces the inner side in the radial direction of the rear magnet,
  • the magnetization direction of the outer peripheral magnet faces rearward, the magnetization direction of the rear magnet faces the radially outer side of the rear magnet.
  • the magnetic force between the target and the substrate is strengthened, and the gradient of the magnetic force lines on the target surface is made vertical, or from the outer periphery of the cathode surface to the center side (inside ) In the direction toward the
  • the inclination of the magnetic field lines on the target surface can be controlled to be vertical or to be directed from the outer periphery of the cathode surface toward the center side (inner side). .
  • magnetic lines of high straightness extending from the target surface toward the base material can be generated in a wide area of the target surface.
  • FIG. It is a figure which shows schematic structure of the arc type evaporation source which concerns on 1st Embodiment of 1st invention. It is a figure which shows the magnetic force line distribution of the arc type evaporation source by a prior art example. It is a figure which shows the magnetic force line distribution of the arc evaporation source by the example of 1st invention. It is a figure which shows schematic structure of the modification of the arc type evaporation source which concerns on embodiment of 1st invention.
  • FIG. It is a figure which shows schematic structure of the arc type evaporation source which concerns on 1st Embodiment of 2nd invention. It is a figure which shows schematic structure of the arc evaporation source which concerns on 2nd Embodiment of 2nd invention. It is a figure which shows schematic structure of the arc evaporation source which concerns on 3rd Embodiment of 2nd invention. It is a figure which shows the magnetic force line distribution of the arc type evaporation source by a prior art example.
  • FIG. 1 shows a film forming apparatus 6 including an arc evaporation source 1 (hereinafter referred to as an evaporation source 1) according to the first embodiment.
  • the film forming apparatus 6 includes a chamber 11, in which a turntable 12 that supports a base material 7 that is an object to be processed and an evaporation source 1 attached to the base material 7 are disposed. ing.
  • the chamber 11 is provided with a gas inlet 13 for introducing a reaction gas into the chamber 11 and a gas exhaust port 14 for discharging the reaction gas from the chamber 11.
  • the film forming apparatus 6 includes an arc power source 15 that applies a negative bias to a target 2 (described later) of the evaporation source 1 and a bias power source 16 that applies a negative bias to the substrate 7.
  • the positive side of the arc power supply 15 and the bias power supply 16 is grounded to the ground 18.
  • the evaporation source 1 includes a disk-shaped target 2 having a predetermined thickness arranged so that the evaporation surface faces the substrate 7, and a magnetic field forming means 8 arranged in the vicinity of the target 2.
  • the term “disc shape” includes a cylindrical shape having a predetermined height.
  • the magnetic field forming means 8 can be composed of the outer peripheral magnet 3.
  • the chamber 11 functions as an anode. With such a configuration, the evaporation source 1 functions as a cathode discharge type arc evaporation source.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the evaporation source 1 according to the present embodiment.
  • the evaporation source 1 includes the disk-shaped target 2 having a predetermined thickness and the magnetic field forming means 8 disposed in the vicinity of the target 2.
  • the surface facing the substrate 7 side (the substrate direction indicated by the white arrow) that becomes the evaporation surface of the target 2 is “front surface”, and the surface facing the opposite side (the direction opposite to the substrate) is This is called “rear surface” (see FIGS. 1 and 2).
  • the target 2 is made of a material selected according to the thin film to be formed on the base material 7.
  • the material include metal materials such as chromium (Cr), titanium (Ti), and titanium aluminum (TiAl), and ionizable materials such as carbon (C).
  • the magnetic field forming means 8 has an electromagnetic coil 9 as a magnetic field generating mechanism and a ring-shaped (annular or donut-shaped) outer peripheral magnet 3 disposed so as to surround the outer periphery of the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 is composed of a permanent magnet formed of a neodymium magnet having a high coercive force.
  • the electromagnetic coil 9 is a ring-shaped solenoid that generates a magnetic field in a direction perpendicular to the front surface (evaporation surface) of the target 2.
  • the electromagnetic coil 9 has a number of turns of about several hundred times (for example, 410 times) and is wound so as to be a coil having a diameter slightly larger than the diameter of the target 2.
  • the electromagnetic coil 9 generates a magnetic field with a current of about 2000 A ⁇ T to 5000 A ⁇ T.
  • the electromagnetic coil 9 is provided on the front side of the target 2, and the projection of the electromagnetic coil 9 viewed from the radial direction does not overlap with the projection of the target 2.
  • the electromagnetic coil 9 is arranged so as to be aligned on the concentric axis with the target 2.
  • the circular target 2 is substantially concentrically inside the annular electromagnetic coil 9.
  • the outer peripheral magnet 3 is a ring body as described above, and has a predetermined thickness in the axial direction. The thickness of the outer peripheral magnet 3 is substantially the same as or slightly smaller than the thickness of the target 2.
  • the appearance of the ring-shaped outer peripheral magnet 3 is composed of two annular surfaces parallel to each other (annular surface) and two peripheral surfaces that connect the two annular surfaces in the axial direction. Yes.
  • the two peripheral surfaces are an inner peripheral surface formed on the inner peripheral side of the annular surface and an outer peripheral surface formed on the outer peripheral side of the annular surface.
  • the width of the inner peripheral surface and the outer peripheral surface is the thickness of the outer peripheral magnet 3.
  • the outer peripheral magnet 3 is magnetized so that the inner peripheral surface is an N pole and the outer peripheral surface is an S pole.
  • a black arrow from the S pole to the N pole is shown.
  • the direction of this arrow is referred to as a magnetization direction.
  • the outer peripheral magnet 3 of the present embodiment is arranged so that the magnetization direction is in a direction parallel to the front surface of the target 2, that is, the magnetization direction faces the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 may have a ring-shaped or annular integrated shape.
  • the outer peripheral magnet 3 may be configured by a columnar or rectangular parallelepiped magnet arranged in a ring shape or an annular shape so that the magnetization direction is in a horizontal direction with the surface of the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 is disposed so as to surround the outer periphery of the target 2, and is disposed on the concentric axis with the target 2. At this time, the outer peripheral magnet 3 is disposed so as not to come out of the thickness range of the target 2. Thereby, the projection seen from the radial direction of the outer peripheral magnet 3 overlaps with the projection seen from the radial direction of the target 2.
  • the front end portion which is the annular surface on the front surface side of the outer peripheral magnet 3, is located on the rear side (rear) from the front surface of the target 2, and is the annular surface on the rear surface side of the outer peripheral magnet 3.
  • the outer peripheral magnet 3 is disposed in the evaporation source 1 so that the end portion is located on the front side (front side) from the back side of the target 2.
  • the polarity of the electromagnetic coil 9 is the N pole on the base material 7 side and the S pole on the target 2 side.
  • the polarity of the outer peripheral magnet 3 is the N pole on the inner peripheral surface side facing the target 2 and the S pole on the outer peripheral surface side.
  • the direction of the current applied to the electromagnetic coil 9 is reversed, and the outer peripheral magnet 3 has an inner peripheral surface and an outer peripheral magnet having a reverse polarity on the outer peripheral surface, so that the polarity is opposite to that of the above configuration. Even if it comprises, the same magnetic field line distribution can be obtained.
  • an inert gas such as argon gas (Ar) is introduced from the gas inlet 13, and impurities such as oxides on the target 2 and the substrate 7 are removed by sputtering. Is done. After removing the impurities, the inside of the chamber 11 is evacuated again, and the reaction gas is introduced into the chamber 11 that has been evacuated from the gas inlet 13.
  • Ar argon gas
  • a nitride film, an oxide film, a carbonized film, a carbonitride film, an amorphous carbon film, or the like can be formed on the substrate 7 placed on the turntable 12.
  • a hydrocarbon gas such as nitrogen gas (N 2 ), oxygen gas (O 2 ), or methane (CH 4 ) may be selected according to the application, and the pressure of the reaction gas in the chamber 11 may be selected. May be about 1 to 7 Pa.
  • the target 2 may be discharged by flowing an arc current of 100 to 200 A, and a negative voltage of 10 to 30 V may be applied by the arc power supply 15. Further, a negative voltage of 10 to 200 V may be applied to the base material 7 by the bias power supply 16.
  • the outer peripheral magnet 3 and the electromagnetic coil 9 are configured and arranged so that the magnetic field on the front surface of the target 2 is 100 Gauss or more. Thereby, film formation can be performed reliably. More preferably, the magnetic field at the front surface of the target 2 is 150 gauss.
  • the distribution state of the magnetic force line in the case of forming a film using the evaporation source 1 of the present embodiment will be described in detail in the following examples.
  • Example (first invention) With reference to FIGS. 3 and 4, the characteristics of the magnetic field lines generated by the arc evaporation source 1 according to the first embodiment of the first invention will be described.
  • the magnetic force line distribution diagram shown to Fig.3 (a) and FIG.4 (a) has shown the magnetic force line distribution from the back side of the target 2 to the surface of the base material 7.
  • FIG. 3A and 4A the right end indicates the position of the surface of the base material 7.
  • FIG. Magnetic field distribution diagrams shown in FIGS. 3B and 4B are enlarged views around the target 2 in FIGS. 3A and 4A, respectively.
  • the target 2 is made of titanium aluminum (TiAl) having an atomic ratio of 1: 1 between titanium (Ti) and aluminum (Al), and the dimensions thereof are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the outer peripheral magnet 3 is formed of a permanent magnet, and its dimensions are (outer diameter 170 mm, inner diameter 150 mm, thickness 10 mm).
  • the magnetic field lines generated by the magnetic field formed by the electromagnetic coil 9 are introduced into the electromagnetic coil 9 while being converged from the target 2 side, and diffused from the inside of the coil 7. Heading to the surface.
  • the magnetic field lines passing through the front surface (evaporation surface) of the target 2 are inclined in the direction from the outer periphery to the inner periphery of the target 2, and converge from the back surface of the target 2 toward the front surface. Yes.
  • FIGS. 4 (a) and 4 (b) description will be given of the lines of magnetic force when the arc evaporation source 1 according to the first embodiment of the first invention is used.
  • FIG. 4A among the magnetic lines of force generated by the magnetic field formed by the electromagnetic coil 9 and the outer peripheral magnet 2, almost all of the magnetic lines of force from the back side of the target 2 toward the base material 7 Surface) and is introduced into the electromagnetic coil 9.
  • the density of magnetic lines of force between the target 2 and the electromagnetic coil 9 is higher in the invention example shown in FIG. That is, it can be said that the magnetic force between the target 2 and the electromagnetic coil 9 is increased by using the outer peripheral magnet 2.
  • the density of magnetic lines of force on the front surface (evaporation surface) of the target 2 is higher than that in the conventional example shown in FIG. 3 (b).
  • the magnetic field lines passing through the evaporation surface of the target 2 are substantially perpendicular to the evaporation surface of the target 2 (in other words, substantially parallel to the target normal).
  • the lines of magnetic force passing through the evaporation surface of the target 2 are not only simply perpendicular to the evaporation surface, but are slightly inclined in the direction from the outer periphery to the inner periphery of the target 2.
  • the following can be understood through the first embodiment and the invention example of the first invention. That is, when the outer peripheral magnet 3 is provided, the magnetic force between the target 2 and the electromagnetic coil 9 can be increased in order to efficiently extract the ionized target substance from the evaporation surface of the target 2. When the outer peripheral magnet 3 is provided, the magnetic strength between the target 2 and the electromagnetic coil 9 can be increased without increasing the current value applied to the electromagnetic coil 9.
  • the position where the outer peripheral magnet 3 is provided is not limited to the position disclosed in the above embodiment.
  • the outer peripheral magnet 3 may be disposed on the back side of the target 2 while being shifted in position.
  • the front side of the projection viewed from the radial direction of the outer peripheral magnet 3 overlaps the rear side of the projection viewed from the radial direction of the target 2. That is, the projections formed when the outer peripheral magnet 3 and the target 2 are projected in a direction parallel to the evaporation surface of the target 2 partially overlap each other, and the front side of the projection of the outer peripheral magnet 3 is the rear side of the projection of the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 is arranged so as to overlap the side.
  • the central position in the thickness direction of the outer peripheral magnet 3 where the black arrow is located in FIG. 2, that is, the intermediate position between the front end portion and the rear end portion of the outer peripheral magnet 3 has a width along the thickness direction of the target 2. It is within the range, and is arranged on the front side (front side) of the back side of the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 in the present embodiment is disposed in the evaporation source 1 such that the front end portion of the outer peripheral magnet 3 is disposed in front of the back surface of the target 2.
  • the front end portion which is an annular surface on the front surface side of the target 2 is located on the rear surface side (rear side) of the front surface of the target 2 and / or the rear surface surface is an annular surface on the rear surface side.
  • the outer peripheral magnet 3 is arranged in the evaporation source 1 so that the end portion is arranged on the front side (front side) from the back side of the target 2.
  • the magnetic field lines passing through the evaporation surface of the target 2 are more perpendicular to the evaporation surface of the target 2 (in other words, with respect to the target normal line). More parallel). In addition to this, even when the position of the evaporation surface changes due to consumption of the target 2, the uniformity of the magnetic field on the evaporation surface can be maintained in a good state.
  • the outer peripheral magnet 3 is arranged so that the front end portion of the outer peripheral magnet 3 is in front of the back surface of the target 2.
  • the outer peripheral magnet 3 does not surround the outer periphery of the target 2, that is, the front end of the outer peripheral magnet 3 is
  • the outer peripheral magnet 3 can be arranged so as to be behind the rear surface of the target 2. At this time, the front side of the projection viewed from the radial direction of the outer peripheral magnet 3 is located behind the rear side of the projection viewed from the radial direction of the target 2.
  • the projection formed when the outer peripheral magnet 3 and the target 2 are projected in the direction parallel to the evaporation surface of the target 2 does not overlap, and the front side of the projection of the outer peripheral magnet 3 is more than the rear side of the projection of the target 2.
  • the outer periphery magnet 3 can be arrange
  • the outer peripheral magnet 3 is positioned so that the axis is substantially perpendicular to the front surface of the target 2 so that the front end is behind the rear surface of the target 2 and
  • the magnetization direction may be arranged along a direction parallel to the front surface of the target 2.
  • the above conditions are, for example, that the magnetic field lines on the front surface of the target 2 are about 100 Gauss or more, and that magnetic field lines inclined toward the center of the target are formed on the outer periphery of the target 2. More preferably, the outer peripheral magnet 3 is arranged so as to be substantially coaxial (on the concentric axis) with the target 2.
  • FIG. 6 shows a film forming apparatus 106 provided with an arc evaporation source 101a (hereinafter referred to as evaporation source 101a) according to the first embodiment of the second invention.
  • the film forming apparatus 106 includes a chamber 111, in which a turntable 112 that supports a base material 107 that is an object to be processed and an evaporation source 101 a attached to the base material 107 are arranged. ing.
  • the chamber 111 is provided with a gas introduction port 113 for introducing a reaction gas into the chamber 111 and a gas exhaust port 114 for discharging the reaction gas from the chamber 111.
  • the film forming apparatus 106 includes an arc power source 115 that applies a negative bias to a target 102 (described later) of the evaporation source 101, and a bias power source 116 that applies a negative bias to the base material 107.
  • the positive side of the arc power supply 115 and the bias power supply 116 is grounded to the ground 118.
  • the evaporation source 101 a includes a disk-shaped target 102 having a predetermined thickness arranged so that the evaporation surface faces the base material 107, and a magnetic field forming unit 108 arranged in the vicinity of the target 102.
  • the term “disc shape” includes a cylindrical shape having a predetermined height.
  • the magnetic field forming unit 108 includes an outer peripheral magnet 103 and a back magnet 104.
  • the chamber 111 acts as an anode. With such a configuration, the evaporation source 101a functions as a cathode discharge arc evaporation source.
  • FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of the evaporation source 101a according to the present embodiment.
  • the evaporation source 101 a includes the disk-shaped target 102 having a predetermined thickness and the magnetic field forming unit 108 disposed in the vicinity of the target 102.
  • the surface facing the base material 107 side (the base material direction indicated by the white arrow) that becomes the evaporation surface of the target 102 is referred to as “front surface”, and the surface facing the opposite side (the direction opposite to the base material). This is called “rear surface” (see FIGS. 6 and 7).
  • the target 102 is made of a material selected according to the thin film to be formed on the base material 107.
  • the material include metal materials such as chromium (Cr), titanium (Ti), and titanium aluminum (TiAl), and ionizable materials such as carbon (C).
  • the magnetic field forming unit 108 includes a ring-shaped (annular or donut-shaped) outer peripheral magnet 103 disposed so as to surround the outer periphery of the target 102, and a back magnet 104 disposed on the back side of the target 102. .
  • the outer peripheral magnet 103 and the back magnet 104 are constituted by permanent magnets formed of neodymium magnets having a high coercive force.
  • the outer periphery magnet 103 is a ring body as described above, and has a predetermined thickness in the axial direction.
  • the thickness of the outer peripheral magnet 103 is substantially the same as or slightly smaller than the thickness of the target 102.
  • the appearance of such a ring-shaped outer peripheral magnet 103 is composed of two annular surfaces (annular surfaces) that are parallel to each other and two peripheral surfaces that connect the two annular surfaces in the axial direction. Yes.
  • the two peripheral surfaces are an inner peripheral surface formed on the inner peripheral side of the annular surface and an outer peripheral surface formed on the outer peripheral side of the annular surface.
  • the width of the inner peripheral surface and the outer peripheral surface is the thickness of the outer peripheral magnet 103.
  • the outer peripheral magnet 103 is magnetized so that the inner peripheral surface is an N pole and the outer peripheral surface is an S pole.
  • a black arrow from the S pole to the N pole of the outer peripheral magnet 103 is shown.
  • the direction of this arrow is referred to as a magnetization direction.
  • the outer peripheral magnet 103 of the present embodiment is arranged so that the magnetization direction is in a direction parallel to the front surface of the target 102, that is, the magnetization direction faces the target 102.
  • the outer peripheral magnet 103 may have a ring shape or an annular integrated shape.
  • the outer peripheral magnet 103 may be configured by a cylindrical or rectangular magnet arranged in a ring shape or an annular shape so that the magnetization direction is in a horizontal direction with the surface of the target 102.
  • the outer peripheral magnet 103 is disposed so as to surround the outer periphery of the target 102 and is disposed on a concentric axis with the target 102. At this time, the outer peripheral magnet 103 is disposed so as not to come out of the thickness range of the target 102. Therefore, the projection seen from the radial direction of the outer peripheral magnet 103 overlaps with the projection seen from the radial direction of the target 102. That is, in the outer peripheral magnet 103, the shadows formed when the outer peripheral magnet 103 and the target 102 are projected in a direction parallel to the evaporation surface of the target 102 overlap with each other, and the shadow of the outer peripheral magnet 103 becomes the shadow of the target 102. It is arranged to be completely included.
  • the front end portion which is the annular surface on the front surface side of the outer peripheral magnet 103, is positioned on the rear side (rear) from the front surface of the target 102, and the rear surface side is the annular surface on the rear surface side.
  • the outer peripheral magnet 103 is disposed in the evaporation source 101a so that the end portion is disposed on the front side (front side) of the back surface of the target 102.
  • the outer peripheral magnet 103 is arranged so that the intermediate position between the front end portion and the rear end portion thereof coincides with the intermediate position between the front surface and the back surface of the target 102.
  • the back magnet 104 includes a non-ring-shaped magnetic core 105 serving as a magnetic core, and two disk-shaped disk back magnets 104A and 104B sandwiching the magnetic core 105.
  • the disc back magnets 104 ⁇ / b> A and 104 ⁇ / b> B are also non-ring like the magnetic core 105.
  • non-ring-shaped refers to a solid shape such as a disk shape or a cylindrical shape, rather than an annular shape having a hole in the radial direction like a donut. That is, the “non-ring shape” means a shape in which no normals facing outward from the surface intersect each other.
  • the magnet on the back surface needs to have a thickness in order to efficiently extend the lines of magnetic force in the direction of the base material. Therefore, in this embodiment, in order to increase the thickness, the disc back magnets 104A and 104B, which are two magnets, are arranged apart from each other, and the gap between them is filled with the magnetic core 105, which is a magnetic material, and the magnetic force is reduced. Is prevented.
  • the disc back magnets 104A and 104B are magnetized such that one disc surface is an N pole and the other disc surface is an S pole.
  • the disc back magnets 104A and 104B sandwich the magnetic core 105 between the S pole side surface of the disc back magnet 104A and the N pole side surface of the disc back magnet 104B, and the magnetization directions of the magnets are the same. It is aimed.
  • the back magnet 104 configured in this manner is arranged on the back side of the target 102 so that the magnetization direction is along the axis of the target 102 and the magnetization direction is perpendicular to the evaporation surface of the target 102. Be placed. Further, the back magnet 104 is arranged so that the N-pole side of the disc back magnet 104A faces the target 102. At this time, the back magnet 104 is arranged so that its axis substantially coincides with the axis of the target 102.
  • the evaporation source 101a is configured by arranging the outer peripheral magnet 103 and the rear magnet 104 with respect to the target 102 as described above. At this time, the magnetization direction of the outer peripheral magnet 103 faces the direction parallel to the front surface of the target 102, that is, the target 102. Further, since the magnetic pole on the inner peripheral surface side of the outer peripheral magnet 103 is N pole and the magnetic pole on the target 102 side of the rear magnet 104 is also N pole, the magnetic pole on the radially inner side of the outer peripheral magnet 103 and the target 102 of the rear magnet 104. The side magnetic poles have the same polarity.
  • the magnetic field formed by the outer peripheral magnet 103 and the magnetic field formed by the rear magnet 104 can be combined by causing the outer peripheral magnet 103 and the rear magnet 104 to have the same polarity toward the target 102.
  • the direction of the magnetic force lines passing through the evaporation surface of the target 102 can be made substantially perpendicular to the evaporation surface and the magnetic force lines can be guided toward the base material 107.
  • the evaporation source 101a is configured such that the outer peripheral magnet 103 and the rear magnet 104 direct the south pole toward the target 102. May be.
  • an inert gas such as argon gas (Ar) is introduced from the gas inlet 113, and impurities such as oxide on the target 102 and the base material 107 are removed by sputtering. Is done. After the impurities are removed, the inside of the chamber 111 is evacuated again, and the reaction gas is introduced into the evacuated chamber 111 from the gas inlet 113.
  • a nitride film, an oxide film, a carbonized film, a carbonitride film, an amorphous carbon film, or the like can be formed on the base material 107 placed on the turntable 112.
  • a hydrocarbon gas such as nitrogen gas (N 2 ), oxygen gas (O 2 ), or methane (CH 4 ) may be selected according to the application, and the pressure of the reaction gas in the chamber 111 may be selected. May be about 1 to 7 Pa.
  • the target 102 may be discharged by flowing an arc current of 100 to 200 A, and a negative voltage of 10 to 30 V may be applied by the arc power supply 115. Further, a negative voltage of 10 to 200 V is preferably applied to the base material 107 by the bias power source 116.
  • the outer peripheral magnet 103 and the rear magnet 104 are configured and arranged so that the magnetic field on the front surface of the target 102 is 100 Gauss or more. Thereby, film formation can be performed reliably. More preferably, the magnetic field in front of the target 102 is 150 gauss.
  • the distribution state of the lines of magnetic force in the case where film formation is performed using the evaporation source 101a of the present embodiment will be described in detail in examples described later.
  • FIG. 8 is a diagram showing a schematic configuration of the arc evaporation source 101b used in the film forming apparatus 106 according to the present embodiment.
  • the arc evaporation source 101b in the present embodiment is arranged in the vicinity of the disk-like target 102 having a predetermined thickness and the target 102, similarly to the arc evaporation source 101a in the first embodiment of the second invention.
  • magnetic field forming means 108 are magnetic field forming means 108.
  • the magnetic field forming unit 108 includes a ring-shaped (annular) outer peripheral magnet 103 disposed so as to surround the outer periphery of the target 102, a back magnet 104 disposed on the back side of the target 102, have.
  • the evaporation source 101b in this embodiment has the same configuration as the arc evaporation source 101a in the first embodiment of the first invention, but only the arrangement of the outer peripheral magnet 103 is different.
  • positioning of the outer periphery magnet 103 of the evaporation source 101b in this embodiment is demonstrated. Referring to FIG. 8, when attention is paid to the position of the outer peripheral magnet 103 with respect to the target 102, it can be seen that the outer peripheral magnet 103 is arranged with a position shifted to the rear magnet 104 side (back side) with respect to the target 102.
  • the outer peripheral magnet 103 By shifting the position of the outer peripheral magnet 103 in this way, the front side of the projection viewed from the radial direction of the outer peripheral magnet 103 overlaps the rear side of the projection viewed from the radial direction of the target 102. That is, the outer peripheral magnet 103 is configured such that the shadows formed when the outer peripheral magnet 103 and the target 102 are projected in a direction parallel to the evaporation surface of the target 102 partially overlap each other, and the front of the shadow of the outer peripheral magnet 103 It arrange
  • the center position in the thickness direction of the outer periphery magnet 103 indicated by the black arrow in the outer periphery magnet 103 of FIG. 8, that is, the intermediate position between the front end portion and the rear end portion of the outer periphery magnet 103 is along the thickness direction of the target 102.
  • the outer circumference magnet 103 in the present embodiment has the evaporation source 101b such that the front end portion is disposed in front of the back surface of the target 102 and the rear end portion is disposed behind the back surface of the target 102. Is provided.
  • the outer peripheral magnet 103 in the present embodiment is arranged such that the intermediate position between the front end portion and the rear end portion is on the rear surface side (rear) with respect to the intermediate position between the front surface and the rear surface of the target 102, It is provided in the evaporation source 101b.
  • the outer peripheral magnet 103 is arranged so as to be shifted to the back magnet 104 side with respect to the target 102, in addition to the effect in the first embodiment, even when the position of the evaporation surface changes due to consumption of the target 102, The effect that the uniformity of the magnetic field can be kept good is obtained. Since the second embodiment of the second invention is substantially the same as the first embodiment except for the arrangement of the outer peripheral magnet 103 as described above, the description thereof is omitted.
  • FIG. 9 is a diagram showing a schematic configuration of an arc evaporation source 101c used in the film forming apparatus 106 according to the present embodiment.
  • the arc evaporation source 101c in this embodiment is different from the arc evaporation source 101a in the first embodiment of the second invention in that it has an electromagnetic coil 109 as a magnetic field generation mechanism.
  • Other configurations for example, a disk-shaped target 102 having a predetermined thickness, a ring-shaped outer peripheral magnet 103 disposed so as to surround the outer periphery of the target 102, a rear magnet 104 disposed on the back side of the target 102, etc. This is substantially the same as the first embodiment.
  • the electromagnetic coil 109 is a ring-shaped solenoid that generates a magnetic field in the same direction as the back magnet 104.
  • the electromagnetic coil 109 has a number of turns of about several hundreds (for example, 410 times) and is wound so as to be a coil having a diameter slightly larger than the diameter of the target 102.
  • the electromagnetic coil 109 generates a magnetic field with a current of about 2000 A ⁇ T to 5000 A ⁇ T.
  • the electromagnetic coil 109 is provided on the front side of the target 102, and the projection of the electromagnetic coil 109 viewed from the radial direction does not overlap with the projection of the target 102. At this time, the electromagnetic coil 109 is arranged so as to be aligned on the concentric axis with the target 102.
  • the circular target 102 is substantially concentrically inside the annular electromagnetic coil 109.
  • a current is passed through the electromagnetic coil 109 arranged in this manner, and a magnetic field is generated inside the electromagnetic coil 109 from the target 102 side toward the base material 107 side.
  • the magnetic lines of force that have passed through the front surface of the target 102 can pass through the electromagnetic coil 109.
  • the electromagnetic coil 109 is provided, in addition to the effect in the first embodiment, it is possible to suppress the diffusion of the magnetic field lines that have passed through the evaporation surface of the target 102 and maintain a high magnetic field line density up to the surface of the base material 107. The effect that it is possible is also acquired. Further, as described above, when the electromagnetic coil 109 is provided between the target 102 and the base material 107, an effect of improving the ion transport efficiency from the target 102 to the base material 107 can be expected.
  • the arc evaporation sources 101a to 101c of the first to third embodiments of the second invention are different in the arrangement of the outer peripheral magnet 103 and the presence or absence of the electromagnetic coil 109. Is different.
  • the distribution of the lines of magnetic force generated by the arc evaporation sources 101a to 101c of the first to third embodiments will be described as Invention Examples 1 to 3.
  • FIG. 10A, FIG. 11A, FIG. 12A, and FIG. 13A show magnetic force line distributions from the back magnet 104 to the surface of the base material 107.
  • FIG. 10A to 13A the right end indicates the position of the surface of the base material 107.
  • FIG. 10 (b), FIG. 11 (b), FIG. 12 (b), and FIG. 13 (b) are magnetic force line distribution diagrams, respectively. It is an enlarged view of the periphery of the target 102 in (a).
  • the dimensions of the target 102 are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the dimensions of the disc back magnets 104A and 104B are each (diameter 100 mm ⁇ thickness 4 mm).
  • the dimension of the magnetic core 105 is (diameter 100 mm ⁇ thickness 30 mm).
  • the dimensions of the outer peripheral magnet 103 are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 10 mm).
  • the magnetic field intensity on the surface of the target 102 is 150 gauss or more.
  • the lines of magnetic force emitted from the back magnet 104 are directed toward the surface of the base material 107 while diverge while being inclined in the outer peripheral direction of the back magnet 104.
  • the magnetic field lines passing through the evaporation surface of the target 102 are inclined toward the outer periphery of the target 102 and diffused from the back surface of the target 102 toward the front surface.
  • the lines of magnetic force emitted from the back magnet 104 are suppressed from being diffused at the position of the outer peripheral magnet 103, and the density of the lines of magnetic force passing through the target 102 is higher than that of the conventional example, particularly near the center of the target 102. It has become.
  • the magnetic force lines passing through the evaporation surface of the target 102 are substantially perpendicular to the evaporation surface of the target 102 (in other words, substantially parallel to the target normal).
  • the magnetic field lines emitted from the back magnet 104 are suppressed from being diffused at the position of the outer peripheral magnet 103, and the density of the magnetic field lines passing through the target 102 is a conventional example particularly near the center of the target 102. Higher than.
  • the magnetic field lines passing through the evaporation surface of the target 102 are substantially perpendicular to the evaporation surface of the target 102 (in other words, substantially parallel to the target normal).
  • the present invention is compared with the conventional example from the center to the back side in the thickness direction of the target 102, it can be said that the magnetic lines of force in the outer peripheral portion in the present invention are more parallel to the normal of the target. Therefore, it can be said that the magnetic field line density in the target 102 is more uniform in the present invention than in the conventional example.
  • FIGS. 14 (a) and 14 (b) show the lines of magnetic force distribution of a modified example of the present invention.
  • the arc evaporation source shown in FIGS. 14 (a) and 14 (b) is similar to the arc evaporation source 101b of FIGS. 12 (a) and 12 (b) according to the second embodiment of the second invention.
  • a back magnet 104. 14A and 14B the arc-type evaporation source 101b is different from the arc-type evaporation source 101b shown in FIGS. 12A and 12B in that the outer peripheral magnet 103 is arranged behind the rear surface of the target 102. .
  • the front end portion of the outer peripheral magnet 103 is located behind the rear surface of the target 102 by about 5 mm to 10 mm.
  • the magnetic force lines on the front surface (evaporation surface) of the target 102 are radially outward of the target 102 with respect to the evaporation surface, as compared with FIGS. 12 (a) and 12 (b). It can be seen that it is inclined and diffused. This is not preferable because the arc discharge is biased toward the outer periphery of the target 102. That is, it can be said that in an arc evaporation source including the target 102, the outer peripheral magnet 103, and the rear magnet 104, it is not preferable that the outer peripheral magnet 103 is disposed behind the rear surface of the target 102.
  • the arc evaporation source shown in FIGS. 15 (a) and 15 (b) includes the target 102 and the outer peripheral magnet 103 in the same manner as the arc evaporation source 101b of FIGS. 12 (a) and 12 (b) according to the second embodiment of the second invention.
  • an electromagnetic coil 110 that is a ring-shaped solenoid having the same configuration as that of the electromagnetic coil 109 is used instead of the back magnet 104 formed of a permanent magnet.
  • the electromagnetic coil 110 is disposed substantially coaxially with the target 102 at substantially the same position as the back magnet 104 in FIGS.
  • the electromagnetic coil 110 has an inner diameter of about 100 mm, an outer diameter of about 200 mm, and a thickness of about 50 mm.
  • the electromagnetic coil 110 is disposed about 64 mm behind the target 102. The magnetic force of the electromagnetic coil 110 is adjusted so that the magnetic flux density at the front surface of the target 102 is substantially the same as when the back magnet 104 is used.
  • the lines of magnetic force emitted from the back magnet 104 are suppressed from being diffused at the position of the outer peripheral magnet 103, and the density of the lines of magnetic force passing through the target 102 is a conventional example particularly near the center of the target 102. Higher than.
  • the lines of magnetic force that have been diffusing through the evaporation surface of the target 102 are prevented from diffusing at the position of the electromagnetic coil 109 and become substantially parallel to the target normal again.
  • the magnetic field lines passing through the evaporation surface of the target 102 are inclined substantially perpendicular to the evaporation surface of the target 102 or toward the center of the target 102. Accordingly, it can be said that the magnetic field lines in the invention example 3 are closest to the target normal line in comparison with the conventional example and the invention examples 1 and 2 from the center to the back side in the thickness direction of the target 102.
  • FIGS. 16 (a) and 16 (b) show the lines of magnetic force distribution of a modified example of the present invention.
  • the arc evaporation source shown in FIGS. 16 (a) and 16 (b) is similar to the arc evaporation source 101c of FIGS. 13 (a) and 13 (b) according to the third embodiment of the second invention.
  • the back magnet 104 and the electromagnetic coil 109 are provided.
  • the outer peripheral magnet 103 is arranged behind the back surface of the target 102, unlike the arc evaporation source 101 c shown in FIGS. At this time, the front end portion of the outer peripheral magnet 103 is located behind the rear surface of the target 102 by about 5 mm to 10 mm.
  • FIGS. 13 (a) and 16 (b) it can be seen that a magnetic field substantially equivalent to the magnetic field lines shown in FIGS. 13 (a) and 13 (b) is formed.
  • a magnetic field substantially equivalent to the magnetic force line distribution diagrams of FIGS. 13 (a) and 13 (b) can be formed. It can be said. That is, in the configuration of the present modification, in order to form a magnetic field substantially equivalent to the magnetic field line distribution diagrams of FIGS. 13A and 13B, each distance between the front end portion of the outer peripheral magnet 103 and the back surface of the target 102 is different. It can be seen that there is an allowable range according to the size of the constituent members and the magnetic line density generated. This allowable range is about twice the thickness of the target 102.
  • FIGS. 17 (a) and 17 (b) show magnetic force line distributions of another modification example of the present invention.
  • the arc evaporation source shown in FIGS. 17 (a) and 17 (b) is similar to the arc evaporation source 101c of FIGS. 13 (a) and 13 (b) according to the third embodiment of the second invention.
  • the electromagnetic coil 109 is used instead of the back magnet 104 made of a permanent magnet.
  • the position of the outer peripheral magnet 103 with respect to the target 102 is substantially the same as the position in the arc evaporation source 101c shown in FIGS.
  • the electromagnetic coil 110 has substantially the same configuration as the electromagnetic coil 110 in FIGS.
  • the electromagnetic coil 110 is disposed about 64 mm behind the target 102.
  • FIG. 18 shows a film forming apparatus 206 provided with an arc evaporation source 201a (hereinafter referred to as evaporation source 201a) according to the first embodiment of the third invention.
  • the film forming apparatus 206 includes a chamber 211, in which a turntable 212 that supports a base material 207 that is an object to be processed and an evaporation source 201 a attached to the base material 207 are arranged. Has been.
  • the chamber 211 is provided with a gas introduction port 213 for introducing a reaction gas into the chamber 211 and a gas exhaust port 214 for discharging the reaction gas from the chamber 211.
  • the film forming apparatus 206 includes an arc power source 215 that applies a negative bias to a target 202 (described later) of the evaporation source 201a, and a bias power source 216 that applies a negative bias to the substrate 207.
  • the positive sides of the arc power source 215 and the bias power source 216 are grounded to the ground 218.
  • the evaporation source 201 a includes a disk-shaped target 202 having a predetermined thickness arranged so that the evaporation surface faces the base material 207, and a magnetic field forming unit 208 a arranged in the vicinity of the target 202.
  • the term “disc shape” includes a cylindrical shape having a predetermined height.
  • the magnetic field forming means 208a includes an outer peripheral magnet 203 and a back magnet 204a.
  • the chamber 211 acts as an anode. With such a configuration, the evaporation source 201a functions as a cathode discharge arc evaporation source.
  • FIG. 19 is a diagram showing a schematic configuration of the evaporation source 201a according to the present embodiment.
  • the evaporation source 201 a includes the disk-shaped target 202 having a predetermined thickness and the magnetic field forming unit 208 a disposed in the vicinity of the target 202.
  • the surface of the target 202 that faces the substrate 207 side is referred to as the “front surface (front surface of the target)”, and the surface that faces the opposite side. This is referred to as “back (target back)” (see FIGS. 18 and 19).
  • the target 202 is made of a material selected according to the thin film to be formed on the base material 207.
  • the material include metal materials such as chromium (Cr), titanium (Ti), and titanium aluminum (TiAl), and ionizable materials such as carbon (C).
  • the magnetic field forming means 208 a includes a ring-shaped (annular or donut-shaped) outer peripheral magnet 203 disposed so as to surround the outer periphery of the target 202, and a ring-shaped (coaxially disposed with the outer peripheral magnet 203 on the back side of the target 202.
  • An annular or donut-shaped) back magnet 204a An annular or donut-shaped) back magnet 204a.
  • the outer peripheral magnet 203 and the back magnet 204a are composed of permanent magnets formed of neodymium magnets having a high coercive force.
  • the evaporation source 201a is configured by arranging the target 202, the outer peripheral magnet 203, and the back magnet 204a so that their axial centers are substantially aligned.
  • the outer peripheral magnet 203 is a ring body as described above, and has an inner diameter slightly larger (about 1 to 2 times) than the diameter of the target 202 and a predetermined thickness along the axial direction.
  • the thickness of the outer peripheral magnet 203 is substantially the same as or slightly smaller than the thickness along the axial direction of the target 202.
  • the appearance of such a ring-shaped outer peripheral magnet 203 is composed of two annular surfaces parallel to each other (annular surface) and two peripheral surfaces that connect the two annular surfaces in the axial direction. Yes.
  • the two peripheral surfaces are an inner peripheral surface formed on the inner peripheral side of the annular surface and an outer peripheral surface formed on the outer peripheral side of the annular surface.
  • the width of the inner peripheral surface and the outer peripheral surface is the thickness (axial center direction thickness) of the outer peripheral magnet 203.
  • the shape of the inner peripheral surface of the outer peripheral magnet 203 is such that when the outer peripheral magnet 203 and the target 202 are projected along a direction orthogonal to the front surface of the target 202, the projected shape of the inner peripheral surface of the outer peripheral magnet 203 and the target
  • the projection shape 202 is similar.
  • the front annular surface (front end surface) facing the base material 207 side is the N pole
  • the rear annular surface (rear end surface) facing the opposite side is the S pole. It is comprised so that it may become.
  • an arrow from an annular surface (S pole) behind the outer peripheral magnet 203 to a front annular surface (N pole) is shown.
  • the direction of this arrow is hereinafter referred to as a magnetization direction.
  • the outer peripheral magnet 203 of the present embodiment is arranged so that the magnetization direction is along the direction orthogonal to the front surface of the target 202 and faces forward.
  • the outer peripheral magnet 203 may have a ring shape or an annular integrated shape.
  • the outer peripheral magnet 203 may be constituted by a plurality of columnar or rectangular parallelepiped magnets arranged in a ring shape or in an annular shape so that the magnetization direction is along the direction orthogonal to the front surface of the target 202 and faces the front.
  • the outer peripheral magnet 203 is disposed on a concentric axis with the target 202 so as to surround the outer periphery of the target 202.
  • the annular surface in front of the outer peripheral magnet 203 is on the same plane as the front surface of the target 202 and is flush with each other, or is disposed in front of the front surface of the target 202.
  • the target 202 is arranged so that the front surface thereof does not come out of the thickness range of the outer peripheral magnet 203. Therefore, in the present embodiment, the projection viewed from the radial direction of the outer peripheral magnet 203 is arranged so as to overlap the projection viewed from the radial direction of the target 202. That is, the outer peripheral magnet 203 has a shadow formed when the outer peripheral magnet 203 and the target 202 are projected in a direction parallel to the front surface (evaporation surface) of the target 202 and the shadow of the outer peripheral magnet 203 is It is arranged so that it is completely included in the shadow.
  • the outer peripheral magnet 3 is disposed in the evaporation source 201 a so that the front end face is located on the same plane as the front face of the target 202 or is located in front of the front face of the target 202.
  • the back magnet 204 a is a ring body having substantially the same diameter as the outer peripheral magnet 203, and has substantially the same inner diameter and outer diameter as the outer peripheral magnet 203. Therefore, the back magnet 204a has an inner diameter that is slightly larger (about 1 to 2 times) than the diameter of the target 202, and a predetermined thickness along the axial direction.
  • the thickness of the outer peripheral magnet 203 is slightly larger than the thickness of the target 202 and is about twice the thickness of the outer peripheral magnet 203.
  • the outer appearance of such a ring-shaped back magnet 204a is also similar to that of the outer peripheral magnet 203, and connects two annular surfaces parallel to each other (front end surface and rear end surface) and the two annular surfaces in the axial direction. It consists of two peripheral surfaces (an inner peripheral surface and an outer peripheral surface). The width of the inner peripheral surface and the outer peripheral surface is a thickness along the axial direction of the outer peripheral magnet 203.
  • the back magnet 204a is configured such that the inner peripheral surface is an N pole and the outer peripheral surface is an S pole.
  • a black arrow indicating the magnetization direction is shown from the outer peripheral surface (S pole) to the inner peripheral surface (N pole) of the back magnet 204a.
  • the back magnet 204a of the present embodiment is disposed so that the magnetization direction thereof is parallel to the front surface of the target 202 and faces in the radial direction.
  • the front end surface of the outer peripheral magnet 203 and the inner peripheral surface of the rear magnet 204a have the same polarity, and the magnetization directions thereof are perpendicular to each other. Yes.
  • the magnetization directions of the outer peripheral magnet 203 and the rear magnet 204 are perpendicular to each other, so that the magnetic field formed by the outer peripheral magnet 203 and the magnetic field formed by the rear magnet 204a can be combined. it can.
  • the direction of the magnetic force lines passing through the evaporation surface of the target 202 can be made substantially perpendicular to the evaporation surface.
  • an effect is obtained that magnetic lines of high straightness extending from the surface of the target 202 toward the base material 207 can be generated in a wide region of the surface of the target 202.
  • the front end surface of the outer peripheral magnet 203 and the inner peripheral surface of the rear magnet 204a only need to have the same polarity, and the magnetization direction of the outer peripheral magnet 203 and the magnetization direction of the rear magnet 204a are perpendicular to each other. It only has to be in the right direction. Accordingly, the magnetization direction of the outer peripheral magnet 203 and the magnetization direction of the rear magnet 204a may be reversed with the polarity of the outer peripheral magnet 203 and the polarity of the rear magnet 204a opposite to the above-described configuration shown in FIG.
  • an inert gas such as argon gas (Ar) is introduced from the gas inlet 213, and impurities such as oxides on the target 202 and the substrate 207 are removed by sputtering. Is done. After removing the impurities, the inside of the chamber 211 is evacuated again, and the reaction gas is introduced into the chamber 211 that has been evacuated from the gas introduction port 213.
  • Ar argon gas
  • a nitride film, an oxide film, a carbonized film, a carbonitride film, an amorphous carbon film, or the like can be formed on the base material 207 placed on the turntable 212.
  • a hydrocarbon gas such as nitrogen gas (N 2 ), oxygen gas (O 2 ), or methane (CH 4 ) may be selected according to the application, and the pressure of the reaction gas in the chamber 211 may be selected. May be about 1 to 10 Pa.
  • the target 202 may be discharged by flowing an arc current of 100 to 200 A, and a negative voltage of 10 to 30 V may be applied by an arc power source 215. Further, a negative voltage of 10 to 200 V is preferably applied to the base material 207 by the bias power source 216.
  • the outer peripheral magnet 203 and the rear magnet 204 are configured and arranged so that the magnetic field on the front surface of the target 202 is 100 Gauss or more. Thereby, film formation can be performed reliably. More preferably, the magnetic field in front of the target 202 is 150 gauss.
  • FIG. 20 shows the distribution of the lines of magnetic force generated by the evaporation source 201a according to the first embodiment. Note that the magnetic force line distribution diagram shown in FIG. 20 shows the magnetic force line distribution from the rear of the back magnet 204a to the surface of the base material 207. 20, the right end indicates the position of the surface of the base material 207.
  • the dimensions of the target 202 are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the dimensions of the outer circumference magnet 203 are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 10 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the outer circumference magnet 203 is 5 mm.
  • the dimensions of the back magnet 204a are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 20 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the back magnet 204a is 40 mm.
  • the magnetic field intensity on the surface of the target 202 is 150 gauss or more.
  • the lines of magnetic force emitted from the back magnet 204a in the radially inward direction extend substantially vertically toward the target 202 while changing the traveling direction along the axial direction of the back magnet 204a. These lines of magnetic force pass through the evaporation surface of the target 202 in combination with the lines of magnetic force emitted from the outer peripheral magnet 203. From the evaporation surface of the target 202, magnetic lines of high straightness extending in the direction of the substrate are generated in a wide region of the evaporation surface of the target 202. In other words, many vertical magnetic field lines (vertical components) are generated in a wide region of the evaporation surface of the target 202.
  • the magnetic lines of force in the two circles P are curved toward the outer side in the radial direction of the target 202, that is, toward the outer peripheral magnet 203 when coming out of the evaporation surface of the target 202. This indicates that there is almost no magnetic force line component perpendicular to the evaporation surface of the target 202 in the outer periphery of the target 202 surrounded by two circles P.
  • the electron emission point (arc spot) on the cathode side generated in the film forming apparatus 206 is a place where a magnetic force component substantially parallel to the evaporation surface of the target 202 exists, that is, a magnetic line component perpendicular to the evaporation surface of the target 202 exists. It is easy to be trapped in a place that does not. That is, according to Invention Example 1, it is possible to avoid the problem that the arc spot moving at high speed on the evaporation surface of the target 202 moves beyond the outer periphery of the target 202 and out of the evaporation surface of the target 202. it can. Thereby, the arc spot can be kept on the evaporation surface of the target 202.
  • FIG. 21 shows the distribution of lines of magnetic force generated in the evaporation source according to this comparative example.
  • the evaporation source according to this comparative example includes a target and an outer peripheral magnet similar to those of the evaporation source 201a according to the first embodiment, and includes a back electromagnet 220 including an electromagnetic coil instead of the back magnet 204a of the evaporation source 201a.
  • the evaporation source according to this comparative example has a configuration similar to that of the arc evaporation apparatus disclosed in Patent Document 4.
  • the magnetic force line distribution diagram shown in FIG. 21 also shows the magnetic force line distribution from the back of the back electromagnet 220 to the surface of the base material.
  • the right end indicates the position of the surface of the substrate.
  • Various experimental conditions are shown below.
  • the dimensions of the target are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the dimensions of the outer peripheral magnet are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 10 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the outer peripheral magnet 203 is 5 mm.
  • the dimensions of the back electromagnet 20 are (inner diameter 50 mm, outer diameter 100 mm, thickness 25 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the back electromagnet 20 is 45 mm.
  • the magnetic field strength at the target surface is 150 gauss or more.
  • the magnetic force line which came out from the outer peripheral side rather than the center part in the inside of an electromagnetic coil diverges outward with respect to the axial center of a coil immediately after leaving an electromagnetic coil.
  • These divergent magnetic field lines diverge further in the target and go to the side of the target without reaching the front surface of the target.
  • magnetic lines of high straightness are emitted from the central portion of the back electromagnet 220, and these magnetic lines pass through the front surface of the target.
  • the density of the line of magnetic force that goes straight is very low as compared with Invention Example 1 shown in FIG.
  • FIG. 22 is a diagram showing a schematic configuration of an arc evaporation source 201b (hereinafter referred to as evaporation source 201b) according to the second embodiment of the third invention.
  • the film forming apparatus 206 according to the present embodiment includes an evaporation source 201b described later instead of the evaporation source 201a according to the first embodiment of the third invention.
  • the configuration other than the evaporation source 201b is the same as the configuration described in the first embodiment of the third invention, and the same components are not described and are denoted by the same reference numerals.
  • the evaporation source 201b in the present embodiment is similar to the evaporation source 201a in the first embodiment of the third invention.
  • the evaporation source 201b has a disk-shaped target 202 having a predetermined thickness and a magnetic field forming unit 208b disposed in the vicinity of the target 202. And is composed of.
  • the magnetic field forming means 208b includes a peripheral magnet 203 and a back magnet 204a similar to those in the first embodiment, and further has a configuration similar to that of the back magnet 204a and is a ring magnet having the same diameter as the peripheral magnet 203. 204b (second back magnet) is provided.
  • the ring-shaped back magnet 204b is arranged coaxially with the back magnet 204a and the outer peripheral magnet 203 on the back side of the back magnet 204a. Thereby, the magnetization direction of the back magnet 204b is parallel to and the same as the magnetization direction of the back magnet 204a.
  • the back magnet 204a and the back magnet 204b are adjacent to each other, but the interval is not necessarily arbitrary.
  • the back magnet 204a and the back magnet 204b may be brought close to each other so that repulsive force acts between the back magnet 204a and the back magnet 204b.
  • FIG. 23 shows the distribution of magnetic lines of force generated in the evaporation source 201b according to the second embodiment of the third invention.
  • the magnetic field line distribution diagram shown in FIG. 23 shows the magnetic field line distribution from the rear of the back magnet 204b to the surface of the base material 207. 23, the right end indicates the position of the surface of the base material 207.
  • the dimensions of the target 202 are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the dimensions of the outer circumference magnet 203 are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 10 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the outer circumference magnet 203 is 5 mm.
  • the dimensions of the back magnet 204a are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 20 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the back magnet 204a is 60 mm.
  • the dimensions of the back magnet 204b are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 20 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the back magnet 204b is 90 mm. The distance between the back magnet 204a and the back magnet 204b is 10 mm.
  • the magnetic field strength on the surface of the target 202 is 150 gauss or more.
  • a large number of lines of magnetic force with high straightness appear from the back magnet 204a and the back magnet 204b toward the inside in the radial direction. These lines of magnetic force extend substantially perpendicularly toward the target 202 while changing their traveling direction along the axial direction of the back magnet 204a and the back magnet 204b. These lines of magnetic force pass through the evaporation surface of the target 202 in combination with the lines of magnetic force emitted from the outer peripheral magnet 203. From the evaporation surface of the target 202, magnetic lines of high straightness extending in the direction of the substrate are generated in a wide region of the evaporation surface of the target 202. In other words, many vertical magnetic field lines (vertical components) are generated in a wide region of the evaporation surface of the target 202.
  • FIG. 20 of Invention Example 1 is compared with FIG. 23 of the invention example. 20 and 23, the range and shape of the magnetic field line distribution are almost the same.
  • the straightness and density of the magnetic lines of force extending along the inner radial direction of the back magnet 204 a and the back magnet 204 b and the magnetic lines of force extending from both the back magnets along the axis of the target 202 to the base material 207 are as follows: It is higher than the case of FIG. 20 where the back magnet 204 is provided.
  • FIG. 23 similarly to the region indicated by the circle P in FIG.
  • a region in which the magnetic force line component perpendicular to the evaporation surface does not substantially exist is formed in the outer peripheral portion of the target 202. Therefore, according to the present invention example, it is possible to avoid the problem that the arc spot moves outside the evaporation surface of the target 202 beyond the outer periphery of the target 202, and the arc spot is placed on the evaporation surface of the target 202. You can keep it.
  • FIG. 24 is a diagram showing a schematic configuration of an arc evaporation source 201c (hereinafter referred to as evaporation source 201c) according to a third embodiment of the third invention.
  • the film forming apparatus 206 according to the present embodiment includes an evaporation source 201c described later, instead of the evaporation source 201b according to the second embodiment of the third invention.
  • the configuration other than the evaporation source 201c is the same as the configuration described in the second embodiment of the third invention, and the same components are not described and are given the same reference numerals.
  • the evaporation source 201c in the present embodiment is similar to the evaporation source 201b in the second embodiment of the third invention.
  • the evaporation source 201c has a disk-shaped target 202 having a predetermined thickness and a magnetic field forming unit 208c disposed in the vicinity of the target 202. And is composed of.
  • the magnetic field forming means 208c includes an outer peripheral magnet 203, a back magnet 204a, and a back magnet 204b. Further, a single magnetic field is formed inside the back magnet 204a and the back magnet 204b.
  • the magnetic body 209 is provided.
  • the magnetic body 209 is a non-ring-shaped magnetic core and serves as a magnetic core for the back magnet 204a and the back magnet 204b.
  • the magnetic body 209 is provided so as to penetrate the back magnet 204a and the back magnet 204b, and has a disk shape or a column shape having the same diameter as the inside diameter of the back magnet 204a and the back magnet 204b.
  • the “non-ring shape” refers to a solid shape such as a disk shape or a columnar shape, not a ring shape having a hole in the radial direction in a donut shape.
  • the back magnet 204 a and the back magnet 204 b are arranged so as to surround the outer periphery of one magnetic body 209 in close contact (close contact).
  • the front end face of the back magnet 204a is substantially flush with the front end face of the magnetic body 209
  • the back end face of the back magnet 204b is substantially flush with the rear end face of the magnetic body 209.
  • the inner peripheral surfaces of the back magnet 204 a and the back magnet 204 b are in close contact with the side surface of the magnetic body 209. Thereby, it is possible to linearly guide the magnetic lines of force generated from the end surfaces of the back magnet 204a and the back magnet 204b through the magnetic body 209 in the axial direction of the back magnet 204a and the back magnet 204b. Therefore, in the magnetic body 209, it is possible to increase the repulsive action of the lines of magnetic force at positions near the axial centers of the back magnet 204a and the back magnet 204b. As a result, it is possible to generate many lines of magnetic force with high straightness from a position close to the axial center of the front end face of the magnetic body 209.
  • FIG. 25 shows the distribution of the lines of magnetic force generated in the evaporation source 201c according to the third embodiment of the third invention.
  • the magnetic field line distribution diagram shown in FIG. 25 shows the magnetic field line distribution from the back of the back magnet 204b to the surface of the base material 207.
  • the right end indicates the position of the surface of the substrate 207.
  • the dimensions of the target 202 are (diameter 100 mm ⁇ thickness 16 mm).
  • the dimensions of the outer circumference magnet 203 are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 10 mm), and the distance of the outer circumference magnet 203 from the surface of the target 202 is 5 mm.
  • the dimensions of the back magnet 204a are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 20 mm), and the distance from the surface of the target 2 to the back magnet 204a is 60 mm.
  • the dimensions of the back magnet 204b are (inner diameter 150 mm, outer diameter 170 mm, thickness 20 mm), and the distance from the surface of the target 202 to the back magnet 204b is 90 mm. The distance between the back magnet 204a and the back magnet 204b is 10 mm.
  • the dimension of the magnetic body 209 is (diameter 150 mm ⁇ height 50 mm).
  • the magnetic field strength on the surface of the target 202 is 150 gauss or more.
  • a large number of lines of magnetic force with high straightness are generated from the back magnet 204a and the back magnet 204b toward the inside in the radial direction, compared to the case of the invention example 2 shown in FIG.
  • These lines of magnetic force extend substantially vertically toward the target 202 near the axis of the magnetic body 209 while changing the traveling direction along the axis.
  • These lines of magnetic force pass through the evaporation surface of the target 202 in combination with the lines of magnetic force emitted from the outer peripheral magnet 203.
  • magnetic field lines having higher straightness than those of the invention example 2 shown in FIG. 23 are generated in a wide area of the evaporation surface of the target 202 and extend in the direction of the base material.
  • many vertical magnetic field lines are generated in a wide region of the evaporation surface of the target 202.
  • FIG. 23 of Invention Example 2 is compared with FIG. 25 of the Invention Example.
  • the range and shape of the lines of magnetic force distribution are almost the same.
  • the magnetic field lines shown in FIG. 25 are more concentrated than the magnetic field lines shown in FIG. 23 so as to be concentrated near the axial centers of the magnetic body 209 and the target 202. Therefore, the straightness and density of the entire magnetic field lines are higher in FIG. 25 than in FIG. Also in FIG. 25, as in FIG. 23 of Invention Example 2 described above, a region in which the magnetic force line component perpendicular to the evaporation surface does not substantially exist is formed in the outer peripheral portion of the target 202.
  • the target 202 described above is not limited to a disk shape, and may have a polygonal shape such as a square shape.
  • the outer peripheral magnet 203 and the back magnets 204a and 204b are not limited to an annular shape, and may be a polygonal annular shape such as a quadrangle.
  • the present invention can be used as an arc evaporation source of a film forming apparatus for forming a thin film.

Abstract

 本発明の一実施形態のアーク式蒸発源101は、磁化方向がターゲット102の前面と平行となる方向に沿うようにターゲットの外周を取り囲むように配置されたリング状の外周磁石103と、磁化方向がターゲット102の前面と直交する方向に沿うようにターゲットの背面側に配置された背面磁石104と、を備える。外周磁石103の径方向内側の磁極と背面磁石104のターゲット102側の磁極とは互いに同じ極性である。

Description

アーク式蒸発源
 本発明は、機械部品等の耐摩耗性などの向上のために用いられる、窒化物及び酸化物などのセラミック膜、非晶質炭素膜等の薄膜を形成する成膜装置のアーク式蒸発源に関する。
 従来、機械部品、切削工具、摺動部品などの耐摩耗性、摺動特性及び保護機能を向上させる目的で、当該部品及び工具の基材の表面に薄膜をコーティングする物理蒸着法が広く用いられている。この物理蒸着法としては、アークイオンプレーティング法や、スパッタ法が広く知られている。アークイオンプレーティング法は、カソード放電型アーク式蒸発源を用いる技術である。
 カソード放電型アーク式蒸発源(以下、アーク式蒸発源という)は、カソードであるターゲットの表面にアーク放電を発生させ、ターゲットを構成する物質を瞬時に溶解及び蒸発させてイオン化する。アーク式蒸発源は、アーク放電によってイオン化されたその物質を被処理物である基材側に引き込んで、基材表面に薄膜を形成する。このアーク式蒸発源によれば、ターゲットの蒸発速度が速く、かつ蒸発した物質のイオン化率が高いので、成膜時には基材にバイアスを印加することで緻密な皮膜を形成できる。このため、アーク式蒸発源は、切削工具などの表面に耐摩耗性皮膜を形成する目的で産業的に用いられている。
 アーク放電により蒸発するターゲットを構成する原子は、アークプラズマ中において高度に電離及びイオン化する。その場合、ターゲットから基材に向かうイオンの輸送はターゲットと基材との間の磁界に影響され、その軌跡は、ターゲットから基材に向かう磁力線に沿う。
 しかし、カソード(ターゲット)とアノードとの間で生じるアーク放電では、カソード側の電子放出点(アークスポット)を中心としてターゲットが蒸発する際に、溶融した蒸発前のターゲット(マクロパーティクル)が、アークスポット近傍から放出されることがある。このマクロパーティクルの被処理体への付着は、薄膜の面粗度を低下させる原因となる。
 これに関して、アークスポットが高速で移動すると、マクロパーティクルの量は抑制される傾向にある。そのアークスポットの移動速度は、ターゲットの表面に印加された磁界に影響される。
 このような問題を解消するために、ターゲットの表面に磁界を印加することによりアークスポットの移動を制御する次のような技術が提案されている。
 特許文献1には、リング状の磁場発生源をターゲットの周囲に設けることによりターゲットの表面に垂直な磁場を印加する真空アーク蒸発源が開示されている。特許文献1では、この真空アーク蒸発源によれば、アークスポットの動きが高速になり、溶融粒子の発生を抑制できると記載されている。
 特許文献2には、カソードの背面に磁石が配置されたアーク式蒸発源が開示されている。
 特許文献3には、ターゲットの外周を取り囲み、且つ磁化方向がターゲットの表面と直交する方向に沿った外周磁石と、極性が外周磁石と同方向で、且つ磁化方向がターゲットの表面と直交する方向に沿った背面磁石と、を備えたアーク式蒸発源が開示されている。特許文献3には、このアーク式蒸発源によれば、磁力線の直進性を向上させることができると記載されている。
 特許文献4には、ターゲットの周囲に配置されたリング状磁石と背面の電磁コイルとによりターゲットの表面に平行な磁場を形成するアーク蒸発装置が開示されている。特許文献4には、このアーク蒸発装置によれば、ターゲットの中心からその外縁部までのあらゆるトラックに従ったアークの誘導が達成されると記載されている。
日本国特開平11-269634号公報 日本国特開平08-199346号公報 日本国特開2010-275625号公報 日本国特表2004-523658号公報
 しかしながら、特許文献1に開示の真空アーク蒸発源は、ターゲットの周辺部からのみターゲットの表面に磁場を印加しているために、ターゲットの表面の中心付近では磁場が弱くなる。このように磁場が弱くなった中心付近で放電する場合には、マクロパーティクルが多く放出される。
 このように中心付近で磁場が弱くなる技術は、大型のターゲットを用いる蒸発源には適用が困難である。また、ターゲットの表面からの磁力線が基材方向に向かって伸びていないため、蒸発してイオン化されたターゲットの物質を基材方向に向かって効率的に誘導することができない。この問題を回避するために、リング状の磁場発生源に付加する電流値を大きくすることが考えられる。しかしながら、電流の増大のみに頼ることには発熱等の問題があり、限度がある。
 また、ターゲットの表面からの磁力線が軸心から逸れる方向に向かっていることにより、基材から逸れる磁力線が多数発生してしまう。このような磁力線が形成される磁場形態では、ターゲットから蒸発したイオンが効率的に基材に輸送されないため、成膜速度が遅くなる。
 また、特許文献2に開示のアーク式蒸発源によれば、カソードの背面の磁石によってカソードの表面に強い磁場を印加することができるが、磁力線はカソードの表面の中心から外周(外側)に向かう方向に伸びている(発散している)。ここで、カソードの表面に垂直磁場が印加された状況では、アークスポットは磁力線が倒れる方向に移動する傾向にある。したがって、放電時にアークスポットが外周部へと移動して放電が不安定になると共に、当該外周部のみで局所的な放電が生じてしまう。また、ターゲットからの磁力線が基材方向に向かって伸びていないことから、イオン化されたターゲット物質を効率的に基材方向に誘導することが出来ない。
 特許文献3に開示のアーク式蒸発源は、ターゲットの背面に間隔を空けて配置された2枚の円板磁石によって、ターゲットの表面から基材に向かう方向に磁力線を発生させている。これら2枚の円板磁石は、中央部においては直進性の高い磁力線を発生させることができる。しかしながら、中央部よりも外周側から出た磁力線は、円板磁石の軸心に対して外向きに発散する。これは、一般的な磁石の特性として避けがたい現象であるため、イオン化されたターゲット物質を効率的に基材方向に誘導するには、更なる改善の余地がある。
 さらに、特許文献4に開示のアーク蒸発装置によれば、電磁コイルの中央部からは直進性の高い磁力線が発生するが、電磁コイルの中央部よりも外周側から出た磁力線は、電磁コイルの軸心に対して外向きに発散する。
 つまり、特許文献3及び4に開示の技術では、ターゲットの背面に設ける磁石や電磁石の特性上、ターゲットの中央部のみが、ターゲットの前面から基材に向かって直進性の高い磁力線を発生させることができる。そのため、特許文献3及び4に開示の技術によっても、成膜速度を十分に向上させることができない。
 前述した問題に鑑み、本発明の目的は、ターゲットの表面における磁力線の傾きが垂直となるように、又はターゲットの表面における磁力線の傾きをカソードの表面の外周から中心(内側)に向かう方向とするように、磁力線を制御可能なアーク式蒸発源を提供することである。
 前記目的を達成するため、本発明に係るアーク式蒸発源は、
 ターゲットの外周側に配置されたリング状の外周磁石及び前記ターゲットの背面側に設置された背面磁石の少なくともいずれかを備え、
 前記外周磁石及び前記背面磁石のいずれか一方が、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有するように設置されることにより、前記ターゲットの蒸発面を通過する磁力線の方向が前記蒸発面に対して略垂直であることを特徴とする。
 特に、本発明の第1発明において、アーク式蒸発源は、
 リング状の外周磁石と、
 リング状の磁場発生機構と、を備え、
 前記外周磁石の磁化方向は、径方向に沿っており、
 前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記ターゲットの外周を囲むように配置されており、
 前記磁場発生機構は、前記磁場発生機構の軸心が前記ターゲットの前面と略垂直な方向に沿うように前記ターゲットの前方に配置されて、前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生することを特徴とする。
 または、本発明の第1発明において、アーク式蒸発源は、
 リング状の外周磁石と、
 リング状の磁場発生機構と、を備え、
 前記外周磁石の磁化方向は、径方向に沿っており、
 前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記外周磁石の前端部が前記ターゲットの背面よりも後方に位置するように設置されており、
 前記磁場発生機構は、前記磁場発生機構の軸心が前記ターゲットの前面と略垂直な方向に沿うように前記ターゲットの前方に配置されて、前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生することを特徴とする。
 また、本発明の第2発明において、アーク式蒸発源は、
 リング状の外周磁石と、
 背面磁石と、を備え、
 前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記ターゲットの外周を取り囲むように配置されており、
 前記背面磁石は、前記背面磁石の磁化方向が前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うように、前記ターゲットの背面側に配置されており、
 前記外周磁石の径方向内側の磁極と、前記背面磁石の前記ターゲット側の磁極と、が互いに同じ極性であることを特徴とする。
 または、本発明の第2発明において、アーク式蒸発源は、
 リング状の外周磁石と、
 背面磁石と、
 リング状の磁場発生機構と、を備え、
 前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向がターゲットの前面と平行な方向と沿うように、前記ターゲットの背面よりも後方に配置されており、
 前記背面磁石は、前記背面磁石の磁化方向が前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うように配置されており、
 前記外周磁石の径方向内側の磁極と、前記背面磁石の前記ターゲット側の磁極と、が互いに同じ極性であり、
 前記磁場発生機構は、前記背面磁石と同一方向の磁場を発生し、前記ターゲットの前面を通過した磁力線を前記磁場発生機構の径方向内側に通過させるように、前記ターゲットの前方に配置されていることを特徴とする。
 また、本発明の第3発明において、アーク式蒸発源は、
 リング状の外周磁石と、
 リング状の背面磁石と、を備え、
 前記外周磁石は、ターゲットの外周側を囲むように配置され、前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うと共に前方又は後方を向いた磁化方向となる極性を有し、
 前記背面磁石は、前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの大きさ以上の内径を有し、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有し、
 前記外周磁石の磁化方向が前方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向内側を向いており、
 前記外周磁石の磁化方向が後方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向外側を向くことを特徴とする。
 上記した発明のうち、特に第1発明によると、ターゲットと基材との間の磁力を強くするとともに、ターゲット表面における磁力線の傾きを垂直となるように、又はカソード表面の外周から中心側(内側)に向かう方向となるように、制御することができる。
 上記した発明のうち、特に第2発明によると、ターゲット表面における磁力線の傾きを、垂直となるように、又はカソード表面の外周から中心側(内側)に向かう方向となるように制御することができる。
 上記した発明のうち、特に第3発明によると、アーク式蒸発源において、ターゲット表面から基材方向に伸びる直進性の高い磁力線を、ターゲット表面の広い領域において発生させることができる。
(a)は、本発明の第1発明の第1実施形態に係るアーク式蒸発源を備えた成膜装置の概略構成を示す側面図であり、(b)は、成膜装置の概略構成を示す平面図である。 第1発明の第1実施形態に係るアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 従来例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第1発明の発明例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第1発明の実施形態に係るアーク式蒸発源の変形例の概略構成を示す図である。 (a)は、本発明の第2発明の第1実施形態に係るアーク式蒸発源を備えた成膜装置の概略構成を示す側面図であり、(b)は、成膜装置の概略構成を示す平面図である。 第2発明の第1実施形態に係るアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 第2発明の第2実施形態に係るアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 第2発明の第3実施形態に係るアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 従来例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例1によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例2によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例3によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例2の変形例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例2の他の変形例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例3の変形例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第2発明の発明例3の他の変形例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 (a)は、本発明の第3発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源を備えた成膜装置の概略構成を示す側面図であり、(b)は、成膜装置の概略構成を示す平面図である。 第3発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 第3発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 比較例によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第3発明の第2実施形態によるアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 第3発明の第2実施形態によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。 第3発明の第3実施形態によるアーク式蒸発源の概略構成を示す図である。 第3発明の第3実施形態によるアーク式蒸発源の磁力線分布を示す図である。
[第1発明]
 以下、本発明の第1発明について、図1~図5に基づき説明する。
[第1実施形態(第1発明)]
 図1及び図2を参照して、第1発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係るアーク式蒸発源1(以下、蒸発源1という)を備えた成膜装置6を示している。
 成膜装置6はチャンバ11を備え、このチャンバ11内には、被処理物である基材7を支持する回転台12と、基材7に向けて取り付けられた蒸発源1と、が配置されている。チャンバ11には、チャンバ11内へ反応ガスを導入するガス導入口13と、チャンバ11内から反応ガスを排出するガス排気口14と、が設けられている。
 加えて、成膜装置6は、蒸発源1のターゲット2(後述)に負のバイアスをかけるアーク電源15と、基材7に負のバイアスをかけるバイアス電源16と、を備える。アーク電源15およびバイアス電源16の正極側は、グランド18に接地されている。
 図1に示すように、蒸発源1は、蒸発面が基材7に向くように配置された所定の厚みを有する円板状のターゲット2と、ターゲット2の近傍に配置された磁界形成手段8と、を備えている。以下、用語「円板状」は、所定の高さを有する円柱形状も含む。磁界形成手段8は、外周磁石3から構成され得る。なお、本実施形態の場合には、チャンバ11がアノードとして作用する。このような構成によって、蒸発源1は、カソード放電型のアーク式蒸発源として機能する。
 図1及び図2を参照し、成膜装置6に備えられた蒸発源1の構成について、以下に説明する。図2は、本実施形態による蒸発源1の概略構成を示す図である。
 蒸発源1は、上述したように、所定の厚みを有する円板状のターゲット2と、ターゲット2の近傍に配置された磁界形成手段8と、から構成されている。
 なお、以下の説明において、ターゲット2の蒸発面となる基材7側(白矢印で示される基材方向)を向く面を「前面」、その反対側(基材と反対方向)を向く面を「背面」と呼ぶ(図1及び図2参照)。
 ターゲット2は、基材7上に形成しようとする薄膜に応じて選択された材料で構成されている。その材料としては、例えば、クロム(Cr)、チタン(Ti)、及びチタンアルミ(TiAl)などの金属材料や、炭素(C)などのイオン化可能な材料がある。
 磁界形成手段8は、磁場発生機構としての電磁コイル9と、ターゲット2の外周を取り囲むように配置されたリング状(環状またはドーナツ状)の外周磁石3と、を有している。外周磁石3は、保磁力の高いネオジム磁石により形成された永久磁石によって構成されている。
 電磁コイル9は、ターゲット2の前面(蒸発面)に垂直な方向の磁場を発生するリング状のソレノイドである。例えば、電磁コイル9は、数百回程度(例えば410回)の巻数を有し、ターゲット2の径よりも若干大きな径のコイルとなるように巻回されている。本実施形態では、2000A・T~5000A・T程度の電流で、電磁コイル9が磁場を発生させる。
 図2に示すように、この電磁コイル9はターゲット2の前面側に設けられており、径方向から見た電磁コイル9の投影は、ターゲット2の投影と重ならない。このとき、電磁コイル9は、ターゲット2と同心軸上に並ぶように配置される。このように配置されたターゲット2及び電磁コイル9を基材7側から見ると、円環状の電磁コイル9の内側に、円形のターゲット2がほぼ同心に入り込んでいる。
 このように配置した電磁コイル9に電流を流すと、電磁コイル9の内側に、ターゲット2側から基材7側に向かう磁場が発生する。このとき、ターゲット2の前面を通過した磁力線は、電磁コイル9内を通過できるようになっている。
 外周磁石3は、上述のとおりリング体であり、軸心方向に所定の厚みを有している。外周磁石3の厚みは、ターゲット2の厚みとほぼ同じであるか若干小さい。
 このようなリング状の外周磁石3の外観は、互いに平行な2つの円環状の面(円環面)と、当該2つの円環面を軸心方向につなぐ2つの周面と、からなっている。この2つの周面は、円環面の内周側に形成される内周面と、円環面の外周側に形成される外周面である。これら内周面と外周面の幅が、外周磁石3の厚みである。
 図2に示すように、外周磁石3は、内周面がN極となり、外周面がS極となるように磁化されている。なお、図中でS極からN極に向かう黒矢印が示されているが、以降、この矢印の方向を磁化方向と呼ぶ。本実施形態の外周磁石3は、ターゲット2の前面と平行な方向に磁化方向が沿うように、すなわち磁化方向がターゲット2を向くように配置されている。
 外周磁石3は、リング状または環状の一体形状を有していて良い。あるいは、外周磁石3は、磁化方向がターゲット2の表面と水平方向になるようにリング状または環状に並べられた円柱状あるいは直方体状の磁石により構成されていても良い。
 外周磁石3は、ターゲット2の外周を取り囲むように配置されており、ターゲット2と同心軸上に配置されている。このとき、外周磁石3は、ターゲット2の厚みの範囲から出ないように配置される。これにより、外周磁石3の径方向から見た投影が、ターゲット2の径方向から見た投影と重なっている。すなわち、外周磁石3は、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成されるそれぞれの影が互いに重なると共に、外周磁石3の影がターゲット2の影に完全に含まれるように配置されている。
 このように、外周磁石3の前面側の円環面である前端部がターゲット2の前面より背面側(後方)に位置するように、且つ、外周磁石3の後面側の円環面である後端部がターゲット2の背面より前面側(前方)に位置するように、外周磁石3が蒸発源1に配置されている。
 このように外周磁石3が設けられた場合には、電磁コイル9だけが用いられる場合に比べて、ターゲット2近傍の磁力線を収束させてターゲット2の蒸発面を通過させることができる。また、ターゲット2の蒸発面を通過する磁力線の方向を蒸発面に対してほぼ垂直とすることが可能となるという効果も得られる。
 上述の構成において、電磁コイル9の極性は、基材7側がN極であり、ターゲット2側がS極である。また、外周磁石3の極性は、ターゲット2に対向する内周面側がN極であり、外周面側がS極である。しかし、電磁コイル9に付加する電流の向きを逆にするとともに、外周磁石3とは内周面および外周面の極性が逆の外周磁石を用いることにより上記の構成とは反対の極性となるように構成しても、同様の磁力線分布を得ることができる。
 次に、蒸発源1を用いた成膜装置6における成膜の方法を説明する。
 まず、チャンバ11が真空引きにより真空になった後、アルゴンガス(Ar)等の不活性ガスがガス導入口13より導入され、ターゲット2及び基材7上の酸化物等の不純物がスパッタによって除去される。不純物の除去後、チャンバ11内が再び真空にされて、真空となったチャンバ11内にガス導入口13より反応ガスが導入される。
 この状態でチャンバ11に設置されたターゲット2上でアーク放電を発生させると、ターゲット2を構成する物質がプラズマ化して反応ガスと反応する。これによって、回転台12に置かれた基材7上に、窒化膜、酸化膜、炭化膜、炭窒化膜、または非晶質炭素膜等を形成することができる。
 なお、反応ガスとしては、窒素ガス(N)や酸素ガス(O)、またはメタン(CH)などの炭化水素ガスを用途に合わせて選択すればよく、チャンバ11内の反応ガスの圧力は1~7Pa程度とすればよい。また、成膜時、ターゲット2は、100~200Aのアーク電流を流すことで放電させると共に、10~30Vの負電圧をアーク電源15により印加するとよい。さらに、基材7には10~200Vの負電圧をバイアス電源16により印加するとよい。
 また、ターゲット2の前面における磁場が100ガウス以上となるように、外周磁石3及び電磁コイル9を構成し、且つ配置すると好ましい。これにより、成膜を確実に行うことができる。ターゲット2の前面における磁場が150ガウスであれば、より好ましい。
 なお、本実施形態の蒸発源1を用いて成膜を行う場合における磁力線の分布状況は、以下の実施例で詳しく説明する。
[実施例(第1発明)]
 図3及び図4を参照しながら、第1発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源1が発生する磁力線分布の特徴について説明する。
 なお、図3(a)及び図4(a)に示される磁力線分布図は、ターゲット2の背面側から基材7の表面までの磁力線分布を示している。これら図3(a)及び図4(a)の磁力線分布図において、右端は基材7の表面の位置を示している。図3(b)及び図4(b)で示される磁力線分布図は、それぞれ、図3(a)及び図4(a)のターゲット2周辺の拡大図である。
 以下に説明する従来例及び発明例における、各種実験条件を示す。ターゲット2は、チタン(Ti)とアルミ(Al)の原子比が1:1のチタンアルミ(TiAl)により形成されており、その寸法は、(直径100mm×厚み16mm)である。
 外周磁石3は永久磁石により形成されており、その寸法は、(外径170mm、内径150mm、厚み10mm)である。
[従来例(第1発明)]
 まず、理解を深めるため、図3(a)(b)を参照して、従来例、すなわち電磁コイル9だけが用いられる場合の磁力線分布について説明する。
 図3(a)を参照すると、電磁コイル9が形成する磁界による磁力線は、ターゲット2の側から収束されながら電磁コイル9の内へと導入されるとともに、当該コイル内から拡散しつつ基材7の表面へと向かっている。
 図3(b)を参照すると、ターゲット2の前面(蒸発面)を通過する磁力線は、ターゲット2の外周から内周に向かう方向に傾いており、ターゲット2の背面から前面に向かって収束している。
[発明例(第1発明)]
 図4(a)(b)を参照して、第1発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源1が用いられるときの磁力線分布について説明する。
 図4(a)を参照すると、電磁コイル9と外周磁石2とが形成する磁界による磁力線のうち、ターゲット2の背面側から基材7へと向かう磁力線のほぼ全てが、ターゲット2の前面(蒸発面)を通過して、電磁コイル9の内へと導入されている。
 図3(a)に示す従来例と比較すると、図4(a)に示す発明例では、ターゲット2と電磁コイル9との間における磁力線の密度が高くなっていることがわかる。つまり、外周磁石2を用いることで、ターゲット2と電磁コイル9との間の磁力が強くなったといえる。
 図4(b)を参照すると、図3(b)に示す従来例と比較して、ターゲット2の前面(蒸発面)における磁力線の密度が高くなっていることがわかる。これだけでなく、ターゲット2の蒸発面を通過する磁力線は、ターゲット2の蒸発面に対してほぼ垂直(言い換えれば、ターゲット法線に対して略平行)となっている。しかしながら、ターゲット2の蒸発面を通過する磁力線は、単に蒸発面に対してほぼ垂直というだけでなく、ターゲット2の外周から内周に向かう方向に若干傾いているといえる。
 この傾きにより、放電時にアークスポットが外周部へと移動して放電が不安定になるといった問題や、当該外周部のみで局所的な放電が生じてしまうといった問題が、発生しにくくなる。
 以上、第1発明の第1実施形態及び発明例を通して以下のことが理解できる。つまり、外周磁石3が設けられる場合には、イオン化されたターゲットの物質をターゲット2の蒸発面から効率よく引き出すためにターゲット2と電磁コイル9との間の磁力を強くすることができる。外周磁石3が設けられる場合には、電磁コイル9に付加する電流値を大きくしなくても、ターゲット2と電磁コイル9との間の磁力強度を高くすることができる。
 この外周磁石3が設けられる位置は、上記実施形態で開示された位置に限られない。
 例えば、外周磁石3は、ターゲット2の背面側に位置をずらして配置されてもよい。このように外周磁石3の位置をずらすと、外周磁石3の径方向から見た投影の前面側が、ターゲット2の径方向から見た投影の背面側と重なる。すなわち、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成される投影が互いに部分的に重なると共に、外周磁石3の投影の前面側がターゲット2の投影の背面側に重なるように、外周磁石3が配置される。
 このとき、図2において黒矢印が位置している外周磁石3の厚み方向の中央位置、つまり外周磁石3の前端部と後端部との中間位置は、ターゲット2の厚み方向に沿った幅の範囲内にあり、ターゲット2の背面よりも前面側(前方)に配置されている。
 このように、本実施形態における外周磁石3は、外周磁石3の前端部がターゲット2の背面よりも前方に配置されるように、蒸発源1に配置されている。さらに詳細には、ターゲット2の前面側の円環面である前端部がターゲット2の前面より背面側(後方)に位置するように、及び/又はターゲット2の後面側の円環面である後端部が、ターゲット2の背面より前面側(前方)に配置されるように、外周磁石3が蒸発源1に配置されているといえる。
 このように、外周磁石3をターゲット2の背面側にずらして配置すると、ターゲット2の蒸発面を通過する磁力線が、ターゲット2の蒸発面に対してより垂直(言い換えれば、ターゲット法線に対してより平行)となることが期待できる。これに加えて、ターゲット2の消費によって蒸発面の位置が変化した場合でも、蒸発面での磁場の均一性を良好な状態で保つことができるようになる。
 上述のように、外周磁石3の前端部がターゲット2の背面よりも前方となるように、外周磁石3が配置されると望ましい。
 しかし、図5に示すように、第1発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源1の変形例として、外周磁石3がターゲット2の外周を取り囲まないように、すなわち外周磁石3の前端部がターゲット2の背面よりも後方となるように、外周磁石3を配置できる場合がある。このとき、外周磁石3の径方向から見た投影の前面側は、ターゲット2の径方向から見た投影の背面側よりも後方に位置することになる。すなわち、ターゲット2の蒸発面と平行な方向に外周磁石3とターゲット2とを投影したときに形成される投影が重ならず、外周磁石3の投影の前面側がターゲット2の投影の背面側よりも後方となるように、外周磁石3を配置することができる。
 言うまでもなく、外周磁石3をターゲット2の背面から後方に離しすぎると、ターゲット2の前面での磁力が弱くなると共に、ターゲット2の外側に発散するような磁力線が形成されてしまう。そこで、例えば所定の条件が満たされていれば、外周磁石3は、軸心がターゲット2の前面と略垂直に交差する位置で、前端部がターゲット2の背面よりも後方となるように、且つ磁化方向がターゲット2の前面と平行となる方向に沿うように配置されてもよい。
 上記条件は、例えば、ターゲット2の前面での磁力線がおよそ100ガウス程度又はそれ以上となること、およびターゲット2の外周部にターゲット中心方向に傾いた磁力線が形成されることである。より好ましくは、外周磁石3は、ターゲット2とほぼ同軸(同心軸上)となるように配置される。
[第2発明]
 以下、本発明の第2発明について、図6~17に基づき説明する。
[第1実施形態(第2発明)]
 図6及び図7を参照して、第2発明の第1実施形態について説明する。図6は、第2発明の第1実施形態に係るアーク式蒸発源101a(以下、蒸発源101aという)を備えた成膜装置106を示している。
 成膜装置106はチャンバ111を備え、このチャンバ111内には、被処理物である基材107を支持する回転台112と、基材107に向けて取り付けられた蒸発源101aと、が配置されている。チャンバ111には、チャンバ111内へ反応ガスを導入するガス導入口113と、チャンバ111内から反応ガスを排出するガス排気口114と、が設けられている。
 加えて、成膜装置106は、蒸発源101のターゲット102(後述)に負のバイアスをかけるアーク電源115と、基材107に負のバイアスをかけるバイアス電源116と、を備える。アーク電源115およびバイアス電源116の正極側は、グランド118に接地されている。
 図6に示すように、蒸発源101aは、蒸発面が基材107に向くように配置された所定の厚みを有する円板状のターゲット102と、ターゲット102の近傍に配置された磁界形成手段108と、を備えている。以下、用語「円板状」は、所定の高さを有する円柱形状も含む。磁界形成手段108は、外周磁石103と背面磁石104とから構成される。なお、本実施形態の場合には、チャンバ111がアノードとして作用する。このような構成によって、蒸発源101aは、カソード放電型のアーク式蒸発源として機能する。
 図6及び図7を参照し、成膜装置106に備えられた蒸発源101aの構成について、以下に説明する。図7は、本実施形態による蒸発源101aの概略構成を示す図である。
 蒸発源101aは、上述したように、所定の厚みを有する円板状のターゲット102と、ターゲット102の近傍に配置された磁界形成手段108と、から構成されている。
 なお、以下の説明において、ターゲット102の蒸発面となる基材107側(白矢印で示される基材方向)を向く面を「前面」、その反対側(基材と反対方向)を向く面を「背面」と呼ぶ(図6及び図7参照)。
 ターゲット102は、基材107上に形成しようとする薄膜に応じて選択された材料で構成されている。その材料としては、例えば、クロム(Cr)、チタン(Ti)、及びチタンアルミ(TiAl)などの金属材料や、炭素(C)などのイオン化可能な材料がある。
 磁界形成手段108は、ターゲット102の外周を取り囲むように配置されたリング状(環状またはドーナツ状)の外周磁石103と、ターゲット102の背面側に配置された背面磁石104と、を有している。これら外周磁石103及び背面磁石104は、保磁力の高いネオジム磁石により形成された永久磁石によって構成されている。
 外周磁石103は、上述のとおりリング体であり、軸心方向に所定の厚みを有している。外周磁石103の厚みは、ターゲット102の厚みとほぼ同じであるか若干小さい。
 このようなリング状の外周磁石103の外観は、互いに平行な2つの円環状の面(円環面)と、当該2つの円環面を軸心方向につなぐ2つの周面と、からなっている。この2つの周面は、円環面の内周側に形成される内周面と、円環面の外周側に形成される外周面である。これら内周面と外周面の幅が、外周磁石103の厚みである。
 図7に示すように、外周磁石103は、内周面がN極となり、外周面がS極となるように磁化されている。なお、図中で外周磁石103のS極からN極に向かう黒矢印が示されているが、以降、この矢印の方向を磁化方向と呼ぶ。本実施形態の外周磁石103は、ターゲット102の前面と平行な方向に磁化方向が沿うように、すなわち磁化方向がターゲット102を向くように配置されている。
 外周磁石103は、リング状あるいは環状の一体形状を有していて良い。あるいは、外周磁石103は、磁化方向がターゲット102の表面と水平方向になるように、リング状または環状に並べられた円柱状あるいは直方体状の磁石により構成されていても良い。
 外周磁石103は、ターゲット102の外周を取り囲むように配置されており、ターゲット102と同心軸上に配置されている。このとき、外周磁石103は、ターゲット102の厚みの範囲から出ないように配置される。よって、外周磁石103の径方向から見た投影が、ターゲット102の径方向から見た投影と重なっている。すなわち、外周磁石103は、ターゲット102の蒸発面と平行な方向に外周磁石103とターゲット102とを投影したときに形成されるそれぞれの影が互いに重なると共に、外周磁石103の影がターゲット102の影に完全に含まれるように配置されている。
 このように、外周磁石103の前面側の円環面である前端部がターゲット102の前面より背面側(後方)に位置するように、且つ、外周磁石103の後面側の円環面である後端部がターゲット102の背面より前面側(前方)に配置されるように、外周磁石103が蒸発源101aに配置されている。
 また、本実施形態において、外周磁石103は、その前端部と後端部との中間位置が、ターゲット102の前面と背面との中間位置と一致するように配置されている。
 背面磁石104は、磁心となる非リング状の磁気コア105と、磁気コア105を挟む2つの円板状の円板背面磁石104A、104Bと、から構成されている。円板背面磁石104A、104Bも、磁気コア105と同様に非リング状である。ここで、用語「非リング状」は、ドーナツ様に径方向内部に孔が空いている環状ではなく、円板状や円柱状等の中実な形状を指す。すなわち、「非リング状」は、表面から外方へ向くいずれの法線も互いに交わらない形状を意味する。これまでの知見から、基材方向に効率的に磁力線を延ばすためには、背面の磁石は厚みを有する必要があることが分かっている。そのため本実施形態では、厚みを増やすために2枚の磁石である円板背面磁石104A、104Bが離して配置されると共に、その間は磁性体である磁気コア105で埋められており、磁力の低下が防止されている。
 図7に示すように、円板背面磁石104A、104Bは、一方の円板面がN極となり、他方の円板面がS極となるように磁化されている。円板背面磁石104A、104Bは、円板背面磁石104AのS極側の面と円板背面磁石104BのN極側の面とで磁気コア105を挟んでおり、互いの磁化方向を同じ方向に向けている。
 このように構成された背面磁石104は、その磁化方向がターゲット102の軸心に沿うように、且つ当該磁化方向がターゲット102の蒸発面に対して垂直となるように、ターゲット102の背面側に配置される。さらに、背面磁石104は、円板背面磁石104AのN極側がターゲット102に向くように配置される。このとき、背面磁石104は、その軸心がターゲット102の軸心とほぼ一致するように配置される。
 蒸発源101aは、上述のように外周磁石103と背面磁石104をターゲット102に対して配置することによって構成される。このとき、外周磁石103の磁化方向はターゲット102の前面と平行となる方向、すなわちターゲット102を向いている。また、外周磁石103の内周面側の磁極はN極であり、背面磁石104のターゲット102側の磁極もN極であるので、外周磁石103の径方向内側の磁極と背面磁石104のターゲット102側の磁極とは互いに同じ極性である。
 このように、外周磁石103と背面磁石104がターゲット102に同じ極性を向けることで、外周磁石103によって形成される磁界と背面磁石104によって形成される磁界とを組合せることができる。これにより、ターゲット102の蒸発面を通過する磁力線の方向を蒸発面に対してほぼ垂直とすることができ、且つ磁力線を基材107の方向に誘導することが可能となるという効果が得られる。
 なお、上述の通り、外周磁石103と背面磁石104は同じ磁極をターゲット102に向けていればよいので、外周磁石103と背面磁石104が互いにS極をターゲット102に向けるように蒸発源101aが構成されていてもよい。
 次に、蒸発源101aを用いた成膜装置106における成膜の方法を説明する。
 まず、チャンバ111が真空引きにより真空になった後、アルゴンガス(Ar)等の不活性ガスがガス導入口113より導入され、ターゲット102及び基材107上の酸化物等の不純物がスパッタによって除去される。不純物の除去後、チャンバ111内が再び真空にされて、真空となったチャンバ111内にガス導入口113より反応ガスが導入される。
 この状態でチャンバ111に設置されたターゲット102上でアーク放電を発生させると、ターゲット102を構成する物質がプラズマ化して反応ガスと反応する。これによって、回転台112に置かれた基材107上に、窒化膜、酸化膜、炭化膜、炭窒化膜、または非晶質炭素膜等を形成することができる。
 なお、反応ガスとしては、窒素ガス(N2)や酸素ガス(O2)、またはメタン(CH4)などの炭化水素ガスを用途に合わせて選択すればよく、チャンバ111内の反応ガスの圧力は1~7Pa程度とすればよい。また、成膜時、ターゲット102は、100~200Aのアーク電流を流すことで放電させると共に、10~30Vの負電圧をアーク電源115により印加するとよい。さらに、基材107には10~200Vの負電圧をバイアス電源116により印加するとよい。
 また、ターゲット102の前面における磁場が100ガウス以上となるように、外周磁石103及び背面磁石104を構成し、且つ配置すると好ましい。これにより、成膜を確実に行うことができる。ターゲット102の前面における磁場が150ガウスであれば、より好ましい。
 なお、本実施形態の蒸発源101aを用いて成膜を行う場合における磁力線の分布状況は、後述の実施例で詳しく説明する。
[第2実施形態(第2発明)]
 図8を参照して、第2発明の第2実施形態について説明する。
 図8は、本実施形態による成膜装置106で用いられるアーク式蒸発源101bの概略構成を示す図である。
 本実施形態におけるアーク式蒸発源101bは、第2発明の第1実施形態におけるアーク式蒸発源101aと同様に、所定の厚みを有する円板状のターゲット102と、ターゲット102の近傍に配置された磁界形成手段108と、から構成されている。磁界形成手段108は、第1実施形態と同様に、ターゲット102の外周を取り囲むように配置されたリング状(環状)の外周磁石103と、ターゲット102の背面側に配置された背面磁石104と、を有している。
 このように、本実施形態における蒸発源101bは、第1発明の第1実施形態におけるアーク式蒸発源101aと同様の構成を有しているが、外周磁石103の配置だけが異なっている。
 以下に、本実施形態における蒸発源101bの外周磁石103の配置について説明する。
 図8を参照して、ターゲット102に対する外周磁石103の位置に注目すると、外周磁石103が、ターゲット102に対して背面磁石104側(背面側)に位置をずらして配置されていることがわかる。このように外周磁石103の位置がずれることで、外周磁石103の径方向から見た投影の前面側が、ターゲット102の径方向から見た投影の背面側と重なる。すなわち、外周磁石103は、ターゲット102の蒸発面と平行な方向に外周磁石103とターゲット102とを投影したときに形成されるそれぞれの影が互いに部分的に重なると共に、外周磁石103の影の前面側がターゲット102の影の背面側に重なるように配置される。
 このとき、図8の外周磁石103において黒矢印が示された外周磁石103の厚み方向の中央位置、つまり外周磁石103の前端部と後端部との中間位置は、ターゲット102の厚み方向に沿った幅の範囲内で、ターゲット102の背面よりも前面側(前方)に配置されている。
 つまり、本実施形態における外周磁石103は、前端部がターゲット102の背面よりも前方に配置されるように、且つ後端部がターゲット102の背面よりも後方に配置されるように、蒸発源101bに備えられている。さらに詳しく述べると、本実施形態における外周磁石103は、前端部と後端部との中間位置が、ターゲット102の前面と背面との中間位置よりも後面側(後方)となるように配置され、蒸発源101bに備えられている。
 このように、外周磁石103をターゲット102に対して背面磁石104側にずらして配置すると、第1実施形態における効果に加えて、ターゲット102の消費によって蒸発面の位置が変化した場合でも蒸発面での磁場の均一性を良好に保つことができるという効果が得られる。
 第2発明の第2実施形態は、以上に示した外周磁石103の配置以外は第1実施形態とほぼ同様であるので、説明を省略する。
 なお、第2発明の第2実施形態の蒸発源101bを用いて成膜を行う場合における磁力線の分布状況は、後述の実施例で詳しく説明する。
[第3実施形態(第2発明)]
 図9を参照して、第2発明の第3実施形態について説明する。
 図9は、本実施形態による成膜装置106で用いられるアーク式蒸発源101cの概略構成を示す図である。
 本実施形態におけるアーク式蒸発源101cは、第2発明の第1実施形態におけるアーク式蒸発源101aと比較して、磁場発生機構としての電磁コイル109を有する点において異なっている。
 他の構成、例えば、所定の厚みを有する円板状のターゲット102、ターゲット102の外周を取り囲むように配置されたリング状の外周磁石103、ターゲット102の背面側に配置された背面磁石104などは、第1実施形態と略同様である。
 それ故、ここでは蒸発源101cの電磁コイル109の構成及び配置について説明する。
 電磁コイル109は、背面磁石104と同一方向の磁場を発生するリング状のソレノイドである。例えば電磁コイル109は、数百回程度(例えば410回)の巻数を有し、ターゲット102の径よりも若干大きな径のコイルとなるように巻回されている。本実施形態では、2000A・T~5000A・T程度の電流で、電磁コイル109が磁場を発生させる。
 図9に示すように、この電磁コイル109はターゲット102の前面側に設けられており、径方向から見た電磁コイル109の投影は、ターゲット102の投影と重ならない。このとき、電磁コイル109は、ターゲット102と同心軸上に並ぶように配置される。このように配置されたターゲット102及び電磁コイル109を背面磁石104側から及び基材107側から見ると、円環状の電磁コイル109の内側に、円形のターゲット102がほぼ同心に入り込んでいる。
 このように配置された電磁コイル109に電流を流し、電磁コイル109の内側にターゲット102側から基材107側へと向かう磁場を発生させる。このとき、ターゲット102の前面を通過した磁力線は、電磁コイル109内を通過できるようになっている。
 このように、電磁コイル109を設けると、第1実施形態における効果に加えて、ターゲット102の蒸発面を通過した磁力線の拡散を抑制して基材107の表面まで高い磁力線密度を維持することができるという効果も得られる。また、上述のように、ターゲット102と基材107との間に電磁コイル109を設けると、ターゲット102から基材107へのイオンの搬送効率を向上させる効果も期待できる。
 なお、第3実施形態の蒸発源101cを用いて成膜を行う場合における磁力線の分布状況は、後述の実施例で詳しく説明する。
[実施例]
 以上、第2発明の第1実施形態~第3実施形態のアーク式蒸発源101a~101cは、外周磁石103の配置や、電磁コイル109の有無などがそれぞれ異なるので、発生する磁力線の分布もそれぞれ異なっている。
 図10~図13を参照しながら、第1実施形態~第3実施形態のアーク式蒸発源101a~101cが発生する磁力線の分布について、発明例1~発明例3として説明する。
 なお、図10(a)、図11(a)、図12(a)、図13(a)に示される磁力線分布図は、背面磁石104から基材107の表面までの磁力線分布を示している。これら図10(a)~図13(a)の磁力線分布図において、右端は基材107の表面の位置を示している。図10(b)、図11(b)、図12(b)、図13(b)に示される磁力線分布図は、それぞれ、図10(a)~図13
(a)におけるターゲット102周辺の拡大図である。
 以下に説明する従来例及び各発明例での、各種実験条件を示す。例えば、ターゲット102の寸法は、(直径100mm×厚み16mm)である。円板背面磁石104A、104Bの寸法は、各々(直径100mm×厚み4mm)である。磁気コア105の寸法は、(直径100mm×厚み30mm)である。外周磁石103の寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み10mm)である。ターゲット102の表面での磁界強度は、150ガウス以上である。
[従来例(第2発明)]
 まず理解を深めるため、図10(a)(b)を参照して、従来例、すなわち背面磁石104だけが用いられる場合の磁力線分布について説明する。
 図10(a)を参照すると、背面磁石104から出た磁力線は、背面磁石104の外周方向に傾きながら発散しつつ基材107の表面へと向かっている。
 図10(b)を参照すると、ターゲット102の蒸発面を通過する磁力線は、ターゲット102の外周方向に傾いて、ターゲット102の背面から前面に向かって拡散している。
[発明例1(第2発明)]
 図11(a)(b)を参照して、第2発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源101aが用いられる場合の磁力線分布について説明する。
 図11(a)を参照すると、背面磁石104から出た磁力線は外周磁石103の位置で拡散が抑制され、ターゲット102を通過する磁力線の密度は、特にターゲット102の中心付近において従来例よりも高くなっている。
 図11(b)を参照すると、ターゲット102の蒸発面を通過する磁力線は、ターゲット102の蒸発面に対してほぼ垂直(言い換えれば、ターゲット法線に対して略平行)となっている。
[発明例2(第2発明)]
 図12(a)(b)を参照して、第2発明の第2実施形態によるアーク式蒸発源101bが用いられた場合の磁力線分布について説明する。
 図12(a)を参照すると、背面磁石104から出た磁力線は、外周磁石103の位置で拡散が抑制されており、ターゲット102を通過する磁力線の密度は、特にターゲット102の中心付近において従来例よりも高くなっている。
 図12(b)を参照すると、ターゲット102の蒸発面を通過する磁力線は、ターゲット102の蒸発面に対してほぼ垂直(言い換えれば、ターゲット法線に対してほぼ平行)となっている。また、ターゲット102の厚み方向の中央から背面側について、本発明例を従来例と比べると、本発明例における外周部における磁力線の方がターゲットの法線に対して平行に近いと言える。よって、本発明は、従来例と比べてターゲット102内の磁力線密度がより均一となっていると言える。
 図14(a)(b)は、本発明例に対する変形例の磁力線分布を示す。図14(a)(b)に示すアーク式蒸発源は、第2発明の第2実施形態による図12(a)(b)のアーク式蒸発源101bと同様に、ターゲット102と、外周磁石103と、及び背面磁石104と、を備えている。図14(a)(b)のアーク式蒸発源においては、図12(a)(b)のアーク式蒸発源101bとは異なり、外周磁石103がターゲット102の背面よりも後方に配置されている。このとき、外周磁石103の前端部はターゲット102の背面よりも5mm~10mm程度後方に位置している。
 図14(a)(b)の磁力線分布図では、図12(a)(b)と比較して、ターゲット102の前面(蒸発面)における磁力線が、蒸発面に対してターゲット102の径方向外側により傾いて拡散していることが分かる。これは、アーク放電がターゲット102の外周部に偏ってしまうので好ましくない。
 つまり、ターゲット102と、外周磁石103と、背面磁石104と、を備えるアーク式蒸発源において、外周磁石103の配置がターゲット102の背面よりも後方に配置されることは好ましくないといえる。
 図15(a)(b)は、本発明例に対する他の変形例の磁力線分布を示す。図15(a)(b)に示すアーク式蒸発源は、第2発明の第2実施形態による図12(a)(b)のアーク式蒸発源101bと同様に、ターゲット102及び外周磁石103を有しているが、永久磁石で構成された背面磁石104の代わりに、電磁コイル109と同様の構成を有するリング状ソレノイドである電磁コイル110を用いている。図15(a)(b)のアーク式蒸発源におけるターゲット102に対する外周磁石103の位置は、図12(a)(b)のアーク式蒸発源101bにおける外周磁石103の位置とほぼ同じである。電磁コイル110は、図12(a)(b)における背面磁石104とほぼ同じ位置で、ターゲット102とほぼ同軸上に配置されている。電磁コイル110の内径は約100mm、外径は約200mm、厚みは約50mmである。電磁コイル110は、ターゲット102から約64mm後方に配置されている。なお、電磁コイル110の磁力は、ターゲット102の前面における磁束密度が背面磁石104を用いた場合とほぼ同じとなるように調整されている。
 図15(a)(b)の磁力線分布図では、図12(a)(b)の磁力線分布図とほぼ等価な磁場が形成されていることが分かる。つまり、永久磁石で構成された背面磁石104の代わりに電磁コイル110が用いられても、ほぼ等価な磁場を形成することができるといえる。
[発明例3(第2発明)]
 図13(a)(b)を参照して、第2発明の第3実施形態によるアーク式蒸発源101cが用いられる場合の磁力線分布について説明する。
 図13(a)を参照すると、背面磁石104から出た磁力線は、外周磁石103の位置で拡散が抑制されており、ターゲット102を通過する磁力線の密度は、特にターゲット102の中心付近において従来例よりも高くなっている。ターゲット102の蒸発面を通過して拡散しつつあった磁力線は、電磁コイル109の位置で拡散が抑制されて、再びターゲット法線に対して略平行となる。
 図13(b)を参照すると、ターゲット102の蒸発面を通過する磁力線は、ターゲット102の蒸発面に対してほぼ垂直、又はターゲット102の中心方向に向かって傾いている。これによって、ターゲット102の厚み方向の中央から背面側において、発明例3における磁力線は、従来例および発明例1,2と比べて、最もターゲット法線に対して平行に近くなっていると言える。
 図16(a)(b)は、本発明例に対する変形例の磁力線分布を示す。図16(a)(b)に示すアーク式蒸発源は、第2発明の第3実施形態による図13(a)(b)のアーク式蒸発源101cと同様に、ターゲット102、外周磁石103と、背面磁石104と、電磁コイル109と、を備えている。図16(a)(b)のアーク式蒸発源では、図13(a)(b)のアーク式蒸発源101cとは異なり、外周磁石103がターゲット102の背面よりも後方に配置されている。このとき、外周磁石103の前端部は、ターゲット102の背面よりも5mm~10mm程度後方に位置している。
 図16(a)(b)の磁力線分布図では、図13(a)(b)の磁力線分布図とほぼ等価な磁場が形成されていることが分かる。本変形例において、外周磁石103がターゲット102の背面よりも5mm~10mm程度後方に配置されていても、図13(a)(b)の磁力線分布図とほぼ等価な磁場を形成することができるといえる。つまり、本変形例の構成において、図13(a)(b)の磁力線分布図とほぼ等価な磁場を形成するためには、外周磁石103の前端部とターゲット102の背面との間隔において、各構成部材の大きさや発する磁力線密度に応じた許容範囲が存在することが分かる。なお、この許容範囲は、ターゲット102の厚みの2倍程度である。
 図17(a)(b)に、本発明例に対する他の変形例の磁力線分布を示す。図17(a)(b)に示すアーク式蒸発源は、第2発明の第3実施形態による図13(a)(b)のアーク式蒸発源101cと同様に、ターゲット102と、外周磁石103と、電磁コイル109と、を備えるが、永久磁石で構成された背面磁石104の代わりに電磁コイル110を用いている。図12(a)(b)のアーク式蒸発源では、ターゲット102に対する外周磁石103の位置は、図13(a)(b)のアーク式蒸発源101cにおける位置とほぼ同じである。電磁コイル110は、図15(a)(b)における電磁コイル110とほぼ同じ構成を有すると共に、図13(a)(b)の背面磁石104とほぼ同じ位置でターゲット102とほぼ同軸上に配置されている。図17(a)(b)において電磁コイル110は、ターゲット102から約64mm後方に配置されている。
 図17(a)(b)の磁力線分布図では、図13(a)(b)の磁力線分布図とほぼ等価な磁場が形成されていることが分かる。つまり、永久磁石で構成された背面磁石104の代わりに電磁コイル110が用いられた場合でも、ほぼ等価な磁場を形成することができるといえる。
[第3発明]
 以下、本発明の第3発明について、図18~25に基づき説明する。
[第1実施形態(第3発明)]
 図18~図21を参照して、第3発明の第1実施形態について説明する。図18は、第3発明の第1実施形態によるアーク式蒸発源201a(以下、蒸発源201aという)を備えた成膜装置206を示している。
 成膜装置206は、チャンバ211を備え、このチャンバ211内には、被処理物である基材207を支持する回転台212と、基材207に向けて取付られた蒸発源201aと、が配置されている。チャンバ211には、チャンバ211内へ反応ガスを導入するガス導入口213と、チャンバ211内から反応ガスを排出するガス排気口214と、が設けられている。
 加えて、成膜装置206は、蒸発源201aのターゲット202(後述)に負のバイアスをかけるアーク電源215と、基材207に負のバイアスをかけるバイアス電源216と、を備える。アーク電源215およびバイアス電源216の正極側は、グランド218に接地されている。
 図18に示すように、蒸発源201aは、蒸発面が基材207に向くように配置された所定の厚みを有する円板状のターゲット202と、ターゲット202の近傍に配置された磁界形成手段208aと、を備えている。以下、用語「円板状」は、所定の高さを有する円柱形状も含む。磁界形成手段208aは、外周磁石203と背面磁石204aとから構成される。なお、本実施形態では、チャンバ211がアノードとして作用する。このような構成によって、蒸発源201aは、カソード放電型のアーク式蒸発源として機能する。
 図18及び図19を参照し、成膜装置206に備えられた蒸発源201aの構成について、以下に説明する。図19は、本実施形態による蒸発源201aの概略構成を示す図である。
 蒸発源201aは、上述したように、所定の厚みを有する円板状のターゲット202と、ターゲット202の近傍に配置された磁界形成手段208aと、から構成されている。
 なお、以下の説明において、ターゲット202の蒸発面であって基材207側(白矢印で示される基材方向)を向く面を「前面(ターゲット前面)」と呼び、その反対側を向く面を「背面(ターゲット背面)」と呼ぶ(図18及び図19参照)。
 ターゲット202は、基材207上に形成しようとする薄膜に応じて選択された材料で構成されている。その材料としては、例えば、クロム(Cr)、チタン(Ti)、及びチタンアルミ(TiAl)などの金属材料や炭素(C)などのイオン化可能な材料がある。
 磁界形成手段208aは、ターゲット202の外周を取り囲むように配置されたリング状(環状またはドーナツ状)の外周磁石203と、ターゲット202の背面側で外周磁石203と同軸上に配置されたリング状(環状またはドーナツ状)の背面磁石204aと、を有している。これら外周磁石203及び背面磁石204aは、保磁力の高いネオジム磁石により形成された永久磁石によって構成されている。
 つまり、蒸発源201aは、ターゲット202と、外周磁石203と、背面磁石204aと、を互いの軸心をほぼ一致させるように配置することによって構成される。
 外周磁石203は、上述のとおりリング体であって、ターゲット202の径よりも若干(1~2倍程度)大きな内径と、軸心方向に沿った所定の厚みと、を有している。外周磁石203の厚みは、ターゲット202の軸心方向に沿った厚みとほぼ同じであるか、若干小さい。
 このようなリング状の外周磁石203の外観は、互いに平行な2つの円環状の面(円環面)と、当該2つの円環面を軸心方向につなぐ2つの周面と、からなっている。この2つの周面は、円環面の内周側に形成される内周面と、円環面の外周側に形成される外周面である。これら内周面と外周面の幅が、外周磁石203の厚み(軸心方向厚み)である。
 なお、外周磁石203の内周面の形状は、外周磁石203とターゲット202とをターゲット202の前面と直交する方向に沿って投影したときに、外周磁石203の内周面の投影形状と、ターゲット202の投影形状とが相似するように形成されている。
 図19に示すように、外周磁石203は、基材207側を向く前方の円環面(前端面)がN極となり、その反対側を向く後方の円環面(後端面)がS極となるように構成されている。図中、外周磁石203の後方の円環面(S極)から前方の円環面(N極)に向かう矢印が示されているが、以降、この矢印の方向を磁化方向と呼ぶ。本実施形態の外周磁石203は、この磁化方向がターゲット202の前面と直交する方向に沿うと共に前方を向くように配置されている。
 外周磁石203は、上述のように、リング状あるいは環状の一体形状を有するとよい。しかし、外周磁石203は、磁化方向がターゲット202の前面と直交する方向に沿うと共に前方を向くようにリング状または環状に並べられた円柱状または直方体状の複数の磁石によって構成されてもよい。
 外周磁石203は、ターゲット202の外周を取り囲むように、ターゲット202と同心軸上に配置されている。このとき、外周磁石203の前方の円環面は、ターゲット202の前面と同一平面上にあって互いに面一となっているか、ターゲット202の前面よりも前方に配置されている。
 例えば、図19において、ターゲット202は、その前面が外周磁石203の厚みの範囲から出ないように配置されている。よって、本実施形態では、外周磁石203の径方向から見た投影がターゲット202の径方向から見た投影と重なるように配置されている。すなわち、外周磁石203は、ターゲット202の前面(蒸発面)と平行な方向に外周磁石203とターゲット202とを投影したときに形成される影が互いに重なると共に、外周磁石203の影がターゲット202の影に完全に含まれるように配置されている。
 このように、外周磁石3は、前端面がターゲット202の前面と同一平面上に位置するか、又はターゲット202の前面よりも前方に位置するように、蒸発源201aに配置されている。
 背面磁石204aは、外周磁石203とほぼ同径のリング体であって、外周磁石203とほぼ同じ内径および外径を有している。従って、背面磁石204aは、ターゲット202の径よりも若干大きな(1~2倍程度の)内径と、軸心方向に沿った所定の厚みと、を有している。外周磁石203の厚みは、ターゲット202の厚みよりも若干大きく、外周磁石203の厚みの2倍程度である。
 このようなリング状の背面磁石204aの外観も、外周磁石203と同様に、互いに平行な2つの円環状の面(前端面及び後端面)と、当該2つの円環面を軸心方向につなぐ2つの周面(内周面及び外周面)とからなっている。これら内周面と外周面の幅は、すなわち外周磁石203の軸心方向に沿った厚みである。
 図19に示すように、背面磁石204aは、内周面がN極となり、外周面がS極となるように構成されている。図中、背面磁石204aの外周面(S極)から内周面(N極)に向かって磁化方向を表す黒矢印が示されている。本実施形態の背面磁石204aは、その磁化方向がターゲット202の前面と平行となり且つ径内方向を向くように配置されている。
 このような構成の外周磁石203および背面磁石204aにおいては、外周磁石203の前端面と背面磁石204aの内周面が同じ極性を有した上で、それぞれの磁化方向が互いに垂直な方向となっている。
 このように、外周磁石203と背面磁石204のそれぞれの磁化方向が、互いに垂直な方向となることで、外周磁石203によって形成される磁界と背面磁石204aによって形成される磁界とを組合せることができる。これにより、ターゲット202の蒸発面を通過する磁力線の方向を蒸発面に対してほぼ垂直とすることができる。さらに、ターゲット202の表面から基材207に向かって伸びる直進性の高い磁力線を、ターゲット202の表面の広い領域において発生させることができるという効果が得られる。
 なお、上述の通り、外周磁石203の前端面と背面磁石204aの内周面とは同じ極性を有していればよく、且つ外周磁石203の磁化方向と背面磁石204aの磁化方向とが互いに垂直な方向となっていればよい。従って、外周磁石203の極性と背面磁石204aの極性を、図2に示した上述の構成とは反対にして、外周磁石203の磁化方向と背面磁石204aの磁化方向をそれぞれ反転させてもよい。
 次に、蒸発源201aを用いた成膜装置206における成膜の方法を説明する。
 まず、チャンバ211が真空引きにより真空になった後、アルゴンガス(Ar)等の不活性ガスをガス導入口213より導入され、ターゲット202及び基材207上の酸化物等の不純物がスパッタによって除去される。不純物の除去後、チャンバ211内が再び真空にされて、真空となったチャンバ211内にガス導入口213より反応ガスが導入される。
 この状態でチャンバ211に設置されたターゲット202上でアーク放電を発生させると、ターゲット202を構成する物質がプラズマ化して反応ガスと反応する。これによって、回転台212に置かれた基材207上に窒化膜、酸化膜、炭化膜、炭窒化膜、或いは非晶質炭素膜等を形成することができる。
 なお、反応ガスとしては、窒素ガス(N2)や酸素ガス(O2)、またはメタン(CH4)などの炭化水素ガスを用途に合わせて選択すればよく、チャンバ211内の反応ガスの圧力は1~10Pa程度とすればよい。また、成膜時、ターゲット202は、100~200Aのアーク電流を流すことで放電させると共に、10~30Vの負電圧をアーク電源215により印加するとよい。さらに、基材207には10~200Vの負電圧をバイアス電源216により印加するとよい。
 また、ターゲット202の前面における磁場が100ガウス以上となるように、外周磁石203及び背面磁石204を構成し、且つ配置すると好ましい。これにより、成膜を確実に行うことができる。ターゲット202の前面における磁場が150ガウスであれば、より好ましい。
[発明例1(第3発明)]
 図20を参照しながら、第1実施形態による蒸発源201aで発生する磁力線の分布について説明する。なお、図20で示される磁力線分布図は、背面磁石204aの後方から基材207の表面までの磁力線分布を示している。図20の磁力線分布図において、右端は基材207の表面の位置を示している。
 以下に、各種実験条件を示す。例えば、ターゲット202の寸法は、(直径100mm×厚み16mm)である。外周磁石203の寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み10mm)であり、ターゲット202の表面から外周磁石203までの距離は5mmである。背面磁石204aの寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み20mm)であり、ターゲット202の表面から背面磁石204aまでの距離は40mmである。ターゲット202の表面での磁界強度は、150ガウス以上である。
 図20を参照すると、背面磁石204aから径内方向に出た磁力線は、その進行方向を背面磁石204aの軸心方向に沿うように変化させながら、ターゲット202に向かってほぼ垂直に伸びる。これら磁力線は、外周磁石203から出た磁力線と組み合わされてターゲット202の蒸発面を通過する。ターゲット202の蒸発面からは、基材方向に伸びる直進性の高い磁力線が、ターゲット202の蒸発面の広い領域において発生している。言い換えれば、ターゲット202の蒸発面の広い領域において、垂直の磁力線(垂直成分)が多く発生している。
 ここで、図20のターゲット202の外周部において、2つの丸印Pで囲んだ部分の磁力線に注目する。2つの丸印Pにおける磁力線は、ターゲット202の蒸発面から出ると、ターゲット202の径方向外側、つまり、外周磁石203に向かって湾曲している。これは、2つの丸印Pで囲んだターゲット202の外周部においては、ターゲット202の蒸発面に垂直となる磁力線成分がほぼ存在していないということを表している。
 成膜装置206において発生するカソード側の電子放出点(アークスポット)は、ターゲット202の蒸発面に略平行な磁力成分が存在する場所、すなわち、ターゲット202の蒸発面に垂直となる磁力線成分が存在しない場所に捕捉(trap)されやすい。つまり、発明例1によれば、ターゲット202の蒸発面上を高速に移動するアークスポットがターゲット202の外周部を越えてターゲット202の蒸発面の外に移動してしまうといった不具合を回避することができる。これにより、アークスポットをターゲット202の蒸発面上に留めておくことができる。
[比較例(第3発明)]
 本実施形態による蒸発源201aの特徴及び効果を明確にするために、上記発明例1に対する比較例を説明する。
 図21は、本比較例による蒸発源で発生する磁力線の分布を示している。本比較例による蒸発源は、第1実施形態による蒸発源201aと同様のターゲット及び外周磁石を備えると共に、蒸発源201aの背面磁石204aの代わりに、電磁コイルからなる背面電磁石220を備えている。本比較例による蒸発源は、特許文献4に開示されたアーク蒸発装置と類似の構成を有している。
 なお、図21で示される磁力線分布図も、背面電磁石220の後方から基材の表面までの磁力線分布を示している。図21の磁力線分布図において、右端は基材の表面の位置を示している。
 以下に、各種実験条件を示す。例えば、ターゲットの寸法は、(直径100mm×厚み16mm厚み)である。外周磁石の寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み10mm)であり、ターゲット202の表面から外周磁石203までの距離は5mmである。背面電磁石20の寸法は、(内径50mm、外径100mm、厚み25mm)であり、ターゲット202の表面から背面電磁石20までの距離は45mmである。ターゲットの表面での磁界強度は、150ガウス以上である。
 図21を参照すると、電磁コイル径内における中央部よりも外周側から出た磁力線は、電磁コイルを出た直後からコイルの軸心に対して外向きに発散している。これら発散した磁力線は、ターゲット内でさらに発散してターゲットの前面に達することなく、ターゲットの側方へ向かう。
 一方、背面電磁石220の中央部からは、直進性の高い磁力線が出ており、これら磁力線はターゲットの前面を透過している。しかし、直進する磁力線の密度は、図20に示した発明例1と比較して非常に低い。
 また、本比較例におけるターゲットの外周部には、上記発明例1を説明する図20に示した丸印Pの部分に相当する磁力線分布は存在しない。つまり、本比較例では、アークスポットをターゲットの蒸発面上に留めておくことは困難であるといえる。
[第2実施形態(第3発明)]
 図22及び図23を参照して、第3発明の第2実施形態について説明する。
 図22は、第3発明の第2実施形態によるアーク式蒸発源201b(以下、蒸発源201bという)の概略構成を示す図である。本実施形態による成膜装置206は、第3発明の第1実施形態による蒸発源201aの代わりに、後述する蒸発源201bを備える。本実施形態による成膜装置206において、蒸発源201b以外の構成は第3発明の第1実施形態で説明した構成と同様であり、同様の構成要素については説明を省略し同じ参照番号を付す。
 本実施形態における蒸発源201bは、第3発明の第1実施形態における蒸発源201aと同様に、所定の厚みを有する円板状のターゲット202と、ターゲット202の近傍に配置された磁界形成手段208bと、から構成されている。磁界形成手段208bは、第1実施形態と同様の外周磁石203と背面磁石204aとを備え、さらに、背面磁石204aと同様の構成を有すると共に外周磁石203とほぼ同径のリング体である背面磁石204b(第2の背面磁石)を備えている。
 リング状の背面磁石204bは、背面磁石204aの背面側で、背面磁石204a及び外周磁石203と同軸上に配置されている。これによって、背面磁石204bの磁化方向は、背面磁石204aの磁化方向と平行かつ同じ向きとなる。背面磁石204aと背面磁石204bは互いに隣接しているが、その間隔は任意とは限らない。背面磁石204aと背面磁石204bの間で互いに斥力が働くように、背面磁石204aと背面磁石204bを接近させるとよい。
 図22に示すように、背面磁石204aと背面磁石204bを同軸上で接近させると、背面磁石204aから出て背面磁石204bに向かって発散する磁力線と、反対に背面磁石204bから出て背面磁石204aに向かって発散する磁力線とが、互いに反発しあう。この反発によって、背面磁石204aと背面磁石204bの間における磁力線の発散が抑制されて、背面磁石204aと背面磁石204bの径内において直進性の高い磁力線を多数発生させることができる。
[発明例2(第3発明)]
 図23を参照しながら、第3発明の第2実施形態による蒸発源201bで発生する磁力線の分布について説明する。なお、図23で示される磁力線分布図は、背面磁石204bの後方から基材207の表面までの磁力線分布を示している。図23の磁力線分布図において、右端は基材207の表面の位置を示している。
 以下に、各種実験条件を示す。例えば、ターゲット202の寸法は、(直径100mm×厚み16mm)である。外周磁石203の寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み10mm)であり、ターゲット202の表面から外周磁石203までの距離は5mmである。
 背面磁石204aの寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み20mm)であり、ターゲット202の表面から背面磁石204aまでの距離は60mmである。背面磁石204bの寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み20mm)であり、ターゲット202の表面から背面磁石204bまでの距離は90mmである。背面磁石204aと背面磁石204bの間隔は10mmである。
 なお、ターゲット202の表面での磁界強度は、150ガウス以上である。
 図23を参照すると、背面磁石204a及び背面磁石204bから径方向内側へ向かって、直進性の高い磁力線が多数出ている。これら磁力線は、その進行方向を背面磁石204a及び背面磁石204bの軸心方向に沿うように変化させながら、ターゲット202に向かってほぼ垂直に伸びる。これら磁力線は、外周磁石203から出た磁力線と組み合わされてターゲット202の蒸発面を通過する。ターゲット202の蒸発面からは、基材方向に伸びる直進性の高い磁力線が、ターゲット202の蒸発面の広い領域において発生している。言い換えれば、ターゲット202の蒸発面の広い領域において、垂直の磁力線(垂直成分)が多く発生している。
 ここで、発明例1の図20と本発明例の図23とを比較する。図20と図23では、磁力線分布の範囲及び形状はほぼ同じである。しかし、図23において、背面磁石204a及び背面磁石204bの径内方向に沿って伸びる磁力線と、両背面磁石からターゲット202の軸心に沿って基材207へ伸びる磁力線との直進性及び密度は、背面磁石204が設けられた図20の場合より高くなっている。
 また、図23においても、発明例1の図20における丸印Pの領域と同様に、ターゲット202の外周部において、蒸発面に垂直となる磁力線成分がほぼ存在しない領域が形成されている。よって、本発明例によっても、アークスポットがターゲット202の外周部を越えてターゲット202の蒸発面の外に移動してしまうといった不具合を回避することができ、アークスポットをターゲット202の蒸発面上に留めておくことができる。
[第3実施形態(第3発明)]
 図24及び図25を参照して、第3発明の第3実施形態について説明する。
 図24は、第3発明の第3実施形態によるアーク式蒸発源201c(以下、蒸発源201cという)の概略構成を示す図である。本実施形態による成膜装置206は、第3発明の第2実施形態による蒸発源201bの代わりに、後述する蒸発源201cを備える。本実施形態の成膜装置206において、蒸発源201c以外の構成は第3発明の第2実施形態で説明した構成と同様であり、同様の構成要素については説明を省略し同じ参照番号を付す。
 本実施形態における蒸発源201cは、第3発明の第2実施形態における蒸発源201bと同様に、所定の厚みを有する円板状のターゲット202と、ターゲット202の近傍に配置された磁界形成手段208cと、から構成されている。磁界形成手段208cは、第3発明の第2実施形態と同様に、外周磁石203、背面磁石204a、及び背面磁石204bを備え、さらに、背面磁石204a及び背面磁石204bの径方向内側には単一の磁性体209を備えている。
 磁性体209は、非リング状の磁気コアであって、背面磁石204a及び背面磁石204bの磁心となるものである。磁性体209は、背面磁石204a及び背面磁石204bを貫通するように設けられており、背面磁石204a及び背面磁石204bの内径と同一の径を有する円板状又は円柱状を有している。ここで、「非リング状」は、ドーナツ状に径方向内部に孔が空いている環状ではなく、円板状や円柱状等の中実な形状を指す。
 言い換えれば、背面磁石204aと背面磁石204bは、一つの磁性体209の外周を密着(密接)して取り巻くように配置されている。このような配置において、背面磁石204aの前端面は、磁性体209の前端面とほぼ面一であり、背面磁石204bの後端面は、磁性体209の後端面とほぼ面一である。
 蒸発源201cの構成をまとめると、ターゲット202、外周磁石203、背面磁石204a、背面磁石204b、及び磁性体209は、それぞれの軸心が互いに一致するように同軸上に配置されているといえる。
 図24に示すように、背面磁石204a及び背面磁石204bの内周面は、磁性体209の側面と密着している。これにより、背面磁石204a及び背面磁石204bの端面から出た磁力線を、磁性体209を通じて背面磁石204a及び背面磁石204bの軸心方向に直線的に誘導することが可能となる。
 従って、磁性体209において、背面磁石204a及び背面磁石204bの軸心に近い位置での磁力線の反発作用を大きくすることが可能となる。その結果、磁性体209の前端面の軸心に近い位置から、直進性の高い磁力線を多数発生させることができる。
[発明例3(第3発明)]
 図25を参照しながら、第3発明の第3実施形態による蒸発源201cで発生する磁力線の分布について説明する。なお、図25で示される磁力線分布図は、背面磁石204bの後方から基材207の表面までの磁力線分布を示している。図25の磁力線分布図において、右端は基材207の表面の位置を示している。
 以下に、各種実験条件を示す。例えば、ターゲット202の寸法は、(直径100mm×厚み16mm)である。外周磁石203の寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み10mm)であり、外周磁石203のターゲット202の表面からの距離は5mmである。
 背面磁石204aの寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み20mm)であり、ターゲット2の表面から背面磁石204aまでの距離は60mmである。背面磁石204bの寸法は、(内径150mm、外径170mm、厚み20mm)であり、ターゲット202の表面から背面磁石204bまでの距離は90mmである。背面磁石204aと背面磁石204bとの間の間隔は10mmである。
 磁性体209の寸法は、(直径150mm×高さ50mm)である。
 なお、ターゲット202の表面での磁界強度は、150ガウス以上である。
 図25を参照すると、背面磁石204a及び背面磁石204bから径方向内側へ向かって、直進性の高い磁力線が、図23に示す発明例2の場合よりも多数出ている。これら磁力線は、磁性体209の軸心近くで、進行方向を当該軸心方向に沿うように変化させながら、ターゲット202に向かってほぼ垂直に伸びる。これら磁力線は、外周磁石203から出た磁力線と組み合わされてターゲット202の蒸発面を通過する。ターゲット202の蒸発面からは、図23に示す発明例2よりも直進性の高い磁力線が、ターゲット202の蒸発面の広い領域において発生し、基材方向に伸びている。言い換えれば、ターゲット202の蒸発面の広い領域において、垂直の磁力線(垂直成分)が多く発生している。
 ここで、発明例2の図23と本発明例の図25とを比較する。図23と図25では、磁力線分布の範囲及び形状はほぼ同じである。しかし、図25に示す磁力線は、図23に示す磁力線よりも、磁性体209及びターゲット202の軸心付近に集約されるように集中している。従って、磁力線全体の直進性及び密度は、図23においてよりも図25においての方が高くなっている。
 また、図25においても、上述した発明例2の図23と同様に、ターゲット202の外周部において、蒸発面に垂直となる磁力線成分がほぼ存在しない領域が形成されている。よって、本発明例によっても、アークスポットがターゲット202の外周部を越えてターゲット202の蒸発面の外に移動してしまうといった不具合を回避することができ、アークスポットをターゲット202の蒸発面上に留めておくことができる。
 尚、上記したターゲット202は、円板形状に限定されず、例えば四角形状などの多角形状を有していてもよい。さらに、外周磁石203及び背面磁石204a,204bは、円環状に限定されず、例えば四角形などの多角形の環状であってもよい。
 ところで、今回開示された本発明の各実施形態は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。特に、各実施形態で明示的に開示されていない事項、例えば、動作条件や測定条件、各種パラメータ、構成物の寸法、重量、体積などは、当業者が通常実施する範囲を逸脱するものではなく、通常の当業者であれば容易に想定することが可能な値が採用されている。
 例えば、本発明の各実施形態における蒸発源の説明において、各構成要素の形状や寸法に関して、平行、直交、及び同一といった表現、加えて、同軸といった表現が用いられているが、これらは数学的な厳密さをもって規定されているのではない。通常の機械部品の工作精度において、平行、直交、同一、及び同軸と言える範囲の誤差は、当然に許容される。
 以上、本発明の実施形態および実施例について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々に変更し・BR>ト実施することが可能である。本出願は2011年2月23日出願の日本特許出願(特願2011-037094)、2011年2月23日出願の日本特許出願(特願2011-037095)、2011年4月25日出願の日本特許出願(特願2011-097162)、2011年5月26日出願の日本特許出願(特願2011-118267)および2011年8月22日出願の日本特許出願(特願2011-180544)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
 本発明は、薄膜を形成する成膜装置のアーク式蒸発源として利用することができる。
 1,101,201a~201c    蒸発源(アーク式蒸発源)
 2,102,202    ターゲット
 3,103,203    外周磁石
 6,106,206    成膜装置
 7,107,207    基材
 8,108,208a~208c    磁界形成手段
 9,109,110    電磁コイル
 11,111,211    真空チャンバ
 12,112,212    回転台
 13,113,213    ガス導入口
 14,114,214    ガス排気口
 15,115,215    アーク電源
 16,116,216    バイアス電源
 18,118,218    グランド
 104,204a,204b    背面磁石
 104A    第1の永久磁石(円板背面磁石)
 104B    第2の永久磁石(円板背面磁石)
 105    磁気コア
 220    背面電磁石

Claims (21)

  1.  ターゲットの外周側に配置されたリング状の外周磁石及び前記ターゲットの背面側に設置された背面磁石の少なくともいずれかを備え、
     前記外周磁石及び前記背面磁石のいずれか一方が、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有するように設置されることにより、前記ターゲットの蒸発面を通過する磁力線の方向が前記蒸発面に対して略垂直であることを特徴とするアーク式蒸発源。
  2.  前記外周磁石と、
     リング状の磁場発生機構と、を備え、
     前記外周磁石は、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有するように、前記ターゲットの外周側を囲むように設置されており、
     前記磁場発生機構は、前記磁場発生機構の軸心が前記ターゲットの前面と略垂直な方向に沿うように前記ターゲットの前方側に配置されて、前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生することを特徴とする請求項1に記載のアーク式蒸発源。
  3.  前記外周磁石と、
     前記背面磁石と、を備え、
     前記外周磁石は、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有するように、前記ターゲットの外周側を囲むように配置されており、
     前記背面磁石は、磁化方向が前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うように配置されており、
     前記外周磁石の径方向内側の磁極と、前記背面磁石の前記ターゲット側の磁極と、が互いに同じ極性であることを特徴とする請求項1記載のアーク式蒸発源。
  4.  前記外周磁石と、
     前記背面磁石と、を備え、
     前記背面磁石がリング状であり、
     前記外周磁石は、前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うと共に前方又は後方を向いた磁化方向となる極性を有するように、前記ターゲットの外周側を囲むように配置されており、
     前記背面磁石は、前記ターゲットの大きさ以上の内径を有し、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有するように配置されており、
     前記外周磁石の磁化方向が前方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向内側を向いており、
     前記外周磁石の磁化方向が後方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向外側を向くことを特徴とする請求項1記載のアーク式蒸発源。
  5.  リング状の外周磁石と、
     リング状の磁場発生機構と、を備え、
     前記外周磁石の磁化方向は、径方向に沿っており、
     前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記ターゲットの外周を囲むように配置されており、
     前記磁場発生機構は、前記磁場発生機構の軸心が前記ターゲットの前面と略垂直な方向に沿うように前記ターゲットの前方に配置されて、前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生することを特徴とするアーク式蒸発源。
  6.  前記外周磁石の前端部及び後端部の少なくともいずれかが、前記ターゲットの前面より後方且つ前記ターゲットの背面より前方となるように配置されていることを特徴とする請求項5に記載のアーク式蒸発源。
  7.  リング状の外周磁石と、
     リング状の磁場発生機構と、を備え、
     前記外周磁石の磁化方向は、径方向に沿っており、
     前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記外周磁石の前端部が前記ターゲットの背面よりも後方に位置するように設置されており、
     前記磁場発生機構は、前記磁場発生機構の軸心が前記ターゲットの前面と略垂直な方向に沿うように前記ターゲットの前方に配置されて、前記ターゲットの前面と略垂直方向となる磁場を発生することを特徴とするアーク式蒸発源。
  8.  前記ターゲットが円板状であり、前記外周磁石が永久磁石であることを特徴とする請求項5~7のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
  9.  リング状の外周磁石と、
     背面磁石と、を備え、
     前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向が、ターゲットの前面と平行な方向に沿うように、前記ターゲットの外周を取り囲むように配置されており、
     前記背面磁石は、前記背面磁石の磁化方向が前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うように、前記ターゲットの背面側に配置されており、
     前記外周磁石の径方向内側の磁極と、前記背面磁石の前記ターゲット側の磁極と、が互いに同じ極性であることを特徴とするアーク式蒸発源。
  10.  前記外周磁石は、前記外周磁石の径方向から見た投影が、前記ターゲットの径方向から見た投影と重なるように配置されていることを特徴とする請求項9に記載のアーク式蒸発源。
  11.  前記外周磁石は、前記外周磁石の前端部と前記外周磁石の後端部との中間位置が、前記ターゲットの前面と前記ターゲットの背面の中間位置よりも後方となるように配置されていることを特徴とする請求項9又は10に記載のアーク式蒸発源。
  12.  前記背面磁石と同一方向の磁場を発生するリング状の磁場発生機構をさらに備え、
     前記磁場発生機構は、前記ターゲットの前面を通過した磁力線を前記磁場発生機構の内周面より径方向内側に通過させるように、前記ターゲットの前方に配置されていることを特徴とする請求項9~11のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
  13.  前記ターゲットの前面における磁場が、100ガウス以上であることを特徴とする請求項9~12のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
  14.  リング状の外周磁石と、
     背面磁石と、
     リング状の磁場発生機構と、を備え、
     前記外周磁石は、前記外周磁石の磁化方向がターゲットの前面と平行な方向と沿うように、前記ターゲットの背面よりも後方に配置されており、
     前記背面磁石は、前記背面磁石の磁化方向が前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うように配置されており、
     前記外周磁石の径方向内側の磁極と、前記背面磁石の前記ターゲット側の磁極と、が互いに同じ極性であり、
     前記磁場発生機構は、前記背面磁石と同一方向の磁場を発生し、前記ターゲットの前面を通過した磁力線を前記磁場発生機構の径方向内側に通過させるように、前記ターゲットの前方に配置されていることを特徴とするアーク式蒸発源。
  15.  前記磁場発生機構が電磁コイルから形成されることを特徴とする請求項5~8、12及び14のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
  16.  前記ターゲットが円板状であり、前記背面磁石が電磁コイルから形成され、かつ前記外周磁石が永久磁石であることを特徴とする請求項9~15のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
  17.  リング状の外周磁石と、
     リング状の背面磁石と、を備え、
     前記外周磁石は、ターゲットの外周側を囲むように配置され、前記ターゲットの前面と直交する方向に沿うと共に前方又は後方を向いた磁化方向となる極性を有し、
     前記背面磁石は、前記ターゲットの背面側に配置され、前記ターゲットの大きさ以上の内径を有し、前記ターゲットの前面と平行な磁化方向となる極性を有し、
     前記外周磁石の磁化方向が前方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向内側を向いており、
     前記外周磁石の磁化方向が後方を向く場合は、前記背面磁石の磁化方向が前記背面磁石の径方向外側を向くことを特徴とするアーク式蒸発源。
  18.  前記外周磁石の前端面が、前記ターゲットの前面と同一平面上、又は前記ターゲットの前面よりも前方となるように配置されていることを特徴とする請求項17に記載のアーク式蒸発源。
  19.  前記背面磁石が、リング状の第1の背面磁石と、前記第1の背面磁石と同じ磁化方向となる極性を有する第2の背面磁石と、を有し、
     前記第2の背面磁石が、前記ターゲットの背面側で、前記第1の背面磁石の前方または後方に、前記第1の背面磁石と同軸上に配置されていることを特徴とする請求項17又は18に記載のアーク式蒸発源。
  20.  前記第1の背面磁石及び前記第2の背面磁石の径方向内側には、前記第1の背面磁石及び前記第2の背面磁石を貫通する磁性体が設けられており、
     前記磁性体の外周面が、前記第1の背面磁石及び前記第2の背面磁石の内周面と接していることを特徴とする請求項19に記載のアーク式蒸発源。
  21.  前記ターゲットが円板状であり、前記背面磁石及び前記外周磁石が永久磁石であることを特徴とする請求項9~15及び17~20のいずれか1項に記載のアーク式蒸発源。
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