WO2012111314A1 - 電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ - Google Patents

電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ Download PDF

Info

Publication number
WO2012111314A1
WO2012111314A1 PCT/JP2012/000961 JP2012000961W WO2012111314A1 WO 2012111314 A1 WO2012111314 A1 WO 2012111314A1 JP 2012000961 W JP2012000961 W JP 2012000961W WO 2012111314 A1 WO2012111314 A1 WO 2012111314A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insulating material
integer
group
composition
electronic device
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/000961
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
栗原　直樹
雅俊 齊藤
Original Assignee
出光興産株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 出光興産株式会社 filed Critical 出光興産株式会社
Priority to US14/000,118 priority Critical patent/US20130320326A1/en
Priority to CN2012800092229A priority patent/CN103370772A/zh
Priority to JP2012557828A priority patent/JPWO2012111314A1/ja
Publication of WO2012111314A1 publication Critical patent/WO2012111314A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F20/00—Homopolymers and copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride, ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F20/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms, Derivatives thereof
    • C08F20/10—Esters
    • C08F20/26—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C08F20/28—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen containing no aromatic rings in the alcohol moiety
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/18—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances
    • H01B3/30—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes
    • H01B3/44—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins
    • H01B3/447—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of organic substances plastics; resins; waxes vinyl resins; acrylic resins from acrylic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/408—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor with an insulating layer with a particular dielectric or electrostatic property, e.g. with static charges or for controlling trapped charges or moving ions, or with a plate acting on the insulator potential or the insulator charges, e.g. for controlling charges effect or potential distribution in the insulating layer, or with a semi-insulating layer contacting directly the semiconductor surface
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials

Definitions

  • the present invention relates to a composition for forming an insulating material for an electronic device and an electronic device using the composition.
  • an insulating material used for insulation between layers is an essential material.
  • Thin film transistors which are typical electronic elements, are widely used as switching elements in display devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices.
  • this TFT has been manufactured using amorphous or polycrystalline silicon.
  • a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus used for manufacturing a TFT using silicon is very expensive and uses a TFT.
  • Increasing the size of the display device or the like has a problem that the manufacturing cost is significantly increased.
  • the process of forming amorphous or polycrystalline silicon is performed at a very high temperature, there is a problem that the types of materials that can be used as a substrate are limited, and a lightweight resin substrate cannot be used.
  • TFTs using organic substances have been proposed instead of amorphous and polycrystalline silicon. It is known that a vacuum deposition method and a coating method can be used as a film forming method when forming a TFT using an organic material. In particular, by using the coating method, a TFT is manufactured while suppressing an increase in manufacturing cost. Therefore, it is possible to increase the size of the apparatus using the process, and to make the process temperature required for film formation relatively low. For this reason, TFTs using organic substances have the advantage that there are few restrictions on the selection of materials that can be used for the substrate. As for TFTs using organic substances, many reports have been made (for example, Non-Patent Documents 1 and 2), and their practical application is expected.
  • Non-Patent Document 2 Non-Patent Document 2
  • the types of polymer insulators that can be coated and formed are limited. Even those that can be applied and formed can be used in subsequent application processes, for example, formation of a semiconductor layer in a bottom gate TFT, formation of a conductor layer such as an electrode, and formation of a protective layer after TFT formation.
  • the conditions are often unable to withstand and the device cannot be formed.
  • many polymer insulators have low heat resistance, and in particular, acrylic polymer insulation films represented by polymethyl methacrylate (PMMA) are used, for example, in the formation of organic EL display devices after TFT formation. Often, it cannot withstand the process temperature of the subsequent step after the TFT formation, such as the process temperature used when forming the organic EL element.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the leakage current density of the conventional polymer insulator is relatively high (usually higher than 1 ⁇ 10 ⁇ 7 A / cm 2 at 2 MV / cm), good TFT characteristics cannot be obtained.
  • crosslinkable polymer insulating material that can be formed by a solution method and can withstand the subsequent coating process after the coating film is formed as a composition for forming an insulating material for electronic devices. Furthermore, it is necessary to have heat resistance and a low leakage current density.
  • Patent Document 1 discloses an adamantane derivative having a specific structure, but there is no focus on the leakage current density, and there is no mention of a use that requires a low leakage current density.
  • a polymer gate insulating film in which a polymer having a specific hydrophobic main chain such as polymethyl methacrylate (PMMA) is used, a low TFT gate leakage current density may be achieved (Non-patent Document 3).
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the crosslinking functionality is lacking, when another layer is formed by a solution process after film formation, it may not be able to withstand the formation of the element by dissolving in a subsequent film formation step.
  • An object of the present invention is to provide an electron that can be formed by a solution method and has a heat resistance and a low leakage current density when another layer is manufactured by a coating process after coating.
  • An object of the present invention is to provide a composition for forming an insulating material for an element, and to provide an electronic element having excellent characteristics by using the composition. Examples of such an electronic element include a TFT and a device including the TFT. Examples of such devices (electronic elements) include display devices such as liquid crystal display devices and organic EL display devices.
  • the present inventors have conducted intensive research, and for forming a material for an electronic device that contains two or more (meth) acrylic moieties and a monomer having a polycyclic alicyclic structure as a polymerizable component. It has been found that an electronic device using the composition and an insulating material obtained by curing the composition can solve the above problems, and has completed the present invention.
  • compositions for forming an insulating material for an electronic device comprising a monomer having a (meth) acrylic moiety of 1.2 or more and a polycyclic alicyclic structure as a polymerizable component.
  • structure of the monomer is represented by the following formula (I) or (II).
  • R represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group
  • X represents a fluorine atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or two Xs formed together to represent ⁇ O.
  • Y represents a methyl group or ⁇ O formed by combining two Y together.
  • R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • p is an integer of 0 to 6
  • m is an integer of 0 to 14
  • n is an integer of 2 or more
  • t is an integer of 0 to 14
  • u is an integer of 0 to 14
  • s is an integer of 2 or more.
  • a plurality of X and Y may be the same as or different from each other.
  • Z 1 represents a group represented by the formula —C (q + r) F 2q H 2r — (q is an integer of 0 to 4, r is an integer of 0 to 4), and Z 2 is a single bond or A group represented by formula (II-1) or (II-2) is shown. (Wherein R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, v is an integer of 1 to 4)] 5.
  • X represents a methyl group, a trifluoromethyl group or two Xs formed together, and R 1 and R 2 are hydrogen atoms
  • t is an integer of 6 to 14
  • u is an integer of 0 to 9, 5.
  • An insulating material for an electronic device comprising a polymer material obtained by curing the composition for forming an insulating material for an electronic device according to any one of 6.1 to 5.
  • 7. A thin film transistor having a gate electrode, three terminals of a source electrode and a drain electrode, an insulator layer, and a semiconductor layer, and controlling a source-drain current by applying a voltage to the gate electrode.
  • 9. 9. The thin film transistor according to 8, wherein the semiconductor layer is made of an organic semiconductor.
  • the insulator layer can be formed by a solution method, and the insulating material obtained by curing this has a cross-linked structure, so that Thin film transistors (TFTs) that can withstand solution processing stages, have high heat resistance, can withstand processing temperatures applied in subsequent processes, have low leakage current density, and have excellent field effect transistor (FET) characteristics ) Can be realized.
  • TFTs Thin film transistors
  • FET field effect transistor
  • composition for forming an insulating material for an electronic device of the present invention is a monomer having two or more (meth) acrylic moieties and a polycyclic alicyclic structure (hereinafter referred to as a “polycyclic alicyclic structure”). And polyfunctional polycyclic alicyclic monomer) as a polymerizable component.
  • the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer used in the present invention needs to have two or more (meth) acrylic sites.
  • a cured film having high solvent resistance and heat resistance can be obtained by crosslinking each other when polymerized or by a crosslinking treatment after polymerization.
  • the number of (meth) acrylic sites is not particularly limited as long as it is adjusted depending on the reactivity and rigidity of the monomers used, but 2 to 4 are preferred.
  • the present invention preferably contains a polyfunctional polycyclic alicyclic monomer as the main polymerizable component.
  • “Main” means that, among the polymerizable components contained in the composition, the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer may be, for example, 40% by weight or more, preferably 50% by weight or more. Therefore, polymerizable components such as a monomer having one (meth) acrylic moiety and a monomer having two or more other (meth) acrylic moieties are included in the composition of the present invention within the range not contrary to the object of the present invention. Can also be used. All of the composition of the present invention may be a polyfunctional polycyclic alicyclic monomer.
  • the polycyclic alicyclic structure constituting the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer used in the present invention is preferably a structure having 5 to 20 ring carbon atoms which may have a hetero atom.
  • a decalyl ring perhydronaphthalene ring
  • norbornyl ring norbornyl ring
  • bornyl ring isobornyl ring
  • adamantyl ring tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring, tetracyclo [4.4.0.1 2, 5 .
  • a hydrocarbon compound having a polycyclic structure such as dodecane ring, 4-oxa-tricyclo [4.2.1.0 3,7 ] nonan-5-one, 4,8-dioxa-tricyclo [4. 2.1.0 3,7 ] nonane-5-one, 4-oxa-tricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-5-one, and other polycyclic lactones, polycyclic ethers, and These perfluoro substituents and the like can be mentioned.
  • an adamantyl ring and a tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decane ring are preferable.
  • These polycyclic alicyclic structures may have a substituent.
  • substituents include a halogen atom such as a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and an alicyclic group having 3 to 20 ring-forming carbon atoms.
  • the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be linear or branched.
  • a methyl group, an ethyl group, various propyl groups, various butyl groups, various pentyl groups, various hexyl groups examples include various heptyl groups, various octyl groups, various nonyl groups, various decyl groups, various dodecyl groups, various tetradodecyl groups, various hexadecyl groups, various octadecyl groups, various icosyl groups, and the like.
  • a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cyclooctyl group, a cyclododecyl group, an adamantyl group, and a lower alkyl group having about 1 to 5 carbon atoms are introduced on the ring. And the like.
  • the lower alkyl group having about 1 to 5 carbon atoms include the above groups.
  • a polyfunctional polycyclic alicyclic monomer having two or more (meth) acrylic moieties and having a polycyclic alicyclic structure has two (meth) acrylic moieties to reduce leakage current density. Is preferable.
  • the same alicyclic group constituting the polycyclic alicyclic structure has one (meth) different alicyclic group than the structure having two (meth) acrylic moieties.
  • a structure having an acrylic moiety is preferable in terms of leakage current density and durability.
  • a structure having three or more (meth) acrylic moieties a structure in which different alicyclic groups constituting the polycyclic alicyclic structure have (meth) acrylic moieties is preferable.
  • adamantyl ring In the case of an adamantyl ring, as will be described later, a structure in which the adamantane is bonded to a group containing a (meth) alkyl group at positions 3 and 7 is preferable. In addition, a structure in which an (meth) acryloyl group and a polycyclic alicyclic structure are directly bonded to each other via an alkylene group or an oxyalkylene group is preferable in terms of heat resistance.
  • Examples of the monomer having two or more (meth) acrylic moieties and having a polycyclic alicyclic structure and not containing an adamantyl ring include the following.
  • Examples of the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer having a structure containing adamantane as the polycyclic alicyclic structure include the following, and an adamantane derivative represented by the formula (I) or the formula (II): However, it is preferable in that an electronic device having excellent performance can be obtained.
  • R represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group
  • X represents a fluorine atom, a methyl group, a trifluoromethyl group or two Xs formed together to represent ⁇ O.
  • Y represents ⁇ O formed by a methyl group or two Ys joined together.
  • R 1 and R 2 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include the above groups.
  • Z 1 represents a group represented by the formula —C (q + r) F 2q H 2r — (q is an integer of 0 to 4, r is an integer of 0 to 4), and Z 2 is a single bond or A group represented by formula (II-1) or (II-2) is shown.
  • R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Examples of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms include the above groups.
  • R is preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint of easy availability.
  • bonded with the group containing a (meth) alkyl group in the 3rd and 7th positions of adamantane is preferable in terms of leakage current density.
  • R 1 and R 2 are preferably hydrogen atoms.
  • m is preferably 0 from the viewpoint of availability, and n is preferably 2 from the viewpoint of leakage current density.
  • p is preferably an integer of 1 to 6 in terms of heat resistance.
  • R is preferably a hydrogen atom or a methyl group from the viewpoint of easy availability.
  • bonded with the group containing a (meth) alkyl group in the 3rd and 7th positions of adamantane is preferable in terms of leakage current density.
  • s is preferably 2 in terms of leakage current density
  • t is 14 and u is preferably 0 in terms of availability or surface energy.
  • the formula —C (q + r) F 2q H 2r — in Z 1 may be —C q F 2q C r H 2r —.
  • q is preferably an integer of 0 or 1.
  • r is preferably an integer of 0 or 1.
  • Z 2 is preferably the formula (II-1).
  • R 3 and R 4 are preferably hydrogen atoms.
  • adamantane derivatives examples include those represented by formula (III) to formula (XI-9).
  • R 1 represents one group selected from an acrylate group, a methacrylate group, and a trifluoromethacrylate group
  • R 2 represents one group selected from a hydrogen atom, a methyl group, and a trifluoromethyl group.
  • K is an integer from 0 to 4
  • n is an integer from 1 to 6.
  • the groups in parentheses can be attached to the six methylene moieties of the adamantane skeleton.
  • k may be 1 or more, but when used as a composition for forming an insulating material for an electronic device, it is necessary to seal a hydroxyl group using a silane compound or the like.
  • R 1 represents a hydrocarbon group represented by the formula C P H 2P + 1 (P is an integer of 1 to 7)
  • R 2 represents a (meth) acryloyloxy group or a trifluoromethacryloyloxy group
  • R 3 represents a hydrogen atom, a methyl group or a trifluoromethyl group
  • R 4 represents a methyl group, a hydroxyl group, a carboxyl group or two R 4 together to represent a ⁇ O group.
  • n is an integer of 1 to 4
  • k is an integer of 0 to 4
  • the plurality of R 1 and R 4 may be the same or different.
  • R 1 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include the aforementioned groups.
  • R 4 is a hydroxyl group, when used as a composition for forming an insulating material for electronic devices, it is necessary to seal the hydroxyl group using a silane compound or the like. In the case of a carboxyl group, it is necessary to seal the terminal hydroxyl group by esterification or the like.
  • Y represents a group selected from a fluorine atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a hydroxyl group and a carboxyl group
  • X ′ is the following formula (VI) (Wherein R 1 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, a group selected from a hydroxyl group, a carboxyl group, or a trifluoromethyl group.
  • R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, N and m each independently represents an integer of 0 to 4, provided that n and m are not 0.
  • p represents 1 to It is an integer of 4.
  • the plurality of X ′ may be the same or different.
  • p + q is an integer of 1 to 16.
  • Y or R 1 is a hydroxyl group or a carboxyl group, when used as a composition for forming an insulating material for an electronic device, it is necessary to seal the terminal hydroxyl group by using a silane compound or the like or by performing esterification or the like. is there.
  • Y or R 1 is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, it is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and specific examples thereof include the aforementioned groups.
  • R represents a hydrogen atom, a methyl group, a fluorine atom or a trifluoromethyl group, respectively.
  • n and m are integers of 1 to 20.
  • Fluorine-containing adamantane derivative represented by the formula (VIII) [Wherein, A represents a single bond or an n-valent hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may have a substituent. Y represents an oxygen atom or a divalent hydrocarbon group which may contain an oxygen atom. Examples of the divalent hydrocarbon group include an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms such as a methylene group and a difluoromethylene group, and a fluoroalkylene group. Z represents an adamantyl group in which one or more hydrogen atoms are substituted with fluorine atoms. R represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group. n is an integer of 2 to 4.
  • An adamantane derivative represented by the following formula (IX) [Wherein Y represents one selected from a hydrogen atom, an organic group, a hydroxyl group, and two ⁇ O groups formed by combining Y, and R 1 to R 6 are each independently hydrogen. 1 type selected from an aliphatic hydrocarbon which may contain an atom, a halogen atom, a hydroxyl group, a hetero atom or a perfluoroalkyl group, or a ⁇ O group formed by combining R 1 and R 2 together Indicates.
  • R 3 to R 6 represents a substituent represented by the formula (M): —AB [in the formula (M), A represents an ether bond (—O—) or an ester bond ( A linear, branched or cyclic aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may contain —COO—); B represents an organic group containing a linear, branched or cyclic fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms which may contain an ether bond or an ester bond.
  • R 7 represents one selected from a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, and a trifluoromethyl group.
  • a is an integer of 2 to 4
  • b is an integer of 1 to 14
  • c is an integer of 0 or 1 to 13
  • a + b + c 16.
  • d is 0 or an integer of 1 to 5
  • e is an integer of 1 to 5.
  • a plurality of Y and R 1 to R 6 may be the same or different from each other, May be the same as or different from each other. ] When Y and R 1 to R 6 are hydroxyl groups, the hydroxyl groups must be sealed with a silane compound or the like when used as a composition for forming an insulating material for electronic devices.
  • Y or R 1 to R 6 is an organic group or an aliphatic hydrocarbon which may contain a hetero atom
  • the organic group and the aliphatic hydrocarbon are preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • Specific groups include the above groups.
  • A is preferably a linear hydrocarbon group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methylene group, an ethylene group, or a 1,3-propylene group.
  • B is preferably a perfluoroalkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
  • R 7 represents hydrogen, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
  • a 2
  • at least one of R 1 or R 2 is an organic group represented by the formula (A).
  • R 1 to R 4 are hydroxyl groups, the hydroxyl groups must be sealed with a silane compound or the like when used as a composition for forming an insulating material for an electronic device.
  • the aliphatic hydrocarbon group for R 1 to R 4 include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 5 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, An atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group
  • p is an integer of 2 to 10
  • q is an integer of 0 to 10
  • r is an integer of 0 to 5
  • R 1 to R 4 may be the same or different from each other.
  • n is an integer of 2 to 4, and a plurality of Z 1 may be the same or different.
  • m is an integer of 1 to 4, and when m is 2 or more, the plurality of Z 1 may be the same or different.
  • R 1 to R 4 are hydroxyl groups
  • the hydroxyl groups must be sealed with a silane compound or the like when used as a composition for forming an insulating material for electronic devices.
  • a silane compound or the like it is necessary to seal the terminal hydroxyl group by esterification or the like.
  • the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in R 1 to R 4 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • R 5 Represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group
  • p is an integer of 2 to 10
  • q is an integer of 0 to 10
  • r is an integer of 0 to 5
  • s is an integer of 0 to 6.
  • R 1 to R 4 , R 7 and R 8 may be the same or different.
  • n is an integer of 2 to 4, and a plurality of Z 2 may be the same or different.
  • m is an integer of 1 to 4, and when m is 2 or more, the plurality of Z 2 may be the same or different.
  • the hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms in R 1 to R 4 and R 6 to R 8 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms.
  • the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer used in the present invention can be produced, for example, by reacting a known polycyclic alicyclic diol or the like with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof. Specifically, polycyclic alicyclic diols and the like are reacted with (meth) acrylic acid or a reactive derivative thereof using a generally known azeotropic dehydration method, acid halide method or transesterification method. And can be synthesized by esterification.
  • Examples of adamantyl group-containing diols include 1,3-adamantanediol, adamantane-1,3-dimethanol, adamantane-1,3-diethanol, adamantane-1,3-dipropanol, adamantane-1,3,5-tri Methanol, adamantane-1,3,5-triethanol, adamantane-1,3,5-tripropanol, adamantane-1,3,5,7-tetramethanol, adamantane-1,3,5,7-tetraethanol, And adamantane-1,3,5,7-tetrapropanol.
  • adamantyl group-containing diols include perfluoro-1,3-adamantanediol, perfluoro-1,3-bis (2-hydroxyethoxy) adamantane, and perfluoro-1,3,5-tris (2-hydroxyethoxy) adamantane.
  • acrylic acids or reactive derivatives thereof include acrylic acid, methacrylic acid, ⁇ -trifluoromethylacrylic acid, ⁇ -fluoroacrylic acid, acrylic anhydride, methacrylic anhydride in the case of the azeotropic dehydration method.
  • acid anhydrides such as ⁇ -trifluoromethylacrylic anhydride and ⁇ -fluoroacrylic anhydride.
  • the acid halide method include acid halides such as acrylic acid chloride, methacrylic acid chloride, ⁇ -trifluoromethylacrylic acid chloride, ⁇ -fluoroacrylic acid chloride, and the like.
  • the amount of the (meth) acrylic acid or reactive derivative thereof is preferably about 1 to 3 times the stoichiometric amount with respect to the polycyclic alicyclic group-containing alcohol.
  • a method for producing a monomer having two or more (meth) acryl moieties and having a polycyclic alicyclic structure of adamantane for example, a method described in JP-A-2008-105999 can be employed.
  • compositions for forming an insulating material for electronic devices can be produced.
  • the blending amount of the polyfunctional polycyclic alicyclic monomer is usually 50 to 100% by weight when the polymerizable component contained in the composition is 100% by weight.
  • a polyfunctional polycyclic alicyclic monomer may be used individually by 1 type, or may combine 2 or more types.
  • a monomer having a (meth) acrylic moiety is preferable in that it can be polymerized using a common polymerization initiator, and a monomer having two or more (meth) acrylic moieties is more preferable in terms of solvent resistance. Examples of such a monomer include the monomers used in Examples 5 and 6 described later.
  • a monomer having a (meth) acrylic moiety and not having a polycyclic alicyclic group is inferior in heat resistance, but has an advantage of being used in terms of improving solvent resistance. Even those having three or more (meth) acrylic sites have little influence on the leakage current density.
  • the composition of the present invention may contain a thermal polymerization initiator when cured by heating, and a photopolymerization initiator when cured by light irradiation.
  • Thermal polymerization initiators include organic peroxides such as benzoyl peroxide, methyl ethyl ketone peroxide, methyl isobutyl peroxide, cumene hydroperoxide, t-butyl hydroperoxide, and azo initiators such as azobisisobutyronitrile. Etc.
  • Photopolymerization initiators include acetophenones, benzophenones, benzyls, benzoin ethers, benzyl diketals, thioxanthones, acylphosphine oxides, acylphosphinic acid esters, aromatic diazonium salts, aromatic sulfonium salts, aromatic Group iodonium salt, aromatic iodosyl salt, aromatic sulfoxonium salt, metallocene compound and the like.
  • the blending amount of these polymerization initiators is usually 0.01 to 10% by weight when the total amount of the composition excluding the organic solvent is 100% by weight. May be combined.
  • composition of the present invention may contain an organic solvent as necessary.
  • the organic solvent used is not particularly limited, and specific examples include hydrocarbon solvents such as benzene, toluene, hexane, heptane, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, 1,3-dioxolane, anisole.
  • Ether solvents such as diethyl ether, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone (MEK), methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, glycols such as propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate (PGMEA), ethylene glycol diethyl ether
  • the solvent include halogen solvents such as chloroform, methylene chloride, and 1,2-dichloroethane.
  • An organic solvent may be used independently and may be used in mixture of multiple types.
  • the amount of solvent to be used can be set as appropriate, the lower limit of the preferable amount of use with respect to 1 g of the total amount of components other than the organic solvent contained in the curable composition is 0.1 mL, and the upper limit of the preferable amount of use is 100 mL. . If the amount used is small, it is difficult to obtain the effect of using a solvent such as a low viscosity, and if the amount used is large, the solvent will remain in the material, causing problems such as thermal cracks, and cost. However, it is disadvantageous and the industrial utility value decreases.
  • additives such as a crosslinking agent, a surfactant, and a coupling agent can be added to the composition of the present invention as needed within a range not impairing the effects of the present invention.
  • the insulating material for electronic elements of the present invention (hereinafter sometimes referred to as the insulating material of the present invention) is made of a polymer material obtained by curing the above-described composition for forming an insulating material for electronic elements of the present invention. It is characterized by that.
  • the composition of the present invention is applied to a place where an insulating film is to be formed, and is cured by heat curing or ultraviolet (UV) irradiation or the like to obtain a cured product, that is, a crosslinked polymer insulating material (insulating of the present invention). Material) can be manufactured.
  • the heat-curing temperature is usually 30 to 200 ° C., preferably 50 to 150 ° C.
  • actinic rays such as ultraviolet rays are irradiated. Irradiation intensity is arbitrary because it is determined from the kind of polyfunctional polycyclic alicyclic monomer and polymerization initiator, the film thickness of the insulating material, etc., but is usually 100 to 5000 mJ / cm 2 , more preferably 500 to 4000 mJ / cm 2. 2 .
  • the cured product of the composition for forming an insulating material for an electronic device obtained in the present invention is suitable as an insulating material for an electronic device since it has heat resistance and a low leakage current density.
  • any member for an electronic device that requires a low leakage current density may be used.
  • a member of an electronic device that includes an electronic element or an electronic element as a member and a member that contacts an electrode or a semiconductor material can be given.
  • Preferable applications include applications requiring thin film thickness and solvent resistance, for example, insulating films for electronic devices such as planarization films, passivation films, interlayer insulating films, and gate insulating films of TFTs.
  • a TFT gate insulating film in which a low leakage current density directly contributes to performance is particularly suitable.
  • the thin film transistor of the present invention is a thin film transistor having three terminals of a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulator layer, and a semiconductor layer, and controlling the source-drain current by applying a voltage to the gate electrode.
  • the insulating material for an electronic device according to the invention is used for an insulator layer.
  • the thin film transistor of the present invention can take several structures depending on the position of electrodes, the stacking order of layers, and the like, and has a field effect transistor (FET) structure.
  • FET field effect transistor
  • FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a thin film transistor of the present invention.
  • the gate electrode 20 is stacked on the substrate 10, and the insulator layer 30 is stacked on the substrate 10 so as to cover the gate electrode 20.
  • the source electrode 40 and the drain electrode 50 are stacked in parallel with a predetermined gap therebetween.
  • the semiconductor layer 60 is stacked on the insulator layer 30, the source electrode 40, and the drain electrode 50 so as to fill a gap between the source electrode 40 and the drain electrode 50.
  • the semiconductor layer 60 forms a channel region, and is turned on / off by controlling a current flowing between the source electrode 40 and the drain electrode 50 with a voltage applied to the gate electrode 20.
  • FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the thin film transistor of the present invention.
  • the thin film transistor 2 includes a semiconductor layer 60 stacked on the insulator layer 30 and a source electrode 40 and a drain electrode 50 stacked on the semiconductor layer 60 in parallel with a predetermined interval therebetween. It has the same structure as the thin film transistor 1.
  • FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the thin film transistor of the present invention.
  • the source electrode 40 and the drain electrode 50 are stacked in parallel on the substrate 10 at a predetermined interval, and the semiconductor layer 60 fills the gap between the source electrode 40 and the drain electrode 50.
  • the substrate 10 is stacked on the source electrode 40 and the drain electrode 50.
  • An insulator layer 30 is stacked on the semiconductor layer 60, and the gate electrode 20 is stacked on the insulator layer 30.
  • FIG. 4 is a diagram showing another embodiment of the thin film transistor of the present invention.
  • a semiconductor layer 60 is stacked on the substrate 10, and a source electrode 40 and a drain electrode 50 are stacked in parallel on the semiconductor layer 60 at a predetermined interval.
  • the insulator layer 30 is stacked on the source electrode 40, the drain electrode 50, and the semiconductor layer 60 so as to fill a gap between the source electrode 40 and the drain electrode 50, and the gate electrode 20 is formed on the insulator layer 30. Laminated.
  • the thin film transistor of the present invention includes an organic semiconductor layer (organic compound layer) or an inorganic semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode formed so as to face each other with a predetermined interval, and a source electrode and a drain electrode, respectively. And a gate electrode formed at a distance of ⁇ , and a current flowing between the source and drain electrodes is controlled by applying a voltage to the gate electrode.
  • the thin film transistor of the present invention only needs to have a mechanism in which effects such as on / off operation and amplification are manifested by controlling the current flowing between the source electrode and the drain electrode by the voltage applied to the gate electrode.
  • the device configuration is not limited to the above.
  • the thin film transistor of the present invention is, for example, a top-and-bottom contact type organic material proposed by Yoshida et al. Of the National Institute of Advanced Industrial Science and Technology in the 49th Conference on Applied Physics Related Lectures 27a-M-3 (March 2002). It may have a device configuration such as a thin film transistor (see FIG. 5) and a vertical organic thin film transistor (see FIG. 6) proposed by Kudo et al. Of Chiba University in the IEEJ Transaction 118-A (1998), page 1440. .
  • the insulator layer of the thin film transistor of the present invention is a thin film obtained by polymerizing the composition of the present invention.
  • the insulator layer is preferably as thin as possible in order to reduce the driving voltage of the thin film transistor.
  • the thickness of the insulator layer is usually 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 nm to 2 ⁇ m, more preferably 100 nm to 1 ⁇ m.
  • the composition of the present invention is applied to, for example, the dipping method, spin coating method, casting method, bar coating method, roll coating method, spray coating method, blade coating method, dip coating method, die coating method, flexographic printing, offset.
  • a film is formed by a coating / printing method such as printing, gravure printing, screen printing, or ink jet printing, and is formed by crosslinking polymerization with light or heat. Moreover, you may laminate
  • the insulator layer may be only a thin film obtained by polymerizing the composition of the present invention, or may be a laminate of two or more layers including an insulator layer made of another material. Even if the insulator layer is only a thin film obtained by polymerizing the composition of the present invention, a high-performance thin film transistor can be produced by making the film thickness sufficiently thin because it has high insulation properties. High performance can be achieved by combining with layers.
  • the material for forming the second insulator layer combined with the thin film obtained by polymerizing the composition of the present invention includes metal oxide (including silicon oxide), metal nitride (including silicon nitride), A material having an electrical resistivity of 10 ⁇ cm or more at room temperature (for example, 20 to 25 ° C.) such as a polymer or a low molecular weight organic material can be used, and a material having a relative dielectric constant higher than 3 is particularly preferable.
  • Examples of the metal oxide and metal nitride that form the second insulator layer include silicon oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, and titanium oxide.
  • inorganic nitrides such as silicon nitride (Si 3 N 4 , Si x N y , SiON x (x, y> 0)) and aluminum nitride can also be suitably used.
  • silicon nitride Si 3 N 4 , Si x N y , or SiON x (x, y> 0
  • charges are more easily induced on the insulating film, and the threshold voltage for transistor operation is increased. Further reduction may be possible.
  • the second insulator layer may be formed of a precursor containing an alkoxide metal.
  • the metal of the alkoxide metal is selected from, for example, a transition metal, a lanthanoid, or a main group element. Specifically, barium (Ba), strontium (Sr), titanium (Ti), bismuth (Bi), tantalum ( Ta), zircon (Zr), iron (Fe), nickel (Ni), manganese (Mn), lead (Pb), lanthanum (La), lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium ( Rb), cesium (Cs), francium (Fr), beryllium (Be), magnesium (Mg), calcium (Ca), niobium (Nb), thallium (Tl), mercury (Hg), copper (Cu), cobalt ( Co), rhodium (Rh), scandium (Sc), yttrium (Y), and the like.
  • alkoxide of the alkoxide metal examples include alcohols including methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, methoxyethanol, ethoxyethanol, propoxyethanol, butoxyethanol, pentoxyethanol, heptoxyethanol, methoxypropanol
  • alkoxides derived from alkoxy alcohols including ethoxypropanol, propoxypropanol, butoxypropanol, pentoxypropanol, heptoxypropanol, and the like.
  • the second insulator layer may be formed of an organic compound as long as the object of the present invention is not adversely affected.
  • organic compound include polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, photo radical polymerization system, photo cation polymerization system photo-curing resin, copolymer containing acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, novolac resin, and Cyanoethyl pullulan or the like can be used.
  • polyethylene polychloroprene, polyethylene terephthalate, polyoxymethylene, polyvinyl chloride, polyvinylidene fluoride, polysulfone, poly (methyl methacrylate) (PMMA), polycarbonate (PC), polystyrene (PS), polyacrylamide,
  • a polymer material having a high dielectric constant such as poly (acrylic acid), resole resin, polyxylylene, epoxy resin or the like can also be used.
  • the second insulator layer may be a mixed layer using a plurality of the above-described inorganic compound materials or organic compound materials, or may be a laminate of layers made of these materials alone.
  • the second insulator layer may further include an anodized film.
  • the anodized film is formed by anodizing a metal that can be anodized by a known method, and is preferably further sealed.
  • Examples of the metal that can be anodized include aluminum and tantalum. There is no restriction
  • An oxide film is formed by anodizing.
  • the electrolytic solution used for the anodizing treatment is not particularly limited as long as it is an electrolytic solution capable of forming a porous oxide film. In general, sulfuric acid, phosphoric acid, boric acid, or a mixed acid obtained by combining two or more of them is used. Or their salts are used.
  • the thickness of the second insulator layer is small, the effective voltage applied to the semiconductor increases, so that the drive voltage and threshold voltage of the device itself can be lowered. Since the current increases, it is necessary to select an appropriate film thickness.
  • the thickness of the second insulator layer is usually 10 nm to 5 ⁇ m.
  • the method for forming the second insulator layer is not particularly limited and can be used for vapor phase deposition or liquid phase deposition.
  • vacuum deposition molecular beam epitaxy, ion cluster beam method, low energy ion beam method, ion plate
  • Gas phase film formation such as coating method, CVD method, sputtering method, atmospheric pressure plasma method; and spray coating method, spin coating method, blade coating method, dip coating method, casting method, roll coating method, bar coating method, die coating method
  • liquid phase film formation such as printing and ink jetting can be used.
  • the substrate plays a role of supporting the structure of the thin film transistor.
  • a material glass, inorganic compounds such as metal oxides and nitrides, plastic films (for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyimide, polyethylene, (Polypropylene, polyetheretherketone, polysulfone, polyphenylene sulfide, polyethersulfone, polycarbonate), a metal substrate, or a composite or laminate thereof can also be used.
  • the substrate can be omitted.
  • a silicon (Si) wafer is often used as a material for the substrate. In this case, Si itself can be used as a gate electrode / substrate.
  • the semiconductor used for the semiconductor layer is not particularly limited.
  • an organic semiconductor layer is formed using an organic semiconductor, an organic semiconductor material described in Chemical Review, 107, 1066, 2007, or the like can be used.
  • the organic semiconductor layer may be a layer made of a mixture of a plurality of materials by combining a plurality of materials selected from the above organic semiconductor materials, or a laminate of layers made of these materials alone.
  • the material of the organic semiconductor layer include low molecular materials such as pentacene, naphthacene, anthracene, heptacene, hexacene, C60, C70, phenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, coronene, rubrene, phthalocyanines, porphyrins, and derivatives thereof.
  • Oligomers such as distyrylbenzene, oligoacetylene, oligothiophene, oligoselenophene and derivatives thereof; polyacetylene, polythiophene, poly (3-hexylthiophene), poly (9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), polyphenylene vinylene And ⁇ -conjugated polymers such as polythienylene vinylene and derivatives thereof, but are not limited thereto.
  • an inorganic semiconductor may be used as the semiconductor layer.
  • the inorganic semiconductor layer examples include non-single-crystal semiconductor films and crystalline silicon typified by amorphous silicon, polycrystalline silicon, microcrystalline silicon, and the like, as well as ZnO, a-InGaZnO, SiGe, GaAs, and the like. However, it is not limited to these.
  • the thickness of the semiconductor layer is not particularly limited, but is usually 0.5 nm to 1 ⁇ m, preferably 2 nm to 250 nm.
  • a method for forming the semiconductor layer is not particularly limited, and a known method can be applied.
  • the organic semiconductor layer is continuously formed preferably after the insulator layer is formed.
  • the film formation may be performed by molecular beam deposition (MBE), vacuum deposition, chemical vapor deposition, molecular beam deposition, sputtering, or other vapor phase film formation, or a dipping method in which a material is dissolved in a solvent, a spin coating method, Coating layer is applied by coating and printing methods such as casting method, bar coating method, roll coating method, spray coating method, blade coating method, dip coating method, die coating method, flexographic printing, offset printing, gravure printing, screen printing, and inkjet printing. It is also desirable to form and apply the coating layer by baking, electropolymerization, self-assembly from solution, and combinations thereof.
  • the organic semiconductor layer formation may be a combination of two or more of the above film formation methods.
  • the field effect mobility can be improved by improving the crystallinity of the semiconductor layer, when vapor phase film formation (evaporation, sputtering, etc.) is used for film formation of the organic semiconductor layer, It is also desirable to maintain the substrate temperature at a high temperature. Regardless of the film formation method, it is preferable to perform annealing after film formation because an increase in crystal grain size may be obtained.
  • the annealing temperature is preferably 50 to 200 ° C., and the time is preferably 10 minutes to 12 hours.
  • the material of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode is not particularly limited as long as it is a conductive material. Platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium , Iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, tin oxide / antimony, indium tin oxide (ITO), fluorine doped zinc oxide, zinc, carbon, graphite, glassy carbon, silver paste and carbon paste, lithium, beryllium, Sodium, magnesium, potassium, calcium, scandium, titanium, manganese, zirconium, gallium, niobium, sodium-potassium alloy, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, Magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide mixture, can be used lithium / aluminum mixtures.
  • the thicknesses of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode are not particularly limited as long as current is conducted, but is preferably in the range of 0.2 nm to 10 ⁇ m, more preferably 4 nm to 300 nm. If the film thickness of the electrode is within the above range, the resistance is not increased due to the thin film thickness, voltage drop does not occur, and the film formation does not take time because it is not too thick. When other layers such as the above are laminated, a laminated film can be made smoothly without causing a step.
  • the source electrode and the drain electrode are stacked with a predetermined interval, for example. The interval is determined by the use of the thin film transistor, and is usually 0.1 ⁇ m to 1 mm, preferably 0.5 ⁇ m to 100 ⁇ m, more preferably It is 1 ⁇ m to 50 ⁇ m.
  • the source electrode and the drain electrode are made of a fluid electrode material such as a solution, paste, ink, dispersion, etc., preferably a conductive polymer, or metal fine particles containing platinum, gold, silver, or copper. It can be formed using a fluid electrode material containing.
  • the solvent or dispersion medium of the fluid electrode material is preferably a solvent or dispersion medium containing 60 mass% or more, preferably 90 mass% or more of water in order to suppress damage to the organic semiconductor.
  • a solvent or dispersion medium containing 60 mass% or more, preferably 90 mass% or more of water in order to suppress damage to the organic semiconductor.
  • the dispersion containing metal fine particles for example, a known conductive paste or the like may be used.
  • the dispersion usually contains metal fine particles having a particle diameter of 0.5 nm to 50 nm, preferably 1 nm to 10 nm. And preferred.
  • fine metal particles examples include platinum, gold, silver, nickel, chromium, copper, iron, tin, antimony, lead, tantalum, indium, palladium, tellurium, rhenium, iridium, aluminum, ruthenium, germanium, molybdenum, tungsten, zinc, and the like. Can be used.
  • the metal fine particle dispersion may be produced by reducing metal ions in a liquid phase such as a gas phase evaporation method, a sputtering method, a metal vapor synthesis method, or a liquid phase such as a colloid method or a coprecipitation method.
  • a fine particle dispersion produced by a gas evaporation method is preferable.
  • the electrode is formed using the metal fine particle dispersion. Specifically, after the solvent of the metal fine particle dispersion is dried, it is heated in a shape within a range of 100 ° C. to 300 ° C. as necessary. An electrode pattern having a target shape can be formed by thermally fusing the fine particles.
  • the material for forming the source electrode and the drain electrode is preferably a material having low electrical resistance at the contact surface with the semiconductor layer.
  • the electric resistance corresponds to the field effect mobility when the current control device is manufactured, and the resistance needs to be as small as possible in order to obtain a large mobility. This is generally determined by the magnitude relationship between the work function of the electrode material and the energy level of the organic semiconductor layer.
  • the work function (W) of the electrode material is a
  • the ionization potential (Ip) of the organic semiconductor layer is b
  • the electron affinity (Af) of the organic semiconductor layer is c
  • a, b, and c are all positive values based on the vacuum level.
  • ba ⁇ 1.5 eV (formula (A)) is preferable, and ba ⁇ 1.0 eV is more preferable. If the above relationship can be maintained in relation to the organic semiconductor layer, a high-performance device can be obtained.
  • the electrode material has a work function as large as possible, and the work function is 4.0 eV or more.
  • the work function is preferably 4.2 eV or more.
  • the value of the work function of a metal is, for example, an effective metal having a work function of 4.0 eV or higher as described in Chemistry Handbook Fundamentals II-493 (revised 3 edition, published by The Chemical Society of Japan, Maruzen 1983) From the above list.
  • High work function metals are mainly Ag (4.26, 4.52, 4.64, 4.74 eV), Al (4.06, 4.24, 4.41 eV), Au (5.1, 5.37). 5.47 eV), Be (4.98 eV), Bi (4.34 eV), Cd (4.08 eV), Co (5.0 eV), Cu (4.65 eV), Fe (4.5, 4.67). 4.81 eV), Ga (4.3 eV), Hg (4.4 eV), Ir (5.42, 5.76 eV), Mn (4.1 eV), Mo (4.53, 4.55, 4..
  • ITO Indium Tin Oxide
  • carbon black Indium Tin Oxide
  • fullerenes carbon materials such as carbon nanotubes
  • conductive polymers such as polyaniline and PEDOT: PSS are preferable. Even if one or more of these high work function substances are included as the electrode material, there is no particular limitation as long as the work function satisfies the formula (A).
  • the work function of the electrode material is preferably as small as possible, and the work function is preferably 4.3 eV or less. More preferably, the work function is 3.7 eV or less.
  • the low work function metal As a specific example of the low work function metal, it has a work function of 4.3 eV or less as described in, for example, Chemistry Handbook Basics, pages II-493 (revised 3 edition, edited by The Chemical Society of Japan, published by Maruzen Co., Ltd. 1983). What is necessary is just to select from the said list of effective metals.
  • the low work function metal Ag (4.26 eV), Al (4.06, 4.28 eV), Ba (2.52 eV), Ca (2.9 eV), Ce (2.9 eV), Cs (1. 95 eV), Er (2.97 eV), Eu (2.5 eV), Gd (3.1 eV), Hf (3.9 eV), In (4.09 eV), K (2.28 eV), La (3.5 eV) ), Li (2.93 eV), Mg (3.66 eV), Na (2.36 eV), Nd (3.2 eV), Rb (4.25 eV), Sc (3.5 eV), Sm (2.7 eV) , Ta (4.0, 4.15 eV), Y (3.1 eV), Yb (2.6 eV), Zn (3.63 eV), and the like.
  • Ba, Ca, Cs, Er, Eu, Gd, Hf, K, La Li, Mg, Na, Nd, Rb, Y, Y, Y,
  • the work function satisfies the formula (B).
  • the low work function metal easily deteriorates when exposed to moisture and oxygen in the atmosphere, it is desirable to coat with a metal stable in the air such as Ag and Au as necessary.
  • the film thickness necessary for the coating is 10 nm or more, and as the film thickness increases, the film can be effectively protected from oxygen and water. However, for practical reasons, the film thickness is preferably 1 ⁇ m or less for the purpose of increasing productivity.
  • the source electrode and drain electrode can be formed by, for example, vapor deposition, electron beam vapor deposition, sputtering, atmospheric pressure plasma method, ion plating, chemical vapor deposition, electrodeposition, electroless plating, spin coating, printing or ink jet. it can.
  • the conductive thin film formed using said method is formed into an electrode using a well-known photolithographic method or a lift-off method, on metal foils, such as aluminum and copper
  • a resist is formed and etched by thermal transfer, ink jet, or the like.
  • the source electrode and the drain electrode may be formed by patterning a solution or dispersion of a conductive polymer, a dispersion containing metal fine particles, or the like directly by an ink jet method. You may form by laser ablation etc. Furthermore, it is also possible to use a method in which a conductive ink or conductive paste containing a conductive polymer or metal fine particles is patterned by a printing method such as relief printing, intaglio printing, planographic printing or screen printing.
  • a known conductive polymer whose conductivity is improved by doping or the like as the electrode material of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode.
  • conductive polyaniline, conductive polypyrrole, conductive polythiophene (polyethylenedioxythiophene and polystyrenesulfonic acid complex, etc.) and the like are also preferably used. These materials can reduce the contact resistance between the semiconductor layer of the source electrode and the drain electrode.
  • a buffer layer may be provided between the semiconductor layer and the source and drain electrodes for the purpose of improving the injection efficiency.
  • the buffer layer provided in the n-type organic thin film transistor is an alkali metal ion bond or alkaline earth metal such as LiF, Li 2 O, CsF, Na 2 CO 3 , KCl, MgF 2 , CaCO 3 used for the cathode of the organic electroluminescence element A compound having an ionic bond is desirable.
  • the buffer layer provided in the p-type organic thin film transistor includes FeCl 3 ; cyano compounds such as TCNQ, F 4 -TCNQ, HAT; CF x , GeO 2 , SiO 2 , MoO 3 , V 2 O 5 , VO 2 , V 2 O 3 , MnO, Mn 3 O 4 , ZrO 2 , WO 3 , TiO 2 , In 2 O 3 , ZnO, NiO, HfO 2 , Ta 2 O 5 , ReO 3 , PbO 2 and other alkali metals and alkaline earth metals Metal oxides; inorganic compounds such as ZnS and ZnSe are desirable.
  • cyano compounds such as TCNQ, F 4 -TCNQ, HAT
  • CF x GeO 2 , SiO 2 , MoO 3 , V 2 O 5 , VO 2 , V 2 O 3 , MnO, Mn 3 O 4 , ZrO 2 ,
  • the above oxide causes oxygen deficiency, which is suitable for hole injection.
  • amine compounds such as TPD and NPD, and compounds used as a hole injection layer and a hole transport layer in an organic EL device such as CuPc may be used.
  • what consists of two or more types of said compounds is also desirable.
  • a gas barrier layer may be formed on the whole or a part of the outer peripheral surface of the element in consideration of the influence on the semiconductor layer such as oxygen and water contained in the atmosphere.
  • known materials can be used, and examples thereof include polyvinyl alcohol, ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, and polychlorotrifluoroethylene.
  • the inorganic substance and organic substance which have the insulation illustrated as a material of an insulator layer can also be used.
  • Example 1 0.4 g (colorless transparent liquid) of 1,3-adamantane dimethanol diacrylate (compound (1)) (produced by Idemitsu Kosan Co., Ltd.) represented by the following structural formula, 0. 04 g and 4 g of MEK as a solvent were mixed to obtain a composition for forming an insulating material (film) having a solid content concentration of 10% by mass.
  • compound (1) 1,3-adamantane dimethanol diacrylate
  • MEK MEK
  • ITO transparent gate electrode
  • a substrate provided with a film is called a transparent support substrate).
  • the transparent support substrate was ultrasonically washed with isopropyl alcohol for 5 minutes, then washed with pure water for 5 minutes, further ultrasonically washed with isopropyl alcohol for 5 minutes, and then dried by blowing dry N 2 gas. Finally, it was cleaned for 5 minutes with a UV ozone cleaning device [manufactured by Sen Special Light Source Co., Ltd.].
  • the prepared composition for forming an insulating material was filtered through a 0.2 micron PTFE membrane filter, then dropped on the transparent support substrate in a nitrogen atmosphere, and spin-coated at 2000 rpm for 30 seconds. Then, a gate insulator layer having a thickness of 400 nm was formed by exposing to 365 nm ultraviolet light and crosslinking. An insulator layer was formed on a plurality of substrates under the same conditions, and the following insulator layer was evaluated and an organic thin film transistor element was produced. In Examples and Comparative Examples, the film thickness of the insulator layer was measured using a fine shape measuring machine Surfcorder [Kosaka Laboratory ET 3000].
  • a gold electrode (with a thickness of 50 nm) is formed on the insulator layer through a metal mask, facing the ITO electrode across the insulator layer, and an electric field of 2 MV / cm is applied between the electrodes. Then, the current density flowing in the vertical direction in the insulator layer was measured, and this was evaluated as the leakage current density.
  • Application of voltage and measurement of current were performed using a semiconductor characteristic evaluation system (4200SCS manufactured by Keithley Instruments Co., Ltd.).
  • a pentacene thin film (semiconductor layer) having a film thickness of 50 nm was provided at a deposition rate of 0.05 nm / s using a vacuum deposition apparatus on the substrate on which the insulator layer was formed as described above. Then, gold was deposited to a thickness of 50 nm through a metal mask, so that the source electrode and the drain electrode that were not in contact with each other were formed so that the interval (channel length L) was 50 ⁇ m. At that time, the source electrode and the drain electrode were formed to have a width (channel width W) of 1 mm, and a thin film transistor having the structure of FIG. 2 was manufactured.
  • a gate voltage of 0 to ⁇ 25 V is applied to the gate electrode of the obtained thin film transistor, a voltage of 5 to ⁇ 25 V is applied between the source and the drain to pass a current, and a threshold voltage (Vth) and a field effect mobility ⁇ are set. evaluated.
  • Vth threshold voltage
  • Application of each voltage and measurement of the current between the source and drain electrodes were performed using a semiconductor characteristic evaluation system (4200SCS manufactured by Keithley Instruments Co., Ltd.).
  • the field effect mobility ⁇ was calculated using the following formula (A).
  • I D (W / 2L) ⁇ C ⁇ ⁇ ⁇ (V G ⁇ V T ) 2 (A) (Where ID is the source-drain current, W is the channel width, L is the channel length, C is the capacitance per unit area of the gate insulator layer, V T is the gate threshold voltage, and V G is the gate voltage. is there.)
  • the threshold voltage in the current saturation region was ⁇ 10.1 V
  • the field effect mobility ⁇ was 4.5 ⁇ 10 ⁇ 2 cm 2 / Vs.
  • Table 2 The results are shown in Table 2.
  • the obtained thin film transistor operated as a p-type transistor because holes were induced in the channel region (between source and drain) of the organic semiconductor layer.
  • Example 2 An insulator layer was formed in the same manner as in Example 1 using a composition containing the following compound (2) instead of the compound (1), and the insulator layer was evaluated in the same manner as in Example 1.
  • Compound (2) was produced by the method described in Examples 1 and 2 of WO2007 / 020901 pamphlet. The results are shown in Table 1. Further, a thin film transistor was fabricated and evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.
  • Example 3 An insulator layer was formed in the same manner as in Example 1 using a composition containing the following compound (3) (aldrich reagent) instead of compound (1), and the insulator layer was formed in the same manner as in Example 1. evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 An insulator layer was formed using a composition in which compound (2) and compound (3) were mixed in a proportion of 50% by weight instead of compound (1), and the insulator layer was evaluated in the same manner as in Example 1. did. The results are shown in Table 1.
  • Example 5 An insulator layer was formed using a composition in which compound (3) and the following compound (4) (aldrich reagent) were mixed in a proportion of 50% by weight instead of compound (1). The insulator layer was evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 6 An insulator layer was formed using a composition in which the compound (3) and the following compound (5) (reagent made by Aldrich) were mixed in a proportion of 50% by weight instead of the compound (1). The insulator layer was evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 An insulator layer was formed in the same manner as in Example 1 using a composition containing polymethyl methacrylate (PMMA) instead of compound (1), and the insulator layer was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 1.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the thin film obtained by crosslinking polymerization of the composition containing the compounds (1) to (3) as the polymerizable component had solvent resistance and low leakage current density.
  • a thin film transistor including a thin film obtained by polymerizing a composition containing compounds (1) to (3) as a main polymerizable component in an insulator layer is sufficient for applications such as electronic paper, liquid crystal display, and organic EL display. It was confirmed that the performance was demonstrated.
  • Example 7 A composition for forming an insulating material was prepared using compound (1) in the same manner as in Example 1 except that MEK as a solvent was not used. Furthermore, the composition was exposed to ultraviolet rays in a vial and crosslinked to form an insulating material. The following heat resistance test was conducted using this insulating material. The results are shown in Table 3.
  • Glass transition temperature: Tg Glass transition temperature 5 mg of the insulating material is put in an aluminum container, and the temperature is raised from 0 ° C. to 10 ° C./min using a differential scanning calorimeter (manufactured by Perkin Elmer). From the discontinuity point observed in the obtained heat flux curve Asked.
  • Td1 1% mass reduction temperature: Td1
  • Td1 1% weight loss temperature
  • Comparative Example 2 An insulating material was prepared and subjected to a heat resistance test in the same manner as in Example 7 except that a composition containing polymethyl methacrylate (PMMA) was used instead of the compound (1). The results are shown in Table 3.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the insulating material of the present invention is useful as an insulating film for electronic devices such as a planarizing film, a passivation film, an interlayer insulating film, and a gate insulating film of a TFT.
  • the low leakage current density is particularly useful as a gate insulating film of a TFT that directly contributes to performance.
  • the thin film transistor of the present invention can be suitably used for driving circuits such as electronic paper, liquid crystal display, organic EL display, various sensors, authentication tags, and the like.

Abstract

２以上の（メタ）アクリル部位と、多環の脂環式構造を有するモノマーを、重合性成分として含む電子素子用絶縁材料形成用組成物。

Description

[規則37.2に基づきISAが決定した発明の名称]　電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ
　本発明は、電子素子用絶縁材料形成用組成物及びその組成物を使用した電子素子に関する。
　薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、有機ＥＬ素子、液晶セル等のスイッチ機能を有する電子素子において、層間の絶縁のために用いられる絶縁材料は必須の材料である。
　代表的な電子素子である薄膜トランジスタは、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の表示装置のスイッチング素子として広く用いられている。
　従来、このＴＦＴは、アモルファスや多結晶のシリコンを用いて作製されていたが、シリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置は、非常に高額であり、ＴＦＴを用いた表示装置等の大型化は、製造コストの大幅な増加を伴うという問題点があった。また、アモルファスや多結晶のシリコンを成膜するプロセスは非常に高い温度下で行われるため、基板として使用可能な材料の種類が限られ、軽量な樹脂基板等は使用できないという問題があった。
　上記問題を解決するため、アモルファス及び多結晶のシリコンに替えて、有機物を用いたＴＦＴが提案されている。有機物を用いてＴＦＴを形成する際の成膜方法としては、真空蒸着法及び塗布法が使用可能なことが知られており、特に塗布法を用いることにより、製造コストの上昇を抑えつつ、ＴＦＴを使用した装置の大型化が実現可能になり、成膜時に必要となるプロセス温度を比較的低温にすることもできる。このため、有機物を用いたＴＦＴでは、基板に用いることができる材料の選択の制限が少ないといった利点がある。
　有機物を用いたＴＦＴについては、盛んに報告がなされ（例えば非特許文献１及び２）、その実用化が期待されている。
　ＴＦＴに用いるゲート絶縁体層（以下、ゲート絶縁膜という場合がある。）についても多様な材料が検討され、高分子絶縁体についても、スピンコーティング等で簡単に成膜でき、優れた特性を発現させるＴＦＴ用絶縁材料として紹介されている（非特許文献２）。
　しかしながら、従来から知られた高分子絶縁体には、改良の余地がある。第一に、塗布成膜可能な高分子絶縁体の種類は限られている。また塗布成膜可能なものであってもそれらは後続の塗布工程、例えば、ボトムゲートＴＦＴにおける半導体層の形成、電極等の導体層の形成、そしてＴＦＴ形成後の保護層の形成等に用いられる条件（例えば、適用される溶剤の種類）にしばしば耐えることができず、素子形成不能となる。
　第二に、高分子絶縁体は耐熱性の低いものが多く、特にポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）に代表されるアクリル系高分子絶縁膜は、例えば、有機ＥＬ表示装置の形成における、ＴＦＴ形成後の有機ＥＬ素子の形成時に使用されるプロセス温度等、ＴＦＴ形成後の後工程のプロセス温度にしばしば耐えることができない。
　第三に、従来の高分子絶縁体のリーク電流密度は比較的高い（通常２ＭＶ／ｃｍで１×１０－７Ａ／ｃｍ２より高い）ため、良好なＴＦＴ特性を得ることができない。
　従って電子素子用絶縁材料形成用組成物として、溶液法により成膜することができかつ塗布膜形成後の後続の塗布工程に耐える、架橋性高分子絶縁材料が求められている。さらに、耐熱性を有し、かつリーク電流密度が低いことも必要となる。
　特許文献１には、特定構造のアダマンタン誘導体が開示されているが、リーク電流密度への着目はなく、低いリーク電流密度を必須とする用途への言及もない。
　ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等特定の疎水性主鎖を有するポリマーが導入された高分子ゲート絶縁膜の使用により、低いＴＦＴゲートリーク電流密度を達成する可能性がある（非特許文献３）。しかし、架橋官能性に欠けるため、成膜後さらに溶液プロセスにより他の層を成膜する場合、後続の成膜工程で溶解する等して、素子の形成に耐えることができない可能性がある。
　これらの問題を解決する手段として、特許文献２、特許文献３、そして非特許文献４のような架橋高分子絶縁体が報告されているが、本発明のモノマー構造についての開示はない。
特開２００８－１０５９９９号公報 特表２０１０－５１１０９４号公報 特開２００６－２８４９７号公報
Ｃ．Ｄｉｍｉｔｒａｋｏｐｏｕｌｏｓら、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　１４巻、９９頁　２００２年 Ａ．Ｆａｃｃｈｅｔｔｉら、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　１７巻、１７０５頁　２００５年 Ｃ．Ｋｉｍら，Ｓｃｉｅｎｃｅ　３１８巻、７６－８０頁　２００７年 Ｈ．Ｋｌａｕｋら，Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　９２巻、５２５９頁　２００２年
　本発明の目的は、溶液法により成膜することができかつ塗布成膜後に他の層を塗布プロセスで製造する場合、その工程に耐え、かつ耐熱性を有し、低いリーク電流密度を示す電子素子用絶縁材料形成用組成物を提供し、これを使用することで優れた特性を有する電子素子を提供することにある。このような電子素子として、ＴＦＴ、及びそれを備える装置が挙げられる。このような装置（電子素子）としては、例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等の表示装置が挙げられる。
　本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を行い、（メタ）アクリル部位を２個以上持ちさらに多環の脂環式構造を持つモノマーを重合性成分として含む電子素子用材料形成用組成物、及びこの組成物を硬化して得られる絶縁材料を用いてなる電子素子が、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
　本発明によれば、以下の電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタが提供される。
１．２以上の（メタ）アクリル部位と、多環の脂環式構造を有するモノマーを、重合性成分として含む電子素子用絶縁材料形成用組成物。
２．前記多環の脂環式構造がアダマンタン骨格である１に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
３．前記多環の脂環式構造がトリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン骨格である１に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
４．前記モノマーの構造が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される２に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 ［式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｘは、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又は２つのＸが一緒になって形成された＝Ｏを示し、Ｙは、メチル基又は２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏを示す。Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。
　ｐは０～６の整数、ｍは０～１４の整数、ｎは２以上の整数、ｔは０～１４の整数、ｕは０～１４の整数、ｓは２以上の整数である。複数のＸ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ１は、式－Ｃ（ｑ＋ｒ）Ｆ２ｑＨ２ｒ－（ｑは０～４の整数、ｒは０～４の整数である。）で表わされる基を示し、Ｚ２は、単結合又は下記式（ＩＩ－１）若しくは（ＩＩ－２）で表わされる基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式中、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。ｖは１～４の整数である。）］
５．式（Ｉ）において、Ｘがメチル基、トリフルオロメチル基又は２つのＸが一緒になって形成された＝Ｏを示し、Ｒ１とＲ２が水素原子であり、
　式（ＩＩ）において、ｔが６～１４の整数、ｕが０～９の整数であり、
　式（ＩＩ－１）及び式（ＩＩ－２）において、Ｒ３とＲ４が水素原子である４記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
６．１～５のいずれかに記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物を硬化して得られる高分子材料からなる電子素子用絶縁材料。
７．６に記載の電子素子用絶縁材料を平坦化膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜又はゲート絶縁膜として使用する電子素子。
８．ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層を有し、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、６に記載の電子素子用絶縁材料を絶縁体層に用いる薄膜トランジスタ。
９．前記半導体層が有機半導体からなる８記載の薄膜トランジスタ。
　本発明の組成物をゲート絶縁体層の形成に用いた場合には、絶縁体層は溶液法により成膜することができ、これを硬化して得られる絶縁材料は架橋構造を有するため後続の溶液処理段階に耐えることができ、高い耐熱性を有するため後続するプロセスで加えられる加工温度に耐えることができ、かつリーク電流密度が小さく、優れた電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）特性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を実現ができる。
　本発明によれば、ＴＦＴに限らず、溶液法の利用による成膜性、後続する溶液法成膜における耐溶剤性、耐熱性、及び低リーク電流密度を必要とする他の電子素子を提供することができる。
本発明の薄膜トランジスタの一実施形態の素子構成を示す図である。 本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態の素子構成を示す図である。 本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態の素子構成を示す図である。 本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態の素子構成を示す図である。 本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態の素子構成を示す図である。 本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態の素子構成を示す図である。
　本発明の電子素子用絶縁材料形成用組成物（以下、本発明の組成物ということがある）は、（メタ）アクリル部位を２個以上持ちさらに多環の脂環式構造を持つモノマー（以下、多官能多環脂環式モノマーということがある）を重合性成分として含むことを特徴とする。
　本発明で用いる多官能多環脂環式モノマーは、（メタ）アクリル部位を２個以上有していることが必要である。重合性官能基を２個以上有することにより、重合したときに互いに架橋することにより、あるいは重合後の架橋化処理により溶剤耐性及び耐熱性の高い硬化膜が得られる。（メタ）アクリル部位の数は、用いるモノマーの反応性、剛直さ等により調整すれば特に限定されないが２～４個が好ましい。
　本発明は好ましくは多官能多環脂環式モノマーを主たる重合性成分として含む。「主たる」とは、組成物中に含まれる重合性成分のうち、多官能多環脂環式モノマーが、例えば、４０重量％以上、好ましくは５０重量％以上であればよい。従って、本発明の目的に反しない範囲で本発明の組成物に、例えば、（メタ）アクリル部位を１個有するモノマーや、その他の（メタ）アクリル部位を２個以上持つモノマー等の重合性成分を含ませて使用することもできる。本発明の組成物は、その全てが多官能多環脂環式モノマーであってもよい。
　本発明で用いる多官能多環脂環式モノマーを構成する多環の脂環式構造は、好ましくは、ヘテロ原子を有してもよい環形成炭素数５～２０の構造である。例えば、デカリル環（パーヒドロナフタレン環），ノルボルニル環，ボルニル環，イソボルニル環，アダマンチル環，トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン環、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカン環等の多環構造の炭化水素化合物、４－オキサ－トリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン－５－オン，４，８－ジオキサ－トリシクロ［４．２．１．０３，７］ノナン－５－オン，４－オキサ－トリシクロ［４．３．１．１３，８］ウンデカン－５－オン等の多環式ラクトン、多環式エーテル、及びこれらのパーフルオロ置換体等が挙げられる。溶剤耐性やリーク電流密度の点で好ましくはアダマンチル環、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン環である。
　これらの多環の脂環式構造は、置換基を有するものであってもよい。置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子や、炭素数１～２０のアルキル基、環形成炭素数３～２０の脂環式基が挙げられる。
　炭素数１～２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよく、例えば、メチル基、エチル基、各種プロピル基、各種ブチル基、各種ペンチル基、各種ヘキシル基、各種ヘプチル基、各種オクチル基、各種ノニル基、各種デシル基、各種ドデシル基、各種テトラドデシル基、各種ヘキサデシル基、各種オクタデシル基、各種イコシル基等が挙げられる。
　環形成炭素数３～２０の脂環式基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基、シクロドデシル基、アダマンチル基及びそれらの環上に炭素数１～５程度の低級アルキル基が導入された基等が挙げられる。炭素数１～５程度の低級アルキル基としては、上記の基を挙げることができる。
　（メタ）アクリル部位を２個以上持ち、さらに多環の脂環式構造を持つ多官能多環脂環式モノマーとしては、（メタ）アクリル部位を２個有するものが、リーク電流密度低減の点で好ましい。また、この場合において、多環の脂環式構造を構成する同一の脂環式基が２個の（メタ）アクリル部位を有する構造よりも、異なる脂環式基が１個ずつの（メタ）アクリル部位を有する構造の方が、リーク電流密度や耐久性の点で好ましい。（メタ）アクリル部位を３個以上持つ構造の場合も、多環の脂環式構造を構成する異なる脂環式基が（メタ）アクリル部位を有する構造が好ましい。なお、アダマンチル環の場合は、後記するように、アダマンタンの３，７位で（メタ）アルキル基を含む基と結合する構造が好ましい。
　また、（メタ）アクリロイル基と多環の脂環式構造が直接結合する構造よりも、アルキレン基やオキシアルキレン基を介して結合する構造の方が、耐熱性の点で好ましい。
　（メタ）アクリル部位を２個以上持ちさらに多環の脂環式構造を持つモノマーであって、アダマンチル環を含まないものとしては、例えば、次のものが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　多環の脂環式構造としてアダマンタンを含む構造を持つ多官能多環脂環式モノマーとしては、例えば、次のものが挙げられるが、式（Ｉ）または式（ＩＩ）で表されるアダマンタン誘導体が、優れた性能の電子素子が得られる点で好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｘは、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又は２つのＸが一緒になって形成された＝Ｏを示し、Ｙは、メチル基又は２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏを示す。
　Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。炭素数１～５のアルキル基としては、上記の基を挙げることができる。
　ｐは０～６の整数、ｍは０～１４の整数、ｎは２以上の整数、ｔは０～１４の整数、ｕは０～１４の整数、ｓは２以上の整数である。複数のＸ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ１は、式－Ｃ（ｑ＋ｒ）Ｆ２ｑＨ２ｒ－（ｑは０～４の整数、ｒは０～４の整数である。）で表わされる基を示し、Ｚ２は、単結合又は下記式（ＩＩ－１）若しくは（ＩＩ－２）で表わされる基を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　式（ＩＩ－１）、（ＩＩ－２）中、ｖは１～４の整数である。Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。炭素数１～５のアルキル基としては、上記の基を挙げることができる。
　式（Ｉ）において、Ｒは水素原子またはメチル基であることが入手容易性の点で好ましい。また、アダマンタンの３，７位で（メタ）アルキル基を含む基と結合する構造がリーク電流密度の点で好ましい。Ｒ１，Ｒ２は水素原子が好ましい。ｍは０であることが入手性の点で好ましく、ｎは２であることがリーク電流密度の点で好ましい。ｐは耐熱性の点で１～６の整数であることが好ましい。
　式（ＩＩ）において、Ｒは水素原子またはメチル基であることが入手容易性の点で好ましい。また、アダマンタンの３，７位で（メタ）アルキル基を含む基と結合する構造がリーク電流密度の点で好ましい。ｓは２であることがリーク電流密度の点で好ましく、ｔは１４、ｕは０であることが入手容易性あるいは表面エネルギーの点で好ましい。Ｚ１の式－Ｃ（ｑ＋ｒ）Ｆ２ｑＨ２ｒ－は－ＣｑＦ２ｑＣｒＨ２ｒ－としてもよい。ｑは好ましくは０又は１の整数である。ｒは好ましくは０又は１の整数である。Ｚ２は、式（ＩＩ－１）が好ましい。また、Ｒ３，Ｒ４は水素原子が好ましい。
　他のアダマンタン誘導体としては、式（ＩＩＩ）～式（ＸＩ－９）で表されるものを挙げることができる。
下記式（ＩＩＩ）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
［式中、Ｒ１は、アクリレート基、メタアクリレート基、トリフルオロメタクリレート基から選ばれる１種の基を示し、Ｒ２は水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基から選ばれる１種の基を示し、ｋは０～４の整数、ｎは１～６の整数を示す。］
　括弧内の基はアダマンタン骨格の６個のメチレン部に結合し得る。
　ｋは１以上であってもよいが、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。
　上記式（ＩＩＩ）の具体例としては、例えば、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　下記式（ＩＶ）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ［式中、Ｒ１は、式ＣＰＨ２Ｐ＋１（Ｐは１～７の整数）で表わされる炭化水素基を示し、Ｒ２は、（メタ）アクリロイルオキシ基又はトリフルオロメタクリロイルオキシ基を示し、Ｒ３は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｒ４は、メチル基、水酸基、カルボキシル基又は２つのＲ４が一緒になって＝Ｏ基を示す。ｎは１～４の整数、ｋは０～４の整数であり、複数のＲ１及びＲ４はそれぞれ同一でも異なってもよい。］
　括弧内の基はアダマンタン骨格の４個のメチン部に結合し得る。
　Ｒ１は、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基であり、具体的には、前記の基が挙げられる。Ｒ４が水酸基の場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。また、カルボキシル基の場合はエステル化等により末端水酸基を封止する必要がある。
　上記式（ＩＶ）の具体例としては、例えば、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　下記式（Ｖ）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
 ［式中、Ｙはフッ素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、水酸基、カルボキシル基から選ばれる基を表し、ｑは０～１５の整数である。ｑが２以上の場合、２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏであってもよく、複数のＹは同一であっても異なっていてもよい。Ｘ’は下記式（ＶＩ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
 （式中、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、水酸基、カルボキシル基から選ばれる基又はトリフルオロメチル基を表わす。Ｒ２は水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表わす。ｎ、ｍはそれぞれ独立に０～４の整数を表わす。ただし、ｎ及びｍがともに０になることはない。）で表わされる一価の基を表わし、ｐは１～４の整数である。ｐが２以上の場合、複数のＸ’は同一であっても異なっていてもよい。ｐ＋ｑは１～１６の整数である。］
　ＹあるいはＲ１が水酸基又はカルボキシル基の場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、あるいはエステル化等を行なって末端水酸基を封止する必要がある。また、ＹあるいはＲ１が炭素数１～１０の炭化水素基の場合、好ましくは炭素数１～１０のアルキル基であり、具体的には、前記の基が挙げられる。
　下記式（ＶＩＩ－ｉ）で表わされるジ（メタ）アクリレート体と下記式（ＶＩＩ－ｉｉ）で表わされるマイケル付加体の混合物であって、前記マイケル付加体の含有量が５～４０重量％であるアダマンチルジ（メタ）アクリレートの混合物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
 ［式中、Ｒは、それぞれ水素原子、メチル基、フッ素原子又はトリフルオロメチル基である。ｎ、ｍは、１～２０の整数である。］
式（ＶＩＩＩ）で表される含フッ素アダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
 ［式中、Ａは単結合又は置換基を有してもよい炭素数１～１０のｎ価の炭化水素基を示す。Ｙは酸素原子又は酸素原子を含んでもよい二価の炭化水素基を示す。二価の炭化水素基としては、メチレン基やジフルオロメチレン基等の炭素数１～１０のアルキレン基やフルオロアルキレン基が挙げられる。Ｚは１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換されたアダマンチル基を示す。Ｒは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。ｎは２～４の整数である。
下記式（ＩＸ）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
 ［式中、Ｙは、水素原子、有機基、水酸基及び２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏ基の中から選ばれる１種を示し、Ｒ１～Ｒ６は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、水酸基、ヘテロ原子を含んでもよい脂肪族炭化水素及びパーフルオロアルキル基の中から選ばれる１種を示し、あるいはＲ１とＲ２とが一緒になって形成された＝Ｏ基を示す。ただし、Ｒ３～Ｒ６の少なくとも１つは式（Ｍ）：－Ａ－Ｂで表される置換基を示す〔式（Ｍ）中、Ａは、エーテル結合（－Ｏ－）あるいはエステル結合（－ＣＯＯ－）を含んでもよい炭素数１～１０の直鎖状、分岐状又は環状の脂肪族炭化水素基を示す。Ｂは、エーテル結合あるいはエステル結合を含んでもよい炭素数１～２０の直鎖状、分岐状又は環状のフルオロアルキル基を含む有機基を示す。
　Ｒ７は水素原子、フッ素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基の中から選ばれる１種を示す。
　ａは２～４の整数であり、ｂは１～１４の整数であり、ｃは０又は１～１３の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１６である。ｄは０又は１～５の整数であり、ｅは１～５の整数である。複数のＹ、及びＲ１～Ｒ６はそれぞれにおいて同一でも異なっていてもよく、複数の
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
 はそれぞれにおいて互いに同一でも異なっていてもよい。］
　Ｙ及びＲ１～Ｒ６が水酸基の場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。ＹあるいはＲ１～Ｒ６が有機基、あるいはヘテロ原子を含んでもよい脂肪族炭化水素である場合、有機基、脂肪族炭化水素としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。具体的な基としては、前記の基が挙げられる。また、Ａは炭素数１～３の直鎖状炭化水素基であることが好ましく、メチレン基、エチレン基、１，３－プロピレン基が更に好ましい。Ｂは炭素数１～５のパーフルオロアルキル基であることが好ましい。
下記式（Ｘ）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
 「式中、Ｚ１は
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
 （式中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、水素、ハロゲン、水酸基、酸素原子を含んでもよい脂肪族炭化水素基、又は式（Ａ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
 で表される有機基を示し、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に水素、ハロゲン、水酸基、酸素原子を含んでもよい脂肪族炭化水素基である。
　Ｇ１及びＧ２はそれぞれ独立に、単結合又は酸素原子を示す。ｃ～ｆはそれぞれ、１≦ｃ≦１０、１≦ｄ≦１０、０≦ｅ≦１０、０≦ｆ≦１０の整数である。）を表す。
　ａ及びｂはそれぞれ、２≦ａ≦４、１０≦ｂ≦１４であり、かつａ＋ｂ＝１６である。
　Ｒ７は、水素、メチル基、トリフルオロメチル基を表す。但し、ａ＝２のときは、Ｒ１又はＲ２の少なくとも１つが式（Ａ）で表される有機基である。］
　Ｒ１～Ｒ４が水酸基である場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。Ｒ１～Ｒ４における脂肪族炭化水素基としては、炭素数１～１０のアルキル基が挙げられる。
下記式（ＸＩ－１）～（ＸＩ－４）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
 ［式中、Ｚ１は下記式（ＸＩ－５）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
 （式中、Ｒ１～Ｒ４は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、水酸基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ５は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。ｐは２～１０の整数、ｑは０～１０の整数、ｒは０～５の整数であり、ｐ，ｑ及びｒがそれぞれ２以上の場合、Ｒ１～Ｒ４はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）で示される基である。
　ｎは２～４の整数であり、複数のＺ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｍは１～４の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＺ１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ１～Ｒ４が水酸基の場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。カルボキシル基の場合はエステル化等により末端水酸基を封止する必要がある。また、Ｒ１～Ｒ４における炭素数１～１０の炭化水素基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。
　下記式（ＸＩ－６）～（ＸＩ－９）で表されるアダマンタン誘導体
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
 ［式中、Ｚ２は下記式（ＸＩ－１０）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
 （式中、Ｒ１～Ｒ４及びＲ６～Ｒ８は、それぞれ独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１～１０の炭化水素基、水酸基、カルボキシル基又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ５は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。ｐは２～１０の整数、ｑは０～１０の整数、ｒは０～５の整数、ｓは０～６の整数であり、ｐ，ｑ，ｒ及びｓがそれぞれ２以上の場合、Ｒ１～Ｒ４，Ｒ７及びＲ８はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）で示される基である。
　ｎは２～４の整数であり、複数のＺ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｍは１～４の整数であり、ｍが２以上の場合、複数のＺ２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ１～Ｒ４及びＲ６～Ｒ８が水酸基の場合、電子素子用絶縁材料形成用組成物として使用する際には、シラン化合物等を用いて、水酸基を封止する必要がある。式（ＸＩ－１０）における水酸基も封止する必要がある。カルボキシル基の場合はエステル化等により末端水酸基を封止する必要がある。また、Ｒ１～Ｒ４及びＲ６～Ｒ８における炭素数１～１０の炭化水素基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましい。
　上記以外にも、下記のようなアダマンタン誘導体が例示できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
　本発明で用いる多官能多環脂環式モノマーは、例えば、公知の多環の脂環式ジオール類等と（メタ）アクリル酸類又はその反応性誘導体を反応させることにより製造することができる。具体的には、通常知られている共沸脱水法、酸ハライド法又はエステル交換法を用いて、多環の脂環式ジオール類等と（メタ）アクリル酸類又はその反応性誘導体とを反応させてエステル化することにより合成することができる。
　アダマンチル基含有ジオール類としては、１，３－アダマンタンジオール、アダマンタン－１，３－ジメタノール、アダマンタン－１，３－ジエタノール、アダマンタン－１，３－ジプロパノール、アダマンタン－１，３，５－トリメタノール、アダマンタン－１，３，５－トリエタノール、アダマンタン－１，３，５－トリプロパノール、アダマンタン－１，３，５，７－テトラメタノール、アダマンタン－１，３，５，７－テトラエタノール、アダマンタン－１，３，５，７－テトラプロパノール等が挙げられる。
　他のアダマンチル基含有ジオール類としては、ペルフルオロ－１，３－アダマンタンジオール、ペルフルオロ－１，３－ビス（２－ヒドロキシエトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５－トリス（２－ヒドロキシエトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５，７－テトラキス（２－ヒドロキシエトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３－ビス（２－ヒドロキシプロポキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５－トリス（２－ヒドロキシプロポキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５，７－テトラキス（２－ヒドロキシプロポキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３－ビス（２－ヒドロキシブトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５－トリス（２－ヒドロキシブトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５，７－テトラキス（２－ヒドロキシブトキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３－ビス（２－ヒドロキシペンチロキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５－トリス（２－ヒドロキシペンチロキシ）アダマンタン、ペルフルオロ－１，３，５，７－テトラキス（２－ヒドロキシペンチロキシ）アダマンタン等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸類又はその反応性誘導体としては、前記共沸脱水法の場合、アクリル酸、メタクリル酸、α－トリフルオロメチルアクリル酸、α－フルオロアクリル酸、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物、α－トリフルオロメチルアクリル酸無水物、α－フルオロアクリル酸無水物等の酸無水物等が挙げられる。
　前記酸ハライド法の場合、アクリル酸クロリド、メタクリル酸クロリド、α－トリフルオロメチルアクリル酸クロリド、α－フルオロアクリル酸クロリド等の酸ハライド等が挙げられる。
　前記エステル交換法の場合、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、及びこれらの化合物のアクリル酸部分をメタクリル酸、α－トリフルオロメチルアクリル酸、α－フルオロアクリル酸に置き換えた化合物等の低級アルキルエステル等が挙げられる。
　（メタ）アクリル酸類又はその反応性誘導体の配合量としては、多環の脂環式基含有アルコール類に対して、化学量論的量の１～３倍程度が好ましい。
　（メタ）アクリル部位を２個以上持ちさらに多環の脂環式構造がアダマンタンであるモノマーの製造方法としては、例えば、特開２００８－１０５９９９号公報に記載の方法を採用することができる。
　これらの多官能多環脂環式モノマーと、必要に応じて熱重合開始剤又は光重合開始剤、さらに必要により有機溶媒と混合することにより、電子素子用絶縁材料形成用組成物（本発明の組成物）が製造できる。
　多官能多環脂環式モノマーの配合量としては、組成物中に含まれる重合性成分を１００重量％としたときに、通常５０～１００重量％である。多官能多環脂環式モノマーは、一種単独で用いても、２種以上を組み合わせてもよい。
　また、本発明の目的に反しない範囲で、本発明で用いる多官能多環脂環式モノマーと共通する重合開始剤を用いて重合可能な他のモノマーを併用することができる。共通の重合開始剤を用いて重合可能な点で、（メタ）アクリル部位を有するモノマーが好ましく、溶剤耐性の点で（メタ）アクリル部位を２個以上持つモノマーが更に好ましい。このようなモノマーとして、後記する実施例５や６で用いたモノマーを挙げることができる。（メタ）アクリル部位を持ち、多環脂環式基を持たないモノマーは、耐熱性の点で劣るが、溶剤耐性向上の点で使用する利点がある。３個以上の（メタ）アクリル部位を有するものでも、リーク電流密度への影響は少ない。
　本発明の組成物は、加熱により硬化させる場合には熱重合開始剤、光照射によって硬化させる場合には光重合開始剤を含んでいてもよい。
　熱重合開始剤としては、ベンゾイルパーオキサイド、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルイソブチルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ－ブチルハイドロパーオキサイド等の有機過酸化物やアゾビスイソブチロニトリル等のアゾ系開始剤等が挙げられる。
　光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンジル類、ベンゾインエーテル類、ベンジルジケタール類、チオキサントン類、アシルホスフィンオキサイド類、アシルホスフィン酸エステル類、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族スルホニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族ヨードシル塩、芳香族スルホキソニウム塩、メタロセン化合物等が挙げられる。
　これらの重合開始剤の配合量としては、有機溶媒を除く組成物全量を１００重量％としたときに、通常０．０１～１０重量％であり、これらを一種単独で用いても、２種以上を組み合わせてもよい。
　同様に、本発明の組成物には、必要に応じて有機溶媒を含んでいてもよい。用いられる有機溶媒としては特に限定されるものではなく、具体的に例示すれば、ベンゼン、トルエン、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン、1，３－ジオキソラン、アニソール、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、プロピレングリコール－１－モノメチルエーテル－２－アセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチレングリコールジエチルエーテル等のグリコール系溶媒、クロロホルム、塩化メチレン、１、２－ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒が挙げられる。有機溶媒は単独で用いてもよいし、複数の種類を混合して用いてもよい。
　使用する溶媒量は適宜設定できるが、硬化性組成物に含まれる有機溶媒以外の成分の全量１ｇに対しての好ましい使用量の下限は０．１ｍＬであり、好ましい使用量の上限は１００ｍＬである。使用量が少ないと、低粘度化等の溶媒を用いることの効果が得られにくく、また、使用量が多いと、材料に溶剤が残留して熱クラック等の問題を生じ易く、またコスト的にも不利になり工業的利用価値が低下する。
　上記成分の他、本発明の組成物には、本発明の効果を損なわない範囲内で必要に応じて架橋剤や界面活性剤、カップリング剤等の添加剤を加えることができる。
　次に、本発明の電子素子用絶縁材料（以下、本発明の絶縁材料ということがある）は、上記本発明の電子素子用絶縁材料形成用組成物を硬化して得られる高分子材料からなることを特徴とする。
　本発明の組成物を、絶縁膜を形成すべき場所に塗布し、加熱硬化又は紫外線（ＵＶ）照射等で光硬化させることで硬化物、即ち、架橋された高分子絶縁材料（本発明の絶縁材料）が製造できる。
　本発明の組成物を熱硬化させて絶縁材料とする場合の熱硬化温度は、通常３０～２００℃、好ましくは５０～１５０℃である。また、光硬化させる場合においては、例えば紫外線等の活性光線を照射する。照射強度は、多官能多環脂環式モノマーや重合開始剤の種類、絶縁材料の膜厚等から決められるので任意であるが、通常１００～５０００ｍＪ／ｃｍ２、より好ましくは５００～４０００ｍＪ／ｃｍ２である。
　本発明で得られた電子素子用絶縁材料形成用組成物の硬化物は、耐熱性と低いリーク電流密度を有するため、電子素子用絶縁材料として好適である。
　具体的な用途としては、低いリーク電流密度を必要とする電子素子用の部材であればよい。例えば、電子素子や電子素子を部材として備える電子装置の部材で、電極や半導体材料と接する部材が挙げられる。
　好適な用途としては、薄膜化と溶剤耐性が要求される用途、例えば、平坦化膜やパッシベーション膜、層間絶縁膜、ＴＦＴのゲート絶縁膜等の電子素子用の絶縁膜が挙げられる。中でも、低いリーク電流密度が性能に直接寄与するＴＦＴのゲート絶縁膜が特に好適な用途として挙げられる。
　次に、本発明の電子素子用絶縁材料をゲート絶縁体層に用いる薄膜トランジスタについて説明する。
　本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層を有し、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、上記本発明の電子素子用絶縁材料を絶縁体層に用いることを特徴とする。
　本発明の薄膜トランジスタは、電極の位置、層の積層順序等により、いくつかの構成をとることができ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）構造を有する。
　図１は、本発明の薄膜トランジスタの一実施形態を示す図である。
　薄膜トランジスタ１は、基板１０上にゲート電極２０が積層しており、絶縁体層３０がゲート電極２０を覆うようにして基板１０上に積層している。絶縁体層３０上には、ソース電極４０及びドレイン電極５０が、所定の間隔を空けて、それぞれ並列に積層している。半導体層６０は、ソース電極４０及びドレイン電極５０間の空隙を充填して、絶縁体層３０、ソース電極４０及びドレイン電極５０上に積層している。
　半導体層６０は、チャネル領域を形成し、ゲート電極２０に印加される電圧でソース電極４０とドレイン電極５０の間に流れる電流が制御されることによってオン／オフ動作する。
　図２は、本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
　薄膜トランジスタ２は、絶縁体層３０上に半導体層６０が積層しており、当該半導体層６０上にソース電極４０及びドレイン電極５０が、所定の間隔を空けて、それぞれ並列に積層している他は薄膜トランジスタ１と同様の構造を有する。
　図３は、本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
　薄膜トランジスタ３は、基板１０上にソース電極４０及びドレイン電極５０が、所定の間隔を空けて、それぞれ並列に積層しており、半導体層６０がソース電極４０及びドレイン電極５０間の空隙を充填して、基板１０、ソース電極４０及びドレイン電極５０上に積層している。半導体層６０上には絶縁体層３０が積層しており、当該絶縁体層３０上にゲート電極２０が積層している。
　図４は、本発明の薄膜トランジスタの他の実施形態を示す図である。
　薄膜トランジスタ４は、基板１０上に半導体層６０が積層しており、半導体層６０上にソース電極４０及びドレイン電極５０が、所定の間隔を空けて、それぞれ並列に積層している。絶縁体層３０は、ソース電極４０、ドレイン電極５０及び半導体層６０上に、ソース電極４０及びドレイン電極５０間の間隙を充填して積層しており、絶縁体層３０上にはゲート電極２０が積層している。
　本発明の薄膜トランジスタは、有機半導体層（有機化合物層）若しくは無機半導体層と、相互に所定の間隔をあけて対向するように形成されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極、ドレイン電極からそれぞれ所定の距離をあけて形成されたゲート電極とを有し、ゲート電極に電圧を印加することによってソース－ドレイン電極間に流れる電流を制御する。
　本発明の薄膜トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧でソース電極とドレイン電極の間に流れる電流が制御されることによって、オン／オフ動作、増幅等の効果が発現する仕組みを有するのであればよく、上記素子構成に限定されない。
　本発明の薄膜トランジスタは、例えば産業技術総合研究所の吉田らにより第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集２７ａ－Ｍ－３（２００２年３月）において提案されたトップアンドボトムコンタクト型有機薄膜トランジスタ（図５参照）、及び千葉大学の工藤らにより電気学会論文誌１１８－Ａ（１９９８）１４４０頁において提案された縦形の有機薄膜トランジスタ（図６参照）のような素子構成を有してもよい。
　以下、本発明の薄膜トランジスタの各構成部材について説明する。
　本発明の薄膜トランジスタの絶縁体層は、本発明の組成物を重合して得られる薄膜である。
　絶縁体層は、薄膜トランジスタの駆動電圧を低下させるためには可能な限り薄いほうがよいが、逆に薄膜化に伴いソースーゲート間のリーク電流が大きくなるので、適切な膜厚を選ぶ必要がある。絶縁体層の厚さは、通常１０ｎｍ～５μｍ、好ましくは５０ｎｍ～２μｍ、さらに好ましくは１００ｎｍ～１μｍである。
　絶縁体層は、本発明の組成物を、例えばディッピング法、スピンコート法、キャスト法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ダイコート法、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷等の塗布・印刷法で成膜し、光若しくは熱により架橋重合させ形成する。またこれらの組合せによって積層させてもよい。
　絶縁体層は、本発明の組成物を重合して得られる薄膜のみでもよく、さらに他の材料からなる絶縁体層を含む２層以上の積層体でもよい。絶縁体層が、本発明の組成物を重合して得られる薄膜のみであっても、絶縁性が高いため、十分薄い膜厚にすることで高性能な薄膜トランジスタが作製できるが、他の絶縁体層と組み合わせることで、高性能化させることもできる。
　本発明の組成物を重合して得られる薄膜と組合せる第２絶縁体層を形成する材料は、金属酸化物（珪素の酸化物を含む）、金属窒化物（珪素の窒化物を含む）、高分子、有機低分子等の室温（例えば２０～２５℃）での電気抵抗率が１０Ωｃｍ以上の材料を用いることができ、特に比誘電率が３より高い材料が好ましい。
　第２絶縁体層を形成する上記金属酸化物及び金属窒化物等としては、例えば、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンが挙げられる。
　また、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯＮｘ（ｘ、ｙ＞０））、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、ＳｉＯＮｘ（ｘ、ｙ＞０）等の窒化ケイ素で絶縁体層を形成することにより、電荷を絶縁膜上により誘起しやすくなり、トランジスタ動作の閾値電圧をさらに低減できる場合がある。
　第２絶縁体層は、アルコキシド金属を含む前駆物質で形成されていてもよい。
　上記アルコキシド金属の金属としては、例えば、遷移金属、ランタノイド、又は主族元素から選択され、具体的には、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、チタン（Ｔｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、タンタル（Ｔａ）、ジルコン（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉛（Ｐｂ）、ランタン（Ｌａ）、リチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、フランシウム（Ｆｒ）、ベリリウム（Ｂｅ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ニオブ（Ｎｂ）、タリウム（Ｔｌ）、水銀（Ｈｇ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、スカンジウム（Ｓｃ）及びイットリウム（Ｙ）等が挙げられる。
　上記アルコキシド金属のアルコキシドとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール等を含むアルコール類、メトキシエタノール、エトキシエタノール、プロポキシエタノール、ブトキシエタノール、ペントキシエタノール、ヘプトキシエタノール、メトキシプロパノール、エトキシプロパノール、プロポキシプロパノール、ブトキシプロパノール、ペントキシプロパノール、ヘプトキシプロパノールを含むアルコキシアルコール類等から誘導されるアルコキシドが挙げられる。
　第２絶縁体層は、本発明の目的に反しない範囲で、有機化合物で形成されてもよい。
　上記有機化合物としては、例えばポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、及びシアノエチルプルラン等を用いることができる。
　上記有機化合物の他、ポリエチレン、ポリクロロプレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、ポリサルホン、ポリ（メチルメタクレート）（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリアクリルアミド、ポリ（アクリル酸）、レゾール樹脂、ポリキシリレン、エポキシ樹脂等の高い誘電率を有する高分子材料を使用することもできる。
　第２絶縁体層は、上述の無機化合物材料又は有機化合物材料を複数用いた混合層であってもよく、これら材料単独からなる層の積層体であってもよい。
　第２絶縁体層は、陽極酸化膜をさらに含んでもよい。
　陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成され、好ましくはさらに封孔処理される。
　陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができる。
　陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。陽極酸化処理を行なうことにより、酸化被膜が形成される。陽極酸化処理に用いられる電解液としては、多孔質酸化皮膜を形成することができる電解液であれば特に限定されず、一般には、硫酸、燐酸、ホウ酸等あるいはこれらを２種類以上組み合わせた混酸又はそれらの塩が用いられる。
　第２絶縁体層は、その層の厚さが薄いと半導体に印加される実効電圧が大きくなるので、デバイス自体の駆動電圧、閾電圧を下げることができるが、逆にソース－ゲート間のリーク電流が大きくなるので、適切な膜厚を選ぶ必要がある。第２絶縁体層の厚さは、通常１０ｎｍ～５μｍである。
　第２絶縁体層の形成方法は特に限定されず、気相成膜でも液相成膜でも利用でき、例えば真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法等の気相成膜；及びスプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法、印刷やインクジェット等の液相成膜を材料に応じて使用できる。
　基板は、薄膜トランジスタの構造を支持する役目を担うものであり、材料としてはガラスの他、金属酸化物や窒化物等の無機化合物、プラスチックフィルム（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート）や金属基板又はこれら複合体や積層体等も用いることが可能である。また、基板以外の構成要素により薄膜トランジスタの構造を十分に支持し得る場合には、基板を使用しないことも可能である。
　また、基板の材料としてはシリコン（Ｓｉ）ウエハが用いられることが多い。この場合、Ｓｉ自体をゲート電極兼基板として用いることができる。
　半導体層に用いる半導体は、特に限定されず、例えば有機半導体を用いて有機半導体層を形成する場合、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ、１０７巻、１０６６頁　２００７年に記載の有機半導体材料等を用いることができる。
　有機半導体層は、上記有機半導体材料から選ばれる複数の材料を組み合わせて、複数の材料の混合物からなる層、又はこれら材料単独からなる層の積層体でもよい。
　有機半導体層の材料の具体例としては、ペンタセン、ナフタセン、アントラセン、ヘプタセン、ヘキサセン、Ｃ６０、Ｃ７０、フェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、コロネン、ルブレン、フタロシアニン類、ポルフィリン類等の低分子材料及びその誘導体；ジスチリルベンゼン、オリゴアセチレン、オリゴチオフェン、オリゴセレノフェン等のオリゴマー類及びその誘導体；ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリ（３－ヘキシルチオフェン）、ポリ（９，９－ジオクチルフルオレン－コ－ビチオフェン）、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン等のπ共役系高分子類及びその誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　また、半導体層として、無機半導体を用いてもよい。無機半導体層の例としては、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶（マイクロクリスタル）シリコン等に代表される非単結晶半導体膜や結晶シリコン、さらに、ＺｎＯ、ａ－ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ等の化合物半導体又は酸化物半導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
　半導体層の膜厚は、特に制限されることはないが、通常、０．５ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～２５０ｎｍである。
　半導体層の形成方法は特に限定されることはなく公知の方法を適用できる。
　例えば図１及び図２の有機薄膜トランジスタ１及び２のような素子構成の場合、好ましくは絶縁体層の成膜後、連続して有機半導体層の成膜を行う。当該成膜は、分子線蒸着法（ＭＢＥ法）、真空蒸着法、化学蒸着法、分子ビーム蒸着、スパッタ等の気相成膜、若しくは材料を溶媒に溶かした溶液のディッピング法、スピンコート法、キャスト法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、ブレードコート法、ディップコート法、ダイコート法、フレキソ印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷等の塗布・印刷法で塗布層を形成し、当該塗布層をベーキング、エレクトロポリマラインゼーション、溶液からのセルフ・アセンブリ、及びこれらの組合せた手段にて成膜することも望ましい。
　有機半導体層形成は上記成膜方法の２つ以上を組み合わせてもよい。
　半導体層の結晶性を向上させることにより、電界効果移動度を向上させることができるため、有機半導体層の成膜に、気相成膜（蒸着、スパッタ等）を用いる場合は、成膜中の基板温度を高温で保持することも望ましい。
　また、成膜方法に関わらず成膜後にアニーリングを実施すると結晶のグレインサイズの増加が得られる場合があり好ましい。アニーリングの温度は５０～２００℃が好ましく、時間は１０分～１２時間が好ましい。
　ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の材料は、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム－カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等を用いることができる。
　ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の膜厚は、電流の導通さえあれば特に制限はないが、好ましくは０．２ｎｍ～１０μｍ、さらに好ましくは４ｎｍ～３００ｎｍの範囲である。電極の膜厚が上記範囲内であれば、膜厚が薄いことにより抵抗が高くなり電圧降下を生じることがなく、及び厚すぎないため膜形成に時間がかからず、保護層や有機半導体層等他の層を積層する場合に、段差が生じることが無く積層膜が円滑にできる。
　また、ソース電極及びドレイン電極は、例えば所定の間隔を空けて積層されるが、当該間隔は薄膜トランジスタの用途によって決定され、通常は０．１μｍ～１ｍｍ、好ましくは０．５μｍ～１００μｍ、さらに好ましくは１μｍ～５０μｍである。
　ソース電極及びドレイン電極は、上記の導電性材料を含む、溶液、ペースト、インク、分散液等の流動性電極材料、好ましくは導電性ポリマー、又は白金、金、銀又は銅を含有する金属微粒子を含む流動性電極材料を用いて形成することができる。
　上記流動性電極材料の溶媒又は分散媒体としては、有機半導体へのダメージを抑制するため、水を６０質量％以上、好ましくは９０質量％以上含有する溶媒又は分散媒体であることが好ましい。
　金属微粒子を含有する分散物としては、例えば、公知の導電性ペースト等を用いてもよいが、通常粒子径が０．５ｎｍ～５０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ～１０ｎｍの金属微粒子を含有する分散物であると好ましい。この金属微粒子は、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン、鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができる。
　これら金属微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成するのが好ましい。
　上記金属微粒子の分散物の製造方法としては、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法等の物理的生成法、コロイド法、共沈法等の液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられ、好ましくはガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物である。
　金属微粒子分散物を用いての電極の形成は、具体的には金属微粒子分散物の溶媒を乾燥させた後、必要に応じて１００℃～３００℃の範囲で形状様に加熱することにより、金属微粒子を熱融着させることにより、目的の形状を有する電極パターンを形成することができる。
　特にソース電極及びドレイン電極を形成する材料は、好ましくは半導体層との接触面において電気抵抗が少ない材料である。当該電気抵抗は、即ち電流制御デバイスを作製したときの電界効果移動度と対応しており、大きな移動度を得る為にはできるだけ抵抗が小さいことが必要である。これは一般に電極材料の仕事関数と有機半導体層のエネルギー準位との大小関係で決まる。
　電極材料の仕事関数（Ｗ）をａ、有機半導体層のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）をｂ、有機半導体層の電子親和力（Ａｆ）をｃとすると、以下の関係式を満たすことが好ましい。ここで、ａ、ｂ及びｃはいずれも真空準位を基準とする正の値である。
　ｐ型有機薄膜トランジスタの場合には、ｂ－ａ＜１．５ｅＶ（式（Ａ））であることが好ましく、さらに好ましくはｂ－ａ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ大きいことものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．０ｅＶ以上であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数４．２ｅＶ以上である。
　金属の仕事関数の値は、例えば化学便覧　基礎編ＩＩ－４９３頁（改訂３版　日本化学会編　丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．０ｅＶ又はそれ以上の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよい。
　高仕事関数金属は、主としてＡｇ（４．２６、４．５２、４．６４、４．７４ｅＶ）、Ａｌ（４．０６、４．２４、４．４１ｅＶ）、Ａｕ（５．１、５．３７、５．４７ｅＶ）、Ｂｅ（４．９８ｅＶ）、Ｂｉ（４．３４ｅＶ）、Ｃｄ（４．０８ｅＶ）、Ｃｏ（５．０ｅＶ）、Ｃｕ（４．６５ｅＶ）、Ｆｅ（４．５、４．６７、４．８１ｅＶ）、Ｇａ（４．３ｅＶ）、Ｈｇ（４．４ｅＶ）、Ｉｒ（５．４２、５．７６ｅＶ）、Ｍｎ（４．１ｅＶ）、Ｍｏ（４．５３、４．５５、４．９５ｅＶ）、Ｎｂ（４．０２、４．３６、４．８７ｅＶ）、Ｎｉ（５．０４、５．２２、５．３５ｅＶ）、Ｏｓ（５．９３ｅＶ）、Ｐｂ（４．２５ｅＶ）、Ｐｔ（５．６４ｅＶ）、Ｐｄ（５．５５ｅＶ）、Ｒｅ（４．７２ｅＶ）、Ｒｕ（４．７１ｅＶ）、Ｓｂ（４．５５、４．７ｅＶ）、Ｓｎ（４．４２ｅＶ）、Ｔａ（４．０、４．１５、４．８ｅＶ）、Ｔｉ（４．３３ｅＶ）、Ｖ（４．３ｅＶ）、Ｗ（４．４７、４．６３、５．２５ｅＶ）、Ｚｒ（４．０５ｅＶ）である。これらの中でも、貴金属（Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ）、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｏｓ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｉｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｖ、Ｗが好ましい。
　金属以外では、ＩＴＯや、カーボンブラック、フラーレン類、カーボンナノチューブ等の炭素材料、さらにはポリアニリンやＰＥＤＯＴ：ＰＳＳのような導電性ポリマーが好ましい。電極材料としてはこれらの高仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（Ａ）を満たせば特に制限を受けるものではない。
　ｎ型有機薄膜トランジスタの場合にはａ－ｃ＜１．５ｅＶ（式（Ｂ））であることが好ましく、さらに好ましくはａ－ｃ＜１．０ｅＶである。有機半導体層との関係において上記関係が維持できれば高性能なデバイスを得ることができるが、特に電極材料の仕事関数はできるだけ小さいものを選ぶことが好ましく、仕事関数４．３ｅＶ以下であることが好ましく、さらに好ましくは仕事関数３．７ｅＶ以下である。
　低仕事関数金属の具体例としては、例えば化学便覧基礎編ＩＩ－４９３頁（改訂３版　日本化学会編　丸善株式会社発行１９８３年）に記載されている４．３ｅＶ又はそれ以下の仕事関数をもつ有効金属の前記リストから選別すればよい。
　低仕事関数金属としては、Ａｇ（４．２６ｅＶ）、Ａｌ（４．０６、４．２８ｅＶ）、Ｂａ（２．５２ｅＶ）、Ｃａ（２．９ｅＶ）、Ｃｅ（２．９ｅＶ）、Ｃｓ（１．９５ｅＶ）、Ｅｒ（２．９７ｅＶ）、Ｅｕ（２．５ｅＶ）、Ｇｄ（３．１ｅＶ）、Ｈｆ（３．９ｅＶ）、Ｉｎ（４．０９ｅＶ）、Ｋ（２．２８ｅＶ）、Ｌａ（３．５ｅＶ）、Ｌｉ（２．９３ｅＶ）、Ｍｇ（３．６６ｅＶ）、Ｎａ（２．３６ｅＶ）、Ｎｄ（３．２ｅＶ）、Ｒｂ（４．２５ｅＶ）、Ｓｃ（３．５ｅＶ）、Ｓｍ（２．７ｅＶ）、Ｔａ（４．０、４．１５ｅＶ）、Ｙ（３．１ｅＶ）、Ｙｂ（２．６ｅＶ）、Ｚｎ（３．６３ｅＶ）等が挙げられる。これらの中でも、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｓ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｋ、Ｌａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎａ、Ｎｄ、Ｒｂ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｎが好ましい。
　電極材料としては、これらの低仕事関数の物質を１種又は複数含んでいても、仕事関数が前記式（Ｂ）を満たせば特に制限を受けるものではない。但し、低仕事関数金属は、大気中の水分や酸素に触れると容易に劣化してしまうので、必要に応じてＡｇ及びＡｕのような空気中で安定な金属で被覆することが望ましい。被覆に必要な膜厚は１０ｎｍ以上であり、膜厚が厚くなるほど酸素や水から有効に保護することができるが、実用上、生産性を上げる等の理由から１μｍ以下にすることが望ましい。
　ソース電極及びドレイン電極の形成方法としては、例えば蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、大気圧プラズマ法、イオンプレーティング、化学気相蒸着、電着、無電解メッキ、スピンコーティング、印刷又はインクジェット等により形成できる。また、必要に応じて行うパターニング方法としては、上記の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅等の金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。
　また、ソース電極及びドレイン電極は、上述したように導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングして形成してもよく、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーション等により形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペースト等を凸版、凹版、平版、スクリーン印刷等の印刷法でパターニングして形成する方法も用いることができる。
　上記電極材料の他、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の電極材料として、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマーを用いることも好ましい。例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体等）等も好適に用いられる。これら材料によりソース電極とドレイン電極の半導体層との接触抵抗を低減することができる。
　本発明の薄膜トランジスタでは、例えば注入効率を向上させる目的で、半導体層とソース電極及びドレイン電極との間に、バッファ層を設けてもよい。
　ｎ型有機薄膜トランジスタに設けるバッファ層は、有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極に用いられるＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＣｓＦ、Ｎａ２ＣＯ３、ＫＣｌ、ＭｇＦ２、ＣａＣＯ３等のアルカリ金属イオン結合又はアルカリ土類金属イオン結合を持つ化合物が望ましい。
　ｐ型有機薄膜トランジスタに設けるバッファ層は、ＦｅＣｌ３；ＴＣＮＱ、Ｆ４－ＴＣＮＱ、ＨＡＴ等のシアノ化合物；ＣＦｘやＧｅＯ２、ＳｉＯ２、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ３、ＭｎＯ、Ｍｎ３Ｏ４、ＺｒＯ２、ＷＯ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＲｅＯ３、ＰｂＯ２等のアルカリ金属及びアルカリ土類金属以外の金属酸化物；ＺｎＳ、ＺｎＳｅ等の無機化合物が望ましい。上記の酸化物は多くの場合、酸素欠損を起こし、これが正孔注入に好適である。さらにはＴＰＤやＮＰＤ等のアミン系化合物やＣｕＰｃ等の有機ＥＬ素子において正孔注入層、正孔輸送層として用いられる化合物でもよい。また、上記の化合物２種類以上からなるものも望ましい。
　本発明の薄膜トランジスタでは、例えば大気中に含まれる酸素、水等の半導体層に対する影響を考慮し、素子の外周面の全面又は一部に、ガスバリア層を形成してもよい。
　ガスバリア層を形成する材料としては、公知の材料を使用でき、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン－ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリクロロトリフロロエチレン等が挙げられる。さらに、絶縁体層の材料として例示した絶縁性を有する無機物及び有機物も使用できる。
実施例１
　下記構造式で表される１，３－アダマンタンジメタノールジアクリレート（化合物（１））（出光興産（株）製）０．４ｇ（無色透明液体）、重合開始剤であるベンゾインイソブチルエーテルを０．０４ｇ、溶媒としてＭＥＫを４ｇ混合させ、固形分濃度１０質量％の絶縁材料（膜）形成用組成物を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　２５×２０×１．１ｍｍのサイズのガラスを基板として用い、この基板上にＩＴＯ膜を１００ｎｍの厚さで成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングし、透明ゲート電極とした（以下、ＩＴＯ膜を備える基板を透明支持基板という）。この透明支持基板をイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄した後、純水で５分間洗浄し、さらにイソプロピルアルコールで５分間超音波洗浄した後に乾燥Ｎ２ガスを吹き付け乾燥した。そして最後に、ＵＶオゾン洗浄装置［（株）セン特殊光源製］で５分間洗浄した。
　調製した絶縁材料（膜）形成用組成物を０．２ミクロンのＰＴＦＥメンブレンフィルターによりろ過した後、窒素雰囲気中で上記透明支持基板上に滴下し、２０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートした。その後、３６５ｎｍの紫外光に暴露し架橋させることで膜厚４００ｎｍのゲート絶縁体層を形成した。同条件で複数枚の基板上に絶縁体層を形成し、以下の絶縁体層の評価と、有機薄膜トランジスタ素子の作製を行った。
　なお、実施例、比較例において、絶縁体層の膜厚は微細形状測定機サーフコーダ[（株）小阪研究所ＥＴ　３０００］を使用して測定を行った。
［絶縁体層の評価］
　上述のようにして形成した絶縁体層について、以下の測定を行った。結果を表１に示す。
（溶剤耐性）
　絶縁体層が形成された基板上に、一般的な溶媒としてトルエンを滴下し３０００ｒｐｍで３０秒間スピンコートすることを２回繰り返し、空スピンを行った。その後、触針式膜厚計で絶縁体層の膜厚を測定し、空スピン前後の膜厚を比較することで溶剤耐性を評価した。
　溶剤耐性（％）は、（空スピン後の膜厚）÷（空スピン前の膜厚）×１００で求めた。
（リーク電流密度）
　蒸着法を用い、絶縁体層上に金属マスクを通して金電極（厚さを５０ｎｍ）を成膜し、絶縁体層を挟んでＩＴＯ電極と対向するようにし、電極間に２ＭＶ／ｃｍの電界を印加し、絶縁体層中を縦方向に流れる電流密度を測定し、これをリーク電流密度として評価した。電圧の印加及び電流の測定は、半導体特性評価システム（ケースレーインスツルメンツ（株）製　４２００ＳＣＳ）を用いて行った。
［有機薄膜トランジスタの製造］
　前述のようにして絶縁体層を形成した基板に、真空蒸着装置を用いて蒸着速度０．０５ｎｍ／ｓで膜厚５０ｎｍのペンタセン薄膜（半導体層）を設けた。そして金属マスクを通して金を５０ｎｍの膜厚で成膜することにより、互いに接しないソース電極及びドレイン電極を、間隔（チャンネル長Ｌ）が５０μｍになるように形成した。そのときソース電極とドレイン電極の幅（チャンネル幅Ｗ）は１ｍｍとなるように成膜して、図２の構成を有する薄膜トランジスタを作製した。
　得られた薄膜トランジスタのゲート電極に０～－２５Ｖのゲート電圧を印加し、ソース－ドレイン間に５～－２５Ｖの電圧を印加して電流を流し、閾値電圧（Ｖｔｈ）及び電界効果移動度μを評価した。各電圧の印加及びソース－ドレイン電極間電流の測定は、半導体特性評価システム（ケースレーインスツルメンツ（株）製　４２００ＳＣＳ）を用いて行った。
　電界効果移動度μは、下記式（Ａ）を用いて算出した。
　　　　　ＩＤ＝（Ｗ／２Ｌ）・Ｃ・μ・（ＶＧ－ＶＴ）２　　（Ａ）
（式中、ＩＤはソース－ドレイン間電流、Ｗはチャンネル幅、Ｌはチャンネル長、Ｃはゲート絶縁体層の単位面積あたりの電気容量、ＶＴはゲート閾値電圧、ＶＧはゲート電圧である。）
　その結果、電流飽和領域での閾値電圧は－１０．１Ｖ、電界効果移動度μは４．５×１０－２ｃｍ２／Ｖｓであった。結果を表２に示す。
　尚、得られた薄膜トランジスタは、正孔が有機半導体層のチャンネル領域（ソース－ドレイン間）に誘起され、ｐ型トランジスタとして動作した。
実施例２
　化合物（１）の代わりに下記化合物（２）を含む組成物を用いて実施例１と同様にして絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。化合物（２）はＷＯ２００７／０２０９０１号パンフレットの実施例１，２に記載の方法で製造した。結果を表１に示す。さらに実施例１と同様にして薄膜トランジスタを作製し、評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
実施例３
　化合物（１）の代わりに下記化合物（３）（アルドリッチ社製試薬）を含む組成物を用いて実施例１と同様にして絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
実施例４
　化合物（１）の代わりに化合物（２）と化合物（３）をそれぞれ５０重量％の割合で混合した組成物を用いて絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。結果を表１に示す。
実施例５
　化合物（１）の代わりに化合物（３）と下記化合物（４）（アルドリッチ社製試薬）をそれぞれ５０重量％の割合で混合した組成物を用いて絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
実施例６
　化合物（１）の代わりに化合物（３）と下記化合物（５）（アルドリッチ社製試薬）をそれぞれ５０重量％の割合で混合した組成物を用いて絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
比較例１
　化合物（１）の代わりにポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含有する組成物を用いて実施例１と同様にして絶縁体層を形成し、実施例１と同様にして絶縁体層を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１から分かるように、化合物（１）～（３）を重合性成分として含む組成物を架橋重合して得られた薄膜は、溶剤耐性があり、かつリーク電流密度が小さいことが確認できた。また化合物（１）～（３）を主たる重合性成分として含む組成物を重合して得られた薄膜を絶縁体層に含む薄膜トランジスタは、電子ペーパーや液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の応用に十分な性能を発揮することが確認できた。
実施例７
　溶媒であるＭＥＫを用いなかった以外は実施例１と同様にして、化合物（１）を用いて、絶縁材料形成用組成物を調製した。さらに組成物をバイアル瓶内で紫外線に暴露し架橋させることで絶縁材料を形成した。この絶縁材料を用いて、以下の耐熱性試験を行った。結果を表３に示す。
（ガラス転移温度：Ｔｇ）
　絶縁材料をアルミ容器に５ｍｇ入れ、示差走査型熱量計（パーキンエルマー社製）を用い、０℃から１０℃／分で昇温して、得られた熱流束曲線に観測される不連続点より求めた。
（１％質量減少温度：Ｔｄ１）
　示差熱熱重量同時測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、ＴＧ／ＤＴＡ６２００）を用い、上記絶縁材料１０ｍｇを窒素雰囲気下、１０℃／分で昇温させ、１％重量減少温度（Ｔｄ１）を測定した。
　尚、表３にはＴｇとＴｄ１のどちらか低温の方を記載した。
比較例２
　化合物（１）の代わりにポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）を含有する組成物を用いた以外は実施例７と同様にして絶縁材料を作製し耐熱性試験を行った。結果を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 　表３から、化合物（１）を重合性成分として含む組成物を架橋重合して得られた薄膜は、高い耐熱性を有することが分かる。
　本発明の絶縁材料は、平坦化膜やパッシベーション膜、層間絶縁膜、ＴＦＴのゲート絶縁膜等の電子素子用の絶縁膜として有用である。中でも、低いリーク電流密度が性能に直接寄与するＴＦＴのゲート絶縁膜として特に有用である。
　本発明の薄膜トランジスタは、例えば電子ペーパーや液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ等の駆動回路、各種センサー及び認証タグ等に好適に使用することできる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (9)

  1. 　２以上の（メタ）アクリル部位と、多環の脂環式構造を有するモノマーを、重合性成分として含む電子素子用絶縁材料形成用組成物。
  2. 　前記多環の脂環式構造がアダマンタン骨格である請求項１に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
  3. 　前記多環の脂環式構造がトリシクロ［５．２．１．０２，６］デカン骨格である請求項１に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
  4. 　前記モノマーの構造が、下記式（Ｉ）又は（ＩＩ）で表される請求項２に記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
     ［式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示し、Ｘは、フッ素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又は２つのＸが一緒になって形成された＝Ｏを示し、Ｙは、メチル基又は２つのＹが一緒になって形成された＝Ｏを示す。Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。
    　ｐは０～６の整数、ｍは０～１４の整数、ｎは２以上の整数、ｔは０～１４の整数、ｕは０～１４の整数、ｓは２以上の整数である。複数のＸ及びＹはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
    　Ｚ１は、式－Ｃ（ｑ＋ｒ）Ｆ２ｑＨ２ｒ－（ｑは０～４の整数、ｒは０～４の整数である。）で表わされる基を示し、Ｚ２は、単結合又は下記式（ＩＩ－１）若しくは（ＩＩ－２）で表わされる基を示す。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
     （式中、Ｒ３，Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数１～５のアルキル基を示す。ｖは１～４の整数である。）］
  5. 　式（Ｉ）において、Ｘがメチル基、トリフルオロメチル基又は２つのＸが一緒になって形成された＝Ｏを示し、Ｒ１とＲ２が水素原子であり、
    　式（ＩＩ）において、ｔが６～１４の整数、ｕが０～９の整数であり、
    　式（ＩＩ－１）及び式（ＩＩ－２）において、Ｒ３とＲ４が水素原子である請求項４記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物。
  6. 　請求項１～５のいずれかに記載の電子素子用絶縁材料形成用組成物を硬化して得られる高分子材料からなる電子素子用絶縁材料。
  7. 　請求項６に記載の電子素子用絶縁材料を平坦化膜、パッシベーション膜、層間絶縁膜又はゲート絶縁膜として使用する電子素子。
  8. 　ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに半導体層を有し、ソース－ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、請求項６に記載の電子素子用絶縁材料を絶縁体層に用いる薄膜トランジスタ。
  9. 　前記半導体層が有機半導体からなる請求項８記載の薄膜トランジスタ。
PCT/JP2012/000961 2011-02-18 2012-02-14 電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ WO2012111314A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/000,118 US20130320326A1 (en) 2011-02-18 2012-02-14 Insulating material forming composition for electronic devices, insulating material for electronic devices, electronic devices and thin film transistor
CN2012800092229A CN103370772A (zh) 2011-02-18 2012-02-14 电子元件用绝缘材料形成用组合物、电子元件用绝缘材料、电子元件及薄膜晶体管
JP2012557828A JPWO2012111314A1 (ja) 2011-02-18 2012-02-14 電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011033107 2011-02-18
JP2011-033107 2011-02-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012111314A1 true WO2012111314A1 (ja) 2012-08-23

Family

ID=46672258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/000961 WO2012111314A1 (ja) 2011-02-18 2012-02-14 電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130320326A1 (ja)
JP (1) JPWO2012111314A1 (ja)
CN (1) CN103370772A (ja)
TW (1) TW201235368A (ja)
WO (1) WO2012111314A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5914440B2 (ja) * 2012-09-28 2016-05-11 富士フイルム株式会社 ハードコートフィルム、ハードコートフィルムの製造方法、反射防止フィルム、偏光板、及び画像表示装置
KR102226985B1 (ko) * 2013-08-19 2021-03-11 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 산화물 반도체 기판 및 쇼트키 배리어 다이오드
US10116150B2 (en) * 2015-09-11 2018-10-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Conductive plate and electronic device having the same
CN113552202A (zh) * 2020-04-26 2021-10-26 中国水产科学研究院 一种传感器及其制备方法与应用

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008105999A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法、樹脂組成物およびその硬化物
JP2008133246A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法及びアダマンタン誘導体を含む樹脂組成物
JP2008255188A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、それを用いた樹脂組成物および樹脂硬化物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121358A (en) * 1997-09-22 2000-09-19 The Dexter Corporation Hydrophobic vinyl monomers, formulations containing same, and uses therefor
US6509415B1 (en) * 2000-04-07 2003-01-21 Honeywell International Inc. Low dielectric constant organic dielectrics based on cage-like structures
JP5513092B2 (ja) * 2008-12-09 2014-06-04 出光興産株式会社 光学部品用樹脂原料組成物および光学部品
TWI427113B (zh) * 2009-06-12 2014-02-21 Digitaloptics Corp East 可硬化樹脂及由其製造之物件

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008105999A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法、樹脂組成物およびその硬化物
JP2008133246A (ja) * 2006-11-29 2008-06-12 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、その製造方法及びアダマンタン誘導体を含む樹脂組成物
JP2008255188A (ja) * 2007-04-03 2008-10-23 Idemitsu Kosan Co Ltd アダマンタン誘導体、それを用いた樹脂組成物および樹脂硬化物

Also Published As

Publication number Publication date
CN103370772A (zh) 2013-10-23
TW201235368A (en) 2012-09-01
US20130320326A1 (en) 2013-12-05
JPWO2012111314A1 (ja) 2014-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10409159B2 (en) Photopatternable compositions, patterned high k thin film dielectrics and related devices
JP5575105B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
KR20100057074A (ko) 유기 박막 트랜지스터
WO2013180230A1 (ja) 金属酸化物含有半導体層の製造方法及び電子デバイス
JP2005328030A (ja) 半導体デバイス作製用インク、及びそれを用いた半導体デバイスの作製方法
Duan et al. Low-power-consumption organic field-effect transistors
WO2012111314A1 (ja) 電子素子用絶縁材料形成用組成物、電子素子用絶縁材料、電子素子及び薄膜トランジスタ
JP2004128469A (ja) 電界効果トランジスタ
JP2009117619A (ja) 有機薄膜トランジスタの製造方法及び有機薄膜トランジスタ
WO2016088793A1 (ja) 有機化合物及びその用途
JP5180723B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
JP6592758B2 (ja) 新規な縮合多環芳香族化合物及びその用途
KR20160112030A (ko) 듀얼게이트 박막트랜지스터
US11345778B2 (en) Organic dielectric materials and devices including them
JP2013249381A (ja) 電子素子用絶縁材料形成用組成物及び電子素子
US20170104080A1 (en) Curable Polymeric Materials and Their Use for Fabricating Electronic Devices
JP5701861B2 (ja) 有機薄膜トランジスタ
WO2014136436A1 (ja) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP2010123951A (ja) 薄膜トランジスタおよび半導体組成物
JP5563258B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US20100038631A1 (en) Electronic device comprising semiconducting polymers
JP2004063975A (ja) 電界効果トランジスタ
JP2006173532A (ja) 有機トランジスタおよび有機トランジスタの形成方法
JP2010123952A (ja) 薄膜トランジスタおよび半導体組成物
JP2011096704A (ja) 薄膜トランジスタ

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12747137

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012557828

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14000118

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12747137

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1