WO2011139126A2 - 웨이퍼 처리 장치와 그 방법 - Google Patents

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WO2011139126A2
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유정호
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나노세미콘(주)
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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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    • HELECTRICITY
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing apparatus and a method including a wafer processing apparatus for performing a heat treatment, a deposition treatment, and the like for a wafer processing, and a heating apparatus for heating the wafer for heat treatment of the wafer. More particularly, the present invention relates to a wafer processing apparatus and a method for increasing the yield of wafer processing when heating a wafer and reducing damage to the wafer and the robot due to the adhesion between the heated wafer and the wafer transfer robot.
  • Wafers are materials used in semiconductor manufacturing, and silicon wafers are supplied to materials that can be used in semiconductor manufacturing through various processing processes.
  • a silicon wafer is a circular plate in which a thin ingot in which a kind crystal of a material of a silicon semiconductor is grown on a circumference is thinly sliced.
  • oxygen may combine to cause a phenomenon in which a resistance value controlled through impurities on the silicon wafer is shifted from a desired resistance value.
  • a heat treatment process is required to separate oxygen from the wafer and produce a high quality wafer.
  • a heat treatment process may be necessary to reduce wafer processing stress and to reduce defects in wafer crystals.
  • One of the important issues in the process of heat treating wafers is to increase the number of wafers that can be heat treated per unit time.
  • a method of mounting and heat treating a plurality of wafers in one chamber has been used.
  • the efficiency of heat treatment is increased by installing one or more heat treatment devices and operating two chambers at the same time.
  • the problem is that if a plurality of wafers are rapidly heated at the same time in the heat treatment apparatus, the wafer is likely to be broken.
  • adhesive phenomenon due to heat occurs between the heated wafer and the wafer transfer robot, resulting in damage to the wafer transfer robot and the wafer.
  • an object of the present invention is to provide a technique for solving a problem that may cause damage to the wafer transfer robot and the wafer while increasing the number of wafers that can be heat treated per unit time by further increasing the yield in the wafer heat treatment process. have.
  • a wafer processing apparatus for receiving a plurality of wafers carried in for the heat treatment and heating to a preliminary temperature;
  • a heat treatment apparatus receiving a plurality of wafers heated by the preliminary heating apparatus and heat-processing at a processing temperature;
  • a preliminary cooling device receiving a plurality of wafers heat treated from the heat treatment device and cooling the wafer to a temperature lower than the preliminary temperature.
  • the wafer processing apparatus further includes a boat for storing the plurality of wafers loaded therein, and the wafer is processed while being circulated by the circulation means so that the boat is mounted on the preliminary heating apparatus, the heat treatment apparatus, and the preliminary cooling apparatus.
  • the preliminary heating apparatus, the heat treatment apparatus, and the preliminary cooling apparatus include a cavity in which a boat can be mounted.
  • a plurality of boats exist, and each of the plurality of boats is mounted while sequentially circulating through the preliminary heating device, the heat treatment device, and the preliminary cooling device.
  • the wafer processing apparatus may include a wafer transfer robot for transporting a wafer to the preliminary heating apparatus, the heat treatment apparatus, and the preliminary cooling apparatus, respectively.
  • the preliminary temperature may be set to one half of the treatment temperature, for example the preliminary temperature may be 200 degrees Celsius.
  • a wafer processing method includes: heating, by a preliminary heating apparatus, a plurality of wafers loaded for a heat treatment to a preliminary temperature; Transferring the plurality of wafers from the preheating apparatus to the heat treatment apparatus via a transport means after the heating step; Heat treating the plurality of wafers to a processing temperature in a heat treatment apparatus; Transferring the plurality of wafers from the heat treatment apparatus to the preliminary cooling apparatus through a transportation means after the heat treatment step; And cooling the plurality of wafers to a temperature lower than the preliminary temperature by the preliminary cooling apparatus.
  • the vehicle may include a boat for storing a plurality of wafers to be loaded, and circulation means for transporting the boat to be mounted on a preheating device, a heat treatment device, and a precooling device.
  • the preliminary heating apparatus, the heat treatment apparatus, and the preliminary cooling apparatus include a cavity in which a boat can be mounted.
  • the transportation means may be a wafer transfer robot capable of transferring each of the plurality of wafers.
  • the preliminary temperature may be one half of the treatment temperature, for example the preliminary temperature may be set at 200 degrees Celsius.
  • the wafer since the wafer is preheated in advance and supplied to the heat treatment apparatus, damage to the wafer due to rapid heating can be prevented. Also, when the boat is to be transported, the heated wafer and the wafer transport are only contacted when the wafer transport robot and the wafer are first contacted when stacking the wafers in the boat and then when the cooled wafer is again stacked in the cassette storing the wafer. Damage to the wafer and the wafer transfer robot due to the contact of the robot may be prevented.
  • FIG. 1 is a block diagram of a wafer processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram of a wafer processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 schematically illustrates a wafer processing flow in a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 schematically illustrates a wafer processing flow in a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a flowchart of a wafer processing method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a wafer processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention.
  • the wafer processing apparatus 10 includes a preliminary heating apparatus 100, a heat treatment apparatus 300, and a preliminary cooling apparatus 200.
  • transfer means wafer transfer robot 400, robot transfer means 500 for transferring the wafer 20 will be included.
  • the wafer 20 is carried out from the cassette 600 in the load port module 700.
  • the cassette 600 stores a plurality of wafers 20 before processing and a plurality of wafers 20 after heat treatment.
  • the cassette 600 is stored in a storage room (not shown) that stores the plurality of cassettes 600. In the storage room, the cassette 600 storing the wafer 20 before processing and the cassette 600 storing the wafer 20 after heat treatment will be classified and stored.
  • the door of the cassette 600 facing the inside of the wafer processing apparatus 10 opens to allow the wafer to be loaded. do.
  • the wafer transfer robot 400 takes out the wafers 20 stacked and stored in the cassette 600 and stacks them on the preliminary heating apparatus 100. That is, the preheating apparatus 100 is formed with a structure in which a plurality of wafers 20 can be stacked.
  • the plurality of chucks (not shown) formed in the vertical direction may be formed in the preliminary heating device 100.
  • the preliminary heating apparatus 100 heats the wafer 20 to a preliminary temperature before the wafer 20 is stored in the heat treatment apparatus 300 and heat treated.
  • the wafer 20 may be heated to a temperature corresponding to 1/2 of the processing temperature which is the heating temperature of the heat treatment apparatus 300. For example, if the processing temperature in the heat treatment apparatus 30 is 400 degrees Celsius, the preliminary heating apparatus 100 preheats the wafer 20 to a preliminary temperature of 200 degrees Celsius.
  • the plurality of wafers 20 While the plurality of wafers 20 are preheated to the preliminary temperature in the preliminary heating apparatus 100, the plurality of wafers 20 heated and supplied to the preliminary temperature may be heated in the heat treatment apparatus 300. That is, the preliminary heating apparatus 100 and the heat treatment apparatus 300 may be operated simultaneously by receiving the wafers 20 instead of sequentially operating. As a result, productivity may be improved as compared with heating the wafer 20 at room temperature in the heat treatment apparatus 300.
  • the wafer 20 may optionally be transferred from the preheating apparatus 100 to one of the two heat treatment apparatuses 300.
  • the heat treatment apparatus 300 includes a plasma generation source, a processing gas supply device, and a heating device to heat-treat the wafer 20.
  • the heat-treated wafer 20 is heated to 400 degrees Celsius as mentioned above.
  • the heat-treated wafer 20 When the heat-treated wafer 20 is directly transferred to the cassette 600, adhesion or form deformation by heat may occur between the transfer means 400 and 500, the cassette 600, and the wafer 20. Accordingly, the heated wafer 20 is transferred to the preliminary cooling apparatus 200 to undergo a later cooling process.
  • the wafer 20 is cooled to a temperature below a preliminary temperature at which the preliminary heating apparatus 100 heats the wafer 20.
  • the wafer 20 is cooled by any of a method using a dryer method, a water cooling method, and a nitrogen gas to cool the wafer 20. Through this, deformation of the wafer 20 and the transfer means 400 and 500 will be prevented.
  • the preliminary cooling device 200 may be cooled to a temperature of, for example, 30 degrees Celsius per minute.
  • the wafer 20 cooled in the preliminary cooling apparatus 200 is stored in the cassette 600 again for storage.
  • the transfer means 400 and 500 may include a wafer transfer robot 400 and a robot transfer means 500.
  • the wafer transfer robot 400 supports the wafer 20 from the bottom surface, or fixes the wafer 20 in the form of both sides thereof, and transfers the wafer 20 to the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus 200. can do.
  • the transfer means 400, 500 are shown in the form of carrying each of the wafers 20. Another example of this will be described with reference to FIG. 3.
  • FIG. 2 is a block diagram of a wafer processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the following embodiments, portions overlapping with the description of FIG. 1 will be omitted.
  • a pretreatment device 110 in which a preheating device and a precooling device are combined.
  • the pretreatment apparatus 110 heats the wafer 20 before processing to a preliminary temperature, while cooling the wafer 20 processed by the heat treatment apparatus 300 to a temperature lower than the preliminary temperature. Therefore, the heating means and the cooling means are provided in the pretreatment apparatus 110. Due to the installation of the pretreatment device 110, there is an advantage that the copper wire of the wafer can be reduced than when the preheating device and the precooling device are installed.
  • FIG. 3 schematically illustrates a wafer processing flow in a first embodiment of the present invention.
  • a wafer transfer robot 400 exists to sequentially process each wafer 20 in order of a preliminary heating apparatus 100, a heat treatment apparatus 300, and a preliminary cooling apparatus 200.
  • a wafer transfer robot 400 exists to sequentially process each wafer 20 in order of a preliminary heating apparatus 100, a heat treatment apparatus 300, and a preliminary cooling apparatus 200.
  • transporting is an example of transporting.
  • the wafer 20 is stacked on the preheater 100.
  • the preheating device 100 heats the wafer 20 to a preliminary temperature (for example, 200 degrees Celsius).
  • the wafers 20 heated to the preliminary temperature are transferred to the heat treatment apparatus 300 by the wafer transfer robot 400 again.
  • the wafers 20 heated and processed at the processing temperature in the heat treatment apparatus 300 will be transferred to the preliminary cooling apparatus 200 by the wafer transfer robot 400, respectively.
  • the contact time between the wafer transfer robot 400 and the wafer 20 will be shorter than when the conventional heat treatment apparatus 300 is present. Therefore, the loss rate of the wafer 20 and the wafer transfer robot 400 will also be reduced.
  • FIGS. 1 to 3 schematically illustrates a wafer processing flow in a second embodiment of the present invention.
  • portions overlapping with the description of FIGS. 1 to 3 will be omitted.
  • the boat 30 is additionally included in addition to the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus 200.
  • the boat 30 generally means that the boat 30 is installed in the wafer processing apparatus for mounting the plurality of wafers 20, but in the description of the present invention, the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus ( It means that it is mountable to 200, and it is the structure which circulates and moves, while storing the wafer 20.
  • the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus 200 may take the shape of an openable cylinder. Accordingly, the boat 30 is circulated by the circulation means 410 in the order of the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus 200, and the plurality of wafers 30 are stored with the wafers 20 stored therein. It will be a means for transferring the wafer 20.
  • the preliminary heating apparatus 100, the heat treatment apparatus 300, and the preliminary cooling apparatus 200 may take the form of a cylinder with an open lower portion, and each boat 30 is not only the circulation means 410 but also the elevating device. Connected to the means (not shown), the boat 30 is lifted up from each of the preliminary heating device 100, the heat treatment device 300, and the lower part of the preliminary cooling device 200 to be mounted to each device, and the boat 30 is lowered. May be separated from each device.
  • the wafer transfer robot 400 mounts the wafer 20 on the boat 30 mounted on the preheating apparatus 100.
  • the boat 30 mounted with the wafer 20 heated to the preliminary temperature in the preliminary heating apparatus 100 is transferred to the heat treatment apparatus 300 through the circulation means 410 to be heat treated, and then to the preliminary cooling apparatus 200. Transferred.
  • the wafers 20 cooled by the preliminary cooling apparatus 200 may be taken out of the boat 30 mounted in the preliminary cooling apparatus 200 and stored in the cassette 600 again.
  • the wafer transfer robot 400 only supports or supports the wafer 20 before processing and the wafer 20 after cooling, so that the wafer transfer robot 400 does not come into contact with the wafer 20 in the heated state at all and the wafer 20 in the heated state. Since only the state stored in the boat 30 having excellent heat resistance is possible, the damage of the wafer 20 and the wafer transfer robot 400 due to heat may be prevented.
  • the temperature of the wafer 20 maintained at room temperature can be seen.
  • the temperature of the wafer 20 is heated to 200 degrees Celsius, which is a preliminary temperature.
  • the wafer 20 is heated to a processing temperature (for example, 400 degrees Celsius) and heat treated by a plasma, a processing gas, or the like.
  • a processing temperature for example, 400 degrees Celsius
  • the wafer 20 is transferred from the heat treatment apparatus 300 to the preliminary cooling apparatus 200 and cooled, for example, the wafer 20 is cooled by 30 degrees Celsius per minute, and then cooled in the T5 section.
  • the wafer 20 is again mounted on the cassette 600 by the wafer transfer robot 400.
  • FIG. 6 is a flowchart of a wafer processing method according to an embodiment of the present invention. In the following description, portions overlapping with the description of FIGS. 1 to 5 will be omitted.
  • a step S1 of carrying a wafer into the wafer processing apparatus 10, that is, a processing chamber, is performed by the wafer transfer robot 400.
  • the wafer transfer robot 400 takes out the wafer 20 from the cassette 600 and stores the wafer 20 in the preheating apparatus 100 or the boat 30 mounted in the preheating apparatus 100. You may.
  • the preliminary heating apparatus 100 performs a step S2 of heating the wafer 20 to a preliminary temperature (eg, 200 degrees Celsius).
  • a processing temperature for example, 400 degrees Celsius
  • the preliminary cooling apparatus 200 receives the wafer 20 heated to the processing temperature, cools it by 30 degrees Celsius per minute, and carries it out to the cassette 600 (S5 and S5).

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Abstract

가열된 웨이퍼를 이송함에 있어서 웨이퍼 및 이송 수단의 손실을 방지하고, 단위 시간 당 처리 가능한 웨이퍼의 수를 증가시키는 기술을 제공한다. 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치는, 열처리를 위해 반입된 복수의 웨이퍼를 공급받아 예비 온도로 가열하는 예비 가열 장치; 예비 가열 장치에 의해 가열된 복수의 웨이퍼를 공급받아 처리 온도로 열처리하는 열처리 장치; 및 열처리 장치로부터 열처리된 복수의 웨이퍼를 공급받아 예비 온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 예비 냉각 장치를 포함하고, 웨이퍼는 보트에 저장되며, 보트가 예비 가열 장치, 열처리 장치 및 예비 냉각 장치를 순환하면서 웨이퍼의 열처리 과정을 진행하게 된다.

Description

웨이퍼 처리 장치와 그 방법
본 발명은 웨이퍼 처리를 위하여 웨이퍼를 열처리, 증착 처리 등을 하는 웨이퍼 처리 장치와 그 방법에 있어서 웨이퍼의 열처리를 위하여 웨이퍼를 가열하는 가열 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치와 그 방법에 관한 것이다. 더욱 자세하게는, 웨이퍼를 가열 시 웨이퍼 처리의 수율을 높이고, 가열된 웨이퍼와 웨이퍼 이송 로봇 사이의 열착으로 인한 웨이퍼 및 로봇의 손상을 줄이기 위한 웨이퍼 처리 장치와 그 방법에 관한 것이다.
반도체 기술의 발전이 가속화되면서, 반도체 생산에 필요한 웨이퍼를 처리하는 기술에 대한 연구가 발전하고 있다. 웨이퍼는, 반도체 제조에 사용되는 재료로서, 실리콘 웨이퍼는 다양한 처리 공정을 통해 반도체 제조에 사용될 수 있는 소재로 공급되게 된다.
실리콘 웨이퍼는 실리콘 반도체의 소재의 종류 결정을 원주상에 성장시킨 주괴를 얇게 깎아낸 원 모양의 판이다. 실리콘 웨이퍼를 결정으로 육성하는 과정에서는 산소가 결합하여 실리콘 웨이퍼상에 불순물을 통해 제어된 저항값이 원하는 저항값과 어긋나는 현상이 발생할 수 있다.
따라서, 산소를 웨이퍼로부터 분리하여 양질의 웨이퍼를 생산하기 위하여 열처리 공정이 필요하다. 또한, 열처리 공정은 웨이퍼 가공응력의 완화나 웨이퍼 결정의 결함을 감소하기 위하여 필요하기도 하다.
웨이퍼를 열처리하기 위한 공정에서 중요한 이슈 중 하나는 바로 단위 시간당 열처리할 수 있는 웨이퍼의 수를 늘리는 것이다. 한번에 열처리하는 웨이퍼의 수를 늘리기 위해 하나의 챔버에 복수의 웨이퍼를 실장하여 열처리하는 방법이 이용되어 왔다. 또는, 열 처리 장치를 하나 이상 설치하여 동시에 두 챔버를 가동시킴으로써, 열처리의 효율을 늘리고 있다.
그러나, 이러한 경우 문제점은 열 처리 장치에서 다수개의 웨이퍼를 동시에 급격하게 가열하게 되면, 웨이퍼가 파손될 가능성이 높다. 또한, 가열된 웨이퍼를 반출하기 위해 꺼내게 되면 가열된 웨이퍼와 웨이퍼 이송 로봇 사이에 열에 의한 접착 현상이 발생하여, 웨이퍼 이송 로봇 및 웨이퍼의 손상을 가져올 수 있는 문제점이 지적되어 왔다.
이에 본 발명은 웨이퍼의 열 처리 과정에서의 수율을 더욱 높여 단위 시간당 열처리 가능한 웨이퍼의 수를 높이는 한편, 웨이퍼 이송 로봇과 웨이퍼의 손상을 가져올 수 있는 문제점을 해결하기 위한 기술을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치는, 열처리를 위해 반입된 복수의 웨이퍼를 공급받아 예비 온도로 가열하는 예비 가열 장치; 예비 가열 장치에 의해 가열된 복수의 웨이퍼를 공급받아 처리 온도로 열처리하는 열처리 장치; 및 열처리 장치로부터 열처리된 복수의 웨이퍼를 공급받아 예비 온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 예비 냉각 장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.
웨이퍼 처리 장치는, 반입된 복수의 웨이퍼를 저장하는 보트를 더 포함하고, 보트가 예비 가열 장치, 열처리 장치, 및 예비 냉각 장치에 장착되도록 순환 수단에 의해 순환하면서 웨이퍼를 처리하게 된다. 이때 예비 가열 장치, 열처리 장치, 및 예비 냉각 장치는, 내부에 보트를 장착할 수 있는 캐비티를 포함한다. 보트는 복수개 존재하고, 복수개의 보트 각각이 예비 가열 장치, 열처리 장치 및 예비 냉각 장치에 차례로 순환하면서 장착된다.
본 발명의 또 다른 실시 예에서 웨이퍼 처리 장치는, 웨이퍼를 상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 예비 냉각 장치에 각각 운송하는 웨이퍼 이송 로봇을 포함할 수 있다.
예비 온도는 상기 처리 온도의 1/2로 설정될 수 있으며, 예를 들어 예비 온도는 섭씨 200도일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 방법은, 예비 가열 장치가 열처리를 위해 반입된 복수의 웨이퍼를 예비 온도로 가열하는 단계; 가열하는 단계 후 예비 가열 장치로부터 운송 수단을 통해 열처리 장치로 복수의 웨이퍼를 이송하는 단계; 열처리 장치에서 복수의 웨이퍼를 처리 온도로 열처리하는 단계; 열처리 하는 단계 후 열처리 장치로부터 운송 수단을 통해 예비 냉각 장치로 복수의 웨이퍼를 이송하는 단계; 및 예비 냉각 장치가 복수의 웨이퍼를 예비온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
운송수단은, 반입되는 복수의 웨이퍼를 저장하는 보트와, 보트를 예비 가열 장치, 열처리 장치 및 예비 냉각 장치에 장착하도록 운반하는 순환 수단을 포함할 수 있다. 이때 예비 가열 장치, 열처리 장치, 및 예비 냉각 장치는, 내부에 보트를 장착할 수 있는 캐비티를 포함하게 된다.
운송 수단은 상기 복수의 웨이퍼 각각을 이송할 수 있는 웨이퍼 이송 로봇이 될 수 있다.
예비 온도는 처리 온도의 1/2일 수 있으며, 예를 들어 예비 온도는 섭씨 200도로 설정될 수 있다.
본 발명에 의하면, 미리 웨이퍼를 예열하여 열처리 장치에 공급하기 때문에, 급격한 가열로 인한 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 보트를 이송하게 될 경우, 웨이퍼 이송 로봇과 웨이퍼가 처음 보트에 웨이퍼를 적층할 때 및 후 냉각된 웨이퍼를 다시 웨이퍼를 저장하는 카세트에 적층할 때에만 접촉하기 때문에, 가열된 웨이퍼와 웨이퍼 이송 로봇의 접촉으로 인한 웨이퍼 및 웨이퍼 이송 로봇의 손상을 방지할 수도 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에서 웨이퍼 처리 흐름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에서 웨이퍼 처리 흐름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 5는 각 처리 장치에 따른 웨이퍼 가열 온도의 변화를 도시한 것이다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 플로우차트이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 방법에 대하여 설명하기로 한다. 이하의 설명에서 동일한 참조부호는 동일한 구성을 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치(10)의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치(10)는, 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300) 및 예비 냉각 장치(200)를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또한, 웨이퍼(20)를 이송하기 위한 이송 수단[웨이퍼 이송 로봇(400), 로봇 이송 수단(500)]이 포함되어 있을 것이다. 웨이퍼(20)는 로드포트 모듈(700)에서 카세트(600)로부터 반출된다.
카세트(600)에는 처리전의 웨이퍼(20)와 열처리된 후의 웨이퍼(20)를 복수개씩 저장하게 된다. 카세트(600)는 복수의 카세트(600)를 저장하고 있는 스토리지 룸(Storage Room, 미도시)에 저장되어 있다. 스토리지 룸에는 처리전의 웨이퍼(20)를 저장하는 카세트(600) 및 열처리된 후의 웨이퍼(20)를 저장하는 카세트(600)가 분류되어 저장되어 있을 것이다.
처리전의 웨이퍼(20)가 복수개 저장된 카세트(600)가 로드포트 모듈(700)에 올려지면, 웨이퍼 처리 장치(10)의 내부를 향해 있는 카세트(600)의 도어가 열리면서 웨이퍼의 반입이 가능한 상태가 된다.
웨이퍼 이송 로봇(400)은 카세트(600) 내부에 적층되어 저장된 웨이퍼(20)를 반출하여, 예비 가열 장치(100)에 적층한다. 즉, 예비 가열 장치(100)에는 복수의 웨이퍼(20)를 적층할 수 있는 구조가 형성되어 있다. 예를 들어, 예비 가열 장치(100)에는 수직 방향으로 형성된 복수의 척(미도시)이 형성되어 있을 수 있다.
예비 가열 장치(100)는 웨이퍼(20)가 열처리 장치(300)에 저장되어 열처리되기 전, 웨이퍼(20)를 예비 온도로 미리 가열하게 된다. 예비 가열 장치(100)에서는 열처리 장치(300)에서의 가열 온도인 처리 온도의 1/2에 대응하는 온도로 웨이퍼(20)를 가열할 수 있다. 예를 들어, 열처리 장치(30)에서의 처리 온도가 섭씨 400도라면, 예비 가열 장치(100)에서는 섭씨 200도의 예비 온도로 웨이퍼(20)를 미리 가열하게 된다.
예비 가열 장치(100)에서 복수개의 웨이퍼(20)를 예비 온도로 미리 가열하는 동안, 열처리 장치(300)에서는 예비 온도로 가열되어 공급된 복수개의 웨이퍼(20)를 가열하고 있을 수 있다. 즉, 예비 가열 장치(100) 및 열처리 장치(300)는 순차적으로 동작하는 것이 아니라 각각 웨이퍼(20)를 공급받아 동시에 작동하고 있을 수 있는 것이다. 이를 통해, 열처리 장치(300)에서 상온의 웨이퍼(20)를 가열하여 열처리 하는 것에 비해, 생산성이 향상될 수 있을 것이다.
도 1의 실시 예에서 열처리 장치(300)는 두 개가 존재한다. 열처리 시간이 길어지는 경우, 선택적으로 예비 가열 장치(100)로부터 두 개의 열처리 장치(300) 중 하나에 웨이퍼(20)가 이송될 수 있을 것이다.
열처리 장치(300)에는 플라즈마 발생원, 처리 가스 공급 장치 및 가열 장치가 포함되어, 웨이퍼(20)를 열처리 하게 된다. 열처리된 웨이퍼(20)는 상기 언급한 바와 같이 섭씨 400도로 가열된 상태이다.
열처리된 웨이퍼(20)를 바로 카세트(600)로 이송하게 되면, 이송 수단(400, 500), 카세트(600) 및 웨이퍼(20) 사이에 열에 의한 접착이나 형태 변형이 일어날 수 있다. 이에 따라서, 가열된 웨이퍼(20)는 예비 냉각 장치(200)로 이송되어 후 냉각의 과정을 거치게 된다.
예비 냉각 장치(200)에서는 예비 가열 장치(100)에서 웨이퍼(20)를 가열하는 예비 온도 미만의 온도로 웨이퍼(20)를 냉각하게 된다. 예비 냉각 장치(200)에는 웨이퍼(20)를 냉각시키기 위해 드라이어(Dryer) 방식, 수냉식 및 질소 가스 등을 이용한 방식 중 어느 하나의 방법으로 웨이퍼(20)를 냉각시키게 된다. 이를 통해, 웨이퍼(20) 및 이송 수단(400, 500)의 변형을 방지할 수 있게 될 것이다. 예비 냉각 장치(200)에서는 예를 들어 분당 섭씨 30도씩의 온도로 냉각하게 될 수 있다. 예비 냉각 장치(200)에서 냉각된 웨이퍼(20)는 저장을 위해 다시 카세트(600)에 저장된다.
이송 수단(400, 500)은 웨이퍼 이송 로봇(400) 및 로봇 이송 수단(500)을 포함할 수 있다. 웨이퍼 이송 로봇(400)은 웨이퍼(20)를 하면에서 지지하거나, 양면을 짚는 형태로 웨이퍼(20)를 고정하여 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300) 및 예비 냉각 장치(200)로 이송할 수 있다. 도 1에서는 이송 수단(400, 500)은 웨이퍼(20) 각각을 운반하는 형태로 도시되어 있다. 이에 대한 다른 예는 도 3에서 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 구성도이다. 이하의 실시 예에서 도 1에 대한 설명과 중복되는 부분은 그 설명을 생략하기로 한다.
도 1과 비교할 때, 도 2의 실시 예에서는 예비 가열 장치 및 예비 냉각 장치가 결합된 전처리 장치(110)가 존재한다는 점이다.
전처리 장치(110)는 처리전의 웨이퍼(20)를 예비 온도로 가열하는 한편, 열처리 장치(300)에서 처리된 웨이퍼(20)를 예비 온도보다 낮은 온도로 냉각하는 기능을 수행하게 된다. 따라서, 전처리 장치(110)에는 가열 수단 및 냉각 수단이 설치되어 있다. 전처리 장치(110)의 설치로 인해, 예비 가열 장치 및 예비 냉각 장치를 설치했을 때 보다 웨이퍼의 동선을 줄일 수 있다는 장점이 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에서 웨이퍼 처리 흐름을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 도 1에서의 실시 예와 같이 웨이퍼 이송 로봇(400)이 존재하여 웨이퍼(20) 각각을 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200) 순으로 이송하는 예를 들고 있다.
웨이퍼(20)는 카세트(600)로부터 반출되면, 예비 가열 장치(100)에 적층된다. 예비 가열 장치(100)에 기설정된 개수의 웨이퍼(20)가 적층되면, 예비 가열 장치(100)는 웨이퍼(20)를 예비 온도(예를 들어 섭씨 200도)로 가열하게 된다. 예비 온도로 가열된 웨이퍼(20)는 다시 웨이퍼 이송 로봇(400)에 의해 열처리 장치(300)로 각각 이송된다. 열처리 장치(300)에서 처리 온도로 가열 및 처리된 웨이퍼(20)는 예비 냉각 장치(200)로 각각 웨이퍼 이송 로봇(400)에 의해 이송될 것이다.
따라서, 웨이퍼(20)를 웨이퍼 이송 로봇(400)으로 이송할 경우 종래 열처리 장치(300)만이 있을 때 보다는 웨이퍼 이송 로봇(400)과 웨이퍼(20)의 접촉 시간이 줄어들 것이다. 따라서 그만큼 웨이퍼(20) 및 웨이퍼 이송 로봇(400)의 손실율 역시 줄어들 것이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에서 웨이퍼 처리 흐름을 개략적으로 도시한 것이다. 이하의 설명에서 도 1 내지 3에 대한 설명과 중복되는 부분은 그 설명을 생략하기로 한다.
도 3에서는 웨이퍼 이송 로봇(400)과 웨이퍼(20) 간의 접촉 시간은 줄어들지만, 접촉 자체를 차단할 수는 없다.
따라서, 도 4를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에서는, 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200) 이외에 보트(30)가 추가적으로 포함되어 있다. 보트(30)는 일반적으로 복수의 웨이퍼(20)를 실장하기 위해 웨이퍼 처리 장치에 설치되는 것을 의미하나, 본 발명의 설명에서는 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200)에 장착 가능하고, 웨이퍼(20)를 저장한 채로 순환 이동하는 구성을 의미한다.
본 발명의 제2 실시 예에서 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200)는 오픈 가능한 실린더의 형상을 취하고 있을 수 있다. 이에 따라서 보트(30)는 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200) 순으로 순환 수단(410)에 의해 순환 이동하면서, 웨이퍼(20)를 저장한 채로 복수의 웨이퍼(20)를 이송하는 수단이 될 것이다. 또는, 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200)는 하부가 오픈된 실린더의 형상을 취할 수 있고, 각 보트(30)는 순환 수단(410)뿐 아니라 승하강 수단(미도시)에 연결되어, 예비 가열 장치(100), 열처리 장치(300), 및 예비 냉각 장치(200) 하부에서부터 보트(30)가 상승하여 각 장치에 장착되고, 보트(30)가 하강하여 각 장치로부터 분리될 수도 있을 것이다.
흐름을 살펴보면, 웨이퍼 이송 로봇(400)은 예비 가열 장치(100)에 장착된 보트(30)에 웨이퍼(20)를 실장하게 된다. 예비 가열 장치(100)에서 예비 온도로 가열된 웨이퍼(20)를 실장한 보트(30)는 순환 수단(410)을 통해 열처리 장치(300)로 이송되어 열처리 되고, 이후 예비 냉각 장치(200)로 이송된다. 예비 냉각 장치(200)에 의해 냉각된 웨이퍼(20)들은, 예비 냉각 장치(200)에 장착된 보트(30)로부터 반출되어 다시 카세트(600)에 저장될 것이다.
즉, 웨이퍼 이송 로봇(400)은 처리 전의 웨이퍼(20) 및 냉각 후의 웨이퍼(20)만을 짚거나 지지하게 되어, 가열된 상태의 웨이퍼(20)와는 전혀 접촉하지 않고, 가열된 상태의 웨이퍼(20)는 내열성이 뛰어난 보트(30)에 저장되어 있는 상태만 가능하기 때문에, 열에 의한 웨이퍼(20) 및 웨이퍼 이송 로봇(400)의 손상을 차단할 수 있는 효과가 있을 것이다.
도 5는 각 처리 장치에 따른 웨이퍼 가열 온도의 변화를 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 카세트(600)로부터 웨이퍼(20)가 반출되어 웨이퍼 처리 장치(10)로 반입되는 시간(T1)에는 상온을 유지하는 웨이퍼(20)의 온도를 볼 수 있다. 예비 가열 장치(100)에 웨이퍼(20)가 머무는 시간(T2) 동안에는 웨이퍼(20)의 온도는 예비 온도인 섭씨 200도까지 가열된다.
이후, 열처리 장치(300)에 웨이퍼(20)가 머물게 되는 시간(T3)에는, 웨이퍼(20)는 처리 온도(예를 들어 섭씨 400도)까지 가열되어 플라즈마 및 처리 가스 등에 의해 열처리 된다. 이후 열처리 장치(300)로부터 웨이퍼(20)가 예비 냉각 장치(200)로 이송되어 냉각되는 시간(T4)에는, 예를 들어 분당 섭씨 30도씩 웨이퍼(20)가 냉각되고, 이후 T5 구간에서는 냉각된 웨이퍼(20)가 웨이퍼 이송 로봇(400)에 의해 카세트(600)에 다시 실장된다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 방법의 플로우차트이다. 이하의 설명에서 도 1 내지 5에 대한 설명과 중복되는 부분은 그 설명을 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 다른 웨이퍼 처리 방법은, 먼저 웨이퍼 이송 로봇(400)이 웨이퍼를 웨이퍼 처리 장치(10) 즉 처리실에 반입하는 단계(S1)가 수행된다. S1 단계는, 웨이퍼 이송 로봇(400)이 웨이퍼(20)를 카세트(600)로부터 반출하여 예비 가열 장치(100) 또는 예비 가열 장치(100)에 장착되어 있는 보트(30)에 저장하는 단계를 의미할 수도 있다.
S1 단계 이후, 예비 가열 장치(100)는 웨이퍼(20)를 예비 온도(예를 들어 섭씨 200도)까지 가열하는 단계(S2)를 수행한다. S2 단계 이후에는, 열처리 장치(300)에 의해 웨이퍼(20)는 처리 온도(예를 들어 섭씨 400도)까지 가열되어 열처리 된다. 마지막으로, 예비 냉각 장치(200)에서는 처리 온도로 가열된 웨이퍼(20)를 공급받아 예를 들어 분당 섭씨 30도씩 냉각시켜, 카세트(600)로 반출하게 된다(S5, S5).
상기 언급한 본 발명의 각 실시 예에 따른 웨이퍼 처리 장치 및 방법에 대한 설명은 특허청구범위를 한정하는 것이 아니다. 또한, 상기의 실시 예 이외에도, 본 발명과 동일한 기능을 수행하는 균등한 발명 역시 본 발명의 권리 범위에 속할 것이다.

Claims (13)

  1. 열처리를 위해 반입된 복수의 웨이퍼를 공급받아 예비 온도로 가열하는 예비 가열 장치;
    상기 예비 가열 장치에 의해 가열된 상기 복수의 웨이퍼를 공급받아 처리 온도로 열처리하는 열처리 장치; 및
    상기 열처리 장치로부터 열처리된 상기 복수의 웨이퍼를 공급받아 상기 예비 온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 예비 냉각 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    반입된 상기 복수의 웨이퍼를 저장하는 보트를 더 포함하고,
    상기 보트가 상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치, 및 상기 예비 냉각 장치에 장착되도록 순환 수단에 의해 순환하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치, 및 상기 예비 냉각 장치는,
    내부에 상기 보트를 장착할 수 있는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 보트는 복수개 존재하고, 복수개의 상기 보트 각각이 상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 예비 냉각 장치에 차례로 순환하면서 장착되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 웨이퍼를 상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 예비 냉각 장치에 각각 운송하는 웨이퍼 이송 로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 예비 온도는 상기 처리 온도의 1/2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 예비 온도는 섭씨 200도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 장치.
  8. 예비 가열 장치가 열처리를 위해 반입된 복수의 웨이퍼를 예비 온도로 가열하는 단계;
    상기 가열하는 단계 후 상기 예비 가열 장치로부터 운송 수단을 통해 열처리 장치로 상기 복수의 웨이퍼를 이송하는 단계;
    상기 열처리 장치에서 상기 복수의 웨이퍼를 처리 온도로 열처리하는 단계;
    상기 열처리 하는 단계 후 상기 열처리 장치로부터 상기 운송 수단을 통해 예비 냉각 장치로 상기 복수의 웨이퍼를 이송하는 단계; 및
    상기 예비 냉각 장치가 상기 복수의 웨이퍼를 상기 예비온도보다 낮은 온도로 냉각시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 운송수단은,
    반입되는 상기 복수의 웨이퍼를 저장하는 보트와 상기 보트를 상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치 및 상기 예비 냉각 장치에 장착하도록 운반하는 순환 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 예비 가열 장치, 상기 열처리 장치, 및 상기 예비 냉각 장치는,
    내부에 상기 보트를 장착할 수 있는 캐비티를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 운송 수단은 상기 복수의 웨이퍼 각각을 이송할 수 있는 웨이퍼 이송 로봇인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 예비 온도는 상기 처리 온도의 1/2인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 예비 온도는 섭씨 200도인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 방법.
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