CN114717537A - 一种pecvd石墨舟存储与下料方法 - Google Patents
一种pecvd石墨舟存储与下料方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114717537A CN114717537A CN202210286205.5A CN202210286205A CN114717537A CN 114717537 A CN114717537 A CN 114717537A CN 202210286205 A CN202210286205 A CN 202210286205A CN 114717537 A CN114717537 A CN 114717537A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- storage
- graphite boat
- cooling
- blanking
- positions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
本发明涉及PECVD石墨舟存储及下料领域。一种PECVD石墨舟存储与下料方法,石墨舟的冷却时间从石墨舟反应完置于PECVD石墨舟的搬运区域开始计时,冷却时间Tx代表X编号存储位置上对应石墨舟的冷却时间;将上下料存储区域、进出炉管存储区域位置状态依据有无石墨舟存放设置为1和0,1有,0无;根据PECVD石墨舟的搬运区域的存储区域的位置状态和石墨舟的冷却时间对存储区域上石墨舟进行移动及下料。
Description
技术领域
本发明涉及PECVD石墨舟存储及下料领域。
背景技术
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积PECVD。
PECVD作为晶硅电池制造的关键工艺设备,已广泛应用于PERC电池、N型高效电池领域。PECVD设备的组成包括工艺片反应装置、工艺片的存储装置。其中工艺片的存储装置直接关系PECVD设备实际的产出,现有PECVD设备工艺片的存储装置,其设计逻辑因考虑工艺片的散热而采用顺序存储,容易造成无用的时间消耗。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何提供一种适合PECVD石墨舟存储与下料的方法,解决现有技术中采用顺序存造成无用的时间消耗。
本发明所采用的技术方案是:一种PECVD石墨舟存储与下料方法, PECVD石墨舟的搬运区域包括上下料存储区域和进出炉管存储区域,其中,上下料存储区域从上至下有7个位置,依次编号为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7,编号N1和N2为冷却存储位,编号N3和N4为下料存储位,编号N5、N6、N7为上料存储位,进出炉管存储区域从上至下有4个位置,依次编号为M1、M2、M3、M4,石墨舟的冷却时间从石墨舟反应完置于PECVD石墨舟的搬运区域开始计时,冷却时间Tx代表X编号存储位置上对应石墨舟的冷却时间;将上下料存储区域、进出炉管存储区域位置状态依据有无石墨舟存放设置为1和0,1有,0无;根据PECVD石墨舟的搬运区域的存储区域的位置状态和石墨舟的冷却时间对存储区域上石墨舟进行移动及下料。
根据PECVD石墨舟的搬运区域的存储区域的位置状态和对应石墨舟的冷却时间对存储区域上石墨舟进行移动及下料包括两部分,第一部分为根据进出炉管存储区域中石墨舟的冷却时间将进出炉管存储区域中的石墨舟移动到上下料存储区域,第二部分为根据上下料存储区域中的石墨舟的冷却时间将上下料存储区域中的石墨舟进行移动及下料。
根据进出炉管存储区域中石墨舟的冷却时间将进出炉管存储区域中的石墨舟移动到上下料存储区域包括以下内容
当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间大于10min时,如果下料存储位N3和/或N4的位置状态为1,则将进出炉管存储区域的冷却时间大于10min石墨舟置于下料存储位N3和/或N4,如果下料存储位N3和 N4的位置状态都为0,则维持当前位置不变;
当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间大于5min且小于等于10min时,如果冷却存储位N2的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间大于5min且小于等于10min的石墨舟置于冷却存储位N2,如果冷却存储位N2的位置状态为0且冷却存储位N1的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间大于5min且小于等于10min的石墨舟置于冷却存储位N1,如果冷却存储位N1和冷却存储位N2的位置状态都为0,则维持当前位置不变; 当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间小于5min时,如果冷却存储位N1的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间小于5min的石墨舟置于冷却存储位N1,如果冷却存储位N1的位置状态为0,则维持当前位置不变。
根据上下料存储区域中的石墨舟的冷却时间将上下料存储区域中的石墨舟进行移动及下料包括以下内容 当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间大于12min时,如果下料存储位N3、N4任一位置状态为1,则将冷却存储位N1的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,如果下料存储位N3、N4任一位置状态都为0,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间小于等于12min大于等于5min时,如果冷却存储位N2位置状态为1,则将冷却存储位N1的石墨舟置于冷却存储位N2,如果冷却存储位N2位置状态为0,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间小于5min时,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;
当冷却存储位N2的石墨舟的冷却时间大于5min时,如果下料存储位N3、N4任一位置状态为1,则将冷却存储位N2的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,如果下料存储位N3、N4任一位置状态都为0,保持冷却存储位N2的石墨舟位置不变。
当下料存储位N3、N4位置状态只有存储位置状态为1时,选择该存储位置状态为1的存储位下料,当下料存储位N3、N4位置状态的存储位置状态都为1时,选择冷却时间长的存储位下料,当下料存储位N3、N4位置状态的存储位置状态都为0时,如果冷却存储位N2的存储位置状态为1,则选择将冷却存储位N2的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,然后进行下料。
本发明的有益效果是:通过将石墨舟存储位设定成不同功能性区域,从而实现石墨舟存储的分区控制、顺序响应,提高石墨舟存储效率。
附图说明
图1是本发明上下料存储区域和进出炉管存储区域位置示意图。
具体实施方式
一种PECVD石墨舟存储与下料方法,通过最佳的程序控制,通过机械手实现位置搬运和下料,可节省反应后石墨舟搬运时间,具体的技术方案如下:
如图1所示,石墨舟搬运区域包括上下料存储区域(共7个位置)、进出炉管存储区域(共4个位置)。将石墨舟上下料存储区域由上到下存储位置依次编号为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7,并划分为冷却存储位(N1、N2)、下料存储位(N3、N4)、上料存储区(N5、N6、N7);进出炉管存储区域由上到下存储位置依次编号为M1、M2、M3、M4;将石墨舟冷却时间定义为T,其中石墨舟的冷却时间从石墨舟反应完放置于进出炉管停放区域开始计时,冷却时间Tx代表X存储位置上对应石墨舟的冷却时间;将上下料存储区域、进出炉管停放区域存储位置状态依据有无石墨舟存放设置为1和0(1有,0无);
进出炉管存储区域上石墨舟的处理。判定M1、M2、M3、M4存储位置状态,如果为1,则将M1、M2、M3、M4存储位置上对应的石墨舟冷却时间Tm(包括Tm1、Tm2、Tm3、Tm4)按照时间长短进行区间判定。
如果Tm大于10min,首先判定下料存储位N3、N4的位置状态,如果为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的石墨舟放置于下料存储位N3、N4;如果为0,则判定冷却存储位N2位置状态,如果N2位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的石墨舟放置于冷却存储位N2;如果N2位置状态为0,则维持当前位置不变。
如果5min<Tm≤10min,首先判定冷却存储位N2的位置状态,如果为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的石墨舟放置于冷却存储位N2;如果为0,则判定冷却存储位N1位置状态,如果N1位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的石墨舟放置于冷却存储位N1;如果N1位置状态为0,则维持当前位置不变。
如果Tm≤5min,则判定冷却存储位N1位置状态,如果N1位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的石墨舟放置于冷却存储位N1;如果N1位置状态为0,则维持当前位置不变。
冷却存储位N1上石墨舟的处理。判定N1存储位置状态,如果为1,则将冷却存储位上石墨舟冷却时间Tn1进行区间判定。
如果5min<Tn1≤12min时,则判定冷却存储位N2位置状态,如果N2位置状态为1,则将N存储位置上的石墨舟移至N2存储位置;如果N2位置状态,为0,则维持当前存储位置不变。
如果Tn1>12min,则判定下料存储位N3、N4任一位置状态,如果N3、N4位置状态为1,则将N1存储位置上的石墨舟移至N3、N4存储位置;如果N3、N4位置状态为0,维持当前存储位置不变。
冷却存储位N2上石墨舟的处理。判定N2存储位置状态,如果为1,则将冷却存储位上石墨舟冷却时间Tn2进行区间判定。如果Tn2>12min,则判定下料存储位N3、N4任一位置状态,如果N3、N4位置状态为1,则将N存储位置上的石墨舟移至N3、N4存储位置;如果N3、N4位置状态为0,维持当前存储位置不变。
下料存储位N3、N4石墨舟的处理。判定N3、N4存储位置状态,如果为0,则按照存储位上石墨舟冷却时间Tn3、Tn4时间较长优先的原则,将存储位N3、N4上的石墨舟进行下料处理。
Claims (4)
1.一种PECVD石墨舟存储与下料方法,其特征在于:PECVD石墨舟的搬运区域包括上下料存储区域和进出炉管存储区域,其中,上下料存储区域从上至下有7个位置,依次编号为N1、N2、N3、N4、N5、N6、N7,编号N1和N2为冷却存储位,编号N3和N4为下料存储位,编号N5、N6、N7为上料存储位,进出炉管存储区域从上至下有4个位置,依次编号为M1、M2、M3、M4,石墨舟的冷却时间从石墨舟反应完置于PECVD石墨舟的搬运区域开始计时,冷却时间Tx代表X编号存储位置上对应石墨舟的冷却时间;将上下料存储区域、进出炉管存储区域位置状态依据有无石墨舟存放设置为1和0,1有,0无;根据PECVD石墨舟的搬运区域的存储区域的位置状态和石墨舟的冷却时间对存储区域上石墨舟进行移动及下料。
2.根据权利要求1所述的一种PECVD石墨舟存储与下料方法,其特征在于:根据PECVD石墨舟的搬运区域的存储区域的位置状态和对应石墨舟的冷却时间对存储区域上石墨舟进行移动及下料包括两部分,第一部分为根据进出炉管存储区域中石墨舟的冷却时间将进出炉管存储区域中的石墨舟移动到上下料存储区域,第二部分为根据上下料存储区域中的石墨舟的冷却时间将上下料存储区域中的石墨舟进行移动及下料。
3.根据权利要求2所述的一种PECVD石墨舟存储与下料方法,其特征在于:根据进出炉管存储区域中石墨舟的冷却时间将进出炉管存储区域中的石墨舟移动到上下料存储区域包括以下内容
当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间大于10min时,如果下料存储位N3和/或N4的位置状态为1,则将进出炉管存储区域的冷却时间大于10min石墨舟置于下料存储位N3和/或N4,如果下料存储位N3和 N4的位置状态都为0,则维持当前位置不变;
当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间大于5min且小于等于10min时,如果冷却存储位N2的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间大于5min且小于等于10min的石墨舟置于冷却存储位N2,如果冷却存储位N2的位置状态为0且冷却存储位N1的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间大于5min且小于等于10min的石墨舟置于冷却存储位N1,如果冷却存储位N1和冷却存储位N2的位置状态都为0,则维持当前位置不变; 当进出炉管存储区域中存在石墨舟的冷却时间小于5min时,如果冷却存储位N1的位置状态为1,则将对应M1、M2、M3、M4存储位上的冷却时间小于5min的石墨舟置于冷却存储位N1,如果冷却存储位N1的位置状态为0,则维持当前位置不变。
4.根据权利要求2所述的一种PECVD石墨舟存储与下料方法,其特征在于:根据上下料存储区域中的石墨舟的冷却时间将上下料存储区域中的石墨舟进行移动及下料包括以下内容 当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间大于12min时,如果下料存储位N3、N4任一位置状态为1,则将冷却存储位N1的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,如果下料存储位N3、N4任一位置状态都为0,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间小于等于12min大于等于5min时,如果冷却存储位N2位置状态为1,则将冷却存储位N1的石墨舟置于冷却存储位N2,如果冷却存储位N2位置状态为0,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;当冷却存储位N1的石墨舟的冷却时间小于5min时,保持冷却存储位N1的石墨舟位置不变;
当冷却存储位N2的石墨舟的冷却时间大于5min时,如果下料存储位N3、N4任一位置状态为1,则将冷却存储位N2的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,如果下料存储位N3、N4任一位置状态都为0,保持冷却存储位N2的石墨舟位置不变;
当下料存储位N3、N4位置状态只有存储位置状态为1时,选择该存储位置状态为1的存储位下料,当下料存储位N3、N4位置状态的存储位置状态都为1时,选择冷却时间长的存储位下料,当下料存储位N3、N4位置状态的存储位置状态都为0时,如果冷却存储位N2的存储位置状态为1,则选择将冷却存储位N2的石墨舟置于下料存储位N3、N4任一位置,然后进行下料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210286205.5A CN114717537B (zh) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 一种pecvd石墨舟存储与下料方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210286205.5A CN114717537B (zh) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 一种pecvd石墨舟存储与下料方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114717537A true CN114717537A (zh) | 2022-07-08 |
CN114717537B CN114717537B (zh) | 2023-08-22 |
Family
ID=82240074
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210286205.5A Active CN114717537B (zh) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 一种pecvd石墨舟存储与下料方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN114717537B (zh) |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0461146A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ移替装置 |
KR100594470B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 연속 공정이 가능한 반도체 제조 설비 |
KR20110098870A (ko) * | 2010-02-27 | 2011-09-02 | 이경식 | 급속열처리장치 및 열처리방법 |
WO2011139126A2 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 나노세미콘(주) | 웨이퍼 처리 장치와 그 방법 |
CN102534553A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-07-04 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种适应多管pecvd的自动上下料装卸系统 |
CN103088320A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 洛阳尚德太阳能电力有限公司 | 一种管式pecvd设备 |
CN206970714U (zh) * | 2017-07-10 | 2018-02-06 | 深圳丰盛装备股份有限公司 | 一种硅片上下料的缓存机构 |
WO2018103678A1 (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种具有倒片检测装置的石墨舟侧向出舟机构 |
CN108807247A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种石墨舟接驳缓存方法 |
CN109786502A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-21 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺 |
CN111599894A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 苏州拓升智能装备有限公司 | 一种适用于TOPCon电池的双石墨舟缓存冷却装置 |
CN113881928A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-04 | 通威太阳能(成都)有限公司 | 石墨舟搬运控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
-
2022
- 2022-03-23 CN CN202210286205.5A patent/CN114717537B/zh active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0461146A (ja) * | 1990-06-22 | 1992-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウエハ移替装置 |
KR100594470B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 연속 공정이 가능한 반도체 제조 설비 |
KR20110098870A (ko) * | 2010-02-27 | 2011-09-02 | 이경식 | 급속열처리장치 및 열처리방법 |
WO2011139126A2 (ko) * | 2010-05-07 | 2011-11-10 | 나노세미콘(주) | 웨이퍼 처리 장치와 그 방법 |
CN103088320A (zh) * | 2011-11-01 | 2013-05-08 | 洛阳尚德太阳能电力有限公司 | 一种管式pecvd设备 |
CN102534553A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-07-04 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 一种适应多管pecvd的自动上下料装卸系统 |
WO2018103678A1 (zh) * | 2016-12-07 | 2018-06-14 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种具有倒片检测装置的石墨舟侧向出舟机构 |
CN206970714U (zh) * | 2017-07-10 | 2018-02-06 | 深圳丰盛装备股份有限公司 | 一种硅片上下料的缓存机构 |
CN108807247A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-13 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 一种石墨舟接驳缓存方法 |
CN109786502A (zh) * | 2018-12-28 | 2019-05-21 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种用于多晶太阳能电池的石墨舟饱和工艺 |
CN111599894A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-28 | 苏州拓升智能装备有限公司 | 一种适用于TOPCon电池的双石墨舟缓存冷却装置 |
CN113881928A (zh) * | 2021-10-20 | 2022-01-04 | 通威太阳能(成都)有限公司 | 石墨舟搬运控制方法、装置、电子设备及存储介质 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
周炳海: "基于晶圆优先级的连续型Interbay搬运系统性能分析", 浙江大学学报, vol. 49, no. 2, pages 296 - 302 * |
岳军;: "石墨舟上下料机的研制", 电子工艺技术, no. 06, pages 361 - 364 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114717537B (zh) | 2023-08-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1025278B1 (en) | Vertically-stacked process reactor and cluster tool system for atomic layer deposition | |
CN102084462B (zh) | 用于降低钨粗糙度并改进反射率的方法 | |
US9159571B2 (en) | Tungsten deposition process using germanium-containing reducing agent | |
US9589808B2 (en) | Method for depositing extremely low resistivity tungsten | |
US8853080B2 (en) | Method for depositing tungsten film with low roughness and low resistivity | |
CN108461374B (zh) | 用于远程等离子体处理的室调节 | |
TWI536458B (zh) | 沈積超薄低電阻率鎢膜用於小臨界尺寸接點及互連線之方法 | |
TWI446404B (zh) | 半導體裝置的製造方法、清潔方法及基板處理裝置 | |
US20050031786A1 (en) | Method for reducing tungsten film roughness and improving step coverage | |
WO2008062663A1 (fr) | Procédé de fabrication de cellule solaire et appareil de fabrication de cellule solaire | |
JPH11176770A (ja) | 半導体デバイスの金属層形成方法 | |
US8261762B2 (en) | Processing gas supplying system and processing gas supplying method | |
JP2003508932A (ja) | 薄膜を成長させる、改良された装置および方法 | |
US20230130557A1 (en) | Reactant gas pulse delivery | |
CN101680087A (zh) | 原子层沉积技术 | |
CN108149225A (zh) | 一种真空反应装置及反应方法 | |
US20220364232A1 (en) | Tungsten deposition | |
CN114717537A (zh) | 一种pecvd石墨舟存储与下料方法 | |
US9236467B2 (en) | Atomic layer deposition of hafnium or zirconium alloy films | |
CN113745131B (zh) | 多层外延工艺及其线性平台设备 | |
CN207933525U (zh) | 一种真空反应装置及反应腔 | |
CN118109803A (zh) | 原子层沉积设备及其方法 | |
JPS596941A (ja) | プラズマによる多重膜成長用化学気相生成装置 | |
JPS63161172A (ja) | 気相成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |