WO2011122348A1

WO2011122348A1 - 非接触給電システム

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Publication number: WO2011122348A1
Application number: PCT/JP2011/056256
Authority: WO
Inventors: 秀明安倍
Original assignee: パナソニック電工株式会社
Priority date: 2010-03-30
Filing date: 2011-03-16
Publication date: 2011-10-06
Also published as: KR20120137382A; EP2555378B1; CN102835003B; EP2555378A1; TWI477022B; JP2011211874A; CN102835003A; US9203244B2; US20130015705A1; KR101423854B1; TW201218570A; JP5478326B2; EP2555378A4

Abstract

　複数の機器や異なる機器を同時に非接触給電するこのできる非接触給電システムを提供する。複数の１次コイルＬ１が同一面状に配置され、各１次コイルＬ１に対してそれぞれ給電モジュールＭが設けられた。また、各給電モジュールＭは、システム制御部８は、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを送信した給電モジュールＭに対して、１次コイルＬ１の連続励磁を許可する許可信号ＥＮを送信する。載置面に機器Ｅが載置された時、機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１だけを連続励磁することにより、載置面に載置された複数の機器Ｅを同時に給電することができる。

Description

非接触給電システム

　本発明は、非接触給電システムに関する。

　従来、ＡＶ器等を見ると、信号通信のための何本ものコードが機器に接続されている。これら何本ものコードによって、機器の配置の自由度を損ね、美観を損なうとともに、埃がつきやすく、掃除がし難いといった問題があった。しかし、近年、信号通信では、無線化が進み、無線化により信号通信のためのこれらコードを無くすことができるようになっている。

　しかし、無線化が進み、これら信号通信のためのこれらコードが無くなっても、電力を送受するコードは未だに存在するため、その太くて長いコードに関する問題の大半が残っていた。

　例えば、携帯電話やパソコン、モバイル機器等の、コードレスで自由に持ち運びできる機器においては、充電を必要とするため、ＡＣアダプタを用いてコンセントに差し込んで充電が行われる。そのため、ＡＣアダプタの充電用コードがコンセントまで延びるため、コンセント回りの美観が損われ、コードは足を引っ掛けやすかった。

　特に、家庭内においては、多数の携帯電話が一度に充電を行われることが多々あり、その場合には、アダプタの数が多くなり、さらに、充電時のコンセントまわりの美観が損われ、複雑に絡んだコードは足を引っ掛けやすく、複雑に絡んだコードを解くのに手間がかかっていた。

　また、ＡＣアダプタは、携帯電話の付属品であるため、携帯電話毎に付けなければならない。これにより、ＡＣアダプタの分携帯電話のコストを高くするとともに、ＡＣアダプタのコードに多く含まれる銅等の資源を枯渇させるという問題が生じる。

　このような背景から、電源コードを無くし、非接触無接点の給電を行う技術が提案されている。特に、電磁誘導による方法では（例えば、特許文献１）、電動歯ブラシや電気シェーバ（１９９８年発売）、携帯電話の充電機器として実用化が始まっている。そして、特許文献１では、給電する機器を認識するための信号通信等による機器認証技術が採用されており、特定の機器のみを非接触給電することが可能である。

　また、機器が置かれていないときの待機電力を削減するために、給電装置の１次コイルからの機器の２次コイルに向けた励磁を間欠的に行う方法も採用されている。機器には内部に電源を持たない場合がある。機器給電面に電源が装着されていることを確認するために、時々電力供給が行わなければならず、間欠発振等で対応している。

特開２０００－３２５４４２号公報

　しかしながら、これらの給電装置は、１つの機器に対して給電することができるだけであって、他の機器を合わせて同時に給電することや、同時に複数台の充電することができない。そのため、複数の給電装置が必要になり、給電装置のためのコードが多くなるため、従前と同じような問題が生じる。

　本発明の目的は、複数の機器や異なる機器を同時に非接触給電することのできる非接触給電システムを提供することにある。

　請求項１に記載の発明は、１次コイルを備えるとともに、前記１次コイルの励磁を要求する励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する給電モジュールを備えた給電装置と、２次コイルを備えるとともに、前記給電装置の１次コイルに対して前記励磁を要求する励磁要求信号を送信する送信回路を備えた機器とからなり、前記機器を給電装置上に配置した時、前記給電装置の１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて載置した前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給するようにした非接触給電システムであって、前記給電装置は、前記１次コイルが、面状または線状に複数併設され、その各１次コイルに対して前記給電モジュールをそれぞれ設けるとともに、各給電モジュールを統括制御するシステム制御部を備え、前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から送信された励磁を要求する励磁要求信号を１又は複数の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１又は複数の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を送信する。

各種機器が載置された状態を示す給電装置の全体斜視図である。１次コイルの配列状態を示す説明図である。給電装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。高周波インバータ回路図である。第１励磁同期信号及び第２励磁同期信号の出力波形図である。高周波インバータ回路の出力波形図である。高周波インバータ回路の出力波形図である。１つの機器が複数の１次コイル上に載置された状態を説明する説明斜視図である。１つの機器が複数の給電モジュールに対してデータ送信する状態を説明する説明斜視図である。システム制御部の処理動作を示すフローチャートである。第２実施形態の物体検出センサを設けた給電装置の全体斜視図である。第２実施形態の給電装置の電気的構成を示す電気ブロック回路図である。第２実施形態の動作を説明するためのフローチャートである。第３実施形態の給電モジュールの高周波インバータ回路である。第３実施形態の第１及び第２切替回路の電気回路図である。第３実施形態の低周波用励磁同期信号及び高周波用励磁同期信号の出力波形図である。第３実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。第４実施形態の給電モジュールの高周波インバータ回路である。第４実施形態の切替回路も説明数電気回路図周である。第４実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。第５実施形態の給電モジュールの電気ブロック回路図である。第５実施形態の各信号の出力波形図である。第５施形態の別例を説明するための各信号の出力波形図である。第６施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。第６実施形態の動作を説明するための各信号の出力波形図である。第７実施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。第８実施形態の高周波インバータ回路の出力波形図である。第９実施形態の給電装置の１次コイルの配列状態を示す説明図である。第１０実施形態の給電装置が配置された室内を示す説明図である。第１０実施形態の床下に収容される給電装置を説明する説明図である。第１０実施形態の給電を受ける機器が配置される室内を示す説明図である。第１０実施形態の給電を受ける機器が変更して配置された室内を示す説明図である。第１０実施形態の別例を示す幅木に収容される給電装置を説明する説明図である。第１０実施形態の別例を示す給電を受ける各種の機器が配置される室内を示す説明図である。第１１実施形態の給電装置の１次コイルの配列状態を示す説明図である。第１１実施形態の別例を示す手すりに収容される給電装置を説明図である。第１２実施形態の給電モジュールと機器の電気ブロック回路である。第１３実施形態の中継器が配置された室内を示す説明図である。第１３実施形態の中継器を説明するための電気ブロック回路である。第１３実施形態の別例を示す中継器が配置された室内を示す説明図である。

（第１実施形態）
　以下、本発明の非接触給電システムを具体化した第１実施形態の給電装置が図面に従って説明される。

　図１は、給電装置１と、その給電装置１から非接触給電される機器Ｅとの全体斜視図を示す。給電装置１の筺体２は、四角形状に形成された底板３を有する。その底板３の四方から側板４が上方に向かって延出形成される。その各側板４によって上方に向かって開口した開口部は、強化ガラスよりなる天板５で閉塞することによって形成されている。そして、天板５の上面が、機器Ｅを載置する載置面６となる。また、底板３、各側板４、及び天板５で形成される空間（筺体２内）には、図２に示すように、天板５の載置面６に載置された各種の機器Ｅには、非接触給電するための複数の給電モジュールＭが内蔵されている。

　筺体２内に設けられた各給電モジュールＭは、それぞれ対応する１次コイルＬ１に接続されている。各１次コイルＬ１は、図２に示すように、本実施形態では４８個であって、６個の１次コイルＬ１が、天板５の載置面６と平行にＸ方向に並ぶように配置され、８個の１次コイルＬ１が、天板５の載置面６と平行にＹ方向に並ぶように配置されている。従って、給電モジュールＭは４８個である。

　筺体２内に配置された各１次コイルＬ１は、筺体２内において天板５の下面に接触するくらいに近接した位置に配置固定されている。各１次コイルＬ１の下方位置の底板３には、当該１次コイルＬ１を励磁駆動制御するための給電モジュールＭがそれぞれ実装配置されている。そして、各１次コイルＬ１は、単独でまたは他の１次コイルＬ１と協働して励磁駆動し、載置面６に載置された機器Ｅに対して非接触給電をする。

　また、図２に示すように、各１次コイルＬ１の外側には、当該１次コイルＬ１を囲むように信号受信アンテナＡＴ１がそれぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと、信号受信アンテナＡＴ１を介して対応する給電モジュールＭとの間で、無線通信にてデータ又は情報の授受がそれぞれ行われる。

　また、図２に示すように、各１次コイルＬ１の内側には、金属検出アンテナＡＴ２がそれぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと１次コイルＬ１（当該金属検出アンテナＡＴ２を内包した１次コイルＬ１）との間に配置された金属片７が、金属検出アンテナＡＴ２によって検知される。また、各１次コイルＬ１のＸ方向の両外側の１次コイルＬ１の外部近傍にも金属検出アンテナＡＴ２がそれぞれ配置固定されている。そして、載置面６に載置された機器Ｅと１次コイルＬ１（当該金属検出アンテナＡＴ２の近傍に位置した１次コイルＬ１）との間に配置された金属片７が、金属検出アンテナＡＴ２によって検知される。

　また、筺体２内には、各１次コイルＬ１をそれぞれ励磁駆動する各給電モジュールＭを統括制御し、且つマイクロコンピュータよりなるシステム制御部８が実装されている。そして、各信号受信アンテナＡＴ１にて受信したデータ又は情報は、それぞれの給電モジュールＭを介してシステム制御部８に送信される。また、各金属検出アンテナＡＴ２にて金属片７を検知したかどうかを示す金属検出信号ＳＴは、それぞれの給電モジュールＭを介してシステム制御部８に送信される。

　給電装置１の載置面６に載置された機器Ｅは、２次コイルＬ２を有している。各機器Ｅの２次コイルＬ２は、図２に示すように、給電装置１の１次コイルＬ１の励磁を介して励磁給電される。各機器Ｅの２次コイルＬ２は、その給電された２次電力を、機器Ｅの負荷Ｚに供給する。

　また、図２に示すように、機器Ｅの２次コイルＬ２の外側には、送受信アンテナＡＴ３が当該２次コイルＬ２を囲むように巻回されている。そして、機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置されたとき、機器Ｅは、機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１を囲む信号受信アンテナＡＴ１を介して該１次コイルＬ１を励磁駆動制御する給電モジュールＭとの間で、無線通信にてデータ又は情報の授受を行う。

　ここで、１次コイルＬ１のサイズは、機器Ｅが載置面６に載置されたとき、機器Ｅの２次コイルＬ２の直下に位置する１以上の１次コイルＬ１が２次コイルＬ２の領域に内包されるように設定されている。

　次に、給電装置１及び機器Ｅの電気的構成が図３に従って説明される。
　図３において、機器Ｅには、送信回路としての機器側送受信回路９が備えられている。
　機器側送受信回路９は、送受信アンテナＡＴ３に接続されている。機器側送受信回路９は、給電装置１にて給電が受けられる機器Ｅであることを示す機器認証信号ＩＤ、及び、給電装置１に対して給電を要求する励磁要求信号ＲＱを生成する。そして、機器側送受信回路９は、その生成した機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを、送受信アンテナＡＴ３を介して給電装置１に送信する。

　ここで、機器Ｅは、２次コイルＬ２に発生する２次電力にて駆動し、且つ機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを生成して給電装置１に送信できる機器であればよい。従って、機器Ｅは、２次コイルＬ２に発生する２次電力を、整流回路にて整流して、その整流した直流電源を使って該機器Ｅを載置面６上で駆動したり、又は２次電力をそのまま交流電源として使って該機器を載置面６上で駆動したりしてもよい。また、機器Ｅは、２次コイルＬ２に発生する２次電力を整流回路にて整流し、その整流した直流電源を使って内蔵する充電電池（２次電池）を充電してもよい。

　尚、内蔵した２次電池（充電電池）を充電するための携帯電話、及びノート型パソコン等の機器Ｅにおいて、機器側送受信回路９は、２次電池の充電が完了した時、充電完了前まで送信していた機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱのうちの励磁要求信号ＲＱを消失させて、機器認証信号ＩＤだけを送信させる機能を備えてもよい。

　また、タイマを備えた機器Ｅにおいて、機器側送受信回路９は、給電を受けてタイマでセットした時間だけ駆動し、セットした時間が経過した時に時間が経過する前まで送信していた機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱのうちの励磁要求信号ＲＱを消失させて、機器認証信号ＩＤだけを送信させる機能を備えてもよい。

　図３において、各１次コイルＬ１に対して設けられた各給電モジュールＭは、励磁要求受信回路１１、機器認証受信回路１２、金属検出回路１３、励磁制御回路１４、及び高周波インバータ回路１５を備えている。

　励磁要求受信回路１１は、該給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に接続される。励磁要求受信回路１１は、該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置された機器Ｅから送信された送信信号を、信号受信アンテナＡＴ１を介して受信する。励磁要求受信回路１１は、受信された送信信号から給電を要求する励磁要求信号ＲＱを抽出する。そして、励磁要求受信回路１１は、送信信号から励磁要求信号ＲＱを抽出すると、その励磁要求信号ＲＱを励磁制御回路１４に送信する。

　機器認証受信回路１２は、該給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に接続される。機器認証受信回路１２は、該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置された機器Ｅから送信された送信信号を、信号受信アンテナＡＴ１を介して受信する。機器認証受信回路１２は、受信された送信信号から給電可能な機器Ｅであることを示す機器認証信号ＩＤを抽出する。そして、機器認証受信回路１２は、送信信号から機器認証信号ＩＤを抽出すると、その機器認証信号ＩＤを励磁制御回路１４に送信する。

　金属検出回路１３は、該給電モジュールＭの１次コイルＬ１内及び近傍に配置された金属検出アンテナＡＴ２に接続されている。金属検出回路１３は、金属検出アンテナＡＴ２を介して該給電モジュールＭの直上または近傍の載置面６に金属片７が載置されているかどうかを検知する。そして、金属検出回路１３は、載置面６に金属片７が載置されていることを検知すると、金属検出信号ＳＴを励磁制御回路１４に送信する。

　励磁制御回路１４は、励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱ、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤ、及び金属検出回路１３からの金属検出信号ＳＴを受信する。そして、励磁制御回路１４は、励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ、及び金属検出信号ＳＴを、自身の給電モジュールＭを識別するモジュール識別信号を付加して、システム制御部８に送信する。

　励磁制御回路１４は、システム制御部８に励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ、及び金属検出信号ＳＴを送信して、システム制御部８から許可信号ＥＮを待つ。
　システム制御部８は、（１）励磁要求信号ＲＱを受信している場合、（２）機器認証信号ＩＤを受信している場合には、当該給電モジュールＭに接続された１次コイルＬ１を給電するために、励磁駆動させる許可信号ＥＮを励磁制御回路１４に送信する。そして、励磁制御回路１４は、システム制御部８からの許可信号ＥＮを受信すると、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させる駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に送信する。

　なお、システム制御部８は、上記した条件（１）（２）が成立していても、励磁制御回路１４から金属検出信号ＳＴが受信されたときには、許可信号ＥＮを送信しない。この場合、励磁制御回路１４は、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させるための駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に送信しない。

　さらに、システム制御部８は、許可信号ＥＮの送信中に、励磁制御回路１４からの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤの少なくとも１つが受信されなくなったときには、許可信号ＥＮの送信を終了する。従って、この場合にも、励磁制御回路１４は、駆動制御信号ＣＴを高周波インバータ回路１５に送信しない。

　高周波インバータ回路１５は、該給電モジュールＭの１次コイルＬ１に接続されている。そして、高周波インバータ回路１５は、駆動制御信号ＣＴに基づいて１次コイルＬ１を励磁駆動させる。

　詳述すると、高周波インバータ回路１５は、励磁制御回路１４から１次コイルＬ１を励磁駆動させるための駆動制御信号ＣＴを受信すると、高周波インバータ回路１５は、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させる。

　従って、給電装置１にて給電可能な機器Ｅが該給電モジュールＭの直上の載置面６に載置され、同機器Ｅから機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱが送信され、且つ同機器Ｅの近傍に金属片が無い場合には、１次コイルＬ１は、高周波インバータ回路１５にて励磁駆動される。即ち、この場合、１次コイルＬ１は、非接触給電により機器Ｅに２次電力を供給すべく励磁駆動される。

　図３に示すように、高周波インバータ回路１５は、発振回路１６と励磁同期信号発生回路１７を備えている。発振回路１６は、１次コイルＬ１に接続され、同１次コイルＬ１を励磁駆動する。

　図４は、発振回路１６の回路構成を示す。
　発振回路１６は、ハーフブリッジ型の部分共振回路である。発振回路１６には、給電装置１に設けられた電源電圧Ｇとグランドとの間に、互いに直列に接続された第１コンデンサＣ１及び第２コンデンサＣ２からなる分圧回路が設けられている。この分圧回路には、駆動回路が並列に接続されている。駆動回路は、互いに直列に接続された第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とからなる直列回路である。また、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは、本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴよりなり、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２との各ソース・ドレイン間には、それぞれフライホイール用のダイオードＤ１，Ｄ２が接続されている。

　そして、第１コンデンサＣ１と第２コンデンサＣ２との接続点（ノードＮ１）と、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２との接続点（ノードＮ２）との間に、１次コイルＬ１が接続される。尚、１次コイルＬ１には、コンデンサＣ３が並列接続されている。

　第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２は、本実施形態では、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴよりなる。第１パワートランジスタＱ１の制御端子としてのゲート端子には、第１アンド回路２１が接続され、第２パワートランジスタＱ２の制御端子としてのゲート端子には、第２アンド回路２２が接続されている。

　第１アンド回路２１は、２入力端子のアンド回路である。第１アンド回路２１の第１入力端子には、論理信号である第１励磁同期信号Ｖｓ１が受信される。
　詳述すると、第１励磁同期信号Ｖｓ１は、予め定められた周期Ｔｓ１を有する論理信号である。図５に示すように、第１励磁同期信号Ｖｓ１では、ハイの時間ｔａ１がローの時間ｔｂ１より短く設定されている。そして、この第１励磁同期信号Ｖｓ１は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。

　また、第１アンド回路２１の第２入力端子には、第１オア回路２３からの第１出力信号Ｖｒｓ１が受信される。
　第１オア回路２３は、２入力端子のオア回路である。第１オア回路２３の第１入力端子には、図６に示すような、間欠的にハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが受信される。

　詳述すると、間欠ハイ信号Ｖｓｔは、本実施形態では、図６に示すように、第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１より６倍長い周期Ｔｓｔ（＝６Ｔｓ１）を有する。間欠ハイ信号Ｖｓｔは、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイからローに立ち下がって後、ハイに立ち上がり、そのハイに立ち上がった後、２個目の第１励磁同期信号Ｖｓ１が立ち上がる直前にローに立ち下がる。そして、ローに立ち下がった後に送信される５個目の第１励磁同期信号Ｖｓ１が立ち下がった後に、次の間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイに立ち上がる。ここで、間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイ・レベルになっている時間は、ハイ時間ｔｘと呼称される。

　そして、この間欠ハイ信号Ｖｓｔは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。
　また、第１オア回路２３の第２入力端子には、励磁同期信号発生回路１７から図７に示すようなインバータ制御信号Ｖｓｓが受信される。

　励磁同期信号発生回路１７は、励磁制御回路１４からの駆動制御信号ＣＴを受信しているときに、給電のために１次コイルＬ１を励磁駆動させるためのハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に送信する。

　尚、励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴが受信されていない時、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを送信しない。
　例えば、載置面６に機器Ｅが載置されていない時（励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信していないとき）、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に送信しない。この場合、第１オア回路２３の第１入力端子には、周期Ｔｓｔごとにハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが受信され、第１オア回路２３は、間欠ハイ信号Ｖｓｔの論理値と同じ論理値を有する第１出力信号Ｖｒｓ１を、次段の第１アンド回路２１に送信する。

　従って、図６に示すように、第１アンド回路２１は、この周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている時、第１励磁同期信号Ｖｓ１の論理値と同じ論理値を有する第１オンオフ信号Ｖｇ１を第１パワートランジスタＱ１のゲートに送信する。その結果、第１パワートランジスタＱ１は、このハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信される間だけ、第１オンオフ信号Ｖｇ１（第１励磁同期信号Ｖｓ１）に応答して間欠的にオンする。

　因みに、金属片７が載置され、且つ上記した条件（１）（２）が成立している場合、励磁同期信号発生回路１７は、駆動制御信号ＣＴを受信して、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第１オア回路２３に送信する。そして、第１オア回路２３は、このハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを受信し、第１オア回路２３は、インバータ制御信号Ｖｓｓの論理値と同じ論理値を有する第１出力信号Ｖｒｓ１を、次段の第１アンド回路２１に送信する。

　従って、図７に示すように、第１アンド回路２１には、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが送信されている間、予め決められた周期Ｔｓ１で送信されている第１励磁同期信号Ｖｓ１が受信され、第１アンド回路２１は、第１励磁同期信号Ｖｓ１の論理値と同じ論理値を有する第１オンオフ信号Ｖｇ１を、第１パワートランジスタＱ１のゲートに送信する。その結果、第１パワートランジスタＱ１は、第１励磁同期信号Ｖｓ１で決まる周期Ｔｓ１でオンオフする。

　一方、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子には、第２アンド回路２２が接続されている。第２アンド回路２２は、２入力端子のアンド回路である。第２アンド回路２２の第１入力端子には、論理信号である第２励磁同期信号Ｖｓ２が受信される。

　詳述すると、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、予め定められた周期Ｔｓ２（＝Ｔｓ１）を有する論理信号である。図５に示すように、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１と同じ周期を有する。また、第２励磁同期信号Ｖｓ２は、第１励磁同期信号Ｖｓ１と同様に、ハイの時間ｔａ２（＝ｔａ１）がローの時間ｔｂ２（＝ｔｂ１）より短く設定され、第１励磁同期信号Ｖｓ１と反転した関係を有する。

　すなわち、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイのとき、第２励磁同期信号Ｖｓ２はローであり、第１励磁同期信号Ｖｓ１がローのとき、第２励磁同期信号Ｖｓ２はハイである。
　また、ここでは、第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２の各々は、ハイの時間ｔａ１，ｔａ２がローの時間ｔｂ１，ｔｂ２より短く設定されている。従って、第１励磁同期信号Ｖｓ１がハイからローに立ち下がって、第２励磁同期信号Ｖｓ２がローからハイに立ち上がるまでの間、及び、第２励磁同期信号Ｖｓ２がハイからローに立ち下がって、第１励磁同期信号Ｖｓ１がローからハイに立ち上がるまでの間、第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２の各々が、共にロー・レベルになるデッドタイムｔｄに設定されている。このデッドタイムｔｄを設けることによって、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とのソフトスイッチングが可能となる。

　尚、この第２励磁同期信号Ｖｓ２は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。
　また、第２アンド回路２２の第２入力端子には、第２オア回路２４からの第２出力信号Ｖｒｓ２が受信される。

　第２オア回路２４は、２入力端子のオア回路である。第２オア回路２４の第１入力端子には、間欠ハイ信号Ｖｓｔが受信される。また、第２オア回路２４の第２入力端子には、同様に、励磁同期信号発生回路１７からインバータ制御信号Ｖｓｓが受信される。

　従って、第２オア回路２４には、励磁同期信号発生回路１７が励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴを受信しているとき（上記した条件（１）（２）が成立しているとき）、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが受信される。

　また、第２オア回路２４は、励磁同期信号発生回路１７が励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴを受信していないとき（上記した条件（１）（２）が成立していないとき）、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが受信されない。

　そして、第２オア回路２４の第１入力端子には、周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルとなる間欠ハイ信号Ｖｓｔが受信され、第２オア回路２４は、間欠ハイ信号Ｖｓｔの論理値と同じ論理値の第２出力信号Ｖｒｓ２を、次段の第２アンド回路２２に送信する。

　従って、第２アンド回路２２は、この周期Ｔｓｔ毎にハイ時間ｔｘだけハイ・レベルの間欠ハイ信号Ｖｓｔを受信している時には、図６に示すように、第２励磁同期信号Ｖｓ２の論理値と同じ論理値の第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第２パワートランジスタＱ２のゲートに送信する。その結果、第２パワートランジスタＱ２は、周期Ｔｓｔの間隔で間欠ハイ信号Ｖｓｔがハイ・レベルのハイ時間ｔｘの間、第２オンオフ信号Ｖｇ２（第２励磁同期信号Ｖｓ２）に応答して間欠的にオンする。

　これによって、たとえば、載置面６に機器Ｅが載置されていない時（励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信していないとき）には、高周波インバータ回路１５の第１パワートランジスタＱ１は、間欠ハイ信号Ｖｓｔで決まる第１励磁同期信号Ｖｓ１に応じてオンオフし、第２パワートランジスタＱ２は、間欠ハイ信号Ｖｓｔで決まる第２励磁同期信号Ｖｓ２に応じてオンオフする。

　つまり、第１励磁同期信号Ｖｓ１の波形と第２励磁同期信号Ｖｓ２の波形とが互いに反転した関係にあることから、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２は交互に、しかも、間欠的にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２との交互で、しかも、間欠的なオンオフによって、１次コイルＬ１は、間欠的に励磁駆動される。

　従って、載置面６に機器Ｅが載置されていない待機状態においては、給電装置１の各１次コイルＬ１は、連続励磁されているのではなく間欠的に励磁駆動されている。
　因みに、金属片７が載置されず、且つ上記した条件（１）（２）が成立している場合、励磁同期信号発生回路１７は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓを第２オア回路２４に送信する。そして、第２オア回路２４には、このハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが受信され、第２オア回路２４は、ハイ・レベルの第２出力信号Ｖｒｓ２を次段の第２アンド回路２２に送信する。

　従って、第２アンド回路２２は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが送信されている間、図７に示すように、予め決められた周期Ｔｓ２の第２励磁同期信号Ｖｓ２の論理値と同じ論理値を有する第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第２パワートランジスタＱ２のゲートに送信する。その結果、第２パワートランジスタＱ２は、第２励磁同期信号Ｖｓ２で決まる周期でオンオフすることになる。

　これによって、金属片７が載置されず、且つ上記した条件（１）（２）が成立している場合、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが送信されている間、第１パワートランジスタＱ１は、第１励磁同期信号Ｖｓ１に応じてオンオフし、第２パワートランジスタＱ２は、第２励磁同期信号Ｖｓ２に応じてオンオフする。

　つまり、上記した条件（１）（２）が成立している間、第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２の論理値と同じ論理値を有する第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２の波形は、互いに反転した関係を有する。そのため、高周波インバータ回路１５の第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは、上記した条件（１）（２）が成立している間、交互にオンオフする。

　そして、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２の各ソース・ドレイン間には、励磁電圧ＶＤ１，ＶＤ２がそれぞれ発生される。
　従って、給電のために機器Ｅが載置面６に載置された時には、給電装置１の機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１は、連続的に励磁駆動される。

　各給電モジュールＭを統括制御するシステム制御部８は、マイクロコンピュータを備え、全ての給電モジュールＭと電気的に接続されている。システム制御部８には、各給電モジュールＭの励磁制御回路１４から、自身のモジュール識別信号を付加した励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ及び金属検出信号ＳＴが受信される。

　システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４からの励磁要求信号ＲＱ、及び機器認証信号ＩＤに基づいて、給電可能であり、且つ給電を要求している機器Ｅが該給電モジュールＭの直上に載置されているかどうかを判断する。

　そして、システム制御部８は、給電モジュールＭの励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信したとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを送信する。つまり、システム制御部８は、該給電モジュールＭの直上に給電可能であり、且つ給電を要求している機器Ｅが載置されたことを判断して、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを送信する。

　なお、図８に示すように、給電可能であって給電を要求している機器Ｅのサイズが大きくて、且つ機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置されるとき、２個以上の１次コイルＬ１が機器Ｅの直下に位置する場合がある。

　この場合、機器Ｅの直下に位置する各１次コイルＬ１に対応する各給電モジュールＭは、図９に示すように、それぞれ個々に当該機器Ｅの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信してシステム制御部８に送信する。

　システム制御部８は、各給電モジュールＭからのモジュール識別信号が付加された励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて、各給電モジュールＭの直上に載置された機器Ｅは同一の機器かどうかを判定する。

　このとき、機器Ｅのサイズが大きい場合、各モジュールＭのモジュール識別信号及び機器認証信号ＩＤに基づいて、システム制御部８は、離間しないで隣合う給電モジュールＭの集合体により判別できる。

　そして、システム制御部８は、載置された機器Ｅの直下に位置し励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを送信してきた各給電モジュールＭに対して、許可信号ＥＮを同時に送信する。

　従って、複数の給電モジュールＭが協働して複数の１次コイルＬ１を励磁させることにより、サイズの大きい１つの機器Ｅに対して給電が行われる。
　また、２個以上の給電を要求している機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置される場合がある。

　この場合、各機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１に対応する給電モジュールＭは、それぞれ対応する機器に対する励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信し、受信した励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤをシステム制御部８に送信する。

　システム制御部８は、各給電モジュールＭからのモジュール識別信号が付加された励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて、各給電モジュールＭの直上に載置された機器Ｅが１個ではなく２個以上載置されているかどうかを判定する。

　このとき、機器Ｅが２個以上の場合、各給電モジュールＭのモジュール識別信号及び機器認証信号ＩＤに基づいて、システム制御部８は、各機器Ｅが互いに離間した位置にあることにより判別できる。

　そして、システム制御部８は、載置された２個以上の機器Ｅの直下に位置し励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを送信してきた各給電モジュールＭに対して、許可信号ＥＮをそれぞれ送信する。従って、各機器Ｅに対応した給電モジュールＭが、１次コイルＬ１をそれぞれ励磁して、各機器Ｅに対して給電をそれぞれ行う。

　また、システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４からの金属検出信号ＳＴに基づいて、該給電モジュールＭの直上に金属片７が載置されていることを判断する。システム制御部８は、給電モジュールＭの励磁制御回路１４から金属検出信号ＳＴを受信しているとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを送信しない。つまり、システム制御部８は、該給電モジュールＭの直上に金属片７が載置されていると判断して、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に許可信号ＥＮを送信しない。

　従って、給電可能であって給電を要求している機器Ｅが給電装置１の載置面６に載置されていても、機器Ｅと載置面６との間に金属片７が挟まれている場合には、システム制御部８は、許可信号ＥＮを送信しない。

　これは、金属片７の誘導加熱を防止するためである。
　尚、上記した２個以上の１次コイルＬ１を使って給電するサイズの大きい機器Ｅを載置し、且つ各１次コイルＬ１に対応して設けられた給電モジュールＭの少なくとも１つから金属検出信号ＳＴがシステム制御部８に送信される場合がある。この場合には、システム制御部８は、対応する全ての給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮを送信しない。従って、載置されたサイズの大きい機器Ｅは給電されない。

　また、２個以上の機器Ｅが載置される場合、２個以上の機器Ｅがそれぞれ判断されることにより、金属片７が検出された機器Ｅを給電する給電モジュールＭに、許可信号ＥＮが送信されない。つまり、金属片７が挟まれたほうの機器Ｅのみが励磁を停止され、金属片７が挟まれていない方の機器Ｅは給電が継続される。

　システム制御部８は、前記した第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成する図示しない信号発生回路を備えている。システム制御部８は、給電装置１の電源スイッチ（図示せず）をオンさせたとき、信号発生回路を駆動させて、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成させる。そして、システム制御部８は、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に送信する。

　従って、全ての給電モジュールＭは、許可信号ＥＮを受信していない状態（例えば待機状態）において、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５は、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを受信し続ける。このため、給電装置１の各１次コイルＬ１は、連続励磁されているのではなく間欠的に励磁駆動されている。

　次に、上記のように構成した給電装置１の作用が、図１０に示すマイクロコンピュータよりなるシステム制御部８の処理動作を示すフローチャートに従って説明される。
　図示しない電源スイッチがオンされて、給電装置１に電源が供給されると（ステップＳ１－１でＹＥＳ）、１次コイルＬ１が間欠的に励磁駆動される。すなわち、システム制御部８は、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に対して、１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させるための第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを送信する（ステップＳ１－２）。

　これによって、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５は、１次コイルＬ１を間欠的に励磁する。そして、システム制御部８は、各給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待つ（ステップＳ１－３）。システム制御部８は、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを受信するまで、ステップＳ１－２及びステップＳ１－３を繰り返し、各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を継続する。即ち、給電モジュールＭは、待機状態となる。

　やがて、機器Ｅが置かれた場合、機器Ｅは、給電装置１の１次コイルＬ１の間欠励磁によって僅かな２次給電電力を得て機器側送受信回路９を働かせる。具体的には、機器Ｅは、機器側送受信回路９にて生成した機器Ｅの機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを、送受信アンテナＡＴ３を介して機器Ｅの直下に位置する給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に向かって送信する。

　そして、信号受信アンテナＡＴ１が、機器Ｅから機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを受信する。励磁要求受信回路１１で励磁要求信号ＲＱが抽出され、機器認証受信回路１２で機器認証信号ＩＤが抽出される。励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが励磁制御回路１４を介してシステム制御部８に受信される。

　システム制御部８は、励磁制御回路１４からの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤに基づいて、該給電モジュールＭの直上に給電可能であり、且つ給電を要求している機器Ｅが載置されたと判断して、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを送信する（ステップＳ１－４）。

　即ち、励磁制御回路１４は、許可信号ＥＮに応答して、高周波インバータ回路１５（励磁同期信号発生回路１７）に対して駆動制御信号ＣＴを送信する。これによって、励磁同期信号発生回路１７からインバータ制御信号Ｖｓｓが送信され、機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１に対して連続励磁が開始される。

　続いて、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱを消失したかどうかの判断、及び金属検出信号ＳＴが送信されたかどうかの判断をする（ステップＳ１－５，Ｓ１－６）。システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失せず（ステップＳ１－５でＮＯ）、金属検出信号ＳＴが送信されない（ステップＳ１－６でＮＯ）場合、ステップＳ１－３に戻り、１次コイルＬ１に対して連続励磁を継続する（ステップＳ１－３～ステップＳ１－６）。即ち、機器Ｅに対して給電が継続される。従って、機器Ｅは、給電装置１から非接触給電を受け、その給電電力にて負荷Ｚを駆動させる。

　ここで、ステップＳ１－５において、機器Ｅが載置面６から取り外されたとき、又は、励磁要求信号ＲＱが消失したとき、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したと判断して（ステップＳ１－５でＹＥＳ）、ステップＳ１－７に移行して、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知するとともに、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの送信を停止し、ステップＳ１－３に移る。

　システム制御部８は、ステップＳ１－３に移ると、該給電モジュールＭからの新たな励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待つ。システム制御部８は、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが受信されるまで、ステップＳ１－２，ステップＳ１－３を繰り返し、各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を継続する。

　従って、機器Ｅが給電装置１から離された場合には、１次コイルＬ１は、システム制御部８が待機モードになることにより間欠励磁状態になるため、待機電力を抑えることができる。

　また、ステップＳ１－６において、給電モジュールＭから金属検出信号ＳＴが受信されたとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭから金属検出信号ＳＴが送信されることに応答して（ステップＳ１－６でＹＥＳ）、ステップＳ１－７に移行する。

　従って、金属検出信号ＳＴが送信された場合、システム制御部８は、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知し、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの送信を停止し、ステップＳ１－３に戻る。以後、金属検出信号ＳＴが消失するまで、システム制御部８は、ステップＳ１－３～ステップＳ１－７の処理を繰り返すことにより、報知ランプ又は報知ブザーを駆動し続ける。システム制御部８は、ステップＳ１－３～ステップＳ１－７の処理を繰り返す際、ステップＳ１－４での連続励磁の処理時間、ステップＳ１－７での許可信号ＥＮの出力停止時間より、遙かに短いため該給電モジュールＭの１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁を行う。

　従って、金属片７があると判断された状態が続く場合には、システム制御部８は、間欠励磁を継続させて、金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。
　上記のように構成することによって、本実施形態では、以下の効果を有する。

　（１）本実施形態では、給電装置１に複数の１次コイルＬ１が、載置面６を有する天板５の下側に同一面状に配置され、各１次コイルＬ１に対してそれぞれ設けられ励磁駆動する各給電モジュールＭと、各給電モジュールＭを統括するシステム制御部８とが設けられた。

　また、各給電モジュールＭは、対応する１次コイルＬ１と隣接した位置に設けた信号受信アンテナＡＴ１を介して、機器Ｅからの機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを受信し、その機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱをシステム制御部８に送信する。

　そして、システム制御部８は、各給電モジュールＭの中で、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱを送信した給電モジュールＭに対して１次コイルＬ１の連続励磁を許可する許可信号ＥＮを送信する。

　従って、給電装置１の載置面６に機器Ｅが載置された時、同一面状に配置された全ての１次コイルＬ１が連続励磁されずに、その機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１だけが、サイズの大小に関係なく、給電のために連続励磁されるため、給電時の消費電力が低減でき、高効率な給電ができる。

　（２）また、機器Ｅの直下に位置する１次コイルＬ１だけを給電のために連続励磁することができるため、給電装置１の載置面６に載置された２個以上の機器Ｅを同時に給電することができる。

　（３）また、各１次コイルＬ１を励磁駆動する高周波インバータ回路１５に設けた第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２は、全ての給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に供給される第１励磁同期信号Ｖｓ１と第２励磁同期信号Ｖｓ２とでオンオフされるため、各１次コイルＬ１は同位相の波形で励磁する。

　従って、載置面６に載置された１つの機器Ｅに対して複数の１次コイルＬ１が同時励磁することにより、協働して機器Ｅに給電する際、これらの１次コイルＬ１の励磁波形が揃っているため、高効率で安定した電力供給ができる。

　（４）また、載置面６に載置された機器Ｅから機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱが送信された時に、１次コイルＬ１の連続励磁が行われるため、対象とされない機器や給電を要求しなくなった機器Ｅが載置面６に置かれている場合には、無駄な励磁が防止されるとともに安全性が向上する。

　（５）本実施形態は、給電装置１の載置面６に何も載置されていないとき、全ての１次コイルＬ１は間欠励磁状態になることから、待機中の消費電力を抑えることができる。
　（６）また、１次コイルＬ１の間欠励磁は、載置面６に載置され他機器Ｅの２次コイルＬ２に対して微小な２次電力を発生させることができるようにした。

　従って、２次電池で動作する携帯電話のような機器Ｅが載置面６に載置された場合、機器Ｅは、この微小２次電力によって少しずつ充電される。つまり、載置した時点では２次電池が充電されておらず、２次電池で動作する機器Ｅの機器側送受信回路９が動作しない場合が生じる。この場合、機器Ｅの機器側送受信回路９はこの２次電池の少しずつの充電によって、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱの生成及び送信を可能にすることができる。

　（７）載置した機器Ｅから給電の停止を要求するための励磁要求信号ＲＱの消失があったとき、１次コイルＬ１の励磁を連続励磁から間欠励磁に切り替えることにより機器Ｅへの給電が停止されるようにした。これによって、機器Ｅへの給電が高精度にかつ安全に行えるとともに、消費電力の低減が図られる。

　（８）本実施形態では、給電装置１の載置面６に載置された金属片７を検知する金属検出アンテナＡＴ２が設けられ、金属検出アンテナＡＴ２が金属片７を検知したとき、１次コイルＬ１の励磁を連続励磁から間欠励磁に切り替えることにより機器Ｅへの給電が停止される。これによって、載置面６に載置された金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。

　（９）また、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２をオンオフさせる第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２は、ともにロー・レベルとなるになるデッドタイムｔｄが設定されていることから、デッドタイムｔｄにおいて、ソフトスイッチングが自動的行われる。

　従って、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２の各ソース・ドレイン間の電圧をゼロボルトになってからオンさせることができるため、第１パワートランジスタＱ１及び第２パワートランジスタＱ２の各ターンオン損失を無くすことができる。また、ターンオン時やターンオフ時の１次コイルＬ１に流れる電流波形の高調波成分を小さくできることからノイズも低減できる。

　（１０）さらに、各１次コイルＬ１のサイズは、機器Ｅが載置面６に載置されたとき、機器Ｅの２次コイルＬ２の直下に位置する１次コイルＬ１が２次コイルＬ２の領域に１以上内包されるように設定された。

　従って、給電される機器Ｅは、機器Ｅの持つ２次コイルＬ２の領域に相当する必要最小限の１次コイルＬ１群にて励磁できるため、高効率で駆動可能である。
　尚、本実施形態では、第１オア回路２３及び第２オア回路２４は、同じインバータ制御信号Ｖｓｓ及び間欠ハイ信号Ｖｓｔをそれぞれ受信する。従って、第１オア回路２３の第１出力信号Ｖｒｓ１と第２オア回路２４の第２出力信号Ｖｒｓ２とは同じ出力波形であるため、第１オア回路２３及び第２オア回路２４のいずれか一方が省略されてもよい。そして、例えば、残した第１オア回路２３は、第１出力信号Ｖｒｓ１を第１アンド回路２１に送信し、第２アンド回路２２に第２出力信号Ｖｒｓ２を送信してもよい。

　これによって、高周波インバータ回路１５の回路規模は縮小されることができる。
　また、本実施形態では、機器Ｅから機器認証信号ＩＤと励磁要求信号ＲＱとが受信されたが、機器認証信号ＩＤだけが受信されたり、また、励磁要求信号ＲＱだけが受信されるような、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱのいずれか一方の信号だけが受信されてもよい。これによって、省部品で安価な構成ができる。

　さらに、本実施形態では、特に機器Ｅからの励磁要求信号ＲＱの無線周波数については、詳述しなかった。しかし、機器Ｅの電源もしくは１次コイルＬ１からの電磁誘導で得られた機器Ｅ側の補助電源を利用して、１次コイルＬ１の励磁周波数とは異なる周波数の無線信号が作られ、この異なる周波数の無線信号が励磁要求信号で変調されて機器Ｅの直下の給電モジュールＭに送信される。そして、信号受信アンテナＡＴ１によってこの変調された無線信号が検出され、励磁要求受信回路１１は、検出された無線信号から励磁信号を復調してもよい。

　これにより、信号受信アンテナＡＴ１によって１次コイルＬ１の励磁周波数とは異なる独立した周波数の変調された無線信号を検出し、励磁要求受信回路１１が、検出された無線信号から励磁要求信号を復調して励磁同期信号を得るので、システムの信頼性が向上する。

　さらにまた、本実施形態では、システム制御部８が、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成して送信したが、励磁制御回路１４又は高周波インバータ回路１５が、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを生成してもよい。

　また、本実施形態では、１次コイルＬ１のサイズは、機器Ｅが載置面６に載置されたときに機器Ｅの２次コイルＬ２の直下に位置する１以上の１次コイルＬ１が２次コイルＬ２の領域に内包されるように設定された。しかし、これに限定されるものではなく、１個の２次コイルＬ２の領域よりも、直下にくる１次コイルＬ１の１個の領域が大きくてもよい。効率は落ちるが、要は、１次コイルＬ１と２次コイルＬ２との間で電磁誘導が行われることにより２次コイルＬ２に給電電力が発生すればよい。
（第２実施形態）
　次に、第２実施形態の給電装置１が、図１１に従って説明される。

　第１実施形態の給電装置１は、待機状態において全ての１次コイルＬ１を間欠励磁させるのに対して、本実施形態は、機器Ｅを含む物体３０が載置面６に載置された時、初めて、１次コイルＬ１の全部又は一部分を間欠励磁させるという点に特徴を有している。

　尚、説明の便宜上、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分については、第１実施形態と同じ符号を付して詳細な説明が省略される。
　図１１に示すように、給電装置１の天板５の上面（載置面６）であり、且つ前記各金属検出アンテナＡＴ２の配置位置に、物体検出センサ３１がそれぞれ設けられている。従って、各物体検出センサ３１は、載置面６の全体に一様に配置されている。

　各物体検出センサ３１は、本実施形態では、発光素子と受光素子とからなる光反射型のセンサである。物体３０（図１２参照）が直上に配置されたとき、発光素子が真上に出射した光が物体３０に反射しその反射光を受光子が受光することによって、各物体検出センサ３１は、物体３０を検知して物体検出信号ＭＴを送信する。従って、物体３０が各物体検出センサ３１の直上に配置されていないとき、発光素子が出射した光は、反射光とならず、受光素子は光を受光できず物体検出信号ＭＴを送信しない。

　尚、物体検出センサ３１は、本実施形態では、発光素子と受光素子からなる光反射型のセンサであったが、物体３０の重さを検出する圧力検出素子で具体化されもよい。要は、物体検出センサは、検出可能な材質を制限せず、金属、プラスチック、及び木製等のどんな材質の物体３０を検出できればよい。

　各物体検出センサ３１は、対向して配置された金属検出アンテナＡＴ２を接続した給電モジュールＭに接続される。各物体検出センサ３１は、物体３０を検出した時、物体検出信号ＭＴを、当該給電モジュールＭに送信する。

　図１２は、本実施形態の給電装置１の電気的構成を示す電気ブロック回路図を示す。
　図１２において、各給電モジュールＭには、励磁要求受信回路１１、機器認証受信回路１２、金属検出回路１３、励磁制御回路１４、高周波インバータ回路１５に加えて、物体検出回路３２が備えられている。

　物体検出回路３２は、物体検出センサ３１に接続され、対応する物体検出センサ３１から送信される物体検出信号ＭＴを受信する。そして、物体検出回路３２は、載置面６に物体３０が載置されたとして、その物体検出信号ＭＴを励磁制御回路１４に送信する。

　励磁制御回路１４は、励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱ、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤ、及び金属検出回路１３からの金属検出信号ＳＴに加えて、物体検出回路３２からの物体検出信号ＭＴを、自身の給電モジュールＭを識別するモジュール識別信号を付加して、システム制御部８に送信する。

　システム制御部８は、励磁制御回路１４から物体検出信号ＭＴのみを受信すると、当該給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５の発振回路１６に対して、前記した第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを送信する。

　つまり、本実施形態の給電装置１は、電源スイッチがオンされても、全ての１次コイルＬ１が休止されており、間欠励磁されていない。そして、給電装置１は、物体３０が検知されたとき、その物体３０が載置された位置の１次コイルＬ１のみを間欠励磁させ、他の位置にある１次コイルＬ１を励磁させないで休止させている。

　従って、機器Ｅを含む物体３０が載置されていない時には、全ての１次コイルＬ１は間欠励磁されず、仮に、機器Ｅでない物体３０が載置された時、載置された部分の１次コイルＬ１が間欠励磁されるだけなので、給電装置１は、待機状態での消費電力を大幅に削減できる。

　次に、上記のように構成された給電装置１の作用が、図１３に示すシステム制御部８の処理動作を示すフローチャートに従って説明される。
　尚、本実施形態は、物体検出センサ３１からの物体検出信号ＭＴの有無に基づいてシステム制御部８が制御対象となる１次コイルＬ１を選定し、その選定された１次コイルＬ１の励磁制御する点に特徴を有する。その他の本実施形態は、基本的に第１実施形態と同じである。そのため、本実施形態の特徴部分について詳細に説明され、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分が説明の便宜上省略される。

　今、図示しない電源スイッチがオンされて、給電装置１に電源が供給されると（ステップＳ２－１でＹＥＳ）、システム制御部８は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを送信することなく（ステップＳ２－２）、各給電モジュールＭからの物体検出信号ＭＴを待つ（ステップＳ２－３）。即ち、システム制御部８は、全ての１次コイルＬ１に対して間欠励磁をしない状態で物体検出信号ＭＴを待つ。

　やがて、載置面６の所定の位置に物体３０が載置されると、載置された物体３０の直下に位置する複数の給電モジュールＭに接続された物体検出センサ３１は、物体３０を検知して物体検出信号ＭＴを送信する。そして、物体検出センサ３１から物体検出信号ＭＴを受信した各給電モジュールＭの励磁制御回路１４は、該物体検出信号ＭＴをシステム制御部８に送信する。

　システム制御部８が、各給電モジュールＭから物体検出信号ＭＴを受信すると（ステップＳ２－３でＹＥＳ）、物体検出信号ＭＴを送信した給電モジュールＭに接続された１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させる（ステップＳ２－４）。

　すなわち、システム制御部８は、載置された物体３０の直下に位置する複数の給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に対して、１次コイルＬ１を間欠的に励磁駆動させるための第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを送信する。これによって、載置された物体３０の直下に位置する１次コイルＬ１のみが間欠的に励磁される。

　続いて、システム制御部８は、各給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤを待ち（ステップＳ２－５）、給電モジュールＭからの励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが受信されるまで、ステップＳ２－３～ステップＳ２－５を繰り返す。つまり、載置された物体３０の直下に位置する各１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁が継続される。従って、この間に、物体３０が取り除かれたときには（ステップＳ２－３でＮＯ）、システム制御部８は、ステップＳ２－２に移行し、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔの送信を停止して、１次コイルＬ１の間欠励磁を停止する。

　やがて、載置された物体３０が機器Ｅであるとき、同物体３０、即ち機器Ｅは、機器認証信号ＩＤ及び励磁要求信号ＲＱが機器Ｅの直下に位置する給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１に向かって送信する。

　そして、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４は、励磁要求受信回路１１からの励磁要求信号ＲＱを、機器認証受信回路１２からの機器認証信号ＩＤをそれぞれシステム制御部８に送信する。

　励磁制御回路１４から励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが受信されると（ステップＳ２－５でＹＥＳ）、該給電モジュールＭの直上に給電可能であり、且つ給電を要求している機器Ｅが載置されたとして、システム制御部８は、該給電モジュールＭの励磁制御回路１４に対して許可信号ＥＮを送信する（ステップＳ２－６）。

　即ち、励磁制御回路１４は、許可信号ＥＮに応答して、高周波インバータ回路１５（励磁同期信号発生回路１７）に対して駆動制御信号ＣＴを送信する。これによって、システム制御部８は、機器Ｅが載置された位置にある１次コイルＬ１に対して連続励磁を開始させる。

　続いて、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したかどうか、及び金属検出信号ＳＴが送信されたかどうかの判断をする（ステップＳ２－７，Ｓ２－８）。システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失せず（ステップＳ２－７でＮＯ）、金属検出信号ＳＴが送信されない（ステップＳ２－７でＮＯ）場合、ステップＳ２－５に戻り、１次コイルＬ１に対して連続励磁を継続する（ステップＳ２－５～ステップＳ２－８）。即ち、機器Ｅに対して給電が継続される。従って、機器Ｅは、給電装置１から非接触給電を受け、その給電電力にて負荷Ｚが駆動される。

　ここで、ステップＳ２－７において、機器Ｅが載置面６から取り外されたとき、又は、励磁要求信号ＲＱが消失したとき、システム制御部８は、励磁要求信号ＲＱが消失したと判断して（ステップＳ２－５でＹＥＳ）、ステップＳ２－９に移行して、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動しユーザのその旨を報知し、当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの送信を停止し、ステップＳ２－５に移る。

　システム制御部８は、ステップＳ２－５に移ると、該給電モジュールＭから新たな励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤが受信されていないことから（ステップＳ２－５でＮＯ）、ステップＳ２－３に移行する。このとき、システム制御部８は、物体検出信号ＭＴも消失していることから（ステップＳ２－３でＮＯ）、ステップＳ２－２に移行して、給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５に送信していた第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを停止させることにより、１次コイルＬ１の間欠励磁を停止させる。即ち、システム制御部８は、今まで機器Ｅに給電していたために励磁駆動していた１次コイルＬ１の励磁を停止させる。

　また、ステップＳ２－８において、給電モジュールＭから金属検出信号ＳＴが受信されたとき、システム制御部８は、該給電モジュールＭから金属検出信号ＳＴが送信されたことに応答して（ステップＳ６でＹＥＳ）、ステップＳ２－９に移行する。

　従って、金属検出信号ＳＴが送信された場合、システム制御部８は、一定時間、図示しない報知ランプ又は報知ブザーを駆動することによりユーザにその旨を報知し、且つ当該給電モジュールＭに対して許可信号ＥＮの送信を停止して、ステップＳ２－５に戻る。以後、金属検出信号ＳＴが消失するまで、システム制御部８は、ステップＳ２－５～ステップＳ２－９の処理を繰り返し報知ランプ又は報知ブザーを駆動し続ける。ステップＳ２－５～ステップＳ２－９の処理を繰り返す際、ステップＳ２－６での連続励磁の処理時間は、ステップＳ２－９での許可信号ＥＮの送信停止時間より、遙かに短いため、システム制御部８は、該給電モジュールＭの１次コイルＬ１に対して間欠的に励磁させる。

　従って、金属片７があると判断された状態が続く場合には、１次コイルＬ１に対して間欠励磁が継続され、金属片７が誘導加熱されるのを防止することができる。
　このように、本実施形態は、給電装置１に何も載置されていない場合は、全ての１次コイルＬ１の励磁動作を停止させるようにしたので、さらに消費電力の低減を図ることができる。

　また、本実施形態は、物体３０（機器Ｅ）が載置された場合、その載置された位置にある１次コイルＬ１だけを励磁動作させるようにしたので消費電力の低減をさらに図ることができる。
（第３実施形態）
　次に、第３実施形態について、図１４に従って説明される。

　上記第１実施形態の給電装置１においては、第１励磁同期信号Ｖｓ１、及び第２励磁同期信号Ｖｓ２は、それぞれ１種類であった。しかし、本実施形態は、第１励磁同期信号Ｖｓ１及び第２励磁同期信号Ｖｓ２が、周波数の異なる２種類の低周波用及び高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ１ｂ、並びに、低周波用及び高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａ，Ｖｓ２ｂを有し、載置される機器Ｅに応じて、又は、機器のその時々の状態に応じて異なる周波数の励磁同期信号を送信する点に特徴を有している。

　尚、説明の便宜上、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分については、第１実施形態と同じ符号を付して詳細な説明が省略される。
　図１４は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５を示す電気回路を示す。

　第１アンド回路２１の第１入力端子は、第１切替回路４１に接続される。第１アンド回路２１の第１入力端子には、同第１切替回路４１から低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａ及び高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂのいずれか一方が受信される。また、第１アンド回路２１の第２入力端子は、前記第１オア回路２３に接続される。第１アンド回路２１の第２入力端子には、第１オア回路２３から第１出力信号Ｖｒｓ１が受信されている。

　第１切替回路４１は、図１５に示すように、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが受信される第１トランスミッションゲート４１ａと、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが受信される第２トランスミッションゲート４１ｂを有している。

　低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの波形は、本実施形態では、図１６に示すように、第１実施形態の第１励磁同期信号Ｖｓ１と同じ波形である。つまり、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの周期Ｔｓ１ａ、ハイの時間ｔａ１ａ、ローの時間ｔｂ１ａは、第１励磁同期信号Ｖｓ１の周期Ｔｓ１、ハイの時間ｔａ１、ローの時間ｔｂ１と同じに設定されている。そして、この低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。

　一方、図１６に示すように、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂの周期Ｔｓ１ｂは、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの周期Ｔｓ１ａの２分の１に設定されている。また、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂのハイの時間ｔａ１ｂ、及びローの時間ｔｂ１ｂは、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａのハイの時間ｔａ１ａ、ローの時間ｔｂ１ａの２分の１にそれぞれ設定されている。

　そして、この高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。
　そして、第１トランスミッションゲート４１ａには、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが受信され、第１トランスミッションゲート４１ａは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ４を含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ３のゲート端子には第１切替信号ＳＷ１が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ４のゲート端子には第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が受信される。従って、第１トランスミッションゲート４１ａにハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されたとき、第１トランスミッションゲート４１ａは、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを第１アンド回路２１に送信する。

　尚、この第１切替信号ＳＷ１は、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。
　一方、第２トランスミッションゲート４１ｂには、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが送信され、第２トランスミッションゲート４１ｂは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ５とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ６とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ５のゲート端子には第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ６のゲート端子には前記第１切替信号ＳＷ１が受信される。従って、第２トランスミッションゲート４１ｂにロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されたとき、第２トランスミッションゲート４１ｂは、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを第１アンド回路２１に送信する。

　つまり、第１切替回路４１にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第１切替回路４１は、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを第１アンド回路２１に送信する。また、第１切替回路４１にロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第１切替回路４１は、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを第１アンド回路２１に送信する。

　第２アンド回路２２の第１入力端子は、第２切替回路４２に接続される。第２アンド回路２２の第１入力端子には、同第２切替回路４２から低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａ及び高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂのいずれか一方が受信される。また、第２アンド回路２２の第２入力端子には、前記第２オア回路２４が接続される。第２アンド回路２２の第２入力端子には、第２オア回路２４から前記第２出力信号Ｖｒｓ２が受信されている。

　第２切替回路４２は、図１５に示すように、第３トランスミッションゲート４２ａと、第４トランスミッションゲート４２ｂとを有している。第３トランスミッションゲート４２ａには、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが受信され、第４トランスミッションゲート４２ｂには、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが受信される。

　低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの波形は、本実施形態では、図１６に示すように、第１実施形態の第２励磁同期信号Ｖｓ２の波形と同じである。つまり、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの周期Ｔｓ２ａ、ハイの時間ｔａ２ａ、ローの時間ｔｂ２ａが、第２励磁同期信号Ｖｓ２の周期Ｔｓ２、ハイの時間ｔａ２、ローの時間ｔｂ２と同じに設定されている。そして、この低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。

　一方、図１６に示すように、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂの周期Ｔｓ２ｂが低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの周期Ｔｓ１ａの２分の１である。また、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂのハイの時間ｔａ２ｂ、及びローの時間ｔｂ２ｂは、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａのハイの時間ｔａ２ａ、及びローの時間ｔｂ２ａの２分の１にそれぞれ設定されている。そして、この高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂは、本実施形態では、システム制御部８に設けた信号生成回路（図示しない）から送信されている。

　そして、第３トランスミッションゲート４２ａには、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが受信され受信され、第３トランスミッションゲート４２ａは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ７とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ８を含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ７のゲート端子には前記第１切替信号ＳＷ１が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ８のゲート端子には第１インバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が受信される。従って、第３トランスミッションゲート４２ａにハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第３トランスミッションゲート４２ａは、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを第２アンド回路２２に送信する。

　一方、第４トランスミッションゲート４２ｂには、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが受信され、第４トランスミッションゲート４２ｂは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ９とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１０とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ９のゲート端子にはインバータ回路４３を介して前記第１切替信号ＳＷ１が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１０のゲート端子には前記切替信号ＳＷ１が受信される。従って、第４トランスミッションゲート４２ｂにロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第４トランスミッションゲート４２ｂは、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを第２アンド回路２２に送信する。

　つまり、第２切替回路４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第２切替回路４２は、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを第２アンド回路２２に送信する。また、第２切替回路４２にロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第２切替回路４２は、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを第２アンド回路２２に送信する。

　従って、第１及び第２切替回路４１，４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第１アンド回路２１には低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが受信され、第２アンド回路２２には低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが受信される。反対に、第１及び第２切替回路４１，４２にロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１が受信されるとき、第１アンド回路２１には高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが受信され、第２アンド回路２２には高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが受信される。

　そして、（Ａ）第１切替信号ＳＷ１がハイ・レベルであり、且つ第１及び第２アンド回路２１，２２に第１及び第２オア回路２３，２４から第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２がそれぞれ受信されるとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａの論理値と同じ論理値をそれぞれ有する第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ送信する。

　つまり、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａ及び低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの波形が互いに反転した関係を有することから、前記実施形態と同様に、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは連続的に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とが交互にオンオフすることによって、１次コイルＬ１は、連続励磁駆動される。

　（Ｂ）反対に、第１切替信号ＳＷ１がロー・レベルであり、且つ第１及び第２アンド回路２１，２２に第１及び第２オア回路２３，２４からインバータ制御信号Ｖｓｓの論理値と同じ論理値をそれぞれ有する第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２が受信されるとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂの論理値と同じ論理値をそれぞれ有する第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ送信する。

　つまり、この場合にも、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂ及び高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂの波形が互いに反転した関係を有することから、前記実施形態と同様に、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは連続的にしかも高速に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とが交互にオンオフすることによって、１次コイルＬ１は、高周波数で連続励磁駆動される。

　因みに、（Ｃ）第１切替信号ＳＷ１がハイ・レベルであり、且つ第１及び第２アンド回路２１，２２に第１及び第２オア回路２３，２４から間欠ハイ信号Ｖｓｔの論理値とそれぞれ同じ論理値を有する第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２が受信されるとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａの論理値とそれぞれ同じ論理値を有する第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２を第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ送信する。

　つまり、間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている間、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａと低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａとに応答して、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは間欠的に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とが間欠的にオンオフすることによって、１次コイルＬ１は、間欠的に励磁駆動される。

　（Ｄ）反対に、第１切替信号ＳＷ１がロー・レベルであり、第１及び第２アンド回路２１，２２が第１及び第２オア回路２３，２４からインバータ制御信号Ｖｓｓの論理値と同じ論理値をそれぞれ有する第１及び第２出力信号Ｖｒｓ１，Ｖｒｓ２を受信しているとき、第１及び第２アンド回路２１，２２は、図１７に示すように、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂの論理値と同じ論理値をそれぞれ有する第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２のゲートにそれぞれ送信する。

　つまり、この場合にも、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂ及び高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂの波形が互いに反転した関係を有することから、間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている間、第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とは間欠的にしかも高速に交互にオンオフする。そして、この第１パワートランジスタＱ１と第２パワートランジスタＱ２とが間欠的に交互にオンオフすることによって、１次コイルＬ１は、高周波数で間欠的に励磁駆動される。

　このように構成された給電装置１は、載置された機器Ｅが、その時々の状態で２種類の異なる周波数で励磁を要求する場合に有効である。この場合、機器Ｅは、機器側送受信回路９が励磁要求信号ＲＱを生成して送信する際、励磁要求信号ＲＱに、２次コイルＬ２を低周波数の励磁にて給電することを要求するか、高周波数で励磁にて給電することを要求するかの種別信号を合わせて送信する。

　例えば、機器Ｅがスリープ機能を有する場合、給電を受けることにより負荷Ｚを駆動させていた状態から、負荷Ｚを駆動させないスリープ状態になったとき、１次コイルＬ１を高周波数の励磁駆動から低周波数の励磁駆動に変えることにより、消費電力の低減が可能となる。

　また、機器Ｅが充電器のように、満充電に近づいたとき、１次コイルＬ１を、高周波数の励磁駆動から低周波数の励磁駆動に変えることにより、より高効率な制御が可能となる。

　勿論、機器Ｅは、終始いずれか一方の周波数の励磁を要求する種別信号を送信してもよい。
　そして、励磁要求受信回路１１に励磁要求信号ＲＱと種別信号とが受信されると、励磁制御回路１４は、その励磁要求信号ＲＱと種別信号とをシステム制御部８に送信する。システム制御部８は、種別信号に基づいて、載置された機器Ｅが低周波数の励磁を要求している場合には、高周波インバータ回路１５の発振回路１６に設けた第１及び第２切替回路４１，４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信する。

　これによって、第１アンド回路２１には、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａが受信され、第２アンド回路２２には、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａが受信される。その結果、１次コイルＬ１は、低周波数の低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，号Ｖｓ２ａに基づいて、間欠励磁又は連続励磁される。また１次コイルＬ１には、載置された機器Ｅの要求に応じた低周波数が励磁される。

　一方、載置された機器Ｅが高周波数の励磁を要求している場合には、システム制御部８は、第１及び第２切替回路４１，４２にロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信する。これによって、第１アンド回路２１には、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂが受信され、第２アンド回路２２には、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂが受信される。その結果、１次コイルＬ１には、高周波数の高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，Ｖｓ２ｂに基づいて、間欠励磁又は連続励磁される。また、１次コイルＬ１には、載置された機器Ｅの要求に応じた高周波数が励磁される。

　また、システム制御部８は、第１実施形態のように、機器Ｅが載置されてない間欠励磁のとき、第１及び第２切替回路４１，４２にハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信する。これによって、間欠励磁の際には、低周波数に励磁動作を行うことにより、消費電力の低減が図られる。

　次に、上記のように構成した給電装置１の作用について図１７に従って説明される。
　今、時刻ｔ１において、機器Ｅが載置され、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ、及び低周波数での励磁要求の種別信号が送信されると、システム制御部８は、直ちに、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信し、第１切替回路４１は、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａを選択状態にし、第２切替回路４２は、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａを選択状態にする。そして、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされることにより１次コイルＬ１は連続励磁される。

　従って、載置された機器Ｅは、低周波数で連続励磁されることにより給電される。
　そして、時刻ｔ２において、機器Ｅが取り去られると、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ、及び低周波数での励磁要求の種別信号が消失する。システム制御部８は、直ちに、第１実施形態と同様に、間欠励磁に移る。

　このとき、システム制御部８は、ハイ・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信し続ける。このため、第１切替回路４１は、低周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ａの選択状態を維持し、第２切替回路４２は、低周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ａの選択状態を維持する。そして、間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている間、低周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ａ，Ｖｓ２ａで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされることにより１次コイルＬ１は間欠励磁される。

　やがて、時刻ｔ３において、新たな機器Ｅが載置され、該機器Ｅから励磁要求信号ＲＱ、機器認証信号ＩＤ、及び高周波数での励磁要求の種別信号が送信されると、システム制御部８は、直ちに、ロー・レベルの第１切替信号ＳＷ１を送信する。このため、第１切替回路４１は、高周波用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｂを選択状態にし、第２切替回路４２は、高周波用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂを選択状態にする。そして、高周波用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｂ，及び第２励磁同期信号Ｖｓ２ｂで第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２が交互にオンオフされることにより１次コイルＬ１は連続励磁される。

　従って、載置された機器Ｅは、高周波数で連続励磁されることにより給電される。
　このように、本実施形態は、第１実施形態の効果に加えて、機器Ｅが載置されてない間欠励磁のときには、低周波数で励磁動作可能であり、消費電力の低減を図ることができる。

　また、本実施形態は、載置された機器Ｅの時々の状態で２種類の異なる周波数で励磁給電可能であり、より高精度で高効率な制御が可能となる。
　（第４実施形態）
　次に、第４実施形態について、図１８に従って説明される。

　上記第１実施形態の給電装置１においては、第１励磁同期信号Ｖｓ１及び第２励磁同期信号Ｖｓ２は、それぞれ連続して送信される論理信号であった。本実施形態は、必要なときに送信される励磁同期信号である点に特徴を有している。

　尚、説明の便宜上、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分については、第１実施形態と同じ符号を付して詳細な説明が省略される。
　図１８は、各給電モジュールＭの高周波インバータ回路１５を示す電気回路を示す。

　図１８において、第１パワートランジスタＱ１のゲート端子には、第３切替回路４５が接続され、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子には、第４切替回路４６が接続されている。

　第３切替回路４５には、システム制御部８から間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉと、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃが受信される。第３切替回路４５は、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉ及び連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃのいずれか一方を選択し、選択された信号の論理値と同じ論理値を有する第１オンオフ信号Ｖｇ１を、第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信する。第４切替回路４６には、システム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉが受信され、第２励磁同期信号発生回路１７ｂから連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが受信される。第４切替回路４６は、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉ及び連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃのいずれか一方を選択し、選択された信号の論理値と同じ論理値を有する第２オンオフ信号Ｖｇ２を、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信する。

　第３切替回路４５は、図１９に示すように、第５トランスミッションゲート４５ａと第６トランスミッションゲート４５ｂとを有している。そして、第５トランスミッションゲート４５ａの出力端子は、第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に接続され、第５トランスミッションゲート４５ａの入力端子には、システム制御部８から間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉが受信される。第６トランスミッションゲート４５ｂの出力端子は、第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に接続され、第６トランスミッションゲート４５ｂの入力端子には、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃが受信される。

　第５トランスミッションゲート４５ａは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１１とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１２とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１１のゲート端子には第２切替信号ＳＷ２が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１２のゲート端子には第２インバータ回路４７を介して第２切替信号ＳＷ２が受信される。

　従って、第５トランスミッションゲート４５ａにハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第５トランスミッションゲート４５ａは、システム制御部８から間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信する。

　反対に、第５トランスミッションゲート４５ａにロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第５トランスミッションゲート４５ａは、システム制御部８からの間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信しない。

　一方、第６トランスミッションゲート４５ｂは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１４とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３のゲート端子には第２インバータ回路４７を介して第２切替信号ＳＷ２が受信され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１３のゲート端子には第２切替信号ＳＷ２が受信される。

　従って、第６トランスミッションゲート４５ｂにロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第６トランスミッションゲート４５ｂは、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信する。

　反対に、第６トランスミッションゲート４５ｂにハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第６トランスミッションゲート４５ｂは、第１励磁同期信号発生回路１７ａから連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信しない。

　つまり、第３切替回路４５にハイ・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第３切替回路４５は、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉの論理値と同じ論理値を有する第１オンオフ信号Ｖｇ１を第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信する。反対に、第３切替回路４５にロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２が受信されたとき、第３切替回路４５は、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃの論理値と同じ論理値を有する第１オンオフ信号Ｖｇ１を第１パワートランジスタＱ１のゲート端子に送信する。

　第４切替回路４６は、第７トランスミッションゲート４６ａと第８トランスミッションゲート４６ｂとを有している。そして、第７トランスミッションゲート４６ａの出力端子は、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に接続され、第７トランスミッションゲート４６ａの入力端子には、システム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが受信される。第８トランスミッションゲート４６ｂの出力端子は、第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に接続され、第８トランスミッションゲート４６ｂの入力端子には、第２励磁同期信号発生回路１７ｂから連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが受信される。

　第７トランスミッションゲート４６ａは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１５のゲート端子には第３切替信号ＳＷ３が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６のゲート端子には第３インバータ回路４８を介して第３切替信号ＳＷ３が受信される。

　従って、第７トランスミッションゲート４６ａにハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第７トランスミッションゲート４６ａは、システム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信する。

　反対に、第７トランスミッションゲート４６ａにロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第７トランスミッションゲート４６ａは、システム制御部８から間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信しない。

　一方、第８トランスミッションゲート４６ｂは、互いに並列に接続されたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１７とＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１８とを含む。そして、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱ１７のゲート端子には第３インバータ回路４８を介して第３切替信号ＳＷ３が受信され、ＰチャネルＭＯＳトランジスタＱ１６のゲート端子には第３切替信号ＳＷ３が受信される。

　従って、第８トランスミッションゲート４６ｂにロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第８トランスミッションゲート４６ｂは、第２励磁同期信号発生回路１７ｂから間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信する。

　反対に、第８トランスミッションゲート４６ｂにハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第８トランスミッションゲート４６ｂは、第２励磁同期信号発生回路１７ｂから連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信しない。

　つまり、第４切替回路４６にハイ・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第４切替回路４６は、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉの論理値と同じ論理値を有する第２オンオフ信号Ｖｇ２を第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信する。反対に、第４切替回路４６にロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３が受信されたとき、第４切替回路４６は、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃの論理値と同じ論理値を有する第２オンオフ信号Ｖｇ２を第２パワートランジスタＱ２のゲート端子に送信する。

　第１励磁同期信号発生回路１７ａには、システム制御部８からの許可信号ＥＮに応答して、励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴが受信される。
　第１励磁同期信号発生回路１７ａは、駆動制御信号ＣＴに応答して、図２０に示すように、ロー・レベルの第２切替信号ＳＷ２と、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃとを第３切替回路４５に送信する。従って、第３切替回路４５は、許可信号ＥＮが送信されたとき、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを第１パワートランジスタＱ１に送信する。因みに、第３切替回路４５は、許可信号ＥＮが送信されていないとき、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉを第１パワートランジスタＱ１に送信する。

　一方、第２励磁同期信号発生回路１７ｂには、システム制御部８からの許可信号ＥＮに応答して、励磁制御回路１４から駆動制御信号ＣＴが受信される。
　第２励磁同期信号発生回路１７ｂは、駆動制御信号ＣＴに応答して、図２０に示すように、ロー・レベルの第３切替信号ＳＷ３と、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第４切替回路４６に送信する。従って、第４切替回路４６は、許可信号ＥＮが送信されたとき、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを第２パワートランジスタＱ２に送信する。因みに、第４切替回路４６は、許可信号ＥＮが送信されていないとき、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉを第１パワートランジスタＱ１に送信する。

　ここで、間欠用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｉ，Ｖｓ２ｉと連続用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｃ，Ｖｓ２ｃとについて説明される。
　まず、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉと間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉとは、第１実施形態において間欠励磁されているときの第１オンオフ信号Ｖｇ１と第２オンオフ信号Ｖｇ２とにそれぞれ対応させている。つまり、間欠用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｉの波形は、間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている時に送信される第１オンオフ信号Ｖｇ１の論理値と同じ論理値を有する第１励磁同期信号Ｖｓ１の波形と同じである。また、間欠用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｉの波形は、間欠ハイ信号Ｖｓｔが送信されている時に送信される第２オンオフ信号Ｖｇ２の論理値と同じ論理値を有する第２励磁同期信号Ｖｓ２の波形と同じである。

　次に、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃと連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃとは、第１実施形態において連続励磁されているときの第１オンオフ信号Ｖｇ１と第２オンオフ信号Ｖｇ２にそれぞれ対応させている。つまり、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃの波形は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが送信されている時に送信される第１オンオフ信号Ｖｇ１の論理値と同じ論理値を有する第１励磁同期信号Ｖｓ１の波形と同じである。また、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃの波形は、ハイ・レベルのインバータ制御信号Ｖｓｓが送信されている時に送信される第２オンオフ信号Ｖｇ２の論理値と同じ論理値を有する第２励磁同期信号Ｖｓ２の波形と同じである。

　このように、本実施形態は、第１実施形態のように同期した間欠励磁ができる。また、機器Ｅが載置されたときには、本実施形態は、対応する１次コイルＬ１に対して同期した連続励磁ができる。

　尚、この間欠励磁に関しては、全ての１次コイルが、互いに同期した間欠励磁になる必要がなく、いくつかの１次コイルで区分けされたグループ中の各１次コイルのみが同期励磁になっており、このグループ毎が時分割で励磁されてもよい。

　（第５実施形態）
　次に、第５実施形態について、図２１に従って説明される。
　上記した第４実施形態の給電装置１においては、連続用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｃ，Ｖｓ２ｃは、給電装置１の第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂでそれぞれ生成した。本実施形態は、連続用第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１ｃ，Ｖｓ２ｃが機器Ｅからの信号によって第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂにて生成される点に特徴を有している。

　尚、説明の便宜上、本実施形態と第４実施形態との間の共通の部分について、第４実施形態と同じ符号を付して詳細な説明が省略される。
　図２１は、第５実施形態の各給電モジュールＭの電気回路図を示す。

　機器Ｅは、機器側送受信回路９に加えて、第２機器側送受信回路９ａを備えている。第２機器側送受信回路９ａは、自身の２次コイルＬ２が給電励磁される際の励磁周期を決定する振幅変調された変調信号Ｓｉｎ１を生成し、生成された変調信号Ｓｉｎ１をアンテナＡＴ４を介して直下に位置する給電モジュールＭに送信する。変調信号Ｓｉｎ１は、図２２に示すように、一定期間交互に繰り返す大きい値の振幅値と小さな値の振幅値とを有する。

　給電モジュールＭの励磁要求受信回路１１は、第２機器側送受信回路９ａから変調信号Ｓｉｎ１を受信する。励磁要求受信回路１１は、変調信号Ｓｉｎ１を検波復調する。図２２に示すように、励磁要求受信回路１１は、振幅値が大きい期間では変調信号Ｓｉｎ１をハイ・レベルの論理信号Ｓｉｎ２に波形整形し、振幅値が小さい期間では変調信号Ｓｉｎ１をロー・レベルの論理信号Ｓｉｎ２に波形整形する。そして、励磁要求受信回路１１は、論理信号Ｓｉｎ２を励磁制御回路１４に送信する。

　そして、励磁制御回路１４は、この論理信号Ｓｉｎ２を、第４実施形態の高周波インバータ回路１５に設けた図１８に示す第１及び第２励磁同期信号発生回路１７ａ，１７ｂに送信する。

　第１励磁同期信号発生回路１７ａは、論理信号Ｓｉｎ２に基づいて、図２２に示すような連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃを生成する。詳述すると、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃは、論理信号Ｓｉｎ２がハイ・レベルに立ち上がった後に、ハイ・レベルとなり、論理信号Ｓｉｎ２がロー・レベルに立ち下がる前にロー・レベルに立ち下がる。

　一方、第２励磁同期信号発生回路１７ｂは、論理信号Ｓｉｎ２に基づいて、図２２に示すような連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃを生成する。詳述すると、連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃは、論理信号Ｓｉｎ２がロー・レベルに立ち下がった後に、ハイ・レベルとなり、論理信号Ｓｉｎ２がハイ・レベルに立ち上がる前にロー・レベルに立ち下がる。

　従って、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃと連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃとでは、ともにロー・レベルとなるデッドタイムｔｄが形成される。
　このように、本実施形態は、機器Ｅによって要求される励磁周波数で励磁給電することから、機器Ｅに応じた高精度で高効率な給電制御が可能となる。

　尚、本実施形態では、励磁要求受信回路１１は、変調信号Ｓｉｎ１を検波復調することにより、論理信号Ｓｉｎ２を生成した。代替例では、図２３に示すように、励磁要求受信回路１１は、振幅値が大きい期間では変調信号Ｓｉｎ１をプラス電位の論理信号Ｓｉｎ２に波形整形し、振幅値が小さい期間ではマイナス電位の論理信号Ｓｉｎ２に波形整形してもよい。そして、この論理信号Ｓｉｎ２に基づいて、連続用第１励磁同期信号Ｖｓ１ｃ及び連続用第２励磁同期信号Ｖｓ２ｃが生成されてもよい。

　(第６実施形態)
　次に、第６の実施形態について、図２４に従って説明される。
　第１実施形態では、機器Ｅからの励磁要求信号ＲＱが、給電モジュールＭの信号受信アンテナＡＴ１にて受信され、受信された励磁要求信号ＲＱが励磁要求受信回路１１に送信された。本実施形態は、機器Ｅからの励磁要求信号ＲＱが給電モジュールＭの１次コイルＬ１にて受信される点に特徴を有する。

　尚、説明の便宜上、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分について、第１実施形態と同じ符号を付すことにより詳細な説明が省略される。
　図２４は、第６実施形態の給電モジュールＭと機器Ｅとの電気回路図を示す。

　図２４において、機器Ｅの負荷Ｚは、２次コイルＬ２を介して、１次コイルＬ１に機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２を送信する。
　機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２は、図２５に示すように、１次コイルＬ１の連続励磁に基づいて２次コイルＬ２に発生する電圧波形又は電流波形を、機器Ｅの負荷Ｚによって励磁要求信号で振幅変調することにより生成される。機器Ｅの負荷Ｚが変調を行う。そして、本実施形態では、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２は、図２５に示すように、一定期間交互に繰り返す大きい値の振幅値と小さな値の振幅値とを有する。

　尚、機器認証信号ＩＤは、第１実施形態と同様に機器側送受信回路９により生成される。
　給電モジュールＭの１次コイルＬ１は、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２の電圧レベルに比例した電圧レベルを有する給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１を受信する。そして、受信された給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１は、１次コイルＬ１から励磁要求受信回路１１ａに送信される。

　励磁要求受信回路１１ａは、この給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１を検波する。これにより、図２５に示すように、励磁要求受信回路１１ａは、振幅値が大きい期間では給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１をプラス電位の論理信号Ｓｉｎ３に波形整形し、振幅値が小さい期間では給電側励磁要求変調信号ＶＬ１１をマイナス電位の論理信号Ｓｉｎ３に波形整形する。そして、励磁要求受信回路１１ａは、論理信号Ｓｉｎ３を励磁制御回路１４に送信する。励磁制御回路１４は、この論理信号Ｓｉｎ３を、第１実施形態の高周波インバータ回路１５に設けた図４に示す励磁同期信号発生回路１７に送信する。

　そして、励磁同期信号発生回路１７は、この論理信号Ｓｉｎ３の論理値と同じ論理値を有するインバータ制御信号Ｖｓｓを発振回路１６の第１及び第２オア回路２３，２４に送信する。

　従って、本実施形態の場合、連続励磁であり、且つ論理信号Ｓｉｎ３がマイナス電位の期間において、連続励磁は行われない。
　このように、本実施形態では、給電装置１に第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２が設けられ、且つ機器Ｅからの機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２に従って、複数の１次コイルＬ１が互いに同期励磁するため、機器Ｅの回路が簡素化される。

　また、本実施形態では、機器Ｅの機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２に基づいて、高周波インバータ回路１５の発振回路１６の第１及び第２パワートランジスタＱ１、Ｑ２がオンオフされるため、機器Ｅに対応した様々な周波数の発振やパターンの発振が制御可能である。

　さらに、本実施形態では、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２は、機器Ｅから独立した信号経路を介して送信可能であるため、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２の信頼性が高いものとなる。

　さらにまた、本実施形態では、機器側励磁要求変調信号ＶＬ１２を機器Ｅから電力伝送するための１次コイルＬ１と２次コイルＬ２が兼用可能であるため、電力伝送するための回路構成が簡素化できる。

　（第７実施形態）
　次に、第７実施形態を図２６に従って説明される。
　本実施形態は、各給電モジュールＭが機器Ｅとの間で情報の授受及び機器Ｅに対して微小電力供給を行うことができる点に特徴を有している。

　尚、本実施形態は、第２実施形態で説明した図１２に示す物体検出回路３２を備えた給電装置１に具体化したので、説明の便宜上、特徴部分を詳細に説明し、本実施形態と第２実施形態との間の共通の部分を省略する。

　図２６は、本実施形態の給電モジュールＭと機器Ｅとの電気ブロック回路を示す。
　図２６において、給電モジュールＭには、給電側送受信回路４９が加えられている。給電側送受信回路４９は、給電側アンテナＡＴ５を介して、載置された機器Ｅに向かって各種信号を送信する。また、給電側送受信回路４９は、励磁要求信号ＲＱ及び機器認証信号ＩＤ以外の機器Ｅから送信される各種信号を、同給電側アンテナＡＴ５を介して受信する。また、給電側送受信回路４９は、給電側アンテナＡＴ５を励磁することにより機器Ｅに微小電力の供給を行う。

　機器Ｅは、機器側送受信回路９に加えて、第３機器側送受信回路９ｂを備えている。第３機器側送受信回路９ｂは、機器側アンテナＡＴ６に接続され、給電側送受信回路４９から送信された各種信号を受信し、同機器側アンテナＡＴ６を介して直下の給電モジュールＭに向かって各種信号を送信する。また、第３機器側送受信回路９ｂには、給電側アンテナＡＴ５が微小電力を供給するために励磁されることにより、機器側アンテナＡＴ６で発生する微小の２次供給電力が受信される。

　これにより、本実施形態によれば、給電装置１と機器Ｅとの間のより詳細な相互のデータ通信が可能となる。また、機器Ｅへの微小な電力伝送機能が追加されることから、機器認証信号ＩＤ、励磁要求信号ＲＱ、及びその他の信号を作るための必要最小限の微小な電力が機器Ｅに供給可能である。

　また、機器Ｅが電源を持たない場合に、１次コイルＬ１の間欠励磁ではなく、独立した微小電力供給を行える給電側送受信機能があるので、さらに低消費電力が可能である。
　尚、信号の授受、及び微小電力供給のために給電側アンテナＡＴ５及び機器側アンテナＡＴ６を用いたが、給電側アンテナＡＴ５及び機器側アンテナＡＴ６は、１次コイルＬ１、２次コイルＬ２，信号受信アンテナＡＴ１、及び送受信アンテナＡＴ３等で代用してもよい。

　また、機器Ｅに新たに備えた第３機器側送受信回路９ｂが、励磁要求信号ＲＱ、及び機器認証信号ＩＤを生成する機器側送受信回路９で兼務されるようにしてもよい。
　（第８実施形態）
　次に、第８実施形態を図２７に従って説明される。

　本実施形態は、機器Ｅが載置されている間、連続励磁を行うのではなく、連続励磁が予め定めた一定駆動時間が経過する毎に、その予め定めた一定駆動時間より十分短い一定時間の１次コイルＬ１の励磁を休止させる点に特徴を有している。

　尚、本実施形態では、第１実施形態で説明した図３、図４の給電装置１に具体化したので、説明の便宜上、特徴部分が詳細に説明され、本実施形態と第１実施形態との間の共通の部分が省略される。

　本実施形態の高周波インバータ回路１５（図４参照）において、第１アンド回路２１の出力端子と第１パワートランジスタＱ１のゲート端子の間に、ＭＯＳトランジスタからなる第１トランスファーゲートが接続される。また、第２アンド回路２２の出力端子と第２パワートランジスタＱ２のゲート端子の間に、ＭＯＳトランジスタからなる第２トランスファーゲートが接続される。

　そして、第１及び第２トランスファーゲートに遮断信号が受信されると、第１及び第２アンド回路２１，２２から第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２に送信される第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２（第１及び第２励磁同期信号Ｖｓ１，Ｖｓ２）が遮断される。

　この遮断信号は、本実施形態では、システム制御部８で生成される。システム制御部８は、機器Ｅが載置されることにより許可信号ＥＮが送信された時から、内蔵したタイマを計時し、予め定めた駆動時間ｔｙ経過する毎に、駆動時間ｔｙに比べて十分短い予め定めた休止時間ｔｚだけ遮断信号を送信する。従って、機器Ｅが載置されることにより許可信号ＥＮが送信されている間、駆動時間ｔｙ経過する毎に、休止時間ｔｚだけ遮断信号が送信される。

　図２７に示すように、時刻ｔ１において機器Ｅが置かれることにより連続励磁が開始された場合、その時刻ｔ１から駆動時間ｔｙ経過すると、遮断信号が時間ｔｚだけ送信されて、第１及び第２アンド回路２１，２２から第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２に送信される第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２が消失される。

　その結果、休止時間ｔｚの間、第１及び第２パワートランジスタＱ１，Ｑ２はオンオフされず、連続励磁は休止する。
　尚、この休止時間ｔｚの間は、第１及び第２トランスファーゲートが遮断信号に基づいて第１及び第２オンオフ信号Ｖｇ１，Ｖｇ２を遮断しているだけである。このため、給電装置１は、第１実施形態と同様に、図１０に示す処理動作を継続して実行する。

　このように、本実施形態では、１次コイルＬ１の連続励磁が休止する休止時間ｔｚに、機器認証信号ＩＤや励磁要求信号ＲＱに受信判別や信号送信ができるため、さらに高信頼性の給電が可能となる。

　（第９実施形態）
　次に、第９実施形態を図２８に従って説明される。
　本実施形態は、給電装置１に設けたれた複数の１次コイルＬ１が複数個の組みに区分され、その区分された組毎に間欠励磁され、時間が経過する毎に、間欠励磁される組の順番を示す励磁パターンを異ならせた点に特徴を有する。

　図２８は、第９実施形態の給電装置１の１次コイルの配列状態を示す。
　図２８において破線で示すように、載置面６がＸ方向に３分割にされ、Ｙ方向に４分割される。これにより、１２個の第１～第１２分割エリアＡ１～Ａ１２が区画形成される。そして、第１～第１２各分割エリアＡ１～Ａ１２には、それぞれ４個の１次コイルＬ１が含まれる。

　そして、本実施形態では、第１～第１２分割エリアＡ１～Ａ１２の１次コイルＬ１を間欠励磁させる各タイミングが異なる。
　例えば、第１分割エリアＡ１、第２分割エリアＡ２、…、…、第１１分割エリアＡ１１、第１２分割エリアＡ１２の順で、第１～第１２分割エリアＡ１～Ａ１２の１次コイルＬ１が間欠励磁される。そして、第１２分割エリアＡ１２の間欠励磁が終わると、再び、第１分割エリアＡ１から間欠励磁を行い、このような順番を繰り返す。

　そして、第１～第１２分割エリアＡ１～Ａ１２の間欠励磁タイミングパターンは、システム制御部８に制御される。つまり、システム制御部８は、第１実施形態では、電源スイッチをオンしたとき、各１次コイルＬ１の給電モジュールＭに対して、第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを、一斉に送信した。これを、本実施形態の場合、システム制御部８は、第１～第２各分割エリアＡ１～Ａ１２の各々に属する４個の１次コイルＬ１の給電モジュールＭに順番に、所定のタイミングで第１励磁同期信号Ｖｓ１、第２励磁同期信号Ｖｓ２及び間欠ハイ信号Ｖｓｔを送信する。

　また、システム制御部８は、所定の時間が経過すると、先に行っていた第１～第２各分割エリアＡ１～Ａ１２の間欠励磁タイミングパターンを変更する。
　例えば、上記した第１分割エリアＡ１、第２分割エリアＡ２、…、…、第１２分割エリアＡ１２の順の間欠励磁タイミングパターンは、第１２分割エリアＡ１２、第１１分割エリアＡ１１、…、…、第２分割エリアＡ２、第１分割エリアＡ１という反対の間欠励磁タイミングパターンに変更される。これは、所定の時間が経過する毎に、システム制御部８は、先に行っていた間欠励磁パターンとは異なる間欠励磁パターンを実行するようにしている。

　この異なる間欠励磁パターンのデータは、システム制御部８に用意されている。システム制御部８は、間欠励磁パターンのデータを用いて第１～第１２分割エリアＡ１～Ａ１２の各々の間欠励磁タイミングパターンを変更する。

　本実施形態は、機器Ｅが置かれていない場合の１次コイルＬ１、又は、機器Ｅが置かれている場所以外の１次コイルＬ１を待機状態の時には分割エリア毎に時分割で間欠励磁するため、待機時間を削減でき、待機状態の消費電力の削減を図ることができる。

　また、全ての１次コイルＬ１が同時刻に一斉に励磁されないので、ノイズ放射レベルが小さくできる。
　（第１０実施形態）
　次に、第１０実施形態を図２９、図３０に従って説明される。

　本実施形態は、給電装置１を室内の床、壁、及び天井の少なくともいずれか一方に直接目で見えないように配置位置した点に特徴を有している。
　図２９に示すように、給電装置１は、室内５０の床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上に配置されている。

　床５１に配置された給電装置１は、図３０に示すように、床５１の下に構成され、且つ格子状の木枠としての枠体６０で囲まれた空間Ｓに収容配置される。給電装置１は、適宜の空間Ｓに収容配置された後、床板５２が張られ、目に見えない床５１の下に配置される。

　同様に、壁５２、及び天井５３に配置される給電装置１も、壁５２中、天井５３の上にそれぞれ構成され、且つ格子状の枠体で囲まれた空間に収容配置されて、目に見えないように壁５１中及び天井５３上に配置される。

　尚、床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上にそれぞれ配置された各給電装置１は、床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上にそれぞれ設けたコンセントと給電装置のプラグとに接続される。

　そして、図３１に示すように、天井５３の上に設けた給電装置１と相対向する位置には、照明機器Ｅ１が配置される。そして、照明機器Ｅ１は、天井５３の上に設けた給電装置１から非接触給電を受けて点灯する。

　また、壁５２の中に設けた給電装置１と相対向する位置には、ＴＶ機器Ｅ２が配置される。そして、ＴＶ機器Ｅ２は、壁５２の中に設けた給電装置１から非接触給電を受けてテレビを映し出す。

　さらにまた、床５１の下に設けた給電装置１と相対向する位置にスピーカ機器Ｅ３が配置される。そして、スピーカ機器Ｅ３は、床５１の下に設けた給電装置１から非接触給電を受けて音楽を流す。

　また、給電装置１は枠体６０で囲まれた空間Ｓから簡単に着脱可能であるために、給電装置１の配置は変更できる。従って、図３２に示すように、スピーカ機器Ｅ３の配置位置に応じて、床５１の下に設けた給電装置１の配置位置を適宜変更するだけで、スピーカ機器Ｅ３の室内５０でのレイアウトが自由に変更可能である。

　しかも、ユーザが床板５２を自由に取り外すことができる構造の場合には、ユーザは、給電装置１の配置をいつでも自由に変更可能である。
　勿論、給電装置１を床５１の下、壁５２の中、及び天井５３の上に配置することは、事前に取付工事の際に適宜の位置を選択し埋設させて、ユーザにより自由に変更できなくてもよい。

　このように、本実施形態では、室内５０の床５１、壁５２、及び天井５３に設けた各機器Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３は、対応する各給電装置１から非接触で給電をそれぞれ受けるため、従来のような電力を供給するコードが無くなる。その結果、何本ものコードで機器と機器とが接続されて、機器の配置の自由度を制限し、美観を損なうとともに、埃がつきやすく、掃除がし難いといった問題が解消される。

　また、図３４に示すように、壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６１，６２と、壁５２の最上端に沿って設けられた幅木６３，６４と、壁５２と壁５２の交差部分であって上下方向に沿って設けられた幅木６５、天井５３の中央に設けられた幅木６６との中に、給電装置１が配置されてもよい。また、壁５２の中央であって左右方向に沿って設けられ、且つダクト形状を有する幅木６７の中に、給電装置１が配置されてもよい。

　壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６１に配置された給電装置１は、図３３に示すように、幅木６１内の所定の位置に収容配置される。給電装置１は、所定の空間に収容配置された後、上板６１ａが張られることにより、目に見えないように幅木６１内に配置される。

　そして、図３４に示すように、幅木６１に設けた給電装置１と相対向する位置に複数のモバイル機器Ｅ４、照明機器Ｅ１が配置されている。そして、照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けることにより点灯する。

　この場合、幅木６１の上板６１ａは自由に取り外せるため、幅木６１内に給電装置１が長手方向に自由に移動配置可能である。そのため、生活スタイルに合わせて、モバイル機器Ｅ４、照明機器Ｅ１の配置位置が自由に変更可能である。

　また、壁５２の最上端に沿って設けられた幅木６３に収容配置された給電装置１も同様な方法で収容配置される。そして、該給電装置１と相対向する位置にスポット型の照明機器Ｅ１が配置される。そして、スポット型の照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けることにより点灯する。

　さらに、壁５２と壁５２との交差部分であり、且つ上下方向に沿って設けられた幅木６５も同様な方法で収容配置される。そして、該給電装置１と相対向する位置にスピーカ機器Ｅ３が配置される。そして、スピーカ機器Ｅ３は、該給電装置１から非接触給電を受けることにより駆動可能である。

　さらにまた、図３４に示すように、壁５２の中央であって左右方向に沿って設けられ、且つダクト形状を有する幅木６７の中に、給電装置１が配置されてもよい。そして、ダクト形状を有する幅木６７に設けられた給電装置１と相対向する位置に、照明機器Ｅ１が配置される。照明機器Ｅ１は、該給電装置１から非接触給電を受けることにより点灯する。この場合、ダクト形状を有する幅木６７内の給電装置１は、長手方向に自由に移動配置可能である。そのため、生活スタイルに合わせて、照明機器Ｅ１の配置位置が自由に変更可能である。

　このように本実施形態は、室内５０の各機器Ｅ１～Ｅ４のコードを完全に無くすことができ、コードにつまずいたりすることがなくなるために安全である。また、コードがないことから、室内５０の掃除が容易である。

　さらに、自分スタイルに合わせて各機器Ｅ１～Ｅ４の位置が自分で変えられる。しかも、人が容易に触れる位置や埃がたまりやすい位置にも給電装置１が配置できるため、給電装置１は、安全で高信頼である。

　尚、各実施形態の給電装置１を単独でした場合について説明したが、複数の給電装置１を四方に併設することにより１つの大きな面積を有する載置面を有する給電装置が構成されたり、複数の給電装置１を一方向に帯状に沿って併設することにより１つの長い載置面を有する給電装置が実施されてもよい。この場合、各給電装置１のシステム制御部８は、互いにデータの授受を行えるように接続される必要がある。

　これによって、より多くの機器を同時に非接触給電ができるとともに、使用台数、及び使用環境に合わせて柔軟な対応ができる。
　（第１１実施形態）
　次に、第１１実施形態を図３５に従って説明される。

　上記した各実施形態では、給電装置１は、複数の１次コイルＬ１を面状に配置した。本実施形態は、複数の１次コイルＬ１を一方向に線状に沿って配置した点に特徴を有している。

　図３５に示すように、給電装置１の筐体２内には、複数の１次コイルＬ１が１列、即ち、線状に沿って配置され、その各１次コイルＬ１に対して給電モジュールＭが配設されている。その線状に沿って配置された複数の１次コイルＬ１の上側に位置する部分が線状に延びた帯状の載置面６となり、機器Ｅは、その帯状の載置面６に載置される。そして、この帯状の載置面６に機器Ｅが載置されると、機器Ｅの直下に位置する１つ又は複数の１次コイルＬ１が励磁されることにより、機器Ｅは給電される。

　また、複数の１次コイルＬ１を１列、即ち、線状に沿って配置した給電装置１は、天井又は壁に沿って配置される。そして、天井又は壁に沿って長く延びた給電装置１に対して、例えば、複数のスポット型の照明機器Ｅ１を列設すれば、これら複数のスポット型の照明機器Ｅ１は、給電装置１から給電されることにより点灯する。

　また、例えば、図３６に示すように、複数の１次コイルＬ１が、円柱形の手すり６９の表面（円柱表面状）に配置されてもよい。
　（第１２実施形態）
　次に、第１２実施形態を図３７に従って説明される。

　本実施形態は、機器Ｅの２次コイルＬ２に共振回路を設けた点に特徴を有している。
　図３７に示すように、機器Ｅに設けられた２次コイルＬ２は、コンデンサＣｚを並列に接続されて、給電モジュールＭ（１次コイルＬ１）の駆動周波数で共振する。これによって、負荷Ｚとの整合（マッチング）が容易にとれて２次コイルＬ２が共振し、簡単に、安全、安心、省エネルギで高効率な非接触給電システムが実現できる。尚、２次コイルＬ２は、コンデンサＣｚに直列に接続されて、給電モジュールＭの駆動周波数で共振するようにしてもよい。

　（第１３実施形態）
　次に、第１３実施形態を図３８～図４０に従って説明される。
　前記各実施形態では、機器Ｅを給電装置１の載置面６に載置させた状態で、又は機器Ｅを第１０実施形態のように給電装置１に近接させた状態で、機器Ｅが給電されていた。本実施形態は、給電装置１に対して所定の距離だけ機器Ｅを離間させるように配置して機器Ｅを給電させる点に特徴を有している。

　図３８に示すように、壁５２の中に設けた給電装置１と、壁５２から離間して給電装置１と相対向するように配置されたＴＶ機器Ｅ２との間に、中継器７０が配置される。中継器７０は、図３９に示す電気回路のように、１次コイルＬ１の駆動周波数で共振する共振回路である。中継器７０は、互いに並列接続されたコンデンサＣｘ及び中間コイルＬｘからなる。

　つまり、１次コイルＬ１は、中継器７０の中間コイルＬｘを有する共振回路を磁気共鳴させ、共振した中間コイルＬｘにて２次コイルＬ２を励磁させることによりＴＶ機器Ｅ２が給電される。

　これによって、電力の伝送距離や給電エリアの拡大を図りつつ、安全、安心、省エネルギで便利な非接触給電システムが実現できる。
　なお、図４０に示すように、壁５２の最下端に沿って設けられた幅木６２に収容配置された給電装置１に対して同給電装置１の上方に位置する壁５２に、中継器７０が設置される。そして、中継器７０の上側の壁５２に配置したスポット型の照明機器Ｅ１は、中継器７０を介して給電装置１から給電を受けるようにしてもよい。

　なお、図３８では給電装置１とＴＶ機器Ｅ２との間に、図４０では給電装置１とスポット型の照明機器Ｅ１との間に、１つの中継器７０がそれぞれ配置されたが、これに限定されるものではなく、複数の中継器７０が配置されてもよい。

　尚、上述の各実施形態では、１次コイルＬ１は、平面コイルを例にして説明したが、Ｃ型、Ｅ型等のコアを含む構成にしてもよい。

Claims

機器と、前記機器に非接触で給電する給電装置とを有する非接触給電システムであって、
　前記給電装置は、面状又は線状に設けられた複数の１次コイルと、複数の前記１次コイルにそれぞれ対応する複数の給電モジュールであって、各給電モジュールは、前記１次コイルの励磁を要求するための励磁要求信号を受信し、その受信した励磁要求信号に基づいて前記１次コイルを励磁する、前記複数の給電モジュールと、前記複数の前記給電モジュールを統括制御するシステム制御部とを備え、
　前記機器は、２次コイルと、前記給電装置に前記励磁要求信号を送信する送信回路とを備え、
　前記機器を給電装置上に配置した時、１以上の給電モジュールに対応する１次コイルを励磁させ、電磁誘導にて前記機器の２次コイルに２次電力を発生させ、該２次電力を前記機器の負荷に供給し、
　前記システム制御部は、前記給電装置上に配置された前記機器から前記励磁要求信号を前記１以上の給電モジュールが受信したとき、その励磁要求信号を受信した１以上の給電モジュールに対して当該１次コイルを励磁させるための許可信号を送信する、非接触給電システム。
請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、
　前記１次コイルを励磁する高周波インバータ回路と、
　前記機器から前記励磁要求信号を受信し判別する受信回路と、
　前記受信回路が前記励磁要求信号を受信したとき、前記高周波インバータ回路を駆動させるための駆動制御信号を生成する励磁制御回路と
を備える、非接触給電システム。
請求項１又は２に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、
　前記機器から前記励磁要求信号を受信する信号受信アンテナを有し、
　前記機器は、
　前記送信回路に接続され、且つ前記励磁要求信号を送信する送受信アンテナを有し、
　前記複数の信号受信アンテナの各々は、対応する前記１次コイルに沿って配置され、
　前記送受信アンテナは、前記２次コイルに沿って配置され、
　前記機器の前記２次コイルは、該前記２次コイルの直下にある１以上の１次コイルと対応している、非接触給電システム。
請求項２に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の励磁制御回路の各々は、
　前記受信回路が前記励磁要求信号を受信したとき、前記励磁要求信号を受信したことを示す信号を前記システム制御部に送信した後、前記システム制御部からの前記許可信号に応答して前記高周波インバータ回路に前記駆動制御信号を送信する、非接触給電システム。
請求項２又は４に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の高周波インバータ回路の各々は、
　１次コイルを励磁する発振回路と、
　前記励磁制御回路からの前記駆動制御信号に応答して前記発振回路を駆動する同期信号発生回路と
を備えたことを特徴とする非接触給電システム。
請求項２、４、５のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々の前記受信回路は、
　前記機器の前記送信回路から前記励磁要求信号を受信する励磁要求受信回路と、
　前記機器の前記送信回路から機器認証信号を受信する機器認証受信回路と
を有し、
　前記機器の前記送信回路は、
　前記励磁要求信号と、自身の機器を認証する前記機器認証信号とを生成し、前記機器認証信号及び前記励磁要求信号を送信し、
　システム制御部は、
　前記励磁要求信号と前記機器認証信号とを前記受信回路が受信したとき、前記許可信号を１以上の励磁制御回路に送信し、前記励磁要求信号及び前記機器認証信号のいずれか一方が消失したとき、前記１以上の励磁制御回路への前記許可信号の送信を停止することを特徴とする非接触給電システム。
請求項２、４～６のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、前記１次コイルの近辺に設けられ、金属を検出して金属検出信号を生成する金属検出センサと、前記金属検出センサから金属検出信号を受信することにより金属の有無を判別する金属検出回路とを備え、
　複数の前記金属検出回路の各々は、対応する金属検出センサから前記金属検出信号を受信したとき、前記駆動制御信号を消失させるために前記金属検出信号を対応する励磁制御回路に送信することを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、前記機器が載置される前の待機状態にあるとき、前記１次コイルを間欠的に励磁させることにより前記１次コイルを待機させることを特徴とする非接触給電システム。
請求項８に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、対応する１次コイルの近辺に設けられ、且つ物体を検出して物体検出信号を生成する物体検出センサと、対応する物体検出センサから前記物体検出信号を受信し、前記物体検出信号に基づいて物体の有無を判別する物体検出回路とを備え、
　複数の前記物体検出回路の各々は、対応する物体検出センサから前記物体検出信号を受信したとき、対応する１次コイルを間欠的に励磁させて待機させることを特徴とする非接触給電システム。
請求項９に記載の非接触給電システムにおいて、
　複数の前記物体検出センサの各々は、光を含む電磁波を出射し、出射された電磁波の反射波の有無によって物体を検出することを特徴とする非接触給電システム。
請求項８に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記給電装置に設けられた複数の前記１次コイルを複数個の組みに区分し、その区分した組毎に順番に間欠励磁させ、時間が経過する毎に間欠励磁される組の順番を示す励磁パターンを異ならせたことを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～１１のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、対応する１次コイルを給電するための励磁を開始した場合、予め定めた時間毎に一定時間の励磁休止時間を設けて待機することを特徴とする非接触給電システム。
請求項５～１２のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　複数の前記高周波インバータ回路の各々は、第１及び第２パワートランジスタ、第１及び第２アンド回路を含み、
　前記第１及び第２パワートランジスタの制御端子は、それぞれ第１及び第２アンド回路の出力端子に接続され、
　前記第１及び第２アンド回路の第１の入力端子には、前記第１及び第２パワートランジスタを交互にオンオフさせるための相補性の第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ受信され、
　前記第１及び第２アンド回路の第２の入力端子には、前記第１及び第２励磁同期信号をそれぞれ有効もしくは無効を決定するインバータ制御信号がそれぞれ受信されることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１３に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記第１及び第２アンド回路の第１の入力端子には、それぞれ第１及び第２切替回路の出力端子が接続され、
　前記第１及び第２切替回路の第１の入力端子には、前記第１及び第２パワートランジスタを低周波で交互にオンオフさせるための相補性の低周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ受信され、
　前記第１及び第２切替回路の第２の入力端子には、前記第１及び第２パワートランジスタを高周波で交互にオンオフさせる相補性の高周波用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ受信され、
　前記第１及び第２切替回路は、前記機器からの切り替え情報に基づいて、第１及び第２アンド回路に送信する第１及び第２励磁同期信号を、低周波用と高周波用のいずれか一方に切り替えることを特徴とする非接触給電システム。
請求項５～１２のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々の前記高周波インバータ回路は、第１及び第２パワートランジスタと第３及び第４切替回路とを含み、
　前記第１及び第２パワートランジスタの制御端子は、それぞれ前記第３及び第４切替回路の出力端子に接続され、
　前記第３及び第４切替回路の第１の入力端子には、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを間欠的で交互にオンオフさせるための相補性の間欠用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ受信され、
　前記第３及び第４切替回路の第２の入力端子は、前記一対の第１及び第２パワートランジスタを連続的で交互にオンオフさせるための相補性の連続用第１及び第２励磁同期信号がそれぞれ受信され、
　前記第３及び第４切替回路は、前記機器の載置の有無に基づいて、第１及び第２パワートランジスタの制御端子に送信する第１及び第２励磁同期信号を、間欠用と連続用のいずれかに切り替えることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１５に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記機器の送信回路は、自身の２次コイルＬ２が給電励磁される際の励磁周期を決定する、前記励磁要求信号を振幅変調した励磁要求変調信号を送信し、
　前記複数の給電モジュールの各々の励磁要求受信回路は、前記機器から励磁変調要求信号を受信し、該励磁変調要求信号を検波復調することにより、前記励磁変調要求信号の振幅値が大きい期間では前記励磁変調要求信号をハイ・レベルの論理信号に波形整形し、前記励磁変調要求信号の振幅値が小さい期間では前記励磁変調要求信号をロー・レベルの論理信号に波形整形し、
　前記複数の給電モジュールの各々の高周波インバータ回路は、前記論理信号に基づいて、前記連続用第１及び第２励磁同期信号を生成することを特徴とする非接触給電システム。
請求項１３に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記機器からの前記励磁要求信号は、前記２次コイルに発生する電圧波形又は電流波形を同励磁要求信号で振幅変調することにより生成された機器側励磁要求変調信号であり、その機器側励磁要求変調信号は、前記１次コイルに受信され、
　前記給電モジュールの励磁要求受信回路は、前記１次コイルで受信した前記機器からの機器側励磁要求変調信号を受信し、該機器側励磁要求変調信号を検波復調することにより、前記機器側励磁要求変調信号の振幅値が大きい期間では前記機器側励磁要求変調信号をハイ・レベルの論理信号に波形整形し、前記機器側励磁要求変調信号の振幅値が小さい期間では前記機器側励磁要求変調信号をロー・レベルの論理信号に波形整形し、
　その論理信号の論理値と同じ論理値を有する前記インバータ制御信号は、高周波インバータ回路の第１及び第２アンド回路の第２の入力端子に送信されることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～１７のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールの各々は、前記機器との間で給電側送受信アンテナを介して各種信号を送受信し、且つ前記機器の機器側送受信アンテナに微小電力を供給する給電側送受信回路を備え、
　前記機器は、前記１以上の給電モジュールとの間で前記機器側送受信アンテナを介して各種信号を送受信し、且つ前記給電側送受信回路による前記給電側送受信アンテナの励磁にて前記機器側送受信アンテナに発生する微小電力を受信する機器側送受信回路を備えることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～１３のいずれか１に記載の非接触給電システムおいて、
　前記励磁要求信号は、前記１次コイルの励磁周波数とは異なる周波数に変調されることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～１９のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記複数の給電モジュールは、複数の１次コイルを励磁駆動する際、前記複数の１次コイルを同位相で励磁することを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～２０のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記給電装置を連結することにより単一の給電システムを構成することを特徴とする非接触給電システム。
請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記給電装置は、床、壁、及び天井の少なくとも１つに着脱可能で配置されることにより、配置位置を変更可能であることを特徴とする非接触給電システム。
請求項２２に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記給電装置を配置する前記床、前記壁、又は前記天井は、ユーザが前記給電装置を自由にレイアウトできる木枠にて構成され、その木枠内に１つ若しくは複数個の前記給電装置が配置可能であることを特徴とする非接触給電システム。
請求項２２に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記床、前記壁、又は前記天井に設けられた幅木に、前記給電装置を配置したことを特徴とする非接触給電システム。
請求項２４に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記幅木がダクト形状を有し、１以上の前記機器が、前記幅木上を自由にスライドできることを特徴とする非接触給電システム。
請求項１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記機器は、前記２次コイルと並列又は直列に接続されたコンデンサを含み、２次コイルとコンデンサとは、前記給電モジュールの駆動周波数で共振することを特徴とする非接触給電システム。
請求項１～２６のいずれか１に記載の非接触給電システムにおいて、
　前記給電装置と前記機器との間に配置された１以上の中継器を備え、前記中継器は、互いに並列接続されたコンデンサ及び中間コイルを含み、コンデンサ及び中間コイルは、前記給電装置の駆動周波数で共振するように設定されることを特徴とする非接触給電システム。