WO2011105170A1 - 太陽電池 - Google Patents

太陽電池 Download PDF

Info

Publication number
WO2011105170A1
WO2011105170A1 PCT/JP2011/051781 JP2011051781W WO2011105170A1 WO 2011105170 A1 WO2011105170 A1 WO 2011105170A1 JP 2011051781 W JP2011051781 W JP 2011051781W WO 2011105170 A1 WO2011105170 A1 WO 2011105170A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
photoelectric conversion
conversion unit
solar cell
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/051781
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
茂郎 矢田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Priority to CN2011800100678A priority Critical patent/CN102763224A/zh
Publication of WO2011105170A1 publication Critical patent/WO2011105170A1/ja
Priority to US13/585,497 priority patent/US20120305062A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F10/00—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells
    • H10F10/10—Individual photovoltaic cells, e.g. solar cells having potential barriers
    • H10F10/17—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers
    • H10F10/172—Photovoltaic cells having only PIN junction potential barriers comprising multiple PIN junctions, e.g. tandem cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/40—Optical elements or arrangements
    • H10F77/42—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with photovoltaic cells, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H10F77/48—Back surface reflectors [BSR]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell including a reflective layer that reflects a part of incident light.
  • Solar cells are expected as a new energy source because they can directly convert light from the sun, which is a clean and inexhaustible energy source, into electricity.
  • a solar cell absorbs light incident on a solar cell between a transparent electrode layer provided on the light incident side and a back electrode layer provided on the opposite side of the light incident side, and generates a photogenerated carrier.
  • a photoelectric conversion unit to be generated is provided.
  • a plurality of photoelectric conversion units are provided as a laminate that contributes to photoelectric conversion, and most of the incident light contributes to photoelectric conversion.
  • Such a plurality of photoelectric conversion units can contribute a part of the light transmitted without contributing to the photoelectric conversion by the photoelectric conversion unit provided on the light incident side to the photoelectric conversion by another photoelectric conversion unit. Therefore, the amount of light absorbed in the photoelectric conversion unit increases. As a result, the number of photogenerated carriers generated in the photoelectric conversion unit increases, so that the power generation efficiency of the solar cell is improved.
  • Patent Document 1 discloses that a solar cell is provided with a low refractive index layer made of silicon oxide (SiO). As a result, a part of the incident light is reflected and incident on the photoelectric conversion part on the light incident side, and the other photoelectric conversion part on the back electrode layer side is reflected by the back electrode layer and the like. The reflected light can be reflected and confined again.
  • SiO silicon oxide
  • the present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a solar cell with improved power generation efficiency.
  • the solar cell according to the present invention includes a light-receiving surface electrode layer, a first photoelectric conversion unit stacked on the light-receiving surface electrode layer, and a reflective layer stacked on the first photoelectric conversion unit and having a SiO layer and a silicon layer. And a second photoelectric conversion part laminated on the reflective layer, and a back electrode layer laminated on the second photoelectric conversion part.
  • the present invention it is possible to provide a solar cell in which the loss of generated photogenerated carriers is suppressed and the power generation efficiency is improved.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a solar cell 10 according to the first embodiment of the present invention.
  • the solar cell 10 includes a substrate 1, a light receiving surface electrode layer 2, a stacked body 3, and a back electrode layer 4, and has a structure in which the light receiving surface is sequentially stacked from the back surface.
  • the substrate 1 has translucency and is made of a translucent material such as glass or plastic.
  • the light-receiving surface electrode layer 2 is laminated on the substrate 1 and has conductivity and translucency.
  • a metal oxide such as tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), indium oxide (In 2 O 3 ), or titanium oxide (TiO 2 ) can be used. These metal oxides may be doped with fluorine (F), tin (Sn), aluminum (Al), iron (Fe), gallium (Ga), niobium (Nb), or the like.
  • the laminate 3 is provided between the light-receiving surface electrode layer 2 and the back electrode layer 4.
  • the stacked body 3 includes a first photoelectric conversion unit 31, a reflective layer 32, and a second photoelectric conversion unit 33.
  • the first photoelectric conversion unit 31, the reflection layer 32, and the second photoelectric conversion unit 33 are sequentially stacked from the light receiving surface electrode layer 2 side.
  • the first photoelectric conversion unit 31 generates photogenerated carriers by light incident from the light receiving surface electrode layer 2 side or light reflected from the reflective layer 32.
  • the first photoelectric conversion unit 31 has a pin junction in which a p-type amorphous silicon layer 31a, an i-type amorphous silicon layer 31b, and an n-type amorphous silicon layer 31c are stacked from the substrate 1 side.
  • the reflective layer 32 reflects a part of the light transmitted through the first photoelectric conversion unit 31 to the first photoelectric conversion unit 31 side.
  • the reflective layer 32 includes a first layer 32a, an intermediate layer 32b, and a second layer 32c.
  • the first layer 32a, the intermediate layer 32b, and the second layer 32c are stacked so as to sequentially contact from the first photoelectric conversion unit 31 side. Therefore, the first layer 32 a is formed so as to be in contact with the first photoelectric conversion unit 31.
  • n-type amorphous silicon oxide (SiO) is used as a main transparent conductive material.
  • the SiO used here has a low refractive index in order to reflect a large amount of light by the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33 described later. Since the reflectance can be increased as the difference in refractive index between the contacting surfaces increases, the refractive index of a material mainly composed of silicon is about 4.3 in light having a wavelength of 550 nm. The refractive index is preferably less than 2.4.
  • the intermediate layer 32b having a refractive index of 2.2 is used.
  • the refractive index of SiO can be controlled by adjusting the amount of O in the film, and the refractive index can be lowered by increasing the amount of O in the SiO film.
  • the intermediate layer 32b has a thickness of 50 nm, but is preferably 30 to 150 nm.
  • the second layer 32c is formed in contact with the intermediate layer 32b.
  • the first layer 32a is a material whose contact resistance (contact resistance) value with the first photoelectric conversion unit 31 is smaller than the contact resistance value between the SiO used as the intermediate layer 32b and the first photoelectric conversion unit 31. Is used as the subject. That is, the material constituting the first layer 32a is such that the contact resistance value between the first photoelectric conversion unit 31 and the first layer 32a is the contact resistance when the first photoelectric conversion unit 31 and the intermediate layer 32b are in direct contact with each other. Selected to be less than the value.
  • the second layer 32c is also made of a material having a small contact resistance value between the second photoelectric conversion unit 33 and the contact resistance value between SiO used as the intermediate layer 32b and the second photoelectric conversion unit 33. Used as the subject. That is, the material constituting the second layer 32c is such that the contact resistance value between the second photoelectric conversion unit 33 and the second layer 32c is the contact resistance value when the second photoelectric conversion unit 33 and the intermediate layer 32b are in direct contact. Is selected to be less than
  • intrinsic crystalline silicon is used for the first layer 32a and the second layer 32c.
  • the thickness of the first layer 32a and the second layer 32c is 30 nm, but is preferably 10 to 50 nm.
  • the first layer 32a and the second layer 32c are examples of the “Si layer” of the present invention.
  • the intermediate layer 32b is an example of the “SiO layer” in the present invention.
  • the material constituting the first layer 32a and the second layer 32c is such that the resistance value at both ends of the stacked body 3 including the first layer 32a and the second layer 32c does not include the first layer 32a and the second layer 32c. It is preferable to select so as to be smaller than the resistance values at both ends of the laminate 3.
  • the second photoelectric conversion unit 33 generates a photogenerated carrier by light that passes through the first photoelectric conversion unit 31 and is incident from the light receiving surface electrode layer 2 side, or light that is reflected from the back electrode layer 4.
  • the second photoelectric conversion unit 33 has a pin junction in which a p-type crystalline silicon layer 33a, an i-type crystalline silicon layer 33b, and an n-type crystalline silicon layer 33c are stacked from the substrate 1 side.
  • the back electrode layer 4 is composed of one or more layers having conductivity.
  • the back electrode layer has a configuration in which a layer containing ZnO and a layer containing Ag are stacked from the stacked body 3 side. It was.
  • the present invention is not limited to this, and the back electrode layer 4 may have only a layer containing Ag.
  • the reflective layer 32 includes the first layer 32a, the intermediate layer 32b, and the second layer 32c.
  • a first layer 32a or a second layer 32c is formed between the intermediate layer 32b made of SiO and the first photoelectric conversion unit 31 or the second photoelectric conversion unit 33, respectively. Therefore, the power generation efficiency of the solar cell 10 can be improved. This effect will be described in detail below.
  • an intermediate layer 32b mainly made of SiO is disposed between the first layer 32a and the second layer 32c made of silicon. Thereby, the following effects are acquired.
  • the first layer 32a and the second layer 32c whose main body is made of silicon suppresses the diffusion of O from the intermediate layer 32b whose main body is SiO to the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33. .
  • the refractive index of the second layer 32c composed mainly of silicon is higher than that of the intermediate layer 32b composed mainly of SiO, light is incident on the interface between the second layer 32c and the intermediate layer 32b from the second layer 32c side. Can be reflected to the second layer 32c side. That is, light can be confined in the second photoelectric conversion unit 33 again, and more light can be contributed to photoelectric conversion.
  • the short-circuit current generated in the solar cell 10 increases as the reflectance at the interface between the intermediate layer 32b and the first photoelectric conversion unit 31 or between the intermediate layer 32b and the second photoelectric conversion unit 33 is increased.
  • the reduction in the fill factor (FF) of the solar cell 10 due to the increase in the series resistance value can be suppressed, and the power generation efficiency of the solar cell 10 can be improved.
  • the reflectance of the reflective layer 32 can be increased while suppressing a decrease in the fill factor of the solar cell 10 due to an increase in the series resistance value in the entire solar cell 10.
  • the refractive index of the intermediate layer 32b with respect to light having a wavelength of 550 nm is set to less than 2.4.
  • the reflectance at the interface between the intermediate layer 32b and silicon having a refractive index of about 4.3 can be 8% or more. Accordingly, the amount of light incident on the first photoelectric conversion unit 31 made of amorphous silicon can be increased, and the same effect as when the thickness of the first photoelectric conversion unit 31 is substantially increased can be obtained. .
  • the intermediate layer 32b is made amorphous. Thereby, a refractive index can be made small compared with the case where it is crystalline. Thereby, the difference in refractive index between the n-type amorphous silicon layer 31c and the second layer 32c mainly composed of silicon can be increased, and the reflection effect can be increased.
  • the first layer 32a and the second layer 32c from intrinsic silicon, the power generation efficiency caused by the diffusion of impurities into the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33 and the deterioration of the film quality. Loss can be suppressed while being absorbed by the first layer 32a and the second layer 32c.
  • the first layer 32a is made crystalline. Thereby, the first layer 32a serves as an underlayer, and the crystal component in the intermediate layer 32b mainly composed of SiO can be increased. As a result, the conductivity can be increased by increasing the crystal component in SiO.
  • Intrinsic crystalline silicon is used as the second layer 32c.
  • the 2nd photoelectric conversion part 33 when the 2nd photoelectric conversion part 33 is made into crystalline silicon, the 2nd photoelectric conversion part 33 can be crystal-grown by using the 2nd layer 32c as a base layer, and it can crystallize better. As a result, the film quality of the second photoelectric conversion unit 33 is improved, and the power generation efficiency of the solar cell 10 can be improved.
  • Silicon is used for the n-type amorphous silicon layer 31c.
  • the activation rate of phosphorus (P), arsenic (As), etc. used as n-type dopants can be increased as compared with silicon oxide, and the internal electric field in the i-type amorphous silicon layer 31b can be strengthened.
  • more photogenerated carriers generated from the incident light can be taken out, and the short-circuit current (I sc ) can be improved.
  • Amorphous silicon is used as the n-type amorphous silicon layer 31c.
  • the band gap difference from the i-type amorphous silicon layer 31b can be reduced as compared with crystalline silicon.
  • the reduction in the fill factor (FF) of the solar cell 10 is suppressed, and the power generation efficiency of the solar cell 10 is increased. be able to.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the solar cell 20 according to the second embodiment of the present invention.
  • the solar cell 20 includes the substrate 1, the light-receiving surface electrode layer 2, the first photoelectric conversion unit 31, the intermediate layer 32, the second photoelectric conversion unit 33, the back electrode layer 4, And has a structure in which the light receiving surface and the back surface are sequentially stacked.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that the intermediate layer 32 includes an intermediate layer 32b made of n-type silicon oxide and a second layer 32d made of n-type crystalline silicon.
  • the intermediate layer 32 b and the second layer 32 d are sequentially stacked on the first photoelectric conversion unit 31. That is, the intermediate layer 32b has a structure sandwiched between the n-type amorphous silicon layer 31c and the second layer 32d.
  • the intermediate layer 33b is the same as that in the first embodiment.
  • the second layer 32d is made of silicon (Si) doped with an n-type dopant such as P (phosphorus).
  • the thickness of the second layer 32d is 20 nm, but is preferably 10 to 50 nm.
  • the intermediate layer 32b mainly made of SiO is disposed between the n-type amorphous silicon layer 31c and the second layer 32d made of n-type crystalline silicon.
  • the intermediate layer 32b composed mainly of amorphous silicon oxide has a lower refractive index than the n-type amorphous silicon layer 31c composed mainly of silicon or the second layer 32d composed of n-type crystalline silicon. Therefore, by adopting a configuration in which the intermediate layer 32b and the n-type amorphous silicon layer 31c are in contact with each other, when light enters the interface between the n-type amorphous silicon layer 31c and the intermediate layer 32b from the light receiving surface side, Light can be reflected to the surface side. As a result, it is possible to make more light incident on the i-type amorphous silicon layer 31b again and contribute to photoelectric conversion.
  • the intermediate layer 32b and the second layer 32d are brought into contact with each other, when light enters the interface between the intermediate layer 32b and the second layer 32d from the back surface side, the light can be reflected to the back surface side. As a result, light can be confined in the i-type crystalline silicon layer 33b, and more light can be contributed to photoelectric conversion.
  • the second layer 32d made of n-type crystalline silicon is disposed between the intermediate layer 32b and the second photoelectric conversion layer 33.
  • the second layer 32d made mainly of silicon suppresses the diffusion of O from the intermediate layer 32b made of silicon oxide into the i-type crystalline silicon layer 33b.
  • An n-type amorphous silicon layer 31c, an intermediate layer 32b made of n-type silicon oxide, a second layer 32d made of n-type crystalline silicon, and a p-type crystalline silicon layer 33a of the second photoelectric conversion layer 33 are sequentially formed. And a structure in which they are stacked and contacted. As a result, the n-type amorphous silicon layer 31c having the same kind of polarity and the intermediate layer 32b are in contact with each other, thereby increasing the contact resistance at the interface between the n-type amorphous silicon layer 31c and the intermediate layer 32b. Can be prevented.
  • the second layer 32d made of n-type crystalline silicon made of the same material and the p-type crystalline silicon layer 33a are in contact with each other, at the interface between the second layer 32d and the p-type crystalline silicon layer 33a It is possible to prevent the contact resistance from increasing. As a result, by reducing the series resistance value of the entire solar cell 10 caused by the contact resistance, the reduction of the fill factor (FF) of the solar cell 10 is suppressed, and the power generation efficiency of the solar cell 10 is increased. Can do.
  • FF fill factor
  • the number of photoelectric conversion units included in the stacked body 3 is two (the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33), but is not limited thereto. It is not something.
  • the laminate 3 may include three or more photoelectric conversion units.
  • the reflective layer 32 can be provided between any two adjacent photoelectric conversion units.
  • the reflective layer 32 includes the first layer 32a, the intermediate layer 32b, and the second layer 32c, but is not limited thereto. Specifically, the reflective layer 32 may include the first layer 32a and the intermediate layer 32b, or may include the intermediate layer 32b and the second layer 32c.
  • the first photoelectric conversion unit 31 includes the p-type amorphous silicon layer 31a, the i-type amorphous silicon layer 31b, and the n-type amorphous silicon layer.
  • 31c has a pin junction laminated from the substrate 1 side, but is not limited to this.
  • the first photoelectric conversion unit 31 has a pin junction in which a p-type crystalline silicon layer, an i-type crystalline silicon layer, and an n-type crystalline silicon layer are stacked from the substrate 1 side. May be.
  • crystalline silicon includes microcrystalline silicon and polycrystalline silicon.
  • the second photoelectric conversion unit 33 includes a p-type crystalline silicon layer 33a, an i-type crystalline silicon layer 33b, and an n-type crystalline silicon layer 33c. Although it has the pin junction laminated
  • the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33 have pin junctions, but are not limited thereto. Specifically, even if at least one of the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33 has a pn junction in which a p-type silicon layer and an n-type silicon layer are stacked from the substrate 1 side. Good.
  • the solar cell 10 has the structure by which the light-receiving surface electrode layer 2, the laminated body 3, and the back surface electrode layer 4 were laminated
  • the present invention is not limited to this.
  • the solar cell 10 may have a configuration in which the back electrode layer 4, the stacked body 3, and the light receiving surface electrode layer 2 are sequentially stacked on the substrate 1.
  • the solar cell according to the present invention will be specifically described with reference to examples.
  • the present invention is not limited to those shown in the following examples, and can be implemented with appropriate modifications within a range not changing the gist thereof.
  • Example 1 A solar cell 10 according to Example 1 shown in FIG. 1 was produced as follows.
  • an SnO 2 layer (light-receiving surface electrode layer 2) was formed on a glass substrate (substrate 1) having a thickness of 4 mm by using a sputtering method, a plasma CVD method, or the like.
  • a p-type amorphous silicon layer 31a, an i-type amorphous silicon layer 31b, and an n-type amorphous silicon layer are formed on the SnO 2 layer (light-receiving surface electrode layer 2) using a plasma CVD method.
  • 31c were sequentially stacked to form a first cell (first photoelectric conversion unit 31).
  • the p-type amorphous silicon layer 31a contains a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), or a p-type dopant such as diborane (B 2 H 6 ).
  • a film is formed by using a mixed gas obtained by mixing a gas and a diluent gas such as hydrogen (H 2 ) as a source gas.
  • a carbon-containing gas such as methane (CH 4 ) is further added to improve the light transmittance, and silane (SiH 4 ), methane (CH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and hydrogen (H
  • the mixed gas consisting of 2 is used as the raw material gas.
  • the i-type amorphous silicon layer 31b is a mixture obtained by mixing a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) and a diluent gas such as hydrogen (H 2 ).
  • a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) and a diluent gas such as hydrogen (H 2 ).
  • a gas as a source gas.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • the n-type amorphous silicon layer 31c includes a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), an n-type dopant-containing gas such as phosphine (PH 3 ),
  • a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), an n-type dopant-containing gas such as phosphine (PH 3 )
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ), phosphine (PH 3 ), and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • the reflective layer 32 was formed on the first photoelectric conversion unit 31 by using a plasma CVD method. Specifically, the intrinsic microcrystalline silicon layer (first layer 32a), the SiO layer (intermediate layer 32b), and the intrinsic microcrystalline silicon layer (third layer 32c) are placed on the first cell (first photoelectric conversion unit 31). By sequentially laminating, the reflective layer 32 having a three-layer structure was formed.
  • a source gas obtained by mixing the same gas as that of the i-type amorphous silicon layer 31b is used.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • the SiO layer (intermediate layer 32b) is made of a mixed gas used when forming the n-type amorphous silicon layer 31c with an oxygen-containing gas such as carbon dioxide (CO 2 ) as a source gas. Is formed.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ), phosphine (PH 3 ), hydrogen (H 2 ), and carbon dioxide (CO 2 ) is used as a source gas.
  • a p-type microcrystalline silicon layer 33a, an i-type microcrystalline silicon layer 33b, and an n-type microcrystalline silicon layer 33c are stacked on the reflective layer 32 by using a plasma CVD method. Part 33 was formed.
  • a source gas obtained by mixing the same gas as the p-type amorphous silicon layer 31a is used.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ), methane (CH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • the i-type microcrystalline silicon layer uses a source gas obtained by mixing the same gas as that of the i-type amorphous silicon layer 31b.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ) and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • n-type microcrystalline silicon layer (n-type crystalline silicon layer 33c)
  • a source gas obtained by mixing the same gas as that of the n-type amorphous silicon layer 31c is used.
  • a mixed gas composed of silane (SiH 4 ), phosphine (PH 3 ), and hydrogen (H 2 ) is used as a source gas.
  • Intrinsic microcrystalline silicon layer (first layer 32a), intrinsic microcrystalline silicon layer (third layer 32c), p-type microcrystalline silicon layer (p-type crystalline silicon layer 33a), i-type microcrystalline silicon (i-type crystalline)
  • the silicon layer 33b) and the n-type microcrystalline silicon layer (n-type crystalline silicon layer 33c) are respectively formed into a p-type amorphous silicon layer 31a, an i-type amorphous silicon layer 31b, and an n-type amorphous silicon layer 31c. It can be crystallized by a method such as increasing the hydrogen dilution or increasing the RF power.
  • a ZnO layer and an Ag layer were formed on the second photoelectric conversion unit 33 by sputtering.
  • the thicknesses of the ZnO layer and the Ag layer (back electrode layer 4) were 90 nm and 200 nm, respectively.
  • Table 1 shows the conditions for forming the first photoelectric conversion unit 31, the reflective layer 32, and the second photoelectric conversion unit 33 described above.
  • the solar cell 10 having the reflective layer 32 including the SiO layer (intermediate layer 32b) was formed between the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33. Further, an intrinsic microcrystalline silicon layer (first layer 32a) is interposed between the SiO layer (intermediate layer 32b) and the first photoelectric conversion unit 31, and the SiO layer (intermediate layer 32b) and the second photoelectric conversion unit 33 are inserted. An intrinsic microcrystalline silicon layer (second layer 32c) is interposed between the two.
  • Example 2 Except for the configuration of the reflective layer 32, the solar cell 10 according to Example 2 shown in FIG.
  • the reflective layer 32 was formed on the first photoelectric conversion unit 31 by using a plasma CVD method. Specifically, a reflective layer 32 having a two-layer structure was formed by sequentially laminating an intrinsic microcrystalline silicon layer (first layer 32 a) and a SiO layer (intermediate layer 32 b) on the first photoelectric conversion unit 31. .
  • the intrinsic microcrystalline silicon layer (first layer 32a) and the SiO layer (intermediate layer 32b) were formed in the same manner as in the first example.
  • the reflective layer 32 On the reflective layer 32, the 2nd photoelectric conversion part 33, the ZnO layer, and the Ag layer (back electrode layer 4) were formed in order.
  • Table 2 shows the formation conditions of the first photoelectric conversion unit 31, the reflective layer 32, and the second photoelectric conversion unit 33 described above.
  • the solar cell 10 having the reflective layer 32 including the SiO layer was formed between the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33.
  • an intrinsic microcrystalline silicon layer was interposed between the SiO layer (intermediate layer 32 b) and the first photoelectric conversion unit 31.
  • Example 3 Except for the configuration of the reflective layer 32, the solar cell 10 according to Example 3 shown in FIG.
  • the reflective layer 32 was formed on the first photoelectric conversion unit 31 by using a plasma CVD method. Specifically, a reflective layer 32 having a two-layer structure was formed by sequentially laminating an SiO layer (intermediate layer 32b) and an intrinsic microcrystalline silicon layer (second layer 32c) on the first photoelectric conversion unit 31. .
  • the SiO layer (intermediate layer 32b) and the intrinsic microcrystalline silicon layer (second layer 32c) were formed in the same manner as in the first example.
  • the reflective layer 32 On the reflective layer 32, the 2nd photoelectric conversion part 33, the ZnO layer, and the Ag layer (back electrode layer 4) were formed in order.
  • Table 3 shows the conditions for forming the first photoelectric conversion unit 31, the reflective layer 32, and the second photoelectric conversion unit 33 described above.
  • the solar cell 10 including the reflective layer 32 including the intermediate layer 32 b was formed between the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33. Further, an intrinsic microcrystalline silicon layer (second layer 32c) between the SiO layer (intermediate layer 32b) and the second photoelectric conversion unit 33 was inserted.
  • a SnO 2 layer (light-receiving surface electrode layer 12) and a first photoelectric conversion unit 131 were sequentially formed on a glass substrate (substrate 11) having a thickness of 4 mm.
  • the reflective layer 132 was formed on the first photoelectric conversion unit 131 by using a plasma CVD method.
  • Comparative Example 1 only the SiO layer was formed on the first photoelectric conversion unit 131, and the SiO layer was used as the reflective layer 132.
  • Table 4 shows the formation conditions of the first photoelectric conversion unit 131, the reflective layer 132, and the second photoelectric conversion unit 133 described above.
  • the formation conditions of the 1st photoelectric conversion part 131 and the 2nd photoelectric conversion part 133 are the same as the formation conditions in the said Example 1.
  • FIG. The thicknesses of the ZnO layer and the Ag layer (back electrode layer 14) were 90 nm and 200 nm, respectively, as in Example 1.
  • the solar cell 20 having the reflective layer 132 formed of the SiO layer is formed between the first photoelectric conversion unit 131 and the second photoelectric conversion unit 133.
  • Example 1 As shown in Table 5, in Example 1, Example 2 and Example 3, it was confirmed that the curve factor increased from that of the comparative example, and the power generation efficiency was higher than that of the comparative example.
  • the first layer (32a) or SiO between the SiO layer (intermediate layer 32b) and the first photoelectric conversion unit 31 is used. It was confirmed that at least one of the second layers (32c) was disposed between the layer (intermediate layer 32b) and the second photoelectric conversion unit 33. This is because the contact resistance at the interface between the SiO layer (intermediate layer 32b) and the first photoelectric conversion unit 31, or between the SiO layer (intermediate layer 32b) and the second photoelectric conversion unit 33, the first layer (32a) and the second layer. This is probably because the series resistance value in the solar cell 10 could be reduced by arranging (32c).
  • Example 1 Example 2 and Example 3 which concern on said 1st Embodiment, and the comparative example were created and characteristic evaluation was performed, characteristic evaluation was not performed in 2nd Embodiment.
  • characteristic evaluation was not performed in 2nd Embodiment.
  • the effects of (2), (3), (6), (7) and (8) can be obtained as in the first embodiment, the second embodiment is similarly applied to the comparative example. It is considered that better characteristics can be obtained.
  • the example according to the second embodiment shown in FIG. 2 may have the same configuration as that of Example 1 except for the reflective layer 32.
  • the reflective layer 32 can be formed on the first photoelectric conversion unit 31 by using the plasma CVD method after the first photoelectric conversion unit 31 is formed.
  • a reflective layer 32 having a two-layer structure is formed by sequentially laminating an SiO layer (intermediate layer 32b) and an n-type microcrystalline silicon layer (second layer 32d) on the first photoelectric conversion unit 31. can do.
  • the SiO layer (intermediate layer 32b) and the n-type microcrystalline silicon layer (second layer 32d) are the SiO layer (intermediate layer 32b) and the n-type microcrystalline silicon layer (n-type crystalline silicon layer 33c) of the first embodiment.
  • the first photoelectric conversion unit 31, the reflective layer 32, and the second photoelectric conversion unit 33 can be formed by using the formation conditions shown in Table 6.
  • the solar cell 10 having the intermediate layer 32b and the n-type crystalline silicon layer 32d can be formed between the first photoelectric conversion unit 31 and the second photoelectric conversion unit 33.
  • the present invention can be used for solar cells.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】発電効率を向上させつつ、発生した光生成キャリアをより多く取り出すことができる太陽電池を提供する。 【解決手段】太陽電池１０が、受光面電極層２と、受光面電極層２上に積層された第１光電変換部３１と、第１光電変換部３１上に積層され、ＳｉＯ層３２ｂとシリコン層３２ａ，３２ｃとを有する反射層３２と、反射層３２上に積層された第２光電変換部３３と、第２光電変換部３３上に積層された裏面電極層４と、を含む。

Description

太陽電池
　本発明は、入射した光の一部を反射する反射層を備える太陽電池に関する。
　太陽電池は、クリーンで無尽蔵のエネルギー源である太陽からの光を直接電気に変換できることから、新しいエネルギー源として期待されている。
　一般的に、太陽電池は、光入射側に設けられる透明電極層と、光入射側の反対側に設けられる裏面電極層との間に、太陽電池に入射した光を吸収して光生成キャリアを生成する光電変換部を備えている。
　従来から、光電変換に寄与する積層体として複数の光電変換部を設け、入射した光の多くを光電変換に寄与させることが知られている。このような複数の光電変換部は、光入射側に設けられた光電変換部で光電変換に寄与することなく透過した光の一部を、他の光電変換部により光電変換に寄与させることができるため、光電変換部において吸収される光の量が増加する。その結果、光電変換部において生成される光生成キャリアが増加するため、太陽電池の発電効率が向上する。
　発電効率をさらに向上させるためには、光電変換部において生成される光生成キャリアを増加させることが有効である。そこで特許文献１には、太陽電池に酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる低屈折率層を設けることが開示されている。これにより、入射した光の一部を反射して光入射側の光電変換部に入射させるとともに、裏面電極層側の他の光電変換部においては、入射した光のうち裏面電極層などにより反射された光を再度反射して閉じ込めることができる。
特開２００３－２５８２７９
　しかしながら、近年、太陽電池の発電効率のさらなる向上が求められている。酸化シリコン（ＳｉＯ）からなる低屈折率層を用いた場合、隣接する光電変換部とのコンタクト抵抗が大きくなり、生成された光生成キャリアをロスする問題が生じていた。
　本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、発電効率を向上させた太陽電池を提供することを目的とする。
　本発明に係る太陽電池は、受光面電極層と、受光面電極層上に積層された第１光電変換部と、第１光電変換部上に積層され、ＳｉＯ層とシリコン層とを有する反射層と、反射層上に積層された第２光電変換部と、第２光電変換部上に積層された裏面電極層と、を含むことを要旨とする。
　本発明によれば、発生した光生成キャリアのロスを抑制し、発電効率を向上させた太陽電池を提供することができる。
　図面を用いて、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
　［第１実施形態］
　〈太陽電池の構成〉
　以下において、本発明の第１実施形態に係る太陽電池の構成について、図１を参照しながら説明する。
　図１は、本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０の断面図である。
　太陽電池１０は、基板１と、受光面電極層２と、積層体３と、裏面電極層４とを備え、順次受光面から裏面に向かい積層された構造を有する。
　基板１は、透光性を有し、ガラス、プラスチック等の透光性材料により構成される。
　受光面電極層２は、基板１上に積層されており、導電性および透光性を有する。受光面電極層２としては、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、又は酸化チタン（ＴｉＯ２）などの金属酸化物を用いることができる。尚、これらの金属酸化物に、フッ素（Ｆ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ニオブ（Ｎｂ）などがドープされていてもよい。
　積層体３は、受光面電極層２と裏面電極層４との間に設けられる。積層体３は、第１光電変換部３１と、反射層３２と、第２光電変換部３３とを含む。
　第１光電変換部３１、反射層３２、および第２光電変換部３３は、受光面電極層２側から順に積層される。
　第１光電変換部３１は、受光面電極層２側から入射する光、又は反射層３２から反射される光により光生成キャリアを生成する。第１光電変換部３１は、ｐ型非晶質シリコン層３１ａと、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂと、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有する。
　反射層３２は、第１光電変換部３１を透過した光の一部を第１光電変換部３１側に反射する。反射層３２は、第１層３２ａ、中間層３２ｂおよび第２層３２ｃを含む。
　第１層３２ａ、中間層３２ｂ、および第２層３２ｃは、第１光電変換部３１側から順次、接触するように積層される。従って、第１層３２ａは、第１光電変換部３１に接触するように形成される。
　中間層３２ｂは、主体となる透光性導電材料としてｎ型非晶質酸化シリコン（ＳｉＯ）が用いられる。ここで用いられるＳｉＯは、第１光電変換部３１および後述する第２光電変換部３３により多くの光を反射するために低屈折率のものが用いられる。なお、接する面の屈折率差が大きいほど反射率を大きくすることができるため、５５０ｎｍの波長の光において、シリコンを主体とする材料の屈折率は４．３程度であることから、ＳｉＯの屈折率は２．４未満とすることが好適であり、ここでは屈折率が２．２の中間層３２ｂを用いた。なお、ＳｉＯの屈折率は、膜中のＯの量を調整することによりコントロールすることができ、ＳｉＯ膜中のＯの量を多くすることにより屈折率を低くすることができる。また、本実施形態においては、中間層３２ｂは、膜厚を５０ｎｍとしたが、３０～１５０ｎｍとすることが好適である。
　第２層３２ｃは、中間層３２ｂ上に接触するように形成される。
　第１層３２ａとしては、第１光電変換部３１とのコンタクト抵抗（接触抵抗）値が、中間層３２ｂとして用いられるＳｉＯと第１光電変換部３１との間のコンタクト抵抗値に比べ、小さい材料が主体として用いられる。即ち、第１層３２ａを構成する材料は、第１光電変換部３１と第１層３２ａとのコンタクト抵抗値が、第１光電変換部３１と中間層３２ｂとを直接接触させた場合のコンタクト抵抗値未満となるように選択される。
　同様に第２層３２ｃも、第２光電変換部３３との間のコンタクト抵抗値が、中間層３２ｂとして用いられるＳｉＯと第２光電変換部３３との間のコンタクト抵抗値に比べ、小さい材料が主体として用いられる。即ち、第２層３２ｃを構成する材料は第２光電変換部３３と第２層３２ｃとのコンタクト抵抗値が、第２光電変換部３３と中間層３２ｂとを直接接触させた場合のコンタクト抵抗値未満となるように選択される。
　本実施形態では、第１層３２ａおよび第２層３２ｃとして真性結晶質シリコンを用いた。この場合、第１層３２ａおよび第２層３２ｃの膜厚を３０ｎｍとしたが、１０～５０ｎｍとすることが好適である。
　尚、本発明の第１実施形態にあっては、第１層３２ａおよび第２層３２ｃが本発明の「Ｓｉ層」の一例である。また、中間層３２ｂが、本発明の「ＳｉＯ層」の一例である。
　また、第１層３２ａおよび第２層３２ｃを構成する材料は、第１層３２ａおよび第２層３２ｃを含む積層体３の両端の抵抗値が、第１層３２ａおよび第２層３２ｃを含まない積層体３の両端の抵抗値よりも小さくなるように選択されることが好ましい。
　第２光電変換部３３は、第１光電変換部３１を透過して受光面電極層２側から入射する光、又は裏面電極層４から反射される光により光生成キャリアを生成する。第２光電変換部３３は、ｐ型結晶質シリコン層３３ａと、ｉ型結晶質シリコン層３３ｂと、ｎ型結晶質シリコン層３３ｃとが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有する。
　裏面電極層４は、導電性を有する１または複数の層からなる。裏面電極層４としては、ＺｎＯ、銀（Ａｇ）などを用いることができ、本実施形態では、裏面電極層が、ＺｎＯを含む層と、Ａｇを含む層とを積層体３側から積層した構成とした。しかし、これに限るものではなく、裏面電極層４は、Ａｇを含む層のみを有していてもよい。
　〈作用および効果〉
　本発明の第１実施形態に係る太陽電池１０によれば、反射層３２が、第１層３２ａ、中間層３２ｂ、および第２層３２ｃから構成される。そして、ＳｉＯからなる中間層３２ｂと第１光電変換部３１、もしくは第２光電変換部３３との間には、それぞれ第１層３２ａもしくは第２層３２ｃが形成される。そのため、太陽電池１０の発電効率を向上させることができる。このような効果について、以下に詳説する。
　（１）反射層３２において、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂを、シリコンからなる第１層３２ａと第２層３２ｃとの間に配置する。これにより、以下の効果が得られる。
　（ａ）主体がシリコンからなる第１層３２ａと第２層３２ｃが、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂから第１光電変換部３１や第２光電変換部３３にＯが拡散することを抑制する。この結果、第１光電変換部３１や第２光電変換部３３にＯが拡散して膜質が低下することに起因する発電効率の低下を抑制することができる。
　（ｂ）主体がシリコンからなる第１層３２ａは、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂに比べて屈折率が高いため、第１層３２ａ側から第１層３２ａと中間層３２ｂの界面に光が入射したとき、第１層３２ａ側に光を反射させることができる。つまり、再度第１光電変換部３１に光を入射させることができ、より多くの光を光電変換に寄与させることができる。
　また、主体がシリコンからなる第２層３２ｃも同様に、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂに比べて屈折率が高いため、第２層３２ｃ側から第２層３２ｃと中間層３２ｂの界面に光が入射したとき、第２層３２ｃ側に光を反射させることができる。つまり、再度第２光電変換部３３に光を閉じ込めることができ、より多くの光を光電変換に寄与させることができる。
　（ｃ）中間層３２ｂと第１光電変換部３１、および中間層３２ｂと第２光電変換部３３とが直接接触することを防止する。これにより、ＳｉＯと光電変換部の接触界面における高いコンタクト抵抗値に起因する太陽電池１０のシリーズ抵抗（直列抵抗）値の増大を抑制することができる。
　従って、太陽電池１０において発生する短絡電流については、中間層３２ｂと第１光電変換部３１、もしくは中間層３２ｂと第２光電変換部３３との界面での反射率が高められることによって増加するとともに、シリーズ抵抗値の増大による太陽電池１０の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）の減少を抑制し、太陽電池１０の発電効率の向上を図ることができる。このような構成によれば、太陽電池１０全体におけるシリーズ抵抗値の増大により太陽電池１０の曲線因子が低下することを抑制しつつ、反射層３２の反射率を高めることができる。
　（２）５５０ｎｍの波長の光に対する中間層３２ｂの屈折率を２．４未満とする。これにより、中間層３２ｂと４．３程度の屈折率を有するシリコンとの界面における反射率を８％以上とすることができる。従って、非晶質シリコンからなる第１光電変換部３１に入射する光を多くすることができ、実質的に第1光電変換部３１の厚さを厚くしたときと同様の効果を得ることができる。この結果、厚さが厚いほど問題となる第１光電変換部３１の光劣化を抑制しつつ、第１光電変換部３１において生成される光生成キャリアの減少を抑制することができる。
　（３）中間層３２ｂを非結晶とする。これにより、結晶質とした場合に比べて屈折率を小さくすることができる。これにより、主体がシリコンからなるｎ型非晶質シリコン層３１ｃや第２層３２ｃとの屈折率差を大きくすることができ、反射効果を大きくすることができる。
　（４）第１層３２ａおよび第２層３２ｃとして用いたシリコンを真性とする。これにより、以下の効果が得られる。
　（ａ）第１層３２ａと第２層３２ｃから第１光電変換部３１や第２光電変換部３３に導電性を有する不純物が拡散することがない。この結果、第１光電変換部３１や第２光電変換部３３に不純物が拡散して膜質が低下することに起因する発電効率の低下を抑制することができる。さらには、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂから拡散するＯについては、第１層３２ａと第２層３２ｃが真性であることにより、第１光電変換部３１や第２光電変換部３３にＯが拡散することをより良く防止することができる。
　（ｂ）第１層３２ａと第２層３２ｃにおける光吸収を一導電型シリコンに比べて小さくできる。従って、第１層３２ａおよび第２層３２ｃでの光吸収を小さくすることができ、より多くの光を透過させて発電に寄与させることができる。
　従って、第１層３２ａと第２層３２ｃを真性シリコンとすることにより、第１光電変換部３１や第２光電変換部３３に不純物が拡散して膜質が低下することに起因して生じる発電効率の低下を抑制しつつ、第１層３２ａおよび第２層３２ｃで吸収されて生じるロスを抑制することができる。
　（５）第１層３２ａを結晶質とする。これにより、第１層３２ａが下地層の役割を果たし、主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂにおける結晶成分を多くすることができる。この結果、ＳｉＯ中の結晶成分を多くすることにより、導電性を高めることができる。
　（６）第２層３２ｃとして真性結晶質シリコンを用いる。これにより、第２光電変換部３３を結晶質シリコンとした場合においては、第２層３２ｃを下地層として第２光電変換部３３を結晶成長させることができ、より良く結晶化させることができる。この結果、第２光電変換部３３の膜質が向上し、太陽電池１０の発電効率を向上させることができる。
　（７）ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとしてシリコンを用いる。これにより、酸化シリコンに比べ、ｎ型ドーパントとして用いられるリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）などの活性化率を高くすることができ、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂにおける内部電界を強くすることができる。これにより、入射した光から発生した光生成キャリアをより多く取り出すことが可能となり、短絡電流（Ｉｓc）を向上させることができる。
　（８）ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとして非晶質シリコンを用いる。これにより、結晶質シリコンに比べ、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂとのバンドギャップ差を小さくすることができる。この結果、バンドギャップ差に起因する太陽電池１０全体におけるシリーズ抵抗値を減少させることにより、太陽電池１０の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）の減少を抑制して、太陽電池１０の発電効率を高めることができる。
　　［第２実施形態］
　〈太陽電池の構成〉
　以下において、本発明の第２実施形態に係る太陽電池の構成について、図２を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同様の構成には同じ符号を用いて説明を省略する。
　図２は、本発明の第２実施形態に係る太陽電池２０の断面図である。
　太陽電池２０は、第１実施形態と同様、基板１と、受光面電極層２と、第１光電変換部３１と、中間層３２と、第２光電変換部３３と、裏面電極層４と、を備え、順次受光面から裏面に向かい積層された構造を有する。
　第２実施形態では、中間層３２をｎ型酸化シリコンからなる中間層３２ｂとｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄで構成する点で第１実施形態と異なる。中間層３２ｂと第２層３２ｄは、第１光電変換部３１上に順次、積層される。すなわち、中間層３２ｂは、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃと第２層３２ｄに挟まれた構造となる。
　中間層３３ｂは、第１実施形態と同様のものが用いられる。
　第２層３２ｄは、Ｐ（リン）等のｎ型ドーパントがドープされたシリコン（Ｓｉ）が用いられる。本実施形態においては、第２層３２ｄの膜厚を２０ｎｍとしたが、１０～５０ｎｍとすることが好適である。
　〈作用および効果〉
　本発明の第２実施形態に係る太陽電池２０によれば、第１実施形態の（２）、（３）、（６）、（７）および（８）と同様の効果の他、下記の効果が得られるため、太陽電池２０の発電効率を向上させることができる。
　（９）主体がＳｉＯからなる中間層３２ｂを、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄの間に配置する。主体が非晶質酸化シリコンからなる中間層３２ｂは、主体がシリコンからなるｎ型非晶質シリコン層３１ｃやｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄに比べ、屈折率が低い。このため、中間層３２ｂとｎ型非晶質シリコン層３１ｃを接触させる構成とすることにより、受光面側からｎ型非晶質シリコン層３１ｃと中間層３２ｂの界面に光が入射したとき、受光面側に光を反射させることができる。この結果、再度ｉ型非晶質シリコン層３１ｂにより多くの光を入射させ、光電変換に寄与させることができる。
　また、中間層３２ｂと第２層３２ｄを接触させる構成とすることにより、裏面側から中間層３２ｂと第２層３２ｄの界面に光が入射したとき、裏面側に光を反射させることができる。この結果、ｉ型結晶質シリコン層３３ｂに光を閉じ込め、より多くの光を光電変換に寄与させることができる。
　（１０）中間層３２ｂと第２光電変換層３３の間に、ｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄを配置した構成とする。これにより、主体がシリコンからなる第２層３２ｄが酸化シリコンからなる中間層３２ｂからｉ型結晶質シリコン層３３ｂにＯが拡散することを抑制する。この結果、ｉ型結晶質シリコン層３３ｂにＯが拡散して膜質が低下することに起因する発電効率の低下を抑制することができる。
　（１１）ｎ型非晶質シリコン層３１ｃにｎ型酸化シリコンからなる中間層３２ｂ、ｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄ、第２光電変換層３３のｐ型結晶質シリコン層３３ａが順次、積層され、接触する構造とする。これにより、同種の極性を有するｎ型非晶質シリコン層３１ｃと中間層３２ｂが接触する構造とすることにより、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃと中間層３２ｂの界面においてコンタクト抵抗が高くなることを防止することができる。さらに、同種の材料からなるｎ型結晶質シリコンからなる第２層３２ｄとｐ型結晶質シリコン層３３ａが接触する構造とすることにより、第２層３２ｄとｐ型結晶質シリコン層３３ａの界面においてコンタクト抵抗が高くなることを防止することができる。この結果、コンタクト抵抗に起因する太陽電池１０全体におけるシリーズ抵抗値を減少させることにより、太陽電池１０の曲線因子（Ｆ．Ｆ．）の減少を抑制して、太陽電池１０の発電効率を高めることができる。
　〈その他の実施形態〉
　本発明は上記の実施形態によって説明したが、この開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
　例えば、上述した第１実施形態および第２実施形態では、積層体３に含まれる光電変換部が２つ（第１光電変換部３１および第２光電変換部３３）であるが、これに限定されるものではない。具体的には、積層体３には、３つ以上の光電変換部が含まれていてもよい。このような場合、反射層３２は、任意の隣接する２つの光電変換部の間に設けることができる。
　また、上述した第１実施形態では、反射層３２は、第１層３２ａ、中間層３２ｂおよび第２層３２ｃを含むが、これに限定されるものではない。具体的には、反射層３２は、第１層３２ａおよび中間層３２ｂを含むとしても、また中間層３２ｂおよび第２層３２ｃとを含むとしてもよい。
　また、上述した第１実施形態および第２実施形態では、第１光電変換部３１は、ｐ型非晶質シリコン層３１ａと、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂと、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有するが、これに限定されるものではない。具体的には、第１光電変換部３１は、ｐ型結晶質シリコン層と、ｉ型結晶質シリコン層と、ｎ型結晶質シリコン層とが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有していてもよい。尚、結晶質シリコンには、微結晶シリコンや多結晶シリコンが含まれるものとする。
　さらに、上述した第１実施形態および第２実施形態では、第２光電変換部３３は、ｐ型結晶質シリコン層３３ａと、ｉ型結晶質シリコン層３３ｂと、ｎ型結晶質シリコン層３３ｃとが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有するが、これに限定されるものではない。具体的には、第２光電変換部３３は、ｐ型非晶質シリコン層と、ｉ型非晶質シリコン層と、ｎ型非晶質シリコン層とが基板１側から積層されたｐｉｎ接合を有していてもよい。
　また、上述した第１実施形態および第２実施形態では、第１光電変換部３１および第２光電変換部３３は、ｐｉｎ接合を有するが、これに限定されるものではない。具体的には、第１光電変換部３１および第２光電変換部３３の少なくとも一方が、ｐ型シリコン層と、ｎ型シリコン層とが基板１側から積層されたｐｎ接合を有していてもよい。
　また、上述した第１実施形態では、太陽電池１０は、基板１上に、受光面電極層２と、積層体３と、裏面電極層４とが順に積層された構成を有しているが、これに限定されるものではない。具体的には、太陽電池１０は、基板１上に、裏面電極層４と、積層体３と、受光面電極層２とが順に積層された構成を有していてもよい。
　このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論である。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
　以下、本発明に係る太陽電池について、実施例を挙げて具体的に説明する。但し、本発明は、下記の実施例に示したものに限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において、適宜変更して実施することができるものである。
　〈実施例１〉
　以下のようにして、図１に示す実施例１に係る太陽電池１０を作製した。
　まず、厚さ４ｍｍのガラス基板（基板１）上に、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法等を用いて、ＳｎＯ２層（受光面電極層２）を形成した。
　次に、ＳｎＯ２層（受光面電極層２）上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型非晶質シリコン層３１ａと、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂと、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃとを順次積層し、第１セル（第１光電変換部３１）を形成した。
　ｐ型非晶質シリコン層３１ａは、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のシリコン含有ガス、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のｐ型ドーパント含有ガス、および水素（Ｈ２）等の希釈ガスを混合した混合ガスを原料ガスとすることにより成膜される。本実施例では、光透過率を向上させるためにさらにメタン（ＣＨ４）等の炭素含有ガスを加え、シラン（ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）および水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　ｉ型非晶質シリコン層３１ｂは、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のシリコン含有ガスと水素（Ｈ２）等の希釈ガスを混合した混合ガスを原料ガスとすることにより成膜される。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　ｎ型非晶質シリコン層３１ｃは、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）、ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のシリコン含有ガス、フォスフィン（ＰＨ３）等のｎ型ドーパント含有ガス、および水素（Ｈ２）等の希釈ガスを混合した混合ガスを原料ガスとすることにより成膜される。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）、フォスフィン（ＰＨ３）および水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　次に、第１光電変換部３１上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、反射層３２を形成した。具体的には、真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）および真性微結晶シリコン層（第３層３２ｃ）を第１セル（第１光電変換部３１）上に順次積層することによって、３層構造を有する反射層３２を形成した。
　真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）と真性微結晶シリコン層（第３層３２ｃ）は、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂと同様のガスを混合してなる原料ガスが用いられる。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）は、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃを成膜する際に用いた混合ガスに、二酸化炭素（ＣＯ２）等の酸素含有ガスを加えたものを原料ガスとすることにより成膜される。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）、フォスフィン（ＰＨ３）および水素（Ｈ２）、二酸化炭素（ＣＯ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　次に、反射層３２上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ｐ型微結晶シリコン層３３ａと、ｉ型微結晶シリコン層３３ｂと、ｎ型微結晶シリコン層３３ｃとを積層し、第２光電変換部３３を形成した。
　ｐ型微結晶シリコン層（ｐ型結晶質シリコン層３３ａ）は、ｐ型非晶質シリコン層３１ａと同様のガスを混合してなる原料ガスが用いられる。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）、メタン（ＣＨ４）、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）および水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　ｉ型微結晶シリコン層（ｉ型結晶質シリコン層３３ｂ）は、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂと同様のガスを混合してなる原料ガスが用いられる。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）と水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　ｎ型微結晶シリコン層（ｎ型結晶質シリコン層３３ｃ）は、ｎ型非晶質シリコン層３１ｃと同様のガスを混合してなる原料ガスが用いられる。本実施例では、シラン（ＳｉＨ４）、フォスフィン（ＰＨ３）および水素（Ｈ２）からなる混合ガスを原料ガスとして用いる。
　真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）、真性微結晶シリコン層（第３層３２ｃ）、ｐ型微結晶シリコン層（ｐ型結晶質シリコン層３３ａ）、ｉ型微結晶シリコン（ｉ型結晶質シリコン層３３ｂ）およびｎ型微結晶シリコン層（ｎ型結晶質シリコン層３３ｃ）は、それぞれｐ型非晶質シリコン層３１ａ、ｉ型非晶質シリコン層３１ｂおよびｎ型非晶質シリコン層３１ｃに比べて水素希釈度を高める、もしくはＲＦパワーを大きくする等の方法により、結晶化させることができる。
　次に、第２光電変換部３３上に、スパッタ法を用いて、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層４）を形成した。尚、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層４）の厚さは、それぞれ９０ｎｍ、２００ｎｍとした。
　上述した第１光電変換部３１、反射層３２および第２光電変換部３３の形成条件を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　以上により、本実施例１では、第１光電変換部３１と第２光電変換部３３との間に、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）を含む反射層３２を有する太陽電池１０を形成した。また、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第１光電変換部３１との間に真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）を介挿し、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第２光電変換部３３との間の真性微結晶シリコン層（第２層３２ｃ）を介挿した。
　〈実施例２〉
　反射層３２の構成を除き、実施例１と同様に図３に示す実施例２に係る太陽電池１０を作製した。
　実施例１同様、第１光電変換部３１まで作成した後、第１光電変換部３１上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、反射層３２を形成した。具体的には、真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）およびＳｉＯ層（中間層３２ｂ）を第１光電変換部３１上に順次積層することによって、２層構造を有する反射層３２を形成した。
　真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）とＳｉＯ層（中間層３２ｂ）は、それぞれ第１実施例と同様にして形成した。
　そして、反射層３２上に、第２光電変換部３３、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層４）を順次形成した。
　上述した第１光電変換部３１、反射層３２および第２光電変換部３３の形成条件を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　以上により、本実施例２では、第１光電変換部３１と第２光電変換部３３との間に、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）を含む反射層３２を有する太陽電池１０を形成した。また、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第１光電変換部３１との間に真性微結晶シリコン層（第１層３２ａ）を介挿した。
　〈実施例３〉
　反射層３２の構成を除き、実施例１と同様に図４に示す実施例３に係る太陽電池１０を作製した。
　実施例１同様、第１光電変換部３１まで作成した後、第１光電変換部３１上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、反射層３２を形成した。具体的には、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）および真性微結晶シリコン層（第２層３２ｃ）を第１光電変換部３１上に順次積層することによって、２層構造を有する反射層３２を形成した。
　ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と真性微結晶シリコン層（第２層３２ｃ）は、それぞれ第１実施例と同様にして形成した。
　そして、反射層３２上に、第２光電変換部３３、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層４）を順次形成した。
　上述した第１光電変換部３１、反射層３２および第２光電変換部３３の形成条件を表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　以上により、本実施例３では、第１光電変換部３１と第２光電変換部３３との間に、中間層３２ｂを含む反射層３２を有する太陽電池１０を形成した。また、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第２光電変換部３３との間の真性微結晶シリコン層（第２層３２ｃ）を介挿した。
　〈比較例〉
　以下のようにして、図５に示す比較例に係る太陽電池２０を作製した。
　まず、上記実施例１と同様にして、厚さ４ｍｍのガラス基板（基板１１）上に、ＳｎＯ２層（受光面電極層１２）、第１光電変換部１３１を順次形成した。
　次に、第１光電変換部１３１上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、反射層１３２を形成した。本比較例１では、第１光電変換部１３１上にＳｉＯ層のみを形成し、当該ＳｉＯ層を反射層１３２とした。
　次に、上記実施例１と同様にして、反射層１３２上に、第２光電変換部１３３、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層１４）を順次形成した。
　上述した第１光電変換部１３１、反射層１３２、および第２光電変換部１３３の形成条件を表４に示す。尚、第１光電変換部１３１、第２光電変換部１３３の形成条件は、上記実施例１における形成条件と同様である。また、ＺｎＯ層およびＡｇ層（裏面電極層１４）の厚さは、上記実施例１と同様に、それぞれ９０ｎｍ、２００ｎｍとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
　以上により、本比較例では、第１光電変換部１３１と第２光電変換部１３３との間に、ＳｉＯ層により構成される反射層１３２を有する太陽電池２０を形成した。
　〈特性評価〉
　実施例１、実施例２、実施例３および比較例に係る太陽電池について、開放電圧、短絡電流、曲線因子および発電効率の各特性値の比較を行った。比較結果を表５に示す。尚、表５においては、比較例における各特性値を１．００として規格化して表している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　表５に示すように、実施例１、実施例２および実施例３では、曲線因子については比較例よりも増加し、発電効率が比較例よりも高くなることが確認された。
　曲線因子については、実施例１、実施例２および実施例３に係る太陽電池１０では、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第１光電変換部３１との間に第１層（３２ａ）、もしくはＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第２光電変換部３３との間に第２層（３２ｃ）の少なくとも一方を配置することにより増加させることが確認できた。これは、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第１光電変換部３１、もしくはＳｉＯ層（中間層３２ｂ）と第２光電変換部３３の界面におけるコンタクト抵抗を、第１層（３２ａ）や第２層（３２ｃ）を配置することにより小さくして、太陽電池１０におけるシリーズ抵抗値を低下させることができたためと考えられる。
　従って、曲線因子の改善により、いずれの実施例でもより多くの電力を取り出すことが可能となり、実施例１および実施例２では比較例に比べて短絡電流が小さくなってしまったものの、比較例よりも発電効率を向上させることができることが確認された。
　なお、上記の第１実施形態に係る実施例１、実施例２および実施例３と、比較例を作成し、特性評価を行ったが、第２実施形態においては特性評価を行わなかった。しかしながら、第１実施形態と同じように（２）、（３）、（６）、（７）および（８）の効果を得ることができため、第２実施形態についても同様に、比較例に比べて良好な特性が得られると考えられる。
　図２に示す第２実施形態に係る実施例は、反射層３２を除き、実施例１と同様の構成とすればよい。実施例１同様、第１光電変換部３１まで作成した後、第１光電変換部３１上に、プラズマＣＶＤ法を用いることにより、反射層３２を形成することができる。具体的には、ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）およびｎ型微結晶シリコン層（第２層３２ｄ）を第１光電変換部３１上に順次積層することによって、２層構造を有する反射層３２を形成することができる。
　ＳｉＯ層（中間層３２ｂ）とｎ型微結晶シリコン層（第２層３２ｄ）は、第１実施例のＳｉＯ層（中間層３２ｂ）、ｎ型微結晶シリコン層（ｎ型結晶質シリコン層３３ｃ）と同様にして形成すればよく、第１光電変換部３１、反射層３２および第２光電変換部３３は表６に示す形成条件を用いることにより形成することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　以上により、第１光電変換部３１と第２光電変換部３３との間に、中間層３２ｂとｎ型結晶質シリコン層３２ｄを有する太陽電池１０を形成することができる。
本発明の第１実施形態（第１実施例）に係る太陽電池１０の断面図である。 本発明の第２実施形態に係る太陽電池１０の断面図である。 本発明の第２実施例に係る太陽電池１０の断面図である。 本発明の第３実施例に係る太陽電池１０の断面図である。 本発明の比較例に係る太陽電池２０の断面図である。
１，１１…基板
２，１２…受光面電極層
３…積層体
３１，１３１…第１光電変換部
３２，１３２…反射層
３３，１３３…第２光電変換部
４，１４…裏面電極層
１０，２０…太陽電池
　本発明は、太陽電池に利用可能である。

Claims (8)

  1. 　受光面電極層と、
    　前記受光面電極層上に積層された第１光電変換部と、
    　前記第１光電変換部上に積層され、ＳｉＯ層とシリコン層とを有する反射層と、
    　前記反射層上に積層された第２光電変換部と、
    　前記第２光電変換部上に積層された裏面電極層と、
    を含むことを特徴とする太陽電池。
  2. 　前記ＳｉＯ層は、非晶質であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  3. 　前記シリコン層は、結晶質シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  4. 　前記ＳｉＯ層は、５５０ｎｍの波長の光に対する屈折率が２．４未満であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  5. 　前記第２光電変換素子は、結晶質であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  6. 　前記第１光電変換素子は、非晶質であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  7. 　前記シリコン層は、真性シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
  8. 　前記シリコン層は、一導電型シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
PCT/JP2011/051781 2010-02-26 2011-01-28 太陽電池 Ceased WO2011105170A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011800100678A CN102763224A (zh) 2010-02-26 2011-01-28 太阳能电池
US13/585,497 US20120305062A1 (en) 2010-02-26 2012-08-14 Solar cell

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010041482 2010-02-26
JP2010-041482 2010-02-26
JP2010-144866 2010-06-25
JP2010144866A JP2011199235A (ja) 2010-02-26 2010-06-25 太陽電池

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/585,497 Continuation US20120305062A1 (en) 2010-02-26 2012-08-14 Solar cell

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011105170A1 true WO2011105170A1 (ja) 2011-09-01

Family

ID=44506591

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/051781 Ceased WO2011105170A1 (ja) 2010-02-26 2011-01-28 太陽電池

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120305062A1 (ja)
JP (1) JP2011199235A (ja)
CN (1) CN102763224A (ja)
WO (1) WO2011105170A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012099198A1 (ja) * 2011-01-21 2012-07-26 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2013102576A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-11 Tel Solar Ag Intermediate reflection structure in thin film solar cells

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101292061B1 (ko) * 2010-12-21 2013-08-01 엘지전자 주식회사 박막 태양전지
CN103066153A (zh) * 2012-12-28 2013-04-24 福建铂阳精工设备有限公司 硅基薄膜叠层太阳能电池及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308354A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Sharp Corp 積層型太陽電池
WO2005011001A1 (ja) * 2003-07-24 2005-02-03 Kaneka Corporation 積層型光電変換装置
JP2006319068A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4158267B2 (ja) * 1999-03-15 2008-10-01 富士電機ホールディングス株式会社 非単結晶太陽電池
US7671271B2 (en) * 2006-03-08 2010-03-02 National Science And Technology Dev. Agency Thin film solar cell and its fabrication process
US8203071B2 (en) * 2007-01-18 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308354A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Sharp Corp 積層型太陽電池
WO2005011001A1 (ja) * 2003-07-24 2005-02-03 Kaneka Corporation 積層型光電変換装置
JP2006319068A (ja) * 2005-05-11 2006-11-24 Kaneka Corp 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012099198A1 (ja) * 2011-01-21 2012-07-26 三洋電機株式会社 太陽電池
WO2013102576A1 (en) * 2012-01-04 2013-07-11 Tel Solar Ag Intermediate reflection structure in thin film solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011199235A (ja) 2011-10-06
US20120305062A1 (en) 2012-12-06
CN102763224A (zh) 2012-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4940309B2 (ja) 太陽電池
KR101292061B1 (ko) 박막 태양전지
JP5156379B2 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法
JP2009231505A (ja) 太陽電池
JP2008270562A (ja) 多接合型太陽電池
US20120097227A1 (en) Solar cells
JP5291633B2 (ja) シリコン系薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP2011199235A (ja) 太陽電池
JP2009158288A (ja) 透明導電膜及び透明導電膜を用いた太陽電池
CN101325225A (zh) 一种提高晶硅太阳电池短波响应的发射极结构
JP2007305826A (ja) シリコン系薄膜太陽電池
US20110220177A1 (en) Tandem photovoltaic device with dual function semiconductor layer
KR101784439B1 (ko) 박막 태양전지
JPWO2005109526A1 (ja) 薄膜光電変換装置
JPWO2006006359A1 (ja) 薄膜光電変換装置
WO2011105171A1 (ja) 太陽電池およびその製造方法
JP5371284B2 (ja) 薄膜光電変換装置
KR20110090316A (ko) 태양전지
US20140130861A1 (en) Solar cell
KR20100086597A (ko) 광기전력 장치
JP2011216586A (ja) 積層型光電変換装置および積層型光電変換装置の製造方法
JP2014063769A (ja) 太陽電池
JP2013008866A (ja) 薄膜光電変換装置
JPWO2005088734A1 (ja) 映像投射装置
JPWO2005088734A6 (ja) 薄膜光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180010067.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11747134

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11747134

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1