WO2011104229A1 - Verfahren zum aufbringen von weichlot auf eine montagefläche eines bauelementes - Google Patents

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solder layer
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Matthias Schröder
Dominic SCHRÖDER
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Jenoptik Laser Gmbh
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Definitions

  • soft solder films can be produced by rolling. However, depending on the composition of the solder, uniform layer thicknesses of less than 20 ⁇ m and up to 100 ⁇ m can be achieved only with great effort. These rolled soft solders may be rolled on or together with a carrier layer. However, rolled soft solders are often polluted due to their production and may have undesired rolling marks.
  • the entire component (masked or unmasked) has been vapor-deposited with soft solder in order to apply the solder to the mounting surface of the component thinly and / or as pure as possible, since deliberately low layer thicknesses and simultaneously high purity can be produced by means of vapor deposition.
  • the method is relatively expensive, especially if the mounting area is small relative to the remainder and possibly masked surface of the device.
  • the object is achieved by a method for applying soft solder to a mounting surface of a component, in which a) a connection means, which has a carrier layer and a soft solder layer formed on the carrier layer by physical vapor deposition, brought with its soft solder layer in mechanical contact with the mounting surface is that a first adhesive strength between the soft solder layer and the mounting surface is greater than a second adhesive strength between the soft solder layer and the carrier layer and b) then the connecting means is removed from the device, so that in the region of the mounting surface, the carrier layer of the soft solder layer dissolves and thus remains only on the mounting surface solder. This is a local loading of the mounting surface with an extremely thin and at the same time very pure soft solder layer possible.
  • Soft solders are understood here in particular to be solders whose melting point is less than 450 ° C.
  • the melting point may be in the range between 180 ° and 300 ° C.
  • the soft solder may have a melting point of less than 250 ° C. The melting point is chosen so that on the one hand it is sufficiently above the maximum operating temperature of the components to be soldered together, but on the other hand is low enough so that no damage to the components occurs during soldering.
  • the physical vapor deposition is a coating process (preferably a vacuum-based coating process) in which the soft solder layer is formed directly by condensation of a corresponding material vapor.
  • an evaporation process such as thermal evaporation, electron beam evaporation, laser beam evaporation, arc evaporation,
  • the soft solder layer in the region of the mounting surface can be pressed against the mounting surface (preferably with a greater force than outside the mounting surface) in order to achieve the first adhesion (or first adhesion).
  • This can be achieved, for example, by subjecting the rear side of the carrier layer to a predetermined mechanical pressure only in the region of the mounting surface.
  • the mounting surface may be part of a larger surface of the device. Even if the soft solder layer of the solder is also brought into contact with the surface adjacent to the mounting surface, e.g. By local mechanical pressure only in the region of the mounting surface, the first adhesive strength can be achieved, so that then the desired soft solder layer remains only when removing the solder just in the region of the mounting surface.
  • Another component can be brought into mechanical contact with the solder on the mounting surface.
  • the two components can be soldered and / or cold-welded by means of the soft solder layer.
  • one of the two components may be a heat sink and the other of the two components may be a laser diode. This achieves excellent thermal and electrical contacting of the laser diode with the heat sink.
  • a second bonding agent comprising a backing layer and a soft solder layer formed thereon by physical vapor deposition can be brought into mechanical contact with a second contact surface of a third device with its soft solder layer so that a third bonding strength between the soft solder layer of the second bonding agent and the second mounting surface is greater than a fourth adhesive strength between the soft solder layer and the carrier layer of the second connecting means, then the second connecting means are removed from the third component, so that in the region of the second mounting surface, the carrier layer of the second bonding agent is released from the soft solder layer and thus only on the second mounting surface remains soft solder, in which case the second component is brought into mechanical contact with the solder on the second mounting surface.
  • a laser diode can be contacted from two sides with heat sinks.
  • each of the carrier layers may each be formed as a non-metallic and / or as a non-electrically conductive layer.
  • the respective soft solder layer can be formed directly on the carrier layer.
  • the advantageous method steps in applying the soft solder on the first mounting surface can also be applied to the application of the soft solder on the second mounting surface.
  • the second connection means may be the first connection means which has already been used for applying the soft solder to the mounting surface of the first component.
  • connection means comprises a support layer and a soft solder layer formed on the support layer by physical vapor deposition which is releasable from the support layer, wherein the adhesion between soft solder layer and carrier layer is smaller than between the soft solder layer and the mounting surface, when the connecting means is brought with its soft solder layer in contact with the mounting surface.
  • the contact can be made especially by Pressurization be supported so that the soft solder layer is pressed locally on the mounting surface.
  • the layer thickness of the soft solder layer is preferably less than or equal to 10 ⁇ m.
  • the layer thickness of the soft solder layer may be smaller than the layer thickness of the carrier layer, wherein the soft solder layer is preferably smaller by at least an order of magnitude than the carrier layer.
  • the layer thickness of the carrier layer may be chosen so that it can be described as rigid and still flexible.
  • the support layer may be formed as a film with a layer thickness in the range of a few 100 ⁇ or smaller.
  • a non-metallic and / or a non-electrically conductive material such as Polytetrafluoroethylene, polyimide, etc. are used.
  • the soft solder layer can be formed directly on the carrier layer.
  • the soft solder layer may preferably be an indium-containing solder.
  • the solder may additionally contain tin, silver, etc. By these additional materials, e.g. Melting point and other material properties can be adjusted specifically.
  • the soft solder layer may be formed as a continuous layer on the carrier layer.
  • the soft solder layer has spaced apart soft solder sections.
  • a confection of the soft solder layer can be carried out, so that are provided to the shape and size of the mounting surface adapted soft solder sections.
  • Fig. 2 is a bottom view of the connecting means of Fig. 1;
  • Fig. 3 is a schematic representation for explaining the production of
  • Fig. 4-6 are side views for describing the application of soft solder on a
  • Fig. 7 is a plan view of the device of FIG. 6, and
  • Fig. 8 is a bottom view of a solder according to another embodiment.
  • the connecting means 1 comprises a carrier layer 2 which has a vapor-deposited soft solder layer 4 on one side (here on its underside 3).
  • the carrier layer 2 is in the embodiment described here, a Teflon film (polytetrafluoroethylene film) having a thickness D1 in the range of a few 100 ⁇ .
  • the soft solder layer 4 has a thickness D2 which is smaller than the thickness D1 of the carrier layer.
  • the thickness D2 is at least an order of magnitude smaller than the thickness D1 of the carrier layer 2.
  • the soft solder layer 4 is formed as indium solder and has a thickness D2 which is less than or equal to 10 ⁇ .
  • the connecting means 1 according to FIGS. 1 and 2 can be produced as follows.
  • the carrier layer 2 is positioned in a chamber 5. As shown schematically in Fig. 3, it rests on L-shaped holder 6. Further, in the chamber 5, a heater 7 is arranged, on which the soft solder 8 to be evaporated is located.
  • the chamber 5 is evacuated and then the soft solder 8 is vaporized by means of the heating device 7, which thereby deposits on all free surfaces on the chamber 5 and thus also on the underside 3 of the carrier layer 2. After a predetermined period of time, the desired thickness D2 of the soft solder layer 4 is achieved and the vapor deposition is terminated.
  • a layer thickness measurement can still be carried out to ensure that the desired layer thickness of the soft solder layer is achieved.
  • the evaporation of the soft solder 8 in the chamber 5 can be achieved in many different ways. In addition to the heating device 7 already described, it is possible, for example, to achieve the desired evaporation by means of an electron beam. In addition to the described methods, other physical vapor deposition (PVD) methods can be used to form the soft solder layer 4 on the carrier layer 2.
  • PVD physical vapor deposition
  • the connecting means 1 is excellent for locally applying a thin soft solder layer (having the thickness D2) to a mounting surface 10 of a component 11.
  • the connecting means 1 then together with the component 1 1 forms an inventive system of connecting means and component, wherein the component 1 1 or at least the area with the mounting surface 10 is preferably formed of an electrically conductive material.
  • the device 11 may be a heat sink for e.g. a laser diode (not shown), wherein the laser diode is to be soldered to the mounting surface.
  • the connecting means 1 is placed on the mounting surface 10 so that the soft solder layer 4 is in contact with the mounting surface 10 (step of Fig. 4 of Fig. 5). Thereafter, the upper side 12 of the carrier layer 2 is pressurized in the region corresponding to the mounting surface 10, as schematically represented by a punch 13 in FIG. In this case, the initial position of the punch 13 is shown by solid lines and the end position of the punch 13 by dashed lines.
  • this pressurization causes the adhesion between the soft solder layer 4 and the mounting surface 10 is greater than the adhesion between the soft solder layer 4 and the support layer 2.
  • the further device e.g., a laser diode
  • the further device is placed on the solder bond 15 and soldered to the device.
  • soldering instead of soldering, a cold welding can be done Shen. Furthermore, it is possible to clamp both components only, without a soldering or Kaltverschwei Shen is performed. Also in this case, the desired thermal and electrical connection of the two components could be achieved by means of the solder.
  • a third component eg a second heat sink
  • a soft solder layer in the described manner from the carrier layer to the corresponding mounting surface can be transferred.
  • the soft solder layer 4 In addition to the band-like formation of the soft solder layer 4 shown in FIG. 2, it is of course also possible to assemble the desired solder bumps already during the vapor deposition. For this purpose, for example, only appropriate masking on the underside 3 of the carrier layer 2 must be provided before the evaporation, which are removed after the vapor deposition. Thus, for example, a plurality of spaced-apart soft solder layer sections 17 can be produced, as shown schematically in FIG. 8. Of course, any shapes for the soft solder sections 1 7 are possible. Furthermore, the support layer 2 does not have to be band-shaped, as is the case with the exemplary embodiments described. Other surface shapes may be provided.

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Abstract

Es wird bereitgestellt ein Verfahren zum Aufbringen von Weichlot (4) auf eine Montagefläche (10) eines Bauelementes (11), bei dem a) ein Verbindungsmittel (1), das eine Trägerschicht (2) und eine auf der Trägerschicht durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht (4) aufweist, mit seiner Weichlotschicht (4) so in mechanischen Kontakt mit der Montagefläche (10) gebracht wird, daß eine erste Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht (4) und der Montagefläche (10) größer wird als eine zweite Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht (4) und der Trägerschicht (2), und b) danach das Verbindungsmittel (1) vom Bauelement (11) abgenommen wird, so daß sich im Bereich der Montagefläche (10) die Trägerschicht (2) von der Weichlotschicht (4) löst und somit nur auf der Montagefläche (10) Weichlot (4) verbleibt.

Description

Verfahren zum Aufbringen von Weichlot auf eine Montageflache eines Bauelementes
Es ist bekannt, Weichlot in Form einer Lotpaste auf eine Montagefläche eines Bauelementes aufzubringen. Jedoch sind mit diesem Vorgehen weder konstante Schichtdicken, noch Schichtdicken im Bereich von < 10 μιη möglich.
Ferner können Weichlotfolien durch Walzen hergestellt werden. Allerdings sind, abhängig von der Zusammensetzung des Lotes, gleichmäßige Schichtdicken von weniger als 20 μιη und bis zu 100 μιη nur mit hohem Aufwand erreichbar. Diese gewalzten Weichlote können auf einer Trägerschicht oder zusammen mit dieser gewalzt sein. Jedoch sind gewalzte Weichlote häufig herstellungsbedingt verschmutzt und können unerwünschte Walzspuren aufweisen.
Daher wurde bisher das gesamte Bauelement (maskiert oder unmaskiert) mit Weichlot bedampft, um das Weichlot auf die Montagefläche des Bauelementes dünn und/oder möglichst rein aufzubringen, da mittels Bedampfen gezielt geringe Schichtdicken bei gleichzeitig hoher Reinheit erzeugt werden können. Jedoch ist das Verfahren relativ teuer, insbesondere wenn die Montagefläche relativ zu der restlichen und gegebenenfalls maskierten Oberfläche des Bauelementes klein ist.
Ausgehend hiervon ist es daher Aufgabe der Erfindung, ein verbessertes Verfahren zum Aufbringen von Weichlot auf eine Montagefläche eines Bauelementes zur Verfügung zu stellen.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren zum Aufbringen von Weichlot auf eine Montagefläche eines Bauelementes, bei dem a) ein Verbindungsmittel, das eine Trägerschicht und eine auf der Trägerschicht durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht aufweist, mit seiner Weichlotschicht so in mechanischen Kontakt mit der Montagefläche gebracht wird, daß eine erste Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Montagefläche größer wird als eine zweite Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Trägerschicht und b) danach das Verbindungsmittel vom Bauelement abgenommen wird, so daß sich im Bereich der Montagefläche die Trägerschicht von der Weichlotschicht löst und somit nur auf der Montagefläche Weichlot verbleibt. Damit ist eine lokale Beaufschlagung der Montagefläche mit einer äu ßerst dünnen und gleichzeitig sehr reinen Weichlotschicht möglich. Unter Weichloten werden hier insbesondere solche Lote verstanden, deren Schmelzpunkt kleiner als 450 °C ist. Insbesondere kann der Schmelzpunkt im Bereich zwischen 180° und 300°C liegen. Ferner kann das Weichlot einen Schmelzpunkt von kleiner als 250 °C aufweisen. Der Schmelzpunkt wird so gewählt, daß er einerseits ausreichend über der maximalen Betriebstemperatur der miteinander zu verlötenden Bauelemente liegt, aber andererseits niedrig genug ist, damit beim Verlöten keine Beschädigung der Bauelemente auftritt.
Bei der physikalischen Gasphasenabscheidung handele es sich um ein Beschichtungsverfahren (bevorzugt um ein vakuumbasiertes Beschichtungsverfahren), bei dem die Weichlotschicht direkt durch Kondensation eines entsprechenden Materialdampfes gebildet wird. So kann ein Verdampfungsverfahren (wie z.B. thermisches Verdampfen, Elektronenstrahlverdampfen, Laserstrahlverdampfen, Lichtbogenverdampfen,
Molekularstrahlepitaxie, etc.), Sputterverfahren und/oder lonenplattieren eingesetzt werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann die Weichlotschicht im Bereich der Montagefläche gegen die Montagefläche gedrückt werden (bevorzugt mit einer größeren Kraft als außerhalb der Montagefläche), um die erste Haftfestigkeit (bzw. erste Adhäsion) zu erreichen. Dies kann beispielsweise dadurch erreicht werden, daß die Rückseite der Trägerschicht nur im Bereich der Montagefläche mit einem vorbestimmten mechanischen Druck beaufschlagt wird. Bei dem Verfahren kann die Montagefläche ein Teil einer größeren Oberfläche des Bauelementes sein. Selbst wenn die Weichlotschicht des Lötmittels auch neben der Montagefläche in Kontakt mit der Oberfläche gebracht wird, kann z.B. durch lokalen mechanischen Druck nur im Bereich der Montagefläche die erste Haftfestigkeit erreicht werden, so daß dann beim Abnehmen des Lötmittels eben nur im Bereich der Montagefläche die gewünschte Weichlotschicht zurückbleibt.
Nach dem erfindungsgemäßen Aufbringen des Weichlotes auf die Montagefläche kann ein weiteres Bauelement in mechanischen Kontakt mit dem Weichlot auf der Montagefläche gebracht werden. Die beiden Bauelemente können mittels der Weichlotschicht verlötet und/oder kaltverschweißt werden. Es ist jedoch auch möglich, die beiden Bauelemente lediglich so einzuklemmen, daß mittels der Weichlotschicht eine elektrische und thermische Kontaktierung der beiden Bauelemente vorliegt. Wichtig ist dabei, daß eine vollflächige Kontaktierung mittels der Weichlotschicht erreicht wird, so daß der gewünschte elektrische und/oder thermische Übergang vorliegt.
Bei dem Verfahren kann eines der beiden Bauelemente eine Wärmesenke und das andere der beiden Bauelemente eine Laserdiode sein. Damit wird eine ausgezeichnete thermische und elektrische Kontaktierung der Laserdiode mit der Wärmesenke erreicht.
Ferner kann bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein zweites Verbindungsmittel, das eine Trägerschicht und eine darauf durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht aufweist, mit seiner Weichlotschicht so in mechanischen Kontakt mit einer zweiten Kontaktfläche eines dritten Bauelementes gebracht werden, daß eine dritte Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht des zweiten Verbindungsmittels und der zweiten Montagefläche größer wird als eine vierte Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Trägerschicht des zweiten Verbindungsmittels, danach das zweite Verbindungsmittel vom dritten Bauelement abgenommen werden, so daß sich im Bereich der zweiten Montagefläche die Trägerschicht des zweiten Verbindungsmittels von der Weichlotschicht löst und somit nur auf der zweiten Montagefläche Weichlot verbleibt, wobei dann das zweite Bauelement in mechanischen Kontakt mit dem Weichlot auf der zweiten Montagefläche gebracht wird. Somit kann z.B. eine Laserdiode von zwei Seiten mit Wärmesenken kontaktiert werden.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren kann jede der Trägerschichten jeweils als nicht metallische und/oder als nicht elektrisch leitfähige Schicht ausgebildet sein. Ferner kann die jeweilige Weichlotschicht direkt auf der Trägerschicht ausgebildet sein. Natürlich können die vorteilhaften Verfahrensschritte beim Aufbringen des Weichlotes auf die erste Montagefläche auch beim Aufbringen des Weichlotes auf die zweite Montagefläche angewendet werden. Ferner kann es sich bei dem zweiten Verbindungsmittel um das erste Verbindungsmittel handeln, das bereits zum Aufbringen des Weichlots auf die Montagefläche des ersten Bauelementes verwendet wurde.
Es wird ferner bereitgestellt ein System aus einem Verbindungsmittel und einem Bauelement mit einer Montagefläche, bei dem das Verbindungsmittel eine Trägerschicht und eine auf der Trägerschicht durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht, die von der Trägerschicht lösbar ist, aufweist, wobei die Haftfestigkeit bzw. Adhäsion zwischen Weichlotschicht und Trägerschicht kleiner ist als zwischen der Weichlotschicht und der Montagefläche, wenn das Verbindungsmittel mit seiner Weichlotschicht in Kontakt mit der Montagefläche gebracht ist. Das in Kontakt Bringen kann insbesondere durch Druckbeaufschlagung unterstützt werden, so daß die Weichlotschicht lokal auf die Montagefläche gedrückt wird.
Mit einem solchen System ist es möglich, lokal dünne Weichlotschichten aufzubringen.
Die Schichtdicke der Weichlotschicht ist bevorzugt kleiner oder gleich 10 μιη .
Ferner kann die Schichtdicke der Weichlotschicht kleiner sein als die Schichtdicke der Trägerschicht, wobei die Weichlotschicht bevorzugt um zumindest eine Größenordnung kleiner ist als die Trägerschicht.
Die Schichtdicke der Trägerschicht kann so gewählt sein, daß sie als steif und trotzdem flexibel bezeichnet werden kann. Die Trägerschicht kann als Folie mit einer Schichtdicke im Bereich von einigen 100 μιη oder auch kleiner ausgebildet sein. Als Material für die Trägerschicht kann insbesondere ein nicht metallisches und/oder ein nicht elektrisch leitfähiges Material, wie z.B. Polytetrafluorethylen, Polyimid, etc. verwendet werden. Die Weichlotschicht kann direkt auf der Trägerschicht ausgebildet sein.
Die Weichlotschicht kann bevorzugt ein Indium-haltiges Lot sein. Das Lot kann zusätzlich Zinn, Silber, etc. enthalten. Durch diese zusätzlichen Materialien können z.B. Schmelzpunkt und weitere Materialeigenschaften gezielt eingestellt werden.
Ferner kann die Weichlotschicht als durchgehende Schicht auf der Trägerschicht ausgebildet sein. Es ist jedoch auch möglich, daß die Weichlotschicht voneinander beabstandete Weichlotabschnitte aufweist. Damit kann eine Konfektionierung der Weichlotschicht durchgeführt werden, so daß an die Form und Größe der Montagefläche angepaßte Weichlotabschnitte vorgesehen sind.
Es versteht sich, daß die vorstehend genannten und die nachstehend noch zu erläuternden Merkmale nicht nur in den angegebenen Kombinationen, sondern auch in anderen Kombinationen oder in Alleinstellung einsetzbar sind, ohne den Rahmen der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
Nachfolgend wird die Erfindung beispielsweise anhand der beigefügten Zeichnungen, die auch erfindungswesentliche Merkmale offenbaren, noch näher erläutert. Es zeigen: eine Seitenansicht einer ersten Ausführungsform eines Verbindungsmittels;
Fig. 2 eine Ansicht von unten des Verbindungsmittels von Fig. 1 ;
Fig. 3 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Herstellung des
Verbindungsmittels gemäß Fig. 1 und 2;
Fig. 4 - 6 Seitenansichten zur Beschreibung der Aufbringung von Weichlot auf einer
Montagefläche eines Bauelementes;
Fig. 7 eine Draufsicht auf das Bauelement gemäß Fig. 6, und
Fig. 8 eine Ansicht von unten auf ein Lötmittel nach einer weiteren Ausführungsform.
Bei der in Fig. 1 und 2 gezeigten Ausführungsform umfaßt das Verbindungsmittel 1 eine Trägerschicht 2, die auf einer Seite (hier auf ihrer Unterseite 3) eine aufgedampfte Weichlotschicht 4 aufweist.
Die Trägerschicht 2 ist bei der hier beschriebenen Ausführungsform eine Teflon-Folie (Polytetrafluorethylen-Folie) mit einer Dicke D1 im Bereich von einigen 100 μιη. Die Weichlotschicht 4 weist eine Dicke D2 auf, die kleiner ist als die Dicke D1 der Trägerschicht. Bevorzugt ist die Dicke D2 um zumindest eine Größenordnung kleiner als die Dicke D1 der Trägerschicht 2.
Bei dem in Fig. 1 und 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Weichlotschicht 4 als Indiumlot ausgebildet und weist eine Dicke D2 auf, die kleiner oder gleich 10 μιη ist.
Das Verbindungsmittel 1 gemäß Figuren 1 und 2 kann wie folgt hergestellt werden. Die Trägerschicht 2 wird in einer Kammer 5 positioniert. Wie in Fig. 3 schematisch gezeigt ist, liegt sie auf L-förmigen Halter 6 auf. Ferner ist in der Kammer 5 eine Heizvorrichtung 7 angeordnet, auf der das aufzudampfende Weichlot 8 liegt. Die Kammer 5 wird evakuiert und dann wird mittels der Heizvorrichtung 7 das Weichlot 8 verdampft, das sich dadurch auf sämtlichen freien Flächen auf der Kammer 5 und somit auch auf der Unterseite 3 der Trägerschicht 2 niederschlägt. Nach einer vorbestimmten Zeitdauer wird die gewünschte Dicke D2 der Weichlotschicht 4 erreicht und das Aufdampfen wird beendet. Natürlich kann anstatt oder zusätzlich zur Zeitmessung noch eine Schichtdickenmessung durchgeführt werden, um sicherzustellen, daß die gewünschte Schichtdicke der Weichlotschicht erreicht wird. Natürlich kann das Verdampfen des Weichlotes 8 in der Kammer 5 auf unterschiedlichste Art und Weise erreicht werden. Neben der bereits beschriebenen Heizvorrichtung 7 ist es beispielsweise möglich, mittels eines Elektronenstrahles die gewünschte Verdampfung zu erreichen . Neben den beschriebenen Verfahren können auch andere physikalische Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD-Verfahren) eingesetzt werden, um die Weichlotschicht 4 auf der Trägerschicht 2 zu bilden.
Das Verbindungsmittel 1 eignet sich ausgezeichnet dafür, eine dünne Weichlotschicht (mit der Dicke D2) auf eine Montagefläche 10 eines Bauelementes 1 1 lokal aufzubringen . Das Verbindungsmittel 1 bildet dann zusammen mit dem Bauelement 1 1 ein erfindungsgemäßes System aus Verbindungsmittel und Bauelement, wobei das Bauelement 1 1 bzw. zumindest der Bereich mit der Montagefläche 10 bevorzugt aus einem elektrischen leitfähigen Material gebildet ist. Bei dem Bauelement 1 1 kann es sich beispielsweise um eine Wärmesenke für z.B. eine Laserdiode (nicht gezeigt) handeln , wobei die Laserdiode mit der Montagefläche verlötet werden soll.
Um das Weichlot auf die Montagefläche 10 aufzubringen, wird das Verbindungsmittel 1 so auf die Montagefläche 10 gelegt, daß die Weichlotschicht 4 mit der Montagefläche 10 in Kontakt steht (Schritt von Fig. 4 nach Fig. 5). Danach wird die Oberseite 12 der Trägerschicht 2 in dem Bereich mit Druck beaufschlagt, der der Montagefläche 10 entspricht, wie durch einen Stempel 13 in Figur 5 schematisch dargestellt ist. Dabei ist die Anfangsposition des Stempels 13 mit durchgezogenen Linien und die Endposition des Stempels 13 mit gestrichelten Linien gezeigt. Durch diese Druckbeaufschlagung wird bewirkt, daß die Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht 4 und der Montagefläche 10 größer wird als die Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht 4 und der Trägerschicht 2. Daher bleibt dann beim Entfernen des Verbindungsmittels 1 vom Bauelement 1 1 das Weichlot nur im Bereich der Montagefläche 1 0 auf der Oberfläche 14 des Bauelementes 1 1 als Weichlotbeschichtung 1 5 zurück, wie in Figur 6 schematisch angedeutet ist. In Bereichen neben der Montagefläche 10 wurde das Weichlot 4 nicht mit Druck beaufschlagt, so daß bei diesen Weichlotbereichen 16 die Haftfestigkeit mit der Trägerschicht 2 größer war als mit den entsprechenden Oberflächenbereichen neben der Montagefläche 10. Daher verbleibt beim Abheben des Verbindungsmittels 1 vom Bauelement 1 1 bzw. von seiner Oberfläche 14 das Weichlot in diesen Bereichen an der Trägerschicht 2. In dieser Art und Weise kann eine definierte lokale Aufbringung des Weichlotes 4 erzielt werden, wobei gleichzeitig das aufgebrachte Weichlot eine äußerst geringe Dicke (hier kleiner oder gleich 10 μιη) aufweist. Es kann also materialsparend nur der Montageflächenbereich 10 mit dem gewünschten Weichlot beaufschlagt werden, wie z.B. aus der Draufsicht des Bauelementes 1 1 mit der Weichlotbeschichtung 15 von Fig. 7 ersichtlich ist.
Nach der beschriebenen Beschichtung wird auf die Weichlotbeschichtung 15 das weitere Bauelement (z.B. eine Laserdiode) aufgesetzt und mit dem Bauelement verlötet.
Natürlich kann statt des Verlötens auch ein Kaltverschwei ßen durchgeführt werden. Ferner ist es möglich, beide Bauelemente lediglich einzuklemmen, ohne daß ein Verlöten oder Kaltverschwei ßen durchgeführt wird. Auch in diesem Fall konnte die gewünschte thermische und elektrische Verbindung der beiden Bauelemente mittels des Weichlotes erzielt werden.
Ferner kann auf der vom Bauelement 1 1 abgewandten Seite des weiteren Bauelementes (z.B. der Laserdiode) ein drittes Bauelement (z.B. eine zweite Wärmesenke) thermisch und elektrisch über eine Weichlotschicht kontaktiert werden, wobei die Weichlotschicht in der beschriebenen Art und Weise von der Trägerschicht auf die entsprechende Montagefläche übertragen werden kann.
Neben der in Figur 2 dargestellten bandartigen Ausbildung der Weichlotschicht 4 ist es natürlich auch möglich, die gewünschten Weichlotbereiche bereits bei der Bedampfung zu konfektionieren. Dazu müssen beispielsweise nur entsprechende Maskierungen auf der Unterseite 3 der Trägerschicht 2 vor der Bedampfung vorgesehen werden, die nach der Bedampfung entfernt werden. So können beispielsweise mehrere, voneinander beabstandete Weichlotschichtabschnitte 17 erzeugt werden, wie dies in Fig. 8 schematisch dargestellt ist. Natürlich sind beliebige Formen für die Weichlotabschnitte 1 7 möglich. Ferner mu ß die Trägerschicht 2 nicht bandförmig sein, wie dies bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen ist. Es können auch andere Flächenformen vorgesehen werden.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zum Aufbringen von Weichlot auf eine Montagefläche eines Bauelementes, bei dem
a) ein Verbindungsmittel, das eine Trägerschicht und eine auf der Trägerschicht durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht aufweist, mit seiner Weichlotschicht so in mechanischen Kontakt mit der Montagefläche gebracht wird, daß eine erste Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Montagefläche größer wird als eine zweite Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Trägerschicht, und
b) danach das Verbindungsmittel vom Bauelement abgenommen wird, so daß sich im Bereich der Montagefläche die Trägerschicht von der Weichlotschicht löst und somit nur auf der Montagefläche Weichlot verbleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , bei dem im Schritt a) die Weichlotschicht im Bereich der Montagefläche gegen die Montagefläche gedrückt wird, um die erste Haftfestigkeit zu erreichen.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Montagefläche Teil einer größeren Oberfläche des Bauelementes ist und im Schritt a) die Weichlotschicht auch neben der Montagefläche in Kontakt mit der Oberfläche gebracht wird.
4. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem nach dem Schritt b) ein zweites Bauelement in mechanischen Kontakt mit dem Weichlot auf der Montagefläche gebracht wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem eines der beiden Bauelemente einer Wärmesenke und das andere der beiden Bauelemente eine Laserdiode ist.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, bei dem ein zweites Verbindungsmittel, das eine Trägerschicht und eine darauf durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht aufweist, mit seiner Weichlotschicht so in mechanischen Kontakt mit einer zweiten Kontaktfläche eines dritten Bauelementes gebracht wird, daß eine dritte Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht des zweiten Verbindungsmittels und der zweiten Montagefläche größer wird als eine vierte Haftfestigkeit zwischen der Weichlotschicht und der Trägerschicht des zweiten Verbindungsmittels, danach das zweite Verbindungsmittel vom dritten Bauelement abgenommen wird, so daß sich im Bereich der zweiten Montagefläche die Trägerschicht des zweiten Verbindungsmittels von der Weichlotschicht löst und somit nur auf der zweiten Montagefläche Weichlot verbleibt, und dann das zweite Bauelement in mechanischen Kontakt mit dem Weichlot auf der zweiten Montagefläche gebracht wird.
7. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem als Trägerschicht eine nicht metallische und/oder eine nicht elektrisch leitfähige Schicht eingesetzt wird.
8. Verfahren nach einem der obigen Ansprüche, bei dem die Weichlotschicht direkt auf der Trägerschicht gebildet ist.
9. System aus einem Verbindungsmittel und einem Bauelement mit einer Montagefläche, bei dem das Verbindungsmittel eine Trägerschicht (2) und eine auf der Trägerschicht (2) durch physikalische Gasphasenabscheidung gebildete Weichlotschicht (4), die von der Trägerschicht (2) lösbar ist, aufweist,
wobei die Haftfestigkeit zwischen Weichlotschicht und Trägerschicht kleiner ist als zwischen der Weichlotschicht und der Montagefläche, wenn das Verbindungsmittel mit seiner Weichlotschicht in Kontakt mit der Montagefläche gebracht ist.
10. System nach Anspruch 9, bei dem die Dicke der Weichlotschicht (4) um mindestens eine Größenordnung kleiner ist als die Dicke der Trägerschicht (2).
1 1 . System nach Anspruch 9 oder 10, bei dem die Weichlotschicht (4) eine Schichtdicke von kleiner oder gleich 10 μιη aufweist.
12. System nach einem der Ansprüche 9 bis 1 1 , bei dem die Weichlotschicht (4) ein Indium- haltiges Lot ist.
13. System nach einem der Ansprüche 9 bis 12, bei dem die Trägerschicht (2) als nicht metallische und/oder nicht elektrisch leitfähige Schicht ausgebildet ist.
14. System nach einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem die Weichlotschicht (4) eine durchgehende Schicht ist.
15. System nach einem der Ansprüche 9 bis 14, bei dem die Weichlotschicht (4) voneinander beabstandete Weichlotabschnitte (15) aufweist.
16. System nach einem der Ansprüche 9 bis 15, bei dem die Weichlotschicht direkt auf der Trägerschicht gebildet ist.
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