WO2011093177A1 - Verre pour revêtement de semi-conducteur et matériau pour revêtement de semi-conducteur l'utilisant - Google Patents

Verre pour revêtement de semi-conducteur et matériau pour revêtement de semi-conducteur l'utilisant Download PDF

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Abstract

Le verre pour revêtement de semi-conducteur ci-décrit crée peu de stress pour l'environnement et a une densité surfacique de charge élevée après revêtement de la surface semi-conductrice. Le verre pour revêtement de semi-conducteur (1) est soit le verre (1), soit le verre (2) suivant. Le verre pour revêtement de semi-conducteur (2) crée peu de stress pour l'environnement, a une densité surfacique de charge élevée après revêtement de la surface semi-conductrice, et possède une excellente résistance aux agents chimiques. Le verre pour revêtement de semi-conducteur (1) est sensiblement exempt de plomb et contient une composition comprenant, en % en poids, 50 à 65 % de ZnO, 19 à 28 % de B2O3, 7 à 15 % de SiO2, 3 à 12 % d'Al2O3, et 0,1 à 5 % de Bi2O3, tandis que le verre pour le revêtement de semi-conducteur (2) est sensiblement exempt de plomb et contient une composition comprenant, en % en poids, 40 à 60 % de ZnO, 5 à 25 % de B2O3, 15 à 35 % de SiO2, et 3 à 12 % d'Al2O3.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4927237B1 (ja) * 2011-05-26 2012-05-09 新電元工業株式会社 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
WO2013030922A1 (fr) * 2011-08-29 2013-03-07 新電元工業株式会社 Composition de verre pour protection de jonction de semi-conducteur, procédé de production de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur
JP2013060353A (ja) * 2011-08-25 2013-04-04 Nippon Electric Glass Co Ltd 半導体素子被覆用ガラス
WO2014155739A1 (fr) * 2013-03-29 2014-10-02 新電元工業株式会社 Composition vitreuse pour protection de jonction de semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur
WO2016039101A1 (fr) * 2014-09-09 2016-03-17 日本電気硝子株式会社 Verre de revêtement à élément semi-conducteur

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6852961B2 (ja) * 2015-06-01 2021-03-31 日本電気硝子株式会社 半導体素子被覆用ガラス
WO2017134808A1 (fr) * 2016-02-05 2017-08-10 新電元工業株式会社 Procédé pour production de dispositif à semi-conducteurs

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5117027B1 (fr) * 1970-06-15 1976-05-29
JPH03126639A (ja) * 1989-10-06 1991-05-29 Nippon Electric Glass Co Ltd 被覆用ガラス組成物
JPH07196338A (ja) * 1993-12-28 1995-08-01 Nippon Electric Glass Co Ltd フィラー粉末の製造方法
JP2007019503A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Schott Ag 無鉛ガラスによる不動態化電子素子の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5117028B1 (fr) * 1970-06-15 1976-05-29
JPS547557B2 (fr) * 1974-03-30 1979-04-07
JPS58125638A (ja) * 1982-01-21 1983-07-26 Toshiba Corp 半導体被覆用ガラス組成物
JPS61242928A (ja) * 1985-04-17 1986-10-29 Nippon Electric Glass Co Ltd 半導体被覆用ガラス
JP2001139345A (ja) * 1999-11-10 2001-05-22 Asahi Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラスおよびガラスフリット
JP3619996B2 (ja) * 2001-03-14 2005-02-16 三菱マテリアル神戸ツールズ株式会社 高速重切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆超硬合金製エンドミル
WO2006035882A1 (fr) * 2004-09-29 2006-04-06 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Verre pour scellement semi-conducteur, tube de gainage pour scellement semi-conducteur et pièce électronique semi-conductrice
DE102006062428B4 (de) * 2006-12-27 2012-10-18 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines mit einem bleifreien Glas passiviertenelektronischen Bauelements sowie elektronisches Bauelement mit aufgebrachtem bleifreien Glas und dessen Verwendung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5117027B1 (fr) * 1970-06-15 1976-05-29
JPH03126639A (ja) * 1989-10-06 1991-05-29 Nippon Electric Glass Co Ltd 被覆用ガラス組成物
JPH07196338A (ja) * 1993-12-28 1995-08-01 Nippon Electric Glass Co Ltd フィラー粉末の製造方法
JP2007019503A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Schott Ag 無鉛ガラスによる不動態化電子素子の製造方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4927237B1 (ja) * 2011-05-26 2012-05-09 新電元工業株式会社 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2013060353A (ja) * 2011-08-25 2013-04-04 Nippon Electric Glass Co Ltd 半導体素子被覆用ガラス
CN103748049A (zh) * 2011-08-25 2014-04-23 日本电气硝子株式会社 半导体元件包覆用玻璃
WO2013030922A1 (fr) * 2011-08-29 2013-03-07 新電元工業株式会社 Composition de verre pour protection de jonction de semi-conducteur, procédé de production de dispositif semi-conducteur et dispositif semi-conducteur
JP5548276B2 (ja) * 2011-08-29 2014-07-16 新電元工業株式会社 半導体接合保護用ガラス組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置
US9006113B2 (en) 2011-08-29 2015-04-14 Shindengen Electric Manufacturing Co. Ltd. Glass composition for protecting semiconductor junction, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
WO2014155739A1 (fr) * 2013-03-29 2014-10-02 新電元工業株式会社 Composition vitreuse pour protection de jonction de semi-conducteur, procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur, et dispositif semi-conducteur
US9236318B1 (en) 2013-03-29 2016-01-12 Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. Glass composition for protecting semiconductor junction, method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device
WO2016039101A1 (fr) * 2014-09-09 2016-03-17 日本電気硝子株式会社 Verre de revêtement à élément semi-conducteur
JP2016056052A (ja) * 2014-09-09 2016-04-21 日本電気硝子株式会社 半導体素子被覆用ガラス
TWI657543B (zh) * 2014-09-09 2019-04-21 日商日本電氣硝子股份有限公司 半導體元件被覆用玻璃

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