WO2011040181A1 - 成形型及び成形型の製造方法 - Google Patents
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Abstract
光学素子を成形するための成形型100であって、母材1と、母材1の表面に溶射により形成された断熱層2と、断熱層2の表面に形成されてNi及びPを含有し、所望の表面粗さに仕上げ加工された第1メッキ層3と、第1メッキ層3の表面に形成されてNi、P及びCuを含有し、光学素子の光学面形状に対応した微細加工が施された成形面4aを有する第2メッキ層4と、を備える。
Description
本発明は、光学素子成形用の成形型及び成形型の製造方法に関する。
従来より、光学素子を成形する成形型として、ミクロンオーダー以下の精度の形状転写が求められている。このような成形型は、金属母材の表面にジルコニアなどの低熱伝導率の材料を溶射して断熱層を積層し、この断熱層上に無電解メッキなどで表面加工層を形成し、その後、表面加工層を切削加工して光学素子の表面形状を転写する面を形成している(例えば、特許文献1参照)。ここで、切削加工前の初期の表面加工層の厚みを200μm程度と厚く付与するので、表面加工層の下にある断熱層の表面粗さが粗い場合でも、表面加工層の削り取る加工量を多くすることで所望の表面形状に仕上げることができる。
しかしながら、光学素子として求められる製品特性に対応するため、近年、レンズが小型化し、曲率が大きい形状となることもあり、その中で例えば、輪帯状の回折パターンで深さ3μm以上、ピッチ5μm以下の微細形状の加工となると、使用する加工バイトがRバイトからより鋭角なR3μm以下の剣先バイトが必要な場合がある。
このような加工に対応していくためには、特許文献1において表面加工層の形状切削性が高いことが求められる。切削性の高いメッキとしては、例えば特許文献2に記載されたものが挙げられる。
しかしながら、特許文献2に記載のメッキは切削性が高いが、内部応力が大きいので、溶射断熱層の上にこのようなメッキを施した場合、その内部応力の影響でクラックが発生してしまうという問題がある。また、切削性の高いメッキは内部応力が高いため、100μm以上の厚みを得づらい特性があり、切削加工前の初期のメッキ層の厚みを厚くすることができないという問題もある。
一方、ZrO2の基材上に切削性の高くない第1メッキ層を設け、第1メッキ層上に切削性の高い第2メッキ層を設けた2層構造とした技術が知られている(例えば、特許文献3参照)。
しかしながら、特許文献3の技術は、ZrO2の基材上に第1メッキ層及び第2メッキ層を順次設けており、溶射断熱層上にメッキ層を設ける点については何等記載されていない。
溶射断熱層の上にメッキ層を設ける場合、例えば、図2(a)の母材101上に、溶射断熱層102を形成した後(図2(b)参照)、溶射断熱層102上に第1のメッキ層103を設け(図2(c)参照)、その後、第1のメッキ層103上に第2のメッキ層104を設ける(図2(d)参照)。しかし、溶射断熱層102は表面粗さが粗いため、そのまま2層にメッキを重ねた場合、第1のメッキ層103及び第2のメッキ層104が下地である溶射断熱層102の形状を維持したまま積層されるため、第2のメッキ層104の表面状態が粗くなり、微細な成形面とすることができないという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、光学素子の光学面形状に対応した微細な成形面を有する成形型及び微細な成形面に加工可能な成形型の製造方法を提供することを目的としている。
本発明の一態様によれば、光学素子を成形するための成形型であって、
母材と、
前記母材の表面に溶射により形成された断熱層と、
前記断熱層の表面に形成されてNi及びPを含有し、所望の表面粗さに加工された第1メッキ層と、
前記第1メッキ層の表面に形成されてNi、P及びCuを含有し、前記光学素子の光学面形状に対応した微細加工が施された成形面を有する第2メッキ層と、を備えることを特徴とする成形型が提供される。
母材と、
前記母材の表面に溶射により形成された断熱層と、
前記断熱層の表面に形成されてNi及びPを含有し、所望の表面粗さに加工された第1メッキ層と、
前記第1メッキ層の表面に形成されてNi、P及びCuを含有し、前記光学素子の光学面形状に対応した微細加工が施された成形面を有する第2メッキ層と、を備えることを特徴とする成形型が提供される。
本発明の他の態様によれば、微細加工を施した光学面を有する光学素子を成形するための成形型の製造方法であって、
母材の表面に溶射による断熱層を形成する断熱層形成工程と、
前記断熱層の表面にNi及びPを含有する第1メッキ層を形成する第1メッキ層形成工程と、
前記第1メッキ層を所望の表面粗さに加工を行う仕上げ加工工程と、
前記第1メッキ層の表面にNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を形成する第2メッキ層形成工程と、
前記第2メッキ層に微細加工を施して光学面を形成する微細加工工程と、を備えることを特徴とする成形型の製造方法が提供される。
母材の表面に溶射による断熱層を形成する断熱層形成工程と、
前記断熱層の表面にNi及びPを含有する第1メッキ層を形成する第1メッキ層形成工程と、
前記第1メッキ層を所望の表面粗さに加工を行う仕上げ加工工程と、
前記第1メッキ層の表面にNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を形成する第2メッキ層形成工程と、
前記第2メッキ層に微細加工を施して光学面を形成する微細加工工程と、を備えることを特徴とする成形型の製造方法が提供される。
本発明によれば、母材と、母材の表面に溶射により形成された断熱層と、断熱層の表面に形成されてNi及びPを含有し、表面仕上げ加工が施された第1メッキ層と、第1メッキ層の表面に形成されてNi、P及びCuを含有し、微細加工が施されて光学素子の光学面を有する第2メッキ層と、を備えているので、切削性が高く、微細な成形面を有する第2メッキ層を備えた成形型とすることができる。
また、溶射による断熱層を有することから、気孔率が高く、断熱効果の高い成形型とすることができる。
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
図1は、成形型の製造方法を説明するための工程図である。
図1(f)に示すように、成形型100は、光学素子を成形するためのもので、母材1と、母材1の表面に形成された断熱層2と、断熱層2の表面に形成された第1メッキ層3と、第1メッキ層3の表面に形成された第2メッキ層4と、を備える。
母材1は、ステンレス鋼や炭素鋼等の鋼材からなり、その表面に下向きに凸となる円形状の凹部1aが形成されている。この凹部1aを形成する表面に断熱層2が形成されている。
断熱層2は、セラミック系材料であるジルコニアを溶射して、凹部1aの表面に一体に形成されている。なお、断熱層2の材料として、ジルコニアに限定されるものではなく、アルミナ、酸化チタン、酸化クロム等を含む各種のセラミックのほか、それ等のセラミック材料と金属材料との混合物であるサーメットなどを使用しても良い。その材料の選定に際しては、その材料の熱膨張係数が母材1や第1メッキ層3の材料の熱膨張係数と大きく異ならない材料を選択するものとする。このような断熱層2の表面には、第1メッキ層3が形成されている。
第1メッキ層3は、Ni及びPを含有している。Niの含有率は85質量%以上である。第1メッキ層3の断熱層2に付与する際の厚みは、100μm以上であることが好ましい。また、第1メッキ層3は、その表面を仕上げ加工して、表面粗さRaを1μm以下とすることが好ましく、より好ましくは0.5μm以下である(表面粗さRaの測定はJIS B 0601-2001の規定に基づき、表面粗さ計を用いて行い、基準長さ0.8mm、カットオフ0.8mmの条件にて行い、得られた曲線データより算術平均粗さ(中心線平均粗さ)Raの数値を得る)。また、仕上げ加工を施した際の第1メッキ層3の厚みは、5~50μmであることが好ましい。このような第1メッキ層3の表面には、第2メッキ層4が形成されている。
第2メッキ層4は、Cu、Ni及びPを含有しており、第1メッキ層3とは物性が異なっている。第2メッキ層4の表面は、光学素子の光学面形状に対応した微細加工が施された成形面4aとなっている。第2メッキ層4の微細加工が施された後の厚みは、10~90μmであることが好ましい。
なお、断熱層2と第1メッキ層3との間には、断熱層2と第1メッキ層3との間の密着性を高めるために、下引き層(図示しない)が設けられていることが好ましい。下引き層は特開2008-246699号公報にも記載の断熱層2の材料と第1メッキ層3の材料との間でそれぞれ高い親和力を持つNi-AL合金などの材料で構成するものとする。
さらに、第1メッキ層3と第2メッキ層4との間にも、第1メッキ層3と第2メッキ層との間の密着性を高めるために、下引き層(図示しない)を設けても良い。
次に、成形型100の製造方法について説明する。
図1(a)の母材1の凹部1aを形成する表面に、周知の溶射によって断熱層2を形成する(図1(b)参照)。
次いで、図1(c)に示すように、断熱層2の表面に第1メッキ層3を厚みが100μm以上となるように形成する。第1メッキ層3の形成後、第1メッキ層3の表面を、表面粗さRaが1μm以下、好ましくは0.5μm以下で、厚みが5~50μmとなるように切削し仕上げ加工を行う(図1(d)参照)。
次いで、図1(e)に示すように、第1メッキ層3の表面に第2メッキ層4を形成する。さらに、図1(f)に示すように、第2メッキ層4の表面を、成形する光学素子の光学面形状に対応した微細な成形面4aとなるように、例えば輪帯状の回折パターン等を施す。回折パターンは、第2メッキ層4を切削加工することにより形成する。なお、切削加工後に熱処理することが好ましい。熱処理することで、第2メッキ層4の加工面の硬度を増加させることができ、これによって成形型100の耐久性をより向上させることができる。また、この熱処理によって母材1、第1メッキ層3及び第2メッキ層4の間で金属原子の移動が起こり、付着性が向上する。熱処理の温度としては、好ましくは300度以下である。これは、非晶質の第2メッキ層4において結晶化が進行し、加工面の初期の表面粗さが劣化したり、特に大きな体積を有する成形型100において第2メッキ層4の引っ張り応力が非常に大きくなって第2メッキ層4にクラックが発生することを抑制できるため好ましい。
なお、第1メッキ層3及び第2メッキ層4は、周知の無電解メッキ法により形成することが好ましい。これにより、略均一な厚みの非晶質な第1メッキ層3及び第2メッキ層4を形成することができる。
また、断熱層2と第1メッキ層3との間に、例えば無電解メッキ法により下引き層(図示しない)を設けても良い。
次に、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
1.試料の作製
(試料1):実施例
ステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有する第1メッキ層を付与する。積層の影響により表面粗さRaが3μm以上となることがあるため、100μmの厚みで付与し、加工量が50μmで表面粗さRaが1μm以下となるようにダイヤモンド工具でのフライカット法による精密加工を行い、仕上げ加工を施した。
(試料1):実施例
ステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有する第1メッキ層を付与する。積層の影響により表面粗さRaが3μm以上となることがあるため、100μmの厚みで付与し、加工量が50μmで表面粗さRaが1μm以下となるようにダイヤモンド工具でのフライカット法による精密加工を行い、仕上げ加工を施した。
次いで、第1メッキ層の表面に、Pの含有率が7質量%、Cuの含有率が26質量%、残りの主成分がNiであるNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を形成した。第2メッキ層の厚みは100μmではクラックが発生する恐れがあるため、80μmとした。その結果、第2メッキ層の表面粗さRaを0.5μmとすることができた。
(試料2):比較例1
ステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有するメッキ層より切削性に優れるPの含有率が7質量%、Cuの含有率が26質量%、残りの主成分がNiであるNi、P及びCuを含有する切削にメッキ層を直接80μmで形成を積層させたところ、表面にクラック発生してしまい、加工面に適さない面となり、表面粗さRaも3μm以上となった。
ステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有するメッキ層より切削性に優れるPの含有率が7質量%、Cuの含有率が26質量%、残りの主成分がNiであるNi、P及びCuを含有する切削にメッキ層を直接80μmで形成を積層させたところ、表面にクラック発生してしまい、加工面に適さない面となり、表面粗さRaも3μm以上となった。
(試料3):比較例2
試料1と同様にステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有する第1メッキ層100μmの厚みで付与する。その後、第1メッキ層の表面に、Pの含有率が7質量%、Cuの含有率が26質量%、残りの主成分がNiであるNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を80μmで形成した。その結果、図2に示す様に成形面に表面に凹凸の残り、表面粗さRa3μmの微細光学加工面に適さない面となってしまった。
試料1と同様にステンレス鋼の金型母材の上に溶射にて積層されたZrO2を含有する断熱層の表面にNiの含有率が85質量%以上となるNi及びPを含有する第1メッキ層100μmの厚みで付与する。その後、第1メッキ層の表面に、Pの含有率が7質量%、Cuの含有率が26質量%、残りの主成分がNiであるNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を80μmで形成した。その結果、図2に示す様に成形面に表面に凹凸の残り、表面粗さRa3μmの微細光学加工面に適さない面となってしまった。
上記結果を下記表1に示す。
上記結果より、試料1のように断熱層の表面に第1メッキ層を形成し、第1メッキ層の表面仕上げ加工を施した後、第2メッキ層を形成することによって、切削性が高く、微細な成形面を形成することができる。
1 母材
2 断熱層
3 第1メッキ層
4 第2メッキ層
4a 成形面
100 成形型
2 断熱層
3 第1メッキ層
4 第2メッキ層
4a 成形面
100 成形型
Claims (12)
- 光学素子を成形するための成形型であって、
母材と、
前記母材の表面に溶射により形成された断熱層と、
前記断熱層の表面に形成されてNi及びPを含有し、所望の表面粗さに加工された第1メッキ層と、
前記第1メッキ層の表面に形成されてNi、P及びCuを含有し、前記光学素子の光学面形状に対応した微細加工が施された成形面を有する第2メッキ層と、を備えることを特徴とする成形型。 - 前記第1メッキ層のNiの含有率が85質量%以上であることを特徴とする請求項1に記載の成形型。
- 前記第1メッキ層の仕上げ加工後の表面粗さRaが1μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の成形型。
- 前記第1メッキ層の仕上げ加工後の厚みが5~50μmであることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の成形型。
- 前記第2メッキ層の微細加工後の厚みが10~90μmであることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の成形型。
- 前記断熱層と前記第1メッキ層との間に、下引き層が設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の成形型。
- 光学素子を成形するための成形型の製造方法であって、
母材の表面に溶射による断熱層を形成する断熱層形成工程と、
前記断熱層の表面にNi及びPを含有する第1メッキ層を形成する第1メッキ層形成工程と、
前記第1メッキ層を所望の表面粗さに加工を行う仕上げ加工工程と、
前記第1メッキ層の表面にNi、P及びCuを含有する第2メッキ層を形成する第2メッキ層形成工程と、
前記第2メッキ層に、微細加工を施して前記光学素子の光学面形状に対応した成形面を形成する微細加工工程と、を備えることを特徴とする成形型の製造方法。 - 前記第1メッキ層のNiの含有率を85質量%以上とすることを特徴とする請求項7に記載の成形型の製造方法。
- 前記仕上げ加工工程では、前記第1メッキ層の表面粗さRaを1μm以下とすることを特徴とする請求項7又は8に記載の成形型の製造方法。
- 前記第1メッキ層形成工程では、前記第1メッキ層を100μm以上の厚みとし、
前記仕上げ加工工程では、仕上げ加工後の前記第1メッキ層を5~50μmの厚みとすることを特徴とする請求項7~9のいずれか一項に記載の成形型の製造方法。 - 前記微細加工工程では、微細加工後の前記第2メッキ層を10~90μmnの厚みとすることを特徴とする請求項7~10のいずれか一項に記載の成形型の製造方法。
- 前記断熱層形成工程後、前記第1メッキ層形成工程前に、前記断熱層の上に下引き層を形成する下引き層形成工程を備えることを特徴とする請求項7~11のいずれか一項に記載の成形型の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
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JP2009-227401 | 2009-09-30 | ||
JP2009227401 | 2009-09-30 |
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