WO2010143348A1

WO2010143348A1 - 液晶表示装置

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Publication number: WO2010143348A1
Application number: PCT/JP2010/002797
Authority: WO
Inventors: 塩見誠
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2009-06-11
Filing date: 2010-04-16
Publication date: 2010-12-16
Also published as: US20120086743A1; EP2442296A1; RU2012100253A; CN102460556A; BRPI1013155A2; CN102460556B; US20150194108A1; US9251746B2; EP2442296A4; JPWO2010143348A1; US8957926B2

Abstract

　本発明は、斜め方向から見た場合の色のずれを抑制する液晶表示装置を提供することを目的とする。　本発明による液晶表示装置（１００）は、赤画素（Ｒａ，Ｒｂ）と、緑画素（Ｇａ，Ｇｂ）と、青画素（Ｂａ，Ｂｂ）とを含む複数の画素を備える。複数の画素のそれぞれは、第１サブ画素（１２４ａ）および第２サブ画素（１２４ｂ）を含む複数のサブ画素を有している。青画素の暗サブ画素（Ｂｂ）に対応してＴＦＴ（１３０ｕ）と修正補助容量（１３２ｕ）を設けることにより、赤画素、緑画素および青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合に、赤画素、緑画素および青画素のうちの１つの画素の最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合は、他の２つの画素のそれぞれの最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合よりも大きくなる。

Description

液晶表示装置

　本発明は液晶表示装置に関する。

　液晶表示装置は、大型テレビジョンだけでなく携帯電話の表示部等の小型の表示装置としても利用されている。従来しばしば用いられたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ　Ｎｅｍａｔｉｃ）モードの液晶表示装置の視野角は比較的狭かったが、近年、ＩＰＳ（Ｉｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードおよびＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードといった広視野角の液晶表示装置が作製されている。そのような広視野角のモードの中でも、ＶＡモードは高コントラスト比を実現できるため、多くの液晶表示装置に採用されている。

　しかしながら、ＶＡモードの液晶表示装置では、斜め方向から見た場合に階調反転が発生することがある。階調反転を抑制するために、１つの画素領域に複数の液晶ドメインを形成するＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｏｍａｉｎ　Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードが採用されている。ＭＶＡモードの液晶表示装置には、垂直配向型液晶層を挟んで対向する一対の基板のうちの少なくとも一方の液晶層側に配向規制構造が設けられている。配向規制構造は、例えば、電極に設けられた線状のスリット（開口部）またはリブ（突起）である。配向規制構造により、液晶層の片側または両側から配向規制力が付与され、配向方向の異なる複数の液晶ドメイン（典型的には４つの液晶ドメイン）が形成され、階調反転が抑制されている。

　また、ＶＡモードの液晶表示装置では、斜め方向から見た場合の画像が正面から見た場合の画像と比べて明るく見えることがある（特許文献１参照）。このような現象は白浮きとも呼ばれている。特許文献１の液晶表示装置では、赤、緑および青画素のそれぞれが輝度の異なり得るサブ画素を有していることにより、斜め方向からの白浮きを抑制して視野角特性を改善している。

　図２３に、特許文献１に開示されている液晶表示装置８００の模式図を示す。この液晶表示装置８００では、異なるサブ画素電極８２４ａ、８２４ｂは、対応するＴＦＴ８３０ａ、８３０ｂを介して共通のソース配線Ｓに接続されており、対応する補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂと容量結合を形成している。液晶表示装置８００では、補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂの電圧が異なることにより、サブ画素電極８２４ａ、８２４ｂの電位が変化し、その結果として、各サブ画素Ｓｐａ、Ｓｐｂの輝度が異なり、視野角特性の改善が図られている。

　また、図２４に、特許文献１に開示されている別の液晶表示装置９００の模式図を示す。液晶表示装置９００では、各サブ画素電極９２４ａ、９２４ｂは、異なるＴＦＴ９３０ａ、９３０ｂを介して異なるソース配線Ｓａ、Ｓｂに接続されている。液晶表示装置９００でも、サブ画素電極９２４ａ、９２４ｂの電位を異ならせることにより、サブ画素Ｓｐａ、Ｓｐｂの輝度が異なり、視野角特性の改善が図られている。

　また、２つのサブ画素電極に充電が行われた後、一方のサブ画素電極の電圧を低下させることにより、２つのサブ画素の輝度を異ならせることも知られている（例えば、非特許文献１参照）。非特許文献１に開示されている液晶表示装置では、画素に含まれる２つのサブ画素のうちの一方のサブ画素は他方のサブ画素と同様の液晶容量および補助容量に加えて隣接するゲート配線によって制御される別の補助容量をさらに有している。このため、非特許文献１の液晶表示装置では、ゲート配線がオンになり２つのサブ画素に対応するサブ画素電極に充電が行われた後、隣接するゲート配線が選択されると、一方のサブ画素電極の電圧は低下する。このように、非特許文献１に開示されている液晶表示装置では、視野角特性の改善が図られている。

特開２００５－１８９８０４号公報

シャング　スー　キム（Ｓａｎｇ　Ｓｏｏ　Ｋｉｍ）ら、「１６．１：８２"　ウルトラ　デフィニション　エルシーディー　ユージング　ニュー　ドライビング　スキーム　アンド　アドバンスド　スーパー　ピーブイエー　テクノロジー（１６．１：８２"　Ｕｌｔｒａ　Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ　ＬＣＤ　Ｕｓｉｎｇ　Ｎｅｗ　Ｄｒｉｖｉｎｇ　Ｓｃｈｅｍｅ　ａｎｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｓｕｐｅｒ　ＰＶＡ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」、ＳＩＤ　０８　Ｄｉｇｅｓｔ、１９６～１９９頁

　上述したように、特許文献１および非特許文献１の液晶表示装置では、視野角特性の改善が行われている。しかしながら、これらの液晶表示装置を斜めから見ると、色がずれて見えることがある。

　本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、斜め方向から見た場合の色のずれを抑制する液晶表示装置を提供することにある。

　本発明による液晶表示装置は、赤画素と、緑画素と、青画素とを含む複数の画素を備える液晶表示装置であって、前記複数の画素のそれぞれは、第１サブ画素および第２サブ画素を含む複数のサブ画素を有しており、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のうちの１つの画素の最高輝度に対する前記第１サブ画素の輝度と前記第２サブ画素の輝度との差の割合は、他の２つの画素のそれぞれの最高輝度に対する前記第１サブ画素の輝度と前記第２サブ画素の輝度との差の割合よりも大きい。

　ある実施形態において、前記他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが第１階調レベルである場合、前記他の２つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記他の２つの画素の前記第２サブ画素の輝度とそれぞれ異なり、前記他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが前記第１階調レベルとは異なる第２階調レベルである場合、前記他の２つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記他の２つの画素の前記第２サブ画素の輝度とそれぞれほぼ等しく、前記１つの画素に対応する入力信号の階調レベルが任意の階調レベルである場合、前記１つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記１つの画素の前記第２サブ画素の輝度と異なる。

　ある実施形態において、前記複数の画素は複数の行および複数の列のマトリクス状に設けられており、前記複数の画素のそれぞれにおいて前記第１サブ画素および前記第２サブ画素は列方向に配列されており、任意の行において各画素の第１サブ画素および第２サブ画素は、それぞれ行方向に配列されており、前記複数の画素のそれぞれにおいて前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの高い輝度を呈し得るサブ画素を明サブ画素、低い輝度を呈し得るサブ画素を暗サブ画素と呼ぶと、行方向および列方向の少なくとも一方の方向に沿って前記明サブ画素および前記暗サブ画素は交互に設けられている。

　ある実施形態において、前記明サブ画素と前記暗サブ画素との面積比率は略１：１～１：４である。

　ある実施形態において、前記１つの画素は前記青画素である。

　ある実施形態において、前記液晶表示装置は、背面基板と、前面基板と、前記背面基板と前記前面基板との間に設けられた液晶層とを備えており、前記背面基板は、第１絶縁基板と、前記複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極であって、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数のサブ画素に対応して互いに分離された電極を有する、複数の画素電極と、複数の薄膜トランジスタと、複数のゲート配線と、複数のソース配線と、複数の補助容量配線とを有しており、前記前面基板は、第２絶縁基板と、前記複数の画素電極と対向する対向電極とを有しており、前記複数の薄膜トランジスタは、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素にそれぞれ対応する第１薄膜トランジスタおよび第２薄膜トランジスタを含んでいる。

　ある実施形態において、前記複数の薄膜トランジスタは、前記青画素の前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの一方のサブ画素に対応する第３薄膜トランジスタをさらに含む。

　ある実施形態において、前記青画素の前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの前記一方のサブ画素の輝度は他方のサブ画素の輝度よりも低い。

　ある実施形態において、前記第１薄膜トランジスタのそれぞれは、前記複数のゲート配線のうちの１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、前記第２薄膜トランジスタのそれぞれは、前記１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第２サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、前記第３薄膜トランジスタは、前記複数のゲート配線のうちの別のゲート配線と電気的に接続されたゲートと、ソースと、前記青画素の前記一方のサブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、前記第３薄膜トランジスタの前記ソースまたは前記ソースと電気的に接続された電極は、前記青画素に対応する前記画素電極、前記ゲート配線、前記青画素に対応するソース配線、前記補助容量配線および前記対向電極のうちの少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線と修正補助容量を形成する。

　ある実施形態において、前記第３薄膜トランジスタの前記ソースまたは前記ソースと電気的に接続された電極は、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線と重なる。

　ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記対向電極または前記対向電極に電気的に接続された配線を含む。

　ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記青画素の前記第２薄膜トランジスタの前記ドレインまたは前記ドレインに電気的に接続された配線を含む。

　ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は前記対応するソース配線を含む。

　ある実施形態において、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記１つのゲート配線または前記１つのゲート配線に電気的に接続された配線を含む。

　ある実施形態において、前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうちの前記青画素に対応するゲート配線とは異なるゲート配線に電気的に接続されている。

　ある実施形態において、前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうちの前記青画素に対応するゲート配線から１行、２行または３行離れたゲート配線に電気的に接続されている。

　ある実施形態において、前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうち、前記青画素に対応するゲート配線が選択されてから３水平走査期間内に選択されるゲート配線に電気的に接続されている。

　ある実施形態において、前記複数の補助容量配線のうち隣接する補助容量配線は、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素に対応しており、前記複数の補助容量配線のうち隣接する補助容量配線には異なる電圧が印加されており、前記隣接する補助容量配線の電圧は、２×Ｎ×水平走査期間の周期を持つ矩形波を含む（Ｎは１以上の整数である）。

　ある実施形態において、前記Ｎは４以上１２以下の整数である。

　ある実施形態において、前記隣接する補助容量配線に印加される電圧のうちの一方の位相は、他方の位相に対して、水平走査期間の（Ｎ＋１）倍の時間遅れている。

　ある実施形態において、前記背面基板は、それぞれが、前記複数の補助容量配線のうちのいくつかと電気的に接続された複数の補助容量幹線をさらに備え、前記複数の補助容量配線には２×Ｎ種類の電圧が印加され、同一種類の補助容量配線は同一の補助容量幹線に接続されている。

　ある実施形態において、前記補助容量配線の電圧は、非表示期間および表示期間の両方の期間において、同一周期で振動する。

　ある実施形態において、前記補助容量配線の電圧の非表示期間の周期は、前記補助容量配線の電圧の表示期間の周期よりも長く、前記補助容量配線の前記非表示期間において、それぞれの電位を示す期間が略等分されている。

　ある実施形態において、前記補助容量配線の電圧の位相は１垂直期間毎に反転する。

　ある実施形態において、前記液晶表示装置の垂直走査期間は、前記補助容量配線の電圧の周期の略（Ｍ＋０．５）倍に設定されている（Ｍは０以上の整数）。

　ある実施形態において、前記補助容量配線の電圧が変化するタイミングは、水平走査期間の２倍から（補助容量電極の電圧の半周期－２×水平走査期間）の間に設定されている。

　ある実施形態において、前記第１薄膜トランジスタおよび前記第２薄膜トランジスタが非選択になった後に前記補助容量配線の電圧が最初に変化するのは、前記第３薄膜トランジスタが選択された後である。

　ある実施形態において、前記複数のソース配線は、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素に対応するソース配線を含む。

　ある実施形態において、前記第１薄膜トランジスタのそれぞれは、前記複数のゲート配線のうちの１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、前記第２薄膜トランジスタのそれぞれは、前記１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第２サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有している。

　ある実施形態において、前記液晶層は垂直配向型であり、前記液晶層は負の誘電異方性を有する液晶分子を含んでおり、前記複数のサブ画素のそれぞれにおいて、４または８の液晶ドメインが形成される。

　ある実施形態において、前記青画素の前記第２サブ画素は、第１領域と、前記第１領域とは分離された第２領域とを有しており、前記青画素の前記第２サブ画素の前記第１領域と前記第２領域との間に、前記青画素の前記第１サブ画素が設けられている。

　ある実施形態において、前記青画素の前記第２サブ画素に対応する電極は、前記第２サブ画素の前記第１領域に対応する電極と、前記第２サブ画素の前記第２領域に対応する電極とを有しており、前記第２サブ画素の前記第１領域に対応する電極は前記第２サブ画素の前記第２領域に対応する電極と、前記第１領域および前記第２領域に対応する電極よりも高い抵抗の連結部材を介して電気的に接続されている。

　ある実施形態において、前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極はそれぞれ矩形状であり、前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極のそれぞれのエッジには少なくとも１つの切欠部が設けられている。

　ある実施形態において、前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極には、前記第１薄膜トランジスタおよび前記第２薄膜トランジスタに対応して切欠部が設けられている。

　ある実施形態において、前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板のうちの少なくとも一方に、負の位相差板が設けられている。

　ある実施形態において、前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板のうちの少なくとも一方に、２軸の位相差板が設けられている。

　ある実施形態において前記液晶表示装置はノーマリーブラックである。

　本発明による液晶表示装置は、斜め方向から見た場合の色のずれを抑制することができる。

本発明による液晶表示装置の第１実施形態の模式図である。図１に示した液晶表示装置における各画素の構成を示す模式図である。図１に示した液晶表示装置の色再現範囲を示す色度図である。比較例の液晶表示装置の等価回路図である。比較例の液晶表示装置における画素の構成を示す模式図である。比較例の液晶表示装置の各サブ画素の明暗および極性を示す模式図である。比較例の液晶表示装置における入力信号階調レベルに対する各サブ画素の明および暗サブ画素の階調レベルの変化を示すグラフである。比較例の液晶表示装置における入力信号階調レベルに対する各サブ画素の明および暗サブ画素の階調レベルの変化を示すグラフである。比較例の液晶表示装置における正面方向からのＹ値に対する斜め方向からのＸ値、Ｙ値およびＺ値の変化を示すグラフである。（ａ）は斜め方向の緑画素のＸ値を基準とした赤および青画素のＸ値の変化を示すグラフであり、（ｂ）は斜め方向の緑画素のＹ値を基準とした赤および青画素のＹ値の変化を示すグラフである。図１に示した液晶表示装置における各サブ画素の明暗および極性を示す模式図である。図１に示した液晶表示装置の回路図である。図１に示した液晶表示装置における正面方向からのＹ値に対する斜め方向からのＸ値、Ｙ値およびＺ値の変化を示すグラフである。（ａ）～（ｇ）は、図１に示した液晶表示装置の青画素の電圧波形を示す図である。図１に示した液晶表示装置を示すブロック図である。液晶表示装置の第１実施形態の変形例の回路図である。図１３に示した液晶表示装置における電圧波形を示す模式図である。図１３に示した液晶表示装置における背面基板の模式的な平面図である。液晶表示装置の第１実施形態の別の変形例の回路図である。図１６に示した液晶表示装置における電圧波形を示す模式図である。液晶表示装置の第１実施形態のさらに別の変形例の回路図である。図１８に示した液晶表示装置における電圧波形を示す模式図である。本発明による液晶表示装置の第２実施形態を示す模式的な平面図である。（ａ）は比較例の液晶表示装置を示す模式図であり、（ｂ）は本発明による液晶表示装置の第２実施形態の変形例を示す模式図であり、（ｃ）は図２０に示した液晶表示装置を示す模式図である。本発明による液晶表示装置の第３実施形態における画素を示す模式図である。従来の液晶表示装置における画素を示す模式図である。別の従来の液晶表示装置における画素を示す模式図である。

　以下、図面を参照して、本発明による液晶表示装置の実施形態を説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。

　（実施形態１）
　以下、本発明による液晶表示装置の第１実施形態を説明する。図１に、本実施形態の液晶表示装置１００の模式図を示す。液晶表示装置１００は、絶縁基板１２２上に設けられた画素電極１２４および配向膜１２６を有する背面基板１２０と、絶縁基板１４２上に設けられた対向電極１４４および配向膜１４６を有する前面基板１４０と、背面基板１２０と前面基板１４０との間に設けられた液晶層１６０とを備えている。

　背面基板１２０および前面基板１４０のそれぞれには偏光板１２８、１４８および位相差板１２９、１４９が設けられている。２つの偏光板１２８、１４８は液晶層１６０を挟んで互いに対向するように配置されている。２つの偏光板１２８、１４８の透過軸（偏光軸）は互いに直交するように（クロスニコルの関係を有するように）配置されており、一方が水平方向（行方向）、他方が垂直方向（列方向）に沿うように配置されている。また、背面基板１２０には、図１では図示しない配線および絶縁層等が設けられており、前面基板１４０には図示しないカラーフィルタ層等が設けられている。液晶層１６０の厚さはほぼ一定である。また、ここでは、図示していないが、液晶表示装置１００が透過型または透過反射両用型である場合、液晶表示装置１００はバックライトをさらに備えていてもよい。

　液晶表示装置１００では、複数の画素が複数の行および複数の列のマトリクス状に配列されている。複数の画素は赤、緑および青画素を含んでおり、各画素は画素電極１２４によって規定される。なお、後述するように、液晶表示装置１００では画素電極１２４は複数のサブ画素電極に分離されている。

　液晶表示装置１００はＶＡモードで動作する。配向膜１２６、１４６は垂直配向膜である。液晶層１６０は垂直配向型の液晶層である。ここで、「垂直配向型液晶層」とは、垂直配向膜１２６、１４６の表面に対して、液晶分子軸（「軸方位」ともいう。）が約８５°以上の角度で配向した液晶層をいう。液晶層１６０は負の誘電異方性を有するネマチック液晶材料を含んでおり、クロスニコル配置された偏光板１２８、１４８と組み合わせて、ノーマリーブラックモードで表示が行われる。

　液晶層１６０に電圧が印加されない場合、液晶層１６０の液晶分子１６２は配向膜１２６、１４６の主面の法線方向とほぼ平行に配向する。液晶層１６０に所定の電圧よりも高い電圧が印加される場合、液晶層１６０の液晶分子１６２は配向膜１２６、１４６の主面とほぼ平行に配向する。また、液晶層１６０に比較的高い電圧が印加される場合、液晶分子１６２は画素内または画素の特定の領域内で対称的に配向し、これにより、視野角特性の改善が図られる。なお、ここでは、背面基板１２０および前面基板１４０は配向膜１２６、１４６をそれぞれ有していたが、背面基板１２０および前面基板１４０の少なくとも一方が対応する配向膜１２６、１４６を有していてもよい。ただし、配向の安定性の観点から、背面基板１２０および前面基板１４０の両方が配向膜１２６、１４６をそれぞれ有していることが好ましい。

　液晶表示装置１００には入力信号が入力される。入力信号は、例えば、ガンマ値２．２のブラウン管（Ｃａｔｈｏｄｅ　Ｒａｙ　Ｔｕｂｅ：ＣＲＴ）に対応可能な信号であり、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ　Ｓｔａｎｄａｒｄｓ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）規格に準拠している。一般に、入力信号には、赤、緑および青画素の階調レベルに変換可能な値が示されており、この値は３次元で表される。入力信号は例えば、ＹＣｒＣｂ信号である。あるいは、入力信号に赤、緑および青画素の階調レベル自体が示されていてもよい。なお、入力信号がＢＴ．７０９規格に準拠している場合、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルは、それぞれ最低階調レベル（例えば、階調レベル０）から最高階調レベル（例えば、階調レベル２５５）までの範囲内にある。入力信号に示された階調レベルは液晶表示装置１００において輝度レベルに変換され、輝度レベルに応じた電圧が液晶表示装置１００の液晶層１６０に印加される。なお、入力信号には、正面からみた無彩色の色度を抑制するために独立ガンマ補正処理が行われてもよい。

　図２に、液晶表示装置１００に設けられた画素および画素に含まれるサブ画素の構成を示す。図２には、例示として、３行９列の画素を示している。液晶表示装置１００では、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂを含む１つのセットによって１つの色が表現される。本明細書の以下の説明において、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂを含む１つのセットをカラー画素と呼ぶことがある。なお、液晶表示装置１００のカラーフィルタの配列は図２に示した構成に対応している。

　液晶表示装置１００において、画素Ｒ、ＧおよびＢのそれぞれは２つのサブ画素を有している。具体的には、赤画素Ｒは、第１サブ画素Ｒａおよび第２サブ画素Ｒｂを有している。同様に、緑画素Ｇは、第１サブ画素Ｇａおよび第２サブ画素Ｇｂを有しており、青画素Ｂは、第１サブ画素Ｂａおよび第２サブ画素Ｂｂを有している。

　少なくともある階調において、各画素Ｒ、Ｇ、Ｂの異なるサブ画素が異なる輝度を呈するように制御可能である。このため、表示画面を正面方向から観察したときのガンマ特性と斜め方向から観察したときのガンマ特性とが異なるというガンマ特性の視野角依存性を低減することができる。ガンマ特性の視野角依存性の低減については、特開２００４－６２１４６号公報や特開２００４－７８１５７号公報に開示されている。各画素Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素の輝度が異なるように制御することにより、上記特開２００４－６２１４６号公報や特開２００４－７８１５７号公報の開示と同様に、ガンマ特性の視野角依存性を低減するという効果が得られる。このような赤、緑および青画素Ｒ、ＧおよびＢの構造は画素分割構造とも呼ばれる。なお、本明細書の以下の説明において、第１、第２サブ画素のうち高い輝度を呈し得るサブ画素を明サブ画素と呼び、低い表示輝度を呈し得るサブ画素を暗サブ画素と呼ぶことがある。

　図３に、液晶表示装置１００の色度図を示す。図３において、「Ｒ」は、緑および青画素を非点灯にして赤画素のみを最高輝度にしたときの色度を示す。同様に、「Ｇ」は、赤および青画素を非点灯にして緑画素のみを最高輝度にしたときの色度を示し、「Ｂ」は、赤および緑画素を非点灯にして青画素のみを最高輝度にしたときの色度を示す。図３に示したＲ、ＧおよびＢを頂点とする三角形は液晶表示装置１００の色再現範囲を表している。

　液晶表示装置１００では、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルが最低階調レベル以外の階調レベルで互いに等しい場合、液晶表示装置１００では、緑画素の輝度が最も高く、赤画素の輝度が次に高く、青画素の輝度が最も低い。例えば、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルがそれぞれ最高階調レベルである場合、緑画素の輝度が最も高く、赤画素の輝度が次に高く、青画素の輝度が最も低い。このように、入力信号の階調レベルが等しくても、赤、緑および青画素の実際の輝度は異なるが、本実施形態の液晶表示装置１００では、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、赤画素、緑画素および青画素のうちの１つの画素の最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合は、他の２つの画素のそれぞれの最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合よりも大きい。

　また、液晶表示装置１００では、他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが第１階調レベルである場合、他の２つの画素の第１サブ画素の輝度は他の２つの画素の第２サブ画素の輝度とそれぞれ異なり、他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが第１階調レベルとは異なる第２階調レベルである場合、他の２つの画素の第１サブ画素の輝度は他の２つの画素の第２サブ画素の輝度とそれぞれほぼ等しい。一方、１つの画素に対応する入力信号の階調レベルが任意の階調レベルでも、１つの画素の第１サブ画素の輝度は第２サブ画素の輝度とは異なる。これにより、視野角特性のさらなる改善を行うことができる。

　以下、比較例の液晶表示装置と比較して本実施形態の液晶表示装置１００の利点を説明する。まず、図４Ａ～図４Ｃを参照して、比較例の液晶表示装置７００を説明する。比較例の液晶表示装置７００において各画素は異なる輝度を呈し得る複数のサブ画素から形成されている。

　図４Ａに、比較例の液晶表示装置７００の等価回路図を示す。この液晶表示装置７００において画素は複数の行および複数の列を有するマトリクス状に配列されている。比較例の液晶表示装置７００では各画素は輝度の異なり得る２つのサブ画素Ｓｐａ、Ｓｐｂに分割されており、白浮きの程度が抑制されている。また、液晶表示装置７００では、補助容量配線は、列方向に隣接する異なる行の画素のサブ画素に対応するように配置されている。例えば、ｎ行の画素のサブ画素Ｓｐｂ、および、これに列方向に隣接するｎ＋１行の画素のサブ画素Ｓｐａは補助容量配線ＣＳｂに対応している。

　ここでは、第ｎ行のゲート配線Ｇ_nおよび第ｍ行のソース配線Ｓ_mで規定される画素に着目する。なお、赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂはいずれも同様の構成を有している。

　サブ画素Ｓｐａは、液晶容量ＣＬＣＡと、補助容量ＣＣＳＡとを有しており、サブ画素Ｓｐｂは、液晶容量ＣＬＣＢと、補助容量ＣＣＳＢとを有している。液晶容量は、サブ画素電極７２４ａ、７２４ｂと、対向電極ＣｏｍＬＣと、これらの間に設けられた液晶層とから構成されており、補助容量は、補助容量電極と、絶縁膜と、補助容量対向電極（ＣｏｍＣＳＡ、ＣｏｍＣＳＢ）とから構成されている。サブ画素電極７２４ａ、７２４ｂは、それぞれ対応するＴＦＴ７３０ａおよびＴＦＴ７３０ｂを介して共通のソース配線Ｓ_mに接続されている。ＴＦＴ７３０ａおよびＴＦＴ７３０ｂは、共通のゲート配線Ｇ_nに供給されるゲート信号電圧によってオン／オフ制御され、ＴＦＴ７３０ａ、７３０ｂがオン状態にあるときに、２つのサブ画素Ｓｐａ、Ｓｐｂのそれぞれが有するサブ画素電極７２４ａ、７２４ｂおよび補助容量電極に、共通のソース配線Ｓ_mからソース信号電圧が供給される。２つのサブ画素Ｓｐａ、Ｓｐｂのうちのサブ画素Ｓｐａの補助容量対向電極ＣｏｍＣＳＡは補助容量配線ＣＳａを介して補助容量幹線ＣＳＴａに接続されており、サブ画素Ｓｐｂの補助容量対向電極ＣｏｍＣＳＢは補助容量配線ＣＳｂを介して補助容量幹線ＣＳＴｂに接続されている。比較例の液晶表示装置７００では補助容量幹線ＣＳＴａおよびＣＳＴｂにそれぞれ供給される補助容量対向電圧ＶＣＳＴａおよびＶＣＳＴｂにおいて、対応するゲート配線Ｇ_nの電圧がハイからローに変化した後の最初の変化に着目すると、例えば、電圧ＶＣＳＴａは増加し、電圧ＶＣＳＴｂは減少する。

　図４Ｂに、比較例の液晶表示装置７００における１つの画素の構成を示す。上述したように、比較例の液晶表示装置７００には赤画素、緑画素および青画素が設けられており、赤画素、緑画素および青画素はいずれも同様の構成を有している。以下、赤画素を対象に説明する。

　赤画素Ｒは、２つのサブ画素ＲａおよびＲｂを有しており、サブ画素Ｒａ、Ｒｂに対応するサブ画素電極７２４ａ、７２４ｂには、それぞれＴＦＴ７３０ａ、７３０ｂ、および補助容量７３２ａ、７３２ｂが接続されている。ＴＦＴ７３０ａ、７３０ｂのゲートはゲート配線Ｇに接続され、ソースは共通の（同一の）ソース配線Ｓに接続されている。補助容量７３２ａ、７３２ｂは、それぞれ補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂに接続されている。補助容量７３２ａ、７３２ｂは、それぞれサブ画素電極７２４ａ、７２４ｂと電気的に接続された補助容量電極と、補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂと電気的に接続された補助容量対向電極と、これらの間に設けられた絶縁層（不図示）によって形成されている。補助容量７３２ａおよび７３２ｂの補助容量対向電極は互いに独立しており、それぞれ補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂから互いに異なる補助容量対向電圧（補助容量電圧）が供給され得る。このため、ＴＦＴ７３０ａ、７３０ｂがオンのときにソース配線Ｓを介してサブ画素電極７２４ａ、７２４ｂに電圧が供給された後、ＴＦＴ７３０ａ、７３０ｂがオフになり、さらに、補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂの電位が異なるように変化する場合、サブ画素電極７２４ａの実効電圧はサブ画素電極７２４ｂの実効電圧と異なることになり、結果として、サブ画素Ｒａの輝度はサブ画素Ｒｂの輝度と異なる。

　図４Ｃに、比較例の液晶表示装置７００における各サブ画素の明暗および極性を示す。図４Ｃにおいて、「明」は明サブ画素を表しており、「暗」は暗サブ画素を表している。また、「Ｃａ」はサブ画素が補助容量幹線ＣＳＴａに対応することを表しており、「Ｃｂ」はサブ画素が補助容量幹線ＣＳＴｂに対応することを表している。また、「＋」および「－」は液晶層に印加される電界の向き（極性）を表している。例えば、「＋」は対向電極の電位がサブ画素電極よりも高いことを示し、「－」はサブ画素電極の電位が対向電極よりも高いことを示す。

　液晶表示装置７００において、各画素のうちの一方のサブ画素は補助容量幹線ＣＳＴａに対応しており、他方のサブ画素は補助容量幹線ＣＳＴｂに対応している。また、画素配列に着目すると、行方向および列方向に隣接する画素の極性は反転しており、極性の異なる画素が画素単位で市松模様に配列されている。また、ある行の画素のうち補助容量幹線ＣＳＴａに対応するサブ画素に着目すると、サブ画素の明暗および極性がサブ画素ごとに反転している。このように、明サブ画素および暗サブ画素はサブ画素単位で市松模様に配列されている。なお、図４Ｃでは、あるフレームにおける液晶表示装置７００の状態を示したが、次のフレームでは各サブ画素の極性は反転されており、フリッカーが抑制される。例えば、第ｎ行第ｍ列～第ｎ行第ｍ＋２列のカラー画素に着目すると、赤画素の第１サブ画素、緑画素の第２サブ画素および青画素の第１サブ画素が明サブ画素となり、赤画素の第２サブ画素、緑画素の第１サブ画素および青画素の第２サブ画素が暗サブ画素となる。

　比較例の液晶表示装置７００では、赤、緑および青画素の階調レベルが最低階調レベルの場合にカラー画素は黒を表示し、赤、緑および青画素の階調レベルが最高階調レベルの場合にカラー画素は白を表示する。一般に、画素によって表示される色が黒から無彩色を維持したまま白に変化する場合、赤、緑および青画素の階調レベルは互いに等しいまま増加する。例えば、比較例の液晶表示装置７００において黒から白に向かって無彩色の明度が変化する場合、各画素に対応する入力信号の階調レベルは等しい割合で増加する。具体的には、はじめ、画素によって表示される色は黒であり、赤、緑、青画素の階調レベルは最低階調レベルである。赤、緑、青画素に対応する入力信号の階調レベルの増加が開始すると、各画素の一方のサブ画素（このサブ画素が明サブ画素となる。）の輝度の増加が開始する。次いで、明サブ画素の輝度が所定の値まで増加すると、次に他方のサブ画素（このサブ画素が暗サブ画素となる）の輝度の増加が開始する。比較例の液晶表示装置７００でも、赤、緑、青画素に対応する入力信号の階調レベルが等しい割合で増加するほど、画素によって表示される無彩色の明度が増加する。赤、緑、青画素の輝度が増加して最高階調レベルに達すると、画素によって表示される色は白となる。

　比較例の液晶表示装置７００において、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、赤、緑および青画素のそれぞれの最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合は互いにほぼ等しい。比較例の液晶表示装置７００において、赤、緑および青画素のそれぞれに着目すると、赤、緑および青画素に対応する階調レベルのそれぞれがあるレベルで等しい場合、赤、緑および青画素のそれぞれにおいて明サブ画素の輝度は暗サブ画素の輝度とは異なる。一方、赤、緑および青画素に対応する階調レベルがそれぞれ最高階調レベルである場合、赤、緑および青画素のそれぞれの明サブ画素の輝度は暗サブ画素の輝度とほぼ等しい。

　ここで、図５を参照して、比較例の液晶表示装置７００において各画素の明および暗サブ画素の階調レベルの変化を説明する。ここでは、各画素において入力信号の階調レベルが最低階調レベルから最高階調レベルに増加する場合、まず、明サブ画素の階調レベルの増加を開始し、明サブ画素の階調レベルが最高階調レベルに到達した後に、暗サブ画素の階調レベルの増加を開始する。

　例えば、比較例の液晶表示装置７００では、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（５０，５０，５０）である場合、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル６９（＝（２×（５０／２５５）^2.2）^1/2.2×２５５）、０に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル０、６９に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル６９、０に相当する輝度を呈する。

　また、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（１９０，１９０，１９０）である場合、比較例の液晶表示装置７００では、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル２５５、６４（＝（２×（１９０／２５５）^2.2－１）^1/2.2×２５５）に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル６４、２５５に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル２５５、６４に相当する輝度を呈する。

　また、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（２５５，２５５，２５５）である場合、比較例の液晶表示装置７００では、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル２５５、２５５に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル２５５、２５５に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル２５５、２５５に相当する輝度を呈する。

　なお、ここでは、明サブ画素の階調レベルが最高階調レベルに到達した後に、暗サブ画素の階調レベルの増加を開始したが、明および暗サブ画素の階調レベルは別の態様で変化することもある。

　図６に、比較例の液晶表示装置７００における明および暗サブ画素の階調レベルの別の変化を示す。ここでは、入力信号の階調レベルの増加に伴って明および暗サブ画素の階調レベルのそれぞれが連続的に増加するように設定されており、この場合、明および暗サブ画素の階調レベルは極端に広い階調領域で最高または最低階調レベルにならない。このため、液晶表示装置７００の特性にある程度のばらつきがある場合でも、入力信号の階調レベルの増加に伴う輝度の増加を確実にすることができる。

　このような比較例の液晶表示装置７００では、斜め方向からみると色がずれて見えることがある。以下、図７および図８を参照して比較例の液晶表示装置７００の色ずれを説明する。

　図７に、比較例の液晶表示装置７００における斜め４５度の方向の測色値の変化を示す。横軸は、正面方向のＹ値を正規化した値であり、この正面方向のＹ値は正面方向の輝度レベルに対応している。また、縦軸は斜め方向からの３刺激値（Ｘ値、Ｙ値およびＺ値）を正規化した値である。なお、比較例の液晶表示装置７００では、正面方向から見たＸ値、Ｙ値およびＺ値を正規化した値は輝度レベルに対して同様に変化するように設定されており、図７における「正面」は正面方向から見た場合のＸ、ＹおよびＺ値の正規化された値の変化を示している。

　斜め方向から見た場合のＸ値、Ｙ値およびＺ値は、正面方向から見た場合のＹ値とは異なる態様で変化する。比較例の液晶表示装置７００では、画素分割構造が採用されており、白浮き現象は比較的抑制されているものの、特に低階調部分において、斜め方向のＸ値、Ｙ値およびＺ値のそれぞれは正面方向からみた値よりも高く、若干の白浮き現象が発生している。このため、白浮き現象をさらに抑制する観点からは、特に低階調部分において、斜め方向からのＸ値、Ｙ値およびＺ値のそれぞれを正面方向の値と略等しくなるまで低下させることが好ましい。

　また、斜め方向からのＸ値、Ｙ値およびＺ値の変化を比較すると、Ｘ値およびＹ値は略同様に変化するのに対して、Ｚ値はＸ値およびＹ値とは異なるように変化する。具体的には、Ｚ値は、特に低階調部分においてＸ値およびＹ値よりも高い。このように、斜めからの視野角特性を刺激値別に解析した結果から、Ｚ値の変化がＸ値およびＹ値の変化と大きく異なることが理解される。なお、液晶表示装置には、一般に、位相差板が設けられるが、位相差板により、Ｚ値の変化とＸ値およびＹ値の変化との差がさらに大きくなる。

　なお、当業者には理解されるように、色度ｘはＸ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）で表され、ｙはＹ／（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）で表される。入力信号において無彩色の明度が変化する場合でも正面から見た場合の色度は実質的に変化しないが、斜めから見た場合、輝度レベルに対してＸ値、Ｙ値およびＺ値は異なる変化を示すため、色度ｘ、ｙは輝度レベルに応じて変化し、色がずれて見える。このように画素分割構造を採用した比較例の液晶表示装置７００でも、斜め方向から見た場合の色ずれが発生してしまう。Ｚ値の変化がＸ値およびＹ値の変化と異なることが、色ずれの原因といえる。

　具体的には、比較例の液晶表示装置７００において無彩色のまま明度を変化させる場合、斜め方向から見た色を正面方向から見た色と比較すると、斜め方向から見た色は特に低階調において正面方向から見た色と比べて青色にシフトして見える。一方、見る位置を斜め方向に固定して無彩色のまま明度を増加させると、Ｙ値（正面）が０．２付近では、無彩色が黄みを帯びて見え、その後、明度をさらに増加させると、中間階調の無彩色が相対的に青色にシフトして見える。このように、比較例の液晶表示装置７００では、斜めから見た無彩色が青と黄色の方向の色を帯びて観察されることがある。

　このような色ずれを抑制する手法として、例えば、斜め方向のＸ値およびＹ値を変更することなくＺ値のみを適切に制御することが考えられる。具体的には、低階調のＺ値を低下させてＸ値およびＹ値と一致するように補正を行うことが考えられる。このように補正を行うと、斜め方向の色度ｘ、ｙを正面方向の色度ｘ、ｙと一致させることができ、斜め方向から見た色を正面方向から見た色と比較した際の青色シフトを抑制できる。

　あるいは、色ずれを抑制する別の手法として、Ｚ値の変化がＸ値およびＹ値の変化と相似関係を有するようにＺ値の補正を行うことも考えられる。このように補正を行う場合、斜め方向から見た色を正面方向から見た色と比べた際の色のシフトを抑制できないが、斜め方向の色度ｘ、ｙの変化を抑制することができ、無彩色の色ずれを抑制できる。いずれの手法を採用するにしても、Ｘ値およびＹ値を変更することなくＺ値を適切に制御することが好ましい。

　図８（ａ）に、比較例の液晶表示装置７００における赤、緑および青画素のＸ値の相対的な変化を示す。図８（ａ）において、Ｒ_X、Ｇ_X、Ｂ_Xは、緑画素のＸ値に対する赤、緑および青画素のＸ値の正規化された値を示す。また、図８（ｂ）に、比較例の液晶表示装置７００における赤、緑および青画素のＹ値の相対的な変化を示す。図８（ｂ）において、Ｒ_Y、Ｇ_Y、Ｂ_Yは、緑画素のＹ値に対する赤、緑および青画素のＹ値の正規化された値を示す。

　図８（ａ）から理解されるように、Ｒ_XおよびＧ_Xはほぼ同様に変化するのに対して、Ｂ_XはＲ_XおよびＧ_Xとは異なるように変化する。また、図８（ｂ）から理解されるように、Ｒ_YおよびＧ_Yはほぼ同様に変化するのに対して、Ｂ_YはＲ_YおよびＧ_Yとは異なるように変化する。また、Ｂ_XとＲ_XおよびＧ_Xとの違いは、Ｂ_YとＲ_YおよびＧ_Yとの違いとも異なる。以上から、青画素の視野角特性が赤および緑画素の視野角特性と異なることが斜め方向からの色ずれの原因と考えられる。

　このように、比較例の液晶表示装置７００において青画素の視野角特性が赤および緑画素の視野角特性と異なる理由は以下のように考えられる。一般に、液晶表示装置は、液晶層に印加する電圧の制御により、液晶層の複屈折率が変化して、液晶層の透過率の調整が行われる。最高階調レベルを表示する場合の液晶層のリタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層の複屈折率、ｄは液晶層の厚さ）が入射光の半波長に相当することにより、入射光の利用は効率的に行われる。このため、利用効率を平均的に増大させるように、緑に対応する波長の光に対して液晶層のリタデーションが半波長になるように設計される。また、一般的な液晶表示装置には視野角を補償するための位相差板が設けられており、典型的な位相差板は緑の波長の光を最適に補償するように設計される。

　なお、厳密には、液晶層の複屈折率は波長に依存して変動する。赤、緑および青のカラーフィルタを通過するピーク波長をλｒ、λｇおよびλｂとし、最高電圧を印加したときの波長λｒ、λｇおよびλｂの光のそれぞれの複屈折率をΔｎｒ、Δｎｇ、Δｎｂとすると、比較例の液晶表示装置７００では、Δｎｒ・ｄ＜λｒ／２であり、Δｎｇ・ｄ＜λｇ／２である一方、Δｎｂ・ｄ＞λｂ／２である。比較例の液晶表示装置７００では、緑画素のリタデーションはλｇ／２よりわずかに小さく設定されている。

　このように最高電圧が印加される場合、波長λｒおよび波長λｇの光には半波長よりも小さいリタデーションが付与されるのに対して、波長λｂの光には、半波長よりも大きいリタデーションが付与される。このため、比較例の液晶表示装置７００では、青画素の視野角特性が赤および緑画素の視野角特性と異なり、斜めから見た場合、青色－黄色の方向に色ずれが生じると考えられる。

　これに対して、本実施形態の液晶表示装置１００では、青画素のサブ画素の輝度の設定が赤および緑画素のサブ画素の輝度の設定とは異なるように構成されている。具体的には、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、青画素の最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合は、赤画素および緑画素のそれぞれの最高輝度に対する第１サブ画素の輝度と第２サブ画素の輝度との差の割合よりも大きい。例えば、赤画素および緑画素の第１サブ画素および第２サブ画素の輝度はある階調において互いに異なり、別の階調において上記２つの画素の第１サブ画素および第２サブ画素の輝度は互いに等しい一方、青画素の第１サブ画素および第２サブ画素の輝度は任意の階調において互いに異なる。このように青画素のサブ画素の輝度の設定が赤および緑画素のサブ画素の輝度の設定とは異なることにより、青サブ画素の視野角特性が赤および緑画素の視野角特性と略等しくなり、視野角特性のさらなる改善が行われる。

　以下、本実施形態の液晶表示装置１００の構成を具体的に説明する。図９Ａに、液晶表示装置１００における画素の構成を示す。液晶表示装置１００の補助容量配線ＣＳには２つの異なる電圧が印加される。ここでは、一方の電圧が印加される補助容量配線を補助容量配線ＣＳａと示し、他方の電圧が印加される補助容量配線を補助容量配線ＣＳｂと示す。

　図９Ａにおいて、「Ｈ」は明サブ画素を表しており、「Ｌ」は暗サブ画素を表している。また、「Ａ」はサブ画素が補助容量配線ＣＳａに対応することを表しており、「Ｂ」はサブ画素が補助容量配線ＣＳｂに対応することを表している。また、「＋」および「－」は液晶層１６０に印加される電界の向き（極性）を示している。例えば、「＋」は対向電極１４４の電位がサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂよりも高いことを示し、「－」はサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電位が対向電極１４４よりも高いことを示す。

　図９Ａにおいて、各画素のうちの一方のサブ画素は補助容量配線ＣＳａに対応しており、他方のサブ画素は補助容量配線ＣＳｂに対応している。また、画素配列に着目すると、行方向および列方向に隣接する画素の極性は反転しており、極性の異なる画素が画素単位で市松模様に配列されている。また、ある行のサブ画素のうち補助容量配線ＣＳａに対応するサブ画素に着目すると、サブ画素の明暗および極性がサブ画素ごとに反転している。このように、液晶表示装置１００では、明サブ画素および暗サブ画素はサブ画素単位で市松模様に配列されている。なお、図９Ａは、あるフレームにおける液晶表示装置１００の状態を示したが、次のフレームでは各サブ画素の極性は反転されており、フリッカーが抑制される。

　図９Ｂに、液晶表示装置１００の背面基板１２０における赤画素Ｒ、緑画素Ｇおよび青画素Ｂの等価回路図を示す。カラー画素に着目すると、赤画素の第１サブ画素、緑画素の第２サブ画素および青画素の第１サブ画素が明サブ画素となり、赤画素の第２サブ画素、緑画素の第１サブ画素および青画素の第２サブ画素が暗サブ画素となる。なお、以下の説明において、赤、緑および青画素の明サブ画素をそれぞれサブ画素Ｒｓ、Ｇｓ、Ｂｓと示し、そのサブ画素電極をサブ画素電極１２４ｓ、そのＴＦＴをＴＦＴ１３０ｓと示すことがある。また、赤、緑および青画素の暗サブ画素をそれぞれサブ画素Ｒｔ、Ｇｔ、Ｂｔと示し、そのサブ画素電極をサブ画素電極１２４ｔ、そのＴＦＴをＴＦＴ１３０ｔと示すことがある。

　まず、赤画素Ｒの構成を説明する。赤画素Ｒは、２つのサブ画素ＲａおよびＲｂを有しており、サブ画素Ｒａ、Ｒｂに対応するサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂには、それぞれＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂ、および補助容量１３２ａ、１３２ｂが接続されている。なお、以下の説明において、第１サブ画素電極１２４ａに対応するＴＦＴ１３０ａを第１ＴＦＴ１３０ａと呼ぶことがあり、第２サブ画素電極１２４ｂに対応するＴＦＴ１３０ｂを第２ＴＦＴ１３０ｂと呼ぶことがある。サブ画素電極１２４ａ、１２４ｂは対応するＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂを介して共通のソース配線Ｓ_Rに接続されている。なお、ここでは、サブ画素電極１２４ａ、１２４ｂはいずれもほぼ矩形状であり、サブ画素電極１２４ａの面積はサブ画素電極１２４ｂの面積と略等しい。

　ＴＦＴ１３０ａおよびＴＦＴ１３０ｂのゲートは共通のゲート配線Ｇ_nに接続され、ＴＦＴ１３０ａおよびＴＦＴ１３０ｂのソースは共通の（同一の）ソース配線Ｓ_Rに接続されている。補助容量１３２ａ、１３２ｂは、それぞれ補助容量配線ＣＳａおよび補助容量配線ＣＳｂに接続されている。補助容量１３２ａおよび１３２ｂは、それぞれサブ画素電極１２４ａおよび１２４ｂと電気的に接続された補助容量電極と、補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂと電気的に接続された補助容量対向電極と、これらの間に設けられた絶縁層（不図示）によって形成されている。補助容量１３２ａおよび１３２ｂの補助容量対向電極は互いに独立しており、それぞれ補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂから互いに異なる補助容量対向電圧が供給され得る。このため、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂがオンのときにソース配線Ｓ_Rを介してサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂに電圧が供給された後、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂがオフになり、さらに、補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂの電位が異なるように変化する場合、サブ画素電極１２４ａの実効電圧はサブ画素電極１２４ｂの実効電圧と異なることになり、結果として、第１サブ画素Ｒａの輝度は第２サブ画素Ｒｂの輝度と異なる。なお、緑画素Ｇも赤画素Ｒと同様の構成を有している。

　次に、青画素Ｂの構成を説明する。本実施形態の液晶表示装置１００において、青画素ＢはＴＦＴ１３０ｕおよび容量１３２ｕが設けられている点を除いて赤画素Ｒおよび緑画素Ｇと同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。

　ここでは、ＴＦＴ１３０ｕは青画素の暗サブ画素Ｂｔのサブ画素電極１２４ｔに対応して設けられている。ＴＦＴ１３０ｕのドレインは青画素のサブ画素電極１２４ｔに接続されている。また、ＴＦＴ１３０ｕのソースは補助容量１３２ｕと接続されている。なお、以下の説明において、このＴＦＴ１３０ｕを第３ＴＦＴと呼び、補助容量１３２ｕを修正補助容量と呼ぶことがある。

　また、第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられた第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第ｎ行のゲート配線Ｇ_nが選択されてから、次の垂直走査期間において再びゲート配線Ｇ_nが選択されるまでの間に選択される配線と電気的に接続している。例えば、第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられた第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、ゲート配線Ｇ_nとは異なるゲート配線Ｇと電気的に接続されていてもよい。具体的には、第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられた第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第ｎ＋１行のゲート配線Ｇ_n+1と電気的に接続されていてもよい。

　このような液晶表示装置１００は以下のように駆動される。ゲート配線Ｇ_nの電位がローからハイに変化する。これにより、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂが導通状態になり、ソース配線Ｓ_R、Ｓ_G、Ｓ_Bからサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂに電圧が供給される。その後、ゲート配線Ｇ_nの電位がハイからローに変化し、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂが非導通状態になる。次に、ゲート配線Ｇ_n+1の電位がローからハイに変化することにより、第３ＴＦＴ１３０ｕが導通状態になり、サブ画素電極１２４ｂの電位は修正補助容量１３２ｕに充電されていた電位に合わせて変化する。

　なお、一般に、サブ画素電極１２４ｂに印加される電圧の極性はフレームまたはフィールド毎に反転するため、修正補助容量１３２ｕに充電されている電圧の極性は、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂを介してソース配線Ｓ_Bからサブ画素電極１２４ｂに供給された電圧の極性とは異なる。このため、ＴＦＴ１３０ｕが選択されることにより、青画素の第２サブ画素Ｂｔのサブ画素電極１２４ｂの電位が低下することになる。その後、ゲート配線Ｇ_n+1の電位がハイからローに変化する。このように、第３ＴＦＴ１３０ｕが設けられていることにより、第２サブ画素Ｂｔにおいて液晶層１６０に印加される電圧の絶対値が低下する。

　このため、本実施形態の液晶表示装置１００では、比較例の液晶表示装置７００と比べて、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂの明サブ画素Ｒｓ、Ｇｓ、Ｂｓおよび暗サブ画素Ｒｔ、Ｇｔの輝度を変化させることなく、青画素Ｂの暗サブ画素Ｂｔの輝度を低下させることができる。したがって、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベルが互いに等しい場合でも、青画素Ｂの最高輝度に対する明サブ画素Ｂｓの輝度と暗サブ画素Ｂｔの輝度との差の割合は赤画素Ｒ、緑画素Ｇの最高輝度に対する明サブ画素Ｒｓ、Ｇｓの輝度と暗サブ画素Ｒｔ、Ｇｔの輝度との差の割合よりも大きくなる。このように、青画素の明サブ画素の輝度と暗サブ画素の輝度との差を増大することができるため、青画素の視野角特性を赤および緑画素と略等しくすることができ、色ずれを抑制することができる。

　ここでは、各画素において入力信号の階調レベルが最低階調レベルから最高階調レベルに増加する場合、まず、明サブ画素の階調レベルの増加を開始し、明サブ画素の階調レベルが最高階調レベルに到達した後に、暗サブ画素の階調レベルの増加を開始する。この場合、液晶表示装置１００の赤および緑画素における明および暗サブ画素の階調レベルは図５に示したように変化する。それに対して、入力信号の階調レベルの増加に伴い、青画素の明サブ画素の階調レベルは赤および緑画素の明サブ画素よりも小さい傾きで増加し、また、青画素の暗サブ画素の階調レベルは、赤および緑画素の暗サブ画素よりも高い階調レベルから、赤および緑画素の暗サブ画素よりも大きい傾きで増加する。

　例えば、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（５０，５０，５０）である場合、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル６９（＝（２×（５０／２５５）^2.2）^1/2.2×２５５）、０に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル０、６９に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル６９、０に相当する輝度を呈する。

　また、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（１９０，１９０，１９０）である場合、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル２５５、６４（＝（２×（１９０／２５５）^2.2－１）^1/2.2×２５５）に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル６４、２５５に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル２５５、０に相当する輝度を呈する。

　また、赤、緑および青画素に対応する入力信号の階調レベル（ｒ，ｇ，ｂ）が（２５５，２５５，２５５）である場合、本実施形態の液晶表示装置１００では、赤画素のサブ画素Ｒａ、Ｒｂは、階調レベル２５５、２５５に相当する輝度を呈する。同様に、緑画素のサブ画素Ｇａ、Ｇｂは階調レベル２５５、２５５に相当する輝度を呈し、青画素のサブ画素Ｂａ、Ｂｂは階調レベル２５５、２００に相当する輝度を呈する。

　以上から理解されるように、入力信号の階調レベルが少なくともある階調の場合、本実施形態の液晶表示装置１００における青画素の一方のサブ画素の輝度は比較例の液晶表示装置７００と比べて低く、これに伴い、青画素全体の輝度は低下している。このため、液晶表示装置１００では、カラーフィルタの厚さやバックライトの調整を行い、輝度および／またはホワイトバランスを補償してもよい。

　なお、ここでは、明サブ画素の階調レベルが最高階調レベルに到達した後に、暗サブ画素の階調レベルの増加を開始したが、明および暗サブ画素の階調レベルは別の態様で変化してもよい。

　液晶表示装置１００でも、入力信号の階調レベルの増加に伴い、各画素の明および暗サブ画素の階調レベルが連続的に増加するように設定されていてもよい。この場合、明および暗サブ画素の階調レベルが極端に広い階調領域で最低階調レベルおよび最高階調レベルとならないため、液晶表示装置１００の特性にある程度のばらつきが生じる場合でも、入力信号の階調レベルの増加に伴う輝度の増加を確実にすることができる。例えば、赤および緑画素の明および暗サブ画素の階調レベルが図６に示したように変化する一方、青画素の明および暗サブ画素の階調レベルは、階調レベル差が図６よりも広くなるように変化してもよい。

　図１０に、液晶表示装置１００における斜め４５度の方向の測色値の変化を示す。横軸は、正面方向のＹ値を正規化した値であり、この正面方向のＹ値は正面方向の輝度レベルに対応している。また、縦軸は斜め方向からの３刺激値（Ｘ値、Ｙ値およびＺ値）を正規化した値である。なお、液晶表示装置１００では、正面方向から見たＸ値、Ｙ値およびＺ値を正規化した値は輝度レベルに対して同様に変化するように設定されており、図１０における「正面」は正面方向から見た場合のＸ、ＹおよびＺ値の正規化された値の変化を示している。液晶表示装置１００でも、斜め方向から見た場合のＸ値、Ｙ値およびＺ値は、正面方向から見た場合のＹ値とは異なる態様で変化する。

　液晶表示装置１００でも、厳密には、斜め方向からのＸ値、Ｙ値およびＺ値の変化を比較すると、Ｘ値およびＹ値は略同様に変化するのに対して、Ｚ値はＸ値およびＹ値とは異なるように変化する。具体的には、Ｚ値は、特に低階調部分においてＸ値およびＹ値よりも高い。しかしながら、図７と図１０との比較から理解されるように、液晶表示装置１００では、Ｚ値とＸ値、Ｙ値との差が液晶表示装置７００におけるＺ値とＸ値、Ｙ値との差と比べて低減されており、これにより、斜め方向からの色ずれを抑制できる。

　図１１に、液晶表示装置１００における各配線の電圧を示す。以下、図９Ｂおよび図１１を参照して青画素の実効電圧の変化を説明する。ここでは、時刻はＴ１、Ｔ２・・の順番に経過する。

　なお、図示していないが、以下の説明において、サブ画素Ｂａ、Ｂｂの液晶層を液晶層１６０ａおよび１６０ｂと示す。また、サブ画素電極１２４ａおよび１２４ｂと、液晶層１６０ａおよび１６０ｂと、対向電極１４４（サブ画素ＢａおよびＢｂに対して共通）によって形成される液晶容量を液晶容量Ｃｌｃａ、Ｃｌｃｂと示す。ここで、液晶容量ＣｌｃａおよびＣｌｃｂの静電容量値は同一の値ＣＬＣ（Ｖ）とする。ＣＬＣ（Ｖ）の値は、サブ画素Ｂａ、Ｂｂの液晶層に印加される実効電圧（Ｖ）に依存する。また、各サブ画素ＢａおよびＢｂの液晶容量にそれぞれ独立に接続されている補助容量を補助容量Ｃｃｓａ、Ｃｃｓｂと示し、この静電容量値は同一の値ＣＣＳとする。

　サブ画素Ｂａの液晶容量Ｃｌｃａと補助容量Ｃｃｓａの一方の電極はサブ画素Ｂａを駆動するために設けたＴＦＴ１３０ａのドレインに接続されており、液晶容量Ｃｌｃａの他方の電極は対向電極に接続され、補助容量Ｃｃｓａの他方の電極は補助容量配線ＣＳａに接続されている。サブ画素Ｂｂの液晶容量Ｃｌｃｂと補助容量Ｃｃｓｂの一方の電極はサブ画素Ｂｂを駆動するために設けたＴＦＴ１３０ｂのドレインに接続されており、液晶容量Ｃｌｃｂの他方の電極は対向電極に接続され、補助容量Ｃｃｓｂの他方の電極は補助容量配線ＣＳｂに接続されている。ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂのゲートはいずれもゲート配線Ｇ_nに接続されており、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂのソースはいずれもソース配線Ｓ_Bに接続されている。

　時刻Ｔ１のときゲート配線Ｇ_nの電圧Ｖｇ_nがＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂが同時に導通状態（オン状態）となり、サブ画素Ｂａ、Ｂｂのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂにソース配線Ｓ_Bの電圧Ｖｓが伝達され、サブ画素Ｂａ、Ｂｂに充電される。同様にそれぞれのサブ画素の補助容量Ｃｃｓａ、Ｃｃｓｂにもソース配線Ｓ_Bからの充電が行われる。

　次に、時刻Ｔ２のときゲート配線Ｇ_nの電圧Ｖｇ_nがＶｇＨからＶｇＬに変化することにより、ＴＦＴ１３０ａとＴＦＴ１３０ｂが同時に非導通状態（オフ状態）となり、サブ画素Ｂａ、Ｂｂ、補助容量Ｃｃｓａ、Ｃｃｓｂはすべてソース配線Ｓ_Bと電気的に絶縁される。なお、この直後ＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の電圧Ｖｄだけ低下し、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ
となる。また、このとき、それぞれの補助容量配線の電圧Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂは
　　Ｖｃｓａ＝Ｖｃｏｍ－Ｖａｄ
　　Ｖｃｓｂ＝Ｖｃｏｍ＋Ｖａｄ
である。

　その後、時刻Ｔ３において、補助容量Ｃｃｓａに接続された補助容量配線ＣＳａの電圧ＶｃｓａがＶｃｏｍ－ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄに変化し、補助容量Ｃｃｓｂに接続された補助容量配線ＣＳｂの電圧ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ－Ｖａｄに２倍のＶａｄだけ変化する。補助容量配線ＣＳａおよびＣＳｂのこの電圧変化に伴い、それぞれのサブ画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－２×Ｋ×Ｖａｄ
へ変化する。但し、Ｋ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ）である。

　その後、時刻Ｔ４において、次のゲート配線Ｇ_n+1のゲート電圧Ｖｇ_n+1の電圧がＶｇＬからＶｇＨに変化することにより、サブ画素Ｂｂのサブ画素電極１２４ｂの電圧はＶｃｄだけ低下する。
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ－２×Ｋ×Ｖａｄ

　その後、時刻Ｔ５では、電圧ＶｃｓａがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ－Ｖａｄへ、電圧ＶｃｓｂがＶｃｏｍ－ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ－２×Ｋ×Ｖａｄ
から、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ
へ変化する。

　その後、時刻Ｔ６では、ＶｃｓａがＶｃｏｍ－ＶａｄからＶｃｏｍ＋Ｖａｄへ、ＶｃｓｂがＶｃｏｍ＋ＶａｄからＶｃｏｍ－Ｖａｄへ、２倍のＶａｄだけ変化し、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂもまた、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ
から、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ＋２×Ｋ×Ｖａｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ－２×Ｋ×Ｖａｄ
へ変化する。

　その後、電圧Ｖｃｓａ、Ｖｃｓｂ、Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは、水平書き込み時間（水平走査期間）１Ｈの整数倍の間隔毎に上記Ｔ５、Ｔ６における変化を交互に繰り返す。上記Ｔ５、Ｔ６の繰り返し間隔を１Ｈの１倍とするか、２倍とするか、３倍とするかあるいはそれ以上とするかは液晶表示装置の駆動方法（極性反転方法等）や表示状態（ちらつき、表示のざらつき感等）を鑑みて適宜設定すればよい。この繰り返しは次に青画素Ｂが書き換えられるとき、すなわちＴ１に等価な時間になるまで継続される。従って、それぞれのサブ画素電極の電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂの実効的な値は、
　　Ｖｌｃａ＝Ｖｓ－Ｖｄ＋Ｋ×Ｖａｄ
　　Ｖｌｃｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ－Ｋ×Ｖａｄ
となる。

　よって、サブ画素Ｂａ、Ｂｂの液晶層１６０ａおよび１６０ｂに印加される実効電圧Ｖａ、Ｖｂは、
　　Ｖａ＝Ｖｌｃａ－Ｖｃｏｍ
　　Ｖｂ＝Ｖｌｃｂ－Ｖｃｏｍ
すなわち、
　　Ｖａ＝Ｖｓ－Ｖｄ＋Ｋ×Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ
　　Ｖｂ＝Ｖｓ－Ｖｄ－Ｖｃｄ－Ｋ×Ｖａｄ－Ｖｃｏｍ
となる。

　従って、サブ画素ＢａおよびＢｂのそれぞれの液晶層１６０ａおよび１６０ｂに印加される実効電圧の差ΔＶａｂ（＝Ｖａ－Ｖｂ）は、ΔＶａｂ＝２×Ｋ×Ｖａｄ＋Ｖｃｄ（ただし、Ｋ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ））である）となり、互いに異なる電圧を印加することができる。

　なお、ここでは、詳細に説明しないが、赤画素には第３ＴＦＴ１３０ｕが設けられていないため、赤画素のサブ画素ＲａおよびＲｂの実効電圧の差ΔＶａｂ（＝Ｖａ－Ｖｂ）は、ΔＶａｂ＝２×Ｋ×Ｖａｄ（ただし、Ｋ＝ＣＣＳ／（ＣＬＣ（Ｖ）＋ＣＣＳ））である。また、緑画素のサブ画素ＧａおよびＧｂの実効電圧の差ΔＶａｂ（＝Ｖａ－Ｖｂ）も同様に、ΔＶａｂ＝２×Ｋ×Ｖａｄである。

　このように、本実施形態の液晶表示装置１００では、青画素Ｂのサブ画素Ｂａ、Ｂｂの実効電圧の差が赤画素Ｒおよび緑画素Ｇと比べて増大している。このため、サブ画素Ｂａ、Ｂｂの輝度の差を増大させることができ、これにより、斜め方向からの色ずれを抑制できる。

　図１２に、液晶表示装置１００のブロック図を示す。液晶表示装置１００は、液晶表示パネル２００と、画像処理回路３１０と、画像タイミング変調回路３２０と、ＬＣＤタイミングコントローラー３３０と、ドライバ－電源３４０と、ＣＳ電圧発生回路３５０とを備えている。ドライバー電源３４０はゲートドライバーおよびソースドライバーを有しており、ＣＳ電圧発生回路３５０は、ＣＳタイミング生成回路３５２と、ＣＳ電圧変調回路３５４とを有している。

　入力信号は、画像処理回路３１０において適切に処理された後、画像タイミング変調回路３２０において適したタイミングに変更される。タイミングの変更された画像データはＬＣＤタイミングコントローラー３３０を介してゲートドライバー、ソースドライバーを介して液晶表示パネル２００に供給される。また、変更されたタイミングは、ＣＳ電圧発生回路３５０のＣＳ（補助容量電圧）タイミング生成回路３５２に供給され必要な種類のタイミングを生成し、ＣＳ電圧変調回路３５４を経て液晶表示パネル２００に供給される。ＣＳ電圧発生回路３５０は特定の駆動プログラムで駆動されてもよく、駆動プログラムは情報記録媒体に記録されていてもよい。

　ここで、ＣＳ電圧発生回路３５０をプログラムで駆動する意義を説明する。液晶表示パネル２００では少なくとも２種類の補助容量電圧が必要であり、本来的には、補助容量電圧のタイミングは他の信号のタイミングおよび補助容量電圧の種類の数に応じて設定される。このため、典型的には、液晶表示パネルの種類に応じて対応する回路が設計されるが、種類の異なる液晶表示パネルに対しても補助容量電圧およびそのタイミングを包括的に規定したプログラムを利用できれば、異なる種類の液晶表示パネルであっても補助容量電圧のタイミングの変更を簡便に行うことができる。

　また、補助容量電圧は、典型的には所定の２値の間で変化するが、液晶表示パネルにおける補助容量電圧に関連する状況が変化して所望の電圧が得られない場合、２値の電圧値を変更してもよく、また、オーバーシュートおよび／またはアンダーシュートを適用して容量による波形なまりを回避してもよい。以上から、ＣＳ電圧発生回路３５０に、補助容量電圧のタイミングおよび電圧を液晶表示パネルのパラメータから設定する機能を有するプログラムを実装し、また、対応可能なパネルパラメータのリスト、計算方法などを媒体からＣＳ電圧発生回路３５０に供給することは有効である。また、ＰＣ用モニターやテレビジョン装置などのように液晶表示装置の用途が異なる場合に第３ＴＦＴ１３０ｕによるサブ画素の輝度の調整が同様に行われると、充分な効果が得られないことも考えられるが、その場合、用途に応じてより適切に輝度の調整を行うために、プログラムによる制御が可能であることが好ましい。

　なお、液晶表示装置の補助容量配線ＣＳに印加される電圧は２種類であってもよい。以下、図１３に、液晶表示装置１００Ａの等価回路図を示す。液晶表示装置１００Ａにおいて異なる補助容量幹線には異なる電圧が印加される。補助容量配線ＣＳａは補助容量幹線ＣＳＴａに電気的に接続しており、補助容量配線ＣＳｂは補助容量幹線ＣＳＴｂに電気的に接続している。この場合、反転回路により、一方の補助容量幹線に印加される電圧を反転して他方の補助容量幹線に印加される電圧を簡便に発生させてもよい。なお、図１３において、各画素のうちの一方のサブ画素は補助容量幹線ＣＳＴａに対応しており、他方のサブ画素は補助容量幹線ＣＳＴｂに対応している。

　以下、図１４に、図１３に示した液晶表示装置１００Ａの電圧波形を示す。図１４において、Ｖｓ_m+2はｍ＋２列のソース配線Ｓ_m+2に供給されるソース信号電圧の波形を示す。また、Ｖｇ_nは、ｎ行のゲート配線Ｇ_nに供給されるゲート信号電圧の波形を示し、同様に、Ｖｇ_n+1、Ｖｇ_n+2、・・は、ｎ＋１行、ｎ＋２行、・・のゲート配線Ｇ_n+1、Ｇ_n+2、・・に供給されるゲート信号電圧の波形を示す。また、ＶＣＳＴａおよびＶＣＳＴｂはそれぞれ補助容量幹線ＣＳＴａおよびＣＳＴｂに供給される補助容量対向電圧の波形を示す。また、Ｖａ－ｍ＋２，ｎおよびＶｂ－ｍ＋２，ｎは、ゲート配線の電圧波形を基準としたｎ行ｍ＋２列の第１、第２サブ画素の液晶容量の電圧波形を示しており、同様に、Ｖａ－ｍ＋２，ｎ＋１、Ｖｂ－ｍ＋２，ｎ＋１は、ゲート配線の電圧波形を基準としたｎ＋１行ｍ＋２列の第１、第２サブ画素の液晶容量の電圧波形を示している。なお、ここでは、ｎ行ｍ＋２列、ｎ＋１行ｍ＋２列・・の画素は青画素であり、また、第１サブ画素は明サブ画素であり、第２サブ画素が暗サブ画素である。

　また、ここでは、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂの振動の周期はいずれも水平走査期間の１倍の時間（１Ｈ）である。また、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂの位相に着目すると、電圧ＶＣＳＴｂの位相は電圧ＶＣＳＴａの位相に対して反転している。また、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂとゲート配線Ｇ_nの電圧に着目すると、各補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂに対応するゲート配線Ｇ_nの電圧Ｖｇ_nがＶｇＨからＶｇＬに変化する時刻は、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂの各平坦部分の中央の時刻と一致しており、ＴＦＴがオン状態からオフ状態に変化した時刻の直後から、電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂが最初に変化するまでの時間をＴｄとすると、Ｔｄの値は０．２５Ｈである。なお、Ｔｄの値は、０Ｈよりも大きく０．５Ｈよりも短い範囲であればよい。

　なお、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂは図１４に示した波形に限定されない。ただし、対応する任意のゲート配線の電圧がＶｇＨからＶｇＬに変化した後において、電圧ＶＣＳＴａの最初の変化は、電圧ＶＣＳＴｂの最初の変化と反対向きであることが好ましい。例えば、対応する任意のゲート配線の電圧がＶｇＨからＶｇＬに変化した後の電圧ＶＣＳＴａの最初の変化が増加であり、かつ、対応する任意のゲート配線の電圧がＶｇＨからＶｇＬに変化した後の電圧ＶＣＳＴｂの最初の変化が減少であることが好ましい。あるいは、対応する任意のゲート配線の電圧がＶｇＨからＶｇＬに変化した後の電圧ＶＣＳＴａの最初の変化が減少であり、対応する任意のゲート配線の電圧がＶｇＨからＶｇＬに変化した後の電圧ＶＣＳＴａの最初の変化が増加であることが好ましい。

　ここで、図１５を参照して、液晶表示装置１００Ａの構成を具体的に説明する。図１５に、液晶表示装置１００Ａにおける背面基板１２０の模式的な平面図を示す。

　液晶表示装置１００Ａでは、ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓがマトリクス状に配置されており、補助容量配線ＣＳがゲート配線Ｇと平行に延びている。また、各ゲート配線Ｇから２つの延長配線ＧＥ１、ＧＥ２が延びている。以下の説明において、延長配線ＧＥ１を第１延長配線ＧＥ１と呼び、延長配線ＧＥ２を第２延長配線ＧＥ２と呼ぶことがある。ここでは、第１延長配線ＧＥ１および第２延長配線ＧＥ２のそれぞれは補助容量配線ＣＳの近傍に設けられている。

　また、各画素の２つのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂはゲート配線Ｇに対して対称に配置されている。サブ画素電極１２４ａに対応してＴＦＴ１３０ａが設けられており、サブ画素電極１２４ｂに対応してＴＦＴ１３０ｂが設けられている。

　まず、赤画素の構成を説明する。なお、緑画素の構成も同様である。サブ画素電極１２４ａはサブ画素電極１２４ａと重なる配線と容量結合を形成しており、サブ画素電極１２４ａの電位は配線の電位に応じて変動する。例えば、サブ画素電極１２４ａは補助容量配線ＣＳａと容量結合を形成しており、サブ画素電極１２４ａの電位は補助容量配線ＣＳａの電位に応じて変動する。同様に、サブ画素電極１２４ｂはサブ画素電極１２４ｂと重なる配線と容量結合を形成しており、サブ画素電極１２４ｂの電位は配線の電位に応じて変動する。例えば、サブ画素電極１２４ｂは補助容量配線ＣＳｂと容量結合を形成している。

　ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂが導通状態の期間に、ソース配線Ｓを介してサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂに供給される電圧は互いに等しいが、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂが非導通状態になった後、補助容量配線ＣＳａの電位の変化は補助容量配線ＣＳｂとは異なるため、サブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電位が異なることになり、その結果、第１サブ画素の輝度は第２サブ画素の輝度とは異なることになる。なお、厳密には、サブ画素電極１２４ａ、１２４ｂはソース配線Ｓ、ＴＦＴ、ゲート配線Ｇなどとも容量結合を形成しているが、ソース配線Ｓ、ＴＦＴ、ゲート配線Ｇ等の電位はほぼ一定とみなすことができるため、これらの容量結合は、サブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電位差を変化させるのに実質的に寄与しない。

　次に、青画素の構成を説明する。本実施形態の液晶表示装置１００Ａにおいて、青画素のサブ画素電極１２４ｔにはＴＦＴ１３０ｕが設けられている。ここでは、第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられたＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第ｎ＋１行のゲート配線Ｇ_n+1と電気的に接続されている。なお、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂおよび１３０ｕは半導体層を有しており、各ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂおよび１３０ｕの半導体層は、堆積した半導体膜をパターニングすることによって形成される。このように、ＴＦＴ１３０ｕはＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂと同様の工程で形成される。

　ここで、ＴＦＴ１３０ｕの構成を説明する。ＴＦＴ１３０ｕのゲートは延長配線ＧＥ１またはＧＥ２と電気的に接続されており、ＴＦＴ１３０ｕのドレインはサブ画素電極１２４ｔと電気的に接続されている。また、ＴＦＴ１３０ｕのソースまたはソースと電気的に接続された電極は絶縁層を介して下側の延長配線ＧＥ１、ＧＥ２および上側の画素電極１２４ｔと重なっており、ＴＦＴ１３０ｕのソースまたはソースと電気的に接続された電極は延長配線ＧＥ１、ＧＥ２およびサブ画素電極１２４ｔと容量結合している。このため、サブ画素電極１２４ｔとＴＦＴ１３０ｕのソースとの間、および、サブ画素電極１２４ｔと延長配線ＧＥ１、ＧＥ２との間に容量が形成されており、この容量が図９Ｂに示した修正補助容量１３２ｕに対応する。

　ＴＦＴ１３０ｓ、ＴＦＴ１３０ｔのゲートがオフとなった後、ＴＦＴ１３０ｕのゲートがオンになると、ＴＦＴ１３０ｕのソースとサブ画素電極１２４ｔとが電気的に接続し、修正補助容量１３２ｕに対するサブ画素電極１２４ｔの電荷の吸収または放出が行われる。ここでは、１フレーム前の修正補助容量１３２ｕへの充電により、ＴＦＴ１３０ｓのソースの電位は、ＴＦＴ１３０ｓ、ＴＦＴ１３０ｔのゲートがオフになってからＴＦＴ１３０ｕのゲートがオンになるまで、サブ画素電極１２４ｔの電位と反対である。このため、第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになると、サブ画素電極１２４ｔの電荷が放出される。なお、一般に、修正補助容量１３２ｕがサブ画素の液晶容量を上回ることはない。修正補助容量１３２ｕは液晶容量の１％から１０％であることが好ましく、２％から５％であることがさらに好ましい。

　また、第３ＴＦＴ１３０ｕがオフになると、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースとサブ画素電極１２４ｔとの間の容量が単純に付加されることになる。このため、サブ画素電極１２４ｔの電位の絶対値は低減する。なお、ＴＦＴ１３０ｕのソースと容量結合を形成する導電部材は、低周波の電圧変動が１フレーム期間でほとんど生じない別の部材であってもよい。

　また、図１５から理解されるように、行方向に隣接する２つのカラー画素に属する２つの青画素に着目すると、一方の青画素の第１サブ画素が明サブ画素であり、第２サブ画素が暗サブ画素である。これに対して、他方の青画素の第１サブ画素が暗サブ画素であり、第２サブ画素が明サブ画素である。また、列方向に沿って青画素に着目すると、明サブ画素および暗サブ画素が交互に配列されている。なお、第１延長配線ＧＥ１は、暗サブ画素となる第２サブ画素のサブ画素電極１２４ｔと容量結合を形成しており、第２延長配線ＧＥ２は、暗サブ画素となる第１サブ画素のサブ画素電極１２４ｔと容量結合を形成している。

　なお、上述した説明では、第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられた第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第ｎ＋１行のゲート配線Ｇ_nと電気的に接続されていたが、本発明はこれに限定されない。第ｎ行の青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられた第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、さらに別の行のゲート配線と電気的に接続されてもよい。ただし、ＴＦＴ１３０ｕのゲートとこれと電気的に接続するゲート配線との間の距離が長いほど、ＴＦＴ１３０ｕのゲートとこのゲート配線とを結ぶ配線が長くなり、開口率が低下するとともに補助容量配線ＣＳの電圧の位相を調整するためのマージンが減少してしまう。このため、ＴＦＴ１３０ｕのゲートは比較的近くに位置するゲート配線と接続することが好ましい。

　また、上述した説明では、ゲート配線Ｇ_nと青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応するＴＦＴ１３０ｕのゲートとを電気的に接続する第１延長配線ＧＥ１および第２延長配線ＧＥ２が補助容量配線ＣＳの近傍に設けられていたが、本発明はこれに限定されない。第１延長配線ＧＥ１および第２延長配線ＧＥ２はゲート配線の近傍に設けられてもよい。あるいは、ゲート配線Ｇ_nと重なる別の層で第１延長配線ＧＥ１および第２延長配線ＧＥ２を形成して、開口率の低下を抑制してもよい。

　また、上述した説明では、サブ画素電極１２４ｔは絶縁層を介してＴＦＴ１３０ｕのソースと重なるように設けられており、ＴＦＴ１３０ｕのソースとサブ画素電極１２４ｔとの間で容量結合が形成されたが、本発明はこれに限定されない。半導体層に設けられたＴＦＴ１３０ｕのソースと電気的に接続された電極とサブ画素電極１２４ｔとの間で容量結合を形成し、容量を増大させてもよい。例えば、このような電極は透明な導電部材で形成される。

　また、上述した説明では、第３ＴＦＴ１３０ｕは暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられたが、本発明はこれに限定されない。第３ＴＦＴ１３０ｕは明サブ画素Ｂｓに対応して設けられてもよい。この場合、第３ＴＦＴ１３０ｕが選択されることにより、ＴＦＴ１３０ｓを介してサブ画素電極１２４ｓの電位は対向電極１４４の電位（例えば、接地電位）に近づくため、明サブ画素の実効電圧と暗サブ画素の実効電圧との差が小さくなり、明サブ画素Ｂｓの輝度は低下する。視野角改善効果が低減してしまう。また、一般的なＶ－Ｔ曲線では、電圧が高いほど曲線の傾きが大きいため、明サブ画素の輝度低下量は暗サブ画素の輝度低下量よりも大きくなる。このため、第３ＴＦＴ１３０ｕは暗サブ画素Ｂｔに対応して設けられることが好ましい。

　なお、図１３に示した液晶表示装置１００Ａでは、２種類の異なる電圧に対応して補助容量幹線ＣＳＴ（すなわち、補助容量幹線ＣＳＴａおよびＣＳＴｂ）が設けられていたが、本発明はこれに限定されない。３種類以上の異なる電圧に対応して補助容量幹線ＣＳＴが設けられてもよい。また、補助容量幹線ＣＳＴのそれぞれに印加される電圧に含まれる矩形波は等しい周期で位相の異なるものであってもよい。

　補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴは２×Ｎ×Ｈ（水平走査期間）の周期の矩形波を含むことが好ましい。ここで、Ｎは１以上の整数である。このような矩形波では、Ｎ×Ｈ期間のロー電圧とＮ×Ｈ期間のハイ電圧とが交互に繰り返される。なお、理論的には、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳが変動するタイミングはゲート配線毎に設定可能であるが、多くの異なるタイミングを設定する場合、図１２に示したＣＳ電圧発生回路３５０が複雑になるため、好ましくない。また、一般に、各ソース配線Ｓの電位はフレーム毎に反転するだけでなく１Ｈ（Ｈ：水平走査期間）毎に反転する。このため、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴが水平走査期間の整数倍の周期性を有することにより、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴをソース配線Ｓの電位の変化のタイミングに合わせて変化させることができ、補助容量幹線ＣＳＴの種類の数の増加を抑制することができる。

　なお、補助容量幹線ＣＳＴの種類がある程度多いと、補助容量幹線ＣＳＴに印加される電圧ＶＣＳＴの振幅周期を長くできるため、タイミングマージンを充分に確保することができる。また、１種類の電圧が印加される補助容量幹線と電気的に接続された補助容量配線に対応するサブ画素の数が減り、１種類の電圧が印加される補助容量幹線によって変動すべき電荷量が低減する。このため、補助容量幹線が比較的細い場合や、液晶表示パネルが大きい場合など、補助容量幹線に印加される電圧波形やゲート配線に印加される電圧波形がなまりやすい状況下でも、想定したタイミングを維持することができ、高精度の駆動を安定的に行うことができる。

　図１６に示した液晶表示装置１００Ｂには、４種類の異なる電圧に対応した補助容量幹線ＣＳＴ（すなわち、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂ、ＣＳＴｃ、ＣＳＴｄ）が設けられている。液晶表示装置１００Ｂでは、図１７に示すように、補助容量幹線ＣＳＴａ～ＣＳＴｄのそれぞれに印加される電圧ＶＣＳＴａ～ＶＣＳＴｄは４Ｈの周期で振動しており、電圧ＶＣＳＴａ～ＶＣＳＴｄでは、ロー電圧およびハイ電圧のそれぞれの期間は２Ｈである（Ｎ＝２）。なお、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴが水平走査期間の整数倍で周期的に振動することにより、比較的少ない数の補助容量幹線ＣＳＴで液晶表示パネル全体の補助容量配線をカバーすることができる。

　液晶表示装置１００Ｂにおいて、第ｎ行第ｍ＋２列の画素に着目すると、サブ画素Ｓｐａに対応する補助容量幹線ＣＳＴａの電圧ＶＣＳＴａの位相はサブ画素Ｓｐｂに対応する補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂの位相に対して反転しており、電圧ＶＣＳＴａの位相は電圧ＶＣＳＴｂの位相と比べて半周期（すなわち、２Ｈ）時間ずれていることになる。また、第ｎ＋１行第ｍ＋２列の画素に着目すると、サブ画素Ｓｐａに対応する補助容量幹線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃの位相はサブ画素Ｓｐｂに対応する補助容量幹線ＣＳＴｄの電圧ＶＣＳＴｄの位相に対して反転しており、電圧ＶＣＳＴｃの位相は電圧ＶＣＳＴｄの位相と比べて２Ｈずれていることになる。

　また、液晶表示装置１００Ｂでは、ゲート配線Ｇ_nの電圧がハイからローに変化したあと、ＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の引き込み電圧Ｖｄだけ低下する。その後、第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、青画素Ｂの暗サブ画素Ｂｔのサブ画素電極１２４ｔの電位が低下する。その後、補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂの電圧の最初の変化が起きる。このように、液晶表示装置１００Ｂでは、ＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂがオフになった後の補助容量配線ＣＳの電圧の最初の変化は、第３ＴＦＴ１３０ｕが選択されてサブ画素電極１２４ｔの電位が低下した後に起きる。

　なお、ここでも、補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂに対応するゲート配線Ｇ_nの電圧Ｖｇ_nがＶｇＨからＶｇＬに変化する時刻は、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴの平坦部分の中央の時刻と一致しており、Ｔｄの値は１Ｈである。なお、Ｔｄの値は０Ｈよりも大きく２Ｈよりも短い範囲であってもよい。

　また、液晶表示装置１００Ｂのように、１行の画素ごとに２本の補助容量配線ＣＳを設ける場合、Ｌ（＝２×Ｎ）種類の補助容量幹線ＣＳＴを設けて、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴの振動の周期を２×Ｎ×Ｈとすることにより、規則的に反転する電圧の付与される補助容量幹線と補助容量配線との割り当てを単純化するとともに、Ｌ本の補助容量幹線を介して補助容量配線全体にＬ種類のパターンの電圧を付与することができる。

　なお、液晶表示装置１００Ｂでは、１行の画素ごとに２本の補助容量配線ＣＳが設けられていたが、本発明はこれに限定されない。補助容量配線ＣＳは、列方向に隣接する２つの画素のうち互いに隣接する２つのサブ画素に共通に設けられてもよい。この場合、液晶表示パネルにおける補助容量配線ＣＳの数を減少させることができる。

　図１８に示した液晶表示装置１００Ｃでは、補助容量配線ＣＳは列方向に隣接する２つの画素のうち互いに隣接する２つのサブ画素に共通に設けられている。また、液晶表示装置１００Ｃには、６種類の補助容量幹線（すなわち、補助容量幹線ＣＳＴａ～ＣＳＴｆ）が設けられている。

　液晶表示装置１００Ｃでは、図１９に示すように、補助容量幹線ＣＳＴａ～ＣＳＴｆのそれぞれに印加される電圧は１２Ｈの周期で振動し、電圧ＶＣＳＴａ～ＶＣＳＴｆでは、ロー電圧およびハイ電圧のそれぞれの期間は６Ｈである（Ｎ＝６）。

　液晶表示装置１００Ｃにおいて第ｎ行第ｍ＋２列の画素に着目すると、サブ画素Ｓｐａに対応する補助容量幹線ＣＳＴａの電圧ＶＣＳＴａの位相はサブ画素Ｓｐｂに対応する補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂの位相に対して反転しており、電圧ＶＣＳＴａの位相は電圧ＶＣＳＴｂの位相と比べて６（＝Ｎ）Ｈずれていることになる。また、第ｎ＋１行第ｍ＋２列の画素に着目すると、サブ画素Ｓｐａに対応する補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂの位相はサブ画素Ｓｐｂに対応する補助容量幹線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃの位相と比べて８（＝Ｎ＋２）Ｈずれている。

　また、液晶表示装置１００Ｃでは、ゲート配線Ｇ_nの電圧がハイからローに変化したあと、ＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の引き込み電圧Ｖｄだけ低下する。その後、第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、青画素Ｂの暗サブ画素Ｂｔのサブ画素電極１２４ｔの電位が低下する。その後、補助容量配線ＣＳの電圧の最初の変化が起きる。このように、液晶表示装置１００Ｃでは、ＴＦＴ１３０ａ、ＴＦＴ１３０ｂがオフになった後の補助容量配線ＣＳの電圧の最初の変化は、第３ＴＦＴ１３０ｕが選択されてサブ画素電極１２４ｔの電位が低下した後に起きる。

　また、液晶表示装置１００Ｃのように、補助容量配線ＣＳが列方向に隣接する２つの画素のうち互いに隣接する２つのサブ画素に共通に設けられている場合、Ｌ（＝Ｎ）種類の補助容量幹線ＣＳＴを設けて、補助容量幹線ＣＳＴの電圧ＶＣＳＴの振動の周期を２×Ｎ×Ｈとすることができる。

　なお、Ｎが長い場合、それに伴い、補助容量幹線ＣＳＴの数Ｌが多くなる。補助容量幹線ＣＳＴの数が多い場合、補助容量幹線の占める面積が増大するとともに、補助容量幹線ＣＳＴに印加する電圧ＶＣＳＴを個別に発生する必要がある。また、Ｎが長すぎると、液晶分子１６２の配向方向の変化に起因する輝度の変化が認識されてしまう。これらの観点からみると、Ｎは短いほど好ましい。

　一方、Ｎが短い場合、それに伴い、補助容量幹線ＣＳＴの数Ｌも少なくなる。補助容量幹線ＣＳＴの数Ｌが少ない場合、液晶表示パネル全体の補助容量配線ＣＳの電位を一度に変化させる必要が生じるため、補助容量配線ＣＳの電位を変化させるごとに大電流が発生し、補助容量配線ＣＳの電位の変化を確実に行うことができなくなり、液晶表示パネルの信頼性の点から好ましくない。液晶表示パネルの実現性と駆動の容易さから、Ｎは、例えば４から１２のいずれかの整数であることが好ましく、特に制御のしやすさから、Ｎは４、６、８または１２などであることが好ましい。

　なお、図１９に示した波形では、時間的に後から選択されるゲート配線に対応して配置された補助容量配線の電圧の位相は他方の位相と比べて水平走査期間のＮ倍またはＮ＋２倍の時間ずれているが、本発明はこれに限定されない。時間的に後から選択されるゲート配線に対応して配置された補助容量配線の電圧の位相は他方の位相と比べて、水平走査期間の（Ｎ＋１）倍の時間ずれていてもよい。

　また、液晶表示装置１００Ｃでは、例えば、ゲート配線Ｇ_nの電圧がオフになった後に、ＴＦＴ１３０ｕを選択して青画素のサブ画素電極１２４ｔの電位を低下させている。ゲート配線Ｇ_nの電圧がオフになった後に補助容量幹線ＣＳＴａ、ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴａ、ＶＣＳＴｂが最初に変化するまでの期間が異なるほど、ゲート配線Ｇ_nに対して一方の側に配置されている暗サブ画素（例えば、第１サブ画素）とゲート配線に対して他方の側に配置されている暗サブ画素（例えば、第２サブ画素）との間で輝度の差が発生する。同一ゲート配線に対応する画素の平均輝度を均一化するため、および、単調な周期性を保証するために、時間的に後から選択されるゲート配線に対応して配置された補助容量配線の電圧の位相は他方の位相と比べて（Ｎ＋１）Ｈ期間遅らせることが好ましい。

　なお、補助容量幹線の電圧の半周期Ｎが５である場合、ＣＳ電圧発生回路３５０（図１２参照）により、時間的に後から選択されるゲート配線に対応して配置された補助容量配線の電圧の位相が他方の位相と比べて水平走査期間の（Ｎ＋２）倍の時間ずれていても、駆動の問題は生じない。一方、補助容量幹線の数Ｎが６である場合、ＣＳ電圧発生回路３５０により、時間的に後から選択されるゲート配線に対応して配置された補助容量配線の電圧の位相が他方の位相と比べて水平走査期間の（Ｎ＋２）倍の時間ずれていると、ＴＦＴがオフになってから最初に補助容量配線の電圧が変化するまでの期間はＮが３または５の場合と同様になり、容量的な駆動が困難となることがある。

　上述したように、液晶表示装置１００Ｂ、１００Ｃでは、ゲート配線Ｇ_nの電圧がハイからローに変化したあと、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂの有する寄生容量等の影響による引き込み現象のために、それぞれのサブ画素電極１２４ａ、１２４ｂの電圧Ｖｌｃａ、Ｖｌｃｂは概ね同一の引き込み電圧Ｖｄだけ低下する。その後、第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、青画素Ｂの暗サブ画素Ｂｔのサブ画素電極１２４ｔの電位が低下する。その後、補助容量配線ＣＳの電圧の最初の変化が起きる。このように、第３ＴＦＴ１３０ｕによるサブ画素電極１２４ｔの電位が低下した後に、補助容量配線ＣＳの電圧が最初に変化することが好ましい。

　ここで、液晶層１６０の実効電圧と補助容量配線ＣＳの電圧変化との関係を考える。まず、上述したように、ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、サブ画素電極１２４ｔと接続している容量が急激に増大すると、液晶層１６０の実効電圧は低下する。なお、厳密には、ＴＦＴ１３０ｕのソースと修正補助容量１３２ｕを形成する導電部材の電位の変化の影響を受けるが、ここでは、この影響を無視する。なお、ここで無視した導電部材の電位の変化の影響はタイミングによらず一定と考えられる。

　ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、サブ画素電極１２４ｔと接続している容量がＣ１からＣ２に増大したとすると、Ｑ１＝Ｃ１×Ｖ１、Ｑ２＝Ｃ２×Ｖ２であり、Ｑ１＝Ｑ２であることから、Ｖ２＝Ｑ１／Ｃ２＝Ｃ１／Ｃ２×Ｖ１であり、ΔＶ＝Ｖ１－Ｖ２＝（１－Ｃ１／Ｃ２）×Ｖ１である。ここで、容量Ｃ１、Ｃ２を一定とすると、初期の電圧Ｖ１が大きいほど第３ＴＦＴ１３０ｕによる電圧引き下げ効果が大きいことがわかる。補助容量配線ＣＳの電圧変化により、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するサブ画素の実効電圧が低減することから、補助容量配線ＣＳの電圧変化の影響を受けた後に第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになると、第３ＴＦＴ１３０ｕによる電圧低減効果は減少する。このため、補助容量配線ＣＳの電圧が変化する前に、第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになることが好ましい。

　また、上述したように、液晶表示装置１００～１００Ｃでは、サブ画素電極の電位は補助容量配線ＣＳの電圧の影響を受けて変化するが、このサブ画素電極の電位は表示期間だけでなく非表示期間の補助容量配線ＣＳの電圧の影響を受ける。一般に、表示期間において補助容量配線ＣＳの電圧がハイである期間とローである期間は互いに等しいが、非表示期間においても補助容量配線ＣＳの電圧がハイである期間とローである期間は互いに等しいことが好ましい。このために、補助容量配線ＣＳの電圧は非表示期間および表示期間のいずれも同じ周期で振動してもよい。あるいは、その非表示期間における補助容量配線ＣＳの電圧がハイである期間とローである期間は互い等しくなるように非表示期間の周期が設定されていてもよく、例えば、非表示期間における補助容量配線ＣＳの電圧の周期は表示期間における周期よりも長く設定されていてもよい。

　また、一般に、画素の極性は数フレーム単位で反転するが、画素の極性の反転にかかわらず補助容量配線ＣＳの電圧の位相が変化しない場合、フレーム反転に対応してサブ画素の明暗が反転することになり、フリッカーが見えたり、青画素の視野角改善効果が低下することがある。このため、補助容量配線ＣＳに印加される電圧ＶＣＳの位相は画素の極性の反転周期ごとに反転することが好ましい。例えば、画素の極性の反転周期が１フレームである場合、補助容量配線ＣＳに印加される電圧の位相は１フレーム毎に反転することが好ましい。また、画素の極性の反転周期が２フレームまたは３フレームである場合、補助容量配線ＣＳの電圧の位相も２フレームまたは３フレームごとに反転することが好ましい。なお、特別な調整回路を設けることなく、画素の極性の反転周期ごとに補助容量配線ＣＳに印加される電圧の位相を反転させるために、画素の極性の反転周期を１垂直走査期間（１フレーム）に設定することが好ましい。

　また、液晶表示装置１００～１００Ｃの垂直走査期間は、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの周期の略（Ｍ＋０．５）倍に設定されていることが好ましい。ここで、Ｍは１以上の自然数である。このように、垂直走査期間自体を、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの周期の（Ｍ＋０．５）倍に設定し、非表示期間を含めて同じタイミングで振幅させる場合、特別な調整回路を設けることなく、フレームごとに補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの位相を反転させることができる。垂直走査期間がＶであり、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの周期をＰとする場合、ＭＯＤ（Ｖ－０．５×Ｐ，Ｐ）＝０であることが好ましい。ここで、関数ＭＯＤ（被除数，除数）は被除数を除数で除算した剰余を示す。

　仮に、有効画像データの全走査線数が１１２５本、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの周期が１２Ｈである場合、ＭＯＤ（（１１２５－６），１２）＝３であるため、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの位相はフレーム毎に３Ｈずれることになる。この場合、２フレームごとに電圧ＶＣＳの位相は６Ｈずれるため、画素の極性が１フレームごとに反転する場合、視野角改善効果が低減し、フリッカーが観察されることがある。一方、上述した画像タイミング変調回路３２０を用いて有効画像データの全水平走査線数を１１２２本に設定すれば、ＭＯＤ（（１１２２－６），１２）＝０であるため、位相は１フレームごとに反転することになり、画素の極性の反転とともに補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの位相を反転させることができる。ただし、フレーム周波数を元の入力信号と一致させるために、ピクセルクロック、垂直走査線数をこれに合わせて変更する必要がある。

　また、上述したように、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの平坦部分の中間時刻にゲート配線がオフになることが好ましい。しかしながら、有効画像データの走査線数が液晶表示パネルの走査線の数に対して変動することは好ましくないが、実際には、有効画像データの走査線数が液晶表示パネルの走査線の数に対してある程度変動することがあり、このような変動が起こる場合、入力時に有効画像データの走査線数が１Ｈ増減することが最も多い。なお、フレーム周波数が決まっているので、あるフレームで走査線の数が増えた場合、次のフレームでは走査線の数が減ることが一般的である。このように、有効画像データの走査線数は、入力信号に対応して変更されることがあるが、補助容量配線ＣＳの電位の制御に対し、想定外の信号を補正する部材を付与することはコストの点から好ましくなく、１Ｈ程度の変動があっても対応できるように前後に２Ｈのマージンを設けた設定を行うことが好ましい。

　このため、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂがオフになってから対応する補助容量配線ＣＳａ、ＣＳｂの電圧が変化するまでの期間は、水平走査期間の２倍（２Ｈ）から（補助容量配線の電圧の半周期（すなわち、Ｎ）－２×水平走査期間）の間に設定されていることが好ましい。例えば、補助容量配線ＣＳの電圧ＶＣＳの周期が１２Ｈ（＝６Ｈ＋６Ｈ）である場合、ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂのゲートがオフになってから補助容量配線ＣＳの電圧が変化するまでの期間は、例えば、２Ｈ、３Ｈまたは４Ｈであることが好ましい。なお、図１９に示した液晶表示装置１００Ｃにおける第ｎ＋１行第ｍ＋２列の画素のように、対応する２つの補助容量配線ＣＳｂ、ＣＳｃの電圧の変化する時刻が異なる場合もある。補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂの変化時刻が補助容量幹線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃの変化時刻と１Ｈ異なる場合、ＴＦＴ１３０ａのゲートがオフになってから補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂが変化するまでの期間が２Ｈであるとき、ＴＦＴ１３０ｂのゲートがオフになってから補助容量幹線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃが変化するまでの期間は３Ｈである。また、ＴＦＴ１３０ａのゲートがオフになってから補助容量幹ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂが変化するまでの期間が３Ｈであるとき、ＴＦＴ１３０ｂのゲートがオフになってから補助容量配線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃが変化するまでの期間は４Ｈである。なお、ＴＦＴ１３０ｕはＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂがオフになってから１Ｈ経過後選択されるため、ＴＦＴ１３０ａのゲートがオフになってから補助容量幹線ＣＳＴｂの電圧ＶＣＳＴｂが変化するまでの期間は３Ｈであり、ＴＦＴ１３０ｂのゲートがオフになってから補助容量幹線ＣＳＴｃの電圧ＶＣＳＴｃが変化するまでの期間は４Ｈであることが好ましい。

　なお、上述した説明では、ＴＦＴ１３０ｕのソースはサブ画素電極１２４ｔと絶縁層を介して重なっており、ＴＦＴ１３０ｕのソースはサブ画素電極１２４ｔと容量結合を形成していたが、本発明はこれに限定されない。サブ画素電極１２４ｔの電圧は、ＴＦＴ１３０ｔを介してソース配線Ｓから供給された後で、ＴＦＴ１３０ｕが選択された期間、低下するものであり、ＴＦＴ１３０ｕのソースと容量結合を形成する配線はフレーム単位で変動の少ない電位を有するものであればいずれでもよい。このため、ＴＦＴ１３０ｕのソースと容量結合を形成する配線は、配線設計の容易さや回路の信頼性から選択されてもよい。

　例えば、ＴＦＴ１３０ｕのソースはサブ画素電極１２４ｔと重ならないように設けられており、ＴＦＴ１３０ｕのソースは絶縁層および液晶層を介して対向電極１４４と容量結合を形成してもよい。このように、開口率や配線の容易さに応じて設計されてもよい。

　あるいは、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースは対向電極１４４または対向電極１４４と電気的に接続された配線と容量結合を形成していてもよい。対向電極１４４と電気的に接続された配線は背面基板１２０にも存在しており、この配線と容量結合を形成するのは比較的容易である。また、この配線は、階調安定性のために比較的安定した電位を保証するように設計されている。したがって、製造の容易性および安定動作の観点から、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースは対向電極１４４と電気的に接続された配線と容量結合を形成することが好ましい。なお、対向電極１４４は、前面基板１４０の主面全体にわたって形成される透明な電極であり、背面基板１２０には、必ずしも対向電極１４４と等電位の配線が設けられなくてもよい。しかしながら、液晶表示パネルの大型化に伴い、電極そのものの抵抗に起因して電圧降下が生じるため、面内の電位が不安定になることがある。これを回避するために、背面基板１２０に対向電極１４４と等電位の低抵抗配線を設け、液晶表示パネル内の各所で対向電極１４４と配線とを電気的に接続し、面内の電位の均一性を向上させることが好ましい。また、対向電極１４４と電気的に接続された配線の電位は当然ながら安定しており、背面基板１２０にこのような配線を密に設ける場合、対向電極１４４と電気的に接続された配線と第３ＴＦＴ１３０ｕとの容量結合を容易に実現することができる。

　また、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースはＴＦＴ１３０ｔのドレインまたはドレインと電気的に接続された配線と容量結合を形成していてもよい。ＴＦＴ１３０ｔのドレインは第３ＴＦＴ１３０ｕのソースの比較的近くに位置しているため、容量結合の形成を容易に行うことができる。ただし、ＴＦＴ１３０ｕがオンになったときにＴＦＴ１３０ｕのソースの電位がサブ画素電極１２４ｔの電位となるため、電圧低減効果は比較的少ない。

　あるいは、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースはＴＦＴ１３０ｔのソース（すなわち、ソース配線Ｓ）と容量結合を形成してもよい。一般に、ソース配線Ｓの電位は高周波で振動するため、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースがソース配線Ｓと容量結合を形成しても、問題はほとんど発生しない。ただし、厳密には、ソース配線Ｓの電位は隣接する画素に応じて設定されるため、わずかにクロストークが発生して、色再現性の正確さがわずかに低下することがある。

　あるいは、第３ＴＦＴ１３０ｕのソースはＴＦＴ１３０ｓ、１３０ｔに対応するゲート配線Ｇと容量結合を形成してもよい。この場合、ほとんどの期間においてゲート配線Ｇの電位は低いため、サブ画素電極１２４ｔの電圧を低減させることができる。なお、一般的には、容量を介して影響する電圧でＴＦＴが破壊されたり、誤作動する可能性は低いが、ＴＦＴのゲートとソースの間に空隙または異物などが存在している場合、瞬間的に上昇したゲート配線の電圧が通電してしまい、保持すべき電荷が失われたり、更に、ゲート、ドレインに流れ込んだ電流により破壊されたりするおそれがある。この場合、その画素のみならずそのゲート配線に関わる全ての画素で駆動が不安定になる。このような不安定駆動を抑制するためには、例えば、絶縁層を厚くすることが必要となるが、このように絶縁層を厚くすると、容量が小さくなり、第３ＴＦＴ１３０ｕによる電圧の低減効果を抑制することになり、好ましくない。

　このように、ＴＦＴ１３０ｕのソースまたはＴＦＴ１３０ｕのソースと電気的に接続された電極はいずれの配線とも直接的には接続されていないが、ＴＦＴ１３０ｕのソースまたはＴＦＴ１３０ｕのソースと電気的に接続された電極は、例えば、画素電極、ゲート配線Ｇ、補助容量配線ＣＳ、対向電極のうち少なくとも１つの導電部材またはこのような導電部材と電気的に接続された配線と容量結合を形成すればよい。例えば、ＴＦＴ１３０ｕのソースまたはＴＦＴ１３０ｕのソースと電気的に接続された電極は、画素電極、ゲート配線Ｇ、補助容量配線ＣＳ、対向電極のうち少なくとも１つの導電部材またはこのような導電部材と電気的に接続された配線と絶縁層を介して重なることにより、容量結合を形成することができる。この絶縁層は、背面基板１２０に設けられた絶縁膜であってもよく、あるいは、液晶層であってもよい。

　なお、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第１、第２ＴＦＴ１３０ａ、１３０ｂに対応するゲート配線Ｇ_nが選択されてから比較的短時間後に選択されるゲート配線に接続されていることが好ましい。例えば、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、ゲート配線Ｇ_nが選択された後、１Ｈから３Ｈ期間の間に選択されるゲート配線Ｇに接続されていることが好ましい。

　第３ＴＦＴ１３０ｕは、サブ画素電極１２４ｔにソース配線Ｓから電圧が供給された後に液晶層に印加される電圧の実効電圧が低下するように、サブ画素電極１２４ｔにソース配線Ｓから電圧が供給されて、サブ画素電極１２４ｔの電位が安定化した後、できるだけ短時間で第３ＴＦＴ１３０ｕがオンになり、サブ画素電極１２４ｔの電位を低下させることが好ましい。例えば、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートは、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するゲート配線Ｇ_nから、例えば、３水平走査期間内に選択されることが好ましい。

　また、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートと電気的に接続されるゲート配線と、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するゲート配線との間の距離が長いと、配線が複雑になり、開口率が低下することになる。このため、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートと接続するゲート配線は、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するゲート配線Ｇ_nから、例えば、１行、２行または３行離れて位置するゲート配線であることが好ましい。第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートと接続するゲート配線は、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するゲート配線Ｇ_nに隣接するゲート配線Ｇ_n+1であることがさらに好ましい。ただし、液晶表示パネルの容量設計上、サブ画素電極１２４ｔへの書き込みが行われた後のサブ画素電極１２４ｔの電位が安定化するまでの期間が１Ｈ以上必要である場合、第３ＴＦＴ１３０ｕのゲートと接続するゲート配線は、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応するゲート配線Ｇ_nから２ライン離れたゲート配線であることが好ましい。

　また、上述した説明では、サブ画素電極はほぼ矩形状であったが、本発明はこれに限定されない。サブ画素電極は切欠部の設けられた矩形状であってもよい。図１５を参照して上述したように、液晶表示装置１００Ａでは、第３ＴＦＴ１３０ｕや第１、第２延長配線ＧＥ１、ＧＥ２等の配線が設けられるため、液晶分子がこれらの配線の影響を受けるおそれがあるが、サブ画素電極に設けられた切欠部による斜め電界を発生させることにより、このＴＦＴ１３０ｕや第１、第２延長配線ＧＥ１、ＧＥ２による液晶層への電界の影響を抑制することができる。また、サブ画素電極１２４ｔがＴＦＴ１３０ｕを完全に覆った上で、サブ画素電極１２４ｔに切欠部を設けることで、ＴＦＴ１３０ｕによる液晶層１６０への電界効果を効率的に遮断することができる。また、この切欠部はＴＦＴ１３０ｓ、１３０ｔに対応して第１、第２サブ画素電極１２４ｓ、１２４ｔごとに設けられていることが好ましい。

　なお、図１に示した位相差板１２９、１４９として光学異方性が負の位相差板が用いられてもよく、また、この位相差板は、光軸が２軸の位相差板であってもよい。また、図１では、液晶層１６０を挟むように設けられた２枚の位相差板１２９、１４９が示されているが、位相差板は一枚であってもよい。

　なお、本実施形態の液晶表示装置１００～１００Ｃおよび比較例の液晶表示装置７００に等しい入力信号を入力した場合、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける赤および緑画素の明サブ画素および暗サブ画素の輝度は液晶表示装置７００と等しい。一方、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける青画素の明サブ画素の輝度は液晶表示装置７００と等しいが、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける青画素の暗サブ画素の輝度は液晶表示装置７００とは異なる。具体的には、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける青画素の暗サブ画素の輝度は液晶表示装置７００よりも低い。この場合、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける青のカラーフィルタおよびバックライトを調整して、液晶表示装置１００～１００Ｃにおける青画素の輝度を液晶表示装置７００と等しくしてもよい。

　なお、上述した説明では、暗サブ画素の面積は明サブ画素の面積と等しかったが、本発明はこれに限定されない。暗サブ画素の面積は明サブ画素の面積よりも大きくてもよい。なお、暗サブ画素の面積は明サブ画素の面積の１倍から約４倍程度に設定され、明サブ画素と暗サブ画素の面積比率は略１：１～１：４であることが好ましい。明サブ画素と暗サブ画素の面積比率が１：１である場合、サブ画素電極１２４ｓをサブ画素電極１２４ｔと対称に設計すればよい。この場合、配線の設計を簡便にできるとともに、無駄になる空間が少なく比較的大きな開口率を実現できる。

　明サブ画素と暗サブ画素との面積比率の差が大きくなるほど、複雑な設計が必要となり、無駄になる空間が多くなり、開口率が小さくなる。一方、一般に、階調レベルが低いほど、正面からの表示特性と斜め方向からの表示特性とのずれが大きいが、明サブ画素の面積が暗サブ画素の面積よりも小さいほど、その改善効果は大きい。具体的には、液晶表示パネルのガンマ特性が２程度である場合、明サブ画素と暗サブ画素との面積比が１：１であれば、２５５階調表記における階調レベル０－１９２程度にわたって比較的緩やかに視野角特性が改善される。一方、明サブ画素と暗サブ画素との面積比が１：３の場合、２５５階調表記における階調レベル０－１２８の範囲で視野角特性が比較的強く改善される。一般的に低階調レベルにおける表示特性のずれが認識されやすいこと、および、量産性を考慮すると、明サブ画素と暗サブ画素との面積比は１：２～１：３程度であることが好ましい。

　なお、上述した説明では、液晶表示装置１００～１００Ｃはノーマリーブラックであったが、本発明はこれに限定されない。液晶表示装置はノーマリーホワイトであってもよい。なお、液晶表示装置がノーマリーホワイトである場合、図９Ｂを参照して上述したように、青画素Ｂの第２サブ画素Ｂｂに対応するサブ画素電極１２４ｂの電位が対向電極１４４の電位に近づくように低下すると、第２サブ画素Ｂｂが明サブ画素となる。この場合、色ずれの抑制が行われるものの、コントラストが低下することがある。このため、液晶表示装置はノーマリーブラックであることが好ましい。

　また、上述した説明では、入力信号における赤、緑および青画素の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、青画素の最高輝度に対する２つのサブ画素の輝度の差の割合を赤画素および緑画素の最高輝度に対する２つのサブ画素の輝度の差の割合よりも大きくなるように構成したが、本発明はこれに限定されない。

　例えば、液晶層に印加する電圧を低減させて消費電力の低減を図るために、あるいは、液晶容量を小さくするために、パネルギャップを通常よりも大きく設定する場合、青画素および緑画素ではΔｎｄ＞半波長、赤画素ではΔｎｄ＜半波長となり、赤画素の視野角特性は青画素および緑画素の視野角特性とは異なり、斜めから見た場合、赤－シアンの方向に色ずれが生じることがある。この場合、赤画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合が緑画素および青画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合よりも大きくなるように構成してもよい。

　あるいは、緑画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合を赤画素および青画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合よりも大きくなるように構成してもよい。なお、図８を参照して上述した比較例の液晶表示装置７００のように、青画素の視野角特性が赤画素および緑画素の視野角特性とは異なる場合、青画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合を赤画素および緑画素の最高輝度に対するサブ画素の輝度の差の割合よりも大きくすることが好ましい。

　（実施形態２）
　上述した説明では、明サブ画素および暗サブ画素が市松模様に配列されていたが、本発明はこれに限定されない。

　以下、図２０を参照して、本発明による液晶表示装置の第２実施形態を説明する。本実施形態の液晶表示装置１００Ｄは、暗サブ画素の２つの領域が明サブ画素を挟むように設けられている点を除いて上述した液晶表示装置と同様の構成を有しており、冗長を避けるために重複する説明を省略する。

　図２０に、液晶表示装置１００Ｄにおける背面基板１２０の模式的な平面図を示す。液晶表示装置１００Ｄでも、ゲート配線Ｇおよびソース配線Ｓがマトリクス状に配置されており、補助容量配線ＣＳがゲート配線Ｇと平行に配置されている。なお、補助容量配線ＣＳは、列方向に隣接する２行の画素のうちの一方の明サブ画素および他方の暗サブ画素と対応するように設けられている。また、各ゲート配線Ｇからは延長配線ＧＥが延びている。

　なお、赤画素および緑画素はＴＦＴ１３０ｕが設けられていない点を除いて青画素と同様の構成を有している。このため、ここではその説明を省略する。

　液晶表示装置１００Ｄでも、青画素の暗サブ画素Ｂｔに対応してＴＦＴ１３０ｕが設けられており、ＴＦＴ１３０ｕのソースは絶縁層を介してサブ画素電極１２４ｔと重なっており、ＴＦＴ１３０ｕのソースはサブ画素電極１２４ｔと容量結合を形成している。また、液晶表示装置１００Ｄでは、第３ＴＦＴ１３０ｕに対応する暗サブ画素は一直線状に配置されおり、ゲート配線Ｇ_nと第３ＴＦＴ１３０ｕとを接続する延長配線は１つである。

　青画素の暗サブ画素Ｂｔは第１領域Ｂｔ１および第２領域Ｂｔ２を有しており、第１領域Ｂｔ１および第２領域Ｂｔ２は明サブ画素Ｂｓを挟むように設けられている。青画素のサブ画素電極１２４ｔは、第１領域Ｂｔ１に対応する電極１２４ｔ１と、第２領域Ｂｔ２に対応する電極１２４ｔ２とを有している。ＴＦＴ１３０ｔのドレインは電極１２４ｔ１と電気的に接続されており、電極１２４ｔ１は電極１２４ｔ２と連結部材１２４ｃを介して電気的に接続されている。なお、連結部材１２４ｃの抵抗率は低く、電極１２４ｔ１は電極１２４ｔ２とほぼ等電位であってもよい。

　あるいは、連結部材１２４ｃは、サブ画素電極の抵抗よりも高いことが好ましい。例えば、連結部材１２４ｃの材料はサブ画素電極の材料（例えば、ＩＴＯ）よりも高抵抗であってもよい。あるいは、連結部材１２４ｃの幅や厚さを電極１２４ｔ１、１２４ｔ２と変えることにより、高い抵抗率を有していてもよい。これにより、連結部材１２４ｃにおいて電圧降下が起こるため、電極１２４ｔ２の電圧は電極１２４ｔ１よりも低くなり、領域Ｂｔ２の輝度は領域Ｂｔ１の輝度よりも低くなる。このように、暗サブ画素の輝度の低下を促進することでき、さらなる視野角改善効果を得ることができる。

　ここで、図２１を参照して入力信号において２行のカラー画素が白を表示する場合の液晶表示装置の輝度を説明する。

　図２１（ａ）に、従来の液晶表示装置の模式図を示す。従来の液晶表示装置では、２行のカラー画素に含まれる赤、緑および青画素がそれぞれ点灯している。

　また、図２１（ｂ）に、上述した液晶表示装置１００Ａの模式図を示す。ここで、液晶表示装置１００Ａでは、各画素において明サブ画素および暗サブ画素の面積比は１：２であり、ここでは、低階調部分の視野角特性の改善を効率的に行うために、暗サブ画素の面積を明サブ画素の面積よりも大きくしている。液晶表示装置１００Ａでは、明サブ画素と暗サブ画素とが市松模様に配列されているため、入力信号においてｘ方向に延びた１本の直線を示す場合でも、液晶表示パネルでは、明サブ画素が分散して配置されているため、線の周りにもやが発生しているように見えたり、２本の点線のように見えてしまい、表示品位が低下することがある。

　図２１（ｃ）に、本実施形態の液晶表示装置１００Ｄの模式図を示す。液晶表示装置１００Ｄでも各画素における明サブ画素および暗サブ画素の面積比は１：２である。液晶表示装置１００Ｄでは、明サブ画素がそれぞれ直線上に配置されているため、一般的な直線に見える。このように、本実施形態の液晶表示装置１００Ｄでは、表示品位の低下を抑制することができる。

　ただし、液晶表示装置１００Ｄでは、液晶表示装置１００Ａと比べて配線が複雑になるため、量産性が低下することがある。このため、明サブ画素および暗サブ画素を市松模様に配列するか、または、暗サブ画素の分割を行うかは、液晶表示装置の用途、解像度および輝度等を考慮して適宜選択すればよい。例えば、液晶表示装置をハイビジョンのテレビジョンセットとして用いる場合、明サブ画素と暗サブ画素との面積比が１：３以上であるときサブ画素を分割して設計することが好ましく、明サブ画素の面積の比率がこれより大きいときには明サブ画素および暗サブ画素を市松模様に配列することが好ましい。あるいは、より近い場所から観察されるＰＣモニターとして液晶表示装置を用いる場合、明サブ画素と暗サブ画素との面積比が１：１．５倍程度であるときにはサブ画素の分割構造を採用することが好ましく、明サブ画素の面積の比率がこれより大きいときには明サブ画素および暗サブ画素を市松模様に配列することが好ましい。

　（実施形態３）
　上述した説明では、１つの画素に属する２つのサブ画素電極には、共通のソース配線Ｓから電圧が供給されたが、本発明はこれに限定されない。２つのサブ画素電極には、異なるソース配線Ｓから電圧が供給されてもよい。

　以下、図２２を参照して、本発明による液晶表示装置の第３実施形態を説明する。本実施形態の液晶表示装置１００Ｅは、各画素に属する２つのサブ画素電極には異なるソース配線Ｓから電圧が供給される点、および、第３ＴＦＴが設けられていない点を除いて、上述した液晶表示装置１００Ａと同様の構成を有しており、冗長を避けるために、重複する説明を省略する。

　液晶表示装置１００Ｅにおいて、青画素Ｂは、２つのサブ画素ＢａおよびＢｂを有しており、サブ画素Ｂａ、Ｂｂに対応するサブ画素電極２２４ａ、２２４ｂには、それぞれＴＦＴ２３０ａ、２３０ｂが接続されている。ＴＦＴ２３０ａ、２３０ｂのゲートはゲート配線Ｇａｔｅに接続され、ＴＦＴ２３０ａ、２３０ｂのソースは異なるソース配線Ｓ１、Ｓ２に接続されている。このため、ＴＦＴ２３０ａ、２３０ｂがオンのときにソース配線Ｓａ、Ｓｂを介してサブ画素電極２２４ａ、２２４ｂに電圧が供給され、第３ＴＦＴを設けなくても第１サブ画素Ｂａの輝度は第２サブ画素Ｂｂの輝度と異なり得る。なお、赤画素Ｒおよび緑画素Ｇも同様の構成を有している。

　なお、液晶表示装置１００Ｅでは、上述した液晶表示装置１００～１００Ｄとは異なり、サブ画素電極２２４ａ、２２４ｂの電圧を設定する自由度が高いため、サブ画素単位として輝度の調整を比較的自由に行うことができる。液晶表示装置１００Ｅでは、赤画素、緑画素および青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合でも、青画素Ｂの最高輝度に対する暗サブ画素Ｂｔの輝度の割合を赤および緑画素Ｒ、Ｇの最高輝度に対する暗サブ画素Ｒｔ、Ｇｔの輝度の割合よりも低くすることにより、赤画素Ｒ、緑画素Ｇ、青画素Ｂの明サブ画素Ｒｓ、Ｇｓ、Ｂｓおよび暗サブ画素Ｒｔ、Ｇｔの輝度を変化させることなく、青画素Ｂの暗サブ画素Ｂｔの輝度を低下させることができる。したがって、青画素の視野角特性を赤および緑画素の視野角特性と略等しくなるように、青画素のサブ画素の輝度の設定を赤および緑画素のサブ画素の輝度の設定とは異ならせることにより、視野角特性のさらなる改善が行われる。ただし、液晶表示装置１００Ｅでは、１列のサブ画素に対して２本のソース配線を設けており、ソース駆動回路（図示せず）は１つの画素に対して２つの異なる信号処理を行う必要がある。

　なお、上述した説明では、液晶表示装置１００～１００Ｅは、ＶＡモードであったが、本発明はこれに限定されない。液晶表示装置はＩＰＳモードであってもよく、あるいは、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｅｎｄ）モードであってもよい。ＯＣＢモードである場合、高速応答を利用した時間分割方式で駆動してもよい。

　なお、ＶＡモードの液晶表示装置の視野角特性は充分ではないことがあるため、液晶表示装置１００～１００ＥがＶＡモードである場合、色ずれの改善効果が大きい。ＶＡモードの液晶表示装置１００～１００Ｅは、負の誘電異方性を有する液晶分子が電圧無印加状態において配向膜の主面に対してほぼ垂直方向に配向しており、液晶層１６０に電圧を印加すると、液晶分子１６２は４方向または８方向に分割して傾斜配向する。このようなＶＡモードは、配向規制手段に応じてさらにＭＶＡモード、ＰＶＡモードに分類される。

　なお、図１２を参照して上述したＣＳ電圧発生回路３５０は、ハードウェアによって実現できるほか、これらの一部又は全部をソフトウェアによって実現することもできる。上記各機能ブロックをソフトウェアによって実現する場合、コンピュータを用いてＣＳ電圧発生回路３５０を構成すればよい。このコンピュータは、各種プログラムを実行するためのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）や、それらのプログラムを実行するためのワークエリアとして機能するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）などを備えるものである。そして、上記各機能ブロックを実現するためのＣＳ電圧プログラムを上記コンピュータにおいて実行し、上記コンピュータを上記各機能ブロックとして動作させる。

　ＣＳ電圧プログラムは、そのプログラムを記録した記録媒体から上記コンピュータに供給されてもよく、通信ネットワークを介してコンピュータに供給されてもよい。ＣＳ電圧プログラムを記録する記録媒体は、上記コンピュータと分離可能に構成してもよく、上記コンピュータに組み込むようになっていてもよい。この記録媒体は、記録したプログラムコードをコンピュータが直接読み取ることができるようにコンピュータに装着されるものであっても、外部記憶装置としてコンピュータに接続されたプログラム読み取り装置を介して読み取ることができるように装着されるものであってもよい。

　上記記録媒体としては、例えば、磁気テープやカセットテープ等のテープ系、フレキシブルディスク／ハードディスク等の磁気ディスクやＣＤ－ＲＯＭ／ＭＯ／ＭＤ／ＤＶＤ／ＣＤ－Ｒ等の光ディスクを含むディスク系、ＩＣカード（メモリカードを含む）／光カード等のカード系、あるいはマスクＲＯＭ／ＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）／ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｅｒａｓａｂｌｅ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｒｅａｄ　Ｏｎｌｙ　Ｍｅｍｏｒｙ）／フラッシュＲＯＭ等の半導体メモリ系などを用いることができる。

　通信ネットワークを介して上記ＣＳ電圧プログラムを供給する場合、上記ＣＳ電圧プログラムは、そのプログラムコードが電子的な伝送で具現化された搬送波あるいはデータ信号列の形態をとる。

　なお、参考のために、本願の基礎出願である特願２００９－１４０５９９号の開示内容を本明細書に援用する。

　１００　液晶表示装置
　１２０　背面基板
　１４０　前面基板
　１６０　液晶層

Claims

　赤画素と、緑画素と、青画素とを含む複数の画素を備える液晶表示装置であって、
　前記複数の画素のそれぞれは、第１サブ画素および第２サブ画素を含む複数のサブ画素を有しており、
　前記赤画素、前記緑画素および前記青画素に対応する入力信号の階調レベルがあるレベルで互いに等しい場合、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のうちの１つの画素の最高輝度に対する前記第１サブ画素の輝度と前記第２サブ画素の輝度との差の割合は、他の２つの画素のそれぞれの最高輝度に対する前記第１サブ画素の輝度と前記第２サブ画素の輝度との差の割合よりも大きい、液晶表示装置。
　前記他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが第１階調レベルである場合、前記他の２つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記他の２つの画素の前記第２サブ画素の輝度とそれぞれ異なり、前記他の２つの画素に対応する入力信号の階調レベルが前記第１階調レベルとは異なる第２階調レベルである場合、前記他の２つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記他の２つの画素の前記第２サブ画素の輝度とそれぞれほぼ等しく、
　前記１つの画素に対応する入力信号の階調レベルが任意の階調レベルである場合、前記１つの画素の前記第１サブ画素の輝度は前記１つの画素の前記第２サブ画素の輝度と異なる、請求項１に記載の液晶表示装置。
　前記複数の画素は複数の行および複数の列のマトリクス状に設けられており、
　前記複数の画素のそれぞれにおいて前記第１サブ画素および前記第２サブ画素は列方向に配列されており、
　任意の行において各画素の第１サブ画素および第２サブ画素は、それぞれ行方向に配列されており、
　前記複数の画素のそれぞれにおいて前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの高い輝度を呈し得るサブ画素を明サブ画素、低い輝度を呈し得るサブ画素を暗サブ画素と呼ぶと、行方向および列方向の少なくとも一方の方向に沿って前記明サブ画素および前記暗サブ画素は交互に設けられている、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
　前記明サブ画素と前記暗サブ画素との面積比率は略１：１～１：４である、請求項３に記載の液晶表示装置。
　前記１つの画素は前記青画素である、請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶表示装置は、背面基板と、前面基板と、前記背面基板と前記前面基板との間に設けられた液晶層とを備えており、
　前記背面基板は、
　　第１絶縁基板と、
　　前記複数の画素のそれぞれに対応する複数の画素電極であって、前記複数の画素電極のそれぞれは、前記複数のサブ画素に対応して互いに分離された電極を有する、複数の画素電極と、
　　複数の薄膜トランジスタと、
　　複数のゲート配線と、
　　複数のソース配線と、
　　複数の補助容量配線と
を有しており、
　前記前面基板は、第２絶縁基板と、前記複数の画素電極と対向する対向電極とを有しており、
　前記複数の薄膜トランジスタは、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素にそれぞれ対応する第１薄膜トランジスタおよび第２薄膜トランジスタを含んでいる、請求項５に記載の液晶表示装置。
　前記複数の薄膜トランジスタは、前記青画素の前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの一方のサブ画素に対応する第３薄膜トランジスタをさらに含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
　前記青画素の前記第１サブ画素および前記第２サブ画素のうちの前記一方のサブ画素の輝度は他方のサブ画素の輝度よりも低い、請求項７に記載の液晶表示装置。
　前記第１薄膜トランジスタのそれぞれは、前記複数のゲート配線のうちの１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、
　前記第２薄膜トランジスタのそれぞれは、前記１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第２サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、
　前記第３薄膜トランジスタは、前記複数のゲート配線のうちの別のゲート配線と電気的に接続されたゲートと、ソースと、前記青画素の前記一方のサブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、
　前記第３薄膜トランジスタの前記ソースまたは前記ソースと電気的に接続された電極は、前記青画素に対応する前記画素電極、前記ゲート配線、前記青画素に対応するソース配線、前記補助容量配線および前記対向電極のうちの少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線と修正補助容量を形成する、請求項７または８に記載の液晶表示装置。
　前記第３薄膜トランジスタの前記ソースまたは前記ソースと電気的に接続された電極は、前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線と重なる、請求項９に記載の液晶表示装置。
　前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記対向電極または前記対向電極に電気的に接続された配線を含む、請求項９または１０に記載の液晶表示装置。
　前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記青画素の前記第２薄膜トランジスタの前記ドレインまたは前記ドレインに電気的に接続された配線を含む、請求項９または１０に記載の液晶表示装置。
　前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は前記対応するソース配線を含む、請求項９または１０に記載の液晶表示装置。
　前記少なくとも１つの導電部材または前記少なくとも１つの導電部材と電気的に接続された配線は、前記１つのゲート配線または前記１つのゲート配線に電気的に接続された配線を含む、請求項９または１０に記載の液晶表示装置。
　前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうちの前記青画素に対応するゲート配線とは異なるゲート配線に電気的に接続されている、請求項９から１４のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうちの前記青画素に対応するゲート配線から１行、２行または３行離れたゲート配線に電気的に接続されている、請求項９から１５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第３薄膜トランジスタの前記ゲートは、前記複数のゲート配線のうち、前記青画素に対応するゲート配線が選択されてから３水平走査期間内に選択されるゲート配線に電気的に接続されている、請求項９から１６のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記複数の補助容量配線のうち隣接する補助容量配線は、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素に対応しており、
　前記複数の補助容量配線のうち隣接する補助容量配線には異なる電圧が印加されており、
　前記隣接する補助容量配線の電圧は、２×Ｎ×水平走査期間の周期を持つ矩形波を含む（Ｎは１以上の整数である）、請求項９から１７のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記Ｎは４以上１２以下の整数である、請求項１８に記載の液晶表示装置。
　前記隣接する補助容量配線に印加される電圧のうちの一方の位相は、他方の位相に対して、水平走査期間の（Ｎ＋１）倍の時間遅れている、請求項１８または１９に記載の液晶表示装置。
　前記背面基板は、それぞれが、前記複数の補助容量配線のうちのいくつかと電気的に接続された複数の補助容量幹線をさらに備え、
　前記複数の補助容量配線には２×Ｎ種類の電圧が印加され、同一種類の補助容量配線は同一の補助容量幹線に接続されている、請求項１８から２０のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記補助容量配線の電圧は、非表示期間および表示期間の両方の期間において、同一周期で振動する、請求項９から２１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記補助容量配線の電圧の非表示期間の周期は、前記補助容量配線の電圧の表示期間の周期よりも長く、前記補助容量配線の前記非表示期間において、それぞれの電位を示す期間が略等分されている、請求項９から２１のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記補助容量配線の電圧の位相は１垂直期間毎に反転する、請求項９から２３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶表示装置の垂直走査期間は、前記補助容量配線の電圧の周期の略（Ｍ＋０．５）倍に設定されている（Ｍは０以上の整数）、請求項９から２４のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記補助容量配線の電圧が変化するタイミングは、水平走査期間の２倍から（補助容量電極の電圧の半周期－２×水平走査期間）の間に設定されている、請求項９から２５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１薄膜トランジスタおよび前記第２薄膜トランジスタが非選択になった後に前記補助容量配線の電圧が最初に変化するのは、前記第３薄膜トランジスタが選択された後である、請求項９から２６のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記複数のソース配線は、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素および前記第２サブ画素に対応するソース配線を含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
　前記第１薄膜トランジスタのそれぞれは、前記複数のゲート配線のうちの１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第１サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有しており、
　前記第２薄膜トランジスタのそれぞれは、前記１つのゲート配線と電気的に接続されたゲートと、前記複数のソース配線のうちの前記赤画素、前記緑画素または前記青画素に対応するソース配線と電気的に接続されたソースと、前記赤画素、前記緑画素および前記青画素のそれぞれの前記第２サブ画素に対応する電極に電気的に接続されたドレインとを有している、請求項２８に記載の液晶表示装置。
　前記液晶層は垂直配向型であり、
　前記液晶層は負の誘電異方性を有する液晶分子を含んでおり、
　前記複数のサブ画素のそれぞれにおいて、４または８の液晶ドメインが形成される、請求項６から２９のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記青画素の前記第２サブ画素は、第１領域と、前記第１領域とは分離された第２領域とを有しており、
　前記青画素の前記第２サブ画素の前記第１領域と前記第２領域との間に、前記青画素の前記第１サブ画素が設けられている、請求項６から３０のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記青画素の前記第２サブ画素に対応する電極は、前記第２サブ画素の前記第１領域に対応する電極と、前記第２サブ画素の前記第２領域に対応する電極とを有しており、
　前記第２サブ画素の前記第１領域に対応する電極は前記第２サブ画素の前記第２領域に対応する電極と、前記第１領域および前記第２領域に対応する電極よりも高い抵抗の連結部材を介して電気的に接続されている、請求項３１に記載の液晶表示装置。
　前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極はそれぞれ矩形状であり、前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極のそれぞれのエッジには少なくとも１つの切欠部が設けられている、請求項６から３２のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１サブ画素に対応する電極および前記第２サブ画素に対応する電極には、前記第１薄膜トランジスタおよび前記第２薄膜トランジスタに対応して切欠部が設けられている、請求項６から３３のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板のうちの少なくとも一方に、負の位相差板が設けられている、請求項６から３４のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記第１絶縁基板および前記第２絶縁基板のうちの少なくとも一方に、２軸の位相差板が設けられている、請求項６から３５のいずれかに記載の液晶表示装置。
　前記液晶表示装置はノーマリーブラックである、請求項１から３６のいずれかに記載の液晶表示装置。