WO2010116776A1 - 弾性波フィルタ - Google Patents

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WO2010116776A1
WO2010116776A1 PCT/JP2010/051024 JP2010051024W WO2010116776A1 WO 2010116776 A1 WO2010116776 A1 WO 2010116776A1 JP 2010051024 W JP2010051024 W JP 2010051024W WO 2010116776 A1 WO2010116776 A1 WO 2010116776A1
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wave filter
elastic wave
series arm
parallel
resonance frequency
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Inventor
康政 谷口
Original Assignee
株式会社村田製作所
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6406—Filters characterised by a particular frequency characteristic
    • H03H9/6409—SAW notch filters

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave filter, and more specifically, a ladder type including a series arm resonator, a parallel arm resonator, and an inductor connected to the series arm so as to be parallel to the series arm resonator.
  • the present invention relates to an elastic wave filter.
  • Patent Document 1 a ladder type acoustic wave filter using an acoustic wave resonator has been proposed. Specifically, Patent Document 1 describes a so-called ⁇ -type ladder-type elastic wave filter.
  • FIG. 19 shows a basic circuit configuration of a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter as described in Patent Document 1.
  • a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter 100 includes a series arm 103 that connects an input terminal 101 and an output terminal 102, one series arm resonator 104, and one inductor 105 in parallel.
  • a parallel arm resonator 107 is disposed on each of the two parallel arms 106 connecting the series arm 103 and the ground potential.
  • the inductor 105 is provided in parallel to the series arm resonator 104 arranged in the series arm 103, so that low-pass filter characteristics can be obtained.
  • FIG. 20 shows a basic circuit configuration of a T-type ladder-type elastic wave filter.
  • a T-type ladder type acoustic wave filter 110 two series arm resonators 114 and 115 are connected in series in a series arm 113 connecting an input terminal 111 and an output terminal 112.
  • the parallel arm resonator 117 is disposed on the parallel arm 116 that connects the connection point between the series arm resonator 114 and the series arm resonator 115 and the ground potential.
  • an inductor 118 is connected to the series arm 113 so as to be parallel to the series arm resonators 114 and 115.
  • the ⁇ -type ladder-type elastic wave filter has a higher attenuation than the T-type ladder-type elastic wave filter. Has characteristics. Therefore, from the viewpoint of realizing high attenuation characteristics, it is more advantageous to use a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter. Therefore, a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter is often used as the trap filter.
  • the ⁇ -type ladder filter has a problem that it is difficult to reduce the size and the price.
  • the ladder-type filter is significantly increased in size and cost. There was a problem of becoming.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to provide a small acoustic wave filter having good filter characteristics.
  • the elastic wave filter according to the present invention includes a plurality of series arm resonators, an inductor, and a plurality of parallel arm resonators.
  • the plurality of series arm resonators are connected in series with each other at the series arm connecting the input terminal and the output terminal.
  • the inductor is connected to the series arm so as to be parallel to two or more series arm resonators of the plurality of series arm resonators.
  • the plurality of parallel arm resonators are arranged on a parallel arm that connects a connection point between the inductor and the series arm and the ground potential, and a parallel arm that connects a connection point between adjacent series arm resonators and the ground potential.
  • the two or more series arm resonators to which the inductors are connected in parallel are equal to or higher than the first series arm resonator and the anti-resonance frequency of the first series arm resonator.
  • a second series arm resonator having a resonance frequency.
  • the elastic wave resonator becomes L when a frequency between a resonance frequency and an anti-resonance frequency is applied, and becomes C when a frequency other than that is applied. Since one of the first and second series arm resonators is L-type and the other series arm resonator is C-type, the inductor and the first and second series arm resonators are LC A filter can be formed. Accordingly, the attenuation characteristic can be further improved.
  • the elastic wave filter is a trap filter having a plurality of stop bands
  • the resonance frequency of the first series arm resonator and the resonance frequency of the second series arm resonator are positioned in different stop bands. Therefore, a greater effect of improving the attenuation characteristics can be expected.
  • the elastic wave filter has a stop band and a pass band located on the lower side of the stop band.
  • the elastic wave filter includes a plurality of inductors. According to this configuration, a greater effect of improving the attenuation characteristics can be expected.
  • the acoustic wave filter includes a filter body in which a plurality of series arm resonators and a plurality of parallel arm resonators are formed, and a plurality of inductors are connected. These inductors are arranged point-symmetrically with respect to the center of the filter body. According to this configuration, better filter characteristics can be realized.
  • the inductor is provided in parallel with the two series arm resonators, and each of the plurality of parallel arms is provided with one parallel arm resonator. . According to this configuration, the insertion loss in the passband can be further reduced.
  • the semiconductor device further includes a plurality of ground terminal electrodes to which a plurality of parallel arms are connected, and the plurality of ground terminal electrodes are arranged point-symmetrically with respect to the center of the acoustic wave filter. ing. According to this configuration, better filter characteristics can be realized.
  • the number of resonators is larger than that of the ⁇ -type ladder type acoustic wave filter. Since the number of inductors can be reduced, the size can be reduced, and the ratio of the number of resonators to the number of inductors can be increased to achieve high filter characteristics, in particular, wide stopband and high attenuation in the stopband. can do.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave filter according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a surface acoustic wave resonator constituting a series arm resonator and a parallel arm resonator.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a surface acoustic wave resonator.
  • FIG. 4 is a graph showing attenuation characteristics of a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter and a T-type ladder-type elastic wave filter.
  • the solid line represents the attenuation characteristic of the ⁇ -type ladder-type elastic wave filter
  • the broken line represents the attenuation characteristic of the T-type ladder-type elastic wave filter.
  • FIG. 5 is a graph showing the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment and the attenuation characteristic of the ⁇ -type elastic wave filter.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the ⁇ -type elastic wave filter.
  • FIG. 6 is a graph showing the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment and the attenuation characteristic of the ⁇ -type elastic wave filter.
  • the solid line indicates the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment
  • the broken line indicates the attenuation characteristic of the ⁇ -type elastic wave filter.
  • FIG. 7 is a graph showing the attenuation characteristics of the elastic wave filter of the first embodiment and the attenuation characteristics of the elastic wave filter shown in FIG.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 8 is a graph showing the attenuation characteristics of the elastic wave filter of the first embodiment and the attenuation characteristics of the elastic wave filter shown in FIG.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 9 is a schematic diagram of a ⁇ -type acoustic wave filter connected in two stages.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of an elastic wave filter according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter connected in three stages.
  • FIG. 12 is a graph showing the attenuation characteristics of the elastic wave filter according to the second embodiment and the ⁇ -type ladder-type elastic wave filter connected in three stages.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the second embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of an acoustic wave filter according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is a schematic diagram of bandpass type acoustic wave filters connected in two stages.
  • FIG. 15 is a graph showing the attenuation characteristics of the acoustic wave filter according to the third embodiment and the acoustic wave filter shown in FIG.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the third embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • FIG. 16 is a schematic rear view of the acoustic wave filter according to the fourth embodiment.
  • FIG. 17 is a schematic rear view of an elastic wave filter according to a reference example.
  • FIG. 18 is a graph showing the attenuation characteristics of the acoustic wave filter according to the fourth embodiment and the acoustic wave filter shown in FIG. In FIG.
  • FIG. 19 is a diagram illustrating a basic circuit configuration of a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter.
  • FIG. 20 is a diagram illustrating a basic circuit configuration of a T-type ladder-type elastic wave filter.
  • an elastic wave filter as a trap filter having a terrestrial digital broadcast reception band (470 to 770 MHz) as a pass band and an RF transmission frequency band (near 800 MHz and 900 MHz) as a stop band will be described.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave filter according to the first embodiment.
  • the elastic wave filter 1 includes a plurality of series arm resonators S ⁇ b> 1 and S ⁇ b> 2 connected in series with each other in a series arm 12 that connects an input terminal 10 and an output terminal 11.
  • the series arm 12 is provided with a first series arm resonator S1 and a second series arm resonator S2.
  • the anti-resonance frequency of the first series arm resonator S1 is set to be equal to or lower than the resonance frequency of the second series arm resonator S2.
  • an inductor 13 a is connected to the series arm 12.
  • the inductor 13a is provided in parallel with the first and second series arm resonators S1 and S2.
  • the inductor 13a includes a connection point 14 between the first series arm resonator S1 and the input terminal 10, and a connection point 15 between the second series arm resonator S2 and the output terminal 11. Connected between.
  • connection point 14 between the inductor 13a and the series arm 12 and the ground potential are connected by the first parallel arm 16a.
  • a connection point 15 between the inductor 13a and the series arm 12 and the ground potential are connected by a third parallel arm 16c.
  • the connection point 17 between the first series arm resonator S1 and the second series arm resonator S2 adjacent to each other and the ground potential are connected by the second parallel arm 16b.
  • Parallel arm resonators P1 to P3 are arranged on the parallel arms 16a to 16c, respectively.
  • the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3 are constituted by elastic wave resonators. More specifically, they are connected by a surface acoustic wave resonator.
  • the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3 may be elastic wave resonators using elastic waves other than surface acoustic waves.
  • the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3 may be boundary acoustic wave resonators using boundary acoustic waves or thin film bulk acoustic wave resonators.
  • FIG. 2 shows a schematic cross-sectional view of the surface acoustic wave resonator 20 constituting the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of the surface acoustic wave resonator 20.
  • the surface acoustic wave resonator 20 is arranged on the IDT electrode 22 formed on the piezoelectric substrate 21 and on both sides of the surface acoustic wave propagation direction x of the IDT electrode 22.
  • First and second grating reflectors 23 and 24 are provided.
  • the IDT electrode 22 includes first and second comb electrodes 22 a and 22 b that are inserted into each other.
  • the piezoelectric substrate 21 can be composed of a substrate made of a piezoelectric material such as LiNbO 3 or LiTaO 3 .
  • the piezoelectric substrate 21 can be composed of, for example, a 42 ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 substrate.
  • the IDT electrode 22 and the first and second grating reflectors 23 and 24 can be formed of one or more known conductive materials.
  • the IDT electrode 22 and the first and second grating reflectors 23 and 24 can be formed of, for example, Al.
  • the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3 may be formed on the same piezoelectric substrate, or may be formed on separate piezoelectric substrates. In this embodiment, an example in which series arm resonators S1 and S2 and parallel arm resonators P1 to P3 are formed on the same piezoelectric substrate 21 will be described.
  • the piezoelectric substrate 21 on which the series arm resonators S1 and S2 and the parallel arm resonators P1 to P3 are formed is mounted face-down on an alumina substrate (not shown).
  • the piezoelectric substrate 21 mounted on the alumina substrate is sealed with a sealing resin (not shown).
  • the ladder type elastic wave filter includes a ⁇ type ladder type elastic wave filter as shown in FIG. 19 and a T type ladder type elastic wave filter as shown in FIG. Comparing the ⁇ -type ladder-type elastic wave filter and the T-type ladder-type elastic wave filter, as shown in FIG. 4, the ⁇ -type ladder-type elastic wave filter has higher attenuation characteristics. Therefore, from the viewpoint of realizing a high attenuation characteristic, it is more advantageous to use a ⁇ -type ladder type elastic wave filter.
  • the elastic wave filter 1 of the present embodiment is provided with an inductor 13a connected to the series arm 12 so as to be in parallel with the first and second series arm resonators S1 and S2. . Then, parallel arms 16a and 16c that connect the connection points 14 and 15 between the inductor 13a and the series arm 12 and the ground potential, and parallel arm resonators P1 and P3 disposed in the parallel arms 16a and 16c are provided. It has been. For this reason, only one inductor 13a exists for two series arm resonators and three parallel arm resonators. Therefore, in the acoustic wave filter 1, the number of inductors is small with respect to the number of resonators. Therefore, the elastic wave filter 1 can be reduced in size. Further, in the present embodiment, since the ratio of the number of resonators to the number of inductors is high, high filter characteristics can be realized as will be specifically described below.
  • FIGS. 5 and 6 are graphs showing the attenuation characteristics of the elastic wave filter 1 of the present embodiment and the attenuation characteristics of the ⁇ -type elastic wave filter 100 shown in FIG. 5 and 6, the solid line indicates the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the first embodiment, and the broken line indicates the attenuation characteristic of the ⁇ -type elastic wave filter.
  • the design parameters of the elastic wave filter 1 and the design parameters of the elastic wave filter 100 in FIGS. 5 and 6 are as follows.
  • First series arm resonator S1 IDT electrode wavelength: 4.7255 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7255 ⁇ m, crossover width: 57.17 ⁇ m, IDT electrode pair: 72 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.549, resonance Frequency: 830MHz, anti-resonance frequency: 859MHz
  • Second parallel arm resonator P2 IDT electrode wavelength: 4.77843 ⁇ m, reflector wavelength: 4.77843 ⁇ m, crossover width: 54.9 ⁇ m, IDT electrode pair: 65 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 819MHz, anti-resonance frequency: 848MHz
  • Second series arm resonator S2 IDT electrode wavelength: 4.2941 ⁇ m, reflector wavelength: 4.294 ⁇ m, cross width: 50.98 ⁇ m, IDT electrode pair: 96 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.669, resonance Frequency: 904MHz, anti-resonance frequency: 936MHz
  • Third parallel arm resonator P3 IDT electrode wavelength: 4.2001 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2001 ⁇ m, crossover width: 54.9 ⁇ m, IDT electrode pair: 87 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 922MHz, anti-resonance frequency: 956MHz Inductor 13a: 7.8 nH
  • Design parameters of acoustic wave filter 100 First parallel arm resonator 107a: IDT electrode wavelength: 4.7353 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7353 ⁇ m, crossover width: 40.24 ⁇ m, IDT electrode pair: 90 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 827MHz, anti-resonance frequency: 857MHz
  • Series arm resonator 104 IDT electrode wavelength: 4.0784 ⁇ m, reflector wavelength: 4.0784 ⁇ m, crossover width: 60.71 ⁇ m, IDT electrode pair: 58 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 946 MHz, anti-resonance frequency: 980 MHz
  • Second parallel arm resonator 107b IDT electrode wavelength: 4.3039 ⁇ m, reflector wavelength: 4.3039 ⁇ m, cross width: 97.41 ⁇ m, IDT electrode pair: 55 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 904MHz, anti-resonance frequency: 936MHz Inductor 105: 6.4 nH
  • FIG. 7 and 8 show the attenuation characteristics of the elastic wave filter 1 and the attenuation characteristics of the ⁇ -type elastic wave filter 300 connected in two stages shown in FIG. 7 and 8, the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter 1 of the first embodiment, and the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • the design parameters of the elastic wave filter 1 in FIG. 7 are the same as the design parameters.
  • the design parameters of the elastic wave filter 300 shown in FIG. 9 are as follows.
  • Design parameters of acoustic wave filter 300 First parallel arm resonator 107a: IDT electrode wavelength: 4.2353 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2353 ⁇ m, crossover width: 40 ⁇ m, IDT electrode pair: 90 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance frequency: 915 MHz, anti-resonance frequency: 949 MHz
  • First series arm resonator 104a IDT electrode wavelength: 4.6351 ⁇ m, reflector wavelength: 4.6351 ⁇ m, cross width: 60.78 ⁇ m, IDT electrode pair: 104 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 844MHz, anti-resonance frequency: 875MHz
  • Second parallel arm resonator 107b IDT electrode wavelength: 4.7353 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7353 ⁇ m, cross width: 45.49 ⁇ m, IDT electrode pair: 60 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 826MHz, anti-resonance frequency: 856MHz
  • Second series arm resonator 104b IDT electrode wavelength: 4.2059 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2059 ⁇ m, crossover width: 75.69 ⁇ m, IDT electrode pair: 61 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 922MHz, anti-resonance frequency: 955MHz
  • Third parallel arm resonator 107c IDT electrode wavelength: 4.2059 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2059 ⁇ m, cross width: 41.18 ⁇ m, IDT electrode pair: 100 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 921 MHz, anti-resonance frequency: 954 MHz Inductor 105a: 3.2 nH Inductor 105b: 4.5 nH
  • a wide pass band is formed by forming a low-pass filter by the inductor 13a and the C components of the parallel arm resonators P1 to P3.
  • the In the pass band two stop bands are formed by the resonance points of the parallel arm resonators P1 to P3.
  • the anti-resonance frequency of the first series arm resonator S1 is set to be equal to or lower than the resonance frequency of the second series arm resonator S2. For this reason, one of the first and second series arm resonators S1 and S2 has the L-type and the other series arm resonator has the C-type.
  • an LC filter having two attenuation poles can be formed by the inductor 13a and the first and second series arm resonators S1 and S2, and by arranging the two attenuation poles in the two stop bands, The damping characteristics can be further improved. Therefore, this embodiment has a larger attenuation in the stop band and a wider stop band than the conventional one-stage ⁇ -type elastic wave filter.
  • the elastic wave filter 1 of the present embodiment is substantially the same although the number of inductors is smaller than that of the conventional two-stage connected ⁇ -type elastic wave filter. It can be seen that attenuation characteristics can be obtained.
  • FIG. 10 is a schematic diagram of an elastic wave filter 2 according to the second embodiment.
  • the elastic wave filter 2 of the present embodiment is obtained by further connecting a ⁇ -type ladder filter unit to the subsequent stage of the elastic wave filter of the first embodiment.
  • the acoustic wave filter 2 includes first to third series arm resonators S1 to S3 connected in series to each other in the series arm 12. Between the connection point 14 between the first series arm resonator S1 and the input terminal 10 and the connection point 15 between the second series arm resonator S2 and the third series arm resonator S3.
  • the inductor 13a is connected.
  • An inductor 13b is connected between the connection point 15 and the connection point 18 between the third series arm resonator S3 and the output terminal 11.
  • the connection points 14, 17, 15, 18 and the ground potential are connected by first to fourth parallel arms 16a to 16d.
  • Parallel arm resonators P1 to P4 are disposed on the first to fourth parallel arms 16a to 16d, respectively.
  • the anti-resonance frequency of the first series arm resonator S1 is set to be equal to or lower than the resonance frequency of the second series arm resonator S2, as in the first embodiment.
  • FIG. 12 shows the attenuation characteristics of the elastic wave filter 2 of the present embodiment.
  • the attenuation characteristics of a ⁇ -type ladder-type elastic wave filter 400 connected in three stages are also shown in FIG.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the second embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • the design parameters of the elastic wave filter 2 and the design parameters of the elastic wave filter 400 are as follows.
  • First series arm resonator S1 IDT electrode wavelength: 4.6916 ⁇ m, reflector wavelength: 4.6696 ⁇ m, cross width: 40.39 ⁇ m, IDT electrode pair: 101 pair, reflector pair: 1.5 pair, duty: 0.569, resonance Frequency: 829MHz, anti-resonance frequency: 859MHz
  • Second parallel arm resonator P2 IDT electrode wavelength: 4.7255 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7255 ⁇ m, crossover width: 47.06 ⁇ m, IDT electrode pair: 115 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 828MHz, anti-resonance frequency: 857MHz
  • Second series arm resonator S2 IDT electrode wavelength: 4.2251 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2251 ⁇ m, crossover width: 72.55 ⁇ m, IDT electrode pair: 66 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.539, resonance Frequency: 920MHz, anti-resonance frequency: 953MHz
  • Third parallel arm resonator P3 IDT electrode wavelength: 4.2743 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2743 ⁇ m, crossover width: 69.02 ⁇ m, IDT electrode pair: 75 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 908MHz, anti-resonance frequency: 941MHz
  • Third series arm resonator S3 IDT electrode wavelength: 4.1176 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1176 ⁇ m, cross width: 102.35 ⁇ m, IDT electrode pair: 21 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 936 MHz, anti-resonance frequency: 967 MHz
  • Fourth parallel arm resonator P4 IDT electrode wavelength: 4.1863 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1863 ⁇ m, cross width: 67.84 ⁇ m, IDT electrode pair: 53 pairs, reflector pair: 3.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 922MHz, anti-resonance frequency: 956MHz Inductor 13a: 7.2 nH Inductor 13b: 7.1 nH
  • Design parameters of acoustic wave filter 400 First parallel arm resonator 107a: IDT electrode wavelength: 4.2647 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2647 ⁇ m, crossover width: 40.78 ⁇ m, IDT electrode pair: 66 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 909MHz, anti-resonance frequency: 942MHz
  • First series arm resonator 104a IDT electrode wavelength: 4.6471 ⁇ m, reflector wavelength: 4.6471 ⁇ m, crossover width: 55.69 ⁇ m, IDT electrode pair: 104 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 842MHz, anti-resonance frequency: 873MHz
  • Second parallel arm resonator 107b IDT electrode wavelength: 4.7353 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7353 ⁇ m, crossover width: 40 ⁇ m, IDT electrode pair: 94 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance frequency: 827 MHz, anti-resonance frequency: 857 MHz
  • Second series arm resonator 104b IDT electrode wavelength: 4.2255 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2255 ⁇ m, crossover width: 70.2 ⁇ m, IDT electrode pair: 62 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 919MHz, anti-resonance frequency: 951MHz
  • Third parallel arm resonator 107c IDT electrode wavelength: 4.2549 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2549 ⁇ m, cross width: 58.04 ⁇ m, IDT electrode pair: 94 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 912MHz, anti-resonance frequency: 945MHz
  • Third series arm resonator 104c IDT electrode wavelength: 4.1373 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1373 ⁇ m, crossover width: 49.41 ⁇ m, IDT electrode pair: 58 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 934 MHz, anti-resonance frequency: 967 MHz
  • Fourth parallel arm resonator 107d IDT electrode wavelength: 4.1667 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1667 ⁇ m, crossover width: 54.9 ⁇ m, IDT electrode pair: 52 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 926MHz, anti-resonance frequency: 960MHz Inductor 105a: 3.6 nH Inductor 105b: 4.8 nH Inductor 105c: 4.6 nH
  • the elastic wave filter 2 of the present embodiment has a smaller number of inductors than the elastic wave filter 400 connected in three stages, and the elastic wave filter 2 of the present embodiment It can be seen that it has an attenuation characteristic equal to or higher than that of the acoustic wave filter 400 connected in three stages.
  • FIG. 13 is a schematic schematic view of the acoustic wave filter 4 according to the third embodiment.
  • the elastic wave filter 4 of this embodiment is one in which the elastic wave filter 1 according to the first embodiment is connected in two stages. Specifically, in the acoustic wave filter 4, first to fourth series arm resonators S 1 to S 4 connected in series with each other are arranged in the series arm 12. Between the connection point 14 between the first series arm resonator S1 and the input terminal 10 and the connection point 15 between the second series arm resonator S2 and the third series arm resonator S3. The inductor 13a is connected.
  • An inductor 13 c is connected between the connection point 15 and the connection point 8 between the fourth series arm resonator S 4 and the output terminal 11. Between the connection points 14, 15, 8, 9 and the ground potential, between the connection point 17 between the first series arm resonator S1 and the second series arm resonator S2 and the ground potential, and The first to fifth parallel arms 16a to 16e are connected between a connection point 9 between the third series arm resonator S3 and the fourth series arm resonator S4 and the ground potential. First to fifth parallel arm resonators P1 to P5 are arranged on the first to fifth parallel arms 16a to 16e.
  • the elastic wave filter 4 of the present embodiment has two stop bands, and the two stop bands are located on the high band side of the pass band.
  • the anti-resonance frequency of the first series arm resonator S1 is set to be equal to or lower than the resonance frequency of the second series arm resonator S2, as in the first embodiment.
  • the anti-resonance frequency of the third series arm resonator S3 is set to be equal to or lower than the resonance frequency of the fourth series arm resonator S4.
  • FIG. 15 shows the attenuation characteristics of the elastic wave filter 3 of the present embodiment.
  • FIG. 15 also shows the attenuation characteristics of the bandpass elastic wave filter 600 shown in FIG.
  • the solid line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter 4 of the third embodiment
  • the broken line shows the attenuation characteristic of the elastic wave filter 600 shown in FIG.
  • the design parameters of the elastic wave filter 4 and the design parameters of the elastic wave filter 600 are as follows.
  • Design parameters of acoustic wave filter 4 First parallel arm resonator P1: IDT electrode wavelength: 4.2785 ⁇ m, reflector wavelength: 4.2785 ⁇ m, crossover width: 57.88 ⁇ m, IDT electrode pair: 70 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 905MHz, anti-resonance frequency: 939MHz
  • First series arm resonator S1 IDT electrode wavelength: 4.7431 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7431 ⁇ m, crossover width: 85.88 ⁇ m, IDT electrode pair: 109 pairs, reflector pair: 1.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 826MHz, anti-resonance frequency: 857MHz
  • Second parallel arm resonator P2 IDT electrode wavelength: 4.7823 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7823 ⁇ m, crossover width: 42.59 ⁇ m, IDT electrode pair: 53 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 819MHz, anti-resonance frequency: 848MHz
  • Second series arm resonator S2 IDT electrode wavelength: 4.1765 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1765 ⁇ m, crossover width: 80.24 ⁇ m, IDT electrode pair: 60 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.619, resonance Frequency: 926MHz, anti-resonance frequency: 960MHz
  • Third parallel arm resonator P3 IDT electrode wavelength: 4.1765 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1765 ⁇ m, crossover width: 81.88 ⁇ m, IDT electrode pair: 85 pairs, reflector pair: 3.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 924MHz, anti-resonance frequency: 960MHz
  • Third series arm resonator S3 IDT electrode wavelength: 4.7039 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7039 ⁇ m, cross width: 72.42 ⁇ m, IDT electrode pair: 95 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 832MHz, anti-resonance frequency: 862MHz
  • Fourth parallel arm resonator P4 IDT electrode wavelength: 4.8117 ⁇ m, reflector wavelength: 4.8117 ⁇ m, crossover width: 81.41 ⁇ m, IDT electrode pair: 33 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.569, resonance Frequency: 814MHz, anti-resonance frequency: 842MHz
  • Fourth series arm resonator S4 IDT electrode wavelength: 4.1765 ⁇ m, reflector wavelength: 4.1765 ⁇ m, crossover width: 65.18 ⁇ m, IDT electrode pair: 72 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.619, resonance Frequency: 926MHz, anti-resonance frequency: 960MHz
  • Design parameters of acoustic wave filter 600 First parallel arm resonator 601: IDT electrode wavelength: 4.6863 ⁇ m, reflector wavelength: 4.6863 ⁇ m, cross width: 69.16 ⁇ m, IDT electrode pair: 49 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.385
  • Second parallel arm resonator 602 IDT electrode wavelength: 5.2647 ⁇ m, reflector wavelength: 5.2647 ⁇ m, crossover width: 45 ⁇ m, IDT electrode pair: 39 pairs, reflector pair: 3.5 pairs, duty: 0.385
  • First series arm resonator 603 IDT electrode wavelength: 5.6667 ⁇ m, reflector wavelength: 5.6667 ⁇ m, cross width: 82.8 ⁇ m, IDT electrode pair: 105 pairs, reflector pair: 1.5 pairs, duty: 0.391
  • Third parallel arm resonator 604 IDT electrode wavelength: 4.8039 ⁇ m, reflector wavelength: 4.8039 ⁇ m, crossover width: 49.26 ⁇ m, IDT electrode pair: 74 pairs, reflector pair: 1.5 pairs, duty: 0.385
  • Fourth parallel arm resonator 605 IDT electrode wavelength: 4.8235 ⁇ m, reflector wavelength: 4.8235 ⁇ m, cross width: 51.43 ⁇ m, IDT electrode pair: 43 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.385
  • Second series arm resonator 606 IDT electrode wavelength: 5.6471 ⁇ m, reflector wavelength: 5.6471 ⁇ m, cross width: 67.27 ⁇ m, IDT electrode pair: 105 pairs, reflector pair: 1.5 pairs, duty: 0.391
  • Fifth parallel arm resonator 607 IDT electrode wavelength: 4.7157 ⁇ m, reflector wavelength: 4.7157 ⁇ m, cross width: 53.16 ⁇ m, IDT electrode pair: 52 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.385
  • Sixth parallel arm resonator 608 IDT electrode wavelength: 5.3039 ⁇ m, reflector wavelength: 5.3039 ⁇ m, cross width: 45 ⁇ m, IDT electrode pair: 63 pairs, reflector pair: 4.5 pairs, duty: 0.385 Inductor 609: 19 nH Inductor 610: 27 nH Inductor 611: 19 nH
  • the elastic wave filter 4 of the present embodiment has a bandpass type elasticity although the elastic wave filter 4 of the present embodiment has a smaller number of inductors than the elastic wave filter 600. It can be seen that the attenuation characteristic is equal to or higher than that of the wave filter 600 and that the insertion loss in the pass band is smaller than that of the band-pass elastic wave filter 600.
  • the elastic wave filter of the first embodiment is connected in two stages.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the elastic wave filter of the first embodiment may be connected in three or more stages. In this way, by increasing the number of connection stages, it is possible to form more attenuation poles.
  • the elastic wave filter of the present embodiment has a circuit configuration similar to that of the elastic wave filter of the third embodiment. Therefore, in the present embodiment, FIG. 13 is referred to in common with the third embodiment.
  • the acoustic wave filter includes piezoelectric elements in which first to third series arm resonators S1 to S3 and first to fourth parallel arm resonators P1 to P4 are formed.
  • a filter chip 30 is provided as a filter body in which an alumina substrate on which the substrate is mounted is resin-sealed.
  • An input end side electrode 31 connected to the input terminal 10 and an output end side electrode 32 connected to the output terminal 11 are formed on the back surface of the filter chip 30.
  • the input end side electrode 31 and the output end side electrode 32 are arranged point-symmetrically with respect to the center of the filter chip 30 as the filter body when viewed from the back side.
  • ground terminal electrodes 33 and 34 connected to the ground potential are formed on the back surface of the filter chip 30.
  • the ground terminal electrodes 33 and 34 are arranged point-symmetrically with respect to the center of the elastic wave filter, that is, the center of the filter chip 30 when viewed from the back surface.
  • the inductors 13a and 13b are formed in the inductor chips 35 and 36, respectively. Inductor chips 35 and 36 are mounted on the filter chip 30.
  • FIG. 18 shows the attenuation characteristics of the elastic wave filter of the present embodiment.
  • the ground terminal electrodes 41 to 43 are not arranged point-symmetrically with respect to the center of the filter chip 40, and the input end side electrode 44 and the output end side electrode 45 are not arranged.
  • 18 also shows the attenuation characteristics of the elastic wave filter that is not arranged point-symmetrically with respect to the center of the filter chip 40.
  • the solid line indicates the attenuation characteristic of the elastic wave filter of the fourth embodiment
  • the broken line indicates the attenuation characteristic of the elastic wave filter shown in FIG.
  • the design parameters of the acoustic wave filter of the fourth embodiment and the acoustic wave filter shown in FIG. 17 are the same as the design parameters of the acoustic wave filter of the third embodiment.
  • the input end side electrode and the output end side electrode are arranged point-symmetrically with respect to the center of the filter chip 30, and the plurality of ground terminal electrodes are point-symmetrical with respect to the center of the filter chip 30 It can be seen that a higher attenuation characteristic can be obtained by the arrangement than when the arrangement is not point-symmetric.
  • the inductor does not need to be constituted by an inductor chip provided separately from the filter body.
  • the inductor may be configured by, for example, a coil pattern formed on the filter body.
  • SAW resonator 21 Piezoelectric substrate 22 ... IDT electrodes 22a, 22b ... comb electrode 23 ... first grating reflector 24 ... second grating reflector 30 ... filter chip 31 ... input end side electrode 32 ... Output end side electrodes 33, 34 ... Ground Child electrodes 35 and 36 ... Inductor Chip 40 ... filter chips 41 to 43 ... ground terminal electrodes 44 ... input-side electrode 45 ... output-side electrode

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Abstract

　良好なフィルタ特性を有する小型な弾性波フィルタを提供する。　弾性波フィルタ１は、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２と、インダクタ１３ａと、複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３とを備えている。複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２は、入力端子１０と出力端子１１とを結ぶ直列腕１２において、互いに直列に接続されている。インダクタ１３ａは、複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２のうちの２つ以上の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２に対して並列となるように直列腕１２に接続されている。複数の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、インダクタ１３ａと直列腕１２との接続点１４，１５とグラウンド電位とを結ぶ並列腕１６ａ、１６ｃと、隣接する直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２の接続点１７とグラウンド電位とを結ぶ並列腕１６ｂとに配置されている。

Description

弾性波フィルタ
　本発明は、弾性波フィルタに関し、詳細には、直列腕共振子と、並列腕共振子と、直列腕共振子に対して並列となるように直列腕に接続されているインダクタとを備えるラダー型弾性波フィルタに関する。
　近年、例えば、下記の特許文献１などにおいて、弾性波共振子を用いたラダー型弾性波フィルタが提案されている。具体的には、特許文献１には、所謂π型のラダー型弾性波フィルタが記載されている。
特開２００６－２３８１０１号公報
　特許文献１に記載のようなπ型のラダー型弾性波フィルタの基本的な回路構成を図１９に示す。図１９に示すように、π型のラダー型弾性波フィルタ１００は、入力端子１０１と出力端子１０２とを結ぶ直列腕１０３に、ひとつの直列腕共振子１０４と、ひとつのインダクタ１０５とが並列に配置されている。また、直列腕１０３とグラウンド電位とを結ぶ２本の並列腕１０６のそれぞれに並列腕共振子１０７が配置されている。このπ型のラダー型弾性波フィルタ１００では、直列腕１０３に配置されている直列腕共振子１０４に対して並列にインダクタ１０５が設けられているため、ローパス型のフィルタ特性が得られる。
　また、上述のπ型のラダー型弾性波フィルタ以外のタイプのラダー型弾性波フィルタとして、Ｔ型のラダー型弾性波フィルタが知られている。図２０にＴ型のラダー型弾性波フィルタの基本的な回路構成を示す。図２０に示すように、Ｔ型のラダー型弾性波フィルタ１１０は、入力端子１１１と出力端子１１２とを結ぶ直列腕１１３において、２つの直列腕共振子１１４，１１５が直列に接続されている。そして、直列腕共振子１１４と直列腕共振子１１５との接続点と、グラウンド電位とを結ぶ並列腕１１６に並列腕共振子１１７が配置されている。また、直列腕１１３には、直列腕共振子１１４，１１５に対して並列となるように、インダクタ１１８が接続されている。
　通常、直列腕共振子の反共振点と並列腕共振子の共振点とによって阻止帯域を形成する場合、Ｔ型のラダー型弾性波フィルタよりもπ型のラダー型弾性波フィルタの方が高い減衰特性を有する。よって、高い減衰特性を実現する観点からは、π型のラダー型弾性波フィルタを用いた方が有利である。従って、トラップフィルタとしては、π型のラダー型弾性波フィルタが用いられることが多い。
　しかしながら、このようなπ型のラダー型フィルタでは、より高い減衰特性をもつ複数の阻止帯域を実現しようとすると、段数を増やすしかなく、インダクタの数が増えてしまう。このため、π型のラダー型フィルタは小型化及び低価格化することが困難であるという問題があった。特に、複数の阻止帯域を形成する目的や、高い減衰特性を得る目的でπ型のラダー型弾性波フィルタ部を複数段接続した場合には、ラダー型フィルタの大型化及び高価格化が顕著になるという問題があった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、良好なフィルタ特性を有する小型な弾性波フィルタを提供することにある。
　本発明に係る弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子と、インダクタと、複数の並列腕共振子とを備えている。複数の直列腕共振子は、入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕において、互いに直列に接続されている。インダクタは、複数の直列腕共振子のうちの２つ以上の直列腕共振子に対して並列となるように直列腕に接続されている。複数の並列腕共振子は、インダクタと直列腕との接続点とグラウンド電位とを結ぶ並列腕と、隣接する直列腕共振子の接続点とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とに配置されている。
　本発明のある特定の局面では、インダクタが並列に接続されている２つ以上の直列腕共振子は、第１の直列腕共振子と、第１の直列腕共振子の反共振周波数以上である共振周波数を有する第２の直列腕共振子とを含む。
　弾性波共振子は、共振周波数と反共振周波数との間の周波数が印加されたときにＬ性となり、それ以外の周波数が印加されたときにＣ性となるため、この構成によれば、第１及び第２の直列腕共振子のうちの一方の直列腕共振子がＬ性となり他方の直列腕共振子がＣ性となるため、インダクタと第１及び第２の直列腕共振子とでＬＣフィルタを形成することができる。従って、減衰特性をより改善することができる。特に、弾性波フィルタが複数の阻止帯域を有するトラップフィルタである場合は、第１の直列腕共振子の共振周波数と、第２の直列腕共振子の共振周波数とを互いに異なる阻止帯域に位置させることが可能となるため、より大きな減衰特性の改善効果が期待できる。
　本発明の他の特定の局面では、弾性波フィルタは、阻止帯域と、阻止帯域の低域側に位置している通過帯域とを有する。
　本発明の別の特定の局面では、弾性波フィルタはインダクタを複数備える。この構成によれば、より大きな減衰特性の改善効果が期待できる。
　本発明のさらに他の特定の局面では、弾性波フィルタは、複数の直列腕共振子と複数の並列腕共振子とが形成されており、複数のインダクタが接続されているフィルタ本体を備え、複数のインダクタは、フィルタ本体の中心に対して点対称に配置されている。この構成によれば、より良好なフィルタ特性を実現することができる。
　本発明のさらに別の特定の局面では、インダクタは、２つの直列腕共振子に対して並列に設けられており、複数の並列腕のそれぞれには、ひとつの並列腕共振子が設けられている。この構成によれば、通過帯域における挿入損失をより低減することができる。
　本発明のまた他の特定の局面では、複数の並列腕が接続されている複数のアース端子電極をさらに備え、複数のアース端子電極は、弾性波フィルタの中心に対して、点対称に配置されている。この構成によれば、より良好なフィルタ特性を実現することができる。
　本発明では、２つ以上の直列腕共振子に対して並列となるように直列腕に接続されているインダクタが設けられているため、π型のラダー型弾性波フィルタと比べて共振子の数量に対するインダクタの数量を少なくできるので、小型化可能であり、かつ、インダクタの数量に対する共振子の数量の割合を高くできるため高いフィルタ特性、特に阻止帯域の広帯域化及び阻止帯域における高い減衰量を実現することができる。
図１は、第１の実施形態の弾性波フィルタの略図的模式図である。 図２は、直列腕共振子及び並列腕共振子を構成する弾性表面波共振子の略図的断面図である。 図３は、弾性表面波共振子の略図的平面図である。 図４は、π型のラダー型弾性波フィルタとＴ型のラダー型弾性波フィルタとの減衰特性を示すグラフである。なお、図４において実線がπ型のラダー型弾性波フィルタの減衰特性を表し、破線がＴ型のラダー型弾性波フィルタの減衰特性を表す。 図５は、第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性と、π型の弾性波フィルタの減衰特性とを表すグラフである。図５において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線がπ型の弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図６は、第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性と、π型の弾性波フィルタの減衰特性とを表すグラフである。図６において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線がπ型の弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図７は、第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性と、図９に示す弾性波フィルタの減衰特性とを表すグラフである。図７において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図９に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図８は、第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性と、図９に示す弾性波フィルタの減衰特性とを表すグラフである。図８において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図９に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図９は、２段接続されたπ型の弾性波フィルタの略図的模式図である。 図１０は、第２の実施形態に係る弾性波フィルタの略図的模式図である。 図１１は、３段接続されたπ型のラダー型弾性波フィルタの略図的模式図である。 図１２は、第２の実施形態に係る弾性波フィルタ及び３段接続されたπ型のラダー型弾性波フィルタの減衰特性を表すグラフである。図１２において、実線が第２の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図１１に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図１３は、第３の実施形態に係る弾性波フィルタの略図的模式図である。 図１４は、２段接続されたバンドパス型の弾性波フィルタの略図的模式図である。 図１５は、第３の実施形態に係る弾性波フィルタ及び図１４に示す弾性波フィルタの減衰特性を表すグラフである。図１５において、実線が第３の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図１４に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図１６は、第４の実施形態における弾性波フィルタの略図的裏面図である。 図１７は、参考例に係る弾性波フィルタの略図的裏面図である。 図１８は、第４の実施形態に係る弾性波フィルタ及び図１７に示す弾性波フィルタの減衰特性を表すグラフである。図１８において、実線が第４の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図１７に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。 図１９は、π型のラダー型弾性波フィルタの基本的な回路構成を示す図である。 図２０は、Ｔ型のラダー型弾性波フィルタの基本的な回路構成を示す図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　（第１の実施形態）
　本実施形態では、地上波デジタル放送受信帯域（４７０～７７０ＭＨｚ）を通過帯域とし、ＲＦ送信周波数帯域（８００ＭＨｚ近傍及び９００ＭＨｚ近傍）を阻止帯域とするトラップフィルタとしての弾性波フィルタについて説明する。
　図１は、第１の実施形態の弾性波フィルタの略図的模式図である。図１に示すように、弾性波フィルタ１は、入力端子１０と、出力端子１１とを結ぶ直列腕１２において、互いに直列に接続されている複数の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２を備えている。具体的には、本実施形態では、直列腕１２には、第１の直列腕共振子Ｓ１と、第２の直列腕共振子Ｓ２とが設けられている。本実施形態では、第１の直列腕共振子Ｓ１の反共振周波数は、第２の直列腕共振子Ｓ２の共振周波数以下にされている。
　また、直列腕１２には、インダクタ１３ａが接続されている。インダクタ１３ａは、第１及び第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２に対して並列に設けられている。具体的には、インダクタ１３ａは、第１の直列腕共振子Ｓ１と入力端子１０との間の接続点１４と、第２の直列腕共振子Ｓ２と出力端子１１との間の接続点１５との間に接続されている。
　インダクタ１３ａと直列腕１２との接続点１４とグラウンド電位とは、第１の並列腕１６ａによって接続されている。インダクタ１３ａと直列腕１２との接続点１５とグラウンド電位とは、第３の並列腕１６ｃによって接続されている。また、互いに隣接する第１の直列腕共振子Ｓ１と第２の直列腕共振子Ｓ２との接続点１７とグラウンド電位とは、第２の並列腕１６ｂによって接続されている。並列腕１６ａ～１６ｃには、それぞれ並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３が配置されている。
　本実施形態では、上記直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、弾性波共振子により構成されている。より具体的には、弾性表面波共振子により接続されている。もっとも、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、弾性表面波以外の弾性波を利用した弾性波共振子であってもよい。例えば、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、弾性境界波を利用した弾性境界波共振子であってもよいし、薄膜バルク弾性波共振子であってもよい。
　図２に、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３を構成する弾性表面波共振子２０の略図的断面図を示す。また、図３に、弾性表面波共振子２０の略図的平面図を示す。図２及び図３に示すように、弾性表面波共振子２０は、圧電基板２１上に形成されているＩＤＴ電極２２と、ＩＤＴ電極２２の弾性表面波の伝搬方向ｘにおける両側に配置されている第１及び第２のグレーティング反射器２３，２４とを備えている。図３に示すように、ＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合う第１及び第２のくし歯電極２２ａ及び２２ｂを有する。
　圧電基板２１は、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電材料からなる基板により構成することができる。圧電基板２１は、例えば、４２°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３基板により構成することができる。ＩＤＴ電極２２並びに第１及び第２のグレーティング反射器２３，２４は、公知の１または複数の導電材料により形成することができる。ＩＤＴ電極２２並びに第１及び第２のグレーティング反射器２３，２４は、例えば、Ａｌにより形成することができる。
　なお、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３は、同一の圧電基板上に形成されていてもよく、別個の圧電基板上に形成されていてもよい。本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３が同一の圧電基板２１上に形成されている例について説明する。また、本実施形態では、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２及び並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３が形成されている圧電基板２１が、図示しないアルミナ基板にフェースダウン実装されている。アルミナ基板に実装された圧電基板２１は、図示しない封止樹脂により封止されている。
　ところで、上述のように、ラダー型弾性波フィルタには、図１９に示すようなπ型のラダー型弾性波フィルタと、図２０に示すようなＴ型のラダー型弾性波フィルタとがある。π型のラダー型弾性波フィルタとＴ型のラダー型弾性波フィルタとを比べると、図４に示すように、π型のラダー型弾性波フィルタの方が高い減衰特性を有する。従って、高い減衰特性を実現する観点からは、π型のラダー型弾性波フィルタを用いた方が有利である。しかしながら、図１９に示すようなπ型のラダー型弾性波フィルタで、より高い減衰量をもつ複数の阻止帯域（減衰特性）を実現しようとすると、段数を増やすしか方法がない。段数を増やした場合、インダクタが段数毎に必要となるため、大型化すると共に、コストアップしてしまう。
　それに対して、本実施形態の弾性波フィルタ１では、第１及び第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２に対して並列となるように直列腕１２に接続されているインダクタ１３ａが設けられている。そして、インダクタ１３ａと直列腕１２との接続点１４，１５とグラウンド電位との間を結ぶ並列腕１６ａ、１６ｃと、並列腕１６ａ、１６ｃに配置されている並列腕共振子Ｐ１、Ｐ３とが設けられている。このため、直列腕共振子２つ及び並列腕共振子３つに対してひとつのインダクタ１３ａのみが存在することとなる。従って、弾性波フィルタ１では、共振子の数量に対するインダクタの数量が少ない。よって、弾性波フィルタ１を小型化することができる。また、本実施形態では、インダクタの数量に対する共振子の数量の割合が高いため、以下に具体的に示すように、高いフィルタ特性を実現することができる。
　図５及び図６は、本実施形態の弾性波フィルタ１の減衰特性と、図１９に示すπ型の弾性波フィルタ１００の減衰特性とを表すグラフである。なお、図５及び図６において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線がπ型の弾性波フィルタの減衰特性を示している。図５及び図６における弾性波フィルタ１の設計パラメータ及び弾性波フィルタ１００の設計パラメータは下記の通りである。
　弾性波フィルタ１の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子Ｐ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．３０３９μｍ、反射器の波長：４．３０３９μｍ、交叉幅：４８．６３μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７９対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９０２ＭＨｚ、反共振周波数：９３５ＭＨｚ
　第１の直列腕共振子Ｓ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７２５５μｍ、反射器の波長：４．７２５５μｍ、交叉幅：５７．１７μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７２対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５４９、共振周波数：８３０ＭＨｚ、反共振周波数：８５９ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子Ｐ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７８４３μｍ、反射器の波長：４．７８４３μｍ、交叉幅：５４．９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６５対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８１９ＭＨｚ、反共振周波数：８４８ＭＨｚ
　第２の直列腕共振子Ｓ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２９４１μｍ、反射器の波長：４．２９４１μｍ、交叉幅：５０．９８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９６対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．６６９、共振周波数：９０４ＭＨｚ、反共振周波数：９３６ＭＨｚ
　第３の並列腕共振子Ｐ３：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２００１μｍ、反射器の波長：４．２００１μｍ、交叉幅：５４．９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：８７対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２２ＭＨｚ、反共振周波数：９５６ＭＨｚ
　インダクタ１３ａ：７．８ｎＨ
　弾性波フィルタ１００の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子１０７ａ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７３５３μｍ、反射器の波長：４．７３５３μｍ、交叉幅：４０．２４μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９０対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２７ＭＨｚ、反共振周波数：８５７ＭＨｚ
　直列腕共振子１０４：
　ＩＤＴ電極の波長：４．０７８４μｍ、反射器の波長：４．０７８４μｍ、交叉幅：６０．７１μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５８対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９４６ＭＨｚ、反共振周波数：９８０ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子１０７ｂ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．３０３９μｍ、反射器の波長：４．３０３９μｍ、交叉幅：９７．４１μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５５対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９０４ＭＨｚ、反共振周波数：９３６ＭＨｚ
　インダクタ１０５：６．４ｎＨ
　また、図７及び図８に、弾性波フィルタ１の減衰特性と、図９に示す２段接続されたπ型の弾性波フィルタ３００の減衰特性とを示す。なお、図７及び図８において、実線が第１の実施形態の弾性波フィルタ１の減衰特性を示し、破線が図９に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。図７における弾性波フィルタ１の設計パラメータは、上記設計パラメータと同様である。図９に示す弾性波フィルタ３００の設計パラメータは下記の通りである。
　弾性波フィルタ３００の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子１０７ａ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２３５３μｍ、反射器の波長：４．２３５３μｍ、交叉幅：４０μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９０対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９１５ＭＨｚ、反共振周波数：９４９ＭＨｚ
　第１の直列腕共振子１０４ａ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．６３５１μｍ、反射器の波長：４．６３５１μｍ、交叉幅：６０．７８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０４対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８４４ＭＨｚ、反共振周波数：８７５ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子１０７ｂ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７３５３μｍ、反射器の波長：４．７３５３μｍ、交叉幅：４５．４９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６０対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２６ＭＨｚ、反共振周波数：８５６ＭＨｚ
　第２の直列腕共振子１０４ｂ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２０５９μｍ、反射器の波長：４．２０５９μｍ、交叉幅：７５．６９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６１対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２２ＭＨｚ、反共振周波数：９５５ＭＨｚ
　第３の並列腕共振子１０７ｃ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２０５９μｍ、反射器の波長：４．２０５９μｍ、交叉幅：４１．１８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１００対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２１ＭＨｚ、反共振周波数：９５４ＭＨｚ
　インダクタ１０５ａ：３．２ｎＨ
　インダクタ１０５ｂ：４．５ｎＨ
　図５及び図６に示すように、本実施形態の弾性波フィルタ１では、インダクタ１３ａと並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３のＣ成分とによってローパスフィルタが構成されることにより、広い通過帯域が形成される。そして、その通過帯域内に、並列腕共振子Ｐ１～Ｐ３の共振点により、２つの阻止帯域が形成されている。また、本実施形態では、第１の直列腕共振子Ｓ１の反共振周波数が、第２の直列腕共振子Ｓ２の共振周波数以下にされている。このため、第１及び第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２のうちの一方の直列腕共振子がＬ性となり他方の直列腕共振子がＣ性となる。よって、インダクタ１３ａと第１及び第２の直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２とで２つの減衰極を有するＬＣフィルタを形成することができ、２つの減衰極を前記２つの阻止帯域に配置することにより、減衰特性をより改善できる。従って、本実施形態は、従来の１段接続のπ型の弾性波フィルタよりも阻止帯域における減衰量が大きくなっており、かつ阻止帯域が広域となっている。
　また、図７及び図８に示すように、本実施形態の弾性波フィルタ１では、従来の２段接続のπ型の弾性波フィルタと比べてインダクタの数量が少ないにもかかわらず、ほぼ同等の減衰特性が得られることが分かる。
　以上より、本実施形態によれば、小型でありつつ高い減衰特性を有する弾性波フィルタを実現できることが分かる。
　以下、本発明を実施した好ましい形態の他の例について説明する。なお、下記の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照する。
　（第２の実施形態）
　図１０に第２の実施形態に係る弾性波フィルタ２の略図的模式図である。図１０に示すように、本実施形態の弾性波フィルタ２は、上記第１の実施形態の弾性波フィルタの後段に、π型のラダー型フィルタ部をさらに接続したものである。具体的には、弾性波フィルタ２は、直列腕１２において、互いに直列に接続されている第１～第３の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３を備えている。第１の直列腕共振子Ｓ１と入力端子１０との間の接続点１４と、第２の直列腕共振子Ｓ２と第３の直列腕共振子Ｓ３との間の接続点１５との間には、インダクタ１３ａが接続されている。また、接続点１５と、第３の直列腕共振子Ｓ３と出力端子１１との間の接続点１８との間には、インダクタ１３ｂが接続されている。接続点１４，１７，１５，１８とグラウンド電位とは、第１～第４の並列腕１６ａ～１６ｄによって接続されている。第１～第４の並列腕１６ａ～１６ｄには、それぞれ並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４が配置されている。
　本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、第１の直列腕共振子Ｓ１の反共振周波数は、第２の直列腕共振子Ｓ２の共振周波数以下にされている。
　本実施形態の弾性波フィルタ２の減衰特性を図１２に示す。また、比較として、図１１に示すように、３段接続されたπ型のラダー型弾性波フィルタ４００の減衰特性も図１２に併記する。図１２において、実線が第２の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図１１に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。なお、図１２において、弾性波フィルタ２の設計パラメータ及び弾性波フィルタ４００の設計パラメータは下記の通りである。
　弾性波フィルタ２の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子Ｐ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．３１３７μｍ、反射器の波長：４．３１３７μｍ、交叉幅：４０．３９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５６対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８９９ＭＨｚ、反共振周波数：９３１ＭＨｚ
　第１の直列腕共振子Ｓ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．６９６１μｍ、反射器の波長：４．６９６１μｍ、交叉幅：４０．３９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０１対、反射器の対数：１．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２９ＭＨｚ、反共振周波数：８５９ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子Ｐ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７２５５μｍ、反射器の波長：４．７２５５μｍ、交叉幅：４７．０６μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１１５対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２８ＭＨｚ、反共振周波数：８５７ＭＨｚ
　第２の直列腕共振子Ｓ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２２５１μｍ、反射器の波長：４．２２５１μｍ、交叉幅：７２．５５μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６６対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５３９、共振周波数：９２０ＭＨｚ、反共振周波数：９５３ＭＨｚ
　第３の並列腕共振子Ｐ３：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２７４３μｍ、反射器の波長：４．２７４３μｍ、交叉幅：６９．０２μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７５対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９０８ＭＨｚ、反共振周波数：９４１ＭＨｚ
　第３の直列腕共振子Ｓ３：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１１７６μｍ、反射器の波長：４．１１７６μｍ、交叉幅：１０２．３５μｍ、ＩＤＴ電極の対数：２１対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９３６ＭＨｚ、反共振周波数：９６７ＭＨｚ
　第４の並列腕共振子Ｐ４：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１８６３μｍ、反射器の波長：４．１８６３μｍ、交叉幅：６７．８４μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５３対、反射器の対数：３．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２２ＭＨｚ、反共振周波数：９５６ＭＨｚ
　インダクタ１３ａ：７．２ｎＨ
　インダクタ１３ｂ：７．１ｎＨ
　弾性波フィルタ４００の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子１０７ａ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２６４７μｍ、反射器の波長：４．２６４７μｍ、交叉幅：４０．７８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６６対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９０９ＭＨｚ、反共振周波数：９４２ＭＨｚ
　第１の直列腕共振子１０４ａ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．６４７１μｍ、反射器の波長：４．６４７１μｍ、交叉幅：５５．６９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０４対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８４２ＭＨｚ、反共振周波数：８７３ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子１０７ｂ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７３５３μｍ、反射器の波長：４．７３５３μｍ、交叉幅：４０μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９４対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２７ＭＨｚ、反共振周波数：８５７ＭＨｚ
　第２の直列腕共振子１０４ｂ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２２５５μｍ、反射器の波長：４．２２５５μｍ、交叉幅：７０．２μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６２対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９１９ＭＨｚ、反共振周波数：９５１ＭＨｚ
　第３の並列腕共振子１０７ｃ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２５４９μｍ、反射器の波長：４．２５４９μｍ、交叉幅：５８．０４μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９４対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９１２ＭＨｚ、反共振周波数：９４５ＭＨｚ
　第３の直列腕共振子１０４ｃ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１３７３μｍ、反射器の波長：４．１３７３μｍ、交叉幅：４９．４１μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５８対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９３４ＭＨｚ、反共振周波数：９６７ＭＨｚ
　第４の並列腕共振子１０７ｄ：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１６６７μｍ、反射器の波長：４．１６６７μｍ、交叉幅：５４．９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５２対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２６ＭＨｚ、反共振周波数：９６０ＭＨｚ
　インダクタ１０５ａ：３．６ｎＨ
　インダクタ１０５ｂ：４．８ｎＨ
　インダクタ１０５ｃ：４．６ｎＨ
　図１２に示す結果から、本実施形態の弾性波フィルタ２の方が、３段接続された弾性波フィルタ４００よりもインダクタの数量が少ないにもかかわらず、本実施形態の弾性波フィルタ２は、３段接続された弾性波フィルタ４００と同等以上の減衰特性を有していることが分かる。
　（第３の実施形態）
　図１３は、第３の実施形態に係る弾性波フィルタ４の略図的模式図である。図１３に示すように、本実施形態の弾性波フィルタ４は、上記の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ１が２段に接続されたものである。具体的には、弾性波フィルタ４では、直列腕１２において、互いに直列に接続されている第１～第４の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ４が配置されている。第１の直列腕共振子Ｓ１と入力端子１０との間の接続点１４と、第２の直列腕共振子Ｓ２と第３の直列腕共振子Ｓ３との間の接続点１５との間には、インダクタ１３ａが接続されている。また、接続点１５と、第４の直列腕共振子Ｓ４と出力端子１１との間の接続点８との間には、インダクタ１３ｃが接続されている。上記接続点１４，１５，８，９とグラウンド電位との間、第１の直列腕共振子Ｓ１と第２の直列腕共振子Ｓ２との間の接続点１７とグラウンド電位との間、並びに第３の直列腕共振子Ｓ３と第４の直列腕共振子Ｓ４との間の接続点９とグラウンド電位との間には、第１～第５の並列腕１６ａ～１６ｅが接続されている。第１～第５の並列腕１６ａ～１６ｅには、第１～第５の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ５が配置されている。
　本実施形態の弾性波フィルタ４は、阻止帯域を２つ有し、その２つの阻止帯域は、通過帯域の高域側に位置している。
　本実施形態においても、上記第１の実施形態と同様に、第１の直列腕共振子Ｓ１の反共振周波数は、第２の直列腕共振子Ｓ２の共振周波数以下にされている。また、第３の直列腕共振子Ｓ３の反共振周波数は、第４の直列腕共振子Ｓ４の共振周波数以下にされている。
　本実施形態の弾性波フィルタ３の減衰特性を図１５に示す。また、比較として、図１４に示すバンドパス型の弾性波フィルタ６００の減衰特性も図１５に示す。図１５において、実線が第３の実施形態の弾性波フィルタ４の減衰特性を示し、破線が図１４に示す弾性波フィルタ６００の減衰特性を示している。なお、図１５において、弾性波フィルタ４の設計パラメータ及び弾性波フィルタ６００の設計パラメータは下記の通りである。
　弾性波フィルタ４の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子Ｐ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．２７８５μｍ、反射器の波長：４．２７８５μｍ、交叉幅：５７．８８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７０対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９０５ＭＨｚ、反共振周波数：９３９ＭＨｚ
　第１の直列腕共振子Ｓ１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７４３１μｍ、反射器の波長：４．７４３１μｍ、交叉幅：８５．８８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０９対、反射器の対数：１．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８２６ＭＨｚ、反共振周波数：８５７ＭＨｚ
　第２の並列腕共振子Ｐ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７８２３μｍ、反射器の波長：４．７８２３μｍ、交叉幅：４２．５９μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５３対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８１９ＭＨｚ、反共振周波数：８４８ＭＨｚ
　第２の直列腕共振子Ｓ２：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１７６５μｍ、反射器の波長：４．１７６５μｍ、交叉幅：８０．２４μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６０対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．６１９、共振周波数：９２６ＭＨｚ、反共振周波数：９６０ＭＨｚ
　第３の並列腕共振子Ｐ３：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１７６５μｍ、反射器の波長：４．１７６５μｍ、交叉幅：８１．８８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：８５対、反射器の対数：３．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９２４ＭＨｚ、反共振周波数：９６０ＭＨｚ
　第３の直列腕共振子Ｓ３：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７０３９μｍ、反射器の波長：４．７０３９μｍ、交叉幅：７２．４２μｍ、ＩＤＴ電極の対数：９５対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８３２ＭＨｚ、反共振周波数：８６２ＭＨｚ
　第４の並列腕共振子Ｐ４：
　ＩＤＴ電極の波長：４．８１１７μｍ、反射器の波長：４．８１１７μｍ、交叉幅：８１．４１μｍ、ＩＤＴ電極の対数：３３対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：８１４ＭＨｚ、反共振周波数：８４２ＭＨｚ
　第４の直列腕共振子Ｓ４：
　ＩＤＴ電極の波長：４．１７６５μｍ、反射器の波長：４．１７６５μｍ、交叉幅：６５．１８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７２対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．６１９、共振周波数：９２６ＭＨｚ、反共振周波数：９６０ＭＨｚ
　第５の並列腕共振子Ｐ５：
　ＩＤＴ電極の波長：４．３１８７μｍ、反射器の波長：４．３１８７μｍ、交叉幅：８６．５４μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６１対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．５６９、共振周波数：９００ＭＨｚ、反共振周波数：９３４ＭＨｚ
　インダクタ１３ａ：９．５ｎＨ
　インダクタ１３ｃ：１０．０ｎＨ
　弾性波フィルタ６００の設計パラメータ：
　第１の並列腕共振子６０１：
　ＩＤＴ電極の波長：４．６８６３μｍ、反射器の波長：４．６８６３μｍ、交叉幅：６９．１６μｍ、ＩＤＴ電極の対数：４９対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．３８５
　第２の並列腕共振子６０２：
　ＩＤＴ電極の波長：５．２６４７μｍ、反射器の波長：５．２６４７μｍ、交叉幅：４５μｍ、ＩＤＴ電極の対数：３９対、反射器の対数：３．５対、デューティー：０．３８５
　第１の直列腕共振子６０３：
　ＩＤＴ電極の波長：５．６６６７μｍ、反射器の波長：５．６６６７μｍ、交叉幅：８２．８μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０５対、反射器の対数：１．５対、デューティー：０．３９１
　第３の並列腕共振子６０４：
　ＩＤＴ電極の波長：４．８０３９μｍ、反射器の波長：４．８０３９μｍ、交叉幅：４９．２６μｍ、ＩＤＴ電極の対数：７４対、反射器の対数：１．５対、デューティー：０．３８５
　第４の並列腕共振子６０５：
　ＩＤＴ電極の波長：４．８２３５μｍ、反射器の波長：４．８２３５μｍ、交叉幅：５１．４３μｍ、ＩＤＴ電極の対数：４３対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．３８５
　第２の直列腕共振子６０６：
　ＩＤＴ電極の波長：５．６４７１μｍ、反射器の波長：５．６４７１μｍ、交叉幅：６７．２７μｍ、ＩＤＴ電極の対数：１０５対、反射器の対数：１．５対、デューティー：０．３９１
　第５の並列腕共振子６０７：
　ＩＤＴ電極の波長：４．７１５７μｍ、反射器の波長：４．７１５７μｍ、交叉幅：５３．１６μｍ、ＩＤＴ電極の対数：５２対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．３８５
　第６の並列腕共振子６０８：
　ＩＤＴ電極の波長：５．３０３９μｍ、反射器の波長：５．３０３９μｍ、交叉幅：４５μｍ、ＩＤＴ電極の対数：６３対、反射器の対数：４．５対、デューティー：０．３８５
　インダクタ６０９：１９ｎＨ
　インダクタ６１０：２７ｎＨ
　インダクタ６１１：１９ｎＨ
　図１５に示す結果から、本実施形態の弾性波フィルタ４の方が、弾性波フィルタ６００よりもインダクタの数量が少ないにもかかわらず、本実施形態の弾性波フィルタ４は、バンドパス型の弾性波フィルタ６００と同等以上の減衰特性を有し、バンドパス型の弾性波フィルタ６００より通過帯域における挿入損失が小さいことが分かる。
　なお、本実施形態では、上記第１の実施形態の弾性波フィルタが２段に接続されている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。本発明においては、上記第１の実施形態の弾性波フィルタが３段以上接続されていてもよい。このように、接続段数を増やすことにより、より多くの減衰極を形成することが可能となる。
　（第４の実施形態）
　本実施形態の弾性波フィルタは、上記の第３の実施形態の弾性波フィルタと同様の回路構成を有している。このため、本実施形態において、図１３は、上記第３の実施形態と共通に参照する。
　本実施形態では、弾性波フィルタは、図１６に示すように、第１～第３の直列腕共振子Ｓ１～Ｓ３及び第１～第４の並列腕共振子Ｐ１～Ｐ４が形成されている圧電基板が実装されたアルミナ基板を樹脂封止したフィルタ本体としてのフィルタチップ３０を備えている。フィルタチップ３０の裏面には、入力端子１０に接続されている入力端側電極３１と、出力端子１１に接続されている出力端側電極３２とが形成されている。入力端側電極３１と、出力端側電極３２とは、裏面から視た際に、フィルタ本体としてのフィルタチップ３０の中心に対して点対称に配置されている。
　また、フィルタチップ３０の裏面には、グラウンド電位に接続されるアース端子電極３３，３４が形成されている。アース端子電極３３，３４は、裏面から視た際に、弾性波フィルタの中心、すなわち、フィルタチップ３０の中心に対して点対称に配置されている。
　また、本実施形態では、インダクタ１３ａ、１３ｂは、それぞれインダクタチップ３５，３６内に形成されている。そして、インダクタチップ３５，３６がフィルタチップ３０に実装されている。
　本実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を図１８に示す。また、比較のために、図１７に示すように、アース端子電極４１～４３がフィルタチップ４０の中心に対して点対称には配置されておらず、入力端側電極４４と出力端側電極４５ともフィルタチップ４０の中心に対して点対称には配置されていない弾性波フィルタの減衰特性も図１８に合わせて示す。図１８において、実線が第４の実施形態の弾性波フィルタの減衰特性を示し、破線が図１７に示す弾性波フィルタの減衰特性を示している。なお、図１８において、第４の実施形態の弾性波フィルタ及び図１７に示す弾性波フィルタの設計パラメータは、上記第３の実施形態の弾性波フィルタの設計パラメータと同様である。
　図１８に示す結果から、入力端側電極と出力端側電極とをフィルタチップ３０の中心に対して点対称に配置し、かつ複数のアース端子電極をフィルタチップ３０の中心に対して点対称に配置した方が、点対称に配置しない場合に比べて高い減衰特性が得られることが分かる。
　なお、本発明において、インダクタは、フィルタ本体と別個に設けられたインダクタチップにより構成されている必要はない。インダクタは、例えば、フィルタ本体に形成されているコイルパターンなどにより構成されていてもよい。
Ｓ１…第１の直列腕共振子
Ｓ２…第２の直列腕共振子
Ｓ３…第３の直列腕共振子
Ｓ４…第４の直列腕共振子
Ｐ１…第１の並列腕共振子
Ｐ２…第２の並列腕共振子
Ｐ３…第３の並列腕共振子
Ｐ４…第４の並列腕共振子
Ｐ５…第５の並列腕共振子
１～５…弾性波フィルタ
８，９，１４，１５，１７，１８…接続点
１０…入力端子
１１…出力端子
１２…直列腕
１３ａ…インダクタ
１３ｂ…インダクタ
１３ｃ…インダクタ
１６ａ…第１の並列腕
１６ｂ…第２の並列腕
１６ｃ…第３の並列腕
１６ｄ…第４の並列腕
２０…弾性表面波共振子
２１…圧電基板
２２…ＩＤＴ電極
２２ａ、２２ｂ…くし歯電極
２３…第１のグレーティング反射器
２４…第２のグレーティング反射器
３０…フィルタチップ
３１…入力端側電極
３２…出力端側電極
３３，３４…アース端子電極
３５，３６…インダクタチップ
４０…フィルタチップ
４１～４３…アース端子電極
４４…入力端側電極
４５…出力端側電極

Claims (7)

  1. 　入力端子と出力端子とを結ぶ直列腕において、互いに直列に接続されている複数の直列腕共振子と、
    　前記複数の直列腕共振子のうちの２つ以上の直列腕共振子に対して並列となるように前記直列腕に接続されているインダクタと、
    　前記インダクタと前記直列腕との接続点とグラウンド電位とを結ぶ並列腕と、隣接する前記直列腕共振子の接続点とグラウンド電位とを結ぶ並列腕とに配置されている複数の並列腕共振子とを備える、弾性波フィルタ。
  2. 　前記インダクタが並列に接続されている２つ以上の直列腕共振子は、第１の直列腕共振子と、前記第１の直列腕共振子の反共振周波数以上である共振周波数を有する第２の直列腕共振子とを含む、請求項１に記載の弾性波フィルタ。
  3. 　阻止帯域と、前記阻止帯域の低域側に位置している通過帯域とを有する、請求項１または２に記載の弾性波フィルタ。
  4. 　前記インダクタを複数備える、請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ。
  5. 　前記複数の直列腕共振子と前記複数の並列腕共振子とが形成されており、前記複数のインダクタが接続されているフィルタ本体を備え、前記複数のインダクタは、前記フィルタ本体の中心に対して点対称に配置されている、請求項４に記載の弾性波フィルタ。
  6. 　前記インダクタは、２つの前記直列腕共振子に対して並列に設けられており、前記複数の並列腕のそれぞれには、ひとつの前記並列腕共振子が設けられている、請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ。
  7. 　前記複数の並列腕が接続されている複数のアース端子電極をさらに備え、前記複数のアース端子電極は、前記弾性波フィルタの中心に対して、点対称に配置されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の弾性波フィルタ。
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