WO2010094581A1 - Indiumalkoxid-haltige zusammensetzungen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung - Google Patents

Indiumalkoxid-haltige zusammensetzungen, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung Download PDF

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WO2010094581A1
WO2010094581A1 PCT/EP2010/051409 EP2010051409W WO2010094581A1 WO 2010094581 A1 WO2010094581 A1 WO 2010094581A1 EP 2010051409 W EP2010051409 W EP 2010051409W WO 2010094581 A1 WO2010094581 A1 WO 2010094581A1
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alkoxide
composition
solvents
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PCT/EP2010/051409
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Jürgen STEIGER
Heiko Thiem
Alexey Merkulov
Duy Vu Pham
Yvonne Damaschek
Arne Hoppe
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Evonik Degussa Gmbh
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    • C23C18/125—Process of deposition of the inorganic material

Definitions

  • the present invention relates to indium alkoxide-containing compositions, processes for their preparation and their use.
  • the material of the component layer to be produced by printing processes decisively determines the respective layer properties, its choice has a significant influence on each component containing this component layer.
  • Important parameters for printed semiconductor layers are their respective charge carrier mobilities as well as the processabilities and processing temperatures of the printable precursors used in their production.
  • the materials should have good charge carrier mobility and be preparable from solution and temperatures well below 500 ° C. to suit a variety of applications and substrates. Also desirable for many novel applications is optical transparency of the resulting semiconductive layers.
  • Indium oxide indium (III) oxide, In 2 Os
  • Indium (III) oxide, In 2 Os is between 3.6 and 3.75 eV (measured for evaporated layers) due to the large band gap
  • H Kim, PD Byrne, A. Facchetti, TJ. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581 is a promising semiconductor.
  • thin films of a few hundred nanometers in thickness can have a high transparency in the visible spectral range of greater than 90% at 550 nm.
  • charge carrier mobilities of up to 160 cm 2 A / s. So far, however, such values can not be reached by solution processing [H. Nakazawa, Y.
  • Indium oxide is often used mainly together with tin (IV) oxide (Sn ⁇ 2) as semiconducting mixed oxide ITO. Due to the relatively high conductivity of ITO layers with simultaneous transparency in the visible spectral range, it is used, inter alia, in the field of liquid crystal displays (LCDs), in particular as “transparent electrodes.” These mostly doped metal oxide layers are industrially predominantly through Due to the great economic interest in ITO-coated substrates, there are now a number of coating processes based on sol-gel techniques for indium oxide-containing layers.
  • indium oxide semiconductors there are two possibilities for the production of indium oxide semiconductors via printing processes: 1) particle concepts in which (nano) particles are present in printable dispersion and are converted by sintering processes into the desired semiconductor layer after the printing process, and 2) precursor concepts in which at least one soluble precursor is converted to an indium oxide-containing layer after printing.
  • the particle concept has two significant disadvantages compared to the use of precursors: Firstly, the particle dispersions have a colloidal instability, which makes the application of (with respect to the subsequent layer properties disadvantageous) dispersing additives required, on the other hand form many of the usable particles (eg due to passivation layers) only incomplete layers due to sintering, so that in the layers partially still particulate structures occur. At the particle boundary there is a considerable particle-particle resistance, which reduces the mobility of the charge carriers and increases the general sheet resistance.
  • indium oxide-containing layers there are various precursors for the production of indium oxide-containing layers.
  • indium salts e.g. Indium alkoxides are used as precursors for the production of indium oxide-containing layers.
  • indium alkoxide solutions offer the advantage that they can be converted at lower temperatures to indium oxide-containing coatings.
  • Bradley et al. report a similar reaction as Mehrotra et al. and, with approximately identical educts (InCl 3 , isopropyl-Nathum) and reaction conditions, an indium-oxo cluster with oxygen as the central atom [DC Bradley, H. Chudzynska, DM Frigo, ME Hammond, MB Hursthouse, MA Mazid; Polyhedron 1990, 9, 719].
  • Hoffman et al. show an alternative synthetic route to indium-isopropoxide and obtained in contrast to Mehrotra et al. an insoluble white solid. They suspect a polymeric substance [ln (O-iPr) 3 ] n [S. Suh, DM Hoffman; J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396-9404].
  • JP 11-106934 A (Fuji Photo Film Co. Ltd.) describes a method for producing a transparent conductive metal oxide film on a transparent substrate via a sol-gel process, wherein below 0 0 C, a metal alkoxide or a metal salt, preferably an indium alkoxide or indium salt, is hydrolyzed in solution and then the hydrolyzate is heated.
  • JP 06-136162 A (Fujimori Kogyo KK) describes a process for producing a metal oxide film from solution on a substrate, in which a metal-alkoxide solution, in particular an indium-isopropoxide solution, is converted into a metal oxide gel , is applied to a substrate, dried and treated with heat, wherein before, during or after the drying and heat treatment step is irradiated with UV radiation.
  • a metal-alkoxide solution in particular an indium-isopropoxide solution
  • JP 09-157855 A Korean Shin Gijutsu Kenkyusho KK describes the preparation of metal oxide films from metal-alkoxide solutions via a metal-oxide-sol-intermediate, which is applied to the substrate and converted by UV radiation into the respective metal oxide become.
  • the resulting metal oxide may be indium oxide.
  • CN 1280960 A describes the preparation of an indium tin oxide layer from solution via a sol-gel process, in which a mixture of metal alkoxides in a Dissolved solvent, hydrolyzed and then used to coat a substrate with subsequent drying and curing.
  • SoI gel methods have in common that their gels either because of the high viscosity are not suitable for use in printing processes and / or, especially in the case of low concentration solutions, the resulting indium oxide-containing layers inhomogeneities and thus poor film parameters exhibit.
  • This roughness has a disadvantageous effect on the layer properties of the indium oxide-containing layer (above all, too low charge carrier mobilities for semiconductor applications) and on the other disadvantageous for the application of further layers for the production of a component.
  • JP 11-106935 A (Fuji Photo Film Co. Ltd.) describes a method for producing a conductive metal-oxide film on a transparent substrate in which curing temperatures are achieved below 250 ° C., preferably below 100 ° C., a coating composition comprising a metal alkoxide and / or a metal salt is thermally dried on a transparent substrate and subsequently converted with UV or VIS radiation.
  • the conversion by electromagnetic radiation used in this method has the disadvantage that the resulting semiconductor layer on the surface is wavy and uneven. This results from the difficulty of achieving a uniform and uniform radiation distribution on the substrate.
  • JP 2007-042689 A describes metal alkoxide solutions which necessarily contain zinc alkoxides and may furthermore contain indium alkoxides, and also processes for Production of semiconductor devices using these metal alkoxide solutions.
  • the metal alkoxide films are thermally treated and converted to the oxide layer.
  • liquid indium alkoxide-containing compositions comprising at least one indium alkoxide and at least three solvents Li, L 2 and L 3 , characterized in that the solvent Li is selected from the group consisting of ethyl lactate, anisole, tetrahydrofurfuryl alcohol, butyl acetate, ethylene glycol diacetate and ethyl benzoate, and the difference in the boiling points of the two solvents L 2 and L 3 under SATP conditions is at least 30 0 C.
  • compositions with more than two solvents without significant deterioration in the quality of the indium oxide-containing layers which can be produced, the storage stability and durability of the compositions of the invention in air improved significantly over systems with only two solvents.
  • This effect was particularly pronounced when the system contained at least one of the following solvents: ethyl lactate, anisole, tetrahydrofurfuryl alcohol or butyl acetate.
  • the indium alkoxide is preferably an indium (III) alkoxide. More preferably, the indium (III) alkoxide is an alkoxide having at least one C1 to C15 alkoxy or oxyalkylalkoxy group, more preferably at least one C1 to C10 alkoxy or oxyalkylalkoxy group. Most preferably, the indium (III) alkoxide is an alkoxide of the general formula ln (OR) 3 in which R is a C 1 to C 15 alkyl or alkyloxyalkyl group, even more preferably a C 1 to C 10 alkyl or Alkyloxyalkyl group represents.
  • this indium (III) alkoxide is In (OCHs) 3 , In (OCH 2 CHs) 3 , In (OCH 2 CH 2 OCHs) 3 , In (OCH (CH 3 ) 2 ) 3 or ln (O (CH 3 ) 3 ) 3 . Still more preferably, ln (OCH (CH 3 ) 2 ) 3 (indium isopropoxide) is used.
  • the indium alkoxide is present in the composition preferably in proportions of 1 to 15% by weight, particularly preferably 2 to 10% by weight, very particularly preferably 2.5 to 7.5% by weight, based on the total mass of the composition.
  • the solvents L 2 and L 3 are preferably, independently of one another, organic solvents selected from the group consisting of alcohols, polyalcohols, esters, amines, ketones or aldehydes. Each combination of solvents can be chosen substantially as they are selected such that the difference in their boiling points below SATP conditions at least 30 0 C is, and it is ensured that always be present at least three different solvents.
  • compositions are those in which the boiling point of L 2 under SATP conditions 30-120 0 C and the boiling point of L 3 under SATP conditions is 120-300 0 C, again with the proviso that the two selected solvent, a boiling point difference comprise at least 30 0 C under SATP conditions.
  • the solvent L 2 in the composition is selected from the group consisting of isopropanol, methanol, ethanol, acetone, toluene, tetrahydrofuran, methyl ethyl ketone, chloroform, ethyl acetate, ethylene glycol dimethyl ether.
  • the L 3 is selected from the group consisting of tetrahydrofurfuryl alcohol, butyl acetate, anisole, ethyl benzoate, ethylene glycol diacetate, ethyl lactate and diethylene glycol, even more preferably diethylene glycol, butyl acetate and ethyl lactate.
  • compositions according to the invention preferably contain the solvent L 2 in proportions of 30-95% by weight, based on the total mass of the composition, and that solvent L 3 in proportions of 0.5-70% by weight, based on the total mass of the composition ,
  • compositions were achieved with a mixture of the solvents isopropanol, butyl acetate and ethyl lactate.
  • an indium oxide layer is to be understood as meaning a metal-containing layer which can be produced from the abovementioned indium alkoxides and which has essentially indium atoms or ions, the indium atoms or ions being substantially oxidic.
  • the indium oxide layer may also have carbene or alkoxide components from incomplete conversion.
  • the composition according to the invention advantageously also has at least one further (semi) metal precursor.
  • high-quality indium oxide-containing layers can be produced if the composition still has at least one further (semi) metal alkoxide.
  • the term (half) metal alkoxide encompasses both semimetal alkoxides and metal alkoxides.
  • This at least one (semi) metal alkoxide is preferably present in amounts of from 0.01 to 7.5% by weight, based on the total mass of the composition.
  • the at least one (semi) metal alkoxide is an alkoxide of a metal or semimetal selected from the group consisting of the metals or semimetals of the group 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13, 14 or 15, preferably an alkoxide of a metal or semimetal selected from the group consisting of Zn, Ga, Sn, Mg, Fe, Al, Ba, Cu, Ti, Si, Pb, Zr, Hf, Ta, Nb, Ge, Mn, Re, Ru and Ag.
  • the (semi) metal alkoxide is an alkoxide of a metal or semimetal selected from the group consisting of Zn, Ga, Sn, Ti and Cu.
  • the at least one further (semi) metal alkoxide is preferably an alkoxide having at least one C 1 - to C 15 -alkoxy or -oxyalkylalkoxy group, more preferably at least one C 1 - to C 10 -alkoxy or -oxyalkylalkoxy group.
  • the (semi) metal alkoxide is an alkoxide of the generic formula ln (OR) 3 wherein R is a C1 to C15 alkyl or alkyloxyalkyl group, even more preferably a C1 to C10 alkyl or alkyloxyalkyl group ,
  • This (semi-) metal alkoxide is particularly preferably an alkoxide of the type M (X) (OCH 3 ) X , M (x) (OCH 2 CH 3 ) x, M (x) (OCH 2 CH 2 OCH 3) x, M (x ) (OCH (CH 3 ) 2 ) x or M (x) (O (CH 3 ) 3 ) x where the index x corresponds to the corresponding valency of the (half) metal.
  • the compositions according to the invention can be prepared by mixing the at least one indium alkoxide with a mixture comprising the at least three solvents.
  • compositions according to the invention can also be prepared by mixing a composition comprising the at least one indium alkoxide and at least one solvent with the other solvent (s).
  • the present invention furthermore relates to the use of the compositions according to the invention for producing semiconducting structures.
  • the semiconductive indium oxide-containing structures which can be produced with the compositions according to the invention have charge carrier mobilities between 0.1 and 50 cm 2 A / s (measured at 50 V gate-source voltage, 50 V drain-source voltage, 1 cm channel width and 20 ⁇ m channel length These can be determined by the model of the "Gradual Channel Approximation" using the formulas known from classical MOSFETs.
  • I D is the drain current
  • U D s is the drain-source voltage
  • U G s is the gate-source voltage
  • W the width of the transistor channel
  • L the channel length of the transistor
  • ⁇ the Carrier mobility and U T are the threshold voltage.
  • compositions according to the invention are preferably used in processes for producing semiconducting indium oxide-containing structures, in particular semiconducting indium oxide-containing layers.
  • the present invention thus also relates to the use of the compositions according to the invention for producing semiconducting structures.
  • This use preferably takes place in the form of the use of the compositions according to the invention in coating processes with which semiconducting structures are produced.
  • the compositions according to the invention are particularly suitable for use in coating processes selected from printing processes (in particular flexographic / gravure printing, inkjet printing, offset printing, digital offset printing and screen printing), spraying processes, spin-coating processes and Dipping process ("dip-coating").
  • the printing process of the invention is a printing process.
  • the substrate used in these methods according to the invention is preferably a substrate selected from substrates consisting of glass, silicon, silicon dioxide, a metal or transition metal oxide or a polymeric material, in particular PE, PEN, PI or PET.
  • the coated substrate After coating and before conversion, the coated substrate can continue to be dried. Corresponding measures and conditions for this are known to the person skilled in the art.
  • the conversion of the generated structure or layer to indium oxide or an indium oxide-containing layer or structure can be effected by thermal means and / or by UV, IR or VIS radiation. However, particularly good results can be achieved if temperatures of 150 ° C. to 360 ° C. are used for the conversion. It typically uses conversion times from a few seconds to several hours.
  • the conversion can be further assisted by bringing the layer obtained after the coating step into contact with water and / or hydrogen peroxide prior to the thermal treatment and first converting it to a metal hydroxide in an intermediate step before the thermal conversion takes place.
  • the quality of the layer produced by the method according to the invention can furthermore be determined by a combined temperature and gas treatment (with H 2 or O 2 ), plasma treatment (Ar, N 2 , O 2 or H 2 plasma) following the conversion step, microwave treatment, Laser treatment (with wavelengths in the UV, VIS or IR range), UV light, infrared radiation or ozone treatment can be further improved.
  • the invention furthermore relates to indium oxide-containing layers which can be prepared with the compositions according to the invention.
  • the indium oxide-containing structures which can be produced with the compositions according to the invention are furthermore advantageously suitable for the production of electronic components, in particular the production of (thin-film) transistors, diodes or solar cells.
  • Figure 1 shows an SEM image of the resulting In 2 ⁇ 3 layer of the coating according to the invention
  • Figure 2 shows a corresponding SEM image of the comparative example (magnification: 10,000x).
  • the layers of the comparative example are substantially more inhomogeneous than those of the inventive example.
  • the coating according to the invention exhibits a charge carrier mobility of 1 cm 2 A / s (at 50 V gate-source voltage, 50 V source-drain voltage, 1 cm channel width and 20 ⁇ m channel length).
  • the charge carrier mobility in the layer of the comparative example is only 0.02 cm 2 A / s (at 50 V gate-source voltage, 50 V source-drain voltage, 1 cm channel width and 20 ⁇ m channel length).
  • compositions were prepared analogously to the above example. With these solutions, analogous to the comparative example, transistors were built and their charge carrier mobilities were measured. Table 1 summarizes the prepared solutions and measured mobilities.
  • a doped silicon substrate having an edge length of about 15 mm and having an approximately 200 nm thick silicon oxide coating and finger structures of ITO / gold was prepared under the same conditions as above with 100 ⁇ L of the respective solution coated by spin coating (2000 rpm) in air under SATP conditions. After the coating process, the coated substrate was annealed in air at a temperature of 350 ° C. for one hour. The results of the electrical measurements can be seen in Table 1.

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft flüssige Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzung, umfassend mindestens ein Indiumalkoxid und mindestens drei Lösemittel L1, L2 und L3, bei denen das Lösemittel L1 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Ethylenglycoldiacetat und Ethylbenzoat, und die Differenz der Siedepunkte der beiden Lösemittel L2 und L3 unter SATP-Bedingungen mindestens 30°C beträgt, Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung.

Description

Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
Die vorliegende Erfindung betrifft Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
Die Herstellung halbleitender elektronischer Bauteilschichten über Druckprozesse ermöglicht im Vergleich zu vielen anderen Verfahren, wie z.B. Chemical Vapor Deposition (CVD), weitaus niedrigere Produktionskosten, da die Deposition des Halbleiters hier in einem kontinuierlichen Druckprozess erfolgen kann. Darüber hinaus eröffnet sich bei niedrigen Prozesstemperaturen die Möglichkeit, auf flexiblen Substraten zu arbeiten, und gegebenenfalls (vor allem im Falle sehr dünner Schichten und insbesondere bei oxidischen Halbleitern) eine optische Transparenz der gedruckten Schichten zu erreichen. Unter halbleitenden Schichten sind hier und im folgenden Schichten zu verstehen, die Ladungsträgerbeweglichkeiten von 0,1 bis 50 cm2A/s bei einem Bauteil mit einer Kanallänge von 20 μm und einer Kanalbreite von 1 cm bei 50 V Gate-Source-Spannung und 50 V Source-Drain-Spannung aufweisen.
Da das Material der über Druckverfahren herzustellenden Bauteilschicht die jeweiligen Schichteigenschaften maßgeblich bestimmt, hat seine Wahl einen bedeutsamen Einfluss auf jedes diese Bauteilschicht enthaltende Bauteil. Wichtige Parameter für gedruckte Halbleiterschichten sind ihre jeweiligen Ladungsträgerbeweglichkeiten sowie die Verarbeitbarkeiten und Verarbeitungstemperaturen der bei ihrer Herstellung eingesetzten verdruckbaren Vorstufen. Die Materialien sollten eine gute Ladungsträgerbeweglichkeit aufweisen und aus Lösung und bei Temperaturen deutlich unter 500 0C herstellbar sein, um für eine Vielzahl von Anwendungen und Substraten geeignet zu sein. Ebenfalls wünschenswert für viele neuartige Anwendungen ist eine optische Transparenz der erzeugten halbleitenden Schichten.
Indiumoxid (lndium(lll)oxid, In2Os) ist aufgrund der großen Bandlücke zwischen 3.6 und 3.75 eV (gemessen für aufgedampfte Schichten) [H. S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, TJ. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581] ein vielversprechender Halbleiter. Dünne Filme von wenigen hundert Nanometern Dicke können darüber hinaus eine hohe Transparenz im sichtbaren Spektralbereich von größer als 90 % bei 550 nm aufweisen. In extrem hoch geordneten Indiumoxid-Einkristallen kann man zudem Ladungsträgerbeweglichkeiten von bis zu 160 cm2A/s messen. Bislang können jedoch solche Werte durch Prozessierung aus Lösung noch nicht erreicht werden [H. Nakazawa, Y. Ito, E. Matsumoto, K. Adachi, N. Aoki, Y. Ochiai; J. Appl. Phys. 2006, 100, 093706. und A. Gupta, H. Cao, Parekh, K.K.V. Rao, A.R. Raju, U.V. Waghmare; J. Appl. Phys. 2007, 101, 09N513].
Indiumoxid wird oft vor allem zusammen mit Zinn(IV)-oxid (Snθ2) als halbleitendes Mischoxid ITO eingesetzt. Aufgrund der verhältnismäßig hohen Leitfähigkeit von ITO- Schichten bei gleichzeitiger Transparenz im sichtbaren Spektralbereich findet es unter anderem Anwendung im Bereich von Flüssigkristallbildschirmen (LCD; liquid crystal display), insbesondere als „durchsichtige Elektrode". Diese zumeist dotierten Metalloxid-Schichten werden industriell vor allem durch kosten intensive Aufdampfmethoden im Hochvakuum hergestellt. Aufgrund des großen wirtschaftlichen Interesses an ITO-beschichteten Substraten existieren mittlerweile einige, vor allem auf SoI-GeI- Techniken beruhende Beschichtungsverfahren für Indiumoxid-haltige Schichten.
Prinzipiell gibt es zwei Möglichkeiten für die Herstellung von Indiumoxid-Halbleitern über Druckverfahren: 1 ) Partikel-Konzepte, bei denen (Nano)Partikel in verdruckbarer Dispersion vorliegen und nach dem Druckvorgang durch Sintervorgänge in die gewünschte Halbleiterschicht konvertiert werden, sowie 2) Precursor-Konzepte, bei denen mindestens ein lösliches Vorprodukt nach dem Verdrucken zu einer Indiumoxid- haltigen Schicht umgesetzt wird. Das Partikelkonzept hat zwei bedeutende Nachteile gegenüber dem Einsatz von Precursoren: Zum einen weisen die Partikel-Dispersionen eine kolloidale Instabilität auf, die die Anwendung von (in Bezug auf die späteren Schichteigenschaften nachteiligen) Dispergieradditiven erforderlich macht, zum anderen bilden viele der einsetzbaren Partikel (z.B. aufgrund von Passivierungsschichten) nur unvollständig Schichten durch Sinterung aus, so dass in den Schichten teilweise noch partikuläre Strukturen vorkommen. An deren Partikelgrenze kommt es zu einem erheblichen Partikel-Partikel-Widerstand, welcher die Beweglichkeit der Ladungsträger verringert und den allgemeinen Schichtwiderstand erhöht.
Es gibt verschiedene Precursoren für die Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten. So können neben Indiumsalzen z.B. auch Indiumalkoxide als Precursoren für die Herstellung von Indiumoxid-haltigen Schichten eingesetzt werden.
Zum Beispiel beschreiben Marks et al. Bauteile, bei deren Herstellung eine Precursor- lösung aus InCb sowie der Base Monoethanolamin (MEA) gelöst in Methoxyethanol eingesetzt wird. Nach Aufschleudern (Spin-coating) der Lösung wird die entsprechende Indiumoxid-Schicht durch eine thermische Behandlung bei 400 0C erzeugt. [H. S. Kim, P.D. Byrne, A. Facchetti, TJ. Marks; J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 12580-12581 and supplemental informations]
Gegenüber Indiumsalz-Lösungen bieten Indiumalkoxid-Lösungen den Vorteil, dass sie bei geringeren Temperaturen zu Indiumoxid-haltigen Beschichtungen umgewandelt werden können.
Indiumalkoxide und ihre Synthese sind bereits seit den siebziger Jahren des vorigen Jahrhunderts beschrieben. Mehrotra et al. beschreiben die Herstellung von Indium-tris- Alkoxid In(OR)3 aus lndium(lll)chlohd (InCI3) mit Na-OR, wobei R für -Methyl, -Ethyl, iso-Propyl, n-, s-, t-Butyl und -Pentyl Reste steht. [S. Chatterjee, S. R. Bindal, R.C. Mehrotra; J. Indian Chem. Soc.1976, 53, 867].
Bradley et al. berichten von einer ähnlichen Reaktion wie Mehrotra et al. und erhalten bei annähernd identischen Edukten (InCI3, Isopropyl-Nathum) und Reaktionsbedingungen einen Indium-Oxo-Cluster mit Sauerstoff als Zentralatom [D. C. Bradley, H. Chudzynska, D.M. Frigo, M.E. Hammond, M.B. Hursthouse, M.A. Mazid; Polyhedron 1990, 9, 719]. Hoffman et al. zeigen eine alternative Syntheseroute zu Indium-Isopropoxid und erhalten im Gegensatz zu Mehrotra et al. einen unlöslichen weißen Feststoff. Sie vermuten einen polymeren Stoff [ln(O-iPr)3]n [S. Suh, D. M. Hoffman; J. Am. Chem. Soc. 2000, 122, 9396-9404].
Viele Verfahren zur Herstellung von Indiumoxid-haltigen Beschichtungen über Precursorverfahren beruhen auf Sol-Gel-Techniken, bei denen aus Precursoren herstellbare Metallat-Gele durch einen Konvertierungsschritt in die entsprechenden Oxid-Schichten umgewandelt werden.
So beschreibt JP 11 -106934 A (Fuji Photo Film Co. Ltd.) ein Verfahren zur Herstellung eines transparenten leitfähigen Metall-Oxid-Filmes auf einem transparenten Substrat über einen Sol-Gel-Prozess, bei dem unterhalb von 0 0C ein Metallalkoxid oder ein Metallsalz, bevorzugt ein Indiumalkoxid oder Indiumsalz, in Lösung hydrolysiert wird und dann das Hydrolysat erhitzt wird.
JP 06-136162 A (Fujimori Kogyo K.K.) beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Metalloxid-Filmes aus Lösung auf einem Substrat, bei dem eine Metall-Alkoxid-Lösung, insbesondere eine Indium-Isopropoxid-Lösung, zu einem Metall-Oxid-Gel umgesetzt, auf ein Substrat aufgetragen, getrocknet und mit Wärme behandelt wird, wobei vor, während oder nach dem Trocknungs- und Wärmebehandlungsschritt mit UV-Strahlung bestrahlt wird.
Auch JP 09-157855 A (Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho K.K.) beschreibt die Herstellung von Metalloxid-Filmen aus Metall-Alkoxid-Lösungen über eine Metall-Oxid-Sol- Zwischenstufe, die auf das Substrat aufgebracht und durch UV Strahlung in das jeweilige Metalloxid umgewandelt werden. Bei dem resultierenden Metalloxid kann es sich um Indiumoxid handeln.
CN 1280960 A beschreibt die Herstellung einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht aus Lösung über ein Sol-Gel-Verfahren, bei dem ein Gemisch von Metall-Alkoxiden in einem Lösemittel gelöst, hydrolysiert und dann zur Beschichtung eines Substrates mit nachfolgender Trocknung und Härtung eingesetzt wird.
Diese SoI -Gel -Verfahren haben jedoch gemein, dass ihre Gele entweder aufgrund der hohen Viskosität nicht für den Einsatz bei Druckprozessen geeignet sind und/oder, insbesondere im Falle gering konzentrierter Lösungen, die resultierenden Indiumoxid- haltigen Schichten Inhomogenitäten und somit schlechte Schicht-Parameter aufweisen. Unter einer Inhomogenität wird im vorliegenden Fall eine Kristallbildung in einzelnen Domänen verstanden, die an der Oberfläche zu Rauhigkeiten von über Rms = 20 nm (quadratische Rauheit, englisch rms-roughness = root-mean-squared roughness: Wurzel des Mittelquadrates; gemessen über Atomic Force Microscopy) führt. Diese Rauhigkeit wirkt sich zum einen nachteilig auf die Schichteigenschaften der Indiumoxid- haltigen Schicht (es resultieren vor allem zu geringe Ladungsträgerbeweglichkeiten für Halbleiter-Anwendungen) und zum anderen nachteilig für das Aufbringen weiterer Schichten zur Erzeugung eines Bauteils aus.
Im Gegensatz zu den bisher beschriebenen Sol-Gel-Techniken wird in JP 11-106935 A (Fuji Photo Film Co. Ltd.) ein Verfahren zur Herstellung eines leitfähigen Metall-Oxid- Filmes auf einem transparenten Substrat beschrieben, bei dem zur Erzielung von Härtungstemperaturen unterhalb von 250 0C, bevorzugt unterhalb von 100 0C, eine Beschichtungszusammensetzung enthaltend ein Metall-Alkoxid und/oder ein Metallsalz auf einem transparenten Substrat thermisch getrocknet und anschließend mit UV- oder VIS-Strahlung konvertiert wird.
Die bei diesem Verfahren eingesetzte Konvertierung über elektromagnetische Strahlung hat jedoch den Nachteil, dass die resultierende Halbleiterschicht an der Oberfläche wellig und uneben ist. Dieses resultiert aus der Schwierigkeit, eine gleichmäßige und gleichförmige Strahlungsverteilung auf dem Substrat zu erreichen.
JP 2007-042689 A beschreibt Metallalkoxid-Lösungen, die zwingend Zinkalkoxide enthalten und weiterhin Indiumalkoxide enthalten können, sowie Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, die diese Metallalkoxid-Lösungen einsetzen. Die Metallalkoxid-Filme werden thermisch behandelt und zur Oxid-Schicht umgewandelt.
Auch diese Systeme liefern jedoch nicht ausreichend homogene Filme.
Der vorliegenden Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, gegenüber dem bekannten Stand der Technik Systeme bereitzustellen, mit denen Indiumoxid-haltige Schichten ohne die erwähnten Nachteile des dargelegten Standes der Technik hergestellt werden können, d.h. Systeme bereitzustellen, die in herkömmlichen Druckverfahren einsetzbar sind und mit denen Indiumoxid-haltige Schichten einer besseren Qualität hergestellt werden können, die eine hohe Homogenität und eine geringe Welligkeit, Unebenheit und Rauhigkeit (insbesondere eine Rauhigkeit ≤ 20 nm Rms) aufweisen.
Diese Aufgabe wird gelöst durch flüssige Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzungen, umfassend mindestens ein Indiumalkoxid und mindestens drei Lösemittel Li, L2 und L3, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösemittel Li ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Ethylenglycoldiacetat und Ethylbenzoat, und die Differenz der Siedepunkte der beiden Lösemittel L2 und L3 unter SATP-Bedingungen mindestens 30 0C beträgt.
Überraschenderweise konnte dabei festgestellt werden, dass sich in Zusammensetzungen mit mehr als zwei Lösungsmitteln ohne eine signifikante Verschlechterung der Qualität der mit der Zusammensetzung erzeugbaren Indiumoxid- haltigen Schichten die Lagerungsbeständigkeit und die Haltbarkeit der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen an Luft gegenüber Systemen mit nur zwei Lösemitteln signifikant verbesserte. Dieser Effekt war besonders ausgeprägt, wenn das System mindestens eines der folgendes Lösungsmittel enthielt: Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol oder Butylacetat. Unter flüssigen Zusammensetzungen im Sinne der vorliegenden Erfindung sind dabei solche zu verstehen, die bei SATP-Bedingungen („Standard Ambient Temperature and Pressure"; T = 25 0C und p = 1013 hPa) flüssig vorliegen.
Das Indiumalkoxid ist bevorzugt ein lndium(lll)alkoxid. Weiter bevorzugt handelt es sich bei dem lndium(lll)-alkoxid um ein Alkoxid mit mindestens einer C1 - bis C15-Alkoxy- oder -Oxyalkylalkoxygruppe, besonders bevorzugt mindestens einer C1 - bis C10- Alkoxy- oder -Oxyalkylalkoxygruppe. Ganz besonders bevorzugt ist das lndium(lll)- Alkoxid ein Alkoxid der genehschen Formel ln(OR)3, in der R eine C1- bis C15-Alkyl- oder -Alkyloxyalkylgruppe, noch weiter bevorzugt eine C1- bis C10-Alkyl- oder -Alkyloxyalkylgruppe darstellt. Besonders bevorzugt ist dieses Indium(lll)-Alkoxid In(OCHs)3, In(OCH2CHs)3, In(OCH2CH2OCHs)3, ln(OCH(CH3)2)3 oder ln(O(CH3)3)3. Noch weiter bevorzugt wird ln(OCH(CH3)2)3 (Indiumisopropoxid) eingesetzt.
Das Indiumalkoxid liegt in der Zusammensetzung bevorzugt in Anteilen von 1 bis 15 Gew.-%, besonders bevorzugt 2 bis 10 Gew.-%, ganz besonders bevorzugt 2,5 bis 7,5 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung vor.
Bei den Lösemitteln L2 und L3 handelt es sich bevorzugt unabhängig voneinander um organische Lösemittel ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Alkoholen, Polyalkoholen, Estern, Aminen, Ketonen oder Aldehyden. Dabei kann im wesentlichen jede Kombination an Lösemitteln gewählt werden, wenn diese so ausgewählt werden, dass die Differenz ihrer Siedepunkte unter SATP-Bedingungen mindestens 30 0C beträgt, und gewährleistet ist, dass immer mindestens drei unterschiedliche Lösemittel vorliegen.
Bevorzugte Zusammensetzungen sind solche, bei denen der Siedepunkt von L2 unter SATP-Bedingungen 30-120 0C und der Siedepunkt von L3 unter SATP-Bedingungen 120-300 0C beträgt, wiederum mit der Maßgabe, dass die beiden ausgewählten Lösemittel eine Siedepunktsdifferenz von mindestens 30 0C unter SATP-Bedingungen aufweisen. Ganz besonders bevorzugt ist das Lösemittel L2 in der Zusammensetzung ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Isopropanol, Methanol, Ethanol, Aceton, Toluol, Tetrahydrofuran, Methylethylketon, Chloroform, Ethylacetat, Ethylenglycoldimethylether.
Weiterhin ganz besonders bevorzugt ist das L3 ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Anisol, Ethylbenzoat, Ethylenglycoldiacetat, Ethyllactat und Diethylenglycol, noch weiter bevorzugt Diethylenglycol, Butylacetat und Ethyllactat.
Ganz besonders hochwertige Indiumoxid-haltige Schichten können mit Zusammensetzungen umfassend L2 = Isopropanol und L3 = Diethylenglycol hergestellt werden.
Bevorzugt enthalten die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen das Lösemittel L2 in Anteilen von 30 - 95 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung, und dass Lösemittel L3 in Anteilen von 0,5 - 70 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung.
Ganz besonders lagerungsbeständige und stabile Zusammensetzungen wurden mit einem Gemisch aus den Lösemitteln Isopropanol, Butylacetat und Ethyllactat erreicht.
Mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen können - in dem Fall, dass die Zusammensetzung neben dem Indiumalkoxid keine weiteren Metallprecursoren enthält - qualitativ sehr hochwertige Indiumoxid-Schichten hergestellt werden. Unter einer Indiumoxid-Schicht im Sinne der vorliegenden Erfindung ist dabei eine aus den erwähnten Indiumalkoxiden herstellbare, metallhaltige Schicht zu verstehen, die im Wesentlichen Indiumatome bzw. -ionen aufweist, wobei die Indiumatome bzw. -ionen im Wesentlichen oxidisch vorliegen. Gegebenenfalls kann die Indiumoxid-Schicht auch noch Carben- bzw. Alkoxid-Anteile aus einer nicht vollständigen Konvertierung aufweisen. Im Gegensatz dazu ist unter einer Indiumoxid-haltigen Schicht eine Schicht zu verstehen, die neben den im Wesentlichen oxidisch vorliegenden Indiumatomen bzw. -ionen auch noch weitere Metalle, Halbmetalle oder ihre entsprechenden Oxide aufweist.
Vorteilhaft weist die erfindungsgemäße Zusammensetzung jedoch noch mindestens einen weiteren (Halb)Metallprecursor auf. Besonders qualitativ hochwertige Indiumoxid- haltige Schichten können dabei hergestellt werden, wenn die Zusammensetzung noch mindestens ein weiteres (Halb)Metallalkoxid aufweist. Der Begriff (Halb)Metallalkoxid umfasst dabei sowohl Halbmetallalkoxide als auch Metallalkoxide.
Dieses mindestens eine (Halb)Metallalkoxid liegt bevorzugt in Anteilen von 0,01 - 7,5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung vor.
Bevorzugt ist das mindestens eine (Halb)Metallalkoxid ein Alkoxid eines Metalls oder Halbmetalls ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus den Metallen bzw. Halbmetallen der Gruppe 1 , 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 , 12, 13, 14 oder 15, bevorzugt ein Alkoxid eines Metalls bzw. Halbmetalls ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zn, Ga, Sn, Mg, Fe, AI, Ba, Cu, Ti, Si, Pb, Zr, Hf, Ta, Nb, Ge, Mn, Re, Ru und Ag. Ganz besonders bevorzugt ist das (Halb)Metallalkoxid ein Alkoxid eines Metalls bzw. Halbmetalls ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Zn, Ga, Sn, Ti und Cu.
Das mindestens eine weitere (Halb)Metallalkoxid ist bevorzugt ein Alkoxid mit mindestens einer C1 - bis C15-Alkoxy- oder -Oxyalkylalkoxygruppe, besonders bevorzugt mindestens einer C1 - bis C10-Alkoxy- oder -Oxyalkylalkoxygruppe. Ganz besonders bevorzugt ist das (Halb)Metallalkoxid ein Alkoxid der generischen Formel ln(OR)3, in der R eine C1- bis C15-Alkyl- oder -Alkyloxyalkylgruppe, noch weiter bevorzugt eine C1- bis C10-Alkyl- oder -Alkyloxyalkylgruppe darstellt. Besonders bevorzugt ist dieses (Halb)Metallalkoxid ein Alkoxid des Typs M(X)(OCH3)X, M(x)(OCH2CH3)x, M(x)(OCH2CH2OCH3)x, M(x)(OCH(CH3)2)x oder M(x)(O(CH3)3)x wobei der Index x der entsprechenden Wertigkeit des (Halb)Metalls entspricht. Die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen können dadurch hergestellt werden, dass das mindestens eine Indiumalkoxid mit einem Gemisch umfassend die mindestens drei Lösemittel vermischt wird.
Alternativ können die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen auch dadurch hergestellt werden, dass eine Zusammensetzung umfassend das mindestens eine Indiumalkoxid und mindestens ein Lösemittel mit dem bzw. den anderen Losem ittel(n) vermischt wird.
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist weiterhin die Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen zur Herstellung halbleitender Strukturen.
Die mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen herstellbaren halbleitenden Indiumoxid-haltigen Strukturen weisen Ladungsträgerbeweglichkeiten zwischen 0,1 und 50 cm2A/s (gemessen bei 50 V Gate-Source-Spannung, 50 V Drain-Source-Spannung, 1 cm Kanalbreite und 20 μm Kanallänge) auf, wobei diese über das Modell der „Gradual Channel Approximation" bestimmt werden können. Hierzu werden die von klassischen MOSFETs bekannten Formeln verwendet. Im linearen Bereich gilt:
I D — "y^- ii-i i u GS — t--:r — " *-' DS
L \ 2 ,J (1)
wobei ID der Drain-Strom, UDs die Drain-Source-Spannung, UGs die Gate-Source- Spannung, C/ die flächennormierte Kapazität des Isolators, W die Breite des Transistorkanals, L die Kanallänge des Transistors, μ die Ladungsträgerbeweglichkeit und UT die Schwellenspannung sind.
Im Sättigungsbereich gilt eine quadratische Abhängigkeit zwischen Drain-Strom und Gate-Spannung, die vorliegend zur Bestimmung der Ladungsträgerbeweglichkeit verwendet wird:
Figure imgf000012_0001
Bevorzugt werden die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen bei Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-haltiger Strukturen, insbesondere halbleitender Indiumoxid-haltiger Schichten verwendet. Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist somit auch die Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen zur Herstellung halbleitender Strukturen. Bevorzugt erfolgt diese Verwendung in Form des Einsatzes der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen bei Beschichtungsverfahren, mit denen halbleitende Strukturen hergestellt werden. Besonders gut geeignet sind die erfindungsgemäßen Zusammensetzungen für den Einsatz bei Beschichtungsverfahren ausgewählt aus Druckverfahren (insbesondere Flexo/Gravur-Druck, Inkjet-Druck, Offset-Druck, digitalem Offset-Druck und Siebdruck), Sprühverfahren, Rotationsbeschichtungsverfahren („Spin-coating") und Tauchverfahren („Dip-coating"). Ganz besonders bevorzugt ist das erfindungsgemäße Druckverfahren ein Druckverfahren.
Das Substrat, das bei diesen erfindungsgemäßen Verfahren eingesetzt wird, ist bevorzugt ein Substrat ausgewählt aus Substraten bestehend aus Glas, Silicium, Siliciumdioxid, einem Metall- oder Übergangsmetalloxid oder einem polymeren Material, insbesondere PE, PEN, PI oder PET.
Nach der Beschichtung und vor der Konvertierung kann das beschichtete Substrat weiterhin getrocknet werden. Entsprechende Maßnahmen und Bedingungen hierfür sind dem Fachmann bekannt.
Die Konvertierung der erzeugten Struktur bzw. Schicht zu Indiumoxid bzw. einer Indiumoxid-haltigen Schicht bzw. Struktur kann auf thermischem Wege und/oder durch UV-, IR- oder VIS-Strahlung erfolgen. Besonders gute Ergebnisse können jedoch erzielt werden, wenn zur Konvertierung Temperaturen von 150 0C bis 360 0C eingesetzt werden. Dabei werden typischerweise Konvertierungszeiten von einigen Sekunden bis hin zu mehreren Stunden verwendet.
Die Konvertierung kann weiterhin dadurch unterstützt werden, dass die nach dem Beschichtungsschritt erhaltene Schicht vor der thermischen Behandlung in Kontakt mit Wasser und/oder Wasserstoffperoxid gebracht wird und diese in einem Zwischenschritt zunächst zu einem Metallhydroxid umzuwandeln, bevor die thermische Umwandlung erfolgt.
Die Güte der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten Schicht kann weiterhin durch eine an den Konvertierungsschritt anschließende kombinierte Temperatur- und Gasbehandlung (mit H2 oder O2), Plasmabehandlung (Ar-, N2, O2 oder H2-Plasma), Mikrowellenbehandlung, Laser-Behandlung (mit Wellenlängen im UV-, VIS- oder IR-Bereich), UV-Licht, Infrarotstrahlung oder eine Ozon-Behandlung weiter verbessert werden.
Gegenstand der Erfindung sind weiterhin mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen herstellbare Indiumoxid-haltigen Schichten.
Die mit den erfindungsgemäßen Zusammensetzungen herstellbaren Indiumoxid- haltigen Strukturen eignen sich weiterhin vorteilhaft für die Herstellung elektronischer Bauteile, insbesondere die Herstellung von (Dünnschicht)Transistoren, Dioden oder Solarzellen.
Die nachfolgenden Beispiele sollen den Gegenstand der vorliegenden Erfindung näher erläutern. Vergleichsbeispiel:
Ansetzen der Lösung O
Zu einer 5 Gew.-% Lösung von lndium(lll)-lsopropoxid in Isopropanol (bp: 82 0C) wurden 10 Vol.-% Isopropanol hinzugefügt. Auf diese Weise lassen sich Effekte, die durch die veränderte Konzentration im erfindungsgemäßen Beispiel entstehen, ausschließen.
Beschichtung
Ein dotiertes Siliciumsubstrat mit einer Kantenlänge von etwa 15 mm und mit einer ca. 200 nm dicken Siliciumoxid-Beschichtung und Fingerstrukturen aus ITO/Gold wurde unter den gleichen Bedingungen wie zuvor ausgeführt mit 100 μL der angesetzten Lösung 0 per Spin-Coating (2000 rpm) an Luft unter SATP-Bedingungen beschichtet. Nach dem Beschichtungsvorgang wurde das beschichtete Substrat an der Luft bei einer Temperatur von 350 0C eine Stunde lang getempert.
Abbildung 1 zeigt eine SEM-Aufnahme der resultierenden In2θ3-Schicht der erfindungsgemäßen Beschichtung, Abbildung 2 eine entsprechende SEM-Aufnahme des Vergleichbeispiels (Vergrößerung: 10.000x). Deutlich zu erkennen ist die wesentlich geringere Rauhigkeit der erfindungsgemäßen Schicht. Weiterhin sind die Schichten des Vergleichsbeispiels wesentlich inhomogener als die des erfindungsgemäßen Beispiels.
Die erfindungsgemäße Beschichtung zeigt eine Ladungsträgerbeweglichkeit von 1 cm2A/s (bei 50 V Gate-Source-Spannung, 50 V Source-Drain-Spannung, 1 cm Kanalbreite und 20 μm Kanallänge). Demgegenüber beträgt die Ladungsträgerbeweglichkeit in der Schicht des Vergleichsbeispiels nur 0,02 cm2A/s (bei 50 V Gate-Source-Spannung, 50 V Source-Drain-Spannung, 1 cm Kanalbreite und 20 μm Kanallänge). Erfindungsgemäße Beispiele 1 - 4
Analog zu dem oben genannten Beispiel wurden weitere Zusammensetzungen hergestellt. Mit diesen Lösungen wurden analog zum Vergleichsbeispiel Transistoren gebaut und deren Ladungsträgerbeweglichkeiten vermessen. Tabelle 1 enthält die Zusammenfassung der hergestellten Lösungen und die gemessenen Beweglichkeiten.
Ansetzen der Lösung 1
Zu einer 5 Gew.-% Lösung von lndium(lll)-lsopropoxid in Isopropanol (bp: 82 0C) wurden 10 Vol.-% eines Gemisches aus 50 Vol.-% Butylacetat (bp: 127 0C) und 50 VoI.- % Ethyllactat (bp: 154 0C) hinzugefügt.
Ansetzen der Lösung 2
Zu einer 5 Gew.-% Lösung von lndium(lll)-lsopropoxid in Isopropanol (bp: 82 0C) wurden 10 Vol.-% eines Gemisches aus 50 Vol.-% Diethylenglycol (bp: 244 0C) und 50 Vol.-% Anisol (bp: 155 0C) hinzugefügt.
Ansetzen der Lösung 3
Zu einer 5 Gew.-% Lösung von lndium(lll)-lsopropoxid in Isopropanol (bp: 82 0C) wurden 10 Vol.-% eines Gemisches aus 50 VoI .-% Diethylenglycol (bp: 244 0C) und 50 Vol.-% Ethylenglycoldiacetat (bp: 190 0C) hinzugefügt.
Ansetzen der Lösung 4
Zu einer 5 Gew.-% Lösung von lndium(lll)-lsopropoxid in Isopropanol (bp: 82 0C) wurden 10 Vol.-% eines Gemisches aus 50 Vol.-% Diethylenglycol (bp: 244 0C) und 50 Vol.-% Ethylbenzoat (bp: 214 0C) hinzugefügt.
Beschichtung
Ein dotiertes Siliciumsubstrat mit einer Kantenlänge von etwa 15 mm und mit einer ca. 200 nm dicken Siliciumoxid-Beschichtung und Fingerstrukturen aus ITO/Gold wurde unter den gleichen Bedingungen wie zuvor ausgeführt mit 100 μL der jeweiligen Lösung per Spin-Coating (2000 rpm) an Luft unter SATP-Bedingungen beschichtet. Nach dem Beschichtungsvorgang wurde das beschichtete Substrat an der Luft bei einer Temperatur von 350 0C eine Stunde lang getempert. Die Ergebnisse der elektrischen Messungen können Tabelle 1 entnommen werden.
Tabelle 1:
Figure imgf000017_0001

Claims

Patentansprüche:
1. Flüssige Indiumalkoxid-haltige Zusammensetzung, umfassend
- mindestens ein Indiumalkoxid und
- mindestens drei Lösemittel Li, L2 und L3, dadurch gekennzeichnet, dass das Lösemittel Li ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Ethylenglycoldiacetat und Ethylbenzoat, und die Differenz der Siedepunkte der beiden Lösemittel L2 und L3 unter SATP-Bedingungen mindestens 30 0C beträgt.
2. Zusammensetzung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass Lösemittel Li ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Ethyllactat, Anisol, Tetrahydrofurfurylalkohol und Butylacetat.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Indiumalkoxid ein lndium(lll)alkoxid mit mindestens einer C1 - bis C15-Alkoxy- oder -Oxyalkylalkoxygruppe ist.
4. Zusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass das lndium(lll)alkoxid Indiumisopropoxid ist.
5. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Indiumalkoxid in der Zusammensetzung in Anteilen von 1 bis 15 Gew.-%, besonders bevorzugt 2 bis 10 Gew.-%, ganz besonders bevorzugt 2,5 bis 7,5 Gew.-% bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung vorliegt.
6. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lösemittel L2 und L3 organische Lösemittel sind, die unabhängig voneinander ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Alkoholen, Polyalkoholen, Estern, Aminen, Ketonen oder Aldehyden sind.
7. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Siedepunkt von L2 unter SATP-Bedingungen 30 - 120 0C und der Siedepunkt von L3 unter SATP-Bedingungen 120 -
300 0C beträgt.
8. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass L2 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Isopropanol, Methanol, Ethanol, Aceton, Toluol, Tetrahydrofuran, Ethylacetat, Methyl ethylketon, Chloroform und Ethylenglycoldimethylether.
9. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass L3 ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Tetrahydrofurfurylalkohol, Butylacetat, Diethylenglycol, Anisol, Ethylenglycoldiacetat, Ethylbenzoat und Ethyllactat.
10. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung die zwei Lösemittel Isopropanol und Diethylenglycol umfasst.
11. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil von L2 30 - 95 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung, und der Anteil von L30,5 - 70 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung beträgt.
12. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zusammensetzung mindestens die drei Lösemittel Isopropanol, Butylacetat und Ethyllactat aufweist.
13. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie noch mindestens ein weiteres Metallalkoxid aufweist.
14. Zusammensetzung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des mindestens einen Metallalkoxids 0,01 - 7,5 Gew.-%, bezogen auf die Gesamtmasse der Zusammensetzung, beträgt.
15. Verfahren zur Herstellung einer flüssigen Indiumalkoxid-haltigen Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das mindestens eine Indiumalkoxid mit einem Gemisch der mindestens drei Lösemittel vermischt wird.
16. Verfahren zur Herstellung einer flüssigen Indiumalkoxid-haltigen Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass eine Zusammensetzung umfassend das mindestens eine Indiumalkoxid und mindestens ein Lösemittel mit dem bzw. den anderen Lösemitteln vermischt wird.
17. Verwendung einer Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 zur Herstellung halbleitender Strukturen.
18. Verwendung einer Zusammensetzung nach einem der Ansprüche 1 bis 14 zur Herstellung elektronischer Bauteile, insbesondere zur Herstellung von (Dünnschicht)Transistoren, Dioden oder Solarzellen.
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