WO2010082433A1 - 反応装置及び反応装置の製造方法 - Google Patents

反応装置及び反応装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2010082433A1
WO2010082433A1 PCT/JP2009/071307 JP2009071307W WO2010082433A1 WO 2010082433 A1 WO2010082433 A1 WO 2010082433A1 JP 2009071307 W JP2009071307 W JP 2009071307W WO 2010082433 A1 WO2010082433 A1 WO 2010082433A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
introduction
groove
substrate
reaction
path
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/071307
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
吉田　龍生
野一色　公二
Original Assignee
株式会社神戸製鋼所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社神戸製鋼所 filed Critical 株式会社神戸製鋼所
Priority to KR1020117018788A priority Critical patent/KR101280642B1/ko
Priority to CN200980154856.1A priority patent/CN102281941B/zh
Priority to EP09838398.7A priority patent/EP2384810B1/en
Publication of WO2010082433A1 publication Critical patent/WO2010082433A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/0093—Microreactors, e.g. miniaturised or microfabricated reactors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B1/00—Devices without movable or flexible elements, e.g. microcapillary devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C3/00—Assembling of devices or systems from individually processed components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00783—Laminate assemblies, i.e. the reactor comprising a stack of plates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00851—Additional features
    • B01J2219/00858—Aspects relating to the size of the reactor
    • B01J2219/0086—Dimensions of the flow channels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00851—Additional features
    • B01J2219/00858—Aspects relating to the size of the reactor
    • B01J2219/00862—Dimensions of the reaction cavity itself
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00873—Heat exchange
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00889—Mixing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/00781—Aspects relating to microreactors
    • B01J2219/00891—Feeding or evacuation

Definitions

  • the present invention relates to a reaction apparatus and a method for producing the reaction apparatus.
  • a desired reaction product has been produced by reacting both reactants with each other while flowing the first reactant and the second reactant in contact with each other.
  • a reactor disclosed in Patent Document 1 below is used for the production of such a product.
  • FIGS. 10 and 11 show examples of the reaction apparatus disclosed in Patent Document 1, respectively.
  • the reaction apparatus shown in FIG. 10 includes a flow channel structure 102 in which a flow channel through which a reactant is circulated is provided.
  • the flow path in the flow path structure 102 flows through the first introduction path 104 into which the first reactant is introduced, the second introduction path 106 into which the second reactant is introduced, and the respective introduction paths 104 and 106. It is constituted by a joint channel 108 for joining both the reactants, and a reaction channel 110 for reacting the two reactants joined in the joint channel 108 while circulating them.
  • the flow path structure 102 includes a substrate 112 and a pair of sealing plates 114 and 116 integrated with the substrate 112 with the substrate 112 interposed therebetween.
  • a first introduction groove 118 constituting the first introduction path 104 and a reaction groove 120 constituting the reaction path 110 are formed on one surface of the substrate 112, and the first surface is formed on the other surface of the substrate 112.
  • a second introduction groove 122 that constitutes the two introduction path 106 is formed.
  • the joining hole 124 constituting the joining channel 108 connects the grooves 118, 122, 120 between the downstream ends of the introduction grooves 118, 122 and the upstream ends of the reaction grooves 120. It penetrates from one side of 4 to the other side.
  • the first reactant flows smoothly and linearly due to the bottom surface of the first introduction groove 118 and the bottom surface of the reaction groove 120 being flush with each other, while the first of the substrates 112. Due to the formation of the second introduction groove 122 on the surface opposite to the surface on which the first introduction groove 118 and the reaction groove 120 are formed, the second reaction with respect to the linearly flowing first reactant is performed. The agent joins from the middle. For this reason, it is relatively difficult to sufficiently mix the second reactant with the first reactant, and as a result, it is difficult to improve the uniformity of mixing of the two reactants.
  • the first reactant passes from the one surface side of the substrate 112 to the other through the first introduction channel 104 to the reaction channel 110 through the combined channel 108.
  • the second reactant is connected to the other surface of the substrate 112 along the path from the second introduction path 106 to the reaction path 110 through the combined flow path 108 while flowing to the downstream side. If it is configured to be bent so that it flows from one side to the other while moving from one side to the other, the reactants merge while moving in the direction of approaching each other, and as a result, the uniformity of mixing of both reactants It is possible to increase.
  • the grooves 112 corresponding to the first introduction path 104, the second introduction path 106, the reaction path 110, and the combined flow path 108 are formed in the substrate 112.
  • the sealing plates 114 and 116 are positioned with respect to the substrate 112 so that the protruding portions of the sealing plates 114 and 116 fit into the portions corresponding to the reaction path 110 of the substrate 112 thus etched. It is necessary to join them together, and the joining process of the sealing plates 114 and 116 and the substrate 112 becomes complicated. Therefore, this configuration has a problem that the manufacturing process of the reaction apparatus becomes complicated.
  • An object of the present invention is to provide a reaction apparatus and a reaction apparatus manufacturing method that solve the above-described problems.
  • Another object of the present invention is to prevent the manufacturing process of the reaction apparatus from becoming complicated while improving the uniformity of mixing of the reactants in the reaction apparatus.
  • a reaction apparatus is a reaction apparatus for reacting a first reactant and a second reactant while circulating them, a first introduction path through which the first reactant is introduced, and the first A second introduction path through which the two reactants are introduced, the first introduction path connected to the downstream side of the first introduction path and the downstream side of the second introduction path, and flowing through the first introduction path and the second introduction path
  • a flow path structure having a flow path inside, the flow path structure having a substrate, a first sealing member bonded to the surface in a state of covering one surface of the substrate, Second bonded to the other surface of the substrate while covering the other surface
  • a first introduction groove that forms the first introduction path and a reaction groove that forms the reaction path are formed on one surface of the substrate,
  • a second introduction groove that constitutes the second introduction path is formed on the other surface of the substrate,
  • a method for producing a reaction device is a method for producing a reaction device comprising a flow channel structure in which a flow channel for circulating a first reactant and a second reactant is provided.
  • the flow path includes a first introduction path through which the first reactant is introduced, a second introduction path through which the second reactant is introduced, a downstream side of the first introduction path, and the second introduction path. Connected to the downstream side of the passage, and joined to the downstream side of the combined passage for joining the first reactant flowing through the first introduction passage and the second reactant flowing through the second introduction passage.
  • a structure forming step of forming the flow path structure so as to have a reaction path for causing the reactants combined in the combined flow path to flow and react with each other comprising: The first introduction groove constituting the first introduction path on one surface of A first introduction groove forming step formed by etching; a reaction groove forming step of forming a reaction groove constituting the reaction path on one surface of the substrate by etching; and the second introduction channel formed on the other surface of the substrate.
  • a merge hole forming step for forming the downstream end and the upstream end of the reaction groove so as to penetrate the substrate, and one of the substrates to cover the one surface.
  • the first introduction groove forming step includes forming a first introduction groove connecting portion for etching at least one portion of the substrate to a first depth to form at least a portion of the first introduction groove connected to the junction hole.
  • the reaction groove forming step includes a step of etching one surface of the substrate to a second depth larger than the first depth to form at least a portion of the reaction groove connected to the junction hole. Including a groove connecting portion forming step.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of a first flow path structure and a second flow path structure that constitute the flow path device of the reaction apparatus shown in FIG. 1. It is the figure which showed schematically the positional relationship with the group of the 1st introduction path in the 1st flow path structure, the group of the 2nd introduction path, the group of the combined flow path, and the group of the reaction path. It is a top view of one side of the substrate which constitutes the 1st channel structure. It is a top view of the other surface of the board
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the first flow path structure along the line VII-VII in FIG. 6.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the first flow path structure along the line VIII-VIII in FIG. 6.
  • FIG. 7 is a partial cross-sectional view of the first flow path structure along the line IX-IX in FIG. 6. It is sectional drawing along the flow path of the flow-path structure of the reaction apparatus by a conventional example. It is sectional drawing along the flow path of the flow-path structure of the reaction apparatus by another conventional example.
  • the reaction apparatus includes a flow path device S as shown in FIG.
  • the flow path device S includes a first flow path structure 1a having a plurality of flow paths 2 through which a reactant flows and a second flow path structure having a plurality of heat medium paths through which a heat medium flows.
  • a plurality of bodies 1b are alternately stacked.
  • the first flow path structure 1a is included in the concept of the flow path structure of the present invention.
  • the reaction apparatus according to the present embodiment is generally called a microreactor, and this reaction apparatus is provided with a first reactant and a plurality of minute flow paths 2 provided in the first flow path structure 1a.
  • a desired reaction product is produced by reacting the second reactants while circulating them.
  • the first flow path structure 1 a is configured by a substrate 4, a first sealing member 6, and a second sealing member 8.
  • the substrate 4, the first sealing member 6, and the second sealing member 8 are each formed of a rectangular flat plate.
  • the first sealing member 6 is bonded to the surface of the substrate 4 while covering one surface.
  • the second sealing member 8 is bonded to that surface in a state of covering the other surface of the substrate 4. That is, the first flow path structure is obtained by integrating the sealing members 6, 8 and the substrate 4 in a state where the substrate 4 is sandwiched between the first sealing member 6 and the second sealing member 8. 1a is configured.
  • each flow path 2 includes a first introduction path 10, a second introduction path 12, a combined flow path 14 (see FIG. 6), and a reaction path 16 (see FIG. 6).
  • the first introduction path 10 is a portion where the first reactant is introduced.
  • the second introduction path 12 is a portion where the second reactant is introduced.
  • the combined flow path 14 is connected to the downstream side of the first introduction path 10 and the downstream side of the second introduction path 12.
  • the joint channel 14 is a part for joining the first reactant flowing through the first introduction passage 10 and the second reactant flowing through the second introduction passage 12.
  • the reaction path 16 is connected to the downstream side of the combined flow path 14.
  • the reaction path 16 is a part for allowing the reactants merged in the combined flow path 14 to react with each other while flowing.
  • the first flow path structure 1a from the group consisting of the first introduction path 10 of each flow path 2, the group consisting of the second introduction path 12 of each flow path 2, and the combined flow path 14 of each flow path 2. And a group consisting of the reaction paths 16 of the respective flow paths 2 are arranged in a positional relationship as shown in FIG.
  • Each first introduction path 10 has an introduction port 10a at one end in the width direction of the first flow path structure 1a.
  • Each first introduction path 10 extends linearly from the introduction port 10a in the width direction of the first flow path structure 1a, then bends 90 °, and straight in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a. Extended.
  • a first reactant supply unit 50a (see FIG. 1) is connected to the introduction port 10a of each first introduction path 10. The first reactant is distributed and introduced to each first introduction path 10 from the first reactant supply section 50a.
  • each first introduction path 10 has a different flow path length.
  • the first introduction paths 10 are arranged in parallel in the width direction of the first flow path structure 1a at equal intervals, and the first introduction paths 10 are bent at positions where the first introduction paths 10 are bent.
  • the first introduction path 10 arranged at the position of the first introduction path 10 is longer than the first introduction path 10 arranged inward.
  • the entire pressure loss of each first introduction path 10 is set to an equal value by appropriately setting the equivalent diameter of each part according to the flow path length. Yes.
  • each first introduction path 10 has a semicircular cross-sectional shape in a cross section perpendicular to the flow direction of the first reactant as shown in FIG.
  • each first introduction path 10 includes portions having different equivalent diameters due to different widths.
  • the first introduction path 10 having a larger flow path length has a larger pressure loss than the first introduction path 10 having a smaller flow path length, but by appropriately setting the equivalent diameter of each part of the first introduction path 10, The difference in pressure loss due to the difference in flow path length is eliminated, and the pressure loss in each first introduction path 10 is equalized.
  • a portion having a small equivalent diameter in the first introduction path 10 has a large pressure loss
  • a portion having a large equivalent diameter has a small pressure loss.
  • the larger the length, the larger the equivalent diameter portion, that is, the larger width portion, and the smaller equivalent diameter portion, that is, the smaller width portion is reduced to equalize the overall pressure loss of each first introduction path 10. Yes. And since the pressure loss of each 1st introduction path 10 is equalized, the flow of the 1st reactant distributed and distributed to each 1st introduction path 10 from the above-mentioned reactant supply part is made uniform.
  • Each second introduction path 12 has an introduction port 12a at one end in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a.
  • Each second introduction path 12 extends linearly from the introduction port 12a in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a.
  • Each of the second introduction paths 12 is arranged side by side in the thickness direction of the first flow path structure 1a and a portion of the corresponding first introduction path 10 that extends in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a. They are arranged parallel to each other.
  • a second reactant supply unit 50b (see FIG. 1) is connected to the introduction port 12a of each second introduction path 12. The second reactant is distributed and introduced to each second introduction path 12 from the second reactant supply section 50b.
  • the second introduction paths 12 are arranged in parallel at equal intervals in the width direction of the first flow path structure 1a. As shown in FIG. 7, each second introduction path 12 has a semicircular cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the flow direction of the second reactant. Each second introduction path 12 has a constant width over its entire length and a constant equivalent diameter over its entire length. Each second introduction path 12 has the same flow path length and the same equivalent diameter. Thereby, the pressure loss of the whole of each 2nd introduction way 12 is equalized. Due to the equalization of the pressure loss in each second introduction path 12, the flow rate of the second reactant flowing from the reactant supply part to each second introduction path 12 is made uniform.
  • Each joint channel 14 is connected to the downstream side of the corresponding first introduction path 10 and the downstream side of the corresponding second introduction path 12.
  • Each joint channel 14 extends linearly in the same direction as the portion of the first introduction channel 10 that extends in the longitudinal direction of the first channel structure 1 a and the second introduction channel 12. That is, in this combined flow path 14, the portion of the corresponding first introduction path 10 that extends in the longitudinal direction of the first flow path structure 1 a and the corresponding second introduction path 12 merge from the same direction.
  • the merge channel 14 merges the first reactant flowing through the first introduction channel 10 and the second reactant flowing through the second introduction channel 12 while flowing in the longitudinal direction of the first channel structure 1a. As shown in FIG.
  • each joint channel 14 has a cross-sectional shape in which two semicircles are connected to each other in the vicinity of the top of the arc in a cross section orthogonal to the longitudinal direction. Further, each combined flow path 14 has an equivalent diameter larger than the equivalent diameter of the first introduction path 10 and the equivalent diameter of the second introduction path 12.
  • Each reaction path 16 is connected to the downstream side of the corresponding combined flow path 14 and extends linearly in the same direction as the combined flow path 14.
  • Each of the reaction paths 16 causes the first reactant and the second reactant merged in the merge channel 14 to react with each other while flowing in the longitudinal direction of the first channel structure 1a.
  • Each reaction path 16 is provided on one surface side of the substrate 4 in the first flow path structure 1a.
  • the reaction paths 16 are arranged in parallel at equal intervals in the width direction of the first flow path structure 1a.
  • Each reaction path 16 has a semicircular cross-sectional shape in a cross section orthogonal to its longitudinal direction, as shown in FIG.
  • Each reaction path 16 has a constant width over its entire length and a constant equivalent diameter over its entire length.
  • Each reaction path 16 has the same flow path length and the same equivalent diameter. Thereby, the pressure loss of each reaction path 16 is equal.
  • each first introduction groove 18 that constitutes each first introduction path 10 each second introduction groove 20 that constitutes each second introduction path 12, and each junction hole 22 that constitutes each junction path 14.
  • Each reaction groove 24 constituting each reaction path 16 is formed in the substrate 4.
  • each flow path 2 in the 1st flow path structure 1a is formed only by the sealing members 6 and 8 covering the opening part of each groove
  • first introduction grooves 18 are formed in parallel and in parallel on one surface of the substrate 4.
  • Each first introduction path 10 is formed by sealing the opening of each first introduction groove 18 provided on one surface of the substrate 4 by the first sealing member 6. Accordingly, the first introduction paths 10 are arranged in parallel and in parallel with one surface side of the substrate 4 in the first flow path structure 1a.
  • Each first introduction groove 18 has a first introduction groove connection portion 18a connected to a merging hole 22 described later.
  • the first introduction groove connecting portion 18a has a depth d1 (see FIG. 6). This depth d1 is included in the concept of the first depth of the present invention.
  • Each first introduction groove 18 has a uniform depth d1 over its entire length.
  • the first introduction groove connecting portion 18a has a semicircular cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the flow direction of the first reactant.
  • the portion of the first introduction groove 18 other than the first introduction groove connection portion 18a corresponding to each portion having a different equivalent diameter of the first introduction path 10 is formed with a constant depth d1. , Formed with different widths.
  • each second introduction path 12 is formed by sealing the opening of each second introduction groove 20 provided on the other surface of the substrate 4 by the second sealing member 8. Accordingly, the second introduction paths 12 are arranged in parallel and in parallel on the other surface side of the substrate 4 in the first flow path structure 1a.
  • Each second introduction groove 20 has a second introduction groove connection portion 20a connected to a merging hole 22 described later.
  • the second introduction groove connecting portion 20a has a depth d3 (see FIG. 6). This depth d3 is included in the concept of the third depth of the present invention.
  • This depth d3 is larger than the difference between the thickness of the substrate 4 and the depth d2 of the reaction groove 24 described later, and from the difference between the thickness of the substrate 4 and the depth d1 of the first introduction groove 18. Even a small depth is set.
  • Each of the second introduction grooves 20 has a uniform depth d3 over the entire length thereof.
  • the second introduction groove 20 has a semicircular cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the flow direction of the second reactant.
  • Each joint channel 14 is formed by sealing both openings of each junction hole 22 provided in the substrate 4. That is, the substrate 4 has a plurality of junction holes 22 formed in parallel in the width direction of the substrate 4. Each merging hole 22 is formed between a corresponding introduction groove 18 and 20 of each of the first introduction grooves 18 and each of the second introduction grooves 20 and a reaction groove 24 described later corresponding to the introduction grooves 18 and 20. It penetrates from one side of 4 to the other side. Each merging hole 22 is provided so as to connect the downstream end of the corresponding introduction groove 18, 20 and the upstream end of the corresponding reaction groove 24.
  • each joint channel 14 is formed by sealing the opening by the second sealing member 8.
  • each merging hole 22 has a cross-sectional shape corresponding to the cross-sectional shape of the merging channel 14. That is, each merging hole 22 has a cross-sectional shape in which two semicircles are coupled to each other in the vicinity of the top of the arc in a cross section orthogonal to the longitudinal direction.
  • a plurality of reaction grooves 24 are formed in parallel and in parallel on one surface of the substrate 4.
  • Each reaction path 16 is formed by sealing the opening of each reaction groove 24 provided on one surface of the substrate 4 with the first sealing member 6.
  • Each reaction groove 24 has a reaction groove connection portion 24 a connected to the junction hole 22.
  • the reaction groove connecting portion 24a has a depth d2 (see FIG. 6). This depth d2 is included in the concept of the second depth of the present invention.
  • the depth d2 is larger than the depth d1 of the first introduction groove 18 and is equal to the depth d3 of the second introduction groove 20.
  • the depth d2 and the depth d3 are set to such a depth that the sum of them is larger than the thickness of the substrate 4.
  • Each reaction groove 24 has a uniform depth d3 over its entire length.
  • the reaction groove 24 has a semicircular cross-sectional shape in a cross section orthogonal to the longitudinal direction.
  • the depth d2 of the reaction groove connection portion 24a is larger than the depth d1 of the first introduction groove 18, so that the bottom surface of the reaction groove connection portion 24a is more than the bottom surface of the first introduction groove connection portion 18a. Is also located on the other surface side of the substrate 4. Thus, a step is formed between the bottom surface of the first introduction groove connection portion 18a and the bottom surface of the reaction groove connection portion 24a. As described above, since the step is formed between the bottom surface of the first introduction groove connection portion 18a and the bottom surface of the reaction groove connection portion 24a, the first reactant is separated from the first introduction groove connection portion 18a.
  • the substrate 4 flows from one surface side to the other surface side while flowing to the downstream side.
  • the second introduction groove 20 is formed on the other surface of the substrate 4 and the reaction groove 24 is formed on one surface of the substrate 4.
  • the path to the reaction groove 24 via the path is bent, and the second reactant flowing through this path flows downstream from the other surface side of the substrate 4 while moving from the other surface side.
  • the second flow path structure 1b has a plurality of heat medium flow paths (not shown) through which the heat medium flows as described above.
  • the plurality of heat medium flow paths are arranged at equal intervals in the width direction of the second flow path structure 1b in the second flow path structure 1b.
  • Each heat medium flow path has an unillustrated inlet on the surface of the flow path device S located on the opposite side of the surface where the inlet 12a of the second inlet path 12 is provided. Then, each heat medium flow path linearly extends in the width direction of the second flow path structure 1b from the introduction port, and then bends by 90 ° to be linear in the longitudinal direction of the second flow path structure 1b. It extends.
  • the part extending in the longitudinal direction of the second flow path structure 1b is the part of each first introduction path 10 extending in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a and each reaction path 16 It is arranged at the corresponding position.
  • the second flow path structure 1b is composed of a heat medium flow path substrate 26 and a sealing member 28.
  • the heat medium flow path substrate 26 and the sealing member 28 are rectangular flat plates having the same shape as the substrate 4, the first sealing member 6, and the second sealing member 8 constituting the first flow path structure 1 a.
  • the sealing member 28 is also used as the second sealing member 8.
  • the sealing member 28 is bonded to the surface of the heat medium passage substrate 26 in a state of covering the surface.
  • Each heat medium flow path is formed by sealing an opening of a groove 32 (see FIG. 2) formed on the surface of the heat medium flow path substrate 26 with a sealing member 28.
  • the heat medium supply part 50c (refer FIG. 1) is connected to the inlet of each heat medium flow path.
  • the heat medium is distributed and introduced to each heat medium flow path from the heat medium supply unit 50c.
  • heat exchange between the heat medium flowing through each heat medium flow path and the first and second reactants flowing through each reaction path 16 of the first flow path structure 1a is performed.
  • the reaction between the first reactant and the second reactant is promoted.
  • each flow path 2 is the said 1st introduction path 10, the said 2nd introduction path 12,
  • the first flow path structure 1 a is formed so as to include the combined flow path 14 and the reaction path 16.
  • Part 22a is formed by photoetching, and the other surface of the substrate 4 among the plurality of second introduction grooves 20 and the plurality of junction holes 22 is formed on the other surface of the substrate 4.
  • a portion 22b is formed by photoetching.
  • the two surfaces of the substrate 4 are leveled and cleaned, and then a photoresist is applied to both surfaces of the substrate 4.
  • a photoresist is applied to both surfaces of the substrate 4.
  • exposure is performed on a region other than the formation regions of the first introduction grooves 18, the reaction grooves 24, and the merge holes 22 through a photomask.
  • exposure is performed on regions other than the formation regions of the second introduction grooves 20 and the junction holes 22 through another photomask.
  • the unexposed photoresist is removed from both surfaces of the substrate 4 to expose the respective formation regions of the first introduction grooves 18, the second introduction grooves 20, the reaction grooves 24, and the junction holes 22.
  • the covering material is removed to expose the formation region of each first introduction groove 18, and then the etching is restarted.
  • the formation region of each first introduction groove 18, the formation region of each reaction groove 24, and the formation region of each junction hole 22 are etched from the one surface side of the substrate 4 by the depth d1.
  • the formation region of each second introduction groove 20 and the formation region of each junction hole 22 are etched by the same depth from the other surface side of the substrate 4.
  • each merging hole 22 is formed using etching for forming each reaction groove 24 and etching for forming each second introduction groove 20. Thereafter, the substrate 4 is washed and the resist film is removed.
  • the plurality of groove portions 32 are formed in the heat medium flow path substrate 26 constituting the second flow path structure 1b. Specifically, the plurality of groove portions 32 are formed on one surface of the heat medium passage substrate 26 by photo etching similar to the above.
  • the flow path device S is manufactured by stacking them and integrating them by diffusion bonding.
  • the first reactant is introduced from the first reactant supply unit 50a into the first introduction path 10 of each channel 2, and the second reactant is supplied from the second reactant supply unit 50b to each flow. Introduce into the second introduction path 12 of the path 2.
  • the first reactant flows while being distributed at a uniform flow rate to each first introduction path 10 due to equalization of the overall pressure loss of each first introduction path 10.
  • the second reactant flows while being distributed at a uniform flow rate to each second introduction path 12 due to equalization of the overall pressure loss of each second introduction path 12.
  • the first reactant that has passed through the first introduction path 10 and the second reactant that has passed through the second introduction path 12 flow into the merge path 14 while moving in directions approaching each other, and are uniformly joined.
  • the combined reactants flow into the reaction path 16 from the combined flow path 14 and react with each other while flowing in the reaction path 16 downstream. Thereby, a predetermined reaction product is produced.
  • the bottom surface of the reaction groove connection portion 24a is provided at a position closer to the other surface of the substrate 4 than the bottom surface of the first introduction groove connection portion 18a.
  • the first reactant and the second reactant can be mixed with higher uniformity than when the bottom surface and the bottom surface of the first introduction groove connecting portion 18a are flush with each other. That is, in the present embodiment, the first reactant is added to the substrate 4 because the bottom surface of the reaction groove connection portion 24a is provided at a position closer to the other surface of the substrate 4 than the bottom surface of the first introduction groove connection portion 18a. It flows downstream while moving from one surface side to the other surface side.
  • the second introduction groove 20 is formed on the other surface of the substrate 4 and the reaction groove 24 is formed on one surface of the substrate 4.
  • the path from the first through the junction hole 22 to the reaction groove 24 is bent.
  • the second reactant flowing in this path flows downstream from the other surface side of the substrate 4 while moving from the other surface side.
  • the first reactant and the second reactant are joined while moving in the directions approaching each other and flow downstream, so that the bottom surface of the reaction groove connecting portion 24a and the first introduction groove connecting portion Compared with the case where the bottom surface of 18a is formed flush with the first reactant that flows smoothly in a straight line, the first reactant and the second reactant Is well mixed.
  • the uniformity of mixing of both reactants can be improved.
  • the first introduction groove 18, the second introduction groove 20, the reaction groove 24, and the merge hole 22 are formed in the substrate 4, and the first introduction groove in which the first sealing member 6 is formed in the substrate 4. 18, the opening of the reaction groove 24, and one opening of the joining hole 22, and the opening of the second introduction groove 20 and the joining hole 22 of the second sealing member 8 formed in the substrate 4.
  • the first introduction path 10, the second introduction path 12, the combined flow path 14, and the reaction path 16 are formed only by covering the other opening. Therefore, in this embodiment, as the etching process, it is only necessary to perform an etching process for forming the first introduction groove 18, the second introduction groove 20, the reaction groove 24 and the junction hole 22 in the substrate 4.
  • the members 6 and 8 may not be etched.
  • both the sealing members 6, 8 are simply joined to the substrate 4, and the openings of the grooves 18, 20, 24 and the joining holes 22 formed in the substrate 4 are defined as the sealing members 6, 6. Since the flow path 2 is formed simply by covering with 8, it is not necessary to perform a complicated operation of joining both the sealing members 6 and 8 to the substrate 4 while aligning them. For this reason, in this embodiment, it can prevent that the manufacturing process of a reaction apparatus becomes complicated. Therefore, in this embodiment, it is possible to prevent the manufacturing process of the reaction apparatus from becoming complicated while improving the uniformity of mixing of the reactants in the reaction apparatus.
  • the formation region of the merge hole 22 is etched from one surface of the substrate 4 to the depth d2 simultaneously with the formation of the reaction groove 24, and the merge hole 22 is formed simultaneously with the formation of the second introduction groove 20.
  • Etching the region from the other surface of the substrate 4 to a depth d3, a portion 22a etched from one surface of the substrate 4 to a depth d2, and a portion 22b etched from the other surface of the substrate 4 to a depth d3; Are joined and the merging hole 22 penetrates.
  • the merge hole 22 can be formed using the etching for forming the reaction groove 24 and the etching for forming the second introduction groove 20.
  • first introduction path 10 the second introduction path 12, the combined flow path 14, and the reaction path 16 may be provided in the first flow path structure 1a with shapes and / or arrangements other than those described above.
  • each first introduction path 10 may be provided so as to extend linearly in the longitudinal direction of the first flow path structure 1a.
  • each second introduction path 12 may be provided in a bent shape like each first introduction path 10.
  • the depth d3 of the second introduction groove 20 constituting the second introduction path 12 may be smaller than the depth d1 of the first introduction groove 18.
  • reaction apparatus does not necessarily include the plurality of first flow path structures 1a and the plurality of second flow path structures 1b stacked as described above, but a single first flow path structure. Only 1a may be provided.
  • only the single flow path 2 may be provided in the first flow path structure 1a.
  • each first introduction path 10 (each first introduction groove 18) may extend in different directions.
  • each second introduction path 12 (each second introduction groove 20) may extend in a different direction.
  • each reaction path 16 (each reaction groove 24) may extend in a different direction.
  • the portion having the semicircular cross-sectional shape in each of the first introduction groove 18, the second introduction groove 20, and the reaction groove 24 is a straight portion parallel to the substrate 4 at the bottom portion thereof. And having a cross-sectional shape in which arc-shaped portions are connected to both sides of the linear portion.
  • the case where the depth d2 of the reaction groove 24 and the depth d3 of the second introduction groove 20 are equal has been described as an example.
  • the depth d2 of the reaction groove 24 and the depth of the second reaction groove 20 are described.
  • the sum of the depth d3 and the thickness of the substrate 4 is larger, the depth d2 and the depth d3 may be different.
  • the first introduction groove 18, the second introduction groove 20, the reaction groove 24, and the merge hole 22 are formed in the substrate 4 by the following etching process.
  • the exposed areas of the both sides of the substrate 4 other than the respective formation areas of the first introduction grooves 18, the second introduction grooves 20, the reaction grooves 24, and the junction holes 22 are exposed. Make it covered with resist.
  • the formation region of the first introduction groove 18 on one surface of the substrate 4 and the formation region of the second introduction groove 20 on the other surface of the substrate 4 are respectively covered with a covering material such as a masking tape. Etching of both sides of 4 is performed simultaneously. At this time, the exposed formation region of each reaction groove 24 and the formation region of each merging hole 22 are separated from one surface of the substrate 4 by a depth corresponding to the difference between the depth d2 and the depth d3 (d2 ⁇ When the etching is performed up to d3) and the formation region of each junction hole 22 is etched to the same depth from the other surface of the substrate 4, the covering material covering the formation region of the second introduction groove 20 is removed.
  • a covering material such as a masking tape.
  • each reaction groove 24 and the formation region of each merging hole 22 are formed on one surface side of the substrate 4 by a depth (d3-d1) corresponding to the difference between the depth d3 and the depth d1.
  • the formation region of each second introduction groove 20 and the formation region of each merge hole 22 are etched by the same depth from the other surface side of the substrate 4.
  • the covering material covering the formation region of the first introduction groove 18 is removed.
  • each of the first introduction groove 18 formation region, each reaction groove 24 formation region, and each merge hole 22 formation region is etched from the one surface side of the substrate 4 by the depth d1.
  • the formation region of the second introduction groove 20 and the formation region of each joining hole 22 are etched from the other surface side of the substrate 4 by the same depth.
  • each first introduction groove 18 having a depth d1 is formed from one surface of the substrate 4.
  • Each reaction groove 24 of d2 is formed.
  • each 2nd introduction groove 20 of depth d3 is formed from the other side of substrate 4.
  • the formation region of each junction hole 22 is etched from one surface side of the substrate 4 to the same depth d2 as the reaction groove 24 and from the other surface side of the substrate 4 to the same depth as the second introduction groove 20. Etching is performed up to d3.
  • the portion etched from one surface of the substrate 4 to the depth d2 and the portion etched from the other surface of the substrate 4 to the depth d3 are connected to each other and the joining holes 22 penetrate. That is, also in this configuration, each merging hole 22 is formed by using etching for forming each reaction groove 24 and etching for forming each second introduction groove 20.
  • one surface of the substrate 4 may be etched to the depth d ⁇ b> 1 to form at least the first introduction groove connecting portion 18 a among the first introduction grooves 18.
  • One of these surfaces may be etched to a depth d2 to form at least the reaction groove connecting portion 24a in the reaction groove 24.
  • the other surface of the substrate 4 may be etched to the depth d3 to form at least the second introduction groove connecting portion 20a in the second introduction groove 20.
  • the portion of the first introduction groove 18 other than the first introduction groove connection portion 18a may be formed to a depth different from the depth d1, and the portion of the reaction groove 24 other than the reaction groove connection portion 24a is The depth may be different from the depth d2, and further, the portion of the second introduction groove 20 other than the second introduction groove connection portion 20a may be formed to a depth different from the depth d3.
  • the junction hole 22 is formed by using the etching for forming the reaction groove connection portion 24a in the reaction groove 24 and the etching for forming the second introduction groove connection portion 20a in the second introduction groove 20. What is necessary is just to form.
  • the reaction apparatus is a reaction apparatus that reacts the first reactant and the second reactant while circulating the first reactant, the first introduction path through which the first reactant is introduced, A second introduction path through which the second reactant is introduced, and the first reactant and the second that are connected to the downstream side of the first introduction path and the downstream side of the second introduction path and flow through the first introduction path.
  • a first introduction groove that forms the first introduction path and a reaction groove that forms the reaction path are formed on one surface of the substrate.
  • a second introduction groove that constitutes the second introduction path is formed on the other surface of the substrate, and a confluence hole that constitutes the junction path is formed in the substrate. And between the second introduction groove and the reaction groove so as to penetrate from the one surface of the substrate to the other surface so as to connect the downstream end portion of the introduction groove and the upstream end portion of the reaction groove.
  • the depth of the portion connected to the merge hole in the reaction groove is larger than the depth of the portion connected to the merge hole in the first introduction groove.
  • this reaction apparatus is a method for manufacturing a reaction apparatus comprising a flow path structure in which a flow path for circulating the first reactant and the second reactant is provided, wherein the flow path is A first introduction path through which the first reactant is introduced, a second introduction path through which the second reactant is introduced, a downstream side of the first introduction path and a downstream side of the second introduction path, A joining channel for joining the first reactant flowing through the first introduction channel and the second reactant flowing through the second introduction channel, and a downstream side of the joining channel, are joined in the joining channel.
  • a structure forming step of forming the flow path structure so as to have a reaction path for allowing the reactants to react with each other while circulating both of the reactants.
  • Etching the first introduction groove constituting one introduction path A first introduction groove forming step, a reaction groove formation step for forming a reaction groove constituting the reaction path on one surface of the substrate by etching, and a second introduction path on the other surface of the substrate.
  • a second introduction groove forming step for forming the second introduction groove by etching, and connecting the downstream end portions of the first introduction groove and the second introduction groove to each other by connecting the joining holes constituting the joining flow path.
  • the other side to cover the other side A second sealing step of sealing the opening portion on the other surface side of each of the second introduction groove and the merging hole by joining a second sealing member to the first introduction groove
  • the forming step includes a first introduction groove connecting portion forming step of etching one surface of the substrate to a first depth to form at least a portion connected to the junction hole in the first introduction groove, and the reaction groove
  • the forming step includes a reaction groove connecting portion forming step of etching one surface of the substrate to a second depth larger than the first depth to form at least a portion of the reaction groove connected to the merge hole. It can be manufactured by a method for manufacturing a
  • the bottom surface of the portion of the reaction groove connected to the merge hole is provided at a position closer to the other surface of the substrate than the bottom surface of the portion of the first introduction groove connected to the merge hole.
  • the uniformity of the first and second reactants is higher than when the bottom surface of the reaction groove connected to the merge hole and the bottom surface of the first introduction groove connected to the merge hole are flush with each other. Mixing is possible. That is, in this configuration, the bottom surface of the portion connected to the merge hole in the reaction groove is provided closer to the other surface of the substrate than the bottom surface of the portion connected to the merge hole in the first introduction groove.
  • One reactant flows downstream while moving from one side of the substrate toward the other side.
  • the second introduction groove is formed on the other surface of the substrate and the reaction groove is formed on one surface of the substrate, so that reaction occurs from the second introduction groove through the junction hole.
  • the path to the groove is bent. For this reason, the second reactant flowing in this path flows downstream from the other surface side of the substrate while moving from the other surface side.
  • the first reactant and the second reactant are joined while moving in the direction approaching each other, and flow downstream, so that the bottom surface of the portion connected to the junction hole in the reaction groove and the first introduction Compared to the conventional configuration in which the bottom surface of the portion of the groove connected to the merge hole is flush with the first reactant that flows smoothly in a straight line, compared to the conventional configuration in which the second reactant merges from the middle.
  • the first reactant and the second reactant are mixed well. As a result, the uniformity of mixing of both reactants can be improved.
  • the first introduction groove, the second introduction groove, the reaction groove, and the merge hole are formed in the substrate, and the opening of the first introduction groove, the reaction groove opening, in which the first sealing member is formed in the substrate.
  • the first introduction path, the second opening only by covering the opening of the second introduction groove formed on the substrate and the other opening of the joining hole.
  • An introduction channel, a combined channel, and a reaction channel are formed. Therefore, in this configuration, as the etching process, it is only necessary to perform the etching process for forming the first introduction groove, the second introduction groove, the reaction groove, and the joining hole in the substrate, and the both sealing members are etched. It does not have to be.
  • the other surface of the substrate is larger than the difference between the thickness of the substrate and the second depth, and the substrate plate Etching to a third depth smaller than the difference between the thickness and the first depth, and including a second introduction groove connecting portion forming step for forming at least a portion of the second introduction groove connected to the merge hole,
  • the joining hole forming step is performed simultaneously with the reaction groove connecting portion forming step, and the first step of etching the forming region of the joining hole in the one surface of the substrate to the second depth, and the second A second step of etching the formation region of the junction hole in the other surface of the substrate to the third depth, and performing the second step in the first step. Etched to the depth of and before It is preferable that the joint hole connected with the portion of etching to said third depth in the second step is penetrated.
  • merging hole can be formed using the etching of the reaction groove

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

　反応装置は、第１導入路と、第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がる合流路と、この合流路の下流側に繋がる反応路とを有する流路を内部に持つ流路構造体を備え、前記流路構造体は、基板と、その基板の一方の面を覆った状態でその面に接合されている第１封止部材と、前記基板の他方の面を覆った状態でその面に接合されている第２封止部材とを有し、前記基板の一方の面には、前記第１導入路を構成する第１導入溝が形成されているとともに、前記反応路を構成する反応溝が形成されている一方、前記基板の他方の面には、前記第２導入路を構成する第２導入溝が形成されており、前記基板には、前記合流路を構成する合流孔が前記第１導入溝及び前記第２導入溝と前記反応溝との間で当該基板の前記一方の面から前記他方の面へ貫通してそれら導入溝の下流側端部と反応溝の上流側端部とを繋ぐように設けられ、前記反応溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さは、前記第１導入溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さよりも大きい。

Description

反応装置及び反応装置の製造方法
　本発明は、反応装置及び反応装置の製造方法に関するものである。
　従来、第１反応剤と第２反応剤とを接触させた状態で流通させながらそれら両反応剤を互いに反応させることにより所望の反応生成物を製造することが行われている。このような生成物の製造には、例えば下記特許文献１に開示された反応装置が用いられる。
　図１０と図１１には、この特許文献１に開示された反応装置の例がそれぞれ示されている。
　図１０に示す反応装置は、反応剤を流通させる流路が内部に設けられた流路構造体１０２を備えている。流路構造体１０２内の流路は、第１反応剤が導入される第１導入路１０４と、第２反応剤が導入される第２導入路１０６と、それら各導入路１０４，１０６を通じて流れる両反応剤を合流させる合流路１０８と、その合流路１０８において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路１１０とによって構成されている。
　そして、流路構造体１０２は、基板１１２と、その基板１１２を挟み込んだ状態でその基板１１２と一体化された一対の封止板１１４，１１６とによって構成されている。基板１１２の一方の面には、第１導入路１０４を構成する第１導入溝１１８と、反応路１１０を構成する反応溝１２０とが形成されており、基板１１２の他方の面には、第２導入路１０６を構成する第２導入溝１２２が形成されている。また、合流路１０８を構成する合流孔１２４が、両導入溝１１８，１２２の下流側端部と反応溝１２０の上流側端部との間でそれら各溝１１８，１２２，１２０を繋ぐように基板４の一方の面から他方の面へ貫通している。これら各溝１１８，１２２，１２０及び合流孔１２４のそれぞれの開口部が対応する封止板１１４，１１６により覆われることによって、第１導入路１０４、第２導入路１０６、合流路１０８及び反応路１１０が形成されている。そして、この反応装置では、第１導入溝１１８の底面と反応溝１２０の底面とが面一に形成されている。
　上記構成では、第１導入溝１１８の底面と反応溝１２０の底面とが面一に形成されていることに起因して、第１反応剤が直線的に円滑に流れる一方、基板１１２のうち第１導入溝１１８及び反応溝１２０が形成された面と反対側の面に第２導入溝１２２が形成されていることに起因して、前記直線的に流れる第１反応剤に対して第２反応剤が途中から合流する。このため、第１反応剤に対する第２反応剤の十分な混入が比較的難しくなり、その結果、両反応剤の混合の均一性を高めることが難しくなる。
　そこで、図１１に示す反応装置の流路構造体１３２のように、第１導入路１０４から合流路１０８を経て反応路１１０へ至る経路を第１反応剤が基板１１２の一方の面側から他方の面側へ移動しながら下流側へ流れるような屈曲した形状に構成するとともに、第２導入路１０６から合流路１０８を経て反応路１１０へ至る経路を第２反応剤が基板１１２の他方の面側から一方の面側へ移動しながら下流側へ流れるような屈曲した形状に構成すれば、両反応剤が互いに接近する方向へ移動しながら合流し、その結果、両反応剤の混合の均一性を高めることが可能である。
　しかしながら、図１１に示す流路構造体１３２を形成しようとすると、第１導入路１０４、第２導入路１０６、反応路１１０及び合流路１０８にそれぞれ対応する各溝部を基板１１２に形成するためのエッチングに加えて、両封止板１１４，１１６のうち反応路１１０に対応する部分のみが突出するように両封止板１１４，１１６をエッチングする必要があり、エッチング工程が増大する。また、そのようにエッチングした基板１１２のうち反応路１１０に対応する部分に両封止板１１４，１１６の前記突出した部分が嵌り込むように両封止板１１４，１１６を基板１１２に対して位置合わせしながら接合する必要があり、封止板１１４，１１６と基板１１２との接合工程が煩雑になる。従って、この構成では、反応装置の製造工程が煩雑になるという問題点がある。
特開２００８－１６８１７３号公報
　本発明の目的は、上述の問題を解決した反応装置及び反応装置の製造方法を提供することである。
　本発明の別の目的は、反応装置における反応剤の混合の均一性を高めつつ、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことである。
　本発明の一局面に従う反応装置は、第１反応剤と第２反応剤を流通させながらそれらを反応させる反応装置であって、前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有する流路を内部に持つ流路構造体を備え、前記流路構造体は、基板と、その基板の一方の面を覆った状態でその面に接合されている第１封止部材と、前記基板の他方の面を覆った状態でその面に接合されている第２封止部材とを有し、前記基板の一方の面には、前記第１導入路を構成する第１導入溝が形成されているとともに、前記反応路を構成する反応溝が形成されている一方、前記基板の他方の面には、前記第２導入路を構成する第２導入溝が形成されており、前記基板には、前記合流路を構成する合流孔が前記第１導入溝及び前記第２導入溝と前記反応溝との間で当該基板の前記一方の面から前記他方の面へ貫通してそれら導入溝の下流側端部と反応溝の上流側端部とを繋ぐように設けられ、前記反応溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さは、前記第１導入溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さよりも大きい。
　本発明の別の局面に従う反応装置の製造方法は、第１反応剤及び第２反応剤を流通させる流路が内部に設けられた流路構造体を備える反応装置を製造するための方法であって、前記流路が、前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有するように前記流路構造体を形成する構造体形成工程を備え、前記構造体形成工程は、基板の一方の面に前記第１導入路を構成する第１導入溝をエッチングによって形成する第１導入溝形成工程と、前記基板の一方の面に前記反応路を構成する反応溝をエッチングによって形成する反応溝形成工程と、前記基板の他方の面に前記第２導入路を構成する第２導入溝をエッチングによって形成する第２導入溝形成工程と、前記合流路を構成する合流孔をエッチングによって前記第１導入溝及び前記第２導入溝の下流側端部同士を繋ぐとともにそれらの下流側端部と前記反応溝の上流側端部とを繋ぐ形状で前記基板を貫通するように形成する合流孔形成工程と、前記基板の前記一方の面を覆うようにその一方の面に第１封止部材を接合することにより、前記第１導入溝、前記反応溝及び前記合流孔のそれぞれの当該一方の面側の開口部を封止する第１封止工程と、前記基板の前記他方の面を覆うようにその他方の面に第２封止部材を接合することにより、前記第２導入溝及び前記合流孔のそれぞれの当該他方の面側の開口部を封止する第２封止工程とを含み、前記第１導入溝形成工程は、前記基板の一方の面を第１の深さまでエッチングして前記第１導入溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する第１導入溝接続部形成工程を含み、前記反応溝形成工程は、前記基板の一方の面を前記第１の深さよりも大きい第２の深さまでエッチングして前記反応溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する反応溝接続部形成工程を含む。
本発明の一実施形態による反応装置の斜視図である。 図１に示した反応装置の流路装置を構成する第１流路構造体及び第２流路構造体の分解斜視図である。 第１流路構造体における第１導入路のグループと、第２導入路のグループと、合流路のグループと、反応路のグループとの位置関係を概略的に示した図である。 第１流路構造体を構成する基板の一方の面の平面図である。 第１流路構造体を構成する基板の他方の面の平面図である。 第１流路構造体のうち合流路近傍の部分の流路に沿った断面図である。 図６中のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿った第１流路構造体の部分的な断面図である。 図６中のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った第１流路構造体の部分的な断面図である。 図６中のＩＸ－ＩＸ線に沿った第１流路構造体の部分的な断面図である。 従来の一例による反応装置の流路構造体の流路に沿った断面図である。 従来の別の例による反応装置の流路構造体の流路に沿った断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
　まず、図１～図９を参照して、本発明の一実施形態による反応装置の構成について説明する。
　本実施形態による反応装置は、図１に示すような流路装置Ｓを備えている。この流路装置Ｓは、反応剤を流通させる複数の流路２を内部に持つ第１流路構造体１ａと、熱媒を流通させる複数の熱媒流路を内部に持つ第２流路構造体１ｂとが交互にそれぞれ複数積層されることによって構成されている。なお、これら２つの流路構造体１ａ，１ｂのうち第１流路構造体１ａが、本発明の流路構造体の概念に含まれるものである。
　そして、本実施形態による反応装置は、一般的にマイクロリアクタと呼ばれるものであり、この反応装置は、第１流路構造体１ａ内に設けられた複数の微小な流路２に第１反応剤と第２反応剤を流通させながらそれらを反応させることにより所望の反応生成物を製造する。
　具体的には、第１流路構造体１ａは、基板４と、第１封止部材６と、第２封止部材８とによって構成されている。これら基板４、第１封止部材６及び第２封止部材８は、図２に示すように、それぞれ矩形状の平板からなる。第１封止部材６は、基板４の一方の面を覆った状態でその面に接合されている。第２封止部材８は、基板４の他方の面を覆った状態でその面に接合されている。すなわち、第１封止部材６と第２封止部材８との間に基板４が挟み込まれた状態でこれら封止部材６，８及び基板４が一体化されることによって第１流路構造体１ａが構成されている。
　そして、第１流路構造体１ａ内には、前記複数の流路２が基板４に沿って当該第１流路構造体１ａの幅方向に並んで配設されている。各流路２は、第１導入路１０と、第２導入路１２と、合流路１４（図６参照）と、反応路１６（図６参照）とによって構成されている。第１導入路１０は、第１反応剤が導入される部分である。第２導入路１２は、第２反応剤が導入される部分である。合流路１４は、第１導入路１０の下流側と第２導入路１２の下流側に繋がっている。この合流路１４は、第１導入路１０を通じて流れる第１反応剤と第２導入路１２を通じて流れる第２反応剤とを合流させるための部分である。反応路１６は、合流路１４の下流側に繋がっている。この反応路１６は、合流路１４において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための部分である。
　また、第１流路構造体１ａにおいて、各流路２の第１導入路１０からなるグループと、各流路２の第２導入路１２からなるグループと、各流路２の合流路１４からなるグループと、各流路２の反応路１６からなるグループは、図３に示すような位置関係でそれぞれ配置されている。
　各第１導入路１０は、第１流路構造体１ａの幅方向の一方端部に導入口１０ａを有している。そして、各第１導入路１０は、その導入口１０ａから第１流路構造体１ａの幅方向に直線的に延びた後、９０°屈曲して第１流路構造体１ａの長手方向に直線的に延びている。各第１導入路１０の導入口１０ａには、第１反応剤供給部５０ａ（図１参照）が接続されている。その第１反応剤供給部５０ａから第１反応剤が各第１導入路１０に配分されて導入される。
　そして、各第１導入路１０は、それぞれ流路長が異なっている。具体的には、各第１導入路１０は、第１流路構造体１ａの幅方向に等間隔で並列配置されており、各第１導入路１０が屈曲した箇所でその屈曲箇所の外寄りに配置された第１導入路１０ほど、内寄りに配置された第１導入路１０よりも流路長が大きくなっている。ここで、各第１導入路１０では、流路長に応じて各部の相当直径が適切に設定されることによって、当該各第１導入路１０それぞれの全体の圧力損失が等しい値に設定されている。
　具体的には、各第１導入路１０は、その下流側端部が図７に示すように第１反応剤の流通方向と直交する断面において半円状の断面形状を有している。また、各第１導入路１０は、図４に示すように、幅の大きさが異なることにより相当直径が異なる各部分を含んでいる。流路長の大きい第１導入路１０ほど、流路長の小さい第１導入路１０に比べて圧力損失は大きくなるが、第１導入路１０の各部の相当直径が適宜設定されることによって、その流路長の差に起因する圧力損失の差をなくし、各第１導入路１０の圧力損失が均等化されている。具体的には、第１導入路１０のうち相当直径の小さい部分は、圧力損失が大きくなる一方、相当直径の大きい部分は、圧力損失が小さくなるので、各第１導入路１０のうち流路長の大きいものほど相当直径の大きい部分、すなわち幅の大きい部分を増やすとともに相当直径の小さい部分、すなわち幅の小さい部分を減らすことによって各第１導入路１０の全体の圧力損失が均等化されている。そして、各第１導入路１０の圧力損失が均等化されていることに起因して、前記反応剤供給部から各第１導入路１０に配分されて流れる第１反応剤の流量が均一化される。
　各第２導入路１２は、第１流路構造体１ａの長手方向の一方端部に導入口１２ａを有している。そして、各第２導入路１２は、その導入口１２ａから第１流路構造体１ａの長手方向に直線的に延びている。この各第２導入路１２は、対応する第１導入路１０のうち第１流路構造体１ａの長手方向に延びる部分と第１流路構造体１ａの厚み方向に並んで配置されているとともに互いに平行に配置されている。各第２導入路１２の導入口１２ａには、第２反応剤供給部５０ｂ（図１参照）が接続されている。その第２反応剤供給部５０ｂから第２反応剤が各第２導入路１２に配分されて導入される。
　各第２導入路１２は、第１流路構造体１ａの幅方向に等間隔で並列配置されている。各第２導入路１２は、図７に示すように第２反応剤の流通方向と直交する断面において半円状の断面形状を有している。また、各第２導入路１２は、その全長に亘って幅が一定であり、全長に亘って相当直径が一定となっている。そして、各第２導入路１２は、それぞれ等しい流路長及び等しい相当直径を有している。これにより、各第２導入路１２の全体の圧力損失が均等となっている。各第２導入路１２の圧力損失が均等化されていることに起因して、反応剤供給部から各第２導入路１２に配分されて流れる第２反応剤の流量が均一化される。
　各合流路１４は、対応する第１導入路１０の下流側と対応する第２導入路１２の下流側に繋がっている。そして、各合流路１４は、第１導入路１０のうち第１流路構造体１ａの長手方向に延びる部分及び第２導入路１２と同方向に直線的に延びている。すなわち、この合流路１４には、対応する第１導入路１０のうち第１流路構造体１ａの長手方向に延びる部分と対応する第２導入路１２とが同方向から合流している。合流路１４は、第１導入路１０を通じて流れる第１反応剤と第２導入路１２を通じて流れる第２反応剤とを第１流路構造体１ａの長手方向に流しながら合流させる。各合流路１４は、図８に示すように、その長手方向に直交する断面において２つの半円が円弧の頂点近傍で互いに結合したような断面形状を有する。また、各合流路１４は、前記第１導入路１０の相当直径及び前記第２導入路１２の相当直径よりも大きい相当直径を有する。
　各反応路１６は、対応する合流路１４の下流側に繋がっており、その合流路１４と同方向に直線的に延びている。この各反応路１６は、合流路１４において合流された第１反応剤と第２反応剤とを第１流路構造体１ａの長手方向に流しながら互いに反応させる。各反応路１６は、第１流路構造体１ａにおいて基板４の一方の面側に設けられている。各反応路１６は、第１流路構造体１ａの幅方向に等間隔で並列配置されている。各反応路１６は、図９に示すようにその長手方向と直交する断面において半円状の断面形状を有している。また、各反応路１６は、その全長に亘って幅が一定であり、全長に亘って相当直径が一定となっている。そして、各反応路１６は、それぞれ等しい流路長及び等しい相当直径を有している。これにより、各反応路１６の圧力損失が均等となっている。
　本実施形態では、各第１導入路１０を構成する各第１導入溝１８と、各第２導入路１２を構成する各第２導入溝２０と、各合流路１４を構成する各合流孔２２と、各反応路１６を構成する各反応溝２４とが基板４にそれぞれ形成されている。そして、その各溝１８，２０，２４の開口部及び各合流孔２２の開口部を封止部材６，８が単に覆うだけで第１流路構造体１ａ内の各流路２が形成されている。
　具体的には、基板４の一方の面に複数の第１導入溝１８（図４参照）が平行かつ並列に形成されている。この基板４の一方の面に設けられた各第１導入溝１８の開口部が前記第１封止部材６によって封止されることにより前記各第１導入路１０が形成されている。従って、各第１導入路１０は、第１流路構造体１ａ内において基板４の一方の面側に平行かつ並列に配設されている。また、各第１導入溝１８は、後述する合流孔２２に繋がる第１導入溝接続部１８ａを有している。この第１導入溝接続部１８ａは、深さｄ１（図６参照）を有する。この深さｄ１は、本発明の第１の深さの概念に含まれるものである。各第１導入溝１８は、その全長に亘って均一の深さｄ１を有している。また、第１導入溝接続部１８ａは、第１反応剤の流通方向と直交する断面において半円状の断面形状を有する。第１導入溝１８のうち第１導入溝接続部１８ａ以外の部分で、前記第１導入路１０の相当直径の異なる各部分に対応する部分は、その深さｄ１は一定に形成されている一方、幅を異ならせて形成されている。
　また、基板４の他方の面には、複数の第２導入溝２０（図５参照）が平行かつ並列に形成されている。この基板４の他方の面に設けられた各第２導入溝２０の開口部が前記第２封止部材８によって封止されることにより、前記各第２導入路１２が形成されている。従って、各第２導入路１２は、第１流路構造体１ａ内で基板４の他方の面側において、平行かつ並列に配設されている。また、各第２導入溝２０は、後述する合流孔２２に繋がる第２導入溝接続部２０ａを有している。この第２導入溝接続部２０ａは、深さｄ３（図６参照）を有する。この深さｄ３は、本発明の第３の深さの概念に含まれるものである。この深さｄ３は、基板４の板厚と後述する反応溝２４の深さｄ２との差よりも大きく、かつ、基板４の板厚と前記第１導入溝１８の深さｄ１との差よりも小さい深さに設定されている。なお、各第２導入溝２０は、その全長に亘って均一の深さｄ３を有している。また、第２導入溝２０は、第２反応剤の流通方向と直交する断面において半円状の断面形状を有する。
　前記各合流路１４は、基板４に設けられた各合流孔２２の両開口部が封止されることによって形成されている。すなわち、基板４には、複数の合流孔２２が当該基板４の幅方向に並列に形成されている。各合流孔２２は、前記各第１導入溝１８及び前記各第２導入溝２０のうち対応する導入溝１８，２０とその導入溝１８，２０に対応する後述の反応溝２４との間で基板４の一方の面から他方の面へ貫通している。そして、各合流孔２２は、対応する導入溝１８，２０の下流側端部と対応する反応溝２４の上流側端部とを繋ぐように設けられている。そして、基板４の一方の面に設けられた当該各合流孔２２の開口部が前記第１封止部材６によって封止されるとともに基板４の他方の面に設けられた当該各合流孔２２の開口部が前記第２封止部材８によって封止されることにより、各合流路１４が形成されている。また、各合流孔２２は、前記合流路１４の断面形状に対応した断面形状を有する。すなわち、各合流孔２２は、その長手方向に直交する断面において２つの半円が円弧の頂点近傍で互いに結合された断面形状を有する。
　また、基板４の一方の面には、複数の反応溝２４（図４参照）が平行かつ並列に形成されている。この基板４の一方の面に設けられた各反応溝２４の開口部が前記第１封止部材６によって封止されることにより、前記各反応路１６が形成されている。また、各反応溝２４は、前記合流孔２２に繋がる反応溝接続部２４ａを有している。この反応溝接続部２４ａは、深さｄ２（図６参照）を有する。この深さｄ２は、本発明の第２の深さの概念に含まれるものである。この深さｄ２は、前記第１導入溝１８の深さｄ１よりも大きく、前記第２導入溝２０の深さｄ３と等しい深さになっている。そして、この深さｄ２と前記深さｄ３は、それらの和が基板４の板厚よりも大きくなるような深さに設定されている。なお、各反応溝２４は、その全長に亘って均一の深さｄ３を有している。また、反応溝２４は、その長手方向と直交する断面において半円状の断面形状を有する。
　そして、上記のように反応溝接続部２４ａの深さｄ２が第１導入溝１８の深さｄ１よりも大きいことにより、反応溝接続部２４ａの底面は、第１導入溝接続部１８ａの底面よりも基板４の他方の面側に位置している。これにより、第１導入溝接続部１８ａの底面と反応溝接続部２４ａの底面との間には段差が形成されている。このように第１導入溝接続部１８ａの底面と反応溝接続部２４ａの底面との間に段差が形成されていることに起因して、第１反応剤は、第１導入溝接続部１８ａから合流孔２２を経て反応溝接続部２４ａへ至る経路において基板４の一方の面側から他方の面側へ向かって移動しながら下流側へ流れるようになっている。一方、第２導入溝２０が基板４の他方の面に形成されているとともに反応溝２４が基板４の一方の面に形成されていることに起因して、第２導入溝２０から合流孔２２を経て反応溝２４へ至る経路は屈曲しており、この経路を流れる第２反応剤は基板４の他方の面側から一方の面側へ移動しながら下流側へ流れる。
　第２流路構造体１ｂは、上記したように熱媒を流通させる複数の熱媒流路（図示せず）を内部に持つものである。この複数の熱媒流路は、第２流路構造体１ｂ内において当該第２流路構造体１ｂの幅方向に等間隔で配設されている。各熱媒流路は、流路装置Ｓにおいて前記第２導入路１２の導入口１２ａが設けられた面と反対側に位置する面に図略の導入口を有している。そして、各熱媒流路は、その導入口から第２流路構造体１ｂの幅方向に直線的に延びた後、９０°屈曲して第２流路構造体１ｂの長手方向に直線的に延びている。各熱媒流路のうち第２流路構造体１ｂの長手方向に延びる部分は、前記各第１導入路１０のうち第１流路構造体１ａの長手方向に延びる部分及び各反応路１６と対応する位置に配置されている。
　この第２流路構造体１ｂは、熱媒流路基板２６と、封止部材２８とによって構成されている。これら熱媒流路基板２６及び封止部材２８は、前記第１流路構造体１ａを構成する基板４、第１封止部材６、第２封止部材８と同形の矩形状の平板であり、封止部材２８は、第２封止部材８と兼用されている。また、封止部材２８は、熱媒流路基板２６の表面を覆った状態でその表面に接合されている。そして、各熱媒流路は、熱媒流路基板２６の表面に形成された溝部３２（図２参照）の開口部が封止部材２８により封止されることによって形成されている。
　そして、各熱媒流路の導入口には、熱媒供給部５０ｃ（図１参照）が接続されている。この熱媒供給部５０ｃから熱媒が各熱媒流路に配分されて導入される。これにより、各熱媒流路を流れる熱媒と前記第１流路構造体１ａの各反応路１６を流れる第１反応剤及び第２反応剤との熱交換が行われ、各反応路１６における第１反応剤と第２反応剤との反応が促進される。
　次に、本実施形態の反応装置の製造方法について説明する。
　本実施形態の反応装置の製造方法では、第１流路構造体１ａの内部に複数の流路２を設けるとともに、その各流路２が前記第１導入路１０、前記第２導入路１２、前記合流路１４及び前記反応路１６からなるように第１流路構造体１ａを形成する。
　具体的には、基板４の一方の面に複数の前記第１導入溝１８と、複数の前記反応溝２４と、複数の前記合流孔２２のうち当該基板４の一方の面から所定の深さの部分２２ａ（図８参照）とをそれぞれフォトエッチングによって形成するとともに、基板４の他方の面に複数の前記第２導入溝２０と、複数の前記合流孔２２のうち当該基板４の他方の面から所定の深さの部分２２ｂ（図８参照）とをそれぞれフォトエッチングによって形成する。
　この際、まず、基板４の両面の整面及び清浄化を行い、その後、その基板４の両面にそれぞれフォトレジストを塗布する。そして、基板４の一方の面では、フォトマスクを介して各第１導入溝１８、各反応溝２４及び各合流孔２２それぞれの形成領域以外の領域に露光を行う。また、基板４の他方の面では、別のフォトマスクを介して各第２導入溝２０及び各合流孔２２それぞれの形成領域以外の領域に露光を行う。その後、未露光のフォトレジストを基板４の両面から除去することにより、各第１導入溝１８、各第２導入溝２０、各反応溝２４及び各合流孔２２のそれぞれの形成領域を露出させる。
　次に、基板４の一方の面のうち第１導入溝１８の形成領域上のみをマスキングテープ等の被覆材によって覆う。その後、基板４の両面にエッチング液を吹きかけてその両面のエッチングを同時に行う。この際、前記被覆材によって覆われた各第１導入溝１８の形成領域はエッチングされず、露出している各第２導入溝２０の形成領域、各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域のみがエッチングされる。そして、各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を基板４の一方の面から前記深さｄ２（＝前記深さｄ３）と前記深さｄ１との差に相当する深さまでエッチングするとともに、各第２導入溝２０の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を基板４の他方の面から同様の深さまでエッチングすると、エッチングを一旦中止する。
　この後、前記被覆材を除去して各第１導入溝１８の形成領域を露出させ、その後、エッチングを再開する。この再開したエッチング工程において、各第１導入溝１８の形成領域、各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を基板４の一方の面側から前記深さｄ１の分だけエッチングするのと同時に、各第２導入溝２０の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を基板４の他方の面側から同様の深さだけエッチングする。これにより、基板４の一方の面から深さｄ１の各第１導入溝１８が形成されるとともに、各第２導入溝２０の形成領域及び各反応溝２４の形成領域は、（ｄ２－ｄ１）＋ｄ１＝ｄ２の深さまでそれぞれエッチングされる。この各反応溝２４の形成領域及び各第２導入溝２０の形成領域のエッチングにより、基板４の一方の面から深さｄ２の各反応溝２４と基板４の他方の面から深さｄ２＝ｄ３の各第２導入溝２０とが形成される。また、各合流孔２２の形成領域は、基板４の一方の面側から反応溝２４と同じ深さｄ２までエッチングされるとともに、基板４の他方の面側から第２導入溝２０と同じ深さｄ３までエッチングされる。これにより、その基板４の一方の面から深さｄ２までエッチングされた部分２２ａと基板４の他方の面から深さｄ３までエッチングされた部分２２ｂとが繋がって各合流孔２２が貫通する。すなわち、各合流孔２２は、各反応溝２４を形成するためのエッチングと各第２導入溝２０を形成するためのエッチングとを利用して形成される。この後、基板４の洗浄及びレジスト膜の除去を行う。
　また、別の工程において、第２流路構造体１ｂを構成する熱媒流路基板２６に複数の前記溝部３２を形成する。具体的には、熱媒流路基板２６の一方の面に、上記と同様なフォトエッチングにより複数の前記溝部３２を形成する。
　最後に、上記のようにエッチング加工を行った基板４及び熱媒流路基板２６と、第１封止部材６と、第２封止部材８（封止部材２８）とを図１のように積層し、それらを拡散接合により一体化することによって流路装置Ｓを作製する。
　そして、このように作製した流路装置Ｓに対して第１反応剤供給部５０ａ、第２反応剤供給部５０ｂ、熱媒供給部５０ｃ等の他の構成部材を取り付けて本実施形態による反応装置を作製する。
　次に、本実施形態による反応装置を用いた反応方法について説明する。
　この反応方法では、まず、第１反応剤供給部５０ａから第１反応剤を各流路２の第１導入路１０に導入するとともに、第２反応剤供給部５０ｂから第２反応剤を各流路２の第２導入路１２に導入する。第１反応剤は、各第１導入路１０の全体の圧力損失が均等化されていることに起因して、各第１導入路１０に均一の流量で配分されて流れる。また、第２反応剤は、各第２導入路１２の全体の圧力損失が均等化されていることに起因して、各第２導入路１２に均一の流量で配分されて流れる。
　そして、第１導入路１０を通過した第１反応剤と、第２導入路１２を通過した第２反応剤とは、互いに接近する方向へそれぞれ移動しながら合流路１４に流れ込んで合流し、均一に混合される。そして、合流した両反応剤は、合流路１４から反応路１６へ流入するとともに、その反応路１６内を下流側へ流れながら互いに反応する。それによって所定の反応生成物が製造される。
　以上説明したように、本実施形態では、反応溝接続部２４ａの底面が第１導入溝接続部１８ａの底面よりも基板４の他方の面に近い位置に設けられるから、反応溝接続部２４ａの底面と第１導入溝接続部１８ａの底面とが面一である場合よりも第１反応剤と第２反応剤との均一性の高い混合が可能となる。すなわち、本実施形態では、反応溝接続部２４ａの底面が第１導入溝接続部１８ａの底面よりも基板４の他方の面に近い位置に設けられることに起因して第１反応剤が基板４の一方の面側から他方の面側に向かって移動しながら下流側に流れる。その一方で、本実施形態では、第２導入溝２０が基板４の他方の面に形成されるとともに反応溝２４が基板４の一方の面に形成されることに起因して第２導入溝２０から合流孔２２を経て反応溝２４へ至る経路が屈曲している。このため、この経路を流れる第２反応剤は、基板４の他方の面側から一方の面側へ移動しながら下流側へ流れる。従って、本実施形態では、第１反応剤と第２反応剤とが互いに接近する方向にそれぞれ移動しながら合流して下流側へ流れるので、反応溝接続部２４ａの底面と第１導入溝接続部１８ａの底面とが面一に形成されていて、直線的に円滑に流れる第１反応剤に対して第２反応剤が途中から合流する場合に比べて、第１反応剤と第２反応剤とが良好に混合される。その結果、本実施形態では、両反応剤の混合の均一性を高めることができる。
　さらに、本実施形態では、基板４に第１導入溝１８、第２導入溝２０、反応溝２４及び合流孔２２が形成され、第１封止部材６が基板４に形成された第１導入溝１８の開口部、反応溝２４の開口部及び合流孔２２の一方の開口部を覆うとともに、第２封止部材８が基板４に形成された第２導入溝２０の開口部及び合流孔２２の他方の開口部を覆うだけで第１導入路１０、第２導入路１２、合流路１４及び反応路１６が形成される。このため、本実施形態では、エッチング加工として、基板４に第１導入溝１８、第２導入溝２０、反応溝２４及び合流孔２２を形成するためのエッチング加工を行うだけでよく、両封止部材６，８のエッチング加工を行わなくてもよい。このため、基板のエッチング加工に加えて両封止部材のうち反応路に対応する部分が突出するようにその両封止部材をエッチング加工する必要がある従来の構成に比べて、エッチングの工程数を少なくすることができる。また、本実施形態では、単に両封止部材６，８を基板４に接合して基板４に形成された各溝１８，２０，２４及び合流孔２２それぞれの開口部をその封止部材６，８で覆うだけで流路２が形成されるため、両封止部材６，８を基板４に対して位置合わせしながら接合するという煩雑な作業を行わなくてもよい。このため、本実施形態では、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことができる。従って、本実施形態では、反応装置における反応剤の混合の均一性を高めつつ、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことができる。
　また、本実施形態では、反応溝２４の形成と同時に合流孔２２の形成領域を基板４の一方の面から深さｄ２までエッチングするとともに、第２導入溝２０の形成と同時に合流孔２２の形成領域を基板４の他方の面から深さｄ３までエッチングすることにより、基板４の一方の面から深さｄ２までエッチングした部分２２ａと基板４の他方の面から深さｄ３までエッチングした部分２２ｂとが繋がって合流孔２２が貫通する。このため、本実施形態では、反応溝２４を形成するエッチングと第２導入溝２０を形成するエッチングとを利用して合流孔２２を形成することができる。その結果、本実施形態では、合流孔２２を形成するための専用のエッチング工程やレーザー加工等により合流孔２２を形成する工程等を別途行う必要がなく、反応装置の製造工程を簡素化することができる。
　なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
　例えば、第１導入路１０、第２導入路１２、合流路１４及び反応路１６は、上記以外の形状及び／又は配置で第１流路構造体１ａに設けられていてもよい。
　具体的には、各第１導入路１０を第１流路構造体１ａの長手方向に直線的に延びるように設けてもよい。また、各第２導入路１２を前記各第１導入路１０のように屈曲した形状で設けてもよい。また、第２導入路１２を構成する第２導入溝２０の深さｄ３は、第１導入溝１８の深さｄ１よりも小さくてもよい。
　また、反応装置は、上記のように積層された複数の第１流路構造体１ａ及び複数の第２流路構造体１ｂを必ずしも備えている必要はなく、単一の第１流路構造体１ａのみを備えていてもよい。
　また、第１流路構造体１ａ内に単一の流路２のみが設けられていてもよい。
　また、各第１導入路１０（各第１導入溝１８）が異なる方向に延びていてもよい。また、各第２導入路１２（各第２導入溝２０）が異なる方向に延びていてもよい。また、各反応路１６（各反応溝２４）が異なる方向に延びていてもよい。
　また、上記実施形態において、第１導入溝１８、第２導入溝２０及び反応溝２４の各溝において前記半円状の断面形状を有する部分は、その底面の部分に基板４に平行な直線部を有するとともにその直線部の両側に円弧状の部分がそれぞれ繋がった形状の断面形状を有していてもよい。
　また、上記実施形態では、反応溝２４の深さｄ２と第２導入溝２０の深さｄ３とが等しい場合を例にとって説明したが、反応溝２４の深さｄ２と第２反応溝２０の深さｄ３との和が基板４の板厚よりも大きければ、それら深さｄ２と深さｄ３とは異なっていてもよい。
　例えば、深さｄ２が深さｄ３よりも大きい場合には、以下のようなエッチング工程によって基板４に第１導入溝１８、第２導入溝２０、反応溝２４及び合流孔２２を形成する。
　すなわち、上記実施形態と同様に基板４の両面のうち各第１導入溝１８、各第２導入溝２０、各反応溝２４及び各合流孔２２のそれぞれの形成領域以外の領域を露光されたフォトレジストで覆われた状態にする。
　次に、基板４の一方の面の第１導入溝１８の形成領域上及び基板４の他方の面の第２導入溝２０の形成領域上をマスキングテープ等の被覆材によってそれぞれ覆い、その後、基板４の両面のエッチングを同時に行う。この際、露出している各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を基板４の一方の面から前記深さｄ２と前記深さｄ３との差に相当する深さ（ｄ２－ｄ３）までエッチングするとともに、各合流孔２２の形成領域を基板４の他方の面から同様の深さまでエッチングすると、第２導入溝２０の形成領域上を覆う被覆材を除去する。
　その後、各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を前記深さｄ３と前記深さｄ１との差に相当する深さ（ｄ３－ｄ１）の分だけ基板４の一方の面側からエッチングするのと同時に、各第２導入溝２０の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を同様の深さだけ基板４の他方の面側からエッチングする。この後、第１導入溝１８の形成領域上を覆う被覆材を除去する。
　その後、各第１導入溝１８の形成領域、各反応溝２４の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を前記深さｄ１の分だけ基板４の一方の面側からエッチングするのと同時に、各第２導入溝２０の形成領域及び各合流孔２２の形成領域を同様の深さの分だけ基板４の他方の面側からエッチングする。これにより、基板４の一方の面から深さｄ１の各第１導入溝１８が形成される。また、各反応溝２４の形成領域は、基板４の一方の面から（ｄ２－ｄ３）＋（ｄ３－ｄ１）＋ｄ１＝ｄ２の深さまでエッチングされ、その結果、基板４の一方の面から深さｄ２の各反応溝２４が形成される。また、各第２導入溝２０の形成領域は、基板４の他方の面から（ｄ３－ｄ１）＋ｄ１＝ｄ３の深さまでエッチングされる。これにより、基板４の他方の面から深さｄ３の各第２導入溝２０が形成される。また、各合流孔２２の形成領域は、基板４の一方の面側から反応溝２４と同じ深さｄ２までエッチングされるとともに、基板４の他方の面側から第２導入溝２０と同じ深さｄ３までエッチングされる。これにより、その基板４の一方の面から深さｄ２までエッチングされた部分と基板４の他方の面から深さｄ３までエッチングされた部分とが繋がって各合流孔２２が貫通する。すなわち、この構成においても、各合流孔２２は、各反応溝２４を形成するためのエッチングと各第２導入溝２０を形成するためのエッチングとを利用して形成される。
　また、上記実施形態では、基板４の両面を同時にエッチング加工する場合を示したが、基板４の一方の面と他方の面とをそれぞれ別々にエッチング加工してもよい。
　また、基板４をエッチング加工する工程では、基板４の一方の面を深さｄ１までエッチングして第１導入溝１８のうち少なくとも第１導入溝接続部１８ａを形成すればよく、また、基板４の一方の面を深さｄ２までエッチングして反応溝２４のうち少なくとも反応溝接続部２４ａを形成すればよい。また、この工程において、基板４の他方の面を深さｄ３までエッチングして第２導入溝２０のうち少なくとも第２導入溝接続部２０ａを形成すればよい。すなわち、第１導入溝１８のうち第１導入溝接続部１８ａ以外の部分は、深さｄ１と異なる深さに形成してもよく、反応溝２４のうち反応溝接続部２４ａ以外の部分は、深さｄ２と異なる深さに形成してもよく、さらに、第２導入溝２０のうち第２導入溝接続部２０ａ以外の部分は、深さｄ３と異なる深さに形成してもよい。そして、この場合には、反応溝２４のうち反応溝接続部２４ａを形成するエッチングと、第２導入溝２０のうち第２導入溝接続部２０ａを形成するエッチングとを利用して合流孔２２を形成すればよい。
［実施の形態の概要］
　前記実施形態をまとめると、以下の通りである。
　すなわち、前記実施形態に係る反応装置は、第１反応剤と第２反応剤を流通させながらそれらを反応させる反応装置であって、前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有する流路を内部に持つ流路構造体を備え、前記流路構造体は、基板と、その基板の一方の面を覆った状態でその面に接合されている第１封止部材と、前記基板の他方の面を覆った状態でその面に接合されている第２封止部材とを有し、前記基板の一方の面には、前記第１導入路を構成する第１導入溝が形成されているとともに、前記反応路を構成する反応溝が形成されている一方、前記基板の他方の面には、前記第２導入路を構成する第２導入溝が形成されており、前記基板には、前記合流路を構成する合流孔が前記第１導入溝及び前記第２導入溝と前記反応溝との間で当該基板の前記一方の面から前記他方の面へ貫通してそれら導入溝の下流側端部と反応溝の上流側端部とを繋ぐように設けられ、前記反応溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さは、前記第１導入溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さよりも大きい。
　そして、この反応装置は、第１反応剤及び第２反応剤を流通させる流路が内部に設けられた流路構造体を備える反応装置を製造するための方法であって、前記流路が、前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有するように前記流路構造体を形成する構造体形成工程を備え、前記構造体形成工程は、基板の一方の面に前記第１導入路を構成する第１導入溝をエッチングによって形成する第１導入溝形成工程と、前記基板の一方の面に前記反応路を構成する反応溝をエッチングによって形成する反応溝形成工程と、前記基板の他方の面に前記第２導入路を構成する第２導入溝をエッチングによって形成する第２導入溝形成工程と、前記合流路を構成する合流孔をエッチングによって前記第１導入溝及び前記第２導入溝の下流側端部同士を繋ぐとともにそれらの下流側端部と前記反応溝の上流側端部とを繋ぐ形状で前記基板を貫通するように形成する合流孔形成工程と、前記基板の前記一方の面を覆うようにその一方の面に第１封止部材を接合することにより、前記第１導入溝、前記反応溝及び前記合流孔のそれぞれの当該一方の面側の開口部を封止する第１封止工程と、前記基板の前記他方の面を覆うようにその他方の面に第２封止部材を接合することにより、前記第２導入溝及び前記合流孔のそれぞれの当該他方の面側の開口部を封止する第２封止工程とを含み、前記第１導入溝形成工程は、前記基板の一方の面を第１の深さまでエッチングして前記第１導入溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する第１導入溝接続部形成工程を含み、前記反応溝形成工程は、前記基板の一方の面を前記第１の深さよりも大きい第２の深さまでエッチングして前記反応溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する反応溝接続部形成工程を含む、反応装置の製造方法によって製造することができる。
　この反応装置及びその製造方法によれば、反応溝のうち合流孔に繋がる部分の底面が第１導入溝のうち合流孔に繋がる部分の底面よりも基板の他方の面に近い位置に設けられるから、反応溝のうち合流孔に繋がる部分の底面と第１導入溝のうち合流孔に繋がる部分の底面とが面一である場合よりも第１反応剤と第２反応剤との均一性の高い混合が可能となる。すなわち、本構成では、反応溝のうち合流孔に繋がる部分の底面が第１導入溝のうち合流孔に繋がる部分の底面よりも基板の他方の面に近い位置に設けられることに起因して第１反応剤が基板の一方の面側から他方の面側に向かって移動しながら下流側に流れる。その一方で、本構成では、第２導入溝が基板の他方の面に形成されるとともに反応溝が基板の一方の面に形成されることに起因して第２導入溝から合流孔を経て反応溝へ至る経路は屈曲する。このため、この経路を流れる第２反応剤は、基板の他方の面側から一方の面側へ移動しながら下流側へ流れる。従って、本構成では、第１反応剤と第２反応剤とが互いに接近する方向にそれぞれ移動しながら合流して下流側へ流れるので、反応溝のうち合流孔に繋がる部分の底面と第１導入溝のうち合流孔に繋がる部分の底面とが面一に形成されていて、直線的に円滑に流れる第１反応剤に対して第２反応剤が途中から合流する従来の構成に比べて、第１反応剤と第２反応剤とが良好に混合される。その結果、両反応剤の混合の均一性を高めることができる。
　さらに、本構成では、基板に第１導入溝、第２導入溝、反応溝及び合流孔が形成され、第１封止部材が基板に形成された第１導入溝の開口部、反応溝の開口部及び合流孔の一方の開口部を覆うとともに、第２封止部材が基板に形成された第２導入溝の開口部及び合流孔の他方の開口部を覆うだけで第１導入路、第２導入路、合流路及び反応路が形成される。このため、本構成では、エッチング加工として、基板に第１導入溝、第２導入溝、反応溝及び合流孔を形成するためのエッチング加工を行うだけでよく、両封止部材のエッチング加工を行わなくてもよい。このため、基板のエッチング加工に加えて両封止部材のうち反応路に対応する部分が突出するようにその両封止部材をエッチング加工する必要がある従来の構成に比べて、エッチングの工程数を少なくすることができる。また、本構成では、単に両封止部材を基板に接合して基板に形成された各溝及び合流孔のそれぞれの開口部をその封止部材で覆うだけで流路が形成されるため、両封止部材を基板に対して位置合わせしながら接合するという煩雑な作業を行わなくてもよい。このため、本構成では、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことができる。従って、本構成では、反応装置における反応剤の混合の均一性を高めつつ、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことができる。
　また、上記反応装置の製造方法において、前記第２導入溝形成工程は、前記基板の他方の面を当該基板の板厚と前記第２の深さとの差よりも大きく、かつ、当該基板の板厚と前記第１の深さとの差よりも小さい第３の深さまでエッチングして前記第２導入溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する第２導入溝接続部形成工程を含み、前記合流孔形成工程は、前記反応溝接続部形成工程と同時に行われ、前記基板の前記一方の面のうち前記合流孔の形成領域を前記第２の深さまでエッチングする第１工程と、前記第２導入溝接続部形成工程と同時に行われ、前記基板の前記他方の面のうち前記合流孔の形成領域を前記第３の深さまでエッチングする第２工程とを含み、前記第１工程で前記第２の深さまでエッチングした部分と前記第２工程で前記第３の深さまでエッチングした部分とが繋がって前記合流孔が貫通することが好ましい。
　このように構成すれば、反応溝接続部形成工程のエッチングと第２導入溝接続部形成工程のエッチングとを利用して合流孔を形成することができるから、合流孔を形成するための専用のエッチング工程やレーザー加工等により合流孔を形成する工程等を別途行う必要がない。このため、反応装置の製造工程を簡素化することができる。
　以上説明したように、前記実施形態によれば、反応装置における反応剤の混合の均一性を高めつつ、反応装置の製造工程が煩雑になるのを防ぐことができる。

Claims (3)

  1. 　第１反応剤と第２反応剤を流通させながらそれらを反応させる反応装置であって、
    　前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有する流路を内部に持つ流路構造体を備え、
    　前記流路構造体は、基板と、その基板の一方の面を覆った状態でその面に接合されている第１封止部材と、前記基板の他方の面を覆った状態でその面に接合されている第２封止部材とを有し、
    　前記基板の一方の面には、前記第１導入路を構成する第１導入溝が形成されているとともに、前記反応路を構成する反応溝が形成されている一方、前記基板の他方の面には、前記第２導入路を構成する第２導入溝が形成されており、
    　前記基板には、前記合流路を構成する合流孔が前記第１導入溝及び前記第２導入溝と前記反応溝との間で当該基板の前記一方の面から前記他方の面へ貫通してそれら導入溝の下流側端部と反応溝の上流側端部とを繋ぐように設けられ、
    　前記反応溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さは、前記第１導入溝のうち前記合流孔に繋がる部分の深さよりも大きい、反応装置。
  2. 　第１反応剤及び第２反応剤を流通させる流路が内部に設けられた流路構造体を備える反応装置を製造するための方法であって、
    　前記流路が、前記第１反応剤が導入される第１導入路と、前記第２反応剤が導入される第２導入路と、前記第１導入路の下流側と前記第２導入路の下流側に繋がり、前記第１導入路を通じて流れる前記第１反応剤と前記第２導入路を通じて流れる前記第２反応剤とを合流させるための合流路と、この合流路の下流側に繋がり、その合流路において合流された両反応剤を流通させながら互いに反応させるための反応路とを有するように前記流路構造体を形成する構造体形成工程を備え、
    　前記構造体形成工程は、基板の一方の面に前記第１導入路を構成する第１導入溝をエッチングによって形成する第１導入溝形成工程と、前記基板の一方の面に前記反応路を構成する反応溝をエッチングによって形成する反応溝形成工程と、前記基板の他方の面に前記第２導入路を構成する第２導入溝をエッチングによって形成する第２導入溝形成工程と、前記合流路を構成する合流孔をエッチングによって前記第１導入溝及び前記第２導入溝の下流側端部同士を繋ぐとともにそれらの下流側端部と前記反応溝の上流側端部とを繋ぐ形状で前記基板を貫通するように形成する合流孔形成工程と、前記基板の前記一方の面を覆うようにその一方の面に第１封止部材を接合することにより、前記第１導入溝、前記反応溝及び前記合流孔のそれぞれの当該一方の面側の開口部を封止する第１封止工程と、前記基板の前記他方の面を覆うようにその他方の面に第２封止部材を接合することにより、前記第２導入溝及び前記合流孔のそれぞれの当該他方の面側の開口部を封止する第２封止工程とを含み、
    　前記第１導入溝形成工程は、前記基板の一方の面を第１の深さまでエッチングして前記第１導入溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する第１導入溝接続部形成工程を含み、
    　前記反応溝形成工程は、前記基板の一方の面を前記第１の深さよりも大きい第２の深さまでエッチングして前記反応溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する反応溝接続部形成工程を含む、反応装置の製造方法。
  3. 　請求項２に記載の反応装置の製造方法において、
    　前記第２導入溝形成工程は、前記基板の他方の面を当該基板の板厚と前記第２の深さとの差よりも大きく、かつ、当該基板の板厚と前記第１の深さとの差よりも小さい第３の深さまでエッチングして前記第２導入溝のうち少なくとも前記合流孔に繋がる部分を形成する第２導入溝接続部形成工程を含み、
    　前記合流孔形成工程は、前記反応溝接続部形成工程と同時に行われ、前記基板の前記一方の面のうち前記合流孔の形成領域を前記第２の深さまでエッチングする第１工程と、前記第２導入溝接続部形成工程と同時に行われ、前記基板の前記他方の面のうち前記合流孔の形成領域を前記第３の深さまでエッチングする第２工程とを含み、
    　前記第１工程で前記第２の深さまでエッチングした部分と前記第２工程で前記第３の深さまでエッチングした部分とが繋がって前記合流孔が貫通する、反応装置の製造方法。
PCT/JP2009/071307 2009-01-13 2009-12-22 反応装置及び反応装置の製造方法 WO2010082433A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020117018788A KR101280642B1 (ko) 2009-01-13 2009-12-22 반응 장치 및 반응 장치의 제조 방법
CN200980154856.1A CN102281941B (zh) 2009-01-13 2009-12-22 反应装置以及反应装置的制造方法
EP09838398.7A EP2384810B1 (en) 2009-01-13 2009-12-22 Reactor and method for producing a reactor

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-004166 2009-01-13
JP2009004166A JP4515520B2 (ja) 2009-01-13 2009-01-13 反応装置及び反応装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010082433A1 true WO2010082433A1 (ja) 2010-07-22

Family

ID=42339689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/071307 WO2010082433A1 (ja) 2009-01-13 2009-12-22 反応装置及び反応装置の製造方法

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP2384810B1 (ja)
JP (1) JP4515520B2 (ja)
KR (1) KR101280642B1 (ja)
CN (1) CN102281941B (ja)
WO (1) WO2010082433A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2500086A3 (en) * 2011-03-18 2013-05-08 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Flow channel structure, and mixing method, extraction method, and reaction method for fluids
EP2724774A1 (en) * 2011-06-22 2014-04-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Liquid mixing method and device

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012120962A (ja) 2010-12-07 2012-06-28 Kobe Steel Ltd 流路構造体
CA2826962C (en) * 2012-10-11 2021-01-05 Yves De Vos Combined heat exchanging and fluid mixing apparatus
KR102202543B1 (ko) 2020-07-03 2021-01-13 박주성 자전거 보호커버

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004290971A (ja) * 2003-03-11 2004-10-21 Sumitomo Chem Co Ltd 反応方法および反応装置
JP2006122735A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 流路構造体および流体混合装置
JP2006255634A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Metropolis 微小流路、その製造方法及び用途
JP2006523522A (ja) * 2003-04-16 2006-10-19 ウーデ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 触媒を備えたプレート構造のマイクロ型反応器
JP2007061685A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Mitsubishi Chemicals Corp マイクロ反応用チップ及びそれを用いた反応方法
JP2008168173A (ja) 2007-01-09 2008-07-24 Kobe Steel Ltd 反応装置及び反応方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006346671A (ja) * 2005-05-16 2006-12-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液液界面反応装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004290971A (ja) * 2003-03-11 2004-10-21 Sumitomo Chem Co Ltd 反応方法および反応装置
JP2006523522A (ja) * 2003-04-16 2006-10-19 ウーデ　ゲゼルシャフト　ミット　ベシュレンクテル　ハフツング 触媒を備えたプレート構造のマイクロ型反応器
JP2006122735A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 流路構造体および流体混合装置
JP2006255634A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Tokyo Metropolis 微小流路、その製造方法及び用途
JP2007061685A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Mitsubishi Chemicals Corp マイクロ反応用チップ及びそれを用いた反応方法
JP2008168173A (ja) 2007-01-09 2008-07-24 Kobe Steel Ltd 反応装置及び反応方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2500086A3 (en) * 2011-03-18 2013-05-08 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Flow channel structure, and mixing method, extraction method, and reaction method for fluids
US8986546B2 (en) 2011-03-18 2015-03-24 Kobe Steel, Ltd. Flow channel structure, and mixing method, extraction method, and reaction method for fluids
EP2724774A1 (en) * 2011-06-22 2014-04-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Liquid mixing method and device
US20140133262A1 (en) * 2011-06-22 2014-05-15 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Liquid mixing method and device
EP2724774A4 (en) * 2011-06-22 2014-12-03 Kobe Steel Ltd METHOD AND DEVICE FOR MIXING LIQUIDS
US9776145B2 (en) 2011-06-22 2017-10-03 Kobe Steel, Ltd. Liquid mixing method and device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010162427A (ja) 2010-07-29
JP4515520B2 (ja) 2010-08-04
EP2384810B1 (en) 2018-09-12
CN102281941B (zh) 2014-12-03
KR20110114660A (ko) 2011-10-19
CN102281941A (zh) 2011-12-14
KR101280642B1 (ko) 2013-07-01
EP2384810A1 (en) 2011-11-09
EP2384810A4 (en) 2013-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4515521B2 (ja) 反応装置及び反応装置の製造方法
WO2010082433A1 (ja) 反応装置及び反応装置の製造方法
JP4970959B2 (ja) 反応装置及び反応方法
US8142741B2 (en) Reactor and method for manufacturing reactor
WO2013035253A1 (ja) 流路構造体及び流路構造体の製造方法
JP2006346671A (ja) 液液界面反応装置
JP4367283B2 (ja) マイクロ流体チップ
US8088435B2 (en) Mask, method for producing mask, and method for producing wired board
KR20060052217A (ko) 유로 구조체 및 그 제조방법
US8192703B2 (en) Reactor and reacting method
US20120040130A1 (en) Minireactor Array
JP2009018280A (ja) 流路構造体、リアクタ及びリアクタを用いた反応方法
JP2010172803A (ja) マイクロリアクタモジュール及びその製造方法
JP2001120972A (ja) 液体混合器
US7922924B2 (en) Methods for making internal die filters with multiple passageways which are fluidically in parallel
JP2014066411A (ja) プレート式熱交換器
JP7525076B2 (ja) ベーパーチャンバ、電子機器およびベーパーチャンバ用の本体シート
JP2005207725A (ja) 熱交換器
WO2023286110A1 (ja) 熱交換素子
JP2011233658A (ja) 流路内蔵基板および電子機器
JP2017009167A (ja) シート状ロウ材、熱交換器の製造方法および熱交換器
TW202246720A (zh) 蒸氣腔用之本體片材、蒸氣腔及電子機器
JP2005083676A (ja) 熱交換器コア及び熱交換器コアの製造方法
JPH04184093A (ja) 熱交換器
JPH09172131A (ja) 半導体装置及びそのリードフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980154856.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09838398

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009838398

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117018788

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A