WO2010064306A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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忠紘 今田
浩太 吉川
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富士通株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device having wiring.
  • the wiring interval is, for example, 1 ⁇ m or less
  • the influence of the leakage current on the power consumption increases due to the narrowing of the wiring interval and the increase in the wiring scale.
  • a leakage current between the wirings affects the characteristics and life of the semiconductor device.
  • a so-called damascene method is used as a method for forming wiring in a semiconductor device.
  • a wiring groove having a wiring pattern is formed in an insulating film by etching.
  • a wiring material such as copper is deposited on the insulating film in which the wiring trench is formed.
  • excess wiring material on the insulating film is polished and removed by CMP (Chemical Mechanical Polishing), and the wiring material is embedded in the wiring groove.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • TDDB Time-Dependent-Dielectric-Breakdown
  • An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a semiconductor device that recovers damage on the surface of an insulating film when a wiring is formed, can form a highly reliable wiring with a small leakage current.
  • a step of forming an insulating film on a semiconductor substrate a step of forming an opening in the insulating film, and the opening in the opening on the insulating film in which the opening is formed.
  • a method of manufacturing a semiconductor device including a step of performing a process of exposing or applying a silicon compound having Si—Cl.
  • FIG. 1 is a process cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a process cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a process cross-sectional view (part 1) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 4 is a process cross-sectional view (part 2) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a process cross-sectional view (part 3) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 6 is a process cross-sectional view (part 4) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a process cross-sectional view (part 5) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 8 is a process cross-sectional view (No. 6) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a process cross-sectional view (part 7) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a process cross-sectional view (No. 8) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a process cross-sectional view (No. 9) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is a process cross-sectional view (No. 10) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 13 is a process cross-sectional view (No. 11) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 14 is a process cross-sectional view (No. 12) illustrating the method for manufacturing the semiconductor device according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a process cross-sectional view illustrating a method for producing an evaluation sample.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an evaluation sample in which an electrode is formed on a low dielectric constant insulating film.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an evaluation sample in which a SiC film is formed on a low dielectric constant insulating film.
  • FIG. 18 is a graph showing the temperature programmed desorption spectrum obtained for the evaluation sample.
  • SYMBOLS 10 Semiconductor substrate 12 ... Element isolation film 14 ... Element region 16 ... Gate insulating film 18 ... Gate electrode 22 ... Source / drain region 24 ... MOS transistor 26 ... Interlayer insulating film 28 ... Insulating film 30 ... Contact holes 32, 48, 74 ... Barrier metal 34 ... Tungsten film 35, 77a ... Contact plugs 36, 40, 52, 56, 60, 78 ... Insulating films 38, 54, 58 ... Interlayer insulating films 42, 62, 68 ... Photoresist films 44, 64, 70 ... openings 46, 72 ... wiring grooves 50,76 ... Cu films 51,77b ... wirings 52, 78 ...
  • FIGS. 1 and 2 are process cross-sectional views illustrating the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment.
  • the insulating film 102 is formed on the base substrate 100 (FIG. 1A).
  • the base substrate 100 includes not only a semiconductor substrate itself such as a silicon substrate but also a semiconductor substrate on which an MIS transistor and other elements and one or more wiring layers are formed.
  • the insulating film 102 includes an interlayer insulating film for insulation between wirings, a stopper film that functions as a polishing stopper at the time of polishing by the CMP method, and an etching stopper for forming openings such as wiring grooves by etching.
  • a stopper film or the like that functions as:
  • the insulating film 102 for example, a silica-based insulating film such as a SiOC film, a SiC film, a SiN film, or a SiF film can be applied. In addition to these silica-based insulating films, various insulating films can be applied. As a formation method of the insulating film 102, a CVD method, a coating method, or the like can be selected as appropriate depending on the type of the film. Note that the SiOC film may contain N (nitrogen), H (hydrogen), or the like in the film. Moreover, O (oxygen), N, H, etc. may exist in the SiC film. Moreover, O, C, H, etc. may exist in the SiN film. When the wiring interval is, for example, 1 ⁇ m or less, the insulating film 102 preferably has a low dielectric constant having a relative dielectric constant of, for example, 3 or less from the viewpoint of reducing wiring delay.
  • an opening 104 is formed in the insulating film 102 by photolithography and dry etching (FIG. 1B).
  • the opening 104 is a wiring groove for embedding wiring.
  • the opening 104 may be a contact hole for embedding a contact plug.
  • a barrier metal 106 and a conductive film 108 are sequentially formed on the insulating film 102 in which the opening 104 is formed so as to fill the opening 104 (FIG. 1C).
  • the barrier metal 106 for example, a titanium nitride (TiN) film, a tantalum nitride (TaN) film, or the like can be used.
  • the conductive film 108 for example, a copper (Cu) film, an aluminum (Al) film, a gold (Au) film, a platinum (Pt) film, a tungsten (W) film, or the like can be used.
  • a wiring 110 embedded in the opening 104 and including the barrier metal 106 and the conductive film 108 is formed (FIG. 2A).
  • a contact hole may be formed as the opening 104, and a contact plug embedded in the opening 104 and including the barrier metal 106 and the conductive film 108 may be formed.
  • this treatment is performed by combining the silanol groups (Si—OH groups) generated on the surface of the insulating film 102 due to damage when the conductive film 108 and the barrier metal 106 are polished by the CMP method, and the predetermined molecular structure. It is for making it react with the silicon compound which has.
  • the Si—OH group generated on the surface of the insulating film 102 is reacted with the silicon compound to thereby convert the Si—OH group into Si—O—Si.
  • the surface is converted into a bond, and the surface of the insulating film 102 is hydrophobized.
  • moisture adsorbed on the insulating film 102 can be reduced.
  • the leakage current can be reduced and the TDDB characteristics can be improved. Therefore, according to the manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment, a semiconductor device with low power consumption and high reliability can be manufactured with a high yield.
  • the silicon compound used for the damage recovery treatment may be any silicon compound that can react with the Si—OH group during polishing by the CMP method.
  • Any silicon compound having at least one of the above may be used.
  • atoms bonded to bonds not shown in the chemical formulas (1) to (2) may be, for example, C, O, N, Cl, or the like.
  • N and Cl may be bonded to the same Si or may be bonded to different Si.
  • Si bonded to N and Si bonded to Cl are generally bonded through other atoms such as C and O. .
  • irradiation with electromagnetic waves is irradiation with infrared rays, ultraviolet rays, X-rays, ⁇ rays, ⁇ rays, electron beams, and the like, for example.
  • a hot plate or a heating furnace is used for the heat treatment.
  • the Si—N bond and the Si—Cl bond do not necessarily react completely, and may remain on the insulating film 102 and the wiring 110. However, these bonds may cause an increase in dielectric constant due to moisture absorption or the like. For this reason, the remaining ratio of these bonds in the insulating film is preferably low, and specifically, for example, it is desirable that each of them be 500 ppm by weight or less. This is because if the residual rate exceeds this, the dielectric constant will easily increase.
  • the silicon compound used for such damage recovery treatment is a silicon compound having at least one of the parts represented by the following chemical formulas (3) to (17). preferable.
  • R1 to R63 each independently represent hydrogen, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, or alkynyl. And a group selected from the group consisting of a group, an alkylcarbonyl group, an alkenylalkyl group, an alkynylalkyl group, and an aryl group having 6 to 20 carbon atoms.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (3) include the following compounds. That is, chlorotrimethylsilane is mentioned. Moreover, chlorotriethylsilane is mentioned. Moreover, chlorotripropylsilane is mentioned. Moreover, chlorotriisopropylsilane is mentioned. Moreover, chlorotrivinylsilane is mentioned. Moreover, chlorotriphenylsilane is mentioned. Further, chlorotri (n-butyl) silane can be mentioned. Further, chlorotri (s-butyl) silane can be mentioned. Further, chlorotri (t-butyl) silane can be mentioned. Moreover, chlorodiethylmethylsilane is mentioned.
  • chlorodimethylpropylsilane is mentioned.
  • chlorodiethylpropylsilane is mentioned.
  • chlorodimethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chlorodiethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chlorodiisopropylpropylsilane is mentioned.
  • chlorodimethyl vinyl silane is mentioned.
  • chlorodiethyl vinyl silane is mentioned.
  • chlorodipropyl vinyl silane is mentioned.
  • chlorodiisopropyl vinyl silane is mentioned.
  • chlorodimethylphenylsilane is mentioned.
  • chlorodiethylphenylsilane is mentioned.
  • chlorodiphenylpropylsilane is mentioned.
  • chlorodiisopropylphenylsilane is mentioned.
  • chlorodiphenyl vinyl silane is mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) methylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) ethylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) propylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) isopropylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) vinylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (n-butyl) phenylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) methylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) ethylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) propylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) isopropylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) vinylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) phenylsilane may be mentioned. Further, chlorodi (n-butyl) s-butylsilane can be mentioned.
  • chlorodi (t-butyl) methylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (t-butyl) ethylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (t-butyl) propylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (t-butyl) isopropylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (t-butyl) vinylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (t-butyl) phenylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (n-butyl) t-butylsilane can be mentioned. Further, chlorodi (s-butyl) t-butylsilane can be mentioned.
  • chloromethyl ethyl propyl silane is mentioned.
  • chloromethyl ethyl isopropyl silane is mentioned.
  • chloromethyl ethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloromethyl ethyl phenyl silane is mentioned.
  • chloromethylethyl n-butylsilane can be mentioned.
  • chloromethylethyl s-butylsilane can be mentioned.
  • chloromethylethyl t-butylsilane can be mentioned.
  • chloroethyl propyl isopropyl silane is mentioned.
  • chloroethyl propyl vinyl silane is mentioned.
  • chloroethyl propyl phenyl silane is mentioned. Further, chloroethylpropyl n-butylsilane can be mentioned. Further, chloroethylpropyl s-butylsilane can be mentioned. Further, chloroethylpropyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, chloropropyl isopropyl vinyl silane is mentioned. Moreover, chloropropyl isopropylphenylsilane is mentioned. Further, chloropropylisopropyl n-butylsilane can be mentioned. Further, chloropropylisopropyl s-butylsilane can be mentioned.
  • chloropropylisopropyl t-butylsilane can be mentioned.
  • chloroisopropyl vinyl phenyl silane is mentioned.
  • chloroisopropylvinyl n-butylsilane can be mentioned.
  • chloroisopropylvinyl s-butylsilane can be mentioned.
  • chloroisopropylvinyl t-butylsilane can be mentioned.
  • chlorovinylphenyl n-butylsilane can be mentioned.
  • chlorovinylphenyl s-butylsilane can be mentioned.
  • chlorovinylphenyl t-butylsilane can be mentioned.
  • chlorovinyl n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, chlorovinyl s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, chlorovinyl t-butyl n-butylsilane can be mentioned. Moreover, chlorodimethylsilane is mentioned. Moreover, chlorodiethylsilane is mentioned. Moreover, chlorodipropylsilane is mentioned. Moreover, chlorodiisopropylsilane is mentioned. Moreover, chlorodivinylsilane is mentioned. Moreover, chlorodiphenylsilane is mentioned. Further, chlorodi (n-butyl) silane may be mentioned.
  • chlorodi (s-butyl) silane may be mentioned.
  • chlorodi (t-butyl) silane may be mentioned.
  • chloroethyl methylsilane is mentioned.
  • chloromethylpropylsilane is mentioned.
  • chloroethyl propyl silane is mentioned.
  • chloromethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloroethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloroisopropyl propyl silane is mentioned.
  • chloromethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloroethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloropropyl vinyl silane is mentioned.
  • chloroisopropyl vinyl silane is mentioned. Moreover, chloromethylphenylsilane is mentioned. Moreover, chloroethyl phenyl silane is mentioned. Moreover, chlorophenyl propyl silane is mentioned. Moreover, chloroisopropyl phenyl silane is mentioned. Moreover, chlorophenyl vinyl silane is mentioned. Further, chloro n-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro n-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro n-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • chloro n-butylvinylsilane can be mentioned.
  • chloro n-butylphenylsilane can be mentioned.
  • chloro s-butylmethylsilane can be mentioned.
  • chloro s-butylethylsilane can be mentioned.
  • chloro s-butylpropylsilane can be mentioned.
  • chloro s-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • chloro s-butyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro s-butylphenylsilane can be mentioned.
  • chloro n-butyl s-butylsilane can be mentioned.
  • chloro t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro t-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, chloro s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, chloromethylsilane is mentioned.
  • chloroethylsilane is mentioned.
  • chloropropylsilane is mentioned.
  • chloroisopropylsilane is mentioned.
  • chlorovinyl silane is mentioned.
  • chlorophenyl silane is mentioned.
  • chloro n-butylsilane is mentioned.
  • chloro s-butylsilane is mentioned.
  • chloro t-butylsilane can be mentioned.
  • chlorosilane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (4) include the following compounds. That is, dichlorosilane is mentioned. Moreover, dichloromethylsilane is mentioned. Moreover, dichloroethylsilane is mentioned. Moreover, dichloropropylsilane is mentioned. Moreover, dichloroisopropylsilane is mentioned. Moreover, dichlorovinyl silane is mentioned. Moreover, dichlorophenylsilane is mentioned. Another example is dichloro n-butylsilane. Another example is dichloro s-butylsilane. Another example is dichloro t-butylsilane. Moreover, dichlorodimethylsilane is mentioned.
  • dichlorodiethylsilane is mentioned.
  • dichlorodipropylsilane is mentioned.
  • dichlorodiisopropylsilane is mentioned.
  • dichlorodivinylsilane is mentioned.
  • dichlorodiphenylsilane is mentioned.
  • dichlorodi (n-butyl) silane can be mentioned.
  • dichlorodi (s-butyl) silane Another example is dichlorodi (t-butyl) silane.
  • dichloroethylmethylsilane is mentioned.
  • dichloromethylpropylsilane is mentioned.
  • dichloroethyl propyl silane is mentioned.
  • dichloromethyl isopropylsilane is mentioned.
  • dichloroethyl isopropylsilane is mentioned.
  • dichloroisopropylpropylsilane is mentioned.
  • dichloromethyl vinyl silane is mentioned.
  • dichloroethyl vinyl silane is mentioned.
  • dichloropropyl vinyl silane is mentioned.
  • dichloroisopropyl vinyl silane is mentioned.
  • dichloromethylphenylsilane is mentioned.
  • dichloroethyl phenyl silane is mentioned.
  • dichlorophenyl propylsilane is mentioned.
  • dichloroisopropyl phenyl silane is mentioned.
  • dichlorophenyl vinyl silane is mentioned.
  • Another example is dichloro n-butylmethylsilane.
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  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (6) examples include, for example, tetrachlorosilane.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (7) include the following compounds. That is, dimethylaminotrimethylsilane is mentioned. Moreover, dimethylaminotriethylsilane is mentioned. Moreover, dimethylaminotripropylsilane is mentioned. Moreover, dimethylaminotriisopropylsilane is mentioned. Moreover, dimethylaminotrivinylsilane is mentioned. Moreover, dimethylaminotriphenylsilane is mentioned. An example is dimethylaminotri (n-butyl) silane. An example is dimethylaminotri (s-butyl) silane. An example is dimethylaminotri (t-butyl) silane.
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  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (8) include the following compounds. That is, bis (dimethylamino) chloromethylsilane can be mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) chloroethylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) chloropropylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) chloroisopropylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) chlorovinyl silane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) chlorophenyl silane is mentioned. Further, bis (dimethylamino) chloro n-butylsilane can be mentioned.
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  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (10) include the following compounds. That is, tris (dimethylamino) methylsilane can be mentioned. An example is tris (dimethylamino) ethylsilane. Moreover, tris (dimethylamino) propylsilane is mentioned. An example is tris (dimethylamino) isopropylsilane. Moreover, tris (dimethylamino) vinylsilane is mentioned. An example is tris (dimethylamino) phenylsilane. An example is tris (dimethylamino) n-butylsilane.
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  • methylaminodiethylaminodimethylaminosilane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (11) include the following compounds. That is, chloro (dimethylamino) dimethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) diethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) dipropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) diisopropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) divinylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) diphenylsilane is mentioned. Further, chloro (dimethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned.
  • chloro (dimethylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) di (t-butyl) silane can be mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) ethylmethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) methylpropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) ethyl propyl silane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) methyl isopropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (dimethylamino) isopropyl propyl silane is mentioned.
  • chloro (dimethylamino) methyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (dimethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (dimethylamino) propyl vinyl silane is mentioned.
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  • chloro (dimethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
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  • chloro (dimethylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned.
  • chloro (dimethylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • chloro (dimethylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • chloro (dimethylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned.
  • chloro (dimethylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (dimethylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, chloro (dimethylamino) methylsilane is mentioned.
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  • chloro (diethylamino) diisopropylsilane is mentioned.
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  • chloro (diethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned.
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  • chloro (diethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
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  • chloro (diethylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) phenylpropylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
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  • chloro (diethylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned.
  • chloro (diethylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (diethylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, chloro (diethylamino) methylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) ethylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) propylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) vinylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) phenylsilane is mentioned.
  • chloro (diethylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (diethylamino) s-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (diethylamino) t-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (diethylamino) silane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) dimethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) diethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) dipropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) diisopropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) divinylsilane is mentioned. Moreover, chloro (methylamino) diphenylsilane is mentioned. Further, chloro (methylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) di (t-butyl) silane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) ethylmethylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) methylpropylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) ethylpropyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) methyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) isopropyl propyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) methyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) propyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) phenylpropyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (methylamino) n-butylmethylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, chloro (methylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) methylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) ethylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) propylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) vinylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) phenylsilane is mentioned.
  • chloro (methylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) s-butylsilane can be mentioned.
  • chloro (methylamino) t-butylsilane can be mentioned.
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  • chloro (ethylamino) diisopropylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) divinylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) diphenylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned.
  • chloro (ethylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned. Further, chloro (ethylamino) di (t-butyl) silane may be mentioned. Moreover, chloro (ethylamino) ethylmethylsilane is mentioned. Moreover, chloro (ethylamino) methylpropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (ethylamino) ethylpropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (ethylamino) methyl isopropylsilane is mentioned. Moreover, chloro (ethylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) isopropylpropylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) methyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) propyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) phenylpropyl silane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
  • chloro (ethylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
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  • chloro (ethylamino) n-butylethylsilane can be mentioned.
  • chloro (ethylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned.
  • chloro (ethylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned.
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  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (12) include the following compounds. That is, dichloro (dimethylamino) methylsilane is mentioned. Moreover, dichloro (dimethylamino) ethylsilane is mentioned. Moreover, dichloro (dimethylamino) propylsilane is mentioned. Moreover, dichloro (dimethylamino) isopropylsilane is mentioned. Moreover, dichloro (dimethylamino) vinylsilane is mentioned. Moreover, dichloro (dimethylamino) phenylsilane is mentioned. Further, dichloro (dimethylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • dichloro (dimethylamino) s-butylsilane Another example is dichloro (dimethylamino) t-butylsilane.
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  • dichloro (ethylamino) ethylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) propylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) isopropylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) vinylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) phenylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) n-butylsilane is mentioned.
  • dichloro (ethylamino) s-butylsilane is Another example.
  • dichloro (ethylamino) s-butylsilane is dichloro (ethylamino) t-butylsilane.
  • dichloro (ethylamino) silane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (13) include the following compounds. That is, trichloro (dimethylamino) silane is mentioned. Moreover, trichloro (diethylamino) silane is mentioned. Moreover, trichloro (methylamino) silane is mentioned. Moreover, trichloro (ethylamino) silane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (14) include the following compounds. That is, bis (dimethylamino) dimethylsilane can be mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) diethylsilane is mentioned. Also, bis (dimethylamino) dipropylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) diisopropylsilane can be mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) divinylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) diphenylsilane is mentioned. Further, bis (dimethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) di (t-butyl) silane may be mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) ethylmethylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) methylpropylsilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) ethylpropyl silane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) methyl isopropylsilane is mentioned. Also, bis (dimethylamino) ethyl isopropylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) isopropylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) methyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) propyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) phenylpropyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) isopropylphenylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylmethylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylethylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned.
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  • bis (dimethylamino) vinylsilane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) phenylsilane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) n-butylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) s-butylsilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) t-butylsilane can be mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) dimethylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) diethylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) dipropylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) diisopropylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) divinylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) diphenylsilane is mentioned. Further, bis (methylamino) di (n-butyl) silane may be mentioned. Further, bis (methylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned. Further, bis (methylamino) di (t-butyl) silane may be mentioned. Moreover, bis (methylamino) ethylmethylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) methylpropylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) ethylpropyl silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) methyl isopropylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned. Further, bis (methylamino) isopropylpropylsilane can be mentioned. Moreover, bis (methylamino) methyl vinyl silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) ethyl vinyl silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) propyl vinyl silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) methylphenylsilane is mentioned. Moreover, bis (methylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) phenylpropylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylmethylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylethylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (methylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) methylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) ethylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) propylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) isopropylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) vinylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) phenylsilane is mentioned.
  • bis (methylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • Another example is bis (methylamino) s-butylsilane.
  • bis (methylamino) t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) dimethylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) diethylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) dipropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) diisopropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) divinylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) diphenylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) di (t-butyl) silane may be mentioned. Moreover, bis (diethylamino) ethylmethylsilane is mentioned. Moreover, bis (diethylamino) methylpropylsilane is mentioned. Moreover, bis (diethylamino) ethylpropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) methylisopropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) isopropylpropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) methylvinylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) propylvinylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) isopropylvinylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) phenylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) n-butylmethylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) n-butylethylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) t-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, bis (diethylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, bis (diethylamino) methylsilane is mentioned. Moreover, bis (diethylamino) ethylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) propylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) isopropylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) vinylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) phenylsilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) s-butylsilane can be mentioned.
  • bis (diethylamino) t-butylsilane can be mentioned.
  • bi Su (diethylamino) silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) dimethylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diethylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) dipropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diisopropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) divinylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diphenylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) di (n-butyl) silane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) di (s-butyl) silane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) di (t-butyl) silane may be mentioned.
  • bis (ethylamino) ethylmethylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) methylpropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) ethylpropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) methyl isopropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) ethyl isopropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) isopropyl propyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) methyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) ethyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) propyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) isopropyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) methylphenylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) ethylphenylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) phenylpropylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) isopropylphenylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) phenyl vinyl silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) n-butylmethylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) s-butylmethylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) s-butylethylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, bis (ethylamino) t-butylmethylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) t-butylethylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) t-butylpropylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) t-butylisopropylsilane can be mentioned.
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  • bis (ethylamino) n-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) s-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) methylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) ethylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) propylsilane is mentioned.
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  • bis (ethylamino) vinylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) phenylsilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) n-butylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) s-butylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) t-butylsilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) silane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodimethylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodiethylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodipropylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodiisopropylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodivinylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodiphenylsilane is mentioned. Further, ethylaminomethylaminodi (n-butyl) silane can be mentioned. Further, ethylaminomethylaminodi (s-butyl) silane can be mentioned. Further, ethylaminomethylaminodi (t-butyl) silane can be mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminoethylmethylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminomethylpropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminoethylpropylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminomethylisopropylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminoethyl isopropylsilane is mentioned.
  • examples include ethylaminomethylaminoisopropylpropylsilane.
  • ethylaminomethylaminomethylvinylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminoethyl vinylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminopropyl vinylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminoisopropyl vinyl silane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminomethylphenylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminoethylphenylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminophenylpropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminoisopropylphenylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminophenyl vinylsilane is mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butylmethylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butylethylsilane can be mentioned.
  • ethylaminomethylamino n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylmethylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylethylsilane can be mentioned.
  • ethylaminomethylamino s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylmethylsilane can be mentioned.
  • ethylaminomethylamino t-butylethylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino n-butyl t-butylsilane can be mentioned.
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  • ethylaminomethylaminomethylsilane is mentioned.
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  • ethylaminomethylaminoisopropylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminovinylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminophenylsilane is mentioned.
  • ethylaminomethylamino n-butylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino s-butylsilane can be mentioned. Further, ethylaminomethylamino t-butylsilane can be mentioned. Moreover, ethylaminomethylaminosilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminodimethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminodiethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminodipropylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminodiisopropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminodivinylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminodiphenylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminodi (n-butyl) silane can be mentioned.
  • diethylaminomethylaminodi (s-butyl) silane can be mentioned.
  • diethylaminomethylaminodi (t-butyl) silane can be mentioned.
  • diethylaminomethylaminoethylmethylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminomethylpropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoethylpropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminomethylisopropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoethyl isopropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoisopropylpropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminomethylvinylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoethyl vinyl silane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminopropyl vinylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoisopropyl vinylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminomethylphenylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoethylphenylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminophenylpropylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminoisopropylphenylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminophenyl vinyl silane is mentioned.
  • diethylaminomethylamino n-butylmethylsilane can be mentioned.
  • diethylaminomethylamino n-butylethylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino n-butylpropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino n-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino n-butylvinylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino n-butylphenylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylmethylsilane can be mentioned.
  • diethylaminomethylamino s-butylethylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylpropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino n-butyl s-butylsilane can be mentioned.
  • diethylaminomethylamino t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylethylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylphenylsilane can be mentioned.
  • diethylaminomethylamino n-butyl t-butylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminomethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminoethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminopropylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminoisopropylsilane is mentioned. In addition, diethylaminomethylaminovinylsilane The Moreover, diethylaminomethylaminophenylsilane is mentioned.
  • diethylaminomethylamino n-butylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino s-butylsilane can be mentioned. Further, diethylaminomethylamino t-butylsilane can be mentioned. Moreover, diethylaminomethylaminosilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminodimethylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminodiethylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminodipropylsilane is mentioned.
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  • ethylaminodimethylaminodi (n-butyl) silane can be mentioned.
  • ethylaminodimethylaminodi (s-butyl) silane can be mentioned. Examples include ethylaminodimethylaminodi (t-butyl) silane.
  • ethylaminodimethylaminoethylmethylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminomethylpropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminoethylpropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminomethylisopropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminoethyl isopropylsilane is mentioned. Moreover, ethylaminodimethylaminoisopropylpropylsilane is mentioned.
  • ethylaminodimethylaminomethylvinylsilane is mentioned.
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  • ethylaminodimethylamino s-butylvinylsilane can be mentioned. Further, ethylaminodimethylamino s-butylphenylsilane can be mentioned. Further, ethylaminodimethylamino n-butyl s-butylsilane can be mentioned. Further, ethylaminodimethylamino t-butylmethylsilane can be mentioned. Further, ethylaminodimethylamino t-butylethylsilane can be mentioned. Further, ethylaminodimethylamino t-butylpropylsilane can be mentioned.
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  • diethylaminodimethylaminodiphenylsilane is mentioned. Further, diethylaminodimethylaminodi (n-butyl) silane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylaminodi (s-butyl) silane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylaminodi (t-butyl) silane can be mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminoethylmethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminomethylpropylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminoethylpropylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylaminomethyl isopropylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylaminoethyl isopropylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylaminoisopropylpropylsilane can be mentioned.
  • diethylaminodimethylaminomethylvinylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylaminoethyl vinylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylaminopropyl vinylsilane is mentioned.
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  • diethylaminodimethylamino t-butylethylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino t-butylpropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino t-butylisopropylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino t-butylvinylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino t-butylphenylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino n-butyl t-butylsilane can be mentioned.
  • diethylaminodimethylamino s-butyl t-butylsilane can be mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminomethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminoethylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminopropylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminoisopropylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminovinylsilane is mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminophenylsilane is mentioned.
  • diethylaminodimethylamino n-butylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino s-butylsilane can be mentioned. Further, diethylaminodimethylamino t-butylsilane can be mentioned. Moreover, diethylaminodimethylaminosilane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (15) include the following compounds. That is, tris (dimethylamino) chlorosilane can be mentioned. Moreover, tris (diethylamino) chlorosilane is mentioned. Moreover, tris (methylamino) chlorosilane is mentioned. Moreover, tris (ethylamino) chlorosilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) ethylaminochlorosilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) diethylaminochlorosilane is mentioned. Moreover, bis (dimethylamino) methylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) dimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) ethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (diethylamino) methylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (methylamino) dimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (methylamino) diethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (methylamino) ethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) dimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diethylaminochlorosilane can be mentioned.
  • bis (ethylamino) methylaminochlorosilane is mentioned.
  • ethylaminodiethylaminomethylaminochlorosilane is mentioned.
  • ethylaminodiethylaminodimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • ethylaminomethylaminodimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • diethylaminomethylaminodimethylaminochlorosilane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (16) include the following compounds. That is, tetrakis (dimethylamino) silane is mentioned. Moreover, tetrakis (diethylamino) silane is mentioned. Moreover, tetrakis (methylamino) silane is mentioned. Moreover, tetrakis (ethylamino) silane is mentioned. Moreover, tris (dimethylamino) diethylaminosilane is mentioned. Moreover, tris (dimethylamino) methylaminosilane is mentioned. Moreover, tris (dimethylamino) ethylaminosilane is mentioned.
  • tris (diethylamino) dimethylaminosilane is mentioned.
  • tris (diethylamino) methylaminosilane is mentioned.
  • tris (diethylamino) ethylaminosilane is mentioned.
  • tris (methylamino) diethylaminosilane is mentioned.
  • tris (methylamino) dimethylaminosilane is mentioned.
  • tris (methylamino) ethylaminosilane is mentioned.
  • tris (ethylamino) dimethylaminosilane is mentioned.
  • tris (ethylamino) methylaminosilane is mentioned.
  • tris (ethylamino) diethylaminosilane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) bis (diethylamino) silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) bis (methylamino) silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) bis (ethylamino) silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) bis (dimethylamino) silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) bis (methylamino) silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) bis (methylamino) silane is mentioned.
  • bis (diethylamino) bis (ethylamino) silane is mentioned.
  • bis (methylamino) bis (diethylamino) silane is mentioned.
  • bis (methylamino) bis (dimethylamino) silane is mentioned.
  • bis (methylamino) bis (ethylamino) silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) bis (dimethylamino) silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) bis (methylamino) silane is mentioned.
  • bis (ethylamino) bis (diethylamino) silane is mentioned.
  • bis (dimethylamino) diethylaminomethylaminosilane can be mentioned.
  • bis (dimethylamino) ethylaminomethylaminosilane can be mentioned. Further, bis (dimethylamino) ethylaminodiethylaminosilane can be mentioned. Moreover, bis (diethylamino) methylaminodimethylaminosilane is mentioned. Further, bis (diethylamino) ethylaminomethylaminosilane may be mentioned. Moreover, bis (diethylamino) ethylaminodimethylaminosilane is mentioned. Further, bis (methylamino) diethylaminodimethylaminosilane can be mentioned.
  • bis (methylamino) ethylaminodimethylaminosilane is mentioned.
  • bis (methylamino) ethylaminodiethylaminosilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) methylaminodimethylaminosilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diethylaminomethylaminosilane is mentioned.
  • bis (ethylamino) diethylaminodimethylaminosilane can be mentioned.
  • ethylaminodiethylaminomethylaminodimethylaminosilane is mentioned.
  • silicon compound having a moiety represented by the chemical formula (17) include the following compounds. That is, hexamethyldisilazane is mentioned. Moreover, 1,1,3,3-tetramethyldisilazane can be mentioned. Further, 1,3-dimethyldisilazane can be mentioned. Moreover, disilazane is mentioned.
  • silicon compound having at least one of the moieties represented by the chemical formulas (1) to (2) in one molecule include the following compounds. That is, acetoxyethylmethyldichlorosilane is exemplified. Moreover, acetoxypropylmethyldichlorosilane is mentioned. Further, (3-acryloxypropyl) methyldichlorosilane can be mentioned. Further, (3-acryloxypropyl) trichlorosilane can be mentioned. Moreover, adamantyl ethyl trichlorosilane is mentioned. Moreover, allyl (chloropropyl) dichlorosilane is mentioned.
  • allyl dichlorosilane is mentioned. Moreover, allyl methyl dichlorosilane is mentioned. Moreover, allyl phenyl dichlorosilane is mentioned. Moreover, allyltrichlorosilane is mentioned. Moreover, benzyltrichlorosilane is mentioned. Also, ⁇ (bicycloheptenyl) ethyl ⁇ trichlorosilane can be mentioned. Another example is 5- (bicycloheptenyl) methyldichlorosilane. Further, 5- (bicycloheptenyl) trichlorosilane can be mentioned. Further, 2- (bicycloheptyl) trichlorosilane can be mentioned.
  • bis (chloromethyl) dichlorosilane is mentioned.
  • bis (cyanopropyl) dichlorosilane is mentioned.
  • bis (dichlorosilyl) methane is mentioned.
  • bis (methyldichlorosilyl) butane is mentioned.
  • bis (methyldichlorosilyl) ethane is mentioned.
  • bis (trichlorosilyl) ethane is mentioned.
  • bis (trichlorosilyl) acetylene is mentioned.
  • bis (trichlorosilyl) methane is mentioned.
  • bis (trimethylsilylmethyl) dichlorosilane is mentioned.
  • 2-bromoethyltrichlorosilane can be mentioned.
  • bromophenyl trichlorosilane is mentioned.
  • 3-bromopropyl trichlorosilane is mentioned.
  • butenylmethyldichlorosilane is mentioned.
  • p- (t-butyl) phenethyltrichlorosilane can be mentioned.
  • 2- (carbomethoxy) ethylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • 2- (carbomethoxy) ethyltrichlorosilane can be mentioned.
  • 2-chloroethylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • 1-chloroethyltrichlorosilane can be mentioned.
  • 2-chloroethyltrichlorosilane can be mentioned.
  • chloromethyl methyl dichlorosilane is mentioned.
  • ⁇ (chloromethyl) phenylethyl ⁇ methyldichlorosilane is mentioned.
  • ⁇ (chloromethyl) phenylethyl ⁇ trichlorosilane is mentioned.
  • (p-chloromethyl) phenyltrichlorosilane can be mentioned.
  • chloromethyltrichlorosilane is mentioned.
  • chlorophenyl methyl dichlorosilane is mentioned.
  • chlorophenyl trichlorosilane is mentioned. Further, 3-chloropropylmethyldichlorosilane can be mentioned. Further, 3-chloropropyltrichlorosilane can be mentioned. Further, 2-cyanoethylmethyldichlorosilane can be mentioned. Further, 2-silanoethyltrichlorosilane can be mentioned. Further, (3-cyanoisobutyl) methyldichlorosilane can be mentioned. Further, (3-cyanoisobutyl) trichlorosilane can be mentioned. Further, 3-cyanopropylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • 3-cyanopropylphenyldichlorosilane can be mentioned.
  • 3-cyanopropyltrichlorosilane is mentioned.
  • ⁇ 2- (3-cyclohexenyl) ethyl ⁇ methyldichlorosilane can be mentioned.
  • ⁇ 2- (3-cyclohexenyl) ethyl ⁇ trichlorosilane can be mentioned.
  • 3-cyclohexenyl trichlorosilane is mentioned.
  • cyclohexylmethyldichlorosilane is mentioned.
  • (cyclohexylmethyl) trichlorosilane is mentioned.
  • a cyclohexyl trichlorosilane is mentioned. Further, (4-cyclooctenyl) trichlorosilane can be mentioned. Further, cyclooctyltrichlorosilane can be mentioned. Moreover, cyclopentyl trichlorosilane is mentioned. Moreover, cyclotetramethylene dichlorosilane is mentioned. Moreover, cyclotrimethylene dichlorosilane is mentioned. Further, n-decylmethyldichlorosilane can be mentioned. Further, n-decyltrichlorosilane can be mentioned. Moreover, (dichloromethyl) methyldichlorosilane is mentioned.
  • dichlorophenyl trichlorosilane is mentioned.
  • dicyclohexyl dichlorosilane is mentioned.
  • dicyclopentyl dichlorosilane is mentioned.
  • diethoxydichlorosilane is mentioned.
  • di-n-hexyldichlorosilane can be mentioned.
  • dimethylbis (sbutylamino) silane is mentioned.
  • di-n-octyldichlorosilane can be mentioned.
  • di (p-tolyl) dichlorosilane can be mentioned.
  • dodecylmethyldichlorosilane is mentioned.
  • n-heptylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • n-heptyltrichlorosilane can be mentioned.
  • hexachlorodisilane is mentioned.
  • hexachlorodisiloxane is mentioned.
  • 1,1,3,3,5,5-hexamethylcyclotrisilazane can be mentioned.
  • 1,2,3,4,5,6-hexamethylcyclotrisilazane can be mentioned.
  • 5-hexenyltrichlorosilane can be mentioned.
  • hexyl dichlorosilane is mentioned.
  • hexylmethyldichlorosilane is mentioned.
  • hexyltrichlorosilane is mentioned. Further, isooctyltrichlorosilane can be mentioned. Moreover, methacryloxypropylmethyldichlorosilane is mentioned. Moreover, methacryloxypropyl trichlorosilane is mentioned. Further, 3- (p-methoxyphenyl) propylmethyldichlorosilane can be mentioned. Further, 3- (p-methoxyphenyl) propyltrichlorosilane can be mentioned. Further, (p-methylphenethyl) methyldichlorosilane can be mentioned. Further, (2-methyl-2-phenylethyl) methyldichlorosilane can be mentioned.
  • octamethylcyclotetrasilazane is mentioned. Further, 1,2,3,4,5,6,7,8-octamethylcyclotetrasilazane can be mentioned. Further, 7-octenyltrichlorosilane can be mentioned. Further, n-octylmethyldichlorosilane can be mentioned. Further, n-octyltrichlorosilane can be mentioned. Moreover, a pen tiltrichlorosilane is mentioned. Moreover, a phenethylmethyldichlorosilane is mentioned. phenethyl trichlorosilane is mentioned.
  • 3-phenoxypropyltrichlorosilane can be mentioned.
  • 4-phenylbutylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • 4-phenylbutyltrichlorosilane can be mentioned.
  • (3-phenylpropyl) methyldichlorosilane can be mentioned.
  • An example is 1-propenylmethyldichlorosilane.
  • 1,1,3,3-tetrachloro-1,3-disilabutane is mentioned.
  • 1,3,5,7-tetravinyl-1,3,5,7-tetramethylcyclotetrasilazane can be mentioned.
  • t-hexyltrichlorosilane can be mentioned.
  • p-tolylmethyldichlorosilane can be mentioned.
  • p-tolyltrichlorosilane can be mentioned.
  • trichloromethyl trichlorosilane is mentioned.
  • 2- ⁇ 2- (trichlorosilyl) ethyl ⁇ pyridine may be mentioned.
  • 4- ⁇ 2- (trichlorosilyl) ethyl ⁇ pyridine may be mentioned.
  • (3, 3, 3, trifluoropropyl) trichlorosilane is mentioned.
  • 1,3,5-trivinyl-1,3,5-trimethylcyclotrisilazane can be mentioned.
  • 10-undecenyltrichlorosilane can be mentioned.
  • undecyl trichlorosilane is mentioned.
  • vinyl octyl dichlorosilane is mentioned.
  • silicon compound having a portion represented by the chemical formulas (3) to (17) is not limited to the specific examples listed above.
  • the silicon compound used for the damage recovery treatment satisfies at least one of the conditions that the average molecular weight is 300 or less and the number of Si atoms contained in one molecule is 5 or less. It is preferable. In the case of a silicon compound satisfying such conditions, the silicon compound can be applied to the insulating film 102 using an easy process described below and without adversely affecting other processes. On the other hand, a silicon compound having an average molecular weight exceeding 300 and the number of Si atoms contained in one molecule exceeding 5 or silicon having an average molecular weight exceeding 300 or the number of Si atoms included in one molecule exceeding 5 In the case of a compound, the vapor treatment described later may be difficult. Further, in the case of such a silicon compound, it is considered that there is a possibility of adversely affecting other processes performed thereafter by remaining on the wiring 110.
  • the double bond includes, for example, a vinyl group (CH 2 ⁇ CH—), an allyl group (CH 2 ⁇ CH—CH 2 —) and the like.
  • the group directly bonded to the Si atom refers to R1 to R1 to R6, R9, R10, R14, R25, R30, R31, R34, R39, in the portions represented by the chemical formulas (3) to (17).
  • the functional group having such an addition reactivity forms a bond by an addition reaction with a precursor of an insulating film 112 described later formed on the insulating film 102 in which the wiring 110 is embedded after the damage recovery process.
  • multiple bonds of carbon are easily cleaved by exposure to plasma or the like, and easily cause an addition reaction with SiH 4 or the like used as a precursor of the insulating film 112.
  • the double bond of carbon reacts with SiH 4 used as a precursor of the insulating film 112 as follows when forming the insulating film 112 by plasma CVD, and forms a covalent bond.
  • the silicon compound used for the damage recovery treatment may contain components other than the above-described silicon compound.
  • the silicon compound may further contain, for example, a solvent for reducing the viscosity.
  • the damage recovery treatment using the silicon compound is not particularly limited as long as it is a treatment capable of bringing the silicon compound into contact with the surface of the insulating film 102 and allowing the Si—OH group on the surface of the insulating film 102 to react with the silicon compound.
  • the processing described below can be used.
  • a vapor process that exposes the surface of the insulating film 102 to a vapor of a silicon compound can be applied.
  • the vapor treatment may be performed as long as the vapor of the silicon compound can be brought into contact with the surface of the insulating film 102.
  • the silicon compound vapor may be guided to contact the surface of the insulating film 102 by moving the vapor of the silicon compound with a carrier gas.
  • the vapor treatment may be performed under normal pressure, or may be performed under reduced pressure or under vacuum as necessary.
  • the vapor treatment is preferably performed in an oxygen-free atmosphere, such as a nitrogen atmosphere. This is because the dielectric constant of the insulating film 102 may increase due to the presence of oxygen, and thus the dielectric constant of the insulating film 102 is prevented from increasing.
  • a coating process in which a liquid silicon compound is applied to the surface of the insulating film 102 by, for example, a spin coating method can be applied.
  • the damage recovery process such as the vapor process or the coating process is performed while heating the semiconductor substrate 100 on which the wiring 110 is formed to, for example, 50 to 250 ° C.
  • the reaction between the Si—OH group on the surface of the insulating film 102 and the silicon compound can be promoted. Further, moisture in the surface of the insulating film 102 and in the insulating film 102 can be reduced, and corrosion of the wiring 110 embedded in the insulating film 102 can be suppressed.
  • the lower limit of the heating temperature is, for example, 50 ° C., because the reaction between the Si—OH group and the silicon compound may be insufficient at a heating temperature lower than this lower limit.
  • the upper limit of the heating temperature is set to 250 ° C., for example, because other processes may be adversely affected at a heating temperature exceeding the upper limit.
  • the surface of the insulating film 102 is irradiated with electromagnetic waves such as infrared rays, ultraviolet rays, X-rays, ⁇ -rays, ⁇ -rays, and electron beams with or without heating the semiconductor substrate 100.
  • electromagnetic waves such as infrared rays, ultraviolet rays, X-rays, ⁇ -rays, ⁇ -rays, and electron beams with or without heating the semiconductor substrate 100. You may go while. Irradiation with electromagnetic waves can promote the reaction between the Si—OH group and the silicon compound. In addition, you may perform such irradiation of electromagnetic waves separately after a damage recovery process.
  • bonds such as Si— (CH 3 ) 3 derived from the silicon compound used for the process exist on the surface of the insulating film 102. . Therefore, whether or not the damage recovery process has been performed is confirmed by detecting a binding peak such as Si— (CH 3 ) 3 derived from the silicon compound used for the process by X-ray photoelectron spectroscopy or the like. be able to.
  • the damage of the insulating film 102 when the conductive film 108 and the barrier metal 106 are polished and removed by the CMP method is recovered by the damage recovery process using the silicon compound.
  • the semiconductor substrate 100 on which the wiring 110 is formed may be heated to, for example, 50 to 250 ° C., for example, for 0.1 to 20 minutes.
  • the reaction between the Si—OH group on the surface of the insulating film 102 and the silicon compound can be further promoted.
  • the lower limit of the heating temperature is, for example, 50 ° C.
  • the lower limit of the heating time is, for example, 0.1 minutes.
  • the reaction between the Si—OH group and the silicon compound is not performed at the heating temperature and the heating time below these lower limits. This is because there is a risk of becoming sufficient.
  • the upper limit of the heating temperature is, for example, 250 ° C. and the upper limit of the heating time is, for example, 20 minutes, because other processes may adversely affect the heating temperature and the heating time exceeding these upper limits.
  • the semiconductor substrate 100 after the damage recovery treatment is also heated in an atmosphere not containing oxygen, for example, in a nitrogen atmosphere. This is because the dielectric constant of the insulating film 102 may increase due to the presence of oxygen, and thus the dielectric constant of the insulating film 102 is prevented from increasing.
  • the semiconductor substrate 100 may be heated following the damage recovery process in an atmosphere that does not contain oxygen after the damage recovery process.
  • an insulating film 112 is formed on the insulating film 102 and the wiring 110 (FIG. 2C).
  • the insulating film 112 functions as a barrier film that prevents diffusion of Cu from the Cu wiring.
  • a silica-based insulating film such as a SiOC film, a SiC film, a SiN film, or a SiF film can be applied.
  • various insulating films can be applied.
  • a CVD method, a coating method, or the like can be selected as appropriate depending on the type of the film.
  • the insulating film 112 preferably has a low dielectric constant of, for example, 3 or less, from the viewpoint of reducing wiring delay.
  • the adhesion strength between the insulating film 102 and the insulating film 112 can be improved by using a silicon compound containing a functional group having addition reactivity with a group directly bonded to the Si atom. it can. Thereby, the TDDB characteristic can be further improved. In addition, the electromigration characteristics of the wiring 110 can be improved.
  • the damage recovery process using the silicon compound recovers the damage of the insulating film 102 at the time of polishing by the CMP method, thereby reducing the leakage current and improving the TDDB characteristics. be able to.
  • a semiconductor device with low power consumption and high reliability can be manufactured with high yield.
  • FIGS. 3 to 14 are process cross-sectional views illustrating the method for fabricating the semiconductor device according to the present embodiment.
  • an element isolation film 12 that defines an element region 14 is formed on a semiconductor substrate 10 which is a silicon substrate, for example, by a LOCOS (LOCalSOxidation of Silicon) method.
  • the element isolation film 12 may be formed by an STI (Shallow Trench Isolation) method.
  • MOS transistor 24 is formed on the semiconductor substrate 10 on the element region 14 in the same manner as in a normal MOS transistor manufacturing method (FIG. 3A).
  • the MOS transistor 24 has a gate electrode 18 formed on the semiconductor substrate 10 via the gate insulating film 16, and source / drain regions 22 formed in the semiconductor substrate 10 on both sides of the gate electrode 18. .
  • a PSG (phosphorus glass) film is formed on the semiconductor substrate 10 on which the MOS transistor 24 is formed by, for example, a CVD method.
  • this PSG film is polished and flattened by, for example, a CMP method to form an interlayer insulating film 26 of the PSG film.
  • an SiN film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the interlayer insulating film 26 by, eg, plasma CVD to form an insulating film 28 of SiN film.
  • the insulating film 28 functions as a polishing stopper when polishing by the CMP method in a process described later, and as an etching stopper when forming the wiring groove 46 in the interlayer insulating film 38 or the like.
  • a SiC film or the like can be applied in addition to the SiN film.
  • contact holes 30 reaching the source / drain regions 22 are formed in the stopper film 28 and the interlayer insulating film 26 by photolithography and dry etching (FIG. 3B).
  • TiN titanium nitride
  • a tungsten (W) film 34 of, eg, a 1 ⁇ m-thickness is formed on the barrier metal 32 by, eg, CVD (FIG. 3C).
  • the tungsten film 34 is formed, for example, by reducing WF 6 using a mixed gas containing tungsten hexafluoride (WF 6 ) gas and hydrogen gas.
  • the tungsten film 34 and the barrier metal 32 are polished by CMP, for example, until the surface of the stopper film 28 is exposed, and a contact plug 35 including the barrier metal 32 and the tungsten film 34 is formed by being buried in the contact hole 30. (FIG. 4A).
  • damage recovery processing using the silicon compound shown in the first embodiment is performed.
  • damage to the stopper film 28 when the tungsten film 34 and the barrier metal 32 are polished and removed by the CMP method is recovered (FIG. 4B).
  • various silicon compounds used in the damage recovery process of the insulating film 102 in the first embodiment and a processing method using the same can be applied.
  • the substrate may be heated or electromagnetic waves may be irradiated during the damage recovery process or after the damage recovery process.
  • an organic silica porous insulating film having a film thickness of, for example, 80 nm is deposited on the stopper film 28 in which the contact plug 35 is embedded by, for example, spin coating, and an interlayer insulating film 38 having a low dielectric constant is formed by the organic silica porous insulating film.
  • a silicon oxide film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the interlayer insulating film 38 by, eg, plasma CVD using TEOS to form an insulating film 40 of the silicon oxide film (FIG. 4C).
  • the insulating film 40 functions as a protective film that protects the interlayer insulating film 38.
  • a photoresist film 42 is formed on the insulating film 40 by photolithography, in which an opening 44 that exposes a region where the first-layer wiring 51 is to be formed is formed (FIG. 5A).
  • the insulating film 40 and the interlayer insulating film 38 are sequentially etched by dry etching using, for example, CF 4 gas and CHF 3 gas, using the photoresist film 42 as a mask and the stopper film 28 as a stopper. Thereby, a wiring groove 46 for embedding the wiring 51 is formed in the insulating film 40 and the interlayer insulating film 38 (FIG. 5B).
  • the photoresist film 42 is removed by, for example, ashing.
  • a TiN film of, eg, a 10 nm-thickness is deposited on the entire surface by, eg, sputtering, to form a TiN film barrier metal 48.
  • the barrier metal 48 is for preventing Cu from diffusing into the insulating film from the Cu wiring formed in the process described later. By forming the barrier metal 48 that prevents the diffusion of Cu into the insulating film, the leakage current can be reduced and the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • a Cu film of, eg, a 10 nm-thickness is deposited on the barrier metal 48 by, eg, sputtering, and a Cu film seed film (not shown) is formed.
  • a Cu film is deposited by, for example, electroplating using the seed film as a seed to form a Cu film 50 having a total film thickness of, for example, 300 nm combined with the seed layer (FIG. 6A).
  • a high-quality copper film 50 can be formed by forming a seed film in advance. Thereby, it is possible to form a highly reliable wiring.
  • the Cu film 50 and the barrier metal 48 on the insulating film 40 are removed by polishing by CMP. Thereby, the wiring 51 including the barrier metal 48 and the Cu film 50 embedded in the wiring groove 46 is formed (FIG. 6B). Note that such a manufacturing process of the wiring 51 is referred to as a single damascene method.
  • damage recovery processing using the silicon compound shown in the first embodiment is performed.
  • the damage of the insulating film 40 when the Cu film 50 and the barrier metal 48 are polished and removed by the CMP method is recovered (FIG. 7A).
  • various silicon compounds used in the damage recovery process of the insulating film 102 in the first embodiment and a processing method using the same can be applied.
  • the substrate may be heated or electromagnetic waves may be irradiated during the damage recovery process or after the damage recovery process.
  • an SiN film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the entire surface by, eg, plasma CVD to form an insulating film 52 of SiN film (FIG. 7B).
  • the insulating film 52 functions as a barrier film that prevents diffusion of Cu from the Cu wiring.
  • a SiOC film of, eg, a 100 nm-thickness is deposited on the insulating film 52 by, eg, plasma CVD to form an interlayer insulating film 54 of the SiOC film.
  • an SiN film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the interlayer insulating film 54 by, eg, plasma CVD using a source gas containing silane gas and ammonia gas to form an insulating film 56 of SiN film.
  • the insulating film 56 functions as an etching stopper when the wiring groove 72 is formed in the interlayer insulating film 58 or the like.
  • an SiC film or the like can be applied in addition to the SiN film.
  • an organic silica porous insulating film having a thickness of, for example, 100 nm is deposited on the insulating film 56 by, eg, spin coating, and an interlayer insulating film 58 having a low dielectric constant is formed by the organic silica porous insulating film.
  • a silicon oxide film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the interlayer insulating film 58 by, eg, plasma CVD using TEOS to form an insulating film 60 of silicon oxide film (FIG. 8).
  • the insulating film 60 functions as a protective film that protects the interlayer insulating film 58.
  • a photoresist film 62 is formed on the insulating film 60 by photolithography, in which an opening 64 that exposes a region where a via hole reaching the wiring 51 is to be formed is formed.
  • the insulating film 60, the interlayer insulating film 58, the insulating film 56, the interlayer insulating film 54, and the insulating film 52 are sequentially etched by dry etching using, for example, CF 4 gas and CHF 3 gas, using the photoresist film 62 as a mask. .
  • a via hole 66 reaching the wiring 51 is formed in the insulating film 60, the interlayer insulating film 58, the insulating film 56, the interlayer insulating film 54, and the insulating film 52 (FIG. 9).
  • Each insulating film can be sequentially etched by appropriately changing the composition ratio of the etching gas, the pressure at the time of etching, and the like.
  • the photoresist film 62 is removed by, for example, ashing.
  • a photoresist film 68 is formed by photolithography on the insulating film 60 in which the via hole 66 is opened.
  • the photoresist film 68 has an opening 70 that exposes a region where the second layer wiring 77b is to be formed.
  • the insulating film 60 and the interlayer insulating film 58 are sequentially etched using the photoresist film 68 as a mask by dry etching using, for example, CF 4 gas and CHF 3 gas. Thereby, a wiring groove 72 for embedding the wiring 77b is formed in the insulating film 60 and the interlayer insulating film 58 (FIG. 10).
  • the wiring trench 72 is connected to the via hole 66.
  • the photoresist film 68 is removed by, for example, ashing.
  • a TiN film of, eg, a 10 nm-thickness is deposited on the entire surface by, eg, sputtering, to form a TiN film barrier metal 74.
  • the barrier metal 74 is for preventing Cu from diffusing into the insulating film from the Cu wiring formed in the process described later. By forming the barrier metal 74 that prevents the diffusion of Cu into the insulating film, the leakage current can be reduced and the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • a Cu film of, eg, a 10 nm-thickness is deposited on the barrier metal 74 by, eg, sputtering, and a Cu film seed film (not shown) is formed.
  • a Cu film is deposited by, for example, electroplating using the seed film as a seed, and a Cu film 76 having a total film thickness of, for example, 600 nm combined with the seed layer is formed (FIG. 11).
  • a high-quality copper film 76 can be formed by forming a seed film in advance. Thereby, it is possible to form a highly reliable wiring.
  • the Cu film 76 and the barrier metal 74 on the insulating film 60 are removed by polishing by CMP.
  • the contact plug 77a embedded in the via hole 66 and including the barrier metal 74 and the Cu film 76 and the wiring 77b embedded in the wiring groove 72 and including the barrier metal 74 and the Cu film 76 are integrally and collectively formed.
  • FIG. 12 A manufacturing process in which the contact plug 77a and the wiring 77b are formed in a lump in this way is called a dual damascene method.
  • damage recovery processing using the silicon compound shown in the first embodiment is performed.
  • the damage of the insulating film 60 when the Cu film 76 and the barrier metal 74 are polished and removed by the CMP method is recovered (FIG. 13).
  • various silicon compounds used in the damage recovery process of the insulating film 102 in the first embodiment and a processing method using the same can be applied.
  • the substrate may be heated or electromagnetic waves may be irradiated during the damage recovery process or after the damage recovery process.
  • an SiN film of, eg, a 20 nm-thickness is deposited on the entire surface by, eg, plasma CVD, to form an insulating film 78 of SiN film (FIG. 14).
  • the insulating film 78 functions as a barrier film that prevents Cu from diffusing from the Cu wiring.
  • the damage recovery process using the silicon compound recovers the damage to the insulating films 28, 40, and 60 at the time of polishing by the CMP method, thereby reducing the leakage current and reducing the TDDB.
  • the characteristics can be improved.
  • a semiconductor device with low power consumption and high reliability can be manufactured with high yield.
  • the present invention is not limited to the method for manufacturing a semiconductor device described in the above embodiment, and can be widely applied to a method for manufacturing a semiconductor device having an insulating film and a conductive film embedded in the insulating film. .
  • the film thickness, constituent material, and the like of each layer constituting the semiconductor device can be changed as appropriate within the range.
  • FIG. 15 is a process cross-sectional view illustrating a method for producing an evaluation sample.
  • a liquid insulating film forming composition containing a silicon compound for forming a low dielectric constant insulating film having a relative dielectric constant of 2.6 on a low resistance substrate (low resistance silicon wafer) 200 has a film thickness of 250 nm. As described above, coating was performed by a spin coating method.
  • composition for forming an insulating film applied on the low resistance substrate 200 was pre-baked under conditions of 250 ° C. for 3 minutes.
  • the pre-baked composition for forming an insulating film was cured in an electric furnace in a nitrogen atmosphere at 400 ° C. for 30 minutes to form a low dielectric constant insulating film 202 (FIG. 15A).
  • the low dielectric constant insulating film 202 thus formed was polished by CMP (FIG. 15B).
  • the low dielectric constant insulating film 202 is polished using an IC 1010 manufactured by Rodel Nitta as a polishing pad, the pressure (load) of the polishing head is 280 gf / cm 2 , the rotation speed of the polishing head is 50 rotations / minute, The rotation speed was 60 rotations / minute and the polishing time was 20 seconds.
  • slurry what diluted CAbot SS25 by 1: 1 was used, and the flow volume of the slurry was 0.2 L / min.
  • the polishing by the CMP method causes the low dielectric constant insulating film 202 to be reduced in thickness and to be damaged on the surface.
  • dimethylaminotrimethylsilane as a silicon compound is applied to the surface of the low dielectric constant insulating film 202 with the low resistance substrate 200 on which the low dielectric constant insulating film 202 is formed being heated to 150 ° C. in a nitrogen atmosphere. A vapor treatment using was performed for 1 minute (FIG. 15C).
  • Example 1-2 In the step shown in FIG. 15 (c), an evaluation sample was produced in the same manner as in Example 1-1 except that vapor treatment using chlorotrimethylsilane as the silicon compound was performed.
  • Example 1-3 An evaluation sample was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that vapor treatment using 1,3-divinyltetramethyldisilazane as a silicon compound was performed in the step shown in FIG.
  • Example 1-1 An evaluation sample was prepared in the same manner as in Example 1-1 except that the vapor treatment shown in FIG.
  • Example 1-2 In the step shown in FIG. 15 (c), an evaluation sample was produced in the same manner as in Example 1-1 except that a vapor treatment using trimethylethoxysilane as a silicon compound was performed.
  • Example 1-3 In the step shown in FIG. 15 (c), an evaluation sample was prepared in the same manner as in Example 1-1, except that vapor treatment using 1,3-dichlorotetraphenyldisiloxane as the silicon compound was performed.
  • an Au film electrode 204 having a thickness of 100 nm was formed on the low dielectric constant insulating film 202 using a metal mask.
  • the current density when an electric field of 0.1 MV / cm was applied between the electrode 204 and the low-resistance substrate 200 was measured.
  • a precision semiconductor parameter analyzer manufactured by Agilent Technologies, 4156C was used for measuring the current density.
  • the contact angle with respect to water was measured for each evaluation sample.
  • a contact angle meter manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., DM700 was used.
  • an SiC film 206 having a relative dielectric constant of 4.5 was formed on the low dielectric constant insulating film 202 by a plasma CVD method for each evaluation sample.
  • Table 1 shows the measurement results of the electric field-current characteristics, the contact angle measurement results, and the tensile test results, together with the silicon compounds used in the vapor treatment and their molecular weights.
  • the current density is higher in the case of Examples 1-1 to 1-3 than in the case of Comparative Examples 1-1 to 1-3. You can see that it is getting smaller. In Examples 1-1 to 1-3, the current density is reduced to the same level as in Reference Example 1 in which polishing by the CMP method is not performed.
  • the nitrogen concentration in the insulating film in each sample of Examples 1-1 to 1-3, Comparative Examples 1-1 to 1-3, and Reference Example 1 was 500 ppm by weight or less.
  • the chlorine concentration in the insulating film in each sample of Examples 1-1 to 1-3, Comparative Examples 1-1 to 1-3, and Reference Example 1 was 500 ppm by weight or less, respectively.
  • the temperature programmed desorption spectrum was measured for each evaluation sample.
  • the temperature programmed desorption spectrum is measured using a temperature programmed desorption analyzer (Electronic Science Co., Ltd., EMD1000), with a temperature rise rate of 1 ° C./second and a measurement temperature range for a 1 cm square sample cut from each evaluation sample. It measured from room temperature to 600 degreeC.
  • FIG. 18 shows the temperature programmed desorption spectrum measured for each evaluation sample.
  • the horizontal axis indicates the temperature
  • the vertical axis indicates the intensity of H 2 O.
  • Comparative Example 1-1 is a case where vapor treatment with a silicon compound was not performed.
  • Example 1-1 is a case where vapor treatment with dimethylaminotrimethylsilane was performed.
  • Example 1-2 is a case where vapor treatment with chlorotrimethylsilane was performed.
  • Example 1-3 is a case where vapor treatment with 1,3-divinyltetramethyldisilazane was performed.
  • Comparative Example 1-2 is a case where vapor treatment with trimethylethoxysilane was performed.
  • Comparative Example 1-3 is a case where vapor treatment with 1,3-chlorotetraphenyldisiloxane was performed.
  • Reference Example 1 is a case where CMP treatment and vapor treatment with a silicon compound were not performed.
  • Example 2-1 Wiring up to the third layer was formed by the method of manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment.
  • a damage recovery process performed after polishing by the CMP method a vapor process using dimethylaminotrimethylsilane as a silicon compound was performed as in the case of Example 1-1.
  • Example 2-2 As a damage recovery process performed after polishing by the CMP method, a third layer is formed by the same process as in Example 2-1, except that a vapor process using chlorotrimethylsilane as a silicon compound is performed as in Example 1-2. Wiring to eyes was formed.
  • Example 2-3 As a damage recovery process performed after polishing by the CMP method, a vapor process using 1,3-divinyltetramethyldisilazane as a silicon compound is performed in the same manner as in Example 1-3. Wiring up to the third layer was formed by this process.
  • Example 2-2 As a damage recovery process performed after polishing by the CMP method, the third layer is processed in the same manner as in Example 2-1, except that a vapor process using trimethylethoxysilane as a silicon compound is performed as in Comparative Example 1-2. Wiring to eyes was formed.
  • TDDB characteristics were evaluated for each evaluation sample prepared as described above. Evaluation of the TDDB characteristic was performed by applying a voltage of 3.3 MV / cm at a temperature of 125 ° C. and measuring the time until dielectric breakdown occurred.
  • Table 2 shows the time taken for dielectric breakdown measured for each evaluation sample.
  • Example 2-1 to Example 2-3 excellent TDDB characteristics are obtained as compared with the case of Comparative Example 2-1 to 2-3. I understand.

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Abstract

　半導体基板１００上に絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２に開口部１０４を形成し、開口部１０４が形成された絶縁膜１０２上に導電膜１０８を形成し、絶縁膜１０２上の導電膜１０８をＣＭＰ法により除去することにより、開口部１０４内に導電膜１０８を埋め込み、絶縁膜１０８の表面を、Ｓｉ－Ｎ又はＳｉ－Ｃｌを有するケイ素化合物で処理する。

Description

半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に配線を有する半導体装置の製造方法に関する。
　従来から、半導体装置においては、配線間の絶縁膜中のリーク電流により消費電力が増加することが知られている。かかるリーク電流による半導体装置全体への影響は、配線間隔が１μｍを超える世代では大きなものではなかった。
　しかしながら、配線間隔が例えば１μｍ以下になると、配線間隔の狭隘化及び配線規模の増大により、リーク電流による消費電力への影響が大きくなる。また、例えば１μｍ以下の配線間隔で回路を形成すると、配線間のリーク電流が、半導体装置の特性及び寿命に影響を及ぼすようになってくる。
　ところで、現在、半導体装置における配線の形成方法としては、いわゆるダマシン法が用いられるようになっている。ダマシン法では、まず、エッチングにより配線パターンを有する配線溝を絶縁膜に形成する。次いで、配線溝が形成された絶縁膜上に、銅などの配線材料を堆積する。次いで、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、絶縁膜上の余分な配線材料を研磨除去し、配線溝内に配線材料を埋め込む。こうして、絶縁膜に埋め込まれた配線が形成される。
特開２００７－２９４８５４号公報 F. Chen, et al., IEEE IRPS Proceedings 43th Annual, pp. 501-507, 2005 A. Ishii, et al., IEEE IITC Proceedings pp. 21-23, 2005 T. Imada, et al., 2007 AMC Proceedings, P.V.2.
　しかしながら、ダマシン法においては、ＣＭＰ法により配線材料を研磨する際に、配線材料が埋め込まれる絶縁膜表面が化学的、機械的にダメージを受ける。かかる絶縁膜表面のダメージは、リーク電流の増大や、時間依存性絶縁破壊特性（ＴＤＤＢ（Time Dependent Dielectric Breakdown）特性）の劣化等を引き起こし、半導体装置の製造歩留まり・信頼性の低下の一因となっている。
　本発明の目的は、配線を形成する際の絶縁膜表面のダメージを回復し、リーク電流が小さく、信頼性の高い配線を形成しうる半導体装置の製造方法を提供することにある。
　実施形態の一観点によれば、半導体基板上に、絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、前記開口部が形成された前記絶縁膜上に、前記開口部内を埋める導電膜を形成する工程と、前記絶縁膜上の前記導電膜をＣＭＰ法により除去することにより、前記開口部内に前記導電膜を埋め込む工程と、前記絶縁膜の表面に、Ｓｉ－Ｎ又はＳｉ－Ｃｌを有するケイ素化合物を曝す或いは塗布する処理を行う工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。
　開示の半導体装置の製造方法によれば、ＣＭＰ法により絶縁膜上の導電膜を除去する際の絶縁膜表面のダメージを回復し、リーク電流を低減するとともに、ＴＤＤＢ特性を向上することができる。これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
図１は、第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図２は、第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図３は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図４は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図５は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 図６は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 図７は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 図８は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 図９は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 図１０は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 図１１は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その９）である。 図１２は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。 図１３は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１１）である。 図１４は、第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１２）である。 図１５は、評価試料の作製方法を示す工程断面図である。 図１６は、低誘電率絶縁膜上に電極が形成された評価試料を示す断面図である。 図１７は、低誘電率絶縁膜上にＳｉＣ膜が形成された評価試料を示す断面図である。 図１８は、評価試料について得られた昇温脱離スペクトルを示すグラフである。
符号の説明
１０…半導体基板
１２…素子分離膜
１４…素子領域
１６…ゲート絶縁膜
１８…ゲート電極
２２…ソース／ドレイン領域
２４…ＭＯＳトランジスタ
２６…層間絶縁膜
２８…絶縁膜
３０…コンタクトホール
３２，４８，７４…バリアメタル
３４…タングステン膜
３５，７７ａ…コンタクトプラグ
３６，４０，５２，５６，６０，７８…絶縁膜
３８，５４，５８…層間絶縁膜
４２，６２，６８…フォトレジスト膜
４４，６４，７０…開口部
４６，７２…配線溝
５０，７６…Ｃｕ膜
５１，７７ｂ…配線
５２，７８…Ｃｕ拡散防止用の絶縁膜
６６…ビアホール
１００…下地基板
１０２…絶縁膜
１０４…開口部
１０６…バリアメタル
１０８…導電膜
１１０…配線
１１２…絶縁膜
２００…低抵抗基板
２０２…低誘電率絶縁膜
２０４…電極
２０６…ＳｉＣ膜
　［第１実施形態］
　第１実施形態による半導体装置の製造方法について図１及び図２を用いて説明する。図１及び図２は本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
　まず、下地基板１００上に、絶縁膜１０２を形成する（図１（ａ））。なお、下地基板１００とは、シリコン基板などの半導体基板そのもののみならず、ＭＩＳトランジスタその他の素子や１層又は２層以上の配線層が形成された半導体基板をも含むものである。また、絶縁膜１０２には、配線間の絶縁等のための層間絶縁膜、ＣＭＰ法による研磨の際の研磨ストッパとして機能するストッパ膜、エッチングにより配線溝等の開口部を形成する際のエッチングストッパとして機能するストッパ膜等が含まれる。
　絶縁膜１０２としては、例えば、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＦ膜等のシリカ系絶縁膜を適用することができる。また、これらシリカ系絶縁膜のほか、種々の絶縁膜を適用することができる。絶縁膜１０２の形成方法は、その膜種に応じて、ＣＶＤ法、塗布法等を適宜選択することができる。なお、ＳｉＯＣ膜は、膜中にＮ（窒素）、Ｈ（水素）等が存在していてもよい。また、ＳｉＣ膜は、膜中にＯ（酸素）、Ｎ、Ｈ等が存在していてもよい。また、ＳｉＮ膜は、膜中にＯ、Ｃ、Ｈ等が存在していてもよい。また、配線間隔が例えば１μｍ以下である場合には、配線遅延の低減等の観点から、絶縁膜１０２は、比誘電率が例えば３以下の低誘電率のものであることが好ましい。
　次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、絶縁膜１０２に開口部１０４を形成する（図１（ｂ））。開口部１０４は、配線を埋め込むための配線溝である。また、開口部１０４は、コンタクトプラグを埋め込むためのコンタクトホールであってもよい。
　次いで、開口部１０４が形成された絶縁膜１０２上に、開口部１０４を埋めるように、バリアメタル１０６と、導電膜１０８とを順次を形成する（図１（ｃ））。バリアメタル１０６としては、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、窒化タンタル（ＴａＮ）膜等を適用することができる。導電膜１０８としては、例えば、銅（Ｃｕ）膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、金（Ａｕ）膜、プラチナ（Ｐｔ）膜、タングステン（Ｗ）膜等を適用することができる。
　次いで、ＣＭＰ法により、絶縁膜１０２上の導電膜１０８及びバリアメタル１０６を研磨により除去する。これにより、開口部１０４内に埋め込まれバリアメタル１０６及び導電膜１０８を含む配線１１０を形成する（図２（ａ））。なお、開口部１０４としてコンタクトホールを形成し、開口部１０４内に埋め込まれバリアメタル１０６及び導電膜１０８を含むコンタクトプラグを形成してもよい。
　次いで、所定の分子構造を有するケイ素化合物を用いて、ＣＭＰ法により導電膜を研磨する際に絶縁膜表面が受けたダメージを回復する処理を行う（図２（ｂ））。
　この処理は、具体的には、ＣＭＰ法により導電膜１０８及びバリアメタル１０６を研磨する際のダメージにより絶縁膜１０２表面に生成されたシラノール基（Ｓｉ－ＯＨ基）と、上記所定の分子構造を有するケイ素化合物とを反応させるためのものである。
　ＣＭＰ法により絶縁膜１０２上の導電膜１０８及びバリアメタル１０６を研磨除去する際には、絶縁膜１０２表面が化学的、機械的にダメージを受ける。この結果、絶縁膜１０２表面には、Ｓｉ－ＯＨ基が生成され、また、微細なクラックが発生する。かかるＳｉ－ＯＨ基やクラックは、リーク電流の増大やＴＤＤＢ特性の劣化を引き起こす一因となる。
　そこで、本実施形態による半導体装置の製造方法では、ダメージ回復処理として、絶縁膜１０２表面に生成されたＳｉ－ＯＨ基とケイ素化合物とを反応させることにより、Ｓｉ－ＯＨ基をＳｉ－Ｏ－Ｓｉ結合に転換し、絶縁膜１０２表面を疎水化する。こうして絶縁膜１０２表面を疎水化することにより、絶縁膜１０２に吸着する水分を低減することができる。この結果、リーク電流を低減するとともに、ＴＤＤＢ特性を向上することができる。したがって、本実施形態による半導体装置の製造方法によれば、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
　ダメージ回復処理に用いるケイ素化合物としては、ＣＭＰ法による研磨の際にＳｉ－ＯＨ基と反応できるものであればよいが、例えば、以下の化学式（１）～（２）で表される部分のうちの少なくともいずれか１つを有するケイ素化合物であればよい。
　Ｓｉ－Ｎ　　　　　　　　　　　…（１）
　Ｓｉ－Ｃｌ　　　　　　　　　　…（２）
　なお、化学式（１）～（２）において示されていない結合手に結合する原子としては、例えば、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｃｌ等であればよい。なお、ＮとＣｌは、同一のＳｉに結合していてもよいし、別々のＳｉに結合していてよい。ＮとＣｌが別々のＳｉに結合している場合、Ｎが結合したＳｉと、Ｃｌが結合したＳｉとは、Ｃ、Ｏ等の他の原子を介して結合されているのが一般的である。
　化学式（１）～（２）に示すＳｉ－Ｎ結合及びＳｉ－Ｃｌ結合は、ケイ素化合物によるダメージ回復処理の間に、絶縁膜１０２表面のＳｉ－ＯＨ基と容易に反応し、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を生成する。また、これらＳｉ－Ｎ結合及びＳｉ－Ｃｌ結合は、その後に行われる電磁波の照射、プラズマへの曝露、加熱処理等の処理により、絶縁膜１０２表面のＳｉ－ＯＨ基と容易に反応し、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を生成する。なお、電磁波の照射とは、例えば、赤外線、紫外線、Ｘ線、α線、γ線、電子線等の照射である。また、加熱処理には、例えば、ホットプレート、加熱炉が用いられる。
　なお、Ｓｉ－Ｎ結合及びＳｉ－Ｃｌ結合は、必ずしも完全に反応する必要はなく、絶縁膜１０２上及び配線１１０上に残存してもよい。但し、これらの結合は、吸湿等により誘電率の上昇を引き起こす場合がある。このため、これらの結合の絶縁膜中の残存率は、低い方が好ましく、具体的には、それぞれ例えば５００重量ｐｐｍ以下であることが望ましい。これは、残存率がこれを上回ると、誘電率の上昇が容易に発生することになるためである。
　このようなダメージ回復処理に用いるケイ素化合物としては、より具体的には、以下の化学式（３）～（１７）で表される部分のうちの少なくともいずれか１つを有するケイ素化合物であることが好ましい。
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　なお、化学式（３）～（１７）において、Ｒ１～Ｒ６３は、各式中又は各式間で互いに独立に、水素、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、アルケニルアルキル基及びアルキニルアルキル基、並びに炭素数６～２０のアリール基からなる群から選ばれた基を表している。
　化学式（３）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、クロロトリメチルシランが挙げられる。また、クロロトリエチルシランが挙げられる。また、クロロトリプロピルシランが挙げられる。また、クロロトリイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロトリビニルシランが挙げられる。また、クロロトリフェニルシランが挙げられる。また、クロロトリ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロトリ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロトリ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロジエチルメチルシランが挙げられる。また、クロロジメチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロジエチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロジメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロジメチルビニルシランが挙げられる。また、クロロジエチルビニルシランが挙げられる。また、クロロジプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロジイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロジメチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロジエチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロジフェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロジイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロジフェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルビニルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロメチルエチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロプロピルイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロプロピルイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロプロピルイソプロピルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロプロピルイソプロピルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロプロピルイソプロピルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルビニルフェニルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルビニルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルビニルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルビニルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルフェニルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルフェニルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルフェニルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロビニルｔ－ブチルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロジメチルシランが挙げられる。また、クロロジエチルシランが挙げられる。また、クロロジプロピルシランが挙げられる。また、クロロジイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロジビニルシランが挙げられる。また、クロロジフェニルシランが挙げられる。また、クロロジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロエチルメチルシランが挙げられる。また、クロロメチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロエチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロメチルビニルシランが挙げられる。また、クロロエチルビニルシランが挙げられる。また、クロロプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロメチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロエチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロフェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロフェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロメチルシランが挙げられる。また、クロロエチルシランが挙げられる。また、クロロプロピルシランが挙げられる。また、クロロイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロビニルシランが挙げられる。また、クロロフェニルシランが挙げられる。また、クロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロシランが挙げられる。
　化学式（４）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ジクロロシランが挙げられる。また、ジクロロメチルシランが挙げられる。また、ジクロロエチルシランが挙げられる。また、ジクロロプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロビニルシランが挙げられる。また、ジクロロフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロジメチルシランが挙げられる。また、ジクロロジエチルシランが挙げられる。また、ジクロロジプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロジイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロジビニルシランが挙げられる。また、ジクロロジフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジクロロジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジクロロジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジクロロエチルメチルシランが挙げられる。また、ジクロロメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロメチルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロエチルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、また、ジクロロｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジクロロｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジクロロｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。
　化学式（５）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、トリクロロシランが挙げられる。また、トリクロロメチルシランが挙げられる。また、トリクロロエチルシランが挙げられる。また、トリクロロプロピルシランが挙げられる。また、トリクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、トリクロロビニルシランが挙げられる。また、トリクロロフェニルシランが挙げられる。また、トリクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、トリクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、トリクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。
　化学式（６）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば、テトラクロロシランが挙げられる。
　化学式（７）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ジメチルアミノトリメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノトリ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジメチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルエチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルイソプロピルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルイソプロピルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルイソプロピルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルビニルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルビニルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルビニルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルビニルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルフェニルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルフェニルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルフェニルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルｔ－ブチルｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノトリ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノジエチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジエチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）メチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）エチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）プロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）ビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｔ－ブチル）フェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｎ－ブチル）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジ（ｓ－ブ
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　化学式（８）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ビス（ジメチルアミノ）クロロメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノジエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノクロロシランが挙げられる。
　化学式（９）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ジメチルアミノジエチルアミノジクロロシランが挙げられる。また、ジメチルアミノエチルアミノジクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノエチルアミノジクロロシランが挙げられる。また、メチルアミノメチルアミノジクロロシランが挙げられる。また、エチルアミノエチルアミノジクロロシランが挙げられる。
　化学式（１０）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、トリス（ジメチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）チルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノｎ
－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルアミノシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、メチルアミノジエチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。
　化学式（１１）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、クロロ（ジメチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルア
ミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、クロロ（エチルアミノ）シランが挙げられる。
　化学式（１２）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ジクロロ（ジメチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジクロロ（エチルアミノ）シランが挙げられる。
　化学式（１３）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、トリクロロ（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリクロロ（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリクロロ（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリクロロ（エチルアミノ）シランが挙げられる。
　化学式（１４）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビ
ス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）イソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）プロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）イソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）フェニルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）イソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）フェニルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）エチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）プロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）イソプロピルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ビニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）フェニルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノメチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルイソプロピルシランが挙げられる。エチルアミノメチルアミノイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノメチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノプロピルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノメチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノフェニルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノフェニルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノメチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノビニルシランが挙げられ
る。また、ジエチルアミノメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。エチルアミノジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノメチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノメチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノプロピルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノメチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノフェニルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノフェニルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、エチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジ（ｎ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジ（ｓ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノジ（ｔ－ブチル）シランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノメチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノメチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノメチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノメチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノフェニルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノフェニルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノメチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノエチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノイソプロピルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノビニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノフェニルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｎ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｓ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノｔ－ブチルシランが挙げられる。また、ジエチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。
　化学式（１５）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、トリス（ジメチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）クロロシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）メチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノクロロシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、エチルアミノメチルアミノジメチルアミノクロロシランが挙げられる。また、ジエチルアミノメチルアミノジメチルアミノクロロシランが挙げられる。
　化学式（１６）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、テトラキス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、テトラキス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、テトラキス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、テトラキス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（ジメチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（ジエチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（メチルアミノ）エチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ジメチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）メチルアミノシランが挙げられる。また、トリス（エチルアミノ）ジエチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ビス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ビス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ビス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ビス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ビス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）ビス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ビス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ビス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ビス（エチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ビス（ジメチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ビス（メチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ビス（ジエチルアミノ）シランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）ジエチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジメチルアミノ）エチルアミノジエチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）メチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（ジエチルアミノ）エチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）ジエチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（メチルアミノ）エチルアミノジエチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）メチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノメチルアミノシランが挙げられる。また、ビス（エチルアミノ）ジエチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。また、エチルアミノジエチルアミノメチルアミノジメチルアミノシランが挙げられる。
　化学式（１７）で表される部分を有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。また、1,1,3,3-テトラメチルジシラザンが挙げられる。また、1,3-ジメチルジシラザンが挙げられる。また、ジシラザンが挙げられる。
　上記のほか、化学式（１）～（２）で表される部分のうちの少なくともいずれか１つを１分子中に有するケイ素化合物の具体例としては、例えば次の化合物が挙げられる。すなわち、アセトキシエチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、アセトキシプロピルメチルジクロロシランが挙げられる。また、（３－アクリロキシプロピル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、（３－アクリロキシプロピル）トリクロロシランが挙げられる。また、アダマンチルエチルトリクロロシランが挙げられる。また、アリル（クロロプロピル）ジクロロシランが挙げられる。また、アリルジクロロシランが挙げられる。また、アリルメチルジクロロシランが挙げられる。また、アリルフェニルジクロロシランが挙げられる。また、アリルトリクロロシランが挙げられる。また、ベンジルトリクロロシランが挙げられる。また、｛（ビシクロヘプテニル）エチル｝トリクロロシランが挙げられる。また、５－（ビシクロヘプテニル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、５－（ビシクロヘプテニル）トリクロロシランが挙げられる。また、２－（ビシクロヘプチル）トリクロロシランが挙げられる。また、ビス（クロロメチル）ジクロロシランが挙げられる。また、ビス（シアノプロピル）ジクロロシランが挙げられる。また、ビス（ジクロロシリル）メタンが挙げられる。また、ビス（メチルジクロロシリル）ブタンが挙げられる。また、ビス（メチルジクロロシリル）エタンが挙げられる。また、ビス（トリクロロシリル）エタンが挙げられる。また、ビス（トリクロロシリル）アセチレンが挙げられる。また、ビス（トリクロロシリル）メタンが挙げられる。また、ビス（トリメチルシリルメチル）ジクロロシランが挙げられる。また、２－ブロモエチルトリクロロシランが挙げられる。また、ブロモフェニルトリクロロシランが挙げられる。また、３－ブロモプロピルトリクロロシランが挙げられる。また、ブテニルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｐ－（ｔ－ブチル）フェネチルトリクロロシランが挙げられる。また、２－（カルボメトキシ）エチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、２－（カルボメトキシ）エチルトリクロロシランが挙げられる。また、２－クロロエチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、１－クロロエチルトリクロロシランが挙げられる。また、２－クロロエチルトリクロロシランが挙げられる。また、クロロメチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、｛（クロロメチル）フェニルエチル｝メチルジクロロシランが挙げられる。また、｛（クロロメチル）フェニルエチル｝トリクロロシランが挙げられる。また、（ｐ－クロロメチル）フェニルトリクロロシランが挙げられる。また、クロロメチルトリクロロシランが挙げられる。また、クロロフェニルメチルジクロロシランが挙げられる。また、クロロフェニルトリクロロシランが挙げられる。また、３－クロロプロピルメチルジクロロシランが挙げられる。また、３－クロロプロピルトリクロロシランが挙げられる。また、２－シアノエチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、２－シラノエチルトリクロロシランが挙げられる。また、（３－シアノイソブチル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、（３－シアノイソブチル）トリクロロシランが挙げられる。また、３－シアノプロピルメチルジクロロシランが挙げられる。また、３－シアノプロピルフェニルジクロロシランが挙げられる。また、３－シアノプロピルトリクロロシランが挙げられる。また、｛２－（３－シクロヘクセニル）エチル｝メチルジクロロシランが挙げられる。また、｛２－（３－シクロヘクセニル）エチル｝トリクロロシランが挙げられる。また、３－シクロヘクセニルトリクロロシランが挙げられる。また、シクロヘクシルメチルジクロロシランが挙げられる。また、（シクロへクシルメチル）トリクロロシランが挙げられる。また、シクロヘクシルトリクロロシランが挙げられる。また、（４－シクロオクテニル）トリクロロシランが挙げられる。また、シクロオクチルトリクロロシランが挙げられる。また、シクロペンチルトリクロロシランが挙げられる。また、シクロテトラメチレンジクロロシランが挙げられる。また、シクロトリメチレンジクロロシランが挙げられる。また、ｎ－デシルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｎ－デシルトリクロロシランが挙げられる。また、（ジクロロメチル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、ジクロロフェニルトリクロロシランが挙げられる。また、ジシクロヘクシルジクロロシランが挙げられる。また、ジシクロペンチルジクロロシランが挙げられる。また、ジエトキシジクロロシランが挙げられる。また、ジ－ｎ－ヘクシルジクロロシランが挙げられる。また、ジメチルビス（ｓブチルアミノ）シランが挙げられる。また、ジ－ｎ－オクチルジクロロシランが挙げられる。また、ジ（ｐ－トリル）ジクロロシランが挙げられる。また、ドデシルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｎ－ヘプチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｎ－ヘプチルトリクロロシランが挙げられる。また、ヘキサクロロジシランが挙げられる。また、ヘキサクロロジシロキサンが挙げられる。また、１，１，３，３，５，５－ヘキサメチルシクロトリシラザンが挙げられる。また、１，２，３，４，５，６－ヘキサメチルシクロトリシラザンが挙げられる。また、５－ヘクセニルトリクロロシランが挙げられる。また、ヘクシルジクロロシランが挙げられる。また、ヘクシルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ヘクシルトリクロロシランが挙げられる。また、イソオクチルトリクロロシランが挙げられる。また、メタクリロキシプロピルメチルジクロロシランが挙げられる。また、メタクリロキシプロピルトリクロロシランが挙げられる。また、３－（ｐ－メトキシフェニル）プロピルメチルジクロロシランが挙げられる。また、３－（ｐ－メトキシフェニル）プロピルトリクロロシランが挙げられる。また、（ｐ－メチルフェネチル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、（２－メチル－２－フェニルエチル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、オクタメチルシクロテトラシラザンが挙げられる。また、１，２，３，４，５，６，７，８－オクタメチルシクロテトラシラザンが挙げられる。また、７－オクテニルトリクロロシランが挙げられる。また、ｎ－オクチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｎ－オクチルトリクロロシランが挙げられる。また、ペンチルトリクロロシランが挙げられる。また、フェネチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、フェネチルトリクロロシランが挙げられる。また、３－フェノキシプロピルトリクロロシランが挙げられる。また、４－フェニルブチルメチルジクロロシランが挙げられる。また、４－フェニルブチルトリクロロシランが挙げられる。また、（３－フェニルプロピル）メチルジクロロシランが挙げられる。また、１－プロペニルメチルジクロロシランが挙げられる。また、１，１，３，３－テトラクロロ－１，３－ジシラブタンが挙げられる。また、１，３，５，７－テトラビニル－１，３，５，７－テトラメチルシクロテトラシラザンが挙げられる。また、ｔ－へクシルトリクロロシランが挙げられる。また、ｐ－トリルメチルジクロロシランが挙げられる。また、ｐ－トリルトリクロロシランが挙げられる。また、トリクロロメチルトリクロロシランが挙げられる。また、２－｛２－（トリクロロシリル）エチル｝ピリジンが挙げられる。また、４－｛２－（トリクロロシリル）エチル｝ピリジンが挙げられる。また、（３，３，３，トリフルオロプロピル）トリクロロシランが挙げられる。また、１，３，５－トリビニル－１，３，５－トリメチルシクロトリシラザンが挙げられる。また、１０－ウンデセニルトリクロロシランが挙げられる。また、ウンデシルトリクロロシランが挙げられる。また、ビニルオクチルジクロロシランが挙げられる。
　なお、化学式（３）～（１７）で表される部分を有するケイ素化合物は、上記に列挙した具体例に限定されるものではない。
　また、ダメージ回復処理に用いるケイ素化合物は、平均分子量が３００以下であること、及び１分子中に含まれるＳｉ原子の数が５以下であることの少なくともいずれか一方の条件を満足するものであることが好ましい。かかる条件を満足するケイ素化合物の場合、以下に述べる容易なプロセスを用いて、かつ、他のプロセスに悪影響を及ぼすことなく、ケイ素化合物を絶縁膜１０２に対して作用させることができる。他方、平均分子量が３００を超え、かつ１分子中に含まれるＳｉ原子数が５を超えるケイ素化合物、または、平均分子量が３００を超え、若しくは１分子中に含まれるＳｉ原子数が５を超えるケイ素化合物の場合、後述のベーパ（vapor）処理が困難になる虞がある。また、かかるケイ素化合物の場合には、配線１１０上に残存すること等により、その後に行われる他のプロセスに悪影響を及ぼす虞があると考えられる。
　また、ダメージ回復処理に用いるケイ素化合物は、Ｓｉ原子に直接結合する基に、例えば、２重結合（＞Ｃ＝Ｃ＜）、３重結合（－Ｃ≡Ｃ－）、カルボニル基（＞Ｃ＝Ｏ）、アルデヒド基（－ＣＨ＝Ｏ）等の付加反応性を有する官能基を含むものであることが好ましい。２重結合には、例えば、ビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ－）、アリル基（ＣＨ２＝ＣＨ－ＣＨ２－）等が含まれる。ここで、Ｓｉ原子に直接結合する基とは、化学式（３）～（１７）で表される部分において、Ｒ１～Ｒ１～Ｒ６、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１４、Ｒ２５、Ｒ３０、Ｒ３１、Ｒ３４、Ｒ３９、Ｒ４０、Ｒ５７、Ｒ５８、Ｒ５９、Ｒ６１、Ｒ６２、Ｒ６３のことである。このような付加反応性を有する官能基は、ダメージ回復処理後に、配線１１０が埋め込まれた絶縁膜１０２上に形成される後述の絶縁膜１１２の前駆体と付加反応により結合を形成する。
　例えば炭素の多重結合は、プラズマへの曝露等により容易に解裂し、絶縁膜１１２の前駆体として用いられるＳｉＨ４等と容易に付加反応を起こす。例えば、炭素の２重結合は、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜１１２を形成する際に、絶縁膜１１２の前駆体として用いられたＳｉＨ４と下記のように反応し、共有結合を形成する。
　＞Ｃ＝Ｃ＜＋２ＳｉＨ４→－ＨＳｉ－ＣＨ－ＣＨ－ＳｉＨ－
　こうして共有結合が形成されることにより、絶縁膜１０２と絶縁膜１０２上に形成される絶縁膜１１２との密着強度を向上することができる。この結果、ＴＤＤＢ特性を更に向上することができる。また、絶縁膜１０２に埋め込まれた配線１１０のエレクトロマイグレーション特性を向上することができる。
　また、ダメージ回復処理に用いるケイ素化合物には、上述したケイ素化合物以外の成分が含有されていてもよい。例えば、ケイ素化合物には、例えば、粘度を低下させるための溶媒が更に含有されていてもよい。
　ケイ素化合物を用いたダメージ回復処理は、ケイ素化合物を絶縁膜１０２表面に接触させ、絶縁膜１０２表面のＳｉ－ＯＨ基とケイ素化合物とを反応できる処理であれば特に限定されるものではない。例えば、以下に述べる処理を用いることができる。
　すなわち、ダメージ回復処理としては、ケイ素化合物の蒸気に、絶縁膜１０２表面を曝すベーパ処理を適用することができる。ベーパ処理は、ケイ素化合物の蒸気を、絶縁膜１０２表面に導いて接触させることができればよい。ベーパ処理では、例えば、ケイ素化合物の蒸気をキャリアガスによって移動することにより、ケイ素化合物の蒸気を、絶縁膜１０２表面に導いて接触させてもよい。
　なお、ベーパ処理は、常圧下で行ってもよいし、必要に応じて減圧下又は真空下で行ってもよい。また、ベーパ処理は、酸素を含まない雰囲気下、例えば窒素雰囲気下にて行うことが好ましい。これは、酸素が存在することにより絶縁膜１０２の誘電率が上昇する虞があるため、かかる絶縁膜１０２の誘電率上昇を防止するためである。
　また、ダメージ回復処理として、液状のケイ素化合物を例えばスピンコート法により絶縁膜１０２表面に塗布する塗布処理を適用することができる。
　このようなベーパ処理、塗布処理等によるダメージ回復処理は、配線１１０までが形成された半導体基板１００を例えば５０～２５０℃に加熱しながら行うことが好ましい。半導体基板１００を加熱することにより、絶縁膜１０２表面のＳｉ－ＯＨ基とケイ素化合物との反応を促進することができる。また、絶縁膜１０２表面及び絶縁膜１０２中の水分を低減し、絶縁膜１０２に埋め込まれた配線１１０の腐食を抑制することができる。なお、加熱温度の下限を例えば５０℃とするのは、この下限未満の加熱温度では、Ｓｉ－ＯＨ基とケイ素化合物との反応が不十分になる虞があるからである。また、加熱温度の上限を例えば２５０℃とするのは、この上限を超える加熱温度では、他のプロセスが悪影響を受ける虞があるためである。
　また、ダメージ回復処理は、半導体基板１００を加熱するとともに又は半導体基板１００を加熱せずに、例えば赤外線、紫外線、Ｘ線、α線、γ線、電子線等の電磁波を絶縁膜１０２表面に照射しながら行ってもよい。電磁波を照射することにより、Ｓｉ－ＯＨ基とケイ素化合物との反応を促進することができる。なお、このような電磁波の照射は、ダメージ回復処理後に別途行ってもよい。
　なお、上述したケイ素化合物を用いたダメージ回復処理が行われた場合には、その処理に用いたケイ素化合物に由来するＳｉ－（ＣＨ３）３等の結合が絶縁膜１０２表面に存在している。したがって、ダメージ回復処理が行われているか否かは、Ｘ線光電子分光法等により、その処理に用いたケイ素化合物に由来するＳｉ－（ＣＨ３）３等の結合ピークを検出することにより確認することができる。
　こうして、ケイ素化合物を用いたダメージ回復処理により、ＣＭＰ法により導電膜１０８及びバリアメタル１０６を研磨除去する際の絶縁膜１０２のダメージが回復される。
　なお、ダメージ回復処理後、更に、配線１１０までが形成された半導体基板１００を例えば５０～２５０℃に例えば０．１～２０分間加熱してもよい。ダメージ回復処理後に半導体基板１００の加熱を行うことにより、絶縁膜１０２表面のＳｉ－ＯＨ基とケイ素化合物との反応を更に促進することができる。なお、加熱温度の下限を例えば５０℃とし、加熱時間の下限を例えば０．１分とするのは、これら下限未満の加熱温度、加熱時間では、Ｓｉ－ＯＨ基とケイ素化合物との反応が不十分になる虞があるからである。また、加熱温度の上限を例えば２５０℃とし、加熱時間の上限を例えば２０分とするのは、これら上限を超える加熱温度、加熱時間では、他のプロセスが悪影響を受ける虞があるためである。
　なお、ダメージ回復処理後の半導体基板１００の加熱も、酸素を含まない雰囲気下、例えば窒素雰囲気下で行うことが好ましい。これは、酸素が存在することにより絶縁膜１０２の誘電率が上昇する虞があるため、かかる絶縁膜１０２の誘電率上昇を防止するためである。なお、酸素を含まない雰囲気下でダメージ回復処理を行った場合、ダメージ回復処理を行った酸素を含まない雰囲気下にて、ダメージ回復処理に引き続き半導体基板１００の加熱を行ってもよい。
　こうして、必要に応じて半導体基板１００の加熱を行った後、絶縁膜１０２上及び配線１１０上に、絶縁膜１１２を形成する（図２（ｃ））。絶縁膜１１２は、例えば、Ｃｕ配線からのＣｕの拡散を防止するバリア膜として機能するものである。絶縁膜１１２としても、絶縁膜１０２と同様に、例えば、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＦ膜等のシリカ系絶縁膜を適用することができる。また、これらシリカ系絶縁膜のほか、種々の絶縁膜を適用することができる。絶縁膜１１２の形成方法は、その膜種に応じて、ＣＶＤ法、塗布法等を適宜選択することができる。なお、ＳｉＯＣ膜は、膜中にＮ、Ｈ等が存在していてもよい。また、ＳｉＣ膜は、膜中にＯ、Ｎ、Ｈ等が存在していてもよい。また、ＳｉＮ膜は、膜中にＯ、Ｃ、Ｈ等が存在していてもよい。また、配線間隔が例えば１μｍ以下である場合には、配線遅延の低減等の観点から、絶縁膜１１２は、比誘電率が例えば３以下の低誘電率のものであることが好ましい。
　前述のように、ダメージ回復処理において、Ｓｉ原子に直接結合する基に付加反応性を有する官能基を含むケイ素化合物を用いることにより、絶縁膜１０２と絶縁膜１１２との密着強度を向上することができる。これにより、ＴＤＤＢ特性を更に向上することができる。また、配線１１０のエレクトロマイグレーション特性を向上することができる。
　このように、本実施形態によれば、ケイ素化合物を用いたダメージ回復処理により、ＣＭＰ法による研磨の際の絶縁膜１０２のダメージを回復するので、リーク電流を低減するとともに、ＴＤＤＢ特性を向上することができる。これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
　［第２実施形態］
　第２実施形態による半導体装置の製造方法について図３乃至図１４を用いて説明する。図３乃至図１４は本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
　本実施形態では、第１実施形態の製造方法をより具体的な半導体装置の製造方法に適用した例について説明する。
　まず、例えばシリコン基板である半導体基板１０に、例えばＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）法により、素子領域１４を画定する素子分離膜１２を形成する。素子分離膜１２は、ＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法により形成してもよい。
　次いで、素子領域１４上に、通常のＭＯＳトランジスタの製造方法と同様にして、半導体基板１０上に、ＭＯＳトランジスタ２４を形成する（図３（ａ））。ＭＯＳトランジスタ２４は、半導体基板１０上にゲート絶縁膜１６を介して形成されたゲート電極１８と、ゲート電極１８の両側の半導体基板１０内に形成されたソース／ドレイン領域２２とを有している。
　次いで、ＭＯＳトランジスタ２４が形成された半導体基板１０上に、例えばＣＶＤ法により例えばＰＳＧ（リンガラス）膜を形成する。
　次いで、例えばＣＭＰ法によりこのＰＳＧ膜の表面を研磨して平坦化し、ＰＳＧ膜の層間絶縁膜２６を形成する。
　次いで、層間絶縁膜２６上に、例えばプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、ＳｉＮ膜の絶縁膜２８を形成する。絶縁膜２８は、後述する工程において、ＣＭＰ法により研磨する際の研磨ストッパとして、層間絶縁膜３８等に配線溝４６を形成する際のエッチングストッパとして、それぞれ機能する。絶縁膜２８としては、ＳｉＮ膜のほか、ＳｉＣ膜等を適用することができる。
　次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、ストッパ膜２８及び層間絶縁膜２６に、ソース／ドレイン領域２２に達するコンタクトホール３０を形成する（図３（ｂ））。
　次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１０ｎｍの窒化チタン（ＴｉＮ）膜を堆積し、ＴｉＮ膜のバリアメタル３２を形成する。
　次いで、バリアメタル３２上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚１μｍのタングステン（Ｗ）膜３４を形成する（図３（ｃ））。タングステン膜３４は、例えば、六フッ化タングステン（ＷＦ６）ガスと水素ガスとを含む混合ガスを用い、ＷＦ６を還元することにより成膜する。
　次いで、例えばＣＭＰ法により、ストッパ膜２８の表面が露出するまでタングステン膜３４及びバリアメタル３２を研磨し、コンタクトホール３０内に埋め込まれ、バリアメタル３２及びタングステン膜３４を含むコンタクトプラグ３５を形成する（図４（ａ））。
　次いで、第１実施形態に示したケイ素化合物を用いたダメージ回復処理を行う。これにより、ＣＭＰ法によりタングステン膜３４及びバリアメタル３２を研磨除去する際のストッパ膜２８のダメージを回復する（図４（ｂ））。このダメージ回復処理には、第１実施形態において絶縁膜１０２のダメージ回復処理に用いた種々のケイ素化合物及びそれを用いた処理方法を適用することができる。また、第１実施形態に示したように、ダメージ回復処理の間又はダメージ回復処理の後に、基板の加熱や電磁波の照射を行ってもよい。
　次いで、コンタクトプラグ３５が埋め込まれたストッパ膜２８上に、例えばスピンコート法により、例えば膜厚８０ｎｍの有機シリカポーラス絶縁膜を堆積し、有機シリカポーラス絶縁膜により低誘電率の層間絶縁膜３８を形成する。
　次いで、層間絶縁膜３８上に、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜の絶縁膜４０を形成する（図４（ｃ））。絶縁膜４０は、層間絶縁膜３８を保護する保護膜として機能する。
　次いで、フォトリソグラフィにより、絶縁膜４０上に、第１層目の配線５１の形成予定領域を露出する開口部４４が形成されたフォトレジスト膜４２を形成する（図５（ａ））。
　次いで、例えばＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを用いたドライエッチングにより、フォトレジスト膜４２をマスクとして及びストッパ膜２８をストッパとして、絶縁膜４０及び層間絶縁膜３８を順次エッチングする。これにより、絶縁膜４０及び層間絶縁膜３８に、配線５１を埋め込むための配線溝４６を形成する（図５（ｂ））。
　次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜４２を除去する。
　次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１０ｎｍのＴｉＮ膜を堆積し、ＴｉＮ膜のバリアメタル４８を形成する。バリアメタル４８は、後述の工程で形成するＣｕ配線からＣｕが絶縁膜中に拡散するのを防止するためのものである。絶縁膜中へのＣｕの拡散を防止するバリアメタル４８を形成することにより、リーク電流を低減し、半導体装置の信頼性を向上することができる。
　次いで、バリアメタル４８上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１０ｎｍのＣｕ膜を堆積し、Ｃｕ膜のシード膜（図示せず）を形成する。
　次いで、例えば電気めっき法により、シード膜をシードとしてＣｕ膜を堆積し、シード層と併せたトータルの膜厚が例えば３００ｎｍのＣｕ膜５０を形成する（図６（ａ））。電気めっき法によるＣｕ膜５０の形成に際しては、予めシード膜を形成しておくことにより、高品質の銅膜５０を形成することができる。これにより、信頼性の高い配線を形成することが可能となる。
　次いで、ＣＭＰ法により、絶縁膜４０上のＣｕ膜５０及びバリアメタル４８を研磨により除去する。これにより、配線溝４６内に埋め込まれバリアメタル４８及びＣｕ膜５０を含む配線５１を形成する（図６（ｂ））。なお、このような配線５１の製造プロセスは、シングルダマシン法と称される。
　次いで、第１実施形態に示したケイ素化合物を用いたダメージ回復処理を行う。これにより、ＣＭＰ法によりＣｕ膜５０及びバリアメタル４８を研磨除去する際の絶縁膜４０のダメージを回復する（図７（ａ））。このダメージ回復処理には、第１実施形態において絶縁膜１０２のダメージ回復処理に用いた種々のケイ素化合物及びそれを用いた処理方法を適用することができる。また、第１実施形態に示したように、ダメージ回復処理の間又はダメージ回復処理の後に、基板の加熱や電磁波の照射を行ってもよい。
　次いで、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、ＳｉＮ膜の絶縁膜５２を形成する（図７（ｂ））。絶縁膜５２は、Ｃｕ配線からのＣｕの拡散を防止するバリア膜として機能するものである。
　次いで、絶縁膜５２上に、例えばプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯＣ膜を堆積し、ＳｉＯＣ膜の層間絶縁膜５４を形成する。
　次いで、層間絶縁膜５４上に、例えばシランガスとアンモニアガスとを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、ＳｉＮ膜の絶縁膜５６を形成する。絶縁膜５６は、層間絶縁膜５８等に配線溝７２を形成する際のエッチングストッパとして機能する。絶縁膜５６としては、ＳｉＮ膜のほか、ＳｉＣ膜等を適用することができる。
　次いで、絶縁膜５６上に、例えばスピンコート法により、例えば膜厚１００ｎｍの有機シリカポーラス絶縁膜を堆積し、有機シリカポーラス絶縁膜により低誘電率の層間絶縁膜５８を形成する。
　次いで、層間絶縁膜５８上に、例えばＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜の絶縁膜６０を形成する（図８）。絶縁膜６０は、層間絶縁膜５８を保護する保護膜として機能する。
　次いで、フォトリソグラフィにより、絶縁膜６０上に、配線５１に達するビアホールの形成予定領域を露出する開口部６４が形成されたフォトレジスト膜６２を形成する。
　次いで、例えばＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを用いたドライエッチングにより、フォトレジスト膜６２をマスクとして、絶縁膜６０、層間絶縁膜５８、絶縁膜５６、層間絶縁膜５４及び絶縁膜５２を順次エッチングする。これにより、絶縁膜６０、層間絶縁膜５８、絶縁膜５６、層間絶縁膜５４及び絶縁膜５２に、配線５１に達するビアホール６６を形成する（図９）。なお、各絶縁膜は、エッチングガスの組成比やエッチングの際の圧力等を適宜変化させることにより、順次エッチングすることが可能である。
　次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜６２を除去する。
　次いで、フォトリソグラフィにより、ビアホール６６が開口された絶縁膜６０上に、第２層目の配線７７ｂの形成予定領域を露出する開口部７０が形成されたフォトレジスト膜６８を形成する。
　次いで、例えばＣＦ４ガス及びＣＨＦ３ガスを用いたドライエッチングにより、フォトレジスト膜６８をマスクとして絶縁膜６０及び層間絶縁膜５８を順次エッチングする。これにより、絶縁膜６０及び層間絶縁膜５８に、配線７７ｂを埋め込むための配線溝７２を形成する（図１０）。配線溝７２は、ビアホール６６と繋がった状態となる。
　次いで、例えばアッシングにより、フォトレジスト膜６８を除去する。
　次いで、全面に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１０ｎｍのＴｉＮ膜を堆積し、ＴｉＮ膜のバリアメタル７４を形成する。バリアメタル７４は、後述の工程で形成するＣｕ配線からＣｕが絶縁膜中に拡散するのを防止するためのものである。絶縁膜中へのＣｕの拡散を防止するバリアメタル７４を形成することにより、リーク電流を低減し、半導体装置の信頼性を向上することができる。
　次いで、バリアメタル７４上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１０ｎｍのＣｕ膜を堆積し、Ｃｕ膜のシード膜（図示せず）を形成する。
　次いで、例えば電気めっき法により、シード膜をシードとしてＣｕ膜を堆積し、シード層と併せたトータルの膜厚が例えば６００ｎｍのＣｕ膜７６を形成する（図１１）。電気めっき法によるＣｕ膜７６の形成に際しては、予めシード膜を形成しておくことにより、高品質の銅膜７６を形成することができる。これにより、信頼性の高い配線を形成することが可能となる。
　次いで、ＣＭＰ法により、絶縁膜６０上のＣｕ膜７６及びバリアメタル７４を研磨により除去する。これにより、ビアホール６６内に埋め込まれバリアメタル７４及びＣｕ膜７６を含むコンタクトプラグ７７ａと、配線溝７２内に埋め込まれバリアメタル７４及びＣｕ膜７６を含む配線７７ｂとを一体且つ一括して形成する（図１２）。なお、このようにコンタクトプラグ７７ａと配線７７ｂとを一括して形成する製造プロセスは、デュアルダマシン法と称される。
　次いで、第１実施形態に示したケイ素化合物を用いたダメージ回復処理を行う。これにより、ＣＭＰ法によりＣｕ膜７６及びバリアメタル７４を研磨除去する際の絶縁膜６０のダメージを回復する（図１３）。このダメージ回復処理には、第１実施形態において絶縁膜１０２のダメージ回復処理に用いた種々のケイ素化合物及びそれを用いた処理方法を適用することができる。また、第１実施形態に示したように、ダメージ回復処理の間又はダメージ回復処理の後に、基板の加熱や電磁波の照射を行ってもよい。
　次いで、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜を堆積し、ＳｉＮ膜の絶縁膜７８を形成する（図１４）。絶縁膜７８は、Ｃｕ配線からのＣｕの拡散を防止するバリア膜として機能するものである。
　この後、必要に応じて上記と同様の工程を適宜繰り返し、図示しない第３層目の配線等を形成し、本実施形態による半導体装置を完成する。
　このように、本実施形態によれば、ケイ素化合物を用いたダメージ回復処理により、ＣＭＰ法による研磨の際の絶縁膜２８、４０、６０のダメージを回復するので、リーク電流を低減するとともに、ＴＤＤＢ特性を向上することができる。これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を高い歩留まりで製造することができる。
　［変形実施形態］
　本発明は、上記実施形態に記載の半導体装置の製造方法に限定されるものではなく、絶縁膜と、これに埋め込み形成された導電膜とを有する半導体装置の製造方法に広く適用することができる。半導体装置を構成する各層の膜厚や構成材料等についても、その範囲内において適宜変更することができる。
　上述したケイ素化合物を用いたダメージ回復処理の効果を検証するべく、以下に示す７種類の評価試料を作製し、特性評価を行った。図１５は、評価試料の作製方法を示す工程断面図である。
　［実施例１－１］
　低抵抗基板（低抵抗シリコンウェハ）２００上に、比誘電率２．６の低誘電率絶縁膜を形成するためのケイ素化合物を含む液状の絶縁膜形成用組成物を、膜厚が２５０ｎｍとなるように、スピンコート法により塗布した。
　次いで、低抵抗基板２００上に塗布した絶縁膜形成用組成物を、２５０℃、３分間の条件でプリベークした。
　次いで、窒素雰囲気の電気炉にて４００℃、３０分間の条件で、プリベークした絶縁膜形成用組成物のキュアを行い、低誘電率絶縁膜２０２を形成した（図１５（ａ））。
　次いで、このように形成した低誘電率絶縁膜２０２をＣＭＰ法により研磨した（図１５（ｂ））。この低誘電率絶縁膜２０２の研磨は、研磨パッドとしてロデールニッタ社製のＩＣ１０１０を用い、研磨ヘッドの圧力（荷重）を２８０ｇ重／ｃｍ２、研磨ヘッドの回転数を５０回転／分、研磨テーブルの回転数を６０回転／分、研磨時間を２０秒間として行った。なお、スラリーとしては、Ｃａｂｏｔ社製ＳＳ２５を１：１で希釈したものを用い、スラリーの流量を０．２Ｌ／分とした。このＣＭＰ法による研磨により、低誘電率絶縁膜２０２は、膜厚が減少するとともに、表面にダメージを受ける。
　次いで、窒素雰囲気下にて、低誘電率絶縁膜２０２が形成された低抵抗基板２００を１５０℃に加熱した状態で、低誘電率絶縁膜２０２の表面に対して、ケイ素化合物としてジメチルアミノトリメチルシランを用いたベーパ処理を１分間行った（図１５（ｃ））。
　こうして、評価試料を作製した。
　［実施例１－２］
　図１５（ｃ）に示す工程において、ケイ素化合物としてクロロトリメチルシランを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　［実施例１－３］
　図１５（ｃ）に示す工程において、ケイ素化合物として１，３－ジビニルテトラメチルジシラザンを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　［比較例１－１］
　図１５（ｃ）に示すベーパ処理を行わないほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　［比較例１－２］
　図１５（ｃ）に示す工程において、ケイ素化合物としてトリメチルエトキシシランを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　［比較例１－３］
　図１５（ｃ）に示す工程において、ケイ素化合物として１，３－ジクロロテトラフェニルジシロキサンを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　［参考例１］
　図１５（ｂ）に示すＣＭＰ法による研磨及び図１５（ｃ）に示すベーパ処理を行わないほかは、実施例１－１の場合と同様にして、評価試料を作製した。
　上述のように作製した各評価試料について、まず、電界－電流特性の測定を行った。
　電界－電流特性を測定するために、各評価試料について、図１６に示すように、低誘電率絶縁膜２０２上に、メタルマスクを用いて、膜厚１００ｎｍのＡｕ膜の電極２０４を形成した。
　こうして電極２０４が形成された各評価試料について、電極２０４と低抵抗基板２００との間に０．１ＭＶ／ｃｍの電界を印加した際の電流密度を測定した。電流密度の測定には、プレシジョン半導体パラメータ・アナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製、４１５６Ｃ）を用いた。
　また、各評価試料について、水に対する接触角の測定を行った。接触角の測定には、接触角計（協和界面科学社製、ＤＭ７００）を用いた。
　また、各評価試料について、低誘電率絶縁膜２０２上に形成される絶縁膜の密着性を評価するべく、セバスチャン法による引っ張り試験を行った。
　引っ張り試験を行うために、各評価試料について、図１７に示すように、低誘電率絶縁膜２０２上に、プラズマＣＶＤ法により比誘電率４．５のＳｉＣ膜２０６を形成した。
　こうしてＳｉＣ膜２０６が形成された各評価試料について、セバスチャン法による引っ張り試験を２０回ずつ行い、低誘電率絶縁膜２０２とＳｉＣ膜２０６との界面に剥がれが発生した回数（剥がれ数）をカウントした。
　上述した電界－電流特性の測定結果、接触角の測定結果及び引っ張り試験の結果を、ベーパ処理に用いたケイ素化合物及びそれらの分子量とともに表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000031
　表１に示す電界－電流特性の測定結果から明らかなように、実施例１－１～１－３の場合には、比較例１－１～１－３の場合と比較して、電流密度が小さくなっていることが分かる。また、実施例１－１～１－３の場合、電流密度は、ＣＭＰ法による研磨を行っていない参考例１の場合と同等程度にまで低減されている。
　また、表１に示す接触角の測定結果から明らかなように、実施例１－１～１－３の場合には、比較例１－１～１－３の場合と比較して、水に対する接触角が大きくなっていることが分かる。これにより、実施例１－１～１－３の場合には、低誘電率絶縁膜２０２の表面が十分に疎水化されていることが分かる。
　また、表１に示す引っ張り試験の結果から明らかなように、実施例１－１～１－２の場合には、比較例１－２～１－３の場合と比較して、低誘電率絶縁膜２０２とＳｉＣ膜２０６と間の密着性が良好であることが分かる。また、実施例１－１～１－２の場合には、比較例１－１の場合と同程度の密着性が得られている。また、ビニル基を有するケイ素化合物を用いたベーパ処理を行った実施例１－３の場合には、低誘電率絶縁膜２０２とＳｉＣ膜２０６との界面に剥がれが発生せず、低誘電率絶縁膜２０２とＳｉＣ膜２０６と間の密着性が非常に良好なものとなっている。
　なお、実施例１－１～１－３，比較例１－１～１－３及び参考例１の各試料における絶縁膜中の窒素濃度は、それぞれ５００重量ｐｐｍ以下であった。また、なお、実施例１－１～１－３，比較例１－１～１－３及び参考例１の各試料における絶縁膜中の塩素濃度も、それぞれ５００重量ｐｐｍ以下であった。
　また、各評価試料について、昇温脱離スペクトルを測定した。昇温脱離スペクトルは、昇温脱離分析装置（電子科学社製、ＥＭＤ１０００）を用い、各評価試料から切り出した１ｃｍ□の試料片について、昇温速度を１℃／秒、測定温度範囲を室温から６００℃として測定した。
　各評価試料について測定された昇温脱離スペクトルを図１８に示す。図１８に示すグラフにおいて、横軸は温度を示し、縦軸はＨ２Ｏの強度を示している。
　図中、比較例１－１は、ケイ素化合物によるベーパ処理を行わなかった場合である。実施例１－１は、ジメチルアミノトリメチルシランによるベーパ処理を行った場合である。実施例１－２は、クロロトリメチルシランによるベーパ処理を行った場合である。実施例１－３は、１，３－ジビニルテトラメチルジシラザンによるベーパ処理を行った場合である。比較例１－２は、トリメチルエトキシシランによるベーパ処理を行った場合である。比較例１－３は、１，３－クロロテトラフェニルジシロキサンによるベーパ処理を行った場合である。参考例１は、ＣＭＰ処理及びケイ素化合物によるベーパ処理を行わなかった場合である。
　図１８に示す各スペクトルを比較することから明らかなように、実施例１－１～１－３の場合には、比較例１－１～１－３の場合と比較して、試料中の水分が低減されていることが分かる。
　次に、上記第２実施形態による半導体装置の製造方法により、櫛歯パターンを有する３層の配線を形成し、ＴＤＤＢ特性を測定した。ＴＤＤＢ特性の測定に用いた評価試料は、以下の通りである。
　［実施例２－１］
　上記第２実施形態による半導体装置の製造方法により、第３層目までの配線を形成した。ＣＭＰ法による研磨後に行うダメージ回復処理としては、実施例１－１の場合と同様にケイ素化合物としてジメチルアミノトリメチルシランを用いたベーパ処理を行った。
　［実施例２－２］
　ＣＭＰ法による研磨後に行うダメージ回復処理として、実施例１－２の場合と同様にケイ素化合物としてクロロトリメチルシランを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例２－１と同様のプロセスで第３層目までの配線を形成した。
　［実施例２－３］
ＣＭＰ法による研磨後に行うダメージ回復処理として、実施例１－３の場合と同様にケイ素化合物として１，３－ジビニルテトラメチルジシラザンを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例２－１と同様のプロセスで第３層目までの配線を形成した。
　［比較例２－１］
　ＣＭＰ法による研磨後のダメージ回復処理を行わないほかは、実施例２－１と同様のプロセスで第３層目までの配線を形成した。
　［比較例２－２］
　ＣＭＰ法による研磨後に行うダメージ回復処理として、比較例１－２の場合と同様にケイ素化合物としてトリメチルエトキシシランを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例２－１と同様のプロセスで第３層目までの配線を形成した。
　［比較例２－３］
　ＣＭＰ法による研磨後に行うダメージ回復処理として、比較例１－３の場合と同様にケイ素化合物として１，３－ジクロロテトラフェニルジシロキサンを用いたベーパ処理を行うほかは、実施例２－１と同様のプロセスで第３層目までの配線を形成した。
　上述のように作製した各評価試料について、ＴＤＤＢ特性の評価を行った。ＴＤＤＢ特性の評価は、１２５℃の温度下にて３．３ＭＶ／ｃｍの電圧を印加し、絶縁破壊が生じるまでの時間を測定することにより行った。
　各評価試料について測定された絶縁破壊が生じるまでの時間を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000032
　表２から明らかなように、実施例２－１～実施例２－３の場合には、比較例２－１～２－３の場合と比較して、優れたＴＤＤＢ特性が得られていることが分かる。
 

Claims (14)

  1. 　半導体基板上に、絶縁膜を形成する工程と、
    　前記絶縁膜に開口部を形成する工程と、
    　前記開口部が形成された前記絶縁膜上に、前記開口部内を埋める導電膜を形成する工程と、
    　前記絶縁膜上の前記導電膜をＣＭＰ法により除去することにより、前記開口部内に前記導電膜を埋め込む工程と、
    　前記絶縁膜の表面に、Ｓｉ－Ｎ又はＳｉ－Ｃｌを有するケイ素化合物を曝す或いは塗布する処理を行う工程と
    　を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 　請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する工程では、前記半導体基板を５０～２５０℃に加熱しつつ、前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 　請求の範囲第１項又は第２項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する工程の後、前記半導体基板を５０～２５０℃に加熱する工程を更に有する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  4. 　請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する工程では、前記ケイ素化合物の蒸気に前記絶縁膜の表面を曝す
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 　請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する工程では、液状の前記ケイ素化合物を前記絶縁膜の表面に塗布する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  6. 　請求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜の表面を前記ケイ素化合物で処理する工程の後、前記絶縁膜上及び前記開口部内に埋め込まれた前記導電膜上に、他の絶縁膜を形成する工程を更に有する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  7. 　請求の範囲第１項乃至第６項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記ケイ素化合物は、
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
     又は
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
     （式中、Ｒ１～Ｒ６３は、各式中又は各式間で互いに独立に、水素、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数２～２０のアルケニル基、アルキニル基、アルキルカルボニル基、アルケニルアルキル基及びアルキニルアルキル基、並びに炭素数６～２０のアリール基からなる群から選ばれた基を表す。）で表される部分を有する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  8. 　請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記ケイ素化合物は、平均分子量が３００以下である
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  9. 　請求の範囲第１項乃至第８項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記ケイ素化合物は、１分子中に含まれるシリコン原子の数が５以下である
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 　請求の範囲第１項乃至第９項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記ケイ素化合物は、付加反応性を有する官能基を含む
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 　請求の範囲第１項乃至第１０項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記開口部を形成する工程では、前記絶縁膜の下方部分に形成されたビアホールと、前記絶縁膜の上方部分に前記ビアホールに接続して形成された配線溝とを有する前記開口部を形成する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  12. 　請求の範囲第１項乃至第１１項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記絶縁膜は、比誘電率が３以下である
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  13. 　請求の範囲第１項乃至第１２項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記開口部を形成する工程では、ドライエッチングにより前記開口部を形成する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  14. 　請求の範囲第１項乃至第１３項のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
    　前記開口部を形成する工程の後、前記導電膜を形成する工程の前に、前記開口部が形成された前記絶縁膜上に、バリアメタルを形成する工程を更に有し、
    　前記開口部内に前記導電膜を埋め込む工程では、前記絶縁膜上の前記導電膜と前記バリアメタル膜とをＣＭＰ法により除去する
    　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
     
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