WO2010024724A3 - Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек - Google Patents

Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек Download PDF

Info

Publication number
WO2010024724A3
WO2010024724A3 PCT/RU2009/000413 RU2009000413W WO2010024724A3 WO 2010024724 A3 WO2010024724 A3 WO 2010024724A3 RU 2009000413 W RU2009000413 W RU 2009000413W WO 2010024724 A3 WO2010024724 A3 WO 2010024724A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
quantum dots
semiconductor quantum
producing
synthesising
minutes
Prior art date
Application number
PCT/RU2009/000413
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2010024724A2 (ru
Inventor
Роман Владимирович НОВИЧКОВ
Максим Сергеевич БАКШТЕЙН
Екатерина Леонидовна НОДОВА
Алексей Олегович МАНЯШИН
Ирина Ивановна ТАРАСКИНА
Original Assignee
Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно Исследовательский Институт Прикладной Акустики"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно Исследовательский Институт Прикладной Акустики" filed Critical Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно Исследовательский Институт Прикладной Акустики"
Priority to KR1020117006374A priority Critical patent/KR101329188B1/ko
Priority to US13/060,046 priority patent/US8633040B2/en
Priority to EP09810291A priority patent/EP2327815A4/de
Priority to JP2011523766A priority patent/JP5425201B2/ja
Publication of WO2010024724A2 publication Critical patent/WO2010024724A2/ru
Publication of WO2010024724A3 publication Critical patent/WO2010024724A3/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/02557—Sulfides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02551—Group 12/16 materials
    • H01L21/0256—Selenides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

Использование: в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Сущность способа: получение полупроводниковых квантовых точек типов, включающее синтез ядер нанокристаллов из прекурсора, содержащего халькоrен, и прекурсора, содержащего металл Il или IV группы, с использованием органического растворителя и модификатора поверхности, отличающийся тем, что в качестве последнего используют (aминoaлкил)тpиaлкoкcиcилaны, синтез ядер осуществляют при постоянной температуре в пределах от 150 до 250°C в течение от 15 с до 1 часа и дополнительно проводят обработку реакционной смеси, содержащей ядра нанокристаллов, УФ-светом в течение 1-10 мин и ультразвуком в течение 5-15 мин. Технический результат: повышение фотостабильности полупроводниковых квантовых точек до 34 %, способность диспергироваться как в неполярных, так и в полярных растворителях, при сохранении и увеличении квантового выхода.
PCT/RU2009/000413 2008-08-21 2009-08-18 Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек WO2010024724A2 (ru)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020117006374A KR101329188B1 (ko) 2008-08-21 2009-08-18 반도체 양자점의 합성방법
US13/060,046 US8633040B2 (en) 2008-08-21 2009-08-18 Method for synthesising semiconductor quantum dots
EP09810291A EP2327815A4 (de) 2008-08-21 2009-08-18 Verfahren zur synthetisierung von halbleiterquantenpunkten
JP2011523766A JP5425201B2 (ja) 2008-08-21 2009-08-18 半導体量子ドットの合成方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2008134160/15A RU2381304C1 (ru) 2008-08-21 2008-08-21 Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
RU2008134160 2008-08-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2010024724A2 WO2010024724A2 (ru) 2010-03-04
WO2010024724A3 true WO2010024724A3 (ru) 2010-05-20

Family

ID=41722172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/RU2009/000413 WO2010024724A2 (ru) 2008-08-21 2009-08-18 Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8633040B2 (ru)
EP (1) EP2327815A4 (ru)
JP (1) JP5425201B2 (ru)
KR (1) KR101329188B1 (ru)
RU (1) RU2381304C1 (ru)
WO (1) WO2010024724A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570830C2 (ru) * 2014-04-17 2015-12-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" Способ выделения и очистки квантовых точек, заключенных в оболочки оксида кремния

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102971255B (zh) * 2010-05-11 2014-04-16 海洋王照明科技股份有限公司 硒化铅量子点的制备方法
RU2461813C1 (ru) * 2011-04-08 2012-09-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Петрозаводский государственный университет" Способ прогнозирования фотостабильности коллоидных полупроводниковых квантовых точек со структурой ядро-оболочка в кислородсодержащей среде
RU2503705C2 (ru) * 2011-11-03 2014-01-10 Общество С Ограниченной Ответственностью "Тк-1" Люминесцентные чернила для криптозащиты документов и изделий от подделок, способ их нанесения, а также способы контроля подлинности таких изделий
ES2627005T3 (es) * 2012-02-03 2017-07-26 Koninklijke Philips N.V. Nuevos materiales y métodos para dispersar nanopartículas en matrices con altos rendimientos cuánticos y estabilidad
RU2505886C2 (ru) * 2012-03-29 2014-01-27 Александр Павлович Харитонов Способ улучшения фотостабильности полупроводниковых квантовых точек типа ядро-оболочка с оболочкой из органических, металлоорганических или кремнийорганических соединений
KR20140015763A (ko) 2012-07-24 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 이를 갖는 표시 장치
CN102816564B (zh) * 2012-08-29 2014-07-09 上海交通大学 一种高荧光效率的二氧化硅包覆量子点的纳米复合发光材料的制法和用途
WO2014064555A1 (en) 2012-10-25 2014-05-01 Koninklijke Philips N.V. Pdms-based ligands for quantum dots in silicones
JP6325556B2 (ja) * 2012-10-25 2018-05-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． シリコーン中の量子ドットのためのｐｄｍｓ系配位子
KR101941173B1 (ko) 2012-12-04 2019-01-22 삼성전자주식회사 양이온성 금속 칼코게나이드 화합물로 표면안정화된 나노입자
US20140170786A1 (en) 2012-12-13 2014-06-19 Juanita N. Kurtin Ceramic composition having dispersion of nano-particles therein and methods of fabricating same
RU2540385C2 (ru) * 2013-06-17 2015-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") Способ получения полупроводниковых коллоидных квантовых точек сульфида кадмия
RU2539757C1 (ru) * 2013-07-04 2015-01-27 Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие" Способ формирования наноточек на поверхности кристалла
JP6242187B2 (ja) * 2013-11-25 2017-12-06 シャープ株式会社 半導体ナノ粒子蛍光体およびそれを用いた発光デバイス
KR101628065B1 (ko) * 2014-08-07 2016-06-08 주식회사 엘엠에스 발광 복합체, 이를 포함하는 조성물, 이의 경화물, 광학 시트, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
RU2607405C2 (ru) * 2015-03-06 2017-01-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет" Способ синтеза наночастиц полупроводников
RU2601451C1 (ru) * 2015-04-23 2016-11-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" Способ получения коллоидных полупроводниковых квантовых точек селенида цинка
KR101858318B1 (ko) 2015-08-05 2018-05-16 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 코어쉘 구조 양자점의 인시츄 플라즈마 합성 방법
KR102447531B1 (ko) 2015-08-05 2022-09-27 재단법인 철원플라즈마 산업기술연구원 단일 또는 다중 코어쉘 구조의 나이트라이드계 나노융합 구상체
US11341426B2 (en) 2015-11-27 2022-05-24 Photonic Inc. Systems, devices, and methods to interact with quantum information stored in spins
WO2018043238A1 (ja) * 2016-08-31 2018-03-08 富士フイルム株式会社 半導体ナノ粒子複合体の製造方法、半導体ナノ粒子複合体およびフィルム
RU2685669C1 (ru) * 2018-08-01 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Способ получения коллоидных квантовых точек селенида цинка в оболочке хитозана
RU2692929C1 (ru) * 2018-10-10 2019-06-28 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Способ коллоидного синтеза квантовых точек структуры ядро/многослойная оболочка

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070295266A1 (en) * 2004-12-13 2007-12-27 Nanosquare Co. Ltd. Method for Synthesizing Semiconductor Quantom Dots
CN101215467A (zh) * 2008-01-08 2008-07-09 上海大学 硅烷包裹ⅱ-ⅵ族半导体量子点的方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPP004497A0 (en) * 1997-10-28 1997-11-20 University Of Melbourne, The Stabilized particles
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US6179912B1 (en) 1999-12-20 2001-01-30 Biocrystal Ltd. Continuous flow process for production of semiconductor nanocrystals
JP3835135B2 (ja) * 2000-07-27 2006-10-18 三菱化学株式会社 アミノ基を結合してなる半導体超微粒子
CA2454355C (en) 2001-07-30 2011-05-10 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas High quality colloidal nanocrystals and methods of preparing the same in non-coordinating solvents
US7405002B2 (en) * 2004-08-04 2008-07-29 Agency For Science, Technology And Research Coated water-soluble nanoparticles comprising semiconductor core and silica coating
JP4565153B2 (ja) * 2004-11-19 2010-10-20 独立行政法人産業技術総合研究所 ナノ粒子の低温合成法
JP2006192533A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Commiss Energ Atom 有機コーティング層を有する無機ナノ結晶、それらの製造方法、および前記ナノ結晶により構成される材料
CN101208605A (zh) * 2005-05-04 2008-06-25 新加坡科技研究局 含有低分子量涂布剂的新型水溶性纳米晶及其制备方法
JP4568862B2 (ja) * 2006-04-14 2010-10-27 独立行政法人産業技術総合研究所 コアシェル型粒子及びその製造方法
KR100817853B1 (ko) * 2006-09-25 2008-03-31 재단법인서울대학교산학협력재단 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 이의 제조방법
US8632702B2 (en) * 2007-01-03 2014-01-21 Nanogram Corporation Silicon/germanium particle inks, doped particles, printing and processes for semiconductor applications
KR20100040959A (ko) * 2007-08-06 2010-04-21 에이전시 포 사이언스, 테크놀로지 앤드 리서치 카드뮴 및 셀레늄 함유 나노결정질 복합물의 제조 방법 및 이로부터 수득된 나노결정질 복합물
TWI372632B (en) * 2008-12-31 2012-09-21 Univ Chung Yuan Christian Tunable fluorescent gold nanocluster and method for forming the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070295266A1 (en) * 2004-12-13 2007-12-27 Nanosquare Co. Ltd. Method for Synthesizing Semiconductor Quantom Dots
CN101215467A (zh) * 2008-01-08 2008-07-09 上海大学 硅烷包裹ⅱ-ⅵ族半导体量子点的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2327815A4 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2570830C2 (ru) * 2014-04-17 2015-12-10 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского" Способ выделения и очистки квантовых точек, заключенных в оболочки оксида кремния

Also Published As

Publication number Publication date
US20110269297A1 (en) 2011-11-03
US8633040B2 (en) 2014-01-21
KR101329188B1 (ko) 2013-11-13
EP2327815A2 (de) 2011-06-01
EP2327815A4 (de) 2012-09-12
RU2381304C1 (ru) 2010-02-10
WO2010024724A2 (ru) 2010-03-04
JP5425201B2 (ja) 2014-02-26
JP2012500175A (ja) 2012-01-05
KR20110059855A (ko) 2011-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2010024724A3 (ru) Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек
WO2010129350A3 (en) Optical materials, optical, components, devices, and methods
Lim et al. InP@ ZnSeS, core@ composition gradient shell quantum dots with enhanced stability
Pechstedt et al. Photoluminescence of colloidal CdSe/ZnS quantum dots: the critical effect of water molecules
Chen et al. Synthesis of silica-based carbon dot/nanocrystal hybrids toward white LEDs
Tan et al. Single‐Layer Transition Metal Dichalcogenide Nanosheet‐Assisted Assembly of Aggregation‐Induced Emission Molecules to Form Organic Nanosheets with Enhanced Fluorescence
WO2008048303A3 (en) Group iii nitride articles and methods for making same
TW200704276A (en) Composite material, material for light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic device
WO2008128618A8 (en) Process for preparing substituted pentacenes
DE602006016171D1 (de) Verbesserte halbleiteranordnungen auf kohlenstoff-nanoröhrenbasis und verfahren zu ihrer herstellung
Kim et al. Bottom‐Up Synthesis of Carbon Quantum Dots With High Performance Photo‐and Electroluminescence
TW200737348A (en) Composition for forming insulating film and method for fabricating semiconductor device
WO2009011224A1 (ja) 金属酸化物半導体の製造方法、それにより得られた薄膜トランジスタ
WO2009020430A8 (en) Method of forming a cadmium containing nanocrystal
Terada et al. Orange–red Si quantum dot LEDs from recycled rice husks
Xing et al. Dramatically enhanced photoluminescence from femtosecond laser induced micro‐/nanostructures on MAPbBr3 single crystal surface
TW200735387A (en) InN/TiO2 photosensitized electrode
Liu et al. Efficiently improved photoluminescence in cesium lead halide perovskite nanocrystals by using bis (trifluoromethane) sulfonimide
ATE334938T1 (de) Verfahren zur herstellung von organohalogensilanen aus amorphem silizium
Park et al. Facile patterning of hybrid CdSe nanoparticle films by photoinduced surface defects
Ho et al. Nonthermal Plasma Synthesis of Gallium Nitride Nanoparticles: Implications for Optical and Electronic Applications
ATE460979T1 (de) Verfahren zur herstellung von nanoskaligen pulvern
Dong et al. Constructing Perovskite/Polymer Core/Shell Nanocrystals with Simultaneous High Efficiency and Stability for Mini-LED Backlights
SG158039A1 (en) Process for producing optical component
Lin et al. Liquid type nontoxic photoluminescent nanomaterials for high color quality white-light-emitting diode

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2011523766

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009810291

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117006374

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13060046

Country of ref document: US