WO2010001542A1 - 圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子 - Google Patents

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松岡誉幸
山際勝也
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    • H10N30/853Ceramic compositions
    • H10N30/8561Bismuth based oxides

Definitions

  • the present invention relates to a piezoelectric ceramic composition and a piezoelectric element using the same. More specifically, the present invention relates to a piezoelectric ceramic composition containing Na, Bi and Ti and not containing Pb, and a piezoelectric element using the same.
  • Piezoelectric ceramics that are currently practical and widely used are represented by lead titanate (hereinafter simply referred to as “PT”), lead zirconate titanate (hereinafter simply referred to as “PZT”), and the like. It is a lead piezoelectric ceramic.
  • PT lead titanate
  • PZT lead zirconate titanate
  • Pb lead
  • the environmental impact at each stage of manufacturing, during and after use has become an issue.
  • the piezoelectric ceramic has a Curie point, and the piezoelectricity disappears in a range exceeding the Curie point.
  • leaded piezoelectric ceramics have a Curie point of about 200 to 500 ° C., and therefore piezoelectric ceramics that can be used at higher temperatures are demanded.
  • a bismuth layered structure ferroelectric ⁇ (Na0.5Bi4.5Ti4O15) (hereinafter also simply referred to as “NBT”) ⁇ is known as a piezoelectric ceramic capable of meeting such requirements. Since NBT has a high Curie point of about 670 ° C. and higher than that of PT and PZT, it is expected as a lead-free piezoelectric ceramic that can be used at a high temperature exceeding 500 ° C.
  • the piezoelectric ceramics mainly composed of NBT are disclosed in the following patent documents 1 to 3 and non-patent documents 1 and 2.
  • the NBT has a high Curie point in the lead-free composition as described above, there is a problem that the piezoelectric strain constant (d constant) is small. That is, there is a problem that the amount of displacement with respect to the applied voltage is small and it is difficult to apply to a sensor (for example, a pressure sensor).
  • a material having crystal structure anisotropy such as NBT can generally improve the piezoelectric strain constant by performing an orientation treatment.
  • it is necessary to perform hot pressing or the like for the alignment treatment and there is a problem that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is high.
  • the present invention has been made in view of the above conventional technique, and an object thereof is to provide a piezoelectric ceramic composition having high heat resistance and a large piezoelectric strain constant, and a piezoelectric element using the same.
  • [1] contains Na, Bi, Ti, Cr and O
  • a, b, c and d represent molar ratios, 0.030 ⁇ a ⁇ 0.042, 0.330 ⁇ b ⁇ 0.370, 0.580 ⁇ c ⁇ 0.620, 0 ⁇ d.
  • a piezoelectric element comprising: a piezoelectric body made of the piezoelectric ceramic composition according to any one of [1] to [6] above; and at least a pair of electrodes in contact with the piezoelectric body.
  • a piezoelectric ceramic having a high Curie point and excellent heat resistance and a large piezoelectric strain constant can be obtained without containing lead. Furthermore, these piezoelectric characteristics can be obtained in a non-oriented state (a state in which the orientation of crystal grains is substantially absent). Further, in the above piezoelectric ceramic composition, a composition system containing Na, Bi, Ti, Cr and O was applied without substantially reducing the Curie point by making the Group 2 element substantially free. The effect of increasing the Curie point is surely brought.
  • substantially free means that the Group 2 element of the periodic table cannot be detected or identified even by X-ray fluorescence analysis (XRF). .
  • the piezoelectric ceramic composition when the Cr content in terms of CrO 3/2 is 1.00% by mass or less (more preferably 0.35% by mass or less), particularly excellent heat resistance and A piezoelectric ceramic having a piezoelectric strain constant can be obtained. According to the piezoelectric element of the present invention, it is possible to obtain piezoelectric characteristics that have excellent heat resistance due to a high Curie point and a large piezoelectric strain constant without containing lead.
  • Piezoelectric ceramic composition contains Na, Bi, Ti, Cr and O
  • a piezoelectric ceramic composition wherein the content ratio of the Na, Bi, Ti, and Cr in terms of oxides is within the following composition range (1).
  • the piezoelectric ceramic composition contains Na, Bi, Ti, Cr and O, and among these, the metal elements are Na 2 O, Bi 2 O 3 , TiO 2 and CrO 2/3 , respectively.
  • a, b, c, and d representing the molar ratio of each oxide satisfy the following relationships (3) to (7) at the same time.
  • the above “a” is the total content of Na, Bi, Ti and Cr contained in the piezoelectric ceramic composition, converted into oxides of Na 2 O, Bi 2 O 3 , TiO 2 and CrO 3/2 , respectively.
  • This “a” is 0.030 ⁇ a ⁇ 0.042.
  • “A” within the above range is preferable because the piezoelectric strain constant can be further increased.
  • the above “b” is the total content of Na, Bi, Ti and Cr contained in the present piezoelectric ceramic composition, converted into oxides of Na 2 O, Bi 2 O 3 , TiO 2 and CrO 3/2 , respectively.
  • This “b” is 0.330 ⁇ b ⁇ 0.370.
  • “B” within the above range is preferable because the piezoelectric strain constant can be further increased.
  • the above “c” is the total content of Na, Bi, Ti and Cr contained in the piezoelectric ceramic composition converted into oxides of Na 2 O, Bi 2 O 3 , TiO 2 and CrO 3/2 , respectively.
  • This “c” is 0.580 ⁇ c ⁇ 0.620.
  • “C” within the above range is preferable because the piezoelectric strain constant can be further increased.
  • the above “d” is the total content of Na, Bi, Ti and Cr contained in the piezoelectric ceramic composition, converted into respective oxides of Na 2 O, Bi 2 O3, TiO 2 and CrO 3/2 , respectively. Content ratio of CrO 3/2 with respect to ⁇ molar ratio, d / (a + b + c + d) ⁇ .
  • This “d” is 0 ⁇ d ⁇ 0.017.
  • the piezoelectric strain constant is particularly large, and excellent piezoelectric characteristics can be obtained.
  • d> 0.017 the piezoelectric strain constant tends to be small. This is presumably because the crystal strain of the bismuth layer structure ferroelectric becomes excessively large and the crystal structure itself becomes unstable.
  • the range of “d” is preferably 0 ⁇ d ⁇ 0.017, and more preferably 0 ⁇ d ⁇ 0.010.
  • the piezoelectric ceramic composition of the present invention preferably comprises a bismuth layered structure ferroelectric as a main crystal phase.
  • the bismuth layered structure ferroelectric in the present invention has a crystal structure in which [(Bi 2 O 2 ) 2+ ] and [(X m-1 Ti m O 3m + 1 ) 2- ] are alternately laminated in layers.
  • the bismuth layered structure ferroelectric ceramic is a Na 0.5 Bi 4.5 Ti 4 O 15 type crystal. Thereby, particularly excellent heat resistance and piezoelectric strain constant can be obtained.
  • the main crystal phase is substantially composed of a bismuth layer-structured ferroelectric material in an X-ray diffraction chart obtained by X-ray diffraction measurement of a piezoelectric ceramic composition as in Examples described later. Means. Further, it is particularly preferable that the crystal phase only be included.
  • the Cr content when the entire piezoelectric ceramic composition is 100% by mass is preferably greater than 0% by mass and equal to or less than 1.00% by mass when converted to CrO 3/2 . That is, when the CrO 3/2 equivalent content is MCr (mass%), 0 ⁇ MCr ⁇ 1.00. In this range, the piezoelectric strain constant is particularly large, and excellent piezoelectric characteristics can be obtained. When MCr> 1.00, the piezoelectric strain constant tends to be small. This is presumably because the crystal strain of the bismuth layer structure ferroelectric becomes excessively large and the crystal structure itself becomes unstable.
  • a ferroelectric material having a bismuth layer structure can be generated with extremely high efficiency by containing Cr in the composition having piezoelectric characteristics formed of Na, Bi, Ti and O.
  • a crystal represented by Na 0.5 Bi 4.5 Ti 4 O 15 (NBT) is generated, and an impurity phase that is easily formed during the generation of this crystal is generated. It is thought that the action which suppresses is especially strong. That is, for example, this impurity phase includes crystals of Bi 4 Ti 3 O 12 , Bi 0.5 Na 0.5 TiO 3, and the like.
  • the piezoelectric ceramic composition of the present invention can exhibit the above-described excellent heat resistance and excellent piezoelectric strain constant even when the orientation of crystal grains is non-oriented in the case of a polycrystal. .
  • the composition of the piezoelectric ceramic composition in the present invention is 0.030 ⁇ a ⁇ 0. From the viewpoint that a piezoelectric strain constant (d33) of 20 pC / N or more can be maintained even after heat treatment at 600 ° C. for 1 hour. 042, 0.330 ⁇ b ⁇ 0.370, 0.580 ⁇ c ⁇ 0.620, 0 ⁇ d ⁇ 0.017, and CrO 3/2 equivalent content MCr is preferably 0 ⁇ MCr ⁇ 0.70. .
  • the method for producing the piezoelectric ceramic composition of the present invention is not particularly limited, it is usually a mixed raw material powder (oxide, carbonate, bicarbonate, nitrate, etc.) containing each metal element so as to be in the composition range (1). ), And calcined at a temperature lower than the firing temperature, and then fired at a temperature of 1000 ° C. or higher (maximum temperature). More specifically, first, raw material powders of sodium carbonate as the Na source, bismuth oxide as the Bi source, titanium oxide as the Ti source, and chromium oxide as the Cr source are prepared.
  • each raw material powder is weighed so as to be in the composition range (1) and wet-mixed with a dispersion medium (such as ethanol) by a mixer (such as a ball mill) to obtain a slurry. Subsequently, the obtained slurry is dried to obtain the raw material mixed powder.
  • a dispersion medium such as ethanol
  • a mixer such as a ball mill
  • the obtained slurry is dried to obtain the raw material mixed powder.
  • the raw material which does not contain a Group 2 element as an impurity as little as possible, or does not contain at all shall be used.
  • the raw material mixed powder is calcined (for example, 600 ° C. to 1000 ° C., 10 minutes to 300 minutes in an air atmosphere) to obtain a calcined powder.
  • this calcined powder is further wet pulverized by a mixer (such as a ball mill) together with an organic binder (such as polyvinyl alcohol and polyvinyl butyral) and a dispersion medium (such as alcohols and ethers) to obtain a slurry. Thereafter, the obtained slurry is dried and then granulated to obtain a granulated powder.
  • a mixer such as a ball mill
  • an organic binder such as polyvinyl alcohol and polyvinyl butyral
  • a dispersion medium such as alcohols and ethers
  • the granulated powder is molded into a predetermined shape to obtain a molded body.
  • the molding conditions for this molding are not particularly limited, but it is preferable to perform uniaxial molding at about 30 MPa and then perform cold isostatic pressing (CIP) treatment at about 150 MPa. Then, the sintered compact which consists of the piezoelectric ceramic composition of this invention is obtained by baking the obtained molded object.
  • the piezoelectric element of the present invention includes a piezoelectric body made of the piezoelectric ceramic composition of the present invention and at least a pair of electrodes in contact with the piezoelectric body.
  • the above-mentioned “piezoelectric body” is a piezoelectric ceramic made of the piezoelectric ceramic composition of the present invention, and is a portion that exhibits piezoelectric characteristics in the piezoelectric element.
  • the shape and size of the piezoelectric body are not particularly limited, and it is preferable that the piezoelectric body be appropriately selected depending on the pressure-sensitive use and the oscillation use.
  • the planar shape may be various shapes such as a flat plate shape such as a square shape or a circular shape, a flat plate shape with a through hole provided in the central portion in the thickness direction, a prismatic shape, or a cylindrical shape.
  • the piezoelectric element of the present invention may be configured by laminating a plurality of piezoelectric bodies having these shapes.
  • the “pair of electrodes” is a conductor layer formed in contact with the surface of the piezoelectric body.
  • Each of the electrodes may be formed on one surface and the other surface when the piezoelectric body is plate-shaped, and each electrode may be formed on the same surface of the piezoelectric body.
  • the shape, size, material, and the like of the electrode are not particularly limited, and it is preferable that the electrode be appropriately selected depending on the size, application, and the like of the piezoelectric body.
  • the shape of the electrodes may be planar, and in particular, when each of the pair of electrodes is formed on the same surface of the piezoelectric body, it may be comb-shaped or half-moon shaped.
  • the method for forming this electrode is not particularly limited, but it is usually obtained by applying a conductive paste to a desired surface of a piezoelectric body and then baking it.
  • a piezoelectric element 200 is shown in FIG. 3 as an example of the piezoelectric element.
  • the piezoelectric element 200 is formed in a disk shape and has a through hole 130 in the center, and a conductor 100 is formed on the front and rear surfaces of the piezoelectric body 100 made of the piezoelectric ceramic composition of the present invention.
  • Layers 301 and 302 (a pair of electrodes).
  • the conductor layer is obtained by applying a conductive paste to a polished surface obtained by parallel polishing the surface of the sintered body made of the piezoelectric ceramic composition of the present invention, and baking it (for example, 600 to 800 ° C.). For 10 minutes).
  • the conductive paste can be prepared using glass frit, a conductive component, and an organic medium. By including the glass frit, the bonding strength between the piezoelectric body and the electrode can be improved.
  • the conductive component there can be used a powder made of a noble metal such as silver, gold, palladium, platinum, a mixed powder containing two or more of these powders, a powder made of an alloy of two or more kinds of noble metals, and the like.
  • powders made of copper, nickel, etc., or mixed powders thereof, and powders made of alloys of these metals can also be used.
  • the piezoelectric element of the present invention can obtain the piezoelectric characteristics by performing polarization treatment.
  • the polarization treatment is usually placed in an insulating environment maintained at a predetermined temperature (for example, in a highly insulating liquid (such as silicone oil or fluorinate liquid kept at 25 to 250 ° C.)), and 1 to This can be done by applying an electric field of 10 kV / mm for 1 to 60 minutes.
  • Example 1 As raw powders, sodium carbonate (Na 2 CO 3 , purity 99.53%), bismuth oxide (Bi 2 O 3 , purity 98.8%), titanium oxide (TiO 2 , purity 99.0%) and chromium oxide ( Cr 2 O 3 (purity 99.8%) was used, and each raw material powder was weighed so as to have a molar ratio shown in Table 1 below (Examples; Experimental Examples 2 to 6, Comparative Examples; Experimental Examples 1 and 7). Thereafter, the slurry obtained by wet mixing with ethanol for 15 hours in a ball mill was dried in hot water to obtain a raw material mixed powder.
  • the obtained pulverized raw material was calcined at 800 ° C. for 120 minutes to obtain a calcined powder, and further added with an organic binder and ethanol, and the slurry obtained by wet mixing with a ball mill for 15 hours was obtained. Dried and then granulated to obtain a granulated powder.
  • a powder in which a Group 2 element could not be detected or identified even when an ICP emission analysis was performed after obtaining a sintered body to be described later was used.
  • the obtained granulated powder was uniaxially pressed at a pressure of 30 MPa to obtain a disk-shaped molded body having a diameter of 20 mm and a thickness of 3 mm. Thereafter, the compact was subjected to cold isostatic pressing (CIP treatment) at a pressure of 150 MPa, and then fired at a firing temperature of 1150 ° C. for 120 minutes to obtain sintered bodies of Experimental Examples 1 to 7. .
  • CIP treatment cold isostatic pressing
  • each obtained sintered body was planar polished. Thereafter, a conductive paste prepared using glass frit (including SiO 2 , Al 2 O 3 , ZnO and TiO 2 ), silver powder and butyl carbitol acetate was applied to both the front and back polished surfaces of the molded body. A pair of electrodes was formed by baking at 700 ° C. for 20 minutes. Next, each element having an electrode on the surface of the sintered body was subjected to a polarization treatment by applying an electric field of 9 kV / mm for 30 minutes in an insulating oil at 150 ° C. Obtained.
  • the piezoelectric strain constant (d33) was measured, and after heat-treating it at 600 ° C. for 1 hour, the piezoelectric strain constant (d33) was measured again.
  • the piezoelectric strain constant (d33) was measured in accordance with EMAS-6100 by using an impedance analyzer (manufactured by Hewlett-Packard Co., model “4194A”) and standing in a thermostat holding the piezoelectric element at a temperature of 20 ° C. .
  • the obtained results are shown in Table 2.
  • the correlation between the Cr content and the piezoelectric strain constant before and after the heat treatment is shown as a graph in FIG.
  • ⁇ 33T / ⁇ 0 relative permittivity
  • Qm value mechanical quality factor
  • kt value electromechanical coupling factor
  • the maintenance ratio is 86 Very good at 7-90.7%. That is, it can be seen that the film has excellent heat resistance even at 600 ° C.
  • the piezoelectric ceramic compositions of Experimental Examples 2 to 6 were confirmed to be non-oriented. That is, it can be seen that the above-described various excellent characteristics are sufficiently exhibited even in a non-oriented state.
  • Example 2 Composition of the piezoelectric ceramic composition (piezoelectric element) of Experimental Example 2 of Example 1 and the piezoelectric ceramic composition (piezoelectric element) of Experimental Example 2 containing Group 2 metals Ba and Sr
  • Tc Curie point
  • d33 initial piezoelectric strain constant
  • d33 piezoelectric strain constant
  • the main component NBT is expressed as (Na 0.5 Bi 0.5 ) Bi 4 Ti 4 O 15 (Na 0.5 Bi). 0.5 ) was replaced with 25 mol% Ba, and the raw material powder was adjusted so that the raw material powder was adjusted to Experimental Example 8, and (Na 0.5 Bi 0.5 ) was replaced with 25 mol% Sr.
  • the Curie point (Curie temperature) Tc was measured using an impedance analyzer (type “4194A” manufactured by Hewlett-Packard Company) and an electric furnace. Further, in the same manner as in Example 1 described above, the piezoelectric strain constant (d33) at the initial stage (before heat treatment) of the piezoelectric element and the piezoelectric strain constant (d33) after heat treatment at 600 ° C. for 1 hour are used. Was measured. The obtained results are shown in Table 3. In addition, in the piezoelectric elements of Experimental Examples 8 and 9, when fluorescent X-ray analysis was separately performed on the portion of the sintered body, Ba and Sr components were detected.
  • the piezoelectric ceramic composition of the present invention and piezoelectric elements using the same are widely used for pressure detection applications, vibration detection applications, oscillation applications, piezoelectric device applications, and the like. More specifically, it is suitable as a piezoelectric transformer, a resonator, a combustion pressure sensor, a knocking sensor, a pressure sensor, an ultrasonic sensor, a load sensor, an ultrasonic motor, a piezoelectric gyro sensor, a piezoelectric vibrator and an actuator.
  • it has a high mechanical quality factor and good temperature dependence of the resonance frequency, so it can be used as a piezoelectric transformer and a resonator or in a high temperature part such as the vicinity of a combustion chamber of an automobile and can be used stably for a long period of time. It is suitable as a high-temperature sensor component such as a combustion pressure detection sensor.
  • Piezoelectric body made of a piezoelectric ceramic composition 130 Through-hole 200 Piezoelectric element 301, 302 Conductor layer (a pair of electrodes).

Abstract

高い耐熱性と大きな圧電歪定数とを有する圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子を提供する。本圧電磁器組成物は、Na、Bi、Ti及びCrの酸化物換算による含有比を「aNaO-bBi-cTiO-dCrO3/2」とした場合に、a、b、c及びdの各モル比は、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0<d≦0.017、a+b+c+d=1とする。特にビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とし、Na0.5Bi4.5Ti15型結晶を主結晶相とすることが好ましい。本圧電素子は本圧電磁器組成物からなる圧電体とこの圧電体と接する少なくとも一対の電極とを備える。

Description

圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子
 本発明は、圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子に関する。更に詳しくは、Na、Bi及びTiを含みPbを含まない圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子に関する。
 現在、実用的であり多く使用されている圧電磁器は、チタン酸鉛(以下、単に「PT」という)、チタン酸ジルコン酸鉛(以下、単に「PZT」という)等に代表されるように有鉛圧電磁器である。しかし、有鉛圧電磁器は鉛(Pb)成分を用いるために、その製造段階、使用中及び使用後の各段階における環境面への影響が課題となっており、鉛を含まない圧電磁器の開発が急がれている。
 また、圧電磁器にはキュリー点が存在し、このキュリー点を越える範囲では圧電性が消失してしまう。一般に、有鉛圧電磁器では、キュリー点が200~500℃程度であるため、更なる高温で使用可能な圧電磁器が求められている。
 このような要求に対応できる圧電磁器としてビスマス層状構造強誘電体{(Na0.5Bi4.5Ti4O15)(以下、単に「NBT」ともいう)}が知られている。NBTはキュリー点が約670℃と高く、PT及びPZTのキュリー点よりも高いことから、500℃を越える高温での使用が可能な無鉛圧電磁器として期待されている。このNBTを主体とする圧電磁器に関しては下記特許文献1~3及び非特許文献1、2に開示がある。
特開昭50-67492号公報 特開平11-29356号公報 特開2007-119269号公報 「Piezoelectricity in Ceramics of Ferroelectric Bismuth Compound with Layer Structure」 S.Ikegami and I.Ueda Japanese Journal of Applied Physics,13 (1974) p.1572-1577 「Grain-Oriented and Mn-Doped (NaBi) (1-x)/2CaxBi4Ti4O15 Ceramics for Piezo-and Pyrosensor Materials」 T.Takenaka and K.Sakata Sensor and Materials,1 (1988) p.35-46
 上記NBTは、前述のように無鉛組成において高いキュリー点を有するものの、圧電歪定数(d定数)が小さいという課題がある。即ち、印加電圧に対する変位量が小さくセンサ(例えば、感圧センサ)等への応用が困難であるという課題がある。
 また、NBTのような結晶構造異方性を有する材料については、一般に配向処理を施すことによって圧電歪定数を向上できることが知られている。しかし、配向処理にはホットプレス等を行なう必要があり、製造工程が複雑化し且つ製造コストがかかるという課題がある。
 本発明は、上記従来の技術に鑑みてなされたものであり、高い耐熱性と大きな圧電歪定数とを有する圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子を提供することを目的とする。
 即ち、本発明は、以下に示す通りである。
〔1〕Na、Bi、Ti、Cr及びOを含有し、
 Na、Bi、Ti及びCrの酸化物換算による含有比が下記組成範囲(1)内であることを特徴とする圧電磁器組成物。
  aNaO-bBi-cTiO-dCrO3/2  ・・・  (1)
(但し、a、b、c及びdは、モル比を表し、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0<d≦0.017、a+b+c+d=1である。)
〔2〕第2族元素が実質的に無含有である上記〔1〕記載の圧電磁器組成物。
〔3〕ビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とする上記〔1〕又は〔2〕に記載の圧電磁器組成物。
〔4〕Na0.5Bi4.5Ti15型結晶を主結晶相とする上記〔3〕に記載の圧電磁器組成物。
〔5〕本圧電磁器組成物全体を100質量%とした場合に、CrO3/2換算によるCrの含有量が1.00質量%以下である上記〔1〕乃至〔4〕のいずれか1つに記載の圧電磁器組成物。
〔6〕本圧電磁器組成物全体を100質量%とした場合に、CrO3/2換算によるCrの含有量が0.35質量%以下である上記〔1〕乃至〔4〕のいずれか1つに記載の圧電磁器組成物。
〔7〕上記〔1〕乃至〔6〕のいずれか1つに記載の圧電磁器組成物からなる圧電体と、該圧電体と接する少なくとも一対の電極と、を備えることを特徴とする圧電素子。
 本発明の圧電磁器組成物によれば、鉛を含有することなく、キュリー点が高く耐熱性に優れ且つ圧電歪定数が大きい圧電磁器を得ることができる。更に、これらの圧電特性を無配向(結晶粒子の配向性が実質的にない状態)で得ることができる。
 また、上記の圧電磁器組成物においては、第2族元素を実質的に無含有とすることで、キュリー点の低下がなく、Na、Bi、Ti、Cr及びOを含有する組成系を適用した際のキュリー点が高くなる効果が確実にもたらされる。また、圧電磁器組成物が高熱に晒された際にも、第2族元素を実質的に無含有とすることで、圧電歪定数(d33)の劣化の度合を実使用下で問題のない範囲内に抑えられるというメリットが得られる。なお、本発明において、「実質的に無含有」とは、蛍光X線分析(XRF ; X-ray fluorescence analysis)によっても周期表の第2族元素が検出ないし同定できないことを意味するものである。
 上記の圧電磁器組成物においては、ビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とする場合には、特に優れた耐熱性及び圧電歪定数を有する圧電磁器を得ることができる。
 また、上記の圧電磁器組成物においては、Na0.5Bi4.5Ti15型結晶を主結晶相とする場合には、特に優れた耐熱性及び圧電歪定数を有する圧電磁器を得ることができる。
 さらに、上記の圧電磁器組成物においては、CrO3/2換算によるCrの含有量が1.00質量%以下(より好ましくは0.35質量%以下)である場合は、特に優れた耐熱性及び圧電歪定数を有する圧電磁器を得ることができる。
 本発明の圧電素子によれば、鉛を含有することなく、高いキュリー点による優れた耐熱性を有すると共に大きな圧電歪定数を有する圧電特性が得られる。
[1]圧電磁器組成物
 本発明の圧電磁器組成物は、Na、Bi、Ti、Cr及びOを含有し、
 上記Na、Bi、Ti及びCrの酸化物換算による含有比が下記組成範囲(1)内であることを特徴とする圧電磁器組成物。
  aNaO-bBi-cTiO-dCrO3/2  ・・・  (1)
(但し、a、b、c及びdは、モル比を表し、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0<d≦0.017、a+b+c+d=1である。)
 即ち、換言すれば、本圧電磁器組成物は、Na、Bi、Ti、Cr及びOを含有し、このうち上記金属元素を各々NaO、Bi、TiO及びCrO2/3の各酸化物に換算して下記関係(2)で表した場合に、該各酸化物のモル比を表すa、b、c及びdが下記関係(3)~(7)を同時に満たす。
  aNaO-bBi-cTiO-dCrO2/3 ・・・ (2)
     0.030≦a≦0.042    ・・・ (3)
     0.330≦b≦0.370    ・・・ (4)
     0.580≦c≦0.620    ・・・ (5)
     0<d≦0.017        ・・・ (6)
     a+b+c+d=1        ・・・ (7)
 上記「a」は、本圧電磁器組成物に含まれたNa、Bi、Ti及びCrについて、各々NaO、Bi、TiO及びCrO3/2の各酸化物に換算した合計含有量に対するNaOの含有比{モル比であり、a/(a+b+c+d)}である。この「a」は、0.030≦a≦0.042である。「a」が上記範囲内では、圧電歪定数をより大きくできるため好ましい。
 上記「b」は、本圧電磁器組成物に含まれたNa、Bi、Ti及びCrについて、各々NaO、Bi、TiO及びCrO3/2の各酸化物に換算した合計含有量に対するBiの含有比{モル比であり、b/(a+b+c+d)}である。この「b」は、0.330≦b≦0.370である。「b」が上記範囲内では、圧電歪定数をより大きくできるため好ましい。
 上記「c」は、本圧電磁器組成物に含まれたNa、Bi、Ti及びCrについて、各々NaO、Bi、TiO及びCrO3/2の各酸化物に換算した合計含有量に対するTiOの含有比{モル比であり、c/(a+b+c+d)}である。この「c」は、0.580≦c≦0.620である。「c」が上記範囲内では、圧電歪定数をより大きくできるため好ましい。
 上記「d」は、本圧電磁器組成物に含まれたNa、Bi、Ti及びCrについて、各々NaO、BiO3、TiO及びCrO3/2の各酸化物に換算した合計含有量に対するCrO3/2の含有比{モル比であり、d/(a+b+c+d)}である。この「d」は、0<d≦0.017である。この範囲では、特に圧電歪定数が大きく、優れた圧電特性を得ることができる。尚、d>0.017となると圧電歪定数が小さくなる傾向にある。これはビスマス層状構造強誘電体の結晶の歪みが過度に大きくなり、結晶構造自体が不安定となるためと考えられる。この「d」の範囲は、0<d≦0.017とすることが好ましく、0<d≦0.010とすることがより好ましい。
 更に、本発明の圧電磁器組成物は、ビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とすることが好ましい。この本発明におけるビスマス層状構造強誘電体とは、[(Bi2+]と[(Xm-1Ti3m+12-]とが交互に層状に積層された結晶構造を有する化合物である。尚、式中のXはNa及びBiであり、m=1~8の整数である。更に、このビスマス層状構造強誘電体磁器はNa0.5Bi4.5Ti15型結晶であることがより好ましい。これにより特に優れた耐熱性及び圧電歪定数を得ることができる。
 尚、上記主結晶相とするとは、後述する実施例におけると同様に圧電磁器組成物のX線回折測定により得られるX線回折チャートにおいて実質的にビスマス層状構造強誘電体が主成分であることを意味する。更に、この結晶相のみからなることが特に好ましい。
 また、本圧電磁器組成物全体を100質量%とした場合のCrの含有量は、CrO3/2換算した場合に0質量%より大きく1.00質量%以下であることが好ましい。即ち、CrO3/2換算含有量をMCr(質量%)とした場合に、0<MCr≦1.00である。この範囲では、特に圧電歪定数が大きく、優れた圧電特性を得ることができる。尚、MCr>1.00となると圧電歪定数が小さくなる傾向にある。これはビスマス層状構造強誘電体の結晶の歪みが過度に大きくなり、結晶構造自体が不安定となるためと考えられる。このCrO3/2換算含有量は、0<MCr≦0.70とすることがより好ましく、0<MCr≦0.35とすることが特に好ましい。
 本発明では、Na、Bi、Ti及びOで形成される圧電特性を示す組成に対してCrを含有させることで、ビスマス層状構造強誘電体を極めて高効率で生成させることができる。特にビスマス層状構造強誘電体のなかでも、Na0.5Bi4.5Ti15(NBT)で示される結晶が生成されると共に、この結晶の生成の際に形成されやすい不純物相の生成を抑制する作用が特に強いものと考えられる。即ち、例えば、この不純物相としては、BiTi12、Bi0.5Na0.5TiO等の結晶が挙げられる。これらの不純物相の生成がCrの含有により極めて効果的に抑制されるために、結果的にビスマス層状構造強誘電体の生成比率が非常に高くなり、優れた圧電特性を示す圧電磁器が得られるものと考えられる。
 また、上記作用に加えて、Na、Bi、Ti及びOで形成される圧電特性を示す組成に対してCrを含有させた場合には、ビスマス層状構造強誘電体NBTを生成させると共に、このNBTの結晶構造に歪みを生じさせることによって、圧電歪定数を大きくすることができるものと考えられる。
 更に、本発明の圧電磁器組成物は、多結晶体である場合に結晶粒子の配向が無配向な状態であっても、前述の優れた耐熱特性及び優れた圧電歪定数を発揮させることができる。
 本発明における圧電磁器組成物の組成としては、600℃で1時間熱処理を行った後にも20pC/N以上の圧電歪定数(d33)を維持し得るという観点から、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0≦d≦0.017、CrO3/2換算含有量MCrが0<MCr≦0.70であることが好ましい。
 本発明の圧電磁器組成物を製造する方法は特に限定されないが、通常、前記組成範囲(1)となるように各金属元素を含む混合原料粉末(酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩等)を調合した後、焼成温度よりも低温にて仮焼した後、1000℃以上の温度(最高温度)で焼成して得られる。
 更に詳しくは、まず、原料粉末として、上記Na源として炭酸ナトリウム、上記Bi源として酸化ビスマス、上記Ti源として酸化チタン、上記Cr源として酸化クロムの各原料粉末を用意する。その後、各原料粉末が上記組成範囲(1)となるように秤量し、分散媒(エタノール等)と共に混合機(ボールミル等)により湿式混合を行って泥漿を得る。次いで、得られた泥漿を乾燥させて上記原料混合粉末が得られる。なお、原料粉末としては、不純物として第2族元素を極力少量しか含まない、あるいは、全く含まない原料を用いるものとする。
 その後、上記原料混合粉末を仮焼(例えば大気雰囲気中、600℃~1000℃、10分~300分)して仮焼粉末とする。次いで、この仮焼粉末を、有機バインダ(ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等)及び分散媒(アルコール類、エーテル類等)と共に混合機(ボールミル等)により更に湿式粉砕して泥漿を得る。その後、得られた泥漿を乾燥させた後、造粒して造粒粉末を得る。
 更に、上記造粒粉末を所定の形状に成形して成形体とする。この成形に際しての成形条件は特に限定されないが、30MPa程度で一軸成形した後、150MPa程度で冷間等方静水圧プレス(CIP)処理を施すことが好ましい。その後、得られた成形体を焼成することで本発明の圧電磁器組成物からなる焼結体が得られる。
[2]圧電素子
 本発明の圧電素子は、本発明の圧電磁器組成物からなる圧電体と、該圧電体と接する少なくとも一対の電極と、を備えることを特徴とする。
 上記「圧電体」は、本発明の圧電磁器組成物からなる圧電磁器であり、圧電素子内において圧電特性を発揮する部分である。この圧電体の形状及び大きさは特に限定されず、感圧用途及び発振用途等に応じて適宜のものとすることが好ましい。特に感圧用途では、平面形状が方形、円形等の平板状、中央部に厚さ方向に貫通孔が設けられた平板状、角柱状、円柱状等の種々の形状とすることができる。また、本発明の圧電素子は、これらの形状の圧電体が複数積層されて構成されていてもよい。
 上記「一対の電極」は、圧電体の表面に接して形成された導体層である。この電極の各々は、圧電体が板状である場合にはその一面と他面とに各々形成されていてもよく、各々の電極が圧電体の同一面に形成されていてもよい。また、電極の形状、大きさ及び材質等は特に限定されず、圧電体の大きさ及び用途等により適宜のものとすることが好ましい。この電極の形状は、平面状でもよく、特に一対の電極の各々を圧電体の同一面に形成する場合は櫛歯状や半月状とすることもできる。この電極の形成方法も特に限定されないが、通常、導電性ペーストを圧電体の所望の表面に塗布した後、焼き付けて得られる。
 ここで、圧電素子の一例として、圧電素子200を図3に示す。この圧電素子200は、円板状に形成されるとともに、中央部に貫通孔130を有し、本発明の圧電磁器組成物からなる圧電体100と、この圧電体100の表裏面の各々に導体層301、302(一対の電極)とを備える。
 上記導体層は、例えば、前記本発明の圧電磁器組成物からなる焼結体の表面を平行研磨して得られる研磨面に導電性ペーストを塗布し、これを焼き付けて(例えば、600~800℃で10分間)形成できる。導電性ペーストは、ガラスフリットと、導電成分と、有機媒体とを用いて調製できる。ガラスフリットを含むことで圧電体と電極との接合強度を向上させることができる。
 上記導電成分としては、銀、金、パラジウム、白金等の貴金属からなる粉末、これらの粉末の2種以上を含む混合粉末、2種以上の貴金属の合金からなる粉末等を使用することができる。その他、銅、ニッケル等からなる粉末、又はこれらの混合粉末、及びこれらの金属の合金からなる粉末等を用いることもできる。
 更に、本発明の圧電素子は、分極処理を行うことで前記圧電特性を得ることができる。分極処理は、通常、所定の温度に保持された絶縁環境下{例えば、絶縁性の高い液体(25~250℃に保温されたシリコーンオイル又はフロリナート液等)中}に置き、電極間に1~10kV/mmの電界を1~60分間加えることで行うことができる。
 以下、実施例により、本発明を詳しく説明する。
(実施例1)
 原料粉末として、炭酸ナトリウム(NaCO、純度99.53%)、酸化ビスマス(Bi、純度98.8%)、酸化チタン(TiO、純度99.0%)及び酸化クロム(Cr、純度99.8%)を用い、下記表1(実施例;実験例2~6、比較例;実験例1及び7)に示すモル比となるように各原料粉末を秤量した後、ボールミルにてエタノールと共に15時間湿式混合して得られた泥漿を湯煎乾燥して原料混合粉末を得た。その後、得られた原料粉砕物を、800℃で120分間仮焼し、仮焼粉末とした後、更に有機バインダとエタノールとを加え、ボールミルにより15時間の湿式混合を行って得られた泥漿を乾燥し、次いで、造粒して造粒粉末を得た。なお、上記の各原料粉末においては、後述する焼結体を得た後に、ICP発光分析を行った場合にも、第2族元素が検出ないし同定できない粉末を用いた。
 得られた造粒粉末を30MPaの圧力で一軸加圧成形を行って、直径20mm、厚み3mmの円板形状の成形体とした。その後、この成形体に150MPaの圧力で冷間等方静水圧プレス処理(CIP処理)を行った後、焼成温度1150℃で120分間焼成して、実験例1~7の焼結体を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 得られた各焼結体の表裏面を平面研磨した。その後、ガラスフリット(SiO、Al、ZnO及びTiOを含む)、銀粉末及びブチルカルビトールアセテートを用いて調製した導電性ペーストを、上記成形体の表裏両方の研磨面に塗布し、700℃で20分間焼き付けて一対の電極が形成された。次いで、焼結体表面に電極を有する各素子を150℃の絶縁オイル中で、9kV/mmの電界を30分間加えて分極処理を行い、実施例1~7の各圧電体を備える圧電素子を得た。
 得られた各圧電素子について、圧電歪定数(d33)を測定すると共に、これを600℃、1時間の条件で熱処理した後、再び圧電歪定数(d33)を測定した。圧電歪定数(d33)の測定は、EMAS-6100に従い、インピーダンスアナライザ(ヒューレットパッカード社製、形式「4194A」)を用いて、圧電素子を温度20℃に保持した恒温槽に静置して行った。得られた結果を表2に示した。更に、Crの含有量と熱処理前後の圧電歪定数との相関を図2にグラフとして示した。
 更に、得られた各圧電素子について、ε33T/ε0(比誘電率)(1kHzにおける静電容量の値から算出)、Qm値(機械的品質係数)及びkt値(電気機械結合係数)についても測定を行った。これらの各値の測定は“日本電子材料工業会標準規格 圧電セラミック振動子の電気的試験方法 EMAS-6100”による。
 また、圧電素子に用いた圧電磁器組成物の組成と結晶相を確認するために、各圧電磁器組成物と同じ焼結体を用い、蛍光X線分析による組成分析と、X線回折測定による結晶相の同定を行った。上記蛍光X線分析は、蛍光X線分析装置(株式会社リガク製、形式「ZSX100e」)を用いて行い、X線回折測定は、X線回折装置(株式会社リガク製、形式「RU-200T」)を用いて行った。得られた結果を表2に併記すると共に、実験例1及び実験例3のX線回折チャートを図1に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 表1及び表2の結果より、Crが含有されていない実験例1では、d33が12.9pC/Nと小さく、また、Qm値も1300と小さく、kt値も10.0%と小さかった(加熱前のd33が小さい値であったため、実験例1では熱処理を行わなかった)。更に、この実験例1のX線回折測定の結果、副結晶相が認められた。また、Crに換えてCoが含有された実験例7では、d33は30pC/N、kt値が27.0%といずれも非常に良好であるものの、Qm値は1500と小さかった。
 一方、本発明の実施例である実験例2~6は、d33は30~33.3pC/Nと極めて大きく、kt値は27.8~35.1%と非常に良好であり、尚かつ、Qm値は2800~4800と非常に大きいことが分かる。更に、これらの実験例2~6では、X線回折測定の結果、副結晶相は認められず、Na0.5Bi4.5Ti15で示されるビスマス層状構造強誘電体が認められた。
 更に、実験例2~3及び実験例5~6についての600℃もの高温における熱処理後のd33値であっても26.0~30.2pC/Nと非常に良好であり、その維持率は86.7~90.7%と極めて良好である。即ち、600℃においても優れた耐熱性を有することが分かる。
 加えて、実験例2~6の圧電磁器組成物について無配向であることが確認された。即ち、上記優れた各種特性はいずれも無配向な状態であっても十分に発揮されていることが分かる。
(実施例2)
 実施例1の実験例2の圧電磁器組成物(圧電素子)と、この実験例2の圧電磁器組成物(圧電素子)に対して第2族金属であるBa,Srを含有させたときの組成(比較例)とについて、それぞれキュリー点(Tc)と、初期(換言すれば、熱処理前)の圧電歪定数(d33)と、600℃、1時間の熱処理した後の圧電歪定数(d33)を測定した。
 なお、実験例2の圧電磁器組成物をなす原料粉末は、上記の実施例1と同様のものである。また、実験例2の圧電磁器組成物の組成をベースにしつつ、主成分をなすNBTを(Na0.5Bi0.5)BiTi15と表したときに(Na0.5Bi0.5)が25mol%Baに置換されるように原料粉末を調整したものを実験例8、(Na0.5Bi0.5)が25mol%Srに置換されるように原料粉末を調整したものを実験例9として、それぞれ準備した。
 そして、これらの原料粉末を用いて、実施例1と同様の手順で調製し、それぞれの圧電素子を得た。
 得られた圧電素子(各試料)について、インピーダンスアナライザ(ヒューレットパッカード社製、形式「4194A」)と電気炉とを用いてキュリー点(キュリー温度)Tcを測定した。また、上述した実施例1と同様の手法にて、圧電素子の初期(熱処理前)の圧電歪定数(d33)と、600℃、1時間の条件で熱処理した後の圧電歪定数(d33)とを測定した。得られた結果を表3に示す。なお、実験例8,9の圧電素子においては、焼結体の部位に対して別途に蛍光X線分析を行ったところ、Ba,Srの成分が検出された。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 表3から、第2族元素であるBa,Srを含有する実験例8,9(比較例)では、キュリー点Tcが600℃未満と低い値を示した。また、熱処理前後での圧電歪定数(d33)の劣化の度合について検討すると、実験例2の圧電磁器組成物(圧電素子)では、実使用で問題のない範囲内での若干の劣化しかみられなかったが、実験例8,9では大きく劣化することが認められた。
 この結果から、前記組成範囲(1)となるように、Na、Bi、Ti、Cr及びOを含む本発明の圧電磁器組成物において、第2族元素を実質的に無含有とすることで、キュリー点の低下を招くことなく、圧電歪定数(d33)の劣化の度合が小さく抑えられることが分かった。
 本発明は、上記した実施例に限定されず、本発明の技術的思想と範囲に含まれる様々な変形及び均等物に及ぶことはいうまでもない。
 本発明の圧電磁器組成物及びこれを用いた圧電素子は、圧力検知用途、振動検知用途、発振用途及び圧電デバイス用途等に広く用いられる。更に具体的には、圧電トランス、レゾネーター、燃焼圧センサ、ノッキングセンサ、感圧センサ、超音波センサ、荷重センサ、超音波モータ、圧電ジャイロセンサ、圧電振動子及びアクチュエータ等として好適である。なかでも、高い機械的品質係数及び良好な共振周波数の温度依存性を有することから圧電トランス及びレゾネーターとしてや、自動車の燃焼室近傍等の高温部においても感度が高く且つ長期間安定して使用できる燃焼圧検出センサ等の高温用センサ部品として好適である。
実験例1及び実験例3の圧電磁器組成物のX線回折測定の結果を示す多重チャート図である。 圧電磁器組成物に含まれるCrの含有量と圧電歪定数(d33)との相関を示すグラフである。 本発明の圧電素子の一例を示す斜視図である。
 100 圧電磁器組成物からなる圧電体
 130 貫通孔
 200 圧電素子
 301,302 導体層(一対の電極)。

Claims (7)

  1.  Na、Bi、Ti、Cr及びOを含み、
     Na、Bi、Ti及びCrの酸化物換算による含有比が下記組成範囲(1)内であることを特徴とする圧電磁器組成物。
      aNaO-bBi-cTiO-dCrO3/2  ・・・  (1)
    (但し、a、b、c及びdは、モル比を表し、0.030≦a≦0.042、0.330≦b≦0.370、0.580≦c≦0.620、0<d≦0.017、a+b+c+d=1である。)
  2.  請求項1に記載の圧電磁器組成物であって、
     第2族元素が実質的に無含有であることを特徴とする圧電磁器組成物。
  3.  請求項1又は請求項2に記載の圧電磁器組成物であって、
     ビスマス層状構造強誘電体を主結晶相とする圧電磁器組成物。
  4.  請求項3に記載の圧電磁器組成物であって、
     Na0.5Bi4.5Ti15型結晶を主結晶相とする圧電磁器組成物。
  5.  請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の圧電磁器組成物であって、
     本圧電磁器組成物全体を100質量%とした場合に、CrO3/2換算によるCrの含有量が1.00質量%以下である圧電磁器組成物。
  6.  請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の圧電磁器組成物であって、
     本圧電磁器組成物全体を100質量%とした場合に、CrO3/2換算によるCrの含有量が0.35質量%以下である圧電磁器組成物。
  7.  請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の圧電磁器組成物からなる圧電体と、該圧電体と接する少なくとも一対の電極と、を備えることを特徴とする圧電素子。
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