WO2009139222A1 - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents

太陽電池および太陽電池の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2009139222A1
WO2009139222A1 PCT/JP2009/054731 JP2009054731W WO2009139222A1 WO 2009139222 A1 WO2009139222 A1 WO 2009139222A1 JP 2009054731 W JP2009054731 W JP 2009054731W WO 2009139222 A1 WO2009139222 A1 WO 2009139222A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
silver
electrode
solar cell
aluminum
paste
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/054731
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
山本　真也
田中　聡
町田　智弘
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to EP09746429A priority Critical patent/EP2284902A1/en
Priority to KR1020107027803A priority patent/KR101250139B1/ko
Priority to JP2010511915A priority patent/JPWO2009139222A1/ja
Priority to CN2009801175049A priority patent/CN102027600B/zh
Priority to US12/991,065 priority patent/US20110056554A1/en
Publication of WO2009139222A1 publication Critical patent/WO2009139222A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Definitions

  • the present invention relates to a solar cell and a method for manufacturing a solar cell, and more particularly to a solar cell and a method for manufacturing a solar cell that can improve the electrical characteristics and reliability of a solar cell module while suppressing manufacturing costs.
  • FIG. 9 shows a schematic cross-sectional view of a conventional general solar cell.
  • an n + layer 12 is formed on the light receiving surface of a p-type silicon substrate 11, and an antireflection film 13 and silver are formed on the n + layer 12.
  • Electrode 16 is formed.
  • a p + layer 17 is formed on a part of the back surface of the silicon substrate 11, and an aluminum electrode 15 is formed on the p + layer 17.
  • a silver electrode 14 is formed in a region other than the p + layer 17 on the back surface of the silicon substrate 11.
  • FIG. 10 shows a flowchart of an example of a method for manufacturing a conventional solar cell having the configuration shown in FIG.
  • a p-type silicon substrate 11 is prepared.
  • the damage layer is removed by etching the surface of the silicon substrate 11.
  • an n + layer 12 is formed by diffusing an n-type dopant on the light receiving surface which is one surface of the silicon substrate 11, and an antireflection film 13 is formed on the n + layer 12. To do.
  • step S4 a silver paste is printed on the back surface opposite to the light receiving surface of the silicon substrate 11 by a screen printing method and dried at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C.
  • step S5 the aluminum paste is printed by screen printing on almost all of the portions other than the silver paste printed portion on the back surface of the silicon substrate 11, and dried at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C. At this time, the aluminum paste is printed so as to overlap a part of the silver paste.
  • step S6 a silver paste is printed on the antireflection film 13 on the light receiving surface of the silicon substrate 11 in a pattern by screen printing, and then dried at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C.
  • step S7 the silver paste on the light receiving surface side of the silicon substrate 11 and the silver paste and aluminum paste on the back surface side are baked at 700 to 750 ° C., so that the silver electrode is formed on the light receiving surface side of the silicon substrate 11. 16 is formed, and a silver electrode 14 and an aluminum electrode 15 are formed on the back surface of the silicon substrate 11.
  • the aluminum paste acts as a p-type dopant during the above baking, so that the p + layer 17 is also formed on the back surface of the silicon substrate 11 and greatly contributes to the improvement of the electrical characteristics of the solar cell.
  • the conventional solar cell having the configuration shown in FIG. 9 is completed.
  • FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of a solar cell with an interconnector formed by connecting an interconnector to the conventional solar cell having the configuration shown in FIG. 9 manufactured as described above.
  • the solar cell with an interconnector configured as shown in FIG. 11 is prepared by preparing a plurality of conventional solar cells manufactured as described above, and one end of the interconnector 18 on the silver electrode 16 on the light receiving surface side of the solar cell. And the other end of the interconnector 18 is set on the silver electrode 14 on the back side of another solar cell, and the flux is applied to the interconnector 18, the silver electrode 14, and the silver electrode 16, and these are kept in close contact with each other. It can be formed by heating.
  • a solar cell module is manufactured by connecting the solar cells with interconnectors in series or in parallel.
  • the electrical characteristics of solar cells and solar cell modules are often attributed to the number of electrical resistance components.
  • the fill factor (F.F.) is the composition of the silver paste that is the precursor of the silver electrode formed on each side of the solar cell, the composition of the aluminum paste that is the precursor of the aluminum electrode, or a combination thereof, Is largely due to the large number of electrical resistance components based on the electrical connection between the silver electrode and the interconnector, among which the composition and properties of the silver paste are very large.
  • Silver paste is generally composed of silver particles, glass components such as glass frit, organic binders such as resins and vehicles, other inorganic additives and organic solvents.
  • the composition of the silver paste printed on each of the light-receiving surface and the back surface of the silicon substrate has many similarities, such as making it possible to utilize a screen printing method with excellent mass productivity. Due to the difference, the silver paste printed on the light receiving surface of the silicon substrate and the silver paste printed on the back surface have different compositions.
  • the mixing ratio of the silver particles is simply increased.
  • the compounding ratio of the glass component in the silver paste is reduced, and if the tendency becomes excessive, the adhesive strength between the silicon substrate and the silver electrode is deteriorated.
  • the material cost increases as the blending ratio of silver particles increases.
  • the glass component in the silver paste tends to localize near the electrode surface through the baking process as described above, and the localization of the glass component on the electrode surface on the light receiving surface side of the silicon substrate is silicon. Although it works to improve the adhesive strength between the substrate and the silver electrode, the localization of the glass component on the electrode surface on the opposite side of the silicon substrate tends to deteriorate the ability to attach the interconnector to the silver electrode, which is a subsequent process. To work.
  • reducing the compounding ratio of the glass component in the silver paste generally works in the direction of improving the mountability of the interconnector, but also works in the direction of reducing the adhesive strength between the silicon substrate and the silver electrode.
  • increasing the compounding ratio of the glass component in the silver paste works to improve the adhesive strength between the silicon substrate and the silver electrode, but also works to worsen the attachment property of the interconnector.
  • the silver paste and the aluminum paste each contain a glass component.
  • the properties of the glass component such as the composition and the softening point, are adaptable to solar cells by evaluating the silver paste or the aluminum paste. Have been determined (Japanese Patent Laid-Open Nos. 2001-127317 and 2006-351530). From such circumstances, the glass components of the silver paste and the aluminum paste are not correlated with each other, often have different compositions and properties, and the electrical resistance of the back surface of the solar cell in which silver electrodes and aluminum electrodes are mixed It was a contributing factor to the increase.
  • an object of the present invention is to provide a solar cell and a method for manufacturing a solar cell that can improve the electrical characteristics and reliability of the solar cell module while suppressing the manufacturing cost. is there.
  • the present invention comprises a semiconductor substrate having a pn junction, a silver electrode and an aluminum electrode on the back surface of the semiconductor substrate, an overlapping region in which the silver electrode and the aluminum electrode overlap, and a glass component contained in the silver electrode
  • the glass softening point temperature of the solar cell is equal to or higher than the glass softening point temperature of the glass component contained in the aluminum electrode.
  • the present invention is a method for manufacturing the above-described solar cell, the step of applying a silver paste as a silver electrode precursor on the back surface of the semiconductor substrate, and the aluminum electrode precursor on the back surface of the semiconductor substrate. Including a step of applying an aluminum paste and a step of firing the silver paste and the aluminum paste, and the glass softening point temperature of the glass component contained in the silver paste is equal to or higher than the glass softening point temperature of the glass component contained in the aluminum paste. It is a manufacturing method of a solar cell.
  • the present invention it is possible to provide a solar cell and a method for manufacturing the solar cell that can improve the electrical characteristics and reliability of the solar cell module while suppressing the manufacturing cost.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view illustrating another part of the manufacturing process of the example of the method for manufacturing the solar cell having the configuration shown in FIG. 1.
  • It is typical sectional drawing of the conventional common solar cell.
  • It is a flowchart of an example of the manufacturing method of the conventional solar cell of the structure shown in FIG.
  • It is typical sectional drawing of the solar cell with an interconnector formed by connecting an interconnector to the conventional solar cell of the structure shown in FIG.
  • the same reference numerals represent the same or corresponding parts.
  • the surface of the semiconductor substrate on which sunlight mainly enters is the light receiving surface
  • the surface of the semiconductor substrate opposite to the light receiving surface is the back surface.
  • FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of an example of the solar cell of the present invention.
  • the solar cell having the configuration shown in FIG. 1 has an n + layer 2 formed on the light receiving surface of a semiconductor substrate 1 made of, for example, a p-type silicon substrate, and a back surface opposite to the light receiving surface of the semiconductor substrate 1.
  • the p + layer 7 is formed in the part.
  • the semiconductor substrate 1 is p-type and the n + layer 2 is n-type
  • the interface between the p-type internal region of the semiconductor substrate 1 and the n-type n + layer 2 is pn.
  • it is a junction (a junction between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor), the present invention is not limited to this configuration.
  • An antireflection film 3 and a silver electrode 6 are formed on the n + layer 2 on the light receiving surface of the semiconductor substrate 1, and an aluminum electrode 5 is formed on the p + layer 7 on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • a silver electrode 4 is formed in a region where the p + layer 7 is not formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • an overlapping region 9 which is a region where the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5 overlap, is formed on the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • FIG. 2 is a schematic plan view of the back surface of the solar cell having the configuration shown in FIG.
  • the aluminum electrode 5 is formed on almost the entire back surface of the semiconductor substrate 1 of the solar cell, and the silver electrode 4 is formed in an island shape.
  • the overlapping region 9 is formed in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the silver electrode 4.
  • the silver electrode 4 on the back surface of the semiconductor substrate 1 is formed by firing a silver paste containing silver particles and a glass component
  • the aluminum electrode 5 includes aluminum particles and a glass component. Since the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5 each contain a glass component such as a glass frit because it is formed by firing the aluminum paste containing the glass, the glass contained in the silver electrode 4 is used in the present invention.
  • the glass softening point temperature of the component is equal to or higher than the glass softening point temperature of the glass component contained in the aluminum electrode 5 (that is, the glass softening point temperature of the glass component contained in the silver electrode 4 is the glass contained in the aluminum electrode 5)
  • the glass softening point temperature of the component is the same or higher).
  • an overlapping region 9 which is a region where the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5 are overlapped on the back surface of the solar cell is indispensable for taking electrical contact between the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5.
  • an alloy mainly containing silver and aluminum is formed through a high temperature in the firing step, and the alloy works as an electrical resistance component.
  • the F. of the solar cell is increased due to the increase of the electric resistance component.
  • F. the mixing ratio of the silver particles in the silver paste can be reduced.
  • the electrical resistance in the overlapping region 9 can be reduced without increasing it, and the electrical characteristics and reliability of the solar cell module after attachment of the interconnector can be made excellent.
  • the increase in the blending ratio of silver particles in the silver paste can be suppressed, the amount of expensive silver particles used can be suppressed, and the manufacturing cost of the solar cell and solar cell module can also be suppressed.
  • a semiconductor substrate 1 is prepared.
  • a p-type silicon substrate is used as the semiconductor substrate 1, but it goes without saying that the semiconductor substrate used in the present invention is not limited to a p-type silicon substrate.
  • an n + layer 2 is formed on one surface of the semiconductor substrate 1.
  • the n + layer 2 can be formed, for example, by thermally diffusing an n-type dopant such as phosphorus.
  • an antireflection film 3 is formed on the n + layer 2 of the semiconductor substrate 1.
  • the antireflection film 3 for example, a silicon nitride film or the like can be used, and for example, it can be formed by a plasma CVD method or the like.
  • a silver paste 4a is applied to the surface of the semiconductor substrate 1 opposite to the side where the n + layer 2 is formed.
  • the silver paste 4a can be applied by, for example, a screen printing method.
  • the silver paste 4a for example, a paste containing silver particles, a glass component, an organic binder, and an organic solvent can be used.
  • the glass softening point temperature of the glass component contained in the silver paste 4a shall be more than the glass softening point temperature of the glass component contained in the aluminum paste 5a mentioned later.
  • the silver particles are not particularly limited, and for example, those known in the solar cell field can be used.
  • examples of the shape of the silver particles include a spherical shape, a flake shape, and a needle shape.
  • the average particle size of the silver particles is preferably 0.05 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less, and more preferably 0.1 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less from the viewpoint of improving workability.
  • the average particle size of the silver particles means an average value of the particle diameter when the shape of the silver particles is spherical, and when the shape of the silver particles is flake shaped or needle shaped, It means the average value of the major axis (the longest length of line segments connecting any two points on the outer surface of the silver particle).
  • the glass component is not particularly limited as long as it has a glass softening point temperature equal to or higher than the glass softening point temperature of the glass component contained in the aluminum paste 5a described later.
  • Conventionally known glass frit and the like can be used.
  • the glass component of the silver paste 4a a glass component having a glass softening point temperature of 650 ° C. or lower is preferably used, and a glass component having a glass softening point temperature of 600 ° C. or lower is more preferably used.
  • the glass softening point temperature of the glass component of the silver paste 4a is 650 ° C. or lower, particularly when it is 600 ° C. or lower, the attachment property between the silver electrode after firing and the interconnector described later tends to be improved. The electric characteristics and reliability of the solar cell module tend to be improved.
  • the glass softening point temperature means a softening point measured according to the standard of “viscosity and viscosity fixed point of glass—part 1: measurement method of softening point” of JIS R3103-01: 2001. To do.
  • the organic binder is not particularly limited, and conventionally known ones can be used.
  • a cellulose resin such as ethyl cellulose and nitrocellulose and a (meth) acrylic resin such as polymethyl acrylate and polymethyl methacrylate are used.
  • a (meth) acrylic resin such as polymethyl acrylate and polymethyl methacrylate are used.
  • One type can be used.
  • the organic solvent is not particularly limited and conventionally known ones can be used.
  • alcohols such as terpineol ( ⁇ -terpineol, ⁇ -terpineol, etc.) and hydroxy group-containing esters (2,2,4- At least one ester such as trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate, butyl carbitol acetate and the like can be used.
  • the silver paste 4a may contain components other than the silver particles, the glass component, the organic binder, and the organic solvent.
  • an aluminum paste 5a is applied to the surface of the semiconductor substrate 1 on the side where the silver paste 4a is applied so as to overlap a part of the silver paste 4a.
  • the application of the aluminum paste 5a can be performed, for example, by a screen printing method or the like. Further, the aluminum paste 5a is applied so that a part thereof overlaps the silver paste 4a.
  • the aluminum paste 5a for example, a paste containing aluminum particles, a glass component, an organic binder, and an organic solvent can be used.
  • the aluminum particles are not particularly limited, and for example, those known in the solar cell field can be used.
  • examples of the shape of the aluminum particles include a spherical shape, a flake shape, and a needle shape.
  • the average particle size of the aluminum particles is preferably 2 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less from the viewpoint of ensuring the reactivity with the semiconductor substrate 1 made of a p-type silicon substrate, the applicability of the aluminum paste 5a, and the application uniformity.
  • the average particle size of the aluminum particles means the average value of the particle diameter when the shape of the aluminum particles is spherical, and when the shape of the aluminum particles is flake shaped or needle shaped, It means the average value of the long diameter (the longest length among the line segments connecting any two points on the outer surface of the aluminum particles).
  • the explanation about the glass component, the organic binder and the organic solvent in the aluminum paste 5a is the same as the explanation for the silver paste 4a.
  • the aluminum paste 5a may also contain components other than the above-mentioned aluminum paste particles, glass component, organic binder and organic solvent.
  • a silver paste 6 a is applied on the antireflection film 3 of the semiconductor substrate 1.
  • the silver paste 6a can be applied by, for example, a screen printing method.
  • the silver paste 6a for example, a paste containing silver particles, a glass component, an organic binder, and an organic solvent can be used.
  • the description of the silver particles, the glass component, the organic binder, and the organic solvent in the silver paste 6a is the same as that in the above-described silver paste 4a.
  • the silver paste 6a may also contain components other than the silver particles, glass component, organic binder, and organic solvent.
  • the silver paste 4a, the aluminum paste 5a, and the silver paste 6a are applied in this order, but needless to say, the order is not limited.
  • the silver paste 6a applied to one surface of the semiconductor substrate 1, and the silver paste 4a and aluminum paste 5a applied to the other surface are fired.
  • the silver paste 6a is fired through the antireflection film 3 to come into contact with the n + layer 2 to form the silver electrode 6 shown in FIG. 1, and the silver paste 4a and the aluminum paste 5a are respectively shown in FIG.
  • the aluminum electrode 5 is formed.
  • the solar cell having the configuration shown in FIG. 1 can be manufactured.
  • the silver paste 6a on one surface of the semiconductor substrate 1 and the silver paste 4a and the aluminum paste 5a on the other surface may be fired at the same time, or some of them may be fired at the same time, and fired separately. May be.
  • the firing order is not particularly limited.
  • the conventional firing conditions are, for example, a peak temperature of about 600 ° C./about 3 mm / second, but the recent firing conditions have been increased to, for example, a peak temperature of about 750 ° C./about 5 mm / second.
  • the glass component can be completely melted.
  • the glass component contained in the silver paste when fired, the glass component has the property of being localized near the surface of the silver paste.
  • the glass component when a silver paste containing a glass component having a high softening point is baked under the recent baking conditions such as the above peak temperature of 750 ° C., the glass component slowly precipitates on the surface of the silver paste. Therefore, it does not become a complete film shape but is deposited in a partial film shape or spot shape.
  • the contact between the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5 in the overlapping region 9 is less likely to be hindered by the glass component, and more direct contact is made. Therefore, the contact resistance between the silver electrode 4 and the aluminum electrode 5 can be reduced, and the electrical characteristics and reliability of the solar cell module can be improved.
  • ⁇ Production of Solar Cells of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4> about 50 ⁇ / ⁇ is obtained by thermal diffusion using phosphorus as an n-type dopant at about 800 ° C. to 900 ° C. on one surface of a p-type silicon substrate having a square surface with a thickness of 180 ⁇ m and a side of 156 mm etched with acid.
  • An n + layer having a sheet resistance value of 5 nm was formed, and a silicon nitride film having a thickness of about 70 to 100 nm was formed as an antireflection film on the n + layer by plasma CVD.
  • silver pastes were prepared by blending spherical silver particles having an average particle size of 0.4 ⁇ m so as to be the mass% described in the column of blending ratio of silver particles in the silver paste in Table 1 below.
  • the silver paste is composed of the above silver particles, ethyl cellulose as an organic binder, 2,2,4-trimethyl-1,3-pentanediol monoisobutyrate as an organic solvent, and the glass of Table 1 below. It produced by mixing with the glass component as described in the column of a component.
  • the glass component A is a B 2 O 3 —SiO 2 —PbO glass frit
  • the glass component B is a B 2 O 3 —SiO 2 —PbO—ZnO glass frit, each having a glass softening point temperature.
  • Table 1 The glass component A is a B 2 O 3 —SiO 2 —PbO glass frit
  • the glass component B is a B 2 O 3 —SiO 2 —PbO—ZnO glass frit, each having a glass softening point temperature.
  • the glass softening point temperatures of the glass components shown in Table 1 were measured in accordance with the standard of JIS R3103-01: 2001 “Viscosity and Viscosity Fixed Point of Glass—Part 1: Measuring Method of Softening Point”.
  • the blending ratio of the glass component A was 1.42% by mass. Further, the mixing ratio of the glass component B of Comparative Examples 2 to 3 was 1.42% by mass, and the mixing ratio of the glass component B of Comparative Example 4 was 3% by mass or more.
  • the silver paste produced as described above was screen-printed on a part of the surface on one side as the back surface of the p-type silicon substrate and heated to about 150 ° C. to dry the silver paste.
  • a commercially available aluminum paste having a glass softening point temperature of 505 ° C. is screen-printed on almost the entire surface of the back surface of the p-type silicon substrate so that only a part thereof overlaps with the silver paste. It was printed and dried at about 150 ° C.
  • a predetermined silver paste was printed by a screen printing method on a part of the other surface serving as the light receiving surface of the p-type silicon substrate, and dried at about 150 ° C.
  • a silver electrode is formed on the light-receiving surface of the p-type silicon substrate by baking the silver paste and aluminum paste on the back surface of the p-type silicon substrate and the silver paste on the light-receiving surface of the p-type silicon substrate in air at about 740 ° C. Then, a p + layer was formed on the back surface of the p-type silicon substrate, and a silver electrode and an aluminum electrode were formed to complete the solar cell.
  • the values shown in the column of the electrical resistance of the overlapping area of the silver electrode-aluminum electrode on the back surface in Table 1 are the electric resistance of the overlapping area of the silver electrode and the aluminum electrode on the back surface of the solar cell of Comparative Example 4 being 100%. Relative value (%). In addition, the electric resistance value is an average value when 4 to 6 solar cells are measured.
  • F.F. F. The value shown in the loss column is the F.D. value after attachment of the solar cell interconnector of Comparative Example 4. F. It is expressed as a relative value (%) when the loss is 100%. In addition, F. F. The loss value is an average value when 2 to 3 solar cells are measured.
  • a mode corresponding rate the lower the probability of peeling from the silver electrode-p-type silicon substrate interface, the silver electrode-interconnector interface, and the interior of the silver electrode. It shows that the mechanical strength and the adhesive strength at each of the above interfaces are high.
  • a mode applicable rate is 75% or more and less than 100%
  • a mode applicable rate is 50% or more and less than 75%
  • a mode applicable rate is less than 50%
  • the glass softening point temperature of the glass component in the silver paste printed on the back surface of the p-type silicon substrate is equal to or higher than the glass softening point temperature of the glass component in the aluminum paste printed on the back surface.
  • the glass softening point temperature of the glass component in the aluminum paste is higher than the glass softening point temperature of the glass component in the silver paste, compared with the solar cells of Comparative Examples 1 to 4.
  • Electrical resistance of the overlapping area of silver electrode-aluminum electrode, F.F. F. Both the loss, the adhesion strength between the interconnector and the silver electrode on the back surface of the solar cell, and the peeling mode in the tensile test after mounting the interconnector were the same or better.
  • the silver electrode-aluminum on the back surface is increased without increasing the blending ratio of the silver powder.
  • the electric resistance of the overlapping region of the electrodes could be reduced to 14% with respect to the solar cell of Comparative Example 4.
  • the mixing ratio of the silver powder is While reducing by 1%, the electric resistance of the overlapping region of the silver electrode-aluminum electrode on the back surface could be reduced to 75% with respect to the solar cell of Comparative Example 4.
  • F. is one of the factors that determine the electrical characteristics of solar cells and solar cell modules.
  • F. Depends on the amount of electrical resistance component as described above. Since the electrical resistance component of the entire solar cell module is represented by the sum of the electrical resistance components of the solar cell after the interconnector is attached, the length of the interconnector used in the solar cell module per solar cell is evaluated this time. When it is considered that it is the same as the interconnector used in the above, the electrical resistance component of the entire solar cell module depends on the electrical resistance component of each solar cell, and the F.F. F. Is the F. of the entire solar cell module. F. Almost matches.
  • the ratio of the backside silver electrode between the electrical resistance measurement points is small, so that the electrical resistance of the backside silver electrode itself is constant, and the aluminum electrode and the light receiving surface are the same material.
  • the difference in the electric resistance of the solar cell is caused by the electric resistance of the overlapping region of the silver electrode-aluminum electrode on the back surface shown in each example and comparative example. Therefore, the smaller the value of the electrical resistance in the overlapping region of the silver electrode-aluminum electrode on the back surface shown in Table 1, the lower the electrical resistance of the entire solar cell module, and the interconnector attachment shown in Table 1 resulting from the reduction in the electrical resistance.
  • F. F As a result, it is considered that the loss reduction is reflected as an improvement in the electrical characteristics of the entire solar cell module.
  • the electrical resistance in the overlapping region of the back surface silver electrode-aluminum electrode is reduced.
  • it is possible to improve the electrical characteristics of the solar cell module, the adhesive strength between the silver electrode and the interconnector, and the mountability of the interconnector it is possible to reduce the production cost by reducing the blending ratio of the silver powder in the silver paste as much as possible. It is preferable from the aspect of suppressing.
  • the present invention reduces the blending ratio of the silver powder in the silver paste. It is thought that it can greatly contribute to the reduction of the material cost due to.
  • the present invention it is possible to provide a solar cell and a method for manufacturing the solar cell that can improve the electrical characteristics and reliability of the solar cell module while suppressing the manufacturing cost.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

　ｐｎ接合部を有する半導体基板（１）と、半導体基板（１）の裏面に銀電極（４）とアルミニウム電極（５）とを備え、銀電極（４）とアルミニウム電極（５）とが重なり合っている重複領域（９）を有し、銀電極（４）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度はアルミニウム電極（５）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上である太陽電池およびその太陽電池の製造方法である。

Description

太陽電池および太陽電池の製造方法
　本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関し、特に、製造コストを抑えつつ、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものとすることができる太陽電池および太陽電池の製造方法に関する。
　近年、エネルギ資源の枯渇の問題や大気中のＣＯ2の増加のような地球環境問題等からクリーンなエネルギの開発が望まれており、特に、太陽電池を用いた太陽光発電が新しいエネルギ源として開発、実用化され、発展の道を歩んでいる。
　図９に、従来の一般的な太陽電池の模式的な断面図を示す。ここで、図９に示すように、従来の太陽電池は、ｐ型のシリコン基板１１の受光面にはｎ+層１２が形成されており、ｎ+層１２上には反射防止膜１３と銀電極１６とが形成されている。また、シリコン基板１１の裏面の一部にはｐ+層１７が形成されており、ｐ+層１７上にはアルミニウム電極１５が形成されている。また、シリコン基板１１の裏面のｐ+層１７以外の領域には銀電極１４が形成されている。
　図１０に、図９に示す構成の従来の太陽電池の製造方法の一例のフローチャートを示す。まず、ステップＳ１に示すように、ｐ型のシリコン基板１１を用意する。次に、ステップＳ２に示すように、シリコン基板１１の表面をエッチングすることによって、ダメージ層の除去等を行なう。
　次に、ステップＳ３に示すように、シリコン基板１１の一方の表面である受光面にｎ型ドーパントを拡散させることによってｎ+層１２を形成し、ｎ+層１２上に反射防止膜１３を形成する。
　次に、ステップＳ４に示すように、シリコン基板１１の受光面とは反対側の裏面に銀ペーストをスクリーン印刷法により印刷し、１５０℃～２００℃程度の温度で乾燥させる。
　次に、ステップＳ５に示すように、シリコン基板１１の裏面の銀ペーストの印刷箇所以外の箇所のほぼすべてにアルミニウムペーストをスクリーン印刷法により印刷し、１５０℃～２００℃程度の温度で乾燥させる。このとき、アルミニウムペーストは、銀ペーストの一部と重なり合うようにして印刷される。
　次に、ステップＳ６に示すように、シリコン基板１１の受光面の反射防止膜１３上に銀ペーストをパターン状にスクリーン印刷法により印刷した後に、１５０℃～２００℃程度の温度で乾燥させる。
　次に、ステップＳ７に示すように、シリコン基板１１の受光面側の銀ペーストならびに裏面側の銀ペーストおよびアルミニウムペーストを７００～７５０℃で焼成することによって、シリコン基板１１の受光面側に銀電極１６が形成され、シリコン基板１１の裏面に銀電極１４およびアルミニウム電極１５が形成される。
　なお、上記の焼成時にアルミニウムペーストがｐ型ドーパントとして働くことにより、シリコン基板１１の裏面にｐ+層１７が併せて形成され、太陽電池の電気特性の向上に大きく寄与している。以上により、図９に示す構成の従来の太陽電池が完成する。
　図１１に、上記のようにして製造した図９に示す構成の従来の太陽電池にインターコネクタを接続して形成したインターコネクタ付き太陽電池の模式的な断面図を示す。ここで、図１１に示す構成のインターコネクタ付き太陽電池は、上記のようにして製造した従来の太陽電池を複数用意し、太陽電池の受光面側の銀電極１６上に、インターコネクタ１８の一端をセットするとともに他の太陽電池の裏面側の銀電極１４上にインターコネクタ１８の他端をセットし、インターコネクタ１８、銀電極１４および銀電極１６にフラックスを塗布した後にこれらを密着させたまま加熱することによって形成することができる。
　そして、図１１に示す構成のインターコネクタ付き太陽電池を複数製造した後に、その複数のインターコネクタ付き太陽電池を直列または並列に接続することによって太陽電池モジュールが製造される。
　近年では、このようにシリコン基板の受光面側の銀ペーストならびに裏面側の銀ペーストおよびアルミニウムペーストを同時に焼成する方式の太陽電池が主流となってきているが、シリコン基板の受光面側の銀ペーストと裏面側の銀ペーストおよびアルミニウムペーストとをそれぞれ個別に焼成する方式も従来から採用されている。
　また、従来においては、太陽電池に半田コーティングを行なった後にインターコネクタの接続を行なっていたが、近年では、上記のように太陽電池への半田コーティングを省略する方式が主流となってきており、この方式を採用した場合には、インターコネクタの表面にコーティングされている半田を活用している。
特開２００１－１２７３１７号公報 特開２００６－３５１５３０号公報
　近年、特に注目されている太陽電池業界においては、太陽電池の信頼性を犠牲にすることなく、太陽電池の電気特性を向上させる技術が望まれている。また、近年の太陽電池の生産量の伸びとともに販売競争の激化が非常に顕著な形となって現れており、電気特性だけでなくコストパフォーマンスについても優れた太陽電池を市場に提供することが望まれている。
　一般に、太陽電池および太陽電池モジュールの電気特性は、電気抵抗成分の多寡に起因することが多い。特に、フィルファクター（Ｆ．Ｆ．）は、太陽電池の両面にそれぞれ形成される銀電極の前駆体となる銀ペーストの組成およびアルミニウム電極の前駆体となるアルミニウムペーストの組成あるいはこれらの組み合わせ、さらには銀電極とインターコネクタとの電気的接続などに基づく電気抵抗成分の多寡に大きく起因し、その中でも銀ペーストの組成および性状によるところが非常に大きい。
　銀ペーストは、一般的に、銀粒子、ガラスフリットなどのガラス成分、樹脂やビヒクルなどの有機バインダ、その他無機添加物および有機溶剤などにより構成される。シリコン基板の受光面および裏面のそれぞれに印刷される銀ペーストの組成については量産性に優れたスクリーン印刷法を活用できるようにすることなどの共通点も多いが、銀ペーストの有するべき機能性の違いからシリコン基板の受光面に印刷される銀ペーストと裏面に印刷される銀ペーストとではそれぞれ異なった組成とされている。
　シリコン基板の受光面および裏面を問わず、焼成後の銀電極自体の電気抵抗を低くするためには銀粒子の配合比率を増大させることが望ましいが、単純に銀粒子の配合比率を増大させただけでは、銀ペースト中のガラス成分の配合比率が減少することになり、その傾向が過大になった場合にはシリコン基板と銀電極との接着強度の悪化に至る。また、銀粒子の配合比率を増大させていくにつれて、材料コストの面でも割高となることは容易に想像することができる。
　また、銀ペースト中のガラス成分は、上記のような焼成工程を経ることによって電極表面近傍に局在化する傾向にあり、シリコン基板の受光面側の電極表面におけるガラス成分の局在化はシリコン基板と銀電極との接着強度を向上させるように働くが、シリコン基板と反対側の電極表面へのガラス成分の局在化は後工程である銀電極へのインターコネクタの取り付け性を悪化させる方向に働く。
　すなわち、銀ペースト中のガラス成分の配合比率を減少させることは一般的にはインターコネクタの取り付け性を向上する方向に働くが、同時にシリコン基板と銀電極との接着強度が低下する方向にも働く。一方、銀ペースト中のガラス成分の配合比率を増大させることはシリコン基板と銀電極との接着強度を向上させる方向に働くが、同時にインターコネクタの取り付け性を悪化させる方向にも働く。
　また、シリコン基板と銀電極との接着強度を向上させるために焼成温度を高温化した場合には、ガラス成分の電極表面への局在化が促進されるため、インターコネクタの取り付け性が低下する方向に働く。さらには、シリコン基板と銀電極との接着強度の低下およびインターコネクタの取り付け性の低下は該当部分での電気的な接触不良にも直結するため、太陽電池モジュールの電気特性や信頼性にも悪影響を及ぼす。
　特に、裏面の銀電極を形成するための銀ペーストの組成を決定するにあたっては、銀電極そのものの電気抵抗だけでなく、銀電極とアルミニウム電極との重複領域で生じる電気抵抗を低下させることによって太陽電池および太陽電池モジュールの電気特性を向上させつつ、シリコン基板と銀電極との接着強度を向上するとともに、インターコネクタの取り付け性を向上させて太陽電池モジュールの信頼性を損なわないことが必要とされる。
　また、銀ペーストおよびアルミニウムペーストには、上記のとおり、ガラス成分がそれぞれ含有されているが、ガラス成分の組成および軟化点などの特性については銀ペーストないしアルミニウムペーストの評価によって太陽電池への適応性が判断されてきた（特開２００１－１２７３１７号公報、特開２００６－３５１５３０号公報）。そのような経緯から、銀ペーストおよびアルミニウムペーストのガラス成分については互いに相関がなく、その組成や性状が異なっている場合が多く、銀電極とアルミニウム電極とが混在する太陽電池の裏面の電気抵抗が増大する一因となっていた。
　上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、製造コストを抑えつつ、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものとすることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することにある。
　本発明は、ｐｎ接合部を有する半導体基板と、半導体基板の裏面に銀電極とアルミニウム電極とを備え、銀電極とアルミニウム電極とが重なり合っている重複領域を有し、銀電極に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度はアルミニウム電極に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上である太陽電池である。
　また、本発明は、上記の太陽電池を製造する方法であって、半導体基板の裏面に銀電極の前駆体となる銀ペーストを塗布する工程と、半導体基板の裏面にアルミニウム電極の前駆体となるアルミニウムペーストを塗布する工程と、銀ペーストおよびアルミニウムペーストを焼成する工程とを含み、銀ペーストに含まれるガラス成分のガラス軟化点温度は、アルミニウムペーストに含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上である太陽電池の製造方法である。
　本発明によれば、製造コストを抑えつつ、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものとすることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することができる。
本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図である。 図１に示す構成の太陽電池の裏面の模式的な平面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の一部を図解する模式的な断面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。 図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例の製造工程の他の一部を図解する模式的な断面図である。 従来の一般的な太陽電池の模式的な断面図である。 図９に示す構成の従来の太陽電池の製造方法の一例のフローチャートである。 図９に示す構成の従来の太陽電池にインターコネクタを接続して形成したインターコネクタ付き太陽電池の模式的な断面図である。
符号の説明
　１，１１　シリコン基板、２，１２　ｎ+層、３，１３　反射防止膜、４，６，１４，１６　銀電極、４ａ，６ａ　銀ペースト、５，１５　アルミニウム電極、５ａ　アルミニウムペースト、７，１７　ｐ+層、９　重複領域、１０　露出領域、１８　インターコネクタ。
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。また、本発明においては、太陽電池として用いた場合に、太陽光が主に入射する側の半導体基板の表面を受光面とし、受光面の反対側の半導体基板の表面を裏面とする。
　図１に、本発明の太陽電池の一例の模式的な断面図を示す。ここで、図１に示す構成の太陽電池は、たとえばｐ型のシリコン基板からなる半導体基板１の受光面にｎ+層２が形成され、半導体基板１の受光面の反対側となる裏面の一部にｐ+層７が形成された構成を有している。なお、この例においては、半導体基板１はｐ型であり、ｎ+層２はｎ型であることから、半導体基板１のｐ型の内部領域とｎ型のｎ+層２との界面がｐｎ接合部（ｐ型半導体とｎ型半導体との接合部）となっているが、本発明においては、この構成に限定されるものではない。
　また、半導体基板１の受光面のｎ+層２上には反射防止膜３および銀電極６が形成されており、半導体基板１の裏面のｐ+層７上にはアルミニウム電極５が形成され、半導体基板１の裏面のｐ+層７が形成されていない領域には銀電極４が形成されている。ここで、半導体基板１の裏面においては銀電極４とアルミニウム電極５とが重なり合っている領域である重複領域９が形成されている。
　図２に、図１に示す構成の太陽電池の裏面の模式的な平面図を示す。ここで、太陽電池の半導体基板１の裏面のほぼ全面にアルミニウム電極５が形成されているとともに、銀電極４が島状に形成されている。
　また、銀電極４の長手方向において、銀電極４とアルミニウム電極５との間には電極が形成されておらず、半導体基板１の裏面が露出している領域である露出領域１０が形成されている。また、銀電極４の長手方向に直交する方向には、上記の重複領域９が形成されている。
　ここで、たとえば後述するように、半導体基板１の裏面の銀電極４は、銀粒子とガラス成分とを含む銀ペーストを焼成することによって形成され、アルミニウム電極５は、アルミニウム粒子とガラス成分とを含むアルミニウムペーストを焼成することによって形成されるため、銀電極４およびアルミニウム電極５にはそれぞれたとえばガラスフリットなどのガラス成分が含まれることになるが、本発明においては、銀電極４に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度がアルミニウム電極５に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上となっている（すなわち、銀電極４に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度が、アルミニウム電極５に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度と同一またはそれよりも高くなっている）。
　また、太陽電池の裏面における銀電極４とアルミニウム電極５とが重なり合っている領域である重複領域９は、銀電極４とアルミニウム電極５との電気的な接触を取るために必要不可欠であるが、重複領域９においては、焼成工程での高温化を経ることによって銀とアルミニウムとを主に含む合金が形成されてその合金が電気抵抗成分として働く。
　これにより、重複領域９においては、その電気抵抗成分の増大により太陽電池のＦ．Ｆ．の損失が生じることになるが、本発明のように、銀ペーストに含有されるガラス成分としてより高温のガラス軟化点温度を有するものを選択することによって、銀ペースト中の銀粒子の配合比率を増大させることなく重複領域９における電気抵抗を低下させることができ、インターコネクタの取り付け後の太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものにすることができる。さらには、銀ペースト中の銀粒子の配合比率の増大を抑えることができることから、高価な銀粒子の使用量を抑えることができ、太陽電池および太陽電池モジュールの製造コストも抑えることができる。
　以下、図３～図８の模式的断面図を参照して、図１に示す構成を有する太陽電池の製造方法の一例について説明する。
　まず、図３に示すように、半導体基板１を用意する。なお、この例においては、半導体基板１としてｐ型のシリコン基板を用いているが、本発明に用いられる半導体基板はｐ型のシリコン基板に限定されないことは言うまでもない。
　次に、図４に示すように、半導体基板１の一方の表面にｎ+層２を形成する。ここで、ｎ+層２は、たとえば、リンなどのｎ型ドーパントを熱拡散させることなどにより形成することができる。
　次に、図５に示すように、半導体基板１のｎ+層２上に反射防止膜３を形成する。ここで、反射防止膜３としては、たとえば窒化シリコン膜などを用いることができ、たとえばプラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。
　次に、図６に示すように、半導体基板１のｎ+層２が形成された側と反対側の表面に銀ペースト４ａを塗布する。ここで、銀ペースト４ａの塗布は、たとえばスクリーン印刷法などにより行なうことができる。
　また、銀ペースト４ａとしては、たとえば、銀粒子と、ガラス成分と、有機バインダと、有機溶剤とを含む構成のものを用いることができる。なお、銀ペースト４ａに含まれるガラス成分のガラス軟化点温度は、後述するアルミニウムペースト５ａに含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上とされる。
　また、銀粒子としては、特に限定されず、たとえば太陽電池分野で公知のものを用いることができる。また、銀粒子の形状としては、たとえば、球状、リン片状または針状等が挙げられる。また、銀粒子の平均粒子寸法は、作業性を良好にする観点から、０．０５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、０．１μｍ以上５μｍ以下であることがより好ましい。ここで、銀粒子の平均粒子寸法とは、銀粒子の形状が球状である場合は粒子径の平均値を意味し、銀粒子の形状がりん片状または針状である場合には銀粒子の長径（銀粒子の外表面の任意の２点を結ぶ線分のうち最長の長さ）の平均値のことを意味する。
　また、ガラス成分としては、後述のアルミニウムペースト５ａに含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上のガラス軟化点温度を有するものであれば特に限定されず、たとえば、Ｂ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＰｂＯ系、ＳｉＯ2－Ｂｉ2Ｏ3－ＰｂＯ系、Ｂ2Ｏ3－ＳｉＯ2－Ｂｉ2Ｏ3系、Ｂ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＰｂＯ－ＺｎＯ系またはＢ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＺｎＯ系などの従来から公知のガラスフリットなどを用いることができる。
　ここで、銀ペースト４ａのガラス成分としては、６５０℃以下のガラス軟化点温度を有するものを用いることが好ましく、６００℃以下のガラス軟化点温度を有するものを用いることがより好ましい。銀ペースト４ａのガラス成分のガラス軟化点温度が６５０℃以下である場合、特に６００℃以下である場合には、後述の焼成後の銀電極とインターコネクタとの取り付け性が向上する傾向にあるため、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性が向上する傾向にある。
　なお、本発明において、ガラス軟化点温度は、ＪＩＳ　Ｒ３１０３－０１：２００１の「ガラスの粘性及び粘性定点－第１部：軟化点の測定方法」の規格にしたがって測定された軟化点のことを意味する。
　また、有機バインダも特に限定されず従来から公知のものを用いることができ、たとえば、エチルセルロース、ニトロセルロースなどのセルロース系樹脂およびポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレートなどの（メタ）アクリル系樹脂などの少なくとも１種を用いることができる。
　また、有機溶剤も特に限定されず従来から公知のものを用いることができ、たとえば、ターピネオール（α－ターピネオール、β－ターピネオール等）などのアルコール類およびヒドロキシ基含有エステル類（２，２，４―トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチラート、ブチルカルビトールアセテート等）などのエステル類の少なくとも１種を用いることができる。
　また、銀ペースト４ａには、上記の銀粒子、ガラス成分、有機バインダおよび有機溶剤以外の成分も含まれていても良いことは言うまでもない。
　次に、図７に示すように、半導体基板１の銀ペースト４ａが塗布された側の表面に銀ペースト４ａの一部と重なり合うようにしてアルミニウムペースト５ａを塗布する。ここで、アルミニウムペースト５ａの塗布は、たとえばスクリーン印刷法などにより行なうことができる。また、アルミニウムペースト５ａは、その一部が銀ペースト４ａと重なり合うようにして塗布される。
　また、アルミニウムペースト５ａとしては、たとえば、アルミニウム粒子と、ガラス成分と、有機バインダと、有機溶剤とを含む構成のものを用いることができる。
　アルミニウム粒子としては、特に限定されず、たとえば太陽電池分野で公知のものを用いることができる。また、アルミニウム粒子の形状としては、たとえば、球状、リン片状または針状等が挙げられる。また、アルミニウム粒子の平均粒子寸法は、ｐ型シリコン基板からなる半導体基板１との反応性の確保、アルミニウムペースト５ａの塗布性および塗布均一性の観点から、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。ここで、アルミニウム粒子の平均粒子寸法とは、アルミニウム粒子の形状が球状である場合は粒子径の平均値を意味し、アルミニウム粒子の形状がりん片状または針状である場合にはアルミニウム粒子の長径（アルミニウム粒子の外表面の任意の２点を結ぶ線分のうち最長の長さ）の平均値のことを意味する。
　また、アルミニウムペースト５ａにおけるガラス成分、有機バインダおよび有機溶剤についての説明は、それぞれ上記の銀ペースト４ａにおける説明と同様である。
　また、アルミニウムペースト５ａにも、上記のアルミニウムペースト粒子、ガラス成分、有機バインダおよび有機溶剤以外の成分が含まれていても良いことは言うまでもない。
　次に、図８に示すように、半導体基板１の反射防止膜３上に銀ペースト６ａを塗布する。ここで、銀ペースト６ａの塗布は、たとえばスクリーン印刷法などにより行なうことができる。
　また、銀ペースト６ａとしては、たとえば、銀粒子と、ガラス成分と、有機バインダと、有機溶剤とを含む構成のものを用いることができる。
　ここで、銀ペースト６ａにおける銀粒子、ガラス成分、有機バインダおよび有機溶剤についての説明は、それぞれ上記の銀ペースト４ａにおける説明と同様である。
　また、銀ペースト６ａにも、上記の銀粒子、ガラス成分、有機バインダおよび有機溶剤以外の成分が含まれていても良いことは言うまでもない。
　なお、上記においては、銀ペースト４ａ、アルミニウムペースト５ａおよび銀ペースト６ａの順で塗布を行なったが、この順序に限定されないことは言うまでもない。
　その後、半導体基板１の一方の表面に塗布された銀ペースト６ａならびに他方の表面に塗布された銀ペースト４ａおよびアルミニウムペースト５ａを焼成する。これにより、銀ペースト６ａは反射防止膜３をファイヤースルーすることによりｎ+層２と接して図１に示す銀電極６となり、銀ペースト４ａおよびアルミニウムペースト５ａはそれぞれ図１に示す銀電極４およびアルミニウム電極５となる。以上により、図１に示す構成の太陽電池を製造することができる。
　ここで、半導体基板１の一方の表面における銀ペースト６ａならびに他方の表面における銀ペースト４ａおよびアルミニウムペースト５ａは同時に焼成されてもよく、その一部が同時に焼成されてもよく、それぞれ別々に焼成されてもよい。
　また、たとえば、銀ペースト６ａ、銀ペースト４ａおよびアルミニウムペースト５ａをそれぞれ別々に焼成する場合には、その焼成の順序は特に限定されるものではない。
　なお、近年においては、市場からの増産要請から、焼成条件においても高速化が進められてきている。すなわち、従来の焼成条件は、たとえばピーク温度６００℃／毎秒３ｍｍ程度とされていたが、近年の焼成条件は、たとえばピーク温度７５０℃／毎秒５ｍｍ程度と高速化されている。
　したがって、近年の焼成条件のように焼成時にピーク温度が７５０℃といった高温の条件では、高い軟化点を有するガラス成分を用いた場合でも、そのガラス成分を完全に融解させることができる。
　一方、従来の焼成条件のように、ピーク温度が６００℃といった低温の条件では、高い軟化点を有するガラス成分を用いた場合には、そのガラス成分を完全に融解せず、融解部分と未融解部分とが並存してしまうため、従来においては高い軟化点を有するガラス成分を用いることは適さなかった。
　また、銀ペーストに含有されるガラス成分を焼成した場合には、ガラス成分は銀ペーストの表面近傍に局在化する性質を有する。しかしながら、上記のようなピーク温度が７５０℃といった近年の焼成条件で、高い軟化点を有するガラス成分を含有する銀ペーストを焼成した場合には、当該ガラス成分は銀ペーストの表面に緩やかに析出するため、完全な膜状とはなりきれずに、部分的な膜状あるいはスポット状に析出する。
　そして、当該ガラス成分が部分的な膜状あるいはスポット状に析出した場合には、重複領域９における銀電極４とアルミニウム電極５との接触が当該ガラス成分によって妨げられにくくなり、より直接的な接触となることから、銀電極４とアルミニウム電極５との接触抵抗を低減することができ、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものとすることができる。
　＜実施例１～４および比較例１～４の太陽電池の作製＞
　まず、酸でエッチングされた厚さ１８０μｍで一辺が１５６ｍｍの正方形の表面を有するｐ型シリコン基板の片側の表面に約８００℃～９００℃でリンをｎ型ドーパントとした熱拡散により約５０Ω／□の面抵抗値を有するｎ+層を形成し、プラズマＣＶＤ法によりｎ+層上に約７０～１００ｎｍの厚さの窒化シリコン膜を反射防止膜として形成した。
　次に、平均粒子寸法が０．４μｍの球状の銀粒子を下記の表１の銀ペースト中の銀粒子の配合比率の欄に記載の質量％となるようにそれぞれ配合した銀ペーストを作製した。
　ここで、銀ペーストは、上記の銀粒子と、有機バインダとしてのエチルセルロースと、有機溶剤としての２，２，４―トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチラートと、下記の表１のガラス成分の組成の欄に記載のガラス成分とを混合することにより作製した。また、銀ペーストにおいては、エチルセルロースの質量：２，２，４―トリメチル－１，３－ペンタンジオールモノイソブチラート：ガラス成分の質量＝３：１３：２とされた。
　なお、ガラス成分ＡはＢ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＰｂＯ系のガラスフリットであり、ガラス成分ＢはＢ2Ｏ3－ＳｉＯ2－ＰｂＯ－ＺｎＯ系のガラスフリットであって、それぞれガラス軟化点温度が表１に示す値になるように調整された。
　なお、表１に示すガラス成分のガラス軟化点温度は、ＪＩＳ　Ｒ３１０３－０１：２００１の「ガラスの粘性及び粘性定点－第１部：軟化点の測定方法」の規格にしたがって測定した。
　また、実施例１～４および比較例１についてはガラス成分Ａの配合比率は１．４２質量％であった。また、比較例２～３のガラス成分Ｂの配合比率は１．４２質量％であり、比較例４のガラス成分Ｂの配合比率は３質量％以上であった。
　そして、上記のようにして作製した銀ペーストをｐ型シリコン基板の裏面となる片側の表面の一部にスクリーン印刷して１５０℃程度に加熱することによって銀ペーストを乾燥させた。
　次に、ガラス成分のガラス軟化点温度が５０５℃である市販のアルミニウムペーストをその一部のみが銀ペーストと重なり合うようにしてｐ型シリコン基板の裏面となる表面のほぼ全面にスクリーン印刷法にて印刷し、１５０℃程度で乾燥させた。
　その後、ｐ型シリコン基板の受光面となる他方の表面の一部に所定の銀ペーストをスクリーン印刷法にて印刷し、１５０℃程度で乾燥させた。
　そして、ｐ型シリコン基板の裏面の銀ペーストおよびアルミニウムペーストならびにｐ型シリコン基板の受光面の銀ペーストを空気中において７４０℃程度で焼成することによって、ｐ型シリコン基板の受光面に銀電極を形成し、ｐ型シリコン基板の裏面にｐ+層を形成するとともに銀電極およびアルミニウム電極を形成して太陽電池を完成させた。
　以上の太陽電池の作製作業を下記の表１の実施例１～４および比較例１～４に示す銀ペーストのそれぞれを用いて行なったこと以外は同一の条件および同一の方法で行なうことによって、実施例１～４および比較例１～４の太陽電池を作製した。
　＜実施例１～４および比較例１～４の太陽電池の評価方法＞
　（ｉ）裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗
　実施例１～４および比較例１～４のそれぞれの太陽電池の裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗を、裏面の銀電極間の電気抵抗から同距離のアルミニウム電極の電気抵抗を差し引いて求めることにより行なった。その結果を表１に示す。
　なお、表１の裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗の欄に示される値は、比較例４の太陽電池の裏面の銀電極とアルミニウム電極との重複領域の電気抵抗を１００％としたときの相対値（％）で表わされている。また、この電気抵抗の値は太陽電池を４～６枚測定したときの平均値が示されている。
　（ｉｉ）インターコネクタ取り付け後のＦ．Ｆ．損失
　以上のようにして作製した実施例１～４および比較例１～４のそれぞれの太陽電池の電流－電圧特性を、ソーラーシミュレータ光（ＡＭ１．５、エネルギ密度１００ｍＷ／ｃｍ2）のもとで測定し、その測定結果から、インターコネクタ取り付け前のＦ．Ｆ．を算出した。
　次に、実施例１～４および比較例１～４の太陽電池の裏面の銀電極および半田がコーティングされた厚さ０．２ｍｍかつ幅２ｍｍのインターコネクタに市販のフラックスをそれぞれ塗布し、４００℃程度に加熱した半田ごてを用いて、実施例１～４および比較例１～４のそれぞれの太陽電池の裏面の銀電極に銅製のインターコネクタを取り付けた。そして、インターコネクタの取り付けを行なった後に上記と同様にしてインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．を算出し、上記で算出したインターコネクタの取り付け前のＦ．Ｆ．とインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．との差を算出することによってインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．損失を算出した。その結果を表１に示す。
　なお、表１のインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．損失の欄に示される値は、比較例４の太陽電池のインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．損失を１００％としたときの相対値（％）で表わされている。また、このインターコネクタの取り付け後のＦ．Ｆ．損失の値は太陽電池を２～３枚測定したときの平均値が示されている。
　（ｉｉｉ）インターコネクタ取り付け後の引っ張り試験
　上記の実施例１～４および比較例１～４の太陽電池に取り付けられたインターコネクタと太陽電池のインターコネクタの取り付け部分以外の部分との角度を４５°に保った状態で引っ張り試験機によりインターコネクタを引っ張って、下記の基準によりインターコネクタと実施例１～４および比較例１～４の太陽電池の裏面の銀電極との接着強度および剥離モードを評価した。その結果を表１に示す。
　＜接着強度の判断基準＞
Ａ…引っ張り試験機による引っ張り強度が２００ｇ以上
Ｂ…引っ張り試験機による引っ張り強度が２００ｇ未満
　＜剥離モードの判断基準＞
　上記の引っ張り試験機による引っ張り試験において、ｐ型シリコン基板の裏面の銀電極のｐ型シリコン基板からの剥離がなく、インターコネクタと銀電極との接続状態が良好なままｐ型シリコン基板の割れが先に生じた場合をＡモードと定義し、引っ張り試験を実施した測定点数に対するＡモード該当率を算出して、下記の基準により評価した。
　すなわち、Ａモード該当率が高いほど、銀電極－ｐ型シリコン基板の界面、銀電極－インターコネクタの界面および銀電極の内部からの剥離が生じる確率が低いことを示しており、銀電極自体の機械的強度および上記の各界面での接着強度が高いことを示している。Ａ…Ａモード該当率が１００％
Ｂ…Ａモード該当率が７５％以上１００％未満
Ｃ…Ａモード該当率が５０％以上７５％未満
Ｄ…Ａモード該当率が５０％未満
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、ｐ型シリコン基板の裏面に印刷された銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度が、同じく裏面に印刷されたアルミニウムペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度以上である実施例１～４の太陽電池においては、アルミニウムペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度が銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度よりも高い比較例１～４の太陽電池と比べて、裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗、インターコネクタ取り付け後のＦ．Ｆ．損失、インターコネクタ取り付け後の引っ張り試験におけるインターコネクタと太陽電池の裏面の銀電極との接着強度および剥離モードのいずれもが同等以上に優れる結果となった。
　したがって、このことは、実施例１～４の太陽電池の裏面の銀電極中のガラス成分のガラス軟化点温度がアルミニウム電極中のガラス成分のガラス軟化点温度以上である場合に、裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗、インターコネクタ取り付け後のＦ．Ｆ．損失、インターコネクタ取り付け後の引っ張り試験におけるインターコネクタと太陽電池の裏面の銀電極との接着強度および剥離モードのいずれもが優れることを示している。
　たとえば、実施例４の太陽電池においては、銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度を６００℃にまで高温化することによって、銀粉末の配合比率を増大させることなく、裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗を比較例４の太陽電池に対して１４％にまで低減することができた。
　また、実施例１の太陽電池においては、銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度を５５０℃にまで高温化することによって、比較例４の太陽電池と比較して、銀粉末の配合比率を１％低減させながら、裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗を比較例４の太陽電池に対して７５％にまで低減することができた。
　ここで、太陽電池モジュールの電気特性について述べる。一般に、太陽電池および太陽電池モジュールの電気特性を決定する因子の１つであるＦ．Ｆ．は上記のとおり電気抵抗成分の多寡に依存している。太陽電池モジュール全体の電気抵抗成分は、インターコネクタ取り付け後の太陽電池の電気抵抗成分の総和で表わされるため、太陽電池モジュールに使用されるインターコネクタの太陽電池１枚当たりの長さが今回の評価で用いたインターコネクタと同一であると考えた場合、太陽電池モジュール全体の電気抵抗成分は個々の太陽電池の電気抵抗成分の多寡に依存し、インターコネクタ取り付け後の太陽電池のＦ．Ｆ．は太陽電池モジュール全体のＦ．Ｆ．にほぼ一致する。
　また、太陽電池の電気抵抗について、電気抵抗測定点間で裏面の銀電極の占める割合が小さいことから裏面の銀電極自体の電気抵抗を一定とし、また使用材料が同一であるアルミニウム電極と受光面の銀電極の電気抵抗を同一とすると、太陽電池の電気抵抗差は各実施例および比較例で示された裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗に起因する。したがって、表１に示す裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗の値が小さいほど太陽電池モジュール全体の電気抵抗が小さくなり、その電気抵抗の低下に起因する表１に示すインターコネクタ取り付け後のＦ．Ｆ．損失の低下は、結果として、太陽電池モジュール全体の電気特性の向上として反映されると考えられる。
　つまり、銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度の高温化および銀ペースト中の銀粉末の配合比率の増大の双方の観点から、裏面の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗の減少による太陽電池モジュールの電気特性、銀電極とインターコネクタとの接着強度およびインターコネクタの取り付け性の向上を図ることは可能であるが、銀ペースト中の銀粉末の配合比率はできるだけ抑えることが製造コストを抑える面から好ましい。
　この製造コストの問題については、太陽電池の裏面の銀電極に用いられる銀ペーストとして、ある一定数値以下の銀電極－アルミニウム電極の重複領域の電気抵抗を達成できるものを所望した場合に、裏面の銀電極の形成に用いられる銀ペースト中のガラス成分のガラス軟化点温度を高温化させることで銀粉末の配合比率を抑えることができることから、本発明は銀ペースト中の銀粉末の配合比率の減少による材料コストの低減に大きく貢献することができると考えられる。
　今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　本発明によれば、製造コストを抑えつつ、太陽電池モジュールの電気特性および信頼性を優れたものとすることができる太陽電池および太陽電池の製造方法を提供することができる。

Claims (2)

  1. 　ｐｎ接合部を有する半導体基板（１）と、
    　前記半導体基板（１）の裏面に銀電極（４）とアルミニウム電極（５）とを備え、
    　前記銀電極（４）と前記アルミニウム電極（５）とが重なり合っている重複領域（９）を有し、
    　前記銀電極（４）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度は、前記アルミニウム電極（５）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上であることを特徴とする、太陽電池。
  2. 　請求の範囲第１項に記載の太陽電池を製造する方法であって、
    　前記半導体基板（１）の前記裏面に前記銀電極（４）の前駆体となる銀ペースト（４ａ）を塗布する工程と、
    　前記半導体基板（１）の前記裏面に前記アルミニウム電極（５）の前駆体となるアルミニウムペースト（５ａ）を塗布する工程と、
    　前記銀ペースト（４ａ）および前記アルミニウムペースト（５ａ）を焼成する工程とを含み、
    　前記銀ペースト（４ａ）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度は、前記アルミニウムペースト（５ａ）に含まれるガラス成分のガラス軟化点温度以上であることを特徴とする、太陽電池の製造方法。
PCT/JP2009/054731 2008-05-14 2009-03-12 太陽電池および太陽電池の製造方法 WO2009139222A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP09746429A EP2284902A1 (en) 2008-05-14 2009-03-12 Solar battery and solar battery manufacturing method
KR1020107027803A KR101250139B1 (ko) 2008-05-14 2009-03-12 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법
JP2010511915A JPWO2009139222A1 (ja) 2008-05-14 2009-03-12 太陽電池および太陽電池の製造方法
CN2009801175049A CN102027600B (zh) 2008-05-14 2009-03-12 太阳能电池和太阳能电池的制造方法
US12/991,065 US20110056554A1 (en) 2008-05-14 2009-03-12 Solar cell and method of manufacturing solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-127497 2008-05-14
JP2008127497 2008-05-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009139222A1 true WO2009139222A1 (ja) 2009-11-19

Family

ID=41318595

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/054731 WO2009139222A1 (ja) 2008-05-14 2009-03-12 太陽電池および太陽電池の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110056554A1 (ja)
EP (1) EP2284902A1 (ja)
JP (1) JPWO2009139222A1 (ja)
KR (1) KR101250139B1 (ja)
CN (1) CN102027600B (ja)
WO (1) WO2009139222A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015159276A (ja) * 2014-01-24 2015-09-03 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
WO2016125803A1 (ja) * 2015-02-02 2016-08-11 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
JP2017034248A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びそれを含む太陽電池パネル
US10475938B2 (en) 2012-05-22 2019-11-12 Namics Corporation Process for producing conductive pastes for forming solar cell electrodes

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2916361B1 (en) * 2012-11-01 2023-12-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell and solar cell module
KR20140092744A (ko) 2012-12-29 2014-07-24 제일모직주식회사 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극
US9508878B2 (en) * 2014-09-23 2016-11-29 Solarworld Americas Inc. Solar cell having a rear side metallization
JP6502651B2 (ja) * 2014-11-13 2019-04-17 信越化学工業株式会社 太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127317A (ja) 1999-10-28 2001-05-11 Kyocera Corp 太陽電池の製造方法
JP2005191107A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
US20060273287A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-07 Young Richard J S Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
JP2007281023A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Kyocera Corp 太陽電池素子用導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池素子の製造方法。
JP2008192921A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Murata Mfg Co Ltd 厚膜導体組成物および太陽電池セルの裏面Ａｇ電極

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4947219A (en) * 1987-01-06 1990-08-07 Chronar Corp. Particulate semiconductor devices and methods
JP3032422B2 (ja) * 1994-04-28 2000-04-17 シャープ株式会社 太陽電池セルとその製造方法
JP3050064B2 (ja) * 1994-11-24 2000-06-05 株式会社村田製作所 導電性ペースト、この導電性ペーストからなるグリッド電極が形成された太陽電池及びその製造方法
US20060231802A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Takuya Konno Electroconductive thick film composition, electrode, and solar cell formed therefrom
CN100524833C (zh) * 2005-06-07 2009-08-05 E.I.内穆尔杜邦公司 铝厚膜组合物、电极、半导体器件及其制造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127317A (ja) 1999-10-28 2001-05-11 Kyocera Corp 太陽電池の製造方法
JP2005191107A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
US20060273287A1 (en) * 2005-06-07 2006-12-07 Young Richard J S Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof
JP2006351530A (ja) 2005-06-07 2006-12-28 E I Du Pont De Nemours & Co アルミニウム厚膜組成物、電極、半導体デバイスおよびそれらを作製する方法
JP2007281023A (ja) * 2006-04-03 2007-10-25 Kyocera Corp 太陽電池素子用導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池素子の製造方法。
JP2008192921A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Murata Mfg Co Ltd 厚膜導体組成物および太陽電池セルの裏面Ａｇ電極

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10475938B2 (en) 2012-05-22 2019-11-12 Namics Corporation Process for producing conductive pastes for forming solar cell electrodes
JP2015159276A (ja) * 2014-01-24 2015-09-03 京セラ株式会社 太陽電池素子および太陽電池モジュール
WO2016125803A1 (ja) * 2015-02-02 2016-08-11 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
JPWO2016125803A1 (ja) * 2015-02-02 2017-10-05 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
JP2017034248A (ja) * 2015-07-28 2017-02-09 エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド 太陽電池及びそれを含む太陽電池パネル

Also Published As

Publication number Publication date
EP2284902A1 (en) 2011-02-16
KR101250139B1 (ko) 2013-04-04
JPWO2009139222A1 (ja) 2011-09-15
KR20110008321A (ko) 2011-01-26
CN102027600A (zh) 2011-04-20
CN102027600B (zh) 2012-12-26
US20110056554A1 (en) 2011-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2009139222A1 (ja) 太陽電池および太陽電池の製造方法
KR102524339B1 (ko) Perc형 태양전지용 알루미늄 페이스트 조성물
KR101226861B1 (ko) 태양전지 전극 형성용 도전성 페이스트
TWI432551B (zh) 太陽能電池用之導電膠組成物及其應用
US20090288709A1 (en) Conductive paste for forming of electrode of crystalline silicon substrate
JP2013512571A (ja) 不動態化エミッタおよび背面接点シリコン太陽電池の銀裏面電極の形成方法
JP2013513974A (ja) Ｍｗｔシリコン太陽電池の製造のプロセス
JP2013519243A (ja) Ｍｗｔシリコン太陽電池の製造方法
US10770601B2 (en) Electro-conductive paste, solar cell and method for producing solar cell
TWI770032B (zh) 導電性膏及太陽電池
JP2014512671A (ja) 不活性化されたエミッタおよびリヤコンタクトのシリコン太陽電池の銀裏面電極形成のための方法
WO2013031751A1 (ja) 導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法
US10475938B2 (en) Process for producing conductive pastes for forming solar cell electrodes
KR20110031109A (ko) 태양 전지용 알루미늄 페이스트
KR101557526B1 (ko) 태양전지 전면 전극용 페이스트, 이로부터 형성된 전극, 및 이를 포함하는 태양 전지
WO2011163534A1 (en) Process for the formation of a silver back anode of a silicon solar cell
JP2013065588A (ja) 太陽電池
KR101601272B1 (ko) 낮은 휨 특성을 나타내는 태양전지 후면전극 형성용 조성물
JP2009231826A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池セルとその製造方法並びに該太陽電池セルを用いて形成された太陽電池モジュール
KR20140074415A (ko) 태양전지 후면 전극의 제조 방법 및 이를 이용한 태양전지 소자
JP5205118B2 (ja) 太陽電池セル、タブ付き太陽電池セルおよびこれらの製造方法
CN110689991A (zh) 一种导电浆料
KR101165160B1 (ko) 태양전지 소자 및 그 제조방법
JP2012074656A (ja) 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法並びに太陽電池
JP2013038326A (ja) 太陽電池セル用電極、太陽電池セルおよび太陽電池モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980117504.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09746429

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12991065

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010511915

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009746429

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107027803

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A