WO2009104314A1 - 圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 - Google Patents

圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 Download PDF

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substrate wafer
paste
electrode
electrodes
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潔 荒武
理志 沼田
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セイコーインスツル株式会社
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    • Y10T29/42Piezoelectric device making

Definitions

  • the present invention relates to a surface mount type (SMD) piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between two bonded substrates, and a piezoelectric vibrator for manufacturing the piezoelectric vibrator.
  • the present invention relates to a manufacturing method, an oscillator having a piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece. This application is based on Japanese Patent Application No. 2008-35508, Japanese Patent Application No. 2008-36419, and Japanese Patent Application No. 2008-35511, and the contents thereof are incorporated.
  • a piezoelectric vibrator using a crystal or the like as a timing source such as a time source or a control signal, a reference signal source, or the like is used in a mobile phone or a portable information terminal device.
  • Various piezoelectric vibrators of this type are known, and one of them is a surface-mount type piezoelectric vibrator.
  • this type of piezoelectric vibrator a three-layer structure type in which a piezoelectric substrate on which a piezoelectric vibrating piece is formed is joined so as to be sandwiched from above and below by a base substrate and a lid substrate is known. In this case, the piezoelectric vibrator is housed in a cavity (sealed chamber) formed between the base substrate and the lid substrate.
  • a two-layer structure type has been developed instead of the three-layer structure type described above.
  • This type of piezoelectric vibrator has a two-layer structure in which a base substrate and a lid substrate are directly bonded, and a piezoelectric vibrating piece is accommodated in a cavity formed between the two substrates.
  • the two-layer structure type piezoelectric vibrator is excellent in that it can be made thinner than the three-layer structure, and is preferably used.
  • a conductive member formed so as to penetrate the base substrate is used to conduct the piezoelectric vibrating piece and the external electrode formed on the base substrate. Piezoelectric vibrators are known (see Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • the piezoelectric vibrator 600 includes a base substrate 601 and a lid substrate 602 that are anodically bonded to each other via a bonding film 607, and a cavity C formed between the substrates 601 and 602. And a piezoelectric vibrating piece 603 sealed in the container.
  • the piezoelectric vibrating piece 603 is, for example, a tuning fork type vibrating piece, and is mounted on the upper surface of the base substrate 601 in the cavity C via the conductive adhesive E.
  • the base substrate 601 and the lid substrate 602 are insulating substrates made of, for example, ceramic or glass.
  • a through-hole 604 penetrating through the substrate 601 is formed in the base substrate 601 of both the substrates 601 and 602.
  • a conductive member 605 is embedded in the through hole 604 so as to close the through hole 604.
  • the conductive member 605 is electrically connected to the external electrode 606 formed on the lower surface of the base substrate 601 and is electrically connected to the piezoelectric vibrating piece 603 mounted in the cavity C.
  • the conductive member 605 blocks the through hole 604 to maintain airtightness in the cavity C, and electrically connects the piezoelectric vibrating piece 603 and the external electrode 606. It plays a big role. In particular, if the close contact with the through hole 604 is insufficient, the airtightness in the cavity C may be impaired, and if the contact with the conductive adhesive E or the external electrode 606 is insufficient, The malfunction of the piezoelectric vibrating piece 603 will be caused.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 describe that the conductive member 605 is formed of a conductive paste (Ag paste, Au-Sn paste, etc.), how to actually form the conductive member 605, etc. No specific manufacturing method is described.
  • a conductive paste when used, it needs to be baked and cured. That is, after the conductive paste is embedded in the through hole 604, it is necessary to perform baking and cure.
  • the organic matter contained in the conductive paste disappears due to evaporation when firing, the volume after firing usually decreases compared to before firing (for example, when Ag paste is used as the conductive paste) The volume is reduced by about 20%). Therefore, even if the conductive member 605 is formed using the conductive paste, there is a risk that a dent will be generated on the surface or, if it is severe, the through hole may open at the center. As a result, there is a possibility that airtightness in the cavity C is impaired, or electrical conductivity between the piezoelectric vibrating piece 603 and the external electrode 606 is impaired.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and its purpose is to maintain high airtightness in the cavity and to ensure high-quality that ensures stable continuity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode. It is to provide a two-layer structure type surface mount type piezoelectric vibrator. Another object of the present invention is to provide a piezoelectric vibrator manufacturing method for efficiently manufacturing the piezoelectric vibrator at a time, an oscillator having the piezoelectric vibrator, an electronic device, and a radio timepiece.
  • a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other is used for the base substrate.
  • a recess forming step of forming a plurality of cavity recesses on a lid substrate wafer is performed. These recesses are recesses that become cavities when the two wafers are overlapped later.
  • a through electrode forming step for forming a plurality of through electrodes on the base substrate wafer is performed at the same time as or before and after this step. At this time, a plurality of through electrodes are formed so as to be accommodated in the recesses formed in the lid substrate wafer when the two wafers are overlapped later.
  • This through electrode forming process is roughly divided into two operation sequences depending on the timing of the polishing process for polishing the base substrate wafer.
  • the polishing process is performed after the paste containing a plurality of metal fine particles is finally fired will be described.
  • a holding hole forming step for forming a plurality of holding holes for holding the paste in the base substrate wafer is performed.
  • a filling process for filling the plurality of holding holes without any gaps and closing the holding holes is performed.
  • a firing process is performed in which the filled paste is temporarily fired and then fired and cured.
  • the embedded paste is temporarily fired.
  • the paste cured by pre-baking evaporates most of the organic substances in the paste at the time of pre-baking, so that the volume is reduced as compared with the filling process. Therefore, a dent is inevitably generated on the surface of the paste. Therefore, a new paste corresponding to the amount of paste reduced by the pre-baking is supplemented to the paste after the pre-baking. Thereby, since the new paste is filled in the recessed portion, the surface becomes flat.
  • the entire paste is temporarily fired again in order to prevent the organic matter inside the refilled paste from being rapidly evaporated during the main firing.
  • the main paste is fired. Thereby, the paste embedded in the filling step and the newly replenished paste are completely cured and integrated, and are firmly fixed to the inner surface of the holding hole.
  • a baking process is complete
  • the paste embedded in the filling step among the pastes that have been subjected to the main baking has already evaporated most of the organic substances at the time of the first temporary baking, and therefore the volume is hardly reduced at the time of the preliminary baking and the main baking after the paste supplementation.
  • the new paste replenished after the initial calcination has a very small amount of paste compared to the total amount of paste in the holding holes, although the volume is reduced by the calcination and main calcination after the paste replenishment. It is. Therefore, the influence which the volume reduced by pre-baking and main baking of a new paste has on the volume of the whole paste is negligibly small.
  • the surface of the paste after curing by the main baking does not greatly dent. That is, the surface of the base substrate wafer and the surface of the paste cured by the main baking are almost flush with each other.
  • a polishing process is performed in which both surfaces of the base substrate wafer are polished to a predetermined thickness.
  • both sides of the paste cured by the main baking can be simultaneously polished, so that the periphery of the slightly recessed portion can be removed. That is, the surface of the cured paste can be made flatter. As a result, the surface of the base substrate wafer and the surface of the cured paste become more flush with each other.
  • the through electrode forming process in the case where the polishing process is performed after the main baking is completed.
  • the electrical conductivity as a penetration electrode is ensured because the some metal fine particle contained in a paste mutually contacts. Further, in the above-described through electrode forming step, the amount of polishing in the polishing step is very small, so that the time required for the polishing step can be shortened.
  • the through electrode forming step in the case where the polishing step is performed before the main firing will be described subsequently.
  • the same process as described above is performed until the paste embedded in the filling process is temporarily fired. After the paste embedded in the filling step is temporarily fired, as described above, a dent is generated on the surface of the paste. Therefore, immediately after the preliminary baking, a polishing step is performed in which both surfaces of the base substrate wafer are polished to a predetermined thickness. Thereby, since the periphery of the recessed part can be shaved, the surface of the base substrate wafer and the surface of the paste after pre-baking are almost flush with each other.
  • the amount of decrease in the volume of the paste in this pre-baking is smaller than that in the case where the main baking is performed once without pre-baking. Accordingly, the dent on the paste surface caused by the pre-baking is smaller than the dent generated when the same amount of paste is fired at once without pre-baking. Therefore, the amount of polishing can be suppressed by performing the polishing step immediately after the paste is temporarily fired, and the time required for the polishing step can be shortened.
  • the paste is completely cured by performing main firing.
  • the paste is firmly fixed to the inner surface of the holding hole, and the paste functions as a through electrode.
  • the volume reduction in the main baking is negligible. Accordingly, the surface of the base substrate wafer and the surface of the hardened paste are maintained substantially flush with each other as before the main baking. By performing this main baking, the through electrode forming step is completed.
  • the above is the through electrode forming step according to the present invention. As described above, the surface of the base substrate wafer and the surface of the hardened paste are almost flush with each other no matter what timing the polishing step is performed. It becomes.
  • a lead electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer to form a plurality of lead electrodes electrically connected to the through electrodes.
  • the routing electrode is formed so as to be accommodated in the recess formed in the lid substrate wafer.
  • the through electrode is substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer as described above. For this reason, the routing electrode patterned on the upper surface of the base substrate wafer is in close contact with the through electrode without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the routing electrode and the through electrode can be ensured.
  • a mounting process is performed in which a plurality of piezoelectric vibrating reeds are bonded to the upper surface of the base substrate wafer via the routing electrodes. Thereby, each joined piezoelectric vibrating piece will be in the state which conduct
  • an overlaying process for overlaying the base substrate wafer and the lid substrate wafer is performed. As a result, the plurality of bonded piezoelectric vibrating reeds are housed in a cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • a bonding process is performed for bonding both the stacked wafers. Thereby, since both wafers are firmly adhered, the piezoelectric vibrating piece can be sealed in the cavity.
  • an external electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer to form a plurality of external electrodes electrically connected to the through electrodes.
  • the through electrode is substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer as in the case of forming the lead-out electrode, so that the patterned external electrode generates a gap or the like between them. Without contact with the through electrode. Thereby, the electrical connection between the external electrode and the through electrode can be ensured.
  • the piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity can be operated using the external electrode.
  • a cutting process is performed in which the bonded base substrate wafer and lid substrate wafer are cut into small pieces into a plurality of piezoelectric vibrators.
  • the through electrode can be formed in a substantially flush state with respect to the base substrate, the through electrode can be reliably brought into close contact with the routing electrode and the external electrode. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode can be ensured, the reliability of the operation performance can be improved, and high quality can be achieved. In addition, since the airtightness in the cavity can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect. In addition, since the through electrode can be formed by a simple method using paste, the process can be simplified.
  • the paste may be defoamed and then embedded in the holding hole.
  • the paste is defoamed in advance, the paste containing as little bubbles as possible can be filled. Therefore, even if a baking process is performed, the volume reduction of a paste can be suppressed as much as possible. Accordingly, the amount of polishing in the subsequent polishing step can be reduced, the time required for this step can be reduced, and the piezoelectric vibrator can be manufactured more efficiently.
  • the holding hole is formed in a bottomed hole shape from the upper surface side of the base substrate wafer; the polishing step forms the upper surface of the base substrate wafer by a predetermined thickness.
  • the holding hole is formed in a bottomed hole shape from the upper surface side of the base substrate wafer.
  • the polishing process includes an upper surface polishing process and a lower surface polishing process.
  • the polishing amount can be set based on the thickness of the base substrate wafer and the depth of the holding hole without depending on the volume of the paste that decreases during firing. Therefore, in the lower surface polishing step, it is not necessary to perform polishing after confirming the state of the paste, and a predetermined amount may be polished. Therefore, insufficient polishing or excessive polishing can be prevented.
  • a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other is provided.
  • a recess forming step for forming a plurality of through electrodes penetrating the wafer using a paste containing a plurality of metal fine particles on the base substrate wafer; and forming an upper surface of the base substrate wafer.
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses are formed in a lid substrate wafer. These recesses are recesses that become cavities when the two wafers are overlapped later.
  • a through electrode forming step for forming a plurality of through electrodes on the base substrate wafer is performed at the same time as or before or after this step. At this time, a plurality of through electrodes are formed so as to be accommodated in the recesses formed in the lid substrate wafer when the two wafers are overlapped later.
  • the penetration electrode forming step will be described in detail.
  • a hole forming step for forming a plurality of holes on the upper surface of the base substrate wafer is performed.
  • a filling process is performed in which the paste containing the metal fine particles is filled in the plurality of holes without gaps to close the holes.
  • a firing process is performed in which the filled paste is fired and cured at a predetermined temperature. As a result, the paste is firmly fixed to the inner surface of the hole.
  • an upper surface polishing step is performed to polish the upper surface of the base substrate wafer by a predetermined thickness.
  • the paste cured by baking can be simultaneously polished on the upper surface of the base substrate wafer, so that the periphery of the recessed portion can be scraped off. That is, the surface of the cured paste can be flattened. Therefore, on the upper surface of the base substrate wafer, the surface of the base substrate wafer and the surface of the cured paste are substantially flush.
  • the lower surface polishing step of polishing the lower surface of the base substrate wafer after firing is performed until the paste penetrated through the hole and at least exposed. Thereby, the paste hardened in the hole is exposed on the lower surface.
  • the hole formed in the base substrate wafer becomes a through hole that subsequently penetrates the base substrate wafer, and the hardened paste becomes the through electrode.
  • the surface of the base substrate wafer and the surface of the hardened paste are substantially flush with each other on the lower surface of the base substrate wafer.
  • the through electrode forming step is completed.
  • the electrical conductivity of the through electrode is ensured because the plurality of metal fine particles contained in the paste are in contact with each other.
  • a lead electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer to form a plurality of lead electrodes electrically connected to the through electrodes.
  • the routing electrode is formed so as to be accommodated in the recess formed in the lid substrate wafer.
  • the through electrode has no depression on the surface as described above, and is substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer. For this reason, the routing electrode patterned on the upper surface of the base substrate wafer is in close contact with the through electrode without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the routing electrode and the through electrode can be ensured.
  • a mounting process is performed in which the plurality of piezoelectric vibrating reeds are joined to the upper surface of the base substrate wafer via the routing electrodes. Thereby, each joined piezoelectric vibrating piece will be in the state which conduct
  • an overlaying process for overlaying the base substrate wafer and the lid substrate wafer is performed. As a result, the plurality of bonded piezoelectric vibrating reeds are housed in a cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • a bonding process is performed for bonding both the stacked wafers.
  • the piezoelectric vibrating piece can be sealed in the cavity.
  • the through-hole formed in the base substrate wafer is closed by the through-electrode, the airtightness in the cavity is not impaired through the through-hole.
  • the paste constituting the through electrode is firmly adhered to the inner surface of the through hole, airtightness in the cavity can be reliably maintained.
  • an external electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer to form a plurality of external electrodes electrically connected to the through electrodes.
  • the through electrode is substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer as in the case of forming the lead-out electrode, so that the patterned external electrode generates a gap or the like between them. Without contact with the through electrode. Thereby, the electrical connection between the external electrode and the through electrode can be ensured.
  • the piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity can be operated using the external electrode.
  • a cutting process is performed in which the bonded base substrate wafer and lid substrate wafer are cut into small pieces into a plurality of piezoelectric vibrators.
  • the through electrode can be formed in a state where there is no depression on the surface and is substantially flush with the base substrate, the through electrode can be reliably brought into close contact with the routing electrode and the external electrode.
  • the reliability of the operation performance can be improved, and high quality can be achieved.
  • the airtightness in the cavity can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect.
  • the polishing amount can be set based on the thickness of the base substrate wafer and the depth of the hole without depending on the volume of the paste that decreases during firing. Therefore, in the lower surface polishing step, it is not necessary to perform polishing after confirming the state of the paste, and a predetermined amount may be polished. Therefore, insufficient polishing or excessive polishing can be prevented.
  • the through electrode can be formed by a simple method using paste, the process can be simplified. Furthermore, since the hole portion which is a bottomed hole is used when embedding the paste, the embedding operation of the paste is easy, and the process can be simplified. In addition, there is no fear of using the paste in vain.
  • the paste may be defoamed and embedded in the hole.
  • the paste is defoamed in advance, the paste containing as little bubbles as possible can be filled. Therefore, even if a baking process is performed, the volume reduction of a paste can be suppressed as much as possible. Accordingly, the amount of polishing in the subsequent polishing step can be reduced, the time required for this step can be reduced, and the piezoelectric vibrator can be manufactured more efficiently.
  • a piezoelectric vibrator in which a piezoelectric vibrating piece is sealed in a cavity formed between a base substrate and a lid substrate bonded to each other is provided.
  • a recess forming step for forming a plurality of through electrodes penetrating the wafer using a paste containing a plurality of metal fine particles on the base substrate wafer; and forming an upper surface of the base substrate wafer.
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses are formed in a lid substrate wafer. These recesses are recesses that become cavities when the two wafers are overlapped later.
  • a through electrode forming step for forming a plurality of through electrodes on the base substrate wafer is performed at the same time as or before or after this step. At this time, a plurality of through electrodes are formed so as to be accommodated in the recesses formed in the lid substrate wafer when the two wafers are overlapped later.
  • a through hole forming process for forming a plurality of through holes penetrating the wafer in the base substrate wafer is performed.
  • a filling step of filling the plurality of through holes with a paste containing metal fine particles without gaps to close the through holes is performed.
  • a firing process is performed in which the filled paste is fired and cured at a predetermined temperature.
  • the paste is firmly fixed to the inner surface of the through hole.
  • a polishing process is performed in which both surfaces of the base substrate wafer are polished by a predetermined thickness.
  • both sides of the paste cured by firing can be polished simultaneously, so that the periphery of the recessed portion can be scraped off. That is, the surface of the cured paste can be flattened. Therefore, the surface of the base substrate wafer and the surface of the through electrode are substantially flush.
  • the through electrode forming process is completed.
  • the electrical conductivity of the through electrode is ensured because the plurality of metal fine particles contained in the paste are in contact with each other.
  • a lead electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer to form a plurality of lead electrodes electrically connected to the respective through electrodes.
  • the routing electrode is formed so as to be accommodated in the recess formed in the lid substrate wafer.
  • the through electrode has no depression on the surface as described above, and is substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer. For this reason, the routing electrode patterned on the upper surface of the base substrate wafer is in close contact with the through electrode without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the routing electrode and the through electrode can be ensured.
  • a mounting process is performed in which a plurality of piezoelectric vibrating reeds are joined to the upper surface of the base substrate wafer through the routing electrodes. Thereby, each joined piezoelectric vibrating piece will be in the state which conduct
  • an overlaying process for overlaying the base substrate wafer and the lid substrate wafer is performed. As a result, the plurality of bonded piezoelectric vibrating reeds are housed in a cavity surrounded by the recess and both wafers.
  • a bonding process is performed for bonding both the stacked wafers.
  • the piezoelectric vibrating piece can be sealed in the cavity.
  • the through-hole formed in the base substrate wafer is closed by the through-electrode, the airtightness in the cavity is not impaired through the through-hole.
  • the paste constituting the through electrode is firmly adhered to the inner surface of the through hole, airtightness in the cavity can be reliably maintained.
  • an external electrode forming step is performed in which a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer to form a plurality of external electrodes electrically connected to the respective through electrodes.
  • the through electrode is substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer as in the case of forming the lead-out electrode, so that the patterned external electrode generates a gap or the like between them. Without contact with the through electrode. Thereby, the electrical connection between the external electrode and the through electrode can be ensured.
  • the piezoelectric vibrating piece sealed in the cavity can be operated using the external electrode.
  • a cutting process is performed in which the bonded base substrate wafer and lid substrate wafer are cut into small pieces into a plurality of piezoelectric vibrators.
  • the through electrode can be formed in a state where there is no depression on the surface and is substantially flush with the base substrate, the through electrode can be reliably brought into close contact with the routing electrode and the external electrode.
  • the through electrode can be reliably brought into close contact with the routing electrode and the external electrode.
  • the reliability of the operation performance can be improved, and high quality can be achieved.
  • the airtightness in the cavity can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect.
  • the through electrode can be formed by a simple method using paste, the process can be simplified.
  • the paste may be defoamed and then embedded in the through hole.
  • the paste is defoamed in advance, the paste containing as little bubbles as possible can be filled. Therefore, even if a baking process is performed, the volume reduction of a paste can be suppressed as much as possible. Accordingly, the amount of polishing in the subsequent polishing step can be reduced, the time required for this step can be reduced, and the piezoelectric vibrator can be manufactured more efficiently.
  • the two wafers may be anodically bonded via the bonding film during the bonding step.
  • both the wafers can be bonded more firmly to improve the airtightness in the cavity. Therefore, the piezoelectric vibrating piece can be vibrated with higher accuracy, and further quality improvement can be achieved.
  • the piezoelectric vibrating piece may be bump-bonded using a conductive bump.
  • the piezoelectric vibrating piece since the piezoelectric vibrating piece is bump-bonded, the piezoelectric vibrating piece can be lifted from the upper surface of the base substrate by the thickness of the bump. Therefore, the minimum vibration gap necessary for the vibration of the piezoelectric vibrating piece can be naturally secured. Therefore, the reliability of the operation performance of the piezoelectric vibrator can be further improved.
  • a paste containing non-spherical metal fine particles may be embedded.
  • the metal fine particles contained in the paste are not spherical but are non-spherical, for example, elongated fibers or cross-sectional stars, so that when they contact each other, they are not in point contact but in line contact. Easy to be. Therefore, the electrical continuity of the through electrode can be further increased.
  • the thermal expansion of the paste can be brought close to the thermal expansion of the base substrate wafer during firing. Therefore, a gap or the like due to the difference in thermal expansion is unlikely to occur between the two, and the two can be brought into closer contact. As a result, it is possible to form a through electrode with higher airtightness and improve long-term airtight reliability.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention includes a base substrate whose both surfaces are polished; a lid formed with a cavity concave portion and bonded to the base substrate with the concave portion facing the base substrate.
  • the piezoelectric vibrator according to the present invention the high-quality two-layer surface mount type that can reliably maintain the airtightness in the cavity and secures stable electrical connection between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode. It can be set as a piezoelectric vibrator.
  • the base substrate and the lid substrate may be anodically bonded via a bonding film formed between the substrates so as to surround the periphery of the recess.
  • the piezoelectric vibrating piece may be bump-bonded by a conductive bump.
  • the metal fine particles may be non-spherical.
  • Particles having substantially the same thermal expansion coefficient as the base substrate may be mixed in the paste.
  • the piezoelectric vibrator described in any one of (12) to (16) is electrically connected to an integrated circuit as an oscillator.
  • the piezoelectric vibrator described in any one of (12) to (16) is electrically connected to the time measuring unit.
  • the piezoelectric vibrator described in any one of (12) to (16) is electrically connected to the filter unit.
  • the operation reliability is similarly increased. High quality.
  • a high-quality two-layer surface mount type that can reliably maintain the airtightness in the cavity and secures a stable electrical connection between the piezoelectric vibrating piece and the external electrode. It can be set as a piezoelectric vibrator.
  • the above-described piezoelectric vibrator can be efficiently manufactured at a time, and the cost can be reduced.
  • the oscillator, the electronic device, and the radio timepiece according to the present invention since the above-described piezoelectric vibrator is provided, the reliability of the operation can be similarly improved and the quality can be improved.
  • FIG. 1 is an external perspective view showing a first embodiment of a piezoelectric vibrator according to the present invention.
  • FIG. 2 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1 and is a view of the piezoelectric vibrating piece viewed from above with the lid substrate removed.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 4 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG.
  • FIG. 5 is a top view of the piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG. 6 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line BB shown in FIG. FIG.
  • FIG. 8 is an enlarged view of the through electrode shown in FIG. 3 and shows a paste containing a plurality of metal fine particles.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a flow of manufacturing the piezoelectric vibrator shown in FIG.
  • FIG. 10 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 9, and shows a state in which a plurality of recesses are formed on the lid substrate wafer that is the base of the lid substrate. It is.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a plurality of holding holes are formed in a base substrate wafer that is a base substrate.
  • FIG. 12 is a view of the state shown in FIG. 11 as seen from the cross section of the base substrate wafer.
  • FIG. 13 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and illustrates a state in which a paste is filled in the holding hole after the state illustrated in FIG. 12. It is.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state in which the paste is temporarily fired after the state illustrated in FIG. 13.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9, and is a diagram illustrating a state in which the paste is finally baked after the state illustrated in FIG. 15.
  • FIG. 17 is a diagram showing a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 9, and shows a state where both surfaces of the base substrate wafer are polished after the state shown in FIG. 16.
  • FIG. FIG. 18 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 9. After the state shown in FIG.
  • FIG. 17 is a diagram illustrating a process for manufacturing a piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 9. After the state illustrated in FIG. 18, the bonding film and the routing electrode are provided on the upper surface of the base substrate wafer. It is a figure which shows the state which patterned.
  • FIG. 20 is an overall view of the base substrate wafer in the state shown in FIG.
  • FIG. 21 is a diagram illustrating a process of manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG.
  • FIG. 22 is a flowchart showing a flow in manufacturing the piezoelectric vibrator shown in FIG. 1 in the second embodiment according to the present invention.
  • FIG. 23 is a diagram showing a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 22, and shows a state where both surfaces of the base substrate wafer are polished after the state shown in FIG. 14.
  • FIG. 24 is a diagram illustrating a process when the piezoelectric vibrator is manufactured along the flowchart illustrated in FIG.
  • FIG. 22 is a diagram illustrating a state after the state illustrated in FIG. 23.
  • FIG. 25 is a diagram illustrating a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart illustrated in FIG. 22, and is a diagram illustrating a state in which the paste is finally baked after the state illustrated in FIG. 24.
  • FIG. 26 is an external perspective view showing a third embodiment of the piezoelectric vibrator according to the present invention.
  • FIG. 27 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 26, and is a view of the piezoelectric vibrating piece viewed from above with the lid substrate removed.
  • FIG. 28 is a sectional view of the piezoelectric vibrator taken along line AA shown in FIG. FIG.
  • FIG. 29 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 30 is a top view of the piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG. 31 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG. 32 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 33 is an enlarged view of the through electrode shown in FIG. 28, and shows a paste containing a plurality of metal fine particles.
  • FIG. 34 is a flowchart showing a flow when the piezoelectric vibrator shown in FIG. 26 is manufactured.
  • FIG. 35 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG.
  • FIG. 36 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and shows a state in which a plurality of holes are formed in the base substrate wafer that is the base substrate.
  • FIG. 37 is a view of the state shown in FIG. 36 as viewed from the cross section of the base substrate wafer.
  • FIG. 38 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and shows a state in which the hole is filled with paste after the state shown in FIG. is there.
  • FIG. 36 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and shows a state in which the hole is filled with paste after the state shown in FIG. is there.
  • FIG. 39 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and is a diagram showing a state in which the paste is cured by baking after the state shown in FIG. .
  • FIG. 40 is a diagram showing a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and shows a state where both surfaces of the base substrate wafer are polished after the state shown in FIG.
  • FIG. 41 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and after the state shown in FIG. 40, the dent disappears and is flush with the surface of the base substrate wafer. It is a figure which shows the through electrode which became.
  • FIG. 40 is a diagram showing a process for manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34, and shows a state where both surfaces of the base substrate wafer are polished after the state shown in FIG.
  • FIG. 41 is
  • FIG. 42 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 34. After the state shown in FIG. 41, the bonding film and the routing electrode are formed on the upper surface of the base substrate wafer. It is a figure which shows the state which patterned.
  • FIG. 43 is an overall view of the base substrate wafer in the state shown in FIG.
  • FIG. 44 is a diagram showing one process when the piezoelectric vibrator is manufactured according to the flowchart shown in FIG. 34, and the base substrate wafer, the lid substrate wafer, It is a disassembled perspective view of the wafer body by which anodic bonding was carried out.
  • FIG. 45 is an external perspective view showing a fourth embodiment of a piezoelectric vibrator according to the present invention.
  • FIG. 46 is an internal configuration diagram of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 45, and is a view of the piezoelectric vibrating piece viewed from above with the lid substrate removed.
  • FIG. 47 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator taken along line AA shown in FIG.
  • FIG. 48 is an exploded perspective view of the piezoelectric vibrator shown in FIG. 49 is a top view of a piezoelectric vibrating piece constituting the piezoelectric vibrator shown in FIG.
  • FIG. 50 is a bottom view of the piezoelectric vibrating piece shown in FIG. 51 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 52 is an enlarged view of the through electrode shown in FIG.
  • FIG. 53 is a flowchart showing a flow when the piezoelectric vibrator shown in FIG. 45 is manufactured.
  • FIG. 54 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and shows a state in which a plurality of recesses are formed on the lid substrate wafer that is the base of the lid substrate. It is.
  • FIG. 55 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and shows a state in which a pair of through holes are formed in the base substrate wafer that is the base substrate.
  • FIG. 56 is a view of the state shown in FIG.
  • FIG. 57 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and shows a state in which the through hole is filled with paste after the state shown in FIG. It is.
  • FIG. 58 is a diagram showing one step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and after the state shown in FIG. 57, the paste is cured by baking to form a through electrode.
  • FIG. FIG. 59 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and shows a state where both surfaces of the base substrate wafer are polished after the state shown in FIG. FIG. FIG.
  • FIG. 60 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and after the state shown in FIG. 59, the dent disappears and is flush with the surface of the base substrate wafer. It is a figure which shows the through electrode which became.
  • FIG. 61 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53. After the state shown in FIG. 60, the bonding film and the routing electrode are formed on the upper surface of the base substrate wafer. It is a figure which shows the state which patterned. 62 is an overall view of the base substrate wafer in the state shown in FIG. FIG.
  • FIG. 63 is a diagram showing a step in manufacturing the piezoelectric vibrator according to the flowchart shown in FIG. 53, and shows the base substrate wafer, the lid substrate wafer, and the piezoelectric substrate in a state where the piezoelectric vibrating piece is housed in the cavity. It is a disassembled perspective view of the wafer body by which anodic bonding was carried out.
  • FIG. 64 is a block diagram showing an embodiment of an oscillator according to the present invention.
  • FIG. 65 is a block diagram showing an embodiment of an electronic apparatus according to the invention.
  • FIG. 66 is a block diagram showing an embodiment of a radio timepiece according to the present invention.
  • FIG. 67 is an enlarged view showing a modification of the paste according to the present invention.
  • FIG. 68A is a view showing a modification of the metal fine particles according to the present invention and is a view showing metal fine particles formed in a strip shape.
  • FIG. 68B is a diagram showing a modification of the metal fine particles according to the present invention and is a diagram showing the metal fine particles formed in a corrugated shape.
  • FIG. 68C is a diagram showing a modification of the metal fine particles according to the present invention and is a diagram showing the metal fine particles formed in a cross-sectional star shape.
  • FIG. 68D is a view showing a modification of the metal fine particles according to the present invention and showing fine particles formed in a cross-shaped cross section.
  • FIG. 69 is a cross-sectional view showing a modification of the piezoelectric vibrator according to the present invention.
  • 70 is an internal structural view of a conventional piezoelectric vibrator, and is a view of the piezoelectric vibrating piece as viewed from above with the lid substrate removed. 71 is a cross-sectional view of the piezoelectric vibrator shown in FIG.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 2 and a lid substrate 3 are laminated in two layers as shown in FIGS. This is a surface-mounted piezoelectric vibrator 1 in which a vibrating piece 4 is housed.
  • the excitation electrode 15, the extraction electrodes 19 and 20, the mount electrodes 16 and 17, and the weight metal film 21, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 includes a pair of vibrating arm portions 10 and 11 arranged in parallel, a base portion 12 that integrally fixes the base end sides of the pair of vibrating arm portions 10 and 11, and a pair of vibrating arm portions.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 includes groove portions 18 formed along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 10 and 11 on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 10 and 11.
  • the groove portion 18 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 to the vicinity of the middle.
  • the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 10 and 11 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. Patterned on the outer surfaces of the vibrating arm portions 10 and 11 while being electrically separated from each other. Specifically, as shown in FIG. 7, the first excitation electrode 13 is mainly formed on the groove portion 18 of one vibration arm portion 10 and on both side surfaces of the other vibration arm portion 11. The excitation electrode 14 is mainly formed on both side surfaces of one vibration arm portion 10 and on the groove portion 18 of the other vibration arm portion 11.
  • the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 are electrically connected to the mount electrodes 16 and 17 via the extraction electrodes 19 and 20 on both main surfaces of the base portion 12, respectively. Connected. A voltage is applied to the piezoelectric vibrating reed 4 via the mount electrodes 16 and 17.
  • the excitation electrode 15, the mount electrodes 16 and 17, and the extraction electrodes 19 and 20 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.
  • a weight metal film 21 for adjusting (frequency adjustment) so as to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 10 and 11.
  • the weight metal film 21 is divided into a coarse adjustment film 21a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 21b used when the frequency is finely adjusted.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 configured in this way is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 2 using bumps B such as gold as shown in FIGS. More specifically, a pair of mount electrodes 16 and 17 are bump-bonded to two bumps B formed on the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate 2 in a state where they are in contact with each other. . As a result, the piezoelectric vibrating reed 4 is supported in a state of floating from the upper surface of the base substrate 2 and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected to each other.
  • the lid substrate 3 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS.
  • a rectangular recess 3 a in which the piezoelectric vibrating reed 4 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 2 is bonded.
  • the concave portion 3 a is a cavity concave portion 3 a that becomes a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 4 when the two substrates 2 and 3 are overlapped.
  • the lid substrate 3 is anodically bonded to the base substrate 2 with the recess 3a facing the base substrate 2 side.
  • the base substrate 2 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda lime glass, like the lid substrate 3, and has a size that can be superimposed on the lid substrate 3 as shown in FIGS. It is formed in a plate shape.
  • a pair of through holes 30 and 31 penetrating the base substrate 2 are formed.
  • the pair of through holes 30 and 31 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 30 and 31 of the present embodiment, one through hole 30 is located on the base 12 side of the mounted piezoelectric vibrating reed 4, and the other through hole is on the tip side of the vibrating arm portions 10 and 11. It is formed so that the hole 31 is located.
  • a through hole having a tapered cross section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate 2 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this case, and the base substrate 2 passes straight through. It can be a through hole. In any case, it only has to penetrate the base substrate 2.
  • the pair of through holes 30 and 31 are formed with a pair of through electrodes 32 and 33 formed so as to fill the through holes 30 and 31.
  • these through electrodes 32 and 33 are formed by curing a paste P containing a plurality of metal fine particles P1, and completely close the through holes 30 and 31 so as to prevent airtightness in the cavity C.
  • the external electrodes 38 and 39, which will be described later, and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected.
  • the through electrodes 32 and 33 ensure electrical conductivity because the plurality of metal fine particles P1 contained in the paste P are in contact with each other. Further, the case where the metal fine particles P1 of the present embodiment are formed in an elongated fiber shape (non-spherical shape) with copper or the like will be described as an example.
  • a conductive film for example, aluminum is used to form a bonding film 35 for anodic bonding
  • a pair of routing electrodes 36 and 37 are patterned.
  • the bonding film 35 is formed along the periphery of the base substrate 2 so as to surround the periphery of the recess 3 a formed in the lid substrate 3.
  • the pair of lead electrodes 36 and 37 electrically connect one of the pair of through electrodes 32 and 33 to the one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 and the other through electrode 33.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is patterned so as to be electrically connected to the other mount electrode 17. More specifically, the one lead-out electrode 36 is formed directly above the one through electrode 32 so as to be positioned directly below the base 12 of the piezoelectric vibrating piece 4.
  • the other routing electrode 37 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 36 to the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11 along the vibrating arm portions 10 and 11, and then the other through electrode 33. It is formed to be located directly above.
  • Bumps B are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, and the piezoelectric vibrating reed 4 is mounted using the bumps B.
  • one mount electrode 16 of the piezoelectric vibrating reed 4 is electrically connected to one through electrode 32 via one routing electrode 36, and the other mount electrode 17 passes through the other routing electrode 37 to the other penetration electrode.
  • the electrode 33 is electrically connected.
  • external electrodes 38 and 39 are formed on the lower surface of the base substrate 2 so as to be electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively. That is, one external electrode 38 is electrically connected to the first excitation electrode 13 of the piezoelectric vibrating reed 4 via one through electrode 32 and one routing electrode 36. The other external electrode 39 is electrically connected to the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4 via the other through electrode 33 and the other routing electrode 37.
  • a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 38 and 39 formed on the base substrate 2.
  • a current can flow through the excitation electrode 15 including the first excitation electrode 13 and the second excitation electrode 14 of the piezoelectric vibrating reed 4, and is predetermined in a direction in which the pair of vibrating arm portions 10 and 11 are approached and separated.
  • Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.
  • the piezoelectric vibrating reed manufacturing step is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 4 shown in FIGS. 5 to 7 (S10). Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and roughly processed, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating reed 4 by photolithography, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 15 and the lead-out. Electrodes 19 and 20, mount electrodes 16 and 17, and weight metal film 21 are formed. Thereby, the some piezoelectric vibrating piece 4 is producible.
  • the resonance frequency is coarsely adjusted. This is done by irradiating the coarse adjustment film 21a of the weight metal film 21 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.
  • a first wafer manufacturing process is performed in which a lid substrate wafer 50 to be the lid substrate 3 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S20).
  • a disk-shaped lid substrate wafer 50 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like ( S21).
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 3a are formed in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 50 (S22). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.
  • a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 40 to be the base substrate 2 is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S30).
  • a disk-shaped base substrate wafer 40 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S31).
  • a through electrode forming process is performed in which a plurality of pairs of through electrodes 32 and 33 are formed on the base substrate wafer 40 using a paste P containing a plurality of metal fine particles P1 (S30A).
  • the through electrode forming step will be described in detail.
  • a holding hole forming step (S32) is performed in which a plurality of holding holes 30a, 31a having a bottomed hole shape are formed on the upper surface side of the base substrate wafer 40.
  • the dotted line M shown in FIG. 11 has shown the cutting line cut
  • this process for example, sand blasting is performed from the upper surface side of the base substrate wafer 40.
  • the bottomed hole-shaped holding holes 30a and 31a are formed which are tapered in cross-section with the diameter gradually decreasing toward the lower surface of the base substrate wafer 40. be able to.
  • a plurality of pairs of holding holes 30a and 31a are formed so as to be accommodated in the recess 3a formed in the lid substrate wafer 50 when the wafers 40 and 50 are overlapped later. Moreover, one holding hole 30 a is positioned on the base 12 side of the piezoelectric vibrating reed 4, and the other holding hole 31 a is positioned on the distal end side of the vibrating arm portions 10 and 11.
  • a holding hole having a tapered cross section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate wafer 40 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the diameter is uniform.
  • a holding hole may be used. In any case, it may be a fixed holding hole having a bottom on the lower surface side of the base substrate wafer 40.
  • a filling process is performed in which the paste is embedded in the plurality of holding holes 30a and 31a without gaps to close the holding holes 30a and 31a (S33).
  • the holding holes 30a and 31a are formed in a bottomed hole shape, the paste P can be easily embedded, and the process can be simplified. In addition, there is no fear of using the paste P wastefully.
  • a firing step is performed in which the filled paste P is temporarily fired and then fired and cured. Specifically, first, the embedded paste P is temporarily fired (S34).
  • the heating condition in the pre-baking is preferably about 80 minutes at 80 ° C.
  • the paste P hardened by the pre-baking because most of the organic matter in the paste P (not shown) is evaporated at the time of pre-baking, the volume is reduced as compared with the filling process as shown in FIG. Therefore, a dent is inevitably generated on the surface of the paste P. Therefore, before performing the main baking, a new paste P corresponding to the amount of paste reduced during the temporary baking is supplemented to the paste P after the temporary baking (S35). Thereby, since the new paste P is filled in the recessed part, the surface becomes flat as shown in FIG.
  • the entire paste P is temporarily fired again (S36). After this temporary firing is completed, the paste P is entirely fired (S37).
  • the heating temperature for the main baking is preferably about 400 ° C. to 500 ° C., for example. Accordingly, the temporarily fired paste P and the newly replenished paste P are completely cured and integrated, and are firmly fixed to the inner surfaces of the holding holes 30a and 31a. By performing the temporary baking and the main baking of the paste P, the baking process is completed.
  • the paste P embedded in the filling process among the paste P which has been subjected to the main baking has already evaporated most of the organic substances at the time of the first preliminary baking, and therefore has a volume at the time of the temporary baking and the main baking after the paste P supplementation. Almost no decrease.
  • the new paste P replenished after the initial calcination is reduced in volume by the calcination and main calcination after replenishing the paste P, but the amount of the paste P itself is the amount of the paste P in the holding holes 30a and 31a Very small compared to the total amount. Therefore, the influence which the volume which decreases by carrying out temporary baking and main baking of the new paste P has on the volume of the whole paste P is so small that it can be disregarded.
  • the surface of the paste P after being hardened by the main baking does not greatly dent. That is, on the upper surface of the base substrate wafer 40, the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the hardened paste P are substantially flush as shown in FIG.
  • a polishing process is performed in which both surfaces of the base substrate wafer 40 are polished to a predetermined thickness. More specifically, as shown in FIG. 17, an upper surface polishing step of polishing the upper surface of the base substrate wafer 40 by a predetermined thickness is performed (S38).
  • the paste P hardened by the main baking can be simultaneously polished on the upper surface of the base substrate wafer 40. Therefore, the periphery of the slightly recessed portion of the paste P can be cut off. That is, as shown in FIG. 18, the surface of the cured paste P can be made flatter. As a result, the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the cured paste P are more flush with each other.
  • a lower surface polishing step is performed to polish the lower surface of the base substrate wafer 40 until it reaches the bottom of the holding holes 30a and 31a (S39). .
  • the paste P hardened in the holding holes 30a and 31a is exposed to the lower surface.
  • the pair of holding holes 30a and 31a formed in the base substrate wafer 40 become the through holes 30 and 31 penetrating the base substrate wafer 40 and the cured paste P becomes a pair of through electrodes 32 and 33.
  • the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the hardened paste P are substantially flush.
  • the polishing step is completed.
  • the through electrode forming process is completed by performing the polishing process.
  • a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40, and as shown in FIGS. 19 and 20, a bonding film forming step for forming the bonding film 35 is performed (S40), and each pair of penetrations is performed.
  • the dotted line M shown in FIG.19 and FIG.20 has shown the cutting line cut
  • the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 40 as described above.
  • the routing electrodes 36 and 37 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 40 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap or the like therebetween. As a result, it is possible to ensure the electrical conductivity between the one routing electrode 36 and the one through electrode 32 and the electrical conductivity between the other routing electrode 37 and the other through electrode 33. At this point, the second wafer manufacturing process is completed.
  • FIG. 9 it is set as the process sequence which performs the routing electrode formation process (S41) after the bonding film formation process (S40), but on the contrary, after the routing electrode formation process (S41), the bonding film formation is performed.
  • the step (S40) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.
  • a mounting process is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 4 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 40 via the routing electrodes 36 and 37, respectively (S50).
  • bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 36 and 37, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 16 and 17 and the routing electrodes 36 and 37 are electrically connected.
  • the pair of excitation electrodes 15 of the piezoelectric vibrating reed 4 are in a conductive state with respect to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.
  • the piezoelectric vibrating reed 4 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate wafer 40.
  • an overlaying process for overlaying the lid substrate wafer 50 on the base substrate wafer 40 is performed (S60). Specifically, both wafers 40 and 50 are aligned at the correct positions while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 4 is housed in a cavity C surrounded by the recess 3 a formed in the base substrate wafer 40 and the wafers 40 and 50.
  • the superposed two wafers 40 and 50 are put in an anodic bonding apparatus (not shown), and a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding (S70). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 35 and the lid substrate wafer 50, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Accordingly, the piezoelectric vibrating reed 4 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 60 shown in FIG. 21 in which the base substrate wafer 40 and the lid substrate wafer 50 are bonded can be obtained. In FIG.
  • a state where the wafer body 60 is disassembled is shown, and the bonding film 35 is not shown from the base substrate wafer 40.
  • a dotted line M shown in FIG. 21 illustrates a cutting line that is cut in a cutting process to be performed later.
  • a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 40, and a pair of external electrodes 38 and 39 electrically connected to the pair of through electrodes 32 and 33, respectively.
  • a plurality of external electrode forming steps are formed (S80).
  • the piezoelectric vibrating reed 4 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 38 and 39.
  • the through electrodes 32 and 33 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 40 as in the case of forming the lead-out electrodes 36 and 37, and thus the patterning is performed.
  • the external electrodes 38 and 39 are in close contact with the through electrodes 32 and 33 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the continuity between the external electrodes 38 and 39 and the through electrodes 32 and 33 can be ensured.
  • a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 1 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S90). More specifically, a voltage is applied to the pair of external electrodes 38 and 39 formed on the lower surface of the base substrate wafer 40 to vibrate the piezoelectric vibrating reed 4. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 50 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 21b of the weight metal film 21 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip end side of the pair of vibrating arm portions 10 and 11 is changed, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 4 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.
  • a cutting process is performed in which the bonded wafer body 60 is cut along the cutting line M shown in FIG.
  • the piezoelectric resonator element 4 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 2 and the lid substrate 3 bonded to each other, and the two-layer structure surface-mount type piezoelectric vibrator shown in FIG. Multiple 1s can be manufactured at a time.
  • the order of processes in which the fine adjustment process (S90) is performed may be used.
  • fine adjustment step (S90) fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 60, so that the plurality of piezoelectric vibrators 1 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.
  • an internal electrical characteristic inspection is performed (S110). That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependency of the resonance frequency and resonance resistance value) and the like of the piezoelectric vibrating piece 4 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an appearance inspection of the piezoelectric vibrator 1 is performed to finally check dimensions, quality, and the like. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator 1.
  • the piezoelectric vibrator 1 of the present embodiment can form the through electrodes 32 and 33 in a substantially flush state with respect to the base substrate 2, the through electrodes 32 and 33 are routed to the routing electrodes 36 and 37 and the external electrode 38. , 39 can be securely adhered to. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating piece 4 and the external electrodes 38 and 39 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance. In addition, since the airtightness in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect. In addition, since the through electrodes 32 and 33 can be formed by a simple method using the paste P, the process can be simplified.
  • a plurality of the piezoelectric vibrators 1 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.
  • the polishing amount is set based on the thickness of the base substrate wafer 40 and the depth of the holding holes 30a and 31a without depending on the volume of the paste P that decreases during firing. can do. That is, the polishing may be performed until the bottoms of the holding holes 30a and 31a are reached. Therefore, it is not necessary to perform polishing after confirming the state of the paste P, and it is sufficient to polish a predetermined amount. Thereby, insufficient polishing or excessive polishing can be prevented.
  • the dent of the surface of the paste P can be suppressed small by performing the main baking after replenishing the paste P after the temporary baking. Therefore, the polishing amount of the base substrate wafer 40 is very small in the polishing process, particularly in the upper surface polishing process. Thereby, the time required for the polishing process can be shortened, and the manufacturing process of the piezoelectric vibrator 1 can be made highly efficient.
  • the surface of the base substrate wafer 40 that is substantially flush with the surface of the cured paste P is further polished. Thereby, the surface of the wafer 40 for base substrates and the surface of the hardened paste P can be made more flush.
  • the second embodiment and the first embodiment differ in the work sequence of the through electrode forming process in the manufacturing method. That is, in the first embodiment, immediately after the paste P embedded in the filling process is temporarily fired, a new paste P is replenished and temporarily fired again, and then the polishing process is performed after the main firing. In the second embodiment, the polishing step is performed immediately after the paste P embedded in the filling step is temporarily fired, and then the main firing is performed.
  • the through electrode forming step (S30B) of the present embodiment will be described in particular with reference to the flowchart showing the manufacturing method of the second embodiment of the present invention shown in FIG.
  • the same process as in the first embodiment is performed until the paste P embedded in the filling process is temporarily fired. After the paste P embedded in the filling process is temporarily fired, a dent is generated on the surface of the paste P. Therefore, immediately after the temporary baking, a polishing process is performed in which both surfaces of the base substrate wafer 40 are polished to a predetermined thickness. That is, as shown in FIG. 23, an upper surface polishing step for polishing the upper surface of the base substrate wafer 40 by a predetermined thickness, and a lower surface polishing for polishing the lower surface of the base substrate wafer 40 until the bottom of the holding holes 30a and 31a is reached. Process. Thereby, as shown in FIG.
  • the holding holes 30 a and 31 a become the through holes 30 and 31.
  • the periphery of the recessed portion of the paste P can be scraped off, the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the paste P after calcination are substantially flush with each other.
  • the amount of decrease in the volume of the paste P in this pre-baking is smaller than in the case where the main baking is performed once without pre-baking. Accordingly, the dent on the surface of the paste P caused by the pre-baking is smaller than the dent generated when the same amount of the paste P is main-baked at one time without being pre-baked. Therefore, the polishing amount can be suppressed by performing the polishing process immediately after the paste P is pre-baked, and in particular, the time required for the upper surface polishing is shortened. By performing these upper surface polishing step and lower surface polishing step, the polishing step is completed.
  • the paste P is hardened completely by performing main baking.
  • the paste P is firmly fixed to the inner surfaces of the through holes 30 and 31, and the paste P functions as the through electrodes 32 and 33.
  • the volume reduction in the main baking is negligible. Accordingly, the surface of the base substrate wafer 40 and the surface of the hardened paste P are maintained substantially flush with each other as before the main baking. By performing this main baking, the through electrode forming step is completed.
  • the upper surface polishing step is performed immediately after the paste P embedded in the filling step is temporarily fired, so that the temporary firing is not performed. Compared with the case where the polishing step is performed immediately after the main baking at once, the time required for the polishing step can be shortened.
  • the piezoelectric vibrator 101 of this embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 102 and a lid substrate 103 are laminated in two layers. This is a surface-mounted piezoelectric vibrator 101 in which a vibrating piece 104 is housed.
  • the excitation electrode 115, the extraction electrodes 119 and 120, the mount electrodes 116 and 117, and the weight metal film 121, which will be described later, are omitted for easy understanding of the drawing.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 includes a pair of vibrating arm portions 110 and 111 arranged in parallel, a base portion 112 that integrally fixes a base end side of the pair of vibrating arm portions 110 and 111, and a pair of vibrating arm portions 110.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 of the present embodiment includes groove portions 118 formed along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 110 and 111 on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 110 and 111, respectively.
  • the groove portion 118 is formed from the base end side of the vibrating arm portions 110 and 111 to a substantially middle portion.
  • the excitation electrode 115 including the first excitation electrode 113 and the second excitation electrode 114 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 110 and 111 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. It is formed by patterning on the outer surface of the vibrating arm portions 110 and 111 while being electrically separated from each other. Specifically, as shown in FIG. 32, the first excitation electrode 113 is mainly formed on the groove 118 of one vibrating arm 110 and on both side surfaces of the other vibrating arm 111, and the second The excitation electrode 114 is mainly formed on both side surfaces of one vibrating arm portion 110 and on the groove portion 118 of the other vibrating arm portion 111.
  • the first excitation electrode 113 and the second excitation electrode 114 are electrically connected to the mount electrodes 116 and 117 via the extraction electrodes 119 and 120, respectively, on both main surfaces of the base 112. Connected.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 is applied with a voltage via the mount electrodes 116 and 117.
  • the excitation electrode 115, the mount electrodes 116 and 117, and the extraction electrodes 119 and 120 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.
  • a weight metal film 121 for adjusting (frequency adjustment) so as to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 110 and 111.
  • the weight metal film 121 is divided into a coarse adjustment film 121a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 121b used when the frequency is finely adjusted.
  • the frequency of the pair of vibrating arm portions 110 and 111 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 configured in this manner is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 102 using bumps B such as gold as shown in FIGS. More specifically, a pair of mount electrodes 116 and 117 are bump-bonded on two bumps B formed on the routing electrodes 136 and 137 patterned on the upper surface of the base substrate 102. . As a result, the piezoelectric vibrating piece 104 is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate 102, and the mount electrodes 116, 117 and the routing electrodes 136, 137 are electrically connected to each other.
  • the lid substrate 103 is a transparent insulating substrate made of a glass material such as soda lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS.
  • a rectangular recess 103a in which the piezoelectric vibrating piece 104 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 102 is bonded.
  • the recess 103 a is a cavity recess that becomes a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 104 when the two substrates 102 and 103 are overlaid.
  • the lid substrate 103 is anodically bonded to the base substrate 102 with the recess 103a facing the base substrate 102 side.
  • the base substrate 102 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, like the lid substrate 103, and has a size that can be superimposed on the lid substrate 103 as shown in FIGS. It is formed in a plate shape.
  • the base substrate 102 is formed with a pair of through holes 130 and 131 that penetrate the base substrate 102. At this time, the pair of through holes 130 and 131 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 130 and 131 of the present embodiment, one through hole 130 is located on the base 112 side of the mounted piezoelectric vibrating piece 104, and the other through hole 130 is located on the tip side of the vibrating arm portions 110 and 111. It is formed so that the hole 131 is located.
  • a through hole having a tapered cross section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate 102 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this case, and the base substrate 102 penetrates straight. It can be a through hole. In any case, it only needs to penetrate the base substrate 102.
  • a pair of through electrodes 132 and 133 are formed in the pair of through holes 130 and 131 so as to fill the through holes 130 and 131. As shown in FIG. 33, these through electrodes 132, 133 are formed by curing a paste P containing a plurality of metal fine particles P1, and completely close the through holes 130, 131 to seal the airtightness in the cavity C. In addition, the external electrodes 138 and 139 described later and the routing electrodes 136 and 137 are connected to each other. In addition, the through electrodes 132 and 133 are ensured in electrical conductivity because the plurality of metal fine particles P1 included in the paste P are in contact with each other. Further, the case where the metal fine particles P1 of the present embodiment are formed in an elongated fiber shape (non-spherical shape) with copper or the like will be described as an example.
  • a conductive film for example, aluminum is used to form a bonding film 135 for anodic bonding
  • a pair of routing electrodes 136 and 137 are patterned.
  • the bonding film 135 is formed along the periphery of the base substrate 102 so as to surround the periphery of the recess 103 a formed in the lid substrate 103.
  • the pair of lead electrodes 136 and 137 electrically connect one of the through electrodes 132 and 133 to the one mount electrode 116 of the piezoelectric vibrating piece 104 and the other through electrode 133. Patterning is performed so as to electrically connect the other mount electrode 117 of the piezoelectric vibrating piece 104. More specifically, one lead-out electrode 136 is formed directly above one through electrode 132 so as to be located directly below the base 112 of the piezoelectric vibrating piece 104. The other routing electrode 137 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 136 along the vibrating arm portions 110 and 111 toward the distal end side of the vibrating arm portions 110 and 111, and then the other through electrode 133. It is formed to be located directly above.
  • Bumps B are formed on the pair of routing electrodes 136 and 137, respectively, and the piezoelectric vibrating piece 104 is mounted using the bumps B. Accordingly, one mount electrode 116 of the piezoelectric vibrating piece 104 is electrically connected to one through electrode 132 through one routing electrode 136, and the other mount electrode 117 is passed through the other through the other routing electrode 137.
  • the electrode 133 is made conductive.
  • external electrodes 138 and 139 are formed on the lower surface of the base substrate 102.
  • the external electrodes 138 and 139 are electrically connected to the pair of through electrodes 132 and 133, respectively. That is, one external electrode 138 is electrically connected to the first excitation electrode 113 of the piezoelectric vibrating piece 104 through one through electrode 132 and one routing electrode 136.
  • the other external electrode 139 is electrically connected to the second excitation electrode 114 of the piezoelectric vibrating piece 104 via the other through electrode 133 and the other routing electrode 137.
  • a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 138 and 139 formed on the base substrate 102.
  • a current can flow through the excitation electrode 115 including the first excitation electrode 113 and the second excitation electrode 114 of the piezoelectric vibrating piece 104, and the pair of vibration arm portions 110 and 111 is set in a direction in which the pair of vibration arm portions 110 and 111 approaches and separates.
  • Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 110 and 111 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.
  • the piezoelectric vibrating reed manufacturing step is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 104 shown in FIGS. 30 to 32 (S110). Specifically, a quartz Lambert rough is first sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and subjected to rough processing, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the wafer is subjected to appropriate processing such as cleaning, and then the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 104 by photolithography, and a metal film is formed and patterned to obtain the excitation electrode 115 and the lead-out. Electrodes 119 and 120, mount electrodes 116 and 117, and a weight metal film 121 are formed. Thereby, a plurality of piezoelectric vibrating pieces 104 can be manufactured.
  • the resonance frequency is coarsely adjusted. This is performed by irradiating the coarse adjustment film 121a of the weight metal film 121 with a laser beam to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.
  • a first wafer manufacturing process is performed in which a lid substrate wafer 150 to be the lid substrate 103 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S120).
  • a disc-shaped lid substrate wafer 150 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like ( S121).
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 103a are formed in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 150 (S122). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.
  • a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 140 to be the base substrate 102 is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S130).
  • a disc-shaped base substrate wafer 140 is formed by removing the outermost work-affected layer by etching or the like (S131).
  • a through electrode forming process is performed in which a plurality of pairs of through electrodes 132 and 133 are formed on the base substrate wafer 140 using a paste P containing a plurality of metal fine particles P1 (S130A).
  • the through electrode forming step will be described in detail.
  • a hole forming step (S132) for forming a plurality of a pair of holes 130a and 131a on the upper surface of the base substrate wafer 140 is performed.
  • a dotted line M shown in FIG. 36 illustrates a cutting line that is cut in a subsequent cutting step.
  • sand blasting is performed from the upper surface side of the base substrate wafer 140.
  • holes 130a and 131a having a tapered shape with a gradually decreasing diameter toward the lower surface of the base substrate wafer 140 and having a bottom on the lower surface side can be formed.
  • a plurality of pairs of holes 130a and 131a are formed so as to be accommodated in the recess 103a formed in the lid substrate wafer 150.
  • one hole 130 a is positioned on the base 112 side of the piezoelectric vibrating piece 104, and the other hole 131 a is positioned on the tip side of the vibrating arm portions 110 and 111.
  • a hole with a tapered cross section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate wafer 140 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this, and the diameter is uniform. It may be a hole. In any case, it may be a bottomed hole portion having a bottom on the lower surface side of the base substrate wafer 140.
  • a filling step of filling the plurality of holes 130a and 131a with the paste P without gaps to close the holes 130a and 131a is performed (S133). 38 to 41, the illustration of the metal fine particles P1 is omitted.
  • a firing step is performed in which the filled paste P is fired at a predetermined temperature and cured (S134). Accordingly, the paste P is firmly fixed to the inner surfaces of the holes 130a and 131a.
  • the organic substance in the paste P which is not illustrated evaporates at the time of baking, the hardened paste P will reduce a volume compared with the time of a filling process, as shown in FIG. Therefore, a dent is inevitably generated on the surface of the paste P.
  • an upper surface polishing step (S135) for polishing the upper surface of the base substrate wafer 140 by a predetermined thickness is performed.
  • the paste P hardened by baking can be simultaneously polished on the upper surface of the base substrate wafer 140, so that the periphery of the recessed portion can be scraped off. That is, the surface of the cured paste P can be flattened. Therefore, as shown in FIG. 41, the surface of the base substrate wafer 140 and the surface of the hardened paste P can be substantially flush with each other on the upper surface of the base substrate wafer 140.
  • the lower surface for polishing the lower surface of the base substrate wafer 140 until at least the paste P that has passed through the holes 130a and 131a and is cured is exposed.
  • a polishing step is performed (S136). In the lower surface polishing step of this embodiment, the polishing is performed until the bottoms of the holes 130a and 131a are reached. Thereby, as shown in FIG. 41, the paste P hardened in the holes 130a and 131a is exposed to the lower surface.
  • the pair of holes 130a and 131a formed in the base substrate wafer 140 become through holes 130 and 131 that penetrate the base substrate wafer 140 and hardened paste P becomes a pair of through electrodes 132 and 133.
  • the surface of the base substrate wafer 140 and the surface of the cured paste P can be substantially flush with each other on the lower surface of the base substrate wafer 140.
  • a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 140, and as shown in FIGS. 42 and 43, a bonding film forming step for forming the bonding film 135 is performed (S137), and each pair of penetrations is performed.
  • a dotted line M shown in FIG. 42 and FIG. 43 illustrates a cutting line that is cut in a subsequent cutting step.
  • the through electrodes 132 and 133 have no dents on the surface and are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 140.
  • the routing electrodes 136 and 137 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 140 are in close contact with the through electrodes 132 and 133 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, it is possible to ensure the electrical connection between one routing electrode 136 and one through electrode 132 and the electrical connection between the other routing electrode 137 and the other through electrode 133. At this point, the second wafer manufacturing process is completed.
  • the process sequence is such that the routing electrode formation process (S138) is performed after the bonding film formation process (S137).
  • the bonding film formation is performed after the routing electrode formation process (S138).
  • the step (S137) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.
  • a mounting process is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 104 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 140 via the routing electrodes 136 and 137, respectively (S140).
  • bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 136 and 137, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature. Accordingly, the piezoelectric vibrating piece 104 is mechanically supported by the bump B, and the mount electrodes 116 and 117 and the routing electrodes 136 and 137 are electrically connected.
  • the pair of excitation electrodes 115 of the piezoelectric vibrating piece 104 are in a state of being electrically connected to the pair of through electrodes 132 and 133, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 104 is bump-bonded, it is supported in a state where it floats from the upper surface of the base substrate wafer 140.
  • an overlaying process for overlaying the lid substrate wafer 150 on the base substrate wafer 140 is performed (S150). Specifically, both wafers 140 and 150 are aligned at the correct positions while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating piece 104 is accommodated in the cavity C surrounded by the recess 103 a formed in the base substrate wafer 140 and the two wafers 140 and 150.
  • the superposed two wafers 140 and 150 are put in an anodic bonding apparatus (not shown), and a bonding process is performed in which a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform anodic bonding (S160). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 135 and the lid substrate wafer 150. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 135 and the lid substrate wafer 150, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 104 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 160 shown in FIG. 44 in which the base substrate wafer 140 and the lid substrate wafer 150 are bonded can be obtained. In FIG.
  • the wafer body 160 is shown in an exploded state, and the bonding film 135 is not shown from the base substrate wafer 140. Also, a dotted line M shown in FIG. 44 illustrates a cutting line that is cut in a cutting process to be performed later.
  • the through holes 130 and 131 formed in the base substrate wafer 140 are completely closed by the through electrodes 132 and 133, so that the airtightness in the cavity C is reduced. Will not be damaged through.
  • the paste P constituting the through electrodes 132 and 133 is firmly adhered to the inner surfaces of the through holes 130 and 131, the airtightness in the cavity C can be reliably maintained.
  • a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 140 to form a pair of external electrodes 138 and 139 electrically connected to the pair of through electrodes 132 and 133, respectively.
  • a plurality of external electrode forming steps are performed (S170).
  • the piezoelectric vibrating piece 104 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 138 and 139.
  • the through electrodes 132 and 133 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 140 as in the case of forming the lead-out electrodes 136 and 137.
  • the external electrodes 138 and 139 are in close contact with the through electrodes 132 and 133 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the external electrodes 138 and 139 and the through electrodes 132 and 133 can be ensured.
  • a fine adjustment step of finely adjusting the frequency of each piezoelectric vibrator 101 sealed in the cavity C to be within a predetermined range is performed (S180). More specifically, the piezoelectric vibrating piece 104 is vibrated by applying a voltage to a pair of external electrodes 138 and 139 formed on the lower surface of the base substrate wafer 140. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 150 while measuring the frequency, and the fine-tuning film 121b of the weight metal film 121 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip side of the pair of vibrating arm portions 110 and 111 changes, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 104 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.
  • a cutting process for cutting the bonded wafer body 160 along the cutting line M shown in FIG. 44 into small pieces is performed (S190).
  • the piezoelectric resonator element 104 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 102 and the lid substrate 103 bonded to each other, and the two-layer structure surface-mount type piezoelectric vibrator shown in FIG. A plurality of 101 can be manufactured at a time.
  • the process sequence may be such that the fine adjustment step (S180) is performed after the cutting step (S190) is performed to make the individual piezoelectric vibrators 101 into pieces.
  • fine adjustment step (S180) fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 160, so that the plurality of piezoelectric vibrators 101 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.
  • an internal electrical characteristic inspection is performed (S195). That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependence of resonance frequency and resonance resistance value), etc. of the piezoelectric vibrating piece 104 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an appearance inspection of the piezoelectric vibrator 101 is performed to finally check dimensions, quality, and the like. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator 101.
  • the piezoelectric vibrator 101 of the present embodiment has no depression on the surface and can form the through electrodes 132 and 133 in a substantially flush state with respect to the base substrate 102, the through electrodes 132 and 133 are routed around the lead electrode 136. 137 and the external electrodes 138 and 139 can be reliably adhered to each other. As a result, stable continuity between the piezoelectric vibrating piece 104 and the external electrodes 138 and 139 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance. In addition, since the airtightness in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect.
  • the polishing amount can be set based on the thickness of the base substrate wafer 140 and the depths of the holes 130a and 131a without depending on the volume of the paste P that decreases during firing. That is, as shown in FIG. 40, the polishing amount T3 can be easily set from the thickness T1 of the base substrate wafer 140 and the depth T2 of the holes 130a and 131a. Therefore, regarding the lower surface polishing step, it is not necessary to perform polishing after confirming the state of the paste P, and a predetermined amount may be polished. Therefore, insufficient polishing or excessive polishing can be prevented. Further, since the through electrodes 132 and 133 can be formed by a simple method using the paste P, the process can be simplified.
  • the holes 130a and 131a which are bottomed holes, are used when embedding the paste P, the embedding work of the paste P is easy, and the process can be simplified. In addition, there is no fear of using the paste P wastefully. Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, a plurality of the piezoelectric vibrators 101 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.
  • the piezoelectric vibrator 201 of the present embodiment is formed in a box shape in which a base substrate 202 and a lid substrate 203 are laminated in two layers, and a piezoelectric element is formed in an internal cavity C.
  • This is a surface-mount type piezoelectric vibrator in which the resonator element 204 is housed.
  • the excitation electrode 215, the extraction electrodes 219 and 220, the mount electrodes 216 and 217, and the weight metal film 221 which will be described later are omitted for easy understanding of the drawing.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 is a tuning fork type vibrating piece formed of a piezoelectric material such as crystal, lithium tantalate, or lithium niobate, and when a predetermined voltage is applied. It vibrates.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 includes a pair of vibrating arm portions 210 and 211 arranged in parallel, a base portion 212 that integrally fixes a base end side of the pair of vibrating arm portions 210 and 211, and a pair of vibrating arm portions 210.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 of the present embodiment includes groove portions 218 formed along the longitudinal direction of the vibrating arm portions 210 and 211 on both main surfaces of the pair of vibrating arm portions 210 and 211, respectively.
  • the groove portion 218 is formed from the proximal end side of the vibrating arm portions 210 and 211 to a substantially middle vicinity.
  • the excitation electrode 215 composed of the first excitation electrode 213 and the second excitation electrode 214 is an electrode that vibrates the pair of vibrating arm portions 210 and 211 at a predetermined resonance frequency in a direction approaching or separating from each other. Patterned on the outer surfaces of the vibrating arm portions 210 and 211 while being electrically separated from each other. Specifically, as shown in FIG. 51, the first excitation electrode 213 is mainly formed on the groove portion 218 of one vibrating arm portion 210 and on both side surfaces of the other vibrating arm portion 211, and the second The excitation electrode 214 is mainly formed on both side surfaces of one vibrating arm portion 210 and on the groove portion 218 of the other vibrating arm portion 211.
  • the first excitation electrode 213 and the second excitation electrode 214 are electrically connected to the mount electrodes 216 and 217 via the extraction electrodes 219 and 220, respectively, on both main surfaces of the base 212. Connected. A voltage is applied to the piezoelectric vibrating piece 204 through the mount electrodes 216 and 217.
  • the excitation electrode 215, the mount electrodes 216 and 217, and the extraction electrodes 219 and 220 described above are made of a conductive film such as chromium (Cr), nickel (Ni), aluminum (Al), or titanium (Ti). It is formed.
  • a weight metal film 221 for adjusting (frequency adjustment) so as to vibrate its own vibration state within a predetermined frequency range is coated on the tips of the pair of vibrating arm portions 210 and 211.
  • the weight metal film 221 is divided into a coarse adjustment film 221a used when the frequency is roughly adjusted and a fine adjustment film 221b used when the frequency is finely adjusted.
  • the frequency of the pair of vibrating arm portions 210 and 211 can be kept within the range of the nominal frequency of the device.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 configured in this way is bump-bonded to the upper surface of the base substrate 202 by using bumps B such as gold as shown in FIGS. More specifically, bump bonding is performed with a pair of mount electrodes 216 and 217 in contact with two bumps B formed on routing electrodes 236 and 237, which will be described later, patterned on the upper surface of the base substrate 202. ing. As a result, the piezoelectric vibrating reed 204 is supported in a state of floating from the upper surface of the base substrate 202, and the mount electrodes 216 and 217 and the routing electrodes 236 and 237 are electrically connected to each other.
  • the lid substrate 203 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, and is formed in a plate shape as shown in FIGS. 45, 47 and 48.
  • a rectangular concave portion 203a in which the piezoelectric vibrating piece 204 is accommodated is formed on the bonding surface side to which the base substrate 202 is bonded.
  • the recess 203 a is a cavity recess that becomes a cavity C that accommodates the piezoelectric vibrating reed 204 when the two substrates 202 and 203 are overlaid.
  • the lid substrate 203 is anodically bonded to the base substrate 202 with the recess 203a facing the base substrate 202 side.
  • the base substrate 202 is a transparent insulating substrate made of a glass material, for example, soda-lime glass, like the lid substrate 203, and has a size that can be superimposed on the lid substrate 203 as shown in FIGS. It is formed in a plate shape.
  • the base substrate 202 is formed with a pair of through holes (through holes) 230 and 231 penetrating the base substrate 202. At this time, the pair of through holes 230 and 231 are formed so as to be accommodated in the cavity C. More specifically, in the through holes 230 and 231 of this embodiment, one through hole 230 is located on the base 212 side of the mounted piezoelectric vibrating piece 204, and the other through hole is on the tip side of the vibrating arm portions 210 and 211.
  • the hole 231 is located.
  • a through hole having a tapered cross section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate 202 will be described as an example.
  • the present invention is not limited to this case, and the base substrate 202 passes straight. It can be a through hole. In any case, it only needs to penetrate the base substrate 202.
  • a pair of through electrodes 232 and 233 formed so as to fill the through holes 230 and 231 are formed.
  • these through electrodes 232 and 233 are formed by curing a paste P containing a plurality of metal fine particles P1, and completely close the through holes 230 and 231 to seal the airtightness in the cavity C.
  • the external electrodes 238 and 239 described later and the routing electrodes 236 and 237 are connected to each other.
  • the through electrodes 232 and 233 are ensured in electrical conductivity because the plurality of metal fine particles P1 contained in the paste P are in contact with each other.
  • the metal fine particles P1 of the present embodiment are formed in an elongated fiber shape (non-spherical shape) with copper or the like will be described as an example.
  • a conductive film for example, aluminum is used to bond a bonding film 235 for anodic bonding, A pair of routing electrodes 236 and 237 are patterned.
  • the bonding film 235 is formed along the periphery of the base substrate 202 so as to surround the periphery of the recess 203 a formed in the lid substrate 203.
  • the pair of lead-out electrodes 236 and 237 electrically connect one of the through electrodes 232 and 233 to the one mount electrode 216 of the piezoelectric vibrating piece 204 and the other through electrode 233. Patterning is performed so as to electrically connect the other mount electrode 217 of the piezoelectric vibrating piece 204. More specifically, the one lead-out electrode 236 is formed directly above the one through electrode 232 so as to be positioned directly below the base 212 of the piezoelectric vibrating piece 204. The other routing electrode 237 is routed from the position adjacent to the one routing electrode 236 along the vibrating arm portions 210 and 211 to the distal end side of the vibrating arm portions 210 and 211, and then the other through electrode 233. It is formed to be located directly above.
  • Bumps B are formed on the pair of routing electrodes 236 and 237, and the piezoelectric vibrating piece 204 is mounted using the bumps B. Accordingly, one mount electrode 216 of the piezoelectric vibrating piece 204 is electrically connected to one through electrode 232 through one routing electrode 236, and the other mount electrode 217 is passed through the other routing electrode 237 to the other through.
  • the electrode 233 is electrically connected.
  • external electrodes 238 and 239 are formed on the lower surface of the base substrate 202, which are electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively. That is, one external electrode 238 is electrically connected to the first excitation electrode 213 of the piezoelectric vibrating piece 204 via one through electrode 232 and one routing electrode 236. The other external electrode 239 is electrically connected to the second excitation electrode 214 of the piezoelectric vibrating piece 204 via the other through electrode 233 and the other routing electrode 237.
  • a predetermined drive voltage is applied to the external electrodes 238 and 239 formed on the base substrate 202.
  • a current can be passed through the excitation electrode 215 including the first excitation electrode 213 and the second excitation electrode 214 of the piezoelectric vibrating piece 204, and the pair of vibrating arm portions 210 and 211 are set in a direction in which they approach and separate from each other.
  • Can be vibrated at a frequency of The vibration of the pair of vibrating arm portions 210 and 211 can be used as a time source, a control signal timing source, a reference signal source, and the like.
  • the piezoelectric vibrating reed manufacturing step is performed to manufacture the piezoelectric vibrating reed 204 shown in FIGS. 49 to 51 (S210). Specifically, first, a quartz Lambert rough is sliced at a predetermined angle to obtain a wafer having a constant thickness. Subsequently, the wafer is lapped and subjected to rough processing, and then the work-affected layer is removed by etching, and then mirror polishing such as polishing is performed to obtain a wafer having a predetermined thickness.
  • the wafer is patterned with the outer shape of the piezoelectric vibrating piece 204 by photolithography technology, and a metal film is formed and patterned, so that the excitation electrode 215 and the lead are extracted. Electrodes 219 and 220, mount electrodes 216 and 217, and a weight metal film 221 are formed. Thereby, a plurality of piezoelectric vibrating reeds 204 can be manufactured.
  • the resonance frequency is coarsely adjusted. This is performed by irradiating the coarse adjustment film 221a of the weight metal film 221 with laser light to evaporate a part thereof and changing the weight. Note that fine adjustment for adjusting the resonance frequency with higher accuracy is performed after mounting. This will be described later.
  • a first wafer manufacturing process is performed in which a lid substrate wafer 250 to be the lid substrate 203 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S220).
  • a lid substrate wafer 250 to be the lid substrate 203 later is manufactured up to a state immediately before anodic bonding (S220).
  • a disc-shaped lid substrate wafer 250 from which the outermost work-affected layer has been removed by etching or the like is formed ( S221).
  • a recess forming step is performed in which a plurality of cavity recesses 203a are formed in the matrix direction by etching or the like on the bonding surface of the lid substrate wafer 250 (S222). At this point, the first wafer manufacturing process is completed.
  • a second wafer manufacturing process is performed in which the base substrate wafer 240 to be the base substrate 202 later is manufactured up to the state immediately before anodic bonding (S230).
  • a disc-shaped base substrate wafer 240 is formed by removing the outermost damaged layer by etching or the like (S231).
  • a through electrode forming process for forming a plurality of pairs of through electrodes 232 and 233 on the base substrate wafer 240 is performed (S232).
  • the through electrode forming step will be described in detail.
  • a through hole forming step (S233) for forming a plurality of pairs of through holes 230 and 231 that penetrates the base substrate wafer 240 is performed.
  • a dotted line M shown in FIG. 55 illustrates a cutting line that is cut in a subsequent cutting step.
  • sand blasting is performed from the upper surface side of the base substrate wafer 240.
  • through-holes 230 and 231 having a tapered section whose diameter gradually decreases toward the lower surface of the base substrate wafer 240 can be formed.
  • a plurality of pairs of through holes 230 and 231 are formed so as to be accommodated in the recess 203a formed in the lid substrate wafer 250.
  • one through hole 230 is formed on the base 212 side of the piezoelectric vibrating piece 204, and the other through hole 231 is formed on the tip side of the vibrating arm sections 210 and 211.
  • a filling process is performed in which the paste P including the metal fine particles P1 is filled in the plurality of through holes 230 and 231 without gaps to close the through holes 230 and 231 (S234).
  • 57 to 60 the illustration of the metal fine particles P1 is omitted.
  • a firing process is performed in which the filled paste P is fired at a predetermined temperature and cured (S235).
  • the paste P is firmly fixed to the inner surfaces of the through holes 230 and 231.
  • the organic substance in the paste P which is not illustrated evaporates at the time of baking, the hardened paste P will reduce a volume compared with the time of a filling process, as shown in FIG. Therefore, a dent is inevitably generated on the surface of the paste P.
  • a polishing step is performed in which both surfaces of the base substrate wafer 240 are polished by a predetermined thickness (S236).
  • S236 a predetermined thickness
  • both surfaces of the paste P cured by baking can be polished simultaneously, so that the periphery of the recessed portion can be scraped off. That is, the surface of the paste P can be flattened. Therefore, as shown in FIG. 60, the surface of the base substrate wafer 240 and the surfaces of the through electrodes 232 and 233 can be substantially flush with each other. By performing this polishing process, the through electrode forming process is completed.
  • a conductive material is patterned on the upper surface of the base substrate wafer 240, and as shown in FIGS. 61 and 62, a bonding film forming step for forming the bonding film 235 is performed (S237), and each pair of penetrations is performed.
  • the dotted line M shown in FIG.61 and FIG.62 has shown the cutting line cut
  • the through electrodes 232 and 233 have no dents on the surface and are substantially flush with the upper surface of the base substrate wafer 240.
  • the routing electrodes 236 and 237 patterned on the upper surface of the base substrate wafer 240 are in close contact with the through electrodes 232 and 233 without generating a gap or the like therebetween. As a result, it is possible to ensure the electrical connection between one routing electrode 236 and one through electrode 232 and the electrical connection between the other routing electrode 237 and the other through electrode 233. At this point, the second wafer manufacturing process is completed.
  • the step (S237) may be performed, or both steps may be performed simultaneously. Regardless of the order of steps, the same effects can be obtained. Therefore, the process order may be changed as necessary.
  • a mounting process is performed in which the produced plurality of piezoelectric vibrating reeds 204 are joined to the upper surface of the base substrate wafer 240 via the routing electrodes 236 and 237, respectively (S240).
  • bumps B such as gold are formed on the pair of lead-out electrodes 236 and 237, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 is pressed against the bump B while heating the bump B to a predetermined temperature. Accordingly, the piezoelectric vibrating reed 204 is mechanically supported by the bumps B, and the mount electrodes 216 and 217 and the routing electrodes 236 and 237 are electrically connected.
  • the pair of excitation electrodes 215 of the piezoelectric vibrating piece 204 is in a conductive state with respect to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively.
  • the piezoelectric vibrating piece 204 is bump-bonded, it is supported in a state of being lifted from the upper surface of the base substrate wafer 240.
  • an overlaying process of overlaying the lid substrate wafer 250 on the base substrate wafer 240 is performed (S250). Specifically, both wafers 240 and 250 are aligned at correct positions while using a reference mark (not shown) as an index. As a result, the mounted piezoelectric vibrating reed 204 is accommodated in the cavity C surrounded by the recess 203 a formed in the base substrate wafer 240 and both the wafers 240 and 250.
  • the superposed two wafers 240 and 250 are put in an anodic bonding apparatus (not shown), and a predetermined voltage is applied in a predetermined temperature atmosphere to perform the anodic bonding (S260). Specifically, a predetermined voltage is applied between the bonding film 235 and the lid substrate wafer 250. As a result, an electrochemical reaction occurs at the interface between the bonding film 235 and the lid substrate wafer 250, and the two are firmly bonded and anodically bonded. Thereby, the piezoelectric vibrating piece 204 can be sealed in the cavity C, and the wafer body 260 shown in FIG. 63 in which the base substrate wafer 240 and the lid substrate wafer 250 are joined can be obtained. In FIG.
  • a state where the wafer body 260 is disassembled is shown, and the bonding film 235 is omitted from the base substrate wafer 240.
  • a dotted line M shown in FIG. 63 illustrates a cutting line that is cut in a subsequent cutting step.
  • the through holes 230 and 231 formed in the base substrate wafer 240 are completely blocked by the through electrodes 232 and 233, so that the airtightness in the cavity C is reduced. Will not be damaged through.
  • the paste P constituting the through electrodes 232 and 233 is firmly adhered to the inner surfaces of the through holes 230 and 231, the airtightness in the cavity C can be reliably maintained.
  • a conductive material is patterned on the lower surface of the base substrate wafer 240, and a pair of external electrodes 238 and 239 electrically connected to the pair of through electrodes 232 and 233, respectively.
  • a plurality of external electrode forming steps are formed (S270).
  • the piezoelectric vibrating reed 204 sealed in the cavity C can be operated using the external electrodes 238 and 239.
  • the through electrodes 232 and 233 are substantially flush with the lower surface of the base substrate wafer 240 as in the case of forming the lead-out electrodes 236 and 237.
  • the external electrodes 238 and 239 are in close contact with the through electrodes 232 and 233 without generating a gap or the like therebetween. Thereby, the electrical continuity between the external electrodes 238 and 239 and the through electrodes 232 and 233 can be ensured.
  • a fine adjustment step is performed in which the frequency of each piezoelectric vibrator 201 sealed in the cavity C is finely adjusted within a predetermined range in the state of the wafer body 260 (S280). More specifically, the piezoelectric vibrating piece 204 is vibrated by applying a voltage to a pair of external electrodes 238 and 239 formed on the lower surface of the base substrate wafer 240. Then, laser light is irradiated from the outside through the lid substrate wafer 250 while measuring the frequency, and the fine adjustment film 221b of the weight metal film 221 is evaporated. Thereby, since the weight of the tip end side of the pair of vibrating arm portions 210 and 211 changes, the frequency of the piezoelectric vibrating piece 204 can be finely adjusted so as to be within a predetermined range of the nominal frequency.
  • a cutting process is performed in which the bonded wafer body 260 is cut along the cutting line M shown in FIG. 63 into pieces (S290).
  • the piezoelectric vibration piece 204 is sealed in the cavity C formed between the base substrate 202 and the lid substrate 203 that are anodically bonded to each other, and the two-layer structure surface mount type piezoelectric vibration shown in FIG. A plurality of children 201 can be manufactured at a time.
  • the process order of performing the fine adjustment process (S280) may be used.
  • fine adjustment step (S280) fine adjustment can be performed in the state of the wafer body 260, so that the plurality of piezoelectric vibrators 201 can be finely adjusted more efficiently. Therefore, it is preferable because throughput can be improved.
  • an internal electrical characteristic inspection is performed (S295). That is, the resonance frequency, resonance resistance value, drive level characteristic (excitation power dependence of resonance frequency and resonance resistance value), etc. of the piezoelectric vibrating piece 204 are measured and checked. In addition, the insulation resistance characteristics and the like are also checked. Finally, an appearance inspection of the piezoelectric vibrator 201 is performed to finally check dimensions, quality, and the like. This completes the manufacture of the piezoelectric vibrator 201.
  • the piezoelectric vibrator 201 of the present embodiment has no depressions on the surface, and the through electrodes 232 and 233 can be formed in a substantially flush state with respect to the base substrate 202. 237 and the external electrodes 238 and 239 can be reliably adhered to each other. As a result, stable electrical continuity between the piezoelectric vibrating piece 204 and the external electrodes 238 and 239 can be ensured, and the reliability of the operation performance can be improved to achieve high performance. In addition, since the airtightness in the cavity C can be reliably maintained, the quality can be improved also in this respect. In addition, since the through electrodes 232 and 233 can be formed by a simple method using the paste P, the process can be simplified. Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, a plurality of the piezoelectric vibrators 201 can be manufactured at a time, so that the cost can be reduced.
  • the oscillator 500 is configured such that the piezoelectric vibrator 1 is an oscillator electrically connected to the integrated circuit 501.
  • the oscillator 500 includes a substrate 503 on which an electronic component 502 such as a capacitor is mounted. On the substrate 503, the integrated circuit 501 for the oscillator is mounted, and the piezoelectric vibrator 1 is mounted in the vicinity of the integrated circuit 501.
  • the electronic component 502, the integrated circuit 501, and the piezoelectric vibrator 1 are electrically connected by a wiring pattern (not shown). Each component is molded with a resin (not shown).
  • the piezoelectric vibrating reed 4 in the piezoelectric vibrator 1 vibrates. This vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the piezoelectric vibrating piece 4 and input to the integrated circuit 501 as an electric signal.
  • the input electrical signal is subjected to various processes by the integrated circuit 501 and output as a frequency signal.
  • the piezoelectric vibrator 1 functions as an oscillator.
  • the operation date and time of the device or external device A function for controlling the time, providing a time, a calendar, and the like can be added.
  • the oscillator 500 of the present embodiment since the high-quality piezoelectric vibrator 1 in which the airtightness in the cavity C is reliable and the operation reliability is improved is provided, the oscillator 500 itself has the operation reliability as well. The quality can be improved. In addition to this, it is possible to obtain a highly accurate frequency signal that is stable over a long period of time.
  • the piezoelectric vibrator 1 according to the first embodiment has been described as an example, the piezoelectric vibrators according to other embodiments can achieve the same effects.
  • the portable information device 110 having the piezoelectric vibrator 1 of the first embodiment will be described as an example of the electronic device.
  • the portable information device 510 of this embodiment is typified by, for example, a mobile phone, and is a development and improvement of a wrist watch in the prior art. The appearance is similar to that of a wristwatch, and a liquid crystal display is arranged in a portion corresponding to a dial so that the current time and the like can be displayed on this screen.
  • a communication device it is possible to perform communication similar to that of a conventional mobile phone by using a speaker and a microphone that are removed from the wrist and incorporated in the inner portion of the band. However, it is much smaller and lighter than conventional mobile phones.
  • the portable information device 510 includes the piezoelectric vibrator 1 and a power supply unit 511 for supplying power.
  • the power supply unit 511 is made of, for example, a lithium secondary battery.
  • the power supply unit 511 includes a control unit 512 that performs various controls, a clock unit 513 that counts time, a communication unit 514 that communicates with the outside, a display unit 515 that displays various information, and the like.
  • a voltage detection unit 516 that detects the voltage of the functional unit is connected in parallel.
  • the power supply unit 511 supplies power to each functional unit.
  • the control unit 512 controls operation of the entire system such as transmission and reception of voice data, measurement and display of the current time by controlling each function unit.
  • the control unit 512 includes a ROM in which a program is written in advance, a CPU that reads and executes the program written in the ROM, and a RAM that is used as a work area of the CPU.
  • the timer unit 513 includes an integrated circuit including an oscillation circuit, a register circuit, a counter circuit, an interface circuit, and the like, and the piezoelectric vibrator 1.
  • the piezoelectric vibrating piece 4 vibrates, and this vibration is converted into an electric signal by the piezoelectric characteristics of the crystal and is input to the oscillation circuit as an electric signal.
  • the output of the oscillation circuit is binarized and counted by a register circuit and a counter circuit. Then, signals are transmitted to and received from the control unit 512 via the interface circuit, and the current time, current date, calendar information, and the like are displayed on the display unit 515.
  • the communication unit 514 has functions similar to those of a conventional mobile phone, and includes a radio unit 517, a voice processing unit 518, a switching unit 519, an amplification unit 520, a voice input / output unit 521, a telephone number input unit 522, and a ring tone generation unit. 523 and a call control memory unit 524.
  • the wireless unit 517 exchanges various data such as voice data with the base station via the antenna 525.
  • the audio processing unit 518 encodes and decodes the audio signal input from the radio unit 517 or the amplification unit 520.
  • the amplifying unit 520 amplifies the signal input from the audio processing unit 518 or the audio input / output unit 521 to a predetermined level.
  • the voice input / output unit 521 includes a speaker, a microphone, and the like, and amplifies a ringtone or a received voice or collects a voice.
  • the ring tone generator 523 generates a ring tone in response to a call from the base station.
  • the switching unit 519 switches the amplifying unit 520 connected to the voice processing unit 518 to the ringing tone generating unit 523 only when receiving a call, so that the ringing tone generated by the ringing tone generating unit 523 passes through the amplifying unit 520.
  • the call control memory unit 524 stores a program related to incoming / outgoing call control of communication.
  • the telephone number input unit 522 includes, for example, number keys from 0 to 9 and other keys. By pressing these number keys and the like, a telephone number of a call destination is input.
  • the voltage detection unit 516 detects the voltage drop and notifies the control unit 512 of the voltage drop.
  • the predetermined voltage value at this time is a value set in advance as a minimum voltage necessary for stably operating the communication unit 514, and is, for example, about 3V.
  • the control unit 512 prohibits the operations of the radio unit 517, the voice processing unit 518, the switching unit 519, and the ring tone generation unit 523. In particular, it is essential to stop the operation of the wireless unit 517 with high power consumption. Further, the display unit 515 displays that the communication unit 514 has become unusable due to insufficient battery power.
  • the operation of the communication unit 514 can be prohibited by the voltage detection unit 516 and the control unit 512, and that effect can be displayed on the display unit 515.
  • This display may be a text message, but as a more intuitive display, a x (X) mark may be attached to the telephone icon displayed at the top of the display surface of the display unit 515.
  • the function of the communication part 514 can be stopped more reliably by providing the power supply cutoff part 526 that can selectively cut off the power supply of the part related to the function of the communication part 514.
  • the portable information device 510 of the present embodiment itself operates in the same manner because it includes the high-quality piezoelectric vibrator 1 in which the airtightness in the cavity C is reliable and the operation reliability is improved. Reliability can be improved and quality can be improved. In addition to this, it is possible to display highly accurate clock information that is stable over a long period of time.
  • the piezoelectric vibrator 1 according to the first embodiment has been described as an example, the piezoelectric vibrators according to other embodiments can achieve the same effects.
  • the radio timepiece 530 of the present embodiment includes the piezoelectric vibrator 1 electrically connected to the filter unit 531, receives a standard radio wave including timepiece information, and accurately It is a clock with a function of automatically correcting and displaying the correct time.
  • transmitting stations transmitting stations that transmit standard radio waves in Fukushima Prefecture (40 kHz) and Saga Prefecture (60 kHz), each transmitting standard radio waves.
  • Long waves such as 40 kHz or 60 kHz have the property of propagating the surface of the earth and the property of propagating while reflecting the ionosphere and the surface of the earth, so the propagation range is wide, and the above two transmitting stations cover all of Japan. is doing.
  • the antenna 532 receives a long standard wave of 40 kHz or 60 kHz.
  • the long-wave standard radio wave is obtained by subjecting time information called a time code to AM modulation on a 40 kHz or 60 kHz carrier wave.
  • the received long standard wave is amplified by the amplifier 533 and filtered and tuned by the filter unit 531 having the plurality of piezoelectric vibrators 1.
  • the piezoelectric vibrator 1 according to this embodiment includes crystal vibrator portions 538 and 539 having resonance frequencies of 40 kHz and 60 kHz that are the same as the carrier frequency.
  • the filtered signal having a predetermined frequency is detected and demodulated by a detection and rectification circuit 534.
  • the time code is extracted via the waveform shaping circuit 535 and counted by the CPU 536.
  • the CPU 536 reads information such as the current year, accumulated date, day of the week, and time. The read information is reflected in the RTC 537, and accurate time information is displayed. Since the carrier wave is 40 kHz or 60 kHz, the crystal vibrator portions 538 and 539 are preferably vibrators having the tuning-fork type structure described above.
  • the frequency of the long standard radio wave is different overseas.
  • a standard radio wave of 77.5 KHz is used. Therefore, when the radio timepiece 530 that can be used overseas is incorporated in a portable device, the piezoelectric vibrator 1 having a frequency different from that in Japan is required.
  • the radio-controlled timepiece itself includes the high-quality piezoelectric vibrator 1 that is surely hermetically sealed in the cavity C and improved in operation reliability. To improve the quality. In addition to this, it is possible to count time stably and with high accuracy over a long period of time.
  • the piezoelectric vibrator 1 according to the first embodiment has been described as an example, the piezoelectric vibrators according to other embodiments can achieve the same effects.
  • a piezoelectric vibrating piece with a groove having grooves formed on both surfaces of a vibrating arm portion has been described as an example.
  • a piezoelectric vibrating piece of a type without a groove may be used. Absent.
  • by forming a groove it is possible to increase the electric field efficiency between the pair of excitation electrodes when a predetermined voltage is applied to the pair of excitation electrodes, thereby further reducing vibration loss and further improving vibration characteristics. can do.
  • the CI value Crystal Impedance
  • the piezoelectric vibrating piece can be further improved in performance.
  • a tuning fork type piezoelectric vibrating piece has been described as an example, but the present invention is not limited to a tuning fork type.
  • it may be a thickness sliding vibration piece.
  • the base substrate and the lid substrate are anodically bonded via a bonding film.
  • the present invention is not limited to anodic bonding.
  • anodic bonding is preferable because both substrates can be firmly bonded.
  • the piezoelectric vibrating piece is bump-bonded.
  • the present invention is not limited to bump bonding.
  • the piezoelectric vibrating piece may be bonded with a conductive adhesive.
  • the bumps by bonding the bumps, the piezoelectric vibrating piece can be lifted from the upper surface of the base substrate, and a minimum vibration gap necessary for vibration can be secured naturally. Therefore, it is preferable to perform bump bonding.
  • a pair of through electrodes has been described. However, one or three or more may be provided.
  • the paste when performing the filling step in each of the above embodiments, the paste may be embedded after defoaming (for example, centrifugal defoaming or vacuuming).
  • defoaming for example, centrifugal defoaming or vacuuming.
  • a paste P in which glass frit (particles) G having the same thermal expansion coefficient as the base substrate (base substrate wafer) is mixed may be used.
  • the thermal expansion of the paste P can be brought close to the thermal expansion of the base substrate wafer during firing. Therefore, a gap or the like due to the difference in thermal expansion is unlikely to occur between the two, and the two can be brought into closer contact.
  • the mixing ratio of the glass frit G is preferably as much as possible as long as the conductivity of the metal fine particles P1 is not impaired.
  • the shape of the metal fine particles may be other shapes.
  • it may be spherical.
  • the metal fine particles when they are in contact with each other, they are in point contact so that electrical continuity can be secured in the same manner.
  • non-spherical fine metal particles such as elongated fibers
  • it is likely to be a line contact rather than a point contact. Therefore, since the electrical continuity of the through electrode can be further improved, it is preferable to use a paste containing non-spherical metal fine particles rather than a spherical shape.
  • metal fine particles P1 are non-spherical, for example, a strip shape shown in FIG. 68A, a corrugated shape shown in FIG. 68B, a cross-sectional star shape shown in FIG. 68C, or a shape shown in FIG. It may be a cross-shaped cross section.
  • the through electrode is provided so that the diameter gradually increases toward the external electrode.
  • You may provide the penetration electrodes 32 and 33 so that a diameter may become small gradually as it goes. Even in this case, the same effects can be achieved.
  • the lower surface of the base substrate wafer is polished until the bottom of the holding hole is reached in the lower surface polishing step.
  • polishing to the upper surface side is also acceptable.
  • the holding hole is formed in a bottomed hole shape such that the lower surface side of the base substrate wafer is the bottom, but other shapes may be used. .
  • a through hole formed in the thickness direction of the base substrate wafer may be used.
  • the lower surface of the base substrate wafer is polished to the position reaching the bottom of the hole during the lower surface polishing step.
  • the present invention is not limited to this, and the polishing is performed to a polishing amount T3 or more. It doesn't matter.

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Abstract

 この圧電振動子は、両面が研磨加工されたベース基板と;キャビティ用の凹部が形成され、凹部を前記ベース基板に対向させた状態でベース基板に接合されたリッド基板と;前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と;前記ベース基板の下面に形成された外部電極と;前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持すると共に、前記外部電極に対して電気的に接続された貫通電極と;前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極を電気的に接続させる引き回し電極と;を備える。前記貫通電極は、複数の金属微粒子を含んだペーストの硬化により形成されている。

Description

圧電振動子の製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
 本発明は、接合された2枚の基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された表面実装型(SMD)の圧電振動子、この圧電振動子を製造する圧電振動子の製造方法、圧電振動子を有する発振器、電子機器及び電波時計に関する。
 本出願は、特願2008-35508号と、特願2008-36419号と、特願2008-35511号と、を基礎出願とし、その内容を取り込むものとする。
 近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その1つとして、表面実装型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、一般的に圧電振動片が形成された圧電基板を、ベース基板とリッド基板とで上下から挟み込むように接合した3層構造タイプのものが知られている。この場合、圧電振動子は、ベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ(密閉室)内に収納されている。また、近年では、上述した3層構造タイプのものではなく、2層構造タイプのものも開発されている。
 このタイプの圧電振動子は、ベース基板とリッド基板とが直接接合されることで2層構造になっており、両基板の間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が収納されている。2層構造タイプの圧電振動子は、3層構造のものに比べて薄型化を図ることができる等の点において優れており、好適に使用されている。このような2層構造タイプの圧電振動子の1つとして、ベース基板を貫通するように形成された導電部材を利用して、圧電振動片とベース基板に形成された外部電極とを導通させた圧電振動子が知られている(特許文献1及び特許文献2参照)。
 圧電振動子600は、図70及び図71に示すように、接合膜607を介して互いに陽極接合されたベース基板601及びリッド基板602と、両基板601、602の間に形成されたキャビティC内に封止された圧電振動片603と、を備えている。
 圧電振動片603は、例えば、音叉型の振動片であって、キャビティC内においてベース基板601の上面に導電性接着剤Eを介してマウントされている。ベース基板601及びリッド基板602は、例えば、セラミックやガラス等からなる絶縁基板である。両基板601、602のうちベース基板601には、この基板601を貫通するスルーホール604が形成されている。そして、スルーホール604内には、このスルーホール604を塞ぐように導電部材605が埋め込まれている。導電部材605は、ベース基板601の下面に形成された外部電極606に電気的に接続されていると共に、キャビティC内にマウントされている圧電振動片603に電気的に接続されている。
特開2002-124845号公報 特開2006-279872号公報
 ところで、上述した2層構造タイプの圧電振動子において、導電部材605は、スルーホール604を塞いでキャビティC内の気密を維持すると共に、圧電振動片603と外部電極606とを導通させるという2つの大きな役割を担っている。特に、スルーホール604との密着が不十分であると、キャビティC内の気密が損なわれてしまう恐れがあり、また、導電性接着剤E或いは外部電極606との接触が不十分であると、圧電振動片603の作動不良を招いてしまう。従って、このような不具合をなくす為にも、スルーホール604の内面に強固に密着した状態でスルーホール604を完全に塞ぎ、しかも、表面に凹み等がない状態で導電部材605を形成する必要がある。
 しかしながら、特許文献1及び特許文献2には、導電部材605を導電ペースト(AgペーストやAu-Snペースト等)にて形成する点は記載されているものの、実際にどのように形成するか等の具体的な製造方法については何ら記載されていない。
 一般的に導電ペーストを使用する場合には、焼成して硬化させる必要がある。つまり、スルーホール604内に導電ペーストを埋め込んだ後、焼成を行って硬化させる必要がある。ところが、焼成を行うと、導電ペーストに含まれる有機物が蒸発により消失してしまうので、通常、焼成後の体積が焼成前に比べて減少してしまう(例えば、導電ペーストとしてAgペーストを用いた場合には、体積が略20%程度減少してしまう)。そのため、導電ペーストを利用して導電部材605を形成したとしても、表面に凹みが発生してしまったり、酷い場合には貫通孔が中心に開いてしまったりする恐れがある。
 その結果、キャビティC内の気密が損なわれたり、圧電振動片603と外部電極606との導通性が損なわれたりする可能性があった。
 本発明は、このような事情に考慮してなされたもので、その目的は、キャビティ内の気密を確実に維持すると共に、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な2層構造式表面実装型の圧電振動子を提供することである。また、この圧電振動子を、一度に効率良く製造する圧電振動子の製造方法、圧電振動子を有する発振器、電子機器、電波時計を提供することである。
 本発明は、前記課題を解決して係る目的を達成するために以下の手段を提供する。
(1)本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ペーストを保持するための保持孔を前記ベース基板用ウエハに複数形成する保持孔形成工程と;これら複数の保持孔内に前記ペーストを埋め込んで保持孔を塞ぐ充填工程と;埋め込んだペーストを仮焼成した後に本焼成して硬化させる焼成工程と;仮焼成或いは本焼成した後に、ベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程と;を有し、前記研磨工程を本焼成後に行う場合には、前記焼成工程時に、仮焼成で減少したペースト量に相当する新たなペーストを仮焼成後のペーストに補充して、ペースト全体を再度仮焼成した後に本焼成する。
 上記圧電振動子の製造方法によれば、まず、リッド基板用ウエハに、キャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程を行う。これら凹部は、後に両ウエハを重ね合わせた際に、キャビティとなる凹部である。この工程と同時或いは前後のタイミングで、ベース基板用ウエハに貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように貫通電極を複数形成する。
 この貫通電極形成工程は、ベース基板用ウエハを研磨する研磨工程のタイミングに依存して大きく二通りの作業順序に分かれる。ここでは、まず、複数の金属微粒子を含んだペーストを本焼成した後に研磨工程を行う場合について説明する。
 まず、ペーストを保持するための保持孔をベース基板用ウエハに複数形成する保持孔形成工程を行う。続いて、これら複数の保持孔内にペーストを隙間なく埋め込んで保持孔を塞ぐ充填工程を行う。続いて、充填したペーストを仮焼成した後に本焼成して硬化させる焼成工程を行う。具体的には、まず、埋め込まれたペーストを仮焼成する。ところで、仮焼成によって硬化したペーストは、仮焼成時にペースト内の大半の有機物が蒸発してしまうので、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのため、ペーストの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。そこで、仮焼成で減少したペースト量に相当する新たなペーストを仮焼成後のペーストに補充する。これにより、凹んだ部分に新たなペーストが充填されるので、表面が平坦となる。
 そして、ペーストの補充が終了した後に、補充されたペースト内部の有機物が本焼成時に急激に蒸発することを防止するために、ペースト全体を再度仮焼成する。この仮焼成が終了した後に、ペースト全体の本焼成を行う。これにより、充填工程で埋め込まれたペースト及び新たに補充されたペーストが完全に硬化して一体化した状態になると共に、保持孔の内面に強固に固着した状態となる。ペーストの仮焼成及び本焼成を行うことで、焼成工程が終了する。
 ところで、本焼成されたペーストの内、充填工程で埋め込まれたペーストは、最初の仮焼成時に既に大半の有機物が蒸発しているので、ペースト補充後の仮焼成及び本焼成時に体積がほとんど減少しない。一方、最初の仮焼成の後に補充された新たなペーストは、ペースト補充後の仮焼成及び本焼成により体積が減少するものの、ペーストの量自体が保持孔内のペーストの全体量と比較するとごく微量である。よって、新たなペーストを仮焼成及び本焼成することで減少する体積が全体のペーストの体積に与える影響は、無視できるほど小さい。従って、新たに補充したペーストの体積減少を考慮したとしても、本焼成で硬化した後のペーストの表面が大きく凹むことはない。即ち、ベース基板用ウエハの表面と本焼成で硬化したペーストの表面とは、ほぼ面一な状態となる。
 そして、焼成工程後に、ベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程を行う。この工程を行うことで、本焼成によって硬化したペーストの両面も同時に研磨できるので、わずかに凹んでいる部分の周囲をも削り取ることができる。つまり、硬化したペーストの表面をより平坦にすることができる。これにより、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペーストの表面とがより面一な状態となる。この研磨工程を行うことで、本焼成後に研磨工程を行う場合における貫通電極形成工程が終了する。なお、ペーストに含まれる複数の金属微粒子が互いに接触し合っていることで、貫通電極としての電気導通性が確保されている。また、上述した貫通電極形成工程においては、研磨工程での研磨量がごくわずかなので、研磨工程に要する時間を短縮できる。
 一方、本焼成前に研磨工程を行う場合の貫通電極形成工程について、続いて説明する。
 充填工程で埋め込まれたペーストを仮焼成するまでは上記した場合と同様に行う。充填工程で埋め込まれたペーストを仮焼成した後には、上記したように、ペーストの表面に凹みが生じる。そこで、この仮焼成を行った直後に、ベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程を行う。これにより、凹んでいる部分の周囲を削ることができるので、ベース基板用ウエハの表面と仮焼成後のペーストの表面とがほぼ面一な状態となる。
 また、この仮焼成におけるペーストの体積の減少量は、仮焼成せずに一回で本焼成する場合に比べると小さい。従って、仮焼成によって生じるペースト表面の凹みは、同量のペーストを仮焼成せずに1度に本焼成する際に生じる凹みに比べて小さい。よって、ペーストを仮焼成した直後に研磨工程を行うことで研磨量を抑えることができ、研磨工程に要する時間を短くすることができる。
 そして、研磨工程を行った後、本焼成を行うことでペーストを完全に硬化させる。これにより、保持孔の内面にペーストが強固に固着した状態になり、ペーストは貫通電極として機能する。また、仮焼成時に既にペースト内の大半の有機物が蒸発しているので、本焼成における体積の減少はごくわずかである。従って、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペーストの表面とは、本焼成を行う前と同様にほぼ面一な状態を維持している。この本焼成を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
 以上が本発明に係る貫通電極形成工程であるが、上述のように、いずれのタイミングで研磨工程を実施したとしても、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペーストの表面とがほぼ面一な状態となる。
 次に、ベース基板用ウエハの上面に導電性材料をパターニングして、貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように引き回し電極を形成する。
 特に、貫通電極は、上述したようにベース基板用ウエハの上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハの上面にパターニングされた引き回し電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、引き回し電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、複数の圧電振動片を、引き回し電極を介してベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程を行う。これにより、接合された各圧電振動片は、引き回し電極を介して貫通電極に対して導通した状態となる。マウント終了後、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを重ね合わせる重ね合わせ工程を行う。これにより、接合された複数の圧電振動片は、凹部と両ウエハとで囲まれるキャビティ内に収納された状態となる。次に、重ね合わせた両ウエハを接合する接合工程を行う。これにより、両ウエハが強固に密着するので、圧電振動片をキャビティ内に封止することができる。
 次に、ベース基板用ウエハの下面に導電性材料をパターニングして、貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程を行う。この場合も引き回し電極の形成時と同様に、ベース基板用ウエハの下面に対して貫通電極がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。この工程により、外部電極を利用して、キャビティ内に封止された圧電振動片を作動させることができる。
 最後に、接合されたベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程を行う。
 その結果、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された2層構造式表面実装型の圧電振動子を一度に複数製造することができる。
 特に、ベース基板に対してほぼ面一な状態で貫通電極を形成できるので、貫通電極を、引き回し電極及び外部電極に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して、高品質化を図ることができる。また、キャビティ内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペーストを利用した簡単な方法で貫通電極を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。
(2)前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記保持孔内に埋め込んでも良い。
 この場合、事前にペーストを脱泡処理するので、気泡等が極力含まれていないペーストを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペーストの体積減少をできるだけ抑えることができる。従って、その後に行う研磨工程時での研磨量を少なくすることができ、この工程にかかる時間を削減でき、より効率良く圧電振動子を製造することができる。
(3)前記保持孔形成工程の際、前記ベース基板用ウエハの上面側から、前記保持孔を有底穴状に形成し;前記研磨工程が、前記ベース基板用ウエハの上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程と;前記保持孔が貫通して硬化したペーストが少なくとも露出するまで前記ベース基板用ウエハの下面を研磨する下面研磨工程と;を備えても良い。
 この場合、保持孔形成工程の際、ベース基板用ウエハの上面側から、保持孔を有底穴状に形成する。これにより、充填工程において、ペーストの埋め込み作業が容易であり、工程の簡素化を図ることができる。加えて、ペーストを無駄に使用する恐れが無い。
 また、研磨工程は、上面研磨工程と下面研磨工程とを備えている。特に、下面研磨工程においては、焼成時に減少するペーストの体積に依存することなく、ベース基板用ウエハの厚みと保持孔の深さとに基づいて研磨量を設定することができる。従って、下面研磨工程に関しては、ペーストの状態を確認した上で研磨を行うといったことが必要なく、予め決められた量を研磨すればよい。従って、研磨不足や過度の研磨を防ぐことができる。
(4)また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板用ウエハの上面に穴部を複数形成する穴部形成工程と;これら複数の穴部内に前記ペーストを埋め込んで穴部を塞ぐ充填工程と、埋め込んだペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と;焼成後にベース基板用ウエハの上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程と;穴部が貫通して硬化したペーストが少なくとも露出するまで、焼成後にベース基板用ウエハの下面を研磨する下面研磨工程と;を備えている。
 この発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、まず、リッド基板用ウエハに、キャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程を行う。これら凹部は、後に両ウエハを重ね合わせた際に、キャビティとなる凹部である。また、この工程と同時或いは前後のタイミングで、ベース基板用ウエハに貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように貫通電極を複数形成する。
 この貫通電極形成工程について、詳細に説明すると、まず、ベース基板用ウエハの上面に穴部を複数形成する穴部形成工程を行う。続いて、これら複数の穴部内に金属微粒子を含んだペーストを隙間なく埋め込んで穴部を塞ぐ充填工程を行う。続いて、充填したペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程を行う。これにより、穴部の内面にペーストが強固に固着した状態となる。
 ところで、硬化したペーストは、焼成時にペースト内の有機物が蒸発してしまうので、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのため、ペーストの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。そこで、焼成後に、ベース基板用ウエハの上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程を行う。この工程を行うことで、ベース基板用ウエハの上面において、焼成によって硬化したペーストも同時に研磨できるので、凹んでしまった部分の周囲を削り取ることができる。つまり、硬化したペーストの表面を平坦にすることができる。よって、ベース基板用ウエハの上面において、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペーストの表面とが、ほぼ面一な状態となる。
 また、上面研磨工程と同時或いは前後のタイミングで、穴部が貫通して硬化したペーストが少なくとも露出するまで、焼成後にベース基板用ウエハの下面を研磨する下面研磨工程を実施する。これにより、穴部内で硬化したペーストが下面に露出する。この下面研磨工程を行うことで、ベース基板用ウエハに形成された穴部が、これ以降ベース基板用ウエハを貫通した貫通孔になると共に、硬化したペーストが貫通電極となる。加えて、上面研磨工程と同様に、ベース基板用ウエハの下面においても、ベース基板用ウエハの表面と硬化したペーストの表面とが、ほぼ面一な状態となる。
 これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。なお、ペーストに含まれる複数の金属微粒子が互いに接触し合っていることで、貫通電極の電気導通性が確保されている。
 次に、ベース基板用ウエハの上面に導電性材料をパターニングして、貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように引き回し電極を形成する。
 特に、貫通電極は、上述したように表面に凹みがなく、ベース基板用ウエハの上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハの上面にパターニングされた引き回し電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、引き回し電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、複数の圧電振動片を、それぞれ引き回し電極を介してベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程を行う。これにより、接合された各圧電振動片は、引き回し電極を介して貫通電極に対して導通した状態となる。マウント終了後、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを重ね合わせる重ね合わせ工程を行う。これにより、接合された複数の圧電振動片は、凹部と両ウエハとで囲まれるキャビティ内に収納された状態となる。
 次に、重ね合わせた両ウエハを接合する接合工程を行う。これにより、両ウエハが強固に密着するので、圧電振動片をキャビティ内に封止することができる。この際、ベース基板用ウエハに形成された貫通孔は、貫通電極によって塞がれているので、キャビティ内の気密が貫通孔を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極を構成するペーストは、貫通孔の内面に強固に密着しているので、キャビティ内の気密を確実に維持することができる。
 次に、ベース基板用ウエハの下面に導電性材料をパターニングして、貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程を行う。この場合も引き回し電極の形成時と同様に、ベース基板用ウエハの下面に対して貫通電極がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。この工程により、外部電極を利用して、キャビティ内に封止された圧電振動片を作動させることができる。
 最後に、接合されたベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程を行う。
 その結果、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された2層構造式表面実装型の圧電振動子を一度に複数製造することができる。
 特に、表面に凹みがなく、ベース基板に対してほぼ面一な状態で貫通電極を形成できるので、貫通電極を、引き回し電極及び外部電極に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して、高品質化を図ることができる。また、キャビティ内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。
 更に、下面研磨工程においては、焼成時に減少するペーストの体積に依存することなく、ベース基板用ウエハの厚みと穴部の深さとに基づいて研磨量を設定することができる。従って、下面研磨工程に関しては、ペーストの状態を確認した上で研磨を行うといったことが必要なく、予め決められた量を研磨すればよい。従って、研磨不足や過度の研磨を防ぐことができる。
 また、ペーストを利用した簡単な方法で貫通電極を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。更に、ペーストを埋め込む際に有底穴である穴部を用いているので、ペーストの埋め込み作業が容易であり、工程の簡素化を図ることができる。加えて、ペーストを無駄に使用する恐れが無い。
(5)前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記穴部内に埋め込んでも良い。
 この場合、事前にペーストを脱泡処理するので、気泡等が極力含まれていないペーストを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペーストの体積減少をできるだけ抑えることができる。従って、その後に行う研磨工程時での研磨量を少なくすることができ、この工程にかかる時間を削減でき、より効率良く圧電振動子を製造することができる。
(6)また、本発明に係る圧電振動子の製造方法は、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、前記貫通電極形成工程が、前記ベース基板用ウエハにこのウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と;これら複数の貫通孔内に前記ペーストを埋め込んで貫通孔を塞ぐ充填工程と;埋め込んだペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と;焼成後にベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚みだけ研磨する研磨工程と;を備えている。
 この発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、まず、リッド基板用ウエハに、キャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程を行う。これら凹部は、後に両ウエハを重ね合わせた際に、キャビティとなる凹部である。また、この工程と同時或いは前後のタイミングで、ベース基板用ウエハに貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように貫通電極を複数形成する。
 この貫通電極形成工程について、詳細に説明すると、まず、ベース基板用ウエハにウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程を行う。続いて、これら複数の貫通孔内に金属微粒子を含んだペーストを隙間なく埋め込んで貫通孔を塞ぐ充填工程を行う。続いて、充填したペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程を行う。これにより、貫通孔の内面にペーストが強固に固着した状態となる。ところで、硬化したペーストは、焼成時にペースト内の有機物が蒸発してしまうので、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのためペーストの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。
 そこで、焼成後に、ベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚みだけ研磨する研磨工程を行う。この工程を行うことで、焼成によって硬化したペーストの両面も同時に研磨できるので、凹んでしまった部分の周囲を削り取ることができる。つまり、硬化したペーストの表面を平坦にすることができる。よって、ベース基板用ウエハの表面と貫通電極の表面とが、ほぼ面一な状態となる。この研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。なお、ペーストに含まれる複数の金属微粒子が互いに接触し合っていることで、貫通電極の電気導通性が確保されている。
 次に、ベース基板用ウエハの上面に導電性材料をパターニングして、各貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程を行う。この際、後に両ウエハを重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハに形成した凹部内に収まるように引き回し電極を形成する。
 特に、貫通電極は、上述したように表面に凹みがなく、ベース基板用ウエハの上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハの上面にパターニングされた引き回し電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、引き回し電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、複数の圧電振動片を、それぞれ引き回し電極を介してベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程を行う。これにより、接合された各圧電振動片は、引き回し電極を介して貫通電極に対して導通した状態となる。マウント終了後、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを重ね合わせる重ね合わせ工程を行う。これにより、接合された複数の圧電振動片は、凹部と両ウエハとで囲まれるキャビティ内に収納された状態となる。
 次に、重ね合わせた両ウエハを接合する接合工程を行う。これにより、両ウエハが強固に密着するので、圧電振動片をキャビティ内に封止することができる。この際、ベース基板用ウエハに形成された貫通孔は、貫通電極によって塞がれているので、キャビティ内の気密が貫通孔を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極を構成するペーストは、貫通孔の内面に強固に密着しているので、キャビティ内の気密を確実に維持することができる。
 次に、ベース基板用ウエハの下面に導電性材料をパターニングして、各貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程を行う。この場合も引き回し電極の形成時と同様に、ベース基板用ウエハの下面に対して貫通電極がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極と貫通電極との導通性を確実なものにすることができる。この工程により、外部電極を利用して、キャビティ内に封止された圧電振動片を作動させることができる。
 最後に、接合されたベース基板用ウエハ及びリッド基板用ウエハを切断して、複数の圧電振動子に小片化する切断工程を行う。
 その結果、互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された2層構造式表面実装型の圧電振動子を一度に複数製造することができる。
 特に、表面に凹みがなく、ベース基板に対してほぼ面一な状態で貫通電極を形成できるので、貫通電極を、引き回し電極及び外部電極に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して、高品質化を図ることができる。また、キャビティ内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペーストを利用した簡単な方法で貫通電極を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。
(7)前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記貫通孔内に埋め込んでも良い。
 この場合、事前にペーストを脱泡処理するので、気泡等が極力含まれていないペーストを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペーストの体積減少をできるだけ抑えることができる。従って、その後に行う研磨工程時での研磨量を少なくすることができ、この工程にかかる時間を削減でき、より効率良く圧電振動子を製造することができる。
(8)前記マウント工程前に、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせたときに、前記凹部の周囲を囲む接合膜をベース基板用ウエハの上面に形成する接合膜形成工程を備え;前記接合工程の際、前記接合膜を介して前記両ウエハを陽極接合しても良い。
 この場合、接合膜を介してベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを陽極接合できるので、両ウエハをより強固に接合してキャビティ内の気密性を高めることができる。従って、圧電振動片をさらに高精度に振動させることができ、さらなる高品質化を図ることができる。
(9)前記マウント工程の際、導電性のバンプを利用して前記圧電振動片をバンプ接合しても良い。
 この場合、圧電振動片をバンプ接合するので、バンプの厚み分だけ圧電振動片をベース基板の上面から浮かすことができる。そのため、圧電振動片の振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、圧電振動子の作動性能の信頼性をさらに向上することができる。
(10)前記充填工程の際、非球形形状の金属微粒子を含んだペーストを埋め込んでも良い。
 この場合、ペーストに含まれる金属微粒子が球形ではなく、非球形、例えば、細長い繊維状或いは断面星型状に形成されているので、互いに接触し合ったときに、点接触ではなく、線接触になり易い。よって、貫通電極の電気的な導通性をさらに高めることができる。
(11)前記充填工程の際、前記ベース基板用ウエアと熱膨張率が略同一の粒体が混合されたペーストを埋め込んでも良い。
 この場合、ペーストにベース基板用ウエハと熱膨張率が略同一の粒体が混合されているので、焼成時、ペーストの熱膨張をベース基板用ウエハの熱膨張に近づけることができる。そのため、両者の間に熱膨張差に起因する隙間等が生じ難く、両者をより密着させた状態にすることができる。その結果、気密性をより高めた貫通電極を形成することができ、長期的な気密の信頼性を向上することができる。
(12)また、本発明に係る圧電振動子は、両面が研磨加工されたベース基板と;キャビティ用の凹部が形成され、凹部を前記ベース基板に対向させた状態でベース基板に接合されたリッド基板と;前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と;前記ベース基板の下面に形成された外部電極と;前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持すると共に、前記外部電極に対して電気的に接続された貫通電極と;前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極を電気的に接続させる引き回し電極と;を備え、前記貫通電が、複数の金属微粒子を含んだペーストの硬化により形成されている。
 この発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密を確実に維持することができると共に、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な2層構造式表面実装型の圧電振動子とすることができる。
(13)前記ベース基板及び前記リッド基板が、前記凹部の周囲を囲むように両基板の間に形成された接合膜を介して陽極接合されていても良い。
 この場合、上記(8)に記載の圧電振動子の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
(14)前記圧電振動片が、導電性のバンプによりバンプ接合されていても良い。
 この場合、上記(9)に記載の圧電振動子の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
(15)前記金属微粒子が、非球形形状であっても良い。
 この場合、上記(10)に記載の圧電振動子の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
(16)前記ペーストに、前記ベース基板と熱膨張率が略同一の粒体が混合されていても良い。
 この場合、(11)に記載の圧電振動子の製造方法と同様の作用効果を奏することができる。
(17)また、本発明に係る発振器は、上記(12)から(16)のいずれか1項に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている。
(18)また、本発明に係る電子機器は、上記(12)から(16)のいずれか1項に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている。
(19)また、本発明に係る電波時計は、上記(12)から(16)のいずれか1項に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている。
 この発明に係る発振器、電子機器及び電波時計によれば、キャビティ内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子を備えているので、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
 本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密を確実に維持することができると共に、圧電振動片と外部電極との安定した導通性を確保した高品質な2層構造式表面実装型の圧電振動子とすることができる。
 また、本発明に係る圧電振動子の製造方法によれば、上述した圧電振動子を一度に効率良く製造することができ、低コスト化を図ることができる。
 また、本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計によれば、上述した圧電振動子を備えているので、同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。
図1は、本発明に係る圧電振動子の第1実施形態を示す外観斜視図である。 図2は、図1に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図3は、図2に示すA-A線に沿った圧電振動子の断面図である。 図4は、図1に示す圧電振動子の分解斜視図である。 図5は、図1に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。 図6は、図5に示す圧電振動片の下面図である。 図7は、図5に示す断面矢視B-B図である。 図8は、図3に示す貫通電極の拡大図であって、複数の金属微粒子を含むペーストを示す図である。 図9は、図1に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図10は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。 図11は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに複数の保持孔を形成した状態を示す図である。 図12は、図11に示す状態をベース基板用ウエハの断面から見た図である。 図13は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図12に示す状態の後、保持孔内にペーストを充填させた状態を示す図である。 図14は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図13に示す状態の後、ペーストを仮焼成した状態を示す図である。 図15は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図14に示す状態の後、保持孔内にペーストを補充した状態を示す図である。 図16は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図15に示す状態の後、ペーストを本焼成した状態を示す図である。 図17は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図16に示す状態の後、ベース基板用ウエハの両面を研磨している状態を示す図である。 図18は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図17に示す状態の後、凹みがなくなりベース基板用ウエハの表面に面一となった貫通電極を示す図である。 図19は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図18に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜及び引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。 図20は、図19に示す状態のベース基板用ウエハの全体図である。 図21は、図9に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。 図22は、本発明に係る第2実施形態において、図1に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図23は、図22に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図14に示す状態の後、ベース基板用ウエハの両面を研磨している状態を示す図である。 図24は、図22に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図23に示す状態の後の状態を示す図である。 図25は、図22に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図24に示す状態の後、ペーストを本焼成した状態を示す図である。 図26は、本発明に係る圧電振動子の第3実施形態を示す外観斜視図である。 図27は、図26に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図28は、図27に示すA-A線に沿った圧電振動子の断面図である。 図29は、図26に示す圧電振動子の分解斜視図である。 図30は、図26に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。 図31は、図30に示す圧電振動片の下面図である。 図32は、図30に示す断面矢視B-B図である。 図33は、図28に示す貫通電極の拡大図であって、複数の金属微粒子を含むペーストを示す図である。 図34は、図26に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図35は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。 図36は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに複数の穴部を形成した状態を示す図である。 図37は、図36に示す状態をベース基板用ウエハの断面から見た図である。 図38は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図37に示す状態の後、穴部内にペーストを充填させた状態を示す図である。 図39は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図38に示す状態の後、ペーストを焼成により硬化させた状態を示す図である。 図40は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図39に示す状態の後、ベース基板用ウエハの両面を研磨している状態を示す図である。 図41は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図40に示す状態の後、凹みがなくなりベース基板用ウエハの表面に面一となった貫通電極を示す図である。 図42は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図41に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜及び引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。 図43は、図42に示す状態のベース基板用ウエハの全体図である。 図44は、図34に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。 図45は、本発明に係る圧電振動子の第4実施形態を示す外観斜視図である。 図46は、図45に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図47は、図46に示すA-A線に沿った圧電振動子の断面図である。 図48は、図45に示す圧電振動子の分解斜視図である。 図49は、図45に示す圧電振動子を構成する圧電振動片の上面図である。 図50は、図49に示す圧電振動片の下面図である。 図51は、図49に示す断面矢視B-B図である。 図52は、図47に示す貫通電極の拡大図であって、複数の金属微粒子を含むペーストを示す図である。 図53は、図45に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。 図54は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、リッド基板の元となるリッド基板用ウエハに複数の凹部を形成した状態を示す図である。 図55は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、ベース基板の元となるベース基板用ウエハに一対のスルーホールを形成した状態を示す図である。 図56は、図55に示す状態をベース基板用ウエハの断面から見た図である。 図57は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図56に示す状態の後、スルーホール内にペーストを充填させた状態を示す図である。 図58は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図57に示す状態の後、ペーストを焼成により硬化させ、貫通電極を形成した状態を示す図である。 図59は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図58に示す状態の後、ベース基板用ウエハの両面を研磨している状態を示す図である。 図60は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図59に示す状態の後、凹みがなくなりベース基板用ウエハの表面に面一となった貫通電極を示す図である。 図61は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、図60に示す状態の後、ベース基板用ウエハの上面に接合膜及び引き回し電極をパターニングした状態を示す図である。 図62は、図61に示す状態のベース基板用ウエハの全体図である。 図63は、図53に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ体の分解斜視図である。 図64は、本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。 図65は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。 図66は、本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。 図67は、本発明に係るペーストの変形例を示す拡大図である。 図68Aは、本発明に係る金属微粒子の変形例を示す図であって、短冊状に形成された金属微粒子を示す図である。 図68Bは、本発明に係る金属微粒子の変形例を示す図であって、波型状に形成された金属微粒子を示す図である。 図68Cは、本発明に係る金属微粒子の変形例を示す図であって、断面星型に形成された金属微粒子を示す図である。 図68Dは、本発明に係る金属微粒子の変形例を示す図であって、断面十字型に形成された微粒子を示す図である。 図69は、本発明に係る圧電振動子の変形例を示す断面図である。 図70は、従来の圧電振動子の内部構造図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。 図71は、図70に示す圧電振動子の断面図である。
符号の説明
 B バンプ
 C キャビティ
 G ガラスフリット(粒体)
 P ペースト
 P1 金属微粒子
 1、101、201 圧電振動子
 2、102、202 ベース基板
 3、103、203 リッド基板
 3a、103a、203a キャビティ用の凹部
 4、104、204 圧電振動片
 30a、31a 保持孔
 35、135、235 接合膜
 36、37、136、137、236、237 引き回し電極
 38、39、138、139、238、239 外部電極
 40、140、240 ベース基板用ウエハ
 50、150、250 リッド基板用ウエハ
 130a、131a  穴部
 230、231  スルーホール(貫通孔)
 500 発振器
 501…発振器の集積回路
 510…携帯情報機器(電子機器)
 513…電子機器の計時部
 530…電波時計
 531…電波時計のフィルタ部
(第1実施形態)
 以下、本発明に係る第1実施形態を、図1から図21を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子1は、図1から図4に示すように、ベース基板2とリッド基板3とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片4が収納された表面実装型の圧電振動子1である。
 なお、図4においては、図面を見易くするために後述する励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17及び重り金属膜21の図示を省略している。
 圧電振動片4は、図5から図7に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
 この圧電振動片4は、平行に配置された一対の振動腕部10、11と、この一対の振動腕部10、11の基端側を一体的に固定する基部12と、一対の振動腕部10、11の外表面上に形成されて一対の振動腕部10、11を振動させる第1の励振電極13と第2の励振電極14とからなる励振電極15と、第1の励振電極13及び第2の励振電極14に電気的に接続されたマウント電極16、17とを有している。
 また、本実施形態の圧電振動片4は、一対の振動腕部10、11の両主面上に、振動腕部10、11の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部18を備えている。この溝部18は、振動腕部10、11の基端側から略中間付近まで形成されている。
 第1の励振電極13と第2の励振電極14とからなる励振電極15は、一対の振動腕部10、11を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部10、11の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、図7に示すように、第1の励振電極13が、一方の振動腕部10の溝部18上と他方の振動腕部11の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極14が、一方の振動腕部10の両側面上と他方の振動腕部11の溝部18上とに主に形成されている。
 第1の励振電極13及び第2の励振電極14は、図5及び図6に示すように、基部12の両主面上において、それぞれ引き出し電極19、20を介してマウント電極16、17に電気的に接続されている。そして圧電振動片4は、このマウント電極16、17を介して電圧が印加されるようになっている。
 なお、上述した励振電極15、マウント電極16、17及び引き出し電極19、20は、例えば、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成されたものである。
 一対の振動腕部10、11の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜21が被膜されている。なお、この重り金属膜21は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜21aと、微小に調整する際に使用される微調膜21bとに分かれている。これら粗調膜21a及び微調膜21bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部10、11の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
 このように構成された圧電振動片4は、図3から図4に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板2の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板2の上面にパターニングされた引き回し電極36、37上に形成された2つのバンプB上に、一対のマウント電極16、17がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片4は、ベース基板2の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極16、17と引き回し電極36、37とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
 上記リッド基板3は、ガラス材料、例えば、ソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図1、図3及び図4に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板2が接合される接合面側には、圧電振動片4が収まる矩形状の凹部3aが形成されている。この凹部3aは、両基板2、3が重ね合わされたときに、圧電振動片4を収容するキャビティCとなるキャビティ用の凹部3aである。そして、リッド基板3は、この凹部3aをベース基板2側に対向させた状態でベース基板2に対して陽極接合されている。
 上記ベース基板2は、リッド基板3と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図1から図4に示すように、リッド基板3に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
 このベース基板2には、ベース基板2を貫通する一対のスルーホール30、31が形成されている。この際、一対のスルーホール30、31は、キャビティC内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール30、31は、マウントされた圧電振動片4の基部12側に一方のスルーホール30が位置し、振動腕部10、11の先端側に他方のスルーホール31が位置するように形成されている。また、本実施形態では、ベース基板2の下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、ベース基板2を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構わない。いずれにしても、ベース基板2を貫通していれば良い。
 そして、これら一対のスルーホール30、31には、スルーホール30、31を埋めるように形成された一対の貫通電極32、33が形成されている。これら貫通電極32、33は、図8に示すように、複数の金属微粒子P1を含んだペーストPの硬化によって形成されたものであり、スルーホール30、31を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持していると共に、後述する外部電極38、39と引き回し電極36、37とを導通させる役割を担っている。
 なお、貫通電極32、33は、ペーストPに含まれる複数の金属微粒子P1が互いに接触し合っていることで、電気導通性が確保されている。また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等により細長い繊維状(非球形形状)に形成されている場合を例に挙げて説明する。
 ベース基板2の上面側(リッド基板3が接合される接合面側)には、図1から図4に示すように、導電性材料(例えば、アルミニウム)により、陽極接合用の接合膜35と、一対の引き回し電極36、37とがパターニングされている。このうち接合膜35は、リッド基板3に形成された凹部3aの周囲を囲むようにベース基板2の周縁に沿って形成されている。
 一対の引き回し電極36、37は、一対の貫通電極32、33のうち、一方の貫通電極32と圧電振動片4の一方のマウント電極16とを電気的に接続すると共に、他方の貫通電極33と圧電振動片4の他方のマウント電極17とを電気的に接続するようにパターニングされている。より詳しく説明すると、一方の引き回し電極36は、圧電振動片4の基部12の真下に位置するように一方の貫通電極32の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極37は、一方の引き回し電極36に隣接した位置から、振動腕部10、11に沿って振動腕部10、11の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極33の真上に位置するように形成されている。
 そして、これら一対の引き回し電極36、37上にそれぞれバンプBが形成されており、このバンプBを利用して圧電振動片4がマウントされている。これにより、圧電振動片4の一方のマウント電極16が、一方の引き回し電極36を介して一方の貫通電極32に導通し、他方のマウント電極17が、他方の引き回し電極37を介して他方の貫通電極33に導通するようになっている。
 ベース基板2の下面には、図1、図3及び図4に示すように、一対の貫通電極32、33に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極38、39が形成されている。つまり、一方の外部電極38は、一方の貫通電極32及び一方の引き回し電極36を介して圧電振動片4の第1の励振電極13に電気的に接続されている。また、他方の外部電極39は、他方の貫通電極33及び他方の引き回し電極37を介して、圧電振動片4の第2の励振電極14に電気的に接続されている。
 このように構成された圧電振動子1を作動させる場合には、ベース基板2に形成された外部電極38、39に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片4の第1の励振電極13及び第2の励振電極14からなる励振電極15に電流を流すことができ、一対の振動腕部10、11を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部10、11の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
 次に、上述した圧電振動子1を、図9に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。
 初めに、圧電振動片作製工程を行って図5から図7に示す圧電振動片4を作製する(S10)。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片4の外形形状でパターニングすると共に、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極15、引き出し電極19、20、マウント電極16、17、重り金属膜21を形成する。これにより、複数の圧電振動片4を作製することができる。
 また、圧電振動片4を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜21の粗調膜21aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。
 次に、後にリッド基板3となるリッド基板用ウエハ50を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S20)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、図10に示すように、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ50を形成する(S21)。次いで、リッド基板用ウエハ50の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部3aを複数形成する凹部形成工程を行う(S22)。この時点で、第1のウエハ作製工程が終了する。
 次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板2となるベース基板用ウエハ40を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第2のウエハ作製工程を行う(S30)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ40を形成する(S31)。次いで、ベース基板用ウエハ40に、複数の金属微粒子P1を含んだペーストPを利用して、一対の貫通電極32、33を複数形成する貫通電極形成工程を行う(S30A)。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。
 まず、図11に示すように、ペーストPを保持するため、有底穴状の一対の保持孔30a、31aをベース基板用ウエハ40の上面側に複数形成する保持孔形成工程(S32)を行う。なお、図11に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ40の上面側から、例えばサンドブラスト法で行う。これにより、図12に示すように、ベース基板用ウエハ40の下面に向かって漸次径が縮径する断面テーパ状で、下面側に底がある有底穴状の保持孔30a、31aを形成することができる。また、後に両ウエハ40、50を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ50に形成された凹部3a内に収まるように一対の保持孔30a、31aを複数形成する。しかも、一方の保持孔30aが圧電振動片4の基部12側に位置し、他方の保持孔31aが振動腕部10、11の先端側に位置するように形成する。
 なお、本実施形態では、ベース基板用ウエハ40の下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状の保持孔を例に挙げて説明するが、この場合に限られず、径が均一に設けられた保持孔でも構わない。いずれにしても、ベース基板用ウエハ40の下面側に底を有している有定状の保持孔であれば良い。
 続いて、図13に示すように、これら複数の保持孔30a、31a内にペーストを隙間なく埋め込んで保持孔30a、31aを塞ぐ充填工程を行う(S33)。この際、保持孔30a、31aが有底穴状に形成されているので、ペーストPの埋め込み作業が容易であり、工程の簡素化を図ることができる。加えて、ペーストPを無駄に使用する恐れが無い。続いて、充填したペーストPを仮焼成した後に本焼成して硬化させる焼成工程を行う。具体的には、まず埋め込まれたペーストPを仮焼成する(S34)。仮焼成における加熱条件は、例えば80℃で30分間程度が好ましい。
 ところで、仮焼成によって硬化したペーストPは、仮焼成時に図示しないペーストP内の大半の有機物が蒸発してしまうので、図14に示すように、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのため、ペーストPの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。そこで、本焼成を行う前に、仮焼成時に減少したペースト量に相当する新たなペーストPを仮焼成後のペーストPに補充する(S35)。これにより、凹んだ部分に新たなペーストPが充填されるので、図15に示すように、表面が平坦となる。
 そして、ペーストPの補充が終了した後に、補充されたペーストP内部の有機物が本焼成時に急激に蒸発することを防止するために、ペーストP全体を再度仮焼成する(S36)。この仮焼成が終了した後に、ペーストP全体の本焼成を行う(S37)。本焼成の加熱温度は、例えば400℃~500℃程度が好ましい。これにより、仮焼成されたペーストP及び新たに補充されたペーストPが完全に硬化して一体化した状態になると共に、保持孔30a、31aの内面に強固に固着した状態となる。ペーストPの仮焼成及び本焼成を行うことで、焼成工程が終了する。
 ところで、本焼成されたペーストPの内、充填工程で埋め込まれたペーストPは、最初の仮焼成時に既に大半の有機物が蒸発しているので、ペーストP補充後の仮焼成及び本焼成時に体積がほとんど減少しない。一方、最初の仮焼成の後に補充された新たなペーストPは、ペーストP補充後の仮焼成及び本焼成により体積が減少するものの、ペーストPの量自体が保持孔30a、31a内のペーストPの全体量と比較するとごく微量である。よって、新たなペーストPを仮焼成及び本焼成することで減少する体積が全体のペーストPの体積に与える影響は、無視できるほど小さい。従って、新たに補充したペーストPの体積減少を考慮したとしても、本焼成で硬化した後のペーストPの表面が大きく凹むことはない。即ち、ベース基板用ウエハ40の上面において、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表面とは、図16に示すように、ほぼ面一な状態となる。
 そして、焼成工程後に、ベース基板用ウエハ40の両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程を行う。より具体的には、図17に示すように、ベース基板用ウエハ40の上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程を行う(S38)。この工程を行うことで、ベース基板用ウエハ40の上面において、本焼成によって硬化したペーストPも同時に研磨できる。従って、ペーストPのわずかに凹んでいる部分の周囲をも削り取ることができる。つまり、図18に示すように、硬化したペーストPの表面をより平坦にすることができる。これにより、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表面とがより面一な状態となる。
 更に、上面研磨工程と同時或いは前後のタイミングで、図17に示すように、ベース基板用ウエハ40の下面を、保持孔30a、31aの底に達するまで研磨する下面研磨工程を実施する(S39)。これにより、図18に示すように、保持孔30a、31a内で硬化したペーストPが下面に露出される。この下面研磨工程を行うことで、ベース基板用ウエハ40に形成された一対の保持孔30a、31aが、これ以降ベース基板用ウエハ40を貫通したスルーホール30、31になると共に、硬化したペーストPが一対の貫通電極32、33となる。加えて、ベース基板用ウエハ40の下面においても、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表面とが、ほぼ面一な状態となる。これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行うことで、研磨工程が終了する。そして、研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
 次に、ベース基板用ウエハ40の上面に導電性材料をパターニングして、図19及び図20に示すように、接合膜35を形成する接合膜形成工程を行う(S40)と共に、各一対の貫通電極32、33にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極36、37を複数形成する引き回し電極形成工程を行う(S41)。なお、図19及び図20に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 特に、貫通電極32、33は上述したように、ベース基板用ウエハ40の上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ40の上面にパターニングされた引き回し電極36、37は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極32、33に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極36と一方の貫通電極32との導通性、並びに、他方の引き回し電極37と他方の貫通電極33との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第2のウエハ作製工程が終了する。
 ところで、図9では、接合膜形成工程(S40)の後に、引き回し電極形成工程(S41)を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程(S41)の後に、接合膜形成工程(S40)を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。
 次に、作製した複数の圧電振動片4を、それぞれ引き回し電極36、37を介してベース基板用ウエハ40の上面に接合するマウント工程を行う(S50)。まず、一対の引き回し電極36、37上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そして、圧電振動片4の基部12をバンプB上に載置した後、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振動片4をバンプBに押し付ける。これにより、圧電振動片4は、バンプBに機械的に支持されると共に、マウント電極16、17と引き回し電極36、37とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片4の一対の励振電極15は、一対の貫通電極32、33に対してそれぞれ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片4は、バンプ接合されるので、ベース基板用ウエハ40の上面から浮いた状態で支持される。
 圧電振動片4のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ40に対してリッド基板用ウエハ50を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う(S60)。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ40、50を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片4が、ベース基板用ウエハ40に形成された凹部3aと両ウエハ40、50とで囲まれるキャビティC内に収容された状態となる。
 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウエハ40、50を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う(S70)。具体的には、接合膜35とリッド基板用ウエハ50との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜35とリッド基板用ウエハ50との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片4をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ40とリッド基板用ウエハ50とが接合した図21に示すウエハ体60を得ることができる。なお、図21においては、図面を見易くするために、ウエハ体60を分解した状態を図示しており、ベース基板用ウエハ40から接合膜35の図示を省略している。また、図21に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ40に形成されたスルーホール30、31は、貫通電極32、33によって完全に塞がれているので、キャビティC内の気密がスルーホール30、31を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極32、33を構成するペーストPは、スルーホール30、31の内面に強固に密着しているので、キャビティC内の気密を確実に維持することができる。
 そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ40の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極32、33にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極38、39を複数形成する外部電極形成工程を行う(S80)。この工程により、外部電極38、39を利用してキャビティC内に封止された圧電振動片4を作動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極36、37の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ40の下面に対して貫通電極32、33がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極38、39は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極32、33に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極38、39と貫通電極32、33との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、ウエハ体60の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子1の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う(S90)。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ40の下面に形成された一対の外部電極38、39に電圧を印加して圧電振動片4を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ50を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜21の微調膜21bを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部10、11の先端側の重量が変化するので、圧電振動片4の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体60を図21に示す切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S100)。その結果、互いに接合されたベース基板2とリッド基板3との間に形成されたキャビティC内に圧電振動片4が封止された、図1に示す2層構造式表面実装型の圧電振動子1を一度に複数製造することができる。
 なお、切断工程(S100)を行って個々の圧電振動子1に小片化した後に、微調工程(S90)を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程(S90)を先に行うことで、ウエハ体60の状態で微調を行うことができるので、複数の圧電振動子1をより効率よく微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるので好ましい。
 その後、内部の電気特性検査を行う(S110)。即ち、圧電振動片4の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子1の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子1の製造が終了する。
 特に、本実施形態の圧電振動子1は、ベース基板2に対してほぼ面一な状態で貫通電極32、33を形成できるので、貫通電極32、33を、引き回し電極36、37及び外部電極38、39に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片4と外部電極38、39との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。また、キャビティC内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペーストPを利用した簡単な方法で貫通電極32、33を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。
 また、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子1を一度に複数製造することができるので、低コスト化を図ることができる。
 更に、研磨工程において、特に下面研磨工程の際、焼成時に減少するペーストPの体積に依存することなく、ベース基板用ウエハ40の厚みと保持孔30a、31aの深さとに基づいて研磨量を設定することができる。つまり、保持孔30a、31aの底に達するまで研磨すればよい。従って、ペーストPの状態を確認した上で研磨を行うといったことが必要なく、予め決められた量を研磨すればよい。これにより、研磨不足や過度の研磨を防ぐことができる。
 また、仮焼成した後にペーストPを補充してから本焼成を行うことで、ペーストPの表面の凹みを小さく抑えることができる。従って、研磨工程において、特に上面研磨工程の際、ベース基板用ウエハ40の研磨量がごくわずかで済む。これにより、研磨工程に要する時間を短縮し、圧電振動子1の製造工程の高効率化を図ることができる。
 加えて、上記本焼成後に研磨工程を実施することで、硬化したペーストPの表面とほぼ面一な状態にあるベース基板用ウエハ40の表面を、更に研磨することになる。これにより、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表面とをより面一な状態にすることができる。
(第2実施形態)
 次に、本発明に係る第2実施形態を、図22から図25を参照して説明する。なお、この第2実施形態においては、第1実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
 第2実施形態と第1実施形態とは、製造方法における貫通電極形成工程の作業順序について異なる。即ち、第1実施形態は、充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成した直後に新たなペーストPを補充して再度仮焼成をし、その後、本焼成の後に研磨工程を実施したが、第2実施形態は、充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成した直後に研磨工程を実施し、その後本焼成を行う。以下、図22に示す本発明に係る第2実施形態の製造方法を表すフローチャートを参照しながら、特に本実施形態の貫通電極形成工程(S30B)について説明する。
 本実施形態の貫通電極形成工程において、充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成するまでは第1実施形態と同様に行う。
 充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成した後には、ペーストPの表面に凹みが生じる。そこで、この仮焼成を行った直後に、ベース基板用ウエハ40の両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程を行う。即ち、図23に示すように、ベース基板用ウエハ40の上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程と、保持孔30a、31aの底に達するまでベース基板用ウエハ40の下面を研磨する下面研磨工程とを行う。これにより、図24に示すように、保持孔30a、31aがスルーホール30、31となる。加えて、ペーストPの凹んでいる部分の周囲を削りとることができるので、ベース基板用ウエハ40の表面と仮焼成後のペーストPの表面とがほぼ面一な状態となる。
 また、この仮焼成におけるペーストPの体積の減少量は、仮焼成せず1回で本焼成する場合と比べると小さい。従って、仮焼成によって生じるペーストP表面の凹みは、同量のペーストPを仮焼成せずに1度に本焼成する際に生じる凹みに比べて小さい。よって、ペーストPを仮焼成した直後に研磨工程を行うことで研磨量を抑えることができ、特に上面研磨に要する時間が短くなる。
 これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行うことで、研磨工程が終了する。
 そして、研磨工程を行った後、本焼成を行うことでペーストPを完全に硬化させる。これにより、スルーホール30、31の内面にペーストPが強固に固着した状態になり、ペーストPは貫通電極32、33として機能する。また、仮焼成時に既にペーストP内の大半の有機物が蒸発しているので、本焼成における体積の減少はごくわずかである。従って、ベース基板用ウエハ40の表面と硬化したペーストPの表面とは、本焼成を行う前と同様にほぼ面一な状態を維持している。この本焼成を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
 本実施形態の製造方法によれば、第1実施形態に示した作用効果を奏する上に、充填工程で埋め込まれたペーストPを仮焼成した直後に上面研磨工程を行うことで、仮焼成せずに1度に本焼成した直後に研磨工程を行う場合と比べて、研磨工程に要する時間を短くすることができる。
(第3実施形態)
 以下、本発明に係る第3実施形態を、図26から図44を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子101は、図26から図29に示すように、ベース基板102とリッド基板103とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片104が収納された表面実装型の圧電振動子101である。
 なお、図29においては、図面を見易くするために後述する励振電極115、引き出し電極119、120、マウント電極116、117及び重り金属膜121の図示を省略している。
 圧電振動片104は、図30から図32に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
 この圧電振動片104は、平行に配置された一対の振動腕部110、111と、一対の振動腕部110、111の基端側を一体的に固定する基部112と、一対の振動腕部110、111の外表面上に形成されて一対の振動腕部110、111を振動させる第1の励振電極113と第2の励振電極114とからなる励振電極115と、第1の励振電極113及び第2の励振電極114に電気的に接続されたマウント電極116、117とを有している。
 また、本実施形態の圧電振動片104は、一対の振動腕部110、111の両主面上に、振動腕部110、111の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部118を備えている。この溝部118は、振動腕部110、111の基端側から略中間付近まで形成されている。
 第1の励振電極113と第2の励振電極114とからなる励振電極115は、一対の振動腕部110、111を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部110、111の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、図32に示すように、第1の励振電極113が、一方の振動腕部110の溝部118上と他方の振動腕部111の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極114が、一方の振動腕部110の両側面上と他方の振動腕部111の溝部118上とに主に形成されている。
 第1の励振電極113及び第2の励振電極114は、図30及び図31に示すように、基部112の両主面上において、それぞれ引き出し電極119、120を介してマウント電極116、117に電気的に接続されている。そして圧電振動片104は、このマウント電極116、117を介して電圧が印加されるようになっている。
 なお、上述した励振電極115、マウント電極116、117及び引き出し電極119、120は、例えば、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成されたものである。
 一対の振動腕部110、111の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜121が被膜されている。なお、この重り金属膜121は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜121aと、微小に調整する際に使用される微調膜121bとに分かれている。これら粗調膜121a及び微調膜121bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部110、111の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
 このように構成された圧電振動片104は、図27から図29に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板102の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板102の上面にパターニングされた引き回し電極136、137上に形成された2つのバンプB上に、一対のマウント電極116、117がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片104は、ベース基板102の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極116、117と引き回し電極136、137とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
 上記リッド基板103は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図26、図28及び図29に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板102が接合される接合面側には、圧電振動片104が収まる矩形状の凹部103aが形成されている。この凹部103aは、両基板102、103が重ね合わされたときに、圧電振動片104を収容するキャビティCとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板103は、この凹部103aをベース基板102側に対向させた状態でベース基板102に対して陽極接合されている。
 上記ベース基板102は、リッド基板103と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図26から図29に示すように、リッド基板103に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
 このベース基板102には、ベース基板102を貫通する一対のスルーホール130、131が形成されている。この際、一対のスルーホール130、131は、キャビティC内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール130、131は、マウントされた圧電振動片104の基部112側に一方のスルーホール130が位置し、振動腕部110、111の先端側に他方のスルーホール131が位置するように形成されている。
 また、本実施形態では、ベース基板102の下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、ベース基板102を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構わない。いずれにしても、ベース基板102を貫通していれば良い。
 そして、これら一対のスルーホール130、131には、スルーホール130、131を埋めるように形成された一対の貫通電極132、133が形成されている。これら貫通電極132、133は、図33に示すように、複数の金属微粒子P1を含んだペーストPの硬化によって形成されたものであり、スルーホール130、131を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持していると共に、後述する外部電極138、139と引き回し電極136、137とを導通させる役割を担っている。
 なお、貫通電極132、133は、ペーストPに含まれる複数の金属微粒子P1が互いに接触し合っていることで、電気導通性が確保されている。また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等により細長い繊維状(非球形形状)に形成されている場合を例に挙げて説明する。
 ベース基板102の上面側(リッド基板103が接合される接合面側)には、図26から図29に示すように、導電性材料(例えば、アルミニウム)により、陽極接合用の接合膜135と、一対の引き回し電極136、137とがパターニングされている。このうち接合膜135は、リッド基板103に形成された凹部103aの周囲を囲むようにベース基板102の周縁に沿って形成されている。
 一対の引き回し電極136、137は、一対の貫通電極132、133のうち、一方の貫通電極132と圧電振動片104の一方のマウント電極116とを電気的に接続すると共に、他方の貫通電極133と圧電振動片104の他方のマウント電極117とを電気的に接続するようにパターニングされている。より詳しく説明すると、一方の引き回し電極136は、圧電振動片104の基部112の真下に位置するように一方の貫通電極132の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極137は、一方の引き回し電極136に隣接した位置から、振動腕部110、111に沿って振動腕部110、111の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極133の真上に位置するように形成されている。
 そして、これら一対の引き回し電極136、137上にそれぞれバンプBが形成されており、バンプBを利用して圧電振動片104がマウントされている。これにより、圧電振動片104の一方のマウント電極116が、一方の引き回し電極136を介して一方の貫通電極132に導通し、他方のマウント電極117が、他方の引き回し電極137を介して他方の貫通電極133に導通するようになっている。
 ベース基板102の下面には、図26、図28及び図29に示すように、一対の貫通電極132、133に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極138、139が形成されている。つまり、一方の外部電極138は、一方の貫通電極132及び一方の引き回し電極136を介して圧電振動片104の第1の励振電極113に電気的に接続されている。また、他方の外部電極139は、他方の貫通電極133及び他方の引き回し電極137を介して、圧電振動片104の第2の励振電極114に電気的に接続されている。
 このように構成された圧電振動子101を作動させる場合には、ベース基板102に形成された外部電極138、139に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片104の第1の励振電極113及び第2の励振電極114からなる励振電極115に電流を流すことができ、一対の振動腕部110、111を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部110、111の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
 次に、上述した圧電振動子101を、図34に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ140とリッド基板用ウエハ150とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。
 初めに、圧電振動片作製工程を行って図30から図32に示す圧電振動片104を作製する(S110)。具体的には、まず水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後、ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片104の外形形状でパターニングすると共に、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極115、引き出し電極119、120、マウント電極116、117、重り金属膜121を形成する。これにより、複数の圧電振動片104を作製することができる。
 また、圧電振動片104を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜121の粗調膜121aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。
 次に、後にリッド基板103となるリッド基板用ウエハ150を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S120)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、図35に示すように、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ150を形成する(S121)。次いで、リッド基板用ウエハ150の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部103aを複数形成する凹部形成工程を行う(S122)。この時点で、第1のウエハ作製工程が終了する。
 次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板102となるベース基板用ウエハ140を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第2のウエハ作製工程を行う(S130)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚みまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ140を形成する(S131)。次いで、ベース基板用ウエハ140に、複数の金属微粒子P1を含んだペーストPを利用して、一対の貫通電極132、133を複数形成する貫通電極形成工程を行う(S130A)。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。
 まず、図36に示すように、ベース基板用ウエハ140の上面に一対の穴部130a、131aを複数形成する穴部形成工程(S132)を行う。なお、図36に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ140の上面側から、例えばサンドブラスト法で行う。これにより、図37に示すように、ベース基板用ウエハ140の下面に向かって漸次径が縮径する断面テーパ状で、下面側に底がある穴部130a、131aを形成することができる。また、後に両ウエハ140、150を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ150に形成された凹部103a内に収まるように一対の穴部130a、131aを複数形成する。しかも、一方の穴部130aが圧電振動片104の基部112側に位置し、他方の穴部131aが振動腕部110、111の先端側に位置するように形成する。
 なお、本実施形態では、ベース基板用ウエハ140の下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状の穴部を例に挙げて説明するが、この場合に限られず、径が均一に設けられた穴部でも構わない。いずれにしても、ベース基板用ウエハ140の下面側に底を有している有底状の穴部であれば良い。
 続いて、図38に示すように、これら複数の穴部130a、131a内にペーストPを隙間なく埋め込んで穴部130a、131aを塞ぐ充填工程を行う(S133)。なお、図38から図41では、金属微粒子P1の図示を省略している。
 続いて、充填したペーストPを所定の温度で焼成して、硬化させる焼成工程を行う(S134)。これにより、穴部130a、131aの内面にペーストPが強固に固着した状態となる。ところで、硬化したペーストPは、焼成時に図示しないペーストP内の有機物が蒸発してしまうので、図39に示すように、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのため、ペーストPの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。
 そこで、焼成後に、図40に示すように、ベース基板用ウエハ140の上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程(S135)を行う。この工程を行うことで、ベース基板用ウエハ140の上面において、焼成によって硬化したペーストPも同時に研磨できるので、凹んでしまった部分の周囲を削り取ることができる。つまり、硬化したペーストPの表面を平坦にすることができる。よって、図41に示すように、ベース基板用ウエハ140の上面において、ベース基板用ウエハ140の表面と硬化したペーストPの表面とが、ほぼ面一な状態にすることができる。
 また、上面研磨工程と同時或いは前後のタイミングで、図40に示すように、穴部130a、131aが貫通して硬化したペーストPが少なくとも露出するまで、ベース基板用ウエハ140の下面を研磨する下面研磨工程を実施する(S136)。なお、本実施形態の下面研磨工程では、穴部130a、131aの底に達するまで研磨している。これにより、図41に示すように、穴部130a、131a内で硬化したペーストPが下面に露出される。この下面研磨工程を行うことで、ベース基板用ウエハ140に形成された一対の穴部130a、131aが、これ以降ベース基板用ウエハ140を貫通したスルーホール130、131になると共に、硬化したペーストPが一対の貫通電極132、133となる。加えて、上面研磨工程と同様に、ベース基板用ウエハ140の下面においても、ベース基板用ウエハ140の表面と硬化したペーストPの表面とが、ほぼ面一な状態にすることができる。
 これら上面研磨工程及び下面研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
 次に、ベース基板用ウエハ140の上面に導電性材料をパターニングして、図42及び図43に示すように、接合膜135を形成する接合膜形成工程を行う(S137)と共に、各一対の貫通電極132、133にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極136、137を複数形成する引き回し電極形成工程を行う(S138)。なお、図42及び図43に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 特に、貫通電極132、133は上述したように、表面に凹みがなく、ベース基板用ウエハ140の上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ140の上面にパターニングされた引き回し電極136、137は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極132、133に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極136と一方の貫通電極132との導通性、並びに、他方の引き回し電極137と他方の貫通電極133との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第2のウエハ作製工程が終了する。
 ところで、図34では、接合膜形成工程(S137)の後に、引き回し電極形成工程(S138)を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程(S138)の後に、接合膜形成工程(S137)を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。
 次に、作製した複数の圧電振動片104を、それぞれ引き回し電極136、137を介してベース基板用ウエハ140の上面に接合するマウント工程を行う(S140)。まず、一対の引き回し電極136、137上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そして、圧電振動片104の基部112をバンプB上に載置した後、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振動片104をバンプBに押し付ける。これにより、圧電振動片104は、バンプBに機械的に支持されると共に、マウント電極116、117と引き回し電極136、137とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片104の一対の励振電極115は、一対の貫通電極132、133に対してそれぞれ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片104は、バンプ接合されるので、ベース基板用ウエハ140の上面から浮いた状態で支持される。
 圧電振動片104のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ140に対してリッド基板用ウエハ150を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う(S150)。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ140、150を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片104が、ベース基板用ウエハ140に形成された凹部103aと両ウエハ140、150とで囲まれるキャビティC内に収容された状態となる。
 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウエハ140、150を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う(S160)。具体的には、接合膜135とリッド基板用ウエハ150との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜135とリッド基板用ウエハ150との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片104をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ140とリッド基板用ウエハ150とが接合した図44に示すウエハ体160を得ることができる。なお、図44においては、図面を見易くするために、ウエハ体160を分解した状態を図示しており、ベース基板用ウエハ140から接合膜135の図示を省略している。また、図44に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ140に形成されたスルーホール130、131は、貫通電極132、133によって完全に塞がれているので、キャビティC内の気密がスルーホール130、131を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極132、133を構成するペーストPは、スルーホール130、131の内面に強固に密着しているので、キャビティC内の気密を確実に維持することができる。
 そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ140の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極132、133にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極138、139を複数形成する外部電極形成工程を行う(S170)。この工程により、外部電極138、139を利用してキャビティC内に封止された圧電振動片104を作動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極136、137の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ140の下面に対して貫通電極132、133がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極138、139は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極132、133に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極138、139と貫通電極132、133との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、ウエハ体160の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子101の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う(S180)。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ140の下面に形成された一対の外部電極138、139に電圧を印加して圧電振動片104を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ150を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜121の微調膜121bを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部110、111の先端側の重量が変化するので、圧電振動片104の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体160を図44に示す切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S190)。その結果、互いに接合されたベース基板102とリッド基板103との間に形成されたキャビティC内に圧電振動片104が封止された、図26に示す2層構造式表面実装型の圧電振動子101を一度に複数製造することができる。
 なお、切断工程(S190)を行って個々の圧電振動子101に小片化した後に、微調工程(S180)を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程(S180)を先に行うことで、ウエハ体160の状態で微調を行うことができるので、複数の圧電振動子101をより効率よく微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるので好ましい。
 その後、内部の電気特性検査を行う(S195)。即ち、圧電振動片104の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子101の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子101の製造が終了する。
 特に、本実施形態の圧電振動子101は、表面に凹みがなく、ベース基板102に対してほぼ面一な状態で貫通電極132、133を形成できるので、貫通電極132、133を、引き回し電極136、137及び外部電極138、139に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片104と外部電極138、139との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。また、キャビティC内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。
 更に、下面研磨工程においては、焼成時に減少するペーストPの体積に依存することなく、ベース基板用ウエハ140の厚みと穴部130a、131aの深さとに基づいて研磨量を設定することができる。つまり、図40に示すように、ベース基板用ウエハ140の厚みT1と、穴部130a、131aの深さT2とから、研磨量T3を容易に設定できる。従って、下面研磨工程に関しては、ペーストPの状態を確認した上で研磨を行うといったことが必要なく、予め決められた量を研磨すればよい。従って、研磨不足や過度の研磨を防ぐことができる。
 また、ペーストPを利用した簡単な方法で貫通電極132、133を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。更に、ペーストPを埋め込む際に有底穴である穴部130a、131aを用いているので、ペーストPの埋め込み作業が容易であり、工程の簡素化を図ることができる。加えて、ペーストPを無駄に使用する恐れが無い。
 そして、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子101を一度に複数製造することができるので、低コスト化を図ることができる。
(第4実施形態)
 以下、本発明に係る第4実施形態を、図45から図63を参照して説明する。
 本実施形態の圧電振動子201は、図45から図48に示すように、ベース基板202とリッド基板203とで2層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティC内に圧電振動片204が収納された表面実装型の圧電振動子である。
 なお、図48においては、図面を見易くするために後述する励振電極215、引き出し電極219、220、マウント電極216、217及び重り金属膜221の図示を省略している。
 圧電振動片204は、図49から図51に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
 この圧電振動片204は、平行に配置された一対の振動腕部210、211と、一対の振動腕部210、211の基端側を一体的に固定する基部212と、一対の振動腕部210、211の外表面上に形成されて一対の振動腕部210、211を振動させる第1の励振電極213と第2の励振電極214とからなる励振電極215と、第1の励振電極213及び第2の励振電極214に電気的に接続されたマウント電極216、217とを有している。
 また、本実施形態の圧電振動片204は、一対の振動腕部210、211の両主面上に、振動腕部210、211の長手方向に沿ってそれぞれ形成された溝部218を備えている。この溝部218は、振動腕部210、211の基端側から略中間付近まで形成されている。
 第1の励振電極213と第2の励振電極214とからなる励振電極215は、一対の振動腕部210、211を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極であり、一対の振動腕部210、211の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている。具体的には、図51に示すように、第1の励振電極213が、一方の振動腕部210の溝部218上と他方の振動腕部211の両側面上とに主に形成され、第2の励振電極214が、一方の振動腕部210の両側面上と他方の振動腕部211の溝部218上とに主に形成されている。
 第1の励振電極213及び第2の励振電極214は、図49及び図50に示すように、基部212の両主面上において、それぞれ引き出し電極219、220を介してマウント電極216、217に電気的に接続されている。そして圧電振動片204は、このマウント電極216、217を介して電圧が印加されるようになっている。
 なお、上述した励振電極215、マウント電極216、217及び引き出し電極219、220は、例えば、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)やチタン(Ti)等の導電性膜の被膜により形成されたものである。
 一対の振動腕部210、211の先端には、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整(周波数調整)を行うための重り金属膜221が被膜されている。なお、この重り金属膜221は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜221aと、微小に調整する際に使用される微調膜221bとに分かれている。これら粗調膜221a及び微調膜221bを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部210、211の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
 このように構成された圧電振動片204は、図46から図48に示すように、金等のバンプBを利用して、ベース基板202の上面にバンプ接合されている。より具体的には、ベース基板202の上面にパターニングされた後述する引き回し電極236、237上に形成された2つのバンプB上に、一対のマウント電極216、217がそれぞれ接触した状態でバンプ接合されている。これにより、圧電振動片204は、ベース基板202の上面から浮いた状態で支持されると共に、マウント電極216、217と引き回し電極236、237とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
 上記リッド基板203は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、図45、図47及び図48に示すように、板状に形成されている。そして、ベース基板202が接合される接合面側には、圧電振動片204が収まる矩形状の凹部203aが形成されている。この凹部203aは、両基板202、203が重ね合わされたときに、圧電振動片204を収容するキャビティCとなるキャビティ用の凹部である。そして、リッド基板203は、この凹部203aをベース基板202側に対向させた状態でベース基板202に対して陽極接合されている。
 上記ベース基板202は、リッド基板203と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板であり、図45から図48に示すように、リッド基板203に対して重ね合わせ可能な大きさで板状に形成されている。
 このベース基板202には、ベース基板202を貫通する一対のスルーホール(貫通孔)230、231が形成されている。この際、一対のスルーホール230、231は、キャビティC内に収まるように形成されている。より詳しく説明すると、本実施形態のスルーホール230、231は、マウントされた圧電振動片204の基部212側に一方のスルーホール230が位置し、振動腕部210、211の先端側に他方のスルーホール231が位置するように形成されている。また、本実施形態では、ベース基板202の下面に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状のスルーホールを例に挙げて説明するが、この場合に限られず、ベース基板202を真っ直ぐに貫通するスルーホールでも構わない。いずれにしても、ベース基板202を貫通していれば良い。
 そして、これら一対のスルーホール230、231には、スルーホール230、231を埋めるように形成された一対の貫通電極232、233が形成されている。これら貫通電極232、233は、図52に示すように、複数の金属微粒子P1を含んだペーストPの硬化によって形成されたものであり、スルーホール230、231を完全に塞いでキャビティC内の気密を維持していると共に、後述する外部電極238、239と引き回し電極236、237とを導通させる役割を担っている。
 なお、貫通電極232、233は、ペーストPに含まれる複数の金属微粒子P1が互いに接触し合っていることで、電気導通性が確保されている。また、本実施形態の金属微粒子P1は、銅等により細長い繊維状(非球形形状)に形成されている場合を例に挙げて説明する。
 ベース基板202の上面側(リッド基板203が接合される接合面側)には、図45から図48に示すように、導電性材料(例えば、アルミニウム)により、陽極接合用の接合膜235と、一対の引き回し電極236、237とがパターニングされている。このうち接合膜235は、リッド基板203に形成された凹部203aの周囲を囲むようにベース基板202の周縁に沿って形成されている。
 一対の引き回し電極236、237は、一対の貫通電極232、233のうち、一方の貫通電極232と圧電振動片204の一方のマウント電極216とを電気的に接続すると共に、他方の貫通電極233と圧電振動片204の他方のマウント電極217とを電気的に接続するようにパターニングされている。より詳しく説明すると、一方の引き回し電極236は、圧電振動片204の基部212の真下に位置するように一方の貫通電極232の真上に形成されている。また、他方の引き回し電極237は、一方の引き回し電極236に隣接した位置から、振動腕部210、211に沿って振動腕部210、211の先端側に引き回しされた後、他方の貫通電極233の真上に位置するように形成されている。
 そして、これら一対の引き回し電極236、237上にそれぞれバンプBが形成されており、バンプBを利用して圧電振動片204がマウントされている。これにより、圧電振動片204の一方のマウント電極216が、一方の引き回し電極236を介して一方の貫通電極232に導通し、他方のマウント電極217が、他方の引き回し電極237を介して他方の貫通電極233に導通するようになっている。
 ベース基板202の下面には、図45、図47及び図48に示すように、一対の貫通電極232、233に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極238、239が形成されている。つまり、一方の外部電極238は、一方の貫通電極232及び一方の引き回し電極236を介して圧電振動片204の第1の励振電極213に電気的に接続されている。また、他方の外部電極239は、他方の貫通電極233及び他方の引き回し電極237を介して、圧電振動片204の第2の励振電極214に電気的に接続されている。
 このように構成された圧電振動子201を作動させる場合には、ベース基板202に形成された外部電極238、239に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片204の第1の励振電極213及び第2の励振電極214からなる励振電極215に電流を流すことができ、一対の振動腕部210、211を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部210、211の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
 次に、上述した圧電振動子201を、図53に示すフローチャートを参照しながら、ベース基板用ウエハ240とリッド基板用ウエハ250とを利用して一度に複数製造する製造方法について以下に説明する。
 初めに、圧電振動片作製工程を行って図49から図51に示す圧電振動片204を作製する(S210)。具体的には、まず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハとする。続いて、このウエハをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、その後、ポリッシュ等の鏡面研磨加工を行って、所定の厚みのウエハとする。続いて、ウエハに洗浄等の適切な処理を施した後、ウエハをフォトリソグラフィ技術によって圧電振動片204の外形形状でパターニングすると共に、金属膜の成膜及びパターニングを行って、励振電極215、引き出し電極219、220、マウント電極216、217、重り金属膜221を形成する。これにより、複数の圧電振動片204を作製することができる。
 また、圧電振動片204を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。これは、重り金属膜221の粗調膜221aにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、重量を変化させることで行う。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。これについては、後に説明する。
 次に、後にリッド基板203となるリッド基板用ウエハ250を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第1のウエハ作製工程を行う(S220)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、図54に示すように、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ250を形成する(S221)。次いで、リッド基板用ウエハ250の接合面に、エッチング等により行列方向にキャビティ用の凹部203aを複数形成する凹部形成工程を行う(S222)。この時点で、第1のウエハ作製工程が終了する。
 次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板202となるベース基板用ウエハ240を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第2のウエハ作製工程を行う(S230)。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ240を形成する(S231)。次いで、ベース基板用ウエハ240に一対の貫通電極232、233を複数形成する貫通電極形成工程を行う(S232)。ここで、この貫通電極形成工程について、詳細に説明する。
 まず、図55に示すように、ベース基板用ウエハ240を貫通する一対のスルーホール230、231を複数形成する貫通孔形成工程(S233)を行う。なお、図55に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。この工程を行う際、ベース基板用ウエハ240の上面側から、例えばサンドブラスト法で行う。これにより、図56に示すように、ベース基板用ウエハ240の下面に向かって漸次径が縮径する断面テーパ状のスルーホール230、231を形成することができる。また、後に両ウエハ240、250を重ね合わせたときに、リッド基板用ウエハ250に形成された凹部203a内に収まるように一対のスルーホール230、231を複数形成する。しかも、一方のスルーホール230が圧電振動片204の基部212側に位置し、他方のスルーホール231が振動腕部210、211の先端側に位置するように形成する。
 続いて、図57に示すように、これら複数のスルーホール230、231内に金属微粒子P1を含んだペーストPを隙間なく埋め込んでスルーホール230、231を塞ぐ充填工程を行う(S234)。なお、図57から図60では、金属微粒子P1の図示を省略している。
 続いて、充填したペーストPを所定の温度で焼成して、硬化させる焼成工程を行う(S235)。これにより、スルーホール230、231の内面にペーストPが強固に固着した状態となる。ところで、硬化したペーストPは、焼成時に図示しないペーストP内の有機物が蒸発してしまうので、図58に示すように、充填工程時に比べて体積が減少してしまう。そのため、ペーストPの表面には、どうしても凹みが生じてしまう。
 そこで、焼成後に、図59に示すように、ベース基板用ウエハ240の両面をそれぞれ所定の厚みだけ研磨する研磨工程を行う(S236)。この工程を行うことで、焼成によって硬化したペーストPの両面も同時に研磨できるので、凹んでしまった部分の周囲を削り取ることができる。つまり、ペーストPの表面を平坦にすることができる。
 よって、図60に示すように、ベース基板用ウエハ240の表面と、貫通電極232、233の表面とをほぼ面一の状態にすることができる。この研磨工程を行うことで、貫通電極形成工程が終了する。
 次に、ベース基板用ウエハ240の上面に導電性材料をパターニングして、図61及び図62に示すように、接合膜235を形成する接合膜形成工程を行う(S237)と共に、各一対の貫通電極232、233にそれぞれ電気的に接続された引き回し電極236、237を複数形成する引き回し電極形成工程を行う(S238)。なお、図61及び図62に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 特に、貫通電極232、233は上述したように、表面に凹みがなく、ベース基板用ウエハ240の上面に対してほぼ面一な状態となっている。そのため、ベース基板用ウエハ240の上面にパターニングされた引き回し電極236、237は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極232、233に対して密着した状態で接する。これにより、一方の引き回し電極236と一方の貫通電極232との導通性、並びに、他方の引き回し電極237と他方の貫通電極233との導通性を確実なものにすることができる。この時点で第2のウエハ作製工程が終了する。
 ところで、図53では、接合膜形成工程(S237)の後に、引き回し電極形成工程(S238)を行う工程順序としているが、これとは逆に、引き回し電極形成工程(S238)の後に、接合膜形成工程(S237)を行っても構わないし、両工程を同時に行っても構わない。いずれの工程順序であっても、同一の作用効果を奏することができる。よって、必要に応じて適宜、工程順序を変更して構わない。
 次に、作製した複数の圧電振動片204を、それぞれ引き回し電極236、237を介してベース基板用ウエハ240の上面に接合するマウント工程を行う(S240)。まず、一対の引き回し電極236、237上にそれぞれ金等のバンプBを形成する。そして、圧電振動片204の基部212をバンプB上に載置した後、バンプBを所定温度に加熱しながら圧電振動片204をバンプBに押し付ける。これにより、圧電振動片204は、バンプBに機械的に支持されると共に、マウント電極216、217と引き回し電極236、237とが電気的に接続された状態となる。よって、この時点で圧電振動片204の一対の励振電極215は、一対の貫通電極232、233に対してそれぞれ導通した状態となる。
 特に、圧電振動片204は、バンプ接合されるので、ベース基板用ウエハ240の上面から浮いた状態で支持される。
 圧電振動片204のマウントが終了した後、ベース基板用ウエハ240に対してリッド基板用ウエハ250を重ね合わせる重ね合わせ工程を行う(S250)。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ240、250を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片204が、ベース基板用ウエハ240に形成された凹部203aと両ウエハ240、250とで囲まれるキャビティC内に収容された状態となる。
 重ね合わせ工程後、重ね合わせた2枚のウエハ240、250を図示しない陽極接合装置に入れ、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う(S260)。具体的には、接合膜235とリッド基板用ウエハ250との間に所定の電圧を印加する。すると、接合膜235とリッド基板用ウエハ250との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片204をキャビティC内に封止することができ、ベース基板用ウエハ240とリッド基板用ウエハ250とが接合した図63に示すウエハ体260を得ることができる。なお、図63においては、図面を見易くするために、ウエハ体260を分解した状態を図示しており、ベース基板用ウエハ240から接合膜235の図示を省略している。なお、図63に示す点線Mは、後に行う切断工程で切断する切断線を図示している。
 ところで、陽極接合を行う際、ベース基板用ウエハ240に形成されたスルーホール230、231は、貫通電極232、233によって完全に塞がれているので、キャビティC内の気密がスルーホール230、231を通じて損なわれることがない。特に、貫通電極232、233を構成するペーストPは、スルーホール230、231の内面に強固に密着しているので、キャビティC内の気密を確実に維持することができる。
 そして、上述した陽極接合が終了した後、ベース基板用ウエハ240の下面に導電性材料をパターニングして、一対の貫通電極232、233にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極238、239を複数形成する外部電極形成工程を行う(S270)。この工程により、外部電極238、239を利用してキャビティC内に封止された圧電振動片204を作動させることができる。
 特に、この工程を行う場合も引き回し電極236、237の形成時と同様に、ベース基板用ウエハ240の下面に対して貫通電極232、233がほぼ面一な状態となっているので、パターニングされた外部電極238、239は、間に隙間等を発生させることなく貫通電極232、233に対して密着した状態で接する。これにより、外部電極238、239と貫通電極232、233との導通性を確実なものにすることができる。
 次に、ウエハ体260の状態で、キャビティC内に封止された個々の圧電振動子201の周波数を微調整して所定の範囲内に収める微調工程を行う(S280)。具体的に説明すると、ベース基板用ウエハ240の下面に形成された一対の外部電極238、239に電圧を印加して圧電振動片204を振動させる。そして、周波数を計測しながらリッド基板用ウエハ250を通して外部からレーザ光を照射し、重り金属膜221の微調膜221bを蒸発させる。これにより、一対の振動腕部210、211の先端側の重量が変化するので、圧電振動片204の周波数を、公称周波数の所定範囲内に収まるように微調整することができる。
 周波数の微調が終了後、接合されたウエハ体260を図63に示す切断線Mに沿って切断して小片化する切断工程を行う(S290)。その結果、互いに陽極接合されたベース基板202とリッド基板203との間に形成されたキャビティC内に圧電振動片204が封止された、図45に示す2層構造式表面実装型の圧電振動子201を一度に複数製造することができる。
 なお、切断工程(290)を行って個々の圧電振動子201に小片化した後に、微調工程(S280)を行う工程順序でも構わない。但し、上述したように、微調工程(S280)を先に行うことで、ウエハ体260の状態で微調を行うことができるので、複数の圧電振動子201をより効率良く微調することができる。よって、スループットの向上化を図ることができるので好ましい。
 その後、内部の電気特性検査を行う(S295)。即ち、圧電振動片204の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性(共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性)等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子201の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子201の製造が終了する。
 特に、本実施形態の圧電振動子201は、表面に凹みがなく、ベース基板202に対してほぼ面一な状態で貫通電極232、233を形成できるので、貫通電極232、233を、引き回し電極236、237及び外部電極238、239に対して確実に密着させることができる。その結果、圧電振動片204と外部電極238、239との安定した導通性を確保することができ、作動性能の信頼性を向上して高性能化を図ることができる。また、キャビティC内の気密に関しても確実に維持することができるので、この点においても高品質化を図ることができる。加えて、ペーストPを利用した簡単な方法で貫通電極232、233を形成できるので、工程の簡素化を図ることができる。
 また、本実施形態の製造方法によれば、上記圧電振動子201を一度に複数製造することができるので、低コスト化を図ることができる。
 次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図64を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、第1実施形態の圧電振動子1を備えている発振器を例に挙げて説明する。
 本実施形態の発振器500は、図64に示すように、圧電振動子1を、集積回路501に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器500は、コンデンサ等の電子部品502が実装された基板503を備えている。基板503には、発振器用の上記集積回路501が実装されており、この集積回路501の近傍に、圧電振動子1が実装されている。これら電子部品502、集積回路501及び圧電振動子1は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
 このように構成された発振器500において、圧電振動子1に電圧を印加すると、圧電振動子1内の圧電振動片4が振動する。この振動は、圧電振動片4が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路501に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路501によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子1が発振子として機能する。
 また、集積回路501の構成を、例えば、RTC(リアルタイムクロック)モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
 本実施形態の発振器500によれば、キャビティC内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子1を備えているので、発振器500自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えている場合を例に挙げて説明したが、その他の実施形態の圧電振動子であっても同様の作用効果を奏することができる。
 次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図65を参照して説明する。なお、電子機器として、第1実施形態の圧電振動子1を有する携帯情報機器110を例にして説明する。
 はじめに、本実施形態の携帯情報機器510は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
 次に、本実施形態の携帯情報機器510の構成について説明する。この携帯情報機器510は、図65に示すように、圧電振動子1と、電力を供給するための電源部511とを備えている。電源部511は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部511には、各種制御を行う制御部512と、時刻等のカウントを行う計時部513と、外部との通信を行う通信部514と、各種情報を表示する表示部515と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部516とが並列に接続されている。そして、電源部511によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
 制御部512は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部512は、予めプログラムが書き込まれたROMと、ROMに書き込まれたプログラムを読み出して実行するCPUと、CPUのワークエリアとして使用されるRAM等とを備えている。
 計時部513は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子1とを備えている。圧電振動子1に電圧を印加すると圧電振動片4が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部512と信号の送受信が行われ、表示部515に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
 通信部514は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部517、音声処理部518、切替部519、増幅部520、音声入出力部521、電話番号入力部522、着信音発生部523及び呼制御メモリ部524を備えている。
 無線部517は、音声データ等の各種データを、アンテナ525を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部518は、無線部517又は増幅部520から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部520は、音声処理部518又は音声入出力部521から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部521は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
 着信音発生部523は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部519は、着信時に限って、音声処理部518に接続されている増幅部520を着信音発生部523に切り替えることによって、着信音発生部523において生成された着信音が増幅部520を介して音声入出力部521に出力される。
 なお、呼制御メモリ部524は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部522は、例えば、0から9の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
 電圧検出部516は、電源部511によって制御部512等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部512に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部514を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、3V程度となる。電圧検出部516から電圧降下の通知を受けた制御部512は、無線部517、音声処理部518、切替部519及び着信音発生部523の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部517の動作停止は、必須となる。更に、表示部515に、通信部514が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
 即ち、電圧検出部516と制御部512とによって、通信部514の動作を禁止し、その旨を表示部515に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部515の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×(バツ)印を付けるようにしても良い。
 なお、通信部514の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部526を備えることで、通信部514の機能をより確実に停止することができる。
 本実施形態の携帯情報機器510によれば、キャビティC内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子1を備えているので、携帯情報機器自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えている場合を例に挙げて説明したが、その他の実施形態の圧電振動子であっても同様の作用効果を奏することができる。
 次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図66を参照して説明する。なお、本実施形態では、第1実施形態の圧電振動子1を備えている電波時計を例に挙げて説明する。
 本実施形態の電波時計530は、図66に示すように、フィルタ部531に電気的に接続された圧電振動子1を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
 日本国内には、福島県(40kHz)と佐賀県(60kHz)とに、標準の電波を送信する送信所(送信局)があり、それぞれ標準電波を送信している。40kHz若しくは60kHzのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した2つの送信所で日本国内を全て網羅している。
 以下、電波時計530の機能的構成について詳細に説明する。
 アンテナ532は、40kHz若しくは60kHzの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、40kHz若しくは60kHzの搬送波にAM変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ533によって増幅され、複数の圧電振動子1を有するフィルタ部531によって濾波、同調される。
 本実施形態における圧電振動子1は、上記搬送周波数と同一の40kHz及び60kHzの共振周波数を有する水晶振動子部538、539をそれぞれ備えている。
 更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路534により検波復調される。続いて、波形整形回路535を介してタイムコードが取り出され、CPU536でカウントされる。CPU536では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、RTC537に反映され、正確な時刻情報が表示される。
 搬送波は、40kHz若しくは60kHzであるから、水晶振動子部538、539は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
 なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは77.5KHzの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計530を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子1を必要とする。
 本実施形態の電波時計530によれば、キャビティC内の気密が確実で、作動の信頼性が向上した高品質な圧電振動子1を備えているので、電波時計自体も同様に作動の信頼性を高めて高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
 なお、第1実施形態の圧電振動子1を備えている場合を例に挙げて説明したが、その他の実施形態の圧電振動子であっても同様の作用効果を奏することができる。
 なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
 例えば、上記各実施形態では、圧電振動片の一例として振動腕部の両面に溝部が形成された溝付きの圧電振動片を例に挙げて説明したが、溝部がないタイプの圧電振動片でも構わない。但し、溝部を形成することで、一対の励振電極に所定の電圧を印加させたときに、一対の励振電極間における電界効率を上げることができるので、振動損失をより抑えて振動特性をさらに向上することができる。つまり、CI値(Crystal Impedance)をさらに低くすることができ、圧電振動片のさらなる高性能化を図ることができる。この点において、溝部を形成する方が好ましい。
 また、上記各実施形態では、音叉型の圧電振動片を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
 また、上記各実施形態では、ベース基板とリッド基板とを接合膜を介して陽極接合したが、陽極接合に限定されるものではない。但し、陽極接合することで、両基板を強固に接合できるので好ましい。
 また、上記各実施形態では、圧電振動片をバンプ接合したが、バンプ接合に限定されるものではない。例えば、導電性接着剤により圧電振動片を接合しても構わない。但し、バンプ接合することで、圧電振動片をベース基板の上面から浮かすことができ、振動に必要な最低限の振動ギャップを自然と確保することができる。よって、バンプ接合することが好ましい。
 また、上記各実施形態では、貫通電極を一対として説明したが、1つでも構わないし、3つ以上設けても構わない。
 また、上記各実施形態において充填工程を行う際に、ペーストを脱泡処理(例えば、遠心脱泡や真空引き等)した後に埋め込んでも構わない。このように、事前にペーストを脱泡処理することで、気泡等が極力含まれていないペーストを充填することができる。よって、焼成工程を行ったとしても、ペーストの体積減少をできるだけ抑えることができる。従って、その後に行う研磨量を少なくすることができ、研磨に費やす時間を削減してより効率良く圧電振動子を製造することができる。
 また、上記各実施形態において、図67に示すように、ベース基板(ベース基板用ウエハ)と熱膨張率が同一のガラスフリット(粒体)Gを混合させたペーストPを用いても構わない。こうすることで、焼成時、ペーストPの熱膨張をベース基板用ウエハの熱膨張に近づけることができる。そのため、両者の間に熱膨張差に起因する隙間等が生じ難く、両者をより密着させた状態にすることができる。その結果、より気密性を高めた貫通電極を形成することができ、長期的な気密の信頼性を向上することができる。なお、ガラスフリットGを混合させる割合としては、金属微粒子P1の導電性を阻害しない程度の範囲で、できるだけ多く入れることが好ましい。
 また、上記各実施形態では、細長い繊維状の金属微粒子を含むペーストを用いた場合を例に挙げたが、金属微粒子の形状は他の形状でも構わない。例えば、球形でも構わない。この場合であっても、金属微粒子が互いに接触し合ったときに、点接触するので同様に電気的な導通性を確保することができる。但し、細長い繊維状のように非球形形状の金属微粒子を用いることで、互いに接触し合ったときに点接触ではなく、線接触になり易い。従って、貫通電極の電気的な導通性をより高めることができるので、球形よりも非球形の金属微粒子を含むペーストを用いることが好ましい。
 なお、金属微粒子P1を非球形とする場合には、例えば、図68Aに示す短冊状や、図68Bに示す波型状にしても構わないし、図68Cに示す断面星型や、図68Dに示す断面十字型でも構わない。
 また、上記各実施形態では、外部電極に向かうにしたがって漸次径が大きくなるように貫通電極を設けた構成にしたが、これとは逆に、図69に示すように、外部電極38、39に向かうにしたがって漸次径が小さくなるように貫通電極32、33を設けても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
 また、上記第1及び第2実施形態では、下面研磨工程の際に、ベース基板用ウエハの下面を、保持孔の底に達するまで研磨したが、この場合に限られず、ベース基板用ウエハのより上面側まで研磨してもかまわない。
 また、上記第1及び第2実施形態では、保持孔形成工程の際、保持孔を、ベース基板用ウエハの下面側が底になるような有底穴状に形成したが、他の形状でも構わない。例えばベース基板用ウエハの厚み方向に形成した貫通孔状でも構わない。但し、この場合は、下面研磨工程において、研磨量を、焼成時に減少するペーストの体積に依存して変化させる必要がある上に、充填工程において、ペーストの埋め込み作業が煩雑になるため、保持孔は有底状であることが好ましい。
 また、上記第3実施形態では、下面研磨工程の際に、ベース基板用ウエハの下面を、穴部の底に達する位置まで研磨したが、この場合に限られず、研磨量T3以上に研磨しても構わない。

Claims (19)

  1.  互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、
     前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;
     複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;
     前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;
     接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、
     前記貫通電極形成工程は、前記ペーストを保持するための保持孔を前記ベース基板用ウエハに複数形成する保持孔形成工程と;これら複数の保持孔内に前記ペーストを埋め込んで保持孔を塞ぐ充填工程と;埋め込んだペーストを仮焼成した後に本焼成して硬化させる焼成工程と;仮焼成或いは本焼成した後に、ベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚み研磨する研磨工程と;を有し、
     前記研磨工程を本焼成後に行う場合には、前記焼成工程時に、仮焼成で減少したペースト量に相当する新たなペーストを仮焼成後のペーストに補充して、ペースト全体を再度仮焼成した後に本焼成することを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  2.  請求項1に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記保持孔内に埋め込む。
  3.  請求項1に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記保持孔形成工程の際、前記ベース基板用ウエハの上面側から、前記保持孔を有底穴状に形成し;
     前記研磨工程は、前記ベース基板用ウエハの上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程と;前記保持孔が貫通して硬化したペーストが少なくとも露出するまで前記ベース基板用ウエハの下面を研磨する下面研磨工程と;を備える。
  4.  互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、
     前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;
     複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;
     前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;
     接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、
     前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハの上面に穴部を複数形成する穴部形成工程と;これら複数の穴部内に前記ペーストを埋め込んで穴部を塞ぐ充填工程と、埋め込んだペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と;焼成後にベース基板用ウエハの上面を所定の厚みだけ研磨する上面研磨工程と;穴部が貫通して硬化したペーストが少なくとも露出するまで、焼成後にベース基板用ウエハの下面を研磨する下面研磨工程と;を備えていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  5.  請求項4に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記穴部内に埋め込む。
  6.  互いに接合されたベース基板とリッド基板との間に形成されたキャビティ内に圧電振動片が封止された圧電振動子を、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとを利用して一度に複数製造する方法であって、
     前記リッド基板用ウエハに、両ウエハが重ね合わされたときに前記キャビティを形成するキャビティ用の凹部を複数形成する凹部形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハに、複数の金属微粒子を含んだペーストを利用して、ウエハを貫通する貫通電極を複数形成する貫通電極形成工程と;
     前記ベース基板用ウエハの上面に、前記貫通電極に対して電気的に接続された引き回し電極を複数形成する引き回し電極形成工程と;
     複数の前記圧電振動片を、前記引き回し電極を介して前記ベース基板用ウエハの上面に接合するマウント工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせて、前記凹部と両ウエハとで囲まれる前記キャビティ内に圧電振動片を収納する重ね合わせ工程と;
     前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを接合し、前記圧電振動片を前記キャビティ内に封止する接合工程と;
     前記ベース基板用ウエハの下面に、前記貫通電極に電気的に接続された外部電極を複数形成する外部電極形成工程と;
     接合された前記両ウエハを切断して、複数の前記圧電振動子に小片化する切断工程と;を備え、
     前記貫通電極形成工程は、前記ベース基板用ウエハにこのウエハを貫通する貫通孔を複数形成する貫通孔形成工程と;これら複数の貫通孔内に前記ペーストを埋め込んで貫通孔を塞ぐ充填工程と;埋め込んだペーストを所定の温度で焼成して硬化させる焼成工程と;焼成後にベース基板用ウエハの両面をそれぞれ所定の厚みだけ研磨する研磨工程と;を備えていることを特徴とする圧電振動子の製造方法。
  7.  請求項6に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記充填工程の際、前記ペーストを脱泡処理した後に前記貫通孔内に埋め込む。
  8.  請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記マウント工程前に、前記ベース基板用ウエハと前記リッド基板用ウエハとを重ね合わせたときに、前記凹部の周囲を囲む接合膜をベース基板用ウエハの上面に形成する接合膜形成工程を備え;
     前記接合工程の際、前記接合膜を介して前記両ウエハを陽極接合する。
  9.  請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記マウント工程の際、導電性のバンプを利用して前記圧電振動片をバンプ接合する。
  10.  請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記充填工程の際、非球形形状の金属微粒子を含んだペーストを埋め込む。
  11.  請求項1から7のいずれか1項に記載の圧電振動子の製造方法であって、
     前記充填工程の際、前記ベース基板用ウエアと熱膨張率が略同一の粒体が混合されたペーストを埋め込む。
  12.  両面が研磨加工されたベース基板と;
     キャビティ用の凹部が形成され、凹部を前記ベース基板に対向させた状態でベース基板に接合されたリッド基板と;
     前記凹部を利用して前記ベース基板と前記リッド基板との間に形成されたキャビティ内に収納された状態で、ベース基板の上面に接合された圧電振動片と;
     前記ベース基板の下面に形成された外部電極と;
     前記ベース基板を貫通するように形成され、前記キャビティ内の気密を維持すると共に、前記外部電極に対して電気的に接続された貫通電極と;
     前記ベース基板の上面に形成され、接合された前記圧電振動片に対して前記貫通電極を電気的に接続させる引き回し電極と;を備え、
     前記貫通電極は、複数の金属微粒子を含んだペーストの硬化により形成されている;ことを特徴とする圧電振動子。
  13.  請求項12に記載の圧電振動子であって、
     前記ベース基板及び前記リッド基板は、前記凹部の周囲を囲むように両基板の間に形成された接合膜を介して陽極接合されている。
  14.  請求項12に記載の圧電振動子であって、
     前記圧電振動片は、導電性のバンプによりバンプ接合されている。
  15.  請求項12に記載の圧電振動子であって、
     前記金属微粒子は、非球形形状とされている。
  16.  請求項12に記載の圧電振動子であって、
     前記ペーストには、前記ベース基板と熱膨張率が略同一の粒体が混合されている。
  17.  請求項12から16のいずれか1項に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されている;ことを特徴とする発振器。
  18.  請求項12から16のいずれか1項に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されている;ことを特徴とする電子機器。
  19.  請求項12から16のいずれか1項に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されている;ことを特徴とする電波時計。
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