WO2009081480A1

WO2009081480A1 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

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Publication number: WO2009081480A1
Application number: PCT/JP2007/074805
Authority: WO
Inventors: Masahiro Sawa
Original assignee: Hitachi, Ltd.
Priority date: 2007-12-25
Filing date: 2007-12-25
Publication date: 2009-07-02

Abstract

排気効率が大きい排気パスを低コストで実現でき、パネル面内のムラを防止して高品質なパネルを実現できる技術である。本ＰＤＰは、第１の基板（１０２）と第２の基板（１０１）の間に、隔壁（８）により区画される放電空間が形成され、前記区画に対応してセル群による表示領域が構成され、前記第１の基板（１０２）の平面に溝（７０Ｂ）を有し、前記溝（７０Ｂ）を含む平面上に前記隔壁（８）を有し、前記隔壁（８）は、前記溝（７０Ｂ）の領域に応じて高さの差（Ｈ４）を持ち、当該高さの差（Ｈ４）による前記第２の基板（１０１）との隙間（８０Ｂ）により排気パスが構成されている。

Description

プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

　本発明は、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及びその表示装置に関し、特に、放電空間に対する隔壁構造及び排気構造に関する。

　現在一般的に商品化されているＡＣ型（交流駆動型）のＰＤＰは、面放電型である。面放電型の電極構造の典型としては、表示電極（行電極）の対と交差するようにアドレス電極が配列される三電極構造である。三電極構造としては、表示領域（画面）において、表示電極対によるライン（行）が単純に順次配列され逆スリット（非発光部）を有する構造（ノーマル方式）や、表示電極（維持電極、走査電極）が交互に等間隔で配置され、隣接するすべての表示電極対でラインが構成され、隣接ラインで中間の表示電極（バス電極）が共通に使用される共通バス電極構造（ＡＬＩＳ方式）などがある。

　また、一般的な三電極構造などのＰＤＰにおいて、放電空間をセル（表示セル）に対応して区画する隔壁（リブ）の構造を有する。隔壁構造としては、縦方向の隔壁部（縦リブ）を持つストライプリブ型や、それに加え横方向の隔壁部（横リブ）を持つボックスリブ型（井桁状）などがある。特にボックスリブでは、共通バス電極構造に対応して、横リブが表示電極（バス電極）に重なる配置とする構造がある。ＡＬＩＳ方式などに対応して、ボックスリブでは、横リブにより縦方向の隣接するセル間の放電干渉を防止できる。ボックスリブでは、各セル（単位発光領域）は、隔壁部により四方を囲まれた閉鎖系の空間になる（ボックスセルなどとも称する）。

　共通バス電極構造の場合、バス電極（一般に金属、非透過性）によるセル（単位発光領域）での遮光が無く効率良く蛍光体の発光を利用できるので、セルあたりの発光効率の増加がしやすい。バス電極と重なる横リブにより、縦方向への電荷の転送が物理的に遮断されるので、縦方向隣接セル間の放電干渉が防止できる。即ち、ボックスリブ及び共通バス電極構造などの閉鎖系の隔壁構造を持つＰＤＰでは、高い発光効率を実現できる。但し、このような構造は、バス電極と横リブとの位置合わせ（前面側と背面側の基板構造体の位置合わせ）がかなり精度良く実現されることが前提である。即ちセル構造（パターン）の形成のための位置合わせのズレを最小限にする必要がある。実際の構造では、この位置合わせのズレを考慮して、横リブ幅はバス電極幅よりもある程度以上大きく確保されている（例えば数十μｍ程度）。

　また、ＰＤＰ製造方法において、基板構造体内部の放電空間（隔壁構造により区画される）に対する排気工程（及び関連するパネル封着やガス封入工程など）を有する。その際の排気経路（排気パス）を確保する手段としては、以下のような従来技術例がある。

　放電空間及び隔壁構造において、隔壁部に高さの差を設けることで排気パスを確保する例がある。隔壁自体の形状の工夫の例である。特開２００５－３４７０４５号公報（特許文献１）記載の技術では、縦リブと横リブとの材料を異ならせることで高さに差を設け、これを排気パスとして利用している。一般には隔壁構造全体のうち縦リブと横リブなどのように部位ごとに形成工程が別になる。他には例えば、サンドブラスト工程等を複数回実行することでリブに段差を設ける例などがある。

　また、前面側と背面側の基板の間の空間を広げてスペーサや隔壁部などを設けることによって排気パスを確保する例がある。例えば、隔壁と前面基板との間に封着温度よりも軟化温度の高いガラスからなるスペーサを設け、排気完了後に、スペーサの軟化点以上の温度で加熱することによってスペーサを溶融させて、隔壁と前面基板との隙間を塞ぐ例がある。また例えば、リブ上に小さなガラススペーサをランダムに配置して凸部を形成して排気パスを確保する例がある。その他、前面基板と背面基板に各々所定の粗さを持たせてそれらの重ねあわせで隙間を生じる例がある。
特開２００５－３４７０４５号公報

　前述のＰＤＰにおいては、パネルの排気工程での排気効率が、パネルの電気的な特性（品質）に大きく影響を及ぼす。排気によるパネル内部（放電空間）の不純物（水分や二酸化炭素など）の除去が不十分であると、蛍光体劣化による輝度低下や電圧変動、あるいはその電圧変動によるパネル面内のムラ等を引き起こしやすくなる。特に、パネル面中央部になるほど、隔壁構造や距離などの影響により、排気の抵抗が大きくなり、不純物の排気（除去）が困難になる。換言すれば、隔壁形成領域に対応する平面（表示領域）での排気のムラが生じ、パネル製品の面内でも特性のムラ（特性変化、色ムラ等）として表れる。勿論このようなムラは、品質・信頼性の確保のために、最小限になることが望ましい。

　今後のパネルの大型化や高精細化に伴い、上記のような排気による不純物の除去は、排気抵抗の増大によって更に困難化するものと考えられる。加えて、前述の閉鎖系の隔壁構造（ボックスリブ等）を持つＰＤＰの場合には特に、ストライプリブ等のＰＤＰの場合よりも排気抵抗が当然大きく、排気効率が大きい排気パスを確保することは通常困難である。従って、高品質・高品位のＰＤＰを提供するためには、隔壁構造を考慮して排気抵抗を小さくし排気効率を向上することが必要である。

　また、前述したような排気パスに係わる従来技術例では、工数の増加や、スペーサ用のガラス・隔壁などの材料の変更や増加が必要となり、コスト増加になる。場合によっては、排気のプロファイルの変更など、プロセス条件の変更も必要になる。また、従来の隔壁構造における所定の隙間や段差を設けるために、その製造方法によっては、パターン制約（リブパターン形成の位置合わせの高精度）が必要となる場合もある。

　本発明は以上のような問題に鑑みてなされたものであり、その主な目的は、排気効率が大きい排気パスを低コストで実現でき、パネル面内のムラを防止して高品質なパネルを実現できる技術を提供することである。特に、閉鎖系の隔壁構造での排気の難しさに対する不具合を防止できる技術を提供する。

　本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。前記目的を達成するために、本発明の代表的な実施の形態は、ＰＤＰ及びその製造方法であって、以下に示す構成を有することを特徴とする。

　本形態では、隔壁を形成する対象となる基板に、あらかじめ溝による段差が形成される。そして、その段差を持つ基板上に所定の隔壁が形成される。これにより、隔壁部の高さに差（段差）が設けられ、当該隔壁と他方側の基板との接続（その隙間）により、排気パスが構成される。

　上記は例えば、背面基板構造体の作製において、背面側のガラス基板にパターニング、サンドブラスト加工などによって所定の溝が形成され、その基板に対し従来同様のサンドブラスト法などの製造工程を用いてボックスリブなどの所定の隔壁が形成される。そして、その段差を持つ隔壁を含む背面基板構造体と、前面基板構造体とを重ね合わせて封着することにより、ＰＤＰが作製される。これによりパネルの基板間領域（放電空間となる領域）における隔壁構造において、段差（隙間）による排気パスが構成される。

　上記溝の配置に対応して、本排気パスは、パネル面（表示領域）における複数のセルを通り抜ける所望の配置となる。パネル面で、排気抵抗が小さく、排気効率が大きくなる。特に、ボックスリブ等の閉鎖系の隔壁構造において、表示領域全体に対し例えば横方向などで貫通するように排気パスを設ける。例えば、各横リブの位置に重なるように溝の領域が形成される。これにより、上記排気効率が大きい排気パスを持つパネルが実現される。

　本ＰＤＰは、例えば、電極群が形成される第１の基板（背面構造基板体）と第２の基板（前面基板構造体）との間に、隔壁により区画される放電空間が形成され、前記区画に対応してセル群による表示領域が構成されるものであり、前記第１の基板の平面に溝を有し、前記溝を含む平面上に前記隔壁を有し、前記隔壁は、前記溝の領域に応じて高さの差を持ち、当該高さの差よる前記第２の基板との隙間により排気パスが構成されている。

　また更に、上記ＰＤＰで、前記隔壁は、前記表示領域の第１方向（縦方向）に並行する第１の隔壁部（縦リブ）を有し、前記溝は、前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向（横方向）に一定長以上伸びて形成される第２方向の溝部を有し、当該第２方向の溝部に対応して前記第１の隔壁部を通る第２方向の排気パスが構成されている。また更に、上記ＰＤＰで、前記隔壁は、前記表示領域の第２方向に並行する第２の隔壁部（横リブ）を有し、当該隔壁で囲まれる部分が前記セルに対応付けられる。

　本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。本発明の代表的な実施の形態によれば、排気効率が大きい排気パスを低コストで実現でき、パネル面内のムラを防止して高品質なパネルを実現できる。特に、閉鎖系の隔壁構造での排気の難しさに対する不具合を防止できる。

本発明の一実施の形態であるＰＤＰの全体平面を示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰの基本構造例としてＡＣ型・面放電型でストライプリブの場合を分解斜視で示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰの基本構造例としてＡＣ型・面放電型でボックスリブの場合を分解斜視で示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰのセル構造例として、三電極構造及びボックスリブで、共通バス構造（ＡＬＩＳ方式）、及びラダー型透明電極構造などの場合を示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰのセル構造例として、三電極構造及びボックスリブで、ノーマル方式、及びラダー型透明電極構造などの場合を示す図である。本発明の実施の形態１のＰＤＰにおいて、ボックスリブの場合における隔壁の基本的な平面構造、溝形成領域、及び排気パスの例などを示す図である。図６のａ－ａ’の線に対応する縦方向でのリブ等の断面構造を示す図である。本発明の実施の形態１のＰＤＰにおいて、パネル面垂直方向及び横方向の一断面で、横方向の排気パスを持つリブ等を示す図である。本発明の実施の形態１のＰＤＰにおいて、パネル面垂直方向及び縦方向の一断面で、縦方向の排気パスを持つリブ等を示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰ製造方法において、サンドブラスト法を用いた基本的なリブ形成工程を示す図である。本発明の一実施の形態のＰＤＰ製造方法において、サンドブラスト法を用いた溝形成工程を含むリブ形成工程を示す図である。本発明の実施の形態２のＰＤＰにおいて、ボックスリブの場合における、隔壁の基本的な平面構造、溝形成領域、及び排気パスの例などを示す図である。図１２のｂ－ｂ’の線に対応する縦方向でのリブ等の断面構造を示す図である。本発明の他の実施の形態（第１の構成例）におけるリブ等の平面構造を示す図である。本発明の他の実施の形態（第２の構成例）におけるリブ等の平面構造を示す図である。本発明の他の実施の形態（第３の構成例）におけるリブ等の平面構造を示す図である。

　以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部には原則として同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。説明のために、ｘ方向（第２方向、画面内の横方向（表示ライン方向））、ｙ方向（第１方向、画面内の縦方向（表示列方向））、ｚ方向（第３方向、パネル厚さ方向）を有する。

　（実施の形態１）
　図１～図１１を用いて、本発明の実施の形態１のＰＤＰ１０について説明する。実施の形態１は、基本構成例として、隔壁形成対象基板上の溝により構成される隙間のみで排気パスが構成される場合である（特に図６，図７等）。

　＜全体＞
　図１において、本ＰＤＰ１０及びそれを含んで成るＰＤＰモジュール１００の全体平面を前面側から見て示している。ＰＤＰ１０は、ガラス基板を主とする前面基板構造体（第１構造体）１１と、ガラス基板及び隔壁等を主とする背面基板構造体（第２構造体）１２とを組み合わせて成る。第１構造体１１と第２構造体１２の間（基板間領域）の外周部は、封着部１３により封着される。封着部１３の内側において、セル構造が形成される表示領域４０（画面に対応する）を有し、表示領域４０の外側は表示には使用されない非表示領域４１である。封着部１３の内側の非表示領域４１の一部、例えば角隅の一箇所に、排気及び封入等の工程のために用いられる孔部１４（チップ管が接続される部分）を有する。封着部１３の内側、特に表示領域４０は、孔部１３を通じた排気及び放電ガス封入等により、放電空間となる。表示領域４０には、所定の隔壁構造を有する。

　ＰＤＰ１０の背面側はシャーシにより保持され、シャーシに対しＰＤＰ１０の駆動回路及び制御回路等の回路部が実装されている。駆動回路は、ＰＤＰ１０の電極端部と電気的に接続される。例えば第１構造体１１の左右辺には表示電極の端部が配置され、第２構造体１２の上下辺にはアドレス電極の端部が配置され、それぞれ駆動回路側と接続される。

　表示領域４０における隔壁構造において、排気工程で用いられる排気パス（ＰＡ，ＰＢ）を矢印で示している。当該排気パスは、基板間領域（放電空間）及び隔壁構造における隙間により構成される。排気パスＰＡは、表示領域４０の縦方向（ｙ）のパスであり、排気パスＰＢは、表示領域４０の横方向（ｘ）のパスである。排気パスは、表示領域４０に対し、縦方向（ｙ）・横方向（ｘ）の少なくとも一方の方向、好ましくは両方の方向に構成される。本実施の形態では、ＰＡ，ＰＢのように、両方の方向に構成される。また、排気パスは、好ましくは、表示領域４０全体に対して、非表示領域４１まで貫通するように構成される。本実施の形態では、ＰＡ，ＰＢのように、表示領域４０全体で縦・横方向に両側の非表示領域４１まで貫通している。特に、表示領域４０の中央付近などでも確実に排気パス（ＰＡ，ＰＢ）が通じている。上記排気パスにより、表示領域４０全体で所定以上の排気効率が実現されている。

　なお、模式的に縦横で３本ずつのみ排気パスを示しているが、表示領域４０全体で所定以上の排気効率となるように、セル単位、ブロック単位などで、複数のパスが設けられる。また、隔壁構造を含むセル構造における排気に関する閉鎖性の程度や、あるいは画面の大きさなどに応じて、排気パスの方向や数などが適宜選択される。また必要に応じて特定の箇所に余分に排気パスを設ける構成などとしてもよい。

　＜ＰＤＰ（１）＞
　図２において、本ＰＤＰ１０の基本構造例（従来同様）として、ＡＣ型・面放電型で、ストライプリブの場合を示している。Ｃｒ，Ｃｇ，Ｃｂは、各色のセルに対応付けられる領域を示す。

　第１構造体１１において、平面的なガラス基板１上には、表示電極２である維持電極（Ｘ電極）２Ｘと走査電極（Ｙ電極）２Ｙの対が、横方向（ｘ）に並行して伸びるように設けられている。更に、これら表示電極２群を覆うように誘電体層３が設けられ、更にその表面に保護層４が設けられている。表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）は、例えばバス電極と透明電極から構成される。

　第２構造体１１において、平面的なガラス基板５上には、アドレス電極６群が縦方向（ｙ）に並行して伸びるように設けられている。これらは誘電体層７により覆われている。誘電体層７上、アドレス電極６の両側の位置には、隔壁８として、縦方向に並行する縦リブ８Ａが設けられている。隔壁８間の領域、即ち縦リブ８Ａの側面及び誘電体層７上面には、各色の蛍光体９（９Ｒ，９Ｇ，９Ｂ）が表示列ごとに色別に形成されている。

　面放電型では、主放電である表示放電（維持放電）に関して、陰極及び陽極となる第１及び第２の表示電極２である、維持電極（Ｘ電極）２Ｘ及び走査電極（Ｙ電極）２Ｙが、前後の一方側の基板（図２では第１構造体１１のガラス基板１上）に各々平行に配列される。面放電型では、カラー表示のための蛍光体９を、表示電極２対からパネル厚さ方向（ｚ）に遠ざけて配置することができ、それによって放電時のイオン衝撃による蛍光体９の劣化を低減することができる。面放電型は、第１と第２の表示電極を前面基板側と背面基板側に分けて配置する対向放電型と比べて、長寿命化に適している。

　図２では、放電空間３０は、第１構造体１１の保護層４と、第２構造体１２の誘電体層７とで挟まれ、隔壁８により区画され蛍光体９が形成される領域で、放電ガスが封入される空間である。

　面放電型及び三電極構造の基本的な方式（ノーマル方式）では、表示領域４０（画面）において、各行の表示電極２対（正スリット）の配置間隔（面放電ギャップ長さ）は、例えば数十～百数十μｍ程度であり、電圧が例えば２００～２５０Ｖ程度で放電が生じる。これに対し、逆スリット側（行間）は非発光部となり、画面の利用としては損失部となる。逆スリット側の電極配置間隔は、面放電を防止するために、例えば正スリットの面放電ギャップ長さよりも十分に大きい値とされる。

　＜ＰＤＰ（２）＞
　図３において、本ＰＤＰ１０の基本構造例（従来同様）として、ＡＣ型・面放電型で、ボックスリブの場合を示している。本構造は、簡単には、図２の構造に対して更に横方向の隔壁部（横リブ８Ｂ）を追加したものと捉えることができる。ボックスリブでは、第２構造体１２において、列方向（ｙ）に並行する隔壁部（縦リブ８Ａ）と、それに交差する行方向（ｘ）に並行する隔壁部（横リブ８Ｂ）が設けられる。縦リブ８Ａ及び横リブ８Ｂが、それぞれ一定間隔で規則的に設けられている。

　縦リブ８Ａと横リブ８Ｂにより囲まれる閉鎖系の空間が、セルに対応付けられる領域（ボックスセル）を構成する。特に次に示す共通バス電極構造に対しては、ボックスリブの横リブ８Ｂは、第１構造体１１の表示電極２のバス電極に重なる配置となる。この構造（共通バス電極構造＋ボックスリブ）では、放電空間３０の領域において、各セル（単位発光領域）は、隔壁８により四方を囲まれた閉鎖系の空間（ボックスセル）になる。ボックスリブは、ＡＬＩＳ方式などに対応して、画面の利用率を高め、更には縦方向に隣接するセル間での放電干渉を防ぐ方式として有効である。

　＜セル構造（１）＞
　図４において、本ＰＤＰ１０のセル構造（電極構造や隔壁構造などを含む）の代表例（従来同様）として、三電極構造及びボックスリブで、共通バス電極構造（ＡＬＩＳ方式）、及びラダー型透明電極構造などの場合を示している。共通バス電極構造として、横リブ８Ｂが表示電極２のバス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）に重なる配置の構造である。

　電極構造としては、横方向（ｘ）に伸びる表示電極２（Ｘ電極２Ｘ、Ｙ電極２Ｙ）が縦方向（ｙ）に等間隔で交互に配置され、隣接するすべての表示電極２対によりライン（行）が構成される。それらの一方は奇数スリット（奇数ライン）５１、他方は偶数スリット（偶数ライン）５２である。この構造では、それら奇偶（ないし正逆）のライン群の駆動のためにインタレース駆動方式（フィールド期間毎に奇数ライン群／偶数ライン群を交互に駆動表示する方式）が用いられる。１ラインの表示放電でも、その発光が隣接ライン（逆スリット側）まで達する。逆スリット側も発光部になるので、発光の利用率が高まる。但し、アドレス動作のための駆動シーケンスが比較的複雑であり（例えばライン群をグループに分けてグループ毎にアドレス動作を行う構成）、また縦方向で隣接する行（セル）で放電の干渉が発生しやすい。

　隔壁８の構造としては、セル単位で横方向及び縦方向を含んで四方を囲まれる図３のようなボックスリブ（閉鎖系）が適用される。表示電極２は、それぞれ、直線状のバス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）に対し、ラダー状の透明電極（Ｘａ，Ｙａ）が接続されており、バス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）から縦方向の両側に透明電極部が張り出す構造である。共通バス電極構造では、バス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）は、隣接する上下の行（ライン）の両側の駆動で共通に使用される。横リブ８Ｂ上にバス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）が重なって配置される。横リブ８Ｂ、並びに表示電極２（２Ｘ，２Ｙ）群が、縦方向（ｙ）のセル数に応じて、一定の等間隔で配置される。

　ラダー型の透明電極（Ｘａ，Ｙａ）の構造において、透明電極（Ｘａ，Ｙａ）が横方向（ｘ）のセル同士でつながっている。透明電極（Ｘａ，Ｙａ）は、ＩＴＯなどの透明材料からなり、ライン内で先端同士の対により面放電ギャップを構成する。

　バス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）は、ライン方向（ｘ）の全長にわたって連続する細長い直線状の給電導電膜であり、電気抵抗が低い金属製（例えばＣｕ，Ｃｒ）であり、端部が駆動回路側と接続される。

　＜セル構造（２）＞
　図５において、本ＰＤＰ１０のセル構造の代表例（従来同様）として、三電極構造及びボックスリブで、ノーマル方式、及びラダー型透明電極構造などの場合を示している。ノーマル方式として、表示ライン５３を構成する表示電極２対ごとに個別のバス電極（Ｘｂ，Ｙｂ）を有する構造である。表示ライン５３間は、非発光部である。本構造では、縦方向（ｙ）で隣接するセル間の電極が分離されており、縦方向の放電結合が抑制される。

　以下では特に、図３のようなボックスリブと、図４のような共通バス電極構造とを合わせたセル構造を基本として適用する場合を説明する。しかしながら、図２や図５などを含む各種のＰＤＰ構造に対して、以下に示す特徴的な構造を同様に適用可能である。

　＜隔壁構造（１）＞
　次に、図６～図９を用いて実施の形態１（基本構成例）の特徴的な構成（特に隔壁８の構造）について説明する。図６は、図３のようなボックスリブの場合（セル構造は例えば図４）における、隔壁８の基本的な平面構造（一部のみ）、及び当該構造に対する隔壁形成対象基板上の溝形成領域及びそれに対応する排気パスの例などを示している。横方向の溝７０Ｂ（溝形成領域）により横方向の排気パスＰＢ及び縦方向の排気パスＰＡを構成する場合である。図７は、図６のａ－ａ’の線に対応する縦方向でのリブ８及び対象基板１０２等（第２構造体１２）の断面構造（一部）を示している。対象基板１０２の溝７０Ｂにより、リブ８上部に隙間８０Ｂ（凹部）が生じ、この隙間８０Ｂにより排気パスが構成される。また、図８，図９は、図６，図７に対応して、ＰＤＰ１０のリブ８を中心とする断面構造を、通常リブ（排気パスを構成しないリブ）と対比して、概略的に示している。図８は、パネル厚さ方向（ｚ）及び横方向（ｘ）の一断面で、横方向の排気パスＰＢを持つリブ８等を示す。同様に、図９は、パネル厚さ方向（ｚ）及び縦方向（ｙ）の一断面で、縦方向の排気パスＰＡを持つリブ８等を示す。詳細については以下である。

　＜隔壁構造（１－１）＞
　図６において、リブ８は、縦リブ８Ａと横リブ８Ｂからなる。Ｃｒは、セル（単位発光領域）に対応する部分（特にボックスセル）を示す。ｃは、横リブ８Ｂの中心位置を示す。横方向（ｘ）・縦方向（ｙ）で、各リブ（８Ａ，８Ｂ）の幅（ＷＡ，ＷＢ）が同程度の場合である。特徴として、横リブ８Ｂに重なる配置で、破線で示すように、横方向の溝７０Ｂ（溝形成領域）が設けられる。溝７０Ｂの幅ＷＭＢは、横リブ８Ｂの幅ＷＢよりも大きい（ＷＭＢ＞ＷＢ）。また、溝７０Ｂの配置に対応して構成される横方向の排気パスＰＢ及び縦方向の排気パスＰＡを一部示している。

　横方向の溝７０Ｂにより横方向の排気パスＰＢが構成され、排気パスＰＢは、表示ライン方向で貫通する（図１）。溝７０Ｂと横リブ８Ｂの幅（ＷＭＢ，ＷＢ）の差異により、排気パスとしては、横リブ８Ｂに重なる横方向の排気パスＰＢと、横リブ８Ｂ側面部、縦方向隣接セル間を通り抜ける縦方向の排気パスＰＡと、が構成される。なお縦方向の排気パスＰＡとしては、省略して隣接する２つのセル間の部分のみを示しているが、他の隔壁部でも同様に溝７０Ｂが設けられることによって、表示列方向に貫通する排気パスＰＡが構成される（図１）。

　従って、画面全体としては、図１のように、縦横の両方向に貫通する排気パス（ＰＡ，ＰＢ）が構成される。横リブ８Ｂごとに溝７０Ｂを設けることで、全セルに通じる排気パスが構成される。なおストライプリブ等の場合には、横リブ８Ｂが無いので表示列ごとに縦方向の排気パスＰＡが構成され、また必ずしもすべての横リブ８Ｂに対し溝７０Ｂによる排気パスＰＢを設ける必要はない。

　＜隔壁構造（１－２）＞
　図７において、隔壁８を形成する対象となる基板１０２には、溝７０Ｂが設けられ、その基板１０２上に隔壁８が形成されることで、隔壁８の上側に隙間８０Ｂが形成される。隙間８０Ｂが排気パスを構成する。

　リブ８（８Ａ，８Ｂ）の基本的な高さをＨ１とする。縦リブ部分６０Ａは、縦リブ８Ａの側面部分（横方向隣接セル間）である。横リブ部分６０Ｂは、横リブ８Ｂのうち縦リブ８Ａと交差する部分である（幅ＷＢと対応する）。Ａは、背面側の基板１０２におけるリブ８（下面）が形成される平面である。具体的には、Ａは、第２構造体１２のガラス基板５表面（あるいは誘電体層７表面など）である。Ｂは、リブ８の基本的な高さＨ１による上端平面、ないし、第２構造体１２（基板１０２）のリブ８（上端平面）と前面側の第１構造体１１（保護層４表面など）とが接する平面である。

　基板１０２の平面Ａに形成される溝７０Ｂの深さをＨ３とし、幅をＷＭＢとする。隙間８０Ｂは、溝７０Ｂの存在により形成される隙間である。隙間８０Ｂの高さ（深さ）Ｈ４は、溝７０Ｂの深さＨ３と同程度になる。領域８１Ｂは、溝７０Ｂ内に形成（充填）される横リブ８Ｂの一部である。なお隙間８０Ｂの形状が溝７０Ｂの形状と完全に同じにならなくとも、排気パスの形成には問題無い。

　なお、溝７０Ｂは、対象の基板１０２及び平面Ａとしては、ガラス基板５面に限らず、誘電体層７面なども可能である。また、溝７０Ｂ及びリブ８の形成対象は、従来構成と同様に背面基板構造体１２側としたが、前面基板構造体１１側に形成する形態も同様に可能である。

　図８，図９も用いて、従来構造（あるいは本構造と共存する通常リブ部）との比較を説明する。図８の左側の縦リブ８Ａ及び図９の左側の横リブ８Ｂは、通常の基本的な高さＨ１によるリブの場合である。あるいは、それらと同様の高さを持つ封着部１３などを代わりに考えてもよい。なお、リブの断面形状を概略矩形で示すが、これは、例えばサンドブラスト法により形成する場合には破線で示すように概略台形状となる。

　図８の右側では、溝７０Ｂにより高さが（Ｈ１－Ｈ４）となる横リブ８Ｂ、及びそれに重なる横方向の排気パスＰＢを示す。縦リブ部分６１は、横リブ８Ｂに対し交差する縦リブ８Ａ部分を示す。図８のように、平面Ｂに前面側の基板１０１（第１構造体１１）が接する状態において、溝７０Ｂにより、リブ８上面が接する第１構造体１１側の平面Ｂとの間に隙間８０Ｂが生じる。そして、隙間８０Ｂにより、横方向の排気パスＰＢが構成される。

　図９の右側では、同様に、横リブ８Ｂ、及びそれを通過する縦方向の排気パスＰＡを示す。図９のように、平面Ｂに前面側の基板１０１（第１構造体１１）が接する状態において、隙間８０Ｂにより、図８の横方向の排気パスＰＢだけでなく、幅の差異（ＷＭＢ＞ＷＢ）により、縦方向の排気パスＰＡも構成される。横リブ部分６２Ｂは、横リブ８Ｂにおける縦方向隣接セル間の部分である。

　上記のように、例えばボックスリブで各セルに対し縦横の両方向に排気パス（ＰＡ，ＰＢ）が構成され、所定以上の排気効率が得られる。なお、ボックスリブに限らずストライプリブの場合でも、少なくとも横方向に排気パスＰＢができることで、相応の効果が得られる。

　＜製造方法（１）＞
　次に、図１０，図１１を用いて、本ＰＤＰ１０の製造方法を説明する。第２構造体１２の作製工程における特に隔壁８の形成工程を示す。リブ８及び溝７０Ｂは、例えば同じサンドブラスト法を用いて形成される。基本的な製造工程として、第１構造体１１の作製工程、第２構造体１２（リブ８を含む）の作製工程、第１構造体１１と第２構造体１２を組み合わせて外周部を封着部１３により封着する工程、パネル内部空間を排気する排気工程、パネル内部空間に放電ガスを封入する工程などを有する。

　排気工程では、封着部１３の内側の領域、特にリブ８構造を含む表示領域４０を排気して不純物を除去する。排気工程において表示領域４０全体で十分な排気効率を得るために、図１のように、リブ８構造全体において、縦横方向で通じる排気パス（ＰＡ，ＰＢ）が構成される。排気パスは、基板間領域（隔壁８により区画される放電空間３０）での隙間により構成される。

　上記排気パス（隙間）を構成するための製造工程では、一方側の隔壁形成対象の基板１０２（第２構造体１２）の平面（Ａ）にあらかじめ溝（７０Ｂ）を形成する第１の工程と、溝（７０Ｂ）を持つ基板１０２に対し所定高さのリブ８構造を形成することで自動的に高さの差（段差）を設ける第２の工程と、高さの差を持つ一方側の基板１０２と、他方側の基板１０１（第１構造体１１）とを組み合わせて、排気パスを構成する第３の工程などを有する。

　＜製造方法（１－１）＞
　図１０において、本ＰＤＰ１０の製造方法において、第２構造体１２作製工程におけるサンドブラスト法を用いた基本的な従来技術同様のリブ８の形成工程を示している。本基本的な工程は、段差や溝などを持たないリブ８を形成する場合であり、図１１で示すリブ８の形成工程でも基本として使用するものである。以下主な工程及び状態を順に示す。

　（１）　背面側のガラス基板５平面上に、アドレス電極６、誘電体層７、及び隔壁層８ａ（隔壁ベタ膜）を順に形成する。隔壁層８ａは所定の厚さである。

　（２）　隔壁層８ａ平面上に、ドライフィルム層（ＤＦ層）２０１（ベタ状態）を形成する。そして、ＤＦ層２０１平面上に、リブパターン（隔壁８形状）に対応したマスク２０２を被せて露光する。リブパターンは、例えばボックスリブである。

　（３）　現像することにより、ＤＦ層２０１は、リブパターンに対応した形状となる。マスク２０２を取り除く。

　（４）　ＤＦ層２０１を介したサンドブラストにより隔壁層８ａを削ることにより、ＤＦ層２０１の下側の部分が隔壁層８ｂとして残る。

　（５）　ＤＦ層２０１を剥離することにより、所定のパターン及び一定の高さを持つ隔壁層８ｂが隔壁８として残る。

　上記の後、隔壁層８ｂ（隔壁８）を焼成することにより完成する。

　＜製造方法（１－２）＞
　図１１において、本ＰＤＰ１０の製造方法において、第２構造体１２作製工程におけるサンドブラスト法を用いた溝７０Ｂの形成工程を含むリブ８の形成工程を示している。

　本実施の形態の特徴の１つは、図１０のような基本的な製造工程を応用して、対象基板１０２上に、電極や隔壁８等を形成する前に、サンドブラスト法により溝７０Ｂを掘ることである。これにより、図７のような断面を持つＰＤＰ１０（第２構造体１２）を作製することができる。

　本製造方法では、サンドブラスト法によるリブ８形成時に使用するＤＦ層（図１０）を溝７０Ｂ形成時にも同様に用いる。溝７０Ｂ形成工程では、ＤＦ層を形成し、フォトリソグラフィ技術により、開口部を持つパターン（溝パターン）を形成する。その後、サンドブラストを行うことにより、対象基板１０２平面に、溝７０Ｂをパターニングする。その上から、従来同様に、例えば誘電体層７と隔壁層（ベタ膜）を形成し、リブ８の形成のためのサンドブラストを行う。これにより、図７のように段差（隙間８０Ｂ）を持つリブ８が構成される。

　以下主な工程及び状態を順に示す。なお、対象の基板１０２としてガラス基板５に横方向の溝７０Ｂを形成する場合及び隔壁８がボックスリブの場合であり、アドレス電極６等を省略して示す。

　（１）　背面側のガラス基板５ａ（元の状態）の平面上に、溝７０Ｂ形成用のドライフィルム層（ＤＦ層）２０３（ベタ状態）を形成する。そして、ＤＦ層２０３平面上に、溝パターン（溝７０Ｂ形状）に対応した溝７０Ｂ形成用のマスク２０４を被せて露光する。

　（２）　現像することにより、ＤＦ層２０３は、溝パターンに対応した形状となる。マスク２０４を取り除く。

　（３）　ＤＦ層２０３を介したサンドブラスト（基板直掘り）によりガラス基板５ａを削る（第１のサンドブラスト工程）。

　（４）　上記サンドブラスト（第１のサンドブラスト工程）により、ガラス基板５ａで、ＤＦ層２０３の無い部分に、溝７０Ｂが形成される。この溝７０Ｂを持つ状態以降をガラス基板５ｂとする。

　（５）　ガラス基板５ｂ上、溝７０Ｂを含む平面上に、所定厚さで誘電体層７（ＩＦ）を形成する。更にその上に、所定厚さで隔壁層８ａ（ベタ膜）を形成する。いずれも溝７０Ｂの形状に対応して溝状に凹むことになる。

　（６）　隔壁層８ａ平面上に、リブパターン形成用のＤＦ層２０５を、上記（１），（２）等の工程と同様に、ＤＦ層２０５（ベタ状態）形成、マスク、露光、現像等により形成する。そして、隔壁層８ａに対し、ＤＦ層２０５を介して、サンドブラストを行う（第２のサンドブラスト工程）。

　（７）　上記サンドブラスト（第２のサンドブラスト工程）により、隔壁層８ａにおけるＤＦ層２０５の下側の部分が、隔壁８ｂとして残る。ＤＦ層２０５を剥離することにより、所定のパターンの隔壁８ｂ（ボックスリブ）が残る。隔壁８ｂの高さは、溝７０Ｂに対応する部分が低くなり、その他は一定の高さとなる。

　上記の後、隔壁８ｂを焼成することにより完成する。

　＜隔壁材料＞
　上記ＰＤＰ１０製造方法において、リブ８の材料の成分、組成比（含有量［ｗｔ％］）は、例えば以下である。

　ＰｂＯ（酸化鉛）：５０～７０
　Ｂ_２Ｏ_３（酸化ホウ素）：５～１０
　ＳｉＯ_２（二酸化ケイ素）：１０～３０
　Ａｌ_２Ｏ_３（酸化アルミニウム）：１５～２５
　ＣａＯ（酸化カルシウム）：５以下

　＜効果＞
　以上の実施の形態１によれば、他に以下のような効果を有する。本方式によれば、設計に応じて、対象基板１０２の溝７０Ｂの形成により、従来技術に比べて、所定のリブ８における所望形状の十分大きな段差（隙間８０Ｂ）を確実かつ容易に生じさせることができる。この段差により、ＰＤＰ１０全体として排気効率が高い排気パス（ＰＡ，ＰＢ）を確保できる。この排気パス（ＰＡ，ＰＢ）は、リブ８構造を含む表示領域４０全体で、セル単位などで通じる個別のパスが多数存在すると共に、縦横方向など複数方向に通じているので、ガスが外部へ抜け易く排気効率が高くなる。本排気パスを用いた排気工程によりパネル内部の不純物等を十分除去することができる。また加えて、外観上は従来と変わらないパネルを作製することもできる。結果、信頼性の面でも良好な特性を持つ高品質・高品位なパネルを提供できる。

　また、本ＰＤＰ１０製造方法では、従来同様のサンドブラスト法などを共通に用いて作製できるので、低コストで実現できる。本方式のために新しい製造ラインは不要であり、従来同様の製造技術を用いて効率的にパネルを作製でき、従って、良品率がより高い状態が実現可能であり、コスト増加を抑制できる。

　また本方式は、大型パネルや、特にボックスリブ等の閉鎖系の構造に対して効果が高いが、ストライプリブ等の開放系の構造に対しても相応の効果が得られることは勿論である。また、上記のような効果は、排気工程のみならず、ガス封入工程などでも同様に得られる。

　本ＰＤＰ１０及び製造方法に関して従来技術例と比較する。隔壁構造自体で段差を設ける従来例では、例えば縦リブと横リブとで高さの差を設けるためにそれらの隔壁部の形成を別工程で行う必要があり、工数が多く、高コストとなる。また、隔壁部ごとに焼成工程が必要であるので、製造効率が良くない。従来のボックスリブの場合、縦リブと横リブを同じ工程で一度に形成することは困難であり、それらの部位の形成を別工程に分けて行っている。例えば、まず縦リブをパターニング等で形成し、焼成し、次に、横リブをパターニング等で形成し、焼成し、といった複数の工程が必要である。このような製造方法に基づいて、特に縦リブと横リブとで段差を設ける構成とする場合、パターン制約が生じる。

　一方、本方式では、隔壁８構造自体の形成を従来同様の少ない工程及び低コストで実現可能である。また、材料等をあまり変更する必要もなく、上記焼成工程も削減でき、製造効率が良い。溝７０Ｂ形成工程を加えても、全体の工数としては削減でき、低コストで実現できる。

　（実施の形態２）
　次に、図１２～図１３を用いて、本発明の実施の形態２のＰＤＰ１０について説明する。実施の形態２は、実施の形態１を基本として更に、隔壁８自体の熱収縮（変形）により形成される隙間が存在し、この隙間と、対象基板１０２上の溝７０Ｂによる隙間８０Ｂとを合わせて排気パスが構成される場合である。

　ボックスリブなどの場合で、リブ８形成のために焼成工程による加熱が行われる場合には、リブ８の形状や材料や温度などによって、熱収縮の作用による変形が生じ、これにより隙間（図１３、隙間９０）が生じる。実施の形態２は、このような熱収縮による隙間を、排気パス（特に縦方向の排気パスＰＡ）の構成に利用するものである。

　＜隔壁構造（２）＞
　図１２において、図３のようなボックスリブの場合（セル構造は例えば図４）における、隔壁８の基本的な平面構造、溝形成領域、及び排気パス（ＰＡ，ＰＢ）の例などを前述同様に示している。横方向の溝７０Ｂ（溝形成領域）により横方向の排気パスＰＢ（及び縦方向の排気パスＰＡ）を構成する場合である。

　図１３において、図１２のｂ－ｂ’の線に対応する縦方向でのリブ８及び対象基板１０２等（第２構造体１２）の断面構造を示している。前面側の第１構造体１１と接する側の平面Ｂに対し、熱収縮による隙間９０が生じる。例えば、縦リブ８Ａと横リブ８Ｂとの交差部分（横リブ部分６０Ｂ）では、隙間９０の高さ（Ｈ１－Ｈ２）が一番大きく、当該リブ８部分の高さ（Ｈ２）が基本の高さ（Ｈ１）よりも低くなる。また、対象基板１０２の溝７０Ｂにより、前述同様にリブ８上部に隙間８０Ｂ（凹部）が生じ、この隙間８０Ｂにより排気パス（特に横方向の排気パスＰＢ）が構成される。詳細については以下である。

　図１２で、横方向（ｘ）・縦方向（ｙ）で、縦リブ８Ａの幅ＷＡよりも横リブ８Ｂの幅ＷＢの方が大きい場合である（ＷＡ＜ＷＢ）。横方向の溝７０Ｂは、横リブ８Ｂに重なる配置である。実施の形態１とは異なり、溝７０Ｂの幅ＷＭＢは、横リブ８Ｂの幅ＷＢよりも小さい（ＷＭＢ＜ＷＢ）。溝７０Ｂの幅ＷＭＢを例えば実施の形態１の場合（図６）と同程度としている。また、溝７０Ｂの配置に対応して構成される横方向の排気パスＰＢ及び縦方向の排気パスＰＡを一部示している。横方向の溝７０Ｂにより、横リブ８Ｂに重なる横方向の排気パスＰＢが構成され、更に、図１３の隙間９０の存在及び溝７０Ｂと横リブ８Ｂの幅の差異（ＷＭＢ＜ＷＢ）により、横リブ８Ｂの縦方向隣接セル間を通る縦方向の排気パスＰＡが構成される。従って、全体としては、図１のように、縦横の両方向に貫通する排気パス（ＰＡ，ＰＢ）が構成される。

　図１３の断面で、リブ８（８Ａ，８Ｂ）の基本的な高さＨ１に対し、熱収縮による隙間９０の高さを除いた高さ（横リブ部分６０Ｂの高さ）をＨ２とする。縦リブ部分６０Ａでは、横リブ部分６０Ｂ近くに隙間９０があることを除いては、基本的には高さＨ１の平面Ｂにより前面側の基板と平面的に接する。なお、ｂやｂ’で示すセル中央位置程度までを図示している。隙間９０の縦方向への広がりは、横リブ８Ｂの幅ＷＢよりも大きい。横リブ部分６０Ｂでは、熱収縮による隙間９０の分（Ｈ１－Ｈ２）と、溝７０Ｂによる隙間８０Ｂの分（Ｈ４）とを合わせた分、基本的な高さＨ１よりも低くなっている。

　実施の形態２によれば、リブ８の熱収縮を利用して効率的に排気パスを構成できる。

　なお、実施の形態１，２（共通バス電極構造）では、溝７０Ｂの領域は、隔壁８で囲まれる単位発光領域（Ｃｒ等）以外の領域（横リブ８Ｂに重なる位置）に配置され、即ち当該領域に排気パスが配置されている。これにより、セルの放電及び発光の特性になるべく影響を及ぼさないようにしている。同様に、図５のような場合（ノーマル方式）に対しても、表示ライン５３の領域以外に溝（排気パス）が配置されるようにすると、上記特性への影響の点で好ましい。

　（実施の形態３）
　次に、図１４～図１６を用いて、その他の構成例（実施の形態３）のＰＤＰ１０について説明する。実施の形態３として、以下の第１～第３の構成例を有する。実施の形態３は、横方向の溝による横方向の排気パスに加えて、縦方向（ｙ）の溝による縦方向の排気パスが構成される。実施の形態３により、例えば実施の形態１のように実施の形態２のような熱収縮による隙間９０を用いないリブ８構造の場合などにおいても、縦方向隣接セル間で通じる縦方向の排気パスＰＡが構成できる。

　＜他の構成例（１）＞
　図１４において、他の第１の構成例におけるリブ８等の平面構造を示している。表示列方向（ｙ）、縦方向の複数の隣接するセル間で貫通するように、縦方向の溝７０Ａを形成する例である。本例では、溝７０Ａの幅ＷＭＡは、単位発光領域の幅（縦リブ８Ａ同士の間隔）と同じである。縦方向の溝７０Ａにより、縦方向で隣接するセル間における横リブ８Ｂの高さが基本的な高さ（Ｈ１）よりも低くなるので、縦方向に通じる排気パスＰＡが構成される。

　製造方法としては、例えば図１２と基本同様のリブ８構造で、かつ熱収縮による隙間９０が無い場合において、まず前述同様に、横方向の溝７０Ｂを、横リブ８Ｂの幅ＷＢよりも小さい幅ＷＭＢで形成することにより、横方向の排気パスＰＢが構成される。更に、縦方向の表示列ごとに、縦方向の溝７０Ａを、単位発光領域の幅と同じ幅ＷＭＡで形成することにより、縦方向の排気パスＰＡが構成される。

　＜他の構成例（２）＞
　図１５において、他の第２の構成例を同様に示している。上記同様に表示列方向（ｙ）で貫通するように縦方向の溝７０Ａを形成する別の例である。本例では、縦方向の溝７０Ａの幅ＷＭＡを単位発光領域の幅（縦リブ８Ａ同士の間隔）よりも小さくし、セル中心位置に配置する。この溝７０Ａにより、表示列方向で通じる縦方向の排気パスＰＡが構成される。溝７０Ａの形成によって背面基板構造体１２側に形成されるアドレス電極６などに悪い影響を及ぼさないように考慮する必要はあるが、前述の方式同様に実現可能である。

　＜他の構成例（３）＞
　図１６において、他の第３の構成例を示している。本例では、縦方向隣接セル間に対応するそれぞれの横リブ８Ｂ部分に対して、所定長さの縦方向の溝７０Ｃを形成する。溝７０Ｃの長さは、例えば隣接する２つのセルで排気パスＰＡが通じる分である。あるいは当該溝７０Ｃの長さは、設計に応じて、縦方向の複数のセルで排気パスＰＡが通じる分である。この溝７０Ｃにより、縦方向隣接セル間で通じる縦方向の排気パスＰＡが構成できる。

　以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。

　例えば、以上のような各実施の形態は、縦・横方向を逆に考えても通用することは勿論である。即ち例えば、横リブ８Ｂの位置に対して重ねずに、縦リブ８Ａの横方向隣接セル間に対して横方向の溝を形成して横方向の排気パスを構成する形態等も同様に可能である。但し、そのような形態に応じて、排気パス（隙間）の存在によるセルの特性への影響などを考慮する必要はある。

　例えば、以上では四角形状の隔壁８及びセルを形成する例を説明したが、特定の形状の隔壁及びセル構造には限定されない。例えば、セル及び隔壁の配列構造が平面視でデルタ状の場合や丸い形状の場合などでも同様に適用可能であり、非表示部の隔壁高さを低くして排気パスを形成できる。なお上記は、隔壁の幅を部分的に制御して隔壁高さに差異を持たせるように形成することを目的として、且つ放電の制御において放電結合等の問題が無い、ということが条件となる。

　本発明は、ＰＤＰなどに利用可能である。

Claims

　電極群が形成される第１と第２の基板の間に、隔壁により区画される放電空間が形成され、前記区画に対応してセル群による表示領域が構成されるプラズマディスプレイパネルであって、
　前記第１の基板の平面に溝を有し、前記溝を含む平面上に前記隔壁を有し、
　前記隔壁は、前記溝の領域に応じて高さの差を持ち、当該高さの差よる前記第２の基板との隙間により排気パスが構成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記隔壁は、前記表示領域の第１方向に並行する第１の隔壁部を有し、
　前記溝は、前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に一定長以上伸びて形成される第２方向の溝部を有し、当該第２方向の溝部に対応して前記第１の隔壁部を通る第２方向の排気パスが構成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項２記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記隔壁は、前記表示領域の第２方向に並行する第２の隔壁部を有し、当該隔壁で囲まれる部分が前記セルに対応付けられること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項３記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記第２方向の溝部は、前記第２の隔壁部に重なる配置で、前記第２の隔壁部の幅よりも大きい幅で、前記第２方向の複数のセルに通じるように形成され、当該第２方向の溝部に対応して、前記第１の隔壁部を通る第２方向の排気パスと前記第２の隔壁部を通る第１方向の排気パスとが構成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項３記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記隔壁の第１と第２の隔壁部の交差部分を含む領域に熱収縮による高さの差を持ち、
　前記第２方向の溝部は、前記第２の隔壁部に重なる配置で、前記第２の隔壁部の幅よりも小さい幅で、前記第２方向の複数のセルに通じるように形成され、当該第２方向の溝部及び前記熱収縮による高さの差による隙間に対応して、前記第１の隔壁部を通る第２方向の排気パスと前記第２の隔壁部を通る第１方向の排気パスとが構成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記溝の領域は、前記隔壁で遮られる前記セルの放電及び発光が行われる領域以外の領域に配置されること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項２記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記隔壁は、前記表示領域の第１方向に並行する第１の隔壁部と、前記表示領域の前記第１方向と交差する第２方向に並行する第２の隔壁部とを有し、当該隔壁で四方を囲まれる部分が前記セルに対応付けられ、
　前記溝は、前記第１の隔壁部の間の配置で、前記表示領域の第１方向に一定長以上伸びて形成される第１方向の溝部を有し、当該第１方向の溝部に対応して前記第２の隔壁部を通る第１方向の排気パスが構成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記第１の基板を構成するガラス基板の平面に前記溝が形成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記第１の基板を構成するガラス基板上の誘電体層の平面に前記溝が形成されていること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　電極群が形成される第１と第２の基板の間に隔壁により区画される放電空間が形成され、前記区画に対応して表示領域にセル群が構成されるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
　前記第１の基板の平面に溝の領域を形成する第１の工程と、
　前記第１の基板の前記溝を含む平面上に前記隔壁を形成することにより当該隔壁に前記溝の領域に応じて高さの差を持たせる第２の工程と、
　前記第１の基板の前記高さの差を持つ隔壁に対し前記第２の基板を重ね合わせて外周部を封着することにより前記高さの差による前記第２の基板との隙間により排気パスを構成する第３の工程と、
　前記排気パスを通じて前記放電空間を排気する第４の工程と、を有すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
　請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
　前記第１の工程では、前記溝の領域として、前記表示領域の第２方向に一定長以上伸びて形成される第２方向の溝部を形成し、
　前記第２の工程では、所定高さの隔壁層を形成して当該隔壁層を加工して所定の形状にする工程を有し、当該隔壁の形状は、前記表示領域の第１方向に並行する第１の隔壁部を有し、
　前記第３の工程では、前記第２方向の溝部に対応して前記第１の隔壁部を通る第２方向の排気パスが構成されること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１１記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
　前記第２の工程では、前記隔壁の形状は、前記表示領域の第２方向に並行する第２の隔壁部を有し、当該隔壁で囲まれる部分が前記セルに対応付けられること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
　請求項１２記載のプラズマディスプレイパネルにおいて、
　前記第２の工程では、前記隔壁を加熱して、前記隔壁の第１と第２の隔壁部の交差部分を含む領域に、熱収縮による高さの差を持たせる工程を有し、
　前記第３の工程では、前記熱収縮による高さの差による隙間に対応して前記排気パスが構成されること、を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
　請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
　前記第１の工程では、サンドブラスト法により前記溝を形成し、
　前記第２の工程では、サンドブラスト法により前記隔壁を形成すること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
　請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
　前記第１の工程では、前記第１の基板を構成するガラス基板の平面に前記溝が形成されること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
　請求項１０記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、
　前記第１の工程では、前記第１の基板を構成するガラス基板上の誘電体層の平面に前記溝が形成されること、を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。