WO2009037053A1 - Scheinwerferlampe und deren verwendung - Google Patents

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WO2009037053A1
WO2009037053A1 PCT/EP2008/060558 EP2008060558W WO2009037053A1 WO 2009037053 A1 WO2009037053 A1 WO 2009037053A1 EP 2008060558 W EP2008060558 W EP 2008060558W WO 2009037053 A1 WO2009037053 A1 WO 2009037053A1
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WO
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supporting structure
light sources
light
semiconductor light
lamp
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PCT/EP2008/060558
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English (en)
French (fr)
Inventor
Manfred RÖHL
Bernhard Siessegger
Original Assignee
Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung
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Priority to US12/678,800 priority patent/US20100213809A1/en
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    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
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    • F21S45/10—Protection of lighting devices
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    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S45/00—Arrangements within vehicle lighting devices specially adapted for vehicle exteriors, for purposes other than emission or distribution of light
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    • F21S45/47—Passive cooling, e.g. using fins, thermal conductive elements or openings
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/141—Light emitting diodes [LED]
    • F21S41/151—Light emitting diodes [LED] arranged in one or more lines
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
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    • F21W—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO USES OR APPLICATIONS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS
    • F21W2102/00—Exterior vehicle lighting devices for illuminating purposes
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • F21Y2107/90—Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements on two opposite sides of supports or substrates
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]

Definitions

  • the invention is in the field of headlight lamps, in particular it relates to a headlamp with a base and a predetermined by international standardization with respect to distance and position to a reference plane of the base light output.
  • a light emitting diode lamp is known as a light source for a headlight.
  • the design of this lamp is attached to the for the use of Light-emitting diode lamp adapted headlight construction adapted.
  • the object is achieved by a headlight ferlampe with a base and a set by international standardization with respect to distance and position from a reference plane of the base light output, wherein the Lichtab ⁇ is output from one or a plurality of semiconductor light sources.
  • An operating electronics or a part of the operating electronics for operating the one or more semiconductor light sources is advantageously arranged in the base of the headlight ⁇ ferlampe.
  • the lamp can be used for this application exceed planned gas discharge lamp or incandescent ⁇ the right without further measures instead of one.
  • the supporting structure in the region of the congruently superimposed semiconductor light sources between the first and the second planar side preferably has a web with a thickness which is so is dimensioned such that the semiconductor light sources with their light-radiating surfaces have a distance from one another which corresponds to the average diameter of the incandescent filament described in this standardization or of the discharge arc described therein.
  • one or more semiconductor light sources are arranged on both flat sides of the supporting structure, respectively, in each case at least one semiconductor light source on the first flat side and at least one semiconductor light source are positioned on the second surface side in alternation or at least partially overlapping.
  • the supporting structure is preferably formed simultaneously as a heat sink and consists of a good heat-conducting material.
  • the semi ⁇ conductor light sources are optimally cooled.
  • the supporting structure consists of at least a first and a second part, wherein the first part of the supporting structure is formed at the same time as a cooling body and the second part of the supporting Structure is designed as a support for the semiconductor light sources and is made of a good heat conductive material be ⁇ .
  • the supporting structure consists of more than two parts, wherein some of the parts consist of an electrically conductive material and at the same time are designed as power supply lines.
  • the mutually insulated parts acting as a heat sink parts of the supporting structure itself serve as a power supply, and there is no conductor to be applied to this.
  • the supporting structure tapers towards the tip of the lamp and / or has a sideways extending cooling structure.
  • the structural ⁇ structure takes the form of a conventional lamp, which has advantages for the installation and the arrangement in the headlight reflector.
  • the support structure may still have a heat radiating and / or antireflective coating to improve the optical and thermal properties of the lamp.
  • the operating electronics (75) is thermally connected to a first heat sink (341), which is designed as a first part of the base housing, it can be better fitted. be cooled. Then, when the supporting structure (3) is thermally connected to a second heat sink (342) formed as a second part of the socket housing, it can be cooled independently of the operating electronics, especially when the first heat sink (341) and the second heat sink (342) are thermally isolated from each other. So that the LEDs and the operating electric ⁇ technology are thermally decoupled from each other, which ensures efficient ⁇ re cooling.
  • the semiconductor light sources have optics which change a light emission characteristic of the semiconductor light sources to correspond to a radiation characteristic demanded in standardization, the specification regarding the placement of the semiconductor light sources is less stringent, which offers advantages in the assembly and manufacture of the semiconductor light sources Has semiconductor light sources.
  • the semiconductor light sources are preferably light emitting diodes. Particularly preferably, the semiconductor light sources are multichip light-emitting diodes.
  • the semiconductor light sources can also be organic light-emitting diodes. It is advantageous if the semiconductor light sources are coated with a protective layer to protect them adequately at the onset and during the harsh Be ⁇ operating time in the car. For this purpose, however, the supporting structure with the semiconductor light sources can also be advantageously surrounded by a protective bulb.
  • the material of the protective piston is before Trains t ⁇ a transparent plastic or glass.
  • the protective piston is filled with a gas.
  • the headlight lamp preferably has a Be ⁇ drive electronics (100) for operating semiconductor light sources (21) on a control gear for gas discharge lamps.
  • the operating electronics (100) simulates the operating voltage of a light bulb or Gasentla pressure discharge lamp.
  • a headlamp as a substitute for a gas discharge lamp to simulate the focal clamping voltage ⁇ preferred during cold starting and operating voltage in the stationary operation of a gas discharge lamp. If the operating electronics for the simulation of a mercury-containing and a mercury-free gas discharge lamp can be switched over, this considerably extends the field of application of the headlight lamp. This allows the apparent ⁇ bowler lamp used directly as a retrofit without having to make the headlights or the automobile changes.
  • the operating electronics include in the case of
  • Headlamp lamp as a replacement for a gas discharge lamp preferably a rectifier (103), and a voltage intermediate circuit (104) with a dissipative voltage limiting device.
  • FIG. 1 A side view of a first embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • Fig. 2 A schematic plan view of the first
  • Embodiment of a headlight lamp according to the invention Embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • FIG. 3 A side view of a second embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • FIG. 4 A schematic plan view of the second
  • Embodiment of a headlight lamp according to the invention Embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • FIG. 5 A side view of a third embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • FIG. 6 A side view of a fourth embodiment of a headlight bulb according to the invention with a light function.
  • FIG. 7 A side view of the fourth embodiment of a headlight lamp according to the invention with two light functions.
  • FIG. 8 A side view of the fourth embodiment of a headlight lamp according to the invention with an additional cooling partial structure 34.
  • FIG. 9 A side view of a fifth embodiment of a headlight bulb according to the invention.
  • Fig. 10 A schematic plan view of the fifth
  • Embodiment of a headlight lamp according to the invention Embodiment of a headlight lamp according to the invention.
  • FIG. 11 A side view of a sixth embodiment of a headlight bulb according to the invention.
  • FIG. 12 A side view of a seventh embodiment of a headlight bulb according to the invention.
  • FIG. 13 is a side view of an eighth exporting ⁇ approximate shape of a projector headlamp according to the invention with an additional cooling part structure 34.
  • FIG. 14 A schematic section of a ninth embodiment with two thermally separated heat sinks in the base, one of which is dedicated to electronics and another to semiconductor light sources.
  • FIG. 15a A schematic section of the eighth embodiment in a variant with beads for stability and cooling surface increase.
  • FIG. 15b A schematic section of the eighth embodiment in a variant with increased material thickness for stability and
  • FIG. 16a A section through a second part of the
  • FIG. 16b A section through a second part of the
  • FIG. 17 A schematic block diagram of an operating electronics according to the invention.
  • FIG. 18 A circuit diagram of a first voltage intermediate circuit, in which between the burning voltage of a mercury-free and the
  • Burning voltage of a mercury-containing gas discharge lamp can be switched.
  • FIG. 19 A circuit diagram of a second switchable voltage intermediate circuit, which simulates the startup of a gas discharge lamp.
  • Voltage intermediate circuit which simulates the startup of a gas discharge lamp, and which is switchable between the burning voltage of a mercury-free and the burning voltage of a mercury-containing gas discharge lamp.
  • the inventive Scheinwerferlam ⁇ pe is called a retrofit lamp of a conventional Headlight lamp executed. It is intended to enable the owners of motor vehicles with conventional lamp technology and in particular the owners of classic cars to use the latest semiconductor light technology.
  • a first embodiment is shown as a H4 retrofit lamp in a side view. Some of the details described below can only be seen in the schematic plan view in FIG.
  • the lamp 5 is constructed on a conventional lamp base 10, which has a reference ring 1, which is attached to a base sleeve 7.
  • the reference ring 1 consists of a ring which has reference tabs 13, 15 on three sides, which in turn describe a reference plane 11 by means of slightly curved contact points.
  • the base sleeve 7 consists of a cylindrical hollow body, which is closed at its lower end by a base brick 71. In this base brick 71, which consists of an insulating material such as plastic or ceramic, three contact lugs 73 are embedded.
  • An operating electronics 75 is accommodated in the cavity of the base sleeve 7 lying above the base brick 71.
  • the supporting structure 3 serves as a heat sink for the semiconductor light sources, and therefore consists of a good heat conducting material such as aluminum, copper, an iron-containing alloy o- a thermally conductive metal-ceramic composite, eg egg ⁇ ner LTCC ceramic.
  • the semiconductor light sources are preferably designed as light-emitting diodes. It is also conceivable that the semiconductor light sources are organic Light emitting diodes are executed.
  • the LEDs are preferably designed as multi-chip light emitting diodes 21, 23 which have a plurality of light-emitting diode chips 25, for example in a row on ⁇ . Such a structure is sometimes known as a light emitting diode array.
  • the operating electronics 75 is connected to the multichip light emitting diodes 21, 23 via printed conductors (not shown) arranged on or in the supporting structure 3. For power supply, the operating electronics 75 is connected to the contact lugs 73 (not shown).
  • the geometry of the luminous surface of the multichip light-emitting diodes 21, 23 is analogous to the geometrical surface projection of the corresponding filament. That is, the length of the light-emitting surface of the multi-chip light emitting diodes 21, 23 is equal to the length of the respective filament and the width of the light-emitting surface of the multi ⁇ chip light-emitting diodes 21, 23 equal to the diameter of the corresponding filament.
  • the optical requirements ⁇ comprises the load-bearing structure at the location where the dipped beam incandescent filament is in a conventional incandescent lamp, a recess 31. In this recess 31 is the multi-chip LED 23rd appropriate.
  • the depth of the recess 31 is designed such that the distance from the optical axis for lichtab ⁇ radiating surface of the multi-chip light emitting diode 23 in the ⁇ sentlichen we talking to the radius of the respective filament corresponds.
  • the depth of the recess 31 may be dimensioned such that the light-radiating surface of the Mul ⁇ tichip LED 23 is located on the optical axis.
  • the multi-chip LED 23 may have an optical system (not shown here).
  • the recess 31 has oblique Rän ⁇ on to obstruct the light output of the multi-chip LED 23 as little as possible.
  • the depth of the recesses 33 is designed so that the remaining in the supporting structure web 35 has a thickness which is dimensioned so that the distance of the light-emitting surfaces of the multi-chip light-emitting diodes 21 substantially corresponds to the diameter of the filament.
  • the supporting structure 3 is connected to the base shell by means of suitable methods , eg welding, soldering, clamping or gluing. To weight and material too save, the supporting structure 3 may preferably taper towards the tip of the lamp.
  • the multi-chip LEDs 21, 23 may be provided with a protective layer.
  • the entire supporting structure 3 can be introduced from glass or plastic in a light-transmitting protective piston 6, which protects the entire structure ge ⁇ against environmental influences.
  • the piston 6 is then preferably provided with a filling gas such as nitrogen.
  • the filling gas is preferably under a pressure of more than 5 * 10 4 Pa. If the filling gas is at a higher pressure than the atmospheric pressure, then the piston 6 is preferably designed to be break-proof.
  • the base sleeve 7 can be rotated, tilted and strigo ⁇ ben relative to the reference ring 1 as in a conventional H4 lamp.
  • the proven manufacturing and Jus- day procedures of conventional lamps can be adopted. If the base sleeve 7 with the supporting structure 3 and the multichip light-emitting diodes 21, 23 arranged thereon is adjusted relative to the reference ring, the connection between reference ring 1 and base sleeve 7 is produced. Thus, the lamp is then optically adjusted.
  • the second embodiment differs only in the number of functions executable by the headlamp lamp from the first embodiment. There will be only the differences from the first embodiment described.
  • FIG. 3 A side view of the headlight lamp 5 of the two ⁇ th embodiment is shown in Fig. 3. Some details can be seen only in the schematic plan view in FIG. 4, as in the first embodiment.
  • the second embodiment is designed as a retrofit lamp of a conventional headlamp with only one filament.
  • FIGS. 3 and 4 this is shown using the example of a H7 lamp.
  • a H7 lamp is equipped with a freely radiating filament that radiates into both half-spaces. Since ⁇ forth the headlight lamp according to the invention has two multi-chip light emitting diodes 21 with min- least that radiate in opposite directions.
  • the multi-chip LEDs 21 are attached as in the first embodiment in two recesses 33 of the supporting structure 3.
  • the recesses 33 may also have oblique edges here.
  • the light emitting FLAE ⁇ surface of the multi-chip light emitting diodes 21 corresponds to the length and the diameter of an H7 filament.
  • the remaining in the supporting structure web 35 between the two recesses 33 has a thickness which is such that the distance of the light-emitting surfaces of the multi-chip LEDs corresponds substantially to the diameter of an H7 filament.
  • the operating electronics 75 is housed. Since only one light function is provided here, only two contact lugs 73 are fixed in the base brick 71.
  • the third embodiment differs in structure of the supporting structure 3 from the previous embodiments. The differences from the previous embodiments will be described below.
  • the supporting structure of 2 parts is built up ⁇ .
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is connected to the base sleeve 7.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is provided with conductor tracks which are arranged on or in the part (not shown), and be ⁇ is made of a good heat conducting material such as copper, aluminum, steel or nickel-plated steel. However, it can also consist of a good heat-conducting single or multilayer metal-ceramic composite. This has the advantage that required conductor structures can be incorporated into these already in the manufacture of the composite body.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 is electrically and thermally connected to the first part 36 of the supporting structure 3.
  • the electrical connection refers to the conductor tracks running on or in the first part 36 of the supporting structure 3.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is made of a conductive material, the part itself may also lead to a potential.
  • the conductor tracks of the first part and / or the first part itself are ver ⁇ connected with the contact lugs 73.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 is mainly used as a circuit carrier and carries the multi chip light-emitting diodes 21.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 the Radioelekt ⁇ ronik 76 or a part of the operating electronics can be arranged be, with the remaining operating electronics then finds room in the base sleeve 7.
  • the second part 39 is equipped on one side or on both sides with at least one multi-chip LED 21.
  • the second part can also be equipped with at least one single-chip LED.
  • the embodiment in Fig. 5 again refers to a H7 headlamp with a light function.
  • this embodiment can also be formed with 2 light functions.
  • a further functional unit of the second part 39 of the supporting structure 3 is to be provided, or the one part 39 of the supporting structure 3 is to be of correspondingly large size in order to be able to accommodate both light functions.
  • a circuit substrate technology is used here, which conducts heat well.
  • This may be for example a printed circuit board of a LTCC ceramic or a ceramic-metal composite (eg DCB ® from. Curamik).
  • DCB ® from. Curamik
  • This has the advantage that some parts such as resistors or capacitors of the operating electronics 76 can be embedded in the ceramic immediately, and the operating electronics 76 can thus be produced efficiently and in a space-saving manner.
  • other technologies such as a metal core board with a thin polyimide or polyester film as a conductor carrier can be used.
  • a good thermal connection with a large contact surface 80 is provided between the parts. This ensures the required good thermal connection of the light-emitting diodes to the heat sink serving as the first part 36 of the supporting structure.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 may have mechanical stability ⁇ lleiteren as beads, reinforcements or bracing.
  • the first part 36 and the second part 39 of the supporting structure 3 preferably have a heat- emitting and antireflexive coating.
  • the fourth embodiment differs from the third embodiment mainly in that the supporting structure 3 consists of more than two parts. Otherwise, the previously made remarks apply here analogously.
  • FIG. 3 A lamp of the fourth embodiment having a light function (such as a H7 lamp) is shown in FIG.
  • a lamp of the fourth embodiment having two light functions (such as an H4 lamp) is shown in FIG.
  • the supporting structure 3 is divided into a plurality of functional parts, some of which are made of a conductive material such as copper, aluminum, steel or other suitable material.
  • FIG. 6 A first variant with a light function is shown in FIG.
  • the supporting structure 3 consists of a first part 36, a second part 39 and a third part 37. The first and the third part are both made of an electrically conductive material.
  • the two parts 36, 37 thus serve not only as a support structure and heat sink, but at the same time as a power supply for the second part 39 of the supporting structure 3 and the light-emitting diodes located thereon.
  • This has the decisive advantage that can be dispensed to the feed ⁇ conductor tracks, and the electrical connection of the operating electronics and the LEDs can be made very simple and robust.
  • a good thermal connection of the second part 39 of the supporting structure 3 to the first part 36 and the third part 37 of the supporting structure 3 is necessary.
  • a connection with a large contact surface 80 is provided.
  • adhesive spots 82 are provided between the two parts.
  • the adhesive dots consist of a suitable adhesive, which holds the parts together mechanically and keeps them electrically isolated.
  • FIG. 7 shows a second variant of the fourth embodiment.
  • This forms a lamp with two light functions, but is otherwise constructed analogously to the first variant.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 containing the light-emitting diodes is divided into two functional units 391 and 392.
  • the first functional unit 391 includes at least one light-emitting diode or a multi-chip LED 23, which is equipped on one side.
  • the second functional unit 392 is equipped on two sides and includes on each side at least one light-emitting diode or a multi-chip LED 23. Both functional units can each have an operating electronics 76.
  • a fourth part 38 of the supporting structure 3 is provided, which is arranged centrally between the first part 36 of the supporting structure 3 and the third part 37 of the supporting structure 3.
  • adhesive dots 82 are also arranged between the first part 36, the third part 37 and the fourth part 38 of the supporting structure 3. These stabilize the structure, but electrically isolate the parts from each other.
  • the first and third part 36, 37 of the supporting structure 3 with beading, material thickenings or the like is provided.
  • 9a shows a section through a beaded fourth embodiment .
  • the first and third parts 36, 37 of the tra ⁇ ing structure 3 is in each case provided with a bead. This measure increases the vibration stability in senk ⁇ right and horizontal direction of the lamp considerably, and also increases the cooling surface and mass.
  • an optic 22 is shown on the multi-chip LEDs 21. This serves to equalize the emission of the planar formed luminous surfaces of the multi-chip LEDs 21 to the Ab- beam characteristic of the conventional headlamp with filaments.
  • the first and third parts 36, 37 of the supporting structure 3 can also extend beyond the 'boundary' of the base sleeve 7, as shown in FIG. 8 in a third variant of the fourth embodiment.
  • the first and third parts 36, 37 of the supporting structure 3 each have additional cooling structures 34.
  • This structural ⁇ structures may be verript, crimped or formed in any other suitable manner for enlarging the surface and stiffening. The rest of the structure is analogous to the first or second variant.
  • FIG. 9 shows a fifth embodiment as a retrofit lamp of a Dl or D3 gas discharge lamp in a side view.
  • the lamp 5 is constructed on a conventional D-lamp base 10, which has a reference ring 1 which is attached to a base sleeve 7.
  • the reference ring 1 consists of a ring, which has on three sides reference knobs 13 which describe a reference plane 11.
  • the base sleeve 7 is cast on the reference ring 1 and a square base housing 15 ⁇ . From the base housing 15 protrudes a connection socket 71, which consists of an insulating material such as plastic or ceramic.
  • connection socket 71 three contacts 73 (not shown)tientbet ⁇ tet.
  • an operating electronics 75 is housed in the base housing 15 .
  • a schiso- disgust 17 is introduced, on its upper side a supporting structure 3 is mounted, are arranged on the surface of Halblei ⁇ terlichtánn.
  • the supporting structure 3 simultaneously serves as a heat sink for the semiconductor light sources, and therefore consists of a good heat-conducting material such as aluminum, copper, an iron-containing alloy or a heat-conducting metal-ceramic composite, for example an LTCC ceramic.
  • the semiconductor light sources are preferably out as light emitting ⁇ leads.
  • the semiconductor light sources are designed as organic light-emitting diodes.
  • the light-emitting diodes are preferably designed as multichip light-emitting diodes 21, which have a plurality of light-emitting diode chips 25, for example, in a row. Such a structure is sometimes known as a light-emitting diode array.
  • the operating electronics 75 is connected to the multi-chip LEDs 21 via printed conductors (not shown) arranged on or in the supporting structure 3. For power supply, the operating electronics 75 is connected to the contacts 73 (not shown).
  • a multi-chip LED 21 instead of a multi-chip LED 21 but also a plurality of light-emitting diode ⁇ with a chip or a plurality of multi-chip LEDs can be used with fewer chips 21 per light-emitting diode.
  • the depth of the recesses 33 is designed such that the web 35 remaining in the supporting structure has a thickness which is dimensioned so that the distance between the light-emitting surfaces of the multi-chip LEDs 21 substantially corresponds to the mean diameter of the discharge arc.
  • the supporting structure 3 is connected to the base 10 by suitable methods, eg welding, soldering, clamping or gluing. In order to save weight and material, the supporting structure 3 may preferably taper towards the tip of the lamp. [72] To protect against environmental influences, the multi-chip LEDs 21 may be provided with a protective layer. In order to give the users of the retrofit lamp the feeling of a discharge lamp, the entire supporting structure 3 can also be incorporated in a light-transmitting protective piston 6 made of glass or plastic, which also protects the entire structure against environmental influences. For better cooling of the light-emitting diodes, the piston 6 is then preferably provided with a filling gas such as nitrogen. The filling gas is preferably under a pressure of more than 5 * 10 4 Pa. If the filling gas is at a higher pressure than the atmospheric pressure, then the piston 6 is preferably designed to be break-proof.
  • a filling gas such as nitrogen. The filling gas is preferably under a pressure of more than 5 * 10 4 Pa. If the filling gas
  • the inner base 17 For the optical adjustment during the production of the inner base 17 can be rotated relative to the base 10 as in a con ventional ⁇ D-lamp, be tilted and moved. Thus, the proven manufacturing and adjustment procedures of the D-lamps can be taken over. If the inner base 17 with the supporting structure 3 and the multichip light-emitting diodes 21 arranged thereon are adjusted relative to the base 10, the connection between the base 10 and the inner base 17 is established. Thus, the lamp is then optically adjusted.
  • the sixth embodiment differs in structure of the supporting structure 3 from the fifth embodiment. In the following, only the differences to this will be described.
  • the supporting structure is made up of 2 parts. built.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is connected to the base sleeve 7.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is provided with conductor tracks, which are arranged on or in the part (not shown), and consists of a good heat-conducting material such as copper, aluminum, steel or nickel-plated steel. But it can also consist of a good thermal conductivity one or more layers metal-ceramic composite. This has the advantage that required conductor structures can be incorporated into these already in the manufacture of the composite body.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 is electrically and thermally connected to the first part 36 of the supporting structure 3.
  • the electrical connection refers to the conductor tracks running on or in the first part 36 of the supporting structure 3.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 is made of a conductive material, the part itself may also carry a potential.
  • the conductor tracks of the first part and / or the first part itself are connected to the operating electronics 75.
  • the second part 39 of the supporting structure 3 serves mainly as a circuit carrier and accommodates the multichip light-emitting diodes 21.
  • the operating electronics 76 or a part of the operating electronics can also be arranged on the second part 39 of the supporting structure 3, the remaining operating electronics then being arranged 15 place in the base housing.
  • the second part 39 is equipped on both sides with at least one multi-chip LED 21.
  • the second part can also be equipped with at least one single-chip LED.
  • a circuit board technology is preferably used here, which conducts heat well.
  • This may be for example a printed circuit board of a LTCC ceramic or a ceramic-metal composite (eg DCB ® from. Curamik).
  • DCB ® from. Curamik
  • This has the advantage that some parts such as resistors or capacitors of the Be ⁇ drive electronics 76 can be embedded in the same with the ceramic, and the operating electronics 76 can thus be produced efficiently and space-saving.
  • other technologies such as a metal core board with a thin polyimide or polyester film can be used as Lei ⁇ terbahnanii.
  • a good thermal connection with a large contact surface 80 is provided between the parts. This ensures the required good thermal connection of the light-emitting diodes to the heat sink serving as the first part 36 of the supporting structure.
  • the first part 36 of the supporting structure 3 may have mechanical stability ⁇ lleiteren as beads, reinforcements or bracing.
  • the first part 36 and the second part 39 of the supporting structure 3 preferably have a heat- emitting and antireflexive coating.
  • the seventh embodiment differs from the sixth embodiment mainly in that the supporting structure 3 consists of more than two parts. Otherwise, the previously made remarks apply here analogously.
  • FIG. 7 A lamp of the seventh embodiment is shown in FIG.
  • the supporting structure 3 is divided into a plurality of functional parts, some of which are made of a thermally and electrically conductive material such as copper, aluminum, steel or other suitable material.
  • the supporting struc- ture 3 consists of a first part 36, second part 39 and a third portion 37.
  • the first and the third part are both made of an electrically conductive Ma ⁇ TERIAL.
  • the two parts 36, 37 thus serve not only as a support structure and heat sink, but at the same time as a power supply for the second part 39 of the supporting structure 3 and the light-emitting diodes located thereon.
  • FIG. 15a shows egg NEN section through a provided with corrugations eighth exporting ⁇ approximate shape.
  • the first and third parts 36, 37 of the supporting structure 3 are each provided with a bead. This measure considerably increases the oscillation stability in the vertical and horizontal direction of the lamp, and also increases the cooling surface and mass.
  • an optic 22 is shown on the multi-chip LEDs 21. This serves to match the radiation characteristic of the planar formed luminous surfaces of the multichip light-emitting diodes 21 to the emission characteristic of the conventional gas discharge lamp.
  • the first and third parts 36, 37 of the supporting structure 3 also go beyond the Boundary 'of the base sleeve 7, as in a third variant of the eighth execution ⁇ form in FIG. 13 is.
  • the first and third parts 36, 37 of the supporting structure 3 respectively additional cooling structures 34 on.
  • This structural ⁇ structures may be verript, crimped or formed in any other suitable manner for enlarging the surface and stiffening. The rest of the structure is analogous to the first or second variant.
  • FIG. 16 shows different configuration variants of the two ⁇ th part 39 of the supporting structure 3.
  • the first variant shown in Fig. 16a, there is the second part 39 of the supporting structure 3 in one piece and is equipped on both ends tig.
  • Good to see here is the staggered Anord ⁇ tion of the multi-chip LEDs 21 on the top and bottom, which emulates the ends of the filament or the discharge arc better.
  • a material for example, a metal core board, a classic board made of GRP plastic or a ceramic structure in LTCC design can be used.
  • Important is a good heat conductivity of the material ⁇ to forward the resulting heat of the multichip LEDs in with the other substructures of the supporting structure. 3
  • the second part 39 of the supporting structure 3 may also consist of two joined sides 393 and 394 as shown in Fig. 16b. This has the advantage that the first side 393 and the second side 394 only have to be equipped on one side, and assembled only after the assembly and testing by suitable methods.
  • FIG. 16c In order to be able to replace gas discharge lamps with retrofit lamps with thicker semiconductor light sources, an arrangement as in FIG. 16c can be used. This also consists of two pages after loading be joined together. However, the light-emitting surfaces of the multi-chip LEDs do not point to the outer surface of the two joined sides 393 and 394, but to the inner surface, where they are passed through corresponding openings of the other side and can shine due to the openings to the other side. This offers the advantage that the distance of the lichtab ⁇ radiating surfaces of both sides only about twice the thickness of the multi-chip LEDs 21 corresponds.
  • FIG. 14 shows a schematic section of a ninth embodiment with two heat sinks 341, 342 in the base, which are thermally separated from one another, of which one of the operating electronics 75 and another is assigned to the multichip light emitting diodes 21.
  • the operation electronics 75 has its own first heat sink 341 formed as a part of the socket housing.
  • the other part of the base ⁇ housing is also formed as a second heat sink 342 ⁇ forms, and is thermally connected to the supporting structure 3.
  • the two constructed as a heat sink base ⁇ halves 341, 342 are thermally isolated from each other by an insulating layer (343).
  • the Be ⁇ drive electronics 75 and the multi-chip light-emitting diodes 21 can each be operated with its temperature level without that they influence each other thermally. operating electronics
  • Fig. 17 shows a schematic block diagram of egg ⁇ ner operating electronics 100 according to the invention, which is necessary for one of the embodiments of five to nine.
  • the electronics draws its energy via the contacts 73 in the socket 71.
  • the socket 71 is ⁇ leads in accordance with the base of a D2 or D4 gas discharge lamp.
  • a dissipative overvoltage protection 101 is provided in order to protect the electronics against high-voltage pulses of the original operating device of the gas discharge lamp.
  • an EMC filter 102 is provided.
  • a full wave rectifier 103 is provided.
  • the full-wave rectifier is followed by a voltage intermediate circuit 104 with a dissipative unidirectional voltage limiting device.
  • the voltage limitation can be effected, for example, by a Zener diode, a varistor or a transistor T1 parallel to a DC link capacitor C z ⁇ .
  • the transistor Tl can operate in linear mode or in switching operation.
  • a resistor R2 is connected in series with the transistor T1.
  • the voltage of the DC link is limited to the rated lamp voltage.
  • the regulation takes place in such a way that a constant intermediate circuit voltage is established.
  • For the execution of the voltage intermediate circuit 104 there are two options which will be described later.
  • the DC-DC converter 105 is in particular a choke converter. Down-converter, which works as a power source.
  • the DC-DC converter 105 has a control that keeps the LED current constant. At high temperature of the LEDs, the light-emitting diode current is reduced (so-called derating circuit). If the thermal connection is good, the temperature sensor used for the overtemperature protection can also be used in the ballast electronics or, conversely, the sensor used for the derating can be used to protect the electronics.
  • Fig. 18 shows a first embodiment of the clamping ⁇ voltage intermediate circuit 104.
  • the voltage intermediate circuit 104 has the already mentioned above transistor Tl, holding the DC bus voltage to a constant value. For this purpose, it is controlled by a switchable arrangement with two Zener diodes Dl and D2.
  • the switch S switches between the two diodes, so that the intermediate circuit voltage can be selectively switched to the burning voltage of a mercury-free and a mercury-containing gas discharge lamp. With this measure, the circuit simulates one of these two lamp types.
  • the switch can be designed as a small DIP or pressure switch on the underside of the lamp cap.
  • the circuit arrangement according to FIG. 19 simulates not only the burning voltage of the gas discharge lamp during nominal operation, but also the burning voltage curve of a cold gas discharge lamp during startup.
  • a capacitor Cl is charged slowly through a formed from the resistor R6 and the diode D3 voltage source. Due to the voltage change of the charging currency rend a current flows through a resistor network ⁇ from R4 and R5 in the transistor T34, the réelle- turns on and the transistor T2 via a resistor R3 also turns on. This causes the zener diode Dil to be ineffective.
  • the voltage applied to the drain of the MOS-FETs Tl is therefore approximately the zener voltage of the diode D12, provided that one neglects the threshold voltage (threshold voltage) of the MOS-FETs.
  • the DC link voltage at this time is controlled to the Zener voltage of the diode D12.
  • This voltage should the lamp voltage of a Kal-th gas discharge lamp just after the breakthrough simulie ⁇ ren.
  • the voltage at the drain of the MOS-FET Tl increases, which causes the intermediate circuit voltage to increase accordingly.
  • the circuit arrangement according to FIG. 20 is a variant of the circuit arrangement according to FIG. 19. Therefore, only the differences from the circuit arrangement become apparent Fig. 19 described.
  • the circuit arrangement according to FIG. 20 offers both advantages of the circuit arrangements according to FIGS. 18 and 19.
  • the circuit arrangement can be switched over in order to be able to simulate a mercury-free and a mercury-containing discharge lamp. And the circuit simulates the run-up of a cold gas discharge lamp in the manner described above.
  • the scarf ⁇ tion arrangement of FIG. 19 is equipped with a switch S of FIG. 18, and four Zener diodes are provided in series between the DC link voltage and the gate of the transistor Tl. The switch briefly shorts one of four zener diodes to generate the appropriate voltage values.
  • the mercury-containing gas discharge lamp (di- lamp ') has a minimum cold start voltage of about 20V, which then runs up to an internal voltage of 85V.
  • the mercury-free gas discharge lamp ('D3 lamp') has a minimum cold start voltage of 25V, which then ramps up to 45V.
  • the lowest Di ⁇ ode D12 has a Zenerpressiveswert of 20V
  • the above it constricting diode D13 has a value of 5V
  • the following diode Dil a value of 45V
  • the top diode D14 a value of 20V.
  • the threshold voltage of the transistor Tl was neglected in this consideration.
  • the switch S is set so that it bridges the diode Dil.
  • the cold start voltage is at the sum of the two Zener voltages of the diodes D12 and D13, in this case 25V, and the transistor bridges the diode D14, which zenert at 20V.
  • the diode Dil is bridged by the switch S, and thus not effective.
  • the nominal burning voltage in the steady state thus sets to 45V.
  • Multi-chip LED (arranged on both sides) 22 Optics for multi-chip LED

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Scheinwerferlampe mit einem Sockel und einer durch internationale Normung bezüglich Abstand und Lage zu einer Referenzebene des Sockels vorgegebenen Lichtabgabe, wobei die Lichtabgabe durch eine oder mehrere Halbleiterlichtquellen erfolgt.

Description

Be s ehre ibung
[1] Scheinwerferlampe und deren Verwendung
Technisches Gebiet
[2] Die Erfindung liegt auf dem Gebiet der Scheinwerferlampen, insbesondere bezieht sie sich auf eine Scheinwer- ferlampe mit einem Sockel und einer durch internationale Normung bezüglich Abstand und Lage zu einer Referenzebene des Sockels vorgegebenen Lichtabgabe.
Stand der Technik
[3] In der ECE Norm No. 98 "UNIFORM PROVISIONS CONCERNING THE APPROVAL OF MOTOR VEHICLE HEADLAMPS EQUIPPED WITH GAS-DISCHARGE LIGHT SOURCES" werden verschiedene in der Kfz-Industrie benutzte Gasentladungslam¬ pen bezüglich der Lage ihres Entladungsbogens zu einer definierten Referenzebene beschrieben. Jede Entladungs- lampe, die als Scheinwerferlampe in einem Kraftfahrzeug Verwendung finden soll, muss dieser Norm entsprechen.
[4] In der ECE Norm No. 37 "Uniform provisions concer- ning the approval of filament lamps for use in approved lamp units on power-driven vehicles and of their trai- lers" werden verschiedene in der Kfz-Industrie benutzte Glühlampen bezüglich der Lage ihrer Glühwendeln zu einer definierten Referenzebene beschrieben. Jede Scheinwerferlampe mit einer Glühwendel, die in einem Kraftfahrzeug Verwendung finden soll, muss dieser Norm entsprechen.
[5] Aus der DE 10 2005 026 949 Al ist eine Leuchtdioden- Lampe als Lichtquelle für einen Scheinwerfer bekannt. Die Bauform dieser Lampe ist dabei an die für den Einsatz der Leuchtdioden-Lampe konzipierte Scheinwerferkonstruktion angepasst .
Aufgabe
[6] Es ist Aufgabe der Erfindung, eine mit Halbleiter- lichtquellen versehene Lampe anzugeben, die als Scheinwerferlampe in für den Einbau von Glühlampen oder Gasentladungslampen konzipierten Scheinwerfern einsetzbar ist.
Darstellung der Erfindung
[7] Die Lösung der Aufgabe erfolgt durch eine Scheinwer- ferlampe mit einem Sockel und einer durch internationale Normung bezüglich Abstand und Lage zu einer Referenzebene des Sockels vorgegebenen Lichtabgabe, wobei die Lichtab¬ gabe durch eine oder mehrere Halbleiterlichtquellen erfolgt .
Eine Betriebselektronik oder ein Teil der Betriebselektronik zum Betreiben der einen oder mehreren Halbleiterlichtquellen ist dabei vorteilhaft in dem Sockel der Scheinwer¬ ferlampe angeordnet. Dadurch kann die Lampe direkt ohne weitere Maßnahmen anstatt einer für diese Anwendung vorge- sehenen Gasentladungslampe oder Glühlampe verwendet wer¬ den.
[8] Wenn die einen oder mehreren Halbleiterlichtquellen auf einer tragenden Struktur mit einer ersten und einer zu dieser parallelen zweiten flächigen Seite angeordnet sind, hat dies den Vorteil, dass die geforderte Lichtab¬ strahlcharakteristik am einfachsten eingehalten werden kann. Dabei sollten jeweils mindestens eine Halbleiter¬ lichtquelle auf der ersten flächigen Seite und mindestens eine Halbleiterlichtquelle auf der zweiten flächigen Sei¬ te deckungsgleich übereinander liegen. Um den in der Normung festgelegten Durchmesser der dort beschriebenen Glühwendel beziehungsweise des dort beschriebenen Entladungs- bogens gerecht zu werden, weist die tragende Struktur im Bereich der deckungsgleich übereinanderliegenden Halbleiterlichtquellen zwischen der ersten und der zweiten flächigen Seite bevorzugt einen Steg mit einer Dicke auf, die so bemessen ist, dass die Halbleiterlichtquellen mit ihren Licht abstrahlenden Flächen zueinander einen Abstand aufweisen, der dem in dieser Normung festgelegten durchschnittlichen Durchmesser der dort beschriebenen Glühwendel beziehungsweise des dort beschriebenen Entladungsbo- gens entspricht.
[9] Um eine gleichmäßigere Lichtabstrahlung zu errei¬ chen, kann es von Vorteil sein, wenn auf beiden flächigen Seiten der tragenden Struktur jeweils eine oder mehrere Halbleiterlichtquellen angeordnet sind, wobei jeweils mindestens eine Halbleiterlichtquelle auf der ersten flä- chigen Seite und mindestens eine Halbleiterlichtquelle auf der zweiten flächigen Seite im Wechsel oder zumindest teilweise überdeckend gegenüber positioniert sind.
[10] Die tragende Struktur ist bevorzugt gleichzeitig als Kühlkörper ausgebildet und besteht aus einem gut Wärme leitenden Material. Durch diese Maßnahme werden die Halb¬ leiterlichtquellen bestmöglich gekühlt. In einer vorteilhaften Weiterbildung besteht die tragende Struktur aus mindestens einem ersten und einem zweiten Teil, wobei der erste Teil der tragenden Struktur gleichzeitig als Kühl- körper ausgebildet ist und der zweite Teil der tragenden Struktur als Träger für die Halbleiterlichtquellen ausgebildet ist und aus einem gut Wärme leitenden Material be¬ steht. Dies hat den Vorteil, dass der zweite Teil der tra¬ genden Struktur als Leiterplatte ausgebildet werden kann, und dadurch kostengünstig und effizient vorgefertigt wer¬ den kann. In einer vorteilhaften Weiterbildung besteht die tragende Struktur aus mehr als zwei Teilen, wobei einige der Teile aus einem elektrisch leitenden Material bestehen und gleichzeitig als Stromzuführungen ausgebildet sind. Dadurch dienen die voneinander isolierten als Kühlkörper wirkenden Teile der tragenden Struktur selber als Stromzuführung, und es müssen keine Leiter auf diese aufgebracht werden .
[11] Weist der als Leiterplatte ausgebildete zweite Teil der tragenden Struktur die Betriebselektronik teilweise oder vollständig auf, können durch die standardisierte Herstellung weitere Kosten eingespart werden.
[12] Bevorzugt verjüngt sich die tragende Struktur zur Spitze der Lampe hin und/oder sie weist eine seitwärts ausladende kühlende Struktur auf. Dadurch nimmt die Struk¬ tur die Form einer herkömmlichen Lampe an, was Vorteile für den Einbau und die Anordnung im Scheinwerferreflektor hat. Zusätzlich kann die tragende Struktur noch eine wärmeabstrahlende und/oder antireflexive Beschichtung aufwei- sen, um die optischen und thermischen Eigenschaften der Lampe zu verbessern.
Wenn die die Betriebselektronik (75) thermisch mit einem ersten Kühlkörper (341) verbunden ist, der als erster Teil des Sockelgehäuses ausgebildet ist, kann sie besser ge- kühlt werden. Wenn dann die tragende Struktur (3) thermisch mit einem zweiten Kühlkörper (342) verbunden ist, der als zweiter Teil des Sockelgehäuses ausgebildet ist, kann sie unabhängig von der Betriebselektronik gekühlt werden, vor allem wenn der erste Kühlkörper (341) und der zweite Kühlkörper (342) thermisch voneinander isoliert sind. Damit sind die Leuchtdioden und die Betriebselektro¬ nik thermisch voneinander entkoppelt, was eine effiziente¬ re Kühlung gewährleistet.
[13] Wenn die Halbleiterlichtquellen eine Optik aufweisen, die eine Lichtabstrahlcharakteristik der Halbleiterlichtquellen so verändert, dass sie einer in der Normung geforderten Abstrahlcharakteristik entspricht, ist die Vorgabe bezüglich der Platzierung der Halbleiterlichtquellen weni- ger streng, was Vorteile bei der Bestückung und der Herstellung der Halbleiterlichtquellen hat. Die Halbleiterlichtquellen sind dabei bevorzugt Leuchtdioden. Besonders bevorzugt sind die Halbleiterlichtquellen Multichip- Leuchtdioden. Die Halbleiterlichtquellen können aber auch organische Leuchtdioden sein. Es ist von Vorteil, wenn die Halbleiterlichtquellen dabei mit einer Schutzschicht überzogen sind, um sie bei Einsetzen und während der rauen Be¬ triebszeit im Automobil angemessen zu schützen. Zu diesem Zweck kann die tragende Struktur mit den Halbleiterlicht- quellen aber auch vorteilhaft von einem Schutzkolben umgeben sein. Das Material des Schutzkolbens ist dabei bevor¬ zugt ein lichtdurchlässiger Kunststoff oder ein Glas. Aus optischen und thermischen Gründen ist der Schutzkolben dabei mit einem Gas gefüllt. [14] Die Scheinwerferlampe weist dabei bevorzugt eine Be¬ triebselektronik (100) zum Betreiben von Halbleiterlichtquellen (21) an einem Betriebsgerät für Gasentladungslampen auf. Die Betriebselektronik (100) simuliert dabei die Brennspannung einer Glühlampe beziehungsweise Gasentla¬ dungslampe. Im Falle einer Scheinwerferlampe als Ersatz für eine Gasentladungslampe simuliert sie die Brennspan¬ nung bevorzugt beim Kaltstart sowie die Brennspannung im stationären Betrieb einer Gasentladungslampe. Wenn die Be- triebselektronik für die Simulation einer quecksilberhaltigen und einer quecksilberfreien Gasentladungslampe umschaltbar ist, erweitert dies den Anwendungsbereich der Scheinwerferlampe erheblich. Damit lässt sich die Schein¬ werferlampe direkt als Retrofitlampe einsetzen, ohne am Scheinwerfer oder dem Automobil Änderungen vornehmen zu müssen .
[15] Die Betriebselektronik umfasst dabei im Falle einer
Scheinwerferlampe als Ersatz für eine Gasentladungslampe vorzugsweise einen Gleichrichter (103) , sowie einen Span- nungszwischenkreis (104) mit einer dissipativen Span- nungsbegrenzungseinrichtung .
"16"
Kurze Beschreibung der Zeichnung (en)
[17] Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausfüh- rungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
[18] Fig. 1 Eine Seitenansicht einer ersten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe . [19] Fig. 2 Eine schematische Draufsicht der ersten
Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[20] Fig. 3 Eine Seitenansicht einer zweiten Ausfüh- rungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[21] Fig. 4 Eine schematische Draufsicht der zweiten
Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[22] Fig. 5 Eine Seitenansicht einer dritten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[23] Fig. 6 Eine Seitenansicht einer vierten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Schein- werferlampe mit einer Lichtfunktion.
[24] Fig. 7 Eine Seitenansicht der vierten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe mit zwei Lichtfunktionen.
[25] Fig. 8 Eine Seitenansicht der vierten Ausfüh- rungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe mit einer zusätzlichen kühlenden Teilstruktur 34.
[26] Fig. 9 Eine Seitenansicht einer fünften Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Schein- werferlampe. [27] Fig. 10 Eine schematische Draufsicht der fünften
Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[28] Fig. 11 Eine Seitenansicht einer sechsten Ausfüh- rungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[29] Fig. 12 Eine Seitenansicht einer siebten Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe .
[30] Fig. 13 Eine Seitenansicht einer achten Ausfüh¬ rungsform einer erfindungsgemäßen Scheinwerferlampe mit einer zusätzlichen kühlenden Teilstruktur 34.
[31] Fig. 14 Ein Schematischer Schnitt einer neunten Ausführungsform mit zwei thermisch voneinander getrennten Kühlkörpern im Sockel, von denen einer der Elektronik und ein anderer den Halbleiterlichtquellen zugeteilt ist .
[32] Fig. 15a Ein Schematischer Schnitt der achten Ausführungsform in einer Variante mit Sicken zur Stabilitäts- und Kühlflächenerhöhung.
[33] Fig. 15b Ein Schematischer Schnitt der achten Ausführungsform in einer Variante mit erhöh- ter Materialdicke zur Stabilitäts- und
Kühlflächenerhöhung.
[34] Fig. 16a Ein Schnitt durch einen zweiten Teil der
Struktur 3 in einer einteiligen Variante. [35] Fig. 16b Ein Schnitt durch einen zweiten Teil der
Struktur 3 in einer zweiteiligen Variante.
[36] Fig. 16c Ein Schnitt durch einen zweiten Teil der
Struktur 3 in einer zweiteiligen Variante mit Aussparungen.
[37] Fig. 17 Ein schematisches Blockschaltbild einer erfindungsgemäßen Betriebselektronik .
[38] Fig. 18 Ein Schaltbild eines ersten Spannungszwischenkreises, bei dem zwischen der Brenn- Spannung einer quecksilberfreien und der
Brennspannung einer quecksilberhaltigen Gasentladungslampe umgeschaltet werden kann .
[39] Fig. 19 Ein Schaltbild eines zweiten umschaltbaren Spannungszwischenkreises, der den Hochlauf einer Gasentladungslampe simuliert.
[40] Fig. 20 Eine Variante des zweiten umschaltbaren
Spannungszwischenkreises, der den Hochlauf einer Gasentladungslampe simuliert, und der zwischen der Brennspannung einer quecksilberfreien und der Brennspannung einer quecksilberhaltigen Gasentladungslampe umschaltbar ist.
Bevorzugte Ausführung der Erfindung
[41] Bevorzugt wird die erfindungsgemäße Scheinwerferlam¬ pe als sogenannte Retrofitlampe einer herkömmlichen Scheinwerferlampe ausgeführt. Sie soll so den Besitzern von Kfz mit herkömmlicher Lampentechnik und insbesondere den Besitzern von Oldtimern die Verwendung modernster Halbleiterlichttechnik ermöglichen .
[42] In Fig. 1 ist eine erste Ausführungsform als H4- Retrofitlampe in einer Seitenansicht dargestellt. Einige der im folgenden beschriebenen Details sind nur in der schematischen Aufsicht in Fig. 2 zu erkennen. Die Lampe 5 ist auf einem konventionellen Lampensockel 10 aufgebaut, der einen Referenzring 1 aufweist, der an einer Sockelhülse 7 angebracht ist. Der Referenzring 1 besteht aus einem Ring, der an 3 Seiten Referenzlaschen 13, 15 aufweist, die wiederum mittels leicht gewölbter Anlagepunkte eine Referenzebene 11 beschreiben. Die Sockelhülse 7 be- steht aus einem zylinderförmigen Hohlkörper, der an seinem unteren Ende durch einen Sockelstein 71 abgeschlossen ist. In diesen Sockelstein 71, der aus einem isolierenden Material wie z.B. Kunststoff oder Keramik besteht, sind drei Kontaktfahnen 73 eingebettet. In dem über dem So- ckelstein 71 liegenden Hohlraum der Sockelhülse 7 ist eine Betriebselektronik 75 untergebracht. An der Oberseite der Sockelhülse 7 ist eine tragende Struktur 3 ange¬ bracht, auf deren Oberfläche Halbleiterlichtquellen angeordnet sind. Die tragende Struktur 3 dient gleichzeitig als Kühlkörper für die Halbleiterlichtquellen, und besteht daher aus einem gut wärmeleitenden Material wie z.B. Aluminium, Kupfer, einer eisenhaltigen Legierung o- der einem wärmeleitenden Metall-Keramik-Verbund, z.B. ei¬ ner LTCC-Keramik . Die Halbleiterlichtquellen sind vor- zugsweise als Leuchtdioden ausgeführt. Es ist auch denk¬ bar, dass die Halbleiterlichtquellen als organische Leuchtdioden ausgeführt sind. Die Leuchtdioden sind vorzugsweise als Multichip-Leuchtdioden 21, 23 ausgebildet, die mehrere Leuchtdiode-Chips 25 z.B. in einer Reihe auf¬ weisen. So eine Struktur ist mitunter auch als Leuchtdio- denarray bekannt. Die Betriebselektronik 75 ist über an oder in der tragenden Struktur 3 angeordnete Leiterbahnen (nicht dargestellt) mit den Multichip-Leuchtdioden 21, 23 verbunden. Zur Spannungsversorgung ist die Betriebselektronik 75 mit den Kontaktfahnen 73 verbunden (nicht darge- stellt) .
[43] Um vergleichbare optische Eigenschaften wie eine herkömmliche H4-Lampe aufzuweisen, ist die Geometrie der leuchtenden Fläche der Multichip-Leuchtdioden 21, 23 analog zur geometrischen Flächenprojektion der entsprechen- den Glühwendel ausgebildet. Dass heißt, dass die Länge der lichtabstrahlenden Fläche der Multichip-Leuchtdioden 21, 23 gleich der Länge der entsprechenden Glühwendel ist und die Breite der lichtabstrahlenden Fläche der Multi¬ chip-Leuchtdioden 21, 23 gleich dem Durchmesser der ent- sprechenden Glühwendel ist.
[44] Da die Abblendlichtglühwendel einer H4 Lampe nur in einen Halbraum strahlt, ist nur auf einer Seite der tragenden Struktur 3 eine Multichip-Leuchtdiode 23 ange¬ bracht. Anstatt einer Multichip-Leuchtdiode 23 können a- ber auch mehrere Leuchtdioden mit einem Chip oder mehrere Multichip-Leuchtdioden 23 mit weniger Chips pro Leuchtdiode verwendet werden. Um die optischen Erfordernisse er¬ füllen zu können, weist die tragende Struktur an der Stelle, an der sich bei einer herkömmlichen Glühlampe die Abblendlichtglühwendel befindet, eine Ausnehmung 31 auf. In dieser Ausnehmung 31 ist die Multichip-Leuchtdiode 23 angebracht. Die Tiefe der Ausnehmung 31 ist so ausgelegt, dass der Abstand von der optischen Achse zur lichtab¬ strahlenden Fläche der Multichip-Leuchtdiode 23 im we¬ sentlichen dem Radius der entsprechenden Glühwendel ent- spricht. Alternativ kann die Tiefe der Ausnehmung 31 so bemessen sein, dass die lichtabstrahlende Fläche der Mul¬ tichip-Leuchtdiode 23 auf der optischen Achse liegt. Um die Abstrahlcharakteristik der Multichip-Leuchtdiode 23 an die Abstrahlcharakteristik der Glühwendel anzupassen, kann die Multichip-Leuchtdiode 23 eine Optik (hier nicht gezeigt) aufweisen. Die Ausnehmung 31 weist schräge Rän¬ der auf, um die Lichtabgabe der Multichip-Leuchtdiode 23 möglichst wenig zu behindern.
[45] Da die Fernlichtglühwendel einer H4 Lampe in beide Halbräume strahlt, weist die tragende Struktur 3 zwei ge¬ genüberliegende Ausnehmungen 33 auf (In Fig. 1 nur eine sichtbar) . Die gegenüberliegenden Ausnehmungen 33 sind deckungs- und profilgleich ausgeführt. In jeder der bei¬ den Ausnehmungen 33 ist eine Multichip-Leuchtdiode 21 an- gebracht, deren lichtabstrahlende Flächen somit in entge¬ gengesetzte Richtungen strahlen. Somit strahlt jede Mul¬ tichip-Leuchtdiode 21 in einen Halbraum. Die Tiefe der Ausnehmungen 33 ist so ausgelegt, dass der in der tragenden Struktur verbleibende Steg 35 eine Dicke aufweist, die so bemessen ist, dass der Abstand der lichtabstrahlenden Flächen der Multichip-Leuchtdioden 21 im wesentlichen dem Durchmesser der Glühwendel entspricht.
[46] Die tragende Struktur 3 ist mittels geeigneter Ver¬ fahren, z.B. Schweißen, Löten, Klemmen oder Kleben mit der Sockelhülse verbunden. Um Gewicht und Material zu sparen, kann sich die tragende Struktur 3 vorzugsweise zur Spitze der Lampe hin verjüngen.
[47] Zum Schutz vor Umwelteinflüssen können die Multi- chip-Leuchtdioden 21, 23 mit einer Schutzschicht versehen sein. Um den Anwendern der Retrofit-Lampe das Gefühl einer Glühlampe zu vermitteln, kann die gesamte tragende Struktur 3 auch in einen lichtdurchlässigen Schutzkolben 6 aus Glas oder Kunststoff eingebracht sein, der die ge¬ samte Struktur vor Umwelteinflüssen schützt. Zur besseren Kühlung der Leuchtdioden ist der Kolben 6 dann vorzugsweise mit einem Füllgas wie Stickstoff versehen. Das Füllgas steht vorzugsweise unter einem Druck von mehr als 5*104Pa. Steht das Füllgas unter einem höheren Druck als dem atmosphärischen, so ist der Kolben 6 vorzugsweise bruchsicher ausgeführt.
[48] Zur optischen Justage während der Fertigung kann die Sockelhülse 7 gegenüber dem Referenzring 1 wie bei einer konventionellen H4-Lampe verdreht, verkippt und verscho¬ ben werden. Damit können die bewährten Herstell- und Jus- tageverfahren der konventionellen Lampen übernommen werden. Ist die Sockelhülse 7 mit der tragenden Struktur 3 und den darauf angeordneten Multichip-Leuchtdioden 21, 23 gegenüber dem Referenzring einjustiert, wird die Verbindung zwischen Referenzring 1 und Sockelhülse 7 herge- stellt. Damit ist die Lampe dann optisch justiert.
Zweite Ausführungsform
[49] Die zweite Ausführungsform unterscheidet sich nur in der Anzahl der von der Scheinwerferlampe ausführbaren Funktionen von der ersten Ausführungsform. Es werden da- her lediglich die Unterschiede zur ersten Ausführungsform beschrieben .
[50] Eine Seitenansicht der Scheinwerferlampe 5 der zwei¬ ten Ausführungsform ist in Fig. 3 dargestellt. Einige De- tails sind wie in der ersten Ausführungsform nur in der schematischen Aufsicht in Fig. 4 zu erkennen.
[51] Der Unterschied zur ersten Ausführungsform liegt darin, dass die zweite Ausführungsform als Retrofit-Lampe einer herkömmlichen Scheinwerferlampe mit nur einer Glüh- wendel ausgebildet ist. In den Figuren 3 und 4 ist dies am Beispiel einer H7-Lampe gezeigt.
[52] Eine H7-Lampe ist mit einer frei strahlenden Glühwendel, die in beide Halbräume strahlt, ausgestattet. Da¬ her ist die erfindungsgemäße Scheinwerferlampe mit min- destens zwei Multichip-Leuchtdioden 21 ausgestattet, die jeweils in entgegen gesetzte Raumrichtungen strahlen. Die Multichip-Leuchtdioden 21 sind wie beim ersten Ausführungsbeispiel in zwei Ausnehmungen 33 der tragenden Struktur 3 befestigt. Die Ausnehmungen 33 können auch hier schräge Kanten besitzen. Die lichtabstrahlende Flä¬ che der Multichip-Leuchtdioden 21 entspricht wiederum der Länge und dem Durchmesser einer H7-Glühwendel . Der in der tragenden Struktur verbleibende Steg 35 zwischen den zwei Ausnehmungen 33 weist eine Dicke auf, die so beschaffen ist, dass der Abstand der lichtabstrahlenden Flächen der Multichip-Leuchtdioden im wesentlichen dem Durchmesser einer H7-Glühwendel entspricht. In der Sockelhülse 7 ist wiederum die Betriebselektronik 75 untergebracht. Da hier nur eine Lichtfunktion vorgesehen ist, sind lediglich 2 Kontaktfahnen 73 im Sockelstein 71 befestigt. Dritte Ausführungsform
[53] Die dritte Ausführungsform unterscheidet sich im Aufbau der tragenden Struktur 3 von den vorhergehenden Ausführungsformen. Im Folgenden werden die Unterschiede zu den vorhergehenden Ausführungsformen beschrieben.
[54] In der dritten Ausführungsform, die in Fig. 5 dargestellt ist, ist die tragende Struktur aus 2 Teilen aufge¬ baut. Der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 ist mit der Sockelhülse 7 verbunden. Der erste Teil 36 der tra- genden Struktur 3 ist mit Leiterbahnen versehen, die auf oder in dem Teil angeordnet sind (nicht gezeigt), und be¬ steht aus einem gut wärmeleitenden Material wie Kupfer, Aluminium, Stahl oder vernickeltem Stahl. Er kann aber auch aus einem gut wärmeleitenden ein- oder mehrschichti- gen Metall-Keramikverbund bestehen. Dies hat den Vorteil, dass benötigte Leiterstrukturen schon bei der Herstellung des Verbundkörpers in diesen eingebracht werden können. Der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 ist mit dem ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 elektrisch und thermisch verbunden. Die elektrische Verbindung bezieht sich auf die auf oder in dem ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 verlaufenden Leiterbahnen. Besteht der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 aus einem leitenden Material, so kann der Teil selbst natürlich auch ein Poten- tial führen. Die Leiterbahnen des ersten Teils und/oder der erste Teil selbst sind mit den Kontaktfahnen 73 ver¬ bunden. Der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 dient hauptsächlich als Schaltungsträger und birgt die Multi- chip-Leuchtdioden 21. Zusätzlich kann auf dem zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 auch die Betriebselekt¬ ronik 76 oder ein Teil der Betriebselektronik angeordnet sein, wobei die restliche Betriebselektronik dann in der Sockelhülse 7 Platz findet. Je nach der zu erfüllenden Lichtfunktion ist der zweite Teil 39 einseitig oder beid¬ seitig mit je mindestens einer Multichip-Leuchtdiode 21 bestückt. Alternativ kann der zweite Teil auch mit je mindestens einer Einchip-Leuchtdiode bestückt werden.
[55] Die Ausführungsform in Fig. 5 bezieht sich wieder auf eine H7-Scheinwerferlampe mit einer Lichtfunktion. Selbstverständlich kann diese Ausführungsform aber auch mit 2 Lichtfunktionen ausgebildet werden. Dafür ist entweder eine weitere funktionelle Einheit des zweiten Teils 39 der tragenden Struktur 3 vorzusehen, oder das eine Teil 39 der tragenden Struktur 3 ist entsprechend groß auszubilden, um beide Lichtfunktionen aufnehmen zu kön- nen.
[56] Da der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 als Schaltungsträger dient, gleichzeitig aber auch die ent¬ stehende Wärme der Leuchtdioden an den ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 abgeben soll, wird hier vorzugsweise eine Schaltungsträgertechnik verwendet, die gut Wärme leitet. Dies kann z.B. eine Platine aus einer LTCC- Keramik beziehungsweise einem Keramik-Metallverbund (z.B. DCB® der Fa. Curamik) sein. Dies hat den Vorteil, dass einige Teile wie Widerstände oder Kondensatoren der Be- triebselektronik 76 gleich in die Keramik mit eingebettet werden können, und die Betriebselektronik 76 somit effizient und platzsparend hergestellt werden kann. Es können aber auch andere Technologien wie eine Metallkernplatine mit einer dünnen Polyimid- oder Polyesterfolie als Lei- terbahnträger verwendet werden. Um die Wärme effizient vom zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 zum ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 leiten zu können, ist zwischen den Teilen eine gute thermische Verbindung mit einer großen Kontaktfläche 80 vorgesehen. Diese gewährleistet die erforderliche gute thermische Anbindung der Leuchtdioden an den als Kühlkörper dienenden ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3.
[57] Um die mechanische Stabilität zu erhöhen, kann der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 mechanische Stabi¬ lisierungen wie Sicken, Verstärkungen oder Verstrebungen aufweisen. Um die thermischen und optischen Eigenschaften zu verbessern weisen der erste Teil 36 und der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 vorzugsweise eine wärme¬ abstrahlende und antireflexive Beschichtung auf.
Vierte Ausführungsform
[58] Die vierte Ausführungsform unterscheidet sich von der dritten Ausführungsform hauptsächlich dadurch, dass die tragende Struktur 3 aus mehr als zwei Teilen besteht. Ansonsten gelten die vorher gemachten Ausführungen hier analog.
[59] Eine Lampe der vierten Ausführungsform mit einer Lichtfunktion (wie z.B. eine H7-Lampe) ist in Fig. 6 dargestellt. Eine Lampe der vierten Ausführungsform mit zwei Lichtfunktionen (wie z.B. eine H4-Lampe) ist in Fig. 7 dargestellt. In dieser Ausführungsform ist die tragende Struktur 3 in mehrere funktionelle Teile gegliedert, von denen einige aus einem leitenden Material wie Kupfer, A- luminium, Stahl oder einem anderen geeigneten Material bestehen . [60] Eine erste Variante mit einer Lichtfunktion ist in Fig. 6 dargestellt. Die tragende Struktur 3 besteht aus einem ersten Teil 36, einem zweiten Teil 39 und einem dritten Teil 37. Der erste und der dritte Teil sind beide aus einem elektrisch leitenden Material hergestellt. Die beiden Teile 36, 37 dienen damit nicht nur als Trägerstruktur und Kühlkörper, sondern gleichzeitig auch als Stromzuführung für den zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 und die darauf befindlichen Leuchtdioden. Dies hat den entscheidenden Vorteil, dass auf die Zuführungs¬ leiterbahnen verzichtet werden kann, und die elektrische Anbindung der Betriebselektronik und der Leuchtdioden sehr einfach und robust gestaltet werden kann. Auch in dieser Ausführungsform ist eine gute thermische Anbindung des zweiten Teils 39 der tragenden Struktur 3 an den ersten Teil 36 und den dritten Teil 37 der tragenden Struktur 3 notwendig. Hierzu ist eine Verbindung mit einer großen Kontaktfläche 80 vorgesehen.
[61] Um den voneinander getrennten ersten (36) und drit- ten (37) Teil der tragenden Struktur 3 mechanisch zu stabilisieren, sind zwischen den beiden Teilen Klebepunkte 82 vorgesehen. Die Klebepunkte bestehen aus einem geeigneten Klebstoff, der die Teile mechanisch fest zusammenfügt sowie elektrisch potentialgetrennt hält.
[62] Fig. 7 zeigt analog zur ersten Variante eine zweite Variante der vierten Ausführungsform. Diese bildet eine Lampe mit zwei Lichtfunktionen, ist aber ansonsten analog zur ersten Variante aufgebaut. Um zwei Lichtfunktionen darstellen zu können, ist der die Leuchtdioden beinhal- tende zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 in zwei funktionelle Einheiten 391 und 392 aufgeteilt. Die erste funktionelle Einheit 391 beinhaltet mindestens eine Leuchtdiode oder eine Multichip-Leuchtdiode 23, die auf einer Seite bestückt ist. Die zweite funktionelle Einheit 392 ist zweiseitig bestückt und beinhaltet auf jeder Sei- te mindestens eine Leuchtdiode oder eine Multichip- Leuchtdiode 23. Beide funktionellen Einheiten können jeweils eine Betriebselektronik 76 aufweisen.
[63] Um die zweite funktionelle Einheit 392 mit Strom zu versorgen, ist ein vierter Teil 38 der tragenden Struktur 3 vorgesehen, der mittig zwischen dem ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 und dem dritten Teil 37 der tragenden Struktur 3 angeordnet ist. Um die tragende Struktur mechanisch zu stabilisieren sind auch hier zwischen dem ersten Teil 36, dem dritten Teil 37 und dem vierten Teil 38 der tragenden Struktur 3 Klebepunkte 82 angeordnet. Diese stabilisieren die Struktur, isolieren aber die Teile elektrisch voneinander.
[64] Um eine weitere mechanische Stabilisierung zu errei¬ chen, kann vorgesehen sein dass der erste und dritte Teil 36, 37 der tragenden Struktur 3 mit Sicken, Materialverdickungen oder ähnlichem versehen ist. Fig. 9a zeigt einen Schnitt durch eine mit Sicken versehene vierte Aus¬ führungsform. Der erste und dritte Teil 36, 37 der tra¬ genden Struktur 3 ist jeweils mit einer Sicke versehen. Diese Maßnahme erhöht die Schwingungsstabilität in senk¬ rechter und waagrechter Richtung der Lampe beträchtlich, und vergrößert auch die kühlende Oberfläche sowie Masse.
[65] Ein ähnliches Ergebnis kann durch gezielte Material¬ verstärkungen erreicht werden, wie in Fig. 9b angegeben ist. Mit dieser Maßnahme wird eine Erhöhung der Schwin- gungsstabilität sowie der kühlenden Masse, Querschnitt und Oberfläche erreicht. Es können auch verschiedene an¬ dere Varianten zu Oberflächenerhöhung und Stabilisierung wie z.B. Verrippung und verschiedene Profilierungen ver- wendet werden.
[66] In beiden Figuren 9a und 9b ist auf den Multichip- Leuchtdioden 21 eine Optik 22 dargestellt. Diese dient dazu, die Abstrahlcharakteristik der planar ausgebildeten Leuchtflächen der Multichip-Leuchtdioden 21 an die Ab- Strahlcharakteristik der herkömmlichen Scheinwerferlampe mit Glühwendeln anzugleichen.
[67] Um die Kühlfläche weiter zu steigern, können die ersten und dritten Teile 36, 37 der tragenden Struktur 3 auch über die , Begrenzung' der Sockelhülse 7 hinausgehen, wie das in einer dritten Variante der vierten Ausführungsform in Fig. 8 gezeigt ist. Hier weisen die ersten und dritten Teile 36, 37 der tragenden Struktur 3 jeweils noch zusätzliche kühlende Strukturen 34 auf. Diese Struk¬ turen können zur Oberflächenvergrößerung und Versteifung verript, gesickt oder in einer anderen geeigneten Weise ausgebildet sein. Der übrige Aufbau ist analog zur ersten beziehungsweise zweiten Variante.
[68] In Figur 9 ist eine fünfte Ausführungsform als Retrofitlampe einer Dl oder D3 Gasentladungslampe in ei- ner Seitenansicht dargestellt. Einige der im Folgenden beschriebenen Details sind nur in der schematischen Aufsicht in Fig. 10 zu erkennen. Die Lampe 5 ist auf einem konventionellen D-Lampensockel 10 aufgebaut, der einen Referenzring 1 aufweist, der an einer Sockelhülse 7 ange- bracht ist. Der Referenzring 1 besteht aus einem Ring, der an 3 Seiten Referenznoppen 13 aufweist, die eine Referenzebene 11 beschreiben. Die Sockelhülse 7 ist an den Referenzring 1 und ein quadratisches Sockelgehäuse 15 an¬ gegossen. Aus dem Sockelgehäuse 15 ragt eine Anschluss- buchse 71 hervor, die aus einem isolierenden Material wie z.B. Kunststoff oder Keramik besteht. In die Anschluss¬ buchse 71 sind drei Kontakte 73 (nicht gezeigt) eingebet¬ tet. In dem Sockelgehäuse 15 ist eine Betriebselektronik 75 untergebracht. In die Sockelhülse 7 ist ein Innenso- ekel 17 eingebracht, an dessen Oberseite eine tragende Struktur 3 angebracht ist, auf deren Oberfläche Halblei¬ terlichtquellen angeordnet sind. Die tragende Struktur 3 dient gleichzeitig als Kühlkörper für die Halbleiterlichtquellen, und besteht daher aus einem gut wärmelei- tenden Material wie z.B. Aluminium, Kupfer, einer eisenhaltigen Legierung oder einem wärmeleitenden Metall- Keramik-Verbund, z.B. einer LTCC-Keramik . Die Halbleiterlichtquellen sind vorzugsweise als Leuchtdioden ausge¬ führt. Es ist auch denkbar, dass die Halbleiterlichtquel- len als organische Leuchtdioden ausgeführt sind. Die Leuchtdioden sind vorzugsweise als Multichip-Leuchtdioden 21 ausgebildet, die mehrere Leuchtdiode-Chips 25 z.B. in einer Reihe aufweisen. So eine Struktur ist mitunter auch als Leuchtdiodenarray bekannt. Die Betriebselektronik 75 ist über an oder in der tragenden Struktur 3 angeordnete Leiterbahnen (nicht dargestellt) mit den Multichip- Leuchtdioden 21 verbunden. Zur Spannungsversorgung ist die Betriebselektronik 75 mit den Kontakten 73 verbunden (nicht dargestellt) .
[69] Um vergleichbare optische Eigenschaften wie eine herkömmliche D-Lampe aufzuweisen, ist die Geometrie der leuchtenden Fläche der Multichip-Leuchtdioden 21 analog zur geometrischen Flächenprojektion des entsprechenden Entladungsbogens ausgebildet. Dass heißt, dass die Länge der lichtabstrahlenden Fläche der Multichip-Leuchtdioden 21 gleich der Länge des entsprechenden Lichtbogens ist und die Breite der lichtabstrahlenden Fläche der Multi¬ chip-Leuchtdioden 21 gleich dem mittleren Durchmesser des entsprechenden Entladungsbogens ist.
[70] Da der Entladungsbogen einer D-Lampe in beide HaIb- räume strahlt, weist die tragende Struktur 3 zwei gegenü¬ berliegende Ausnehmungen 33 auf (In Fig. 9 ist nur eine sichtbar) . Die gegenüberliegenden Ausnehmungen 33 sind deckungs- und profilgleich ausgeführt. In jeder der bei¬ den Ausnehmungen 33 ist eine Multichip-Leuchtdiode 21 an- gebracht, deren lichtabstrahlende Flächen somit in entge¬ gengesetzte Richtungen strahlen. Somit strahlt jede Mul¬ tichip-Leuchtdiode 21 in einen Halbraum. Anstatt einer Multichip-Leuchtdiode 21 können aber auch mehrere Leucht¬ dioden mit einem Chip oder mehrere Multichip-Leuchtdioden 21 mit weniger Chips pro Leuchtdiode verwendet werden. Die Tiefe der Ausnehmungen 33 ist so ausgelegt, dass der in der tragenden Struktur verbleibende Steg 35 eine Dicke aufweist, die so bemessen ist, dass der Abstand der lichtabstrahlenden Flächen der Multichip-Leuchtdioden 21 im Wesentlichen dem mittleren Durchmesser des Entladungsbogens entspricht.
[71] Die tragende Struktur 3 ist mittels geeigneter Verfahren, z.B. Schweißen, Löten, Klemmen oder Kleben mit dem Sockel 10 verbunden. Um Gewicht und Material zu spa- ren, kann sich die tragende Struktur 3 vorzugsweise zur Spitze der Lampe hin verjüngen. [72] Zum Schutz vor Umwelteinflüssen können die Multi- chip-Leuchtdioden 21 mit einer Schutzschicht versehen sein. Um den Anwendern der Retrofit-Lampe das Gefühl einer Entladungslampe zu vermitteln, kann die gesamte tra- gende Struktur 3 auch in einen lichtdurchlässigen Schutzkolben 6 aus Glas oder Kunststoff eingebracht sein, der zudem die gesamte Struktur vor Umwelteinflüssen schützt. Zur besseren Kühlung der Leuchtdioden ist der Kolben 6 dann vorzugsweise mit einem Füllgas wie Stickstoff verse- hen. Das Füllgas steht vorzugsweise unter einem Druck von mehr als 5*104 Pa. Steht das Füllgas unter einem höheren Druck als dem atmosphärischen, so ist der Kolben 6 vorzugsweise bruchsicher ausgeführt.
[73] Zur optischen Justage während der Fertigung kann der Innensockel 17 gegenüber dem Sockel 10 wie bei einer kon¬ ventionellen D-Lampe verdreht, verkippt und verschoben werden. Damit können die bewährten Herstell- und Justage- verfahren der D-Lampen übernommen werden. Ist der Innensockel 17 mit der tragenden Struktur 3 und den darauf an- geordneten Multichip-Leuchtdioden 21 gegenüber dem Sockel 10 einjustiert, wird die Verbindung zwischen Sockel 10 und Innensockel 17 hergestellt. Damit ist die Lampe dann optisch justiert.
Sechste Ausführungsform
[74] Die sechste Ausführungsform unterscheidet sich im Aufbau der tragenden Struktur 3 von der fünften Ausführungsform. Im folgenden werden lediglich die Unterschiede zu dieser beschrieben.
[75] In der sechsten Ausführungsform, die in Fig. 11 dar- gestellt ist, ist die tragende Struktur aus 2 Teilen auf- gebaut. Der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 ist mit der Sockelhülse 7 verbunden. Der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 ist mit Leiterbahnen versehen, die auf oder in dem Teil angeordnet sind (nicht gezeigt), und besteht aus einem gut wärmeleitenden Material wie Kupfer, Aluminium, Stahl oder vernickeltem Stahl. Er kann aber auch aus einem gut wärmeleitenden ein- oder mehrschichtigen Metall-Keramikverbund bestehen. Dies hat den Vorteil, dass benötigte Leiterstrukturen schon bei der Herstellung des Verbundkörpers in diesen eingebracht werden können. Der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 ist mit dem ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 elektrisch und thermisch verbunden. Die elektrische Verbindung bezieht sich auf die auf oder in dem ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 verlaufenden Leiterbahnen. Besteht der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 aus einem leitenden Material, so kann der Teil selbst natürlich auch ein Potential führen. Die Leiterbahnen des ersten Teils und/oder der erste Teil selbst sind mit der Betriebselektronik 75 verbunden. Der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 dient hauptsächlich als Schaltungsträger und birgt die Multichip-Leuchtdioden 21. Zusätzlich kann auf dem zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 auch die Betriebselektronik 76 oder ein Teil der Betriebselektronik ange- ordnet sein, wobei die restliche Betriebselektronik dann im Sockelgehäuse 15 Platz findet. Der zweite Teil 39 ist beidseitig mit je mindestens einer Multichip-Leuchtdiode 21 bestückt. Alternativ kann der zweite Teil auch mit je mindestens einer Einchip-Leuchtdiode bestückt werden.
[76] Da der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 als Schaltungsträger dient, gleichzeitig aber auch die ent- stehende Wärme der Leuchtdioden an den ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 abgeben soll, wird hier vorzugsweise eine Schaltungsträgertechnik verwendet, die gut Wärme leitet. Dies kann z.B. eine Platine aus einer LTCC- Keramik beziehungsweise einem Keramik-Metallverbund (z.B. DCB® der Fa. Curamik) sein. Dies hat den Vorteil, dass einige Teile wie Widerstände oder Kondensatoren der Be¬ triebselektronik 76 gleich in die Keramik mit eingebettet werden können, und die Betriebselektronik 76 somit effi- zient und platzsparend hergestellt werden kann. Es können aber auch andere Technologien wie eine Metallkernplatine mit einer dünnen Polyimid- oder Polyesterfolie als Lei¬ terbahnträger verwendet werden. Um die Wärme effizient vom zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 zum ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3 leiten zu können, ist zwischen den Teilen eine gute thermische Verbindung mit einer großen Kontaktfläche 80 vorgesehen. Diese gewährleistet die erforderliche gute thermische Anbindung der Leuchtdioden an den als Kühlkörper dienenden ersten Teil 36 der tragenden Struktur 3.
[77] Um die mechanische Stabilität zu erhöhen, kann der erste Teil 36 der tragenden Struktur 3 mechanische Stabi¬ lisierungen wie Sicken, Verstärkungen oder Verstrebungen aufweisen. Um die thermischen und optischen Eigenschaften zu verbessern weisen der erste Teil 36 und der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 vorzugsweise eine wärme¬ abstrahlende und antireflexive Beschichtung auf.
Siebte Ausführungsform
[78] Die siebte Ausführungsform unterscheidet sich von der sechsten Ausführungsform hauptsächlich dadurch, dass die tragende Struktur 3 aus mehr als zwei Teilen besteht. Ansonsten gelten die vorher gemachten Ausführungen hier analog.
[79] Eine Lampe der siebten Ausführungsform ist in Fig. 12 dargestellt. In dieser Ausführungsform ist die tragende Struktur 3 in mehrere funktionelle Teile gegliedert, von denen einige aus einem thermisch und elektrisch leitenden Material wie Kupfer, Aluminium, Stahl oder einem anderen geeigneten Material bestehen. Die tragende Struk- tur 3 besteht aus einem ersten Teil 36, einem zweiten Teil 39 und einem dritten Teil 37. Der erste und der dritte Teil sind beide aus einem elektrisch leitenden Ma¬ terial hergestellt. Die beiden Teile 36, 37 dienen damit nicht nur als Trägerstruktur und Kühlkörper, sondern gleichzeitig auch als Stromzuführung für den zweiten Teil 39 der tragenden Struktur 3 und die darauf befindlichen Leuchtdioden. Dies hat den entscheidenden Vorteil, dass auf die Zuführungsleiterbahnen verzichtet werden kann, und die elektrische Anbindung der Betriebselektronik und der Leuchtdioden sehr einfach und robust gestaltet werden kann. Auch in dieser Ausführungsform ist eine gute thermische Anbindung des zweiten Teils 39 der tragenden Struktur 3 an den ersten Teil 36 und den dritten Teil 37 der tragenden Struktur 3 notwendig. Hierzu ist eine Ver- bindung mit einer großen Kontaktfläche 80 vorgesehen.
[80] Um den voneinander getrennten ersten (36) und dritten (37) Teil der tragenden Struktur 3 mechanisch zu stabilisieren, sind zwischen den beiden Teilen Klebepunkte 82 vorgesehen. Die Klebepunkte bestehen aus einem geeig- neten Klebstoff, der die Teile mechanisch fest zusammenfügt sowie elektrisch potentialgetrennt hält. [81] Um eine weitere mechanische Stabilisierung zu errei¬ chen, kann vorgesehen sein dass der erste und dritte Teil 36, 37 der tragenden Struktur 3 mit Sicken, Materialverdickungen oder ähnlichem versehen ist. Fig. 15a zeigt ei- nen Schnitt durch eine mit Sicken versehene achte Ausfüh¬ rungsform. Der erste und dritte Teil 36, 37 der tragenden Struktur 3 ist jeweils mit einer Sicke versehen. Diese Maßnahme erhöht die Schwingungsstabilität in senkrechter und waagrechter Richtung der Lampe beträchtlich, und ver- größert auch die kühlende Oberfläche sowie Masse.
[82] Ein ähnliches Ergebnis kann durch gezielte Material¬ verstärkungen erreicht werden, wie in Fig. 15b angegeben ist. Mit dieser Maßnahme wird eine Erhöhung der Schwingungsstabilität sowie der kühlenden Masse, Querschnitt und Oberfläche erreicht. Es können auch verschiedene an¬ dere Varianten zu Oberflächenerhöhung und Stabilisierung wie z.B. Verrippung und verschiedene Profilierungen verwendet werden.
[83] In beiden Figuren 15a und 15b ist auf den Multichip- Leuchtdioden 21 eine Optik 22 dargestellt. Diese dient dazu, die Abstrahlcharakteristik der planar ausgebildeten Leuchtflächen der Multichip-Leuchtdioden 21 an die Abstrahlcharakteristik der herkömmlichen Gasentladungslampe anzugleichen .
[84] Um die Kühlfläche weiter zu steigern, können die ersten und dritten Teile 36, 37 der tragenden Struktur 3 auch über die , Begrenzung' der Sockelhülse 7 hinausgehen, wie das in einer dritten Variante der achten Ausführungs¬ form in Fig. 13 gezeigt ist. Hier weisen die ersten und dritten Teile 36, 37 der tragenden Struktur 3 jeweils noch zusätzliche kühlende Strukturen 34 auf. Diese Struk¬ turen können zur Oberflächenvergrößerung und Versteifung verript, gesickt oder in einer anderen geeigneten Weise ausgebildet sein. Der übrige Aufbau ist analog zur ersten beziehungsweise zweiten Variante.
[85] Fig. 16 zeigt verschiedene Aufbauvarianten des zwei¬ ten Teils 39 der tragenden Struktur 3. In der ersten Variante, gezeigt in Fig. 16a, besteht der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 aus einem Stück und ist beidsei- tig bestückt. Gut zu sehen ist hier die versetzte Anord¬ nung der Multichip-Leuchtdioden 21 auf der Ober- und Unterseite, die die Enden der Glühwendel beziehungsweise des Entladungsbogens besser nachbildet. Als Material kann z.B. eine Metallkernplatine, eine klassische Platine aus GFK-Kunststoff oder eine keramische Struktur in LTCC- Bauweise verwendet werden. Wichtig ist eine gute Wärme¬ leitfähigkeit des Materials, um die entstehende Wärme der Multichip-Leuchtdioden gut zu den anderen Teilstrukturen der tragenden Struktur 3 weiterleiten zu können.
[86] Um den Bestückungsprozess zu vereinfachen, kann der zweite Teil 39 der tragenden Struktur 3 auch aus zwei zusammengefügten Seiten 393 und 394, wie in Fig. 16b gezeigt, bestehen. Dies hat den Vorteil, dass die erste Seite 393 und die zweite Seite 394 nur einseitig bestückt werden müssen, und erst nach dem Bestücken und Testen durch geeignete Verfahren zusammengefügt werden.
[87] Um Gasentladungslampen durch Retrofitlampen mit dickeren Halbleiterlichtquellen ersetzen zu können kann eine Anordnung wie in Fig. 16c verwendet werden. Diese be- steht ebenfalls aus zwei Seiten die nach dem Bestücken zusammengefügt werden. Die lichtabstrahlenden Flächen der Multichip-Leuchtdioden zeigen allerdings nicht zur Außenfläche der zwei zusammengefügten Seiten 393 und 394, sondern zur Innenfläche, wobei sie durch entsprechende Durchbrüche der anderen Seite geführt sind und aufgrund der Durchbrüche auf die andere Seite leuchten können. Dies bietet den Vorteil, dass der Abstand der lichtab¬ strahlenden Flächen beider Seiten nur etwa zwei mal der Dicke der Multichip-Leuchtdioden 21 entspricht.
[88] Fig. 14 zeigt einen schematischen Schnitt einer neunten Ausführungsform mit zwei thermisch voneinander getrennten Kühlkörpern 341, 342 im Sockel, von denen einer der Betriebselektronik 75 und ein anderer den Multichip-Leuchtdioden 21 zugeteilt ist. Dieser Ausführungs- form liegt die Erkenntnis zugrunde, dass die Betriebs¬ elektronik 75 und die Multichip-Leuchtdioden 21 unterschiedliche Temperaturniveaus verursachen und sich bei einem einzigen gemeinsamen Kühlkörper in ungünstiger Weise gegenseitig beeinflussen. Aus diesem Grund hat in der fünften Ausführungsform die Betriebselektronik 75 einen eigenen ersten Kühlkörper 341, der als ein Teil des Sockelgehäuses ausgebildet ist. Der andere Teil des Sockel¬ gehäuses ist ebenfalls als zweiter Kühlkörper 342 ausge¬ bildet, und ist thermisch mit der tragenden Struktur 3 verbunden. Die zwei als Kühlkörper ausgebildete Sockel¬ hälften 341, 342 sind thermisch mittels einer Isolierschicht (343) voneinander isoliert. Somit können die Be¬ triebselektronik 75 und die Multichip-Leuchtdioden 21 jede mit ihrem Temperaturniveau betrieben werden ohne dass sie sich gegenseitig thermisch beeinflussen. Betriebselektronik
[89] Fig. 17 zeigt ein schematisches Blockschaltbild ei¬ ner erfindungsgemäßen Betriebselektronik 100, die für eine der Ausführungsformen fünf bis neun notwendig ist. Die Elektronik bezieht ihre Energie über die Kontakte 73 in der Anschlussbuchse 71. Die Anschlussbuchse 71 ist gemäß dem Sockel einer D2 oder D4 Gasentladungslampe ausge¬ führt. Um die Elektronik vor Hochspannungspulsen des originalen Betriebsgerätes der Gasentladungslampe zu schüt- zen, ist ein dissipativer Überspannungsschutz 101 vorgesehen. Nach dem Überspannungsschutz folgt ein EMV-Filter 102, um die geltenden Automobilnormen einhalten zu können. Da die ursprünglich vorgesehene Gasentladungslampe mit Wechselstrom betrieben wird, ist ein Vollwellen- gleichrichter 103 vorgesehen. Auf den Vollwellengleich- richter folgt ein Spannungszwischenkreis 104 mit einer dissipativen unidirektionalen Spannungsbegrenzungsein- richtung. Die Spannungsbegrenzung kann beispielsweise durch eine Zenerdiode, einen Varistor oder einen Transis- tor Tl parallel zu einem Zwischenkreiskondensator Czκ erfolgen. Der Transistor Tl kann im Linearbetrieb oder im Schaltbetrieb arbeiten. Vorzugsweise ist zum Transistor Tl ein Widerstand R2 in Reihe geschaltet. Die Spannung des Zwischenkreises wird auf die Lampen-Nennspannung be- grenzt. Die Regelung erfolgt so, dass sich eine konstante Zwischenkreisspannung einstellt. Für die Ausführung des Spannungszwischenkreises 104 gibt es zwei Optionen, die später beschrieben werden.
[90] Nach dem Spannungszwischenkreis 104 folgt ein tief- setzender Gleichspannungswandler 105. Der Gleichspannungswandler 105 ist insbesondere ein Drossel- Abwärtswandler, der als Stromquelle arbeitet. Der Gleichspannungswandler 105 weist eine Regelung auf, die den Leuchtdiodenstrom konstant hält. Bei hoher Temperatur der Leuchtdioden wird der Leuchtdiodenstrom reduziert (sog. Derating-Schaltung) . Bei guter thermischer Anbindung kann auch der für den Übertemperaturschutz verwendete Temperaturfühler in der Vorschaltelektronik verwendet werden bzw. umgekehrt der für das Derating verwendete Fühler zum Schutz der Elektronik herangezogen werden.
[91] Fig. 18 zeigt eine erste Ausführungsform des Span¬ nungszwischenkreises 104. Der Spannungszwischenkreis 104 weist den oben schon erwähnten Transistor Tl auf, der die Zwischenkreisspannung auf einen konstanten Wert hält. Dazu wird er von einer umschaltbaren Anordnung mit zwei Ze- nerdioden Dl und D2 angesteuert. Der Umschalter S schaltet zwischen den beiden Dioden um, so dass die Zwischenkreisspannung wahlweise auf die Brennspannung einer quecksilberfreien und einer quecksilberhaltigen Gasentladungslampe geschaltet werden kann. Mit dieser Maßnahme simuliert die Schaltung einen dieser beiden Lampentypen. Der Umschalter kann als kleiner DIP- oder Druckschalter an der Unterseite des Lampensockels ausgeführt sein.
[92] Die Schaltungsanordnung nach Fig. 19 simuliert nicht nur die Brennspannung der Gasentladungslampe im Nominal- betrieb, sondern auch den Brennspannungsverlauf einer kalten Gasentladungslampe während des Hochlaufs. Zu die¬ sem Zweck wird ein Kondensator Cl durch eine aus dem Widerstand R6 und der Diode D3 gebildeten Spannungsquelle langsam aufgeladen. Aufgrund der Spannungsänderung wäh- rend des Aufladens fließt ein Strom über ein Widerstands¬ netzwerk aus R4 und R5 in den Transistor T34, der darauf- hin durchschaltet und den Transistor T2 über einen Widerstand R3 ebenfalls einschaltet. Dies bewirkt, dass die Zenerdiode Dil wirkungslos ist. Die Spannung, die am Drain des MOS-FETs Tl anliegt (Drain-Source-Spannung) ist daher in etwa die Zenerspannung der Diode D12, sofern man die Schwellenspannung (Threshold-Spannung) des MOS-FETs vernachlässigt. Somit wird die Zwischenkreisspannung zu diesem Zeitpunkt auf die Zenerspannung der Diode D12 geregelt. Diese Spannung soll die Lampenspannung einer kal- ten Gasentladungslampe kurz nach dem Durchbruch simulie¬ ren. Je mehr sich der Kondensator Cl auflädt, umso geringer wird der in seinen Basisanschluss hinein fließende Strom, was zur Folge hat, dass der Transistor T2 immer mehr sperrt. Dadurch steigt die Spannung am Drain des MOS-FETs Tl, was die Zwischenkreisspannung entsprechend ansteigen lässt. Ist der Kondensator Cl vollständig auf¬ geladen, so fließt kein Strom mehr, und die Transistoren T34, sowie T2 sind ausgeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt liegt eine Spannung am Drain des MOS-FETs Tl an, die etwa der addierten Spannung beider Zenerdioden Dil und D12 entspricht. Die Zwischenkreisspannung beginnt also bei einer Spannung, die etwa der Zenerspannung der Diode D12 entspricht, steigt dann langsam über einen vorbestimmten Zeitraum an und endet bei dem Spannungswert, der etwa der addierten Spannung beider Zenerdioden Dil und D12 entspricht. Diese Spannung ist so einzustellen, dass sie der nominalen Brennspannung der zu simulierenden Gasentladungslampe entspricht.
[93] Die Schaltungsanordnung nach Fig. 20 ist eine Vari- ante der Schaltungsanordnung nach Fig. 19. Es werden daher nur die Unterschiede zur Schaltungsanordnung nach Fig. 19 beschrieben. Die Schaltungsanordnung nach Fig. 20 bietet beide Vorteile der Schaltungsanordnungen nach Fig. 18 und 19. Die Schaltungsanordnung ist umschaltbar, um eine quecksilberfreie und eine quecksilberhaltige Entla- dungslampe simulieren zu können. Und die Schaltung simuliert nach der oben beschriebenen Weise den Hochlauf einer kalten Gasentladungslampe. Hierzu wird die Schal¬ tungsanordnung nach Fig. 19 mit einem Umschalter S nach Fig. 18 ausgestattet, und es werden vier Zenerdioden in Reihe zwischen der Zwischenkreisspannung und dem Gate des Transistors Tl vorgesehen. Der Umschalter schließt eine von vier Zenerdioden kurz, um die entsprechenden Spannungswerte zu generieren. Dabei wird gleichzeitig dem verschiedenen Kaltstartverhalten von quecksilberhaltiger und quecksilberfreier Gasentladungslampe Rechnung getra¬ gen. Die quecksilberhaltige Gasentladungslampe (, Di- Lampe' ) hat eine minimale Kaltstartspannung von etwa 20V, die dann auf eine Brennspannung von 85V hochläuft. Die quecksilberfreie Gasentladungslampe ( , D3-Lampe' ) hat eine minimale Kaltstartspannung von 25V, die dann auf 45V hochläuft. Um dem Rechnung zu tragen hat die unterste Di¬ ode D12 einen Zenerspannungswert von 20V, die darüberlie- gende Diode D13 einen Wert von 5V, die folgende Diode Dil einen Wert von 45V und die oberste Diode D14 einen Wert von 20V. Die Schwellenspannung des Transistors Tl wurde bei dieser Betrachtung vernachlässigt.
[94] Um die quecksilberhaltige Gasentladungslampe zu si¬ mulieren wird der Umschalter S so eingestellt, dass er die Diode D13 überbrückt. Damit liegt die Kaltstartspan- nung bei 20V, und der Transistor überbrückt die beiden Dioden Dil und D14, die zusammen 65V ergeben. Die nomina- Ie Brennspannung im eingeschwungenen Zustand stellt sich somit zu 85V ein.
[95] Um die quecksilberfreie Gasentladungslampe zu simu¬ lieren, wird der Umschalter S so eingestellt, dass er die Diode Dil überbrückt. Damit liegt die Kaltstartspannung bei der Summe der beiden Zenerspannungen der Dioden D12 und D13, in diesem Fall 25V, und der Transistor brückt die Diode D14, die bei 20V zenert. Die Diode Dil ist durch den Schalter S gebrückt, und somit nicht wirksam. Die nominale Brennspannung im eingeschwungenen Zustand stellt sich somit zu 45V ein.
Bezugszeichenliste
1 Referenzring
10 Sockel
100 Betriebselektronik 101 dissipativer Überspannungsschutz
102 EMV-Filter
103 Vollwellengleichrichter
104 Spannungszwischenkreis
105 tiefsetzender Gleichspannungswandler 11 Referenzebene
13 Referenzlaschen/noppen
15 Referenzlasche/Sockelgehäuse
17 Innensockel
21 Multichip-Leuchtdiode (beidseitig angeordnet) 22 Optik für Multichip-Leuchtdiode
23 Multichip-Leuchtdiode (nur einseitig angeord¬ net)
25 Leuchtdiodenchips
3 tragende Struktur 31 Ausnehmung (einseitig)
33 Ausnehmung (beidseitig)
34 kühlende Struktur
341 erster als Sockelgehäuse ausgebildeter Kühlkörper 342 zweiter als Sockelgehäuse ausgebildeter Kühlkörper
343 thermische Isolierschicht
35 Steg
36 erster Teil der tragenden Struktur 3 37 dritter Teil der tragenden Struktur 3
39 zweiter Teil der tragenden Struktur 3
391 erste funktionelle Einheit des zweiten Teils 39 der tragenden Struktur 3
392 zweite funktionelle Einheit des zweiten Teils 39 der tragenden Struktur 3
393 erste Seite des zweiten Teils 39 der tragen¬ den Struktur 3
394 zweite Seite des zweiten Teils 39 der tragen¬ den Struktur 3 5 Scheinwerferlampe
6 Schutzkolben
7 Sockelhülse
71 Sockelstein/Anschlussbuchse
73 Kontaktfahnen/Kontakte 75 Betriebselektronik im Sockel
76 Betriebselektronik auf tragender Struktur
80 thermische & elektrische Kontaktfläche
82 Klebepunkt

Claims

Ansprüche
1. Scheinwerferlampe (5) mit einem Sockel (10) und einer durch internationale Normung bezüglich Abstand und Lage zu einer Referenzebene (11) des Sockels vorgege¬ benen Lichtabgäbe, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtabgabe durch eine oder mehrere Halbleiterlicht¬ quellen (21) erfolgt.
2. Scheinwerferlampe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Betriebselektronik (75) oder ein Teil der Betriebselektronik zum Betreiben der einen oder mehreren Halbleiterlichtquellen (21) in dem Sockel (10) der Scheinwerferlampe angeordnet ist.
3. Scheinwerferlampe nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die einen oder mehreren Halbleiterlichtquellen (21) auf einer tragenden Struktur (3) mit einer ersten und einer zu dieser parallelen zweiten flächigen Seite angeordnet sind.
4. Scheinwerferlampe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils mindestens eine Halbleiter¬ lichtquelle (21) auf der ersten flächigen Seite und mindestens eine Halbleiterlichtquelle (21) auf der zweiten flächigen Seite deckungsgleich übereinander liegen, und die tragende Struktur (3) im Bereich der deckungsgleich übereinanderliegenden Halbleiterlichtquellen zwischen der ersten und der zweiten flächigen Seite einen Steg (35) mit einer Dicke aufweist, die so bemessen ist, dass die Halbleiterlichtquellen (21) mit ihren lichtabstrahlenden Flächen zueinander einen Ab- stand aufweisen, der einem in der Normung festgelegten durchschnittlichen Durchmesser des dort beschriebenen Entladungsbogens beziehungsweise der dort beschriebe¬ nen Glühwendel entspricht.
5. Scheinwerferlampe nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass auf beiden flächigen Seiten der tragenden Struktur (3) jeweils eine oder mehrere Halb¬ leiterlichtquellen (21) angeordnet sind, wobei je¬ weils mindestens eine Halbleiterlichtquelle (21) auf der ersten flächigen Seite und mindestens eine Halb¬ leiterlichtquelle (21) auf der zweiten flächigen Sei¬ te im Wechsel oder zumindest teilweise überdeckend gegenüber positioniert sind.
6. Scheinwerferlampe nach einem der vorhergehenden An- sprüche 2-5, dadurch gekennzeichnet, dass die tragende Struktur (3) gleichzeitig als Kühlkörper ausgebildet ist und aus einem gut Wärme leitenden Material be¬ steht, wobei die tragende Struktur (3) aus mindestens einem ersten und einem zweiten Teil besteht, der erste Teil (36) der tragenden Struktur (3) gleichzeitig als Kühlkörper ausgebildet ist, der zweite Teil (39) der tragenden Struktur (3) als Träger für die Halbleiterlichtquellen ausgebildet ist, und aus einem gut Wärme leitenden Material besteht.
7. Scheinwerferlampe nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die tragende Struktur (3) aus mehr als zwei Teilen besteht, wobei einige der Teile (36, 37, 38) aus einem elektrisch leitenden Material bestehen und gleichzeitig als Stromzuführungen ausgebildet sind, wobei der zweite Teil (39) der tragenden Struk¬ tur (3) die Betriebselektronik (76) teilweise oder vollständig aufweisen kann.
8. Scheinwerferlampe nach einem der Ansprüche 2-7, da- durch gekennzeichnet, dass sich die tragende Struktur (3) zur Spitze der Lampe hin verjüngt und/oder eine seitwärts ausladende kühlende Struktur (34) aufweist, und/oder die tragende Struktur (3) eine wärmeabstrahlende und/oder antireflexive Beschichtung aufweist.
9. Scheinwerferlampe nach einem der Ansprüche 2-8, dadurch gekennzeichnet, dass die Betriebselektronik (75) thermisch mit einem ersten Kühlkörper (341) verbunden ist, der als erster Teil des Sockelgehäuses ausgebil¬ det ist, und die tragende Struktur (3) thermisch mit einem zweiten Kühlkörper (342) verbunden ist, der als zweiter Teil des Sockelgehäuses ausgebildet ist, wobei der erste Kühlkörper (341) und der zweite Kühlkörper (342) thermisch voneinander isoliert sind.
10. Scheinwerferlampe nach einem der vorhergehenden An- sprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter¬ lichtquellen eine Optik aufweisen, die eine Lichtabstrahlcharakteristik der Halbleiterlichtquellen (21) so verändert, dass sie einer in der Normung geforderten Abstrahlcharakteristik entspricht.
11. Scheinwerferlampe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter¬ lichtquellen Leuchtdioden oder Multichip-Leuchtdioden oder organische Leuchtdioden sind.
12. Scheinwerferlampe nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiter¬ lichtquellen mit einer Schutzschicht überzogen sind.
13. Scheinwerferlampe nach einem der Ansprüche 2-12, da— durch gekennzeichnet, dass die tragende Struktur (3) mit den Halbleiterlichtquellen (21) von einem Schutzkolben (6) umgeben ist, wobei das Material des Schutz¬ kolbens ein lichtdurchlässiger Kunststoff oder ein Glas ist, und der Schutzkolben mit einem Gas gefüllt ist.
14. Verwendung einer Scheinwerferlampe (5) nach einem der vorhergehenden Ansprüche als Ersatz für eine als Glühlampe oder als Gasentladungslampe ausgebildete Scheinwerferlampe in einem zur Aufnahme der Glühlampe beziehungsweise Gasentladungslampe vorgesehenen Scheinwerfer .
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011098358A1 (de) * 2010-02-15 2011-08-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lampe mit gasfüllung
DE102011005823A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Osram Ag Beleuchtungseinrichtung und Fahrzeugscheinwerfer mit Beleuchtungseinrichtung
US8829551B2 (en) 2010-07-01 2014-09-09 Koninklijke Philips N.V. TL retrofit LED module inside sealed glass tube
EP2354645B1 (de) * 2010-02-04 2016-06-15 Valeo Vision Optische Vorrichtung, insbesondere für Kraftfahrzeug
WO2017017549A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Hella Saturnus Slovenija Proizvodnja Svetlobne Opreme Za Motorna In Druga Vozila, D.O.O. Multifunctional lamp for motor vehicle
EP2479488B1 (de) * 2011-01-24 2017-09-06 Valeo Vision Vorrichtung zur Beleuchtung und/oder Signalisierung, die mit einem Energieumwandlungselement ausgestattet ist
WO2017220394A1 (en) * 2016-06-22 2017-12-28 Lumileds Holding B.V. A vehicle headlight assembly and a corresponding lamp
EP3594556A1 (de) * 2018-07-13 2020-01-15 HELLA GmbH & Co. KGaA Led-leuchte für ein fahrzeug und fahrzeug mit einer led-leuchte
WO2021121943A1 (de) * 2019-12-18 2021-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halogenlampenersatz
WO2022236177A1 (en) * 2021-05-07 2022-11-10 Lumileds Llc Led retrofit for vehicle lighting
EP3810984B1 (de) * 2018-06-19 2023-07-26 Lumileds Holding B.V. Led-beleuchtungsanordnung

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5968911B2 (ja) 2011-01-14 2016-08-10 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 照明装置
US8845161B2 (en) 2011-02-09 2014-09-30 Truck-Lite Co., Llc Headlamp assembly with heat sink structure
DE102011007123B4 (de) * 2011-04-11 2022-02-17 Osram Gmbh Halbleiter-Glühlampen-Retrofitlampe
SG185159A1 (en) * 2011-04-26 2012-11-29 Novalite Technology Pte Ltd Gas cooled light emitting diodes
WO2012147026A1 (en) * 2011-04-29 2012-11-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Led lighting device with lower heat dissipating structure
RU2606950C2 (ru) 2011-04-29 2017-01-10 Конинклейке Филипс Н.В. Светодиодное осветительное устройство с улучшенным распределением света
FR2990590B1 (fr) * 2012-05-10 2017-08-04 Sylvain Duclos Ampoule electrique, a diodes electroluminescentes, notamment de phare de vehicule automobile
WO2014206821A1 (en) 2013-06-27 2014-12-31 Koninklijke Philips N.V. Led h4 retrofit lamp unit
DE102013011821A1 (de) * 2013-07-15 2015-01-15 Cooper Crouse-Hinds Gmbh Beleuchtungsvorrichtung
US10208915B2 (en) 2013-07-30 2019-02-19 Lumileds Llc Thermal function of headlight sealing cap
WO2015091462A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-25 Koninklijke Philips N.V. Low and high beam led lamp
EP2933552A1 (de) * 2014-04-17 2015-10-21 DBM Reflex of Taiwan Co., Ltd. Beleuchtungsvorrichtung
EP3169930B1 (de) * 2014-07-15 2021-09-08 Lumileds LLC Nachrüstlampe für kraftfahrzeugscheinwerfer
US20170030510A1 (en) * 2015-05-26 2017-02-02 Thomas Dunlap Photocatalytic thermal barrier coating
CN104930371A (zh) * 2015-06-02 2015-09-23 常州阿拉丁照明电器有限公司 一种单端全玻璃360度发光led灯
FR3041062A1 (fr) * 2015-09-15 2017-03-17 Valeo Vision Corps lumineux, lampe comprenant un tel corps lumineux et dispositif lumineux comprenant une telle lampe
WO2018096027A1 (en) * 2016-11-25 2018-05-31 Philips Lighting Holding B.V. Ssl lamp for replacing gas discharge lamp
US11199297B2 (en) * 2017-03-10 2021-12-14 Lumileds Llc LED lamp
US10415787B2 (en) 2018-01-11 2019-09-17 Osram Sylvania Inc. Vehicle LED lamp having recirculating air channels
US10887961B2 (en) * 2018-05-01 2021-01-05 Ledup Manufacturing Group Limited Waterproof, dual-polarity decorative light string
IT201900022209A1 (it) 2019-11-26 2021-05-26 Osram Gmbh Lampada e procedimento corrispondente
IT201900024226A1 (it) 2019-12-17 2021-06-17 Osram Gmbh Lampada e corrispondente procedimento
DE102020203736A1 (de) 2020-03-23 2021-09-23 Osram Gmbh Halbleiter-Retrofit-Fahrzeugscheinwerferlampe
DE102020203733A1 (de) 2020-03-23 2021-09-23 Osram Gmbh Reflektoroptik für eine Fahrzeug-Retrofit-Scheinwerferlampe
DE102020203735A1 (de) 2020-03-23 2021-09-23 Osram Gmbh Fahrzeug-Retrofit-Scheinwerferlampe mit einander zugewandten Reflektorbereichen
DE102020130660A1 (de) 2020-11-19 2022-05-19 Osram Gmbh Fahrzeug-retrofit-scheinwerferlampe mit halbleiterlichtquellen in matrixanordnung
US12007086B2 (en) * 2021-08-24 2024-06-11 Lumileds Llc Polarity correcting circuit for light-emitting diode (LED) retrofit headlight
USD1025410S1 (en) * 2022-07-26 2024-04-30 Shenzhen Aosituo Technology Co., Ltd. LED headlight bulb
USD1025415S1 (en) * 2022-09-06 2024-04-30 Shenzhen Aosituo Technology Co., Ltd. LED headlight bulb

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0570987A1 (de) * 1992-05-20 1993-11-24 Heinz-Günther Franz Fahrrad-Rückleuchte
DE19624087A1 (de) * 1996-06-17 1997-12-18 Wendelin Pimpl Beleuchtungsvorrichtung
JP2002334604A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Yoshimitsu Suda ヘッドライト等のバルブ
US20040095075A1 (en) * 2001-06-16 2004-05-20 Zhang Long Bao High intensity light source arrangement
EP1443562A2 (de) * 2003-02-03 2004-08-04 Osram Sylvania Inc. Festkörper- Lampe für Kraftfahrzeuge
EP1471564A2 (de) * 2003-04-10 2004-10-27 Osram Sylvania Inc. LED Lampe
US20050030761A1 (en) * 2003-02-03 2005-02-10 Burgess Edward Sean Package LED's and electronics as a replaceable light bulb
EP1594170A2 (de) * 2004-05-03 2005-11-09 Osram Sylvania Inc. Glühbirne mit Leuchtdioden
US20050276063A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Coushaine Charles M Wedge-based lamp with LED light engine and method of making the lamp

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6367949B1 (en) * 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
US6682211B2 (en) * 2001-09-28 2004-01-27 Osram Sylvania Inc. Replaceable LED lamp capsule
JP4309631B2 (ja) * 2001-10-22 2009-08-05 株式会社東芝 Ｘ線コンピュータトモグラフィ装置
US6773138B2 (en) * 2002-04-09 2004-08-10 Osram Sylvania Inc. Snap together automotive led lamp assembly
US6715900B2 (en) * 2002-05-17 2004-04-06 A L Lightech, Inc. Light source arrangement
DE10333836A1 (de) * 2003-07-24 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Leuchtdioden-Modul für Fahrzeugscheinwerfer und Fahrzeugscheinwerfer
US7964883B2 (en) * 2004-02-26 2011-06-21 Lighting Science Group Corporation Light emitting diode package assembly that emulates the light pattern produced by an incandescent filament bulb
US7086767B2 (en) * 2004-05-12 2006-08-08 Osram Sylvania Inc. Thermally efficient LED bulb
JP4599111B2 (ja) * 2004-07-30 2010-12-15 スタンレー電気株式会社 灯具光源用ｌｅｄランプ
DE102004062990A1 (de) * 2004-12-22 2006-07-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung mit mindestens einer Leuchtdiode und Fahrzeugscheinwerfer
US7148515B1 (en) * 2006-01-07 2006-12-12 Tyntek Corp. Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate
US7824076B2 (en) * 2007-05-31 2010-11-02 Koester George H LED reflector lamp

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0570987A1 (de) * 1992-05-20 1993-11-24 Heinz-Günther Franz Fahrrad-Rückleuchte
DE19624087A1 (de) * 1996-06-17 1997-12-18 Wendelin Pimpl Beleuchtungsvorrichtung
JP2002334604A (ja) * 2001-03-06 2002-11-22 Yoshimitsu Suda ヘッドライト等のバルブ
US20040095075A1 (en) * 2001-06-16 2004-05-20 Zhang Long Bao High intensity light source arrangement
EP1443562A2 (de) * 2003-02-03 2004-08-04 Osram Sylvania Inc. Festkörper- Lampe für Kraftfahrzeuge
US20050030761A1 (en) * 2003-02-03 2005-02-10 Burgess Edward Sean Package LED's and electronics as a replaceable light bulb
EP1471564A2 (de) * 2003-04-10 2004-10-27 Osram Sylvania Inc. LED Lampe
EP1594170A2 (de) * 2004-05-03 2005-11-09 Osram Sylvania Inc. Glühbirne mit Leuchtdioden
US20050276063A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Coushaine Charles M Wedge-based lamp with LED light engine and method of making the lamp

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2354645B1 (de) * 2010-02-04 2016-06-15 Valeo Vision Optische Vorrichtung, insbesondere für Kraftfahrzeug
WO2011098358A1 (de) * 2010-02-15 2011-08-18 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lampe mit gasfüllung
US8587186B2 (en) 2010-02-15 2013-11-19 Osram Ag Lamp having gas filling
US8829551B2 (en) 2010-07-01 2014-09-09 Koninklijke Philips N.V. TL retrofit LED module inside sealed glass tube
EP2479488B1 (de) * 2011-01-24 2017-09-06 Valeo Vision Vorrichtung zur Beleuchtung und/oder Signalisierung, die mit einem Energieumwandlungselement ausgestattet ist
DE102011005823A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Osram Ag Beleuchtungseinrichtung und Fahrzeugscheinwerfer mit Beleuchtungseinrichtung
WO2012126739A1 (de) 2011-03-21 2012-09-27 Osram Ag Beleuchtungseinrichtung und fahrzeugscheinwerfer mit beleuchtungseinrichtung
WO2017017549A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Hella Saturnus Slovenija Proizvodnja Svetlobne Opreme Za Motorna In Druga Vozila, D.O.O. Multifunctional lamp for motor vehicle
WO2017220394A1 (en) * 2016-06-22 2017-12-28 Lumileds Holding B.V. A vehicle headlight assembly and a corresponding lamp
CN109416158A (zh) * 2016-06-22 2019-03-01 亮锐控股有限公司 车辆前灯组件和相应的灯
US10775014B2 (en) 2016-06-22 2020-09-15 Lumileds Llc Vehicle headlight assembly and a corresponding lamp
EP3810984B1 (de) * 2018-06-19 2023-07-26 Lumileds Holding B.V. Led-beleuchtungsanordnung
EP3594556A1 (de) * 2018-07-13 2020-01-15 HELLA GmbH & Co. KGaA Led-leuchte für ein fahrzeug und fahrzeug mit einer led-leuchte
DE102018117057A1 (de) * 2018-07-13 2020-01-16 HELLA GmbH & Co. KGaA LED-Leuchte für ein Fahrzeug und Fahrzeug mit einer LED-Leuchte
WO2021121943A1 (de) * 2019-12-18 2021-06-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halogenlampenersatz
CN114901993A (zh) * 2019-12-18 2022-08-12 欧司朗光电半导体有限责任公司 卤素灯替换件
US12018806B2 (en) 2019-12-18 2024-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halogen lamp replacement
WO2022236177A1 (en) * 2021-05-07 2022-11-10 Lumileds Llc Led retrofit for vehicle lighting
US12013091B2 (en) 2021-05-07 2024-06-18 Lumileds Llc LED retrofit for vehicle lighting

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