WO2009017155A1 - Diode électroluminescente à luminance élevée et son procédé de fabrication - Google Patents

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Masataka Watanabe
Masato Yamada
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Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
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Abstract

L'invention concerne une diode électroluminescente à luminance élevée de couleur rouge qui élimine des défauts dus à une Vf élevée tout en présentant une excellente performance de vie et une luminance élevée, ainsi qu'un procédé de fabrication pour la diode électroluminescente à luminance élevée qui assure une fabrication stable de la diode électroluminescente à luminance élevée avec un rendement et une productivité meilleurs. La diode électroluminescente à luminance élevée comprend une couche luminescente à 4 éléments AlGaInP qui est formée sur un substrat GaAs, une couche de fenêtre de type p pour la sortie de lumière luminescente qui est formée sur la surface supérieure de la couche luminescente à 4 éléments AlGaInP, et une couche de fenêtre GaP de type n pour la sortie de lumière luminescente qui est formée dans un procédé d'épitaxie en phase vapeur sur le côté arrière qui est en accord de maille avec le GaAs sur la couche luminescente à 4 éléments AlGaInP après élimination par gravure du substrat GaAs. La densité de porteurs de type n dans une phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type n est augmentée, et la densité de porteurs de type n de la couche de fenêtre GaP de type n après la phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type N est ensuite rendue inférieure à la densité de porteurs de type n en phase précoce de croissance de la couche de fenêtre GaP de type n.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011034080A1 (fr) * 2009-09-15 2011-03-24 昭和電工株式会社 Diode electroluminescente, lampe a diode electroluminescente et dispositif d'eclairage

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI817724B (zh) * 2022-09-19 2023-10-01 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光元件

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068731A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Showa Denko Kk ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JP2004304090A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2006261266A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法並びに電子機器
JP2007059756A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2007165612A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3666444B2 (ja) * 1992-10-15 2005-06-29 セイコーエプソン株式会社 面発光型半導体レーザおよびその製造方法
JP3552642B2 (ja) * 2000-04-13 2004-08-11 日本電気株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4569859B2 (ja) * 2003-11-19 2010-10-27 信越半導体株式会社 発光素子の製造方法
JP2005276900A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子
JP2005277218A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子及びその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068731A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Showa Denko Kk ＡｌＧａＩｎＰ発光ダイオード
JP2004304090A (ja) * 2003-04-01 2004-10-28 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
JP2006261266A (ja) * 2005-03-16 2006-09-28 Sharp Corp 半導体発光素子およびその製造方法並びに電子機器
JP2007059756A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
JP2007165612A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Showa Denko Kk 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011034080A1 (fr) * 2009-09-15 2011-03-24 昭和電工株式会社 Diode electroluminescente, lampe a diode electroluminescente et dispositif d'eclairage
US8659004B2 (en) 2009-09-15 2014-02-25 Showa Denko K.K. Light emitting diode, light emitting diode lamp, and illuminating apparatus
US9112084B2 (en) 2009-09-15 2015-08-18 Showa Denko K.K. Light emitting diode, light emitting diode lamp, and illuminating apparatus

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