WO2008035530A1 - Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale - Google Patents

Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale Download PDF

Info

Publication number
WO2008035530A1
WO2008035530A1 PCT/JP2007/066231 JP2007066231W WO2008035530A1 WO 2008035530 A1 WO2008035530 A1 WO 2008035530A1 JP 2007066231 W JP2007066231 W JP 2007066231W WO 2008035530 A1 WO2008035530 A1 WO 2008035530A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
cutting
ingot
slurry
supply temperature
grooved roller
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2007/066231
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hiroshi Oishi
Daisuke Nakamata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Handotai Co Ltd filed Critical Shin Etsu Handotai Co Ltd
Priority to US12/310,663 priority Critical patent/US8210906B2/en
Priority to KR1020097005661A priority patent/KR101356190B1/ko
Priority to CN2007800342384A priority patent/CN101517710B/zh
Publication of WO2008035530A1 publication Critical patent/WO2008035530A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B27/00Other grinding machines or devices
    • B24B27/06Grinders for cutting-off
    • B24B27/0633Grinders for cutting-off using a cutting wire
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/045Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with wires or closed-loop blades
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1004Apparatus with means for measuring, testing, or sensing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00Cutting
    • Y10T83/04Processes
    • Y10T83/0405With preparatory or simultaneous ancillary treatment of work
    • Y10T83/0443By fluid application
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T83/00Cutting
    • Y10T83/929Tool or tool with support
    • Y10T83/9292Wire tool

Definitions

  • the present invention relates to a cutting method for cutting a large number of wafers from a silicon ingot, a compound semiconductor ingot or the like using a wire saw, and manufacturing of an epitaxial wafer in which an epitaxial layer is stacked on a wafer cut by the cutting method. Regarding the method.
  • a wire saw is a device that moves a wire (high-strength steel wire) at high speed, applies a slurry to the ingot (work), cuts the wafer, and simultaneously cuts a large number of wafers (Japanese Patent Laid-Open No. 9 262826). No. publication).
  • FIG. 11 shows an outline of an example of a general wire saw.
  • a wire saw 101 mainly includes a wire 102 for cutting an ingot, a grooved roller 103 (wire guide) wound with the wire 102, and a mechanism 104 for applying tension to the wire 102. , A mechanism 105 for sending out an ingot to be cut, and a mechanism 106 for supplying slurry at the time of cutting.
  • the wire 102 is unwound from one wire reel 107, and passes through a traverser 108 through a tension applying mechanism 104 including a powder clutch (constant torque motor 109), a dancer roller (dead weight) (not shown), and the like. It is in the attached roller 103.
  • the wire 102 is wound around the grooved roller 103 about 300 to 400 times, and is then wound around the wire reel 107 ′ through the other tension applying mechanism 104 ′.
  • the grooved roller 103 is a roller in which polyurethane resin is press-fitted around a steel cylinder and grooves are cut at a constant pitch on the surface, and the wound wire 102 is a driving motor.
  • the motor 110 can be driven in a reciprocating direction at a predetermined cycle.
  • an ingot feeding mechanism 105 As shown in FIG.
  • the ingot is sent out to the wire 102 wound around the grooved roller 103.
  • the ingot feeding mechanism 105 includes an ingot feeding table 111 for feeding an ingot, an LM guide 112, an ingot clamp 113 for holding the ingot, a sliced plate 114, and the like, and is controlled along the LM guide 112 by computer control. By driving the feed table 111, it is possible to feed out the ingot fixed to the tip at a pre-programmed feed speed.
  • a nozzle 115 is provided in the vicinity of the grooved roller 103 and the wound wire 102 so that the slurry can be supplied from the slurry tank 116 to the grooved roller 103 and the wire 102 at the time of cutting. It has become.
  • a slurry tank 117 is connected to the slurry tank 116 so that the temperature of the slurry to be supplied can be adjusted!
  • the wafer cut out using the wire saw 101 as described above may sometimes become a product by performing epitaxial growth after polishing (polishing).
  • polishing In the epitaxial growth of silicon wafers, a single-crystal silicon thin film (epitaxial layer) with a thickness of several meters is grown on the polished wafer surface by chemical vapor deposition (CVD), etc. Improve physical properties and build device elements on the surface of this epitaxial layer.
  • a P-type low-resistance wafer having a variety of combinations in the woofer and the epitaxial layer is grown on a P-type epitaxial layer having a normal resistance.
  • a characteristic feature of this epitaxial growth is that, as shown in Fig. 13, Bow is generated in the grown wafer.
  • FIG. 13 shows an example of an epitaxial wafer 221 in which an epitaxial layer 223 is laminated on a wafer 222.
  • P-type low resistance wafer 222 contains a large amount of boron (B) having a smaller atomic radius than silicon as a dopant, and therefore has an average interstitial distance smaller than that of non-doped silicon.
  • the normal resistance P-type epitaxial layer 223 has a relatively larger average interstitial distance than a wafer having a small amount of dopant. For this reason, an epitaxy layer 223 is formed on wafer 222.
  • the bow change tends to occur in the direction in which the epitaxial layer 223 becomes convex.
  • an N-type epitaxial layer with a small amount of dopant and a normal resistance was grown on an N-type low-resistance wafer containing a large amount of arsenic (As) having a larger atomic radius than silicon as a dopant.
  • As arsenic
  • the Bow change occurs in the direction in which the epitaxy layer becomes concave.
  • FIG. 14 shows an example of a Bow change due to epitaxial growth.
  • the horizontal axis is the Bow value in the wafer (PW) before the epitaxial growth polished after slicing (or ueno after the slice), and the vertical axis is the epitaxy of the PW. It is the Bow value in the Epitakial Suehaha (EPW) that has grown.
  • Fig. 14 (B) is a graph showing the distribution ratio of the Bow values for the PW and EPW above, with the Bow values on the horizontal axis.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and when cutting an ingot using a wire saw, the warp of all wafers with a simple and good reproducibility is cut in one direction.
  • the purpose is to provide a cutting method that can be used. Furthermore, by using this cutting method, it is not necessary to measure the sliced wafer bow and to replace the front and back of the sliced wafer as before! /, To provide a manufacturing method for epitaxy wafer With the goal.
  • a wire is wound around a plurality of grooved rollers, and a cutting slurry is supplied to the grooved roller and the wire is pressed against an ingot while running.
  • a test for cutting the ingot while controlling the supply temperature of the cutting slurry to the grooved roller in advance is carried out!
  • the shaft of the grooved roller Investigating the relationship between the directional displacement and the supply temperature of the cutting slurry, and setting the supply temperature profile of the cutting slurry from the relationship between the axial displacement of the grooved roller and the supply temperature of the cutting slurry, By supplying the cutting slurry based on the supply temperature profile, the ingot is cut while controlling the axial displacement of the grooved roller, and the warpage of all the wafers to be cut is unidirectional.
  • a cutting method characterized by aligning to the above is provided.
  • a test for cutting the ingot while cutting slurry is supplied to the grooved roller while controlling the supply temperature, and the axial displacement and cutting of the grooved roller are performed. Investigate the relationship with the slurry supply temperature. By conducting such an investigation in advance, the relationship between the axial displacement of the grooved roller unique to each wire saw used and the supply temperature of the cutting slurry can be obtained in advance.
  • the supply of the cutting slurry in which warpage of the wafer to be cut is aligned in one direction based on the relationship between the axial displacement of the grooved roller obtained as described above and the supply temperature of the cutting slurry. Set the temperature profile. Then, by supplying a cutting slurry based on the profile, the ingot is cut while controlling the axial displacement of the grooved roller of the wire saw to be used, and the warpage of all the wafers to be cut is reduced. Align in the direction.
  • the cutting slurry supply temperature profile file is set based on the above-mentioned relationship unique to each wire saw, and the cutting slurry is actually supplied in accordance with the profile, cutting is performed easily and with good reproducibility. It is possible to align the warpage of all wafers to be unidirectional. Since the warpage of all wafers can be aligned in one direction, the shape of each wafer is measured in advance so that it can be epitaxially grown on the desired surface before stacking the epitaxial layer, as will be described later. However, the work of changing the orientation of the bow by swapping the front and back sides of the wafer can be omitted.
  • the groove temperature can be adjusted by adjusting the supply temperature profile of the cutting slurry set based on the relationship. It is possible to adjust the amount of warpage of all the wafers to be cut by adjusting the axial displacement of the attached roller.
  • the supply temperature profile of the cutting slurry is at least a force S that makes the supply temperature gradually increase after the ingot cutting depth reaches half of the diameter.
  • the supply temperature profile of the cutting slurry can be a profile in which the supply temperature gradually increases from the start of cutting the ingot.
  • the supply temperature profile of the cutting slurry is at least a profile in which the supply temperature gradually increases after the ingot cutting depth reaches 1/2 of the diameter, or cutting.
  • the supply temperature profile of the slurry is a profile in which the supply temperature gradually increases from the start of ingot cutting, it is possible to more easily align the warpage of all the wafers to be cut in one direction. .
  • the present invention is characterized in that a wafer having warpage aligned in one direction is cut out by the above-described cutting method, and an epitaxial layer is laminated on the wafer having warpage aligned in one direction.
  • a method for manufacturing Epitaxchialueha is provided.
  • a wafer having warpage aligned in one direction is cut out by the above-described cutting method, and an epitaxial layer is laminated on the wafer having the warpage aligned in one direction.
  • the warpage of all wafers can be cut in a single direction, and the cutting can be performed easily and with good reproducibility.
  • the warpage of all wafers can be cut in one direction, it is possible to cut the wafer bows from the ingot and replace the front and back before performing the epitaxial growth. Can be significantly improved.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an example of a wire saw that can be used in the cutting method of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing an example of the structure of a grooved roller.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a method for measuring the amount of expansion / contraction of a grooved roller.
  • FIG. 4 is a graph showing an example of the relationship between the axial displacement of the grooved roller 3 and the supply temperature of the cutting slurry.
  • FIG. 5 is a graph showing an example of a supply temperature profile of a cutting slurry set from the results of a preliminary test.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing a process of cutting so that the wafer warp direction is one direction.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the axial displacement of the grooved roller and the supply temperature of the cutting slurry obtained in the preliminary test of the example.
  • FIG. 8 is a graph showing supply temperature profiles of cutting slurries in Examples and Comparative Examples.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the workpiece cutting depth and the axial displacement of the grooved roller.
  • A Example, (B) Comparative example.
  • FIG. 10 is a graph showing the measurement results of Bow for all slice wafers.
  • FIG. 11 is a schematic view showing an example of a wire saw used in a conventional cutting method.
  • FIG. 12 is a schematic view showing an example of an ingot feeding mechanism.
  • FIG. 13 is an explanatory diagram for explaining the cause of Bow change due to epitaxy growth.
  • FIG.14 (A) This graph shows the correlation between the Epitaxial woofer (EPW) and the woofer (PW) Bow ⁇ t. (B) A graph showing the distribution of the ratio of the Epitaxial woofer (EPW) and the woofer (PW) at each Bow value.
  • FIG. 15 is an explanatory view showing an example of the extension and cutting trajectory of the grooved roller during ingot cutting.
  • the orientation of the bow should be aligned in one direction in advance, and if the epitaxial layer is laminated so as to counteract the wafer bow, the resulting epitaxial wafer is produced.
  • the size of the bow can be minimized, which is preferable as a product.
  • Fig. 14 (A) if the wafer bow is made at the time of slicing so that the average value is about 1 m, it is expected that the absolute value of the Epitaxial wafer will be minimized. (However, in practice, if the absolute value of the wafer bow is too large, it will be difficult to reduce waviness during slicing and nanotopography in double-head grinding, so the actual target ⁇ I will be about 5 m on average. ! / Is considered reasonable).
  • the direction of the cut out bow of the wafer is not always uniform in one direction. Therefore, before conducting epitaxial growth, the shape of all wafers is measured. And a process of aligning the direction of warping in one direction was necessary.
  • the supply temperature of the cutting slurry is 23 ° C at the start of cutting, then the temperature is lowered to 22 ° C in the middle of the cutting, and rises from around the end of cutting
  • An example is shown.
  • the cutting trajectory is different at each position in the axial direction of the ingot, and therefore the orientations of the cut out bows of the wafer are not all aligned in one direction.
  • the present inventors first conducted a preliminary test to investigate the relationship between the supply temperature of the cutting slurry and the axial displacement of the grooved roller, and the warpage of the wafer to be cut was found from that relationship.
  • Set the supply temperature profile of the cutting slurry aligned in one direction and then Based on the above, we have devised a cutting method that supplies slurries for cutting and cuts the ingots and aligns the warpage of all wafers to be cut in one direction. With such a cutting method, the warpage of all of the cut wafers is aligned in one direction.
  • FIG. 1 shows an example of a wire saw that can be used in the cutting method of the present invention.
  • the wire saw 1 mainly includes a wire 2 for cutting an ingot, a grooved roller 3, a wire tension applying mechanism 4, an ingot feeding mechanism 5, and a slurry supply mechanism 6.
  • the slurry supply mechanism 6 As the slurry supply mechanism 6, a nozzle 15 for supplying a cutting slurry to the grooved roller 3 (wire 2) is disposed.
  • the cutting slurry supplied from the nozzle 15 can control the supply temperature. Specifically, for example, as shown in FIG. 1, the supply temperature of the cutting slurry is controlled by connecting the slurry tank 16 to the nozzle 15 via the heat exchanger 19 controlled by the computer 18. It can be configured.
  • slurry is not specifically limited, The thing similar to the past can be used.
  • GC silicon carbide
  • abrasive grains can be dispersed in a liquid.
  • the nozzle 15 for supplying the cutting slurry and the ingot feeding mechanism 5 are connected to the computer 18, and the predetermined amount of ingot, that is, the predetermined amount of cutting of the ingot is determined by a preset program.
  • the nozzle 15 can automatically spray a predetermined amount of temperature-controlled cutting slurry onto the grooved roller 3 (wire 2). ing.
  • the ingot feed amount, slurry injection amount and timing, and the slurry supply temperature can be controlled as desired by the computer 18, and the control means is not particularly limited to this.
  • the wire 2 In addition to the slurry supply mechanism 6, the wire 2, the grooved roller 3, the wire tension applying mechanism 4, and the ingot feeding mechanism 5 are the same as those of the wire saw 101 used in the conventional cutting method of FIG. can do.
  • the type and thickness of the wire 2, the groove pitch of the grooved roller 3, and the configuration of other mechanisms are not particularly limited, and can be determined each time so as to achieve the desired cutting conditions according to the conventional method. it can.
  • the wire 2 is made of a special piano wire having a width of about 0.13 mm to 0.18 mm, and can be a grooved roller 3 having a groove pitch of (desired wafer thickness + cutting allowance).
  • FIG. 21 An example of the grooved roller 3 that has been used conventionally is shown in FIG.
  • Bearings 21 and 21 ′ supporting the grooved roller shaft 20 are disposed at both ends of the grooved roller 3 1S in consideration of the change in the axial direction of the grooved roller 3 during cutting described above.
  • the bearing 21 is a radial type
  • the grooved roller 3 can extend in the axial direction on the radial type bearing 21 side
  • the bearing 21 ′ is a thrust type.
  • this thrust type bearing 21 ' has a structure that is difficult to extend.
  • the grooved roller 3 has such a structure, and if the grooved roller 3 changes its length in the axial direction, it should not be fixed together on both sides so that the load force S is not applied to the device too much. One side can cope with the change.
  • the grooved roller 3 in the wire saw 1 to be used is not limited to the above type.
  • an eddy current sensor is disposed close to the axial direction of the grooved roller. This is so that the axial displacement of the grooved roller 3 can be measured during the preliminary test.
  • the measurement of the axial displacement of the grooved roller 3 is not limited to the above-mentioned means, but an eddy current sensor is preferably used because the measurement can be performed with high accuracy without contact.
  • Each sensor is connected to a computer 18 so that data obtained by measurement can be processed by the computer 18.
  • the profile of the supply temperature of the cutting slurry at this time is not particularly limited as long as it is a profile that can reliably measure the axial displacement of the grooved roller 3 corresponding to each supply temperature. For example, by starting to supply at the same temperature as the ingot at the start of cutting and gradually increasing the supply temperature at a speed that can follow the change in the supply temperature of the cutting slurry, the grooved roller 3 at each supply temperature 3 The axial displacement of can be measured.
  • the upper line in Fig. 4 shows the amount of the grooved roller 3 extending backward (that is, the thrust type bearing 21, side), and the lower line shows the amount of extending forward (radial type bearing 21 side). ing.
  • the temperature of the cutting slurry is high.
  • the grooved roller 3 does not extend much on the thrust type bearing 21 'side on the rear side, but is extended on the radial type bearing 21 side on the front side. .
  • this supply temperature profile When this supply temperature profile is set, the profile is set so that a cutting trajectory is formed in which the warpage of all wafers to be cut is aligned in one direction.
  • This profile is preferably set using, for example, the computer 18 because it can be set easily and accurately.
  • the data obtained in the preliminary test is processed by the computer 18 to supply the appropriate cutting slurry so that the desired cutting trajectory determined in advance, i.e. the grooved roller changes axially as desired.
  • Temperature profile can be obtained
  • the supply temperature profile of the above-described cutting slurry will be described more specifically.
  • the wire saw to be used will be described as the wire saw 1 having the structure shown in FIGS. That is, this is a device that can obtain the relationship between the axial displacement of the grooved roller 3 and the supply temperature of the cutting slurry as shown in FIG.
  • the present invention is not limited to the use of such a wire saw.
  • the supply temperature profile of the cutting slurry can be adjusted appropriately according to the characteristics of each wire saw.
  • the supply temperature profile Ts shown in FIG. 5 (A) is a profile in which the supply temperature gradually rises after the ingot cutting depth reaches 1/2 or more of the diameter. For comparison, the supply temperature profile Ts' of a conventional standard cutting slurry is shown.
  • the grooved roller The front end of 3 extends forward, and the rear end also extends slightly forward when the ingot cutting depth is more than half the diameter. Therefore, the cutting trajectory at both ends of the ingot is directed toward the rear of the ingot, and has a convex warped shape (the cutting trajectory at the rear end of the ingot has a reverse trajectory near the start of cutting and near the end of cutting, and near the center of the ingot. Can be the turning point of the entire warp. Therefore, the warpage of all the wafers to be cut can be cut in one direction, and Fig.
  • FIG. 6 shows an example of the process in which the warpage of all the wafers to be cut is cut in one direction.
  • the warpage of the cutting tracks is aligned when the grooved roller stretches greatly in the forward direction.
  • the direction of warping can also be made the same as the direction of warping of the cutting locus at the front end of the ingot.
  • the manufacturing method of the epitaxial wafer of the present invention cuts out a wafer whose warpage is aligned in one direction by the cutting method of the present invention as described above, and the wafer having the warpage aligned in one direction.
  • This is a method of manufacturing by stacking a epitaxial layer.
  • the direction of warpage depends on the axial position of the ingot. Measure the shape of each wafer, and check the direction of the warp, and if the direction is reversed, turn the front and back of the wafer so that the warp direction of all wafers is aligned in one direction. I had to. Such an operation is extremely complicated and requires cost and labor.
  • a process such as polishing can be performed in advance on wafers whose warpage is aligned in one direction.
  • the cutting method of the present invention was carried out.
  • a silicon ingot similar to a silicon ingot having a diameter of 300 mm and an axial length of 180 mm used in this cutting process was cut into a wafer shape while supplying the cutting slurry at a controlled supply temperature.
  • a wire with a width of 160 m was used, a tension of 2.5 kgf was applied, the wire was run in a reciprocating direction at a cycle of 60 s / c at an average speed of 500 m / min and cut.
  • the slurry used was a mixture of GC # 1500 and coolant at a weight ratio of 1: 1. These conditions are the same as the cutting conditions in the subsequent cutting step.
  • the silicon ingot was cut as a main cutting step, and 170 slice wafers were obtained.
  • the cutting conditions are the same as in the previous preliminary test as described above.
  • Fig. 9 shows the relationship between the ingot cutting depth and the axial displacement of the grooved roller.
  • the curve of the cutting trajectory has a convex rearward direction at each position from the front end portion to the rear end portion of the ingot. .
  • FIG. 10 (A) shows the results of measuring the bow shape of all wafers cut out in the above example and measuring the bow. As shown in Fig. 10 (A), it can be seen that the bows of all slice wafers are in the range of about 36 mm, and the bow values are aligned in the negative direction.
  • the direction of the warpage of the slice wafer is roughly divided into a minus side at the front end of the ingot and a plus side at the rear end. Furthermore, in the axial center region of the ingot, the bow value is violently switched between minus and plus, indicating that the directions of warping are not aligned at all. As described above, if the change in the amount of axial displacement is small at each position in the axial direction of the grooved roller throughout the entire cutting process, this is likely to occur. .
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the above embodiment is merely an example, and has any configuration that is substantially the same as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same operational effects. Also technical of the present invention Included in the range.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

明 細 書
切断方法およびェピタキシャルゥエーハの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、ワイヤソーを用いて、シリコンインゴット、化合物半導体のインゴット等か ら多数のゥエーハを切り出す切断方法と前記切断方法により切り出したゥエーハにェ ピタキシャル層を積層するェピタキシャルゥエーハの製造方法に関する。
背景技術
[0002] 近年、ゥエーハの大型化が望まれており、この大型化に伴い、インゴットの切断には 専らワイヤソ一が使用されて!/、る。
ワイヤソ一は、ワイヤ(高張力鋼線)を高速走行させて、ここにスラリを掛けながら、ィ ンゴット(ワーク)を押し当てて切断し、多数のゥエーハを同時に切り出す装置である( 特開平 9 262826号公報参照)。
[0003] ここで、図 11に一般的なワイヤソ一の一例の概要を示す。
図 11に示すように、ワイヤソー 101は、主に、インゴットを切断するためのワイヤ 102 、ワイヤ 102を巻回した溝付きローラ 103 (ワイヤガイド)、ワイヤ 102に張力を付与す るための機構 104、切断されるインゴットを送り出す機構 105、切断時にスラリを供給 する機構 106で構成されている。
[0004] ワイヤ 102は、一方のワイヤリール 107から繰り出され、トラバーサ 108を介してパゥ ダクラツチ(定トルクモータ 109)やダンサローラ(デッドウェイト)(不図示)等からなる 張力付与機構 104を経て、溝付きローラ 103に入っている。ワイヤ 102はこの溝付き ローラ 103に 300〜400回程度巻掛けられた後、もう一方の張力付与機構 104'を経 てワイヤリール 107'に巻き取られている。
[0005] また、溝付きローラ 103は鉄鋼製円筒の周囲にポリウレタン樹脂を圧入し、その表 面に一定のピッチで溝を切ったローラであり、巻掛けられたワイヤ 102が、駆動用モ ータ 110によって予め定められた周期で往復方向に駆動できるようになつている。
[0006] なお、インゴットの切断時には、図 12に示すようなインゴット送り機構 105によって、 インゴットは溝付きローラ 103に巻回されたワイヤ 102に送り出される。このインゴット 送り機構 105は、インゴットを送りだすためのインゴット送りテーブル 111、 LMガイド 1 12、インゴットを把持するインゴットクランプ 113、スライスあて板 114等からなっており 、コンピュータ制御で LMガイド 112に沿ってインゴット送りテーブル 111を駆動させる ことにより、予めプログラムされた送り速度で先端に固定されたインゴットを送り出すこ とが可能である。
[0007] そして、溝付きローラ 103、巻掛けられたワイヤ 102の近傍にはノズル 115が設けら れており、切断時にスラリタンク 116から、溝付きローラ 103、ワイヤ 102にスラリを供 給できるようになつている。また、スラリタンク 116にはスラリチラ一 117が接続されて おり、供給するスラリの温度を調整できるようになって!/、る。
[0008] このようなワイヤソー 101を用い、ワイヤ 102にワイヤ張力付与機構 104を用いて適 当な張力をかけて、駆動用モータ 110により、ワイヤ 102を往復方向に走行させなが
Figure imgf000004_0001
[0009] ところで、上記のようなワイヤソー 101を用いて切り出されたゥエーハは、例えば半 導体ゥエーハの場合、通常、ポリッシュ (研磨)後にェピタキシャル成長を行って製品 となる場合がある。シリコンゥエーハのェピタキシャル成長では、ポリッシュしたゥエー ハの表面に厚さ数 mのシリコン単結晶薄膜 (ェピタキシャル層)を化学気相析出(C VD)等で成長させ、ゥエーハとしての電気的、物理的性質を改善して、このェピタキ シャル層の表面にデバイス素子を作り込む。
[0010] ゥエーハとェピタキシャル層には色々な組み合わせがある力 P型低抵抗ゥェーハ に、通常抵抗の P型ェピタキシャル層を成長させたものが一般的である。このェピタ キシャル成長を施す際に特徴的なことは、図 13に示すように、成長後のゥエーハに B ow (そり)が生じてしまうことである。図 13に、ゥエーハ 222にェピタキシャル層 223が 積層されたェピタキシャルゥエーハ 221の一例を示す。
[0011] すなわち、 P型低抵抗ゥエーハ 222は、シリコンより原子半径の小さい硼素(B)をド 一パントとして多量に含むため、ノンドープ.シリコンより平均格子間距離が小さい。一 方、通常抵抗の P型ェピタキシャル層 223はドーパント量が少なぐゥエーハより相対 的に平均格子間距離が大きい。このため、ゥエーハ 222上にェピタキシャル層 223を 成長させた場合は、平均格子間距離の異なる両者のバイメタル変形により、ェピタキ シャルゥエーハ 221においては、ェピタキシャル層 223が凸となる方向に Bow変化 が生じたものになり易い。
[0012] 因みに、シリコンより原子半径の大きいヒ素 (As)をドーパントとして多量に含む N型 低抵抗ゥエーハ上に、ドーパント量の少な!/、通常抵抗の N型ェピタキシャル層を成 長させたェピタキシャルゥエーハでは、図 13に示す場合とは逆に、ェピタキシャル層 が凹となる方向に Bow変化を生じたものとなる。
[0013] ここで、図 14にェピタキシャル成長による Bow変化の一例を示す。図 14 (A)にお いて、横軸はスライス後にポリッシュしたェピタキシャル成長前のゥエーハ(PW) (ある いは、スライス後のゥエーノ、)における Bow値であり、縦軸は、その PWにェピタキシ ャル成長したェピタキシャルゥエーハ(EPW)における Bow値である。
また、図 14 (B)は、 Bow値を横軸にとり、上記 PWと EPWの各 Bow値における分布 割合を示したグラフである。
図 14から判るように、ワイヤソ一でスライスし、ポリッシュした PWにおける Bowとそれ にェピタキシャル成長を行ったェピタキシャルゥエーハにおける Bowの相関は極め て良い(R2 = 0. 94)。そして、ェピタキシャル成長による Bow増加分は + 10〃 m 程度であることが判る(例えば、図 14 (A)において、 PW Bowが C^ mのとき、 EPW Bowが 10 111)。なおここでは、ェピタキシャル層側が凸方向に変位している場合 を「 +」方向と定義している。
[0014] 一方、製品としてェピタキシャルゥエーハを考えた場合には、ェピタキシャル成長後 に Bowの大きさ(絶対値)を最小とすることが求められる。これは、ェピタキシャル成長 によって、原料となるゥエーハにおける Bowが打ち消されるようにェピタキシャル層を 積層することにより実施すること力できると考えられる。したがって、上記のようにスライ ス後のゥエーハの元々の Bowを打ち消すようにェピタキシャル層を積層するために は、まず、ゥエーハの Bowの向き(+ /—)を、ェピタキシャル成長を行う前に予め一 方向に揃えておく必要がある。
[0015] ところ力 従来法によりインゴットをスライスし切り出した場合、通常、インゴットの軸 方向の位置ごとに Bowの向きがばらばらになってしまう。したがって、ポリッシュ前の 工程において、スライスして得られたゥエーハの全数をそれぞれ測定して、希望と逆 方向の Bowであった場合には一枚ずっゥエーハの表裏をひっくり返して研磨装置等 に逆向きに入れ替える作業を行う必要があり、極めて煩雑であった。 発明の開示
[0016] そこで、本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、ワイヤソーを用いてインゴ ットを切断する際、簡単かつ再現性良ぐゥエーハ全数の反りを一方向に揃えて切断 すること力 Sできる切断方法を提供することを目的とする。さらには、その切断方法を用 いることで、従来のように切り出されたスライスゥエーハの Bowの測定および裏表入 れ替え作業を必要としな!/、ェピタキシャルゥエーハの製造方法を提供することを目的 とする。
[0017] 上記目的を達成するために、本発明は、ワイヤを複数の溝付きローラに巻掛けし、 該溝付きローラに切断用スラリを供給しつつ、前記ワイヤを走行させながらインゴット に押し当ててゥエーハ状に切断する方法であって、予め、前記溝付きローラに前記 切断用スラリを供給温度を制御して供給しつつインゴットを切断する試験を行!/、、前 記溝付きローラの軸方向変位と前記切断用スラリの供給温度との関係を調査して、 該溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリの供給温度との関係から前記切断用ス ラリの供給温度プロファイルを設定し、該供給温度プロファイルに基づ!/、て前記切断 用スラリを供給することにより、前記溝付きローラの軸方向変位を制御しながらインゴ ットを切断し、切断されるゥエーハ全数の反りを一方向に揃えることを特徴とする切断 方法を提供する。
[0018] このように、本発明の切断方法では、まず、溝付きローラに切断用スラリを供給温度 を制御して供給しつつインゴットを切断する試験を行い、溝付きローラの軸方向変位 と切断用スラリの供給温度との関係を調査しておく。このような調査を予め行うことに よって、使用するワイヤソーごとに固有の溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリの 供給温度との関係を前もって得ることができる。
[0019] その後、上記のようにして得られた溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリの供 給温度との関係から、切断されるゥエーハの反りが一方向に揃う切断用スラリの供給 温度プロファイルを設定する。そして、そのプロファイルに基づいて切断用スラリを供 給することにより、その使用するワイヤソ一の溝付きローラの軸方向変位を制御しなが らインゴットを切断し、切断されるゥエーハ全数の反りを一方向に揃える。
このように、上記ワイヤソーごとに固有の上記関係から、切断用スラリの供給温度プ 口ファイルを設定し、それに従い実際に切断用スラリを供給して切断を行うため、簡単 かつ再現性良ぐ切断されるゥエーハ全数の反りを一方向に揃えることが可能である 。そして、ゥエーハ全数の反りを一方向に揃えることができるので、後述するように、ェ ピタキシャル層を積層する前に、所望の面側にェピタキシャル成長できるように、予 め各ゥエーハの形状を測定し、ゥエーハの裏表を入れ替えて Bowの向きを揃えると いう作業を省くことができる。
[0020] このとき、前記切断用スラリの供給温度プロファイルを調整して、前記切断されるゥ エーハ全数の反りの大きさを調整することができる。
上記のように、前もって溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリの供給温度との関 係を調査してあるので、その関係から設定する切断用スラリの供給温度プロファイル を調整することによって、溝付きローラの軸方向変位を調整し、切断されるゥエーハ 全数の反りの大きさを調整することができる。
[0021] また、前記切断用スラリの供給温度プロファイルを、少なくとも、前記インゴットの切り 込み深さが直径の 1/2に達してから供給温度が徐々に上昇するプロファイルとする こと力 Sでさる。
あるいは、前記切断用スラリの供給温度プロファイルを、前記インゴットの切断開始 時から、供給温度が徐々に上昇するプロファイルとすることができる。
[0022] これらのように、切断用スラリの供給温度プロファイルを、少なくとも、インゴットの切り 込み深さが直径の 1/2に達してから供給温度が徐々に上昇するプロファイルとする 、、あるいは、切断用スラリの供給温度プロファイルを、インゴットの切断開始時から、 供給温度が徐々に上昇するプロファイルとするかによつて、切断されるゥエーハ全数 の反りをより容易に一方向に揃えることが可能である。
[0023] また、本発明は、前記の切断方法により反りが一方向に揃ったゥエーハを切り出し 、該反りが一方向に揃ったゥエーハにェピタキシャル層を積層することを特徴とする ェピタキシャルゥエーハの製造方法を提供する。
このように、前記の切断方法により反りが一方向に揃ったゥエーハを切り出し、該反 りが一方向に揃ったゥエーハにェピタキシャル層を積層することにより、ェピタキシャ ル成長をする前に、予めインゴットから切り出したゥエーハの Bowの向きを測定し、向 きが揃ってレ、なレ、場合、その裏表を入れ替えて Bowの向きを一方向に揃えると!/、う、 従来では必要とされていた作業を省くことができ、作業効率を大幅に向上することが 可能である。
[0024] 本発明の切断方法であれば、ゥエーハ全数の反りを一方向に揃えて切断すること ができ、しかも、簡単かつ再現性良く行うことが可能である。そして、ゥエーハ全数の 反りを一方向に揃えて切断することができるので、ェピタキシャル成長を行う前に、ィ ンゴットから切り出されたゥエーハの Bowの測定および裏表の入れ替え作業をする 必要がなぐ作業効率を著しく改善することができる。 図面の簡単な説明
[0025] [図 1]本発明の切断方法に使用できるワイヤソ一の一例を示す概略図である。
[図 2]溝付きローラの構造の一例を示す概略平面図である。
[図 3]溝付きローラの伸縮量の測定方法を説明する説明図。
[図 4]溝付きローラ 3の軸方向変位と切断用スラリの供給温度との関係の一例を示す グラフである。
[図 5] (A)予備試験の結果から設定した切断用スラリの供給温度プロファイルの一例 を示すグラフである。 (B)予備試験の結果力 設定した他の切断用スラリの供給温度 プロファイルの一例を示すグラフである。
[図 6]ゥエーハの反りの向きが一方向になるように切断する過程を示した説明図であ
[図 7]実施例の予備試験で得られた溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリの供給 温度との関係を示すグラフである。
[図 8]実施例および比較例における切断用スラリの供給温度プロファイルを示すダラ フである。 [図 9]ワーク切込み深さと溝付きローラの軸方向変位の関係を示すグラフである。 (A) 実施例、(B)比較例。
[図 10]スライスゥエーハ全数の Bowの測定結果を示すグラフである。 (A)実施例、(B )比較例。
[図 11]従来の切断方法に使用されるワイヤソ一の一例を示す概略図である。
[図 12]インゴット送り機構の一例を示す概略図である。
[図 13]ェピタキシャル成長による Bow変化の原因を説明するための説明図である。
[図 14] (A)ェピタキシャルゥエーハ(EPW)とゥエーハ(PW)の Bow^tの相関を示す グラフである。 (B)ェピタキシャルゥエーハ(EPW)とゥエーハ(PW)の各 Bow値にお ける割合の分布を示したグラフである。
[図 15]インゴット切断時における溝付きローラの伸張と切断軌跡の一例を示す説明図 である。
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下では、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれに限定される ものではない。
上述したように、ゥエーハにェピタキシャル成長を施すと、図 13に示すように、ェピ タキシャルゥエーハに反りが生じる。そこで、ゥエーハにェピタキシャル成長を行う前 に、 Bowの向きを予め一方向に揃えておき、原料となるゥエーハの Bowを打ち消す ようにしてェピタキシャル層を積層すれば、出来たェピタキシャルゥエーハの Bowの 大きさを最小とすることができ、製品として好ましい。
例えば、図 14 (A)においては、ゥエーハの Bowを平均値で約一 10 mになるよう にスライス時に作り込めば、ェピタキシャルゥエーハの Bowの絶対値が最小になるこ とが期待される(但し、実際には、ゥエーハの Bowの絶対値があまり大きいとスライス 時のうねり低減や両頭研削でのナノトポグラフィの低減が困難になるため、実際の目 標^ Iは平均 で約 5 mくら!/、が妥当であると考えられる)。
[0027] しかしながら、その原料となるゥエーノ、、すなわち、ワイヤソ一で切り出したゥエーハ においては、通常、その切り出されたゥエーハの Bowの向きは一方向には揃ってい ない。そのため、ェピタキシャル成長を行う前に、ゥエーハの全数に対して、形状測 定を行い、反りの向きを一方向に揃える工程が必要であった。
[0028] そこで、本発明者らは、ワイヤソ一と切り出したゥエーハとの関係について鋭意研究 を行った。そもそも、上記のスライスゥエーハにばらばらの向きの Bowが発生する原 因として、インゴットを切断中に、供給する切断用スラリの温度を上昇させると、それに 応じてワイヤを巻掛けした溝付きローラが熱膨張し、軸方向に伸張 (あるいは収縮)す ること力 S挙げられる。例えば、図 15に示す例が挙げられる。図 15では、一般的なワイ ャソーを用い、切断開始時に切断用スラリの供給温度を 23°Cとし、その後温度を下 げて切断の中盤は 22°Cにし、そして、切断終了時付近より上昇させて切断終了時に 24°Cとする従来の切断方法における標準的な供給温度プロファイルで切断用スラリ を供給して切断した場合の溝付きローラの軸長の変化、およびインゴットにおける切 断軌跡の変化の一例を示したものである。図 15に示すように、インゴットの軸方向の 各位置で切断軌跡が異なってしまい、したがって、切り出したゥエーハの Bowの向き も一方向に全数が揃わないものとなってしまう。
さらには、上記のような溝付きローラの軸方向の伸張 ·収縮はワイヤソ一の構造によ つて固有であるため、使用するワイヤソ一によつて、切断中における軸方向変位のプ 口ファイルは種々であり、切断軌跡はそれぞれ異なる。
このように、スライス時に全数のゥエーハの Bowを一方向に作り込むことは容易で はなかった。
[0029] これに対し、従来では、切断中に溝付きローラの軸長を変化させることで、 Bow値 を抑制してゥエーハ状に切断する方法が挙げられている(特開平 5— 185419号公 報等参照)。例えば、溝付きローラの軸長を測定しながら、このデータをコンピュータ で演算することで、溝付きローラの軸受け中を循環させる冷却水の温度を制御したり
、スラリの供給温度を制御してインゴットを切断する方法である。し力もながら、切断中 に軸長を検出し、その長さを変更するのは制御が難しく溝付きローラの軸方向の変 化の追随性が悪レ、とレ、つた問題があり、実用的ではな!/、。
[0030] そこで、本発明者らは、まず、予備試験を行って、切断用スラリの供給温度と溝付き ローラの軸方向変位との関係を調査し、その関係から切断されるゥエーハの反りが一 方向に揃う切断用スラリの供給温度プロファイルを設定し、さらに、そのプロファイル に基づいて切断用スラリの供給を行いインゴットを切断し、切断されるゥエーハの全 数の反りを一方向に揃える切断方法を考え出した。このような切断方法であれば、切 り出したゥエーハの全数の反りが一方向に揃っているので、例えば、切り出したゥェ ーハにェピタキシャル成長を行う場合、従来におけるェピタキシャル成長前に行って いたゥエーハの形状測定、反りを一方向に揃える工程を省くことができ、作業効率を 改善すること力できる。また、予備試験を行って、使用するワイヤソ一の溝付きローラ の特性を調査しておき、その調査結果力も設定した切断用スラリの供給温度プロファ ィルに従って切断用スラリを供給して切断するので、簡単かつ確実に、再現性高くゥ エーハの反りを一方向に揃えて切断することができる。使用するワイヤソー(溝付き口 ーラ)が異なっても、予備試験を行うため、その都度対応することができる。
[0031] 以下、ワイヤソーを用いた本発明の切断方法について、図面を参照しながら詳細に 説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
図 1に、本発明の切断方法に使用することができるワイヤソ一の一例を示す。
図 1に示すようにワイヤソー 1は、主に、インゴットを切断するためのワイヤ 2、溝付き ローラ 3、ワイヤ張力付与機構 4、インゴット送り機構 5、スラリ供給機構 6で構成されて いる。
[0032] ここで、まず、スラリ供給機構 6について述べる。このスラリ供給機構 6として、溝付き ローラ 3 (ワイヤ 2)に切断用のスラリを供給するノズル 15が配設されている。また、この ノズル 15から供給される切断用スラリは供給温度を制御できるようになつている。具 体的には、例えば図 1に示すように、スラリタンク 16から、コンピュータ 18により制御さ れた熱交換器 19を介してノズル 15に接続することにより、切断用スラリの供給温度を 制御する構成とすることができる。
また、スラリの種類は特に限定されず、従来と同様のものを用いることができる。例 えば GC (炭化珪素)砥粒を液体に分散させたものとすることができる。
[0033] そして、切断用スラリを供給するノズル 15とインゴット送り機構 5はコンピュータ 18に 接続されており、予め設定したプログラムにより、所定のインゴットの送り量、すなわち 所定のインゴットの切断量に対して、自動的にノズル 15から所定量、所定のタイミン グで温度制御された切断用スラリを溝付きローラ 3 (ワイヤ 2)に噴射できるようになつ ている。
上記のインゴット送り量やスラリ噴射量およびタイミング、さらにはスラリ供給温度は、 コンピュータ 18によって所望のように制御することができる力 特に制御手段はこれ に限定されない。
[0034] また、上記スラリ供給機構 6以外のワイヤ 2、溝付きローラ 3、ワイヤ張力付与機構 4 、インゴット送り機構 5は、図 11の従来の切断方法に使用されるワイヤソー 101と同様 のものとすることができる。
ワイヤ 2の種類や太さ、溝付きローラ 3の溝ピッチ、さらには他の機構における構成 等は特に限定されるものではなぐ従来法に従い、所望の切断条件となるようにその 都度決定することができる。
例えば、ワイヤ 2は、幅 0. 13mm〜0. 18mm程度の特殊ピアノ線からなるものとし 、(所望のゥエーハ厚さ +切り代)の溝ピッチを有する溝付きローラ 3とすることができ
[0035] なお、ここで、溝付きローラ 3についてさらに説明を加えておく。従来より使用されて いる溝付きローラ 3の一例として、図 2に示すようなものが挙げられる。溝付きローラ 3 の両端には、溝付きローラの軸 20を支持している軸受け 21、 21 'が配設されている 1S 前述した切断中の溝付きローラ 3の軸方向の変化を考慮して、例えば、軸受け 2 1はラジアルタイプのものであり、このラジアルタイプの軸受け 21側に溝付きローラ 3 が軸方向に伸びることが可能になっており、一方、軸受け 21 'はスラストタイプのもの であり、このスラストタイプの軸受け 21 '側には伸びにくい構造になっている。通常、 溝付きローラ 3はこのような構造であり、溝付きローラ 3が軸方向に長さが変化した場 合に装置に負荷力 Sかかりすぎてしまわないように、両側を共に固定するのではなぐ 一方をその変化に対応できるようになつている。
[0036] したがって、本ワイヤソー装置 1では、溝付きローラ 3が軸方向に伸張がすすむ場 合、主にラジアルタイプの軸受け 21側 (溝付きローラ 3の前方とする)に伸張がすす むことになる。
なお、本発明の切断方法においては、使用するワイヤソー 1において、溝付きロー ラ 3は上記のようなタイプに限られるものではない。 [0037] また、図 3に示すように、渦電流センサを溝付きローラの軸方向に近接して配設して おく。これは、予備試験のときに、溝付きローラ 3の軸方向変位を測定することができ るようにするためである。この溝付きローラ 3の軸方向変位の測定は上記手段に限定 されないが、渦電流センサを用いれば非接触で精度高く測定を行うことができるので 好ましい。
各センサはコンピュータ 18に接続されており、測定で得られたデータはコンビユー タ 18でデータ処理できるようになつている。
[0038] 以下、このようなワイヤソー 1を用い、本発明の切断方法を実施する手順について 述べ。。
まず、この使用するワイヤソー 1における溝付きローラ 3の軸方向変位と、切断中に この溝付きローラ 3に供給する切断用スラリの供給温度との関係を調査するために予 備試験を行う。
この予備試験の後に実際に切断を行う(本切断工程とする)インゴットと同様のイン ゴットを用意し、切断用スラリの供給温度を制御し、変化させながらインゴットの切断を 行う。同時に、溝付きローラ 3の軸方向に近接して配設した渦電流センサにより、溝付 きローラ 3の軸方向変位の測定も行う。
[0039] このときの切断用スラリの供給温度のプロファイルは特に限定されず、各供給温度 に対応した溝付きローラ 3の軸方向の変位を確実に測定できるようなプロファイルで あれば良い。例えば、切断開始時にインゴットと同じ温度で供給し始め、切断用スラリ の供給温度の変化に追随できる程度の速度で供給温度を徐々に上げていくことによ り、各供給温度における溝付きローラ 3の軸方向の変位を測定することができる。
[0040] なお、上述したように、この予備試験で溝付きローラ 3の軸方向変位と切断用スラリ の供給温度との関係を調査するのであるが、この予備試験時には、ワイヤへの張力 等の他の条件は、後に行う本切断工程における条件と同様のものとすると好ましい。 このようにすることで、予備試験で得る溝付きローラ 3の軸方向変位と切断用スラリの 供給温度との関係を、より正確に本切断工程に適用することが可能になる。
[0041] そして、上記のようにして、例えば図 4のような溝付きローラ 3の軸方向変位と切断用 スラリの供給温度との関係を得ることができる。 なお、図 4の上部ラインは、溝付きローラ 3が後方 (すなわち、スラストタイプの軸受 け 21,側)に伸びた量、下部ラインは前方(ラジアルタイプの軸受け 21側)に伸びた 量を示している。
先に説明したように、スラストタイプとラジアルタイプの軸受け 21、 21 'で溝付きロー ラの軸 20を支持している本ワイヤソー 1の溝付きローラ 3では、切断用スラリの温度が 高くなつても、溝付きローラ 3は、後方側であるスラストタイプの軸受け 21 '側にはあま り伸張せず、前方側であるラジアルタイプの軸受け 21側には伸張がすすむ結果とな つていることが判る。
[0042] このようにして得られた上記関係から、これ力 行う本切断工程における切断用スラ リの供給温度プロファイルを設定する。
この供給温度プロファイルを設定するとき、切断されるゥエーハ全数の反りが一方 向に揃うような切断軌跡が形成されるようにしてプロファイルを設定する。このプロファ ィルの設定にあたっては、例えばコンピュータ 18等を用いて行うと簡便かつ正確に 設定することができて好ましい。予備試験で得られたデータをコンピュータ 18で処理 し、予め決定しておいた所望の切断軌跡、すなわち、所望のように溝付きローラが軸 方向に変化するように、適切な切断用スラリの供給温度プロファイルを得ることができ
[0043] 上記の切断用スラリの供給温度プロファイルについてより具体的に述べる。なお、こ こでも、使用するワイヤソーを図 1〜3に示す構造を有するワイヤソー 1として説明を する。すなわち、図 4のような溝付きローラ 3の軸方向変位と切断用スラリの供給温度 との関係が得られる装置である。ただし、当然本発明はこのようなワイヤソーを使用す ることに限定されるものではない。適宜、ワイヤソーごとの特性に合わせて切断用スラ リの供給温度プロファイルを調整することができる。
[0044] まず、そもそも、従来では、切断用スラリの供給温度は、 22〜24°C程度の範囲でし か変化させておらず、そのような狭い範囲では、溝付きローラ 3の軸方向変位と切断 用スラリの供給温度との関係が図 4に示すようなグラフの場合、溝付きローラ 3が後方 伸張する量も、前方 伸張する量も、それぞれ全切断工程において、切断開始付 近と切断終了付近とでさほど差がなぐすなわち、小さな変化で Bowの向きも変わり やすくなる。 Bow値を小さく抑制しょうとする場合も同様のことが生じやすいと考えら れる。したがって、切断軌跡が極めて一方向に揃いにくぐ当然切り出されるゥエー ハも、インゴットの軸方向の位置によって Bowの向きが変化してしまう(特に、インゴッ トの両端部ではそれぞれ Bowの向きが反対になる可能性が高い)。
[0045] そこで、例えば図 5 (A)に示すようなプロファイルに設定することにより、供給温度を 高くしていき、あえて溝付きローラの軸方向の変位量を増大させて(図 4参照)、切断 されるゥエーハ全数の反りが一方向に揃う切断軌跡となるように、切断中の溝付き口 ーラ 3の軸方向の変位を制御すると良い。図 5 (A)に示す供給温度プロファイル Tsは 、インゴットの切込み深さが直径の 1/2以上に達してから、供給温度が徐々に上昇 するプロファイルである。なお、比較のため、従来における標準の切断用スラリの供給 温度プロファイル Ts 'を示しておく。
[0046] このようなプロファイル Tsであれば、インゴットを半分以上切り込んでから切断が終 了するまで切断用スラリの供給温度を徐々に上げていくので、図 4からもわかるように 、溝付きローラ 3の前端部が前方向に伸張していくとともに、後端部も、インゴットの切 込み深さが直径の 1/2以上になつてからはわずかに前方向に伸張していくことにな るので、インゴットの両端部における切断軌跡は、インゴット後方に向力、つて凸の反り 形状 (インゴット後端部の切断軌跡では、切断開始付近と切断終了付近とでは軌跡 が逆となり、インゴットの中心付近が全体の反りの折り返し点になる)とすること力 Sでき る。したがって、切断されるゥエーハ全数の反りを一方向に揃えて切断することができ 図 6に切断されるゥエーハ全数の反りが一方向に揃って切断される過程の一例を 示す。図 6に示すように、溝付きローラが前方向 大きく伸張することにより、切断軌 跡の反りが揃っていることが判る。なお、上記のように、特に溝付きローラ 3の後端部 で、切断開始付近で後方に伸張して、その後、切断中に、少なくともわずかに前方 伸張させれば、その後端部における切断軌跡の反りの向きも、インゴット前端部にお ける切断軌跡の反りの向きと同様にすることができる。
[0047] また、例えば、図 5 (B)に示すような、インゴットの切断開始時から、供給温度が徐 々に上昇するプロファイルとし、このプロファイルに基づいて切断用スラリを供給し、 溝付きローラ 3の変位を制御しながら切断することにより、ゥエーハの全数の反りを一 方向に «えることもできる。
しかも、このように切断のより早い段階から切断用スラリの供給温度を上げていくプ 口ファイルとすることにより、この場合では、切断されるゥエーハ全数の反りの大きさを 大きく調整することが可能である。これは、図 4、 6からも明らかである。すなわち、切 断用スラリの供給温度が高いほど、溝付きローラ 3の軸方向の変位量も大きいので、 切断開始時より、供給温度を徐々に上げていくことによって、インゴットの各位置にお いてそれぞれ切断軌跡もより大きくカーブしたものとなり、切断されるゥエーハ全数の 反りの大きさも一層大きくなる。所望の大きさの反りが得られるように、適宜調整すれ ば良い。
[0048] なお、図 5 (A) (B)に示す 2つの切断用スラリの供給温度プロファイルを例に挙げて 説明したが、当然これらのプロファイルに限定されるものではない。
使用するワイヤソ一により、予備試験を行うことによって、そのワイヤソー(溝付き口 ーラ)ごとの特性を調査し、そして、その調査によって得られた溝付きローラの軸方向 変位と切断用スラリの供給温度との関係から、所望のようにゥエーハ全数の反りを一 方向に揃えることができるよう適宜切断用スラリの供給温度プロファイルを設定し、そ れに基づいて切断用スラリを供給してインゴットを切断することで、ゥエーハ全数の反 りを一方向に揃えることができる。
したがってワイヤソ一が異なってもその都度対応できるし、また、予備試験を通して 得られた切断用スラリの供給温度プロファイルに基づ!/、て切断を行えばよ!/、だけであ るので、簡単に、そして再現性高くゥエーハの全数の反りを一方向に揃えることが可 能である。
[0049] そして、本発明のェピタキシャルゥエーハの製造方法は、上記のような本発明の切 断方法により反りが一方向に揃ったゥエーハを切り出し、その反りが一方向に揃った ゥエーハにェピタキシャル層を積層して製造する方法である。
先に述べたように、従来では、インゴットから切断されるゥエーハの全数の反りを一 方向に揃えるのは容易ではなぐしたがって、ェピタキシャル層を積層するよりも前に (例えばゥエーハをポリッシュする前)、反りの向きがインゴットの軸方向の位置によつ て異なっていたゥエーハを一枚一枚形状を測定して反りの向きを確認し、向きが逆だ つた場合はその裏表をひっくり返すことによって、ゥエーハ全数の反りの向きを一方 向に揃える作業を行わなければならなかった。このような作業は極めて煩雑であり、コ ストおよび手間を要してしまう。
[0050] しかしながら、本発明のェピタキシャルゥエーハの製造方法では、インゴットから切り 出した時点で既にゥエーハ全数の反りが一方向に揃っているため、上記のような煩 雑な作業を行う必要なぐ反りが一方向に揃ったゥエーハにェピタキシャル成長を行 うこと力 Sでき、極めて簡便であり、作業効率を著しく向上することができる。
なお、当然ェピタキシャル成長前に、その反りが一方向に揃ったゥエーハに予めポ リツシュ等の工程を行うこともできる。
[0051] 以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されな い。
(実施例)
図 1に示すワイヤソーを用い、本発明の切断方法を実施した。予備試験として、本 切断工程で用いる直径 300mm、軸方向長さ 180mmのシリコンインゴットと同様のシ リコンインゴットを切断用スラリの供給温度を制御して供給しつつゥエーハ状に切断し た。
なお、幅 160 mのワイヤを使用し、 2. 5kgfの張力をかけて、 500m/minの平均 速度で 60s/cのサイクルでワイヤを往復方向に走行させて切断した。また、スラリとし ては、 GC # 1500とクーラントとを重量比 1: 1の割合で混ぜたものを用いた。これらの 条件は後に行う本切断工程での切断条件と同様である。
[0052] そして、このとき、切断用スラリの供給温度を 22°Cから 35°Cに上昇させ、渦電流セ ンサにより溝付きローラ 3の伸張を測定し、溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリ の供給温度との関係を得た。この関係を図 7に示す。図 7の上部ラインは、溝付き口 ーラが後方に伸びた量、下部ラインは前方に伸びた量を切断用スラリの供給温度ご とに示している。これは、先に図 4に示した関係と同様のパターンとなっている。
[0053] 次に、この得られた関係をもとに、インゴットにおける切断軌跡の反りの向き力 イン ゴットの軸方向の各位置で後方に凸となるようにして、切断されるゥエーハの反りの向 きがその向きに全て揃うように、図 8に示す切断用スラリの供給温度プロファイルを設 定した。
このプロファイルに基づいて、本切断工程として、上記シリコンインゴットの切断を行 い、 170枚のスライスゥエーハを得た。切断条件は上述した通り、先の予備試験と同 様である。
なお、本切断工程の際に、渦電流センサにより溝付きローラの軸方向変位を測定し た。図 9に、その測定結果として、インゴット切込み深さと溝付きローラの軸方向変位 の関係を示す。
[0054] 図 8のように、切込み深さがインゴットの直径の 1/2 (切込み深さ 150mm)に達した ときに切断用スラリの供給温度を徐々に上昇させているので、図 9から判るように、そ の切込み深さ 150mm付近より、溝付きローラの前端部がより前方に大きく伸張して いっていることが判る。また、後端部も、切込み深さ 150mm付近を境にしてわずかに 前方へ伸張していっている。
すなわち、そのような伸張変化をする溝付きローラを用いて切断を行っているので、 切断軌跡のカーブは、インゴットの前端部から後端部に至るまで、各位置で後方に凸 の向きとなる。
[0055] 図 10 (A)に上記実施例で切り出したゥエーハの全数について実際に形状測定を 行い、 Bowを測定した結果を示す。図 10 (A)に示すように、すべてのスライスゥエー ハの Bowが 3 6〃 m程度の範囲に入り、 Bow値がマイナスの一方向に反りが 揃っていることが判る。
したがって、これらの一方向に反りが揃ったゥエーハにェピタキシャル成長を行うと きに、後述する比較例のように、反りの向きが反対のものを、裏表をひっくり返してわ ざわざ揃える必要もなぐそのままの向きでポリッシュしてェピタキシャル層を積層す ること力 Sできた。なお、ここでは反りの向きを確かめるために Bowの測定を行ったが、 本発明の切断方法であれば、上記のようにスライスゥエーハの反りの向きは一方向に 揃えられているので、そのような Bowの測定も当然省くことができる。
また、 Bowがー 3 6〃 m程度の範囲でかつバラツキが小さいので、ェピタキシャ ルゥエーハとなった後の反りが所望の小さな値でかつバラツキも少ないものと得ること ができる。
[0056] (比較例)
上記実施例に用いたワイヤソーを使用し、実施例と同様のシリコンインゴットをゥェ ーハ状に切断した。なお、実施例とは異なり、予備試験は行わず、切断用スラリの供 給温度は、図 8に示すように、従来と同様に室温程度の供給温度プロファイルとした。 なお、他の切断条件は実施例と同様のものとした。
[0057] 図 9 (B)に示すように、溝付きローラの軸方向変位は、後端部では、切込み深さ 50 〜; 100mm程度あたりから後方へ 4 m付近でほぼ一定となり、前端部では、前方へ 4 m付近でほぼ一定となり、切断終了付近の 250〜300mmでやや前方へ伸張し 、 8 μ mとなった。
その結果、図 10 (B)に示すように、スライスゥエーハの反りの向きは、大きく分けて インゴット前端部でマイナス側に、後端部で +側になってしまっている。さらには、イン ゴットの軸方向の中心領域では、 Bow値はマイナスとプラスで激しく入れ替わつてお り、全く反りの向きが揃っていないことが判る。先に述べたように、切断の全工程を通 じて、溝付きローラの軸方向の各位置において、軸方向の変位量の変化が小さかつ たりするとこのようなことが比較的起きやすレ、。
したがって、ェピタキシャル成長を行うときには、従来のように、 Bowの測定をゥェ ーハ全数に対して行い、 Bowが反対向きのものは裏表をひっくり返して反りの向きを 一方向に揃えてからェピタキシャル層を積層した。このため、作業効率が悪ぐ必要 以上に手間やコストがかかってしまった。
また、たとえひっくり返し作業をやっても、 Bowの絶対値は 0〜5にばらついており、 ェピタキシャル成長後のゥエーハの反りを所望なものとすることは難しい。
[0058] なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例 示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構 成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的 範囲に包含される。

Claims

請求の範囲
[1] ワイヤを複数の溝付きローラに巻掛けし、該溝付きローラに切断用スラリを供給しつ つ、前記ワイヤを走行させながらインゴットに押し当ててゥエーハ状に切断する方法 であって、予め、前記溝付きローラに前記切断用スラリを供給温度を制御して供給し つつインゴットを切断する試験を行 、、前記溝付きローラの軸方向変位と前記切断用 スラリの供給温度との関係を調査して、該溝付きローラの軸方向変位と切断用スラリ の供給温度との関係から前記切断用スラリの供給温度プロファイルを設定し、該供給 温度プロファイルに基づいて前記切断用スラリを供給することにより、前記溝付きロー ラの軸方向変位を制御しながらインゴットを切断し、切断されるゥエーハ全数の反りを 一方向に揃えることを特徴とする切断方法。
[2] 前記切断用スラリの供給温度プロファイルを調整して、前記切断されるゥエーハ全 数の反りの大きさを調整することを特徴とする請求項 1に記載の切断方法。
[3] 前記切断用スラリの供給温度プロファイルを、少なくとも、前記インゴットの切り込み 深さが直径の 1/2に達してから供給温度が徐々に上昇するプロファイルとすることを 特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の切断方法。
[4] 前記切断用スラリの供給温度プロファイルを、前記インゴットの切断開始時から、供 給温度が徐々に上昇するプロファイルとすることを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の切断方法。
[5] 請求項 1から請求項 4のいずれか一項に記載の切断方法により反りが一方向に揃 つたゥエーハを切り出し、該反りが一方向に揃ったゥエーハにェピタキシャル層を積 層することを特徴とするェピタキシャルゥエーハの製造方法。
PCT/JP2007/066231 2006-09-22 2007-08-22 Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale Ceased WO2008035530A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/310,663 US8210906B2 (en) 2006-09-22 2007-08-22 Slicing method and method for manufacturing epitaxial wafer
KR1020097005661A KR101356190B1 (ko) 2006-09-22 2007-08-22 절단방법 및 에피택셜 웨이퍼의 제조방법
CN2007800342384A CN101517710B (zh) 2006-09-22 2007-08-22 切断方法以及外延晶片的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-257392 2006-09-22
JP2006257392A JP4991229B2 (ja) 2006-09-22 2006-09-22 切断方法およびエピタキシャルウエーハの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008035530A1 true WO2008035530A1 (fr) 2008-03-27

Family

ID=39200359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/066231 Ceased WO2008035530A1 (fr) 2006-09-22 2007-08-22 Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8210906B2 (ja)
JP (1) JP4991229B2 (ja)
KR (1) KR101356190B1 (ja)
CN (1) CN101517710B (ja)
TW (1) TWI437628B (ja)
WO (1) WO2008035530A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022244421A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法
US20230234261A1 (en) * 2020-06-10 2023-07-27 Siltronic Ag Method for separating a plurality of slices from workpieces by means of a wire saw during a sequence of separation processes

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5343409B2 (ja) * 2008-06-06 2013-11-13 株式会社Sumco 半導体ウェーハの湾曲判定方法、膜付きウェーハの製造方法
JP2010029955A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー
JP5104830B2 (ja) 2008-09-08 2012-12-19 住友電気工業株式会社 基板
KR20140100549A (ko) * 2011-12-01 2014-08-14 엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼스 쏘시에떼 퍼 아찌오니 와이어 소우에서 슬라이싱된 웨이퍼들의 표면 프로파일들을 제어하기 위한 시스템들 및 방법들
US20130139800A1 (en) * 2011-12-02 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Methods For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
US20130144420A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Systems For Controlling Surface Profiles Of Wafers Sliced In A Wire Saw
US20130139801A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Methods For Controlling Displacement Of Bearings In A Wire Saw
TWI599446B (zh) * 2013-03-25 2017-09-21 Sapphire polishing pad dresser production methods
JP6132621B2 (ja) * 2013-03-29 2017-05-24 Sumco Techxiv株式会社 半導体単結晶インゴットのスライス方法
JP6281537B2 (ja) * 2015-08-07 2018-02-21 信越半導体株式会社 半導体ウェーハの製造方法
JP6222393B1 (ja) * 2017-03-21 2017-11-01 信越半導体株式会社 インゴットの切断方法
JP6693460B2 (ja) * 2017-04-04 2020-05-13 信越半導体株式会社 ワークの切断方法
DE102018221922A1 (de) 2018-12-17 2020-06-18 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mittels einer Drahtsäge, Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
DE102019207719A1 (de) * 2019-05-27 2020-12-03 Siltronic Ag Verfahren zum Abtrennen einer Vielzahl von Scheiben von Werkstücken während einer Anzahl von Abtrennvorgängen mittels einer Drahtsäge und Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
EP3922387A1 (de) * 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen
EP3922389A1 (de) * 2020-06-10 2021-12-15 Siltronic AG Verfahren zum abtrennen einer vielzahl von scheiben mittels einer drahtsäge von werkstücken während einer abfolge von abtrennvorgängen
CN116968201A (zh) * 2023-06-27 2023-10-31 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 12英寸切割硅片形貌的控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05185419A (ja) 1992-01-14 1993-07-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤーソーによるワークの切断方法及び切断装置
JPH09262826A (ja) 1996-03-27 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤソーによるワーク切断方法及び装置
JP2003001624A (ja) * 2001-05-10 2003-01-08 Wacker Siltronic Ag 被加工物から基板を切り離す方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4123095A1 (de) * 1991-07-12 1993-01-14 Wacker Chemitronic Verfahren und vorrichtung zur herstellung von nahtlosen band- und drahtschlaufen, und deren verwendung als trennwerkzeuge in band- und drahtsaegen
JP2885270B2 (ja) 1995-06-01 1999-04-19 信越半導体株式会社 ワイヤーソー装置及びワークの切断方法
US6652356B1 (en) 1999-01-20 2003-11-25 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Wire saw and cutting method
US20030064902A1 (en) 2001-10-03 2003-04-03 Memc Electronic Materials Inc. Apparatus and process for producing polished semiconductor wafers

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05185419A (ja) 1992-01-14 1993-07-27 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤーソーによるワークの切断方法及び切断装置
JPH09262826A (ja) 1996-03-27 1997-10-07 Shin Etsu Handotai Co Ltd ワイヤソーによるワーク切断方法及び装置
JP2003001624A (ja) * 2001-05-10 2003-01-08 Wacker Siltronic Ag 被加工物から基板を切り離す方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230234261A1 (en) * 2020-06-10 2023-07-27 Siltronic Ag Method for separating a plurality of slices from workpieces by means of a wire saw during a sequence of separation processes
US12479129B2 (en) * 2020-06-10 2025-11-25 Siltronic Ag Method for separating a plurality of slices from workpieces by means of a wire saw during a sequence of separation processes
WO2022244421A1 (ja) * 2021-05-20 2022-11-24 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4991229B2 (ja) 2012-08-01
JP2008078474A (ja) 2008-04-03
US20090288530A1 (en) 2009-11-26
CN101517710B (zh) 2012-10-03
KR20090057029A (ko) 2009-06-03
KR101356190B1 (ko) 2014-01-24
TW200834696A (en) 2008-08-16
TWI437628B (zh) 2014-05-11
CN101517710A (zh) 2009-08-26
US8210906B2 (en) 2012-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008035530A1 (fr) Procédé de découpe et procédé de fabrication de plaquette épitaxiale
CN101622098B (zh) 切断方法及线锯装置
KR101486302B1 (ko) 와이어 쏘에 의한 워크의 절단 방법 및 와이어 쏘
CN101516573B (zh) 切断方法
JP2885270B2 (ja) ワイヤーソー装置及びワークの切断方法
TWI746817B (zh) 鑄塊的切斷方法
JPH10249700A (ja) ワイヤソーによるインゴットの切断方法及び装置
JP7020286B2 (ja) インゴットの切断方法及びワイヤーソー
WO2008035529A1 (en) Cutting method
KR101880518B1 (ko) 실리콘 웨이퍼의 제조 방법
JP2008302618A (ja) 切断方法およびワイヤソー装置
WO2012144136A1 (ja) ワイヤソーの運転再開方法及びワイヤソー
TWI812652B (zh) 線鋸裝置及晶圓的製造方法
JP2001328058A (ja) ワイヤソーおよびこれを用いた切断方法
WO2016117294A1 (ja) ワークの切断方法
KR20200094576A (ko) 잉곳 절단장치 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780034238.4

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07792830

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12310663

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007792830

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020097005661

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE