WO2007141235B1 - Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs

Info

Publication number
WO2007141235B1
WO2007141235B1 PCT/EP2007/055461 EP2007055461W WO2007141235B1 WO 2007141235 B1 WO2007141235 B1 WO 2007141235B1 EP 2007055461 W EP2007055461 W EP 2007055461W WO 2007141235 B1 WO2007141235 B1 WO 2007141235B1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carrier gas
evaporation chamber
starting material
reservoir
organic material
Prior art date
Application number
PCT/EP2007/055461
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2007141235A1 (de
Inventor
Gerhard Karl Strauch
Original Assignee
Aixtron Ag
Gerhard Karl Strauch
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aixtron Ag, Gerhard Karl Strauch filed Critical Aixtron Ag
Publication of WO2007141235A1 publication Critical patent/WO2007141235A1/de
Publication of WO2007141235B1 publication Critical patent/WO2007141235B1/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228Gas flow assisted PVD deposition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff (10) vorliegt, der bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, in einem Vorratsbehälter (1) bevorratet wird, von wo aus er dosiert in eine Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird, wo er zufolge Wärmezufuhr verdampft. Um das eingangs genannte Verfahren bzw. die eingangs genannte Vorrichtung zum Aufdampfen eines pulverförmigen Materials zu verbessern. Insbesondere die Dampferzeugungsrate zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass der pulverförmige Ausgangsstoff (10) von einem Trägergas in die Verdampfungseinrichtung (2) gebracht wird und die Wärmezufuhr durch Aufheizen des Trägergases erfolgt.

Claims

GEÄNDERTE ANSPRÜCHE beim Internationalen Büro eingegangen am 14 Januar 2008 (14.01.2008)
1. Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, wobei das organische Material als pulverf örmiger Ausgangsstoff (10) in einem Vorratsbehälter (1) bei einer Temperatur, die unterhalb der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden Moleküle liegt, bevorratet wird, wobei mit einer Gaszuleitung (7) ein
Trägergasstrom in den Vorratsbehälter (1) eingeleitet wird, wobei mit einer dem Vorratsbehälter (1) zugeordneten Einmischeinrichtung (9) ein Teil des pulverförmiger Ausgangsstoffs (10) in den Trägergasstrom eingebracht wird, wobei das so gebildete Pulvergasgemisch durch eine Verbindungsleitung (6) mittels des Trägergasstroms dosiert vom Vorratsbehälter (1) in die Verdampfungskammer (2) gebracht wird, wobei der Ausgangsstoff in der Verdampfungskammer (2) zufolge Wärmezufuhr verdampft wird und, wobei der verdampfte Ausgangsstoff durch den Trägergasstrom in ein Gaseinlassorgan eines Beschichtungsreaktors gebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas durch der Verdampfungskammer (2) zugeordnete Heizflächen (3) auf eine Temperatur aufgeheizt wird, die höher ist als die Verdampfungstemperatur des Ausgangsstoffes, und dass die Verdampfung der Pulverpartikel des Ausgangstoffs im Wesentlichen kontaktfrei zu den Heizflächen (3) erfolgt, wozu der Wärmetransport von den Heizflächen (3) zu den Pulverpartikeln im Wesentlichen über die Molekularbewegung des Trägergases erfolgt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein zweites in die Verdampfungskammer (2) eingeleitetes Trägergas.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Durchmesser der Pulverpartikel < 10 μm, bevorzugt etwa 5 μm beträgt. 14
4. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozess bei einem Totaldruck von weniger als 10 mbar und/ oder mehr als 0,1 mbar, insbesondere etwa 0,9 mbar durchgeführt wird.
5. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der die Heizflächen (3) bildenden Wände der Verdampfungskammer (2) größer ist als das Zehnfache der freien Weglänge der Moleküle des Trägergases.
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Totaldruck innerhalb des Vorratsbehälters (1) im wesentlichen dem Totaldruck innerhalb der Verdampfungskammer (2) entspricht.
7. Vorrichtung zum Beschichten einer Oberfläche eines Substrates (17) mit einem organischen Material, mit einem ein Gaseinlassorgan (15) aufweisenden Beschichtungsreaktor (13), mit einem Vorratsbehälter (1), in welchem das organische Material als pulverförmiger Ausgangsstoff (10) bei einer Temperatur unter der Zerlegungstemperatur der das organische Material bildenden
Moleküle bevorratet ist, mit einer Gaszuleitung (7) in den Vorratsbehälter (1) zum Einbringen eines Trägergasstroms in den Vorratsbehälter (1), mit einer dem Vorratsbehälter (1) zugeordneten Einmischeinrichtung (9) zum Einbringen des pulverförmigen Ausgangsstoffs (10) in den Trägergasstrom, mit einer Verdampfungskammer (2) in der Ausgangsstoff durch Wärmezufuhr verdampft mit einer Verbindungsleitung (6) zwischen Vorratsbehälter (1) und Verdampfungskammer (2), durch die das Pulvergasgemisch dosiert in die Verdampfungskammer (2) bringbar ist, und mit einer Ableitung (12), durch welche der verdampfte Ausgangsstoff zusammen mit dem Trägergas in das 15
Gaseinlassorgan (15) des Beschichtungsreaktors bringbar ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Volumenstrom des Trägergases mittelst eines der Gaszuleitung (7) zugeordneten Massenflussregler (8) dosiert wird und dass der Verdampfungskammer (2) zugeordnete Heizflächen (3) zugeordnet sind, zum Aufheizen des in die Verdampfungskammer (2) gebrachten, Pulverpartikel des Ausgangsstoffs (10) tragenden Trägergases, die so angeordnet sind, dass die Wärmeübertragung auf die im Trägergasstrom enthaltenen Pulverpartikel im Wesentlichen ausschließlich durch Wärmeentzug der Gasumgebung erfolgt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, gekennzeichnet durch ein der Verbindungsleitung (6) zwischen Vorratsbehälter (1) und Verdampfungskammer (2) zugeordnetes Dosierventil (5).
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampfungskammer (2) von einem Zylinder ausgebildet wird.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Zylinder ein Volumen zwischen 100 ml und 1000 ml besitzt.
11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Wandabstand der die Heizflächen (3) bildenden Wände der Verdampfungskammer (2) zwischen 50 und 150 mm beträgt.
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Einmischeinrichtung zum Einbringen der Pulverpartikel in den Trägergasstrom ein Ultraschallerreger (9) ist. 16
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 12, gekennzeichnet durch eine zweite in die Verdampfungskammer (2) mündende Zuleitung (18) für ein weiteres Trägergas.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsleitung (6) und die Zuleitung (18) für das weitere Trägergas in die Stirnseite der zylinderförmigen Verdampfungskammer (2) münden und die Ableitung (12) sich an der gegenüberliegenden Stirnseite der Verdampfungskammer (2) befindet.
PCT/EP2007/055461 2006-06-06 2007-06-04 Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs WO2007141235A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006026576.9 2006-06-06
DE200610026576 DE102006026576A1 (de) 2006-06-06 2006-06-06 Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines pulverförmigen organischen Ausgangsstoffs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2007141235A1 WO2007141235A1 (de) 2007-12-13
WO2007141235B1 true WO2007141235B1 (de) 2008-03-20

Family

ID=38596279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/055461 WO2007141235A1 (de) 2006-06-06 2007-06-04 Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs

Country Status (3)

Country Link
DE (1) DE102006026576A1 (de)
TW (1) TW200811302A (de)
WO (1) WO2007141235A1 (de)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008045982A1 (de) 2008-09-05 2010-03-11 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung von nanoskaligen Netzwerken auf Oberflächen
DE102011051260A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
DE102011051261A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
DE102011051931A1 (de) 2011-07-19 2013-01-24 Aixtron Se Vorrichtung und Verfahren zum Bestimmen des Dampfdrucks eines in einem Trägergasstrom verdampften Ausgangsstoffes
TWI458843B (zh) 2011-10-06 2014-11-01 Ind Tech Res Inst 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
JP6584067B2 (ja) * 2014-05-30 2019-10-02 日立造船株式会社 真空蒸着装置
DE102014109196A1 (de) * 2014-07-01 2016-01-07 Aixtron Se Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung
CN107488831B (zh) * 2017-08-21 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种连续蒸镀系统
CN114309595B (zh) * 2022-01-05 2023-05-30 西安交通大学 一种金属合金粉末表面气相包覆Mo的方法与系统

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3729391A1 (de) * 1987-09-03 1989-03-16 Erno Raumfahrttechnik Gmbh Verfahren zur herstellung von pulvermaterial
DE4426264A1 (de) * 1994-07-25 1996-02-01 Siemens Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Dosierung eines Pulveraerosols
JPH11111644A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Japan Pionics Co Ltd 気化供給装置
US6180190B1 (en) * 1997-12-01 2001-01-30 President And Fellows Of Harvard College Vapor source for chemical vapor deposition
DE10057491A1 (de) * 2000-11-20 2002-05-23 Aixtron Ag Vorrichtung und Verfahren zum Zuführen eines in die Gasform gebrachten flüssigen Ausgangsstoffes in einen CVD-Reaktor
JP2003231963A (ja) * 2002-02-12 2003-08-19 Sanyo Shinku Kogyo Kk 真空蒸着方法とその装置
US7238389B2 (en) * 2004-03-22 2007-07-03 Eastman Kodak Company Vaporizing fluidized organic materials
FR2878453B1 (fr) * 2004-11-30 2007-03-16 Centre Nat Rech Scient Cnrse Dispositif de fourniture de vapeurs d'un precurseur solide a un appareil de traitement
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006026576A1 (de) 2008-01-10
WO2007141235A1 (de) 2007-12-13
TW200811302A (en) 2008-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007141235B1 (de) Vorrichtung und verfahren zum aufdampfen eines pulverförmigen organischen ausgangsstoffs
DE102007062977B4 (de) Verfahren zur Herstellung von Prozessgasen für die Dampfphasenabscheidung
DE4124018C1 (de)
EP3111205B1 (de) Vorrichtung und verfahren zur bestimmung der konzentration eines dampfes mittels eines schwingkörpersensors
WO2001061071B1 (de) Kondensationsbeschichtungsverfahren
JPH06291040A (ja) 液体気化供給方法と液体気化供給器
DE102011051261A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
US20130000557A1 (en) Apparatus for the Efficient Coating of Subtrates Including Plasma Cleaning
US20240026538A1 (en) Liquid vaporizer
DE102018118206A1 (de) Vorrichtung zur Bereitstellung von Druckgas an einer mit Druckgas arbeitenden Sprühvorrichtung, Verfahren zur Bereitstellung von Druckgas an einer mit Druckgas arbeitenden Sprühvorrichtung sowie Verfahren zum Versprühen eines flüssigen Mediums
EP1364076A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum zuführen eines in die gasform gebrachten flüssigen ausgangsstoffes in einen cvd-reaktor
DE102012220986B4 (de) Dosiereinheit und ihre Verwendung
KR960701235A (ko) 화학적 증착(cvd) 반응기에 반응제를 증기 형태로 공급하는 방법 및 장치(apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a cvd reactor)
DE160314T1 (de) Dampferzeuger.
TW201609568A (zh) 處理磷酸系混酸廢液而製造肥料的方法和裝置
CN210458362U (zh) 用于化学气相沉积反应的供气系统
WO2002044441A2 (de) Verfahren und vorrichtung zur dosierten abgabe kleiner flüssigkeitsvolumenströme
DE102020103822A1 (de) Vorrichtung zum Verdampfen eines organischen Pulvers
EP0312610A1 (de) Vakuumtrocknungsverfahren und -vorrichtung
EP2682980B1 (de) Verdampfer, zentralstange dafür und verfahren zur verdampfung eines durch ein trägergas getragenen materials
DE102017112668A1 (de) Verfahren zum Abscheiden von OLEDs
DE9828520T1 (de) Herstellung von zerstäubungsgas, verfahren und vorrichtung zur bildung von neuem material durch zerstäubungsgasabgabe
EP3865220A1 (de) Vorrichtung zur kontinuierlichen zufuhr einer flüssigen verbindung und entsprechendes verfahren
JP4419526B2 (ja) 気化器の気化性能評価方法
EP3296012B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines kontinuierlichen traegergas/dampf-gemisch-stromes

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07729849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase in:

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07729849

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1