WO2007134873A1 - Verwendung von quadratisch planaren übergangsmetallkomplexen als dotand - Google Patents

Verwendung von quadratisch planaren übergangsmetallkomplexen als dotand Download PDF

Info

Publication number
WO2007134873A1
WO2007134873A1 PCT/EP2007/004638 EP2007004638W WO2007134873A1 WO 2007134873 A1 WO2007134873 A1 WO 2007134873A1 EP 2007004638 W EP2007004638 W EP 2007004638W WO 2007134873 A1 WO2007134873 A1 WO 2007134873A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
dopant
transition metal
matrix
electronic
Prior art date
Application number
PCT/EP2007/004638
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Olaf Zeika
Rene Dathe
Steffen Willmann
Ansgar Werner
Original Assignee
Novaled Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Novaled Ag filed Critical Novaled Ag
Priority to US12/301,828 priority Critical patent/US9722190B2/en
Priority to JP2009511417A priority patent/JP5788140B2/ja
Publication of WO2007134873A1 publication Critical patent/WO2007134873A1/de

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F15/00—Compounds containing elements of Groups 8, 9, 10 or 18 of the Periodic System
    • C07F15/04—Nickel compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F17/00—Metallocenes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/331—Metal complexes comprising an iron-series metal, e.g. Fe, Co, Ni
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B10/00—Integration of renewable energy sources in buildings
    • Y02B10/10—Photovoltaic [PV]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the present invention relates to the use of a square planar transition metal complex as a dopant for doping an organic semiconductive matrix material, as a charge injection layer, as an electrode material and as a memory material in electronic or optoelectronic components.
  • Inorganic dopants such as alkali metals (eg cesium) or Lewis acids (eg FeCl 3 ) are usually disadvantageous in organic matrix materials because of their high diffusion coefficients, since the function and stability of the electronic components is impaired. Furthermore, these materials are volatile and thus lead to increasing contamination of the evaporation apparatus. Further, it is known to release dopants via chemical reactions in the semiconductive matrix material to provide dopants. However, the reduction potential of the dopants released in this way is often insufficient for various applications, in particular for organic light-emitting diodes (OLEDs). Furthermore, upon release of the dopants, further compounds and / or atoms, for example atomic hydrogen, are generated, whereby the properties of the doped layer or of the corresponding electronic component are impaired.
  • alkali metals eg cesium
  • Lewis acids eg FeCl 3
  • the acceptor-like material can also be used as a hole injection layer.
  • a layer structure anode / acceptor / hole transporter can be produced.
  • the hole transporter can be a pure layer or a mixed layer.
  • the hole transporter may also be doped with an acceptor.
  • the anode may be, for example, ITO.
  • the acceptor layer may, for example, be 0.5-100 nm thick.
  • Square planar transition metal complexes are known, for example, from WO 2005/123754 A2, which can be used in a wide variety of electronic applications, for example in active electronic components, passive electronic components, in electroluminescent devices (eg organic light emitting diodes), photovoltaic cells, light emitting diodes, Field effect transistors, phototransistors, etc ..
  • electroluminescent devices eg organic light emitting diodes
  • photovoltaic cells eg.g., light emitting diodes
  • light emitting diodes e.g., Field effect transistors, phototransistors, etc .
  • the use of the described square planar transition metal complexes is given as a charge transport material.
  • the compounds used as dopants should lead to sufficiently high reduction potentials without interfering influences for the matrix material itself and should provide an effective increase in the number of charge carriers in the matrix material and be comparatively easy to handle.
  • the first object is achieved in that the square planar transition metal complex has one of the following structures (I) or (II): - -
  • M is a transition metal selected from Groups 8 to 11 of the Periodic Table of the Elements
  • Xi, X 2 , X 3 and X 4 are independently selected from S, NR 5 and PR 5 , wherein R 5 is selected from, substituted or unsubstituted, linear or branched alkyl, cycloalkyl, aryl, heteroaryl, fused aromatic rings, donor groups and acceptor groups,
  • Ri and R 2 are independently selected from, substituted or unsubstituted, aromatics, heteroaromatics, aliphatic hydrocarbons, cycloaliphatic hydrocarbons and nitrile,
  • Li and L 2 are independently selected from aromatic amine, aromatic phosphine, halogen, pseudohalogen, NCS, SCN and CN.
  • M is selected from nickel, copper, palladium, platinum, iron, ruthenium and osmium, preferably nickel, cobalt and iron.
  • R 1 and R 2 are selected from substituted phenyl, preferably trifluoromethylphenyl, anisyl, tolyl, 2-pyridyl, methyl, propyl, isopropyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl and trichloromethyl. - -
  • the disclosed transition-metal complexes a significantly stronger and / or more stable dopant is present than with previously known acceptor compounds, the square planar transition metal complexes being used here in neutral form as a p-dopant over an organic semiconductive matrix material.
  • the conductivity of charge transport layers in the case of use according to the invention is substantially increased and / or the transfer of the charge carriers between the contacts and the organic layer is substantially improved in applications as an electronic component.
  • CT complexes are formed in a doped layer according to the invention when the disclosed transition metal complexes are used, in particular by the transfer of at least one electron from the respective surrounding matrix material.
  • cations of the matrix material are formed, which have movable holes on the matrix material.
  • the matrix material acquires a conductivity that is increased compared to the conductivity of the undoped matrix material.
  • Conductivities of undoped matrix materials are as a rule ⁇ 10 "8 S / cm, in particular frequently ⁇ 10 " 10 S / cm. It is important to ensure that the matrix materials have a sufficiently high purity. Such purities can be achieved by conventional methods, for example gradient sublimation. By doping the conductivity of such matrix materials can be increased to greater than 10 "8 S / cm, often> 10 " 5 S / cm. This is especially true for matrix materials that have an oxidation potential greater than -0.5 V vs.
  • Fc / Fc + preferably greater than 0 V vs. Fc / Fc + , in particular greater +0.2 V vs. Have Fc / Fc +.
  • the term Fc / Fc + refers to the redox couple ferrocene / ferrocenium, which is used as reference in an electrochemical determination of potential, for example cyclic voltammetry.
  • the described square planar transition metal complexes can be used as an injection layer in electronic components, preferably between an electrode and a semiconductor layer, which can also be doped, in electronic components.
  • Transition metal complexes can also be used according to the invention as part of a charge carrier generation layer, for example by use in a layer adjacent to another p- or n-doped layer.
  • the described planar transition compounds preferably represent isolated molecules which are thus preferably present in the respective semiconducting layer as isolated molecules which are not fixed by chemical bonds to one another and / or to a matrix or to another component.
  • the complexes have surprisingly high stability with respect to their reactivity with the atmosphere.
  • Transition metal complexes as described herein can be synthesized by known methods, and in part they are also commercially available. The synthesis of such compounds is described, for example, in the following references, which are hereby incorporated by reference in the application in their entirety. It is understood that the cited references are given by way of example only. According to Schrauzer et al. Such transition metal complexes can be prepared from 1,2-diketones or 2-hydroxyketones, phosphorus pentasulfide and a suitable transition metal salt, J. Am. Chem. Soc. (1965) 87/7 1483-9. The reaction of transition metal carbonyls with sulfur and acetylenes also leads to the complexes according to the invention, A. Davonon et al.
  • transition metal carbonyls instead of the transition metal carbonyls, it is also possible to use other formally 0-valent transition metal compounds, such as, for example, corresponding cyclooctadienyls, phosphines, etc., but also pure transition metals. G.N. Schrauzer et al. Z. Naturforschg. (1964) 19b, 192-8.
  • phthalocyanine complexes for example of Zn (ZnPc), Cu (CuPc), Ni (NiPc) or other metals, where the phthalocyanine ligand may also be substituted, may be used as p-dopable matrix materials.
  • Other metal complexes of naphthocyanines and porphyrins may optionally be used.
  • arylated or heteroarylated amines or benzidine derivatives which may be substituted or unsubstituted, in particular spiro-linked, can also be used as the matrix material.
  • NPD can be used as the matrix material.
  • heteroaromatics in particular imidazole, thiophene, thiazole derivatives, heterotriphenylenes, but also others, may also be used as the matrix material, optionally also dimeric, oligomeric or polymeric heteroaromatics.
  • the heteroaromatics are preferably substituted, in particular aryl-substituted, for example phenyl or naphthyl-substituted. They can also be present as spiro compounds.
  • matrix materials mentioned can also be used with one another or mixed with other materials in the context of the invention. It is understood that suitable other organic matrix materials can be used which have semiconducting, in particular hole-conducting properties. doping concentration
  • the dopant is present in a doping concentration of ⁇ 1: 1 to the matrix molecule or the monomeric unit of a polymeric matrix molecule, such as in a doping concentration of 1: 2 or smaller, more preferably 1: 5 or less or 1: 10 or smaller ,
  • the doping concentration may be in the range of 20: 1 to 1: 100,000, more preferably in the range of 10: 1 to 1: 1000, preferably in the range of 1: 1 to 1: 100, without being limited thereto.
  • the doping of the respective matrix material with the compounds to be used according to the invention can be carried out by one or a combination of the following processes:
  • the electron-deficient compounds according to the invention as p-dopants used may cm, for example in the use of spiro-TTB or ZnPc as the matrix semiconducting layers with conductivities at room temperature in the range of 10 "5 S / or be achieved higher, for example from 10 -3 S / cm or higher.
  • spiro-TTB or ZnPc as the matrix semiconducting layers with conductivities at room temperature in the range of 10 "5 S / or be achieved higher, for example from 10 -3 S / cm or higher.
  • cyanine zinc as the matrix a conductivity scored by higher 10 -8 S / cm, for example 10 -6 S / cm. it has not been possible to dope this matrix with organic acceptors since the oxidation potential of the matrix was too low, the conductivity of undoped phthalocyanine-zinc is not more than 10 -10 S / cm.
  • the dopant layer or formation may each contain one or more different such electron-poor transition metal complex compounds.
  • the described compounds for producing p-doped organic semiconducting materials which can be arranged in particular in the form of layers or electrical conduction paths, a multiplicity of electronic components or devices containing them can be produced with a p-doped organic semiconductor layer.
  • the term "electronic components” also encompasses optoelectronic components.
  • the described connections can be used to determine the electronic properties of an electronically functionally effective region of the component, such as its electrical conductivity, light-emitting properties or the like, are advantageously changed.
  • the conductivity of the doped layers can be improved and / or the improvement of the charge carrier injection of contacts into the doped layer can be achieved.
  • the invention comprises in particular organic light-emitting diodes (OLED), organic solar cells, field-effect transistors, organic diodes, in particular those with a high rectification ratio such as 10 3 -10 7 , preferably 10 4 -10 7 or 10 5 -10 7 , and organic field-effect transistors, which are produced by means of the electron-poor transition metal complex compounds.
  • OLED organic light-emitting diodes
  • organic solar cells organic solar cells
  • field-effect transistors organic diodes, in particular those with a high rectification ratio such as 10 3 -10 7 , preferably 10 4 -10 7 or 10 5 -10 7
  • organic field-effect transistors which are produced by means of the electron-poor transition metal complex compounds.
  • a p-doped layer based on an organic matrix material may be present, for example, in the following layer structures, wherein preferably the base materials or matrix materials of the individual layers are each organic:
  • p-i-M p-doped semiconductor insulator metal
  • p-i-n p-doped semiconductor-insulator-n-doped semiconductor
  • n-i-p n-doped semiconductor-insulator-p-doped semiconductor.
  • i is an undoped layer
  • p is a p-doped layer.
  • the contact materials are here hole injecting, wherein on the p-side, for example, a layer or a contact of ITO or Au may be provided, or electron-injecting, n-side, a layer or a contact of ITO, Al or Ag can be provided.
  • the i-layer may also be omitted, whereby layer sequences with pn or np junctions can be obtained.
  • the use of the compounds described is not limited to the abovementioned exemplary embodiments; in particular, the layer structures can be supplemented or modified by introducing additional suitable layers.
  • OLEDs with such layer sequences, in particular with pin or with an inverse structure with them, can be constructed with the compounds described.
  • organic diodes of the metal-insulator-p-doped semiconductor type (mip) or optionally of the pin type, for example on the basis of phthalocyanine zinc. These diodes show a rectification ratio of 10 5 and higher.
  • dopants according to the invention it is possible to produce electronic components with pn junctions, in which case the same semiconductor material can be used in particular for the p- and n-doped sides (homo-pn junction), and where doped semiconductor material, a described electron-poor transition metal complex compound is used.
  • the electron-poor transition metal complex compounds can be used according to the invention in the electronic components but also in layers, conductance paths, point contacts or the like, if these predominate over another component, for example as an injection layer in pure or substantially pure form.
  • An extremely electron-poor transition metal complex compound of high purity is provided.
  • the presented electron-poor transition metal complex compound is evaporated simultaneously with the matrix material.
  • the matrix material eg spiro-TTB or ⁇ -NPD.
  • the p-type dopant and the matrix material can be evaporated in such a way that the layer deposited on a substrate in a vacuum evaporation system has a doping ratio of p-dopant to matrix material of 1:10.
  • Each doped with the p-dopant layer of the organic semiconductor material is applied to an ITO layer (indium tin oxide), which is arranged on a glass substrate.
  • ITO layer indium tin oxide
  • a metal cathode is deposited, for example, by vapor deposition of a suitable metal to produce an organic light emitting diode.
  • the organic light-emitting diode can also have a so-called inverted layer structure, wherein the layer sequence is: glass substrate - metal cathode -p-doped organic layer - transparent conductive cover layer (for example ITO). It is understood that depending on the application, further layers can be provided between the individual layers mentioned.
  • the neutral nickel complex bis (cw-l, 2-bis [trifluoromethyl] ethylene-l, 2-dithiolato) nickel was used for the doping of spiro-TTB as a matrix material.
  • Doped layers with a doping ratio dopant: matrix material of 1:10 were prepared by mixed evaporation of matrix and dopant with spiro-TTB.
  • the conductivity was 2xlO ⁇ 4 S / cm.
  • the neutral nickel complex bis (cw-l, 2-bis [trifluoromethyl] ethylene-l, 2-dithiolato) nickel was used for doping ⁇ -NPD as a matrix material.
  • Doped layers with a doping ratio of dopant: matrix material of 1:10 were prepared by mixed evaporation of matrix and dopant with ⁇ -NPD. 2xlO '7, the conductivity was S / cm. - -
  • the neutral cobalt complex bis (c / 5-l, 2-bis [trifluoromethyl] ethylene-l, 2-dithiolato) cobalt was used for doping ZnPc as a matrix material.
  • Doped layers with a doping ratio of dopant: matrix material of 1:10 were prepared by mixed evaporation of matrix and dopant with ZnPc.
  • the conductivity was 2XW 4 SlCm.
  • the neutral iron complex bis (c / 5-l, 2-bis [trifluoromethyl] ethylene-l, 2-dithiolato) iron was used for doping ZnPc as a matrix material.
  • Doped layers with a doping ratio of dopant: matrix material of 1:10 were prepared by mixed evaporation of matrix and dopant with ZnPc.
  • the conductivity was 3 ⁇ 10 -3 S / cm.
  • the neutral nickel complex Bis (c / sl, 2-bis [2,2'-pyridyl] ethylene-l, 2-dithiolato) nickel was used for doping ZnPc as a matrix material.
  • Doped layers with a doping ratio of dopant: matrix material of 1:10 were prepared by mixed evaporation of matrix and dopant with ZnPc.
  • the conductivity was 4x10 "5 S / cm.

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexes als Dotand, Ladungsinjektionsschicht, Elektrodenmaterial oder Speichermaterial.

Description

Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand
Die vorliegende Erfindung betrifft die Verwendung eines quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexes als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, als Ladungsinjektionsschicht, als Elektrodenmaterial und als Speichermaterial in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen.
Es ist bekannt, organische Halbleiter durch Dotierung hinsichtlich ihrer elektrischen Eigenschaften, insbesondere ihrer elektrischen Leitfähigkeit, zu verändern, wie dies auch bei anorganischen Halbleitern, wie Siliciumhalbleitern, der Fall ist. Hierbei wird durch Erzeugung von Ladungsträgern im Matrixmaterial eine Erhöhung der zunächst recht niedrigen Leitfähig- keit sowie je nach Art des verwendeten Dotanden eine Veränderung im Fermi-Niveau des Halbleiters erreicht. Eine Dotierung führt hierbei zu einer Erhöhung der Leitfähigkeit von Ladungstransportschichten, wodurch ohmsche Verluste verringert werden, und zu einem verbesserten Übergang der Ladungsträger zwischen Kontakten und organischer Schicht.
Anorganische Dotanden wie Alkalimetalle (z.B. Cäsium) oder Lewis-Säuren (z.B. FeCl3) sind bei organischen Matrixmaterialien aufgrund ihrer hohen Diffusionskoeffizienten meist nachteilig, da die Funktion und Stabilität der elektronischen Bauelemente beeinträchtigt wird. Weiterhin sind diese Materialen leicht flüchtig und fuhren so zu einer zunehmenden Verunreinigung der Verdampfungsapparatur. Ferner ist es bekannt, Dotanden über chemische Reaktionen in dem halbleitenden Matrixmaterial freizusetzen, um Dotanden bereitzustellen. Das Reduktionspotential der derart freigesetzten Dotanden ist jedoch für verschiedene Anwendungsfälle, wie insbesonders für organische Leuchtdioden (OLED), oftmals nicht ausreichend. Ferner werden bei Freisetzung der Dotanden auch weitere Verbindungen und/oder Atome, beispielsweise atomarer Wasserstoff, erzeugt, wodurch die Eigenschaften der dotierten Schicht bzw. des korrespondierenden elektronischen Bauelementes beeinträchtigt werden.
Das akzeptorartige Material kann auch als Löcherinjektionsschicht eingesetzt werden. So kann beispielsweise eine Schichtstruktur Anode/ Akzeptor/ Löchertransporter hergestellt werden. Dabei kann der Löchertransporter eine reine Schicht oder eine Mischschicht sein. Insbe- sondere kann der Löchertransporter ebenfalls mit einem Akzeptor dotiert sein. Die Anode kann beispielsweise ITO sein. Die Akzeptorschicht kann beispielsweise 0.5-1 OOnm dick sein.
Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe sind beispielsweise aus der WO 2005/123754 A2 bekannt, die in einer großen Vielzahl von elektronischen Anwendungen verwendet werden können, beispielsweise in aktiven elektronischen Komponenten, passiven elektronischen Komponenten, in Elektrolumineszenzvorrichtungen (z.B. organischen lichtemittierenden Dioden), Photovoltaikzellen, lichtemittierenden Dioden, Feldeffekttransistoren, Phototransistoren, etc.. Der Einsatz der beschriebenen quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexe wird als Ladungstransportmaterial angegeben.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, verbesserte organische halbleitende Matrixmaterialien, Ladungsinjektionsschichten, Elektrodenmaterialien und Speichermaterialien, insbesondere in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, bereitzustellen. Insbesondere für dotierte organische halbleitende Matrixmaterialien sollen die als Dotand eingesetzten Verbindungen zu ausreichend hohen Reduktionspotentialen ohne störende Einflüsse für das Matrixmaterial selbst führen und eine wirksame Erhöhung der Ladungsträgeranzahl im Matrixmaterial bereitstellen und vergleichsweise einfach handhabbar sein.
Weitere Aufgaben der vorliegenden Erfindung liegen in der Bereitstellung von organischen halbleitenden Materialien und von elektronischen Bauelementen oder optoelektronischen Bauelementen.
Die erste Aufgabe wird dadurch gelöst, daß der quadratisch planare Übergangsmetallkomplex eine der folgenden Strukturen (I) oder (II) aufweist: - -
Figure imgf000004_0001
(i) (H)
wobei M ein Übergangsmetall ist, das ausgewählt wird aus den Gruppen 8 bis 11 des Periodensystems der Elemente,
Xi, X2, X3 und X4 unabhängig ausgewählt werden aus S, NR5 und PR5, wobei R5 ausgewählt wird aus, substituiert oder unsubstiruiert, linearem oder verzweigtem Alkyl, Cycloalkyl, Aryl, Heteroaryl, kondensierten aromatischen Ringen, Donorgruppen und Akzeptorgruppen,
Ri und R2 unabhängig ausgewählt werden aus, substituiert oder unsubstituiert, Aromaten, Heteroaromaten, aliphatischen Kohlenwasserstoffen, cycloaliphatischen Kohlenwasserstoffen und Nitril,
Li und L2 unabhängig ausgewählt werden aus aromatischem Amin, aromatischem Phosphin, Halogen, Pseudohalogen, NCS, SCN und CN.
Bevorzugt wird M ausgewählt aus Nickel, Kupfer, Palladium, Platin, Eisen, Ruthenium und Osmium, vorzugsweise Nickel, Kobalt und Eisen.
Auch ist vorgesehen, daß Ri und R2 ausgewählt werden aus substituiertem Phenyl, vorzugsweise Trifluormethylphenyl, Anisyl, Tolyl, 2-Pyridyl, Methyl, Propyl, Isopropyl, Trifluor- methyl, Pentafluorethyl unhd Trichlormethyl. - -
Die weiteren Aufgaben werden durch ein organisches halbleitendes Material gemäß Anspruch 4 sowie ein elektronisches oder optoelektronisches Bauelement gemäß Anspruch 6 gelöst. Weiter bevorzugte Ausführungsformen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Überraschenderweise wurde festgestellt, daß bei erfindungsgemäßer Verwendung der offen- barten Übergangsmetallkomplexe ein wesentlich stärkerer und/oder stabilerer Dotand als bei bisher bekannten Akzeptorverbindungen vorliegt, wobei die quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexe hier in neutraler Form als ein p-Dotand gegenüber einem organischen halbleitenden Matrixmaterial eingesetzt werden. Insbesondere wird die Leitfähigkeit von Ladungstransportschichten bei erfindungsgemäßer Verwendung wesentlich erhöht und/oder der Übergang der Ladungsträger zwischen den Kontakten und organischer Schicht bei Anwendungen als elektronisches Bauelement wesentlich verbessert. Ohne durch diese Vorstellung eingeschränkt zu sein, wird davon ausgegangen, dass bei erfindungsgemäßer Verwendung der offenbarten Übergangsmetallkomplexe in einer dotierten Schicht CT-Komplexe gebildet werden, insbesondere durch den Transfer von mindestens einem Elektron vom jeweiligen umge- benden Matrixmaterial. Ebenso werden dabei Kationen des Matrixmaterials gebildet, die auf dem Matrixmaterial bewegliche Löcher aufweisen. Auf diese Weise gewinnt das Matrixmaterial eine Leitfähigkeit, die gegenüber der Leitfähigkeit des undotierten Matrixmaterials erhöht ist. Leitfähigkeiten von undotierten Matrixmaterialien betragen in der Regel < 10"8 S/cm, insbesondere häufig < 10"10 S/cm. Es ist dabei darauf zu achten, dass die Matrixmaterialien eine genügend hohe Reinheit aufweisen. Solche Reinheiten sind mit herkömmlichen Methoden, zum Beispiel Gradientensublimation, zu erreichen. Durch Dotierung lässt sich die Leitfähigkeit solcher Matrixmaterialien auf größer 10"8 S/cm, häufig > 10"5 S/cm erhöhen. Dies gilt insbesondere für Matrixmaterialien, die ein Oxidationspotential von größer als -0,5 V vs. Fc/Fc+, bevorzugt größer 0 V vs. Fc/Fc+, insbesondere größer +0.2 V vs. Fc/Fc+ aufweisen. Die Angabe Fc/Fc+ bezieht sich auf das Redoxpaar Ferrocen/ Ferrocenium, das als Referenz in einer elektrochemischen Potentialbestimmung, zum Beispiel Zyklovoltammetrie, eingesetzt wird.
Erfindungsgemäß wurde ferner festgestellt, daß die beschriebenen quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexe als Injektionsschicht in elektronischen Bauteilen, vorzugsweise zwi- sehen einer Elektrode und einer Halbleiterschicht, die auch dotiert sein kann, in elektronischen Bauelementen eingesetzt werden können. Die beschriebenen quadratisch planaren - -
Übergangsmetallkomplexe können erfindungsgemäß auch als Teil einer Ladungsträgergenerationsschicht verwendet werden, beispielsweise durch Verwendung in einer Schicht, an die eine weitere p- oder n-dotierte Schicht angrenzt. Bei erfindungsgemäßer Verwendung stellen die beschriebenen planaren Übergangsverbindungen vorzugsweise isolierte Moleküle dar, die somit bevorzugt in der jeweiligen halbleitenden Schicht als isolierte Moleküle vorliegen, die nicht durch chemische Bindungen untereinander und/oder an eine Matrix oder an eine andere Komponente fixiert sind. Die Komplexe weisen eine überraschend hohe Stabilität in Bezug auf ihre Reaktivität mit der Atmosphäre auf.
Syntheseverfahren
Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe, wie sie hierin beschrieben werden, lassen sich nach bekannten Verfahren synthetisieren, teilweise sind sie auch kommerziell erhältlich. Die Synthese solcher Verbindungen ist beispielsweise in folgenden Literaturstellen beschrieben, die hiermit jeweils vollumfänglich als Referenz in der Anmeldung mit eingeschlossen sind. Es versteht sich, dass die genannten Literaturstellen nur beispielhaft angegeben sind. Nach Schrauzer et al. lassen sich solche Übergangsmetallkomplexe aus 1 ,2-Diketonen oder 2- Hydroxyketonen, Phosphorpentasufid und einem geeigneten Übergangsmetallsalz herstellen, J. Am. Chem. Soc. (1965) 87/7 1483-9 . Die Umsetzung von Übergangsmetall-Carbonylen mit Schwefel und Acetylenen fuhrt ebenfalls zu den erfϊndungsgemäßen Komplexen, A. Da- vison et al. Inorg. Chem. (1964) 3/6 814. Anstatt der Übergangsmetall-Carbonyle können auch andere formal 0-wertige Übergangsmetallverbindungen, wie zum Beispiel entsprechenden Cyclooctadienyle, Phosphine, usw., aber auch reine Übergangsmetalle eingesetzt werden, G.N.Schrauzer et al. Z. Naturforschg. (1964) 19b, 192-8.
Dotierunfi
Als p-dotierbare Matrixmaterialen können unter anderem Phthalocyaninkomplexe, beispiels- weise des Zn (ZnPc), Cu (CuPc), Ni (NiPc) oder anderer Metalle, wobei der Phthalocyaninli- gand auch substituiert sein kann, eingesetzt werden. Auch andere Metallkomplexe von Naph- thocyaninen und Porphyrinen können gegebenenfalls eingesetzt werden. Weiterhin können als Matrixmaterial auch arylierte oder heteroarylierte Amine bzw. Benzidinderivate eingesetzt werden, die substituiert oder unsubstituiert sein können, insbesondere auch Spiro- verknüpfte, - -
beispielsweise TPD, α-NPD, TDATA, Spiro-TTB. Vorzugsweise kann NPD als Matrixmaterial verwendet werden.
Als Matrixmaterial können neben polyaromatischen Kohlenwasserstoffen auch Heteroaroma- ten, wie insbesondere Imidazol-, Thiophen-, Thiazolderivate, Heterotriphenylene, aber auch andere eingesetzt werden, gegebenenfalls auch dimere, oligomere bzw. polymere Heteroaro- maten. Die Heteroaromaten sind vorzugsweise substituiert, insbesondere Aryl-substituiert, beispielsweise Phenyl- oder Naphthyl-substituiert. Sie können auch als Spiroverbindungen vorliegen.
Es versteht sich, dass die genannten Matrixmaterialien auch untereinander oder mit anderen Materialien gemischt im Rahmen der Erfindung einsetzbar sind. Es versteht sich, dass auch geeignete andere organische Matrixmaterialien verwendet werden können, die halbleitende, insbesondere löcherleitende Eigenschaften aufweisen. Dotierungskonzentration
Vorzugsweise liegt der Dotand in einer Dotierungskonzentration von < 1 : 1 zu dem Matrixmolekül bzw. der monomeren Einheit eines polymeren Matrixmoleküls vor, wie in einer Dotierungskonzentration von 1 :2 oder kleiner, besonders bevorzugt von 1 :5 oder kleiner oder 1 :10 oder kleiner. Die Dotierungskonzentration kann in dem Bereich von 20:1 bis 1 :100.000, insbesondere in dem Bereich von 10:1 bis 1 :1.000 liegen, bevorzugt in dem Bereich von 1 : 1 bis 1 : 100, ohne hierauf beschränkt zu sein.
Durchführung der Dotierung
Die Dotierung des jeweiligen Matrixmaterials mit den erfindungsgemäß zu verwendenden Verbindungen kann durch eines oder eine Kombination der folgenden Verfahren erfolgen:
a) Mischverdampfung im Vakuum mit einer Quelle für das Matrixmaterial und einer für den Dotanden.
b) Sequentielles Deponieren des Matrixmaterials und des p-Dotanden auf einem Substrat mit anschließender Eindiffusion des Dotanden, insbesondere durch thermische Be- handlung.
c) Dotierung einer Matrixschicht durch eine Lösung von p-Dotanden mit anschließendem Verdampfen des Lösungsmittels, insbesondere durch thermische Behandlung.
d) Oberflächendotierung einer Matrixmaterialschicht durch eine oberflächlich aufgebrachte Schicht von Dotanden .
e) Herstellung einer Lösung von Matrixmolekülen und Dotanden und anschließende
Herstellung einer Schicht aus dieser Lösung mittels konventioneller Methoden wie beispielsweise Verdampfen des Lösungsmittels oder Aufschleudern. Auf diese Weise können somit p-dotierte Schichten von organischen Halbleitern hergestellt werden, die vielfältig einsetzbar sind.
Halbleitende Schicht
Mittels der erfindungsgemäß verwendeten elektronenarmen Übergangsmetallkomplexverbin- düngen können halbleitende Schichten erzeugt werden, die gegebenenfalls eher linienförmig ausgebildet sind, wie z.B. als Leitfahigkeitspfade, Kontakte oder dergleichen.
Mittels der erfindungsgemäß als p-Dotanden eingesetzten elektronenarmen Verbindungen können beispielsweise bei der Verwendung von Spiro-TTB oder ZnPc als Matrix halbleitende Schichten mit Leitfähigkeiten bei Raumtemperatur in dem Bereich von 10"5 S/cm oder höher erzielt werden, beispielsweise von 10'3 S/cm oder höher. Bei der Verwendung von Phthalo- cyanin-Zink als Matrix wurde eine Leitfähigkeit von höher 10~8 S/cm erzielt, beispielsweise 10~6 S/cm. Bisher war es nicht möglich, diese Matrix mit organischen Akzeptoren zu dotieren, da das Oxidationspotential der Matrix zu gering war. Die Leitfähigkeit von undotiertem Phthalocyanin-Zink beträgt hingegen maximal 10"10 S/cm.
Es versteht sich, dass die Schicht oder das Gebilde mit den Dotanden jeweils ein oder mehrere verschiedene derartige elektronenrarme Übergangsmetallkomplexverbindungen enthalten kann.
Elektronisches Bauelement
Unter Verwendung der beschriebenen Verbindungen zur Herstellung p-dotierter organischer halbleitender Materialien, die insbesondere in Form von Schichten oder elektrischen Leitungspfaden angeordnet sein können, können eine Vielzahl elektronischer Bauelemente oder diese enthaltende Einrichtungen mit einer p-dotierten organischen Halbleiterschicht hergestellt werden. Im Sinne der Erfindung werden von dem Begriff „elektronische Bauelemente" auch optoelektronische Bauelemente mit umfasst. Durch die beschriebenen Verbindungen können die elektronischen Eigenschaften eines elektronisch funktionell wirksamen Bereichs des Bauelementes, wie dessen elektrische Leitfähigkeit, lichtemittierende Eigenschaften oder dergleichen, vorteilhaft verändert werden. So kann die Leitfähigkeit der dotierten Schichten verbessert und/oder die Verbesserung der Ladungsträgerinjektion von Kontakten in die dotierte Schicht erreicht werden.
Die Erfindung umfasst insbesondere organische lichtemittierende Dioden (OLED), organische Solarzellen, Feldeffekt-Transistoren,organische Dioden, insbesondere solche mit hohem Gleichrichtungsverhältnis wie 103-107,vorzugsweise 104- 107 oder 1O5-1O7, und organische Feldeffekttransistoren, die mittels der elektronenarmen Übergangsmetallkomplexverbindun- gen hergestellt sind.
In dem elektronischen Bauelement kann eine p-dotierte Schicht auf Basis eines organischen Matrixmaterials beispielsweise in folgenden Schichtstrukturen vorliegen, wobei vorzugsweise die Basismaterialien oder Matrixmaterialien der einzelnen Schichten jeweils organisch sind:
p-i-M: p-dotierter Halbleiter-Isolator-Metall
M-i-p: Metall-Isolator-p-dotierter Halbleiter
p-i-n: p-dotierter Halbleiter-Isolator-n-dotierter Halbleiter,
n-i-p: n-dotierter Halbleiter-Isolator-p-dotierter Halbleiter.
„i" ist wiederum eine undotierte Schicht, „p" ist eine p-dotierte Schicht. Die Kontaktmaterialien sind hier löcherinjizierend, wobei p-seitig beispielsweise eine Schicht oder ein Kontakt aus ITO oder Au vorgesehen sein kann, oder elektroneninjizierend, wobei n-seitig eine Schicht oder ein Kontakt aus ITO, Al oder Ag vorgesehen sein kann.
In obigen Strukturen kann im Bedarfsfall auch die i-Schicht ausgelassen werden, wodurch Schichtenabfolgen mit p-n oder n-p-Übergängen erhalten werden können. Die Verwendung der beschriebenen Verbindungen ist jedoch auf die oben genannten Ausfuhrungsbeispiele nicht beschränkt, insbesondere können die Schichtstrukturen durch Einführung zusätzlicher geeigneter Schichten ergänzt bzw. modifiziert werden. Insbesondere können jeweils OLEDs mit derartigen Schichtabfolgen, insbesondere mit pin- oder mit einer dazu in- versen Struktur, mit den beschriebenen Verbindungen aufgebaut werden.
Mit Hilfe der beschriebenen p-Dotanden können insbesondere organische Dioden vom Typ Metall-Isolator-p-dotierte Halbleiter (mip) oder auch gegebenenfalls vom pin-Typ hergestellt werden, beispielsweise auf der Basis von Phthalozyaninzink. Diese Dioden zeigen ein Rekti- fizierungsverhältnis von 105 und höher. Ferner können unter Verwendung der erfindungsge- mäßen Dotanden elektronische Bauelemente mit p-n-Übergängen erzeugt werden, wobei insbesondere für die p- und die n-dotierte Seite jeweils dasselbe Halbleitermaterial verwendet werden kann (Homo-p-n-Übergang), und wobei für das n-dotierte Halbleitermaterial eine beschriebene elektronenarme Übergangsmetallkomplexverbindung eingesetzt wird.
Die elektronenarmen Übergangsmetallkomplexverbindungen können erfindungsgemäß in den elektronischen Bauelementen aber auch in Schichten, Leitfähigkeitspfaden, Punktkontakten oder dergleichen eingesetzt werden, wenn diese gegenüber einer anderen Komponente überwiegen, beispielsweise als Injektionsschicht in reiner oder im wesentlichen reiner Form.
Weitere Aufgaben und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nun anschaulich anhand der folgenden Beispiele beschrieben, die lediglich veranschaulichend und nicht als den Um- fang der Erfindung begrenzend zu betrachten sind.
Anwendungsbeispiele
Es wird eine äußerst elektronenarme Übergangsmetallkomplexverbindung in hoher Reinheit bereitgestellt.
Die vorgelegte elektronenarme Übergangsmetallkomplexverbindung wird gleichzeitig mit dem Matrixmaterial verdampft. Gemäß dem Ausführungsbeispiel kann das Matrixmaterial z.B. Spiro-TTB oder α-NPD sein. Der p-Dotand und das Matrixmaterial können derart verdampft werden, dass die auf einem Substrat in einer Vakuumverdampfungsanlage niedergeschlagene Schicht ein Dotierungsverhältnis von p-Dotand zu Matrixmaterial von 1 :10 aufweist.
Die jeweils mit dem p-Dotanden dotierte Schicht des organischen Halbleitermaterials ist auf einer ITO-Schicht (Indiumzinnoxid) aufgebracht, welche auf einem Glassubstrat angeordnet ist. Nach Aufbringung der p-dotierten organischen Halbleiterschicht wird eine Metallkathode aufgebracht, beispielsweise durch Aufdampfung eines geeigneten Metalls, um eine organische Leuchtdiode herzustellen. Es versteht sich, dass die organische Leuchtdiode auch einen sogenannten invertierten Schichtaufbau haben kann, wobei die Schichtenabfolge ist: Glassubstrat - Metallkathode -p-dotierte organische Schicht - transparente leitende Deckschicht (beispielsweise ITO). Es versteht sich, dass je nach Anwendungsfall zwischen den einzelnen genannten Schichten weitere Schichten vorgesehen sein können.
Beispiel 1 :
Der neutrale Nickelkomplex Bis(cw-l,2-bis[trifluormethyl]ethylen-l,2-dithiolato)nickel wurde zur Dotierung von Spiro-TTB als Matrixmaterial verwandt. Dotierte Schichten mit einem Dotierungsverhältnis Dotand : Matrixmaterial von 1 : 10 wurden durch Mischverdampfung von Matrix und Dotand mit Spiro-TTB hergestellt. Die Leitfähigkeit betrug 2xlO~4S/cm.
Beispiel 2:
Der neutrale Nickelkomplex Bis(cw-l,2-bis[trifluormethyl]ethylen-l,2-dithiolato)nickel wurde zur Dotierung von α-NPD als Matrixmaterial verwandt. Dotierte Schichten mit einem Dotierungsverhältnis Dotand : Matrixmaterial von 1 : 10 wurden durch Mischverdampfung von Matrix und Dotand mit α-NPD hergestellt. Die Leitfähigkeit betrug 2xlO'7S/cm. - -
Beispiel 3:
Der neutrale Cobaltkomplex Bis(c/5-l,2-bis[trifluormethyl]ethylen-l,2-dithiolato)cobalt wurde zur Dotierung von ZnPc als Matrixmaterial verwandt. Dotierte Schichten mit einem Dotierungsverhältnis Dotand : Matrixmaterial von 1 : 10 wurden durch Mischverdampfung von Matrix und Dotand mit ZnPc hergestellt. Die Leitfähigkeit betrug 2XW4SlCm.
Beispiel 4:
Der neutrale Eisenkomplex Bis(c/5-l,2-bis[trifluormethyl]ethylen-l,2-dithiolato)eisen wurde zur Dotierung von ZnPc als Matrixmaterial verwandt. Dotierte Schichten mit einem Dotierungsverhältnis Dotand : Matrixmaterial von 1 : 10 wurden durch Mischverdampfung von Matrix und Dotand mit ZnPc hergestellt. Die Leitfähigkeit betrug 3xlO"3S/cm.
Beispiel 5:
Der neutrale Nickelkomplex Bis(c/s-l,2-bis[2,2'-pyridyl]ethylen-l,2-dithiolato)nickel wurde zur Dotierung von ZnPc als Matrixmaterial verwandt. Dotierte Schichten mit einem Dotierungsverhältnis Dotand : Matrixmaterial von 1 : 10 wurden durch Mischverdampfung von Matrix und Dotand mit ZnPc hergestellt. Die Leitfähigkeit betrug 4x10"5 S/cm.
Die in der vorstehenden Beschreibung und in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in jeder beliebigen Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein.

Claims

Ansprüche
1. Verwendung eines quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexes als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials, als Ladungsinjektions- schicht, als Elektrodenmaterial oder als Speichermaterial in elektronischen oder optoelektronischen Bauelementen, dadurch gekennzeichnet, daß der quadratisch planare Übergangsmetallkomplex eine der folgenden Strukturen (I) oder (II) aufweist:
Figure imgf000014_0001
(I) (H)
wobei M ein Übergangsmetall ist, das ausgewählt wird aus den Gruppen 8 bis 1 1 des
Periodensystems der Elemente,
Xi, X2, X3 und X4 unabhängig ausgewählt werden aus S, NR5 und PR5, wobei R5 ausgewählt wird aus substituiert oder unsubstituiert, linearem oder verzweigtem Alkyl, Cycloalkyl, Aryl, Heteroaryl, kondensierten aromatischen Ringen, Donorgruppen und Akzeptorgruppen,
Ri und R2 unabhängig ausgewählt werden aus, substituiert oder unsubstituiert, Aroma- ten, Heteroaromaten, aliphatischen Kohlenwasserstoffen, cycloaliphatischen Kohlenwasserstoffen und Nitril, Li und L2 unabhängig ausgewählt werden aus aromatischem Amin, aromatischem Phosphin, Halogen, Pseudohalogen, NCS, SCN und CN.
2. Verwendung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß M ausgewählt wird aus Nickel, Kupfer, Palladium, Platin, Eisen, Kobalt, Ruthenium und Osmium, vorzugs- weise Nickel, Palladium, Platin und Eisen.
3. Verwendung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß R1 und R2 ausgewählt werden aus substituiertem Phenyl, vorzugsweise Trifluormethylphenyl, Anisyl, Tolyl, 2-Pyridyl, Methyl, Propyl, Isopropyl, Trifluormethyl, Pentafluorethyl und Trichlormethyl.
4. Organisches halbleitendes Material enthaltend zumindest eine organische Matrixverbindung und einen Dotanden, dadurch gekennzeichnet, daß der Dotand zumindest eine Verbindung gemäß den Ansprüchen 1 bis 3 ist.
5. Organisches halbleitendes Material nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das molare Dotierungsverhältnis von Dotand zu Matrixmolekül bzw. das Dotierungs- Verhältnis von Dotand zu monomeren Einheiten eines polymeren Matrixmoleküls zwischen 20:1 und 1 :100.000, bevorzugt 10:1 und 1 :1.000, besonders bevorzugt 1 :1 und 1 :100 beträgt.
6. Elektronisches oder optoelektronisches Bauelement mit einem elektronisch funktionell wirksamen Bereich, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronisch wirksame Bereich zumindest eine Verbindung der Ansprüche 1 bis 3 umfaßt.
7. Elektronisches oder optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der elektronisch wirksame Bereich ein organisches halbleitendes Matrixmaterial aufweist, welches mit zumindest einem Dotanden zur Veränderung der elektronischen Eigenschaften des halbleitenden Matrixmaterials dotiert ist und der Do- tand eine Verbindung gemäß den Ansprüchen 1 bis 3 ist. - -
8. Elektronisches oder optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6 oder 7 in Form einer organischen lichtemittierenden Diode, einer photovoltaischen Zelle, einer organischen Solarzelle, einer organischen Diode oder eines organischen Feldeffekttransistors.
PCT/EP2007/004638 2006-05-24 2007-05-24 Verwendung von quadratisch planaren übergangsmetallkomplexen als dotand WO2007134873A1 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/301,828 US9722190B2 (en) 2006-05-24 2007-05-24 Use of square planar transition metal complexes as dopant
JP2009511417A JP5788140B2 (ja) 2006-05-24 2007-05-24 平面正方形遷移金属錯体の使用

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06010719.0 2006-05-24
EP06010719A EP1860709B1 (de) 2006-05-24 2006-05-24 Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007134873A1 true WO2007134873A1 (de) 2007-11-29

Family

ID=37136670

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/004638 WO2007134873A1 (de) 2006-05-24 2007-05-24 Verwendung von quadratisch planaren übergangsmetallkomplexen als dotand

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9722190B2 (de)
EP (1) EP1860709B1 (de)
JP (1) JP5788140B2 (de)
KR (1) KR20090024722A (de)
WO (1) WO2007134873A1 (de)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110124141A1 (en) * 2008-02-27 2011-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Doped Organic Semiconducting Layer
US8119037B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Novaled Ag Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components
WO2015082046A2 (de) 2013-12-06 2015-06-11 Merck Patent Gmbh Substituierte oxepine
EP3345984A1 (de) 2013-12-06 2018-07-11 Merck Patent GmbH Verbindungen und organische elektronische vorrichtungen
WO2018189134A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019002198A1 (en) 2017-06-26 2019-01-03 Merck Patent Gmbh HOMOGENEOUS MIXTURES
WO2019007867A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019007866A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019096717A2 (de) 2017-11-14 2019-05-23 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019229011A1 (de) 2018-05-30 2019-12-05 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2020178230A1 (en) 2019-03-04 2020-09-10 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials
DE102008051737B4 (de) 2007-10-24 2022-10-06 Novaled Gmbh Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe, organische halbleitende Materialien sowie elektronische oder optoelektronische Bauelemente, die diese umfassen und Verwendung derselben

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007028237A1 (de) * 2007-06-20 2008-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und elektronisches Bauteil
DE102007028238A1 (de) 2007-06-20 2008-12-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und organische Leuchtdiode
DE102007028236A1 (de) * 2007-06-20 2009-01-02 Siemens Ag Halbleitendes Material und organische Gleichrichterdiode
GB2467316B (en) 2009-01-28 2014-04-09 Pragmatic Printing Ltd Electronic devices, circuits and their manufacture
GB2473200B (en) 2009-09-02 2014-03-05 Pragmatic Printing Ltd Structures comprising planar electronic devices
EP3002797B1 (de) * 2014-09-30 2020-04-29 Novaled GmbH Lichtemittierende organische Vorrichtung und aktive OLED-Anzeige
WO2018150006A1 (en) 2017-02-20 2018-08-23 Novaled Gmbh Electronic semiconducting device, method for preparing the electronic semiconducting device and compound
EP3462516A1 (de) * 2017-10-02 2019-04-03 Novaled GmbH Elektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung davon

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03208689A (ja) * 1990-01-12 1991-09-11 Dainippon Printing Co Ltd 光情報記録媒体及びその製造方法
US20040241492A1 (en) * 2002-12-19 2004-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and a method of manufacturing thereof
WO2005086251A2 (de) * 2004-03-03 2005-09-15 Novaled Gmbh Verwendung von metallkomplexen als n-dotanden für organische halbleiter und die darstellung derselbigen inkl. ihrer liganden
WO2005123754A2 (en) * 2004-06-14 2005-12-29 Georgia Tech Research Corporation Transition-metal charge-transport materials, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2232260B2 (de) 1972-06-30 1974-05-30 Gesellschaft Fuer Kernforschung Mbh, 7500 Karlsruhe Verwendung von heterocyclisch omega, omega'-disubstituiertenp-Oligophenylenen als Strahlenumwandler
US4606326A (en) * 1984-07-12 1986-08-19 The Standard Oil Company Ionically polymer-bound transition metal complex for photochemical conversion of light energy
DE4112793A1 (de) 1991-04-19 1992-10-22 Basf Ag Verfahren zur herstellung von hydrolysestabilen, estergruppen gebunden enthaltenden polyurethanen und phenylen-bis-oxazoline enthaltende polyurethan elastomere
US5792568A (en) * 1995-04-25 1998-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element
US6160267A (en) 1999-01-05 2000-12-12 Regents Of The University Of Minnesota Vapochromic led
JP2000252077A (ja) 1999-02-26 2000-09-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7001536B2 (en) 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
JP4717198B2 (ja) 1999-11-29 2011-07-06 キヤノン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6645579B1 (en) * 1999-11-29 2003-11-11 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
US6984591B1 (en) * 2000-04-20 2006-01-10 International Business Machines Corporation Precursor source mixtures
DE10058578C2 (de) * 2000-11-20 2002-11-28 Univ Dresden Tech Lichtemittierendes Bauelement mit organischen Schichten
US7026480B2 (en) 2001-03-08 2006-04-11 The University Of Hong Kong Organometallic light-emitting material
EP1426399A4 (de) 2001-09-04 2005-07-13 Canon Kk Hochmolekulare verbindungen und organische lumineszierende vorrichtungen
US6653654B1 (en) 2002-05-01 2003-11-25 The University Of Hong Kong Electroluminescent materials
JP2003332074A (ja) 2002-05-09 2003-11-21 Canon Inc 金属配位化合物を用いた発光素子
US20030230980A1 (en) * 2002-06-18 2003-12-18 Forrest Stephen R Very low voltage, high efficiency phosphorescent oled in a p-i-n structure
WO2004017043A2 (en) 2002-08-16 2004-02-26 The University Of Southern California Organic light emitting materials with anionic ligand
WO2004016711A1 (en) 2002-08-16 2004-02-26 The University Of Southern California Organic light emitting materials and devices
JP3963811B2 (ja) 2002-09-30 2007-08-22 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE10251986A1 (de) 2002-11-08 2004-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Palladium- und Platin-Komplexe
DE10338406A1 (de) * 2003-08-18 2005-03-24 Novaled Gmbh Dotierte organische Halbleitermaterialien sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE10338550A1 (de) 2003-08-19 2005-03-31 Basf Ag Übergangsmetallkomplexe mit Carbenliganden als Emitter für organische Licht-emittierende Dioden (OLEDs)
US7655961B2 (en) * 2003-10-02 2010-02-02 Maxdem Incorporated Organic diodes and materials
DE10350606A1 (de) * 2003-10-30 2005-06-09 Covion Organic Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung heteroleptischer, ortho-metallierter Organometall-Verbindungen
DE10357044A1 (de) * 2003-12-04 2005-07-14 Novaled Gmbh Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten
DE10358665A1 (de) 2003-12-12 2005-07-07 Basf Ag Verwendung von Platin(II)-Komplexen als lumineszierende Materialien in organischen Licht-emittierenden Dioden (OLEDs)
DE102004018145A1 (de) 2004-04-08 2005-10-27 Basf Ag Verwendung von Metallocenkomplexen von Metallen der 4. Nebengruppe des Periodensystems als Triplettemitter in organischen Leuchtdioden (OLEDs)
US7279704B2 (en) 2004-05-18 2007-10-09 The University Of Southern California Complexes with tridentate ligands
EP1703572A1 (de) 2005-01-25 2006-09-20 SONY DEUTSCHLAND GmbH Molekulare Gleichrichter
EP1803789A1 (de) 2005-12-28 2007-07-04 Novaled AG Verwendung von Metallkomplexen als Emitter in einem elektronischen Bauelement und elektronisches Bauelement

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03208689A (ja) * 1990-01-12 1991-09-11 Dainippon Printing Co Ltd 光情報記録媒体及びその製造方法
US20040241492A1 (en) * 2002-12-19 2004-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and a method of manufacturing thereof
WO2005086251A2 (de) * 2004-03-03 2005-09-15 Novaled Gmbh Verwendung von metallkomplexen als n-dotanden für organische halbleiter und die darstellung derselbigen inkl. ihrer liganden
WO2005123754A2 (en) * 2004-06-14 2005-12-29 Georgia Tech Research Corporation Transition-metal charge-transport materials, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PEREIRA R P ET AL: "Electrosynthesis and characterisation of polypyrrole doped with [Bi(dmit)2]<->", SYNTHETIC METALS, ELSEVIER SEQUOIA, LAUSANNE, CH, vol. 150, no. 1, 20 April 2005 (2005-04-20), pages 21 - 26, XP004891750, ISSN: 0379-6779 *
TAGUCHI ET AL: "Comparison of p-type and n-type organic field-effect transistors using nickel coordination compounds", CHEMICAL PHYSICS LETTERS, NORTH-HOLLAND, AMSTERDAM, NL, vol. 421, no. 4-6, 15 April 2006 (2006-04-15), pages 395 - 398, XP005410175, ISSN: 0009-2614 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008051737B4 (de) 2007-10-24 2022-10-06 Novaled Gmbh Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe, organische halbleitende Materialien sowie elektronische oder optoelektronische Bauelemente, die diese umfassen und Verwendung derselben
US8841153B2 (en) * 2008-02-27 2014-09-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a doped organic semiconducting layer
US20110124141A1 (en) * 2008-02-27 2011-05-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Doped Organic Semiconducting Layer
US8119037B2 (en) * 2008-10-16 2012-02-21 Novaled Ag Square planar transition metal complexes and organic semiconductive materials using them as well as electronic or optoelectric components
EP3693437A1 (de) 2013-12-06 2020-08-12 Merck Patent GmbH Verbindungen und organische elektronische vorrichtungen
WO2015082046A2 (de) 2013-12-06 2015-06-11 Merck Patent Gmbh Substituierte oxepine
EP3345984A1 (de) 2013-12-06 2018-07-11 Merck Patent GmbH Verbindungen und organische elektronische vorrichtungen
WO2018189134A1 (de) 2017-04-13 2018-10-18 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019002198A1 (en) 2017-06-26 2019-01-03 Merck Patent Gmbh HOMOGENEOUS MIXTURES
WO2019007866A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019007867A1 (de) 2017-07-05 2019-01-10 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019096717A2 (de) 2017-11-14 2019-05-23 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2019229011A1 (de) 2018-05-30 2019-12-05 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung für organische elektronische vorrichtungen
WO2020178230A1 (en) 2019-03-04 2020-09-10 Merck Patent Gmbh Ligands for nano-sized materials

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090024722A (ko) 2009-03-09
JP5788140B2 (ja) 2015-09-30
EP1860709A1 (de) 2007-11-28
US9722190B2 (en) 2017-08-01
EP1860709B1 (de) 2012-08-08
JP2009537676A (ja) 2009-10-29
US20100044683A1 (en) 2010-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1860709B1 (de) Verwendung von quadratisch planaren Übergangsmetallkomplexen als Dotand
DE102008051737B4 (de) Quadratisch planare Übergangsmetallkomplexe, organische halbleitende Materialien sowie elektronische oder optoelektronische Bauelemente, die diese umfassen und Verwendung derselben
DE102007018456B4 (de) Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente
DE102006054524B4 (de) Verwendung von Dithiolenübergangsmetallkomplexen und Selen- analoger Verbindungen als Dotand
DE102006054523B4 (de) Dithiolenübergangsmetallkomplexe und Selen-analoge Verbindungen, deren Verwendung als Dotand, organisches halbleitendes Material enthaltend die Komplexe, sowie elektronische oder optoelektronisches Bauelement enthaltend einen Komplex
EP2002492B1 (de) Verwendung von heterocyclischen radikalen zur dotierung von organischen halbeitern
DE102007031220B4 (de) Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen
EP1990847B1 (de) Verwendung von chinoiden Bisimidazolen und deren Derivaten als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials
EP2229699B1 (de) Dithiolenübergangsmetallkomplexe und elektronische oder optoelektronische bauelemente
WO2008058525A2 (de) Verwendung einer koordinationsverbindung zur dotierung von organischen halbleitern
WO2007054345A1 (de) Dotiertes organisches halbleitermaterial
EP3157072A1 (de) Verwendung eines metallkomplexes als p-dotand für ein organisches halbleitendes matrixmaterial, organisches halbleitermaterial und organische leuchtdiode
EP3230295B1 (de) Aminophosphazen-basen als n-dotierstoffe in der organischen elektronik
WO2008154915A1 (de) Verwendung eines metallkomplexes als p-dotand für ein organisches halbleitendes matrixmaterial, organisches halbleitermaterial und elektronisches bauteil
WO2010057471A1 (de) Chinoxalinverbindungen und halbleitermaterialien
EP2659529B1 (de) Optoelektronisches bauelement mit dotierten schichten
WO2017194213A1 (de) Organische elektronenleitende schicht mit n-dotierstoff
WO2016116205A1 (de) Proazaphosphatrane als n-dotierstoffe in der organischen elektronik
DE102008058230B4 (de) Chinoxalinverbindung, organische Leuchtdiode, organischer Dünnfilmtransistor und Solarzelle
DE102021116886A1 (de) Verfahren zur Herstellung mindestens einer dotierten Ladungstransportschicht eines Schichtsystems eines organischen elektronischen Bauelements
WO2024002424A1 (de) Organisches elektronisches bauelement mit einer chemischen verbindung der allgemeinen formel i, sowie verwendung einer solchen chemischen verbindung als n-dotand in einem organischen elektronischen bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07725535

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009511417

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020087031236

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12301828

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07725535

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1