WO2007125600A1 - プラズマディスプレイパネルおよびその前面板の製造方法 - Google Patents

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Koji Sugawa
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Hitachi Plasma Display Limited
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/38—Dielectric or insulating layers

Definitions

  • the present invention relates to a plasma display panel in which an electrode and a dielectric are disposed on the front side of a discharge gas space, and a method for manufacturing a front plate including the electrode and the dielectric.
  • a surface discharge type plasma display panel useful for displaying a color image includes a display electrode arranged in parallel to generate a surface discharge, a dielectric layer covering the display electrode, and an address electrode crossing the display electrode. And barrier ribs that are discharge barriers between cells, and phosphors for color reproduction.
  • the display electrode and the dielectric layer are disposed on the front plate, and the address column electrode, the barrier rib, and the phosphor are disposed on the back plate.
  • a type called a reflection type in which the phosphor is arranged on the back plate is more advantageous in achieving higher luminance than a type called a transmission type in which the phosphor is arranged on the front plate.
  • the dielectric layer is an essential panel component for AC driving.
  • the dielectric layer has a low melting point glass force and is formed over the entire screen by a thick film method of firing the glass frit layer.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 3481142
  • Dielectric layers are formed by plasma chemical vapor deposition in order to increase productivity. Increasing the speed has a problem that the transmittance of the dielectric layer in the visible light wavelength region decreases. The luminance of the display decreases due to the decrease in transmittance.
  • An object of the present invention is to increase the productivity of a plasma display panel having a dielectric layer with excellent transparency.
  • a plasma display panel that achieves the above object includes a front plate and a back plate bonded to each other with a discharge gas space interposed therebetween.
  • the front plate includes a glass substrate, electrodes arranged on the inner surface of the glass substrate, a first silicon dioxide layer deposited on the inner surface of the glass substrate so as to contact and cover the electrode, And a second silicon dioxide silicon layer which is stacked on the silicon dioxide silicon layer and is thicker than the first silicon dioxide layer.
  • a thin silicon dioxide film is deposited on the glass substrate on which the electrodes are arranged by a chemical vapor deposition apparatus at a first film formation rate. Subsequently, thick silicon dioxide is deposited at a second deposition rate that is greater than the first deposition rate by a chemical vapor deposition apparatus.
  • FIG. 1 is an exploded perspective view showing a cell structure of a plasma display panel.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing a laminated structure of dielectric layers.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a plasma CVD apparatus.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example of switching of film forming speeds.
  • FIG. 5 is a graph showing the transmittance in the visible light wavelength region of the dielectric layer.
  • FIG. 6 is a diagram showing a refractive index of a dielectric layer.
  • the plasma display panel 1 includes a front plate 10, a back plate 20, and a discharge gas (not shown).
  • a portion including three cells corresponding to three columns in one row of the matrix display is drawn, and the front plate 10 and the back plate 20 are separated in order to make the internal structure easy to understand.
  • the front plate 10 and the back plate 20 are bonded together with the discharge gas space interposed therebetween.
  • the front plate 10 includes a glass substrate 11, a first row electrode X, a second row electrode Y, a dielectric layer 17, and a protective film 18.
  • Back plate 20 consists of glass substrate 21, column electrode ⁇ , dielectric layer 22, multiple Partition wall 23, red (R) phosphor 24, green (G) phosphor 25, and blue (B) phosphor 26.
  • the row electrode X and the row electrode Y are arranged on the inner surface of the glass substrate 11 as display electrodes for generating a surface discharge, and a protective film having a thickness of about 0.5 m made of a dielectric layer 17 and magnesia described later. 18 covered.
  • Each of the row electrode X and the row electrode Y is a laminated body of a patterned transparent conductive film 13 having a thickness of about several thousand A and a metal film 14 having a thickness of about zm.
  • the transparent conductive film 13 has a substantially T-shaped discharge portion arranged one by one in the cell.
  • the dielectric layer 17 is a transparent insulating film having a multilayer structure composed of a thin first silicon dioxide layer 171 and a thick second silicon dioxide layer 172 laminated thereon. Is the body. As shown in FIG. 2, the thickness T 1 of the first silicon dioxide layer 171 is extremely smaller than the thickness T 2 of the second silicon dioxide layer 172. For example, thickness T2 is selected to be about 5 to 15 ⁇ m to charge the wall charge required for driving, whereas thickness T1 is about 0.02 to 0.05 ⁇ m. .
  • the first silicon dioxide layer 171 is a base for forming the second silicon dioxide layer 172 that is homogeneous and has good transparency.
  • the dielectric layer 17 having such a diacid-silicon silicon force is formed by a chemical vapor deposition method (CVD method). Therefore, the surface of the dielectric layer 17 (the lower surface in FIG. 2) is an uneven surface having a step corresponding to the thickness of the row electrodes X and Y.
  • CVD method chemical vapor deposition method
  • the arrangement of the row electrodes may be either of two widely known forms. One is to arrange a pair for each row as shown in FIG. 1 so that the electrode gap between adjacent rows is wider than the electrode gap (surface discharge gap) in each row. The other is to arrange the row electrodes at equal intervals and to make each row electrode correspond to two adjacent rows.
  • the plasma display panel 1 having the above-described configuration is manufactured by a procedure in which the front plate 10 and the back plate 20 are separately manufactured and then bonded together with a sealing glass material.
  • a mother glass plate having an area twice as large as that of the glass substrate 11 is used, and a plurality of front plates 10 are produced collectively.
  • a plurality of back plates 20 are manufactured in batch using a single glass plate.
  • the mother glass plate is divided prior to the bonding of the front plate 10 and the back plate 20.
  • the front plate 10 is produced by sequentially forming the transparent conductive film 13 and the metal film 14 by photolithography, forming the dielectric layer 17, and forming the protective film 18 by, for example, electron beam evaporation. Forming.
  • a parallel plate type plasma CVD apparatus 300 shown in FIG. 3 is used to form the dielectric layer 17.
  • a parallel plate type is suitable for forming a relatively large object such as a mother glass including a plurality of glass substrates 11.
  • a plasma CVD apparatus 300 includes a metal container force chamber (reaction chamber) 3 10, a shower 320 that blows material gas over a wide range, and a movable glass that supports a mother glass 11 1 that is a film formation target.
  • a base 330 and a frame 73 for holding the mother glass 111 are provided.
  • the shower 320 has a plate 325 in which a large number of holes are formed, and also serves as an upper electrode for generating plasma.
  • the lower surface of the plate 325 is a gas ejection surface.
  • the movable base 330 which also serves as the lower electrode, incorporates a heater for heating the mother glass 111! /.
  • a mother glass 111 on which the row electrode group 40 is formed is placed between the plate 325 of the shower 320 and the movable base 330, and the row electrode group 40 and the plate 325 are disposed. Plasma is generated in the space between.
  • the movable base 330 is a lift type movable up and down. When the mother glass 111 is carried in and out, the movable base 330 is lowered and separated from the fixed frame 73.
  • the chamber 310 has a loading / unloading mechanism with an interlock function.
  • the outline of the film forming process is as follows.
  • the inside of the chamber 310 into which the mother glass 111 is loaded is reduced to a pressure of about 270 to 530 Pa, for example, and the mother glass 111 is heated to a temperature of about 300 to 450 ° C, and the chamber 320 is heated.
  • the material gas is introduced into the chamber 310 from the introduction hole 321 provided in the upper center.
  • silicon dioxide SiO 2
  • silane SiH
  • N nitrous acid nitrogen
  • the introduced material gas is jetted uniformly from the plate 325 to the entire mother glass 111.
  • the chamber 310 is evacuated.
  • the chamber 310 is provided with a vacuum gauge (not shown), and the degree of vacuum in the chamber 310 is kept constant by controlling the valve of the exhaust system according to the output.
  • plasma is generated by high-frequency power supplied through the upper and lower electrodes. Plasma activates the material gas and promotes chemical reactions. Then, the film material generated by the chemical reaction is deposited on the film surface S1 of the mother glass 111 to form a dielectric layer.
  • the film formation surface S1 in this example is the upper surface of the mother glass 111 on which the row electrode group 40 is formed.
  • the film formation rate is switched stepwise as shown in FIG. 4, and the first diacid-silicon layer 171 and the second diacid-silicon layer 172 are combined.
  • Laminate continuously. That is, silicon dioxide is deposited thinly at a sufficiently low film formation rate, and then thick silicon dioxide is deposited at a sufficiently large film formation rate suitable for mass production.
  • the film formation rate is set to 0.07 ⁇ m / min.
  • film formation is performed for 30 seconds.
  • a first silicon dioxide silicon layer 171 having a thickness of about 0.03 / zm is obtained.
  • the conditions for film formation at this time are as follows.
  • the film formation rate is increased to 1.5 ⁇ m / min. And film formation is performed for 400 seconds. As a result, a second silicon dioxide layer 172 having a thickness of about 10 m is obtained.
  • the conditions for film formation at this time are as follows.
  • the transmittance in FIG. 5 is a measured value in a state before the formation of the dielectric layer 17 and before the protective film 18 is deposited.
  • the chain line in Figure 5 shows the film formation from the beginning to the end. The characteristics of a comparative example in which a film having a thickness of 10 ⁇ m was formed at a speed of 1.5 ⁇ m / min.
  • the transparency of the example is equivalent to that of the comparative example in part of the visible light wavelength range (360 to 830 nm), but is generally better than that of the comparative example.
  • the transmittance of the example exceeds the transmittance of the comparative example.
  • the difference between the transmittance of the example and the transmittance of the comparative example exceeds + 3%.
  • FIG. 6 shows the respective refractive indexes at a plurality of locations in the dielectric layer 17 of the embodiment together with the respective refractive indexes at a plurality of locations in the comparative example.
  • the refractive index variation is much smaller than the refractive index variation in the comparative example. This means that the dielectric layer 17 of the example is homogeneous.
  • first silicon dioxide silicon oxynitride (SiON), silicon nitride (SiN), or organic silicon oxide (RSiO, R represents an alkyl group or an aryl group)
  • SiON silicon oxynitride
  • SiN silicon nitride
  • organic silicon oxide R represents an alkyl group or an aryl group
  • the present invention contributes to improving productivity without impairing the luminance of a plasma display panel having a dielectric layer on the front side of the discharge gas space.

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Abstract

　プラズマディスプレイパネル(1)の前面板(10)は、電極(X,Y)が配列されたガラス基板(11)の上に、化学的気相堆積装置(300)によって第１成膜速度で薄く二酸化珪素を堆積させ、引き続いて第１成膜速度よりも大きい第２成膜速度で厚く二酸化珪素を堆積させる工程で形成された第１および第２の二酸化珪素層(171,172)の積層体(17)をＡＣ駆動のための誘電体として備える。

Description

明 細 書
プラズマディスプレイパネルおよびその前面板の製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、放電ガス空間の前面側に電極および誘電体が配置されたプラズマディ スプレイパネル、および電極および誘電体を備える前面板の製造方法に関する。 背景技術
[0002] カラー映像の表示に有用な面放電型のプラズマディスプレイパネルは、面放電を 生じさせるために平行に配列された表示電極、表示電極を被覆する誘電体層、表示 電極と交差するアドレス電極、セル間の放電障壁である隔壁、およびカラー再現のた めの蛍光体を備える。一般に、表示電極および誘電体層は前面板に配置され、アド レス列電極、隔壁、および蛍光体は背面板に配置される。蛍光体を背面板に配置す る反射型と呼ばれる形式は、前面板に配置する透過型と呼ばれる形式よりも高輝度 化の上で有利である。
[0003] 誘電体層は AC駆動に必須のパネル構成要素である。一般に、誘電体層は低融点 ガラス力 なり、ガラスフリット層を焼成する厚膜法によって画面全体にわたるように形 成される。
[0004] 近年、誘電体層の形成方法として化学的気相堆積 (Chemical Vapor Deposition： CVD)の採用が検討されている。化学的気相堆積によれば、薄くて厚さの均一な誘 電体層を得ることができるとともに、電極間容量の低減に有利な比誘電率の小さい物 質からなる誘電体層を厚膜法よりも低!ヽ温度で形成することができる。加熱温度の低 いことは、基板の湾曲や歪みを低減する上で望ましい。
[0005] 先行技術文献として特許 3481142号公報がある。同公報には、二酸化珪素または 有機酸化珪素からなる誘電体層をプラズマ化学的気相堆積によって形成することが 記載されている。
特許文献 1：特許 3481142号公報
発明の開示
[0006] プラズマ化学的気相堆積による誘電体層の形成には、生産性を高めるために成膜 速度を大きくすると誘電体層の可視光波長域の透過率が低下するという問題があつ た。透過率の低下によって表示の輝度が下がる。
[0007] 本発明の目的は、透明性に優れた誘電体層をもつプラズマディスプレイパネルの 生産性を高めることである。
[0008] 上記目的を達成するプラズマディスプレイパネルは、放電ガス空間を挟さむ互いに 貼り合わさった前面板と背面板とを備える。そして、前面板は、ガラス基板と、ガラス 基板の内面に配列された電極と、電極と接し且つ電極を覆うようにガラス基板の内面 に被着する第 1の二酸ィヒ珪素層と、第 1の二酸ィヒ珪素層上に積層され且つ第 1の二 酸ィ匕珪素層よりも厚い第 2の二酸ィ匕珪素層とを備える。
[0009] 前面板の製造にぉ 、ては、電極が配列されたガラス基板の上に、化学的気相堆積 装置によって第 1成膜速度で薄く二酸ィ匕珪素を堆積させ、弓 Iき続 、て化学的気相堆 積装置によって第 1成膜速度よりも大きい第 2成膜速度で厚く二酸化珪素を堆積させ る。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]プラズマディスプレイパネルのセル構造を示す分解斜視図である。
[図 2]誘電体層の積層構造を示す断面図である。
[図 3]プラズマ CVD装置の構成を示す図である。
[図 4]成膜速度の切り替えの一例を示す図である。
[図 5]誘電体層の可視光波長域の透過率を示す図である。
[図 6]誘電体層の屈折率を示す図である。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 図 1のように、プラズマディスプレイパネル 1は、前面板 10、背面板 20、および図示 しない放電ガスによって構成される。図 1ではマトリクス表示の 1行中の 3列に対応し た 3個のセルを含む部分が描かれ、内部構造を解り易くするために前面板 10と背面 板 20とが分離されている。実際には前面板 10と背面板 20とが放電ガス空間を挟ん で貼り合わさつている。
[0012] 前面板 10は、ガラス基板 11、第 1の行電極 X、第 2の行電極 Y、誘電体層 17、およ び保護膜 18を備える。背面板 20は、ガラス基板 21、列電極 Α、誘電体層 22、複数 の隔壁 23、赤 (R)の蛍光体 24、緑 (G)の蛍光体 25、および青（B)の蛍光体 26を備 える。
[0013] 行電極 Xおよび行電極 Yは面放電を生じさせる表示電極としてガラス基板 11の内 面に配列され、後述の誘電体層 17およびマグネシアからなる厚さ 0. 5 m程度の保 護膜 18によって被覆されている。行電極 Xおよび行電極 Yのそれぞれは、パター- ングされた厚さ数千 A程度の透明導電膜 13と厚さ数； z m程度の金属膜 14の積層体 である。例示において、透明導電膜 13はセルに 1つずつ配置された略 T字状の放電 部を有する。
[0014] 誘電体層 17は、薄い第 1の二酸ィ匕珪素層 171とその上に積層された厚い第 2の二 酸ィ匕珪素層 172とで構成される複層構造の透明な絶縁体である。図 2に示されるよう に、第 1の二酸ィ匕珪素層 171の厚さ T1は、第 2の二酸ィ匕珪素層 172の厚さ T2と比べ て極端に小さい。例えば厚さ T2が駆動に必要な量の壁電荷を帯電させるために 5〜 15 μ m程度に選定されているのに対して、厚さ T1は 0. 02〜0. 05 μ m程度である。 第 1の二酸ィ匕珪素層 171は、均質で透明性の良好な第 2の二酸ィ匕珪素層 172を形 成するための下地である。
[0015] このような二酸ィ匕珪素力もなる誘電体層 17は化学的気相堆積法 (CVD法）によつ て形成される。このため、誘電体層 17の表面（図 2における下面）は、行電極 X, Yの 厚さに対応した段差をもった凹凸面となっている。
[0016] なお、行電極の配列は広く知られる 2つの形態のどちらでもよい。 1つは、図 1のよう に行ごとに一対ずつ配列し、隣接する行の間の電極間隙を各行における電極間隙（ 面放電ギャップ)よりも広くするものである。他の 1つは、行電極を等間隔に配列し、各 行電極を隣接する 2行に対応させるものである。
[0017] 以上の構成をもつプラズマディスプレイパネル 1は、前面板 10および背面板 20を 別個に作製し、その後に封止用ガラス材によって貼り合わす手順で製造される。一般 に、前面板 10の作製にはガラス基板 11の 2倍以上の面積をもつマザ一ガラス板が用 いられ、複数個の前面板 10がー括に作製される。同様に複数個の背面板 20もマザ 一ガラス板を用いて一括に作製される。マザ一ガラス板は前面板 10と背面板 20の貼 り合わせに先立って分割される。 [0018] 前面板 10の作製は、フォトリソグラフィによって透明導電膜 13および金属膜 14を順 に形成する工程、誘電体層 17を形成する工程、および例えば電子ビーム蒸着によつ て保護膜 18を形成する工程を含む。
[0019] 以下、誘電体層 17の形成方法を説明する。
[0020] 前面板 10の作製において、誘電体層 17の形成には図 3に示す平行平板型のブラ ズマ CVD装置 300を用いる。複数のガラス基板 11を包含するマザ一ガラスのような 比較的に大きな物体への成膜には平行平板型が適している。
[0021] 図 3において、プラズマ CVD装置 300は、金属製容器力 なるチャンバ（反応室） 3 10、材料ガスを広範囲に噴き出すシャワー 320、成膜対象物であるマザ一ガラス 11 1を支持する可動ベース 330、およびマザ一ガラス 111を押さえるフレーム 73を備え る。シャワー 320は多数の孔が形成されたプレート 325をもち、プラズマ発生のため の上側電極を兼ねる。プレート 325の下面がガス噴出面である。下側電極を兼ねる 可動ベース 330にはマザ一ガラス 111を加熱するヒータが組み込まれて!/、る。
[0022] チャンバ 310の内部において、シャワー 320のプレート 325と可動ベース 330との 間に、行電極群 40の形成されたマザ一ガラス 111が載置され、行電極群 40とプレー ト 325との間の空間でプラズマが発生する。
[0023] 可動ベース 330は上下に移動可能なリフト式である。マザ一ガラス 111の搬入時お よび搬出時には可動ベース 330は下がり、固定配置されたフレーム 73から離れる。 チャンバ 310にはインタロック機能をもった搬入 '搬出のための機構が組み付けられ ている。
[0024] 成膜工程の概要は次のとおりである。
[0025] マザ一ガラス 111を搬入したチャンバ 310の内部を例えば 270〜530Pa程度の圧 力に減圧し、マザ一ガラス 111を 300〜450°C程度の温度に加熱した状態で、シャヮ 一 320の上部中央に設けられた導入孔 321からチャンバ 310内に材料ガスが導入さ れる。二酸ィ匕珪素（SiO )を堆積させるため、例えばシラン (SiH )と亜酸ィ匕窒素 (N
2 4 2
O)が導入される。導入された材料ガスはプレート 325からマザ一ガラス 111の全体に 向力つて均等に噴出する。
[0026] 材料ガスの導入と並行して、可動ベース 330の下方に位置する主排気孔 311を介 してチャンバ 310に対する排気が行われる。チャンバ 310には図示しない真空計が 設けられており、その出力に応じて排気系のバルブを制御することによってチャンバ 310の真空度が一定に保たれる。
[0027] 一定量の材料ガスが供給されるチャンバ 310の内部では、上下の電極を介して与 えられる高周波電力によってプラズマが発生する。プラズマは材料ガスを活性化し、 化学反応を促進させる。そして、化学反応で生じた膜材料がマザ一ガラス 111の成 膜面 S1に堆積し、誘電体層を形成する。本例での成膜面 S1とは、行電極群 40の形 成されたマザ一ガラス 111の上面である。
[0028] 誘電体層 17の形成においては、図 4のように成膜速度を段階的に切り換えて、第 1 の二酸ィ匕珪素層 171と第 2の二酸ィ匕珪素層 172とを連続的に積層する。すなわち、 十分に小さい成膜速度で薄く二酸化珪素を堆積させ、引き続いて量産に適した十分 に大き!ヽ成膜速度で厚く二酸化珪素を堆積させる。
実施例 1
[0029] 具体的には、まず、成膜速度を 0. 07 μ m/min.とし、 30秒間の成膜を行う。これ により厚さが約 0. 03 /z mの第 1の二酸ィ匕珪素層 171が得られる。このときの成膜の 条件は次のとおりである。
[0030] 高周波電力： 2kW
導入ガス Z流量：シラン（SiH ) /800sccm
4
導入ガス Z流量：亜酸化窒素（N O) /20000sccm
2
次に、成膜速度を 1. 5 ^ m/min.に上げて、 400秒間の成膜を行う。これにより厚 さが約 10 mの第 2の二酸ィ匕珪素層 172が得られる。このときの成膜の条件は次の とおりである。
[0031] 高周波電力： 17kW
導入ガス Z流量：シラン（SiH ) Z8000sccm
4
導入ガス Z流量：亜酸化窒素（N O) /108000sccm
2
このように成膜速度を切り換えることによって、図 5に示される光透過特性をもつ前 面板が得られた。ただし、図 5における透過率は誘電体層 17の形成を終え、保護膜 18を被着させる前の状態での測定値である。図 5の鎖線は、最初から最後まで成膜 速度 1. 5 μ m/min.で厚さ 10 μ mの成膜を行った比較例の特性を示して 、る。
[0032] 図 5において、実施例の透明性は可視光波長範囲（360〜830nm)の一部では比 較例と同等であるものの、概ね比較例よりも良好である。 380〜640nmの波長範囲 では実施例の透過率が比較例の透過率を上回り、特に波長 410nmでは実施例の 透過率と比較例の透過率との差が + 3%を超えて 、る。
[0033] また、図 6は実施例の誘電体層 17における複数箇所のそれぞれの屈折率を、上記 比較例における複数箇所のそれぞれの屈折率とともに示している。実施例では屈折 率のばらつきが比較例での屈折率のばらつきと比べて格段に軽微である。これは、 実施例の誘電体層 17が均質であることを意味する。
[0034] 透明性が改善される理由として、成膜の開始時点の成膜速度を小さくすることより、 特に高周波電力を低くすることにより、化学反応が緩やかであって、成膜を乱す比較 的に大きな生成物 (粗い粒子)が生じにくくなると考えられる。化学反応が安定した後 は、成膜速度を大きくしても粗い粒子が生じにくいと考えられる。電界を加えるプラズ マ CVDでは、成膜面の一部を構成する導体 (行電極群）が薄く覆われてプラズマ発 生空間と絶縁されることで、化学反応が安定するとも考えられる。
[0035] なお、上記実施例では二層の誘電体層構造について説明したが、三層以上とする ことも可能で、その場合は三層目が最下層（一層目）と同一にするのが望 、。
[0036] また、下層（第 1の二酸化珪素）に代えて酸化窒化珪素（SiON)、窒化珪素（SiN) 、有機酸化珪素 (RSiO、 Rはアルキル基、ァリル基)を使用可能である。
産業上の利用可能性
[0037] 本発明は、放電ガス空間の前面側に誘電体層をもつプラズマディスプレイパネルの 輝度を損なうことなく生産性を向上させるのに貢献する。

Claims

請求の範囲
[1] 放電ガス空間を挟んで前面板と背面板とが貼り合わさったプラズマディスプレイパ ネノレであって、
前記前面板は、ガラス基板と、前記ガラス基板の内面に配列された電極と、前記電 極と接し且つ前記電極を覆うように前記ガラス基板の内面に被着する第 1の二酸ィ匕 珪素層と、前記第 1の二酸化珪素層上に積層され前記第 1の二酸化珪素層よりも厚 い第 2の二酸ィ匕珪素層とを備える
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
[2] プラズマディスプレイパネルの前面板であって、
ガラス基板と、前記ガラス基板の内面に配列された電極と、前記電極と接し且つ前 記電極を覆うように前記ガラス基板の内面に被着する第 1の二酸化珪素層と、前記第 1の二酸ィヒ珪素層上に積層され前記第 1の二酸ィヒ珪素層よりも厚い第 2の二酸ィ匕珪 素層とを備える
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの前面板。
[3] プラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法であって、
電極が配列されたガラス基板の上に、化学的気相堆積装置によって第 1成膜速度 で薄く二酸化珪素を堆積させ、引き続いて前記化学的気相堆積装置によって前記 第 1成膜速度よりも大きい第 2成膜速度で厚く二酸化珪素を堆積させる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法。
[4] 前記化学的気相堆積装置として平行平板型のプラズマ化学的気相堆積装置を用 い、
前記第 1成膜速度での成膜におけるプラズマ発生のための高周波出力を、前記第 2成膜速度での成膜における高周波出力よりも低くする
請求項 3に記載のプラズマディスプレイパネルの前面板の製造方法。
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