WO2007116608A1 - サポートプレートの剥離方法 - Google Patents

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peeling
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adhesive layer
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Yoshihiro Inao
Atsushi Miyanari
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    • H10P72/0442—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Definitions

  • the present invention relates to a support plate peeling method used when a substrate such as a semiconductor wafer is thinned.
  • a semiconductor wafer thin plate has been subjected to the process shown in FIG. 5, for example.
  • a protective tape is applied to the circuit (element) formation surface (eight sides) of the semiconductor wafer. Attach it, reverse it, grind the back side (B side) of the semiconductor wafer with a grinder and thin it.
  • the back surface of the thinned semiconductor wafer is fixed on a dicing tape held by a die cinder frame, and in this state, the circuit (element) forming surface (A surface) of the semiconductor wafer is covered. Remove the tape. After that, it is cut into chips by a dicing device.
  • Patent Document 1 Such a method is disclosed in Patent Document 1.
  • Patent Document 1 a heat-resistant protective tape is used as a protective tape, and when peeling off, a strong adhesive tape is adhered to one end of the protective tape and peeled off from a thin semiconductor wafer. I have to.
  • Patent Document 2 a protective substrate in which a ladder-type silicone oligomer is impregnated into an aluminum nitride-boron nitride pore sintered body is used instead of the protective tape, and a thermoplastic film is bonded to the protective substrate and the semiconductor wafer. In addition to adhering, it is put into 80 ° C pure water, kept for 3 hours, and then peeled off.
  • Patent Document 3 describes that a material such as alumina, aluminum nitride, boron nitride, or silicon carbide having substantially the same thermal expansion coefficient as that of the semiconductor wafer is used as the protective substrate. It is.
  • an adhesive material layer that adheres the support plate and the semiconductor wafer is selected such that the adhesive strength decreases when light such as ionizing radiation, ultraviolet light, or visible light, or thermal energy is applied.
  • light such as ionizing radiation, ultraviolet light, or visible light, or thermal energy is applied.
  • the above-mentioned energy is imparted to the pressure-sensitive adhesive layer at the time of peeling.
  • Patent Document 5 discloses that a supporting laminate and a semiconductor wafer are brought into close contact with each other through an adhesive layer, and the semiconductor wafer is thinned by grinding.
  • a photocatalyst-containing layer containing a photocatalyst is formed on a transparent substrate, and a characteristic-change adhesive layer whose characteristics are changed by the action of the photocatalyst is provided on the photocatalyst-containing layer.
  • a structure is disclosed in which an adhesive layer is formed on the adhesive layer via a polymer resin substrate.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-270676
  • Patent Document 2 JP 2002-203821
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-077304
  • Patent Document 4 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-373871
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-253483
  • Patent Documents 1 to 3 described above when the support plate (protective tape) is peeled from the semiconductor wafer, a solvent enters the gap between the support plate (protective tape) and the semiconductor wafer. Takes time.
  • thermoplastic film that bonds the support plate (protective tape) and the semiconductor wafer may not completely melt and may remain attached to either the support plate or the semiconductor wafer. As described above, when an adhesive residue is generated, the semiconductor wafer is easily cracked or chipped when it is peeled off.
  • Patent Document 4 in a state where the semiconductor wafer and the support substrate are bonded together by an adhesive layer made of a photocurable adhesive, the photocurable adhesive is irradiated with light.
  • the entire pressure-sensitive adhesive layer is integrated by polymerizing and crosslinking, and the adhesive force is reduced by increasing the elastic modulus by polymerization and curing (see paragraphs [0011] to [0013]).
  • Patent Document 5 the decomposing power by the photocatalyst is used, but the decomposing process by the photocatalyst is not performed at the part directly involved in the bonding of the semiconductor wafer. Since there are a plurality of these, it cannot be easily peeled off, and it may take a long time for peeling.
  • Fig. 6 illustrates the method of peeling the support plate.
  • the solvent supply plate 102 is overlaid on the upper surface of the support plate 100 via the O-ring 101.
  • the solvent is supplied from the solvent supply pipe 103 to the space S surrounded by the support plate 100, the O-ring 101 and the solvent supply plate 102.
  • the adhesive layer 105 is dissolved through the through holes 104 formed in the support plate 100.
  • the adhesive can be reliably removed within a short time, but a new problem has occurred. That is, as shown in FIG. 7, the solvent leaks from the peripheral edge of the support plate to the outside, a large amount of solvent falls to the dicing tape, and the dicing tape deteriorates in a short time, and is supplied to the space s. In addition, some of the new solvents are recovered as they are, resulting in poor stripping efficiency.
  • the present invention does not require processing a large number of through holes in a glass substrate or the like. For example, after the substrate is thinned, the support force can be easily peeled off from the support plate. Provide a support plate peeling method.
  • the support plate peeling method is formed with a coating containing at least a photocatalyst on one surface, and the circuit of the substrate is formed only through the adhesive layer.
  • the photocatalyst is excited by irradiating the coating with ultraviolet rays from the support plate side, and the adhesive layer is decomposed by the organic substance decomposition function of the photocatalyst.
  • the support plate is peeled off by creating bubbles between the two.
  • a film containing at least a photocatalyst is formed on one surface thereof, and the film is bonded to the circuit forming surface of the substrate only through the adhesive layer.
  • the support plate can be peeled off by the action of the photocatalyst.
  • the coating containing the photocatalyst is irradiated with ultraviolet rays
  • the photocatalyst is excited by the ultraviolet rays
  • the adhesive layer is decomposed by the organic matter decomposition function of the photocatalyst. Then, by generating bubbles on the adhesive surface between the film containing the photocatalyst and the adhesive layer by this decomposition, the substrate force can be peeled off.
  • an organic solvent is not used for peeling the substrate and the support plate, so that the peripheral member is not contaminated and the processing of the solvent after use is unnecessary. Moreover, it is sufficient to provide an ultraviolet lamp as a peeling device. Furthermore, the shape of the support plate may be a simple disk shape, and there is no need to process holes, for example.
  • the device since it is only necessary to provide an ultraviolet lamp as the device, the device is simplified and installed. The cost of installation can be reduced.
  • the support plate can be a simple disk shape, and it is not necessary to process holes, for example. Therefore, the peeling operation is facilitated and the cost of the support plate can be reduced.
  • FIG. 1 is a schematic view of a peeling apparatus for carrying out the peeling method of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a laminated body including a support plate and a substrate.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the principle of peeling.
  • FIG. 4 is an explanatory view of a through electrode forming method in which the peeling method of the present invention is incorporated in part.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of a conventional semiconductor wafer thin plate sheeting process.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram of a method for peeling a support plate having a through hole.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram of problems with a support plate in which through holes are formed.
  • FIG. 1 is a schematic view of a peeling apparatus for carrying out the peeling method of the present invention
  • FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a laminate of a support plate and a substrate.
  • the peeling device is composed of a table 1 and a lifting body 2.
  • the lower surface of the lifting body 2 is provided with a concave portion 21 that opens downward by force, and an ultraviolet lamp 22 is attached in the concave portion 21.
  • the laminated body 10 has a configuration in which a support plate 11 is bonded to a circuit forming surface of a substrate W such as a semiconductor wafer via an adhesive layer 12.
  • the support plate 11 is made of a transparent glass plate, a transparent ceramic plate, or a transparent resin plate that should transmit ultraviolet rays.
  • a coating (photocatalyst layer) 13 containing a photocatalyst is formed on one surface of the support plate 11.
  • the photocatalyst layer 13 is, for example, anatase.
  • a type of Ti02 film is preferred.
  • the support plate 11 is bonded to the circuit forming surface of the substrate W via the Ti02 film 13 and the adhesive layer 12.
  • Ti02 film 13 is formed on one surface of the support plate 11, for example, titanium alkoxide is applied to one surface (surface) of the support plate and heated to 400 to 600 ° C. Can be formed. In addition, it can be formed by sputtering or CVD.
  • the support plate 11 on which the Ti02 film 13 is formed is bonded to the substrate W on which a predetermined circuit element is formed via the adhesive layer 12.
  • the elevating body 2 is lowered and the ultraviolet lamp 22 is positioned immediately above the support plate 11. Then, the ultraviolet lamp 22 is turned on to allow the ultraviolet rays to reach the Ti 02 film 13 through the support plate 11.
  • the support plate 11 is peeled from the substrate W by the action of the photocatalyst.
  • the Ti02 film 13 when the Ti02 film 13 is irradiated with ultraviolet rays (for example, 400 nm or less), the photocatalyst is excited to generate electrons and react with 02 to become 02-.
  • This 02— reacts with organic matter (adhesive layer 12) to generate gas (H20, C02, etc.).
  • gas H20, C02, etc.
  • the substrate W can be reliably supported by the support plate 11 without stagnation, and the support plate 11 is peeled without damaging the substrate W. be able to.
  • the method of peeling the support plate 11 of the present embodiment since no organic solvent is used for peeling the substrate and the support plate, for example, processing of the solvent after use without polluting the peripheral members Is also unnecessary. Further, since it is only necessary to provide an ultraviolet lamp as the peeling device, the device can be simplified and the cost of the device can be reduced. Furthermore, the shape of the support plate 11 may be a simple disk shape, for example, and it is not necessary to process holes, etc. The peeling work becomes easy and the cost of the support plate 11 can be reduced.
  • the peeling method of the support plate 11 of the present embodiment there are at least the adhesive layer 12 and the Ti02 film 13 between the substrate W and the support plate 11, for example, for example, as compared with the case where a plurality of layers exist between the substrate W and the support plate 11, the T102 film 13 can be easily peeled off by only one UV irradiation.
  • the support plate 11 is peeled from the substrate W at the stage where the decomposition reaction does not end to the end in the decomposition reaction after the Ti02 film 13 is irradiated with ultraviolet rays.
  • the support plate 11 is peeled off from the substrate W when the decomposition reaction is completed to the end, that is, when the decomposition reaction is completely completed by taking time.
  • the principle of peeling is the same as that shown in FIG. 3, but depending on the material used for the adhesive layer 12 and the photocatalyst layer 13, it may be in the decomposition reaction process (with a small amount of gas generated).
  • the support plate 11 is not completely peeled from the substrate W.
  • the substrate W is peeled off from the support plate 11 after the decomposition reaction is completed (with a sufficient amount of gas generated). In this way, separation methods can be used and separated according to the situation.
  • an adhesive solution is applied to the circuit element forming surfaces (eight surfaces) of wafer W.
  • a spinner is used for coating.
  • the adhesive liquid is acrylic resin or novolac type phenol resin.
  • the adhesive liquid is dried using an oven or a hot plate to form an adhesive layer.
  • the thickness of the adhesive layer is determined according to the unevenness of the circuit formed on the surface of the semiconductor wafer W.
  • a support plate is attached to the circuit formation surface (eight surfaces) of the semiconductor wafer on which the adhesive layer having a predetermined thickness is formed. Then, the back side (B side) of the semiconductor wafer W is ground with a grinder to make the semiconductor wafer thinner.
  • water is supplied to the back surface of the semiconductor wafer W.
  • the adhesive is selected from those insoluble in water (soluble in alcohol), the support plate is not peeled off from the semiconductor wafer during grinding.
  • the support plate is peeled from the substrate W using the peeling method of the above-described embodiment. Since the specific operation and peeling principle are the same as those described above, a duplicate description is omitted.
  • the adhesive applied to the circuit surface is washed with a solvent, and the semiconductor wafer is cut into chips by a dicing machine.
  • the coating of only the Ti02 film is formed as the photocatalyst layer 13 on one surface of the support plate 11 has been described.
  • it may be a film containing at least a photocatalyst.
  • Ti02 film is formed as the photocatalyst layer 13 has been described.
  • the present invention is not limited to the Ti02 film.
  • Each film shown in FeTi03, Bi203, Nb203, SrTi03, ZnO, BaTi03, CaTi03, KTa03, Sn02, and Zr02 can also be used.
  • the photocatalyst layer 13 and the adhesive layer 12 are interposed between the substrate W and the support plate 11 has been described.
  • Another layer may be formed between the body layer 13 and the adhesive layer 12.
  • the release layer for example, a layer made of an acrylic or epoxy resin can be formed. In this case, peeling can be promoted, and peeling can be performed more easily and in a short time.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various other configurations can be taken within the scope without departing from the gist of the present invention.

Landscapes

  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)

Description

明 細 書
サポートプレートの剥離方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体ゥエーハ等の基板を薄板ィ匕する際に用いられるサポートプレート の剥離方法に関する。
背景技術
[0002] ICカードや携帯電話の薄型化、小型化及び軽量ィヒが要求されており、この要求を 満たすためには組み込まれる半導体チップにっ 、ても薄厚化が要求される。この半 導体チップの基になるゥエーハの厚さは現状では 125 μ m〜150 μ mであるが、次 世代のチップ用には 25 μ m〜50 μ mの厚さが要求されると言われている。
[0003] 従来では、半導体ゥ ーハの薄板ィ匕は例えば図 5に示す工程を経て行われている 即ち、先ず半導体ゥ ーハの回路 (素子)形成面 (八面）に保護テープを貼り付け、 これを反転して半導体ゥエーハの裏面 (B面）をグラインダーで研削して薄板ィ匕する。 次に、この薄板ィ匕された半導体ゥエーハの裏面をダイシンダフレームに保持されてい るダイシングテープ上に固定し、この状態で半導体ゥエーハの回路（素子)形成面 (A 面)を覆っている保護テープを剥離する。そしてこの後、ダイシング装置によりチップ 毎に切り離す。なお、このような方法は特許文献 1に開示されている。
[0004] ここで、特許文献 1では、保護テープとして耐熱性保護テープを用い、剥離する際 にはこの保護テープの一端に強粘着テープを粘着して薄板ィ匕した半導体ゥエーハか ら引き剥がすようにしている。
[0005] また、特許文献 2では、保護テープの代わりに窒化アルミニウム—窒化硼素気孔焼 結体にラダー型シリコーンオリゴマーを含浸せしめた保護基板を用い、この保護基板 と半導体ゥエーハとを熱可塑性フィルムを用いて接着すると共に、 80°Cの純水に入 れ、 3時間保持した後に剥離している。
[0006] また、特許文献 3では、保護基板として半導体ゥエーハと実質的に同一の熱膨張率 のアルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、炭化珪素等の材料を用いることが記載さ れている。
この特許文献 3では、保護基板と半導体ゥエーハとをポリイミドなどの熱可塑性榭脂 を用いて接着し、グラインダーで薄板ィ匕した後、剥離する場合には水、ァミン又は水 とァミンの混合溶液中に浸漬する方法、或!ヽは水蒸気を用いる方法が記載されて 、 る。
[0007] また、特許文献 4には、サポートプレートと半導体ゥヱーハを接着する粘着材層とし て、電離放射線、紫外線、可視光線等の光や熱エネルギーを付与すると粘着力が低 下するものを選定し、剥離の際には粘着剤層に上記のエネルギーを付与することが 開示されている。
[0008] また、特許文献 5には、支持用積層体と半導体ゥ ーハとを粘着剤層を介して密着 させ、研削によって半導体ゥ ーハを薄肉化することが開示されている。
特に支持用積層体の構成として、透明基板上に光触媒を含有する光触媒含有層を 形成し、この光触媒含有層上に光触媒の作用により特性が変化する特性変化粘着 剤層を設け、この特性変化粘着剤層上に高分子榭脂基材を介して粘着剤層を形成 した構造が開示されている。
[0009] 特許文献 1：特開 2002— 270676号公報
特許文献 2 :特開 2002— 203821号公報
特許文献 3：特開 2001— 077304号公報
特許文献 4:特開 2002— 373871号公報
特許文献 5：特開 2004— 253483号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0010] ところで、上述した特許文献 1〜3では、半導体ゥエーノ、からサポートプレート (保護 テープ)を剥離する際に、サポートプレート (保護テープ)と半導体ゥヱーハとの間に 溶剤が浸入しに《剥離に時間が力かってしまう。
また、サポートプレート (保護テープ）と半導体ゥエーハとを接着している熱可塑性フ イルムが完全に溶けず、サポートプレート又は半導体ゥエーハの一方に貼り付けられ たまま残存してしまうことがある。 このように、接着剤の残渣が生じる場合、剥離する際に半導体ゥヱーハに割れや欠 けが生じ易い。
[0011] また、特許文献 4にあっては、半導体ゥエーハと支持基板とが光硬化型粘着剤から なる粘着剤層によって貼り合わせられた状態において、光硬化型粘着剤に光を照射 させることで、粘着剤層の全体を重合架橋させて一体化させ、重合硬化による弾性 率の増加により粘着力を低下させている（段落番号〔0011〕〜段落番号〔0013〕参 照)。
[0012] また、特許文献 5にあっては、光触媒による分解力を利用しているが、光触媒によつ て分解するのは、直接半導体ゥヱーハの接合に関与している部分ではなぐ剥離ェ 程も複数あるため、簡単に剥離することができず、剥離に長時間を要することが考え られる。
[0013] 一方、本出願人はサポートプレートとして厚み方向に多数の貫通孔が形成された 構成及び一方の面に溝が形成された構成を提案している。図 6は、このサポートプレ ートを剥離する方法を説明したものである。
この方法は、先ずサポートプレート 100の上面に Oリング 101を介して溶剤供給プレ ート 102を重ねる。次にサポートプレート 100、 Oリング 101及び溶剤供給プレート 10 2で囲まれる空間 Sに溶剤供給管 103から溶剤を供給する。これにより、サポートプレ ート 100に形成した貫通孔 104を介して接着剤層 105を溶解するようにしたものであ る。
[0014] ところが、このような多数の貫通孔が形成されたサポートプレートを用いた剥離方法 の場合、短時間のうちに確実に接着剤を除去できるが、新たな問題が発生した。 即ち、図 7に示すように、サポートプレートの周縁部から溶剤が外側に漏れ、ダイシ ングテープに大量の溶剤が落下し、ダイシングテープが短時間のうちに劣化してしま また、空間 sに供給された新規な溶剤の一部はそのまま回収されてしまい剥離効率 が悪い。
また、接着剤が完全に溶解した場合でも、半導体ゥエーハからサポートプレートを 剥離するための装置としてフィンガー等を用いると回路形成面を傷つけてしまう虞が ある。
[0015] 上述した点に鑑み、本発明は、ガラス基板等に多数の貫通孔を加工する必要がな ぐまた例えば基板を薄板ィ匕した後に、基板力もサポートプレートを容易に剥離する ことができるサポートプレートの剥離方法を提供する。
課題を解決するための手段
[0016] 本発明に係るサポートプレートの剥離方法は、サポートプレートは、その一方の面 に少なくても光触媒体を含む被膜が形成されていると共に、接着剤層のみを介して 基板の回路
形成面に貼り合わされており、サポートプレート側から被膜に対し紫外線を照射する ことにより、光触媒体を励起させ、光触媒体の有機物分解機能により接着剤層を分解 させ、この分解により被膜と接着剤層との間に気泡を生じさせることでサポートプレー トを剥離するようにする。
[0017] 上述した本発明に係る剥離方法によれば、その一方の面に少なくても光触媒体を 含む被膜が形成されていると共に、接着剤層のみを介して基板の回路形成面に貼り 合わされたサポートプレートを、光触媒体の作用により基板力 剥離することが可能 になる。
[0018] 即ち、光触媒体を含む被膜に紫外線を照射した場合、この紫外線によって光触媒 が励起され、光触媒体の有機物分解機能によって接着剤層が分解される。そしてこ の分解によって光触媒体を含む被膜と接着剤層との接着面に気泡を生じさせること により、基板力もサポートプレートを剥離することが可能になる。
[0019] このように、基板とサポートプレートとの剥離に例えば有機溶剤を用いないので、周 辺部材を汚すことなくまた使用後の溶剤の処理も不要になる。また剥離装置としても 紫外線ランプを備えるだけで足りる。また更にサポートプレートの形状も単純な円盤 状等で足り例えば孔等を加工する必要もない。
発明の効果
[0020] 本発明によれば、サポートプレートの剥離に溶剤を用いないので、溶剤による汚染 の問題を低減できる。
また装置としては紫外線ランプを備えるだけで足りるため、装置の簡素化並びに装 置のコスト削減が可能になる。
また更にサポートプレートの形状も単純な円盤状等で足り、例えば孔等を加工する 必要もないため、剥離作業が容易になると共にサポートプレートのコスト削減を図るこ とがでさる。
従って、装置及びサポートプレートのコスト削減や溶剤等に対する汚染に対して好 適なサポートプレートの剥離方法を実現できる。
図面の簡単な説明
[0021] [図 1]本発明の剥離方法を実施する剥離装置の概略図。
[図 2]サポートプレートと基板とからなる積層体の拡大断面図。
[図 3]剥離の原理を説明するための図。
[図 4]本発明の剥離方法を一部に組み込んだ貫通電極の形成方法の説明図。
[図 5]従来の半導体ゥ ーハの薄板ィ匕工程の説明図。
[図 6]貫通孔を形成したサポートプレートを剥離する方法の説明図。
[図 7]貫通孔を形成したサポートプレートの問題点の説明図。
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
図 1は本発明の剥離方法を実施する剥離装置の概略図、図 2はサポートプレートと 基板との積層体の拡大断面図である。
[0023] 図 1に示すように、剥離装置はテーブル 1と昇降体 2とから構成されている。昇降体 2の下面には下方に向力つて開口する凹部 21が設けられ、この凹部 21内に紫外線 ランプ 22が取り付けられている。このような剥離装置において、テーブル 1上には、図 2に示すような積層体 10が載置される。この積層体 10は、半導体ゥエーハ等の基板 Wの回路形成面に接着剤層 12を介してサポートプレート 11とが接合された構成であ る。
[0024] サポートプレート 11は紫外線を透過すベぐ透明なガラス板、透明なセラミック板或 いは透明な榭脂板で形成されて 、る。
[0025] そして本実施の形態においては特に、サポートプレート 11の一方の面に光触媒体 を含む被膜 (光触媒体層） 13が形成されている。光触媒体層 13は例えばアナターゼ 型の Ti02 膜が好ましい。これにより、サポートプレート 11は、 Ti02膜 13、接着剤 層 12を介して基板 Wの回路形成面に貼り合わされて 、る。
[0026] サポートプレート 11の一方の面に上記 Ti02膜 13を形成する場合は、例えば、チ タンアルコキシドをサポートプレートの一方の面（表面）〖こ塗布し、 400〜600°Cまで 加熱することで形成できる。この他にも、スパッタリング法や CVD法等によっても形成 できる。
[0027] 次に、サポートプレートの剥離方法の一実施の形態を、上述した図 1及び図 2用い て説明する。
[0028] 図 2に示したように、所定の回路素子が形成された基板 W上に接着剤層 12を介し て、上記 Ti02膜 13が形成されたサポートプレート 11が貼り合わされている。
[0029] このような状態において、昇降体 2を下げ、紫外線ランプ 22をサポートプレート 11の 直上に位置させる。そして紫外線ランプ 22を点灯してサポートプレート 11を介して Ti 02膜 13に紫外線を到達させる。
[0030] この際、光触媒体の作用によりサポートプレート 11が基板 Wから剥離される。
即ち、図 3に示すように、 Ti02膜 13に紫外線 (例えば 400nm以下）が照射されると 、光触媒が励起されて電子が発生し 02と反応して 02—となる。そしてこの 02—が 有機物 (接着剤層 12)と反応してガス (H20、 C02等)を発生する。これにより光触 媒体層 13と接着剤層 12との間にガスが広がり、サポートプレート 11と基板 Wとが徐 々に離れはじめ、基板 Wからサポートプレート 11が剥離される。
この後は基板 Wの表面をアルコール等で洗浄し残存する接着剤層 12を除去する。
[0031] このように本実施の形態のサポートプレート 11の剥離方法によれば、基板 Wを橈み なく確実にサポートプレート 11で支持でき、更に基板 Wを傷つけることなくサポートプ レート 11を剥離することができる。
[0032] また、本実施の形態のサポートプレート 11の剥離方法によれば、基板とサポートプ レートとの剥離に有機溶剤を用いないため、例えば周辺部材を汚すことがなく使用後 の溶剤の処理も不要になる。また、剥離装置としても紫外線ランプを備えるだけで足 りるため、装置の簡素化並びに装置のコスト削減が可能になる。更には、サポートプ レート 11の形状も単純な円盤状等で足り、例えば孔等を加工する必要もないため、 剥離作業が容易になると共にサポートプレート 11のコスト削減を図ることができる。
[0033] また、本実施の形態のサポートプレート 11の剥離方法によれば、基板 Wとサポート プレート 11との間には少なくても接着剤層 12と Ti02膜 13しか存在しておらず、例え ば基板 Wとサポートプレート 11との間に複数の層が存在する場合と比較して、 T102 膜 13への 1回の紫外線照射のみで容易に剥離を行うことができる。
[0034] 上述した本実施の形態では、 Ti02膜 13に紫外線が照射されてからの分解反応に おいて、分解反応が最後まで終らない段階でサポートプレート 11を基板 Wから剥離 する場合を説明した。しかしながら分解反応が最後まで終った段階で、即ち時間をか けることにより分解反応が完全に終った段階でサポートプレート 11を基板 Wから剥離 することちでさる。
つまり、両者とも剥離の原理は図 3に示した場合と同様であるが、接着剤層 12や光 触媒体層 13に用いられる材料等によっては、分解反応過程で (少な ヽガス発生量で )完全にサポートプレート 11が基板 Wから剥離されない場合も考えられる。このような 場合は、分解反応が完全に終ってから (充分なガス発生量で)基板 Wをサポートプレ ート 11から剥離させるようにする。このように状況に応じて剥離方法を使 、分けること ができる。
この場合においても上述した実施の形態と同様の作用を得ることができる。
[0035] 次に、本実施の形態の剥離方法を両面回路形成の基本となる貫通電極の形成に 利用した場合を説明する（図 4参照)。
[0036] 先ず、ゥエーハ Wの回路素子形成面 (八面）に接着剤液を塗布する。塗布には例え ばスピンナーを用いる。接着剤液としてはアクリル系榭脂またはノボラックタイプのフ ヱノール榭脂系材料とする。
[0037] 次 、で、接着剤液をオーブン又はホットプレートを用いて乾燥させて接着剤層とす る。接着剤層の厚みは半導体ゥエーハ Wの表面に形成した回路の凹凸に応じて決 定する。
なお、一回の塗布では必要な厚みを出せない場合には、塗布と乾燥を複数回繰り 返して行う。この場合、最上層以外の接着剤層の乾燥は接着剤に流動性を残さない ように乾燥の度合 、を強める。 [0038] 所定厚みの接着剤層が形成された半導体ゥエーハの回路形成面 (八面）にサポート プレートを貼り付ける。そして、半導体ゥエーハ Wの裏面 (B面）をグラインダーで研削 し、半導体ゥ ーハ薄板化する。
なお、研削によってグラインダーと半導体ゥエーハ Wとの間に生じる摩擦熱を抑える ために水を半導体ゥヱーハ Wの裏面に供給しつつ行う。ここで、接着剤は水に対して 不溶な（アルコールに可溶な)接着剤を選定しているため、研削の際に半導体ゥエー ハからサポートプレートが剥がれることがない。
[0039] これ以降は、上述した実施の形態の剥離方法を用いて基板 Wからサポートプレート を剥離する。具体的な動作及び剥離原理は上述した場合と同様であるため重複説 明は省略する。
この後、回路表面に塗布されている接着剤の溶剤洗浄を行い、ダイシング装置によ つて半導体ゥエーハをチップサイズに切断する。
切断後は、ダイシングテープに紫外線を照射し、ダイシングテープの粘着力を低下 せしめて、切断したチップを取り出す。このようにして得られたチップを積層することで 、ワイヤボンディングのな!/、パッケージを得ることができる。
[0040] 上述した実施の形態では、サポートプレート 11の一方の面に光触媒体層 13として Ti02膜のみの被膜を形成した場合を説明した。しかしながら、少なくとも光触媒体を 含有する被膜であっても構わな ヽ。
[0041] また上述した実施の形態では、光触媒体層 13として Ti02膜を形成した場合を説 明したが、 Ti02膜に限らず、例えば Fe202、 Cu20、 In203、 W03、 Fe2Ti03、 P bO、 V205、 FeTi03、 Bi203、 Nb203、 SrTi03、 ZnO、 BaTi03、 CaTi03、 K Ta03、 Sn02、 Zr02に示す各膜を用いることもできる。
[0042] また上述した実施の形態では、基板 Wとサポートプレート 11との間に光触媒体層 1 3と接着剤層 12とが介在された場合を説明したが、剥離を促進させるために、光触媒 体層 13と接着剤層 12との間にもう 1層 (剥離層)形成することもできる。剥離層として は例えばアクリル系或いはエポキシ系等の榭脂からなる層を形成することができる。 この場合は剥離を促進させることが可能になり、より簡単に短時間で剥離を行うことも 実現できる。 なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の要旨を逸 脱しな 、範囲でその他様々な構成が取り得る。

Claims

請求の範囲
[1] サポートプレートは、その一方の面に少なくても光触媒体を含む被膜が形成されてい ると共に、接着剤層のみを介して基板の回路形成面に貼り合わされており、 前記被膜に対し紫外線を照射することにより、前記光触媒体を励起させ、前記光触 媒体の有機物分解機能により前記接着剤層を分解させ、この分解により前記被膜と 前記接着剤層との間に気泡を生じさせることで前記サポートプレートを剥離すること を特徴とするサポートプレートの剥離方法。
[2] 請求項 1に記載のサポートプレートの剥離方法において、前記分解の途中で前記サ ポートプレートを剥離することを特徴とするサポートプレートの剥離方法。
[3] 請求項 1に記載のサポートプレートの剥離方法にぉ 、て、前記分解が完全に終った 段階で前記サポートプレートを剥離することを特徴とするサポートプレートの剥離方 法。
[4] 請求項 1に記載のサポートプレートの剥離方法にぉ 、て、前記光触媒体を含む被膜 と前記接着剤層との間に剥離を促進させる層が形成されていることを特徴とするサボ ートプレートの剥離方法。
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