WO2007102207A1 - インジウム含有メタルの製造方法 - Google Patents

インジウム含有メタルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2007102207A1
WO2007102207A1 PCT/JP2006/304455 JP2006304455W WO2007102207A1 WO 2007102207 A1 WO2007102207 A1 WO 2007102207A1 JP 2006304455 W JP2006304455 W JP 2006304455W WO 2007102207 A1 WO2007102207 A1 WO 2007102207A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
indium
solution
acid
metal
containing metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2006/304455
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michihiro Akahori
Yasutaka Nakayoshi
Masakazu Yano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Kinzoku Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to CN2006800210022A priority Critical patent/CN101198710B/zh
Priority to PCT/JP2006/304455 priority patent/WO2007102207A1/ja
Publication of WO2007102207A1 publication Critical patent/WO2007102207A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B3/00—Extraction of metal compounds from ores or concentrates by wet processes
    • C22B3/20—Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching
    • C22B3/44—Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by chemical processes
    • C22B3/46—Treatment or purification of solutions, e.g. obtained by leaching by chemical processes by substitution, e.g. by cementation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B58/00—Obtaining gallium or indium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22B—PRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B7/00—Working up raw materials other than ores, e.g. scrap, to produce non-ferrous metals and compounds thereof; Methods of a general interest or applied to the winning of more than two metals
    • C22B7/006—Wet processes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Definitions

  • the present invention relates to a method of producing an indium-containing metal from an indium-containing solution obtained by dissolving an ITO recovered material, a discarded ITO target, a scrap containing ITO, etc. scattered mainly during the production of an ITO thin film.
  • Indium is a metal that is used in various fields such as optical materials, optoelectronic materials, compound semiconductors, brazing filler metals, and recently, is a raw material for electrode materials such as liquid crystal displays (LCD) and plasma displays ( ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ DP). Since indium is expensive, it is required to recycle indium from collected or waste materials containing indium.
  • LCD liquid crystal displays
  • plasma displays ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ DP
  • ITO thin films made of indium-stannic acid oxide have both high conductivity and visible light transmission, so there are various types such as solar cells, liquid crystal display devices, touch panels, anti-condensation heating films for window glass, etc. It is used for transparent conductive film applications.
  • the sputtering method is a thin film having a low resistance on a large area substrate. Is widely used industrially because it can be manufactured at a relatively low temperature.
  • ITO is sputtered by irradiating plasma or the like using a sintered ITO obtained by sintering a mixture of indium oxide and tin oxide as a target, and the ITO is deposited on the substrate. It is common to deposit a thin film, but at this time, the ITO that has been deposited does not deposit on the substrate, and there is ITO that scatters around the substrate. It is required to be reused as a raw material.
  • JP-A-5-156381 discloses that In electrolytic slime containing Sn, Pb, Cu, and Ag as impurities in addition to In is leached with hydrochloric acid and adjusted to pHO.5 to 2.0 with an alkaline agent. A method is disclosed in which after the adjustment, an insoluble residue is separated, a reducing agent is then added, a precipitate formed is separated, and then the reducing agent is added to recover crude indium for electrolysis.
  • JP-A-9-268334 an indium-containing lump is pulverized, the pulverized product is leached in an acidic aqueous solution in the presence of hydrogen peroxide, and an aluminum plate is placed in the leached solution.
  • An indium recovery method is disclosed in which sponge indium is deposited on an aluminum plate by dipping and substitution reaction, and then the sponge indium is alkali-fused to obtain indium metal.
  • JP 2002-201026 A a hydrochloric acid solution containing indium is extracted with a solvation extraction type extractant, and then this is back-extracted with dilute acid, and the recovered indium solution is electrolytically collected.
  • a method is disclosed in which indium is recovered by neutralization to a hydroxide and reducing with carbon or hydrogen, or dissolution with sulfuric acid and electrolysis.
  • the present invention provides an indium-containing solution obtained by dissolving and recovering an indium-containing material such as ITO scattered during the production of an ITO thin film in an acid, and using indium as a starting material, the indium is efficiently produced in high yield and high purity. It is intended to provide a new method for producing an indium-containing metal capable of producing a contained metal.
  • the present invention neutralizes the indium-containing solution (; neutralization step), immerses the obtained neutralized precipitate in a liquid in which the indium is not dissolved, and then on the metal plate in the subsequent substitution precipitation step.
  • Ions that cause the formation of a passive state in the liquid hereinafter referred to as “passivation-forming ions”.
  • Passivation-forming ions Ions that cause the formation of a passive state in the liquid
  • an indium-containing solution isotonic force obtained by collecting ITO scattered during the production of an ITO thin film is produced with high efficiency and high purity, indium-containing metal by simple operation. be able to.
  • indium-containing metal means a metal lump-like indium-containing material (indium purity of 80% by mass or more, preferably 90% by mass or more).
  • the passive formation-causing ion washing step is a step of washing and removing passive formation-causing ions (especially nitrate ions) by neutralizing precipitate force, and this treatment is sufficiently performed. If it is not performed, it has been confirmed that the metal and indium of the metal plate are not substituted during the substitution deposition step, and sponge indium is hardly deposited.
  • the passivating ion cleaning treatment by performing the passivating ion cleaning treatment, the types of acids used in the subsequent acid dissolution step are widened, and even acids such as hydrochloric acid and sulfuric acid can be dissolved.
  • “sponge indium” means a sponge-like indium-containing material deposited by a substitution reaction with a metal.
  • an indium-containing metal is produced from an indium-containing solution through at least the following steps. That is,
  • the passive state-causing ion cleaning step By washing the resulting neutralized precipitate with a liquid in which indium is not dissolved, the cause ions that form the passive state in the subsequent substitution precipitation step are removed (the passive state-causing ion cleaning step), The washed product thus obtained is dissolved with an acid to form an acid solution (; acid dissolution step), and a metal plate is immersed in the acid solution and subjected to a substitution reaction to deposit sponge indium on the metal plate (; Displacement precipitation step),
  • the origin of the indium-containing material as a raw material is not particularly limited.
  • used or originally used such as ITO collected from ITO thin film manufacturing, discarded ITO target, ITO or indium alloy scrap, LCD or PDP scrap, or semiconductor containing indium
  • the recovered indium-containing material can be listed.
  • an indium-containing material obtained by collecting ITO scattered during production of the ITO thin film for example, an ITO sintered body obtained by sintering a mixture of indium oxide and tin oxide, is irradiated with plasma or the like as a target.
  • a preferable example is an indium-containing material obtained by collecting ITO that has spattered to the surroundings without being deposited on the substrate when sputtering ITO.
  • the indium-containing solution is preferably a solution in which the above-mentioned indium-containing material is dissolved in an acid.
  • the indium content in the indium-containing solution and the type of the solution are not limited, the indium (ion) concentration in the indium-containing solution is adjusted to be lgZL to 80gZL, especially 5gZL to 30gZL. U prefer.
  • the content of indium is less than 10%.
  • the total amount is preferably less than 10% of the indium content, excluding metals used for substitutional precipitation (such as aluminum or zinc). Even if they contain 10% or more of the indium content, the production method of the present invention does not become impossible, but in particular, the efficiency and indium purity in the substitutional precipitation process are reduced, so that the indium content is less than 10%. Is preferred.
  • the type of acid that dissolves the indium-containing material is not particularly limited, but those suitable for the present invention are inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, hydrofluoric acid, and nitric hydrofluoric acid. nitric acid Is preferred.
  • indium and other metals can be quantified by ICP emission spectroscopy, and the concentration of anions such as nitrate ions can be measured by an analytical method such as ion chromatography.
  • indium ions in the indium-containing solution are precipitated as neutralized precipitates, that is, indium hydroxide.
  • pH of the indium-containing solution is adjusted to 3.5 to 5 and below, particularly 4.0 to 4.7 and below, especially 4.2 to 4.5 and below by the neutralization process, impurities do not precipitate and the indium quality is reduced. It can be further increased.
  • the neutralizing agent for example, ammonia, sodium carbonate, sodium hydroxide, potassium hydroxide, other alkaline compounds, or an aqueous solution thereof can be used.
  • aqueous sodium hydroxide is preferred, and ammonia water is particularly preferred.
  • a neutralizing agent containing sodium ions when used as the neutralizing agent, a sodium nitrate salt is formed depending on the concentration of sodium ions and nitrate ions in the solution.
  • aqueous ammonia the washing process can be performed more smoothly.
  • ammonia water also functions as a flocculant, when ammonia water is used as a neutralizing agent, the starting power of adding ammonia water should be within 24 hours, especially within 12 hours, until the end of acid dissolution. It is desirable to do. If more time passes, work efficiency tends to deteriorate.
  • the neutralizing agent can be added in a batch, semi-continuous or continuous manner by adding it while controlling the pH to be in the above range.
  • a predetermined amount of an indium-containing solution may be put in a neutralization tank in advance, and an alkaline compound or an aqueous solution thereof may be added with stirring, or an indium-containing solution and an alkaline compound may be added to the neutralization tank.
  • the aqueous solution may be added simultaneously.
  • the addition of the alkaline solution will be interrupted and the solution will precipitate sufficiently.
  • Good indium hydroxide crystals can be obtained by aging or adding indium hydroxide crystals as seed crystals separately.
  • the neutralization process is a force that raises the temperature in the system due to the generation of heat of neutralization. It should be performed in the temperature range of 20 ° C to 80 ° C. Heating and cooling are adjusted as necessary. Good. Also, at the end of neutralization, it may be cooled to about 5 ° C to promote precipitation!
  • the precipitated neutralized precipitate is solid-liquid separated and recovered as wet crystal indium hydroxide.
  • the solid-liquid separation method is not particularly limited, and for example, vacuum filtration such as suction filtration, pressure filtration such as a filter press, decanter or centrifugation may be employed. it can.
  • the neutralized precipitate recovered after the neutralization step is immersed in a liquid in which indium is not dissolved (also referred to as an “immersion solution”), which causes the formation of passivation on the metal plate in the subsequent substitution precipitation step.
  • immersion solution a liquid in which indium is not dissolved
  • the mother liquor and neutralized precipitate adhering to the neutralized precipitate surface are condensed.
  • the mother liquor taken inside the assembly is replaced with the immersion liquid to wash away and remove the ions that form the passive state.
  • the subsequent substitution deposition step can be efficiently performed by washing and removing the passivating ions.
  • the passivating cause ions include metals other than In, for example, ions of metals such as Fe, Co, Cr, Ni, and nitrate ions (NO-) that form salts with these metal ions, Huh
  • Examples include anions such as trioxide ions (F—).
  • F— trioxide ions
  • NO nitrate ions
  • fluorine ions F—
  • hydrogen fluoride ions HF "
  • the passive formation-causing ions are used as a dipping solution to dissolve.
  • a dipping solution for example, water, a lower alcohol such as methanol or ethanol, or a mixture thereof can be mentioned. Water is most preferable.
  • Passivation formation-causing ion cleaning treatment may be performed at least once. If performed in two or more times, the amount of immersion liquid used can be reduced, It is efficient in that it can be removed in a short time. Also, the neutralized precipitate should be poured into the immersion liquid and stirred for an appropriate time!
  • the amount of the immersion liquid used in the passivating formation ion cleaning treatment and the treatment time are not particularly limited.
  • the temperature of the immersion liquid during dissolution is not particularly limited, but it may be further heated from about room temperature from the viewpoint of efficiency.
  • the concentration of nitrate ions in the acid solution obtained by dissolving the washed product with acid is less than 26000ppm, especially 2500 Oppm or less. In particular, it is preferable to carry out so that it is less than lOOOOppm, especially less than 5000ppm. If the concentration of nitrate ions in the solution is less than 26000 ppm, sponge indium may be deposited in the subsequent substitution deposition step by substitution with metal ions on the metal plate. [LooOOppm or less, medium or less (5000ppm or less) can favorably promote the deposition of sponge indium.
  • the types of acids that can be used in this step are expanded, and inorganic acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid can be used.
  • inorganic acids such as sulfuric acid and hydrochloric acid
  • the concentration of the acid to be used is not particularly limited, but is preferably adjusted to a range of 10 to 500 gZL from the viewpoint of solubility.
  • the pH should be 1 or less, preferably 0.5 or less.
  • the acid solution obtained in the above step is placed in a reaction vessel, and a metal plate, preferably an aluminum plate, is immersed, and substitution reaction is performed with the metal (for example, aluminum) of the metal plate to deposit sponge indium. I will let you.
  • the pH of the acid solution at the time of the substitution reaction is lower than 0.5 or higher than 1.5, the substitution reactivity between the indium and the metal, for example, aluminum is lowered.
  • the pH value of is preferably adjusted within the range of 0.5 to 1.5, for example, by adding an alkali compound or water.
  • examples of the alkaline compound to be added include sodium hydroxide, potassium hydroxide, calcium hydroxide, ammonia, and aqueous solutions thereof. Also, when adjusting the pH by adding water, make sure that the indium concentration in the acid solution does not drop too much.
  • the temperature at which this substitution reaction is carried out is preferably 40 ° C or higher, more preferably in the range of 45 ° C to 60 ° C.
  • powdered or granular metal preferably zinc powder (granular)
  • powdered or granular metal for example, zinc
  • the specific method of the metal alloy is not particularly limited, it is preferable to perform alkali welding. Sponge indium is easily oxidized, but by performing alkaline welding, It is possible to prevent oxidation by forming in an alkaline solution heated to at least the melting point (156 ° C) of indium, and furthermore, it is present on the surface of sponge indium. In addition, impurities in the sponge indium can be separated and removed.
  • the alkaline compound used for the alkaline solution is not particularly limited, but industrially, it is preferable to use sodium hydroxide.
  • the indium-containing metal obtained by this alkali welding has a high indium quality.
  • this indium-containing nitric acid solution was analyzed by ion chromatography, it contained In24gZL, SnO.06g / L, AllOg ZL, MgO.23g / ZnO.03g / L, FeO.04g / L, CrO.
  • the solution was stirred for 1 hour while controlling the temperature so that the acid solution did not exceed 60 ° C, and Nucci (filter paper: No. 4 mm, ⁇ 150 mm, manufactured by Toyo Filter Paper Co., Ltd.) was used. V and filtered to remove the undissolved solid residue, and the acid solution was recovered.
  • Nucci filter paper: No. 4 mm, ⁇ 150 mm, manufactured by Toyo Filter Paper Co., Ltd.
  • the amount of the indium-containing metal thus obtained was 58 g.
  • the indium quality of this indium-containing metal was 97% and contained in the recovered material! /, And the indium collection rate from indium was 94%.
  • the first washing was put into 2000 mL of water (20 ° C) and stirred for 10 minutes, and then the stirring was stopped and left to stand for 0.5 hour and decanted.
  • After removing the aqueous phase with Chillon put it into lOOOmL water (20 ° C) as a second wash, stir for 15 minutes, stop stirring and let stand for 0.5 hour, and remove the aqueous phase with decantation did.
  • the washed product was poured into 1800 mL of water, concentrated sulfuric acid was added to adjust to pHO.
  • the nitrate ion (NO-) concentration at this time was 9000 ppm.
  • the amount of the indium-containing metal thus obtained was 55 g.
  • the indium quality of this indium-containing metal was 95% and contained in the recovered material! /, And the indium recovery rate from indium was 87%.
  • the amount of the indium-containing metal thus obtained was 54 g.
  • the indium quality of this indium-containing metal was 95% and contained in the recovered material! /, And the indium recovery rate from indium was 86%.
  • the first washing was put into 2000 mL of water (20 ° C) and stirred for 15 minutes, and then the stirring was stopped and left to stand for 0.5 hour and decanted.
  • the aqueous phase was removed with Chillon.
  • the washed product was poured into 1800 mL of water, concentrated sulfuric acid was added, pH was adjusted to 5 and dissolved.
  • the nitrate ion (NO-) concentration at this time was 25000 ppm.
  • the solution was stirred for 1 hour while controlling the temperature so that the acid solution did not exceed 60 ° C, and Nucci (filter paper: No. 4 mm, ⁇ 150 mm, manufactured by Toyo Roshi Kaisha, Ltd.) was used. V and filtered to remove the undissolved solid residue, and the acid solution was recovered.
  • Nucci filter paper: No. 4 mm, ⁇ 150 mm, manufactured by Toyo Roshi Kaisha, Ltd.
  • the amount of the indium-containing metal thus obtained was 17 g.
  • the indium quality of this indium-containing metal was 80% and contained in the recovered material! /, And the indium collection rate from indium was 23%.
  • the first washing was put into 2000 mL of water (20 ° C) and stirred for 10 minutes, and then the stirring was stopped and left to stand for 0.5 hour and decanted.
  • the aqueous phase was removed with Chillon.
  • the washed product was poured into 1800 mL of water, concentrated sulfuric acid was added, pH was adjusted to 5 and dissolved.
  • the nitrate ion (NO-) concentration at this time was 26000 ppm.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)

Abstract

　ＩＴＯ薄膜製造時に飛散したインジウム含有物を回収して得られるインジウム含有溶液から、インジウムを回収してインジウム含有メタルを製造する方法として、前記インジウム含有溶液を中和し、得られた中和沈澱物を、インジウムが溶解しない液体に浸漬させて不動態形成原因イオンを該液体中に溶解させ、不動態形成原因イオンの洗浄処理を行った後、洗浄処理済物を酸により溶解させて酸溶解液とし、この中に金属板を浸してスポンジインジウムを析出させ、該スポンジインジウムからインジウムメタルを製造する。                                                                       

Description

明 細 書
インジウム含有メタルの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、主として ITO薄膜製造時に飛散した ITOの回収物、廃棄 ITOターゲット 、ITOを含むスクラップ等を溶解してなるインジウム含有溶液からインジウム含有メタ ルを製造する方法に関する。
背景技術
[0002] インジウムは、光学材料、光電子材料、化合物半導体、ろう材等各種の分野で活用 されている金属であり、最近では、液晶ディスプレイ (LCD)、プラズマディスプレイ (Ρ DP)等の電極材料原料等として広く利用されている力 インジウムは高価であるため 、インジウムを含む回収物や廃棄物等からインジウムを再利用することが求められて いる。
[0003] インジウム—スズ酸ィ匕物 (ITO)からなる ITO薄膜は、高い導電性と可視光透過性を 併せ持つため、太陽電池や液晶表示デバイス、タツチパネル、窓ガラス用結露防止 発熱膜等、様々な透明導電膜用途に使用されている。
[0004] ITO薄膜を製造する方法としては、スパッタリング、真空蒸着、ゾル 'ゲル法、クラス タービーム蒸着、 PLD等の方法を挙げることができる力 中でもスパッタリング法は、 大面積基板上に低抵抗な薄膜を比較的低温で作製できるため工業的に広く使用さ れている。
[0005] スパッタリング法によって ITO薄膜を製造する場合、酸化インジウムと酸化スズとの 混合物を焼結して得られる ITO焼結体をターゲットとしてプラズマ等を照射して ITO をスパッタさせ、基板上に ITO薄膜を蒸着形成するのが一般的であるが、この際、ス ノ ッタさせた ITOが基板上に蒸着せず、周囲に飛散する ITOが発生するため、飛散 した ITOを回収して再び ITO原料等として再利用することが求められている。
[0006] この種のインジウム含有物からインジウム (In)を再利用する方法としては、従来、酸 溶解法、イオン交換法、溶媒抽出法等の湿式精製を組み合わせた方法が知られて いるほか、新たな提案が幾つか為されている。 [0007] 例えば、特開平 5— 156381号公報には、 Inのほかに不純物として Sn、 Pb、 Cu、 Agを含む In電解スライムを塩酸で浸出し、アルカリ剤で pHO. 5〜2. 0に調整した後 、不溶解残渣を分離し、次いで還元剤を添加し、生成した沈澱物を分離後、還元剤 を添加して電解用粗インジウムを回収する方法が開示されている。
[0008] 特開平 5— 311267号公報には、 Inのほかに不純物として As及び Mnを含む In含 有物に、過酸化水素水及び硫酸を添加して金属塩を溶解し、その後アルカリ剤を添 カロして pH4. 5〜6. 0に調整し、次いで濾過処理して As及び Inが共存する沈澱物を 得ると共に中和後液に Mn、 Znを移行させ、その後前記沈澱物から Asを除去するこ とを特徴とするインジウムの回収方法が開示されている。
[0009] 特開平 9— 268334号公報には、インジウム含有塊状物を粉砕処理し、該粉砕物を 過酸ィ匕水素の存在下で酸性水溶液中で浸出処理し、該浸出液中にアルミニウム板 を浸して置換反応によりアルミニウム板上にスポンジインジウムを析出させ、次 ヽで該 スポンジインジウムをアルカリ熔铸してインジウムメタルを得るインジウムの回収方法 が開示されている。
[0010] 特開 2002— 201026号公報には、インジウムを含有する塩酸溶液を溶媒和抽出 型の抽出剤で抽出し、次にこれを希酸で逆抽出して回収したインジウム溶液を電解 採取するか、或いは中和して水酸ィ匕物とし、カーボン若しくは水素により還元するか 又は硫酸で溶解し電解してインジウムを回収する方法が開示されている。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 本発明は、 ITO薄膜製造時に飛散した ITO等のインジウム含有物を酸に溶解し回 収して得られるインジウム含有溶液を出発原料として、インジウムを効率良く高収率 かつ高純度のインジウム含有メタルを製造することができる新たなインジウム含有メタ ルの製造方法を提供せんとするものである。
課題を解決するための手段
[0012] 本発明は、インジウム含有溶液を中和し（；中和工程）、得られた中和沈澱物を、ィ ンジゥムが溶解されない液体に浸漬させて、後の置換析出工程で金属板上に不動 態を形成する原因となるイオン (以下「不動態形成原因イオン」 、う）を該液体中に 溶解させ、この溶解液を除去する不動態形成原因イオン洗浄処理を 1回以上行 ヽ (； 不動態形成原因イオン洗浄工程)、得られた洗浄処理済物を酸により溶解させて酸 溶解液とし（；酸溶解工程)、該酸溶解液中に金属板を浸して当該金属との置換反応 によりスポンジインジウムを析出させ（；置換析出工程）、このスポンジインジウムからィ ンジゥム含有メタルを得る（；メタル化工程)ことを特徴とするインジウム含有メタルの製 造方法を提供する。
[0013] 本発明の製造方法によれば、 ITO薄膜製造時に飛散した ITOを回収して得られる インジウム含有溶液等力 簡単な操作で効率良ぐ且つ純度の高 1、インジウム含有メ タルを製造することができる。
[0014] なお、本発明で 、う「インジウム含有メタル」とは、金属塊状のインジウム含有物 (ィ ンジゥム純度 80質量％以上、好ましくは 90質量％以上）の意味である。
[0015] また、本発明の製造方法において、不動態形成原因イオン洗浄工程は、不動態形 成原因イオン (特に硝酸イオン)を中和沈澱物力 洗浄除去する工程であり、この処 理を十分に行わないと、置換析出工程の際に、金属板の金属とインジウムとが置換 せず、スポンジインジウムがほとんど析出しないようになることが確かめられている。ま た、不動態形成原因イオン洗浄処理を行うことにより、後の酸溶解工程で用いる酸の 種類が広がり、塩酸、硫酸等の酸であっても酸溶解できるようになる。
[0016] また、本発明において、「スポンジインジウム」とは、金属との置換反応によって析出 したスポンジ状のインジウム含有物の意味である。
発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、実施形態に基づいて本発明を説明するが、本発明が下記実施形態に限定 されるものではない。
[0018] 本実施形態では、少なくとも次の工程を経てインジウム含有溶液からインジウム含 有メタルを製造する。すなわち、
インジウム含有溶液を中和し（；中和工程）、
得られた中和沈澱物をインジウムが溶解されない液体で洗浄することにより、後の 置換析出工程で不動態を形成する原因イオンを除去し（；不動態形成原因イオン洗 浄工程)、 得られた洗浄処理済物を酸により溶解させて酸溶解液とし（；酸溶解工程）、 該酸溶解液中に金属板を浸し置換反応させて該金属板上にスポンジインジウムを 析出させ（；置換析出工程)、
得られたスポンジインジウム力 インジウム含有メタルを得る（；メタル化工程)。
[0019] (インジウム含有物）
原料としてのインジウム含有物の由来は特に制限するものではない。例えば ITO薄 膜製造時に飛散した ITOの回収物、廃棄 ITOターゲット、 ITOやインジウム合金のス クラップ、或いは LCDや PDPのスクラップ、インジウムを含有する半導体の回収物な ど、使用済あるいは本来の使用用途力 外れたインジウム含有物を回収したものを挙 げることができる。中でも、 ITO薄膜製造時に飛散した ITOを回収して得られるインジ ゥム含有物、例えば酸化インジウムと酸化スズとの混合物を焼結して得られる ITO焼 結体をターゲットとしてプラズマ等を照射して ITOをスパッタさせた際に、基板上に蒸 着せずに周囲に飛散した ITOを回収して得られるインジウム含有物は好ましい一例 である。
[0020] (インジウム含有溶液）
インジウム含有溶液は、上記のインジウム含有物を酸に溶解したものであるのが好 ましい。
[0021] インジウム含有溶液におけるインジウム含有量や溶液の種類を限定するものではな いが、インジウム含有溶液に含まれるインジウム (イオン)濃度は lgZL〜80gZL、 中でも 5gZL〜30gZLになるように調整するのが好ま U、。
[0022] また、スズに関しては、インジウム含有量の 10%未満であるのが好ましい。また、ィ ンジゥム及びスズ以外の金属に関しては、置換析出に用いる金属（例えばアルミ-ゥ ム又は亜鉛等）を除いて、その総量がインジウム含有量の 10%未満であるのが好ま しい。これらをインジウム含有量の 10%以上含んでいても本発明の製造方法が不可 能になる訳ではないが、特に置換析出工程における効率及びインジウム純度が低下 するのでインジウム含有量の 10%未満であるのが好ましい。
[0023] インジウム含有物を溶解する酸の種類は特に限定するものではないが、本発明に 適しているのは、塩酸、硫酸、硝酸、フッ酸、硝フッ酸等の無機酸であり、中でも硝酸 が好ましい。
[0024] 次工程の中和処理する前に水等をカ卩えて、インジウム含有溶液の pHは 2以下、中 でも 1以下であると生産効率の観点から好ましい。
[0025] このとき、インジウムやその他の金属の定量は ICP発光分光法等により、また、硝酸 イオン等の陰イオン濃度はイオンクロマト法等の分析法により測定することができる。
[0026] (中和工程）
中和工程では、インジウム含有溶液中のインジウムイオンを中和沈澱物、すなわち 水酸化インジウムとして析出させる。中和工程によってインジウム含有溶液の pHを 3 . 5以上 5以下、特に 4. 0以上 4. 7以下、中でも特に 4. 2以上 4. 5以下に調整すると 、不純物が沈澱せず、インジウム品位をより一層高めることができる。
[0027] 中和剤としては、例えばアンモニア、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリ ゥム、その他アルカリィ匕合物や、又はそれらの水溶液を使用することが可能であるが 、中でもアンモニア水或いは水酸ィ匕ナトリウム水溶液が好ましぐその中でも特にアン モ-ァ水が好ましい。
[0028] 中和剤として、例えばナトリウムイオンを含有する中和剤を用いた場合、回収原料 力 Sインジウム含有硝酸溶液であると、溶液中のナトリゥムイオン及び硝酸イオン濃度 によっては、硝酸ナトリウム塩を形成し、これが後工程において固液分離や不動態形 成原因イオンを洗浄する際の妨げとなり、洗浄処理をより多く繰り返さなければならな くなることがある。一方、アンモニア水の場合にはこのようなことがなぐ洗浄処理をよ り円滑に行うことができる。ただし、アンモニア水は凝集剤としても機能するため、中 和剤としてアンモニア水を用いる場合には、アンモニア水の添カ卩開始力も酸溶解終 了までの処理を 24時間以内、中でも 12時間以内に行うことが望ましい。それ以上の 時間が経過すると、作業効率が悪化する傾向がある。
[0029] 中和剤の添カ卩は、 pHを上記範囲となるように管理しながら添加すればよぐバッチ 式、半連続式、連続式で行うことができる。例えば、予め中和槽にインジウム含有溶 液を所定量張込み、攪拌下、アルカリィ匕合物又はその水溶液を添加するようにしても よいし、中和槽にインジウム含有溶液とアルカリィ匕合物又はその水溶液とを同時に添 カロするようにしてもよい。また、ー且アルカリ溶液の添加を中断し、十分に析出するよ うに熟成したり、別途種晶として水酸化インジウム結晶を添加したりすると、良好な水 酸化インジウム結晶を得ることができる。
[0030] 中和工程は、中和熱の発生により系内の温度が上昇する力 20°C〜80°Cの温度 範囲で行うのがよぐ必要に応じて加熱 ·冷却の温度調節を行うとよい。また、中和終 了時、 5°C程度まで冷却して析出を促すようにしてもよ!、。
[0031] なお、中和剤を添加する際には、溶液を十分に攪拌しながら中和すると、系内の急 激な pHの変動や中和熱の発生を抑制することができ、良好な水酸化インジウム結晶 を得ることができる。
[0032] 中和処理によって、インジウム (イオン）は、水酸化インジウムとして析出するので、こ の析出した中和沈澱物を固液分離して湿結晶の水酸化インジウムとして回収する。こ の際の固液分離方法は、特に限定されるものではなぐ例えば吸引濾過等の真空濾 過、フィルタープレス等の加圧濾過、デカンターや遠心分離等の固液分離方法を採 用することができる。
[0033] (不動態形成原因イオン洗浄工程）
次に、中和工程後に回収した中和沈澱物を、インジウムが溶解されない液体（「浸 漬液」ともいう）に浸漬させ、後の置換析出工程で金属板上に不動態を形成する原因 となるイオン (不動態形成原因イオン)を該液体中に溶解させて、この溶解液を除去 するという処理を 1回以上行うことにより、中和沈澱物表面に付着した母液や中和沈 澱物の凝集体内部に取り込まれた母液を浸漬液に置換させるようにして不動態形成 原因イオンを洗浄除去する。不動態形成原因イオンを洗浄除去することによって、後 の置換析出工程を効率的に行うことができる。
[0034] ここで、不動態形成原因イオンとしては、 In以外の金属、例えば Fe、 Co、 Cr、 Ni等 の金属のイオン、並びに、これら金属イオンと塩を形成する硝酸イオン (NO―)、フッ
3 化物イオン (F— )等の陰イオンを挙げることができる。出発原料としてインジウム含有硝 酸溶液を用いる場合には主に硝酸イオン (NO ")が不動態形成原因イオンとなり、ィ
3
ンジゥム含有フッ酸溶液を用いる場合には主にフッ素イオン (F— )及びフッ化水素ィォ ン (HF ")等が不動態形成原因イオンとなる。
2
[0035] また、インジウムが溶解されな ヽが、不動態形成原因イオンは溶解する浸漬液とし ては、水、メタノールやエタノールといった低級アルコール、又はそれらの混合物等を 挙げることができる力 最も好ましいのは水である。
[0036] 不動態形成原因イオン洗浄処理は、少なくとも 1回以上行えばよぐ 2回以上に分 けて行うと、浸漬液の使用量を低減することができる点や、不動態形成原因イオンを 短時間で除去することができる点で効率的である。また、中和沈澱物を浸漬液に投 入して適宜時間攪拌するようにすればよ!、。
[0037] また、不動態形成原因イオン洗浄処理で使用する浸漬液の量や処理時間は、特に 限定するものではない。また、溶解する際の浸漬液の温度は、特に制限するもので はな 、が、効率の観点から室温程度からさらに加温するようにしてもょ 、。
[0038] この際、不動態形成原因イオンの除去の程度としては、次工程にお!、て洗浄処理 済物を酸で溶解した酸溶解液中の硝酸イオン濃度が 26000ppm未満、中でも 2500 Oppm以下、特に lOOOOppm以下、中でち特に 5000ppm以下になるように行うの力 S 好ましい。溶解液中の硝酸イオン濃度が 26000ppm未満であれば、後の置換析出 工程にお 、て、金属板の金属イオンとの置換によってスポンジインジウムが析出する よう【こなり、中でち 25000ppm以下、特【こ lOOOOppm以下、中でち特【こ 5000ppm以 下であれば好適にスポンジインジウムの析出を促すことができる。
[0039] (酸溶解工程）
次に、上記不動態形成原因イオン洗浄処理で得られた洗浄処理済物を酸によって 溶解させる。
[0040] 不動態形成原因イオン洗浄処理を行うことにより、本工程で用いることができる酸の 種類が広がり、硫酸、塩酸等の無機酸を用いることができる。中でもインジウムの溶解 度が高ぐ溶解時の安定性に優れ安価である点で無機酸を用いるのが好ましぐそ の中でも特に硫酸を用いるのが好まし 、。
[0041] 用いる酸の濃度は特に限定するものではないが、溶解性の観点で 10〜500gZL の範囲に調整するのが好ましい。硫酸を用いる場合には pHを 1以下、好ましくは pH 0. 5以下の硫酸とするのがよい。
[0042] また、酸溶解の温度は、酸を添加する際の溶解熱の他、温度調節をして 40°C以上 に調整するのが好ましぐ効率的には 55〜60°Cの範囲であるのが好ましい。 [0043] なお、浸出処理を実施する際に攪拌を行うのが好ましい。
[0044] 酸溶解して得られる液は、必要に応じて、適宜時間例えば 1時間程度攪拌した後、 必要に応じて適宜静置し、固液分離により溶解残渣を除去して酸溶解液を回収する
[0045] (置換析出工程）
次に、上記工程で得られた酸溶解液を反応槽に入れ、金属板、好ましくはアルミ- ゥム板を浸し、該金属板の金属（例えばアルミニウム）と置換反応させてスポンジイン ジゥムを析出させるようにする。
[0046] 置換反応させる際の酸溶解液の pHは 0. 5よりも低いか或いは 1. 5よりも高いと、ィ ンジゥムと金属、例えばアルミニウムとの置換反応性が低下するので、酸溶解液の p H値は、例えばアルカリ化合物や水等を添加することによって 0. 5〜1. 5の範囲内 に調整することが好ましい。この際、添加するアルカリィ匕合物としては、水酸化ナトリウ ム、水酸ィ匕カリウム、水酸ィ匕カルシウム、アンモニア、又はこれらの水溶液等を挙げる ことができる。また、水を添加して pHを調整する場合は、酸溶解液中のインジウム濃 度が低下し過ぎな 、ようにするとよ 、。
[0047] インジウムと金属、例えばアルミニウムとの置換反応は、液の温度力 0°Cよりも低く なるにつれて急激に低下する傾向があり、その結果としてスポンジインジウムの析出 量が低下する。逆に、温度が高くなり過ぎると、作業性、熱エネルギーの損失等の点 で問題となる。従って、この置換反応を実施する際の温度は、好ましくは 40°C以上で あり、より好ましくは 45°C〜60°Cの範囲である。
[0048] なお、粉末状や粒状の金属、好ましくは亜鉛粉末 (粒状)を添加し、該粉末状や粒 状の金属（例えば亜鉛）と置換反応させてスポンジインジウムを析出させることも可能 である。
[0049] (メタル化工程）
次 、で、上記のようにして得られたスポンジインジウムをメタル化して塊状のインジゥ ム含有メタルを得る。
[0050] メタルイ匕の具体的方法は特に限定するものではないが、アルカリ熔铸するのが好ま しい。スポンジインジウムは酸ィ匕され易いが、アルカリ熔铸を行うことにより、即ち、少 なくともインジウムの融点（156°C)以上に加熱したアルカリ溶液中で铸造することによ り酸ィ匕を防止することができ、さらにはスポンジインジウムの表面に存在して 、た酸ィ匕 被膜並びにスポンジインジウム中の不純物を分離、除去することもできる。
[0051] アルカリ溶铸に使用するアルカリィ匕合物については特には限定されないが、工業 的には水酸ィ匕ナトリウムを用いるのが好ましい。このアルカリ熔铸により得られるイン ジゥム含有メタルは、インジウム品位が高 、ものとなる。
[0052] なお、上記説明した実施形態は本発明の一例であって、本発明による効果を妨げ ない限り、上記工程に別の工程を挿入したり、各工程の順序を入れ替えたりすること も可能である。
実施例
[0053] (分析方法）
インジウムやその他の金属の定量は ICP発光分光法により、また、硝酸イオン濃度 の定量はイオンクロマト法により分析した。
[0054] (回収原料）
以下の試験で用いた回収原料は、 ITO薄膜製造時に飛散した ITO粉末を硝酸に 溶解し回収して得られたインジウム含有硝酸溶液 (pH = 0)を用いた。このインジウム 含有硝酸溶液をイオンクロマトで分析したところ、 In24gZL、 SnO. 06g/L, AllOg ZL、 MgO. 23g/ ZnO. 03g/L, FeO. 04g/L, CrO. OlgZL未満を含んで いた。
[0055] (試験 1)
上記インジウム含有硝酸溶液 2500mLに室温（20°C)の水 500mLをカ卩え、さらに 25%アンモニア水をカ卩えて pH4. 5に調整した後、 0. 5時間攪拌し、次いで 0. 5時 間静置して水酸化インジウムを析出させスラリーを得た。このスラリーをヌッチェ (濾紙 ：東洋濾紙 (株)社製 No. 4Α、 φ 150mm)を用い、ヌッチェにスラリーを投入してから 2時間吸引濾過を行って 1300gの中和沈澱物 (含水率 60%)を回収した。この時、 分離した母液中の硝酸イオン (NO―)濃度は、 140000ppmであった。
3
[0056] 次に、この中和沈澱物 1300gを 2000mLの水（20°C)に投入して 10分間攪拌した 後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を除去するという洗浄処 理を 2回繰り返した。洗浄処理済物を 1800mLの水に投入し、濃硫酸を加えて pHO . 5に調整して酸溶解させた。このときの硝酸イオン (NO— )濃度は 4600ppmであつ
3
た。
[0057] 次 、で、酸溶解液が 60°Cを超えな 、ように温度制御しながら 1時間攪拌し、ヌッチ ェ (濾紙：東洋濾紙 (株)社製 No . 4Α、 φ 150mm)を用 V、て濾過して未溶解の固体 残渣を除去し、酸溶解液を回収した。
[0058] 酸溶解液を pHO. 7に調整した後、幅 100mm、長さ 300mm、厚さ 6mmのアルミ- ゥム板を浸漬させ、液温を 50°Cになるように温度制御しながら、攪拌下、 8時間置換 反応を継続した。そして、置換反応によって析出したスポンジインジウムを回収し、水 分等を除去した後、水酸ィ匕ナトリウムを用いてアルカリ熔铸を行い、インジウムメタル を金型に抜き出し、インジウム含有メタルを得た。
[0059] こうして得られたインジウム含有メタルの量は 58gであった。このインジウム含有メタ ルのインジウム品位は 97%で、回収原料に含まれて!/、たインジウムからのインジウム 採取率は 94%であった。
[0060] (試験 2)
試験 1同様に中和沈澱物 (含水率 60%) 1300gを得た。この時、分離した母液中の 硝酸イオン (NO— )濃度は、 140000ppmであった。
3
[0061] 次に、試験 1の洗浄処理に換えて、一回目の洗浄は 2000mLの水（20°C)に投入 して 10分間攪拌した後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を 除去した後、二回目の洗浄として lOOOmLの水（20°C)に投入して 15分間攪拌した 後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を除去した。洗浄処理済 物を 1800mLの水に投入し、濃硫酸をカ卩えて pHO. 5に調整して酸溶解させた。この ときの硝酸イオン (NO―)濃度は 9000ppmであった。
3
[0062] 次 、で、酸溶解液が 60°Cを超えな 、ように温度制御しながら 1時間攪拌し、ヌッチ ェ (濾紙：東洋濾紙 (株)社製 No . 4Α、 φ 150mm)を用 V、て濾過して未溶解の固体 残渣を除去し、酸溶解液を回収した。
[0063] 酸溶解液を pHO. 7に調整した後、幅 100mm、長さ 300mm、厚さ 6mmのアルミ- ゥム板を浸漬させ、液温を 50°Cになるように温度制御しながら、攪拌下、 8時間置換 反応を継続した。そして、置換反応によって析出したスポンジインジウムを回収し、水 分等を除去した後、水酸ィ匕ナトリウムを用いてアルカリ熔铸を行い、インジウムメタル を金型に抜き出し、インジウム含有メタルを得た。
[0064] こうして得られたインジウム含有メタルの量は 55gであった。このインジウム含有メタ ルのインジウム品位は 95%で、回収原料に含まれて!/、たインジウムからのインジウム 採取率は 87%であった。
[0065] (試験 3)
試験 1同様に中和沈澱物 (含水率 60%) 1300gを得た。この時、分離した母液中の 硝酸イオン (NO— )濃度は、 140000ppmであった。
3
[0066] 次に、試験 1の洗浄処理に換えて、一回目の洗浄は 2000mLの水（20°C)に投入 して 10分間攪拌した後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を 除去した後、二回目の洗浄として lOOOmLの水（20°C)に投入して 10分間攪拌した 後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を除去した。洗浄処理済 物を 1800mLの水に投入し、濃硫酸をカ卩えて pHO. 5に調整して酸溶解させた。この ときの硝酸イオン (NO―)濃度は lOOOOppmであった。
3
[0067] 次 、で、酸溶解液が 60°Cを超えな 、ように温度制御しながら 1時間攪拌し、ヌッチ ェ (濾紙：東洋濾紙 (株)社製 No . 4Α、 φ 150mm)を用 V、て濾過して未溶解の固体 残渣を除去し、酸溶解液を回収した。
[0068] 酸溶解液を pHO. 7に調整した後、幅 100mm、長さ 300mm、厚さ 6mmのアルミ- ゥム板を浸漬させ、液温を 50°Cになるように温度制御しながら、攪拌下、 8時間置換 反応を継続した。そして、置換反応によって析出したスポンジインジウムを回収し、水 分等を除去した後、水酸ィ匕ナトリウムを用いてアルカリ熔铸を行い、インジウムメタル を金型に抜き出し、インジウム含有メタルを得た。
[0069] こうして得られたインジウム含有メタルの量は 54gであった。このインジウム含有メタ ルのインジウム品位は 95%で、回収原料に含まれて!/、たインジウムからのインジウム 採取率は 86%であった。
[0070] (試験 4)
試験 1同様に中和沈澱物 (含水率 60%) 1300gを得た。この時、分離した母液中の 硝酸イオン (NO— )濃度は、 140000ppmであった。
3
[0071] 次に、試験 1の洗浄処理に換えて、一回目の洗浄は 2000mLの水（20°C)に投入 して 15分間攪拌した後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を 除去した。洗浄処理済物を 1800mLの水に投入し、濃硫酸をカ卩えて pHO. 5に調整 して酸溶解させた。このときの硝酸イオン (NO―)濃度は 25000ppmであった。
3
[0072] 次 、で、酸溶解液が 60°Cを超えな 、ように温度制御しながら 1時間攪拌し、ヌッチ ェ (濾紙：東洋濾紙 (株)社製 No . 4Α、 φ 150mm)を用 V、て濾過して未溶解の固体 残渣を除去し、酸溶解液を回収した。
[0073] 酸溶解液を pHO. 7に調整した後、幅 100mm、長さ 300mm、厚さ 6mmのアルミ- ゥム板を浸漬させ、液温を 50°Cになるように温度制御しながら、攪拌下、 8時間置換 反応を継続した。このとき、置換反応によって析出したスポンジインジウム量が不十分 であったため、さらに 24時間置換反応を延長した。そして、析出したスポンジインジゥ ムを回収し、水分等を除去した後、水酸ィ匕ナトリウムを用いてアルカリ熔铸を行い、ィ ンジゥムメタルを金型に抜き出し、インジウム含有メタルを得た。
[0074] こうして得られたインジウム含有メタルの量は 17gであった。このインジウム含有メタ ルのインジウム品位は 80%で、回収原料に含まれて!/、たインジウムからのインジウム 採取率は 23%であった。
[0075] (試験 5)
試験 1同様に中和沈澱物 (含水率 60%) 1300gを得た。この時、分離した母液中の 硝酸イオン (NO— )濃度は、 140000ppmであった。
3
[0076] 次に、試験 1の洗浄処理に換えて、一回目の洗浄は 2000mLの水（20°C)に投入 して 10分間攪拌した後、攪拌を止め 0. 5時間静置しデカンテーシヨンにより水相を 除去した。洗浄処理済物を 1800mLの水に投入し、濃硫酸をカ卩えて pHO. 5に調整 して酸溶解させた。このときの硝酸イオン (NO―)濃度は 26000ppmであった。
3
[0077] 次 、で、酸溶解液が 60°Cを超えな 、ように温度制御しながら 1時間攪拌し、ヌッチ ェ (濾紙：東洋濾紙 (株)社製 No . 4Α、 φ 150mm)を用 V、て濾過して未溶解の固体 残渣を除去し、酸溶解液を回収した。
[0078] 酸溶解液を pHO. 7に調整した後、幅 100mm、長さ 300mm、厚さ 6mmのアルミ- ゥム板を浸漬させ、液温を 50°Cになるように温度制御しながら、攪拌下、 8時間置換 反応を継続した。このとき、置換反応によってスポンジインジウムの析出を目視にて確 認できなかったため、さらに 24時間置換反応を延長した力 スポンジインジウムは析 出しなかった。

Claims

請求の範囲
[1] インジウム含有溶液を中和し、得られた中和沈澱物を、インジウムが溶解されない 液体に浸漬させて、後の置換析出工程で金属板上に不動態を形成する原因となるィ オンを該液体中に溶解させ、この溶解液を除去する不動態形成原因イオン洗浄処理 を 1回以上行い、得られた洗浄処理済物を酸に溶解させて酸溶解液とし、該酸溶解 液中に金属板を浸して当該金属との置換反応によりスポンジインジウムを析出させ、 このスポンジインジウムからインジウム含有メタルを得ることを特徴とするインジウム含 有メタルの製造方法。
[2] 不動態形成原因イオン洗浄処理は、酸溶解液中の硝酸イオン濃度が 26000ppm 未満になることを目安として行うことを特徴とする請求項 1に記載のインジウム含有メタ ルの製造方法。
[3] スポンジインジウムをアルカリ熔铸してインジウム含有メタルを得ることを特徴とする 請求項 1又は 2に記載のインジウム含有メタルの製造方法。
[4] インジウム含有溶液を中和する際、中和剤としてアンモニア水を用いることを特徴と する請求項 1又は 2に記載のインジウム含有メタルの製造方法。
[5] アンモニア水で中和する場合において、アンモニア水の添カ卩開始力も酸溶解終了 までの処理を 24時間以内に行うことを特徴とする請求項 4に記載のインジウム含有メ タルの製造方法。
PCT/JP2006/304455 2006-03-08 2006-03-08 インジウム含有メタルの製造方法 Ceased WO2007102207A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2006800210022A CN101198710B (zh) 2006-03-08 2006-03-08 含铟金属的制造方法
PCT/JP2006/304455 WO2007102207A1 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 インジウム含有メタルの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2006/304455 WO2007102207A1 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 インジウム含有メタルの製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007102207A1 true WO2007102207A1 (ja) 2007-09-13

Family

ID=38474656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/304455 Ceased WO2007102207A1 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 インジウム含有メタルの製造方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN101198710B (ja)
WO (1) WO2007102207A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113481370A (zh) * 2021-07-01 2021-10-08 广东先导稀材股份有限公司 一种从含铟废滤纸中回收铟和纸浆的方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309215A (en) * 1978-03-06 1982-01-05 Klockner-Humboldt-Deutz Ag Method for the cementation of metals
JPS61257438A (ja) * 1985-05-07 1986-11-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 亜鉛、カドミウム精製中間物よりインジウムを回収する方法
JPS63140047A (ja) * 1986-12-02 1988-06-11 Nippon Mining Co Ltd 酸性溶液中のインジウムの回収方法
JPH09268334A (ja) * 1996-04-04 1997-10-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd インジウムの回収方法
JPH11269570A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Dowa Mining Co Ltd インジウム含有物からインジウムを回収する方法
JP2001348632A (ja) * 2000-06-09 2001-12-18 Nikko Materials Co Ltd インジウムの回収方法
JP2002201025A (ja) * 2000-12-28 2002-07-16 Nikko Materials Co Ltd 水酸化インジウム又はインジウムの回収方法
WO2005095659A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. インジウム含有メタルの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309215A (en) * 1978-03-06 1982-01-05 Klockner-Humboldt-Deutz Ag Method for the cementation of metals
JPS61257438A (ja) * 1985-05-07 1986-11-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 亜鉛、カドミウム精製中間物よりインジウムを回収する方法
JPS63140047A (ja) * 1986-12-02 1988-06-11 Nippon Mining Co Ltd 酸性溶液中のインジウムの回収方法
JPH09268334A (ja) * 1996-04-04 1997-10-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd インジウムの回収方法
JPH11269570A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Dowa Mining Co Ltd インジウム含有物からインジウムを回収する方法
JP2001348632A (ja) * 2000-06-09 2001-12-18 Nikko Materials Co Ltd インジウムの回収方法
JP2002201025A (ja) * 2000-12-28 2002-07-16 Nikko Materials Co Ltd 水酸化インジウム又はインジウムの回収方法
WO2005095659A1 (ja) * 2004-03-31 2005-10-13 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. インジウム含有メタルの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113481370A (zh) * 2021-07-01 2021-10-08 广东先导稀材股份有限公司 一种从含铟废滤纸中回收铟和纸浆的方法
CN113481370B (zh) * 2021-07-01 2023-02-17 广东先导稀材股份有限公司 一种从含铟废滤纸中回收铟和纸浆的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101198710A (zh) 2008-06-11
CN101198710B (zh) 2010-09-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4647695B2 (ja) Ｉｔｏスクラップからの有価金属の回収方法
KR101155359B1 (ko) Ｉｔｏ 스크랩으로부터의 유가 금속의 회수 방법
WO2008053618A1 (fr) Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito
WO2008053620A1 (fr) Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito
JP6307709B2 (ja) インジウム又はインジウム合金の回収方法及び装置
WO2008053619A1 (fr) Procédé pour recueillir un métal de valeur à partir de fragments d'ito
CN106381399A (zh) 一种从高碲渣料中回收碲的方法
KR101251887B1 (ko) 인듐함유 폐산의 진공증발 및 농축에 의한 인듐 및 산의 회수방법
JP2005314786A (ja) インジウムの回収方法
JP2010138490A (ja) 亜鉛の回収方法等
JP5217480B2 (ja) 粗インジウムの回収方法
JP5651544B2 (ja) 酸化インジウムスズの回収方法及び酸化インジウムスズターゲットの製造方法
CN1938438B (zh) 含铟金属的制造方法
CN108070722B (zh) 一种从银电解母液沉铜渣中回收有价金属的方法
JP4723878B2 (ja) インジウム含有メタルの製造方法
WO2007102207A1 (ja) インジウム含有メタルの製造方法
JP3933869B2 (ja) 水酸化インジウム又はインジウムの回収方法
JP2011106010A (ja) 有機溶媒を用いたインジウムとスズの分離方法等
KR100919171B1 (ko) 인듐 함유 메탈의 제조 방법
JP5339762B2 (ja) インジウムメタルの製造方法
KR100639932B1 (ko) Ｉｔｏ 에칭폐액으로부터 산 회수 및 인듐, 주석을 회수하는 방법
JP2006241571A (ja) インジウム含有メタルの製造方法
TWI293985B (en) Method for manufacturing indium-containing metal
JP5177471B2 (ja) 水酸化インジウム又はインジウムの回収方法
JP2006348340A (ja) インジウム・スズ含有メタルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680021002.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077027596

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06715375

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP