JP5651544B2 - 酸化インジウムスズの回収方法及び酸化インジウムスズターゲットの製造方法 - Google Patents

酸化インジウムスズの回収方法及び酸化インジウムスズターゲットの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、酸化インジウムスズの回収方法及び酸化インジウムスズターゲットの製造方法に関する。
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイにおいては、電極として酸化インジウムスズ(以下、「ITO」という)膜たる透明導電膜が用いられている。ITO膜の成膜には、量産性等を考慮してスパッタリング装置が広く利用され、この種のスパッタリング装置としては、インジウムスズからなるターゲットを用い、酸素ガスを導入した反応性スパッタリングによりITO膜を成膜するものやITO製のターゲットを用い、当該ターゲットに高周波電力を投入してITO膜を成膜するものがある。
ここで、スパッタリング装置による成膜方法は収率が低いことが一般に知られている。他方、上記ターゲットに含まれるインジウムは、資源的に乏しい希少金属である。このため、インジウムを有効利用して製造コストの低下を図る等のためには、ターゲットライフまで使用した使用済みのターゲットを回収して再利用するだけでなく、成膜時、真空チャンバに設置したシールドやアノード部材等のスパッタリング装置の構成部品に付着、堆積したものまで回収して再利用する必要があるが、使用済みのターゲットや構成部品から回収したもの(以下、これらを「ITOスクラップ」という)には、アルミニウムや鉄といった不純物が含まれている。ITO製のターゲットに不純物が含まれていると、成膜したITO膜の抵抗値が高くなり、フラットパネルディスプレイの電極として利用できない場合が生じる。
従来、ITOスクラップから高純度でインジウムを回収する方法は例えば特許文献1で知られている。このものでは、先ず、ITOスクラップを塩酸に溶解させ、溶解した溶解液のpHが0.5〜4になるようにアルカリ溶液を添加して中和する。これにより、スズのみが水酸化スズとして沈殿する。次に、水酸化スズを除去した後、硫化水素ガスを吹き込んで銅や亜鉛を硫化銅や硫化亜鉛として析出させる。最後に、硫化銅及び硫化亜鉛を除去し、電気分解することでインジウムが回収される。然し、上記従来例のものでは、インジウムとスズとを分離回収するため、ITOスクラップから高純度のITOターゲットを再生する上で効率のよいものではなかった。つまり、一旦分離回収したインジウムとスズとを夫々酸化させて酸化インジウム及び酸化スズとし、これら酸化インジウム及び酸化スズを混錬し、混錬により得られた混錬物を成形し、成形したものを焼成するといった多くの工程が必要となり、ターゲット再生の生産性も悪い。
特開2000−169991号公報
本発明は、以上の点に鑑み、ITOスクラップから高純度のITOとして回収することができる酸化インジウムスズの回収方法及びターゲット再生の生産性のよい酸化インジウムスズターゲットの製造方法を提供することをその課題とする。
上記課題を解決するために、本発明のITOの回収方法は、酸化インジウムスズ含有のスクラップを酸に溶解させて所定の溶解液を得る第1工程と、この溶解液にアルカリ溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る第2工程と、スラリー液を水熱反応させて酸化インジウムスズを含む水和物を析出させる第3工程と、前記水和物を所定温度で乾燥する第4工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、第1工程にてITOスクラップを溶解し、第2工程にて溶解した溶解液にアルカリ溶液を添加して中和させた後、第3工程にてインジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を水熱反応させる。これにより、スラリー液中にインジウムやスズ以外の不純物が溶解した状態となり、ITOの水和物が析出する。このため、析出したITOの水和物は高純度となる。そして、第4工程にて水和物を所定温度で乾燥すれば、高純度のITOが回収される。
このように本発明は、ITOスクラップから高純度でITOを直接回収でき、しかも、この回収したITOからITOターゲットを再生する場合、インジウムとスズとを分離回収してITOターゲットを再生する上記従来例と比較して、少ない工程数でITOターゲットを再生できるため、ターゲット再生の生産性がよく、製造コストの低下を図ることができる。
本発明において、ITOを高い回収率で回収するために、スラリー液をpH5〜6の範囲内に調整することが望ましい。pH5未満では、析出反応が不十分となるためITOの回収率が低くなり(50%未満)、他方、pH6を超えると、水熱反応中にスラリー液に不純物が溶解し難くなり、回収したITO中の不純物濃度が高くなる。
本発明において、水熱反応の反応温度を50℃〜240℃の範囲内に設定することが望ましい。これにより、スラリー液中にインジウムやスズ以外の不純物が溶解した状態でITOの水和物が確実に析出させることができる。反応温度が50℃未満では、析出速度が過剰に遅くなるという不具合があり、240℃を超えると、容器が溶け出し(腐食し)コンタミの原因となるという不具合がある。
ところで、ITOスクラップが、例えば一般のスパッタリング装置で用いられるアルミナ製の防着板から回収したものである場合、このITOスクラップには、アルミやアルミの酸化物が不純物として多く含まれていることが多い。このような場合には、第1工程に先立ち、当該ITOスクラップをアルカリ溶液に溶解させる工程を更に含むことが望ましい。ITOスクラップに含まれるアルミニウムを事前に除去しておくことで、水熱反応における不純物除去効果を高く維持することができ、回収されるITOの純度を一層高めることができる。
また、本発明のITOターゲットの製造方法は、請求項1乃至4の何れか1項記載のITOの回収方法により得られたITOの水和物を乾燥し焼成してITOターゲットを製造することを特徴とする。これによれば、ITOの水和物を乾燥及び焼成するという簡単な工程により、ITOターゲットを製造できる。
本発明の実施形態のITOの回収方法を説明する工程図。 本発明の他の実施形態のITOの回収方法を説明する工程図。 本発明の実施例1を示す表。 本発明の実施例2を示す表。 本発明の実施例3を示す表。 本発明の実施例4を示す表。 本発明の実施例5を示す表。
以下、図面を参照して、使用済みのITOターゲットを粉砕してITOスクラップを作製し、このITOスクラップからITOを回収する場合を例に、本発明の実施形態のITOの回収方法及び酸化インジウムスズターゲットの製造方法を説明する。ITOターゲットの粉砕方法としては、ロールミルやクラッシャー等が挙げられる。このとき、ITOスクラップは粉砕されていればよく、粉砕後の平均粒径は特に限定されない。
第1工程では、上記ITOスクラップが酸に溶解される。酸としては、ITOスクラップを溶解し得るものであれば特に限定はなく、例えば、塩酸、硫酸及び硝酸を用いることができ、特に、ITOに対する溶解能の高い塩酸を用いることが好ましい。
第2工程では、上記溶解液にアルカリ溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物(水酸化インジウム及び水酸化スズ)を含むスラリー液を得る。アルカリ溶液としては、例えば25%水酸化ナトリウム溶液を用いることができる。この場合、スラリー液の濃度は、10〜500g/lの範囲内であることが望ましい。10g/l未満では、回収されるITOの量が少なく生産効率が悪く、他方、500g/lを超えると、粘度が高くなり過ぎて流動性がなくなるため、作業性が悪くなるという不具合がある。
次に、pH調整工程として、上記スラリー液にアルカリ溶液が更に添加され、pHが5〜6の範囲内に調整される。添加するアルカリ溶液としては、例えば25%水酸化ナトリウム溶液を用いることができる。pH5未満では、析出反応が不十分となり、ITOの回収率が50未満になってしまう。pH6を超えると、後述する水熱反応時にスラリー液中に不純物が溶解し難くなり、回収されるITOに含まれる不純物の濃度が高くなる。
第3工程では、上記各工程を経たスラリー液が水熱反応される。水熱反応には次の水熱反応装置が用いられる。即ち、水熱反応装置としては、スラリー液を注入する内筒とステンレス製の外筒とからなる公知のオートクレーブ(「密閉式溶解るつぼ」ともいう)と、このオートクレーブを収容して加熱する恒温槽とで構成されるものが用いられる。
上記水熱反応装置にて水熱反応させる場合、先ず、るつぼ内に上記スラリー液を注入し、るつぼを恒温槽の所定位置に設置する。そして、恒温槽によりるつぼを所定温度に加熱する。これにより、スラリー液中に不純物が溶解した状態で、ITOの水和物が析出する。このため、析出したITOの水和物は高純度となる。水熱反応の反応温度は、50℃〜240℃に調整することが望ましい。このとき、るつぼ内の圧力は、123.39hPa〜36078.98hPaとなる。50℃未満では、ITOの水和物が析出しないか、析出しても水和物の量が少ない。他方、240℃を超えると、AlやFeの析出が始まり、不純物の除去性能が低下する。水熱反応の反応時間は、反応温度に応じて、例えば2min〜4hの範囲内で設定できる。
水熱反応後の液を濾別した後、第4工程では、ITOの水和物を洗浄し、乾燥することで、粒径が0.1〜2μm(SEM観察結果による)の一次粒子が凝集した二次粒子の状態で平均粒径が1〜5μmの範囲内のITOの粉末が回収される。水和物の洗浄液としては、主に水が用いられる。また、乾燥温度は、例えば90℃に設定できる。
上記にて回収されたITOからITOターゲットを再生する場合、公知の構造の成形機を用いて所定形状に成形した後、成形されたものを所定の条件下で焼成することで、ITOターゲットが製造(再生)される。焼成条件としては、例えば、大気中で、焼成温度を500℃、焼成時間を1hに設定すればよい。
以上によれば、ITOスクラップを塩酸に溶解し、溶解した溶解液に水酸化ナトリウム溶液を添加して中和させた後、中和により得られたインジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を水熱反応させる。このとき、スラリー液中にインジウムやスズ以外の不純物が溶解した状態で、ITOの水和物が析出する。このため、析出したITOの水和物は高純度のものとなる。そして、このITOの水和物を所定温度で乾燥すれば、高純度のITOの粉末が回収される。従って、ITOスクラップから高純度でITOを直接回収できる。しかも、水熱反応前に先立ち、スラリー液をpH5〜6の範囲内に調整することでITOの回収率を50%以上にすることができる。
これにより、回収したITOからITOターゲットを再生すれば、インジウムとスズとを分離回収してITOターゲットを製造する従来方法に比べて、少ない工程数でITOターゲットを再生できるため、ターゲット再生の生産性がよく、製造コストの低下を図ることができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態では、アルカリ溶液として水酸化ナトリウム溶液を用いる場合について説明したが、水酸化ナトリウム溶液以外のアルカリ溶液を用いる場合でもITOスクラップから高純度のITOを回収できることを確認した。
また、上記実施形態では、ITOスクラップをITOターゲットを粉砕したものとしたが、スパッタリング装置の構成部品たる防着板から剥離回収したものとできる。図2を参照して、本発明の他の実施形態について、防着板から剥離回収したITOスクラップからITOを回収する場合を例に説明する。
防着板から剥離したITOスクラップは一般にアルミニウムを含む。そこで、本実施形態では、上記第1工程に先立ち、アルカリ溶解工程を行う。アルカリ溶解工程では、ITOスクラップをアルカリ溶液に溶解させ、ITOスクラップに含まれるアルミニウムを溶解除去する。アルカリ溶液としては、例えば25%水酸化ナトリウム溶液を用いることができる。なお、アルカリ溶解工程以外の工程については、上記実施形態と同じであるため、その説明を省略する。
本実施形態によれば、ITOスクラップに含まれるアルミニウムを事前に除去しておくことで、水熱反応中にスラリー液に溶解するアルミニウムの量が減少するため、水熱反応における不純物除去効果を高く維持することができ、回収されるITOの純度を一層高めることができる。
実施例1では、In及びSn並びに不純物であるAl及びFeを塩酸に溶解し、この溶解したものにその他の不純物を含む原子吸光分析用標準溶液を混合し、混合により得られたものを標準試料とした。この標準試料たる溶解液のICP発光分析を行なったところ、上記標準試料に含まれるIn-Snの濃度は94.15%(In:82.67%、Sn:11.48%)であり、In-Sn以外の不純物濃度は、Al:4.51%、Ca:0.1703%、Cu:0.0815%、Fe:0.7693%、Ni:0.0700%、Pb:0.0628%、Si:0.0846%、Zr:0.0961%であった。この溶解液に25%の水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、水酸化インジウム及び水酸化スズを含むスラリー液を得て、得られたスラリー液に25%水酸化ナトリウム溶液を更に添加してpHを5.02に調整した。なお、スラリー液の濃度は、100g/lであった。そして、pH調整後のスラリー液をオーエムラボテック社製の密閉式溶解るつぼに収容し、このるつぼを恒温槽に入れてスラリー液を水熱反応させ、ITOの水和物を析出させた。ここで、水熱反応の温度を50℃、220℃、230℃、240℃に設定し、反応時間を2分、5分、3時間、4時間、24時間に設定した。析出した水和物を濾別し、水洗し、90℃の温度で乾燥させて粉末(試料#1〜#16)を得た。この粉末を500℃の温度で焼成し、この焼成したもののX線回折分析を行ったところ、ITOであることが確認された。得られた粉末状のITOを塩酸に溶解させ、その溶解液のICP発光分析を行った結果を図3に示す。これによれば、In-Sn濃度が高い高純度のITO(試料#1〜#16)が回収されたことが確認された。特に、水熱反応の温度を50℃〜220℃に設定し、反応時間を5分〜3時間に設定した場合に、In-Sn濃度を97%以上に高めることができることが確認された(試料#2、3、7、8)。また、反応温度を230℃〜240℃に設定し、反応時間を5分〜1時間に設定した場合も、In-Sn濃度を97%以上に高めることができることが確認された(試料#10、11、14、15)。
実施例2では、スラリー液のpHを5.89に調整した以外は、実施例1と同様の方法とした。本実施例にて析出させたITOの水和物を濾別し、水洗し、90℃で乾燥させてITOの粉末(試料#21〜#36)を回収した。回収したITOを塩酸に溶解させ、その溶解液のICP発光分析を行った結果を図4に示す。これによれば、上記実施例1の結果と同様に、In-Sn濃度が高い高純度のITO(試料#21〜#36)が回収されたことが確認された。上記実施例1と同様に、水熱反応の温度を50℃〜220℃に設定し、反応時間を5分〜3時間に設定した場合に、In-Sn濃度を97%以上に高めることができることが確認された(試料#22、23、27、28)。また、反応温度を230℃〜240℃に設定し、反応時間を5分〜1時間に設定した場合も、In-Sn濃度を97%以上に高めることができることが確認された(試料#30、31、34、35)。
実施例3では、スラリー液のpHを6.50又は4.5に調整した以外は、実施例1と同様の方法とした。本実施例にて析出させたITOの水和物を濾別し、水洗し、90℃で乾燥させてITOの粉末(試料#41〜#44)を回収した。回収したITOを塩酸に溶解させ、その溶解液のICP発光分析を行った結果を図5に示す。これによれば、スラリー液のpHを6.50に調整した場合には、In-Sn濃度が低くなり、高純度のITOを回収できないことが確認された(試料#41、42)。また、pHを4.5に調整した場合には、ITOの回収率が40%以下と低くなることが確認された(試料#43、44)。
実施例4では、スラリー液の濃度を10g/l又は500g/lに調整した以外は、実施例1と同様の方法とした。本実施例にて析出させたITOの水和物を濾別し、水洗し、90℃で乾燥させてITOの粉末(試料#51〜#58)を回収した。回収したITOを塩酸に溶解させ、その溶解液のICP発光分析を行った結果を図6に示す。これによれば、スラリー液の濃度を10g/l〜500g/lの範囲内に調整すれば、In-Sn濃度を97%以上に高めることができることが確認された(試料#51〜#58)。
実施例5では、防着板から剥離回収したITOスクラップを用意した。このITOスクラップに含まれるIn-Snの濃度は72.71%(In:65.7%、Sn:7.01%)であり、In-Sn以外の不純物濃度は、Al:4.82%、Ca:0.001%、Cu:0.002%、Fe:0.023%、Ni:0.002%、Pb:0.005%、Si:0.05%、Zr:0.02%であった。このITOスクラップを25%水酸化ナトリウム溶液に1時間溶解させ、ITOスクラップに含まれるアルミニウムを溶解除去した。その結果、図7に示すように、Al濃度が0.028%に低減されたことが確認された。次いで、ITOスクラップを塩酸に溶解し、溶解により得られた溶解液に25%水酸化ナトリウム溶液を添加して中和し、水酸化インジウム及び水酸化スズを含むスラリー液を得て、得られたスラリー液に25%水酸化ナトリウム溶液を更に添加してpHを5.39に調整した。そして、pH調整後のスラリー液を水熱反応させ、ITOの水和物を析出させた。水熱反応の温度は220℃、反応時間は1hに設定した。析出させたITOの水和物を濾別し、水洗し、90℃の温度で乾燥させてITO粉末を回収した。回収したITO粉末を塩酸に溶解させ、その溶解液のICP発光分析を行った結果を図7に示す。これによれば、In-Sn濃度が99.90%と高い高純度のITOが回収されたことが確認された。

Claims (5)

  1. 酸化インジウムスズ含有のスクラップを酸に溶解させて所定の溶解液を得る第1工程と、
    前記溶解液にアルカリ溶液を添加して中和し、インジウムスズの水酸化物を含むスラリー液を得る第2工程と、
    前記スラリー液を水熱反応させて酸化インジウムスズを含む水和物を析出させる第3工程と、
    前記水和物を所定温度で乾燥する第4工程と、を含むことを特徴とする酸化インジウムスズの回収方法。
  2. 前記第3工程の水熱反応に先立ち、前記スラリー液をpH5〜6の範囲内に調整する工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の酸化インジウムスズの回収方法。
  3. 前記第3工程にて、水熱反応の反応温度を50℃〜240℃の範囲内に設定することを特徴とする請求項1または請求項2記載の酸化インジウムスズの回収方法。
  4. 前記第1工程に先立ち、酸化インジウムスズのスクラップをアルカリ溶液に溶解させる工程を更に含むことを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の酸化インジウムスズの回収方法。
  5. 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の酸化インジウムスズの回収方法を実施して回収した酸化インジウムスズを所定形状に成形する工程と、成形されたものを所定の条件下で焼成する工程とを含むことを特徴とする酸化インジウムスズターゲットの製造方法。
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